JP2001244466A - 金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置 - Google Patents
金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置Info
- Publication number
- JP2001244466A JP2001244466A JP2000053809A JP2000053809A JP2001244466A JP 2001244466 A JP2001244466 A JP 2001244466A JP 2000053809 A JP2000053809 A JP 2000053809A JP 2000053809 A JP2000053809 A JP 2000053809A JP 2001244466 A JP2001244466 A JP 2001244466A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal wiring
- plating
- wiring
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 99
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 88
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 47
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 297
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 132
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 92
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 40
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- VEPSWGHMGZQCIN-UHFFFAOYSA-H ferric oxalate Chemical compound [Fe+3].[Fe+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O VEPSWGHMGZQCIN-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- -1 salt compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100366711 Arabidopsis thaliana SSL13 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100321669 Fagopyrum esculentum FA02 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100366561 Panax ginseng SS11 gene Proteins 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006121 base glass Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- GKEBANQXMVUDHF-UHFFFAOYSA-H oxalate;ruthenium(3+) Chemical compound [Ru+3].[Ru+3].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O GKEBANQXMVUDHF-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002940 palladium Chemical class 0.000 description 1
- JKDRQYIYVJVOPF-FDGPNNRMSA-L palladium(ii) acetylacetonate Chemical compound [Pd+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O JKDRQYIYVJVOPF-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/4908—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/032—Materials
- H05K2201/0326—Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｎｉメッキ膜厚を薄くしても、Ｃｕ/Ｎｉ膜
または、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ膜の表面にフクレ不良が発生し
ない金属配線の構造を提供する。 【解決手段】 この金属配線１は、無電解メッキによっ
て形成されたＮｉ膜１２上に、順に、Ａｕ膜１３とＣｕ
膜１５が無電解メッキによって積層されたＣｕ/Ａｕ/Ｎ
ｉ膜構造において、Ｎｉ膜１２のリン含有率ｘが、１０
ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ である。このＮｉ膜１２のリ
ンの含有率ｘが１０〜１５ｗｔ％のいわゆる高含リンタ
イプのＮｉ膜１２は、膜厚０.１μｍ以上の条件下で、
緻密で平滑な膜を形成することが実験によって判明し
た。
または、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ膜の表面にフクレ不良が発生し
ない金属配線の構造を提供する。 【解決手段】 この金属配線１は、無電解メッキによっ
て形成されたＮｉ膜１２上に、順に、Ａｕ膜１３とＣｕ
膜１５が無電解メッキによって積層されたＣｕ/Ａｕ/Ｎ
ｉ膜構造において、Ｎｉ膜１２のリン含有率ｘが、１０
ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ である。このＮｉ膜１２のリ
ンの含有率ｘが１０〜１５ｗｔ％のいわゆる高含リンタ
イプのＮｉ膜１２は、膜厚０.１μｍ以上の条件下で、
緻密で平滑な膜を形成することが実験によって判明し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、液晶表示装置
(ＬＣＤ),フィールドエミッション表示装置(ＦＥＤ),電
気泳動表示装置(ＥＰＤ),プラズマ表示装置(ＰＤＰ),エ
レクトロクロミック表示装置(ＥＣＤ),エレクトロルミ
ネッセント表示装置(ＥＬＤ)などのフラットパネルディ
スプレイや、アクティブマトリクス基板を用いたフラッ
トパネル型イメージセンサ,セラミック基板を用いたプ
リント配線基板,その他各種の分野で用いられる金属配
線およびその製造方法さらにはその金属配線を用いた薄
膜トランジスタおよび表示装置に関する。
(ＬＣＤ),フィールドエミッション表示装置(ＦＥＤ),電
気泳動表示装置(ＥＰＤ),プラズマ表示装置(ＰＤＰ),エ
レクトロクロミック表示装置(ＥＣＤ),エレクトロルミ
ネッセント表示装置(ＥＬＤ)などのフラットパネルディ
スプレイや、アクティブマトリクス基板を用いたフラッ
トパネル型イメージセンサ,セラミック基板を用いたプ
リント配線基板,その他各種の分野で用いられる金属配
線およびその製造方法さらにはその金属配線を用いた薄
膜トランジスタおよび表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、液晶表示装置(ＬＣＤ)に代表され
るフラットパネルディスプレイでは、一対の基板の間に
液晶などの表示材料が挟持され、この表示材料に電圧を
印加する駆動方式が採用される。ここで、少なくとも一
方の基板には、導電材料から電気配線が配列されてい
る。
るフラットパネルディスプレイでは、一対の基板の間に
液晶などの表示材料が挟持され、この表示材料に電圧を
印加する駆動方式が採用される。ここで、少なくとも一
方の基板には、導電材料から電気配線が配列されてい
る。
【０００３】例えば、アクティブマトリクス駆動型ＬＣ
Ｄの場合、表示材料を狭持する一対の基板の内、一方の
基板(アクティブマトリクス基板)上には、ゲート電極と
データ電極がマトリクス状に配設されるとともに、その
交差部毎に薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)と画素電極が配設
されている。通常、このゲート電極やデータ電極はＴ
ａ,Ａｌ,Ｍｏなどの金属材料から形成されており、スパ
ッタ法などの乾式成膜法によって成膜されている。
Ｄの場合、表示材料を狭持する一対の基板の内、一方の
基板(アクティブマトリクス基板)上には、ゲート電極と
データ電極がマトリクス状に配設されるとともに、その
交差部毎に薄膜トランジスタ(ＴＦＴ)と画素電極が配設
されている。通常、このゲート電極やデータ電極はＴ
ａ,Ａｌ,Ｍｏなどの金属材料から形成されており、スパ
ッタ法などの乾式成膜法によって成膜されている。
【０００４】ところで、このようなフラットパネルディ
スプレイにおいて、大面積化,高精細化を図ろうとした
場合、駆動周波数が高まるとともに、電気配線の抵抗や
寄生容量が増大することに起因して、駆動信号の遅延が
大きな問題となってくる。
スプレイにおいて、大面積化,高精細化を図ろうとした
場合、駆動周波数が高まるとともに、電気配線の抵抗や
寄生容量が増大することに起因して、駆動信号の遅延が
大きな問題となってくる。
【０００５】そこで、この駆動信号の遅延問題を解決す
るために、従来の配線材料であるＡｌ(バルク抵抗率２.
７μΩ・ｃｍ)、α−Ｔａ(バルク抵抗率１３.１μΩ・
ｃｍ)、Ｍｏ(バルク抵抗率５.８μΩ・ｃｍ)の代わり
に、より電気抵抗の低いＣｕ(バルク抵抗率１.７μΩ・
ｃｍ)を配線材料に用いる試みがなされている。例え
ば、「Low Resistance Copper Adress Line For TFT-LC
D」(Japan Display '89 p.498-501)において、ゲート電
極材料にＣｕを用いたＴＦＴ−ＬＣＤの検討結果が開示
されている。この文献によれば、スパッタ法で成膜した
Ｃｕ膜は、下地ガラス基板との密着性が悪いため、下地
にＴａなどの金属膜を介在させることで密着性の向上を
図る必要があることが明記されている。
るために、従来の配線材料であるＡｌ(バルク抵抗率２.
７μΩ・ｃｍ)、α−Ｔａ(バルク抵抗率１３.１μΩ・
ｃｍ)、Ｍｏ(バルク抵抗率５.８μΩ・ｃｍ)の代わり
に、より電気抵抗の低いＣｕ(バルク抵抗率１.７μΩ・
ｃｍ)を配線材料に用いる試みがなされている。例え
ば、「Low Resistance Copper Adress Line For TFT-LC
D」(Japan Display '89 p.498-501)において、ゲート電
極材料にＣｕを用いたＴＦＴ−ＬＣＤの検討結果が開示
されている。この文献によれば、スパッタ法で成膜した
Ｃｕ膜は、下地ガラス基板との密着性が悪いため、下地
にＴａなどの金属膜を介在させることで密着性の向上を
図る必要があることが明記されている。
【０００６】しかしながら、上記のＣｕ配線構造は以下
のような問題を抱えている。
のような問題を抱えている。
【０００７】すなわち、低抵抗化を目的としたＣｕ膜
と、このＣｕ膜の密着性を向上させることを目的とした
下地金属膜Ｔａの両者をスパッタなどの真空成膜装置で
形成する場合、Ｃｕ膜と下地金属膜Ｔａに対して個別の
成膜工程が必要となり、プロセスが増加し、コストアッ
プにつながる。また、Ｃｕ膜と下地金属膜に対して、個
別のエッチングプロセスが必要になり、プロセスが増加
してコストアップにつながる。さらに、上記Ｃｕ配線構
造では、ディスプレイの大面積化すなわち成膜面積の大
面積化に伴い、真空成膜装置やエッチング装置の大型化
が必要となるため、生産コストの増大を招いてしまう。
と、このＣｕ膜の密着性を向上させることを目的とした
下地金属膜Ｔａの両者をスパッタなどの真空成膜装置で
形成する場合、Ｃｕ膜と下地金属膜Ｔａに対して個別の
成膜工程が必要となり、プロセスが増加し、コストアッ
プにつながる。また、Ｃｕ膜と下地金属膜に対して、個
別のエッチングプロセスが必要になり、プロセスが増加
してコストアップにつながる。さらに、上記Ｃｕ配線構
造では、ディスプレイの大面積化すなわち成膜面積の大
