TW473639B - Liquid crystal display apparatus - Google Patents

Liquid crystal display apparatus Download PDF

Info

Publication number
TW473639B
TW473639B TW089103612A TW89103612A TW473639B TW 473639 B TW473639 B TW 473639B TW 089103612 A TW089103612 A TW 089103612A TW 89103612 A TW89103612 A TW 89103612A TW 473639 B TW473639 B TW 473639B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
insulating film
liquid crystal
organic
crystal display
Prior art date
Application number
TW089103612A
Other languages
English (en)
Inventor
Shingo Ishihara
Masatoshi Wakagi
Masahiko Ando
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW473639B publication Critical patent/TW473639B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78696—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the structure of the channel, e.g. multichannel, transverse or longitudinal shape, length or width, doping structure, or the overlap or alignment between the channel and the gate, the source or the drain, or the contacting structure of the channel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/472—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only inorganic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H10K19/10—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising field-effect transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Description

473639 A7 B7 五、發明說明ί ) 發明背景 本發明係關於半導體裝置，特別是關於主動矩陣型液晶 顯示裝置或I C卡。 近年來，利用以薄膜電晶體（TFT)爲代表之主動元 件之主動矩陣型液晶顯示裝置由於與C R T相同等級之高畫 質、比C R T低之消耗電力、省空間等之優點，漸被當成個 人電腦或工作站等之監視器使用。但是，主動矩陣液晶裝置 與CRT相比，價格高，爲了更爲普及，被要求更進一步之 低價格化。低價格化之守法之一可以考慮：把可簡便製作之 有機薄膜電晶體（有機TFT)適用於主動元件。現行之製 作非晶質矽T F T之絕緣層以及半導體層之電漿化學氣相沈 積法（CVD)裝置以及製作電極之濺鍍裝置價格高。又， 以CVD法形成薄膜之溫度高至2 3 0〜3 5 0度，需要頻 繁進行淸潔等之維護，產量低。另一方面，製作有機TFT 之塗布裝置、真空蒸鍍裝置與CVD裝置、濺鍍裝置相比， 價格便宜，這些裝置之成膜溫度低，維修簡單。因此，使有 機T F T適用於液晶顯示裝置之際，可以期待成本之大幅降 低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 一般之有機T F T係由玻璃基板、閘極電極、閘極絕緣 膜、源極電極、汲極電極以及有機半導體膜所構成。在改變 施加於閘極電極之電壓下，使閘極絕緣膜與有機半導體膜之 界面之電荷量過剩或不足，改變流過源極電極/有機半導體 /汲極電極間之汲極電流値，進行切換。特開平8 -2 2 8 0 3 5號公報中公開揭露上述有機半導體膜利用6量 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 473639 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明？) 體硫茂齊聚物（thiophene oligomer)蒸鍍膜以製作有機 丁 F T。又，在文獻（Y-Y . Lin, D . J . Gundlach, S . F . Nelson, and T . N . Jackson, IEEE Transactions on Electron Devices, Vol · 44， No . 8 p. p 1325-1331(1997) )中，公開揭露：有機半導體膜使用戊二烯蒸鍍膜，以製作 高性能有機TFT。又，特開平8 — 1 9 1 1 6 2號公報中 ，公開揭露：在半導體膜、源極電極、汲極電極、閘極電極 使用有機材料，而且，閘極絕緣膜利用具有氰基之絕緣性聚 合物以製作有機TFT。 在特開平8 - 2 2 8 0 3 5號公報以及特開平1 〇 -1 2 5 9 2 4號公報中’雖然利用蒸鍍法形成有機半導體膜 ’但是’有關半導體膜之圖案化並無記載。例如，利用Μ 〇 製之金屬光罩做圖案形成之情形，圖案之最小尺寸爲1 〇 〇 "m程度，與現行之液晶顯示裝置之像素尺寸（1 〇 X 3 ◦ # m 2 )相比，變得太大。又’在利用現存之光蝕法之情形 ’擔憂由於使用於光阻材料之極性溶媒、或脫離溶媒用之退 火之對半導體層之載子植入等之劣化。 又’在特開平2_2 3 9 6 6 3號公報中，記載有關在 基板上2片之平行電極間具有被圖案化之有機半導體層之2 端子電子元件。此在下部電極上形成去除電極部份之圖案化 絕緣膜’利用下部電極’製作與下部電極有同等尺寸之有機 半導體膜。在此發明中’材料被限定使用四氰基奎諾等之成 爲電子供Ip體之有機材料，其它材料無法適用。又，此製作 法無法適用於T F T等之3端子元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¾ 訂.. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公^| ) 5 473639 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明p ) 發明摘要 在習知技術之有機T F T中，無法微小加工有機半導體 膜，與閘極電極相比，面積大。因此，產生因轉入之關閉電 流之增加。又，由於有機半導體膜大面積之故，無法以遮光 層覆蓋完全，因光激磁產生之載子之關閉電流增加。此結果 顯示開關元件之性能之電流之開/關閉比變小。開/關閉比 一變小，例如，使用於液晶顯示器主動元件之情形，即使在 關閉狀態也流過電流之故，施加在液晶之電壓降低，保持特 性降低。 