JP5680342B2 - めっき膜、プリント配線板及びモジュール基板 - Google Patents
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Description
[めっき膜の形成]
パッケージ用基板である高耐熱基板(日立化成工業株式会社製、製品名:FR4、厚み:3mm)を準備した。この基板にNCドリルを用いてスルーホールを形成し、スルーホールめっきを行った。その後、所定形状のエッチングレジストを形成し、不要な銅配線をエッチングにより除去してデイジーチェーン回路パターンを形成した。その後、不要な箇所にめっきが析出しないようにするために、ソルダーレジストで基板の表面の一部をオーバーコートして、はんだボール接続用の銅端子(銅パッド、φ0.6mm)を形成した。
上記基板を、脱脂液(奥野製薬工業株式会社製、商品名:エースクリーン850)に、40℃で3分間浸漬した後、基板を取り出して、1分間水洗した。
基板を、NNPアクセラB(奥野製薬工業株式会社製、商品名)に、25℃で30秒間浸漬した。本工程は、次の工程で用いるめっき浴の各成分の濃度が低くなるのを抑制するために実施した。
基板を、めっき活性化処理液(奥野製薬工業株式会社製、商品名:NNPアクセラ)に、35℃で5分間浸漬した。その後、めっき活性化処理液から基板を取り出して、1分間水洗した。
基板を、NNPポストディップ401(奥野製薬工業株式会社製、商品名)に、25℃で2分間浸漬して、基板の不導体部分に付着したPd成分を除去した。
無電解ニッケルめっき液(奥野製薬工業株式会社製、商品名:SOF浴、リン濃度:12質量%)を、アンモニア水を用いてpH:5.4に調整し、基板を、調整した無電解ニッケルめっき液に85℃で20分間浸漬した。なお、当該無電解ニッケルめっき液におけるニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は12質量%である。その後、無電解ニッケルめっき浴から基板を取り出して1分間水洗した。
基板を、無電解Pdめっき液(奥野製薬工業株式会社製、商品名:パラトップN浴)に、60℃で3分間浸漬した。その後、無電解Pdめっき液から基板を取り出して1分間水洗した。
基板を、無電解金めっき液(奥野製薬工業株式会社製、商品名:フラッシュゴールド330浴)に、85℃で25分間浸漬し、1分間水洗した。その後、無電解金めっき液から基板を取り出して、1分間水洗した。
めっき膜の断面を鏡面研磨して、当該断面を走査型電子顕微鏡(SEM)や透過型電子顕微鏡(TEM)によって観察した。そして、SEMに装着されているEDS装置(日本電子(株)製、装置名:JXA−8500F)によって分析して、ニッケルめっき層のニッケルめっき層全体におけるリン濃度を測定した。その結果、リン濃度は12質量%であった。
実施例1の無電解ニッケルめっき工程で用いた無電解ニッケルめっき液にアンモニア水を加えてpH及びリン濃度を調整した。調整後の無電解ニッケルめっき液のpHは6.5であり、ニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は2質量%であった。無電解ニッケルめっき工程において、リン濃度が12質量%である無電解ニッケルめっき液に代えて、上述の通り調製したリン濃度が2質量%である無電解ニッケルめっき液を用いたこと、及びパラジウムめっき工程を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして、基板の銅端子上に銅端子側からニッケルめっき層及び金めっき層を有するめっき膜を形成した。そして、実施例1と同様にして、ニッケルめっき層のリン濃度を測定した。その結果、ニッケルめっき層全体におけるリン濃度は2質量%であった。
実施例1の無電解ニッケルめっき工程で用いた無電解ニッケルめっき液にアンモニア水を加えてpH及びリン濃度を調整した。調整後の無電解ニッケルめっき液のpHは4.5であり、ニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は7質量%であった。無電解ニッケルめっき工程において、リン濃度が12質量%である無電解ニッケルめっき液に代えて、上述の通り調製したリン濃度が7質量%である無電解ニッケルめっき液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、基板の銅端子上に、銅端子側からニッケルめっき層及び金めっき層を有するめっき膜を形成した。そして、実施例1と同様にして、ニッケルめっき層のニッケルめっき層全体のリン濃度を測定した。その結果、ニッケルめっき層全体におけるリン濃度は7質量%であった。
実施例1の無電解ニッケルめっき工程で用いた無電解ニッケルめっき液にアンモニア水を加えてpH及びリン濃度を調整した。調整後の無電解ニッケルめっき液のpHは4.4であり、ニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は8質量%であった。無電解ニッケルめっき工程におけるリン濃度が12質量%である無電解ニッケルめっき液に代えて、リン濃度が8質量%である無電解ニッケルめっき液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、基板の銅端子上に、銅端子側からニッケルめっき層及び金めっき層を有するめっき膜を形成した。そして、実施例1と同様にして、ニッケルめっき層のニッケルめっき層全体のリン濃度を測定した。その結果、ニッケルめっき層全体におけるリン濃度は8質量%であった。
実施例1の無電解ニッケルめっき工程で用いた無電解ニッケルめっき液にアンモニア水を加えてpH及びリン濃度を調整した。調整後の無電解ニッケルめっき液のpHは6.5であり、ニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は2質量%であった。無電解ニッケルめっき工程におけるリン濃度が12質量%である無電解ニッケルめっき液に代えて、リン濃度が2質量%である無電解ニッケルめっき液を用いたこと以外は、実施例1と同様にして、基板の銅端子上に、銅端子側からニッケルめっき層及び金めっき層を有するめっき膜を形成した。そして、実施例1と同様にして、ニッケルめっき層のリン濃度を測定した。その結果、ニッケルめっき層全体におけるリン濃度は2質量%であった。
実施例1の無電解ニッケルめっき工程で用いた無電解ニッケルめっき液にアンモニア水を加えてpH及びリン濃度を調整した。調整後の無電解ニッケルめっき液のpHは5.6であり、ニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は11質量%であった。無電解ニッケルめっき工程において、この無電解ニッケルめっき液に基板を85℃で18分間浸漬したこと以外は、実施例1と同様にして基板の銅端子上に銅端子側からニッケルめっき層及び金めっき層を有するめっき膜を形成した。そして、実施例1と同様にして、ニッケルめっき層のリン濃度を測定した。その結果、ニッケルめっき層全体におけるリン濃度は11質量%であった。
実施例1の無電解ニッケルめっき工程で用いた無電解ニッケルめっき液にアンモニア水を加えてpH及びリン濃度を調整した。調整後の無電解ニッケルめっき液のpHは5.8であり、ニッケルとリンの合計を基準とするリン濃度は10質量%であった。無電解ニッケルめっき工程において、この無電解ニッケルめっき液に基板を85℃で16分間浸漬したこと以外は、実施例1と同様にして基板の銅端子上に銅端子側からニッケルめっき層及び金めっき層を有するめっき膜を形成した。そして、実施例1と同様にして、ニッケルめっき層のリン濃度を測定した。その結果、ニッケルめっき層全体におけるリン濃度は10質量%であった。
実施例1〜3、比較例1、比較例3、比較例4で作製しためっき膜を有する基板を、それぞれ12個ずつ準備した。そして、以下の通り、実施例及び比較例毎に12個の評価用実装基板を作製して落下強度を評価した。
Claims (4)
- リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有するめっき膜であって、
前記ニッケルめっき層全体におけるリン濃度が10〜12質量%であり、
前記ニッケルめっき層は、pH5.4〜5.8の無電解ニッケルめっき液を用いて形成され、
前記ニッケルめっき層の前記金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれX及びσとしたときに、(3×σ×100)/Xの値が10以下である、プリント配線板またはモジュール基板の接続端子用めっき膜。 - 前記ニッケルめっき層におけるリン濃度は、前記金めっき層に近接するにつれて高くなる、請求項1に記載のめっき膜。
- 請求項1又は2に記載のめっき膜を有する接続端子を備えるプリント配線板。
- 請求項1又は2に記載のめっき膜を有する接続端子と、前記接続端子と電気的に接続した電子機器と、を備えるモジュール基板。
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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