JP5659673B2 - 樹脂シート、積層板、電子部品、プリント配線板及び半導体装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の他の目的は、前記樹脂シートを用いて作製した積層板、電子部品及び半導体装置を提供することにある。
(1)一面側を形成する第一樹脂層と他面側を形成する第二樹脂層を含む多層構造を有する樹脂シートであり、
前記第一樹脂層は、少なくとも硬化性樹脂を含み、
前記第二樹脂層は、エポキシ樹脂と、平均粒子径1μm〜10μmのシリコーンゴム微粒子と、平均粒子径0.2μm〜5μmのベーマイト微粒子と、平均粒子径10nm〜100nmのシリカナノ粒子とを含み、厚みが5〜30μmであることを特徴とする、樹脂シート。
(2)少なくとも前記第一樹脂層の表面を高分子フィルム及び表面の10点平均粗さ(Rz)が4.0μm以下の銅箔よりなる群から選ばれるキャリアフィルムで被覆してなる、上記(1)に記載の樹脂シート。
(3)前記第一樹脂層が、さらに無機充填材を含み、当該無機充填材中の2μm超過の粗粒が500ppm以下である、上記(1)又は(2)に記載の樹脂シート。
(4)前記第一樹脂層に含まれる無機充填材の含有量が1〜60重量%である、上記(3)に記載の樹脂シート。
(5)前記第一樹脂層に含まれる無機充填材の平均粒径が0.01〜0.4μmである、上記(3)又は(4)に記載の樹脂シート。
(6)前記無機充填材は球状のシリカである、上記(3)乃至(5)のいずれか一に記載の樹脂シート。
(7)前記第一樹脂層が、無機充填材を含まない、上記(1)又は(2)に記載の樹脂シート。
(8)前記第一樹脂層に含まれる硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂及び/又は感光性樹脂を含む、上記(1)乃至(7)のいずれか一に記載の樹脂シート。
(9)前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる少なくとも1種を含む、上記(8)に記載の樹脂シート。
(10)前記第一樹脂層と前記第二樹脂層の間に基材層を含む、上記(1)乃至(9)のいずれか一に記載の樹脂シート。
(11)前記第一樹脂層、前記基材層及び前記第二樹脂層からなる3層構造を有する、上記(10)に記載の樹脂シート。
(12)前記基材層に用いられる基材がガラスクロスである、上記(10)又は(11)に記載の樹脂シート。
(13)前記第一樹脂層の厚みが6〜28μmである、上記(1)乃至(12)のいずれか一に記載の樹脂シート。
(14)前記第一樹脂層の厚さが、前記第一樹脂層の厚さ及び前記第二樹脂層の厚さを合計した厚さの15〜50%である、上記(13)に記載の樹脂シート。
(15)全体厚みが60μm以下である、上記(1)乃至(14)のいずれか一に記載の樹脂シート。
(16)上記(1)乃至(15)のいずれか一に記載の樹脂シートのみ、又は、少なくとも一面側の最外層の位置に当該樹脂シートをその第一樹脂層が表面側に向くように配置して積層されてなる積層板。
(17)上記(1)乃至(15)のいずれか一に記載の樹脂シートの硬化物からなる絶縁層、当該絶縁層の第一樹脂層の表面に設けられた溝、及び、当該溝内部に設けられた導体層を有する導体路構造を備える電子部品。
(18)上記(1)乃至(15)のいずれか一に記載の樹脂シートの硬化物からなる絶縁層、当該絶縁層の第一樹脂層の表面に設けられた溝、及び、当該溝内部に設けられた導体層を有するビルドアップ層を少なくとも一層含むプリント配線板。
(19)前記溝の最大幅が1〜10μmである、上記(18)に記載のプリント配線板。
(20)前記導体層と接する前記溝の表面の算術平均粗さ(Ra)が0.05〜0.45μmである、上記(18)又は(19)に記載のプリント配線板。
(21)前記溝の深さが2〜20μmであり、前記第一樹脂層の厚みが、前記溝の深さの1.2〜1.4倍である、上記(18)乃至(20)のいずれか一に記載のプリント配線板。
(22)前記ビルドアップ層で被覆される導体回路の高さが5〜20μmであり、前記第二樹脂層の厚みが、前記導体回路の高さの1〜1.5倍である、上記(18)乃至(21)のいずれか一に記載のプリント配線板。
(23)上記(18)乃至(22)のいずれか一に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
さらに、本発明によれば、前記樹脂シートを用いて、積層板、並びに高密度で、接続信頼性に優れるプリント配線板等の電子部品及び半導体装置が得られる。
前記第一樹脂層は、少なくとも硬化性樹脂を含み、
前記第二樹脂層は、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含み、厚みが5〜30μmであることを特徴とする。
一方、前記第二樹脂層は、前記第一樹脂層とは異なる組成であり、前記第二樹脂層が、前記第一樹脂層と異なる特性(例えば回路埋め込み性等)を有するように設計されている。ここで、樹脂層が異なる組成であるとは、それぞれの樹脂層に含有される樹脂、無機充填材等各成分の種類、含有量、及び樹脂の分子量等の少なくとも1つが異なるものであれば良い。
図1は、本発明にかかる樹脂シートの一例を模式的に示す断面図である。図1に示される樹脂シート100は、第一樹脂層1、第二樹脂層2、第一樹脂層の表面を被覆するキャリアフィルム3、第二樹脂層の表面を被覆するキャリアフィルム4、及び基材層5からなる。
まず、第一樹脂層について説明する。
前記第一樹脂層は、少なくとも硬化性樹脂を含む。前記硬化性樹脂としては、熱硬化性樹脂及び/又は感光性樹脂を用いることができる。前記第一樹脂層が硬化性樹脂として熱硬化性樹脂を主成分として含む場合は、当該第一樹脂層は、公知のレーザー加工法により選択的に溝を形成して微細回路のパターニングすることが可能となる。前記第一樹脂層が硬化性樹脂として感光性樹脂を主成分として含む場合は、当該第一樹脂層は、公知のフォトリソグラフィ法により選択的に溝を形成して微細回路のパターニングすることが可能となる。なお、本発明において、硬化性樹脂の主成分とは、硬化性樹脂全体の50重量%以上を占める成分を意味する。
第一樹脂層の硬化性樹脂として前記熱硬化性樹脂を主成分とする場合には、これらの熱硬化性樹脂の中でも、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂及び/又はシアネート樹脂とを含むことが好ましく、特にシアネート樹脂を含むことが好ましい。これにより、第一樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができる。さらに、シアネート樹脂を含むと、第一樹脂層の電気特性(低誘電率、低誘電正接)、機械強度、レーザー加工性、特にエキシマレーザーやYAGレーザー加工性等にも優れる。
