JP2017121073A - 画像センサにおける画素ビニング - Google Patents

画像センサにおける画素ビニング Download PDF

Info

Publication number
JP2017121073A
JP2017121073A JP2017046243A JP2017046243A JP2017121073A JP 2017121073 A JP2017121073 A JP 2017121073A JP 2017046243 A JP2017046243 A JP 2017046243A JP 2017046243 A JP2017046243 A JP 2017046243A JP 2017121073 A JP2017121073 A JP 2017121073A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
charge
pixels
diagonal
signals
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017046243A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017121073A5 (ja
JP6651478B2 (ja
Inventor
エイ アグラノフ ジェナディー
A Agranov Gennadiy
エイ アグラノフ ジェナディー
モルガード クラウス
Molgaard Claus
モルガード クラウス
バフクハンディ アシンワッド
Bahukhandi Ashirwad
バフクハンディ アシンワッド
リー チャンジェン
Chiajen Lee
リー チャンジェン
リー シャンリ
Xiangli Li
リー シャンリ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Apple Inc
Original Assignee
Apple Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Apple Inc filed Critical Apple Inc
Publication of JP2017121073A publication Critical patent/JP2017121073A/ja
Publication of JP2017121073A5 publication Critical patent/JP2017121073A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6651478B2 publication Critical patent/JP6651478B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/44Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array
    • H04N25/447Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by partially reading an SSIS array by preserving the colour pattern with or without loss of information
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/46Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by combining or binning pixels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/767Horizontal readout lines, multiplexers or registers
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/778Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising amplifiers shared between a plurality of pixels, i.e. at least one part of the amplifier must be on the sensor array itself
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N3/00Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages
    • H04N3/10Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
    • H04N3/14Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
    • H04N3/15Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices for picture signal generation
    • H04N3/155Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor
    • H04N3/1562Control of the image-sensor operation, e.g. image processing within the image-sensor for selective scanning, e.g. windowing, zooming

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Color Television Image Signal Generators (AREA)

Abstract

【課題】ビニング画像の画質と空間分解能を高めることができる撮像システム及びビニング技術を提供する。【解決手段】画素アレイ内の対角的に位置するいくつかの画素からの電荷を加算することによって画素ビニングを行う。画素アレイ内の対角的に位置する画素からの画素信号出力を出力線上で合成することができる。加算された電荷を表す信号は、ビニングされた2×1クラスタを生成する。合成された画素信号を表す信号は、ビニングされた2×1クラスタを生成する。これらの加算された電荷を表す信号と、合成された画素信号を表す信号とをデジタル的に合成して、ビニングされた2×2画素を生成することができる。画素アレイ内の他の画素に対しては、それぞれの共通検知領域上で電荷を加算した後に、加算された電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で合成することによって直交ビニングを行うことができる。【選択図】図5

