JPH0449618A - ウエハ加工用フィルム - Google Patents
ウエハ加工用フィルムInfo
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- JPH0449618A JPH0449618A JP15857090A JP15857090A JPH0449618A JP H0449618 A JPH0449618 A JP H0449618A JP 15857090 A JP15857090 A JP 15857090A JP 15857090 A JP15857090 A JP 15857090A JP H0449618 A JPH0449618 A JP H0449618A
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 4
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 abstract description 3
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 abstract description 2
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 abstract description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 44
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- -1 polyoxyethylene octylphenyl ether Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 239000003957 anion exchange resin Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 4
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylhexyl acrylate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C=C GOXQRTZXKQZDDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 3
- 229940023913 cation exchange resins Drugs 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 2
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- XXQBEVHPUKOQEO-UHFFFAOYSA-N potassium superoxide Chemical compound [K+].[K+].[O-][O-] XXQBEVHPUKOQEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 125000003438 dodecyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical compound CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンウェハ等を研磨加工する際に用いる
破損防止のためのウェハ加工用フィルムに関する。
破損防止のためのウェハ加工用フィルムに関する。
半導体集積回路(IC)は通常、高純度シリコン単結晶
等をスライスしてウェハとした後、エツチング等により
集積回路を組み込み、ダイシングしてチップ化する方法
で製造されているが、これらの工程の中で、シリコン等
のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため、
ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工用
フィルムが用いられている。
等をスライスしてウェハとした後、エツチング等により
集積回路を組み込み、ダイシングしてチップ化する方法
で製造されているが、これらの工程の中で、シリコン等
のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため、
ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工用
フィルムが用いられている。
一般に、粘着剤としては、水系エマルジョン粘着剤と溶
剤系粘着剤が用いられているが、安全面、衛生面、コス
ト面から考えて水系エマルジョン粘着剤の方が好ましい
。
剤系粘着剤が用いられているが、安全面、衛生面、コス
ト面から考えて水系エマルジョン粘着剤の方が好ましい
。
また、ウェハ加工用フィルムをウェハ加工の用途に供し
た後、ウェハ表面を洗浄する際、溶剤系粘着剤を用いた
フィルムを使用した場合、水洗浄では汚染を除去しきれ
ず、手間がかかるが、水系エマルジョン粘着剤を用いた
フィルムでは、水洗浄でも十分に汚染を除去できるとい
う利点もある。
た後、ウェハ表面を洗浄する際、溶剤系粘着剤を用いた
フィルムを使用した場合、水洗浄では汚染を除去しきれ
ず、手間がかかるが、水系エマルジョン粘着剤を用いた
フィルムでは、水洗浄でも十分に汚染を除去できるとい
う利点もある。
しかして、水系エマルジョン粘着剤を用いたフィルムを
使用すると、該フィルムを一週間程度以上貼付けて放置
した場合、あるいは、フィルムを貼付け、剥離した後、
該ウェハ上に粘着剤の残留物が存在した場合、ウェハが
腐食することがあった。
使用すると、該フィルムを一週間程度以上貼付けて放置
した場合、あるいは、フィルムを貼付け、剥離した後、
該ウェハ上に粘着剤の残留物が存在した場合、ウェハが
腐食することがあった。
本発明のように粘着剤層付きフィルムがウェハ加工の用
途で使用される場合、ウェハからつくられる製品の性格
上、数μmのオーダーの腐食も許されず、ウェハを腐食
させることは非常に大きな欠点であった。
途で使用される場合、ウェハからつくられる製品の性格
上、数μmのオーダーの腐食も許されず、ウェハを腐食
させることは非常に大きな欠点であった。
以上の点に鑑み、本発明の目的は、粘着剤によるウェハ
の腐食を防止するウェハ加工用フィルムを提供すること
である。
の腐食を防止するウェハ加工用フィルムを提供すること
である。
本発明者らは上記目的を達成するため粘着剤について鋭
意検討した結果、粘着剤として水系エマルジョン粘着荊
を用いた場合、粘着剤中のナトリウムやカリウム等の陽
イオン、あるいは硫酸、塩酸や硝酸等の陰イオンがウェ
ハを腐食することを見出した。
意検討した結果、粘着剤として水系エマルジョン粘着荊
を用いた場合、粘着剤中のナトリウムやカリウム等の陽
イオン、あるいは硫酸、塩酸や硝酸等の陰イオンがウェ
ハを腐食することを見出した。
さらには該粘着剤をイオン交換体で脱イオンすると、ウ
ェハの腐食を防げることを見出し、本発明を完成した。
ェハの腐食を防げることを見出し、本発明を完成した。
即ち本発明は、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けた
ウェハ加工用フィルムにおいて、イオン交換体により脱
イオンした水系エマルジョン粘着剤を用いてなることを
特徴とするウェハ加工用フィルムである。
ウェハ加工用フィルムにおいて、イオン交換体により脱
イオンした水系エマルジョン粘着剤を用いてなることを
特徴とするウェハ加工用フィルムである。
本発明のウェハ加工用フィルムの使用対象となるウェハ
はシリコンのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−砒素
、ガリウム−リン、ガリウム−砒素−アルムニウム等の
ウェハが挙げられる。
はシリコンのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−砒素
、ガリウム−リン、ガリウム−砒素−アルムニウム等の
ウェハが挙げられる。
本発明に用いるイオン交換体としては、強酸性型陽イオ
ン交換樹脂、弱酸性型陽イオン交換樹脂、強塩基性型陰
イオン交換樹脂、中塩基性型陰イオン交換樹脂、弱塩基
性型陰イオン交換樹脂等公知のものを用いることが出来
る。
ン交換樹脂、弱酸性型陽イオン交換樹脂、強塩基性型陰
イオン交換樹脂、中塩基性型陰イオン交換樹脂、弱塩基
性型陰イオン交換樹脂等公知のものを用いることが出来
る。
但し、イオン交換体のイオン型としては陽イオン交換樹
脂ではH型、陰イオン交換樹脂ではOH型にして用いる
。
脂ではH型、陰イオン交換樹脂ではOH型にして用いる
。
それ以外の型では脱イオンの効果が期待出来ない。
本発明でいう水系エマルジョン粘着剤には特に限定はな
く、アクリル系、ゴム糸導公知のものを用いることが出
来る。
く、アクリル系、ゴム糸導公知のものを用いることが出
来る。
ここでいうアクリル系粘着剤とは、例えばアクリル酸エ
チル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル等のアク
リル酸、メタクリル酸等のエステル、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル
アミド、メタクリルアマイド、アクリルニトリル等の官
能基を有するアクリル、メタクリル系化合物等のモノマ
ーに界面活性剤、イオン交換水又は純水、および重合開
始剤を添加し、水中でエマルジョン重合をした粘着剤で
ある。
チル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル等のアク
リル酸、メタクリル酸等のエステル、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル
アミド、メタクリルアマイド、アクリルニトリル等の官
能基を有するアクリル、メタクリル系化合物等のモノマ
ーに界面活性剤、イオン交換水又は純水、および重合開
始剤を添加し、水中でエマルジョン重合をした粘着剤で
ある。
モノマー組成の選択については必要とする粘着力に応じ
適宜選択できる。
適宜選択できる。
本発明においては、これらの粘着剤をイオン交換体によ
り脱イオンして用いる。
り脱イオンして用いる。
また、本発明に用いる水系エマルジョン粘着剤用の界面
活性剤としては非イオン系の界面活性剤が腐食の面より
好ましく、例えばポリオキシエチレンオクチルフェニル
エーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエ
チレンポリオキシプロピレンブロックボリマー等である
。
活性剤としては非イオン系の界面活性剤が腐食の面より
好ましく、例えばポリオキシエチレンオクチルフェニル
エーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエ
チレンポリオキシプロピレンブロックボリマー等である
。
本発明のウェハ加工用フィルムは基材フィルムの片面に
粘着剤を塗布し、乾燥後、粘着剤層にセパレータを密着
させて得られる。
粘着剤を塗布し、乾燥後、粘着剤層にセパレータを密着
させて得られる。
本発明で用いる基材フィルムとしては、合成樹脂あるい
は天然、合成ゴム等からなるフィルムを適宜選択できる
。
は天然、合成ゴム等からなるフィルムを適宜選択できる
。
基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
基材フィルムの厚みは保護するウェハの形状、表面状態
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
1101I〜2000μmが好ましい。
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
1101I〜2000μmが好ましい。
基材フィルムの表面に設ける該粘着剤の膜厚みとしては
、ウェハの表面状態、形状、研磨方法等により適宜法め
られるが、通常2μm〜100μmである。好ましくは
5μm〜50μmである。
、ウェハの表面状態、形状、研磨方法等により適宜法め
られるが、通常2μm〜100μmである。好ましくは
5μm〜50μmである。
、粘着剤を基材フィルム面に塗布する方法としては、従
来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビア
ロール法、バーコード法等が採用でき、基材フィルムの
片面全面に塗布することができる。
来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビア
ロール法、バーコード法等が採用でき、基材フィルムの
片面全面に塗布することができる。
以下本発明を実施例により説明する。
尚、本実施例における評価は下記の方法で実施した。
■粘着剤中のイオン分
粘着剤約1gをガラス板上に滴下し、100℃にて乾燥
し、皮膜を作成する。
し、皮膜を作成する。
該皮膜を重量測定後、1001dのイオン交換水中に浸
漬し、100℃で1時間抽出する。
漬し、100℃で1時間抽出する。
該抽出水中の各イオンをイオンクロマトグラフィーにて
測定し、粘着剤単位重量当たりの値に換算し、粘着剤中
のイオン値とする。