又，由於關閉電流增加，顯示開關之急劇性之汲極電流 需要增加1位數，必要之閘極電壓變化量（S値）變大， T F T特性降低。 又，將上述有機T F T使用於液晶顯示裝置之主動元件 之情形，在鄰接信號配線之間構成T F T之故，產生由於鄰 接信號配線對液晶像素之寫入，導致對比之降低。 本發明之目的在於開發：於有機T F T元件中，可以避 免上述T F T特性之降低，以及因液晶顯示裝置之鄰接信號 配線之影響所導致之對比之降低之新的圖案化法。 上述目的係藉由：於由基板、閘極電極、閘極絕緣膜、 源極電極、汲極電極以及有機半導體層形成之有機薄膜電晶 體中，在上述閘極絕緣膜與上述半導體層之間透過圖案化絕 緣膜，使上述有機半導體膜之通道領域圖案化爲與閘極電極 同等之尺寸而達成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-=0·· --線· 本纸張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 473639 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明ί ) 又，本發明也可以在上述絕緣膜使用感光性絕緣膜。 接著，本發明之特徵爲可以當成主動矩陣型液晶顯示裝 置之主動元件使用。 此處所謂之有機T F Τ係藉由：導電閘極電極、閘極絕 緣膜、水平留有間隔之源極電極與汲極電極、以及有機半導 體層所形成。有機T F Τ因應被施加於閘極電極之電壓之極 性，'以儲存狀態或空乏狀態之其一動作。 本發明之閘極電極位於源極電極與汲極電極之間，以及 以源極/汲極電極之長度方向爲1邊之領域之正上或正下方 ’電極尺寸考慮到位置配合精度，期望在上述領域之各邊之 1 . 1製1 · 2倍之大小。電極形成製程期望利用簡便塗布 法之聚苯胺、聚口塞吩等之有機材料、導電性油墨。又，期 望利用現存之光触法，可以形成電極之金、白金、鉻、鈀、 鋁、銦、鉬、鎳等之金屬，或使用這些金屬之合金或多晶矽 、非晶砂、錫氧化物、氧化銦、銦·錫氧化物（I το)等 之無機材料。當然，不限定於這些材料，也可以2種以上併 用這些材料。 使用於本發明之閛極絕緣膜之材料也期望使用：可以與 閘極電極相同地，可用塗布法之聚氯丁烯、聚對苯二甲酸乙 二酯、聚氧化甲烯、聚乙烯氯化物、聚氟化亞乙烯基、氰乙 基茁黴多糖（cyanoethyl pullulan)、聚甲基異丁烯、聚石風（ polysulfone)、聚碳酸酯、聚酉先亞胺等之有機材料。又，期 望可以利用既有之光蝕法之S 1 〇2、S i Nx、A 1 2〇3 等之無機材料。當然不單限定於這些材料，也可以倂用2種 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) §. 線- Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 473639 A7 B7 五、發明說明f ) 以上之此種材料。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明所使用之源極電極以及汲極電極之材料由於幾乎 全部之有機半導體其輸送電荷之載子都爲電洞之p型半導體 之故，爲了與半導體層取得歐姆接觸，期望功率係數大之金 屬。具體而言雖可舉出金、白金’但是’並不限定於這些材 料。又，在半導體層表面摻雜高密度摻雜物之情形，載子有 可能穿隧金屬/半導體間’不依金屬材質之故’閘極電極中 所舉出之金屬材料也是對象。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之所謂的圖案化絕緣膜爲：被形成在閘極絕緣膜 與有機半導體層間，去除位於閘極電極之正上方或正下方之 絕緣膜之領域之構成。又，被去除絕緣膜之領域期望與閘極 電極尺寸相等。此圖案化絕緣膜具有形成半導體膜之際之光 罩圖案之機能。即，形成圖案化絕緣膜後，如堆積半導體膜 ，只在作爲通道領域機能之領域，可以使半導體膜與閘極絕 緣膜接觸地形成。又，在去除位於閘極電極正上方或正下方 之絕緣膜領域之去除部份之外，透過此圖化絕緣膜（在源極 電極.汲極電極存在之部份，與這些電極一齊地），半導體 膜被形成。藉由此，可以在通道領域精度良好地形成半導體 膜。 本發明之所謂的感光性絕緣膜爲：本身兼備光圖案化性 者’不需要光阻材料，製作工程可以被縮短。圖案化絕緣膜 之材料由於進行選擇融刻之故，有必要使用不同於聞極絕緣 膜之材料。 絕緣膜之具體例雖可以舉出：S i 〇 2、s i N x、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473639 A7 _____B7 五、發明說明（6 ) A I 2〇3等之無機材料或聚氯丁烯、聚對苯二甲酸乙二酯 、聚氧化甲烯、聚乙烯氯化物、聚氟化亞乙烯基、氰乙基茁 黴多糖（cyanoethyl pulUlan)、聚甲基異丁烯、聚碾（ polysulfone)、聚碳酸酯、聚醯亞胺等之有機材料，但是，並 不限定於這些材料。 本發明之有機半導體材料期望：π電子共軛系之芳香族 化合物、鏈化合物、有機顏料、有機砂化合物等。具體而言 ，雖可舉出：戊二烯、四氮雜苯、硫茂齊聚物衍生物、次苯 基衍生物、酞菁化合物、聚乙炔衍生物、聚噻吩衍生物（ polythiophene)、花青色素等，但是，並不限定於這些材料 0 本發明之有機TFT製造方法之特徵爲：在玻璃基板上 形成閘極電極、閘極絕緣膜、源極電極、汲極電極，在形成 絕緣膜後，去除閘極電極上之絕緣膜後，形成半導體膜。本 發明之有機T F T製造方法在無機絕緣膜等係使用：電漿 CVD法，金屬膜、錫氧化物、氧化銦、I TO等係使用灘 鍍法。又’圖案加工係使用既有之光蝕法與乾蝕刻或濕蝕刻 。關於這些製作法之詳細說明，被記載於松本正一編「液晶 顯示器技術一主動矩陣L CD_」第2章產業圖書（ 1 9 9 6年）。又’以導電性有機材料、導電性油墨、絕緣 性有機材料、半導體有機材料爲原料之薄膜的製作方法，可 以舉出：旋轉噴塗法、鑄造法、捲揚法、真空蒸鍍法等。 此處所謂之主動矩陣型液晶顯示裝置係指：構成顯示部 之每一像素被附加主動矩陣元件’通過此對液晶施加電壓者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - ---------------------訂---------線' (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 473639 A7 _____B7 五、發明說明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。驅動法採用以下之方式。在由η行之掃描線與m列之信號 線形成之η X m矩陣配線之交叉點設置τ F Τ等之主動矩 陣兀件’ T F T之聞極電極被連接於掃描線、汲極電極被連 接於信號線、源極電極被連接於像素電極。掃描線被供給位 址信號，信號線被供給顯示信號，透過以開/關閉（〇 N / 0 F F )信號被堆疊之位址信號被控制之T F T開關，使像 素電極上之液晶動作。在使有機T F T適用於開關元件之情 形，製造製程被簡易化，變成可以低價格。 以上’雖然以有機T F T爲中心做說明，但是，本發明 之T F T構造以及其製造方法也可以適用於具有有機材料以 外之半導體層之TFT。 合適實施例之說明 (實施例1 ) 藉由圖1及圖2說明依據本發明之有機TF T元件。