KR20220061909A - 화합물, 산 발생제, 조성물, 경화물 및 패턴, 그리고 경화물 및 패턴의 제조 방법 - Google Patents

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이즈미 마츠이
테츠유키 나카야시키
토모유키 아리요시
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가부시키가이샤 아데카
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Abstract

본 발명의 목적은 산 발생 감도가 뛰어난 화합물을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 하기 일반식(A)로 표현되는 화합물이다.
Figure pct00042
Figure pct00043

(식 중 R11 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 등을 나타내거나, 또는 R11 및 R20이 결합하여, 직접 결합, -S- 등을 나타내고, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중 하나 이상이 상기 일반식(1)로 표현되는 기이며, R1은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 등을 나타내고, R2는 수소 원자, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 등을 나타낸다.)

Description

화합물, 산 발생제, 조성물, 경화물 및 패턴, 그리고 경화물 및 패턴의 제조 방법
본 발명은 산 발생제로서 알맞게 사용되는 화합물에 관한 것이다.
산 발생제는 광 등의 에너지선 조사(照射)나 가열 처리 등에 의해 산을 발생시키는 물질이다.
특허문헌 1 및 특허문헌 2에는 산 발생제로서, 술폰산 유도체 화합물로 이루어지는 광산 발생제 또는 열산 발생제가 발명되어 있다. 또한, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는 산 발생제로부터 발생되는 산에 의해 중합 또는 가교 등의 화학결합의 형성에 의해 현상액에 대한 용해성이 감소하는 네거티브형 레지스트, 산의 작용으로 에스테르기 혹은 아세탈기의 화학결합의 절단 등에 의해 현상액에 대한 용해성이 증가하는 포지티브형 레지스트 등과 함께 산 발생제를 사용하는 것이 기재되어 있다. 또한, 구체적인 용도로서, 반도체, 오버코팅제, 도료, 접착제, 잉크 용도 등이 기재되어 있다.
일본 공개특허공보 특개2016-169173호 US2020183271
그러나 이들 산 발생제는 산 발생 감도가 낮은 경우가 있었다.
따라서 본 발명의 과제는 산 발생 감도가 뛰어난 화합물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 실시한 결과, 특정 구조를 가지는 옥심술포네이트 화합물이 산 발생 감도가 뛰어난 것을 발견하여 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명은 하기 일반식(A)로 표현되는 화합물(이하, 화합물A라고 칭하는 경우가 있음.)이다.
Figure pct00001
(식 중 R11 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, -OCOR30, -COOR30, -SR30, -SOR30, -SO2R30, -NR31R32, -NR31COR32, -CONR31R32, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내거나, 또는 R11 및 R20이 결합하여 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR41R42- 혹은 -NR41-을 나타내고,
R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR50, -COR50, -OCOR50, -COOR50, -SR50, -SOR50, -SO2R50, -NR51R52, -NR51COR52, -CONR51R52, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내며,
X는 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR61R62- 또는 -NR61-을 나타내고,
R30, R31, R32, R41, R42, R50, R51, R52, R61 및 R62는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내며, R30, R31, R32, R41, R42, R50, R51, R52, R61 또는 R62가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 달라도 되며,
R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R14와 R15, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20은 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고,
상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H이며,
R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중 하나 이상이 하기 일반식(1)로 표현되는 기이다.)
Figure pct00002
(식 중 R1은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
R2는 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내며,
상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H이고,
n은 0 또는 1을 나타내며,
상기 일반식(A)로 표현되는 화합물 중에 상기 일반식(1)로 표현되는 기가 복수 존재하는 경우, 복수 존재하는 n, R1 및 R2는 각각 동일해도 되고 달라도 되며,
*는 결합 부분을 나타낸다.)
군I: -O-, -COO-, -OCO-, -CO-, -CS-, -S-, -SO-, -SO2-, -NR70-, -NR70-CO-, -CO-NR70-, -NR70-COO-, -OCO-NR70-, -SiR70R71-
R70 및 R71은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R70 또는 R71이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 달라도 된다.
본 발명에서는 R13이 상기 일반식(1)로 표현되는 기인 것이 바람직하다.
본 발명에서는 상술한 화합물A가 하기 일반식(A1), (A2) 또는 (A3)으로 표현되는 화합물인 것이 바람직하다.
Figure pct00003
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다. 단, R11 및 R20은 결합되어 있지 않다.)
Figure pct00004
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
Figure pct00005
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
본 발명에서는 상기 일반식(A1) 중의 R11, R12, R14, R15, R16, R17, R19 및 R20이 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이며, R18이 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이고,
상기 일반식(A2) 중의 R12, R14, R15, R16, R17 및 R19가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이며, R18이 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이고, R61이 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이며,
상기 일반식(A3) 중의 R12, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하다.
본 발명에서는 n이 0인 것이 바람직하다.
본 발명에서는 R1이 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기이고, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 및 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자이며,
R2가 시아노기 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기이고, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자인 것이 바람직하다.
본 발명은 상술한 일반식(A)로 표현되는 화합물을 포함하는 산 발생제를 제공한다.
본 발명은 상술한 일반식(A)로 표현되는 화합물과 수지 성분을 포함하는 조성물을 제공한다.
본 발명은 상술한 수지 성분이 산 경화성 수지 성분인 조성물을 제공한다.
본 발명은 상술한 산 경화성 수지 성분을 포함하는 조성물의 경화물을 제공한다.
본 발명은 상술한 산 경화성 수지 성분을 포함하는 조성물을 경화하는 경화 공정을 가지는 경화물의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 상술한 수지 성분이 산 분해성 수지 성분인 조성물을 제공한다.
본 발명은 상술한 산 분해성 수지 성분을 포함하는 조성물을 포함하는 패턴을 제공한다.
본 발명은 상술한 산 분해성 수지 성분을 포함하는 조성물을 사용하여 도막을 형성하고, 형성된 도막에 포함되는 화합물로부터 산을 발생시키는 공정과, 상기 화합물로부터 산을 발생시키는 공정 후에 상기 도막의 일부를 현상하고, 패턴을 형성하는 공정을 가지는 패턴의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은 화합물, 산 발생제, 조성물, 경화물 및 패턴, 그리고 경화물 및 패턴의 제조 방법에 관한 것이다.
이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
A. 화합물
우선, 본 발명의 화합물에 대해 설명한다.
본 발명의 화합물은 하기 일반식(A)로 표현되는 것을 특징으로 하는 것이다.
Figure pct00006
(식 중 R11 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, -OCOR30, -COOR30, -SR30, -SOR30, -SO2R30, -NR31R32, -NR31COR32, -CONR31R32, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내거나, 또는 R11 및 R20이 결합하여, 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR41R42- 혹은 -NR41-을 나타내고,
R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR50, -COR50, -OCOR50, -COOR50, -SR50, -SOR50, -SO2R50, -NR51R52, -NR51COR52, -CONR51R52, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
X는 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR61R62- 또는 -NR61-을 나타내며,
R30, R31, R32, R41, R42, R50, R51, R52, R61 및 R62는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고, R30, R31, R32, R41, R42, R50, R51, R52, R61 또는 R62가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 달라도 되며,
R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R14와 R15, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20은 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고,
상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H이며,
R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중 하나 이상이 하기 일반식(1)로 표현되는 기이다.)
Figure pct00007
(식 중 R1은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
R2는 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H이며,
n은 0 또는 1을 나타내고,
상기 일반식(A)로 표현되는 화합물 중에 상기 일반식(1)로 표현되는 기가 복수 존재하는 경우, 복수 존재하는 n, R1 및 R2는 각각 동일해도 되고 달라도 되며,
*는 결합 부분을 나타낸다.)
군I: -O-, -COO-, -OCO-, -CO-, -CS-, -S-, -SO-, -SO2-, -NR70-, -NR70-CO-, -CO-NR70-, -NR70-COO-, -OCO-NR70-, -SiR70R71-
R70 및 R71은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R70 또는 R71이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 달라도 된다.
본 발명에 따르면, 화합물A가 상기의 구조를 가지고 있음으로써 산 발생 감도가 뛰어난 것이 된다.
여기서, 산 발생 감도가 뛰어난 이유에 대해서는 명확하지 않지만, 이하와 같이 추측된다.
화합물A는 2개의 벤젠환이 방향족성을 가지도록 결합된 구조를 가짐으로써 가시광 이하의 파장의 광, 예를 들면, i선(365㎚)을 포함하는 400㎚ 이하의 파장영역의 광에 흡수율이 뛰어난 것이 됨과 함께, 흡수한 에너지를 효과적으로 상기 일반식(1)로 표현되는 기로 공급할 수 있다. 그 결과, 상기 화합물A는 산 발생 감도가 뛰어난 것이 되는 것이다.
상기 일반식(A)에서의 할로겐 원자로는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
상기 일반식(A)에서의 탄소 원자수 1~20의 지방족 탄화수소기는 방향족 탄화수소환 및 복소환을 포함하지 않는 탄화수소기이며, 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기란, 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기로 치환된 구조의 기이다.
