JPS63160337A - 半導体基板研削用保護テ−プ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、固定台に半導体基板を固定し、半導体男根
Ｍ面を研削するにあたり、固定台に接触する半導体基板
表面を保護するために該半導体表面に貼り付ける半導体
基板研削用保護テープに関するものである。

［従来の技術］ 半導体装置製造過程において、半導体基板表面の処理を
行なう場合、半導体基板の裏面にも不本意の処理が行な
われることがある。たとえば、半導体基板を拡散炉に入
れて、半導体基板表面に拡散処理を施す場合、半導体基
板の裏面にも拡散層がまねり込むことがある。このよう
な半導体基板をそのまま半導体装置に使用すると電気的
特性が著しく悪化する。したがって、半導体基板の裏面
を研削する必要がある。また、半導体チップの薄膜化、
コンパクト化のため、半導体基板の裏面を研削する必要
もある。

第６図は従来のシリコン基板の裏面を研削する方法を示
した模式図である。

表面保護膜１が被覆され、表面保護テープ２が貼り付け
られたシリコン基板３を、表面を下にして、研削機の基
板ステージ４の上に置く。基板ステージ４のシリコン基
板３の置かれる部分は、多孔質セラミック板５よりでき
ている。真空ライン６はシリコン基板３を吸着し、該シ
リコン基板３を固定するためのものである。砥石７は、
回転しながら矢印８の方向に移動するもので、シリコン
基板３の裏面を研削するためのものである。

次にこの研削機を用いてシリコン基板３の裏面を研削し
て、裏面が研削されたシリコン基板を得るまでの工程を
説明する。

第７Ａ図〜第７Ｄ図は、裏面が研磨されたシリコン基板
を得るまでの工程を示した図である。

（１）　シリコン基板３の上にレジスト系の材料である
表面保護膜１を回転塗布法により１〜５μｍの厚さに塗
布する（第７Ａ図）。その上に、厚さ５０〜３００μｍ
の表面保護テープ２を貼り付ける（第７Ａ図）。この表
面保護テープ２の接看面には接着力を高めるために糊が
塗布されている。このように、シリコン基板３の上に表
面保護膜１を塗布し、表面保護テープ２を貼りつけるの
は、シリコン基板３の表面を研削時の機械的衝撃から保
護するためである。

（２）　以上のようにして表面を保護したシリコン基板
３を、表面を下にして、基板ステージ４の上に置く（第
７Ｂ図）、。

基板ステージ４のシリコン基板３の置かれる部分は、多
孔質セラミック板５で形成されているので、真空ライン
６を駆動させることにより、シリコン基板３は多孔質セ
ラミック板５に吸着され、固定される。そして、研削用
砥石７を回転させながら、矢印８の方向に平行に移動さ
せ、シリコン基板３の裏面を研削する（第７Ｂ図）。研
削は、荒削り、中削り、仕上げ削りの３段階で行ない、
所望の厚みになるまで行なう。

〈３）　シリコン基板３の研削が完了した後、表面保護
テープ２を機械的に剥がし取る（第７Ｃ図）。このとき
、表面保護テープ２に用いられている糊９が若干ではあ
るが表面保護膜１上に残る〈第７Ｃ図〉。

（４）　次いで、表面保護テープ２が剥がされた状態の
シリコン基板３を、トリクロルエチレン、トリクロルエ
タン、アセトン等の有機溶剤で洗浄処理するかあるいは
酸素プラズマで処理する。この洗浄処理あるいは酸素プ
ラズマ処理により、表面像１１１１および糊９が同時に
除去される。そして、裏面が研削されたシリコン基板３
を得る（第７Ｄ図）。

［発明が解決しようとする問題点］ 半導体基板の裏面研削工程は以上のとおりある。

すなわち、シリコン基板３の上に表面像ｉ［１を塗布し
、さらに表面保護テープ２を貼り付けて、シリコン基板
３の表面を保護して、裏面を研削している。

〈１）　この場合、表面保護膜１だけでシリコン基板３
の表面を保護するのは、無理である。なぜなら、表面像
ＩＰＡＩの厚みは１〜５μｍ程度であるので、研削時に
シリコン基板３に加わる力からシリコン基板表面を十分
に保護することができないからである。

（２）　また、シリコン基板３の表面に表面保護テープ
２だけを貼り付けて保護するのも不可能である。図を用
いてその理由を説明する。

第８Ａ図〜第８８図は、シリコン基板３に表面保護テー
プ２を直接貼り付け、裏面研削した場合の問題点を説明
するために示した図である。

第８Ａ図に示ずように、シリコン基板３の表面に、直接
表面保護テープ２を貼り付けた場合、裏面研削時に加わ
る目械的力１０が表面像６！！テープ２とシリコン基板
３の接雪面に加わり、両者の界面が強固に接着されてし
まう。そのため、第８Ｂ図に示すように、表面保護テー
プ２を剥がすと、シリコン基板３の上に大きな糊の塊１
１が残る。

この大きな糊の塊１１は有機溶剤やｉｌｉ！素プラズマ
で処理するぐらいでは除去できない。糊が付いたまま半
導体装置に応用すると電気的特性が著しく低下する。

（３）　それゆえに、従来の表面保護テープ２を用いて
半導体基板の裏面研削を行なう場合、表面保１！ＩＩ！
Ｊ１および表面保護テープ２の両者の併用は必要不可欠
のものである。

しかしながら、レジスト系の材料である表面保護ｗｉ１
を塗布し、その上に表面保護テープ２を貼り付けるのは
工程が複雑となり、かつコスト高となり、問題である。

本発明は上記のような問題点を解決するためになされた
もので、半導体基板表面に直接貼り付けても、接着面で
ある半導体基板表面に大きな糊の塊を残さない半導体基
板研削用保護テープを提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段１ 本発明は固定台に半導体基板を固定し、該半導体基板の
裏面を研削するにあたり、固定台に接触する半導体基板
表面を保護するために該半導体表面に貼り付ける半導体
基板研削用保護テープに係るものである。

そして、前記問題点を解決するために、保護テープに、
気泡が内部に分散しでいる気泡含有層を含むものを用い
る。

［作用コ この発明に係る半導体基板研削用保腹テープは内部に多
数の小さな気泡を含んでいるので、該保護テープ自身が
、半導体基板研削時に接着面に加わる機械的な力を緩衝
させる働きを持つ。それゆえ、この保護テープを半導体
基板表面に直接貼り付けても、接着面に大きな力が加わ
らないので、表面保護テープを剥がしたとき、大きな糊
の塊が半導体基板表面に残らなくなる。

［実施例］ 以下、この発明の実施例を図について説明する。

第１図は、この発明に係る半導体基板研削用保護テープ
すなわち気泡含有保護テープを用いて、シリコン基板の
裏面を研削する方法を示した図である。

シリコン基板３の表面に気泡１５を含有する気泡含有保
護テープ１２を貼り付ける。気泡含有保護テープ１２の
接着面には、接着力を高めるために糊が塗布されている
。

次に、表面を気泡含有保護テープ１２で保護したシリコ
ン基板３を、表面を下にして、基板ステージ４の上に置
く。基板ステージ４のシリコン基板３の置かれる部分は
多孔質セラミック板５で形成されているので、真空ライ
ンを駆動させることにより、シリコン基板３は多孔質セ
ラミック板５に吸着され、固定される。

そして、研削用砥石７を回転させながら、矢印８の方向
に平行移動させ、シリコン基板３の裏面を研削する。

ここで、裏面研削時に加わる機械的な力は従来の場合と
同じである。しかし、この機械的な力は気泡含有保護テ
ープ１２により緩和される、という点が従来と異なる。

図を用いて説明する。

第２Ａ図（Ｊ裏面研削時に加わる機械的力がシリコン’
！ａ　”ａ　３および気泡含有保護テープ１２に及んで
いる様子を示した図である。

シリコン基板研削時に機械的力１０が加わっても、気泡
含有保護テープ１２自身が適度に変形し、接着面に加わ
る機械的力を緩衝させる。そのため、シリコン基板３と
気泡含有保護テープの界面が強固に接着されすぎるとい
うことがなくなる。その結果、気泡含有保護テープ１２
を剥がしたとき、第２Ｂ図に示すように、糊９がシリコ
ン基板３の表面に若干外る程度で、大きな糊の塊は残ら
ない。

残った糊９がこの程度のものであると、有機溶剤による
洗浄除去あるいは酸素プラズマによる除去は容易である
。

なお、本発明に用いる気泡含有保護テープの内部に含ま
れる気泡１５の直径は１〜５０μｍ、保護テープ中の気
泡の体積比は３０〜８０％であることが好ましい。気泡
１５の直径は半導体チップのパターンの大きさと同じレ
ベルに合わせたちので、気泡１５の直径が１μ−以下で
あると、気泡含有保護テープ１２の緩衝力がなくなり、
５０μ−以上であると局部的な力が接着面に加わるよう
になる。また、気泡含有保護テープ１２中の気泡の体積
が３０％以下であると局部的な力が接着面に加わり、８
０％以上であると気泡含有保護テープ１２をシリコン基
板３に貼り付ける操作が困難となる。

なお、上記実施例では半導体基板研削用保護テープとし
て、内部に多数の小さな気泡を含む単層の気泡含有保護
テープを示したが、本願発明はこれに限られず、気泡を
含む気泡含有層と気泡を含まない層を組合わせて半導体
基板研削用保護テープを作っても、実施例と同様の効果
を期待できる。

第３図はこの発明の他の実ｍ態様を示すもので、下層を
気泡含有層１３とし、上層を気泡を含まない層１４とし
た半導体基板研削用保護テープの断面図である。かかる
保護テープを用いても、実施例と同様の効果が期待でき
る。

第４図はこの発明のさらに他の実ＦＭ態様を示すもので
、上層を気泡含有層１３とし、下層を気泡を含まない層
１４とした半導体基板研削用保護テープの断面図である
。かかる保護テープを用いても、実施例と同様の効果が
期待できる。

第５図はこの発明のさらに他の実施Ｒ様を示すもので、
上層を気泡を含まない層１４とし、中間層を気泡含有１
１１３とし、下層を気泡を含まない層１４とした半導体
基板研削用保護テープの断面図である。かかる保護テー
プを用いても、実施例と同様の効果が期待できる。

なお、上記実施例では半導体基板にシリコン基板を用い
た場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限られず
、他の材料からなる半導体基板を用いても実施例と同様
の効果が実現する。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明に係る半導体基板研削用保護テー
プは、内部に多数の小さな気泡を含んでいるので、該保
護テープ自身が、半導体基板研削時に接着面に加わる機
械的力を、ｌ！衝させる働きを持つ。それゆえ、この保
護テープを半導体基板表面に直接貼り付けても、接着面
に大きな力が加わらないので、該保護テープを剥がした
とき、大きな糊の塊が半導体基板表面に残らなくなる。

その結果、半導体基板の裏面の研削時にこの保護テープ
を用いると、従来使用していた表面保護膜を使わなくて
よいので、該表面保ｍ膜を塗布する工程が省かれ、かつ
コスト安になる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明に係る気泡含有保護テープを用いて、
シリコン基板の１！面を研削する方法を示した図、第２
Ａ図はシリコン基板表面に貼り付けた気泡含有保護テー
プに機械的力が及んでいる様子を示した図、第２Ｂ図は
気泡含有保護テープをシリコン基板から剥がしている様
子を示した因、第３図はこの発明の他の実施例を示す断
面図、第４図はこの発明のさらに他の実施例を示す断面
図、第５図はこの発明のさらに他の実施例を示す断面図
、第６図は半導体基板の裏面の研削を行なう従来の方法
を示した図、第７八図ないし第７Ｄ図は、裏面が研削さ
れたシリコン基板を得るまでの工程を示した図、第８Ａ
図および第８Ｂ図は、シリコン基板に表面保護テープを
直接貼り付は裏面研削した場合の問題点を示した図であ
る。 図において３はシリコン基板、４は基板ステージ、５は
多孔質セラミック板、７は砥石、１２は気泡含有保護テ
ープ、１３は気泡含有層、１５は気泡である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人　　　大　　岩　　増　　雄 第１図 ３：　シ１１コ〉基板 ４：　基ねステーじ ５：　夕１し質セラミ、クオ及 ７：　石ε石。 １２：　　気老含を保護デーア １５：　　矢　５邑 第２Ａ図 第２８図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７Ａ図 第７Ｂ図 第７Ｃ図 第７Ｄ図 口＝＝＝＝＝＝コーへ３ 第８Ａ図 第８８図

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）固定台に半導体基板を固定し、該半導体基板の裏
   面を研削するにあたり、固定台に接触する半導体基板表
   面を保護するために該半導体表面に貼り付ける半導体基
   板研削用保護テープであって、 前記保護テープは気泡が内部に分散している気泡含有層
   を含むものであることを特徴とする半導体基板研削用保
   護テープ。
2. （２）前記保護テープは２層構造のものであり、その一
   方の層が前記気泡を内部に含む気泡含有層である特許請
   求の範囲第１項記載の半導体基板研削用保護テープ。
3. （３）前記保護テープは３層構造のものであり、そのい
   ずれか１つの層が前記気泡を内部に含む気泡含有層であ
   る特許請求の範囲第１項記載の半導体基板研削用保護テ
   ープ。
4. （４）前記気泡の直径は１〜５０μｍであり、該気泡が
   前記気泡含有層の中に体積比で３０〜８０％含まれてい
   る特許請求の範囲第１項記載の半導体基板研削用保護テ
   ープ。
5. （５）前記気泡含有層は前記気泡を均一に分布させてい
   る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載
   の半導体基板研削用保護テープ。