第一樹脂層の硬化性樹脂として前記熱硬化性樹脂と感光性樹脂とを併用する場合には、これらの熱硬化性樹脂の中でも、耐熱性をより向上することができる点からエポキシ樹脂を含むことが好ましく、アルカリ現像性を向上させる点から、さらにフェノール樹脂を含むことが好ましい。
シアネート樹脂の種類としては、特に限定されないが、例えば、ノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂等のビスフェノール型シアネート樹脂、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂、ジシクロペンタジエン型シアネート樹脂等を挙げることができる。
前記シアネート樹脂は、分子内に2個以上のシアネート基(−O−CN)を有することが好ましい。例えば、2,2’−ビス(4−シアナトフェニル)イソプロピリデン、1,1’−ビス(4−シアナトフェニル)エタン、ビス(4−シアナト−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアナトフェニル−1−(1−メチルエチリデン))ベンゼン、ジシクロペンタジエン型シアネートエステル、フェノールノボラック型シアネートエステル、ビス(4−シアナトフェニル)チオエーテル、ビス(4−シアナトフェニル)エーテル、1,1,1−トリス(4−シアナトフェニル)エタン、トリス(4−シアナトフェニル)ホスファイト、ビス(4−シアナトフェニル)スルホン、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、1,3−、1,4−、1,6−、1,8−、2,6−又は2,7−ジシアナトナフタレン、1,3,6−トリシアナトナフタレン、4,4−ジシアナトビフェニル、及びフェノールノボラック型、クレゾールノボラック型の多価フェノール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂、ナフトールアラルキル型の多価ナフトール類と、ハロゲン化シアンとの反応で得られるシアネート樹脂等が挙げられる。
これらの中でもノボラック型シアネート樹脂が好ましい。ノボラック型シアネート樹脂を含むことにより、第一樹脂層の熱膨張係数を小さくすることができ、機械強度、電気特性(低誘電率、低誘電正接)を向上させることができる。また、ナフトールアラルキル型シアネート樹脂、ビフェニルアラルキル型シアネート樹脂も低線膨張、低吸水性、機械強度に優れるため好ましく使うことができる。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、異なる分子量を有する2種類以上を併用したり、前記エポキシ樹脂を2種類以上と、それらのプレポリマーを併用したりすることもできる。
上記熱硬化性樹脂の含有量は、前記硬化性樹脂が熱硬化性樹脂を主成分とする場合は、特に限定されないが、第一樹脂層中の固形分基準で20〜90重量%、更に30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると第一樹脂層を形成するのが困難となる場合があり、前記上限値を超えると第一樹脂層の強度が低下する場合がある。
上記熱硬化性樹脂の含有量は、前記硬化性樹脂が感光性樹脂を主成分とする場合は、特に限定されないが、第一樹脂層中の固形分基準で10〜40重量%が好ましく、特に15〜35重量%が好ましい。含有量が前記下限値未満であると耐熱性を向上させる効果が低下する場合があり、前記上限値を超えると靭性を向上させる効果が低下する場合がある。したがって、熱硬化性樹脂の含有量を前記範囲内とすることで、両者のバランスに優れる樹脂組成物を得ることができる。
前記感光性樹脂としてアルカリ可溶性基を含む樹脂を用いることにより、現像処理時に二重結合部分が未反応の樹脂を除去する際に、現像液として通常用いられる有機溶剤の代わりに、環境に対する負荷のより少ないアルカリ水溶液を適用することができると共に、二重結合部分が硬化反応に寄与することから第一樹脂層の耐熱性を維持することができる。
前記アルカリ可溶性基および二重結合を有する樹脂としては、例えば光および熱の両方で硬化可能な硬化性樹脂を挙げることができる。
前記アルカリ可溶性基としては、例えば水酸基、カルボキシル基等が挙げられる。このアルカリ可溶性基は熱硬化反応に寄与することもできる。
このような樹脂としては、例えばアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基等の光反応基を有する熱硬化性樹脂や、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、カルボキシル基、酸無水物基等の熱反応基を有する光硬化性樹脂等が挙げられる。なお、光硬化性樹脂は、さらにエポキシ基、アミノ基、シアネート基等の熱反応基を有していてもよい。具体的には、(メタ)アクリル変性フェノール樹脂、(メタ)アクリロイル基含有アクリル酸重合体、カルボキシル基含有(エポキシ)アクリレート等が挙げられる。また、カルボキシル基含有アクリル樹脂のような熱可塑性樹脂であっても構わない。これらの中でも(メタ)アクリル変性フェノール樹脂が好ましい。
ここで、重量平均分子量は、例えばGPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)を用いて評価でき、予め、スチレン標準物質を用いて作成された検量線により重量平均分子量を算出することができる。なお、測定溶媒としてテトラヒドロフラン(THF)を用い、40℃の温度条件下で測定することができる。
このような3官能以上の光重合性化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリストールトリアクリレート等が挙げられる。
また、導体層と接する溝内部の絶縁層側壁面の凹凸は、溝内部の導体層表面の凹凸に反映される。本発明によれば、溝内部に形成される導体層の表面凹凸が小さくなるため、1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、高周波対応の微細配線を形成できる。高周波信号になると導体層の表面の信号伝播となるが、導体層の表面凹凸が大きすぎると、伝送距離が伸びるため、伝達が遅くなったり、伝播中の損失が大きくなってしまう。
前記無機充填材は、更に、2μm超過の粗粒が300ppm以下、特に2μm超過の粗粒が5ppm以下であることが好ましい。これにより、第一樹脂層は、さらに溝加工性及び導体層との密着性に優れる。