面積化に伴い、真空成膜装置やエッチング装置の大型化
が必要となるため、生産コストの増大を招いてしまう。
【０００８】このため、真空成膜装置を必要とせず、安
価な装置で成膜が可能な湿式メッキ技術によるＣｕ配線
製造技術の確立が望まれている。
価な装置で成膜が可能な湿式メッキ技術によるＣｕ配線
製造技術の確立が望まれている。
【０００９】一方、スパッタ法等の真空成膜プロセスを
使わずにメッキ成膜技術を用いてＣｕ配線を形成する方
法が、特開平２−８３５３３に開示されている。ここで
は、下地のＩＴＯ膜上に無電解メッキによって、順次、
Ｎｉ膜とＡｕ膜を形成し、更にその上に無電解メッキに
よってＣｕ膜を形成する。これにより、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ
積層構造の電気配線を実現している。
使わずにメッキ成膜技術を用いてＣｕ配線を形成する方
法が、特開平２−８３５３３に開示されている。ここで
は、下地のＩＴＯ膜上に無電解メッキによって、順次、
Ｎｉ膜とＡｕ膜を形成し、更にその上に無電解メッキに
よってＣｕ膜を形成する。これにより、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ
積層構造の電気配線を実現している。
【００１０】このような形成方法を採用する理由は、Ｉ
ＴＯ膜(酸化膜)表面に、メッキによってＣｕ膜を成膜し
ようとした場合、Ｃｕ膜だけでは十分な密着性が得られ
ないので、Ｃｕ膜を成膜する前に下地と密着性の優れた
Ｎｉ膜を介在させることが有効であるからである。
ＴＯ膜(酸化膜)表面に、メッキによってＣｕ膜を成膜し
ようとした場合、Ｃｕ膜だけでは十分な密着性が得られ
ないので、Ｃｕ膜を成膜する前に下地と密着性の優れた
Ｎｉ膜を介在させることが有効であるからである。
【００１１】また、図８に示すように、この無電解Ｎｉ
膜１０１の上に、直接に無電解Ｃｕメッキを行なうと、
Ｎｉ膜１０１のピンホール１０３を通してＣｕメッキ液
が浸透し、Ｎｉ膜１０１がガラス基板１０６上の下地Ｉ
ＴＯ膜１０５との界面から剥離するいわゆる「フクレ」
不良が発生し易いといった問題が発生する。
膜１０１の上に、直接に無電解Ｃｕメッキを行なうと、
Ｎｉ膜１０１のピンホール１０３を通してＣｕメッキ液
が浸透し、Ｎｉ膜１０１がガラス基板１０６上の下地Ｉ
ＴＯ膜１０５との界面から剥離するいわゆる「フクレ」
不良が発生し易いといった問題が発生する。
【００１２】そこで、特開平２−８３５３３では、Ｎｉ
膜の厚みを、０.４μｍ以上に形成し、更に、置換メッ
キによって、Ｎｉ膜の表面に、厚さ０.１μｍ以上のＡ
ｕ膜を形成した後、最後に、無電解メッキによってＣｕ
膜を０.８μｍ以上の厚みで形成するといった方法を採
用している。これにより、Ｎｉ膜のピンホールを無くし
Ｃｕメッキ後のフクレ不良を解決している。
膜の厚みを、０.４μｍ以上に形成し、更に、置換メッ
キによって、Ｎｉ膜の表面に、厚さ０.１μｍ以上のＡ
ｕ膜を形成した後、最後に、無電解メッキによってＣｕ
膜を０.８μｍ以上の厚みで形成するといった方法を採
用している。これにより、Ｎｉ膜のピンホールを無くし
Ｃｕメッキ後のフクレ不良を解決している。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した特
開平２−８３５３３の構成では、上述のように、Ｃｕ/
Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の総厚みが、必然的に１μｍ以上に
なってしまう。この特開平２−８３５３３では、Ｃｕ/
Ａｕ/Ｎｉメッキ膜を液晶表示装置(ＬＣＤ)の周辺端子
部へ適用することを前提としていたため、メッキの総膜
厚に対する制限が無く、メッキ膜の総厚みを１μｍ以上
に形成しても何ら問題は生じなかった。
開平２−８３５３３の構成では、上述のように、Ｃｕ/
Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の総厚みが、必然的に１μｍ以上に
なってしまう。この特開平２−８３５３３では、Ｃｕ/
Ａｕ/Ｎｉメッキ膜を液晶表示装置(ＬＣＤ)の周辺端子
部へ適用することを前提としていたため、メッキの総膜
厚に対する制限が無く、メッキ膜の総厚みを１μｍ以上
に形成しても何ら問題は生じなかった。
【００１４】しかしながら、上述のＣｕ/Ａｕ/Ｎｉメッ
キ膜を、液晶表示装置(ＬＣＤ)の液晶パネル内に存在す
るバスライン(信号線や走査線)に適用しようとした場合
には、次のような不具合が発生する。
キ膜を、液晶表示装置(ＬＣＤ)の液晶パネル内に存在す
るバスライン(信号線や走査線)に適用しようとした場合
には、次のような不具合が発生する。
【００１５】すなわち、バスラインの段差が１μｍ以上
ある場合、その段差部分が液晶層の配向状態に悪影響を
与えることがある。また、上記メッキ配線上に別の配線
が交差するデバイス構造を有する場合、その段差部分で
上層の配線が断線不良を生じる確率が高くなる。
ある場合、その段差部分が液晶層の配向状態に悪影響を
与えることがある。また、上記メッキ配線上に別の配線
が交差するデバイス構造を有する場合、その段差部分で
上層の配線が断線不良を生じる確率が高くなる。
【００１６】したがって、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ膜を液
晶表示装置のバスラインに適用しようとした場合、メッ
キ膜の総厚みは、１μｍ以下、好ましくは０.５μｍ以
下に抑えることが望まれる。なお、このとき、Ｃｕ/Ａ
ｕ/Ｎｉ構造のメッキ配線では、Ｃｕ膜が配線の電気的
性能を支配しているのに対し、Ｎｉ膜は下地との密着性
を確保する役目を担っているに過ぎない。したがって、
Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の総厚を薄くしようとした場
合、配線の電気特性を保つためには、Ｎｉ膜を薄くする
ことが重要となる。
晶表示装置のバスラインに適用しようとした場合、メッ
キ膜の総厚みは、１μｍ以下、好ましくは０.５μｍ以
下に抑えることが望まれる。なお、このとき、Ｃｕ/Ａ
ｕ/Ｎｉ構造のメッキ配線では、Ｃｕ膜が配線の電気的
性能を支配しているのに対し、Ｎｉ膜は下地との密着性
を確保する役目を担っているに過ぎない。したがって、
Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の総厚を薄くしようとした場
合、配線の電気特性を保つためには、Ｎｉ膜を薄くする
ことが重要となる。
【００１７】しかしながら、前記特開平２−８３５３３
に記載の金属配線の場合、上述のように、フクレ不良を
解決するために、Ｎｉ膜の厚みを０.４μｍ以上に設定
しなければならず、このことが、メッキ総厚みを薄くし
たいといった要求に対する大きな弊害になっていた。
に記載の金属配線の場合、上述のように、フクレ不良を
解決するために、Ｎｉ膜の厚みを０.４μｍ以上に設定
しなければならず、このことが、メッキ総厚みを薄くし
たいといった要求に対する大きな弊害になっていた。
【００１８】そこで、この発明は、Ｎｉメッキ膜厚を薄
くしても、Ｃｕ/Ｎｉ膜または、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ膜の表
面にフクレ不良が発生しない金属配線の構造を提供する
ことを目的とする。
くしても、Ｃｕ/Ｎｉ膜または、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ膜の表
面にフクレ不良が発生しない金属配線の構造を提供する
ことを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の金属配線は、無電解メッキによって形成
されたＮｉ膜上に、金(Ａｕ)膜と銅(Ｃｕ)膜との積層膜
または銅(Ｃｕ)膜が、無電解メッキによって積層された
メッキ膜構造の金属配線において、上記Ｎｉ膜のリン含
有率ｘが、１０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ であることを
特徴としている。
め、この発明の金属配線は、無電解メッキによって形成
されたＮｉ膜上に、金(Ａｕ)膜と銅(Ｃｕ)膜との積層膜
または銅(Ｃｕ)膜が、無電解メッキによって積層された
メッキ膜構造の金属配線において、上記Ｎｉ膜のリン含
有率ｘが、１０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ であることを
特徴としている。
【００２０】この発明は、次の実験事実に基いて発明さ
れた。
れた。
【００２１】すなわち、次亜リン酸塩を還元剤に用いた
一般的な無電解Ｎｉメッキの場合、析出膜は、一般に、
Ｎｉ(ニッケル)とＰ(リン)の共析膜になるが、リンの含
有率ｘが１０〜１５ｗｔ％のいわゆる高含リンタイプの
Ｎｉ膜は、膜厚０.１μｍ以上の条件下で、緻密で平滑
な膜を形成することが後述する実験によって判明した。
これは、リンの含有率が８ｗｔ％以上になると、Ｎｉ膜
がアモルファス状態で析出するため、結晶粒境界に発生
するピンホールが発生し難いためと思われる。ただし、
膜厚０.１μｍ未満の場合は、Ｎｉ膜の疎状態が顕著に
なるので膜質が良くない。
一般的な無電解Ｎｉメッキの場合、析出膜は、一般に、
Ｎｉ(ニッケル)とＰ(リン)の共析膜になるが、リンの含
有率ｘが１０〜１５ｗｔ％のいわゆる高含リンタイプの
Ｎｉ膜は、膜厚０.１μｍ以上の条件下で、緻密で平滑
な膜を形成することが後述する実験によって判明した。
これは、リンの含有率が８ｗｔ％以上になると、Ｎｉ膜
がアモルファス状態で析出するため、結晶粒境界に発生
するピンホールが発生し難いためと思われる。ただし、
膜厚０.１μｍ未満の場合は、Ｎｉ膜の疎状態が顕著に
なるので膜質が良くない。
【００２２】そして、この得られたＮｉ膜上に、Ｃｕ膜
やＣｕ/Ａｕ膜を成膜しても従来のようなフクレ不良は
ほとんど発生しなかった。
やＣｕ/Ａｕ膜を成膜しても従来のようなフクレ不良は
ほとんど発生しなかった。
【００２３】したがって、本構造のＮｉ膜を用いること
で、厚さ０.４μｍ未満のＮｉ膜を用いて、Ｃｕ/Ｎｉ構
造や、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ構造のメッキ膜を形成することが
可能になり、メッキ総厚の低減が容易になった。
で、厚さ０.４μｍ未満のＮｉ膜を用いて、Ｃｕ/Ｎｉ構
造や、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ構造のメッキ膜を形成することが
可能になり、メッキ総厚の低減が容易になった。
【００２４】また、一実施形態の金属配線は、上記Ａｕ
膜の厚みｙが、０.００５μｍ≦ｙ≦０.０５μｍ であ
る。
膜の厚みｙが、０.００５μｍ≦ｙ≦０.０５μｍ であ
る。
【００２５】この実施形態では、高含リンタイプのＮｉ
膜を用いているから、表面が平滑で緻密なＮｉ膜が得ら
れる。したがって、このＮｉ膜上に形成するＡｕ膜を、
最薄で０.００５μｍまで薄くした。一方、プロセスマ
ージンを考慮してＡｕ膜を０.００５μｍ以上に設定す
ることも可能であるが、Ａｕメッキ液のコストを考慮す
ると、０.０５μｍ以下に抑制することが望ましい。こ
の実施形態の金属配線によれば、総厚が薄く、段差が小
さくなるから、液晶パネル内の信号線や走査線として採
用することが可能となる。
膜を用いているから、表面が平滑で緻密なＮｉ膜が得ら
れる。したがって、このＮｉ膜上に形成するＡｕ膜を、
最薄で０.００５μｍまで薄くした。一方、プロセスマ
ージンを考慮してＡｕ膜を０.００５μｍ以上に設定す
ることも可能であるが、Ａｕメッキ液のコストを考慮す
ると、０.０５μｍ以下に抑制することが望ましい。こ
の実施形態の金属配線によれば、総厚が薄く、段差が小
さくなるから、液晶パネル内の信号線や走査線として採
用することが可能となる。
【００２６】また、他の実施形態の金属配線は、上記メ
ッキ膜の総厚みｚが、０.２μｍ≦ｚ≦１μｍ であ
る。
ッキ膜の総厚みｚが、０.２μｍ≦ｚ≦１μｍ であ
る。
【００２７】この実施形態では、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉのメッ
キ膜の総厚みｚを０.２μｍ以上に設定したので、Ｎｉ
膜が最も薄い０.１μｍの場合でもＣｕ膜の厚みを、０.
１μｍの厚みに確保できる。したがって、電気配線とし
ての最低限の電気特性(シート抵抗値)を確保できる。
キ膜の総厚みｚを０.２μｍ以上に設定したので、Ｎｉ
膜が最も薄い０.１μｍの場合でもＣｕ膜の厚みを、０.
１μｍの厚みに確保できる。したがって、電気配線とし
ての最低限の電気特性(シート抵抗値)を確保できる。
【００２８】また、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の総厚み
を、１μｍ以下に設定したので、上記メッキ膜をＬＣＤ
のバスラインに用いた場合、上記バスラインの段差部分
が液晶層の配向状態に与える影響を無くすことが可能に
なる。さらに、上記バスライン上に別の配線が交差する
デバイス構造を有する場合でも、その段差部分で上層の
配線が断線する確率を低減できる。
を、１μｍ以下に設定したので、上記メッキ膜をＬＣＤ
のバスラインに用いた場合、上記バスラインの段差部分
が液晶層の配向状態に与える影響を無くすことが可能に
なる。さらに、上記バスライン上に別の配線が交差する
デバイス構造を有する場合でも、その段差部分で上層の
配線が断線する確率を低減できる。
【００２９】また、一実施形態の表示装置は、上記金属
配線を、走査線または信号線に用いた。
配線を、走査線または信号線に用いた。
【００３０】したがって、この実施形態の表示装置によ
れば、真空成膜装置を必要とせず、安価な装置でバスラ
イン(走査線や信号線)の形成が可能となる。また、無電
解メッキを用いた成膜を採用するので、大面積基板に対
しても均一な厚みの膜を容易に成膜できる。また、一般
に、Ｃｕ膜は、ドライエッチングが困難であり、ウェッ
トエッチングの場合もエッチング精度の向上が困難とい
った問題を有しているが、この発明の金属配線は、下地
のＮｉ膜パターン(あるいはＡｕ/Ｎｉパターン)上に選
択的にＣｕ膜を成膜することが可能である。したがっ
て、Ｃｕ膜のパターニング(エッチング)が不必要であ
り、Ｃｕ配線を容易に実現できる。
れば、真空成膜装置を必要とせず、安価な装置でバスラ
イン(走査線や信号線)の形成が可能となる。また、無電
解メッキを用いた成膜を採用するので、大面積基板に対
しても均一な厚みの膜を容易に成膜できる。また、一般
に、Ｃｕ膜は、ドライエッチングが困難であり、ウェッ
トエッチングの場合もエッチング精度の向上が困難とい
った問題を有しているが、この発明の金属配線は、下地
のＮｉ膜パターン(あるいはＡｕ/Ｎｉパターン)上に選
択的にＣｕ膜を成膜することが可能である。したがっ
て、Ｃｕ膜のパターニング(エッチング)が不必要であ
り、Ｃｕ配線を容易に実現できる。
【００３１】したがって、この実施形態によれば、製造
コストが安価で、かつ、Ｃｕ配線の適用により高性能化
が可能な表示装置を実現できる。
コストが安価で、かつ、Ｃｕ配線の適用により高性能化
が可能な表示装置を実現できる。
【００３２】また、他の実施形態の薄膜トランジスタ
は、上記金属配線をゲート電極とし、上記金属電極上
に、順次、ゲート絶縁膜,半導体膜,ソース・ドレイン電
極が形成された構造を有する。
は、上記金属配線をゲート電極とし、上記金属電極上
に、順次、ゲート絶縁膜,半導体膜,ソース・ドレイン電
極が形成された構造を有する。
【００３３】また、一実施形態のアクティブマトリクス
型の表示装置は、上記実施形態の薄膜トランジスタを備
えた。
型の表示装置は、上記実施形態の薄膜トランジスタを備
えた。
【００３４】したがって、この一実施形態のアクティブ
マトリクス型の表示装置では、請求項４に記載の表示装
置と同様に、表示装置に用いるＴＦＴ素子を安価に製造
でき、更に、上記ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリ
クス基板の表示装置を安価に製造できる。
マトリクス型の表示装置では、請求項４に記載の表示装
置と同様に、表示装置に用いるＴＦＴ素子を安価に製造
でき、更に、上記ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリ
クス基板の表示装置を安価に製造できる。
【００３５】また、請求項７の発明の表示装置は、表示
装置を構成するガラス基板上にドライバＬＳＩがＣＯＧ
(Chip on glass)実装されており、請求項１乃至３のい
ずれか１つに記載の金属配線を、上記ガラス基板上に形
成される上記ドライバＬＳＩの入出力配線として用いた
ことを特徴としている。
装置を構成するガラス基板上にドライバＬＳＩがＣＯＧ
(Chip on glass)実装されており、請求項１乃至３のい
ずれか１つに記載の金属配線を、上記ガラス基板上に形
成される上記ドライバＬＳＩの入出力配線として用いた
ことを特徴としている。
【００３６】この請求項７の表示装置によれば、ドライ
バ入出力配線として、請求項１〜３に記載の金属配線を
用いているので、表示装置が大面積化するに伴って、表
示装置の周辺に形成されるドライバ入出力配線を低抵抗
化する必要が生じた場合に対応して、ドライバ入出力配
線を容易に低抵抗化できる。
バ入出力配線として、請求項１〜３に記載の金属配線を
用いているので、表示装置が大面積化するに伴って、表
示装置の周辺に形成されるドライバ入出力配線を低抵抗
化する必要が生じた場合に対応して、ドライバ入出力配
線を容易に低抵抗化できる。
【００３７】また、請求項８に記載の金属配線の製造方
法は、絶縁基板上に所定の配線形状を有する酸化膜を形
成する工程と、上記酸化膜上に選択的にメッキ触媒を付
与する工程と、上記酸化膜上に選択的に請求項１乃至３
のいずれか１つに記載の金属配線を成膜する工程とを、
少なくとも備えたことを特徴としている。
法は、絶縁基板上に所定の配線形状を有する酸化膜を形
成する工程と、上記酸化膜上に選択的にメッキ触媒を付
与する工程と、上記酸化膜上に選択的に請求項１乃至３
のいずれか１つに記載の金属配線を成膜する工程とを、
少なくとも備えたことを特徴としている。
【００３８】この請求項８の発明の製造方法によれば、
ガラス基板上に酸化膜(代表的な例としてはＩＴＯ膜)の
パターンが設けられた基板に対し、上記酸化膜上にのみ
選択的にＰｄ(パラジウム)などのメッキ触媒を付与す
る。この結果、上記請求項１乃至３のいずれかに記載の
金属配線を、上記酸化膜上にのみ選択的に形成できる。
したがって、下地の酸化膜が所定の配線形状にパターン
ニングされていれば、メッキ膜をパターニングする必要
が無く、簡単に金属配線を得ることができる。
ガラス基板上に酸化膜(代表的な例としてはＩＴＯ膜)の
パターンが設けられた基板に対し、上記酸化膜上にのみ
選択的にＰｄ(パラジウム)などのメッキ触媒を付与す
る。この結果、上記請求項１乃至３のいずれかに記載の
金属配線を、上記酸化膜上にのみ選択的に形成できる。
したがって、下地の酸化膜が所定の配線形状にパターン
ニングされていれば、メッキ膜をパターニングする必要
が無く、簡単に金属配線を得ることができる。
【００３９】また、請求項９の発明の金属配線の製造方
法は、絶縁基板上にメッキ触媒を含有する感光性材料を
塗布する工程と、光または紫外線照射により上記メッキ
触媒を所定の配線形状に析出させる工程と、請求項１乃
至３のいずれか１つに記載の金属配線を、上記触媒析出
領域に選択的に成膜する工程とを少なくとも有すること
を特徴としている。
法は、絶縁基板上にメッキ触媒を含有する感光性材料を
塗布する工程と、光または紫外線照射により上記メッキ
触媒を所定の配線形状に析出させる工程と、請求項１乃
至３のいずれか１つに記載の金属配線を、上記触媒析出
領域に選択的に成膜する工程とを少なくとも有すること
を特徴としている。
【００４０】この請求項９の発明では、ガラス基板上
に、メッキ触媒を含有する感光性材料を塗布し、光また
は紫外線照射によって上記メッキ触媒を所定の配線形状
に析出させることで、ガラス基板上の所定の場所に選択
的にＰｄ(パラジウム)などのメッキ触媒を析出させるこ
とができる。この結果、請求項１乃至３の何れか１つに
記載の金属配線を上記触媒領域上にのみ選択的に形成す
ることが可能である。したがって、下地の触媒が所定の
配線形状にパターンニングされていれば、メッキ膜をパ
ターニングする必要が無く、簡単に金属配線を得ること
ができる。
に、メッキ触媒を含有する感光性材料を塗布し、光また
は紫外線照射によって上記メッキ触媒を所定の配線形状
に析出させることで、ガラス基板上の所定の場所に選択
的にＰｄ(パラジウム)などのメッキ触媒を析出させるこ
とができる。この結果、請求項１乃至３の何れか１つに
記載の金属配線を上記触媒領域上にのみ選択的に形成す
ることが可能である。したがって、下地の触媒が所定の
配線形状にパターンニングされていれば、メッキ膜をパ
ターニングする必要が無く、簡単に金属配線を得ること
ができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。
いて図面を参照しながら説明する。
【００４２】図１(Ａ)に、この発明の金属配線の第１実
施形態の断面構造を示す。この第１実施形態の金属配線
１は、無電解選択メッキによるＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜１
０によって構成される。このＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜１０
は、下地層１１上に順に形成された無電解Ｎｉメッキ膜
１２,無電解(置換)Ａｕメッキ膜１３,無電解Ｃｕメッキ
膜１５からなる。
施形態の断面構造を示す。この第１実施形態の金属配線
１は、無電解選択メッキによるＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜１
０によって構成される。このＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜１０
は、下地層１１上に順に形成された無電解Ｎｉメッキ膜
１２,無電解(置換)Ａｕメッキ膜１３,無電解Ｃｕメッキ
膜１５からなる。
【００４３】また、図１(Ｂ)に、第２実施形態の金属配
線の断面構造を示す。この第２実施形態の金属配線２
は、Ｃｕ/Ｎｉ積層膜２０によって構成される。
線の断面構造を示す。この第２実施形態の金属配線２
は、Ｃｕ/Ｎｉ積層膜２０によって構成される。
【００４４】この第１,第２実施形態では、上記Ｎｉ膜
１２のリン含有率ｘが、１０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％で
ある次亜リン酸塩を還元剤に用いた一般的な無電解Ｎｉ
メッキの場合、析出膜は、一般に、Ｎｉ(ニッケル)とＰ
(リン)の共析膜になるが、リンの含有率ｘが１０〜１５
ｗｔ％のいわゆる高含リンタイプのＮｉ膜１２は、膜厚
が０.１μｍ以上の条件下で、緻密で平滑な膜を形成す
ることが後述する実験によって判明した。これは、リン
の含有率ｘが８ｗｔ％以上になると、Ｎｉ膜１２がアモ
ルファス状態で析出するため、結晶粒境界に発生するピ
ンホールが発生し難いためと考えられる。ただし、上記
膜厚が０.１μｍ未満の場合は、Ｎｉ膜１２の疎状態が
顕著になるため膜質が良くない。そして、この得られた
Ｎｉ膜１２上に、Ｃｕ膜１５やＣｕ/Ａｕ膜１３,１５を
成膜しても従来のようなフクレ不良はほとんど発生しな
かった。
１２のリン含有率ｘが、１０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％で
ある次亜リン酸塩を還元剤に用いた一般的な無電解Ｎｉ
メッキの場合、析出膜は、一般に、Ｎｉ(ニッケル)とＰ
(リン)の共析膜になるが、リンの含有率ｘが１０〜１５
ｗｔ％のいわゆる高含リンタイプのＮｉ膜１２は、膜厚
が０.１μｍ以上の条件下で、緻密で平滑な膜を形成す
ることが後述する実験によって判明した。これは、リン
の含有率ｘが８ｗｔ％以上になると、Ｎｉ膜１２がアモ
ルファス状態で析出するため、結晶粒境界に発生するピ
ンホールが発生し難いためと考えられる。ただし、上記
膜厚が０.１μｍ未満の場合は、Ｎｉ膜１２の疎状態が
顕著になるため膜質が良くない。そして、この得られた
Ｎｉ膜１２上に、Ｃｕ膜１５やＣｕ/Ａｕ膜１３,１５を
成膜しても従来のようなフクレ不良はほとんど発生しな
かった。
【００４５】したがって、本構造のＮｉ膜１２を用いる
ことで、厚さ０.４μｍ未満のＮｉ膜１２を用いて、図
１(Ｂ)に示すＣｕ/Ｎｉ構造や、図１(Ａ)に示すＣｕ/Ａ
ｕ/Ｎｉ構造のメッキ膜を形成することが可能になり、
メッキ総厚の低減が容易になった。
ことで、厚さ０.４μｍ未満のＮｉ膜１２を用いて、図
１(Ｂ)に示すＣｕ/Ｎｉ構造や、図１(Ａ)に示すＣｕ/Ａ
ｕ/Ｎｉ構造のメッキ膜を形成することが可能になり、
メッキ総厚の低減が容易になった。
【００４６】また、図１(Ａ)に示すＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ構造
の金属配線１は、上記Ａｕ膜１３の厚みｙが、０.００
５μｍ≦ｙ≦０.０５μｍ である。この金属配線１で
は、前述したように、高含リンタイプのＮｉ膜１２を用
いているから、表面が平滑で緻密なＮｉ膜１２が得られ
る。したがって、このＮｉ膜１２上に形成するＡｕ膜１
３を、最薄で０.００５μｍまで薄くした。一方、プロ
セスマージンを考慮してＡｕ膜を０.００５μｍ以上に
設定することも可能であるが、Ａｕメッキ液のコストを
考慮すると、０.０５μｍ以下に抑制することが望まし
い。この金属配線１によれば、総厚が薄く、段差が小さ
くなるから、液晶パネル内の信号線や走査線として採用
することが可能となる。
の金属配線１は、上記Ａｕ膜１３の厚みｙが、０.００
５μｍ≦ｙ≦０.０５μｍ である。この金属配線１で
は、前述したように、高含リンタイプのＮｉ膜１２を用
いているから、表面が平滑で緻密なＮｉ膜１２が得られ
る。したがって、このＮｉ膜１２上に形成するＡｕ膜１
３を、最薄で０.００５μｍまで薄くした。一方、プロ
セスマージンを考慮してＡｕ膜を０.００５μｍ以上に
設定することも可能であるが、Ａｕメッキ液のコストを
考慮すると、０.０５μｍ以下に抑制することが望まし
い。この金属配線１によれば、総厚が薄く、段差が小さ
くなるから、液晶パネル内の信号線や走査線として採用
することが可能となる。
【００４７】以下に、この発明および実施形態の基礎と
なった実験について説明する。
なった実験について説明する。
【００４８】一般に、次亜リン酸塩を還元剤とする無電
解Ｎｉ膜は、メッキ液の組成やメッキ条件によって２〜
１５ｗｔ％のリンが共析することが知られている。
解Ｎｉ膜は、メッキ液の組成やメッキ条件によって２〜
１５ｗｔ％のリンが共析することが知られている。
【００４９】そこで、今回、次亜リン酸塩を還元剤とす
る種々のＮｉメッキ浴を用いて、リン含有率の異なる複
数のＮｉ膜を作成した。そして、この複数のＮｉ膜の表
面状態をＡＦＭで観察し、フクレ不良の原因となるＮｉ
膜のピンホール発生状況を比較した。この結果、Ｎｉ膜
中のリンの含有率が１０〜１５ｗｔ％の高含リンタイプ
のＮｉ膜は、リンの含有率が５〜８ｗｔ％の中含リンタ
イプのＮｉ膜に比べて、緻密で平滑な膜状態を有してい
ることが判明した。また、リンの含有率が１０〜１５ｗ
ｔ％の高含リンタイプのＮｉ膜は、Ｎｉ膜厚を０.１μ
ｍまで薄くしても緻密な膜が得られることが判明した。
なお、リンの含有率が１０〜１５ｗｔ％の高含リンタイ
プのＮｉ膜を用いたしても、Ｎｉ膜厚が０.１μｍ未満
になると膜が疎状態になりピンホールが急激に増加する
傾向が見られた。
る種々のＮｉメッキ浴を用いて、リン含有率の異なる複
数のＮｉ膜を作成した。そして、この複数のＮｉ膜の表
面状態をＡＦＭで観察し、フクレ不良の原因となるＮｉ
膜のピンホール発生状況を比較した。この結果、Ｎｉ膜
中のリンの含有率が１０〜１５ｗｔ％の高含リンタイプ
のＮｉ膜は、リンの含有率が５〜８ｗｔ％の中含リンタ
イプのＮｉ膜に比べて、緻密で平滑な膜状態を有してい
ることが判明した。また、リンの含有率が１０〜１５ｗ
ｔ％の高含リンタイプのＮｉ膜は、Ｎｉ膜厚を０.１μ
ｍまで薄くしても緻密な膜が得られることが判明した。
なお、リンの含有率が１０〜１５ｗｔ％の高含リンタイ
プのＮｉ膜を用いたしても、Ｎｉ膜厚が０.１μｍ未満
になると膜が疎状態になりピンホールが急激に増加する
傾向が見られた。
【００５０】次に、リン含有率の異なる３種の代表的な
Ｎｉ膜を用いて、そのＮｉ膜上にＣｕ膜をメッキした場
合と、Ｃｕ/Ａｕ膜をメッキした場合のフクレ不良発生
状況を確認してみた。この結果を、表１および表２に示
す。
Ｎｉ膜を用いて、そのＮｉ膜上にＣｕ膜をメッキした場
合と、Ｃｕ/Ａｕ膜をメッキした場合のフクレ不良発生
状況を確認してみた。この結果を、表１および表２に示
す。
【００５１】
【表１】Ｃｕ/Ｎｉメッキ成膜時のリン含有率とフクレ
不良の関係
不良の関係
【００５２】
【表２】Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ成膜時のリン含有率とフ
クレ不良の関係
クレ不良の関係
【００５３】このように、リンの含有率が１０〜１５ｗ
ｔ％の高含リンタイプのＮｉ膜を用いることで、Ｃｕ/
Ｎｉ積層膜構造やＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜構造において、
フクレ不良を大幅に改善できることが判明した。ところ
で、リンの含有率が１０〜１５ｗｔ％の高含リンタイプ
のＮｉ膜が緻密に形成される原因としては、リン含有量
が８〜１０ｗｔ％以上ではＮｉ膜が非晶質膜として析出
するために結晶粒間の隙間が発生しにくいことが考えら
れる。さらには、リン含有量が７ｗｔ％以上のＮｉ膜で
は比較的小さな内部応力しか認められないことや、リン
含有量が高いメッキ浴を用いると、メッキ膜の析出速度
が遅くなるので、緻密な膜が得られ易いことなどが考え
られる。
ｔ％の高含リンタイプのＮｉ膜を用いることで、Ｃｕ/
Ｎｉ積層膜構造やＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜構造において、
フクレ不良を大幅に改善できることが判明した。ところ
で、リンの含有率が１０〜１５ｗｔ％の高含リンタイプ
のＮｉ膜が緻密に形成される原因としては、リン含有量
が８〜１０ｗｔ％以上ではＮｉ膜が非晶質膜として析出
するために結晶粒間の隙間が発生しにくいことが考えら
れる。さらには、リン含有量が７ｗｔ％以上のＮｉ膜で
は比較的小さな内部応力しか認められないことや、リン
含有量が高いメッキ浴を用いると、メッキ膜の析出速度
が遅くなるので、緻密な膜が得られ易いことなどが考え
られる。
【００５４】ちなみに、リン含有量が１５ｗｔ％を超え
ると、Ｎｉ膜の内部応力が増加することや、次工程のＡ
ｕ置換メッキレートが著しく劣化するなどのデメリット
が発生する。したがって、Ｎｉ膜中のリン含有率の上限
は１５ｗｔ％に設定した。
ると、Ｎｉ膜の内部応力が増加することや、次工程のＡ
ｕ置換メッキレートが著しく劣化するなどのデメリット
が発生する。したがって、Ｎｉ膜中のリン含有率の上限
は１５ｗｔ％に設定した。
【００５５】なお、析出したＮｉ膜中のリンの含有率
は、メッキ処理中のｐＨ、還元剤濃度、温度などの条件
によって左右されるので、リン含有率を１１〜１３ｗｔ
％に設定してプロセスマージンを確保しておくことが好
ましい。
は、メッキ処理中のｐＨ、還元剤濃度、温度などの条件
によって左右されるので、リン含有率を１１〜１３ｗｔ
％に設定してプロセスマージンを確保しておくことが好
ましい。
【００５６】また、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜構造の場合、
Ｎｉ膜面に存在しているピンホールを埋める目的と、Ｎ
ｉ膜表面の酸化を防ぐ目的で、Ｎｉ膜表面に置換Ａｕメ
ッキを施してから、その上に無電解Ｃｕメッキを行なう
構成になっている。この構成では、リンの含有率が１０
〜１５ｗｔ％の高含リンタイプＮｉ膜を用いた場合、Ｎ
ｉ膜に極微細なピンホールしか存在しないから、最低
０.００５μｍの厚さでＡｕを置換メッキするだけも、
フクレ不良対策として十分な効果を発揮することが確認
された。なお、プロセスマージンを考慮してＡｕ膜を
０.００５μｍ以上の厚みでメッキを行っても構わない
が、Ａｕメッキ液のコストが高いことを考慮すると、Ａ
ｕの厚みは０.０５μｍ以下に抑制しておくことが望ま
しく、好ましくは０.０１〜０.０２μｍに設定すると良
い。
Ｎｉ膜面に存在しているピンホールを埋める目的と、Ｎ
ｉ膜表面の酸化を防ぐ目的で、Ｎｉ膜表面に置換Ａｕメ
ッキを施してから、その上に無電解Ｃｕメッキを行なう
構成になっている。この構成では、リンの含有率が１０
〜１５ｗｔ％の高含リンタイプＮｉ膜を用いた場合、Ｎ
ｉ膜に極微細なピンホールしか存在しないから、最低
０.００５μｍの厚さでＡｕを置換メッキするだけも、
フクレ不良対策として十分な効果を発揮することが確認
された。なお、プロセスマージンを考慮してＡｕ膜を
０.００５μｍ以上の厚みでメッキを行っても構わない
が、Ａｕメッキ液のコストが高いことを考慮すると、Ａ
ｕの厚みは０.０５μｍ以下に抑制しておくことが望ま
しく、好ましくは０.０１〜０.０２μｍに設定すると良
い。
【００５７】以下、この発明の金属配線の製造方法の具
体的な実施例を説明する。
体的な実施例を説明する。
【００５８】
【実施例】〔第１実施例〕図２に、この発明の金属配線
の製造方法の第１実施例で作製した金属配線の構造断面
をしめす。この第１実施例で作製された金属配線は、絶
縁性基板としてのガラス基板５１上にパターン形成され
たＩＴＯ膜５２上に、無電解選択メッキによってＣｕ/
Ａｕ/Ｎｉ積層膜が無電解メッキによって形成されてい
る。この形成の手順を以下に説明する。
の製造方法の第１実施例で作製した金属配線の構造断面
をしめす。この第１実施例で作製された金属配線は、絶
縁性基板としてのガラス基板５１上にパターン形成され
たＩＴＯ膜５２上に、無電解選択メッキによってＣｕ/
Ａｕ/Ｎｉ積層膜が無電解メッキによって形成されてい
る。この形成の手順を以下に説明する。
【００５９】<工程１>まず、ガラス基板(コーニング社
製の #１７３７)５１の表面をアルカリや酸,あるいは有
機溶剤を用いて脱脂洗浄を行なう。このとき、超音波洗
浄を併用すると効果的である。そして、ガラス基板５１
の表面にスパッタ蒸着法,ＥＢ蒸着法,ゾルゲル法等によ
って、ＩＴＯ膜５２を配線下地層として約０.０５μｍ
の厚みに形成する。なお、この配線下地層はＩＴＯ膜５
２に限られるものではなく、ＳｎＯ2等他の酸化膜を用
いても構わない。そして、上記ＩＴＯ膜５２を所定の配
線形状にパターニングする。
製の #１７３７)５１の表面をアルカリや酸,あるいは有
機溶剤を用いて脱脂洗浄を行なう。このとき、超音波洗
浄を併用すると効果的である。そして、ガラス基板５１
の表面にスパッタ蒸着法,ＥＢ蒸着法,ゾルゲル法等によ
って、ＩＴＯ膜５２を配線下地層として約０.０５μｍ
の厚みに形成する。なお、この配線下地層はＩＴＯ膜５
２に限られるものではなく、ＳｎＯ2等他の酸化膜を用
いても構わない。そして、上記ＩＴＯ膜５２を所定の配
線形状にパターニングする。
【００６０】このパターニングの方法としては、フォト
リソグラフィなどの技術によってＩＴＯ膜５２上に所定
のパターンのレジストを形成し、ウェットエッチングや
ドライエッチングによって不要なＩＴＯ膜を除去する方
法が一般的である。例えば、ＩＴＯのエッチングには、
ＨＢｒや塩化第二鉄水溶液を用いることができる。ま
た、ＳｎＯ2のエッチングには、(亜鉛触媒)＋(塩酸)を
用いることができる。
リソグラフィなどの技術によってＩＴＯ膜５２上に所定
のパターンのレジストを形成し、ウェットエッチングや
ドライエッチングによって不要なＩＴＯ膜を除去する方
法が一般的である。例えば、ＩＴＯのエッチングには、
ＨＢｒや塩化第二鉄水溶液を用いることができる。ま
た、ＳｎＯ2のエッチングには、(亜鉛触媒)＋(塩酸)を
用いることができる。
【００６１】<工程２>次に、上記パターン化されたＩＴ
Ｏ膜(配線下地層)５２上に、選択的にメッキ触媒を付与
する。一般的な手法としては、まず、フッ化物含有溶液
でＩＴＯ膜５２の表面を僅かに粗化する。その後、塩化
パラジウム溶液に浸漬して活性化処理(アクティベーテ
ィング処理)を行なうことで、ＩＴＯ膜５２上にのみ無
電解メッキの触媒となるＰｄ触媒が析出する。
Ｏ膜(配線下地層)５２上に、選択的にメッキ触媒を付与
する。一般的な手法としては、まず、フッ化物含有溶液
でＩＴＯ膜５２の表面を僅かに粗化する。その後、塩化
パラジウム溶液に浸漬して活性化処理(アクティベーテ
ィング処理)を行なうことで、ＩＴＯ膜５２上にのみ無
電解メッキの触媒となるＰｄ触媒が析出する。
【００６２】市販の触媒付与剤を用いる場合は、例え
ば、メルテックス社製のエンプレートアクティベーター
４４０を３０ｍＬ/Ｌに希釈し、１ＮのＫＯＨ水溶液で
ｐＨ５.５に調整した溶液に、ＩＴＯ膜５２のパターン
付きの基板５１を約５分間浸漬させ、その後、上記基板
５１を純水で洗浄すると良い。
ば、メルテックス社製のエンプレートアクティベーター
４４０を３０ｍＬ/Ｌに希釈し、１ＮのＫＯＨ水溶液で
ｐＨ５.５に調整した溶液に、ＩＴＯ膜５２のパターン
付きの基板５１を約５分間浸漬させ、その後、上記基板
５１を純水で洗浄すると良い。
【００６３】<工程３>次に、前工程でＰｄ触媒が付与さ
れたＩＴＯ膜５２上にのみ、無電解メッキによってＮｉ
膜５３を選択的に成膜する。具体的には、Ｎｉ塩化合
物,錯化剤,還元剤(次亜リン酸塩)を主成分とする無電解
Ｎｉメッキ液を用いて、Ｎｉ膜５３を約０.２μｍの厚
みで成膜する。これにより、ＩＴＯ膜５２のパターン上
のみに選択的にＮｉ膜５３を成膜できる。このとき、析
出するＮｉ膜５３が、１０〜１５ｗｔ％のリンを含有す
るようなメッキ浴を選定して使用する。例えば、メルテ
ックス社製のメルプレートＩＴＯ ＮＩ−８６６を用
い、７０℃,ｐＨ４.５に調整した溶液に、ＩＴＯ膜５２
によるパターン付きの基板５１を約７分間浸漬させるこ
とで、リン含有率が約１２％の緻密なＮｉ膜５３が、約
０.２μｍの厚みで析出する。その後、Ｎｉ膜５３の密
着性を向上させるために、２５０〜２７０℃で３０分の
アニール処理を行なう。なお、このアニール処理は、次
工程のＡｕメッキ後に行なっても構わない。
れたＩＴＯ膜５２上にのみ、無電解メッキによってＮｉ
膜５３を選択的に成膜する。具体的には、Ｎｉ塩化合
物,錯化剤,還元剤(次亜リン酸塩)を主成分とする無電解
Ｎｉメッキ液を用いて、Ｎｉ膜５３を約０.２μｍの厚
みで成膜する。これにより、ＩＴＯ膜５２のパターン上
のみに選択的にＮｉ膜５３を成膜できる。このとき、析
出するＮｉ膜５３が、１０〜１５ｗｔ％のリンを含有す
るようなメッキ浴を選定して使用する。例えば、メルテ
ックス社製のメルプレートＩＴＯ ＮＩ−８６６を用
い、７０℃,ｐＨ４.５に調整した溶液に、ＩＴＯ膜５２
によるパターン付きの基板５１を約７分間浸漬させるこ
とで、リン含有率が約１２％の緻密なＮｉ膜５３が、約
０.２μｍの厚みで析出する。その後、Ｎｉ膜５３の密
着性を向上させるために、２５０〜２７０℃で３０分の
アニール処理を行なう。なお、このアニール処理は、次
工程のＡｕメッキ後に行なっても構わない。
【００６４】<工程４>次に、前工程で得られたＮｉ膜５
３の表面に、耐食性金属であるＡｕを置換メッキによっ
て、０.０２μｍの厚みで成膜する。例えば、メルテッ
クス社製のメルプレートＡＵ−６０１を用い、９０℃、
ｐＨ４.５に調整した溶液に、Ｎｉ膜５３によるパター
ン付きの基板５１を約５分間浸漬させることで、置換Ａ
ｕ膜５５が約０.０１μｍの厚みで析出する。
３の表面に、耐食性金属であるＡｕを置換メッキによっ
て、０.０２μｍの厚みで成膜する。例えば、メルテッ
クス社製のメルプレートＡＵ−６０１を用い、９０℃、
ｐＨ４.５に調整した溶液に、Ｎｉ膜５３によるパター
ン付きの基板５１を約５分間浸漬させることで、置換Ａ
ｕ膜５５が約０.０１μｍの厚みで析出する。
【００６５】<工程５>最後に、上記Ａｕ膜５５上のみに
選択的に、Ｃｕ膜５６を無電解メッキで０.２μｍの厚
みで成膜する。このとき、無電解Ｃｕメッキは、下地の
Ａｕ膜５５を触媒にしてＡｕ膜５５上に選択的に成膜で
きる。例えば、メルテックス社製のメルプレートＣＵ−
３９０用い、４０℃、ｐＨ１３.５に調整した溶液に、
Ａｕ/Ｎｉ膜５５,５３によるパターン付きの基板５１
を、約５０分間浸漬させることによって、Ｃｕ膜５６が
約０.２μｍの厚みで析出する。
選択的に、Ｃｕ膜５６を無電解メッキで０.２μｍの厚
みで成膜する。このとき、無電解Ｃｕメッキは、下地の
Ａｕ膜５５を触媒にしてＡｕ膜５５上に選択的に成膜で
きる。例えば、メルテックス社製のメルプレートＣＵ−
３９０用い、４０℃、ｐＨ１３.５に調整した溶液に、
Ａｕ/Ｎｉ膜５５,５３によるパターン付きの基板５１
を、約５０分間浸漬させることによって、Ｃｕ膜５６が
約０.２μｍの厚みで析出する。
【００６６】上述の<工程１>〜<工程５>で作成された金
属配線は、密着性が良好で、かつフクレ不良が全く発生
しなかった。また、メッキ膜の総厚さが、０.４μｍで
あり、配線下地層のＩＴＯ膜を合わせても０.４５μｍ
と従来のＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ/ＩＴＯ配線と比較して十分に
薄い厚さの金属配線が実現できる。さらにこの金属配線
のシート抵抗値は、約０.１５Ω/□であり、表示装置の
バスライン(走査線や信号線)としても十分使用可能なも
のである。
属配線は、密着性が良好で、かつフクレ不良が全く発生
しなかった。また、メッキ膜の総厚さが、０.４μｍで
あり、配線下地層のＩＴＯ膜を合わせても０.４５μｍ
と従来のＣｕ/Ａｕ/Ｎｉ/ＩＴＯ配線と比較して十分に
薄い厚さの金属配線が実現できる。さらにこの金属配線
のシート抵抗値は、約０.１５Ω/□であり、表示装置の
バスライン(走査線や信号線)としても十分使用可能なも
のである。
【００６７】〔第２実施例〕この第２実施例の製造方法
では、上記第１実施例で記載した金属配線の製造工程に
おいて、<工程１>で形成する配線下地層(ＩＴＯ膜５２
やＳｎＯ2膜)を省略し、Ｐｄ触媒層５４を直接ガラス基
板５１上に所定の配線形状に選択的に配置するという方
法を用いて金属配線を作製した。
では、上記第１実施例で記載した金属配線の製造工程に
おいて、<工程１>で形成する配線下地層(ＩＴＯ膜５２
やＳｎＯ2膜)を省略し、Ｐｄ触媒層５４を直接ガラス基
板５１上に所定の配線形状に選択的に配置するという方
法を用いて金属配線を作製した。
【００６８】上記ガラス基板５１上に所定の配線形状に
配置する触媒としては、例えば、触媒となる金属,その
化合物,イオン,コロイド等を含有する感光性材料を用い
ることができる。具体的には、パラジウムアセチルアセ
トナートをクロロホルムなどの有機溶剤に溶解したもの
を用いる。この感光性触媒液を、スピン法などでガラス
基板５１上に塗布し、フォトマスクを介して紫外線を照
射すると、露光された領域においてのみ、金属Ｐｄ(パ
ラジウム)がガラス基板５１上に析出する。その後、現
像工程で、露光されなかった領域の感光膜がクロロホル
ムなどの有機溶剤で洗い流され、それによって、残され
たＰｄのパターンからなる感光性触媒層５４を形成でき
る。
配置する触媒としては、例えば、触媒となる金属,その
化合物,イオン,コロイド等を含有する感光性材料を用い
ることができる。具体的には、パラジウムアセチルアセ
トナートをクロロホルムなどの有機溶剤に溶解したもの
を用いる。この感光性触媒液を、スピン法などでガラス
基板５１上に塗布し、フォトマスクを介して紫外線を照
射すると、露光された領域においてのみ、金属Ｐｄ(パ
ラジウム)がガラス基板５１上に析出する。その後、現
像工程で、露光されなかった領域の感光膜がクロロホル
ムなどの有機溶剤で洗い流され、それによって、残され
たＰｄのパターンからなる感光性触媒層５４を形成でき
る。
【００６９】なお、この他にも、シュウ酸第二鉄と塩化
パラジウムとを水酸化カリウム溶液に溶解した感光性触
媒液や、シュウ酸第二鉄またはシュウ酸ルテニウムのよ
うなシュウ酸塩と塩化パラジウムとアンモニア水とを含
む感光性触媒液を用いることも可能である。この場合、
感光性触媒液の基板上への均一な塗布を容易に行なえる
ように、例えば、ポリビニルアルコールのような親水性
バインダ等を前述の感光性触媒液に添加することも有効
である。さらに、紫外線照射によるＡｇイオンの還元反
応を利用してＡｇを選択的に析出させる方法もある。
パラジウムとを水酸化カリウム溶液に溶解した感光性触
媒液や、シュウ酸第二鉄またはシュウ酸ルテニウムのよ
うなシュウ酸塩と塩化パラジウムとアンモニア水とを含
む感光性触媒液を用いることも可能である。この場合、
感光性触媒液の基板上への均一な塗布を容易に行なえる
ように、例えば、ポリビニルアルコールのような親水性
バインダ等を前述の感光性触媒液に添加することも有効
である。さらに、紫外線照射によるＡｇイオンの還元反
応を利用してＡｇを選択的に析出させる方法もある。
【００７０】なお、上記の触媒付与工程の前に、必要に
応じて、ガラス基板５１表面をフッ化物含有溶液で僅か
に粗化しておくことで、後工程のメッキ膜の密着性を向
上させることも可能である。さらに、アミノ化合物を含
有する水溶液に浸漬してガラス基板５１表面に被膜を形
成しておくことで、触媒としてのパラジウム核を良好に
保持させることも可能である。
応じて、ガラス基板５１表面をフッ化物含有溶液で僅か
に粗化しておくことで、後工程のメッキ膜の密着性を向
上させることも可能である。さらに、アミノ化合物を含
有する水溶液に浸漬してガラス基板５１表面に被膜を形
成しておくことで、触媒としてのパラジウム核を良好に
保持させることも可能である。
【００７１】このようにして、感光性触媒液を用いてガ
ラス基板５１上に触媒パターン５４を形成し、その上
に、第１実施例と同様に、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜５６,
５５,５３からなるメッキを施すことで、図３に示す金
属配線５７(第３実施例)が形成される。
ラス基板５１上に触媒パターン５４を形成し、その上
に、第１実施例と同様に、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜５６,
５５,５３からなるメッキを施すことで、図３に示す金
属配線５７(第３実施例)が形成される。
【００７２】得られた金属配線５７は、第１実施例の製
造方法で作製された金属配線(図２)と同様の特性を有し
ており、表示装置のバスライン(走査線や信号線)として
も十分使用可能なものである。
造方法で作製された金属配線(図２)と同様の特性を有し
ており、表示装置のバスライン(走査線や信号線)として
も十分使用可能なものである。
【００７３】この第２実施例のように、感光性を有する
メッキ触媒を所定のパターンに選択的に配置すること
で、ＩＴＯ膜などの配線下地層を形成せずに、より簡単
なプロセスで金属配線を製造することが可能になる。ま
た、配線下地層を必要としないため、安価で、総膜厚の
薄い金属配線を形成できるといった利点を有する。
メッキ触媒を所定のパターンに選択的に配置すること
で、ＩＴＯ膜などの配線下地層を形成せずに、より簡単
なプロセスで金属配線を製造することが可能になる。ま
た、配線下地層を必要としないため、安価で、総膜厚の
薄い金属配線を形成できるといった利点を有する。
【００７４】〔第３実施形態〕次に、図４に、一例とし
て、第１実施例で作製した金属配線５０をアクティブマ
トリクス基板に採用した場合の薄膜トランジスタ(ＴＦ
Ｔ)の断面構造を示す。
て、第１実施例で作製した金属配線５０をアクティブマ
トリクス基板に採用した場合の薄膜トランジスタ(ＴＦ
Ｔ)の断面構造を示す。
【００７５】ゲート配線７０をなす金属配線５０は、ガ
ラス基板５１上に形成された配線下地層としてのＩＴＯ
膜５２(厚み０.０５μｍ),Ｎｉ膜５３(厚み０.２μｍ),
Ａｕ膜５５(厚み０.０１μｍ),Ｃｕ膜５６(厚み０.２μ
ｍ)の積層膜によって構成されている。この積層膜のシ
ート抵抗は、０.１５Ω/□である。ゲート配線７０上に
は、ＳｉＮxから成るゲート絶縁膜７１がＣＶＤにより
形成されている。さらにその上には、チャネル層７２を
なすａ−Ｓｉ膜、コンタクト層７６としてｎ+型のａ−
Ｓｉ膜、Ａｌからなるソース電極７４、ドレイン電極７
５、ＩＴＯからなる画素電極７３、ＳｉＮxからなる絶
縁保護膜７７が形成されている。
ラス基板５１上に形成された配線下地層としてのＩＴＯ
膜５２(厚み０.０５μｍ),Ｎｉ膜５３(厚み０.２μｍ),
Ａｕ膜５５(厚み０.０１μｍ),Ｃｕ膜５６(厚み０.２μ
ｍ)の積層膜によって構成されている。この積層膜のシ
ート抵抗は、０.１５Ω/□である。ゲート配線７０上に
は、ＳｉＮxから成るゲート絶縁膜７１がＣＶＤにより
形成されている。さらにその上には、チャネル層７２を
なすａ−Ｓｉ膜、コンタクト層７６としてｎ+型のａ−
Ｓｉ膜、Ａｌからなるソース電極７４、ドレイン電極７
５、ＩＴＯからなる画素電極７３、ＳｉＮxからなる絶
縁保護膜７７が形成されている。
【００７６】このようにして得られたＴＦＴ素子は、従
来のドライ成膜のみによって形成されたゲート配線を用
いたＴＦＴ素子とほぼ同様の特性を示すことを実験で確
認できた。つまり、この発明がアクティブマトリクス駆
動型ＬＣＤに適用できることを確認できた。
来のドライ成膜のみによって形成されたゲート配線を用
いたＴＦＴ素子とほぼ同様の特性を示すことを実験で確
認できた。つまり、この発明がアクティブマトリクス駆
動型ＬＣＤに適用できることを確認できた。
【００７７】また、ここでは、逆スタガ構造(ボトムゲ
ート構造)のＴＦＴを示したが、スタガ構造(トップゲー
ト構造)のＴＦＴに適用しても構わない。また、この発
明は、ＴＦＴに限らず、２端子のダイオードなど他の非
線形素子を構成することも可能である。
ート構造)のＴＦＴを示したが、スタガ構造(トップゲー
ト構造)のＴＦＴに適用しても構わない。また、この発
明は、ＴＦＴに限らず、２端子のダイオードなど他の非
線形素子を構成することも可能である。
【００７８】なお、上述のＴＦＴは、第１実施例で作製
した金属配線を用いた一例を示したが、これに限らず、
第２実施例で作製した第３実施例の金属配線を用いるこ
とももちろん可能である。
した金属配線を用いた一例を示したが、これに限らず、
第２実施例で作製した第３実施例の金属配線を用いるこ
とももちろん可能である。
【００７９】次に、図４に示したＴＦＴ素子を有するア
クティブマトリクス基板を用いて、液晶表示装置(ＬＣ
Ｄ)を作成した。図５(Ａ),(Ｂ)に、このアクティブマト
リクス型ＬＣＤを模式的に示す。この結果、従来と同様
の表示性能を有するＬＣＤを実現できた。
クティブマトリクス基板を用いて、液晶表示装置(ＬＣ
Ｄ)を作成した。図５(Ａ),(Ｂ)に、このアクティブマト
リクス型ＬＣＤを模式的に示す。この結果、従来と同様
の表示性能を有するＬＣＤを実現できた。
【００８０】図５(Ａ)に示すように、このアクティブマ
トリクス型ＬＣＤは、アクティブマトリクス基板１０７
と対向基板１０８に電気光学媒体である液晶１０９が挟
持された構造になっている。アクティブマトリクス基板
１０７は、ガラス基板上にマトリクス状に配列された複
数のアクティブ素子(ＴＦＴ)９０と、このＴＦＴ９０に
隣接配置された画素電極９２、さらにこの画素電極９
２,９２…の間に縦横に延在している走査線(走査電極)
９１と信号線(データ電極)９９を備えており、これらの
最上層部に配向膜９３をそなえている。一方、対向基板
１０８は、ガラス基板上にカラーフィルター(ＲＧＢ)９
５、対向電極(ＩＴＯ)９４、配向膜９３をそなえてい
る。そして、上記両基板１０７,１０８は、図に示すよ
うに配向膜９３が互いに面するように配置され、両基板
の間隙に液晶１０９が充填される。また、上記両基板の
外側には偏光板９７,９８が配置される。なお、図５
(Ａ)に示すアクティブマトリクス型ＬＣＤの等価回路
を、図５(Ｂ)に示す。
トリクス型ＬＣＤは、アクティブマトリクス基板１０７
と対向基板１０８に電気光学媒体である液晶１０９が挟
持された構造になっている。アクティブマトリクス基板
１０７は、ガラス基板上にマトリクス状に配列された複
数のアクティブ素子(ＴＦＴ)９０と、このＴＦＴ９０に
隣接配置された画素電極９２、さらにこの画素電極９
２,９２…の間に縦横に延在している走査線(走査電極)
９１と信号線(データ電極)９９を備えており、これらの
最上層部に配向膜９３をそなえている。一方、対向基板
１０８は、ガラス基板上にカラーフィルター(ＲＧＢ)９
５、対向電極(ＩＴＯ)９４、配向膜９３をそなえてい
る。そして、上記両基板１０７,１０８は、図に示すよ
うに配向膜９３が互いに面するように配置され、両基板
の間隙に液晶１０９が充填される。また、上記両基板の
外側には偏光板９７,９８が配置される。なお、図５
(Ａ)に示すアクティブマトリクス型ＬＣＤの等価回路
を、図５(Ｂ)に示す。
【００８１】〔第４実施形態〕次に、この発明の第４実
施形態を説明する。この第４実施形態は、第１実施例で
作製した図２に示す金属配線５０を、単純マトリクス型
ＬＣＤの周辺端子部の低抵抗化にも応用した一例であ
る。
施形態を説明する。この第４実施形態は、第１実施例で
作製した図２に示す金属配線５０を、単純マトリクス型
ＬＣＤの周辺端子部の低抵抗化にも応用した一例であ
る。
【００８２】近年、ＬＣＤパネルヘの駆動ＬＣＩの実装
方法としてＣＯＧ(チップオングラス(Chip on glass))
実装の導入が盛んであるが、この場合、図６に示すよう
に、ＬＣＤパネル基板８１の周辺部８２に実装されるド
ライバＬＳＩチップ８３,８３…にドライバ入出力配線
８５を引き回す必要が生じる。
方法としてＣＯＧ(チップオングラス(Chip on glass))
実装の導入が盛んであるが、この場合、図６に示すよう
に、ＬＣＤパネル基板８１の周辺部８２に実装されるド
ライバＬＳＩチップ８３,８３…にドライバ入出力配線
８５を引き回す必要が生じる。
【００８３】しかしながら、単純マトリクス型ＬＣＤの
場合は、基板８１上の配線８５が一般に金属膜より電気
的に高抵抗なＩＴＯ膜で形成されているので、ＬＳＩチ
ップ８３,８３…周辺の引き回し配線８５が微細でかつ
距離が長くなるにつれて、配線８５での信号遅延が間題
になってくる。したがって、ＬＣＤが大面積化する場合
には、ＬＣＤパネル８１の周辺に形成されるドライバ入
出力配線８５を低抵抗化する必要が生じる。
場合は、基板８１上の配線８５が一般に金属膜より電気
的に高抵抗なＩＴＯ膜で形成されているので、ＬＳＩチ
ップ８３,８３…周辺の引き回し配線８５が微細でかつ
距離が長くなるにつれて、配線８５での信号遅延が間題
になってくる。したがって、ＬＣＤが大面積化する場合
には、ＬＣＤパネル８１の周辺に形成されるドライバ入
出力配線８５を低抵抗化する必要が生じる。
【００８４】このような要求に対し、図６の断面図であ
る図７に示すように、ＬＣＤパネル８１の周辺部８２で
引き回されているドライバ入出力配線８５のＩＴＯ配線
膜４１上に、先述した第１実施例で作製したＣｕ/Ａｕ/
Ｎｉ金属膜からなる金属配線５０を積層することで、容
易に低抵抗化することが可能になる。なお、図７におい
て、８１は液晶パネル、４２は絶縁樹脂、４３は突起電
極、４４は導電性接合剤、４６はＩＴＯ(インジウム錫
酸化物)からなる走査線であり、４８は液晶、４７は液
晶封止剤である。また、８６はＦＰＣ(フレキシブル・
プリンティッド・サーキット)である。
る図７に示すように、ＬＣＤパネル８１の周辺部８２で
引き回されているドライバ入出力配線８５のＩＴＯ配線
膜４１上に、先述した第１実施例で作製したＣｕ/Ａｕ/
Ｎｉ金属膜からなる金属配線５０を積層することで、容
易に低抵抗化することが可能になる。なお、図７におい
て、８１は液晶パネル、４２は絶縁樹脂、４３は突起電
極、４４は導電性接合剤、４６はＩＴＯ(インジウム錫
酸化物)からなる走査線であり、４８は液晶、４７は液
晶封止剤である。また、８６はＦＰＣ(フレキシブル・
プリンティッド・サーキット)である。
【００８５】なお、この第４実施形態では、単純マトリ
クス型ＬＣＤを例に説明したが、これに限らずＩＴＯ配
線やその他金属配線の低抵抗化が必要な用途に広く適用
できることは言うまでもない。
クス型ＬＣＤを例に説明したが、これに限らずＩＴＯ配
線やその他金属配線の低抵抗化が必要な用途に広く適用
できることは言うまでもない。
【００８６】以上のように、この発明による金属配線
は、液晶表示装置(ＬＣＤ),フィールドエミッション表
示装置(ＦＥＤ),電気泳動表示装置(ＥＰＤ),プラズマ表
示装置(ＰＤＰ),エレクトロクロミック表示装置(ＥＣ
Ｄ),エレクトロルミネッセント表示装置(ＥＬＤ)などの
フラットパネルディスプレイのなかで、配線の低抵抗化
のためにＣｕの使用が求められる場合に、有効であり、
薄くて電気的特性に優れ、かつ製造が容易な配線とな
る。
は、液晶表示装置(ＬＣＤ),フィールドエミッション表
示装置(ＦＥＤ),電気泳動表示装置(ＥＰＤ),プラズマ表
示装置(ＰＤＰ),エレクトロクロミック表示装置(ＥＣ
Ｄ),エレクトロルミネッセント表示装置(ＥＬＤ)などの
フラットパネルディスプレイのなかで、配線の低抵抗化
のためにＣｕの使用が求められる場合に、有効であり、
薄くて電気的特性に優れ、かつ製造が容易な配線とな
る。
【００８７】また、この発明は、ドライ成膜に代わっ
て、湿式成膜による配線形成が求められる場合や、表示
面積の大面積化が求められる場合に極めて有効である。
また、この発明は、フラットパネルディスプレイ用の金
属配線の製造方法に限定されるものではなく、フラット
パネル型イメージセンサに用いるアクティブマトリクス
基板や、その他の分野における金属配線の製造方法とし
ても広く応用できる。
て、湿式成膜による配線形成が求められる場合や、表示
面積の大面積化が求められる場合に極めて有効である。
また、この発明は、フラットパネルディスプレイ用の金
属配線の製造方法に限定されるものではなく、フラット
パネル型イメージセンサに用いるアクティブマトリクス
基板や、その他の分野における金属配線の製造方法とし
ても広く応用できる。
【００８８】
【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の発
明の金属配線は、無電解メッキによって形成されたＮｉ
膜上に、無電解メッキによってＣｕ膜またはＣｕ/Ａｕ
膜が積層された構造の金属配線において、上記Ｎｉ膜の
リン含有率ｘが、１０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ であ
る。
明の金属配線は、無電解メッキによって形成されたＮｉ
膜上に、無電解メッキによってＣｕ膜またはＣｕ/Ａｕ
膜が積層された構造の金属配線において、上記Ｎｉ膜の
リン含有率ｘが、１０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ であ
る。
【００８９】この請求項１の発明のように、Ｎｉ膜のリ
ンの含有率ｘが１０〜１５ｗｔ％のいわゆる高含リンタ
イプのＮｉ膜は、膜厚０.１μｍ以上の条件下で、緻密
で平滑な膜を形成することが実験によって判明した。そ
して、この得られたＮｉ膜上に、Ｃｕ膜やＣｕ/Ａｕ膜
を成膜しても従来のようなフクレ不良はほとんど発生し
なかった。したがって、本構造のＮｉ膜を用いること
で、厚さ０.４μｍ未満のＮｉ膜を用いて、Ｃｕ/Ｎｉ構
造や、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ構造のメッキ膜を形成することが
可能になり、メッキ総厚の低減が容易になった。
ンの含有率ｘが１０〜１５ｗｔ％のいわゆる高含リンタ
イプのＮｉ膜は、膜厚０.１μｍ以上の条件下で、緻密
で平滑な膜を形成することが実験によって判明した。そ
して、この得られたＮｉ膜上に、Ｃｕ膜やＣｕ/Ａｕ膜
を成膜しても従来のようなフクレ不良はほとんど発生し
なかった。したがって、本構造のＮｉ膜を用いること
で、厚さ０.４μｍ未満のＮｉ膜を用いて、Ｃｕ/Ｎｉ構
造や、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ構造のメッキ膜を形成することが
可能になり、メッキ総厚の低減が容易になった。
【００９０】また、請求項２の発明の金属配線では、請
求項１に示したように、高含リンタイプのＮｉ膜を用い
ているから、表面が平滑で緻密なＮｉ膜が得られる。し
たがって、このＮｉ膜上に形成するＡｕ膜を、最薄で
０.００５μｍまで薄くした。一方、Ａｕメッキ液のコ
ストを考慮すると、０.０５μｍ以下に抑制することが
望ましい。この請求項２の金属配線によれば、総厚が薄
く、段差が小さくなるから、液晶パネル内の信号線や走
査線として採用できる。
求項１に示したように、高含リンタイプのＮｉ膜を用い
ているから、表面が平滑で緻密なＮｉ膜が得られる。し
たがって、このＮｉ膜上に形成するＡｕ膜を、最薄で
０.００５μｍまで薄くした。一方、Ａｕメッキ液のコ
ストを考慮すると、０.０５μｍ以下に抑制することが
望ましい。この請求項２の金属配線によれば、総厚が薄
く、段差が小さくなるから、液晶パネル内の信号線や走
査線として採用できる。
【００９１】また、請求項３の発明の金属配線では、Ｃ
ｕ/Ａｕ/Ｎｉのメッキ膜の総厚みｚを０.２μｍ以上に
設定したので、Ｎｉ膜が最も薄い０.１μｍの場合でも
Ｃｕ膜の厚みを、０.１μｍの厚みに確保できる。した
がって、電気配線としての最低限の電気特性(シート抵
抗値)を確保できる。また、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の
総厚みを、１μｍ以下に設定したので、上記メッキ膜を
ＬＣＤのバスラインに用いても、上記バスラインの段差
部分が液晶層の配向状態に与える影響を無くすことが可
能になる。さらに、上記バスライン上に別の配線が交差
するデバイス構造を有する場合でも、その段差部分で上
層の配線が断線する確率を低減できる。
ｕ/Ａｕ/Ｎｉのメッキ膜の総厚みｚを０.２μｍ以上に
設定したので、Ｎｉ膜が最も薄い０.１μｍの場合でも
Ｃｕ膜の厚みを、０.１μｍの厚みに確保できる。した
がって、電気配線としての最低限の電気特性(シート抵
抗値)を確保できる。また、Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉメッキ膜の
総厚みを、１μｍ以下に設定したので、上記メッキ膜を
ＬＣＤのバスラインに用いても、上記バスラインの段差
部分が液晶層の配向状態に与える影響を無くすことが可
能になる。さらに、上記バスライン上に別の配線が交差
するデバイス構造を有する場合でも、その段差部分で上
層の配線が断線する確率を低減できる。
【００９２】また、請求項４の発明の表示装置は、請求
項１乃至３のいずれか１つに記載の金属配線を、走査線
または信号線に用いた。したがって、この請求項４の発
明によれば、真空成膜装置を必要とせず、安価な装置で
バスライン(走査線や信号線)の形成が可能となる。ま
た、無電解メッキを用いた成膜を採用するので、大面積
基板に対しても均一な厚みの膜を容易に成膜できる。ま
た、請求項１〜３に記載の金属配線は、下地のＮｉ膜パ
ターン(あるいはＡｕ/Ｎｉパターン)上に選択的にＣｕ
膜を成膜することが可能である。したがって、Ｃｕ膜の
パターニング(エッチング)が不必要であり、Ｃｕ配線を
容易に実現できる。したがって、この発明によれば、製
造コストが安価で、かつ、Ｃｕ配線の適用により高性能
化が可能な表示装置を実現できる。
項１乃至３のいずれか１つに記載の金属配線を、走査線
または信号線に用いた。したがって、この請求項４の発
明によれば、真空成膜装置を必要とせず、安価な装置で
バスライン(走査線や信号線)の形成が可能となる。ま
た、無電解メッキを用いた成膜を採用するので、大面積
基板に対しても均一な厚みの膜を容易に成膜できる。ま
た、請求項１〜３に記載の金属配線は、下地のＮｉ膜パ
ターン(あるいはＡｕ/Ｎｉパターン)上に選択的にＣｕ
膜を成膜することが可能である。したがって、Ｃｕ膜の
パターニング(エッチング)が不必要であり、Ｃｕ配線を
容易に実現できる。したがって、この発明によれば、製
造コストが安価で、かつ、Ｃｕ配線の適用により高性能
化が可能な表示装置を実現できる。
【００９３】また、請求項５に記載の薄膜トランジスタ
は、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の金属配線を
ゲート電極とし、上記金属電極上に、順次、ゲート絶縁
膜,半導体膜,ソース・ドレイン電極が形成された構造を
有する。
は、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の金属配線を
ゲート電極とし、上記金属電極上に、順次、ゲート絶縁
膜,半導体膜,ソース・ドレイン電極が形成された構造を
有する。
【００９４】また、請求項６の発明のアクティブマトリ
クス型の表示装置は、請求項５に記載の薄膜トランジス
タを備えた。したがって、この請求項６の発明では、請
求項４に記載の表示装置と同様に、表示装置に用いるＴ
ＦＴ素子を安価に製造でき、更に、上記ＴＦＴ素子を用
いたアクティブマトリクス基板の表示装置を安価に製造
できる。
クス型の表示装置は、請求項５に記載の薄膜トランジス
タを備えた。したがって、この請求項６の発明では、請
求項４に記載の表示装置と同様に、表示装置に用いるＴ
ＦＴ素子を安価に製造でき、更に、上記ＴＦＴ素子を用
いたアクティブマトリクス基板の表示装置を安価に製造
できる。
【００９５】また、請求項７の発明の表示装置は、ドラ
イバ入出力配線として、請求項１乃至３のいずれかに記
載の金属配線を用いているので、ドライバ入出力配線を
容易に低抵抗化でき、表示装置の大面積化に対応可能と
なる。
イバ入出力配線として、請求項１乃至３のいずれかに記
載の金属配線を用いているので、ドライバ入出力配線を
容易に低抵抗化でき、表示装置の大面積化に対応可能と
なる。
【００９６】また、請求項８に記載の金属配線の製造方
法は、ガラス基板上に酸化膜(代表的な例としてはＩＴ
Ｏ膜)のパターンが設けられた基板に対し、上記酸化膜
上にのみ選択的にＰｄなどのメッキ触媒を付与する。こ
の結果、上記請求項１乃至３のいずれかに記載の金属配
線を、上記酸化膜上にのみ選択的に形成できる。したが
って、下地の酸化膜が所定の配線形状にパターンニング
されていれば、メッキ膜をパターニングする必要が無
く、簡単に金属配線を得ることができる。
法は、ガラス基板上に酸化膜(代表的な例としてはＩＴ
Ｏ膜)のパターンが設けられた基板に対し、上記酸化膜
上にのみ選択的にＰｄなどのメッキ触媒を付与する。こ
の結果、上記請求項１乃至３のいずれかに記載の金属配
線を、上記酸化膜上にのみ選択的に形成できる。したが
って、下地の酸化膜が所定の配線形状にパターンニング
されていれば、メッキ膜をパターニングする必要が無
く、簡単に金属配線を得ることができる。
【００９７】また、請求項９の発明の金属配線の製造方
法は、ガラス基板上に、メッキ触媒を含有する感光性材
料を塗布し、光または紫外線照射によって上記メッキ触
媒を所定の配線形状に析出させることで、ガラス基板上
の所定の場所に選択的にＰｄなどのメッキ触媒を析出さ
せることができる。この結果、請求項１乃至３の何れか
１つに記載の金属配線を上記触媒領域上にのみ選択的に
形成することが可能である。したがって、下地の触媒が
所定の配線形状にパターンニングされていれば、メッキ
膜をパターニングする必要が無く、簡単に金属配線を得
ることができる。
法は、ガラス基板上に、メッキ触媒を含有する感光性材
料を塗布し、光または紫外線照射によって上記メッキ触
媒を所定の配線形状に析出させることで、ガラス基板上
の所定の場所に選択的にＰｄなどのメッキ触媒を析出さ
せることができる。この結果、請求項１乃至３の何れか
１つに記載の金属配線を上記触媒領域上にのみ選択的に
形成することが可能である。したがって、下地の触媒が
所定の配線形状にパターンニングされていれば、メッキ
膜をパターニングする必要が無く、簡単に金属配線を得
ることができる。
【図１】 図１(Ａ)はこの発明の金属配線の第１実施形
態の構造断面図であり、図１(Ｂ)は第２実施形態の構造
断面図である。
態の構造断面図であり、図１(Ｂ)は第２実施形態の構造
断面図である。
【図２】 この発明の金属配線の製造方法の第１実施例
で作製した金属配線の構造断面図である。
で作製した金属配線の構造断面図である。
【図３】 この発明の金属配線の製造方法の第２実施例
で作製した金属配線の構造断面図である。
で作製した金属配線の構造断面図である。
【図４】 この発明の第３実施形態である薄膜トランジ
スタ(ＴＦＴ)の断面構造図である。
スタ(ＴＦＴ)の断面構造図である。
【図５】 図５(Ａ)は上記第３実施形態を有するアクテ
ィブマトリクス型ＬＣＤの模式図であり、図５(Ｂ)は上
記アクティブマトリクス型ＬＣＤの等価回路図である。
ィブマトリクス型ＬＣＤの模式図であり、図５(Ｂ)は上
記アクティブマトリクス型ＬＣＤの等価回路図である。
【図６】 単純マトリクス型ＬＣＤの模式図である。
【図７】 この発明の第４実施形態である単純マトリク
ス型ＬＣＤの断面図である。
ス型ＬＣＤの断面図である。
【図８】 従来例において、Ｎｉ膜上に直接Ｃｕメッキ
を行なった際に発生する「フクレ」不良の断面模式図で
ある。
を行なった際に発生する「フクレ」不良の断面模式図で
ある。
１,２…金属配線、１０…Ｃｕ/Ａｕ/Ｎｉ積層膜、１１
…下地層、１２…Ｎｉ膜、１３…Ａｕメッキ膜、１５…
無電解Ｃｕメッキ膜、２０…Ｃｕ/Ｎｉ積層膜、４１…
ＩＴＯ配線膜、４２…絶縁樹脂、５０…金属配線、５１
…ガラス基板、５２…ＩＴＯ膜、５３…Ｎｉ膜、５４…
触媒パターン、５５…置換Ａｕ膜、５６…Ｃｕ膜、５７
…金属配線、７０…ゲート配線、７１…ゲート絶縁膜、
７２…チャネル層、７２…画素電極、７４…ソース電
極、７５…ドレイン電極、７６…コンタクト層、７７…
絶縁保護膜、８１…液晶パネル、８２…周辺部、８３…
ドライバＬＳＩチップ、８５…ドライバ入出力線配線、
９０…アクティブ素子、９１…走査線、９２…画素電
極、９３…配向膜、９４…対向電極、１０２…Ｃｕ膜。
…下地層、１２…Ｎｉ膜、１３…Ａｕメッキ膜、１５…
無電解Ｃｕメッキ膜、２０…Ｃｕ/Ｎｉ積層膜、４１…
ＩＴＯ配線膜、４２…絶縁樹脂、５０…金属配線、５１
…ガラス基板、５２…ＩＴＯ膜、５３…Ｎｉ膜、５４…
触媒パターン、５５…置換Ａｕ膜、５６…Ｃｕ膜、５７
…金属配線、７０…ゲート配線、７１…ゲート絶縁膜、
７２…チャネル層、７２…画素電極、７４…ソース電
極、７５…ドレイン電極、７６…コンタクト層、７７…
絶縁保護膜、８１…液晶パネル、８２…周辺部、８３…
ドライバＬＳＩチップ、８５…ドライバ入出力線配線、
９０…アクティブ素子、９１…走査線、９２…画素電
極、９３…配向膜、９４…対向電極、１０２…Ｃｕ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｒ 29/78 ６１７Ｌ ６１７Ｍ (72)発明者 近間 義雅 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 川島 敏 埼玉県大宮市吉野町２−３−１ メルテッ クス株式会社内 (72)発明者 橋本 貴治 埼玉県大宮市吉野町２−３−１ メルテッ クス株式会社内 Ｆターム(参考） 2H092 GA24 GA60 JA26 JA28 JA34 JA37 JA41 JB22 JB24 JB31 JB33 KA05 KA12 KB04 MA06 MA07 MA11 MA13 MA18 MA19 NA15 NA18 NA23 NA27 NA28 4M104 AA08 AA10 BB02 BB05 BB08 BB09 BB36 CC05 DD08 DD09 DD24 DD36 DD37 DD51 DD53 DD78 EE02 EE16 EE17 GG20 HH08 HH16 5C094 AA04 AA14 AA32 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 DA09 DA13 DB01 DB02 DB04 EA04 EA05 EA10 EB02 FA02 FB02 FB12 GB10 JA01 JA08 5F033 GG04 HH05 KK07 KK11 KK13 PP26 PP28 QQ11 QQ19 QQ73 QQ81 RR02 RR03 RR06 SS08 SS11 VV06 VV15 XX08 XX12 XX34 5F110 AA26 AA28 BB01 CC01 CC07 DD02 EE02 EE15 EE41 FF03 FF29 GG02 GG15 HK03 HK09 HK16 HK21 NN02 NN24 NN72
Claims (9)
- 【請求項１】 無電解メッキによって形成されたニッケ
ル(Ｎｉ)膜上に、金(Ａｕ)膜と銅(Ｃｕ)膜との積層膜ま
たは銅(Ｃｕ)膜が無電解メッキによって積層されたメッ
キ膜構造の金属配線において、 上記ニッケル(Ｎｉ)膜のリン含有率ｘが、 １０ｗｔ％≦ｘ≦１５ｗｔ％ であることを特徴とする金属配線。 - 【請求項２】 請求項１に記載の金属配線において、 上記金(Ａｕ)膜の厚みｙが、 ０.００５μｍ≦ｙ≦０.０５μｍ であることを特徴とする金属配線。
- 【請求項３】 請求項１に記載の金属配線において、 上記メッキ膜の総厚みｚが、 ０.２μｍ≦ｚ≦１μｍ であることを特徴とする金属配線。
- 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
金属配線を走査線または信号線に用いたことを特徴とす
る表示装置。 - 【請求項５】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
金属配線をゲート電極とし、このゲート電極上に、順
次、ゲート絶縁膜,半導体膜,ソース・ドレイン電極が形
成された構造を有することを特徴とする薄膜トランジス
タ。 - 【請求項６】 請求項５に記載の薄膜トランジスタを備
えたことを特徴とするアクティブマトリクス型の表示装
置。 - 【請求項７】 表示装置を構成するガラス基板上にドラ
イバＬＳＩがＣＯＧ実装されており、請求項１乃至３の
いずれか１つに記載の金属配線を、上記ガラス基板上に
形成される上記ドライバＬＳＩの入出力配線として用い
たことを特徴とする表示装置。 - 【請求項８】 絶縁基板上に所定の配線形状を有する酸
化膜を形成する工程と、 上記酸化膜上に選択的にメッキ触媒を付与する工程と、 上記酸化膜上に選択的に請求項１乃至３のいずれか１つ
に記載の金属配線を成膜する工程とを、少なくとも備え
たことを特徴とする金属配線の製造方法。 - 【請求項９】 絶縁基板上にメッキ触媒を含有する感光
性材料を塗布する工程と、 光または紫外線照射により上記メッキ触媒を所定の配線
形状に析出させる工程と、 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の金属配線を、上
記触媒析出領域に選択的に成膜する工程とを少なくとも
有することを特徴とする金属配線の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053809A JP4613271B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置 |
| KR10-2001-0009296A KR100377440B1 (ko) | 2000-02-29 | 2001-02-23 | 금속 배선, 그의 제조방법, 금속 배선을 이용한 박막트랜지스터 및 표시장치 |
| TW090104414A TWI227343B (en) | 2000-02-29 | 2001-02-27 | Metal line, method for fabricating the metal line, thin film transistor employing the metal line and display device |
| US09/795,832 US6770978B2 (en) | 2000-02-29 | 2001-02-28 | Metal line, method for fabricating the metal line, thin film transistor employing the metal line and display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000053809A JP4613271B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001244466A true JP2001244466A (ja) | 2001-09-07 |
| JP4613271B2 JP4613271B2 (ja) | 2011-01-12 |
Family
ID=18575140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000053809A Expired - Lifetime JP4613271B2 (ja) | 2000-02-29 | 2000-02-29 | 金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6770978B2 (ja) |
| JP (1) | JP4613271B2 (ja) |
| KR (1) | KR100377440B1 (ja) |
| TW (1) | TWI227343B (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530348A (ja) * | 2002-06-12 | 2005-10-06 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 金属パターンの形成方法及びこれを用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| KR100729785B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2007-06-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조방법 |
| JP2007281459A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法 |
| KR100870008B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
| JP2009540585A (ja) * | 2006-06-16 | 2009-11-19 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 銅相互接続層用の無電解ＮｉＰ接着及び／又はキャップ層 |
| US7781772B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| JP4668362B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2011-04-13 | 古河電気工業株式会社 | 金属張積層体および金属張積層体の製造方法 |
| JP2011118428A (ja) * | 2005-09-15 | 2011-06-16 | Sharp Corp | 表示パネル |
| WO2015087466A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887776B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-05-03 | Applied Materials, Inc. | Methods to form metal lines using selective electrochemical deposition |
| KR20060063778A (ko) * | 2003-10-03 | 2006-06-12 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 배선 기판의 패드 구조 및 배선 기판 |
| US7888702B2 (en) * | 2005-04-15 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the display device |
| TWI272725B (en) * | 2005-04-15 | 2007-02-01 | Quanta Display Inc | Method of fabricating TFT array substrate and metal layer thereof |
| KR100957614B1 (ko) * | 2005-10-17 | 2010-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
| KR100862149B1 (ko) * | 2007-02-06 | 2008-10-09 | 성균관대학교산학협력단 | 선택적 무전해 도금을 이용한 플렉서블 기판의 미세 금속배선 형성 방법 |
| TWI353024B (en) * | 2007-03-21 | 2011-11-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Fabricating method of conductive layer |
| JP5467449B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2014-04-09 | Ｎｌｔテクノロジー株式会社 | 引出線配線装置、画像表示装置及び引出線配線装置の製造方法 |
| JP5680342B2 (ja) * | 2009-09-02 | 2015-03-04 | Tdk株式会社 | めっき膜、プリント配線板及びモジュール基板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283533A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置及びそれに用いる電極基板 |
| JPH02144522A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 表示パネルのパターン形成法 |
| JPH0496022A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板とその製造方法並びにこれを用いた液晶表示素子 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4122215A (en) * | 1976-12-27 | 1978-10-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Electroless deposition of nickel on a masked aluminum surface |
| JP2552159B2 (ja) * | 1987-02-02 | 1996-11-06 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US4970571A (en) * | 1987-09-24 | 1990-11-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Bump and method of manufacturing the same |
| JPH04304681A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-28 | Dowa Mining Co Ltd | ＣｕＩｎＳｅ２系光電変換素子の製造方法 |
| US6030877A (en) * | 1997-10-06 | 2000-02-29 | Industrial Technology Research Institute | Electroless gold plating method for forming inductor structures |
| US6335104B1 (en) * | 2000-02-22 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Method for preparing a conductive pad for electrical connection and conductive pad formed |
-
2000
- 2000-02-29 JP JP2000053809A patent/JP4613271B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-23 KR KR10-2001-0009296A patent/KR100377440B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-02-27 TW TW090104414A patent/TWI227343B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-02-28 US US09/795,832 patent/US6770978B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0283533A (ja) * | 1988-09-21 | 1990-03-23 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置及びそれに用いる電極基板 |
| JPH02144522A (ja) * | 1988-11-26 | 1990-06-04 | Mitsubishi Electric Corp | 表示パネルのパターン形成法 |
| JPH0496022A (ja) * | 1990-08-13 | 1992-03-27 | Hitachi Ltd | アクティブマトリクス基板とその製造方法並びにこれを用いた液晶表示素子 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005530348A (ja) * | 2002-06-12 | 2005-10-06 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 金属パターンの形成方法及びこれを用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| KR100870008B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2008-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
| US8749061B2 (en) | 2002-09-20 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US10090373B2 (en) | 2002-09-20 | 2018-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9847386B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-12-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7781772B2 (en) | 2002-09-20 | 2010-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US7897973B2 (en) | 2002-09-20 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9622345B2 (en) | 2002-09-20 | 2017-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US9082768B2 (en) | 2002-09-20 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US8450851B2 (en) | 2002-09-20 | 2013-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| KR100729785B1 (ko) * | 2003-12-31 | 2007-06-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조방법 |
| JP2011118428A (ja) * | 2005-09-15 | 2011-06-16 | Sharp Corp | 表示パネル |
| US8698987B2 (en) | 2005-09-15 | 2014-04-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel comprising a plurality of marks in at least one corner of substrate |
| JP2011150359A (ja) * | 2005-09-15 | 2011-08-04 | Sharp Corp | 表示パネル |
| JP2007281459A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Samsung Electronics Co Ltd | 薄膜トランジスタ表示板およびその製造方法 |
| JP2009540585A (ja) * | 2006-06-16 | 2009-11-19 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 銅相互接続層用の無電解ＮｉＰ接着及び／又はキャップ層 |
| JP4668362B2 (ja) * | 2009-06-05 | 2011-04-13 | 古河電気工業株式会社 | 金属張積層体および金属張積層体の製造方法 |
| WO2015087466A1 (ja) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
| JP6019507B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2016-11-02 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 薄膜トランジスタ基板及び薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4613271B2 (ja) | 2011-01-12 |
| KR100377440B1 (ko) | 2003-03-26 |
| US20010023771A1 (en) | 2001-09-27 |
| TWI227343B (en) | 2005-02-01 |
| US6770978B2 (en) | 2004-08-03 |
| KR20010085541A (ko) | 2001-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001244466A (ja) | 金属配線およびその製造方法およびその金属配線を用いた薄膜トランジスタおよび表示装置 | |
| KR100698988B1 (ko) | 액정 표시 장치와 그 제조 방법 | |
| KR100372839B1 (ko) | 금속 배선의 제조 방법 및 그 금속 배선을 구비한 배선 기판 | |
| KR101244895B1 (ko) | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| JP2985124B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2000275663A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| US6839120B2 (en) | Reflective or transflective liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| KR100396830B1 (ko) | 금속 배선 및 금속 배선을 사용한 액티브 매트릭스 기판 | |
| JP2001255543A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2001142092A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| JP2002090774A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法および装置 | |
| WO2024093120A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR100385109B1 (ko) | 금속 배선의 제조방법 | |
| JP2003051463A (ja) | 金属配線の製造方法およびその方法を用いた金属配線基板 | |
| JPH04232922A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| WO2010010744A1 (ja) | 表示装置用基板及び液晶表示装置 | |
| JP4219717B2 (ja) | 表示装置の製造方法、液晶表示装置並びに金属膜のパターニング方法。 | |
| CN113013181B (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| JP3406292B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP3428338B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH0627482A (ja) | 電極基板及びそれを用いた液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH04253033A (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS6370282A (ja) | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 | |
| JP2000066223A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR20050067308A (ko) | 배선 형성공정을 개선한 액정표시패널의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091126 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100128 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100803 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100901 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100902 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100924 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4613271 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |