TW201308483A - 半導體製造裝置之原料氣體供給裝置 - Google Patents

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Abstract

達成可以不使用載氣體而僅對液體原料氣體之蒸氣、亦即原料氣體，進行高精確度之流量控制之同時，可以穩定地供給至製程腔室，同時可以達成原料氣體供給裝置之構造之簡素化及小型化。由以下構成：液體原料氣體供給源；上述液體原料氣體之貯存用的來源貯槽；氣體流通路，用於由上述來源貯槽之內部上方空間部，將液體原料氣體蒸氣、亦即原料氣體供給至製程腔室；自動壓力調整器，係設置於該氣體流通路之上流側，用於將供給至製程腔室的原料氣體之供給壓保持於設定值；供給氣體切換閥，係設置於上述氣體流通路之下流側，用於對原料氣體之供給至製程腔室的通路進行開關；孔部，係設置於該供給氣體切換閥之入口側與出口側之其中至少一方，用於調整供給至製程腔室的原料氣體之流量；及恆溫加熱裝置，用於將上述來源貯槽、上述氣體流通路、供給氣體切換閥及孔部加熱至設定溫度；係將自動壓力調整器之下流側之原料氣體之供給壓控制成為所要之壓力之同時，將設定流量之原料氣體供給至製程腔室。

Description

半導體製造裝置之原料氣體供給裝置
本發明關於藉由所謂ALD法對半導體製造裝置進行氣體供給的裝置之改良，關於在製程腔室內可以高精確度進行複數之處理用氣體(原料氣體)之流量控制之同時，迅速而且正確進行切換供給的半導體製造裝置之原料氣體供給裝置。
所謂ALD(Atomic layer Deposition)法，係基於良好的熱歷程或階梯覆蓋性而廣泛應用於半導體製造之成膜製程。
而且，該ALD法係將2種類以上之原料氣體或液體原料氣體之蒸氣流交互供給至製程腔室內，藉由晶圓等之表面之化學反應進行成膜者，所謂可藉由1時程(sequence)以高精確度形成1原子層相當之膜厚。
其中，以四氯化鈦(TiCl4)及氨(NH3)作為前驅體使用的氮化鈦(TiN)之成膜，對於半導體製造乃重要的製程，四氯化鈦(TiCl4)之供給流量之控制精確度對於氮化鈦之膜厚或品質有大的影響。
因此，習知針對四氯化鈦(TiCl4)等之原料氣體之供給有開發出各種之技術，例如於圖4之原料氣體供給裝置(專利第4605790號)，係由載氣體源21通過壓力調整器22、質流控制器23而使載氣體G1’供給至來源貯槽( source tank)25內，液體原料24之蒸氣G2’和載氣體G1’之混合氣體G0’係通過壓力控制閥CV及開關閥V1被供給至製程腔室29內，藉由壓力控制閥CV及開關閥V1之開關控制，而控制氣體G0’對製程腔室29之供給。
又，於圖4，27為來源貯槽25之內壓部壓力之自動壓力調整裝置，係藉由來自管路L內之壓力及溫度之檢測值進行貯槽內壓之運算，以朝向和由端子28輸入的設定壓力間之差成為零的方向進行壓力控制閥CV之開關控制，而將來源貯槽內壓保持於設定值。
又，26為恆溫加熱部，30為加熱器，31為晶圓，Gn’為另一原料氣體，Vn為另一原料氣體Gn’之開關閥。
於上述圖4之原料氣體供給裝置，首先，供給至來源貯槽25內的載氣體G1’之壓力係藉由壓力調整器22設定成為特定壓力值PG1，又，其之供給流量係藉由熱式質量流量控制裝置(質流控制器)23設定成為特定流量值。另外，來源貯槽25之部分等係被加熱保持於約150℃之高溫度。
藉由載氣體G1’之供給量、來源貯槽25之溫度、及來源貯槽25之內部壓力(混合氣體G0’之壓力)分別被保持於設定值，使通過壓力控制閥CV之一定混合比的一定流量之混合氣體G0’，被進行高精確度控制成為和熱式質量流量控制裝置23之設定流量呈比例的特定之流量值之同時被供給，藉由開關閥V1之開放而被供給至製程腔室29。
圖5係表示此種原料氣體供給裝置之另一例，藉由載氣體G1’之發泡作用使來源貯槽25內之液體原料氣體(TiCl4)蒸發之同時，使載氣體G1’、原料氣體蒸氣G2’以及伴隨著載氣體的原料氣體粒子的混合體G0流入汽化器35，使汽化後之混合氣體G0’經由緩衝貯槽33供給至閥開關機構34，藉由閥V1開．閉控制(ON．OFF控制)，使特定量之混合氣體G0’被供給至腔室29內。
又，於圖5，上述來源貯槽25內之液體原料氣體(TiCl4)24係被加熱至約100℃(蒸氣壓269Torr)，汽化器35係被加熱至約200℃，各緩衝腔室33(內容積約500~1000cc)係被加熱至約170℃，閥開關機構34係被加熱至約200℃。
又，混合氣體(TiCl4+載氣體)G0’之供給流量為約20sccm，氬(Ar)及氨(NH3)之供給壓為0.15PaG，之供給流量分別為約10SLM。另外，製程腔室29之內容積為500~1000cc，內壓被保持於1Torr以下。
對上述腔室29之原料氣體之供給時，係藉由閥開關機構34內之開關閥V1~Vn之依序以特定時間間隔進行ON．OFF(例如TiCl4時，開時間約0.2秒，閉時間約0.93秒)，而於特定之內壓下使各緩衝貯槽33內貯留的原料氣體，每次以特定量依序進行各原料氣體之供給，而進行1循環之成膜。
於上述圖4所示氣體供給裝置，係藉由來源貯槽內自動壓力調整裝置27將來源貯槽25內之空間部壓力(混合 氣體G0’之壓力)保持於設定值，因此即使不使用緩衝貯槽33，亦可以對特定量之原料氣體G0’進行高精確度之流量控制之同時，供給至閥開關機構(開關閥V1)34。
又，於圖5之原料氣體供給裝置，亦使用緩衝貯槽33，因此不存在所供給的各原料氣體G0’，GAr，GNH3之壓力變動，可將特定流量之各原料氣體透過閥開關機構34供給至腔室29內，達成良好效用。
但是，習知之圖4及圖5所示氣體供給裝置亦有待解決之諸多問題點。
首先，於圖4及圖5之氣體供給裝置，係使用載氣體G1’以液體原料氣體24之蒸氣G2’作為原料氣體而供給至製程腔室29，無法直將僅將液體原料氣體24之蒸氣G2供給至製程腔室29，結果，混合氣體G0’內之原料氣體G2’之濃度管理麻煩，高精確度之原料氣體G2’之供給量控制成為困難之問題存在。
又，於圖4之氣體供給裝置，一．因為使用高價位之熱式質量流量控制裝置23，原料之汽化供給裝置之製造成本之降低難以達成，而且需要對熱式質量流量控制裝置23之載氣體之供給壓進行高精確度控制，壓力調整器22之設備費增加，無法直接藉由熱式質量流量控制裝置23進行混合氣體G0’之流量控制，二．屬於發泡方式，固體原料或低蒸氣壓之原料時難以進行穩定的原料蒸氣之供給，對製程腔室之混合氣體供給容易變為不穩定，三，受到來源貯槽內之原料液面之變動影響，混合氣體G0’內之原料 蒸氣G2’之濃度大幅變動，原料蒸氣G2’之濃度之控制困難，四．入口側之載氣體之流量與出口側之混合氣體之流量(全流量)不同，混合氣體流量之高精確度之流量控制困難，五，來源貯槽之內壓之高精確度之控制不容易，結果，和貯槽內之混合氣體內之原料蒸氣之分壓直接由關係的原料濃度之調整變為不容易等之問題存在。
另外，於圖5之氣體供給裝置，除上述圖4之氣體供給裝置之一~五等之問題以外，設於開關機構34的開關閥V1係作為膜衝驅動閥，藉由其之開關切換時間調整，而進行原料氣體G0’之供給量控制之構成，因此高精確度之流量控制困難，另外，開關閥V1之保養管理手續麻煩，另外，為達成原料氣體G0’之供給壓之穩定化，而需要緩衝腔室33，無法達成裝置之小型化之問題存在。
〔先行技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕專利第4605790號
〔專利文獻2〕特開2009-226408號
本發明係為解決習知之圖4及圖5之氣體供給裝置之上述問題，亦即一．無法僅單獨針對原料氣體，進行高精確度之流量控制之同時，進行穩定供給，二．因為構成為 藉由設於製程腔室附近的脈衝驅動閥之開關控制，來控制原料氣體之供給流量，導致高精確度之流量控制成為困難，三．基於使用緩衝腔室、或使用熱式流量控制裝置，而導致原料氣體供給裝置之更進一步小型化或低成本化成為困難等之問題，提供可以不使用載氣體而僅單獨對原料氣體，而且不使用熱式流量控制裝置或流量控制用脈衝閥，藉由設於原料氣體通路內的自動壓力調整裝置進行2次側氣體流通路內之原料氣體壓力之調整，以及孔部(orifice)之使用，可以高精確度進行流量控制之同時，可以穩定進行原料氣體之供給的原料氣體供給裝置。
請求項1之發明之基本構成如下，係由以下構成：液體原料氣體供給源；上述液體原料氣體之貯存用的來源貯槽；氣體流通路，用於由上述來源貯槽之內部上方空間部，將液體原料氣體蒸氣、亦即原料氣體供給至製程腔室；自動壓力調整器，係設置於該氣體流通路之上流側，用於將供給至製程腔室的原料氣體之供給壓保持於設定值；供給氣體切換閥，係設置於上述氣體流通路之下流側，用於對原料氣體之供給至製程腔室的通路進行開關；開口部，係設置於該供給氣體切換閥之入口側與出口側之其中至少一方，用於調整供給至製程腔室的原料氣體之流量；及恆溫加熱裝置，用於將上述來源貯槽、上述氣體流通路、供給氣體切換閥及開口部加熱至設定溫度；係將自動壓力調 整器之下流側之原料氣體之供給壓控制成為所要之壓力之同時，將設定流量之原料氣體供給至製程腔室。
請求項2之係於發明請求項1之發明中，將液體原料氣體設為四氯化鈦(TiCl4)。
請求項3之發明係於請求項1之發明中，將開口部設於供給氣體切換閥之入口側。
請求項4之發明係於請求項1之發明中，藉由恆溫加熱裝置將來源貯槽加熱至100℃~250℃之溫度。
請求項5之發明係於請求項1之發明中，藉由恆溫加熱裝置將氣體流通路、自動壓力調整器、開口部及切換閥加熱至100℃~250℃之溫度。
請求項6之發明係於請求項1之發明中，和原料氣體之氣體流通路並列，而分別設置氬氣體之供給用的氣體流通路及氨氣體之供給用的氣體流通路。
於本發明，係將來源貯槽之溫度保持於設定值之同時，藉由自動壓力調整裝置針對由來源貯槽之內部上方空間部被導出的液體原料氣體之蒸氣、亦即原料氣體G1對於製程腔室之供給壓力進行控制，將自動壓力調整裝置之二次側氣體流通路內之原料氣體壓保持於所要之設定壓之同時，使原料氣體G1經由開口部被供給至製程腔室而構成。
結果，於不使用載氣體之情況下，可以僅對液體原料 氣體G1進行高精確度之流量控制之同時進行供給，可達成原料氣體G1穩定之供給，可以大幅提升流量控制性。
又，原料氣體G1之流通路係由自動壓力調整裝置、開口部供及給氣體切換閥構成，構成變為簡單，可達成使半導體製造裝置之原料氣體供給裝置之大幅小型化之同時，液體原料氣體之使用量之判別容易，而且藉由孔部切換原料氣體之供給時之不同種氣體之逆流可以被有效防止。
另外，藉由自動壓力調整裝置將原料氣體G1之供給壓保持於一定，而且適當選擇開口部之口徑之同時，藉由進行來源貯槽或原料氣體G1之溫度調整，可對原料氣體G1之供給流量進行極為高精確度之控制，可以實現所謂成膜工程之高性能化或半導體製品之大幅之品質提升。
以下參照圖面說明本發明之實施形態。
圖1係表示本發明之實施形態之原料氣體供給裝置之構成系統圖，該原料氣體供給裝置，係由以下構成：液體原料貯槽1，液體原料流量計測器2，液體原料供給閥3，液體原料氣體4，來源貯槽5，原料氣體出口閥7，對供給至製程腔室11的原料氣體流通路9之內部壓力進行控制的自動壓力調整裝置6，對供給至製程腔室11的氣體G之供給流量進行調整的開口部(於此係使用孔部)8，氣體流通路9，供給氣體切換閥10，對氣體流通路9或來源貯槽5等進行加溫的恆溫加熱裝置15。
又，於圖1，除液體原料貯槽1以外，亦設置氨氣體貯槽1G2，氬氣體貯槽1G3，其他之氣體貯槽1Gn，於各氣體流通路9G2、9G3、9Gn分別設置自動壓力調整器6G2，6G3，6Gn，孔部8G2，G3，8Gn，供給切換閥10G2，10G3，10Gn，分別進行對製程腔室7之原料氣體G1，G2，G3，Gn之切換供給。
參照圖1，液體原料氣體4係由液體原料貯槽1經由流量計測器2，液體原料供給閥3被供給至來源貯槽5內，於此藉由恆溫加熱裝置15加熱至特定溫度之狀態下予以貯留。
又，本實施例之液體原料氣體之1係使用四氯化鈦(TiCl4)，以下，液體原料氣體4係以TiCl4進行說明。
來源貯槽5內之液體原料氣體4，係藉由對來源貯槽5加熱至約100℃~110℃，而產生該加熱溫度中之液體原料氣體4之飽和蒸氣壓(例如100℃，269Torr)之蒸氣G1，而充滿來源貯槽5之內部上方空間5a內。
產生的液體原料氣體4之飽和蒸氣G1係經由原料氣體出口閥7流入自動壓力調整器6G1，藉由自動壓力調整器6G1調整成為特定之設定壓，經由孔部8G1，原料氣體供給切換閥10G1被供給至製程腔室11。
上述自動壓力調整器6G1，係設置於來源貯槽5之原料氣體G1之出口側附近，針對來源貯槽5內之原料氣體G1之於自動壓力調整器6G1之2次側之壓力，進行自動調整使成為特定設定值。亦即，如圖2所示，自動壓力調整 器6G1之流出側之原料氣體G1之壓力P1及溫度T1進行檢測之同時，使用該檢測壓力P1及溫度T1而於運算控制部12進行溫度補正，進行補正成為現實之高溫混合氣體G1之壓力的運算，另外，對該運算之原料氣體G1之壓力值Pt，與來自設定輸入端子13之設定壓力值Ps進行比對，以使兩者之偏差Pd朝向成為零的方向實施控制閥V0之開關控制。
又，圖2係表示自動壓力調整器6G1之區塊構成，該運算控制部12，係由溫度補正電路12a，比較電路12b，輸出入電路12c及輸出電路12d等構成。
亦即，來自壓力檢測器P1及溫度檢測器T1之檢測值係被轉換為數位信號而輸入至溫度補正電路12a，於此將檢測壓力P1補正成為檢測壓力Pt之後，輸入至比較電路12b。又，設定壓力之輸入信號Ps係由端子13輸入，於輸出入電路12b進行數位值轉換之後，輸入至比較電路12b，於此當比起實施上述溫度補正電路12a之溫度補正後的檢測壓力Pt更大時，係對控制閥V0之驅動部輸出控制信號Pd。如此則，控制閥V0被驅動成為朝閉鎖方向，在設定壓力輸入信號Ps與溫度補正後的檢測壓力Pt之差Pd=Ps-Pt成為零為止朝向閉閥方向被進行驅動。
又，反之，當上述設定壓力輸入信號Ps小於溫度補正後的檢測壓力Pt時，係對控制閥V0之驅動部輸出控制信號Pd，使控制閥V0被驅動成為朝開閥方向。如此則，在兩者之差Ps-Pt成為零為止被連接成為朝向開閥方向之 驅動。
藉由自動壓力調整器6G1，使其之2次側之氣體壓力被保持於設定壓力的原料氣體G1，於孔部8G1，即使以和原料氣體G1之設定壓力、孔部8G1之口徑以及氣體溫度對應之特定之流量下，亦可以通過供給氣體切換閥10G1而被供給至製程腔室11。
又，於上述說明雖僅說明原料氣體G1之氣體流通路9G1之管線，但氣體流通路9G2或氣體流通路9G3等之管線除了來源貯槽5之部分以外，均和上述氣體流通路9G1時完全相同。
又，於上述說明，孔部8係設置於供給氣體切換閥10之上流側，但孔部8亦可設置於供給氣體切換閥10之下流側，或設置於下流側與上流側之兩方。
另外，液體原料氣體雖使用四氯化鈦，但亦可使用其他液體原料例如TEOS等，恆溫加熱裝置15對於來源貯槽5或氣體流通路9，供給氣體切換閥10之加熱溫度，係對應於使用的液體原料氣體之飽和蒸氣壓或原料氣體之必要流量及壓力被適宜選定。
本發明，係藉由自動壓力調整裝置6使該2次側之原料氣體之壓力及溫度被保持於設定值之同時，經由孔部8進行該流量之調整，無須如習知為了流量調整而進行供給氣體切換閥10之開度控制，簡單純進行供給氣體之切換即可。因此，可進行更高精確度之流量控制。
又，於本發明，可以僅對必要之原料氣體進行直接而 且高精確度之流量控制之下，供給至製程腔室11，可實現原料氣體流通路9等之小口徑化或簡素化之同時，無須原料氣體之濃度管理。
圖3係表示原料氣體為TiCl4，而且TiCl4氣體之流量為10sccm時之包含自動壓力調整器6G1等的氣體流通路9G1之壓力、溫度、流量等之關係，藉由設定成為來源貯槽溫度=100℃，來源貯槽內部空間5a之TiCl4氣體壓力=269Torr(100℃)，自動壓力調整器6G1之上流側壓力P1=269Torr，自動壓力調整器6G1之下流側壓力P2=200Torr，孔部8G1之口徑為0.1mm ，而確認10sccm之TiCl4氣體之供給為可能。又，孔部8G1與供給氣體切換閥10G1間之距離L2設為10mm以下，又，自動壓力調整裝置6G1與孔部8G1間之距離L1設為約2m。
又，TiCl4氣體之流量係成為溫度之函數，因此藉由自動壓力調整裝置6G1之2次側控制壓P2之調節，可達成原料氣體G1之流量調整。
藉由同樣之方法，針對NH3氣體流通路9G2，針對設為NH3氣體G2=10SLM時進行檢討。結果，自動壓力調整器6G2之控制壓力P2=790Torr，溫度23℃，孔部8G2之口徑=1.0mm時，約流量10SLM之NH3原料氣體G2之供給成為可能(孔部下流壓相對於P2滿足臨界膨脹條件時)。
又，針對Ar氣體流通路9G2，在壓力調整器6G3之控制壓P2=1100Torr，溫度23℃，孔部8G3之口徑=1.0mm時，約流量10SLM之Ar氣體G3之供給成為可能(孔部 下流壓相對於P2滿足臨界膨脹條件時)。
〔產業上之利用可能性〕
本發明不僅作為ALD法所使用的原料之汽化供給裝置，於半導體製造裝置或化學品製造裝置等，對於由加壓貯留源對製程腔室進行氣體之供給的構成之全部氣體供給裝置均可適用。
G1‧‧‧原料氣體
G2‧‧‧氨氣體
G3‧‧‧氬氣體
Gn‧‧‧另一氣體
1‧‧‧流體原料氣體貯槽(四氯化鈦)
1G2‧‧‧氨氣體貯槽
1G3‧‧‧氬氣體貯槽
1Gn‧‧‧另一氣體種之貯槽
2‧‧‧液體原料流量計測器
3‧‧‧液體原料供給閥
4‧‧‧液體原料氣體(四氯化鈦，TiCl4)
5‧‧‧來源貯槽
5a‧‧‧來源貯槽之內部空間
6‧‧‧自動壓力調整裝置
6G1‧‧‧四氯化鈦氣體之自動壓力調整器
6G2‧‧‧氨氣體之自動壓力調整器
6G3‧‧‧氬氣體之自動壓力調整器
7‧‧‧原料氣體出口閥
7G2‧‧‧氨氣體出口閥
7G3‧‧‧氬氣體出口閥
7Gn‧‧‧另一氣體出口閥
8‧‧‧開口部(孔部)
8G1‧‧‧四氯化氣體之孔部
8G2‧‧‧氨氣體之孔部
8G3‧‧‧氬氣體之孔部
8Gn‧‧‧另一氣體之孔部
9‧‧‧氣體流通路
9G1‧‧‧四氯化鈦氣體流通路
9G2‧‧‧氨氣體流通路
9G3‧‧‧氬氣體流通路
9Gn‧‧‧另一氣體之流通路
10‧‧‧供給氣體切換閥
11‧‧‧製程腔室
12‧‧‧運算控制部
12a‧‧‧溫度補正電路
12b‧‧‧比較電路
12c‧‧‧輸入‧輸出電路
12d‧‧‧輸出電路
V0‧‧‧控制閥
13‧‧‧設定輸入端子
14‧‧‧輸出信號端子
15‧‧‧恆溫加熱裝置
P1‧‧‧G1壓力(檢測壓力)
T1‧‧‧G1溫度(檢測溫度)
Pt‧‧‧補正檢測壓力
Tt‧‧‧補正檢測溫度
Ps‧‧‧設定壓力輸入信號
Pd‧‧‧控制信號
Pot‧‧‧輸出信號
21‧‧‧載氣體源
22‧‧‧壓力調整器
23‧‧‧質流控制器
24‧‧‧液體原料氣體(TiCl4)
25‧‧‧來源貯槽
26‧‧‧恆溫加熱部
27‧‧‧來源貯槽內壓自動壓力調整裝置
28‧‧‧端子
29‧‧‧製程腔室
30‧‧‧加熱器
31‧‧‧晶圓
32‧‧‧真空泵
33‧‧‧緩衝腔室
34‧‧‧閥開關機構
35‧‧‧汽化器
G1’‧‧‧載氣體
G2’‧‧‧液體原料之蒸氣
G0’‧‧‧混合氣體
Gn’‧‧‧另一原料氣體
Cv‧‧‧壓力控制閥
V1‧V2‧V3‧‧‧開關閥
Vn‧‧‧管路
Go‧‧‧混合體
〔圖1〕本發明之實施形態之原料氣體供給裝置之構成系統圖。
〔圖2〕自動壓力調整裝置之構成說明圖。
〔圖3〕本發明之實施形態之原料氣體供給管之壓力 、溫度、流量等之一例。
〔圖4〕習知之原料氣體供給裝置之構成系統圖。
〔圖5〕習知之另一原料氣體供給裝置之構成系統圖。
G1‧‧‧原料氣體
G2‧‧‧氨氣體
G3‧‧‧氬氣體
Gn‧‧‧另一氣體
1‧‧‧流體原料氣體貯槽(四氯化鈦)
1G2‧‧‧氨氣體貯槽
1G3‧‧‧氬氣體貯槽
1Gn‧‧‧另一氣體種之貯槽
2‧‧‧液體原料流量計測器
3‧‧‧液體原料供給閥
4‧‧‧液體原料氣體(四氯化鈦，TiCl4)
5‧‧‧來源貯槽
5a‧‧‧來源貯槽之內部空間
6‧‧‧自動壓力調整裝置
6G1‧‧‧四氯化鈦氣體之自動壓力調整器
6G2‧‧‧氨氣體之自動壓力調整器
6G3‧‧‧氬氣體之自動壓力調整器
6Gn‧‧‧自動壓力調整器
7‧‧‧原料氣體出口閥
7G2‧‧‧氨氣體出口閥
7G3‧‧‧氬氣體出口閥
7Gn‧‧‧另一氣體出口閥
8G1‧‧‧四氯化氣體之孔部
8G2‧‧‧氨氣體之孔部
8Gn‧‧‧另一氣體之孔部
9G1‧‧‧四氯化鈦氣體流通路
9G2‧‧‧氨氣體流通路
9G3‧‧‧氬氣體流通路
9Gn‧‧‧另一氣體之流通路
10G1、10G2、10Gn‧‧‧供給氣體切換閥
11‧‧‧製程腔室
15‧‧‧恆溫加熱裝置

Claims (6)

  1. 一種半導體製造裝置之原料氣體供給裝置，其特徵為由以下構成：液體原料氣體供給源；來源貯槽，貯存上述液體原料氣體；氣體流通路，用於由上述來源貯槽之內部上方空間部，將液體原料氣體蒸氣、亦即原料氣體供給至製程腔室；自動壓力調整器，係介設於該氣體流通路之上流側，用於將供給至製程腔室的原料氣體之供給壓保持於設定值；供給氣體切換閥，係介設於上述氣體流通路之下流側，用於對原料氣體之供給至製程腔室的通路進行開關；開口部，係設置於該供給氣體切換閥之入口側與出口側之其中至少一方，用於調整供給至製程腔室的原料氣體之流量；及恆溫加熱裝置，用於將上述來源貯槽、上述氣體流通路、供給氣體切換閥及開口部加熱至設定溫度，將自動壓力調整器之下流側之原料氣體之供給壓控制成為所要之壓力之同時，將設定流量之原料氣體供給至製程腔室而構成。
  2. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置之原料氣體供給裝置，其中液體原料氣體係設為四氯化鈦(TiCl4)。
  3. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置之原料氣體供給裝置，其中係將開口部設於供給氣體切換閥之入口側。
  4. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置之原料氣體供給裝置，其中 藉由恆溫加熱裝置將來源貯槽加熱至100℃~250℃之溫度。
  5. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置之原料氣體供給裝置，其中藉由恆溫加熱裝置將氣體流通路、自動壓力調整器、開口部及切換閥加熱至100℃~250℃之溫度。
  6. 如申請專利範圍第1項之半導體製造裝置之原料氣體供給裝置，其中和原料氣體之氣體流通路並列，而分別設置氬氣體之供給用的氣體流通路及氨氣體之供給用的氣體流通路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11482409B2 (en) 2017-12-19 2022-10-25 Micron Technology, Inc. Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor

Families Citing this family (225)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP5837869B2 (ja) * 2012-12-06 2015-12-24 株式会社フジキン 原料気化供給装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US20170173828A1 (en) 2014-02-03 2017-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Mold for molding expanded resin and process for producing same
JP2015190035A (ja) 2014-03-28 2015-11-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給機構およびガス供給方法、ならびにそれを用いた成膜装置および成膜方法
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP6516666B2 (ja) * 2015-04-08 2019-05-22 東京エレクトロン株式会社 ガス供給制御方法
US9904299B2 (en) * 2015-04-08 2018-02-27 Tokyo Electron Limited Gas supply control method
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
JP7105765B2 (ja) * 2017-05-11 2022-07-25 株式会社堀場エステック 液体材料気化供給装置及び制御プログラム
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
JP6811147B2 (ja) * 2017-06-23 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
JP7107648B2 (ja) 2017-07-11 2022-07-27 株式会社堀場エステック 流体制御装置、流体制御システム、流体制御方法、及び、流体制御装置用プログラム
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7232651B2 (ja) * 2019-01-25 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 熱媒体の制御方法および熱媒体制御装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
JP6966499B2 (ja) * 2019-03-06 2021-11-17 Ckd株式会社 ガス供給ユニット及びガス供給方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
SG10202101459XA (en) * 2020-02-25 2021-09-29 Kc Co Ltd Gas mixing supply device, mixing system, and gas mixing supply method
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210127620A (ko) 2020-04-13 2021-10-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 질소 함유 탄소 막을 형성하는 방법 및 이를 수행하기 위한 시스템
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
JP2022077278A (ja) * 2020-11-11 2022-05-23 株式会社堀場エステック 濃度制御システム、濃度制御方法、及び、濃度制御システム用プログラム
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60244333A (ja) * 1984-05-21 1985-12-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 原料液補給装置
US4787254A (en) 1987-02-20 1988-11-29 Briggs Technology, Inc. Mass flow meter
JP2538042B2 (ja) 1989-03-29 1996-09-25 株式会社エステック 有機金属化合物の気化供給方法とその装置
JP2893148B2 (ja) 1991-10-08 1999-05-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH06104155A (ja) 1992-09-22 1994-04-15 M C Electron Kk 半導体製造プロセスにおける中間制御装置
JPH07118862A (ja) 1993-10-19 1995-05-09 Hitachi Electron Eng Co Ltd Ｃｖｄ装置の反応ガス濃度制御方法
US5451258A (en) 1994-05-11 1995-09-19 Materials Research Corporation Apparatus and method for improved delivery of vaporized reactant gases to a reaction chamber
JP3291161B2 (ja) 1995-06-12 2002-06-10 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置
JP3580645B2 (ja) 1996-08-12 2004-10-27 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
US5865205A (en) 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
US6205409B1 (en) 1998-06-26 2001-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Predictive failure monitoring system for a mass flow controller
JP3522544B2 (ja) 1998-08-24 2004-04-26 忠弘 大見 流体可変型流量制御装置
JP4439030B2 (ja) 1999-04-01 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 気化器、処理装置、処理方法、及び半導体チップの製造方法
US6210482B1 (en) 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
JP2002543589A (ja) * 1999-04-27 2002-12-17 東京エレクトロン株式会社 ハロゲン化チタン前駆体からのＣＶＤＴｉＮプラグの形成
US6265311B1 (en) * 1999-04-27 2001-07-24 Tokyo Electron Limited PECVD of TaN films from tantalum halide precursors
US6119710A (en) 1999-05-26 2000-09-19 Cyber Instrument Technologies Llc Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
GB9929279D0 (en) 1999-12-11 2000-02-02 Epichem Ltd An improved method of and apparatus for the delivery of precursors in the vapour phase to a plurality of epitaxial reactor sites
JP2001258184A (ja) 2000-03-09 2001-09-21 Fuji Xerox Co Ltd 自己電力供給型カード型情報記録媒体、カード型情報記録媒体入出力装置、電力供給方法、及び通信方法
JP2001313288A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Ebara Corp 原料ガス供給装置
US6539968B1 (en) 2000-09-20 2003-04-01 Fugasity Corporation Fluid flow controller and method of operation
US6564824B2 (en) 2001-04-13 2003-05-20 Flowmatrix, Inc. Mass flow meter systems and methods
JP2003013233A (ja) 2001-07-04 2003-01-15 Horiba Ltd 液体原料気化供給装置
US6701066B2 (en) 2001-10-11 2004-03-02 Micron Technology, Inc. Delivery of solid chemical precursors
JP4082901B2 (ja) 2001-12-28 2008-04-30 忠弘 大見 圧力センサ、圧力制御装置及び圧力式流量制御装置の温度ドリフト補正装置
JP4667704B2 (ja) 2002-03-27 2011-04-13 株式会社堀場製作所 薄膜堆積方法とその装置および薄膜堆積方法に用いる混合ガス供給装置
JP2003323217A (ja) * 2002-05-01 2003-11-14 Stec Inc 流量制御システム
JP3973605B2 (ja) 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US7543596B2 (en) 2002-07-19 2009-06-09 Entegris, Inc. Liquid flow controller and precision dispense apparatus and system
JP4137666B2 (ja) 2003-02-17 2008-08-20 株式会社堀場エステック マスフローコントローラ
JP2004256864A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Benesol Inc Ｍｏｃｖｄ装置における原料供給フィードバック制御システム
JP4298476B2 (ja) 2003-11-14 2009-07-22 株式会社フジキン 流体制御装置
US20050221004A1 (en) * 2004-01-20 2005-10-06 Kilpela Olli V Vapor reactant source system with choked-flow elements
JP4086057B2 (ja) 2004-06-21 2008-05-14 日立金属株式会社 質量流量制御装置及びこの検定方法
US7204158B2 (en) 2004-07-07 2007-04-17 Parker-Hannifin Corporation Flow control apparatus and method with internally isothermal control volume for flow verification
JP4856905B2 (ja) 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
JP4866682B2 (ja) 2005-09-01 2012-02-01 株式会社フジキン 圧力センサを保有する流量制御装置を用いた流体供給系の異常検出方法
JP2007250803A (ja) 2006-03-15 2007-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20070254093A1 (en) 2006-04-26 2007-11-01 Applied Materials, Inc. MOCVD reactor with concentration-monitor feedback
JP4605790B2 (ja) * 2006-06-27 2011-01-05 株式会社フジキン 原料の気化供給装置及びこれに用いる圧力自動調整装置。
US7640078B2 (en) 2006-07-05 2009-12-29 Advanced Energy Industries, Inc. Multi-mode control algorithm
US7833353B2 (en) * 2007-01-24 2010-11-16 Asm Japan K.K. Liquid material vaporization apparatus for semiconductor processing apparatus
DE102007011589A1 (de) 2007-03-08 2008-09-11 Schott Ag Fördereinrichtung für Precursor
JP5050739B2 (ja) 2007-08-31 2012-10-17 住友化学株式会社 有機金属化合物供給容器
JP5372353B2 (ja) 2007-09-25 2013-12-18 株式会社フジキン 半導体製造装置用ガス供給装置
US7874208B2 (en) 2007-10-10 2011-01-25 Brooks Instrument, Llc System for and method of providing a wide-range flow controller
US20090214777A1 (en) 2008-02-22 2009-08-27 Demetrius Sarigiannis Multiple ampoule delivery systems
JP5461786B2 (ja) * 2008-04-01 2014-04-02 株式会社フジキン 気化器を備えたガス供給装置
KR101578220B1 (ko) 2008-10-31 2015-12-16 가부시키가이샤 호리바 세이샤쿠쇼 재료가스 농도 제어 시스템
JP2010153741A (ja) 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
US8151814B2 (en) * 2009-01-13 2012-04-10 Asm Japan K.K. Method for controlling flow and concentration of liquid precursor
JP5787488B2 (ja) 2009-05-28 2015-09-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP4941514B2 (ja) 2009-06-30 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 処理ガス供給装置及び成膜装置
TWI435196B (zh) 2009-10-15 2014-04-21 Pivotal Systems Corp 氣體流量控制方法及裝置
JP5562712B2 (ja) 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11482409B2 (en) 2017-12-19 2022-10-25 Micron Technology, Inc. Freezing a sacrificial material in forming a semiconductor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013019003A (ja) 2013-01-31
CN103649367B (zh) 2015-12-02
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