なお、2μm超過の粗粒が500ppm以下の無機充填材を得る方法は特に限定されない。例えば、2μm超過の粗粒を除去する方法として、有機溶剤、および/または水中のスラリー状態で、平均粒径の10倍以上の細孔径フィルターで粗粒を数回除去し、次いで2μmの細孔径フィルターで2μm超過の粗粒除去を繰り返して実施することにより得ることができる。
このような光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチルなどが挙げられる。
前記溶媒としては、特に限定されないが、前記樹脂組成物に対して良好な溶解性を示す溶媒が好ましく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン(MEK)、シクロヘキサノン(ANON)、メチルイソブチルケトン(MIBK)、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等が挙げられる。尚、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。
第一樹脂層の厚さは、絶縁信頼性を向上させる上で前記下限値以上が好ましく、多層プリント配線板の薄膜化を達成する上で前記上限値以下が好ましい。第一樹脂層の厚みが前記下限値未満であると、溝加工をした際に、溝が第一樹脂層を貫通してしまうことがある。樹脂シートが基材層を有する場合、溝が基材層にまで達すると、当該溝に導体層を形成した場合に、基材層にまで電気が導通してしまい、絶縁信頼性に劣る。また、樹脂シートが基材層を有さない場合、溝が第二樹脂層にまで達すると、溝加工性が悪くなる。一方、第一樹脂層の厚みが前記上限値を超えると、樹脂シート全体の薄膜化が達成できず、得られる多層プリント配線板も薄膜化することが困難となる。
次に、第二樹脂層について説明する。
前記第二樹脂層は、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含む第二樹脂からなり、厚みが5〜30μmである。
前記第二樹脂層は、前記第一樹脂層とは異なる組成であり、前記第二樹脂層が、前記第一樹脂層と異なる特性(例えば回路埋め込み性等)を有するように設計されている。
前記第二樹脂組成物(A)は、前記不定形の第1無機充填材と前記第2無機充填材(例えば、ナノシリカ)とが、表面電位の相違による相互作用により引き付けられる。そのため、前記第2無機充填材が、前記不定形の第1無機充填材の周囲に存在し、第2無機充填材が前記不定形の第1無機充填材のスペーサーとしての作用を示す。その結果、前記不定形の第1無機充填材間に作用するファンデルワールス力による引き付け合う力が低減され、その凝集が防止される。これによって、前記不定形の第1無機充填材が第二樹脂組成物(A)中に高分散状態で含有され、ワニスの流動性低下が抑制される。
前記不定形の第1無機充填材としては、例えば破砕シリカ、硼酸亜鉛、タルク、水酸化アルミ、ベーマイト(ギブサイトを変性して得られるアルミナ一水和物)等が挙げられる。
これらの中でも水酸化アルミ、ベーマイトが好ましい。第二樹脂組成物(A)を用いて得られる第二樹脂層の耐熱性およびドリル加工性をより向上させることができるからである。
前記第1無機充填材の平均粒子径の測定は、レーザー回折散乱法により測定することができる。無機充填材を水中で超音波により分散させ、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA製、LA−500)により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることで測定することができる。
前記第2無機充填材としては、例えば燃焼法などの乾式法により得られる溶融シリカや沈降法やゲル法などの湿式法により得られるゾルゲルシリカなどが挙げられる。
このような第2無機充填材(特にシリカ)を予め有機溶媒に分散したスラリーを用いることで、不定形の第1無機充填材を用いた際に生じる、ワニスの流動性の低下を抑制することができる理由は、次のように考えられる。まず、ナノサイズのシリカのようなナノサイズの粒子は、凝集し易く、樹脂組成物に配合する際に2次凝集体等を形成してしまうことが多いが、スラリー状のものを用いることで、このような2次凝集を防止することができ、それによって流動性が低下するのを防止することができる。次に、上述した第2無機充填材(ナノサイズのシリカ)の表面電位と、前記不定形の第1無機充填材の表面電位との相違による、前記不定形の第1無機充填材の凝集防止効果が高まるからである。
前記平均粒子径は、例えば、超音波振動電流法(ゼータ電位)、超音波減衰分光法(粒度分布)、レーザー回折散乱法、動的光散乱法により測定することができる。
例えば、無機充填材を水中で超音波により分散させ、動的光散乱式粒度分布装置(HORIBA製、LB−550)により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることで測定することができる。
前記第3無機充填材の平均粒子径の測定は、レーザー回折散乱法により測定することができる。具体的には、第1無機充填材と同様の方法により、第3無機充填材の平均粒子径を測定することができる。
前記シアネート樹脂としては、前記第一樹脂組成物に用いられるものと同様のものを用いることができる。中でも、フェノールノボラック型シアネート樹脂が難燃性、および低熱膨張性に優れ、2,2'−ビス(4−シアナトフェニル)イソプロピリデン、およびジシクロペンタジエン型シアネートエステルが架橋密度の制御、および耐湿信頼性に優れている。特に、フェノールノボラック型シアネート樹脂が低熱膨張性の点から好ましい。また、更に他のシアネート樹脂を1種類あるいは2種類以上併用したりすることもでき、特に限定されない。
前記芳香族アミノシランとしては、例えばN−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、(フェニルアミノメチル)メチルジメトキシシラン、N−フェニルアミノメチルトリエトキシシラン等の2級の芳香族アミノシラン、および3−(m−アミノフェノキシ)プロピルトリメトキシシラン、p−アミノフェニルトリメトキシシラン、m−アミノフェニルトリメトキシシラン等の1級の芳香族アミンが挙げられる。これらの中でも、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン等の2級の芳香族アミノシランが好ましい。
