JPH04199516A - ウエハ加工用フィルム - Google Patents

ウエハ加工用フィルム

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JPH04199516A
JPH04199516A JP32550690A JP32550690A JPH04199516A JP H04199516 A JPH04199516 A JP H04199516A JP 32550690 A JP32550690 A JP 32550690A JP 32550690 A JP32550690 A JP 32550690A JP H04199516 A JPH04199516 A JP H04199516A
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JP
Japan
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film
adhesive
wafer
adhesive agent
wafer processing
Prior art date
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Pending
Application number
JP32550690A
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English (en)
Inventor
Yasuo Takemura
竹村 康男
Osamu Narimatsu
成松 治
Kazuyoshi Komatsu
小松 和義
Yoko Takeuchi
武内 洋子
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンウェハ等を研磨加工する際に用いる
破損防止のためのウェハ加工用フィルムに関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路(IC)は通常、高純度シリコン単結晶
等をスライスしてウェハとした後、エツチング等により
集積回路を組み込み、ダイシングしてチップ化する方法
で製造されているが、これらの工程の中で、シリコン等
のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため、
ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工用
フィルムが用いられている。
一般に、粘着剤として、水系エマルジョン粘着剤と溶剤
系粘着剤が用いられているが、安全面、衛生面、コスト
面から考えて水系エマルジョン粘着剤の方が好ましい。
また、ウェハ加工用フィルムをウェハ加工の用途に供し
た後、ウェハ表面を洗浄する際、溶剤系粘着剤を用いた
フィルムを使用した場合、水洗浄では汚染を除去しきれ
ず、をI!溶剤の使用等で手間がかかり、安全、衛生面
からも問題がある。−方、水系エマルジョン粘着剤を用
いたフィルムでは、水洗浄でも十分に汚染を除去できる
という利点もある。
しかして、水系エマルジジン粘着剤を用いた場合、架橋
剤として加水分解しない化合物が必要である。ところが
、加水分解しない架橋剤は架橋反応が遅く、ウェハ加工
用フィルムを生産してから長時間の熟成が必要であった
さらに、架橋が不十分であったり、架橋剤が加水分解し
て、架橋反応が起こらなかった粘着剤を用いたウェハ加
工用フィルムを使用すると、ウェハ表面に粘着剤が残留
し、ウェハの腐食が発生するという欠点があった。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上の点に鑑み、本発明の目的は、粘着剤によるウェハ
の腐食を防止するウェハ加工用フィルムを提供すること
である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは上記目的を達成するため粘着剤について鋭
意検討した結果、粘着剤として水系エマルジョン粘着剤
を用いた場合、粘着剤のpHを7以上とした後、アジリ
ジン系架橋剤を添加すると、架橋剤の加水分解が防止さ
れ、架橋反応も速やかに起こり、長時間の熟成をするこ
となく、架橋密度の高い粘着剤が得られ、糊残りも全く
起こらず、ウェハの腐食も防げることを見出し本発明を
完成した。
即ち本発明は、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けた
ウェハ加工用フィルムにおいて、粘着剤層に粘着剤のp
Hを7以上とした後、アジリジン系化合物を添加した水
系エマルジョン塗布液を用いてなることを特徴とするウ
ェハ加工用フィルムである。
本発明のウェハ加工用フィルムの使用対象となるウェハ
はシリコンのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−砒素
