JPH0151511B2 - - Google Patents

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JPH0151511B2
JPH0151511B2 JP16432884A JP16432884A JPH0151511B2 JP H0151511 B2 JPH0151511 B2 JP H0151511B2 JP 16432884 A JP16432884 A JP 16432884A JP 16432884 A JP16432884 A JP 16432884A JP H0151511 B2 JPH0151511 B2 JP H0151511B2
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JP
Japan
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adhesive
film
weight
parts
water
Prior art date
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JP16432884A
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JPS6143677A (ja
Inventor
Osamu Narimatsu
Michasu Ito
Kazuyoshi Komatsu
Yasuhiro Shibata
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
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Publication date
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Priority to KR1019860700046A priority patent/KR900001236B1/ko
Priority to EP19850902642 priority patent/EP0185767B1/en
Priority to PCT/JP1985/000284 priority patent/WO1985005734A1/ja
Priority to US06/823,492 priority patent/US4853286A/en
Publication of JPS6143677A publication Critical patent/JPS6143677A/ja
Priority to US07/357,351 priority patent/US4928438A/en
Publication of JPH0151511B2 publication Critical patent/JPH0151511B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はIC製造工程において使用される粘着
剤付フイルム、特に塵埃汚染があつても簡単に洗
浄除去が可能なICプロセス用フイルムに関する
ものである。 (従来の技術) 半導体集積回路(IC)は通常、高純度シリコ
ーン単結晶等をスライスしてウエハとした後、エ
ツチング等により集積回路を組み込み、ダイシン
グしてチツプ化する方法で製造されているが、こ
れらの各工程において、シリコンウエハの破損を
防止したり、加工を容易にするため、ウエハ表面
に粘着剤層を介して貼りつけるICプロセス用フ
イルムが用いられている。 しかして、このICプロセス用フイルムの製造
工程あるいは輸送、保管中において空気中の塵埃
が付着することがあり、このプロセス用フイルム
を使用した場合、ウエハ表面に塵埃が転着しウエ
ハ腐食等による半導体の品質低下、更には機能喪
失等の問題をひき起す。 従つて、IC製造工程においては、プロセス用
フイルムを使用した後には必ずウエハ表面の洗浄
をするが、従来の粘着剤付きフイルムではいかな
る洗浄剤及び洗浄方法を使用してもウエハ表面に
付着した塵埃の除去が困難な欠点がある。これは
粘着剤に付着した塵埃の周囲を疎水性の樹脂粘着
剤が包んでいるため、洗浄剤で洗浄しても除去す
る事が不可能なためである。 (発明が解決しようとする問題点) 本発明はICシリコンウエハ等の表面に塵埃が
転着しても水等で容易に洗浄除去できるICプロ
セス用フイルムを提供する事を目的とする。 (問題点を解決するための手段) 本発明者らは上記目的を達成するため粘着剤層
組成について鋭意検討した結果、表面張力を低下
させる界面活性剤を粘着剤に含有させたもの、又
はこれ等に水に溶ける有機化合物を含有させたも
のを使用することにより、水及び/又は親水性洗
浄剤で簡単に洗浄除去することができる事を見い
出し、本発明を完成した。 即ち本発明は合成樹脂フイルムの少なくとも片
面に、非イオン系界面活性剤の単独を含有する水
エマルジヨン系粘着剤、又は沸点が100℃以上で
ある水溶性有機化合物と非イオン系界面活性剤の
両者を含有する水エマルジヨン系粘着剤を塗布し
てなることを特徴とするICプロセス用フイルム
である。 本発明に用いる水溶性有機化合物としては、例
えばジエチレングリコールモノブチルエーテル、
トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールモノブチルエーテルアセテート等が
あげられ、このうち好ましくは沸点が100℃以上
更に好ましくは150℃以上のものである。 沸点が100℃未満では粘着剤塗工事に飛散しや
すく、洗浄除去効果が乏しくなるので好ましくな
い。 また、非イオン系界面活性剤としては、例えば
ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテ
ル、アルカノールアマイド、ポリオキシエチレン
ノニルフエノールエーテル、ポリエチレングリコ
ール、ポリエチレンオキシラウリルエーテル等で
ある。アニオン系、カチオン系の界面活性剤では
陰イオン、陽イオン残溜分がウエハ表面を腐食す
るので使用できない。 本発明でいう水エマルジヨン系粘着剤とは、例
えばメタクリル酸メチル、アクリル酸ブチル、ア
クリル酸―2―エチルヘキシル、アクリル酸エチ
ル等の(メタ)アクリル酸エステルモノマーに乳
化剤、脱イオン水、重合開始剤を添加し水中でエ
マルジヨン重合した粘着剤であり、モノマー組成
の選択については必要とする接着力に応じ適宜行
う事が可能である。こうして重合された水エマル
ジヨン粘着剤は通常30〜60wt%の固形分を含有
するが、塗布時には粘着調整のためさらに水で希
釈することもできる。 上記の水溶性有機化合物あるいは界面活性剤の
水エマルジヨン粘着剤に対する含有量は、用いる
シリコンウエハに対する接着力と剥離後の塵埃除
去効果を勘案して適宜選択することが可能である
が、通常水エマルジヨン粘着剤100重量部に対し
て水溶性有機化合物が1〜100重量部、好ましく
は5〜50重量部、界面活性剤が0.01〜50重量部、
好ましくは0.1〜10重量部である。水溶性有機化
合物あるいは界面活性剤のみでも上記含有量で充
分効果を発揮するが両者を併用すると相乗効果を
もたらし、添加量が低減できるので望ましいもの
である。 上記水エマルジヨン粘着剤中への水溶性有機化
合物および界面活性剤の添加は、通常粘着剤の重
合後ないし塗布前において行うが、界面活性剤の
添加は乳化剤を兼ねて粘着剤の水エマルジヨン重
合時に行うこともできる。 合成樹脂フイルムとしては、ポリエチレン、ポ
リプロピレン、エチレン酢ビ共重合樹脂、ポリ塩
化ビニル、ナイロン、ポリエステル等の樹脂から
なり、厚み5μm〜500μmの片面コロナ処理したフ
イルムが好ましい。 塗布方法としては、リバースロールコーター、
グラビヤコーター、バーコーター等の公知のコー
テイング方法で塗布、通常80〜150℃の熱風で乾
燥することにより可能である。乾燥後の塗布厚み
は、通常1μm〜200μmぐらいである。 (実施例) 以下実施例にて本発明を更に具体的に説明す
る。 実施例 1 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口
及び撹拌器を付したフラスコに脱イオン水150重
量部、ポリオキシエチレンノニルフエノールエー
テル(界面活性剤)2重量部、を入れ窒素雰囲気
下で撹拌しながら70℃まで昇温する。重合開始剤
0.5重量部を添加し溶解させる。 更にメタアクリル酸メチル23重量部、アクリル
酸―2―エチルヘキシル73重量部、メタアクリル
酸グリシジル2重量部、メタアクリル酸2重量部
よりなるモノマー混合物100重量部を4時間で連
続滴下し滴下終了後も3時間撹拌を続け重合し
て、固形分約47wt%のアクリルエマルジヨン系
粘着剤を作成した。 この粘着剤を用いて下記組成で塗布液を作成
し、Tダイ法にて製膜したエチレン―酢ビ共重合
樹脂の200μmフイルムのコロナ処理した片面にロ
ールコーターにて塗布、90℃で乾燥し塗布厚み
50μmのアクリル粘着剤層を有するICプロセス用
フイルムを得た。 (アクリル系エマルジヨン粘着剤 100重量部 ジエチレングリコールモノブチルエーテル
50重量部 ポリオキシエチレンフエニルエーテル
5重量部) こうして得た粘着剤層フイルムを4インチシリ
コンウエハに貼付け、剥離した後下記の洗浄方法
にて洗浄後塵埃の評価及びICウエハの腐食を評
価した。結果は表−1に示すとおり、ゴミの付着
量が極端に少なく良好であつた。 (洗浄方法) 1 50℃のイソプロピルアルコールに浸漬し超音
波で10分間洗浄する。 その後常温純水に浸漬し超音波で10分間洗浄
する。 赤外線ヒーターにて乾燥する。 (洗浄方法) 2 常温純水に浸漬し超音波で10分間洗浄する。 赤外線ヒーターにて乾燥する。 (ICシリコンウエハの腐食の評価法) 洗浄後のシリコンウエハを60℃温度中に1000時
間放置し、その表面を400倍の顕微鏡にて観察し、
腐食の有無を評価する。 実施例 2 カレンダー法にて製膜した軟質塩化ビニル樹脂
フイルム70μmの片面に、実施例1と同じアクリ
ル系エマルジヨン粘着剤を用いて下記の塗布液を
作成しロールコーターで塗布し、90℃で乾燥して
塗膜厚み10μmの粘着剤層を有するプロセス用フ
イルムを得た。 (アクリル系エマルジヨン粘着剤 100重量部 トリエチレングリコールモノメチルエーテル
30重量部 ポリオキシエチレンラウリルエーテル
2重量部) こうして得た粘着剤層フイルムを4インチシリ
コンウエハに貼付け、実施例1と同様の洗浄方法
にて洗浄後の塵埃付着量を評価した。結果は表−
1に示す如く極端に少なく良好であつた。又、
ICシリコンウエハの腐食もなく良好であつた。 実施例 3 実施例1で用いたエチレン―酢ビ共重合樹脂フ
イルムの片面に実施例1で用いたアクリル系エマ
ルジヨン粘着剤100重量部にジエチレングリコー
ルモノブチルエーテル50重量部を添加した塗布液
をロールコーターにて塗布、90℃で乾燥し粘着塗
布厚10μmのプロセス用フイルムを得た。このフ
イルムを実施例1と同様にして洗浄後の塵埃付着
量を評価した結果を表−1に示す。塵埃の付着量
は極端に少なく良好であつた。 又、ICシリコンウエハの腐食もなく良好であ
つた。 実施例 4 実施例−2で用いたフイルムの片面に実施例1
で用いたアクリルエマルジヨン粘着剤だけをロー
ルコーターで塗布し、90℃で乾燥して塗布厚み
10μmのプロセス用フイルムを得た。このフイル
ムを用いて実施例1と同様にして洗浄後の塵埃付
着量を評価した結果は表−1に示す如く、IPA洗
浄(洗浄方法)−1では粘着剤層から界面活性剤
が溶出するため効果がなかつたが、純水洗浄(洗
浄方法)−2では塵埃の付着量が極端に少なく良
好であつた。 又、ICシリコンウエハの腐食もなく良好であ
つた。 比較例 1 実施例2で用いたフイルムの片面にアセトンで
溶解した溶液系のアクリル粘着剤(固形分50wt)
をロールコーターで塗布、90℃で乾燥し塗布厚み
10μmのプロセス用フイルムを得た。このフイル
ムを用いて、実施例1と同様にして洗浄後の塵埃
付着量を評価した結果を表−1に示すが塵埃の付
着量が多く不良であつた。 しかし、ICシリコンウエハの腐食はなかつた。 比較例 2 非イオン系界面活性剤を使用する代わりにイオ
ン系界面活性剤(ラウリル硫酸ソーダ)を使用し
て実施例−1と同様な方法にて得たアクリルエマ
ルジヨン粘着剤をロールコーダで塗布、90℃で乾
燥して塗布厚み10μmのプロセス用フイルムを得
た。このフイルムを用いて実施例−1と同様にし
て洗浄後の塵埃付着量及びICシリコンウエハの
腐食の評価をした。その結果は表−1に示す如
く、水洗では塵埃の付着量が少なく良好であつた
が、Na+,SO4 2-イオンが残留し、ウエハの腐食
が有り不良であつた。 【表】

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 合成樹脂フイルムの少くとも片面に非イオン
    系界面活性剤の単独を含有する水エマルジヨン系
    粘着剤、又は沸点が100℃以上である水溶性有機
    化合物と非イオン系界面活性剤の両者を含有する
    水エマルジヨン系粘着剤を塗布してなることを特
    徴とするICプロセス用フイルム。 2 水エマルジヨン系粘着剤が原料粘着剤エマル
    ジヨン100重量部に対し非イオン系界面活性剤
    0.01〜50重量部および/又は水溶性有機化合物1
    〜100重量部を含有するものである特許請求の範
    囲第1項記載のICプロセス用フイルム。 3 粘着剤がポリ(メタ)アクリル酸エステル系
    重合体である特許請求の範囲第1項記載のICプ
    ロセス用フイルム。
JP59164328A 1984-05-29 1984-08-07 Icプロセス用フイルム Granted JPS6143677A (ja)

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JP59164328A JPS6143677A (ja) 1984-08-07 1984-08-07 Icプロセス用フイルム
DE8585902642T DE3581514D1 (de) 1984-05-29 1985-05-23 Film zur behandlung von halbleiterwaffeln.
KR1019860700046A KR900001236B1 (ko) 1984-05-29 1985-05-23 웨이퍼 가공용필름
EP19850902642 EP0185767B1 (en) 1984-05-29 1985-05-23 Film for machining wafers
PCT/JP1985/000284 WO1985005734A1 (en) 1984-05-29 1985-05-23 Film for machining wafers
US06/823,492 US4853286A (en) 1984-05-29 1985-05-23 Wafer processing film
US07/357,351 US4928438A (en) 1984-05-29 1989-05-26 Wafer processing film
SG53191A SG53191G (en) 1984-05-29 1991-07-09 Film for machining wafers

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JPS6143677A JPS6143677A (ja) 1986-03-03
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