前記第二樹脂組成物(B)は、エポキシ樹脂と、平均粒子径1μm〜10μmのシリコーンゴム微粒子と、平均粒子径0.2μm〜5μmのベーマイト微粒子と、平均粒子径10nm〜100nmのシリカナノ粒子とを含有する。これにより、前記第二樹脂組成物(B)のワニスが低粘度の状態で、前記3種類の粒子を多量に含有させることができる。これは、正の表面ゼータ電位を有するベーマイト粒子の周囲に、負の表面ゼータ電位を有するシリカナノ粒子が選択的に付着し、同符号の表面ゼータ電位を有するシリコーンゴム微粒子とベーマイト粒子との反発力が弱まることにより、多量の粒子を含んでいてもワニスが低粘度となるからである。
また、上記のような充填材粒子を多量に含んでいるにも関わらず、粘度の低い、前記第二樹脂組成物(B)を用いることによって、本発明の樹脂シートは、当該第二樹脂組成物(B)からなる第二樹脂層が、回路の埋め込み性に優れ、さらに、難燃性、低熱膨張性、ドリル加工性、及びデスミア耐性に優れる。また、本発明の樹脂シートが基材層を有する場合は、前記第二樹脂組成物(B)は、基材への含浸性に優れる。
また、NSS−5N(トクヤマ(株)製)、Sicastar43−00−501(Micromod社製)、Admanano(アドマナノ)((株)アドマテックス製)等の市販品を用いることもできる。
前記溶媒としては、第一樹脂ワニスに用いられるものと同様のものを用いることができる。
前記第二樹脂ワニスが含む不揮発分は、特に限定されないが、30〜80重量%が好ましく、特に40〜70重量%が好ましい。これにより、第二樹脂材料の基材への含浸性を向上できる。
本発明の樹脂シートは、少なくとも前記第一樹脂層の表面を高分子フィルム及び表面の10点平均粗さ(Rz)が4.0μm以下の銅箔よりなる群から選ばれるキャリアフィルムで被覆してなることが好ましく、前記第一樹脂層の表面及び前記第二樹脂層の表面が前記キャリアフィルムで被覆してなることがより好ましい。前記キャリアフィルムは、樹脂層への異物混入や樹脂層表面等の汚染を防止する目的で保護フィルムとして使用される。また、前記第二樹脂層の表面は、高分子フィルムで被覆してなることが特に好ましい。さらに、前記第一樹脂層の表面を被覆する前記キャリアフィルムは、当該キャリアフィルムをエッチング等で剥離した後に、前記第一樹脂層の表面を無粗化又は低粗度で平坦とし、微細配線加工を容易とすることができる。図1に示す本発明の一例の樹脂シート100は、第一樹脂層1の表面がキャリアフィルム3で被覆され、第二樹脂層2の表面がキャリアフィルム4で被覆される。
本発明の樹脂シートは、第一樹脂層と第二樹脂層との間に基材層を有していることが好ましく、特に、第一樹脂層、基材層及び第二樹脂層からなる3層構造を有することが好ましい。図1に示す本発明の一例の樹脂シート100は、第一樹脂層1、基材層5及び第二樹脂層2からなる3層構造を有する。
本発明の樹脂シートは、第一樹脂層と第二樹脂層との間に基材層を有する場合、前記基材層に用いられる基材に第一樹脂層を構成する第一樹脂材料及び/又は第二樹脂層を構成する第二樹脂材料が含浸している。
本発明の樹脂シートは、基材層を有していることにより、樹脂シートの強度が向上することができ、低熱膨張性に優れる。
なお、本発明の樹脂シートは、前記基材層とは別の中間層を含む多層構造であってもよい。
樹脂シートが第一樹脂層と第二樹脂層との間に基材層を含まず、第一樹脂層と第二樹脂層とがそれぞれ異なる厚さである場合は、中心線A−Aに対して、第一樹脂層と第二樹脂層との境界線がずれて配置される。
なお、第一樹脂層の厚さと第二樹脂層の厚さが同じで、基材層の中心または第一樹脂層と第二樹脂層との境界線が中心線A−Aに重なっていてもよい。
前記面方向の線膨張係数は、例えばTMA装置(TAインスツルメント社製)を用いて、10℃/分で昇温して評価することができる。
本発明の樹脂シートの製造方法は、特に限定されないが、例えば予め前記第一樹脂ワニスをキャリアフィルム3に塗工する方法等により第一キャリア材料1aを製造し、前記第二樹脂ワニスをキャリアフィルム4に塗工する方法等により第二キャリア材料2aを製造する。この第一キャリア材料1a及び第二キャリア材料2aを基材5に樹脂面が基材5に向かい合うように配する。(図2(a))次いで、加熱加圧ラミネートし、基材5に第一樹脂材料および/または第二樹脂材料を含浸させる。(図2(b))
第一キャリア材料1a及び第二キャリア材料2aを基材5にラミネートする方法としては、例えば、真空ラミネート装置を用いて、基材5の一方面側から第一キャリア材料1aを重ね合わせ、他方面側から第二キャリア材料2aを重ね合わせて、減圧下、ラミネートロールで接合、かつ密封した後、熱風乾燥装置で第一及び第二キャリア材料を構成する樹脂ワニス中の不揮発分の溶融温度以上の温度で加熱処理する方法がある。このとき、基材中は前記減圧下を保持しているため、毛細管現象によりに溶融含浸させることができる。前記加熱処理する他の方法は、例えば赤外線加熱装置、加熱ロール装置、平板状の熱盤プレス装置等を用いて実施することができる。
本発明の積層板は、本発明の樹脂シート1枚のみ、又は、複数枚の樹脂シートを積層した積層体を加熱加圧成形することで得られる。前記積層体は、少なくとも一面側の最外層の位置に本発明の樹脂シートをその第一樹脂層が表面側に向くように配置して積層されていれば、最外層の位置以外には、本発明の樹脂シートを用いてもよいし、本発明の樹脂シートでない樹脂シートを用いてもよい。
このように、本発明の積層板は、本発明の樹脂シートのみから得られるものでもよいが、本発明の樹脂シートと、本発明の樹脂シートとは異なる樹脂シートとを併用して得られるものでも構わない。さらに、本発明の樹脂シートにおいても、全体の厚さ及び/又は第一樹脂層の厚さと第二樹脂層の厚さとの比率が異なる樹脂シートを併用して得られるものでも構わない。
前記金属張積層板の金属箔に、エッチング等により所定の導体回路を形成し、当該導体回路部分を黒化処理したものは、プリント配線板の内層回路基板として用いることができる。
前記電子部品としては、プリント配線板、半導体素子、メタルコア配線板等が挙げられる。すなわち、内層回路基板上又はプリント配線板上に形成された前記樹脂シートの硬化物からなる絶縁層、当該絶縁層の第一樹脂層の表面に設けられた溝、及び、当該溝内部に設けられた導体層を有するビルドアップ層を少なくとも一層含むプリント配線板、金属基板上に形成された前記樹脂シートの硬化物からなる絶縁層、当該絶縁層の第一樹脂層の表面に設けられた溝、及び、当該溝内部に設けられた導体層を有する導体路構造を備えるメタルコア配線板、及び、ウェハー表面に形成された前記導体路構造からなる再配線を有する半導体素子等が挙げられる。なお、プリント配線板に用いられる基板、メタルコア配線板に用いられる金属基板、半導体素子の再配線に用いられるウェハーとしては、通常用いられるものを適宜選択して用いることができる。
メタルコア配線板に用いられる金属基板としては、特に限定はされないが、例えば銅及び銅系合金、アルミ及びアルミ系合金、銀及び銀系合金、金及び金系合金、亜鉛及び亜鉛系合金、ニッケル及びニッケル系合金、錫及び錫系合金、鉄および鉄系合金等が挙げられる。42アロイなどの線膨張係数の低い金属も用いてもよい。
半導体素子の再配線に用いられるウェハーとしては、特に限定はされないが、例えばシリコン、ゲルマニウム、シリコン−ゲルマニウム、炭化シリコン、リン化ガリウム、リン化アルミニウム、窒化ガリウム、ヒ化ガリウム、ヒ化アルミニウム、ヒ化インジウム、窒化インジウム、リン化インジウム、リン化ガリウムインジウム、リン化インジウムヒ素、硫化亜鉛及び酸化亜鉛などの半導体材料が挙げられる。
なお、溝の幅とは、溝の長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味し、前記第一樹脂層表面の溝内部に有する導体層の最大幅は、通常、前記溝の最大幅と同じになる。
導体層と接する溝内部の絶縁層表面の10点平均粗さ(Rz)は、溝内部の導体層表面の10点平均粗さ(Rz)に反映される。10点平均粗さ(Rz)は、測定長間の最大山高さから5点の平均と、最大谷深さから5点の平均の和になるので、溝内部の導体層表面の最大凸部の評価ができる。10点平均粗さ(Rz)が大きすぎると、導体層の最大凸部の影響で、微細配線間の距離が著しく短くなる箇所が発生し、絶縁に不利となり、信頼性が低下する恐れがある。
前記樹脂シート100’を内層回路基板11上に積層する方法としては、特に限定されないが、例えばラミネーター、真空プレス機等を用いて樹脂シートを内層回路基板9に熱圧着する方法等が挙げられる。
内層回路基板9に積層された樹脂シート100’は、樹脂シート100’の第一樹脂層1に導体層が形成される前及び/又は形成された後に、必要に応じて加熱を行い、熱硬化性樹脂を硬化させ、絶縁層6が形成される。
前記レーザー光10としては、エキシマレーザー又はUV−YAGレーザーを用いることが好ましい。これらのレーザーを使用することにより、精度・形状よく溝7の形成が可能となり、微細配線形成や高密度化が可能となる。特に限定はされないが、エキシマレーザーのレーザー波長は、193nm、248nmであることがより好ましく、193nm、248nmであることが特に好ましい。これにより、精度・形状よく溝7を形成できる作用を効果的に発現させることができる。UV−YAGレーザーの波長は第4高調波の266nm、第5高調波の213nmであることが好ましい。これらより長い波長では、微細配線加工のための均一な溝7を形成できない可能性がある。
また、プラズマの処理条件としては、プラズマ工程後の第一樹脂層表面乃至溝内部表面の算術平均粗さ(Ra)が、0.05μm以上、0.45μm以下となる条件であることが好ましく、同時に、溝7の内部表面の残留した炭化物を十分に除ききる条件であることが好ましい。これにより、絶縁信頼性が高く、信号応答性に優れた微細配線が可能となる。1GHzを超える高周波数領域において、その表皮効果による伝送損失を低減でき、さらに溝内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる。また、特に限定はされないが、プラズマ条件をプラズマ工程後の樹脂層の溝7の内部表面の算術平均粗さ(Ra)は、0.05μm以上、0.30μm以下となる条件であることがより好ましく、0.1μm以上、0.25μm以下となる条件であることが特に好ましい。これにより、絶縁信頼性や信号応答性を高め、伝送損失を低減し、さらに溝7内のめっき付き不良や層間接続不良を低減することができる作用を効果的に発現させることができる。
無電解めっき層12の金属の種類は、特に限定されないが、銅やニッケル等が好ましい。これらの金属では絶縁層6と無電解めっき層12の密着が良好である。無電解めっき層の厚さも特に限定されないが、0.1μm以上、5μm以下程度とすることが好ましい。さらに無電解めっき後に、熱風乾燥装置にて150℃〜200℃で10分〜120分の熱処理を行うことにより、第一樹脂層1と無電解めっき層12との密着をより良好にすることができる。
電解めっきには硫酸銅電解めっきが使用できる。また、特に限定されないが、めっき液中にはレベラー剤、ポリマー、ブライトナー剤等の添加剤が含まれることが好ましい。これにより、第一樹脂層1に形成された溝7の内部に対して優先的にめっきが析出し電解めっき層13で埋められ、電解めっき後の樹脂表層上と溝7上のめっき析出レベルが同等となる。電解めっき層13の厚みは、特に限定されないが、第一樹脂層1表面から5μm以上、25μm以下程度とするのが好ましい。
こうして、電気信頼性、信号応答性、溝内部のめっき付き性や層間接続性に優れたプリント配線板を作製することが可能である。
本発明の工程(G)では、絶縁層6及び導体層8の上に別の絶縁層15を形成することで、多層プリント配線板の配線となる各導体層が絶縁層で覆われ配線間の絶縁性が確保される。特に限定はされないが、絶縁層6及び導体層8の上に別の絶縁層15を形成する手法としては、上記絶縁層6を準備する時と同様に、キャリアフィルム付き樹脂シートを例えば真空加圧式ラミネーター装置、平板プレス装置等を用いる方法が挙げられる。
フォトリソグラフィ法によるパターニングは、回路パターンを施したマスク11’を介して、活性エネルギー線10’を照射(露光)し、続いて現像処理をすることにより行われる。
フォトリソグラフィ法によるパターニングは、第一樹脂層に含まれる感光性樹脂がネガ型の場合は、露光部が硬化し、未露光部が現像処理によって選択的に除去される。前記感光性樹脂がポジ型の場合は、露光部が分解し、当該露光部が現像処理によって選択的に除去される。
前記活性エネルギー線10’の露光量は樹脂層の厚さ等によって異なるが、一般には20〜900mJ/cm2であり、特に50〜600mJ/cm2であることが好ましい。
前記露光機としては、特に限定されないが、例えば、紫外線照射装置、直接描画装置等を用いることができる。
本発明の半導体装置は、前記本発明に係るプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする。
本発明の半導体装置は、前記本発明に係るプリント配線板に半田バンプを有する半導体素子を実装し、前記半田バンプを介して、前記プリント配線板と前記半導体素子とを接続し、前記プリント配線板と前記半導体素子との間に液状封止樹脂を充填することで製造することができる。
1.第一樹脂ワニスの調製
アルカリ可溶性感光性樹脂として、化合物Aを固形分換算で45重量部、エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂(DIC社製、HP−5000)25重量部、ビスA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、jER828EL)10重量部、光重合性化合物として、トリメチロールプロパントリメタクリレート(共栄社化学社製、ライトエステルTMP)14重量部、硬化剤としてビフェニルアラルキル型フェノール樹脂(明和化成株式会社、MEH7851−4L)4重量部、光重合開始剤として2,2ジメトキシ−1,2ジフェニルエタンー1−オン(長瀬産業社製、イルガキュア651)2重量部を、メチルエチルケトン溶剤中に混合溶解させ、不揮発分65重量部の第一樹脂ワニスを得た。
前記化合物A(メタクリロイル変性ノボラック型ビスフェノールA樹脂)は、ノボラック型ビスフェノール樹脂(DIC社製、フェノライトLF−6161、固形分65重量部)溶液500gを、2Lフラスコ中に投入し、これに触媒としてトリブチルアミン1.65g、および重合禁止剤としてハイドロキノン0.16g添加し、100℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート196gを45分間で滴下し、100℃で5時間攪拌反応させることにより、固形分78%のメタクリロイル変性ノボラック型ビスフェノールA樹脂(メタクリロイル変性率50%)を得た。
ビフェニルジメチレン型エポキシ樹脂(日本化薬社製、NC−3000)10重量部、フェノールノボラック型シアネート樹脂(ロンザジャパン社製、プリマセットPT−30)20重量部、硬化剤としてビフェニルアラルキル型フェノール樹脂(明和化成株式会社、MEH7851−4L)10重量部、球状シリカD(アドマテックス社製、SO−25R、平均粒子径0.5μm)60重量部を、メチルエチルケトンに混合溶解させ、不揮発分70重量部となるように調整し、第二樹脂ワニスを得た。
前記、第一樹脂ワニスをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム製ピューレックスフィルム36μm)にダイコーター装置を用いて乾燥後の第一樹脂層の厚さが15μmとなるように塗工し、これを160℃の乾燥装置で5分間乾燥して、第一樹脂層用のPET付き樹脂シートを得た。
また、前記第二樹脂ワニスをPETフィルム(ポリエチレンテレフタレート、帝人デュポンフィルム製ピューレックスフィルム36μm)上に同様に塗工し、乾燥後の第二樹脂層の厚さが20μmになるように、160℃の乾燥機で5分間乾燥して、第二樹脂層用のPET付き樹脂シートを得た。
前記第1樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シート、および第2樹脂層用のPETフィルム付き樹脂シートをガラス織布(坪重量12g、厚さ13μm、ユニチカグラスファイバー社製Eガラス織布、IPC規格1017)の両面に樹脂層がガラス織布に接するように配し、圧力0.5MPa、温度140℃で1分間の条件で真空プレスにより加熱加圧して、第一樹脂材料及び第二樹脂材料を含浸させ、両面にPETフィルム付きの樹脂シートを得た。第1樹脂層が12μm、基材層が13μm、第2樹脂層が15μmで、PETフィルムを除いた総厚は40μmであった。
コア基板(住友ベークライト社製ELC−4785GS−B、厚み0.2mm、9μm銅箔)に回路パターン形成(残銅率70%、L/S=50/50μm、回路高さ9μm)した内層回路基板の表裏に、前記で得られた両面PETフィルム付きのプリプレグの第2樹脂層側のPETフィルムを剥離し、第2樹脂層を内側にして両面重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度130℃、圧力0.2MPa、時間20秒で真空加熱加圧成形し、積層した(評価基板1−1)。
これを繰り返して、2−2−2導体層を有する多層配線板を得た(評価基板1−3)。
表1の配合量で実施した以外は、参考例1−1と同様にした。
なお、表1に記載の化合物Bとは、メタクリロイル変性フェノールノボラック型樹脂であり、以下の合成例2によって調製した。
フェノールノボラック樹脂(DIC社製、フェノライトTD−2090−60M、固形分60重量%)溶液500gを、2Lフラスコ中に投入し、これに触媒としてトリブチルアミン1.7g、および重合禁止剤としてハイドロキノン0.17添加し、100℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート205gを45分間で滴下し、100℃で5時間攪拌反応させることにより、固形分75%のメタクリロイル変性フェノールノボラック樹脂(メタクリロイル変性率50%)を得た。
ナフタレンアラルキル型フェノール(新日鐵化学社製SN485、水酸基当量215g/eq)を101g(0.47molの水酸基)とメチルイソブチルケトン(以下MIBK)を400g仕込み、室温で攪拌溶解する。溶解後、−10℃まで冷却を行った。−10℃にて臭化シアン(以下BrCN)110g(純度95%、0.987mol)を投入し、内温が−15℃になったら、トリエチルアミン(以下TEA)100g(0.99mol)とMIBK600gの混合液を1時間かけて滴下した。滴下後、さらに30分熟成し、さらに約2時間熟成させ反応を完結させた。得られた溶液に、純水400mlを加えて分液し、さらに5%塩化水素水溶液(HCl)1000mlを加えて分液した。さらに、10%食塩水500gで2回洗浄分液し、純粋500mlにて2回洗浄した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで脱水後、溶剤を減圧除去し、固形の樹脂を得た。得られた固形物をヘキサンにて洗浄した後、減圧乾燥することにより、ナフトールアラルキル型シアン酸エステル樹脂を得た。このようにして得られたビフェニルアラルキル型シアン酸エステルは、赤外吸収スペクトル測定(島津製作所製IR Prestige−21、KBr透過法)により分析し、フェノール性水酸基の吸収帯である3200〜3600cm−1が消失し、シアン酸エステルの二トリルの吸収帯である2264cm−1付近を確認した。
参考例2−1〜2−8、実施例2−9〜2−10及び比較例2−1は、表2の配合量で実施した以外は、参考例1−1と同様にして、第一樹脂ワニスの調製、第二樹脂ワニスの調製、キャリア材料の製造、樹脂シートの製造を行った。なお、表2に記載のビスS/ビフェニル型フェノキシ樹脂としては三菱化学社製のYX−8100BH30(固形分30重量%)を用い、硬化促進剤としては四国化成工業社製のキュアゾール2E4MZ又は四国化成工業社製のキュアゾール1B2PZを用いた。その他の成分は参考例1−1〜1−10及び比較例1−1、1−2で用いられた表1に記載の成分と同様のものを用いた。なお、球状シリカDとして用いられているアドマテックス社製のSO−25Rは、平均粒子径が0.5μmであり、2μm超過の粗粒は5000ppmであった。
実施例2−11は、表2の配合量で、基材層に用いる基材として、ユニチカグラスファイバー社製Eガラス織布(IPC規格1017)の代わりに、ガラス織布(坪重量11g、厚さ10μm、旭化成イーマテリアルズ社製Eガラス織布、IPC規格1000)を用い、第一樹脂層が10μm、基材層が10μm、第二樹脂層が20μmで、PETフィルムを除いた総厚を40μmとしたこと以外は、参考例1−1と同様にして、第一樹脂ワニスの調製、第二樹脂ワニスの調製、キャリア材料の製造、樹脂シートの製造を行った。
なお、参考例2−1〜2−8、実施例2−9〜2−11及び比較例2−1において、プリント配線板および半導体装置の製造方法は、参考例1−1〜1−10及び比較例1−1〜1−2とは異なり、以下の方法によって行った。
コア基板(住友ベークライト社製ELC−4785GS−B、厚み0.2mm、9μm銅箔)に回路パターン形成(残銅率70%、L/S=50/50μm)した内層回路基板の表裏に、前記で得られた両面PETフィルム付きのプリプレグの第2樹脂層側のPETを剥離し、第2樹脂層を内側にして両面重ね合わせ、これを、真空加圧式ラミネーター装置を用いて、温度130℃、圧力0.2MPa、時間20秒で真空加熱加圧成形した後、熱風乾燥装置にて170℃で60分間加熱硬化を行った(評価基板2−1)。
これを繰り返して、2−2−2導体層を有する多層配線板を得た(評価基板2−3)。
参考例、実施例及び比較例で得られた樹脂シート、プリント配線板及び半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。参考例1−1〜1−10及び比較例1−1〜1−2で得られた評価結果を表1に示し、参考例2−1〜2−8、実施例2−9〜2−11及び比較例2−1で得られた評価結果を表2に示す。なお、溝加工できなかったことにより評価できなかった項目は、表中において「加工不可」と記載した。
熱膨張係数は、TMA(熱機械的分析)装置(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、4mm×20mmの試験片を作製し、温度範囲30〜300℃、10℃/分、荷重5gの条件で2サイクル目の50〜100℃における線膨張係数(CTE)を測定した。尚、評価サンプルとしては、各実施例および比較例で得られた樹脂シートを2枚用いて、第2樹脂層を向かい合わせて、温度220℃、圧力1MPa、時間120分の条件でプレス積層したものを用いた。
評価基板1−1及び評価基板2−1の外層銅箔を全面エッチングした後に、内層パターンへの埋め込み性を目視し、さらに断面観察を実施し、評価した。
符号は以下の通りである。
◎:全面埋め込み性問題なし
○:実質上問題なし(最終個片化後の非製品部分の基板端部に一部不良あり)
×:パターン埋め込み不良あり
(参考例1−1〜1−10、比較例1−1〜1−2)
評価基板1−2の溝パターン部分を電子顕微鏡で観察(×2,000倍)し、残渣、形状の有無を評価した。また、評価基板1−3の断面から導体層の形状を確認した。なお、パターンマスクは、溝幅8μm、溝間隔8μmの格子状のものを用いた。
各符号は、以下の通りである。
◎:残渣が全く確認されず、形状は略台形であり、実用上全く問題ない。
○:残渣が若干確認できるが、形状は略台形であり、実用上問題ないレベルである。
△:残渣が比較的多く観察され、実用レベルではない。
×:残渣が多数確認され、実用レベルではない。
(参考例2−1〜2−8、実施例2−9〜2−11、比較例2−1)
評価基板2−2の溝パターン部分を電子顕微鏡で観察(×2,000倍)し、残渣の有無を評価した。また、評価基板2−3の断面から導体層の形状を確認したなお、パターンマスクは、溝幅8μm、溝間隔8μmの格子状のものを用いた。
各符号は、以下の通りである。
◎:残渣が全く確認されず、形状は略台形であり、実用上全く問題ない。
○:残渣が若干確認できるが、形状は略台形であり、実用上問題ないレベルである。
△:残渣が比較的多く観察され、実用レベルではない。
×:残渣が多数確認され、実用レベルではない。
導体配線の断面から、JIS B0601に準じて、算術平均粗さ(Ra)と10点平均粗さ(Rz)を算出した。尚、評価サンプルは評価基板1−2および評価基板2−2を用いた。
印加電圧3.3VDC、温度130℃、湿度85%の条件で、線間絶縁信頼性試験を行った。尚、評価サンプルは、2−2−2基板の評価基板1−3および評価基板2−3を用いた。
絶縁抵抗値が、1x108Ω未満となると不良と判断して試験を終了した。
各符号は、以下の通りである。
◎:良好 500時間以上
○:実質上問題なし 200時間以上500時間未満
×:使用不可 200時間未満
前記で得られた半導体装置を、IPC/JEDECのJ−STD−20に準拠して、温度30℃、湿度60%、時間192時間の前処理を行い、その後、260℃に達するリフロー炉に3回通し、後処理として−50℃30分、125℃30分の温度サイクルを500サイクル実施した。評価は、前処理後、と温度サイクルを500サイクル後処理後の半導体素子の導通抵抗評価、および断面観察を実施した。
各符号は以下の通りである。
◎:500サイクル後処理後の導通抵抗異常なし、および断面観察での導体回路、ビアの異常なし
○:500サイクル後処理後の導通抵抗が1〜10%未満の範囲で上がっているが、断面観察での導体回路、ビアの異常なし
×:500サイクル後処理後の導通抵抗が、10%上がっている。または、導体回路と樹脂間、ビアと樹脂間のいずれかに、マイクロボイド、剥離クラック発生
UL−94規格に従い、垂直法により測定した。尚、全面エッチングしたコア基板の両面に樹脂シートを介して12μm銅箔を配置し、温度200℃、1時間、圧力2MPaでプレス成形した後、銅箔をエッチングした厚み0.28mmをテストピースとした。難燃性の評価は、参考例2−1、2−2及び2−8で得られたサンプルでのみ行った。
比較例1−1は、第一樹脂層が含む硬化性樹脂として感光性樹脂を含まなかったため、フォトリソグラフィ法による溝加工はできなかった。
比較例1−2及び2−1は、第一樹脂層に含有される無機充填材中の2μm超過の粗粒が、3.3%と大き過ぎるため、導体層壁面の算術平均粗さ(Ra)が大きすぎて、細線加工性に劣り、また、導体層壁面の10点平均粗さ(Rz)が大きすぎて、線間絶縁信頼性に劣っていた。さらに、得られた半導体装置は、温度サイクルを500サイクル後処理後の半導体素子の導通抵抗が、10%上がり、断面観察では、導体回路と樹脂間、ビアと樹脂間のいずれかに、マイクロボイド、剥離クラック発生していた。
一方、参考例1−1〜1−10及び参考例2−1〜2−8及び実施例2−9〜2−11は、第一樹脂層は、少なくとも硬化性樹脂を含み、前記第二樹脂層は、熱硬化性樹脂及び無機充填材を含み、厚みが5〜30μmであるため、第一樹脂層に形成される導体層壁面の凹凸が適切になり、細線加工性及び線間絶縁信頼性に優れ、第二樹脂層における回路埋め込み性にも優れ、低熱膨張性であり、半導体装置は温度サイクルを500サイクル後処理後の半導体素子の導通抵抗異常がなく、断面観察での導体回路、ビアの異常もなかった。
また、参考例として、参考例2−1、2−2及び2−8で得られたサンプルで難燃性の評価を行ったところ、参考例2−1は難燃性に優れていたが、参考例2−2及び2−8では参考例2−1よりも難燃性が劣っていた。これは、参考例2−2は、エポキシ樹脂としてナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂ではなく、ビスA型エポキシ樹脂を用いたことに起因し、参考例2−8では、シアネート樹脂を用いなかったことに起因する。
2 第二樹脂層
1a 第一キャリア材料
2a 第二キャリア材料
3 キャリアフィルム
4 キャリアフィルム
5 基材層
5a 基材
6 絶縁層
7 溝
8 導体層
9 内層回路基板
9a 導体回路
9b ガラスエポキシ基材
10 レーザー光
11 マスク
12 無電解めっき層
12’ 無電解めっき層
13 電解めっき層
13’ 電解めっき層
14 導体
15 別の絶縁層
100 樹脂シート
100’ 樹脂シート
101 ビルドアップ層
200 プリント配線板
Claims (23)
- 一面側を形成する第一樹脂層と他面側を形成する第二樹脂層を含む多層構造を有する樹脂シートであり、
前記第一樹脂層は、少なくとも硬化性樹脂を含み、
前記第二樹脂層は、エポキシ樹脂と、平均粒子径1μm〜10μmのシリコーンゴム微粒子と、平均粒子径0.2μm〜5μmのベーマイト微粒子と、平均粒子径10nm〜100nmのシリカナノ粒子とを含み、厚みが5〜30μmであることを特徴とする、樹脂シート。 - 少なくとも前記第一樹脂層の表面を高分子フィルム及び表面の10点平均粗さ(Rz)が4.0μm以下の銅箔よりなる群から選ばれるキャリアフィルムで被覆してなる、請求項1に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層が、さらに無機充填材を含み、当該無機充填材中の2μm超過の粗粒が500ppm以下である、請求項1又は2に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層に含まれる無機充填材の含有量が1〜60重量%である、請求項3に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層に含まれる無機充填材の平均粒径が0.01〜0.4μmである、請求項3又は4に記載の樹脂シート。
- 前記無機充填材は球状のシリカである、請求項3乃至5のいずれか一項に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層が、無機充填材を含まない、請求項1又は2に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層に含まれる硬化性樹脂は、熱硬化性樹脂及び/又は感光性樹脂を含む、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の樹脂シート。
- 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂およびベンゾシクロブテン樹脂の中から選ばれる少なくとも1種を含む、請求項8に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層と前記第二樹脂層の間に基材層を含む、請求項1乃至9のいずれか一項に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層、前記基材層及び前記第二樹脂層からなる3層構造を有する、請求項10に記載の樹脂シート。
- 前記基材層に用いられる基材がガラスクロスである、請求項10又は11に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層の厚みが6〜28μmである、請求項1乃至12のいずれか一項に記載の樹脂シート。
- 前記第一樹脂層の厚さが、前記第一樹脂層の厚さ及び前記第二樹脂層の厚さを合計した厚さの15〜50%である、請求項13に記載の樹脂シート。
- 全体厚みが60μm以下である、請求項1乃至14のいずれか一項に記載の樹脂シート。
- 前記請求項1乃至15のいずれか一項に記載の樹脂シートのみ、又は、少なくとも一面側の最外層の位置に当該樹脂シートをその第一樹脂層が表面側に向くように配置して積層されてなる積層板。
- 前記請求項1乃至15のいずれか一項に記載の樹脂シートの硬化物からなる絶縁層、当該絶縁層の第一樹脂層の表面に設けられた溝、及び、当該溝内部に設けられた導体層を有する導体路構造を備える電子部品。
- 前記請求項1乃至15のいずれか一項に記載の樹脂シートの硬化物からなる絶縁層、当該絶縁層の第一樹脂層の表面に設けられた溝、及び、当該溝内部に設けられた導体層を有するビルドアップ層を少なくとも一層含むプリント配線板。
- 前記溝の最大幅が1〜10μmである、請求項18に記載のプリント配線板。
- 前記導体層と接する前記溝の表面の算術平均粗さ(Ra)が0.05〜0.45μmである、請求項18又は19に記載のプリント配線板。
- 前記溝の深さが2〜20μmであり、
前記第一樹脂層の厚みが、前記溝の深さの1.2〜1.4倍である、請求項18乃至20のいずれか一項に記載のプリント配線板。 - 前記ビルドアップ層で被覆される導体回路の高さが5〜20μmであり、
前記第二樹脂層の厚みが、前記導体回路の高さの1〜1.5倍である、請求項18乃至21のいずれか一項に記載のプリント配線板。 - 前記請求項18乃至22のいずれか一項に記載のプリント配線板に半導体素子を搭載してなることを特徴とする半導体装置。
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