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖1 ( a )係顯示實施例1之有機T F T元件構造剖面 圖。圖1(b)係顯示實施例1之有機TFT元件構造之平 面圖。1 0 1係玻璃基板、1 0 2係閘極電極、1 0 3係閘 極絕緣膜、1 0 4係源極電極、1 0 5係汲極電極、1 0 6 係圖案化絕緣膜、1 0 7係通道領域之6量體硫茂齊聚物（ a — 6T)有機半導體膜、108係非通道領域之a - 6T 有機半導體膜、1 0 9係閘極電極取出孔、1 1 〇係圖案化 絕緣膜之去除領域。即圖案化絕緣膜1 0 6係將被形成在閘 極絕緣膜1 0 3與有機半導體層（有機半導體膜1 〇 7 )之 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 473639 A7 B7 經濟部智慧財產局員Η消費合作杜印製 五、發明說明（8 ) 間之絕緣膜，去除位於閘極電極1 0 2之上方或下方（在本 實施例爲上方）之絕緣膜中之圖案化絕緣膜之去除領域 1 1 0之構成。又，被去除之絕緣膜之領域1 1 0成爲與聞 極電極1 0 2之通道領域之大小相等。 又，如圖1 ( b )所不般地，源極電極1 〇 4與汲極電 極1 0 5具有W之寬度，保持L之間隔地被配置著。閘極電 極1 0 2由一方側被引出，藉由閘極電極取出孔1 〇 9被連 接於外部。有機半導體膜1 0 7之構成爲在源極電極1 〇 4 以及汲極電極1 0 5之端部的斜面部份相接。 圖2 (a)係顯示在圖1顯示其構成之有機TFT之製 作工程（工程201〜211)。又，圖2(b)係顯示在 圖2 ( a )之工程被使用之光蝕工程（工程2 1 2〜2 1 6 )。在圖2 ( b )左欄顯示處理之流程，右欄顯示對應之構 造的變化。圖中，217爲光阻膜，218爲加工膜， 219爲基板，220爲光罩。 在由圓錐形1 7 3 7形成之玻璃基板1 0 1上以濺鍍法 形成厚度約15〇nm之CrMo膜（工程201)。藉由 圖2 (b)所示之光蝕工程，圖案化CrMo膜，形成閘極 電極102(工程202)。 在光蝕工程中，於圖案化加工膜2 0 8藉由旋轉塗布法 形成光阻膜217(工程212)，通過光罩220照射 U V光，使光阻膜感光（工程2 1 3 ) ’顯像、烘烤將光罩 圖案複製於光阻膜（工程2 14)。接著’以濕式或乾式蝕 刻法去除未被光阻膜覆蓋之部份（工程2 1 5 ) ’剝離光阻 (請先閱讀背面之注咅心事項再填寫本頁)
----!| 訂---------I _ ~ n n I 1 I . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -11 - 473639 A7 _ B7 五、發明說明（9 ) 膜（工程2 1 6 )。 在形成閘極電極1 〇 2之玻璃基板1 〇 1上藉由CVD 法形成厚度3 0 〇 n m之氧化矽（s i〇2 )膜之閘極絕緣 膜1 0 3 (工程2 0 3 )。閘極絕緣膜1 〇 3藉由閘極電極 1 0 2之存在，成爲與閘極電極1 〇 2相等之寬度隆起之構 成。使用於S i 〇2膜之形成之原料氣體如下述：s i H4 + N 2 0。藉由光蝕工程，在S丨〇2膜形成閘極電極取出 孔109 (工程204)。在其上利用濺鍍法形成厚度20 n m之C r Μ 〇膜，藉由光蝕工程加以圖案化，形成源極電 極104、汲極亀極1〇5 (工程205、206)。將在 其上利用蒸鍍法形成厚度1 5 0 nm之A u膜藉由光蝕工程 加以圖案化’形成源極電極1 〇 4、汲極電極1 〇 5。 C rMo膜使用於提升Au膜與S i 〇2膜之密著性。源極 電極、汲極電極之大小爲（l〇〇〇X5〇#m2)。在此 情形’通道寬度W成爲1 〇 〇 〇 。右，通道長度l對應 源極/汲極電極間之間隔，爲5 0 v m。 在通常之有機T F T元件中，雖然在其上製作有機半導 體膜’但是，在本發明中’於其上利用CVD法形成厚度 500nm之氮化矽（S iNx)膜（工程2〇9)。使用 於S i Nx膜之形成之原料.氣體如下：s i Η4 + Νίί：3 + Ν2。藉由光蝕工程去除S i Νχ膜之一部份（工程2丄〇 )。去除τιΐ域.1 1 0之位置如圖1 ( b )所示般地，與源極 電極及汲極電極之間之領域（W X L )爲同心，通道長L、 通道寬W之各別1 · 1倍之大小。在其上藉由真空蒸鍍法形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公1 ) - 12- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 473639 A7 _ B7 五、發明說明（10 ) 成厚度1 0 0 nm之6量體硫茂齊聚物（a — 6 T)有機半 導體膜（工程211) 。a-6T有機半導體膜之製作條件 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 如下：蒸鍍裝置箱內之到達真空度爲3〜5 X 1 0 — 6 t 〇 r r。將a — 6T粉末載於Mo製電阻加熱用堝中，力口 熱至約3 0 0 °C蒸鍍之。藉由以上，完成有機TFT。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施例中，被形成在S 1 N X膜之去除領域1 1 〇 內之通道領域之a - 6 T有機半導體膜1 〇 7與源極電極 1 0 4、汲極電極1 0 5、或閘極絕緣膜1 〇 3相接，成爲 汲極電流之流通通道領域。又，以各向異性蝕刻法形成 S 1 N X膜之去除領域1 1 0之故，垂直於去除領域之基板 表面之剖面與源極/汲極電極表面之形成角度（推拔角度） 成爲接近9 0度。因此，如圖1 ( a )所示般地，位於 S iNx膜106上之a_6T有機半導體膜1〇8與形成 通道領域之a - 6 T有機半導體膜1 〇 7成爲斷開狀態，通 道領域與閘極電極成爲相等之尺寸。其結果爲源極/汲極電 極間之轉入電流降低，關閉電流由1 〇 - 1 1 A變小爲 1 0 _ 1 2 A。顯示開關之急劇性之S値也可以由1 5減少爲 3。又’ a _ 6 T有機半導體膜之有效尺寸變小之故，因光 激磁產生之載子所導致之光電流被抑制。 本實施例之通道領域成爲1 1 0 〇X 5 5 #m2，無法 以利用通常之金屬光罩之蒸鑛光罩之圖案化方法實現。又， 在本發明之圖案化方法中，利用光蝕工程之故，可以實現液 晶顯示裝置之主動矩陣元件所需要之尺寸。 此結果爲依據本發明，藉由透過在源極/汲極電極與有 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473639 A7 B7 五、發明說明（11 ) 機半導體膜之間圖案化之絕緣層，在基板全面蒸鍍之有機半 導體層被圖案化爲與閘極電極同等之尺寸，電極間之轉入電 流以及因光激磁導致之關閉電流之增加被抑制，淸楚可以獲 得高性能有機T F T元件。 (實施例2 ) 接著，藉由圖3及圖4說明依據本發明之有機TFT中 ’圖案化絕緣膜利用感光性有機絕緣膜之實施形態。 圖3 ( a )係顯示實施例2之有機T F T元件構造剖面 圖。圖3 (b)係顯示實施例2之有機TFT元件構造之平 面圖。301爲玻璃基板、302爲閘極電極、303爲閘 極絕緣膜、304爲源極電極、305爲汲極電極、306 爲由感光性有機絕緣膜形成之圖案化絕緣膜、3 0 7爲通道 領域之a - 6 T有機半導體膜、3 0 8爲非通道領域之 a_6T有機半導體膜、309爲閘極電極取出用孔、 3 1 0爲感光性有機絕緣膜之去除領域。