무치환의 지방족 탄화수소기로는 예를 들면, 탄소 원자수 1~20의 알킬기, 탄소 원자수 2~20의 알케닐기, 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬기, 탄소 원자수 4~20의 시클로알킬알킬기를 들 수 있다. 또한, 치환기를 가지는 상기 지방족 탄화수소기로는 상기 무치환의 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기에 의해 치환된 기 등을 들 수 있고, 상기 치환기로는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 1~20의 알킬기는 직쇄상이어도 되고 분기상이어도 된다. 직쇄의 알킬기로는 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, iso-아밀, tert-아밀, 헥실, 헵틸 및 옥틸을 들 수 있다. 분기의 알킬기로는 iso-프로필, sec-부틸, tert-부틸, iso-부틸, iso-펜틸, tert-펜틸, 2-헥실, 3-헥실, 2-헵틸, 3-헵틸, iso-헵틸, tert-헵틸, iso-옥틸, tert-옥틸, 2-에틸헥실, 노닐, 이소노닐, 데실, 도데실, 트리데실, 테트라데실, 펜타데실, 헥사데실, 헵타데실, 옥타데실 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 2~20의 알케닐기는 직쇄상이어도 되고 분기상이어도 된다. 또한, 말단에 불포화 결합을 가지는 말단 알케닐기이어도 되고, 내부에 불포화 결합을 가지는 내부 알케닐기이어도 된다. 말단 알케닐기로는 예를 들면, 비닐, 알릴, 2-메틸-2-프로페닐, 3-부테닐, 4-펜테닐 및 5-헥세닐 등을 들 수 있다. 내부 알케닐기로는 예를 들면, 2-부테닐, 3-펜테닐, 2-헥세닐, 3-헥세닐, 2-헵테닐, 3-헵테닐, 4-헵테닐, 3-옥테닐, 3-노네닐, 4-데세닐, 3-운데세닐, 4-도데세닐 및 4,8,12-테트라데카트리에닐알릴 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 3~20의 시클로알킬기로는 탄소 원자수 3~20의 포화 단환식 알킬기, 탄소 원자수 3~20의 포화 다환식 알킬기, 및 이들 기의 환 중의 수소 원자의 하나 이상이 알킬기로 치환된 탄소 원자수 4~20의 기를 들 수 있다. 상기 포화 단환식 알킬기로는 예를 들면, 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸, 시클로노닐 및 시클로데실 등을 들 수 있다. 상기 포화 다환식 알킬기로는 아다만틸, 데카하이드로나프틸, 옥타하이드로펜탈렌 및 비시클로[1.1.1]펜타닐 등을 들 수 있다. 포화 단환식 또는 포화 다환식 알킬기의 환 중의 수소 원자를 치환하는 알킬기로는 상기 탄소 원자수 1~20의 알킬기로서 예시한 기를 들 수 있다. 포화 다환식 알킬기의 환 중의 수소 원자의 하나 이상이 알킬기로 치환된 기로는 예를 들면, 보르닐기 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 4~20의 시클로알킬알킬기란, 알킬기의 수소 원자가 시클로알킬기로 치환된 탄소 원자수 4~20의 기를 의미한다. 시클로알킬알킬기 중의 시클로알킬기는 단환이어도 되고 다환이어도 된다. 시클로알킬기가 단환인 탄소 원자수 4~20의 시클로알킬알킬기로는 예를 들면, 시클로프로필메틸, 2-시클로부틸에틸, 3-시클로펜틸프로필, 4-시클로헥실부틸, 시클로헵틸메틸, 시클로옥틸메틸, 2-시클로노닐에틸 및 2-시클로데실에틸 등을 들 수 있다. 시클로알킬기가 다환인 탄소 원자수 4~20의 시클로알킬알킬기로는 3-3-아다만틸프로필 및 데카하이드로나프틸프로필 등을 들 수 있다.
상기 무치환의 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기에 의해 치환되고, 상기 치환기가 할로겐 원자인 기로는 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2-클로로에틸, 2-브로모에틸, 헵타플루오로프로필, 3-브로모프로필, 노나플루오로부틸, 트리데카플루오로헥실, 헵타데카플루오로옥틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 1,1-디플루오로에틸, 1,1-디플루오로프로필, 1,1,2,2-테트라플루오로프로필, 3,3,3-트리플루오로프로필, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필, 7H-도데카플루오로헥실 등의 할로겐화알킬, 노보닐-1,1-디플루오로에틸, 노보닐테트라플루오로에틸, 아다만탄-1,1,2,2-테트라플루오로프로필, 비시클로[2.2.1]헵탄-테트라플루오로메틸 등의 할로겐화시클로알킬 혹은 할로겐화시클로알킬알킬 등을 들 수 있다.
본 발명에서 기의 탄소 원자수는 기 중의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있는 경우, 그 치환 후의 기의 탄소 원자수를 규정한다. 예를 들면, 상기 탄소 원자수 1~20의 알킬기의 수소 원자가 치환되어 있는 경우, 탄소 원자수 1~20이란, 수소 원자가 치환된 후의 탄소 원자수를 가리키고, 수소 원자가 치환되기 전의 탄소 원자수를 가리키는 것이 아니다.
또한, 본 발명에서 소정의 탄소 원자수의 기 중의 메틸렌기가 2가의 기로 치환된 기의 탄소 원자수는 그 치환 전의 기의 탄소 원자수를 규정한다. 예를 들면, 본 명세서 중 탄소 원자수 1~20의 알킬기 중의 메틸렌기가 2가의 기로 치환된 기의 탄소 원자수는 1~20이다.
상기 일반식(A)에서의 탄소 원자수 6~20의 방향족 탄화수소환 함유기는 방향족 탄화수소환을 포함하고, 복소환을 포함하지 않는 탄화수소기이며, 지방족 탄화수소기를 가지고 있어도 되고, 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 가지는 방향족 탄화수소환 함유기란, 방향족 탄화수소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기로 치환된 구조의 기이다.
무치환의 방향족 탄화수소환 함유기로는 예를 들면, 탄소 원자수 6~20의 아릴기, 탄소 원자수 7~20의 아릴알킬기, 불포화 지방족 탄화수소기가 아릴기로 치환된 기를 들 수 있다. 또한, 치환기를 가지는 상기 방향족 탄화수소환 함유기로는 상기 무치환의 방향족 탄화수소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기에 의해 치환된 기 등을 들 수 있고, 상기 치환기로는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 6~20의 아릴기는 단환 구조이어도 되고 축합환 구조이어도 되며, 추가로 2개의 방향족 탄화수소환이 연결된 것이어도 된다.
2개의 방향족 탄화수소환이 연결된 아릴기로는 2개의 단환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 것이어도 되고, 단환 구조의 방향족 탄화수소환과 축합환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 것이어도 되며, 축합환 구조의 방향족 탄화수소환과 축합환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 것이어도 된다.
2개의 방향족 탄화수소환을 연결하는 연결기로는 단결합 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 단환 구조의 아릴기로는 예를 들면, 페닐, 톨릴, 크실릴, 에틸페닐, 2,4,6-트리메틸페닐 등을 들 수 있다. 축합환 구조의 아릴기로는 예를 들면, 나프틸, 안트라세닐, 페난트릴 및 피레닐 등을 들 수 있다. 2개의 단환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 아릴기로는 예를 들면, 비페닐, 벤조일페닐 등을 들 수 있다.
상기 탄소 원자수 7~20의 아릴알킬기란, 알킬기 중의 수소 원자의 하나 이상이 아릴기로 치환된 기를 의미한다. 탄소 원자수 7~20의 아릴알킬기로는 예를 들면, 벤질, 플루오레닐, 인데닐, 9-플루오레닐메틸, α-메틸벤질, α,α-디메틸벤질, 페닐에틸 및 나프틸프로필기 등을 들 수 있다.
상기 일반식(A)에서의 탄소 원자수 2~20의 복소환 함유기는 복소환을 포함하는 기이며, 구체적으로는 복소환기 및 복소환기와 탄화수소기를 조합한 기로 이루어지는 일군의 기를 의미한다. 복소환 함유기는 방향족 탄화수소환 함유기를 가지고 있어도 되고 지방족 탄화수소기를 가지고 있어도 되며, 치환기를 가지고 있어도 된다. 치환기를 가지는 복소환 함유기란, 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기로 치환된 구조의 기이다.
무치환의 복소환 함유기로는 피리딜기, 퀴놀릴기, 티아졸릴기, 테트라하이드로푸란기, 디옥소라닐기, 테트라하이드로피라닐기, 모르폴릴푸란기, 티오펜기, 메틸티오펜기, 헥실티오펜기, 벤조티오펜기, 피롤기, 필로리딘기, 이미다졸기, 이미다졸리딘기, 이미다졸린기, 피라졸기, 피라졸리딘기, 피페리딘기, 피페라진기, 피리미딜기, 푸릴기, 티에닐기, 벤조옥사졸-2-일기, 티아졸기, 이소티아졸기, 옥사졸기, 이소옥사졸기, 모르폴리닐기 등의 복소환기, 및 알킬기의 수소 원자의 하나 이상이 복소환으로 치환된 기 등을 들 수 있다. 또한, 치환기를 가지는 상기 복소환 함유기로는 상기 무치환의 상기 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상이 치환기에 의해 치환된 기 등을 들 수 있고, 상기 치환기로는 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H 등을 들 수 있다.
추가로, 무치환의 복소환 함유기는 복소환과 단환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 것이어도 되고, 복소환과 축합환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 것이어도 된다. 2개의 방향족 탄화수소환을 연결하는 연결기로는 단결합 및 카르보닐기 등을 들 수 있다. 복소환과 단환 구조의 방향족 탄화수소환이 연결된 복소환 함유기로는 벤조티오펜 등을 들 수 있다.
상기 일반식(A)에서의 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기는 복수의 2가의 기가 서로 이웃하는 구조를 가지지 않는다. 복수의 2가의 기는 동일해도 되고 달라도 된다.
상기 지방족 탄화수소기의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기로는 예를 들면, 지방족 탄화수소기인 보르닐기 중의 메틸렌기가 -CO-로 치환된 기인, 10-캄퍼일기를 들 수 있다.
상기 일반식(A)에서, R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R14와 R15, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20이 결합하여 형성하는 환은 단환이어도 되고 축합환이어도 된다. 단환으로는 예를 들면, 시클로펜탄, 시클로헥산 및 시클로펜텐 등의 단환의 시클로알칸, 벤젠 등의 단환의 방향족환, 피롤리딘, 피롤, 피페라진, 모르폴린, 티오모르폴린, 테트라하이드로피리딘, 락톤환 및 락탐환 등의 단환의 복소환을 들 수 있다. 축합환으로는 나프탈렌 및 안트라센 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중 하나 이상이 상기 일반식(1)로 표현되는 기이다.
화합물A가 가지는 상기 일반식(1)로 표현되는 기의 수, 즉, R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중의 상기 일반식(1)로 표현되는 기의 수는 1 또는 2인 것이 바람직하고, 1인 것이 바람직하다. 상기 수임으로써, 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
본 발명에서는 R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중 하나 이상이 상기 일반식(1)로 표현되는 기이면 되는데, 그 중에서도 R13 및 R18 중 적어도 하나의 기가 상기 일반식(1)로 표현되는 기인 것이 바람직하고, 특히, 상기 일반식(A)의 R13이 상기 일반식(1)로 표현되는 기인 것이 바람직하다.
이와 같은 구조임으로써, 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A)에서의 n은 0인 것이 바람직하다. n이 0임으로써 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다.
상기 일반식(A)의 R1로 표현되는, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 보다 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R1은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 또는 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소 함유기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 탄소 원자수 1~20의 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 또는 탄소 원자수 6~20의 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소 함유기인 것이 바람직하며, 특히, 탄소 원자수 1~20의 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 또는 탄소 원자수 6~20의 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소 함유기이며, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 및 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 탄소 원자수 1~20의 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기이며, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R1로 표현되는 지방족 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R1로 표현되는 기의 탄소 원자수는 1~10인 것이 바람직하고, 그 중에서도 1~5인 것이 바람직하다.
