JPH0629266A - 半導体シリコンウエハの研磨方法および該方法に用いる粘着テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 本発明により、半導体シリコンウエハの表面
を実質的に汚染しない粘着剤層が設けられた粘着テープ
を半導体シリコンウエハの表面に貼付して半導体シリコ
ンウエハの裏面を研磨する方法および該方法に用いる粘
着テープが提供される。 【効果】 本発明によれば、半導体シリコンウエハの裏
面を研磨する際に、半導体シリコンウエハを破損するこ
とがなく、しかも半導体シリコンウエハの表面の汚染お
よび集積回路の腐蝕を防止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体シリコンウエハ
の集積回路が組み込まれた側の面（以下、半導体シリコ
ンウエハの表面という）に粘着テープを貼付して、該半
導体シリコンウエハの他の面（以下、半導体シリコンウ
エハの裏面という）を研磨する方法、および、該方法に
用いる粘着テープに関する。

【０００２】詳しくは、カラーテレビジョン、パーソナ
ルコンピュウター、カメラ、時計、電話等各種ＩＣ製品
に用いられる半導体シリコンウエハの製造工程におい
て、半導体シリコンウエハの裏面を研磨するに際し、特
定の粘着テープを半導体シリコンウエハの表面に貼付す
ることにより、半導体シリコンウエハの破損を防止し、
かつ、半導体シリコンウエハの表面が残留粘着剤、研磨
材および研磨屑の付着等により汚染されることを防止す
る半導体シリコンウエハの裏面を研磨する方法、およ
び、該方法に用いられる粘着テープに関する。

【０００３】

【従来の技術】近年、半導体チップは薄肉化、軽量化さ
れる傾向にある。そのため、半導体シリコンウエハの表
面に集積回路を組み込んだ後、更に半導体シリコンウエ
ハの裏面を研磨機を用いて研磨し、半導体シリコンウエ
ハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くするのが一
般的になっている。

【０００４】その際、集積回路が組み込まれた面を保護
することなしに研磨すると半導体シリコンウエハが破損
することがある。そのための保護手段として、半導体シ
リコンウエハ表面に粘着テープを貼付して保護する方法
が一般的に行なわれている。

【０００５】しかし、粘着テープを貼付すると粘着剤に
より半導体シリコンウエハの表面が汚染され、問題であ
る。この粘着剤による汚染を防止する方法が検討されて
いる。

【０００６】例えば、特公平１ー５１５１１号公報に
は、非イオン系界面活性剤、または非イオン系界面活性
剤と特定の水溶性有機化合物を含む粘着剤を合成樹脂フ
ィルムに塗布したＩＣプロセス用フィルムが提案されて
いる。

【０００７】該粘着テープは、非イオン系界面活性剤、
または非イオン系界面活性剤と特定の水溶性有機化合物
を含む粘着剤が塗布されているため、半導体ウエハ表面
から該粘着テープを剥離した後、該表面を水洗すること
により該表面に残った粘着剤を簡単に除去できる利点を
有する。しかし、５０μｍ未満の微小の汚染物は、水洗
しても完全には除去できないことがあり、必ずしも満足
できるＩＣプロセス用粘着テープとはいえない。

【０００８】従って、これらの問題を解決した半導体ウ
エハの裏面を研磨する方法の開発が強く要望されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題を解決し、半導体シリコンウエハの裏面を研磨する
に際し、半導体シリコンウエハの破損を防止するととも
に、半導体シリコンウエハの表面を汚染することなく、
かつ生産性のよい半導体シリコンウエハ裏面の研磨方
法、および該方法に用いる粘着テープを提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、特定の粘着剤層を有する粘着テープを用いるこ
とにより、上記目的が達成できることを見出し、本発明
を完成した。