即由感光性有機絕 緣膜形成之圖案化絕緣膜3 0 6係將被形成在閘極絕緣膜 3 0 3與有機半導體層（有機半導體膜3 0 7 )之間之感光 性有機絕緣膜，去除位於閘極電極3 0 2之上方或下方（在 本實施例爲上方）之絕緣膜中之感光性有機絕緣膜之去除領 '域3 1 2之構成。又，被去除之絕緣膜之領域成爲與閘極電 極302之通道領域之大小相等。又，如圖3 (b)所示般 地，源極電極3 0 4與汲極電極3 0 5具有W之寬度，保持 L之間隔地被配置著。閘極電極3 0 2由一方側被引出，藉 I I 1 I I I I ·ίι — —— — — — I — — II - K--— I- - - ---II _ _ ____ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 473639 A7 B7 五、發明說明（12 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由閘極電極取出用孔3 〇 9被連接於外部。有機半導體膜 3 0 7之構成爲在源極電極3 0 4以及汲極電極3 0 5之端 部的斜面部份相接。 圖4 ( a )係顯示在圖3所示之有機TFT之製作工程 (工程40 1〜411)。又，圖4(b)係顯示在圖4 ( a )之工程被使用之光蝕工程（工程4 1 2〜4 1 6 )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 被形成在圓錐形1 7 3 7玻璃基板3 0 1上之閘極電極 3 0 2、由閘極絕緣層之S i 0 2膜形成之閘極絕緣膜 303、閘極電極取出用孔309、源極電極304、汲極 電極3 0 5之形成方法與實施例1相同（工程4 0 1〜 408)。再者，於其上藉由塗布法，形成厚度2/zm之苯 並環丁烯（BCB)有機絕緣膜（工程409)。接著，藉 由光蝕工程去除BCB絕緣膜之一部份（工程410)。去 除領域3 1 0之位置、大小與實施例1記載之去除領域 1 10相同。如圖4 (b)所示般地，BCB本身兼爲光阻 膜之故，與圖2 ( b )所示5工程之通常的光蝕工程相比， 光阻塗布（工程2 1 2 )、光阻剝離（工程2 1 6 )工程被 縮短，製程被簡略化。 接著，在B C B絕緣膜上以真空蒸鍍法形成膜厚2 0 n m之a _ 6 T有機半導體膜。蒸鍍條件如實施例1所記載 。去除BCB絕緣層之領域310之a—6T有機半導體膜 3 0 7與源極電極3 0 4、汲極電極3 0 5或閘極絕緣膜 3 0 3相接，成爲通道領域。另一方面，由B B C絕緣膜形 成之圖案化絕緣膜3 0 6之a - 6 T有機半導體膜3 0 8無 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 473639 A7 B7 五、發明說明（13 ) 法與a - 6 T有機半導體膜3 0 7接觸之故，通道領域被圖 案化爲與閘極電極同等之尺寸。藉由以上，完成有機T F T 〇 在本實施例中，圖案化絕緣膜去除領域之形成製程被簡 略化之外，與實施例1相同地，關閉電流降低，丁 F T性會g 提升。 此結果，依據本發明，藉由在源極/汲極電極與有機半 導體膜之間插入圖案化感光性有機絕緣層，淸楚可以獲得有 機半導體通道領域被最適當化之高性能有機T F T元件。 (實施例3 ) 接著，依據圖5至圖7說明將依據本發明之有機TFT 元件適用於主動矩陣型液晶顯示裝置之實施形態。‘ 圖5係顯示依據本發明之主動矩陣型液晶顯示裝置。圖 6係顯示圖5之A - A ’線之主動矩陣型液晶顯示裝置之剖 面。501爲玻璃基板、502爲閘極電極、503爲閘極 絕緣膜、504爲源極電極、505爲汲極電極、506爲 圖案化絕緣膜、5 0 7爲通道領域之a - 6 T有機半導體膜 ，508爲非通道領域之a_6T有機半導體膜、509， 509’爲信號配線、5 1 0爲掃描配線、5 1 1爲像素電 極、512爲S iOx保護膜、513，513’爲定向膜 、5 1 5爲相對電極、5 1 6爲液晶組成物、5 1 7爲間隔 物、518，518’爲偏光板、519爲TFT基板、 5 2 0爲相對基板。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΙΨ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂---------f舞-------------------- 473639 A7 B7 五、發明說明（14 ) 圖7係顯示圖5以及圖6所示之主動矩陣型液晶顯示裝 置之製作工程（工程701〜722)。 首先’依循圖7 ( a )所示之作業工程，製作TF T基 板5 1 9。在圓錐形1 7 3 7玻璃基板5 0 1上以濺鍍法形 成厚約150nm之CrMo膜（工程701)。藉由光蝕 工程圖案化C r Μ 〇膜’形成掃描配線5 1 0以及閘極電極 502 (工程702)。在其上藉由CVD法形成由厚 300nm之Si〇2膜形成之閘極絕緣膜503(工程 703)。在其上藉由濺鍍法形成厚300nm之ITO薄 膜後，藉由光蝕工程圖案化，形成像素電極5 1 1 (工程 705、706)。再者，在其上將利用蒸鍍法形成之厚度 1 5 0 nm之A u薄膜以光蝕工程圖案化，形成信號配線 509、源極電極504以及汲極電極505 (工程709 、710)。與實施例1相同地，爲了提升Au膜與 S i 〇2膜之密著性，插入膜厚20nmg C rMo圖案 (工程707、708)。再者，在其上藉由CVD法，形 成由厚約5 0 0 nm之S i Nx形成之圖案化絕緣膜（工程 7 1 1 )。與實施例1相同地，利用光蝕工程去除S i N X 絕緣膜之一部份（工程7 1 2 )，在其上形成膜厚2 0 n m 之a_6T有機半導體蒸鍍膜（工程713)。再者，在其 上形成當成保護膜5 1 2之膜厚5 0 0 nm之S i Ox蒸鍍 膜（工程7 14)。在其上藉由旋轉塗布法，形成厚約 200nm之定向膜513 (工程716)。藉由以上’完 成TFT基板5 19。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 •- I ϋ ϋ n n I 一&, « I ϋ i ϋ n I n I n I If n ϋ n n ϋ n n ----, ^17- 473639 A7 B7 五、發明說明（15 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著’依循圖7 ( b )所示之作業工程’製作相對基板 5 2 0。在由圓錐形1 7 3 7形成之玻璃基板5 1 4上利用 濺鍍法形成厚1 4 0 n m之I T 0相對電極5 1 5 (工程 7 1 7 )。在其上利用旋轉塗布法形成厚2 0 0 nm之定向 膜 513’（工程 718)。 液晶屏板依循圖7 ( c )所示之作業工程製作。定向處 理TFT基板5 1 9以及相對基板5 2 0上之定向膜5 1 3 以及5 13’之表面後（工程719)，在TFT基板 5 1 9表面上分散由直徑約4 g m之氧化矽形成之間隔物 517(工程720)。在夾住TFT基板519以及相對 基板5 2 0形成之單元間隔間封入液晶組成物5 1 6 (工程 721)。在TFT基板519以及相對基板520之表面 貼上偏光板5 1 8以及5 1 8’，完成液晶屏板（工程 7 2 2 ) ° 在本實施例中，與實施例1相同，藉由圖案化絕緣膜 5 0 6之存在，通道領域之a - 6 T有機半導體膜5 0 7被 圖案化爲與閘極電極相同尺寸之故，關閉電流下降1位數。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，在圖5以及圖6所示之汲極電極5 0 5與鄰接信號 配線5 0 9 ’之間的k域，雖然存在a _ 6 T有機半導體膜 5 0 8，但是透過有機半導體圖案化絕緣膜5 0 6之故，不 會引起因閘極電極5 0 5與鄰接信號配線5 0 9’所導致之 TFT動作，因此，不會引起因鄰接信號配線所導致之寫入 動作。 此結果，依據本發明，藉由在源極/汲極電極與有機半 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 473639 A7 --- B7 五、發明說明（16 ) 導體膜存在絕緣膜，可以獲得有機半導體通道領域被圖案化 之有機T F T元件，可以獲得不易引起配線間之串音之主動 矩陣型液晶顯示裝置。 有機T F T元件也可以當成I C卡所使用之主動元件。 在此情形，藉由使利用圓錐形1 7 3 7之玻璃基板1 0 1基 板成爲聚合物之塑膠，可以直接疊層在卡本身。 如上述般地，雖然提供半導體通道領域被圖案化之薄膜 電晶體，但是也期望性能提升。 具體而言，在玻璃基板1 0 1上形成閘極電極1 0 2、 閘極絕緣膜1 0 3、源極電極1 0 4、閘極電極1 0 5。在 其上形成圖案化絕緣膜，去除閘極電極上之領域1 1 0。在 其上蒸鍍有機半導體膜。被形成在圖案化絕緣膜之去除領域 1 1 0內之有機半導體膜1 0 7成爲通道領域，被與圖案化 絕緣膜1 0 6上之有機半導體膜1 0 8分離，有機半導體通 道領域被圖案化爲與閘極電極相同之尺寸。藉由此，半導體 通道領域被精度良好地圖案化之薄膜電晶體變成可能，半導 體通道領域被最適合化，特別是可以達成利用有機半導體膜 之薄膜電晶體之性能提升。 如利用本發明，於有機T F T中半導體通道領域被最適 合化，可以避免汲極關閉電流之降低，以及主動矩陣型液晶 裝置之鄰接信號線所導致之對液晶像素之寫入。 圖面之詳細說明 圖1係顯示本發明之一實施形態之有機T F T元件之剖 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19 - I HI n I n n n n n 1 - n n 一 δ， ί - 1· I I I I n I I n n n l I 1--. n n n n n n n n . (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 473639 A7 ___B7_____五、發明說明（17 ) 面構造以及平面構造圖。 圖2係顯示實施例1所示之有機τ F Τ元件之製作製程 圖。 圖3係顯示本發明之一實施形態之有機T F τ元件之剖 面構造以及平面構造圖。 圖4係顯示實施例2所示之有機T F τ元件之製作製程 圖。 圖5係顯示利用本發明之一實施形態之有機T F Τ元件 之主動矩陣型液晶顯示裝置之基板構成圖。 圖6係顯示圖5中之A - A，線之像素部之剖面構造圖 〇 圖7係顯示實施例3所示之有機T F T元件之製作製程 圖。 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 元件對照表 10 1*301 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 5 0 9 5 10 3 0 2 3 0 3 3 0 4 3 0 5 3 0 6 10 8 5 0 9 玻璃基板 鬧極電極 閘極絕緣膜 源極電極 汲極電極 圖案化絕緣膜 有機半導體膜 一 信號配線 掃描配線 --------訂---------線' 衣紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -- 473639 A7 B7 五、發明說明（18 ) 511 像素電極 5 1 3，5 1 3 / 定向膜 515 相對電極 516 液晶組成物 517 間隔物 5 18 偏光板 5 19 T F T基板 520 相對基板 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -

Claims (1)

  1. 473639 A8 B8 C8 D8 ?Γ、申請^利範圍 1 . 一種液晶顯示裝置，其係一種具有：一對之基板； 以及被該一對之基板包夾之液晶層之液晶顯示裝置，其特徵 爲： 在上述一對之基板之其中一方的基板上形成閘極電極、 閘極絕緣膜\源極電極、汲極電極，在上述閘極電極之上部 以外之領域上形成圖案化絕緣膜，在該閘極電極之上部的閘 極絕緣膜上以及上述圖案化絕緣層上具有半導體層。 2 .如申請專利範圍第1項記載之液晶顯示裝置，其中 上述半導體層爲有機半導體層。 3 .如申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置，其中 上述有機半導體層之材料爲7Γ電子共軛系之芳香族化合物、 鏈化合物、有機顏料、有機矽化合物等。 4 .如申請專利範圍第2項記載之液晶顯示裝置，其中 上述有機半導體層之材料爲：戊二烯、四氮雜苯、硫茂齊聚 物衍生物、次苯基衍生物、酿菁化合物、聚乙炔衍生物、聚 噻吩衍生物（polythiophene)、花青色素等。 5 .如申請專利範圍第1項記載之液晶顯示裝置，其中 上述圖案化絕緣層係使用感光性絕緣膜。 6 .如申請專利範圍第1項記載之液晶顯示裝置，其中 上述圖案化絕緣膜係使用：聚氯丁烯、聚對苯二甲酸乙二醋 、聚氧化甲烯、聚乙烯氯化物、聚氟化亞乙烯基、氰乙基笛 黴多糖（cyanoethyl pullulan)、聚甲基異丁烯、聚碾（ polysulfone)、聚碳酸酯、聚醯亞胺之其一者。 7 ·如申請專利範圍第1項記載之液晶顯示裝置，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----I------嗓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 22 473639 A8 68 C8 D8 — ---- - ----- ------ 六、申請專利範圍 上述圖案化絕緣膜係使用氮化矽膜、氧化鋁膜。 8 . —種半導體裝置，其係一種在基板上具有：閘極電 極、閘極絕緣層、源極電極、汲極電極以及半導體層之半導 體裝置，其特徵爲： 在通道領域以外，於上述閘極絕緣層與上述半導體層之 間具有圖案化絕緣層。 9 ·如申請專利範圍第8項記載之半導體裝置，其中上 述半導體層爲有機半導體層。 1 〇 .如申請專利範圍第8項記載之半導體裝置，其中 上述圖案化絕緣層爲感光性絕緣膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度逋用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23-
TW089103612A 1999-03-16 2000-03-01 Liquid crystal display apparatus TW473639B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11069529A JP2000269504A (ja) 1999-03-16 1999-03-16 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW473639B true TW473639B (en) 2002-01-21

Family

ID=13405352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089103612A TW473639B (en) 1999-03-16 2000-03-01 Liquid crystal display apparatus

Country Status (4)

Country Link
US (3) US6300988B1 (zh)
JP (1) JP2000269504A (zh)
KR (1) KR100699964B1 (zh)
TW (1) TW473639B (zh)

Families Citing this family (102)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置
US6723394B1 (en) * 1999-06-21 2004-04-20 Cambridge University Technical Services Limited Aligned polymers for an organic TFT
KR100342860B1 (ko) * 1999-09-08 2002-07-02 구본준, 론 위라하디락사 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
JP2001119029A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法及びそれを備えた液晶表示装置
TW437097B (en) * 1999-12-20 2001-05-28 Hannstar Display Corp Manufacturing method for thin film transistor
CA2394881A1 (en) * 1999-12-21 2001-06-28 Plastic Logic Limited Solution processed devices
JP2002215065A (ja) 2000-11-02 2002-07-31 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器
DE10105914C1 (de) * 2001-02-09 2002-10-10 Siemens Ag Organischer Feldeffekt-Transistor mit fotostrukturiertem Gate-Dielektrikum und ein Verfahren zu dessen Erzeugung
JP4841751B2 (ja) * 2001-06-01 2011-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
EP1291932A3 (en) * 2001-09-05 2006-10-18 Konica Corporation Organic thin-film semiconductor element and manufacturing method for the same
JP4076749B2 (ja) * 2001-10-15 2008-04-16 富士フイルム株式会社 導電性有機化合物及び電子素子
US6885146B2 (en) * 2002-03-14 2005-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising substrates, contrast medium and barrier layers between contrast medium and each of substrates
US7045861B2 (en) 2002-03-26 2006-05-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, liquid-crystal display device and method for manufacturing same
US7078702B2 (en) * 2002-07-25 2006-07-18 General Electric Company Imager
JP4618990B2 (ja) * 2002-08-02 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 有機薄膜トランジスタ及びその作製方法、並びに有機薄膜トランジスタを有する半導体装置
US6821811B2 (en) 2002-08-02 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic thin film transistor and method of manufacturing the same, and semiconductor device having the organic thin film transistor
JP2004103905A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
JP4434563B2 (ja) * 2002-09-12 2010-03-17 パイオニア株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
US6872588B2 (en) * 2002-11-22 2005-03-29 Palo Alto Research Center Inc. Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels
KR100925460B1 (ko) * 2002-12-05 2009-11-06 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TW200413803A (en) * 2003-01-30 2004-08-01 Ind Tech Res Inst Organic transistor array substrate and its manufacturing method, and LCD including the organic transistor array substrate
WO2004075279A1 (ja) * 2003-02-18 2004-09-02 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法
ITTO20030145A1 (it) * 2003-02-28 2004-09-01 Infm Istituto Naz Per La Fisi Ca Della Mater Procedimento per la fabbricazione di dispositivi ad effetto di campo a film sottile privi di substrato e transistore a film sottile organico ottenibile mediante tale procedimento.
WO2004088628A1 (en) * 2003-03-28 2004-10-14 Canon Kabushiki Kaisha Driving method of integrated circuit
TWI228189B (en) * 2003-04-15 2005-02-21 Ind Tech Res Inst Organic thin film transistor array substrate, its manufacturing method and liquid crystal display including the organic thin film transistor array substrate
CN100363839C (zh) * 2003-05-16 2008-01-23 友达光电股份有限公司 液晶显示面板前段阵列制造工艺中第一道光刻腐蚀方法
JP2005072528A (ja) * 2003-08-28 2005-03-17 Shin Etsu Chem Co Ltd 薄層電界効果トランジスター及びその製造方法
KR100973811B1 (ko) * 2003-08-28 2010-08-03 삼성전자주식회사 유기 반도체를 사용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
JP2005101555A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界効果トランジスタ
JP4550389B2 (ja) * 2003-09-12 2010-09-22 株式会社日立製作所 半導体装置
KR100678771B1 (ko) 2003-09-30 2007-02-02 학교법인연세대학교 유기 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
US7286120B2 (en) * 2003-11-12 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Large area display and method of manufacturing same
JP5174322B2 (ja) * 2003-11-28 2013-04-03 日本ゼオン株式会社 アクティブマトリクス表示装置の製造方法
US7358530B2 (en) * 2003-12-12 2008-04-15 Palo Alto Research Center Incorporated Thin-film transistor array with ring geometry
US7659138B2 (en) * 2003-12-26 2010-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an organic semiconductor element
US7554121B2 (en) * 2003-12-26 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic semiconductor device
KR101002332B1 (ko) * 2003-12-30 2010-12-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4120591B2 (ja) * 2004-01-16 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電気泳動表示装置
US20050178498A1 (en) * 2004-02-18 2005-08-18 Au Optronics Corporation Method for sealing electroluminescence display devices
DE102004009600B4 (de) * 2004-02-27 2008-04-03 Qimonda Ag Selbstorganisierende organische Dielektrikumsschichten auf der Basis von Phosphonsäure-Derivaten
US7223641B2 (en) * 2004-03-26 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for manufacturing the same, liquid crystal television and EL television
KR100696469B1 (ko) * 2004-06-08 2007-03-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 표시장치
KR101035928B1 (ko) * 2004-06-25 2011-05-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
US7248306B2 (en) * 2004-07-23 2007-07-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making active matrix display
JP4431081B2 (ja) * 2004-08-30 2010-03-10 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機薄膜トランジスタの製造方法及び液晶表示素子の製造方法
GB2418062A (en) * 2004-09-03 2006-03-15 Seiko Epson Corp An organic Field-Effect Transistor with a charge transfer injection layer
KR101058458B1 (ko) * 2004-09-22 2011-08-24 엘지디스플레이 주식회사 저분자 유기 반도체물질을 이용한 액정표시장치용 어레이기판 및 그의 제조 방법
KR101090250B1 (ko) * 2004-10-15 2011-12-06 삼성전자주식회사 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
US7733448B2 (en) * 2004-10-29 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR100603393B1 (ko) 2004-11-10 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법과 유기 박막트랜지스터를 구비한 유기전계 발광표시장치
KR100669802B1 (ko) * 2004-12-04 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 상기 박막트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치
KR20060098522A (ko) * 2005-03-03 2006-09-19 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100668838B1 (ko) * 2005-03-15 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 게이트 형성방법
KR100719547B1 (ko) * 2005-03-24 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기박막 패터닝방법, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및그의 제조방법과 유기 박막 트랜지스터를 구비한평판표시장치
JP4667096B2 (ja) * 2005-03-25 2011-04-06 株式会社半導体エネルギー研究所 有機半導体装置及びその作製方法
KR20060104092A (ko) * 2005-03-29 2006-10-09 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN100386886C (zh) * 2005-04-08 2008-05-07 中国科学院长春应用化学研究所 一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法
US20060231908A1 (en) * 2005-04-13 2006-10-19 Xerox Corporation Multilayer gate dielectric
KR101201304B1 (ko) 2005-05-06 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
KR20070009013A (ko) * 2005-07-14 2007-01-18 삼성전자주식회사 평판표시장치 및 평판표시장치의 제조방법
KR100695013B1 (ko) 2005-07-25 2007-03-16 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
KR101209046B1 (ko) * 2005-07-27 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조방법
KR101240656B1 (ko) 2005-08-01 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치와 평판표시장치의 제조방법
JP5148086B2 (ja) 2005-08-18 2013-02-20 三星電子株式会社 有機薄膜トランジスタ表示板
KR101197053B1 (ko) 2005-09-30 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20070052067A (ko) * 2005-11-16 2007-05-21 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20070053060A (ko) * 2005-11-19 2007-05-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
US7601567B2 (en) 2005-12-13 2009-10-13 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Method of preparing organic thin film transistor, organic thin film transistor, and organic light-emitting display device including the organic thin film transistor
KR101219047B1 (ko) * 2005-12-13 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 이의 제조방법
KR100858812B1 (ko) * 2006-12-07 2008-09-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법, 유기 박막 트랜지스터및 유기 발광 디스플레이 장치
US7800101B2 (en) * 2006-01-05 2010-09-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor having openings formed therein
JP2007220713A (ja) * 2006-02-14 2007-08-30 Toppan Printing Co Ltd 薄膜トランジスタ
KR101189218B1 (ko) * 2006-04-12 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4961819B2 (ja) * 2006-04-26 2012-06-27 株式会社日立製作所 電界効果トランジスタ及びその製造方法
KR101261608B1 (ko) * 2006-04-26 2013-05-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101240657B1 (ko) * 2006-04-28 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 표시장치와 그 제조방법
KR101244898B1 (ko) * 2006-06-28 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101197059B1 (ko) 2006-07-11 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101328628B1 (ko) * 2006-07-28 2013-11-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR20080013300A (ko) * 2006-08-08 2008-02-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101272331B1 (ko) * 2006-08-18 2013-06-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
JP4565573B2 (ja) * 2006-09-07 2010-10-20 株式会社フューチャービジョン 液晶表示パネルの製造方法
KR101279927B1 (ko) * 2006-10-16 2013-07-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101363714B1 (ko) * 2006-12-11 2014-02-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 박막트랜지스터, 그 제조 방법, 이를 이용한 정전기방지 소자, 액정표시장치 및 그 제조 방법
JP5521270B2 (ja) * 2007-02-21 2014-06-11 凸版印刷株式会社 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ
US20100096621A1 (en) * 2007-03-23 2010-04-22 Takashi Chuman Organic transistor and manufacture method thereof
US20100090204A1 (en) * 2007-03-26 2010-04-15 Takashi Chuman Organic semiconductor element and manufacture method thereof
KR101415560B1 (ko) * 2007-03-30 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
GB2448174B (en) 2007-04-04 2009-12-09 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors
CN101669225B (zh) * 2007-04-25 2013-03-13 默克专利股份有限公司 电子器件的制备方法
TWI339434B (en) * 2007-06-29 2011-03-21 Chimei Innolux Corp Display panel and electric apparatus with esd protection effect
JP2009021477A (ja) * 2007-07-13 2009-01-29 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法
JP5256676B2 (ja) * 2007-09-21 2013-08-07 大日本印刷株式会社 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ
JP4618337B2 (ja) 2008-06-17 2011-01-26 ソニー株式会社 表示装置およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
KR20100004258A (ko) 2008-07-03 2010-01-13 포항공과대학교 산학협력단 잉크젯 프린트 잉크 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
JP2010080896A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Toppan Printing Co Ltd 電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置
JP5607349B2 (ja) * 2008-12-26 2014-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR101801959B1 (ko) 2009-10-21 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
JP5656049B2 (ja) 2010-05-26 2015-01-21 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
KR20120034982A (ko) * 2010-10-04 2012-04-13 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법, 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법
JP2012209485A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Sony Corp 有機素子の製造方法、有機分子結晶層の接合方法、細線状導電体の製造方法、有機素子および細線状導電体
KR102184388B1 (ko) * 2017-11-28 2020-11-30 주식회사 엘지화학 투과도 가변 장치 및 그 용도

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
JPH0391721A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Sharp Corp アクティブマトリクス基板
KR920010885A (ko) * 1990-11-30 1992-06-27 카나이 쯔또무 박막반도체와 그 제조방법 및 제조장치 및 화상처리장치
JPH04334054A (ja) * 1991-05-09 1992-11-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、電界効果トランジスタおよびその製造方法
US5475246A (en) * 1993-12-20 1995-12-12 General Electric Company Repair line structure for thin film electronic devices
US5539219A (en) * 1995-05-19 1996-07-23 Ois Optical Imaging Systems, Inc. Thin film transistor with reduced channel length for liquid crystal displays
JPH09162409A (ja) * 1995-12-06 1997-06-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法と液晶表示装置の製造方法
JP3516424B2 (ja) * 1996-03-10 2004-04-05 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体装置
KR100192347B1 (ko) * 1996-03-26 1999-06-15 구자홍 액정표시장치의 구조 및 제조방법
JPH09325361A (ja) * 1996-06-04 1997-12-16 Sharp Corp アクティブマトリクス基板の製造方法
JPH1022508A (ja) * 1996-07-04 1998-01-23 Sharp Corp 薄膜トランジスタの製造方法
US6025605A (en) * 1996-07-26 2000-02-15 Lg Electronics Inc. Aligned semiconductor structure
KR100219500B1 (ko) * 1996-10-31 1999-09-01 윤종용 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법
US5796121A (en) * 1997-03-25 1998-08-18 International Business Machines Corporation Thin film transistors fabricated on plastic substrates
KR100476622B1 (ko) * 1997-10-13 2005-08-23 삼성전자주식회사 몰리브덴-텅스턴합금을사용한배선을이용한액정표시장치및그제조방법
US6140668A (en) * 1998-04-28 2000-10-31 Xerox Corporation Silicon structures having an absorption layer
CA2334862C (en) 1998-06-19 2006-06-13 Thomas Jackson An integrated inorganic/organic complementary thin-film transistor circuit and a method for its production
JP2000269504A (ja) * 1999-03-16 2000-09-29 Hitachi Ltd 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6593977B2 (en) 2003-07-15
US20040104461A1 (en) 2004-06-03
US20020012080A1 (en) 2002-01-31
JP2000269504A (ja) 2000-09-29
US6300988B1 (en) 2001-10-09
US7045816B2 (en) 2006-05-16
KR20000062886A (ko) 2000-10-25
KR100699964B1 (ko) 2007-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW473639B (en) Liquid crystal display apparatus
CN1991555B (zh) 显示基板、其制造方法以及包括其的显示面板
JP4751305B2 (ja) 液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法
US8405788B2 (en) TFT-LCD array substrate and manufacturing method thereof
KR20030082651A (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR101127836B1 (ko) 박막트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2010003723A (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタアレイ並びに画像表示装置
KR20020032951A (ko) 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
JP2010061095A (ja) 薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法
US20010043292A1 (en) Thin film transistor, liquid crystal display panel, and manufacturing method of thin film transistor
JP2012248840A (ja) 有機薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
TW500957B (en) Thin film transistor, liquid crystal display panel, and method of manufacturing thin film transistor
JP2006317952A (ja) 表示装置
JP2002268585A (ja) アクティブマトリクス基板およびその製造方法
KR100660809B1 (ko) 액정 표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 따른 액정표시장치
KR20080110124A (ko) 액정표시패널 및 그 제조방법
JP3167817B2 (ja) アクティブマトリックス型液晶表示装置
JPS628570A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
TW574583B (en) Active plate of liquid crystal display
JPS6269670A (ja) 表示装置用基板の製造方法
JP2000275679A (ja) 液晶表示装置
JP2506211B2 (ja) 薄膜トランジスタ
JPS6050963A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
KR100959990B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100683142B1 (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees