JPH0449618A - ウエハ加工用フィルム - Google Patents

ウエハ加工用フィルム

Info

Publication number
JPH0449618A
JPH0449618A JP15857090A JP15857090A JPH0449618A JP H0449618 A JPH0449618 A JP H0449618A JP 15857090 A JP15857090 A JP 15857090A JP 15857090 A JP15857090 A JP 15857090A JP H0449618 A JPH0449618 A JP H0449618A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
adhesive
film
wafer
weight
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15857090A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Takemura
竹村 康男
Osamu Narimatsu
成松 治
Kazuyoshi Komatsu
小松 和義
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority to JP15857090A priority Critical patent/JPH0449618A/ja
Publication of JPH0449618A publication Critical patent/JPH0449618A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、シリコンウェハ等を研磨加工する際に用いる
破損防止のためのウェハ加工用フィルムに関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路(IC)は通常、高純度シリコン単結晶
等をスライスしてウェハとした後、エツチング等により
集積回路を組み込み、ダイシングしてチップ化する方法
で製造されているが、これらの工程の中で、シリコン等
のウェハの破損を防止したり、加工を容易にするため、
ウェハ表面に粘着剤層を介して貼りつけるウェハ加工用
フィルムが用いられている。
一般に、粘着剤としては、水系エマルジョン粘着剤と溶
剤系粘着剤が用いられているが、安全面、衛生面、コス
ト面から考えて水系エマルジョン粘着剤の方が好ましい
また、ウェハ加工用フィルムをウェハ加工の用途に供し
た後、ウェハ表面を洗浄する際、溶剤系粘着剤を用いた
フィルムを使用した場合、水洗浄では汚染を除去しきれ
ず、手間がかかるが、水系エマルジョン粘着剤を用いた
フィルムでは、水洗浄でも十分に汚染を除去できるとい
う利点もある。
しかして、水系エマルジョン粘着剤を用いたフィルムを
使用すると、該フィルムを一週間程度以上貼付けて放置
した場合、あるいは、フィルムを貼付け、剥離した後、
該ウェハ上に粘着剤の残留物が存在した場合、ウェハが
腐食することがあった。
本発明のように粘着剤層付きフィルムがウェハ加工の用
途で使用される場合、ウェハからつくられる製品の性格
上、数μmのオーダーの腐食も許されず、ウェハを腐食
させることは非常に大きな欠点であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
以上の点に鑑み、本発明の目的は、粘着剤によるウェハ
の腐食を防止するウェハ加工用フィルムを提供すること
である。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは上記目的を達成するため粘着剤について鋭
意検討した結果、粘着剤として水系エマルジョン粘着荊
を用いた場合、粘着剤中のナトリウムやカリウム等の陽
イオン、あるいは硫酸、塩酸や硝酸等の陰イオンがウェ
ハを腐食することを見出した。
さらには該粘着剤をイオン交換体で脱イオンすると、ウ
ェハの腐食を防げることを見出し、本発明を完成した。
即ち本発明は、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けた
ウェハ加工用フィルムにおいて、イオン交換体により脱
イオンした水系エマルジョン粘着剤を用いてなることを
特徴とするウェハ加工用フィルムである。
本発明のウェハ加工用フィルムの使用対象となるウェハ
はシリコンのみならず、ゲルマニウム、ガリウム−砒素
、ガリウム−リン、ガリウム−砒素−アルムニウム等の
ウェハが挙げられる。
本発明に用いるイオン交換体としては、強酸性型陽イオ
ン交換樹脂、弱酸性型陽イオン交換樹脂、強塩基性型陰
イオン交換樹脂、中塩基性型陰イオン交換樹脂、弱塩基
性型陰イオン交換樹脂等公知のものを用いることが出来
る。
但し、イオン交換体のイオン型としては陽イオン交換樹
脂ではH型、陰イオン交換樹脂ではOH型にして用いる
それ以外の型では脱イオンの効果が期待出来ない。
本発明でいう水系エマルジョン粘着剤には特に限定はな
く、アクリル系、ゴム糸導公知のものを用いることが出
来る。
ここでいうアクリル系粘着剤とは、例えばアクリル酸エ
チル、アクリル酸ブチル、アクリル酸2−エチルヘキシ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル等のアク
リル酸、メタクリル酸等のエステル、アクリル酸、メタ
クリル酸、アクリル酸2−ヒドロキシエチル、アクリル
アミド、メタクリルアマイド、アクリルニトリル等の官
能基を有するアクリル、メタクリル系化合物等のモノマ
ーに界面活性剤、イオン交換水又は純水、および重合開
始剤を添加し、水中でエマルジョン重合をした粘着剤で
ある。
モノマー組成の選択については必要とする粘着力に応じ
適宜選択できる。
本発明においては、これらの粘着剤をイオン交換体によ
り脱イオンして用いる。
また、本発明に用いる水系エマルジョン粘着剤用の界面
活性剤としては非イオン系の界面活性剤が腐食の面より
好ましく、例えばポリオキシエチレンオクチルフェニル
エーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル
、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエ
チレンポリオキシプロピレンブロックボリマー等である
本発明のウェハ加工用フィルムは基材フィルムの片面に
粘着剤を塗布し、乾燥後、粘着剤層にセパレータを密着
させて得られる。
本発明で用いる基材フィルムとしては、合成樹脂あるい
は天然、合成ゴム等からなるフィルムを適宜選択できる
基材フィルムの組成として例示するならば、エチレン−
酢酸ビニル共重合体、ポリブタジェン、軟質塩化ビニル
樹脂、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の
熱可塑性エラストマー、およびジエン系、ニトリル系、
シリコン系、アクリル系等の合成ゴム等である。
基材フィルムの厚みは保護するウェハの形状、表面状態
および研磨方法等の条件により適宜法められるが、通常
1101I〜2000μmが好ましい。
基材フィルムの表面に設ける該粘着剤の膜厚みとしては
、ウェハの表面状態、形状、研磨方法等により適宜法め
られるが、通常2μm〜100μmである。好ましくは
5μm〜50μmである。
、粘着剤を基材フィルム面に塗布する方法としては、従
来公知の塗布方法、例えばロールコータ−法、グラビア
ロール法、バーコード法等が採用でき、基材フィルムの
片面全面に塗布することができる。
〔実施例〕
以下本発明を実施例により説明する。
尚、本実施例における評価は下記の方法で実施した。
■粘着剤中のイオン分 粘着剤約1gをガラス板上に滴下し、100℃にて乾燥
し、皮膜を作成する。
該皮膜を重量測定後、1001dのイオン交換水中に浸
漬し、100℃で1時間抽出する。
該抽出水中の各イオンをイオンクロマトグラフィーにて
測定し、粘着剤単位重量当たりの値に換算し、粘着剤中
のイオン値とする。
イオンクロマトグラフィーの測定装置 装置jDIONEX社製 陰イオンブレ/濃縮カラム )(P  I  C−AG4A 陰イオン分離カラム HPIC−AS4A 陽イオンプレ/濃縮カラム )(PIC−CG3 陽イオン分離カラム HP I C−C33 ■酸化度 標準ウェハとして表面をESCAで分析すると酸素とア
ルミニウムのピークの面積値の比が1O15になるよう
にアルミニウムをパターニングしたシリコンウェハを用
いた。
ウェハ表面が腐食すると、表面の酸素量が増加し、酸素
とアルミニウムのピークの面積値の比が10.5より大
きくなる。
この比で酸化度を測定した。
ESCAの測定装置および、測定条件。
装置   : VACIIIINGENERATOR社
製ESCA  LAB  MKII X線源  :Mg  kα線 X線出力 : 300W 測定真空度: I Xl0−”mbar以下■ウェハ表
面分析 ウェハの腐食の原因を調べるため、腐食部位と腐食され
ていない部位についてXMA分析を行い、比較した。
腐食が観察されなかったウェハについては表面のXMA
分析のみ行った。
XMAの測定装置および、測定条件。
装N: 日本電子工業株式会社製 JEOL  JXA−’840A 条件:X線照射範囲 (プログ径) 45μm×67μm 加速電圧    20kV W−D (試料と対物レンズの距離) 9mm プログ電流   0.5X10−” A(異物プログ径
)8μmXIQμm エネルギー分散型 ■ウェハ表面観察 ウェハの表面状態を走査型電子顕微鏡で観察した。
測定装置、条件はXMAの装置、条件と同一実施例1 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口および攪
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性側としてポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で攪拌しながら7
0℃まで昇温した。
重合開始剤として過酸化硫酸アンモニウム0.5重量部
添加し溶解させ、更にアクリル酸2−エチルヘキシル7
0重量部、メタクリル酸メチル25重量部、メタクリル
酸3重量部、アクリル#2−ヒドロキシエチル2重量部
よりなるモノマー混合物100重量部を4時間で連続滴
下し、滴下終了後も3時間攪拌を続けて重合し、固形公
約4Qwt%のアクリルエマルジッン系粘着剤を得た。
この粘着剤をH型にした強酸性イオン交換樹脂レバチッ
) S P−112(バイエル社(西独)製)とOH型
にした強塩基性イオン交換樹脂レバチットM、P−50
0(バイエル社(西独)製)でイオン交換した後、粘着
剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
次に、この粘着剤100重量部にジエチレングリコール
モノブチルエーテル10重量部を添加して塗布液を作成
し、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フ
ィルムのコロナ処理した片面にロールコータ−にて塗布
、105℃で乾燥し塗布厚み20IJmのアクリル粘着
剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
こうして得たウェハ加工用フィルムをアルミニウムをパ
ターニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24
時間放置した後、該フィルムを剥がし、ウェハの酸化度
の測定、表面の分析および表面の観察を行った。結果を
第1表に示す。
実施例2 温度計、還流冷却器、滴下ロート、窒素導入口および攪
拌器を付したフラスコに、イオン交換水150重量部、
界面活性剤としてポリオキシエチレンノニルフェニルエ
ーテル2重量部を入れ、窒素雰囲気下で撹拌しながら7
0℃まで昇温した。
重合開始剤として過酸化硫酸カリウム0.5重量部添加
し熔解させ、更にアクリル酸n−ブチル58重量部、ア
クリル酸2−エチルヘキシル32重量部、メタクリル酸
3重量部、アクリロニトリル7重量部よりなるモノマー
混合物100重量部を4時間で連続滴下し、滴下終了後
も3時間攪拌を続けて重合し、固形公約40wt%のア
クリルエマルジッン系粘着荊を得た。
この粘着剤をH型にした強酸性イオン交換樹脂レバチッ
) S P−112(バイエル社(西独)製)とOH型
にした強塩基性イオン交換樹脂レバチットMP−500
(バイエル社(西独)製)でイオン交換した後、粘着剤
中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
次に、この粘着剤100重量部にジエチレングリコール
モツプチルエーテル10重量部を添加して塗布液を作成
し、厚さ150μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体フ
ィルムのコロナ処理した片面にロールコータ−にて塗布
、105℃で乾燥し塗布厚み10、μmのアクリル粘着
剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
こうして得たウェハ加工用フィルムをアルミニウムをパ
ターニングした4インチシリコンウェハに貼付け、24
時間放置した後、該フィルムを剥がし、ウェハの酸化度
の測定、表面の分析および表面の観察を行った。結果を
第1表に示す。
比較例1 実施例1で得た粘着剤をイオン交換せずに用いた。
この粘着剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示
す。
更に、実施例1と同様にして塗布厚み20μmのアクリ
ル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
得られたウェハ加工用フィルムを実施例1と同様に評価
した。結果を第1表に示す。
比較例2 実施例2で得た粘着剤をイオン交換せずに用いこの粘着
剤中のイオン分を測定した。結果を第1表に示す。
更に、実施例1と同様にして塗布厚み10μmのアクリ
ル粘着剤層を有するウェハ加工用フィルムを得た。
得られたうエバ加工用フィルムを実施例1と同様に評価
した。結果を第1表に示す。
〔発明の効果〕
本発明のウェハ加工用フィルムはイオン交換体により脱
イオンした粘着剤を用いることにより、ウェハを腐食し
ないという優れた効果を発揮するものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、基材フィルムの片面に粘着剤層を設けたウェハ加工
    用フィルムにおいて、イオン交換体により脱イオンした
    水系エマルジョン粘着剤を用いてなることを特徴とする
    ウェハ加工用フィルム。
JP15857090A 1990-06-19 1990-06-19 ウエハ加工用フィルム Pending JPH0449618A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15857090A JPH0449618A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 ウエハ加工用フィルム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15857090A JPH0449618A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 ウエハ加工用フィルム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0449618A true JPH0449618A (ja) 1992-02-19

Family

ID=15674583

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15857090A Pending JPH0449618A (ja) 1990-06-19 1990-06-19 ウエハ加工用フィルム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0449618A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
US6478918B2 (en) 1998-03-30 2002-11-12 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW498100B (en) Pressure sensitive adhesive composition and pressure sensitive adhesive sheet comprising the same
EP0185767B1 (en) Film for machining wafers
EP0951056A2 (en) Preparation process of semiconductor wafer using a protective adhesive tape
EP0252739B1 (en) Adhesive sheets for sticking wafers thereto
JP2006169496A (ja) 再剥離用水分散型アクリル系粘着シートおよびそれに用いる粘着剤組成物
KR19990022993A (ko) 내식막의 제거방법, 및 이에 사용되는 접착제 또는 접착 시트
JP3908929B2 (ja) 半導体ウエハ加工用粘着シート及びそれに用いる粘着剤組成物
JPH06322338A (ja) 再剥離型粘着剤及びその粘着部材
JPH02187478A (ja) 再剥離型粘着剤
KR20000070277A (ko) 반도체웨이퍼의 제조방법
JP3290471B2 (ja) ウエハ加工用テープおよびその使用方法
JPH0449618A (ja) ウエハ加工用フィルム
JP2004174314A (ja) クリーニングシートおよび基板処理装置のクリーニング方法
JPH0673347A (ja) ウエハ加工用テープおよびその使用方法
JP2919601B2 (ja) ウエハ加工用フィルム
JP2968879B2 (ja) 半導体ウエハ加工用フィルム
JPH0677193A (ja) ウエハ加工用テープおよびその使用方法
JPH0438828A (ja) ウエハ加工用フィルム
JPH08139067A (ja) 半導体ウエハに付着した異物の除去用粘着テ―プと除去方法
EP0163202B1 (en) Photoresist stripper and stripping method
JPH05171117A (ja) ウエハ加工用テープ
JPH0151511B2 (ja)
JP2002080804A (ja) 半導体ウェハ裏面研削用粘着フィルム及びそれを用いる半導体ウェハ裏面研削方法
JPH097981A (ja) 半導体ウエハ裏面研削用粘着フィルム
JPH04199516A (ja) ウエハ加工用フィルム