【００１１】すなわち、本発明の第一の態様により、半
導体シリコンウエハの集積回路が組み込まれた側の面
に、粘着テープを貼付して、該半導体シリコンウエハの
他の面を研磨するに際し、単層フィルムまたは複層フィ
ルムから選ばれた基材フィルムの片表面に半導体シリコ
ンウエハの表面を実質的に汚染しない粘着剤層が設けら
れた粘着テープを該粘着剤層を介して該半導体シリコン
ウエハの集積回路が組み込まれた側の面に貼付すること
を特徴とする半導体シリコンウエハの研磨方法が提供さ
れる。

【００１２】また、本発明の第二の態様により、半導体
シリコンウエハの集積回路が組み込まれた側の面に貼付
して、該半導体シリコンウエハの他の面を研磨する際に
用いる粘着テープであって、単層フィルムまたは複層フ
ィルムから選ばれた基材フィルムの片表面に半導体シリ
コンウエハの表面を実質的に汚染しない粘着剤層が設け
られた粘着テープが提供される。

【００１３】本発明によれば、半導体シリコンウエハの
裏面を研磨するに際し、半導体シリコンウエハを破損し
たり、傷つけることがない。また、半導体シリコンウエ
ハの表面が残留粘着剤、研磨材および研磨屑等の付着に
より汚染されることがない。

【００１４】以下、本発明について詳細に説明する。本
発明の粘着テープは、基材フィルムの片表面に特定の粘
着剤を塗布、乾燥し、粘着剤層を形成したものであっ
て、該粘着剤層が半導体シリコンウエハの表面を実質的
に汚染しないものである。

【００１５】本発明の粘着テープに用いられる基材フィ
ルムは、単層フィルムでも複層フィルムでもよい。これ
らの素材として、エチレンー酢酸ビニル共重合体フィル
ム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブタジ
エンフィルム、ポリエチレンフィルムおよびポリプロピ
レンフィルム等が挙げられる。

【００１６】基材フィルムが単層フィルムからなる場
合、上記フィルムの内、ショアＤ硬度が４０以下である
ものが好ましく用いられる。また、基材フィルム層が複
層フィルムからなる場合、粘着剤層を設ける側のフィル
ムは、上記フィルムの内、ショアＤ硬度が４０以下であ
るものが好ましく用いられる。これらの硬度に合ったフ
ィルムとして、エチレンー酢酸ビニル共重合体フィルム
およびポリブタジエンフィルムが挙げられる。

【００１７】単層フィルムであっても、複層フィルムで
あっても粘着剤層を設ける側のフィルムのショアＤ硬度
が４０を超えると、半導体シリコンウエハの裏面を研磨
する際に、半導体シリコンウエハにかかる研磨応力が充
分に吸収されないため、研磨時に半導体シリコンウエハ
が破損または傷つくことがあるので好ましくない。

【００１８】本発明における基材フィルムのショアＤ型
硬度とは、ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に規定される方法に
準じて測定した値である。

【００１９】基材フィルムの厚さは、保護する半導体シ
リコンウエハの集積回路の形状、表面状態、半導体シリ
コンウエハの研磨方法、研磨条件および粘着テープの切
断、貼付方法等の各種条件により適宣決められるが、通
常は１０〜２０００μｍのものが好ましく用いられる。

【００２０】また、基材フィルムと粘着剤との投錨性を
改良する目的で、基材フィルムの粘着剤層を設ける面に
コロナ放電処理を施すことが好ましい。

【００２１】本発明の粘着テープの粘着剤層は、半導体
シリコンウエハの裏面の研磨中に該粘着テープが半導体
シリコンウエハの表面から剥がれないような適度な粘着
力を有し、かつ、半導体シリコンウエハの表面を実質的
に汚染しない粘着剤からなるものである。

【００２２】粘着力の大きさは、保護する半導体シリコ
ンウエハの集積回路の形状、表面状態、半導体シリコン
ウエハの研磨の方法、研磨条件および粘着テープの切
断、貼付等の作業条件等により適宣決められるが、通常
は５〜８００ｇ／２５ｍｍである。

【００２３】本発明において、半導体シリコンウエハの
表面を実質的に汚染しない粘着剤層とは、次の評価方法
により選ばれた粘着剤層である。

【００２４】異物が付着していないシリコンミラーウエ
ハの表面に、粘着剤層を介して粘着テープを貼付し、温
度が２３℃±２℃、相対湿度が５０±５％に調整された
雰囲気中に２４時間放置した後、該ミラーウエハの表面
から粘着テープを剥離し、ＥＳＣＡ（ワイドスキャンス
ペクトル法）を用いてシリコンミラーウエハの該表面に
付着した各元素に対応する波長強度の積分値を測定す
る。

【００２５】なお、ＥＳＣＡの測定条件は以下に示す通
りである。また、各元素に対応する波長強度の積分値を
求める時のバックグラウンド除去は直線法を用いる。 装置 ：ＶＧ−サイエンティフィック社製 （以下
ＶＧ社と略す） ＥＳＣＡ ＬＡＢ ＭＫII Ｘ線源 ：Ｍｇ Ｋα線 Ｘ線出力 ：３００Ｗ 測定真空度：５×１０^-9ｍｂａｒ以下 この時、炭素、カリウム、ナトリウムおよび塩素に対応
する波長強度の積分値とシリコンウムの該積分値との比
（以下、汚染度と呼ぶ）がそれぞれ、０．３（Ｃ／Ｓ
ｉ）以下、０．０３（Ｋ／Ｓｉ）以下、０．０３（Ｎａ
／Ｓｉ）以下、０．０３（Ｃｌ／Ｓｉ）以下であるもの
を半導体シリコンウエハの表面を実質的に汚染しない粘
着剤層とする。

【００２６】炭素（Ｃ）、カリウム（Ｋ）、ナトリウム
（Ｎａ）、塩素（Ｃｌ）等の元素が半導体シリコンウエ
ハの表面に付着し、それらによる汚染度がＣに関して
０．３、Ｋ、ＮａおよびＣｌに関してそれぞえ０．０３
を越えると、半導体シリコンウエハが汚染または腐食さ
れ断線等をきたし、集積回路としての機能を低下させる
か、または機能を果たさなくする。

【００２７】ＥＳＣＡは一定の面積内に存在する元素の
割合を測定するものである。十分に清浄なシリコンミラ
ーウエハの表面はシリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）の元素
からなり、一定の割合で分布している。そこに外部から
の汚染物、例えば、Ｃ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｌ等が入り込む
と、相対的にＳｉ、Ｏの占める面積の割合が減少するこ
とになる。ここでは、Ｓｉを代表値として選び、汚染度
の指標としてＣ／Ｓｉ、Ｋ／Ｓｉ、Ｎａ／Ｓｉ、Ｃｌ／
Ｓｉを定義する。

【００２８】十分に清浄な状態では、Ｃ＝０、Ｋ＝０、
Ｎａ＝０、Ｃｌ＝０であり汚染度はＣ／Ｉｎ＝０、Ｋ／
Ｉｎ＝０、Ｎａ／Ｉｎ＝０、Ｃｌ／Ｉｎ＝０となる。
Ｃ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｌが大きくなるにつれて（相対的にＳ
ｉが小さくなる）Ｃ／Ｓｉ、Ｋ／Ｓｉ、Ｎａ／Ｓｉ、Ｃ
ｌ／Ｓｉも大きくなる。すなわち、Ｃ／Ｓｉ、Ｋ／Ｓ
ｉ、Ｎａ／Ｓｉ、Ｃｌ／Ｓｉが大きい程、汚染された状
態といえ、本発明で用いる粘着剤としてはＣ／Ｓｉ、Ｋ
／Ｓｉ、Ｎａ／Ｓｉ、Ｃｌ／Ｓｉが小さい粘着剤層を与
えるものが好ましい。

【００２９】本発明に用いられる粘着剤は、上記条件を
満足する粘着剤層を形成するものであればその種類に関
係なく用いることができるが、アクリル樹脂系粘着剤が
好ましく用いられる。該アクリル樹脂系粘着剤として、
炭素数が１〜１８のアルキル基を有するアクリル酸エス
テル単量体と、アクリル酸、メタアクリル酸、および、
炭素数が１〜１８のアルキル基を有するアクリル酸また
はメタアクリル酸のエステル等から選ばれた単量体の１
種または２種以上を共重合して得られた粘着剤が例示さ
れ、これらの中から本発明で規定する上記の汚染度の試
験に合格する粘着剤層を与える物が用いられる。

【００３０】また、本発明に用いられる粘着剤には本発
明の目的を損なわない範囲において架橋剤、界面活性
剤、有機溶剤等を添加することが可能である。

【００３１】基材フィルム層に設ける粘着剤層の厚さ
は、半導体シリコンウエハの集積回路の表面状態等によ
り適宜決められるが、通常は２〜２００μｍが好まし
い。

【００３２】基材フィルム層に粘着剤層を設ける方法と
しては、粘着剤を基材フィルムの片表面に塗布する方法
が好ましく、従来公知の塗布方法、例えば、ロールコー
タ法、浸漬法、ハケ塗り法、スプレー法等が採用でき、
基材フィルムの片表面の全面または一部分に塗布するこ
とができる。

【００３３】本発明の粘着テープは、通常、粘着剤層の
表面に剥離フィルムを貼付し、巻体状あるいは一定寸法
に切断して積み重ねた積層体状等の形態として運搬、貯
蔵等される。剥離フィルムとしては、剥離性が良好であ
るポリプロピレンフィルムが好ましく用いられる。特に
二軸延伸ポリプロピレンフィルムが剥離性および貼付作
業性、剥離作業性が良好であるため好ましく用いられ
る。

【００３４】粘着テープを使用する際は、先ず、上記剥
離フィルムを剥離した後、半導体シリコンウエハの表
面、即ち集積回路が組み込まれた面に粘着テープを貼付
し、機械または人手により半導体シリコンウエハの形状
に合うようトリミングする。

【００３５】次に、本発明の方法により、半導体シリコ
ンウエハの裏面を研磨する方法について説明する。

【００３６】シリコンウエハ等のウエハの表面に集積回
路を組み込んだ後、該ウエハの表面に粘着剤層を介して
粘着テープを貼付し、機械または人手により半導体シリ
コンウエハの形状に合うようトリミングする。

【００３７】次いで、粘着テープが貼付された半導体シ
リコンウエハの裏面を、研磨機、（例えば、（株）ディ
スコ社製、形式；インフィードグラインダーＤＦＧ−８
２１Ｆ／８型）を用いて研磨し、１００〜６００μｍ程
度の厚さに薄肉化する。

【００３８】この時、使用する砥石としては、最初の粗
削りの時は粒度が＃１００〜＃１０００、最後の仕上げ
の時は粒度が＃７００〜＃３０００のものが好ましい。
粒径は、最初の粗削りの時は１０〜１５０μｍ、最後の
仕上げの時は１〜３０μｍのものが好ましい。また、砥
石の周速度は、最初の粗削りの時は２〜１０μｍ／ｓｅ
ｃ、最後の仕上げの時は０．１〜２μｍ／ｓｅｃが好ま
しい。研磨時間は生産性等を考慮すると、１〜２０分間
が好ましい。

【００３９】この際、半導体シリコンウエハの表面に貼
付された粘着テープは、半導体シリコンウエハの破損お
よび集積回路に研磨屑等が付着することを防止する。研
磨が完了した後、純水を用いて、該研磨面に付着した研
磨屑等を洗い落とす次に、半導体シリコンウエハの表面
から粘着テープを剥離して、純水を用いて半導体シリコ
ンウエハの表面を洗浄し、乾燥する。

【００４０】

【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳細に説
明する。なお、実施例における物性等の評価は下記の方
法で行なった。

【００４１】ショアＤ型硬度 ＡＳＴＭ Ｄ−２２４０に規定される方法に準ずる。

【００４２】汚染度 異物が付着していないシリコンミラーウエハの表面に粘
着テープを貼付した状態で、温度が２３±２℃、相対温
度が５０±５％に調整された雰囲気中に２４時間放置し
た後、該ミラーウエハの表面から粘着テープを剥離し、
ＶＧ社製のＥＳＣＡを用いて、Ｘ線源：Ｍｇ Ｋα線、
Ｘ線出力：３００Ｗ、測定真空度：５×１０^-9ｍｂａｒ
以下、の条件下で該ミラーウエハの該表面に付着した元
素を測定する。得られたワイドスキャンスペクトルの
Ｃ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｌに対応する波長強度の積分値とＳｉ
の該積分値との比（Ｃ／Ｓｉ）、（Ｋ／Ｓｉ）、（Ｎａ
／Ｓｉ）、（Ｃｌ／Ｓｉ）を求め、汚染度とする。

【００４３】破損率 径４インチ、厚さ５５０μｍの半導体シリコンウエハの
表面に粘着テープを貼付し、該半導体シリコンウエハの
裏面を研磨機〔（株）ディスコ社製，形式；ＦＧ−８２
１Ｆ／８、砥石粒度；（初期）＃３２０、（仕上げ）＃
１４００、粒径；（初期）４０〜６０μｍ、（仕上げ）
５〜１２μｍ、〕を用いて砥石周速度：（初期）５０ｍ
／ｓｅｃ．（仕上げ）５７ｍ／ｓｅｃ．で研磨する。半
導体シリコンウエハ２００枚を研磨した時の破損ウエハ
数の割合を破損率とする。

【００４４】腐食状況 と同様の方法で半導体シリコンウエハの裏面を研磨す
る。粘着テープを剥離した後、下記の方法により半導体
シリコンウエハの表面を洗浄、乾燥する。 ＜洗浄方法＞（ａ）５０℃のイソプロピルアルコールに
浸漬し超音波で１０分間洗浄する。 （ｂ）その後常温純水に浸漬し超音波で１０分間洗浄す
る。 （ｃ）赤外線ヒーターで乾燥する。 ＜腐食状況評価方法＞洗浄後の半導体シリコンウエハを
温度６０℃、相対湿度７５％において１０００時間放置
した後、その表面を光学顕微鏡（倍率４００倍）を用い
て観察し、電極、配線の腐食状況を確認する。

【００４５】異物付着量 異物が付着していないシリコンミラーウエハの表面に粘
着テープを貼付した状態で、温度が２３±２℃、相対温
度が５０±５％に調整された雰囲気中に２４時間放置し
た後、該ミラーウエハの表面から粘着テープを剥離し
た。剥離面を項と同様の方法で洗浄、乾燥し、ウエハ
表面検査機（日立電子エンジニアリング（株）製、形
式：ＨＬＤ−３００Ｂ）を用いて、洗浄後のシリコンミ
ラーウエハ表面に付着している大きさ０．５μｍ以上の
異物を計数する。

【００４６】実施例１ エチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡという）
をＴダイ押出法にて製膜し、厚さ１４０μｍのＥＶＡフ
ィルムを得た。

【００４７】該ＥＶＡフィルムの片面にコロナ放電処理
を施した後、該処理面に汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．０７、
Ｋ／Ｓｉ＝０．０１、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０１、Ｃｌ／Ｓ
ｉ＝０．０１のアクリル系粘着剤（三井東圧化学（株）
製、商品名；ＭＴ−ＴＡＣＫ５０４５ＥＥ）をロールコ
ータ機を用いて塗布し９０℃で乾燥して、約２０μｍの
アクリル系粘着剤層を設けた粘着テープを得た。

【００４８】得られた粘着テープを４インチの半導体シ
リコンウエハの表面に貼付し、常温で約２４時間放置し
た後、（株）ディスコ社製のインフィーダーグラインダ
ーＤＦＧ−８２１Ｆ／８型を用いて該半導体シリコンウ
エハの裏面を研磨した。

【００４９】この時、最初の粗削りに使用した砥石は、
粒度が＃３２０、粒径が４０〜６０μｍで、最後の仕上
げに使用した砥石は粒度が＃１４００、粒径が５〜１２
μｍであった。

【００５０】また、砥石の周速度は、最初の粗削りは５
０ｍ／ｓｅｃ、最後の仕上げは５７ｍ／ｓｅｃ、送り速
度は、最初の粗削りの時は６→３μｍ／ｓｅｃ、最後の
仕上げの時は１．０→０．５μｍ／ｓｅｃであった。研
摩時間は７分間で、研摩量は約４５０μｍであった。

【００５１】研磨が完了した後、純水を用いて、該研磨
面に付着した研磨屑等を洗い落とし、次いで、半導体シ
リコンウエハ表面から粘着テープを剥離した。

【００５２】半導体シリコンウエハの研磨の際の破損率
および腐食状況、ならびに、シリコンミラーウエハの異
物付着量の評価を上記方法により評価した。得られた結
果を〔表１〕に示す。

【００５３】実施例２ ポリブタジエン（以下、ＰＢという）をＴダイ押出法に
て製膜し、厚さ６０μｍのＰＢフィルムを得て、これを
基材フィルムとして用いた以外は、実施例１と同様の方
法で試験した。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００５４】実施例３ 粘着テープの粘着剤として，汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．１
５、Ｋ／Ｓｉ＝０．０１ 、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０１、Ｃ
ｌ／Ｓｉ＝０．０１アクリル系粘着剤（三井東圧化学
（株）製、商品名；ＭＴ−ＴＡＣＫ ５１４３ＥＥ）を
用いた以外は、実施例１と同様の方法で試験した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。

【００５５】実施例４ 粘着テープの粘着剤として，汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．２
８、Ｋ／Ｓｉ＝０．０１、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０１、Ｃｌ
／Ｓｉ＝０．０１アクリル系粘着剤（三井東圧化学
（株）製、商品名；ＭＴ−ＴＡＣＫ ５３７９ＥＥ）を
用いた以外は、実施例１と同様の方法で試験した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。

【００５６】実施例５ 粘着テープの粘着剤として、汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．２
８、Ｋ／Ｓｉ＝０．０２、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０２、Ｃｌ
／Ｓｉ＝０．０２アクリル系粘着剤（三井東圧化学
（株）製、商品名；ＭＴ−ＴＡＣＫ ５３３７ＥＥ）を
用いた以外は、実施例１と同様の方法で試験した。得ら
れた結果を〔表１〕に示す。

【００５７】実施例６ 基材フィルムとして、Ｔダイ押出法により製膜した厚さ
７０μｍのＥＶＡフィルムとＴダイ押出法により製膜し
た厚さ２０μｍのポリエチレン（以下、ＰＥという）フ
ィルムをアクリル系接着剤（三井東圧化学（株）製、商
品名；ストラクトボンドＸ−５０６０）を用いて接着、
積層した積層フィルムを用い、該積層フィルムのＥＶＡ
フィルム面にコロナ放電処理を施して、該処理面に粘着
剤層を設けた以外は、実施例１と同様の方法で試験し
た。得られた結果を〔表１〕に示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】比較例１ 粘着テープの粘着剤として、汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．３
５、Ｋ／Ｓｉ＝０．０２、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０２、Ｃｌ
／Ｓｉ＝０．０２アクリル系粘着剤（一方社油脂工業
（株）製、商品名；エマポールＲ−２２）を用いた以外
は、実施例１と同様の方法で試験した。得られた結果を
〔表２〕に示す。

【００６０】比較例２ 粘着テープの粘着剤として、汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．２
８、Ｋ／Ｓｉ＝０．０５、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０２、Ｃｌ
／Ｓｉ＝０．０２アクリル系粘着剤（一方社油脂工業
（株）製、商品名；エマポールＲ−６０）を用いた以外
は、実施例１と同様の方法で試験した。得られた結果を
〔表２〕に示す。

【００６１】比較例３ 粘着テープの粘着剤として、汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．２
８、Ｋ／Ｓｉ＝０．０２、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０６、Ｃｌ
／Ｓｉ＝０．０２アクリル系粘着剤（一方社油脂工業
（株）製、商品名；エマポールＲ−１６５）を用いた以
外は、実施例１と同様の方法で試験した。得られた結果
を〔表２〕に示す。

【００６２】比較例４ 粘着テープの粘着剤として、汚染度がＣ／Ｓｉ＝０．２
８、Ｋ／Ｓｉ＝０．０２、Ｎａ／Ｓｉ＝０．０２、Ｃｌ
／Ｓｉ＝０．０８アクリル系粘着剤（一方社油脂工業
（株）製、商品名；エマポールＲ−９７５）を用いた以
外は、実施例１と同様の方法で試験した。得られた結果
を〔表２〕に示す。

【００６３】比較例５ 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口および撹
拌機を備えたフラスコに脱イオン水１５０重量部、ポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル２重量部を入
れ、窒素雰囲気下で撹拌しながら７０℃まで昇温する。
重合開始剤０．５重量部を添加し溶解させる。

【００６４】次いで、メタアクリル酸メチル２３重量
部、アクリル酸−２−エチルヘキシル７３重量部、メタ
アクリル酸グリシジル２重量部、メタアクリル酸２重量
部よりなるモノマー混合物１００重量部を４時間かけて
連続滴下し、滴下終了後３時間撹拌を続け重合して、固
形分約４７重量％のアクリルエマルジョン系粘着剤を作
製した。

【００６５】この粘着剤を用いて、下記組成で塗布液を
作製し、Ｔダイ法で製膜した厚み２００μｍのＥＶＡフ
ィルムのコロナ放電処理した片面にロールコーターにて
塗布し、９０℃で乾燥し、厚み５０μｍのアクリル粘着
剤層を有する粘着テープを得た。

【００６６】アクリル系エマルジョン粘着剤
１００重量部 ジエチレングリコールモノブチルエーテル ５０重量
部 ポリオキシエチレンフェニルエーテル ５重量
部 この粘着テープを用いた以外は、実施例１と同様の方法
で試験した。得られた結果を〔表２〕に示す。

【００６７】

【表２】

【００６８】

【発明の効果】本発明によれば、半導体シリコンウエハ
の裏面を研磨する際に、半導体シリコンウエハを破損す
ることがなく、しかも半導体シリコンウエハの表面の汚
染および集積回路の腐蝕を防止することができる。その
ため、不良品の発生率を低く抑えることができ、生産性
良く半導体シリコンウエハを製造することが可能であ
る。

【手続補正書】

【提出日】平成４年８月２５日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００３８

【補正方法】変更

【補正内容】

【００３８】この時、使用する砥石としては、最初の粗
削りの時は粒度が＃１００〜＃１０００、最後の仕上げ
の時は粒度が＃７００〜＃３０００のものが好ましい。
粒径は、最初の粗削りの時は１０〜１５０μｍ、最後の
仕上げの時は１〜３０μｍのものが好ましい。また、砥
石の周速度は、最初の粗削りの時は１０〜１００ｍ／ｓ
ｅｃ、最後の仕上げの時は１５〜１２０ｍ／ｓｅｃが好
ましい。砥石の送り速度は、最初の粗削りの時は２〜１
０μｍ／ｓｅｃ、最後の仕上げの時は０．１〜２μｍ／
ｓｅｃが好ましい。研磨時間は生産性等を考慮すると、
１〜２０分間が好ましい。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武内 洋子 愛知県名古屋市南区丹後通２丁目１番地 三井東圧化学株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体シリコンウエハの集積回路が組み
   込まれた側の面に、粘着テープを貼付して、該半導体シ
   リコンウエハの他の面を研磨するに際し、単層フィルム
   または複層フィルムから選ばれた基材フィルムの片表面
   に半導体シリコンウエハの表面を実質的に汚染しない粘
   着剤層が設けられた粘着テープを該粘着剤層を介して該
   半導体シリコンウエハの集積回路が組み込まれた側の面
   に貼付することを特徴とする半導体シリコンウエハの研
   磨方法。
2. 【請求項２】 半導体シリコンウエハの表面を実質的に
   汚染しない粘着剤層が、下記粘着剤層である請求項１記
   載の半導体シリコンウエハの研磨方法。異物が付着して
   いないシリコンミラーウエハの表面に、粘着剤層を介し
   て粘着テープを貼付し、温度２３℃±２℃、相対湿度５
   ０％±５％に調整された雰囲気中に２４時間放置した
   後、該ミラーウエハの表面から該粘着テープを剥離し、
   該ミラーウエハの該表面をＥＳＣＡのワイドスキャンス
   ペクトル法で分析し、炭素、カリウム、ナトリウム、お
   よび塩素に対応する波長強度の積分値とシリコンの該積
   分値との比がそれぞれ、０．３（Ｃ／Ｓｉ）以下、０．
   ０３（Ｋ／Ｓｉ）以下、０．０３（Ｎａ／Ｓｉ）以下、
   ０．０３（Ｃｌ／Ｓｉ）以下である粘着剤層。
3. 【請求項３】 粘着剤層が、アクリル樹脂系粘着剤から
   なる粘着剤層である請求項２記載の半導体シリコンウエ
   ハの研磨方法。
4. 【請求項４】 粘着剤層を形成する基材フィルムのショ
   アＤ型硬度が４０以下である請求項１記載の半導体シリ
   コンウエハの研磨方法。
5. 【請求項５】 基材フィルムが、エチレン−酢酸ビニル
   共重合体フィルムまたはポリブタジエンフィルムである
   請求項１または４記載の半導体シリコンウエハの研磨方
   法。
6. 【請求項６】 半導体シリコンウエハの集積回路が組み
   込まれた側の面に貼付して、該半導体シリコンウエハの
   他の面を研磨する際に用いる粘着テープであって、単層
   フィルムまたは複層フィルムから選ばれた基材フィルム
   の片表面に半導体シリコンウエハの表面を実質的に汚染
   しない粘着剤層が設けられた粘着テープ。
7. 【請求項７】 半導体シリコンウエハの表面を実質的に
   汚染しない粘着剤層が、下記粘着剤層である請求項６記
   載の粘着テープ。異物が付着していないシリコンミラー
   ウエハの表面に、粘着剤層を介して粘着テープを貼付
   し、温度２３℃±２℃、相対湿度５０％±５％に調整さ
   れた雰囲気中に２４時間放置した後、該ミラーウエハの
   表面から該粘着テープを剥離し、該ミラーウエハの該表
   面をＥＳＣＡのワイドスキャンスペクトル法で分析し、
   炭素、カリウム、ナトリウム、および塩素に対応する波
   長強度の積分値とシリコンの該積分値との比がそれぞ
   れ、０．３（Ｃ／Ｓｉ）以下、０．０３（Ｋ／Ｓｉ）以
   下、０．０３（Ｎａ／Ｓｉ）以下、０．０３（Ｃｌ／Ｓ
   ｉ）以下である粘着剤層。