JP2002090774A - 液晶表示装置とその製造方法および装置 - Google Patents

液晶表示装置とその製造方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】製造工程数の増加なくゲート線等の配線パター
ンの絶縁劣化に起因する表示不良の発生を抑制する。 【解決手段】有効表示領域の端部側に形成したゲート端
子ＧＴＭがアルミニウム合金の薄膜ｇ１の上層にモリブ
デン合金の薄膜ｇ２を有する積層構造膜であり、有効表
示領域におけるゲート線ＧＬがアルミニウム合金の薄膜
ｇ１の上層にアルミニウム酸化物の薄膜ＡＯＦを有する
積層構造膜とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に一対の絶縁基板をスペーサを介して一定の間隙
で対向させ、当該間隙に液晶組成物を保持すると共に画
素領域内に保持容量部を形成した液晶表示装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ノート型コンピユータやコンピユータモ
ニター用の高精細かつカラー表示が可能な液晶表示装置
が広く普及している。
【０００３】この液晶表示装置は、基本的には少なくと
も一方が透明なガラス板等からなる二枚の絶縁性基板の
間に液晶組成物の層（以下、単に液晶とも言う）を挟持
して所謂液晶パネルを構成し、この液晶パネルの絶縁性
基板に形成した画素形成用の各種電極に選択的に電圧を
印加して所定画素部分の液晶分子の配向方向を変化させ
て画素形成を行う形式（単純マトリクス）、上記各種電
極と画素選択用のアクティブ素子を形成してこのアクテ
ィブ素子を選択することにより所定画素の液晶分子の配
向方向を変化させて画素形成を行う形式（アクティブマ
トリクス）とに大きく分類される。
【０００４】一般に、アクティブマトリクス型液晶表示
装置は、一方の基板に形成した電極と他方の基板に形成
した電極との間に液晶の配向方向を変えるための電界を
印加する、所謂縦電界方式（ＴＮ方式との言う）を採用
している。
【０００５】一方、液晶に印加する電界の方向を絶縁性
基板の基板面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式
（ＩＰＳ方式とも言う）の液晶表示装置が実用化されて
いる。この横電界方式の液晶表示装置を開示したものし
ては、二枚の絶縁性基板の一方に電界形成用の櫛歯電極
等を用いて非常に広い視野角を得るようにしたものが知
られている。
【０００６】横電界方式の液晶表示装置は、複数の走査
信号線（以下、ゲート線とも言う）および映像信号線
（以下、ドレイン線とも言う）と、前記ゲート線および
ドレイン線の交点近傍に形成したスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を介して駆動電圧が印加される画
素電極と、対向電圧信号線（以下、対向電極とも言う）
とを備えたアクティブマトリクス基板（薄膜トランジス
タ基板とも言う）と、樹脂組成物で形成したブラックマ
トリクスの開口領域に形成される各画素に対してそれぞ
れ配置したカラーフィルタ層を形成したカラーフィルタ
基板と、前記アクティブマトリクス基板とカラーフィル
タ基板の間に液晶を挟持して液晶パネルとし、この液晶
パネルの背面にバックライトを設置して上下のケースで
一体化して液晶表示装置を構成している。
【０００７】そして、前記画素電極と対向電極との間に
前記各絶縁性基板の基板面と略平行に形成される前記電
界成分により前記液晶の光透過率を変化させて画像表示
を行うようにしている。
【０００８】このような横電界方式の液晶表示装置は、
縦電界方式とは異なり、その表示面に対して大きな角度
視野から観察しても鮮明な映像（画像）を認識でき、所
謂角度視野に優れたものである。
【０００９】なお、このような構成の液晶表示装置を開
示したものとしては、例えば特開平６−１６０８７８号
公報を挙げることができる。
【００１０】図１７は横電界方式の液晶表示装置の一例
における一画素とブラックマトリクスの遮光領域および
その周辺を示す平面図である。各画素はゲート線ＧＬ
と、対向電圧信号線ＣＬと、隣接する２本のドレイン線
ＤＬとの交差領域内（４本の信号線で囲まれた領域内）
に配置されている。
【００１１】各画素はスイッチング素子である薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ、蓄積容量（保持容量）部Ｃａｄｄ、画
素電極ＰＸ及び対向電極ＣＴを含む。ゲート線ＧＬ、対
向電圧信号線ＣＬは、図１７では左右方向に延在し、上
下方向に複数本配置されている。また、ドレイン線ＤＬ
は上下方向に延在し、左右方向に複数本配置されてい
る。画素電極ＰＸは薄膜トランジスタＴＦＴと接続さ
れ、対向電極ＣＴは対向電極信号線ＣＬと一体になって
いる。薄膜トランジスタＴＦＴは、ゲート線ＧＬをゲー
ト電極とし、その上に形成した半導体層ＡＳの上にドレ
イン線ＤＬから延びるドレイン電極、および画素電極Ｐ
Ｘと接続するソース電極とから構成されている。
【００１２】画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは互いに対向
し、各画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界により
液晶の配向状態を制御し、透過光あるいは反射光を変調
して表示を制御する。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは櫛
歯状に構成され、それぞれ同図の上下方向に長細い電極
として示してある。
【００１３】対向電極ＣＴは、対向電圧信号線ＣＬを介
して常に外部から電位を供給されているため、その電位
は安定している。そのため、ドレイン線ＤＬに隣接して
も、電位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極
ＰＸのドレイン線ＤＬからの幾何学的な位置が遠くなる
ので、画素電極ＰＸとドレイン線ＤＬの間の寄生容量が
大幅に減少し、画素電極電位の映像信号電圧による変動
も制御できる。
【００１４】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク（縦スミアと呼ばれる画質不良）を抑制すること
ができる。
【００１５】具体例として、画素電極ＰＸと対向電極Ｃ
Ｔの電極幅はそれぞれ６μｍとし、後述の液晶の最大設
定厚みを超える４．５μｍよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると２０％以上のマージ
