TW443964B - Semiconductor wafer processing tapes and method of processing a semiconductor wafer - Google Patents

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Π 443 經濟部中央樣準扃貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域 概略而言，本發明係關於可用於加工半導體晶圓之黏膠 帶’及特別係關於具有非感壓黏著性組合物其包括—種丙 烯酸系官能基單體之共聚物之帶。此等帶可用於半導體晶 圓之研磨及/或切晶粒。 相關技術之説明 半導體積體電路（1C)常用於電子組件，無論用於複雜的 工業機械、汽車或曰常家用電器。半導體1C晶片之生產 始於製造含有許多半導體元件之半導體晶圓。最終將晶圓 鋸或切成個別半導體元件（稱作晶粒），各個元件變成一個 半導體I C晶片。 典型’半導體晶圓之製法係經由將單一高純度矽鑄錠切 片或鋸成厚度約500微米至約1 〇〇〇微米之薄的圓形晶圓 。晶圓可攙攙而改變其電性質β然後施加電子電路至晶圓 正面’通常係藉微影術施加。分割線也藉微影術施加於晶 圓上，來提供最終將晶圓切成個別半導體I C晶片之鋸痕 記號。 晶圓直徑傳統上爲約3吋（7,6厘米）至約4吋（10.2厘 米）。但随著個別I C晶片的變大，典型晶圓直徑増至約5 吋（12.7厘米）至約8吋（20.3厘米），俾便由單一晶圓形成 更多晶粒。預期晶圓直徑最終將擴大至約1 2吋（30.5厘米） 至約16吋（40.6厘米），或許最終至更太尺寸。 爲了保護精密電子電路不受大氣灰塵、水氣 '載於空氣 -4 - 本紙張^度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210Χ297公釐） I .^iT------^ -« - (請先閲讀背面之注意事項s is本頁) 'ς：!經濟部中央標準扃貝工消費合作社印衆 4 96 4 A7 --------------B7_ 五、發明说明（2 ) <腐触性酸等污染，晶圓正面提供一層鈍化層或保護層， 其可爲無機材料如氧氮化矽或有機材料如聚醯亞胺。 爲了輔助電子组件製造，希望縮小晶圓厚度（因而縮小 由晶圓形成之半導體1(：晶片厚度）。常見製程包括固定晶 圓正面牴住眞空臺面，同時於噴水下去除研磨碎屑將晶圓 背面研磨至約200微米至約5〇〇微米厚度。但晶圓之本性 爲脆性，易於研磨過程斷裂，該問題隨著晶圓直徑變大而 更趨厫重。此外，晶圓正面爽持牴住眞空臺，可能磨損純 化/保護層及下方的電路β因此，需要保護晶圓（特別正面） 不會斷裂、污染及磨損。 早期對此問題的解決之道係使用一層石蠟於晶圓正面， 壤最終係藉溶劑洗蘇去除。此種辨法缺點述於美國專利 4,853,286 (Nadmatsu等）。其它辦法中，光阻塗層旋塗於 晶圓正面’但經常無法消除晶圓破裂。 過去黏著劑產物曾經用於保護晶圓正面。偶而單獨使用 黏膠帶，偶而合併使用光阻塗層來提供帶可沾黏的表面， 以及防止鈍化/保護層被黏膠帶玷污及/或離層。但根據技 術參考文獻，黏膠帶無法對晶圓保護問題提供完整解決之 道。前述美國專利4,853,286指示仍然發生晶圓破裂，亦即 黏著劑表面累積灰塵而污染晶圓。又若膠帶對晶圓具有高 最初黏著性’或若黏著性随著膠帶施用至晶圓至膠帶移除 之時間而增高，則隨後可能難以去除膠帶^ 曾經説明多種據報告可用於半導體晶圓背面研磨操作 (偶而於本文稱作”晶圓研磨，，）之黏膠帶。例如前述美國專 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） I---：------^------ΪΤ!----欲： *. * (請先聞讀背面之注意事項^¾¾本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 443964 A7 _____B7 五、發明铳明（3 ) 利4,853,286揭示一種晶圓加工膜，其可用於晶圓研磨防止 破損。加工膜包括一基底膜，一層市面常見黏著劑（如丙 烯酸酯，胺基甲酸酯，或合成橡膠黏著劑）其較佳包括非 離子性界面活性劑及乙二醇衍生物，及一張選擇性支持層 合膜至基底膜之非黏著側。美國專利5,126,178 (Takemum 等）敘述一種晶圓加工膜，其包括一基底膜具有感壓黏著 劑於一面（由可去除之離型膜保護），及基於磷酸之界面活 性劑於背面。感壓黏著劑可爲基於丙烯酸、基於乙烯或基 於橡膠，但以水性乳液型感壓黏著劑爲佳。 歐洲專利公告案第0 530 729號揭示一種感壓黏膠帶可用 於研磨半導體晶圓背面。感壓黏膠帶據報告初黏著性小， 且黏著強度不會隨時間而增加，包含水性丙晞酸系樹脂乳 液黏著劑，非離子性界面活性劑，環氧型及/或氮丙啶型 交聯劑，及水溶性有機化合物。 但仍然需要一種黏膠帶其用於半導體晶圓研磨過程具有 又更高的用途。較佳此種膠帶具有若干預定性質。例如勝 帶較佳可對矽、聚醯亞胺、氧氮化矽及它其積體電路塗層 等表面提供足夠初黏著性，故半導體晶圓可接受後加工步 驟而於需要時仍然容易去除。較佳單一膠帶對各種表面即 可提供可接受的初黏著性’因而免除需要儲存不同表面用 的不同膠帶的需求。但終黏著性不可過高，結果當去除膠 帶時使晶圓破損或斷裂量超過習知產業標準（典型爲約每 1000個晶圓約1個或以下），或留下黏著劑殘餘物最終可 能損害隨後晶圓的加工。多種半導體業界使用膠帶於去除 _ -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（2]0/297_公着） ~ - ---------朴衣------^------^ •. (請先閲讀背面之ii.意事項ri.37本頁) 443964 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ :帶時需對晶圓加熱以防晶圓破損。希望能免除此加熱步 也希望膠帶之初及終黏著性質可維持數日，更佳維持數 周之儲存期。換言之，較佳隨著時間之經過，黏著性並無 製程或材料限制性增加（偶而稱爲黏著性累積），此乃某些 黏著劑的相關問題。同理且較佳’隨著時間經過，黏著二 並無顯著變化，例如若黏著劑的逃脱的或遷移的界面活性 劑及其它活動性成分遷移至黏膠#限可能形&脆弱邊界 層。於儲存過程通常可維持初及終黏著性質之黏著劑不僅 提供具有長儲存壽命之黏膠帶，同時也可免除於黏住半導 體晶圓後不久進行研磨過程的需求。 另一種期望的屬性爲可去除黏膠帶而大致不會玷污，表 示當半導體晶圓於顯微鏡下檢視時，未測得半導體晶圓之 光在度之任何改變。光密度改變典型係來自於顯微量之黏 黏著劑殘餘物留在鈍化層上，但也可能來自鈍化層之部分 去除。也希望黏著劑通常對水不敏感，以防膠帶於研磨過 程因噴水而鬆脱。此外，希望黏著劑具有概略平坦側錄 (profile)，故可防止不均勻研磨。又希望膠帶於施用至晶 圓時不會於修裁過量膠帶期間顯著形成邊緣碎肩。 晶圓研磨後’於半導體晶圓被銀或切成個別半導體丨c晶 片加’典型有条·干中間製造過程。晶圓之切晶粒習知進行 方式係將晶圓經過研磨背側附著於膠帶（常稱作切晶粒膠 帶）之黏著面’牢固固定貼有膠帶的晶圓至眞空臺而限制 其行動’及使用噴水的鑽石旋轉鋸順著先前藉微影術製作 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇><297公釐） 私衣------’玎------0 -. , {請先w讀背面之注意事項尸J."本頁) ^43964 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) — 於半導體HET圓上的据痕5己號切割。然後由切晶粒膠帶上取 下個別半導體I C晶片。此種操作通常係藉針或探針輔 助，針或探針向上推牴住切晶粒帶背側之J c晶片區，此 時眞空拾取且同時抓住1C晶片頂而由切晶粒膠帶去除晶 片β然後被取除的晶片即刻加工處理，或可儲存於稍後: 裝成成品物件6 ’ 先則技術公開文獻説明使用黏著性切晶粒帶時遭遇多種 困難。例如歐洲專利公告案第〇 157 5〇8號討論黏著程度需 要足夠允許半導體晶圓沾黏於膠帶上，但又不可過高而妨 礙切好後的I C晶片的取除。 先前曾經説明用於晶圓切晶粒操作之黏著劑產物，特別 感壓黏膠帶。例如歐洲專利公告案第0 588 180號敘述一種 切晶粒帶，其它包括輻射透明膜及可輻射交聯感壓黏著劑 其含有共聚合輕射引發劑。感壓黏著劑可由（甲基）丙晞 酸，（甲基）丙烯酸酯，乙酸乙酯或多種乙烯基烷基醚單體 合成。 曰本專利申請公開案第62-121781號描述一種半導體晶 圓切晶粒膜，其中習知感壓黏著劑施用於丁烯型聚合物 膜。曰本專利申請公開案第5_23〇426號揭示晶圓切晶粒用 黏膠帶’其包括黏著劑層（特別丙烯酸型黏著劑）於仿橡膠 彈性材料製成的基底膜上。 前述歐洲專利公告案第〇】57 508號描述一種黏著薄片， 其用於拋光步驟保半導體晶圓，或用於切割及分開半導體 晶圓成爲1C元件晶片時固定晶圓。黏著片包括可透光撑 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21 ο X 297公釐） I 餐------,玎------^ -. · , (請先閲讀背面之注意事項^本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 4^3964 A7 ____B7 五、發明説明（6 ) 體及感壓黏著劑’其可藉光照射固化而形成三度空間網狀 結構。黏著劑包含基於橡勝或丙締酸系感壓黏著劑、可光 聚合物化合物、及光聚合引發劑之混合物。 但仍然需要有一種黏膠帶其用於半導體晶圓切晶粒過程 具有更大用途。較佳此種膝帶具有若干預定性質。例如联 帶較佳可提供足夠初黏著性給矽晶圓（及其它膠帶可能黏 著的表面，例如鍍金或不鏽鋼機械部件），故所得半導體 I C晶片於晶圓切晶粒過程不會鬆脱。但終黏著性不可過 高造成半導體1C晶片由膠帶取除時的斷裂或破損。也希 望膠帶之初及終黏著性質較佳維持數曰，及更佳維持數周 儲存時間’原因爲半導體晶圓附著於切晶粒膠帶上至半導 體I C晶片於切晶粒之後由膠帶取除間可能經過數曰或數 周。若黏著性隨著時間的經過而增高，則需由膠帶上取除 已經切晶粒的半導體1C晶片並存放晶片，除非係於切晶 粒後即刻使用。 半導體1C晶片也較佳可俐落地由黏膠帶去除，因而不會 留下可能干擾隨後加工例如I C晶片軟焊及包裝的黏著劑 殘餘物。也較佳來自膠帶的黏著劑不會沾至鋸片，否則需 要定期中斷晶圓切晶粒過程來由鑛片上面去除堆積的黏著 劑殘餘物，以防污染IC半導體晶片《又若黏著劑未顯著 沾黏至鋸片’則可採用較厚的黏著劑層，如此優異地防止 鋸片不愼切進膠帶背襯。若膠帶背襯於晶圓切晶粒過程不 愼被切入，則膠帶變脆弱，而於隨後加工過程過早破損。 也希望黏著劑對水通常不敏感，以防過多晶片因切晶粒 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4规格（2_丨_0^297公釐) ~~~~ I--；------^------ΐτ------坡： (請先閱讀背面之：I意事項疒本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明说明（ 過程使用的噴水而鬆脱。此外，也希望 操作之前剪裁時不會顯著形成邊緣碎屑。 叫圓切晶粒 最後，較佳有單-黏腰帶其可用於晶圓研磨與晶圓，曰 ίΓ乍二者’ ®而免除對不同加工儲存不同膠帶的需Γ: 本發明提供晶圓加工黏著劑及膠帶其具 — 定性質，且可用於半導體晶圓製造過 粒操作。 听歷及/或切晶 發明概诚 概略而言’本發明側於可料半導體晶圓加 導體晶圓研磨及/或切晶粒之膠帶，包括黏著，… 物其非感壓性（亦即非祕黏著性組合物）。較佳用於本ς 明m工帶之黏著性姐合物可對基材提供可接受程度 ㈤常相對低程度）初黏著性，基材例如爲聚㈣胺層，= 氮化矽層及矽。較佳具體例顯示隨著時間之經過黏著性累 積可接受程度（通常相對低程度），故半導體晶圓及/或半 導體或1C晶片易由晶圓加工帶去除，較佳不會留下可目 測量之黏著劑殘餘物，及於研磨或切晶粒後無需施熱或照 光。此外，較佳具體例包括非感壓黏著劑，其大致不含逃 脱的或遷移的界面活性劑及沾黏劑，及其它逃脱的或遷移 成分。此等成分典型爲非期望者，原因爲相信其可能遷移 至黏著界線而形成脆弱邊界層。 本發明提供一種半導體晶圓加工帶其包含一永久性背襯 及一層非感壓黏著劑於永久性背襯上。較佳非感壓黏著劑 具有於室溫（亦即於約20°C至約25°c )之儲存模量係大於約 -10 - 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X 297公釐） I ---.-----¾衣------ΐτ------.^ (請先閣讀背面之：}i·意事項V 4¾本頁) 經濟部中央橾準局負工消f合作社印裝 443964 A7 -:---~__ 87___ 五、發明説明（8 ) 1.0 Χίο5巴斯卡，及包括—種共聚物包含至少一種第一共 聚合單缔屬未飽和單體，至少一種第二共聚合單稀屬未飽 和單體，及至少一種共聚合非離子性交聯劑。第二單烯屬 未飽和單體爲加強單體，其具有均聚物玻璃化溫度高於第 一單缔屬未飽和單體。加強單體爲可提高所得均聚物之玻 璃化溫度及模量的單體。 較佳黏著劑包含至少一種單烯屬未飽和單體（亦即單體 Α)，至少一種第一單烯屬未飽和加強單體（亦即單體Β)， 及至少一種可共聚合非離子性交聯劑（亦即單體C)之共聚 物，單體Α具有均聚物破璃化溫度（Tg)不高於約〇。〇，單 體8具有均聚物玻璃化溫度（Tg)至少約10。(：。不含交聯劑 I黏著性組合物典型快速發展黏著性堆積，而極爲不合所 需。 更佳，黏著劑共聚物包含：（A)至少一種共聚合非第三 境·醇之丙烯酸或甲基丙烯酸酯，其中該烷基含有約4至約 14個碳原子（平均），具有均聚物Tg不高於約〇»C ; (β)至 少一種共聚合加強單官能丙烯酸系單體，其具有均聚物 Tg至少約10°C ;及（C) —種非離子性共聚合光反應性交聯 (亦即光交聯）劑，其可爲丙烯酸系交聯單體（單體C 1)， 或烯屬未飽和化合物（單體C2)，其於激勵態可提取氫。 較佳根據本發明之半導體晶圓加工帶對包含至少一種 砂、聚醯亞胺或氧氮化矽之基材具有初（亦即施用硬带至 基材時）抗撕黏著性爲約5克/線性吋寬度至約500克/線性 吋寬度，及更佳約2 0克/線性吋寬度至約300克/線性吋寬 ___ -11 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） : (請先閱讀背面之注意事項νΐ"本頁) *1T. Α7 Β7 五、發明铳明（9 ) 度。更佳根據本發明之半導體晶圓加工帶即使於周圍條件 (例如室溫，壓力及濕度）下接觸基材停駐7曰後，仍可維 持此種程度的抗撕黏著性。 " 本發明I又一具體例爲一種半導體晶圓加工帶（亦即研 磨及/或切晶粒帶）包含永久性背襯及非感壓性黏著劑（亦 即非感壓黏著劑）層於永久性背襯上，其中該黏著劑具有 於24 C之儲存模量爲約〗〇 χ 1〇<5巴斯卡至約5 〇 X 1〇7巴斯 卡本發月之其&忒具體例包括具有前述構造之晶圓切晶 粒帶及晶圓研磨帶。 本發明亦係關於一種加工半導體晶圓之方法。該方法包 含下列步樣： (a) 提供一半導體晶圓； (b) 黏著性接合該半導體晶圓至半導體晶圓加工帶之黏 耆面，該帶包含永久性背襯及一層非感壓黏著劑於永久性 背襯上； (c) 經由研磨晶圓背面或將晶圓切晶粒而加工處理半導 體晶圓成爲積體電路半導體晶片；及 經濟部中央榡準局貝工消费合作社印裝 (d) 去除膠帶（較佳未施熱或照光）而大致未改變晶圓之 光度。非感壓黏著劑係如前述。 較佳具體例之詳細説明 廣義而言，本發明係關於可用於晶圓加工用途包括晶圓 研磨及/或晶圓切晶粒過程之黏膠帶。此處使用"晶圓研磨" 表示研磨半導體晶圓背面而減薄其厚度之過程，其程序爲 丰導體晶圓製造業界眾所周知。此處使用"晶圓切晶粒，， __ -12- 本紙張尺纽财鮮（CNS ) A4· ( 21GX297公釐） A7 B7 ^4396 4 五、發明说明（10 ) 表示將半導體晶圓鋸割或切晶粒成爲個別晶粒或半導體 I c晶片，其亦屬半導體晶圓轉成J c晶片之熟知步驟。 較佳本發明之黏著性組合物及晶圓加工帶可對有例如矽 或多種有機或無機層（例如聚醯亞胺，氧氮化矽）材料之半 導體基材提供相對低的初及終黏著性。較佳具體例顯示隨 時間之經過黏著性累積程度可接受，故半導體晶圓及/或 半導體1C晶片易由本發明之晶圓加工帶去除，比較產業 標準許可不會造成更大數目之破損或斷裂，且不會留下可 Θ測（對未經輔助肉眼或透過光學顯微鏡）量之黏著劑殘餘 物。顯然可無需後處理程序即可獲得此種情況。換言之， 本發明之帶典型於切晶粒或研磨後無需施熱或照光來方便 去除。較佳且優異地，晶圓加工帶提供抗撕黏著性爲約5 至約500克/線性吋寬度，及更佳約2 〇至約3〇〇克/線性吋 寬度。更佳，於初步施用膠帶至半導體晶圓時，及於周圍 條件下接觸晶圓停駐7日後，仍具有此種程度的黏著性。 實際上，以可於研磨及/或切晶粒製程固定晶圓定位之最 低程度黏著性爲佳。除此處報告以外之其它黏著性程度於 某些用途可接受。 高度較佳本發明之具體例對前述若干且最佳全部基材面 呈現此等屬性。較佳本發明之具體例也可無需後加工程序 及大致不會玷污而由半導體晶圓及/或半導體I C晶片去 除°站污係來自於晶圓上之黏著劑殘餘物，或去除鈍化材 料。站污可藉檢視晶圓面之光密度變化評估。如此，較佳 使用本發明之膠帶未造成晶圓面之光密度之實質改變β _ -13- 本紙張尺度適用中國囷家標準（CNS ) Α4规格（2丨〇><297公釐） ------------袖衣------ΪΤ------0 (諳先聞讀背面之ίΐ·意事項/ΐ,寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 *4 d 9 6 4 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明说明（Ή ) 要緊地，本發明之晶圓加工帶具有預定切割品質。藉此 表示於裁剪期間產生之切割碎屑量爲爲產業可接受。實際 使用時，切割品質通常隨切割工具形狀、銳利度及溫度， 切副角度及速率，以及使用的背襯及黏著劑類型及厚度決 定。改變—或多種此等參數可增廣可用於本發明之帶之黏 著劑類型β 顯然較佳’本發明之晶圓之加工帶於水中也安定。換言 之’黏著性組合物不會顯著可溶於水或可溶脹。 一方面’本發明之晶圓加工帶包括一永久性背襯及一層 非感壓黏著劑（非PS A)於永久性背襯上，其中該非pSA包 括至少一種第一單烯屬未飽和單體，至少一種第二單烯屬 未飽和單體，及至少一種非離子性交聯劑之共聚物。第二 單締屬未飽和單體爲加強單體，具有均聚物玻璃化溫度 (Tg)局於第一單烯屬未飽和單體。 "永久性背襯”一詞表示基材或背襯層意圖構成晶圓加工 帶之一體郅分’而非可去除或可脱離組件，例如暫時保護 的離型襯（但也可使用此種離型襯）。爲了增進於本發明之 晶圓加工帶之廣泛用途，永久性背襯較佳具有若干性質。 例如永久性背襯具充分撓性而允許其環繞一中心捲繞成捲 筒形方便處置、儲存及運送。又永久性背襯可藉刀片切 割，而可製造寬料片，其隨後可被切割成方便使用的更窄 寬度’以及配合半導體I c晶片製造步驟其要求永久性背 概被切割。較佳，永久性背襯不含習知晶圓加工帶產業標 準所容許的更多量水可萃取化合物或離子性成分，及更佳 ________ -14- 本紙浪尺度適用中國國家標率{ CNS ) A4規格（21〇X297公釐） (請先閱讀f面之注意事項，岛本頁) -装· 訂 4 43964 A7 B7 五、發明説明（12) 大致不含此等材料，因此減少永久性背襯之水敏感度，以 及減低半導體晶圓受此等材料污染的可能。 本發明之晶圓加工帶有用的永久性背襯可提供爲單層膜 或多層膜。只要所得帶方便藉晶圓研磨及晶圓切晶粒設備 處理，則背襯厚度可有廣泛變化β於此等指南下，永久性 背襯厚度典型爲约5微米至約500微爭，但用於晶圓切晶 粒帶’較佳永久性背襯厚度爲约丨2微米至約5 〇微米。更 佳晶圓切晶粒帶之永久性背襯厚度爲約丨2微米至約2 5微 米，及最佳約12微米至約15微米。又特別意圖用於切晶 粒用途之晶圓加工帶較佳可充分拉伸，因此可配合使用方 便去除半導體晶粒之向上頂的針或探針。如此，較佳用於 晶圓切晶粒帶之永久性背襯具有於機器方向之斷裂點抗拉 強度爲约70千巴斯卡至約24〇千巴斯卡（kpa)，及於橫向 約100 kPa至約300 kPa。同理，較佳用於半導體切晶粒帶 之永久f生3概之斷裂點機器方向伸長率爲約1 〇 〇 %至約 200/〇 (更佳約12〇y〇至約165%) ’及橫向爲約至約 9〇%。具有抗拉強度小於此範圍，或伸長率大於此範圍之 永久性背襯於接觸半導體1(：晶片取出探針時，將比本發 明之較佳用於晶圓切晶粒過程之永久性背襯更加伸展。結 果，不屬於較佳範圍之背襯將導致製程速度變慢，原因爲 探針之行進距離增加故。此外，隨著永久性背视之挺度增 高（亦即高抗拉強度，低伸長率），更容易處理較非常見之 較大直徑半導體晶圓。 可用於本發明之晶圓加工帶之永久性背襯材料包括聚 __ -15- 本紙張尺度適财關家標準（CNS ) A4%格（210X297公楚） 1-n m HI · I 扯衣-- {請先閲it·背面之注意事項-fijp本頁) 订 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 443964 A7 -------B7 _ 五、發明説明（13 ) 經（例如聚乙稀’聚丙歸，聚丁缔及聚甲基戊晞），乙晞/ 乙烯系單體共聚物（例如乙埽/ (甲基）丙晞酸共聚物及乙烯 /乙酸乙烯酯共聚物），聚丁二烯，聚（乙烯基氣），聚胺基 甲酸酯’聚醯胺’及聚酯（特別聚伸乙基對酞酸酯）。選擇 性地，永久性背襯可塗布底塗層。換言之，提高非P S A 黏著劑與永久性背襯之黏合性，永久性背襯包括底塗層 面。底塗層面例如可使用化學底塗層或以電暈放電處理打 底。 本發明有用之黏著性组合物爲非感壓黏著劑（亦即非 PSA)材料，及包含更佳主要由下列成分組成：至少一種 單烯屬未飽和單體具有均聚物玻璃化溫度（Tg)不高於約〇 τ ’至少一種單晞屬未飽和加強單體具有均聚物玻璃化溫 度（Tg)至少約i〇ec，及至少_種非離子性交聯劑之共聚 物。黏著性組合物較佳不含脱離的或遷移的界面活性劑及 沾黏劑，及其它逃脱或遷移成分。也較佳大致不含胺基甲 酸丙晞酸酯類，其促成晶圓因丙烯酸酯合成過程產生的雜 質玷污。 "非PSA " —詞表示黏著劑不具有感壓性質。感壓黏著劑 習知表示僅施加輕微壓力即可對寬廣多種基材具有永久性 激烈的沾黏性之黏著劑。感壓黏著劑爲一般接受的量化説 明係以達奎特（Dahlquist)標準線表示，指示儲存模量（g ·) 低於約1.0 X 1 〇5巴斯卡（於室溫測量）之材料具有感壓黏著 性，而具有G'超過此値之村料則否。如此特定言之，此 處使用之非PS A表示一種材料具有儲存模量至少高於達奎 -16- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I -------1------.U----->1^ (請先閲资背面之注意事項ri %本頁) 443 9 6 4 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（14) 特標準，更佳儲存模量至少約1. 〇 X 1 〇6巴斯卡。較佳具有 儲存模量不大於約5.0 X 107巴斯卡之材料具有特別滿意的 黏著程度。 本發明有用的非PSA共聚物較佳爲至少兩種不同類型可 聚合單埽屬未飽和單體與一種可共聚合非離子性交聯劑之 共聚物。如此，此處使用"共聚物"一詞包括三類或更多 類可聚合單體之聚合物，因此被稱作三聚物、四聚物等。 也包括無規共聚物、嵌段共聚物或循序共聚物。如此處使 用，共聚物不包括接枝共聚物及不同均聚物或共聚物之挽 合物交互渗透網。 可用於製備本發明之非PSA共聚物之單體較佳包括：（Α) 單烯屬未飽和單體（亦即含有一個碳·碳雙鍵），其當均聚 合時’通常具有玻璃化溫度不高於約〇〇c ; (B) 一種單晞 屬未飽和加強單體，其當均聚合時，通常具有玻璃化溫度 至少約10°C ;及（c ) 一種非離子性交聯劑其可與單體A及/ 或B共聚合。單體A及B之均聚物之玻璃化溫度典型準確 度爲±5 C以内，係藉差異掃描卡計量術測量。 單體A爲單烯屬未飽和單體，較佳具有均聚物Tg不高於 約o°c，例如單官能烷基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯（亦即 (甲基）丙烯酸酯）可促成共聚物之撓曲性及黏著性。單體 A可爲（甲基）丙烯酸酯’ α-缔烴，乙烯基醚，烯丙基醚， 順丁烯二酸酯或其它可與單體Β及C共聚合之單官能單 體。較佳單體Α爲單官能（甲基）丙埽酸酯（亦即烷基丙烯 酸酯或甲基丙烯酸酯）。本上下文中，，單官能"—詞表示單 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格i 210X297公楚—) I---------^------•玎------^ (請先閲讀背面之注意事項/4寫本頁) ί 經濟部t央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（15 ) 丙烯酸酯系單體或含一個丙烯酸系官能基之單體，但也可 存在其它官能基。較佳（甲基）丙烯酸酯之烷基（平均）含有 約4至約14個碳原子。烷基選擇性於鏈含有氧原子，藉此 例如形成醚類。單體A之例包括但非限於丙烯酸2-甲基丁 酯’丙烯酸異辛酯，丙烯酸月桂酯，丙烯酸4-甲基-2-戊 酯，丙烯酸異戊酯，丙烯酸第二丁酯’丙烯酸正丁酯，丙 烯酸正己酯’丙晞酸2-乙基己酯，丙烯酸正辛酯，丙烯酸 正癸酯’丙烯酸異癸酯，甲基丙烯酸異癸酯，及丙烯酸異 壬酯。其它例包括但非限於多·乙氧化或-丙氧化甲氧（甲 基）丙烯酸酯（亦即聚（環氧乙烷/環氧丙烷）單·（甲基）丙烯 酸酯）巨基體（亦即巨分子單體），聚甲基乙烯基醚單（甲基） 丙烯酸酯巨基體’及乙氧化或丙氧化壬基盼丙烯酸酯巨基 體。巨基體之分子量典型爲約100克/莫耳至約6〇〇克/莫 耳’及較佳約300克/莫耳至約6〇〇克/莫耳。較佳可用作單 體A之單官能（甲基）丙烯酸酯包括丙烯酸2•甲基丁醋，丙 缔酸2-乙基己酯，丙烯酸異辛酯，丙烯酸月桂酯，及聚 (乙乳化）甲我丙晞紅醋。歸類屬於A單體之多種單官能單 體之组合可用於製造本發明之共聚物。 單體B爲單烯屬未飽和加強單體，較佳具有均聚物丁莒至 少約10°C，可提高共聚物之玻璃化溫度。如此，如此處使 用"加強"單體爲可提高黏著劑模量因而提高其強度之單 體。單體B爲（甲基）丙烯酸，（甲基）丙烯酸酯，（甲基）丙 烯醯胺，a-烯烴，乙烯基醚，及晞丙基醚，苯乙烯系單 體，順丁烯二酸酯，或其它將與單體八及〇共聚合之單官 -18- 本紙張尺度適用_國國家標麥（CN'S > A4祕（2ΐ〇χ297公| ----—--- (请先閱讀背面之注意事項44寫本頁) 裝' 線 443964 經濟部中夬椟準局負工消费合作社印繁 Α7 Β7 五、發明铳明（16) 能單體。較佳單體B爲加強單官能丙烯酸系單體，例如丙 烯酸，丙烯醯胺或丙烯酸酯β本上下文中”單官能"一詞 表示單丙烯酸系單體或含有一個丙晞酸官能基之單體，但 其它官能基也可存在。單體Β之例包括但非限於丙締酿胺 類，例如丙烯醢胺，甲基丙烯醯胺，Ν-甲基丙烯醯胺，Ν-乙基丙烯醯胺，Ν-羥甲基丙蟑醯胺，Ν-羥乙基丙烯醯胺， 二丙酮丙烯醯胺，；Ν,Ν-二甲基丙烯醯胺，Ν,Ν-二乙基丙烯 酿胺’ Ν-乙基-Ν-胺基乙基丙締醯胺，Ν-乙基-Ν-幾乙基 丙缔醯胺，Ν，Ν-二羥甲基丙烯醯胺，Ν，Ν-二羥乙基丙烯醯 胺，第三丁基丙晞醯胺，二甲基胺基乙基丙烯醯胺，Ν_辛 基丙烯醯胺，及1,1，3>3-四曱基丁基丙烯醯胺。單體Β之其 它例包括丙烯酸，甲基丙烯酸，亞甲基丁二酸，巴豆酸， 順丁烯二酸，反丁烯二酸，丙烯酸2,2_-(乙氧乙氧）乙酯， 2-羥乙基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，2-羥丙基丙烯酸酯或 甲基丙晞酸酯，3-羥丙基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，丙烯 酸第三丁酯，甲基丙烯酸正丁酯，丙烯酸異冰片酯，2-(苯氧）乙基丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，丙烯酸聯苯酯，丙 烯酸第三丁基苯酯，丙烯酸環己酯，丙烯酸二甲基金剛烷 酯，丙晞酸2 -荅酯，丙烯酸苯酯，Ν-乙烯基吡咯啶酮， 及Ν-乙烯基己内醯胺。較佳可用作單體Β之加強性單官能 丙烯酸系單體包括丙烯酸，丙烯酸第三丁酯，Ν，Ν-二甲基 丙烯醯胺，1，1,3,3-四甲基丁基丙烯醯胺，Ν-辛基丙烯醯 胺，丙晞酸2-經丙酯，丙缔酸3-經丙酯’丙綿酸異冰片 酯，及丙烯酸2-(苯氧）乙酯。歸類屬於Β單體之多種加強 -19- 本紙張X度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨〇X297公釐） ------.---------.玎------0 (請先閲It.背面之ΐΐ·意事項/4寫本頁) 44396 ‘ A7 B7 五、發明説明（17 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 性單g能基單體之組合可用於製造本發明之共聚物。 單體C爲可與單體Α及Β共聚合之非離子性性交聯劑， 可提高共聚物之破璃化溫度，改變其黏著性，及改良其切 制品質（亦即減少切屑量）。交聯劑典型產生化學交聯（例 如共價鍵使用膠帶至晶圓前，耗用完交聯官能基，亦 即大致完全與單體Α及Β反應。較佳若單體c含有晞屬未 飽和度’則可透過烯屬未飽和度與單體A與b共聚合而合 併入共聚物主鏈。換言之，共聚物之交聯官能基並未接枝 至單體A及B之共聚物》適當交聯劑揭示於美國專利 4,379,201 (Heilmann)及 4,737,559 (Kellen)及 5,506,279 (Babu等）。較佳單體c爲非離子性光交聯劑，其當暴露於 紫外輻射（例如波長約250毫微米至約400毫微米）之韓射 時’引起共聚物交聯劑。更佳單體C爲（1)多官能丙烯酸 系交聯單體，或（2 )烯屬未飽和化合物，其於激勵態可提 取氫。各單體（C1及C2)爲可與單體A及/或B共聚合之可 自由基聚合單體。多種交聯劑组合可用於製造本發明之非 感壓黏著劑。較佳單體C未含胺基甲酸酯丙烯酸酯，原因 爲含該化合物之黏著劑可能產生非期望的晶圓玷污。 —型非離予性交聯單體（亦即單體C〗）爲多官能丙缔酸 系文聯單體，其於介於丙烯酸基間之鏈，較佳含有平均少 於約〗2個原子。此處使用"多官能”一詞表示交聯劑具有 二或多個可自由基聚合之烯屬未飽和基。此型單體C1之 例包括但非限於三羥甲基丙烷，三丙烯酸酯，丨，…己二醇 二丙埽酸酯，季戊四醇四丙烯酸酯，1，2-乙二醇二丙晞酸 20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ! 背 面 之 注- 裝 訂 A7B7 經濟部中央榡率局員工消費合作社印製 五、發明説明（18 ) 酯，十二烷基二丙烯酸酯，及環氧乙烷改質雙龄A之二丙 締酸酯。丙烯酸系交聯單體之組合可用於製造本發明之非 感壓黏著劑。 另一 5!非離子性交聯單體（亦即單體C2)爲可與單體A及 B共聚合，且於聚合物照光時與聚合物主鏈產生自由基之 烯屬未飽和單體。此種單體之例包括如美國專利4,737,559 (KeUen等）所述之丙烯酸化二苯甲酮，對-丙烯醯氧-二苯 甲_其可得自賓州’伊斯頓，Sartomer公司；及美國專利 5,〇73,611 (Rehmer等）所述單體包括對·Ν·(甲基丙烯醯氧基 -4-呤五亞甲基）-胺基甲醯氧二苯甲酮，N-(苯甲醯基_對_ 伸苯基）-N、（甲基丙締醯氧亞甲基）_甲二醯亞胺，及對_ 丙烯醯氧-二苯甲酮。美國專利5,506,279 (Babu等）於第5-6欄敘述另一種於該文稱作式2之適當烯屬未飽和交聯 劑’爲{2-[4_(2-經-2-甲基-丙-1-酮）苯氧]}乙基（2_曱基_2_ (2-曱基-2-丙缔-1-_)胺基）丙酸醋。缔屬未飽和化合物於 激勵態可提取氫，較佳包括丙烯酸官能基。此等交聯單體 之組合可用於製造本發明之共聚物。 單體A、B及C之用量係可生產如前定義之具有非感壓 黏著劑性質，以及就晶圓加工產業具有滿意的黏著性、玷 污及切割特性之共聚物。較佳用於製造本發明有用之非感 壓黏著性組合物之單體用量爲約6 〇份至約8 5份單體A， 及約1 0份至約3 0份單體B。更佳單體用量爲約7 0份至約 8 5份單體A，以及約1 〇份至約2 〇份單體B。此處所稱份 數除非另行規定’否則皆以重量計《單體A、單體B及單 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) M規格⑺Gx297公慶） ----------装------tr------^ - . (請先閲*背面之法意事項，.