MXPA05008118A - Derivados de oxima halogenados y el uso de los mismos como acidos latentes. - Google Patents

Derivados de oxima halogenados y el uso de los mismos como acidos latentes.

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Abstract

Compuestos de formula I o II (ver formulas (I) o (II)), donde R1 es haloalquilsulfonilo de C1-C10, halobencensulfonilo, haloalcanoilo de C2-C10, halobenzoilo; R2 es halogeno o haloalquilo de C1-C10; Ar1 es fenilo, bifenililo, fluorenilo, naftilo, antracilo, fenantrilo, o heteroarilo, todos los cuales estan opcionalmente sustituidos; Ar'1 es por ejemplo fenilo, naftileno, difenileno, heteroarileno, oxidifenileno, fenilen-D-D1-D-fenilo o -Ar°°1-A1-Y1-A1-Ar°°1-; donde esos radicales estan opcionalmente sustituido; Ar''1 es fenilo, naftileno, antracileno, fenantrileno, o heteroarileno, todos opcionalmente sustituidos; A1 es por ejemplo un enlace directo. -O-, -S-, o -NR6-; Y1 inter alia es alquileno de C1-C18; X es halogeno; D es por ejemplo -O-, -S- o -NR6-; D1 inter alia es alquileno de C1-C18; son particularmente adecuados como acidos fotolatentes en tecnologia ArF resistente.
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Families Citing this family (276)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI272451B (en) * 2000-09-25 2007-02-01 Ciba Sc Holding Ag Chemically amplified photoresist composition, process for preparation of a photoresist, and use of said chemically amplified photoresist composition
KR101193824B1 (ko) * 2004-07-20 2012-10-24 시바 홀딩 인크 옥심 유도체 및 잠산으로서의 이의 용도
US7459261B2 (en) 2005-01-06 2008-12-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
JP4420226B2 (ja) 2005-02-18 2010-02-24 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US7387969B2 (en) * 2005-03-18 2008-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Top patterned hardmask and method for patterning
JP4732046B2 (ja) 2005-07-20 2011-07-27 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4762630B2 (ja) 2005-08-03 2011-08-31 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4536622B2 (ja) 2005-08-23 2010-09-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4979915B2 (ja) 2005-09-09 2012-07-18 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7960089B2 (en) 2005-09-20 2011-06-14 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound, method for producing same, positive resist composition and method for forming resist pattern
JP4574507B2 (ja) * 2005-09-28 2010-11-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4671035B2 (ja) 2005-10-14 2011-04-13 信越化学工業株式会社 化学増幅型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4828204B2 (ja) 2005-10-21 2011-11-30 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
JP2007133208A (ja) 2005-11-11 2007-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7629106B2 (en) 2005-11-16 2009-12-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
KR100814231B1 (ko) * 2005-12-01 2008-03-17 주식회사 엘지화학 옥심 에스테르를 포함하는 트리아진계 광활성 화합물을포함하는 투명한 감광성 조성물
JP4717640B2 (ja) 2005-12-12 2011-07-06 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4716016B2 (ja) * 2005-12-27 2011-07-06 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP4539865B2 (ja) * 2006-01-06 2010-09-08 信越化学工業株式会社 ラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5031310B2 (ja) 2006-01-13 2012-09-19 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4937587B2 (ja) 2006-01-17 2012-05-23 東京応化工業株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2007199412A (ja) 2006-01-26 2007-08-09 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4614092B2 (ja) 2006-01-31 2011-01-19 信越化学工業株式会社 フッ素アルコール化合物の製造方法
JP4937594B2 (ja) 2006-02-02 2012-05-23 東京応化工業株式会社 厚膜レジスト膜形成用のポジ型レジスト組成物、厚膜レジスト積層体およびレジストパターン形成方法
JP4912733B2 (ja) 2006-02-17 2012-04-11 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US7491483B2 (en) * 2006-03-06 2009-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, positive resist compositions and patterning process
US7771913B2 (en) * 2006-04-04 2010-08-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process using the same
KR101389057B1 (ko) 2006-04-13 2014-05-13 시바 홀딩 인크 설포늄 염 개시제
JP4808574B2 (ja) 2006-05-25 2011-11-02 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および樹脂
JP4969916B2 (ja) 2006-05-25 2012-07-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4548617B2 (ja) 2006-06-09 2010-09-22 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
JP4623311B2 (ja) 2006-06-14 2011-02-02 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5031277B2 (ja) 2006-06-20 2012-09-19 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
TW200804243A (en) * 2006-06-20 2008-01-16 Ciba Sc Holding Ag Oxime sulfonates and the use thereof as latent acids
JP4717732B2 (ja) 2006-06-22 2011-07-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4574595B2 (ja) 2006-06-23 2010-11-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5124805B2 (ja) 2006-06-27 2013-01-23 信越化学工業株式会社 光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
KR101204122B1 (ko) 2006-07-06 2012-11-22 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
KR101054158B1 (ko) 2006-07-06 2011-08-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
US7902385B2 (en) 2006-07-06 2011-03-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ester compounds and their preparation, polymers, resist compositions and patterning process
TWI395065B (zh) 2006-07-06 2013-05-01 Shinetsu Chemical Co 正型光阻組成物及圖型之形成方法
US7655378B2 (en) 2006-07-24 2010-02-02 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Negative resist composition and patterning process using the same
KR101057603B1 (ko) 2006-07-24 2011-08-18 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
KR20090043591A (ko) * 2006-08-24 2009-05-06 시바 홀딩 인크 Uv-선량 표시기
JP4890166B2 (ja) 2006-09-11 2012-03-07 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5077237B2 (ja) * 2006-09-25 2012-11-21 日立化成工業株式会社 感放射線性組成物、シリカ系被膜の形成方法、シリカ系被膜、シリカ系被膜を備える装置及び部材、並びに絶縁膜用感光剤
JP4509080B2 (ja) 2006-09-28 2010-07-21 信越化学工業株式会社 シルセスキオキサン系化合物混合物及び加水分解性シラン化合物、その製造方法及びそれを用いたレジスト組成物並びにパターン形成方法及び基板の加工方法
JP5000250B2 (ja) 2006-09-29 2012-08-15 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
JP4757766B2 (ja) 2006-10-13 2011-08-24 東京応化工業株式会社 液浸露光用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR101242332B1 (ko) 2006-10-17 2013-03-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 레지스트 재료 및 이것을 이용한 패턴 형성 방법
KR101194105B1 (ko) 2006-10-18 2012-10-24 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 액침노광용 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
JP2008102429A (ja) 2006-10-20 2008-05-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法およびネガ型レジスト組成物
JP5165227B2 (ja) 2006-10-31 2013-03-21 東京応化工業株式会社 化合物および高分子化合物
US8105747B2 (en) 2006-10-31 2012-01-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US7618764B2 (en) 2006-11-22 2009-11-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist compositions and patterning process
JP4910662B2 (ja) 2006-11-29 2012-04-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4314494B2 (ja) 2006-11-29 2009-08-19 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4554665B2 (ja) 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP4355725B2 (ja) 2006-12-25 2009-11-04 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US8530148B2 (en) * 2006-12-25 2013-09-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
US8637229B2 (en) * 2006-12-25 2014-01-28 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method
JP4314496B2 (ja) 2007-01-09 2009-08-19 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5314882B2 (ja) 2007-02-15 2013-10-16 東京応化工業株式会社 高分子化合物、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US7741015B2 (en) 2007-02-16 2010-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and resist composition
US7488568B2 (en) * 2007-04-09 2009-02-10 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
US8603733B2 (en) 2007-04-13 2013-12-10 Fujifilm Corporation Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method
