TWI692075B - 半導體裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一半導體裝置包括：包括有成一陣列配置的多個驅動器電路之一驅動器電路晶圓、形成在該驅動器電路晶圓上方的一接合金屬層、及形成在該接合金屬層上方且覆蓋該等驅動器電路的一水平連續之功能性裝置磊晶結構層。

Description

半導體裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照 本申請案係基於分別在2015年9月4日、2015年11月20日、及2015年11月25日所申請之美國臨時申請案第62/214,395、62/258,072及62/259,810號且請求其優先權利益，其所有的整個內容藉參考方式併入本文。
本案揭露內容有關一半導體裝置，且更特定的是有關包括一驅動器電路晶圓及其上形成有磊晶層之一功能性裝置磊晶層的一半導體裝置，及製造此半導體裝置的方法。
在許多傳統半導體系統中，功能性裝置及它們的控制電路常分開形成在不同晶圓上或形成在同一晶圓的不同區域上。它們接著經由接線等等彼此連接。有時此等接線可能偏長且迴繞，造成高的電力消耗及信號串擾。此外，傳統半導體系統可能龐大且難以縮小化。
根據本案揭露內容，提供了一半導體裝置，其包括一驅動器電路晶圓、形成在該驅動器電路晶圓上方的一接合金屬層、及形成在該接合金屬層上的一水平連續功能性裝置磊晶結構層。此驅動器電路晶圓包括成一陣列配置的多個驅動器電路。此功能性裝置磊晶結構層覆蓋該等驅動器電路。
同樣根據本案揭露內容，提供了一半導體裝置，其包括一單晶驅動器電路晶圓、形成在該驅動器電路晶圓上方的一接合金屬層、及形成在該接合金屬層上方的一功能性裝置磊晶層。此驅動器電路晶圓包括成一陣列配置的多個驅動器電路。此接合金屬層包括成一陣列配置且彼此隔離的多個接合金屬墊。此等驅動器電路各對應於且電氣耦合至該等接合金屬墊中之一者。此功能性裝置磊晶層包括成一陣列配置的多個功能性裝置晶粒。此等功能性裝置晶粒各對應於該等接合金屬墊中之一者。
同樣根據本案揭露內容，提供了用以製造一半導體裝置的方法。此方法包括形成一第一預接合金屬層在一驅動器電路晶圓上方。此驅動器電路晶圓包括成一陣列配置的多個驅動器電路。該方法更包括形成一第二預接合金屬層在一功能性裝置晶圓上方。此功能性裝置晶圓包括磊晶生長在一生長基體上的一功能性裝置磊晶結構層。此方法亦包括透過第一及第二預接合金屬層將該功能性裝置晶圓接合到驅動器電路晶圓上，及移除該生長基體以暴露該功能性裝置磊晶結構層。
依據本案揭露內容的特徵及優點一部分將列於下文論述中，而一部分將從說明書中變得明顯或可藉實施揭露內容得知。此等特徵及優點將可透過後附申請專利範圍特別指出的多個元件及組合來了解與達成。
應了解的是，如前述概括敘述及以下詳細敘述僅皆例示及解釋所請求之本發明，且不具限制性。
併入且構成本說明書之一部分的後附圖式，繪示了本發明的多個實施例，且與說明書一併用來解釋本發明的原理。
依據本案揭露內容之多個實施例包括具有一驅動器電路晶圓及形成於其上之一功能性裝置磊晶層的一半導體裝置，及製造該半導體裝置的方法。
在下文中，依據本案揭露內容的多個實施例將參照圖式來描述。在可行時，相同標號將於整篇圖式用來表示相同或相似部分。
圖1係為顯示依據本案揭露內容之一些實施例中之一範例垂直整合半導體裝置100的一橫截面視圖。此半導體裝置100包括具有以一陣列形成於其中之多個驅動器電路104的一驅動器電路晶圓102。在本文中使用時，「晶圓」一詞係指可能或可能不具裝置結構或其他微細結構形成於其中的一薄材料部分。半導體裝置100更包括形成在驅動器電路晶圓102上方的一功能性裝置磊晶層105。此功能性裝置磊晶層105包括成一陣列配置的多個功能性裝置晶粒106。在本文中使用時，「晶粒」一詞係指一小塊的半導體材料或一小面積的半導體材料之一部分，其中包括有一或多個個別功能性裝置。半導體裝置100亦包括形成在驅動器電路晶圓102與功能性裝置磊晶層105之間的一接合金屬層107。此接合金屬層107包括成一陣列配置且空間上與電氣上彼此隔離的多個接合金屬墊108。
依據本案揭露內容，驅動器電路104各對應於接合金屬墊108中之一者且與其水平對準。此外，功能性裝置晶粒106各對應於且水平對準於驅動器電路104中之一者及接合金屬墊108中之一者。亦即，一個驅動器電路104與一個對應的功能性裝置106透過僅一個對應的接合金屬墊108接合在一起。換言之，驅動器電路104、接合金屬墊108及功能性裝置106具有一對一關係。
依據本案揭露內容，接合金屬墊108各包括一或多個電氣傳導材料，諸如一或多個金屬或合金，且亦作為對應驅動器電路104與功能性裝置晶粒106間用以於其間傳送電氣信號的一電氣接點。例如，用於接合金屬墊108之接合材料可為錫(Sn)、金(Au)、鎳(Ni)、鈀(Pd)或銅(Cu)、或這些材料中之任兩者或更多者的一合金，諸如Au-Sn金屬合金。替代地，接合金屬墊108各可包括具有多個子層的一複合層，此等子層各包括一或多個合適材料或其合金。此外，接合金屬墊108各亦可包括一附著層及/或一接合擴散障壁層，其在面向驅動器電路晶圓102之側及面向功能性裝置磊晶層105之側中的任一者或各者上。此附著層利於接合金屬墊108與驅動器電路晶圓102或對應功能性裝置晶粒106之間的附著性，而接合擴散障壁層協助防止或減少接合材料的擴散。
在本案揭露內容中，功能性裝置晶粒106係指可執行某些功能的半導體晶粒。此等功能性裝置晶粒106可彼此相同或相異。根據本案揭露內容，功能性裝置晶粒106係組配成沒有用以生長形成功能性裝置晶粒106用之磊晶層的一生長基體之部分留在功能性裝置晶粒106中。
在一些實施例中，功能性裝置晶粒106可為光電子裝置晶粒，諸如發光裝置晶粒或光吸收裝置晶粒。此等發光裝置晶粒可為發光二極體(LED)晶粒。該等發光裝置晶粒亦可為雷射二極體(LD)晶粒，諸如邊緣發射型雷射(例如法布里-博羅(FP)雷射、分散式反饋(DFB)雷射、或分散式布拉格反射器(DBR)雷射)或垂直腔面發射雷射(VCSEL)。光吸收裝置晶粒的範例包括半導體光檢測器晶粒及太陽能電池。若功能性裝置晶粒106為光電子裝置晶粒，則功能性裝置晶粒106各包括與某波長或某波長範圍相關聯之一作用區域，亦即，作用區域係組配來發射或吸收某波長或某波長範圍的光。如先前所提，功能性裝置晶粒106可彼此相同或相異。對應地，不同功能性裝置晶粒106的作用區域可與相同或不同波長或波長範圍相關聯。
於一些實施例中，若功能性裝置晶粒106包括LED晶粒，則功能性裝置晶粒106各可包括一粗糙化最上磊晶層。此最上磊晶層的上表面經粗糙化以改善來自LED晶粒的光擷取。
功能性裝置晶粒106不限於光電子裝置，而可為其他類型的電氣裝置。例如，功能性裝置晶粒106可為微機電系統(MEMS)晶粒，諸如MEMS感測器。功能性裝置晶粒106亦可為功率電子裝置晶粒，諸如絕緣閘極雙極電晶體(IGBT)晶粒、蕭特基障壁二極體(SBD)晶粒、或接面障壁蕭特基(JBS)整流器晶粒。
視功能性裝置晶粒106之類型而定，功能性裝置磊晶層105可由不同類型的材料製成。例如，功能性裝置磊晶層105可包括元素半導體(例如矽(Si)或鍺(Ge))。功能性裝置磊晶層105亦可包括化合物半導體，諸如II-VI族化合物半導體(例如氧化鋅(ZnO)、碲化鋅(ZnTe)及硫化鋅(ZnS))、III-V族化合物半導體(例如以磷化銦(InP)為基礎的半導體，諸如InP、砷化銦鎵(InGaAs)、及磷砷化銦鎵(InGaAsP)；以砷化鎵(GaAs)為基礎的半導體，諸如GaAs、砷化鋁鎵(AlGaAs)、及銻化鎵砷(GaAsSb)；或以氮化鎵(GaN)為基礎的半導體，諸如GaN、氮化銦鎵(InGaN)、及氮化鋁鎵(AlGaN))、或IV-IV族化合物半導體(例如碳化矽(SiC)或Si-Ge合金)。
在本案揭露內容中，驅動器電路晶圓102亦稱為「驅動器電路基體」或「載體晶圓」。驅動器電路晶圓102可包括一半導體基體，諸如非晶半導體基體、多晶半導體基體、或單晶半導體基體。例如，驅動器電路晶圓102可包括一單晶矽(Si)基體或單晶III-V族化合物半導體基體。於一些實施例中，驅動器電路晶圓102可包括形成在半導體基體上方的一或多個介電層(圖中未顯示)，諸如二氧化矽(SiO2 )層。驅動器電路104的接線及/或接點可被形成在該一或多個介電層中或上方。
依據功能性裝置晶粒106之類型而定，驅動器電路104可包括不同類型的裝置。例如，驅動器電路104各可包括單一半導體裝置，諸如金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)、薄膜電晶體(TFT)、高電子遷移率電晶體(HEMT)、異質接面雙極電晶體(HBT)、金屬半導體FET (MESFET)、或金屬絕緣體半導體FET (MISFET)、或包括任何以上所列類型裝置中之二或更多者的一積體電路。
圖1係為半導體裝置100的一高階示意圖。驅動器電路104或功能性裝置晶粒106雖於圖1中各繪示成單一塊體，但可包括諸如接點及不同材料層的多個組件。此外，依據本案揭露內容的半導體裝置100亦可包括其他組件，諸如接線、隔離層、及/或鈍化層，其可為驅動器電路晶圓102之部分及/或功能性裝置磊晶層105之部分，或可為驅動器電路晶圓102、功能性裝置磊晶層105及接合金屬層107以外的組件。這些其他組件並未明示在圖1中，且亦可能未明示在本案揭露內容之其他圖式中。根據本案揭露內容，由於半導體裝置100中的功能性裝置晶粒106沒有任何部分的生長基體留在它們的頂部上，故與功能性裝置晶粒106相關的其他組件，諸如用於功能性裝置晶粒106之接線及鈍化層，可被直接形成在各功能性裝置晶粒106中之最上磊晶層上。
圖2A~圖2E概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之半導體裝置100的一範例程序。如圖2A中所示，一第一預接合金屬層202係形成在驅動器電路晶圓102上方，其中驅動器電路104已先形成於驅動器電路晶圓102中。此第一預接合金屬層202包括一接合材料子層，其含有例如Sn、Au、Ni、Pd或Cu、或其合金。此接合材料子層亦可包括具有一或多種接合材料的多個層之一多層結構。於一些實施例中，第一預接合金屬層202亦可包括形成於接合材料子層與驅動器電路晶圓102之間的一附接子層及/或一接合擴散障壁子層。此附接子層係組配來增強接合材料子層與驅動器電路晶圓102之間的附著性，而接合擴散障壁子層係組配來防止或減少接合材料的擴散。
參照圖2B，與驅動器電路晶圓102分離地，一第二預接合金屬層204係形成在一功能性裝置晶圓206上方。此第二預接合金屬層204包括一接合材料子層，其含有例如Sn、Au、Ni、Pd或Cu、或其合金。此接合材料子層亦可包括具有一或多種接合材料的多個層之一多層結構。於一些實施例中，第二預接合金屬層204亦可包括形成於接合材料子層與功能性裝置晶圓206之間的一附接子層及/或一接合擴散障壁子層。此附接子層係組配來增強接合材料子層與功能性裝置晶圓206之間的附著性，而接合擴散障壁子層係組配來防止或減少接合材料的擴散。在本案揭露內容中，功能性裝置晶圓206亦稱為「磊晶晶圓」。功能性裝置晶圓206包括亦稱為「磊晶結構層」之一功能性裝置磊晶結構層208，其磊晶生長於一生長基體210上。依據要如上述形成之功能性裝置晶粒106的類型而定，磊晶結構層208可包括適於形成最終功能性裝置晶粒106的不同磊晶結構。例如，磊晶結構層208可包括一光電子裝置磊晶結構層，諸如LED磊晶結構層、VCSEL磊晶結構層、或光檢測器磊晶結構層。作為另一範例時，磊晶結構層208可包括一MEMS磊晶結構層，諸如MEMS感測器磊晶結構層。
生長基體210可為適於磊晶結構層208之磊晶生長且分開設置的任何基體。例如，若磊晶結構層208包括以GaN為基礎的材料，則生長基體210可為一藍寶石基體，諸如一經圖案化的藍寶石基體，或可為一SiC基體。作為另一範例，若磊晶結構層208包括以InP為基礎的材料，則生長基體210可為一InP基體。作為又一範例，若磊晶結構層208包括以GaAs為基礎之材料，則生長基體210可為一GaAs基體。
參照圖2C，具有第二預接合金屬層204形成於其上的功能性裝置晶圓206係移送到具第一預接合金屬層202形成於其上的驅動器電路晶圓102 (圖2A中所示)上且與之對準，讓第二預接合金屬層204面對第一預接合金屬層202。功能性裝置晶圓206係與驅動器電路晶圓102接觸，使得第二預接合金屬層204接觸及抵壓第一預接合金屬層202。進行一接合程序以使第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204彼此接合，來形成一未圖案化接合金屬層212。在一些實施例中，此接合程序包括以一高溫加熱，使得第一預接合金屬層202的至少一部分及第二預接合金屬層204之至少一部分熔融，且第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204彼此熔接。進行接合程序的溫度視所使用的接合材料而定，且可例如在Au-Sn合金作為接合材料時，該溫度可為約230ºC到高於350ºC。其他接合技術亦可被應用，只要它們可將第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204接合在一起即可。
在第一預接合金屬層202與第二預接合金屬層204接合在一起以形成未圖案化接合金屬層212之後，生長基體210被移除以暴露磊晶結構層208，如圖2D中所示。生長基體210可使用任何合適物理或化學基體移除技術來移除，諸如雷射剝離、化學機械研磨(CMP)或濕式蝕刻。
在生長基體210移除之後，剩餘部分構成依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置200。亦即，半導體裝置200係為在形成半導體裝置100程序期間所形成的中間產品。半導體裝置200包括具有成一陣列配置之多個驅動器電路104的驅動器電路晶圓102、形成在驅動器電路晶圓102上方之未圖案化接合金屬層212、及形成在未圖案化接合金屬層212上方的磊晶結構層208。特別是，類似半導體裝置100，半導體裝置200不包括生長基體210，且因此磊晶結構層208係暴露於環境中。有別於半導體裝置100，半導體裝置200具有一水平連續的未圖案化接合金屬層212及一水平連續的磊晶結構層208。
依據本案揭露內容，在生長基體210被移除之後，磊晶結構層208與未圖案化接合金屬層212可例如使用一光微影方法而圖案化，以分別形成功能性裝置平台214及接合金屬墊108，如圖2E中所示。此圖案化程序的細節在此省略。於一些實施例中，功能性裝置平台214可為功能性裝置晶粒106，致使圖2E中所示得自上述範例程序的半導體裝置係等效於圖1中所示的半導體裝置100。在一些實施例中，可實行進一步加工以從功能性裝置平台214形成功能性裝置晶粒106，而形成圖1中所示的半導體裝置100。此外，在圖案化程序之後，可進行其他程序來例如形成接線、絕緣層及/或鈍化層，或使功能性裝置晶粒106之上表面粗糙化，以改善例如LED晶粒之實例中的光擷取。此等程序的說明在此亦省略。
圖3A~圖3D概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之半導體裝置100的另一範例程序。在此範例程序中，在驅動器電路晶圓102與功能性裝置晶圓206上方分別形成第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204的步驟與以上配合圖2A及2B敘述的那些者類似。因此，這兩個步驟在圖3A~圖3D中不再說明且其敘述在此省略。
參照圖3A，第一預接合金屬層202被圖案化以形成多個第一預接合金屬墊302。此等第一預接合金屬墊302係成一陣列配置。該等第一預接合金屬墊302各對應於且電氣耦合至驅動器電路104中之一者。於一些實施例中，一個第一預接合金屬墊302僅對應於一個驅動器電路104。
根據本案揭露內容，第一預接合金屬層202可使用任何合適圖案化方法來圖案化。例如，第一預接合金屬層202可在第一預接合金屬層202被蝕刻以移除其部分期間，使用光微影方法來圖案化，而形成多個第一預接合金屬墊302。替代地，第一預接合金屬層202可使用剝離方法來圖案化。為利用剝離方法將第一預接合金屬層202圖案化，適於剝離的一材料層(圖中未顯示)，諸如光阻層，可被形成在驅動器電路晶圓102上方，且在第一預接合金屬層202形成前被圖案化。在此情況下，第一預接合金屬層202被形成在圖案化的剝離材料層上方。此圖案化的剝離材料層接著沿第一預接合金屬層202中形成在剝離材料層正上方的部分而移除。第一預接合金屬層202的剩餘部分形成多個第一預接合金屬墊302。
參照圖3B，第二預接合金屬層204被圖案化以形成成一陣列配置的第二預接合金屬墊304。第二預接合金屬墊304各對應於第一預接合金屬墊302中之一者，且亦對應於待形成之功能性裝置晶粒106中的一者。依據本案揭露內容，第二預接合金屬層204可使用類似於用來將第一預接合金屬層202圖案化的方法來圖案化，例如第二預接合金屬層204可透過蝕刻或剝離來圖案化。
在第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204被圖案化後，功能性裝置晶圓206被移送到驅動器電路晶圓102上且與之對準，讓第二預接合金屬墊304面對第一預接合金屬墊302中的對應者，如圖3C中所示。第二預接合金屬墊304各與第一預接合金屬墊302中之一者對準。功能性裝置晶圓206係與驅動器電路晶圓102接觸，使得第二預接合金屬墊304接觸及抵壓它們對應的第一預接合金屬墊302。類似於配合圖2C所描述的接合程序，係進行來將第二預接合金屬墊304與第一預接合金屬墊302接合，以形成接合金屬墊108。
在第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304被接合在一起以形成具有接合金屬墊108之接合金屬層107後，生長基體210被移除以暴露出磊晶結構層208，如圖3D中所示。
於生長基體210被移除後，剩餘的部分構成依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置300。亦即，半導體裝置300係為形成半導體裝置100之程序期間的另一中間產品。半導體裝置300包括具有成一陣列配置之多個驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方且具有成一陣列配置之多個接合金屬墊108的接合金屬層107；及形成在接合金屬層107上方的磊晶結構層208。特別是，類似於半導體裝置100，半導體裝置300不包括生長基體210，且因此磊晶結構層208係暴露於環境中。有別於半導體裝置100，半導體裝置300具有一水平連續的磊晶結構層208。
依據本案揭露內容，在生長基體210被移除之後，磊晶結構層208可例如使用光微影方法而圖案化，以形成功能性裝置平台214，造成類似於圖2E中所示的半導體裝置，因此不再贅示。對磊晶結構層208之進行圖案化的細節在此省略。
圖4A及4B概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之半導體裝置100之程序的另一範例程序。在此範例程序中，形成第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204的步驟與將第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204圖案化以形成第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304的步驟，係類似於以上配合圖2A、2B、3A及3B所述的那些者。因此，這些步驟不再於圖4A及圖4B中說明，且其敘述省略。
參照圖4A，磊晶結構層208係圖案化以形成功能性裝置平台214。例如，磊晶結構層208可使用第二預接合金屬墊304作為遮罩透過蝕刻來圖案化。作為另一範例，磊晶結構層208可透過一分開的光微影程序來圖案化，其包括例如在磊晶結構層208及第二預接合金屬墊304上方形成一光阻層，將該光阻層圖案化以移除光阻層之部分，讓一些剩餘部分留在第二預接合金屬墊304上方，且接著使用光阻層的剩餘部分作為遮罩來蝕刻磊晶結構層208。光阻層之剩餘部分可各具有大於對應之第二預接合金屬墊304的一較大面積，且因此藉以上第二範例程序形成之多個功能性裝置平台214可各具有大於對應之第二預接合金屬墊304之較大面積，即便在圖4A中並未明示此種較大面積。
因而，如圖4B中所示，功能性裝置晶圓206與驅動器電路晶圓102接合。類似於以上配合圖3C所敘述的一接合程序係進行來將功能性裝置晶圓206與驅動器電路晶圓102接合。
在功能性裝置晶圓206與驅動器電路晶圓102接合一起後，生長基體210係被移除以暴露功能性裝置平台214，造成類似於圖2E中所示的半導體裝置，因此不再贅示。
於以上配合圖4A及圖4B所述之範例程序中，第二預接合金屬層204係先形成及圖案化，以形成第二預接合金屬墊，而磊晶結構層208於其後被圖案化。在一些實施例中，磊晶結構層208可在第二預接合金屬層204被形成在功能性裝置晶圓206上方前被圖案化。此範例程序在下文配合圖5A及圖5B敘述。
於此範例程序中，形成及圖案化第一預接合金屬層202的步驟係類似於以上配合圖2A及圖3A敘述的那些者。因此，這些步驟於圖5A及圖5B中不再說明，且其敘述省略。
參照圖5A，磊晶結構層208係例如使用光微影方法來圖案化以形成功能性裝置平台214。接著，如圖5B中所示，第二預接合金屬墊304係形成在功能性裝置平台214上方。例如，形成第二預接合金屬墊304可包括先積設預接合金屬層204 (圖5B中未顯示)，且接著將預接合金屬層204圖案化以形成第二預接合金屬墊304。此範例程序的後續程序步驟係類似於以上配合圖4B及圖4C中所述的那些者，且因而不再說明且其敘述省略。
在以上配合圖2A~圖2E描述的範例程序中，第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204皆在驅動器電路晶圓102及功能性裝置晶圓206接合在一起之後才被圖案化，而在以上配合圖3A~圖5B描述的範例程序中，第一預接合金屬層202及第二預接合金屬層204係在驅動器電路晶圓102及功能性裝置晶圓206接合在一起之前被圖案化。於其他實施例中，第一預接合金屬層202或第二預接合金屬層204中任一者可在接合程序之前被圖案化，而另一者可在接合程序之後被圖案化。
在以上配合圖3A~圖5B所述之範例程序中，第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304係在接合程序前形成。第一預接合金屬墊302彼此實體上及電氣上分開。同樣地，第二預接合金屬墊304彼此實體上及電氣上分開。然而，在接合程序期間，第一預接合金屬墊302及第二預接合金屬墊304之部分可能熔融，且在接合程序期間所施用的壓力下，來自第一預接合金屬墊302及/或第二預接合金屬墊304的熔融金屬可沿著驅動器電路晶圓102流動，且到達鄰近的第一預接合金屬墊302及/或第二預接合金屬墊304，而在所得的半導體裝置中造成短路。為避免此問題，防止熔融金屬到達鄰近第一預接合金屬墊302及/或第二預接合金屬墊304的多個結構，可被形成在半導體裝置中。圖6A及圖6B顯示依據本案揭露內容之一些實施例具有此等結構之一範例半導體裝置600。
圖6A係為概要顯示半導體裝置600的一橫截面視圖，半導體裝置600係類似於半導體裝置100，但半導體裝置600更包括配置在驅動器電路晶圓102與功能性裝置磊晶層105間的一介電隔離層602。此介電隔離層602包括多個第一突出結構604及圍繞第一突出結構604的多個第二突出結構606。如圖6A中所示，第一突出結構604各形成在驅動器電路104中之一者上方，而接合金屬墊108各形成在第一突出結構604中之一者上方。亦即，第一突出結構604各「固持」一個接合金屬墊108，且因此第一突出結構604在本案揭露內容中亦係稱「接合金屬墊階座」或「焊墊階座」。
圖6B係為半導體裝置600的一平面圖，顯示第二突出結構606圍繞各第一突出結構604，且將鄰 近的第一突出結構604彼此分開。如圖6A及圖6B中所示，第一突出結構604之各者及對應鄰近的數個第二突出結構606界定出圍繞該第一突出結構604的一凹部608。於接合程序期間，若熔融接合金屬從第一突出結構604流出，它會留在凹部608中且由第二突出結構606所拘限，而不會到達鄰近的接合金屬墊108。因此，凹部608在本案揭露內容中亦稱為「接合金屬容槽」或「焊料容槽」，而第二突出結構606亦稱為「接合金屬拘限壩」或「焊料拘限壩」。
再次參照圖6A，第一突出結構604各包括形成在第一突出結構604之上表面與下表面間的一穿孔610。對應之接合金屬墊108的至少一部分係形成在穿孔610中，形成連到位在第一突出結構604下方之對應驅動器電路104的一電氣路徑。
依據本案揭露內容，介電隔離層602亦可採類似於圖6A及圖6B中所示及以上所述之方式被包括在半導體裝置300中。
如先前所述，功能性裝置晶粒106在空間上係彼此分開。於一些實施例中，一隔離層可被形成在多個功能性裝置晶粒106之間。圖7A及圖7B概要顯示依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置700。半導體裝置700係類似於半導體裝置100，但半導體裝置700更包括形成在多個功能性裝置晶粒106之間的一隔離層702。圖7A係為概要顯示半導體裝置700的一橫截面視圖。於圖7A所示範例中，隔離層702的頂表面係為平坦或大約平坦，且與功能性裝置晶粒106之頂表面齊平或大約齊平。然而，隔離層702可高於或低於功能性裝置晶粒106。依據本案揭露內容，隔離層702可由例如一介電材料形成，以提高鄰近功能性裝置晶粒106之間的電氣隔離性。
如先前所提，功能性裝置晶粒106可為可發射或吸收某一波長之光的光電子裝置晶粒。光電子裝置晶粒之間的空間隔開可確保鄰近光電子裝置晶粒間的良好光學隔離性。此一光學隔離性可例如減少鄰近光電子裝置晶粒間的串擾。該光學隔離性更可藉由選擇用於半導體裝置700中之隔離層702的一合適材料來提升。亦即，隔離層702可由進一步減少鄰近光電子裝置晶粒間之光傳輸的一材料形成。例如，此材料可為一光吸收材料，其可吸收具有與諸如LED晶粒之一光電子裝置晶粒相關聯之波長的光。在本案揭露內容中，與一晶粒或一層體相關聯之一波長或波長範圍係指該晶粒或該層體發射或吸收之光的波長或波長範圍。此吸收性材料可為具有低於空氣之透明度的一材料。在一些實施例中，隔離層702係由對具有與光電子裝置晶粒相關聯之一波長的光為不透明之一材料形成。例如，若光電子裝置晶粒包括發射藍光的LED晶粒，則可選擇對藍光不透明的一材料來形成隔離層702。替代地，隔離層702可包括一反射性材料，其可反射具有與諸如LED晶粒之一光電子裝置晶粒相關聯之波長的光。例如，此反射性材料可將一LED晶粒發射的光反射回那個LED晶粒。降低透明度(吸收性)材料或反射性材料增加個別光電子裝置晶粒的光學限制能力且強化光學隔離性。
於一些實施例中，在功能性裝置晶粒106包括光電子裝置晶粒的情況下，隔離層702不需要完全充填在鄰近光電子裝置晶粒間的空間中，但可在光電子裝置晶粒之側壁上形成順應性層體，特別是在隔離層702係由一反射性材料形成的情形下。
在一些實施例中，如圖7A中所示，半導體裝置700更包括形成在驅動器電路晶圓102之一介電層(圖中未顯示)中的多個接地墊704，亦稱為「接地電極」。接地墊704各與驅動器電路104中之一者相關聯，且對相關聯的驅動器電路104提供一接地準位。此等接地墊704係彼此電氣耦合，且耦合到半導體裝置700的一共地點(圖中未顯示)。
如圖7A中所示，半導體裝置700更包括形成在隔離層702上方的多條金屬接線706。金屬接線706各接觸一對應功能性裝置晶粒106之頂表面的一部分，且電氣耦合到對應的功能性裝置晶粒106。例如，金屬接線706各可與對應功能性裝置晶粒106中的最上磊晶層直接接觸。此外，金屬接線706各包括形成在一接線穿孔710中的一插塞部分708，而此接線穿孔710係形成在隔離層702中。金屬接線706經由金屬接線706之插塞部分708各接觸及電氣耦合到一對應的接地墊704。因此，金屬接線706形成一交互連接的金屬層。
圖7B係為半導體裝置700的一平面圖，其概要顯示半導體裝置700在含功能性裝置晶粒106之功能性裝置區域711中的接線。此外，如圖7B中所示，半導體裝置700更包括用於接收及/或輸出資料的一資料介面712，例如輸入用來控制功能性裝置晶粒106之操作的資料，或輸出功能性裝置晶粒106所產生的資料。半導體裝置700亦包括耦合在資料介面712與功能性裝置區域711間的一控制部分714。控制部分712可包括例如一或多個移位暫存器、一或多個數位類比轉換器(DAC)、及/或一或多個掃描控制器。
在半導體裝置700中，金屬接線706接觸且電氣耦合到接地墊704，接地墊各與驅動器電路104中之一者相關聯。圖8A及圖8B係分別為依據本案揭露內容之一些實施例之另一範例半導體裝置800的橫截面視圖及平面圖。如圖8A及圖8B中所示，半導體裝置800包括形成在隔離層702上方的一連續接線層802。接線層802接觸且電氣耦合到各功能性裝置晶粒106。例如，接線層802可與各功能性裝置晶粒106中的最上磊晶層直接接觸。接線層802係更電氣耦合到形成於圍繞功能性裝置區域711之周邊區域中的接地墊804，如圖8B中所示。
於一些實施例中，依據本案揭露內容的一半導體裝置不包括上述的隔離層702，但具有整個形成在半導體裝置上方的一順應性鈍化層。圖9係為概要顯示此一範例半導體裝置900的一橫截面視圖。半導體裝置900係類似於半導體裝置100，但半導體裝置900更包括一鈍化層902。如圖9中所示，鈍化層902係順應性地形成在功能性裝置晶粒106、接合金屬墊108、及驅動器電路晶圓102的暴露區域上方。例如，鈍化層902可與各功能性裝置晶粒106中的最上磊晶層直接接觸。
在一些實施例中，如圖9中所示，類似於半導體裝置700之半導體裝置900亦包括形成在驅動器電路晶圓102之一介電層(圖中未顯示)中的接地墊704。功能性裝置接觸開口904及接地接觸開口906係分別在功能性裝置晶粒106及接地墊704上方之區域中穿過鈍化層902而形成。金屬接線908係形成在鈍化層902上方，各金屬接線908係電氣耦合到功能性裝置晶粒106及對應接地墊704中之一者的上表面。
在上述圖式中，功能性裝置磊晶層105、接合金屬層107及驅動器電路晶圓102係顯示成一個在另一個之上。於一些實施例中，依據本案揭露內容之半導體裝置可更包括一或多個電極層。例如，半導體裝置可包括形成在功能性裝置磊晶層105與接合金屬層107之間的一裝置側電極層。此裝置側電極層可由一或多個傳導材料形成，且包括多個裝置側電極。此等裝置側電極對應於功能性裝置晶粒106中之一者及接合金屬墊108中之一者，且提供對應功能性裝置晶粒106與接合金屬墊108之間的一電氣路徑。
形成裝置側電極層的材料可針對不同類型的功能性裝置晶粒106而有所不同。例如，若功能性裝置晶粒106包括LED晶粒，則裝置側電極層可包括形成在接合金屬層107上方的一反射層，及形成在該反射層上方的一透明傳導材料層。此反射層反射LED晶粒所產生的光，提高LED晶粒的效能，且可包括一反射材料，諸如Sn、鋁(Al)、銀(Ag)、銠(Rh)、銅(Cu)或Au、或諸如DBR的一反射結構。
於一些實施例中，半導體裝置可額外或替代地包括形成在接合金屬層107與驅動器電路晶圓102之間的一驅動器側電極層。此驅動器側電極層可由一或多個傳導材料形成，且包括多個驅動器側電極。此等驅動器側電極各對應於接合金屬墊108中之一者及驅動器電路104中之一者，且在對應接合金屬墊108與驅動器電路104之間提供一電氣路徑。依據本案揭露內容，驅動器側電極層可被形成在驅動器電路晶圓102上，或至少部分形成在形成於驅動器電路晶圓102上方或中的一介電層中。
如以上所述，依據本案揭露內容的半導體裝置可包括光電子裝置晶粒，且因而為一光電子裝置。在同一光電子裝置中的光電子裝置晶粒可具有一類似結構，且與具有一類似波長或類似波長範圍的光相關聯。於一些實施例中，具有不同相關聯波長或波長範圍的額外光學元件可被形成在用於不同光電子裝置晶粒的光電子裝置中。
圖10係為概要顯示依據本案揭露內容之一些實施例之一範例光電子裝置1000的一橫截面視圖。光電子裝置1000包括具有驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方且具有接合金屬墊108的接合金屬層107；及形成在接合金屬層107上方且具有多個光電子裝置晶粒1006的一光電子磊晶層1005。光電子裝置1000更包括一第一光學元件1010a、第二光學元件1010b及第三光學元件1010c。如圖10中所示，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c各被形成在光電子裝置晶粒1006中之一者上方。在其他實施例中，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c各可被形成在光電子裝置晶粒1006中之一或多者上方。第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c係分別與第一波長或第一波長範圍、第二波長或第二波長範圍、及第三波長或第三波長範圍相關聯，此等波長或波長範圍可彼此不同。在圖10中所示之範例中，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c係形成以覆蓋對應光電子裝置晶粒1006的所有暴露表面。於其他實施例中，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可被形成例如僅位在對應光電子裝置晶粒1006之上表面上方。
依據光電子裝置晶粒1006的類型而定，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可為不同類型的光學元件。例如，光電子裝置晶粒1006係為LED晶粒，諸如以GaN為基礎的紫外線(UV)LED晶粒。於此情況下，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可為含不同類型磷光體的磷層。例如，第一光學元件1010a可含藍色磷光體，第二光學元件1010b可含綠色磷光體，而第三光學元件1010c可含紅色磷光體。因此，LED晶粒發射出的UV光可被轉換成不同顏色。此一光電子裝置可被例如用作為一全彩顯示器面板或一白光照明面板。
作為另一範例，光電子裝置晶粒1006為光檢測器晶粒，諸如以Si為基礎的光檢測器晶粒或以III-V族材料為基礎的光檢測器晶粒。在此情況下，第一、第二及第三光學元件1010a、1010b及1010c可為允許不同波長或不同波長範圍的光通過的濾光層。例如，第一光學元件1010a可為允許藍光通過的一濾光層，第二光學元件1010b可為允許綠光通過的一濾光層，而第三光學元件1010c可為允許紅光通過的一濾光層。此一光電子裝置可被用作例如用於數位相機中的一全彩感測器。
作為上述範例的一替代物，光電子裝置晶粒本身可採它們與不同波長或不同波長範圍相關聯的方式組配。圖11係為概要顯示依據本案揭露內容之一些實施例之另一範例光電子裝置1100的一橫截面視圖。光電子裝置1100包括具有驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方且具有接合金屬墊108的接合金屬層107；及形成在接合金屬層107上方且具有多個光電子裝置晶粒1106的光電子磊晶層1105。光電子裝置晶粒1106包括與一第一波長或第一波長範圍相關聯的一第一光電子裝置晶粒1106a；與一第二波長或第二波長範圍相關聯的一第二光電子裝置晶粒1106b；及與一第三波長或第三波長範圍相關聯的一第三光電子裝置晶粒1106c。此第一、第二及第三波長或第一、第二及第三波長範圍可彼此不同。
圖11僅顯示一個第一光電子裝置晶粒1106a、一個第二光電子裝置晶粒1106b、及一個第三光電子裝置晶粒1106c。然而，依據本案揭露內容，光電子裝置1100可具有多於一個的第一光電子裝置晶粒1106a、多於一個的第二光電子裝置晶粒1106b、及/或多於一個的第三光電子裝置晶粒1106c。
於一些實施例中，光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c係為諸如LED晶粒的發光晶粒，其發射不同波長或不同波長範圍的光。例如，第一、第二及第三光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c可分別為紅色、綠色及藍色LED晶粒、或分別為紅色、藍色及綠色LED晶粒、或分別為綠色、紅色及藍色LED晶粒、或分別為綠色、藍色及紅色LED晶粒、或分別為藍色、紅色及綠色LED晶粒、或分別為藍色、綠色及紅色LED晶粒。此一光電子裝置亦可例如用作為一全彩顯示器面板或作為一白光照明面板。
在一些實施例中，光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c係為諸如光檢測器晶粒的光吸收晶粒，其吸收不同波長或不同波長範圍的光。例如，第一光電子裝置晶粒1106a可為檢測藍光的一光檢測器晶粒，第二光電子裝置晶粒1106b可為檢測綠光的一光檢測器晶粒，而第三光電子裝置晶粒1106c可為檢測紅光的一光檢測器晶粒。此一光電子裝置可例如用作用於一數位相機的一全彩感測器。
如圖11中所示，第一光電子裝置晶粒1106a包括與第一波長或第一波長範圍相關聯的一第一作用層1110a。第二光電子裝置晶粒1106b包括與第二波長或第二波長範圍相關聯且形成在一第一偽層1110a’上方的一第二作用層1110b。第三光電子裝置晶粒1106c包括與第三波長或第三波長範圍相關聯且形成在一第二偽層1110b’上方的一第三作用層1110c。而第二偽層1110b’形成在一第三偽層1110a’’上方。依據本案揭露內容，第一作用層1110a、第一偽層1110a’及第三偽層1110a’’具有類似材料結構。同樣地，第二作用層1110b及第二偽層1110b’具有類似材料結構。
如圖11中所示，第一、第二及第三光電子裝置晶粒1106a、1106b及1106c係透過接合金屬層107的接合金屬墊108接合到驅動器電路晶圓102。在此處配合圖11及以下配合圖12A~12K所述的多個實施例中，接合金屬層107亦稱為「第一接合金屬層107」，而接合金屬墊108亦稱為「第一接合金屬墊108」。光電子裝置1100更包括具有多個第二接合金屬墊1114的一第二接合金屬層1112，及具有多個第三接合金屬墊1118 (圖11示出其一)的一第三接合金屬層1116。第二作用層1110b係透過第二接合金屬墊1114中之一者接合到第一偽層1110a’。 第二偽層1110b’係透過第二接合金屬墊1114中之另一者接合到第三偽層1110a’’。進一步地，第三作用層1110c係透過第三接合金屬墊1118中之一者接合到第二偽層1110b’。
圖12A~圖12K概要顯示用以製造依據本案揭露內容之一些實施例之光電子裝置1100的一範例程序。在此範例程序中，形成第一預接合金屬層202在驅動器電路晶圓102上方的步驟，係類似於配合圖2A所述者。因而，此步驟於圖12A~圖12K中不再說明且其敘述省略。
參照圖12A，一第二預接合金屬層1202係形成在第一光電子裝置晶圓1204上方。第一光電子裝置晶圓1204包括磊晶生長在一第一生長基體1208上的第一光電子裝置磊晶結構層1206。接著，如圖12B中所示，第一光電子裝置晶圓1204係接合到驅動器電路晶圓102，而第二預接合金屬層1202及第一預接合金屬層202係接合一起，以形成一第一未圖案化接合金屬層1210。其後，如圖12C中所示，第一生長基體1208被移除以暴露第一光電子裝置磊晶結構層1206。
參照圖12D，一第三預接合金屬層1212係形成在第一光電子裝置磊晶結構層1206上方。同樣地，如圖12E中所示，一第四預接合金屬層1214係形成在一第二光電子裝置晶圓1216上方，此第二光電子裝置晶圓包括磊晶生長在一第二生長基體1220上的一第二光電子裝置磊晶結構層1218。接著，如圖12F中所示，第二光電子裝置晶圓1216係接合到第一光電子裝置磊晶結構層1206，而第四預接合金屬層1214及第三預接合金屬層1212係接合一起，以形成一第二未圖案化接合金屬層1222。其後，如圖12G中所示，第二生長基體1220被移除以暴露第二光電子裝置磊晶結構層1218。
參照圖12H，一第五預接合金屬層1224係形成在第二光電子裝置磊晶結構層1218上方。同樣地，如圖12I中所示，一第六預接合金屬層1226係形成在一第三光電子裝置晶圓1228上方，此第三光電子裝置晶圓包括磊晶生長在一第三生長基體1232上的一第三光電子裝置磊晶結構層1230。接著，如圖12J中所示，第三光電子裝置晶圓1228係接合到第二光電子裝置磊晶結構層1218，而第六預接合金屬層1226及第五預接合金屬層1224係接合一起，以形成一第三未圖案化接合金屬層1234。其後，如圖12K中所示，第三生長基體1232被移除以暴露第三光電子裝置磊晶結構層1230。
在第三生長基體1232被移除之後，剩餘部分構成依據本案揭露內容之一些實施例的另一範例半導體裝置1200。亦即，半導體裝置1200係為在形成半導體裝置1100之程序期間所形成的一中間產品。如圖12K中所示，半導體裝置1200包括具有成一陣列配置之多個驅動器電路104的驅動器電路晶圓102；形成在驅動器電路晶圓102上方的第一未圖案化接合金屬層1210；形成在第一未圖案化接合金屬層1210上方的第一光電子裝置磊晶結構層1206；形成在第一光電子裝置磊晶結構層1206上方的第二未圖案化接合金屬層1222；形成在第二未圖案化接合金屬層1222上方的第二光電子裝置磊晶結構層1218；形成在第二光電子裝置磊晶結構層1218上方的第三未圖案化接合金屬層1234；及形成在第三未圖案化接合金屬層1234上方的第三光電子裝置磊晶結構層1230。特別是，類似半導體裝置1100，半導體裝置1200不包括任何生長基體，且因此第三光電子裝置磊晶結構層1230係暴露於環境中。有別於半導體裝置1100，半導體裝置1200具有水平連續的第一、第二及第三未圖案化接合金屬層1210、1222及1234，及水平連續的第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230。
根據本案揭露內容，在第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係接合到驅動器電路晶圓102上之後，包括將光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230及第一、第二及第三未圖案化接合金屬層1210、1222及1234圖案化之接續程序，係執行來形成圖11中所示的光電子裝置1100。
在以上配合圖12A~圖12K所述的範例程序中，第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係以此順序依序接合到驅動器電路晶圓102。然而，用以接合根據本案揭露內容之第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230的程序係不限於那個範例程序。光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230中之二或更多者可先彼此接合，且而後接合到驅動器電路晶圓102。例如，於一範例程序中，第一光電子裝置磊晶結構層1206係接合到驅動器電路晶圓102。第二及第三光電子裝置磊晶結構層1218及1230係彼此接合，且而後第二及第三光電子裝置磊晶結構層1218及1230之接合結構係接合到第一光電子裝置磊晶結構層1206。於另一範例程序中，第一及第二光電子裝置磊晶結構層1206及1218先彼此接合，且而後第一及第二光電子裝置磊晶結構層1206及1218之接合結構係接合到驅動器電路晶圓102。第三光電子裝置磊晶結構層1230係接著接合到第二光電子裝置磊晶結構層1218。於一進一步範例程序中，第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係先接合一起，且而後第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230的接合結構係接合到驅動器電路晶圓102。
在以上配合圖12A~圖12K所述的範例程序及圖12K中所示之範例半導體裝置1200中，第一、第二及第三光電子裝置磊晶結構層1206、1218及1230係透過一未圖案化金屬層彼此接合或接合到驅動器電路晶圓102。然而，類似於配合圖3A~圖3D所述之範例程序及圖3D中所示之範例半導體裝置300，及配合圖4A~圖5B所述之範例程序及圖4B中所示之範例半導體裝置400，未圖案化接合金屬層1210、1222及1234中之一或多者可在形成半導體裝置1200之程序期間被圖案化。對應地，於半導體裝置1200中，未圖案化接合金屬層1210、1222及1234中之一或多者可以包括多個接合金屬墊之經圖案化接合金屬層替代。
圖11概要顯示包括與三個不同波長或波長範圍相關聯之三個不同類型的光電子裝置晶粒之一範例半導體裝置。於一些實施例中，根據本案揭露內容之一半導體裝置可包括與兩個不同波長或波長範圍相關聯之兩個不同類型的光電子裝置晶粒，或可包括四個或更多不同波長或波長範圍相關聯之四個或更多不同類型的光電子裝置晶粒。光電子裝置晶粒係各接合到驅動器電路晶圓102，且包括一或多個作用層。就具有多個作用層的一光電子裝置晶粒而言，鄰近的作用層亦透過一接合金屬墊彼此接合。
類似地，圖12K概要顯示包括與三個不同波長或波長範圍相關聯之三個光電子裝置磊晶層的一範例半導體裝置。於一些實施例中，根據本案揭露內容之一半導體裝置可包括與兩個不同波長或波長範圍相關聯的兩個光電子裝置磊晶結構層，或可包括與四個或更多不同波長或波長範圍相關聯的四個或更多光電子裝置磊晶結構層。光電子裝置磊晶結構層係各透過一接合金屬層接合到驅動器電路晶圓102，或透過一接合金屬層接合到另一光電子裝置磊晶結構層。
應注意的是，本案揭露內容之圖式僅繪示依據本案揭露內容之範例半導體裝置的概要結構，而可能未繪示半導體裝置之組件的實際形狀及/或尺寸。例如，在上述圖式中，諸如圖1中所示之功能性裝置晶粒106之功能性裝置晶粒的側壁，係顯示垂直於功能性裝置晶粒106及驅動器電路晶圓102之表面。然而，依用以將諸如圖2B中所示之功能性裝置磊晶結構層208之功能性裝置磊晶結構層圖案化的方法，及功能性裝置磊晶結構層是否在被接合到驅動器電路晶圓102之前或之後被圖案化而定，所得的功能性裝置晶粒之側壁可被推拔。此一推拔可在不同方向上且具有不同推拔角度。並且，為簡化說明書內容及使其簡潔，半導體裝置的一些細節及組件並沒有顯示在上述的圖式中，諸如驅動器電路104及其他輔助組件的細部結構。
圖13A及圖13B係分別為概要顯示範例LED面板1300A及1300B的橫截面視圖。如圖13A中所示，LED面板1300A包括單晶矽基體1302及至少部分製造在基體1302中的多個驅動器電路1304。此等驅動器電路1304各包括一以MOS為基礎的積體電路。雖然圖13A中僅顯示一個MOS結構1306供各驅動器電路1304用，但應了解的是驅動器電路1304可具有一個以上的MOS結構。MOS結構1306包括一第一源極/汲極區域1306-1、一第二源極/汲極區域1306-2、及形成在第一與第二源極/汲極區域1306-1及1306-2之間的一通道區域1306-3。MOS結構1306更包括一閘極1306-4及形成在閘極1306-4與通道區域1306-3之間的一閘極介電層1306-5。第一及第二源極/汲極接點1306-6及1306-7係分別形成來電氣耦合到第一及第二源極/汲極區域1306-1及1306-2，用以將第一及第二源極/汲極區域1306-1及1306-2電氣耦合到LED面板1300A的其他部分。
如圖13A中所示，LED面板1300A更包括形成在基體1302上方的一層間絕緣層1308。於一些實施例中，如圖13A中所示，層間絕緣層1308包括一第一子層1308-1及第二子層1308-2。一驅動器輸出電極1310係形成在第二子層1308-2中，且透過一插塞部分1312電氣耦合到第二源極/汲極接點1306-7，此插塞部分1312係形成在第一子層1308-1中並穿經第一子層1308-1。
LED面板1300A更包括多個接合金屬墊1314，其各形成在驅動器電路1304中之一者上。一LED晶粒1316係形成在各接合金屬墊1314上方。
如圖13A中所示，LED晶粒1316之側壁係以LED晶粒1316的上表面係小於LED晶粒1316的下表面之方式推拔。一側壁鈍化層1318係形成在LED晶粒1316的側壁上。依據本案揭露內容，LED面板1300A可例如藉由以上配合圖3A~圖3E所述之範例程序所形成。
參照圖13B，LED面板1300B係類似於LED面板1300A，但LED面板1300B包括具有側壁以會使得各LED晶粒1320之上表面係大於LED晶粒1320之下表面的不同方式推拔之LED晶粒1320。依據本案揭露內容，LED面板1300B可例如藉由以上配合圖4A~圖4C所述之範例程序或以上配合圖5A及圖5B所述之範例程序所形成。
應注意到的是，在以上配合本案揭露內容之圖式描述的多個範例程序中，該等步驟不一定依圖式中所安排的順序來實行，而可採不同次序來實行。例如，形成圖2A中所示之第一預接合金屬層202之步驟可在形成圖2B中所示之第二預接合金屬層204之步驟之前或之後實行。作為另一範例，將第一預接合金屬層202圖案化以形成圖3A中所示之第一預接合金屬墊302之步驟，可在形成圖2B中所示之第二預接合金屬層204之步驟之前或之後實行，且亦可在將第二預接合金屬層204圖案化以形成圖3B中所示之第二預接合金屬墊304之步驟之前或之後實行。
本揭露內容的其他實施例在考量說明書及實施本文所揭露之發明時將可為熟於此技者明顯了解。意欲的是，本說明書及範例僅視為例示，而本發明的真實範圍及精神係由後附申請專利範圍指明。
100、200、300、600、700、800、900、1200‧‧‧半導體裝置 102‧‧‧驅動器電路晶圓 104、1304‧‧‧驅動器電路 105‧‧‧功能性裝置磊晶層 106‧‧‧功能性裝置(晶粒) 107‧‧‧(第一)接合金屬層 108、1314‧‧‧接合金屬墊 202‧‧‧第一預接合金屬層 204‧‧‧(第二)預接合金屬層 206‧‧‧功能性裝置晶圓 208‧‧‧(功能性裝置)磊晶結構層 210‧‧‧生長基體 212‧‧‧未圖案化接合金屬層 214‧‧‧功能性裝置平台 302‧‧‧第一預接合金屬墊 304‧‧‧第一預接合金屬墊 602‧‧‧介電隔離層 604‧‧‧第一突出結構 606‧‧‧第二突出結構 608‧‧‧凹部 610‧‧‧穿孔 702‧‧‧隔離層 704‧‧‧接地墊 706、908‧‧‧金屬接線 708、1312‧‧‧插塞部分 710‧‧‧接線穿孔 711‧‧‧功能性裝置區域 712‧‧‧資料介面 714‧‧‧控制部分 802‧‧‧接線層 902‧‧‧鈍化層 904‧‧‧功能性裝置接觸開口 906‧‧‧接地接觸開孔 1000、1100‧‧‧光電子裝置 1005、1105‧‧‧光電子磊晶層 1006、1106‧‧‧光電子裝置晶粒 1010a‧‧‧第一光學元件 1010b‧‧‧第二光學元件 1010c‧‧‧第三光學元件 1106a‧‧‧(第一)光電子裝置晶粒 1106b‧‧‧(第二)光電子裝置晶粒 1106c‧‧‧(第三)光電子裝置晶粒 1110a‧‧‧第一作用層 1110a’‧‧‧第一偽層 1110a’’‧‧‧第三偽層 1110b‧‧‧第二作用層 1110b’‧‧‧第二偽層 1110c‧‧‧第三作用層 1112‧‧‧第二接合金屬層 1114‧‧‧第二接合金屬墊 1116‧‧‧第二接合金屬層 1118‧‧‧第三接合金屬墊 1202‧‧‧第二預接合金屬層 1204‧‧‧第一光電子裝置晶圓 1206‧‧‧(第一)光電子裝置磊晶結構層 1208‧‧‧第一生長基體 1210‧‧‧(第一)未圖案化接合金屬層 1212‧‧‧第三預接合金屬層 1214‧‧‧第四預接合金屬層 1216‧‧‧第二光電子裝置晶圓 1218‧‧‧(第二)光電子裝置磊晶結構層 1220‧‧‧第二生長基體 1222‧‧‧(第二)未圖案化接合金屬層 1224‧‧‧第五預接合金屬層 1226‧‧‧第六預接合金屬層 1228‧‧‧第三光電子裝置晶圓 1230‧‧‧(第三)光電子裝置磊晶結構層 1232‧‧‧第三生長基體 1234‧‧‧(第三)未圖案化接合金屬層 1300A、1300B‧‧‧LED面板 1302‧‧‧(單晶矽)基體 1306-1‧‧‧第一源極/汲極區域 1306-2‧‧‧第二源極/汲極區域 1306-3‧‧‧通道區域 1306-4‧‧‧閘極 1306-5‧‧‧閘極介電層 1306-6‧‧‧第一源極/汲極區域接點 1306-7‧‧‧第二源極/汲極區域接點 1308‧‧‧層間絕緣層 1308-1‧‧‧第一子層 1308-2‧‧‧第二子層 1310‧‧‧驅動器輸出電極 1316、1320‧‧‧LED晶粒 1318‧‧‧側壁鈍化層
圖1係為概要顯示根據一範例實施例之一垂直整合半導體裝置的一橫截面視圖。
圖2A~圖2E概要顯示用以製造根據一範例實施例之圖1之半導體裝置的一程序。
圖3A~圖3D概要顯示用以製造根據另一範例實施例之圖1之半導體裝置的一程序。
圖4A及圖4B概要顯示用以製造根據另一範例實施例之圖1之半導體裝置的一程序。
圖5A~圖5B概要顯示用以製造根據另一範例實施例之圖1之半導體裝置的一程序。
圖6A及圖6B概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖7A及圖7B概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖8A及圖8B概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖9概要顯示根據另一範例實施例之一半導體裝置。
圖10概要顯示根據一範例實施例之一光電子裝置。
圖11概要顯示根據另一範例實施例之一光電子裝置。
圖12A~圖12K概要顯示用以製造根據一範例實施例之圖11之光電子裝置的一程序。
圖13A概要顯示根據一範例實施例之一發光二極體(LED)面板。
圖13B概要顯示根據另一範例實施例之一LED面板。
100‧‧‧半導體裝置
102‧‧‧驅動器電路晶圓
104‧‧‧驅動器電路
105‧‧‧功能性裝置磊晶層
106‧‧‧功能性裝置(晶粒)
107‧‧‧(第一)接合金屬層
108‧‧‧接合金屬墊

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置，其包含：一驅動器電路晶圓，其包括成一陣列配置的多個驅動器電路；一接合金屬層，其形成在該驅動器電路晶圓上方；一水平連續、非圖案化之功能性裝置磊晶結構層，其形成在該接合金屬層上方且覆蓋該等驅動器電路；及一介電隔離層，其配置在該驅動器電路晶圓與該功能性裝置磊晶結構層之間，該介電隔離層包括數個第一突出結構及圍繞該等第一突出結構之各者的數個第二突出結構，其中該功能性裝置磊晶結構層包括一發光裝置磊晶結構層，該等驅動器電路係組配來提供驅動電流至多個發光裝置，該接合金屬層包括成一陣列配置且彼此隔離的多個接合金屬墊，該等驅動器電路各對應於該等接合金屬墊之一者，各第一突出結構係形成在該等接合金屬墊之一者與該等驅動器電路之一者間，且具有從該第一突出結構之一上表面形成到該第一突出結構之一下表面的一穿孔，該接合金屬墊之至少一部分係配置在該穿孔中，且該等第一突出結構之各者及圍繞該第一突出結構之該等第二突出結構界定出圍繞該第一突出結構的一連續凹部。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中該發光裝置磊晶結構層包括一發光二極體(LED)磊晶結構層。
  3. 如請求項1之半導體裝置，其中該發光裝置磊晶結構層包括一垂直腔面發射雷射(VCSEL)磊晶結構層。
  4. 如請求項1之半導體裝置，其中該裝置磊晶結構層係為與一第一波長相關聯之一第一發光裝置磊晶結構層，該半導體裝置更包含：一第二發光裝置磊晶結構層，其形成在該第一發光裝置磊晶 結構層上方，且與有別於該第一波長之一第二波長相關聯。
  5. 如請求項4之半導體裝置，其中該接合金屬層係為一第一接合金屬層，該半導體裝置更包含：形成在該第一發光裝置磊晶結構層與該第二發光裝置磊晶結構層之間的一第二接合金屬層。
  6. 如請求項4之半導體裝置，其更包含：形成在該第二發光裝置磊晶結構層上方的一或多個額外發光裝置磊晶結構層，該一或多個額外發光裝置磊晶結構層各與有別於該第一波長及該第二波長之一波長相關聯。
  7. 如請求項6之半導體裝置，其更包含：一或多個額外接合金屬層，該一或多個額外接合金屬層各形成在該一或多個額外發光裝置磊晶結構層之一者之下。
  8. 如請求項1之半導體裝置，其中該接合金屬層包括了覆蓋該等驅動器電路的一水平連續之接合金屬層。
  9. 一種半導體裝置，其包含：包括成一陣列配置之多個驅動器電路的一單晶驅動器電路晶圓；形成在該驅動器電路晶圓上方的一接合金屬層，該接合金屬層包括成一陣列配置且彼此隔離的多個接合金屬墊，該等驅動器電路各對應於且電氣耦合到該等接合金屬墊之一者；以及形成在該接合金屬層上方的一功能性裝置磊晶層，該功能性裝置磊晶層包括成一陣列配置的多個發光裝置晶粒，該等多個發光裝置晶粒各對應於該等接合金屬墊之一者；及配置在該單晶驅動器電路晶圓與該功能性裝置磊晶層之間的一介電隔離層，該介電隔離層包括數個第一突出結構及圍繞該等第一突出結構之各者的數個第二突出結構，其中相鄰發光裝置晶粒係彼此分開，而沒有磊晶層將彼此連接在該等發光裝置晶粒之一第一表面處，該第一表面相對於該等 發光裝置晶粒之有該接合金屬層形成在其處的一第二表面，其中該等驅動器電路係組配來提供驅動電流至該等多個發光裝置晶粒，其中各第一突出結構係形成在該等接合金屬墊之一者與該等驅動器電路之一者間，且具有從該第一突出結構之一上表面形成到該第一突出結構之一下表面的一穿孔，該接合金屬墊之至少一部分係配置在該穿孔中，且該等第一突出結構之各者及圍繞該第一突出結構之該等第二突出結構界定出圍繞該第一突出結構的一連續凹部。
  10. 如請求項9之半導體裝置，其中該等發光裝置晶粒係組配成彼此光學隔離。
  11. 如請求項10之半導體裝置，其更包含：形成在該等發光裝置晶粒之間的一隔離層。
  12. 如請求項11之半導體裝置，其中該隔離層包括了對具有與該等發光裝置晶粒相關聯之一波長的光具吸收性或反射性的一材料。
  13. 如請求項11之半導體裝置，其更包含：一交互連接金屬層，其形成在該隔離層上方且電氣耦合到該等驅動器電路之數個接地墊及該等發光裝置晶粒之數個頂表面。
  14. 如請求項9之半導體裝置，其中：該等發光裝置晶粒包括：一第一發光裝置晶粒，其包括與一第一波長相關聯之一第一作用層；一第二發光裝置晶粒，其包括了形成在一第一偽層上方且與一第二波長相關聯之一第二作用層；及一第三發光裝置晶粒，其包括了形成在一第二偽層上方且與一第三波長相關聯之一第三作用層，該第二偽層係形成在一第三偽層上方； 該第一作用層、該第一偽層、及該第三偽層係由一第一材料製成；以及該第二作用層及該第二偽層係由一第二材料製成。
  15. 如請求項9之半導體裝置，其中該等發光裝置晶粒包括多個發光二極體(LED)晶粒。
  16. 如請求項9之半導體裝置，其中該等發光裝置晶粒包括多個垂直腔面發射雷射(VCSEL)晶粒。
  17. 如請求項9之半導體裝置，其中該等驅動器電路包括多個高電子遷移率電晶體(HEMT)晶粒。
  18. 如請求項9之半導體裝置，其更包含：形成在該接合金屬層與該功能性裝置磊晶層之間的一電極層，該電極層係由一傳導材料形成，且包括成一陣列配置的多個電極，該等電極各對應於該等接合金屬墊之一者。
  19. 如請求項18之半導體裝置，其中該電極層包括：形成在該接合金屬層上方的一反射層；以及形成在該反射層上方的一透明傳導層。
  20. 一種半導體裝置，其包含：一驅動器電路晶圓，其包括成一陣列配置的多個驅動器電路；一接合金屬層，其形成在該驅動器電路晶圓上方；一水平連續之功能性裝置磊晶結構層，其形成在該接合金屬層上方且覆蓋該等驅動器電路，其中該水平連續之功能性裝置磊晶結構層的各層係實質連續或非圖案化；及一介電隔離層，其配置在該驅動器電路晶圓與該功能性裝置磊晶結構層之間，該介電隔離層包括數個第一突出結構及圍繞該等第一突出結構之各者的數個第二突出結構，其中該功能性裝置磊晶結構層包括一發光裝置磊晶結構層，該等驅動器電路係組配來提供驅動電流至多個發光裝置，該接合金屬層包括成一陣列配置且彼此隔離的多個接合金屬 墊，該等驅動器電路各對應於該等接合金屬墊之一者，各第一突出結構係形成在該等接合金屬墊之一者與該等驅動器電路之一者間，且具有從該第一突出結構之一上表面形成到該第一突出結構之一下表面的一穿孔，該接合金屬墊之至少一部分係配置在該穿孔中，且該等第一突出結構之各者及圍繞該第一突出結構之該等第二突出結構界定出圍繞該第一突出結構的一連續凹部。
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