JPH09235669A - 酸化膜の形成方法および電子デバイス - Google Patents

酸化膜の形成方法および電子デバイス

Info

Publication number
JPH09235669A
JPH09235669A JP8067279A JP6727996A JPH09235669A JP H09235669 A JPH09235669 A JP H09235669A JP 8067279 A JP8067279 A JP 8067279A JP 6727996 A JP6727996 A JP 6727996A JP H09235669 A JPH09235669 A JP H09235669A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxide film
sputtering method
substrate
film
ion beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8067279A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroaki Minami
宏明 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Read Rite SMI Corp
Original Assignee
Read Rite SMI Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Read Rite SMI Corp filed Critical Read Rite SMI Corp
Priority to JP8067279A priority Critical patent/JPH09235669A/ja
Priority to US08/807,175 priority patent/US6033532A/en
Publication of JPH09235669A publication Critical patent/JPH09235669A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/46—Sputtering by ion beam produced by an external ion source
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイアススパッタ法によって、基板１に金属
酸化膜を形成すると、基板１の段部によって金属酸化膜
の表面にピットが生じる。本発明は、表面に凹凸が発生
することの無い酸化膜の形成方法の開発を課題とする。 【解決手段】 最初に基板１にバイアススパッタ法によ
る蒸着を行い、金属酸化膜７を１０μｍ形成する。続い
て金属酸化膜７上にイオンビームスパッタ法による蒸着
を行い、金属酸化膜８を１５００Å形成する。最後にケ
ミカルポリッシュを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
によって基板上に酸化物を蒸着し、酸化膜を形成する方
法に関するものであり、ＩＣや薄膜磁気ヘッド等に代表
される電子デバイスの絶縁層を形成する方法として特に
適するものである。また併せて本発明は、絶縁層上に所
定の素子構成層が積層された電子デバイスに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣや薄膜磁気ヘッド等の電子デバイス
は、わが国の産業を支えるものであり、日々新しい用途
や、新しい構造が開発されている。電子デバイスは、数
多くの種類があるものの、その多くはシリコンウエハー
やセラミック等の基板に金属酸化膜の絶縁層が形成さ
れ、その上に所定の素子構成層が積層されたものであ
る。
【０００３】例えば薄膜磁気ヘッドにおいては、Al2O3-
TiO 系セラミックを基板とし、この基板上に二酸化ケイ
素や酸化アルミニウム（Al2O3 アルミナ）と言った金属
酸化物の薄膜が形成され、この酸化膜が絶縁層として機
能する。そしてこれらの酸化膜は、一般的にバイアスス
パッタ法により形成されている（特開平６−４９６３７
号、特公平７−５６０７０号他）。
【０００４】ここでバイアススパッタ法とは、スパッタ
リング法の一つであり、ターゲットに負電圧または高周
波電圧を印加するだけでなく、被着体たる基板側にもバ
イアス電圧を印加するものである。より詳細にバイアス
スパッタ法を説明すると次の通りである。バイアススパ
ッタ法による金属酸化膜の蒸着は、例えば図４のような
バイアススパッタ装置１００によって行われる。
【０００５】バイアススパッタ装置１００では、気密性
を有するチャンバ１０１内に、ターゲット１０２と称さ
れる電極と、基板ホルダー１０３が対峙して配されてい
る。そしてターゲット１０２と基板ホルダー１０３は、
それぞれマッチング回路１０５，１０６を介して高周波
電源（ＲＦ電源）１０７と高周波電源（バイアス用ＲＦ
電源）１０８に接続されている。またチャンバー１０１
には、減圧用の真空ポンプ１１０と、プラズマ発生用ガ
スの供給源１１１が接続されている。
【０００６】バイアススパッタ装置１００では、ターゲ
ット１０２は、金属酸化膜の素材となるものであり、酸
化アルミニウム等によって作られている。また基板ホル
ダー１０３には、被着体となる基板１が載置される。そ
してチャンバ１０１内をプラズマ発生用ガス（例えばＡ
r 、反応性スパッタリングを行う場合には、Ａr と、Ｏ
2 又はＮ2 等との混合ガス）雰囲気とし、ターゲット１
０２に高電圧の高周波電圧を印加すると共に、基板ホル
ダー１０３にもバイアス電圧を印加する。これによって
チャンバ１０１内にグロー放電プラズマが発生し、Ａr
+ イオンが、ターゲット１０２の負電圧に引かれてター
ゲット１０２に衝突する。その結果、ターゲット１０２
の表面部分の金属酸化物が叩き出される。そしてこの叩
き出された金属酸化物は、基板ホルダー１０３上の基板
１に付着する。
【０００７】ここで、バイアススパッタ法では、基板１
にもバイアス電圧が印加されているから、ターゲット１
０２から叩き出された金属酸化物は基板１の負電位に引
かれて基板１に先に付着している金属酸化物にイオン衝
撃を与え、金属酸化物を再放出させる。その結果、基板
１の金属酸化物は平滑化される。
【０００８】この様にして基板１に金属酸化物が蒸着さ
れた後、アルカリ状態のコロイダルシリカ又はコロイダ
ルアルミナによりケミカルポリッシュされ、基板１の表
面がさらに平滑化される。そしてこの基板上に磁性膜、
ギャップ層、導体コイル層等が積層され、所望の薄膜磁
気ヘッドが製造される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来技術の酸化膜の形
成方法は、薄膜磁気ヘッド等の絶縁層を構成する方法と
して広く普及した方法であり、表面がかなり平滑な基板
１が得られる。しかしながら、上記した従来技術の方法
では、基板表面の平滑度には限界があり、どうしても表
面に微小なピット（凹部）が残ってしまう。すなわち、
従来より用いられている酸化膜の形成方法では、基板表
面のポリッシュ方法や成膜条件であるスパッタガス流
量、ガス圧、ターゲット側の入射電力、基板側電圧等を
いかにコントロールしても、酸化膜の表面に微小ピット
が生じる。
【００１０】この理由はつぎの通りである。図５は、従
来技術の酸化膜の形成方法の手順を示す説明図であり、
基板１に酸化膜が形成されていく状態を示している。薄
膜磁気ヘッドでは、基板１として一般にAl2O3-TiO 系等
のセラミックが使用される。ここで、セラミックは焼結
物であるから、基板１の表面には図５（ａ）の様に微小
な段差２が多数存在する。
【００１１】そして基板１上に上述したバイアススパッ
タ法によって金属酸化膜３を成膜すると、図５（ｂ）の
様に成膜後の膜表面にはどうしても凹凸が生じてしま
う。そこで上記したように、表面をより平滑化するため
に、アルカリ状態のコロイダルシリカ又はコロイダルア
ルミナによりケミカルポリッシュされるが、基板１の段
差２上の金属酸化膜３とそれ以外の場所の金属酸化膜３
とでは膜の成長の仕方が異なり、膜質が僅かに相違す
る。すなわち段差２上の金属酸化膜３は、ＡrやＯ2 の
巻き込み量や膜の緻密さ等が他の部位と微妙に異なる。
【００１２】そのため膜表面を平坦化するためにケミカ
ルポリッシュを行うと、膜質差が原因となって、段差２
上の金属酸化膜３とその他の場所でのエッチング速度に
差が生じる。その結果、ケミカルポリッシュ後の金属酸
化膜３上に微小なピット５が生じる。加えてバイアスス
パッタ法では、基板側の電圧負荷により成膜初期時にイ
オンで基板表面がエッチングされるため、基板１と金属
酸化膜３との界面での段差がさらに大きくなることも、
ピット５が生じる原因の一つと考えられる。そしてこの
ようなピット５のある金属酸化膜３上に磁性膜を成膜す
ると、ピット５の影響を受けて磁性膜特性の低下やヘッ
ドの歩留まりの低下を招く。
【００１３】特にＭＲヘッド等に用いられるような１０
００Å以下の磁性膜を成膜すると、ピットの影響が大き
く、磁性膜特性の低下やヘッドの歩留まりの低下が無視
できない。金属酸化膜３上の微小なピット５をなくすた
めに、基板１上の段差２自体をなくす努力もなされるべ
きであるが、この方法は基板１が焼結材である限りおの
ずと限界がある。
【００１４】またバイアススパッタ法以外の方法で金属
酸化膜を形成する可能性も残されているが、これらはい
ずれも金属酸化膜の形成に長時間を要するとか、膜密度
が低いといった別の問題点があり、現実上、バイアスス
パッタ法を用いなければならない。そのため、従来の方
法によっては、金属酸化膜３上の微小なピット５をなく
すことは困難であり、当業者の間で新たな方策の提案が
望まれていた。本発明は、従来技術の上記した問題点に
注目し、表面にピットが発生することの無い酸化膜の形
成方法の開発を課題とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】そして上記した課題を解
決するための請求項１記載の発明は、スパッタリング法
によって基板上に酸化物を蒸着し、酸化膜を形成する方
法において、バイアススパッタ法により基板上に酸化膜
を形成し、その後、該酸化膜上にイオンビームスパッタ
法による酸化膜を積層する工程を有することを特徴とす
る酸化膜の形成方法である。
【００１６】ここでイオンビームスパッタ法とは、独立
したイオン発生源（例えばイオンガン）から高真空の処
理室にイオンを引出し、このイオンをターゲットに衝突
させるものであり、例えば特開平６−５７４１１号公報
に開示された方法である。また本発明においては、特開
平６−２１２８号に記載された様な電子サイクロトロン
共鳴等を利用したスパッタ法も、イオンビームスパッタ
法の概念に含む。イオンビームスパッタ法は、バイアス
スパッタ法に比べて酸化膜の純度が高い特徴がある。
【００１７】本発明は、バイアススパッタ法により基板
上に酸化膜を形成した後、イオンビームスパッタ法によ
る酸化膜を積層するものであるから、バイアススパッタ
法によって作られた酸化膜の上に、イオンビームスパッ
タ法によって作られた純度の高い酸化膜が載る。すなわ
ち表面の膜質は、位置に係わらずほぼ一定となる。その
ため本発明によって作られた酸化膜を、成膜後にケミカ
ルポリッシュする際、どの位置でもエッチング速度は一
定であり、表面は平滑に加工される。
【００１８】また同様の目的を達成するための請求項２
記載の発明は、スパッタリング法によって基板上に酸化
物を蒸着し、酸化膜を形成する方法において、イオンビ
ームスパッタ法により基板上に酸化膜を形成し、その
後、該酸化膜上にバイアススパッタ法による酸化膜を積
層する工程を有することを特徴とする酸化膜の形成方法
である。
【００１９】請求項２記載の発明は、先の発明に対し、
バイアススパッタ法による作業と、イオンビームスパッ
タ法による作業を逆に行い、イオンビームスパッタ法を
行った後にバイアススパッタ法を行うものである。
【００２０】本発明では、バイアススパッタ法に先立っ
てイオンビームスパッタ法による蒸着を行う。そのため
酸化膜表面にピットが生じる原因の一つと考えられてい
た、成膜初期時におけるイオンでの基板表面のエッチン
グが少ない。そのため最初のイオンビームスパッタ法に
より、基板表面の段差は埋められ、続くバイアススパッ
タ法によって形成される酸化膜は均質なものとなる。従
って、これをケミカルポリッシュすると、酸化膜の表面
は平滑なものとなる。
【００２１】そしてさらに上記した二つの発明を改良し
た発明は、イオンビームスパッタ法によって形成される
酸化膜の厚さは、バイアススパッタ法によって形成され
る酸化膜の厚さの１〜１０％であることを特徴とする請
求項１又は２に記載の酸化膜の形成方法である。
【００２２】すなわちイオンビームスパッタ法による酸
化膜の膜厚がバイアススパッタ法による膜厚の１％以下
である場合、一般にピットを完全に埋めることができな
い。また逆にイオンビームスパッタ法による金属酸化物
膜の膜厚がバイアススパッタ法による膜厚の１０％をこ
える場合は、イオンビームスパッタ法による膜の成膜速
度が遅いため工業上の利用性が低下する。理論的には、
大電流で大型のイオンガンを使用すれば、イオンビーム
スパッタ法によっても成膜速度は早くなるが、このよう
なイオンガンを製造することは多額の費用を要し、実用
的ではない。
【００２３】また上記した発明を応用した電子デバイス
の発明は、基板上に金属酸化物の絶縁層が設けられ、該
絶縁層上に所定の素子構成層が積層された電子デバイス
において、金属酸化膜の絶縁層は、２層以上の金属酸化
物が積層されたものであり、となり合う２層の組み合わ
せの内の少なくとも一組は、同一素材の金属酸化物であ
って純度が異なることを特徴とする電子デバイスであ
る。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を薄膜磁
気ヘッドの製造を前提として、図１乃至図４を参照しつ
つ説明する。図１は、本発明の実施形態の酸化膜の形成
方法の手順を示す説明図であり、基板１に酸化膜が形成
されていく状態を示している。また図２は、本発明の他
の実施形態の酸化膜の形成方法の手順を示す説明図であ
り、基板１に酸化膜が形成されていく状態を示してい
る。図３は、イオンビームスパッタ装置の説明図であ
る。
【００２５】以下の説明では、被膜材たる基板１は、従
来技術で説明したものと同一のAl2O3-TiO 系セラミック
基板であり、本実施形態では、図１（ａ）の様な基板１
に、酸化アルミニウムの金属酸化膜を設けるものとす
る。本実施形態の酸化膜の形成方法では、最初にバイア
ススパッタ法による蒸着を行い、続いてイオンビームス
パッタ法による蒸着を行う。
【００２６】最初に行う蒸着作業は、従来技術で説明し
たバイアススパッタ装置１００を使用し、例えば表１の
成膜条件で基板１上に酸化アルミニウムを蒸着し、金属
酸化膜７を１０μｍ形成する。
【００２７】
【表１】
【００２８】金属酸化膜７の形成状態は、図１（ｂ）の
様であり、表面には従来技術と同様に凹凸が発生する。
【００２９】そしてこの金属酸化膜７に、重ねてイオン
ビームスパッタ法により酸化アルミニウムの金属酸化膜
８を蒸着積層する。イオンビームスパッタ法による蒸着
作業は、例えば図３に示すようなイオンビームスパッタ
装置３０を使用して行う。イオンビームスパッタ装置３
０は、処置室として機能する主真空室３１と、仕込み室
３２とに別れている。
【００３０】主真空室３１は、その側面に、独立した二
つのイオン発生源３３，３５が設けられ、さらに主真空
室３１内部には、ターゲット保持台３７、基板支持台３
８およびニュートラライザー（図示せず）が配されてい
る。主真空室３１は、主弁３９を介してクライオポンプ
（真空ポンプ）４０が接続され、また直接的にロータリ
式真空ポンプ４３が接続されていて、内部を所定の真空
状態にすることができる。主真空室３１にクライオポン
プ（真空ポンプ）４０とロータリ式真空ポンプ４３とい
う二つの真空ポンプが接続されている理由は、主真空室
３１の容積が大きいので、ある程度の真空までは大容量
のロータリ式真空ポンプ４３で真空引きを行い、より高
い真空度への到達や、真空度の維持については、クライ
オポンプ（真空ポンプ）４０をコンピュータ制御するこ
とによって行うことを目的としたものである。
【００３１】主真空室３１に設けられた二つのイオン発
生源３３，３５の内、図面左側に描かれたものは、スパ
ッタ用のイオン発生源であり、その射出口は、ターゲッ
ト保持台３７に向けられている。スパッタ用のイオン発
生源３３にはＭＦＣ（mass flow controler)を介してア
ルゴンガス源４５が接続され、イオンとなるアルゴンガ
スが供給される。またスパッタ用のイオン発生源３３に
は、イオン源電源４６が接続されている。なおニュート
ラライザーは、スパッタ用のイオン発生源３３内に内蔵
されており、ニュートラライザーの作用によってイオン
ビームの拡散が防止される。
【００３２】スパッタ用のイオン発生源３３では、上記
したアルゴンガスがイオン化され、スパッタ用のＡr イ
オンがターゲット４６に射出される。
【００３３】もう一つのイオン発生源３５は、アシスト
用イオンを発生させるものである。アシスト用のイオン
発生源３５は、前記したスパッタ用のイオン発生源３３
と同様にイオン源電源４７が接続され、またＭＦＣ（ma
ss flow controler)を介してガス源４８が接続されてい
る。アシスト用のイオン発生源３５に接続されるガス源
４８は、アルゴンと酸素の混合ガスを供給するものであ
る。アシスト用のイオン発生源３５にもニュートラライ
ザーが内蔵されている。アシスト用のイオン発生源３５
では、射出口は、基板支持台３８に向けられている。
【００３４】前記したイオン発生源３３，３５、ターゲ
ット保持台３７および基板支持台３８には、冷却配管が
配されており、スパッタ作業の際には、これらは適度に
冷却される。
【００３５】仕込み室３２内には、基板１を準備するた
めのカセットエレベータ５０と基板１を搬送するための
ロボット５１が配置されている。
【００３６】イオンビームスパッタ装置３０では、スパ
ッタ用のイオン発生源３３から射出されたＡr イオンが
ターゲット４６に衝突し、金属酸化物が叩き出される。
そしてこの叩き出された金属酸化物は、基板支持台３８
に固定された基板１に付着する。また同時にアシスト用
のイオン発生源３５から射出されたＡr イオンとＯイオ
ンは直接的に基板１に衝突する。
【００３７】本実施形態では、表２の成膜条件で基板１
の金属酸化膜７上に酸化アルミニウムを蒸着し、金属酸
化膜７に重ねて金属酸化膜８を１５００Åの厚さに形成
する。
【００３８】
【表２】
【００３９】蒸着の結果は、図１（ｃ）の様であり、基
板１に二層の金属酸化膜７，８が形成される。なお図１
（ｃ）では、説明を容易にするために、金属酸化膜８は
実際の比率よりもはるかに厚く描いている。そしてその
後、従来技術と同様にアルカリ状態のコロイダルシリカ
等によりケミカルポリッシュを実施する。ここでイオン
ビームスパッタ法によって形成された金属酸化膜８は純
度が高く、またより均質である。そのためケミカルポリ
ッシュを実施することにより、図１（ｄ）のようにバイ
アススパッタ法による金属酸化膜７の凹凸がイオンビー
ムスパッタ法による金属酸化膜８により埋められ、ピッ
トのない平坦な絶縁層１０を形成することができる。そ
の後は、公知の薄膜磁気ヘッドの製造と同様、絶縁層１
０の上に磁性膜、ギャップ層、導体コイル層等が積層さ
れる。
【００４０】この薄膜磁気ヘッドの基板部分の絶縁層１
０を拡大観察し、また詳細に分析すると、基板１上の絶
縁層１０は、２層が積層されたものであり、これらは同
一素材の金属酸化物であって純度が異なるものとなって
いる。すなわち外側の層の純度は、基板１に接した部分
の純度よりも高い。
【００４１】以上の実施形態では、最初にバイアススパ
ッタ法による蒸着を行い、続いてイオンビームスパッタ
法による蒸着を行ったが、スパッタ法の順序が逆であっ
ても相当の効果が期待できる。
【００４２】すなわち、先にイオンビームスパッタ法に
よる蒸着を行い、図２（ｂ）のように基板１に金属酸化
膜８を形成する。金属酸化膜８の厚さは、先の実施例と
同様に１５００Å程度である。また蒸着に用いる装置お
よび、蒸着条件は先の実施形態と同一である。
【００４３】蒸着の結果、図２（ｂ）の様に基板１上の
ピットはほぼ穴埋めされる。そしてこの上にバイアスス
パッタ法による蒸着を行い、図２（ｃ）の様に金属酸化
膜８上に酸化アルミニウムの金属酸化膜７を１０μｍ形
成する。そして先の実施形態と同様にアルカリ状態のコ
ロイダルシリカ等によりケミカルポリッシュを実施す
る。本実施形態では、前記した様にイオンビームスパッ
タ法により基板１上のピットの穴埋めがされ、ほぼ平坦
化されるため、その後に通常のバイアススパッタリング
を実施しても基板面内で膜の変質が生じない。従ってケ
ミカルポリッシュによって均一にエッチングされるた
め、金属酸化物７の表面に凹凸は生じず、図２（ｄ）の
様に表面は平滑となる。
【００４４】本実施形態で形成された絶縁層１０を観察
すると基板１上の酸化物は、２層が積層されたものであ
り、これらは同一素材の金属酸化物であって純度が異な
るものとなっている。すなわち基板１に接した部分の純
度は、外側の層の純度よりも高い。
【００４５】以上の実施形態では、バイアススパッタ法
およびイオンビームスパッタ法による蒸着作業を一回つ
づ行い、それぞれ単層の酸化膜を形成したが、もちろん
蒸着作業を繰り返し行い、複数の酸化膜を形成しても良
い。なお、従来技術の説明および実施形態の説明では、
金属酸化膜をケミカルポリッシュによって平滑化する旨
を記載したが、金属酸化膜を最終的に平滑化する方法
は、ケミカルポリッシュに限定されるものではなく、エ
ッチング作用の無い、又はより少ない平滑化方法も採用
可能である。この方法には例えばダイヤポリッシュと称
される方法が挙げられる。
【００４６】
【実施例】つぎに本発明の実施例について説明する。ま
ず本発明の実施例として、図１の工程により基板１上に
金属酸化膜を形成した。基板の素材、スパッタ法の順
序、膜の厚さ、ターゲットの素材、成膜条件その他は、
図１の説明と同一であり、基板１に表１の成膜条件でバ
イアススパッタ法によって金属酸化膜７を１０μｍ厚さ
に形成し、さらに表２の成膜条件下イオンビームスパッ
タ法によって１５００Å程度の厚さに金属酸化膜８を積
層した。
【００４７】また比較例として、同一ロットの基板を使
用し、バイアススパッタ法だけによって、酸化膜を形成
した。酸化膜の厚さは、本発明の実施例と条件をそろえ
るため蒸着が終了した状態で、約１０．１５μｍとなる
ように調節した。バイアススパッタ法の成膜条件は、表
１と同一である。そして両者を拡大観察したところ、本
実施例によって作られた金属酸化膜は、比較例に比べて
平滑であった。
【００４８】また同様に図２の工程により基板１上に酸
化膜を形成した。基板の素材、スパッタ法の順序、膜の
厚さ、ターゲットの素材、成膜条件その他は、図２の説
明と同一であり、基板１に表２の成膜条件でイオンビー
ムスパッタ法によって１５００Å程度の厚さに形成し、
さらに表１の成膜条件でバイアススパッタ法によって金
属酸化膜７を１０μｍ積層した。第２の実施例によって
形成された酸化膜を拡大観察したところ、本実施例によ
って作られた酸化膜は、前記した比較例に比べて平滑で
あった。
【００４９】つぎに、イオンビームスパッタ法によって
蒸着された酸化膜の厚さが異なるものを多数作り、イオ
ンビームスパッタ法による膜の厚さと、表面が平滑化す
る程度の関係を調べた。その結果、イオンビームスパッ
タ法によって形成される酸化膜の厚さが、バイアススパ
ッタ法によって形成される酸化膜の厚さの１％程度以上
の時に有為差のある効果が認められた。またイオンビー
ムスパッタ法による酸化膜の厚さは、厚い程表面が平滑
になると言えるが、イオンビームスパッタ法によって形
成される酸化膜の厚さが、バイアススパッタ法によって
形成される酸化膜の厚さの１０％を越える場合には、大
きな変化は認められなかった。
【００５０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の酸化膜の形
成方法は、基板の段部や酸化膜表面の凹凸が、イオンビ
ームスパッタ法の酸化膜によって埋められる。そのため
本発明によって作られた酸化膜は、事後にケミカルポリ
ッシュする際、どの位置でもエッチング速度は一定であ
り、その表面は平滑となる効果がある。
【００５１】また請求項３記載の酸化膜の形成方法は、
平滑化の効果と、工業性のバランスに優れ、実用性が高
いものである。
【００５２】さらに請求項４記載の電子デバイスは、ピ
ットの影響が少なく、特性が安定していて歩留まりが高
い効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の酸化膜の形成方法の手順を
示す説明図であり、基板に酸化膜が形成されていく状態
を示す。
【図２】本発明の他の実施形態の酸化膜の形成方法の手
順を示す説明図であり、基板に酸化膜が形成されていく
状態を示す。
【図３】イオンビームスパッタ装置の説明図である。
【図４】バイアススパッタ装置の説明図である。
【図５】従来技術の酸化膜の形成方法の手順を示す説明
図であり、基板に酸化膜が形成されていく状態を示す。
【符号の説明】
１ 基板 ７ 金属酸化膜（バイアススパッタ法による） ８ 金属酸化膜（イオンビームスパッタ法による） １０ 絶縁層 ３０ イオンビームスパッタ装置 １００ バイアススパッタ装置
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｈ０１Ｌ 21/316 Ｙ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 スパッタリング法によって基板上に酸化
    物を蒸着し、酸化膜を形成する方法において、バイアス
    スパッタ法により基板上に酸化膜を形成し、その後、該
    酸化膜上にイオンビームスパッタ法による酸化膜を積層
    する工程を有することを特徴とする酸化膜の形成方法。
  2. 【請求項２】 スパッタリング法によって基板上に酸化
    物を蒸着し、酸化膜を形成する方法において、イオンビ
    ームスパッタ法により基板上に酸化膜を形成し、その
    後、該酸化膜上にバイアススパッタ法による酸化膜を積
    層する工程を有することを特徴とする酸化膜の形成方
    法。
  3. 【請求項３】 イオンビームスパッタ法によって形成さ
    れる酸化膜の厚さは、バイアススパッタ法によって形成
    される酸化膜の厚さの１〜１０％であることを特徴とす
    る請求項１又は２に記載の酸化膜の形成方法。
  4. 【請求項４】 基板上に金属酸化物の絶縁層が設けら
    れ、該絶縁層上に所定の素子構成層が積層された電子デ
    バイスにおいて、金属酸化物の絶縁層は、２層以上が積
    層されたものであり、となり合う２層の組み合わせの内
    の少なくとも一組は、同一素材の金属酸化物であって純
    度が異なることを特徴とする電子デバイス。
JP8067279A 1996-02-27 1996-02-27 酸化膜の形成方法および電子デバイス Withdrawn JPH09235669A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8067279A JPH09235669A (ja) 1996-02-27 1996-02-27 酸化膜の形成方法および電子デバイス
US08/807,175 US6033532A (en) 1996-02-27 1997-02-27 Oxide film fabrication method and electronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8067279A JPH09235669A (ja) 1996-02-27 1996-02-27 酸化膜の形成方法および電子デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09235669A true JPH09235669A (ja) 1997-09-09

Family

ID=13340382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8067279A Withdrawn JPH09235669A (ja) 1996-02-27 1996-02-27 酸化膜の形成方法および電子デバイス

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6033532A (ja)
JP (1) JPH09235669A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012116736A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Nagoya Institute Of Technology ウルツ鉱圧電体薄膜、該薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜共振子

Families Citing this family (134)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235594B1 (en) * 1999-01-13 2001-05-22 Agere Systems Guardian Corp. Methods of fabricating an integrated circuit device with composite oxide dielectric
US7007373B2 (en) * 2002-11-18 2006-03-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method of manufacturing enhanced spin-valve sensor with engineered overlayer
US7509961B2 (en) * 2003-10-27 2009-03-31 Philip Morris Usa Inc. Cigarettes and cigarette components containing nanostructured fibril materials
US8689430B1 (en) 2006-11-29 2014-04-08 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a perpendicular magnetic recording (PMR)head
US8404128B1 (en) 2009-02-23 2013-03-26 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a perpendicular magnetic recording head
US8400731B1 (en) 2009-04-19 2013-03-19 Western Digital (Fremont), Llc Write head with variable side shield gaps
US8611055B1 (en) 2009-07-31 2013-12-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic etch-stop layer for magnetoresistive read heads
US9202480B2 (en) 2009-10-14 2015-12-01 Western Digital (Fremont), LLC. Double patterning hard mask for damascene perpendicular magnetic recording (PMR) writer
US8441896B2 (en) 2010-06-25 2013-05-14 Western Digital (Fremont), Llc Energy assisted magnetic recording head having laser integrated mounted to slider
US8997832B1 (en) 2010-11-23 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method of fabricating micrometer scale components
US8441756B1 (en) 2010-12-16 2013-05-14 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer
US9123359B1 (en) 2010-12-22 2015-09-01 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication
US8456961B1 (en) 2011-03-22 2013-06-04 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for mounting and aligning a laser in an electrically assisted magnetic recording assembly
US8419954B1 (en) 2011-10-31 2013-04-16 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer
US8760823B1 (en) 2011-12-20 2014-06-24 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures
US8451563B1 (en) 2011-12-20 2013-05-28 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer using an air bridge
US9093639B2 (en) 2012-02-21 2015-07-28 Western Digital (Fremont), Llc Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling
US9349392B1 (en) 2012-05-24 2016-05-24 Western Digital (Fremont), Llc Methods for improving adhesion on dielectric substrates
US8724259B1 (en) 2012-06-11 2014-05-13 Western Digital (Fremont), Llc Conformal high moment side shield seed layer for perpendicular magnetic recording writer
US9269382B1 (en) 2012-06-29 2016-02-23 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having improved pinning of the pinned layer at higher recording densities
US8711528B1 (en) 2012-06-29 2014-04-29 Western Digital (Fremont), Llc Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing
US9213322B1 (en) 2012-08-16 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Methods for providing run to run process control using a dynamic tuner
US9053719B2 (en) 2012-11-30 2015-06-09 Western Digital (Fremont), Llc Magnetoresistive sensor for a magnetic storage system read head, and fabrication method thereof
US8984740B1 (en) 2012-11-30 2015-03-24 Western Digital (Fremont), Llc Process for providing a magnetic recording transducer having a smooth magnetic seed layer
US8980109B1 (en) 2012-12-11 2015-03-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording transducer using a combined main pole and side shield CMP for a wraparound shield scheme
US8760818B1 (en) 2013-01-09 2014-06-24 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for providing magnetic storage elements with high magneto-resistance using heusler alloys
US9042208B1 (en) 2013-03-11 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive measuring fly height by applying a bias voltage to an electrically insulated write component of a head
US9336814B1 (en) 2013-03-12 2016-05-10 Western Digital (Fremont), Llc Inverse tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head
US8883017B1 (en) 2013-03-12 2014-11-11 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having seamless interfaces
US9013836B1 (en) 2013-04-02 2015-04-21 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole
US9111564B1 (en) 2013-04-02 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording writer having a main pole with multiple flare angles
US9104107B1 (en) 2013-04-03 2015-08-11 Western Digital (Fremont), Llc DUV photoresist process
US8993217B1 (en) 2013-04-04 2015-03-31 Western Digital (Fremont), Llc Double exposure technique for high resolution disk imaging
US9064527B1 (en) 2013-04-12 2015-06-23 Western Digital (Fremont), Llc High order tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head
US9245545B1 (en) 2013-04-12 2016-01-26 Wester Digital (Fremont), Llc Short yoke length coils for magnetic heads in disk drives
US9070381B1 (en) 2013-04-12 2015-06-30 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording read transducer having a laminated free layer
US9431047B1 (en) 2013-05-01 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing an improved AFM reader shield
US9064528B1 (en) 2013-05-17 2015-06-23 Western Digital Technologies, Inc. Interferometric waveguide usable in shingled heat assisted magnetic recording in the absence of a near-field transducer
US9431039B1 (en) 2013-05-21 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording
US9263067B1 (en) 2013-05-29 2016-02-16 Western Digital (Fremont), Llc Process for making PMR writer with constant side wall angle
US9361913B1 (en) 2013-06-03 2016-06-07 Western Digital (Fremont), Llc Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses
US9406331B1 (en) 2013-06-17 2016-08-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for making ultra-narrow read sensor and read transducer device resulting therefrom
US9287494B1 (en) 2013-06-28 2016-03-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic tunnel junction (MTJ) with a magnesium oxide tunnel barrier
US9318130B1 (en) 2013-07-02 2016-04-19 Western Digital (Fremont), Llc Method to fabricate tunneling magnetic recording heads with extended pinned layer
US8923102B1 (en) 2013-07-16 2014-12-30 Western Digital (Fremont), Llc Optical grating coupling for interferometric waveguides in heat assisted magnetic recording heads
US8947985B1 (en) 2013-07-16 2015-02-03 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording transducers having a recessed pole
US9431032B1 (en) 2013-08-14 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Electrical connection arrangement for a multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording
US9275657B1 (en) 2013-08-14 2016-03-01 Western Digital (Fremont), Llc Process for making PMR writer with non-conformal side gaps
US9042051B2 (en) 2013-08-15 2015-05-26 Western Digital (Fremont), Llc Gradient write gap for perpendicular magnetic recording writer
US9343098B1 (en) 2013-08-23 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a heat assisted magnetic recording transducer having protective pads
US9343086B1 (en) 2013-09-11 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write transducer having an improved sidewall angle profile
US9441938B1 (en) 2013-10-08 2016-09-13 Western Digital (Fremont), Llc Test structures for measuring near field transducer disc length
US9042058B1 (en) 2013-10-17 2015-05-26 Western Digital Technologies, Inc. Shield designed for middle shields in a multiple sensor array
US9349394B1 (en) 2013-10-18 2016-05-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having a gradient side gap
US9214172B2 (en) 2013-10-23 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Method of manufacturing a magnetic read head
US9007719B1 (en) 2013-10-23 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using double mask techniques to achieve very small features
US8988812B1 (en) 2013-11-27 2015-03-24 Western Digital (Fremont), Llc Multi-sensor array configuration for a two-dimensional magnetic recording (TDMR) operation
US9194692B1 (en) 2013-12-06 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure
US9280990B1 (en) 2013-12-11 2016-03-08 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches
US9001628B1 (en) 2013-12-16 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Assistant waveguides for evaluating main waveguide coupling efficiency and diode laser alignment tolerances for hard disk
US9082423B1 (en) 2013-12-18 2015-07-14 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write transducer having an improved trailing surface profile
US8917581B1 (en) 2013-12-18 2014-12-23 Western Digital Technologies, Inc. Self-anneal process for a near field transducer and chimney in a hard disk drive assembly
US8971160B1 (en) 2013-12-19 2015-03-03 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer with high refractive index pin for heat assisted magnetic recording
US9147408B1 (en) 2013-12-19 2015-09-29 Western Digital (Fremont), Llc Heated AFM layer deposition and cooling process for TMR magnetic recording sensor with high pinning field
US8970988B1 (en) 2013-12-31 2015-03-03 Western Digital (Fremont), Llc Electric gaps and method for making electric gaps for multiple sensor arrays
US9305583B1 (en) 2014-02-18 2016-04-05 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches of damascene materials
US9183854B2 (en) 2014-02-24 2015-11-10 Western Digital (Fremont), Llc Method to make interferometric taper waveguide for HAMR light delivery
US8988825B1 (en) 2014-02-28 2015-03-24 Western Digital (Fremont, LLC Method for fabricating a magnetic writer having half-side shields
US9142233B1 (en) 2014-02-28 2015-09-22 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having a recessed pole
US9202493B1 (en) 2014-02-28 2015-12-01 Western Digital (Fremont), Llc Method of making an ultra-sharp tip mode converter for a HAMR head
US9396743B1 (en) 2014-02-28 2016-07-19 Western Digital (Fremont), Llc Systems and methods for controlling soft bias thickness for tunnel magnetoresistance readers
US9153255B1 (en) 2014-03-05 2015-10-06 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having an asymmetric gap and shields
US9001467B1 (en) 2014-03-05 2015-04-07 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating side shields in a magnetic writer
US9135930B1 (en) 2014-03-06 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition
US9934811B1 (en) 2014-03-07 2018-04-03 Western Digital (Fremont), Llc Methods for controlling stray fields of magnetic features using magneto-elastic anisotropy
US9190085B1 (en) 2014-03-12 2015-11-17 Western Digital (Fremont), Llc Waveguide with reflective grating for localized energy intensity
US9111558B1 (en) 2014-03-14 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc System and method of diffractive focusing of light in a waveguide
US9135937B1 (en) 2014-05-09 2015-09-15 Western Digital (Fremont), Llc Current modulation on laser diode for energy assisted magnetic recording transducer
US8953422B1 (en) 2014-06-10 2015-02-10 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer using dielectric waveguide core with fine ridge feature
US9007879B1 (en) 2014-06-10 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Interfering near field transducer having a wide metal bar feature for energy assisted magnetic recording
US8976635B1 (en) 2014-06-10 2015-03-10 Western Digital (Fremont), Llc Near field transducer driven by a transverse electric waveguide for energy assisted magnetic recording
US8958272B1 (en) 2014-06-10 2015-02-17 Western Digital (Fremont), Llc Interfering near field transducer for energy assisted magnetic recording
US9508363B1 (en) 2014-06-17 2016-11-29 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole having a leading edge bevel
US9361914B1 (en) 2014-06-18 2016-06-07 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic sensor with thin capping layer
US9053735B1 (en) 2014-06-20 2015-06-09 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer using a full-film metal planarization
US9214169B1 (en) 2014-06-20 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording read transducer having a laminated free layer
US9042052B1 (en) 2014-06-23 2015-05-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a partially shunted coil
US9230565B1 (en) 2014-06-24 2016-01-05 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic shield for magnetic recording head
US9190079B1 (en) 2014-09-22 2015-11-17 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic write pole having engineered radius of curvature and chisel angle profiles
US9007725B1 (en) 2014-10-07 2015-04-14 Western Digital (Fremont), Llc Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates
US9087527B1 (en) 2014-10-28 2015-07-21 Western Digital (Fremont), Llc Apparatus and method for middle shield connection in magnetic recording transducers
US9786301B1 (en) 2014-12-02 2017-10-10 Western Digital (Fremont), Llc Apparatuses and methods for providing thin shields in a multiple sensor array
US9111550B1 (en) 2014-12-04 2015-08-18 Western Digital (Fremont), Llc Write transducer having a magnetic buffer layer spaced between a side shield and a write pole by non-magnetic layers
US9721595B1 (en) 2014-12-04 2017-08-01 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a storage device
US9236560B1 (en) 2014-12-08 2016-01-12 Western Digital (Fremont), Llc Spin transfer torque tunneling magnetoresistive device having a laminated free layer with perpendicular magnetic anisotropy
US9881638B1 (en) 2014-12-17 2018-01-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a near-field transducer (NFT) for a heat assisted magnetic recording (HAMR) device
US9286919B1 (en) 2014-12-17 2016-03-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a dual side gap
US9741366B1 (en) 2014-12-18 2017-08-22 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields
US9214165B1 (en) 2014-12-18 2015-12-15 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields
US9343087B1 (en) 2014-12-21 2016-05-17 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic writer having half shields
US10074387B1 (en) 2014-12-21 2018-09-11 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields
US9437251B1 (en) 2014-12-22 2016-09-06 Western Digital (Fremont), Llc Apparatus and method having TDMR reader to reader shunts
US9449625B1 (en) 2014-12-24 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers
US9123374B1 (en) 2015-02-12 2015-09-01 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having an integrated polarization rotation plate
US9312064B1 (en) 2015-03-02 2016-04-12 Western Digital (Fremont), Llc Method to fabricate a magnetic head including ion milling of read gap using dual layer hard mask
US9443541B1 (en) 2015-03-24 2016-09-13 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields and return pole
US9431031B1 (en) 2015-03-24 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc System and method for magnetic transducers having multiple sensors and AFC shields
US9449621B1 (en) 2015-03-26 2016-09-20 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio
US9384763B1 (en) 2015-03-26 2016-07-05 Western Digital (Fremont), Llc Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure including a soft bias layer
US9245562B1 (en) 2015-03-30 2016-01-26 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording writer with a composite main pole
US9263071B1 (en) 2015-03-31 2016-02-16 Western Digital (Fremont), Llc Flat NFT for heat assisted magnetic recording
US9147404B1 (en) 2015-03-31 2015-09-29 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a read transducer having a dual free layer
US9508372B1 (en) 2015-06-03 2016-11-29 Western Digital (Fremont), Llc Shingle magnetic writer having a low sidewall angle pole
US9851506B2 (en) * 2015-06-04 2017-12-26 Elenion Technologies, Llc Back end of line process integrated optical device fabrication
US9508365B1 (en) 2015-06-24 2016-11-29 Western Digital (Fremont), LLC. Magnetic reader having a crystal decoupling structure
US9530443B1 (en) 2015-06-25 2016-12-27 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic recording device having a high aspect ratio structure
US9842615B1 (en) 2015-06-26 2017-12-12 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer
US9646639B2 (en) 2015-06-26 2017-05-09 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides
US9431038B1 (en) 2015-06-29 2016-08-30 Western Digital (Fremont), Llc Method for fabricating a magnetic write pole having an improved sidewall angle profile
US9666214B1 (en) 2015-09-23 2017-05-30 Western Digital (Fremont), Llc Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing
US9472216B1 (en) 2015-09-23 2016-10-18 Western Digital (Fremont), Llc Differential dual free layer magnetic reader
US9424866B1 (en) 2015-09-24 2016-08-23 Western Digital (Fremont), Llc Heat assisted magnetic recording write apparatus having a dielectric gap
US9384765B1 (en) 2015-09-24 2016-07-05 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a HAMR writer having improved optical efficiency
US9595273B1 (en) 2015-09-30 2017-03-14 Western Digital (Fremont), Llc Shingle magnetic writer having nonconformal shields
US9484051B1 (en) 2015-11-09 2016-11-01 The Provost, Fellows, Foundation Scholars and the other members of Board, of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin Method and system for reducing undesirable reflections in a HAMR write apparatus
US9953670B1 (en) 2015-11-10 2018-04-24 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a HAMR writer including a multi-mode interference device
US10037770B1 (en) 2015-11-12 2018-07-31 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetic recording write apparatus having a seamless pole
US9812155B1 (en) 2015-11-23 2017-11-07 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for fabricating high junction angle read sensors
US9564150B1 (en) 2015-11-24 2017-02-07 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic read apparatus having an improved read sensor isolation circuit
US9799351B1 (en) 2015-11-30 2017-10-24 Western Digital (Fremont), Llc Short yoke length writer having assist coils
US9754611B1 (en) 2015-11-30 2017-09-05 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic recording write apparatus having a stepped conformal trailing shield
US9858951B1 (en) 2015-12-01 2018-01-02 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a multilayer AFM layer in a read sensor
US9767831B1 (en) 2015-12-01 2017-09-19 Western Digital (Fremont), Llc Magnetic writer having convex trailing surface pole and conformal write gap
US9740805B1 (en) 2015-12-01 2017-08-22 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for detecting hotspots for photolithographically-defined devices

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4036723A (en) * 1975-08-21 1977-07-19 International Business Machines Corporation RF bias sputtering method for producing insulating films free of surface irregularities
US4142958A (en) * 1978-04-13 1979-03-06 Litton Systems, Inc. Method for fabricating multi-layer optical films
DE3853408T2 (de) * 1987-12-02 1995-08-10 Canon Kk Trägerschicht für Farbstrahlkopf, Herstellungsverfahren und Farbstrahlvorrichtung, versehen mit solch einem Kopf.
US5225953A (en) * 1989-11-09 1993-07-06 Sumitomo Special Metal Co., Ltd. Magnetic thin film head of a single magnetic pole for perpendicular recording and reproduction
US5268217A (en) * 1990-09-27 1993-12-07 Diamonex, Incorporated Abrasion wear resistant coated substrate product

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012116736A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Nagoya Institute Of Technology ウルツ鉱圧電体薄膜、該薄膜の製造方法及び製造装置、並びに薄膜共振子

Also Published As

Publication number Publication date
US6033532A (en) 2000-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09235669A (ja) 酸化膜の形成方法および電子デバイス
JP3343620B2 (ja) マグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法および装置
US10475659B2 (en) Method of processing target object
US9034198B2 (en) Plasma etching method
JP6278584B2 (ja) プラズマチャンバ部品用耐プラズマコーティング
US8449785B2 (en) Substrate processing method
KR102071732B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터 기록 매체
JPH0697660B2 (ja) 薄膜形成方法
JPH08321491A (ja) ウエハ清浄化スパッタリングプロセス
CN105097489B (zh) 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
JP3190610B2 (ja) 実質的に平坦な膜を形成する方法
KR102535560B1 (ko) 내플라즈마성 코팅막의 제조방법
JPH07335570A (ja) プラズマ処理における基板温度制御方法
JPWO2008032627A1 (ja) ドライエッチング方法
JP2020031137A (ja) 環状部材、プラズマ処理装置及びプラズマエッチング方法
CN112466757B (zh) 薄膜沉积方法及基片
JPH1192968A (ja) ドライエッチング装置とプラズマ化学的気相堆積装置
KR102140914B1 (ko) 내부 응력 제어막의 형성 방법
JP5265309B2 (ja) スパッタリング方法
JP3694083B2 (ja) ルテニウム膜のエッチング方法
KR100886989B1 (ko) Ｔｉ 막의 성막 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
JP5312138B2 (ja) スパッタリング方法
JPH11269644A (ja) パーティクル発生防止方法及びスパッタリング装置
KR20070038780A (ko) 지르코늄산화막 증착방법
JP2003301267A (ja) スパッタ成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030506