KR20220116019A - 결합형 광학 디바이스 - Google Patents
결합형 광학 디바이스 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220116019A KR20220116019A KR1020227024563A KR20227024563A KR20220116019A KR 20220116019 A KR20220116019 A KR 20220116019A KR 1020227024563 A KR1020227024563 A KR 1020227024563A KR 20227024563 A KR20227024563 A KR 20227024563A KR 20220116019 A KR20220116019 A KR 20220116019A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- optical
- light
- coupled
- optical element
- carrier
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 319
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 66
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 47
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 47
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 29
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 29
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 29
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 13
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 12
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000002629 repopulating effect Effects 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B27/0172—Head mounted characterised by optical features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/1006—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths
- G02B27/102—Beam splitting or combining systems for splitting or combining different wavelengths for generating a colour image from monochromatic image signal sources
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
- G02B27/14—Beam splitting or combining systems operating by reflection only
- G02B27/141—Beam splitting or combining systems operating by reflection only using dichroic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/01—Head-up displays
- G02B27/017—Head mounted
- G02B2027/0178—Eyeglass type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
Abstract
결합형 광학 디바이스가 개시된다. 결합형 광학 디바이스는 제 1 광학 요소, 제 2 광학 요소, 및 광 경로를 포함할 수 있다. 제 1 광학 요소는 제 1 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 1 어레이를 가진다. 제 1 광학 요소는 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합되고, 적어도 하나의 프로세서 요소는 제 1 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함한다. 제 2 광학 요소는 제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 2 어레이를 가진다. 제 2 광학 요소는 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합된다. 광 경로가 제 1 및 제 2 광학 요소와 광학적으로 커플링된다. 광 경로는 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성된다.
Description
임의의 우선권 출원에 대한 원용에 의한 통합
본 출원은 2020 년 12 월 16일에 출원된 미국 정규 특허 출원 번호 제 17/124,408, 및 2019 년 12 월 17일에 출원된 미국 가특허 출원 번호 제 62/949,312에 대한 우선권을 주장하고, 이들의 전체 내용은 모든 점에서 그 전체 내용이 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
본 발명의 분야는 결합형 광학 디바이스, 특히, 웨어러블 전자제품에서 사용하기 위한 결합형 광학 디바이스에 관한 것이다.
일부 타입의 디스플레이 디바이스에서는, 극소형의 고해상도 디바이스가 소망된다. 그 예들에는 직접적으로 보여지는 디스플레이 스크린, 예컨대 스마트 워치 및 휴대 전화 디스플레이, 및 헤드업 디스플레이(HUD) 및 스마트 글래스와 같이 작은 스크린으로부터 이미지가 투영되는 애플리케이션들이 있다. 예를 들어, 증강 현실(AR) 글래스와 같은 웨어러블 스마트 글래스, 또는 전자 회로부 및 디스플레이를 포함하는 다른 눈에 착용하는 제품에서는, 이미지가 사용자의 눈으로부터 1-2 cm 미만(예를 들어, 1-1.2 cm)에 위치될 수 있다. 이러한 디바이스에서는, 예를 들어 소망되는 이미지 품질을 제공하기 위해서, 가능한 작은(예를 들어, 5-6pm 미만) 디스플레이 픽셀을 위한 피치를 활용하는 것이 소망될 수 있다. 액정-온-실리콘(liquid crystal-on-silicon; LCoS)과 같은 일부 기술은 낮은 피치의 픽셀을 제공할 수 있지만, 광학 에너지(예를 들어, 광)의 적은(insignificant) 양이 손실된다는 점에서 비효율적이고, 낮은 제조 수율과 낮은 해상도를 가질 수 있으며, 고가일 수 있다.
마이크로 발광 다이오드(microLED)와 같은 다른 기술은, 예를 들어 밝은 환경에서도 보이는 선명한 이미지를 제공하기 위한 충분한 양의 광학 에너지(예를 들어, 휘도)를 제공할 수 있기 때문에, AR/MR(혼합 현실) 애플리케이션을 위한 매우 밝은 이미지를 제공할 수 있다. 발광 다이오드(LED) 웨이퍼는 한 번에 광의 하나의 파장(적색 "R", 녹색 "G" 또는 청색 "B")에 대해서 처리될 수 있고, 다색 디스플레이를 제조하는 것은 앞서 언급된 애플리케이션에서 소망되는 레벨의 이미지 품질을 제공하는 것에 대해서 여전히 어려움이 있다.
따라서, 예를 들어 단색 LED 디스플레이로부터 컬러레이션된 이미지를 생성하고 이러한 단색 microLED 디스플레이들을 AR 스마트 글래스, 투영 시스템, carHUD, 스마트 워치 디스플레이, 휴대 전화 디스플레이 등과 같은 애플리케이션을 위하여 통합하기 위한, 개선된 광학 디바이스에 대한 계속되는 필요성이 존재한다.
이제 특정한 구현형태들이 후속하는 도면을 참조하여 설명될 것인데, 도면은 예시적으로 제공된 것이고 한정하는 것이 아니다.
도 1은 디스플레이 디바이스 및 사용자의 눈 사이의 상대 거리의 예시도를 보여주는 도면이다.
도 2는 일 실시형태에 따르는 직접 결합된 광학 디바이스들의 개략적인 측면 단면도이다.
도 3은 다른 실시형태에 따르는 직접 결합된 광학 디바이스들의 개략적인 측면 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 따르는 광학 어셈블리의 개략적인 측면 단면도이다.
도 5는 다른 실시형태에 따르는 광학 어셈블리의 개략적인 측면 단면도이다.
도 6은 일 실시형태에 따르는 광학 디바이스 내의 픽셀들 사이의 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다.
도 7a는 일 실시형태에 따르는 광학 디바이스의 개별 픽셀들 사이의 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다.
도 7b는 일 실시형태에 따르는 광학 디바이스 내의 픽셀들의 AxA 매트릭스 내에서만 존재하는 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다.
도 8은 일 실시형태에 따르는, 본 명세서에서 설명되는 광학 어셈블리를 포함할 수 있는 광학 시스템을 보여주는 도면이다.
도 9는 일 실시형태에 따르는, 입사 및 출사 커플링이 있는 도파로에 직접 결합된 광학 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 10은 다른 실시형태에 따르는, 입사 및 출사 커플링이 있는 도파로에 광을 지향시키도록 구성된 광학 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 11은 세 개의 색상 픽셀의 중첩의 예시도를 보여주는 도면이다.
도 1은 디스플레이 디바이스 및 사용자의 눈 사이의 상대 거리의 예시도를 보여주는 도면이다.
도 2는 일 실시형태에 따르는 직접 결합된 광학 디바이스들의 개략적인 측면 단면도이다.
도 3은 다른 실시형태에 따르는 직접 결합된 광학 디바이스들의 개략적인 측면 단면도이다.
도 4는 일 실시형태에 따르는 광학 어셈블리의 개략적인 측면 단면도이다.
도 5는 다른 실시형태에 따르는 광학 어셈블리의 개략적인 측면 단면도이다.
도 6은 일 실시형태에 따르는 광학 디바이스 내의 픽셀들 사이의 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다.
도 7a는 일 실시형태에 따르는 광학 디바이스의 개별 픽셀들 사이의 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다.
도 7b는 일 실시형태에 따르는 광학 디바이스 내의 픽셀들의 AxA 매트릭스 내에서만 존재하는 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다.
도 8은 일 실시형태에 따르는, 본 명세서에서 설명되는 광학 어셈블리를 포함할 수 있는 광학 시스템을 보여주는 도면이다.
도 9는 일 실시형태에 따르는, 입사 및 출사 커플링이 있는 도파로에 직접 결합된 광학 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 10은 다른 실시형태에 따르는, 입사 및 출사 커플링이 있는 도파로에 광을 지향시키도록 구성된 광학 디바이스를 보여주는 도면이다.
도 11은 세 개의 색상 픽셀의 중첩의 예시도를 보여주는 도면이다.
도 1은 다양한 디스플레이 디바이스(104, 106, 108) 및 사용자의 눈(102) 사이의 상대적인 디스플레이 거리의 예시도(100)를 도시하는 도면이다. 눈에서 감도가 제일 높은 부분인 와(fovea) 부분이 대부분의 콘(cone)을 포함하고(이것은 색상을 식별하도록 돕는다), 약 1 아크-분(arc-minute)의 해상도를 가지는데, 이것은 1도당 60 픽셀(pixels-per-degree; PPD)이다. PPD는 디스플레이에서 필요한 픽셀 피치를 사용자의 눈(102)으로부터의 디스플레이 디바이스의 거리에 기반하여 식별한다. 사용자의 눈(102)으로부터의 약 1cm의 동작 거리를 가지는 AR 스마트 글래스 디스플레이(104)의 경우, 약 5 μm의 픽셀 피치는 "선명한 이미지"로 지각되는 이미지를 생성한다. 사용자의 눈(102)으로부터 약 20cm의 동작 거리를 가지는 휴대 전화 디스플레이(106)의 경우, 약 50 μm의 픽셀 피치가 선명한 이미지를 생성한다. 사용자의 눈(102)으로부터 약 50cm의 동작 거리를 가지는 컴퓨터 디스플레이(108)의 경우, 약 300 μm의 픽셀 피치가 선명한 이미지를 생성한다. 디지털 광 처리(DLP) 및 액정-온-실리콘(LCoS)에 기반한 기술들은, 예를 들어, 낮은 휘도, 픽셀 크기, 피치, 디스플레이 크기 등을 포함하는 여러 이유 때문에 충분하지 않다. 따라서, AR 디스플레이 애플리케이션과 같은 일부 애플리케이션에서는 microLED 디바이스가 유익할 수 있다.
본 명세서에 개시된 다양한 실시형태는 결합형 광학 디바이스(200, 300a-c)에 관한 것이다(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨). 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 일부 타입의 광학 요소(202a-c, 302a-c)(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨), 특히 발광 요소(예를 들어, 발광 다이오드, 또는 LED)는 단일 색상(예를 들어, 적색, 녹색, 또는 청색)의 광을 방출하도록 구성된 디바이스를 가지며 웨이퍼에서 제작될 수 있는데, 그러면 이러한 별개의 웨이퍼들로부터 수 십만 개 또는 수 백만 개의 LED로 이루어진 다색 디스플레이를 제작하는 것이 곤란해질 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 광학 요소(202a-c, 302a-c)는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 광학 웨이퍼(예컨대, LED 웨이퍼)는 III-V 족 화합물 반도체 재료(들), 예컨대 InP, GaN, AlGaAs, InGaN, AlGalnP 등으로 형성될 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 직접 결합 프로시저는 이러한 화합물 반도체 재료가 상이한 타입의 반도체 프로세서 요소(예를 들어, Si 또는 CMOS 프로세서 다이)와 결합될 수 있게 하고, 이종(heterogenous) 시스템을 생성한다. 더욱이, 직접적으로 시청되거나 디스플레이(예컨대, 작은 디스플레이 또는 사용자에게 가까이 위치되도록 구성된 디스플레이) 상에 투영되기 위한 고품질 및 고휘도 이미지를 디스플레이하기 위한 충분히 작은 피치(예를 들어, 픽셀들 사이의 공간)를 가지는 픽셀(602a-c)(예를 들어, 도 6에 도시됨)(또는 디스플레이 구역)을 가지는 광학 요소(202a-c, 302a-c)(예를 들어 도 2 및 도 3에 도시됨)를 제공하는 것은 어려운 일일 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 어떤 어레이의 광 방출기의 피치는 50 마이크론 미만, 예를 들어, 10 마이크론 미만일 수 있다.
일부 microLED 디스플레이에서는, 각각의 픽셀(704)(예를 들어, 도 7a에 도시됨)이 개별적인 LED 칩(예를 들어, 광학 요소)을 픽셀(704)(예를 들어, 도 7a에 도시됨) 또는 서브-픽셀로서 활용할 수 있다. 예를 들어, microLED 칩(예를 들어, 방출기들의 어레이(들)를 포함하는 광학 요소)은 별개로 제작되고 들어 놓기(pick-and-place) 기법을 사용하여 위치될 수 있다. 전달 및 배치 기법 및 색상 변환 스킴이 사용될 수도 있지만, 이러한 기법들은 경제적이지 않을 수 있거나 손실이 매우 클 수 있다. 따라서, 개선된 광학 디바이스에 대한 계속되는 필요성이 존재한다.
본 명세서에 개시된 실시형태는 광학 요소(202a-c, 302a-c)(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨)(특히, 복수 개의 LED를 포함하는 LED 디바이스와 같은 발광 요소)를 적어도 하나의 캐리어(204, 304a-c)(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨), 예컨대 프로세서, 예를 들어, 광학 요소(202a-c, 302a-c)(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨)의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부(예를 들어, 하나 이상의 트랜지스터)를 포함할 수 있는 이미지 프로세서 요소에 결합함으로써, 디스플레이가 미세 픽셀 피치를 가지게 할 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 방출기 어레이의 광 방출기들은 독립적으로 제어가능할 수 있다. 바람직하게는, 일부 실시형태들에서, 광학 요소(202a-c, 302a-c)(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨)를 접착제가 없이 캐리어(204, 304a-c)(예를 들어, 도 2 및 도 3에 도시됨)(예를 들어, 프로세서 요소)에 물리적으로 그리고 전기적으로 연결하기 위해서 직접 결합 또는 하이브리드 결합이 사용될 수 있다. 직접 결합을 사용하면 5 마이크론 미만, 또는 1 마이크론 미만의 픽셀 피치를 가능하게 할 수 있다. 적어도 하나의 캐리어(204, 304a-c)는 7 ppm 미만의 열팽창 계수(CTE)를 가진다.
도 2는 일 실시형태에 따른, 복수 개의 광학 요소(202a-c)가 공통 캐리어(204)에 결합된(예를 들어, 직접 결합된) 결합형 광학 디바이스(200)의 개략적인 측단면도이다. 일부 실시형태들에서, 공통 캐리어(204)는 집적된 디바이스 다이, 예컨대 광학 요소(202a-202c)의 동작을 제어하는 회로부를 가지는 프로세서 다이를 포함할 수 있다. 도 3은 복수 개의 광학 요소(302a-c)가 대응하는 복수 개의 캐리어(304a-c)에 결합된(예를 들어, 직접 결합된) 복수 개의 결합형 광학 디바이스(300a-c)의 개략적인 측단면도이다. 광학 요소는 웨이퍼 형태로 제조되고 싱귤레이션되어(singulated)도 2 및 도 3에 도시되는 광학 요소(202a-c, 302a-c)를 형성할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 광학 요소(202a-c)(LED와 같은 방출기 다이를 포함할 수 있음)는, 예를 들어 다이-웨이퍼(die-wafer; D2W) 프로세스에서 개재된 접착제가 없이 공통 캐리어(204)에 직접 결합될 수 있다. 일부 실시형태들에서(예를 들어, 도 11을 참조), 광학 요소(202a-c, 302a-c) 및 캐리어(204, 304a-c)는 더 큰 광학 시스템 내에 통합될 수 있다. 예를 들어, 결합형 광학 디바이스(200)(예를 들어, 광학 요소(202a-c) 및 광학 요소에 직접 결합된 공통 캐리어(204)를 포함함)는 도파로 또는 다른 구조체 상에 장착될 수 있다.
다른 실시형태들에서, 캐리어(304a-c)는 도 3에 도시된 바와 같이 복수 개의 결합형 광학 디바이스(300a-c)를 형성하도록 싱귤레이션될 수 있다. 다른 실시형태들에서, 다이-다이(die-die; D2D) 프로세스에서, 싱귤레이션된 광학 요소(302a-c)는 싱귤레이션된 캐리어(304a-c)에 결합되어 도 3에 도시되는 결합형 광학 디바이스(300a-c)를 획득할 수 있다. 또 다른 실시형태에서, 웨이퍼 형태(미도시)인 광학 요소는 웨이퍼-웨이퍼(W2W) 프로세스(미도시)에서 웨이퍼 형태(미도시)(예를 들어, 프로세서 웨이퍼)인 캐리어에 결합될 수 있다(예를 들어, 직접 결합됨). 그러면 결합된 웨이퍼들이 싱귤레이션되어 복수 개의 결합형 광학 디바이스(300a-c)를 형성할 수 있다.
광학 요소(들)(202a-c, 302a-c)는 접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어(204, 304a-c)(예컨대, 프로세서 요소)에 직접 결합될 수 있다(예를 들어, Xperi Corporation of San Jose, California에 의해서 사용되는 ZiBond®, DBI 또는 DBI 울트라 기법과 같은 유전체-유전체 결합 기법을 사용함). 예를 들어, 유전체-유전체 결합은 적어도 미국 특허 번호 제 9,391,143 및 제 10,434,749에 개시된 직접 결합 기법을 사용하여 접착제가 없이 형성될 수 있는데, 아들 각각의 전체 내용은 그 전체로서 모든 점에서 원용에 의해 본 명세서에 통합된다.
다양한 실시형태들에서, 직접 결합은 개재된 접착제가 없이 형성될 수 있다. 예를 들어, 유전체 결합면(206, 306a-c)은 높은 평활도가 되도록 연마될 수 있다. 결합면(206, 306a-c)은 세정되고 플라즈마 및/또는 에천트에 노광되어 표면을 활성화시킬 수 있다. 일부 실시형태들에서, 표면은 활성화 이후에 또는 활성화 도중에(예를 들어, 플라즈마 및/또는 에칭 프로세스 도중에) 종들(species)로 종단될 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 종단하는 종들은 질소를 포함할 수 있다. 더 나아가, 일부 실시형태들에서, 결합면은 불소에 노출될 수 있다. 예를 들어, 층 및/또는 결합 계면 근처에는 하나 또는 다수의 불소 피크가 존재할 수 있다. 이론적으로는 한정되지 않으면서, 일부 실시형태들에서는 활성화 프로세스가 결합면에서의 화학적 결합을 깨기 위해서 수행될 수 있고, 종단 프로세스는 직접 결합 도중에 결합 에너지를 개선하는 추가적인 화학 종을 결합면에 제공할 수 있다. 따라서, 직접 결합된 구조체에서는, 두 유전체 재료들 사이의 결합 계면은 높은 질소 함량 및/또는 불소 피크를 가지는 매우 부드러운 계면을 결합 계면에 포함할 수 있다.
다양한 실시형태들에서, 광학 요소(202a-c, 302a-c) 또는 LED 요소의 도전성 콘택 패드(208a-c, 308a-c)는 캐리어(204, 304a-c)(예를 들어, 프로세서 요소)의 대응하는 도전성 콘택 패드(210a-c, 310a-c)에 직접 결합될 수 있다. 다양한 실시형태들에서, LED 칩 내의 하나의 LED 픽셀은 두 개의 콘택 패드 또는 전극(양의 전극 및 음의 전극)을 가질 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 캐리어(204, 304a-c)(예를 들어, 프로세서 요소)는 대응하는 광학 요소(302a-c) 상에 동일한 이미지를 생성할 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 각각의 광학 요소(302a-302c)는 단색 발광 요소를 포함할 수 있고, 동일한 이미지를 생성할 수 있어서, 이미지들이 중첩되면 다색 이미지가 시청될 수 있게 한다. 예를 들어, 직접 공유 결합된 유전체-유전체 표면들을 포함하는 결합 계면(206, 306a-c)을 따라서 도체-도체 직접 결합을 제공하기 위하여 하이브리드 결합 기법이 사용될 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 도체-도체(예를 들어, 콘택 패드-콘택 패드) 직접 결합 및 유전체-유전체 결합은 적어도 미국 특허 번호 제 9,716,033 및 제 9,852,988에 개시된 직접 결합 기법을 사용하여 형성될 수 있고, 이들 각각의 전체 내용은 본 명세서에서 그 전체로서 그리고 모든 점에서 통합된다.
예를 들어, 유전체 결합면들(206, 306a-c)이 생성되고 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합될 수 있다. 도전성 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)(비도전성 유전체 필드 구역에 의해 둘러싸일 수 있음)도 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 각각의 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)는 유전체 필드 구역 아래로 함몰될 수 있고, 예를 들어 20 nm 미만, 15 nm 미만, 또는 10 nm 미만으로 함몰되고, 예를 들어 2 nm 내지 20 nm의 범위 내로, 또는 4 nm 내지 10 nm의 범위 내로 함몰된다. 일부 실시형태들에서, 유전체 필드 구역은 실온에서 접착제가 없이 서로 직접 결합되고, 그 후에 결합된 구조체가 어닐링될 수 있다. 어닐링 시에, 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)는 확장되고 서로 접촉해서 금속-금속 직접 결합을 형성할 수 있다. 바람직하게는, 직접 결합 상호연결(Direct Bond Interconnect), 또는 DBI®, 및/또는 ZiBond 기법을 사용하면 전술된 바와 같은 미세 픽셀 피치가 가능해질 수 있다. 일부 실시형태들에서, 본딩 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)의 피치는 300 마이크론 미만, 40 마이크론 미만 또는 10 마이크론 미만, 또는 심지어 2 마이크론 미만일 수 있다. 일부 애플리케이션의 경우, 본딩 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)의 치수 중 하나에 대한 본딩 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)의 피치의 비율은 5 미만 또는 3 미만이고, 바람직하게는 가끔 2 미만이다. 다양한 실시형태들에서, 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)는 구리를 포함할 수 있지만, 다른 금속들도 적합할 수 있다.
또한, 본 명세서에 개시된 실시형태는 미국 특허 출원 번호 제 15/919,570(2020 년 4 월 21 일에 미국 특허 번호 제 10,629,577로 발행됨; 제 16/219,693; 및 제 16/176,191 전체에 개시된 디바이스 및 방법과 조합되어 사용될 수 있는데, 이들 각각의 전체 내용은 본 명세서에서 그 전체로서 그리고 모든 점에서 통합된다. 예를 들어, 미국 특허 출원 번호 제 15/919,570은 방출기를 직접 제어하기 위해서(액티브 매트릭스 구동) CMOS 로직 웨이퍼 또는 다이를 LED 웨이퍼 또는 다이에 직접 하이브리드 결합하기 위한 방법에 대해서 설명한다. 미국 출원 번호 제 16/176,191은 광학적으로 투명한 기판들의 직접 결합에 대해서 설명한다.
더 나아가, 본 명세서에 개시된 실시형태는 미국 특허 번호 제 10,629,577 전체에 개시된 디바이스 및 방법(이것은 광학 요소가 프로세서 다이에 어떻게 결합될 수 있는지를 설명함)과 조합되어 사용될 수 있는데, 그 전체 내용은 본 명세서에서 그 전체로서 그리고 모든 점에서 통합된다. 미국 특허 번호 제 10,629,577은, 예를 들어 직접-결합된 LED 어레이들과 같은 광학 요소들의 직접-결합된 어레이에 대해서 설명한다.
따라서, 직접 결합 프로세스에서, 제 1 요소(예를 들어, 광학 요소(202a-c, 302a-c))는 개재된 접착제가 없이 제 2 요소(예를 들어, 프로세서 다이와 같은 캐리어(204, 304a-c))에 직접 결합될 수 있다. 일부 배치구성에서, 제 1 요소는 싱귤레이션된 광학 디바이스 다이와 같은 싱귤레이션된 요소를 포함할 수 있다. 다른 배치구성에서는, 제 1 요소가 싱귤레이션되면 복수 개의 집적된 디바이스 다이를 형성하는 복수 개의(예를 들어, 수 십 개, 수 백 개, 또는 그 이상) 디바이스 구역을 포함하는 캐리어 또는 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 포함할 수 있다. 이와 유사하게, 제 2 요소는 싱귤레이션된 집적 디바이스 다이(예를 들어, 프로세서 다이)와 같은 싱귤레이션된 요소를 포함할 수 있다. 다른 배치구성에서, 제 2 요소는 기판(예를 들어, 웨이퍼)을 포함할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 제 1 및 제 2 요소(예를 들어, 광학 요소(202a-c, 302a-c) 및 캐리어(204, 304a-c) 또는 프로세서 다이)는 접착제가 없이 서로 직접 결합될 수 있고, 이것이 증착 프로세스와 다른 점이다. 따라서, 제 1 및 제 2 요소는 증착되지 않은 요소들을 포함할 수 있다. 더 나아가, 증착된 층들과 달리, 직접 결합된 구조체는 나노보이드(nanovoid)가 존재하는 결합 계면(206, 306a-c)을 따라서 결함 구역(미도시)을 포함할 수 있다. 나노보이드는 결합면의 활성화(예를 들어, 플라즈마에 노출됨)에 기인하여 형성될 수 있다. 전술된 바와 같이, 결합 계면(206, 306a-c)은 활성화 및/또는 마지막 화학적 처치 프로세스로부터 유발된 재료들의 농축물(concentration)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 활성화를 위해서 질소 플라즈마를 활용하는 실시형태들에서, 질소 피크가 결합 계면(206, 306a-c)에 형성될 수 있다. 활성화를 위해서 산소 플라즈마를 활용하는 실시형태들에서는 산소 피크가 결합 계면(206, 306a-c)에 형성될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 결합 계면(206, 306a-c)은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화질화물, 실리콘 옥시카르보질화물(oxycarbonitride), 또는 실리콘 카르보질화물(carbonitride)을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 직접 결합은 공유 결합을 포함할 수 있고, 이것은 반데르 발스 결합보다 더 강하다. 결합층은 높은 평활도로 평탄화된 연마된 표면을 더 포함할 수 있다.
다양한 실시형태들에서, 콘택 패드(208a-c, 210a-c 또는 308a-c, 310a-c) 사이의 금속-금속 결합들은 구리 알갱이들이 결합 계면(206, 306a-c)을 가로질러 서로의 내부로 성장하도록 결합될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 구리는 결합 계면(206, 306a-c)을 통과하는 개선된 구리 확산을 위한 결정면(crystal plane)을 따라서 배향된 알갱이들을 가질 수 있다. 결합된 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)에 또는 그 근처에 비도전성 결합 구역들 사이에 실질적으로 갭이 존재하지 않도록, 결합 계면(206, 306a-c)은 결합된 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)의 적어도 일부를 향해 실질적으로 전체적으로 연장될 수 있다. 일부 실시형태들에서는, 베리어층(미도시)이 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c) 아래에 제공될 수 있다(예를 들어, 이것은 구리를 포함할 수 있음). 그러나, 다른 실시형태들에서는, 예를 들어 미국 특허 출원 공개 번호 제 US 2019/0096741에 설명된 바와 같이 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)아래에 베리어층이 존재하지 않을 수도 있는데, 이것은 본 명세서에서 그 전체로서 그리고 모든 점에서 통합된다.
비록 예시된 실시형태들이 직접 결합된 광학 요소들을 보여주지만, 다른 실시형태들에서는 광학 디바이스가 접착제, 예를 들어 투명한 접착제를 사용하여 캐리어(들)에 부착될 수 있다.
본 명세서에서 도시되고 설명되는 바와 같이, 일부 실시형태들에서는 결합형 광학 디바이스(200, 300a-c)가 복수 개의 이미지 구역 또는 디스플레이 구역(예를 들어, 도 6에 도시된 바와 같은 픽셀(602a-c))을 포함하는 광학 요소(202a-c, 302a-c)를 포함할 수 있다. 각각의 이미지 구역은 단일 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기(614)를 포함하는 단색 이미지 구역을 포함할 수 있다. 광 방출기(614)는 발광 다이오드를 포함할 수 있는데, 이것은 LED가 형성되는 광학 요소 내의 구역 또는 표면으로부터 광을 방출할 수 있다. 광학 요소(202a-c, 302a-c)는 III-V 족 재료, 예를 들어 GaAs, GaN, GaP, InGaN, AlGalnP, AlGaAs 등을 포함하는 LED 웨이퍼를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다양한 실시형태들에서 광학 요소(202a-c, 302a-c)는 단색 LED 칩을 포함할 수 있다. LED 칩은 단일 색상의 광을 방출하도록 각각 구성될 수 있다. LED 칩은 서로 다른 색상을 방출하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 LED 칩(예컨대, 광학 요소(202a))은 적색 광을 방출하도록 구성될 수 있고, 제 2 LED 칩(예컨대, 광학 요소(202b))은 녹색 광을 방출하도록 구성될 수 있으며, 제 3 LED 칩(예컨대, 광학 요소(202c))은 청색 광을 방출하도록 구성될 수 있다. LED 칩이 임의의 적절한 색상을 방출할 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
광학 요소(202a-c, 302a-c)는 광학 요소(202a-c, 302a-c)의 픽셀의 동작을 제어하기 위한 능동 회로부를 가지는 적어도 하나의 캐리어(204, 304a-c)(예를 들어, 적어도 하나의 프로세서 요소)에 결합, 예를 들어, 개재된 접착제가 없이 직접 결합될 수 있다. 다양한 배치구성에서, 적어도 하나의 캐리어(204, 304a-c)는 실리콘과 같은 반도체 요소를 포함할 수 있다. 예를 들어, 캐리어(204, 304a-c)는 일부 실시형태들에서 실리콘-기반 배면(backplane)으로서의 역할을 할 수 있다. 캐리어(204, 304a-c)는 콘택 패드(208a-c, 210a-c, 308a-c, 310a-c)를 사용하여 광 방출기에 전기적으로 연결된 드라이버 회로부를 가지는 프로세서 다이를 포함할 수 있다. 드라이버 회로부는 광학 요소(202a-c, 302a-c)의 복수 개의 광 방출기로부터의 광의 방출을 제어할 수 있다.
본 명세서에서 설명되는 바와 같이, 각각의 이미지 구역으로부터의 단색 광이 광 경로 내로 커플링되도록, 복수 개의 이미지 구역(예컨대, 도 6에 도시되는 픽셀(602a-c))은 서로에 상대적으로 그리고 공통 광 경로(예컨대, 도 8에 도시되는 광 도파로(804))에 상대적으로 배치될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 복수 개의 이러한 결합형 광학 디바이스(200, 300a-c)는 공통 광 경로와 커플링될 수 있다. 복수 개의 결합형 광학 디바이스(200, 300a-c)는 상이한 색상의 광을 방출하도록 구성될 수 있다(예를 들어, 적색 결합형 광학 디바이스, 녹색 결합형 광학 디바이스, 청색 결합형 광학 디바이스). 복수 개의 결합형 광학 디바이스로부터의 중첩된 광 빔은 광 경로를 따라서 사용자가 보도록 광학 출력부로 전달될 수 있다. 복수 개의 단색 이미지는 도파로 내에서, 복수 개의 결합형 광학 디바이스들 각각의 픽셀들의 결합된 기여도를 나타내는 다색성(polychromatic) 이미지가 되도록 중첩될 수 있다.
다양한 실시형태들에서, 다수의 단색 이미지 구역으로부터의 광의 중첩은 하나의 이미지 구역이 손상되거나 사용되지 않는 경우에 리던던시를 제공할 수 있다. 이러한 경우에, 다른 픽셀로부터의 광이 손상된 이미지 구역 내의 광의 색상을 보상할 수 있다.
바람직하게는, 본 명세서에 개시된 실시형태는, 싱귤레이션된 LED들을 별개로 싱귤레이션하고 기판 상에 리파퓰레이션(repopulating)하지 않고서, 다수의 LED들의 어레이 또는 픽셀을 포함하는 결합형 광학 요소(202a-c, 302a-c)를 활용할 수 있다. LED 칩들의 어레이는 LED들의 동작을 제어하도록 구성되는 처리 요소들의 어레이에 직접 결합될 수 있다. 대조적으로, 다른 방법에서는, 각각의 LED 픽셀이 더 높은 피치로 싱귤레이션되고 상에 적층될 수 있는데, 이것은 어셈블리 프로세스를 복잡하게 만들 수 있다. 따라서, LED들의 어레이를 포함하는 직접 결합형 광학 요소를 사용하면, 디스플레이 디바이스의 제조성(manufacturability)이 향상될 수 있다. 일 예에서, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) LED 웨이퍼들의 어레이는 각각의 별개로 실리콘(Si) 배면 또는 이미저 웨이퍼에 직접 또는 하이브리드 결합된다. 그러면, 이러한 스택들이 적색, 녹색 및 청색 단색 이미저를 형성하도록 싱귤레이션될 수 있고, 이들이 조합되어 다색 이미지를 형성할 수 있다. 다른 예에서, 적색, 녹색, 및 청색 LED 웨이퍼는 R, G, B LED 칩을 형성하도록 별개로 싱귤레이션될 수 있고, 하나의 실리콘 배면 또는 이미저에 직접 결합될 수 있다. 실리콘 배면에 있는 요소들은 R, G, B 칩 내의 LED 픽셀에 전기적으로 연결되어 픽셀 레벨 제어를 획득할 수 있다. 비록 LED 웨이퍼가 실리콘 배면에 직접 또는 하이브리드 결합될 수 있지만, 임의의 다른 적절한 배면(예를 들어, 박막 트랜지스터, 또는 TFT) 배면이 사용될 수도 있다. 일부 실시형태들에서는, 본 명세서에서 설명되는 바와 같이 광학 어셈블리가 적어도 하나의 적색 LED 칩, 적어도 하나의 녹색 LED 칩, 및 적어도 하나의 청색 LED 칩을 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 광학 시스템은 이미지 데이터를 사용자에게 지향시키기 위한 복수 개의 이러한 광학 어셈블리 또는 그 어레이를 포함할 수 있다.
일부 실시형태들에서, 단색 이미지 구역들은 서로 평행하게 배향될 수 있다. 예를 들어, 일부 실시형태들에서, 이미지 구역들은 도파로 상에서 측방향으로 나란히 위치될 수 있다. 이미지 구역들로부터 나오는 광은 도파로 내로 커플링되고, 도파로는 여러 색상의 중첩된 이미지를 사용자에게 투과시킬 수 있다. 다른 실시형태들에서, 이미지 구역들은 서로 평행하지 않도록(예를 들어, 서로 수직으로) 위치될 수 있고, 결합 광학기(combiner optic)가 여러 색상의 중첩된 이미지를 사용자에게 투과시키도록 제공될 수 있다.
도 4는 일 실시형태에 따른 결합형 광학 디바이스들(예를 들어, 단색 방출기 칩들)의 광학 어셈블리의 개략적인 측단면도이다. 광학 어셈블리(400)는 대응하는 복수 개의 캐리어 요소(404a-c)(예를 들어, 실리콘-기반 배면과 같음)에 직접 결합된 복수 개의 광학 요소(402a-c)(예를 들어, 단색 LED 칩과 같음)에 의해 형성된 복수 개의 광학 디바이스(400a-c)를 포함한다. 광학 어셈블리(400)는 재지향 요소 또는 미러링 장치(406a-b)(예를 들어, 미러, 빔 스플리터 또는 다른 적절한 광학 재지향 디바이스) 및 광학 결합기 장치(408)(예를 들어, 렌즈)를 포함할 수 있다.
일 실시형태에서, 대응하는 캐리어 요소(404a-c)(예를 들어, 실리콘 배면)가 있는 광학 디바이스(400a-c)(광학 요소(402a-c)를 포함함)(예를 들어, R, G, B, 각각에 대한 단색 LED 칩)는 컬러 이미지 또는 컬러 이미지의 일부를 형성하도록 결합될 수 있다. 즉, 예를 들어 RGB microLED 디스플레이들 대신에, 별개의 단색 LED 칩들이 도 4에 도시된 바와 같이 결합될 수 있다. 세 개의(3) 디스플레이가 사용되기 때문에, 수 백만 개의 픽셀들의 갱 결합(gang bonding)과 같은 이슈가 문제가 되지 않는다. 다수의 광학 어셈블리(400)는 다양한 광학 시스템 내에서 어레이 내에 포함될 수 있다.
일 구현형태에서, 결합형 광학 디바이스(400a-c)는 서로에 상대적인 소정 각도로 배향될 수 있다. 예를 들어, 광학 요소(402a-c)는 서로 거의 수직일 수 있다. 다른 구현형태에서, 광학 요소(402a-c)는 서로에 상대적으로 90°보다 크거나 작은 처방된 각도를 형성할 수 있다. 광학 디바이스(400a-c)는 프레임 또는 다른 구조체(미도시) 상에 각각 장착될 수 있고, 하나 이상의 미러링 장치(406a-b)(예를 들어, 광을 재지향시키기 위한 빔 스플리터일 수 있음)에 상대적으로 정렬될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 광학 요소(402a-c)로부터의 채색된 광을 중첩시키기 위하여, 미러링 장치(406a-b)는 광학 요소(402a-c)로부터의 광을 공통 채널을 따라서 재지향시킬 수 있다. 다양한 색상의 중첩된 광을 생성하기 위해서, 각각의 광학 요소(402a-c)로부터의 광은, 예를 들어 캐리어 요소(404a-c)의 회로부를 통한 제어에 기반하여 변경될 수 있다. 각각의 광학 요소(402a-c)로부터의 광의 이미지 데이터는 광을 수집하고, 이것을 사용자에게 전달하기 위해서 광학 결합기 장치(408)(예를 들어, 렌즈)를 통과할 수 있다.
일 구현형태에서, 디스플레이의 크기에 기반하여 대형 R, G 및 B 칩과 같은 광학 요소(402a-c)로써 각각의 픽셀/다이오드를 약 5 μm 피치에서 제어하기 위하여, 하이브리드 직접 결합(예컨대, DBI®)이 캐리어 요소들(404a-c)(예를 들어, CMOS 회로)을 결합하기 위해서 구현될 수 있다.
다른 구현형태에서, 캐리어 요소(404a-c)에 의해서 구동되는 광학 요소(402a-c)에 의해서 생성되는 색상들은, 이미지 또는 이미지의 일부를 광학 결합기 장치(408)에 의하여(예컨대, 만곡형 결합기 또는 도파로를 통하여) 사용자의 눈에 전달하기 위하여 사용될 수 있다.
다른 구현형태들에서는 애플리케이션에 기반하여 D2D, W2W 또는 D2W 결합이 사용될 수 있다.
도 5는 다른 실시형태에 따르는, 결합형 광학 디바이스를 포함하는 광학 어셈블리의 개략적인 측단면도이다. 광학 어셈블리(500)는 개별적인 광학 요소(502a-c)(예를 들어, 광학 웨이퍼 등) 및 캐리어 요소(504a-c), 및 미러링 장치(506a-c) 및 광학 결합기 장치(508)를 포함한다.
도시된 바와 같이, 개별적인 광학 요소(예컨대, 예를 들어 R, G, B 웨이퍼)(502a-c)는 캐리어 요소(504a-c) 상에 적층되고 싱귤레이션되어, 예를 들어 5mm x 8mm의 크기를 가지는 단색 디스플레이 칩과 같은 세 개의(3) 대형 광학 디바이스를 형성할 수 있다.
일 실시형태에서, 광학 요소들(502a-c)은 나란히 배치될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 광학 요소들(502a-c)은 공통 캐리어(미도시) 상에 장착될 수 있다. 다른 실시형태들에서, 광학 요소들(502a-502c)은 별개의 캐리어 요소(504a-c) 상에 장착되어 광학 디바이스(500a-c)를 형성할 수 있다.
일 구현형태에서, 광학 디바이스(500a-c)는 미리 결정된 양만큼 측방향으로 오프셋되도록 배열될 수 있다(예를 들어, 프레임 또는 구조체 상에 장착됨). 이러한 배치구성에서, 광학 요소들(502a-c)은 적어도 하나의 캐리어 요소(504a-c)의 주면에 평행한 방향을 따라서, 서로로부터 미리 결정된 거리만큼 측방향으로 오프셋된다. 여기에서, 발광면들도 서로 평행할 수 있다. 다른 구현형태에서는, 발광면들이 서로 평행하지 않을 수 있고, 그 대신에 서로에 상대적으로 각도를 이룰 수도 있다.
도시된 바와 같이, 다양한 색상을 생성하기 위해서 광학 결합기 장치(508)(예를 들어, 렌즈와 같은 결합기 광학기)를 통해 수집될 수 있는 이미지 데이터를 중첩하기 위하여, 각각의 광학 요소(502a-c)로부터의 광은 대응하는 미러링 장치(506a-c)에 의해서 재지향될 수 있다. 각각의 광학 요소(502a-c)로부터 얼마나 많은 각각의 색상이 방출되고 그 후에 결합되는지에 기반하여 상이한 색상을 생성하기 위하여, 각각의 광학 요소(502a-c)로부터의 광은 캐리어 요소(504a-c)를 통한 제어에 기반하여 변경될 수 있다.
도 6은 광학 디바이스 내의 픽셀들 사이의 물리적 분리부의 예시도를 도시하는 도면이다. 이것은 복수 개의 픽셀(602a-c), 복수 개의 광 가이드(604), 복수 개의 물리적 분리부(606), 캐리어 요소(608), 광학 요소(610), 캐리어 요소(608) 및 광학 요소(610) 사이의 결합 계면(612), 복수 개의 방출기(614)(발광 구역), 및 캐리어 요소(608) 및 광학 요소(610)의 복수 개의 콘택 패드(616)를 포함한다. 방출기(614)의 발광면으로부터 광이 방출될 수 있고, 도시된 바와 같이 픽셀 구역을 통해 전파될 수 있다.
다양한 실시형태들에서, 각각의 픽셀(602a-c)(예를 들어, 단색 이미지 구역)은 하나 또는 광학 요소(610)의 이웃하는 구역들 사이의 크로스토크를 제한하도록 구성된 복수 개의 광학적 물리적 격리부(physical isolation) 또는 픽셀 격리 구조체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 격리 구조체는 적어도 일부의 광학 요소(610)를 통해서 형성된 트렌치를 포함할 수 있다. 격리 구조체는 후방 조명된 이미지 센서 내에 구현된 심층 트렌치 격리 구조체와 유사할 수 있다.
일 실시형태에서는, 도시된 바와 같이, 광학 요소(610), 예컨대 칩 내의 픽셀들(602a-c) 사이의 물리적 분리부(606)는 집적된 microLED 어레이들에 대한 심층 트렌치 격리 피쳐를 포함할 수 있다. 이러한 심층 트렌치 격리 피쳐는 하나의 픽셀에 의해서 수광되는 광이 다른 픽셀로 넘어가는 것을 방지할 수 있고, microLED들은 하나의 다이오드/픽셀에 의해 생성된 광(604)이, 예를 들어 물리적 분리부(606)에 기반하여, 이웃하는 픽셀/다이오드를 향해서 내부로 산란되지 않게 하도록 제작될 수도 있다. 이렇게 개별적으로 제어가능한 픽셀(602a-c)에 기반하여, 예를 들어 하나의 픽셀(602c)로부터 방출기(614)(이것은 하나의 처방된 색상의 광을 방출하고 픽셀(602a-c) 중 적어도 일부를 이루거나 형성하도록 구성될 수 있음)를 통해서 방출된 광은 물리적 분리부(606)에 의하여 인접한 픽셀(602b)로부터 물리적으로 고립된다.
도 7a 및 도 7b는 상이한 물리적 분리부를 가지는 상이한 실시형태를 보여주는 도면이다. 도 7a는 모든 픽셀들(704) 사이의 물리적 분리부(702)를 보여주는 도면이고, 도 7b는 픽셀들(710)의 AxA 매트릭스(예를 들어, 2x2, 3x3 등)(708)에만 있는 물리적 분리부(706)의 예시도를 보여주는 도면이다. 도 7b의 실시형태는 높은 수율을 생성하는데, 그 이유는 물리적 분리부가 개별적인 픽셀들(710)이 아니라 AxA 매트릭스들(708) 사이에 있어서 동작하지 않는 픽셀이 하나(1)가 있어도, 예를 들어 방출된 광에 대해서는 문제가 되지 않을 수 있기 때문이다. 이러한 실시형태는, 예를 들어 방출된 광의 휘도의 제어가 개선되게 할 수도 있다. 매트릭스(708)가 여러 더 작은 픽셀(710)을 포함하는 디스플레이의 하나의 큰 픽셀로서의 역할을 할 수 있도록, 프로세서 요소(들)(예를 들어, CMOS 또는 Si 배면)는 휘도를 제어하기 위해서 ON 또는 OFF가 될 매트릭스(708)로부터의 선택된 개수의 픽셀들을 제어할 수 있다. 따라서, 다양한 실시형태들에서, 프로세서 요소(들)는 픽셀(710)을 매트릭스(708)의 일부로서 독립적으로 제어하여 소망되는 이미지 데이터를 생성할 수 있고, 매트릭스(708)는 더 큰 픽셀로서의 역할을 할 수 있으며, 픽셀들(710)은 서브-픽셀로서의 역할을 할 수 있다. 따라서, 하나의 광학 요소 내의 픽셀들(710)은 픽셀들의 매트릭스들로 상응하도록 분할될 수 있고, 프로세서 요소(들)는 각각의 매트릭스 내의 픽셀들의 휘도를 선택적으로 제어하도록 상응하도록 구성될 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 격리 피쳐는 픽셀들(710)의 인접한 매트릭스들(708)을 광학적으로 분리하도록(예를 들어, 이들 사이의 크로스토크를 방지함) 구성될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 어떤 매트릭스(708) 내의 인접한 픽셀들(710)은 격리 피쳐에 의해서 분리되지 않을 수도 있다. 다른 실시형태들에서, 인접한 픽셀들(710)은 격리 피쳐에 의하여 분리될 수 있다.
도 8은 광을 도파로로 지향시키도록 구성된 광학 시스템(800)을 보여주는 도면이다. 이것은 입력 커플링(802), 도파로(804), 및 출력 커플링(806)을 포함한다.
일 실시형태에서, 본 명세서에서 설명되는 결합형 LED-CMOS 구조체(단색 microLED 디스플레이를 포함함)와 같은 광학 어셈블리(400 및/또는 500)는 직접, 측면 또는 각도 구성에서 도파로(804)에 별개의 유닛으로서 부착되거나 직접 장착될 수 있다(예를 들어, 복수 개의 입력 커플링(802)을 통하여). 하나 이상의 구현형태에서, 이것은, 예를 들어 프로젝터(투영 시스템), 차량 HUD, 스마트 워치 디스플레이, 및 휴대 전화 디스플레이 내에 구현될 수 있는데, 이것은 이미지 데이터를 사용자의 눈(102)으로 투과시키기 위하여 사용되는 복수 개의 출력 커플링(806)을 포함한다.
도 9 및 도 10은 입력 및 출력 커플링이 있는 도파로(906, 1006)에 직접 결합된 광학 디바이스 예컨대, microLED를 보여주는 도면이다. 디바이스들은 광을 입력 커플링(904 및 1004, 각각)에 의하여 도파로(906, 1006)에 커플링하고, 출력 커플링(908 및 1008, 각각)에 의하여 사용자에게 커플링하도록 구성되는 광학 어셈블리(902, 1002)(예를 들어, 도 2 내지 도 3에 관하여 본 명세서에서 상세히 설명됨)를 각각 포함한다. 일부 실시형태들에서(예를 들어, 도 9), 결합형 광학 디바이스(예를 들어, 어셈블리(902))는 개재된 접착제가 없이 도파로(906)에 직접 결합되어 광학 디바이스를 도파로(906)에 기계적으로 그리고 광학적으로 커플링할 수 있다. 다른 실시형태들에서, 광학 어셈블리는 프레임 또는 도파로에 연결되는 다른 구조체에 장착될 수 있다.
입력 커플링(904, 1004)은 광학 어셈블리(902, 1002)로부터의 이미지 데이터가 도파로(906, 1006)(예를 들어, 유전체 재료로 제조됨)에 진입하게 하고, 이것은 이미지 데이터를, 예를 들어 내부 전반사(TIR)에 의하여 도파로(906, 1006)를 통해 이동하는 광(예를 들어, 방출기들의 대응하는 어레이를 통해서 광학 어셈블리(902, 1002)로부터 방출된 중첩된 광을 포함함)을 통해서, 그리고 출력 커플링(908, 1008)을 통해서 사용자의 눈(102)을 향해서 전달하기 위하여 사용된다.
일 실시형태에서, 도 10에 도시된 바와 같이, 광이 도파로(1006)를 통해 이동할 수 있게 하기 위하여, 광학 장치(1010)(예컨대, 예를 들어 프리즘)는 광학 어셈블리(1002)로부터 투과된 광을 재지향시키기 위해서 사용될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 광학 어셈블리(1002)는 도파로(1006)에 상대적으로 각도를 가지는 다른 구조체에 장착될 수 있고, 광은 도시된 바와 같은 미러 및 결합기 광학기를 사용하여 광학 장치(1010)로 재지향될 수 있다.
도 11은 세 개의 색상 픽셀의 중첩의 예시도를 보여주는 도면이다. 이것은 복수 개의 픽셀(1106)을 포함하는 복수 개의 광학 요소(예를 들어, LED 다이(R, G, B)(1102a-c)), 캐리어 요소(1104), 복수 개의 광학 결합 요소(1108)(예를 들어, 렌즈), 복수 개의 연결 도파로(1110), 복수 개의 미러링 장치(1112a-c), 광학 결합기 장치(1114), 및 도파로(1116)를 포함한다.
일 실시형태에서, 복수 개의 광학 요소(1102a-c)는 복수 개의 방출기(미도시)를 통하여 단색 광을 방출할 수 있고, 이것은 대응하는 광학 결합 요소(1108) 및 연결 도파로(1110)를 통해서 이동되고 대응하는 미러링 장치(1112a-c)에 의하여 반사될 수 있다. 도시된 바와 같이, 복수 개의 광학 요소(1102a-c)는 캐리어 요소(1104)와 도파로(1116) 사이에 배치될 수 있다. 광학 요소(1102a-c)는 개재된 접착제가 없이 캐리어 요소(1104)에 직접 결합될 수 있다. 더욱이, 인입하는 광을 광학 결합기 장치(1114) 및 도파로(1116)를 통하여 사용자의 눈(미도시)을 향해 지향시키기 위하여, 미러링 장치(1112a-c)는 연결 도파로(1110)에 상대적인 소정 각도로 배치될 수 있다.
일 실시형태에서, 캐리어 요소(1104)는 실리콘/유리 캐리어이거나, 다른 실시형태에서는 픽셀(1106) 및 광학 요소(예를 들어 LED 다이와 같음)(1102a-c)를 구동하는 액티브 실리콘 다이이다. 일부 실시형태들에서, 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 도파로에, 예를 들어, 연결 도파로(1110)에 직접 결합될 수 있다. 다른 실시형태들에서, 광학 요소는 투명 접착제를 사용하여 도파로에 부착될 수 있다.
따라서, 다양한 실시형태들에서, 결합형 광학 디바이스가 개시된다. 결합형 광학 디바이스는 제 1 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 1 어레이를 가지는 제 1 광학 요소를 포함할 수 있다. 제 1 광학 요소는 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합될 수 있고, 적어도 하나의 프로세서 요소는 제 1 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함한다. 결합형 광학 디바이스는 제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 2 어레이를 가지는 제 2 광학 요소를 포함할 수 있다. 제 2 광학 요소는 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합될 수 있다. 적어도 하나의 프로세서 요소는 제 2 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함할 수 있다. 결합형 광학 디바이스는 제 1 및 제 2 광학 요소와 광학적으로 커플링된 광 경로를 포함할 수 있고, 광 경로는 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성된다.
일부 실시형태들에서, 제 1 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 적어도 하나의 프로세서 요소에 직접 결합되고, 제 2 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 적어도 하나의 프로세서 요소에 직접 결합된다. 제 1 광학 요소 및 적어도 하나의 프로세서 요소의 각각의 유전체 결합면은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합될 수 있다. 제 1 광학 요소 및 적어도 하나의 프로세서 요소의 각각의 도전성 콘택 패드들은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합될 수 있다. 방출기들의 제 1 및 제 2 어레이의 각각의 광 방출기는 상기 적어도 하나의 프로세서 요소 상의 대응하는 드라이버 회로에 전기적으로 연결될 수 있다.
일부 실시형태들에서, 상기 광 방출기들의 제 1 어레이 중 제 1 광 방출기 및 상기 광 방출기들의 제 2 어레이 중 제 2 광 방출기는 적어도 부분적으로 픽셀을 형성하고, 광 경로는 픽셀의 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물을 투과시키도록 구성될 수 있다. 적어도 하나의 프로세서 요소는 제 1 프로세서 요소 및 제 1 프로세서 요소와 별개인 제 2 프로세서 요소를 포함할 수 있다. 제 1 광학 요소는 제 1 프로세서 요소에 결합될 수 있고, 제 2 광학 요소는 제 2 프로세서 요소에 결합될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 적어도 하나의 프로세서는 공통 캐리어를 포함한다.
다양한 실시형태들에서, 광 경로는 광 도파로를 포함한다. 제 1 광학 요소는 광 도파로와 제 1 프로세서 요소 사이에 배치될 수 있다. 제 2 광학 요소는 광 도파로와 제 2 프로세서 요소 사이에 배치될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 제 1 및 제 2 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 광 도파로에 직접 결합된다. 일부 실시형태들에서, 제 1 및 제 2 광학 요소는 광의 각각의 제 1 및 제 2 색상에 대하여 투명한 하나 이상의 접착제로써 결합된다.
일부 실시형태들에서, 제 1 및 제 2 광학 요소는 적어도 하나의 프로세서 요소의 주면에 평행한 방향을 따라서 서로로부터 측방향으로 오프셋될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 제 1 및 제 2 광학 요소의 각각의 발광면들은 서로 개략적으로 평행할 수 있다.
일부 실시형태들에서, 제 1 및 제 2 광학 요소의 각각의 발광면들은 서로 평행하지 않게 배치될 수 있다.
결합형 광학 디바이스는 하나 또는 복수 개의 광학 격리 구조체를 제 1 광학 요소 내에 포함할 수 있다. 광학 격리 구조체는 인접한 광 방출기들 사이의 크로스토크를 제한하도록 구성될 수 있다.
일부 실시형태들에서, 제 1 색상은 제 1 파장에서 제 1 피크를 가지고, 제 2 색상은 제 2 파장에서 제 2 피크를 가진다. 제 1 및 제 2 파장 사이의 차이는 적어도 25 nm일 수 있다. 따라서, 다양한 실시형태들에서, 광학 요소에 의해서 방출되는 색상들이 서로 구별가능할 수 있도록, 파장들은 충분한 양만큼 분리될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 광 경로는 광을 제 1 및 제 2 이미지 구역으로부터 재지향시키기 위한 하나 이상의 재지향 요소(예를 들어, 미러, 빔 스플리터 등)를 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 광 경로는 중첩된 광에 작용하도록 구성된 렌즈를 포함한다.
결합형 광학 디바이스는 광 경로와 광학적으로 커플링되고 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합된 제 3 광학 요소를 포함할 수 있다. 제 3 광학 요소는 제 1 및 제 2 색상과 다른 제 3 색상의 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 제 1, 제 2, 및 제 3 색상은 적색, 녹색, 및 청색을 각각 포함할 수 있다. 다양한 실시형태들에서, 제 1 어레이의 광 방출기들은 독립적으로 제어가능하다. 광 방출기들의 제 1 및 제 2 어레이는 발광 다이오드들(LED)의 각각의 어레이를 포함할 수 있다. 제 1 어레이의 광 방출기들의 피치는 50 마이크론 미만일 수 있다. 제 1 어레이의 광 방출기들의 피치는 10 마이크론 미만일 수 있다.
다른 실시형태에서, 결합형 광학 디바이스가 개시된다. 결합형 광학 디바이스는 접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합된 제 1 광학 요소를 포함할 수 있고, 제 1 광학 요소는 제 1 색상의 광을 방출하도록 구성된다. 결합형 광학 디바이스는 접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합된 제 2 광학 요소를 포함할 수 있다. 제 2 광학 요소는 제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성될 수 있다. 제 1 및 제 2 광학 요소는 적어도 하나의 캐리어의 주면에 평행한 방향을 따라서 서로로부터 측방향으로 오프셋될 수 있다. 결합형 광학 디바이스는 제 1 및 제 2 광학 요소와 광학적으로 커플링된 광 경로를 포함할 수 있고, 광 경로는 제 1 및 제 2 광학 요소로부터의 광의 중첩물을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성된다.
일부 실시형태에서는, 상기 적어도 하나의 캐리어는 제 1 캐리어 및 상기 제 1 캐리어와 별개인 제 2 캐리어를 포함한다. 일부 실시형태들에서, 상기 적어도 하나의 캐리어는, 상기 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 하나의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함하는 적어도 하나의 프로세서 요소를 포함한다. 일부 실시형태들에서, 제 1 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합될 수 있고, 제 2 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합될 수 있다. 일부 실시형태들에서, 상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 캐리어의 각각의 유전체 결합면들은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합된다. 일부 실시형태들에서, 상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 캐리어의 각각의 도전성 콘택 패드들은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합된다. 다양한 실시형태들에서, 적어도 하나의 캐리어는 실리콘 또는 유리 중 적어도 하나를 포함한다. 일부 실시형태들에서, 적어도 하나의 캐리어는 7 ppm 미만의 열팽창 계수(CTE)를 가질 수 있다.
일부 실시형태들에서, 광 경로 응 광 도파로를 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 제 3 광학 요소는 광 경로와 광학적으로 커플링될 수 있다. 제 3 광학 요소는 접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합될 수 있다. 제 3 광학 요소는 제 1 및 제 2 색상과 다른 제 3 색상의 광을 방출하도록 구성될 수 있다.
일부 실시형태들에서, 제 1, 제 2, 및 제 3 색상은 적색, 녹색, 및 청색을 각각 포함한다. 제 1 및 제 2 광학 요소는 광 방출기들의 각각의 어레이를 포함할 수 있다. 광 방출기는 독립적으로 제어가능할 수 있다. 광 방출기는 발광 다이오드(LED)를 포함할 수 있다.
다른 실시형태에서, 적어도 하나의 광학 요소를 적어도 하나의 프로세서 요소와 결합하는 방법이 개시된다. 이러한 방법은, 제 1 광학 요소를 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합하는 단계 - 상기 제 1 광학 요소는 제 1 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 1 어레이를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 상기 제 1 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함함 -; 제 2 광학 요소를 상기 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합하는 단계 - 상기 제 2 광학 요소는 제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 2 어레이를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 상기 제 2 광학 요소의 동작을 제어하도록 더 구성된 능동 회로부를 포함함 -; 및 상기 제 1 및 제 2 광학 요소를 광 경로와 커플링하는 단계 - 상기 광 경로는 상기 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성됨 -를 포함할 수 있다. 일부 실시형태들에서, 적어도 하나의 캐리어는 프로세서 다이를 포함한다.
비록 본 발명이 특정 실시형태 및 예시의 문맥에서 개시되었지만, 통상의 기술자라면, 본 발명은 특정하게 개시된 실시형태를 넘어 다른 대안적인 실시형태 및/또는 본 발명의 용도 및 명백한 수정예 및 균등물까지 확장된다는 점을 이해할 것이다. 더 나아가, 그렇지 않다고 표시되지 않는 한, 예시도의 컴포넌트들은 하나 이상의 상이한 예시도의 유사한 번호를 가지는 컴포넌트들과 동일하거나 개략적으로 유사할 수 있다. 또한, 본 발명의 수많은 변형예가 상세히 도시 및 기술되었지만, 본 개시내용에 기초하여 본 발명의 범위 내에 있는 다른 수정예가 통상의 당업자에게 자명할 것이다. 또한, 실시형태의 특정한 특징부 및 양태의 다양한 조합 또는 부분 조합이 이루어질 수 있고, 이 또한 본 발명의 범위 내에 있다는 것이 고찰된다. 개시된 실시형태의 다양한 특징부 및 양태가 개시된 발명의 다양한 모드를 형성하기 위해 서로 조합되거나 대체될 수 있다는 것이 이해되어야 한다. 따라서, 본 명세서에서 개시된 본 발명의 범위가 특정하게 개시된 전술된 실시형태에 의해서 한정되어서는 안 되고, 후속하는 양태들을 정독함으로써만 결정되어야 하는 것이 의도된다.
Claims (41)
- 결합형 광학 디바이스로서,
제 1 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 1 어레이를 가지는 제 1 광학 요소 - 상기 제 1 광학 요소는 개재된 접착제(intervening adhesive)가 없이 적어도 하나의 프로세서 요소에 직접 결합되고, 상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 상기 제 1 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함함 -;
제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 2 어레이를 가지는 제 2 광학 요소 - 상기 제 2 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 적어도 하나의 프로세서 요소에 직접 결합되고, 상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 상기 제 2 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함함 -; 및
상기 제 1 및 제 2 광학 요소와 광학적으로 커플링된 광 경로 - 상기 광 경로는 상기 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물(superposition)을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성됨 -
를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 프로세서 요소의 각각의 유전체 결합면들은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 프로세서 요소의 각각의 도전성 콘택 패드들은 직접 결합되고, 개재된 접착제가 없이 서로 전기적으로 연결된, 결합형 광학 디바이스. - 제 3 항에 있어서,
광 방출기들의 제 1 및 제 2 어레이의 각각의 광 방출기는 상기 적어도 하나의 프로세서 요소 상의 대응하는 드라이버 회로에 전기적으로 연결된, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 방출기들의 제 1 어레이 중 제 1 광 방출기 및 상기 광 방출기들의 제 2 어레이 중 제 2 광 방출기는 적어도 부분적으로 픽셀을 형성하고,
상기 광 경로는 상기 픽셀의 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물을 투과시키도록 구성된, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 제 1 프로세서 요소 및 상기 제 1 프로세서 요소와 별개인 제 2 프로세서 요소를 포함하고,
상기 제 1 광학 요소는 상기 제 1 프로세서 요소에 결합되고, 상기 제 2 광학 요소는 상기 제 2 프로세서 요소에 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 공통 캐리어를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 경로는 광 도파로를 포함하고,
상기 제 1 광학 요소는 상기 광 도파로와 상기 제 1 프로세서 요소 사이에 배치되며,
상기 제 2 광학 요소는 상기 광 도파로와 상기 제 2 프로세서 요소 사이에 배치된, 결합형 광학 디바이스. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 광 도파로에 직접 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소는 광의 각각의 제 1 및 제 2 색상에 대하여 투명한 하나 이상의 접착제로써 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소는 상기 적어도 하나의 프로세서 요소의 주면에 평행한 방향을 따라서 서로로부터 측방향으로 오프셋되고,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소의 각각의 발광면들은 서로 개략적으로 평행한, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소의 각각의 발광면들은 서로 평행하지 않게 배치된, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결합형 광학 디바이스는,
상기 제 1 광학 요소 내의 하나 또는 복수 개의 광학 격리 구조체를 더 포함하고,
상기 광학 격리 구조체는 인접한 광 방출기들 사이의 크로스토크를 제한하도록 구성된, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 색상은 제 1 파장에서 제 1 피크를 가지고,
상기 제 2 색상은 제 2 파장에서 제 2 피크를 가지며,
제 1 및 제 2 파장들 사이의 차이는 적어도 25 nm인, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 경로는 제 1 및 제 2 이미지 구역으로부터의 광을 재지향시키기 위한 하나 이상의 재지향 요소를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 경로는 중첩된 광에 작용하도록 구성된 렌즈를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결합형 광학 디바이스는,
상기 광 경로와 광학적으로 커플링되고 상기 적어도 하나의 프로세서 요소에 결합된 제 3 광학 요소를 더 포함하고,
상기 제 3 광학 요소는 상기 제 1 및 제 2 색상과 다른 제 3 색상의 광을 방출하도록 구성된, 결합형 광학 디바이스. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 및 제 3 색상은 적색, 녹색, 및 청색을 각각 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 어레이의 광 방출기들은 독립적으로 제어가능한, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 방출기들의 제 1 및 제 2 어레이는 발광 다이오드들(LED)의 각각의 어레이를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 어레이의 광 방출기들의 피치는 50 마이크론 미만인, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 어레이의 광 방출기들의 피치는 10 마이크론 미만인, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 방출기들의 제 1 및 제 2 어레이 각각은 복수 개의 매트릭스를 포함하고,
각각의 매트릭스는 복수 개의 픽셀을 포함하며,
상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 각각의 매트릭스 내의 픽셀의 휘도를 선택적으로 제어하도록 구성된, 결합형 광학 디바이스. - 제 23 항에 있어서,
상기 결합형 광학 디바이스는,
픽셀들의 인접한 매트릭스들 사이에 격리 피쳐(isolation feature)를 더 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소 각각은 각각의 단색 이미지를 생성하도록 구성된, 결합형 광학 디바이스. - 결합형 광학 디바이스로서,
접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합된 제 1 광학 요소 - 상기 제 1 광학 요소는 제 1 색상의 광을 방출하도록 구성됨 -;
접착제가 없이 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합된 제 2 광학 요소 - 상기 제 2 광학 요소는 제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성되고, 상기 제 1 및 제 2 광학 요소는 상기 적어도 하나의 캐리어의 주면에 평행한 방향을 따라서 서로로부터 측방향으로 오프셋됨 -; 및
상기 제 1 및 제 2 광학 요소와 광학적으로 커플링된 광 경로 - 상기 광 경로는 상기 제 1 및 제 2 광학 요소로부터의 광의 중첩물을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성됨 -
를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 캐리어는 제 1 캐리어 및 상기 제 1 캐리어와 별개인 제 2 캐리어를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 캐리어는, 상기 제 1 및 제 2 광학 요소 중 적어도 하나의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함하는 적어도 하나의 프로세서 요소를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 상기 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합되고,
상기 제 2 광학 요소는 개재된 접착제가 없이 상기 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 29 항에 있어서,
상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 캐리어의 각각의 유전체 결합면들은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 30 항에 있어서,
상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 캐리어의 각각의 도전성 콘택 패드들은 개재된 접착제가 없이 서로 직접 결합된, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 캐리어는 실리콘 또는 유리 중 적어도 하나를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 캐리어는 7 ppm 미만의 열팽창 계수(CTE)를 가지는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 경로는 광 도파로를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 결합형 광학 디바이스는,
상기 광 경로와 광학적으로 커플링된 제 3 광학 요소를 더 포함하고,
상기 제 3 광학 요소는 접착제가 없이 상기 적어도 하나의 캐리어에 직접 결합되며,
상기 제 3 광학 요소는 제 1 및 제 2 색상과 다른 제 3 색상의 광을 방출하도록 구성된, 결합형 광학 디바이스. - 제 35 항에 있어서,
상기 제 1, 제 2, 및 제 3 색상은 적색, 녹색, 및 청색을 각각 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 26 항 내지 제 36 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 광학 요소는 광 방출기들의 각각의 어레이를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 제 37 항에 있어서,
상기 광 방출기들은 독립적으로 제어가능한, 결합형 광학 디바이스. - 제 37 항 내지 제 38 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광 방출기는 발광 다이오드(LED)를 포함하는, 결합형 광학 디바이스. - 적어도 하나의 광학 요소를 적어도 하나의 프로세서 요소와 결합하는 방법으로서,
제 1 광학 요소를 개재된 접착제가 없이 적어도 하나의 프로세서 요소에 직접 결합하는 단계 - 상기 제 1 광학 요소는 제 1 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 1 어레이를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 상기 제 1 광학 요소의 동작을 제어하도록 구성된 능동 회로부를 포함함 -;
제 2 광학 요소를 개재된 접착제가 없이 상기 적어도 하나의 프로세서 요소에 직접 결합하는 단계 - 상기 제 2 광학 요소는 제 1 색상과 다른 제 2 색상의 광을 방출하도록 구성된 광 방출기들의 제 2 어레이를 포함하고, 상기 적어도 하나의 프로세서 요소는 상기 제 2 광학 요소의 동작을 제어하도록 더 구성된 능동 회로부를 포함함 -; 및
상기 제 1 및 제 2 광학 요소를 광 경로와 커플링하는 단계 - 상기 광 경로는 상기 제 1 및 제 2 광 방출기로부터의 광의 중첩물을 사용자가 보도록 광학 출력부를 향해 투과시키도록 구성됨 -를 포함하는, 결합 방법. - 제 40 항에 있어서,
상기 방법은,
상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 프로세서 요소의 각각의 유전체 결합면들을 개재된 접착제가 없이 직접 결합하고, 상기 제 1 광학 요소 및 상기 적어도 하나의 프로세서 요소의 각각의 도전성 콘택 패드들을 개재된 접착제가 없이 직접 결합하는 단계를 더 포함하는, 결합 방법.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201962949312P | 2019-12-17 | 2019-12-17 | |
| US62/949,312 | 2019-12-17 | ||
| US17/124,408 | 2020-12-16 | ||
| US17/124,408 US11762200B2 (en) | 2019-12-17 | 2020-12-16 | Bonded optical devices |
| PCT/US2020/065544 WO2021127138A1 (en) | 2019-12-17 | 2020-12-17 | Bonded optical devices |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220116019A true KR20220116019A (ko) | 2022-08-19 |
Family
ID=76316975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227024563A KR20220116019A (ko) | 2019-12-17 | 2020-12-17 | 결합형 광학 디바이스 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11762200B2 (ko) |
| EP (1) | EP4078675A4 (ko) |
| JP (1) | JP2023507977A (ko) |
| KR (1) | KR20220116019A (ko) |
| CN (1) | CN115039223A (ko) |
| WO (1) | WO2021127138A1 (ko) |
Families Citing this family (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7109092B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-09-19 | Ziptronix, Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
| US7485968B2 (en) | 2005-08-11 | 2009-02-03 | Ziptronix, Inc. | 3D IC method and device |
| US8735219B2 (en) | 2012-08-30 | 2014-05-27 | Ziptronix, Inc. | Heterogeneous annealing method and device |
| US20150262902A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Invensas Corporation | Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture |
| US11069734B2 (en) | 2014-12-11 | 2021-07-20 | Invensas Corporation | Image sensor device |
| US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US9953941B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-04-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Conductive barrier direct hybrid bonding |
| US10204893B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-02-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked dies and methods for forming bonded structures |
| US10762420B2 (en) | 2017-08-03 | 2020-09-01 | Xcelsis Corporation | Self repairing neural network |
| US10580735B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-03-03 | Xcelsis Corporation | Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die |
| TWI822659B (zh) | 2016-10-27 | 2023-11-21 | 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 | 用於低溫接合的結構和方法 |
| US10002844B1 (en) | 2016-12-21 | 2018-06-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| WO2018126052A1 (en) | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
| US10629577B2 (en) | 2017-03-16 | 2020-04-21 | Invensas Corporation | Direct-bonded LED arrays and applications |
| US10515913B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-12-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Multi-metal contact structure |
| US10508030B2 (en) | 2017-03-21 | 2019-12-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Seal for microelectronic assembly |
| US10269756B2 (en) | 2017-04-21 | 2019-04-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Die processing |
| US10879212B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-12-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Processed stacked dies |
| US10446441B2 (en) | 2017-06-05 | 2019-10-15 | Invensas Corporation | Flat metal features for microelectronics applications |
| US10217720B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-02-26 | Invensas Corporation | Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer |
| US10840205B2 (en) | 2017-09-24 | 2020-11-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing for hybrid bonding |
| US11031285B2 (en) | 2017-10-06 | 2021-06-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Diffusion barrier collar for interconnects |
| US10923408B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-02-16 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Cavity packages |
| US11380597B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US10727219B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-07-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for processing devices |
| US11169326B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-11-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects |
| US11056348B2 (en) | 2018-04-05 | 2021-07-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonding surfaces for microelectronics |
| US10790262B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Low temperature bonded structures |
| US10964664B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-03-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | DBI to Si bonding for simplified handle wafer |
| US11004757B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-05-11 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US11276676B2 (en) | 2018-05-15 | 2022-03-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked devices and methods of fabrication |
| EP3807927A4 (en) | 2018-06-13 | 2022-02-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | TSV AS A HIDEPAD |
| US11393779B2 (en) | 2018-06-13 | 2022-07-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Large metal pads over TSV |
| US10910344B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-02-02 | Xcelsis Corporation | Systems and methods for releveled bump planes for chiplets |
| WO2020010056A1 (en) | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
| US11462419B2 (en) | 2018-07-06 | 2022-10-04 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Microelectronic assemblies |
| US11158606B2 (en) | 2018-07-06 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Molded direct bonded and interconnected stack |
| US11515291B2 (en) | 2018-08-28 | 2022-11-29 | Adeia Semiconductor Inc. | Integrated voltage regulator and passive components |
| US11296044B2 (en) | 2018-08-29 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bond enhancement structure in microelectronics for trapping contaminants during direct-bonding processes |
| US11158573B2 (en) | 2018-10-22 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interconnect structures |
| US11244920B2 (en) | 2018-12-18 | 2022-02-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Method and structures for low temperature device bonding |
| KR20210104742A (ko) | 2019-01-14 | 2021-08-25 | 인벤사스 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 접합 구조체 |
| US11901281B2 (en) | 2019-03-11 | 2024-02-13 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
| US10854578B2 (en) | 2019-03-29 | 2020-12-01 | Invensas Corporation | Diffused bitline replacement in stacked wafer memory |
| US11205625B2 (en) | 2019-04-12 | 2021-12-21 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Wafer-level bonding of obstructive elements |
| US11373963B2 (en) | 2019-04-12 | 2022-06-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Protective elements for bonded structures |
| US11610846B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-03-21 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Protective elements for bonded structures including an obstructive element |
| US11355404B2 (en) | 2019-04-22 | 2022-06-07 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Mitigating surface damage of probe pads in preparation for direct bonding of a substrate |
| US11385278B2 (en) | 2019-05-23 | 2022-07-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Security circuitry for bonded structures |
| US11296053B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics |
| US11862602B2 (en) | 2019-11-07 | 2024-01-02 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Scalable architecture for reduced cycles across SOC |
| US11876076B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-01-16 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Apparatus for non-volatile random access memory stacks |
| CN115088068A (zh) | 2019-12-23 | 2022-09-20 | 伊文萨思粘合技术公司 | 用于接合结构的电冗余 |
| US11721653B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-08-08 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Circuitry for electrical redundancy in bonded structures |
| US11742314B2 (en) | 2020-03-31 | 2023-08-29 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Reliable hybrid bonded apparatus |
| WO2021236361A1 (en) | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Laterally unconfined structure |
| US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
| US11764177B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11728273B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-08-15 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11264357B1 (en) | 2020-10-20 | 2022-03-01 | Invensas Corporation | Mixed exposure for large die |
| CN113325588A (zh) * | 2021-06-21 | 2021-08-31 | 凤凰光学股份有限公司 | 一种高亮度高分辨率高对比度的增强现实显示设备 |
Family Cites Families (364)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257413A (ja) | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光電気複合装置 |
| JPH0272642A (ja) | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Nec Corp | 基板の接続構造および接続方法 |
| JPH0344067A (ja) | 1989-07-11 | 1991-02-25 | Nec Corp | 半導体基板の積層方法 |
| US5015052A (en) | 1989-07-20 | 1991-05-14 | Battelle Memorial Institute | Optical modulation at millimeter-wave frequencies |
| CA2083072C (en) | 1991-11-21 | 1998-02-03 | Shinichi Hasegawa | Method for manufacturing polyimide multilayer wiring substrate |
| US6008126A (en) | 1992-04-08 | 1999-12-28 | Elm Technology Corporation | Membrane dielectric isolation IC fabrication |
| US5225797A (en) | 1992-04-27 | 1993-07-06 | Cornell Research Foundation, Inc. | Dielectric waveguide-to-coplanar transmission line transitions |
| KR0137125B1 (ko) | 1992-11-16 | 1998-06-15 | 모리시타 요이찌 | 광도파로소자와 그 제조방법 |
| US5471090A (en) | 1993-03-08 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Electronic structures having a joining geometry providing reduced capacitive loading |
| US5363464A (en) | 1993-06-28 | 1994-11-08 | Tangible Domain Inc. | Dielectric/conductive waveguide |
| JPH07193294A (ja) | 1993-11-01 | 1995-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
| US5408053A (en) | 1993-11-30 | 1995-04-18 | Hughes Aircraft Company | Layered planar transmission lines |
| KR960009074A (ko) | 1994-08-29 | 1996-03-22 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| DE4433330C2 (de) | 1994-09-19 | 1997-01-30 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen mit vorteilhaften Hochfrequenzeigenschaften sowie eine Halbleiterwaferstruktur |
| US5818631A (en) | 1994-11-16 | 1998-10-06 | Raytheon Company | Electrically conducting, directly bonded infrared windows |
| JP3979687B2 (ja) | 1995-10-26 | 2007-09-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法 |
| US6404550B1 (en) | 1996-07-25 | 2002-06-11 | Seiko Epson Corporation | Optical element suitable for projection display apparatus |
| JPH10189671A (ja) | 1996-12-24 | 1998-07-21 | Sony Corp | 半導体ウェーハのプロービングパッド構造 |
| JP3210889B2 (ja) | 1997-01-14 | 2001-09-25 | シャープ株式会社 | 直交２偏波導波管入力装置およびそれを用いた衛星放送受信用のコンバータ |
| US6221753B1 (en) | 1997-01-24 | 2001-04-24 | Micron Technology, Inc. | Flip chip technique for chip assembly |
| GB2315595B (en) | 1997-02-07 | 1998-06-10 | Bookham Technology Ltd | Device for re-directing light fromoptical waveguide |
| JP4032454B2 (ja) | 1997-06-27 | 2008-01-16 | ソニー株式会社 | 三次元回路素子の製造方法 |
| US6097096A (en) | 1997-07-11 | 2000-08-01 | Advanced Micro Devices | Metal attachment method and structure for attaching substrates at low temperatures |
| AU9296098A (en) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sharon N. Farrens | In situ plasma wafer bonding method |
| JP3307307B2 (ja) | 1997-12-19 | 2002-07-24 | 株式会社村田製作所 | 多層型高周波電子部品 |
| JP3832076B2 (ja) | 1998-02-16 | 2006-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 偏光照明装置および投写型表示装置 |
| JP2000100679A (ja) | 1998-09-22 | 2000-04-07 | Canon Inc | 薄片化による基板間微小領域固相接合法及び素子構造 |
| JP3532788B2 (ja) | 1999-04-13 | 2004-05-31 | 唯知 須賀 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2001102479A (ja) | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
| US6984571B1 (en) | 1999-10-01 | 2006-01-10 | Ziptronix, Inc. | Three dimensional device integration method and integrated device |
| US6614960B2 (en) | 1999-12-23 | 2003-09-02 | Speotalis Corp. | Optical waveguide structures |
| CA2314723A1 (en) | 1999-12-23 | 2001-06-23 | Pierre Simon Joseph Berini | Optical waveguide structures |
| US6801691B2 (en) | 1999-12-23 | 2004-10-05 | Spectalis Corp. | Optical waveguide structures |
| US6300161B1 (en) | 2000-02-15 | 2001-10-09 | Alpine Microsystems, Inc. | Module and method for interconnecting integrated circuits that facilitates high speed signal propagation with reduced noise |
| US6902987B1 (en) | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
| US6418029B1 (en) | 2000-02-28 | 2002-07-09 | Mckee James S. | Interconnect system having vertically mounted passive components on an underside of a substrate |
| DE10120248A1 (de) | 2000-04-26 | 2002-03-28 | Kyocera Corp | Struktur zur Verbindung eines nicht strahlenden dielektrischen Wellenleiters und eines Metallwellenleiters, Sende-/Empfangsmodul für Millimeterwellen und Sender/Empfänger für Millimeterwellen |
| US6429532B1 (en) | 2000-05-09 | 2002-08-06 | United Microelectronics Corp. | Pad design |
| JP4322402B2 (ja) | 2000-06-22 | 2009-09-02 | 大日本印刷株式会社 | プリント配線基板及びその製造方法 |
| WO2002003114A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Motorola, Inc. | Integrated circuits with optical interconnect |
| JP3440057B2 (ja) | 2000-07-05 | 2003-08-25 | 唯知 須賀 | 半導体装置およびその製造方法 |
| AU2001281743A1 (en) | 2000-07-21 | 2002-02-05 | Micro Managed Photons A/S | Surface plasmon polariton band gap structures |
| US6970362B1 (en) | 2000-07-31 | 2005-11-29 | Intel Corporation | Electronic assemblies and systems comprising interposer with embedded capacitors |
| US6423640B1 (en) | 2000-08-09 | 2002-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Headless CMP process for oxide planarization |
| GB2373344A (en) | 2001-03-16 | 2002-09-18 | Bookham Technology Plc | Optical coupling using direct bonding |
| GB2374155A (en) | 2001-03-16 | 2002-10-09 | Bookham Technology Plc | A tapered optical waveguide formed with two substrates |
| US6936854B2 (en) | 2001-05-10 | 2005-08-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Optoelectronic substrate |
| US7010183B2 (en) | 2002-03-20 | 2006-03-07 | The Regents Of The University Of Colorado | Surface plasmon devices |
| JP2002353416A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Sony Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
| JP2003043281A (ja) | 2001-07-26 | 2003-02-13 | Kyocera Chemical Corp | 光導波回路及びその製造方法 |
| WO2003016075A1 (en) | 2001-08-15 | 2003-02-27 | Florida State University | Method of manufacturing and design of microreactors, including microanalytical and separation devices |
| JP3664174B2 (ja) | 2001-09-19 | 2005-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 光導波路およびその製造方法 |
| US20030081906A1 (en) | 2001-10-26 | 2003-05-01 | Filhaber John F. | Direct bonding of optical components |
| US6759692B1 (en) | 2002-02-04 | 2004-07-06 | Ixys Corporation | Gate driver with level shift circuit |
| US6638808B1 (en) | 2002-02-04 | 2003-10-28 | Ixys Corporation | Method of manufacturing gate driver with level shift circuit |
| US6897492B2 (en) | 2002-02-04 | 2005-05-24 | Ixys Corporation | Power device with bi-directional level shift circuit |
| US6887769B2 (en) | 2002-02-06 | 2005-05-03 | Intel Corporation | Dielectric recess for wafer-to-wafer and die-to-die metal bonding and method of fabricating the same |
| US6762076B2 (en) | 2002-02-20 | 2004-07-13 | Intel Corporation | Process of vertically stacking multiple wafers supporting different active integrated circuit (IC) devices |
| KR100438160B1 (ko) | 2002-03-05 | 2004-07-01 | 삼성전자주식회사 | 인덕터와 캐패시터를 갖는 소자 및 그의 제작방법 |
| US7832177B2 (en) | 2002-03-22 | 2010-11-16 | Electronics Packaging Solutions, Inc. | Insulated glazing units |
| US6713871B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Surface mount solder method and apparatus for decoupling capacitance and process of making |
| US7105980B2 (en) | 2002-07-03 | 2006-09-12 | Sawtek, Inc. | Saw filter device and method employing normal temperature bonding for producing desirable filter production and performance characteristics |
| JP4037711B2 (ja) | 2002-07-26 | 2008-01-23 | 株式会社東芝 | 層間絶縁膜内に形成されたキャパシタを有する半導体装置 |
| JP4083502B2 (ja) | 2002-08-19 | 2008-04-30 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法及びそれに用いられる研磨用組成物 |
| US7023093B2 (en) | 2002-10-24 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | Very low effective dielectric constant interconnect Structures and methods for fabricating the same |
| US7354798B2 (en) | 2002-12-20 | 2008-04-08 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional device fabrication method |
| KR100486303B1 (ko) | 2003-02-05 | 2005-04-29 | 삼성전자주식회사 | 집적 회로용 평판형 캐패시터 및 그의 제조방법 |
| US6962835B2 (en) | 2003-02-07 | 2005-11-08 | Ziptronix, Inc. | Method for room temperature metal direct bonding |
| US6908027B2 (en) | 2003-03-31 | 2005-06-21 | Intel Corporation | Complete device layer transfer without edge exclusion via direct wafer bonding and constrained bond-strengthening process |
| US7109092B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-09-19 | Ziptronix, Inc. | Method of room temperature covalent bonding |
| TWI275168B (en) | 2003-06-06 | 2007-03-01 | Sanyo Electric Co | Semiconductor device and method for making the same |
| US6979582B2 (en) | 2003-09-22 | 2005-12-27 | National Chung-Hsing University | Vertical-cavity surface emitting laser diode and method for producing the same |
| US7177135B2 (en) | 2003-09-23 | 2007-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | On-chip bypass capacitor and method of manufacturing the same |
| US6867073B1 (en) | 2003-10-21 | 2005-03-15 | Ziptronix, Inc. | Single mask via method and device |
| US6943294B2 (en) | 2003-12-22 | 2005-09-13 | Intel Corporation | Integrating passive components on spacer in stacked dies |
| US7132743B2 (en) | 2003-12-23 | 2006-11-07 | Intel Corporation | Integrated circuit package substrate having a thin film capacitor structure |
| JP4260650B2 (ja) | 2004-02-26 | 2009-04-30 | 新光電気工業株式会社 | 光電気複合基板及びその製造方法 |
| US7842948B2 (en) | 2004-02-27 | 2010-11-30 | Nvidia Corporation | Flip chip semiconductor die internal signal access system and method |
| TW200535878A (en) | 2004-04-16 | 2005-11-01 | Ind Tech Res Inst | Tunable passive device |
| JP4657640B2 (ja) | 2004-07-21 | 2011-03-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| US20060057945A1 (en) | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Chia-Lin Hsu | Chemical mechanical polishing process |
| US20060076634A1 (en) | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for packaging MEMS devices with incorporated getter |
| US7680464B2 (en) | 2004-12-30 | 2010-03-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Waveguide—printed wiring board (PWB) interconnection |
| GB0505680D0 (en) | 2005-03-22 | 2005-04-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Apparatus and method for increased device lifetime in an organic electro-luminescent device |
| JP2006276313A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Kinseki Corp | 光学フィルタの製造方法 |
| US7355836B2 (en) | 2005-06-07 | 2008-04-08 | Intel Corporation | Array capacitor for decoupling multiple voltage rails |
| US7736945B2 (en) | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
| JP4572759B2 (ja) | 2005-07-06 | 2010-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び電子機器 |
| JP2007041117A (ja) | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 積層光学素子及びその製造方法 |
| US7485968B2 (en) | 2005-08-11 | 2009-02-03 | Ziptronix, Inc. | 3D IC method and device |
| JP4509972B2 (ja) | 2005-09-01 | 2010-07-21 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、埋め込み用セラミックチップ |
| US7705691B2 (en) | 2005-10-18 | 2010-04-27 | Agency For Science, Technology & Research | Capacitor interconnection |
| KR100735521B1 (ko) | 2005-10-19 | 2007-07-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US7626216B2 (en) | 2005-10-21 | 2009-12-01 | Mckinzie Iii William E | Systems and methods for electromagnetic noise suppression using hybrid electromagnetic bandgap structures |
| US7193423B1 (en) | 2005-12-12 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Wafer-to-wafer alignments |
| TWI305119B (en) | 2005-12-22 | 2009-01-01 | Phoenix Prec Technology Corp | Circuit board structure having capacitance array and embedded electronic component and method for fabricating the same |
| TWI299552B (en) | 2006-03-24 | 2008-08-01 | Advanced Semiconductor Eng | Package structure |
| US7972683B2 (en) | 2006-03-28 | 2011-07-05 | Innovative Micro Technology | Wafer bonding material with embedded conductive particles |
| US8130821B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-03-06 | Oracle America, Inc. | Equalization in capacitively coupled communication links |
| US7750488B2 (en) | 2006-07-10 | 2010-07-06 | Tezzaron Semiconductor, Inc. | Method for bonding wafers to produce stacked integrated circuits |
| US7949210B2 (en) | 2006-10-09 | 2011-05-24 | Colorado School Of Mines | Silicon-compatible surface plasmon optical elements |
| US20080124835A1 (en) | 2006-11-03 | 2008-05-29 | International Business Machines Corporation | Hermetic seal and reliable bonding structures for 3d applications |
| EP1936741A1 (en) | 2006-12-22 | 2008-06-25 | Sony Deutschland GmbH | Flexible substrate integrated waveguides |
| US7803693B2 (en) | 2007-02-15 | 2010-09-28 | John Trezza | Bowed wafer hybridization compensation |
| US8558636B2 (en) | 2007-03-30 | 2013-10-15 | Intel Corporation | Package embedded equalizer |
| JP2008258258A (ja) | 2007-04-02 | 2008-10-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US7899407B2 (en) | 2007-05-01 | 2011-03-01 | Broadcom Corporation | High frequency signal combining |
| US7614771B2 (en) | 2007-07-05 | 2009-11-10 | Tyco Electronics Corporation | Wireless controlled light emitting assembly |
| US7867878B2 (en) | 2007-09-21 | 2011-01-11 | Infineon Technologies Ag | Stacked semiconductor chips |
| US7924113B2 (en) | 2008-02-15 | 2011-04-12 | Realtek Semiconductor Corp. | Integrated front-end passive equalizer and method thereof |
| EP2258022A4 (en) | 2008-03-18 | 2012-10-31 | Shi Cheng | SUBSTRATE INTEGRATED WAVEGUIDE |
| JP2009239247A (ja) | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
| US8009763B2 (en) | 2008-04-02 | 2011-08-30 | Oracle America, Inc. | Method and apparatus for equalizing a high speed serial data link |
| CN102015567B (zh) | 2008-04-25 | 2013-08-28 | 浜松光子学株式会社 | 玻璃熔接方法 |
| CN101577686B (zh) | 2008-05-09 | 2013-05-08 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 等化器 |
| US8349635B1 (en) | 2008-05-20 | 2013-01-08 | Silicon Laboratories Inc. | Encapsulated MEMS device and method to form the same |
| RU2010152355A (ru) | 2008-05-22 | 2012-06-27 | Коннектор Оптикс (Ru) | Способ для прикрепления оптических компонентов на интегральные схемы на основе кремния |
| US9893004B2 (en) | 2011-07-27 | 2018-02-13 | Broadpak Corporation | Semiconductor interposer integration |
| JP2010103982A (ja) | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Sony Corp | ミリ波伝送装置、ミリ波伝送方法、ミリ波伝送システム |
| US8344503B2 (en) | 2008-11-25 | 2013-01-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | 3-D circuits with integrated passive devices |
| JP5195354B2 (ja) | 2008-12-01 | 2013-05-08 | セイコーエプソン株式会社 | 光学素子 |
| KR100945800B1 (ko) | 2008-12-09 | 2010-03-05 | 김영혜 | 이종 접합 웨이퍼 제조방법 |
| US8760342B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-06-24 | Kyocera Corporation | Circuit board, high frequency module, and radar apparatus |
| US8476165B2 (en) | 2009-04-01 | 2013-07-02 | Tokyo Electron Limited | Method for thinning a bonding wafer |
| EP2430652B1 (en) | 2009-05-12 | 2019-11-20 | The Board of Trustees of the University of Illionis | Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays |
| JP2010276940A (ja) | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Fujifilm Corp | ガラス基材の接合方法、及びガラス接合体 |
| US8211722B2 (en) | 2009-07-20 | 2012-07-03 | Lu Lien-Shine | Flip-chip GaN LED fabrication method |
| US8111730B2 (en) | 2009-08-20 | 2012-02-07 | International Business Machines Corporation | 3D optoelectronic packaging |
| US8482132B2 (en) | 2009-10-08 | 2013-07-09 | International Business Machines Corporation | Pad bonding employing a self-aligned plated liner for adhesion enhancement |
| FR2954585B1 (fr) | 2009-12-23 | 2012-03-02 | Soitec Silicon Insulator Technologies | Procede de realisation d'une heterostructure avec minimisation de contrainte |
| US8324622B2 (en) | 2009-12-31 | 2012-12-04 | Stmicroelectronics Inc. | Method of repairing probe pads |
| WO2011114774A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-09-22 | 日本電気株式会社 | 半導体素子内蔵基板およびその製造方法 |
| US9048112B2 (en) | 2010-06-29 | 2015-06-02 | Qualcomm Incorporated | Integrated voltage regulator with embedded passive device(s) for a stacked IC |
| JP5517800B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-06-11 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置用の部材および固体撮像装置の製造方法 |
| FR2966283B1 (fr) | 2010-10-14 | 2012-11-30 | Soi Tec Silicon On Insulator Tech Sa | Procede pour realiser une structure de collage |
| US9171721B2 (en) | 2010-10-26 | 2015-10-27 | Medtronic, Inc. | Laser assisted direct bonding |
| US8377798B2 (en) | 2010-11-10 | 2013-02-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and structure for wafer to wafer bonding in semiconductor packaging |
| US8476146B2 (en) | 2010-12-03 | 2013-07-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Reducing wafer distortion through a low CTE layer |
| KR101141457B1 (ko) | 2010-12-08 | 2012-05-04 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조방법 |
| TWI405322B (zh) | 2010-12-29 | 2013-08-11 | Ind Tech Res Inst | 內藏電容基板模組 |
| US9625713B2 (en) | 2011-01-10 | 2017-04-18 | UNIVERSITé LAVAL | Laser reinforced direct bonding of optical components |
| FR2970594B1 (fr) | 2011-01-13 | 2013-01-18 | Batscap Sa | Ensemble de stockage d'energie electrique a element empile en accordeon |
| US8620164B2 (en) | 2011-01-20 | 2013-12-31 | Intel Corporation | Hybrid III-V silicon laser formed by direct bonding |
| US8988299B2 (en) | 2011-02-17 | 2015-03-24 | International Business Machines Corporation | Integrated antenna for RFIC package applications |
| US8686537B2 (en) | 2011-03-03 | 2014-04-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for reducing impact of high RF loss plating |
| US9160346B2 (en) | 2011-03-15 | 2015-10-13 | Rambus Inc. | Area and power efficient clock generation |
| US8501537B2 (en) | 2011-03-31 | 2013-08-06 | Soitec | Methods for bonding semiconductor structures involving annealing processes, and bonded semiconductor structures formed using such methods |
| US8716105B2 (en) | 2011-03-31 | 2014-05-06 | Soitec | Methods for bonding semiconductor structures involving annealing processes, and bonded semiconductor structures and intermediate structures formed using such methods |
| CN102768450B (zh) | 2011-05-03 | 2014-10-29 | 中国科学院理化技术研究所 | Kbbf族晶体与棱镜耦合的光学耦合器件及制备方法 |
| KR102235927B1 (ko) | 2011-05-24 | 2021-04-05 | 소니 주식회사 | 반도체 장치 |
| JP5982748B2 (ja) | 2011-08-01 | 2016-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
| US20130063863A1 (en) | 2011-07-08 | 2013-03-14 | John P. Timler | Insulator Based Upon One or More Dielectric Structures |
| US20130009183A1 (en) | 2011-07-08 | 2013-01-10 | Han Chang | Reflective circuit board for led backlight |
| US8697493B2 (en) | 2011-07-18 | 2014-04-15 | Soitec | Bonding surfaces for direct bonding of semiconductor structures |
| US8441131B2 (en) | 2011-09-12 | 2013-05-14 | Globalfoundries Inc. | Strain-compensating fill patterns for controlling semiconductor chip package interactions |
| US8436457B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-05-07 | Invensas Corporation | Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows |
| US8441111B2 (en) | 2011-10-03 | 2013-05-14 | Invensas Corporation | Stub minimization for multi-die wirebond assemblies with parallel windows |
| TWI438882B (zh) | 2011-11-01 | 2014-05-21 | Unimicron Technology Corp | 嵌埋電容元件之封裝基板及其製法 |
| JP5703206B2 (ja) | 2011-12-19 | 2015-04-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、信号伝送システム及び信号伝送方法 |
| US8929077B2 (en) | 2012-01-02 | 2015-01-06 | Tem Products Inc. | Thermal connector |
| US9274338B2 (en) | 2012-03-21 | 2016-03-01 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Increasing field of view of reflective waveguide |
| US20130265733A1 (en) | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Interchip communication using an embedded dielectric waveguide |
| CN103377911B (zh) | 2012-04-16 | 2016-09-21 | 中国科学院微电子研究所 | 提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法 |
| WO2013161208A1 (ja) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 発光素子 |
| US8809123B2 (en) | 2012-06-05 | 2014-08-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Three dimensional integrated circuit structures and hybrid bonding methods for semiconductor wafers |
| US9142517B2 (en) | 2012-06-05 | 2015-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hybrid bonding mechanisms for semiconductor wafers |
| US8698323B2 (en) | 2012-06-18 | 2014-04-15 | Invensas Corporation | Microelectronic assembly tolerant to misplacement of microelectronic elements therein |
| US9502424B2 (en) | 2012-06-29 | 2016-11-22 | Qualcomm Incorporated | Integrated circuit device featuring an antifuse and method of making same |
| US9036952B2 (en) | 2012-07-25 | 2015-05-19 | International Business Machines Corporation | Electro-optical assembly for silicon photonic chip and electro-optical carrier |
| US9343393B2 (en) | 2012-08-15 | 2016-05-17 | Industrial Technology Research Institute | Semiconductor substrate assembly with embedded resistance element |
| TWI497661B (zh) | 2012-08-15 | 2015-08-21 | Ind Tech Res Inst | 半導體基板 |
| US8829673B2 (en) | 2012-08-17 | 2014-09-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonded structures for package and substrate |
| KR101977699B1 (ko) | 2012-08-20 | 2019-08-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 멀티 칩 반도체 장치 및 그것의 테스트 방법 |
| US8735219B2 (en) | 2012-08-30 | 2014-05-27 | Ziptronix, Inc. | Heterogeneous annealing method and device |
| KR101420517B1 (ko) | 2012-10-31 | 2014-07-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 캐패시터 및 이를 포함하는 인쇄회로기판 |
| US9434145B2 (en) | 2012-12-07 | 2016-09-06 | Semrock, Inc. | Dichroic filter conformed to optical surface |
| DE102012224310A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Tesa Se | Gettermaterial enthaltendes Klebeband |
| US20140175655A1 (en) | 2012-12-22 | 2014-06-26 | Industrial Technology Research Institute | Chip bonding structure and manufacturing method thereof |
| TWI479640B (zh) | 2012-12-25 | 2015-04-01 | Ind Tech Res Inst | 晶片堆疊結構 |
| KR101375938B1 (ko) | 2012-12-27 | 2014-03-21 | 한국과학기술원 | 저전력, 고속 멀티-채널 유전체 웨이브가이드를 이용한 칩-대-칩 인터페이스 |
| US8916448B2 (en) | 2013-01-09 | 2014-12-23 | International Business Machines Corporation | Metal to metal bonding for stacked (3D) integrated circuits |
| TWI518991B (zh) | 2013-02-08 | 2016-01-21 | Sj Antenna Design | Integrated antenna and integrated circuit components of the shielding module |
| US8946784B2 (en) | 2013-02-18 | 2015-02-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for image sensor packaging |
| CN105074868B (zh) | 2013-02-19 | 2019-02-22 | 日本碍子株式会社 | 复合基板、半导体装置及半导体装置的制法 |
| US9263186B2 (en) | 2013-03-05 | 2016-02-16 | Qualcomm Incorporated | DC/ AC dual function Power Delivery Network (PDN) decoupling capacitor |
| US9105485B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonding structures and methods of forming the same |
| US9029983B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-05-12 | Qualcomm Incorporated | Metal-insulator-metal (MIM) capacitor |
| US9443796B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Air trench in packages incorporating hybrid bonding |
| US8802538B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for hybrid wafer bonding |
| DE102013102667A1 (de) | 2013-03-15 | 2014-10-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Anzeigevorrichtung |
| GB2512379A (en) | 2013-03-28 | 2014-10-01 | Ibm | Photonic and/or optoelectronic packaging assembly |
| US9064937B2 (en) | 2013-05-30 | 2015-06-23 | International Business Machines Corporation | Substrate bonding with diffusion barrier structures |
| US9929050B2 (en) | 2013-07-16 | 2018-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanisms for forming three-dimensional integrated circuit (3DIC) stacking structure |
| US9723716B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-08-01 | Infineon Technologies Ag | Contact pad structure, an electronic component, and a method for manufacturing a contact pad structure |
| US9257399B2 (en) | 2013-10-17 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 3D integrated circuit and methods of forming the same |
| JP6221668B2 (ja) | 2013-11-18 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 配光部材の製造方法及び発光装置の製造方法 |
| JP2015115446A (ja) | 2013-12-11 | 2015-06-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| US9437572B2 (en) | 2013-12-18 | 2016-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive pad structure for hybrid bonding and methods of forming same |
| US9508637B2 (en) | 2014-01-06 | 2016-11-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Protrusion bump pads for bond-on-trace processing |
| US10090327B2 (en) | 2014-01-17 | 2018-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Semiconductor device and method for forming the same |
| KR20160114710A (ko) | 2014-01-31 | 2016-10-05 | 코닝 인코포레이티드 | 반도체칩을 상호연결하기 위한 인터포저를 제공하기 위한 방법 및 장치 |
| US20150262902A1 (en) | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Invensas Corporation | Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture |
| US9418924B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-08-16 | Invensas Corporation | Stacked die integrated circuit |
| US9299736B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-03-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hybrid bonding with uniform pattern density |
| US9230941B2 (en) | 2014-03-28 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonding structure for stacked semiconductor devices |
| US9853361B2 (en) | 2014-05-02 | 2017-12-26 | The Invention Science Fund I Llc | Surface scattering antennas with lumped elements |
| US9472458B2 (en) | 2014-06-04 | 2016-10-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Method of reducing residual contamination in singulated semiconductor die |
| KR102275705B1 (ko) | 2014-07-11 | 2021-07-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 대 웨이퍼 접합 구조 |
| EP3170043A4 (en) | 2014-07-14 | 2018-06-20 | Biond Photonics Inc. | 3d photonic integration with light coupling elements |
| KR20160025455A (ko) | 2014-08-27 | 2016-03-08 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| US9372316B2 (en) | 2014-09-11 | 2016-06-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Silicon interface for dielectric slab waveguide |
| US9671572B2 (en) | 2014-09-22 | 2017-06-06 | Oracle International Corporation | Integrated chip package with optical interface |
| US20160097930A1 (en) | 2014-10-06 | 2016-04-07 | Steven John Robbins | Microdisplay optical system having two microlens arrays |
| US9536848B2 (en) | 2014-10-16 | 2017-01-03 | Globalfoundries Inc. | Bond pad structure for low temperature flip chip bonding |
| US10018788B2 (en) | 2014-10-28 | 2018-07-10 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Photonic interposer with wafer bonded microlenses |
| US9394161B2 (en) | 2014-11-14 | 2016-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS and CMOS integration with low-temperature bonding |
| FR3028672B1 (fr) | 2014-11-18 | 2018-01-26 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes |
| DE102014117723B4 (de) | 2014-12-02 | 2019-01-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| US9899442B2 (en) | 2014-12-11 | 2018-02-20 | Invensas Corporation | Image sensor device |
| KR101793967B1 (ko) | 2014-12-24 | 2017-11-06 | 인텔 코포레이션 | 적층형 집적 회로 패키지에서의 통합형 수동 구성요소 장치 및 이를 포함한 컴퓨팅 디바이스 |
| JP2016143853A (ja) | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 富士通株式会社 | 積層型半導体装置 |
| US20160254345A1 (en) | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Globalfoundries Inc. | Metal-insulator-metal capacitor architecture |
| US9537199B2 (en) | 2015-03-19 | 2017-01-03 | International Business Machines Corporation | Package structure having an integrated waveguide configured to communicate between first and second integrated circuit chips |
| US20160291269A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-06 | Coriant Advanced Technology, LLC | Photonic integrated circuit chip packaging |
| KR101681410B1 (ko) | 2015-04-20 | 2016-11-30 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
| DE102015108545A1 (de) | 2015-05-29 | 2016-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| US9741620B2 (en) | 2015-06-24 | 2017-08-22 | Invensas Corporation | Structures and methods for reliable packages |
| US9656852B2 (en) | 2015-07-06 | 2017-05-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | CMOS-MEMS device structure, bonding mesa structure and associated method |
| US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| WO2017011267A1 (en) | 2015-07-15 | 2017-01-19 | Dueweke Michael J | Tunable reactance devices, and methods of making and using the same |
| US10075657B2 (en) | 2015-07-21 | 2018-09-11 | Fermi Research Alliance, Llc | Edgeless large area camera system |
| CN108352393B (zh) | 2015-07-23 | 2022-09-16 | 光程研创股份有限公司 | 高效宽光谱传感器 |
| US9728521B2 (en) | 2015-07-23 | 2017-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Hybrid bond using a copper alloy for yield improvement |
| US9786641B2 (en) | 2015-08-13 | 2017-10-10 | International Business Machines Corporation | Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications |
| US9559081B1 (en) | 2015-08-21 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Independent 3D stacking |
| US9627373B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-04-18 | International Business Machines Corporation | CMOS compatible fuse or resistor using self-aligned contacts |
| US9953941B2 (en) | 2015-08-25 | 2018-04-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Conductive barrier direct hybrid bonding |
| FR3044167B1 (fr) | 2015-11-20 | 2018-01-05 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes comportant au moins une diode zener |
| FR3044467B1 (fr) * | 2015-11-26 | 2018-08-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Dalle lumineuse et procede de fabrication d'une telle dalle lumineuse |
| US9496239B1 (en) | 2015-12-11 | 2016-11-15 | International Business Machines Corporation | Nitride-enriched oxide-to-oxide 3D wafer bonding |
| US9852988B2 (en) | 2015-12-18 | 2017-12-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Increased contact alignment tolerance for direct bonding |
| US9881882B2 (en) | 2016-01-06 | 2018-01-30 | Mediatek Inc. | Semiconductor package with three-dimensional antenna |
| US9923011B2 (en) | 2016-01-12 | 2018-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor device structure with stacked semiconductor dies |
| US10446532B2 (en) | 2016-01-13 | 2019-10-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Systems and methods for efficient transfer of semiconductor elements |
| US10636767B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-04-28 | Invensas Corporation | Correction die for wafer/die stack |
| JP2017177519A (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社トプコン | 部材の接合方法およびその方法により作製される光学素子 |
| US10026716B2 (en) | 2016-04-15 | 2018-07-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 3DIC formation with dies bonded to formed RDLs |
| US10204893B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-02-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked dies and methods for forming bonded structures |
| US10522400B2 (en) | 2016-05-27 | 2019-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Embedded temperature control system for a biosensor |
| KR102505856B1 (ko) | 2016-06-09 | 2023-03-03 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 대 웨이퍼 접합 구조체 |
| US9941241B2 (en) | 2016-06-30 | 2018-04-10 | International Business Machines Corporation | Method for wafer-wafer bonding |
| CN106206872A (zh) | 2016-08-04 | 2016-12-07 | 南京大学 | Si‑CMOS阵列驱动电路控制的GaN基可见光微米柱阵列LED器件及其制备方法 |
| US9892961B1 (en) | 2016-08-09 | 2018-02-13 | International Business Machines Corporation | Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices |
| US10446487B2 (en) | 2016-09-30 | 2019-10-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interface structures and methods for forming same |
| US10580735B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-03-03 | Xcelsis Corporation | Stacked IC structure with system level wiring on multiple sides of the IC die |
| US10672663B2 (en) | 2016-10-07 | 2020-06-02 | Xcelsis Corporation | 3D chip sharing power circuit |
| US10762420B2 (en) | 2017-08-03 | 2020-09-01 | Xcelsis Corporation | Self repairing neural network |
| US10690917B2 (en) * | 2016-10-31 | 2020-06-23 | Tectus Corporation | Femtoprojector optical systems, used in eye-mounted display |
| US11287563B2 (en) | 2016-12-01 | 2022-03-29 | Ostendo Technologies, Inc. | Polarized light emission from micro-pixel displays and methods of fabrication thereof |
| US10163750B2 (en) | 2016-12-05 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Package structure for heat dissipation |
| WO2018110316A1 (ja) | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 日本碍子株式会社 | 光学部品 |
| US10453832B2 (en) | 2016-12-15 | 2019-10-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Seal ring structures and methods of forming same |
| US10002844B1 (en) | 2016-12-21 | 2018-06-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| EP3563411B1 (en) | 2016-12-28 | 2021-04-14 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Method of processing a substrate on a temporary substrate |
| US20180182665A1 (en) | 2016-12-28 | 2018-06-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Processed Substrate |
| US20180190583A1 (en) | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
| WO2018126052A1 (en) | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
| US10276909B2 (en) | 2016-12-30 | 2019-04-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Structure comprising at least a first element bonded to a carrier having a closed metallic channel waveguide formed therein |
| US10431614B2 (en) | 2017-02-01 | 2019-10-01 | Semiconductor Components Industries, Llc | Edge seals for semiconductor packages |
| US10522499B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-12-31 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US10629577B2 (en) | 2017-03-16 | 2020-04-21 | Invensas Corporation | Direct-bonded LED arrays and applications |
| US10515913B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-12-24 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Multi-metal contact structure |
| KR102304400B1 (ko) * | 2017-03-20 | 2021-09-24 | 제이드 버드 디스플레이(상하이) 리미티드 | 마이크로 led 층을 적층하여 반도체 장치를 제조 |
| US10508030B2 (en) | 2017-03-21 | 2019-12-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Seal for microelectronic assembly |
| CA3056900A1 (en) * | 2017-03-21 | 2018-09-27 | Magic Leap, Inc. | Methods, devices, and systems for illuminating spatial light modulators |
| JP6640780B2 (ja) | 2017-03-22 | 2020-02-05 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| US10840223B2 (en) | 2017-03-23 | 2020-11-17 | Intel Corporation | Augmented reality display systems with super-lambertian LED source |
| US10784191B2 (en) | 2017-03-31 | 2020-09-22 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interface structures and methods for forming same |
| US10269756B2 (en) | 2017-04-21 | 2019-04-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Die processing |
| US10580823B2 (en) | 2017-05-03 | 2020-03-03 | United Microelectronics Corp. | Wafer level packaging method |
| US10529634B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-01-07 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Probe methodology for ultrafine pitch interconnects |
| US10879212B2 (en) | 2017-05-11 | 2020-12-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Processed stacked dies |
| JP6966691B2 (ja) | 2017-05-31 | 2021-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
| EP3631564B1 (en) | 2017-06-01 | 2022-08-31 | Pogotec, Inc. | Releasably attachable augmented reality system for eyewear |
| US10446441B2 (en) | 2017-06-05 | 2019-10-15 | Invensas Corporation | Flat metal features for microelectronics applications |
| US10571699B1 (en) | 2017-06-14 | 2020-02-25 | Facebook Technologies, Llc | Multi-layered substrates for waveguide displays |
| US10217720B2 (en) | 2017-06-15 | 2019-02-26 | Invensas Corporation | Multi-chip modules formed using wafer-level processing of a reconstitute wafer |
| US10840205B2 (en) | 2017-09-24 | 2020-11-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing for hybrid bonding |
| US11195748B2 (en) | 2017-09-27 | 2021-12-07 | Invensas Corporation | Interconnect structures and methods for forming same |
| US11031285B2 (en) | 2017-10-06 | 2021-06-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Diffusion barrier collar for interconnects |
| US11251157B2 (en) | 2017-11-01 | 2022-02-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Die stack structure with hybrid bonding structure and method of fabricating the same and package |
| US11011503B2 (en) | 2017-12-15 | 2021-05-18 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct-bonded optoelectronic interconnect for high-density integrated photonics |
| US11380597B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-07-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US10923408B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-02-16 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Cavity packages |
| US10942355B2 (en) * | 2018-01-22 | 2021-03-09 | Facebook Technologies, Llc | Systems, devices, and methods for tiled multi-monochromatic displays |
| US10739595B2 (en) | 2018-01-22 | 2020-08-11 | Facebook Technologies, Llc | Application specific integrated circuit for waveguide display |
| US11127738B2 (en) | 2018-02-09 | 2021-09-21 | Xcelsis Corporation | Back biasing of FD-SOI circuit blocks |
| US10727219B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-07-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for processing devices |
| US11169326B2 (en) | 2018-02-26 | 2021-11-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Integrated optical waveguides, direct-bonded waveguide interface joints, optical routing and interconnects |
| US11256004B2 (en) | 2018-03-20 | 2022-02-22 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct-bonded lamination for improved image clarity in optical devices |
| US10991804B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-04-27 | Xcelsis Corporation | Transistor level interconnection methodologies utilizing 3D interconnects |
| US11056348B2 (en) | 2018-04-05 | 2021-07-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonding surfaces for microelectronics |
| US10790262B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-09-29 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Low temperature bonded structures |
| US10964664B2 (en) | 2018-04-20 | 2021-03-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | DBI to Si bonding for simplified handle wafer |
| US11398258B2 (en) | 2018-04-30 | 2022-07-26 | Invensas Llc | Multi-die module with low power operation |
| US10403577B1 (en) | 2018-05-03 | 2019-09-03 | Invensas Corporation | Dielets on flexible and stretchable packaging for microelectronics |
| US11004757B2 (en) | 2018-05-14 | 2021-05-11 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bonded structures |
| US11276676B2 (en) | 2018-05-15 | 2022-03-15 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Stacked devices and methods of fabrication |
| US10923413B2 (en) | 2018-05-30 | 2021-02-16 | Xcelsis Corporation | Hard IP blocks with physically bidirectional passageways |
| US11171117B2 (en) | 2018-06-12 | 2021-11-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interlayer connection of stacked microelectronic components |
| US11393779B2 (en) | 2018-06-13 | 2022-07-19 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Large metal pads over TSV |
| EP3807927A4 (en) | 2018-06-13 | 2022-02-23 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | TSV AS A HIDEPAD |
| US10910344B2 (en) | 2018-06-22 | 2021-02-02 | Xcelsis Corporation | Systems and methods for releveled bump planes for chiplets |
| WO2020010056A1 (en) | 2018-07-03 | 2020-01-09 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Techniques for joining dissimilar materials in microelectronics |
| US11462419B2 (en) | 2018-07-06 | 2022-10-04 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Microelectronic assemblies |
| US11158606B2 (en) | 2018-07-06 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Molded direct bonded and interconnected stack |
| US20200035641A1 (en) | 2018-07-26 | 2020-01-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Post cmp processing for hybrid bonding |
| US11515291B2 (en) | 2018-08-28 | 2022-11-29 | Adeia Semiconductor Inc. | Integrated voltage regulator and passive components |
| US11296044B2 (en) | 2018-08-29 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Bond enhancement structure in microelectronics for trapping contaminants during direct-bonding processes |
| US11011494B2 (en) | 2018-08-31 | 2021-05-18 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Layer structures for making direct metal-to-metal bonds at low temperatures in microelectronics |
| US11158573B2 (en) | 2018-10-22 | 2021-10-26 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Interconnect structures |
| FR3090200B1 (fr) | 2018-12-13 | 2021-01-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d’un dispositif a diodes photo-emettrices et/ou photo-receptrices et a grille de collimation auto-alignee |
| US11244920B2 (en) | 2018-12-18 | 2022-02-08 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Method and structures for low temperature device bonding |
| KR20210104742A (ko) | 2019-01-14 | 2021-08-25 | 인벤사스 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 접합 구조체 |
| US11387202B2 (en) | 2019-03-01 | 2022-07-12 | Invensas Llc | Nanowire bonding interconnect for fine-pitch microelectronics |
| US11901281B2 (en) | 2019-03-11 | 2024-02-13 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structures with integrated passive component |
| US10854578B2 (en) | 2019-03-29 | 2020-12-01 | Invensas Corporation | Diffused bitline replacement in stacked wafer memory |
| US11610846B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-03-21 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Protective elements for bonded structures including an obstructive element |
| US11373963B2 (en) | 2019-04-12 | 2022-06-28 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Protective elements for bonded structures |
| US11205625B2 (en) | 2019-04-12 | 2021-12-21 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Wafer-level bonding of obstructive elements |
| US11355404B2 (en) | 2019-04-22 | 2022-06-07 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Mitigating surface damage of probe pads in preparation for direct bonding of a substrate |
| US11385278B2 (en) | 2019-05-23 | 2022-07-12 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Security circuitry for bonded structures |
| US20200395321A1 (en) | 2019-06-12 | 2020-12-17 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Sealed bonded structures and methods for forming the same |
| US11296053B2 (en) | 2019-06-26 | 2022-04-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonded stack structures for increased reliability and improved yield in microelectronics |
| EP3991204A4 (en) * | 2019-06-27 | 2022-08-24 | Avicenatech Corp. | CHIP-SCALE OPTICAL INTERCONNECT USING MICRO-LEDS |
| US20210098412A1 (en) | 2019-09-26 | 2021-04-01 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct gang bonding methods and structures |
| US20210118864A1 (en) | 2019-10-21 | 2021-04-22 | Invensas Corporation | Non-Volatile Dynamic Random Access Memory |
| US11862602B2 (en) | 2019-11-07 | 2024-01-02 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Scalable architecture for reduced cycles across SOC |
| US11876076B2 (en) | 2019-12-20 | 2024-01-16 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Apparatus for non-volatile random access memory stacks |
| CN115088068A (zh) | 2019-12-23 | 2022-09-20 | 伊文萨思粘合技术公司 | 用于接合结构的电冗余 |
| US11721653B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-08-08 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Circuitry for electrical redundancy in bonded structures |
| US20210242152A1 (en) | 2020-02-05 | 2021-08-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Selective alteration of interconnect pads for direct bonding |
| CN115943489A (zh) | 2020-03-19 | 2023-04-07 | 隔热半导体粘合技术公司 | 用于直接键合结构的尺寸补偿控制 |
| US11742314B2 (en) | 2020-03-31 | 2023-08-29 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Reliable hybrid bonded apparatus |
| WO2021236361A1 (en) | 2020-05-19 | 2021-11-25 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Laterally unconfined structure |
| US11631647B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-04-18 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Integrated device packages with integrated device die and dummy element |
| US11728273B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-08-15 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11764177B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-09-19 | Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. | Bonded structure with interconnect structure |
| US11264357B1 (en) | 2020-10-20 | 2022-03-01 | Invensas Corporation | Mixed exposure for large die |
| WO2022094587A1 (en) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonding methods and structures |
| US20220139869A1 (en) | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonding methods and structures |
| TW202243181A (zh) | 2020-12-28 | 2022-11-01 | 美商英帆薩斯邦德科技有限公司 | 具有直通基板穿孔的結構以及形成此結構的方法 |
| JP2024501016A (ja) | 2020-12-28 | 2024-01-10 | アデイア セミコンダクター ボンディング テクノロジーズ インコーポレイテッド | 基板貫通ビアを有する構造体及びそれを形成する方法 |
| WO2022147459A1 (en) | 2020-12-30 | 2022-07-07 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Structure with conductive feature and method of forming same |
| US20220208723A1 (en) | 2020-12-30 | 2022-06-30 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Directly bonded structures |
| JP2024513304A (ja) | 2021-03-03 | 2024-03-25 | アデイア セミコンダクター ボンディング テクノロジーズ インコーポレイテッド | 直接接合のためのコンタクト構造 |
| US20220320035A1 (en) | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Direct bonding methods and structures |
| KR20230164153A (ko) | 2021-03-31 | 2023-12-01 | 아데이아 세미컨덕터 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 캐리어의 직접 결합 및 분리 |
| KR20230163554A (ko) | 2021-03-31 | 2023-11-30 | 아데이아 세미컨덕터 본딩 테크놀로지스 인코포레이티드 | 캐리어의 직접 결합 및 분리 |
| US20230005850A1 (en) | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Element with routing structure in bonding layer |
| CN117859202A (zh) | 2021-07-16 | 2024-04-09 | 美商艾德亚半导体接合科技有限公司 | 用于接合结构的光学阻塞保护元件 |
| US20230036441A1 (en) | 2021-08-02 | 2023-02-02 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Protective semiconductor elements for bonded structures |
| WO2023034738A1 (en) | 2021-09-01 | 2023-03-09 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Stacked structure with interposer |
| US20230067677A1 (en) | 2021-09-01 | 2023-03-02 | Invensas Bonding Technologies, Inc. | Sequences and equipment for direct bonding |
-
2020
- 2020-12-16 US US17/124,408 patent/US11762200B2/en active Active
- 2020-12-17 CN CN202080095120.8A patent/CN115039223A/zh active Pending
- 2020-12-17 JP JP2022537223A patent/JP2023507977A/ja active Pending
- 2020-12-17 EP EP20902963.6A patent/EP4078675A4/en active Pending
- 2020-12-17 WO PCT/US2020/065544 patent/WO2021127138A1/en unknown
- 2020-12-17 KR KR1020227024563A patent/KR20220116019A/ko unknown
-
2023
- 2023-07-27 US US18/360,193 patent/US20240103274A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US11762200B2 (en) | 2023-09-19 |
| JP2023507977A (ja) | 2023-02-28 |
| CN115039223A (zh) | 2022-09-09 |
| WO2021127138A1 (en) | 2021-06-24 |
| US20240103274A1 (en) | 2024-03-28 |
| EP4078675A1 (en) | 2022-10-26 |
| US20210181510A1 (en) | 2021-06-17 |
| EP4078675A4 (en) | 2024-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20220116019A (ko) | 결합형 광학 디바이스 | |
| JP7248828B2 (ja) | シリコン上のカラーｉｌｅｄディスプレイ | |
| US8022421B2 (en) | Light emitting module having LED pixels and method of forming the same | |
| TW201714012A (zh) | 投射顯示器系統 | |
| US20220254831A1 (en) | Double color micro led display panel | |
| US11476296B2 (en) | Double color micro LED display panel | |
| EP3979341A1 (en) | Light emitting element having cantilever electrode, display panel having same, and display device | |
| KR20220025756A (ko) | 광전자 장치를 위한 집적 구조물의 제조 방법 및 광전자 장치를 위한 집적 구조물 | |
| KR20180009130A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| TW202349647A (zh) | 具有光萃取效率增強的微顯示器架構 | |
| KR20200062762A (ko) | 마이크로 광원 어레이, 이를 포함한 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| KR20180009135A (ko) | 도파관을 이용하는 3d 디스플레이 장치 | |
| KR20240019269A (ko) | 컬러 광전자 솔리드 스테이트 디바이스 | |
| KR20220147565A (ko) | 마이크로 led 디스플레이 제조 시스템 및 방법 | |
| CN114450809A (zh) | 彩色光电固态装置 | |
| WO2023180225A1 (en) | A polychrome wafer structure, a polychrome display device, and a method for production |