Description

本発明は、一般に電子装置に関し、具体的には、電子装置のための画像センサに関する。
カメラ及びその他の撮像装置は、多くの場合、電荷結合素子(CCD)画像センサ又は相補型金属酸化膜半導体(CMOS)画像センサなどの1又はそれ以上の画像センサを用いて画像を取り込む。状況によっては、複数の画素によって生成された電荷又は信号が、単一の信号にビニング又は合成される。例えば、カメラの出力画像の解像度がカメラ内の画像センサの解像度よりも低い場合、或いは画像を低照度で取り込む際の感度を高めるために、画素ビニングを使用することができる。画素ビニングは、画素アレイ内で、又は画素アレイから信号を読み出した後に行うことができる。画素アレイから画素を読み出した後に画素を加算しても、相変わらず全ての画素を読み出す必要があるので読み出し時間が増えることはない。また、読み出し回路によって生じるノイズが画素信号に加算される。このさらなるノイズが信号対ノイズ比を低下させ、これによって画質が悪化する恐れがある。
画素アレイ内で画素を加算すると、画素アレイから読み出される画素が少なくなるので読み出し時間を短縮することができる。一般に、画素アレイ内での画素の加算は直交方向に行われる。図1に、Bayer(ベイヤー)のカラーフィルタ配列を用いた画像センサ内の画素の直交加算を示す。これらの画素は、一般的に文字A、B、C及びDで識別される。直交ビニングでは、各色平面内の隣接画素を共にビニングして、2×1又は2×2画素の直交クラスタを形成する。図1には、2×2画素の4つのクラスタを示している。クラスタ100内では、4つの画素Aが共に加算され、クラスタ102内では、4つの画素Bが共に加算され、クラスタ104内では、4つの画素Cが共に加算され、クラスタ106内では、4つの画素Dが共に加算されている。しかしながら、クラスタ同士を直交的に加算すると、これらのクラスタは互いに整列しない。この不整列が画像内に空間的カラーアーチファクトを生み出し、これによって画質が低下する恐れがある。
本明細書で説明する実施形態は、ビニング画像の画質と空間分解能を高めることができる撮像システム及びビニング技術を提供するものであり、低電力動作モード、高感度、及び撮像システムのフレームレートの増大を可能にすることもできる。1つの態様では、画像センサが、画素アレイ内に複数の画素を含むことができる。画像センサ内の電荷をビニングする方法が、第1の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素内の電荷を加算し、この加算された電荷を画素アレイから読み出すことによって第1の対角加算信号を生成するステップと、第1の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素からの信号を平均化することによって第2の対角加算信号を生成するステップとを含むことができる。第1及び第2の対角加算信号は、デジタル信号に変換してデジタル的に合成することができる。2又はそれ以上の画素内の電荷は、単一の色平面に関連することも、又は異なる色平面に関連することもできる。同様に、平均化された信号も、単一の色平面に関連することも、又は異なる色平面に関連することもできる。例えば、これらの異なる色平面は、Bayerのカラーフィルタ配列における第1の緑色平面及び第2の緑色平面とすることができる。
別の態様では、第1の直交方向に沿って位置する画素内の電荷を加算して、この加算された電荷を表す信号を生成し、この加算された電荷を表す2又はそれ以上の信号を平均化し、これらの平均化された信号を画素アレイから読み出すことによって直交ビニングを行うことができる。
別の態様では、画像取込装置が、異なる検知領域に各々が動作可能に接続された画素グループに分割された画素と、各検知領域及び異なる出力線に動作可能に接続された読み出し回路とを含むことができる。第1のスイッチは、第1の出力線の組及び第2の出力線の組に動作可能に接続することができる。処理装置は、画素に動作可能に接続することができる。処理装置は、グループ内の2又はそれ以上の画素が、それぞれの検知領域上で電荷を加算することを選択的に可能にし、それぞれの読み出し回路が、加算された電荷を検知領域から読み出すことを可能にするように適合することができる。処理装置は、2つのグループ内の2又はそれ以上の画素が、それぞれの検知領域に電荷を転送することを選択的に可能にし、それぞれの読み出し回路が、それぞれの検知領域から電荷を読み出して電圧信号を生成することを可能にし、スイッチが、第1の出力線の組における出力線と、第2の出力線の組における出力線とを共に接続して電圧信号を合成することを選択的に可能にするように適合することができる。
別の態様では、画像センサが、画素アレイ内に複数の画素を含むことができる。画像センサ内の電荷をビニングする方法が、対角的に隣接する第1の画素対における電荷を加算し、この加算された電荷を画素アレイから読み出すことによって第1の対角加算信号を生成するステップと、対角的に隣接する第2の画素対から出力された電圧信号を合成し、この合成された電圧信号を画素アレイから読み出すことによって第2の対角加算信号を生成するステップとを含むことができ、対角的に隣接する第1及び第2の画素対は、画素アレイ内で第1の対角方向に沿って対角的に隣接する。対角的に隣接する第1の画素対における電荷、及び対角的に隣接する第2の画素対における電圧信号は、単一の色平面に関連することも、又は異なる色平面に関連することもできる。第1及び第2の対角加算信号は、第1及び第2のデジタル対角加算信号に変換してデジタル的に合成することができる。第1の直交方向の第1の画素対における電荷を加算して第1の電圧信号を生成し、第2の直交方向の第2の画素対における電荷を加算して第2の電圧信号を生成することによって直交ビニングを行うこともできる。第1及び第2の電圧信号は、2つの出力線を共に電気的に接続することによって形成された出力線上で合成することができる。
本発明の実施形態は、以下の図面を参照することによってさらに良く理解される。図面の要素は、必ずしも互いに対して縮尺通りではない。図に共通する同じ特徴部については、可能であれば同じ符号を用いて示している。
画素センサ内の画素の直交加算を示す図である。 1又はそれ以上のカメラを含む電子装置の前方斜視図である。 図2Aの電子装置の後方斜視図である。 図2の電子装置の簡略ブロック図である。 図2Aの線4−4に沿って切り取った、図2Aの電子装置の断面図である。 画像センサ402としての使用に適した画像センサの一例の簡略ブロック図である。 画像センサ内での使用に適した画素の単純化した概略図である。 画像センサとの使用に適したカラーフィルタ配列の一例を示す図である。 Bayerのカラーフィルタ配列パターンを示す図である。 共有画素アーキテクチャの一例を示す図である。 画素ビニングの方法例のフローチャートである。 図10の方法を行うのに適した画像センサの単純化した概略図である。 図11に示す画像センサの一部の拡大図である。 Bayerのカラーフィルタパターン、及び2×2画素ビニングの一例を示す図である。 Bayerのカラーフィルタパターン、及び2×2画素ビニングの別の例を示す図である。 Bayerのカラーフィルタパターン、及び2×1画素ビニングの一例を示す図である。
本明細書で説明する実施形態では、様々なビニング操作について説明する。画素アレイ内の対角的に位置するいくつかの画素からの電荷を加算することによって画素ビニングを行うことができる。画素アレイ内の対角的に位置する画素からの画素電圧信号出力を出力線上で合成することができる。加算された電荷を表す信号は、ビニングされた2×1クラスタを生成する。合成された画素信号を表す信号は、ビニングされた2×1クラスタを生成する。加算された電荷を表す信号と、合成された電圧信号を表す信号とをデジタル的に合成して、ビニングされた2×2画素を生成することができる。画素アレイ内の他の画素に対しては、それぞれの共通検知領域で電荷を加算した後に、この加算された電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で合成することによって直交ビニングを行うことができる。
ここで図2A〜図2Bを参照すると、ある実施形態における、1又はそれ以上のカメラを含む電子装置の前方及び後方斜視図を示している。電子装置200は、第1のカメラ202、第2のカメラ204、エンクロージャ206、ディスプレイ210、入力/出力(I/O)装置208、及び1又は複数のカメラのための任意のフラッシュ212又は光源を含む。電子装置200は、例えば1又はそれ以上のプロセッサ、メモリ要素及びネットワークインターフェイスなどの、コンピュータ装置又は電子装置に特有の1又はそれ以上の内部構成要素(図示せず)を含むこともできる。
図示の実施形態では、電子装置200がスマートフォンとして実装される。しかしながら、他の実施形態は、この構成に限定されない。以下に限定されるわけではないが、ネットブック又はラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータ装置、デジタルカメラ、ウェアラブル電子装置又は通信装置、スキャナ、ビデオレコーダ及びコピー機を含む他のタイプのコンピュータ装置又は電子装置も、1又はそれ以上のカメラを含むことができる。
図2A〜図2Bに示すように、エンクロージャ206は、外面又は部分的外面、及び電子装置200の内部構成要素のための保護ケースを形成し、ディスプレイ210を少なくとも部分的に取り囲むことができる。エンクロージャ206は、前面部品及び背面部品などの、共に動作可能に結合された1又はそれ以上の構成部品によって形成することができる。或いは、エンクロージャ206は、ディスプレイ210に動作可能に結合された単一の部品で形成することもできる。
I/O装置208は、あらゆるタイプの入力又は出力装置を用いて実装することができる。ほんの一例として、I/O装置208は、スイッチ、ボタン、容量センサ又はその他の入力機構とすることができる。I/O装置208は、ユーザが電子装置200と相互作用することを可能にする。例えば、I/O装置208は、音量変更、ホーム画面への復帰などを行うためのボタン又はスイッチとすることができる。電子装置は、1又はそれ以上の入力装置及び/又は出力装置を含むことができ、各装置は、単一のI/O機能又は複数のI/O機能を有することができる。例としては、マイク、スピーカ、タッチセンサ、ネットワーク又は通信ポート、及び無線通信装置が挙げられる。いくつかの実施形態では、I/O装置208及び/又はディスプレイ210に1又はそれ以上のタッチセンサを含めることができる。
ディスプレイ210は、電子装置200に動作可能又は通信可能に接続することができる。ディスプレイ210は、レティナディスプレイ、カラー液晶ディスプレイ(LCD)、又は有機発光ダイオードディスプレイ(OLED)などのあらゆるタイプの好適なディスプレイを用いて実装することができる。ディスプレイ210は、電子装置200の視覚的出力を提供し、又は電子装置へのユーザ入力を受け取るように機能することができる。例えば、ディスプレイ210は、1又はそれ以上のユーザタッチ及び/又は力入力を検出できるマルチタッチ容量センサ式タッチ画面とすることができる。
電子装置200は、いくつかの内部構成要素を含むこともできる。図3に、電子装置200の簡略ブロック図の一例を示す。この電子装置は、1又はそれ以上のプロセッサ300、記憶又はメモリ要素302、入力/出力インターフェイス304、電源306、及びセンサ308を含むことができ、以下、これらの各々について順に説明する。
1又はそれ以上のプロセッサ300は、電子装置200の動作の一部又は全部を制御することができる。(単複の)プロセッサ300は、電子装置200の構成要素の実質的に全てと直接的又は間接的に通信することができる。例えば、1又はそれ以上のシステムバス310又はその他の通信機構が、(単複の)プロセッサ300、カメラ202、204、ディスプレイ210、1又はそれ以上のI/O装置208、及び/又は1又はそれ以上のセンサ308間の通信を提供することができる。(単複の)プロセッサ300は、データ又は命令の処理、受信又は送信を行うことができるいずれかの電子装置として実装することができる。例えば、1又はそれ以上のプロセッサ300は、マイクロプロセッサ、中央処理装置(CPU)、特定用途向け集積回路(ASIC)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)、又は複数のこのような装置の組み合わせとすることができる。本明細書の説明における「プロセッサ」という用語は、単一のプロセッサ又は処理装置、複数のプロセッサ、複数の処理装置、又は好適に構成されたその他の計算要素を含むことを意味する。
メモリ302は、電子装置200が使用できる電子データを記憶することができる。例えば、メモリ302は、音声ファイル、文書ファイル、タイミング信号及び画像データなどの電子データ又はコンテンツを記憶することができる。メモリ302は、あらゆるタイプのメモリとして構成することができる。ほんの一例として、メモリ302は、ランダムアクセスメモリ、リードオンリメモリ、フラッシュメモリ、リムーバブルメモリ又はその他のタイプの記憶素子としてあらゆる組み合わせで実装することができる。
入力/出力インターフェイス304は、ユーザ、或いは1又はそれ以上の他の電子装置からデータを受け取ることができる。また、入力/出力インターフェイス304は、ユーザ又は他の電子装置へのデータ送信を容易にすることもできる。例えば、電子装置200がスマートフォンである実施形態では、入力/出力インターフェイス304が、無線又は有線接続を介してネットワークからデータを受け取り、又は電子信号を送信及び伝送することができる。無線及び有線接続の例としては、以下に限定されるわけではないが、セルラー、WiFi、Bluetooth(登録商標)及びイーサネット(登録商標)が挙げられる。1又はそれ以上の実施形態では、入力/出力インターフェイス304が、複数のネットワーク又は通信機構をサポートする。例えば、入力/出力インターフェイス304は、Bluetooth(登録商標)ネットワークを介して別の装置と対になってこの別の装置に信号を転送すると同時に、WiFi又はその他の有線又は無線接続から信号を受け取ることができる。
1又はそれ以上の電源306は、電子装置200に電力を供給できるいずれかの装置を用いて実装することができる。例えば、電源306は、バッテリーとすることができる。これに加えて、又はこれとは別に、この電源は、電子装置が電源コードを用いて接続する壁コンセントとすることができる。これに加えて、又はこれとは別に、この電源は、電子装置200がユニバーサルシリアルバス(USB)ケーブルなどの接続ケーブルを用いて接続する別の電子装置とすることができる。
1又はそれ以上のセンサ308は、あらゆるタイプのセンサを用いて実装することができる。センサ例としては、以下に限定されるわけではないが、オーディオセンサ(例えば、マイク)、光センサ(例えば、周辺光センサ)、ジャイロスコープ、加速度計及び生体センサが挙げられる。1又はそれ以上のセンサ308は、電子装置の機能を強化又は変更するために使用できるデータをプロセッサ300に提供するために使用することができる。
図2A及び図2Bを参照しながら説明したように、電子装置200は、1又はそれ以上のカメラ202、204、及び1又は複数のカメラのための任意のフラッシュ212又は光源を含む。図4は、図2Aの線4−4に沿って切り取ったカメラ202の簡略断面図である。図4には第1のカメラ202を示しているが、当業者であれば、第2のカメラ204も第1のカメラ202と実質的に同様のものであると認識するであろう。いくつかの実施形態では、一方のカメラがグローバルシャッター構成の画像センサを含み、一方のカメラがローリングシャッター構成の画像センサを含むことができる。他の例では、一方のカメラが、他方のカメラ内の画像センサよりも高解像度の画像センサを含むことができ、或いはこれらの画像センサを2つの異なるタイプの画像センサ(例えば、CMOSとCCD)として構成することができる。
カメラ202は、画像センサ402と光学的に通信する撮像段400を含む。撮像段400は、エンクロージャ206と動作可能に接続され、画像センサ402の前方に位置する。撮像段400は、レンズ、フィルタ、絞り及びシャッターなどの従来の要素を含むことができる。撮像段400は、撮像段400の視野内の光404を画像センサ402上に導き、合焦させ、又は透過させる。画像センサ402は、この入射光を電気信号に変換することによって対象シーンの1又はそれ以上の画像を取り込む。
画像センサ402は、支持構造406によって支持される。支持構造406は、以下に限定されるわけではないが、シリコン、シリコン・オン・インシュレータ(SOI)技術、シリコン・オン・サファイア(SOS)技術、ドープ及び非ドープ半導体、半導体基板上に形成されたエピタキシャル層、半導体基板内に形成された井戸領域又は埋め込み層及びその他の半導体構造を含む半導体ベースの材料とすることができる。
撮像段400又は画像センサ402の様々な要素は、図3のプロセッサ300などのプロセッサ又はメモリから供給されるタイミング信号又はその他の信号によって制御することができる。撮像段400内の要素の一部又は全部は、単一の構成要素に統合することができる。また、撮像段400内の要素の一部又は全部は、画像センサ402、及び場合によっては電子装置200の1又はそれ以上の追加要素と一体化してカメラモジュールを形成することができる。例えば、いくつかの実施形態では、プロセッサ又はメモリを画像センサ402と一体化することができる。
次に図5を参照すると、図4に示す画像センサ402としての使用に適した画像センサの一例の平面図を示している。図示の画像センサは、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)画像センサである。画像センサ500は、画像プロセッサ502及び撮像領域504を含むことができる。撮像領域504は、画素506を含む画素アレイとして実装することができる。図示の実施形態では、画素アレイが行列配置で構成されている。しかしながら、他の実施形態は、この構成に限定されない。画素アレイ内の画素は、例えば六角形構成などのあらゆる好適な構成で配置することができる。
撮像領域504は、1又はそれ以上の列選択線又は出力線510を介して列選択部508と通信することができる。撮像領域504は、1又はそれ以上の行選択線514を介して行選択部512と通信することもできる。行選択部512は、特定の行内の全ての画素506などの特定の画素506又は画素グループを選択的にアクティブにする。列選択部508は、選択画素506又は画素グループ(例えば、選択された行内の全ての画素)から出力されたデータを選択的に受け取る。
行選択部512及び列選択部508は、画像プロセッサ502と通信することができる。画像プロセッサ502は、行選択部512及び列選択部508に電荷を転送するための信号を供給し、画素506内の光検出器(図示せず)から電荷量を表す信号を読み出すことができる。画像プロセッサ502は、画素506からのデータを処理し、このデータをプロセッサ300及び/又は電子装置200のその他の構成要素に提供することができる。なお、実施形態によっては、画像プロセッサ502をプロセッサ300に組み込むことも、又はプロセッサ300から分離することもできる。
次に図6を参照すると、図5に示す画素506としての使用に適した画素の単純化した概略図を示している。画素600は、光検出器(PD)602、転送トランジスタ(TX)604、検知領域606、リセット(RST)トランジスタ608、読み出し(SF)トランジスタ610、及び行選択(RS)トランジスタ612を含む。検知領域606は、光検出器602から受け取った電荷を一時的に蓄積することができるので、図示の実施形態ではコンデンサとして示している。後述するように、光検出器602から電荷が転送された後、この電荷は、リセットトランジスタ608のゲートがパルス送出して検知領域の電圧がリセットされるまで検知領域606に記憶することができる。検知領域606内の電荷は、行選択トランジスタ612のゲートがパルス送出した時に読み出される。
転送トランジスタ604の一方の端子は光検出器602に接続され、他方の端子は検知領域606に接続される。リセットトランジスタ608の一方の端子及び読み出しトランジスタ610の一方の端子は、電源電圧(Vdd)614に接続される。リセットトランジスタ608の他方の端子は検知領域606に接続され、読み出しトランジスタ610の他方の端子は行選択トランジスタ612の端子に接続される。行選択トランジスタ612の他方の端子は出力線510に接続される。
ほんの一例として、1つの実施形態では、光検出器602がフォトダイオード(PD)又はpinフォトダイオードとして実装され、検知領域606がフローティングディフュージョン(FD)として実装され、読み出しトランジスタ610がソースフォロワトランジスタ(SF)として実装される。光検出器602は、電子ベースのフォトダイオード又はホールベースのフォトダイオードとすることができる。なお、本明細書で使用する光検出器という用語は、フォトダイオード、pinフォトダイオード、フォトゲート又はその他の光子感受性領域などの、実質的にあらゆるタイプの光子又は光検出素子を含むことを意味する。また、本明細書で使用する検知領域という用語は、実質的にあらゆるタイプの電荷記憶領域又は電荷変換領域を含むこと意味する。
当業者であれば、他の実施形態ではさらなる又は異なる構成要素を用いて画素600を実装することができると認識するであろう。例えば、行選択トランジスタを省略することができ、パルス電源モードを用いて画素を選択し、複数の光検出器及び転送トランジスタによって検知領域を共有することができ、或いは複数の光検出器、転送ゲート及び検知領域によってリセットトランジスタ及び読み出しトランジスタを共有することができる。
画像を取り込む際には、画素の統合期間が開始され、光検出器602が、入射光に応答して光生成電荷を蓄積する。統合期間が終了すると、転送トランジスタ604のゲートが選択的にパルス送出することによって光検出器602内の蓄積電荷が検知領域606に転送される。通常は、光検出器602から検知領域606に電荷が転送される前に、リセットトランジスタ608を用いて検知領域606(ノード616)の電圧を所定のレベルにリセットする。画素の電荷を読み出す際には、行選択部512及び行選択ライン514を通じて行選択トランジスタのゲートをパルス送出させて、読み出す対象の画素(又は画素の行)を選択する。読み出しトランジスタ610は、検知領域606の電圧を検知し、行選択トランジスタ512は、この電圧を出力線510に送る。
いくつかの実施形態では、カメラなどの画像取込装置が、レンズを覆うシャッターを含まないこともあり、従って画像センサを常に光に曝すことができる。これらの実施形態では、所望の画像を取り込む前に、光検出器のリセット又は空乏化を行うことが必要になる場合がある。光検出器からの電荷が枯渇すると、転送ゲート及びリセットゲートがオフになって光検出器が隔絶される。これにより、光検出器は、統合を開始して光生成電荷を収集することができる。
一般に、光検出器は、色の識別又は分離を困難にする、波長特異性をほとんど又は全く有していない光を検出する。色分離が望ましい時には、画素アレイにわたってカラーフィルタ配列を配置して、画素アレイ内の光検出器によって検知された光の波長をフィルタ処理することができる。カラーフィルタ配列は、通常は各々がそれぞれの画素にわたって配置されるフィルタ素子の寄せ集めである。フィルタ素子は、光検出器によって検出された光の波長を制限することにより、取り込んだ画像内の色情報の分離及び識別を可能にする。図7に、ある実施形態における、画像センサとの使用に適したカラーフィルタ配列の一例を示す。このカラーフィルタ配列(CFA)700は、フィルタ素子702、704、706、708を含む。限られた数のフィルタ素子しか示していないが、当業者であれば、CFAは数千個又は数百万個のフィルタ素子を含むことができると認識するであろう。
1つの実施形態では、各フィルタ素子が光の波長を制限する。別の実施形態では、一部のフィルタ素子が光の波長をフィルタ処理し、他のフィルタ素子が全整色性である。全整色性フィルタ素子は、CFA内の他のフィルタ素子の分光感度よりも広い分光感度を有することができる。例えば、全整色性フィルタ素子は、可視スペクトル全体にわたって高感度を有することができる。全整色性フィルタ素子は、例えば中性密度フィルタ又はカラーフィルタとして実装することができる。全整色性フィルタ素子は、低シーン照明、短い露光時間、小口径、又は画像センサに光が伝わることが制限されたその他の状況の結果とすることができる低照度条件に適することができる。
カラーフィルタ配列は、複数の異なる組み合わせで構成することができる。カラーフィルタ配列600は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)のカラーフィルタ配列、又はシアン(C)、マゼンタ(M)及び黄色(Y)のカラーフィルタ配列として実装することができる。Bayerのパターンは、周知のカラーフィルタ配列パターンである。Bayerのカラーフィルタ配列は、赤色(R)、緑色(G)及び青色(B)の波長範囲の光をフィルタ処理する(図8を参照)。Bayerのカラーフィルタパターンは、2つの緑色カラーフィルタ素子(Gr及びGb)、1つの赤色カラーフィルタ素子(R)及び1つの青色カラーフィルタ素子(B)を含む。この4つのフィルタ素子のグループを、画素アレイ内の画素にわたってタイル化又は反復してカラーフィルタ配列を形成する。
蓄積電荷又は信号は、画素アレイ及び関連する読み出し回路の構成に応じて、各画素から個別に、2又はそれ以上の画素のグループから、又は全ての画素から同時に読み出すことができる。いくつかの実施形態では、各個々の画素が読み出し回路に接続され、他の実施形態では、2又はそれ以上の画素が読み出し回路に動作可能に接続されて読み出し回路を共有する。図9に、共有された画素アーキテクチャの一例を示す。図示の実施形態では、N個の画素が、共有された共通ノード900に接続されている。いくつかの実施形態では、共通ノード900が検知領域である。数字Nは、2よりも大きないずれかの数とすることができる。例えば、2個、3個、4個又は6個の画素を共通ノード900に接続することができる。
各画素902は、光検出器904と、この光検出器904と共通ノード900の間に接続された転送トランジスタ906とを含む。共通ノード900には、読み出し回路908を接続することができる。読み出し回路908が共通ノード900に接続されるので、画素は読み出し回路908を共有する。ほんの一例として、読み出し回路908は、図6に示すように構成することができる検知領域、リセットトランジスタ及び読み出しトランジスタを含むことができる。共通ノード900には、これらの検知領域、リセットトランジスタ及び読み出しトランジスタを接続することができる。読み出しトランジスタには、行選択トランジスタを接続することができる。
1つの実施形態では、各転送トランジスタ906のゲートを選択的にパルス送出させて、1つの光検出器904からの電荷が共通ノード900に転送されるようにすることができる。各転送トランジスタ906を選択的にパルス送出させることができるので、共通ノード900には、単一の画素又は複数の画素からの電荷を個別に又は同時に転送することができる。従って、読み出し回路908が共通ノード900から電荷を読み出す前に、共通ノードに個別に又は同時に電荷を転送することにより、あらゆる数の画素(例えば、2つ又は4つの画素)内の蓄積電荷を共にビニング又は加算することができる。その後、読み出し回路908内の一部の又は全部の要素を用いて、加算された電荷を読み出すことができる。
いくつかの実施形態では、画素及び/又は共有構成を異なる形で構成することができる。一例として、グローバルシャッター(GS)画素の場合には、各画素に記憶領域及び第2の転送ゲートを含めることができる。全ての画素において同時に電荷が収集され、記憶領域に一括して転送され、記憶ノードに記憶された後で読み出される。読み出し中には、この電荷が、上述したものと同様に動作する共有検知領域及び画素に転送される。
電荷の加算は、同じ色平面内で行うことも、又は複数の色平面内で行うこともできる。図10は、画素ビニングの方法例のフローチャートである。最初に、ブロック1000に示すように、複数の画素内の電荷を対角方向に沿って加算し、これらを読み出して第1のデジタル対角加算信号を生成することができる。電荷は、検知領域から電荷が読み出される前に、光検出器から共有検知領域に電荷を転送することによって共に加算することができる。1つの実施形態では、これらの画素が、画素アレイ内で互いに隣接する(例えば、隣接する行又は列)。別の実施形態では、これらの画素が互いに隣接しない。画素は、行又は列などの線の形で配置することも、互いに隣接することも、互いの近くに位置することも、及び/又は画素アレイ内に存在することもできる。
次に、この第1の対角加算信号を、図3のメモリ302などのメモリに記憶することができる(ブロック1002)。次に、図10のブロック1004に示すように、対角方向に沿った画素からの画素信号を合成し、これを読み出して第2のデジタル対角加算信号を生成することができる。1つの実施形態では、これらの画素信号が、出力線を共に電気的に接続し、この接続された出力線上に画素から電荷を読み出すことによって合成された電圧信号である。このようにして、画素内の電荷量を表す電圧信号が合成される。これらの信号がほとんど同じものである場合、接続された出力線上にこれらの信号を読み出すことによって信号を共に平均化する。
いくつかの実施形態では、これらの画素信号が、ブロック1000のものと同じ第1の対角方向に沿って位置する画素からのものである。1つの実施形態では、この場合も、画素が画素アレイ内で互いに隣接する(例えば、隣接する行又は列)。他の実施形態では、画素が互いに隣接しない。
次に、ブロック1006に示すように、第1及び第2のデジタル対角加算信号を合成する。画素アレイ内の他の画素には、それぞれの共通検知領域における電荷を加算した後に、それぞれの出力線における加算電荷を表す電圧信号を合成することによって直交ビニングを行うことができる(ブロック1008)。電荷は、検知領域から電荷が読み出される前に光検出器から共通検知領域に電荷を転送することによって加算することができる。
次に図11を参照すると、図10の方法を実行するのに適した画像センサの単純化した概略図を示している。このセンサアーキテクチャは、2×4の共有構成を含む。画素アレイ1100内の画素は、8個の画素のグループ1102に分割される(すなわち、各グループ内に2列及び4行の画素)。他の実施形態は、各グループ内に異なる数の画素を有することができる。図11では、理解しやすくするために、各画素グループ1102及び関連する読み出し回路を異なるグループとして示している。必須ではないが、通常、画素アレイ内の画素は、画素アレイ全体にわたって実質的に隣接する。単純にするために、1つの画素グループのみの構成及び接続について説明する。当業者あれば、他の画素グループも、説明するグループと同様に構築され構成されると認識するであろう。
グループ1104内の画素は、共通検知領域1106を共有する。共通検知領域1106は、読み出し回路1108に動作可能に接続される。読み出し回路は、出力線1110に動作可能に接続される。複数の出力線が共にグループ化され、列選択部1112、1114に接続される。具体的には、1つの出力線グループは、第1の垂直スイッチ1116及び第2の垂直スイッチ1118に動作可能に接続される。第1の垂直スイッチ1116は、第1のアナログデジタルコンバータ1120に動作可能に接続される。第2の垂直スイッチ1118は、第2のアナログデジタルコンバータ1122に動作可能に接続される。
第1の水平スイッチ1124は、1つの出力線グループ内の選択された出力線を、別の出力線グループ内の選択された出力線に接続するように構成される。例えば、第1の水平スイッチ1124は、第1の垂直スイッチ1116に動作可能に接続された出力線(例えば、出力線1110)を、第3の垂直スイッチ1126に接続された出力線に接続する。同様に、第2の水平スイッチ1128は、第4の垂直スイッチ1130に動作可能に接続された出力線を、第5の垂直スイッチ1132に接続された出力線に接続する。これに加えて、又はこれとは別に、これらの水平スイッチは、同じ出力線グループ内の出力線を共に接続することもできる。
いくつかの実施形態では、読み出し回路が、図6に示すように構成することができるリセットトランジスタ及び読み出しトランジスタを含む。これらのリセットトランジスタ及び読み出しトランジスタは、共通検知領域1106に接続することができる。読み出しトランジスタには、行選択トランジスタを接続することができる。また、1又はそれ以上の実施形態では、垂直及び水平スイッチをマルチプレクサとして構成することができる。他の実施形態では、異なるタイプのスイッチ及び/又は読み出し回路を使用することができる。
図10の方法を、図12を用いて説明する。図12は、図11に示す画像センサの一部の拡大図である。ここでも、単純にするために、3つの2×2クラスタのみのビニング操作について説明する。当業者であれば、画素アレイ内の全ての画素に対して同じビニング操作を行うことができると認識するであろう。
図示の実施形態では、対角的にビニングされる画素が、BayerのCFA内の2つの緑色平面に関連する。上述したように、複数の画素内の電荷を(1又は複数の)対角方向に沿って加算し、これを画素アレイから読み出して第1の対角加算信号を生成することができる。図示の実施形態では、緑色画素1200及び1202内の電荷が、これらの電荷を共通検知領域1204に転送することによって加算される。加算された電荷は、2つの異なる色平面、すなわちGr色平面とGb色平面に関連する。電荷は、共通検知領域1204が読み出される前に、共通検知領域1204に同時に又は順番に転送することができる。
加算された電荷は、読み出し回路1206を用いて共通検知領域から読み出される。加算された緑色電荷の量を表す電圧信号が出力線1208上に出力される。第3の垂直スイッチ1126は、出力線1208を選択し、この出力線をアナログデジタルコンバータ1210に動作可能に接続する。出力線1208上の電圧信号がデジタル信号に変換されて、信号線1212上に第1のデジタル対角加算信号が生成される。
次に、画素1214内の電荷が共通検知領域1216に転送され、この検知領域1216から読み出し回路1218が電荷を読み出す。画素1214内の電荷量を表す電圧信号が、出力線1220によって受け取られる。同様に、画素1222内の電荷が共通検知領域1224に転送され、この検知領域1224から読み出し回路1226が電荷を読み出す。画素1222内の電荷量を表す電圧信号が、出力線1228上に出力される。
第1の水平スイッチ1124は、出力線1220と1228を共に接続して、出力線1220及び1228上の電圧信号を合成する。垂直スイッチ(例えば、第3の垂直スイッチ1126)は、接続された出力線(例えば、出力線1228)を選択して、接続された出力線1220、1228をアナログデジタルコンバータ(例えば、A/D1210)に接続することができ、信号線1212上に第2のデジタル対角加算信号が出力される。その後、第1及び第2のデジタル対角加算信号を合成して、ビニングされた2×2クラスタを生成することができる。
従って、第1の対角加算信号は、共通検知領域上の電荷を加算し、この加算された電荷を画素アレイ(例えば、図11の画素アレイ1100)から読み出すことによって生成される。第2の対角加算信号は、電圧信号を合成し、この合成された電圧信号を画素アレイから読み出すことによって生成される。図示の実施形態では、第1及び第2の対角加算信号が、2つの異なる色平面(例えば、Gr及びGb)に関連する光を表す。
画素は、直交的にビニングすることもできる。図示の実施形態では、青色及び赤色画素が直交的にビニングされる。例えば、青色画素1230及び1232内の電荷を共通検知領域1216に転送して、これらの2つの画素内の電荷を共に加算することができる。読み出し回路1218は、この加算された電荷を共通検知領域1216から読み出すことができ、出力線1220は、加算された青色電荷の量を表す電圧信号を受け取ることができる。この電圧信号は、第1の直交加算信号を表す。第1の垂直スイッチ1116は、出力線1220を選択することができ、A/Dコンバータ1120は、電圧信号をデジタル信号に変換して第1のデジタル直交加算信号を生成することができる。この第1のデジタル直交加算信号は、信号線1234上に出力される。
ほぼ同時に、青色画素1236及び1238内の電荷を共通検知領域1204に転送して、これらの2つの画素内の電荷を共に加算することができる。読み出し回路1206は、この加算された電荷を共通検知領域1204から読み出すことができ、出力線1208は、加算された青色電荷の量を表す電圧信号を受け取ることができる。この電圧信号は、第2の直交加算信号を表す。第3の垂直スイッチ1126は、出力線1208を選択することができ、A/Dコンバータ1210は、電圧信号をデジタル信号に変換して第2のデジタル直交加算信号を生成することができる。次に、第1及び第2のデジタル直交加算信号を合成して、ビニングされた2×2クラスタを生成することができる。
次に、赤色画素1240及び1242内の電荷を共通検知領域1216に転送して、これらの2つの画素内の電荷を共に加算することができる。読み出し回路1218は、この加算された電荷を共通検知領域1216から読み出すことができ、出力線1220は、加算された赤色電荷の量を表す電圧信号を受け取ることができる。この電圧信号は、第3の直交加算信号を表す。
ほぼ同時に、赤色画素1244及び1246内の電荷を共通検知領域1204に転送して、これらの2つの画素内の電荷を共に加算することができる。読み出し回路1206は、この加算された電荷を共通検知領域1204から読み出すことができ、出力線1208は、加算された赤色電荷の量を表す電圧信号を受け取ることができる。この電圧信号は、第4の直交加算信号を表す。次に、第1の水平スイッチ1124が、出力線1208及び1220を共に接続することができ、垂直スイッチ(例えば、第3の垂直スイッチ1126)が、この接続された出力線をA/Dコンバータ1210に接続することができる。A/Dコンバータ1210は、合成された第3及び第4の電圧信号をデジタル信号に変換してデジタル直交加算信号を生成することができる。このデジタル直交加算信号は、信号線1212上に出力される。
2×2の緑色画素クラスタの異なる半分は、異なる画素読み出しサイクルにおいてビニングされるので、ビニングされた2×1の緑色画素クラスタを表す信号は、2×2クラスタの残りの半分を表す信号が読み出されるまでメモリに記憶することができる。上述したように、2×2クラスタの残りの半分を表す信号が読み出されると、2×1の半分同士をデジタル的に合成して、2×2の緑色画素クラスタに対するビニング操作を完了することができる。その後、この2×2の緑色画素クラスタを表すデジタル信号の少なくとも一部を使用して画像を構成することができる。直交的に加算された赤色及び青色画素を表すデジタル信号の少なくとも一部を使用して画像を生成することもできる。
また、図11及び図12の実施形態では、各1行の画素内の転送トランジスタのための3つの転送信号線を画像センサに含めることができる。1つの転送信号線は、行内の赤色又は青色画素の転送トランジスタに動作可能に接続される。他の2つの転送信号線は、その行内の緑色画素内の転送トランジスタに交互に接続される。この2つの転送信号線のうちの一方は、1列おき(例えば、奇数列)の緑色画素内の転送トランジスタに動作可能に接続され、他方の転送信号線は、同じ行内の残りの転送トランジスタ(例えば、偶数列内の緑色画素)に接続される。
他の実施形態は、画素ビニングを異なる形で行うことができる。例えば、緑色、青色及び/又は赤色画素の組み合わせを、図12に示すグループとは異なるグループ内に配置することができる。
一例では、図11に関連して以下で説明するようにビニング操作を行うことができる。第1の読み出しサイクルでは、(0,0)、(1,1)、(2,2)、(3,3)、(4,0)及び(5,1)の行列位置に存在する緑色画素をそれぞれの共通検知領域上で、(0,0)と(1,1)、(2,2)と(3,3)、及び(4,0)と(5,1)のように加算することができる。第2の読み出しサイクルでは、(1,3)、(2,4)、(1,7)、(2,8)、(5,3)及び(6,4)の行列位置に存在する緑色画素を出力線上で、(1,3)と(2,4)、(1,7)と(2,8)、及び(5,3)と(6,4)のように合成することができる(列6〜8は図11に示していない)。第3の読み出しサイクルでは、(0,8)、(1,9)、(2,10)、(3,11)、(4,8)及び(5,9)の行列位置に存在する緑色画素をそれぞれの共通検知領域上で、(0,8)と(1,9)、(2,10)と(3,11)、及び(4,8)と(5,9)のように加算することができる。第4の読み出しサイクルでは、(3,1)、(4,2)、(3,5)、(4,6)、(7,1)及び(8,2)の行列位置に存在する緑色画素を出力線上で、(3,1)と(4,2)、(3,5)と(4,6)、及び(7,1)と(8,2)のように合成することができる(列7〜11は図11に示していない)。
直交ビニングでは、1つの読み出しサイクルにおいて、青色及び赤色画素をそれぞれの共通検知領域上で加算することができ、その後、この加算された電荷を表す電圧信号がそれぞれの出力線上で合成される。例えば、(1,0)、(3,0)、(1,2)、(3,2)、(1,4)、(3,4)、(1,6)、(3,6)、(9,0)、(11,0)、(2,9)、(2,11)、(4,9)、(4,11)、(6,9)及び(6,11)の行列位置に存在する青色画素内の電荷をそれぞれの検知領域上で、(1,0)と(3,0)、(1,2)と(3,2)、(1,4)と(3,4)、(1,6)と(3,6)、(9,0)と(11,0)、(9,2)と(11,2)、(9,4)と(11,4)、及び(9,6)と(11,6)のように加算することができる(列6は図11に示していない)。加算された電荷を検知領域から読み出し、この加算された電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で以下のように合成することができる(括弧[ ]内は電圧信号):[(1,0)+(3,0)]を[(1,2)+(3,2)]と合成、[(1,4)+(3,4)]を[(1,6)+(3,6)]と合成、[(9,0)+(11,0)]を[(9,2)+(11,2)]と合成、及び[(9,4)+(11,4)]を[(9,6)+(11,6)]と合成。
同様に、同じ読み出しサイクル中に、(4,1)、(6,1)、(4,3)、(6,3)、(4,5)、(6,5)、(4,7)、(6,7)、(12,1)、(14,1)、(12,3)、(14,3)、(12,5)、(14,5)、(12,7)及び(14,7)の行列位置に存在する赤色画素をそれぞれの共通検知領域上で、(4,1)と(6,1)、(4,3)と(6,3)、(4,5)と(6,5)、(4,7)と(6,7)、(12,1)と(14,1)、(12,3)と(14,3)、(12,5)と(14,5)、及び(12,7)と(14,7)のように加算することができる(列7は図11に示していない)。加算された電荷を検知領域から読み出し、この加算された電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で以下のように合成することができる(括弧[ ]内は電圧信号):[(4,1)+(6,1)]を[(4,3)+(6,3)]と合成、[(4,5)+(6,5)]を[(4,7)+(6,7)]と合成、[(12,1)+(14,1)]を[(12,3)+(14,3)]と合成、及び[(12,5)+(14,5)]を[(12,7)+(14,7)]と合成(列7は図11に示していない)。
直交ビニングのための別の読み出しサイクルでは、(5,0)、(7,0)、(5,2)、(7,2)、(5,4)、(7,4)、(5,6)、(7,6)、(13,0)、(15,0)、(13,2)、(15,2)、(13,4)、(15,4)、(13,6)及び(15,6)の行列位置に存在する青色画素をそれぞれの共通検知領域上で、(5,0)と(7,0)、(5,2)と(7,2)、(5,4)と(7,4)、(5,6)と(7,6)、(13,0)と(15,0)、(13,2)と(15,2)、(13,4)と(15,4)、及び(13,6)と(15,6)のように加算することができる(列6は図11に示していない)。加算された電荷を検知領域から読み出し、この加算された電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で以下のように合成することができる(括弧[ ]内は電圧信号):[(5,0)+(7,0)]を[(5,2)+(7,2)]と合成、[(5,4)+(7,4)]を[(5,6)+(7,6)]と合成、[(13,0)+(15,0)]を[(13,2)+(15,2)]と合成、及び[(13,4)+(15,4)]を[(13,6)+(15,6)]と合成(列6は図11に示していない)。
同様に、同じ読み出しサイクル中に、(0,1)、(2,1)、(0,3)、(2,3)、(0,5)、(2,5)、(0,7)、(2,7)、(8,1)、(10,1)、(8,3)、(10,3)、(8,5)、(10,5)、(8,7)及び(10,7)の行列位置に存在する赤色画素をそれぞれの共通検知領域上で、(0,1)と(2,1)、(0,3)と(2,3)、(0,5)と(2,5)、(0,7)と(2,7)、(8,1)と(10,1)、(8,3)と(10,3)、(8,5)と(10,5)、及び(8,7)と(10,7)のように加算することができる(列7は図11に示していない)。加算された電荷を検知領域から読み出し、この加算された電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で以下のように合成することができる(括弧[ ]内は電圧信号):[(0,1)+(2,1)]を[(0,3)+(2,3)]と合成、[(0,5)+(2,5)]を[(0,7)+(2,7)]と合成、[(8,1)+(10,1)]を[(8,3)+(10,3)]と合成、及び[(8,5)+(10,5)]を[(8,7)+(10,7)]と合成(列7は図11に示していない)。
ここで図13を参照すると、Bayerのカラーフィルタパターン、及び2×2の画素ビニングの一例を示している。図示の実施形態では、ビニングされる画素が、画素アレイの隣接する行内に存在する(ただし、必須ではない)。4つの緑色画素1300を対角的にビニングして菱形ビニングパターンを形成する。4つの赤色画素のクラスタ1302と4つの青色画素のクラスタ1304を直交的にビニングして方形を形成する。図13のビニングパターンでは、青色画素クラスタ1304の中心が緑色菱形クラスタ1300と整列する。いくつかの実施形態では、追加処理を用いて、緑色菱形クラスタ1300の位相を、緑色菱形クラスタの中心が赤色画素クラスタの中心と整列するように変更することができる。他の実施形態では、緑色菱形クラスタが、いずれも赤色又は青色画素クラスタと整列しない。
図14に、Bayerのカラーフィルタパターン、及び2×2の画素ビニングの別の例を示す。図13の実施形態と同様に、ビニングされる画素は、画素アレイの隣接する行内に存在する。4つの緑色画素1400を対角的にビニングして菱形ビニングパターンを形成する。4つの赤色画素のクラスタ1402と4つの青色画素のクラスタ1404を直交的にビニングして方形を形成する。図14のビニングパターンでは、赤色画素クラスタ1402の中心が緑色菱形クラスタ1400と整列する。いくつかの実施形態では、追加処理を用いて、緑色菱形クラスタ1400の位相を、緑色菱形クラスタの中心が青色画素クラスタの中心と整列するように変更することができる。他の実施形態では、緑色菱形クラスタが、いずれも赤色又は青色画素クラスタと整列しない。
本明細書で説明するビニング操作は、2×1のビニングに使用することもできる。図15に、Bayerのカラーフィルタパターン、及び2×1の画素ビニングの一例を示す。2つの緑色画素1500(例えば、Gr及びGb)を対角的にビニングすることができ、この対角方向は、2クラスタ毎に交互にすることができる(1500、1500’、及び1502、1502’を参照)。例えば、図示の実施形態では、2つの緑色画素(例えば、Gr及びGb)内の電荷をそれぞれの共通検知領域上で加算し、この加算された電荷を画素アレイから読み出すことができる。次に、他の緑色画素から電荷を読み出して、この電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で合成(例えば、1500’内のGr及びGb画素などの対角的に隣接する画素からの電圧信号を合成)することができる。その後、この合成された電圧信号を画素アレイから読み出すことができる。緑色画素1500、1500’の4つの画素は、全て画素アレイ内で第1の対角方向に沿って対角的に隣接する。なお、この2×1のビニング操作では、図10のブロック1000、1002及び1004は実行されるが、ブロック1006は実行されない。
次に、異なる第2の対角方向に沿って対角的に隣接する2つの緑色画素(例えば、Gr及びGb1502)内の電荷をそれぞれの共通検知領域上で加算し、この加算された電荷を画素アレイから読み出すことができる。次に、第2の対角方向に沿って対角的に隣接している他の緑色画素から電荷を読み出して、この電荷を表す電圧信号をそれぞれの出力線上で合成(例えば、対角的に隣接する画素Gr及びGb1502’からの電圧信号を合成)することができる。その後、この合成された電圧信号を画素アレイから読み出すことができる。上述した4つの緑色画素とは異なり、これらの4つの緑色画素1502、1502’は、画素アレイ内で第2の対角方向に沿って対角的に隣接する。
2つの赤色画素のクラスタ1504及び2つの青色画素のクラスタ1506は、それぞれの検知領域上で赤色電荷を加算し、それぞれの検知領域上で青色電荷を加算することによって直交的にビニングすることができる。その後、この加算された電荷を画素アレイから読み出すことができる。2×1のビニング操作では、加算された青色電荷を表す電圧信号同士は出力線上で合成されず、加算された赤色電荷を表す電圧信号同士も出力線上で合成されない。
その後、これらの対角的に加算された緑色信号、直交的に加算された赤色信号及び直交的に加算された青色信号の少なくとも一部を用いて画像を構成することができる。他の実施形態では、2×1の対角的に加算された画素を表す信号の少なくとも一部を用いて画像を生成することができる。
様々な実施形態のいくつかの特徴を具体的に参照しながら詳細に説明したが、本開示の思想及び範囲内で変形及び修正を行うことができると理解されるであろう。例えば、本明細書で説明した実施形態は、異なる対角方向に沿って2×1及び2×2の組み合わせで電荷を加算する。他の実施形態は、異なる対角方向に沿って、例えば3×3の組み合わせなどの異なる組み合わせで電荷を加算することができる。これに加えて、又はこれとは別に、緑色以外の色を対角的に加算することもできる。
また、本明細書では特定の実施形態について説明したが、本出願はこれらの実施形態に限定されるものではない。具体的には、適合性があれば、1つの実施形態に関して説明したあらゆる特徴を別の実施形態で使用することもできる。同様に、適合性があれば、異なる実施形態の特徴を入れ替えることもできる。
1000 対角的に隣接する画素内の電荷を加算し、これを読み出して、第1のデジタル対角加算信号を生成
1002 第1のデジタル対角加算信号を記憶
1004 対角的に隣接する画素からの電圧信号を合成し、これを読み出して、第2のデジタル対角加算信号を生成
1006 第1及び第2のデジタル対角加算信号を共に加算
1008 電荷を加算して検知領域から読み出した後に、電圧信号を合成して画素配列から読み出すことにより、画素を直交方向にビニング

Claims (26)

  1. 複数の画素を含む画素アレイを有する画像センサ内の電荷をビニングする方法であって、
    第1の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素内の電荷を加算し、該加算された電荷を前記画素アレイから読み出すことによって第1の対角加算信号を生成するステップと、
    前記第1の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素からの信号を平均化することによって第2の対角加算信号を生成するステップと、
    を含むことを特徴とする方法。
  2. 前記2又はそれ以上の画素内の電荷は、1つの色平面内の電荷を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 前記2又はそれ以上の画素内の電荷は、異なる色平面内の電荷を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  4. 前記異なる色平面は、Bayerのカラーフィルタ配列に関連する緑色平面を含む、
    ことを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. 前記2又はそれ以上の画素のうちの少なくとも1つの画素内の電荷は、全整色性フィルタ素子に関連する画素から読み出された電荷を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 前記2又はそれ以上の画素からの少なくとも1つの信号は、全整色性フィルタ素子に関連する画素から読み出された電荷を表す信号を含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 前記第1及び第2の対角加算信号を第1及び第2のデジタル対角加算信号に変換するステップと、
    前記第1及び第2のデジタル対角加算信号を共に合成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. 第1の直交方向に沿って位置する画素内の電荷を加算して、該加算された電荷を表す信号を生成するステップと、
    前記加算された電荷を表す2又はそれ以上の信号を平均化するステップと、
    前記平均化された信号を前記画素アレイから読み出すステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  9. 前記第1の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素内の電荷を加算するステップは、第1の対角方向に沿って隣接して位置する2つの画素内の電荷を加算するステップを含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  10. 前記第1の対角方向に沿って隣接して位置する2つの画素内の電荷を加算するステップは、第1の対角方向に沿った隣接する行における2つの画素内の電荷を加算するステップを含む、
    ことを特徴とする請求項9に記載の方法。
  11. 前記合成された第1及び第2のデジタル対角加算信号を用いて画像を構成するステップをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項7に記載の方法。
  12. 異なる第2の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素内の電荷を加算し、該加算された電荷を前記画素アレイから読み出すことによって第3の対角加算信号を生成するステップと、
    前記第2の対角方向に沿って位置する2又はそれ以上の画素からの信号を平均化することによって第4の対角加算信号を生成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
  13. 前記第1、第2、第3及び第4の対角加算信号を用いて画像を構成するステップをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項12に記載の方法。
  14. 画素アレイ内に複数の画素を含む画像センサ内の電荷をビニングする方法であって、
    対角的に隣接する第1の画素対における電荷を加算し、該加算された電荷を前記画素アレイから読み出すことによって第1の対角加算信号を生成するステップと、
    対角的に隣接する第2の画素対から出力された電圧信号を合成し、該合成された電圧信号を前記画素アレイから読み出すことによって第2の対角加算信号を生成するステップと、
    を含み、前記対角的に隣接する第1及び第2の画素対は、前記画素アレイ内で第1の対角方向に沿って対角的に隣接する、
    ことを特徴とする方法。
  15. 前記対角的に隣接する第1の画素対における電荷は、単一の色平面に関連する電荷を含み、前記対角的に隣接する第2の画素対における電圧信号は、単一の色平面に関連する電圧信号を含む、
    ことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  16. 前記対角的に隣接する第1の画素対における電荷は、異なる色平面に関連する電荷を含み、前記対角的に隣接する第2の画素対における電圧信号は、異なる色平面に関連する電圧信号を含む、
    ことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  17. 前記異なる色平面は、Bayerのカラーフィルタ配列内の第1の緑色平面及び異なる第2の緑色平面を含む、
    ことを特徴とする請求項16に記載の方法。
  18. 前記対角的に隣接する第1の画素対の少なくとも一方における電荷は、全整色性フィルタ素子に関連する画素から読み出された電荷を含む、
    ことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  19. 前記対角的に隣接する第2の画素対からの少なくとも一方の電圧信号は、全整色性フィルタ素子に関連する画素から読み出された電荷を表す電圧信号を含む、
    ことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  20. 前記第1及び第2の対角加算信号を第1及び第2のデジタル対角加算信号に変換するステップと、
    前記第1及び第2のデジタル対角加算信号を合成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  21. 第1の直交方向の第1の画素対における電荷を加算して第1の電圧信号を生成するステップと、
    第2の直交方向の第2の画素対における電荷を加算して第2の電圧信号を生成するステップと、
    前記第1及び第2の電圧信号を、2つの出力線を共に電気的に接続することによって形成された出力線上で合成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の方法。
  22. 前記合成された第1及び第2の電圧信号を、該合成された第1及び第2の電圧信号を表すデジタル信号に変換するステップと、
    前記加算された第1及び第2のデジタル対角加算信号と、前記合成された電圧信号を表すデジタル信号とを用いて画像を構成するステップと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。
  23. 対角的に隣接する第3の画素対における電荷を加算し、該加算された電荷を前記画素アレイから読み出すことによって第3の対角加算信号を生成するステップと、
    対角的に隣接する第4の画素対から出力された電圧信号を合成し、該合成された電圧信号を前記画素アレイから読み出すことによって第4の対角加算信号を生成するステップと、
    をさらに含み、前記対角的に隣接する第3及び第4の画素対は、前記画素アレイ内で異なる第2の対角方向に沿って対角的に隣接する、
    ことを特徴とする請求項14に記載の方法。
  24. 前記第1、第2、第3及び第4の対角加算信号を用いて画像を構成するステップをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項23に記載の方法。
  25. 画像取込装置であって、
    異なる検知領域に各々が動作可能に接続された画素グループに分割された複数の画素と、
    各検知領域及び異なる出力線に動作可能に接続された読み出し回路と、
    第1の出力線の組及び第2の出力線の組に動作可能に接続された第1のスイッチと、
    グループ内の2又はそれ以上の画素が、それぞれの検知領域上で電荷を加算することを選択的に可能にし、それぞれの前記読み出し回路が、前記加算された電荷を前記検知領域から読み出すことを可能にするように適合された、前記複数の画素に動作可能に接続された処理装置と、
    を備え、前記処理装置は、2つのグループ内の2又はそれ以上の画素が、それぞれの検知領域に電荷を転送することを選択的に可能にし、前記それぞれの読み出し回路が、前記それぞれの検知領域から前記電荷を読み出して電圧信号を生成することを可能にし、前記スイッチが、前記第1の出力線の組における出力線と、前記第2の出力線の組における出力線とを共に接続して前記電圧信号を合成することを選択的に可能にするように適合される、
    ことを特徴とする画像取込装置。
  26. 各々がそれぞれの出力線の組に動作可能に接続された第2のスイッチと、
    各第2のスイッチに動作可能に接続されたアナログデジタルコンバータと、
    をさらに備えることを特徴とする請求項25に記載の画像取込装置。
JP2017046243A 2014-05-30 2017-03-10 画像センサにおける画素ビニング Active JP6651478B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/292,599 US9686485B2 (en) 2014-05-30 2014-05-30 Pixel binning in an image sensor
US14/292,599 2014-05-30

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015109359A Division JP6110891B2 (ja) 2014-05-30 2015-05-29 画像センサにおける画素ビニング

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017121073A true JP2017121073A (ja) 2017-07-06
JP2017121073A5 JP2017121073A5 (ja) 2018-07-05
JP6651478B2 JP6651478B2 (ja) 2020-02-19

Family

ID=54476279

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015109359A Active JP6110891B2 (ja) 2014-05-30 2015-05-29 画像センサにおける画素ビニング
JP2017046243A Active JP6651478B2 (ja) 2014-05-30 2017-03-10 画像センサにおける画素ビニング

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015109359A Active JP6110891B2 (ja) 2014-05-30 2015-05-29 画像センサにおける画素ビニング

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9686485B2 (ja)
JP (2) JP6110891B2 (ja)
KR (2) KR101696309B1 (ja)
CN (3) CN110198422B (ja)

Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9293500B2 (en) 2013-03-01 2016-03-22 Apple Inc. Exposure control for image sensors
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
US9549099B2 (en) 2013-03-12 2017-01-17 Apple Inc. Hybrid image sensor
US9319611B2 (en) 2013-03-14 2016-04-19 Apple Inc. Image sensor with flexible pixel summing
US9596423B1 (en) 2013-11-21 2017-03-14 Apple Inc. Charge summing in an image sensor
US9596420B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Apple Inc. Image sensor having pixels with different integration periods
US9473706B2 (en) 2013-12-09 2016-10-18 Apple Inc. Image sensor flicker detection
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
US9277144B2 (en) 2014-03-12 2016-03-01 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation
US9584743B1 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation
JP2015185823A (ja) * 2014-03-26 2015-10-22 ソニー株式会社 固体撮像素子、及び、撮像装置
US9497397B1 (en) 2014-04-08 2016-11-15 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison
US9538106B2 (en) 2014-04-25 2017-01-03 Apple Inc. Image sensor having a uniform digital power signature
US9686485B2 (en) 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
WO2016052219A1 (ja) * 2014-10-01 2016-04-07 ソニー株式会社 固体撮像装置、信号処理方法、及び、電子機器
JP6650309B2 (ja) 2016-03-24 2020-02-19 スタンレー電気株式会社 距離計測装置
CN107275359B (zh) 2016-04-08 2021-08-13 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
US9912883B1 (en) 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
DE102016208409A1 (de) * 2016-05-17 2017-11-23 Robert Bosch Gmbh Sensormodul, Verfahren zum Ermitteln einer Helligkeit und/oder einer Farbe einer elektromagnetischen Strahlung und Verfahren zum Herstellen eines Sensormoduls
DE102016212797A1 (de) * 2016-07-13 2018-01-18 Robert Bosch Gmbh Lichtsensormodul, Verfahren zum Betreiben eines Lichtsensormoduls und Verfahren zum Herstellen eines Lichtsensormoduls
US20190238764A1 (en) * 2016-07-15 2019-08-01 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device, solid-state imaging device operation method, imaging apparatus, and electronic apparatus
JP6818875B2 (ja) 2016-09-23 2021-01-20 アップル インコーポレイテッドApple Inc. 積層背面照射型spadアレイ
KR102385280B1 (ko) * 2016-12-06 2022-04-08 콘티 테믹 마이크로일렉트로닉 게엠베하 차량의 주변 구역을 상황에 맞추어 포착하기 위한 카메라 시스템 및 방법
CN110235024B (zh) 2017-01-25 2022-10-28 苹果公司 具有调制灵敏度的spad检测器
US10656251B1 (en) 2017-01-25 2020-05-19 Apple Inc. Signal acquisition in a SPAD detector
US10962628B1 (en) 2017-01-26 2021-03-30 Apple Inc. Spatial temporal weighting in a SPAD detector
DE102017210845A1 (de) 2017-06-27 2018-12-27 Conti Temic Microelectronic Gmbh Kameravorrichtung sowie Verfahren zur umgebungsangepassten Erfassung eines Umgebungsbereichs eines Fahrzeugs
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body
CN110958851B (zh) * 2017-07-21 2022-12-27 洛桑联邦理工学院 健康监测装置
US10440301B2 (en) 2017-09-08 2019-10-08 Apple Inc. Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
FR3075544B1 (fr) * 2017-12-19 2020-01-17 Thales Procede et systeme d imagerie a haut et bas niveaux de lumiere
KR102594038B1 (ko) * 2018-01-15 2023-10-26 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
CN108419030B (zh) 2018-03-01 2021-04-20 思特威(上海)电子科技股份有限公司 具有led闪烁衰减的hdr图像传感器像素结构及成像系统
US10334189B1 (en) 2018-06-06 2019-06-25 Smartsens Technology (Cayman) Co., Ltd. HDR pixel array with double diagonal binning
US11019294B2 (en) 2018-07-18 2021-05-25 Apple Inc. Seamless readout mode transitions in image sensors
US10848693B2 (en) 2018-07-18 2020-11-24 Apple Inc. Image flare detection using asymmetric pixels
JP7356266B2 (ja) * 2018-08-31 2023-10-04 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、および撮像装置の駆動方法
WO2020045278A1 (en) * 2018-08-31 2020-03-05 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device with motion dependent pixel binning
US10477126B1 (en) 2018-09-05 2019-11-12 Smartsens Technology (Cayman) Co., Limited Dual eclipse circuit for reduced image sensor shading
US10785425B2 (en) 2018-09-28 2020-09-22 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensor with selective pixel binning
US10873716B2 (en) 2018-11-05 2020-12-22 SmartSens Technology (HK) Co., Ltd. Dual row control signal circuit for reduced image sensor shading
US11233966B1 (en) 2018-11-29 2022-01-25 Apple Inc. Breakdown voltage monitoring for avalanche diodes
WO2020111369A1 (ko) * 2018-11-30 2020-06-04 엘지전자 주식회사 이미지 센서 및 그 제어 방법
KR102629343B1 (ko) 2018-12-21 2024-01-26 삼성전자주식회사 다중 셀 구조의 카메라 모듈 및 그 카메라 모듈을 포함하는 휴대용 통신 장치
US10727268B1 (en) 2019-01-25 2020-07-28 Smartsens Technology (Cayman) Co., Ltd CMOS image sensor with compact pixel layout
US10652492B1 (en) 2019-02-12 2020-05-12 Smartsens Technology (Cayman) Co., Ltd. CMOS image sensor with improved column data shift readout
CN110896082A (zh) 2019-05-28 2020-03-20 思特威(上海)电子科技有限公司 具有新型布局的图像传感器
KR20200108953A (ko) * 2019-03-11 2020-09-22 삼성전자주식회사 Rgbw 이미지 센서, 이미지 센서의 비닝 방법 및 그 방법을 수행하기 위한 기록 매체
KR102600681B1 (ko) * 2019-03-26 2023-11-13 삼성전자주식회사 비닝을 수행하는 테트라셀 이미지 센서
US11025842B2 (en) * 2019-04-05 2021-06-01 Apple Inc. Binner circuit for image signal processor
WO2020244765A1 (en) * 2019-06-06 2020-12-10 Huawei Technologies Co., Ltd. Color filter array apparatus
KR102632479B1 (ko) * 2019-06-17 2024-01-31 삼성전자주식회사 맥파 센서 및 맥파 센서의 동작 방법
KR20210006043A (ko) * 2019-07-08 2021-01-18 삼성전자주식회사 광학적 지문 인식 기반의 지문 등록 방법 및 이를 이용한 광학적 지문 인식 방법
US11367743B2 (en) * 2019-10-28 2022-06-21 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with shared microlens between multiple subpixels
US11082643B2 (en) 2019-11-20 2021-08-03 Waymo Llc Systems and methods for binning light detectors
US11350045B2 (en) 2020-03-10 2022-05-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensing apparatus and image binning method thereof
CN113630566A (zh) * 2020-05-07 2021-11-09 联咏科技股份有限公司 像素合并方法及相关影像读出电路
US11350055B2 (en) * 2020-05-07 2022-05-31 Novatek Microelectronics Corp. Pixel binning method and related image readout circuit
US11563910B2 (en) 2020-08-04 2023-01-24 Apple Inc. Image capture devices having phase detection auto-focus pixels
US11394934B2 (en) * 2020-09-24 2022-07-19 Qualcomm Incorporated Binned anti-color pixel value generation
KR20220051881A (ko) 2020-10-19 2022-04-27 삼성전자주식회사 비닝 모드에서의 아티팩트를 개선하는 이미지 센서
KR20220053320A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 동작 방법
RU2757667C1 (ru) * 2020-12-02 2021-10-20 Федеральное государственное унитарное предприятие «Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем» (ФГУП «ГосНИИАС») Способ повышения чувствительности и частоты кадров видеокамер
US11546532B1 (en) 2021-03-16 2023-01-03 Apple Inc. Dynamic correlated double sampling for noise rejection in image sensors
KR20230047839A (ko) 2021-10-01 2023-04-10 삼성전자주식회사 영상 정보 손실을 감소하는 픽셀 어레이 및 이를 포함하는 이미지 센서
KR20230062171A (ko) 2021-10-29 2023-05-09 삼성전자주식회사 이미지 센서, 이미지 센싱 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
US11778337B2 (en) * 2021-11-09 2023-10-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Image sensor and method for sensing image
CN114143515A (zh) * 2021-11-30 2022-03-04 维沃移动通信有限公司 图像传感器、摄像模组和电子设备
US11962919B2 (en) 2022-07-24 2024-04-16 Tower Semiconductor Ltd. Apparatus and system of analog pixel binning

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173950A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法
JP2013529035A (ja) * 2010-06-01 2013-07-11 博立▲碼▼杰通▲訊▼(深▲せん▼)有限公司 マルチスペクトル感光素子及びそのサンプリング方法

Family Cites Families (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4373804A (en) 1979-04-30 1983-02-15 Diffracto Ltd. Method and apparatus for electro-optically determining the dimension, location and attitude of objects
JPH07114472B2 (ja) 1984-11-19 1995-12-06 株式会社ニコン 固体撮像素子の駆動方法
US4686648A (en) 1985-12-03 1987-08-11 Hughes Aircraft Company Charge coupled device differencer
SE465551B (sv) 1990-02-16 1991-09-30 Aake Oeberg Anordning foer bestaemning av en maenniskas hjaert- och andningsfrekvens genom fotopletysmografisk maetning
US5105264A (en) 1990-09-28 1992-04-14 Eastman Kodak Company Color image sensor having an optimum exposure time for each color
US5329313A (en) 1992-04-01 1994-07-12 Intel Corporation Method and apparatus for real time compression and decompression of a digital motion video signal using a fixed Huffman table
US5550677A (en) 1993-02-26 1996-08-27 Donnelly Corporation Automatic rearview mirror system using a photosensor array
JP3358620B2 (ja) 1993-04-09 2002-12-24 ソニー株式会社 画像符号化方法及び画像符号化装置
US5841126A (en) 1994-01-28 1998-11-24 California Institute Of Technology CMOS active pixel sensor type imaging system on a chip
US5471515A (en) 1994-01-28 1995-11-28 California Institute Of Technology Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer
US5949483A (en) 1994-01-28 1999-09-07 California Institute Of Technology Active pixel sensor array with multiresolution readout
US5541402A (en) 1994-10-17 1996-07-30 At&T Corp. Imaging active pixel device having a non-destructive read-out gate
JP3284803B2 (ja) 1994-12-16 2002-05-20 富士ゼロックス株式会社 画像入力装置
US6233013B1 (en) 1997-10-23 2001-05-15 Xerox Corporation Color readout system for an active pixel image sensor
US6714239B2 (en) 1997-10-29 2004-03-30 Eastman Kodak Company Active pixel sensor with programmable color balance
JP3667058B2 (ja) * 1997-11-19 2005-07-06 キヤノン株式会社 光電変換装置
US6008486A (en) 1997-12-31 1999-12-28 Gentex Corporation Wide dynamic range optical sensor
US6348929B1 (en) * 1998-01-16 2002-02-19 Intel Corporation Scaling algorithm and architecture for integer scaling in video
JPH11217315A (ja) 1998-01-27 1999-08-10 Pola Chem Ind Inc 自然に見えるメークアップ化粧料
JPH11216970A (ja) 1998-01-30 1999-08-10 Toppan Forms Co Ltd カード送付用台紙
US6040568A (en) 1998-05-06 2000-03-21 Raytheon Company Multipurpose readout integrated circuit with in cell adaptive non-uniformity correction and enhanced dynamic range
US6956605B1 (en) 1998-08-05 2005-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus
JP3697073B2 (ja) 1998-08-05 2005-09-21 キヤノン株式会社 撮像装置及びそれを用いた撮像システム
US7133073B1 (en) 1999-08-19 2006-11-07 Dialog Imaging Systems Gmbh Method and apparatus for color interpolation
US8310577B1 (en) 1999-08-19 2012-11-13 Youliza, Gehts B.V. Limited Liability Company Method and apparatus for color compensation
JP2001285717A (ja) * 2000-03-29 2001-10-12 Toshiba Corp 固体撮像装置
US6448550B1 (en) 2000-04-27 2002-09-10 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for measuring spectral content of LED light source and control thereof
US6616613B1 (en) 2000-04-27 2003-09-09 Vitalsines International, Inc. Physiological signal monitoring system
JP3685686B2 (ja) 2000-06-12 2005-08-24 三菱電機株式会社 撮像エリアセンサおよび撮像装置
TW516184B (en) 2000-06-20 2003-01-01 Pixelplus Co Ltd CMOS active pixel for improving sensitivity
US6713796B1 (en) 2001-01-19 2004-03-30 Dalsa, Inc. Isolated photodiode
US7554067B2 (en) * 2001-05-07 2009-06-30 Panavision Imaging Llc Scanning imager employing multiple chips with staggered pixels
US7084914B2 (en) 2001-07-20 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Variable pixel clock electronic shutter control
US6541751B1 (en) 2001-10-03 2003-04-01 Pixim Inc Time multiplexing image processing functions for noise reduction
KR100464821B1 (ko) 2001-10-23 2005-01-17 임좌상 생리신호를 이용한 감성평가방법
KR100455286B1 (ko) 2002-01-11 2004-11-06 삼성전자주식회사 생리신호획득 및 해석을 이용한 동물의 상태 파악 방법 및장치
US7906826B2 (en) 2002-02-05 2011-03-15 E-Phocus Many million pixel image sensor
KR100462182B1 (ko) 2002-04-15 2004-12-16 삼성전자주식회사 Ppg 기반의 심박 검출 장치 및 방법
US6816676B2 (en) 2002-04-19 2004-11-09 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Adaptive control of LCD display utilizing imaging sensor measurements
US6670904B1 (en) 2002-08-22 2003-12-30 Micron Technology, Inc. Double-ramp ADC for CMOS sensors
US7525168B2 (en) 2002-08-27 2009-04-28 E-Phocus, Inc. CMOS sensor with electrodes across photodetectors at approximately equal potential
US7786543B2 (en) 2002-08-27 2010-08-31 E-Phocus CDS capable sensor with photon sensing layer on active pixel circuit
JP4403687B2 (ja) 2002-09-18 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその駆動制御方法
US20040207836A1 (en) 2002-09-27 2004-10-21 Rajeshwar Chhibber High dynamic range optical inspection system and method
US7471315B2 (en) 2003-03-14 2008-12-30 Aptina Imaging Corporation Apparatus and method for detecting and compensating for illuminant intensity changes within an image
US7075049B2 (en) 2003-06-11 2006-07-11 Micron Technology, Inc. Dual conversion gain imagers
US20050026332A1 (en) 2003-07-29 2005-02-03 Fratti Roger A. Techniques for curvature control in power transistor devices
US6931269B2 (en) 2003-08-27 2005-08-16 Datex-Ohmeda, Inc. Multi-domain motion estimation and plethysmographic recognition using fuzzy neural-nets
US7115855B2 (en) 2003-09-05 2006-10-03 Micron Technology, Inc. Image sensor having pinned floating diffusion diode
JP4106554B2 (ja) 2003-09-08 2008-06-25 ソニー株式会社 撮影環境判定方法および撮像装置
US7154075B2 (en) * 2003-11-13 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for pixel signal binning and interpolation in column circuits of a sensor circuit
US7332786B2 (en) 2003-11-26 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Anti-blooming storage pixel
US7091466B2 (en) 2003-12-19 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for pixel binning in an image sensor
JP4259998B2 (ja) 2003-12-19 2009-04-30 三洋電機株式会社 フリッカ検出装置及び撮像装置
US7437013B2 (en) 2003-12-23 2008-10-14 General Instrument Corporation Directional spatial video noise reduction
US7446812B2 (en) 2004-01-13 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Wide dynamic range operations for imaging
TW200607335A (en) 2004-04-21 2006-02-16 Qualcomm Inc Flicker detection for image sensing devices
KR100578647B1 (ko) 2004-04-27 2006-05-11 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서의 인티그레이션 방법
KR100574890B1 (ko) 2004-04-27 2006-04-27 매그나칩 반도체 유한회사 이미지센서 및 이미지센서의 플리커 노이즈 검출 방법
US7102117B2 (en) 2004-06-08 2006-09-05 Eastman Kodak Company Active pixel sensor cell with integrating varactor and method for using such cell
US7825973B2 (en) 2004-07-16 2010-11-02 Micron Technology, Inc. Exposure control for image sensors
US7880785B2 (en) 2004-07-21 2011-02-01 Aptina Imaging Corporation Rod and cone response sensor
JP4455215B2 (ja) 2004-08-06 2010-04-21 キヤノン株式会社 撮像装置
CN101010938A (zh) * 2004-08-27 2007-08-01 伊斯曼柯达公司 用于静态或视频摄影的图像传感器
US7259413B2 (en) 2004-09-28 2007-08-21 Micron Technology, Inc. High dynamic range image sensor
US20060103749A1 (en) 2004-11-12 2006-05-18 Xinping He Image sensor and pixel that has switchable capacitance at the floating node
US7555158B2 (en) 2004-12-07 2009-06-30 Electronics And Telecommunications Research Institute Apparatus for recovering background in image sequence and method thereof
US7502054B2 (en) 2004-12-20 2009-03-10 Pixim, Inc. Automatic detection of fluorescent flicker in video images
US7190039B2 (en) 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
JP4855704B2 (ja) 2005-03-31 2012-01-18 株式会社東芝 固体撮像装置
JP4377840B2 (ja) 2005-03-31 2009-12-02 イーストマン コダック カンパニー デジタルカメラ
US7443421B2 (en) 2005-04-05 2008-10-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Camera sensor
US20060244843A1 (en) 2005-04-29 2006-11-02 Bart Dierickx Illumination flicker detection
JP4207926B2 (ja) 2005-05-13 2009-01-14 ソニー株式会社 フリッカ補正方法、フリッカ補正装置及び撮像装置
US7361877B2 (en) 2005-05-27 2008-04-22 Eastman Kodak Company Pinned-photodiode pixel with global shutter
TW201101476A (en) 2005-06-02 2011-01-01 Sony Corp Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same
US20060274161A1 (en) 2005-06-03 2006-12-07 Intel Corporation Method and apparatus to determine ambient light using a camera
US7415096B2 (en) 2005-07-26 2008-08-19 Jordan Valley Semiconductors Ltd. Curved X-ray reflector
US8274715B2 (en) 2005-07-28 2012-09-25 Omnivision Technologies, Inc. Processing color and panchromatic pixels
US8139130B2 (en) * 2005-07-28 2012-03-20 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with improved light sensitivity
JP4227152B2 (ja) * 2005-08-02 2009-02-18 三星電機株式会社 Cmosイメージセンサの能動ピクセルアレイ
JP4904749B2 (ja) 2005-09-08 2012-03-28 ソニー株式会社 フリッカ低減方法、フリッカ低減回路及び撮像装置
KR100775058B1 (ko) 2005-09-29 2007-11-08 삼성전자주식회사 픽셀 및 이를 이용한 이미지 센서, 그리고 상기 이미지센서를 포함하는 이미지 처리 시스템
US8032206B1 (en) 2005-10-20 2011-10-04 Pacesetter, Inc. Use of motion sensor for dynamic updating of heart detection threshold
KR100715932B1 (ko) 2005-10-24 2007-05-08 (주) 픽셀플러스 플리커 검출장치
US8355117B2 (en) 2005-12-21 2013-01-15 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Method and arrangement for measuring the distance to an object
US7211802B1 (en) 2005-12-30 2007-05-01 Eastman Kodak Company X-ray impingement event detection system and method for a digital radiography detector
US7626626B2 (en) 2006-01-13 2009-12-01 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing pixel storage gate charge sensing for electronic stabilization in imagers
JP2009525619A (ja) 2006-02-01 2009-07-09 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ ガイガーモード・アバランシェ・フォトダイオード
US20070263099A1 (en) 2006-05-09 2007-11-15 Pixim Inc. Ambient Light Rejection In Digital Video Images
JP3996618B1 (ja) 2006-05-11 2007-10-24 総吉 廣津 半導体撮像素子
US7667400B1 (en) 2006-06-09 2010-02-23 Array Optronix, Inc. Back-illuminated Si photomultipliers: structure and fabrication methods
US8026966B2 (en) 2006-08-29 2011-09-27 Micron Technology, Inc. Method, apparatus and system providing a storage gate pixel with high dynamic range
US7773138B2 (en) 2006-09-13 2010-08-10 Tower Semiconductor Ltd. Color pattern and pixel level binning for APS image sensor using 2×2 photodiode sharing scheme
EP2059027A4 (en) 2006-09-14 2012-08-08 Nikon Corp IMAGE PROCESSING DEVICE, ELECTRONIC CAMERA, AND IMAGE PROCESSING PROGRAM
JP4341664B2 (ja) * 2006-10-13 2009-10-07 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置
WO2008055042A2 (en) 2006-10-30 2008-05-08 Wesleyan University Apparatus and method for real time image compression for particle tracking
KR20080041912A (ko) 2006-11-08 2008-05-14 삼성전자주식회사 감도 제어가 가능한 씨모스 이미지 센서의 픽셀 회로
KR100828943B1 (ko) * 2006-12-19 2008-05-13 (주)실리콘화일 3t-4s 스텝 & 리피트 단위 셀 및 상기 단위 셀을 구비한 이미지센서, 데이터 저장 장치, 반도체 공정 마스크, 반도체 웨이퍼
US7742090B2 (en) 2006-12-22 2010-06-22 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible segmented image sensor
US7589316B2 (en) 2007-01-18 2009-09-15 Ethicon Endo-Surgery, Inc. Scanning beam imaging with adjustable detector sensitivity or gain
KR20080069851A (ko) 2007-01-24 2008-07-29 삼성전자주식회사 생체 신호 측정 센서 장치 및 상기 센서 장치를 구비한헤드셋 장치 및 팬던트 장치
US7796171B2 (en) 2007-02-16 2010-09-14 Flir Advanced Imaging Systems, Inc. Sensor-based gamma correction of a digital camera
WO2008108025A1 (en) 2007-03-05 2008-09-12 Nec Electronics Corporation Imaging apparatus and flicker detection method
KR100835892B1 (ko) 2007-03-26 2008-06-09 (주)실리콘화일 칩 적층 이미지센서
KR100853195B1 (ko) 2007-04-10 2008-08-21 삼성전자주식회사 이미지 센서
JP4935486B2 (ja) 2007-04-23 2012-05-23 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置の信号処理方法および撮像装置
JP5163935B2 (ja) 2007-05-17 2013-03-13 ソニー株式会社 イメージセンサ
KR100872991B1 (ko) 2007-06-25 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
KR100871981B1 (ko) 2007-06-25 2008-12-08 주식회사 동부하이텍 이미지센서 및 그 제조방법
JP2009021809A (ja) * 2007-07-11 2009-01-29 Canon Inc 撮像装置の駆動方法、撮像装置、及び撮像システム
US8098372B2 (en) 2007-07-23 2012-01-17 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Optical inspection tool featuring multiple speed modes
JP2009054870A (ja) 2007-08-28 2009-03-12 Sanyo Electric Co Ltd 撮像装置
US7873236B2 (en) 2007-08-28 2011-01-18 General Electric Company Systems, methods and apparatus for consistency-constrained filtered backprojection for out-of-focus artifacts in digital tomosythesis
KR100887887B1 (ko) 2007-11-06 2009-03-06 주식회사 동부하이텍 이미지센서
JP5163068B2 (ja) 2007-11-16 2013-03-13 株式会社ニコン 撮像装置
JP4971956B2 (ja) 2007-11-27 2012-07-11 キヤノン株式会社 フリッカ補正装置、フリッカ補正方法並びに撮像装置
US20090146234A1 (en) 2007-12-06 2009-06-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic imaging units having an infrared-absorbing layer and associated systems and methods
US8259228B2 (en) * 2007-12-10 2012-09-04 Ati Technologies Ulc Method and apparatus for high quality video motion adaptive edge-directional deinterlacing
US7952635B2 (en) 2007-12-19 2011-05-31 Teledyne Licensing, Llc Low noise readout apparatus and method with snapshot shutter and correlated double sampling
JP5026951B2 (ja) * 2007-12-26 2012-09-19 オリンパスイメージング株式会社 撮像素子の駆動装置、撮像素子の駆動方法、撮像装置、及び撮像素子
US9017748B2 (en) 2007-12-28 2015-04-28 Kraft Foods Group Brands Llc Potassium fortification in foodstuffs
JP5111100B2 (ja) 2007-12-28 2012-12-26 キヤノン株式会社 画像処理装置、画像処理方法、プログラム及び記憶媒体
EP2079229B1 (en) 2008-01-10 2011-09-14 Stmicroelectronics Sa Pixel circuit for global electronic shutter
US8227844B2 (en) 2008-01-14 2012-07-24 International Business Machines Corporation Low lag transfer gate device
US20090201400A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated image sensor with global shutter and storage capacitor
KR20090087644A (ko) 2008-02-13 2009-08-18 삼성전자주식회사 따른 픽셀 회로 어레이
JP2009212909A (ja) 2008-03-05 2009-09-17 Sharp Corp 固体撮像装置、固体撮像装置のフリッカ検出方法、制御プログラム、可読記録媒体および電子情報機器
JP5568880B2 (ja) 2008-04-03 2014-08-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
US8116540B2 (en) 2008-04-04 2012-02-14 Validity Sensors, Inc. Apparatus and method for reducing noise in fingerprint sensing circuits
JP4494492B2 (ja) 2008-04-09 2010-06-30 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び固体撮像装置の駆動方法
CA2628792A1 (en) 2008-04-10 2009-10-10 Chaji G. Reza High dynamic range active pixel sensor
EP2285275B1 (en) * 2008-05-14 2019-04-24 HeartMiles, LLC Physical activity monitor and data collection unit
JP5188275B2 (ja) 2008-06-06 2013-04-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置、その駆動方法及び撮像システム
US8637875B2 (en) 2008-07-11 2014-01-28 The Regents Of The University Of California Single photon IR detectors and their integration with silicon detectors
KR20100008239A (ko) 2008-07-15 2010-01-25 (주)에스엔티 피피지 신호의 동잡음 제거방법
JP5300356B2 (ja) 2008-07-18 2013-09-25 キヤノン株式会社 撮像装置、及び撮像装置の制御方法
US8388346B2 (en) 2008-08-30 2013-03-05 Nokia Corporation Tactile feedback
JP2010080604A (ja) 2008-09-25 2010-04-08 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
US20100110018A1 (en) 2008-10-30 2010-05-06 Research In Motion Limited Portable electronic device including touch-sensitive input device and method of controlling same
JP2010113230A (ja) 2008-11-07 2010-05-20 Sony Corp 画素回路及び表示装置と電子機器
JP2010114834A (ja) 2008-11-10 2010-05-20 Olympus Imaging Corp 撮像装置
JP5254762B2 (ja) * 2008-11-28 2013-08-07 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置における信号の補正方法
KR20100065084A (ko) 2008-12-05 2010-06-15 한국전자통신연구원 움직임 잡음에 강인한 맥파 측정 장치 및 그 방법
US7838956B2 (en) 2008-12-17 2010-11-23 Eastman Kodak Company Back illuminated sensor with low crosstalk
US8164669B2 (en) 2008-12-19 2012-04-24 Truesense Imaging, Inc. Charge-coupled device image sensor with efficient binning of same-color pixels
US8686952B2 (en) 2008-12-23 2014-04-01 Apple Inc. Multi touch with multi haptics
US8760413B2 (en) 2009-01-08 2014-06-24 Synaptics Incorporated Tactile surface
US8340407B2 (en) 2009-01-14 2012-12-25 Cisco Technology, Inc. System and method for image demosaicing
US20120159996A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Gary Edwin Sutton Curved sensor formed from silicon fibers
US8184188B2 (en) 2009-03-12 2012-05-22 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for high dynamic operation of a pixel cell
JP4835710B2 (ja) 2009-03-17 2011-12-14 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置の駆動方法、及び電子機器
US8140143B2 (en) 2009-04-16 2012-03-20 Massachusetts Institute Of Technology Washable wearable biosensor
US8089036B2 (en) 2009-04-30 2012-01-03 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with global shutter and in pixel storage transistor
JP2011004390A (ja) * 2009-05-18 2011-01-06 Canon Inc 撮像装置、撮像システム、及び撮像装置の駆動方法
US8350940B2 (en) * 2009-06-08 2013-01-08 Aptina Imaging Corporation Image sensors and color filter arrays for charge summing and interlaced readout modes
CN101567977B (zh) 2009-06-09 2013-09-18 北京中星微电子有限公司 一种闪烁检测方法及其装置
WO2010149593A1 (en) 2009-06-22 2010-12-29 Toyota Motor Europe Nv/Sa Pulsed light optical rangefinder
KR101597785B1 (ko) 2009-07-14 2016-02-25 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 영상 처리 방법
KR101605046B1 (ko) 2009-07-29 2016-03-21 삼성전자주식회사 싱글 게이트 픽셀 및 싱글 게이트 픽셀 동작 방법
US8755854B2 (en) 2009-07-31 2014-06-17 Nellcor Puritan Bennett Ireland Methods and apparatus for producing and using lightly filtered photoplethysmograph signals
JP5625284B2 (ja) 2009-08-10 2014-11-19 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器
TWI423246B (zh) 2009-08-21 2014-01-11 Primax Electronics Ltd 圖像處理方法及其相關裝置
JP2011049697A (ja) 2009-08-25 2011-03-10 Panasonic Corp フリッカ検出装置、撮像装置、フリッカ検出プログラム、及び、フリッカ検出方法
US8619163B2 (en) 2009-09-18 2013-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Solid state imaging using a correction parameter for correcting a cross talk between adjacent pixels
US9066660B2 (en) 2009-09-29 2015-06-30 Nellcor Puritan Bennett Ireland Systems and methods for high-pass filtering a photoplethysmograph signal
