KR910020473A - 액정표시소자의 액티브매트릭스구조 - Google Patents

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타다미치 카와다
쯔토무 와다
노부히꼬 카꾸다
킨야 카또
마사미치 오까무라
시게오 아오끼
야스히로 우가이
키요시 타루타
토미히사 스나타
히로시 사이또
타까노부 나까가와
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후루하시 켄지
호시덴 가부시기가이샤
코지마 시토시
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Abstract

내용 없음

Description

액정표시소자의 액티브매트리스구조
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 신호유지용량이 형성된 종래의 액티브매트릭스구조를 설명하기 위한 모식도, 제3도는 본 발명의 액티브매트릭스구조의 1화소근처를 표시한 평면도.

Claims (22)

  1. 투명기판과, 상기 투명기판상에 매트릭스배열 형성된 투명화소전극과, 상기 투명화소전극에 각각 접속된 드레인을 가진 매트릭스배열된 박막트랜지스터와, 각 렬의 상기 박막트랜지스터의 각각의 소오스에 공통으로 접속되어 형성된 데이터버스와, 각 행의 상기 박막트랜지스터의 각각의 게이트에 공통으로 접속되어 형성된 게이트버스와, 한쪽의 면이 상기 화소전극의 배열과 접해서 상기 투명 전극의 대략 전체면에 걸쳐서 형성된 절연층과, 상기 절연층을 개재해서 각 상기 화소전극과 적어도 일부가 포개지도록 상기 절연층의 다른쪽의 면과 접해서 형성된 신호유지용 용량전극과, 상기 절연층을 개재해서 각 상기 박막트랜지스터와 대향하여 상기 절연층의 상기 다른쪽의 면과 접해서 형성되고, 광이 상기 박막 트랜지스터에 입사하는 것을 차단하는 심형상의 광차단층과, 상기 절연층의 상기 다른쪽의 면에 접해서 형성되고, 상기 신호유지용 용량전극을 각각 서로 접속하는 용량접속배선을 포함하고, 상기 신호유지용 용량전극, 상기 용량접속배선 및 상기 광차단층은 동일층에, 동일구조의 도전재료층에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 엑티브매트릭스구조.
  2. 제1항에 있어서, 각 상기 박막트랜지스터는 스래거드형이며, 상기 광차단층, 상기 신호유지용 용량 전극 및 상기 용량접속배선은 상기 투명기판과 상기 절연층의 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전재료층은 적어도 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전재료층은 적어도 알루미늄층과, 상기 알루미늄층을 덮도록 형성된 몰리브데합금층을 포함하고, 상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유한 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 도전재료층은 적어도 몰리브덴 합금층을 포함하고, 상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브 매트릭스구조.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 상기 데이터버스는 적어도 몰리브덴합금층을 포함하고, 상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브 매트릭스구조.
  7. 제6항에 있어, 각 상기 데이터버스는 상기 몰리브덴합금층과 적층된 인듐·산화주석층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  8. 제7항에 있어서, 각 상기 데이터버스는 상기 인듐·산화주석층과 함께 상기 몰리브덴합금을 끼우도록 적층된 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 상기 게이트버스는 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 각 상기 게이트버스는 적어도 몰리브덴합금층을 포함하고,
    상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유하는 것을 트기징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  11. 제9항에 있어서, 각 상기 게이트버스는 상기 알루미늄층을 덮도록 적층된 몰리브덴합금층을 포함하고, 상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  12. 제2항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는 상기 데이터버스의 배열 및 상기 화소전극의 배열을 덮어서 상기 투명기판의 대략 전체에 걸쳐서 형성된 공통의 절연막을 각각 게이트절연막으로서 가지고, 상기 게이트버스는 상기 공통절연막에 위해 형성되고, 상기 투명 기판의 주변부에 있어서, 상기 데이터버스에 접속된 데이터버스단자와 상기 용량 접속배선을 위한 적어도 1개의 접속배선단자와, 상기 게이트버스를 위한 게이트 버스단자가 상기 절연층과 상기 공동절연막의 사이에 형성되고, 각 상기 게이트 버스는 그 일단부가 대응하는 1개의 상기 게이트버스단자의 일부를 노출하도록 상기 공통절연막에 형성된 제1개구부를 통해서 상기 게이트버스단자에 접속되고 상기 용량접속배선의 일부를 노출하도록 상기 공통절연막과 상기 절연층을 통해서 형성된 제2개구부와, 상기 접속배선단자에 일부를 노출하도록 상기 공통절연막에 형성된 제3개구부를 통해서 양단부가 각각 상기 용량접속배선과 상기 접속배선단자에 접속되고, 상기 공통절연막상에 상기 게이트버스와 동일재료로 형성된 접속배선층이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  13. 투명기판과, 상기 투명기판상에 매트릭스배열 형성된 투명화소전극과, 상기 투명화소전극에 각각 접속된 드레인을 가진 매트릭스배열된 박막트랜지스터와, 각 렬의 상기 박막트랜지스터의 각각의 소오스에 공통으로 접속되어 형성된 데이터버스와, 각 행의 상기 박막트랜지스터의 각각의 게이트에 공통으로 접속되어 형성된 게이트버스와, 한쪽의 면이 상기 화소전극의 배열과 접해서 상기 투명전극의 대략 전체면에 걸쳐서 형성된 절연층을 포함하고, 각 상기 데이터버스는 적어도 몰리브덴합금층을 포함하고, 상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  14. 제13항에 있어서, 각 상기 데이터버스는 상기 몰리브덴합금층과 적층된 인듐·산화주석층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  15. 제14항에 있어서, 각 상기 데이터버스는 상기 인듐·산화주석층과 함께 상기 몰리브덴합금층을 끼우도록 적층된 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  16. 투명기판과, 상기 투명기판상에 매트릭스배열 형성된 투명화소전극과, 상기 투명화소전극에 각각 접속된 드레인을 가진 매트릭스배열된 박막트랜지스터와 각 렬의 상기 박막트랜지스터의 각각의소오스에 공통으로 접속되어 형성된 데이터버스와, 각 행의 상기 박막트랜지스터의 각각의 게이트에 공통으로 접속되어 형성된 게이트버스와, 한족의 면이 상기 화소전극의 배열과 접해서 상기 투명 전극의 대략 전체면에 걸쳐서 형성된 절연층을 포함하고, 각 상기 게이트버스는 적어도 몰리브덴합금층을 포함하고, 상기 몰리브덴합금층은 0.5∼10중량%의 크롬을 함유하는 것을 특징으로하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  17. 제16항에 있어서, 각 상기 게이트버스는 상기 몰리브덴합금층을 적층한 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  18. 투명기판과, 상기 투명기판상에 매트릭스배열 형성된 투명화소전극과, 상기 투명 화소전극에 각각 접속된 드레인을 가진 매트릭스배열된 박막트랜지스터와, 각 렬의 상기 박막트랜지스터의 각각의 소오스에 공통으로 접속되어 형성된 데이터버스와, 각 행의 상기 박막트랜지스터의 각각의 게이트에 공통으로 접속되어 형성된 게이트버스와, 한쪽의 면이 상기 화소전극의 배열과 접해서 상기 투명전극의 대략 전체면에 걸쳐서 형성된 절연층을 포함하고, 각 상기 데이터버스는 적어도 균질치밀막 구조의 몰리브덴층과 상기 몰리브덴합금층과 적층된 알루미늄층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  19. 제18항에 있어서, 각 상기 데이터버스는 상기 알루미늄층과 함께 상기 몰리브덴층을 끼우도록 적층된 인듐·산화주석층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브 매트릭스구조.
  20. 액정표시소자를 위한 액티브매트릭스구조에 있어서의 몰리브덴층을 포함하는 버스라인의 형성방법에 있어서, 상기 몰리브덴층을 형성하는 공정은 적어도 질소가스를 포함하는 스퍼터링가스중에 배치된 몰리브덴타아깃을 스퍼터링해서 유리기판상에 몰리브덴막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  21. 제20항에 있어서, 상기 몰리브덴막과 포개서 알루미늄막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
  22. 제20항 또는 제21항에 있어서, 상기 몰리브덴막을 형성하는 공정에 있어서 상기 스퍼터링가스중의 질소가스의 혼합비를 상기 몰리브덴막의 퇴적과 함께 감소시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 액티브매트릭스구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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