JP2002090774A5 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に有効表示領域が形成され、且つ前記一方の面の前記有効表示領域内に形成さ
れた複数のゲート線、複数の信号線、複数の薄膜トランジスタ、及び複数の画素電極を備
えた絶縁性基板を有し、前記複数の信号線の各々は前記複数のゲート線上と交差し、前記
複数の薄膜トランジスタの各々は前記複数のゲート線の一つと前記複数の信号線の一つと
の交差部に配置され、前記複数の画素電極の各々は前記複数の薄膜トランジスタの一つに
電気的に接続された液晶表示装置の製造方法で、
前記絶縁基板上にアルミニウム合金とモリブデン合金の薄膜を、前記アルミニウム合金
、前記モリブデン合金の順に連続形成してアルミニウム合金層とモリブデン合金層の積層
構造膜を形成する第１工程、
ホトリソグラフィー技法を用いて前記アルミニウム合金層と前記モリブデン合金層の前
記積層構造膜をパターニングして前記有効表示領域内に前記複数のゲート線を形成し、且
つ前記有効表示領域の外周に前記複数のゲート線の各々に対応するゲート端子部を形成す
る第２工程、
前記絶縁性基板上の少なくとも前記ゲート端子部を含む前記有効表示領域の前記外周を
、耐エッチング部材で被覆し、且つ前記複数のゲート線を含む前記有効表示領域は耐エッ
チング部材で被覆しない第３工程、
前記有効表示領域の前記外周が前記耐エッチング部材で被覆された前記絶縁性基板を、
その中に電極が設置された電解液に、前記複数のゲート線を少なくとも含む前記有効表示
領域内に形成された前記積層構造膜が前記電解液に触れるように浸し、且つ前記電解液中
に設置された前記電極に負極電位を印加させる第４工程、
前記第４工程の終了後に前記絶縁性基板から前記電解液及び前記耐エッチング部材を取
り除き、前記絶縁性基板を洗浄する第５工程が、この順に行なわれ、
前記第４工程において、前記複数のゲート線の各々を含む前記電解液に触れている前記
積層構造膜の前記モリブデン合金層は、前記複数のゲート線の各々を含む前記電解液に触
れている前記積層構造膜の前記アルミニウム合金層から除去され、前記モリブデン合金層
の除去に続いて前記アルミニウム合金層の表面の陽極酸化により、前記アルミニウム合金
層の前記表面上にアルミニウム酸化膜が形成され、
前記複数のゲート線の各々に形成された前記モリブデン合金層の除去、及び前記複数の
ゲート線の各々に形成された前記アルミニウム合金層の陽極酸化は、前記第４工程で終了
されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記耐エッチング部材が弾性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
装置の製造方法。
【請求項３】
前記弾性材料はエチレンプロピレンゴム又はフッ素ゴムであることを特徴とする請求項
２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記耐エッチング部材がホトレジスト材料であることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記アルミニウム合金層は、アルミニウムとこれに添加されたチタン、タンタル、ネオ
ジムの少なくとも一つを含む合金からなり、前記モリブデン合金層は、モリブデンとこれ
に添加されたクロム、ジルコニウム、ハフニウムの少なくとも一つを含む合金からなるこ
とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第４工程において、前記複数のゲート線の各々を含む前記電解液に触れている前記
積層構造幕と、前記電解液中に設置された前記電極との間には、定電圧にて定電流が流れ
ていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製
造方法。
【請求項７】
前記第４工程において、前記複数のゲート線のおのおのを含む前記電解液に触れている
前記積層構造幕と、前記電解液中に設置された前記電極との間に印加される前記定電圧は
、４０Ｖから８０Ｖの範囲にあること特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記電解液は、アンモニア水が添加されえた酒石酸とエチレングリコールの溶液である
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法
。
【請求項１】
一方の面に有効表示領域が形成され、且つ前記一方の面の前記有効表示領域内に形成さ
れた複数のゲート線、複数の信号線、複数の薄膜トランジスタ、及び複数の画素電極を備
えた絶縁性基板を有し、前記複数の信号線の各々は前記複数のゲート線上と交差し、前記
複数の薄膜トランジスタの各々は前記複数のゲート線の一つと前記複数の信号線の一つと
の交差部に配置され、前記複数の画素電極の各々は前記複数の薄膜トランジスタの一つに
電気的に接続された液晶表示装置の製造方法で、
前記絶縁基板上にアルミニウム合金とモリブデン合金の薄膜を、前記アルミニウム合金
、前記モリブデン合金の順に連続形成してアルミニウム合金層とモリブデン合金層の積層
構造膜を形成する第１工程、
ホトリソグラフィー技法を用いて前記アルミニウム合金層と前記モリブデン合金層の前
記積層構造膜をパターニングして前記有効表示領域内に前記複数のゲート線を形成し、且
つ前記有効表示領域の外周に前記複数のゲート線の各々に対応するゲート端子部を形成す
る第２工程、
前記絶縁性基板上の少なくとも前記ゲート端子部を含む前記有効表示領域の前記外周を
、耐エッチング部材で被覆し、且つ前記複数のゲート線を含む前記有効表示領域は耐エッ
チング部材で被覆しない第３工程、
前記有効表示領域の前記外周が前記耐エッチング部材で被覆された前記絶縁性基板を、
その中に電極が設置された電解液に、前記複数のゲート線を少なくとも含む前記有効表示
領域内に形成された前記積層構造膜が前記電解液に触れるように浸し、且つ前記電解液中
に設置された前記電極に負極電位を印加させる第４工程、
前記第４工程の終了後に前記絶縁性基板から前記電解液及び前記耐エッチング部材を取
り除き、前記絶縁性基板を洗浄する第５工程が、この順に行なわれ、
前記第４工程において、前記複数のゲート線の各々を含む前記電解液に触れている前記
積層構造膜の前記モリブデン合金層は、前記複数のゲート線の各々を含む前記電解液に触
れている前記積層構造膜の前記アルミニウム合金層から除去され、前記モリブデン合金層
の除去に続いて前記アルミニウム合金層の表面の陽極酸化により、前記アルミニウム合金
層の前記表面上にアルミニウム酸化膜が形成され、
前記複数のゲート線の各々に形成された前記モリブデン合金層の除去、及び前記複数の
ゲート線の各々に形成された前記アルミニウム合金層の陽極酸化は、前記第４工程で終了
されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記耐エッチング部材が弾性材料からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
装置の製造方法。
【請求項３】
前記弾性材料はエチレンプロピレンゴム又はフッ素ゴムであることを特徴とする請求項
２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記耐エッチング部材がホトレジスト材料であることを特徴とする請求項１に記載の液
晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記アルミニウム合金層は、アルミニウムとこれに添加されたチタン、タンタル、ネオ
ジムの少なくとも一つを含む合金からなり、前記モリブデン合金層は、モリブデンとこれ
に添加されたクロム、ジルコニウム、ハフニウムの少なくとも一つを含む合金からなるこ
とを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第４工程において、前記複数のゲート線の各々を含む前記電解液に触れている前記
積層構造幕と、前記電解液中に設置された前記電極との間には、定電圧にて定電流が流れ
ていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製
造方法。
【請求項７】
前記第４工程において、前記複数のゲート線のおのおのを含む前記電解液に触れている
前記積層構造幕と、前記電解液中に設置された前記電極との間に印加される前記定電圧は
、４０Ｖから８０Ｖの範囲にあること特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記電解液は、アンモニア水が添加されえた酒石酸とエチレングリコールの溶液である
ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法
。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に一対の絶縁基板をスペーサを介して一定の間隙で
対向させ、当該間隙に液晶組成物を保持すると共に画素領域内に保持容量部を形成した液
晶表示装置の製造方法に関する。
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に一対の絶縁基板をスペーサを介して一定の間隙で
対向させ、当該間隙に液晶組成物を保持すると共に画素領域内に保持容量部を形成した液
晶表示装置の製造方法に関する。
本発明の目的は、上記従来技術における課題を対策して高品質の画像表示を可能とし、 ”核しみ”の発生を抑制した電極配線のパターニングにおける工程数の増加を不要とした液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
Priority Applications (5)
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| KR10-2001-0056193A KR100508663B1 (ko) | 2000-09-14 | 2001-09-12 | 액정표시장치와 그 제조방법 및 장치 |
| US09/951,425 US20020030779A1 (en) | 2000-09-14 | 2001-09-14 | Liquid crystal display device, manufacturing method thereof, and fabrication apparatus therefor |
| US10/865,779 US6903786B2 (en) | 2000-09-14 | 2004-06-14 | Liquid crystal display device, manufacturing method thereof, and fabrication apparatus therefor |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH06347827A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
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| KR0147019B1 (ko) * | 1994-12-21 | 1998-09-15 | 김광호 | 박막트랜지스터 액정 디스플레이 소자의 패드부 및 박막트랜지스터 액정디스플레이 소자의 제조방법 |
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| KR100392909B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2004-03-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터및그의제조방법 |
| KR100252306B1 (ko) | 1997-07-04 | 2000-04-15 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조방법 |
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2001
- 2001-09-07 TW TW090122281A patent/TW583481B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-12 KR KR10-2001-0056193A patent/KR100508663B1/ko active IP Right Grant
- 2001-09-14 US US09/951,425 patent/US20020030779A1/en not_active Abandoned
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2004
- 2004-06-14 US US10/865,779 patent/US6903786B2/en not_active Expired - Fee Related
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