CN113421916B - 金属导电薄膜的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种金属导电薄膜的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置，所述制备方法包括以下步骤：在反应腔室内提供基板；在所述基板上依次沉积第一沉积层、第二沉积层，以形成叠层镀膜；对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜；其中，所述第一沉积层为钼层，所述第二沉积层为铝层时，在沉积所述第一沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V1满足，750sccm＜V1≤850sccm；所述第一沉积层为铝层，所述第二沉积层为钼层时，在沉积所述第二沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V2满足，0sccm＜V2≤400sccm。本发明在沉积钼层时通入氮气，使得金属导电薄膜在蚀刻后形成的坡度可控。
Description
技术领域
本发明涉及显示装置技术领域，具体涉及一种金属薄膜导电薄膜的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置。
背景技术
在加工TFT(薄膜晶体管)时，其中的金属导电薄膜层在进行镀膜后，需要进行蚀刻处理，经蚀刻处理后的金属导电薄膜的剖面形貌会呈现梯形的结构。不同的产品对于该梯形形貌的坡度要求不同，为实现不同产品对坡度的要求，需要控制蚀刻后坡度的大小。然而，目前被广泛使用的湿刻工艺中，一旦腐蚀液的组分配比固定，蚀刻时再想调整控制坡度大小就具有较大的难度。
发明内容
本发明的主要目的是提出一种金属薄膜导电薄膜的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置，通过在制备钼-铝叠层薄膜过程中，在沉积钼层时，通入氮气，以使得金属导电薄膜蚀刻后的坡度大小得以控制，从而实现不同产品对金属导电薄膜坡度的要求。
为实现上述目的，本发明提出一种金属导电薄膜的制备方法，所述金属导电薄膜的制备方法包括以下步骤：
在反应腔室内提供基板；
在所述基板上依次沉积第一沉积层、第二沉积层，以形成叠层镀膜；
对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜；
其中，所述第一沉积层为钼层，所述第二沉积层为铝层时，在沉积所述第一沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V1满足，750sccm＜V1≤850sccm；
所述第一沉积层为铝层，所述第二沉积层为钼层时，在沉积所述第二沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V2满足，0sccm＜V2≤400sccm。
本申请的一实施例中，所述钼层采用物理气相沉积而成。
本申请的一实施例中，所述第一沉积层为钼层，所述第二沉积层为铝层时，所述在所述基板上依次沉积第一沉积层、第二沉积层，以形成叠层镀膜的步骤包括：
向所述反应腔室中通入氮气，在所述基板上沉积第一沉积层；
停止通入氮气，在所述第一沉积层的表面沉积第二沉积层；
再次通入氮气，在所述第二沉积层背离所述第一沉积层的一侧沉积第三沉积层，以在所述基板的表面形成叠层镀膜；
其中，所述第三沉积层为钼层。
本申请的一实施例中，所述再次通入氮气，在所述第二沉积层背离所述第一沉积层的一侧沉积第三沉积层的步骤中，氮气的通入量设定为V3，0sccm＜V3≤400sccm。
本申请的一实施例中，所述叠层镀膜中，所述第一沉积层的厚度为220～240A，所述第二沉积层的厚度为3100～3200A，所述第三沉积层的厚度为425～460A。
本申请的一实施例中，氮气通入量V1为800sccm。
本申请的一实施例中，氮气通入量V2的范围为：200sccm≤V2≤400sccm。
本申请的一实施例中，所述铝层采用物理气相沉积而成。
此外，本发明还提出一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极以及设于所述栅极一侧的漏源电极层，所述栅极和所述漏源电极层中的至少一个包括金属导电薄膜，所述金属导电薄膜由如上文所述的金属导电薄膜的制备方法制得。
此外，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上文所述的薄膜晶体管。
本发明提供的技术方案中，选用铝和钼作为金属导电薄膜的膜层金属，并在沉积钼层时通入氮气，使得形成的钼层在面对腐蚀液时的蚀刻效率能够更接近铝层的蚀刻效率，使得金属导电薄膜在蚀刻后形成的坡度可控。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明提供的金属导电薄膜的制备方法的第一实施例的流程示意图；
图2为本发明提供的金属导电薄膜的制备方法的第二实施例的流程示意图；
图3为本发明提供的金属导电薄膜的制备方法的第三实施例的流程示意图；
图4为图3所示的金属导电薄膜的制备方法制得的金属导电薄膜的结构示意图；
图5为本发明提供的金属导电薄膜的制备方法的第四实施例的流程示意图；
图6为图5所示的金属导电薄膜的制备方法制得的金属导电薄膜的结构示意图；
图7为本发明提供的金属导电薄膜的制备方法的第五实施例的流程示意图；
图8为图7所示的金属导电薄膜的制备方法制得的金属导电薄膜的结构示意图；
图9为实施例1制得的金属导电薄膜的剖面SEM图；
图10为实施例2制得的金属导电薄膜的剖面SEM图；
图11为实施例3制得的金属导电薄膜的剖面SEM图；
图12为实施例4制得的金属导电薄膜的剖面SEM图；
图13为对比例1制得的金属导电薄膜的剖面SEM图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 100 | 金属导电薄膜 | 30 | 钼层 |
| 10 | 基板 | 30a | 第一钼层 |
| 20 | 铝层 | 30b | 第二钼层 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
目前被广泛使用的蚀刻技术为湿刻工艺，在对具有多层金属叠层的叠层镀膜进行湿刻时，通常是选用固定配比的同一腐蚀液，腐蚀液纵向蚀刻穿膜层后，开始横向蚀刻，从而形成侧向形貌，发明人发现，腐蚀液对于不同金属的蚀刻效率并不相同，这使得蚀刻后的金属导电薄膜的侧向形貌呈现不平整、坡度难以控制的情况。鉴于此，本发明提出一种金属导电薄膜100的制备方法，参阅图1，所述金属导电薄膜100的制备方法包括以下步骤：
步骤S100，在反应腔室内提供基板10；
步骤S200，在所述基板10上依次沉积第一沉积层、第二沉积层，以形成叠层镀膜；
步骤S300，对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜100。
其中，第一沉积层和第二沉积层中的一个为钼层30，另一个为铝层20。在一实施例中，所述第一沉积层为钼层30，所述第二沉积层为铝层20，本金属导电薄膜100由依次叠设的钼层30、铝层20构成，在制备该金属导电薄膜100时，在沉积所述第一沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V1满足，750sccm＜V1≤850sccm；在另一实施例中，所述第一沉积层为铝层20，所述第二沉积层为钼层30，本金属导电薄膜100由依次叠设的铝层20、钼层30构成，在制备该金属导电薄膜100时，在沉积所述第二沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V2满足，0sccm＜V2≤400sccm。
本发明提供的技术方案中，选用铝和钼作为金属导电薄膜100的膜层金属，并在沉积钼层30时通入氮气，使得形成的钼层30在面对腐蚀液时的蚀刻效率能够更接近铝层20的蚀刻效率，从而使得金属导电薄膜100在蚀刻后形成的坡度可控。
进一步地，参阅图2，所述第一沉积层为钼层30，所述第二沉积层为铝层20时，本金属导电薄膜100还可以包括第三沉积层，第三沉积层为钼层30，设于第二沉积层的上侧。基于此，步骤S200包括：
步骤S201，向所述反应腔室中通入氮气，在所述基板10上沉积第一沉积层；
步骤S202，停止通入氮气，在所述第一沉积层的表面沉积第二沉积层；
步骤S203，再次通入氮气，在所述第二沉积层背离所述第一沉积层的一侧沉积第三沉积层，以在所述基板10的表面形成叠层镀膜，其中，所述第三沉积层为钼层30。
步骤S203中，氮气的通入量设定为V3，0sccm＜V3≤400sccm。
图3至图8为本发明提出的金属导电薄膜100的制备方法的具体实施例，为帮助理解，先结合附图对本发明方法进行详述。
参阅图3和图4，本实施例中，所述金属导电薄膜100包括依次叠设的钼层30和铝层20，基于该结构，所述金属导电薄膜100的制备方法包括以下步骤：
步骤S10，在反应腔室内提供基板10；
步骤S20，向所述反应腔室中通入氮气，在所述基板10的表面沉积第一钼层30a，其中，氮气的通入量设定为V1，750sccm＜V1≤850sccm；
步骤S30，停止通入氮气，在所述第一钼层30a的背离所述基板10的一侧沉积铝层20，以形成叠层镀膜；以及，
步骤S40，对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜100。
步骤S10中，基板10为玻璃、柔性塑料薄膜；也可以是指在金属导电薄膜100用于TFT产品时，金属导电薄膜100的载体物。以底栅结构的薄膜晶体管为例，当薄膜晶体管的源极包括本金属导电薄膜100时，与源极邻接的功能层，例如欧姆接触层即为上述步骤中的基板10，此时，可以直接在欧姆接触层的上表面沉积第一钼层30a。
经实验发现，步骤S20中，氮气的通入量直接影响到最终蚀刻后坡度的大小。通过调整氮气的通入量即可调节蚀刻后坡度的大小。本实施例中，将沉积第一钼层30a时氮气的通入量设定为V1，750sccm＜V1≤850sccm，当氮气通入量在此范围内时，第一钼层30a蚀刻效率小于铝层20蚀刻效率，从而避免了叠层镀膜的侧向形貌出现底部凹陷的情况，使得叠层镀膜能够形成满足产品需要的坡度。进一步地，在一实施例中，V1为800sccm，此时，不仅第一钼层30a蚀刻效率小于铝层20蚀刻效率，而且叠层镀膜的侧向形貌在第一钼层30a和铝层20的过渡处呈较平滑的过渡，形貌较好。
需要说明的是，本文中所述的坡度取决于蚀刻后形成的梯形形貌的上下底之差，具体地，参阅图4，坡度为α，tanα＝h/(a-b)。
此外，步骤S20和步骤S30中，采用的沉积方式均为物理气相沉积技术，例如磁控溅射镀膜技术、真空蒸镀镀膜技术等。
步骤S40中的蚀刻处理在具体实施时，可以包括：将所述叠层镀膜依次经过涂布曝光显影、铝酸一次湿蚀刻、一次干蚀刻、铝酸二次湿蚀刻、二次干蚀刻，即得到金属导电薄膜100。
进一步地，参阅图5和图6，在本实施例中，所述金属导电薄膜100包括依次叠设的第一钼层30a、铝层20以及第二钼层30b，基于该结构，所述金属导电薄膜100的制备方法包括以下步骤：
步骤S10，在反应腔室内提供基板10；
步骤S20，向所述反应腔室中通入氮气，在所述基板10的表面沉积第一钼层30a，其中，氮气的通入量设定为V1，750sccm＜V1≤850sccm；
步骤S31，停止通入氮气，在所述第一钼层30a的表面沉积铝层20；
步骤S32，再次通入氮气，在所述铝层20背离所述第一钼层30a的一侧沉积第二钼层30b，以在所述基板10的表面形成叠层镀膜；以及，
步骤S40，对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜100。
本实施例在氮气气氛下，在铝层20的表面沉积第二钼层30b，得到三层金属叠层的镀膜结构，且由于在沉积第二钼层30b时通入氮气，使得第二钼层30b的蚀刻效率接近于铝层20，进而使得该叠层镀膜蚀刻后的侧向形貌平整，且坡度角度可控。
本实施例制得的金属导电薄膜100的结构如图6所示，即Mo/Al/Mo结构，本实施例中，所述第一钼层30a的厚度为220～240A，所述铝层20的厚度为3100～3200A，所述第二钼层30b的厚度为425～460A。
此外，步骤S32中，将沉积第二钼层30b时氮气的通入量设定为V3，其中，0sccm＜V3≤400sccm，当氮气通入量在此范围内时，第一钼层30a、铝层20、第二钼层30b的蚀刻效率相近，且铝层20的蚀刻效率处于第一钼层30a的蚀刻效率和第二钼层30b的蚀刻效率之间，这样，就使得金属导电薄膜100的侧向形貌趋于平整，同时，坡度值能够实现20°～60°的跨度，基本能够满足目前常规产品的需要，其中，当V3在200sccm～400sccm范围时，坡度值较适中，通用性更好，适合大多数产品的需求。
此外，参阅图7和图8，在本实施例中，所述金属导电薄膜100包括依次叠设的铝层20和钼层30，基于该结构，所述金属导电薄膜100的制备方法包括以下步骤：
步骤S10a，在反应腔室内提供表面沉积有铝层20的基板10。
步骤S20a，向所述反应腔室中通入氮气，在所述铝层20背离所述基板10的一侧沉积钼层30，以在所述基板10的表面形成叠层镀膜。
步骤S30a，对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜100。
其中，步骤S20a中，氮气的通入量设定为V2，0sccm＜V2≤400sccm，优选为200sccm～400sccm。本制备方法的各步骤的具体操作方式与上述制备方法对应步骤相似，在此不做赘述。
此外，本发明还提出一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可以是底栅结构TFT、顶栅结构TFT或者其他异型结构TFT等，所述薄膜晶体管包括栅极以及设于所述栅极一侧的漏源电极层，所述栅极和所述漏源电极层中的至少一个包括如上文所述的任意一种制备方法制得的金属导电薄膜100。所述金属导电薄膜100的具体结构参照上述实施例，由于本发明薄膜晶体管采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
此外，本发明还提出一种显示装置，所述显示装置包括如上文所述的薄膜晶体管。所述薄膜晶体管包括栅极以及设于所述栅极一侧的漏源电极层，所述栅极和所述漏源电极层中的至少一个包括如上文所述的金属导电薄膜100的制备方法制得的金属导电薄膜100。所述金属导电薄膜100的具体结构参照上述实施例，由于本发明显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。
以下结合具体实施例和附图对本发明的技术方案作进一步详细说明，应当理解，以下实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
实施例1
本实施例金属导电薄膜100的结构如图6所示，金属导电薄膜100包括自下而上依次布置的第一钼层30a、铝层20以及第二钼层30b。
提供一反应腔室，在反应腔室内放入玻璃基板10。向腔室内通入氮气，控制氮气流量V1为800sccm，采用物理气相沉积法，在基板10上沉积厚度为230A的第一钼层30a。
停止氮气输入，在第一钼层30a的上表面沉积厚度为3180埃的铝层20。
再次通入氮气，控制氮气流量V3为100sccm，采用物理气相沉积法，在铝层20上表面沉积厚度为450A的第二钼层30b，从而形成叠层镀膜。
对叠层镀膜进行蚀刻处理：在第二钼层30b上表面设置1.73μm厚度的光阻层，经曝光后23℃下显影52s，然后在60℃下顶拱130s；在40℃下，用铝酸湿刻110s；通入蚀刻气体进行干蚀刻；然后在40℃下，用铝酸湿刻72s；再次干蚀刻后，去除光阻层，得到金属导电薄膜100。
实施例2
除将氮气流量V3调整为200sccm外，其他步骤与实施例1相同。
实施例3
除将氮气流量V3调整为300sccm外，其他步骤与实施例1相同。
实施例4
除将氮气流量V3调整为400sccm外，其他步骤与实施例1相同。
实施例5
本实施例金属导电薄膜100的结构如图6所示，金属导电薄膜100包括自下而上依次布置的第一钼层30a、铝层20以及第二钼层30b。
提供一反应腔室，在反应腔室内放入玻璃基板10。向腔室内通入氮气，控制氮气流量V1为850sccm，采用物理气相沉积法，在基板10上沉积厚度为220A的第一钼层30a。
停止氮气输入，在第一钼层30a的上表面沉积厚度为3100埃的铝层20。
再次通入氮气，控制氮气流量V3为200sccm，采用物理气相沉积法，在铝层20上表面沉积厚度为425A的第二钼层30b，从而形成叠层镀膜。
对叠层镀膜进行蚀刻处理：在第二钼层30b上表面设置1.73μm厚度的光阻层，经曝光后23℃下显影52s，然后在60℃下顶拱130s；在40℃下，用铝酸湿刻110s；通入蚀刻气体进行干蚀刻；然后在40℃下，用铝酸湿刻72s；再次干蚀刻后，去除光阻层，得到金属导电薄膜100。
实施例6
本实施例金属导电薄膜100的结构如图6所示，金属导电薄膜100包括自下而上依次布置的第一钼层30a、铝层20以及第二钼层30b。
提供一反应腔室，在反应腔室内放入玻璃基板10。向腔室内通入氮气，控制氮气流量V1为750sccm，采用物理气相沉积法，在基板10上沉积厚度为240A的第一钼层30a。
停止氮气输入，在第一钼层30a的上表面沉积厚度为3200埃的铝层20。
再次通入氮气，控制氮气流量V3为200sccm，采用物理气相沉积法，在铝层20上表面沉积厚度为460A的第二钼层30b，从而形成叠层镀膜。
对叠层镀膜进行蚀刻处理：在第二钼层30b上表面设置1.73μm厚度的光阻层，经曝光后23℃下显影52s，然后在60℃下顶拱130s；在40℃下，用铝酸湿刻110s；通入蚀刻气体进行干蚀刻；然后在40℃下，用铝酸湿刻72s；再次干蚀刻后，去除光阻层，得到金属导电薄膜100。
实施例7
本实施例金属导电薄膜100的结构如图4所示，金属导电薄膜100包括自下而上依次布置的第一钼层30a、铝层20。
提供一反应腔室，在反应腔室内放入玻璃基板10。向腔室内通入氮气，控制氮气流量V1为800sccm，采用物理气相沉积法，在基板10上沉积厚度为230A的第一钼层30a。
停止氮气输入，在第一钼层30a的上表面沉积厚度为3180埃的铝层20，从而形成叠层镀膜。
对叠层镀膜进行蚀刻处理：在第二钼层30b上表面设置1.73μm厚度的光阻层，经曝光后23℃下显影52s，然后在60℃下顶拱130s；在40℃下，用铝酸湿刻132s；去除光阻层，得到金属导电薄膜100。
实施例8
本实施例金属导电薄膜100的结构如图4所示，金属导电薄膜100包括自下而上依次布置的第一钼层30a、铝层20。
提供一反应腔室，在反应腔室内放入玻璃基板10。向腔室内通入氮气，控制氮气流量V1为750sccm，采用物理气相沉积法，在基板10上沉积厚度为230A的第一钼层30a。
停止氮气输入，在第一钼层30a的上表面沉积厚度为3180埃的铝层20，从而形成叠层镀膜。
对叠层镀膜进行蚀刻处理：在第二钼层30b上表面设置1.73μm厚度的光阻层，经曝光后23℃下显影52s，然后在60℃下顶拱130s；在40℃下，用铝酸湿刻132s；去除光阻层，得到金属导电薄膜100。
实施例9
除将氮气流量V1调整为850sccm外，其他步骤与实施例6相同。
实施例10
本实施例金属导电薄膜100的结构如图8所示，金属导电薄膜100包括自下而上依次布置的铝层20、钼层30。
提供一反应腔室，在反应腔室内放入玻璃基板10，采用物理气相沉积法在玻璃基板10上沉积厚度为3180A的铝层20。向腔室内通入氮气，控制氮气流量V2为200sccm，采用物理气相沉积法，在铝层20上表面沉积厚度为230A的钼层30，形成叠层镀膜。
对叠层镀膜进行蚀刻处理：在第二钼层30b上表面设置1.73μm厚度的光阻层，经曝光后23℃下显影52s，然后在60℃下顶拱130s；在40℃下，用铝酸湿刻132s；去除光阻层，得到金属导电薄膜100。
实施例11
除将氮气流量V2调整为100sccm外，其他步骤与实施例10相同。
实施例12
除将氮气流量V2调整为400sccm外，其他步骤与实施例10相同。
对比例1
除将氮气流量V3调整为0外，其他步骤与实施例1相同。
电镜观测实施例1至4以及对比例1制得的金属导电薄膜100的裂片，结果依次对应为图9至图13，根据图中测量数据计算坡度值tanα，结果记入表1。
表1坡度值对比
从上表数据可以看出，坡度值tanα随着V2氮气通入量的减少而降低，说明通过调整氮气通入量能够控制坡度值。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在反应腔室内提供基板；
在所述基板上依次沉积第一沉积层、第二沉积层，以形成叠层镀膜；
对所述叠层镀膜进行蚀刻处理，得到金属导电薄膜；
其中，当所述第一沉积层为钼层，所述第二沉积层为铝层时，在沉积所述第一沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V1满足，750sccm＜V1≤850sccm，以使得所述第一沉积层的蚀刻效率小于所述第二沉积层的蚀刻效率；
当所述第一沉积层为铝层，所述第二沉积层为钼层时，在沉积所述第二沉积层时向所述反应腔室中通入氮气，且氮气通入量V2满足，0sccm＜V2≤400sccm，以使得使得所述第二沉积层的蚀刻效率减小，且大于所述第一沉积层的蚀刻效率，所述叠层镀膜的坡度随着氮气通入量V2的减少而降低。
2.如权利要求1所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述钼层采用物理气相沉积而成。
3.如权利要求1所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述第一沉积层为钼层，所述第二沉积层为铝层时，所述在所述基板上依次沉积第一沉积层、第二沉积层，以形成叠层镀膜的步骤包括：
向所述反应腔室中通入氮气，在所述基板上沉积第一沉积层；
停止通入氮气，在所述第一沉积层的表面沉积第二沉积层；
再次通入氮气，在所述第二沉积层背离所述第一沉积层的一侧沉积第三沉积层，以在所述基板的表面形成叠层镀膜；
其中，所述第三沉积层为钼层。
4.如权利要求3所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述再次通入氮气，在所述第二沉积层背离所述第一沉积层的一侧沉积第三沉积层的步骤中，氮气的通入量设定为V3，0sccm＜V3≤400sccm。
5.如权利要求3所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述叠层镀膜中，所述第一沉积层的厚度为220～240A，所述第二沉积层的厚度为3100～3200A，所述第三沉积层的厚度为425～460A。
6.如权利要求1所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，氮气通入量V1为800sccm。
7.如权利要求1所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，氮气通入量V2的范围为：200sccm≤V2≤400sccm。
8.如权利要求1所述的金属导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述铝层采用物理气相沉积而成。
9.一种薄膜晶体管，包括栅极以及设于所述栅极一侧的漏源电极层，其特征在于，所述栅极和所述漏源电极层中的至少一个包括金属导电薄膜，所述金属导电薄膜由如权利要求1至8任意一项所述的金属导电薄膜的制备方法制得。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求9所述的薄膜晶体管。
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