TWI473712B - 佈線板用樹脂組成物，佈線板用樹脂片，複合體，複合體之製造方法及半導體裝置 - Google Patents

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Description

佈線板用樹脂組成物，佈線板用樹脂片，複合體，複合體之製造方法及半導體裝置
本發明係關於佈線板用樹脂組成物、佈線板用樹脂片、以及佈線所使用的複合體、複合體之製造方法及半導體裝置。
近年，隨電子機器的高機能化、輕量化、小型化、及薄型化的要求，正朝電子零件的高密度集聚化、高密度安裝化演進。該等電子機器所使用印刷佈線板的電路佈線由朝高密度化的傾向，採用經堆疊的多層佈線構造。
形成電路佈線圖案的方法，一般係有對銅箔施行蝕刻的手法(移除(subtractive)法)。依移除法所形成的電路厚度，係具有由所使用銅箔的厚度規定之特徵，電路寬度的精度係依存於蝕刻液的反應特性與所使用蝕刻裝置的能力。因而，移除法若扣除使用極薄金屬箔的部分用途，一般並不利於高密度化。
另一方面，在堆疊基板與多層佈線板的製造中，一般適用的工法係有如半添加法。該工法中有將樹脂表面施行去膠渣處理而將表面粗化，在表面上形成利用鈀觸媒的非電解鍍銅層，進一步在該鍍銅層上形成感光性光阻，經曝光、顯影等製程而施行圖案化後，利用電解鍍銅形成電路圖案，最後再將光阻剝離，並利用快速蝕刻將非電解鍍銅層除去而形成細微佈線的方法。(例如參照專利文獻1)。當依此方法形成細微佈線時，會有因光阻的曝光/顯影精度、或因佈線間的鈀觸媒殘渣而造成鍍敷異常析出等問題，當電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下，難以形成細微佈線。
再者，在移除法及半添加法中，會於樹脂層表面上形成凸型佈線。在堆疊基板與多層佈線板中，雖包括在後續步驟中將樹脂層施行積層的步驟，但依照樹脂組成，會有樹脂埋藏性的問題發生。特別係電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下的細微佈線區域中，若樹脂埋藏性變差，絕緣可靠度的確保會趨於困難。
又，有利用切割、電漿、或雷射等在樹脂層中形成溝槽，並對樹脂表面施行去膠渣處理而將表面粗化，於表面上形成利用鈀觸媒的非電解鍍銅層後，利用電解鍍銅形成導體，最後利用蝕刻將除溝槽部分以外的導體鍍敷除去，而形成電路的方法(例如參照專利文獻2、3)。
再者，作為隔著樹脂層將電路佈線層間進行連接的方法，係有在樹脂層中形成層間連接用介層窗的方法(例如參照專利文獻4)。在介層窗的形成時，係將碳酸氣體雷射、YAG雷射、準分子雷射等雷射照射於樹脂層，形成開口後，利用導電性樹脂的填充或鍍敷而將電路佈線層間施行連接。
[先行技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本專利特開平8-64930號公報
專利文獻2：日本專利特開平10-4253號公報
專利文獻3：日本專利特開2006-41029號公報
專利文獻4：日本專利特開2008-274210號公報
當利用切割、電漿、或雷射等，在樹脂層中形成溝槽，並形成電路的方法時，得知因樹脂層的溝槽側壁面凹凸變大，導致形成溝槽時的精度會有問題，難以形成電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下的細微佈線。又，得知利用雷射形成介層洞時，因為樹脂層中的無機填充材影響、與樹脂的雷射波長吸收性，故介層窗內部的樹脂面凹凸會變大，導致形成介層窗時的精度會有問題，難以形成20μm以下的介層窗。
本發明係有鑑於上述實情，提供：具有在複合體的樹脂層表面上所形成之高密接、高可靠度、及高頻對應之細微佈線的複合體；具有在複合體的樹脂層所形成之介層窗與高密度、高可靠度、及高頻對應之介層窗的複合體；以及該等複合體之製造方法暨使用該複合體的半導體裝置。
再者，本發明係提供：使用佈線板的絕緣層時，利用雷射加工而形成電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下之細微佈線形成用的溝槽加工性、及細微介層窗的加工性均優異，可形成該絕緣層與所形成導體層間之密接性高之絕緣層的樹脂組成物、及樹脂片。
此種目的係藉由下述本發明[1]~[25]項而達成。
[1]一種複合體，係含有樹脂層與導體層的複合體，其特徵在於：
在上述樹脂層表面設有最大寬度1μm以上且10μm以下的溝槽，且在該溝槽內部設有導體層，而鄰接該導體層的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
[2]一種複合體，係含有樹脂層與導體層的複合體，其特徵在於：
上述樹脂層設有直徑1μm以上且25μm以下的介層洞，且在該介層洞內部設有導體層，而上述介層洞內部的樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
[3]如[2]項所記載的複合體，其中更進一步在上述樹脂層表面設有最大寬度1μm以上且10μm以下的溝槽，並在該溝槽內部設有導體層，而鄰接該導體層的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
[4]如[1]至[3]項中任一項所記載的複合體，其中，上述樹脂層係含有無機填充材；該無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
[5]如[4]項所記載的複合體，其中，上述無機填充材的平均粒徑係0.05μm以上且1.0μm以下。
[6]如[1]至[5]項中任一項所記載的複合體，其中，上述溝槽內部的導體層截面形狀係大致梯形狀、魚板狀或三角形。
[7]如[2]至[6]項中任一項所記載的複合體，其中，上述介層洞的截面形狀係大致梯形狀。
[8]如[1]至[7]項中任一項所記載的複合體，其中，上述複合體係從印刷佈線板、半導體元件、金屬核心佈線板中選擇之至少一者。
[9]一種複合體之製造方法，係製造含有樹脂層與導體層之複合體的方法，包括有：
(A)利用雷射光，在樹脂層表面形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之溝槽的步驟；
(B)利用非電解電鍍在上述樹脂層表面形成導體的步驟；以及
(C)藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層的上述溝槽部分形成導體層之步驟。
[10]如[9]項所記載的複合體之製造方法，其中，在上述步驟(C)之後，包含有：
(D)在上述樹脂層與上述導體層上形成其他樹脂層的步驟。
[11]一種複合體之製造方法，係製造含有樹脂層與導體層之複合體的方法，包括有：
(A)利用雷射光，在樹脂層形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之介層洞的步驟；
(B)利用非電解電鍍在上述樹脂層表面形成導體的步驟；以及
(C)藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層的介層洞部分形成導體層之步驟。
[12]如[11]項所記載的複合體之製造方法，其中，上述步驟(A)係利用雷射光，在樹脂層形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下的介層洞，與在樹脂層表面形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下的溝槽之步驟；且上述步驟(C)係藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層的介層洞與上述樹脂層表面的溝槽部分形成導體層的步驟。
[13]如[11]或[12]項所記載的複合體之製造方法，其中，上述步驟(C)之後，包含有：
(D)在上述樹脂層與上述導體層上形成其他樹脂層的步驟。
[14]如[9]至[13]項中任一項所記載的複合體之製造方法，其中，在上述步驟(A)與上述步驟(B)之間，包括有利用電漿或藥液施行去膠渣的步驟。
[15]如[9]至[14]項中任一項所記載的複合體之製造方法，其中，在上述步驟(B)與上述步驟(C)之間，包括有利用電解電鍍更進一步施行導體形成的步驟。
[16]如[9]至[15]項中任一項所記載的複合體之製造方法，其中，上述雷射光係準分子雷射或YAG雷射。
[17]如[9]至[16]項中任一項所記載的複合體之製造方法，其中，上述步驟(A)中，上述樹脂層係含有無機填充材；該無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
[18]如[17]項所記載的複合體之製造方法，其中，上述無機填充材的平均粒徑係0.05μm以上且1.0μm以下。
[19]如[9]至[18]項中任一項所記載的複合體之製造方法，其中，上述複合體係從印刷佈線板、半導體元件、金屬核心佈線板中選擇之至少一者。
[20]一種半導體裝置，其中，[1]至[8]項中任一項所記載的複合體係印刷佈線板或金屬核心佈線板，並在該複合體上搭載半導體元件。
[21]一種佈線板用樹脂組成物，係含有無機填充材與熱硬化性樹脂的樹脂組成物，而上述無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
[22]如[21]項所記載的佈線板用樹脂組成物，其中，上述無機填充材的平均粒徑係0.05μm以上且1.0μm以下。
[23]如[21]或[22]項所記載的佈線板用樹脂組成物，其中，上述無機填充材的含有量係佔樹脂組成物中的10~80重量%。
[24]如[21]至[23]項中任一項所記載的佈線板用樹脂組成物，其中，上述無機填充材係球狀矽石。
[25]一種佈線板用樹脂片，係將由[21]至[24]項中任一項所記載的樹脂組成物構成之樹脂層，形成於基材上。
根據本發明，可獲得具有在複合體的樹脂層表面所形成之高密接、高可靠度、及高頻對應之細微佈線的複合體；具有在複合體的樹脂層所形成之高密度、高可靠度、及高頻對應之介層窗的複合體；以及使用該複合體的半導體裝置。
再者，本發明的樹脂組成物及使用該樹脂組成物而形成的樹脂片，當使用為佈線板的絕緣層時，利用雷射加工，便可形成電路寬度/電路間寬度(L/S)10μm/10μm以下的細微佈線或細微介層洞，且所形成絕緣層與導體層間之密接性高。
本發明第一複合體係含有樹脂層與導體層的複合體，其特徵在於：在上述樹脂層表面設有最大寬度1μm以上且10μm以下的溝槽，且在該溝槽內部設有導體層，而鄰接該導體層的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
再者，本發明第二複合體係含有樹脂層與導體層的複合體，其特徵在於：上述樹脂層設有直徑1μm以上且25μm以下的介層洞，且在該介層洞內部設有導體層，而上述介層洞內部的樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
再者，本發明的複合體之製造方法，係製造含有樹脂層與導體層之複合體的方法，包括有：(A)利用雷射光，在樹脂層表面形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之溝槽、及/或在樹脂層形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之介層洞的步驟；(B)利用非電解電鍍在上述樹脂層表面形成導體的步驟；以及(C)藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層表面的溝槽部分及/或上述樹脂層的介層窗中形成導體層的步驟。
根據本發明，著眼於與導體層相接觸部分的樹脂層之表面粗糙度，藉由將該樹脂層的表面粗糙度設為特定值，細微佈線與細微介層窗便可在確保導體層與樹脂層間之密接性的情況下，使導體層的表面凹凸變小，在超越1GHz的高頻區域中，可減少因表皮效應(skin effect)所造成的傳輸損失。藉由該等，便可獲得具有在複合體的樹脂層表面所形成之高密接、高可靠度、及高頻對應之細微佈線，及/或具有在複合體的樹脂層所形成之高密度、高可靠度、及高頻對應之介層窗的複合體。以下，針對本發明的複合體、複合體之製造方法、及半導體裝置、以及佈線板用樹脂組成物及樹脂片，進行詳細說明。
首先，針對本發明的複合體進行說明。本發明的複合體係含有樹脂層與導體層，頗適用為佈線板等。複合體係可舉例如：由在基板上所形成之樹脂層與導體層構成的印刷佈線板、由在印刷佈線板上所形成之樹脂層(例如堆疊層)與導體層構成的堆疊多層印刷佈線板、由在金屬基板上所形成之樹脂層與導體層構成的金屬核心佈線板、及由在晶圓表面上所形成之樹脂層與導體層所構成之半導體元件的重佈線等。
圖1所示係本發明第一複合體之一例。本發明的第一複合體100係可具有基材10，為含有樹脂層1與導體層2的複合體，在上述樹脂層1表面設有最大寬度1μm以上且10μm以下的溝槽3，並在該溝槽內部設有導體層2，而鄰接該導體層2的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。此處，導體層2係如圖1中的51與61所示，亦可由2種以上的導體層構成。另外，所謂「溝槽寬度」係指與溝槽長邊方向正交的方向截面之上邊長度。
上述樹脂層表面的溝槽內部所具有之導體層的最大寬度，通常係與上述溝槽的最大寬度相同。本發明第一複合體的態樣中，上述樹脂層表面的溝槽與導體層之最大寬度係1μm以上、10μm以下。藉此，便可達複合體的高密度化、高安裝化、及細微佈線化。此外，雖無特別的限定，但上述樹脂層表面的溝槽與導體層之最大寬度較佳係8μm以下、更佳6μm以下、特佳4μm以下。藉此，便可有效地顯現出更高密度化、高安裝化的作用。
再者，上述樹脂層表面的溝槽深度較佳係1μm以上、20μm以下。
本發明中，鄰接上述導體層2的溝槽內部之上述樹脂層表面的算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上、0.45μm以下。鄰接導體層的溝槽內部之樹脂層表面的算術平均粗糙度(Ra)，係被溝槽內部的導體層表面之算術平均粗糙度(Ra)反映出。藉由將樹脂層的溝槽內部之表面凹凸最佳化，便可在確保樹脂層與導體層間之密接性的情況下，縮小導體層的表面凹凸，在超越1GHz的高頻區域中，可減輕因表皮效應所造成的傳輸損失，俾可形成高頻對應的細微佈線。若成為高頻信號，便成為導體電路表面的信號傳播，但若導體層的表面凹凸過大，傳輸距離便會伸長，因而造成傳送變慢，導致傳播中的損失變大。又，雖無特別的限定，算術平均粗糙度(Ra)更佳係0.05μm以上、0.30μm以下，特佳係0.1μm以上、0.25μm以下。藉此，便可有效地顯現出高頻區域中的傳輸損失降低作用。
若算術平均粗糙度(Ra)未滿上述下限值，則在焊錫耐熱試驗、冷熱循環試驗等之中，會有發生導體層剝離情況的可能性，反之，若超過上述上限值，則會阻礙高速信號傳送，而有損及電氣可靠度的可能性。
另外，本發明中，算術平均粗糙度(Ra)係依JIS B0601定義。樹脂層所形成之溝槽表面的算術平均粗糙度(Ra)之測定，係可根據JIS B0601實施，亦可使用例如Veeco公司製之WYKO NT1100進行測定。
再者，本發明中，鄰接上述導體層2的溝槽內部之上述樹脂層表面，其十點平均粗糙度(Rz)較佳係6.0μm以下、更佳係4.0μm以下。鄰接導體層的溝槽內部之樹脂層表面，其十點平均粗糙度(Rz)係被溝槽內部的導體層表面之十點平均粗糙度(Rz)反映出。十點平均粗糙度(Rz)係從測定長度間的最大山頂高度中選取5點的平均、與從最大谷底深度中選擇5點的平均之和，因而可評估溝槽內部的導體層表面最大凸部。若十點平均粗糙度(Rz)過大，會因導體層的最大凸部影響，導致細微佈線間的距離出現明顯縮短處，不利於絕緣，而有可靠度降低的可能性。十點平均粗糙度(Rz)較佳係在4.0μm以下。藉此，便可有效地顯現出細微佈線的可靠度。
另外，本發明中，十點平均粗糙度(Rz)係依照JIS B0601定義。在樹脂層中所形成溝槽表面的十點平均粗糙度(Rz)測定係可根據JIS B0601實施，亦可使用例如Veeco公司製WYKO NT1100進行測定。
再者，本發明複合體的上述樹脂層表面之溝槽截面形狀、及該溝槽內部所具有導體層的截面形狀，較佳係大致梯形狀、魚板狀或三角形。藉此，便可進行信號響應性優異的細微佈線形成。
上述溝槽內部所具有的導體層係只要屬於導體便可，其餘無特別的限定，較佳係利用鍍敷形成。導體層較佳係含有例如銅、鎳等金屬。
圖2所示係本發明第二複合體之一例。本發明的第二複合體101係可設有具導體層11之基材10，為含有樹脂層1與導體層2的複合體，在上述樹脂層1上設有直徑為1μm以上且25μm以下的介層洞4，並在該介層洞內部設有導體層2，而上述介層洞內部的樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。此處，導體層2係如圖2中的52與62所示，亦可由2種以上的導體層構成。
本發明第二複合體的態樣中，介層洞直徑係1μm以上且25μm以下。藉此，便可達複合體的高密度化、高安裝化、細微佈線化。又，雖無特別的限定，介層窗直徑較佳係在20μm以下、更佳18μm以下、特佳15μm以下。藉此，便可有效地顯現出更高密度化、高安裝化、細微佈線化的作用。
若介層洞直徑未滿上述下限值，便會有無法利用雷射光在樹脂層中形成介層洞的地方、或連接不良的情況，或者會有鍍敷液的循環惡化導致無法利用鍍敷施行導體形成的情況，而有無法將電路佈線層間進行連接的可能性。又，在焊錫耐熱試驗、冷熱循環試驗等之中，會有在介層洞內部的導體層與樹脂間之界面發生剝離情況的可能性。此外，若超過上述上限值，會有當利用雷射光形成介層洞時，造成介層窗形狀出現畸形或樹脂出現龜裂的可能性，或者因對樹脂加熱過度，而有介層洞間的絕緣可靠度降低之可能性。此外，複合體的高密度化、高安裝化、細微佈線化會趨於困難。
本發明第二複合體的態樣中，鄰接上述導體層2的介層洞內部之樹脂層表面算術平均粗糙度(Ra)，係0.05μm以上且0.45μm以下。藉由樹脂層的介層洞內部之凹凸呈最佳化，便可在確保樹脂層與導體層間之密接性的情況下，縮小介層洞內部的樹脂層表面凹凸，即便在超過1GHz的高頻區域中，仍可減輕因表皮效應所造成的傳輸損失，且可降低介層洞內部的可鍍性不良與層間連接不良情形。此外，雖無特別的限定，算術平均粗糙度(Ra)更佳係0.05μm以上且0.30μm以下、特佳係0.1μm以上且0.25μm以下。藉此，便可有效地顯現出減輕高頻區域中的傳輸損失、以及降低介層洞內部的可鍍性不良與層間連接不良情況之作用。
若介層窗內部的樹脂表面之算術平均粗糙度(Ra)未滿上述下限值，在焊錫耐熱試驗、冷熱循環試驗等之中，會有在介層窗的導體與樹脂之界面處發生剝離的可能性，反之，若超過上述上限值，則會阻礙及高速信號傳送，導致損及電氣可靠度的可能性，且會有造成介層洞內部的可鍍性不良與層間連接不良情況之可能性。
再者，本發明複合體的介層洞截面形狀較佳係大致梯形狀。藉此便可形成信號響應性、連接可靠度、及可鍍性均優異的介層窗。
再者，上述介層洞內部所具有的導體層係只要屬於導體便可，其餘無特別的限定，較佳係利用鍍敷形成。導體層較佳係含有例如銅、鎳等金屬。
本發明的第二複合體亦同，在上述樹脂層表面中所存在導體層的最大寬度較佳係1μm以上且10μm以下。藉此，便可達複合體的高密度化、高安裝化。又，雖無特別的限定，導體層的最大寬度更佳係在8μm以下、特佳在6μm以下、最佳在4μm以下。藉此便可有效地顯現出高密度化、高安裝化的作用。
本發明的第二複合體亦同，較佳係更進一步在上述樹脂層表面設有最大寬度為1μm以上且10μm以下的溝槽，以及在該溝槽內部設有導體層，且鄰接該導體層的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。此種複合體的例子係如圖3所示。本發明的第二複合體102係可設有具導體層11之基材10，為含有樹脂層1與導體層2的複合體，在上述樹脂層1上設有直徑為1μm以上且25μm以下的介層洞4，並在該介層洞內部設有導體層2，而上述介層洞內部的樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。又，在上述樹脂層1表面上設有最大寬度為1μm以上且10μm以下的溝槽3，以及在該溝槽內部設有導體層2，而鄰接該導體層2的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
第二複合體中，當具有此種樹脂層表面的溝槽及溝槽內部的導體層時，可形成與第一複合體中所說明樹脂層表面的溝槽與溝槽內部的導體層相同者。
上述樹脂層的厚度並無特別的限定，較佳為1μm以上且60μm以下、更佳為5μm以上且40μm以下。樹脂層的厚度在提升絕緣可靠度的前提下，較佳係達上述下限值以上，在達成多層印刷佈線板薄膜化的前提下，較佳係在上述上限值以下。藉此，當製造印刷佈線板之際，可成形填充有內層電路基板的導體層凹凸之絕緣層，且可確保較佳的絕緣層厚度。
其次，針對樹脂層所使用的樹脂組成物進行說明。樹脂層形成用樹脂組成物較佳係含有熱硬化性樹脂。即，本發明的複合體中，具有上述溝槽或上述介層洞的樹脂層，較佳係由含有熱硬化性樹脂的樹脂組成物之硬化物構成。藉由含有熱硬化性樹脂的硬化物，便可提升樹脂層的耐熱性。
熱硬化性樹脂係可舉例如：酚酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等酚醛型酚樹脂；未改質的酚醛酚樹脂、或經桐油、亞麻仁油、核桃油等改質過的油改質酚醛酚樹脂等酚醛型酚樹脂；聯苯芳烷型酚樹脂等酚樹脂；雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂、芳基伸烷型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等環氧樹脂；尿素(urea)樹脂、三聚氰胺樹脂等具有三環的樹脂；不飽和聚酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚胺甲酸酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚矽氧樹脂、具有苯并環的樹脂、三樹脂、苯環丁烯樹脂、氰酸酯樹脂等。該等之中，較佳係含有從環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂及苯環丁烯樹脂中選擇1種以上的樹脂，更佳係含有環氧樹脂、酚樹脂及/或氰酸酯樹脂，特佳係含有氰酸酯樹脂。藉此，便可減小樹脂層的熱膨脹係數。且，若含有氰酸酯樹脂，則樹脂層的電氣特性(低介電常數、低介電損耗)、機械強度、雷射加工性(特別係準分子雷射、YAG雷射加工性)等亦均優異。
氰酸酯樹脂具體係可舉例如：酚醛型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂；萘酚芳烷型氰酸酯樹脂、聯苯芳烷型氰酸酯樹脂、雙環戊二烯型氰酸酯樹脂等。該等之中較佳為酚醛型氰酸酯樹脂。酚醛型氰酸酯樹脂係可減小樹脂層的熱膨脹係數，且樹脂層的機械強度、電氣特性(低介電常數、低介電損耗)亦均優異。此外，萘酚芳烷型氰酸酯樹脂、聯苯芳烷型氰酸酯樹脂，亦是低線膨脹、低吸水性、機械強度均優異，因而屬較佳使用。
氰酸酯樹脂的重量平均分子量並無特別的限定，重量平均分子量較佳係500~4,500、更佳600~3,000。若重量平均分子量未滿上述下限值，則會有構成樹脂層硬化物的機械強度降低之情況，且當製作樹脂層時會有發生沾黏性，發生樹脂轉印的情況。反之，若重量平均分子量超過上述上現值，則會有硬化反應變快，當形成基板(特別係電路基板)時會有發生成形不良、或層間剝離強度降低的情況。此外，氰酸酯樹脂等的重量平均分子量係可利用例如GPC(凝膠滲透色層分析儀，標準物質：聚苯乙烯換算)進行測定。
再者，雖無特別的限定，氰酸酯樹脂亦包括其衍生物，可單獨使用1種，或亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，或亦可併用1種或2種以上與該等的預聚物。
氰酸酯樹脂的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物整體的5~50重量%、更佳係10~30重量%。若含有量未滿上述下限值，則會有熱硬化性樹脂組成物的反應性與低熱膨脹性降低，或所獲得製品的耐熱性降低之情況，反之，若超過上述上限值，則會有耐濕性降低的情況。
當熱硬化性樹脂係使用氰酸酯樹脂(特別係酚醛型氰酸酯樹脂)時，較佳係併用環氧樹脂(實質上未含鹵原子)。
上述環氧樹脂係可舉例如：雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂等酚醛型環氧樹脂；聯苯型環氧樹脂、二甲苯型環氧樹脂、聯苯芳烷型環氧樹脂等芳基伸烷型環氧樹脂；萘型環氧樹脂、萘酚芳烷型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。環氧樹脂係可單獨使用該等中之1種，亦可併用具有不同重量平均分子量的2種以上，亦可併用1種或2種以上與該等的預聚物。
該等環氧樹脂中，特佳為芳基伸烷型環氧樹脂。藉此便可提升吸濕焊錫耐熱性與難燃性。所謂「芳基伸烷型環氧樹脂」係指重複單位中具有一個以上芳基伸烷基的環氧樹脂。例如：二甲苯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂、萘二亞甲基型環氧樹脂、萘改質甲酚酚醛環氧樹脂等。該等之中，較佳為聯苯二亞甲基型環氧樹脂、萘改質甲酚酚醛環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、萘二亞甲基型環氧樹脂。此外，萘酚芳烷型環氧樹脂亦是因為低線膨脹、低吸水性、及機械強度均優異，因而屬較佳使用。
環氧樹脂的含有量並無特別的限定，較佳係佔樹脂組成物整體的1~55重量%、更佳係5~40重量%。若含有量未滿上述下限值，便會有氰酸酯樹脂的反應性降低、或所獲得製品的耐濕性降低之情況，反之，若超過上述上限值，便會有低熱膨脹性、耐熱性降低的情況。
環氧樹脂的重量平均分子量並無特別的限定，但重量平均分子量較佳係500~20,000、更佳係800~15,000。若重量平均分子量未滿上述下限值，便會有在樹脂層表面上發生沾黏性的情況，反之，若超過上述上限值，便會有焊錫耐熱性降低的情況。藉由將重量平均分子量設定在上述範圍內，便可形成該等特性均衡優異者。環氧樹脂的重量平均分子量係例如可利用GPC進行測定。
上述熱硬化性樹脂係可使用1種或組合使用2種以上。通常係搭配硬化劑，使用作為熱硬化性樹脂。
上述熱硬化性樹脂的含有量並無特別的限定，但較佳係佔樹脂層形成用樹脂組成物中的20~90重量%、更佳係30~80重量%、特佳係40~70重量%。若含有量未滿下限值，便會有樹脂層形成趨於困難的情況，反之，若超過上限值，便會有樹脂層強度降低的情況。
本發明印刷佈線板的樹脂層(或樹脂層形成用樹脂組成物)，係可設為含有無機填充材者。當在樹脂層中含有無機填充材時，因為會成為低熱膨脹、高彈性、低吸水，因而從安裝可靠度、翹曲量提升的觀點而言，係屬較佳。
上述無機填充材中超過2μm的粗粒在500ppm以下之事項，從當使用於佈線板的絕緣層時，利用雷射加工形成電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下的細微佈線用之溝槽加工性、以及細微介層窗的加工性均優異，所形成之絕緣層與所形成導體電路間之密接性優異的觀點而言，係屬較佳。上述無機填充材更佳係超過2μm的粗粒在300ppm以下、特佳係超過2μm的粗粒在5ppm以下。
另外，獲得超過2μm的粗粒在500ppm以下之無機填充材的方法並無特別的限定。例如作為將超過2μm的粗粒除去之方法，係在有機溶劑及/或水中的漿狀態下，利用平均粒徑10倍以上的細孔徑過濾器將粗粒施行數次除去，接著利用2μm細孔徑過濾器重複實施將超過2μm的粗粒除去之動作便可獲得。
上述無機填充材的粗粒徑及含有量的測定，係可利用粒子影像解析裝置(SYSMEX公司製之FPIA-3000S)進行測定。可使無機填充材在水中或有機溶劑中利用超音波進行分散，再從所獲得影像中，計算出超過2μm的無機填充材之個數而測定。具體而言，利用無機填充材相當於圓的直徑，以超過2μm的粒子數與解析總粒子數而規定含有量。
其中，上述無機填充材的最大粒徑較佳係2.0μm以下。藉此，便可輕易地實現上述特定樹脂層的表面粗糙度，俾可提高絕緣可靠度，且形成信號響應性優異的細微佈線。此外，雖無特別的限定，無機填充材的最大粒徑更佳在1.8μm以下、特佳在1.5μm以下。藉此，便可有效地顯現出提高絕緣可靠度、信號響應性、介層窗/溝槽內的可鍍性、以及層間連接可靠度的作用。
再者，上述無機填充材的平均粒徑較佳係0.05μm以上、1.0μm以下。藉此，便可輕易地實現絕緣可靠度高、信號響應性優異的細微佈線形成。又，當無機填充材的平均粒徑在上述範圍內時，利用雷射加工形成電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下的細微佈線用之溝槽加工性、與細微介層窗加工性均會呈優異，容易實現上述特定的樹脂層表面粗糙度。無機填充材的平均粒徑較佳係0.05μm以上且0.60μm、更佳係0.05μm以上且0.50μm、特佳係0.05μm以上且0.40μm以下。藉此，便可有效地顯現出提高絕緣可靠度、信號響應性、介層窗或溝槽內的可鍍性、以及層間連接可靠度的作用。
無機填充材的平均粒徑測定，係例如可依雷射繞射散射法施行測定。使無機填充材利用超音波分散於水中，再利用雷射繞射式粒度分佈測定裝置(HORIBA製之LA-500)，依體積基準製成無機填充材的粒度分佈，藉由將其中間直徑視為平均粒徑便可進行測定。具體而言，無機填充材的平均粒徑係依D50規定。
若上述無機填充材超過2μm的粗粒量高於上述上限值，則無機填充材會阻礙雷射加工，會有出現無法在樹脂層中形成溝槽的地方、或介層窗形狀形成畸形、或樹脂出現龜裂的可能性，而有因粗粒填料的脫落造成絕緣可靠度、可鍍性降低的可能性。此外，因為利用雷射光形成介層窗、溝槽的時間會拉長，因而會有作業性降低的可能性。又，因雷射加工後在溝槽側壁面上所殘留的無機填充材，而導致鍍敷後的導體層表面凹凸變大。因此，會有佈線與介層窗形狀的精度變差，導致在高密度印刷佈線板中損及絕緣可靠度的情況發生。且，在超過1GHz的高頻區域中，會有因表皮效應而損及信號響應性的情況。即便無機填充材的平均粒徑高於上述上限值，仍會有同樣的威脅。
再者，若上述無機填充材的平均粒徑未滿上述下限值，樹脂層的熱膨脹係數/彈性模數之物理性質會降低，而有損及半導體元件搭載時之安裝可靠度的可能性，且會有樹脂層形成用樹脂組成物中的無機填充材分散性降低、或發生凝聚情形、或者因樹脂組成物在B-階段狀態的柔軟性降低而造成樹脂薄膜化困難的可能性。
上述無機填充材並無特別的限定，可舉例如：滑石、燒成黏土、未燒成黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽；氧化鈦、氧化鋁、矽石、熔融矽石等氧化物；碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽；氫氧化鋁、氫氧化鎂、水鋁土、氫氧化鈣等氫氧化物；硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽；硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽；氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物；鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等等。無機填充材係可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。該等之中，特別從低熱膨脹性、難燃性、及彈性模數優異的觀點而言，較佳為矽石，更佳為熔融矽石。該等之中，其形狀最好為球狀矽石。
當在樹脂層或樹脂層形成用樹脂組成物中含有無機填充材時，無機填充材的含有量為在樹脂層或樹脂層形成用樹脂組成物中，較佳係佔10~80重量%、更佳係佔20~70重量%、特佳係佔30~60重量%，從可形成絕緣可靠度高、信號響應性優異之細微佈線的觀點而言，係屬於較佳。
再者，在樹脂層或樹脂層形成用樹脂組成物中，視需要，尚可添加例如：熱可塑性樹脂等製膜性樹脂，或硬化促進劑、偶合劑、顏料、染料、消泡劑、均塗劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等上述成分以外的添加物。
其次，針對本發明的佈線板用樹脂組成物進行說明。本發明的佈線板用樹脂組成物係含有無機填充材與熱硬化性樹脂的樹脂組成物，其特徵在於：上述無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
藉此，當使用於多層印刷佈線板的絕緣層時，利用雷射加工形成電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下的細微佈線用之溝槽加工性、與細微介層窗的加工性均優異，且所形成絕緣層與所形成導體電路間之密接性亦優異。
本發明的佈線板用樹脂組成物適用於形成上述本發明複合體的樹脂層。
本發明的佈線板用樹脂組成物中，從能有效地顯現出提高絕緣可靠度、信號響應性、介層窗或溝槽內的可鍍性、以及層間連接可靠度的作用之觀點而言，無機填充材的最大粒徑較佳在2.0μm以下。又，從佈線板的絕緣可靠度提高、信號響應性優異的觀點而言，上述無機填充材的平均粒徑較佳係0.05μm以上且1.0μm以下。
本發明佈線板用樹脂組成物中所使用的無機填充材與熱硬化性樹脂，可適用與上述複合體的樹脂層中所說明者相同者。又，本發明之佈線板用樹脂組成物中，視需要尚可添加與上述複合體的樹脂層中所說明者相同的添加物。
再者，本發明的佈線板用樹脂組成物中，無機填充材的含有量從可形成絕緣可靠度高、信號響應性優異之細微佈線形成的觀點而言，在樹脂組成物中較佳係佔10~80重量%、更佳係20~70重量%、特佳係30~60重量%。且，在本發明的佈線板用樹脂組成物中，上述熱硬化性樹脂的含有量在樹脂組成物中，較佳係佔20~90重量%、更佳係30~80重量%、特佳係40~70重量%。若含有量未滿下限值，便會有樹脂層的形成趨於困難之情況，反之，若超過上限值，則會有樹脂層強度降低的情況。
其次，針對本發明佈線板用樹脂片進行說明。
本發明的佈線板用樹脂片係將由上述本發明佈線板用樹脂組成物所構成之樹脂層形成於基材而構成。
圖4所示係本發明佈線板用樹脂片的示意圖。佈線板用樹脂片30係將由佈線板用樹脂組成物所構成之樹脂層20，形成於基材15上而構成。本發明佈線板樹脂片的樹脂層，係適用為上述本發明複合體的樹脂層形成材料。
上述基材15並無特別的限定，可使用高分子薄膜或金屬箔。高分子薄膜並無特別的限定，可使用例如：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯樹脂；氟系樹脂、聚醯亞胺樹脂等具有耐熱性的熱可塑性樹脂薄膜。金屬箔並無特別的限定，可使用例如：銅及/或銅系合金、鋁及/或鋁系合金、鐵及/或鐵系合金、銀及/或銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金等金屬箔等。
上述樹脂層20的厚度並無特別的限定，較佳係1μm以上且60μm以下、更佳係5μm以上且40μm以下。樹脂層的厚度在提升絕緣可靠度的前提下，較佳係達上述下限值以上，而在達成多層印刷佈線板薄膜化的前提下，較佳係在上述上限值以下。藉此，當製造印刷佈線板之際，可填充有內層電路基板的導體層凹凸之絕緣層，且可確保較佳的絕緣層厚度。
使用為上述基材的高分子薄膜或金屬箔之厚度並無特別的限定，若使用10μm以上且70μm以下者，在製造樹脂片30時的處置性良好，因而屬較佳。
另外，製造本發明樹脂片30時，最好盡量縮小鄰接絕緣層的基材面凹凸。藉此，便可在絕緣層表面形成均勻粗化，俾使細微佈線加工趨於容易。
本發明樹脂片30的製造方法並無特別的限定，係有如：使上述本發明樹脂組成物溶解、分散於溶劑等之中，而調製成樹脂清漆，使用各種塗佈機裝置將樹脂清漆塗佈於基材上之後，再將其施行乾燥的方法，或使用噴霧裝置，將樹脂清漆噴霧塗佈於基材上之後，再將其施行乾燥的方法等。該等之中，較佳係使用間歇滾筒塗佈機、模具塗佈機等各種塗佈機裝置，將樹脂清漆塗佈於基材上之後，再將其施行乾燥的方法。藉此，可效率佳地製造無孔洞且具有均勻樹脂層厚度的樹脂片。
樹脂清漆所使用的溶劑，最好對樹脂組成物中的樹脂成分呈現良好溶解性，但在不致造成不良影響的範圍內，亦可使用貧溶劑。呈良好溶解性的溶劑係可舉例如：丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系等。上述樹脂清漆中的固形份含有量並無特別的限定，但較佳係30~80重量%、更佳係40~70重量%。
其次，針對本發明複合體之製造方法進行說明。
首先，本發明複合體之製造方法中係準備樹脂層。針對本發明複合體之製造方法中形成樹脂層的方法進行說明。雖無特別的限定，但作為其中一例，針對在印刷佈線板上形成樹脂層的方法進行說明。在印刷佈線板上形成樹脂層的方法並無特別的限定，但最好使用上述本發明的樹脂片，或者依照與上述本發明樹脂片相同的方法，獲得具載體薄膜之樹脂片。
將所獲得具載體薄膜之樹脂片使用例如層壓機、真空壓合機等，在印刷佈線板等基板上施行熱壓接，藉此便可形成樹脂層。此外，將樹脂清漆直接塗佈於基板上，亦可形成樹脂層。除印刷佈線板以外，例如在晶圓上形成樹脂層時，依照如上述製作具載體薄膜之樹脂片並施行熱壓接的方法，或將樹脂清漆施行塗佈的方法，便可形成樹脂層。樹脂清漆所使用的溶劑係可使用與上述本發明樹脂片中所說明者相同者。
再者，複合體的樹脂層係在導體層形成前及/或形成後，視需要施行加熱，使熱硬化性樹脂硬化而形成。
其次，針對本發明複合體之製造方法，使用圖式進行說明。
圖5A~圖5F所示係製造本發明含有樹脂層與導體層之複合體第一態樣的方法之一例示意圖。本發明的複合體之製造方法係含有樹脂層1與導體層2的複合體之製造方法，包括有：(A)利用雷射光5在樹脂層1表面形成內部表面之算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之溝槽3的步驟(圖5A、圖5B)；(B)利用非電解電鍍在樹脂層1表面形成導體(非電解電鍍層50)的步驟(圖5C)；以及(C)藉由將導體70之一部分除去，而僅在樹脂層1的溝槽3部分形成導體層2的步驟。
再者，圖6A~圖6F所示係製造本發明之含有樹脂層與導體層之複合體第二態樣的方法之一例示意圖。本發明的複合體之製造方法係含有樹脂層1與導體層2的複合體之製造方法，包括有：(A)利用雷射光5在樹脂層1表面形成內部表面之算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之介層洞4的步驟(圖6A、圖6B)；(B)利用非電解電鍍在樹脂層1表面形成非電解電鍍層50的步驟(圖6C)；以及(C)藉由將導體70之一部分除去，而僅在樹脂層1的介層洞4部分形成導體層2的步驟。
步驟(A)中，雷射光5較佳係準分子雷射或YAG雷射。藉由使用該等雷射，便可精度與形狀佳地形成溝槽3與介層洞4，可達細微佈線形成與高密度化。雖無特別的限定，但準分子雷射的雷射波長較佳係193nm、248nm、308nm，更佳係193nm、248nm。藉此，便可有效顯現出能依精度與形狀佳地形成溝槽與介層洞的作用。YAG雷射的波長較佳係355nm。至於其他波長，會有構成樹脂層1的樹脂組成物不吸收雷射光5，導致無法形成溝槽與介層洞的可能性。雷射光5係透過遮罩6照射於樹脂層1。
雷射照射條件係依能在樹脂層表面形成內部表面算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之溝槽或介層洞內部表面的方式進行選擇。其中，樹脂層的溝槽3或介層洞4的內部表面算術平均粗糙度(Ra)，更佳係成為0.05μm以上且0.30μm以下的條件，特佳係成為0.1μm以上且0.25μm以下的條件。藉此，可有效地顯現出能提高絕緣可靠度與信號響應性，並減輕傳輸損失，且可降低溝槽3或介層洞4內之可鍍性不良與層間連接不良情形的作用。
本發明複合體之製造方法，較佳係在步驟(A)與步驟(B)之間包含利用電漿或藥液施行去膠渣的步驟。藉此，當利用雷射光5施行溝槽3或介層洞4的形成時，便可將在溝槽3或介層洞4的側壁面所殘留之碳化物除去，俾可形成電氣可靠度高的細微佈線與介層窗。
雖無特別的限定，電漿係可使用氮電漿、氧電漿、氬電漿、四氟甲烷電漿、或該等的混合氣體電漿。又，電漿的處理條件係經電漿步驟後的樹脂層表面或溝槽與介層洞內部表面的算術平均粗糙度(Ra)成為0.05μm以上且0.45μm以下的條件，同時較佳係可將溝槽3與介層洞4的內部表面所殘留碳化物充分去除之條件。藉此，便可形成絕緣可靠度高、信號響應性優異的介層窗。在超過1GHz的高頻區域中，可降低因表皮效應所造成的傳輸損失，更可減輕介層窗內的可鍍性不良與層間連接不良。此外，雖無特別的限定，電漿條件較佳係經電漿步驟後的樹脂層之溝槽3與介層洞4之內部表面算術平均粗糙度(Ra)成為0.05μm以上且0.30μm以下的條件，更佳係成為0.1μm以上且0.25μm以下的條件。藉此，便可有效地顯現出提高絕緣可靠度與信號響應性，且降低傳輸損失，進一步減輕溝槽3與介層洞4內之可鍍性不良與層間連接不良情況的作用。
雖無特別的限定，但利用藥液施行的去膠渣係可使用過錳酸鹽、重鉻酸等。又，去膠渣的處理條件係經去膠渣步驟後的樹脂層表面或溝槽與介層洞內部表面的算術平均粗糙度(Ra)成為0.05μm以上且0.45μm以下的條件，同時較佳係可將溝槽3與介層洞4的內部表面所殘留碳化物充分去除的條件。藉此，便可形成絕緣可靠度高、信號響應性佳，且降低介層窗內的可鍍性不良與層間連接不良情形的優異介層窗。在超過1GHz的高頻區域中，可減輕因表皮效應所造成的傳輸損失。此外，雖無特別的限定，但去膠渣條件較佳係使經去膠渣步驟後的樹脂層之溝槽3與介層洞4的內部表面算術平均粗糙度(Ra)成為0.05μm以上且0.30μm以下的條件、更佳為0.1μm以上且0.25μm以下的條件。藉此，便可有效率地顯現出提高絕緣可靠度與信號響應性，且降低傳輸損失，並減輕溝槽3與介層洞4內的可鍍性不良與層間連接不良情況。
當因利用電漿或藥液施行的去膠渣步驟不足，導致碳化物殘留於溝槽3與介層洞4之內部表面時，會有降低複合體的絕緣可靠度之可能性。若利用電漿或藥液施行的去膠渣步驟過度實施時，則鄰接導體層2的樹脂層1之溝槽3或介層洞4內部表面的算術平均粗糙度(Ra)會變粗，導致因導體層2的表面凹凸，因表皮效應而造成佈線的信號響應性變差，且溝槽3與介層洞4內會有發生可鍍性不良與層間連接不良的情況。
本發明的步驟(B)係在對樹脂層利用電漿或藥液施行去膠渣的步驟後，便在樹脂層1的表面上形成非電解電鍍層50。
非電解電鍍層50的金屬種類並無特別的限定，較佳為銅、鎳等。該等金屬係使樹脂層1與非電解電鍍層50間之密接呈良好。非電解電鍍層的厚度並無特別的限定，較佳為0.1μm以上且5μm以下左右。此外，經非電解電鍍後，利用熱風乾燥裝置，依150℃~200℃施行10分鐘~120分鐘的熱處理，便可使樹脂層與非電解電鍍層間之密接呈更良好。
本發明複合體之製造方法，在步驟(B)與步驟(C)之間，較佳係包含有利用電解電鍍更進一步形成電解電鍍層60的步驟。在該步驟中，可將利用雷射光5所形成之溝槽3或介層洞4的內部，利用電解電鍍層60埋藏。
電解電鍍係可使用硫酸銅電解電鍍。又，雖無特別的限定，但鍍敷液中較佳係含有均塗劑、聚合物、亮光劑等添加劑。藉此，對在樹脂層1上所形成之溝槽3與介層洞4的內部，便可優先析出鍍敷，利用電解電鍍層60進行埋藏，俾使經電解電鍍後的樹脂表層上、與溝槽3及介層洞4上的鍍敷析出程度相同。電解電鍍層的厚度並無特別的限定，較佳係距樹脂層1的表面為5μm以上且25μm以下左右。
本發明的步驟(C)中，藉由將利用非電解電鍍、電解電鍍所形成的導體70之一部分除去，僅在樹脂層1的溝槽3與介層洞4的部分形成導體層2。雖無特別的限定，但將利用電解電鍍所形成之導體70之一部分除去的方法，較佳係例如化學蝕刻處理、研磨處理、拋光研磨處理等。藉此，便能有效地僅將樹脂表層上的導體70除去，僅殘留溝槽3與介層洞4部分的導體層2。
依此，便可製作電氣可靠度、信號響應性、以及溝槽與介層洞內部的可鍍性與層間連接性均優異的複合體。
本發明之製造方法係可在步驟(C)之後，包含有：(D)在樹脂層1與導體層2上形成其他樹脂層40的步驟。
本發明的步驟(D)中，藉由在樹脂層1與導體層2上形成其他樹脂層40，將成為多層印刷佈線板之佈線的各導體層會被樹脂層所覆蓋，俾確保佈線間或介層窗間的絕緣性。雖無特別的限定，在樹脂層1與導體層2上形成其他樹脂層40的手法，係有如在準備上述樹脂層1之時，同樣地將具載體薄膜之樹脂片使用例如真空加壓式層壓機裝置、平板壓合裝置等施行的方法。
依此，藉由重覆上述步驟(A)、(B)、(C)、(D)，便可製作電氣可靠度、信號響應性、溝槽與介層洞內部的可鍍性與層間連接性均優異之多層複合體。
其次，針對半導體裝置進行說明。
本發明的半導體裝置特徵在於：上述本發明的複合體係印刷佈線板或金屬核心佈線板，並在該複合體上搭載半導體元件而成。
在上述本發明印刷佈線板等複合體上，安裝具有焊錫凸塊的半導體元件，經由焊錫凸塊，將上述印刷佈線板等複合體與半導體元件相連接。然後，在印刷佈線板等複合體與半導體元件之間填充液狀密封樹脂，而製造半導體裝置。
焊錫凸塊較佳係由錫、鉛、銀、銅、鉍等所構成的合金構成。半導體元件與印刷佈線板等複合體的連接方法，係使用覆晶黏晶機等，將印刷佈線板等複合體上的連接用電極部與半導體元件的焊錫凸塊進行對位後，再使用IR迴焊裝置、熱板、其他加熱裝置，將焊錫凸塊加熱至熔點以上，藉由將印刷佈線板等複合體與焊錫凸塊施行熔融接合而相連接。此外，為使連接可靠度佳，亦可預先在印刷佈線板等複合體上的連接用電極部，形成焊錫膏等熔點較低金屬層。亦可在該接合步驟之前，便優先在焊錫凸塊及/或印刷佈線板等複合體上的連接用電極部表層施行助焊劑塗佈，藉此便可提升連接可靠度。
<實施例>
以下，針對本發明利用實施例與比較例進行說明，惟本發明並不僅侷限於此。
實施例系列I：第一態樣的複合體與半導體裝置之製造
＜實施例I-1＞
使酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA Japan股份有限公司製，PRIMASETPT30，重量平均分子量約700)20重量份、甲氧基萘二亞甲基型環氧樹脂(大日本油墨化學工業股份有限公司製，EXA-7320)35重量份、苯氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製，jER4275)5重量份、及咪唑化合物[四國化成工業股份有限公司製，Curezol 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)]0.2重量份，溶解、分散於甲乙酮中。將無機填充材/球狀熔融矽石(電氣化學工業股份有限公司製，SFP-20M)，使用積層型匣式過濾器(住友3M股份有限公司製)將最大粒徑超過2.0μm的粒子施行過濾分離而除去，添加平均粒徑為0.4μm的無機填充材/球狀熔融矽石40重量份。添加偶合劑/環氧矽烷偶合劑(GE TOSHIBA SILICONE股份有限公司製，A-187)0.2重量份，使用高速攪拌裝置施行10分鐘攪拌，調製得固形份50重量%的樹脂清漆。
將依上述所獲得之樹脂清漆，在厚度25μm的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜單面上，使用間歇滾筒塗佈機裝置，依經乾燥後的樹脂薄膜厚度為40μm之方式施行塗佈，將其利用160℃乾燥裝置施行10分鐘乾燥，製得具載體層之樹脂層。
使該具載體層之樹脂層重疊於具導體層之核心基板的表背上，使用真空加壓式層壓機裝置，依溫度100℃、壓力1MPa施行真空加熱加壓成形，然後，利用熱風乾燥裝置依180℃、45分鐘施行加熱硬化，獲得具樹脂層之基板。
另外，雙面具導體層之核心基板係使用下述物：
‧樹脂層：無鹵素，核心基板，厚度0.4mm
‧導體層：銅箔厚度18μm，電路寬度/電路間寬度(L/S)=120/180μm，間隙孔1mmΦ ，3mmΦ ，隙縫2mm
利用具有193nm波長的準分子雷射，在具樹脂層之基板雙面的樹脂層上，形成目標寬度10μm、目標深度15μm的溝槽。
加工條件係設定如下：
遮罩：寬50μm的隙縫遮罩
頻率：100Hz
能量：500mJ/cm2
掃描速度：65μm/sec
在設有已形成溝槽之樹脂層的基板黏著於載體層的狀態下，於60℃膨潤液(Atotech Japan股份有限公司製，Swelling Dip SecuriganthP500)浸漬10分鐘，進一步在80℃過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan股份有限公司製，Concentrate Compact CP)中浸漬20分鐘浸漬後，施行中和並施行去膠渣處理。
接著，將載體薄膜剝離後，經脫脂、觸媒賦予、激活的步驟後，形成非電解鍍銅層約0.2μm。
其次，以非電解鍍銅層為電極，施行電解鍍銅(奧野製藥工業股份有限公司製，Top Lucina α)3A/dm2 、30分鐘，形成樹脂表層厚度約5μm的導體層。
將樹脂表層上所存在導體層施行快速蝕刻處理(荏原電產公司製SAC製程)而除去，俾確保佈線間的絕緣。接著，使絕緣樹脂層依溫度200℃、60分鐘施行完全硬化。
最後，在電路表面上形成防焊劑(TAIYO INK製造股份有限公司製，PSR4000/AUS308)，製得4層印刷佈線板。
＜實施例I-2＞
除利用具有248nm波長的準分子雷射，在具樹脂層之基板的樹脂層上，形成寬10μm、深15μm溝槽之外，其餘均如同實施例I-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例I-3＞
除利用具有355nm波長的YAG雷射，在具樹脂層之基板的樹脂層上，形成寬10μm、深15μm溝槽之外，其餘均如同實施例I-1般的製得4層印刷佈線板。
＜比較例I-1＞
除將通用環氧樹脂系堆疊材(GX-13，Ajinomoto股份有限公司製，無機填充材最大粒徑2.5μm，無機填充材超過2μm的粗粒為8000ppm，無機填充材的平均粒徑0.5μm)，使用為樹脂層之外，其餘均如同實施例I-1般的製得4層印刷佈線板。
＜比較例I-2＞
除將通用環氧樹脂系堆疊材(GX-13，Ajinomoto股份有限公司製，無機填充材最大粒徑2.5μm，無機填充材超過2μm的粗粒為8000ppm，無機填充材的平均粒徑0.5μm)，使用為樹脂層，並利用具有355nm波長的YAG雷射，在具樹脂層之基板的樹脂層上，形成寬10μm、深15μm溝槽之外，其餘均如同實施例I-1般的製得4層印刷佈線板。
＜評估內容＞
將依各實施例與比較例所獲得之多層佈線板施行縱向切斷，並針對切斷面利用顯微鏡進行觀察，求取導體層最大寬度與導體層截面形狀。又，在樹脂層中所形成溝槽表面的算術平均粗糙度(Ra)，係將導體層施行蝕刻除去後，再根據JIS B0601實施，並使用Veeco公司製WYKO NT1100進行測定。所獲得結果如表1所示。此外，相關實施例I-1與比較例I-1，利用雷射在樹脂層中形成溝槽，利用非電解電鍍/電解電鍍施行導體形成階段的截面形狀照片，分別如圖7、圖8所示。
由表1中得知，實施例I-1~I-3係可達成樹脂層平均粗糙度(Ra)0.05μm以上且0.45μm以下，且導體層的最大寬度為10μm，可形成佈線間距10μm的圖案，且可形成絕緣可靠度及高頻區域下的信號響應性仍優異之良好細微佈線。另一方面，關於比較例I-1~I-2，因為樹脂層平均粗糙度(Ra)達0.5μm以上，因而高頻區域下的傳播中損失會變大。又，關於比較例I-1~I-2，導體層的最大寬度亦會變大，並無法形成佈線間距10μm的圖案形成。
＜半導體裝置之製造＞
使用依上述實施例與比較例所獲得各多層印刷佈線板，製造半導體裝置。
半導體元件(TEG晶片，尺寸15mm×15mm，厚度0.725mm)係使用焊錫凸塊依直徑100μm、間距150μm、Sn/Pb組成的共晶形成，且電路保護膜係由正型感光性樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製之CRC-8300)所形成。半導體裝置的組裝時，首先，在焊錫凸塊上利用轉印法均勻地施行助焊劑材的塗佈，接著使用覆晶黏晶機裝置，在依上述實施例及比較例所獲得各多層印刷佈線板上，利用加熱壓接搭載著半導體元件。接著，利用IR迴焊爐將焊錫凸塊施行熔融接合後，在各多層印刷佈線板與半導體元件之間，填充液狀密封樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製，CRP-4152S)，經使液狀密封之樹脂硬化，而獲得半導體裝置。此外，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘的條件施行硬化。
＜半導體裝置之評估＞
將依上述所獲得半導體裝置，根據IPC/JEDEC的J-STD-20，施行溫度30℃、濕度60%、時間192小時的前處理，然後，通過260℃的迴焊爐3次，再實施後處理的-50℃30分、125℃30分的溫度循環，循環實施500循環。評估係針對前處理後與經實施溫度循環500循環後處理後的半導體元件，實施導通電阻評估與截面觀察。評估結果合併記於表1。
各符號係如下：
◎：500循環後處理後的導通電阻無異常，及截面觀察時的導體電路、介層窗無異常
○：500循環後處理後的導通電阻在1~未滿10%範圍內，雖較高於處理前，但截面觀察時的導體電路、介層窗並無異常。
×：500循環後處理後的導通電阻較處理前高出10%以上。或，導體電路與樹脂間、介層窗與樹脂間中任一者有發生微小孔洞、剝離龜裂情形。
由表1中得知，實施例I-1~I-3可獲得高密接且高可靠度的半導體裝置。另一方面，比較例I-1~I-2的導通電阻上升，密接性亦差，且亦有發生剝離龜裂情形。
實施例系列II：第二態樣的複合體與半導體裝置之製造 ＜實施例II-1＞
使酚醛型氰酸酯樹脂(LONZA Japan股份有限公司製，PRIMASETPT30，重量平均分子量約700)20重量份、甲氧基萘二亞甲基型環氧樹脂(大日本油墨化學工業股份有限公司製，EXA-7320)35重量份、苯氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製，jER4275)5重量份、及咪唑化合物[四國化成工業股份有限公司製，Curezol 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)]0.2重量份，溶解、分散於甲乙酮中。將無機填充材/球狀熔融矽石(電氣化學工業股份有限公司製，SFP-20M)，使用積層型匣式過濾器(住友3M股份有限公司製)將最大粒徑超過2.0μm的粒子施行過濾分離而除去，添加平均粒徑為0.4μm的無機填充材/球狀熔融矽石40重量份。添加偶合劑/環氧矽烷偶合劑(GE TOSHIBA SILICONE股份有限公司製，A-187)0.2重量份，使用高速攪拌裝置施行10分鐘攪拌，調製得固形份50重量%的樹脂清漆。
將依上述所獲得之樹脂清漆，在厚度25μm的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜單面上，使用間歇滾筒塗佈機裝置，依經乾燥後的樹脂薄膜厚度為20μm之方式施行塗佈，將其利用160℃乾燥裝置施行10分鐘乾燥，製得具載體層之樹脂層。
使該具載體薄膜之樹脂片重疊於雙面具導體層之核心基板的表背上，將其使用真空加壓式層壓機裝置，依溫度100℃、壓力1MPa施行真空加熱加壓成形，然後，利用熱風乾燥裝置依180℃、45分鐘施行加熱硬化，獲得具樹脂層之基板。
另外，雙面具導體層之核心基板係使用下述物：
‧樹脂層：無鹵素，核心基板厚度0.4mm
‧導體層：銅箔厚度18μm，電路寬度/電路間寬度(L/S)=120/180μm、間隙孔1mmΦ 、3mmΦ ，隙縫2mm
使用具有193nm(ArF)波長的準分子雷射(BEAMS股份有限公司製，ATLEX-300SI)，在具樹脂層之基板雙面的樹脂層上，依0.1mm間隔形成直徑25μm介層洞。
加工條件係設定如下：
遮罩徑：200μm
頻率：100Hz
能量：100mJ/cm2
噴擊數：90
再者，利用具有193nm(ArF)波長的準分子雷射，在具樹脂層之基板雙面的樹脂層上，形成目標寬度10μm、目標深度15μm的溝槽。
加工條件係設定如下：
遮罩：寬50μm的隙縫遮罩
頻率：100Hz
能量：500mJ/cm2
掃描速度：65μm/sec
在設有已形成介層洞與溝槽的樹脂層的基板黏著於載體層的狀態下，於60℃膨潤液(Atotech Japan股份有限公司製，Swelling Dip SecuriganthP500)浸漬10分鐘，進一步在80℃過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan股份有限公司製，Concentrate Compact CP)中浸漬20分鐘浸漬後，施行中和並施行去膠渣處理。
接著，將載體薄膜剝離後，經脫脂、觸媒賦予、激活的步驟後，形成非電解鍍銅層約0.2μm。
其次，以非電解鍍銅層為電極，施行電解鍍銅(奧野製藥工業股份有限公司製，Top Lucina α)3A/dm2 、30分鐘，形成樹脂表層厚度約5μm的導體層。
將樹脂表層上所存在導體層施行快速蝕刻處理(荏原電產公司製SAC製程)而除去，俾確保介層窗間的絕緣與佈線間的絕緣。接著，使絕緣樹脂層依溫度200℃、60分鐘施行完全硬化。
另外，電路寬度/電路間寬度(L/S)10μm/10μm以下的細微佈線與介層窗，係利用拉出導體層相連接。
最後，在電路表面上形成防焊劑(TAIYO INK製造股份有限公司製，PSR4000/AUS308)，製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-2＞
除將形成介層洞時的遮罩徑設為150μm之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-3＞
除將形成介層洞時的遮罩徑設為100μm之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-4＞
除將形成介層洞時的遮罩徑設為50μm之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-5＞
除在形成介層洞與溝槽之際，使用具248nm(KrF)波長的準分子雷射之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-6＞
除在形成介層洞與溝槽之際，使用具355nm波長之YAG雷射(Hitachi Via Mechanics股份有限公司製，LU-2G121/2C)之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-7＞
除將樹脂薄膜厚度設為10μm，將形成介層洞時的噴擊數設為50之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜實施例II-8＞
除將樹脂薄膜厚度設為15μm，將形成介層洞時的噴擊數設為70之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜比較例II-1＞
除將環氧樹脂系堆疊材(Ajinomoto股份有限公司製，GX-13，無機填充材最大粒徑2.5μm，無機填充材超過2μm的粗粒為8000ppm，無機填充材的平均粒徑0.5μm)，使用為樹脂層之外，其餘均如同實施例II-1般的製得4層印刷佈線板。
＜比較例II-2＞
除使用具355nm波長的YAG雷射之外，其餘均如同比較例II-1般的製得4層印刷佈線板。
評估方法係如下。結果如表2所示。
1.介層窗之頂端直徑
施行去膠渣處理，再將載體薄膜剝離後，針對樹脂層的介層窗上面利用掃描式電子顯微鏡(SEM)進行觀察，並測定介層窗的頂端直徑。
2.介層洞內部或溝槽內部的樹脂表面算術平均粗糙度(Ra)
將4層印刷佈線板的介層窗截面施行縱向切斷，再將導體層施行蝕刻除去後，針對介層洞內部的樹脂表面根據JIS B0601實施，使用Veeco公司製WYKO NT1100進行測定。
再者，溝槽表面的算術平均粗糙度(Ra)係針對導體電路方向的切斷截面，利用蝕刻將導體層除去後，根據JIS B0601實施，使用Veeco公司製WYKO NT1100進行測定。
3.連接可靠度試驗
將介層窗壁間距離0.1mm的4層印刷佈線板，依135℃、85%RH、施加電壓50V條件下，一邊施行200h處理，一邊監視介層窗間的絕緣電阻值。
各符號係如下：
○：1.0×109 Ω以上
×：未滿1.0×109 Ω
4.可鍍性
將4層印刷佈線板的介層窗截面施行切斷，針對切斷面利用掃描式電子顯微鏡(SEM)進行觀察，並調查介層洞內的可鍍性。各符號係如下：
○：介層洞內的鍍敷呈無隙間地填充，實用上無問題。
×：介層洞內的鍍敷有部分出現微小孔洞，實用上有問題。
由表2中得知，實施例II-1~II-8係可形成介層洞內部與溝槽內部的樹脂層平均粗糙度(Ra)均為0.05μm以上且0.45μm以下，介層窗直徑在25μm以下，並可形成絕緣可靠度與信號響應性均優異，且減輕介層窗內的可鍍性不良與層間連接不良的作用優異之良好介層窗。更，可形成導體層最大寬度10μm、佈線間距10μm的圖案，且絕緣可靠度佳、以及即便高頻區域下的信號響應性仍優異之良好細微佈線。另一方面，關於比較例II-1~II-2，樹脂層平均粗糙度(Ra)達0.5μm以上，連接可靠度試驗與可鍍性均發生實用上問題。此外，關於比較例II-1~II-2，導體層的最大寬度亦變大，無法形成佈線間距10μm的圖案。
＜半導體裝置之製造＞
使用依上述實施例與比較例所獲得之各多層印刷佈線板，製造半導體裝置。
半導體元件(TEG晶片，尺寸15mm×15mm，厚度0.725mm)係使用焊錫凸塊依直徑120μm、間距150μm、Sn/Pb組成的共晶形成，且電路保護膜係由正型感光性樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製CRC-8300)所形成。半導體裝置的組裝時，首先，在焊錫凸塊上利用轉印法均勻地施行助焊劑材的塗佈，接著使用覆晶黏晶機裝置，在依上述實施例及比較例所獲得各多層印刷佈線板上，利用加熱壓接搭載著半導體元件。接著，利用迴焊爐將焊錫凸塊施行熔融接合後，在各多層印刷佈線板與半導體元件之間，填充液狀密封樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製，CRP-4152S)，使液狀密封樹脂硬化，而獲得半導體裝置。此外，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘的條件施行硬化。
＜半導體裝置之評估＞
將依上述所獲得半導體裝置，根據IPC/JEDEC的J-STD-20，施行溫度30℃、濕度60%、時間192小時的前處理，然後，通過達260℃的迴焊爐3次，再實施後處理的-50℃30分鐘、125℃30分鐘的溫度循環，循環實施500循環。評估係針對前處理後、與經實施溫度循環500循環後處理後的半導體元件，實施導通電阻評估與截面觀察。評估結果合併記於表2。
各符號係如下：
◎：500循環後處理後的導通電阻無異常，及截面觀察時的導體電路、介層窗無異常
○：500循環後處理後的導通電阻在1~未滿10%範圍內，雖較高於處理前，但截面觀察時的導體電路、介層窗並無異常。
×：500循環後處理後的導通電阻較處理前高出10%以上。或，導體電路與樹脂間、介層窗與樹脂間中任一者有發生微小孔洞、剝離龜裂情形。
由表2中得知，實施例II-1~II-8可獲得高密接，且高可靠度的半導體裝置。另一方面，比較例II-1~II-2的導通電阻上升，密接性亦差，且亦有發生剝離龜裂情形。
實施例系列III：樹脂組成物及樹脂片之製造 ＜實施例III-1＞ (1)清漆製作
使熱硬化性樹脂的多官能基環氧樹脂(萘改質甲酚酚醛環氧樹脂，DIC公司製，HP-5000)13.4重量份、雙官能基環氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製，EPIKOTE 828EL)13.4重量份、酚樹脂(明和化成股份有限公司，MEH7851-4L)22.7重量份、熱可塑性樹脂的苯氧樹脂(Japan Epoxy Resins公司製，YX-8100BH30，固形份30%)8.8重量份(固形份)、無機填充材之達2μm以上粗粒為5ppm的球狀矽石(德山公司製，NSS-3N，平均粒徑0.12μm)40.8重量份、咪唑化合物(四國化成工業公司製，Curezol 2E4MZ)0.3重量份、以及矽烷偶合劑(Momentive Performance Materials‧日本公司製，A-187)0.6重量份，溶解、分散於甲乙酮中。此外，樹脂組成物的無機填充材比率係約41重量%，無機填充材的粗粒係使用依預先分散於甲乙酮中的狀態，利用2μm細孔徑過濾器使用積層型匣式過濾器(住友3M股份有限公司製)，將最大粒徑超過2.0μm的粒子施行過濾分離，而成為上述粗粒量與平均粒徑的球狀矽石。粗粒量係使用粒子影像解析裝置(SYSMEX公司製FPIA-3000S)進行確認。
(2)樹脂片之製作
將依上述所獲得樹脂清漆在厚度37μm的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜單面上，使用間歇滾筒塗佈機裝置，依經乾燥後的樹脂層厚度為40μm之方式施行塗佈，將其利用160℃乾燥裝置施行10分鐘乾燥，便製得樹脂片。
(3)評估基板之製作 (3)-1　評估基板1
將該樹脂片重疊於形成有玻璃環氧基材雙面電路的內層電路基板上，將其使用真空加壓式層壓機裝置，依溫度100℃、壓力1MPa施行真空加熱加壓成形，經PET基材剝離後，使用熱風乾燥裝置，依180℃施行45分鐘加熱硬化，便獲得具絕緣層的基板。
另外，內層電路基板係使用下述物：
‧玻璃環氧基材：SUMITOMO BAKELITE公司製ELC-4585GS-B、厚度0.4mm
‧導體層：銅箔厚度18μm，L/S=120/180μm，間隙孔1mmΦ ，3mmΦ 、隙縫2mm
其次，利用具有193nm波長的準分子雷射，在絕緣層上形成目標寬度10μm、目標深度15μm的溝槽，將所獲得之積層體，於60℃膨潤液(Atotech Japan股份有限公司製，Swelling Dip SecuriganthP500)浸漬10分鐘，進一步在80℃過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan股份有限公司製，Concentrate Compact CP)中浸漬20分鐘浸漬後，施行中和並施行去膠渣處理。
(3)-2　評估基板2
其次，將上述積層體的絕緣層表面施行脫脂，經觸媒賦予、激活的步驟後，形成非電解鍍銅層約0.2μm，再以非電解鍍銅層為電極，施行電解鍍銅(奧野製藥工業股份有限公司製，Top Lucina α)3A/dm2 、30分鐘，形成距絕緣層表面具厚度約5μm之高度的導體層。
(3)-3　評估基板3
最後，藉由施行快速蝕刻處理(荏原電產公司製SAC製程)，而將導體層高度整合於絕緣層表面，再施行L/S=10/10的細微佈線加工。其次，將絕緣樹脂層依溫度200℃、60分鐘施行完全硬化。最後，使相同樹脂片重疊於雙面，再將其使用真空加壓式層壓機裝置，依溫度100℃、壓力1MPa施行真空加熱加壓成形，然後，利用熱風乾燥裝置依200℃施行60分鐘加熱硬化。
(3)-4　半導體裝置
使用依上述所獲得評估基板3(印刷佈線板)，進行半導體裝置的製造。
半導體元件(TEG晶片，尺寸15mm×15mm，厚度0.725mm)係使用焊錫凸塊依直徑120μm、間距150μm、Sn/Pb組成的共晶形成，且電路保護膜係由正型感光性樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製CRC-8300)所形成。半導體裝置的組裝時，首先，在焊錫凸塊上利用轉印法均勻地施行助焊劑材的塗佈，接著使用覆晶黏晶機裝置，將半導體元件利用加熱壓接搭載於上述評估基板3上。接著，利用IR迴焊爐將焊錫凸塊施行熔融接合後，在評估基板3與半導體元件之間，填充液狀密封樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製，CRP-4152S)，經使液狀密封樹脂硬化，而獲得半導體裝置。此外，液狀密封樹脂係依溫度150℃、120分鐘的條件施行硬化。
＜實施例III-2~4＞
實施例III-2~III-4係依照表3的配方表，如同實施例III-1般，獲得樹脂片、評估基板1、2及3、以及半導體裝置。
＜實施例III-5＞ (1)清漆製作
依照表3的配方表，如同實施例III-1般的製作樹脂清漆。
(2)樹脂片之製作
在清漆製作後，除取代PET(聚對苯二甲酸乙二酯)薄膜，改為使用極薄銅箔(三井金屬礦山公司製，Myclocin MT-Ex、3μm)之外，其餘均如同實施例III-1般的製作具極薄銅箔的樹脂片。
(3)評估基板之製作 (3)-1　評估基板1
使上述具極薄銅箔的樹脂片，重疊於已形成玻璃環氧基材雙面電路的內層電路基板，將其使用真空加壓式層壓機裝置，依溫度100℃、壓力1MPa施行真空加熱加壓成形，再利用熱風乾燥裝置施行180℃、45分鐘的加熱硬化。
其次，將銅箔施行蝕刻除去，便獲得評估基板1。
(3)-2　評估基板2
如同實施例III-1般的使用上述評估基板1，獲得評估基板2。
(3)-3　評估基板3
如同實施例III-1般的使用上述評估基板2，獲得評估基板3。
(3)-4　半導體裝置
如同實施例III-1般的使用上述評估基板3，獲得半導體裝置。
＜實施例III-6＞
除在具有絕緣層(其係使用依實施例III-4所獲得樹脂片)的基板上，利用具有355nm波長的YAG雷射，在絕緣層中形成寬10μm、深15μm的溝槽之外，其餘均如同實施例III-1，獲得評估基板1、2及3、以及半導體裝置。
＜實施例III-7~14＞
實施例III-7~III-14係依照表3的配方表，如同實施例III-1般，獲得樹脂片、評估基板1、2及3、以及半導體裝置。
＜比較例III-1＞
除將通用環氧樹脂系樹脂片(GX-13，Ajinomoto股份有限公司製，無機填充材最大粒徑2.5μm，無機填充材的平均粒徑0.5μm)，使用為樹脂層之外，其餘均如同實施例III-1般的製得評估基板及半導體裝置。且，評估基板1係設為170℃、60分鐘的條件，評估基板3係設為180℃、60分鐘的條件。又，無機填充材的粗粒量係從樹脂片中採取樹脂，經溶解於溶劑中之後，經使用粒子影像解析裝置(SYSMEX公司製FPIA-3000S)進行確認，結果超過2μm的粗粒係8000ppm。
＜比較例III-2＞
比較例III-2係依照表3的配方表，如同實施例III-1般，獲得樹脂片、評估基板1、2及3、以及半導體裝置。
使用依上述實施例及比較例所獲得樹脂片、評估基板1、評估基板2、及評估基板3，施行下示評估。所獲得結果如表4所示。
(1)去膠渣後的絕緣層表面之算術平均粗糙度(Ra)
算術平均粗糙度(Ra)係根據JIS B0601實施，使用Veeco公司製WYKO NT1100進行測定。又，評估樣品係使用評估基板1。
(2)導體層壁面之十點平均粗糙度(Rz)
從導體佈線的截面，根據JIS B0601，計算出十點平均粗糙度(Rz)。又，評估樣品係使用評估基板2。
(3)線間絕緣可靠度(HAST)
依施加電壓3.3VDC、溫度130℃、濕度85%的條件，施行線間絕緣可靠度試驗。又，評估樣品係使用評估基板3。
若絕緣電阻值未滿1×108 Ω，便判斷屬「不良」並結束試驗。
各符號係如下：
◎：良好、500小時以上
○：實質上無問題、200小時以上且未滿500小時
×：無法使用、未滿200小時
(4)熱膨脹率(α1)
切取厚度40μm、5mm×20mm的測試片，使用TMA裝置(TA Instruments公司製)依5℃/分鐘、5g的條件，測定面方向(X方向)的線膨脹係數。將從25℃起至120℃的平均線膨脹係數設為α1。又，樣品係使用在所獲得樹脂片的雙面上層壓著銅箔，依200℃、1小時的條件施行加熱硬化後，再將銅箔施行蝕刻除去者。
＜半導體裝置之評估＞
將依上述所獲得之半導體裝置，根據IPC/JEDEC的J-STD-20，施行溫度30℃、濕度60%、時間192小時的前處理，然後，通過260℃的迴焊爐3次，再實施後處理的-50℃30分鐘、125℃30分鐘的溫度循環，循環實施500循環。評估係針對前處理後與經實施溫度循環500循環後處理後的半導體元件，實施導通電阻評估與截面觀察。評估結果合併記於表4。
各符號係如下：
◎：500循環後處理後的導通電阻無異常，及截面觀察時的導體電路、介層窗無異常
○：500循環後處理後的導通電阻在1~未滿10%範圍內雖較高，但截面觀察時的導體電路、介層窗並無異常。
×：500循環後處理後的導通電阻較處理前高出10%以上。或，導體電路與樹脂間、介層窗與樹脂間中任一者有發生微小孔洞、剝離龜裂情形。
由表4中得知，實施例III-1~III-14係絕緣層表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下的良好低粗化，且導體層壁面的十點平均粗糙度(Rz)在5.0μm以下。因為依此將表面粗糙度最佳化，因而細微佈線的絕緣可靠度優異。且，可形成信號響應性優異的良好細微佈線。
對於此，比較例III-1及III-2係除無機填充材的粒徑較大之外，粗粒除去亦嫌不足，因而導體層壁面的十點平均粗糙度(Rz)較大，導體佈線間的距離非常靠近，所以細微佈線的絕緣可靠度差。又，絕緣層表面的Ra較大，不適合細微佈線形成。
(產業上之可利用性)
依照本發明，可獲得具有在複合體的樹脂層表面所形成之高密接、高可靠度、高頻對應、以及介層窗內的可鍍性與層間連接性均優異之介層窗的複合體，因而特別適用於具有電路寬度/電路間寬度(L/S)在10μm/10μm以下之細微佈線，例如印刷佈線板。
1．．．樹脂層
2．．．導體層
3．．．溝槽
4．．．介層洞
5．．．雷射光
6．．．遮罩
10．．．基材
11．．．具雙面導體層之核心基材的導體層
15．．．基材
20．．．樹脂層
30．．．佈線板用樹脂片
40．．．其他樹脂層
50．．．非電解電鍍層
51．．．非電解電鍍層
52．．．非電解電鍍層
60．．．電解電鍍層
61．．．電解電鍍層
62．．．電解電鍍層
70．．．導體
100．．．第一複合體
101．．．第二複合體
102．．．第二複合體
圖1為本發明之含有樹脂層與導體層的複合體一例之示意剖視圖。
圖2為本發明之含有樹脂層與導體層的複合體另一例之示意剖視圖。
圖3為本發明之含有樹脂層與導體層的複合體另一例之示意剖視圖。
圖4為本發明的樹脂片。
圖5A至圖5F為製造本發明之含有樹脂層與導體層之複合體的方法一例之示意圖。
圖6A至圖6F為製造本發明之含有樹脂層與導體層之複合體的方法另一例之示意圖。
圖7為實施例I-1中，利用雷射在絕緣層中形成溝槽，並利用非電解電鍍/電解電鍍施行導體形成階段的截面形狀照片。
圖8為比較例I-1中，利用雷射在絕緣層中形成溝槽，並利用非電解電鍍/電解電鍍施行導體形成階段的截面形狀照片。
1．．．樹脂層
2．．．導體層
3．．．溝槽
10．．．基材
51．．．非電解電鍍層
61．．．電解電鍍層
100．．．第一複合體

Claims (18)

  1. 一種複合體，係含有樹脂層與導體層者，其特徵在於：在上述樹脂層表面設有最大寬度1μm以上且10μm以下的溝槽，且在該溝槽內部設有導體層，而鄰接該導體層的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下；上述樹脂層係由含有熱硬化性樹脂與無機填充材之樹脂組成物的硬化物所構成；該無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
  2. 一種複合體，係含有樹脂層與導體層者，其特徵在於：上述樹脂層設有直徑1μm以上且25μm以下的介層洞，且在該介層洞內部設有導體層，而上述介層洞內部的樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下；上述樹脂層係由含有熱硬化性樹脂與無機填充材之樹脂組成物的硬化物所構成；該無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
  3. 如申請專利範圍第2項之複合體，其中更進一步在上述樹脂層表面設有最大寬度1μm以上且10μm以下的溝槽，並在該溝槽內部設有導體層，而鄰接該導體層的上述樹脂層表面之算術平均粗糙度(Ra)係0.05μm以上且0.45μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1或2項之複合體，其中，上述無機填充材的平均粒徑係0.05μm以上且1.0μm以下。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之複合體，其中，上述溝槽內部的導體層之截面形狀係大致梯形狀、魚板狀或三角形。
  6. 如申請專利範圍第2或3項之複合體，其中，上述介層洞的截面形狀係大致梯形狀。
  7. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之複合體，其中，上述複合體係從印刷佈線板、半導體元件、金屬核心佈線板中選擇之至少一者。
  8. 一種複合體之製造方法，係製造含有樹脂層與導體層之複合體者，其特徵為包括：(A)利用雷射光，在樹脂層表面形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之溝槽的步驟；(B)利用非電解電鍍在上述樹脂層表面形成導體的步驟；以及(C)藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層的上述溝槽部分形成導體層之步驟；上述步驟(A)中，上述樹脂層係由含有熱硬化性樹脂與無機填充材之樹脂組成物的硬化物所構成；該無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
  9. 如申請專利範圍第8項之複合體之製造方法，其中，在上述步驟(C)之後，包括有：(D)在上述樹脂層與上述導體層上形成其他樹脂層的步 驟。
  10. 一種複合體之製造方法，係製造含有樹脂層與導體層之複合體者，其特徵為包括：(A)利用雷射光在樹脂層形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下之介層洞的步驟；(B)利用非電解電鍍在上述樹脂層表面形成導體的步驟；以及(C)藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層的介層洞部分形成導體層之步驟；上述步驟(A)中，上述樹脂層係由含有熱硬化性樹脂與無機填充材之樹脂組成物的硬化物所構成；該無機填充材中，超過2μm的粗粒在500ppm以下。
  11. 如申請專利範圍第10項之複合體之製造方法，其中，上述步驟(A)係利用雷射光，在樹脂層形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下的介層洞，並在樹脂層表面形成內部表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.05μm以上且0.45μm以下的溝槽之步驟；且上述步驟(C)係藉由將上述導體之一部分除去，而僅在上述樹脂層的介層洞與上述樹脂層表面的溝槽部分形成導體層的步驟。
  12. 如申請專利範圍第10或11項之複合體之製造方法，其中，上述步驟(C)之後，含有： (D)在上述樹脂層與上述導體層上形成其他樹脂層的步驟。
  13. 如申請專利範圍第8、10或11項之複合體之製造方法，其中，在上述步驟(A)與上述步驟(B)之間，含有利用電漿或藥液施行去膠渣的步驟。
  14. 如申請專利範圍第8、10或11項之複合體之製造方法，其中，在上述步驟(B)與上述步驟(C)之間，含有利用電解電鍍更進一步施行導體形成的步驟。
  15. 如申請專利範圍第8、10或11項之複合體之製造方法，其中，上述雷射光係準分子雷射或YAG雷射。
  16. 如申請專利範圍第8或10項之複合體之製造方法，其中，上述無機填充材的平均粒徑係0.05μm以上且1.0μm以下。
  17. 如申請專利範圍第8、10或11項之複合體之製造方法，其中，上述複合體係從印刷佈線板、半導體元件、金屬核心佈線板中選擇之至少一者。
  18. 一種半導體裝置，係在申請專利範圍第1至3項中任一項之複合體上，搭載半導體元件而構成。
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