JP2004002291A - 新規ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】下記一般式（１）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物。

（ＲはＨ、Ｆ、又はアルキル基又はアルコキシ基、ｎは０又は１、ｍは３〜１１、ｒは０〜４、Ｇは単結合又は二重結合、ｐとｑは独立にＨ又はアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
【効果】本発明の化合物を用いた化学増幅型レジスト材料は、解像性、焦点余裕度に優れ、ＰＥＤが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少ない。
【選択図】　なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線などの放射線に感応する集積回路を作成するための化学増幅型レジスト材料等の光酸発生剤として使用されるのに好適なＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物及びレジスト材料用光酸発生剤、並びに上記Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を含有するレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＳＩの高集積化と高速度化に伴い、パターンルールの微細化が求められている中、次世代の微細加工技術として遠紫外線リソグラフィーが有望視されている。
【０００３】
近年、遠紫外線の光源として高輝度なＫｒＦエキシマレーザー、更に波長の短いＡｒＦエキシマレーザーを利用する技術が注目されており、露光光の短波長化とレジスト材料の高解像度化で、より微細な加工技術が要望されている。
【０００４】
このような観点から、近年開発された酸を触媒とした化学増幅型レジスト材料は、感度、解像度、ドライエッチング耐性が高く、優れた特徴を有するもので、遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料である。この化学増幅型レジスト材料には、露光部が除去され未露光部が残るポジ型と、露光部が残り未露光部が除去されるネガ型がある。
【０００５】
アルカリ現像液を用いる化学増幅ポジ型レジスト材料では、アルカリ可溶性のフェノールあるいはカルボン酸を有する樹脂及び／又は化合物の水酸基の一部もしくは全部を酸に不安定な保護基（酸不安定基）で保護した樹脂及び／又は化合物を露光により生じた酸で触媒的に分解し、露光部にアルカリ可溶性のフェノールあるいはカルボン酸を有する樹脂及び／又は化合物を生じさせて露光部をアルカリ現像液で除去する。また、同ネガ型レジスト材料では、アルカリ可溶性のフェノールあるいはカルボン酸を有する樹脂及び／又は化合物と酸で上記樹脂あるいは化合物を結合（架橋）することのできる化合物（酸架橋剤）を露光により生じた酸で架橋させて露光部をアルカリ現像液に不溶化し、未露光部をアルカリ現像液で除去するものである。
【０００６】
上記化学増幅ポジ型レジスト材料は、バインダーである酸不安定基を有する樹脂と放射線照射により酸を発生する化合物（以下、光酸発生剤と略する）を溶剤に溶解したレジスト溶液を調製し、基板上に種々の方法で塗布し、必要により加熱し、溶媒を除去してレジスト膜を形成する。次いで、放射線照射、例えば遠紫外線を光源としてこのレジスト膜に所定のマスクパターンを通じて露光を行う。更に必要に応じて酸による触媒反応を進めるために露光後の焼成（ＰＥＢ：ｐｏｓｔ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｂａｋｅ）を行い、アルカリ水溶液による現像を行い、露光部のレジスト膜を除去することでポジ型のパターンプロファイルを得る。種々の方法で基板をエッチングした後、残存するレジスト膜を剥離液による溶解やアッシングにより除去して基板上にパターンプロファイルを作成する。
【０００７】
ＫｒＦエキシマレザー用の化学増幅ポジ型レジスト材料には、フェノール系の樹脂、例えばポリヒドロキシスチレンのフェノール性水酸基の水素原子の一部あるいは全部を酸に不安定な保護基で保護した樹脂が用いられており、光酸発生剤にはヨードニウム塩やスルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物等が用いられてきた。更に、必要に応じて分子量３，０００以下のカルボン酸及び／又はフェノール誘導体等のカルボン酸及び／又はフェノール性水酸基の水素原子の一部あるいは全部を酸不安定基で保護した溶解阻止／促進化合物、溶解特性向上のためのカルボン酸化合物、コントラスト向上のための塩基性化合物、塗布性向上のための界面活性剤等が添加される。
【０００８】
ここで、下記に示したような光酸発生剤のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物は、感度、解像度に優れ、スルホニウム塩やヨードニウム塩系の光酸発生剤に見られるような樹脂への相溶性の悪さやレジスト溶剤への溶解性の低さもなく、化学増幅型レジスト材料、特にＫｒＦエキシマレーザーを用いた化学増幅ポジ型レジスト材料の光酸発生剤として好適に用いられる（特許第２５８４５０号公報、特許第２８３９１７２号公報）。
【０００９】
【化７】

【００１０】
しかしながら、要求されるパターンサイズの微細化に伴い、これらの光酸発生剤を用いた場合でも解像性が低い、環境に対する安定性が低い等の問題が生じてきた。
【００１１】
この場合、解像性に関しては、用いる樹脂の酸不安定基をより酸に対して切れ易くすることや塩基性添加物、プロセス条件で改善しつつある。
【００１２】
環境安定性は大きく分けて２種類ある。一つはレジスト膜上の空気中の塩基や、レジスト膜下の基板上の塩基で露光により発生した酸が失活する問題であり、これは酸強度の高い酸を発生する光酸発生剤を用いた時によく見られる現象である。この問題に関しては、用いる樹脂の酸不安定基を酸に対して切れ易くすることや、発生酸の酸強度を低く（弱く）することで解決する方向にある。また、もう一つの環境安定性の問題は、露光と露光後の焼成（ＰＥＢ：ｐｏｓｔ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｂａｋｅ）が長引く場合（ＰＥＤ：ｐｏｓｔ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｄｅｌａｙ）にレジスト膜中を発生酸が拡散し、酸不安定基が切れにくい場合には酸の失活、酸不安定基が切れ易い場合には酸分解反応が進行し、パターンプロファイルが変動する場合が多い。例えばアセタールを中心とした酸不安定基を有する化学増幅ポジ型レジスト材料の場合には、未露光部の線幅が細くなる場合が多い。
【００１３】
上記のように、より高解像性を求めるためには、樹脂により切れ易い酸不安定基を導入することが必要であり、光酸発生剤としては拡散性の低い酸を発生することが望まれる。この低拡散性の酸としては、アルキルスルホン酸が種々検討されている。これらアルキルスルホン酸としては１０−カンファースルホン酸や、ブタンスルホン酸、オクタンスルホン酸等の市販のアルキルスルホニルクロリドを用いたものや特開２００１−１９９９５５号公報のようにカルボン酸エステルを有するノルボルナンスルホン酸等があるが、いずれも、従来用いられていたフッ化アルキルスルホン酸やアリールスルホン酸の酸強度に対して弱く、酸強度の弱さを酸の量でカバーしなくてはならないため、より多量の酸を発生しなくてはならず、露光時間の増大につながり、生産性に劣る場合が多い。
【００１４】
更に言えば、これらはいずれもアルキルスルホン酸エステルであり、レジスト材料とした場合には樹脂中のフェノール性水酸基、カルボキシル基、溶剤中（乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテル等）のヒドロキシル基、解像性向上のために添加される塩基性化合物、レジスト中の微量の水等と反応してしまう可能性が高い。
【００１５】
また、低拡散性の親油性の高いアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸はレジスト溶剤への溶解性には優れるものの、現像液への親和性（溶解性）に劣り、現像時及び／又はレジスト除去時に不溶物として（光酸発生剤単独もしくは樹脂との混合物の形で）基板上に残る場合がある。
【００１６】
例えば、現像時には現像液への溶解性／親和性の低いレジスト材料が露光部の現像されたスペース部や、未露光部のライン上に異物として付着する。
【００１７】
特開平１０−１７１１０号公報には、露光により低級アルコキシベンゼンスルホン酸を発生する光酸発生剤を有するレジスト材料を用いたパターン形成方法が公開されており、ＰＥＤに強く、対環境性の高いレジスト材料が開示されているが、本発明者の経験によると、メトキシベンゼンスルホン酸を発生する光酸発生剤は拡散性が高く、更に現像時及び／又はレジスト除去時に不溶物として（光酸発生剤単独もしくは樹脂との混合物の形で）基板上に残る場合が多い。
【００１８】
感光剤あるいは光酸発生剤の溶解性は、非化学増幅型レジスト材料のキノンジアジド感光剤を用いたころから問題となっており、具体的には光酸発生剤のレジスト溶剤への溶解性や光酸発生剤と樹脂との相溶性、露光、ＰＥＢ後の光分解物と非分解物（光酸発生剤）の現像液との溶解性（親和性）、更にはレジスト除去（剥離）時の除去溶剤との溶解性の問題である。これらが悪い場合には、保存中に光酸発生剤の析出、濾過困難、塗布むら、ストリエーション、レジスト感度異常、現像後のパターン上／スペース部の異物、溶け残り、染み等の問題を生じる可能性がある。
【００１９】
【特許文献１】
特許第２５８４５０号公報
【特許文献２】
特許第２８３９１７２号公報
【特許文献３】
特開２００１−１９９９５５号公報
【特許文献４】
特開平１０−１７１１０号公報
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
レジスト材料の光酸発生剤としては、レジスト溶剤及び樹脂に対する溶解性（相溶性）が十分高いこと、保存安定性が良好であること、毒性がないこと、塗布性が良好であること、現像後のパターン形成時、更にはレジスト剥離時に異物を生じないこと、パターンプロファイル形状、ＰＥＤ安定性、高解像性、感度が良好であることが求められるが、従来の光酸発生剤、特にＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物系光酸発生剤はこれらを全て満たしていない。
最近において、集積回路のパターンの微細化に伴い、解像性はもちろんのこと、現像後、剥離後の異物の問題はより厳しくなってきた。
【００２１】
本発明の目的は、上記の種々問題を解決しつつ、特に塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れたレジスト材料、特に化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤として好適なＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物及びレジスト材料用光酸発生剤、並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法を提供することにある。
【００２２】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、光酸発生剤として下記一般式（１）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物、特に下記式（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を含むレジスト材料を用いることにより、溶解性、保存安定性、塗布性に優れ、ＰＥＤが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有し、特に遠紫外線リソグラフィーにおいて大いに威力を発揮することを見出した。
【００２３】
【化８】

（式中、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。ｎは０又は１であり、ｍは３〜１１の整数である。ｒは０〜４の整数である。Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
【００２４】
【化９】

（式中、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。ｎは０又は１であり、ｍは３〜１１の整数である。ｒは０〜４の整数である。Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
【００２５】
特に、酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂を用いた化学増幅型レジスト材料等の光酸発生剤に上記一般式（１）あるいは（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を用いることにより、上記効果に優れ、特に遠紫外線リソグラフィーにおいて大いに威力を発揮することを知見し、本発明をなすに至ったものである。
【００２６】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明は、まず第１に下記一般式（１）で示される長鎖アルコキシベンゼンスルホニルオキシ基あるいは長鎖アルキルベンゼンスルホニルオキシ基を有するＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を提供するものである。
【００２７】
【化１０】

（式中、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。ｎは０又は１であり、ｍは３〜１１の整数である。ｒは０〜４の整数である。Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
【００２８】
この式（１）のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物として、特に下記一般式（１ａ）で示される４−アルコキシベンゼンスルホニルオキシ基、あるいは４−アルキルベンゼンスルホニルオキシ基を有する新規なＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物が好ましい。
【００２９】
【化１１】

（式中、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。ｎは０又は１であり、ｍは３〜１１の整数である。ｒは０〜４の整数である。Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
【００３０】
上記式（１）あるいは（１ａ）において、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示し、具体的には水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｓｅｃ−プロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、ｓｅｃ−プロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｉｓｏ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基が挙げられる。中でも水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基が好適に用いられ、更に、水素原子、メチル基がより好適に用いられる。ｒは０〜４の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。また、−（Ｏ）_ｎ−（ＣＨ_２）_ｍ−ＣＨ_３で表される長鎖アルキル基あるいは長鎖アルコキシ基の置換位置は任意であるが、より好ましくは４位である。
【００３１】
より具体的に、４−アルコキシベンゼンスルホニルオキシ基あるいは４−アルキルベンゼンスルホニルオキシ基としては、４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ペンチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ヘプチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ノニルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ウンデシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ドデシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ペンチルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ヘプチルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ノニルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ウンデシルベンゼンスルホニルオキシ基、４−ｎ−ドデシルベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ペンチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘプチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ノニルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ウンデシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、３，５−ジメチル−４−ｎ−ドデシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ペンチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ヘプチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ノニルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ウンデシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基、２−メチル−４−ｎ−ドデシルオキシベンゼンスルホニルオキシ基等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３２】
Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて合計炭素数４〜１２、特に６〜１０である、脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。
【００３３】
より具体的にジカルボキシイミド骨格を示すと、コハク酸イミド、マレイン酸イミド、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、ノルボルナン−２，３−ジカルボキシイミド、フタル酸イミド、ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。この中で好ましいのはコハク酸イミド、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドである。
【００３４】
なお、上記Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物の合成方法は、下記の通りであるが、これに限定されるものではない。
【００３５】
長鎖アルコキシベンゼンスルホン酸あるいは長鎖アルキルベンゼンスルホン酸は、対応する長鎖アルキルベンゼン、長鎖アルコキシベンゼンを硫酸−無水酢酸、クロロ硫酸、アミド硫酸、三酸化硫黄等で硫酸化することで合成できる。
【００３６】
硫酸化の条件は、新実験化学講座１４有機化合物の合成と反応（ＩＩＩ）、１７７３頁（丸善株式会社（１９８６））やＳｙｎｔｈｅｔｉｃ　ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｗａｇｎｅｒ，Ｚｏｏｋら、８１１頁、Ｊｈｏｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　Ｓｏｎｓ（１９６５））を参考に合成できる。
【００３７】
なお、長鎖アルコキシベンゼンは、公知の技術でフェノール、クレゾール、キシレノール、チモール、トリメチルフェノール等のフェノール性化合物と長鎖アルキルハライドとの塩基存在下に合成できる。同様に、長鎖アルキルベンゼンも公知の技術で合成できる。好ましいフェノール性化合物としては、フェノール性水酸基のｐ−位が無置換のものであり、具体的にはフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、２，５−ジメチルフェノール、２，６−ジメチルフェノール、チモール、イソチモール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール等が挙げられる。
【００３８】
更に、得られたスルホン酸、スルホン酸塩を五塩化リン、塩化チオニル等でスルホニルハライドとする。スルホン酸からスルホニルクロリドの合成は、上述の特開２００１−１９９９５５号公報や特開昭６１−２５１６５２号公報、Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ（Ｗａｇｎｅｒ，Ｚｏｏｋら、８２１頁、Ｊｈｏｎ　Ｗｉｌｅｙ　＆　Ｓｏｎｓ（１９６５））、新実験化学講座１４有機化合物の合成と反応（ＩＩＩ）、１７８４頁（丸善株式会社（１９８６））を参考にすることができる。
【００３９】
【化１２】

（式中、Ｒ、ｍ、ｎ、ｒは上記と同じ。）
【００４０】
Ｎ−ヒドロキシジカルボキシイミドは市販のものを用いることもできるし、対応するジカルボン酸とヒドロキシルアミンから合成することもできる。
【００４１】
市販のものでは、Ｎ−ヒドロキシ−コハク酸イミド、Ｎ−ヒドロキシ−マレイン酸イミド、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−ヒドロキシ−ノルボルナン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−ヒドロキシ−フタル酸イミド、Ｎ−ヒドロキシ−ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【００４２】
目的のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物は、上述のＮ−ヒドロキシジカルボキシイミドと対応する長鎖アルコキシベンゼンスルホニルハライド、長鎖アルキルベンゼンスルホニルハライドあるいはそのスルホン酸無水物をＴＨＦ、ＣＨ_２Ｃｌ_２等の溶剤に溶解し、塩基性条件下で反応させることが好ましい。あるいはピリジン等の塩基性溶剤中で反応させるのも好ましい。
【００４３】
【化１３】

（式中、Ｒ、ｍ、ｎ、ｒ、Ｇ、ｐ、ｑは上記と同じ。Ｈａｌは臭素原子又は塩素原子を示す。）
【００４４】
本発明の式（１）及び（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物の例としては、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００４５】
上記一般式（１）又は（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物は、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線などの放射線に感応する集積回路を作成するためのレジスト材料、特に化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤として好適に用いられる。
【００４６】
本発明の一般式（１）又は（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を含むレジスト材料は、ポジ型及びネガ型として用いることができる。具体的態様は下記の通りである。
＜１＞（Ａ）酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂（ベース樹脂）
（Ｂ）上記一般式（１）又は（１ａ）で示される放射線照射により酸を発生するＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物
（Ｆ）有機溶剤
を含むことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料
＜２＞更に
（Ｃ）放射線照射により酸を発生する（Ｂ）成分以外の光酸発生剤
を含むことを特徴とする＜１＞記載の化学増幅ポジ型レジスト材料
＜３＞更に
（Ｄ）塩基性添加物
を含むことを特徴とする＜１＞、＜２＞記載の化学増幅ポジ型レジスト材料
＜４＞更に
（Ｅ）有機酸誘導体
を含むことを特徴とする＜１＞〜＜３＞記載の化学増幅ポジ型レジスト材料
＜５＞更に
（Ｇ）酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する分子量３，０００以下の化合物
を含むことを特徴とする＜１＞〜＜４＞記載の化学増幅ポジ型レジスト材料
＜６＞（Ｂ）上記一般式（１）又は（１ａ）で示される放射線照射により酸を発生するＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物
（Ｆ）有機溶剤
（Ｈ）アルカリ可溶性樹脂（ベース樹脂）
（Ｉ）酸の作用により架橋構造を形成する酸架橋剤
を含むことを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト材料
＜７＞更に
（Ｃ）を含むことを特徴とする＜６＞記載の化学増幅ネガ型レジスト材料
＜８＞更に
（Ｄ）を含むことを特徴とする＜６＞、＜７＞記載の化学増幅ネガ型レジスト材料
＜９＞更に
（Ｊ）分子量２，５００以下のアルカリ可溶性化合物
を含むことを特徴とする＜６＞〜＜８＞記載の化学増幅ネガ型レジスト材料
が挙げられるが、これに限定されるものではない。以下、詳細に各成分につき記載する。
【００４７】
（Ａ）成分の酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂としては、特に制限されないが、アルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基及び／又はカルボキシル基の一部あるいは全部をＣ−Ｏ−Ｃを有する酸に不安定な保護基で保護したものである。
【００４８】
上記のフェノール性水酸基及び／又はカルボキシル基を有するアルカリ可溶性樹脂としては、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、α−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン、４−ヒドロキシ２−メチルスチレン、４−ヒドロキシ３−メチルスチレン、ヒドロキシインデン、メタクリル酸、アクリル酸のホモあるいはコポリマーや、これらのポリマーの末端にカルボン酸誘導体、ジフェニルエチレン等を導入したコポリマーが挙げられる。
【００４９】
更にアルカリ現像液への溶解性を極端に低下させないような割合で、上記のユニットの他に、スチレン、α−メチルスチレン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ヒドロキシスチレンの水素添加物、無水マレイン酸、マレイミド、置換あるいは非置換インデン等のアルカリ溶解性部位をもたないユニットを導入したコポリマーでもよい。ここで、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルの置換基としては、酸により分解が起こらないものであればいずれのものでもよい。具体的には、炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アリール基等の芳香族基などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００５０】
アルカリ可溶性ポリマーの例を以下に示すが、これは（Ａ）成分の酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂の原料及び（Ｈ）成分のアルカリ可溶性樹脂としても用いることができる。例としては、ポリｐ−ヒドロキシスチレン、ポリｍ−ヒドロキシスチレン、ポリ４−ヒドロキシ２−メチルスチレン、ポリ４−ヒドロキシ−３−メチルスチレン、ポリα−メチルｐ−ヒドロキシスチレン、部分水素添加ポリｐ−ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−α−メチルｐ−ヒドロキシスチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−α−メチルスチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−ｍ−ヒドロキシスチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−インデン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−メチルメタクリレート）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−メチルメタクリレート）コポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリ（アクリル酸−メチルアクリレート）コポリマー、ポリ（メタクリル酸−メチルメタクリレート）コポリマー、ポリ（アクリル酸−マレイミド）コポリマー、ポリ（メタクリル酸−マレイミド）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−マレイミド）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−マレイミド）コポリマー等が挙げられるが、これらの組み合わせに限定されるものではない。
【００５１】
好ましくは、ポリｐ−ヒドロキシスチレン、部分水素添加ポリｐ−ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−インデン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸）コポリマーが挙げられる。
【００５２】
特に、下記の単位（２）又は（２’）、（２’’）を有するアルカリ可溶性樹脂が好ましい。
【００５３】
【化１４】

（式中、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数、ｙｙは０又は正の整数であり、ｘ＋ｙ≦５、ｘ＋ｙｙ≦５を満足する数である。Ｍ、Ｎは正の整数で、０＜Ｎ／（Ｍ＋Ｎ）≦０．５を満足する数である。Ａ、Ｂは正の整数、Ｃは０又は正の整数で、０＜Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．５を満足する数である。）
【００５４】
上記式（２’’）の高分子化合物を合成するには、１つの方法としてはアセトキシスチレンモノマーと（メタ）アクリル酸３級アルキルエステルモノマーとインデンモノマーを、有機溶剤中、ラジカル開始剤を加えて加熱重合を行い、得られた高分子化合物を有機溶剤中アルカリ加水分解を行い、アセトキシ基を脱保護し、ヒドロキシスチレンと（メタ）アクリル酸３級アルキルエステルとインデンの三成分共重合体の高分子化合物を得ることができる。重合時に使用する有機溶剤としてはトルエン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等が例示できる。重合開始剤としては、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、ジメチル−２，２−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド等が例示でき、好ましくは５０〜８０℃に加熱して重合できる。反応時間としては２〜１００時間、好ましくは５〜２０時間である。アルカリ加水分解時の塩基としては、アンモニア水、トリエチルアミン等が使用できる。また反応温度としては−２０〜１００℃、好ましくは０〜６０℃であり、反応時間としては０．２〜１００時間、好ましくは０．５〜２０時間である。
【００５５】
あるいは、下記式（２’’’）のようなデンポリマー又はハイパーブランチポリマーの構造を持った高分子化合物でもよい。
【００５６】
【化１５】

（式中、ＺＺはＣＨ_２、ＣＨ（ＯＨ）、ＣＲ^５（ＯＨ）、Ｃ＝Ｏ、Ｃ（ＯＲ^５）（ＯＨ）から選ばれる２価の有機基、あるいは−Ｃ（ＯＨ）＝で表される３価の有機基を示す。Ｆはそれぞれ異なっても同一でもよく正の整数、Ｈは正の整数であり、Ｈ／（Ｈ＋Ｆ）＝０．００１〜０．１を満足する数である。ＸＸは１あるいは２である。Ｒ^４、Ｒ^５、ｘ、ｙは上記と同意である。）
【００５７】
上記フェノール誘導体のデンポリマー又はハイパーブランチポリマーの合成は４−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン等の重合可能成分モノマーのリビングアニオン重合の合成の際にクロロメチルスチレン等の分岐モノマーを適宜反応させる。
【００５８】
より詳しくは、４−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン等の重合可能成分モノマーを用いてリビングアニオン重合を開始し、所定量を重合後、クロロメチルスチレン等の分岐形成モノマーを反応させる。次いで４−ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン等の重合可能成分モノマー及び／又はクロロメチルスチレン等の分岐形成モノマーを再度添加し、重合させる。この操作を幾度となく繰り返すことにより、デンポリマー又はハイパーブランチポリマーを合成することができ、必要によりリビング重合を行うための保護基を脱保護してフェノール誘導体のデンポリマー又はハイパーブランチポリマーを得る。
上記分岐形成モノマーの例を下記に示す。
【００５９】
【化１６】

（Ｒ^４、Ｒ^５、ｘ、ｙは上記と同意。）
【００６０】
デンポリマー、パイパーブランチポリマーは具体的には下記概略式（８）〜（１２）で示される繰り返し単位を有するものを挙げることができる。
【００６１】
【化１７】

（式中、−−−−−−はフェノール誘導体のモノマーのポリマー鎖を示し、Ｋは上記分岐形成モノマーに由来する単位を表す。なお、点線の数がモノマーの数を示している訳ではない。）
【００６２】
上記フェノール誘導体のデンポリマーあるいはハイパーブランチポリマーを製造する方法としては、リビング重合中、重合可能成分と停止成分を有する化合物とを反応し、更に重合を進行させることにより合成できる。この操作を任意に繰り返すことにより、フェノール誘導体のデンポリマーあるいはハイパーブランチポリマーを製造することができる。リビング重合であればどの重合方法でも可能である。その中でも特に制御が容易な重合方法として、リビングアニオン重合が好ましく用いられる。これらは特開２０００−３４４８３６号公報を参考に合成することができる。
【００６３】
これらアルカリ可溶性高分子化合物の分子量は、重量平均分子量で３，０００〜１００，０００が好ましく、３，０００未満ではポリマーとしての能力として劣り、耐熱性が低く、成膜性が十分でない場合が多く、１００，０００を超えると分子量が大きすぎるため、現像液への溶解性、レジスト溶剤への溶解性等に問題を生じる。また、分散度は３．５以下、好ましくは１．５以下が好ましい。分散度が３．５より大きいと解像性が劣化する場合が多い。製造方法は特に限定されないが、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン等にはリビングアニオン重合を用いることで分散度の低い（狭分散性の）ポリマーを合成することができる。
【００６４】
本発明の上記一般式（１）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を用いたレジスト材料は、（Ａ）成分として、Ｃ−Ｏ−Ｃ結合（酸不安定基）を有し、酸の作用でＣ−Ｏ−Ｃ結合が切断することによりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂（特に上記アルカリ可溶性樹脂）を用いることが有効であり、特に上記式（２）の繰り返し単位を有し、そのフェノール性水酸基の水素原子が１種又は２種以上の酸不安定基によってフェノール性水酸基の水素原子全体の平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で置換されている重量平均分子量３，０００〜１００，０００の高分子化合物が好ましい。
【００６５】
あるいは、上記式（２’）の繰り返し単位を有する高分子化合物（ｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレンと、アクリル酸及び／又はメタクリル酸とを含むコポリマー）において、アクリル酸及び／又はメタクリル酸のカルボキシル基の水素原子が１種又は２種以上の酸不安定基により置換され、この高分子化合物中におけるアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルに基づく単位が平均０モル％を超え５０モル％以下の割合で含有されている高分子化合物が好ましく、更にｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスレンのフェノール性水酸基の水素原子の一部が１種又は２種以上の酸不安定基により置換されていてもよい。この場合、高分子化合物中のアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルと酸不安定基により置換されたｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスレンに基づく単位が平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で含有されている高分子化合物が好ましい。
【００６６】
あるいは、上記式（２’’）の繰り返し単位を有する高分子化合物（ｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレンと、置換及び／又は非置換インデンを含むコポリマー）において、ｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレンのフェノール性水酸基の水素原子の一部が１種又は２種以上の酸不安定基により置換され、及び／又はアクリル酸及び／又はメタクリル酸のカルボキシル基の水素原子が１種又は２種以上の酸不安定基により置換されている高分子化合物が好ましく、更に置換インデンが水酸基を含有している場合その水酸基の水素原子の一部が１種又は２種以上の酸不安定基により置換されていてもよい。この場合、高分子化合物中の酸不安定基により置換されたｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレンに基づく単位と酸不安定基により置換されたアクリル酸及び／又はメタクリル酸に基づく単位、酸不安定基により置換されたインデンに基づく単位が平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で含有されている高分子化合物が好ましい。
【００６７】
このような高分子化合物としては、下記一般式（２ａ）、（２ａ’）、（２ａ’’）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量３，０００〜１００，０００の高分子化合物が好ましい。
【００６８】
【化１８】

（式中、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数であり、ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。Ｒ^６は酸不安定基を示す。Ｓ及びＴは正の整数を示し、０＜Ｔ／（Ｓ＋Ｔ）≦０．８を満足する数である。Ｒ^６ａは水素原子又は酸不安定基であるが、少なくとも一部が酸不安定基である。Ｍ、Ｎは正の整数で、Ｌは０又は正の整数であり、０＜Ｎ／（Ｍ＋Ｎ＋Ｌ）≦０．５、及び０＜（Ｎ＋Ｌ）／（Ｍ＋Ｎ＋Ｌ）≦０．８を満足する数である。ｙｙは０又は正の整数であり、ｘ＋ｙｙ≦５を満足する。Ａ、Ｂは正の整数で、Ｃ、Ｄ、Ｅは０又は正の整数であり、０＜（Ｂ＋Ｅ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）≦０．５、及び０＜（Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）≦０．８を満足する数である。）
【００６９】
なお、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等を例示できる。
【００７０】
ここで、酸不安定基としてアルカリ可溶性樹脂のフェノール性水酸基の一部、カルボキシル基の一部あるいは全部をＣ−Ｏ−Ｃ結合で表される酸に不安定な置換基で保護する場合、酸不安定基としては、種々選定されるが、特に下記一般式（４）〜（７）で示される基、炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基、炭素数７〜２０のアリール基置換アルキル基等であることが好ましい。
【００７１】
【化１９】

【００７２】
式中、Ｒ^１０、Ｒ^１１は水素原子又は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等を例示できる。Ｒ^１２は炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の酸素原子等のヘテロ原子を有してもよい１価の炭化水素基を示し、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基等に置換されたものを挙げることができ、具体的には下記の置換アルキル基等が例示できる。
【００７３】
【化２０】

【００７４】
Ｒ^１０とＲ^１１、Ｒ^１０とＲ^１２、Ｒ^１１とＲ^１２とは互いに結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２はそれぞれ炭素数１〜１８、好ましくは１〜１０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
【００７５】
Ｒ^１３は炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上記一般式（４）で示される基を示し、三級アルキル基として具体的には、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１，１−ジエチルプロピル基、１−エチルシクロペンチル基、１−ブチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−ブチルシクロヘキシル基、１−エチル−２−シクロペンテニル基、１−エチル−２−シクロヘキセニル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、１−アダマンチル−１−メチル−エチル基等が挙げられ、トリアルキルシリル基として具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ジメチル−ｔｅｒｔ−ブチルシリル基等が挙げられ、オキソアルキル基として具体的には、３−オキソシクロヘキシル基、４−メチル−２−オキソオキサン−４−イル基、５−メチル−５−オキソオキソラン−４−イル基等が挙げられる。ｚは０〜６の整数である。
【００７６】
Ｒ^１４は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を示し、直鎖状、分岐状、環状のアルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基等を例示でき、置換されていてもよいアリール基として具体的にはフェニル基、メチルフェニル基、ナフチル基、アンスリル基、フェナンスリル基、ピレニル基等を例示できる。ｈは０又は１、ｉは０、１、２、３のいずれかであり、２ｈ＋ｉ＝２又は３を満足する数である。
【００７７】
Ｒ^１５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を示し、具体的にはＲ^１４と同様のものが例示できる。Ｒ^１６〜Ｒ^２５はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基を示し、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチルメチル基、シクロペンチルエチル基、シクロペンチルブチル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルブチル基等の直鎖状、分岐状、環状のアルキル基、これらの水素原子の一部が水酸基、アルコキシ基、カルボキシ基、アルコキシカルボニル基、オキソ基、アミノ基、アルキルアミノ基、シアノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、スルホ基等に置換されたものを例示できる。Ｒ^１６〜Ｒ^２５は互いに結合して環を形成していてもよく（例えば、Ｒ^１６とＲ^１７、Ｒ^１６とＲ^１８、Ｒ^１７とＲ^１９、Ｒ^１８とＲ^１９、Ｒ^２０とＲ^２１、Ｒ^２２とＲ^２３等）、その場合には炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基を示し、上記１価の炭化水素基で例示したものから水素原子を１個除いたもの等を例示できる。また、Ｒ^１６〜Ｒ^２５は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい（例えば、Ｒ^１６とＲ^１８、Ｒ^１８とＲ^２４、Ｒ^２２とＲ^２４等）。
【００７８】
上記式（４）で示される酸不安定基のうち直鎖状又は分岐状のものとしては、具体的には下記の基が例示できる。
【００７９】
【化２１】

【００８０】
【化２２】

【００８１】
上記式（４）で示される酸不安定基のうち環状のものとしては、具体的にはテトラヒドロフラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロフラン−２−イル基、テトラヒドロピラン−２−イル基、２−メチルテトラヒドロピラン−２−イル基等が例示できる。
【００８２】
上記式（５）の酸不安定基としては、具体的にはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミロキシカルボニルメチル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニル基、１，１−ジエチルプロピルオキシカルボニルメチル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニル基、１−エチルシクロペンチルオキシカルボニルメチル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニル基、１−エチル−２−シクロペンテニルオキシカルボニルメチル基、１−エトキシエトキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロピラニルオキシカルボニルメチル基、２−テトラヒドロフラニルオキシカルボニルメチル基等が例示できる。
【００８３】
上記式（６）の酸不安定基としては、具体的には１−メチルシクロペンチル、１−エチルシクロペンチル、１−ｎ−プロピルシクロペンチル、１−イソプロピルシクロペンチル、１−ｎ−ブチルシクロペンチル、１−ｓｅｃ−ブチルシクロペンチル、１−メチルシクロヘキシル、１−エチルシクロヘキシル、３−メチル−１−シクロペンテン−３−イル、３−エチル−１−シクロペンテン−３−イル、３−メチル−１−シクロヘキセン−３−イル、３−エチル−１−シクロヘキセン−３−イル、１−シクロへキシル−シクロペンチル等が例示できる。
上記式（７）の酸不安定基としては、具体的には下記の基が例示できる。
【００８４】
【化２３】

【００８５】
炭素数４〜２０、好ましくは４〜１５の三級アルキル基としては、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、３−エチル−３−ペンチル基、ジメチルベンジル基等が挙げられる。
【００８６】
各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基としてはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
【００８７】
炭素数４〜２０のオキソアルキル基としては、３−オキソシクロヘキシル基、下記式で示される基等が挙げられる。
【００８８】
【化２４】

【００８９】
炭素数７〜２０のアリール基置換アルキル基としては、ベンジル基、メチルベンジル基、ジメチルベンジル基、ジフェニルメチル基、１，１−ジフェニルエチル基等が挙げられる。
【００９０】
本発明のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を光酸発生剤として含むレジスト材料に用いられる酸の作用でアルカリ現像液への溶解性が変化する樹脂（Ａ）は、更にフェノール性水酸基の一部の水素原子が上記一般式（２）あるいは（２’）、（２’’）、（２’’’）で示される高分子化合物の繰り返し単位全体に対して平均０モル％を超え５０モル％以下の割合で下記一般式（３）で示されるＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子内及び／又は分子間で架橋されている樹脂とすることもできる。酸不安定基による架橋ポリマーの具体例及び合成は特開平１１−１９０９０４号公報を参考にすることができる。
【００９１】
【化２５】

（式中、Ｒ^７、Ｒ^８は水素原子又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。また、Ｒ^７とＲ^８は互いに結合して環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ^７、Ｒ^８はそれぞれ炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
Ｒ^９は炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示し、ｂは０又は１〜１０の整数である。ＡＡは、ａ価（ａは１、２又は３であることが好ましい）の炭素数１〜５０の脂肪族もしくは脂環式飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基又はヘテロ環基を示し、これらの基はヘテロ原子を介在していてもよく、また、その炭素原子に結合する水素原子の一部が水酸基、カルボキシル基、カルボニル基又はハロゲン原子によって置換されていてもよい。）
【００９２】
好ましくは、式（３）においてＲ^７がメチル基、Ｒ^８が水素原子、ａが１、ｂが０、ＡＡがエチレン、１，４−ブチレン又は１，４−シクロヘキシレンである。なお、これらＣ−Ｏ−Ｃ基を有する架橋基により分子間及び／又は分子内で架橋されている高分子化合物を得る際は、対応する非架橋の高分子化合物とアルケニルエーテルを酸触媒条件下常法により反応させることで合成できる。
【００９３】
また、酸触媒条件下で他の酸不安定基の分解が進行する場合には上記のアルケニルエーテルを塩酸等と反応させハロゲン化アルキルエーテルとした後、常法により塩基性条件下高分子化合物と反応させ、目的物を得ることができる。
【００９４】
ここで、アルケニルエーテルの具体例としては、エチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、１，２−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−プロパンジオールジビニルエーテル、１，３−ブタンジオールジビニルエーテル、１，４−ブタンジオールジビニルエーテル、ネオペンチルグリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、トリメチロールエタントリビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、１，４−シクロヘキサンジオールジビニルエーテル等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００９５】
本発明のレジスト材料において、（Ａ）成分の樹脂としては、上記した通りであるが、その酸不安定基として、フェノール性水酸基には１−エトキシエチル基、１−エトキシプロピル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、１−エチルシクロヘキシルオキシカルボニルメチル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチル基、更に式（３）のＲ^７がメチル基、Ｒ^８が水素原子、ｂが０、Ａがエチレン、１，４−ブチレン、１，４−シクロヘキシレンで示される置換基が好ましく用いられ、メタクリル酸／アクリル酸のカルボキシル基の水素原子にはｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、２−メチル−２−アダマンチル基、２−エチル−２−アダマンチル基、１−エチルシクロペンチル基、１−エチルシクロヘキシル基、１−シクロへキシルシクロペンチル基、１−エチルノルボルニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基で示される置換基で保護されていることが望ましい。
【００９６】
これら置換基は同一ポリマー内に単独でも２種以上存在していてもよい。なお、違う種類の置換基を有するポリマーのブレンドでもよい。
【００９７】
これら置換基のポリマー中のフェノール及びカルボキシル基に対する置換基率は任意であるが、レジスト材料として基板上に塗布したときの未露光部の溶解速度が０．０１〜１０Å／秒（オングストローム／秒）とすることが望ましい（２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）現像液を用いる場合）。
【００９８】
カルボキシル基の割合が多いポリマーを用いた場合にはアルカリ溶解速度を下げるため置換率を高くする、あるいは後述する非酸分解性の置換基を導入することが必要である。
【００９９】
分子内及び／又は分子間架橋の酸不安定基を導入する際には、架橋による置換基率を高分子化合物のフェノール性水酸基全体の２０モル％以下、好ましくは１０モル％以下にすることが好ましい。置換基率が高すぎる場合には架橋による高分子量化で溶解性、安定性、解像性に劣る場合がある。更に好ましくは１０モル％以下の置換率で、他の非架橋性の酸不安定基を架橋ポリマーに導入して溶解速度を上記範囲に調整することが好ましい。
【０１００】
ポリｐ−ヒドロキシスチレンを用いる場合には、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基のような溶解阻止性の強い置換基とアセタール系のような溶解阻止性の弱い置換基では最適な置換基率は異なるが、総置換率を高分子化合物全体のフェノール性水酸基に対して１０〜４０モル％、好ましくは２０〜３０モル％とすることが好ましい。
【０１０１】
これらの酸不安定基を導入したポリマーの好ましい分子量は、重量平均分子量で３，０００〜１００，０００が好ましく、３，０００未満ではポリマーとしての能力として劣り、耐熱性が低く、成膜性が十分でない場合が多く、１００，０００より大きいと、分子量が大きすぎるため、現像液への溶解性、レジスト溶剤への溶解性等に問題を生じる。
【０１０２】
非架橋系の酸不安定基を用いた場合には分散度は３．５以下、好ましくは１．５以下が好ましい。分散度が３．５より大きいと解像性が劣化する場合が多い。架橋系の酸不安定基を用いる場合には、原料のアルカリ可溶性樹脂の分散度が１．５以下であることが好ましく、架橋系の酸不安定基による保護化の後でも分散度が３以下であることが好ましい。分散度が３より高い場合には溶解性、塗布性、保存安定性、解像性に劣る場合が多い。
【０１０３】
また、種々の機能をもたせるため、上記酸不安定基保護化ポリマーのフェノール性水酸基、カルボキシル基の一部に置換基を導入してもよい。例えば、基板との密着性を向上するための置換基や、アルカリ現像液への溶解性を調整する非酸分解性基、エッチング耐性向上のための置換基が挙げられ、例えば２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、メトキシメチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、４−メチル−２−オキソ−４−オキソラニル基、４−メチル−２−オキソ−４−オキサニル基、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、アセチル基、ピバロイル基、アダマンチル基、イソボロニル基、シクロヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０４】
本発明のレジスト材料中における上記樹脂の添加量としては任意であるが、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して６５〜９９重量部、好ましくは７０〜９８重量部である。なお、上記固形分は、本発明のレジスト材料の溶剤以外の全ての成分の意である（以下、同様）。
【０１０５】
本発明の（Ｂ）成分として使用する上記一般式（１）、（１ａ）で表されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物の具体例は上述したとおりであるが、再び列記すると、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）マレイン酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ノルボルナン２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）フタル酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）ナフタレン−１，８−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−デシルベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（２−メチル−４−ｎ−オクチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０１０６】
この中でもＮ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２、３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ブチルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２、３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）コハク酸イミド、Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−５−ノルボルネン−２、３−ジカルボキシイミド、ｅｘｏ−Ｎ−（３，５−ジメチル−４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が好ましく用いられる。
【０１０７】
本発明の一般式（１）あるいは（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物のレジスト材料への添加量としては、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して１０重量部以下、好ましくは１〜５重量部である。上記範囲より少なすぎる場合には高分子化合物中の酸不安定基を脱保護するのに有効な酸量が得られない可能性があり、多すぎる場合にはレジスト膜の透過率を下げすぎて、矩形状のパターンが得られない上、レジスト保存中でのパーティクル異常、析出物の問題を起こす可能性がある。上記光酸発生剤、即ち（Ｂ）成分は単独でも２種以上混合して用いることができる。
【０１０８】
また、（Ｃ）成分の光酸発生剤として、本発明の上記一般式（１）及び（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物以外の光酸発生剤を添加する場合は、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでもかまわない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド型酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
【０１０９】
スルホニウム塩はスルホニウムカチオンとスルホネートの塩であり、スルホニウムカチオンとしてトリフェニルスルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、ビス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）フェニルスルホニウム、トリス（３，４−ジｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホニウム、ジフェニル（４−チオフェノキシフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）ジフェニルスルホニウム、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）スルホニウム、（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ビス（４−ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、トリス（４−ジメチルアミノフェニル）スルホニウム、２−ナフチルジフェニルスルホニウム、ジメチル−２−ナフチルスルホニウム、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウム、４−メトキシフェニルジメチルスルホニウム、ジメチルフェニルスルホニウム、ジフェニルメチルスルホニウム、２−オキソ−２−フェニルエチルチアシクロペンタニウム、トリメチルスルホニウム、２−オキソシクロヘキシルシクロヘキシルメチルスルホニウム、トリナフチルスルホニウム、トリベンジルスルホニウム等が挙げられ、スルホネートとしては、トリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、４−（４’−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられ、これらの組み合わせのスルホニウム塩が挙げられる。
【０１１０】
ヨードニウム塩はヨードニウムカチオンとスルホネートの塩であり、ジフェニルヨードニウム、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルフェニルヨードニウム、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム等のアリールヨードニウムカチオンとスルホネートとしてトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、４−（４−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられ、これらの組み合わせのヨードニウム塩が挙げられる。
【０１１１】
スルホニルジアゾメタンとしては、ビス（エチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２−メチルプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチルエチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（パーフルオロイソプロピルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２−ナフチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−アセチルオキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−メタンスルホニルオキシフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−（４−トルエンスルホニルオキシ）フェニルスルホニル）ジアゾメタン、４−メチルフェニルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニル−４−メチルフェニルスルホニルジアゾメタン、２−ナフチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、４−メチルフェニルスルホニル−２−ナフトイルジアゾメタン、メチルスルホニルベンゾイルジアゾメタン、ｔｅｒｔブトキシカルボニル−４−メチルフェニルスルホニルジアゾメタン等のビススルホニルジアゾメタンとスルホニルカルボニルジアゾメタンが挙げられる。
【０１１２】
Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミド型光酸発生剤としては、コハク酸イミド、ナフタレンジカルボキシイミド、フタル酸イミド、シクロヘキシルジカルボキシイミド、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド、７−オキサビシクロ［２．２．１］−５−ヘプテン−２，３−ジカルボキシイミド等のイミド骨格とトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、メシチレンスルホネート、２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等の組み合わせの化合物が挙げられる。
【０１１３】
ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、ベンゾイントシレート、ベンゾインメシレート、ベンゾインブタンスルホネート等が挙げられる。
【０１１４】
ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、ピロガロール、フロログリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノンのヒドロキシル基の全てをトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等で置換した化合物が挙げられる。
【０１１５】
ニトロベンジルスルホネート型光酸発生剤としては、２，４−ジニトロベンジルスルホネート、２−ニトロベンジルスルホネート、２，６−ジニトロベンジルスルホネートが挙げられ、スルホネートとしては、具体的にトリフルオロメタンスルホネート、ノナフルオロブタンスルホネート、ヘプタデカフルオロオクタンスルホネート、２，２，２−トリフルオロエタンスルホネート、ペンタフルオロベンゼンスルホネート、４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−フルオロベンゼンスルホネート、トルエンスルホネート、ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等が挙げられる。またベンジル側のニトロ基をトリフルオロメチル基で置き換えた化合物も同様に用いることができる。
【０１１６】
スルホン型光酸発生剤の例としては、ビス（フェニルスルホニル）メタン、ビス（４−メチルフェニルスルホニル）メタン、ビス（２−ナフチルスルホニル）メタン、２，２−ビス（フェニルスルホニル）プロパン、２，２−ビス（４−メチルフェニルスルホニル）プロパン、２，２−ビス（２−ナフチルスルホニル）プロパン、２−メチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロピオフェノン、２−（シクロヘキシルカルボニル）−２−（ｐ−トルエンスルホニル）プロパン、２，４−ジメチル−２−（ｐ−トルエンスルホニル）ペンタン−３−オン等が挙げられる。
【０１１７】
グリオキシム誘導体型の光酸発生剤の例としては、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−トルエンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジフェニルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−α−ジシクロヘキシルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２，３−ペンタンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（ｎ−ブタンスルホニル）−２−メチル−３，４−ペンタンジオングリオキシム、ビス−Ｏ−（メタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（トリフルオロメタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（１，１，１−トリフルオロエタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｔｅｒｔ−ブタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（パーフルオロオクタンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（シクロヘキシルスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−フルオロベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（キシレンスルホニル）−α−ジメチルグリオキシム、ビス−Ｏ−（カンファースルホニル）−α−ジメチルグリオキシム等が挙げられる。
【０１１８】
あるいは米国特許第６００４７２４号明細書、米国特許第６２６１７３８号明細書、特開平９−９５４７９号公報、特開平９−２０８５５４号公報、特開平９−２３０５８８号公報、特許第２９０６９９９号公報、特開平９−３０１９４８号公報、特開２０００−３１４９５６号公報、特開２００１−２３３８４２号公報に記載の化合物が挙げられる。
【０１１９】
中でも好ましく用いられる光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミドである。　中でも好ましく用いられる光酸発生剤としては、スルホニウム塩、ビススルホニルジアゾメタン、Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミドである。具体的にはトリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムカンファースルホネート、トリフェニルスルホニウムペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム４−（４’−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２，４，６−トリイソプロピルベンゼンスルホネート、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウムカンファースルホネート、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニルジフェニルスルホニウム４−（４’−トルエンスルホニルオキシ）ベンゼンスルホネート、トリス（４−メチルフェニル）スルホニウム、カンファースルホネート、トリス（４−ｔｅｒｔブチルフェニル）スルホニウムカンファースルホネート、ビス（ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（シクロへキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、Ｎ−カンファースルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２、３−カルボン酸イミド、Ｎ−ｐ−トルエンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２、３−カルボン酸イミド等が挙げられる。
【０１２０】
本発明のレジスト材料における一般式（１）、（１ａ）で示される以外の光酸発生剤（Ｃ）の添加量は、本発明のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物の効果を妨げない範囲であればいずれでもよいが、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して０〜１０重量部、好ましくは０〜５重量部である。光酸発生剤（Ｃ）の割合が多すぎる場合には解像性の劣化や、現像／レジスト剥離時の異物の問題が起きる可能性がある。上記光酸発生剤（Ｃ）は単独でも２種以上混合して用いることができる。更に露光波長における透過率が低い光酸発生剤を用い、その添加量でレジスト膜中の透過率を制御することもできる。
【０１２１】
また、本発明のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を光酸発生剤として用いるレジスト材料に、酸により分解し酸を発生する化合物（酸増殖化合物）を添加してもよい。これらの化合物についてはＪ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．　ａｎｄ　Ｔｅｃｈ．，８．４３−４４，４５−４６（１９９５）、Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．　ａｎｄ　Ｔｅｃｈ．，９．２９−３０（１９９６）において記載されている。
【０１２２】
酸増殖化合物の例としては、ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチル−２−トシロキシメチルアセトアセテート、２−フェニル２−（２−トシロキシエチル）−１，３−ジオキソラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。公知の光酸発生剤の中で安定性、特に熱安定性に劣る化合物は酸増殖化合物的な性質を示す場合が多い。
【０１２３】
本発明のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を光酸発生剤として用いるレジスト材料における酸増殖化合物の添加量としては、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。添加量が多すぎる場合は拡散の制御が難しく解像性の劣化、パターン形状の劣化が起こる。
【０１２４】
（Ｄ）成分の塩基性化合物は、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適しており、このような塩基性化合物の配合により、レジスト膜中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制したり、基板や環境依存性を少なくし、露光余裕度やパターンプロファイル等を向上することができる。
【０１２５】
このような塩基性化合物としては、第一級、第二級、第三級の脂肪族アミン類、混成アミン類、芳香族アミン類、複素環アミン類、カルボキシ基を有する含窒素化合物、スルホニル基を有する含窒素化合物、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等が挙げられる。
【０１２６】
具体的には、第一級の脂肪族アミン類として、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ペンチルアミン、ｔｅｒｔ−アミルアミン、シクロペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、セチルアミン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、テトラエチレンペンタミン等が例示され、第二級の脂肪族アミン類として、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、ジイソブチルアミン、ジ−ｓｅｃ−ブチルアミン、ジペンチルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、ジドデシルアミン、ジセチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルテトラエチレンペンタミン等が例示され、第三級の脂肪族アミン類として、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリイソブチルアミン、トリ−ｓｅｃ−ブチルアミン、トリペンチルアミン、トリシクロペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、トリドデシルアミン、トリセチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルテトラエチレンペンタミン等が例示される。
【０１２７】
また、混成アミン類としては、例えばジメチルエチルアミン、メチルエチルプロピルアミン、ベンジルアミン、フェネチルアミン、ベンジルジメチルアミン等が例示される。芳香族アミン類及び複素環アミン類の具体例としては、アニリン誘導体（例えばアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ−エチルアニリン、Ｎ−プロピルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、エチルアニリン、プロピルアニリン、トリメチルアニリン、２−ニトロアニリン、３−ニトロアニリン、４−ニトロアニリン、２，４−ジニトロアニリン、２，６−ジニトロアニリン、３，５−ジニトロアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルトルイジン等）、ジフェニル（ｐ−トリル）アミン、メチルジフェニルアミン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、ナフチルアミン、ジアミノナフタレン、ピロール誘導体（例えばピロール、２Ｈ−ピロール、１−メチルピロール、２，４−ジメチルピロール、２，５−ジメチルピロール、Ｎ−メチルピロール等）、オキサゾール誘導体（例えばオキサゾール、イソオキサゾール等）、チアゾール誘導体（例えばチアゾール、イソチアゾール等）、イミダゾール誘導体（例えばイミダゾール、４−メチルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等）、ピラゾール誘導体、フラザン誘導体、ピロリン誘導体（例えばピロリン、２−メチル−１−ピロリン等）、ピロリジン誘導体（例えばピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピロリジノン、Ｎ−メチルピロリドン等）、イミダゾリン誘導体、イミダゾリジン誘導体、ピリジン誘導体（例えばピリジン、メチルピリジン、エチルピリジン、プロピルピリジン、ブチルピリジン、４−（１−ブチルペンチル）ピリジン、ジメチルピリジン、トリメチルピリジン、トリエチルピリジン、フェニルピリジン、３−メチル−２−フェニルピリジン、４−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン、ジフェニルピリジン、ベンジルピリジン、メトキシピリジン、ブトキシピリジン、ジメトキシピリジン、１−メチル−２−ピリジン、４−ピロリジノピリジン、１−メチル−４−フェニルピリジン、２−（１−エチルプロピル）ピリジン、アミノピリジン、ジメチルアミノピリジン等）、ピリダジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾリジン誘導体、ピペリジン誘導体、ピペラジン誘導体、モルホリン誘導体、インドール誘導体、イソインドール誘導体、１Ｈ−インダゾール誘導体、インドリン誘導体、キノリン誘導体（例えばキノリン、３−キノリンカルボニトリル等）、イソキノリン誘導体、シンノリン誘導体、キナゾリン誘導体、キノキサリン誘導体、フタラジン誘導体、プリン誘導体、プテリジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントリジン誘導体、アクリジン誘導体、フェナジン誘導体、１，１０−フェナントロリン誘導体、アデニン誘導体、アデノシン誘導体、グアニン誘導体、グアノシン誘導体、ウラシル誘導体、ウリジン誘導体等が例示される。
【０１２８】
更に、カルボキシ基を有する含窒素化合物としては、例えばアミノ安息香酸、インドールカルボン酸、アミノ酸誘導体（例えばニコチン酸、アラニン、アルギニン、アスパラギン酸、グルタミン酸、グリシン、ヒスチジン、イソロイシン、グリシルロイシン、ロイシン、メチオニン、フェニルアラニン、スレオニン、リジン、３−アミノピラジン−２−カルボン酸、メトキシアラニン等）などが例示され、スルホニル基を有する含窒素化合物として３−ピリジンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等が例示され、水酸基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフェニル基を有する含窒素化合物、アルコール性含窒素化合物としては、２−ヒドロキシピリジン、アミノクレゾール、２，４−キノリンジオール、３−インドールメタノールヒドレート、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２，２’−イミノジエタノール、２−アミノエタノ−ル、３−アミノ−１−プロパノール、４−アミノ−１−ブタノール、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、２−（２−ヒドロキシエチル）ピリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）ピペラジン、１−［２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチル］ピペラジン、ピペリジンエタノール、１−（２−ヒドロキシエチル）ピロリジン、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジノン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、８−ヒドロキシユロリジン、３−クイヌクリジノール、３−トロパノール、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−アジリジンエタノール、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）フタルイミド、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）イソニコチンアミド等が例示される。アミド誘導体としては、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド等が例示される。イミド誘導体としては、フタルイミド、サクシンイミド、マレイミド等が例示される。
【０１２９】
更に、下記一般式（Ｄ１）で示される塩基性化合物から選ばれる１種又は２種以上を配合することもできる。
Ｎ（Ｘ’）_ｗ（Ｙ）_３−ｗ　　　（Ｄ１）
（式中、ｗ＝１、２又は３である。Ｙは各々独立に水素原子又は直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２０のアルキル基を示し、水酸基又はエーテル構造を含んでもよい。Ｘ’は各々独立に下記一般式（Ｘ’１）〜（Ｘ’３）で表される基を示し、２個又は３個のＸ’が結合して環を形成してもよい。）
【０１３０】
【化２６】

（式中Ｒ^３００、Ｒ^３０２、Ｒ^３０５は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。Ｒ^３０１、Ｒ^３０４、Ｒ^３０６は水素原子、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基を示し、ヒドロキシ基、エーテル構造、エステル構造又はラクトン環を１個又は複数個含んでいてもよい。Ｒ^３０３は単結合又は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。）
【０１３１】
上記一般式（Ｄ１）で示される塩基性化合物として具体的には、トリス（２−メトキシメトキシエチル）アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（２−メトキシエトキシメトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−メトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシエトキシ）エチル｝アミン、トリス｛２−（１−エトキシプロポキシ）エチル｝アミン、トリス［２−｛２−（２−ヒドロキシエトキシ）エトキシ｝エチル］アミン、４，７，１３，１６，２１，２４−ヘキサオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．８．８］ヘキサコサン、４，７，１３，１８−テトラオキサ−１，１０−ジアザビシクロ［８．５．５］エイコサン、１，４，１０，１３−テトラオキサ−７，１６−ジアザビシクロオクタデカン、１−アザ−１２−クラウン−４、１−アザ−１５−クラウン−５、１−アザ−１８−クラウン−６、トリス（２−フォルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−ホルミルオキシエチル）アミン、トリス（２−アセトキシエチル）アミン、トリス（２−プロピオニルオキシエチル）アミン、トリス（２−ブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２−イソブチリルオキシエチル）アミン、トリス（２−バレリルオキシエチル）アミン、トリス（２−ピバロイルオキシキシエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（アセトキシアセトキシ）エチルアミン、トリス（２−メトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス（２−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシエチル）アミン、トリス［２−（２−オキソプロポキシ）エチル］アミン、トリス［２−（メトキシカルボニルメチル）オキシエチル］アミン、トリス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス［２−（シクロヘキシルオキシカルボニルメチルオキシ）エチル］アミン、トリス（２−メトキシカルボニルエチル）アミン、トリス（２−エトキシカルボニルエチル）アミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（エトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−ヒドロキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−アセトキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（メトキシカルボニル）メトキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（２−オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（２−オキソプロポキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−（テトラヒドロフルフリルオキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）２−［（２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル）オキシカルボニル］エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）２−（４−ヒドロキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（４−ホルミルオキシブトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）２−（２−ホルミルオキシエトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）２−（メトキシカルボニル）エチルアミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−アセトキシエチル）ビス［２−（エトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−（２−メトキシエチル）ビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（メトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−ブチルビス［２−（２−メトキシエトキシカルボニル）エチル］アミン、Ｎ−メチルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビス（２−アセトキシエチル）アミン、Ｎ−メチルビス（２−ピバロイルオキシキシエチル）アミン、Ｎ−エチルビス［２−（メトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、Ｎ−エチルビス［２−（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ）エチル］アミン、トリス（メトキシカルボニルメチル）アミン、トリス（エトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ−ブチルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、Ｎ−ヘキシルビス（メトキシカルボニルメチル）アミン、β−（ジエチルアミノ）−δ−バレロラクトン等が例示できる。
【０１３２】
更に、下記一般式（Ｄ２）で示される環状構造を有する塩基性化合物から選ばれる１種又は２種以上を配合することもできる。
【化２７】

（式中、Ｘ’は上記と同様である。Ｒ^３０７は炭素数２〜２０の直鎖状、分岐状のアルキレン基であり、カルボニル基、エーテル構造、エステル構造又はスルフィド構造を１個あるいは複数個含んでいてもよい。）
【０１３３】
上記一般式（Ｄ２）で示される環状構造を有する塩基性化合物として具体的には、１−［２−（メトキシメトキシ）エチル］ピロリジン、１−［２−（メトキシメトキシ）エチル］ピペリジン、４−［２−（メトキシメトキシ）エチル］モルホリン、１−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］ピロリジン、１−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］ピペリジン、４−［２−［（２−メトキシエトキシ）メトキシ］エチル］モルホリン、酢酸２−（１−ピロリジニル）エチル、酢酸２−ピペリジノエチル、酢酸２−モルホリノエチル、ギ酸２−（１−ピロリジニル）エチル、プロピオン酸２−ピペリジノエチル、アセトキシ酢酸２−モルホリノエチル、メトキシ酢酸２−（１−ピロリジニル）エチル、４−［２−（メトキシカルボニルオキシ）エチル］モルホリン、１−［２−（ｔ−ブトキシカルボニルオキシ）エチル］ピペリジン、４−［２−（２−メトキシエトキシカルボニルオキシ）エチル］モルホリン、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸メチル、３−ピペリジノプロピオン酸メチル、３−モルホリノプロピオン酸メチル、３−（チオモルホリノ）プロピオン酸メチル、２−メチル−３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸メチル、３−モルホリノプロピオン酸エチル、３−ピペリジノプロピオン酸メトキシカルボニルメチル、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸２−ヒドロキシエチル、３−モルホリノプロピオン酸２−アセトキシエチル、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸２−オキソテトラヒドロフラン−３−イル、３−モルホリノプロピオン酸テトラヒドロフルフリル、３−ピペリジノプロピオン酸グリシジル、３−モルホリノプロピオン酸２−メトキシエチル、３−（１−ピロリジニル）プロピオン酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル、３−モルホリノプロピオン酸ブチル、３−ピペリジノプロピオン酸シクロヘキシル、α−（１−ピロリジニル）メチル−γ−ブチロラクトン、β−ピペリジノ−γ−ブチロラクトン、β−モルホリノ−δ−バレロラクトン、１−ピロリジニル酢酸メチル、ピペリジノ酢酸メチル、モルホリノ酢酸メチル、チオモルホリノ酢酸メチル、１−ピロリジニル酢酸エチル、モルホリノ酢酸２−メトキシエチル等が例示できる。
【０１３４】
更に、下記一般式（Ｄ３）〜（Ｄ６）で示されるシアノ基を有する塩基性化合物から選ばれる１種又は２種以上を配合することもできる。
【化２８】

（式中、Ｘ’、Ｒ^３０７、ｗは上記と同様である。Ｒ^３０８、Ｒ^３０９は各々独立に炭素数１〜４の直鎖状、分岐状のアルキレン基である。）
【０１３５】
上記一般式（Ｄ３）〜（Ｄ６）で示されるシアノ基を有する塩基性化合物として具体的には、具体的には３−（ジエチルアミノ）プロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−エチル−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）−Ｎ−（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−（３−ホルミルオキシ−１−プロピル）−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ−（２−シアノエチル）−Ｎ−テトラヒドロフルフリル−３−アミノプロピオノニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−シアノエチル）−３−アミノプロピオノニトリル、ジエチルアミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−シアノメチル−３−アミノプロピオン酸メチル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−（２−アセトキシエチル）−Ｎ−（シアノメチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−ホルミルオキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（２−メトキシエチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−［２−（メトキシメトキシ）エチル］アミノアセトニトリル、Ｎ−（シアノメチル）−Ｎ−（３−ヒドロキシ−１−プロピル）アミノアセトニトリル、Ｎ−（３−アセトキシ−１−プロピル）−Ｎ−（シアノメチル）アミノアセトニトリル、Ｎ−シアノメチル−Ｎ−（３−ホルミルオキシ−１−プロピル）アミノアセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ビス（シアノメチル）アミノアセトニトリル、１−ピロリジンプロピオノニトリル、１−ピペリジンプロピオノニトリル、４−モルホリンプロピオノニトリル、１−ピロリジンアセトニトリル、１−ピペリジンアセトニトリル、４−モルホリンアセトニトリル、３−ジエチルアミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオン酸シアノメチル、３−ジエチルアミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−アセトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ホルミルオキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス（２−メトキシエチル）−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、Ｎ，Ｎ−ビス［２−（メトキシメトキシ）エチル］−３−アミノプロピオン酸（２−シアノエチル）、１−ピロリジンプロピオン酸シアノメチル、１−ピペリジンプロピオン酸シアノメチル、４−モルホリンプロピオン酸シアノメチル、１−ピロリジンプロピオン酸（２−シアノエチル）、１−ピペリジンプロピオン酸（２−シアノエチル）、４−モルホリンプロピオン酸（２−シアノエチル）等が例示できる。
【０１３６】
なお、塩基性化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して０〜２重量部、特に０．０１〜１重量部を混合したものが好適である。配合量が２重量部を超えると感度が低下しすぎる場合がある。
【０１３７】
（Ｅ）成分である有機酸誘導体の例としては、特に限定されるものではないが、具体的にフェノール、クレゾール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、フロログリシン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ヒドロキシフェニル酢酸、３−ヒドロキシフェニル酢酸、２−ヒドロキシフェニル酢酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（２−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、２，５−ジヒドロキシフェニル酢酸、３，４−ジヒドロキシフェニル酢酸、１，２−フェニレン二酢酸、１，３−フェニレン二酢酸、１，４−フェニレン二酢酸、１，２−フェニレンジオキシ二酢酸、１，４−フェニレンジプロパン酸、安息香酸、サリチル酸、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル酢酸、４−（４−ヒドロキシフェニル）酪酸、３，４−ジヒドロキシマンデル酸、４−ヒドロキシマンデル酸等が挙げられ、中でもサリチル酸、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸が好適である。これらは単独あるいは２種以上の組み合わせで用いることができる。
【０１３８】
本発明のレジスト材料中の有機酸誘導体の添加量としては、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して５重量部以下、好ましくは１重量部以下である。添加量が５重量部より多い場合は解像性を劣化させる可能性がある。なお、レジスト中の組成の組み合わせによりこの有機酸誘導体は添加されなくてもよい。
【０１３９】
（Ｆ）成分の有機溶剤としては、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸３−メトキシブチル、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、３−エトキシエチルプロピオネート、３−エトキシメチルプロピオネート、３−メトキシメチルプロピオネート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコール、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、γブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、テトラメチレンスルホン等が挙げられるが、これに限定されるものではない。特に好ましいものは、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、乳酸アルキルエステルである。これらの溶剤は単独又は２種以上混合してもよい。好ましい混合溶剤の例はプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルである。なお、本発明におけるプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートのアルキル基は炭素数１〜４のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられるが、中でもメチル基、エチル基が好適である。また、このプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートには１，２置換体と１，３置換体があり、置換位置の組み合わせで３種の異性体があるが、単独あるいは混合いずれの場合でもよい。
【０１４０】
また、上記の乳酸アルキルエステルのアルキル基は炭素数１〜４のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられるが、中でもメチル基、エチル基が好適である。
【０１４１】
溶剤としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを添加する際には全溶剤に対して５０重量％以上とすることが好ましく、乳酸アルキルエステルを添加する際には全溶剤に対して５０重量％以上とすることが好ましい。また、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルの混合溶剤を溶剤として用いる際には、その合計量が全溶剤に対して５０重量％以上であることが好ましい。この場合、更に好ましくは、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートを６０〜９５重量％、乳酸アルキルエステルを５〜４０重量％の割合とすることが好ましい。プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートが少ないと、塗布性劣化等の問題があり、多すぎると溶解性不十分、パーティクル、異物の発生の問題がある。乳酸アルキルエステルが少ないと溶解性不十分、パーティクル、異物の増加等の問題があり、多すぎると粘度が高くなり塗布性が悪くなる上、保存安定性の劣化等の問題がある。
【０１４２】
これら溶剤の添加量は、レジスト材料の固形分１００重量部に対して３００〜２，０００重量部、好ましくは４００〜１，０００重量部であるが、既存の成膜方法で可能な濃度であればこれに限定されるものではない。
【０１４３】
（Ｇ）成分の酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が変化する分子量３０００以下の化合物（溶解阻止剤）としては、２，５００以下の低分子量のフェノールあるいはカルボン酸誘導体の一部あるいは全部を酸に不安定な置換基で置換した化合物を添加することもできる。
【０１４４】
分子量２，５００以下のフェノールあるいはカルボン酸誘導体としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＨ、ビスフェノールＳ、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、フェノールフタレイン、チモールフタレイン等が挙げられ、酸に不安定な置換基としては上記ポリマーの酸不安定基として例示したものを再び挙げることができる。
【０１４５】
好適に用いられる溶解阻止剤の例としては、ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、ビス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ））プロパン、２，２−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）プロパン、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、４，４−ビス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、４，４−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、４，４−ビス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシエトキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、４，４−ビス（４’−（１’’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）吉草酸ｔｅｒｔブチル、トリス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（２’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）メタン、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシメチルフェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）メタン、トリス（４−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）メタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（２’’−テトラヒドロフラニルオキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルメチルオキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシエトキシ）フェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−（１’−エトキシプロピルオキシ）フェニル）エタン等が挙げられる。
【０１４６】
本発明の一般式（１）、（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物を光酸発生剤として用いるレジスト材料中の溶解阻止剤（Ｇ）の添加量としては、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して２０重量部以下、好ましくは１５重量部以下である。２０重量部より多いとモノマー成分が増えるためレジスト材料の耐熱性が低下する。
【０１４７】
本発明の一般式（１）、（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物は、化学増幅ネガ型レジスト材料の光酸発生剤としても用いることができ、（Ｈ）成分のアルカリ可溶性樹脂の例として限定されるわけではないが、上記（Ａ）成分の中間体を挙げることができる。例えば、ポリｐ−ヒドロキシスチレン、ポリｍ−ヒドロキシスチレン、ポリ４−ヒドロキシ２−メチルスチレン、ポリ４−ヒドロキシ−３−メチルスチレン、ポリα−メチルｐ−ヒドロキシスチレン、部分水素加ポリｐ−ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−α−メチルｐ−ヒドロキシスチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−α−メチルスチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−ｍ−ヒドロキシスチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−メチルメタクリレート）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メチルアクリレート）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−メチルメタクリレート）コポリマー、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸、ポリ（アクリル酸−メチルアクリレート）コポリマー、ポリ（メタクリル酸−メチルメタクリレート）コポリマー、ポリ（アクリル酸−マレイミド）コポリマー、ポリ（メタクリル酸−マレイミド）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸−マレイミド）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸−マレイミド）コポリマー等が挙げられるが、これらの組み合わせに限定されるものではない。
【０１４８】
好ましくは、ポリｐ−ヒドロキシスチレン、部分水素添加ポリｐ−ヒドロキシスチレンコポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−スチレン）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−アクリル酸）コポリマー、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン−メタクリル酸）コポリマーが挙げられる。
【０１４９】
特に下記単位（２）、（２’）、（２’’）、（２’’’）を含有するアルカリ可溶性樹脂が好ましい。
【０１５０】
【化２９】

（式中、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数、ｙｙは０又は正の整数であり、ｘ＋ｙ≦５、ｘ＋ｙｙ≦５を満足する数である。Ｍ、Ｎは正の整数で、０＜Ｎ／（Ｍ＋Ｎ）≦０．５を満足する数である。Ａ、Ｂは正の整数、Ｃは０又は正の整数で、０＜Ｂ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）≦０．５を満足する数である。ＺＺはＣＨ_２、ＣＨ（ＯＨ）、ＣＲ^５（ＯＨ）、Ｃ＝Ｏ、Ｃ（ＯＲ^５）（ＯＨ）から選ばれる２価の有機基、あるいは−Ｃ（ＯＨ）＝で表される３価の有機基を示す。Ｆはそれぞれ異なっても同一でもよく正の整数、Ｈは正の整数であり、Ｈ／（Ｈ＋Ｆ）＝０．００１〜０．１を満足する数である。ＸＸは１あるいは２である。）
【０１５１】
分子量は重量平均分子量で３，０００〜１００，０００が好ましく、３，０００未満ではポリマーとしての能力として劣り、耐熱性が低く、成膜性が十分でない場合が多く、１００，０００を超えると分子量が大きすぎるため、現像液への溶解性、レジスト溶剤への溶解性等に問題を生じる。また、分散度は３．５以下、好ましくは１．５以下が好ましい。分散度が３．５より大きいと解像性が劣化する場合が多い。製造方法には特に限定されないが、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン等にはリビングアニオン重合を用いることで分散性の低い（狭分散性の）ポリマーを合成することができる。
【０１５２】
また、種々の機能をもたせるため、上記酸不安定基保護化ポリマーのフェノール性水酸基、カルボキシル基の一部に置換基を導入してもよい。例えば、基板との密着性を向上するための置換基やエッチング耐性向上のための置換基、特に未露光部、低露光部のアルカリ現像液への溶解速度が高すぎないように制御するため酸やアルカリに比較的安定な置換基を導入することが好ましい。置換基の例として例えば２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、メトキシメチル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、４−メチル−２−オキソ−４−オキソラニル基、４−メチル−２−オキソ−４−オキサニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、アセチル基、ピバロイル基、アダマンチル基、イソボロニル基、シクロヘキシル基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、酸分解性の置換基例えば、ｔ−ブトキシカルボニル基や、ｔ−ブチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメチル基等の比較的酸分解しにくい置換基を導入することできる。
【０１５３】
本発明のレジスト材料中における上記樹脂の添加量としては任意であるが、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して６５〜９９重量部、好ましくは７０〜９８重量部である。
【０１５４】
また、（Ｉ）成分の酸の作用により架橋構造を形成する酸架橋剤として、分子内に２個以上のヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、エポキシ基又はビニルエーテル基を有する化合物が挙げられ、置換グリコウリル誘導体、尿素誘導体、ヘキサ（メトキシメチル）メラミン等が本発明のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミドを用いた化学増幅ネガ型レジスト材料の酸架橋剤として好適に用いられる。例えば、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメトキシメチル尿素とヘキサメトキシメチルメラミン、テトラヒドロキシメチル置換グリコールウリル類及びテトラメトキシメチルグリコールウリルのようなテトラアルコキシメチル置換グリコールウリル類、置換及び未置換ビス−ヒドロキシメチルフェノール類、ビスフェノールＡ等のフェノール性化合物とエピクロロヒドリン等の縮合物が挙げられる。特に好適な架橋剤は、１，３，５，７−テトラメトキシメチルグリコールウリルなどの１，３，５，７−テトラアルコキシメチルグリコールウリル又は１，３，５，７−テトラヒドロキシメチルグリコールウリル、２，６−ジヒドロキシメチルｐ−クレゾール、２，６−ジヒドロキシメチルフェノール、２，２’，６，６’−テトラヒドロキシメチル−ビスフェノールＡ及び１，４−ビス−［２−（２−ヒドロキシプロピル）］−ベンゼン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメトキシメチル尿素とヘキサメトキシメチルメラミン等が挙げられる。添加量は任意であるが、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して１〜２０重量部、好ましくは５〜１５重量部である。これら架橋剤は単独でも２種以上を併用してもよい。
【０１５５】
また、（Ｊ）成分の分子量２，５００以下のアルカリ可溶性化合物としては特に限定されるわけではないが、フェノール基及び／又はカルボキシル基を２つ以上持つものが好ましい。具体的にはクレゾール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、フロログリシン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、１，１，１−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１，２−トリス（４’−ヒドロキシフェニル）エタン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ヒドロキシフェニル酢酸、３−ヒドロキシフェニル酢酸、２−ヒドロキシフェニル酢酸、３−（４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、３−（２−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸、２，５−ジヒドロキシフェニル酢酸、３，４−ジヒドロキシフェニル酢酸、１，２−フェニレン二酢酸、１，３−フェニレン二酢酸、１，４−フェニレン二酢酸、１，２−フェニレンジオキシ二酢酸、１，４−フェニレンジプロパン酸、安息香酸、サリチル酸、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸、４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル酢酸、４−（４ーヒドロキシフェニル）酪酸、３，４−ジヒドロキシマンデル酸、４−ヒドロキシマンデル酸等が挙げられ、中でもサリチル酸、４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸が好適である。これらは単独あるいは２種以上の組み合わせで用いることができる。添加量は任意であるが、レジスト材料中の固形分１００重量部に対して０〜２０重量部、好ましくは２〜１０重量部である。
【０１５６】
本発明のレジスト材料中には、塗布性を向上させるための界面活性剤、基板からの乱反射を少なくするための吸光性材料などの添加剤を加えることができる。
【０１５７】
界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステリアルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（トーケムプロダクツ）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（大日本インキ化学工業）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友スリーエム）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８１，Ｓ−３８２，ＳＣ１０１，ＳＣ１０２，ＳＣ１０３，ＳＣ１０４，ＳＣ１０５，ＳＣ１０６、サーフィノールＥ１００４、ＫＨ−１０、ＫＨ−２０、ＫＨ−３０、ＫＨ−４０（旭硝子）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１，Ｘ−７０−０９２，Ｘ−７０−０９３（信越化学工業）、アクリル酸系、又はメタクリル酸系ポリフローＮｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業）が挙げられ、中でもＦＣ４３０、サーフロンＳ−３８１、サーフィノールＥ１００４、ＫＨ−２０、ＫＨ−３０が好適である。これらは単独あるいは２種以上の組み合わせで用いることができる。
【０１５８】
本発明のレジスト材料中の界面活性剤の添加量としては、レジスト材料組成物中の固形分１００重量部に対して２重量部以下、好ましくは１重量部以下である。
【０１５９】
更に、本発明のレジスト材料には紫外線吸収剤を配合することができる。特に限定されるわけではないが、特開平１１−１９０９０４号公報記載のものを用いることができ、好ましくはビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホキシド、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）スルホキシド、ビス［４−（１−エトキシエトキシ）フェニル］スルホキシド等のジアリールスルホキシド誘導体、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）スルホン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシフェニル）スルホン、ビス［４−（１−エトキシエトキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（１−エトキシプロポキシ）フェニル］スルホン等のジアリールスルホン誘導体、ベンゾキノンジアジド、ナフトキノンジアジド、アントラキノンジアジド、ジアゾフルオレン、ジアゾテトラロン、ジアゾフェナントロン等のジアゾ化合物、ナフトキノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸クロリドと２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノンとの完全もしくは部分エステル化合物、ナフトキノン−１，２−ジアジド−４−スルホン酸クロリドと２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノンとの完全もしくは部分エステル化合物等のキノンジアジド基含有化合物等、９−アントラセンカルボン酸ｔｅｒｔ−ブチル、９−アントラセンカルボン酸ｔｅｒｔ−アミル、９−アントラセンカルボン酸ｔｅｒｔ−メトキシメチル、９−アントラセンカルボン酸ｔｅｒｔ−エトキシエチル、９−アントラセンカルボン酸２−ｔｅｒｔ−テトラヒドロピラニル、９−アントラセンカルボン酸２−ｔｅｒｔ−テトラヒドロフラニル等を挙げることができる。上記紫外線吸収剤の配合量は、レジスト材料の種類により添加しても添加されなくてもよいが、添加する場合にはベース樹脂１００重量部に対して０〜１０重量部、より好ましくは０．５〜１０重量部、更に好ましくは１〜５重量部である。
【０１６０】
本発明の上記一般式（１）、（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物と酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性の変化する樹脂を含む化学増幅型レジスト材料を種々の集積回路製造に用いる場合は、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を用いることができる。
【０１６１】
集積回路製造用の基板（Ｓｉ，ＳｉＯ_２，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，ＴｉＮ，ＷＳｉ，ＢＰＳＧ，ＳＯＧ，有機反射防止膜等）上にスピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が０．１〜２．０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１２０℃、１〜５分間プリベークする。次いで、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線などから選ばれる光源、好ましくは３００ｎｍ以下の露光波長で目的とするパターンを所定のマスクを通じて露光を行う。露光量は１〜２００ｍＪ／ｃｍ^２程度、好ましくは１０〜１００ｍＪ／ｃｍ^２程度となるように露光することが好ましい。ホットプレート上で６０〜１５０℃、１〜５分間、好ましくは８０〜１２０℃、１〜３分間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。
【０１６２】
更に、０．１〜５％、好ましくは２〜３％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、０．１〜３分間、好ましくは０．５〜２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像することにより基板上に目的のパターンが形成される。なお、本発明材料は、特に高エネルギー線の中でも２５４〜１９３ｎｍの遠紫外線、１５７ｎｍの真空紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線による微細パターンニングに最適である。なお、上記範囲の上限及び下限から外れる場合は、目的のパターンを得ることができない場合がある。
【０１６３】
【実施例】
以下、合成例及び実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記に限定されるものではない。
【０１６４】
［合成例１］４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルクロリドの合成
フェノール４７ｇ（０．５モル）と水酸化ナトリウム２２ｇ（０．５５モル）をエタノール２００ｇに溶解させ、９０．８ｇ（０．５５モル）のｎ−ヘキシルブロミドを加えて、油浴上で７５℃に加熱した。このままの温度で４時間熟成した。次いで水１２０ｇを加えて分離した油状物を減圧蒸留（８３℃／１３３．３２Ｐａ）してｎ−ヘキシルオキシベンゼン６７ｇを得た（収率７５％）。
このｎ−ヘキシルオキシベンゼン１７．８ｇ（０．１モル）をジクロロメタン５０ｇに溶解し、食塩−氷水浴で冷却し、３℃を超えない温度でクロロスルホン酸２４．５ｇ（０．２１モル）を滴下した。滴下後、食塩−氷水浴をはずして、室温で１時間熟成した。反応液を氷水２００ｇに注入し、油状物をジクロロメタン１００ｇで抽出した。有機層を水５０ｇで洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶剤を減圧留去して目的の４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルクロリドを１６ｇ得た（収率５８％）。スルホニルクロリドはこれ以上の精製はせず、このまま用いた。
【０１６５】
［合成例２］Ｎ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドの合成
合成例１の４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルクロリド１３．８ｇ（０．０５モル）、東京化成工業社製Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド９．８ｇ（０．０５５モル）をテトラヒドロフラン５０ｇに溶解した。氷冷下撹拌しつつトリエチルアミン５．５ｇ（０．０５５モル）を５℃を超えない温度で滴下し、滴下終了後、室温で１２時間熟成を行った。反応液に水１５０ｇを加えて、有機層を分取した。この有機層にジクロロメタン１５０ｇを加え、水８０ｇで３回、有機層を洗浄した。溶剤を減圧留去し、メタノールから再結晶した。析出した結晶を濾過、乾燥して目的のＮ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド１４．４ｇを得た（収率６９％）。
得られたＮ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドのＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル）のデータを記す。
【０１６６】
【化３０】

０．７６−１．０３（３Ｈ，ｔ，Ｈｌ）
１．７１−１．８０（７Ｈ，ｍ，Ｈｃ，ｋ，ｊ，ｉ）
２．３１−２．６２（３Ｈ，ｍ，Ｈｃ’，ｈ）
３．１９−３．３４（２Ｈ，ｄ，Ｈｄ）
３．３４−３．５０（２Ｈ，ｍ，Ｈｂ）
３．９３−４．１１（２Ｈ，ｔ，Ｈｇ）
６．０５−６．２２（２Ｈ，ｔ，Ｈａ）
６．８９−７．０９（２Ｈ，ｄ，Ｈｆ）
７．８２−８．００（２Ｈ，ｄ，Ｈｅ）
（ＩＲ；ｃｍ^−１）
１７４３，１５９３，１３８１，１２６９，１１９６，１１７３，１０４１，８３１，７２５，５５９
【０１６７】
［合成例３］Ｎ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミドの合成
合成例１の４−ｎ−ヘキシルオキシベンゼンスルホニルクロリド１３．８ｇ（０．０５モル）、Ｎ−ヒドロキシコハク酸イミド６．３ｇ（０．０５５モル）をテトラヒドロフラン５０ｇに溶解した。氷冷下撹拌しつつトリエチルアミン５．５ｇ（０．０５５モル）を５℃を超えない温度で滴下し、滴下終了後、室温で１２時間熟成を行った。反応液に水１５０ｇを加えて、有機層を分取した。この有機層にジクロロメタン１５０ｇを加え、水８０ｇで３回、有機層を洗浄した。溶剤を減圧留去し、メタノールから再結晶した。析出した結晶を濾過、乾燥して目的のＮ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミド１２．８ｇを得た（収率７２％）。
得られたＮ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミドのＮＭＲ（核磁気共鳴スペクトル）、ＩＲ（赤外吸収スペクトル）のデータを記す。
【０１６８】
【化３１】

０．７６−１．０３（３Ｈ，ｔ，Ｈｉ）
１．７１−１．８０（６Ｈ，ｍ，Ｈｆ，ｇ，ｈ）
２．３１−２．６２（２Ｈ，ｍ，Ｈｅ）
２．６２−２．７６（４Ｈ，ｓ，Ｈａ）
３．９３−４．１１（２Ｈ，ｔ，Ｈｄ）
６．８９−７．０９（２Ｈ，ｄ，Ｈｃ）
７．８２−８．００（２Ｈ，ｄ，Ｈｂ）
（ＩＲ；ｃｍ^−１）
１７４３，１４１０，１３８１，１２６８，１１９７，１１７３，１０４２，８３２，７２５，５５８
【０１６９】
［合成例４，５］
合成例１のｎ−ヘキシルブロミドの代わりにｎ−オクチルブロミドを用いる以外は合成例１〜３と同様にして合成した。
合成例４
Ｎ−４’−（ｎ−オクチルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド
合成例５
Ｎ−４’−（ｎ−オクチルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミド
【０１７０】
［合成例６，７］
合成例１のフェノールの代わりに２，６−ジメチルフェノールを用いる以外は合成例１〜３と同様にして合成した。
合成例６
Ｎ−３，５−ジメチル−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド
合成例７
Ｎ−３，５−ジメチル−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミド
【０１７１】
［合成例８，９］
合成例１で中間体として合成したヘキシルオキシベンゼンの代わりにアルドリッチ社製の１−フェニルヘキサンを用いる以外は合成例１〜３と同様にして合成した。
合成例８
Ｎ−４’−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド
合成例９
Ｎ−４’−ｎ−ヘキシルベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミド
【０１７２】
［合成例１０，１１］
合成例１で中間体として合成したヘキシルオキシベンゼンの代わりにアルドリッチ社製の１−フェニルオクタンを用いる以外は合成例１〜３と同様にして合成した。
合成例１０
Ｎ−４’−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド
合成例１１
Ｎ−４’−ｎ−オクチルベンゼンスルホニルオキシ−コハク酸イミド
【０１７３】
［合成例１２］ｅｘｏ−Ｎ−４’−（ｎ−ヘキシルオキシ）ベンゼンスルホニルオキシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド
合成例２で用いたＮ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミドの代わりにｅｘｏ−Ｎ−ヒドロキシ−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプテ−５−エン−２，３−ジカルボキシイミドを用いる以外は合成例２と同様にして合成した。
【０１７４】
［実施例、比較例］
表１〜３に示すレジスト材料を調製した。ここで、表１〜３に挙げるレジスト材料の成分は次の通りである。
重合体Ａ：ポリｐ−ヒドロキシスチレンの水酸基を１−エトキシエチル基１５モル％、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基１５モル％づつ保護した、重量平均分子量１２，０００の重合体。
重合体Ｂ：ポリｐ−ヒドロキシスチレンの水酸基を１−エトキシエチル基３０モル％保護した、重量平均分子量１２，０００の重合体。
重合体Ｃ：ポリｐ−ヒドロキシスチレンの水酸基を１−エトキシエチル基１５モル％、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基１０モル％づつ保護した、重量平均分子量１１，０００の重合体。
重合体Ｄ：ポリｐ−ヒドロキシスチレンの水酸基を１−エトキシエチル基２５モル％、更に１，２−プロパンジオールジビニルエーテルで３モル％架橋した、重量平均分子量１３，０００の重合体。
重合体Ｅ：ポリｐ−ヒドロキシスチレンの水酸基をｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基２５モル％保護した、重量平均分子量１２，０００の重合体。
重合体Ｆ：ｐ−ヒドロキシスチレンと２−エチル−２−アダマンチルアクリレートのコポリマーで、その組成比（モル比）が７０：３０、更に重量平均分子量１５，０００の重合体。
重合体Ｇ：ｐ−ヒドロキシスチレンと１−エチル−１−ノルボルネンメタクリレートのコポリマーで、その組成比（モル比）が７０：３０、更に重量平均分子量１５，０００の重合体。
重合体Ｈ：ｐ−ヒドロキシスチレンとｔｅｒｔ−ブチルアクリレートのコポリマーで、その組成比（モル比）が６５：３５、更に重量平均分子量１５，０００の重合体。
重合体Ｉ：ｐ−ヒドロキシスチレンと１−エチルシクロペンチルメタクリレートのコポリマーで、その組成比（モル比）が６５：３５、更に重量平均分子量１５，０００の重合体。
重合体Ｊ：ｐ−ヒドロキシスチレンと１−エチルシクロペンチルメタクリレートとスチレンのコポリマーでその組成比（モル比）が６５：１０：２５、更に重量平均分子量１２，０００の重合体。
重合体Ｋ：ｐ−ヒドロキシスチレンとインデンのコポリマーで、その組成比（モル比）が８０：２０、更にヒドロキシスチレンの水酸基をｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基２０％保護した、重量平均分子量１０，０００の重合体。
重合体Ｌ：ｐ−ヒドロキシスチレンとインデンと１−エチル−１−ノルボルネンメタクリレートのコポリマーで、その組成比（モル比）が７０：１０：２０、更に重量平均分子量１０，０００の重合体。
重合体Ｍ：ｐ−ヒドロキシスチレンとインデンと１−エチル−１−ノルボルネンメタクリレートのコポリマーで、その組成比（モル比）が７０：１５：１５、更に重量平均分子量１０，０００の重合体。
重合体Ｎ：ポリｐ−ヒドロキシスチレンの水酸基をアセチル基８モル％で保護した、重量平均分子量８，０００の重合体。
ＰＡＧ１：合成例２の化合物
ＰＡＧ２：合成例３の化合物
ＰＡＧ３：合成例６の化合物
ＰＡＧ４：合成例１０の化合物
ＰＡＧ５：（４−ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル）ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホンネート
ＰＡＧ６：ビス（シクロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン
ＰＡＧ７：ビス（２，４−ジメチルフェニルスルホニル）ジアゾメタン
ＰＡＧ８：Ｎ−４’−トルエンスルホニルオキシフタル酸イミド
ＰＡＧ９：Ｎ−１０−カンファースルホニルオキシコハク酸イミド
架橋剤Ａ：１，３，５，７−テトラメトキシメチルグリコールウリル
溶解阻止剤：ビス（４−（２’−テトラヒドロピラニルオキシ）フェニル）メタン
塩基性化合物Ａ：トリｎ−ブチルアミン
塩基性化合物Ｂ：トリス（２−メトキシエチル）アミン
有機酸誘導体Ａ：４，４−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）吉草酸
有機酸誘導体Ｂ：サリチル酸
界面活性剤Ａ：ＦＣ−４３０（住友スリーエム社製）
界面活性剤Ｂ：サーフロンＳ−３８１（旭硝子社製）
紫外線吸収剤：９，１０−ジメチルアントラセン
溶剤Ａ：プロピレングリコールメチルエーテルアセテート
溶剤Ｂ：乳酸エチル
【０１７５】
得られたレジスト材料を０．２μｍのテフロン製フィルターで濾過した後、このレジスト液を有機反射防止膜（ブリューワーサイエンス社、ＤＵＶ−４４）を８００Åに塗布したシリコンウエハー上へスピンコーティングし、０．６μｍに塗布した（上記のスピンコーティング及び下記のベーク、現像には東京エレクトロン社製コーターデベロッパークリーントラック　マーク８を用いた）。
【０１７６】
次いで、このシリコンウエハーを１００℃のホットプレート上で９０秒間ベークした。更に、エキシマレーザーステッパー（ニコン社、ＮＳＲ−Ｓ２０２Ａ　ＮＡ＝０．６）を用い、２／３の輪帯照明を通して露光し、１１０℃で９０秒間ベーク（ＰＥＢ：ｐｏｓｔ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｂａｋｅ）を施し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うと、ポジ型のパターン（実施例１〜２３、比較例１〜３）もしくはネガ型のパターン（実施例２４）を得ることができた。
【０１７７】
得られたレジストパターンを次のように評価した。
レジストパターン評価方法：
０．１８μｍのラインアンドスペースのトップとボトムを１：１で解像する露光量を最適露光量（感度：Ｅｏｐ）として、この露光量における分離しているラインアンドスペースの最小線幅を評価レジストの解像度とした。また、解像したレジストパターンの形状は、走査型電子顕微鏡を用いてレジスト断面を観察した。焦点をずらした場合にレジストパターン形状が矩形性を保ちつつ、かつレジストパターンの膜厚が（焦点が合っている場合に比べて）８割を保っているものを有効として焦点深度の深さ（Ｄｅｐｔｈ　ｏｆ　Ｆｏｃｕｓ）を測定した。
なお、レジストのＰＥＤ安定性は、最適露光量で露光後、２４時間の放置後ＰＥＢ（ｐｏｓｔ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｂａｋｅ）を行い、線幅の変動値で評価した。この変動値が少ないほどＰＥＤ安定性に富む。
【０１７８】
レジストパターン評価結果を表４に示す。
パターン評価以外の評価方法：
レジスト材料の混合溶剤への溶解性は目視及び濾過時の詰まりの有無で判断した。
塗布性に関しては、目視で塗りむらの有無、及び、膜厚計（大日本スクリーン社製、光干渉式膜厚測定装置、ラムダエース　ＶＭ−３０１０）を用いて同一ウエハー上での膜厚のばらつきが塗布膜厚（０．６μｍ）に対して０．５％以内（０．００３μｍ以内）であるとき良好、０．５％より多く１％以内であるときやや悪、１％より多いとき悪と表記した。
【０１７９】
保存安定性は、経時変化における異物の析出あるいは感度変化で判断した。異物は最長１００日間、パーティクルカウンター（リオン社製、ＫＬ−２０Ａ）でレジスト溶液１ｍｌ中に含まれる０．３μｍ以上の粒子の数が５個以下であること、あるいは製造直後からの感度（上述のＥｏｐ）の経時変化の変動が５％以内のものを良好とし、それ以上のものを悪と表記した。
【０１８０】
現像後のパターン上に現われる異物は、走査型電子顕微鏡（ＴＤＳＥＭ：日立製作所社製、Ｓ−７２８０Ｈ）を用いて判断し、１００平方μｍ内に目視される異物の数が１０個以下のとき良好、１１個以上１５個以下のときやや悪、１６個以上のとき悪と表記した。
【０１８１】
レジスト剥離後の異物は、サーフスキャン（テンコールインストルメンツ社製、サーフスキャン６２２０）を用いて判断した。パターン露光せずに全面露光したレジストウエハーを通常のプロセスで処理し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で現像を行い、レジストの剥離を行った（露光部分のみレジストが剥離）。レジスト剥離後の８インチウエハー上に、０．２０μｍ以上の異物が１００個以下のとき良好、１０１個以上１５０個以下のときやや悪、１５１個以上のとき悪と表記した。
以上の結果を表５に示す。
【０１８２】
【表１】

【０１８３】
【表２】

【０１８４】
【表３】

【０１８５】
【表４】

＊＊０．１８μｍのＤＯＦ測定の際に焦点をマイナス側に−０．４μｍずらした時のパターン形状
【０１８６】
【表５】

【０１８７】
【発明の効果】
本発明のＮ−アルキルベンゼンスルホニルオキシジカルボキシイミドあるいはＮ−アルコキシベンゼンスルホニルオキシジカルボキシイミド及びそれを用いた化学増幅型レジスト材料は、Ｎ−スルホニルオキシジカルボキシイミドに長鎖アルキルフェニル基あるいは長鎖アルコキシフェニル基を含有することより、解像性、焦点余裕度に優れ、ＰＥＤが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、塗布後、現像後、剥離後の異物が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、微細加工に適した高解像性を有し、特に遠紫外線リソグラフィーにおいて大いに威力を発揮する。

Claims (15)

1. 下記一般式（１）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物。
   

   

   （式中、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。ｎは０又は１であり、ｍは３〜１１の整数である。ｒは０〜４の整数である。Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
2. 下記一般式（１ａ）で示されるＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物。
   

   

   （式中、Ｒは同一でも異なってもよく、水素原子、フッ素原子、又は炭素数１〜４の直鎖状、分岐状又は環状の置換もしくは非置換のアルキル基又はアルコキシ基を示す。ｎは０又は１であり、ｍは３〜１１の整数である。ｒは０〜４の整数である。Ｇは単結合又は二重結合を示し、ｐとｑは独立に水素原子又は炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル基を示し、あるいはｐとｑとは互いに結合してそれらが結合している炭素原子を含めて脂肪族環状構造、複素環状構造又は芳香環構造を形成してもよい。）
3. 請求項１又は２記載のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物からなる化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
4. （Ａ）酸の作用でアルカリ現像液に対する溶解性が変化する樹脂、
   （Ｂ）放射線照射により酸を発生する請求項１又は２記載のＮ−スルホニルオキシジカルボキシイミド化合物
   を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト材料。
5. 更に、（Ｃ）上記（Ｂ）成分以外の放射線照射により酸を発生する化合物を含む請求項４記載のレジスト材料。
6. （Ａ）成分の樹脂が、Ｃ−Ｏ−Ｃ結合を有し、酸の作用で該Ｃ−Ｏ−Ｃ結合が切断することによりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する置換基を有する樹脂である請求項４又は５記載のレジスト材料。
7. （Ａ）成分の樹脂が、フェノール性水酸基の水素原子が１種又は２種以上の酸不安定基によってフェノール性水酸基の水素原子全体の平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で置換されている重量平均分子量３，０００〜１００，０００の高分子化合物である請求項６記載のレジスト材料。
8. （Ａ）成分の樹脂が、ｐ−ヒドロキシスチレン及び／又はα−メチル−ｐ−ヒドロキシスチレン単位と、そのフェノール性水酸基の水素原子の一部が１種又は２種以上の酸不安定基により部分置換された単位を含み、（Ａ）成分の樹脂全体の繰り返し単位に対して酸不安定基を有する繰り返し単位が平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で含まれている下記一般式（２ａ）で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量３，０００〜１００，０００の高分子化合物である請求項７記載のレジスト材料。
   

   

   （式中、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数であり、ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。Ｒ^６は酸不安定基を示す。Ｓ及びＴは正の整数を示し、０＜Ｔ／（Ｓ＋Ｔ）≦０．８を満足する数である。）
9. （Ａ）成分の樹脂が、下記一般式（２ａ’）の繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物中におけるアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルに基づく単位が平均０モル％を超え５０モル％以下の割合で含有されており、（Ａ）成分の樹脂全体の繰り返し単位に対して酸不安定基を有する繰り返し単位が平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で含まれている重量平均分子量３，０００〜１００，０００の高分子化合物である請求項６記載のレジスト材料。
   

   

   （式中、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、Ｒ^６は酸不安定基を示す。Ｒ^６ａは水素原子又は酸不安定基であるが、少なくとも一部が酸不安定基である。ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数である。ｘ＋ｙ≦５を満足する数であり、Ｍ、Ｎは正の整数で、Ｌは０又は正の整数であり、０＜Ｎ／（Ｍ＋Ｎ＋Ｌ）≦０．５、及び０＜（Ｎ＋Ｌ）／（Ｍ＋Ｎ＋Ｌ）≦０．８を満足する数である。）
10. （Ａ）成分の樹脂が、下記一般式（２ａ’’）の繰り返し単位を有する高分子化合物であって、該高分子化合物中におけるインデン及び／又は置換インデンに基づく単位が平均０モル％を超え５０モル％以下の割合で含有されており、（Ａ）成分の樹脂全体の繰り返し単位に対して酸不安定基を有する繰り返し単位が平均０モル％を超え８０モル％以下の割合で含まれている重量平均分子量３，０００〜１００，０００の高分子化合物である請求項６記載のレジスト材料。
    

    

    （式中、Ｒ^４は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ^５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、Ｒ^６は酸不安定基を示し、Ｒ^６ａは水素原子又は酸不安定基であるが、少なくとも一部が酸不安定基である。ｘは０又は正の整数、ｙは正の整数である。ｘ＋ｙ≦５を満足する数である。ｙｙは０又は正の整数であり、ｘ＋ｙｙ≦５を満足する数である。Ａ、Ｂは正の整数で、Ｃ、Ｄ、Ｅは０又は正の整数であり、０＜（Ｂ＋Ｅ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）≦０．５、及び０＜（Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＋Ｅ）≦０．８を満足する数である。）
11. 酸不安定基が、下記一般式（４）〜（７）で示される基、炭素数４〜２０の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基、炭素数７〜２０のアリール基置換アルキル基から選ばれるものである請求項６乃至１０のいずれか１項記載のレジスト材料。
    

    

    （式中、Ｒ^１０、Ｒ^１１は水素原子又は炭素数１〜１８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示し、Ｒ^１２は炭素数１〜１８のヘテロ原子を有してもよい１価の炭化水素基を示し、Ｒ^１０とＲ^１１、Ｒ^１０とＲ^１２、Ｒ^１１とＲ^１２とは互いに環を形成してもよく、環を形成する場合にはＲ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２はそれぞれ炭素数１〜１８の直鎖状又は分岐状のアルキレン基を示す。
    Ｒ^１３は炭素数４〜２０の三級アルキル基、各アルキル基がそれぞれ炭素数１〜６のトリアルキルシリル基、炭素数４〜２０のオキソアルキル基又は上記一般式（４）で示される基である。ｚは０〜６の整数である。
    Ｒ^１４は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を示し、ｈは０又は１、ｉは０、１、２、３のいずれかであり、２ｈ＋ｉ＝２又は３を満足する数である。
    Ｒ^１５は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基又は炭素数６〜２０の置換されていてもよいアリール基を示し、Ｒ^１６〜Ｒ^２５はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい１価の炭化水素基を示し、Ｒ^１６〜Ｒ^２５は互いに環を形成していてもよく、その場合には炭素数１〜１５のヘテロ原子を含んでもよい２価の炭化水素基を示す。また、Ｒ^１６〜Ｒ^２５は隣接する炭素に結合するもの同士で何も介さずに結合し、二重結合を形成してもよい。）
12. 更に、（Ｄ）塩基性化合物を配合することを特徴とする請求項４乃至１１のいずれか１項記載のレジスト材料。
13. 更に、（Ｅ）有機酸誘導体を配合することを特徴とする請求項４乃至１２のいずれか１項記載のレジスト材料。
14. 溶剤の成分としてプロピレングリコールアルキルエーテルアセテート及び／又は乳酸アルキルエステルを含む請求項４乃至１３のいずれか１項記載のレジスト材料。
15. （ｉ）請求項４乃至１４のいずれか１項記載のレジスト材料を基板上に塗布する工程と、
    （ｉｉ）次いで加熱処理後、フォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の高エネルギー線又は電子線で露光する工程と、
    （ｉｉｉ）必要に応じて加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程と
    を含むことを特徴とするパターン形成方法。