測定し、粘着剤単位重量当たりの値に換算し、粘着剤中
のイオン値とする。
イオンクロマトグラフィーの測定装置
装置jDIONEX社製
陰イオンブレ/濃縮カラム
)(P I C−AG4A
陰イオン分離カラム
HPIC−AS4A
陽イオンプレ/濃縮カラム
)(PIC−CG3
陽イオン分離カラム
HP I C−C33
■酸化度
標準ウェハとして表面をESCAで分析すると酸素とア
ルミニウムのピークの面積値の比が1O15になるよう
にアルミニウムをパターニングしたシリコンウェハを用
いた。
ルミニウムのピークの面積値の比が1O15になるよう
にアルミニウムをパターニングしたシリコンウェハを用
いた。
ウェハ表面が腐食すると、表面の酸素量が増加し、酸素
とアルミニウムのピークの面積値の比が10.5より大
きくなる。
とアルミニウムのピークの面積値の比が10.5より大
きくなる。
この比で酸化度を測定した。
ESCAの測定装置および、測定条件。
装置 : VACIIIINGENERATOR社
製ESCA LAB MKII X線源 :Mg kα線 X線出力 : 300W 測定真空度: I Xl0−”mbar以下■ウェハ表
面分析 ウェハの腐食の原因を調べるため、腐食部位と腐食され
ていない部位についてXMA分析を行い、比較した。
製ESCA LAB MKII X線源 :Mg kα線 X線出力 : 300W 測定真空度: I Xl0−”mbar以下■ウェハ表
面分析 ウェハの腐食の原因を調べるため、腐食部位と腐食され
ていない部位についてXMA分析を行い、比較した。
腐食が観察されなかったウェハについては表面のXMA
分析のみ行った。
分析のみ行った。
XMAの測定装置および、測定条件。
装N: 日本電子工業株式会社製
JEOL JXA−’840A
条件:X線照射範囲 (プログ径)
45μm×67μm
加速電圧 20kV
W−D (試料と対物レンズの距離)
9mm
プログ電流 0.5X10−” A(異物プログ径
)8μmXIQμm エネルギー分散型 ■ウェハ表面観察 ウェハの表面状態を走査型電子顕微鏡で観察した。
)8μmXIQμm エネルギー分散型 ■ウェハ表面観察 ウェハの表面状態を走査型電子顕微鏡で観察した。
測定装置、条件はXMAの装置、条件と同一実施例1
温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口および攪
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性側としてポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら7
0℃まで昇温した。
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性側としてポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら7
0℃まで昇温した。
重合開始剤として過酸化硫酸アンモニウム0.5重量部
添加し溶解させ、更にアクリル酸2−エチルヘキシル7
0重量部、メタクリル酸メチル25重量部、メタクリル
酸3重量部、アクリル#2−ヒドロキシエチル2重量部
よりなるモノマー混合物100重量部を4時間で連続滴
下し、滴下終了後も3時間攪拌を続けて重合し、固形公
約4Qwt%のアクリルエマルジッン系粘着剤を得た。
添加し溶解させ、更にアクリル酸2−エチルヘキシル7
0重量部、メタクリル酸メチル25重量部、メタクリル
酸3重量部、アクリル#2−ヒドロキシエチル2重量部
よりなるモノマー混合物100重量部を4時間で連続滴
下し、滴下終了後も3時間攪拌を続けて重合し、固形公
約4Qwt%のアクリルエマルジッン系粘着剤を得た。
この粘着剤をH型にした強酸性イオン交換樹脂レバチッ
) S P−112(バイエル社(西独)製)とOH型
にした強塩基性イオン交換樹脂レバチットM、P−50
0(バイエル社(西独)製)でイオン交換した後、粘着
剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
) S P−112(バイエル社(西独)製)とOH型
にした強塩基性イオン交換樹脂レバチットM、P−50
0(バイエル社(西独)製)でイオン交換した後、粘着
剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
次に、この粘着剤100重量部にジエチレングリコール
モノブチルエーテル10重量部を添加して塗布液を作成
し、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フ
ィルムのコロナ処理した片面にロールコータ−にて塗布
、105℃で乾燥し塗布厚み20IJmのアクリル粘着
剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
モノブチルエーテル10重量部を添加して塗布液を作成
し、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フ
ィルムのコロナ処理した片面にロールコータ−にて塗布
、105℃で乾燥し塗布厚み20IJmのアクリル粘着
剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
こうして得たウェハ加工用フィルムをアルミニウムをパ
ターニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24
時間放置した後、該フィルムを剥がし、ウェハの酸化度
の測定、表面の分析および表面の観察を行った。結果を
第1表に示す。
ターニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24
時間放置した後、該フィルムを剥がし、ウェハの酸化度
の測定、表面の分析および表面の観察を行った。結果を
第1表に示す。
実施例2
温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口および攪
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で撹拌しながら7
0℃まで昇温した。
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で撹拌しながら7
0℃まで昇温した。
重合開始剤として過酸化硫酸カリウム0.5重量部添加
し熔解させ、更にアクリル酸n−ブチル58重量部、ア
クリル酸2−エチルヘキシル32重量部、メタクリル酸
3重量部、アクリロニトリル7重量部よりなるモノマー
混合物100重量部を4時間で連続滴下し、滴下終了後
も3時間攪拌を続けて重合し、固形公約40wt%のア
クリルエマルジッン系粘着荊を得た。
し熔解させ、更にアクリル酸n−ブチル58重量部、ア
クリル酸2−エチルヘキシル32重量部、メタクリル酸
3重量部、アクリロニトリル7重量部よりなるモノマー
混合物100重量部を4時間で連続滴下し、滴下終了後
も3時間攪拌を続けて重合し、固形公約40wt%のア
クリルエマルジッン系粘着荊を得た。
この粘着剤をH型にした強酸性イオン交換樹脂レバチッ
) S P−112(バイエル社(西独)製)とOH型
にした強塩基性イオン交換樹脂レバチットMP−500
(バイエル社(西独)製)でイオン交換した後、粘着剤
中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
) S P−112(バイエル社(西独)製)とOH型
にした強塩基性イオン交換樹脂レバチットMP−500
(バイエル社(西独)製)でイオン交換した後、粘着剤
中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
次に、この粘着剤100重量部にジエチレングリコール
モツプチルエーテル10重量部を添加して塗布液を作成
し、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フ
ィルムのコロナ処理した片面にロールコータ−にて塗布
、105℃で乾燥し塗布厚み10、μmのアクリル粘着
剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
モツプチルエーテル10重量部を添加して塗布液を作成
し、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フ
ィルムのコロナ処理した片面にロールコータ−にて塗布
、105℃で乾燥し塗布厚み10、μmのアクリル粘着
剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
こうして得たウェハ加工用フィルムをアルミニウムをパ
ターニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24
時間放置した後、該フィルムを剥がし、ウェハの酸化度
の測定、表面の分析および表面の観察を行った。結果を
第1表に示す。
ターニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24
時間放置した後、該フィルムを剥がし、ウェハの酸化度
の測定、表面の分析および表面の観察を行った。結果を
第1表に示す。
比較例1
実施例1で得た粘着剤をイオン交換せずに用いた。
この粘着剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示
す。
す。
更に、実施例1と同様にして塗布厚み20μmのアクリ
ル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
ル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
得られたウェハ加工用フィルムを実施例1と同様に評価
した。結果を第1表に示す。
した。結果を第1表に示す。
比較例2
実施例2で得た粘着剤をイオン交換せずに用いこの粘着
剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
更に、実施例1と同様にして塗布厚み10μmのアクリ
ル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
ル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
得られたうエバ加工用フィルムを実施例1と同様に評価
した。結果を第1表に示す。
した。結果を第1表に示す。
本発明のウェハ加工用フィルムはイオン交換体により脱
イオンした粘着剤を用いることにより、ウェハを腐食し
ないという優れた効果を発揮するものである。
イオンした粘着剤を用いることにより、ウェハを腐食し
ないという優れた効果を発揮するものである。
Claims (1)
- 1、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けたウェハ加工
用フィルムにおいて、イオン交換体により脱イオンした
水系エマルジョン粘着剤を用いてなることを特徴とする
ウェハ加工用フィルム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15857090A JPH0449618A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | ウエハ加工用フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15857090A JPH0449618A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | ウエハ加工用フィルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0449618A true JPH0449618A (ja) | 1992-02-19 |
Family
ID=15674583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15857090A Pending JPH0449618A (ja) | 1990-06-19 | 1990-06-19 | ウエハ加工用フィルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0449618A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
-
1990
- 1990-06-19 JP JP15857090A patent/JPH0449618A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6235387B1 (en) | 1998-03-30 | 2001-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
US6478918B2 (en) | 1998-03-30 | 2002-11-12 | 3M Innovative Properties Company | Semiconductor wafer processing tapes |
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