US8034547B2 (en) * 2007-04-13 2011-10-11 Fujifilm Corporation Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method
WO2008129964A1 (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Fujifilm Corporation パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられるレジスト組成物、現像液及びリンス液
JP5238216B2 (ja) 2007-04-17 2013-07-17 東京応化工業株式会社 化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4866783B2 (ja) * 2007-04-27 2012-02-01 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US8476001B2 (en) 2007-05-15 2013-07-02 Fujifilm Corporation Pattern forming method
US7985534B2 (en) * 2007-05-15 2011-07-26 Fujifilm Corporation Pattern forming method
JP4866790B2 (ja) 2007-05-23 2012-02-01 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4637209B2 (ja) * 2007-06-05 2011-02-23 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
US8632942B2 (en) 2007-06-12 2014-01-21 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
JP4590431B2 (ja) * 2007-06-12 2010-12-01 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP4617337B2 (ja) * 2007-06-12 2011-01-26 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
KR101452229B1 (ko) * 2007-06-12 2014-10-22 후지필름 가부시키가이샤 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법
US8617794B2 (en) 2007-06-12 2013-12-31 Fujifilm Corporation Method of forming patterns
US7776510B2 (en) 2007-06-13 2010-08-17 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, compound and acid generator
JP5349765B2 (ja) 2007-06-13 2013-11-20 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5035560B2 (ja) * 2007-07-04 2012-09-26 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
GB2450975B (en) 2007-07-12 2010-02-24 Ciba Holding Inc Yellow radiation curing inks
US7745097B2 (en) 2007-07-18 2010-06-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound, manufacturing method thereof, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern
JP4925954B2 (ja) 2007-07-20 2012-05-09 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4475435B2 (ja) * 2007-07-30 2010-06-09 信越化学工業株式会社 含フッ素単量体、含フッ素高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US7914967B2 (en) 2007-08-03 2011-03-29 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Fluorine-containing compound, resist composition for immersion exposure, and method of forming resist pattern
US7604920B2 (en) 2007-08-07 2009-10-20 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition, method of forming resist pattern, polymeric compound, and compound
JP4973876B2 (ja) 2007-08-22 2012-07-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材
JP5035562B2 (ja) 2007-08-22 2012-09-26 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP5250226B2 (ja) 2007-09-04 2013-07-31 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP5019071B2 (ja) * 2007-09-05 2012-09-05 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5285884B2 (ja) 2007-09-07 2013-09-11 東京応化工業株式会社 高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR100960252B1 (ko) 2007-09-12 2010-06-01 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 그 제조 방법, 그리고 산발생제
JP5013119B2 (ja) 2007-09-20 2012-08-29 信越化学工業株式会社 パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP5077569B2 (ja) * 2007-09-25 2012-11-21 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP4993138B2 (ja) 2007-09-26 2012-08-08 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP4637221B2 (ja) 2007-09-28 2011-02-23 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法
US8029972B2 (en) 2007-10-11 2011-10-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
US7713679B2 (en) 2007-10-22 2010-05-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator
JP5130019B2 (ja) 2007-10-30 2013-01-30 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
WO2009057769A1 (ja) 2007-11-01 2009-05-07 Central Glass Company, Limited 新規スルホン酸塩及びその誘導体、光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
TWI391781B (zh) 2007-11-19 2013-04-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 光阻組成物,光阻圖型之形成方法,新穎化合物及酸產生劑
JP5303142B2 (ja) 2007-11-30 2013-10-02 東京応化工業株式会社 含フッ素化合物、含フッ素高分子化合物、液浸露光用レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5210612B2 (ja) 2007-12-05 2013-06-12 東京応化工業株式会社 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
US9034556B2 (en) 2007-12-21 2015-05-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound and method of producing the same, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern
US7968276B2 (en) 2008-01-15 2011-06-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
JP4844761B2 (ja) * 2008-01-18 2011-12-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4513989B2 (ja) 2008-01-18 2010-07-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4513990B2 (ja) 2008-01-18 2010-07-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5339028B2 (ja) * 2008-01-29 2013-11-13 日産化学工業株式会社 ベンジルシアニド系化合物、光酸発生剤及びその製造方法
JP5178220B2 (ja) 2008-01-31 2013-04-10 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5398248B2 (ja) 2008-02-06 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5054041B2 (ja) 2008-02-08 2012-10-24 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5054042B2 (ja) 2008-02-08 2012-10-24 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5158370B2 (ja) 2008-02-14 2013-03-06 信越化学工業株式会社 ダブルパターン形成方法
JP5131461B2 (ja) 2008-02-14 2013-01-30 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP5071658B2 (ja) 2008-02-14 2012-11-14 信越化学工業株式会社 レジスト材料、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法
JP5399639B2 (ja) 2008-02-18 2014-01-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物並びにレジストパターン形成方法
TWI403846B (zh) 2008-02-22 2013-08-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 正型光阻組成物,光阻圖型之形成方法及高分子化合物
JP5228995B2 (ja) 2008-03-05 2013-07-03 信越化学工業株式会社 重合性モノマー化合物、パターン形成方法並びにこれに用いるレジスト材料
JP5460074B2 (ja) 2008-03-10 2014-04-02 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4623324B2 (ja) 2008-03-18 2011-02-02 信越化学工業株式会社 水酸基を有する単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5245956B2 (ja) 2008-03-25 2013-07-24 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5007827B2 (ja) * 2008-04-04 2012-08-22 信越化学工業株式会社 ダブルパターン形成方法
JP5489417B2 (ja) 2008-04-23 2014-05-14 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5173557B2 (ja) 2008-04-24 2013-04-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
JP5358211B2 (ja) 2008-04-25 2013-12-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4569786B2 (ja) 2008-05-01 2010-10-27 信越化学工業株式会社 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
JP5412125B2 (ja) 2008-05-01 2014-02-12 東京応化工業株式会社 液浸露光用ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4650644B2 (ja) * 2008-05-12 2011-03-16 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP5381298B2 (ja) * 2008-05-12 2014-01-08 信越化学工業株式会社 レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
JP5250309B2 (ja) 2008-05-28 2013-07-31 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5237173B2 (ja) 2008-06-03 2013-07-17 信越化学工業株式会社 重合性化合物、高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法
JP5584894B2 (ja) 2008-06-11 2014-09-10 ダイトーケミックス株式会社 含フッ素化合物および高分子化合物
JP5401126B2 (ja) 2008-06-11 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5049935B2 (ja) 2008-06-20 2012-10-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5172494B2 (ja) 2008-06-23 2013-03-27 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法、含フッ素高分子化合物
JP5172505B2 (ja) 2008-07-07 2013-03-27 東京応化工業株式会社 ネガ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5336274B2 (ja) * 2008-07-09 2013-11-06 東京応化工業株式会社 着色感光性樹脂組成物及びオキシム系光重合開始剤
JP5364444B2 (ja) 2008-07-15 2013-12-11 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物、酸発生剤
JP5173642B2 (ja) 2008-07-18 2013-04-03 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5268588B2 (ja) 2008-07-18 2013-08-21 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物および酸発生剤
TW201016651A (en) * 2008-07-28 2010-05-01 Sumitomo Chemical Co Oxime compound and resist composition containing the same
JP5449909B2 (ja) 2008-08-04 2014-03-19 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP2010040849A (ja) 2008-08-06 2010-02-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法
JP5469954B2 (ja) 2008-08-22 2014-04-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5548406B2 (ja) 2008-08-22 2014-07-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5663153B2 (ja) 2008-08-27 2015-02-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP4671065B2 (ja) 2008-09-05 2011-04-13 信越化学工業株式会社 ダブルパターン形成方法
JP4771101B2 (ja) * 2008-09-05 2011-09-14 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4743450B2 (ja) * 2008-09-05 2011-08-10 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4655128B2 (ja) * 2008-09-05 2011-03-23 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4743451B2 (ja) * 2008-09-05 2011-08-10 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
US8367296B2 (en) 2008-09-29 2013-02-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition, method of forming resist pattern, and polymeric compound
JP5559501B2 (ja) 2008-09-30 2014-07-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5264393B2 (ja) 2008-10-01 2013-08-14 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5337576B2 (ja) 2008-10-07 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5401086B2 (ja) 2008-10-07 2014-01-29 東京応化工業株式会社 液浸露光用レジスト組成物、レジストパターン形成方法および含フッ素樹脂
JP4813537B2 (ja) 2008-11-07 2011-11-09 信越化学工業株式会社 熱酸発生剤を含有するレジスト下層材料、レジスト下層膜形成基板及びパターン形成方法
JP5542413B2 (ja) 2008-11-12 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
KR101547356B1 (ko) 2008-11-13 2015-08-25 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 신규 화합물 및 산발생제
US8232040B2 (en) 2008-11-28 2012-07-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US8338076B2 (en) 2008-11-28 2012-12-25 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator
JP5337579B2 (ja) 2008-12-04 2013-11-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5398246B2 (ja) 2008-12-10 2014-01-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5232663B2 (ja) 2009-01-14 2013-07-10 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物及び化合物
JP5238529B2 (ja) 2009-01-26 2013-07-17 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5232675B2 (ja) 2009-01-26 2013-07-10 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに高分子化合物
JP5325600B2 (ja) 2009-02-16 2013-10-23 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5292133B2 (ja) 2009-03-09 2013-09-18 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5244657B2 (ja) 2009-03-10 2013-07-24 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5346627B2 (ja) 2009-03-10 2013-11-20 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5264575B2 (ja) 2009-03-11 2013-08-14 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
EP2414894B1 (en) 2009-03-30 2014-02-12 Basf Se Uv-dose indicator films
JP5507113B2 (ja) 2009-04-24 2014-05-28 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物および化合物
JP5544212B2 (ja) 2009-04-27 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物およびその製造方法、酸発生剤
JP5364443B2 (ja) 2009-05-20 2013-12-11 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5386236B2 (ja) 2009-06-01 2014-01-15 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5452102B2 (ja) 2009-07-02 2014-03-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5568258B2 (ja) 2009-07-03 2014-08-06 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法、並びに含フッ素高分子化合物
AU2010285107A1 (en) 2009-08-21 2012-03-15 Basf Se Apparatus and method for a sub microscopic and optically variable image carrying device
JP5401218B2 (ja) 2009-09-03 2014-01-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5542412B2 (ja) 2009-10-28 2014-07-09 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5439124B2 (ja) 2009-11-11 2014-03-12 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5449993B2 (ja) 2009-11-12 2014-03-19 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5597460B2 (ja) 2010-01-05 2014-10-01 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5470053B2 (ja) 2010-01-05 2014-04-16 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
US8871423B2 (en) * 2010-01-29 2014-10-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoresist composition for fabricating probe array, method of fabricating probe array using the photoresist composition, composition for photosensitive type developed bottom anti-reflective coating, fabricating method of patterns using the same and fabricating method of semiconductor device using the same
JP5639795B2 (ja) 2010-02-18 2014-12-10 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5750272B2 (ja) 2010-02-18 2015-07-15 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5548494B2 (ja) 2010-03-19 2014-07-16 東京応化工業株式会社 表面改質材料、レジストパターン形成方法及びパターン形成方法
JP5542500B2 (ja) 2010-03-30 2014-07-09 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法およびレジスト組成物
TWI417656B (zh) * 2010-04-08 2013-12-01 Founder Fine Chemical Industry Co Ltd 輻射敏感組成物
US8932795B2 (en) 2010-05-19 2015-01-13 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern, novel compound, and acid generator
JP2011257499A (ja) 2010-06-07 2011-12-22 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジストパターン形成方法及びパターン微細化処理剤
JP5622448B2 (ja) 2010-06-15 2014-11-12 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物、化合物
JP5645495B2 (ja) 2010-06-17 2014-12-24 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2012018304A (ja) 2010-07-08 2012-01-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5557657B2 (ja) 2010-09-02 2014-07-23 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤
TWI556958B (zh) 2010-09-14 2016-11-11 東京應化工業股份有限公司 基質劑及含嵌段共聚物之層的圖型形成方法
JP5672906B2 (ja) * 2010-09-28 2015-02-18 ソニー株式会社 レジスト組成物及び半導体装置の製造方法
US20120085673A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 Daniel White Device and method for softening, freshening, preventing static, and de-wrinkling clothes
JP5613101B2 (ja) * 2010-10-22 2014-10-22 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜の形成方法、硬化膜、有機el表示装置、及び、液晶表示装置
JP5564402B2 (ja) 2010-10-29 2014-07-30 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤
JP5658546B2 (ja) 2010-11-30 2015-01-28 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5749631B2 (ja) * 2010-12-07 2015-07-15 東京応化工業株式会社 厚膜用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物及び厚膜レジストパターンの製造方法
JP5775783B2 (ja) 2010-12-07 2015-09-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5802385B2 (ja) 2010-12-08 2015-10-28 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5749480B2 (ja) 2010-12-08 2015-07-15 東京応化工業株式会社 新規化合物
JP5781755B2 (ja) 2010-12-08 2015-09-24 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP5690584B2 (ja) 2010-12-28 2015-03-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP2012145868A (ja) 2011-01-14 2012-08-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5802394B2 (ja) 2011-01-17 2015-10-28 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP5856809B2 (ja) 2011-01-26 2016-02-10 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
CN103443072B (zh) 2011-01-28 2016-05-18 巴斯夫欧洲公司 包含肟磺酸酯作为热固化剂的可聚合组合物
JP5663338B2 (ja) 2011-02-14 2015-02-04 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5723624B2 (ja) 2011-02-14 2015-05-27 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および高分子化合物
JP5677127B2 (ja) 2011-02-18 2015-02-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5677135B2 (ja) 2011-02-23 2015-02-25 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法および高分子化合物
WO2012121278A1 (ja) 2011-03-08 2012-09-13 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法、及びネガ型現像用レジスト組成物
JP5723648B2 (ja) 2011-03-25 2015-05-27 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5789396B2 (ja) 2011-04-05 2015-10-07 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5767845B2 (ja) 2011-04-12 2015-08-19 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP5732306B2 (ja) 2011-04-20 2015-06-10 東京応化工業株式会社 化合物、高分子化合物、酸発生剤、レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5873250B2 (ja) 2011-04-27 2016-03-01 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5898985B2 (ja) 2011-05-11 2016-04-06 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5758197B2 (ja) 2011-05-25 2015-08-05 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤
JP2012252077A (ja) 2011-06-01 2012-12-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物及びレジストパターン形成方法、並びに、高分子化合物及びその製造方法
JP5715890B2 (ja) 2011-06-10 2015-05-13 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
KR20140047045A (ko) 2011-06-10 2014-04-21 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 용제 현상 네거티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 블록 코폴리머를 함유하는 층의 패턴 형성 방법
JP5830273B2 (ja) 2011-06-10 2015-12-09 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
TWI614230B (zh) 2011-06-17 2018-02-11 東京應化工業股份有限公司 化合物、自由基聚合起始劑、化合物之製造方法、聚合物、光阻組成物、光阻圖型之形成方法
US8968990B2 (en) 2011-09-15 2015-03-03 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of forming resist pattern
TWI575319B (zh) 2011-09-22 2017-03-21 東京應化工業股份有限公司 光阻組成物及光阻圖型之形成方法
KR101936435B1 (ko) 2011-09-22 2019-01-08 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법
US9057948B2 (en) 2011-10-17 2015-06-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition for EUV or EB, and method of forming resist pattern
JP2013097272A (ja) 2011-11-02 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5933364B2 (ja) 2011-11-09 2016-06-08 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5856441B2 (ja) 2011-11-09 2016-02-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP6002378B2 (ja) 2011-11-24 2016-10-05 東京応化工業株式会社 高分子化合物の製造方法
JP5764480B2 (ja) 2011-11-25 2015-08-19 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP5846888B2 (ja) 2011-12-14 2016-01-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5846889B2 (ja) 2011-12-14 2016-01-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物
JP5820719B2 (ja) 2011-12-21 2015-11-24 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP5898962B2 (ja) 2012-01-11 2016-04-06 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP5818710B2 (ja) 2012-02-10 2015-11-18 東京応化工業株式会社 パターン形成方法
JP2013171085A (ja) 2012-02-17 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP6118573B2 (ja) 2012-03-14 2017-04-19 東京応化工業株式会社 下地剤、ブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法
US8795947B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
US8795948B2 (en) 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
JP5919148B2 (ja) 2012-03-28 2016-05-18 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
US9005877B2 (en) 2012-05-15 2015-04-14 Tokyo Electron Limited Method of forming patterns using block copolymers and articles thereof
JP6037689B2 (ja) 2012-07-10 2016-12-07 東京応化工業株式会社 アンモニウム塩化合物の製造方法、及び酸発生剤の製造方法
US8975009B2 (en) 2013-03-14 2015-03-10 Tokyo Electron Limited Track processing to remove organic films in directed self-assembly chemo-epitaxy applications
US20140273534A1 (en) 2013-03-14 2014-09-18 Tokyo Electron Limited Integration of absorption based heating bake methods into a photolithography track system
US9147574B2 (en) 2013-03-14 2015-09-29 Tokyo Electron Limited Topography minimization of neutral layer overcoats in directed self-assembly applications
US8980538B2 (en) 2013-03-14 2015-03-17 Tokyo Electron Limited Chemi-epitaxy in directed self-assembly applications using photo-decomposable agents
US9209014B2 (en) 2013-03-15 2015-12-08 Tokyo Electron Limited Multi-step bake apparatus and method for directed self-assembly lithography control
KR102394998B1 (ko) 2013-09-04 2022-05-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유도 자기 조립용 화학 템플릿을 생성하기 위한 경화 포토레지스트의 자외선을 이용한 박리
US9793137B2 (en) 2013-10-20 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Use of grapho-epitaxial directed self-assembly applications to precisely cut logic lines
US9349604B2 (en) 2013-10-20 2016-05-24 Tokyo Electron Limited Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications
KR101435652B1 (ko) * 2014-01-17 2014-08-28 주식회사 삼양사 신규한 β-옥심에스테르 플루오렌 화합물, 이를 포함하는 광중합 개시제 및 포토레지스트 조성물
US9698014B2 (en) * 2014-07-30 2017-07-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Photoresist composition to reduce photoresist pattern collapse
JP6475963B2 (ja) 2014-12-05 2019-02-27 東京応化工業株式会社 下地剤組成物及び相分離構造を含む構造体の製造方法
KR102395336B1 (ko) 2014-12-05 2022-05-06 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 하지제, 및 상 분리 구조를 포함하는 구조체의 제조 방법
US9994538B2 (en) * 2015-02-02 2018-06-12 Basf Se Latent acids and their use
JP6665030B2 (ja) * 2015-05-27 2020-03-13 住友化学株式会社 化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
US9947597B2 (en) 2016-03-31 2018-04-17 Tokyo Electron Limited Defectivity metrology during DSA patterning
JP7219606B2 (ja) 2018-12-21 2023-02-08 東京応化工業株式会社 半導体基板の製造方法
KR20210121013A (ko) * 2019-01-31 2021-10-07 가부시키가이샤 아데카 화합물, 산 발생제, 조성물, 경화물, 경화물의 제조 방법 및 패턴 도막의 제조 방법
KR20220061910A (ko) * 2019-09-10 2022-05-13 가부시키가이샤 아데카 화합물, 산 발생제, 조성물, 경화물 및 패턴, 그리고 경화물 및 패턴의 제조 방법
KR20220061909A (ko) * 2019-09-10 2022-05-13 가부시키가이샤 아데카 화합물, 산 발생제, 조성물, 경화물 및 패턴, 그리고 경화물 및 패턴의 제조 방법
JP2022029427A (ja) 2020-08-04 2022-02-17 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品
KR102612292B1 (ko) * 2020-12-31 2023-12-13 (주)켐이 광산발생제 화합물 및 이를 포함하는 조성물
JP2022151614A (ja) 2021-03-23 2022-10-07 信越化学工業株式会社 ネガ型感光性樹脂組成物、パターン形成方法、硬化被膜形成方法、層間絶縁膜、表面保護膜、及び電子部品

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4566901A (en) * 1982-05-06 1986-01-28 Ciba-Geigy Corporation Novel oxime ethers, the preparation thereof, compositions containing them and the use thereof
US4540598A (en) * 1983-08-17 1985-09-10 Ciba-Geigy Corporation Process for curing acid-curable finishes
DE3660255D1 (en) * 1985-04-12 1988-07-07 Ciba Geigy Ag Oxime sulphonates containing reactive groups
EP0571330B1 (de) * 1992-05-22 1999-04-07 Ciba SC Holding AG Hochauflösender I-Linien Photoresist mit höherer Empfindlichkeit
JP3830183B2 (ja) * 1995-09-29 2006-10-04 東京応化工業株式会社 オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤
US20010037037A1 (en) * 1995-10-31 2001-11-01 Kurt Dietliker Oximesulfonic acid esters and the use thereof as latent sulfonic acids
MY117352A (en) * 1995-10-31 2004-06-30 Ciba Sc Holding Ag Oximesulfonic acid esters and the use thereof as latent sulfonic acids.
JP3879139B2 (ja) * 1996-05-08 2007-02-07 住友化学株式会社 グリオキシム系エステル、その製法および用途
EP0986534A2 (de) * 1997-06-03 2000-03-22 Novartis AG Organische verbindungen
TW575792B (en) * 1998-08-19 2004-02-11 Ciba Sc Holding Ag New unsaturated oxime derivatives and the use thereof as latent acids
DE60028738T2 (de) * 1999-03-03 2007-05-24 Ciba Speciality Chemicals Holding Inc. Oximderivate und ihre verwendung als photoinitiatoren
SG78412A1 (en) * 1999-03-31 2001-02-20 Ciba Sc Holding Ag Oxime derivatives and the use thereof as latent acids
NL1014545C2 (nl) * 1999-03-31 2002-02-26 Ciba Sc Holding Ag Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren.
TWI272451B (en) * 2000-09-25 2007-02-01 Ciba Sc Holding Ag Chemically amplified photoresist composition, process for preparation of a photoresist, and use of said chemically amplified photoresist composition
JP4225699B2 (ja) * 2001-03-12 2009-02-18 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP4210439B2 (ja) * 2001-04-05 2009-01-21 富士フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
ATE288907T1 (de) * 2001-06-01 2005-02-15 Ciba Sc Holding Ag Substituierte oxim-derivate und ihre verwendung als latente säuren
KR100801457B1 (ko) * 2001-06-11 2008-02-11 시바 스페셜티 케미칼스 홀딩 인크. 결합된 구조를 가지는 옥심 에스테르 광개시제
CN100475798C (zh) * 2002-02-06 2009-04-08 西巴特殊化学品控股有限公司 磺酸衍生物及其作为潜酸的用途
JP2003307838A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
KR101193824B1 (ko) * 2004-07-20 2012-10-24 시바 홀딩 인크 옥심 유도체 및 잠산으로서의 이의 용도

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004074242A3 (en) 2005-02-03
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US20060246377A1 (en) 2006-11-02
KR101043905B1 (ko) 2011-06-29
EP1595182A2 (en) 2005-11-16
TW200428147A (en) 2004-12-16
EP1595182B1 (en) 2015-09-30

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