JP4420226B2 - 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
最近において、集積回路のパターンの微細化に伴い、解像性、焦点深度、現像ムラの問題はより厳しくなってきた。
本発明の目的は、上記の種々問題を解決しつつ、特にパターンプロファイル形状や焦点深度に優れ、現像時のパターン寸法変動の少ない化学増幅ポジ型レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法を提供するものである。
請求項1:
(A)酸の作用で酸不安定基(但し、アセタール型の酸不安定基は含まない)が脱離することによりアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂
(B)下記式(1a)で示されるスルホニウム塩及び下記式(1b)で示されるスルホニウム塩
を含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項2:
(A)成分の樹脂が、下記一般式(2a)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物はフェノール性水酸基の水素原子の一部が1種又は2種以上の酸不安定基により部分置換された単位を含んでおり、(A)成分の樹脂全体に対し酸不安定基を含む単位が平均0モル%を超え80モル%以下の割合で置換されている重量平均分子量3,000〜100,000の高分子化合物である請求項1記載のレジスト材料。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。R3はアセタール型以外の酸不安定基を示す。S及びTは正の整数を示し、0<T/(S+T)≦0.8を満足する数である。)
請求項3:
(A)成分の樹脂が、下記一般式(2a’)の繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物中におけるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルに基づく単位が(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し平均0モル%を超え50モル%以下の割合で含有されており、(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し酸不安定基を含む単位が平均0モル%を超え80モル%以下の割合で置換されている重量平均分子量3,000〜100,000の高分子化合物である請求項1記載のレジスト材料。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R3はアセタール型以外の酸不安定基を示す。R3aは水素原子、又はアセタール型以外の酸不安定基であるが、少なくとも一部がアセタール型以外の酸不安定基である。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。M、Nは正の整数で、Lは0又は正の整数であり、0<N/(M+N+L)≦0.5、及び0<(N+L)/(M+N+L)≦0.8を満足する数である。)
請求項4:
(A)成分の樹脂が、下記一般式(2a’’)の繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物中におけるインデン及び/又は置換インデンに基づく単位が(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し平均0モル%を超え50モル%以下の割合で含有されており、(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し酸不安定基を含む単位が平均0モル%を超え80モル%以下の割合で置換されている重量平均分子量3,000〜100,000の高分子化合物である請求項1記載のレジスト材料。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R3はアセタール型以外の酸不安定基を示し、R3aは水素原子、又はアセタール型以外の酸不安定基であるが、少なくとも一部がアセタール型以外の酸不安定基である。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。yyは0又は正の整数であり、x+yy≦4を満足する数である。A、Bは正の整数で、C、D、Eは0又は正の整数であり、0<(B+E)/(A+B+C+D+E)≦0.5、及び0<(C+D+E)/(A+B+C+D+E)≦0.8を満足する数である。)
請求項5:
酸不安定基が、下記一般式(3)〜(5)で示される基、炭素数4〜20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基、又は炭素数7〜20のアリール基置換アルキル基である請求項2乃至4のいずれか1項記載のレジスト材料。
(式中、R101は炭素数4〜20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、又は炭素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)で示される基である。zは0〜6の整数である。
R102は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリール基を示し、hは0又は1、iは0、1、2、3のいずれかであり、2h+i=2又は3を満足する数である。
R103は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示し、R104〜R113はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、R104〜R113は互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。また、R104〜R113は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。)
請求項6:
更に、(C)上記(B)成分以外の放射線照射により酸を発生する化合物を含む請求項1乃至5のいずれか1項記載のレジスト材料。
請求項7:
更に、(D)塩基性化合物を配合することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のレジスト材料。
請求項8:
更に、(E)有機酸誘導体を配合することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のレジスト材料。
請求項9:
溶剤の成分としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート及び/又は乳酸アルキルエステルを含む請求項1乃至8のいずれか1項記載のレジスト材料。
請求項10:
(i)請求項1乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
(ii)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線又は電子線で露光する工程と、
(iii)必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
ポリp−ヒドロキシスチレン、ポリm−ヒドロキシスチレン、ポリ4−ヒドロキシ2−メチルスチレン、ポリ4−ヒドロキシ−3−メチルスチレン、ポリα−メチルp−ヒドロキシスチレン、部分水素添加ポリp−ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−α−メチルp−ヒドロキシスチレン)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−α−メチルスチレン)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−スチレン)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−m−ヒドロキシスチレン)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−スチレン)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−インデン)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−アクリル酸)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−メチルメタクリレート)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−メチルメタクリレート)コポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリ(アクリル酸−メチルアクリレート)コポリマー、ポリ(メタクリル酸−メチルメタクリレート)コポリマー、ポリ(アクリル酸−マレイミド)コポリマー、ポリ(メタクリル酸−マレイミド)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−マレイミド)コポリマー、ポリ(p−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−マレイミド)コポリマー等が挙げられるが、これらの組み合わせに限定されるものではない。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。M、Nは正の整数で、0<N/(M+N)≦0.5を満足する数である。yyは0又は正の整数であり、x+yy≦4を満足する数である。A、Bは正の整数、Cは0又は正の整数で、0<B/(A+B+C)≦0.5を満足する数である。)
(式中、ZZはCH2、CH(OH)、CR2(OH)、C=O、C(OR2)(OH)から選ばれる2価の有機基、あるいは−C(OH)=で表される3価の有機基を示す。Fはそれぞれ異なっても同一でもよく、正の整数、Hは正の整数であり、H/(H+F)=0.001〜0.1を満足する数である。XXは1あるいは2である。R1、R2、x、yは上記と同意である。)
上記分岐形成モノマーの例を下記に示す。
A、B、C、D、E成分の合計量に占める各成分の割合を示すと、
A成分の割合は0.5〜0.9、特に0.6〜0.8、
B成分の割合は0.02〜0.2、特に0.05〜0.15、
C成分の割合は0〜0.4、特に0.05〜0.3、
D成分の割合は0〜0.3、特に0.1〜0.2、
E成分の割合は0〜0.1、特に0.05〜0.1、
B成分+E成分の割合の合計は0.02〜0.3、特に0.05〜0.2、
C成分+D成分+E成分の割合の合計は0.1〜0.4、特に0.2〜0.3
である。
式中、R3は酸不安定基、R3aは水素原子又は酸不安定基であるが、R3aの少なくとも一部は酸不安定基である。なお、これらの酸不安定基はアセタール型以外のものである。R1、R2、x、y、yyは上記の通りの意味を有する。
(R1、R3は上記の通りであり、C’+C’’=C、N’+N’’=Nである。)
で表すことができるが、この場合、C’’は0<C’’/C≦1、好ましくは0.8≦C’’/C≦1、更に好ましくは0.9≦C’’/C≦1である。N’’は0<N’’/N≦1、好ましくは0.8≦N’’/N≦1、更に好ましくは0.9≦N’’/N≦1である。
アノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたものを例示できる。R104〜R113は互いに環を形成していてもよく(例えば、R104とR105、R104とR106、R105とR107、R106とR107、R108とR109、R110とR111等)、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示し、上記1価の炭化水素基で例示したものから水素原子を1個除いたもの等を例示できる。また、R104〜R113は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい(例えば、R104とR106、R106とR112、R110とR112等)。
上記式(5)の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。
(C)上記(B)成分以外の放射線照射により酸を発生する光酸発生剤、
(D)塩基性化合物、
(E)有機酸誘導体
のいずれか又はこれら2種以上を配合することができ、上記成分を(F)溶剤に溶解して用いられる。
N(X’)w(Y)3-w (D1)
(式中、w=1、2又は3である。Yは各々独立に水素原子又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のアルキル基を示し、水酸基又はエーテル構造を含んでもよい。X’は各々独立に下記一般式(X’1)〜(X’3)で表される基を示し、2個又は3個のX’が結合して環を形成してもよい。)
(式中、R300、R302、R305は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。R301、R304、R306は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基を示し、ヒドロキシ基、エーテル構造、エステル構造又はラクトン環を1個又は複数個含んでいてもよい。R303は単結合又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。)
(式中、X’は上記と同様である。R307は炭素数2〜20の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル構造、エステル構造又はスルフィド構造を1個あるいは複数個含んでいてもよい。)
(式中、X’、R307、wは上記と同様である。R308、R309は各々独立に炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基である。)
市販の2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホニルクロリド30.2g(0.1モル)にジメチルスルホキシド30gと水30gを加えてオイルバスにて80℃で3時間加熱撹拌した。このジメチルスルホキシド−水溶液をそのまま次工程のアニオン交換反応に用いた。
ジフェニルスルホキシド20.2g(0.1モル)とトリメチルシリルクロリド32.6g(0.3モル)をジクロロメタン100gに溶解した。この反応溶液を氷冷し、トリエチルアミン1.0g(0.01モル)を加えた後、定法により調製した4−tert−ブトキシフェニルマグネシウムクロリドテトラヒドロフラン溶液(0.3モル)を20℃を超えない温度で滴下した。次いで、塩化アンモニウム水溶液を20℃を超えない温度で加え、更にジエチルエーテル100gを加えた。
分取した水層に合成例1で調製した2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸のジメチルスルホキシド−水溶液とジクロロメタン300gを加え、撹拌した。
有機層を分取し、水200gを用いて3回有機層を水洗した。次いで、有機層を濃縮し、得られた残渣にジエチルエーテルを加えて再結晶を行い、目的物を得た(白色結晶、収率70%)。得られた化合物の1H−NMRとIRスペクトルデータを記す。
1H−NMR(CDCl3 σppm)
1.17〜1.19(12H,d,Ha’),1.20〜1.22(6H,d,Ha),1.43(9H,s,He),2.77〜2.90(1H,m,Hb),4.69〜4.83(2H,m,Hc),7.02(2H,s,Hd),7.15〜7.18(2H,d,Hg),7.54〜7.85(12H,m,Hf)
IR(cm-1)
3060,2960,2865,1600,1589,1565,1490,1477,1446,1313,1263,1236,1203,1164,1083,1068,1051,1014,906,838,750,674,588,559,543,530,501
2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸水溶液の代わりにノナフルオロ−1−ブタンスルホン酸カリウムを用いる以外は合成例2と同様にして目的物を合成した(白色結晶。収率72%)。
表1に示すレジスト材料を調製した。ここで、表1に挙げるレジスト材料の成分は次の通りである。
重合体A:ポリp−ヒドロキシスチレンの水酸基を1−エトキシエチル基15モル%、tert−ブトキシカルボニル基15モル%づつ保護した、重量平均分子量12,000の重合体。
重合体B:ポリp−ヒドロキシスチレンの水酸基を1−エトキシエチル基25モル%、更に1,2−プロパンジオールジビニルエーテルで3モル%架橋した、重量平均分子量13,000の重合体。
重合体C:ポリp−ヒドロキシスチレンの水酸基を1,1−ジメチルプロピル基で30モル%保護した、重量平均分子量12,000の重合体。
重合体D:ポリp−ヒドロキシスチレンの水酸基をtert−ブチル基で30モル%保護した、重量平均分子量12,000の重合体。
重合体E:p−ヒドロキシスチレンと2−エチル−2−アダマンチルアクリレートのコポリマーで、その組成比(モル比)が70:30、更に重量平均分子量15,000の重合体。
重合体F:p−ヒドロキシスチレンとインデンのコポリマーで、その組成比(モル比)が80:20、更にヒドロキシスチレンの水酸基をtert−ブトキシカルボニル基で20モル%保護した、重量平均分子量10,000の重合体。
重合体G:p−ヒドロキシスチレンとインデン、1−エチル−1−ノルボルネンメタクリレートのコポリマーで、その組成比(モル比)が80:5:15、更に重量平均分子量8,000の重合体。
重合体H:p−ヒドロキシスチレンとインデン、2−エチル−2−アダマンチルメタクリレートのコポリマーで、その組成比(モル比)が80:5:15、更に重量平均分子量8,000の重合体。
PAG1:合成例2の化合物;(4−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホネート
PAG2:合成例3の化合物;(4−tert−ブトキシフェニル)ジフェニルスルホニウムノナフルオロ−1−ブタンスルホネート
PAG3:トリフェニルスルホニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホネート
PAG4:トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−1−ブタンスルホネート
PAG5:(4−tert−ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホネート
PAG6:ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン
PAG7:トリス(4−メチルフェニル)スルホニウムノナフルオロ−1−ブタンスルホネート
塩基性化合物A:トリn−ブチルアミン
塩基性化合物B:トリス(2−メトキシエチル)アミン
有機酸誘導体A:4,4−ビス(4’−ヒドロキシフェニル)吉草酸
有機酸誘導体B:サリチル酸
界面活性剤A:FC−430(住友スリーエム社製)
界面活性剤B:サーフロンS−381(旭硝子社製)
溶剤A:プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
溶剤B:乳酸エチル
次いで、このシリコンウエハーを110℃のホットプレート上で90秒間ベークした。更に、エキシマレーザーステッパー(ニコン社製、NSR−S203B NA=0.68)を用い、2/3の輪帯照明を通して露光し、110℃で90秒間ベーク(PEB:post exposure bake)を施し、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型のパターン(実施例1〜16、比較例1〜5)を得ることができた。
レジストパターン評価方法:
0.18μmのラインアンドスペースのトップとボトムを1:1で解像する露光量を最適露光量(感度:Eop)として、この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像したレジストパターンの形状は、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察した。焦点をずらした場合にレジストパターン形状が矩形性を保ちつつ、かつレジストパターンの膜厚が(焦点が合っている場合に比べて)8割を保っているものを有効として焦点深度の深さ(DOF:Depth of Focus)を測定した。
なお、レジストのPED安定性は、最適露光量で露光後、24時間の放置後PEB(post exposure bake)を行い、線幅の変動値で評価した。この変動値が少ないほどPED安定性に富む。
定在波の程度は、0.14μmラインアンドスペースのトップとボトムを1:1で解像する露光量(上記0.18μmの最適露光量(感度:EOP)とは異なる)にて走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察し、目視にて判断した。定在波が確認できないものを良とし、定在波が確認されるのものを不良と表記した。
また、0.14μmラインアンドスペースのレジスト断面にて、パターン形状を判断した。目視にて、レジストパターン形状が矩形性を保っているものを矩形と表記した。
現像時の現像ムラ(面内ばらつき)はウエハー面内の0.14μmのパターンプロファイルの線幅変動を測定することで判断した。ウエハー面内の線幅変動が10%以内のものを良とし、それを超えるものを不良と表記した。
レジスト材料の混合溶剤への溶解性は目視及び濾過時の詰まりの有無で判断した。
塗布性に関しては目視で塗りムラの有無、及び膜厚計(大日本スクリーン製造社製、光干渉式膜厚測定計 ラムダエースVM−3010)を用いて同一ウエハー上での膜厚のばらつきが塗布膜厚(0.6μm)に対して0.5%以内(0.003μm以内)であるとき良好、0.5%より多く1%以内であるときやや悪、1%より多いとき悪と表記した。
以上の結果を表2に示す。
Claims (10)
- (A)成分の樹脂が、下記一般式(2a)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物はフェノール性水酸基の水素原子の一部が1種又は2種以上の酸不安定基により部分置換された単位を含んでおり、(A)成分の樹脂全体に対し酸不安定基を含む単位が平均0モル%を超え80モル%以下の割合で置換されている重量平均分子量3,000〜100,000の高分子化合物である請求項1記載のレジスト材料。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。R3はアセタール型以外の酸不安定基を示す。S及びTは正の整数を示し、0<T/(S+T)≦0.8を満足する数である。) - (A)成分の樹脂が、下記一般式(2a’)の繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物中におけるアクリル酸エステル及びメタクリル酸エステルに基づく単位が(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し平均0モル%を超え50モル%以下の割合で含有されており、(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し酸不安定基を含む単位が平均0モル%を超え80モル%以下の割合で置換されている重量平均分子量3,000〜100,000の高分子化合物である請求項1記載のレジスト材料。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R3はアセタール型以外の酸不安定基を示す。R3aは水素原子、又はアセタール型以外の酸不安定基であるが、少なくとも一部がアセタール型以外の酸不安定基である。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。M、Nは正の整数で、Lは0又は正の整数であり、0<N/(M+N+L)≦0.5、及び0<(N+L)/(M+N+L)≦0.8を満足する数である。) - (A)成分の樹脂が、下記一般式(2a’’)の繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物中におけるインデン及び/又は置換インデンに基づく単位が(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し平均0モル%を超え50モル%以下の割合で含有されており、(A)成分の樹脂の繰り返し単位全体に対し酸不安定基を含む単位が平均0モル%を超え80モル%以下の割合で置換されている重量平均分子量3,000〜100,000の高分子化合物である請求項1記載のレジスト材料。
(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、R3はアセタール型以外の酸不安定基を示し、R3aは水素原子、又はアセタール型以外の酸不安定基であるが、少なくとも一部がアセタール型以外の酸不安定基である。xは0又は正の整数、yは正の整数であり、x+y≦5を満足する数である。yyは0又は正の整数であり、x+yy≦4を満足する数である。A、Bは正の整数で、C、D、Eは0又は正の整数であり、0<(B+E)/(A+B+C+D+E)≦0.5、及び0<(C+D+E)/(A+B+C+D+E)≦0.8を満足する数である。) - 酸不安定基が、下記一般式(3)〜(5)で示される基、炭素数4〜20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、炭素数4〜20のオキソアルキル基、又は炭素数7〜20のアリール基置換アルキル基である請求項2乃至4のいずれか1項記載のレジスト材料。
(式中、R101は炭素数4〜20の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数1〜6のトリアルキルシリル基、又は炭素数4〜20のオキソアルキル基又は上記一般式(4)で示される基である。zは0〜6の整数である。
R102は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリール基を示し、hは0又は1、iは0、1、2、3のいずれかであり、2h+i=2又は3を満足する数である。
R103は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数6〜20の置換されていてもよいアリール基を示し、R104〜R113はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい1価の炭化水素基を示し、R104〜R113は互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数1〜15のヘテロ原子を含んでもよい2価の炭化水素基を示す。また、R104〜R113は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。) - 更に、(C)上記(B)成分以外の放射線照射により酸を発生する化合物を含む請求項1乃至5のいずれか1項記載のレジスト材料。
- 更に、(D)塩基性化合物を配合することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項記載のレジスト材料。
- 更に、(E)有機酸誘導体を配合することを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項記載のレジスト材料。
- 溶剤の成分としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート及び/又は乳酸アルキルエステルを含む請求項1乃至8のいずれか1項記載のレジスト材料。
- (i)請求項1乃至9のいずれか1項に記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
(ii)次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長300nm以下の高エネルギー線又は電子線で露光する工程と、
(iii)必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
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