、ガリウム−リン、ガリウム−砒素−アルミニウム等の
ウェハが挙げられる。
本発明でいう水系エマルジョン粘着剤には特に限定はな
く、アクリル系、ゴム系等公知のものを用いることが出
来る。
ここでいうアクリル系粘着剤とは、例えばアクリル酸エ
チル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル等のアク
リル酸、メタクリル酸等のエステル、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル
アミド、メタクリルアマイド、アクリルニトリル等の官
能基を有するアクリル、メタクリル系化合物等のモノマ
ーに界面活性剤、イオン交換水又は純水、および重合開
始剤を添加し、水中でエマルジョン重合をした粘着剤で
ある。
モノマー組成の選択については必要とする粘着力に応じ
適宜選択できる。
また、本発明に用いる水系エマルジョン用の界面活性剤
は、非イオン系の界面活性剤が望ましく、例えばポリオ
キシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエ
チレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンラ
ウリルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピ
レンブロックボリマー等である。
本発明の粘着剤層に用いる水系エマルジョン塗布液は粘
着剤のpHを7以上とした後、アジリジン系架橋剤を添
加する。
粘着剤のPHを7以上にするには、アルカリ性化合物を
用いれば良いが、ウェハの腐食に与える影響を考えた場
合、アンモニアが好ましい。
pHが7未満の場合は、該架橋剤の加水分解が起こり易
く架橋が不十分となる。
アジリジン系架橋剤は適宜選択出来るが、例示するなら
ば、N、N’−へキサメチレン−1,6−ビス(1〜ア
ジリジンカルボキサミド)、N、 N’−ジフェニルメ
タン−4,4′−ビス(l−アジリジンカルボキサミド
)、トリメチロールプロパン−トリーβ−アジリジニル
プロピオネート、テトラメチロールメタン−トリーβ−
アジリジニルプロピオネート、N、N’4ルエンー2.
4−ビス(1−アジリジンカルボキサミド)、トリエチ
レンメラミン、トリメチロールプロパン−トリーβ−(
2−メチルアジリジン)プロピオネート等が挙げられる
本発明のウェハ加工用フィルムは基材フィルムの片面に
粘着剤を塗布し、乾燥後、粘着剤層にセパレータを密着
させて得られる。
本発明で用いる基材フィルムとしては、合成樹脂あるい
は天然、合成ゴム等からなるフィルムを適宜選択できる
基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリ/L/系等の合成ゴム等である。
基材フィルムの厚みは保護するウェハの形状、表面状態
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
10μm〜2000μmが好ましい。
基材フィルムの表面に設ける該粘着剤の膜厚みとしては
、ウェハの表面状態、形状、研磨方法等により適宜法め
られるが、通常2μm〜1100IIである。好ましく
は5μm〜50.cImである。
粘着剤を基材フィルム面に塗布する方法としては、従来
公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビアロ
ール法、バーコード法等が採用でき、基材フィルムの片
面全面に塗布することができる。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により説明する。
尚、本実施例における評価は下記の方法で実施した。
■架橋度 液体クロマトグラフィーによる。
測定装置及び条件。
カラム:東洋ソーダG20001(82本検出器:RI
  ERMA    ERC−7520UV  日本分
光 UVI[1E100− IIIソフト:島津 C−
R3A GPCソフト抽出条件:ソックスレー抽出器を
使用してフィルム15cm X 15c霞をメタノール
で24時間抽出する。
■破壊電圧 破壊電圧はICの端子から徐々に電圧をかけていき、そ
のICが破壊する電圧を測定する方法である。アルミニ
ウム配線部が腐食していたり、腐食のために断線してい
れば、その破壊電圧が低下、もしくは断線していれば通
電しないことが起こる。
評価法としては、フィルムを使用して裏面研磨をしたI
Cを70°C×80%R,H,の環境の中で2000時
間放置した後、破壊電圧を測定した。
フィルムを使用しない場合の破壊電圧は22Vであった
■ウェハ表面観察 破壊電圧を測定するウェハの表面状態を走査型電子顕微
鏡で観察した。
測定装置及び条件。
装置: 日本電子工業株式会社製 JEOL  JXA−840A 条件:X線照射範囲 (プログ径) 45μm×67μm 加速電圧    20kV W−D (試料と対物レンズの距離) 9mm プログ電流   0.5 X 10− ” A(異物プ
ログ径) 8 μmmX10l1エネルギー分散型 実施例1 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口および攪
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性剤としてポリオキンエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で撹拌しながら7
0°Cまで昇温した。
次に、重合開始剤として過酸化水素水とL−アスコルビ
ン酸を0.5重量部ずつ添加し溶解させ、更にアクリル
酸2−エチルヘキシル70重量部、メタクリル酸メチル
25重量部、メタクリル酸3重量部、アクリル酸2−ヒ
ドロキシエチル2重量部よりなるモノマー混合物100
重量部を4時間で連続滴下し、滴下終了後も3時間攪拌
を続けて重合し、固形公約40wt%のアクリルエマル
ジョン系粘着剤を得た。
次に、この粘着剤のPHをアンモニアで8.5に調製し
、アジリジン系架橋剤N、 N’−ジフェニルメタン−
4,4°−ビス(1−アジリジンカルボキンアミド)0
.5重量部とジエチレングリコールモノブチル”エーテ
ル10重量部添加し、塗布液を得た。
次に、この塗布液を厚さ150μmのエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体フィルムのコロナ処理した片面にロールコ
ータ−にて塗布、105°Cで乾燥し塗布厚み20pm
のアクリル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得
た。
得られたウェハ加工用フィルムをアルミニウムをバター
ニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24時間
放置した後、該フィルムを剥がし、粘着剤の架橋度、ウ
ェハの破壊電圧の測定、および表面の観察を行った。結
果を第1表に示す。
実施例2 実施例1と同様の方法でアクリルエマルジョン系粘着剤
を得た。
次に、この粘着剤のpHを水酸化ナトリウムを用いて、
8.0に調製し、アジリジン系架橋剤N、N’−へキサ
メチレン−1,6−ビス(1−アジリジンカルボキシア
ミド)0.5重量部とジエチレングリコールモノブチル
エーテル10重量部添加し、塗布液を得た。
次に、実施例1と同様の方法でウェハ加工用フィルムを
作成し、実施例1と同様の方法で評価した。
比較例1 実施例1と同様の方法でアクリルエマルジョン系粘着剤
を得た。
次に、この粘着剤のpHをアンモニアで6.5に調製し
、アジリジン系架橋側N、+1’−ジフェニルメタン−
4,4′−ビス(1−アジリジンカルボキシアミド)0
.5重量部とジエチレングリコールモノブチルエーテル
10重量部添加し、塗布液を得た。
次に、実施例1と同様の方法でウェハ加工用フィルムを
作成し、実施例1と同様の方法で評価した。
塗布液中に微小な凝集物が発生していたため、塗布した
所、塗布面にスジがでた。
比較例2 架橋剤として、ペンタエリスリトールポリグリシジルエ
ーテルを0.5重量部用いた以外、実施例1と同様の方
法で塗布液を作成した。
次に、実施例1と同様の方法でウェハ加工用フィルムを
作成し、実施例1と同様の方法で評価した。
比較例3 実施例1と同様の方法で粘着剤を得た。
次に、粘着剤のpHを水酸化ナトリウムで6.5に調製
し、架橋剤として、トリメチロールプロパンポリグリシ
ジルエーテルを0.5重量部用いた以外、実施例1と同
様の方法で塗布液を作成した。
次に、実施例1と同様の方法でウェハ加工用フィルムを
作成し、実施例1と同様の方法で評価した。
〔発明の効果〕
本発明のウェハ加工用フィルムは粘着剤のpHを7以上
にしてから、アジリジン系化合物を添加した水系エマル
ジョン塗布液を用いることにより、ウェハを腐食しない
という優れた効果を発揮するものである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けたウェハ加工
    用フィルムにおいて、粘着剤層に粘着剤のpHを7以上
    とした後、アジリジン系化合物を添加した水系エマルジ
    ョン塗布液を用いてなることを特徴とするウェハ加工用
    フィルム。 2、粘着剤のpHを7以上とするに際し、アンモニアを
    用いてなる請求項1記載のウェハ加工用フィルム。
JP32550690A 1990-11-29 1990-11-29 ウエハ加工用フィルム Pending JPH04199516A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
US6478918B2 (en) 1998-03-30 2002-11-12 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes

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