US8194165B2 (en) * 2009-09-30 2012-06-05 Truesense Imaging, Inc. Methods for capturing and reading out images from an image sensor
US20110080500A1 (en) 2009-10-05 2011-04-07 Hand Held Products, Inc. Imaging terminal, imaging sensor having multiple reset and/or multiple read mode and methods for operating the same
JP4881987B2 (ja) 2009-10-06 2012-02-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像装置
JP2011091775A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp 固体撮像装置
WO2011053711A1 (en) * 2009-10-30 2011-05-05 Invisage Technologies, Inc. Systems and methods for color binning
FI20096232A0 (sv) 2009-11-23 2009-11-23 Valtion Teknillinen Fysisk aktivitetsbaserad styrning för en anordning
TWI420662B (zh) 2009-12-25 2013-12-21 Sony Corp 半導體元件及其製造方法,及電子裝置
US20110156197A1 (en) 2009-12-31 2011-06-30 Tivarus Cristian A Interwafer interconnects for stacked CMOS image sensors
US8330829B2 (en) 2009-12-31 2012-12-11 Microsoft Corporation Photographic flicker detection and compensation
US9870053B2 (en) 2010-02-08 2018-01-16 Immersion Corporation Systems and methods for haptic feedback using laterally driven piezoelectric actuators
JP5526928B2 (ja) * 2010-03-30 2014-06-18 ソニー株式会社 固体撮像装置および撮像装置
US9451887B2 (en) 2010-03-31 2016-09-27 Nellcor Puritan Bennett Ireland Systems and methods for measuring electromechanical delay of the heart
JP5641287B2 (ja) 2010-03-31 2014-12-17 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器
JP2011216673A (ja) 2010-03-31 2011-10-27 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、および電子機器
CN101803925B (zh) 2010-03-31 2012-01-04 上海交通大学 运动状态下的血氧饱和度监测装置
JP5516960B2 (ja) 2010-04-02 2014-06-11 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器
US8653434B2 (en) 2010-04-08 2014-02-18 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Avalanche photodiode operating voltage selection algorithm
KR101229600B1 (ko) 2010-05-14 2013-02-04 가시오게산키 가부시키가이샤 촬상 장치, 손떨림 보정 방법 및 기록 매체
JP5644451B2 (ja) 2010-05-25 2014-12-24 株式会社リコー 画像処理装置および画像処理方法、ならびに、撮像装置
KR101198249B1 (ko) 2010-07-07 2012-11-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지센서의 컬럼 회로 및 픽셀 비닝 회로
WO2012011095A1 (en) 2010-07-19 2012-01-26 Yeda Research And Development Co. Ltd. Linear optical characterization of ultrashort optical pulses
US8338856B2 (en) 2010-08-10 2012-12-25 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated image sensor with stressed film
GB201014843D0 (en) 2010-09-08 2010-10-20 Univ Edinburgh Single photon avalanche diode for CMOS circuits
US20120092541A1 (en) 2010-10-19 2012-04-19 Nokia Corporation Method and apparatus for ambient light measurement system
JP5739640B2 (ja) 2010-10-20 2015-06-24 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
US9857469B2 (en) 2010-10-22 2018-01-02 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. System and method for multi TOF camera operation using phase hopping
CN102451160A (zh) 2010-10-22 2012-05-16 夏落 一种长循环纳米粒的制备方法
JP5589760B2 (ja) 2010-10-27 2014-09-17 ソニー株式会社 画像処理装置、撮像装置、画像処理方法およびプログラム。
DE102010060527B3 (de) 2010-11-12 2012-04-19 Picoquant Gmbh Schaltungsanordnung zum Nachweis einzelner Photonen
US10120446B2 (en) 2010-11-19 2018-11-06 Apple Inc. Haptic input device
JP5721405B2 (ja) 2010-11-22 2015-05-20 キヤノン株式会社 撮像システム、その制御方法及びプログラム
JP5724322B2 (ja) 2010-11-24 2015-05-27 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
GB2485994A (en) 2010-11-30 2012-06-06 St Microelectronics Res & Dev Navigation device using a Single Photon Avalanche Diode (SPAD) detector
JP5673063B2 (ja) 2010-12-15 2015-02-18 ソニー株式会社 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
DE102010061382B4 (de) 2010-12-21 2019-02-14 Sick Ag Optoelektronischer Sensor und Verfahren zur Erfassung und Abstandsbestimmung von Objekten
WO2012088338A2 (en) 2010-12-21 2012-06-28 Sionyx, Inc. Photodetecting imager devices having correlated double sampling and associated methods
GB2486668A (en) 2010-12-22 2012-06-27 St Microelectronics Res & Dev Real-time processing method and system for an optical range finder
EP2469295A1 (en) 2010-12-23 2012-06-27 André Borowski 3D landscape real-time imager and corresponding imaging methods
EP2469301A1 (en) 2010-12-23 2012-06-27 André Borowski Methods and devices for generating a representation of a 3D scene at very high speed
US8723975B2 (en) 2011-01-24 2014-05-13 Aptina Imaging Corporation High-dynamic-range imaging devices
US8803990B2 (en) 2011-01-25 2014-08-12 Aptina Imaging Corporation Imaging system with multiple sensors for producing high-dynamic-range images
JP5426587B2 (ja) * 2011-01-31 2014-02-26 株式会社東芝 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法
JP5934930B2 (ja) 2011-02-04 2016-06-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 固体撮像装置およびその駆動方法
US8698084B2 (en) 2011-03-10 2014-04-15 Sionyx, Inc. Three dimensional sensors, systems, and associated methods
US9088727B2 (en) 2011-04-06 2015-07-21 Pelco, Inc. Spatially-varying flicker detection
KR101294386B1 (ko) 2011-04-13 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 픽셀, 픽셀 어레이 및 픽셀 어레이를 포함하는 이미지센서
US8575531B2 (en) 2011-04-26 2013-11-05 Aptina Imaging Corporation Image sensor array for back side illumination with global shutter using a junction gate photodiode
EP2717561B1 (en) 2011-05-24 2019-03-27 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element and camera system
US8643132B2 (en) 2011-06-08 2014-02-04 Omnivision Technologies, Inc. In-pixel high dynamic range imaging
JP5885403B2 (ja) 2011-06-08 2016-03-15 キヤノン株式会社 撮像装置
TWI505453B (zh) 2011-07-12 2015-10-21 Sony Corp 固態成像裝置,用於驅動其之方法,用於製造其之方法,及電子裝置
JP2013051523A (ja) 2011-08-30 2013-03-14 Sharp Corp フリッカ検出装置、フリッカ検出方法、制御プログラム、可読記録媒体、固体撮像装置、多眼撮像装置および電子情報機器
JP2013055500A (ja) 2011-09-02 2013-03-21 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5935274B2 (ja) 2011-09-22 2016-06-15 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法および固体撮像装置の制御プログラム
JP5945395B2 (ja) 2011-10-13 2016-07-05 オリンパス株式会社 撮像装置
GB2494479A (en) 2011-10-19 2013-03-13 St Microelectronics Res & Dev A proximity sensor with a cover for directing radiation from a radiation source to a reference radiation detector
US8594170B2 (en) 2011-10-24 2013-11-26 Sigear Europe Sarl Clock masking scheme in a mixed-signal system
WO2013066959A1 (en) 2011-10-31 2013-05-10 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Systems and methods for imaging using single photon avalanche diodes
JP5764466B2 (ja) 2011-11-04 2015-08-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 固体撮像装置
US8982237B2 (en) 2011-12-09 2015-03-17 Htc Corporation Portable electronic device with auto-exposure control adaptive to environment brightness and image capturing method using the same
CN103165103A (zh) 2011-12-12 2013-06-19 深圳富泰宏精密工业有限公司 电子装置显示屏的亮度调整系统及方法
JP6239820B2 (ja) 2011-12-19 2017-11-29 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP5497874B2 (ja) * 2011-12-22 2014-05-21 富士フイルム株式会社 放射線画像検出器、放射線画像撮像装置、及び放射線画像撮像システム
KR101386649B1 (ko) 2011-12-26 2014-09-23 전자부품연구원 사용자의 상태 적용 게임 장치 및 그 게임 제공 방법
CN104041009B (zh) 2011-12-28 2016-02-03 富士胶片株式会社 摄像元件及摄像装置
FR2985570A1 (fr) 2012-01-09 2013-07-12 St Microelectronics Grenoble 2 Dispositif de detection de la proximite d'un objet, comprenant des photodiodes spad
JP2013143730A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像素子、撮像装置、電子機器および撮像方法
EP2624569B1 (en) 2012-02-06 2016-09-28 Harvest Imaging bvba Method for correcting image data from an image sensor having image pixels and non-image pixels, and image sensor implementing the same
JP6151530B2 (ja) 2012-02-29 2017-06-21 株式会社半導体エネルギー研究所 イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
CN104221365B (zh) 2012-03-30 2018-11-06 株式会社尼康 拍摄元件、摄影方法及拍摄装置
FR2989518A1 (fr) 2012-04-13 2013-10-18 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un capteur d'image a surface courbe
US9270906B2 (en) 2012-05-02 2016-02-23 Semiconductor Components Industries, Llc Exposure time selection using stacked-chip image sensors
GB201209412D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Obs Medical Ltd Narrow band feature extraction from cardiac signals
GB201209413D0 (en) 2012-05-28 2012-07-11 Obs Medical Ltd Respiration rate extraction from cardiac signals
US9420208B2 (en) 2012-07-13 2016-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Driving method for image pickup apparatus and driving method for image pickup system
US9262805B2 (en) * 2012-08-07 2016-02-16 Spreadtrum Communications (Shanghai) Co., Ltd. Method and device for processing image in Bayer format
US10334181B2 (en) 2012-08-20 2019-06-25 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamically curved sensor for optical zoom lens
US8817154B2 (en) 2012-08-30 2014-08-26 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with fixed potential output transistor
JP2014057268A (ja) 2012-09-13 2014-03-27 Toshiba Corp 撮像装置
US9448110B2 (en) 2012-09-27 2016-09-20 Northrop Grumman Systems Corporation Three-dimensional hyperspectral imaging systems and methods using a light detection and ranging (LIDAR) focal plane array
JP6012375B2 (ja) * 2012-09-28 2016-10-25 株式会社メガチップス 画素補間処理装置、撮像装置、プログラムおよび集積回路
JP6225411B2 (ja) 2012-10-16 2017-11-08 株式会社豊田中央研究所 光学的測距装置
GB201219781D0 (en) 2012-11-02 2012-12-19 St Microelectronics Res & Dev Improvements in time of flight pixel circuits
GB2507783B (en) 2012-11-09 2015-03-11 Ge Aviat Systems Ltd Aircraft haptic touch screen and method for operating same
US9700240B2 (en) 2012-12-14 2017-07-11 Microsoft Technology Licensing, Llc Physical activity inference from environmental metrics
US9164144B2 (en) 2012-12-27 2015-10-20 General Electric Company Characterization and calibration of large area solid state photomultiplier breakdown voltage and/or capacitance
US9380245B1 (en) * 2013-02-14 2016-06-28 Rambus Inc. Conditional-reset image sensor with analog counter array
GB2510890A (en) 2013-02-18 2014-08-20 St Microelectronics Res & Dev Method and apparatus
US8934030B2 (en) 2013-02-20 2015-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Suppressing flicker in digital images
JP6087674B2 (ja) 2013-02-27 2017-03-01 キヤノン株式会社 撮像装置
US9293500B2 (en) 2013-03-01 2016-03-22 Apple Inc. Exposure control for image sensors
US9276031B2 (en) 2013-03-04 2016-03-01 Apple Inc. Photodiode with different electric potential regions for image sensors
US9041837B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Apple Inc. Image sensor with reduced blooming
US9741754B2 (en) 2013-03-06 2017-08-22 Apple Inc. Charge transfer circuit with storage nodes in image sensors
KR20140109668A (ko) 2013-03-06 2014-09-16 삼성전자주식회사 플리커를 검출하기 위한 방법 및 시스템
JP6172978B2 (ja) 2013-03-11 2017-08-02 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム、信号処理装置、プログラム、および、記憶媒体
KR102009189B1 (ko) * 2013-03-12 2019-08-09 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 2행 동시 독출 방법
US9549099B2 (en) 2013-03-12 2017-01-17 Apple Inc. Hybrid image sensor
US9319611B2 (en) 2013-03-14 2016-04-19 Apple Inc. Image sensor with flexible pixel summing
CN105144699B (zh) * 2013-03-15 2019-03-15 拉姆伯斯公司 阈值监测的有条件重置的图像传感器及其操作方法
US9066017B2 (en) 2013-03-25 2015-06-23 Google Inc. Viewfinder display based on metering images
US9160949B2 (en) 2013-04-01 2015-10-13 Omnivision Technologies, Inc. Enhanced photon detection device with biased deep trench isolation
JP6104049B2 (ja) 2013-05-21 2017-03-29 オリンパス株式会社 画像処理装置、画像処理方法、および画像処理用プログラム
US9154750B2 (en) * 2013-05-28 2015-10-06 Omnivision Technologies, Inc. Correction of image sensor fixed-pattern noise (FPN) due to color filter pattern
JP2015012127A (ja) 2013-06-28 2015-01-19 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
GB2520232A (en) 2013-08-06 2015-05-20 Univ Edinburgh Multiple Event Time to Digital Converter
US9344649B2 (en) 2013-08-23 2016-05-17 Semiconductor Components Industries, Llc Floating point image sensors with different integration times
EP3481055B1 (en) 2013-10-02 2022-07-13 Nikon Corporation Imaging element and imaging apparatus
US9596423B1 (en) 2013-11-21 2017-03-14 Apple Inc. Charge summing in an image sensor
US9596420B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Apple Inc. Image sensor having pixels with different integration periods
US9473706B2 (en) 2013-12-09 2016-10-18 Apple Inc. Image sensor flicker detection
US9331116B2 (en) 2014-01-15 2016-05-03 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated single photon avalanche diode imaging sensor with high short wavelength detection efficiency
US9312401B2 (en) 2014-01-15 2016-04-12 Omnivision Technologies, Inc. Single photon avalanche diode imaging sensor for complementary metal oxide semiconductor stacked chip applications
KR102135586B1 (ko) 2014-01-24 2020-07-20 엘지전자 주식회사 이동 단말기 및 이의 제어방법
US10285626B1 (en) 2014-02-14 2019-05-14 Apple Inc. Activity identification using an optical heart rate monitor
US9232150B2 (en) 2014-03-12 2016-01-05 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor
US9277144B2 (en) 2014-03-12 2016-03-01 Apple Inc. System and method for estimating an ambient light condition using an image sensor and field-of-view compensation
US9584743B1 (en) 2014-03-13 2017-02-28 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and pixel cross-talk compensation
US9478030B1 (en) 2014-03-19 2016-10-25 Amazon Technologies, Inc. Automatic visual fact extraction
US10444834B2 (en) 2014-04-01 2019-10-15 Apple Inc. Devices, methods, and user interfaces for a wearable electronic ring computing device
DE112015001704T5 (de) 2014-04-07 2016-12-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Bildsensor mit hoher Auflösung, Frame-Rate und niedrigem Stromverbrauch
US9497397B1 (en) 2014-04-08 2016-11-15 Apple Inc. Image sensor with auto-focus and color ratio cross-talk comparison
US9538106B2 (en) 2014-04-25 2017-01-03 Apple Inc. Image sensor having a uniform digital power signature
US9445018B2 (en) 2014-05-01 2016-09-13 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems with phase detection pixels
US9686485B2 (en) * 2014-05-30 2017-06-20 Apple Inc. Pixel binning in an image sensor
US9888198B2 (en) 2014-06-03 2018-02-06 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems having image sensor pixel arrays with sub-pixel resolution capabilities
JP6610962B2 (ja) 2014-07-25 2019-11-27 ソニー株式会社 固体撮像素子、ad変換器、および電子機器
KR102269600B1 (ko) 2014-08-05 2021-06-25 삼성전자주식회사 위상차 포커스 검출 가능한 촬상소자
US9209320B1 (en) 2014-08-07 2015-12-08 Omnivision Technologies, Inc. Method of fabricating a single photon avalanche diode imaging sensor
US20160050379A1 (en) 2014-08-18 2016-02-18 Apple Inc. Curved Light Sensor
US9894304B1 (en) * 2014-08-18 2018-02-13 Rambus Inc. Line-interleaved image sensors
EP3186661B1 (en) 2014-08-26 2021-04-07 Massachusetts Institute of Technology Methods and apparatus for three-dimensional (3d) imaging
US9685576B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 Omnivision Technologies, Inc. Back side illuminated image sensor with guard ring region reflecting structure
WO2016115338A1 (en) 2015-01-14 2016-07-21 Emanuele Mandelli Phase-detect autofocus
US10217889B2 (en) 2015-01-27 2019-02-26 Ladarsystems, Inc. Clamped avalanche photodiode
US9455285B2 (en) 2015-02-04 2016-09-27 Semiconductors Components Industries, Llc Image sensors with phase detection pixels
JP6333189B2 (ja) 2015-02-09 2018-05-30 三菱電機株式会社 レーザ受信装置
KR20160103302A (ko) 2015-02-24 2016-09-01 에스케이하이닉스 주식회사 램프전압 제너레이터 및 그를 포함하는 이미지 센싱 장치
KR20160109002A (ko) 2015-03-09 2016-09-21 에스케이하이닉스 주식회사 출력 극성 변환을 이용한 전치 증폭기 및 그를 이용한 비교기와 아날로그-디지털 변환 장치
EP3070494B1 (de) 2015-03-18 2021-04-28 Leica Geosystems AG Elektrooptisches distanzmessverfahren und ebensolcher distanzmesser
US9749556B2 (en) 2015-03-24 2017-08-29 Semiconductor Components Industries, Llc Imaging systems having image sensor pixel arrays with phase detection capabilities
US9661308B1 (en) 2015-04-20 2017-05-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Increasing tolerance of sensor-scanner misalignment of the 3D camera with epipolar line laser point scanning
US10132616B2 (en) 2015-04-20 2018-11-20 Samsung Electronics Co., Ltd. CMOS image sensor for 2D imaging and depth measurement with ambient light rejection
KR20170019542A (ko) 2015-08-11 2017-02-22 삼성전자주식회사 자동 초점 이미지 센서
US10620300B2 (en) 2015-08-20 2020-04-14 Apple Inc. SPAD array with gated histogram construction
US10613225B2 (en) 2015-09-21 2020-04-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Distance measuring device
US10108151B2 (en) 2015-09-21 2018-10-23 Apple Inc. Indicators for wearable electronic devices
KR102386471B1 (ko) 2015-10-28 2022-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 램프전압 제너레이터, 그를 포함하는 이미지 센싱 장치 및 그 이미지 센싱 장치의 구동 방법
KR20170056909A (ko) 2015-11-16 2017-05-24 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
CN111239708B (zh) 2015-12-20 2024-01-09 苹果公司 光检测和测距传感器
JP6735582B2 (ja) 2016-03-17 2020-08-05 キヤノン株式会社 撮像素子およびその駆動方法、および撮像装置
US9912883B1 (en) * 2016-05-10 2018-03-06 Apple Inc. Image sensor with calibrated column analog-to-digital converters
US10775605B2 (en) 2016-06-16 2020-09-15 Intel Corporation Combined biometrics capture system with ambient free IR
US10153310B2 (en) 2016-07-18 2018-12-11 Omnivision Technologies, Inc. Stacked-chip backside-illuminated SPAD sensor with high fill-factor
JP6818875B2 (ja) 2016-09-23 2021-01-20 アップル インコーポレイテッドApple Inc. 積層背面照射型spadアレイ
US10271037B2 (en) 2017-01-20 2019-04-23 Semiconductor Components Industries, Llc Image sensors with hybrid three-dimensional imaging
CN110235024B (zh) 2017-01-25 2022-10-28 苹果公司 具有调制灵敏度的spad检测器
US20190018119A1 (en) 2017-07-13 2019-01-17 Apple Inc. Early-late pulse counting for light emitting depth sensors
US10622538B2 (en) 2017-07-18 2020-04-14 Apple Inc. Techniques for providing a haptic output and sensing a haptic input using a piezoelectric body

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007173950A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Toshiba Corp 固体撮像装置及びその画素平均化処理方法
JP2013529035A (ja) * 2010-06-01 2013-07-11 博立▲碼▼杰通▲訊▼(深▲せん▼)有限公司 マルチスペクトル感光素子及びそのサンプリング方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN110198422A (zh) 2019-09-03
CN204761615U (zh) 2015-11-11
JP6110891B2 (ja) 2017-04-05
KR102271135B1 (ko) 2021-06-29
US10609348B2 (en) 2020-03-31
KR20170007706A (ko) 2017-01-19
JP6651478B2 (ja) 2020-02-19
KR101696309B1 (ko) 2017-01-13
US9686485B2 (en) 2017-06-20
US20180109742A1 (en) 2018-04-19
JP2015228650A (ja) 2015-12-17
CN110198422B (zh) 2022-08-16
CN105282459A (zh) 2016-01-27
KR20150138078A (ko) 2015-12-09
CN105282459B (zh) 2019-05-31
US20150350575A1 (en) 2015-12-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6110891B2 (ja) 画像センサにおける画素ビニング
US9596423B1 (en) Charge summing in an image sensor
US9319611B2 (en) Image sensor with flexible pixel summing
US11405576B2 (en) Image sensor and image-capturing device
US10440301B2 (en) Image capture device, pixel, and method providing improved phase detection auto-focus performance
US10284769B2 (en) Image sensor with in-pixel depth sensing
JP2021121123A (ja) 固体撮像装置およびその駆動方法、並びに電子機器
CN106210572B (zh) 图像传感器以及操作图像传感器的方法
WO2021063162A1 (zh) 图像传感器、摄像头组件及移动终端
KR101495895B1 (ko) 넓은 동적 범위를 갖는 광전 변환장치 및 광전 변환방법
KR20200113484A (ko) 이미지 센서 및 그 동작 방법
US20220336508A1 (en) Image sensor, camera assembly and mobile terminal
KR20220055390A (ko) 균등하게 배치된 위상 검출 픽셀을 포함하는 픽셀 어레이, 및 이를 포함하는 이미지 센서
KR20160072508A (ko) 컬러 필터 어레이 및 이를 구비한 이미지 센서
JP2024014855A (ja) イメージセンサー

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180524

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180524

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190410

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190520

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190819

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20191223

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6651478

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250