JP3428338B2 - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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- JP3428338B2 JP3428338B2 JP34916396A JP34916396A JP3428338B2 JP 3428338 B2 JP3428338 B2 JP 3428338B2 JP 34916396 A JP34916396 A JP 34916396A JP 34916396 A JP34916396 A JP 34916396A JP 3428338 B2 JP3428338 B2 JP 3428338B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置の製
造方法に関するもので、特に、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと表記する）を用いた液晶表示装置の製造方
法に関するものである。
造方法に関するもので、特に、薄膜トランジスタ（以
下、ＴＦＴと表記する）を用いた液晶表示装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３乃至図５を用いて、ＴＦＴを用いた
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板につ
いて説明する。図３はアクティブマトリクス基板の主要
部を示す平面図、図４はアクティブマトリクス基板の配
線を示す説明図、図５はアクティブマトリクス基板の主
要部を示す断面図である。
液晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板につ
いて説明する。図３はアクティブマトリクス基板の主要
部を示す平面図、図４はアクティブマトリクス基板の配
線を示す説明図、図５はアクティブマトリクス基板の主
要部を示す断面図である。
【０００３】ＴＦＴ５１はマトリクス状に形成され、ゲ
ート信号線５２はＴＦＴ５１のゲート電極５３に接続さ
れ、ソース信号線５４にはＴＦＴ５１の駆動がビデオ信
号入力される。ＴＦＴ５１のドレイン電極には、絵素電
極５５及び絵素容量５６の一方の端子が接続される。絵
素容量５６の他方の端子は絵素容量配線５７に接続さ
れ、対向基板に形成される対向電極と接続される。
ート信号線５２はＴＦＴ５１のゲート電極５３に接続さ
れ、ソース信号線５４にはＴＦＴ５１の駆動がビデオ信
号入力される。ＴＦＴ５１のドレイン電極には、絵素電
極５５及び絵素容量５６の一方の端子が接続される。絵
素容量５６の他方の端子は絵素容量配線５７に接続さ
れ、対向基板に形成される対向電極と接続される。
【０００４】アクティブマトリクスの断面について説明
すれば、絶縁性基板５８上にゲート電極５３、ゲート絶
縁膜５９、半導体層６０、チャネル保護層６１、ソース
電極及びドレイン電極となるｎ+層６２、ソース信号線
５４、層間絶縁膜６３並びに絵素電極５５の順に形成さ
れる。絵素電極５５は、層間絶縁膜６３を貫くコンタク
トホール６４を介してＴＦＴ５１のドレイン電極と接続
される。
すれば、絶縁性基板５８上にゲート電極５３、ゲート絶
縁膜５９、半導体層６０、チャネル保護層６１、ソース
電極及びドレイン電極となるｎ+層６２、ソース信号線
５４、層間絶縁膜６３並びに絵素電極５５の順に形成さ
れる。絵素電極５５は、層間絶縁膜６３を貫くコンタク
トホール６４を介してＴＦＴ５１のドレイン電極と接続
される。
【０００５】図６を用いて、液晶表示装置の断面構造に
ついて説明する。図６は液晶表示装置のシール近傍を示
す断面図である。
ついて説明する。図６は液晶表示装置のシール近傍を示
す断面図である。
【０００６】非表示部６５は、端子部６６とシール部６
７とからなり、端子部６６は、絶縁性基板５８上にゲー
ト絶縁膜５９及び端子６８が形成されており、シール部
６７は、絶縁性基板５８上にゲート絶縁膜５９及び層間
絶縁膜６３が形成されて、シール材料６９を介して対向
基板７０と貼り合わされている。表示部７１は、絶縁性
基板５８上にゲート絶縁膜５９、層間絶縁膜６３及び絵
素電極５５が形成されて、対向基板７０と貼り合わされ
ている。
７とからなり、端子部６６は、絶縁性基板５８上にゲー
ト絶縁膜５９及び端子６８が形成されており、シール部
６７は、絶縁性基板５８上にゲート絶縁膜５９及び層間
絶縁膜６３が形成されて、シール材料６９を介して対向
基板７０と貼り合わされている。表示部７１は、絶縁性
基板５８上にゲート絶縁膜５９、層間絶縁膜６３及び絵
素電極５５が形成されて、対向基板７０と貼り合わされ
ている。
【０００７】このように、シール材料６９は、層間絶縁
膜６３上に形成されている。これは、層間絶縁膜６３が
下層の段差を平坦化する効果があることから、結果とし
て液晶表示装置のセル厚むらを少なくできるためであ
る。
膜６３上に形成されている。これは、層間絶縁膜６３が
下層の段差を平坦化する効果があることから、結果とし
て液晶表示装置のセル厚むらを少なくできるためであ
る。
【０００８】図７及び図８を用いて、液晶表示装置の製
造方法について説明する。図７は液晶表示装置の製造方
法を示す工程図、図８は図７の続きを示す工程図であ
る。
造方法について説明する。図７は液晶表示装置の製造方
法を示す工程図、図８は図７の続きを示す工程図であ
る。
【０００９】図７（ａ）に示すように、絶縁性基板５８
上にゲート絶縁膜５９を形成した後、表示部７１及び非
表示部６５のシール部６７に層間絶縁膜６３を形成す
る。そして、端子部６６を含む絶縁性基板５８上の全面
に、透明導電膜７２を形成する。
上にゲート絶縁膜５９を形成した後、表示部７１及び非
表示部６５のシール部６７に層間絶縁膜６３を形成す
る。そして、端子部６６を含む絶縁性基板５８上の全面
に、透明導電膜７２を形成する。
【００１０】次に、図７（ｂ）に示すように、レジスト
７３を塗布し、図７（ｃ）に示すように、露光及び現像
を行ってレジスト７３をパターニングする。
７３を塗布し、図７（ｃ）に示すように、露光及び現像
を行ってレジスト７３をパターニングする。
【００１１】次に、図８（ａ）に示すように、透明導電
膜７２をエッチングして端子６８を形成し、図８（ｂ）
に示すように、レジスト７３を剥離した後、表示部７１
についても同様にエッチングを行うことで絵素電極を形
成する。
膜７２をエッチングして端子６８を形成し、図８（ｂ）
に示すように、レジスト７３を剥離した後、表示部７１
についても同様にエッチングを行うことで絵素電極を形
成する。
【００１２】このように、非表示部６５のエッチングを
先に行い、表示部７１のエッチングを後で行うのである
が、これは、ゲート絶縁膜５９上と層間絶縁膜６３上と
では、透明導電膜７２のエッチングレートが異なるため
である。
先に行い、表示部７１のエッチングを後で行うのである
が、これは、ゲート絶縁膜５９上と層間絶縁膜６３上と
では、透明導電膜７２のエッチングレートが異なるため
である。
【００１３】詳細に説明すれば、ゲート絶縁膜５９上の
透明導電膜７２のエッチングレートは遅く、層間絶縁膜
６３上の透明導電膜７２のエッチングレートは速い。そ
して、表示部７１は数μｍ程度の精度が必要なのに対し
て、非表示部６５は数十μｍ程度の精度でよい。
透明導電膜７２のエッチングレートは遅く、層間絶縁膜
６３上の透明導電膜７２のエッチングレートは速い。そ
して、表示部７１は数μｍ程度の精度が必要なのに対し
て、非表示部６５は数十μｍ程度の精度でよい。
【００１４】これらのことから、エッチングレートを層
間絶縁膜６３上の透明導電膜７２に合わせてエッチング
を行うと、ゲート絶縁膜５９上に不要な透明導電膜７２
が残ってしまい、エッチングレートをゲート絶縁膜５９
上の透明導電膜７２に合わせてエッチングを行うと、層
間絶縁膜６３上の透明導電膜７２がオーバーエッチング
となってしまうため、非表示部６５のエッチングを先に
行い、表示部７１のエッチングを後で行うようにしてい
る。
間絶縁膜６３上の透明導電膜７２に合わせてエッチング
を行うと、ゲート絶縁膜５９上に不要な透明導電膜７２
が残ってしまい、エッチングレートをゲート絶縁膜５９
上の透明導電膜７２に合わせてエッチングを行うと、層
間絶縁膜６３上の透明導電膜７２がオーバーエッチング
となってしまうため、非表示部６５のエッチングを先に
行い、表示部７１のエッチングを後で行うようにしてい
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、非表
示部のエッチングを先に行い、表示部のエッチングを後
で行うようにする場合、シール部の層間絶縁膜は、非表
示部のエッチングと表示部のエッチングとで、２回剥離
液に浸かることとなり、層間絶縁膜は、剥離液に対して
膨潤しやすい性質を持っているため、剥離液に２回浸か
ることによって、シール材料との十分な接着強度が得ら
れないという問題点がある。
示部のエッチングを先に行い、表示部のエッチングを後
で行うようにする場合、シール部の層間絶縁膜は、非表
示部のエッチングと表示部のエッチングとで、２回剥離
液に浸かることとなり、層間絶縁膜は、剥離液に対して
膨潤しやすい性質を持っているため、剥離液に２回浸か
ることによって、シール材料との十分な接着強度が得ら
れないという問題点がある。
【００１６】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、層間絶縁膜を介してＴＦＴと
絵素電極とが接続された液晶表示装置であっても、十分
なシール材料の接着強度を得ることができる液晶表示装
置の製造方法を提供することを目的としている。
みなされたものであって、層間絶縁膜を介してＴＦＴと
絵素電極とが接続された液晶表示装置であっても、十分
なシール材料の接着強度を得ることができる液晶表示装
置の製造方法を提供することを目的としている。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置の製造方
法は、絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成する工程
と、層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタと透明導
電膜を接続する工程と、前記透明導電膜をエッチングす
る工程と、前記層間絶縁膜上にシール材料を形成して前
記絶縁性基板と対向基板とを貼り合わせる工程とを有す
る液晶表示装置の製造方法において、前記透明導電膜の
エッチングを少なくとも２回に分けて行い、その最後の
エッチングで、前記層間絶縁膜上の前記シール材料を形
成する部分の前記透明導電膜をエッチングすることを特
徴としている。
ために、本発明の請求項１記載の液晶表示装置の製造方
法は、絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成する工程
と、層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタと透明導
電膜を接続する工程と、前記透明導電膜をエッチングす
る工程と、前記層間絶縁膜上にシール材料を形成して前
記絶縁性基板と対向基板とを貼り合わせる工程とを有す
る液晶表示装置の製造方法において、前記透明導電膜の
エッチングを少なくとも２回に分けて行い、その最後の
エッチングで、前記層間絶縁膜上の前記シール材料を形
成する部分の前記透明導電膜をエッチングすることを特
徴としている。
【００１８】請求項２記載の液晶表示装置の製造方法
は、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記透明導電膜のエッチングを端子部と、表示部及びシ
ール部とに分けて行い、前記表示部及びシール部のエッ
チングを後で行うことを特徴としている。
は、請求項１記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記透明導電膜のエッチングを端子部と、表示部及びシ
ール部とに分けて行い、前記表示部及びシール部のエッ
チングを後で行うことを特徴としている。
【００１９】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、透明導電膜のエッチングを少なくとも２回に分けて
行い、その最後のエッチングで、層間絶縁膜上のシール
材料を形成する部分の透明導電膜をエッチングすること
により、層間絶縁膜のシール材料を形成する部分は透明
導電膜に保護されているため、剥離液に浸かる時間を短
くすることができ、層間絶縁膜の膨潤を低減することが
できる。
ば、透明導電膜のエッチングを少なくとも２回に分けて
行い、その最後のエッチングで、層間絶縁膜上のシール
材料を形成する部分の透明導電膜をエッチングすること
により、層間絶縁膜のシール材料を形成する部分は透明
導電膜に保護されているため、剥離液に浸かる時間を短
くすることができ、層間絶縁膜の膨潤を低減することが
できる。
【００２０】また、透明導電膜のエッチングを端子部
と、表示部及びシール部とに分けて行い、前記表示部及
びシール部のエッチングを後で行うことにより、層間絶
縁膜のシール材料を形成する部分は透明導電膜に保護さ
れているため、従来は２回剥離液に浸かっていたところ
を１回に減らすことができ、層間絶縁膜の膨潤を低減す
ることができる。
と、表示部及びシール部とに分けて行い、前記表示部及
びシール部のエッチングを後で行うことにより、層間絶
縁膜のシール材料を形成する部分は透明導電膜に保護さ
れているため、従来は２回剥離液に浸かっていたところ
を１回に減らすことができ、層間絶縁膜の膨潤を低減す
ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】図１及び図２を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明に係わる液
晶表示装置の製造方法を示す工程図、図２は図１の続き
を示す工程図である。
実施の形態について説明する。図１は本発明に係わる液
晶表示装置の製造方法を示す工程図、図２は図１の続き
を示す工程図である。
【００２２】図１（ａ）に示すように、絶縁性基板１上
にゲート絶縁膜２を形成した後、表示部３及び非表示部
４のシール部５に層間絶縁膜６を形成する。そして、端
子部７を含む絶縁性基板１上の全面に、透明導電膜８を
形成する。
にゲート絶縁膜２を形成した後、表示部３及び非表示部
４のシール部５に層間絶縁膜６を形成する。そして、端
子部７を含む絶縁性基板１上の全面に、透明導電膜８を
形成する。
【００２３】次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト
９を塗布し、図１（ｃ）に示すように、露光及び現像を
行って端子部７のレジスト９のみをパターニングする。
９を塗布し、図１（ｃ）に示すように、露光及び現像を
行って端子部７のレジスト９のみをパターニングする。
【００２４】次に、図２（ａ）に示すように、端子部７
の透明導電膜８をエッチングして端子１０を形成し、図
２（ｂ）に示すように、レジスト９を剥離する。このと
き、シール部５の層間絶縁膜６は、透明導電膜８によっ
て保護されているため、剥離液に浸かることがなく、膨
潤を防ぐことができる。
の透明導電膜８をエッチングして端子１０を形成し、図
２（ｂ）に示すように、レジスト９を剥離する。このと
き、シール部５の層間絶縁膜６は、透明導電膜８によっ
て保護されているため、剥離液に浸かることがなく、膨
潤を防ぐことができる。
【００２５】この後、表示部３及びシール部５の透明導
電膜８についても同様にエッチングを行い、絵素電極を
形成してアクティブマトリクス基板を完成し、シール材
料を介してアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼
り合わせて液晶表示装置を完成する。
電膜８についても同様にエッチングを行い、絵素電極を
形成してアクティブマトリクス基板を完成し、シール材
料を介してアクティブマトリクス基板と対向基板とを貼
り合わせて液晶表示装置を完成する。
【００２６】尚、本実施の形態においては、層間絶縁膜
６に直接シール材料を接着する場合について説明した
が、液晶表示装置の狭額縁化等により、層間絶縁膜６と
シール材料との間に何らかの層、例えば透明導電膜８を
介在させるときであっても、同様の効果を得ることがで
きる。これは、層間絶縁膜６の膨潤を防ぐことが、層間
絶縁膜６とシール材料との接着強度を向上させるだけで
なく、層間絶縁膜６と透明導電膜８との密着強度も向上
させることができるからである。
６に直接シール材料を接着する場合について説明した
が、液晶表示装置の狭額縁化等により、層間絶縁膜６と
シール材料との間に何らかの層、例えば透明導電膜８を
介在させるときであっても、同様の効果を得ることがで
きる。これは、層間絶縁膜６の膨潤を防ぐことが、層間
絶縁膜６とシール材料との接着強度を向上させるだけで
なく、層間絶縁膜６と透明導電膜８との密着強度も向上
させることができるからである。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明の液晶表示
装置の製造方法によれば、透明導電膜のエッチングを少
なくとも２回に分けて行い、その最後のエッチングで、
層間絶縁膜上のシール材料を形成する部分の透明導電膜
をエッチングすることにより、層間絶縁膜が剥離液に浸
かる時間を短くすることができ、層間絶縁膜の膨潤を低
減することができるため、液晶表示装置のシールの接着
強度を向上することができる。
装置の製造方法によれば、透明導電膜のエッチングを少
なくとも２回に分けて行い、その最後のエッチングで、
層間絶縁膜上のシール材料を形成する部分の透明導電膜
をエッチングすることにより、層間絶縁膜が剥離液に浸
かる時間を短くすることができ、層間絶縁膜の膨潤を低
減することができるため、液晶表示装置のシールの接着
強度を向上することができる。
【００２８】また、透明導電膜のエッチングを端子部
と、表示部及びシール部とに分けて行い、前記表示部及
びシール部のエッチングを後で行うことにより、層間絶
縁膜が従来は２回剥離液に浸かっていたところを１回に
減らすことができ、層間絶縁膜の膨潤を低減することが
できるため、液晶表示装置のシールの接着強度を向上す
ることができる。
と、表示部及びシール部とに分けて行い、前記表示部及
びシール部のエッチングを後で行うことにより、層間絶
縁膜が従来は２回剥離液に浸かっていたところを１回に
減らすことができ、層間絶縁膜の膨潤を低減することが
できるため、液晶表示装置のシールの接着強度を向上す
ることができる。
【図１】（ａ）〜（ｃ）は本発明に係わる液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。
の製造方法を示す工程図である。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は図１の続きを示す工程図で
ある。
ある。
【図３】アクティブマトリクス基板の主要部を示す平面
図である。
図である。
【図４】アクティブマトリクス基板の配線を示す説明図
である。
である。
【図５】アクティブマトリクス基板の主要部を示す断面
図である。
図である。
【図６】液晶表示装置のシール近傍を示す断面図であ
る。
る。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は液晶表示装置の製造方法を示
す工程図である。
す工程図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は図７の続きを示す工程図で
ある。
ある。
１ 絶縁性基板
２ ゲート絶縁膜
３ 表示部
４ 非表示部
５ シール部
６ 層間絶縁膜
７ 端子部
８ 透明導電膜
９ レジスト
１０ 端子
５１ ＴＦＴ
５２ ゲート信号線
５３ ゲート電極
５４ ソース信号線
５５ 絵素電極
５６ 絵素容量
５７ 絵素容量配線
５８ 絶縁性基板
５９ ゲート絶縁膜
６０ 半導体層
６１ チャネル保護層
６２ ｎ+層
６３ 層間絶縁膜
６４ コンタクトホール
６５ 非表示部
６６ 端子部
６７ シール部
６８ 端子
６９ シール材料
７０ 対向基板
７１ 表示部
７２ 透明導電膜
７３ レジスト
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−242232（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−234225（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
G02F 1/1339
G02F 1/1345
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に薄膜トランジスタを形成
する工程と、 層間絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタと透明導電膜
を接続する工程と、 前記透明導電膜をエッチングする工程と、 前記層間絶縁膜上にシール材料を形成して前記絶縁性基
板と対向基板とを貼り合わせる工程とを有する液晶表示
装置の製造方法において、 前記透明導電膜のエッチングを少なくとも２回に分けて
行い、その最後のエッチングで、前記層間絶縁膜上の前
記シール材料を形成する部分の前記透明導電膜をエッチ
ングすることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記透明導電膜のエッチングを端子部
と、表示部及びシール部とに分けて行い、前記表示部及
びシール部のエッチングを後で行うことを特徴とする請
求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34916396A JP3428338B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34916396A JP3428338B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10186390A JPH10186390A (ja) | 1998-07-14 |
| JP3428338B2 true JP3428338B2 (ja) | 2003-07-22 |
Family
ID=18401901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34916396A Expired - Fee Related JP3428338B2 (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3428338B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102084412B (zh) * | 2008-07-25 | 2014-09-03 | 住友化学株式会社 | 有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003035898A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toshiba Corp | 平面表示素子及び平面表示素子の製造方法 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP34916396A patent/JP3428338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102084412B (zh) * | 2008-07-25 | 2014-09-03 | 住友化学株式会社 | 有源矩阵基板、显示面板、显示装置及有源矩阵基板的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10186390A (ja) | 1998-07-14 |
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