ンを持った方が好ましいので、望ましくは５．４μｍよ
りも十分大きくしたほうが良い。
【００１６】これにより、液晶に印加される基板面に平
行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも大
きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制することが
できる。又、各電極の電極幅の最大値は、画素電極ＰＸ
と対向電極ＣＴの間の間隔Ｌよりも小さい事が好まし
い。
【００１７】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、絶縁性基板の基板面に平行な電
界成分よりも上記基板面に垂直な電界成分の方が大きい
領域が増大するため、当該基板面に平行な電界成分を効
率良く液晶に印加できないからである。
【００１８】又、ドレイン線ＤＬの電極幅は断線を防止
するために、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴに比較して若
干広くし、ドレイン線ＤＬと対向電極ＣＴとの間隔は、
両者の短絡を防止するために約１μｍの間隔を開けると
共に、ゲート線を覆うゲート絶縁膜の上側にドレイン線
ＤＬを、下側に対向電極ＣＴを形成して、異層になるよ
うに配置してある。
【００１９】一方、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路（信号側ドライバ）の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約１５μｍとなる。
【００２０】本構成例では、平面的に見て、図示しない
カラーフィルタ基板に形成したブラックマトリクスＢＭ
の開口縁がゲート線ＧＬ、対向信号配線ＣＬ、薄膜トラ
ンジスタＴＦＴ、ドレイン線ＤＬの各上方でドレイン線
ＤＬと対向電極ＣＴ間に形成している。
【００２１】そして、上記付加容量Ｃａｄｄは、ブラッ
クマトリクスＢＭの開口縁の外側（画素領域外）におい
て、画素電極ＰＸと対向電圧信号線ＣＬおよび両電極間
に形成される絶縁膜で構成されている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】特に、ＩＰＳ方式の液
晶表示装置では、所謂“核しみ”と称する表示品質を劣
化させる現象が起こることがある。この“核しみ”は薄
膜トランジスタ基板に形成したゲート線あるいはドレイ
ン線や対向電圧信号線などの電極配線材料が液晶に滲み
出て、液晶の特性を変化させることによって生じると考
えられている。
【００２３】そして、この“核しみ”はゲート線の部分
で発生することが多いことが指摘されている。
【００２４】上記従来の液晶表示装置においては、その
薄膜トランジスタ基板（絶縁性基板）に形成するゲート
線として、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タ
ンタル（Ｔａ）等の導電性薄膜、またはそれらの合金が
多く用いられている。
【００２５】特に、材料のコストと液晶表示装置の製造
時における加工性と低抵抗の配線材料として、現状では
アルミニウム若しくはその合金が適している。
【００２６】また、薄膜トランジスタ基板では、ゲート
線とこの上に交差して配置されるドレイン線との間が短
絡を防止するために、アルミニウムまたはアルミニウム
合金からなるゲート線の表面を陽極酸化により生成した
アルミニウム酸化膜で被覆したものが提案されている
（特願平１−２０７７９２号）。
【００２７】図１８は上記従来の薄膜トランジスタ基板
におけるゲート線の構造を説明する要部断面図である。
この薄膜トランジスタ基板は、当該基板ＳＵＢ１上に形
成したアルミニウム合金の薄膜からなるゲート線ＧＬ
と、このゲート線ＧＬの端部にクロムの薄膜でゲート端
子ＧＴＭを形成してある。ゲート線ＧＬの表面には陽極
酸化膜ＡＯＦが形成されている。
【００２８】ゲート端子ＧＴＭの大部分を除いて絶縁膜
ＳＩＮと保護膜ＰＡＳが形成され、絶縁膜ＳＩＮと保護
膜ＰＡＳが形成されないゲート端子ＧＴＭの部分に透明
導電膜ＩＴＯを形成してある。この構造の薄膜トランジ
スタ基板を製造する工程は次のとおりである。
【００２９】ガラス基板（絶縁性基板）ＳＵＢ１上にア
ルミニウム合金の薄膜ｇ１を形成し、ホトエッチングに
よりゲート線ＧＬの下層導電膜を作る。この下層導電膜
の上にクロム薄膜ｇ２を形成し、ホトエッチングにより
ゲート端子部ＧＴＭを作る。
【００３０】その後、ゲート端子部ＧＴＭのクロム薄膜
ｇ２の上をホトレジストで覆った後、前記のアルミニウ
ム合金ｇ１の表面を陽極酸化してアルミニウム酸化物Ａ
ＯＦ（ＡＬ2 ０3 ）を形成し、ゲート線とする。
【００３１】このアルミニウム酸化物ＡＯＦの上にプラ
ズマＣＶＤで絶縁層ＳｉＮ膜、アモルファス半導体層
（ａ−Ｓｉ膜）ＡＳＩを形成し、薄膜トランジスタＴＦ
Ｔのアイランドをパターニングで形成する。
【００３２】その後、透明電極であるＩＴＯ（インジウ
ム・錫酸化物）を形成し、ホトエッチングプロセスによ
りパターン化する。この時ゲート端子部のアルミニウム
合金薄膜ｇ１の上にクロム薄膜ｇ２を残す。
【００３３】また、陽極酸化によりアルミニウム酸化物
を形成する方法として、特開平４−２７３４８０に記載
されているようなマスク装置を使用する方法がある。こ
の公報で提案された装置は、内部が空洞で排気が可能な
ドーナツ形状を有するマスク部材を有し、薄膜トランジ
スタ基板を真空吸着してその吸着時に有効表示領域のみ
を露出し、ゲート端子部の配線領域をマスキングして薄
膜トランジスタ基板上のマスク部材以外の素子部分に陽
極化成液を充填し陽極酸化する装置である。
【００３４】しかし、上記従来の技術における課題とし
て、次の３点を挙げることができる。 （１）ゲート端子部の最上層には、耐腐食性導電膜であ
るＩＴＯが多用される。ＩＴＯはアルミニウム合金薄膜
とのコンタクト抵抗が高いという性質を有する。そのた
め、ＩＴＯとアルミニウム合金薄膜の両者とコンタクト
し易いクロム薄膜で端子を形成する必要が有る。その結
果、ゲート線とゲート端子とで、各々異なる材料を使用
することになり、製造工程数が多くなる。 （２）ゲート線とゲート端子を形成するために、アルミ
ニウム合金薄膜のパターン化と、クロム薄膜のゲート端
子のパターン化と、陽極酸化用レジストのパターン化の
３回のホトリソ工程が必要となる。 （３）配線領域をマスキングして陽極酸化処理する際
に、マスク装置と基板の境界に過電流が流れる可能性が
皆無でなく、この過電流で配線に穴が開く場合もある。
【００３５】本発明の目的は、上記従来技術における課
題を対策して高品質の画像表示を可能とした液晶表示装
置と、“核しみ”の発生を抑制した電極配線のパターニ
ングにおける工程数の増加を不要とした液晶表示装置の
製造方法を提供することにある。
【００３６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ゲート線、ドレイン線、対向電圧信号線
等の電極配線にアルミニウム合金薄膜とモリブデン合金
薄膜からなる積層構造膜を用い、薄膜トランジスタが配
列される有効表示領域の上記積層構造膜のモリブデン合
金薄膜をエッチングにより除去し、モリブデン合金薄膜
を除去して露呈したアルミニウム合金薄膜の表面を陽極
酸化して陽極酸化物で被覆する。このモリブデン合金薄
膜をエッチングと陽極酸化の工程を連続処理するように
した。
【００３７】有効表示領域の外側、すなわちゲート線、
ドレイン線あるいは対向電圧信号線等の引出し線部分
（端子部）の上記積層構造膜を構成するモリブデン合金
薄膜は残留させる。そして、新規な構造の製造装置を用
いて上記の配線パターニング工程を容易に実行可能とし
た。
【００３８】本発明は、薄膜トランジスタ方式の液晶表
示装置における各種の配線や電極、に適用できる外、他
の同様の半導体装置にも適用できる。
【００３９】本発明は、特許請求の範囲に記載した構
成、および後述する実施例で説明する構成に限定される
ものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく種
々の変更が可能である。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、本発明を薄膜トランジスタ方式の液晶表示装置を構
成する薄膜トランジスタ基板のゲート配線部およびゲー
ト端子部に適用した実施例の図面を参照して詳細に説明
する。
【００４１】図１は本発明による液晶表示装置の第１実
施例にかかる薄膜トランジスタ基板の構造を模式的に説
明する要部断面図である。図中、ＳＵＢ１は薄膜トラン
ジスタ基板であり、ここでは透明ガラス基板である。
【００４２】この薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１上に
は、前記図２０で説明した画素を多数配置した有効表示
領域／ゲート配線部と、このゲート配線部のゲート線を
外部に引き出すためのゲート端子部ＧＴＭを有する。図
１では、両者を縦の点線で区画して示す。
【００４３】有効表示領域（ゲート配線部）に形成され
たゲート線ＧＬは、アルミニウム合金薄膜ｇ１とモリブ
デン合金薄膜ｇ２の積層構造膜から、上層のモリブデン
合金薄膜ｇ２を除去してなり、露呈したアルミニウム合
金薄膜ｇ１の表面にアルミニウムの陽極酸化膜ＡＯＦ
（酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 ）が形成されている。
【００４４】すなわち、有効表示領域にはモリブデン合
金薄膜ｇ２はなく、ゲート端子部ＧＴＭはアルミニウム
合金薄膜ｇ１とモリブデン合金薄膜ｇ２の積層構造膜で
構成されている。
【００４５】この構造のゲート配線部には、後述する薄
膜トランジスタ、その他の液晶表示装置のための機能を
実現するための各種構造膜等が形成されて薄膜トランジ
スタ基板を構成する。この薄膜トランジスタ基板と図示
しないカラーフィルタ基板との間に液晶を挟持して液晶
表示装置が構成される。
【００４６】図２は本発明による液晶表示装置の製造方
法の第１実施例を説明するゲート配線部とゲート端子部
の形成工程図である。図中、図１と同一符号は同一部分
に対応し、ＧＭは耐エッチング部材（または、絶縁体）
としての弾性材料である。
【００４７】この弾性材料はエチレンプロピレンゴム、
バイトンゴムが適している。ここではエチレンプロピレ
ンゴムを用いた。
【００４８】薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１上にアルミ
ニウム合金としてアルミニウム−ネオジム合金（ＡｌＮ
ｄ合金）薄膜ｇ１を形成し、その上層に連続してモリブ
デン合金としてモリブデン−ジルコニウム合金（ＭｏＺ
ｒ合金）ｇ２を形成して積層構造膜を形成する。この積
層構造膜にホトリソエッチングプロセスを施してゲート
線とゲート端子をパターニングする。・・・・図２
（ａ）次に、ゲート端子部となるモリブデン−ジルコニ
ウム合金（ＭｏＺｒ）薄膜の表面に絶縁体ＧＭを押し当
ててマスキングする。その後、薄膜トランジスタ基板Ｓ
ＵＢ１を絶縁体ＧＭで囲まれているゲート線の有効表示
領域に電解エッチング液を充填し、ゲート線／ゲート端
子のパターンに正極の電圧を印加する。電解液には図示
しない電極で負極が印加される。
【００４９】モリブデン−ジルコニウム薄膜ｇ２は電解
エッチングされるため、耐エッチング部材ＧＭでマスキ
ングしていない部分のモリブデン−ジルコニウム薄膜ｇ
２はは溶解されて除去される。・・・・図２（ｂ）更に
ゲート線／ゲート端子のパターンに正極の電圧を印加す
ることにより、モリブデン−ジルコニウム薄膜ｇ２が除
去されてアルミニウム−ネオジウム合金（ＡｌＮｄ合
金）薄膜ｇ１の部分では陽極酸化が行われる。
【００５０】この陽極酸化処理によってアルミニウム−
ネオジム合金薄膜ｇ１の表面にアルミニウムの陽極酸化
膜ＡＯＦ（酸化アルミニウムＡｌ2 Ｏ3 ）が形成され
る。・・・・図２（ｃ）その後、耐エッチング部材ＧＭ
をはずし、洗浄してゲート配線部とゲート端子部のパタ
ーンが得られる（図１参照）。
【００５１】次に、本発明による薄膜トランジスタ基板
のゲート配線部とゲート端子部のパターンの電解エッチ
ング及び陽極酸化について、その処理装置（製造装置）
を参照して説明する。
【００５２】図３は本発明による液晶表示装置の製造装
置の概略構成を模式的に説明する斜視図、図４は図３に
示した製造装置を構成するマスク盤の内面構成を説明す
る平面図である。図中、ＢＳはベース盤、ＭＳＫはマス
ク盤、ＨＬは開口部、ＧＭ１とＧＭ２は耐エッチング部
材、ＣＤＨは電解液供給孔、ＰＰＨは電極設置孔を示
す。
【００５３】処理対象となる薄膜トランジスタ基板ＳＵ
Ｂ１はベース盤Ｓ上に載置され、その上方からマスク盤
ＭＳＫを押圧して固定する。
【００５４】薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１にはゲート
配線部とゲート端子部となるアルミニウム合金としてア
ルミニウム−ネオジウム合金（ＡｌＮｄ合金）薄膜ｇ１
とモリブデン−ジルコニウム合金（ＭｏＺｒ合金）ｇ２
の積層構造膜がパターニングされている。なお、ゲート
端子部は、その有効表示領域と反対側の端部がその後の
基板切断で除去される図示しない配線で共通に接続され
ている。
【００５５】ベース盤ＢＳとマスク盤ＭＳＫは耐電解液
性をもつ硬質材料、例えばステンレス材またはセラミッ
クス材、もしくは硬質樹脂である。このマスク盤ＭＳＫ
には有効表示領域を露呈させる当該有効表示領域と略同
一形状を持つ矩形開口ＨＬを有し、この開口の周囲に電
解液供給孔ＣＤＨと電極設置孔ＰＰＨが形成されてい
る。
【００５６】そして、このマスク盤ＭＳＫの裏面すなわ
ちベース盤と対向する面には、上記矩形開口ＨＬの上記
有効表示領域の外側に当接する位置を同軸に周回する弾
性材料からなる耐エッチング部材であるエチレンプロピ
レンゴムＧＭ１，ＧＭ２が取付けてある。
【００５７】矩形開口ＨＬの縁に近い側のエチレンプロ
ピレンゴムＧＭ１と矩形開口ＨＬの縁の間には２以上の
電解液供給穴ＣＤＨを有している。本実施例では、矩形
開口ＨＬの一対の長辺側に上記電解液供給穴ＣＤＨが形
成されている。
【００５８】また、一対のエチレンプロピレンゴムＧＭ
１，ＧＭ２の外側には、ゲート端子部と電気的に接続す
るための一方の電極を設置する電極設置穴ＰＰＨを備え
ている。電極設置穴ＰＰＨの内面には図示しない電気絶
縁材が取付けてある。なお、一方の電極自体の当該電極
設置穴ＰＰＨと当接する部分に電気絶縁材を被覆した構
成としてもよい。
【００５９】本実施例では、上記電極設置穴ＰＰＨは矩
形開口ＨＬのコーナー部に設けているが、この電極設置
穴ＰＰＨは上記有効表示領域の外側で当該電極設置穴Ｐ
ＰＨに設置する一方の電極がゲート端子部のショート配
線と電気的に接続する位置であれば、どの位置でもよ
く、また、その数も最小１つ（一方の電極が１本）あれ
ばよい。この電極設置穴ＰＰＨの位置とその数は加工す
る薄膜トランジスタ基板のサイズ、一つのマスク盤に形
成する矩形開口の個数と配列に応じて適宜決定する。
【００６０】図５は本発明による液晶表示装置の製造装
置を用いて薄膜トランジスタ基板を加工する状態の説明
図である。図中、ＣＤは電解液供給管、ＰＰは電極、Ｎ
Ｐは電解液ＥＣＴに沈浸する他方の電極、図３および図
４と同一符号は同一機能部分に対応する。
【００６１】この製造装置を用いたゲート配線部とゲー
ト端子部の加工方法は以下のとおりである。先ず、加工
する薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１を上記積層構造膜を
パターニングした面を上にしてベース盤ＢＳに載置す
る。
【００６２】この薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１に対し
て、その上方からマスク盤ＭＳＫを押圧し、耐エッチン
グ部材である一対のエチレンプロピレンゴムＧＭ１，Ｇ
Ｍ２を薄膜トランジスタ基板に密着させる。このとき、
一方の電極ＰＰは薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１上のゲ
ート端子部のショート配線と電気的に接触が可能な状態
とする。
【００６３】上記エチレンプロピレンゴムＧＭ１，ＧＭ
２の断面形状は角型でも円形でも良いが、円形の方が接
触面積を小さくでき、より望ましい。ベース盤ＢＳを薄
膜トランジスタ基板ＳＵＢ１に押し付けた後、またはこ
の押し付け前に他方の電極ＮＰを矩形開口ＨＬに設置す
る。他方の電極ＮＰは電解液中で薄膜トランジスタ基板
と平行になるように配置する。
【００６４】そして、電解液供給管ＣＤを介して開口Ｈ
Ｌに電解液ＥＣＴを供給する。この電解液は、３％酒石
酸：エチレングリコール＝１：９の溶液を使用し、アン
モニア水でｐＨ７．０に調整した溶液を使用した。この
電解液をマスク盤ＭＳＫの周囲に図示しない適宜の溝を
設け、そこから溢れるようにすることで、電解液の滞留
を防止し、均一な電解エッチングが得られるようにす
る。
【００６５】なお、電解液の滞留を防止する手段として
は、上記の方法に限らず、例えば一方の電解液供給管Ｃ
Ｄを電解液の注入管とし、他方の電解液供給管ＣＤを電
解液の排出管として、矩形開口内の電解液を循環または
流動させるようにしてもよい。
【００６６】その後、一方の電極ＰＰに正極電位を与
え、ショート配線を通して積層構造膜（ｇ１，ｇ２）に
給電する。同時に他方の電極ＮＰに負極電位を与え、定
電圧・定電流を供給する。
【００６７】定電圧としては４０〜８０Ｖを、定電流と
しては電解エッチングする配線面積当たり１ｍＡ／ｃｍ
2 の電流密度となるように電流を流す。この電圧印加で
電解液ＥＣＴに触れている積層構造膜（ｇ１，ｇ２）の
うち、上層のモリブデン−ジルコニウム合金薄膜ｇ２の
部分が数分間で電解エッチングにより溶解し、除去され
る。
【００６８】さらに電圧を印加すると、下層のアルミニ
ウム−ネオジム合金薄膜ｇ１の表面で陽極酸化反応が生
じ、当該アルミニウム−ネオジム合金薄膜ｇ１の表面に
アルミニウム酸化膜（Ａｌ2 Ｏ3 ）が形成される。
【００６９】その後、電解液と電極を抜き取り、マスク
盤ＭＳＫを上方に移動させ、薄膜トランジスタ基板ＳＵ
Ｂ１をベース盤ＢＳから外して水洗する。
【００７０】以上の工程で有効表示領域のゲート線の形
成が終了する。このようにして、１回のホトリソ工程で
ゲート配線部とゲート端子部の形成工程を終了すること
ができる。
【００７１】この電解エッチングと陽極酸化工程で重要
なポイントは以下の３点である。 （１）他方の電極ＮＰと有効表示領域の積層構造膜との
間の電解加工が均一になる様にする。 （２）電解液の循環、特にエチレンプロピレンゴムＧＭ
１，ＧＭ２近傍の攪拌あるいは流動を十分に行う。 （３）エチレンプロピレンゴムＧＭ１，ＧＭ２を均一に
押圧する。押圧が不均一である場合、当該エチレンプロ
ピレンゴムＧＭ１，ＧＭ２と薄膜トランジスタ基板ＳＵ
Ｂ１との間に隙間が生じ、電解液がゲート端子部にしみ
込み、ゲート配線部が溶解されてしまったり、有効表示
領域のモリブデン−ジルコニウム合金薄膜ｇ２の溶解が
不十分となり、製品不良の原因となる。均一に押圧する
ためにはベース盤ＢＳに真空吸着孔を設け、マスク盤Ｍ
ＳＫを真空吸着する方法が有効である。
【００７２】図６〜図８は本発明の液晶表示装置の第１
実施例を構成する薄膜トランジスタ基板の構造を模式的
に説明する断面図である。図６はゲート端子部と有効表
示領域（ゲート配線部）の断面、図７は薄膜トランジス
タ部と付加容量部の断面、図８はドレイン線端子部の断
面を示す。
【００７３】前記した工程により形成したゲート線およ
びゲート端子の上にゲート絶縁膜となる絶縁膜ＳＩＮ、
薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるＡＳＩ、コン
タクト層となるＡＳＩ（ｎ＋）を形成し、ホトリソエッ
チングプロセスでパターン化して図示した断面を有する
構造を得る。
【００７４】そして、ゲート線と同様、または同等の導
電材料の金属膜を形成し、ホトリソエッチングプロセス
でパターン化し、ドレイン線（信号線）ＤＬを形成す
る。この上に保護膜ＰＡＳを形成する。
【００７５】保護膜ＰＡＳと絶縁膜ＳＩＮを通してゲー
ト端子部の積層構造膜（ｇ１，ｇ２）まで達する開口を
開け、透明導電膜ＩＴＯを形成して透明導電膜ＩＴＯで
被覆した積層構造膜（ｇ１，ｇ２）でゲート端子を形成
する（図６）。
【００７６】また、薄膜トランジスタＴＦＴのソースＳ
Ｄ１の位置とドレイン線端子部の位置で保護膜ＰＡＳに
当該開口の底部にソースＳＤ１、ドレイン線が露呈する
開口を形成し、透明導電膜ＩＴＯを形成し、ホトリソエ
ッチングプロセスで加工してソースＳＤ１に接続したＩ
ＴＯを画素電極とし（図７）、ドレイン線ＤＬに接続し
て当該ＩＴＯで被覆したドレイン線ＤＬでゲート端子部
ＤＴＭを形成する（図８）。以上でＴＦＴ基板が完成す
る。
【００７７】なお、前記耐エッチング部材である一対の
エチレンプロピレンゴムＧＭ１，ＧＭ２はゲート線のゲ
ート端子部ＤＴＭのマスキング機能の他に、一方の電極
ＰＰを電解エッチング液との接触から保護する機能も有
する。
【００７８】透明導電膜ＩＴＯを形成し、これを画素電
極およびゲート端子／ドレイン端子にパターニングした
後、その全面に配向膜を塗布し、ラビング等で配向制御
能を付与する。これを後段のカラーフィルタ基板との貼
り合わせ工程に渡す。
【００７９】また、本実施例はゲート線とゲート端子に
ついてのみ説明したが、ＩＰＳ方式たＴＮ方式のドレイ
ン線やドレイン端子、ＩＰＳ方式の対向電圧信号線とそ
の端子の形成にも適用できる。
【００８０】本実施例により、ゲート線のホトリソエッ
チングによるパターニングとアルミニウム酸化物の絶縁
層形成を同一の電解エッチング液で連続処理できるた
め、当該絶縁層による前記した“核しみ”などの表示不
良の発生を回避できると共に、工程数の増加がないこと
で低コスト化を実現できる。
【００８１】図９は本発明による液晶表示装置の第２実
施例にかかる薄膜トランジスタ基板の製造工程の説明図
である。本実施例では、前記した実施例１における耐エ
ッチング材であるエチレンプロピレンゴムＧＭ１，ＧＭ
２に代えてホトレジストを用いた。
【００８２】実施例１と同様の方法でアルミニウム−ネ
オジム合金薄膜ｇ１とモリブデン−ジルコニウム合金薄
膜ｇ２の積層構造膜を形成し、これをホトリソエッチン
グ処理して有効表示領域／ゲート配線部とゲート端子部
からなるゲート線を形成する（図９の（ａ））。
【００８３】その後、ホトレジストを塗布し、露光、現
像して、ゲート端子部にマスキングレジストＲＥＧを形
成する（図９の（ｂ））。これを前記図３〜図５で説明
した製造装置により有効表示領域／ゲート配線部のモリ
ブデン−ジルコニウム合金薄膜ｇ２を電解エッチングで
除去し、連続して前記一方の電極ＰＰと他方の電極ＮＰ
にそれぞれ正極と負極の電圧を印加することでアルミニ
ウム−ネオジム合金薄膜ｇ１の表面にアルミニウム酸化
膜（陽極酸化膜）Ａｌ2 Ｏ3 を形成する（図９（ｃ）ｑ
その後、前記第１実施例と同様の電解エッチング液の抜
き取りと洗浄を行い、マスキングレジストＲＥＧを剥離
し洗浄してゲート端子と陽極酸化膜で被覆したゲート線
のパターンが得られる。
【００８４】その後は実施例１と同様の工程を経て薄膜
トランジスタ基板が完成する。なお、本実施例ではマス
キングレジストＲＥＧのみでマスキングしたが、マスキ
ングレジストＲＥＧの上から実施例１で用いたものと同
様のエチレンプロピレンゴムＧＭ１，ＧＭ２等の耐エッ
チング部材を併用しても良い。
【００８５】また、本実施例はゲート線とゲート端子に
ついてのみ説明したが、ＩＰＳ方式やＴＮ方式のドレイ
ン線やドレイン端子、ＩＰＳ方式の対向電圧信号線とそ
の端子の形成にも適用できる。
【００８６】本実施例によっても、ゲート線の電解エッ
チングによるパターニングとアルミニウム酸化物の絶縁
層形成を同一の電解エッチング液で連続処理できるた
め、当該絶縁層による前記した“核しみ”などの表示不
良の発生を回避できると共に、工程数の増加がないこと
で低コスト化を実現できる。
【００８７】上記本の第１実施例および第２実施例を実
際に液晶表示装置の製造に適用したところ、その製造コ
ストの面では３０％の低コスト化が実現できた。また、
アルミニウム酸化物被覆アルミニウム配線を採用したこ
とにより、約１０％の歩留り向上を図ることができた。
【００８８】次に、本発明を適用した液晶表示装置の他
の構成例を図１０〜図１９を参照して説明する。
【００８９】図１０は本発明による液晶表示装置の要部
構造例を説明する一画素の平面構造の模式図である。表
示画素となる部分はブラックマトリクス（遮光膜）ＢＭ
（開口部を内縁で示す）で囲まれた部分である。
【００９０】ドレイン線（映像信号線）ＤＬの信号電圧
がドレイン線ＤＬとゲート線（走査信号線）ＧＬおよび
ａ−Ｓｉ半導体膜ＡＳＩとで形成された薄膜トランジス
タＦＴＦのオンにより画素電極ＰＸに伝わり、対向電圧
信号線ＣＬと画素電極ＰＸとで形成される付加容量部Ｃ
ａｄｄに保持される。
【００９１】この付加容量部Ｃａｄｄに保持された信号
によって画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間にある液晶
を駆動する。
【００９２】このとき、対向電圧信号線ＣＬはブラック
マトリクスＢＭの開口部（画素領域）の略中央にあり、
液晶は上記対向電圧信号線ＣＬに対し、液晶の初期配向
方向の角度θＲをもっている。なお、初期配向方向の角
度θＲは一般に６０°〜９０°である。
【００９３】図１１は横電界方式の液晶表示装置で形成
される電界を説明する要部断面図である。この液晶表示
装置は一方の基板（薄膜トランジスタ基板）ＳＵＢ１上
にドレイン線（映像信号線）ＤＬ、対向電極ＣＴ、画素
電極ＰＸが形成され、これらの上層に成膜された保護膜
ＰＳＶおよび液晶ＬＣの層との界面に形成された配向制
御層ＯＲＩ１を有する。また、他方の基板（カラーフィ
ルタ基板）ＳＵＢ２上にはブラックマトリクスＢＭで区
画されたカラーフィルタＦＩＬ、これらの上層を覆って
カラーフィルタやブラックマトリクスの構成材が液晶Ｌ
Ｃに影響を及ぼさないように成膜されたオーバーコート
層ＯＣ、および液晶ＬＣの層との界面に形成された配向
制御層ＯＲＩ２を有している。
【００９４】薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１上にあるド
レイン線ＤＬは導電膜ｇ１（アルミニウム合金薄膜）と
ｇ２（モリブデン合金薄膜）の２層からなる。
【００９５】なお、薄膜トランジスタ基板ＳＵＢ１とカ
ラーフィルタ基板ＳＵＢ２の間の距離（液晶の層の厚
み、または間隔：セルギャップ）は両基板の間に球状の
スペーサ（図示せず）、あるいは柱状のスペーサを配置
して所定値に設定するのが一般的である。基板ＳＵＢ１
と基板ＳＵＢ２の外面にはそれぞれ偏光板ＰＯＬ１、Ｐ
ＯＬ２が設置されている。
【００９６】図１２は本発明による液晶表示装置の全体
構成を説明する展開斜視図であり、液晶表示装置（以
下、２枚の基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２を貼り合わせてなる
液晶パネル、駆動手段、バックライト、その他の構成部
材を一体化した液晶表示モジュール：ＭＤＬと称する）
の具体的構造を説明するものである。
【００９７】ＳＨＤは金属板からなるシールドケース
（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は駆動手段を構成する
回路基板（ＰＣＢ１はドレイン側回路基板：映像信号線
駆動用回路基板、ＰＣＢ２はゲート側回路基板、ＰＣＢ
３はインターフェース回路基板）、ＪＮ１〜３は回路基
板ＰＣＢ１〜３同士を電気的に接続するジョイナ、ＴＣ
Ｐ１，ＴＣＰ２はテープキャリアパッケージ、ＰＮＬは
液晶パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは遮光スペ
ーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散シート、
ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡは一体化
成形により形成された下側ケース（モールドフレー
ム）、ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣはラ
ンプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰを支持するゴムブッシ
ュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、ＢＬは蛍光管や導光板等
からなるバックライトを示し、図示の配置関係で拡散板
部材を積み重ねて液晶表示モジュールＭＤＬが組立てら
れる。
【００９８】液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケース
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシールド
ケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ、導光板ＧＬＢ、プリズム
シートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納した下
側ケースＭＣＡとを合体させてなる。
【００９９】映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１には液
晶パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路チッ
プが搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣＢ３
には外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミング信
号等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およびタ
イミングを加工してクロック信号を生成するタイミング
コンバータＴＣＯＮ等が搭載される。
【０１００】上記タイミングコンバータで生成されたク
ロック信号はインターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に敷設されたクロッ
ク信号ラインＣＬＬを介して映像信号線駆動用回路基板
ＰＣＢ１に搭載された集積回路チップに供給される。
【０１０１】インターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。
【０１０２】なお、液晶パネルＰＮＬにはＴＦＴを駆動
するためのドレイン側回路基板ＰＣＢ１、ゲート側回路
基板ＰＣＢ２およびインターフェース回路基板ＰＣＢ３
がテープキャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続
され、各回路基板間はジョイナＪＮ１，２，３で接続さ
れている。
【０１０３】液晶パネルＰＮＬは前記した本発明を適用
した横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
であり、その薄膜トランジスタ基板の配線／電極は前記
実施例で説明した製造装置および方法で形成した構造を
有する。
【０１０４】図１３は本発明による液晶表示装置の等価
回路の説明図である。同図に示すように、液晶表示装置
を構成する液晶パネルは表示部がマトリクス状に配置さ
れた複数の画素の集合により構成され、各画素は液晶パ
ネルの背部に配置されたバックライトからの透過光を独
自に変調制御できるように構成されている。
【０１０５】液晶パネルの構成要素の１つであるＴＦＴ
基板ＳＵＢ１上には、有効画素領域ＡＲにｘ方向（行方
向）に延在し、ｙ方向（列方向）に並設されたゲート配
線ＧＬとコモン配線ＣＬ、およびｙ方向に延在し、ｘ方
向に並設されたドレイン配線ＤＬが形成されている。上
記ゲート配線ＧＬとコモン配線ＣＬは前記実施例の何れ
かの構成を有している。そして、ゲート配線ＧＬとドレ
イン配線ＤＬによって囲まれる矩形状の領域に単位画素
が形成されている。
【０１０６】液晶表示装置は、その液晶パネルの外部回
路として垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回路Ｈを備
え、垂直走査回路Ｖによって複数のゲート配線ＧＬのそ
れぞれに順次走査信号（電圧）が供給され、そのタイミ
ングに合わせて映像信号駆動回路Ｈからドレイン配線Ｄ
Ｌに映像信号（電圧）を供給するようになっている。
【０１０７】なお、垂直走査回路Ｖ及び映像信号駆動回
路Ｈは、液晶駆動電源回路ＰＯＷから電源が供給される
とともにパソコンあるいはテレビ受信回路等のホストＣ
ＰＵからの画像（映像）情報がコントローラＣＴＬによ
ってそれぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力
される。
【０１０８】図１４は本発明を適用する液晶表示装置の
駆動波形の一例の説明図である。同図では、対向電圧を
ＶＣＨとＶＣＬの２値の交流矩形波にし、それに同期さ
せて走査信号ＶＧ（ｉ−１）、ＶＧ（ｉ）の非選択電圧
を１走査期間毎に、ＶＣＨとＶＣＬの２値で変化させ
る。対向電圧の振幅幅と非選択電圧の振幅値は同一にす
る。
【０１０９】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から対向電圧の振幅の１／２を差し引いた電圧である。
【０１１０】対向電圧は直流でも良いが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路（信号側ドライバ）に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。
【０１１１】図１５は本発明による液晶表示装置を実装
したノートパソコンの一例を示す外観図である。このノ
ートパソコンの表示部には前記本発明による液晶表示装
置が実装されている。ＬＰは表示部に設置される線状ラ
ンプＬＰを示す。
【０１１２】図１６は本発明による液晶表示装置を実装
したディスクトップ型モニターの一例を示す外観図であ
る。このモニターの表示部に実装する液晶表示装置は、
前記本発明による液晶表示装置である。なお、ＬＰは線
状ランプＬＰを示す。
【０１１３】本発明による液晶表示装置は、図１１や図
１２に示したようなノートパソコンやディスクトップ型
モニター、その他の機器の表示デバイスにも使用できる
ことは言うまでもない。
【０１１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ゲート配線部とゲート端子部を共通の積層構造膜のパタ
ーニングで形成した後、ホトリソ工程を用いることなく
電解エッチングと陽極酸化の連続処理でゲート配線部と
ゲート端子部を形成することが可能となり、低コスト、
かつ表示不良を抑制した高性能の薄膜トランジスタ型の
液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による液晶表示装置の第１実施例にかか
る薄膜トランジスタ基板の構造を模式的に説明する要部
断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の製造方法の第１実
施例を説明するゲート配線部とゲート端子部の形成工程
図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の製造装置の概略構
成を模式的に説明する斜視図である。
【図４】図３に示した製造装置を構成するマスク盤の内
面構成を説明する平面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の製造装置を用いて
薄膜トランジスタ基板を加工する状態の説明図である。
【図６】ゲート端子部と有効表示領域（ゲート配線部）
の断面図である。
【図７】薄膜トランジスタ部と付加容量部の断面であ
る。
【図８】ドレイン線端子部の断面である。
【図９】本発明による液晶表示装置の第２実施例にかか
る薄膜トランジスタ基板の製造工程の説明図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の要部構造例を説
明する一画素の平面構造の模式図である。
【図１１】横電界方式の液晶表示装置で形成される電界
を説明する要部断面図である。
【図１２】本発明による液晶表示装置の全体構成を説明
する展開斜視図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の等価回路の説明
図である。
【図１４】本発明を適用する液晶表示装置の駆動波形の
一例の説明図である。
【図１５】本発明による液晶表示装置を実装したノート
パソコンの一例を示す外観図である。
【図１６】本発明による液晶表示装置を実装したディス
クトップ型モニターの一例を示す外観図である。
【図１７】横電界方式の液晶表示装置の一例における一
画素とブラックマトリクスの遮光領域およびその周辺を
示す平面図である。
【図１８】従来の薄膜トランジスタ基板におけるゲート
線の構造を説明する要部断面図である。
【符号の説明】
ＳＵＢ１・・・・薄膜トランジスタ基板、ＧＬ・・・・
ゲート配線（ゲート線）、ＧＴＭ・・・・ゲート端子
（ゲート線引き出し端子）、ＡＯＦ・・・・アルミニウ
ム合金の陽極酸化膜、ＰＡＳ・・・・保護膜、ｇ１・・
・・アルミニウム−ネオジム合金薄膜、ｇ２・・・・モ
リブデン−ジルコニウム合金薄膜、ＳＩＮ・・・・絶縁
膜（ＳｉＮ膜）、ＡＳＩ・・・・半導体層（ａ−Ｓｉ
膜）、ＤＬ・・・・ドレイン線（映像信号線）、ＢＳ・
・・・ベース盤。ＭＳＫ・・・・マスク盤、ＥＣＴ・・
・・電解液（電解エッチング液）、ＧＭ・・・・耐エッ
チング部材。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3063 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｌ 29/786 29/78 ６１２Ｃ 21/336 ６２７Ｂ (72)発明者 山本 英明 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 中谷 光雄 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 佐々木 寛 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H092 GA14 JA24 JA34 JA37 JB51 JB61 MA15 MA17 MA24 NA25 PA03 PA08 PA11 QA07 4K044 AA12 AB05 BA02 BA10 BB03 BC14 CA13 CA64 5C094 AA31 BA03 BA43 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 5F043 AA27 BB18 DD12 DD14 5F110 AA16 AA30 BB01 CC07 DD02 EE06 EE37 FF01 FF03 FF09 FF24 HL07 NN73 QQ05 QQ09

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数本のゲート線と複数本の信号線と、前
    記ゲート線と信号線の交差部に配置した薄膜トランジス
    タと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続した画素電
    極とを少なくとも形成した絶縁性基板を具備し、前記ゲ
    ート線の前記画素電極の形成領域を有効表示領域とした
    液晶表示装置であって、 前記ゲート線の前記有効表示領域の端部側に形成したゲ
    ート端子が、アルミニウム合金の薄膜の上層にモリブデ
    ン合金の薄膜を有する積層構造膜であり、 前記有効表示領域における前記ゲート線が、アルミニウ
    ム合金の薄膜の上層にアルミニウム酸化物の薄膜を有す
    る積層構造膜であることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項２】前記アルミニウム合金がアルミニウムとネ
    オジムの合金であり、前記モリブデン合金がモリブデン
    にクロム、ジルコニウム、ハフニウムの中の少なくとも
    １つを添加した合金であることを特徴とする請求項１記
    載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】複数本のゲート線と複数本の信号線と、前
    記ゲート線と信号線の交差部に配置した薄膜トランジス
    タと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続した画素電
    極とを少なくとも形成した絶縁性基板を具備し、前記ゲ
    ート線の前記画素電極の形成領域を有効表示領域とした
    液晶表示装置の製造方法であって、 前記絶縁性基板の上にアルミニウム合金の薄膜とモリブ
    デン合金の薄膜をこの順で連続形成してアルミニウム合
    金層とモリブデン合金層の積層構造膜を形成する工程
    と、 ホトリソグラフィー技法を用いて前記アルミニウム合金
    層とモリブデン合金層の積層構造膜をパターニングして
    前記ゲート線部と前記ゲート端子部を形成する工程と、 前記アルミニウム合金層とモリブデン合金層の積層構造
    膜の前記ゲート線部のモリブデン合金層を電解エッチン
    グで除去すると共に、 モリブデン合金層を除去した前記ゲート線部のアルミニ
    ウム合金層の表面を陽極酸化してアルミニウム酸化膜を
    形成する工程と、を含む液晶表示装置の製造方法。
  4. 【請求項４】前記電解エッチングで前記ゲート線部のモ
    リブデン合金層を電解エッチングすると共に、モリブデ
    ン合金層を除去した前記ゲート線部のアルミニウム合金
    層の表面を陽極酸化する工程は、 前記有効表示領域の外周を耐エッチング部材で被覆する
    工程と、 前記外周を前記耐エッチング部材で被覆した前記有効表
    示領域を電解液に浸す工程と、 前記電解液に一方の極の電位を印加する電極を設置し、
    前記ゲート線部に他方の極の電位を印加する工程と、を
    含む請求項３記載の液晶表示装置の製造方法。
  5. 【請求項５】前記耐エッチング部材が弾性材料であるこ
    とを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  6. 【請求項６】前記耐エッチング部材がホトレジスト材料
    であることを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の
    製造方法。
  7. 【請求項７】複数本のゲート線と複数本の信号線と、前
    記ゲート線と信号線の交差部に配置した薄膜トランジス
    タと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続した画素電
    極とを少なくとも形成した絶縁性基板を具備し、前記ゲ
    ート線の前記画素電極の形成領域を有効表示領域とした
    液晶表示装置の製造方法であって、 前記絶縁性基板の上に陽極酸化が可能な第１の導電体薄
    膜を形成する工程と、 前記第１の導電体薄膜の上に電解エッチングが可能な第
    ２の導電体薄膜を形成する工程と、 前記第１の導電体薄膜と前記第２の導電体薄膜との積層
    構造膜をホトエッチングにより前記ゲート線部と前記ゲ
    ート端子部を形成する工程と、 前記ホトエッチングで形成した前記ゲート線の有効表示
    領域の外周を耐エッチング部材で被覆する工程と、 前記積層構造膜の前記ゲート線部の前記第２の導電膜を
    電解エッチングで除去する工程と、 前記第２の導電膜を除去した前記ゲート線部の前記第１
    の導電膜の表面を陽極酸化して陽極酸化膜を形成する工
    程と、 前記耐エッチング部材を除去する工程と、を含む液晶表
    示装置の製造方法。
  8. 【請求項８】前記第１の導電体薄膜がアルミニウムにチ
    タン、タンタル、ネオジムの少なくとも１つを添加した
    合金であり、前記第２の導電体薄膜がモリブデンにクロ
    ム、ジルコニウム、ハフニウムの少なくとも１つを添加
    した合金である請求項７記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  9. 【請求項９】前記耐エッチング部材が弾性材料であるこ
    とを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置の製造方
    法。
  10. 【請求項１０】前記耐エッチング部材がホトレジスト材
    料であることを特徴とする請求項７記載の液晶表示装置
    の製造方法。
  11. 【請求項１１】複数本のゲート線と複数本の信号線と、
    前記ゲート線と信号線の交差部に配置した薄膜トランジ
    スタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続した画素
    電極とを少なくとも形成した絶縁性基板を具備し、前記
    ゲート線の前記画素電極の形成領域を有効表示領域とし
    た液晶表示装置の製造装置であって、 前記絶縁性基板を載置するベース盤と、前記ベース盤に
    載置した前記絶縁性基板を押圧する如く配置したマスク
    盤で構成され、 前記マスク盤は、前記絶縁性基板の有効表示領域を露呈
    する略々前記有効表示領域の形状と略同一形状を持つ矩
    形開口と、この矩形開口の前記絶縁性基板の前記有効表
    示領域の外側に当接する位置を周回する弾性材料からな
    る耐エッチング部材を備え、前記耐エッチング部材より
    も前記矩形開口側かつ前記矩形開口の異なる辺に２以上
    の電解液供給穴を形成してなり、 前記絶縁性基板を前記ベース盤に載置し、その上に前記
    マスク盤を押接して前記耐エッチング部材で囲まれた前
    記絶縁性基板の有効表示領域に前記電解液供給穴を通し
    て電解液を供給することで、前記電解液を攪拌すること
    を特徴とする液晶表示装置の製造装置。
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