KR20150138078A - 이미지 센서의 픽셀 비닝 - Google Patents

이미지 센서의 픽셀 비닝 Download PDF

Info

Publication number
KR20150138078A
KR20150138078A KR1020150075284A KR20150075284A KR20150138078A KR 20150138078 A KR20150138078 A KR 20150138078A KR 1020150075284 A KR1020150075284 A KR 1020150075284A KR 20150075284 A KR20150075284 A KR 20150075284A KR 20150138078 A KR20150138078 A KR 20150138078A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
charge
pixels
diagonal
pixel
signals
Prior art date
Application number
KR1020150075284A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101696309B1 (ko
Inventor
겐나디 에이. 아그라노브
클라우스 몰가드
아신와드 바후칸디
치안젠 리
시앙리 리
Original Assignee
애플 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 애플 인크. filed Critical 애플 인크.
Publication of KR20150138078A publication Critical patent/KR20150138078A/ko
Priority to KR1020170002856A priority Critical patent/KR102271135B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101696309B1 publication Critical patent/KR101696309B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N5/374
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/447Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/155Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
    • H04N3/1562Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for selective scanning, e.g. windowing, zooming
    • H04N5/3742

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

픽셀 비닝은 픽셀 어레이 내에 대각선으로 위치한 일부 픽셀들로부터의 전하를 합산함으로써 수행된다. 픽셀 어레이 내에 대각선으로 위치한 픽셀들로부터 출력된 픽셀 신호들은 출력 라인들 상에서 결합될 수 있다. 합산된 전하를 나타내는 신호는 비닝된 2×1 클러스터를 생성한다. 결합된 전압 신호를 나타내는 신호는 비닝된 2×1 클러스터를 생성한다. 합산된 전하를 나타내는 신호 및 결합된 픽셀 신호들을 나타내는 신호는 비닝된 2×2 픽셀을 생성하기 위해 디지털 방식으로 결합될 수 있다. 직교 비닝은 각각의 공통 감지 영역 상의 전하를 합산한 다음 합산된 전하를 나타내는 전압 신호들을 각각의 출력 라인들 상에 결합함으로써 픽셀 어레이의 다른 픽셀들에 대해 수행될 수 있다.

Description

이미지 센서의 픽셀 비닝{PIXEL BINNING IN AN IMAGE SENSOR}
본 발명은 일반적으로 전자 장치, 보다 구체적으로는 전자 장치용 이미지 센서에 관한 것이다.
카메라 및 기타 이미징 장치들은 종종, 전하 결합 소자(CCD) 이미지 센서 또는 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 이미지 센서 등 하나 이상의 이미지 센서를 사용하여 이미지를 캡처한다. 특정 상황에서, 다중 픽셀에 의해 생성된 전하 또는 신호는 단일 신호로 비닝(binned)되거나 결합된다. 예를 들어, 픽셀 비닝(pixel binning)은 카메라의 출력 이미지 해상도가 카메라의 이미지 센서의 해상도보다 낮은 경우에 사용될 수 있거나, 또는 이미지가 낮은 조명 레벨에서 캡처될 때 감도를 증가시키기 위해서 사용될 수 있다. 픽셀 비닝은 픽셀 어레이에서 또는 신호가 픽셀 어레이로부터 리드아웃(read out)된 후에 수행될 수 있다. 픽셀이 픽셀 어레이로부터 리드아웃된 후 픽셀의 합산은, 모든 픽셀이 계속 리드아웃되어야 하므로 리드아웃 시간을 증가시키지 않는다. 추가적으로, 리드아웃 회로에 의해 생성된 잡음이 픽셀 신호와 합산된다. 추가적인 잡음은 신호 대 잡음비를 감소시키며, 이는 이미지 품질을 저하시킬 수 있다.
픽셀 어레이의 픽셀을 합산하는 것은, 적은 수의 픽셀이 픽셀 어레이로부터 리드아웃되기 때문에, 리드아웃 시간을 줄일 수 있다. 일반적으로, 픽셀 어레이의 픽셀의 합산은 수직 방향으로 수행된다. 도 1은 베이어 컬러 필터 배열(Bayer color filter arrangement)을 갖는 이미지 센서의 픽셀들의 직교 합산을 나타낸다. 픽셀은 일반적으로 문자 A, B, C 및 D로 식별된다. 직교 비닝에서, 각각의 컬러 평면에서 서로 이웃하는 픽셀은 함께 비닝되어 2×1 또는 2×2 픽셀의 직교 클러스터를 형성한다. 도 1은 2×2 픽셀의 4개의 클러스터를 도시한다. 4개의 A 픽셀은 클러스터(100)에서 함께 합산되고, 4개의 B 픽셀은 클러스터(102)에서 함께 합산되고, 4개의 C 픽셀은 클러스터(104)에서 함께 합산되고, 4개의 D 픽셀은 클러스터(106)에서 함께 합산된다. 그러나, 클러스터가 직교 합산되면, 클러스터는 서로에 대해 어긋나게 된다. 이러한 오정렬은 이미지에 공간 컬러 아티팩트를 생성할 수 있는데, 이는 결과적으로 이미지 품질을 저하시킨다.
본원에 기술된 실시 형태는, 비닝 이미지의 이미지 품질과 공간 해상도를 향상시킬 수 있는 이미징 시스템 및 비닝 기술을 제공하는데, 이는 이미징 시스템의 저전력 동작 모드, 고감도, 및 증가된 프레임 레이트를 가능하게 할 수 있다. 한 측면에서, 이미지 센서는 픽셀 어레이의 다중 픽셀을 포함할 수 있다. 이미지 센서의 전하를 비닝(binning)하는 방법은, 제1 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀의 전하를 합산하고 이 합산 전하를 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제1 대각선 합산 신호를 생성하는 단계, 및 제1 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀로부터의 신호를 평균함으로써 제2 대각선 합산 신호를 생성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 대각선 합산 신호는 디지털 신호로 변환되고 디지털 방식으로 결합될 수 있다. 2개 이상의 픽셀의 전하는 단일 컬러 평면 또는 상이한 컬러 평면과 연관될 수 있다. 이와 유사하게, 평균화된 신호는 단일 컬러 평면 또는 상이한 컬러 평면과 연관될 수 있다. 예를 들어, 상이한 컬러 평면은 베이어 컬러 필터 어레이 내의 제1 녹색 컬러 평면과 제2 녹색 컬러 평면일 수 있다.
또 다른 측면에서, 직교 비닝은 합산 전하를 나타내는 신호들을 생성하기 위해 제1 직교 방향을 따라 위치한 픽셀의 전하를 합산하고, 합산 전하를 나타내는 2개 이상의 신호를 평균하고, 픽셀 어레이로부터 평균 신호를 리드아웃함으로써 수행될 수 있다.
또 다른 측면에서, 이미지 캡처 장치는, 각 그룹의 픽셀들이 별개의 감지 영역에 동작 가능하게 연결되어 있는 픽셀들의 그룹들로 분할된 픽셀들, 및 각각의 감지 영역에 및 별개의 출력 라인에 동작 가능하게 연결된 리드아웃 회로를 포함할 수 있다. 제1 스위치는 출력 라인들의 제1 세트에 및 출력 라인들의 제2 세트에 동작 가능하게 연결될 수 있다. 프로세싱 장치는 픽셀들에 동작 가능하게 연결될 수 있다. 프로세싱 장치는, 각각의 감지 영역 상의 전하를 합산하도록 그룹 내의 2개 이상의 픽셀을 선택적으로 인에이블시키고 감지 영역으로부터 합산 전하를 리드아웃하도록 각각의 리드아웃 회로를 인에이블시키도록 적응될 수 있다. 프로세싱 장치는, 각각의 감지 영역에 전하를 전송하도록 2개의 그룹의 2개 이상의 픽셀을 선택적으로 인에이블시키고, 전압 신호를 생성하기 위해 각각의 감지 영역으로부터 전하를 리드아웃하도록 각각의 리드아웃 회로를 인에이블시키고, 전압 신호를 결합하기 위해 제1 세트의 출력 라인들 중 하나의 출력 라인과 제2 세트의 출력 라인들 중 하나의 출력 라인을 함께 연결시키도록 스위치를 선택적으로 인에이블시키도록 적응될 수 있다.
또 다른 측면에서, 이미지 센서는 픽셀 어레이의 다중 픽셀을 포함할 수 있다. 이미지 센서 내의 전하를 비닝하는 방법은, 제1 대각선 인접 픽셀 쌍의 전하를 합산하고 이 합산된 전하를 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제1 대각선 합산 신호를 생성하는 단계, 및 제2 대각선 인접 픽셀 쌍으로부터 출력된 전압 신호를 결합하고 이 결합된 전압 신호를 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제2 대각선 합산 신호를 생성하는 단계를 포함하는데, 상기 제1 및 제2 대각선 인접 픽셀 쌍들은 픽셀 어레이 내에서 제1 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접하여 있다. 상기 제1 대각선 인접 픽셀 쌍의 전하 및 상기 제2 대각선 인접 픽셀 쌍의 전압 신호는, 단일 컬러 평면 또는 상이한 컬러 평면과 연관될 수 있다. 상기 제1 및 제2 대각선 합산 신호는, 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호로 변환되고 디지털 방식으로 결합될 수 있다. 직교 비닝은 제1 전압 신호를 생성하기 위해 제1 직교 방향으로 제1 픽셀 쌍의 전하를 합산하고 제2 전압 신호를 생성하기 위해 제2 직교 방향으로 제2 픽셀 쌍의 전하를 합산함으로써 수행될 수 있다. 상기 제1 및 제2 전압 신호는 2개의 출력 라인을 함께 전기적으로 연결함으로써 형성된 출력 라인 상에서 결합될 수 있다.
본 발명의 실시 형태들은 다음의 도면을 참조하여 좀 더 이해된다. 도면의 요소는 서로에 대해 반드시 일정한 비율은 아니다. 가능한 경우, 도면에 공통적인 동일한 특징을 지정하기 위해, 동일 참조 번호가 사용되었다.
도 1은 이미지 센서의 픽셀들의 직교 합산을 나타낸다;
도 2a는 하나 이상의 카메라를 포함하는 전자 장치의 전면 사시도를 도시한다;
도 2b는 도 2a의 전자 장치의 후면 사시도를 도시한다;
도 3은 도 2의 전자 장치의 간략화된 블록도를 도시한다;
도 4는 도 2a의 라인 4-4를 따라 절취한 도 2a의 전자 장치의 단면도를 도시한다;
도 5는 이미지 센서(402)로서 사용하기에 적합한 이미지 센서의 일례의 단순화된 블록도를 도시한다;
도 6은 이미지 센서에 사용하기에 적합한 픽셀의 간략화된 개략도를 도시한다;
도 7은 이미지 센서에 사용하기에 적합한 컬러 필터 어레이의 일례를 도시한다;
도 8은 베이어 컬러 필터 어레이 패턴을 도시한다;
도 9는 공유 픽셀 아키텍처의 일례를 도시한다;
도 10은 픽셀 비닝을 위한 예시적인 방법의 흐름도이다;
도 11은 도 10의 방법을 수행하기에 적합한 이미지 센서의 개략도이다;
도 12는 도 11에 도시한 이미지 센서의 일부의 확대도를 도시한다;
도 13은 베이어 컬러 필터 패턴 및 2×2 픽셀 비닝의 일례를 도시한다;
도 14는 베이어 컬러 필터 패턴 및 2×2 픽셀 비닝의 다른 예를 도시한다;
도 15는 베이어 컬러 필터 패턴 및 2×1 픽셀 비닝의 일례를 도시한다.
본 명세서에 기재된 실시 형태들은 다양한 비닝 동작을 설명한다. 픽셀 비닝은 픽셀 어레이의 대각선으로 위치하는 일부의 픽셀로부터의 전하를 합산함으로써 수행될 수 있다. 픽셀 어레이의 대각선으로 위치하는 픽셀로부터 출력된 픽셀 전압 신호들은 출력 라인 상에서 결합될 수 있다. 합산된 전하를 나타내는 신호는 비닝된 2×1 클러스터를 생성한다. 결합된 픽셀 신호를 나타내는 신호는 비닝된 2×1 클러스터를 생성한다. 합산 전하를 나타내는 신호와 결합 전압 신호를 나타내는 신호는 비닝된 2×2 픽셀을 생성하기 위해 디지털 방식으로 결합될 수 있다. 직교 비닝은 각각의 공통 감지 영역 상의 전하를 합산한 다음 각각의 출력 라인들 상에 합산 전하를 나타내는 전압 신호들을 결합함으로써 픽셀 어레이의 다른 픽셀들에 대해 수행될 수 있다.
이제, 도 2a-2b를 참조하면, 한 실시 형태에서 하나 이상의 카메라를 포함하는 전자 장치의 전면 및 후면 사시도가 도시되어 있다. 전자 장치(200)는 제1 카메라(202), 제2 카메라(204), 인클로저(206), 디스플레이(210), 입/출력(I/O) 장치(208), 및 카메라 또는 카메라들용의 옵션 플래시(212) 또는 광원을 포함한다. 전자 장치(200)는 또한, 예를 들면 하나 이상의 프로세서, 메모리 구성 요소, 네트워크 인터페이스 등과 같은 컴퓨팅 또는 전자 장치의 통상적인 하나 이상의 내부 구성 요소(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.
도시된 실시 형태에서, 전자 장치(200)는 스마트 전화로서 구현된다. 다른 실시 형태는, 그러나, 이러한 구성에 한정되지 않는다. 이에 한정되지는 않지만, 노트북 또는 랩톱 컴퓨터, 태블릿 컴퓨팅 장치, 디지털 카메라, 착용 가능한 전자 또는 통신 장치, 스캐너, 비디오 레코더, 및 복사기를 포함하는, 다른 타입의 컴퓨팅 또는 전자 장치가 하나 이상의 카메라를 포함할 수 있다.
도 2a-2b에 도시된 바와 같이, 인클로저(206)는 전자 장치(200)의 내부 구성 요소의 외부면 또는 일부 외부면 및 보호 케이스를 형성할 수 있으며, 적어도 부분적으로 디스플레이(210)를 둘러쌀 수 있다. 인클로저(206)는 전면 부분과 후면 부분과 같이, 함께 동작 가능하게 연결된 하나 이상의 구성 요소로 형성될 수 있다. 대안으로, 인클로저(206)는 디스플레이(210)에 동작 가능하게 연결된 단일체로 형성될 수 있다.
I/O 장치(208)는 임의의 타입의 입력 또는 출력 장치로 구현될 수 있다. 단지 예로서, I/O 장치(208)는 스위치, 버튼, 용량성 센서, 또는 다른 입력 메커니즘일 수 있다. I/O 장치(208)는 사용자가 전자 장치(200)와 상호 작용하도록 허용한다. 예를 들어, I/O 장치(208)는 볼륨을 변경하고, 홈 화면으로 되돌리는 등의 작업을 위한 버튼 또는 스위치일 수 있다. 전자 장치는 하나 이상의 입력 장치 및/또는 출력 장치를 포함할 수 있고, 각각의 장치는 단일의 I/O 기능 또는 다중 I/O 기능을 가질 수 있다. 예를 들면, 마이크로폰, 스피커, 터치 센서, 네트워크 또는 통신 포트, 및 무선 통신 장치를 포함한다. 일부 실시 형태에서, 하나 이상의 터치 센서가 I/O 장치(208) 및/또는 디스플레이(210)에 포함될 수 있다.
디스플레이(210)는 전자 장치(200)에 동작 가능하게 또는 통신 가능하게 연결될 수 있다. 디스플레이(210)는, 예를 들어 레티나(retina) 디스플레이, 컬러 액정 디스플레이(LCD) 또는 유기 발광 디스플레이(OLED) 등 임의의 타입의 적합한 디스플레이로서 구현될 수 있다. 디스플레이(210)는 전자 장치(200)의 시각적 출력을 제공하거나, 전자 장치에 대한 사용자 입력을 수신하는 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(210)는 하나 이상의 사용자 터치 및/또는 힘 입력을 감지할 수 있는 멀티-터치 용량성 감지 터치 화면일 수 있다.
전자 장치(200)는 다수의 내부 구성 요소를 포함할 수도 있다. 도 3은 전자 장치(200)의 간략화된 블록도의 일례를 도시한다. 전자 장치는 하나 이상의 프로세서(300), 저장 또는 메모리 구성 요소(302), 입/출력 인터페이스(304), 전원(306), 및 센서(308)를 포함할 수 있는데, 이들 각각은 다음에 차례대로 논의될 것이다.
하나 이상의 프로세서(300)는 전자 장치(200)의 동작의 일부 또는 전부를 제어할 수 있다. 프로세서(들)(300)는 실질적으로 전자 장치(200)의 모든 구성 요소와 직접 또는 간접적으로 통신할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 시스템 버스(310) 또는 다른 통신 메커니즘은, 프로세서(들)(300), 카메라(202, 204), 디스플레이(210), 하나 이상의 I/O 장치(208), 및/또는 하나 이상의 센서(308)들 간의 통신을 제공할 수 있다. 프로세서(들)(300)는 데이터 또는 명령어를 처리, 수신, 또는 전송할 수 있는 임의의 전자 장치로서 구현될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서(300)는 마이크로프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 주문형 집적 회로(ASIC), 디지털 신호 프로세서(DSP), 또는 다수의 이러한 장치들의 조합일 수 있다. 본원에 기술된 바와 같이, 용어 "프로세서"는 단일의 프로세서 또는 프로세싱 장치, 다수의 프로세서, 다수의 처리 유닛, 또는 다른 적절히 구성된 컴퓨팅 요소 또는 요소들을 포함하도록 의도되어 있다.
메모리(302)는 전자 장치(200)에 의해 사용될 수 있는 전자 데이터를 저장할 수 있다. 예를 들면, 메모리(302)는 예를 들어, 오디오 파일, 문서 파일, 타이밍 신호, 및 이미지 데이터 등의 전기 데이터 또는 콘텐츠를 저장할 수 있다. 메모리(302)는 임의의 타입의 메모리로서 구성될 수 있다. 단지 예로서, 메모리(302)는 랜덤 액세스 메모리, 판독 전용 메모리, 플래시 메모리, 이동식 메모리, 또는 다른 타입의 저장 요소들로서, 임의의 조합으로 구현될 수 있다.
입/출력 인터페이스(304)는 사용자 또는 하나 이상의 다른 전자 장치로부터 데이터를 수신할 수 있다. 또한, 입/출력 인터페이스(304)는 사용자 또는 다른 전자 장치에 데이터의 전송을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(200)가 스마트 전화인 경우의 실시 형태에서, 입/출력 인터페이스(304)는 네트워크로부터 데이터를 수신하거나, 무선 또는 유선 연결을 통해 전기 신호를 송신하고 전송할 수 있다. 무선 및 유선 연결의 예는, 셀룰러, WiFi, 블루투스, 및 이더넷을 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 하나 이상의 실시 형태에서, 입/출력 인터페이스(304)는 다수의 네트워크 또는 통신 메커니즘을 지원한다. 예를 들어, 입/출력 인터페이스(304)는, WiFi 또는 다른 유선 또는 무선 연결로부터 신호를 동시에 수신하는 동안 다른 장치로 신호를 전송하기 위해 블루투스 네트워크를 통해 다른 장치와 페어링할 수 있다.
하나 이상의 전원(306)은 전자 장치(200)에 에너지를 제공할 수 있는 임의의 장치로 구현될 수 있다. 예를 들어, 전원(306)은 배터리일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 전원은 전자 장치가 전원 코드에 연결되는 콘센트일 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 전원은 전자 장치(200)가 범용 직렬 버스(USB) 케이블과 같은, 연결 케이블을 이용해 연결되는 다른 전자 장치일 수 있다.
하나 이상의 센서(308)는 임의의 타입의 센서에 의해 구현될 수 있다. 예시적 센서는 오디오 센서(예를 들어, 마이크로폰), 광 센서(예를 들어, 주변 광 센서), 자이로스코프(들), 가속도계(들), 및 생체 인식 센서를 포함하지만, 이에 한정되지 않는다. 하나 이상의 센서(308)는 전자 장치의 기능을 향상시키거나 변경시키는데 사용될 수 있는 데이터를 프로세서(300)에 제공하는데 사용될 수 있다.
도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명된 바와 같이, 전자 장치(200)는 하나 이상의 카메라(202, 204) 및 카메라 또는 카메라들용의 옵션 플래시(212) 또는 광원을 포함한다. 도 4는 도 2a의 선 4-4를 따라 절취한 카메라(202)의 단순화된 단면도이다. 도 4는 제1 카메라(202)를 도시하였지만, 본 분야의 숙련자는 제2 카메라(204)가 제1 카메라(202)와 실질적으로 유사할 수 있다는 것을 인식할 것이다. 일부 실시 형태에서, 하나의 카메라는 글로벌 셔터 구성의 이미지 센서를 포함할 수 있으며, 하나의 카메라는 롤링 셔터 구성의 이미지 센서를 포함할 수 있다. 다른 예에서, 하나의 카메라는 다른 카메라의 이미지 센서에 비해 더 높은 해상도의 이미지 센서를 포함할 수 있거나, 이미지 센서는 2개의 상이한 타입의 이미지 센서(예를 들어, CMOS 및 CCD)로서 구성될 수 있다.
카메라(202)는 이미지 센서(402)와 광 통신하는 이미징 스테이지(400)를 포함한다. 이미징 스테이지(400)는 인클로저(206)에 동작 가능하게 연결되고, 이미지 센서(402)의 전방에 위치한다. 이미징 스테이지(400)는 렌즈, 필터, 조리개 및 셔터와 같은 종래 소자들을 포함할 수 있다. 이미징 스테이지(400)는, 시야 내의 광(404)을 이미지 센서(402) 상으로 향하게 하거나, 집광하거나, 또는 전송한다. 이미지 센서(402)는 전기 신호로 입사광을 변환함으로써 피사체 장면의 하나 이상의 이미지들을 캡처한다.
이미지 센서(402)는 지지 구조체(406)에 의해 지지된다. 지지 구조체(406)는, 실리콘, 실리콘-온-인슐레이터(SOI) 기술, 실리콘-온-사파이어(SOS) 기술, 도핑된 및 도핑되지 않은 반도체, 반도체 기판 위에 형성된 에피택셜 층, 반도체 기판 내에 형성된 웰 영역 또는 매립된 층, 및 다른 반도체 구조를 포함하지만, 이에 한정되지는 않는 반도체 기반의 재료일 수 있다.
이미징 스테이지(400) 또는 이미지 센서(402)의 다양한 요소는, 도 3의 프로세서(300) 등의 프로세서 또는 메모리로부터 공급된 타이밍 신호 또는 다른 신호에 의해 제어될 수 있다. 이미징 스테이지(400)의 일부 또는 모든 요소들은 단일 구성 요소에 통합될 수 있다. 또한, 이미징 스테이지(400)의 일부 또는 모든 요소들이, 이미지 센서(402)와, 그리고 어쩌면 전자 장치(200)의 하나 이상의 추가적인 요소들과 통합되어, 카메라 모듈을 형성할 수 있다. 예를 들어, 프로세서나 메모리는 일부 실시 형태에서 이미지 센서(402)와 통합될 수 있다.
이제, 도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 이미지 센서(402)로서 사용하기에 적합한 이미지 센서의 일례의 평면도가 도시되어 있다. 도시된 이미지 센서는 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 이미지 센서이다. 이미지 센서(500)는 이미지 프로세서(502) 및 이미징 영역(504)을 포함할 수 있다. 이미징 영역(504)은 픽셀(506)을 포함하는 픽셀 어레이로서 구현될 수 있다. 도시된 실시 형태에서, 픽셀 어레이는 로우 및 칼럼의 배열로 구성된다. 그러나, 다른 실시 형태는 이러한 구성에 한정되지 않는다. 픽셀 어레이의 픽셀은, 예를 들어, 육각 구성과 같은 임의의 적절한 구성으로 배열될 수 있다.
픽셀 어레이(504)는 하나 이상의 칼럼 셀렉트 또는 출력 라인(510)을 통해 칼럼 셀렉트(508)와 통신할 수 있다. 이미징 영역(504)은 또한 하나 이상의 로우 셀렉트 라인(514)을 통해 로우 셀렉트(512)와 통신할 수 있다. 로우 셀렉트(512)는, 특정 로우의 특정 픽셀(506) 또는 모든 픽셀(506)과 같은 픽셀의 그룹을 선택적으로 활성화한다. 칼럼 셀렉트(508)는, 셀렉트 픽셀(506) 또는 픽셀의 그룹(예를 들면, 선택된 로우 내의 모든 픽셀)로부터 출력된 데이터를 선택적으로 수신한다.
로우 셀렉트(512) 및/또는 칼럼 셀렉트(508)는 이미지 프로세서(502)와 통신할 수 있다. 이미지 프로세서(502)는 신호를 로우 셀렉트(512) 및 칼럼 셀렉트(508)에 제공하여, 전하를 전송하고, 픽셀(506) 내의 광 검출기(도시하지 않음)로부터 전하량을 나타내는 신호를 리드아웃할 수 있다. 이미지 프로세서(502)는 픽셀(506)로부터의 데이터를 처리하고, 프로세서(300) 및/또는 전자 장치(200)의 다른 구성 요소에 데이터를 제공할 수 있다. 일부 실시 형태에서, 이미지 프로세서(502)는 프로세서(300)에 통합되거나 이로부터 분리될 수 있음을 주목해야 한다.
이제, 도 6을 참조하면, 도 5에 도시된 픽셀(506)에 사용하기에 적합한 픽셀의 간략화된 개략도가 도시된다. 픽셀(600)은 광 검출기(PD)(602), 전송 트랜지스터(TX)(604), 감지 영역(606), 리셋(RST) 트랜지스터(608), 리드아웃(SF) 트랜지스터(610), 및 로우 셀렉트(RS) 트랜지스터(612)를 포함한다. 감지 영역(606)은 광 검출기(602)로부터 수신된 전하를 일시적으로 저장할 수 있기 때문에, 감지 영역(606)은 도시된 실시 형태에서 커패시터로서 표현된다. 후술하는 바와 같이, 전하가 광 검출기(602)로부터 전송된 후, 전하는 리셋 트랜지스터(608)의 게이트가 감지 영역에 전압을 리셋하도록 펄스될 때까지, 감지 영역(606)에 저장될 수 있다. 감지 영역(606)의 전하는 로우 셀렉트 트랜지스터(612)의 게이트가 펄스될 때 리드아웃된다.
전송 트랜지스터(604)의 한 단자는 광 검출기(602)에 연결되는 반면, 다른 단자는 감지 영역(606)에 연결된다. 리셋 트랜지스터(608)의 한 단자와 리드아웃 트랜지스터(610)의 한 단자는 전원 전압(Vdd)(614)에 연결된다. 리셋 트랜지스터(608)의 다른 단자는 감지 영역(606)에 연결되는 반면, 리드아웃 트랜지스터(610)의 다른 단자는 로우 셀렉트 트랜지스터(612)의 단자에 연결된다. 로우 셀렉트 트랜지스터(612)의 다른 단자는 출력 라인(510)에 연결된다.
단지 예로서, 한 실시 형태에서, 광 검출기(602)는 포토다이오드(PD) 또는 핀 포토다이오드로서 구현되고, 감지 영역(606)은 플로팅 디퓨전(FD)으로서 구현되고, 리드아웃 트랜지스터(610)는 소스 폴로워 트랜지스터(SF)로서 구현된다. 광 검출기(602)는 전자 기반의 포토다이오드 또는 홀 기반의 포토다이오드일 수 있다. 본원에서 사용된 용어인 광 검출기는 실질적으로, 포토다이오드, 핀 포토다이오드, 포토 게이트, 또는 다른 광자 민감 영역 등, 임의의 타입의 광자 또는 광 검출 구성 요소를 포함하도록 의도되어 있다는 점에 주목해야 한다. 또한, 본원에 사용된 용어인 감지 영역은 실질적으로, 임의의 타입의 전하 저장 또는 전하 변환 영역을 포함하도록 의도되어 있다.
본 분야의 숙련자는 픽셀(600)이 다른 실시 형태들에서 추가의 또는 상이한 구성 요소들로 구현될 수 있음을 인식할 것이다. 예를 들면, 로우 셀렉트 트랜지스터는 생략될 수 있고, 펄스 전원 모드가 픽셀을 선택하는 데 사용되고, 감지 영역은 다수의 광 검출기 및 전송 트랜지스터에 의해 공유될 수 있거나, 리셋 및 리드아웃 트랜지스터는 다수의 광 검출기, 전송 게이트, 및 감지 영역에 의해 공유될 수 있다.
이미지가 캡처될 때, 픽셀에 대한 통합 기간이 시작되고, 광 검출기(602)는 입사광에 응답하여 광-발생 전하를 축적한다. 통합 기간이 종료되면, 광 검출기(602) 내의 축적된 전하는, 선택적으로 전송 트랜지스터(604)의 게이트를 펄싱함으로써 감지 영역(606)에 전송된다. 전형적으로, 리셋 트랜지스터(608)는, 감지 영역(606)에 광 검출기(602)로부터의 전하를 전송하기 이전에, 감지 영역(606)(노드(616)) 상의 전압을 소정의 레벨로 리셋하는데 사용된다. 전하가 픽셀로부터 리드아웃될 때, 로우 셀렉트 트랜지스터의 게이트는 로우 게이트(512) 및 로우 셀렉트 라인(514)을 통해 펄싱되어, 리드아웃을 위한 픽셀(또는 픽셀의 로우)을 선택한다. 리드아웃 트랜지스터(610)는 감지 영역(606) 상의 전압을 감지하고 로우 셀렉트 트랜지스터(512)는 전압을 출력 라인(510)에 전달한다.
일부 실시 형태에서, 카메라 등의 이미지 캡처 장치는 렌즈 위에 셔터를 포함하지 않을 수 있고, 그래서 이미지 센서가 광에 지속적으로 노출될 수 있다. 이러한 실시 형태들에서, 원하는 이미지가 캡처되기 전에 광 검출기는 리셋 또는 공핍되어야 할 수 있다. 일단 광 검출기로부터의 전하가 공핍되면, 전송 게이트 및 리셋 게이트는 턴 오프되어, 광 검출기를 단리시킨다. 그 다음, 광 검출기는 광-발생 전하의 통합 및 수집을 시작할 수 있다.
일반적으로, 광 검출기는 파장 특이성이 거의 또는 전혀 없는 광을 검출하여, 컬러를 식별하거나 분리하기 어렵게 만든다. 컬러 분리가 요구되는 경우, 컬러 필터 어레이가 픽셀 어레이 내의 광 검출기에 의해 감지된 광의 파장을 필터링하기 위해 픽셀 어레이 위에 배치될 수 있다. 컬러 필터 어레이는, 각각의 필터 요소가 통상적으로 각각의 픽셀 위에 배치된 필터 요소들의 모자이크이다. 필터 요소는 광 검출기에 의해 검출되는 광의 파장을 제한하며, 이는 캡처된 이미지의 컬러 정보가 분리되고 식별되게 허용한다. 도 7은 한 실시 형태에서의 이미지 센서에 사용하기에 적합한 컬러 필터 어레이의 일례를 도시한다. 컬러 필터 어레이(CFA)(700)는 필터 요소(702, 704, 706, 708)를 포함한다. 제한된 수의 필터 요소만이 도시되어 있지만, 본 분야의 숙련자는 CFA가 수천 또는 수백만 개의 필터 요소를 포함할 수 있음을 인식할 것이다.
한 실시 형태에서, 각각의 필터 요소는 광의 파장을 제한한다. 다른 실시 형태에서, 필터 요소들 중 일부 요소가 광의 파장을 필터링하는 반면, 다른 필터 요소는 전정색(panchromatic)이다. 전정색 필터 요소는 CFA의 다른 필터 요소의 분광 감도보다 넓은 분광 감도를 가질 수 있다. 예를 들어, 전정색 필터 요소는 전체 가시 스펙트럼에 걸쳐 높은 감도를 가질 수 있다. 전정색 필터 요소는 예를 들어, 감광 필터 또는 컬러 필터로서 구현될 수 있다. 전정색 필터 요소는 낮은 수준의 조명 상태에서 적합할 수 있는데, 여기서 낮은 수준의 조명 상태는 낮은 장면 조명, 짧은 노출 시간, 작은 애퍼처, 또는 광이 이미지 센서에 도달하는 것이 제한되는 다른 상황의 결과일 수 있다.
컬러 필터 어레이가 다수의 상이한 모자이크로 구성될 수 있다. 컬러 필터 어레이(600)는 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 컬러 필터 어레이 또는 시안(C), 마젠타(M), 및 옐로우(Y) 컬러 필터 어레이로서 구현될 수 있다. 베이어 패턴은 잘 알려진 컬러 필터 어레이 패턴이다. 베이어 컬러 필터 어레이는 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B) 파장 범위의 광을 필터링한다(도 8 참조). 베이어 컬러 필터 패턴은 2개의 녹색 컬러 필터 요소(Gr 및 Gb), 1개의 적색 컬러 필터 요소(R), 및 1개의 청색 컬러 필터 요소(B)를 포함한다. 4개의 필터 요소의 그룹은 타일 모양으로 되어 있거나, 픽셀 어레이의 픽셀 위에 반복되어, 컬러 필터 어레이를 형성한다.
픽셀 어레이의 구성과 관련 리드아웃 회로에 따라, 축적된 전하 또는 신호는 개별적으로 각 픽셀로부터 리드아웃되거나, 2개 이상의 픽셀의 그룹으로부터 리드아웃되거나, 또는 동시에 모든 픽셀로부터 리드아웃될 수 있다. 일부 실시 형태에서, 각각의 개별 픽셀은 리드아웃 회로에 연결되는 반면, 다른 실시 형태들에서는 2개 이상의 픽셀이 리드아웃 회로에 동작 가능하게 연결되어 이를 공유하게 된다. 도 9는 공유 픽셀 아키텍처의 일례를 도시한다. 도시된 실시 형태에서, N 개의 픽셀이 공유 공통 노드(900)에 연결된다. 공통 노드(900)는 일부 실시 형태에서는 감지 영역이다. 숫자 N은 2보다 큰 임의의 수일 수 있다. 예를 들어, 2, 3, 4 또는 6개의 픽셀이 공통 노드(900)에 연결될 수 있다.
각 픽셀(902)은 광 검출기(904), 및 광 검출기(904)와 공통 노드(900) 사이에 연결된 전송 트랜지스터(908)를 포함한다. 리드아웃 회로(908)는 공통 노드(900)에 연결될 수 있다. 리드아웃 회로(908)는 공통 노드(900)에 연결되어 있기 때문에, 픽셀은 리드아웃 회로(908)를 공유한다. 단지 예로서, 리드아웃 회로(908)는 도 6에 도시된 바와 같이 구성될 수 있는 감지 영역, 리셋 트랜지스터, 및 리드아웃 트랜지스터를 포함할 수 있다. 감지 영역, 리셋 트랜지스터 및 리드아웃 트랜지스터는 공통 노드(900)에 연결될 수 있다. 로우 셀렉트 트랜지스터가 리드아웃 트랜지스터에 연결될 수 있다.
각각의 전송 트랜지스터(906)의 게이트는 한 실시 형태에서 선택적으로 펄싱될 수 있어, 하나의 광 검출기(902)로부터의 전하가 공통 노드(900)에 전송되게 할 수 있다. 각각의 전송 트랜지스터(906)가 선택적으로 펄싱될 수 있으므로, 단일 픽셀로부터 또는 다중 픽셀로부터의 전하가 공통 노드(900)에 개별적으로 또는 동시에 전송될 수 있다. 따라서, 임의의 수의 픽셀(예를 들면, 2개 또는 4개의 픽셀) 내의 축적된 전하는, 리드아웃 회로(908)가 공통 노드(900)로부터 전하를 리드아웃하기 전에, 개별적으로 또는 동시에, 공통 노드에 전하를 전송함으로써 비닝될 수 있거나 합산될 수 있다. 그 다음, 합산 전하는 리드아웃 회로(908)의 구성 요소의 일부 또는 전부를 사용하여 리드아웃될 수 있다.
일부 실시 형태는 픽셀 및/또는 공유 구성을 상이하게 구성할 수 있다. 하나의 예로서, 글로벌 셔터(GS) 픽셀에 대해서, 저장 영역 및 제2 전송 게이트가 각 픽셀에 포함될 수 있다. 전하는 모든 픽셀 내에 동시에 취득된 다음, 글로벌하게 저장 영역에 전송되며, 리드아웃 전에 스토리지 노드에 저장된다. 리드아웃 동안에, 전하는 공유 감지 영역에 전송되고 픽셀은 상기와 유사하게 동작된다.
전하 합산은 동일한 컬러 평면 또는 다중 컬러 평면에서 발생할 수 있다. 도 10은 픽셀 비닝을 위한 예시적인 방법의 흐름도이다. 초기에, 블록(1000)에 도시된 바와 같이, 다중 픽셀 내의 전하가 대각선 방향을 따라 합산되고 리드아웃될 수 있어, 디지털 제1 대각선 합산 신호를 생성할 수 있다. 전하는 감지 영역으로부터 전하를 리드아웃하기 전에 공유 감지 영역에 광 검출기로부터의 전하를 전송함으로써 함께 합산될 수 있다. 한 실시 형태에서, 픽셀들은 픽셀 어레이(예를 들어, 인접 로우 또는 칼럼)에서 서로 인접해 있다. 다른 실시 형태에서, 픽셀들은 서로 인접해 있지 않다. 픽셀들은, 로우 또는 칼럼에서와 같이, 라인 내에 배열될 수 있고, 서로 맞닿아 있을 수 있고, 서로 가까이 위치할 수 있고, 및/또는 픽셀 어레이 내에 위치한다.
제1 대각선 합산 신호는 도 3의 메모리(302)(블록 1002)와 같은 메모리에 저장될 수 있다. 다음에, 도 10의 블록(1004)에 도시된 바와 같이, 대각선 방향을 따르는 픽셀로부터의 픽셀 신호들이 결합 및 리드아웃될 수 있어, 디지털 제2 대각선 합산 신호를 생성할 수 있다. 한 실시 형태에서, 픽셀 신호들은 출력 라인들을 함께 전기적으로 연결하고 이 연결된 출력 라인들 상에 픽셀들로부터의 전하를 리드아웃함으로써 결합되는 전압 신호들이다. 따라서, 픽셀들의 전하량을 나타내는 전압 신호들이 결합된다. 신호들이 거의 동일하면, 신호는 연결된 출력 라인들 상에 신호들을 리드아웃함으로써 함께 평균화된다.
일부 실시 형태에서, 픽셀 신호들은 블록(1000)에서와 동일한 제1 대각선 방향을 따라 위치한 픽셀들로부터의 신호들이다. 또한, 픽셀들은, 한 실시 형태에서, 픽셀 어레이(예를 들어, 인접 로우 또는 칼럼)에서 서로 인접해 있다. 다른 실시 형태에서는, 픽셀들은 서로 인접해 있지 않다.
그 다음, 제1 및 제2 디지털 대각선 합산 신호들은 블록(1006)에 도시된 바와 같이, 결합된다. 직교 비닝은 각각의 공통 감지 영역들 상의 전하를 합산한 다음 각각의 출력 라인(블록(1008)) 상의 합산 전하를 나타내는 전압 신호들을 결합함으로써 픽셀 어레이의 다른 픽셀들에 대해 수행될 수 있다. 전하는, 감지 영역으로부터 전하를 리드아웃하기 전에 공통 감지 영역에 광 검출기로부터의 전하를 전송함으로써 합산될 수 있다.
이제, 도 11을 참조하면, 도 10의 방법을 수행하기에 적합한 이미지 센서의 개략도가 도시되어 있다. 센서 아키텍처는 2×4 공유 구성을 포함한다. 픽셀 어레이(1100) 내의 픽셀들은 8개의 픽셀(즉, 각 그룹에서 2개의 칼럼 및 4개의 로우의 픽셀)의 그룹(1102)들로 분할된다. 다른 실시 형태는 각각의 그룹에 상이한 수의 픽셀들을 가질 수 있다. 픽셀의 각 그룹(1102) 및 관련된 리드아웃 회로는 이해의 편의를 위해서 도 11의 그룹으로서 도시된다. 필수 사항은 아니지만, 일반적으로 픽셀 어레이의 픽셀은 픽셀 어레이에 걸쳐 실질적으로 연속적이다. 단순화를 위해, 단지 하나의 그룹의 픽셀들에 대한 구성 및 연결에 대하여 설명한다. 본 분야의 숙련자들은 다른 그룹의 픽셀들이 설명된 그룹으로서 구축 및 구성된다는 것을 인식할 것이다.
그룹(1104)의 픽셀들은 공통 감지 영역(1106)을 공유할 수 있다. 공통 감지 영역(1106)은 리드아웃 회로(1108)에 동작 가능하게 연결되어 있다. 리드아웃 회로는 출력 라인(1110)에 동작 가능하게 연결되어 있다. 다중 출력 라인이 함께 그룹화되고 칼럼 셀렉트(1112, 1114)에 연결된다. 특히, 한 그룹의 출력 라인들은 제1 수직 스위치(1116) 및 제2 수직 스위치(1118)에 연결된다. 제1 수직 스위치(1116)는 제1 아날로그-디지털 변환기(1120)에 동작 가능하게 연결되어 있다. 제2 수직 스위치(1118)는 제2 아날로그-디지털 변환기(1122)에 동작 가능하게 연결된다.
제1 수평 스위치(1124)가, 한 그룹의 출력 라인 중 선택된 출력 라인을 다른 그룹의 출력 라인 중 선택된 출력 라인에 연결하도록 구성된다. 예를 들어, 제1 수평 스위치(1124)는, 제1 수직 스위치(1116)에 동작 가능하게 연결된 출력 라인(예를 들어, 출력 라인(1110))을, 또 다른 제1 수직 스위치(1126)에 연결된 출력 라인에 연결한다. 마찬가지로, 제2 수평 스위치(1128)가, 제3 수직 스위치(1130)에 동작 가능하게 연결된 출력 라인을, 제4 수직 스위치(1132)에 연결된 출력 라인에 연결한다. 추가적으로 또는 대안적으로, 수평 스위치는 동일한 그룹의 출력 라인 내의 출력 라인들을 함께 연결할 수 있다.
일부 실시 형태에서, 리드아웃 회로는, 도 6에 도시된 바와 같이 구성될 수 있는 리셋 트랜지스터 및 리드아웃 트랜지스터를 포함한다. 리셋 트랜지스터 및 리드아웃 트랜지스터는 공통의 감지 영역(1106)에 연결될 수 있다. 로우 셀렉트 트랜지스터는 리드아웃 트랜지스터에 연결될 수 있다. 또한, 수직 및 수평 스위치들은 하나 이상의 실시 형태에서 멀티플렉서로서 구성될 수 있다. 상이한 타입의 스위치 및/또는 리드아웃 회로가 다른 실시 형태들에서 사용될 수 있다.
도 10의 방법을 도 12를 사용하여 설명한다. 도 12는 도 11에 도시한 이미지 센서의 일부의 확대도이다. 또한, 간략화를 위해, 단지 3개의 2×2 클러스터만의 비닝 동작을 설명한다. 본 분야의 숙련자는 동일한 비닝 동작이 픽셀 어레이 내의 모든 픽셀에 대해 수행될 수 있음을 알 수 있을 것이다.
도시된 실시 형태에서, 대각선으로 비닝된 픽셀은 베이어 CFA 내의 2개의 녹색 컬러 평면과 연관된다. 상술한 바와 같이, 다중 픽셀의 전하는 대각선 방향(또는 방향들)을 따라 합산되고 픽셀 어레이로부터 리드아웃될 수 있어, 제1 대각선 합산 신호를 생성할 수 있다. 도시된 실시 형태에서, 녹색 픽셀(1200 및 1202)의 전하는 공통 감지 영역(1204)에 전하를 전송함으로써 합산된다. 합산된 전하는 2개의 상이한 컬러 평면; 즉 Gr 컬러 평면과 Gb 컬러 평면과 연관되어 있다. 전하는, 공통 감지 영역(1204)이 리드아웃되기 전에 공통 감지 영역(1204)에 동시에 또는 순차적으로 전송될 수 있다.
합산된 전하는 리드아웃 회로(1206)를 사용하여 공통 감지 영역(1204)으로부터 리드아웃된다. 합산된 녹색 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1208) 상에 출력된다. 제2 수직 스위치(1126)는 출력 라인(1208)을 선택하고 출력 라인을 아날로그-디지털 변환기(1210)에 동작 가능하게 연결한다. 출력 라인(1208) 상의 전압 신호는 디지털 신호로 변환되어, 신호 라인(1212) 상의 디지털 제1 대각선 합산 신호를 생성한다.
다음으로, 픽셀(1214)의 전하는 공통 감지 영역(1216)에 전송되고 리드아웃 회로(1218)는 감지 영역(1216)으로부터 전하를 리드아웃한다. 픽셀(1214)의 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1220)에 의해 수신된다. 마찬가지로, 픽셀(1222)의 전하는 공통 감지 영역(1224)에 전송되고 리드아웃 회로(1226)는 감지 영역(1224)으로부터 전하를 리드아웃한다. 픽셀(1222)의 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1228) 상에 출력된다.
제1 수평 스위치(1124)는, 출력 라인(1220 및 1228)들을 함께 연결하여, 출력 라인들(1220 및 1228) 상의 전압 신호를 결합한다. 제1 수직 스위치(예를 들어, 스위치(1126))는 연결된 출력 라인(예를 들어, 출력 라인(1228))을 선택하고 연결된 출력 라인(1220, 1228)을 아날로그-디지털 변환기(예를 들어, A/D(1210))에 연결할 수 있으며, 디지털 제2 대각선 합산 신호는 신호 라인(1212) 상에 출력된다. 이어서, 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호는 결합되어, 비닝된 2×2 클러스터를 생성할 수 있다.
따라서, 제1 대각선 합산 신호는, 공통 감지 영역 상의 전하를 합산하고 픽셀 어레이(예를 들면, 도 11의 픽셀 어레이(1100))로부터 합산 전하를 리드아웃함으로써 생성된다. 제2 대각선 합산 신호는, 전압 신호를 결합하고 이 결합된 전압 신호를 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 형성된다. 도시된 실시 형태에서, 제1 및 제2 대각선 합산 신호는 2개의 상이한 컬러 평면(예를 들어, Gr 및 Gb)과 연관된 광을 나타낸다.
픽셀은 또한 직교 비닝될 수 있다. 도시된 실시 형태에서, 적색 및 청색 픽셀은 직교 비닝된다. 예를 들어, 청색 픽셀(1230 및 1232)의 전하는 2개의 픽셀의 전하를 함께 합산하기 위해 공통 감지 영역(1216)에 전송될 수 있다. 리드아웃 회로(1218)는 공통 감지 영역(1216)으로부터 합산 전하를 리드아웃할 수 있고, 합산된 청색 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1220)에 의해 수신될 수 있다. 전압 신호는 제1 직교 합산 신호를 나타낸다. 제1 수직 스위치(1116)는 출력 라인(1220)을 선택할 수 있고, A/D 변환기(1120)는 제1 디지털 직교 합산 신호를 생성하기 위해 전압 신호를 디지털 신호로 변환할 수 있다. 제1 디지털 직교 합산 신호는 신호 라인(1234) 상에 출력된다.
실질적으로 동시에, 청색 픽셀(1236 및 1238)의 전하는 2개의 픽셀의 전하를 함께 합산하기 위해 공통 감지 영역(1204)에 전송될 수 있다. 리드아웃 회로(1206)는 공통 감지 영역(1204)으로부터 합산 전하를 리드아웃할 수 있고, 합산된 청색 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1208)에 의해 수신될 수 있다. 전압 신호는 제2 직교 합산 신호를 나타낸다. 제2 수직 스위치(1126)는 출력 라인(1208)을 선택할 수 있고, A/D 변환기(1210)는 제2 디지털 합산 직교 신호를 생성하기 위해 전압 신호를 디지털 신호로 변환할 수 있다. 그 다음, 디지털 제1 및 제2 직교 합산 신호들은 비닝된 2×2 클러스터를 생성하기 위해 결합될 수 있다.
다음으로, 적색 픽셀(1240 및 1242)의 전하는 2개의 픽셀의 전하를 함께 합산하기 위해 공통 감지 영역(1216)에 전송될 수 있다. 리드아웃 회로(1218)는 공통 감지 영역(1216)으로부터 합산 전하를 리드아웃할 수 있고, 합산된 적색 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1220)에 의해 수신될 수 있다. 전압 신호는 제3 직교 합산 신호를 나타낸다.
실질적으로 동시에, 적색 픽셀(1244 및 1246)의 전하는 2개의 픽셀의 전하를 함께 합산하기 위해 공통 감지 영역(1204)으로 전송될 수 있다. 리드아웃 회로(1206)는 공통 감지 영역(1204)으로부터 합산 전하를 리드아웃할 수 있고, 합산된 적색 전하량을 나타내는 전압 신호는 출력 라인(1208)에 의해 수신될 수 있다. 전압 신호는 제4 직교 합산 신호를 나타낸다. 그 다음, 제1 수평 스위치(1124)는 출력 라인(1208 및 1220)을 함께 연결할 수 있고, 수직 스위치(예를 들면, 스위치(1126))는 연결된 출력 라인을 A/D 변환기(1210)에 연결할 수 있다. A/D 변환기(1210)는 결합된 제3 및 제4 전압 신호를 디지털 신호로 변환하여 디지털 직교 합산 신호를 생성할 수 있다. 디지털 직교 합산 신호는 신호 라인(1212) 상에 출력된다.
2×2 녹색 픽셀 클러스터들의 상이한 절반들이 상이한 픽셀 리드아웃 사이클에서 비닝되기 때문에, 비닝된 2×1 녹색 픽셀 클러스터들을 나타내는 신호들은 2×2 녹색 클러스터의 다른 절반들을 나타내는 신호가 리드아웃될 때까지 메모리에 저장될 수 있다. 상술한 바와 같이, 2×2 클러스터들의 다른 절반들을 나타내는 신호들이 리드아웃되면, 2×1 절반들은 2×2 녹색 픽셀 클러스터들 상의 비닝 동작을 완료하기 위해 디지털 방식으로 결합될 수 있다. 그 다음, 이미지가 2×2 녹색 픽셀 클러스터들을 나타내는 디지털 신호의 적어도 일부를 이용하여 구성될 수 있다. 직교 합산 적색 및 청색 픽셀을 나타내는 디지털 신호의 적어도 일부는 이미지를 생성하는데 사용될 수도 있다.
추가적으로, 도 11 및 12의 실시 형태에서, 각 로우의 픽셀들의 전송 트랜지스터들에 대한 3개의 전송 신호 라인은 이미지 센서에 포함될 수 있다. 하나의 전송 신호 라인은 로우의 적색 또는 청색 픽셀들의 전송 트랜지스터들에 동작 가능하게 연결된다. 다른 2개의 전송 신호 라인은 로우의 녹색 픽셀의 전송 트랜지스터들에 교대로 연결된다. 2개의 전송 신호 라인들 중 하나는 모든 다른 칼럼(예를 들면, 홀수 칼럼)의 녹색 픽셀들의 전송 트랜지스터들에 동작 가능하게 연결되고, 다른 전송 신호 라인은 동일한 로우에 남아있는 전송 트랜지스터들에 연결되어 있다(예를 들면, 짝수 칼럼의 녹색 픽셀).
다른 실시 형태는 픽셀 비닝을 다르게 수행할 수 있다. 예를 들어, 결합되는 녹색, 청색 및/또는 적색 픽셀들은 도 12에 도시된 그룹과는 다른 그룹에 위치할 수 있다.
한 실시 형태에서, 이제 도 11과 관련하여 상술한 바와 같이, 비닝 동작이 수행될 수 있다. 제1 리드아웃 사이클에서, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 녹색 픽셀은 각각의 공통 감지 영역 상에서 합산될 수 있다: (0,0)와 (1,1); (2,2)와 (3,3); 및 (4,0)와 (5,1). 제2 리드아웃 사이클에서, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 녹색 픽셀은 출력 라인 상에서 결합될 수 있다: (1,3)과 (2,4); (1,7)과 (2,8); 및 (5,3)과 (6,4)(도 11에서 칼럼 6-8은 도시되지 않는다는 점에 주목해야 한다). 제3 리드아웃 사이클에서, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 녹색 픽셀은 각각의 공통 감지 영역 상에서 합산될 수 있다: (0,8)와 (1,9); (2,10)과 (3,11); 및 (4,8)와 (5,9). 제4 리드아웃 사이클에서, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 녹색 픽셀은 출력 라인 상에서 결합될 수 있다: (3,1)과 (4,2); (3,5)와 (4,6); 및 (7,1)과 (8,2)(도 11에서 칼럼 7-11은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다).
직교 비닝에 있어서, 하나의 리드아웃 사이클에서, 청색 및 적색 픽셀은 각각의 공통 감지 영역 상에서 합산될 수 있고, 그 다음 합산된 전하를 나타내는 전압 신호들은 각각의 출력 라인 상에서 결합된다. 예를 들어, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 청색 픽셀의 전하는 각각의 감지 영역 상에서 합산될 수 있다: (0,1)과 (0,3); (2,1)과 (2,3); (4,1)과 (4,3); (6,1)과 (6,3); (0,9)와 (0,11); (2,9)와 (2,11); (4,9)와 (4,11); 및 (6,9)와 (6,11)(도 11에서 칼럼 6은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다). 합산된 전하는 감지 영역으로부터 리드아웃되고, 합산된 전하를 나타내는 전압 신호는 다음과 같이 각각의 출력 라인 상에서 결합될 수 있다[괄호 [] 안은 전압 신호]: [(2,1)+(2,3)]과 결합된 [(0,1)+(0,3)]; [(6,1)+(6,3)]과 결합된 [(4,1)+(4,3)]; [(2,9)+(2,11)]과 결합된 [(0,9)+(0,11)]; 및 [(6,9)+(6,11)]과 결합된 [(4,9)+(4,11)].
마찬가지로, 동일한 리드아웃 사이클 동안에, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 적색 픽셀은 각각의 공통 감지 영역 상에서 다음과 같이 합산될 수 있다: (1,4)와 (1,6); (3,4)와 (3,6); (5,4)와 (5,6); (7,4)와 (7,6); (1,12)와 (1,14); (3,12)와 (3,14); (5,12)와 (5,14); 및 (7,12)+(7,14)(도 11에서 칼럼 7은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다). 합산된 전하는 감지 영역으로부터 리드아웃되고, 합산된 전하를 나타내는 전압 신호는 다음과 같이 각각의 출력 라인 상에서 결합될 수 있다[괄호 [] 안은 전압 신호]: [(3,4)+(3,6)]과 결합된 [(1,4)+(1,6)]; [(7,4)+(7,6)]과 결합된 [(5,4)+(5,6)]; [(3,12)+(3,14)]와 결합된 [(1,12)+(1,14)]; 및 [(7,12)+(7,14)]와 결합된 [(5,12)+(5,14)](도 11에서 칼럼 7은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다).
직교 비닝(binning)에 대한 또 다른 리드아웃 사이클에서, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 청색 픽셀은 각각의 공통 감지 영역 상에서 다음과 같이 합산될 수 있다: (0,5)와 (0,7); (2,5)와 (2,7); (4,5)와 (4,7); (6,5)와 (6,7); (0,13)과 (0,15); (2,13)과 (2,15); (4,13)과 (4,15); 및 (6,13)과 (6,15)(도 11에서 칼럼 6은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다). 합산된 전하는 감지 영역으로부터 리드아웃되고, 합산된 전하를 나타내는 전압 신호는 다음과 같이 각각의 출력 라인 상에서 결합될 수 있다[괄호 [] 안은 전압 신호]: [(2,5)+(2,7)]과 결합된 [(0,5)+(0,7)]; [(6,5)+(6,7)]과 결합된 [(4,5)+(4,7)]; [(2,13)+(2,15)]와 결합된 [(0,13)+(0,15)]; 및 [(6,13)+(6,15)]와 결합된 [(4,13)+(4,15)](도 11에서 칼럼 6은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다).
마찬가지로, 동일한 리드아웃 사이클 동안에, 이들 로우 및 칼럼 위치에 위치한 적색 픽셀은 각각의 공통 감지 영역 상에서 다음과 같이 합산될 수 있다: (1,0)과 (1,2); (3,0)과 (3,2); (5,0)과 (5,2); (7,0)과 (7,2); (1,8)과 (1,10); (3,8)과 (3,10); (5,8)과 (5,10); 및 (7,8)과 (7,10)(도 11에서 칼럼 7은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다). 합산된 전하는 감지 영역으로부터 리드아웃되고, 합산된 전하를 나타내는 전압 신호는 다음과 같이 각각의 출력 라인 상에서 결합될 수 있다[괄호 [] 안은 전압 신호]: [(3,0)+(3,2)]와 결합된 [(1,0)+(1,2)]; [(7,0)+(7,2)]와 결합된 [(5,0)+(5,2)]; [(3,8)+(3,10)]과 결합된 [(1,8)+(1,10)]; 및 [(7,8)+(7,10)]과 결합된 [(5,8)+(5,10)](도 11에서 칼럼 7은 도시되지 않는다는 점에 유의해야 한다).
이제, 도 13을 참조하면, 베이어 컬러 필터 패턴 및 2×2 픽셀 비닝의 일례가 도시되어 있다. 도시된 실시 형태에서, 비닝된 픽셀은 픽셀 어레이의 인접하는 로우에 있다(이것이 필수 사항은 아니지만). 4개의 녹색 픽셀(1300)은 다이아몬드 비닝 패턴을 형성하기 위해 대각선으로 비닝된다. 4개의 적색 픽셀(1302)과 4개의 청색 픽셀(1304)의 클러스터는 사각형 모양을 형성하기 위해 직교 비닝된다. 도 13의 비닝 패턴은 녹색 다이아몬드 클러스터(1300)의 중심과 청색 픽셀 클러스터(1304)의 중심을 정렬시킨다. 일부 실시 형태에서, 추가 처리로 인해, 녹색 다이아몬드 클러스터의 중심이 적색 픽셀 클러스터의 중심과 정렬되도록 녹색 다이아몬드 클러스터(1300)의 위상은 변경될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 녹색 다이아몬드 클러스터 중에서, 적색 또는 청색 픽셀 클러스터와 정렬되는 것은 없다.
도 14는 베이어 컬러 필터 패턴 및 2×2 픽셀 비닝의 다른 예를 도시한다. 도 13의 실시 형태와 마찬가지로, 비닝된 픽셀은 픽셀 어레이의 인접하는 로우에 있다. 4개의 녹색 픽셀(1400)은 다이아몬드 비닝 패턴을 형성하기 위해 대각선으로 비닝된다. 4개의 적색 픽셀(1402)과 4개의 청색 픽셀(1404)의 클러스터는 사각형 모양을 형성하기 위해 직교 비닝된다. 도 14의 비닝 패턴은 녹색 다이아몬드 클러스터(1400)의 중심과 적색 픽셀 클러스터(1402)의 중심을 정렬시킨다. 일부 실시 형태에서, 추가 처리로 인해, 녹색 다이아몬드 클러스터의 중심이 청색 픽셀 클러스터의 중심과 정렬되도록 녹색 다이아몬드 클러스터(1400)의 위상은 변경될 수 있다. 다른 실시 형태에서, 녹색 다이아몬드 클러스터 중에서, 적색 또는 청색 픽셀 클러스터와 정렬되는 것은 없다.
본원에 설명된 비닝 동작은 2×1 비닝에 사용될 수 있다. 도 15는 베이어 컬러 필터 패턴 및 2×1 픽셀 비닝의 일례를 도시한다. 2개의 녹색 픽셀(1500)(예를 들어, Gr 및 Gb)은 대각선으로 비닝될 수 있으며 대각선 방향은 2 클러스터마다 변경될 수 있다(1500, 1500' 및 1502, 1502' 참조). 예를 들어, 도시된 실시 형태에서, 2개의 녹색 픽셀(예를 들면, Gr 및 Gb(1500))의 전하는 각각의 공통 감지 영역 상에서 합산될 수 있고 합산된 전하는 픽셀 어레이로부터 리드아웃된다. 그 다음, 전하는 다른 녹색 픽셀로부터 리드아웃될 수 있고, 전하를 나타내는 전압 신호들은 각각의 출력 라인 상에서 결합될 수 있다(예를 들면, (1500') 내의 Gr 및 Gb 픽셀 등의 대각선 인접 픽셀들로부터의 전압 신호들을 결합한다). 그 다음, 결합된 전압 신호들은 픽셀 어레이로부터 리드아웃될 수 있다. 녹색 픽셀(1500, 1500')의 4개 모두는 픽셀 어레이의 제1 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접한다. 2×1 비닝 동작은 도 10의 블록(1000, 1002 및 1004)을 수행하지만, 블록(1006)을 수행하지 않는다는 점에 유의해야 한다.
그 다음, 상이한 제2 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접하는 2개의 녹색 픽셀의 전하는 공통 감지 영역 상에서 합산될 수 있고 합산된 전하는 픽셀 어레이(예를 들어, Gr 및 Gb(1502))로부터 리드아웃된다. 그 다음, 전하는 제2 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접하는 다른 녹색 픽셀들로부터 리드아웃될 수 있고, 그 다음, 전하를 나타내는 전압 신호들은 각각의 출력 라인 상에서 결합될 수 있다(예를 들어, 대각선 인접 픽셀 Gr 및 Gb(1502')로부터의 전압 신호들을 결합한다). 그 다음, 결합된 전압 신호들은 픽셀 어레이로부터 리드아웃될 수 있다. 이전의 4개의 녹색 픽셀과는 달리, 이들 4개의 녹색 픽셀(1502, 1502')은 픽셀 어레이의 제2 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접한다.
2개의 적색 픽셀(1504)의 클러스터들과 2개의 청색 픽셀(1506)의 클러스터들은 각각의 감지 영역 상의 적색 전하를 합산하고 각각의 감지 영역 상의 청색 전하를 합산함으로써 직교 비닝될 수 있다. 그 다음, 합산 전하는 픽셀 어레이로부터 리드아웃될 수 있다. 2×1 비닝 동작에서, 합산된 청색 전하를 나타내는 전압 신호들은 출력 라인들 상에서 결합되지 않고, 합산된 적색 전하를 나타내는 전압 신호들은 출력 라인들 상에서 결합되지 않는다.
그 다음, 이미지가, 대각선 합산 녹색 신호, 직교 합산 적색 신호 및 직교 합산 청색 신호 중 적어도 일부를 이용하여 구성될 수 있다. 다른 실시 형태는 2×1 대각선 합산 픽셀들을 나타내는 신호들 중 적어도 일부를 사용하여 이미지를 생성할 수 있다.
다양한 실시 형태들이 특정 기능을 특별히 참조하여 상세히 설명되었지만, 변형 및 수정이 본 발명의 사상 및 범위 내에서 이루어질 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본원에서 설명된 실시 형태는 2×1 및 2×2 결합으로 상이한 대각선 방향을 따라 전하를 합산한다. 다른 실시 형태는, 예를 들어, 3×3 결합 등, 상이한 결합으로 상이한 대각선 방향을 따라 전하를 합산할 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 녹색 이외의 컬러가 대각선으로 합산될 수 있다.
특정 실시 형태들이 본원에 기재되어 있다 하더라도, 본 출원이 이들 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 특히, 하나의 실시 형태에 대해 설명된 임의의 특징들이 또한 호환가능한 다른 실시 형태에서 사용될 수 있다. 마찬가지로, 서로 다른 실시 형태들의 특징들은, 호환가능한 경우에, 교환될 수도 있다.

Claims (26)

  1. 복수의 픽셀을 포함하는 픽셀 어레이를 갖는 이미지 센서의 전하를 비닝(binning)하는 방법으로서, 상기 방법은,
    제1 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀의 전하를 합산하고 상기 합산된 전하를 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃(read out)함으로써 제1 대각선 합산 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 제1 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀로부터의 신호들을 평균함으로써 제2 대각선 합산 신호를 생성하는 단계
    를 포함하는, 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    2개 이상의 픽셀의 상기 전하는 하나의 컬러 평면의 전하를 포함하는, 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    2개 이상의 픽셀의 상기 전하는 상이한 컬러 평면들의 전하를 포함하는, 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 상이한 컬러 평면들은 베이어 컬러 필터 어레이(Bayer color filter array)와 연관된 녹색 컬러 평면들을 포함하는, 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 2개 이상의 픽셀 중 적어도 하나의 픽셀의 상기 전하는 전정색(panchromatic) 필터 요소와 연관된 픽셀로부터 리드아웃된 전하를 포함하는, 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 2개 이상의 픽셀로부터의 적어도 하나의 신호가 전정색 필터 요소와 연관된 픽셀로부터 리드아웃된 전하를 나타내는 신호를 포함하는, 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 대각선 합산 신호들을 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호들로 변환하는 단계; 및
    상기 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호들을 함께 결합하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 합산된 전하를 나타내는 신호들을 생성하기 위해 제1 직교 방향을 따라 위치한 픽셀들의 전하를 합산하는 단계;
    상기 합산된 전하를 나타내는 2개 이상의 신호를 평균하는 단계; 및
    상기 평균화된 신호들을 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    제1 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀의 전하를 합산하는 단계는, 제1 대각선 방향을 따라 인접하여 위치한 2개의 픽셀의 전하를 합산하는 단계를 포함하는, 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    제1 대각선 방향을 따라 인접하여 위치한 2개의 픽셀의 전하를 합산하는 단계는, 제1 대각선 방향을 따르는 인접한 로우들(rows)의 2개의 픽셀의 전하를 합산하는 단계를 포함하는, 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 결합된 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호들을 이용하여 이미지를 구성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상이한 제2 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀의 전하를 합산하고 상기 합산된 전하를 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제3 대각선 합산 신호를 생성하는 단계; 및
    상기 제2 대각선 방향을 따라 위치한 2개 이상의 픽셀로부터의 신호들을 평균함으로써 제4 대각선 합산 신호를 생성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1, 제2, 제3 및 제4 대각선 합산 신호들을 이용하여 이미지를 구성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  14. 픽셀 어레이의 복수의 픽셀을 포함하는 이미지 센서 내의 전하를 비닝하는 방법으로서, 상기 방법은,
    제1 대각선 인접 픽셀 쌍의 전하를 합산하고 상기 합산된 전하를 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제1 대각선 합산 신호를 생성하는 단계; 및
    제2 대각선 인접 픽셀 쌍으로부터 출력된 전압 신호들을 결합하고 상기 결합된 전압 신호를 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제2 대각선 합산 신호를 생성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 제1 및 제2 대각선 인접 픽셀 쌍들은 상기 픽셀 어레이 내에서 제1 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접하여 있는, 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 대각선 인접 픽셀 쌍의 상기 전하는 단일의 컬러 평면과 연관된 전하를 포함하고, 상기 제2 대각선 인접 픽셀 쌍의 상기 전압 신호들은 단일의 컬러 평면과 연관된 전압 신호들을 포함하는, 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 대각선 인접 픽셀 쌍의 상기 전하는 상이한 컬러 평면들과 연관된 전하를 포함하고, 상기 제2 대각선 인접 픽셀 쌍의 상기 전압 신호들은 상이한 컬러 평면들과 연관된 전압 신호들을 포함하는, 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 상이한 컬러 평면들은 베이어 컬러 필터 어레이 내의 제1 녹색 컬러 평면 및 상이한 제2 녹색 컬러 평면을 포함하는, 방법.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 제1 대각선 인접 픽셀 쌍 중 적어도 하나의 상기 전하는 전정색 필터 요소와 연관된 픽셀로부터 리드아웃된 전하를 포함하는, 방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 제2 대각선 인접 픽셀 쌍으로부터의 적어도 하나의 전압 신호는 전정색 필터 요소와 연관된 픽셀로부터 리드아웃된 전하를 나타내는 전압 신호를 포함하는, 방법.
  20. 제14항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 대각선 합산 신호들을 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호들로 변환하는 단계; 및
    상기 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호들을 결합하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    제1 전압 신호를 생성하기 위해 제1 직교 방향으로 제1 픽셀 쌍의 전하를 합산하는 단계;
    제2 전압 신호를 생성하기 위해 제2 직교 방향으로 제2 픽셀 쌍의 전하를 합산하는 단계; 및
    2개의 출력 라인을 전기적으로 함께 연결함으로써 형성된 출력 라인 상에 상기 제1 및 제2 전압 신호들을 결합하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 결합된 제1 및 제2 전압 신호들을, 상기 결합된 제1 및 제2 전압 신호들을 나타내는 디지털 신호로 변환하는 단계; 및
    상기 합산된 디지털 제1 및 제2 대각선 합산 신호들, 및 상기 결합된 전압 신호들을 나타내는 상기 디지털 신호를 이용하여 이미지를 구성하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  23. 제14항에 있어서,
    제3 대각선 인접 픽셀 쌍의 전하를 합산하고 상기 합산된 전하를 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제3 대각선 합산 신호를 생성하는 단계; 및
    제4 대각선 인접 픽셀 쌍으로부터 출력된 전압 신호들을 결합하고 상기 결합된 전압 신호를 상기 픽셀 어레이로부터 리드아웃함으로써 제4 대각선 합산 신호를 생성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제3 및 제4 대각선 인접 픽셀 쌍들은 상기 픽셀 어레이 내에서 상이한 제2 대각선 방향을 따라 대각선으로 인접하여 있는, 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1, 제2, 제3 및 제4 대각선 합산 신호들을 이용하여 이미지를 구성하는 단계를 더 포함하는 방법.
  25. 이미지 캡처 장치로서,
    각 그룹의 픽셀들이 별개의 감지 영역에 동작 가능하게 연결되어 있는 픽셀들의 그룹들로 분할된 복수의 픽셀;
    각 감지 영역에 및 별개의 출력 라인에 동작 가능하게 연결된 리드아웃 회로;
    제1 세트의 출력 라인들에 및 제2 세트의 출력 라인들에 동작 가능하게 연결된 제1 스위치; 및
    복수의 픽셀에 동작 가능하게 연결되어, 각각의 감지 영역 상의 전하를 합산하도록 그룹 내의 2개 이상의 픽셀을 선택적으로 인에이블시키고 상기 감지 영역들로부터 상기 합산 전하를 리드아웃하도록 각각의 리드아웃 회로를 인에이블시키도록 구성되는 프로세싱 장치
    를 포함하고;
    상기 프로세싱 장치는, 각각의 감지 영역에 전하를 전송하도록 2개의 그룹의 2개 이상의 픽셀을 선택적으로 인에이블시키고, 전압 신호들을 생성하기 위해 상기 각각의 감지 영역으로부터 상기 전하를 리드아웃하도록 상기 각각의 리드아웃 회로를 인에이블시키고, 상기 전압 신호들을 결합하기 위해 상기 제1 세트의 출력 라인들 중 하나의 출력 라인과 상기 제2 세트의 출력 라인들 중 하나의 출력 라인을 함께 연결시키도록 상기 스위치를 선택적으로 인에이블시키도록 구성되는, 이미지 캡처 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    각 세트의 출력 라인들에 각각 동작 가능하게 연결된 제2 스위치들; 및
    각각의 제2 스위치에 동작 가능하게 연결된 아날로그-디지털 변환기를 더 포함하는, 이미지 캡처 장치.
KR1020150075284A 2014-05-30 2015-05-28 이미지 센서의 픽셀 비닝 KR101696309B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170002856A KR102271135B1 (ko) 2014-05-30 2017-01-09 이미지 센서의 픽셀 비닝

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/292,599 2014-05-30
US14/292,599 US9686485B2 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Pixel binning in an image sensor

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170002856A Division KR102271135B1 (ko) 2014-05-30 2017-01-09 이미지 센서의 픽셀 비닝

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150138078A true KR20150138078A (ko) 2015-12-09
KR101696309B1 KR101696309B1 (ko) 2017-01-13

Family

ID=54476279

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150075284A KR101696309B1 (ko) 2014-05-30 2015-05-28 이미지 센서의 픽셀 비닝
KR1020170002856A KR102271135B1 (ko) 2014-05-30 2017-01-09 이미지 센서의 픽셀 비닝

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170002856A KR102271135B1 (ko) 2014-05-30 2017-01-09 이미지 센서의 픽셀 비닝

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9686485B2 (ko)
JP (2) JP6110891B2 (ko)
KR (2) KR101696309B1 (ko)
CN (3) CN110198422B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11962919B2 (en) 2022-07-24 2024-04-16 Tower Semiconductor Ltd. Apparatus and system of analog pixel binning

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293500B2 (en) 2013-03-01 2016-03-22 Apple Inc. Exposure control for image sensors
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
US9549099B2 (en) 2013-03-12 2017-01-17 Apple Inc. Hybrid image sensor
US9319611B2 (en) 2013-03-14 2016-04-19 Apple Inc. Image sensor with flexible pixel summing
US9596423B1 (en) 2013-11-21 2017-03-14 Apple Inc. Charge summing in an image sensor
US9596420B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Apple Inc. Image sensor having pixels with different integration periods
US9473706B2 (en) 2013-12-09 2016-10-18 Apple Inc. Image sensor flicker detection
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
US9277144B2 (en) 2014-03-12 2016-03-01 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation
US9584743B1 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation
JP2015185823A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 ソニー株式会社 固体撮像素子、及び、撮像装置
US9497397B1 (en) 2014-04-08 2016-11-15 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison
US9538106B2 (en) 2014-04-25 2017-01-03 Apple Inc. Image sensor having a uniform digital power signature
US9686485B2 (en) 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
US20170302872A1 (en) * 2014-10-01 2017-10-19 Sony Corporation Solid-state imaging device, signal processing method, and electronic device
JP6650309B2 (ja) 2016-03-24 2020-02-19 スタンレー電気株式会社 距離計測装置
CN107275359B (zh) 2016-04-08 2021-08-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US9912883B1 (en) 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
DE102016208409A1 (de) * 2016-05-17 2017-11-23 Robert Bosch Gmbh Sensormodul, Verfahren zum Ermitteln einer Helligkeit und/oder einer Farbe einer elektromagnetischen Strahlung und Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls
DE102016212797A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Robert Bosch Gmbh Lichtsensormodul, Verfahren zum Betreiben eines Lichtsensormoduls und Verfahren zum Herstellen eines Lichtsensormoduls
WO2018012316A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の動作方法、撮像装置、並びに電子機器
EP3516692B1 (en) 2016-09-23 2022-02-16 Apple Inc. Stacked backside illuminated spad array
EP3552144A1 (de) * 2016-12-06 2019-10-16 Conti Temic microelectronic GmbH Kameravorrichtung sowie verfahren zur situationsangepassten erfassung eines umgebungsbereichs eines fahrzeugs
CN110235024B (zh) 2017-01-25 2022-10-28 苹果公司 具有调制灵敏度的spad检测器
US10656251B1 (en) 2017-01-25 2020-05-19 Apple Inc. Signal acquisition in a SPAD detector
US10962628B1 (en) 2017-01-26 2021-03-30 Apple Inc. Spatial temporal weighting in a SPAD detector
DE102017210845A1 (de) 2017-06-27 2018-12-27 Conti Temic Microelectronic Gmbh Kameravorrichtung sowie Verfahren zur umgebungsangepassten Erfassung eines Umgebungsbereichs eines Fahrzeugs
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body
EP3654827B1 (en) * 2017-07-21 2024-04-03 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Health monitoring device
US10440301B2 (en) 2017-09-08 2019-10-08 Apple Inc. Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
FR3075544B1 (fr) * 2017-12-19 2020-01-17 Thales Procede et systeme d imagerie a haut et bas niveaux de lumiere
KR102594038B1 (ko) * 2018-01-15 2023-10-26 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
CN108419030B (zh) 2018-03-01 2021-04-20 思特威(上海)电子科技股份有限公司 具有led闪烁衰减的hdr图像传感器像素结构及成像系统
US10334189B1 (en) 2018-06-06 2019-06-25 Smartsens Technology (Cayman) Co., Ltd. HDR pixel array with double diagonal binning
US11019294B2 (en) 2018-07-18 2021-05-25 Apple Inc. Seamless readout mode transitions in image sensors
US10848693B2 (en) 2018-07-18 2020-11-24 Apple Inc. Image flare detection using asymmetric pixels
WO2020045278A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device with motion dependent pixel binning
JP7356266B2 (ja) * 2018-08-31 2023-10-04 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
US10477126B1 (en) 2018-09-05 2019-11-12 Smartsens Technology (Cayman) Co., Limited Dual eclipse circuit for reduced image sensor shading
US10785425B2 (en) 2018-09-28 2020-09-22 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor with selective pixel binning
US10873716B2 (en) 2018-11-05 2020-12-22 SmartSens Technology (HK) Co., Ltd. Dual row control signal circuit for reduced image sensor shading
US11233966B1 (en) 2018-11-29 2022-01-25 Apple Inc. Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes
WO2020111369A1 (ko) * 2018-11-30 2020-06-04 엘지전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제어 방법
KR102629343B1 (ko) * 2018-12-21 2024-01-26 삼성전자주식회사 다중 셀 구조의 카메라 모듈 및 그 카메라 모듈을 포함하는 휴대용 통신 장치
US10727268B1 (en) 2019-01-25 2020-07-28 Smartsens Technology (Cayman) Co., Ltd CMOS image sensor with compact pixel layout
US10652492B1 (en) 2019-02-12 2020-05-12 Smartsens Technology (Cayman) Co., Ltd. CMOS image sensor with improved column data shift readout
CN110896082A (zh) 2019-05-28 2020-03-20 思特威(上海)电子科技有限公司 具有新型布局的图像传感器
KR20200108953A (ko) * 2019-03-11 2020-09-22 삼성전자주식회사 Rgbw 이미지 센서, 이미지 센서의 비닝 방법 및 그 방법을 수행하기 위한 기록 매체
KR102600681B1 (ko) * 2019-03-26 2023-11-13 삼성전자주식회사 비닝을 수행하는 테트라셀 이미지 센서
US11025842B2 (en) 2019-04-05 2021-06-01 Apple Inc. Binner circuit for image signal processor
WO2020244765A1 (en) * 2019-06-06 2020-12-10 Huawei Technologies Co., Ltd. Color filter array apparatus
KR102632479B1 (ko) * 2019-06-17 2024-01-31 삼성전자주식회사 맥파 센서 및 맥파 센서의 동작 방법
KR20210006043A (ko) * 2019-07-08 2021-01-18 삼성전자주식회사 광학적 지문 인식 기반의 지문 등록 방법 및 이를 이용한 광학적 지문 인식 방법
US11367743B2 (en) * 2019-10-28 2022-06-21 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with shared microlens between multiple subpixels
US11082643B2 (en) * 2019-11-20 2021-08-03 Waymo Llc Systems and methods for binning light detectors
US11350045B2 (en) 2020-03-10 2022-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensing apparatus and image binning method thereof
CN113630566A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 联咏科技股份有限公司 像素合并方法及相关影像读出电路
US11350055B2 (en) * 2020-05-07 2022-05-31 Novatek Microelectronics Corp. Pixel binning method and related image readout circuit
US11563910B2 (en) 2020-08-04 2023-01-24 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
US11394934B2 (en) * 2020-09-24 2022-07-19 Qualcomm Incorporated Binned anti-color pixel value generation
KR20220051881A (ko) 2020-10-19 2022-04-27 삼성전자주식회사 비닝 모드에서의 아티팩트를 개선하는 이미지 센서
KR20220053320A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 동작 방법
RU2757667C1 (ru) * 2020-12-02 2021-10-20 Федеральное государственное унитарное предприятие «Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем» (ФГУП «ГосНИИАС») Способ повышения чувствительности и частоты кадров видеокамер
US11546532B1 (en) 2021-03-16 2023-01-03 Apple Inc. Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors
KR20230047839A (ko) 2021-10-01 2023-04-10 삼성전자주식회사 영상 정보 손실을 감소하는 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서
KR20230062171A (ko) 2021-10-29 2023-05-09 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이미지 센싱 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
US11778337B2 (en) * 2021-11-09 2023-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and method for sensing image
CN114143515A (zh) * 2021-11-30 2022-03-04 维沃移动通信有限公司 图像传感器、摄像模组和电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100309351A1 (en) * 2009-06-08 2010-12-09 Scott Smith Image sensors and color filter arrays for charge summing and interlaced readout modes
JP2012019516A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Hynix Semiconductor Inc イメージセンサのカラム回路およびピクセルビニング回路
JP2012513160A (ja) * 2008-12-19 2012-06-07 イーストマン コダック カンパニー 同色の画素のビニングによるccdイメージセンサ
JP2013143730A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法

Family Cites Families (323)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4373804A (en) 1979-04-30 1983-02-15 Diffracto Ltd. Method and apparatus for electro-optically determining the dimension, location and attitude of objects
JPH07114472B2 (ja) 1984-11-19 1995-12-06 株式会社ニコン 固体撮像素子の駆動方法
US4686648A (en) 1985-12-03 1987-08-11 Hughes Aircraft Company Charge coupled device differencer
SE465551B (sv) 1990-02-16 1991-09-30 Aake Oeberg Anordning foer bestaemning av en maenniskas hjaert- och andningsfrekvens genom fotopletysmografisk maetning
US5105264A (en) 1990-09-28 1992-04-14 Eastman Kodak Company Color image sensor having an optimum exposure time for each color
US5329313A (en) 1992-04-01 1994-07-12 Intel Corporation Method and apparatus for real time compression and decompression of a digital motion video signal using a fixed Huffman table
US5550677A (en) 1993-02-26 1996-08-27 Donnelly Corporation Automatic rearview mirror system using a photosensor array
JP3358620B2 (ja) 1993-04-09 2002-12-24 ソニー株式会社 画像符号化方法及び画像符号化装置
US5841126A (en) 1994-01-28 1998-11-24 California Institute Of Technology CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip
US5471515A (en) 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US5949483A (en) 1994-01-28 1999-09-07 California Institute Of Technology Active pixel sensor array with multiresolution readout
US5541402A (en) 1994-10-17 1996-07-30 At&T Corp. Imaging active pixel device having a non-destructive read-out gate
JP3284803B2 (ja) 1994-12-16 2002-05-20 富士ゼロックス株式会社 画像入力装置
US6233013B1 (en) 1997-10-23 2001-05-15 Xerox Corporation Color readout system for an active pixel image sensor
US6714239B2 (en) 1997-10-29 2004-03-30 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with programmable color balance
JP3667058B2 (ja) * 1997-11-19 2005-07-06 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6008486A (en) 1997-12-31 1999-12-28 Gentex Corporation Wide dynamic range optical sensor
US6348929B1 (en) * 1998-01-16 2002-02-19 Intel Corporation Scaling algorithm and architecture for integer scaling in video
JPH11217315A (ja) 1998-01-27 1999-08-10 Pola Chem Ind Inc 自然に見えるメークアップ化粧料
JPH11216970A (ja) 1998-01-30 1999-08-10 Toppan Forms Co Ltd カード送付用台紙
US6040568A (en) 1998-05-06 2000-03-21 Raytheon Company Multipurpose readout integrated circuit with in cell adaptive non-uniformity correction and enhanced dynamic range
US6956605B1 (en) 1998-08-05 2005-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
JP3697073B2 (ja) 1998-08-05 2005-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US7133073B1 (en) 1999-08-19 2006-11-07 Dialog Imaging Systems Gmbh Method and apparatus for color interpolation
US8310577B1 (en) 1999-08-19 2012-11-13 Youliza, Gehts B.V. Limited Liability Company Method and apparatus for color compensation
JP2001285717A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Toshiba Corp 固体撮像装置
US6448550B1 (en) 2000-04-27 2002-09-10 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring spectral content of LED light source and control thereof
US6616613B1 (en) 2000-04-27 2003-09-09 Vitalsines International, Inc. Physiological signal monitoring system
JP3685686B2 (ja) 2000-06-12 2005-08-24 三菱電機株式会社 撮像エリアセンサおよび撮像装置
TW516184B (en) 2000-06-20 2003-01-01 Pixelplus Co Ltd CMOS active pixel for improving sensitivity
US6713796B1 (en) 2001-01-19 2004-03-30 Dalsa, Inc. Isolated photodiode
US7554067B2 (en) * 2001-05-07 2009-06-30 Panavision Imaging Llc Scanning imager employing multiple chips with staggered pixels
US7084914B2 (en) 2001-07-20 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Variable pixel clock electronic shutter control
US6541751B1 (en) 2001-10-03 2003-04-01 Pixim Inc Time multiplexing image processing functions for noise reduction
KR100464821B1 (ko) 2001-10-23 2005-01-17 임좌상 생리신호를 이용한 감성평가방법
KR100455286B1 (ko) 2002-01-11 2004-11-06 삼성전자주식회사 생리신호획득 및 해석을 이용한 동물의 상태 파악 방법 및장치
US7906826B2 (en) 2002-02-05 2011-03-15 E-Phocus Many million pixel image sensor
KR100462182B1 (ko) 2002-04-15 2004-12-16 삼성전자주식회사 Ppg 기반의 심박 검출 장치 및 방법
US6816676B2 (en) 2002-04-19 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Adaptive control of LCD display utilizing imaging sensor measurements
US6670904B1 (en) 2002-08-22 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Double-ramp ADC for CMOS sensors
US7786543B2 (en) 2002-08-27 2010-08-31 E-Phocus CDS capable sensor with photon sensing layer on active pixel circuit
US7525168B2 (en) 2002-08-27 2009-04-28 E-Phocus, Inc. CMOS sensor with electrodes across photodetectors at approximately equal potential
JP4403687B2 (ja) 2002-09-18 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動制御方法
US20040207836A1 (en) 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US7471315B2 (en) 2003-03-14 2008-12-30 Aptina Imaging Corporation Apparatus and method for detecting and compensating for illuminant intensity changes within an image
US7075049B2 (en) 2003-06-11 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain imagers
US20050026332A1 (en) 2003-07-29 2005-02-03 Fratti Roger A. Techniques for curvature control in power transistor devices
US6931269B2 (en) 2003-08-27 2005-08-16 Datex-Ohmeda, Inc. Multi-domain motion estimation and plethysmographic recognition using fuzzy neural-nets
US7115855B2 (en) 2003-09-05 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Image sensor having pinned floating diffusion diode
JP4106554B2 (ja) 2003-09-08 2008-06-25 ソニー株式会社 撮影環境判定方法および撮像装置
US7154075B2 (en) * 2003-11-13 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for pixel signal binning and interpolation in column circuits of a sensor circuit
US7332786B2 (en) 2003-11-26 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Anti-blooming storage pixel
US7091466B2 (en) 2003-12-19 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for pixel binning in an image sensor
JP4259998B2 (ja) 2003-12-19 2009-04-30 三洋電機株式会社 フリッカ検出装置及び撮像装置
US7437013B2 (en) 2003-12-23 2008-10-14 General Instrument Corporation Directional spatial video noise reduction
US7446812B2 (en) 2004-01-13 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Wide dynamic range operations for imaging
TW200607335A (en) 2004-04-21 2006-02-16 Qualcomm Inc Flicker detection for image sensing devices
KR100578647B1 (ko) 2004-04-27 2006-05-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 인티그레이션 방법
KR100574890B1 (ko) 2004-04-27 2006-04-27 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 및 이미지센서의 플리커 노이즈 검출 방법
US7102117B2 (en) 2004-06-08 2006-09-05 Eastman Kodak Company Active pixel sensor cell with integrating varactor and method for using such cell
US7825973B2 (en) 2004-07-16 2010-11-02 Micron Technology, Inc. Exposure control for image sensors
US7880785B2 (en) 2004-07-21 2011-02-01 Aptina Imaging Corporation Rod and cone response sensor
JP4455215B2 (ja) 2004-08-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 撮像装置
CN101010938A (zh) * 2004-08-27 2007-08-01 伊斯曼柯达公司 用于静态或视频摄影的图像传感器
US7259413B2 (en) 2004-09-28 2007-08-21 Micron Technology, Inc. High dynamic range image sensor
US20060103749A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Xinping He Image sensor and pixel that has switchable capacitance at the floating node
US7555158B2 (en) 2004-12-07 2009-06-30 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for recovering background in image sequence and method thereof
US7502054B2 (en) 2004-12-20 2009-03-10 Pixim, Inc. Automatic detection of fluorescent flicker in video images
US7190039B2 (en) 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
JP4855704B2 (ja) 2005-03-31 2012-01-18 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4377840B2 (ja) 2005-03-31 2009-12-02 イーストマン コダック カンパニー デジタルカメラ
US7443421B2 (en) 2005-04-05 2008-10-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Camera sensor
US20060244843A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Bart Dierickx Illumination flicker detection
JP4207926B2 (ja) 2005-05-13 2009-01-14 ソニー株式会社 フリッカ補正方法、フリッカ補正装置及び撮像装置
US7361877B2 (en) 2005-05-27 2008-04-22 Eastman Kodak Company Pinned-photodiode pixel with global shutter
TW201101476A (en) 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
US20060274161A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Intel Corporation Method and apparatus to determine ambient light using a camera
US7415096B2 (en) 2005-07-26 2008-08-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Curved X-ray reflector
US8139130B2 (en) * 2005-07-28 2012-03-20 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with improved light sensitivity
US8274715B2 (en) 2005-07-28 2012-09-25 Omnivision Technologies, Inc. Processing color and panchromatic pixels
JP4227152B2 (ja) * 2005-08-02 2009-02-18 三星電機株式会社 Cmosイメージセンサの能動ピクセルアレイ
JP4904749B2 (ja) 2005-09-08 2012-03-28 ソニー株式会社 フリッカ低減方法、フリッカ低減回路及び撮像装置
KR100775058B1 (ko) 2005-09-29 2007-11-08 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
US8032206B1 (en) 2005-10-20 2011-10-04 Pacesetter, Inc. Use of motion sensor for dynamic updating of heart detection threshold
KR100715932B1 (ko) 2005-10-24 2007-05-08 (주) 픽셀플러스 플리커 검출장치
JP4723994B2 (ja) * 2005-12-19 2011-07-13 株式会社東芝 固体撮像装置
US8355117B2 (en) 2005-12-21 2013-01-15 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Method and arrangement for measuring the distance to an object
US7211802B1 (en) 2005-12-30 2007-05-01 Eastman Kodak Company X-ray impingement event detection system and method for a digital radiography detector
US7626626B2 (en) 2006-01-13 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing pixel storage gate charge sensing for electronic stabilization in imagers
RU2416840C2 (ru) 2006-02-01 2011-04-20 Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В. Лавинный фотодиод в режиме счетчика гейгера
US20070263099A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Pixim Inc. Ambient Light Rejection In Digital Video Images
JP3996618B1 (ja) 2006-05-11 2007-10-24 総吉 廣津 半導体撮像素子
US7667400B1 (en) 2006-06-09 2010-02-23 Array Optronix, Inc. Back-illuminated Si photomultipliers: structure and fabrication methods
US8026966B2 (en) 2006-08-29 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range
US7773138B2 (en) 2006-09-13 2010-08-10 Tower Semiconductor Ltd. Color pattern and pixel level binning for APS image sensor using 2×2 photodiode sharing scheme
WO2008032442A1 (fr) 2006-09-14 2008-03-20 Nikon Corporation Dispositif de traitement d'images, caméra électronique et programme de traitement d'images
JP4341664B2 (ja) * 2006-10-13 2009-10-07 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US20100134631A1 (en) 2006-10-30 2010-06-03 Wesleyan University Apparatus and method for real time image compression for particle tracking
KR20080041912A (ko) 2006-11-08 2008-05-14 삼성전자주식회사 감도 제어가 가능한 씨모스 이미지 센서의 픽셀 회로
KR100828943B1 (ko) * 2006-12-19 2008-05-13 (주)실리콘화일 3t-4s 스텝 & 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장 장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼
US7742090B2 (en) 2006-12-22 2010-06-22 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible segmented image sensor
US7589316B2 (en) 2007-01-18 2009-09-15 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Scanning beam imaging with adjustable detector sensitivity or gain
KR20080069851A (ko) 2007-01-24 2008-07-29 삼성전자주식회사 생체 신호 측정 센서 장치 및 상기 센서 장치를 구비한헤드셋 장치 및 팬던트 장치
US7796171B2 (en) 2007-02-16 2010-09-14 Flir Advanced Imaging Systems, Inc. Sensor-based gamma correction of a digital camera
WO2008108025A1 (en) 2007-03-05 2008-09-12 Nec Electronics Corporation Imaging apparatus and flicker detection method
KR100835892B1 (ko) 2007-03-26 2008-06-09 (주)실리콘화일 칩 적층 이미지센서
KR100853195B1 (ko) 2007-04-10 2008-08-21 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP4935486B2 (ja) 2007-04-23 2012-05-23 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置
JP5163935B2 (ja) 2007-05-17 2013-03-13 ソニー株式会社 イメージセンサ
KR100871981B1 (ko) 2007-06-25 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100872991B1 (ko) 2007-06-25 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
JP2009021809A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
US8098372B2 (en) 2007-07-23 2012-01-17 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Optical inspection tool featuring multiple speed modes
US7873236B2 (en) 2007-08-28 2011-01-18 General Electric Company Systems, methods and apparatus for consistency-constrained filtered backprojection for out-of-focus artifacts in digital tomosythesis
JP2009054870A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
KR100887887B1 (ko) 2007-11-06 2009-03-06 주식회사 동부하이텍 이미지센서
JP5163068B2 (ja) 2007-11-16 2013-03-13 株式会社ニコン 撮像装置
JP4971956B2 (ja) 2007-11-27 2012-07-11 キヤノン株式会社 フリッカ補正装置、フリッカ補正方法並びに撮像装置
US20090146234A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units having an infrared-absorbing layer and associated systems and methods
US8259228B2 (en) * 2007-12-10 2012-09-04 Ati Technologies Ulc Method and apparatus for high quality video motion adaptive edge-directional deinterlacing
US7952635B2 (en) 2007-12-19 2011-05-31 Teledyne Licensing, Llc Low noise readout apparatus and method with snapshot shutter and correlated double sampling
JP5026951B2 (ja) * 2007-12-26 2012-09-19 オリンパスイメージング株式会社 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子
JP5111100B2 (ja) 2007-12-28 2012-12-26 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法、プログラム及び記憶媒体
US9017748B2 (en) 2007-12-28 2015-04-28 Kraft Foods Group Brands Llc Potassium fortification in foodstuffs
EP2079229B1 (en) 2008-01-10 2011-09-14 Stmicroelectronics Sa Pixel circuit for global electronic shutter
US8227844B2 (en) 2008-01-14 2012-07-24 International Business Machines Corporation Low lag transfer gate device
US20090201400A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated image sensor with global shutter and storage capacitor
KR20090087644A (ko) 2008-02-13 2009-08-18 삼성전자주식회사 따른 픽셀 회로 어레이
JP2009212909A (ja) 2008-03-05 2009-09-17 Sharp Corp 固体撮像装置、固体撮像装置のフリッカ検出方法、制御プログラム、可読記録媒体および電子情報機器
JP5568880B2 (ja) 2008-04-03 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US8116540B2 (en) 2008-04-04 2012-02-14 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits
JP4494492B2 (ja) 2008-04-09 2010-06-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
CA2628792A1 (en) 2008-04-10 2009-10-10 Chaji G. Reza High dynamic range active pixel sensor
KR101647493B1 (ko) * 2008-05-14 2016-08-10 하트마일즈, 엘엘씨 신체 활동 모니터 및 데이터 수집 유닛
JP5188275B2 (ja) * 2008-06-06 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
US8637875B2 (en) 2008-07-11 2014-01-28 The Regents Of The University Of California Single photon IR detectors and their integration with silicon detectors
KR20100008239A (ko) 2008-07-15 2010-01-25 (주)에스엔티 피피지 신호의 동잡음 제거방법
JP5300356B2 (ja) 2008-07-18 2013-09-25 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像装置の制御方法
US8388346B2 (en) 2008-08-30 2013-03-05 Nokia Corporation Tactile feedback
JP2010080604A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
US20100110018A1 (en) 2008-10-30 2010-05-06 Research In Motion Limited Portable electronic device including touch-sensitive input device and method of controlling same
JP2010113230A (ja) 2008-11-07 2010-05-20 Sony Corp 画素回路及び表示装置と電子機器
JP2010114834A (ja) 2008-11-10 2010-05-20 Olympus Imaging Corp 撮像装置
JP5254762B2 (ja) * 2008-11-28 2013-08-07 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置における信号の補正方法
KR20100065084A (ko) 2008-12-05 2010-06-15 한국전자통신연구원 움직임 잡음에 강인한 맥파 측정 장치 및 그 방법
US7838956B2 (en) 2008-12-17 2010-11-23 Eastman Kodak Company Back illuminated sensor with low crosstalk
US8686952B2 (en) 2008-12-23 2014-04-01 Apple Inc. Multi touch with multi haptics
US8760413B2 (en) 2009-01-08 2014-06-24 Synaptics Incorporated Tactile surface
US8340407B2 (en) 2009-01-14 2012-12-25 Cisco Technology, Inc. System and method for image demosaicing
US20120159996A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Gary Edwin Sutton Curved sensor formed from silicon fibers
US8184188B2 (en) 2009-03-12 2012-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for high dynamic operation of a pixel cell
JP4835710B2 (ja) 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
US8140143B2 (en) 2009-04-16 2012-03-20 Massachusetts Institute Of Technology Washable wearable biosensor
US8089036B2 (en) 2009-04-30 2012-01-03 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with global shutter and in pixel storage transistor
JP2011004390A (ja) * 2009-05-18 2011-01-06 Canon Inc 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法
CN101567977B (zh) 2009-06-09 2013-09-18 北京中星微电子有限公司 一种闪烁检测方法及其装置
US9417326B2 (en) 2009-06-22 2016-08-16 Toyota Motor Europe Nv/Sa Pulsed light optical rangefinder
KR101597785B1 (ko) 2009-07-14 2016-02-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 영상 처리 방법
KR101605046B1 (ko) 2009-07-29 2016-03-21 삼성전자주식회사 싱글 게이트 픽셀 및 싱글 게이트 픽셀 동작 방법
US8755854B2 (en) 2009-07-31 2014-06-17 Nellcor Puritan Bennett Ireland Methods and apparatus for producing and using lightly filtered photoplethysmograph signals
JP5625284B2 (ja) 2009-08-10 2014-11-19 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
TWI423246B (zh) 2009-08-21 2014-01-11 Primax Electronics Ltd 圖像處理方法及其相關裝置
JP2011049697A (ja) 2009-08-25 2011-03-10 Panasonic Corp フリッカ検出装置、撮像装置、フリッカ検出プログラム、及び、フリッカ検出方法
US8619163B2 (en) 2009-09-18 2013-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging using a correction parameter for correcting a cross talk between adjacent pixels
US9066660B2 (en) 2009-09-29 2015-06-30 Nellcor Puritan Bennett Ireland Systems and methods for high-pass filtering a photoplethysmograph signal
US8194165B2 (en) * 2009-09-30 2012-06-05 Truesense Imaging, Inc. Methods for capturing and reading out images from an image sensor
US20110080500A1 (en) 2009-10-05 2011-04-07 Hand Held Products, Inc. Imaging terminal, imaging sensor having multiple reset and/or multiple read mode and methods for operating the same
JP4881987B2 (ja) 2009-10-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP2011091775A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
WO2011053711A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Invisage Technologies, Inc. Systems and methods for color binning
FI20096232A0 (sv) 2009-11-23 2009-11-23 Valtion Teknillinen Fysisk aktivitetsbaserad styrning för en anordning
TWI515885B (zh) 2009-12-25 2016-01-01 新力股份有限公司 半導體元件及其製造方法,及電子裝置
US8330829B2 (en) 2009-12-31 2012-12-11 Microsoft Corporation Photographic flicker detection and compensation
US20110156197A1 (en) 2009-12-31 2011-06-30 Tivarus Cristian A Interwafer interconnects for stacked CMOS image sensors
US9870053B2 (en) 2010-02-08 2018-01-16 Immersion Corporation Systems and methods for haptic feedback using laterally driven piezoelectric actuators
JP5526928B2 (ja) * 2010-03-30 2014-06-18 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置
CN101803925B (zh) 2010-03-31 2012-01-04 上海交通大学 运动状态下的血氧饱和度监测装置
JP5641287B2 (ja) 2010-03-31 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器
JP2011216673A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
US9451887B2 (en) 2010-03-31 2016-09-27 Nellcor Puritan Bennett Ireland Systems and methods for measuring electromechanical delay of the heart
JP5516960B2 (ja) 2010-04-02 2014-06-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器
EP2556540B1 (en) 2010-04-08 2020-09-16 BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm
EP2387229B1 (en) 2010-05-14 2016-04-06 Casio Computer Co., Ltd. Image capturing apparatus and camera shake correction method, and computer-readable medium
JP5644451B2 (ja) 2010-05-25 2014-12-24 株式会社リコー 画像処理装置および画像処理方法、ならびに、撮像装置
EP2512126B1 (en) * 2010-06-01 2018-07-25 Boly Media Communications (Shenzhen) Co., Ltd Multispectral photoreceptive device and sampling method thereof
WO2012011095A1 (en) 2010-07-19 2012-01-26 Yeda Research And Development Co. Ltd. Linear optical characterization of ultrashort optical pulses
US8338856B2 (en) 2010-08-10 2012-12-25 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated image sensor with stressed film
GB201014843D0 (en) 2010-09-08 2010-10-20 Univ Edinburgh Single photon avalanche diode for CMOS circuits
US20120092541A1 (en) 2010-10-19 2012-04-19 Nokia Corporation Method and apparatus for ambient light measurement system
JP5739640B2 (ja) 2010-10-20 2015-06-24 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
CN102451160A (zh) 2010-10-22 2012-05-16 夏落 一种长循环纳米粒的制备方法
US9857469B2 (en) 2010-10-22 2018-01-02 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. System and method for multi TOF camera operation using phase hopping
JP5589760B2 (ja) 2010-10-27 2014-09-17 ソニー株式会社 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法およびプログラム。
DE102010060527B3 (de) 2010-11-12 2012-04-19 Picoquant Gmbh Schaltungsanordnung zum Nachweis einzelner Photonen
US10120446B2 (en) 2010-11-19 2018-11-06 Apple Inc. Haptic input device
JP5721405B2 (ja) 2010-11-22 2015-05-20 キヤノン株式会社 撮像システム、その制御方法及びプログラム
JP5724322B2 (ja) 2010-11-24 2015-05-27 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
GB2485994A (en) 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev Navigation device using a Single Photon Avalanche Diode (SPAD) detector
JP5673063B2 (ja) 2010-12-15 2015-02-18 ソニー株式会社 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
DE102010061382B4 (de) 2010-12-21 2019-02-14 Sick Ag Optoelektronischer Sensor und Verfahren zur Erfassung und Abstandsbestimmung von Objekten
US8723094B2 (en) 2010-12-21 2014-05-13 Sionyx, Inc. Photodetecting imager devices having correlated double sampling and associated methods
GB2486668A (en) 2010-12-22 2012-06-27 St Microelectronics Res & Dev Real-time processing method and system for an optical range finder
EP2469295A1 (en) 2010-12-23 2012-06-27 André Borowski 3D landscape real-time imager and corresponding imaging methods
EP2469301A1 (en) 2010-12-23 2012-06-27 André Borowski Methods and devices for generating a representation of a 3D scene at very high speed
US8723975B2 (en) 2011-01-24 2014-05-13 Aptina Imaging Corporation High-dynamic-range imaging devices
US8803990B2 (en) 2011-01-25 2014-08-12 Aptina Imaging Corporation Imaging system with multiple sensors for producing high-dynamic-range images
JP5426587B2 (ja) * 2011-01-31 2014-02-26 株式会社東芝 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法
WO2012105259A1 (ja) 2011-02-04 2012-08-09 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
CN106158895B9 (zh) 2011-03-10 2019-12-20 西奥尼克斯公司 三维传感器、系统和相关的方法
US9088727B2 (en) 2011-04-06 2015-07-21 Pelco, Inc. Spatially-varying flicker detection
KR101294386B1 (ko) 2011-04-13 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 픽셀, 픽셀 어레이 및 픽셀 어레이를 포함하는 이미지센서
US8575531B2 (en) 2011-04-26 2013-11-05 Aptina Imaging Corporation Image sensor array for back side illumination with global shutter using a junction gate photodiode
EP2717561B1 (en) 2011-05-24 2019-03-27 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and camera system
US8643132B2 (en) 2011-06-08 2014-02-04 Omnivision Technologies, Inc. In-pixel high dynamic range imaging
JP5885403B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-15 キヤノン株式会社 撮像装置
TWI505453B (zh) 2011-07-12 2015-10-21 Sony Corp 固態成像裝置,用於驅動其之方法,用於製造其之方法,及電子裝置
JP2013051523A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Sharp Corp フリッカ検出装置、フリッカ検出方法、制御プログラム、可読記録媒体、固体撮像装置、多眼撮像装置および電子情報機器
JP2013055500A (ja) 2011-09-02 2013-03-21 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5935274B2 (ja) * 2011-09-22 2016-06-15 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法および固体撮像装置の制御プログラム
JP5945395B2 (ja) 2011-10-13 2016-07-05 オリンパス株式会社 撮像装置
GB2494479A (en) 2011-10-19 2013-03-13 St Microelectronics Res & Dev A proximity sensor with a cover for directing radiation from a radiation source to a reference radiation detector
US8594170B2 (en) 2011-10-24 2013-11-26 Sigear Europe Sarl Clock masking scheme in a mixed-signal system
WO2013066959A1 (en) 2011-10-31 2013-05-10 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for imaging using single photon avalanche diodes
JP5764466B2 (ja) 2011-11-04 2015-08-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US8982237B2 (en) 2011-12-09 2015-03-17 Htc Corporation Portable electronic device with auto-exposure control adaptive to environment brightness and image capturing method using the same
CN103165103A (zh) 2011-12-12 2013-06-19 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置显示屏的亮度调整系统及方法
JP6239820B2 (ja) 2011-12-19 2017-11-29 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP5497874B2 (ja) * 2011-12-22 2014-05-21 富士フイルム株式会社 放射線画像検出器、放射線画像撮像装置、及び放射線画像撮像システム
KR101386649B1 (ko) 2011-12-26 2014-09-23 전자부품연구원 사용자의 상태 적용 게임 장치 및 그 게임 제공 방법
WO2013099638A1 (ja) 2011-12-28 2013-07-04 富士フイルム株式会社 撮像素子及び撮像装置
FR2985570A1 (fr) 2012-01-09 2013-07-12 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif de detection de la proximite d'un objet, comprenant des photodiodes spad
EP2624569B1 (en) 2012-02-06 2016-09-28 Harvest Imaging bvba Method for correcting image data from an image sensor having image pixels and non-image pixels, and image sensor implementing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
EP2833623B1 (en) 2012-03-30 2019-09-18 Nikon Corporation Image sensor, imaging method, and imaging device
FR2989518A1 (fr) 2012-04-13 2013-10-18 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un capteur d'image a surface courbe
US9270906B2 (en) 2012-05-02 2016-02-23 Semiconductor Components Industries, Llc Exposure time selection using stacked-chip image sensors
GB201209412D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Obs Medical Ltd Narrow band feature extraction from cardiac signals
GB201209413D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Obs Medical Ltd Respiration rate extraction from cardiac signals
US9420208B2 (en) 2012-07-13 2016-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for image pickup apparatus and driving method for image pickup system
US9262805B2 (en) * 2012-08-07 2016-02-16 Spreadtrum Communications (Shanghai) Co., Ltd. Method and device for processing image in Bayer format
US10334181B2 (en) 2012-08-20 2019-06-25 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamically curved sensor for optical zoom lens
US8817154B2 (en) 2012-08-30 2014-08-26 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with fixed potential output transistor
JP2014057268A (ja) 2012-09-13 2014-03-27 Toshiba Corp 撮像装置
US9448110B2 (en) 2012-09-27 2016-09-20 Northrop Grumman Systems Corporation Three-dimensional hyperspectral imaging systems and methods using a light detection and ranging (LIDAR) focal plane array
JP6012375B2 (ja) * 2012-09-28 2016-10-25 株式会社メガチップス 画素補間処理装置、撮像装置、プログラムおよび集積回路
JP6225411B2 (ja) 2012-10-16 2017-11-08 株式会社豊田中央研究所 光学的測距装置
GB201219781D0 (en) 2012-11-02 2012-12-19 St Microelectronics Res & Dev Improvements in time of flight pixel circuits
GB2507783B (en) 2012-11-09 2015-03-11 Ge Aviat Systems Ltd Aircraft haptic touch screen and method for operating same
US9700240B2 (en) 2012-12-14 2017-07-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Physical activity inference from environmental metrics
US9164144B2 (en) 2012-12-27 2015-10-20 General Electric Company Characterization and calibration of large area solid state photomultiplier breakdown voltage and/or capacitance
US9380245B1 (en) * 2013-02-14 2016-06-28 Rambus Inc. Conditional-reset image sensor with analog counter array
GB2510890A (en) 2013-02-18 2014-08-20 St Microelectronics Res & Dev Method and apparatus
US8934030B2 (en) 2013-02-20 2015-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Suppressing flicker in digital images
JP6087674B2 (ja) 2013-02-27 2017-03-01 キヤノン株式会社 撮像装置
US9293500B2 (en) 2013-03-01 2016-03-22 Apple Inc. Exposure control for image sensors
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9041837B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Apple Inc. Image sensor with reduced blooming
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
KR20140109668A (ko) 2013-03-06 2014-09-16 삼성전자주식회사 플리커를 검출하기 위한 방법 및 시스템
JP6172978B2 (ja) 2013-03-11 2017-08-02 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、信号処理装置、プログラム、および、記憶媒体
US9549099B2 (en) 2013-03-12 2017-01-17 Apple Inc. Hybrid image sensor
KR102009189B1 (ko) * 2013-03-12 2019-08-09 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 2행 동시 독출 방법
US9319611B2 (en) 2013-03-14 2016-04-19 Apple Inc. Image sensor with flexible pixel summing
CN105144699B (zh) * 2013-03-15 2019-03-15 拉姆伯斯公司 阈值监测的有条件重置的图像传感器及其操作方法
US9066017B2 (en) 2013-03-25 2015-06-23 Google Inc. Viewfinder display based on metering images
US9160949B2 (en) 2013-04-01 2015-10-13 Omnivision Technologies, Inc. Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation
JP6104049B2 (ja) 2013-05-21 2017-03-29 オリンパス株式会社 画像処理装置、画像処理方法、および画像処理用プログラム
US9154750B2 (en) * 2013-05-28 2015-10-06 Omnivision Technologies, Inc. Correction of image sensor fixed-pattern noise (FPN) due to color filter pattern
JP2015012127A (ja) 2013-06-28 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
GB2520232A (en) 2013-08-06 2015-05-20 Univ Edinburgh Multiple Event Time to Digital Converter
US9344649B2 (en) 2013-08-23 2016-05-17 Semiconductor Components Industries, Llc Floating point image sensors with different integration times
WO2015049872A1 (ja) 2013-10-02 2015-04-09 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
US9596423B1 (en) 2013-11-21 2017-03-14 Apple Inc. Charge summing in an image sensor
US9596420B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Apple Inc. Image sensor having pixels with different integration periods
US9473706B2 (en) 2013-12-09 2016-10-18 Apple Inc. Image sensor flicker detection
US9331116B2 (en) 2014-01-15 2016-05-03 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated single photon avalanche diode imaging sensor with high short wavelength detection efficiency
US9312401B2 (en) 2014-01-15 2016-04-12 Omnivision Technologies, Inc. Single photon avalanche diode imaging sensor for complementary metal oxide semiconductor stacked chip applications
KR102135586B1 (ko) 2014-01-24 2020-07-20 엘지전자 주식회사 이동 단말기 및 이의 제어방법
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
US9232150B2 (en) 2014-03-12 2016-01-05 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor
US9277144B2 (en) 2014-03-12 2016-03-01 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation
US9584743B1 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation
US9478030B1 (en) 2014-03-19 2016-10-25 Amazon Technologies, Inc. Automatic visual fact extraction
KR101933289B1 (ko) 2014-04-01 2018-12-27 애플 인크. 링 컴퓨팅 디바이스를 위한 디바이스 및 방법
US9952323B2 (en) 2014-04-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. High resolution, high frame rate, low power image sensor
US9497397B1 (en) 2014-04-08 2016-11-15 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison
US9538106B2 (en) 2014-04-25 2017-01-03 Apple Inc. Image sensor having a uniform digital power signature
US9445018B2 (en) 2014-05-01 2016-09-13 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with phase detection pixels
US9686485B2 (en) * 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
US9888198B2 (en) 2014-06-03 2018-02-06 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems having image sensor pixel arrays with sub-pixel resolution capabilities
US10044954B2 (en) 2014-07-25 2018-08-07 Sony Corporation Solid-state imaging device, AD converter, and electronic apparatus
KR102269600B1 (ko) 2014-08-05 2021-06-25 삼성전자주식회사 위상차 포커스 검출 가능한 촬상소자
US9209320B1 (en) 2014-08-07 2015-12-08 Omnivision Technologies, Inc. Method of fabricating a single photon avalanche diode imaging sensor
US20160050379A1 (en) 2014-08-18 2016-02-18 Apple Inc. Curved Light Sensor
US9894304B1 (en) * 2014-08-18 2018-02-13 Rambus Inc. Line-interleaved image sensors
EP3186661B1 (en) 2014-08-26 2021-04-07 Massachusetts Institute of Technology Methods and apparatus for three-dimensional (3d) imaging
US9685576B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated image sensor with guard ring region reflecting structure
WO2016115338A1 (en) 2015-01-14 2016-07-21 Emanuele Mandelli Phase-detect autofocus
US10217889B2 (en) 2015-01-27 2019-02-26 Ladarsystems, Inc. Clamped avalanche photodiode
US9455285B2 (en) 2015-02-04 2016-09-27 Semiconductors Components Industries, Llc Image sensors with phase detection pixels
JP6333189B2 (ja) 2015-02-09 2018-05-30 三菱電機株式会社 レーザ受信装置
KR20160103302A (ko) 2015-02-24 2016-09-01 에스케이하이닉스 주식회사 램프전압 제너레이터 및 그를 포함하는 이미지 센싱 장치
KR20160109002A (ko) 2015-03-09 2016-09-21 에스케이하이닉스 주식회사 출력 극성 변환을 이용한 전치 증폭기 및 그를 이용한 비교기와 아날로그-디지털 변환 장치
EP3070494B1 (de) 2015-03-18 2021-04-28 Leica Geosystems AG Elektrooptisches distanzmessverfahren und ebensolcher distanzmesser
US9749556B2 (en) 2015-03-24 2017-08-29 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems having image sensor pixel arrays with phase detection capabilities
US10132616B2 (en) 2015-04-20 2018-11-20 Samsung Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor for 2D imaging and depth measurement with ambient light rejection
US9661308B1 (en) 2015-04-20 2017-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Increasing tolerance of sensor-scanner misalignment of the 3D camera with epipolar line laser point scanning
KR20170019542A (ko) 2015-08-11 2017-02-22 삼성전자주식회사 자동 초점 이미지 센서
US10620300B2 (en) 2015-08-20 2020-04-14 Apple Inc. SPAD array with gated histogram construction
US10613225B2 (en) 2015-09-21 2020-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Distance measuring device
US10108151B2 (en) 2015-09-21 2018-10-23 Apple Inc. Indicators for wearable electronic devices
KR102386471B1 (ko) 2015-10-28 2022-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 램프전압 제너레이터, 그를 포함하는 이미지 센싱 장치 및 그 이미지 센싱 장치의 구동 방법
KR20170056909A (ko) 2015-11-16 2017-05-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
WO2017112416A1 (en) 2015-12-20 2017-06-29 Apple Inc. Light detection and ranging sensor
JP6735582B2 (ja) 2016-03-17 2020-08-05 キヤノン株式会社 撮像素子およびその駆動方法、および撮像装置
US9912883B1 (en) * 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
US10775605B2 (en) 2016-06-16 2020-09-15 Intel Corporation Combined biometrics capture system with ambient free IR
US10153310B2 (en) 2016-07-18 2018-12-11 Omnivision Technologies, Inc. Stacked-chip backside-illuminated SPAD sensor with high fill-factor
EP3516692B1 (en) 2016-09-23 2022-02-16 Apple Inc. Stacked backside illuminated spad array
US10271037B2 (en) 2017-01-20 2019-04-23 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with hybrid three-dimensional imaging
CN110235024B (zh) 2017-01-25 2022-10-28 苹果公司 具有调制灵敏度的spad检测器
US20190018119A1 (en) 2017-07-13 2019-01-17 Apple Inc. Early-late pulse counting for light emitting depth sensors
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012513160A (ja) * 2008-12-19 2012-06-07 イーストマン コダック カンパニー 同色の画素のビニングによるccdイメージセンサ
US20100309351A1 (en) * 2009-06-08 2010-12-09 Scott Smith Image sensors and color filter arrays for charge summing and interlaced readout modes
JP2012019516A (ja) * 2010-07-07 2012-01-26 Hynix Semiconductor Inc イメージセンサのカラム回路およびピクセルビニング回路
JP2013143730A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11962919B2 (en) 2022-07-24 2024-04-16 Tower Semiconductor Ltd. Apparatus and system of analog pixel binning

Also Published As

Publication number Publication date
JP6110891B2 (ja) 2017-04-05
JP2015228650A (ja) 2015-12-17
CN105282459A (zh) 2016-01-27
US9686485B2 (en) 2017-06-20
JP6651478B2 (ja) 2020-02-19
US20150350575A1 (en) 2015-12-03
KR20170007706A (ko) 2017-01-19
CN105282459B (zh) 2019-05-31
US20180109742A1 (en) 2018-04-19
CN110198422B (zh) 2022-08-16
JP2017121073A (ja) 2017-07-06
KR101696309B1 (ko) 2017-01-13
US10609348B2 (en) 2020-03-31
CN204761615U (zh) 2015-11-11
CN110198422A (zh) 2019-09-03
KR102271135B1 (ko) 2021-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101696309B1 (ko) 이미지 센서의 픽셀 비닝
US9596423B1 (en) Charge summing in an image sensor
TWI543614B (zh) 具有靈活像素加總之影像感測器
US10440301B2 (en) Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
US10284769B2 (en) Image sensor with in-pixel depth sensing
JP6108172B2 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
US11121157B2 (en) Image sensors
KR20160072169A (ko) 이미지 센서 플리커 검출
WO2021063162A1 (zh) 图像传感器、摄像头组件及移动终端
KR20150077996A (ko) Tfa 기반의 시모스 이미지 센서 및 그 동작방법
US20220075104A1 (en) Image sensor and electronic camera
US20220336508A1 (en) Image sensor, camera assembly and mobile terminal
CN109286762A (zh) 图像传感器

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191217

Year of fee payment: 4