KR20160072169A - 이미지 센서 플리커 검출 - Google Patents

이미지 센서 플리커 검출 Download PDF

Info

Publication number
KR20160072169A
KR20160072169A KR1020167012647A KR20167012647A KR20160072169A KR 20160072169 A KR20160072169 A KR 20160072169A KR 1020167012647 A KR1020167012647 A KR 1020167012647A KR 20167012647 A KR20167012647 A KR 20167012647A KR 20160072169 A KR20160072169 A KR 20160072169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flicker
pixels
image
flicker detection
samples
Prior art date
Application number
KR1020167012647A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101926944B1 (ko
Inventor
마이클 알. 말론
치아젠 리
크리스토퍼 지. 젤레즈닉
Original Assignee
애플 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 애플 인크. filed Critical 애플 인크.
Publication of KR20160072169A publication Critical patent/KR20160072169A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101926944B1 publication Critical patent/KR101926944B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H04N5/3696—
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
    • H04N23/745—Detection of flicker frequency or suppression of flicker wherein the flicker is caused by illumination, e.g. due to fluorescent tube illumination or pulsed LED illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/702—SSIS architectures characterised by non-identical, non-equidistant or non-planar pixel layout
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/703—SSIS architectures incorporating pixels for producing signals other than image signals
    • H04N25/706—Pixels for exposure or ambient light measuring
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
    • H04N5/2357—
    • H04N5/359—
    • H04N5/378—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)

Abstract

이미지 센서는 이미징 영역 및 하나 이상의 플리커 검출 영역들을 포함한다. 이미징 영역은 하나 이상의 이미지들을 캡처하는 픽셀들을 포함한다. 각각의 플리커 검출 영역은 이미지가 캡처되고 있는 동안에 다수 회 샘플링되는 픽셀들을 포함한다. 샘플들은 이미지화되는 장면에서 플리커를 검출하기 위해 분석될 수 있다.

Description

이미지 센서 플리커 검출{IMAGE SENSOR FLICKER DETECTION}
관련 출원에 대한 상호 참조
이 특허 협력 조약 특허 출원은 2013년 12월 9일에 출원되고, 발명의 명칭이 "Image Sensor Flicker Detection"인 미국 예비 출원 제61/913,851호, 및 2014년 9월 30일에 출원되고, 발명의 명칭이 "Image Sensor Flicker Detection"인 미국 일반 출원 제14/501,429호에 대한 우선권을 주장하며, 그 각각의 내용들은 본원에 전체적으로 참조로 포함된다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 이미지 센서들에 관한 것으로, 특히 이미지 센서에서 플리커를 검출하는 것에 관한 것이다.
이미지 센서들은 롤링 셔터 모드 또는 글로벌 셔터 모드를 사용하여 이미지를 캡처할 수 있다. 글로벌 셔터 모드에서, 이미지 센서 내의 픽셀들은 단일 시점에 이미지를 캡처한다. 이미지 센서 내의 각각의 픽셀은 통합 또는 노출 기간을 동시에 시작하고 종료한다. 롤링 셔터 모드에서, 픽셀들의 상이한 라인들(예를 들어, 행들)은 신호들이 픽셀들에 대해 한 라인씩 판독됨에 따라 상이한 노출 시간들을 갖는다. 픽셀들의 각각의 라인은 이미지 센서 내의 픽셀들의 다른 라인들로부터 제 시간에 약간 오프셋되는 그것의 노출을 시작하고 종료할 것이다. 따라서, 이미지의 상이한 라인들은 약간 상이한 시점들에 캡처된다.
전형적으로, 백열 전구들 또는 형광등들과 같은 광원들은 그들의 전원과 동일한 주파수, 통상 100 Hz 또는 120 Hz에서 플리커링된다. 이러한 플리커는 이미지가 캡처될 때 이미지 센서 내의 픽셀들의 일부 또는 전부에 의해 캡처될 수 있다. 플리커는 캡처된 이미지 내의 각각의 라인이 노출된 시점에 광원의 상태에 따라 수평 밴드들을 캡처된 이미지에서 생성할 수 있다. 캡처된 이미지를 보는 사람은 이미지에서 수평 밴드 또는 밴드들을 검출할 수 있다.
일부 상황들에서, 이미지 센서는 가정된 주파수의 배수인 노출 시간들을 사용함으로써 이미지에서 플리커를 캡처하는 것을 회피할 수 있다. 예를 들어, 60 Hz 전원에 의해 야기되는 플리커를 회피하기 위해, 이미지 센서는 1초의 1/120의 배수인 통합 시간들을 선택할 수 있다. 이러한 방식으로, 이미지의 각각의 라인은 정수배의 플리커 기간들을 인지한다. 그러나, 전원이 60 Hz 전원 대신에 50 Hz 전원이면, 50 Hz 플리커에 의해 야기되는 수평 밴드는 캡처된 이미지에서 예상가능하게 이동할 것이다. 이미지 센서 또는 이미징 시스템은 50 Hz 플리커를 검출하고 노출 시간을 반응적으로 조정하여 50 Hz 플리커를 회피가능할 수 있다.
그러나, 이미지 센서가 가정된 주파수의 배수인 노출 시간들을 사용할 때 이미지 센서는 항상 이미지에서 플리커를 검출할 수 있는 것은 아니다. 예를 들어, 60 프레임들/초의 프레임 속도를 사용하는 이미지 센서가 50 Hz의 배수인 노출 시간들에서 동작할 때, 60 Hz 주파수에 의해 생성되는 플리커는 수평 밴드가 이미지에서 이동하지 않기 때문에 검출가능하지 않을 수 있다. 그 대신에, 수평 밴드는 캡처된 이미지들 내의 동일한 위치에 나타나므로, 수평 밴드를 이미지화되는 장면 내의 콘텐츠와 구별하는 것을 어렵게 한다.
일 양태에서, 이미지 센서는 이미징 영역 및 하나 이상의 플리커 검출 영역들을 포함할 수 있다. 이미징 영역은 하나 이상의 픽셀들을 포함한다. 각각의 플리커 검출 영역은 하나 이상의 픽셀들을 포함한다. 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 픽셀(들)은 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀이 이미지를 캡처하는 동안에 다수 회 샘플링된다.
다른 양태에서, 프로세서는 하나 이상의 플리커 검출 영역들에 동작가능하게 연결될 수 있다. 프로세서는 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀이 이미지를 캡처하는 동안에 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 픽셀(들)이 다수 회 샘플링될 수 있게 하도록 적응될 수 있다. 프로세서는 샘플들을 수신하고 샘플들을 분석하여 캡처되는 이미지에서 플리커를 검출할 수 있다. 플리커가 검출되면, 프로세서는 플리커를 보상할 수 있다. 일 예로서, 프로세서는 이미지를 캡처하는 노출 시간을 조정할 수 있다.
또 다른 양태에서, 이미지 센서에서 이미지를 캡처하는 방법은 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀로 이미지를 캡처하는 단계 및 적어도 하나의 플리커 영역 내의 픽셀(들)에서 전하를 실질적으로 동시에 축적하는 단계를 포함할 수 있다. 다수의 판독 동작들은 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀이 이미지를 캡처하는 동안에 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들로부터 샘플들을 획득하기 위해 수행될 수 있다. 샘플들은 이미지에서 플리커를 검출하기 위해 분석될 수 있다. 플리커가 검출되면, 프로세서는 플리커를 보상할 수 있다.
다른 양태에서, 이미지 센서에서 플리커 검출 모드를 인에이블하는 방법은 이미지가 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀에 의해 캡처될 때 플리커가 적어도 하나의 플리커 검출 영역을 사용하여 검출되는 지를 판단하는 단계, 및 플리커가 검출되면, 이미지가 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀에 의해 캡처되고 있는 동안에 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들에서 전하를 다수 회 판독하는 단계를 포함할 수 있다. 플리커가 검출되지 않으면, 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들 및 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀은 이미지를 캡처한다.
본 발명의 실시예들은 이하의 도면들과 관련하여 더 잘 이해된다. 도면들의 요소들은 반드시 서로에 대해 축척에 따라 도시되는 것은 아니다. 동일한 참조 번호들은 가능한 경우에, 도면들에 공통인 동일한 특징들을 지정하기 위해 사용되었다.
도 1a 및 도 1b는 하나 이상의 이미지 센서들을 포함할 수 있는 예시적 전자 디바이스의 정면도 및 배면도를 도시한다.
도 2는 도 1에 도시된 전자 디바이스의 예시적 블록도이다.
도 3은 도 1a에 도시된 카메라(102)의 단면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 이미지 센서(302)로서의 사용에 적절한 이미지 센서의 일 예의 간략한 블록도를 예시한다.
도 5는 도 4에 도시된 픽셀(406)로서의 사용에 적절한 픽셀의 간략한 개략도를 도시한다.
도 6은 판독 회로에 동작가능하게 연결되는 이미징 영역 및 플리커 검출 영역 내의 픽셀들의 일 예의 간략한 개략도를 예시한다.
도 7은 판독 회로에 동작가능하게 연결되는 이미징 영역 및 플리커 검출 영역 내의 픽셀들의 다른 예의 간략한 개략도를 도시한다.
도 8은 이미지 센서에서 플리커를 검출하는 방법의 흐름도이다.
도 9는 이미지 센서에서 모드를 인에이블하는 방법의 흐름도이다.
본원에 설명되는 실시예들은 이미징 영역 및 하나 이상의 플리커 검출 영역들을 포함하는 이미지 센서를 제공한다. 이미징 영역은 하나 이상의 이미지들을 캡처하는 픽셀들을 포함한다. 각각의 플리커 검출 영역은 이미지가 캡처되고 있는 동안에 다수 회 샘플링되는 픽셀들을 포함한다. 샘플들은 이미지화되는 장면에서 플리커를 검출하기 위해 프로세서에 의해 분석될 수 있다.
이제 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 하나 이상의 이미지 센서들을 포함하는 전자 디바이스의 정면도 및 배면도가 도시된다. 전자 디바이스(100)는 제1 카메라(102), 제2 카메라(104), 인클로저(106), 입력/출력(input/output)(I/O) 부재(108), 디스플레이(110), 및 카메라 또는 카메라들을 위한 임의적 플래시(112) 또는 광원을 포함한다. 전자 디바이스(100)는 또한 예를 들어 하나 이상의 프로세서들, 메모리 구성요소들, 네트워크 인터페이스들 등과 같은 컴퓨팅 또는 전자 디바이스를 대표하는 하나 이상의 내부 구성요소들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
예시된 실시예에서, 전자 디바이스(100)는 스마트폰으로 구현된다. 그러나, 다른 실시예들은 이러한 구성에 제한되지 않는다. 넷북 또는 랩톱 컴퓨터, 태블릿 컴퓨팅 디바이스, 착용가능 통신 디바이스, 착용가능 건강 보조 수단, 디지털 카메라, 프린터, 스캐너, 비디오 레코더, 및 복사기를 포함하지만, 이들에 제한되지 않는 다른 타입들의 컴퓨팅 또는 전자 디바이스들은 하나 이상의 카메라들을 포함할 수 있다.
도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 인클로저(106)는 전자 디바이스(100)의 내부 구성요소들에 대한 외부 표면 또는 부분적 외부 표면 및 보호 케이스를 형성할 수 있고, 디스플레이(110)를 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 인클로저(106)는 정면 부품 및 배면 부품과 같은, 함께 동작가능하게 연결되는 하나 이상의 구성요소들로 형성될 수 있다. 대안적으로, 인클로저(106)는 디스플레이(110)에 동작가능하게 연결되는 단일 부품으로 형성될 수 있다.
I/O 부재(108)는 임의의 타입의 입력 또는 출력 부재로 구현될 수 있다. 단지 예로서, I/O 부재(108)는 스위치, 버튼, 용량 센서, 또는 다른 입력 메커니즘일 수 있다. I/O 부재(108)는 사용자가 전자 디바이스(100)와 상호작용하는 것을 허용한다. 예를 들어, I/O 부재(108)는 볼륨을 변경하고, 홈 스크린으로 복귀하는 등 하는 버튼 또는 스위치일 수 있다. 전자 디바이스는 하나 이상의 입력 부재들 또는 출력 부재들을 포함할 수 있고, 각각의 부재는 단일 I/O 기능 또는 다수의 I/O 기능들을 가질 수 있다.
디스플레이(110)는 전자 디바이스(100)에 동작가능하게 또는 통신가능하게 연결될 수 있다. 디스플레이(110)는 레티나 디스플레이 또는 능동 매트릭스 컬러 액정 디스플레이와 같은 임의의 타입의 적절한 디스플레이로 구현될 수 있다. 디스플레이(110)는 전자 디바이스(100)를 위한 시각 출력을 제공한다. 일부 실시예들에서, 디스플레이(110)는 사용자 입력들을 전자 디바이스에 수신하는 기능을 할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(110)는 하나 이상의 사용자 입력들을 검출할 수 있는 멀티터치 용량 감지 터치스크린일 수 있다.
전자 디바이스(100)는 또한 다수의 내부 구성요소들을 포함할 수 있다. 도 2는 전자 디바이스(100)의 간략한 블록도의 일 예를 예시한다. 전자 디바이스는 하나 이상의 프로세서들(200), 저장 또는 메모리 구성요소들(202), 입력/출력(I/O) 인터페이스들(204), 전력원들(206), 및 센서들(208)을 포함할 수 있으며, 그 각각은 아래에 차례로 논의된다.
하나 이상의 프로세서들(200)은 전자 디바이스(100)의 동작들의 일부 또는 전부를 제어할 수 있다. 프로세서(들)(200)는 전자 디바이스(100)의 구성요소들의 실질적인 전부와 직접 또는 간접적으로 통신할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 시스템 버스들(210) 또는 다른 통신 메커니즘들은 프로세서(들)(200), 메모리(202), I/O 인터페이스들(204), 카메라들(102, 104), 디스플레이(110), I/O 부재(108), 및/또는 센서들(208) 사이에 통신을 제공할 수 있다. 프로세서(들)(200)는 데이터 또는 명령들을 처리, 수신, 또는 송신할 수 있는 임의의 전자 디바이스로 구현될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서들(200)은 마이크로프로세서, 중앙 처리 유닛(central processing unit)(CPU), 주문형 집적 회로(application-specific integrated circuit)(ASIC), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor)(DSP), 또는 다수의 그러한 디바이스들의 조합들일 수 있다. 본원에 설명되는 바와 같이, 용어 "프로세서"는 단일 프로세서 또는 처리 유닛, 다수의 프로세서들, 다수의 처리 유닛들, 또는 다른 적절히 구성된 컴퓨팅 요소 또는 요소들을 망라하도록 의미된다.
하나 이상의 저장 또는 메모리 디바이스들(202)은 전자 디바이스(100)에 의해 사용될 수 있는 전자 데이터를 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리(202)는 예를 들어, 오디오 파일들, 문서 파일들, 타이밍 신호들, 및 이미지 데이터와 같은 전기 데이터 또는 콘텐츠를 저장할 수 있다. 메모리(202)는 임의의 타입의 메모리로 구성될 수 있다. 단지 예로서, 메모리(202)는 랜덤 액세스 메모리, 판독 전용 메모리, 플래시 메모리, 제거식 메모리, 또는 다른 타입들의 저장 요소들로서, 임의의 조합으로 구현될 수 있다.
하나 이상의 I/O 인터페이스들(204)은 사용자 또는 하나 이상의 다른 전자 디바이스들로부터 데이터를 수신할 수 있다. 예를 들어, I/O 인터페이스(204)는 도 1a에 도시된 I/O 부재(108)로부터 입력을 수신할 수 있다. 부가적으로, I/O 인터페이스(204)는 사용자 또는 다른 전자 디바이스들에 데이터의 송신을 용이하게 할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스(100)가 스마트폰인 실시예들에서, I/O 인터페이스(204)는 네트워크로부터 데이터를 수신하거나 전자 신호들을 무선 또는 유선 연결을 통해 송신 및 전송할 수 있다. 무선 및 유선 연결들의 예들은 셀룰러, Wi-Fi, 블루투스, 및 이더넷을 포함하지만, 이들에 제한되지 않는다. 하나 이상의 실시예들에서, I/O 인터페이스(204)는 다수의 네트워크 또는 통신 메커니즘들을 지원한다. 예를 들어, I/O 인터페이스(204)는 Wi-Fi 또는 다른 유선 또는 무선 연결로부터 신호들을 동시에 수신하는 동안에 신호들을 다른 디바이스에 전송하도록 블루투스 네트워크를 통해 다른 디바이스와 페어링될 수 있다.
하나 이상의 전력원들(206)은 에너지를 전자 디바이스(100)에 제공할 수 있는 임의의 디바이스로 구현될 수 있다. 예를 들어, 전력원(206)은 전자 디바이스(100)를 다른 전력원 예컨대 벽부착 접속구(wall outlet)에 연결하는 배터리 또는 연결 케이블일 수 있다.
하나 이상의 센서들(208)은 임의의 타입의 센서들로 구현될 수 있다. 예시적 센서들은 오디오 센서들(예를 들어, 마이크로폰들), 광 센서들(예를 들어, 주위 광 센서들), 자이로스코프들, 및 가속도계들을 포함하지만, 이들에 제한되지 않는다. 센서들(208)은 데이터를 프로세서(200)에 제공하기 위해 사용될 수 있는데, 그것은 전자 디바이스의 기능들을 향상시키거나 변화시키기 위해 사용될 수도 있다.
도 2는 단지 예시적이라는 점이 주목되어야 한다. 다른 실시예들은 부가 또는 상이한 구성요소들을 포함할 수 있다.
도 1a 및 도 1b를 참조하여 설명되는 바와 같이, 전자 디바이스(100)는 하나 이상의 카메라들(102, 104) 및 임의로 카메라 또는 카메라들을 위한 플래시(112) 또는 광원을 포함한다. 도 3은 도 1a의 라인 3-3을 따라 절취된 카메라(102)의 간략한 단면도이다. 도 3은 제1 카메라(102)를 예시하지만, 본 기술분야에서 통상의 기술자들은 제2 카메라(104)가 제1 카메라(102)와 실질적으로 유사할 수 있는 것을 인식할 것이다. 일부 실시예들에서, 하나의 카메라는 글로벌 셔터 구성 이미지 센서를 포함할 수 있고 하나의 카메라는 롤링 셔터 구성 이미지 센서를 포함할 수 있다. 다른 예들에서, 하나의 카메라는 다른 카메라 내의 이미지 센서보다 더 높은 해상도를 갖는 이미지 센서를 포함할 수 있다.
카메라(102)는 이미지 센서(302)와 광 통신하는 이미징 스테이지(300)를 포함한다. 이미징 스테이지(300)는 인클로저(106)에 동작가능하게 연결되고 이미지 센서(302)의 정면에 위치된다. 이미징 스테이지(300)는 렌즈, 필터, 아이리스, 및 셔터와 같은 종래의 요소들을 포함할 수 있다. 이미징 스테이지(300)는 광(304)을 그것의 시야 내에서 이미지 센서(302) 위로 지향시키거나, 집중시키거나 송신한다. 이미지 센서(302)는 입사 광을 전기 신호들로 변환함으로써 피사체 장면의 하나 이상의 이미지들을 캡처한다.
이미지 센서(302)는 지지 구조체(306)에 의해 지지된다. 지지 구조체(306)는 실리콘, 실리콘-온-인슐레이터(silicon-on-insulator)(SOI) 기술, 실리콘-온-사파이어(silicon-on-sapphire)(SOS) 기술, 도핑된 및 비도핑된 반도체들, 반도체 기판 상에 형성되는 에피택셜 층들, 반도체 기판에 형성되는 웰 영역들 또는 매립 층들, 및 다른 반도체 구조체들을 포함하지만, 이들에 제한되지 않는 반도체 기반 재료일 수 있다.
이미징 스테이지(300) 또는 이미지 센서(302)의 다양한 요소들은 도 2의 프로세서(200)와 같은 프로세서 또는 메모리로부터 공급되는 타이밍 신호들 또는 다른 신호들에 의해 제어될 수 있다. 이미징 스테이지(300) 내의 요소들의 일부 또는 전부는 단일 구성요소로 통합될 수 있다. 부가적으로, 이미징 스테이지(300) 내의 요소들의 일부 또는 전부는 카메라 모듈을 형성하기 위해, 이미지 센서(302), 및 가능하게는 전자 디바이스(100)의 하나 이상의 부가 요소들과 통합될 수 있다. 예를 들어, 프로세서 또는 메모리는 일부 실시예들에서 이미지 센서(302)와 통합될 수 있다.
이제 도 4를 참조하면, 도 3에 도시된 이미지 센서(302)로서의 사용에 적절한 이미지 센서의 일 예의 간략한 블록도가 도시된다. 이미지 센서(400)는 이미지 프로세서(402) 및 이미징 영역(404)을 포함할 수 있다. 이미징 영역(404)은 픽셀들(406)을 포함하는 픽셀 어레이로 구현될 수 있다. 예시된 실시예에서, 픽셀 어레이는 행 및 열 배열로 구성된다. 그러나, 다른 실시예들은 이러한 구성에 제한되지 않는다. 픽셀 어레이 내의 픽셀들은 예를 들어 6각형 구성과 같은 임의의 적절한 구성으로 배열될 수 있다.
이미징 영역(404)은 하나 이상의 열 선택 라인들(410)을 통해 컬럼 셀렉트(408)와 통신하고 하나 이상의 행 선택 라인들(414)을 통해 로우 셀렉트(412)와 통신할 수 있다. 로우 셀렉트(412)는 특정 픽셀(406) 또는 픽셀들의 그룹, 예컨대 특정 행 내의 픽셀들(406)의 전부를 선택적으로 선택한다. 컬럼 셀렉트(408)는 선택 픽셀들(406) 또는 픽셀들의 그룹들(예를 들어, 특정 열을 갖는 픽셀들의 전부)로부터 출력되는 데이터를 선택적으로 수신한다.
로우 셀렉트(412) 및/또는 컬럼 셀렉트(408)는 이미지 프로세서(402)와 통신할 수 있다. 이미지 프로세서(402)는 픽셀들(406)로부터의 데이터를 처리하고 그러한 데이터를 프로세서(200) 및/또는 전자 디바이스(100)의 다른 구성요소에 제공할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이미지 프로세서(402)는 프로세서(200)로 통합되거나 그것으로부터 분리될 수 있다는 점이 주목되어야 한다.
하나 이상의 플리커 검출 영역들(416)은 이미징 영역(404)에 인접하여 위치될 수 있다. 예시된 실시예에서, 하나의 플리커 검출 영역은 이미징 영역(404)의 상단에 인접하여 위치되고 다른 플리커 검출 영역은 이미징 영역(404)의 하단에 인접하여 위치된다. 다른 실시예들은 상이한 위치들에 하나 이상의 플리커 검출 영역들을 위치시킬 수 있다. 부가적으로, 각각의 플리커 검출 영역(416)은 픽셀들의 단일 수평 라인으로 도시된다. 다른 실시예들은 임의의 구성으로 배열되는 임의의 주어진 수의 픽셀들을 포함할 수 있다.
각각의 플리커 검출 영역은 픽셀들(418)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 픽셀들(418)은 이미징 영역(404) 내의 픽셀들(406)로 구성된다. 다른 실시예들은 픽셀들(418)을 상이하게 구성할 수 있다. 2개의 예시적 픽셀 구성들은 도 6 및 도 7과 함께 나중에 더 상세히 설명된다. 플리커 검출 영역(들)은 플리커 검출 영역(들)이 거의 이미지의 동일한 특수 영역을 샘플링하기 때문에 플리커 검출 시에 장면 콘텐츠의 영향을 감소시킬 수 있다.
플리커 검출 영역 내의 픽셀들(418)은 서브영역들로 임의로 분할될 수 있다. 일 예로서, 픽셀들(418)은 2개 또는 4개의 서브영역들(420, 421, 422, 423)로 수평으로 분할될 수 있다. 픽셀들을 서브영역들(420, 421, 422, 423)로 분할하는 것은 이미지 센서의 배향(예를 들어, 초상화 또는 풍경화)에 관계없이 상단 플리커 검출 영역이 하단 플리커 검출 영역으로부터 분리되는 것을 허용한다. 예를 들어, 이미지화되는 장면의 상단이 장면의 하단으로부터 상이하게 플리커링되고 있으면, 장면의 상단은 이미지 센서의 배향에 따라 서브영역들(421 및 422, 또는 422 및 423, 또는 420 및 423, 또는 420 및 421)과 같은 2개의 서브영역들을 사용하여 관찰될 수 있다.
일부 실시예들에서, 하나 이상의 플리커 검출 영역들(416)은 이미징 영역(404) 내의 픽셀들(406)로부터 물리적으로 분리되고 픽셀들과 별개인 픽셀들(418)을 포함한다. 다른 실시예들에서, 플리커 검출 영역(들)은 이미징 영역(404) 내에 구현되지만 이미징 영역 내의 픽셀들로부터 논리적으로 분리되는 픽셀들을 포함한다. 예를 들어, 이미징 영역의 상단 행 및 하단 행 내의 픽셀들은 이미지 캡처 대신에 플리커 검출을 위해 사용될 수 있다. 그리고, 또 다른 실시예에서, 하나 이상의 플리커 검출 영역 내의 픽셀들은 다수의 모드들을 가질 수 있으며, 하나의 모드는 플리커 검출 및 다른 모드 이미지 캡처이다. 모드 인에이블먼트는 도 9와 함께 더 상세히 설명된다.
이제 도 5를 참조하면, 도 4에 도시된 픽셀(406)로서의 사용에 적절한 픽셀의 간략한 개략도가 도시된다. 픽셀(500)은 광검출기(PD)(502), 트랜스퍼 트랜지스터(TX)(504), 감지 영역(506), 리셋(RST) 트랜지스터(508), 판독 트랜지스터(510), 및 행 선택(RS) 트랜지스터(512)를 포함한다. 감지 영역(506)은 감지 영역(506)이 광검출기(502)로부터 수신되는 전하를 일시적으로 저장할 수 있기 때문에 예시된 실시예에서 커패시터로 표현된다. 아래에 설명되는 바와 같이, 전하가 광검출기(502)로부터 전송된 후에, 전하는 행 선택 트랜지스터(512)의 게이트가 펄스화될 때까지 감지 영역(506)에 저장될 수 있다.
트랜스퍼 트랜지스터(504)의 일 단자는 광검출기(502)에 연결되는 반면에 다른 단자는 감지 영역(506)에 연결된다. 리셋 트랜지스터(508)의 일 단자 및 판독 트랜지스터(510)의 일 단자는 공급 전압(Vdd)(514)에 연결된다. 리셋 트랜지스터(508)의 다른 단자는 감지 영역(506)에 연결되는 반면에, 판독 트랜지스터(510)의 다른 단자는 행 선택 트랜지스터(512)의 단자에 연결된다. 행 선택 트랜지스터(512)의 다른 단자는 열 선택 라인(410)에 연결된다.
단지 예로서, 일 실시예에서, 광검출기(502)는 포토다이오드(PD) 또는 핀드 포토다이오드로 구현되고, 감지 영역(506)은 플로팅 디퓨전(floating diffusion)(FD)으로 구현되고, 판독 트랜지스터(510)는 소스 플로어 트랜지스터(SF)로 구현된다. 광검출기(502)는 전자 기반 포토다이오드 또는 정공 기반 포토다이오드일 수 있다. 본원에 사용되는 바와 같은 용어 광검출기는 실질적으로 임의의 타입의 광자 또는 광 검출 구성요소, 예컨대 포토다이오드, 핀드 포토다이오드, 포토게이트, 또는 다른 광자 감지 영역을 망라하도록 의미된다는 점이 주목되어야 한다. 부가적으로, 본원에 사용되는 바와 같은 용어 감지 영역은 실질적으로 임의의 타입의 전하 저장 또는 전하 변환 영역을 망라하도록 의미된다.
본 기술분야에서 통상의 기술자들은 픽셀(500)이 다른 실시예들에서 부가 또는 상이한 구성요소들로 구현될 수 있는 것을 인식할 것이다. 예를 들어, 행 선택 트랜지스터는 생략될 수 있고 펄스 전원 모드는 픽셀을 선택하기 위해 사용될 수 있으며, 감지 영역은 다수의 광검출기들 및 트랜스퍼 트랜지스터들에 의해 공유될 수 있거나, 리셋 및 판독 트랜지스터들은 다수의 광검출기들, 트랜스퍼 게이트들, 및 감지 영역들에 의해 공유될 수 있다.
이미지가 캡처될 때, 픽셀에 대한 통합 기간이 시작되고 광검출기(502)는 입사 광에 응답하여 광 생성 전하를 축적한다. 통합 기간이 종료될 때, 광검출기(502) 내의 축적된 전하는 트랜스퍼 트랜지스터(504)의 게이트를 선택적으로 펄스화함으로써 감지 영역(506)에 전송된다. 전형적으로, 리셋 트랜지스터(508)는 광검출기(502)로부터 감지 영역(506)으로 전하의 전송 전에 감지 영역(506)(노드(516)) 상의 전압을 미리 결정된 레벨에 리셋하기 위해 사용된다. 전하가 픽셀에 대해 판독될 때, 행 선택 트랜지스터의 게이트는 판독을 위한 픽셀(또는 픽셀들의 행)을 선택하도록 로우 셀렉트(412) 및 행 선택 라인(414)을 통해 펄스화된다. 판독 트랜지스터(510)는 감지 영역(506) 상의 전압을 감지하고 행 선택 트랜지스터(512)는 전압을 열 선택 라인(410)에 송신한다. 열 선택 라인(410)은 컬럼 셀렉트(408)를 통해 판독 회로(및 임의로 이미지 프로세서)에 연결된다.
일부 실시예들에서, 카메라와 같은 이미지 캡처 디바이스는 렌즈 위에 셔터를 포함하지 않을 수 있으므로, 이미지 센서는 광에 일정하게 노출될 수 있다. 이러한 실시예들에서, 광검출기들은 원하는 이미지가 캡처되기 전에 리셋되거나 격감되어야 할 수 있다. 광검출기들로부터의 전하가 격감되었다면, 트랜스퍼 게이트 및 리셋 게이트가 턴 오프되어, 광검출기들을 분리한다. 그 다음, 광검출기들은 통합을 시작하고 광 생성 전하를 수집할 수 있다.
플리커 검출 영역(들) 내의 픽셀들은 픽셀(500)과 유사하게 구현될 수 있다. 다른 실시예들은 플리커 검출 영역 또는 영역들 내의 픽셀들을 상이하게 구성할 수 있다. 2개의 상이한 구현들은 도 6 및 도 7과 함께 더 상세히 설명된다.
플리커 검출 영역 내의 픽셀들은 도 4에 도시된 열 선택 라인들(410)과 같은 각각의 열 선택 라인들에 동작가능하게 연결될 수 있다. 그와 같이, 픽셀들 내의 전하는 이미징 영역 내의 픽셀들과 동일한 방식으로 샘플링되거나 판독될 수 있다.
대안적으로, 플리커 검출 영역 내의 픽셀들은 개별 판독 회로 및 열 라인들에 동작가능하게 연결될 수 있다. 도 6은 판독 회로에 동작가능하게 연결되는 이미징 영역 및 플리커 검출 영역 내의 픽셀들의 일 예의 간략한 개략도를 예시한다. 위에서 설명된 바와 같이, 이미징 영역(404) 내의 픽셀들(406)은 각각의 열 선택 라인들(410)에 동작가능하게 연결된다. 플리커 검출 영역(602) 내의 픽셀들(600)은 광검출기(604)를 각각 포함한다. 광검출기들(604)은 공통 플리커 감지 노드(606)에 동작가능하게 연결된다. 광검출기들(604) 각각으로부터의 전하는 공통 플리커 감지 노드(606) 상에서 조합되거나 평균화될 수 있다.
공통 플리커 감지 노드(606)는 판독 트랜지스터(608)의 게이트에 연결된다. 일부 실시예들에서, 판독 트랜지스터(608)는 소스 플로어 트랜지스터이다. 판독 트랜지스터(608)의 일 단자는 열 선택 트랜지스터(610)의 단자에 연결된다. 열 선택 트랜지스터(610)의 다른 단자는 열 라인(612)에 연결된다. 열 선택 트랜지스터(610)의 게이트는 행 선택 라인(도시되지 않음)에 연결될 수 있다. 행 선택 라인은 전하 또는 신호가 플리커 검출 영역(602)으로부터 샘플링될 때 열 선택 트랜지스터(610)를 선택하거나 턴 온하기 위해 사용될 수 있다. 판독 트랜지스터(608)의 다른 단자는 공급 전압에 연결될 수 있다. 열 선택 라인들(410) 및 열 라인(612)은 판독 회로(614)에 각각 연결될 수 있다. 일부 실시예들에서, 판독 회로는 2 이상의 열 선택 라인들(410) 및/또는 열 라인들(612) 사이에 공유될 수 있다. 각각의 판독 회로(614)는 픽셀들(406) 및 플리커 검출 영역(602)으로부터 획득되는 아날로그 신호들을 디지털 신호들로 변환하기 위해 디지털-아날로그 변환기를 포함할 수 있다.
이제 도 7을 참조하면, 판독 회로에 동작가능하게 연결되는 이미징 영역 및 플리커 검출 영역 내의 픽셀들의 다른 예의 간략한 개략도가 도시된다. 도 6에 도시된 실시예와 같이, 이미징 영역(404) 내의 픽셀들(406)은 각각의 열 선택 라인들(410)에 동작가능하게 연결된다. 플리커 검출 영역(702) 내의 픽셀들(700)은 광전류 가산 노드(706)에 동작가능하게 연결된다. 광전류 가산 노드(706)는 광검출기들(708)을 함께 연결하여, 각각의 광검출기(708)로부터의 광전류가 함께 가산되는 것을 허용한다. 예시된 실시예에서, 전류 가산은 방정식
Figure pct00001
에 의해 정의될 수 있다.
광전류 가산 노드(706)는 플리커 판독 회로(710)에 연결된다. 일부 실시예들에서, 플리커 판독 회로는 이미징 영역(404)에 대한 회로에 더하여, 플리커 검출 영역에 전용인 적어도 하나의 열 및 ADC(예를 들어, 열 라인(718) 및 ADC(722))를 포함할 수 있다. 플리커 판독 회로(710)는 픽셀들(406) 내의 회로의 일부 또는 전부와 구조에 있어서 유사한 회로를 포함할 수 있다. 예를 들어, 플리커 판독 회로(710)는 트랜스퍼 트랜지스터(712)를 포함할 수 있다. 트랜스퍼 트랜지스터(712)의 일 단자는 광전류 가산 노드(706)에 연결되는 반면에, 다른 단자는 판독 트랜지스터(714)의 게이트에 연결된다. 일부 실시예들에서, 판독 트랜지스터(714)는 소스 폴로어 트랜지스터이다. 판독 트랜지스터(714)의 일 단자는 열 선택 트랜지스터(716)의 단자에 연결된다. 열 선택 트랜지스터(716)의 다른 단자는 열 라인(718)에 연결된다. 열 라인(718)은 플리커 판독 회로에 전용이다. 플리커 판독 회로(710)와 다른 플리커 검출 열 내의 임의의 픽셀들은 열 라인(718)으로부터 분리되고 개별 열 라인(도시되지 않음)에 연결될 수 있다.
열 선택 트랜지스터(716)의 게이트는 행 선택 라인(도시되지 않음)에 연결될 수 있다. 행 선택 라인은 전하 또는 신호가 플리커 검출 영역(702)으로부터 샘플링될 때 열 선택 트랜지스터(716)를 선택하거나 턴 온하기 위해 사용될 수 있다. 판독 트랜지스터(714)의 다른 단자는 공급 전압에 연결될 수 있다. 열 선택 라인들(410) 및 열 라인(718)은 아날로그-디지털 변환기(722)를 포함하는 판독 회로(720)에 각각 연결될 수 있다.
커패시터(724)는 스위치(726)를 통해 광전류 가산 노드(706)에 연결될 수 있다. 커패시터(724)의 크기는 플리커 검출 영역(들) 내의 픽셀들(700)에 의해 검출되는 가산된 광전류의 다양한 조명 조건들 및/또는 통합 시간들을 조정하도록 프로그램가능할 수 있다. 예를 들어, 더 작은 커패시터 값은 저조명 조건들 및/또는 짧은 통합 시간을 위해 선택될 수 있어, 플리커 판독 회로(710)는 픽셀들(406)의 정상 동작과 병행하여 동작될 수 있다. 부가적으로, 일부 실시예들에서, 커패시터(724)는 판독 트랜지스터(714)를 턴 온하기 위해 요구되는 임계 전압 또는 전류를 감소시킬 수 있다.
도 8은 이미지 센서에서 플리커를 검출하는 방법의 흐름도이다. 초기에, 블록(800)에 나타낸 바와 같이, 전하는 플리커 검출 영역 또는 영역들 내의 하나 이상의 픽셀들에 축적되고, 샘플들은 이미지가 이미징 영역 내의 픽셀들에 의해 캡처되는 동안에 픽셀들에 대해 다수 회 판독된다. 예를 들어, 샘플들은 이미지 캡처 동안에 픽셀들에 대해 100 내지 1000 회 판독될 수 있다. 샘플들은 블록(802)에서 함께 평균화될 수 있다. 일부 실시예들에서, 샘플들은 프로세서, 예컨대 이미지 프로세서(402)에 의해 디지털로 평균화된다. 그러한 실시예들에서, 플리커 검출 영역(들) 내의 픽셀들은 원하는 샘플 주파수에서 이미징 영역 내의 픽셀들을 판독하는 중간에 리셋되고 판독될 수 있다.
다른 실시예들은 샘플들을 상이하게 평균화할 수 있다. 예를 들어, 샘플들은 도 6 및 도 7과 함께 설명되는 바와 같이 평균화될 수 있다. 그리고, 다른 실시예들에서, 플리커 검출 영역(들) 내의 픽셀들은 이미지 센서로부터 분리되고 이미지 센서 내의 판독 회로 및/또는 아날로그-디지털 변환기들과 관계없이 동작하는 아날로그-디지털 변환기에 동작가능하게 연결될 수 있다.
다음에, 블록(804)에 도시된 바와 같이, 평균화된 샘플들은 플리커가 이미지화되는 장면에 존재하는 지를 판단하기 위해 분석된다. 평균화된 샘플들은 이미지 프로세서(402)(도 4) 또는 프로세서(200)(도 2)와 같은 프로세서에 의해 분석될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 프로세서는 평균화된 샘플들을 사용하여 푸리에 변환을 수행할 수 있다. 다른 예로서, 프로세서는 플리커를 검출하기 위해 공지된 플리커 패턴과 상관을 수행할 수 있다. 그리고, 또 다른 실시예에서, 프로세서는 플리커를 검출하기 위해 국부 최대와 최소 사이의 거리를 측정할 수 있다.
그 다음, 플리커가 검출되는 지의 여부에 관한 판단이 블록(806)에서 이루어질 수 있다. 그렇지 않으면, 방법은 종료된다. 플리커가 검출될 때, 프로세스는 플리커의 주파수가 결정될 수 있는 블록(808)으로 이동한다. 그 다음, 플리커에 대한 보상은 블록(810)에서 결정된다. 일 실시예에서, 이미지 캡처의 노출 시간은 캡처된 이미지에서 플리커를 감소시키거나 제거하기 위해 조정된다.
위에서 설명된 바와 같이, 하나 이상의 플리커 검출 영역 내의 픽셀들은 다수의 모드들을 가질 수 있으며, 하나의 모드는 플리커 검출 및 다른 모드 이미지 캡처이다. 도 9는 이미지 센서에서 모드를 인에이블하는 방법의 흐름도이다. 모드 선택 신호는 블록(900)에서 수신될 수 있다. 모드는 사용자, 이미지 센서, 및/또는 전자 디바이스에 의해 선택될 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서는 예컨대 이미지가 햇빛 속의 옥외에서 캡처될 때, 플리커 검출이 필요하지 않은 것을 결정할 수 있다. 대안적으로, 사용자는 이미지를 캡처할 때 그 또는 그녀가 플리커 검출을 이용하기를 원하는 지를 선택할 수 있다.
다음에, 블록(902)에 도시된 바와 같이, 플리커 검출 모드가 선택되는 지의 여부에 관한 판단이 이루어질 수 있다. 그렇다면, 프로세스는 플리커를 검출하기 위해 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들이 사용되는 블록(904)으로 이동하고 방법은 종료된다. 플리커 검출 모드가 선택되지 않을 때, 플리커 검출 영역(들) 내의 픽셀(들)은 이미징 영역 내의 픽셀들과 함께 이미지를 캡처하기 위해 사용될 수 있고(블록(906)), 방법은 종료된다. 픽셀들에 제공되는 신호들 및/또는 신호들의 타이밍은 어느 모드가 선택되는지에 기초하여 변화될 수 있다. 단지 예로서, 프로세서(402)는 각각의 모드를 위해 신호들을 제공하거나 신호들이 픽셀들에 송신가능하게 할 수 있다. 일부 실시예들에서, 프로세서는 신호들을 생성하거나 메모리(예를 들어, 메모리(202))로부터 신호들을 판독할 수 있다.
다른 실시예들은 도 8 또는 도 9에 도시된 방법을 상이하게 수행할 수 있다. 블록은 추가 또는 삭제될 수 있거나, 블록들은 상이한 순서로 수행될 수 있다. 일 예로서, 도 8의 블록(808)은 일부 실시예들에서 생략될 수 있다.
플리커 검출 영역들은 플리커의 부재뿐만 아니라 플리커의 존재를 검출할 수 있다. 검출된 플리커에 대한 보상은 샘플들이 플리커 검출 영역(들)에 대해 프레임 당(예를 들어, 이미지 캡처 당) 다수 회 판독되기 때문에 종래의 이미지 센서들에서보다 더 신속히 발생할 수 있다. 부가적으로 또는 대안적으로, 여러가지 상이한 주파수들에서 발생하는 플리커는 더 쉽게 검출될 수 있다.
다양한 실시예들은 그것의 특정 특징들을 특별히 참조하여 상세히 설명되었지만, 변형들 및 수정들이 본 개시내용의 사상 및 범위 내에서 달성될 수 있다는 점이 이해될 것이다. 그리고, 특정 실시예들이 본원에 설명되었지만, 그 적용은 이러한 실시예들에 제한되지 않는다는 점이 주목되어야 한다. 특히, 일 실시예에 대해 설명되는 특징들은 또한 호환가능한 경우, 다른 실시예들에서 사용될 수 있다. 마찬가지로, 상이한 실시예들의 특징들은 호환가능한 경우 교환될 수 있다.

Claims (22)

  1. 복수의 픽셀들을 포함하는 이미징 영역; 및
    하나 이상의 픽셀들을 각각 포함하는 하나 이상의 플리커 검출 영역들 - 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들 중 적어도 하나는 상기 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀이 이미지를 캡처하는 동안에 다수 회 샘플링됨 - 을 포함하는, 이미지 센서.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이미징 영역 내의 하나 이상의 픽셀들에 동작가능하게 연결되는 제1 판독 회로를 더 포함하는, 이미지 센서.
  3. 제2항에 있어서, 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들에 동작가능하게 연결되는 제2 판독 회로를 더 포함하는, 이미지 센서.
  4. 제3항에 있어서, 상기 판독 회로에 동작가능하게 연결되는 처리 디바이스를 더 포함하는, 이미지 센서.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제2 판독 회로는,
    광검출기에 동작가능하게 연결되는 트랜스퍼 트랜지스터의 제1 단자;
    판독 트랜지스터의 게이트에 동작가능하게 연결되는 트랜스퍼 트랜지스터의 제2 단자;
    상기 판독 트랜지스터의 게이트에 동작가능하게 연결되는 스위치 트랜지스터의 제1 단자;
    판독 트랜지스터의 제1 단자에 동작가능하게 연결되는 선택 트랜지스터의 제1 단자;
    열 라인에 동작가능하게 연결되는 선택 트랜지스터의 제2 단자; 및
    전압원에 동작가능하게 연결되는 판독 트랜지스터의 제2 단자 및 스위치 트랜지스터의 제2 단자; 및
    상기 전압원과 상기 판독 트랜지스터의 게이트 사이에 동작가능하게 연결되는 가변 커패시터를 포함하는, 이미지 센서.
  6. 복수의 픽셀들을 포함하는 이미징 영역; 및
    하나 이상의 픽셀들을 각각 포함하는 하나 이상의 플리커 검출 영역들 - 적어도 하나의 플리커 검출 내의 하나 이상의 픽셀들은 상기 이미징 영역 내의 복수의 픽셀들이 이미지를 캡처하는 동안에 다수 회 샘플링됨 -; 및
    상기 이미징 영역 내의 복수의 픽셀들이 이미지를 캡처하는 동안에 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 복수의 픽셀들이 다수 회 샘플링될 수 있게 하도록 적응되고 상기 적어도 하나의 플리커 영역 내의 복수의 픽셀들에 대해 판독되는 샘플들에 기초하여 상기 이미지에서 플리커를 검출하도록 적응되는 프로세서를 포함하는, 이미징 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 이미징 영역 내의 복수의 픽셀들에 동작가능하게 연결되는 제1 판독 회로를 더 포함하는, 이미징 시스템.
  8. 제7항에 있어서, 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들에 동작가능하게 연결되는 제2 판독 회로를 더 포함하는, 이미징 시스템.
  9. 제7항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 제1 판독 회로에 동작가능하게 연결되는, 이미징 시스템.
  10. 제8항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 제2 판독 회로에 동작가능하게 연결되는, 이미징 시스템.
  11. 이미지 센서에서 이미지를 캡처하는 방법 - 상기 이미지 센서는 하나 이상의 픽셀들을 포함하는 이미징 영역 및 하나 이상의 픽셀들을 각각 포함하는 하나 이상의 플리커 검출 영역들을 포함함 - 으로서,
    상기 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀로 이미지를 캡처하는 단계;
    적어도 하나의 플리커 영역 내의 하나 이상의 픽셀들에서 전하를 실질적으로 동시에 축적하는 단계;
    상기 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀이 상기 이미지를 캡처하는 동안에 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들로부터 샘플들을 획득하기 위해 다수의 판독 동작들을 수행하는 단계; 및
    상기 샘플들을 분석함으로써 상기 이미지에서 플리커를 검출하는 단계를 포함하는, 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 플리커를 보상하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 플리커를 보상하는 단계는 상기 이미지를 캡처하는 노출 시간을 조정하는 단계를 포함하는, 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 샘플들을 분석하기 전에, 각각의 판독 동작에서 획득되는 샘플들을 평균화하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  15. 제11항에 있어서, 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들로부터 샘플들을 획득하기 위해 다수의 판독 동작들을 수행하기 전에, 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 각각의 픽셀에 동작가능하게 연결되는 공통 감지 노드 상에서 상기 샘플들을 조합함으로써 상기 샘플들을 평균화하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 제11항에 있어서, 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들로부터 샘플들을 획득하기 위해 다수의 판독 동작들을 수행하기 전에, 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 각각의 픽셀에 동작가능하게 연결되는 공통 광전류 가산 노드 상에서 상기 샘플들을 조합함으로써 상기 샘플들을 평균화하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  17. 제11항에 있어서, 상기 샘플들을 분석하여 플리커를 검출하는 단계는 상기 샘플들 상에 푸리에 변환을 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
  18. 제11항에 있어서, 상기 샘플들을 분석하여 플리커를 검출하는 단계는 플리커를 검출하기 위해 상기 샘플들 및 공지된 플리커 패턴과 상관을 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
  19. 제11항에 있어서, 상기 샘플들을 분석하여 플리커를 검출하는 단계는 플리커를 검출하기 위해 상기 샘플들에서 최대와 최소 사이의 거리 측정을 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
  20. 제11항에 있어서, 상기 검출된 플리커의 주파수를 결정하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  21. 하나 이상의 픽셀들을 포함하는 이미징 영역 및 하나 이상의 픽셀들을 각각 포함하는 하나 이상의 플리커 검출 영역들을 포함하는 이미지 센서에서 플리커 검출 모드를 인에이블하는 방법으로서,
    이미지가 상기 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀에 의해 캡처될 때 플리커가 적어도 하나의 플리커 검출 영역을 사용하여 검출되는 지를 판단하는 단계;
    플리커가 검출되면, 상기 이미지가 상기 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀에 의해 캡처되고 있는 동안에 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들에서 전하를 다수 회 판독하는 단계를 포함하는, 방법.
  22. 제21항에 있어서, 플리커가 검출되지 않으면, 상기 적어도 하나의 플리커 검출 영역 내의 하나 이상의 픽셀들 및 상기 이미징 영역 내의 적어도 하나의 픽셀을 사용하여 상기 이미지를 캡처하는 단계를 더 포함하는, 방법.
KR1020167012647A 2013-12-09 2014-10-17 이미지 센서 플리커 검출 KR101926944B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361913851P 2013-12-09 2013-12-09
US61/913,851 2013-12-09
US14/501,429 2014-09-30
US14/501,429 US9473706B2 (en) 2013-12-09 2014-09-30 Image sensor flicker detection
PCT/US2014/061076 WO2015088645A1 (en) 2013-12-09 2014-10-17 Image sensor flicker detection

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160072169A true KR20160072169A (ko) 2016-06-22
KR101926944B1 KR101926944B1 (ko) 2018-12-07

Family

ID=53272398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167012647A KR101926944B1 (ko) 2013-12-09 2014-10-17 이미지 센서 플리커 검출

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9473706B2 (ko)
JP (1) JP6410824B2 (ko)
KR (1) KR101926944B1 (ko)
CN (1) CN104702853B (ko)
WO (1) WO2015088645A1 (ko)

Families Citing this family (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293500B2 (en) 2013-03-01 2016-03-22 Apple Inc. Exposure control for image sensors
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
US9549099B2 (en) 2013-03-12 2017-01-17 Apple Inc. Hybrid image sensor
US9319611B2 (en) 2013-03-14 2016-04-19 Apple Inc. Image sensor with flexible pixel summing
US9596423B1 (en) 2013-11-21 2017-03-14 Apple Inc. Charge summing in an image sensor
US9596420B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Apple Inc. Image sensor having pixels with different integration periods
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
JP6315776B2 (ja) * 2014-02-20 2018-04-25 オリンパス株式会社 撮像素子、撮像装置
US9232150B2 (en) 2014-03-12 2016-01-05 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor
US9277144B2 (en) 2014-03-12 2016-03-01 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation
US9584743B1 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation
US9497397B1 (en) 2014-04-08 2016-11-15 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison
US9538106B2 (en) 2014-04-25 2017-01-03 Apple Inc. Image sensor having a uniform digital power signature
US9686485B2 (en) 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
US9969332B1 (en) * 2015-06-03 2018-05-15 Ambarella, Inc. Reduction of LED headlight flickering in electronic mirror applications
CN105718850B (zh) * 2015-10-21 2019-06-11 深圳芯启航科技有限公司 应用于指纹传感器的像素点采样方法和装置
EP3379224B1 (en) * 2015-12-16 2022-04-13 Konica Minolta, Inc. Optical characteristic measuring device
US9912883B1 (en) 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
US10072974B2 (en) * 2016-06-06 2018-09-11 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with LED flicker mitigaton global shutter pixles
KR102662029B1 (ko) 2016-08-01 2024-05-03 삼성전자주식회사 이벤트 신호 처리 방법 및 그 방법을 수행하는 이벤트 기반 센서
CN109716525B (zh) 2016-09-23 2020-06-09 苹果公司 堆叠式背面照明spad阵列
WO2018101187A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 距離測定装置
JP6320503B1 (ja) * 2016-12-28 2018-05-09 オリンパス株式会社 撮像装置、フリッカ検出方法、およびプログラム
WO2018140522A2 (en) 2017-01-25 2018-08-02 Apple Inc. Spad detector having modulated sensitivity
US10656251B1 (en) 2017-01-25 2020-05-19 Apple Inc. Signal acquisition in a SPAD detector
US10962628B1 (en) 2017-01-26 2021-03-30 Apple Inc. Spatial temporal weighting in a SPAD detector
WO2018198502A1 (ja) * 2017-04-25 2018-11-01 シャープ株式会社 照度センサ、近接センサ、電子機器、および監視システム
JP7074136B2 (ja) * 2017-06-30 2022-05-24 ソニーグループ株式会社 撮像装置とフリッカー補正方法およびプログラム
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body
JP6884064B2 (ja) * 2017-07-26 2021-06-09 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
US10440301B2 (en) 2017-09-08 2019-10-08 Apple Inc. Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
CN108064446B (zh) * 2017-10-20 2020-11-20 深圳市汇顶科技股份有限公司 模拟读取电路及影像传感模块
US10848693B2 (en) 2018-07-18 2020-11-24 Apple Inc. Image flare detection using asymmetric pixels
US11019294B2 (en) 2018-07-18 2021-05-25 Apple Inc. Seamless readout mode transitions in image sensors
KR102564406B1 (ko) 2018-09-18 2023-08-04 코니카 미놀타 가부시키가이샤 2차원 플리커 측정 장치
JP6956894B2 (ja) 2018-09-27 2021-11-02 富士フイルム株式会社 撮像素子、撮像装置、画像データ処理方法、及びプログラム
JP7278750B2 (ja) * 2018-11-14 2023-05-22 キヤノン株式会社 撮像装置
US11233966B1 (en) 2018-11-29 2022-01-25 Apple Inc. Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes
CN113615161A (zh) * 2019-03-27 2021-11-05 索尼集团公司 对象检测装置、对象检测系统以及对象检测方法
KR20210112948A (ko) * 2020-03-06 2021-09-15 삼성전자주식회사 상관 이중 샘플링 회로를 포함하는 이미지 센서
US11223779B2 (en) * 2020-06-12 2022-01-11 Novatek Microelectronics Corp. Image sensing device and operating method thereof
US11563910B2 (en) 2020-08-04 2023-01-24 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
US11792529B2 (en) * 2020-09-10 2023-10-17 Canon Kabushiki Kaisha Imaging apparatus, method of driving imaging apparatus, imaging system and mobile body
US12078538B2 (en) * 2021-02-01 2024-09-03 Spectricity Detection of light source distortion in an imaging system
US11546532B1 (en) 2021-03-16 2023-01-03 Apple Inc. Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors
CA3219510A1 (en) * 2021-05-26 2022-12-01 Basf Coatings Gmbh System and method for object recognition utilizing reflective light blocking
US12069384B2 (en) 2021-09-23 2024-08-20 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
WO2023198580A1 (en) 2022-04-12 2023-10-19 Basf Coatings Gmbh System and method for object recognition utilizing separate detection of luminescence and reflectance
EP4294002A1 (en) 2022-06-17 2023-12-20 Prophesee SA Anti-flicker filter mitigation for an event-based sensor
CN116366983B (zh) * 2023-05-29 2023-10-20 荣耀终端有限公司 拍摄方法、电子设备及可读介质

Family Cites Families (207)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4373804A (en) 1979-04-30 1983-02-15 Diffracto Ltd. Method and apparatus for electro-optically determining the dimension, location and attitude of objects
US4686648A (en) 1985-12-03 1987-08-11 Hughes Aircraft Company Charge coupled device differencer
SE465551B (sv) 1990-02-16 1991-09-30 Aake Oeberg Anordning foer bestaemning av en maenniskas hjaert- och andningsfrekvens genom fotopletysmografisk maetning
US5105264A (en) 1990-09-28 1992-04-14 Eastman Kodak Company Color image sensor having an optimum exposure time for each color
US5329313A (en) 1992-04-01 1994-07-12 Intel Corporation Method and apparatus for real time compression and decompression of a digital motion video signal using a fixed Huffman table
US5550677A (en) 1993-02-26 1996-08-27 Donnelly Corporation Automatic rearview mirror system using a photosensor array
JP3358620B2 (ja) 1993-04-09 2002-12-24 ソニー株式会社 画像符号化方法及び画像符号化装置
US5949483A (en) 1994-01-28 1999-09-07 California Institute Of Technology Active pixel sensor array with multiresolution readout
US5841126A (en) 1994-01-28 1998-11-24 California Institute Of Technology CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip
US5471515A (en) 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US5541402A (en) 1994-10-17 1996-07-30 At&T Corp. Imaging active pixel device having a non-destructive read-out gate
JP3284803B2 (ja) 1994-12-16 2002-05-20 富士ゼロックス株式会社 画像入力装置
US6233013B1 (en) 1997-10-23 2001-05-15 Xerox Corporation Color readout system for an active pixel image sensor
US6714239B2 (en) 1997-10-29 2004-03-30 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with programmable color balance
JP3667058B2 (ja) 1997-11-19 2005-07-06 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6008486A (en) 1997-12-31 1999-12-28 Gentex Corporation Wide dynamic range optical sensor
US6348929B1 (en) 1998-01-16 2002-02-19 Intel Corporation Scaling algorithm and architecture for integer scaling in video
US6040568A (en) 1998-05-06 2000-03-21 Raytheon Company Multipurpose readout integrated circuit with in cell adaptive non-uniformity correction and enhanced dynamic range
JP3697073B2 (ja) 1998-08-05 2005-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US8310577B1 (en) 1999-08-19 2012-11-13 Youliza, Gehts B.V. Limited Liability Company Method and apparatus for color compensation
US7133073B1 (en) 1999-08-19 2006-11-07 Dialog Imaging Systems Gmbh Method and apparatus for color interpolation
JP2001285717A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Toshiba Corp 固体撮像装置
US6616613B1 (en) 2000-04-27 2003-09-09 Vitalsines International, Inc. Physiological signal monitoring system
US6448550B1 (en) 2000-04-27 2002-09-10 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring spectral content of LED light source and control thereof
JP3685686B2 (ja) * 2000-06-12 2005-08-24 三菱電機株式会社 撮像エリアセンサおよび撮像装置
US6713796B1 (en) 2001-01-19 2004-03-30 Dalsa, Inc. Isolated photodiode
US7088395B2 (en) * 2001-01-29 2006-08-08 Konica Corporation Image-capturing apparatus
US7554067B2 (en) 2001-05-07 2009-06-30 Panavision Imaging Llc Scanning imager employing multiple chips with staggered pixels
US6541751B1 (en) 2001-10-03 2003-04-01 Pixim Inc Time multiplexing image processing functions for noise reduction
KR100464821B1 (ko) 2001-10-23 2005-01-17 임좌상 생리신호를 이용한 감성평가방법
KR100455286B1 (ko) 2002-01-11 2004-11-06 삼성전자주식회사 생리신호획득 및 해석을 이용한 동물의 상태 파악 방법 및장치
US7906826B2 (en) 2002-02-05 2011-03-15 E-Phocus Many million pixel image sensor
KR100462182B1 (ko) 2002-04-15 2004-12-16 삼성전자주식회사 Ｐｐｇ 기반의 심박 검출 장치 및 방법
US6816676B2 (en) 2002-04-19 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Adaptive control of LCD display utilizing imaging sensor measurements
US7786543B2 (en) 2002-08-27 2010-08-31 E-Phocus CDS capable sensor with photon sensing layer on active pixel circuit
US7525168B2 (en) 2002-08-27 2009-04-28 E-Phocus, Inc. CMOS sensor with electrodes across photodetectors at approximately equal potential
JP4403687B2 (ja) 2002-09-18 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動制御方法
US20040207836A1 (en) 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US7471315B2 (en) * 2003-03-14 2008-12-30 Aptina Imaging Corporation Apparatus and method for detecting and compensating for illuminant intensity changes within an image
US7075049B2 (en) * 2003-06-11 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain imagers
US20050026332A1 (en) 2003-07-29 2005-02-03 Fratti Roger A. Techniques for curvature control in power transistor devices
US6931269B2 (en) 2003-08-27 2005-08-16 Datex-Ohmeda, Inc. Multi-domain motion estimation and plethysmographic recognition using fuzzy neural-nets
JP4106554B2 (ja) * 2003-09-08 2008-06-25 ソニー株式会社 撮影環境判定方法および撮像装置
US7332786B2 (en) 2003-11-26 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Anti-blooming storage pixel
JP4259998B2 (ja) * 2003-12-19 2009-04-30 三洋電機株式会社 フリッカ検出装置及び撮像装置
US7091466B2 (en) 2003-12-19 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for pixel binning in an image sensor
US7437013B2 (en) 2003-12-23 2008-10-14 General Instrument Corporation Directional spatial video noise reduction
US7446812B2 (en) 2004-01-13 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Wide dynamic range operations for imaging
CN1947414A (zh) * 2004-04-21 2007-04-11 高通股份有限公司 用于图像感测装置的闪烁检测
KR100574890B1 (ko) * 2004-04-27 2006-04-27 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 및 이미지센서의 플리커 노이즈 검출 방법
KR100578647B1 (ko) * 2004-04-27 2006-05-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 인티그레이션 방법
US7102117B2 (en) 2004-06-08 2006-09-05 Eastman Kodak Company Active pixel sensor cell with integrating varactor and method for using such cell
US7825973B2 (en) 2004-07-16 2010-11-02 Micron Technology, Inc. Exposure control for image sensors
US7880785B2 (en) 2004-07-21 2011-02-01 Aptina Imaging Corporation Rod and cone response sensor
JP4455215B2 (ja) 2004-08-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 撮像装置
US7259413B2 (en) 2004-09-28 2007-08-21 Micron Technology, Inc. High dynamic range image sensor
US20060103749A1 (en) * 2004-11-12 2006-05-18 Xinping He Image sensor and pixel that has switchable capacitance at the floating node
US7555158B2 (en) 2004-12-07 2009-06-30 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for recovering background in image sequence and method thereof
US7502054B2 (en) * 2004-12-20 2009-03-10 Pixim, Inc. Automatic detection of fluorescent flicker in video images
US7190039B2 (en) 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
JP4855704B2 (ja) 2005-03-31 2012-01-18 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4377840B2 (ja) * 2005-03-31 2009-12-02 イーストマン コダック カンパニー デジタルカメラ
US7443421B2 (en) 2005-04-05 2008-10-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Camera sensor
US20060244843A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Bart Dierickx Illumination flicker detection
JP4207926B2 (ja) * 2005-05-13 2009-01-14 ソニー株式会社 フリッカ補正方法、フリッカ補正装置及び撮像装置
TW201101476A (en) 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
US20060274161A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Intel Corporation Method and apparatus to determine ambient light using a camera
US8274715B2 (en) 2005-07-28 2012-09-25 Omnivision Technologies, Inc. Processing color and panchromatic pixels
JP4904749B2 (ja) * 2005-09-08 2012-03-28 ソニー株式会社 フリッカ低減方法、フリッカ低減回路及び撮像装置
KR100775058B1 (ko) 2005-09-29 2007-11-08 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
US8032206B1 (en) 2005-10-20 2011-10-04 Pacesetter, Inc. Use of motion sensor for dynamic updating of heart detection threshold
KR100715932B1 (ko) * 2005-10-24 2007-05-08 (주) 픽셀플러스 플리커 검출장치
US7211802B1 (en) * 2005-12-30 2007-05-01 Eastman Kodak Company X-ray impingement event detection system and method for a digital radiography detector
US7626626B2 (en) 2006-01-13 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing pixel storage gate charge sensing for electronic stabilization in imagers
US20070263099A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Pixim Inc. Ambient Light Rejection In Digital Video Images
JP3996618B1 (ja) 2006-05-11 2007-10-24 総吉 廣津 半導体撮像素子
US8026966B2 (en) 2006-08-29 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range
US7773138B2 (en) 2006-09-13 2010-08-10 Tower Semiconductor Ltd. Color pattern and pixel level binning for APS image sensor using 2×2 photodiode sharing scheme
US8194148B2 (en) 2006-09-14 2012-06-05 Nikon Corporation Image processing device, electronic camera and image processing program
US20100134631A1 (en) 2006-10-30 2010-06-03 Wesleyan University Apparatus and method for real time image compression for particle tracking
KR20080041912A (ko) * 2006-11-08 2008-05-14 삼성전자주식회사 감도 제어가 가능한 씨모스 이미지 센서의 픽셀 회로
KR100828943B1 (ko) 2006-12-19 2008-05-13 (주)실리콘화일 3t-4s 스텝 ＆ 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장 장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼
US7742090B2 (en) 2006-12-22 2010-06-22 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible segmented image sensor
KR20080069851A (ko) 2007-01-24 2008-07-29 삼성전자주식회사 생체 신호 측정 센서 장치 및 상기 센서 장치를 구비한헤드셋 장치 및 팬던트 장치
US7796171B2 (en) 2007-02-16 2010-09-14 Flir Advanced Imaging Systems, Inc. Sensor-based gamma correction of a digital camera
WO2008108025A1 (en) 2007-03-05 2008-09-12 Nec Electronics Corporation Imaging apparatus and flicker detection method
KR100835892B1 (ko) 2007-03-26 2008-06-09 (주)실리콘화일 칩 적층 이미지센서
KR100853195B1 (ko) 2007-04-10 2008-08-21 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP5163935B2 (ja) 2007-05-17 2013-03-13 ソニー株式会社 イメージセンサ
KR100872991B1 (ko) 2007-06-25 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100871981B1 (ko) 2007-06-25 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
JP2009021809A (ja) 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
US8098372B2 (en) 2007-07-23 2012-01-17 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Optical inspection tool featuring multiple speed modes
JP2009054870A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
US7873236B2 (en) 2007-08-28 2011-01-18 General Electric Company Systems, methods and apparatus for consistency-constrained filtered backprojection for out-of-focus artifacts in digital tomosythesis
KR100887887B1 (ko) 2007-11-06 2009-03-06 주식회사 동부하이텍 이미지센서
JP5163068B2 (ja) 2007-11-16 2013-03-13 株式会社ニコン 撮像装置
JP4971956B2 (ja) * 2007-11-27 2012-07-11 キヤノン株式会社 フリッカ補正装置、フリッカ補正方法並びに撮像装置
US20090146234A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units having an infrared-absorbing layer and associated systems and methods
US8259228B2 (en) 2007-12-10 2012-09-04 Ati Technologies Ulc Method and apparatus for high quality video motion adaptive edge-directional deinterlacing
US7952635B2 (en) 2007-12-19 2011-05-31 Teledyne Licensing, Llc Low noise readout apparatus and method with snapshot shutter and correlated double sampling
JP5026951B2 (ja) 2007-12-26 2012-09-19 オリンパスイメージング株式会社 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子
JP5111100B2 (ja) 2007-12-28 2012-12-26 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法、プログラム及び記憶媒体
EP2398055B1 (en) 2008-01-10 2012-12-12 Stmicroelectronics Sa Pixel circuit for global electronic shutter
US8227844B2 (en) 2008-01-14 2012-07-24 International Business Machines Corporation Low lag transfer gate device
US20090201400A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated image sensor with global shutter and storage capacitor
JP2009212909A (ja) * 2008-03-05 2009-09-17 Sharp Corp 固体撮像装置、固体撮像装置のフリッカ検出方法、制御プログラム、可読記録媒体および電子情報機器
JP5568880B2 (ja) 2008-04-03 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US8116540B2 (en) 2008-04-04 2012-02-14 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits
JP4494492B2 (ja) 2008-04-09 2010-06-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
CA2628792A1 (en) * 2008-04-10 2009-10-10 Chaji G. Reza High dynamic range active pixel sensor
AU2009246442B2 (en) 2008-05-14 2015-02-12 Heartmiles, Llc. Physical activity monitor and data collection unit
JP5188275B2 (ja) * 2008-06-06 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
KR20100008239A (ko) 2008-07-15 2010-01-25 (주)에스엔티 피피지 신호의 동잡음 제거방법
JP5300356B2 (ja) * 2008-07-18 2013-09-25 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像装置の制御方法
JP2010113230A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Sony Corp 画素回路及び表示装置と電子機器
JP2010114834A (ja) * 2008-11-10 2010-05-20 Olympus Imaging Corp 撮像装置
KR20100065084A (ko) 2008-12-05 2010-06-15 한국전자통신연구원 움직임 잡음에 강인한 맥파 측정 장치 및 그 방법
US8164669B2 (en) 2008-12-19 2012-04-24 Truesense Imaging, Inc. Charge-coupled device image sensor with efficient binning of same-color pixels
US8340407B2 (en) 2009-01-14 2012-12-25 Cisco Technology, Inc. System and method for image demosaicing
US20120159996A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Gary Edwin Sutton Curved sensor formed from silicon fibers
US8184188B2 (en) 2009-03-12 2012-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for high dynamic operation of a pixel cell
JP4835710B2 (ja) 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
US8140143B2 (en) 2009-04-16 2012-03-20 Massachusetts Institute Of Technology Washable wearable biosensor
JP2011004390A (ja) 2009-05-18 2011-01-06 Canon Inc 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法
US8350940B2 (en) 2009-06-08 2013-01-08 Aptina Imaging Corporation Image sensors and color filter arrays for charge summing and interlaced readout modes
CN101567977B (zh) 2009-06-09 2013-09-18 北京中星微电子有限公司 一种闪烁检测方法及其装置
EP2262228A1 (en) * 2009-06-09 2010-12-15 Global IP Solutions (GIPS) AB Detection and supression of flicker in a sequence of images
KR101597785B1 (ko) 2009-07-14 2016-02-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 영상 처리 방법
US8755854B2 (en) 2009-07-31 2014-06-17 Nellcor Puritan Bennett Ireland Methods and apparatus for producing and using lightly filtered photoplethysmograph signals
TWI423246B (zh) 2009-08-21 2014-01-11 Primax Electronics Ltd 圖像處理方法及其相關裝置
JP2011049697A (ja) 2009-08-25 2011-03-10 Panasonic Corp フリッカ検出装置、撮像装置、フリッカ検出プログラム、及び、フリッカ検出方法
US8619163B2 (en) 2009-09-18 2013-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging using a correction parameter for correcting a cross talk between adjacent pixels
US9066660B2 (en) 2009-09-29 2015-06-30 Nellcor Puritan Bennett Ireland Systems and methods for high-pass filtering a photoplethysmograph signal
US8194165B2 (en) 2009-09-30 2012-06-05 Truesense Imaging, Inc. Methods for capturing and reading out images from an image sensor
US20110080500A1 (en) 2009-10-05 2011-04-07 Hand Held Products, Inc. Imaging terminal, imaging sensor having multiple reset and/or multiple read mode and methods for operating the same
JP4881987B2 (ja) 2009-10-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP2011091775A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
TWI515885B (zh) 2009-12-25 2016-01-01 新力股份有限公司 半導體元件及其製造方法，及電子裝置
US20110156197A1 (en) 2009-12-31 2011-06-30 Tivarus Cristian A Interwafer interconnects for stacked CMOS image sensors
US8330829B2 (en) * 2009-12-31 2012-12-11 Microsoft Corporation Photographic flicker detection and compensation
CN101803925B (zh) 2010-03-31 2012-01-04 上海交通大学 运动状态下的血氧饱和度监测装置
US9451887B2 (en) 2010-03-31 2016-09-27 Nellcor Puritan Bennett Ireland Systems and methods for measuring electromechanical delay of the heart
JP2011216673A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
KR101229600B1 (ko) 2010-05-14 2013-02-04 가시오게산키 가부시키가이샤 촬상 장치, 손떨림 보정 방법 및 기록 매체
JP5644451B2 (ja) * 2010-05-25 2014-12-24 株式会社リコー 画像処理装置および画像処理方法、ならびに、撮像装置
RU2534018C2 (ru) 2010-06-01 2014-11-27 Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд Мультиспектральные фоточувствительные устройства и способы для их дискретизации
KR101198249B1 (ko) 2010-07-07 2012-11-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지센서의 컬럼 회로 및 픽셀 비닝 회로
US20120092541A1 (en) 2010-10-19 2012-04-19 Nokia Corporation Method and apparatus for ambient light measurement system
JP5739640B2 (ja) 2010-10-20 2015-06-24 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
US9857469B2 (en) 2010-10-22 2018-01-02 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. System and method for multi TOF camera operation using phase hopping
JP5589760B2 (ja) 2010-10-27 2014-09-17 ソニー株式会社 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法およびプログラム。
JP5721405B2 (ja) 2010-11-22 2015-05-20 キヤノン株式会社 撮像システム、その制御方法及びプログラム
JP5724322B2 (ja) 2010-11-24 2015-05-27 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
JP5673063B2 (ja) 2010-12-15 2015-02-18 ソニー株式会社 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
US8723094B2 (en) 2010-12-21 2014-05-13 Sionyx, Inc. Photodetecting imager devices having correlated double sampling and associated methods
US8723975B2 (en) 2011-01-24 2014-05-13 Aptina Imaging Corporation High-dynamic-range imaging devices
US8803990B2 (en) 2011-01-25 2014-08-12 Aptina Imaging Corporation Imaging system with multiple sensors for producing high-dynamic-range images
JP5426587B2 (ja) 2011-01-31 2014-02-26 株式会社東芝 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法
WO2012105259A1 (ja) 2011-02-04 2012-08-09 パナソニック株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
KR102586396B1 (ko) 2011-03-10 2023-10-10 사이오닉스, 엘엘씨 3차원 센서, 시스템, 및 관련 방법
US9088727B2 (en) * 2011-04-06 2015-07-21 Pelco, Inc. Spatially-varying flicker detection
KR101294386B1 (ko) * 2011-04-13 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 픽셀, 픽셀 어레이 및 픽셀 어레이를 포함하는 이미지센서
US8575531B2 (en) 2011-04-26 2013-11-05 Aptina Imaging Corporation Image sensor array for back side illumination with global shutter using a junction gate photodiode
JPWO2012161225A1 (ja) 2011-05-24 2014-07-31 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
US8643132B2 (en) * 2011-06-08 2014-02-04 Omnivision Technologies, Inc. In-pixel high dynamic range imaging
JP5885403B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-15 キヤノン株式会社 撮像装置
TWI505453B (zh) 2011-07-12 2015-10-21 Sony Corp 固態成像裝置，用於驅動其之方法，用於製造其之方法，及電子裝置
JP2013051523A (ja) * 2011-08-30 2013-03-14 Sharp Corp フリッカ検出装置、フリッカ検出方法、制御プログラム、可読記録媒体、固体撮像装置、多眼撮像装置および電子情報機器
JP2013055500A (ja) 2011-09-02 2013-03-21 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5935274B2 (ja) 2011-09-22 2016-06-15 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法および固体撮像装置の制御プログラム
JP5945395B2 (ja) * 2011-10-13 2016-07-05 オリンパス株式会社 撮像装置
US8594170B2 (en) 2011-10-24 2013-11-26 Sigear Europe Sarl Clock masking scheme in a mixed-signal system
US8982237B2 (en) 2011-12-09 2015-03-17 Htc Corporation Portable electronic device with auto-exposure control adaptive to environment brightness and image capturing method using the same
CN103165103A (zh) 2011-12-12 2013-06-19 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置显示屏的亮度调整系统及方法
JP6239820B2 (ja) 2011-12-19 2017-11-29 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
KR101386649B1 (ko) 2011-12-26 2014-09-23 전자부품연구원 사용자의 상태 적용 게임 장치 및 그 게임 제공 방법
EP2624569B1 (en) 2012-02-06 2016-09-28 Harvest Imaging bvba Method for correcting image data from an image sensor having image pixels and non-image pixels, and image sensor implementing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
FR2989518A1 (fr) 2012-04-13 2013-10-18 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un capteur d'image a surface courbe
US9270906B2 (en) 2012-05-02 2016-02-23 Semiconductor Components Industries, Llc Exposure time selection using stacked-chip image sensors
GB201209412D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Obs Medical Ltd Narrow band feature extraction from cardiac signals
GB201209413D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Obs Medical Ltd Respiration rate extraction from cardiac signals
US9420208B2 (en) 2012-07-13 2016-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for image pickup apparatus and driving method for image pickup system
US10334181B2 (en) 2012-08-20 2019-06-25 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamically curved sensor for optical zoom lens
US8817154B2 (en) 2012-08-30 2014-08-26 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with fixed potential output transistor
JP2014057268A (ja) 2012-09-13 2014-03-27 Toshiba Corp 撮像装置
JP6012375B2 (ja) 2012-09-28 2016-10-25 株式会社メガチップス 画素補間処理装置、撮像装置、プログラムおよび集積回路
US8934030B2 (en) * 2013-02-20 2015-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Suppressing flicker in digital images
JP6087674B2 (ja) 2013-02-27 2017-03-01 キヤノン株式会社 撮像装置
US9293500B2 (en) 2013-03-01 2016-03-22 Apple Inc. Exposure control for image sensors
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9041837B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Apple Inc. Image sensor with reduced blooming
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
KR20140109668A (ko) * 2013-03-06 2014-09-16 삼성전자주식회사 플리커를 검출하기 위한 방법 및 시스템
US9549099B2 (en) 2013-03-12 2017-01-17 Apple Inc. Hybrid image sensor
US9319611B2 (en) 2013-03-14 2016-04-19 Apple Inc. Image sensor with flexible pixel summing
US9066017B2 (en) 2013-03-25 2015-06-23 Google Inc. Viewfinder display based on metering images
JP6104049B2 (ja) 2013-05-21 2017-03-29 オリンパス株式会社 画像処理装置、画像処理方法、および画像処理用プログラム
US9154750B2 (en) 2013-05-28 2015-10-06 Omnivision Technologies, Inc. Correction of image sensor fixed-pattern noise (FPN) due to color filter pattern
US9344649B2 (en) 2013-08-23 2016-05-17 Semiconductor Components Industries, Llc Floating point image sensors with different integration times
US9596420B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Apple Inc. Image sensor having pixels with different integration periods
US9277144B2 (en) 2014-03-12 2016-03-01 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation
US9232150B2 (en) 2014-03-12 2016-01-05 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor
US9538106B2 (en) 2014-04-25 2017-01-03 Apple Inc. Image sensor having a uniform digital power signature
US9686485B2 (en) 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
US20160050379A1 (en) 2014-08-18 2016-02-18 Apple Inc. Curved Light Sensor

Also Published As

Publication number Publication date
CN104702853A (zh) 2015-06-10
US20150163392A1 (en) 2015-06-11
WO2015088645A1 (en) 2015-06-18
JP2017501627A (ja) 2017-01-12
CN104702853B (zh) 2018-09-21
KR101926944B1 (ko) 2018-12-07
JP6410824B2 (ja) 2018-10-24
US9473706B2 (en) 2016-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101926944B1 (ko) 이미지 센서 플리커 검출
US9596420B2 (en) Image sensor having pixels with different integration periods
US10609348B2 (en) Pixel binning in an image sensor
US9319611B2 (en) Image sensor with flexible pixel summing
US10015426B2 (en) Solid-state imaging element and driving method therefor, and electronic apparatus
CN106954008B (zh) 摄像装置及摄像模块
US9344647B2 (en) Imaging systems with dynamic shutter operation
US9749521B2 (en) Image sensor with in-pixel depth sensing
US9596423B1 (en) Charge summing in an image sensor
US9030583B2 (en) Imaging system with foveated imaging capabilites
US10026771B1 (en) Image sensor with a cross-wafer capacitor
US8878117B2 (en) Image sensor and image capture apparatus
US10205898B2 (en) Minimizing a data pedestal level in an image sensor
JP2013048383A (ja) 撮像素子及び撮像装置
KR20140110276A (ko) 이미지 센서
CN204190846U (zh) 图像传感器及成像系统

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant