TWI419622B - 多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，附有基材之絕緣樹脂片，多層印刷佈線板及半導體裝置 - Google Patents

多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，附有基材之絕緣樹脂片，多層印刷佈線板及半導體裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI419622B
TWI419622B TW97132656A TW97132656A TWI419622B TW I419622 B TWI419622 B TW I419622B TW 97132656 A TW97132656 A TW 97132656A TW 97132656 A TW97132656 A TW 97132656A TW I419622 B TWI419622 B TW I419622B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
resin composition
resin
wiring board
printed wiring
multilayer printed
Prior art date
Application number
TW97132656A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200922396A (en
Inventor
Takasawa Toshiro
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co filed Critical Sumitomo Bakelite Co
Publication of TW200922396A publication Critical patent/TW200922396A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI419622B publication Critical patent/TWI419622B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L71/00—Compositions of polyethers obtained by reactions forming an ether link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L71/08—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives
    • C08L71/10—Polyethers derived from hydroxy compounds or from their metallic derivatives from phenols
    • C08L71/12—Polyphenylene oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0206—Materials
    • H05K2201/0239—Coupling agent for particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Description

多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，附有基材之絕緣樹脂片，多層印刷佈線板及半導體裝置
本發明係關於多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物、附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板及半導體裝置。
近年來，隨著電子機器之高機能化等之要求，電子零件之高密度集成化、甚至高密度安裝化等正進展著，使用於此等之高密度安裝對應的印刷佈線板等，係較習知更進一步地進展著小型化及高密度化。對於此印刷佈線板等之高密度化的對應，大多採用增層方式之多層印刷佈線板。
增層方式之多層印刷佈線板，通常係將由樹脂組成物所構成之厚度100μm以下的絕緣層與導體電路層進行積層成形而製造。又，作為導體電路層間之連接方法，係取代習知之鑽孔加工，可舉例如雷射法、光照法等之針孔形成。此等方法係藉由自由地配置小孔徑之針孔以達成高密度化，並提案對應於各方法之各種增層用層間絕緣材料。
然而，以雷射照射進行開孔後，於以開孔部之樹脂殘渣去除步驟中有去鑽渣(desmear)性降低的問題。
此問題在要求伴隨近年來之高密度集成化之細微佈線加工的情況，或為了抑制多層印刷佈線板之翹曲而使樹脂組成物之線熱膨脹係數降低的情況，將顯著地發生。
(專利文獻1)日本專利特開平07-106767號公報
(專利文獻2)日本專利特開2002-305374號公報
(專利文獻3)日本專利特開2003-73543號公報
本發明係提供一種於多層印刷佈線板製作步驟中之雷射照射後的樹脂殘渣去除步驟中，去鑽渣性優越的多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，以及附有基材之絕緣樹脂片，並提供使用本案發明之多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物的熱衝擊性或吸濕焊料耐熱性等之可靠性優越的多層印刷佈線板以及半導體裝置。
此種目的可藉由下述(1)~(10)記載之本發明而達成。
(1)一種絕緣樹脂組成物，係多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，其特徵為，以
(A)胺基矽烷偶合劑
(B)平均粒徑2.0μm以下之二氧化矽
(C)環氧樹脂
(D)苯氧基樹脂作為必要成分，並含有樹脂組成物之14重量%以上且79重量%以下的上述(C)環氧樹脂，樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數在25℃至150℃之範圍內為35ppm/℃以下，且玻璃轉移溫度(Tg)為190℃以下，樹脂組成物之最低動態黏度為 2000Pa．s以下。
(2)如(1)之樹脂組成物，其中，上述(A)胺基矽烷偶合劑為N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。
(3)如(1)之樹脂組成物，其中，上述(B)二氧化矽之比表面積為1.0m2 /g以上且200m2 /g以下。
(4)如(1)之樹脂組成物，其中，上述(B)二氧化矽之含量為樹脂組成物之20重量%以上且85重量%以下。
(5)如(1)之樹脂組成物，其中，上述(C)環氧樹脂係選自雙酚A型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂、四甲基聯苯基型環氧樹脂所組成群的至少1種。
(6)如(1)之樹脂組成物，其中，上述樹脂組成物係進一步含有含氮原子之硬化促進劑。
(7)如(1)之樹脂組成物，其中，上述苯氧基樹脂係具有選自雙酚A骨架、雙酚F骨架及雙酚S骨架所組成群之至少1種骨架的苯氧基樹脂。
(8)一種附有基材之絕緣樹脂片，係於基材上形成由(1)之樹脂組成物所形成之絕緣層而成。
(9)一種多層印刷佈線板，係將(8)之附有基材之絕緣樹脂片重疊於內層電路板之單面或雙面上，並予以加熱加壓成型而成。
(10)一種半導體裝置，係於(9)之多層印刷佈線板上搭載半導體元件而成。
本發明中於基板上形成由多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物所構成之絕緣層而成的附有基材之絕緣樹脂片，係於多層印刷佈線板製作步驟中之雷射照射後的樹脂殘渣去除步驟中，去鑽渣性優越，且使用該多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物的多層印刷佈線板、半導體裝置係熱衝擊性或吸濕焊料耐熱性等之可靠性優越。
以下針對本發明之多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物進行詳細說明。
本發明之多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，係以
(A)胺基矽烷偶合劑
(B)平均粒徑2.0μm以下之二氧化矽
(C)環氧樹脂
(D)苯氧基樹脂作為必要成分，並含有樹脂組成物之14重量%以上且79重量%以下的上述(C)環氧樹脂，樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數在25℃至150℃之範圍內為35ppm/℃以下，且玻璃轉移溫度(Tg)為190℃以下，樹脂組成物之最低動態黏度為2000Pa．s以下。
樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數，係於25℃至150℃之範圍內為35ppm/℃以下，藉此，可抑制在製造多層印 刷佈線板時將由該樹脂組成物所構成之絕緣層形成於基材上而成的附有基材之絕緣樹脂片進行壓製成形時的翹曲，並可抑制多層印刷佈線板之翹曲。又，使用該樹脂組成物之多層印刷佈線板，係可抑制回焊時之基板翹曲。再者，使用該樹脂組成物之半導體裝置，係於熱衝擊試驗中可抑制習知半導體裝置中常出現的導體電路層之剝離或裂痕的發生。
樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數較佳為30ppm/℃以下。更佳為20ppm/℃以下。藉此，可使其他特性之均衡優越。
於此，所謂「樹脂組成物之硬化物的線熱膨脹係數」，係指於使該樹脂組成物硬化而製作多層印刷佈線板時之條件下，使該樹脂組成物硬化而得之硬化物的線熱膨脹係數。亦即，於與使用樹脂組成物製作附有基材之絕緣樹脂片，至使用該附有基材之絕緣樹脂片製作多層印刷佈線板的步驟為相同的條件下，使該樹脂組成物硬化而得之硬化物的線熱膨脹係數。
另外，該線熱膨脹係數「在25℃至150℃之範圍內為35ppm/℃以下」，係指將該樹脂組成物於與多層印刷佈線板之製作條件相同之條件下進行硬化而得到硬化物，將該硬化物以既定升溫速度自25℃升溫至150℃為止時的線熱膨脹量，使用熱機械分析裝置(TMA)，測定硬化物於25℃下之長度T1與150℃下之長度T2，藉此予以算出。作為具體之測定條件，較佳係依5℃/分鐘之固定速度將測試片自25℃升溫至150 ℃。又，作為線熱膨脹係數之測定的測試片，可使用與實際之多層印刷佈線板中之絕緣層為相同膜厚者，或者亦可使用較實際之多層印刷佈線板中之絕緣層更厚之膜厚者。例如，可使用使實際之多層印刷佈線板所使用之附有基材之絕緣樹脂片2片重疊並予以硬化者，作為測試片。如此，藉由使用較實際絕緣層更厚之測試片，可提高線熱膨脹係數之測定再現性。
該樹脂組成物之最低動態黏度為2000Pa．s以下。藉此，提升多層印刷佈線板製造時之成形性，且藉由與含有(A)胺基矽烷偶合劑的相乘效果，而使多層印刷佈線板製造步驟中之雷射照射後之樹脂殘渣去除步驟中的去鑽渣性優越。
樹脂組成物之最低動態黏度，可針對自將樹脂組成物塗佈於基材上並予以乾燥所得的絕緣層樹脂片剝離基材的片材，藉由使用黏彈性測定裝置而進行測定。又，該片材並非使樹脂組成物硬化的硬化物，而是在將樹脂組成物塗佈於基材上時，以去除為了對該樹脂組成物賦予塗佈性而與該樹脂組成物混合的溶劑為目的，使基材上之該樹脂組成物乾燥的狀態。
具體而言，係對上述片材，使用黏彈性測定裝置，於既定之頻率條件下，進行以既定升溫速度升溫至既定溫度時的平面摩擦測定，將所得之複數黏度(complex viscosity)之極少值作為樹脂組成物之最低動態黏度。更具體而言，上述黏 彈性測定裝置之平面摩擦測定，較佳係依頻率10Hz、升溫速度3℃/分鐘自50℃升溫至220℃而實施。又，升溫速度並不限定於3℃/分鐘。
另外，除了上述線熱膨脹係數為35ppm/℃以下以及上述最低動態黏度為2,000Pa．s以下，藉由使樹脂組成物之硬化物的玻璃轉移溫度為190℃以下，可使多層印刷佈線板製造步驟中之雷射照射後之樹脂殘渣去除步驟的去鑽渣性更加提升。又，可得到多層印刷佈線板之與鄰接層之密接性優越的絕緣層。
於此，「樹脂組成物之硬化物的玻璃轉移溫度」，係指於使該樹脂組成物硬化而製作多層印刷佈線板時之相同條件下，使該樹脂組成物硬化而得之硬化物的玻璃轉移溫度。亦即，於與使用樹脂組成物製作附有基材之絕緣樹脂片、至使用該附有基材之絕緣樹脂片製作多層印刷佈線板為止的步驟為相同的條件下，使該樹脂組成物硬化而得之硬化物的玻璃轉移溫度。
該硬化物之玻璃轉移溫度，可使用一般手法進行測定，例如使用動態黏彈性測定裝置。具體而言，較佳係將以3℃/分鐘之升溫速度將測試片進行升溫時之tan δ之峰值位置作為樹脂組成物之硬化物的玻璃轉移溫度。
本發明之樹脂組成物中所使用之(A)胺基矽烷偶合劑，並無特別限定，可舉例如：N-丁基胺基丙基三甲氧基矽烷、N- 乙基胺基異丁基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-烯丙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、(環己基胺基甲基)三乙氧基矽烷、N-環己基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙基胺基異丁基甲氧基二乙氧基矽烷、(苯基胺基甲基)甲基二甲氧基矽烷、N-苯基胺基甲基三乙氧基矽烷、N-甲基胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等。此等之中，較佳為N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。藉此，於多層印刷佈線板製造步驟中之雷射照射後之樹脂殘渣去除步驟中，可得到去鑽渣性優越的多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物。
(A)胺基矽烷偶合劑之含量係相對於(B)二氧化矽100重量份，較佳為0.01重量%以上且5重量%以下。更佳為0.1重量%以上且3重量%以下。若偶合劑之含量超過上述上限值，則於製造多層印刷佈線時，有由本發明之樹脂組成物所形成之絕緣層出現刮痕的情形，若未滿上述下限值，則有電路與由本發明之樹脂組成物所形成之絕緣層間的密接力降低的情形。
本發明之樹脂組成物所使用之上述(B)二氧化矽，較佳為熔融二氧化矽。特佳為球狀熔融二氧化矽。(B)二氧化矽相較於其他無機填充材，由低熱膨脹性優越的方面而言為較佳。其形狀有破碎狀、球狀等，較佳為球狀。若為球狀，則即使多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物中之(B)二氧化矽含 量多，流動性仍優越。又，上述球狀二氧化矽之製造方法並無特別限定，可藉公知方法而獲得。作為上述球狀二氧化矽之製造方法，可舉例如乾式二氧化矽法、濕式二氧化矽法、由溶膠-凝膠法進行之二氧化矽製造方法等。
上述(B)二氧化矽之含量並無特別限定，較佳為樹脂組成物之20重量%以上且85重量%以下。更佳為25重量%以上且75重量%以下。若(B)二氧化矽之含量未滿上述下限值，則有線熱膨脹係數變高或吸水率變高的情況。另外，若超過上述上限值，則由於樹脂組成物之流動性降低，故有絕緣層之成形性降低的情形。藉由使二氧化矽之含量成為上述範圍內，可使樹脂組成物之線熱膨脹係數成為35ppm/℃以下。
尚且，本發明中，含有成分相對於樹脂組成物之含量，係指將以含有成分之溶解及/或分散為目的而含有之溶劑予以去除之成分的合計量設為100重量%者。
上述(B)二氧化矽之平均粒徑為2μm以下。藉由使用平均粒徑為2μm以下之二氧化矽，可防止樹脂清漆中之(B)二氧化矽沉澱等之現象。另一方面，(B)二氧化矽之平均粒徑較佳為0.05μm以上。若(B)二氧化矽之平均粒徑未滿0.05μm，則於使用本發明之多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物調製樹脂清漆時，由於樹脂清漆之黏度變高，故有對製作附有基材之絕緣樹脂片時之作業性造成影響的情形。藉由將(B)二氧化矽之平均粒徑設為上述範圍內，可使此等特性之均衡 優越。(B)二氧化矽之平均粒徑之更佳為0.1μm以上且1.0μm以下。
(B)二氧化矽之平均粒徑可使用島津製作所SALD-7000等一般機器進行測定。
作為上述(B)二氧化矽之粗粒切割程度並無特別限定，較佳係切割為5μm以上，亦即不含粒徑5μm以上之粗粒。藉此，可去除5μm以上之粗粒，亦可去除異物。
上述(B)二氧化矽之比表面積並無特別限定，較佳為1m2 /g以上且200m2 /g以下。若比表面積超過上述上限值，則(B)二氧化矽彼此容易凝集，而有樹脂組成物之構造變得不穩定的情形。又，若未滿上述下限值，則有難以將(B)二氧化矽填充至多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物中的情況。又，比表面積可藉BET法而求取。
上述(B)二氧化矽亦可事先以含官能基之矽烷類及/或烷基矽氮(alkyl silazane)類進行表面處理而使用。藉由預先實施表面處理，可抑制二氧化矽之凝集，並可使二氧化矽良好地分散於本發明之樹脂組成物中。又，由於提升(C)環氧樹脂與(B)二氧化矽表面之密接性，故可得到機械強度優越之絕緣層。
作為上述含有官能基之矽烷類及/或烷基矽氮類的含官能基之矽烷類，可使用公知者。可舉例如：環氧基矽烷、苯乙烯基矽烷、甲基丙烯氧基矽烷、丙烯氧基矽烷、巰基矽烷、 N-丁基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙基胺基異丁基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-烯丙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、(環己基胺基甲基)三乙氧基矽烷、N-環己基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-乙基胺基異丁基甲氧基二乙氧基矽烷、(苯基胺基甲基)甲基二甲氧基矽烷、N-苯基胺基甲基三乙氧基矽烷、N-甲基胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、乙烯基矽烷、異氰酸酯矽烷、硫化矽烷、氯丙基矽烷、脲矽烷化合物等。
作為上述烷基矽氮類，可舉例如六甲基二矽氮(HMDS)、1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氮、八甲基三矽氮、六甲基環三矽氮等。此等之中，作為烷基矽氮類，較佳為六甲基二矽氮(HMDS)。
對上述(B)二氧化矽預先進行表面處理之含官能基之矽烷類及/或烷基矽氮類的量，並無特別限定，較佳係相對於上述(B)二氧化矽100重量份為0.01重量%以上且5重量%以下。更佳為0.1重量%以上且3重量%以下。若偶合劑之含量超過上述上限值，則有於製造多層印刷佈線板時在絕緣層發生裂痕的情形，若未滿上述下限值，則有樹脂成分與(B)二氧化矽之結合力降低的情形。
尚且，作為(B)二氧化矽之表面處理所使用之上述含官能基之矽烷類，在於胺基矽烷偶合劑中使用該成分的情況，該表面處理用胺基矽烷偶合劑係定為屬於本案樹脂組成物之 必要成分的(A)胺基矽烷偶合劑。亦即，表面處理用胺基矽烷偶合劑之使用量係以(A)胺基矽烷偶合劑之使用量而進行計算。
將上述(B)二氧化矽預先以含官能基之矽烷類及/或烷基矽氮類進行表面處理的方法，並無特別限定，較佳為濕式方式或乾式方式。特佳為濕式方法。濕式方式的情況係相較於乾式方式，可對(B)二氧化矽表面進行均勻處理。
本發明之樹脂組成物中所使用的(C)環氧樹脂，並無特別限定，較佳係實質上不含鹵原子。於此，所謂「實質上不含鹵原子」，係指容許來自環氧樹脂之合成過程中所使用之鹵素系成分的鹵素，即使經由鹵素去除步驟仍殘存於環氧樹脂中的情形。通常，較佳係於環氧樹脂中不含超過30ppm之鹵原子。
作為不含鹵原子之環氧樹脂，可舉例如雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂(4,4’-環己二烯雙酚型環氧樹脂)、雙酚P型環氧樹脂(4,4’-(1,4)-伸苯基二異亞丙基)雙酚型環氧樹脂)、雙酚M型環氧樹脂(4,4’-(1,3-伸苯基二異亞丙基)雙酚型環氧樹脂)等之雙酚型環氧樹脂；酚-酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚-酚醛清漆型環氧樹脂等之酚醛清漆型環氧樹脂；聯苯基型環氧樹脂、茬型環氧樹脂、酚芳烷基型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂、聯苯基二亞甲基 型環氧樹脂、四甲基聯苯基型環氧樹脂等之芳基伸烷基型環氧樹脂；萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。可單獨使用此等之中的1種，亦可併用具有不同重量平均分子量之2種以上，亦可併用1種或2種以上與其等之預聚物。
此等環氧樹脂之中，特佳為雙酚A型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂、四甲基聯苯基型環氧樹脂。藉此，可提升吸濕焊料耐熱性及難燃性。
上述(C)環氧樹脂之含量係設為上述樹脂組成物之14重量%以上且79重量%以下。若含量未滿上述下限值，則有樹脂組成物之硬化性降低或所得之製品的耐濕性降低的情形，若超過上述上限值，則有低熱膨脹性、耐熱性降低的情形。(C)環氧樹脂之含量較佳為樹脂組成物之25重量%以上且75重量%以下。
上述(C)環氧樹脂之重量平均分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為1.0×102 以上且2.0×104 以下。若重量平均分子量未滿上述下限值，則有於絕緣層表面發生黏性的情形，若超過上述上限值，則有焊料耐熱性降低的情形。藉由將重量平均分子量設為上述範圍內，可使此等特性之均衡優越。
上述環氧樹脂之重量平均分子量例如可以GPC進行測定。
本發明之樹脂組成物可進一步使用酚系硬化劑。作為酚系硬化劑，可單獨使用或組合使用2種以上之酚-酚醛清漆樹脂、烷基酚-酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂、二環戊二烯型酚樹脂、XYLOK型酚樹脂、萜改質酚樹脂、聚乙烯基酚類等公知慣用者。
本發明之樹脂組成物較佳係進一步含有含氮原子之硬化促進劑。作為含氮原子之硬化促進劑，可使用公知化合物。較佳為例如咪唑化合物。藉此，可提升吸濕焊料耐熱性。上述咪唑化合物並無特別限定，可舉例如1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2,4-二胺基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三、2,4-二胺基-6-(2’-十一烷基咪唑基)-乙基-s-三、2,4-二胺基-6-[2’-乙基-4-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑等。
此等之中，較佳為1-苯基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑及2-乙基-4-甲基咪唑。此等咪唑化合物由於尤其在本發明之樹脂組成物中具有優越之相溶性，故可得到均勻性高之硬化物，且可於絕緣層表面形成細微且均勻之粗化面，故可容易地形成細微之導體電路，並可使多層印刷佈線板表現高耐熱性。
作為上述含氮原子之硬化促進劑的含量，並無特別限定， 較佳為樹脂組成物之0.01重量%以上且5重量%以下，特佳為0.05重量%以上且3重量%以下。藉此，尤其可提升耐熱性。
作為本發明之樹脂組成物所使用之上述(D)苯氧基樹脂，並無特別限定，可舉例如具有雙酚A骨架之苯氧基樹脂、具有雙酚F骨架之苯氧基樹脂、具有雙酚S骨架之苯氧基樹脂、具有雙酚M骨架(4,4’-(1,3-伸苯基二異亞丙基)雙酚骨架)之苯氧基樹脂、具有雙酚P(4,4’-(1,4)-伸苯基二異亞丙基)雙酚骨架)骨架之苯氧基樹脂、具有雙酚Z(4,4’-環己二烯雙酚骨架)骨架之苯氧基樹脂等具有雙酚骨架的苯氧基樹脂；具有酚醛清漆骨架之苯氧基樹脂；具有蒽骨架之苯氧基樹脂；具有第骨架之苯氧基樹脂；具有二環戊二烯骨架之苯氧基樹脂；具有降烯骨架之苯氧基樹脂；具有萘骨架之苯氧基樹脂；具有聯苯基骨架之苯氧基樹脂；具有金剛烷骨架之苯氧基樹脂等。
另外，作為(D)苯氧基樹脂，可使用具有複數種此等骨架的構造，亦可使用各自骨架之比率不同的苯氧基樹脂。再者，亦可使用複數種之不同骨架之苯氧基樹脂，或使用複數種之具有不同重量平均分子量的苯氧基樹脂，或併用此等之預聚物。
此等之中，較佳係具有雙酚A骨架、雙酚F骨架及雙酚S骨架的苯氧基樹脂。更佳為具有雙酚A骨架與雙酚F骨架之 兩骨架的苯氧基樹脂。藉此，可於製造多層印刷佈線板時提升對內層電路基板之密接性。
作為上述苯氧基樹脂之分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為5.0×103 以上且1.0×105 以下。更佳為1.0×104 以上且7.0×104 以下。
若苯氧基樹脂之重量平均分子量未滿上述下限值，則有提升密接性之效果不足的情形。另一方面，若超過上述上限值，則有苯氧基樹脂之溶解性降低的情形。藉由將苯氧基樹脂之重量平均分子量設為上述範圍內，可使此等特性之均衡優越。
(D)苯氧基樹脂之含量係相對於樹脂組成物，較佳為0.1重量%以上且20重量%以下。更佳為1.0重量%以上且10.0重量%以下。若(D)苯氧基樹脂之含量超過上述上限值，則有所得之絕緣層之耐熱性降低、熱衝擊性降低、黏度上升之虞，若未滿上述下限值，則有所得之絕緣層之密接性降低之虞。
本發明之樹脂組成物亦可進一步併用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等之熱可塑性樹脂；苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-異戊二烯共聚物等之聚苯乙烯系熱可塑性彈性體及聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等之熱可塑性彈性體；聚丁二烯、環氧基改質聚丁 二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等之二烯系彈性體。
另外，上述多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物中，視需要亦可添加顏料、染料、消泡劑、均平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕捉劑等之上述成分以外的添加物。
其次，說明本發明之附有基材之絕緣樹脂片。
本發明之附有基材之絕緣樹脂片係將由上述本發明之樹脂組成物所構成之絕緣層積層於基材上而成的附有基材之絕緣樹脂片，製作附有基材之絕緣樹脂片的方法並無特別限定，可舉例如：將樹脂組成物溶解．分散於溶劑等中而調製樹脂清漆，使用各種塗佈裝置，將樹脂清漆塗佈至基材上後，使其乾燥的方法；藉噴霧裝置將樹脂清漆噴霧塗佈至基材上後，將其乾燥之方法等。
此等之中，較佳係使用刮刀式塗佈機(Comma coater)、剛模塗佈機(die coater)等各種塗佈裝置，將樹脂清漆塗佈至基材上後，使其乾燥的方法。藉此，可效率佳地製造無孔隙、具有均勻絕緣樹脂片層之厚度的附有基材之絕緣樹脂片。
將本發明之樹脂組成物溶解．分散於溶劑等中而調製清漆時所使用的溶媒，最好對於樹脂組成物中之樹脂成分顯示良好的溶解性，但在不造成不良影響的範圍內亦可使用貧溶媒(poor solvent)。作為顯示良好溶解性之溶媒，可舉例如丙 酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、四氫呋喃等之酮類；醋酸乙酯、醋酸丁酯、賽路蘇乙酸酯、丙二醇單甲基醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯等之醋酸酯類；賽路蘇、丁基賽路蘇等之賽路蘇類；卡必醇、丁基卡必醇等之卡必醇類；甲苯、二甲苯等之芳香族烴；二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇等。此等可單獨或組合二種以上使用。
本發明之附有基材之絕緣樹脂片中，作為絕緣層之厚度並無特別限定，較佳為5~100μm。藉此，使用此附有基材之絕緣樹脂片而製造多層印刷佈線板時，可填充內層電路之凹凸而成形，並可確保較佳之絕緣層厚度。
本發明之附有基材之絕緣樹脂片所使用之基材並無特別限定，可使用例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等之聚酯樹脂，氟系樹脂，聚醯亞胺樹脂等之具有耐熱性的熱可塑性樹脂薄膜；或銅及/或銅系合金、鋁及/或鋁系合金、鐵及/或鐵系合金、銀及/或銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金等之金屬箔等。
作為上述基材之厚度並無特別限定，若使用10~70μm者，則製造附有基材之絕緣樹脂片時之操作性良好，而較佳。
尚且，於製造本發明之附有基材之絕緣樹脂片時，較佳係使與絕緣層相接之基材面的凹凸極力地減小。藉此，可使絕緣層與電路之密接性良好，並使細微佈線加工容易。
本發明之附有基材之絕緣樹脂片之絕緣層，在製造多層印 刷佈線板的步驟中若使用例如過錳酸鹽、重鉻酸鹽等之氧化劑進行絕緣層表面之粗化處理，則可於粗化處理後之絕緣層表面多數地形成高均勻性的微小凹凸形狀。
若對此種粗化處理後之絕緣層表面進行金屬鍍敷處理，則由於粗化處理面之平滑性高，故可精度佳地形成細微之導體電路。又，藉由微小凹凸形狀而提高錨固(anchor)效果，可於絕緣層與鍍敷金屬之間賦予高密接性。
其次，針對使用本發明之附有基材之絕緣樹脂片的多層印刷佈線板進行說明。
多層印刷佈線板係將上述附有基材之絕緣樹脂片重疊於內層電路板之單面或雙面上並進行加熱加壓成形而成者。
具體而言，可將上述本發明之附有基材之絕緣樹脂片之絕緣層側與內層電路板對齊，使用真空加壓式層合機裝置等進行真空加熱加壓成形，其後，以熱風乾燥裝置等將絕緣層進行加熱硬化而獲得。
於此，作為加熱加壓成形之條件並無特別限定，若列舉其一例，可依溫度60~160℃、壓力0.2~3MPa進行實施。又，加熱硬化之條件並無特別限定，若列舉其一例，可依溫度140~240℃、時間30~120分鐘進行實施。
或者，可藉由將上述本發明之附有基材之絕緣樹脂片之絕緣層側與內層電路板重疊，將其使用平板壓製裝置等進行加熱加壓成形而獲得。於此，作為加熱加壓成形之條件並無特 別限定，若列舉其一例，可依溫度140~240℃、壓力1~4MPa進行實施。以此種平板壓製裝置等進行之加熱加壓成形中，係與加熱加壓成形同時進行絕緣層之加熱硬化。
絕緣層之硬化係為了使其次之雷射照射及樹脂殘渣的去除變得容易，而提升去鑽渣性，亦有先作成半硬化狀態的情形。又，亦可藉由將第一層絕緣層以較一般加熱溫度更低之溫度進行加熱而使其一部分硬化(半硬化)，於絕緣層上再形成一層或複數層之絕緣層，並再度對半硬化之絕緣層加熱硬化至實用上無問題的程度，藉此提升絕緣層間及絕緣層與電路間的密接力。此時之半硬化的溫度較佳為80℃~200℃、更佳為100℃~180℃。又，於其次步驟中係照射雷射而於絕緣層形成開口部，但在此之前必需將基材剝離。基材之剝離可於形成絕緣層後、加熱硬化前、或加熱硬化後進行，均無特別問題。
尚且，於得到上述多層印刷佈線板時所使用之內層電路板，可適合使用例如於覆銅積層板之兩面上，藉蝕刻等形成既定之導體電路，將導體電路部分進行黑化處理者。
其次，對絕緣層照射雷射，形成開孔部。上述雷射可使用準分子雷射、UV雷射及二氧化碳氣體雷射等。
雷射照射後之樹脂殘渣等較佳係藉由過錳酸鹽、重鉻酸鹽等之氧化劑等去除。又，可將平滑之絕緣層表面同時進行粗化，並可提升其次藉金屬鍍敷所形成之導電佈線電路的密接 性。
其次，形成外層電路。外層電路之形成方法係藉由金屬鍍敷達到絕緣層間之連接，藉蝕刻進行外層電路圖案形成。與使用附有基材之絕緣樹脂片時同樣地可得到多層印刷佈線板。
尚且，於基材中使用金屬箔時，亦可不剝離基材，為了將其使用作為導體電路而藉蝕刻進行電路形成。此時，若使用有厚銅箔之附有基材之絕緣樹脂片，則於其後之電路圖案形成時，難以進行細間距(fine pitch)化，故亦有使用1~5μm之極薄銅箔，或進行將12~18μm之銅箔藉蝕刻減薄至1~5μm的半蝕刻的情形。
再者，亦可將附有基材之絕緣層予以積層，進行上述同樣之電路形成，但於多層印刷佈線板之設計上，於最外層係在電路形成後形成阻焊層。阻焊層之形成方法並無特別限定，例如可藉由下述方法形成：將乾薄膜形式之阻焊層進行積層(層合)，藉曝光及顯影予以形成的方法；或將印刷有液狀阻劑者藉曝光及顯影予以形成的方法。又，在將所得之多層印刷佈線板使用於半導體裝置時，係為了安裝半導體元件而設置連接用電極部。連接用電極部可以鍍金、鍍鎳及鍍焊料等之金屬皮膜予以適當被覆。藉此種方法，可製造多層印刷佈線板。
其次，針對本發明之半導體裝置進行說明。
於上述所得之多層印刷佈線板安裝具有焊料凸塊之半導體元件，經由焊料凸塊，達到與上述多層印刷佈線板之連接。而且，於多層印刷佈線板與半導體元件之間填充液狀密封樹脂，形成半導體裝置。焊料凸塊較佳係由含有錫、鉛、銀、銅、鉍等所形成之合成所構成。
半導體元件與多層印刷佈線板之連接方法，係使用倒裝晶片接合器等進行基板上之連接用電極部與半導體元件之焊料凸塊的定位，其後，使用IR迴焊裝置、熱板、其他加熱裝置將焊料凸塊加熱至熔點以上，將多層印刷佈線板與焊料凸塊進行熔融接合，藉此予以連接。又，為了使連接可靠性良好，亦可預先於多層印刷佈線板上之連接用電極部上形成焊錫膏等熔點較低之金屬的層。於此接合步驟之前，亦可藉由於焊料凸塊及或多層印刷佈線板上之連接用電極部之表層上塗佈焊劑(flux)而提升連接可靠性。
(實施例)
以下，藉實施例及比較例說明本發明之樹脂組成物、附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板及半導體裝置之一例，但本發明並不限定於此。
實施例及比較例所使用之原料係如以下。
(1)(A)胺基矽烷偶合劑/N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷：東麗．道康寧聚矽氧股份有限公司製，「SZ6083」
(2)環氧基矽烷偶合劑：GE東芝聚矽氧股份有限公司製， 「A-187」
(3)(B)二氧化矽/球狀熔融二氧化矽：Admatechs公司製，「SO-25R」，平均粒徑約0.5μm，比表面積約6.25m2 /g
(4)(C)環氧樹脂(C1)/雙酚A型環氧樹脂：Japan Epoxy Resin(股)公司製，「EPIKOTE 828」，環氧當量185
(5)(C)環氧樹脂(C2)/聯苯基芳烷基型環氧樹脂：日本化藥公司製，「NC3000」，環氧當量275
(6)(C)環氧樹脂(C3)/四甲基聯苯基型環氧樹脂：Japan Epoxy Resin(股)公司製，「YX-4000」，環氧當量180
(7)硬化劑/酚-酚醛清漆樹脂：大日本油墨化學工業(股)公司製，「Phenolite」，羥基當量105
(8)苯氧基樹脂/聯苯基型環氧樹脂與雙酚S型環氧樹脂之共聚物，於末端部具有環氧基。：Japan Epoxy Resin(股)公司製，「YX-8100H30」，重量平均分子量30000
(9)含氮原子之硬化促進劑/咪唑化合物：四國化成工業公司製，「CUREZOL 1B2PZ(1-苄基-2-苯基咪唑)」
(1)樹脂清漆之調製 <實施例1>
將作為(A)胺基矽烷偶合劑之N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷0.4重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 60.4重量份、作為(C)環氧樹脂之雙酚A型環氧樹脂(C1)22.2重量份、作為硬化劑之Phenolite 12.9重量份、苯氧基樹脂3.9 重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.2重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆。
(2)附有基材之絕緣樹脂片之製造
將上述所得之樹脂清漆使用刮刀式塗佈機裝置，於厚度38μm之PET(聚對苯二甲酸乙二酯：三菱聚酯公司製，「SFB-38」)薄膜之單面上塗佈成乾燥後之絕緣層厚度為40μm，將其以110~150℃之乾燥裝置進行乾燥，製造附有基材之絕緣樹脂片。
(3)多層印刷佈線板之製造
使用厚度0.3mm且銅箔厚度為18μm之雙面覆銅積層板(住友Bakelite(股)製ELC-4765GS)，以鑽孔機進行開孔後，以無電解鍍敷達到上下銅箔間之導通，將上述雙面銅箔藉蝕刻而於雙面上形成內層電路。(L/S=120/180μm，穿通孔1mm、3mm，狹縫2mm)。
其次，對內層電路噴霧吹附以過氧化氫水與硫酸為主成分之藥液(旭電化工業(股)製TECH SO-G)，藉此進行粗化處理之凹凸形成。
其次，將上述所得之附有基材之絕緣樹脂片使用真空積層裝置積層於內層電路上。其次剝離基材，以溫度170℃、時間60分鐘進行加熱，使絕緣層半硬化。又，將附有基材之絕緣樹脂片進行積層之條件設為溫度100℃、壓力1MPa、30 秒。
接著，於上述所得之多層印刷佈線板1之絕緣層上，使用二氧化碳氣體雷射裝置形成60μm之開孔部(未穿針孔，blind pinhole)，浸漬於70℃之膨潤液(Atotech Japan公司製，Swelling Dip Securigant P)10分鐘，再浸漬於80℃之過錳酸鉀水溶液(Atotech Japan公司製，Concentrate Compact CP)20分鐘後，予以中和而進行粗化處理。其次，經過脫脂、觸媒賦予、活性化之步驟後，將無電解銅鍍皮膜形成為約0.5μm之給電層。其次，於此給電層表面上藉熱輥層合機貼合厚度25μm之紫外線感光性乾薄膜(旭化成公司製AQ-2558)，使用描繪了最小線寬/線間為20/20μm之圖案的鉻蒸鍍遮罩(TOUWA PROCESS公司製)，進行定位，以曝光裝置(USIO電機公司製UX-1100 SM-AJN01)進行曝光，並以碳酸鈉水溶液進行顯影，形成阻鍍層。
其次，以給電層作為電極，進行電解銅鍍(奧野製藥公司製81-HL)3A/dm2 、30分鐘，形成厚度約25μm之銅佈線。於此，使用2階段剝離機，剝離上述阻鍍層。各藥液係分別於第1階段之鹼水溶液層使用單乙醇胺溶液(三菱氣體化學公司製R-100)，於第2階段之氧化性樹脂蝕刻劑使用以過錳酸鉀與氫氧化鈉為主成分之水溶液(日本MacDermid公司製MACUDIZER9275、9276)，於中和使用酸性胺水溶液(日本MacDermid公司製MACUDIZER9279)。
其次，將給電層於過硫酸銨水溶液(Meltex(股)製AD-485)進行浸漬處理，而去除蝕刻劑，確保佈線間之絕緣。接著將絕緣層以溫度200℃、時間60分鐘進行最終硬化，最後於電路表面形成阻焊層(太陽油墨公司製PSR4000/AUS308)而得到多層印刷佈線板。
(5)半導體裝置之製造
上述多層印刷佈線板係使用：將配置有經實施了與半導體元件之焊料凸塊相當之鎳金鍍敷處理的連接用電極部者，切斷為50mm×50mm之尺寸者。半導體元件(TEG晶片，尺寸15mm×15mm，厚度0.8mm)係使用由Sn/Pb組成之共晶所形成的焊料凸塊，半導體元件之電路保護膜係使用由正型感光性樹脂(住友Bakelite公司製CRC-8300)所形成者。半導體裝置之組裝係首先於焊料凸塊上藉轉印法均勻地塗佈焊劑材，其次使用倒裝晶片接合器裝置，於多層印刷佈線板上進行加熱壓黏而予以搭載。接著，以IR迴焊爐將焊料凸塊熔融接合後，填充液狀密封樹脂(住友Bakelite公司製，CRP-4152S)，使液狀密封樹脂硬化，藉此得到半導體裝置。又，液狀密封樹脂之硬化條件為溫度150℃、120分鐘之條件。
<實施例2>
將作為(A)胺基矽烷偶合劑之N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷0.3重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 65.2重量份、作為(C)環氧樹脂之雙酚A型環氧樹脂(C1)19.6重量 份、作為硬化劑之Phenolite 11.3重量份、苯氧基樹脂3.4重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.2重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆，與實施例1同樣地進行得到附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板、半導體裝置。
<實施例3>
將作為(A)胺基矽烷偶合劑之N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷2.2重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 60.6重量份、作為(C)環氧樹脂之雙酚A型環氧樹脂(C1)21.1重量份、作為硬化劑之Phenolite 12.2重量份、苯氧基樹脂3.7重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.2重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆，與實施例1同樣地進行得到附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板、半導體裝置。
<實施例4>
將作為(A)胺基矽烷偶合劑之N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷0.4重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 60.6重量份、作為(C)環氧樹脂之聯苯基芳烷基型環氧樹脂(C2)25.2重量份、作為硬化劑之Phenolite9.7重量份、苯氧基樹脂3.9重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.2重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆，與實施例1同樣地進行得到 附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板、半導體裝置。
<實施例5>
將作為(A)胺基矽烷偶合劑之N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷0.4重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 60.4重量份、作為(C)環氧樹脂之四甲基聯苯基型環氧樹脂(C3)22.2重量份、作為硬化劑之Phenolite 12.9重量份、苯氧基樹脂3.9重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.2重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆，與實施例1同樣地進行得到附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板、半導體裝置。
<比較例1>
將作為偶合劑之環氧基矽烷偶合劑(A-187)0.7重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 30.2重量份、作為(C)環氧樹脂之雙酚A型環氧樹脂(C1)22.0重量份、作為硬化劑之Phenolite 12.4重量份、苯氧基樹脂34.4重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.3重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆，與實施例1同樣地進行得到附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板、半導體裝置。
<比較例2>
將作為偶合劑之環氧基矽烷偶合劑(A-187)0.7重量份、作為(B)二氧化矽之SO-25R 30.2重量份、作為(C)環氧樹脂 之雙酚A型環氧樹脂(C1)39.2重量份、作為硬化劑之Phenolite 22.7重量份、苯氧基樹脂6.9重量份、作為含氮原子之硬化促進劑的1B2PZ 0.3重量份，溶解．混合至甲基異丁基酮中。其次，使用高速攪拌裝置進行攪拌而調製成樹脂清漆，與實施例1同樣地進行得到附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板、半導體裝置。
針對上述所得之附有基材之絕緣樹脂片、多層印刷佈線板及半導體裝置，進行以下評價項目之評價。又，將實施例及比較例之樹脂組成物之調配組成、各物性值、評價結果示於表1。又，表中各調配量係表示「重量份」。
物性值之評價方法係如下述。
(1)硬化物之線熱膨脹係數
準備2片上述所得之附有基材之絕緣樹脂片，將附有基材之絕緣樹脂片之絕緣層面作為內側而予以貼合，使用真空加壓式層合機裝置，依溫度100℃、壓力1MPa進行真空加熱加壓成形，其後，以熱風乾燥裝置依170℃進行加熱硬化60分鐘，去除薄膜而得到厚度80μm之絕緣層。自所得之絕緣層切出4mm×40mm之測試片，使用TMA依5℃/分鐘之拉伸條件測定自25℃至150℃之範圍內的線熱膨脹係數。
各符號係如以下所述。
○：線熱膨脹係數為35ppm/℃以下
×：線熱膨脹係數大於35ppm/℃
(2)硬化物之玻璃轉移溫度
自於線熱膨脹係數之測定所製作之厚度80μm的絕緣層切出10mm×60mm之測試片，以動態黏彈性測定裝置(DMA983，TA Instruments公司製)依3℃/分鐘進行升溫，將tan δ之峰值位置作為玻璃轉移溫度。
各符號係如以下所述。
○：玻璃轉移溫度為190℃以下
×：玻璃轉移溫度高於190℃
(3)最低動態黏度
自上述所得之附有基材之絕緣樹脂片去除基材，作為樣 本。以黏彈性測定裝置(Anton Par公司製)，測定頻率10Hz、升溫速度5℃/min、溫度50~220℃之平面摩擦測定。最低動態黏度係作為複數黏度(η ＊)之極小值。
各符號係如以下所述。
◎：未滿1000Pa．s
○：1000Pa．s以上、2000Pa．s以下
×：高於2000Pa．s
其次，使用多層印刷佈線板及半導體裝置所進行之評價方法係如下述。
(1)去鑽渣性評價
製作多層印刷佈線板後，觀察剖面，並觀察雷射之開孔部，確定是否有破裂或樹脂殘渣之殘留。
○：良好之開孔狀態
×：有破裂或樹脂殘渣之狀態
(2)吸濕焊料耐熱性評價
使用上述所得之多層印刷佈線板，以121℃之壓力鍋進行處理2小時後，將多層印刷佈線板投入至最高溫度為260℃、於200℃以上曝露5分鐘之條件的IR迴焊爐中，調查有無多層印刷佈線板之外觀異常。
○：無異常
×：發生膨脹或裂痕
(3)熱衝擊試驗
將上述所得之半導體裝置於Fluorinert中以-55℃ 10分鐘、125℃ 10分鐘、-55℃ 10分鐘作為1周期，進行1000周期處理，確認於半導體裝置有無發生裂痕。
○：無異常
×：發生裂痕
由表1可明白，實施例1-5係去鑽渣性、吸濕焊料耐熱性、熱衝擊試驗優越。相對於此，比較例1~2係去鑽渣性、吸濕焊料耐熱性、熱衝擊試驗差劣。若使用本發明之樹脂組成物，由於提升去鑽渣性，故推判亦提升多層印刷佈線板與半導體裝置之可靠性。
(產業上之可利用性)
本發明之樹脂組成物係低線膨脹，去鑽渣性亦優越，故可使用於要求細微佈線加工之薄型多層印刷佈線板中，以及使用上述多層印刷佈線板之半導體裝置中。

Claims (10)

  1. 一種絕緣樹脂組成物，係多層印刷佈線板用者，其特徵為，係以下述成分作為必要成分：(A)胺基矽烷偶合劑；(B)平均粒徑2.0μm以下之二氧化矽；(C)環氧樹脂；(D)苯氧基樹脂；以及酚系硬化劑；並含有樹脂組成物之14重量%以上且79重量%以下的上述(C)環氧樹脂，於與使樹脂組成物硬化而製作多層印刷佈線板時相同之條件下，使樹脂組成物硬化而得之硬化物的線熱膨脹係數在25℃至150℃之範圍內為35ppm/℃以下，且上述硬化物之玻璃轉移溫度(Tg)為190℃以下，樹脂組成物之最低動態黏度為2000Pa．s以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述(A)胺基矽烷偶合劑為N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷。
  3. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述(B)二氧化矽之比表面積為1.0m2 /g以上且200m2 /g以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述(B)二氧化矽之含量為樹脂組成物之20重量%以上且85重量%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述(C) 環氧樹脂係選自雙酚A型環氧樹脂、聯苯基芳烷基型環氧樹脂、四甲基聯苯基型環氧樹脂所組成群的至少1種。
  6. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述樹脂組成物係進一步含有含氮原子之硬化促進劑。
  7. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，上述苯氧基樹脂(D)係具有選自雙酚A骨架、雙酚F骨架及雙酚S骨架所組成群之至少1種骨架的苯氧基樹脂。
  8. 一種附有基材之絕緣樹脂片，係於基材上形成由申請專利範圍第1項之樹脂組成物所形成之絕緣層而成。
  9. 一種多層印刷佈線板，係將申請專利範圍第8項之附有基材之絕緣樹脂片重疊於內層電路板之單面或雙面上，並予以加熱加壓成型而成。
  10. 一種半導體裝置，係於申請專利範圍第9項之多層印刷佈線板上搭載半導體元件而成。
TW97132656A 2007-08-28 2008-08-27 多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，附有基材之絕緣樹脂片，多層印刷佈線板及半導體裝置 TWI419622B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007221406 2007-08-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200922396A TW200922396A (en) 2009-05-16
TWI419622B true TWI419622B (zh) 2013-12-11

Family

ID=40387212

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97132656A TWI419622B (zh) 2007-08-28 2008-08-27 多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，附有基材之絕緣樹脂片，多層印刷佈線板及半導體裝置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5446864B2 (zh)
KR (1) KR101497736B1 (zh)
CN (1) CN101772526B (zh)
TW (1) TWI419622B (zh)
WO (1) WO2009028493A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101042214B1 (ko) * 2009-04-09 2011-06-20 주식회사 엘지화학 배향막 조성물, 이로 제조된 배향막, 배향막 제조방법, 이를 포함하는 광학필름 및 광학필름을 포함하는 디스플레이 장치
JP2010285523A (ja) * 2009-06-11 2010-12-24 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線、および半導体装置
JP5249903B2 (ja) * 2009-10-22 2013-07-31 味の素株式会社 樹脂組成物
JP5415334B2 (ja) * 2010-03-26 2014-02-12 ナミックス株式会社 先供給型液状半導体封止樹脂組成物
JP5516190B2 (ja) * 2010-07-27 2014-06-11 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、樹脂付き金属箔、及び金属ベース基板
JP2012131899A (ja) * 2010-12-21 2012-07-12 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、樹脂シート、金属ベース回路基板、インバータ装置、及びパワー半導体装置
KR101908166B1 (ko) * 2011-06-21 2018-10-15 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 적층판의 제조 방법
JP2013153012A (ja) * 2012-01-24 2013-08-08 Murata Mfg Co Ltd 電子部品モジュールの製造方法
JP5752071B2 (ja) * 2012-03-02 2015-07-22 積水化学工業株式会社 Ｂステージフィルム及び多層基板
KR101954051B1 (ko) * 2012-11-20 2019-03-05 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박
JP6277542B2 (ja) * 2013-02-28 2018-02-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プリプレグ、金属張積層板
JP6932475B2 (ja) * 2015-03-26 2021-09-08 住友ベークライト株式会社 有機樹脂基板の製造方法、有機樹脂基板および半導体装置
JP2018024832A (ja) * 2016-07-29 2018-02-15 住友ベークライト株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JPWO2019240083A1 (ja) 2018-06-12 2021-05-06 積水化学工業株式会社 樹脂材料及び多層プリント配線板
JP2020050797A (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 樹脂組成物、プリプレグ、樹脂付きフィルム、樹脂付き金属箔、金属張積層板、及びプリント配線板
CN115895546A (zh) * 2022-12-30 2023-04-04 广东生益科技股份有限公司 一种热固性树脂组合物及其绝缘胶膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW484347B (en) * 1999-07-30 2002-04-21 Ngk Insulators Ltd Wiring substrate material and the substrate material for the printed circuit using the same
TW200600545A (en) * 2004-03-29 2006-01-01 Sumitomo Bakelite Co Resin composition, resin coated metallic foil, insulation sheet layered support material, and multilayer printed circuit board

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1125488C (zh) * 2000-08-25 2003-10-22 中国科学院化学研究所 一种半导体封装用的液体环氧组合物及其用途
US20050090044A1 (en) * 2001-09-28 2005-04-28 Keiji Kayaba Epoxy resin compositions and semiconductor devices
JP4238124B2 (ja) * 2003-01-07 2009-03-11 積水化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、接着性エポキシ樹脂シート、導電接続ペースト、導電接続シート及び電子部品接合体
KR100702566B1 (ko) * 2003-04-07 2007-04-04 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 밀봉용 에폭시 수지 성형 재료 및 반도체 장치
JP4725704B2 (ja) * 2003-05-27 2011-07-13 味の素株式会社 多層プリント配線板の層間絶縁用樹脂組成物、接着フィルム及びプリプレグ
JP5055683B2 (ja) * 2004-03-30 2012-10-24 住友ベークライト株式会社 絶縁シート、基材付き絶縁シート、及び多層プリント配線板
JP5090635B2 (ja) * 2005-09-20 2012-12-05 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、基材付き絶縁シート、及び、多層プリント配線板
JP5243715B2 (ja) * 2005-12-01 2013-07-24 住友ベークライト株式会社 プリプレグ、基板および半導体装置
CN1978481A (zh) * 2005-12-01 2007-06-13 天津科技大学 自阻燃水性聚氨酯材料
JP2006312751A (ja) * 2006-08-10 2006-11-16 Sumitomo Bakelite Co Ltd 樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いた銅張積層板
MY154599A (en) * 2006-10-06 2015-06-30 Sumitomo Bakelite Co Resin composition, insulating sheet with base, prepreg, multilayer printed wiring board and semiconductor device
JP5245253B2 (ja) * 2007-01-19 2013-07-24 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、フィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置
JP4888147B2 (ja) * 2007-02-13 2012-02-29 住友ベークライト株式会社 樹脂組成物、フィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW484347B (en) * 1999-07-30 2002-04-21 Ngk Insulators Ltd Wiring substrate material and the substrate material for the printed circuit using the same
TW200600545A (en) * 2004-03-29 2006-01-01 Sumitomo Bakelite Co Resin composition, resin coated metallic foil, insulation sheet layered support material, and multilayer printed circuit board

Also Published As

Publication number Publication date
TW200922396A (en) 2009-05-16
JP5446864B2 (ja) 2014-03-19
JPWO2009028493A1 (ja) 2010-12-02
KR20100059790A (ko) 2010-06-04
CN101772526B (zh) 2012-05-30
KR101497736B1 (ko) 2015-03-02
WO2009028493A1 (ja) 2009-03-05
CN101772526A (zh) 2010-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI419622B (zh) 多層印刷佈線板用絕緣樹脂組成物，附有基材之絕緣樹脂片，多層印刷佈線板及半導體裝置
JP5493853B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、半導体装置、絶縁樹脂シート、多層プリント配線板の製造方法
US8357859B2 (en) Insulating resin sheet laminate and multi-layer printed circuit board including insulating resin sheet laminate
TWI494337B (zh) 電路基板用環氧樹脂組成物，預浸體，積層板，樹脂片，印刷佈線板用積層基材，印刷佈線板及半導體裝置
JP4888147B2 (ja) 樹脂組成物、フィルム付きまたは金属箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置
TWI439191B (zh) 附有銅箔之樹脂片材，多層印刷佈線板，多層印刷佈線板之製造方法及半導體裝置
JP7258453B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、キャリア付樹脂膜、プリプレグ、プリント配線基板および半導体装置
JP5130698B2 (ja) 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置
JP6156020B2 (ja) 樹脂組成物
JP2012153752A (ja) 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP2003286391A (ja) エポキシ樹脂組成物、ワニス、このエポキシ樹脂組成物を用いたフィルム状接着剤及びその硬化物
TWI424510B (zh) Circuit board manufacturing method and semiconductor manufacturing device
WO2007108087A1 (ja) 絶縁樹脂層、キャリア付き絶縁樹脂層および多層プリント配線板
JP2010285523A (ja) 樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線、および半導体装置
JP4983341B2 (ja) 銅箔付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、多層プリント配線板の製造方法および半導体装置
JP4993031B2 (ja) 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置
JP5672694B2 (ja) 樹脂シート、プリント配線板、および半導体装置
JP2012153755A (ja) エポキシ樹脂組成物、プリプレグ、積層板、樹脂シート、プリント配線板、及び半導体装置
JP2009067852A (ja) ガラス繊維織布入り絶縁樹脂シート、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置
JP2021120466A (ja) 樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置
JP2011021101A (ja) 樹脂組成物
JP2012054573A (ja) 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置
JP5252109B2 (ja) 多層プリント配線板用絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁シート、多層プリント配線板及び半導体装置
JP2008166322A (ja) 絶縁樹脂組成物、基材付き絶縁樹脂シート、多層プリント配線板、及び半導体装置
JP5029291B2 (ja) 多層プリント配線板用樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees