JP6087061B2 - バンプ及びバンプ形成方法 - Google Patents
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Description
第1実施形態によるバンプ形成方法について図1乃至図4を用いて説明する。図1乃至図4は第1実施形態によるバンプ形成方法を示す断面図である。
第2実施形態によるはんだめっき層(錫を含む金属層)を形成するバンプ形成方法について図5乃至図8を用いて説明する。図5乃至図8は第2実施形態によるバンプ形成方法を示す断面図である。第1実施形態の配線基板1と同一構成部分には同一符号を付す。
上記実施形態は一例であって、必要に応じて種々の変形が可能である。
10…コア基板
14…第1配線層
16…スルーホールめっき層
18…樹脂
20…層間絶縁層
22…第2配線層
22P…電極パッド
22VH…ビア
24…ソルダーレジスト層
24a…開口
30…シード層
32…レジスト層
32a…開口
34…はんだめっき層
36…保護膜
38…Sn−Cu合金層
Claims (3)
- 層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上に形成された配線層と、前記層間絶縁層及び前記配線層の上に形成され、前記配線層の一部を露出する開口を有する最表層絶縁樹脂層とを備えた配線基板に形成されたバンプであって、
前記最表層絶縁樹脂層の開口内に露出した前記配線層の上面及び前記最表層絶縁樹脂層の開口内の側面のみに形成されたシード層と、
前記最表層絶縁樹脂層の開口内の前記シード層上に形成され、前記最表層絶縁樹脂層の上面よりも突出した錫を含む金属層と、
前記錫を含む金属層の上に形成され、錫と銅の合金又は錫とニッケルの合金からなる合金層とを有し、
前記最表層絶縁樹脂層の開口内の前記錫を含む金属層の側面のすべては、前記シード層に覆われており、前記最表層絶縁樹脂層の上面より突出した前記錫を含む金属層の側面のすべては、前記錫を含む金属層が露出しており、前記錫を含む金属層の上面は、前記錫と銅の合金又は錫とニッケルの合金からなる合金層が露出している
ことを特徴とするバンプ。 - 層間絶縁層と、前記層間絶縁層の上に形成された配線層と、前記層間絶縁層及び前記配線層の上に形成され、前記配線層の一部を露出する開口を有する最表層絶縁樹脂層とを備えた配線基板にバンプを形成するバンプ形成方法であって、
前記最表層絶縁樹脂層の上面及び前記開口の側面と露出した前記配線層の一部の上に、シード層を形成する工程と、
前記シード層の上に、前記最表層絶縁樹脂層の前記開口に対応する開口を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジストの開口内の前記シード層の上に、錫を含む金属層を形成する工程と、
前記錫を含む金属層の上に、銅又はニッケルからなる保護膜を形成し、前記銅又はニッケルからなる保護膜と前記錫を含む金属層の界面に、錫と銅の合金又は錫とニッケルの合金からなる合金層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記最表層絶縁樹脂層の上面に形成された前記シード層を除去すると共に前記銅又はニッケルからなる保護膜を除去し、前記錫を含む金属層の上面に、前記錫と銅の合金又は錫とニッケルの合金からなる合金層を露出させる工程と
を有することを特徴とするバンプ形成方法。 - 請求項2記載のバンプ形成方法において、
前記シード層と前記保護膜は、同じ金属を含む材料により形成されている
ことを特徴とするバンプ形成方法。
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