JPS6141151A - レジストパタ−ンの形成法 - Google Patents
レジストパタ−ンの形成法Info
- Publication number
- JPS6141151A JPS6141151A JP16330684A JP16330684A JPS6141151A JP S6141151 A JPS6141151 A JP S6141151A JP 16330684 A JP16330684 A JP 16330684A JP 16330684 A JP16330684 A JP 16330684A JP S6141151 A JPS6141151 A JP S6141151A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- resist pattern
- pattern
- resist
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、印刷配線板用基板上に、めつきレジスト、エ
ツチングレジスト、ソルダーレジスト等として使用され
るレジストパターンを形成する方法に関する。
ツチングレジスト、ソルダーレジスト等として使用され
るレジストパターンを形成する方法に関する。
（従来の技術）
近年のＬＳＩの高集積化に伴ない、これを実装する印刷
配線板にも高密度化が要求されている。この様な高密度
印刷配線板の製造方法として代表的なものは、サブトラ
クト法やアディティブ法などがある。いずれの場合も、
フォトマスクを用いてめっきレジスト、エツチングレジ
スト、ソルダーレジスト等として使用するレジストパタ
ーンを形成する必要があり、しかも微細なパターンを形
成する場合、工程中でレジストパターンの影響が最も大
きく、エツチングやめっき後の仕上りパターンの密度や
寸法精度は、レジストパターンのパターン巾の寸法精度
で決定される。レジストパターン巾の精度を決定する主
要因は１）感光性レジストの解像度２） ］ＩｉＩ光
光源の平行度露光量３）フォトマスクと感光性レジスト
の密着度があげられる。
配線板にも高密度化が要求されている。この様な高密度
印刷配線板の製造方法として代表的なものは、サブトラ
クト法やアディティブ法などがある。いずれの場合も、
フォトマスクを用いてめっきレジスト、エツチングレジ
スト、ソルダーレジスト等として使用するレジストパタ
ーンを形成する必要があり、しかも微細なパターンを形
成する場合、工程中でレジストパターンの影響が最も大
きく、エツチングやめっき後の仕上りパターンの密度や
寸法精度は、レジストパターンのパターン巾の寸法精度
で決定される。レジストパターン巾の精度を決定する主
要因は１）感光性レジストの解像度２） ］ＩｉＩ光
光源の平行度露光量３）フォトマスクと感光性レジスト
の密着度があげられる。
この主要因中１）２）が最適条件であった場合、３）の
フォトマスクと感光性レジストとの密着度が、局所的な
レジストパターン巾の精度低下に主も影響な及ぼす。す
なわち、露光工程において局所的にレジストパターン巾
が太るのは、フォトマスクと感光性レジストとの間に気
泡を巻き込んだまま、露光を行なうからである。
フォトマスクと感光性レジストとの密着度が、局所的な
レジストパターン巾の精度低下に主も影響な及ぼす。す
なわち、露光工程において局所的にレジストパターン巾
が太るのは、フォトマスクと感光性レジストとの間に気
泡を巻き込んだまま、露光を行なうからである。
現在、印刷配線板用の一般的なフォトマスクには、ガラ
ス乾板とフィルムが使用されている。
ス乾板とフィルムが使用されている。
前者の最大の利点が寸法安定性にあるのに対し、後者の
フィルムでは、取り扱いの容易さ、合わせネガの作成が
可能である等の種々の利点を有しているため、フィルム
状フォトマスクの使用頻度がずばぬけて高い。
フィルムでは、取り扱いの容易さ、合わせネガの作成が
可能である等の種々の利点を有しているため、フィルム
状フォトマスクの使用頻度がずばぬけて高い。
しかし、この利点が逆に露光工程では欠点となることが
ある。すなわち一般的な印刷配＋Ｗａの露光工程とは １）印刷配線板用基材に感光性レジストを塗布またはラ
ミネートする。
ある。すなわち一般的な印刷配＋Ｗａの露光工程とは １）印刷配線板用基材に感光性レジストを塗布またはラ
ミネートする。
２）フォトマスクと １）の基材との位置合せを行う。
５）紫外線露光機ワークフレーム内で、フォトマスクと
１）の基材との密着を図るため、真空吸引を行なう。
１）の基材との密着を図るため、真空吸引を行なう。
４）紫外線露光を行ない配線パターンを焼き付ける。
５）真空吸引を解除した後、基材からフォトマスクを取
り除く。
り除く。
であるが、上記工程中微細回路パターンにおいては、３
）のフォトマスクと感光性レジストとの密着不足による
局所的なレジストパターンの太りが、フィルム状フォト
マスクでは非常に発生し易い。なぜならば、フィルムは
柔軟性を有しているため、気泡をフォトマスク中央部に
巻き込んだまま、基材と密着後、真空吸引しても、フォ
トマスクの四辺が先に真空密着してしまうため、フォト
マスク中央部の気泡はぬけきれない状態にある。また近
年の印刷配線板の高密度多層化により、基板両面へのパ
ターン形成が通常となっている。この場合、表裏のレジ
ストパターン形成には、合わせネガが使用される。合わ
せネガは、ネガの四辺の内、−辺を貼り合わせるため、
この様なネガでは真空吸引による気泡ぬきが、より一層
困難なものとなる。
）のフォトマスクと感光性レジストとの密着不足による
局所的なレジストパターンの太りが、フィルム状フォト
マスクでは非常に発生し易い。なぜならば、フィルムは
柔軟性を有しているため、気泡をフォトマスク中央部に
巻き込んだまま、基材と密着後、真空吸引しても、フォ
トマスクの四辺が先に真空密着してしまうため、フォト
マスク中央部の気泡はぬけきれない状態にある。また近
年の印刷配線板の高密度多層化により、基板両面へのパ
ターン形成が通常となっている。この場合、表裏のレジ
ストパターン形成には、合わせネガが使用される。合わ
せネガは、ネガの四辺の内、−辺を貼り合わせるため、
この様なネガでは真空吸引による気泡ぬきが、より一層
困難なものとなる。
この密着不足を解決するため、現状では１）露光機ワー
クフレーム内密着吸引後、密着吸引面を押圧して、フォ
トマスク中央部の気泡をぬく。
クフレーム内密着吸引後、密着吸引面を押圧して、フォ
トマスク中央部の気泡をぬく。
２）ワークフレーム内にダミー板を入れ、フォトマスク
と基板との間に巻き込んだ気泡のぬけ道を多くする。
と基板との間に巻き込んだ気泡のぬけ道を多くする。
等の方法が採用されているが、いずれも根本的な解決方
法とはなっていない。
法とはなっていない。
（発明の目的）
本発明の目的は印刷配線板用基板上に、微細なレジスト
パターンを容易に形成することが出来るレジストパター
ンの形成法を提供するものである。
パターンを容易に形成することが出来るレジストパター
ンの形成法を提供するものである。
（発明の構成）
本発明は、印刷配線板用上に形成した感光性樹脂層にフ
ォトマスクを貼り合せ露光し、フォトマスクを除去して
現像するレジストパターンの形成法に於て、フォトマス
クのパターンに支障のない箇所に１つ以上の貫通孔をあ
けることを特徴とするものである。
ォトマスクを貼り合せ露光し、フォトマスクを除去して
現像するレジストパターンの形成法に於て、フォトマス
クのパターンに支障のない箇所に１つ以上の貫通孔をあ
けることを特徴とするものである。
すなわちフォトマスクのアートワークパターン内の任意
の箇所に１個以上のスルーホールなあけることによって
、露光工程における真空吸引時に、フォトマスクと感光
性レジストとの間の気泡がフォトマスク中央部でも、ス
ルーホールを介して容易にぬくことが出来るため、フォ
トマスク感光性レジストとの局所的な密着不足の発生を
なくし、レジストパターンの局所的な太すな防止するこ
とができる方法である。なおここで言うアートワークパ
ターン内とは、製品として残る部分である。
の箇所に１個以上のスルーホールなあけることによって
、露光工程における真空吸引時に、フォトマスクと感光
性レジストとの間の気泡がフォトマスク中央部でも、ス
ルーホールを介して容易にぬくことが出来るため、フォ
トマスク感光性レジストとの局所的な密着不足の発生を
なくし、レジストパターンの局所的な太すな防止するこ
とができる方法である。なおここで言うアートワークパ
ターン内とは、製品として残る部分である。
以下図に従って詳しく説明する。第４図、第５図は従来
の方法を示すものでフィルムフォトマスク３を気泡４を
巻き込んだまま、露光を行なった状態である。この状態
では、フォトマスクの黒化した遮光部の感光性レジスト
層２にも光が漏れるため、現像後のレジストパターン巾
が増加し、場合によっては第５図の様にレジストパター
ンがつながりてしま５゜１は印刷配線板用基板である。
の方法を示すものでフィルムフォトマスク３を気泡４を
巻き込んだまま、露光を行なった状態である。この状態
では、フォトマスクの黒化した遮光部の感光性レジスト
層２にも光が漏れるため、現像後のレジストパターン巾
が増加し、場合によっては第５図の様にレジストパター
ンがつながりてしま５゜１は印刷配線板用基板である。
これに対し、本発明によるフォトマスクを使用した第１
図では、真空吸引を行なう過程で買通孔５を介して、フ
ォトマスク３と感光性レジスト２間に巻き込んだ気泡を
逃がしてやることが出来る。したがってフォトマスク５
と感光性レジスト２の密着性が良いため、現像後のレジ
ストパターンは第２図の様にライン太つのないシャープ
なものとなる。
図では、真空吸引を行なう過程で買通孔５を介して、フ
ォトマスク３と感光性レジスト２間に巻き込んだ気泡を
逃がしてやることが出来る。したがってフォトマスク５
と感光性レジスト２の密着性が良いため、現像後のレジ
ストパターンは第２図の様にライン太つのないシャープ
なものとなる。
フォトマスク用に使用するフィルムとしては、フォトプ
ロッター用フィルムＬＰ−７、ＬＰＦ−７（コタック社
製製品名）、ＰＣ−７（デュポン社製品名）等のポリエ
スタ−プラスチック等ヲペースフィルムとする７ ｍｉ
１ 厚８度のフィルムに、アートワークパターンを形
成する。しかる後に、好ましくは、第３図の様に対角線
上の４箇所以上のアートワークパターンに支障のない箇
所への貫通孔５をあける。この際、貫通孔の大きさは、
望ましくは、直径α５ｍｍ〜１αＱｍｍであり、穴あけ
によるパリの発生をおさえる工夫をしたターレットパン
チやドリル等によりて穴あけを行なう なお、ここで言う、アートワークパターンに支障のない
箇所とは、ネガ型、ポジ型のいづれの感光性レジストを
使用する場合でも、光が透過する部分、すなわち、フォ
トマスクの透明部分のことである。
ロッター用フィルムＬＰ−７、ＬＰＦ−７（コタック社
製製品名）、ＰＣ−７（デュポン社製品名）等のポリエ
スタ−プラスチック等ヲペースフィルムとする７ ｍｉ
１ 厚８度のフィルムに、アートワークパターンを形
成する。しかる後に、好ましくは、第３図の様に対角線
上の４箇所以上のアートワークパターンに支障のない箇
所への貫通孔５をあける。この際、貫通孔の大きさは、
望ましくは、直径α５ｍｍ〜１αＱｍｍであり、穴あけ
によるパリの発生をおさえる工夫をしたターレットパン
チやドリル等によりて穴あけを行なう なお、ここで言う、アートワークパターンに支障のない
箇所とは、ネガ型、ポジ型のいづれの感光性レジストを
使用する場合でも、光が透過する部分、すなわち、フォ
トマスクの透明部分のことである。
また、ガラス乾板においては、市販品（例、ＬＰＰコダ
ック社製品名）においては、乳剤面を外湾曲とする平面
度標準値内のものであるため、気泡のぬけは、フィルム
に比べて良いが、ガラス乾板にも貫通孔加工は可能であ
る。その−例を示すと、ガラス乾板扛アートワークパタ
ーン形成後、穴あけ箇所以外に全面マスキングを施す。
ック社製品名）においては、乳剤面を外湾曲とする平面
度標準値内のものであるため、気泡のぬけは、フィルム
に比べて良いが、ガラス乾板にも貫通孔加工は可能であ
る。その−例を示すと、ガラス乾板扛アートワークパタ
ーン形成後、穴あけ箇所以外に全面マスキングを施す。
（パラフィン等）その後、フッ酸等の化学薬品で、穴あ
け箇所のガラスを化学的に溶かす方法である。
け箇所のガラスを化学的に溶かす方法である。
尚、本発明で使用される印刷配線板用基板としては、め
っきレジストの場合は、接着剤付積層板、平面部導体の
形成された印刷配線板、エツチングレジストの場合は、
銅張り積層板、ンルダーレジストの場合は、導体の形成
された印刷配線板等がある。
っきレジストの場合は、接着剤付積層板、平面部導体の
形成された印刷配線板、エツチングレジストの場合は、
銅張り積層板、ンルダーレジストの場合は、導体の形成
された印刷配線板等がある。
実施例
次の工程によりレジストパターンを形成した。
１）ステンレス板（ＳＯ８−４３０−ＢＡ、厚さｊ、
Ｑ ｍｒｎ ）表面をスコッチブライトＮ７４４８（住
友３Ｍ社製品名）で研磨、水洗後、硫酸鋼めっきで厚さ
２０μｍの全面めっきを行なった。
Ｑ ｍｒｎ ）表面をスコッチブライトＮ７４４８（住
友３Ｍ社製品名）で研磨、水洗後、硫酸鋼めっきで厚さ
２０μｍの全面めっきを行なった。
２）次に感光性樹脂層の厚さ１８μｍ、カバーフィルム
の厚さ２５μｍのドライフィルム（デュポン社製リスト
ンＴ−１２０６）をロールラミネーターで１）の銅箔上
にラミネートした。
の厚さ２５μｍのドライフィルム（デュポン社製リスト
ンＴ−１２０６）をロールラミネーターで１）の銅箔上
にラミネートした。
５）カバーフィルムを剥離したのち、アートワークパタ
ーン内対角線上４箇所に直径５．０ｆｆｉＩ１１の穴を
あけたフォトマスク（マスクサイズ１５ ＱｍｍＸ ２
０ ［１ｍｍ、 ライン／スペースが３０μｍ／３０
μｍ１ ライン本数７２本、使用フィルムＬＰＦ−７’
）を密着させ、真空吸引後露光した。使用した露光機は
オーク製作新製の０Ｂ−５０５０型であり、この時の建
光倉は５０ｍＪ／ａ＋Ｆで行なった。
ーン内対角線上４箇所に直径５．０ｆｆｉＩ１１の穴を
あけたフォトマスク（マスクサイズ１５ ＱｍｍＸ ２
０ ［１ｍｍ、 ライン／スペースが３０μｍ／３０
μｍ１ ライン本数７２本、使用フィルムＬＰＦ−７’
）を密着させ、真空吸引後露光した。使用した露光機は
オーク製作新製の０Ｂ−５０５０型であり、この時の建
光倉は５０ｍＪ／ａ＋Ｆで行なった。
４）フォトマスクを取り除いたのち、直ちに、１、１．
１ ）リクロルエタンを入れたスプレー現像機（デュポ
ン社製Ａ−２４型）で１５０秒間現像することにより、
基板上にパターン巾３２μｍのレジストパターンを得る
ことが出来た。
１ ）リクロルエタンを入れたスプレー現像機（デュポ
ン社製Ａ−２４型）で１５０秒間現像することにより、
基板上にパターン巾３２μｍのレジストパターンを得る
ことが出来た。
なお、この露光工程中３）に従来フォトマスクを使用し
た場合、感光性樹脂の主成分が、アクリル系の共重合体
であり表面は粘着性を有しているため、気泡巻き込みが
多（密着性がいちじるしく低下し、第５図の様な現象が
多数生じた。
た場合、感光性樹脂の主成分が、アクリル系の共重合体
であり表面は粘着性を有しているため、気泡巻き込みが
多（密着性がいちじるしく低下し、第５図の様な現象が
多数生じた。
（発明の効果）
以上詐明したように、本発明の方法によれば、密着露光
方式による微細レジスト像形成において、容易にフォト
マスクと感光性樹脂層との密着度を高め、気泡巻き込み
によるレジストパターンの局所的な焼太りを防止するこ
と名来る。
方式による微細レジスト像形成において、容易にフォト
マスクと感光性樹脂層との密着度を高め、気泡巻き込み
によるレジストパターンの局所的な焼太りを防止するこ
と名来る。
第１図〜第３図は本発明の方法を示すもので、それぞれ
、断面図、断面図及び平面図、第４図、第５図は従来の
方法を示す断面１図である。 符号の説明 １ 基 板 ２ 感光性樹脂層３ フォトマス
ク ４ 気泡 第１図 第２図 第４図 第５図
、断面図、断面図及び平面図、第４図、第５図は従来の
方法を示す断面１図である。 符号の説明 １ 基 板 ２ 感光性樹脂層３ フォトマス
ク ４ 気泡 第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (1)
- １、印刷配線板用上に形成した感光性樹脂層にフォトマ
スクを貼り合せ露光し、フォトマスクを除去して現像す
るレジストパターンの形成法に於て、フォトマスクのパ
ターンに支障のない箇所に、以上の貫通孔をあけること
を特徴とするレジストパターンの形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16330684A JPS6141151A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | レジストパタ−ンの形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16330684A JPS6141151A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | レジストパタ−ンの形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6141151A true JPS6141151A (ja) | 1986-02-27 |
Family
ID=15771318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16330684A Pending JPS6141151A (ja) | 1984-08-02 | 1984-08-02 | レジストパタ−ンの形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6141151A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592250B2 (en) | 2002-07-18 | 2009-09-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, semiconductor device, and wireless electronic device |
| JP2010217698A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Olympus Corp | 薄膜の貼り付け方法、およびそれにより製造されたペリクル光学素子 |
| JP2016221843A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル |
| JPWO2016158669A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-01-18 | 富士フイルム株式会社 | パターン状被めっき層の製造方法、導電性積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル |
| KR20190066584A (ko) | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 마스크 유닛 및 노광 장치 |
-
1984
- 1984-08-02 JP JP16330684A patent/JPS6141151A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592250B2 (en) | 2002-07-18 | 2009-09-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Multilayer wiring board, manufacturing method thereof, semiconductor device, and wireless electronic device |
| JP2010217698A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Olympus Corp | 薄膜の貼り付け方法、およびそれにより製造されたペリクル光学素子 |
| JPWO2016158669A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2018-01-18 | 富士フイルム株式会社 | パターン状被めっき層の製造方法、導電性積層体の製造方法、タッチパネルセンサー、タッチパネル |
| JP2016221843A (ja) * | 2015-05-29 | 2016-12-28 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、および、タッチパネル |
| KR20190066584A (ko) | 2017-12-05 | 2019-06-13 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 마스크 유닛 및 노광 장치 |
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