JPS6139598A - レジストパタ−ン形成法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成法Info
- Publication number
- JPS6139598A JPS6139598A JP15997584A JP15997584A JPS6139598A JP S6139598 A JPS6139598 A JP S6139598A JP 15997584 A JP15997584 A JP 15997584A JP 15997584 A JP15997584 A JP 15997584A JP S6139598 A JPS6139598 A JP S6139598A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- resist
- support
- printed wiring
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は印刷配線板製造工程においてめっきレジスト、
エツチングレジスト、はんだレジスト等として用いられ
る。レジストパターンの形成法に関する。
エツチングレジスト、はんだレジスト等として用いられ
る。レジストパターンの形成法に関する。
（従来の技術）
印刷配線板の線巾、線間隔はＬＳＩの高集積化にともな
いますます細（なっている。しかし、従来の印刷配線板
製造工程で用いられていたレジストパターン形成法では
、例えば鋼張り積層板の銅表面にエツチングレジストの
レジストパターンを形成する場合、露光に用いる紫外線
等が銅表面で乱反射するため、レジストパターン巾が太
（なる。特に微細パターンの形成では、この現象の影響
による解像度低下が１ｉ要な問題となって（る。この対
策として、銅表面ｌＣ紫外線吸収率の高い鋼の黒色酸化
皮膜を形成して基板表面の乱反射の影響による解像度低
下を防止する方法がある。この酸化層は絶縁性があるた
め、電気めっきに先だって前記酸化層を除去する際、除
去液がレジスト下にしみ込み、レジストラインを保持す
るのが困難なこと、さらには作業工程数の増加等の点で
問題がある。
いますます細（なっている。しかし、従来の印刷配線板
製造工程で用いられていたレジストパターン形成法では
、例えば鋼張り積層板の銅表面にエツチングレジストの
レジストパターンを形成する場合、露光に用いる紫外線
等が銅表面で乱反射するため、レジストパターン巾が太
（なる。特に微細パターンの形成では、この現象の影響
による解像度低下が１ｉ要な問題となって（る。この対
策として、銅表面ｌＣ紫外線吸収率の高い鋼の黒色酸化
皮膜を形成して基板表面の乱反射の影響による解像度低
下を防止する方法がある。この酸化層は絶縁性があるた
め、電気めっきに先だって前記酸化層を除去する際、除
去液がレジスト下にしみ込み、レジストラインを保持す
るのが困難なこと、さらには作業工程数の増加等の点で
問題がある。
（発明の目的）
本発明の目的は、微細なパターンを容易に形成し得るレ
ジストパターン形成法を提供するにある。
ジストパターン形成法を提供するにある。
（発明の構成）
本発明は、支持体上の感光性レジスト層な選択的に露光
し、感光性レジスト層面が印刷配線板用基板に接するよ
うに、熱圧着し、更に支持体を除去した後現像によって
レジストパターンを形成することを特徴とするレジスト
パターン形成法である。
し、感光性レジスト層面が印刷配線板用基板に接するよ
うに、熱圧着し、更に支持体を除去した後現像によって
レジストパターンを形成することを特徴とするレジスト
パターン形成法である。
すなわち本発明は、基板表面の影響による解像度低下を
防止するためになされたもので、支持体上の感光性樹脂
層を選択的に露光することで前記印刷配線板用基板上で
の乱反射の影響を無くし、レジストパターンを形成する
ものである。
防止するためになされたもので、支持体上の感光性樹脂
層を選択的に露光することで前記印刷配線板用基板上で
の乱反射の影響を無くし、レジストパターンを形成する
ものである。
本発明において支持体として使用可能なものはラミネー
トあるいはコーティングされたレジストとの離型性が良
くかつ透光性の良いもの（ポリエステル、ポリプロピレ
ン樹脂等）、あるいはそれ自身光吸収率の高いものであ
る。また厚さに制限がないが取扱いが容易で、後記加熱
圧着の際の寸法収縮を考えれば、３０μｍ前後のものが
良い、これをＳＵＳ板やリジッドな基板上において公知
のラミネーターやスピンコーターで感光性樹脂層を支持
体上に形成する。
トあるいはコーティングされたレジストとの離型性が良
くかつ透光性の良いもの（ポリエステル、ポリプロピレ
ン樹脂等）、あるいはそれ自身光吸収率の高いものであ
る。また厚さに制限がないが取扱いが容易で、後記加熱
圧着の際の寸法収縮を考えれば、３０μｍ前後のものが
良い、これをＳＵＳ板やリジッドな基板上において公知
のラミネーターやスピンコーターで感光性樹脂層を支持
体上に形成する。
感光性樹脂としては印刷配線板用基板への接着力の点で
光分解型のものが好ましい。また液状のものでもフィル
ム状のものでも良い。第１図に示すように支持体１上で
、フォトマスク２をレジス）３に密着させて露光する。
光分解型のものが好ましい。また液状のものでもフィル
ム状のものでも良い。第１図に示すように支持体１上で
、フォトマスク２をレジス）３に密着させて露光する。
その際、支持体の透光率が高い場合は、光吸収率の高い
物体４上で露光しても良い。露光後、印刷配線板用基板
６に支持体を上にして、すなわち、レジスト面を基板に
接して加熱圧着しく第２．３図）支持体を剥離した後、
現像により必要なレジストパターンを形成する。第２図
はロール５により加熱圧着するもので、第３図は熟語７
で加熱圧着するものである。
物体４上で露光しても良い。露光後、印刷配線板用基板
６に支持体を上にして、すなわち、レジスト面を基板に
接して加熱圧着しく第２．３図）支持体を剥離した後、
現像により必要なレジストパターンを形成する。第２図
はロール５により加熱圧着するもので、第３図は熟語７
で加熱圧着するものである。
印刷配線板用基板としては、例えばエツチングレジスト
の場合は、銅張り積層板、めっきレジストの場合は導体
回路が形成された配線板、接着剤付き積層板、ソルダー
レジストの場合は、導体回路が形成された配線板等があ
る。
の場合は、銅張り積層板、めっきレジストの場合は導体
回路が形成された配線板、接着剤付き積層板、ソルダー
レジストの場合は、導体回路が形成された配線板等があ
る。
実施例
２５μｍのポリエステルフィルムをガラスエポキシ板に
張りつけその上にスピンコーター（共和埋研；に３６０
ＳＴ−ｓｏＯ型）を使ってポジ型液状レジスト（シップ
レイ社製、商品名；マイクロポジット１３００ ）を１
０μｍ厚でコーティングした後、２０分室温にて風乾し
た。さらに、９０℃で２０分間プリベークした後、前記
ガラスエポキシ板より前記ポリエステルフィルムごとレ
ジスト層を剥離し、黒色ポリエチレンシート上でフォト
マスクを用いて露光し、前記ポリエステルフィルムを上
にしてホットロールラミネーター（デニポン製ＨＲＬ−
２４型）でレジスト層が銅張り積層板に接するように加
熱圧着（１０’５℃、２．８ｋｇ／ａｎ’）Ｌ、前記ポ
リエステルフィルムを剥離した。現像によるレジストパ
ターン形成後１００℃で３０分間のアフターベークをほ
どこした。本性により高さ１０μｍ、巾３０〜４０μｍ
のレジストラインが均一に形成できた。
張りつけその上にスピンコーター（共和埋研；に３６０
ＳＴ−ｓｏＯ型）を使ってポジ型液状レジスト（シップ
レイ社製、商品名；マイクロポジット１３００ ）を１
０μｍ厚でコーティングした後、２０分室温にて風乾し
た。さらに、９０℃で２０分間プリベークした後、前記
ガラスエポキシ板より前記ポリエステルフィルムごとレ
ジスト層を剥離し、黒色ポリエチレンシート上でフォト
マスクを用いて露光し、前記ポリエステルフィルムを上
にしてホットロールラミネーター（デニポン製ＨＲＬ−
２４型）でレジスト層が銅張り積層板に接するように加
熱圧着（１０’５℃、２．８ｋｇ／ａｎ’）Ｌ、前記ポ
リエステルフィルムを剥離した。現像によるレジストパ
ターン形成後１００℃で３０分間のアフターベークをほ
どこした。本性により高さ１０μｍ、巾３０〜４０μｍ
のレジストラインが均一に形成できた。
（発明の効果）
本発明に於ては露光の際、基＆表面での乱反射の影響を
受けず、レジストのもつ特性を最大限に引き出せるため
解像度が向上し、微細なレジストパターンが形成出来る
。
受けず、レジストのもつ特性を最大限に引き出せるため
解像度が向上し、微細なレジストパターンが形成出来る
。
第１図は露光工程を示す断面図、第２．３図はそれぞれ
ホットロールラミネーター、加熱プレスにより露光後の
レジスト層を加熱圧着する工程の断面図である。 符号の説明 １ 支持体 ２ フォトマスク３ 感光性樹
脂層（レジスト）４ 光吸収率の高い物体５ ホットロ
ールラミネーター ６ 印刷配線板用基板７ 熱盤
ホットロールラミネーター、加熱プレスにより露光後の
レジスト層を加熱圧着する工程の断面図である。 符号の説明 １ 支持体 ２ フォトマスク３ 感光性樹
脂層（レジスト）４ 光吸収率の高い物体５ ホットロ
ールラミネーター ６ 印刷配線板用基板７ 熱盤
Claims (1)
- １、支持体上の感光性レジスト層を選択的に露光し、感
光性レジスト層面が印刷配線板用基板に接するように熱
圧着し、更に支持体を除去した後現像によってレジスト
パターンを形成することを特徴とするレジストパターン
形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15997584A JPS6139598A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | レジストパタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15997584A JPS6139598A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | レジストパタ−ン形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6139598A true JPS6139598A (ja) | 1986-02-25 |
Family
ID=15705260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15997584A Pending JPS6139598A (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | レジストパタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6139598A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7740026B2 (en) | 2004-06-28 | 2010-06-22 | Taikisha Ltd. | Thermal storage type gas treating apparatus |
| JP2014191318A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Asahi Kasei E-Materials Corp | レジストパターンの形成方法 |
| JP2018005250A (ja) * | 2017-09-21 | 2018-01-11 | 旭化成株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP15997584A patent/JPS6139598A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7740026B2 (en) | 2004-06-28 | 2010-06-22 | Taikisha Ltd. | Thermal storage type gas treating apparatus |
| JP2014191318A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Asahi Kasei E-Materials Corp | レジストパターンの形成方法 |
| JP2018005250A (ja) * | 2017-09-21 | 2018-01-11 | 旭化成株式会社 | レジストパターンの形成方法 |
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