CN113066813B - 一种微型二极管显示承载基板及显示面板、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种微型二极管显示承载基板,包括第一衬底、像素电路阵列层、第一键合层;像素电路阵列层位于第一衬底的一侧且包括多个像素电路;第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底的一侧,第一键合层包括至少一个第一键合结构,第一键合结构与像素电路电连接;至少一个第一键合结构远离第一衬底的一侧设置有对位槽或者对位凸起;对位槽或者对位凸起用于在微型二极管绑定至承载基板时,配合微型二极管的电极进行对位操作。本申请实施例中第一键合结构的对位槽或者对位凸起可以与微型二极管中的电极形成嵌套结构,在第一键合结构与对应的微型二极管中的电极中的至少一者所设置的焊锡熔融实现键合时,解决了微型二极管绑定错位的问题。
Description
【技术领域】
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种微型二极管显示承载基板及显示面板、显示装置。
【背景技术】
作为新一代的显示技术,微型二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)显示面板具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的显著优势。区别于有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板采用膜层沉积的制作方式,微型二极管显示面板中矩阵排布的发光元件的主要实现形式为软体印章转移技术。然而,现有技术中采用软体印章转移技术制备的微型二极管显示面板存在LED芯片与驱动电路电极对位偏移的问题。
【发明内容】
有鉴于此,本申请实施例提供了一种微型二极管显示承载基板、一种微型二极管显示面板及一种显示装置。
第一方面,本申请实施例提供一种微型二极管显示承载基板,包括第一衬底、像素电路阵列层、第一键合层;像素电路阵列层位于第一衬底的一侧且包括多个像素电路;第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底的一侧,第一键合层包括至少一个第一键合结构,第一键合结构与像素电路电连接;至少一个第一键合结构远离第一衬底的一侧设置有对位槽或者对位凸起;对位槽或者对位凸起用于在微型二极管绑定至承载基板时,配合微型二极管的电极进行对位操作。
在第一方面的一种实现方式中,对位槽或者对位凸起在第一衬底上的投影为圆形、矩形、十字形中的任意一种。
在第一方面的一种实现方式中,在平行于第一衬底的截面内,对位槽的截面积为第一截面积,第一截面积在沿垂直于第一衬底且逐渐远离第一衬底的方向上逐渐增大;在平行于第一衬底的截面内,对位凸起的截面积为第二截面积,第二截面积在沿垂直于第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向上逐渐减小。
在第一方面的一种实现方式中,多个第一键合结构中设置有对位槽;在平行于第一衬底的一个截面内,第一截面积在沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向上逐渐增大。
在第一方面的一种实现方式中,多个第一键合结构中设置围墙结构且围墙结构围绕对位槽,围墙结构沿承载基板厚度方向的高度为第一高度;第一高度沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向上逐渐增大。
在第一方面的一种实现方式中,相邻设置的两个第一键合结构之间的距离为第二距离,第二距离沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向上逐渐增大。
第二方面,本申请实施例提供一种微型二极管显示面板,包括承载基板及微型二极管,微型二极管包括第一电极;承载基板包括第一衬底、像素电路阵列层及第一键合层,像素电路阵列层位于第一衬底的一侧且像素电路阵列层包括多个像素电路,第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底的一侧;第一键合层包括第一键合结构,第一电极包括第二键合结构,且第一键合结构与像素电路电连接且第二键合结构与第一键合结构电连接;其中,至少一个第一键合结构中远离第一衬底的一侧设置有对位槽且至少一个第二键合结构中靠近第一衬底的一侧包括对位凸起,或者,至少一个第一键合结构中远离第一衬底的一侧包括对位凸起且至少一个第二键合结构中靠近第一衬底的一侧设置有对位槽;电连接的第一键合结构与第二键合结构中,对位凸起与对位槽对应,且在垂直于第一衬底的方向上,对位凸起至少部分位于对位槽内。
在第二方面的一种实现方式中,至少一个第一键合结构中远离第一衬底的一侧设置有对位槽,至少一个第二键合结构中靠近第一衬底的一侧包括对位凸起;在平行于第一衬底的截面内,对位槽的截面积为第一截面积,对位凸起的截面积为第二截面积;沿垂直于第一衬底且逐渐远离第一衬底的方向,第一截面积逐渐增大且第二截面积逐渐增大。
在第二方面的一种实现方式中,至少一个第一键合结构中远离第一衬底的一侧包括对位凸起,至少一个第二键合结构中靠近第一衬底的一侧设置有对位槽;在平行于第一衬底的截面内,对位槽的截面积为第一截面积,对位凸起的截面积为第二截面积;沿垂直于第一衬底且逐渐远离第一衬底的方向,第一截面积逐渐减小且第二截面积逐渐减小。
在第二方面的一种实现方式中,多个第一键合结构中设置有对位槽,或者多个第二键合结构中设置有所述对位槽;在平行于第一衬底的一个截面内,沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向,第一截面积逐渐增大。
在第二方面的一种实现方式中,电连接的第一键合结构与第二键合结构中,对位凸起的侧表面与对位槽的侧表面之间存在第一距离d1,d1>0。
在第二方面的一种实现方式中,沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向,第一距离d1逐渐增大。
在第二方面的一种实现方式中,相邻设置的两个第一键合结构之间的距离为第二距离,沿平行于第一衬底且逐渐远离第一衬底的中心位置的方向,第二距离逐渐增大。
在第二方面的一种实现方式中,对位槽或者对位凸起在第一衬底上的投影为圆形、矩形、十字形中的任意一种。
在第二方面的一种实现方式中,第一键合结构与第二键合结构中的一者包括金粒子,另一者包括锡粒子。
第三方面,本申请实施例提供一种显示装置,包括如第二方面提供的显示面板。
本申请实施例提供的承载基板用于绑定微型二极管,第一键合结构的对位槽或者对位凸起可以与微型二极管中的对应的电极形成嵌套结构,则在第一键合结构与对应的微型二极管中的电极中的至少一者所设置的焊锡熔融实现键合时,解决了微型二极管绑定错位的问题。
【附图说明】
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种微型二极管显示承载基板的示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种微型二极管显示承载基板的示意图;
图3为本申请实施例提供的一种微型二极管显示面板的示意图;
图4为本申请实施例提供的另一种微型二极管显示面板的示意图;
图5为现有技术中一种微型二极管显示面板的制备示意图;
图6为本申请实施例提供的一种第一键合结构的示意图;
图7为本申请实施例提供的另一种第一键合结构的示意图;
图8为本申请实施例提供的又一种第一键合结构的示意图;
图9为本申请实施例提供的再一种第一键合结构的示意图;
图10为本申请实施例提供的一种第一键合结构的俯视图;
图11为本申请实施例提供的另一种第一键合结构的俯视图;
图12为本申请实施例提供的又一种第一键合结构的俯视图;
图13为本申请实施例提供的又一种微型二极管显示承载基板的示意图;
图14为本申请实施例提供的再一种微型二极管显示承载基板的示意图;
图15为本申请实施例提供的还一种微型二极管显示承载基板的示意图;
图16为本申请实施例提供的又另一种微型二极管显示承载基板的示意图;
图17为本申请实施例提供的一种第二键合结构的示意图;
图18为本申请实施例提供的另一种第二键合结构的示意图;
图19为本申请实施例提供的一种第二键合结构的示意图;
图20为本申请实施例提供的另一种第二键合结构的示意图;
图21为本申请实施例提供的一种对位槽与对位凸起的俯视图;
图22为本申请实施例提供的另一种对位槽与对位凸起的俯视图;
图23为本申请实施例提供的又一种对位槽与对位凸起的俯视图;
图24为本申请实施例提供的又一种微型二极管显示面板的示意图;
图25为本申请实施例提供的再一种微型二极管显示面板的示意图;
图26为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。
【具体实施方式】
为了更好的理解本申请的技术方案,下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
应当明确,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本说明书的描述中,需要理解的是,本申请权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语,是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内,可以大体上认同的,而不是一个精确值。
应当理解,尽管在本申请实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述键合结构、截面积、距离等,但这些键合结构、截面积、距离不应限于这些术语。这些术语仅用来将键合结构、截面积、距离彼此区分开。例如,在不脱离本申请实施例范围的情况下,第一距离也可以被称为第二距离,类似地,第二距离也可以被称为第一距离。
本案申请人通过细致深入研究,对于现有技术中所存在的问题,而提供了一种解决方案。
本申请实施例提供一种微型二极管显示承载基板及微型二极管显示面板、显示装置。
图1为本申请实施例提供的一种微型二极管显示承载基板的示意图,图2为本申请实施例提供的另一种微型二极管显示承载基板的示意图。
如图1及图2所示,本申请实施例提供的微型二极管显示承载基板10包括第一衬底11、多个像素电路12及至少一个第一键合结构13a。
多个像素电路12位于像素电路阵列层中且像素电路阵列层位于第一衬底11的一侧,则多个像素电路12位于第一衬底11的一侧。需要说明的是,图1及图2中的像素电路12仅示意出了一个晶体管12,在实际应用中,用于驱动子像素中的发光器件发光的像素电路12可以包括多个晶体管12并且还可以包括诸如电容等的其他电子元件。
第一键合结构13a位于第一键合层中且第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底11的一侧,则第一键合结构13a位于像素电路12远离第一衬底11的一侧。并且第一键合结构13a与像素电路12电连接,用于从像素电路12接收信号。
图3为本申请实施例提供的一种微型二极管显示面板的示意图,图4为本申请实施例提供的另一种微型二极管显示面板的示意图。
如图3及图4所示,本申请实施例提供的承载基板10用于承载且绑定多个微型二极管20,以形成微型二极管显示面板01。其中,第一键合结构13a为承载基板10中与微型二极管20接触且进行绑定的结构,即微型二极管20通过与第一键合结构13a绑定获得发光所需的信号。
需要说明的是,如图1-图4所示,承载基板10还包括第一连接电极14a,第一连接电极14a位于第一键合结构13a与其对应的电连接的像素电路12之间。其中,第一连接电极14a是Ti金属层和/或ITO导电层,则第一键合结构13a与像素电路12之间通过第一连接电极14a实现电连接时,可以减小两者之间的阻抗及增加两者之间的电连接稳定性。
图5为现有技术中一种微型二极管显示面板的制备示意图。
现有的微型二极管显示面板通常采用巨量转移技术,如图5所示,巨量转移技术采用的设备主要为软体印章30’,其中,软体印章30’包括主体31’、拾取头32’及压头33’,拾取头32’用于从原始微型二极管阵列中拾取微型二极管20’,并将微型二极管20’精确地绑定在承载基板10’上。请参考图5,微型二极管20’显示面板的具体制备步骤包括:
步骤S01:软体印章30’的拾取头32’拾取微型二极管20’后使得微型二极管20’与对应的第一键合结构13a’对齐;
步骤S02:压头33’受到外力使得软体印章30’下压后,微型二极管20’与对应的第一键合结构13a’接触,然后对微型二极管20’与对应的第一键合结构13a’进行绑定。
发明人发现,在步骤S02中对微型二极管20’与第一键合结构13’进行绑定后,原本在步骤S01中对齐的部分微型二极管20’与对应的第一键合结构13’间存在了错位,进而影响了微型二极管20’与第一键合结构13’之间的绑定稳定性。
发明人通过分析认为,在步骤S02后,微型二极管20’与对应的第一键合结构13’之间错位的原因在于,软体印章30’的主体31’在步骤S02时受热发生膨胀,导致其上的拾取头32’带动微型二极管20’相对于对应的第一键合结构13’发生偏移。其中,软体印章30’的主体31’在步骤S02时受热的过程具体为,压头33’将热量通过主体传递给微型二极管20’中的电极,甚至传递至第一键合结构13a’使得焊锡熔融实现键合。
在本申请实施例提供的承载基板中,如图1及图3所示,至少一个第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位槽03a;或者,如图2及图4所示,第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位凸起03a’。在微型二极管20绑定至承载基板10时,对位槽03a或者对位凸起03a’用于配合微型二极管20的电极进行对位操作。
具体的,在绑定微型二极管20时,第一键合结构13a的对位槽03a或者对位凸起03’可以与微型二极管20中的对应的电极形成嵌套结构,则在第一键合结构13a与对应的微型二极管20中的电极中的至少一者所设置的焊锡熔融实现键合时,解决了微型二极管20绑定错位的问题。
图6为本申请实施例提供的一种第一键合结构的示意图,图7为本申请实施例提供的另一种第一键合结构的示意图。
在本申请的一个实施例中,如图1及图6、图7所示,第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位槽03a,且在平行于第一衬底11的截面内,对位槽03a的截面积为第一截面积。
在本实施例的一种实现方式中,沿承载基板10的厚度方向,第一键合结构13a中各位置处对应的第一截面积始终相等。如图1所示,沿着由第一衬底11指向第一键合结构13a的方向,第一键合结构13a中各位置处的对位槽03a的内径保持不变。
在本实施例的另一种实现方式中,沿垂直于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的方向,第一截面积逐渐增大。如图6及图7所示,沿着由第一衬底11指向第一键合结构13a的方向X,第一键合结构13a中对位槽03a的内径增大。例如,如图6所示,对位槽03a沿方向X的截面为倒阶梯形状;或者,如图7所示,对位槽03a沿方向X的截面为倒梯形状。
图8为本申请实施例提供的又一种第一键合结构的示意图,图9为本申请实施例提供的再一种第一键合结构的示意图。
在本申请的另一个实施例中,如图2及图8、图9所示,第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位凸起03a’,且在平行于第一衬底11的截面内,对位凸起03a’的截面积为第二截面积。
在本实施例的一种实现方式中,沿承载基板10的厚度方向,第一键合结构13a中各位置处对应的第二截面积始终相等。如图2所示,沿着由第一衬底11指向第一键合结构13a的方向,第一键合结构13a中对位凸起03a’的直径保持不变。
在本实施例的另一种实现方式中,沿垂直于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的方向,第二截面积逐渐减小。如图8及图9所示,沿着由第一衬底11指向第一键合结构13a的方向X,第一键合结构13a中对位凸起03a’的直径减小。例如,如图8所示,对位凸起03a’沿方向X的截面为正阶梯形状;或者,如图9所示,对位凸起03a’沿方向X的截面为正梯形状。
以上设计可以增加第一键合结构13a与微型二极管20之间的绑定精度。
图10为本申请实施例提供的一种第一键合结构的俯视图,图11为本申请实施例提供的另一种第一键合结构的俯视图,图12为本申请实施例提供的又一种第一键合结构的俯视图。
其中,当第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置对位槽03a时,如图10所示,对位槽03a在第一衬底11上的投影可以为十字形;或者,如图11所示,对位槽03a在第一衬底11上的投影可以为圆形;又或者,如图12所示,对位槽03a在第一衬底11上的投影可以为矩形。
当第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置对位凸起03a’时,对位凸起03a’在第一衬底11上的投影也可以为十字形、圆形、矩形中的任意一种。
图13为本申请实施例提供的又一种微型二极管显示承载基板的示意图,图14为本申请实施例提供的再一种微型二极管显示承载基板的示意图。
在本申请的一个实施例中,多个第一键合结构13a中均设置有对位槽03a,在平行于第一衬底11的一个截面内,沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第一截面积逐渐增大。如图13及图14所示,微型二极管显示承载基板的中心轴为MN,则沿中心轴MN指向承载基板10的边缘的方向Z,在平行于第一衬底11的一个平面内,对位槽03a的内径逐渐增大。
发明人发现,在现有技术中由于软体印章30’的主体31’在步骤S02时受热发生膨胀时,导致越远离压头33’的微型二极管20’与对应的第一键合结构13a’错位越严重。而通常压头33’位于主体31’的中间位置,则在步骤S01中微型二极管20’与对应的第一键合结构13a’时,压头33’也就位于承载基板10’的中间位置。也就是说,越远离承载基板10’中心位置的第一键合结构13a’所对应的微型二极管20’与第一键合结构13a’之间的错位越严重。
在本实施例中,通过将越远离承载基板10中心位置的第一键合结构13a上所设置的对位槽03a的内径设置的越大,可以避免与第一键合结构13a对应的微型二极管20中与第一键合结构13a错位较大且表面对位槽03内的电极过度挤压对位槽03a的侧壁。
进一步地,请结合图13、图14及图6、图7,当第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位槽03a时,则第一键合结构13a中还包括围绕对位槽03a的围墙结构04a。为了确保相邻子像素之间的具备一定的间距以保证工艺过程中的良率,多个第一键合结构13a的对位槽03a中位于同一平面内的第一截面积沿方向Z逐渐增大可以通过逐渐减薄该些第一键合结构13a的围墙结构03c实现。
更进一步地,围墙结构03c沿承载基板10厚度方向的高度为第一高度,且在沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第一高度逐渐增大。也就是,沿中心轴MN指向边缘的方向Z,围墙结构03c的高度逐渐增大。且在本实施例中,第一键合结构13a中包括焊锡,具体地,围墙结构03c可以为焊锡。
在本实施例中,厚度较薄的围墙结构03c具有较大的高度,则在绑定第一键合结构13a与微型二极管20时,厚度较薄的围墙结构03c也可以在焊接过程中提供的熔融的焊锡与厚度较厚的围墙结构03c在焊接过程中提供的熔融的焊锡基本等量,同时保证不同位置处的微型二极管20具有基本一致的绑定强度及绑定高度。
图15为本申请实施例提供的还一种微型二极管显示承载基板的示意图。
在本申请的一个实施例中,如图1-图4及图13-图16所示,所有的像素电路12电连接的第一键合结构13a设置有对位槽03a或者对位凸起03a’。
在本申请的另一个实施例中,如图15所示,部分像素电路12电连接的第一键合结构13a设置有对位槽03a或者对位凸起03a’,另一部分像素电路12电连接的第一键合结构13a不设置对位槽03a或者对位凸起03a’。
需要说明的是,当承载基板10同时包括设置对位槽03a/对位凸起03a’以及不设置对位槽03a/对位凸起03a’的第一键合结构13a时,如图15所示地承载基板10中心轴MN附近设置的第一键合结构13a包括对位槽03a/对位凸起03a’,且承载基板10边缘位置设置的第一键合结构13a不包括对位槽03a/对位凸起03a’。其中,承载基板10中心位置附近第一键合结构13a的对位槽03a/对位凸起03a’可以有效减弱软体印章30’中主体31’膨胀的程度,减弱微型二极管20偏移的程度。
图16为本申请实施例提供的又另一种微型二极管显示承载基板的示意图。
在本实施例中,相邻设置的两个第一键合结构13a之间的距离为第二距离d2,沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第二距离d2逐渐增大。如图16所示,微型二极管显示承载基板11的中心轴为MN,则沿中心轴MN指向承载基板10的边缘的方向Z,在平行于第一衬底11的一个平面内,第二距离d2逐渐增大,例如,最靠近中心轴MN的第一键合结构13a与相邻的第一键合结构13a之间的距离为d21,最靠近边缘的第一键合结构13a与相邻的第一键合结构13a之间的距离为d22,则d22>d21。在本实施例中,第一键合结构13a非等间距设置以配合在绑定过程中微型二极管20的偏移。
需要说明的是,图1-图4及图13-图16均是以卧式微型二极管20所绑定的承载基板10为例进行说明的,也就是,承载基板20上除包括第一键合结构13a外,还包括次第一键合结构13b。其中,第一键合结构13a与次第一键合结构13b同层设置且一一对应。并且相对应的第一键合结构13a与次第一键合结构13b中的一者与微型二极管20的正极绑定,另一者与微型二极管20的负极绑定。
次第一键合结构13b可以与上述任意一个实施例提供的第一键合结构13a的结构与组成成分相同,例如,次第一键合结构13b也包括对位槽03b或者对位凸起03b’。此外,次第一键合结构13b可以与信号线14b电连接,信号线14b与第一电极14a可以同层设置且成分相同。
此外,本申请提供的承载基板10也可以与立式微型二极管20所绑定,也就是说,微型二极管20的正极与阴极中的一者与承载基板10绑定,另一者与其他基板绑定。
此外,本申请实施例还提供一种微型二极管显示面板,如图3及图4所示,微型二极管显示面板包括承载基板10及多个微型二极管20,微型二极管20可以呈阵列排布地绑定在承载基板10上。在微型二极管显示面板01中,一个子像素可以对应一个微型二极管20。
其中,承载基板10可以为上述任意一个实施例中的承载基板。
具体地,承载基板10包括第一衬底11、多个像素电路12及至少一个第一键合结构13a。多个像素电路12位于像素电路阵列层中且像素电路阵列层位于第一衬底11的一侧。第一键合结构13a位于第一键合层中且第一键合层位于像素电路阵列层远离第一衬底11的一侧。
微型二极管20包括晶片22、以及与晶片22电连接的第一电极23a和第二电极23b。具体地,第一电极23a与第二电极23b中的一者可以作为微型二极管20的正极,另一者可以作为微型二极管20的负极。需要说明的是,图3及图4均示意出了卧式微型二极管20所构成的微型二极管显示面板01,在实际应用中,微型二极管20也可以为立式结构。
具体地,第一电极23包括电极主体23b及第二键合结构23a,并且第二键合结构23a位于第一电极23中电极主体23b朝向承载基板10的一侧。
第二键合结构23a与第一键合结构13a电连接,具体地,第二键合结构23a与第一键合结构13a通过焊锡焊接在一起。并且第一键合结构13a与像素电路12电连接,用于从像素电路12接收信号后通过第二键合结构23a传送至微型二极管20的第一电极23a。
其中,如图3所示,至少一个第一键合结构13a中远离所述第一衬底11的一侧设置有对位槽03a,至少一个第二键合结构23a中靠第一衬底11的一侧包括对位凸起03a’;或者,如图4所示,至少一个第一键合结构13a中远离第一衬底11的一侧包括对位凸起03a’,至少一个第二键合结构13a中靠近第一衬底11的一侧设置有对位槽03a。
如图3所示,电连接的第一键合结构13a与第二键合结构23a中,对位凸起03a’与对位槽03a对应设置,且在垂直于第一衬底11的方向上,对位凸起03a’至少部分位于对位槽03a内。
也就是说,包括有对位槽03a与对位凸起03a’中的一者的第一键合结构13a与包括有对位槽03a与对位凸起03a’中的另一者的第二键合结构23a,通过对位槽03与对位凸起03a’实现嵌套结构,则在第一键合结构13a与对应第一电极中的至少一者所设置的焊锡熔融实现键合时,基本不会出现微型二极管20绑定错位的问题。。
在本申请的一种技术方案中,第一键合结构13a与第二键合结构23a中的一者包括金粒子,另一者包括锡粒子。具体的,第一键合结构13a与第二键合结构23a中的一者为金薄膜层,另一者为铟/锡层,则在加热到一定温度时,第一键合结构13a与第二键合结构23a可以形成包含有金、铟/锡的共晶层。
图17为本申请实施例提供的一种第二键合结构的示意图,图18为本申请实施例提供的另一种第二键合结构的示意图。
在本申请的一个实施例中,如图3所示,第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位槽03a,第二键合结构23a靠近第一衬底11的一侧设置有对位凸起03a’,且在平行于第一衬底11的截面内,对位槽03a的截面积为第一截面积且对位凸起03a’的截面积为第二截面积。
在本实施例的一种实现方式中,沿显示面板01的厚度方向,第一键合结构13a中各位置处对应的第一截面积始终相等且第二键合结构23a中各位置处对应的第二截面积始终相等。如图3所示,沿着由第一衬底11指向第一键合结构13a的方向,第一键合结构13a中各位置处的对位槽03a的内径保持不变,且第二键合结构23a中各位置处对位凸起03a’的直径保持不变。
在本实施例的另一种实现方式中,沿垂直于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的方向,第一截面积逐渐增大且第二截面积逐渐增大。请结合图6与图17、图7与图18,沿着由第一衬底11指向微型二极管20的方向X,第一键合结构13a中对位槽03a的内径增大,且第二键合结构23a中对位凸起03a’的直径增大。例如,请结合图6与图17,对位槽03a沿方向X的截面为倒阶梯形状,且与之嵌套的对位凸起03a’沿方向X的截面也为倒阶梯形状;或者,请结合图7与图18,对位槽03a沿方向X的截面为倒梯形状,且与之嵌套的对位凸起03a’沿方向X的截面也为倒梯形状。
图19为本申请实施例提供的一种第二键合结构的示意图,图20为本申请实施例提供的另一种第二键合结构的示意图。
在本申请的另一个实施例中,如图4所示,第一键合结构13a远离第一衬底11的一侧设置有对位凸起03a’,第二键合结构23a靠近第一衬底11的一侧设置有对位槽03a,且在平行于第一衬底11的截面内,对位槽03a的截面积为第一截面积且对位凸起03a’的截面积为第二截面积。
在本实施例的一种实现方式中,沿显示面板01的厚度方向,在本实施例的一种实现方式中,沿显示面板01的厚度方向,第一键合结构13a中各位置处对应的第一截面积始终相等且第二键合结构23a中各位置处对应的第二截面积始终相等。如图3所示,沿着由第一衬底11指向第一键合结构13a的方向,第一键合结构13a中各位置处的对位凸起03a’的直径保持不变,且第二键合结构23a中各位置处对位槽03a的内径保持不变。
在本实施例的另一种实现方式中,沿垂直于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的方向,第一截面积逐渐减小且第二截面积逐渐减小。请结合图7与图19、图8与图20,沿着由第一衬底11指向微型二极管20的方向X,第一键合结构13a中对位凸起03a’的直径减小,且第二键合结构23a中对位槽03a的内径增大。例如,如图7与图19,对位槽03a沿方向X的截面为正阶梯形状,且与之嵌套的对位凸起03a’沿方向X的截面也为正阶梯形状;或者,如图7所示,对位槽03a沿方向X的截面为正梯形状,且与之嵌套的对位凸起03a’沿方向X的截面也为正梯形状。
图21为本申请实施例提供的一种对位槽与对位凸起的俯视图,图22为本申请实施例提供的另一种对位槽与对位凸起的俯视图,图23为本申请实施例提供的又一种对位槽与对位凸起的俯视图。
其中,如图21所示,对位槽03a及对位凸起03a’在第一衬底11上的投影可以为十字形;或者,如图22所示,对位槽03a及对位凸起03a’在第一衬底11上的投影可以为圆形;又或者,如图23所示,对位槽03a及对位凸起03a’在第一衬底11上的投影可以为矩形。
图24为本申请实施例提供的又一种微型二极管显示面板的示意图,图25为本申请实施例提供的再一种微型二极管显示面板的示意图。
在本申请的一个实施例中,如图24所示,多个第一键合结构13a中均设置有对位槽03a,在平行于第一衬底11的一个截面内,沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第一截面积逐渐增大。如图24所示,微型二极管显示面板01的中心轴为MN,则沿中心轴MN指向显示面板01的边缘的方向Z,在平行于第一衬底11的一个平面内,对位槽03a的内径逐渐增大。
在本申请的另一个实施例中,如图25所示,多个第二键合结构23a中均设置有对位槽03a,在平行于第一衬底11的一个截面内,沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第一截面积逐渐增大。如图25所示,微型二极管显示面板的中心轴为MN,则沿中心轴MN指向显示面板01的边缘的方向Z,在平行于第一衬底11的一个平面内,对位槽03a的内径逐渐增大。
在本申请的一个实施例中,请继续参考图23及图24,设置有对位槽03a或对位凸起03a’的第一键合结构13a与第二键合结构13b中,对位凸起对位凸起03a’的侧表面与对位槽对位槽03a的侧表面之间存在第一距离d1,d1>0。
在本实施例中,通过将越远离显示面板01中心位置的第一键合结构13a或第二键合结构20上所设置的对位槽03a的内径设置的越大,可以避免第一键合结构20与对应的第二键合结构错位较大且避免位于对位槽03a内的第一电极23过度挤压对位槽03a的侧壁。
在本申请实施例的一种实现方式中,沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第一距离d1逐渐增大。如图24及25所示,微型二极管显示面板01的中心轴为MN,则沿中心轴MN指向显示面板01的边缘的方向Z,在平行于第一衬底11的一个平面内,第一距离d1逐渐增大。例如,显示面板01中心轴MN上的第一键合结构13a与第二键合结构23a所对应的第一距离d1具体为d11,显示面板01边缘处的第一键合结构13a与第二键合结构23a所对应的第一距离d1具体为d13,位于中心轴与边缘之间的第一键合结构13a与第二键合结构23a所对应的第一距离d1具体为d12,则d13>d12>d11。
此设计可以通过将各个对位凸起03a’的直径设计为相同,且将越远离显示面板01中心位置的第一键合结构13a或第二键合结构20上所设置的对位槽03a的内径设置的越大来实现。该设计可以有效解决显示面板01位置处第一键合结构13a与第二键合结构23a错位严重的问题。
此外,相邻设置的两个第一键合结构13a之间的距离为第二距离,沿平行于第一衬底11且逐渐远离第一衬底11的中心位置的方向,第二距离逐渐增大。该设计与承载基板中的设计相同,在此不再赘述。
需要说明的是,图3-图4、图24-图25均是以卧式微型二极管20所对应的显示面板为例进行说明的。也就是,承载基板20上除包括第一键合结构13a外,还包括次第一键合结构13b;微型二极管20上除包括第一电极23外,还包括第二电极24。其中,第一键合结构13a与次第一键合结构13b同层设置且一一对应,第一电极23与第二电极24同层设置且一一对应。并且相对应的第一键合结构13a与第一电极23绑定,次第一键合结构13b第二电极绑定。
次第一键合结构13b可以与上述任意一个实施例提供的第一键合结构13a的结构与组成成分相同,例如,次第一键合结构13b也包括对位槽03b或者对位凸起03b’。此外,次第一键合结构13b可以与信号线14b电连接,信号线14b与第一电极14a可以同层设置且成分相同。第二电极24可以与上述任意一个实施例提供的第一电极23的结构与组成成分相同,例如,第二电极24也可以包括电极主体24b和第二键合结构24a。
另外,本申请提供显示面板01也可以包括立式微型二极管20。
在本申请的一个实施例中,所有的第一键合结构13a均设置有对位槽03a或者对位凸起03a’,则与其绑定的微型二极管20也均包括对位凸起03a’或者对位槽03a。
在本申请的另一个实施例中,也可以部分第一键合结构13a设置有对位槽03a或者对位凸起03a’,则与其绑定的微型二极管20也包括对位凸起03a’或者对位槽03a。该具体实现方式在承载基板对应的实施例中已说明,在此不再赘述。
图26为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图,如图26所示,本申请实施例提供的显示装置可以为手机,此外,本申请实施例提供的显示装置也可以为电脑、电视等显示装置。本申请实施例提供的显示装置包括上述任意一个实施例提供的显示面板01。
本申请实施例所提供的显示装置中,显示面板基本不存在微型二极管与承载基板绑定错位的问题,进而使得显示装置具有优良的显示稳定性。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请保护的范围之内。
Claims (16)
1.一种微型二极管显示承载基板,包括:
第一衬底;
像素电路阵列层,位于所述第一衬底的一侧,所述像素电路阵列层包括多个像素电路;
第一键合层,位于所述像素电路阵列层远离所述第一衬底的一侧;所述第一键合层包括至少一个第一键合结构,且所述第一键合结构与所述像素电路电连接;
第一连接电极,所述第一连接电极位于所述第一键合结构与其对应的电连接的所述像素电路之间,所述第一键合结构与其对应的所述像素电路之间通过所述第一连接电极实现电连接;
至少一个所述第一键合结构远离所述第一衬底的一侧设置有对位槽或者对位凸起;所述对位槽或者所述对位凸起用于在所述微型二极管绑定至所述承载基板时,配合所述微型二极管的电极进行对位操作。
2.根据权利要求1所述的承载基板,其特征在于,
所述对位槽或者所述对位凸起在所述第一衬底上的投影为圆形、矩形、十字形中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的承载基板,其特征在于,
在平行于所述第一衬底的截面内,所述对位槽的截面积为第一截面积;沿垂直于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向,所述第一截面积逐渐增大;或者,
在平行于所述第一衬底的截面内,所述对位凸起的截面积为第二截面积;沿垂直于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向,所述第二截面积逐渐减小。
4.根据权利要求3所述的承载基板,其特征在于,多个所述第一键合结构中设置有所述对位槽;
在平行于所述第一衬底的一个截面内,沿平行于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的中心位置的方向,所述第一截面积逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的承载基板,其特征在于,多个所述第一键合结构中设置围墙结构且所述围墙结构围绕所述对位槽,所述围墙结构沿所述承载基板厚度方向的高度为第一高度;
沿平行于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的中心位置的方向,所述第一高度逐渐增大。
6.根据权利要求3所述的承载基板,其特征在于,相邻设置的两个所述第一键合结构之间的距离为第二距离,沿平行于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的中心位置的方向,所述第二距离逐渐增大。
7.一种微型二极管显示面板,其特征在于,包括:
承载基板,所述承载基板包括:
第一衬底;
像素电路阵列层,位于所述第一衬底的一侧,所述像素电路阵列层包括多个像素电路;
第一键合层,位于所述像素电路阵列层远离所述第一衬底的一侧;所述第一键合层包括第一键合结构,且所述第一键合结构与所述像素电路电连接;
第一连接电极,所述第一连接电极位于所述第一键合结构与其对应的电连接的所述像素电路之间,所述第一键合结构与其对应的所述像素电路之间通过所述第一连接电极实现电连接;
微型二极管,所述微型二极管包括:
第一电极,所述第一电极包括第二键合结构;所述第二键合结构与所述第一键合结构电连接;
其中,至少一个所述第一键合结构中远离所述第一衬底的一侧设置有对位槽,至少一个所述第二键合结构中靠近所述第一衬底的一侧包括对位凸起;
或者,至少一个所述第一键合结构中远离所述第一衬底的一侧包括对位凸起,至少一个所述第二键合结构中靠近所述第一衬底的一侧设置有对位槽;
电连接的所述第一键合结构与所述第二键合结构中,所述对位凸起与所述对位槽对应,且在垂直于所述第一衬底的方向上,所述对位凸起至少部分位于所述对位槽内。
8.根据权利要求7所述的微型二极管显示面板,其特征在于,至少一个所述第一键合结构中远离所述第一衬底的一侧设置有对位槽,至少一个所述第二键合结构中靠近所述第一衬底的一侧包括对位凸起;
在平行于所述第一衬底的截面内,所述对位槽的截面积为第一截面积;沿垂直于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向,所述第一截面积逐渐增大;
在平行于所述第一衬底的截面内,所述对位凸起的截面积为第二截面积;沿垂直于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向,所述第二截面积逐渐增大。
9.根据权利要求7所述的微型二极管显示面板,其特征在于,至少一个所述第一键合结构中远离所述第一衬底的一侧包括对位凸起,至少一个所述第二键合结构中靠近所述第一衬底的一侧设置有对位槽;
在平行于所述第一衬底的截面内,所述对位槽的截面积为第一截面积;沿垂直于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向,所述第一截面积逐渐减小;
在平行于所述第一衬底的截面内,所述对位凸起的截面积为第二截面积;沿垂直于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的方向,所述第二截面积逐渐减小。
10.根据权利要求8或9所述的微型二极管显示面板,其特征在于,多个所述第一键合结构中设置有所述对位槽,或者多个所述第二键合结构中设置有所述对位槽;
在平行于所述第一衬底的一个截面内,沿平行于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的中心位置的方向,所述第一截面积逐渐增大。
11.根据权利要求7所述的微型二极管显示面板,其特征在于,电连接的所述第一键合结构与所述第二键合结构中,所述对位凸起的侧表面与所述对位槽的侧表面之间存在第一距离d1,d1>0。
12.根据权利要求11所述的微型二极管显示面板,其特征在于,沿平行于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的中心位置的方向,所述第一距离d1逐渐增大。
13.根据权利要求7所述的微型二极管显示面板,其特征在于,相邻设置的两个所述第一键合结构之间的距离为第二距离,沿平行于所述第一衬底且逐渐远离所述第一衬底的中心位置的方向,所述第二距离逐渐增大。
14.根据权利要求7所述的微型二极管显示面板,其特征在于,所述对位槽或者所述对位凸起在所述第一衬底上的投影为圆形、矩形、十字形中的任意一种。
15.根据权利要求7所述的微型二极管显示面板,其特征在于,所述第一键合结构与所述第二键合结构中的一者包括金粒子,另一者包括锡粒子。
16.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求7-15任意一项所述的显示面板。
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Legal Events
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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