JPH0738233A - プリント配線基板及びその製造方法 - Google Patents
プリント配線基板及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0738233A JPH0738233A JP17675893A JP17675893A JPH0738233A JP H0738233 A JPH0738233 A JP H0738233A JP 17675893 A JP17675893 A JP 17675893A JP 17675893 A JP17675893 A JP 17675893A JP H0738233 A JPH0738233 A JP H0738233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder resist
- printed wiring
- wiring board
- substrate
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＵＶ光の反射率の低い基板であっても良好な
密着性を有するソルダーレジストを形成することが可能
なプリント配線基板及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 吸光度の大きい樹脂をベースレジンとした基
板１に配線パターン３とソルダーレジスト６が形成され
てなるプリント配線基板において、少なくとも基板１の
全面をソルダーレジスト６によって覆う。
密着性を有するソルダーレジストを形成することが可能
なプリント配線基板及びその製造方法を提供することを
目的とする。 【構成】 吸光度の大きい樹脂をベースレジンとした基
板１に配線パターン３とソルダーレジスト６が形成され
てなるプリント配線基板において、少なくとも基板１の
全面をソルダーレジスト６によって覆う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば抵抗やコンデン
サの如き電子部品等を実装するためのプリント配線基板
に関し、特にソルダーレジストの基板に対する密着性の
改善に関するものである。
サの如き電子部品等を実装するためのプリント配線基板
に関し、特にソルダーレジストの基板に対する密着性の
改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の配線回路の高密度化に
伴い、プリント配線基板においては、より精細な回路パ
ターンの形成が要求されるようになされてきており、レ
ジストパターンの形成方法も写真法の採用が増えてい
る。
伴い、プリント配線基板においては、より精細な回路パ
ターンの形成が要求されるようになされてきており、レ
ジストパターンの形成方法も写真法の採用が増えてい
る。
【０００３】写真法とは、感光性のソルダーレジストイ
ンク，すなわちフォトソルダーレジストインクを使用す
ることによって、レジストパターンを形成する方法であ
る。具体的には、図１０に示すように、配線パターン１
０１が形成された基板１０２の全面に、スクリーン法、
ローラーコート法、スプレー法、カーテンコータ法等の
手段によりフォトソルダーレジストインク１０３を塗布
する。そして、そのフォトソルダーレジストインク１０
３の上面にレジストパターンが描かれたフォトツール１
０４を設け、このフォトツール１０４を介して水銀灯若
しくはメタルハライドランプ等の光源より発せられるＵ
Ｖ（紫外線）光を含む光をフォトソルダーレジストイン
ク１０３に照射し、該ソルダーレジストインク１０３の
レジスト形成部分のみを選択的に露光して光硬化させる
方法である。
ンク，すなわちフォトソルダーレジストインクを使用す
ることによって、レジストパターンを形成する方法であ
る。具体的には、図１０に示すように、配線パターン１
０１が形成された基板１０２の全面に、スクリーン法、
ローラーコート法、スプレー法、カーテンコータ法等の
手段によりフォトソルダーレジストインク１０３を塗布
する。そして、そのフォトソルダーレジストインク１０
３の上面にレジストパターンが描かれたフォトツール１
０４を設け、このフォトツール１０４を介して水銀灯若
しくはメタルハライドランプ等の光源より発せられるＵ
Ｖ（紫外線）光を含む光をフォトソルダーレジストイン
ク１０３に照射し、該ソルダーレジストインク１０３の
レジスト形成部分のみを選択的に露光して光硬化させる
方法である。
【０００４】かかる写真法に用いられるフォトソルダー
レジストインク１０３は、波長４００ｎｍ以下の光を吸
収し重合するアクリル基、メタクリル基等の官能器を持
った樹脂又はモノマーを含んでいる。一方、フォトツー
ル１０４は、通常ポリエチレンテレフタレートやガラス
からなるが、これらの材質は３００ｎｍ以下の光はほと
んど吸収し透過しない。したがって、フォトソルダーレ
ジストインク１０３は、３００ｎｍ〜４００ｎｍの光を
吸収し重合硬化することになる。
レジストインク１０３は、波長４００ｎｍ以下の光を吸
収し重合するアクリル基、メタクリル基等の官能器を持
った樹脂又はモノマーを含んでいる。一方、フォトツー
ル１０４は、通常ポリエチレンテレフタレートやガラス
からなるが、これらの材質は３００ｎｍ以下の光はほと
んど吸収し透過しない。したがって、フォトソルダーレ
ジストインク１０３は、３００ｎｍ〜４００ｎｍの光を
吸収し重合硬化することになる。
【０００５】ところで、上記写真法において、露光現像
後のソルダーレジストと基板１０２との良好な密着性を
確保するためには、当該ソルダーレジストのアンダーカ
ットを発生させないことが重要なポイントとなる。も
し、アンダーカットが生じると、ソルダーレジストと基
板１０２との接触面積が小さくなり、レジストの剥離・
欠け等の密着不良が発生し、プリント配線基板として実
用に供さなくなる。特に、微細なレジストパターンとす
る場合にはよりその傾向は顕著となる。
後のソルダーレジストと基板１０２との良好な密着性を
確保するためには、当該ソルダーレジストのアンダーカ
ットを発生させないことが重要なポイントとなる。も
し、アンダーカットが生じると、ソルダーレジストと基
板１０２との接触面積が小さくなり、レジストの剥離・
欠け等の密着不良が発生し、プリント配線基板として実
用に供さなくなる。特に、微細なレジストパターンとす
る場合にはよりその傾向は顕著となる。
【０００６】通常、フォトソルダーレジストインク１０
３の露光時においては、フォトツール１０４を透過した
ＵＶ光が該フォトソルダーレジストインク１０３に含ま
れるアクリル樹脂等の光硬化成分に作用し当該フォトソ
ルダーレジストインク１０３を硬化させることから、こ
のフォトソルダーレジストインク１０３自体の光の吸収
によりレジストインクの深さ方向では透過するＵＶ光が
減衰し、アンダーカットが発生し易い。
３の露光時においては、フォトツール１０４を透過した
ＵＶ光が該フォトソルダーレジストインク１０３に含ま
れるアクリル樹脂等の光硬化成分に作用し当該フォトソ
ルダーレジストインク１０３を硬化させることから、こ
のフォトソルダーレジストインク１０３自体の光の吸収
によりレジストインクの深さ方向では透過するＵＶ光が
減衰し、アンダーカットが発生し易い。
【０００７】しかし、一般に基板１０２として用いられ
るＦＲ４材（ＡＮＳＩグレード名）では、基板１０２か
らの反射光が比較的大きいため、当該基板１０２に近い
深部でも充分露光することができ、アンダーカットを発
生させないで済む。
るＦＲ４材（ＡＮＳＩグレード名）では、基板１０２か
らの反射光が比較的大きいため、当該基板１０２に近い
深部でも充分露光することができ、アンダーカットを発
生させないで済む。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の高周
波化，高密度化の要求により今までのＦＲ４材に代表さ
れるガラス布エポキシ樹脂に代わりに、基板（素材）と
して誘電特性の優れたものや高Ｔｇのもの検討が進めら
れている。
波化，高密度化の要求により今までのＦＲ４材に代表さ
れるガラス布エポキシ樹脂に代わりに、基板（素材）と
して誘電特性の優れたものや高Ｔｇのもの検討が進めら
れている。
【０００９】ところが、この新しい素材においては、Ｕ
Ｖ光の反射率が小さい場合はソルダーレジストインクの
深部で充分な露光量が得られず、図１１に示すように、
現像後のソルダーレジスト１０３がアンダーカットにな
り易く、ひいては密着不良の原因となる。このように、
ＵＶ光の反射率の低い素材ではアンダーカットを無くす
ことは困難であり、ソルダーレジスト１０３の密着性に
ついて常に懸念が残る。
Ｖ光の反射率が小さい場合はソルダーレジストインクの
深部で充分な露光量が得られず、図１１に示すように、
現像後のソルダーレジスト１０３がアンダーカットにな
り易く、ひいては密着不良の原因となる。このように、
ＵＶ光の反射率の低い素材ではアンダーカットを無くす
ことは困難であり、ソルダーレジスト１０３の密着性に
ついて常に懸念が残る。
【００１０】そこで本発明は、かかる従来の技術的な課
題に鑑みて提案されたものであって、ＵＶ光の反射率の
低い基板であっても良好な密着性を有するソルダーレジ
ストを形成することが可能なプリント配線基板及びその
製造方法を提供することを目的とする。
題に鑑みて提案されたものであって、ＵＶ光の反射率の
低い基板であっても良好な密着性を有するソルダーレジ
ストを形成することが可能なプリント配線基板及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、吸光度の大きい樹脂をベースレジンと
した基板に配線パターンとソルダーレジストが形成され
てなるプリント配線基板において、少なくとも基板の全
面がソルダーレジストにより覆われていることを特徴と
する。
めに、本発明は、吸光度の大きい樹脂をベースレジンと
した基板に配線パターンとソルダーレジストが形成され
てなるプリント配線基板において、少なくとも基板の全
面がソルダーレジストにより覆われていることを特徴と
する。
【００１２】請求項１記載のプリント配線基板におい
て、ソルダーレジスト開口部が上記配線パターンの接続
端子部形状より小さいことを特徴とする。
て、ソルダーレジスト開口部が上記配線パターンの接続
端子部形状より小さいことを特徴とする。
【００１３】請求項１又は２記載のプリント配線基板に
おいて、吸光度の大きい樹脂が波長３００ｎｍ〜４００
ｎｍにおいて平均反射率０．０３％以下の樹脂であるこ
とを特徴とする。
おいて、吸光度の大きい樹脂が波長３００ｎｍ〜４００
ｎｍにおいて平均反射率０．０３％以下の樹脂であるこ
とを特徴とする。
【００１４】請求項１から３のうちいずれ１記載のプリ
ント配線基板において、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍに
おいて平均反射率０．０３％以下である樹脂がポリフェ
ニレンエーテル及びその変性物であることを特徴とす
る。
ント配線基板において、波長３００ｎｍ〜４００ｎｍに
おいて平均反射率０．０３％以下である樹脂がポリフェ
ニレンエーテル及びその変性物であることを特徴とす
る。
【００１５】吸光度の大きい樹脂をベースレジンとした
基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されてな
るプリント配線基板の製造方法において、ソルダーレジ
ストの露光時に基板の裏側から露光することにより、基
板全面をソルダーレジストにより覆うことを特徴とす
る。
基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されてな
るプリント配線基板の製造方法において、ソルダーレジ
ストの露光時に基板の裏側から露光することにより、基
板全面をソルダーレジストにより覆うことを特徴とす
る。
【００１６】吸光度の大きい樹脂をベースレジンとした
基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されてな
るプリント配線基板の製造方法において、ソルダーレジ
ストの現像時に現像を途中で止め現像残りを発生させる
ことにより、基板全面をソルダーレジストにより覆うこ
とを特徴とする。
基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されてな
るプリント配線基板の製造方法において、ソルダーレジ
ストの現像時に現像を途中で止め現像残りを発生させる
ことにより、基板全面をソルダーレジストにより覆うこ
とを特徴とする。
【００１７】
【作用】本発明のプリント配線基板においては、少なく
とも基板の全面がソルダーレジストにより覆われている
ので、ソルダーレジストと基板との接触面積の増大によ
り、これらソルダーレジストと基板との密着性が向上す
る。
とも基板の全面がソルダーレジストにより覆われている
ので、ソルダーレジストと基板との接触面積の増大によ
り、これらソルダーレジストと基板との密着性が向上す
る。
【００１８】また、本発明のプリント配線基板において
は、ソルダーレジスト開口部が配線パターンの接続端子
部形状より小さくされているので、基板の吸光度の影響
を受けることなく、配線パターン上でレジストパターン
が形成でき、当該配線パターンからの充分な反射光によ
りアンダーカットのない密着性に優れたレジストが得ら
れる。
は、ソルダーレジスト開口部が配線パターンの接続端子
部形状より小さくされているので、基板の吸光度の影響
を受けることなく、配線パターン上でレジストパターン
が形成でき、当該配線パターンからの充分な反射光によ
りアンダーカットのない密着性に優れたレジストが得ら
れる。
【００１９】一方、本発明の方法においては、ソルダー
レジストの露光時に基板の裏側から露光し、又は現像の
際に途中で現像を止め基板に接する部分のレジストイン
クを残すようにしているので、基板全面がソルダーレジ
ストにより覆われ、該基板とソルダーレジストとの接触
面積の増大により、これらソルダーレジストと基板との
良好な密着性が確保される。
レジストの露光時に基板の裏側から露光し、又は現像の
際に途中で現像を止め基板に接する部分のレジストイン
クを残すようにしているので、基板全面がソルダーレジ
ストにより覆われ、該基板とソルダーレジストとの接触
面積の増大により、これらソルダーレジストと基板との
良好な密着性が確保される。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例のプ
リント配線基板を製造するには、以下の手順にしたがっ
て作製する。
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例のプ
リント配線基板を製造するには、以下の手順にしたがっ
て作製する。
【００２１】先ず、図１に示すように、絶縁性を有する
基板１の一主面１ａに銅箔２をラミネートする。基板１
は、作業性，コストにより選定されるが、通常はエポキ
シ樹脂を主体とする素材が一般的である。しかし、高周
波用途のためには、誘電特性に優れた材質や微細回路用
として寸法安定性のより高いＴｇ材が適宜選択される。
基板１の一主面１ａに銅箔２をラミネートする。基板１
は、作業性，コストにより選定されるが、通常はエポキ
シ樹脂を主体とする素材が一般的である。しかし、高周
波用途のためには、誘電特性に優れた材質や微細回路用
として寸法安定性のより高いＴｇ材が適宜選択される。
【００２２】本実施例で用いられる素材は、波長３００
ｎｍ〜４００ｎｍで平均反射率が０．０３％以下のもの
である。例えば、ポリフェニレンエーテル等が挙げら
れ、松下電工社製のＲ−４７２６（商品名）、旭化成工
業社製のＵ−１００（商品名）等の基板が使用できる。
波長が３００ｎｍ未満であると、フォトツールを介して
基板にまで光が届かず、当該フォトツールに光が吸収さ
れる。一方、４００ｎｍを越えると、エネルギーレベル
が低くなり、ソルダーレジストインクを硬化させること
ができなくなる。
ｎｍ〜４００ｎｍで平均反射率が０．０３％以下のもの
である。例えば、ポリフェニレンエーテル等が挙げら
れ、松下電工社製のＲ−４７２６（商品名）、旭化成工
業社製のＵ−１００（商品名）等の基板が使用できる。
波長が３００ｎｍ未満であると、フォトツールを介して
基板にまで光が届かず、当該フォトツールに光が吸収さ
れる。一方、４００ｎｍを越えると、エネルギーレベル
が低くなり、ソルダーレジストインクを硬化させること
ができなくなる。
【００２３】なお、基板の反射率を測定するには、市販
されている分光光度計を用いることができ、例えば日立
製作所社製の２２８形ダブルビーム分光光度計（商品
名）が使用できる。
されている分光光度計を用いることができ、例えば日立
製作所社製の２２８形ダブルビーム分光光度計（商品
名）が使用できる。
【００２４】次に、上記銅箔２にレジスト（図示は省略
する。）を形成した後、所定のパターンを有するマスク
を用いて上記レジストを露光・現像する。これにより、
上記レジストがパターニングされ、所望の配線パターン
に応じたエッチングレジストが形成される。なお、この
エッチングレジストのパターニングは通常のリソグラフ
ィー技術によって行う。
する。）を形成した後、所定のパターンを有するマスク
を用いて上記レジストを露光・現像する。これにより、
上記レジストがパターニングされ、所望の配線パターン
に応じたエッチングレジストが形成される。なお、この
エッチングレジストのパターニングは通常のリソグラフ
ィー技術によって行う。
【００２５】次に、上記銅箔２をエッチングする。この
結果、図２に示すように、所定の接接続端子（ランド）
３ａ及び配線回路３ｂからなる配線パターン３が形成さ
れる。エッチングに際しては、湿式エッチング、ドライ
エッチング等がいずれも使用可能であり、任意に選択す
ればよい。
結果、図２に示すように、所定の接接続端子（ランド）
３ａ及び配線回路３ｂからなる配線パターン３が形成さ
れる。エッチングに際しては、湿式エッチング、ドライ
エッチング等がいずれも使用可能であり、任意に選択す
ればよい。
【００２６】そして、図３に示すように、上記配線パタ
ーン３を覆って基板全面に写真現像形のソルダーレジス
トインク４を塗布し、その後加熱乾燥により当該ソルダ
ーレジストインク４を指触乾燥させる。その結果、上記
配線パターン３上を含む基板１の表面１ａが全て上記ソ
ルダーレジストインク４によって完全に覆われる。
ーン３を覆って基板全面に写真現像形のソルダーレジス
トインク４を塗布し、その後加熱乾燥により当該ソルダ
ーレジストインク４を指触乾燥させる。その結果、上記
配線パターン３上を含む基板１の表面１ａが全て上記ソ
ルダーレジストインク４によって完全に覆われる。
【００２７】ここで使用されるソルダーレジストインク
４としては、指触乾燥後に紫外線照射により硬化し、且
つ未露光部分がアルカリ溶液、有機溶剤又は水により現
像可能な材料が使用され、市販品がいずれも使用可能で
あり、特に限定されない。例示するならば、カルボン酸
を含んだアクリル樹脂等が挙げられ、例えば太陽インキ
社製のＰＳＲ−４０００シリーズ（商品名）、タムラ化
研社製のＤＳＲ−２２００シリーズ、ＤＳＲ−２２００
Ｚシリーズ（いずれも商品名）、サンワ化学工業社製の
ＳＰＳＲ−７００（商品名）、アサヒ化学研究所社製の
ＤＰＲ−３０５シリーズ（商品名）、東洋インキ社製の
Ｋ−１０００（商品名）、チバガイギー社製のプロピマ
ー５２（商品名）、関西ペイント社製のＰＷ−１０００
（商品名）等が使用可能である。
４としては、指触乾燥後に紫外線照射により硬化し、且
つ未露光部分がアルカリ溶液、有機溶剤又は水により現
像可能な材料が使用され、市販品がいずれも使用可能で
あり、特に限定されない。例示するならば、カルボン酸
を含んだアクリル樹脂等が挙げられ、例えば太陽インキ
社製のＰＳＲ−４０００シリーズ（商品名）、タムラ化
研社製のＤＳＲ−２２００シリーズ、ＤＳＲ−２２００
Ｚシリーズ（いずれも商品名）、サンワ化学工業社製の
ＳＰＳＲ−７００（商品名）、アサヒ化学研究所社製の
ＤＰＲ−３０５シリーズ（商品名）、東洋インキ社製の
Ｋ−１０００（商品名）、チバガイギー社製のプロピマ
ー５２（商品名）、関西ペイント社製のＰＷ−１０００
（商品名）等が使用可能である。
【００２８】また、このソルダーレジストインクの塗布
方法としては、特に限定されずスクリーン印刷法、スプ
レーコート法、カーテンコータ法等から適宜選択すれば
よく、ここではスクリーン印刷法を採用した。
方法としては、特に限定されずスクリーン印刷法、スプ
レーコート法、カーテンコータ法等から適宜選択すれば
よく、ここではスクリーン印刷法を採用した。
【００２９】また、このときのソルダーレジストインク
４の膜厚は、ソルダーレジストとして一般に要求される
５μｍ〜５０μｍの範囲が適当であり、１０μｍ〜３０
μｍであることがより好ましい。ソルダーレジストイン
ク４の膜厚が５μｍ以下である場合には、はんだ付けの
際の熱で該ソルダーレジストインク４が破壊され、上記
配線パターン３にはんだが付着する虞れが生じる。逆
に、５０μｍ以上となると現像の際、未露光のソルダー
レジストインク４を完全に除去できなくなる虞れが生じ
る。
４の膜厚は、ソルダーレジストとして一般に要求される
５μｍ〜５０μｍの範囲が適当であり、１０μｍ〜３０
μｍであることがより好ましい。ソルダーレジストイン
ク４の膜厚が５μｍ以下である場合には、はんだ付けの
際の熱で該ソルダーレジストインク４が破壊され、上記
配線パターン３にはんだが付着する虞れが生じる。逆
に、５０μｍ以上となると現像の際、未露光のソルダー
レジストインク４を完全に除去できなくなる虞れが生じ
る。
【００３０】次に、レジストパターンがポジで描かれた
マスクを上記ソルダーレジストインク４の塗布された基
板１上に置き露光する。ここで使用するマスクは、ソル
ダーレジスト開口部７を接続端子３ａの形状よりも小さ
なものとなすために、上記接続端子３ａよりも小さなも
のを使用する。具体的には、図４に示すように、接続端
子３ａに対してその外周縁部から内側にそれぞれ０．０
５ｍｍ以上入ったフォトマスク５を使用することが好ま
しい。このとき０．０５ｍｍ未満であると、一般的フォ
トマスクの位置合わせ精度０．０５ｍｍより小さくな
り、位置ずれにより出来上がった基板のレジストが結果
として銅箔より大きくなってしまう虞れがある。
マスクを上記ソルダーレジストインク４の塗布された基
板１上に置き露光する。ここで使用するマスクは、ソル
ダーレジスト開口部７を接続端子３ａの形状よりも小さ
なものとなすために、上記接続端子３ａよりも小さなも
のを使用する。具体的には、図４に示すように、接続端
子３ａに対してその外周縁部から内側にそれぞれ０．０
５ｍｍ以上入ったフォトマスク５を使用することが好ま
しい。このとき０．０５ｍｍ未満であると、一般的フォ
トマスクの位置合わせ精度０．０５ｍｍより小さくな
り、位置ずれにより出来上がった基板のレジストが結果
として銅箔より大きくなってしまう虞れがある。
【００３１】また、露光時に照射する適正積算光量は、
フォトソルダーレジストインクの種類及び膜厚によって
異なるが、例えば日立化成社製のPhotec２１段のステッ
プデンシティタブレットを用いて露光・現像後に４〜１
１段好ましくは６〜９段になるように、積算光量を設定
することが好ましい。かかる場合に、４段より低いと現
像時に露光されたレジスト面から現像液に犯される，い
わゆる膜べりを起こし易くなる。一方、１１段以上にな
ると過光過多となりレジストパターンを忠実に形成でき
ない。
フォトソルダーレジストインクの種類及び膜厚によって
異なるが、例えば日立化成社製のPhotec２１段のステッ
プデンシティタブレットを用いて露光・現像後に４〜１
１段好ましくは６〜９段になるように、積算光量を設定
することが好ましい。かかる場合に、４段より低いと現
像時に露光されたレジスト面から現像液に犯される，い
わゆる膜べりを起こし易くなる。一方、１１段以上にな
ると過光過多となりレジストパターンを忠実に形成でき
ない。
【００３２】上記露光よってフォトマスク５が設けられ
た部分を除くソルダーレジストインク４は、全てＵＶ線
によって硬化せしめられる。特に、接続端子３ａ上に設
けられたソルダーレジストインク４は、吸光度の高い基
板１上に直接塗布された部分に比べ、銅箔よりなる接続
端子３ａからの充分な反射光により露光されることにな
る。
た部分を除くソルダーレジストインク４は、全てＵＶ線
によって硬化せしめられる。特に、接続端子３ａ上に設
けられたソルダーレジストインク４は、吸光度の高い基
板１上に直接塗布された部分に比べ、銅箔よりなる接続
端子３ａからの充分な反射光により露光されることにな
る。
【００３３】次に、現像を行うと露光された部分のみが
残存し、図５に示すように基板１の全面がソルダーレジ
スト６により覆われる。また、接続端子３ａ上の一部に
もソルダーレジスト６が残るが、このレジスト開口部７
は上記接続端子３ａの形状よりも小さなものとなる。し
たがって、吸光度の高い基板１であっても上記ソルダー
レジスト６にはアンダーカットが発生せず、当該ソルダ
ーレジスト６の基板１に対する密着力が高まる。
残存し、図５に示すように基板１の全面がソルダーレジ
スト６により覆われる。また、接続端子３ａ上の一部に
もソルダーレジスト６が残るが、このレジスト開口部７
は上記接続端子３ａの形状よりも小さなものとなる。し
たがって、吸光度の高い基板１であっても上記ソルダー
レジスト６にはアンダーカットが発生せず、当該ソルダ
ーレジスト６の基板１に対する密着力が高まる。
【００３４】上記の方法は、ソルダーレジストインク４
が形成された面側から露光して基板全面をソルダーレジ
スト６によって覆った例であるが、この他、上記方法の
露光工程に加えてソルダーレジストインク４が形成され
る面とは反対側の裏面１ｂより露光を行い又は現像を途
中で止めることにより、図６に示すように基板全面をソ
ルダーレジスト６によって覆うようにしてもよい。な
お、図６中、接続端子３ａの外周縁部に残存する膜厚の
薄くされたレジスト６ａ部分が基板裏面より露光された
部分又は現像を途中で止め現像残りを発生させた部分に
相当する。
が形成された面側から露光して基板全面をソルダーレジ
スト６によって覆った例であるが、この他、上記方法の
露光工程に加えてソルダーレジストインク４が形成され
る面とは反対側の裏面１ｂより露光を行い又は現像を途
中で止めることにより、図６に示すように基板全面をソ
ルダーレジスト６によって覆うようにしてもよい。な
お、図６中、接続端子３ａの外周縁部に残存する膜厚の
薄くされたレジスト６ａ部分が基板裏面より露光された
部分又は現像を途中で止め現像残りを発生させた部分に
相当する。
【００３５】基板１の裏面１ｂ側より露光する場合は、
フォトマスクを介して行う正規の露光後別に、当該基板
１の裏面１ｂ側から１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ2 の
光を照射する。このとき、１００ｍＪ／ｃｍ2 よりも光
量が少ない場合は、ほとんどの光が基板１に吸収されレ
ジストインクを感光させることができない。逆に、１０
０００ｍＪ／ｃｍ2 を越えると、表のフォトマスクでマ
スクしている部分までも露光させてしまい、所望のソル
ダーレジストパターンが得られなくなる。
フォトマスクを介して行う正規の露光後別に、当該基板
１の裏面１ｂ側から１００〜１００００ｍＪ／ｃｍ2 の
光を照射する。このとき、１００ｍＪ／ｃｍ2 よりも光
量が少ない場合は、ほとんどの光が基板１に吸収されレ
ジストインクを感光させることができない。逆に、１０
０００ｍＪ／ｃｍ2 を越えると、表のフォトマスクでマ
スクしている部分までも露光させてしまい、所望のソル
ダーレジストパターンが得られなくなる。
【００３６】一方、現像を途中で止める場合には、ブレ
ーキポイントの１／２から２／３の時間で管理するのが
望ましい。１／２より短い時間であると銅箔にソルダー
レジストが残り易く、２／３より長いと基板上のソルダ
ーレジストが残らなくなってしまう。
ーキポイントの１／２から２／３の時間で管理するのが
望ましい。１／２より短い時間であると銅箔にソルダー
レジストが残り易く、２／３より長いと基板上のソルダ
ーレジストが残らなくなってしまう。
【００３７】次に、上述した各方法により以下の如くプ
リント配線基板を作製し、基板とレジストとの密着性に
ついて調べてみた。実験例１ 実験例１では、１．６ｍｍ×０．８ｍｍの大きさのチッ
プ部品（１６０８チップ部品）用のランド（１．２ｍｍ
×０．８ｍｍ）を有するポリフェニレンエーテル基板全
面にソルダーレジストインクを形成したものである。
リント配線基板を作製し、基板とレジストとの密着性に
ついて調べてみた。実験例１ 実験例１では、１．６ｍｍ×０．８ｍｍの大きさのチッ
プ部品（１６０８チップ部品）用のランド（１．２ｍｍ
×０．８ｍｍ）を有するポリフェニレンエーテル基板全
面にソルダーレジストインクを形成したものである。
【００３８】すなわち、銅箔回路パターンの形成された
ポリフェニレンエーテル銅張積層板（旭化成工業社製、
Ｕ−１００、板厚０．８ｍｍ，銅箔厚１８μｍ＋メッキ
厚２５μｍ，３３５ｍｍ×２５１ｍｍ）の全面に印刷機
（商品名：ニューロングＬＳ−５０）により写真現像型
のソルダーレジストインクをスクリーン印刷した。
ポリフェニレンエーテル銅張積層板（旭化成工業社製、
Ｕ−１００、板厚０．８ｍｍ，銅箔厚１８μｍ＋メッキ
厚２５μｍ，３３５ｍｍ×２５１ｍｍ）の全面に印刷機
（商品名：ニューロングＬＳ−５０）により写真現像型
のソルダーレジストインクをスクリーン印刷した。
【００３９】ソルダーレジストインクとしては、太陽イ
ンキ社製のＰＳＲ−４０００（商品名）を使用した。印
刷機は版の仕様がテトロン１００メッシュで乳剤が２０
μｍ厚で形成されてなるものを使用した。
ンキ社製のＰＳＲ−４０００（商品名）を使用した。印
刷機は版の仕様がテトロン１００メッシュで乳剤が２０
μｍ厚で形成されてなるものを使用した。
【００４０】その後、箱型炉（商品名：タバイエスペー
クＰＨＨ−２００）にて８０℃で２０分間加熱を行い、
上記ソルダーレジストインクを指触乾燥させた。そし
て、得られたソルダーレジストの膜厚を東京精密社製の
表面粗度測定機（商品名：サーフコム）により測定した
ところ２３μｍであった。次いで、露光機（商品名：オ
ーク社製のＨＭＷ−５５１Ｄ）にて６０カウント（６０
０ｍＪ／ｃｍ2 ）紫外線を照射し露光を行った。
クＰＨＨ−２００）にて８０℃で２０分間加熱を行い、
上記ソルダーレジストインクを指触乾燥させた。そし
て、得られたソルダーレジストの膜厚を東京精密社製の
表面粗度測定機（商品名：サーフコム）により測定した
ところ２３μｍであった。次いで、露光機（商品名：オ
ーク社製のＨＭＷ−５５１Ｄ）にて６０カウント（６０
０ｍＪ／ｃｍ2 ）紫外線を照射し露光を行った。
【００４１】ここでは、図７に示すように、銅箔ランド
８が１．２ｍｍ×０．８ｍｍで形成されている基板に対
して、１．０ｍｍ×０．６ｍｍの大きさのマスク形状の
フォトマスク９を使用した。すなわち、銅箔形状１．２
ｍｍ×０．８ｍｍ、レジスト開口形状１．０ｍｍ×０．
６ｍｍとし、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）素材が
全てソルダーレジストに覆われるようにした。
８が１．２ｍｍ×０．８ｍｍで形成されている基板に対
して、１．０ｍｍ×０．６ｍｍの大きさのマスク形状の
フォトマスク９を使用した。すなわち、銅箔形状１．２
ｍｍ×０．８ｍｍ、レジスト開口形状１．０ｍｍ×０．
６ｍｍとし、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）素材が
全てソルダーレジストに覆われるようにした。
【００４２】次いで、アルカリスプレー式現像機にて上
記ソルダーレジストインクの未露光部分を溶解除去し
た。なお、この現像に際して３％のＮａ2 ＣＯ3 を用
い、温度３０℃、現像時間８０秒、スプレー圧２．０ｋ
ｇ／ｃｍ2 なる条件で行った。このとき、どの程度塗膜
が現像されているかをチェックするのにステップタブレ
ット（日立化成社製２１段）を用いた。その結果は８段
であった。
記ソルダーレジストインクの未露光部分を溶解除去し
た。なお、この現像に際して３％のＮａ2 ＣＯ3 を用
い、温度３０℃、現像時間８０秒、スプレー圧２．０ｋ
ｇ／ｃｍ2 なる条件で行った。このとき、どの程度塗膜
が現像されているかをチェックするのにステップタブレ
ット（日立化成社製２１段）を用いた。その結果は８段
であった。
【００４３】この現像後、得られたプリント配線基板を
水洗した後、熱風乾燥した。さらに、上記ソルダーレジ
ストの特性を向上させるため箱型炉（商品名：タバイエ
スペックＰＨＨ−２００）にて温度１６０℃で３０分間
加熱し、ポストキュアを行った。
水洗した後、熱風乾燥した。さらに、上記ソルダーレジ
ストの特性を向上させるため箱型炉（商品名：タバイエ
スペックＰＨＨ−２００）にて温度１６０℃で３０分間
加熱し、ポストキュアを行った。
【００４４】実験例２ 実験例２では、先の実験例１と同様１．６ｍｍ×０．８
ｍｍの大きさのチップ部品（１６０８チップ部品）用の
ランド（１．０ｍｍ×０．６ｍｍ）を有するポリフェニ
レンエーテル基板全面に、基板裏面側より露光してソル
ダーレジストを形成した例である。
ｍｍの大きさのチップ部品（１６０８チップ部品）用の
ランド（１．０ｍｍ×０．６ｍｍ）を有するポリフェニ
レンエーテル基板全面に、基板裏面側より露光してソル
ダーレジストを形成した例である。
【００４５】この例では、図８に示すように、銅箔ラン
ド１０が１．０ｍｍ×０．６ｍｍで形成されている基板
に対して、１．２ｍｍ×０．８ｍｍの大きさのマスク形
状のフォトマスク１１を使用した。
ド１０が１．０ｍｍ×０．６ｍｍで形成されている基板
に対して、１．２ｍｍ×０．８ｍｍの大きさのマスク形
状のフォトマスク１１を使用した。
【００４６】露光機にて６０カウント紫外線照射の後に
フォトマスク１１を貼り合わせ状態で基板裏面より３０
０カウントの紫外線照射を追加する。その他は、実験例
１と同様にしてプリント配線基板を作製した。その結
果、上記基板は裏露光によりソルダーレジストが形成さ
れており、ポリフェニレンエーテル素材が露出している
部分は皆無であった。また、通常の部分のソルダーレジ
ストの厚さは、２０μｍで、裏露光により形成されたソ
ルダーレジストの厚さは４μｍであった。
フォトマスク１１を貼り合わせ状態で基板裏面より３０
０カウントの紫外線照射を追加する。その他は、実験例
１と同様にしてプリント配線基板を作製した。その結
果、上記基板は裏露光によりソルダーレジストが形成さ
れており、ポリフェニレンエーテル素材が露出している
部分は皆無であった。また、通常の部分のソルダーレジ
ストの厚さは、２０μｍで、裏露光により形成されたソ
ルダーレジストの厚さは４μｍであった。
【００４７】実験例３ 実験例３では、先の実験例１と同様１．６ｍｍ×０．８
ｍｍの大きさのチップ部品（１６０８チップ部品）用の
ランド（１．０ｍｍ×０．６ｍｍ）を有するポリフェニ
レンエーテル基板全面に、現像を途中で止めることによ
りソルダーレジストを形成した例である。
ｍｍの大きさのチップ部品（１６０８チップ部品）用の
ランド（１．０ｍｍ×０．６ｍｍ）を有するポリフェニ
レンエーテル基板全面に、現像を途中で止めることによ
りソルダーレジストを形成した例である。
【００４８】この例では、実験例２と同じく１６０８チ
ップ用ランドの銅箔形状とフォトマスクを用いた。すな
わち、銅箔形状は１．０ｍｍ×０．６ｍｍ、フォトマス
ク形状は１．２ｍｍ×０．８ｍｍとした。
ップ用ランドの銅箔形状とフォトマスクを用いた。すな
わち、銅箔形状は１．０ｍｍ×０．６ｍｍ、フォトマス
ク形状は１．２ｍｍ×０．８ｍｍとした。
【００４９】ここでは、基板裏面からの紫外線照射は行
わず、また現像条件を３％のＮａ2ＣＯ3 を用い、温度
３０℃、現像時間２５秒、スプレー圧１．５ｋｇ／ｃｍ
2 に変更し、その他は実験例１と同様してプリント配線
基板を作製した。得られたプリント配線基板は、現像残
りによりソルダーレジストが形成されており、ポリフェ
ニレンエーテル素材が露出している部分は皆無であっ
た。また、通常の部分のソルダーレジストの厚さは２０
μｍで、現像残りにより形成されたソルダーレジストの
厚さは４μｍであった。
わず、また現像条件を３％のＮａ2ＣＯ3 を用い、温度
３０℃、現像時間２５秒、スプレー圧１．５ｋｇ／ｃｍ
2 に変更し、その他は実験例１と同様してプリント配線
基板を作製した。得られたプリント配線基板は、現像残
りによりソルダーレジストが形成されており、ポリフェ
ニレンエーテル素材が露出している部分は皆無であっ
た。また、通常の部分のソルダーレジストの厚さは２０
μｍで、現像残りにより形成されたソルダーレジストの
厚さは４μｍであった。
【００５０】比較例 実験例２に対して基板裏面からの紫外線照射をせず、そ
の他は実験例１と同様にしてプリント配線基板を作製し
た。図９に作製されたプリント配線基板を示す。なお、
図９では、図５のプリント配線基板と同一の部材には同
一の符号を付しその説明は省略する。
の他は実験例１と同様にしてプリント配線基板を作製し
た。図９に作製されたプリント配線基板を示す。なお、
図９では、図５のプリント配線基板と同一の部材には同
一の符号を付しその説明は省略する。
【００５１】そして、以上のようにして作製されたプリ
ント配線基板を評価するため、加湿槽に４０℃、９０％
ＲＨ、９６時間保存し、加湿槽から取り出して１時間放
置した後、２６０℃、１０秒の条件でフローはんだ槽に
てはんだ耐熱試験を行った。そして、室温に３時間放置
し、それぞれのプリント配線基板の目視による外観検査
と密着製を評価した。その結果を表１に示す。
ント配線基板を評価するため、加湿槽に４０℃、９０％
ＲＨ、９６時間保存し、加湿槽から取り出して１時間放
置した後、２６０℃、１０秒の条件でフローはんだ槽に
てはんだ耐熱試験を行った。そして、室温に３時間放置
し、それぞれのプリント配線基板の目視による外観検査
と密着製を評価した。その結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
【００５３】表１の評価判定基準は、次の通りである。
密着性は、透明粘着テープ（例えば登録商標であるセロ
ハンテープ）によりピーリングテストを行い、レジスト
のテープへの付着を目視で観察した。○はテープに全く
レジストが付着しないもの、△はテープに僅かに線状に
レジストが付着したもの、×はテープにレジストがはっ
きり付着したものを示す。
密着性は、透明粘着テープ（例えば登録商標であるセロ
ハンテープ）によりピーリングテストを行い、レジスト
のテープへの付着を目視で観察した。○はテープに全く
レジストが付着しないもの、△はテープに僅かに線状に
レジストが付着したもの、×はテープにレジストがはっ
きり付着したものを示す。
【００５４】表１に示すように、実験例１〜３における
プリント配線基板においては、ソルダーレジストは良好
な密着性を示すことが判った。これに対して、比較例の
プリント配線基板では、レジスト開口部で密着不良を起
こし、プリント配線基板としての実用に共しないことが
判った。
プリント配線基板においては、ソルダーレジストは良好
な密着性を示すことが判った。これに対して、比較例の
プリント配線基板では、レジスト開口部で密着不良を起
こし、プリント配線基板としての実用に共しないことが
判った。
【００５５】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明のプリント配線基板においては、基板全面がソルダー
レジストにより覆われているので、アンダーカットの発
生が防止でき、吸光度の高い基板であっても該基板とソ
ルダーレジストとの接触面積の増大により、該ソルダー
レジストの基板からの剥離を防止することができる。し
たがって、密着性の点において信頼性に優れた高密度化
対応可能なプリント配線基板を提供することができる。
明のプリント配線基板においては、基板全面がソルダー
レジストにより覆われているので、アンダーカットの発
生が防止でき、吸光度の高い基板であっても該基板とソ
ルダーレジストとの接触面積の増大により、該ソルダー
レジストの基板からの剥離を防止することができる。し
たがって、密着性の点において信頼性に優れた高密度化
対応可能なプリント配線基板を提供することができる。
【００５６】また、本発明においては、基板全面をソル
ダーレジストによって覆うのに、基板の裏面から紫外線
を照射し又は現像を途中で止める方法を採用しているの
で、煩雑な工程を加えずに簡単な作業で基板全面をソル
ダーレジストで覆ったプリント配線基板を歩留まり良く
製造することができる。
ダーレジストによって覆うのに、基板の裏面から紫外線
を照射し又は現像を途中で止める方法を採用しているの
で、煩雑な工程を加えずに簡単な作業で基板全面をソル
ダーレジストで覆ったプリント配線基板を歩留まり良く
製造することができる。
【図１】本発明を適用したプリント配線基板の製造方法
の一例を工程順に示すもので、銅箔ラミネート工程を示
す断面図である。
の一例を工程順に示すもので、銅箔ラミネート工程を示
す断面図である。
【図２】本発明を適用したプリント配線基板の製造方法
の一例を工程順に示すもので、配線パターン形成工程を
示す断面図である。
の一例を工程順に示すもので、配線パターン形成工程を
示す断面図である。
【図３】本発明を適用したプリント配線基板の製造方法
の一例を工程順に示すもので、ソルダーレジスト塗布工
程を示す断面図である。
の一例を工程順に示すもので、ソルダーレジスト塗布工
程を示す断面図である。
【図４】本発明を適用したプリント配線基板の製造方法
の一例を工程順に示すもので、接続端子上にフォトマス
クを載せた状態を示す平面図である。
の一例を工程順に示すもので、接続端子上にフォトマス
クを載せた状態を示す平面図である。
【図５】本発明を適用したプリント配線基板の製造方法
の一例を工程順に示すもので、ソルダーレジスト形成工
程を示す断面図である。
の一例を工程順に示すもので、ソルダーレジスト形成工
程を示す断面図である。
【図６】基板の裏面から露光を行い又は現像を途中で止
めることにより、基板全面をソルダーレジストによって
覆った状態を示すプリント配線基板の断面図である。
めることにより、基板全面をソルダーレジストによって
覆った状態を示すプリント配線基板の断面図である。
【図７】実験例１のプリント配線基板を作製する際に使
用したフォトマスクを銅箔ランドに載せた状態を示す平
面図である。
用したフォトマスクを銅箔ランドに載せた状態を示す平
面図である。
【図８】実験例２のプリント配線基板を作製する際に使
用したフォトマスクを銅箔ランドに載せた状態を示す平
面図である。
用したフォトマスクを銅箔ランドに載せた状態を示す平
面図である。
【図９】比較例で作製されたプリント配線基板の断面図
である。
である。
【図１０】従来のフォトマスクを用いてソルダーレジス
トを露光する状態を示す断面図である。
トを露光する状態を示す断面図である。
【図１１】従来の方法により作製されたアンダーカット
を生じたプリント配線基板の断面図である。
を生じたプリント配線基板の断面図である。
１・・・基板 ２・・・銅箔 ３ａ・・・接接続端子（ランド） ３ｂ・・・配線回路 ４・・・ソルダーレジストインク ６・・・ソルダーレジスト ７・・・ソルダーレジスト開口部
Claims (6)
- 【請求項１】 吸光度の大きい樹脂をベースレジンとし
た基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されて
なるプリント配線基板において、 少なくとも基板の全面がソルダーレジストにより覆われ
ていることを特徴とするプリント配線基板。 - 【請求項２】 ソルダーレジスト開口部が上記配線パタ
ーンの接続端子部形状より小さいことを特徴とする請求
項１記載のプリント配線基板。 - 【請求項３】 吸光度の大きい樹脂が波長３００ｎｍ〜
４００ｎｍにおいて平均反射率０．０３％以下の樹脂で
あることを特徴とする請求項１又は２記載のプリント配
線基板。 - 【請求項４】 波長３００ｎｍ〜４００ｎｍにおいて平
均反射率０．０３％以下である樹脂がポリフェニレンエ
ーテル及びその変性物であることを特徴とする請求項１
から３のいずれか１記載のプリント配線基板。 - 【請求項５】 吸光度の大きい樹脂をベースレジンとし
た基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されて
なるプリント配線基板の製造方法において、 ソルダーレジストの露光時に基板の裏側から露光するこ
とにより、基板全面をソルダーレジストにより覆うこと
を特徴とするプリント配線基板の製造方法。 - 【請求項６】 吸光度の大きい樹脂をベースレジンとし
た基板に配線パターンとソルダーレジストが形成されて
なるプリント配線基板の製造方法において、 ソルダーレジストの現像時に現像を途中で止め現像残り
を発生させることにより、基板全面をソルダーレジスト
により覆うことを特徴とするプリント配線基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17675893A JPH0738233A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | プリント配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17675893A JPH0738233A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | プリント配線基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0738233A true JPH0738233A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16019303
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17675893A Pending JPH0738233A (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | プリント配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738233A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040924A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| US20240030395A1 (en) * | 2021-09-08 | 2024-01-25 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | A light-emitting substrate and a manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-07-16 JP JP17675893A patent/JPH0738233A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006040924A (ja) * | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP4552552B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2010-09-29 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| US20240030395A1 (en) * | 2021-09-08 | 2024-01-25 | Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | A light-emitting substrate and a manufacturing method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4664962A (en) | Printed circuit laminate, printed circuit board produced therefrom, and printed circuit process therefor | |
| CA2022753C (en) | Photocurable resin laminate and method for producing printed circuit board by use thereof | |
| KR940007800B1 (ko) | 인쇄 배선 기판용 레지스트 패터닝방법 | |
| KR20010006436A (ko) | 고밀도 다층 인터커넥트 인쇄회로기판의 제조 | |
| US4631111A (en) | Dichromic process for preparation of conductive circuit | |
| US5464662A (en) | Fabrication method of printed wiring board | |
| US6013417A (en) | Process for fabricating circuitry on substrates having plated through-holes | |
| EP0933681A1 (en) | Positive-tone photoimageable crosslinkable coating | |
| JP3031042B2 (ja) | 表面実装用プリント配線板 | |
| JP3080366B2 (ja) | 無電解金属めっき法及び回路化構造体 | |
| JPH0738233A (ja) | プリント配線基板及びその製造方法 | |
| JPH1115150A (ja) | 多層構造を有するドライフィルムレジスト | |
| KR100199539B1 (ko) | 다층인쇄회로판을제조하는방법_ | |
| JP2006201434A (ja) | ソルダーレジスト露光用フォトマスク及びそれを用いて露光処理を行った配線基板もしくはその製造方法 | |
| JPS6141151A (ja) | レジストパタ−ンの形成法 | |
| CN216017244U (zh) | 一种基于提高阻光性能的pcb板 | |
| JP2820332B2 (ja) | プリント配線板 | |
| JPH0329390A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3019470B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH09130016A (ja) | 回路形成方法 | |
| JP3168091B2 (ja) | 立体回路形成方法 | |
| JP3711569B2 (ja) | プリント配線板及びその製造方法 | |
| JPS5921095A (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
| JPS5817696A (ja) | 多層印刷配線板の製造法 | |
| JPH0836266A (ja) | 厚膜レジストパターンの製造法及びその製造法により製造された厚膜レジストパターン |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040406 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040803 |