TW201714012A - 投射顯示器系統 - Google Patents

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Abstract

一發光二極體(LED)投影機包括一LED顯示器面板及一投影透鏡，該投影透鏡係配置在LED顯示器面板前方，且組配來聚集與投射該LED顯示器面板所發射的光。此LED顯示器面板包括一LED面板及配置在該LED面板上方的一微透鏡陣列。此LED面板包括一基體；一驅動器電路陣列，其位在該基體上且包括成一陣列配置的多個像素驅動器電路；及一LED陣列，其包括各耦合到該等像素驅動器電路中之一者的多個LED晶粒。該微透鏡陣列包括各對應於該等LED晶粒中之至少一者且配置於其上方的多個微透鏡。

Description

投射顯示器系統
相關申請案之交互參照 本申請案係為於2016年8月17日申請之第15/239,467號部分連續申請案，該案為2016年1月27日申請之第15/007,959號部分連續申請案，其基於分別在2015年9月4日、2015年11月20日、及2015年11月25日所申請之美國臨時申請案第62/214,395、62/258,072及62/259,810號且請求其優先權利益，所有的整個內容藉參考方式併入本文。
本案揭露內容有關一投射顯示器系統，且更特定的是有關具有一或多個發光二極體(LED)顯示器面板之一投射顯示器系統。
自從於1920年代早期發明第一台電視機，顯示技術在過去90年中已發展迅速。其中一顯示技術係為數位顯示，其已變成現代電子器件及光電子器件之領域中的最大分支之一者，且在其中需要影像形成功能之不同應用中產生需求。在那些應用中，具有以低成本產生大尺寸影像之潛力之以投影為基礎的顯示器，係有極大重要性。
在基於被動成像器裝置的傳統投射系統中，諸如液晶顯示器(LCD)、數位鏡裝置(DMD)及矽上液晶(LCOS)，被動成像器裝置本身不發光。特別地，傳統投射系統透過光學調變從一光源發射的準直光來投影影像，亦即透過例如由LCD面板發送或例如由DMD面板反射像素等級的部分光。然而，沒有發送或反射的光會損失，其降低投射系統的效率。此外，為提供準直光，需要複雜的照明光學物件來聚集光源發射的發散光。此照明光學物件不僅使系統變得龐大，還將額外的光學損失引入系統，其更影響系統的性能。於一傳統投射系統中，典型小於光源產生之照明光的10%係用來形成投影影像。
此外，一傳統LCD投射顯示器系統通常包括作為光源的一高壓水銀(Hg)燈、及用以控制不同顏色光之通過的三個LCD面板。傳統LCD投射顯示器系統通常亦需要將來自光源之光分成不同顏色之光束的多個分光組件；用以將光束導向對應LCD面板的多個反射鏡；及用以散熱的多個風扇。因此，傳統LCD投射顯示器系統可能龐大且無法節能。例如，傳統LCD投射顯示器系統可具有232 mm´132 mm´40 mm的尺寸，且只有約10流明/瓦的效率。
半導體材料製成的發光二極體(LED)可用在單色或全彩顯示器上。在現今採用LED的顯示器中，LED通常用作光源以提供待由LCD或DMD面板光學調變的光。亦即，LED發射的光本身不會形成影像。使用包括多個LED晶粒之LED面板作為成像器裝置的LED顯示器亦已被研究。在此一LED顯示器中，LED面板係為一自我發射成像器裝置，其中各像素可包括一個LED晶粒(單色顯示器)、或而當包括各表示多種原色之一的多個LED晶粒(全彩顯示器)。然而，使用LED面板作為成像器裝置的投射顯示器系統尚未發展。
根據本案揭露內容，提供一發光二極體(LED)投影機，其包括一LED顯示器面板及一投影透鏡，該投影透鏡係配置在LED顯示器面板前方且組配來聚集及投射LED顯示器面板發出的光。此LED顯示器面板包括一LED面板及配置在該LED面板上方的一微透鏡陣列。此LED面板包括一基體；在該基體上且包括成一陣列配置之多個像素驅動器電路的一驅動器電路陣列；及包括多個LED晶粒之一LED陣列，該等LED晶粒各耦合至該等像素驅動器電路中之一者。此微透鏡陣列包括各對應於該等LED晶粒中之至少一者且配置於其上方的多個微透鏡。
依據本案揭露內容的特徵及優點一部分將列於下文論述中，而一部分將從說明書中變得明顯或可藉揭露內容的實施得知。此等特徵及優點將可透過後附申請專利範圍特別指出的多個元件及組合來了解與達成。
應了解的是，如所請求地，前述概括敘述及以下詳細敘述僅皆為例示及具解釋性，且對本發明不具限制性。
併入且構成本說明書之一部分的後附圖式，繪示本發明的多個實施例，且與說明書一併用來解釋本發明的原理。
在下文中，依據本案揭露內容的多個實施例將參照圖式來描述。在可行時，相同標號將於整篇圖式用來表示相同或相似部分。
發光二極體(LED)晶粒發射的光係從自發性發射產生，且因此不具方向性，造成一大的發散角。於利用具有多個LED晶粒之一LED陣列作為一自我發射成像器裝置的一投射系統中，需要一投影透鏡或一投影透鏡組來投射LED陣列所產生的影像，且投影透鏡可能具有一有限的數值孔徑。因此，由於LED晶粒之大的發散角，僅有一部分LED晶粒發射的光可由投影透鏡聚集。此會降低以LED為基礎之投射系統的亮度及/或增加功率消耗。
依據本案揭露內容之實施例包括作為一自我發射成像器裝置的一單石整合LED顯示器面板，其包括具有一像素驅動器電路陣列之一基體、形成在該基體上方的一LED晶粒陣列、及形成在該LED晶粒陣列上方的一微透鏡陣列；及製造該LED顯示器面板之方法。此LED顯示器面板及基於LED顯示器面板之投射系統將光源、成像功能及光束準直功能組合到單一單石裝置中，且能夠克服傳統投影系統的缺點。
圖1係為顯示依據本案揭露內容之一些實施例中之一範例垂直整合半導體裝置100的一橫截面視圖。此半導體裝置100包括具有以一陣列形成於其中之多個驅動器電路104的一驅動器電路晶圓102。在本文中使用時，「晶圓」一詞係指可能或可能不具裝置結構或其他微細結構形成於其中的一薄材料部分。半導體裝置100更包括形成在驅動器電路晶圓102上方的一功能性裝置磊晶層105。此功能性裝置磊晶層105包括成一陣列配置的多個功能性裝置晶粒106。在本文中使用時，「晶粒」一詞係指一小塊的半導體材料或一小面積的半導體材料之一部分，其中包括有一或多個個別功能性裝置。半導體裝置100亦包括形成在驅動器電路晶圓102與功能性裝置磊晶層105之間的一接合金屬層107。此接合金屬層107包括成一陣列配置且空間上與電氣上彼此隔離的多個接合金屬墊108。
依據本案揭露內容，驅動器電路104各對應於接合金屬墊108中之一者且與其水平對準。此外，功能性裝置晶粒106各對應於且水平對準於驅動器電路104中之一者及接合金屬墊108中之一者。亦即，一個驅動器電路104與一個對應的功能性裝置106透過僅一個對應的接合金屬墊108接合在一起。換言之，驅動器電路104、接合金屬墊108及功能性裝置106具有一對一關係。
依據本案揭露內容，接合金屬墊108各包括一或多個電氣傳導材料，諸如一或多個金屬或合金，且亦作為對應驅動器電路104與功能性裝置晶粒106間用以於其間傳送電氣信號的一電氣接點。例如，用於接合金屬墊108之接合材料可為錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鈀(Pd)或銅(Cu)、或這些材料中之任兩者或更多者的一合金，諸如Au-Sn金屬合金。替代地，接合金屬墊108各可包括具有多個子層的一複合層，此等子層各包括一或多個合適材料或其合金。此外，接合金屬墊108各亦可包括一附著層及/或一接合擴散障壁層，其在面向驅動器電路晶圓102之側及面向功能性裝置磊晶層105之側中的任一者或各者上。此附著層利於接合金屬墊108與驅動器電路晶圓102或對應功能性裝置晶粒106之間的附著性，而接合擴散障壁層協助防止或減少接合材料的擴散。
在本案揭露內容中，功能性裝置晶粒106係指可執行某些功能的半導體晶粒。此等功能性裝置晶粒106可彼此相同或相異。根據本案揭露內容，功能性裝置晶粒106係組配成沒有用以生長形成功能性裝置晶粒106用之磊晶層的一生長基體之部分留在功能性裝置晶粒106中。
在一些實施例中，功能性裝置晶粒106可為光電子裝置晶粒，諸如發光裝置晶粒或光吸收裝置晶粒。此等發光裝置晶粒可為發光二極體(LED)晶粒。該等發光裝置晶粒亦可為雷射二極體(LD)晶粒，諸如邊緣發射型雷射(例如法布里-博羅(FP)雷射、分散式反饋(DFB)雷射、或分散式布拉格反射器(DBR)雷射)或垂直腔面發射雷射(VCSEL)。光吸收裝置晶粒的範例包括半導體光檢測器晶粒及太陽能電池。若功能性裝置晶粒106為光電子裝置晶粒，則功能性裝置晶粒106各包括與某波長或某波長範圍相關聯之一作用區域，亦即，作用區域係組配來發射或吸收某波長或某波長範圍的光。如先前所提，功能性裝置晶粒106可彼此相同或相異。對應地，不同功能性裝置晶粒106的作用區域可與相同或不同波長或波長範圍相關聯。
於一些實施例中，若功能性裝置晶粒106包括LED晶粒，則功能性裝置晶粒106各可包括一粗糙化最上磊晶層。此最上磊晶層的上表面經粗糙化以改善來自LED晶粒的光擷取。
功能性裝置晶粒106不限於光電子裝置，而可為其他類型的電氣裝置。例如，功能性裝置晶粒106可為微機電系統(MEMS)晶粒，諸如MEMS感測器。功能性裝置晶粒106亦可為功率電子裝置晶粒，諸如絕緣閘極雙極電晶體(IGBT)晶粒、蕭特基障壁二極體(SBD)晶粒、或接面障壁蕭特基(JBS)整流器晶粒。
視功能性裝置晶粒106之類型而定，功能性裝置磊晶層105可由不同類型的材料製成。例如，功能性裝置磊晶層105可包括元素半導體(例如矽(Si)或鍺(Ge))。功能性裝置磊晶層105亦可包括化合物半導體，諸如II-VI族化合物半導體(例如氧化鋅(ZnO)、碲化鋅(ZnTe)及硫化鋅(ZnS))、III-V族化合物半導體(例如以磷化銦(InP)為基礎的半導體，諸如InP、砷化銦鎵(InGaAs)、及磷砷化銦鎵(InGaAsP)；以砷化鎵(GaAs)為基礎的半導體，諸如GaAs、砷化鋁鎵(AlGaAs)、及銻化鎵砷(GaAsSb)；或以氮化鎵(GaN)為基礎的半導體，諸如GaN、氮化銦鎵(InGaN)、及氮化鋁鎵(AlGaN))、或IV-IV族化合物半導體(例如碳化矽(SiC)或Si-Ge合金)。
在本案揭露內容中，驅動器電路晶圓102亦稱為「驅動器電路基體」或「載體晶圓」。驅動器電路晶圓102可包括一半導體基體，諸如非晶半導體基體、多晶半導體基體、或單晶半導體基體。例如，驅動器電路晶圓102可包括一單晶矽(Si)基體或單晶III-V族化合物半導體基體。於一些實施例中，驅動器電路晶圓102可包括形成在半導體基體上方的一或多個介電層(圖中未顯示)，諸如二氧化矽(SiO2 )層。驅動器電路104的接線及/或接點可被形成在該一或多個介電層中或上方。
依據功能性裝置晶粒106之類型而定，驅動器電路104可包括不同類型的裝置。例如，驅動器電路104各可包括單一半導體裝置，諸如金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、薄膜電晶體(TFT)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、異質接面雙極電晶體(HBT)、金屬半導體FET (MESFET)、或金屬絕緣體半導體FET (MISFET)、或包括任何以上所列類型裝置中之二或更多者的一積體電路。
圖1係為半導體裝置100的一高階示意圖。驅動器電路104或功能性裝置晶粒106雖於圖1中各繪示成單一塊體，但可包括諸如接點及不同材料層的多個組件。此外，依據本案揭露內容的半導體裝置100亦可包括其他組件，諸如接線、隔離層、及/或鈍化層，其可為驅動器電路晶圓102之部分及/或功能性裝置磊晶層105之部分，或可為驅動器電路晶圓102、功能性裝置磊晶層105及接合金屬層107以外的組件。這些其他組件並未明示在圖1中，且亦可能未明示在本案揭露內容之其他圖式中。根據本案揭露內容，由於半導體裝置100中的功能性裝置晶粒106沒有任何部分的生長基體留在它們的頂部上，故與功能性裝置晶粒106相關的其他組件，諸如用於功能性裝置晶粒106之接線及鈍化層，可被直接形成在各功能性裝置晶粒106中之最上磊晶層上。
圖2A~圖2E概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之半導體裝置100的一範例程序。如圖2A中所示，一第一預接合金屬層202係形成在驅動器電路晶圓102上方，其中驅動器電路104已先形成於驅動器電路晶圓102中。此第一預接合金屬層202包括一接合材料子層，其含有例如Sn、Au、Ni、Pd或Cu、或其合金。此接合材料子層亦可包括具有一或多種接合材料的多個層之一多層結構。於一些實施例中，第一預接合金屬層202亦可包括形成於接合材料子層與驅動器電路晶圓102之間的一附接子層及/或一接合擴散障壁子層。此附接子層係組配來增強接合材料子層與驅動器電路晶圓102之間的附著性，而接合擴散障壁子層係組配來防止或減少接合材料的擴散。
參照圖2B，與驅動器電路晶圓102分離地，一第二預接合金屬層204係形成在一功能性裝置晶圓206上方。此第二預接合金屬層204包括一接合材料子層，其含有例如Sn、Au、Ni、Pd或Cu、或其合金。此接合材料子層亦可包括具有一或多種接合材料的多個層之一多層結構。於一些實施例中，第二預接合金屬層204亦可包括形成於接合材料子層與功能性裝置晶圓206之間的一附接子層及/或一接合擴散障壁子層。此附接子層係組配來增強接合材料子層與功能性裝置晶圓206之間的附著性，而接合擴散障壁子層係組配來防止或減少接合材料的擴散。在本案揭露內容中，功能性裝置晶圓206亦稱為「磊晶晶圓」。功能性裝置晶圓206包括亦稱為「磊晶結構層」之一功能性裝置磊晶結構層208，其磊晶生長於一生長基體210上。依據要如上述形成之功能性裝置晶粒106的類型而定，磊晶結構層208可包括適於形成最終功能性裝置晶粒106的不同磊晶結構。例如，磊晶結構層208可包括一光電子裝置磊晶結構層，諸如LED磊晶結構層、VCSEL磊晶結構層、或光檢測器磊晶結構層。作為另一範例時，磊晶結構層208可包括一MEMS磊晶結構層，諸如MEMS感測器磊晶結構層。
生長基體210可為適於磊晶結構層208之磊晶生長且分開設置的任何基體。例如，若磊晶結構層208包括以GaN為基礎的材料，則生長基體210可為一藍寶石基體，諸如一經圖案化的藍寶石基體，或可為一SiC基體。作為另一範例，若磊晶結構層208包括以InP為基礎的材料，則生長基體210可為一InP基體。作為又一範例，若磊晶結構層208包括以GaAs為基礎之材料，則生長基體210可為一GaAs基體。
參照圖2C，具有第二預接合金屬層204形成於其上的功能性裝置晶圓206係移送到具第一預接合金屬層202形成於其上的驅動器電路晶圓102 (圖2A中所示)上且與之對準，讓第二預接合金屬層204面對第一預接合金屬層202。功能性裝置晶圓206係與驅動器電路晶圓102接觸，使得第二預接合金屬層204接觸及抵壓第一預接合金屬層202。進行一接合程序以使第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204彼此接合，來形成一未圖案化接合金屬層212。在一些實施例中，此接合程序包括以一高溫加熱，使得第一預接合金屬層202的至少一部分及第二預接合金屬層204之至少一部分熔融，且第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204彼此熔接。進行接合程序的溫度視所使用的接合材料而定，且可例如在Au-Sn合金作為接合材料時，該溫度可為約230ºC到高於350ºC。其他接合技術亦可被應用，只要它們可將第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204接合在一起即可。
在第一預接合金屬層202與第二預接合金屬層204接合在一起以形成未圖案化接合金屬層212之後，生長基體210被移除以暴露磊晶結構層208，如圖2D中所示。生長基體210可使用任何合適物理或化學基體移除技術來移除，諸如雷射剝離、化學機械研磨(CMP)或濕式蝕刻。
在生長基體210移除之後，剩餘部分構成依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置200。亦即，半導體裝置200係為在形成半導體裝置100程序期間所形成的中間產品。半導體裝置200包括具有成一陣列配置之多個驅動器電路104的驅動器電路晶圓102、形成在驅動器電路晶圓102上方之未圖案化接合金屬層212、及形成在未圖案化接合金屬層212上方的磊晶結構層208。特別是，類似半導體裝置100，半導體裝置200不包括生長基體210，且因此磊晶結構層208係暴露於環境中。有別於半導體裝置100，半導體裝置200具有一水平連續的未圖案化接合金屬層212及一水平連續的磊晶結構層208。
依據本案揭露內容，在生長基體210被移除之後，磊晶結構層208與未圖案化接合金屬層212可例如使用一光微影方法而圖案化，以分別形成功能性裝置平台214及接合金屬墊108，如圖2E中所示。此圖案化程序的細節在此省略。於一些實施例中，功能性裝置平台214可為功能性裝置晶粒106，致使圖2E中所示得自上述範例程序的半導體裝置係等效於圖1中所示的半導體裝置100。在一些實施例中，可實行進一步加工以從功能性裝置平台214形成功能性裝置晶粒106，而形成圖1中所示的半導體裝置100。此外，在圖案化程序之後，可進行其他程序來例如形成接線、絕緣層及/或鈍化層，或使功能性裝置晶粒106之上表面粗糙化，以改善例如LED晶粒之實例中的光擷取。此等程序的說明在此亦省略。
圖3A~圖3D概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之半導體裝置100的另一範例程序。在此範例程序中，在驅動器電路晶圓102與功能性裝置晶圓206上方分別形成第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204的步驟與以上配合圖2A及2B敘述的那些者類似。因此，這兩個步驟在圖3A~圖3D中不再說明且其敘述在此省略。
參照圖3A，第一預接合金屬層202被圖案化以形成多個第一預接合金屬墊302。此等第一預接合金屬墊302係成一陣列配置。該等第一預接合金屬墊302各對應於且電氣耦合至驅動器電路104中之一者。於一些實施例中，一個第一預接合金屬墊302僅對應於一個驅動器電路104。
根據本案揭露內容，第一預接合金屬層202可使用任何合適圖案化方法來圖案化。例如，第一預接合金屬層202可在第一預接合金屬層202被蝕刻以移除其部分期間，使用光微影方法來圖案化，而形成多個第一預接合金屬墊302。替代地，第一預接合金屬層202可使用剝離方法來圖案化。為利用剝離方法將第一預接合金屬層202圖案化，適於剝離的一材料層(圖中未顯示)，諸如光阻層，可被形成在驅動器電路晶圓102上方，且在第一預接合金屬層202形成前被圖案化。在此情況下，第一預接合金屬層202被形成在圖案化的剝離材料層上方。此圖案化的剝離材料層接著沿第一預接合金屬層202中形成在剝離材料層正上方的部分而移除。第一預接合金屬層202的剩餘部分形成多個第一預接合金屬墊302。
參照圖3B，第二預接合金屬層204被圖案化以形成成一陣列配置的第二預接合金屬墊304。第二預接合金屬墊304各對應於第一預接合金屬墊302中之一者，且亦對應於待形成之功能性裝置晶粒106中的一者。依據本案揭露內容，第二預接合金屬層204可使用類似於用來將第一預接合金屬層202圖案化的方法來圖案化，例如第二預接合金屬層204可透過蝕刻或剝離來圖案化。
在第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204被圖案化後，功能性裝置晶圓206被移送到驅動器電路晶圓102上且與之對準，讓第二預接合金屬墊304面對第一預接合金屬墊302中的對應者，如圖3C中所示。第二預接合金屬墊304各與第一預接合金屬墊302中之一者對準。功能性裝置晶圓206係與驅動器電路晶圓102接觸，使得第二預接合金屬墊304接觸及抵壓它們對應的第一預接合金屬墊302。類似於配合圖2C所描述的接合程序，係進行來將第二預接合金屬墊304與第一預接合金屬墊302接合，以形成接合金屬墊108。
在第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304被接合在一起以形成具有接合金屬墊108之接合金屬層107後，生長基體210被移除以暴露出磊晶結構層208，如圖3D中所示。
於生長基體210被移除後，剩餘的部分構成依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置300。亦即，半導體裝置300係為形成半導體裝置100之程序期間的另一中間產品。半導體裝置300包括具有成一陣列配置之多個驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方且具有成一陣列配置之多個接合金屬墊108的接合金屬層107；及形成在接合金屬層107上方的磊晶結構層208。特別是，類似於半導體裝置100，半導體裝置300不包括生長基體210，且因此磊晶結構層208係暴露於環境中。有別於半導體裝置100，半導體裝置300具有一水平連續的磊晶結構層208。
依據本案揭露內容，在生長基體210被移除之後，磊晶結構層208可例如使用光微影方法而圖案化，以形成功能性裝置平台214，造成類似於圖2E中所示的半導體裝置，因此不再贅示。對磊晶結構層208之進行圖案化的細節在此省略。
圖4A及4B概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之半導體裝置100之程序的另一範例程序。在此範例程序中，形成第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204的步驟與將第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204圖案化以形成第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304的步驟，係類似於以上配合圖2A、2B、3A及3B所述的那些者。因此，這些步驟不再於圖4A及圖4B中說明，且其敘述省略。
參照圖4A，磊晶結構層208係圖案化以形成功能性裝置平台214。例如，磊晶結構層208可使用第二預接合金屬墊304作為遮罩透過蝕刻來圖案化。作為另一範例，磊晶結構層208可透過一分開的光微影程序來圖案化，其包括例如在磊晶結構層208及第二預接合金屬墊304上方形成一光阻層，將該光阻層圖案化以移除光阻層之部分，讓一些剩餘部分留在第二預接合金屬墊304上方，且接著使用光阻層的剩餘部分作為遮罩來蝕刻磊晶結構層208。光阻層之剩餘部分可各具有大於對應之第二預接合金屬墊304的一較大面積，且因此藉以上第二範例程序形成之多個功能性裝置平台214可各具有大於對應之第二預接合金屬墊304之較大面積，即便在圖4A中並未明示此種較大面積。
因而，如圖4B中所示，功能性裝置晶圓206與驅動器電路晶圓102接合。類似於以上配合圖3C所敘述的一接合程序係進行來將功能性裝置晶圓206與驅動器電路晶圓102接合。
在功能性裝置晶圓206與驅動器電路晶圓102接合一起後，生長基體210係被移除以暴露功能性裝置平台214，造成類似於圖2E中所示的半導體裝置，因此不再贅示。
於以上配合圖4A及圖4B所述之範例程序中，第二預接合金屬層204係先形成及圖案化，以形成第二預接合金屬墊，而磊晶結構層208於其後被圖案化。在一些實施例中，磊晶結構層208可在第二預接合金屬層204被形成在功能性裝置晶圓206上方前被圖案化。此範例程序在下文配合圖5A及圖5B敘述。
於此範例程序中，形成及圖案化第一預接合金屬層202的步驟係類似於以上配合圖2A及圖3A敘述的那些者。因此，這些步驟於圖5A及圖5B中不再說明，且其敘述省略。
參照圖5A，磊晶結構層208係例如使用光微影方法來圖案化以形成功能性裝置平台214。接著，如圖5B中所示，第二預接合金屬墊304係形成在功能性裝置平台214上方。例如，形成第二預接合金屬墊304可包括先積設預接合金屬層204 (圖5B中未顯示)，且接著將預接合金屬層204圖案化以形成第二預接合金屬墊304。此範例程序的後續程序步驟係類似於以上配合圖4B及圖4C中所述的那些者，且因而不再說明且其敘述省略。
在以上配合圖2A~圖2E描述的範例程序中，第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204皆在驅動器電路晶圓102及功能性裝置晶圓206接合在一起之後才被圖案化，而在以上配合圖3A~圖5B描述的範例程序中，第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204係在驅動器電路晶圓102及功能性裝置晶圓206接合在一起之前被圖案化。於其他實施例中，第一預接合金屬層202或第二預接合金屬層204中任一者可在接合程序之前被圖案化，而另一者可在接合程序之後被圖案化。
在以上配合圖3A~圖5B所述之範例程序中，第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304係在接合程序前形成。第一預接合金屬墊302彼此實體上及電氣上分開。同樣地，第二預接合金屬墊304彼此實體上及電氣上分開。然而，在接合程序期間，第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304之部分可能熔融，且在接合程序期間所施用的壓力下，來自第一預接合金屬墊302及/或第二預接合金屬墊304的熔融金屬可沿著驅動器電路晶圓102流動，且到達鄰近的第一預接合金屬墊302及/或第二預接合金屬墊304，而在所得的半導體裝置中造成短路。為避免此問題，防止熔融金屬到達鄰近第一預接合金屬墊302及/或第二預接合金屬墊304的多個結構，可被形成在半導體裝置中。圖6A及圖6B顯示依據本案揭露內容之一些實施例具有此等結構之一範例半導體裝置600。
圖6A係為概要顯示半導體裝置600的一橫截面視圖，半導體裝置600係類似於半導體裝置100，但半導體裝置600更包括配置在驅動器電路晶圓102與功能性裝置磊晶層105間的一介電隔離層602。此介電隔離層602包括多個第一突出結構604及圍繞第一突出結構604的多個第二突出結構606。如圖6A中所示，第一突出結構604各形成在驅動器電路104中之一者上方，而接合金屬墊108各形成在第一突出結構604中之一者上方。亦即，第一突出結構604各「固持」一個接合金屬墊108，且因此第一突出結構604在本案揭露內容中亦係稱「接合金屬墊階座」或「焊墊階座」。
圖6B係為半導體裝置600的一平面圖，顯示第二突出結構606圍繞各第一突出結構604，且將鄰近的第一突出結構604彼此分開。如圖6A及圖6B中所示，第一突出結構604及對應鄰近的第二突出結構606各界定圍繞第一突出結構604的一凹部608。於接合程序期間，若熔融接合金屬從第一突出結構604流出，它會留在凹部608中且由第二突出結構606所拘限，而不會到達鄰近的接合金屬墊108。因此，凹部608在本案揭露內容中亦稱為「接合金屬容槽」或「焊料容槽」，而第二突出結構606亦稱為「接合金屬拘限壩」或「焊料拘限壩」。
再次參照圖6A，第一突出結構604各包括形成在第一突出結構604之上表面與下表面間的一穿孔610。對應之接合金屬墊108的至少一部分係形成在穿孔610中，形成連到位在第一突出結構604下方之對應驅動器電路104的一電氣路徑。
依據本案揭露內容，介電隔離層602亦可採類似於圖6A及圖6B中所示及以上所述之方式被包括在半導體裝置300中。
如先前所述，功能性裝置晶粒106在空間上係彼此分開。於一些實施例中，一隔離層可被形成在多個功能性裝置晶粒106之間。圖7A及圖7B概要顯示依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置700。半導體裝置700係類似於半導體裝置100，但半導體裝置700更包括形成在多個功能性裝置晶粒106之間的一隔離層702。圖7A係為概要顯示半導體裝置700的一橫截面視圖。於圖7A所示範例中，隔離層702的頂表面係為平坦或大約平坦，且與功能性裝置晶粒106之頂表面齊平或大約齊平。然而，隔離層702可高於或低於功能性裝置晶粒106。依據本案揭露內容，隔離層702可由例如一介電材料形成，以提高鄰近功能性裝置晶粒106之間的電氣隔離性。
如先前所提，功能性裝置晶粒106可為可發射或吸收某一波長之光的光電子裝置晶粒。光電子裝置晶粒之間的空間隔開可確保鄰近光電子裝置晶粒間的良好光學隔離性。此一光學隔離性可例如減少鄰近光電子裝置晶粒間的串擾。該光學隔離性更可藉由選擇用於半導體裝置700中之隔離層702的一合適材料來提升。亦即，隔離層702可由進一步減少鄰近光電子裝置晶粒間之光傳輸的一材料形成。例如，此材料可為一光吸收材料，其可吸收具有與諸如LED晶粒之一光電子裝置晶粒相關聯之波長的光。在本案揭露內容中，與一晶粒或一層體相關聯之一波長或波長範圍係指該晶粒或該層體發射或吸收之光的波長或波長範圍。此吸收性材料可為具有低於空氣之透明度的一材料。在一些實施例中，隔離層702係由對具有與光電子裝置晶粒相關聯之一波長的光為不透明之一材料形成。例如，若光電子裝置晶粒包括發射藍光的LED晶粒，則可選擇對藍光不透明的一材料來形成隔離層702。替代地，隔離層702可包括一反射性材料，其可反射具有與諸如LED晶粒之一光電子裝置晶粒相關聯之波長的光。例如，此反射性材料可將一LED晶粒發射的光反射回那個LED晶粒。降低透明度(吸收性)材料或反射性材料增加個別光電子裝置晶粒的光學限制能力且強化光學隔離性。
於一些實施例中，在功能性裝置晶粒106包括光電子裝置晶粒的情況下，隔離層702不需要完全充填在鄰近光電子裝置晶粒間的空間中，但可在光電子裝置晶粒之側壁上形成順應性層體，特別是在隔離層702係由一反射性材料形成的情形下。
在一些實施例中，如圖7A中所示，半導體裝置700更包括形成在驅動器電路晶圓102之一介電層(圖中未顯示)中的多個接地墊704，亦稱為「接地電極」。接地墊704各與驅動器電路104中之一者相關聯，且對相關聯的驅動器電路104提供一接地準位。此等接地墊704係彼此電氣耦合，且耦合到半導體裝置700的一共地點(圖中未顯示)。
如圖7A中所示，半導體裝置700更包括形成在隔離層702上方的多條金屬接線706。金屬接線706各接觸一對應功能性裝置晶粒106之頂表面的一部分，且電氣耦合到對應的功能性裝置晶粒106。例如，金屬接線706各可與對應功能性裝置晶粒106中的最上磊晶層直接接觸。此外，金屬接線706各包括形成在一接線穿孔710中的一插塞部分708，而此接線穿孔710係形成在隔離層702中。金屬接線706經由金屬接線706之插塞部分708各接觸及電氣耦合到一對應的接地墊704。因此，金屬接線706形成一交互連接的金屬層。
圖7B係為半導體裝置700的一平面圖，其概要顯示半導體裝置700在含功能性裝置晶粒106之功能性裝置區域711中的接線。此外，如圖7B中所示，半導體裝置700更包括用於接收及/或輸出資料的一資料介面712，例如輸入用來控制功能性裝置晶粒106之操作的資料，或輸出功能性裝置晶粒106所產生的資料。半導體裝置700亦包括耦合在資料介面712與功能性裝置區域711間的一控制部分714。控制部分712可包括例如一或多個移位暫存器、一或多個數位類比轉換器(DAC)、及/或一或多個掃描控制器。
在半導體裝置700中，金屬接線706接觸且電氣耦合到接地墊704，接地墊各與驅動器電路104中之一者相關聯。圖8A及圖8B係分別為依據本案揭露內容之一些實施例之另一範例半導體裝置800的橫截面視圖及平面圖。如圖8A及圖8B中所示，半導體裝置800包括形成在隔離層702上方的一連續接線層802。接線層802接觸且電氣耦合到各功能性裝置晶粒106。例如，接線層802可與各功能性裝置晶粒106中的最上磊晶層直接接觸。接線層802係更電氣耦合到形成於圍繞功能性裝置區域711之周邊區域中的接地墊804，如圖8B中所示。
於一些實施例中，依據本案揭露內容的一半導體裝置不包括上述的隔離層702，但具有整個形成在半導體裝置上方的一順應性鈍化層。圖9係為概要顯示此一範例半導體裝置900的一橫截面視圖。半導體裝置900係類似於半導體裝置100，但半導體裝置900更包括一鈍化層902。如圖9中所示，鈍化層902係順應性地形成在功能性裝置晶粒106、接合金屬墊108、及驅動器電路晶圓102的暴露區域上方。例如，鈍化層902可與各功能性裝置晶粒106中的最上磊晶層直接接觸。
在一些實施例中，如圖9中所示，類似於半導體裝置700之半導體裝置900亦包括形成在驅動器電路晶圓102之一介電層(圖中未顯示)中的接地墊704。功能性裝置接觸開口904及接地接觸開口906係分別在功能性裝置晶粒106及接地墊704上方之區域中穿過鈍化層902而形成。金屬接線908係形成在鈍化層902上方，各金屬接線908係電氣耦合到功能性裝置晶粒106及對應接地墊704中之一者的上表面。
在上述圖式中，功能性裝置磊晶層105、接合金屬層107及驅動器電路晶圓102係顯示成一個在另一個之上。於一些實施例中，依據本案揭露內容之半導體裝置可更包括一或多個電極層。例如，半導體裝置可包括形成在功能性裝置磊晶層105與接合金屬層107之間的一裝置側電極層。此裝置側電極層可由一或多個傳導材料形成，且包括多個裝置側電極。此等裝置側電極對應於功能性裝置晶粒106中之一者及接合金屬墊108中之一者，且提供對應功能性裝置晶粒106與接合金屬墊108之間的一電氣路徑。
形成裝置側電極層的材料可針對不同類型的功能性裝置晶粒106而有所不同。例如，若功能性裝置晶粒106包括LED晶粒，則裝置側電極層可包括形成在接合金屬層107上方的一反射層，及形成在該反射層上方的一透明傳導材料層。此反射層反射LED晶粒所產生的光，提高LED晶粒的效能，且可包括一反射材料，諸如Sn、鋁(Al)、銀(Ag)、銠(Rh)、銅(Cu)或Au、或諸如DBR的一反射結構。
於一些實施例中，半導體裝置可額外或替代地包括形成在接合金屬層107與驅動器電路晶圓102之間的一驅動器側電極層。此驅動器側電極層可由一或多個傳導材料形成，且包括多個驅動器側電極。此等驅動器側電極各對應於接合金屬墊108中之一者及驅動器電路104中之一者，且在對應接合金屬墊108與驅動器電路104之間提供一電氣路徑。依據本案揭露內容，驅動器側電極層可被形成在驅動器電路晶圓102上，或至少部分形成在形成於驅動器電路晶圓102上方或中的一介電層中。
如以上所述，依據本案揭露內容的半導體裝置可包括光電子裝置晶粒，且因而為一光電子裝置。在同一光電子裝置中的光電子裝置晶粒可具有一類似結構，且與具有一類似波長或類似波長範圍的光相關聯。於一些實施例中，具有不同相關聯波長或波長範圍的額外光學元件可被形成在用於不同光電子裝置晶粒的光電子裝置中。
圖10係為概要顯示依據本案揭露內容之一些實施例之一範例光電子裝置1000的一橫截面視圖。光電子裝置1000包括具有驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方且具有接合金屬墊108的接合金屬層107；及形成在接合金屬層107上方且具有多個光電子裝置晶粒1006的一光電子磊晶層1005。光電子裝置1000更包括一第一光學元件1010a、第二光學元件1010b及第三光學元件1010c。如圖10中所示，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c各被形成在光電子裝置晶粒1006中之一者上方。在其他實施例中，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c各可被形成在光電子裝置晶粒1006中之一或多者上方。第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c係分別與第一波長或第一波長範圍、第二波長或第二波長範圍、及第三波長或第三波長範圍相關聯，此等波長或波長範圍可彼此不同。在圖10中所示之範例中，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c係形成以覆蓋對應光電子裝置晶粒1006的所有暴露表面。於其他實施例中，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可被形成例如僅位在對應光電子裝置晶粒1006之上表面上方。
依據光電子裝置晶粒1006的類型而定，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可為不同類型的光學元件。例如，光電子裝置晶粒1006係為LED晶粒，諸如以GaN為基礎的紫外線(UV)LED晶粒。於此情況下，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可為含不同類型磷光體的磷層。例如，第一光學元件1010a可含藍色磷光體，第二光學元件1010b可含綠色磷光體，而第三光學元件1010c可含紅色磷光體。因此，LED晶粒發射出的UV光可被轉換成不同顏色。此一光電子裝置可被例如用作為一全彩顯示器面板或一白光照明面板。
作為另一範例，光電子裝置晶粒1006為光檢測器晶粒，諸如以Si為基礎的光檢測器晶粒或以III-V族材料為基礎的光檢測器晶粒。在此情況下，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可為允許不同波長或不同波長範圍的光通過的濾光層。例如，第一光學元件1010a可為允許藍光通過的一濾光層，第二光學元件1010b可為允許綠光通過的一濾光層，而第三光學元件1010c可為允許紅光通過的一濾光層。此一光電子裝置可被用作例如用於數位相機中的一全彩感測器。
作為上述範例的一替代物，光電子裝置晶粒本身可採它們與不同波長或不同波長範圍相關聯的方式組配。圖11係為概要顯示依據本案揭露內容之一些實施例之另一範例光電子裝置1100的一橫截面視圖。光電子裝置1100包括具有驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方且具有接合金屬墊108的接合金屬層107；及形成在接合金屬層107上方且具有多個光電子裝置晶粒1106的光電子磊晶層1105。光電子裝置晶粒1106包括與一第一波長或第一波長範圍相關聯的一第一光電子裝置晶粒1106a；與一第二波長或第二波長範圍相關聯的一第二光電子裝置晶粒1106b；及與一第三波長或第三波長範圍相關聯的一第三光電子裝置晶粒1106c。此第一、第二及第三波長或第一、第二及第三波長範圍可彼此不同。
圖11僅顯示一個第一光電子裝置晶粒1106a、一個第二光電子裝置晶粒1106b、及一個第三光電子裝置晶粒1106c。然而，依據本案揭露內容，光電子裝置1100可具有多於一個的第一光電子裝置晶粒1106a、多於一個的第二光電子裝置晶粒1106b、及/或多於一個的第三光電子裝置晶粒1106c。
於一些實施例中，光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c係為諸如LED晶粒的發光晶粒，其發射不同波長或不同波長範圍的光。例如，第一、第二及第三光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c可分別為紅色、綠色及藍色LED晶粒、或分別為紅色、藍色及綠色LED晶粒、或分別為綠色、紅色及藍色LED晶粒、或分別為綠色、藍色及紅色LED晶粒、或分別為藍色、紅色及綠色LED晶粒、或分別為藍色、綠色及紅色LED晶粒。此一光電子裝置亦可例如用作為一全彩顯示器面板或作為一白光照明面板。
在一些實施例中，光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c係為諸如光檢測器晶粒的光吸收晶粒，其吸收不同波長或不同波長範圍的光。例如，第一光電子裝置晶粒1106a可為檢測藍光的一光檢測器晶粒，第二光電子裝置晶粒1106b可為檢測綠光的一光檢測器晶粒，而第三光電子裝置晶粒1106c可為檢測紅光的一光檢測器晶粒。此一光電子裝置可例如用作用於一數位相機的一全彩感測器。
如圖11中所示，第一光電子裝置晶粒1106a包括與第一波長或第一波長範圍相關聯的一第一作用層1110a。第二光電子裝置晶粒1106b包括與第二波長或第二波長範圍相關聯且形成在一第一偽層1110a’上方的一第二作用層1110b。第三光電子裝置晶粒1106c包括與第三波長或第三波長範圍相關聯且形成在一第二偽層1110b’上方的一第三作用層1110c。而第二偽層1110b’形成在一第三偽層1110a’’上方。依據本案揭露內容，第一作用層1110a、第一偽層1110a’及第三偽層1110a’’具有類似材料結構。同樣地，第二作用層1110b及第二偽層1110b’具有類似材料結構。
如圖11中所示，第一、第二及第三光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c係透過接合金屬層107的接合金屬墊108接合到驅動器電路晶圓102。在此處配合圖11及以下配合圖12A~12K所述的多個實施例中，接合金屬層107亦稱為「第一接合金屬層107」，而接合金屬墊108亦稱為「第一接合金屬墊108」。光電子裝置1100更包括具有多個第二接合金屬墊1114的一第二接合金屬層1112，及具有多個第三接合金屬墊1118 (圖11示出其一)的一第三接合金屬層1116。第二作用層1110b係透過第二接合金屬墊1114中之一者接合到第一偽層1110a’。 第二偽層1110b’係透過第二接合金屬墊1114中之另一者接合到第三偽層1110a’’。進一步地，第三作用層1110c係透過第三接合金屬墊1118中之一者接合到第二偽層1110b’。
圖12A~圖12K概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之光電子裝置1100的一範例程序。在此範例程序中，形成第一預接合金屬層202在驅動器電路晶圓102上方的步驟，係類似於配合圖2A所述者。因而，此步驟於圖12A~圖12K中不再說明且其敘述省略。
參照圖12A，一第二預接合金屬層1202係形成在第一光電子裝置晶圓1204上方。第一光電子裝置晶圓1204包括磊晶生長在一第一生長基體1208上的第一光電子裝置磊晶結構層1206。接著，如圖12B中所示，第一光電子裝置晶圓1204係接合到驅動器電路晶圓102，而第二預接合金屬層1202及第一預接合金屬層202係接合一起，以形成一第一未圖案化接合金屬層1210。其後，如圖12C中所示，第一生長基體1208被移除以暴露第一光電子裝置磊晶結構層1206。
參照圖12D，一第三預接合金屬層1212係形成在第一光電子裝置磊晶結構層1206上方。同樣地，如圖12E中所示，一第四預接合金屬層1214係形成在一第二光電子裝置晶圓1216上方，此第二光電子裝置晶圓包括磊晶生長在一第二生長基體1220上的一第二光電子裝置磊晶結構層1218。接著，如圖12F中所示，第二光電子裝置晶圓1216係接合到第一光電子裝置磊晶結構層1206，而第四預接合金屬層1214及第三預接合金屬層1212係接合一起，以形成一第二未圖案化接合金屬層1222。其後，如圖12G中所示，第二生長基體1220被移除以暴露第二光電子裝置磊晶結構層1218。
參照圖12H，一第五預接合金屬層1224係形成在第二光電子裝置磊晶結構層1218上方。同樣地，如圖12I中所示，一第六預接合金屬層1226係形成在一第三光電子裝置晶圓1228上方，此第三光電子裝置晶圓包括磊晶生長在一第三生長基體1232上的一第三光電子裝置磊晶結構層1230。接著，如圖12J中所示，第三光電子裝置晶圓1228係接合到第二光電子裝置磊晶結構層1218，而第六預接合金屬層1226及第五預接合金屬層1224係接合一起，以形成一第三未圖案化接合金屬層1234。其後，如圖12K中所示，第三生長基體1232被移除以暴露第三光電子裝置磊晶結構層1230。
在第三生長基體1232被移除之後，剩餘部分構成依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置1200。亦即，半導體裝置1200係為在形成半導體裝置1100之程序期間所形成的一中間產品。如圖12K中所示，半導體裝置1200包括具有成一陣列配置之多個驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方的第一未圖案化接合金屬層1210；形成在第一未圖案化接合金屬層1210上方的第一光電子裝置磊晶結構層1206；形成在第一光電子裝置磊晶結構層1206上方的第二未圖案化接合金屬層1222；形成在第二未圖案化接合金屬層1222上方的第二光電子裝置磊晶結構層1218；形成在第二光電子裝置磊晶結構層1218上方的第三未圖案化接合金屬層1234；及形成在第三未圖案化接合金屬層1234上方的第三光電子裝置磊晶結構層1230。特別是，類似半導體裝置1100，半導體裝置1200不包括任何生長基體，且因此第三光電子裝置磊晶結構層1230係暴露於環境中。有別於半導體裝置1100，半導體裝置1200具有水平連續的第一、第二及第三未圖案化接合金屬層1210、1222及1234，及水平連續的第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230。
根據本案揭露內容，在第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係接合到驅動器電路晶圓102上之後，包括將光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230及第一、第二及第三未圖案化接合金屬層1210、1222及1234圖案化之接續程序，係執行來形成圖11中所示的光電子裝置1100。
在以上配合圖12A~圖12K所述的範例程序中，第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係以此順序依序接合到驅動器電路晶圓102。然而，用以接合根據本案揭露內容之第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230的程序係不限於那個範例程序。光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230中之二或更多者可先彼此接合，且而後接合到驅動器電路晶圓102。例如，於一範例程序中，第一光電子裝置磊晶結構層1206係接合到驅動器電路晶圓102。第二及第三光電子裝置磊晶結構層1218及1230係彼此接合，且而後第二及第三光電子裝置磊晶結構層1218及1230之接合結構係接合到第一光電子裝置磊晶結構層1206。於另一範例程序中，第一及第二光電子裝置磊晶結構層1206及1218先彼此接合，且而後第一及第二光電子裝置磊晶結構層1206及1218之接合結構係接合到驅動器電路晶圓102。第三光電子裝置磊晶結構層1230係接著接合到第二光電子裝置磊晶結構層1218。於一進一步範例程序中，第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係先接合一起，且而後第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230的接合結構係接合到驅動器電路晶圓102。
在以上配合圖12A~圖12K所述的範例程序及圖12K中所示之範例半導體裝置1200中，第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係透過一未圖案化金屬層彼此接合或接合到驅動器電路晶圓102。然而，類似於配合圖3A~圖3D所述之範例程序及圖3D中所示之範例半導體裝置300，及配合圖4A~圖5B所述之範例程序及圖4B中所示之範例半導體裝置400，未圖案化接合金屬層1210、1222及1234中之一或多者可在形成半導體裝置1200之程序期間被圖案化。對應地，於半導體裝置1200中，未圖案化接合金屬層1210、1222及1234中之一或多者可以包括多個接合金屬墊之經圖案化接合金屬層替代。
圖11概要顯示包括與三個不同波長或波長範圍相關聯之三個不同類型的光電子裝置晶粒之一範例半導體裝置。於一些實施例中，根據本案揭露內容之一半導體裝置可包括與兩個不同波長或波長範圍相關聯之兩個不同類型的光電子裝置晶粒，或可包括四個或更多不同波長或波長範圍相關聯之四個或更多不同類型的光電子裝置晶粒。光電子裝置晶粒係各接合到驅動器電路晶圓102，且包括一或多個作用層。就具有多個作用層的一光電子裝置晶粒而言，鄰近的作用層亦透過一接合金屬墊彼此接合。
類似地，圖12K概要顯示包括與三個不同波長或波長範圍相關聯之三個光電子裝置磊晶層的一範例半導體裝置。於一些實施例中，根據本案揭露內容之一半導體裝置可包括與兩個不同波長或波長範圍相關聯的兩個光電子裝置磊晶結構層，或可包括與四個或更多不同波長或波長範圍相關聯的四個或更多光電子裝置磊晶結構層。光電子裝置磊晶結構層係各透過一接合金屬層接合到驅動器電路晶圓102，或透過一接合金屬層接合到另一光電子裝置磊晶結構層。
應注意的是，本案揭露內容之圖式僅繪示依據本案揭露內容之範例半導體裝置的概要結構，而可能未繪示半導體裝置之組件的實際形狀及/或尺寸。例如，在上述圖式中，諸如圖1中所示之功能性裝置晶粒106之功能性裝置晶粒的側壁，係顯示垂直於功能性裝置晶粒106及驅動器電路晶圓102之表面。然而，依用以將諸如圖2B中所示之功能性裝置磊晶結構層208之功能性裝置磊晶結構層圖案化的方法，及功能性裝置磊晶結構層是否在被接合到驅動器電路晶圓102之前或之後被圖案化而定，所得的功能性裝置晶粒之側壁可被推拔。此一推拔可在不同方向上且具有不同推拔角度。並且，為簡化說明書內容及使其簡潔，半導體裝置的一些細節及組件並沒有顯示在上述的圖式中，諸如驅動器電路104及其他輔助組件的細部結構。
圖13A及圖13B係分別為概要顯示範例LED面板1300A及1300B的橫截面視圖。如圖13A中所示，LED面板1300A包括單晶矽基體1302及至少部分製造在基體1302中的多個驅動器電路1304。此等驅動器電路1304各包括一以MOS為基礎的積體電路。雖然圖13A中僅顯示一個MOS結構1306供各驅動器電路1304用，但應了解的是驅動器電路1304可具有一個以上的MOS結構。MOS結構1306包括一第一源極/汲極區域1306-1、一第二源極/汲極區域1306-2、及形成在第一與第二源極/汲極區域1306-1及1306-2之間的一通道區域1306-3。MOS結構1306更包括一閘極1306-4及形成在閘極1306-4與通道區域1306-3之間的一閘極介電層1306-5。第一及第二源極/汲極接點1306-6及1306-7係分別形成來電氣耦合到第一及第二源極/汲極區域1306-1及1306-2，用以將第一及第二源極/汲極區域1306-1及1306-2電氣耦合到LED面板1300A的其他部分。
如圖13A中所示，LED面板1300A更包括形成在基體1302上方的一層間絕緣層1308。於一些實施例中，如圖13A中所示，層間絕緣層1308包括一第一子層1308-1及第二子層1308-2。一驅動器輸出電極1310係形成在第二子層1308-2中，且透過一插塞部分1312電氣耦合到第二源極/汲極接點1306-7，此插塞部分1312係形成在第一子層1308-1中並穿經第一子層1308-1。
LED面板1300A更包括多個接合金屬墊1314，其各形成在驅動器電路1304中之一者上。一LED晶粒1316係形成在各接合金屬墊1314上方。
如圖13A中所示，LED晶粒1316之側壁係以LED晶粒1316的上表面係小於LED晶粒1316的下表面之方式推拔。一側壁鈍化層1318係形成在LED晶粒1316的側壁上。依據本案揭露內容，LED面板1300A可例如藉由以上配合圖3A~圖3E所述之範例程序所形成。
參照圖13B，LED面板1300B係類似於LED面板1300A，但LED面板1300B包括具有側壁以會使得各LED晶粒1320之上表面係大於LED晶粒1320之下表面的不同方式推拔之LED晶粒1320。依據本案揭露內容，LED面板1300B可例如藉由以上配合圖4A~圖4C所述之範例程序或以上配合圖5A及圖5B所述之範例程序所形成。
應注意到的是，在以上配合本案揭露內容之圖式描述的多個範例程序中，該等步驟不一定依圖式中所安排的順序來實行，而可採不同次序來實行。例如，形成圖2A中所示之第一預接合金屬層202之步驟可在形成圖2B中所示之第二預接合金屬層204之步驟之前或之後實行。作為另一範例，將第一預接合金屬層202圖案化以形成圖3A中所示之第一預接合金屬墊302之步驟，可在形成圖2B中所示之第二預接合金屬層204之步驟之前或之後實行，且亦可在將第二預接合金屬層204圖案化以形成圖3B中所示之第二預接合金屬墊304之步驟之前或之後實行。
如以上所提，依據本案揭露內容之一LED面板可用作LED投影機中的一成像器裝置。作為一範例，圖14概要顯示依據本案揭露內容之一範例單色LED投影機1400。LED投影機1400包括一LED顯示器面板1402及一投影透鏡或一投影透鏡組1404。LED顯示器面板1402所發射的光係由投影透鏡或投影透鏡組1404聚集，且投射到例如一螢幕(圖中未顯示)上。
如圖14中所示，LED顯示器面板1402包括一LED面板1406及一微透鏡陣列1408。此LED面板1406可為依據本案揭露內容的任何LED面板，諸如前述的LED面板1300A或1300B，且包括多個LED晶粒1410。微透鏡陣列1408包括多個微透鏡1412。此等微透鏡1412各對應於一個LED晶粒1410，且係形成在對應的LED晶粒1410上方。LED晶粒1410所發射的光係先由一對應的微透鏡1412歛聚，而接著投射到投影透鏡1404上。因此，LED晶粒1410所發射之光的發散角會被對應的微透鏡1412縮減。
同樣地，圖15概要顯示依據本案揭露內容的一範例全彩LED投影機1500。LED投影機1500包括一成像單元1502及一投影透鏡或投影透鏡組1504。類似於LED投影機1400，在LED投影機1500中，成像單元1502所發射的光係由投影透鏡或投影透鏡組1504聚集，並投射到例如一螢幕(圖中未顯示)上。
如圖15中所示，成像單元1502包括LED顯示器面板1506及一光束合併器1508。多個LED顯示器面板1506發射不同顏色的光，該等光在光束合併器1508中組合，且接著被投射到投影透鏡1504。LED顯示器面板1506各包括一LED面板1510及一微透鏡陣列1512。類似於LED面板1406，LED面板1510可為依據本案揭露內容的任何LED面板，諸如前述的LED面板1300A或1300B，且包括多個LED晶粒1514。此外，類似於微透鏡陣列1408，微透鏡陣列1512包括多個微透鏡1516。此等微透鏡1516各對應於一個LED晶粒1514，且係形成在對應的LED晶粒1514上方。LED晶粒1514發射的光係先由一對應的微透鏡1516斂集，而接著投射到光束合併器1508中。因此，LED晶粒1514發射之光的發散角會被對應的微透鏡1516縮減。
圖16係為概要顯示依據本案揭露內容之一範例LED顯示器面板1600的一橫截面視圖。LED顯示器面板1600包括一LED面板1602、形成在LED面板1602上方的一光學間隔件1604、及形成在光學間隔件1604上方的一微透鏡陣列1606。
LED面板1602包括一驅動器電路晶圓1608、形成在驅動器電路晶圓1608上方的一接合金屬層1610、及形成在接合金屬層1610上方的一LED陣列1612。驅動器電路晶圓1608包括一基體1608-2及多個驅動器電路1608-4，此等驅動器電路亦稱為「像素驅動器電路」且至少部分形成在基體1608-2中。驅動器電路1608-4形成一驅動器電路陣列。驅動器電路晶圓1608係類似於前述的範例驅動器電路晶圓，諸如以上配合圖1所述的驅動器電路晶圓102，而因此其詳細描述係在此省略。此外，基體1608-2及驅動器電路1608-4係類似於前述的範例基體及驅動器電路，諸如以上分別配合圖13A及圖13B所述之基體1302及驅動器電路1304，而因此它們的詳細描述係在此省略。
接合金屬層1610包括多個接合金屬墊1610-2。接合金屬墊1610-2係類似於前述的範例接合金屬墊，諸如以上配合圖1所述的接合金屬墊108，或以上配合圖13A及圖13B所述的接合金屬墊1314，而因此它們的詳細描述係在此省略。
LED陣列1612包括成一矩陣配置的多個LED晶粒1612-2，此矩陣諸如一個三角形矩陣、方形矩陣、矩形矩陣或六角形矩陣。LED晶粒1612-2係類似於前述範例LED晶粒，諸如以上配合圖10所述之LED晶粒1006、以上配合圖11所述之LED晶粒1106、以上配合圖13A所述之LED晶粒1316、或以上配合圖13B所述之LED晶粒1320，而因此它們的詳細描述係在此省略。類似於前述的LED晶粒，LED晶粒1612-2各藉一對應的接合金屬墊1610-2與一對應的驅動器電路1608-4接合。於一些實施例中，LED晶粒1612-2係彼此相同或相似，且發射相同或相似顏色的光。在一些實施例中，LED陣列1612包括不同類型的LED晶粒，其可發射不同顏色的光。
於一些實施例中，如圖16中所示，LED面板1602更包括形成在驅動器電路晶圓1608、接合金屬層1610及LED陣列1612上方的一絕緣層1614。絕緣層1614亦形成在多個接合金屬墊1610-2之間及多個LED晶粒1612-2之間，以在鄰近的接合金屬墊1610-2之間及鄰近的LED晶粒1612-2之間提供電氣隔離。絕緣層1614係組配成不會阻擋LED晶粒1612-2所發射的光。在一些實施例中，隔離層1614亦在鄰近的LED晶粒1612-2之間提供光學隔離。
LED面板1602亦包括多個金屬電極1616及一共地點1618。金屬電極1616各將一對應的LED晶粒1612-2耦合到共地點1618。
如圖16中所示，微透鏡陣列1606包括多個微透鏡1606-2。微透鏡1606-2各對應於LED晶粒1612-2中之一者且形成於其上方。因此，類似於LED晶粒1612-2，微透鏡1606-2亦可成一個三角形矩陣或方形矩陣配置。光學間隔件1604將微透鏡陣列1606與LED面板1602分開，且在LED晶粒1612-2之各者與一對應的微透鏡1606-2間提供一光學路徑。
如圖16中所示，驅動器電路1608-4、驅動器電路1608-4上方的一接合金屬墊1610-2、接合金屬墊1610-2上方的一LED晶粒1612-2、及LED晶粒1612-2上方的一微透鏡1606-2，形成LED顯示器面板1600的一像素1620。依據本案揭露內容，一個像素1620僅包括一個驅動器電路1608-4、一個接合金屬墊1610-2、一個LED晶粒1612-2、及一個微透鏡1606-2。亦即，驅動器電路1608-4、接合金屬墊1610-2、LED晶粒1612-2及微透鏡1606-2相對於彼此具有一對一的對應關係。
如圖16中所示，LED晶粒1612-2所發射的光(來自一LED晶粒1612-2的光係繪示於圖16中)在穿透對應的微透鏡1606-2之後更為斂聚。亦即，LED晶粒1612-2所發射之光的發散角被縮減。例如，光離開微透鏡1606-2的發散角可從在LED晶粒1612-2發射之際的一發散角約110º縮減到約40º。
在一些實施例中，光學間隔件1604的厚度及因而LED晶粒1612-2與微透鏡1606-2間的距離，可變化以達到不同發散角縮減結果。此外，LED晶粒1612-2與微透鏡1606-2間的距離亦影響可由各微透鏡1606-2聚集之光的多寡，及發散角可被縮減多少。透過LED晶粒1612-2與微透鏡1606-2間的一較小距離，更多來自LED晶粒1612-2的光可由對應的微透鏡1606-2聚集，但光較不斂聚。另一方面，當LED晶粒1612-2與微透鏡1606-2間的距離較大時，較少的光可由對應微透鏡1606-2聚集，但所聚集的光較斂聚，亦即，離開微透鏡1606-2的光具有一較小的發散角。於一些實施例中，光學間隔件1604的光學厚度，即光學間隔件1604之實際幾何厚度，與光學間隔件1604之折射率的乘積可選擇為微透鏡1606-2之焦距之約零倍至約兩倍。
在圖16中，為例示目的，光學間隔件1604及微透鏡陣列1606係假設以相同材料製成，或以具有相同或相似折射率的材料製成，而因此在光學間隔件1604與微透鏡陣列1606之間的邊界處不會發生折射。在一些實施例中，光學間隔件1604及微透鏡陣列1606可由具有不同折射率的不同材料製成。於此等實施例中，折射可發生在光學間隔件1604及微透鏡陣列1606之間的邊界處。例如，微透鏡陣列1606可由具有大於光學間隔件1604之材料之一折射率的材料製成。在此情況下，LED晶粒1612-2所發射的光可更為斂聚。
依據本案揭露內容，光學間隔件1604可由例如玻璃、半導體或空氣製成。微透鏡陣列1606可由例如玻璃或半導體製成。於一些實施例中，光學間隔件1604及微透鏡陣列1606係以同一片材料製成。亦即，原始材料片經加工使得材料片的一部分形成光學間隔件1604，而材料片的另一部分形成微透鏡陣列1606。在圖16及以下待敘述之其他圖式中，光學間隔件1604與微透鏡陣列1606之間繪有一條線。這條線僅供例示目的以顯示光學間隔件1604與微透鏡陣列1606間的邊界，而不一定指出光學間隔件1604與微透鏡陣列1606間的一實際實體介面。視用於光學間隔件1604及微透鏡陣列1606的材料及製造程序而定，光學間隔件1604與微透鏡陣列1606之間可以有或可以沒有一實際實體介面。光學間隔件1604及微透鏡陣列1606可由對LED晶粒1612-2所發射之光為光學透明或半透明的材料製成，諸如聚合物、介電質及半導體。於一些實施例中，光學間隔件1604可包括一氣隙。依據本案揭露內容，亦可改變用於光學間隔件1604及微透鏡陣列1606之材料來達到不同發散角的縮減結果。
微透鏡1606-2的形狀可選擇來達到不同發散角的縮減結果。例如，微透鏡1606-2可為球面透鏡、非球面透鏡或菲涅耳(Fresnel)透鏡。各微透鏡1606-2之底部可具有例如一圓形、方形、矩形、三角形或六角形。
再者，微透鏡1606-2之尺寸相對於對應之LED晶粒1612-2的尺寸可被調整來達到不同發散角的縮減結果。依據本案揭露內容，微透鏡1606-2之諸如直徑的橫向尺寸係大於對應LED晶粒1612-2的橫向尺寸。於本文中，「橫向」係指於圖式中觀看時的水平方向，而微透鏡1606-2之底部的橫向尺寸係用作為微透鏡1606-2的橫向尺寸。於一些實施例中，微透鏡1606-2之橫向尺寸係等於或大於對應LED晶粒1612-2之橫向尺寸的約兩倍。
此外，微透鏡1606-2之材料及形狀亦可能影響微透鏡1606-2的數值孔徑，且因而影響微透鏡1606-2用以縮減發散角的能力。具有較大曲率及/或較高折射率的微透鏡1606-2可較佳縮減發散角。
圖17A~圖17D顯示用以製造依據本案揭露內容之LED顯示器面板1600的一範例程序。如圖17A中所示，提供了一LED面板1602。LED面板1602可使用依據本案揭露內容之一合適方法來製造，諸如前述多個範例方法中之一。例如，LED面板1602可使用以上配合圖2A~圖2E所述的程序來製造。
如圖17B中所示，光學間隔件1604係形成在LED面板1602上方。於一些實施例中，光學間隔件1604可藉施敷一透明材料在LED面板1602上方來形成。此透明材料可為例如一聚合物材料、諸如矽氧化物的介電材料、或諸如氮化鎵的半導體材料。該透明材料可透過例如一化學氣相沉積程序、物理氣相沉積程序或旋塗程序來施敷。在一些實施例中，所沉積的透明材料可藉例如拋光來平坦化。於一些實施例中，取代在LED面板1602上方施敷一透明材料而後加工以形成光學間隔件1604的作法，光學間隔件1604可分開地預先形成且接著接合到LED面板1602上。
參照圖17C，於光學間隔件1604形成後，一聚合物層1702係藉例如一旋塗程序而形成在光學間隔件1604上方。接著，如圖17D中所示，聚合物層1702係使用例如光微影程序來圖案化，以形成一圖案化聚合物層1704。此圖案化聚合物層1704包括成一陣列配置的多個聚合物單元1704-2，其各對應於LED晶粒1612-2中之一者且形成在其上方。於一些實施例中，聚合物單元1704-2的橫向尺寸可受控以控制微透鏡1606-2的橫向尺寸。在一些實施例中，圖案化聚合物層1704的厚度可受控以控制微透鏡1606-2的形狀，例如曲率。
於一些實施例中，聚合物層1702可由感光聚合物製成，使得聚合物層1702可藉對聚合物層1702直接執行一光微影程序來圖案化。在一些實施例中，聚合物層1702係由非感光聚合物製成。於此等實施例中，一光阻層(圖中未顯示)可被形成在聚合物層1702上方，此光阻層係圖案化成具有所欲尺寸的一所欲形狀。聚合物層1702而後使用經圖案化之光阻層作為一遮罩來蝕刻，以形成圖案化聚合物層1704。
在聚合物層1702被圖案化之後，一高溫回流程序係執行來將聚合物單元1704-2轉換成微透鏡1606-2，形成圖16中所示的LED顯示器面板1600。此回流程序可在高於聚合物之熔點或玻璃轉換點的一溫度下執行。回流程序的溫度及時間週期可受控以控制微透鏡1606-2的尺寸及/或形狀。例如，該回流程序可在約180ºC的溫度下持續執行約10分鐘之期間。
其他程序亦可用來在聚合物層1702外形成微透鏡1606-2。圖18、圖19及圖20顯示用以製造依據本案揭露內容之LED顯示器面板1600的其他範例程序。在這些範例程序中，形成LED面板1602、光學間隔件1604及聚合物層1702之步驟係類似以上那些配合圖17A~圖17C所述者。因此，這些步驟不再說明且它們的描述在此省略。
於圖18所示之範例程序，聚合物層1702係由感光聚合物製成，且使用一灰階遮罩1802直接曝光。灰階遮罩1802具有對應於待形成之微透鏡1606-2的一灰階圖案。如圖18中所示，由於灰階圖案，聚合物層1702的不同區域接收不同的曝光量。因此，在後續顯影程序期間，不同數量的聚合物材料係從聚合物層1702之不同區域移除，形成具有彎曲表面的微透鏡1606-2，如圖16中所示。在圖18所示之程序中，曝光劑量及時間週期與灰階遮罩1802中的圖案可受控以控制微透鏡1606-2的尺寸及形狀。
於圖19所示之範例程序中，聚合物層1702可由非感光聚合物製成。在此程序中，一預製模具/壓印模1902壓入聚合物層1702中，以將聚合物層1702之至少一部分轉換成微透鏡1606-2。於一些實施例中，在圖19中所示之壓印程序期間，聚合物層1702可被加熱以使聚合物層1702軟化或熔化。此預製模具/壓印模1902可依期望設計成致使所形成的微透鏡1606-2可具有所欲形狀及尺寸。
在圖20所示之範例程序中，聚合物層1702可由非感光聚合物製成。如圖20中所示，一圖案化光阻層2002係形成在聚合物層1702上方。圖案化光阻層2002包括多個偽單元2002-2，其各具有模擬待形成之對應的微透鏡1606-2之一尺寸及形狀。在一些實施例中，圖案化光阻層2002係藉以下步驟形成：施敷一光阻層在聚合物層1702上方、將該光阻層圖案化以形成光阻單元、及進行一高溫回流程序以將該等光阻單元轉換成多個偽單元2002-2。於一些實施例中，光阻層可使用一灰階遮罩直接經受一光微影程序來形成圖案化光阻層2002，此灰階遮罩諸如圖18中所示之灰階遮罩1802。
如圖20中所示，對圖案化光阻層2002及聚合物層1702執行電漿或離子蝕刻。由於圖案化光阻層2002中的不同區域具有不同厚度，故不同數量的聚合物材料從聚合物層1702之對應區域被蝕刻掉。因而，偽單元2002-2的形狀及尺寸係「轉移」到聚合物層1702，形成微透鏡1606-2。
當採用圖20之程序時，所蝕刻以形成微透鏡1606-2的層體不需以聚合物製成。因此，不採用聚合物層1702，由例如一介電材料或半導體材料製成的另一加工層可被形成在光學層1604上方，且經處理以形成微透鏡1606-2。
在以上配合圖19及圖20所述的範例程序中，光學層1604及聚合物層1702係分開形成。替代地，於一些實施例中，取代分別的光學層1604及聚合物層1702，一加工層可被形成在LED面板1602上方。加工層的一上部分可使用類似於以上配合圖19及圖20所述之多個範例程序中之一的程序來處理，以形成微透鏡陣列1606。加工層的剩餘下方部分用作為光學層1604。在採用圖19之程序時，加工層整個可由聚合物製成。在採用圖20之程序時，加工層整個可由聚合物、介電質或半導體製成。
圖21係為概要顯示依據本案揭露內容之另一範例LED顯示器面板2100的一橫截面視圖。LED顯示器面板2100包括LED面板1602、形成在LED面板1602上方的接合聚合物層2102、及透過接合聚合物層2102接合到LED面板1602的一預製微透鏡總成2104。如圖21中所示，微透鏡總成2104的一部分係預製成多個彎曲突出部2104-2。此等多個彎曲突出部2104-2構成微透鏡1606-2且形成微透鏡陣列1606。微透鏡總成2104的剩餘部分，在此亦稱為「基底部分2104-4」，與接合聚合物層2102一同構成光學間隔件1604。微透鏡總成2104可使用例如前述用以形成微透鏡之程序中之一來製造。
在LED顯示器面板2100中，微透鏡總成2104係透過接合聚合物層2102接合到LED面板1602。於一些實施例中，微透鏡總成2104及LED面板1602可藉由其他手段組裝一起。圖22A及圖22B係為概要顯示依據本案揭露內容之其他範例LED顯示器面板2200A及2200B的橫截面視圖。LED顯示器面板2200A及2200B包括LED面板1602、微透鏡總成2104、及固持LED面板1602與微透鏡總成2104的一機械性夾具2202。特別是，機械性夾具2202包括一第一夾持機構2202-2與一第二夾持機構2202-4。第一夾持機構係組配來容納LED面板1602之一部分，以使固持LED面板1602。第二夾持機構2202-4係組配來容納微透鏡總成2104之一部分，諸如基底部分2104-4的一部分，以使固持微透鏡總成2104。第一夾持機構2202-2與第二夾持機構2202-4可為例如機械性夾具2202中之凹部。
在LED顯示器面板2200A中，微透鏡總成2104之突出部2104-2面對LED面板1602。微透鏡總成2104與LED面板1602之間的一氣隙2206構成光學間隔件1604。於此實例中，由於平坦的基底部分2104-4係朝外，突出部2104-2，即微透鏡1606-2，可受保護免於外力損壞。另一方面，在LED顯示器面板2200B中，微透鏡總成2104之突出部2104-2面對一相對立方向，即面對遠離LED面板1602的方向。於此實例中，氣隙2206與基底部分2104-4一同構成光學間隔件1604。
在上述的範例LED顯示器面板中，光學間隔件及微透鏡陣列係分別從LED面板1602製成。有時，一LED面板中的LED晶粒亦可使用倒裝晶片技術來製造。亦即，半導體磊晶層係先磊晶生長在一生長基體上且被製造來形成LED晶粒。包括生長基體與LED晶粒之所得的磊晶晶圓被翻轉過來，且透過接合墊接合到一驅動器電路晶圓。通常，生長基體係接著藉由例如一拋光程序來薄化。依據本案揭露內容，生長基體的一部分可被製造到微透鏡中，使得沒有額外層需要被形成。
圖23係為概要顯示依據本案揭露內容之另一範例LED顯示器面板2300的一橫截面視圖。於LED顯示器面板2300中，LED晶粒、光學間隔件及微透鏡係從同一半導體磊晶晶圓形成。
如圖23中所示，LED顯示器面板2300包括一LED面板2302、LED面板2302上方的一光學間隔件2304、及光學間隔件2304上方的一微透鏡陣列2306。LED面板2302包括一驅動器電路晶圓2308、形成在驅動器電路晶圓2308上方的一接合金屬層2310、及形成在接合金屬層2310上方的一LED陣列2312。驅動器電路晶圓2308包括多個驅動器電路2308-4。驅動器電路晶圓2308及驅動器電路2308-4係類似於以上配合圖16所述之驅動器電路晶圓1608及驅動器電路1608-4，而因此它們的詳細描述係在此省略。
LED陣列2312包括多個倒裝晶片LED晶粒2312-2。接合金屬層2310包括多個第一接合金屬墊2310-2及多個第二接合金屬墊2310-4。此等第一接合金屬墊2310-2各電氣耦合到對應之LED晶粒2312-2之一電極，諸如p-電極，且亦電氣耦合到對應之驅動器電路2308-4。類似地，該等第二接合金屬墊2310-4各電氣耦合到對應之LED晶粒2312-2的另一電極，諸如n-電極，且電氣耦合到一共地點2318。
如圖23中所示，光學間隔件2304包括彼此分開且電氣隔離的多個間隔件單元2304-2。此等間隔件單元2304-2各對應於LED晶粒2312-2中之一者。由於LED晶粒2312-2及光學間隔件2304係由同一半導體生長基體形成，將多個間隔件單元2304-2電氣隔離可確保多個LED晶粒2312-2之間的電氣隔離性。
此外，微透鏡陣列2306包括多個微透鏡2306-2。微透鏡2306-2在尺寸、形狀及組態上係類似於微透鏡1606-2，但如同光學間隔件單元2304-2及LED晶粒2312-2係從同一半導體磊晶層製成。如圖23中所示，微透鏡2306-2係亦彼此分開且電氣隔離。
特言之，為形成具有微透鏡2306-2之LED顯示器面板2300，可使用以下描述的一範例程序。首先，一半導體磊晶層係生長在一半導體生長基體上。根據待形成之LED陣列2312，此半導體磊晶層可包括多個磊晶子層。該半導體磊晶層接著被加工以形成LED陣列2312，造成在一側上形成有多個LED晶粒2312-2的一半導體磊晶晶圓，而其係形成在半導體生長基體上。此半導體磊晶晶圓係接著對準於驅動器電路晶圓2308並接合到其上，使得LED晶粒2312-2各接合到驅動器電路晶圓2308之多個驅動器電路2308-4中之一者。接合之後，半導體生長基體被移除，留下接合到驅動器電路晶圓2308的半導體磊晶層。此半導體生長基體可藉由例如一雷射剝離程序或諸如濕式蝕刻程序或乾式蝕刻程序的一蝕刻程序來移除。半導體磊晶層之背側，即與供LED晶粒2312-2形成之側相對立的側，係使用例如上述用以形成微透鏡之程序中之一者來形成。於一些實施例中，半導體磊晶層係被加工成微透鏡2306-2彼此分開且電氣隔離。此外，半導體磊晶層在微透鏡陣列2306與LED陣列2312之間的一部分藉例如一蝕刻程序被處理，以形成彼此分開且電氣隔離之多個間隔件單元2304-2。在一些實施例中，於進行用以形成微透鏡2306-2的程序之前，半導體磊晶層係例如透過一拋光程序或蝕刻程序從背側進行薄化。
在上述範例LED顯示器面板中，LED顯示器面板之一像素包括一個LED晶粒，即各驅動器電路控制一個LED晶粒。於一些實施例中，LED顯示器面板可具有各包括兩個或更多LED晶粒的像素，其中各驅動器電路控制兩個或更多LED晶粒。
圖24A係為依據本案揭露內容之另一範例LED顯示器面板2400A的一橫截面視圖。LED顯示器面板2400A係類似於LED顯示器面板1600，但LED顯示器面板2400A中各像素1620包括兩個LED晶粒1612-2(圖24A中僅顯示一個像素)。同一像素1620中的兩個LED晶粒1612-2係彼此並行耦合，且耦合到同一驅動器電路1608-4。於LED顯示器面板2400A中，同一像素1620中的兩個LED晶粒1612-2對應於不同微透鏡1606-2。
圖24B係為依據本案揭露內容之另一範例LED顯示器面板2400B的一橫截面視圖。LED顯示器面板2400B係類似於LED顯示器面板2400A，但LED顯示器面板2400B中同一像素1620中的兩個LED晶粒1612-2共用同一微透鏡1606-2。雖然圖24B顯示兩個LED晶粒1612-2共用同一微透鏡1606-2，但所揭露的裝置亦可讓兩個以上的LED晶粒共用同一微透鏡來實施。亦即，根據本案揭露內容，各微透鏡可對應於兩個或更多LED晶粒且被配置於其上方。
於一些實施例中，例如圖16、圖21、圖22A、圖22B、圖23及圖24A中所示，各微透鏡係與一個對應的LED晶粒對準，例如微透鏡之中心係與對應之LED晶粒的中心大約對準。在一些實施例中，例如圖24B中所示，微透鏡並未與個別LED晶粒對準。
如以上所述，依據本案揭露內容之一LED面板可作為LED投影機中的一成像器裝置。上述的圖14及圖15分別概要顯示一範例單色投影機及一全彩投影機。在全彩LED投影機1500中，光束合併器1508係配置在LED顯示器面板1506與投影透鏡1504間的光學路徑中。亦即，來自LED顯示器面板1506的光係先由光束合併器1508合併，且接著由投影透鏡1504投射到例如一螢幕(圖中未顯示)上。於圖15中，三個LED顯示器面板1506係顯示可為例如包括具有一紅色LED陣列之一紅色LED面板的一紅色LED顯示器面板、具有一綠色LED陣列之一綠色LED面板的一綠色LED顯示器面板、及具有一藍色LED陣列之一藍色LED面板的一藍色LED顯示器面板。
於一投影機中，成像器裝置與投影透鏡之間的距離通常在投影透鏡之焦距到兩倍焦距的範圍中。有時，為了將一影像投影到距投影機相當遠的一表面上，成像器裝置需要被配置靠近投影透鏡的焦點。因此，將光束合併器1508配置在LED顯示器面板1506與投影透鏡1504間之光學路徑中的一位置，可能對光束合併器1508的設計造成限制，特別是光束合併器1508的尺寸。為增加設計彈性，可採用不同組態。
例如，圖25概要顯示依據本案揭露內容之另一範例全彩LED投影機2500。LED投影機2500係類似於LED投影機1500，但LED投影機2500包括一組投影透鏡2504而非投影透鏡1504。各投影透鏡2504對應於LED顯示器面板1506之一，且配置在對應的LED顯示器面板1506與光束合併器1508之間的光學路徑中。亦即，來自LED顯示器面板1506的光係由對應的投影透鏡2504投射到光束合併器1508，且接著由光束合併器1508合併以形成一全彩影像。相較於LED投影機1500，LED投影機2500可允許一更有彈性的投影機設計。例如，由於LED投影機2500中的光束合併器1508沒有配置在LED面板1506與投影透鏡之間，故光束合併器1508的尺寸不會受LED面板1506間的距離與投射長度所限制，且因此可針對光束合併器1508實現一更有彈性的設計。
光束合併器1508可包括一或多個二向分色鏡(dichroic mirror)及一或多個稜鏡，其係組配且配置成會使得某些波長(因而為某些顏色)的光束被反射，而某些其他波長(因而為某些其他顏色)的光束被允許以小量反射發送。據此，從不同方向進入光束合併器1508之不同顏色的光束係沿一相同方向由光束合併器1508輸出。因而，由不同LED顯示器面板產生的不同色彩影像係由光束合併器1508組合以形成一全彩影像。
圖26A~圖26C概要顯示依據本案揭露內容之範例光束合併器2600A、2600B及2600C，其係組配來組合例如分別由紅色、藍色及綠色LED顯示器面板輸出之紅、藍及綠之三原色的影像，以形成一全彩影像。如圖26A中所示，光束合併器2600A包括稜鏡2602、2604、2606及2608，各具有一等腰直角三角形橫截面。第一二向分色鏡2610係配置在稜鏡2602與2608之間，且亦配置在稜鏡2604與2606之間。第一二向分色鏡2610係組配來反射紅光，且允許其他顏色的光通過，而因此亦稱為一紅色反射鏡。第二二向分色鏡2612係配置在稜鏡2602與2604之間，且亦配置在稜鏡2606與2608之間。第二二向分色鏡2612係組配來反射藍光，且允許其他顏色的光通過，而因此亦稱為一藍色反射鏡。
如圖26A中所示，紅光(圖式中實線箭頭)穿過稜鏡2602之亦稱為「紅色輸入表面」之表面2602-2進入光束合併器2600A，被紅色反射鏡2610反射，且穿過稜鏡2604之亦稱為「輸出表面」的表面2604-2離開光束合併器2600A。類似地，藍光(圖式中虛線箭頭)穿過稜鏡2606之亦稱為「藍色輸入表面」之表面2606-2進入光束合併器2600A，被藍色反射鏡2612反射，且穿過輸出表面2604-2離開光束合併器2600A。另一方面，綠光(圖式中點鏈線箭頭)穿過稜鏡2608之亦稱為「綠色輸入表面」的表面2608-2進入光束合併器2600A，且穿過輸出表面2604-2離開光束合併器2600A。因此，來自不同LED顯示器面板的紅光、藍光及綠光係組合來形成待投射在一螢幕上的輸出光。
圖26B中所示的光束合併器2600B包括稜鏡2614、2616、2618及2620。稜鏡2614及2618各具有一梯形橫截面，而稜鏡2616及2620各具有一等腰三角形橫截面。一紅色反射鏡2622係配置在稜鏡2614與2620之間，且亦配置在稜鏡2616與2618之間。一藍色反射鏡2624係配置在稜鏡2614與2616之間，且亦配置在稜鏡2618與2620之間。類似於光束合併器2600A，在光束合併器2600B中，紅光穿過稜鏡2614之一紅色輸入表面2614-2進入光束合併器2600B，被紅色反射鏡2622反射，且穿過稜鏡2614之輸出表面2614-4或稜鏡2616之輸出表面2616-2離開光束合併器2600B。藍光穿過稜鏡2618之藍色輸入表面2618-2進入光束合併器2600B，被藍光反射鏡2624反射，且穿過稜鏡2618之輸出表面2618-4或稜鏡2616之輸出表面2616-2離開光束合併器2600B。不同於紅光及藍光，綠光穿過稜鏡2620之綠色輸入表面2620-2進入光束合併器2600B，且穿過輸出表面2614-4、2616-2及2618-4離開光束合併器2600B。因此，來自不同LED顯示器面板的紅光、藍光及綠光係組合來形成待投射在一螢幕上的輸出光。
範例光束合併器2600A及2600B皆具有一對稱結構，而兩個二向分色鏡彼此交叉。在這些範例中，兩個二向分色鏡中之一或兩者可成多塊來設置。於一些範例中，此等兩個二向分色鏡各可成具有一插入槽形成於其中的一單件體來設置，且該等兩個二向分色鏡可經由該等插入槽彼此交叉。
於一些實施例中，依據本案揭露內容的光束合併器亦可具有一非對稱結構，諸如圖26C中所示的光束合併器2600C。光束合併器2600C包括稜鏡2626、2628及2630。此稜鏡2626及2630各具有一直角三角形橫截面，而稜鏡2628具有一直角梯形橫截面。一紅色反射鏡2632係配置在稜鏡2626與2628之間，而一藍色反射鏡2634係配置在稜鏡2626與2630之間。一氣隙(圖中未顯示)係形成在稜鏡2626與藍色反射鏡2634之間，以允許在一表面2626-4產生全反射。
如圖26C中所示，紅光穿過稜鏡2626的一紅色輸入表面2626-2進入光束合併器2600C，在稜鏡2626之表面2626-4處遭全內反射，由紅色反射鏡2632進一步反射，且穿過稜鏡2630之一輸出表面2630-2離開光束合併器2600C。依據本案揭露內容，稜鏡2626的材料及角度係選擇及設計成會使得紅光在進入稜鏡2626之後以較於表面2626-4的一全反射角為大的一入射角照射在表面2626-4上，但在受紅色反射鏡2632反射後以較於表面2626-4之全反射角為小的一入射角再一次照射在表面2626-4上。因此，紅光可於進入稜鏡2626後在表面2626-4被反射，但可在受紅色反射鏡2632反射後通過表面2626-4。
藍光穿過稜鏡2630之一藍色輸入表面2630-4進入光束合併器2600C，在輸出表面2630-2處遭全內反射，進一步由藍色反射鏡2634反射，且穿過輸出表面2630-2離開光束合併器2600C。類似於稜鏡2626，稜鏡2630的材料及角度係選擇及設計成會使得藍光在進入稜鏡2630之後以較於輸出表面2630-2的一全反射角為大的一入射角照射在輸出表面2630-2上，但在受藍色反射鏡2634反射後以較於輸出表面2630-2之全反射角為小的一入射角再一次照射在輸出表面2630-2。因此，藍光可於進入稜鏡2630後在輸出表面2630-2被反射，但可在受藍色反射鏡2634反射後通過輸出表面2630-2。
類似於圖26A及圖26B所示的範例，於圖26C中所示的範例中，綠光穿過稜鏡2628之一綠色輸入表面2628-2進入光束合併器2600C，且穿過輸出表面2630-2離開光束合併器2600C。於一些實施例中，稜鏡2626、2628及2630係以綠色輸入表面2628-2及輸出表面2630-2彼此平行的方式設計及配置。
由於上述程序及組態的結果，來自不同LED顯示器面板的紅光、藍光及綠光係組合以形成待投影到一螢幕上的全彩輸出光。
在以上配合圖15、圖25及圖26A~圖26C所述的範例中，包括一或多個稜鏡及一或多個二向分色鏡的一光束合併器係用來合併來自不同LED顯示器面板的光，且將經合併的光投射到一螢幕上。亦即，由不同LED顯示器面板產生的影像係組合以形成一全彩影像。依據本案揭露內容，稜鏡及二向分色鏡係組配及配置成不同LED顯示器面板產生的影像重疊在螢幕上。
於一些實施例中，影像組合功能及投影功能可被整合在一組光學物件中。圖27概要顯示依據本案揭露內容之另一範例全彩LED投影機2700。全彩LED投影機2700實質上係為圖14中所示之單色LED投影機1400的擴增，具有發射不同顏色光的LED顯示器面板。如圖27中所示，LED投影機2700包括一LED顯示器面板組2702及一光組合-投影透鏡組2704。LED顯示器面板組2702包括個別發射諸如紅色、綠色及藍色之不同顏色光的多個LED顯示器面板2706。此等LED顯示器面板2706各包括一LED面板2708及一微透鏡陣列2710。各LED面板2708可為依據本案揭露內容的任何LED面板，諸如前述的LED面板1300A或1300B，且包括發射某些顏色光的多個LED晶粒2712。不同LED面板2708上的LED晶粒2712可發射不同顏色光。微透鏡陣列2710可為依據本案揭露內容之任何微透鏡陣列，諸如前述的微透鏡陣列1602或2306，且包括多個微透鏡2714。光組合-投影透鏡組2704包括多個透鏡2716，其各對應於LED顯示器面板2706之一，且係組配來將光從對應的LED顯示器面板2706投射到一螢幕。依據本案揭露內容，透鏡2716係組配且配置成會使得由不同LED顯示器面板2706產生的單色影像重疊在螢幕上以形成一全彩影像。
以上配合圖14及圖15描述的範例LED投影機各包括具有一LED面板及一微透鏡陣列的至少一LED顯示器面板。如同上述，一微透鏡陣列在一LED投影機中可縮減LED晶粒發射的光在對應LED面板上的發散角，且協助提高LED投影機的亮度並減少電力消耗。然而，依據本案揭露內容的LED投影機可在沒有一微透鏡陣列下組配而成。圖28、圖29、圖30及圖31概要顯示依據本案揭露內容的範例LED投影機2800、2900、3000及3100。LED投影機2800、2900、3000及3100係分別類似於LED投影機1400、1500、2500及2700，但LED投影機2800、2900、3000及3100不包括一微透鏡陣列。因此，於LED投影機2800、2900、3000及3100中，LED面板發射的光係在沒有先由一微透鏡陣列斂聚的情況下直接投射到一螢幕上。雖然LED投影機2800、2900、3000及3100相較於對應的LED投影機1400、1500、2500及2700可能具有一較低影像品質(例如較低銳利度)、較低亮度、及/或較高電力消耗，但此等LED投影機的製造成本及複雜性可被降低。
如同上述，於依據本案揭露內容的一投影機中，LED晶粒係由對應的驅動器電路個別或成組控制。此特徵允許投影機有一較為彈性設計及改善性質。例如，在諸如使用光源裝置及LCD成像器裝置者的一傳統投影機中，光源可具有一均勻亮度，其可僅在投影機階層下調整。亦即，由投影機投影之整體影像的亮度係同時調整。然而，於依據本案揭露內容之一投影機中，由於LED面板作為光源裝置及成像器裝置二者，且亦由於LED晶粒係個別或成組控制，LED晶粒的亮度可被單獨或成組調整。此為一LED投影機提供了進一步的益處。
在一投影機中，投影透鏡或透鏡組通常不理想且具有一受限的入射瞳孔(entrance pupil)。此外，如同上述，一LED面板上的LED晶粒通常具有一大的發散角。因此，針對在LED面板之中間部分的一LED晶粒，更多的光可由投影透鏡或透鏡組聚集並投射到一螢幕上，而造成一較亮點。另一方面，針對位在靠近LED面板之一邊緣的一LED晶粒，較少的光可由投影透鏡或透鏡組聚集並投射到螢幕上，而造成一較暗點。故而，投射到螢幕上之影像的亮度將具有一非均勻分佈，即便LED面板發射的光具有均勻亮度。亦即，欲具有一均勻亮度分佈的一影像在投射到螢幕上之際將變成具有一非均勻亮度分佈的影像。
LED面板發射而可被投射到螢幕的光的量可由投影透鏡或透鏡組的一轉移函數特徵化，此轉移函數表示LED晶粒所發射的光在LED面板上之投影透鏡或透鏡組聚集及投射之一位置(x, y)處的一百分比，亦即最終到達螢幕的光量。因此，螢幕上的亮度分佈Es (x, y)可由LED面板之亮度分佈Ep (x, y)及投影透鏡或透鏡組之轉移函數T(x, y)的乘積來表示： Es (x, y)= Ep (x, y)´ T(x, y)  。 在本案揭露內容中，位置(x, y)可根據在LED面板上於各方向中的LED晶粒數量，採相對維度而非絕對維度定義。 例如，若LED面板具有一解析度為1024´768，即LED面板在x-方向具有1024個LED晶粒，而在y-方向具有768個LED晶粒，則x值可從1到1024，而y值可從1到768。於一些實施例中，投影透鏡或透鏡組的轉移函數T(x, y)可藉使用例如一光檢測器量測螢幕上的亮度分佈Es (x, y)及LED面板之亮度分佈Ep (x, y)，及將量測出之Es (x, y)除以量測出之Ep (x, y)來決定。於一些實施例中，轉移函數T(x, y)被正規化，即T(x, y)的最高值被正規化到1。
圖32A概要顯示LED面板的亮度分佈Ep (x, y)、投影透鏡或透鏡組的轉移函數T(x, y)、及螢幕上的亮度分佈Es (x, y)。於圖32A中所示的範例中，LED面板具有一均勻亮度分佈。因此，由於投影透鏡或透鏡組之非均勻的轉移函數，故螢幕上的亮度分佈為非均勻。根據本案揭露內容，由於投影機中的LED晶粒可被個別或成組調整，故螢幕上的亮度不均勻性可藉由根據投影透鏡或透鏡組之轉移函數補償LED面板之亮度來等化，如圖32B中所示。
用來補償LED面板之亮度的範例裝置及方法係於下文敘述。通常來說，一個別LED晶粒之亮度準位，亦即灰階，可藉控制經過LED晶粒之電流，即「驅動電流」來控制。依據本案揭露內容，亮度可依據兩個體系來控制──連續波(CW)控制及脈寬調變(PWM)控制。圖33A及圖33B分別概要顯示CW控制體系及PWM控制體系。在CW控制體系中，驅動電流作為一連續波輸入，而灰階係藉調整LED晶粒之驅動電流的大小來調整，其中較大的驅動電流對應於較高亮度準位，即亮度準位係與驅動電流的大小成比例。依據本案揭露內容，用於LED晶粒的驅動電流可被設定成最大驅動電流的一百分比，此最大驅動電流亦稱為LED晶粒之「全電流」，其中百分比從0%到100%。在PWM控制體系中，驅動電流作為具有一固定大小的脈衝輸入，而灰階係藉調整脈衝的脈寬來調整，其中較寬的脈寬對應於較高的亮度準位，即亮度準位係與驅動電路之脈寬成比例。於PWM控制體系中，驅動電流的大小可被控制在全電流或在全電流的某一百分比。脈寬可被設定成最大寬度的一百分比，其最大寬度可等於LED面板的一個圖框時間。
圖34概要顯示依據本案揭露內容之範例投影機3400的一部分，包括一LED面板3402及組配來控制LED面板3402之操作的一面板控制電路3404。投影機3400之其他組件，諸如投影透鏡或透鏡組、(選擇性)光束合併器、及(選擇性)微透鏡陣列在圖34中係省略。LED面板3402可為依據本案揭露內容的任何LED面板，諸如前述範例LED面板中之一者。如圖34中所示，LED面板3402包括成多行及多列配置的多個像素，其各包括組配來驅動一或多個對應LED晶粒3408的一驅動器電路3406 (為例示目的，圖34中顯示針對各驅動器電路3406僅有一個對應LED晶粒3408)。
面板控制電路3404包括一控制器3410；透過多條資料線耦合到驅動器電路3406的一資料驅動器3412 (亦稱為「行驅動器」)；及透過多條掃描線耦合到驅動器電路3406的一掃描驅動器3414 (亦稱為「列驅動器」)。控制器3410接收圖像資料，且根據該圖像資料輸出一個行控制信號給資料驅動器3412及輸出一個列控制信號給掃描驅動器3414。根據行控制信號，資料驅動器3412輸出對應於針對在一列中之像素之圖像資料的資料信號到資料線。同樣地，根據列控制信號，掃描驅動器3414輸出一掃描信號到一掃描線，以例如藉由使那一列中之對應驅動器電路3406中的掃描控制電晶體導通，來啟動耦合到掃描線的像素列，致使資料驅動器3412所輸出的資料信號可將圖像資料設定到那一列的像素中。於一些實施例中，資料驅動器3412包括組配來閂鎖一列中之像素的圖像資料的移位暫存器。當一掃描信號使列中的掃描控制電晶體導通時，閂鎖在移位暫存器中的圖像資料即同時設定該列中的全部像素。
依據本案揭露內容，一控制信號可被用來指出一LED晶粒的灰階，此控制信號亦稱為「灰階信號」。此灰階信號可包括一個二進位數字，諸如8位元二進位數字或16位元二進位數字，其代表從0到一最大亮度準位的一亮度準位，諸如8位元灰階的最大亮度準位為255或16位元灰階的最大亮度準位為65,535。灰階信號可被包括作為控制器3410輸出之控制信號的部分。
例如，行控制信號可包括用於LED晶粒3408的灰階信號。在CW控制體系下，資料驅動器3412根據灰階信號調整資料信號的大小，而其即控制針對各LED晶粒3408之驅動電流的大小。LED晶粒3408之驅動電流的大小可被控制成LED晶粒3408之全電流的一百分比。因此，於CW控制體系下，LED晶粒3408的最大亮度準位係在LED晶粒3408之驅動電流等於全電流時獲得，而低於最大亮度準位的一亮度準位係在驅動電流小於全電流時獲得。
在PWM控制體系下，資料驅動器3412將資料信號以一固定大小的脈衝輸出，且根據灰階信號調整資料信號的脈寬，而其即控制針對各LED晶粒3408之驅動電流的脈寬。因此，於PWM控制體系下，LED晶粒3408的最大亮度準位係在LED晶粒3408之驅動電流的脈寬等於最大寬度時獲得，而低於最大亮度準位的一亮度準位係在較最大寬度為小的一脈寬獲得。
如上所述，在CW控制體系或PWM控制體系中，LED晶粒3408之亮度係與LED晶粒3408之電流成比例。LED晶粒3408之電流可藉設計驅動LED晶粒3408之對應的驅動器電路3406來設定。圖35A~圖35F概要顯示依據本案揭露內容具有不同電路設計的範例驅動器電路3406A~3406F。如圖35A~圖35F中所示，範例驅動器電路3406A~3406F各包括具有或不具有一儲存電容的兩個電晶體。LED晶粒3408係經由該等兩個電晶體中之一耦合在一VDD 線及一共地點(諸如供LED面板3402用的接地點或供包括LED面板3402及面板控制電路3404之整個電路用的接地點)之間，此等兩個電晶體在驅動器電路3406中亦稱為「資料電晶體」。資料電晶體之閘極係經過兩個電晶體中之另一者，即掃描控制電晶體，而耦合到一資料線。掃描控制電晶體之閘極係耦合到一掃描線。此資料線及掃描線係分別耦合到資料驅動器及掃描驅動器。在具有儲存電容的一驅動器電路中，諸如驅動器電路3406A~3406D中之一者，於掃描信號設定其他列中的像素期間，儲存電容可將資料電晶體保持導通，即維持對應像素的像素設定。於一些實施例中，驅動器電路3406可包括兩個以上的電晶體及/或一個以上的儲存電容。
因此，藉由選擇驅動器電路3406的設計，諸如電晶體及儲存電容的數目、類型及參數，LED晶粒3408的全電流可被調整。根據本案揭露內容，LED晶粒3408在位置(x, y)的全電流Ifull (x, y)可藉由根據投影透鏡或透鏡組的轉移函數T(x, y)調整對應驅動器電路3406的電路設計來調整。於一些實施例中，驅動器電路3406係組配成會使得對應LED晶粒3408之全電流Ifull (x, y)係預設定成與投影透鏡或透鏡組之轉移函數T(x, y)成反比。
取代選擇驅動器電路3406之設計來預設定LED晶粒3408的全電流，在一些實施例中，LED晶粒3408的驅動電流可依據投影透鏡或透鏡組的轉移函數T(x, y)於LED面板3402操作期間被調整。於一些實施例中，如圖34中所示，面板控制電路3404更包括一記憶體3416，其包括一非暫態性電腦可讀儲存媒體且儲存在執行時使控制器依據投影透鏡或透鏡組的轉移函數T(x, y)調整灰階信號的多個指令。而經調整的灰階信號控制資料驅動器3412以調整資料信號及因此LED晶粒3408之驅動電流的大小。例如，針對在位置(x, y)的某一灰階G(x, y)，若不考量轉移函數T(x, y)下用以產生此灰階的驅動電流為IG (x, y)，則控制器3410可依據轉移函數T(x, y)以會使得實際驅動電流I(x, y)與轉移函數T(x, y)成反比的方式調整灰階信號，即： I(x, y)=IG (x, y)/T(x, y)  。 於圖34所示範例中，記憶體3416係描繪成與控制器3410分開的一構件。在一些實施例中，記憶體3416可實施成控制器3410的一部分。
於一些實施例中，LED面板3402的亮度分佈於操作期間可動態地調整。圖36概要顯示依據本案揭露內容之一範例投影機3600的一部分。投影機3600係類似於投影機3400，但投影機3600更包括耦合到控制器3410的一照相機3602。於投影機3600的操作期間，在將欲投射的一實際影像投影出去前，投影機3600可投射一標稱上均勻的測試影像，即設計成跨過整個影像具有一相同灰階的測試影像。此測試影像可例如藉對LED晶粒3408施加具有一大約相同大小的驅動電流來產生。照相機3602記錄螢幕上的光圖案，將所記錄的光圖案傳回控制器3410，而控制器3410根據所接收到的光圖案調整灰階信號用以投影實際影像。
依據本案揭露內容的投影機可用於不同應用中，諸如家庭劇院系統及簡報投射系統。此外，由於其相較於傳統投影機為小的尺寸，依據本案揭露內容的投影機特別適用於小尺寸系統，諸如虛擬實境系統、用於飛機或車輛的抬頭顯示器(HUD)系統、或頭戴顯示器(HMD)系統。
本揭露內容的其他實施例在考量說明書及實施本文所揭露之發明時將可為熟於此技者明顯了解。意欲的是，本說明書及範例僅視為例示，而本發明的真實範圍及精神係由後附申請專利範圍指明。
100、200、300、600、700、800、900、1200‧‧‧半導體裝置
102、1608、2308‧‧‧驅動器電路晶圓
104、1304、1608-4、2308-4、3406、3406A~3406F‧‧‧驅動器電路
105‧‧‧功能性裝置磊晶層
106‧‧‧功能性裝置(晶粒)
107‧‧‧(第一)接合金屬層
108、1314、1610-2‧‧‧接合金屬墊
202‧‧‧第一預接合金屬層
204‧‧‧(第二)預接合金屬層
206‧‧‧功能性裝置晶圓
208‧‧‧(功能性裝置)磊晶結構層
210‧‧‧生長基體
212‧‧‧未圖案化接合金屬層
214‧‧‧功能性裝置平台
302‧‧‧第一預接合金屬墊
304‧‧‧第一預接合金屬墊
602‧‧‧介電隔離層
604‧‧‧第一突出結構
606‧‧‧第二突出結構
608‧‧‧凹部
610‧‧‧穿孔
702‧‧‧隔離層
704‧‧‧接地墊
706、908‧‧‧金屬接線
708、1312‧‧‧插塞部分
710‧‧‧接線穿孔
711‧‧‧功能性裝置區域
712‧‧‧資料介面
714‧‧‧控制部分
802‧‧‧接線層
902‧‧‧鈍化層
904‧‧‧功能性裝置接觸開口
906‧‧‧接地接觸開孔
1000、1100‧‧‧光電子裝置
1005、1105‧‧‧光電子磊晶層
1006、1106‧‧‧光電子裝置晶粒
1010a‧‧‧第一光學元件
1010b‧‧‧第二光學元件
1010c‧‧‧第三光學元件
1106a‧‧‧(第一)光電子裝置晶粒
1106b‧‧‧(第二)光電子裝置晶粒
1106c‧‧‧(第三)光電子裝置晶粒
1110a‧‧‧第一作用層
1110a’‧‧‧第一偽層
1110a’’‧‧‧第三偽層
1110b‧‧‧第二作用層
1110b’‧‧‧第二偽層
1110c‧‧‧第三作用層
1112‧‧‧第二接合金屬層
1114‧‧‧第二接合金屬墊
1116‧‧‧第二接合金屬層
1118‧‧‧第三接合金屬墊
1202‧‧‧第二預接合金屬層
1204‧‧‧第一光電子裝置晶圓
1206‧‧‧(第一)光電子裝置磊晶結構層
1208‧‧‧第一生長基體
1210‧‧‧(第一)未圖案化接合金屬層
1212‧‧‧第三預接合金屬層
1214‧‧‧第四預接合金屬層
1216‧‧‧第二光電子裝置晶圓
1218‧‧‧(第二)光電子裝置磊晶結構層
1220‧‧‧第二生長基體
1222‧‧‧(第二)未圖案化接合金屬層
1224‧‧‧第五預接合金屬層
1226‧‧‧第六預接合金屬層
1228‧‧‧第三光電子裝置晶圓
1230‧‧‧(第三)光電子裝置磊晶結構層
1232‧‧‧第三生長基體
1234‧‧‧(第三)未圖案化接合金屬層
1300A、1300B、1406、1510、1602、2302、2708、3402‧‧‧LED面板
1302‧‧‧(單晶矽)基體
1306-1‧‧‧第一源極/汲極區域
1306-2‧‧‧第二源極/汲極區域
1306-3‧‧‧通道區域
1306-4‧‧‧閘極
1306-5‧‧‧閘極介電層
1306-6‧‧‧第一源極/汲極區域接點
1306-7‧‧‧第二源極/汲極區域接點
1308‧‧‧層間絕緣層
1308-1‧‧‧第一子層
1308-2‧‧‧第二子層
1310‧‧‧驅動器輸出電極
1316、1320、1410、1514、1612-2、2712、3408‧‧‧LED晶粒
1318‧‧‧側壁鈍化層
1400‧‧‧(單色)LED投影機
1402、1506、1600、2100、2200A、2200B、2300、2400A、2400B、2706‧‧‧LED顯示器面板
1404、1504‧‧‧投影透鏡(組)
1408、1512、1606、2306、2710‧‧‧微透鏡陣列
1412、1516、1606-2、2306-2、2714‧‧‧微透鏡
1500、2500、2700‧‧‧(全彩)LED投影機
1502‧‧‧成像單元
1508‧‧‧光束合併器
1604‧‧‧光學間隔件；光學層
1610、2310‧‧‧接合金屬層
1612、2312‧‧‧LED陣列
1608-2‧‧‧基體
1614‧‧‧絕緣層；隔離層
1616‧‧‧金屬電極
1618、2318‧‧‧共地點
1620‧‧‧像素
1702‧‧‧聚合物層
1704‧‧‧圖案化聚合物層
1704-2‧‧‧聚合物單元
1802‧‧‧灰階遮罩
1902‧‧‧預製模具/壓印模
2002‧‧‧圖案化光阻層
2002-2‧‧‧偽單元
2102‧‧‧接合聚合物層
2104‧‧‧(預製)微透鏡總成
2104-2‧‧‧(彎曲)突出部
2104-4‧‧‧基底部分
2202‧‧‧機械性夾具
2202-2‧‧‧第一夾持機構
2202-4‧‧‧第一夾持機構
2206‧‧‧氣隙
2304‧‧‧光學間隔件
2304-2‧‧‧間隔件單元
2310-2‧‧‧第一接合金屬墊
2310-4‧‧‧第二接合金屬墊
2312-2‧‧‧(倒裝晶片)LED晶粒
2504‧‧‧投影透鏡
2600A~2600C‧‧‧光束合併器
2602~2608、2626~2630‧‧‧稜鏡
2602-2、2604-2、2606-2、2608-2、2626-4‧‧‧表面
2610‧‧‧第一二向分色鏡；紅色反射鏡
2612‧‧‧第二二向分色鏡；藍色反射鏡
2614-2、2626-2‧‧‧紅色輸入表面
2614-4、2616-2、2618-4、2630-2‧‧‧輸出表面
2618-2、2630-4‧‧‧藍色輸入表面
2620-2、2628-2‧‧‧綠色輸入表面
2622、2632‧‧‧紅色反射鏡
2624、2634‧‧‧藍色反射鏡
2702‧‧‧LED顯示器面板組
2704‧‧‧光組合-投影透鏡組
2716‧‧‧透鏡
2800~3100、3600‧‧‧LED投影機
3404‧‧‧面板控制電路
3410‧‧‧控制器
3412‧‧‧資料驅動器
3414‧‧‧掃描驅動器
3416‧‧‧記憶體
3602‧‧‧照相機
圖1係為概要顯示根據一範例實施例之一垂直整合半導體裝置的一橫截面視圖。
圖2A~圖2E概要顯示用以製造根據一範例實施例圖1之半導體裝置的一程序。
圖3A~圖3D概要顯示用以製造根據另一範例實施例圖1之半導體裝置的一程序。
圖4A及圖4B概要顯示用以製造根據另一範例實施例圖1之半導體裝置的一程序。
圖5A~圖5B概要顯示用以製造根據另一範例實施例圖1之半導體裝置的一程序。
圖6A及圖6B概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖7A及圖7B概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖8A及圖8B概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖9概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖10概要顯示根據一範例實施例之一光電子裝置。
圖11概要顯示根據另一範例實施例之一光電子裝置。
圖12A~圖12K概要顯示用以製造根據一範例實施例之圖11之光電子裝置的一程序。
圖13A概要顯示根據一範例實施例之一發光二極體(LED)面板。
圖13B概要顯示根據另一範例實施例之一LED面板。
圖14概要顯示根據一範例實施例之單色LED投影機。
圖15概要顯示根據一範例實施例之全彩LED投影機。
圖16概要顯示根據一範例實施例之LED顯示器面板。
圖17A~圖17D概要顯示用以製造圖16中所示根據一範例實施例之LED顯示器面板的一程序。
圖18概要顯示用以製造根據另一範例實施例之圖16之LED顯示器面板的一程序。
圖19概要顯示用以製造根據另一範例實施例之圖16之LED顯示器面板的一程序。
圖20概要顯示用以製造根據另一範例實施例之圖16之LED顯示器面板的一程序。
圖21概要顯示根據另一範例實施例之一LED顯示器面板。
圖22A及圖22B概要顯示根據其他範例實施例之LED顯示器面板。
圖23概要顯示根據另一範例實施例之一LED顯示器面板。
圖24A及圖24B概要顯示根據其他範例實施例之LED顯示器面板。
圖25概要顯示根據另一範例實施例的一多色LED投影機。
圖26A~圖26C概要顯示根據一些範例實施例的光束合併器。
圖27概要顯示根據另一範例實施例的一多色LED投影機。
圖28概要顯示根據另一範例實施例的一單色LED投影機。
圖29概要顯示根據另一範例實施例的一多色LED投影機。
圖30概要顯示根據另一範例實施例的一多色LED投影機。
圖31概要顯示根據另一範例實施例的一多色LED投影機。
圖32A及圖32B概要顯示在不含與含亮度補償下一LED面板及螢幕上之亮度分佈及投影透鏡或透鏡組的轉移函數。
圖33A及圖33B概要顯示根據範例實施例用於控制亮度之一連續波體系及一脈寬調變體系。
圖34概要顯示根據另一範例實施例之一投影機的一部分。
圖35A~圖35F概要顯示根據一些範例實施例之具有不同電路設計的驅動器電路。
圖36概要顯示根據另一範例實施例之一投影機的一部分。
1400‧‧‧(單色)LED投影機
1402‧‧‧LED顯示器面板
1404‧‧‧投影透鏡(組)
1406‧‧‧LED面板
1408‧‧‧微透鏡陣列
1410‧‧‧LED晶粒
1412‧‧‧微透鏡

Claims (19)

  1. 一種發光二極體(LED)投影機，其包含： 一LED顯示器面板，其包括： 一LED面板，其包括 一基體； 一驅動器電路陣列，其在該基體上且包括成一陣列配置的多個像素驅動器電路；及 一LED陣列，其包括各耦合到該等像素驅動器電路之一者的多個LED晶粒；及 一微透鏡陣列，其配置在該LED陣列上方，且包括各對應於該等LED晶粒中之至少一者且配置於其上方的多個微透鏡；以及 一投影透鏡，其配置在該LED顯示器面板前方，且係組配來聚集和投射該LED顯示器面板所發射的光。
  2. 如請求項1之LED投影機，其中： 該LED顯示器面板係為一第一LED顯示器面板； 該LED面板係為發射一第一顏色之光的一第一LED面板； 該基體係為一第一基體； 該驅動器電路陣列係為一第一驅動器電路陣列，而該等像素驅動器電路係為第一像素驅動器電路； 該LED陣列係為一第一LED陣列，而該等LED晶粒係為第一LED晶粒；以及 該微透鏡陣列係為一第一微透鏡陣列，而該等微透鏡係為第一微透鏡； 該LED投影機更包含： 一第二LED顯示器面板，其包括： 發射一第二顏色之光的一第二LED面板，該第二LED面板包括： 一第二基體； 一第二驅動器電路陣列，其在該第二基體上且包括成一陣列配置的多個第二像素驅動器電路；及 一第二LED陣列，其包括各耦合到該等第二像素驅動器電路中之一者的多個第二LED晶粒；以及 一第二微透鏡陣列，其配置在該第二LED面板上方，且包括各對應於該等第二LED晶粒中之至少一者且配置於其上的多個第二微透鏡。
  3. 如請求項2之LED投影機，其中該投影透鏡係為一第一投影透鏡，該LED投影機進一步包含： 一第二投影透鏡，其配置在該第二LED顯示器面板前方，且組配來聚集和投射該第二LED顯示器面板所發射的光。
  4. 如請求項3之LED投影機，其中該第一LED顯示器面板、該第二LED顯示器面板、該第一投影透鏡、及該第二投影透鏡係組配及配置成會使得： 該第一投影透鏡將該第一LED顯示器面板所發射之光所形成的一第一影像投射到一螢幕上； 該第二投影透鏡將該第二LED顯示器面板所發射之光所形成的一第二影像投射到該螢幕上；及 該第一影像及該第二影像在該螢幕上重疊。
  5. 如請求項3之LED投影機，其更包含： 一光束合併器，其係組配來將該第一LED顯示器面板發射的光與該第二LED顯示器面板發射的光組合； 其中： 該第一投影透鏡係配置在該第一LED顯示器面板與該光束合併器之間； 該第二投影透鏡係配置在該第二LED顯示器面板與該光束合併器之間；以及 該光束合併器、該第一LED顯示器面板、該第二LED顯示器面板、該第一投影透鏡、及該第二投影透鏡係組配及配置成會使得： 該第一LED顯示器面板發射的光及該第二LED顯示器發射的光在不同方向進入該光束合併器；及 由該第一LED顯示器面板發射之光所形成的一第一影像及由該第二LED顯示器面板發射之光所形成的一第二影像在通過該光束合併器後彼此重疊。
  6. 如請求項5之LED投影機，其中該光束合併器包括： 多個稜鏡；以及 至少一個二向分色鏡，其用以反射該第一LED顯示器面板所發射的光，且允許該第二LED顯示器面板發射的光通過。
  7. 如請求項2之LED投影機，其更包含： 一光束合併器，其係組配來將該第一LED顯示器面板發射的光與該第二LED顯示器面板發射的光組合； 其中： 該光束合併器係配置在該第一LED顯示器面板與該投影透鏡之間，且在該第二LED顯示器面板與該投影透鏡之間；以及 該光束合併器、該第一LED顯示器面板、及該第二LED顯示器面板係配置成會使得： 該第一LED顯示器面板發射的光及該第二LED顯示器面板發射的光沿不同方向進入該光束合併器；及 由該第一LED顯示器面板發射之光形成的一第一影像及由該第二LED顯示器面板發射之光形成的一第二影像在通過該光束合併器後彼此重疊。
  8. 如請求項2之LED投影機，其更包含： 發射一第三顏色之光的一第三LED顯示器面板。
  9. 如請求項8之LED投影機，其中該第一顏色、該第二顏色及該第三顏色係分別為紅色、藍色及綠色。
  10. 如請求項8之LED投影機，其更包含： 一光束合併器，其係組配來組合該第一LED顯示器面板發射的光、該第二LED顯示器面板發射的光、及該第三LED顯示器面板發射的光。
  11. 如請求項10之LED投影機，其中該光束合併器包括： 多個稜鏡； 一第一二向分色鏡，其用以反射該第一顏色之光，且允許該第二顏色之光及該第三顏色之光通過；以及 一第二二向分色鏡，其用以反射該第二顏色之光，且允許該第一顏色之光及該第三顏色之光通過。
  12. 如請求項11之LED投影機，其中該光束合併器更包括： 一第一輸入表面，其供該第一LED顯示器面板發射的光通過而進入該光束合併器； 一第二輸入表面，其供該第二LED顯示器面板發射的光通過而進入該光束合併器； 一第三輸入表面，其供該第三LED顯示器面板發射的光通過而進入該光束合併器；以及 一輸出表面，其供經組合的光通過而離開該光束合併器。
  13. 如請求項12之LED投影機，其中該第三輸入表面係與該輸出表面平行。
  14. 如請求項13之LED投影機，其中該第一輸入表面及該第二輸入表面係相對於與該輸出表面呈垂直的一線彼此對稱配置。
  15. 如請求項14之LED投影機，其中該第一輸入表面及該第二輸入表面係與該輸出表面垂直。
  16. 如請求項13之LED投影機，其中該第一輸入表面及該第二輸入表面係彼此非對稱配置。
  17. 如請求項1之LED投影機，其中： 該投影透鏡具有一非均勻轉移函數，其表示該等LED晶粒發射之光由該投影透鏡聚集與投射的一百分比； 該等像素驅動器電路係組配成會使得一LED晶粒的一最大驅動電流係與對應於該LED晶粒之該轉移函數的一數值成反比。
  18. 如請求項1之LED投影機，其中該投影透鏡具有一非均勻轉移函數，其表示該等LED晶粒發射之光由該投影透鏡聚集與投射的一百分比； 該LED投影機更包含： 組配來控制該LED面板之操作的一面板控制電路，該面板控制電路包括： 一控制器，其係組配來接收指出該轉移函數的資料，且依據指出該轉移函數之該資料產生灰階信號；及 一資料驅動器，其係組配來接收該等灰階信號，且依據該等灰階信號產生針對該LED面板上之該等LED晶粒的資料信號，使得一LED晶粒之一驅動電流的大小與對應於該LED晶粒之該轉移函數的一數值成反比。
  19. 如請求項1之LED投影機，其更包含： 一照相機，其係組配來在該等LED晶粒個別由具一大約相同大小之驅動電流驅動時，拍攝該LED投影機所投影的一光圖案；以及 一面板控制電路，其係組配來控制該LED面板的操作，該面板控制電路包括： 一控制器，其係組配來接收該照相機所拍攝之該光圖案，且依據所拍攝的光圖案產生灰階信號；及 一資料驅動器，其係組配來接收該等灰階信號，且依據該等灰階信號產生針對該LED面板上之該等LED晶粒的資料信號，使得一LED晶粒之一驅動電流的大小與在對應於該LED晶粒之一位置處之該光圖案的一亮度準位成反比。
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