그 중에서도 본 발명에서는 상기 일반식(A)의 R1이, 탄소 원자수 1~20의 알킬기 중의 수소 원자의 하나 이상이 할로겐 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~20의 할로겐화알킬인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 탄소 원자수 1~10의 알킬기 중의 수소 원자의 하나 이상이 할로겐 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~10의 할로겐화알킬기인 것이 바람직하며, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 중의 모든 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~5의 퍼할로알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 중의 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~5의 퍼플루오로알킬기인 것이 가장 바람직하다. R1이 이와 같은 구조임으로써, 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다.
또한, 그 중에서도 본 발명에서는 합성의 용이함 및 산 발생 감도가 보다 뛰어난 것으로 하는 관점에서는 상기 일반식(A)의 R1이 탄소 원자수 1~3의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 특히, 탄소 원자수 1~2의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 탄소 원자수 1의 퍼플루오로알킬기, 즉, 트리플루오로메틸기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R2로 표현되는, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 1개 이상을 치환하는 치환기는 할로겐 원자인 것이 바람직하고, 불소 원자인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R2는 시아노기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 또는 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소 함유기인 것이 바람직하고, 시아노기 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기인 것이 보다 바람직하며, 시아노기 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기이고, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자인 것이 보다 바람직하며, 그 중에서도 탄소 원자수 1~20의 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기이고, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R2로 표현되는 지방족 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R2로 표현되는 기의 탄소 원자수는 1~10인 것이 바람직하고, 그 중에서도 1~5인 것이 바람직하다.
그 중에서도 본 발명에서는 상기 일반식(A)의 R2가 탄소 원자수 1~20의 알킬기 중의 수소 원자의 하나 이상이 할로겐 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~20의 할로겐화알킬인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 탄소 원자수 1~10의 알킬기 중의 수소 원자의 하나 이상이 할로겐 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~10의 할로겐화알킬기인 것이 바람직하며, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 중의 모든 수소 원자가 할로겐 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~5의 퍼할로알킬기인 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 중의 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기인, 탄소 원자수 1~5의 퍼플루오로알킬기인 것이 가장 바람직하다. R2가 이와 같은 구조임으로써 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다.
또한, 그 중에서도 본 발명에서는 합성의 용이함 및 산 발생 감도가 보다 뛰어난 것으로 하는 관점에서는 상기 일반식(A)의 R2가 탄소 원자수 1~3의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하고, 특히, 탄소 원자수 1~2의 퍼플루오로알킬기인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 탄소 원자수 1의 퍼플루오로알킬기, 즉, 트리플루오로메틸기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R11 및 R20은 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기, 또는 R11 및 R20이 결합하여, 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR41R42- 혹은 -NR41-인 것이 바람직하고, 그 중에서도 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 또는 R11 및 R20이 결합하여 형성되는, 직접 결합 혹은 -CO-인 것이 바람직하고, 수소 원자, 또는 R11 및 R20이 결합하여 형성되는, 직접 결합 혹은 -CO-인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A)의 R12, R14, R15, R16, R17 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 수소 원자, 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하며, 특히, 수소 원자인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A)의 R18은 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A)의 R18은 흡수 파장의 조정이 용이한 관점에서는 그 중에서도 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 특히 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 니트로기, 시아노기, -COR30인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하고, 니트로기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 R18은 합성이 용이한 관점에서는 그 중에서도 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하고, 특히 수소 원자인 것이 바람직하며, 수소 원자인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A)의 X는 직접 결합, -S- 또는 -NR61-인 것이 바람직하고, 그 중에서도 -S- 또는 -NR61-인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A) 중의 R61은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하며, 특히 탄소 원자수 1~20의 무치환의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A) 중의 R61로 표현되는 지방족 탄화수소기의 탄소 원자수는 1~15인 것이 바람직하고, 그 중에서도 2~10인 것이 바람직하며, 특히 2~5인 것이 바람직하다.
상기 일반식(A) 중의 R61로 표현되는 지방족 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 직쇄의 알킬기인 것이 바람직하다.
본 발명에서는 상기 일반식(A)의 R13이 상기 일반식(1)로 표현되는 기이며, 또한 화합물A가 가지는 상기 일반식(1)로 표현되는 기의 수가 하나이고, X가 -S-이며, R11 및 R20이 결합되어 있지 않은 것, 즉 화합물A가 하기 일반식(A1)로 표현되는 구조인 것이 바람직하다.
이와 같은 구조임으로써, 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
한편, R11 및 R20이 결합되어 있지 않은 경우, R11 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, -OCOR30, -COOR30, -SR30, -SOR30, -SO2R30, -NR31R32, -NR31COR32, -CONR31R32, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타낸다.
Figure pct00008
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다. 단, R11 및 R20은 결합되어 있지 않다.)
상기 일반식(A1) 중의 R11, R12, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A1) 중의 R11, R12, R14, R15, R16, R17, R19 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 1개 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하며, 특히 수소 원자인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A1) 중의 R18은 흡수 파장의 조정이 용이한 관점에서는 그 중에서도 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 특히 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -COR30인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하며, 특히 니트로기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다. 또한, 화합물A는 흡수 파장의 조정이 용이한 것이 되기 때문이다.
또한, 본 발명에서는 상기 일반식(A)의 R13이 상기 일반식(1)로 표현되는 기이며, 또한 화합물A가 가지는 상기 일반식(1)로 표현되는 기의 수가 하나이고, X가 -NR61-이며, R11 및 R20이 결합하여 직접 결합이 되어 있는 것, 즉, 화합물A가 하기 일반식(A2)로 표현되는 구조인 것도 바람직하다.
이와 같은 구조임으로써, 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
Figure pct00009
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
상기 일반식(A2) 중의 R12, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A2) 중의 R12, R14, R15, R16, R17 및 R19는 그 중에서도 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하고, 특히, 수소 원자인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A2) 중의 R18은 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 특히, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30인 것이 바람직하며, 그 중에서도 특히 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -COR30인 것이 바람직하고, 그 중에서도 특히 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하며, 특히 니트로기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다. 또한, 화합물A는 흡수 파장의 조정이 용이한 것이 되기 때문이다.
상기 일반식(A2) 중의 R61은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하며, 특히 탄소 원자수 1~20의 무치환의 지방족 탄화수소기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A2) 중의 R61로 표현되는 지방족 탄화수소기의 탄소 원자수는 1~15인 것이 바람직하고, 그 중에서도 2~10인 것이 바람직하며, 특히 2~5인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A2) 중의 R61로 표현되는 지방족 탄화수소기는 직쇄 또는 분기의 알킬기인 것이 바람직하고, 그 중에서도 직쇄의 알킬기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
또한, 본 발명에서는 상기 일반식(A)의 R13이 상기 일반식(1)로 표현되는 기이며, 또한 화합물A가 가지는 상기 일반식(1)로 표현되는 기의 수가 하나이고, X가 -S-이며, R11 및 R20이 결합하여 -CO-가 되어 있는 것, 즉, 화합물A가 하기 일반식(A3)으로 표현되는 구조인 것도 바람직하다.
이와 같은 구조임으로써, 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
Figure pct00010
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
상기 일반식(A3) 중의 R12, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 일반식(A3) 중의 R12, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19는 그 중에서도 각각 독립적으로 수소 원자, 니트로기, 시아노기인 것이 바람직하고, 특히 수소 원자인 것이 바람직하다. 화합물A는 산 발생 감도가 보다 뛰어난 화합물이 되기 때문이다. 또한, 합성이 용이하고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 화합물A의 구체예로는 하기 식(1)~(54)로 표현되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
상기 화합물A의 제조 방법으로는 원하는 구조의 화합물이 얻어지는 방법이면 되고, 주지의 화학 반응을 응용하여 합성할 수 있다. 예를 들면, 하기 스킴으로 표현되는 방법을 들 수 있다. 구체적으로는, 공지의 케톤 화합물과 염산하이드록실아민을 반응시킴으로써 옥심 화합물을 얻는다. 이어서, 옥심 화합물에 술폰산무수물을 반응시킴으로써 화합물A를 얻는 방법을 들 수 있다. 제조 방법에서의 반응 온도, 반응 시간 및 원료의 사용량 등의 반응 조건에는 특별히 제한은 없고, 공지의 조건을 채용하면 된다.
Figure pct00015
(식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
상기 화합물A는 산을 발생시키는 기능을 가지는 것이다.
상기 화합물A로부터 산을 발생시키는 방법으로는 산 발생제에 일반적으로 사용되는 방법을 이용할 수 있다. 구체적으로는, 에너지선을 조사하는 방법, 가열 처리하는 방법, 이들 방법을 동시에 또는 순서대로 실시하는 방법 등을 들 수 있다.
상기 에너지선으로는 g선(436㎚), h선(405㎚), i선(365㎚), 가시광선, 자외선, 원자외선, X선 및 하전 입자선 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 에너지선이 파장 200㎚ 이상 450㎚의 범위에서, 파장 300㎚ 이상 400㎚ 이하의 범위에 극대 스펙트럼을 가지는 것이 바람직하고, 그 중에서도 파장 340㎚ 이상 380㎚ 이하의 범위에 극대 스펙트럼을 가지는 것임이 바람직하다. 상기 화합물A로부터 효과적으로 산을 발생시킬 수 있기 때문이다.
또한, 광원으로는 저압 수은등, 중압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 크세논 램프, 메탈할로겐 램프, 전자선 조사 장치, X선 조사 장치, 레이저(아르곤 레이저, 색소 레이저, 질소 레이저, 발광 다이오드(LED), 헬륨카드뮴 레이저 등)를 들 수 있다.
에너지선의 노광량에 대해서는 원하는 양의 산을 발생시킬 수 있다면 특별히 제한은 없고, 상기 화합물A의 용도 등에 따라 적절히 결정할 수 있다. 상기 노광량은 5mJ/㎠ 이상 2000mJ/㎠ 이하가 바람직하다.
상기 가열 처리에서의 가열 온도로는 예를 들면, 70℃ 이상 450℃ 이하인 것이 바람직하고, 그 중에서도 150℃ 이상 300℃ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 가열 처리에서의 가열 시간으로는 예를 들면, 1분 이상 100분 이하인 것이 바람직하다. 상기 가열 처리 조건임으로써, 상기 화합물A로부터 효과적으로 산을 발생시킬 수 있기 때문이다.
상기 화합물A의 용도로는 산 발생제를 들 수 있고, 보다 구체적으로는 에너지선 조사에 의해 산을 발생시키는 광산 발생제, 가열 처리에 의해 산을 발생시키는 열산 발생제 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 상기 화합물A의 용도가 광산 발생제인 것이 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 효과적으로 발휘할 수 있기 때문이다.
또한, 산 발생제의 용도로는 수지 성분을 포함하는 조성물에 대한 첨가 용도를 들 수 있다.
상기 조성물의 용도로는 예를 들면, 광학 필터, 도료, 코팅제, 라이닝제, 접착제, 인쇄판, 절연 바니시, 절연 시트, 적층판, 프린트 기판, 반도체 장치용·LED 패키지용·액정주입구용·유기 EL용·광소자용·전기절연용·전자부품용·분리막용 등의 봉지(封止)제, 성형 재료, 퍼티, 유리섬유 함침제, 필러, 반도체용·태양전지용 등의 패시베이션(passivation)막, 박막 트랜지스터(TFT)·액정표시장치·유기 EL 표시장치·프린트 기판 등에 사용되는 층간 절연막, 표면 보호막, 프린트 기판, 혹은 컬러TV, PC모니터, 휴대정보단말, CCD 이미지 센서의 컬러 필터, 플라스마 표시 패널용 전극재료, 인쇄 잉크, 치과용 조성물, 광 조형용 수지, 액상 및 건조막 쌍방, 미소 기계부품, 유리 섬유 케이블 코팅, 홀로그래피 기록용 재료, 자기 기록 재료, 광 스위치, 도금용 마스크, 에칭 마스크, 스크린 인쇄용 스텐실, 투명 도전막 등의 터치패널, MEMS 소자, 나노 임프린트 재료, 반도체 패키지의 2차원 및 3차원 고밀도 실장 등의 포토패브리케이션, 가식 시트, 인조 손톱, 유리 대체 광학 필름, 전자 페이퍼, 광디스크, 프로젝터·광통신용 레이저 등에 사용되는 마이크로렌즈 어레이, 액정표시 장치의 백라이트에 사용되는 프리즘 렌즈 시트, 프로젝션 TV 등의 스크린에 사용되는 프레넬 렌즈 시트, 렌티큘러 렌즈 시트 등의 렌즈 시트의 렌즈부, 또는 이와 같은 시트를 사용한 백라이트 등, 마이크로 렌즈·촬상용 렌즈 등의 광학 렌즈, 광학소자, 광 커넥터, 광 도파로, 절연용 패킹, 열수축 고무 튜브, O-링, 표시 디바이스용 씰링제, 보호재, 광 파이버 보호재, 점착제, 다이본딩제, 고방열성 재료, 고내열 씰링재, 태양 전지·연료전지·이차전지용 부재, 전지용 고체 전해질, 절연 피복재, 복사기용 감광 드럼, 가스 분리막, 콘크리트 보호재·라이닝·토양주입제·실링제·축냉열재·유리 코팅·발포체 등의 토목·건축재료, 튜브·씰링재·코팅 재료·멸균 처리 장치용 씰링재·콘텍트 렌즈·산소부화막, 바이오칩 등의 의료용 재료, 자동차 부품, 각종 기계부품 등의 각종 용도에 사용할 수 있고, 그 용도에 특별히 제한은 없다.
본 발명의 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 보다 효과적으로 발휘하는 관점에서는 상기 용도가 패턴 형성 조성물용인 것이 바람직하고, 예를 들면, 산 경화성 성분과 함께 사용되는 네거티브형 조성물용, 산 분해성 성분과 함께 사용되는 포지티브형 조성물용 등인 것이 바람직하며, 보다 구체적으로는 광학 렌즈, 광학 소자, 광 커넥터, 광 도파로, 높은 산 발생 감도를 요구받는 액정표시장치·유기 EL 표시장치·프린트 기판 등에 사용되는 층간 절연막 등의 형성에 사용되는 조성물용인 것이 바람직하다.
B. 산 발생제
본 발명의 산 발생제는 상술한 화합물A를 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
산 발생제가 화합물A를 포함함으로써 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 용이하게 얻을 수 있다.
1. 화합물A
본 발명의 산 발생제에 사용하는 상기 화합물A의 종류로는 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 용이하게 얻을 수 있는 것이면 되고, 산 발생제 중에 1종류만이어도 되며, 2종류 이상이어도 된다.
본 발명의 산 발생제에서의 상기 화합물A의 함유량은 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 용이하게 얻을 수 있는 양이면 되고, 산 발생제의 종류 등에 따라 적절히 설정되는 것이다. 본 발명의 산 발생제에서의 상기 화합물A의 함유량으로는 예를 들면, 상기 산 발생제의 고형분 100질량부 중에 100질량부, 즉, 상기 산 발생제의 고형분이 상기 화합물A뿐인 것으로 할 수 있다. 본 발명의 산 발생제에서의 상기 화합물A의 함유량은 산 발생제의 고형분 100질량부 중에 100질량부 미만, 즉, 산 발생제가 상기 화합물A 및 기타 성분을 포함하는 조성물이어도 되고, 예를 들면, 20질량부 초과 99.99질량부 이하로 할 수 있다. 화합물A의 함유량이 상술한 범위임으로써 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 용이하게 얻을 수 있기 때문이다.
본 발명의 산 발생제가 상기 화합물A 이외의 기타 성분을 함유하는 경우, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제가 보다 용이하게 얻어지는 관점에서는 본 발명의 산 발생제에서의 화합물A의 함유량의 하한이 산 발생제의 고형분 100질량부 중에 50질량부 이상인 것이 바람직하고, 70질량부 이상인 것이 보다 바람직하며, 90질량부 이상인 것이 더 바람직하다. 상기 화합물A의 함유량의 상한값이 상술한 범위임으로써 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 용이하게 얻을 수 있기 때문이다. 또한, 산 발생제의 입경 제어 등이 용이해지는 관점 등에서는, 본 발명의 산 발생제에서의 화합물A의 함유량의 상한은 산 발생제의 고형분 100질량부 중에 99질량부 이하인 것이 바람직하고, 95질량부 이하인 것이 보다 바람직하며, 90질량부 이하인 것이 더 바람직하다. 화합물A의 함유량이 상술한 범위임으로써 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 용이하게 얻을 수 있기 때문이다.
한편, 고형분이란, 용제 이외의 모든 성분을 포함하는 것이다.
또한, 상기 화합물A의 함유량은 화합물A로서 2종류 이상을 포함하는 경우에는 화합물A의 합계량을 나타내는 것이다.
상기 화합물A에 대해서는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
2. 기타 성분
상기 산 발생제는 상기 화합물A 이외의 기타 성분을 포함하는 것이어도 된다. 이와 같은 기타 성분으로는 예를 들면, 용제를 들 수 있다.
상기 용제는 산 발생제 중의 각 성분을 분산 또는 용해 가능한 것이다. 따라서, 상온(25℃) 대기압하에서 액상이어도 되고 상기 화합물A는 용제에는 포함되지 않는다. 상기 용제로는 물, 유기 용제 중 어느 것이나 사용할 수 있다. 본 발명에서는 상기 용제가 유기 용제인 것이 바람직하다. 상기 화합물A의 용해 또는 분산이 용이하기 때문이다.
상기 유기 용제로는 프로필렌카보네이트, 디에틸카보네이트 등의 카보네이트류; 아세톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 디프로필렌글리콜 및 디프로필렌글리콜모노아세테이트의 모노메틸에테르 또는 모노페닐에테르 등의 다가 알코올류 및 그 유도체; 디옥산과 같은 환식 에테르류; 포름산에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트의 에스테르류; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소류; γ-카프로락톤, δ-카프로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.
상기 산 발생제에서의 상기 용제의 함유량은 산 발생제 100질량부 중에 1질량부 이상 99질량부 이하로 할 수 있다.
상기 용제 이외의 기타 성분으로는 후술할 "C. 조성물"의 "2. 수지 성분" 및 "3. 기타 성분"의 항에 기재된 내용을 들 수 있다.
또한, 상기 기타 성분으로는 산 발생제로서 사용되는 공지의 화합물 등을 들 수 있다.
상기 기타 성분의 함유량은 상기 산 발생제의 용도 등에 따라 적절히 설정할 수 있는데, 예를 들면, 산 발생제 100질량부 중에 50질량부 이하로 할 수 있고, 10질량부 이하인 것이 바람직하다. 상기 산 발생제는 화합물A의 함유 비율을 큰 것으로 하는 것이 용이해지고, 산 발생 감도가 뛰어난 산 발생제를 보다 용이하게 얻을 수 있는 것이 되기 때문이다.
3. 기타
상기 산 발생제의 제조 방법으로는 상기 화합물A를 원하는 배합량으로 포함하는 것으로 할 수 있는 방법이면 된다.
상기 산 발생제가 화합물A 및 기타 성분을 포함하는 경우에는 공지의 혼합 수단을 사용하는 방법을 들 수 있다.
상기 산 발생제의 용도로는 수지 성분을 포함하는 조성물에 대한 첨가 용도를 들 수 있고, 구체적으로는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
C. 조성물
본 발명의 조성물은 상술한 화합물A와 수지 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 것이다.
상기 화합물A를 포함함으로써, 얻어지는 조성물 등은 산 발생 감도가 뛰어난 것이 된다.
1. 화합물A
본 발명의 조성물에 사용하는 상기 화합물A의 종류로는 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 발휘할 수 있는 것이면 되며, 조성물 중에 1종류만이어도 되고 2종류 이상이어도 된다.
본 발명의 조성물에서의 상기 화합물A의 함유량으로는 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 발휘할 수 있는 것이면 되고, 사용하는 수지 성분의 종류 등에 따라 적절히 설정되는 것이다.
본 발명의 조성물에서의 화합물A의 함유량은 예를 들면, 상기 수지 성분 100질량부에 대하여 0.05질량부 이상 100질량부 이하인 것이 바람직하고, 0.05질량부 이상 20질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 발휘할 수 있는 조성물을 용이하게 얻을 수 있는 것이 되기 때문이다.
본 발명의 조성물에서의 화합물A의 함유량은 예를 들면, 상기 조성물의 고형분 100질량부 중에 0.001질량부 이상 20질량부 이하인 것이 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 발휘할 수 있는 조성물을 용이하게 얻을 수 있는 것이 되기 때문이다.
본 발명의 조성물에서의 상기 화합물A의 함유량으로는 예를 들면, 상기 조성물 100질량부 중에 0.001질량부 이상 20질량부 이하인 것이 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 발휘할 수 있는 조성물을 용이하게 얻을 수 있는 것이 되기 때문이다. 또한, 착색이 억제된 조성물 등의 형성이 용이하기 때문이다.
상기 화합물A의 함유량은 화합물A로서 2종류 이상을 포함하는 경우에는 화합물A의 합계량을 나타내는 것이다.
또한, 상기 화합물A에 대해서는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있으므로, 여기서의 설명은 생략한다.
2. 수지 성분
상기 수지 성분으로서, 고분자 화합물 또는 고분자 화합물이 될 수 있는 성분을 사용할 수 있다.
또한, 상기 수지 성분은 화합물A로부터 발생된 산과 반응 가능한 구조를 가지는 산반응성 성분이어도 되고, 화합물A로부터 발생된 산과 반응하지 않는 비(非)산반응성 성분이어도 되는데, 상기 수지 성분이 산반응성 성분인 것이 바람직하다. 수지 성분이 산반응성 성분임으로써 상기 조성물은 화합물A가 가지는 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 용이하게 얻을 수 있는 것이 되기 때문이다.
이와 같은 산반응성 성분으로는 화합물A로부터 발생된 산에 의해 중합 혹은 가교하여 경화하는 산 경화성 성분, 또는 화합물A로부터 발생된 산에 의해 현상액에 대한 용해성이 증가하는 산 분해성 성분을 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에서는 수지 성분이 산 경화성 성분인 경우에는 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 효과적으로 발휘할 수 있고, 산 경화성 성분의 경화가 용이한 것이 된다. 또한, 수지 성분이 산 분해성 성분인 경우에는 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 효과적으로 발휘할 수 있고, 산 분해성 성분의 분해가 용이한 것이 된다.
상기 산 경화성 성분으로는 양이온 중합성 화합물을 들 수 있다.
상기 양이온 중합성 화합물로는 에폭시 화합물, 옥세탄 화합물 등의 환상 에테르 화합물, 비닐에테르 화합물, 비닐 화합물, 스티렌류, 스피로오르토에스테르류, 비시클로오르토에스테르류, 스피로오르토카보네이트류, 락톤류, 옥사졸린류, 아지리딘류, 시클로실록산류, 케탈류, 환상 산무수물류, 락탐류, 아릴디알데히드류 등 외에 이들 중합성 기를 측쇄에 가지는 중합성 혹은 가교성 폴리머 및 올리고머를 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종류 이상으로 혼합해도 된다.
이와 같은 양이온 중합성 화합물의 구체예로는 예를 들면, 국제공개공보 WO2017/130896에 기재된 산반응성 유기 물질, 국제공개공보 WO2014/084269, 국제공개공보 WO2016/132413 등에 기재된 양이온 중합성 화합물로서 기재된 화합물을 사용할 수 있다.
상기 산 경화성 성분으로는 가교성 수지 및 가교제의 혼합물도 사용할 수 있다.
상기 가교성 수지로는 예를 들면, 폴리하이드록시스티렌 및 그의 유도체; 폴리아크릴산 및 그의 유도체; 폴리메타크릴산 및 그의 유도체; 하이드록시스티렌, 아크릴산, 메타크릴산 및 그들의 유도체에서 선택되고 형성되는 2개 이상의 공중합체; 하이드록시스티렌, 스티렌 및 그들의 유도체에서 선택되고 형성되는 2개 이상의 공중합체; 시클로올레핀 및 그의 유도체, 무수말레산, 그리고 아크릴산 및 그의 유도체에서 선택되는 3개 이상의 공중합체; 시클로올레핀 및 그의 유도체, 말레이미드, 그리고 아크릴산 및 그의 유도체에서 선택되는 3개 이상의 공중합체; 폴리노보넨; 메타시스(metathesis) 개환 중합체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 고분자 중합체; 알콕시실릴기를 가지는 중합체; 이들 고분자 중합체에 알칼리 용해 제어능을 가지는 산 불안정기를 부분적으로 치환한 고분자 중합체 등을 들 수 있다.
상기 폴리하이드록시스티렌 등의 하이드록시스티렌에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체로는 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2018-112670호에 기재된 페놀성 수산기 함유 수지(QN) 등도 들 수 있다.
상기 가교성 수지로는 예를 들면, 국제공개공보 WO2017/130896에 기재된 레지스트 베이스 수지, 일본 공개특허공보 특개2003-192665호에 기재된 (A)성분의 산의 작용으로 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 수지, 일본 공개특허공보 특개2004-323704호의 청구항 3, 일본 공개특허공보 특개평10-10733호에 기재된 알칼리 가용성 수지 등으로서 기재되는 수지도 사용할 수 있다.
상기 알콕시실릴기를 가지는 중합체로는 예를 들면, 알콕시실릴기가 방향환에 직접 결합되어 있지 않은 화합물을 사용할 수 있다.
상기 가교제로는 산의 존재하에서 상기 가교성 수지끼리를 가교할 수 있는 것이면 된다. 이와 같은 가교제로는 에폭시기 함유 화합물, 수산기 함유 화합물, 알콕시기 함유 화합물, 메틸올기 함유 화합물, 카르복시메틸기 함유 화합물 등의, 상기 수지에 포함되는 페놀성 수산기, 카르복실기 등의 산성기와, 산의 존재하에서 반응할 수 있는 화합물을 사용할 수 있다.
상기 가교제로는 보다 구체적으로는, 일본 공개특허공보 특개2016-169173호, 일본 공개특허공보 특개2018-112670호에 기재된 가교제 등을 들 수 있다.
상기 산 분해성 성분으로는 화합물A로부터 발생된 산에 의해 현상액에 대한 용해성이 증가하는 것이면 되고, 예를 들면, 페놀성 수산기, 카르복실기, 술포닐기, 실라놀기 등의 산성기를 가지는 수지 중의 산성기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 보호기로 보호한 수지를 들 수 있다.
이와 같은 산성기를 가지는 수지로는 예를 들면, 상술한 산 경화성 성분으로서 가교제와 함께 사용되는 가교성 수지를 들 수 있다. 일본 공개특허공보 특개2018-112670호에 기재된 포지티브형 화학 증폭 수지도 사용할 수 있다.
상기 보호기로는 상기 산성기를 보호할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2016-169173호에 기재된 보호기, 국제공개공보 WO2017/130896에 기재된 산 불안정기, 일본 공개특허공보 특개2018-112670호에 기재된 산 해리성기 등을 들 수 있다. 또한, 상기 실라놀기가 보호기로 보호된 기로는 알콕시실릴기를 들 수 있다. 산 분해성 성분으로서 사용되는, 알콕시실릴기를 가지는 중합체로는 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2019-66828호에 기재된 "방향환과 상기 방향환에 직접 결합된 알콕시실릴기를 포함하는 구조 단위(I), 및 산성기를 포함하는 구조 단위(II)를 가지는 중합체 성분(A)"으로서 들 수 있는 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 현상액으로는 후술할 "G. 패턴의 제조 방법"의 항에 기재된 현상액을 들 수 있다.
상기 산반응성 성분은 산 경화성 성분 및 산 분해성 성분 이외에도 산으로 반응하는 성분을 사용할 수 있고, 예를 들면, 알칼리 가용성의 기를 가지는 수지가 산에 의해 불용화되는 수지도 사용할 수 있다. 구체적으로는, 하이드록실기와 카르복실기, 하기에 예시하는 바와 같은 카르복실기와 카르복실기의 산 촉매 탈수 축합에 의한 분자 내 또는 분자 간의 가교 반응 등을 발생시키는 산 불용화 수지를 들 수 있다. 카르복실기와 카르복실기의 산 촉매 탈수 축합을 발생시키는 산 불용화 수지로는 예를 들면, 하기에 나타내는 바와 같이, 산에 의해 카르복실기끼리가 탈수 축합하는 프탈산 구조를 가지는 수지 등을 들 수 있다.
Figure pct00016
상기 비산반응성 성분으로는 화합물A로부터 발생된 산과 반응하지 않는 것, 보다 구체적으로는 화합물A로부터 발생된 산에 의해 경화, 분해, 알칼리 현상액에 대한 용해성의 변화 등을 발생시키지 않는 것을 사용할 수 있고, 예를 들면, 폴리올레핀계 수지, 폴리부타디엔계 수지, 폴리스티렌계 수지, 폴리스티렌·부타디엔계 수지, 폴리스티렌·올레핀계 수지 등의 열가소성 수지 등을 들 수 있다.
본 발명의 조성물에서의 상기 수지 성분의 함유량은 산 발생 감도가 뛰어난 것이 되는 효과를 얻을 수 있는 것이면 되고, 사용하는 수지 성분의 종류 등에 따라 적절히 설정되는 것이다.
본 발명의 조성물에서의 상기 수지 성분의 함유량은 예를 들면, 상기 조성물의 고형분 100질량부 중에 10질량부 이상으로 할 수 있고, 30질량부 이상 99.9질량부 이하인 것이 바람직하며, 50질량부 이상 99.9질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 것이 얻어지는 효과를 효과적으로 얻을 수 있기 때문이다.
본 발명의 조성물에서의 상기 수지 성분의 함유량은 예를 들면, 상기 조성물 100질량부 중에 10질량부 이상으로 할 수 있고, 30질량부 이상 99.9질량부 이하인 것이 바람직하며, 50질량부 이상 99.9질량부 이하인 것이 보다 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 것이 얻어지는 효과를 효과적으로 얻을 수 있기 때문이다.
3. 용제
상기 조성물은 용제를 포함할 수 있다.
상기 용제는 조성물 중의 각 성분을 분산 또는 용해할 수 있는 것이다. 따라서, 상온(25℃) 대기압하에서 액상이어도 상기 화합물A 및 수지 성분은 용제에는 포함되지 않는다.
상기 용제로는 물, 유기 용제 중 어느 것이나 사용할 수 있다.
본 발명에서는 상기 용제가 유기 용제인 것이 바람직하다. 상기 화합물A의 용해 또는 분산이 용이하기 때문이다.
상기 유기 용제로는 상기 "B. 산 발생제"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물에서의 상기 용제의 함유량은 상기 조성물의 용도 등에 따라 적절히 설정되는 것이며, 예를 들면, 상기 조성물 100질량부 중에 1질량부 이상 99질량부 이하로 할 수 있다.
4. 기타 성분
상기 조성물은 필요에 따라 기타 성분을 포함할 수 있다.
이와 같은 기타 성분으로는 조성물의 용도 등에 따라 선택할 수 있고, 예를 들면, 벤조트리아졸계, 트리아진계, 벤조에이트계의 자외선 흡수제; 페놀계, 인계, 황계 산화 방지제; 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양성 계면활성제 등으로 이루어지는 대전 방지제; 할로겐계 화합물, 인산에스테르계 화합물, 인산아미드계 화합물, 멜라민계 화합물, 불소 수지 또는 금속 산화물, (폴리)인산멜라민, (폴리)인산피페라진 등의 난연제; 탄화수소계, 지방산계, 지방족 알코올계, 지방족 에스테르계, 지방족 아마이드계 또는 금속 비누계의 윤활제; 염료, 안료, 카본 블랙 등의 착색제; 퓸드 실리카(fumed silica), 미립자 실리카, 규석, 규조토류, 클레이, 카올린, 규조토, 실리카겔, 규산칼슘, 세리사이트(sericite), 카올리나이트, 플린트(flint), 장석분말, 질석, 아타풀자이트(attapulgite), 탤크, 마이카, 미네소타이트, 파이로필라이트, 실리카 등의 규산계 무기 첨가제; 유리섬유, 탄산칼슘 등의 충전제; 조핵제, 결정 촉진제 등의 결정화제, 실란 커플링제, 가요성 폴리머 등의 고무 탄성 부여제, 증감제 등을 들 수 있다.
또한, 상기 기타 성분은 아민 화합물, 아미드기 함유 화합물, 우레아 화합물, 질소 함유 복소환 화합물 등의 산 확산 제어제도 포함할 수 있다.
상기 증감제로는 예를 들면, 일본 공표특허공보 특표2008-506749호에 분광 증감제로서 기재된 화합물을 들 수 있다.
상기 산 확산 제어제로는 예를 들면, 일본 공개특허공보 특개2019-8300호에 "[D] 산 확산 제어체"로서 기재된 화합물을 들 수 있다.
본 발명의 조성물에서의 이들 기타 성분의 함유량은 상기 조성물 100질량부 중에 50질량부 이하로 할 수 있다.
5. 기타
상기 조성물의 제조 방법으로는 상기 각 성분을 원하는 배합량으로 혼합할 수 있는 방법이면 되고, 공지의 방법을 이용할 수 있다.
예를 들면, 상기 화합물A를 용제에 용해 또는 분산시킨 후, 상기 용제에 대하여 수지 성분을 첨가하는 방법 등을 들 수 있다.
D. 경화물
본 발명의 경화물은 상술한 조성물의 경화물이다.
또한, 상기 조성물에 포함되는 수지 성분이 산 경화성 성분이다.
본 발명에 따르면, 상술한 조성물을 사용함으로써 산 경화성 성분의 경화가 충분히 진행된 경화물이 된다.
본 발명의 경화물은 상술한 조성물을 사용하는 것이다. 또한, 수지 성분이 산 경화성 성분이다. 상기 경화물은 산 경화성 성분이 경화된 것이며, 산 경화성 성분끼리가 중합된 중합체 또는 가교한 가교체를 포함하는 것이다.
이와 같은 조성물의 내용에 대해서는 상기 "C. 조성물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.
상기 경화물의 평면에서 본 형상에 대해서는 상기 경화물의 용도에 따라 적절히 설정할 수 있고, 예를 들면, 도트 형상, 라인 형상 등의 패턴 형상으로 할 수 있다.
상기 경화물의 용도에 대해서는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
상기 경화물의 제조 방법으로는 상기 조성물의 경화물을 원하는 형상이 되도록 형성할 수 있는 방법이라면 특별히 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 제조 방법으로는 예를 들면, 후술할 "E. 경화물의 제조 방법"의 항에 기재된 제조 방법을 이용할 수 있다.
E. 경화물의 제조 방법
다음으로, 본 발명의 경화물의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 경화물의 제조 방법은 상술한 조성물을 경화하는 경화 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또한, 상기 조성물에 포함되는 수지 성분은 산 경화성 성분이다.
본 발명에 따르면, 상술한 조성물을 사용함으로써 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 효과적으로 발휘할 수 있고, 산 경화성 성분의 경화가 충분히 진행된 경화물을 용이하게 형성할 수 있게 된다.
1. 경화 공정
본 발명에서의 경화 공정은 상술한 조성물을 경화하는 공정이다.
상기 조성물을 경화하는 방법으로는 산 경화성 성분을 경화시킬 수 있는 방법이면 되고, 화합물A로부터 산을 발생시키는 방법을 이용할 수 있다.
화합물A로부터 산을 발생시키는 방법으로는 화합물A로부터 원하는 양의 산을 발생시킬 수 있는 방법이면 되고, 예를 들면, 에너지선을 조사하는 방법, 가열 처리하는 방법 및 이들을 동시에 또는 순서대로 실시하는 방법을 들 수 있다. 이와 같은 에너지선을 조사하는 방법, 가열 처리하는 방법 등에 대해서는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 방법과 동일한 방법을 들 수 있다.
본 공정에서는 그 중에서도 상기 산을 발생시키는 방법이 에너지선을 조사하는 방법을 포함하는 것이 바람직하다. 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 효과적으로 발휘할 수 있고, 산 경화성 성분을 효과적으로 경화할 수 있기 때문이다.
또한, 상기 조성물은 수지 성분으로서 산 경화성 성분을 포함하는 것이다. 이와 같은 조성물의 내용에 대해서는 상기 "C. 조성물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.
2. 기타 공정
본 발명의 경화물의 제조 방법은 상기 경화 공정 이외에 필요에 따라 기타 공정을 포함하는 것이어도 된다.
상기 기타 공정으로는 상기 경화 공정 후에 조성물의 도막 중의 미중합 부분을 제거하여 패턴 형상 경화물을 얻는 현상 공정, 상기 경화 공정 후에 경화물을 가열 처리하는 포스트 베이킹 공정, 상기 경화 공정 전에 조성물을 가열 처리하여 상기 조성물 중의 용제를 제거하는 프리베이킹 공정, 상기 경화 공정 전에 상기 조성물의 도막을 형성하는 공정 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 상기 기타 공정이 포스트 베이킹 공정을 가지는 것이 바람직하다. 화합물A로부터 발생된 산을 효과적으로 확산시킬 수 있다. 그 결과, 산 경화성 성분의 경화가 충분히 진행된 경화물의 형성이 용이해지기 때문이다.
상기 현상 공정에서의 미(未)중합 부분을 제거하는 방법으로는 예를 들면, 알칼리 현상액 등의 현상액을 미중합 부분에 도포하는 방법을 들 수 있다.
상기 알칼리 현상액으로는 테트라메틸암모늄하이드록시드(TMAH) 수용액이나, 수산화칼륨 수용액, 탄산칼륨 수용액 등의 알칼리 현상액으로서 일반적으로 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다.
또한, 현상액으로는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PEGMEA)나 시클로헥사논 등의 용제 현상액으로서 일반적으로 사용되고 있는 것을 사용할 수 있다.
상기 현상액을 사용한 현상 방법으로는 현상하고 싶은 부위와 현상액을 접촉시킬 수 있는 방법이면 되고, 샤워법, 스프레이법, 침지법 등 공지의 방법을 이용할 수 있다.
상기 현상 공정의 실시 타이밍으로는 상기 경화 공정 후이면 된다.
상기 포스트 베이킹 공정에서의 가열 조건으로는 경화 공정에 의해 얻어진 경화물의 강도 등을 향상시킬 수 있는 것이면 되고, 예를 들면, 200℃ 이상 250℃ 이하에서 20분간~90분간으로 할 수 있다.
상기 프리베이킹 공정에서의 가열 조건으로는 조성물 중의 용제를 제거할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면, 70℃ 이상 150℃ 이하에서 30초~300초간으로 할 수 있다.
상기 도막을 형성하는 공정에서 조성물을 도포하는 방법으로는 스핀 코터, 롤 코터, 바 코터, 다이 코터, 커튼 코터, 각종 인쇄, 침지 등의 공지의 방법을 이용할 수 있다.
상기 도막은 기재 상에 형성할 수 있다.
상기 기재로는 경화물의 용도 등에 따라 적절히 설정할 수 있고, 소다 유리, 석영 유리, 반도체 기판, 배선 기판, 금속, 종이, 플라스틱 등을 포함하는 것을 들 수 있다.
또한, 상기 경화물은 기재 상에서 형성된 후, 기재로부터 박리해서 사용해도 되고 기재로부터 다른 피(被)도착체에 전사하여 사용해도 된다.
F. 패턴
본 발명의 패턴은 상술한 조성물을 포함하는 것이다.
또한, 상기 조성물에 포함되는 수지 성분이 산 분해성 성분이다.
본 발명에 따르면, 상술한 조성물을 사용함으로써 산 발생 감도가 뛰어난 효과를 효과적으로 발휘할 수 있고, 산 분해성 성분의 분해가 용이한 것이 된다. 그 결과, 치수 정밀도 등이 뛰어난 패턴의 형성이 용이해진다.
본 발명의 패턴은 상술한 조성물을 사용하는 것이다. 또한, 수지 성분이 산 분해성 성분이다. 상기 패턴은 상술한 조성물을 사용하여 도막을 형성하고, 불필요 부분을 제거하여 형성한 것이다.
이와 같은 조성물의 내용에 대해서는 상기 "C. 조성물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.
상기 패턴의 평면에서 본 형상에 대해서는 상기 패턴의 용도에 따라 적절히 설정할 수 있고, 예를 들면, 도트 형상, 라인 형상 등의 패턴 형상으로 할 수 있다.
상기 패턴의 용도에 대해서는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
상기 패턴의 제조 방법으로는 상기 조성물을 원하는 형상이 되도록 형성할 수 있는 방법이라면 특별히 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 제조 방법으로는 예를 들면, 후술할 "G. 패턴의 제조 방법"의 항에 기재된 제조 방법을 이용할 수 있다.
G. 패턴의 제조 방법
다음으로, 본 발명의 패턴의 제조 방법에 대해 설명한다.
본 발명의 패턴의 제조 방법은 상술한 조성물을 사용하여 도막을 형성하고, 형성된 도막에 포함되는 화합물로부터 산을 발생시키는 공정과, 상기 화합물로부터 산을 발생시키는 공정 후에 상기 도막의 일부를 현상하고 패턴을 형성하는 공정을 가지는 것이다. 상기 조성물에 포함되는 수지 성분은 산 분해성 성분이다.
본 발명에 따르면, 상술한 조성물을 사용함으로써 치수 정밀도 등이 뛰어난 패턴이 얻어진다.
1. 산을 발생시키는 공정
본 발명에서의 산을 발생시키는 공정은 상술한 조성물을 사용하여 형성된 도막에 포함되는 상기 화합물A로부터 산을 발생시키는 공정이다.
본 공정에서 상기 화합물A로부터 산을 발생시키는 방법으로는 화합물A로부터 원하는 양의 산을 발생시킬 수 있는 방법이면 되고, 예를 들면, 에너지선을 조사하는 방법, 가열 처리하는 방법 및 이들을 동시에 또는 순서대로 실시하는 방법을 들 수 있다. 이와 같은 에너지선을 조사하는 방법, 가열 처리하는 방법 등에 대해서는 상기 "A. 화합물"의 항에 기재된 방법과 동일한 방법을 들 수 있다.
본 공정에서는 그 중에서도 상기 산을 발생시키는 방법이 에너지선을 조사하는 방법을 포함하는 것이 바람직하다. 치수 정밀도 등이 뛰어난 패턴이 얻어지는 효과를 효과적으로 발휘할 수 있기 때문이다.
또한, 본 공정에서는 도막 중의 산을 발생시키는 부분에 대해서는 평면에서 봤을 때의 도막의 일부인 것이 바람직하다. 후술할 패턴을 형성하는 공정의 실시가 용이해지기 때문이다.
상기 도막의 평면에서 본 형상 및 두께에 대해서는 패턴 도막의 용도 등에 따라 적절히 설정되는 것이다.
한편, 상기 조성물은 수지 성분으로서 산 분해성 성분을 포함하는 것이다. 이와 같은 조성물의 내용에 대해서는 상기 "C. 조성물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있기 때문에 여기서의 설명은 생략한다.
2. 패턴을 형성하는 공정
본 발명에서의 패턴을 형성하는 공정은 상기 화합물로부터 산을 발생시키는 공정 후에 상기 도막의 일부를 현상하고, 패턴을 형성하는 공정이다.
본 공정에서의 현상하는 방법으로는 현상액을 사용하여 현상하는 방법을 들 수 있다.
이와 같은 현상액 및 현상 방법에 대해서는 상기 "E. 경화물의 제조 방법"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
3. 기타 공정
본 발명의 패턴의 제조 방법으로는 상기 산을 발생시키는 공정 및 패턴을 형성하는 공정을 가지는 것이지만, 필요에 따라 기타 공정을 가질 수도 있다.
이와 같은 기타 공정으로는 상기 산을 발생시키는 공정 전에 상기 조성물의 도막을 형성하는 공정, 상기 도막을 형성하는 공정 후에 가열 처리하여 상기 도막 중의 용제를 제거하는 프리베이킹 공정 등을 들 수 있다.
본 발명에서는 상기 기타 공정이 노광 후 베이킹 공정을 가지는 것이 바람직하다. 화합물A로부터 발생된 산을 효과적으로 확산시킬 수 있다. 그 결과, 산 분해성 성분의 분해를 보다 효과적으로 진행시킬 수 있기 때문이다.
상기 도막을 형성하는 공정, 프리베이킹하는 공정에 대해서는 상기 "E. 경화물의 제조 방법"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
또한, 노광 후 베이킹 공정의 조건으로는 예를 들면, 70℃ 이상 150℃ 이하에서 30초~300초간으로 할 수 있다.
4. 기타
상기 제조 방법에 의해 제조되는 패턴 및 그 용도 등에 대해서는 상기 "A. 조성물"의 항에 기재된 내용과 마찬가지로 할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시이며, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용 효과를 발휘하는 것은 어떠한 것이어도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
실시예
이하, 실시예 등을 들어 본 발명을 더 상세하게 설명하겠지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것이 아니다.
[실시예 1](화합물 1의 합성)
4구 플라스크에 4-클로로-2,2,2-트리플루오로아세토페논을 10.00g(47.95m㏖), DMF를 23.54g(이론 수량의 1.5배), Et2N을 5.09g(50.35m㏖) 첨가하여 80℃에서 교반했다. 별도의 용기에 4-니트로벤젠티올을 7.92g(51.06m㏖), DMF를 23.54g(이론 수량의 1.5배) 첨가하여 교반하여 용해시키고, 적하(滴下) 로트에 옮겨서 80℃의 반응 용액에 1시간에 걸쳐 적하했다. 5시간 후 방냉하고, 톨루엔을 첨가하여 수세를 2회, 포화 NaCl 수용액 세정을 1회 실시하고, 황산나트륨으로 탈수 후, 탈(脫)용매하여 중간체 1-1을 14.53g(수율 92.6%) 얻었다.
Figure pct00017
4구 플라스크에 중간체 1-1을 10.00g(30.56m㏖), 에탄올을 31.38g(이론 수량의 3배), 염산하이드록실아민을 2.76g(39.72m㏖) 첨가하여 교반하고, 78℃에서 환류시켰다. 5시간 후 방냉하고, 초순수(超純水)를 첨가하여 실온에서 1시간 교반하여 ??칭했다. 흡인 여과에 의해 황색 분말을 여과분별하고, 디클로로메탄으로 정석(晶析)하여 중간체 1-2를 4.29g(수율 41.0%) 얻었다.
Figure pct00018
중간체 1-2가 3.31g(9.66m㏖) 들어간 플라스크에 질소분위기하 클로로포름을 13.75g(이론 수량의 3배) 첨가하고, 용액을 0℃로 냉각 후, 트리에틸아민 1.96g(19.32m㏖), 트리플루오로메탄술폰산클로라이드 2.44g(14.49m㏖)을 10℃ 이하에서 적하하여 첨가하고, 빙냉(氷冷)하 24시간 교반했다. 물 10㎖를 첨가하여 ??칭하고, 클로로포름으로 추출했다. 수세를 3회 실시하고, 황산나트륨으로 탈수한 후 이배퍼레이터(evaporator)로 용매를 증류제거했다. 헥산:아세트산에틸=99:1로 칼럼 크로마토그래피를 실시하고, 화합물 1을 1.81g(수율 39.5%, 담황색 고체)을 얻었다. 1H-NMR 및 19F-NMR의 측정 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00019
[실시예 2](화합물 2의 합성)
4구 플라스크에 9-에틸-3-니트로카르바졸을 8.00g(33.30m㏖), EDC(1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드)를 9.58g(이론 수량의 8배) 첨가하여 용해시킨 후, 4-디메틸아미노피리딘을 4.48g(36.63m㏖) 첨가하고, 질소기류하에서 교반하여 균일한 용액으로 했다. 계 내 온도를 0℃로 냉각하고, 트리플루오로아세트산 무수물 7.69g(36.63g)을 30분에 걸쳐 적하하여 첨가하고, 염화알루미늄 13.32g(99.89m㏖)을 4회에 나누어서 투입했다. 80℃로 승온하여 9시간 반응시킨 후, 얼음물에 반응액을 붓고 ??칭했다. 기름층을 추출한 후, 수세를 3회 실시하고, 티오황산나트륨에 의한 탈수 후, 용매를 증류제거했다. 조(粗)생성물 3.43g을 클로로포름 100g에 60℃에서 용해시킨 후, 실리카겔 25g을 투입하여 여과하고, 용매를 증류제거하여 중간체 2-1을 3.12g(수율 27.9%, 황색 고체) 얻었다.
Figure pct00020
플라스크에 중간체 2-1을 2.09g(6.22m㏖), 에탄올을 20g, 염산하이드록실아민을 0.56g(8.08m㏖) 첨가하고, 가열 환류 조건하에서 6시간 반응을 실시한 후, 물을 첨가하여 ??칭했다. 아세트산에틸로 기름층을 추출하고, 수세를 3회 실시한 후, 황산나트륨으로 탈수하고, 용매를 증류제거하여 중간체 2-2를 1.60g(수율 73.3%) 얻었다.
Figure pct00021
중간체 2-2가 1.24g(3.53m㏖) 들어간 플라스크에 질소분위기하 클로로포름을 8.50g(이론 수량의 5배) 첨가하고, 용액을 0℃로 냉각 후, 트리에틸아민을 0.75g(7.41m㏖), 트리플루오로메탄술폰산 무수물을 1.99g(7.06m㏖), 10℃ 이하에서 적하하여 첨가하고, 빙냉하에서 1시간 교반했다. 물 4㎖를 첨가하여 ??칭하고, 클로로포름으로 추출했다. 수세를 3회 실시하고, 황산나트륨으로 탈수하고, 용매를 증류제거했다. 클로로포름:MeOH=1:3으로 정석하고, 화합물 2를 0.10g(수율 9.8%, 황색 고체) 얻었다. 1H-NMR 및 19F-NMR의 측정 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00022
[실시예 3](화합물 3의 합성)
플라스크에 티오살리실산을 2.90g(18.81m㏖), 탈수 DMF를 36.51g, 4'-브로모-2,2,2-트리플루오로아세토페논을 4.90g(19.37m㏖) 첨가하고, 질소기류하에서 교반하여 균일한 용액으로 한 후, 구리를 0.039g(0.608m㏖) 첨가하고, 발포에 주의하면서 탄산나트륨을 2.31g(21.82m㏖) 첨가했다. 120℃로 승온하여 1시간 반응시킨 후, 160g의 1N 염산에 반응액을 붓고 ??칭했다. 이온 교환수로 충분히 세정한 후, 감압 건조하고, 중간체 3-1을 3.79g(수율 61.8%, 백색 고체) 얻었다.
Figure pct00023
플라스크에 중간체 3-1을 1.00g(3.07m㏖), 폴리인산을 10g(중간체 3-1의 10배량) 첨가하고, 150℃에서 3시간 교반했다. 반응액을 얼음물에 부어서 ??칭한 후, 5% 염화수소나트륨 수용액, 이온 교환수로 세정했다. 에탄올로 정석하여 중간체 3-2를 0.58g(수율 61.4%) 얻었다.
Figure pct00024
플라스크에 중간체 3-2를 0.54g(1.75m㏖), DMF를 5g, 염산하이드록실아민을 0.16g(2.28m㏖) 첨가하고, 80℃에서 5시간 반응시켰다. 물을 첨가하여 ??칭한 후, 아세트산에틸로 기름층을 추출하고, 수세를 3회 실시하고, 황산나트륨으로 탈수 후, 용매를 증류제거하여 중간체 3-3을 0.38g(수율 61.8%) 얻었다.
Figure pct00025
중간체 3-3이 0.38g(1.17m㏖) 들어간 플라스크에 질소분위기하 클로로포름을 2.6g(이론 수량의 5배) 첨가하고, 용액을 0℃로 냉각 후, 트리에틸아민을 0.37g(3.62m㏖), 트리플루오로메탄술폰산 무수물을 0.99g(3.51m㏖), 10℃ 이하에서 적하하여 첨가하고, 빙냉하에서 1시간 교반했다. 물 4㎖를 첨가하여 ??칭하고, 클로로포름으로 추출했다. 수세를 3회 실시하고, 황산나트륨으로 탈수하고, 용매를 증류제거했다. 메탄올로 정석하고, 0.25g의 화합물 3(수율 48.6%, 황색 고체)을 얻었다. 1H-NMR 및 19F-NMR의 측정 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
[제조예 1](비교 화합물 2의 합성)
플라스크에 인돌(1.0eq.), 4-플루오로벤조페논(1.2eq.), 탄산칼륨(3.0eq.) 및 디메틸술폭시드(이론 수량의 5배량)를 넣고, 질소분위기하 130℃에서 3시간 가열 교반했다. 실온까지 냉각 후, 이온 교환수를 첨가하고, 석출된 고체를 여과 추출했다. 얻어진 고체를 이온 교환수로 세정하여 건조하고, 중간체 1을 얻었다.
Figure pct00029
플라스크에 중간체 1을 5.00g(16.82m㏖), EDC(1-에틸-3-(3-디메틸아미노프로필)카르보디이미드) 53g(이론 수량의 8배), DMAP(N,N-디메틸-4-아미노피리딘) 2.26g(18.50m㏖)을 첨가하고 질소기류하에서 교반하여 균일한 용액으로 했다. 플라스크를 빙욕(氷浴)에 넣어서 계 내 온도가 0℃가 되었을 때에 트리플루오로아세트산 무수물 3.89g(18.50m㏖)을 30분에 걸쳐 적하하여 첨가했다. 그 후, AlCl3 6.73g(50.44m㏖)을 4회에 나누어서 첨가하고, 승온하여 40℃에서 반응을 실시했다. 40℃에서 3시간 반응 후, 반응액을 얼음물에 붓고 ??칭했다. 기름층을 클로로포름으로 추출하고, 수세를 3회 실시하여, 황산나트륨으로 탈수한 후, 용매를 증류제거하고, 조생성물 5.99g을 얻었다. 톨루엔으로 칼럼 크로마토그래피를 실시하고, 1.92g(수율 29.0%)의 백색 고체(중간체 2)를 얻었다.
Figure pct00030
플라스크에 중간체 2를 1.90g(4.83m㏖), 에탄올 10g, 염산하이드록실아민 0.34g(4.8m㏖)을 첨가하고, 가열 환류 조건하에서 10시간 반응을 실시한 후, 물을 첨가하여 ??칭했다. 아세트산에틸로 기름층을 추출하고, 수세를 3회 실시하여 황산나트륨으로 탈수한 후, 용매를 증류제거하고, 조생성물 1.14g(중간체 3)을 얻었다.
Figure pct00031
중간체 3이 1.06g(2.50m㏖) 들어간 플라스크에, 질소분위기하에서 클로로포름 5.0g(이론 수량의 5배)을 첨가했다. 용액을 0℃로 냉각 후, 트리에틸아민 0.79g(7.76m㏖), 트리플루오로메탄술폰산 무수물 2.12g(7.51m㏖)을 10℃ 이하로 적하하여 첨가하고, 빙냉하에서 1시간 교반했다. 물 4㎖를 첨가하여 ??칭하고, 클로로포름으로 추출했다. 수세를 3회 실시하여, 황산나트륨으로 탈수한 후, 용매를 증류제거했다. 얻어진 조생성물을 헥산:아세트산에틸=5:1로 칼럼 크로마토그래피를 실시한 후, 메탄올로 정석하고, 0.10g(수율 9.8%)의 백색 고체(비교 화합물 2)를 얻었다. 1H-NMR 및 19F-NMR의 측정 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
<광 분해율 평가>
실시예 1~3에서 얻어진 화합물 1~3, 그리고 하기 비교 화합물 1 및 2를 100㎖ 메스 플라스크에 1.0×10-4㏖ 칭량하여 넣고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)로 메스 업 후, 추가로 1/10로 희석하여 1.0×10-4㏖/ℓ의 PGMEA 용액을 조제했다. 이 용액을 스크루 캡이 달린 1㎝ 각 셀에 봉입하고, HOYA제 고압 수은등(20㎽/㎠)을 이용하여, i선 밴드 패스 필터를 통해 노광했다. 노광량은 20mJ/㎠, 50mJ/㎠ 및 100mJ/㎠로 했다. 노광 후, 노광액을 HPLC 측정하고, 하기 식에 의해 광 분해율(%)을 산출했다. 결과를 표 3에 나타낸다.
광 분해율(%)=100-노광 후의 화합물의 피크 면적/노광 전의 화합물의 피크 면적×100
광 분해율(%)이 높을수록 산 발생 감도가 뛰어난 화합물이다.
Figure pct00035
Figure pct00036
범용품의 비교 화합물 1 및 다른 구조를 가지는 옥심술포네이트 화합물인 비교 화합물 2에 비해, 본 발명의 화합물A인 화합물 1~3의 광 분해율은 높고, 산 발생 감도가 뛰어난 화합물인 것을 확인할 수 있었다.
본 발명에 따르면, 산 발생 감도가 뛰어난 화합물을 제공할 수 있다.

Claims (14)

  1. 하기 일반식(A)로 표현되는 화합물.
    Figure pct00037

    (식 중 R11 및 R20은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, -OCOR30, -COOR30, -SR30, -SOR30, -SO2R30, -NR31R32, -NR31COR32, -CONR31R32, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내거나, 또는 R11 및 R20이 결합하여, 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR41R42- 혹은 -NR41-을 나타내고,
    R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR50, -COR50, -OCOR50, -COOR50, -SR50, -SOR50, -SO2R50, -NR51R52, -NR51COR52, -CONR51R52, 하기 일반식(1)로 표현되는 기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
    X는 직접 결합, -S-, -O-, -CO-, -CR61R62- 또는 -NR61-을 나타내며,
    R30, R31, R32, R41, R42, R50, R51, R52, R61 및 R62는 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고, R30, R31, R32, R41, R42, R50, R51, R52, R61 또는 R62가 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 달라도 되며,
    R11과 R12, R12와 R13, R13과 R14, R14와 R15, R16과 R17, R17과 R18, R18과 R19 및 R19와 R20은 결합하여 환을 형성하고 있어도 되고,
    상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H이며,
    R11, R12, R13, R14, R15, R16, R17, R18, R19 및 R20 중 하나 이상이 하기 일반식(1)로 표현되는 기이다.)
    Figure pct00038

    (식 중 R1은 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
    R2는 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 탄소 원자수 2~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기, 또는 상기 지방족 탄화수소기, 상기 방향족 탄화수소환 함유기 혹은 상기 복소환 함유기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 하기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기를 나타내고,
    상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 및 상기 치환기를 가지고 있는 복소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자, 시아노기, 니트로기, 수산기, 티올기, -COOH 또는 -SO2H이며,
    n은 0 또는 1을 나타내고,
    상기 일반식(A)로 표현되는 화합물 중에 상기 일반식(1)로 표현되는 기가 복수 존재하는 경우, 복수 존재하는 n, R1 및 R2는 각각 동일해도 되고 달라도 되며,
    *는 결합 부분을 나타낸다.)
    군I: -O-, -COO-, -OCO-, -CO-, -CS-, -S-, -SO-, -SO2-, -NR70-, -NR70-CO-, -CO-NR70-, -NR70-COO-, -OCO-NR70-, -SiR70R71-
    R70 및 R71은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환의 지방족 탄화수소기를 나타내고, R70 또는 R71이 복수 존재하는 경우, 그들은 동일해도 되고 달라도 된다.
  2. 제1항에 있어서,
    R13이 상기 일반식(1)로 표현되는 기인 화합물.
  3. 제2항에 있어서,
    하기 일반식(A1), (A2) 또는 (A3)으로 표현되는 화합물.
    Figure pct00039

    (식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다. 단, R11 및 R20은 결합되어 있지 않다.)
    Figure pct00040

    (식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
    Figure pct00041

    (식 중의 각 기호는 상기 일반식(A)와 같은 의미이다.)
  4. 제3항에 있어서,
    상기 일반식(A1) 중의 R11, R12, R14, R15, R16, R17, R19 및 R20이 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이며, R18이 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이고,
    상기 일반식(A2) 중의 R12, R14, R15, R16, R17 및 R19가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이고, R18이 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이며, R61이 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기이고,
    상기 일반식(A3) 중의 R12, R14, R15, R16, R17, R18 및 R19가 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 니트로기, 시아노기, -OR30, -COR30, 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 상기 지방족 탄화수소기 중의 메틸렌기의 하나 이상이 상기 군I에서 선택되는 2가의 기로 치환된 기인 화합물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    n이 0인 화합물.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    R1이 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기, 또는 탄소 원자수 6~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기이고, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 및 상기 치환기를 가지고 있는 방향족 탄화수소환 함유기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자이며,
    R2가 시아노기 또는 탄소 원자수 1~20의 무치환 혹은 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기이고, 상기 치환기를 가지고 있는 지방족 탄화수소기 중의 수소 원자의 하나 이상을 치환하는 치환기가 할로겐 원자인 화합물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 포함하는 산 발생제.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 화합물과,
    수지 성분을 포함하는, 조성물.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 수지 성분이 산 경화성 수지 성분인, 조성물.
  10. 제9항에 기재된 조성물의 경화물.
  11. 제9항에 기재된 조성물을 경화하는 경화 공정을 가지는 경화물의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 수지 성분이 산 분해성 수지 성분인, 조성물.
  13. 제12항에 기재된 조성물을 포함하는 패턴.
  14. 제12항에 기재된 조성물을 사용하여 도막을 형성하고, 형성된 도막에 포함되는 화합물로부터 산을 발생시키는 공정과,
    상기 화합물로부터 산을 발생시키는 공정 후에 상기 도막의 일부를 현상하고, 패턴을 형성하는 공정을 가지는 패턴의 제조 방법.
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