JP2024519440A - 表皮深さ損失を軽減する高抵抗および低抵抗導体層のための方法およびデバイス - Google Patents
表皮深さ損失を軽減する高抵抗および低抵抗導体層のための方法およびデバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2024519440A JP2024519440A JP2023560553A JP2023560553A JP2024519440A JP 2024519440 A JP2024519440 A JP 2024519440A JP 2023560553 A JP2023560553 A JP 2023560553A JP 2023560553 A JP2023560553 A JP 2023560553A JP 2024519440 A JP2024519440 A JP 2024519440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resistive material
- conductive
- depositing
- resistive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 25
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000012018 catalyst precursor Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/16—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive material in insulating or poorly conductive material, e.g. conductive rubber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
高抵抗導電性材料(HRCM)および導体の両方を組み込む方法およびデバイスが企図されている。HRCMは、HRCMと導体との間の面が比較的滑らかになるように、導体上に堆積される。次に、誘電体材料が、HRCMの露出面上に堆積される。誘電体材料と接触するHRCMの表面は、少なくとも5μmのRaを有するように粗面化されるか、または他の方法で押し付けられる。HRCMと導体との間の抵抗率の比は、少なくとも50:1または100:1であり、導電性材料と抵抗材料との間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である。
Description
本発明の分野は、導電層を製造するための方法およびシステムに関する。
以下の説明は、本発明を理解するのに有用であり得る情報を含む。それは、本明細書に提供される情報のうちの任意のものが先行技術であるか、または現在請求されている発明に関連していること、あるいは具体的または黙示的に参照される任意の刊行物が先行技術であることを認めるものではない。
本明細書で特定される全ての刊行物は、各個々の刊行物または特許出願が具体的かつ個別に参照により組み込まれることが示されているのと同じ範囲で、参照により組み込まれる。組み込まれた参考文献における用語の定義または使用が、本明細書において提供されるその用語の定義と一致しないか、または矛盾する場合、本明細書において提供されるその用語の定義が適用され、参考文献におけるその用語の定義は適用されない。
回路における導体の表皮深さ損失を低減するための改善された方法、システム、およびデバイスが必要とされている。
本発明の主題は、回路における導体の表皮深さ損失を軽減することに関するシステム、方法、およびデバイスを提供する。抵抗性かつ導電性である材料(例えば、高抵抗導電性材料(high resistance conductive material,HRCM))が、基板、例えば誘電体の表面上に配置される。導電性材料は、典型的には回路またはその一部のパターンで、HRCMの表面上に配置される。導電性材料は、抵抗材料よりも抵抗が低く(好ましくは抵抗がはるかに低く)、導電性が高い(好ましくは導電性がはるかに高い)。例えば、HRCMと導電性材料との間の抵抗率の比は、典型的には50:1または100:1よりも大きい(例えば、HRCMは、導電性材料よりもはるかに抵抗が大きい)。別の観点から見ると、導電性材料とHRCMとの間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である(例えば、導電性材料は、HRCMよりもはるかに導電性が高い)。企図される抵抗材料(例えば、HRCM)は、金属(例えば、ビスマス、スズ、鉛)、それらの合金、導電性有機材料(例えば、ナノ金属(銀、銅)粒子を備えたエポキシ)、またはそれらの組み合わせのうちの少なくとも1つを含む。
抵抗材料と接触する基板の表面は、典型的には、導電性材料と接触する抵抗材料の表面よりも粗い。例えば、基板の表面(ひいては、基板と接触する抵抗材料の表面)は、少なくとも1μmまたは5μmの算術平均粗さ(Ra)を有している。導電性材料と接触する抵抗材料の表面(したがって導電性材料の表面)のRaは、抵抗材料と接触する基板の表面のRaよりも少なくとも小さく、典型的にはその半分または四分の一未満である。抵抗材料の表面のRaは、2.5μm未満、好ましくは1μm未満、0.5μm未満、0.1μm未満、または0.01μm未満である。
いくつかの実施形態では、抵抗材料は、基板の表面上に配置された第1の材料と、第1の材料上に配置された第2の材料とを含み、第2の材料と第1の材料との間の抵抗率の比は、少なくとも50:1または100:1となるようにされている。第1の材料は、典型的には導電性であり(例えば、銅)、第1の材料の厚さは、2μm、1μm、または0.5μm以下である。
導電層を形成する方法が、さらに企図される。抵抗材料(例えば、HRCM、導電性など)が、基板の表面上に堆積される。導電性材料は、抵抗材料の表面上にさらに堆積され、典型的には回路の一部を形成する。抵抗材料は、典型的には、導電性材料よりもはるかに導電性が低く、例えば、導電性材料と抵抗材料との間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である。別の観点から見ると、抵抗材料と導電性材料との間の抵抗率の比は、典型的には、50:1または100:1よりも大きい。抵抗材料の表面(導電性材料と接触する表面)のRaは、基板の表面(抵抗材料に接する表面)のRaの少なくとも半分である。
いくつかの実施形態では、基板上に抵抗材料を堆積させることは、基板への抵抗材料のCVD(化学気相成長)またはPVD(物理気相成長)のうちの1つ、または基板の表面に触媒を堆積させ、触媒に抵抗材料を堆積させることを含む。基板に触媒を堆積させることは、同様に、CVDまたはPVDによって触媒を堆積させること、または基板を触媒前駆体(例えば、触媒前駆体を担持する溶媒)でコーティングし、続いて触媒前駆体を活性化することを含むことができる。基板に抵抗材料を堆積させることは、基板に導体を堆積させること(例えば、2μm、1μm、または0.5μm以下の厚さ、例えば、CVD、PVD、触媒への無電解堆積などを介して)、例えば電解堆積によって、導体に抵抗材料を堆積させることも含む。
回路を形成する方法が、さらに企図される。抵抗材料が、導電層の表面上に堆積される。抵抗材料は、導電性であるが、導電層よりもはるかに導電性が低い。導電層の表面のRaは、抵抗材料の露出面または基板の表面のRaの半分以下である。抵抗材料の露出面は、基板に積層される。導電層の一部が除去されて、回路またはその一部を形成する。導電層に抵抗材料を堆積させることは、典型的には、CVD、PVD、または電解堆積を含む。
本発明の主題の様々な目的、特徴、態様および利点は、同様の数字が同様の構成要素を表す添付の図面とともに、好ましい実施形態の以下の詳細な説明からより明らかになるであろう。
本発明の主題は、回路における導体の表皮深さ損失を軽減することに関するシステム、方法、およびデバイスを提供する。
図1は、導電層を形成するためのフローチャート100を示す。フローチャート100は、ステップ110および120、ならびにステップ110に関連する任意選択のステップ111~117、およびステップ120に関連する任意選択のステップ121および122を含む。
図1は、導電層を形成するためのフローチャート100を示す。フローチャート100は、ステップ110および120、ならびにステップ110に関連する任意選択のステップ111~117、およびステップ120に関連する任意選択のステップ121および122を含む。
図2は、回路を形成するためのフローチャート200を示す。フローチャート200は、ステップ210、220、および230、ならびにステップ210に関連する任意選択のステップ211~216、およびステップ220に関連する任意選択のステップ221を含む。
図3は、誘電体基板330上に堆積された高抵抗導電性材料(HRCM)320上に積層された導体310(例えば、銅)を有する回路を示す。導体310は、HRCM320よりも抵抗が小さく、導電性が高い。例えば、HRCM320と導体310との間の抵抗率の比は、典型的には、50:1または100:1よりも大きい。同様に、導体310とHRCM320との間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である。企図される抵抗材料(例えば、HRCM320)は、金属(例えば、ビスマス、スズ、鉛)、それらの合金、導電性有機材料(例えば、ナノ金属(銅、銀)粒子を備えたエポキシ)、またはそれらの組み合わせのうちの少なくとも1つを含む。
HRCM320と接触する基板330の表面は、典型的には、導体310に接するHRCM320の表面よりも粗い。例えば、基板330の表面(ひいては、基板と接触するHRCM320の表面)は、少なくとも1μmまたは5μmのRaを有している。導体310と接触するHRCM320の表面(したがって、導体310の表面)のRaは、HRCMと接触する基板の表面のRaよりも少なくとも小さく、典型的には、半分または四分の一または10%未満である。HRCM320の表面のRaは、2.5μm未満、好ましくは1μm未満、0.5μm未満、0.1μm未満、または0.01μm未満である。
図4は、誘電体基板440の表面に沿った導体430上に堆積された高抵抗導電性材料(HRCM)420上に積層された導体410(例えば、銅)を有する回路400を示す。この実施形態では、抵抗材料420は、基板の表面上に配置された第1の材料(例えば、導体410)と、第1の材料上に配置された第2の材料(例えば、HRCM420)とを有するものとして見ることができ、第2の材料と第1の材料との間の抵抗率の比は、少なくとも50:1または100:1となるようにされている。第1の材料は、典型的には導電性であり(例えば、銅)、第1の材料の厚さは、20μm、10μm、または5μm以下である。導体430は、好ましくは、例えば2μm、1μm、0.5μm、または0.1μm未満の厚さの薄層として堆積され、典型的には銅である。いくつかの実施形態では、導体430の厚さは、導体430と接触している誘電体440の表面(または導体430と接触しているHRCM420の表面)のRaの半分未満、または四分の一未満である。
図5は、回路を形成するためのフローチャート500を示す。ステップ500Aにおいて、HRCM520が、導電層510(例えば、銅)の表面上に堆積される。HRCM520は導電性であるが、その導電率は、導体層510の導電率よりもはるかに低く、その抵抗率は、導電層510よりもはるかに高い。いくつかの実施形態では、HRCM520の露出面は、(例えば、ステップ500Aの後またはその間に)粗面化される(表面521参照)か、そうでなければ、HRCM520と接触する導体層510の表面のRaの少なくとも2倍を超えるRaを有する。
ステップ500Bにおいて、図示されるように、組み合わされた導体510およびHRCM520の構造体が、基板530(例えば、誘電体材料)に積層される。いくつかの実施形態では、HRCM520の粗面化された表面521(例えば、導体層Iの表面のRaの少なくとも2倍のRa)が、基板530の表面に押し付けられる。しかしながら、基板530の表面は、HRCM520と接触する導体層510の表面のRaの少なくとも2倍のRaを有することも企図される(例えば、表面521)。いずれにしても、HRCM520と基板530との間の接触面は、HRCM520と導体層510との間の接触面のRaの少なくとも2倍のRaを有している。
ステップ500Cにおいて、導体層510の1つまたは複数の部分が除去され(または導体の追加部分が追加され、またはそれらの組み合わせが行われ)、導体部分512および514を備えた回路の導電パターンが形成される。
以下の説明は、本発明の主題の多くの例示的な実施形態を提供する。各実施形態は、発明の要素の単一の組み合わせを表すが、本発明の主題は、開示された要素のすべての可能な組み合わせを含むと考えられる。したがって、一実施形態が要素A、B、およびCを含み、第2の実施形態が要素BおよびDを含む場合、本発明の主題は、明示的に開示されていないとしても、A、B、C、またはDの他の残りの組み合わせを含むとも考えられる。
本明細書で使用される場合、文脈が別段の指示をしない限り、「に結合される」という用語は、直接結合(互いに結合される2つの要素が互いに接触する)および間接結合(少なくとも1つの追加の要素が2つの要素の間に位置する)の両方を含むことが意図される。したがって、「に結合される」および「と結合される」という用語は同義的に使用される。
いくつかの実施形態では、本発明の特定の実施形態を説明および請求するために使用される成分の量、濃度などの特性、反応条件などを表す数は、いくつかの例では「約」という用語によって修飾されるものとして理解されるべきである。したがって、いくつかの実施形態では、本明細書および添付の特許請求の範囲に記載される数値パラメータは、特定の実施形態によって得ようとする所望の特性に応じて変化し得る近似値である。いくつかの実施形態では、数値パラメータは、報告された有効数字の数を考慮して、通常の丸め技術を適用することによって解釈されるべきである。本発明のいくつかの実施形態の広い範囲を示す数値範囲およびパラメータが近似値であるにもかかわらず、特定の例に示される数値は、実施可能な限り正確に報告されている。本発明のいくつかの実施形態において提示される数値は、それらのそれぞれの試験測定において見出される標準偏差から必然的に生じる特定の誤差を含み得る。
文脈が反対を指示しない限り、本明細書に記載される全ての範囲は、それらの終点を含むものとして解釈されるべきであり、オープンエンドの範囲は、商業的に実用的な値のみを含むものとして解釈されるべきである。同様に、値の全てのリストは、文脈がそうでないことを示さない限り、中間値を含むものと見なされるべきである。
本明細書の説明および以下の特許請求の範囲全体を通して使用される場合、「1つの(a)」、「1つの(an)」、および「その(the)」の意味は、文脈が明確に他を指示しない限り、複数の言及を含む。また、本明細書の説明で使用されるように、「in」の意味は、文脈が明確に別様に指示しない限り、「in」および「on」を含む。
本明細書に記載される全ての方法は、本明細書において別段の指示がない限り、または文脈によって明確に否定されない限り、任意の適切な順序で実施することができる。本明細書の特定の実施形態に関して提供される任意のおよび全ての例、または例示的な文言(例えば、「など」)の使用は、単に本発明をより良く説明することを意図しており、別途請求される本発明の範囲に限定を課すものではない。本明細書中のいかなる文言も、本発明の実施に不可欠な任意の請求されていない要素を示すものとして解釈されるべきではない。
本明細書に開示される本発明の代替要素または実施形態のグループ化は、限定として解釈されるべきではない。各グループのメンバーは、個別に、またはグループの他のメンバーもしくは本明細書に見出される他の要素との任意の組み合わせで、言及および請求され得る。グループの1つまたは複数のメンバーは、利便性および/または特許性の理由で、グループに含まれ得るか、またはグループから削除され得る。任意のそのような包含または削除が生じる場合、本明細書は、ここで修正されたグループを含むとみなされ、したがって、添付の特許請求の範囲において使用される全てのマーカッシュ群の書面による説明を満たす。
当業者には、本明細書の発明概念から逸脱することなく、すでに説明したもの以外のさらに多くの変更が可能であることが明らかであろう。したがって、本発明の主題は、添付の特許請求の範囲の技術思想を除いて限定されるべきものではない。さらに、明細書および特許請求の範囲の両方を解釈する際に、すべての用語は、文脈と一致する可能な限り最も広い方法で解釈されるべきである。特に、「備える(comprises)」および「備えている(comprising)」という用語は、要素、構成要素、またはステップを非排他的に指すものとして解釈されるべきであり、参照された要素、構成要素、またはステップは、明示的に参照されていない他の要素、構成要素、またはステップとともに存在、利用、または組み合わせられ得ることを示す。本明細書の特許請求の範囲において、A、B、C…およびNからなる群から選択される少なくとも1つに言及している場合、本文は、A+N、またはB+N、Iではなく、群から1つの要素のみを要求していると解釈すべきである。
Claims (20)
- 基板であって、
前記基板の表面上に配置された抵抗材料であって、導電性である抵抗材料と、
前記抵抗材料の表面上に配置された導電性材料であって、前記抵抗材料よりも抵抗が低い導電性材料と
を備える、基板。 - 前記基板の表面は、少なくとも5μmの算術平均粗さ(Ra)を有している、請求項1に記載の基板。
- 前記抵抗材料の表面のRaは、前記基板の表面のRaよりも、少なくとも小さいか、または半分未満である、請求項1または2に記載の基板。
- 前記抵抗材料の表面のRaは、2.5μm、1μm、または0.1μm未満である、請求項1~3のいずれか一項に記載の基板。
- 前記抵抗材料は、金属、合金、または導電性有機材料のうちの1つを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板。
- 前記抵抗材料と前記導電性材料との間の抵抗率の比は、少なくとも50:1または100:1である、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板。
- 前記導電性材料と前記抵抗材料との間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板。
- 前記抵抗材料は、前記基板の表面上に配置された第1の材料と、前記第1の材料上に配置された第2の材料とを含み、前記第2の材料と前記第1の材料との間の抵抗率の比は、少なくとも50:1または100:1である、請求項1~7のいずれか一項に記載の基板。
- 前記第1の材料は、導電性であり、前記第1の材料の厚さは、1μm以下である、請求項8に記載の基板。
- 導電層を形成する方法であって、
基板の表面上に抵抗材料を堆積させることであって、前記抵抗材料は導電性である、抵抗材料を堆積させること、
前記抵抗材料の表面上に導電性材料を堆積させること
を含み、前記抵抗材料の表面のRaは、前記基板の表面のRaの少なくとも半分である、方法。 - 前記導電性材料は、回路の一部を形成している、請求項10に記載の方法。
- 前記基板上に前記抵抗材料を堆積させることは、(i)前記基板上への前記抵抗材料のCVD(化学気相成長)またはPVD(物理気相成長)、または(ii)前記基板の表面に触媒を堆積させ、前記触媒に前記抵抗材料を堆積させることを含む、請求項10または11に記載の方法。
- 前記基板に触媒を堆積させることは、(i)CVDまたはPVDによって前記触媒を堆積させること、または(ii)前記基板を触媒前駆体でコーティングし、前記触媒前駆体を活性化させることを含む、請求項10~12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板上に前記抵抗材料を堆積させることは、前記基板に導体を堆積させること、前記導体に前記抵抗材料を堆積させることを含む、請求項10~13のいずれか一項に記載の方法。
- 導体の厚さは、1μm以下である、請求項10~14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記導電性材料と前記抵抗材料との間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である、請求項10~15のいずれか一項に記載の方法。
- 回路を形成する方法であって、
導電層の表面上に抵抗材料を堆積させることであって、前記抵抗材料は導電性であり、前記導電層の表面のRaは、前記抵抗材料の露出面のRaの半分以下である、抵抗材料を堆積させること、
前記抵抗材料の前記露出面を基板に積層すること、
前記導電層の一部を除去して前記回路を形成すること
を含む、方法。 - 前記導電層上に前記抵抗材料を堆積させることは、CVD、PVD、または電解堆積を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記導電層と前記抵抗材料との間の導電率の比は、少なくとも9:1、19:1、または99:1である、請求項17または18に記載の方法。
- 前記抵抗材料と前記導電層との間の抵抗率の比は、少なくとも50:1または100:1である、請求項17~19のいずれか一項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202163167929P | 2021-03-30 | 2021-03-30 | |
US63/167,929 | 2021-03-30 | ||
PCT/US2022/022627 WO2022212565A1 (en) | 2021-03-30 | 2022-03-30 | Methods and devices for high resistance and low resistance conductor layers mitigating skin depth loss |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2024519440A true JP2024519440A (ja) | 2024-05-14 |
Family
ID=83449037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023560553A Pending JP2024519440A (ja) | 2021-03-30 | 2022-03-30 | 表皮深さ損失を軽減する高抵抗および低抵抗導体層のための方法およびデバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220319741A1 (ja) |
JP (1) | JP2024519440A (ja) |
WO (1) | WO2022212565A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102318452A (zh) * | 2009-02-12 | 2012-01-11 | 住友电木株式会社 | 布线板用树脂组合物,布线板用树脂片,复合体,复合体的制造方法及半导体装置 |
WO2014192718A1 (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-04 | 住友電気工業株式会社 | 金属樹脂複合体、配線材及び金属樹脂複合体の製造方法 |
JP2017193778A (ja) * | 2016-04-15 | 2017-10-26 | Jx金属株式会社 | 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
US10903543B2 (en) * | 2016-12-06 | 2021-01-26 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | PCB transmission lines having reduced loss |
KR20200073051A (ko) * | 2018-12-13 | 2020-06-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 인쇄회로기판 |
-
2022
- 2022-03-30 JP JP2023560553A patent/JP2024519440A/ja active Pending
- 2022-03-30 WO PCT/US2022/022627 patent/WO2022212565A1/en active Application Filing
- 2022-03-30 US US17/709,047 patent/US20220319741A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220319741A1 (en) | 2022-10-06 |
WO2022212565A1 (en) | 2022-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9934891B1 (en) | Resistor and method of manufacture | |
EP2518117B1 (en) | Electrical conductors having organic compound coatings | |
US4138604A (en) | Electrical plug-type connector | |
US20200081563A1 (en) | Touch panel and method for making the same | |
MY144068A (en) | Fretting and whisker resistant coating system and method | |
US20100039211A1 (en) | Resistive component and method of manufacturing the same | |
TW201217791A (en) | Contact probe | |
TW201243864A (en) | Conductive particles, conductive paste, and circuit board | |
JP2024519440A (ja) | 表皮深さ損失を軽減する高抵抗および低抵抗導体層のための方法およびデバイス | |
WO2009157457A1 (ja) | 電気電子部品用複合材料およびそれを用いた電気電子部品 | |
JP6374718B2 (ja) | 電気素子 | |
JP2002539629A (ja) | 抵抗器を製作する方法 | |
JP4588621B2 (ja) | フレキシブルプリント配線板用積層体及び該積層体の銅合金層の形成に用いるCu合金スパッタリングターゲット | |
US5336368A (en) | Method for depositing conductive metal traces on diamond | |
JP2019125653A (ja) | サーミスタ素子及びその製造方法 | |
JP7364481B2 (ja) | コネクタ及びコネクタ対 | |
CN101060319A (zh) | 压电晶体振荡元件的电极及其应用与制造方法 | |
JP7352234B2 (ja) | 金属基板上に形成された薄膜の電気抵抗率の測定方法、並びに当該測定方法を利用する電子部品の製造方法及び電子部品の製造装置 | |
JP3618441B2 (ja) | 導電性金属複合粉及びその製造法 | |
TW201411662A (zh) | 透明電極基板、其製造方法及圖像顯示裝置 | |
JP2014052435A (ja) | 透明電極基板、その製造方法および画像表示装置 | |
WO2023149007A1 (ja) | 回路基板用導電性フィルム、回路基板用導電性フィルムの製造方法 | |
JP6272744B2 (ja) | 板状導電体及び板状導電体の表面処理方法 | |
JPWO2022190825A5 (ja) | ||
JP2023176588A (ja) | コイル部品、回路基板、電子機器およびコイル部品の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240228 |