丨％本萸) 4439〇, A7 _____B7__ 五、發明铳明（19 ) 體C之和爲100份重量比。 單體C (亦即非離子性交聯劑）係使用有效量，有效量表 示足夠使黏著劑交聯而於施用膠帶至晶圓前對基材提供預 定最終黏著性質之黏著劑交聯。交聯劑量不足造成黏著性 組合物固化無效，故黏著性保持過高及/或切割特性不合 所需，但過量交聯劑也可能導致非期望之黏著及/或切割 特性。若交聯劑爲丙烯酸系單體，則其用量基於單體總重 較佳爲約5份至約3 0份，及更佳約1 〇份至約2 〇份《若交 聯劑爲晞屬未飽和可共聚合光反應化合物，則其於激勵態 可提取氫，其用量基於100份單體總含量較佳爲約1份至 約1 0份，及更佳約1份至約5份重量比。 經濟部中央榇準局員工消費合作社印製 出乎意外地，用於晶圓前攙混交聯劑至丙烯酸系共聚物 可提供膠帶充分黏著至晶圓，但不會過量至需要後處理 (例如於研磨或切晶粒後需加熱或照光來降低黏著性）。此 係與習知晶圓加工帶相反，習知帶使用單體A及B之黏著 性共聚物（舉例）與類似單體C化合物之攙合物。具有此種 黏著劑携:合物之膠帶施用於晶圚、加工，然後由晶圓去除 則’照光聚合第二單體形成A與B之共聚物與c單體均聚 物之交互滲透網路。交互滲透網路之黏著性降低，如此允 許BE)圓被取除。經由於施用膠帶至晶圓前攙混交聯劑至單 體A與B之共聚物，可免除後處理需求。 單體A、B及交聯劑C聚合形成可用於本發明之非感壓 黏著性組合物之共聚物，聚合反應典型係使用熱能、電子 束照射、紫外光照射等進行。聚合反應可藉聚合引發劑辅 __-22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210χ297公釐） 鯉濟部中央樟準局貝工消費合作社印裂 443964 at B7 五、發明説明（2〇 ) 助，聚合引發劑可爲熱引發劑或光引發劑°光引發劑可用 於較佳交聯劑類別，而熱引發劑典塑用於前稱C2單體之 較佳交聯劑類別。適當光引發劑之例包括但非限於安息香 醚類如安息香甲基醚及安息香異丙基醚，取代安息香醚類 如茴香安息香甲基醚，取代苯乙明類如2,2-二甲氧-2-苯基 苯乙酮，及取代α-酮酚類如2-甲基-2-羥苯丙酮。市售光引 發劑之例包括伊加久（IRGACURE) 81 9及達洛庫（DAROCUR) 1】73，皆得自紐約，霍松，汽巴嘉基公司；及路沙林 (LUCERIN) ΤΡΟ得自紐澤西州，巴西巴尼，BASF公 司。適當熱引發劑之例包括但非限於過氧化物，例如過氧 化二苯甲醯，過氧化二月桂基，過氧化甲基乙基甲酮，異 丙苯過氧氫，過氧二碳酸二環己酯，以及2,2-偶氮貳（異 丁腈）及過苯甲酸第三丁酯。市售熱引發劑之例包括瓦佐 (VAZO) 64得自賓州，匹茲堡，ACROS有機公司，及路西 多（LUCIDOL) 70得自賓州’費城’ Elf Atochem北美公 司。聚合引發劑之用量係可有效輔助單體之聚合。較佳聚 合引發劑用量基於100份單體總含量爲約〇.〗份至約5 0 份’及更佳約0.2份至約1.0份重量比。 若使用光交聯劑，則塗布的黏著劑可暴露於波長約25〇 毫微米至約400毫微米之紫外光輻射。於此較佳波長範圍 交聯黏著劑所需輻射能爲約100毫焦/平方厘米至約15〇〇 毫焦/平方厘米，及更佳約200毫焦/平方厘米至約8〇〇毫焦 /平方厘米。 本發明之共聚物可藉多種技術製備，其可或可未包括溶 -23- 本紙張尺度剌中關( CNS > A4規格（2丨Qχ297祕- —--- !~ K I 5 — I —种衣·^ I I I I I、訂 — I I I ! t·^11 -- * {請先閱讀_背面之注意事項寫本頁) 443964 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Α7 Β7 五、發明説明（21 ) 劑或移鏈劑（例如CB1：4)來控制分子量。此等技術包括使用 適當聚合引發劑。使用單體A、Β及C製備共聚物之較佳 不含溶劑之聚合方法揭示於美國專利4,379,201 (Heilmann 等）。初步單體A及B之混合物與部分光引發劑經由於惰性 環境暴露於紫外輻射歷足夠形成可塗布基底糖漿狀物之時 間，及隨後添加單體C及其餘量之光引發劑而進行聚合。 然後含單體C之終糖漿狀物（例如使用4號LTV心軸於每分 鐘6 0轉測量具有布汝克菲黏度於23 °C爲約1 〇〇厘泊至約 6000厘泊）’然後塗布於基材如永久性背襯上。一旦糖聚 狀物塗布於永久性背襯，典型於惰性環境（亦即與單體混 合物不反應之環境）進行進一步聚合及交聯。適當惰性環 境包括氮，二氧化碳，氦及氬，不含氧氣》充分惰性氣氛 可經由使用聚合物膜如聚伸乙基對酞酸酯（PET)膜遮蓋光 活性糖漿劑層達成，PET膜對紫外輻射或e_束通過膜於空 氣照射爲透明。 使用單體A ' B及C 2製備共聚物之較佳溶液聚合方法揭 示於美國專利5,073,61 1 (Rehmer等）。適合此種製法之溶 劑例如爲烴類如苯’甲苯，二曱苯，正己烷類，環己烷及 酯類’醇類，醚類及其混合物。爲了於溶液進行聚合反 應，部分或全部溶劑與部分單體混合物及部分或全部熱引 發劑一起加熱。當聚合反應開始時，加入其餘量之單體混 合物，及若屬相關，其餘量之熱引發劑及溶劑。聚合後， 組合物塗布於背襯上，及溶劑藉加熱或未經加熱藉蒸發去 除。 -24- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公| ) ---------^------ΪΓ------ii V . (請先閲讀'背面之注意事項/j.isr本I} 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4439b A7 ——— ___ 五、發明诜明（22 ) 一 ' 一~~~~~ 使用單體A、B及C2製備共聚物之膠乳聚合方法揭示於 美國專利5,424,122 (Crandall等）。例如膠乳乳液聚合係經 由組合單體A、B及C 2，親油性非離子自由基引發劑、水 及非離子性界面活性劑進行。混合物經均聚合形成乳液， 接著典型加熱引發自由基聚合’同時於惰性氣氛下攪動乳 液。聚合後，勝乳塗布於固體基材上及乾燥，典型於至少 約65 C溫度乾燥。若有所需，可加水或去除水達到適當塗 層黏度。 某些本發明有用之丙晞酸系官能單體共聚物具有特性黏 著程度，其過低或過高無法於晶圓加工用途獲得最大利用 性。此外’某些丙締酸系官能單體共聚物無法充分濕潤待 接合之基材面’可能形成低品質塗層，難以塗布或其組合 無法於晶圓加工用途獲得最佳利用性。如此，本發明之黏 著性組合物進一步選擇性包含黏著改性劑例如沾黏性樹脂 或液體橡膠來提高丙烯酸系官能單體共聚物之特性黏著 性、濕潤能力或塗布能力。此等可與一或多種單體A、b 及C共聚合。小量多種其它添加劑也可含括於黏著性組合 物。此等添加劑包括顏料，染料，增塑劑，塡料，安定 劑’紫外光吸收劑，抗氧化劑，製程油類，界面活性劑 等。各種添加劑之用量可隨預定之最終性質改變。但本發 明之非感壓黏著性组合物大致不含逃脱的或遷移的添加劑 (例如某些界面活性劑及沾黏劑）。此外，爲了提高於晶圓 加工用途的利用性，晶圓加工帶須大致不含可能遷移至 I C半導體晶圓而污染晶圓的離子性雜質。 -25- t------IT------^ > . {請先閱說背面之；項ί寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（ CMS ) Α4規格（210X297公釐） ^43964 經濟部中央榇準局員工消费合作社印装 Α7 Β7 五、發明説明（23 ) 然後本發明之非PSA組合物可藉多種塗布方法包括刀 塗、槽刀塗或反輥塗施用至永久性背襯。若組合物包括容 劑’則於某種溫度（例如約65°C至約12〇°C )乾燥一段時間 (例如數分鐘至約1小時）而獲得黏膠帶。黏著劑層厚度可 於約1 0微米至約數百微米（例如約2〇〇微米）之寬廣範圍改 變’但用於晶圓研磨過程以約2 5微米至約9 〇微米之黏著 劑厚度爲更佳，而約5 0微米至約ι00微米之黏著劑厚度可 用於晶圓切晶粒過程用之膠帶。 一旦黏著性組合物大致完全固化及交聯而提供晶圓加工 帶，帶之黏著面可選擇性以暫時性可去除之離型襯（亦即 保護襯）保護，例如聚烯烴（如聚乙烯或聚丙晞）或聚酯（如 聚乙基對酞酸酯）膜或塑膠膜。此等膜可使用離型材料如 聚矽氧類、蠟類、氟碳化合物類等處理。唯有於黏著性組 合物大致完全固化與交聯而實質並無未飽和度後，本發明 炙黏膠帶施用於晶圓接受加工（研磨及/或切晶粒）。 參照下列非限制性實例將更完整地了解本發明。實例係 就下述某些試驗方法評估《全部於試驗方法及實例列舉之 尺寸皆爲名目尺寸。 + 試驗方法 抗撕黏著性 抗撕黏著性係對標準未加電路（表面不存在有電路圖樣 之產業碎金屬測試晶圓厚度約700微米之拋光面測量。曰 圓使用異丙醇洗滌且任其風乾後，藉貼上預先切割、曰时 加工帶測試條尺寸約130毫米x 25毫米至測試面評， -26 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇 χ 297公釐 I^#------^ (請先閱後背面之法意事項寫本頁) 4439© 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明铳明（24 ) 性。測試條係使用約2千克橡膠塗層滾輪滚軋兩趟而黏著 至測試基材。然後基材與晶圓加工帶即刻測試，或允許其 於23 C及50%相對濕度（R η )停駐一段實例中規定爲”停駐 "的時間。 其次’基材牢固黏著至滑脱-抗撕試驗機型號SP_1〇2C-3M90黏著性試驗機（麻省，亞克德，iMASS公司）之黏著 誠驗車架。下壓膠帶（3M公司產品，232號遮蔽帶，明尼 蘇達州’聖保羅，3 Μ公司）置於晶圓之與車架接觸反面之 未加電路面上之部分暴露晶圓面上，且擴展至超出晶圓邊 緣而接觸車架。邊緣加工帶測試條之自由端搭接至黏著性 試驗機力感測器’測試條以丨80。角及3 〇厘米/分鐘速率由 基材上撕離歷1 0秒。獲得平均抗撕黏著性，單位爲克/線 性吋寬度（gliw ’概算每2 5毫米克數）。對測試條進行分開 測量’報告値爲4次測量均質。報告値概算至最接近的整 數。 用於半導體晶圓研磨過程之膠帶較佳具有某種可測量之 黏著程度。抗撕黏著性須爲約5 gHw至約5〇〇 gHw，及更 佳約20 gliw至約3〇〇 gliw，俾增進晶圓加工帶用於半導體 ΗΘ圓裝造業寬廣接受性。較佳黏著性组合物隨時間之經過 顯7F可接觉的黏著性堆積；換言之，終黏著性仍於此範 圍。 半導體晶圓站污 晶圓加工帶造成具有暴露電路圖樣於一邊塗有聚醯亞胺 樹脂之半導體晶圓玷污係以下述方式評估。半導體矽晶圓 -27- Z紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（·2.;〇χ29 '~~ --- ---------f------1r------線 * , (請先閲说背面之法意事項ί.4寫本頁) 4439 A7 B7 五、發明说明（25 ) 依序具有電子電路藉微影術製作於其上，及聚醯亞胺鈍叫 層代表用於製造半導體1(:晶片，使暴露之黏合面爲聚酿 亞胺及電子電路材料，以異丙醇擦拭乾淨，使用加壓空氣 乾燥，及聚醯亞胺塗布面以本發明之膠帶遮蓋。膠帶係使 用约2千克橡膠塗層滾輪滾軋一或二次而黏著於矽晶圓， 並由邊緣修整過量帶’如後文於測試方法Η手工切割性-切 屑"所述。然後任晶圓加工帶之矽晶圓於23。〇及5〇0/〇相對 濕度（RH)停駐7曰。 約130毫米X 50毫米之晶圓加工帶測試條對中於晶圓平 坦面’於實例規定之停駐時間後，藉將固定葉片間隙剃刀 抽拉過晶圓加工帶表面切割。其次，約丨2〇毫米χ 25毫米 測試條緊密鄰近且平行5 0毫米寬之中央測試長條各邊切 割’係將固定葉片間隙剃刀拉過晶圓加工帶表面切割。然 後如後述評估貼膠帶半導體晶圓之玷污及抗撕性。 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 50毫米寬Χ25毫米長Nitto BT 315S離型帶長條（得自曰 本，大阪，Nitto電工公司）以手加壓接著於中央測試條之 前緣（亦即位於晶圓平坦面邊緣）。以手撕開離型帶/中央 測試條组合而暴露晶圓之聚醯亞胺塗布面。整個暴露之聚 醯亞胺塗布晶圓面於至少1 28倍來卡WILD Ml 0微調立體 顯微鏡（瑞士’赫伯格，來卡AG公司）放大倍數下光學檢 視試驗面之光密度變化。驗面之光密度改變指示存在有玷 污β 抗撕性 晶圓加工帶之抗撕性係於抗撕黏著性試驗期間自動去除 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) ( 210Χ297公釐） '~ " 443^64 Α7 五、發明説明（ 經濟部中央榇準局員工消費合作社印製 測試條定量評估，及如"丰壤邮θ的 手導歧卯圓玷污”試驗所述由製 =的晶圓以人工去除中央及旁邊測試條評Ρ若膠帶可由 基材去除而基材無仙或破裂，且若基材上對未經輔助之 人眼未見黏著劑殘餘物則膠帶視爲可撕離。樣本係即刻或 於停駐時間後測試。 手工切割性-切屑 晶圓加工帶施用至矽半導體晶圓經抛光而未加電路之測 試面後評估其㈣特性。發現未曾#試使此處所述之切割 條件最適化·>此處報告手工切割性質特性意圖驗證於黏著 性組合物之變化效果。相同測試晶圓用於全部實例。若有 可目測碎屑來自先前測試，則使用異丙醇拭除並風乾晶 圓，隨後施加本發明膠帶β晶圓加工帶樣本施加至測試 面，膠帶覆蓋全表面並延伸超出邊緣。施用後，勝帶藉手 下壓於晶圓面上，手指施整於邊緣俾確保沿整個周邊之緊 泣接觸。其上有晶圓加工帶之基材即刻試驗。過量帶延伸 超出試驗面邊緣，使用新的或用過的剃刀片藉手工環繞整 個周邊切除。刀片以與正交方向（亦即測試面之垂直平面） 夾角約15。及沿測試面邊緣於切線夾角約3 0。牴住表面緣 切劉。 基於切割過程不含可目測切屑之切割延長度標示爲單一 加號（十）’雙加號（++)，或三加號（+++)評分。未具或僅略 含切屑之膠帶標示爲三個加號（+++)評分，且視爲可用於 人工或自動切割方法。具有中等量切屑之膠帶標示爲雙加 號（++)評分，且視爲可用於人工或自動切割方法，但以自 請 閱 舍 面 之 章

I 頁 裝 訂 線 -29- 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS ) Α4規格（2〖〇><297公釐） 4439ft A7 B7 五 '發明说明（27 動万法爲佳。具有略爲更多量切屑之膠帶標示爲單一加號 (+)評分，且視爲最佳用於選定條件下自動切割方法。對 各膠帶使用新的或用過的剃刀片評估一或二樣本。若試驗 二樣本則報告平均等級。 s 模量

Rhe〇metrics動力學分析儀RDAII，Rhesource系列（紐澤 西州，匹茲堡，Rhe〇metric科技公司）用於測量儲存模 G 厚度約2毫米之樣本係藉層疊數層固化黏著劑並衝穿 直徑約8毫米之圓錠而製備。測量係於平行板模製，使用 8毫米直徑板，以6.28弧度/秒頻率及〇5%應變進行。溫度 以每分鐘5。(：由〇。(：掃描至4〇。〇，每20秒取讀値。報告二 24 C之儲存模量G、此等測量典型係於黏著性组合物製 備後3-4日進行。 半導體晶圓切晶勒 晶圓加工帶作爲晶圓切晶粒帶之特定用途係經由於142 耄米内徑晶圓環（8572號，得自瑞士，柏格，Gustav wirz AG公司）拉伸约2〇〇毫米見方帶樣本，並以外鎖環將帶向 下鎖定評估。一片粗略尺寸51毫米X51毫米及厚42毫米 之經抛光未加電路係經由小心置於拉伸膜上，以防晶圓與 膜間捕捉空氣。2.2千克橡膠滾輪於帶背侧滾動去除任何 了犯的乳囊。附著;5夕晶圓後1 2小時，使用Disc〇磨|虫系統 公司’加州，山景市’自動切晶粒鋸切晶粒（型號dad-211/5配備有〇丨8£;〇]^€乙-2060鋸片，具有51.4毫米外徑及 厚0.050毫米）。切晶粒鋸係以2 5 4毫米/秒速率使用3 9磅 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公廣） ---------^------1T------^ * (請先閲後背面之法意事\^另寫本頁) 經濟部中央標準局男工消费合作社印製 4439t A 7 B7 五、發明说明（28 ) /平方吋（psi)水洗，而將矽晶圓切成2.5毫米χ2 5毫米， 或於科夫（Kerf)中心爲1 . 3毫米X 2.5毫米之晶粒。切割 晶粒總數對各尺寸各約2 0 〇毫米。記錄於晶圓切晶粒過程 由膠帶上洗下的晶粒數目。 詞彙 後文實例使用多種縮寫。縮窝係根據下表定義β AΑ-丙缔酸（得自紐澤西州，巴西巴尼，BASF ) ABP-對丙烯醯氧-二苯甲酮（得自賓州，伊斯頓，San〇mer 公司） t-BA-丙晞酸第三丁酯（得自威斯康辛州，密瓦基，Alddch 化學公司） 達洛庫1173-液體光引發劑，2-羥-2-甲基-1-苯基-丙-1-酮 (得自紐約州’霍松，汽巴嘉基公司） DMA-N，N-二甲基丙締醯胺單體（得自紐澤西州，紐華克， Jarchem工業公司） HDDA-1，6-己二醇二丙烯酸酯（得自南卡羅來那州，奥古斯 塔那，UBC化學公司） ΗΡΑ-丙烯酸2-羥丙酯與丙烯酸3-羥丙酯之異構物混合物 (商品名洛克利（ROCRYL) 430得自賓州，費城，羅門哈斯 公司） ΙΒΟΑ-丙稀酸異冰片醋（得自細約州，組約，San Esters公 司） 伊吉帕（IGEPAL) CA-897-非離子性烷基酚乙氧化界面活性 劑（得自紐澤西州，坎伯利，隆寶蘭公司） -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ現格（210'乂297公釐） n f^i I n .^-- (請先閲贫f面之ίΐ·意事項/¾寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 4439b A7 B7 五、發明ά明（29 經濟部眢慧財產局員工消費合作社印製 IOA-丙烯酸異辛酯 伊加久819-固體光引發劑（二（2,4,6-三甲基苯甲醯基）苯基 膦氧化物）（得自紐約州，塔利鎮，汽巴嘉基特用化學品公司） 路沙林（LUCER1N) TPO-固體光引發劑（得自紐澤西州，巴 西巴尼，BASF) 2-MBA-丙婦酸2-甲基丁酯 PEOM-甲氧基-端基聚（乙二醇）550 —甲基丙烯酸酯（得自 CD 552 ’名目分子量550 ’得自賓州，伊斯頓，Sartomer 公司） PET-聚（乙二醇對g太酸醋） PhOEA-丙缚酸2-(苯氣）乙醋（得自紐澤西州，老橋市， CPS化學公司） 普拉特（PURELAST) 566A-丙缔酸化胺基甲酸酯寡聚物（得 自佛羅里達州，奥蘭多，聚合物系統公司） TMBA-1,1，3,3-四甲基丁基丙烯醯胺（得自康乃狄格州，橋 水市，國家澱粉化學公司） TMPTA-三羥甲基丙烷三丙烯酸酯（得自南卡羅來那州，奥 古斯塔那，UCB化學公司） 瓦佐（VAZO) 64_熱引發劑’ N，N，偶氮-武（異丁腈）（得自賓 州，匹茲堡，ACROS有機公司） 除非另行註明’否則下列實例中全部量皆以克數估計至 1克最接近的十分位表示。 -32- 本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4現格（210X297公慶） (請先閲讀背面之注意事項， -裝—I 為本頁) 訂 線 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 實例1 根據本發明之晶圓加工帶係以下列方式提供β預混物糖 漿狀物係經由於0.47升玻璃缸内混合307,5克丙烯酸2-甲基 丁酯（2-ΜΒΑ) ’ 3.2 克丙烯酸（A Α)，6.3 克 25% (w/w)四溴 化碳於2-MBA之溶液，及0.16克達洛庫1173光引發劑製 備》玻璃缸加蓋’氮氣來源經由蓋孔置於混合物内。以氮 氣沖洗1 0分鐘後，混合物緩慢渦旋，並暴露於紫外（U v ) 照射，使用2粒15瓦黑光燈泡（Sylvania型號F15T8/3 50BL) 至糖漿狀物獲得估計（目測）黏度約1 〇〇〇厘泊爲止。然後停 止氮氣沖洗及照光，1 ·88克路沙林TPO光引發劑加至預混 物糖聚狀物’將該组合置於密封紅内於滚輪上歷分鐘 溶解於其中獲得基劑糖漿狀物〇其次於0.25升玻璃紅之 35.2克基劑糖漿狀物内加入5.4克二甲基丙烯醯胺（DMA) 及7·7克己— S?·.—丙缔酸醋（HDDA)。使用金屬刮匙以手工 混合約2分鐘》所得終糖漿狀物之組成爲2_ MBA:AA:DMA:HDDA/72:1:11:16 (重量百分比，wt-%)。 終糖漿狀物使用刀/床塗布站塗布於厚5〇.〇微米之光學 級聚乙基伸對酞酸酯（PET)覆蓋膜（"光學級"表示膜之濁 度不高於約1.8%)(於底）與90微米厚電暈處理聚丙晞背襯 膜（得自愛荷華州’西達瑞皮，American Profol公司）（於 頂）間。刀鎖定定位維持固定間陈，設定爲比二膜合併厚 度大3 8微米。然後所得塗布複合物通過9.1米長紫外光照 射腔室，腔室内燈泡安裝於頂，燈泡具有光譜輸出爲3〇〇 毫微米至400毫微米，最大値於351毫微米。腔室内有4個 -33 本紙張尺度通用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請 先 閲 讀·' 背 面 之_ 注- 意 事 項 頁 裝 訂 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 443 ^

D 經濟部中央標準爲員工消費合作社印繁 A7 B7 五、發明説明（31 ) 概略區段。區段1代表約i /4總曝光時間，溫度設定點爲 15.5°C，燈泡設定於1.4毫瓦/平方厘米強度；區段2_4之溫 度設定點爲32.2C，及燈泡強度設定爲6〇毫瓦/平方厘 米。料片通過塗布站及照光腔室之速度爲15米/分鐘，獲 得總測量能劑量爲1800毫焦/平方厘米（國家標準與技術協 會（NIST)單位）。由頂面（聚丙烯）照射後，獲得晶圓加工 帶具有聚丙烯背襯膜，厚約3 8微米之固化交聯黏著性组 合物及PET覆蓋膜。於去除PET覆蓋膜後，如前述評估帶 之黏著性、站污、抗撕性及切割特性。結果示於下表^。 評估模量之試樣製備如下》終糖漿組合物塗布於矽塗層 PET襯層與胺基甲酸酯離型塗層PET襯層間，各厚約5丨微 米’使用刀/床塗布站’間隙設定爲約254微米塗布。然後 此種夾層構造使用1 5瓦黑光燈泡（Sylvania型號 F15T8/350BL)曝光於紫外光1 〇分鐘獲得總能量劑量約 2510毫焦/平方厘米。於去除pet襯層後，使用所得經固 化之交聯黏著劑製備模量評估用試樣。 實例2 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改。預混物糖漿狀物係使用134,5克2-MBA，7.1克AA， 0.84克5 %四溴化碳於2-MBA溶液，及0.〇8克達洛庫1173 光引發劑製備。此預混物糖漿狀物内加入1.01克路沙林 TPO光引發劑及26.6克DMA獲得基劑糖漿狀物。於55.6克 基劑糖漿狀物内加入5.6克三羥曱基丙烷三丙缔酸g旨 (TMPTA)獲得終糖漿狀物具有组成2-MBA:AA:DMA: -34 - 本紙張尺度適用中國阖家標準（CNS ) A4規格（2Ϊ^297公釐） ' ------餐------ir------0 < - C請先閲讀"面之注意事項ri.爲本頁) 44396- A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（32) TMPTA/73:4:H:9 (wt-%)。終糖漿狀物係如實例1所述塗布 及照光，但料片速度爲1.7米/分鐘，及總能量劑量測量値 爲1531毫焦/平方厘米（NIST單位）。獲得具有厚約38微米 之經固化交聯黏著性组合物之晶圓加工帶。於所得晶圓加 工帶之試驗結果顯示於表1。 實例3 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改。預混物糖衆狀物係使用106.6克2-MBA，35.5克 1，I，3,3-四甲基丁基丙缔酿胺（TMBA，可溶於2-MBA之固 體），及0.07克達洛庫〗173光引發劑製備^此預混物糖漿 狀物内又加入0.78克達洛庫1173光引發劑獲得基劑糖漿狀 物。HDDA ( 6.8克）組合45.6克基劑糖漿狀物獲得終糖漿 狀物具有組成2-1^8八:1^〇八:11〇〇八/65:22:13 (%卜0/0)。終糖衆 狀物係如實例1所述塗布及照光，但料片速度爲1,7米/分 鐘，及總能量劑量測量値爲1531毫焦/平方厘米（NIST單 位）°獲得具有厚約3 8微米之經固化交聯黏著性组合物之 晶圓加工帶。於所得晶圓加工帶之試驗結果顯示於表i。 實例4 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改。預混物糖漿狀物係使用116.9克聚（環氧乙烷）一-甲基 丙烯酸酯（PEOM)，0.23克25%四溴化碳於2-MBA溶液， 及0.06克達洛庫1173光引發劑製備ο此預混物糖漿狀物内 加入1.4克路沙林TPO光引發劑及116.9克DMA獲得基剞糖 漿狀物。HDDA (7.5克）合併39.5克基劑糖漿狀物獲得終 _____ -35- 本紙張尺度國國家操準（CNS ) A4規格（21G X297公餐) ' ---------1------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項#$兔本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印繁 Α7 Β7 五、發明巍明（33) 糖漿狀物具有組成 PEOM:DMA:HDDA/42:42:16 (wt-%)。終 糖漿狀物係如實例1所述塗布及照光，但總能量劑量測量 値爲1769毫焦/平方厘米（NIST單位）。獲得具有厚約38微 米之經固化交聯黏著性組合物之晶圓加工帶β於所得晶圓 加工帶之試驗結果顯示於表1。 實例5 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改。預混物糖漿狀物係使用48.2克2-ΜΒΑ，2.8克ΑΑ， 0.15克25%四溴化碳於2-ΜΒΑ溶液，及0.07克達洛庫1173 光引發劑製備β此預混物糖漿狀物内加入0.84克路沙林 ΤΡΟ光引發劑，41.3克DMA，及48.2克ΡΕΟΜ獲得基劑糖 漿狀物。HDDA (6.1克）合併31.9克基劑糖漿狀物獲得終 糖漿狀物具有組成2-MBA:AA:DMA:PEOM:HDDA/ 28.5:2:25:28.5:16_0 (wt-%)。終糖漿狀物係如實例1所述塗 布及照光，但總能量劑量測量値爲1769毫焦/平方厘米 (NIST單位）。獲得具有厚約3 8微米之經固化交聯黏著性 組合物之晶圓加工帶。於所得晶圓加工帶之試驗結果顯示 於表1。 實例6 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改。預混物糖漿狀物係使用76.8克丙烯酸羥丙酯（ΗΡΑ)， 0.15克25%四溴化碳於2-ΜΒΑ溶液，及0.04克達洛庫1173 光引發劑製備。此預混物糖漿狀物内加入〇·92克路沙林 丁？0光引發劑，19.2克01^八，及57.6克？£〇]^獲得基劑糖 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----：-----t------iT------^ - · {請先閱说背面之注意事項/-¾寫本頁) 經漓部中央標隼局員工消費合作社印裝 ^ 43 9 Q Δ Α7 Β7 1 1 . - ~ ~ 1" — 五、發明说明（34 ) 漿狀物。HDDA (9.2克）合併45.7克基劑糖漿狀物獲得終 糖漿狀物具有组成PE〇M:HPA:DMA:HDDA/40:10:30_20 (wt-°/〇)。終糖漿狀物係如實例1所述塗布及照光，但總能量劑 量測量値爲1795毫焦/平方厘米（NIST單位）。獲得具有厚 約3 8微米之經固化交聯黏著性組合物之晶圓加工帶。於 所得晶圓加工帶之試驗結果顯示於表1。 實例7 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改。丙晞酸異辛酯（IOA)預混物糖漿狀物係使用IOA及 0_05% (w/w)達洛庫1173光引發劑製備。72.8克預混物糖 漿狀物内加入18.2克丙烯酸苯氧乙酯（PhOEA)及額外 0.5 5%達洛庫1173 (w/w基於預混物糖漿狀物與PhOEA之合 併重量）獲得基劑糖漿狀物。HDDA (5.9克）合併39.0克基 劑糖漿狀物獲得終糖漿狀物具有组成I〇A:PhOEA:HDDA/ 70:17:13 (wt-°/。）。終糖漿狀物係如實例1所述塗布及照 光，但料片速度爲1.7米/分鐘，及總能量劑量測量値爲 1531毫焦/平方厘米（NIST單位）。獲得具有厚約3 8微米之 經固化交聯黏著性組合物之晶圓加工帶。於所得晶圓加工 帶之試驗結果顯示於表1。 實例8 晶圓加工帶係如實例7所述製備及評估，但有下列修 改。HDDA (9.2克）合併46.0克基劑糖漿狀物獲得終糖漿 狀物具有組成1〇八:卩11(^八:1«^八/66‘7:16.7:16.7(评1%)。終 糖漿狀物係如實例1所述塗布及照光，但料片速度爲丨7米 -37- 本紙浪尺度適用中國ϋ標準（CNS )_八4規格（210X297公釐） ~ ~ ： ^-- 靖先聞後背面之注意事項"4寫本頁) 訂 線 ,44336' A7 B7 五、發明妓明（35 ) /分鐘，及總能量劑量測量値爲1531毫焦/平方厘米（NIST 單位）。獲得具有厚約38微米之已固化交聯黏著性組合物 之晶圓加工帶。對所得晶圓加工帶測驗結果顯示於表1 〇 實例9 晶圓加工帶係如實例1所述製備及評估，但有下列修 改°預混物糖漿狀物係使用113.1克IOA，28.8克丙烯酸異 冰片酯（IBOA)，及0.07克達洛庫1173光引發劑製備。預 混物糖漿狀物内又加入0.78克達洛庫1173光引發劑獲得基 劑糖漿狀物。HDDA (5.4克）合併35.8克基劑糖漿狀物獲 得終糖漿狀物具有组成10八:180八:1^0八/69:18:13(%1%)。 終糖漿狀物係如實例1所述塗布及照光，但料片速度爲1.7 米/分鐘，及總能量劑量測量値爲1531毫焦/平方厘米 (NIST單位）。獲得具有厚約3 8微米之經固化交聯黏著性 組合物之晶圓加工帶。於所得晶圓加工帶之試驗結果顯示 於表1 β 表1 (諳先閱讀背面之注意事項—.毛寫本頁) -裝. *?τ 經濟部中央橾隼局員工消費合作杜印製 實例 抗撕黏著性(gliw) 停駐0日停駐7曰 可撕離 (是/否） 玷污 ί是/否） 手工 切割性 模量 巴斯卡） 1 143 169 是 否 +Η-Η- 5.0 X 106 2 96 236 是 否 -Η-Η- 1.7 X 107 3 48 84 是 否 +-Η- 2.8 X 106 4 51 73 是 否 ++++ 1.3 X 106 5 31 51 否 -Η- 1.8 X 106 6 17 31 是 否 ++ 2.1 X 106 7 8 8 是 否 + 1.5 X 106 8 8 8 是 否 + 1.7 X 106 9 17 22 是 否 -Η- 1.7 X 106 38 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨ΟΧ297公釐） 4 4390 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（36 ) 實例10 根據本發明之晶圓加工帶之製法係經由製備溶液聚合 物，塗布於聚酯（PET)背襯上並乾燥之，塗布後之聚合物 暴露照光。特定言之，8 5份重量比ΗΡΑ，1 5份重量比丙 烯酸第三丁酯（t-BA)，2%重量比（基於ΗΡΑ與t-BA之合併 重量）對丙晞氧二苯甲酮（ABP )光交聯劑，0.3 5%重量比 (基於HP A ’ t-B A及ABP之合併重量比）瓦佐6 4熱引發劑， 及乙酸乙酯進料於瓶中獲得25%固體組合物。瓶加蓋並於 60°C水浴旋轉2 4小時。任混合物冷卻至室溫後，所得聚 合物溶液倒至50.0微米厚光學等級pet膜背襯上，並以手 拉過刀/床塗布站。刀與床間之間隙設定爲比背襯厚度大 254微米。塗布膜於室溫乾燥約10分鐘，接著於82*c加壓 空氣烘箱乾燥約4分鐘。然後經塗布及乾燥膜通過氮氣惰 化光照腔室’長度約2.4米且配備有兩個中壓汞燈泡，通 過速度爲約4.8米/分鐘。總能量劑量測量値爲約625毫焦/ 平方厘米（NIST單位）施加於曝光聚合物邊。照光時獲得 具有PET背襯膜之晶圓加工帶及厚約7 〇微米之固化交聯黏 著性組合物。黏著劑組成爲HPA:t-BA:ABP/83:l5:2 (wt-%)。如前述評估膠帶之抗撕黏著性、可撕性及切割特 性，但有下述修改。對全部測試採用具有聚醯亞胺頂塗 層，且已經製作電路之半導體晶圓，例如測試方法"半導 體晶圓玷污"所述。報告之抗撕黏著性値爲六次測量値平 均。結果示於下表2。 -39- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210 X 297公釐） ----- -----择衣------ΪΤ------0 請先閲讀背面之注意事項存¥寫本頁) 443 98 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（37 ) 實例1 1 根據本發明之晶圓加工帶係經由製備聚合物膠乳，塗布 於聚酯（PET)背襯上及乾燥之，塗布妥之聚合物接受照光 而提供。特定言之，8 6份重量比2-MBA，1 0份重量比丙 晞酸異冰片酯（IBOA)，4份重量比美國專利5,506,279 (第 5/6櫚’式2 )揭示之甲基丙烯醯胺官能基光交聯劑，3 %重 量比（基於2-MBA，IBOA及光交聯劑之合併重量）伊吉帕 CA 897非離子性界面活性劑，0.5%重量比（基於2-MBA， IBOA及光引發劑之合併重量）過氧化二月桂基，及1 〇4克 去離子水合併於1升均化混合機（華鈐（Waring)攙混機 700 ’康乃狄格州，新哈特福，華鈐公司）以每分鐘1升之 速率以氮氣沖洗3分鐘，然後以高速均化2分鐘》所得混 合物移至配備有攪動器、冷凝器及熱偶之2升瓶，以每分 鐘300轉（rpm)速度攪拌，同時加熱至60X：。後述整個製 備過程持續攪拌。混合物維持於6〇°C至放熱至82°C，此時 移開外邵熱源及任晶合物冷卻至6〇°C °重新施加外部熱源 及溫度維持於60°C歷1小時，随後移開外部熱源及任混合 物冷卻至約室溫。冷混合物（未見形成凝塊）過濾後獲得聚 合物膠乳具有固體含量測量値49%。 聚合物膠乳倒至50.0微米厚光學等級PET膜背襯，及以 手工拉過刀/床塗布站。刀與床之間隙設定爲比背襯厚度 大約76微米至101微米間。塗布膜於93°C之加壓空氣洪箱 乾燥約4分鐘。乾燥後暴露聚合物面以50.0微米厚光學等 級PET離型襯膜覆蓋，該離型襯膜一邊具有聚矽氧尿離 -40- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（：Μ0Χ297公釐） 請 先 閱 背 之 注 会 訂 線

4439S 經濟部中央榇準局貝工消費合作社印裝 Α7 Β7 五、發明诜明（38 ) 型劑（如美國專利5,290,6i5 (Tushaus等））所述，俾保護黏 著劑塗層至接受照光爲止。經過離型處理邊面向内而接觸 聚合物。去除離型襯時，pET背襯之未交聯黏著劑通過氮 氣惰化光照腔室，長度約2 4米，且配備有3顆中壓汞燈 泡’通過速度爲約18·3米/分鐘。總能量劑量測量値631毫 焦/平方厘米（NIST單位）係由曝光黏著劑側施用。照光後 離型内襯再度施加至前述已經交聯的黏著劑表面獲得晶圓 加工帶具有PET背襯膜，厚約8 7微米之固化交聯黏著性組 合物’及PET離型襯。黏著性組合物爲2_MBA:IB〇a:光交 聯劑/86:10:4 (wt-%p膠帶係如實例1〇評估，但有下列修 改。報告之抗撕黏著性値爲兩次試驗測量値平均。結果示 於下表2。 實例1 2 根據本發明之晶圓加工帶係經由如實例丨丨所述製備聚 合物膠乳提供，但有下列改變。特定言之，使用8〇 5份重 量比2-MBA，17份重量比IB0A，及2 5份重量比實例^ 所述甲基丙烯醯胺官能基光交聯劑獲得黏著劑組成爲2_ mba:ib〇a:光交聯劑⑽:丨7:3 (wt-%)。所得帶具有厚約85 微米之固化交聯黏著性组合物（根據實例之説明照光） 係如實例1 1所述評估。結果示於下表2。 _ _ 表2 抗撕黏著性Wiw) ------- 可撕離f县/不、 手工切剝 — 停駐0日 停駐7曰 -mpu / ώ ) 10 ~ ---— N.T. 12 e ++++ 科 ++ 11 ”· -- 114 111 --—- 异 12 261 250 ------- 是 -41 - 本紙果尺中國國家福率（CNS ) Α4；^ ( 210χ29?公釐)"-*- -----^------#------0 - » <請先閱請背面之注意事寫本瓦) 玉 4 A7 B7 -、發明説明（39 ) Ν_τ·=未測試 *停駐=2.5日 實例1 3 晶圓加工帶係以類似實例1所述方式製備，但有下列修 改。預混物糖漿狀物係使用178.1克2-ΜΒΑ，9,4克A A， 〇·94克5 %四漠化碳於2-MBA溶液，及〇,〇9克達洛庫1173 光5丨發劑製備。預混物糖漿狀物内加入4〇, 1克HDDA及 3 5.2克DMA獲得基劑糖漿狀物。於44.0克基劑糖漿狀物内 加入0.26克伊加久819獲得終糖漿狀物組成爲2-MBA:AA:DMA:HDDA/68:4:13:15 (wt-%)。終糖漿狀物刀塗 於101,6微米厚乙烯/乙酸乙烯酯膜（得自Dai Nippon Jushi ’日本’竹巴）於頂，及50.0微米厚光學等級PET覆 蓋膜於底間’如實例1所述由頂面照光，但料片速度爲1 5 米/分鐘，及總能量劑量測量値爲1816毫焦/平方厘米 (NIST單位）^獲得具有厚度約5 8微米之固化交聯黏著性 組合物之晶圓加工帶。移開PET覆蓋膜後，膠帶係如前述 半導體晶圓切晶粒"測試方法？ί估其用於晶圓切晶粒過 程。切晶粒損失結果報告於表3。 表3 實例 晶粒錐麿ί毫米） 晶粒指奂 13a 2.5 X 2.5 -0- 13b 1.3 X 2.5 -0 - 比較例1 晶圓加工帶係以類似實例1所述方式製備，但有下列修 改。預混物糖漿狀物係於0·24升玻璃缸内使用20.0克 -42- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） I 装-- - ; · C請先閲讀背面之注意事^-4j.寫本頁) 、ar -線 經濟部中央標準局負工消費合作杜印裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明叙明（40) IOA，5.3克IBOA，及〇.〇1克伊加久651光引發劑製備。預 混物糖漿狀物内加入1.1克HDDA，1.3克普拉特566A丙烯 酸化胺基曱酸酯寡聚物，及又加入0.05克伊加久651光引 發劑獲得澄清終糖漿狀物。若丙烯酸化胺基甲酸酯寡聚物 係於早期加至預混物，則因雜質可能導致膠凝《終糖漿狀 物之组成為 I〇A]BOA:HDDA:566A/72.1:19.2:3.9:4.8 (w/w)。 終糖漿狀物係刀塗於5 0微米厚光學等級PET膜於底側與 50‘0微米厚光學等級離型襯膜於一邊含有聚矽氧-脲離型 劑（如美國專利5,29〇,615 (Tushaus等））所述於頂侧間，且 如實例1所述由頂侧照光，但有下列修改。料片速度為 1.68米/分鐘’全部4區段皆設定於燈泡強度6〇毫瓦/平方 厘米，區段溫度為32°C，總能量劑量測量值為1845毫焦/ 平方厘米（NIST單位）。獲得晶圓加工帶具有厚約1〇〇微米 之已固化交聯黏著性組合物。去除Ρ Ε τ覆蓋膜後，評估膠 帶之切割性及可撕性。結果示於表4。 此外，於去除PET覆蓋膜後，研磨貼有膠帶之晶圓後評 估晶圓加工帶造成半導體晶圓（於—面具有暴露電路圖樣 上方塗布以聚醯亞胺樹脂）玷污傾向。特別，使用寬度至 少等於半導體矽晶圓寬度之膠帶樣本評估晶圓加工帶^於 晶圓研磨用途。膠帶係於1000等級潔淨室内於周園溫度施 用至其具有電路圖樣且上方塗有聚醯亞胺之矽晶圓該邊， 施加方式係使約2千克橡膠塗布滾輪通過一次並修裁去除 過剩帶。其次，允許帶附接其上之晶圓於周圍條件停駐不 超過8小時’且通常少於！小時。 -43- 本紙張尺歧财鮮（CNS --——~~~._ —-^ I ^ ^ —^1 1 I I i1Tn I ^ 諸先閱一讀背面之注意事項碘荇本頁) 443964 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作.杜印製 五、發明説明（41 ) 然後，貼上膠帶之半導體晶圓以膠帶面向上置於 型號DFG-83 W6晶圓研磨機。晶圓藉眞空夾頭固定於旋轉 盤上定位。研磨過程中，旋轉盤通過一系列三個研磨輪 (個別得自Disco公司）。第一研磨輪（型號RS〇卜24〇/6〇_ NA-A)磨除120微米矽，第二研磨輪（型號rs_〇1_2-2〇/3〇-NA-C)磨除100微米矽，及第三研磨輪（型號rs 〇3_2_2/34_ P)磨除10微米矽。轉盤轉速爲約每轉1〇分鐘。通過三個 研磨輪後，半導體晶圓以水洗滌去除研磨屑，風乾且任其 於周圍條件停駐約1 6小時，隨後如前”半導體晶圓站污" 測試方法所述評估玷污》結果示於下表4。 實例14 以下述方式提供具有實例1相同組成之根據本發明之晶 圓加工帶《製備終糖漿狀物具有组成爲2-MBA:AA: DMA:HDDA/72:1:11:16 (w/w)，然後以模塗於厚 50.0 微米 光學等級聚伸乙基對酞酸酯（PET )覆蓋膜於頂與厚90微米 電暈處理聚丙烯背襯膜（得自愛荷華州，西達瑞皮，美國 Profol公司）於底間。然後所得經塗布之複合物通過11.9米 長紫外光照光腔室固化，腔室有燈泡安裝於頂部及底部， 具有光譜輸出爲300至400毫微米，最大輸出爲351毫微 米。腔室内有7個概略區段。於區段1及2代表約1 7%總曝 光時間，溫度設定點爲15.5°C，及燈泡具有平均強度L2 毫瓦/平方厘米；於區段2-7，溫度設定點爲32.2°C，及平 均燈泡強度爲約5.3毫瓦/平方厘米β料片通過塗布站及光 照腔室之速度爲2.4米/分鐘，獲得總能量能劑量測量値爲 44 - ；^II------線 C請先閲讀背面之注意事項再J/-.M本頁} 私紙浪尺度通用中國國家標準（CNS 格（210X297公釐） 4 43 9 ο Α7 Β7 五、發明説明（42 ) 2480毫焦/平方厘米（NIST單位）。由兩面同時照光後，獲 得具有聚丙締背襯膜，厚約38微米之已固化交聯黏著性 組合物及PET覆蓋膜之晶圓加工帶。 移開PET覆蓋膜後，如前述評估膠帶之可撕性及切割特 性。此外如比較例1所述評估貼膠帶晶圓研磨後，晶圓加 工帶造成玷污之傾向，但未使用第三研磨輪及檢視^污^ 之停駐時間爲7曰。結果示於下表4。 表4 ^ .. I 裝 、51------^ f請先閲讀，背面之注意事項再^舄本頁) 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 實例 可撕性（是/否） 玷冷（是/否） ~~~Ί 14 是 否 + + + 比較例1 是 是 ++^Γ^ 此處引述之各專利案、專利申請案及公開文獻皆仿拂個 別合併般併述於此以供參考。業界人士顯然易知可未，障離 本發明之精髓及範圍作出多種本發明之修改及變更。須了 解本發明非僅限於此處陳述之示例説明具體例。 -45 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 4 43 3 6'4 第88103521號專相_ 『請案 告本 Α8 Β8 中文申請專利範ιΛΙΓ本(90年3 K) g| 圍

   鯉濟部中央標準局貞工消费合作社印製 r 體晶圓加工帶’包含_永久性背襯，及一廣 非感壓黏著劑於永久性背襯上；非感壓黏著劑包含一 種共聚物包含至少一種第一共聚合單烯屬未飽和單 體，至少一種第二共聚合單烯屬未飽和單體，及至少 一種共聚合非離子性交聯劑；其中該第二單烯屬未飽 和單體為具有均聚物玻璃化溫度高於第一單烯屬未飽 和單體之均聚物玻璃化溫度之加強用單體；及進一步 其中該黏著劑於膠帶施用至晶圓一面且去除後不會大 致造成晶圓之光密度改變。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其中該非 感壓黏著劑具有於室溫之儲存模量大於丨〇 X 1〇5巴斯 卡，且不大於5.0X107巴斯卡。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其中該非 感壓黏著劑不含脫逃性或遷移性成分。 4‘如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其進一步 包含一半導體晶圓於黏著劑暴露層上。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其具有對 包含選自包括矽、聚醯亞胺、氧氮化沙、及其組合之 材料之基材具有初抗撕黏著性5克/線性吋寬至500克/ 線性吋寬；及於周圍條件下接觸該基材停駐7日後之抗 撕黏著性為5克/線性吋寬至500克/線性吋寬。 6. —種半導體晶圓加工帶，包含一永久性背襯，及一層 非感壓黏著劑於永久性背襯上，其中該黏著劑包含一 種共聚物包含至少一種共聚合單晞屬未飽和單體具有 本纸張尺度適用中國國家棋率（CNS > Λ4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) I 丁 經濟部中央揉率局員工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 均聚物玻璃化溫度不高於oc ’至少一種共聚人單綿屬 未飽和加強用單體具有均聚物玻璃化溫度至少， 及至少一種共聚合非離子性交聯劑，但該非離子性交 聯劑非為胺基甲酸酯丙烯酸酯。 7.如申請專利範園第6項之半導體晶圓加工帶，其中該# 感壓黏著劑具有於24°C之儲存模量為1_〇χι巴斯卡至 5.0 X 107巴斯卡。 8，一種半導體晶圓加工帶’包含一永久性背襯，及一層 非感壓黏著劑於永久性背襯上，其中該黏著劑主要係 由一種共聚物組成，該共聚物包含至少一種共聚合單 烯屬未飽和單體具有均聚物玻璃化溫度不高於〇〇c，至 少一種共聚合單諦屬未飽和加強用單體具有均聚物玻 璃化溫度至少10 eC ’及至少一種共聚合非離子性交聯 劑選自包括丙締酸系交聯單體，烯屬未飽和化合物其 於激勵態可提取氫，及其混合物》 9· 一種半導體晶圓加工帶，包含一永久性背襯，及一層 非感壓黏著劑於永久性背襯上；其中該黏著劑具有於 室溫之儲存模量大於1.0X105巴斯卡，及包含一種共聚 物包含至少一種非第三烷基醇之共聚合丙烯酸或甲基 丙烯酸酯，其具有均聚物玻璃化溫度不高於，其中 該烷基平均含有4至14個碳原子；至少一種加強用單官 能丙烯酸系單體，其具有均聚物玻璃化溫度至少10 °C ;及至少一種共聚合非離子性光交聯劑，但該非離 子性光交聯劑非為胺基甲酸酯丙烯酸酯；及進一步其 -2 - 本纸張尺度適用中《國家揲準（CNS > A4規格Y210X297公漦） (請先Μ讀背面之注$項再填寫本I) 袈· 訂 Ο 6 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央揉牟局WC工消费合作社印製 申請專利範圍 中琢膠帶於施用至基材時以及於周固條件下接觸基材 停駐7日後，具有對包含選自包㈣、聚隸胺、氧氮 化矽及其组合之材料之.基材具有抗撕黏著性5克/線性 吋寬至500克/線性吋寬。 10.—種加工處理半導體晶圓之方法，該方法包含下列步 驟： U)提供一半導體晶圓： 、（b)黏著性接合半導體晶圓至一半導體晶圓加工帶 之黏著劑表面，該帶包含一永久性背襯及一層非感壓 黏著劑於背襯上，該黏著劑包含一種共聚物含有至少 一種非第三烷基醇之共聚合丙蟑酸或甲基丙烯酸酯， 其具有均聚物破璃化溫度不高於〇。〇，其中該烷基平均 合有4至I 4個碳原子；至少一種加強用單官能丙烯酸系 單體，其具有均聚物玻璃化溫度至少I〇°C ;及至少一 種共聚合非離予性光交聯劑，但該非離予性光交聯劑 非為胺基甲酸酯丙埽酸酯； (c )加工處理半導體晶圓，其經由研磨晶圓背側或 將晶圓切割成為積體電路半導體晶片而加工處理；及 (d)撕離膠帶，而晶圓之光學密度大致未改變。 3- 絲張財關家料（CNS )从胁（21GX297公着） ^-----------幕11---- 订 (請先«讀背面之注意事項再填寫本萸) 公告本 申請曰期 明、3 ,分 案 號 Hg 1 d 類 別 名V 以上各攔由本局填兹） Α4 C4 443964 翁|專利説明，書 中 文 半導體晶圓加工帶及加工處理半導體晶圓之方法 發明 新型 名稱 英 文 "SEMICUNDUC I OR WAhbK FRUCbSyiNti i APliS AND METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER" 姓 名 國 1. 理察艾爾班尼特2. 路易斯愛德華溫思羅3. 葛格利史考特班尼特4. 卡儉那塞納阿拉威亞拉哈波魯瑪 均美國 裝 發明 創作 人 申請人 住、居所 姓 名 (名稱） 國 籍 住、居所 (事務所） 代表人 姓 名 均美國明尼蘇答州聖保羅市3M中心 美商孟尼蘇泰礦務及製造公司 美國 美國明尼蘇答州聖保羅市3M中心 泰瑞·K.夸烈 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐} 訂 4 43 9 84第||1可3521號專利中請案於々λ說明書修正頁(89年9月） Α5 :__；__Β5 四、.中丈¥明摘要（發明之^稱：半導體晶圓加工帶及加工處理半導體晶圓之 方法 一種半導體晶圓加工帶包括—永久性背襯及—層非感壓 黏著劑。該帶可用於晶圓研磨及/或晶圓切晶粒用途◊非 感壓黏著劑包括至少一種第一單烯屬未飽和單體'至少一 種第二單烯屬未飽和單體、及至少一種可共聚合非離子性 交聯劑之共聚物；其中該第二單烯屬未飽和單體為加強單 體，其具有均聚物之玻璃化溫度高於第一單晞屬未飽和單 體之玻璃化溫度。也提供加工半導體晶圓之方法。 r ^bb ^ · "SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING 英又發明摘要（發明以私.TAPES AND METHOD OF PROCESSING A SEMICONDUCTOR WAFER.， n I I «! — —ϋ. - - - - - - - i— 1— nn · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁各梱J 訂 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A semiconductor wafer processing tape includes a permanent backing and a layer of a nonpressure sensitive adhesive. The tapes are usefij! for wafer grinding and/or wafer dicing applications. The nonpressure sensitive adhesive includes a copolymer of at least one of a first monoethylenically unsaturated monomer, at least one of a second monoethylenically unsaturaLed monomer, and at least one copolymerizable nonionic crosslinking agent; wherein the second monoethylenically unsaturated monomer is a reinforcing monomer having a homopolymer glass transition temperature higher than that of the first monoethylenically unsaturated monomer A method of processing semiconductor wafers is also provided. -2- 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 4 43 3 6'4 第88103521號專相_ 『請案 告本 Α8 Β8 中文申請專利範ιΛΙΓ本(90年3 K) g| 圍

   鯉濟部中央標準局貞工消费合作社印製 r 體晶圓加工帶’包含_永久性背襯，及一廣 非感壓黏著劑於永久性背襯上；非感壓黏著劑包含一 種共聚物包含至少一種第一共聚合單烯屬未飽和單 體，至少一種第二共聚合單烯屬未飽和單體，及至少 一種共聚合非離子性交聯劑；其中該第二單烯屬未飽 和單體為具有均聚物玻璃化溫度高於第一單烯屬未飽 和單體之均聚物玻璃化溫度之加強用單體；及進一步 其中該黏著劑於膠帶施用至晶圓一面且去除後不會大 致造成晶圓之光密度改變。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其中該非 感壓黏著劑具有於室溫之儲存模量大於丨〇 X 1〇5巴斯 卡，且不大於5.0X107巴斯卡。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其中該非 感壓黏著劑不含脫逃性或遷移性成分。 4‘如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其進一步 包含一半導體晶圓於黏著劑暴露層上。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體晶圓加工帶，其具有對 包含選自包括矽、聚醯亞胺、氧氮化沙、及其組合之 材料之基材具有初抗撕黏著性5克/線性吋寬至500克/ 線性吋寬；及於周圍條件下接觸該基材停駐7日後之抗 撕黏著性為5克/線性吋寬至500克/線性吋寬。 6. —種半導體晶圓加工帶，包含一永久性背襯，及一層 非感壓黏著劑於永久性背襯上，其中該黏著劑包含一 種共聚物包含至少一種共聚合單晞屬未飽和單體具有 本纸張尺度適用中國國家棋率（CNS > Λ4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) I 丁