KR20090077877A - 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치 - Google Patents

청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20090077877A
KR20090077877A KR1020090048034A KR20090048034A KR20090077877A KR 20090077877 A KR20090077877 A KR 20090077877A KR 1020090048034 A KR1020090048034 A KR 1020090048034A KR 20090048034 A KR20090048034 A KR 20090048034A KR 20090077877 A KR20090077877 A KR 20090077877A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
region
hole transport
blue
organic light
Prior art date
Application number
KR1020090048034A
Other languages
English (en)
Inventor
사토시 세오
순페이 야마자키
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Publication of KR20090077877A publication Critical patent/KR20090077877A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/12—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

유기 화합물 막은 정공 수송 영역, 제 1 혼합 영역, 발광 영역, 제 2 혼합 영역 및 전자 수송 영역으로 구성되며, 이들 영역들은 서로 연결되어 있다. 이렇게 구성된 유기 화합물 막으로 얻어진 청색 유기 발광 소자는 종래의 적층(laminate) 구조에 존재하는 층들 사이에 계면들이 존재하지 않는다. 이 소자 구조에 안료 도핑이 추가될 때, 백색 유기 발광 소자가 얻어진다. 높은 발광 효율과 긴 수명을 가진 청색 또는 백색 유기 발광 소자가 본 발명의 방법에 의해 제공된다. 이 유기 발광 소자가 색상 변환층들 또는 컬러 필터들과 조합되게 될 때, 보다 적은 전력을 소모하면서 수명이 긴 풀 컬러 표시 장치가 얻어진다.
전자 수송 영역, 혼합 영역, 정공 수송 영역, 유기 발광 소자, 표시 장치

Description

청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치{Blue organic light emitting device, white organic light emitting device, and full color display device}
1. 발명의 분야
본 발명은 양극, 음극 및 전계의 적용에 의해 광을 방출하는 유기 화합물을 포함하는 막(이하, 유기 화합물 막이라 지칭)을 가지는 유기 발광 소자를 사용하는 표시 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 종래의 것들보다 높은 발광 효율과 긴 수명을 가지는 청색 유기 발광 소자 또는 백색 유기 발광 소자를 사용하는 풀 컬러 표시 장치(full color display device)에 관한 것이다. 본 명세서에서 표시 장치라는 용어는 발광 소자로서 유기 발광 소자를 채용하는 화상 표시 장치를 지칭한다. 또한, 표시 장치의 정의에는 이방성 도전막(FPC; 가요성 인쇄 회로; flexible printed circuit), TAB(테이프 자동화 본딩; tape automated bonding) 테이프 또는 TCP(테이프 캐리어 패키지; tape carrier package) 같은 커넥터가 유기 발광 소자에 부착되어 있는 모듈, TAB 테이프 또는 TCP의 선단상에 인쇄 배선판이 제공되어 있는 모듈 및 IC(집적 회로; integrated circuit)가 COG(칩 온 글래스; chip on glass)법에 의해 유기 발광 소자에 직접적으로 장착되어 있는 모듈이 포함된다.
2. 배경 기술의 설명
유기 발광 소자는 전계가 가해질 때 광을 방출하는 소자이다. 그 발광 메카니즘은 하기와 같이 설명된다. 전극들 사이에 개재되어 있는 유기 화합물 막에 전압이 인가되어 유기 화합물 막내의 음극으로부터 주입된 전자들과 양극으로부터 주입된 정공들의 재결합을 유발하고, 결과적으로 여기된 분자(이하, 분자 엑시톤(exciton)이라 지칭함)가 베이스 상태로 복귀할 때, 발광의 형태로 에너지를 방출한다.
유기 화합물들로부터 두가지 형태의 분자 엑시톤들이 존재하고 있으며, 하나는 단일 엑시톤이고, 나머지 하나는 삼중 엑시톤이다. 본 명세서는 단일 여기가 발광을 유발하는 경우와, 삼중 여기가 발광을 유발하는 경우 양자 모두의 경우를 포함하고 있다.
상기와 같은 유기 발광 소자에서, 그 유기 화합물 막은 통상적으로 1㎛ 미만의 두께를 가진 박막이다. 부가적으로, 유기 발광 소자는 그것이 자기 발광 소자이며, 유기 화합물 막 자체가 광을 방출하기 때문에 종래의 액정 디스플레이들에서 사용되는 백라이트(back light)를 필요로 하지 않는다. 따라서, 유기 발광 소자는 매우 얇고 가벼운 표시 장치를 제조하는데 유용하며, 이는 중요한 장점이다.
예로서, 유기 화합물 막이 두께가 약 100 내지 200nm 일 때, 유기 화합물 막내의 캐리어들의 이동성에 기초하여, 캐리어들을 주입한 이후 수십 나노세컨드내에 재조합이 발생한다. 캐리어 재조합으로부터 발광까지의 프로세스를 고려하면, 유기 발광 소자는 수 마이크로세컨드내에 발광이 준비된다. 따라서, 신속한 응답도 유기 발광 소자의 장점들 중 하나이다.
유기 발광 소자가 캐리어 주입형으로 이루어지기 때문에, 직류 전압으로 구동될 수 있으며, 소음이 거의 발생되지 않는다. 구동 전압에 관련하여, 유기 화합물 막으로서 약 100nm의 균일한 두께를 가진 매우 얇은 막을 사용하고, 상기 유기 화합물 막에 대한 캐리어 주입 배리어를 저하시킬 수 있는 전극 재료를 선택하며, 부가적으로, 헤테로 구조(이층 구조; hetero structure)를 도입함으로써 5.5V에서 100cd/m2의 충분한 휘도를 얻을 수 있다는 것이 보고되어 있다(참조문헌 1 : C.W. Tang and S.A. VanSlyke, "Organic electroluminescent diodes", Applied Physics Letters, vol. 51, no.12, 913-915(1987)).
보다 얇고, 보다 가벼우며, 신속한 응답과, 직류 저전압 구동을 포함하는 이들 특성들과 함께, 유기 발광 소자는 차세대 평면 패널 표시 장치로서 주목을 받고 있다. 부가적으로, 자체 발광형이며, 넓은 시야각을 가지므로, 유기 발광 소자는 보다 양호한 가시성을 가지며, 휴대용 장비의 디스플레이 스크린을 위해 사용하기에 특히 유용한 것으로 고려되고 있다.
유기 발광 소자의 다른 특성은 다양한 색상의 광을 방출한다는 것이다. 양호하게 변화된 색상들이 유기 화합물의 다양성으로부터 유도된다. 달리 말해서, 분자를 설계(예로서, 치환체의 도입)함으로써, 다른 색상들을 발광하는 재료가 개발될 수 있다는 유연성으로부터 다양한 색상들이 유도된다.
이런 점들에서, 유기 발광 소자들의 가장 유망한 응용 분야는 풀 컬러 평면 패널 디스플레이라고 확언할 수 있다. 유기 발광 소자들의 특성들을 고려하면서 풀 컬러를 디스플레이하기 위해 다양한 방법들이 안출되어 왔다. 현재, 유기 발광 소자를 사용하는 풀 컬러 표시 장치를 위한 세가지 주된 제조 방법이 존재한다.
이들 주된 방법들 중 하나는 적색광을 방출하는 유기 발광 소자와, 녹색광을 방출하는 유기 발광 소자 및 청색광을 방출하는 유기 발광 소자를 새도우 마스크를 사용하여 독립적으로 형성하는 것이다. 적색, 녹색 및 청색은 빛의 삼원색들이며, 유기 발광 소자들의 이들 형태들 각각이 하나의 화소를 형성한다. 이 방법은 하기에 분리 형성법이라 지칭된다. 광원으로서 청색 유기 발광 소자를 사용하고, 유기 형광 물질로 형성된 색상 변환층들(CCM)을 통해 청색광을 녹색광 및 적색광으로 변환함으로써 빛의 삼원색을 얻는다. 이 방법은 이하 CCM법이라 지칭한다. 마지막 한가지는 광원으로서 사용되는 백색 유기 발광 소자를 액정 표시 장치 등에 사용되는 컬러 필터들(CF)을 통해 통과시킴으로써 빛의 삼원색을 얻는 방법이다. 이 방법은 이하 CF법이라 지칭한다.
분리 형성법은 상기 방법이 CCM법의 광 변환층들에서의 광손실(변환 효율이 100%에 도달하기 어려움)이나, CF법의 컬러 필터들에 의한 광 흡수가 발생하지 않기 때문에, 가장 효과적인 것으로 고려된다. 이 분리 형성법은 상기 방법이 자기 발광 유기 발광 소자의 특성으로부터의 완전한 장점을 표시 장치가 얻을 수 있다는 점에서 매력적인 방법이다.
그러나, 분리 성형법도 소정의 문제들을 가지고 있다. 예로서, 상기 방법에 서 사용되는 새도우 마스크는 크기가 보다 작은 화소와 함께 사용하기가 곤란하다. 부가적으로, 상기 마스크는 제조가 한 컬러를 위한 유기 발광 소자의 형성으로부터 다른 컬러를 위한 유기 발광 소자의 형성까지 진행되는 동안 매번 위치가 변화되어야만 한다. 마스크의 위치 변경 작업은 오히려 성가신 것이며, 생산성을 불만족스럽게 한다.
독립 성형법의 보다 심각한 문제점은 현재로서는 특성(발광 효율 및 수명)들이 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자 및 청색 발광 소자 사이에서 변화한다는 것이다.
예로서, 발광 효율에 관련하여, 풀 컬러 디스플레이에서 빛의 삼원색의 각각에 대하여 최소 요구 효율(전력 효율과 동일, 그 단위는 lm/W임)이 제안되어 있다(참조문헌 2 : Yoshiharu Sato, "Journal of Organic Molecules And Bioelectronics Division of The Japan Society of Applied Physics", vol.11, no. 1, 86-99(2000)). 참조문헌 2에 따라, 녹색 발광 소자와 청색 발광 소자는 각 요구치를 초과하는 발광 효율을 나타낸다는 것이 다수회 보고되어 있다. 한편, 적색 발광 소자의 발광 효율은 그 요구치보다 매우 낮다. 따라서, 현재의 환경에서, 적색 발광 소자의 낮은 발광 효율이 분리 형성법에 의한 풀 컬러 표시 장치에 대한 장애물이다.
수명(시간에 따른 휘도의 저하)과 관련하여, 일 컬러의 유기 발광 소자의 수명이 다른 컬러의 유기 발광 소자의 수명과 정확히 일치하는 경우는 드물다. 이는 빛의 삼원색들 사이의 색상 균형이 시간에 따라 소실되고, 부정확한 색상 표현과, 불규칙한 휘도를 초래하며, 이는 디스플레이로서는 치명적인 결함이다.
한편, CCM법과 CF법의 장점은 상기 방법들이 광의 미소한 손실이나 흡수로 인해 방출된 광을 취출하는데 열악한 효율을 가지고 있음에도 불구하고, 상술한 바와 같은 분리 성형법의 치명적인 문제점들을 가지고 있지 않다는 것이다.
CCM법 또는 CF법은 단일 색상(CCM법의 경우에는 청색, CF법의 경우에는 백색)의 유기 발광 소자가 사용되기 때문에, 새도우 마스크를 사용하여 상이한 색상들의 유기 발광 소자들을 개별적으로 형성하기 위한 최소 작업이 필요하지 않다. 또한, 색상 변환층과 컬러 필터는 종래의 포토리소그래피 기술에 의해 형성될 수 있으며, 어떠한 복잡한 프로세스도 필요하지 않다. 더욱이, CCM법과 CF법은 단 하나의 형태의 유기 발광 소자만이 사용되어 휘도가 시간에 따라 균일하게 변화하기 때문에, 시간 경과에 따른 부정확한 색상 표현과 불규칙적 휘도가 발생하지 않는다.
상술한 바로부터, CCM법과 CF법은 보다 높은 휘도와 보다 긴 수명을 가진 청색 또는 백색 유기 발광 소자를 획득하는 것이 가능하다면, 풀 컬러 표시 장치를 제조하는데 매우 효과적인 방법이다.
그러나, 청색 유기 발광 소자들과, 백색 유기 발광 소자들을 제조하는데는 몇가지 문제점들이 존재한다. 첫째로, 두가지 모두에 대해 공통적인 문제점으로서 짧은 수명을 들 수 있다.
청색 유기 발광 소자들은 디스티릴 아릴렌계 청색 발광 재료의 개발의 결과 로서 최근 급격한 진보가 이루어져 왔다. 상기 재료는 초기 휘도가 100cd/m2 일 때 휘도에 관하여 2만 시간의 반감기(half-life)를 달성하는 것을 가능하게 하며, 상기 소자는 일정한 전류로 구동된다(참조 문헌 3; Masatoshi Aketagawa, "Monthly display", Oct., 1998, Special Issue on Organic EL Display, 100-104").
이 진보에도 불구하고, 청색 유기 발광 소자는 CCM법을 사용하여 풀 컬러 디스플레이를 실현하는 데에는 밝은 녹색광과 적색광을 실현하기 위해서, 보다 높은 휘도로 청색광을 방출할 필요가 있다(색상 변환층의 손실로 인해). 유기 발광 소자의 수명은 상기 소자가 보다 높은 휘도로 광을 방출할 때 보다 짧아지게 된다. 따라서, CCM법이 사용될 때에는, 수명이 더 길어져야만 한다. 예로서, 가장 긴 수명을 갖는 녹색 유기 발광 소자는 동일한 조건들인 경우에 최장 5만 시간일 수 있으며, 청색 유기 발광 소자들은 이 길이의 수명을 달성하는 것이 적합하다.
짧은 수명의 문제는 백색 유기 발광 소자들에서 더욱 심각하다. 한 보고서에는 하나의 샘플을 제외하고, 저분자량 재료들로 제조된 백색 유기 발광 소자들의 휘도의 반감기는 초기 휘도가 100cd/m2으로 설정되고 상기 소자들이 일정한 전류로 구동되었을 때, 수십 시간 수준이라고 보고하고 있다(참조문헌 4 : Yasuhisa Kishikami, "Monthly Display", Sep. 2000, 20-25).
낮은 발광 효율은 백색 유기 발광 소자들의 또다른 문제점이다. 백색 유기 발광 소자들이 컬러 필터들과 조합되는 CF법에서, 방출된 광의 대부분이 컬러 필터들에 의해 흡수되기 때문에, 발광 효율은 극도로 낮다. 높은 발광 효율은 청색 유 기 발광 소자들이 사용되는 CCM법에서도 요구되며, 색상 변환층으로 인해 광의 손실이 유발되기 때문이다.
본 발명은 상술한 관점에서 수행된 것이며, 따라서, 본 발명의 목적은 높은 발광 효율과 긴 수명을 가진 청색 또는 백색 유기 발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 상기 유기 발광 소자를 CCM법 또는 CF법과 조합함으로써 종래의 것들에 비해 보다 높은 효율과 보다 긴 수명 및 보다 양호한 생산성을 가지는 풀 컬러 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 표시 장치를 사용하여 전기 기구를 제조함으로써, 종래의 것들보다 적은 전력을 소모하며, 수명이 긴 저가 전기 기구를 제공하는 것이다.
참조문헌 1에 개시된 유기 발광 소자에서, 기본적으로, 낮은 일함수를 가지며, 상대적으로 안정한 Mg:Ag 합금을 음극용으로 사용함으로써 유기 화합물 막에 대한 캐리어 주입 배리어가 낮아지며, 그래서, 보다 많은 전자들이 주입된다. 이는 유기 화합물 막내로 다수의 캐리어들이 주입될 수 있게 한다.
부가적으로, 방향족 디아민 화합물로 형성된 정공 수송층 및 트리스(8-퀴놀리놀레이트)-알루미늄(tris(8-quinolate)-Aluminum; 이하, Alq라 지칭)으로 형성된 전자 수송 발광층이 유기 화합물 막으로서 적층되는 단일 헤테로 구조가 적용되어 캐리어 재조합 효율을 지수함수적으로 증가시킨다. 이에 관해서는 후술한다.
유기 화합물 막이 예로서, Alq의 단일층으로만 구성되는 유기 발광 소자의 경우에, 음극으로부터 주입된 대부분의 전자들은 Alq가 전자를 수송할 수 있기 때 문에, 정공들과 재조합 하지 않고 양극에 도달한다. 따라서, 발광 효율이 매우 낮다. 간략히 말해서, 단일층 유기 발광 소자가 광을 효율적으로 방출할 수 있기 위해서는(즉, 상기 소자를 저전압으로 구동하기 위해서), 전자들과 정공들 양자 모두를 균형된 양으로 수송할 수 있는 재료(이하, 바이폴라 재료라 지칭)가 사용되어야만 하며, Alq는 이 조건을 충족하지 못한다.
한편, 참조문헌 1과 같이 단일 헤테로 구조가 적용될 때, 음극으로부터 주입된 전자들은 정공 수송층과 전자 수송 발광층 사이의 계면에서 차단되며, 전자 수송 발광층내에 포획된다. 따라서, 캐리어들의 재조합이 전자 수송 발광층에서 높은 효율로 발생하여 효과적인 발광을 초래한다.
참조 문헌 1의 유기 발광 소자는 정공 수송층과 전자 수송 발광층의 기능들을 분리시켜, 정공 수송층이 정공의 수송에 할당되고, 전자 수송 발광층이 전자의 수송 및 발광에 할당되는 것을 특징으로 한다고 할 수 있다. 이 기능 분리의 장점은 이 기능 분리가 하나의 유지 재료가 다양한 기능들(발광, 캐리어 수송 및 전극들로부터의 캐리어들의 주입)을 동시에 지원하지 않아도 되게 한다는 것(예로서, 기능 분리는 적절한 양극성 재료를 찾을 필요를 소거해줌)과, 분자 설계의 자유도가 증가된다는 것이다.
유사한 적층 구조들의 응용이 종래의 청색 유기 발광 소자들과, 백색 유기 발광 소자들에 적용된다. 예로서, 청색 유기 발광 소자의 기본 구조는 발광층이 참조문헌 3에 도시된 바와 같이 전자 수송층과 정공 수송층 사이에 개재되어 있는 이중 헤테로 구조이다. 백색 유기 발광 소자는 고분자량 재료의 단일층내에 안료가 확산되어 있는 경우를 제외하고는 차단층을 가진 적층 구조를 사용하는 경우가 많다. 한편, 차단층을 가진 적층구조는 저 분자량 재료가 사용될 때 채용된다(참조 문헌 5 : Junji Kido, Masato Kimura, Katsu toshi Nagai, "Multilayer White Light-Emitting Organic Electroluminescent Device", Science, vol. 269, no. 3, 1332-1334(1995)). 차단층은 최고비 점유 분자 궤도(HOMO)와 최저비 점유 분자 궤도(LUMO)(이하, 여기 에너지 레벨이라 지칭) 사이의 에너지에 큰 편차를 가지며, 분자 엑시톤의 확산을 방지하고 정공 및 전자들의 전송을 방지하는 기능을 가지는 재료로 형성된 층을 의미한다.
그러나, 위에 설명된 적층 구조들은 서로 다른 물질들 사이를 접합시킴으로써 형성되며, 따라서, 각 층들 사이에 계면(이하, 유기 계면이라 지칭)이 형성된다. 유기 인터페이스 형성에 의해 유발되는 한가지 문제점은 유기 발광 소자의 수명에 대한 영향이다. 다시 말해서, 캐리어 운동의 저해와, 결과적인 유기 계면내의 전하들의 축적에 의해 휘도가 낮아진다.
비록 열화의 메카니즘을 설명하는 명확한 메카니즘은 존재하지 않지만, 휘도를 저하시키는 것은 양극과 정공 수송 층 사이에 정공 주입층을 삽입하고, 직류 구동 대신 장방파로 교류 구동하는 것에 의해 휘도의 저하가 제한될 수 있다고 보고되어 있다(참조 문헌 6 : S. A. VanSlyke, C. H. Chen 및 C. W. Tang, "Organic electroluminescent device with improved stability", Applied Physics Letters, vol. 69, no.15, 2160, 2162(1996)). 이는 정공 주입층의 삽입 및 교류 구동을 통해 전하들의 축적을 회피함으로써 휘도의 저하가 제한될 수 있다는 사상에 대한 실 험적 검증이다.
캐리어들의 이동이 유기 계면에서 차단될 때, 구동 전압은 현저히 상승될 수 있다. 이 문제점을 해결하는 것도 구동 전압의 저하가 발광 효율의 향상을 초래할 수 있기 때문에 발광 효율의 관점에서 중요하다.
상기 문제점을 극복하기 위해서, 유기 계면에서 캐리어의 이동을 차단하는 원인을 찾고, 이 원인을 개선하는 것이 중요하다. 유기 계면을 형성하는 것에 의한 캐리어 이동의 차단의 모델로서, 본 발명자들은 하기의 두가지 메카니즘을 고려하였다.
한가지 메카니즘은 유기 계면의 형상을 포함한다. 유기 발광 소자내의 유기 화합물 막은 통상적으로 비결정막이며, 이는 분자간 힘들, 주로, 다이폴 상호작용에 의해 집합된 유기 화합물 분자들로 형성된다. 이런 분자들의 집합을 사용하여 헤테로 구조가 구성될 때, 분자들의 형상 및 크기의 편차들은 헤테로 구조의 계면들(즉, 유기 계면들)에 현저한 영향을 미칠 수 있다.
특히, 헤테로 구조가 분자 크기에 큰 편차를 가진 재료를 사용하여 구축되는 경우에, 유기 계면들의 접합의 정합성이 열악해질 수 있다. 그 개요도가 도 1에 도시되어 있다. 도 1에서, 작은 분자들(101)로 구성된 제 1 층(111)과, 큰 분자들(102)로 구성된 제 2 층(112)이 적층된다. 이 경우에, 정합성이 열악한 영역들(114)이 층들(111 및 112) 사이의 유기 계면(113)에 형성된다.
도 1에 도시된 정합성이 열악한 영역(114)은 캐리어들의 이동을 차단하는 배리어(또는, 에너지 배리어)로서 작용할 수 있으며, 따라서, 구동 전압의 감소에 상 반될 수 있다. 결과적으로, 발광 효율이 낮아질 수 있다. 에너지 배리어를 넘어가지 못하는 캐리어들은 전하들로서 축적하고, 상술한 바와 같은 휘도의 저하를 유도할 수 있다.
다른 메카니즘은 헤테로 구조(즉, 유기 계면들)를 구성하는 프로세스를 포함한다. 헤테로 구조를 가진 유기 발광 소자는 일반적으로, 각 층들의 형성시 오염을 회피하기 위해 도 2에 도시된 것과 같은 다중 챔버형(직렬형) 증착 장치에 의해 제조된다.
개요도로서 도 2에 도시되어 있는 예는 정공 수송층과, 발광층 및 전자 수송층으로 구성된 이중 헤테로 구조를 형성하기 위한 증착 장치이다. 먼저, 양극(예로서 인듐 주석 산화물(이하, ITO라 지칭)로 형성된)를 가진 기판이 로딩 챔버내로 위치된다. 상기 기판은 양극 표면을 세정하기 위해 자외선 조사실에서 진공 분위기에서 자외선으로 조사된다. 양극이 특히 ITO 같은 산화물일 때, 전처리 챔버에서 산화 처리가 수행된다. 그후, 상기 적층 구조의 층들이 형성된다. 증착 챔버(201)에서 정공 수송층이 형성되고, 증착 챔버(202 내지 204)에서 발광층(도 2의 적색, 녹색 및 청색층)이 형성되며, 증착 챔버(205)에서 전자 수송층이 형성된다. 증착 챔버(206)에서의 증착에 의해 음극이 형성된다. 마지막으로, 밀봉 챔버에서 밀봉이 수행되고, 언로딩 챔버의 외측으로 기판이 취출되어 유기 발광 소자가 얻어진다. 참조 부호 215 내지 216은 증착원들을 나타낸다.
이와 같은 직렬형 증착 장치는 서로 다른 층들이 서로 다른 챔버들(201 내지 206)내에서의 증착에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다. 달리 말해, 상기 장치는 각 층들의 재료들의 혼합이 거의 완전히 회피되도록 구성되어 있다.
비록, 증착 장치의 내부의 압력이 통상적으로 10-4 내지 10-5 파스칼로 감소되지만, 미량의 가스 성분들(산소 및 수증기 등)이 존재하고 있다. 이런 수준의 진공에서, 이들 미량의 가스 성분들이 수초내에 단분자 흡수층을 형성하기 쉽다.
따라서, 적층 구조를 갖는 유기 발광 소자가 도 2와 같은 장치를 사용하여 제조될 때, 일층의 형성과 다른 층의 형성 사이의 큰 시간 간격이 문제이다. 보다 명확하게 말하면, 미량의 가스 성분으로 인한 바람직하지 못한 흡수층(이하, 도펀트층이라 지칭)은 층들을 형성하는 사이의 시간 간격에서, 특히, 기판이 제 2 전달 챔버를 통해 전달될 때 형성될 수 있다.
그 개요도가 도 3에 도시되어 있다. 도 3에서, 상기 제 2 층이 상기 제 1층상에 놓일 때, 제 1 유기 화합물(301)로 형성된 제 1 층(311)과, 제 2 유기 화합물(302)로 형성된 제 2 층(312) 사이에 미량의 불순물(303; 수증기 또는 산소 등)로부터 불순물층(313)이 형성된다.
이 방식으로, 상기 층들 사이(즉, 유기 계면들)에 불순물층들이 형성될 때, 이들은 유기 발광 소자가 완성된 이후에 캐리어를 포획하는 불순물 영역들로서 기능하고, 그에 의해, 캐리어들의 이동을 차단한다. 따라서, 구동 전압이 상승되어 발광 효율이 저하될 수 있다. 부가적으로, 캐리어들을 포획하는 불순물 층들의 존재는 전하의 축적을 초래하며, 따라서, 상술한 바와 같은 휘도의 저하가 유도될 수 있다.
유기 계면들에서 발생하는 상술한 문제들(유기 계면의 형상 열화와 불순물 층들의 형성)을 해결하기 위해서, 본 발명자들은 도 4에 도시된 바와 같은 결합 구조를 안출하였다.
도 4는 영역(411), 영역(412) 및 혼합 영역(413)으로 구성된 유기 화합물 막의 단면도이다. 상기 영역(411)은 작은 분자들(401)로 구성되어 있다. 상기 영역 (412)은 큰 분자들(402)로 구성되어 있다. 상기 혼합 영역(413)은 작은 분자들(401)과 큰 분자들(402) 양자 모두를 포함하고 있다. 도 4로부터 명백한 바와 같이, 도 1에 제공된 유기 계면(113)이나, 정합성이 열악한 영역(114) 양자 모두가 없다. 따라서, 유기 계면의 열화된 형상의 문제점이 해결될 수 있다.
불순물층 형성의 문제가 해결되는 방식은 간단하며, 명료하다. 도 4와 같은 결합 구조가 제조될 때, 작은 분자들(401)의 영역(411)이 증착에 의해 형성되고, 큰 분자들(402)이 증착에 의해 부가적으로 증착되어 혼합 영역(413)을 형성한다. 혼합 영역(413)이 완성된 이후에, 증착에 의한 작은 분자(401)의 증착이 정지되고, 단지 증착에 의한 큰 분자(402)의 증착만이 지속된다. 이는 하나 또는 둘의 재료들이 유기 계면을 형성하지 않고 증착에 의해 연속적으로 증착되는 상황을 형성한다. 따라서, 도 2중 하나와 같은 증착 장치를 사용하여 유기 발광 소자를 제조할 때 통상적으로 존재하는 시간 간격이 존재하지 않는다. 간단히 말해서, 불순물층들이 형성될 시간이 존재하지 않는다.
이런 결합 구조를 채용함으로써, 어떠한 유기 계면도 형성될 수 없고, 따라서, 캐리어의 이동이 원활하며, 발광 효율과 유기 발광 소자의 수명이 영향을 받지 않는다. 부가적으로 기능의 분리가 종래의 적층 구조에서처럼 고정된다.
상이한 물질들의 단순한 결합(헤테로 접합)인 종래의 적층 구조와는 대조적으로, 본 발명의 결합 구조에서는 신규한 개념에 기초한 유기 발광 소자를 제공할 수 있는 혼합 접합이라 지칭될 수 있다.
이때, 이 사상을 채택하여, 본 발명자들은 적층 구조의 유기 계면들이 실질적으로 제거되며, 동시에, 층들이 개별적으로 캐리어 수송 및 발광의 기능을 나타낼 수 있는 청색 또는 백색 유기 발광 소자를 얻기 위한 수단을 부가적으로 안출하였다.
도 5a 및 도 5b는 이중 헤테로 구조에 상기 혼합 접합을 도입시킴으로써 얻어진 청색 유기 발광 소자들의 개요도이다. 비록, 여기서 양극(501)이 기판(500)상에 배치되어 있지만, 구조는 기판상에 음극(503)를 배치하는 방식으로 역전될 수 있다. 유기 화합물 막이 502로 표시되어 있다.
도 5a의 소자는 정공 수송 재료로 형성된 정공 수송 영역(504), 청색 발광 재료로 형성된 발광 영역(505) 및 전자 수송 재료로 형성된 전자 수송 영역(506)을 가진다. 본 발명의 특징에 따라서, 상기 소자는 정공 수송 재료와 청색 발광 재료가 혼합되어 있는 제 1 혼합 영역(507)과, 청색 발광 재료와 전자 수송 재료가 혼합되어 있는 제 2 혼합 영역(508)을 추가로 구비한다.
도 5b는 정공 수송 재료로 형성된 정공 수송 영역(514), 호스트 재료에 청색 발광 재료(519)를 도핑함으로써 얻어진 발광 영역(515) 및 전자 수송 재료로 형성된 전자 수송 영역(516)을 갖는다. 본 발명의 특성에 따라, 상기 소자는 정공 수송 재료와 호스트 재료가 혼합되어 있는 제 1 혼합 영역(517)과, 전자 수송 재료와 호스트 재료가 혼합되어 있는 제 2 혼합 영역(518)을 추가로 구비한다.
도 6a 및 도 6b는 혼합 접합을 이중 헤테로 구조에 도입시킴으로써 얻어진 백색 유기 발광 소자들의 개요도이다. 비록 양극(501)이 여기서 기판(500)상에 배치되어 있지만, 상기 구조는 기판상에 음극(503)이 배치되도록 역전될 수 있다. 유기 화합물 막이 502로 표시되어 있다.
도 6a의 소자는 정공 수송 재료로 형성된 정공 수송 영역(504), 청색 발광 재료로 형성된 발광 영역(505) 및 전자 수송 재료로 형성된 전자 수송 영역(506)을 가진다. 본 발명의 특징에 따라서, 상기 소자는 정공 수송 재료와 청색 발광 재료가 혼합되어 있는 제 1 혼합 영역(507)과, 청색 발광 재료와 전자 수송 재료가 혼합되어 있는 제 2 혼합 영역(508)을 추가로 구비한다. 상기 소자가 백색광을 방출하게 하기 위해서, 청색 발광 재료로 형성된 영역(505)은 청색광보다 더 긴 파장을 가지는 광을 방출하는 제 2 발광 재료(601)로 도핑된다. 제 2 발광 재료(601)로부터 방출된 광의 양호한 색상은 실질적으로 노란색 또는 오랜지색이다.
청색 발광 재료로 형성된 영역(505)은 전체적인 도핑 대신 제 2 발광 재료(601)로 부분적으로 도핑되는 것이 적합하다. 이는 백색광을 얻기 위해 청색 발광 재료로부터의 청색광도 취출하여야만 하기 때문이다.
도 6a에 대한 대안으로서 상기 혼합 영역(507)을 제 2 발광 재료(601)로 도핑할 수 있다. 그 예로서, 도 6b에는 제 1 혼합 영역(507)이 제 2 발광 재료로 도핑되어 있는 소자를 도시하고 있다.
혼합 접합이 이중 헤테로 구조에 도입되어 있는 백색 유기 발광 소자는 청색 발광 재료에 부가하여 불순물로서 제 2 발광 재료와 제 3 발광 재료를 사용할 수 있다. 제 2 발광 재료는 청색광보다 긴 파장을 가지는 광을 방출하고, 제 3 발광 재료는 제 2 발광 재료로부터 방출되는 광보다 긴 파장을 가지는 광을 방출한다. 빛의 삼원색을 고려하여, 제 2 발광 재료와 제 3 발광재료는 각각 녹색광과 적색광을 방출하는 것이 적합하다.
이 경우에, 제 2 발광 재료와 제 3 발광 재료는 서로 다른 혼합 영역들에 도핑되도록 사용되는 것이 적합하다(즉, 제 1 혼합 영역이 하나로 도핑되고, 제 2 혼합 영역은 나머지 하나로 도핑됨). 도 7에 도시된 실시예에서, 제 1 혼합 영역(507)은 제 2 발광 재료(701)로 도핑되고, 제 2 혼합 영역(508)은 제 3 발광 재료(702)로 도핑된다.
지금 까지의 설명은 혼합 접합을 이중 헤테로 구조에 도입시킴으로써 얻어진 소자 구조들을 다루고 있다. 이후에는 단일 헤테로 구조에 혼합 접합을 도입시킴으로써 얻어진 소자 구조들을 설명한다. 도 8b 및 도 8b는 단일 헤테로 구조에 혼합 접합을 도입시킴으로써 얻어진 청색 유기 발광 소자들의 개요도이다. 비록, 양극(801)이 기판(800)상에 배치되어 있지만, 상기 구조는 기판상에 음극(803)이 배치되도록 역전될 수 있다. 유기 화합물 막은 802로 표시되어 있다.
도 8b의 소자는 정공 수송 재료로 형성된 정공 수송 영역(804), 전자 수송 재료로 형성된 전자 수송 영역(805)을 가진다. 본 발명의 특징에 따라, 상기 소자는 정공 수송 재료와 전자 수송 재료가 혼합되어 있는 혼합 영역(806)을 추가로 구 비한다. 상기 정공 수송 재료 또는 전자 수송 재료는 청색광을 방출한다.
도 8b의 소자는 정공 수송 재료로 형성된 정공 수송 영역(804)과, 전자 수송 재료로 형성된 전자 수송 영역(805)을 가진다. 본 발명의 특징에 따라서, 상기 소자는 정공 수송 재료와 전자 수송 재료가 혼합되어 있는 혼합 영역(806)을 추가로 구비한다. 혼합 영역(806)은 청색 발광 재료(807)로 도핑된다.
도 9a 및 도 9b는 단일 헤테로 구조에 혼합 접합을 도입시킴으로써 얻어진 백색 유기 발광 소자의 개요도이다. 비록, 여기서, 양극(801)이 기판(800)상에 배치되어 있지만, 상기 구조는 기판상에 음극(803)이 배치되도록 역전될 수 있다. 유기 화합물 막은 802로 도시되어 있다.
도 9a의 소자는 정공 수송 재료로 형성된 정공 수송 영역(804), 전자 수송 재료로 형성된 전자 수송 영역(805)을 가진다. 본 발명의 특징에 따라, 상기 소자는 정공 수송 재료와 전자 수송 재료가 혼합되어 있는 혼합 영역(806)을 추가로 구비한다. 상기 정공 수송 재료 또는 전자 수송 재료는 청색광을 방출한다. 상기 소자가 백색광을 방출하게 만들기 위해서, 혼합 영역(806)이 청색광보다 긴 파장을 가진 광을 방출하는 제 2 발광 재료(901)로 도핑된다. 제 2 발광 재료(901)로부터 방출되는 광의 색상은 실질적으로 노란색 내지 오랜지색인 것이 적합하다.
청색 발광 재료로 형성된 혼합 영역(806)은 전체적인 도핑 대신 제 2 발광 재료(901)로 부분적으로 도핑되는 것이 적합하다. 이는 백색광을 획득하기 위해서는 청색 발광 재료로부터 방출된 청색광도 취출하여야만 하기 때문이다.
도 9a에 대한 대안으로서, 정공 수송 영역(804)이나 전자 수송 영역(805)을 제 2 발광 재료(901)로 도핑할 수 있다. 그 예로서, 도 9b는 전자 수송 영역(805)이 제 2 발광 재료로 도핑되어 있는 소자를 도시한다.
혼합 접합을 도입시킴으로써 얻어진 백색 유기 발광 소자는 청색 발광 재료에 추가하여 불순물로서 제 2 발광 재료와 제 3 발광 재료를 사용할 수 있다. 상기 제 2 발광 재료는 청색광보다 긴 파장을 가진 광을 방출하고, 제 3 발광 재료는 제 2 발광 재료로부터 방출된 광보다 긴 파장을 가지는 광을 방출한다. 빛의 3원색을 고려하면, 제 2 발광 재료와 제 3 발광 재료는 각각 녹색광과 적색광을 방출하는 것이 적합하다.
이 경우에, 상기 제 2 발광 재료와 제 3 발광 재료는 상이한 캐리어 수송 영역들에 도핑되도록 사용하는 것이 적합하다(즉, 정공 수송 영역이 하나로 도핑되고, 전자 수송 영역은 나머지 하나로 도핑됨). 도 10에 도시된 예에서, 정공 수송 영역(804)이 제 2 발광 재료(1001)로 도핑되고, 전자 수송 영역(805)이 제 3 발광 재료(1002)로 도핑된다.
도 5a 내지 도 10에 도시되어 있지 않지만, 정공의 주입을 촉진하기 위한 재료(이하, 정공 주입 재료로 지칭)로 형성된 정공 주입 영역이 상기 양극과 유기 화합물 막 사이에 삽입될 수 있다. 또한, 전자의 주입을 촉진하기 위한 재료(이하, 전자 주입 재료라 지칭)로 형성된 전자 주입 영역이 음극과 유기 화합물 막 사이에 삽입될 수 있다.
정공 주입 재료와 전자 주입 재료는 전극들로부터 유기 화합물 막으로 캐리어들을 주입할 때 배리어를 저하시킬 수 있다. 따라서, 정공 주입 영역과 전자 주 입 영역은 전극들로부터 유기 화합물 막으로의 캐리어들의 이동을 원활하게 하여 전하들의 축적을 방지하는 효과를 갖는다. 상술한 바와 같이 불순물층이 형성되는 것을 회피하기 위해서, 주입 재료는 유기 화합물 막 이전 또는 이후에 시간 간격 없이 막내로 형성된다.
상기 청색 또는 백색 유기 발광 소자들은 높은 발광 효율과 긴 수명을 달성할 수 있다. 따라서, 이런 유기 발광 소자들을 CCM법 또는 CF법과 조합함으로써, 종래의 표시 장치들보다 높은 발광 효율과 긴 수명 및 양호한 생산성을 가진 풀 컬러 표시 장치를 달성할 수 있다.
본 발명을 실행함으로써, 전력을 덜 소비하며 긴 수명을 갖는 표시 장치가 얻어질 수 있다. 더욱이, 상기 표시 장치를 기기의 디스플레이 유닛으로서 사용함으로써 낮은 전력 소비를 갖는 밝은 이미지를 표시하는 내구성이 있는 전기 기구가 얻어질 수 있다.
본 발명의 실시 형태를 하기에 설명한다. 일반적으로, 유기 발광 소자의 양극이나 음극 중 어느 한쪽만 투명하면 방출된 광을 취출하기에 충분하다. 본 실시 형태의 유기 발광 소자에서, 양극을 통해 광을 취출하도록 기판상에 투명 양극이 형성된다. 그러나, 본 발명은 다른 구조들에도 적용될 수 있으며, 음극을 통해 광을 취출하도록 기판상에 투명 음극이 형성되거나, 광이 기판의 대향 측면을 통해 취출될 수도 있다.
본 발명의 실행시, 유기 발광 소자를 제조하는 프로세스는 불순물 층들의 형성을 회피하도록 설계되어야만 한다. 따라서, 본 발명에 따른 유기 발광 소자 제조 방법을 먼저 설명한다.
도 11a는 증착 장치의 상면도이다. 상기 장치는 하나의 진공 탱크(1110)가 증착 챔버로서 설정되고, 복수의 증착원들이 상기 진공 탱크내에 제공되어 있는, 단일 챔버형으로 이루어져 있다. 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 차단 재료, 발광 재료 및 음극 형성을 위한 재료 같은 상이한 기능들을 가진 재료들이 복수의 증착원들 각각에 저장되어 있다.
이런 증착 챔버를 가진 증착 장치에서, 양극(ITO 등으로 형성된)를 가지는 기판이 로딩 챔버내에 배치된다. 양극이 ITO와 같은 산화물이면, 산화 처리가 예비처리 챔버(도 11a에는 도시되지 않았지만, 상기 장치에는 양극 표면을 세정하기 위해 자외선 조사 챔버가 제공될 수 있다)에서 수행된다. 유기 발광 소자를 형성하는 모든 재료는 진공 탱크(1110)에서 증발되고, 음극은 진공 탱크(1110)에서 형성될 수 있고, 또는 대신에 별도의 진공 챔버에서 형성될 수 있다. 요는, 음극에 선행하는 층들이 증발에 의해 하나의 진공 탱크(1110)에서 형성되면 충분하다. 끝으로, 밀봉은 밀봉 챔버에서 행해지고 기판은 유기 발광 소자를 얻기 위해 언로딩 챔버 밖으로 꺼내진다.
이와 같은 단일 챔버형 증발 장치를 이용하는 본 발명의 유기 발광 소자를 제조하는 과정을 도 11b(진공 탱크(1110)의 단면도)를 참조하여 기술될 것이다. 단 순한 예로서, 세 개의 증착원들(유기 화합물 증착원 A(1116), 유기 화합물 증착원 b(1117) 및 유기 화합물 증착원 c(1118))을 가지는 진공 챔버(1110)를 사용하여 정공 수송 재료(1121), 전자 수송 재료(1122) 및 청색 발광 재료(1123)를 포함하는 유기 화합물 막(도 5a에 도시된 유기 화합물 막(502))을 형성하는 프로세스가 도 11b(진공 탱크(1110)의 단면도)에 도시되어 있다.
가장 먼저, 양극(1102)을 가지는 기판(1101)이 진공 챔버(1110)내에 배치되고, 고정 베이스(1111)에 고정된다(통상적으로, 기판은 증착 동안 회전된다). 다음에, 진공 탱크(1110)내의 압력이 감소(적합하게는 10-4 파스칼 이하)되고, 그후, 용기 A(1112)가 가열되어 정공 수송 재료(1121)를 기화시킨다. 주어진 증착율(단위 : Å/s)이 도달되었을 때, 셔터 A(1114)가 개방되어 증착이 시작된다.
정공 수송 영역(1103)이 소정 두께에 도달한 이후에, 청색 발광 재료(1123)의 증착이 시작되고, 정공 수송 재료(1121)가 증착되는 상태로 유지되어 제 1 혼합 영역(1105)을 형성한다(도 11b에 도시된 상태에 대응). 그 후, 셔터 A(1114)가 닫혀져서 정공 수송 재료(1121)의 증착이 종료되고, 청색 발광 재료(1123)로 구성된 발광 영역을 형성한다. 이 시점에서, 셔터 b(1115)가 닫혀진 상태로 용기 b(1113)가 가열된다.
발광 영역이 소정 두께에 도달한 이후에, 셔터 b(1115)가 개방되고, 전자 수송 재료(1122)의 증착이 시작되어 제 2 혼합 영역을 형성한다. 마지막으로, 청색 발광 재료(1123)의 증착이 종료되고, 전자 수송 재료(1122)로 구성된 전자 수송 영 역이 형성된다. 상술한 모든 작업은 시간 간격을 두지 않고 연속적으로 수행되며, 따라서, 상기 영역들중 어느곳에도 불순물층들이 형성되지 않는다.
유기 화합물 증착원 A(1116), 유기 화합물 증착원 b(1117) 및 유기 화합물 증착원 c(1118)의 구체적인 형상이 도 24에 도시되어 있다. 하나의 셀이 사용되거나, 전도식 열 발생기가 사용되는 경우와, 전도식 열 발생기가 사용되는 경우가 도 24에 도시되어 있다. 간단히, 용기 A(1112), 용기 b(1113), 용기 c(2411)가 전도식 열 발생기를 형성하고, 정공 수송 재료(1121)를 포함하는 용기 A(1112), 전자 수송 재료(1122)를 포함하는 용기 b(1113) 및 청색 발광 재료를 포함하는 용기 c(2411)가 각각 전극 A(2401), 전극 b(2402) 및 전극 c(2403)에 의해 샌드위치되어 있다. 그후, 용기 A(1112), 용기 b(1113) 및 용기 c(2411)가 전류를 흐르게 하는 것에 의해 증착을 위해 가열된다.
"발명이 이루고자 하는 기술적 과제"에 설명된 모든 유기 발광 소자들은 본 방법을 적용하여 제조될 수 있다. 예로서, 호스트 재료에 관한 게스트로서 청색 발광 재료를 포함하는 도 5b와 같은 소자의 제조시, 호스트 재료의 증착을 위한 증착원이 도 11b의 구성요소에 추가될 수 있다. 상기 호스트 재료는 혼합 영역을 형성하고, 발광 영역을 형성하기 위해 사용되며, 그에 반하여, 발광 재료는 호스트 재료의 증착 동안 호스트 재료를 도핑하도록 발광 재료가 극미량으로 증착된다.
정공 주입 영역 또는 전자 주입 영역이 형성되어 있는 경우에, 각 주입 재료를 위한 증착원이 동일한 진공 탱크(1110)내에 설정된다. 예로서, 도 11b의 양극(1102)과 정공 수송 영역(1103) 사이의 증착에 의해 정공 주입 영역이 형성되는 경우에, 상기 정공 수송 재료(1121)는 정공 주입 재료가 증착에 의해 양극(1102)상에 증착된 직후에, 어떠한 시간 간격도 없이 증착된다. 따라서, 불순물층의 형성이 회피된다.
정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료 및 발광 재료로서 적합한 재료들이 하기에 나열되어 있다. 그러나, 본 발명의 유기 발광 소자에 사용될 수 있는 재료들은 이들에만 제한되는 것은 아니다.
유기 화합물의 범위 내에서, 정공 주입재료로서는 프탈로시아닌(이하, H2Pc)계 화합물, 특히, 구리 프탈로시아닌(이하, CuPc)이 사용된다. 폴리머들 중에서, 공액 시스템상에 도전성 폴리머들을 화학적으로 도핑함으로써 얻어진 재료들이 사용될 수 있다. 이들 폴리머들의 예는 폴리스티렌 설포닉산(이하, PSS)으로 도핑된 폴리에틸렌디옥시티오펜(이하, PEDOT)과, 요오드나 다른 루이스 산(Lewis Acid)으로 도핑된 폴리아닐린 또는 폴리 피롤을 포함한다. 절연체인 폴리머도 양극의 평탄화의 관점에 유효하며, 폴리이미드(이하, PI)가 빈번히 사용된다. 유효 정공 주입 재료들은 무기 화합물 중에서도 발견되며, 그 예로서는 금, 백금 또는 다른 금속들의 박막과, 알루미늄 산화물(이하, 알루미나 라 지칭)의 초박막이 포함된다.
정공 수송 재료로서 가장 광범위하게 사용되는 재료들은 방향족 아민계(즉, 벤젠 고리-질소 결합을 가지는 것들) 화합물들이다. 이들 중에서, 특히 광범위하게 사용되는 것은 4, 4'-비스(디페닐아미노)-비페닐(4, 4'-bis(diphenylamino)-biphenyl; 이하, TAD)와, 그 유도체, 즉, 4, 4'-비스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐-아미 노]-비페닐(4, 4'-bis[N-(3-methylphenyl)-N-phenyel-amino]-biphenyl; 이하, TPD), 및 4,4'-비스-[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]-비페닐(4, 4'-bis-[N-(1-nAphthyl)-N-phenyel-amino]-biphenyl; 이하, α-NPD)이다. 또한, 4,4',4"-트리스(N,N-디페닐-아미노)-트리페닐 아민(4,4',4"-tris(N,N-diphenyl-amino)-triphenyl amine; 이하, TDATA) 및 4,4',4"-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐-아미노]-트리페닐 아민(4,4',4"-tris[N-(3-methylphenyl)-N-phenyl-amino)-triphenyl amine; 이하, MTDATA)를 포함하는 스타 버스트 방향족 아민 화합물들도 사용된다.
전자 수송 재료로서 금속 착물들이 빈번히 사용된다. 그 예는 퀴놀린 스켈레톤 또는 벤조퀴놀린 스켈레톤을 가지고 있는 상술한 Alq, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트) 알루미늄(이하, Almq) 및 비스(10-하이드록시벤조[h]-퀴놀리네이트)베릴륨(이하, Bebq) 및 혼성 리간드 착물(mixed ligand complex)인 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-(4-하이드록시-비페닐)-알루미늄(이하, BAlq) 같은 금속 착물들이다. 상기 예들은 또한, 비스[2-(2-하이드록시페일)-벤조옥사졸레이트]진크(이하, Zn(BOX)2) 및 비스[2-(2-하이드록시페닐)-벤조티아졸레이트]진크(이하, Zn(BTZ)2) 같은 옥사졸계 및 이아졸 기반 리간드를 가지는 금속 착물을 포함한다. 금속 착물들이 아닌 전자를 수송할 수 있는 다른 재료들은 2-(4-비페닐릴)-5-(4-테르트-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸(이하, PBD) 및 1, 3-비스[5-(피-테르트-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸-2-일]벤젠(이하, OXD-7) 같은 옥사디아졸 유도체들과, 3-(4-테르트-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐릴)-1,2,4-티아졸(이하, TAZ) 및 3-(4-테르트-부킬페 닐)-4-(4-에킬페일)-5-(4-비페닐릴)-1, 2, 4-트리아졸(이하, p-EtTAZ) 같은 트리아졸 유도체들과, 바토페난트롤린(이하, BPhen) 및 베토쿠페난트롤린(이하, BCP) 같은 페난트롤린 유도체들이다.
위에 주어진 전자 수송 재료들은 전자 주입 재료들로서 사용될 수 있다. 이들 이외에는, 리튬 플로라이드 같은 알칼린 금속 할라이드와, 리튬 옥사이드 같은 알칼린 금속 옥사이드들을 포함하는 절연체의 초박막이 빈번히 사용된다. 리튬 아세틸 아세토네이트(이하, Li(acac)) 및 8-퀴놀리놀레이트-리튬(이하, Liq) 같은 알칼린 금속 착물들도 유효하다.
발광재료로서 유효한 재료들은 Alq, Almq, BeBq, BAlq, Zn(BOX)2 및 Zn(BTZ)2를 포함하는 상술한 금속 착물에 부가한, 다양한 형광 안료들이다. 형광 안료들의 예는 청색인 4,4'-비스(2, 2-디페닐-비닐)-비페닐(이하, DPVBi)과, 주황색인 4-(디시아노메틸렌)-2-메틸-6-(p-디메틸아미노스티릴)-4H-피란(이하, DCM)을 포함한다. 잠중 발광 재료들도 사용될 수 있고, 그 주류들은 중앙 금속으로서 백금 또는 인듐을 가지는 착물들이다. 공지된 삼중 발광 재료는 트리스(2-페닐피리덴)이리듐(이하, Ir(ppy)3) 및 2, 3, 7, 8, 12, 13, 17, 18-옥사에틸-21H, 23H-프로피린-플래티넘(이하, PtOEP)를 포함한다.
각 기능들을 가지는 상술한 재료들이 조합되어 본 발명의 유기 발광 소자를 구성하고, 그에 의해 종래의 것들보다 높은 발광 효율과 긴 수명을 가지는 유기 발광 소자가 제조될 수 있다.
이 유기 발광 소자는 풀 컬러 표시 장치를 제조하는데 사용될 수 있으며, 도 12a 및 12b 각각은 이렇게 얻어진 표시 장치를 개략적으로 도시하고 있다. 도 12a에 청색 유기 발광 소자가 색상 변환층들과 조합되어 있는 CCM법을 도시하고 있다. 도 12b는 백색 유기 발광 소자가 컬러 필터들과 조합되어 있는 CF법을 도시하고 있다. 도 12a에서, B-B를 위한 색상 변환층은 항상 필요한 것은 아니다.
변환층들(1215)과 컬러 필터들(1205a 내지 1205c)은 공지된 포토 리소그래피 기술에 의해 기반들상에 쉽게 패턴화될 수 있다. 따라서, 본 기술을 사용하여 풀 컬러 표시 장치들이 제조된다.
[제 1 실시예]
본 실시예는 정공 주입 영역이 도 5a에 도시된 청색 유기 발광 소자내의 양극(501)와 유기 화합물 막(502) 사이에 삽입되어 있는 소자의 특정 예를 도시하고 있다.
먼저, 글래스 기판(500)상에 양극(501)를 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(501)를 가진 글래스 기판(500)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 다섯 종류의 재료들(네 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 다섯 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, 정공 주입 재료로서 MTDATA가 증착에 의해 20nm의 두께로 증착되어 정공 주입 영역을 형성한다. 막 두께가 20nm에 도달하고, MTDATA의 증착이 종료되었을 때, 정공 수송 재료인 TAD의 스피로 디머(spiro dimer of TAD; 이하, S-TAD라 지칭)의 증착이 3Å/s의 증착율로 즉시 시작된다. 상술한 바와 같이 불순물층들의 형성을 회피하기 위해서, 여기에는 어떠한 시간 간격도 허용되지 않는다.
S-TAD 만으로 구성된 정공 수송 영역(504)이 3Å/s의 증착율로 20nm의 두께로 형성된 이후에, S-TAD의 증착율을 유지하는 상태로, 발광 재료인 DPVBi의 스피로 디머(이하, S-DPVBi로 지칭)의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 동시 증착에 의해 형성되는 것은 S-TAD 대 S-DPVBi의 비율이 1:1 인 제 1 혼합 영역(507)이다. 상기 영역(507)의 두께는 10nm으로 설정된다.
제 1 혼합 영역(507)이 형성되었을 때, S-TAD의 증착이 종료되고, S-DPVBi의 증착이 지속되어 발광 영역(505)을 형성한다. 발광 영역은 20nm의 두께를 갖는다. 그후, S-DPVBi의 증착을 지속하면서, 전자 수송 재료인 Alq의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 도시 증착에 의해 형성되는 것은 S-DPVBi 대 Alq의 비율이 1:1인 제 2 혼합 영역(508)이다.
제 2 혼합 영역(508)이 형성되었을 때, S-DPVBi의 증착이 종료되고, Alq의 증착이 지속되어 40nm 두께를 가지는 전자 수송 영역(506)을 형성한다. 마지막으로, 음극(503)로서, 이테르뮴이 증착에 의해 약 400nm의 두께로 증착된다. 결과적으로 S-DPVBi로부터 유도된 청색 유기 발광 소자가 얻어진다.
[제 2 실시예]
본 실시예는 전자 주입 영역이 도 5b에 도시된 청색 유기 발광 소자내의 음극(513)과 유기 화합물 막(512) 사이에 삽입되어 있는 소자의 특정 예를 도시하고 있다.
먼저, 글래스 기판(510)상에 양극(511)을 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(511)을 가진 글래스 기판(510)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 여섯 종류의 재료들(다섯 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 여섯 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, TPD 만으로 구성된 정공 수송 영역(514)이 3Å/s의 증착율로 30nm의 두께로 형성된다. 그후, TPD의 증착율을 3Å/s유지하는 상태로, 발광 재료에 대한 호스트 재료로서 BAlq의 증착이 역시 3Å/s의 증착율로 시작된다. 다시말해서, 1:1의 비율로 TPD와 BAlq를 포함하는 제 1 혼합 영역(517)이 동시 증착에 의해 형성된다. 상기 제 1 혼합 영역은 두께가 10nm이다.
제 1 혼합 영역(517)이 형성되었을 때, TPD의 증착이 종료되고, BAlq의 증착이 지속되어 발광 영역(515)을 형성한다. 발광 영역은 20nm의 두께를 갖는다. 이 시점에서, 상기 발광 영역(515)은 발광 재료(519)로서의 청색 형광 안료인 5wt%의 페릴렌으로 도핑된다.
발광 영역(515)이 완성되었을 때, 페릴렌의 증착이 종료되고, BAlq의 증착이 여전히 지속된다. 동시에, 전자 수송 재료인 Alq의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 달리 말해서, 1:1의 비율로 BAlq와 Alq를 포함하는 제 2 혼합 영역(518)이 동시증착에 의해 형성된다. 제 2 혼합 영역은 두께가 10nm이다.
제 2 혼합 영역(518)이 완성되었을 때, BAlq의 증착이 종료되고, Alq의 증착이 지속되어 30nm 두께를 가지는 전자 수송 영역(516)을 형성한다. 부가적으로, 전 자 주입 재료로서, Li(AcAc)가 2nm의 두께로 막으로 형성되어 전자 주입 영역이 된다.
마지막으로, 음극으로서, Al이 증착에 의해 약 150nm의 두께로 증착된다. 결과적으로 페릴렌으로부터 유도된 청색 유기 발광 소자가 얻어진다.
[제 3 실시예]
본 실시예는 도 6a에 도시된 백색 유기 발광 소자의 특정 예를 도시하고 있다.
먼저, 글래스 기판(500)상에 양극(501)을 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(501)을 가진 글래스 기판(500)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 다섯 종류의 재료들(네 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 다섯 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, α-NPD만으로 구성된 정공 수송 영역(504)이 30nm의 두께로 형성된다. 그후, α-NPD의 증착율을 3Å/s로 유지하면서, 청색 발광 재료로서의 Zn(BTZ)2(실제로, 색상은 청색보다 백색에 가까운 청백색임)의 증착이 시작된다. 달리 말해서, α-NPD와 Zn(BTZ)2를 1:1의 비율로 포함하는 제 1 혼합 영역(507)이 동시 증착에 의해 형성된다. 이 제 1 혼합 영역은 두께가 10nm이다.
제 1 혼합 영역(507)이 완성되었을 때, α-NPD의 증착이 종료되고, Zn(BTZ)2의 증착이 지속되어 발광 영역(505)을 형성한다. 발광 영역은 20nm의 두께를 갖는 다. 이 시점에서, 발광 영역(505) 중 최종 10nm(즉, 1발광 영역의 20nm의 두께중 10nm 내지 20nm 높이 사이)가 제 2 발광 재료(601)로서의 주황색 형광 안료인 5wt%의 DCM으로 도핑된다.
발광 영역(505)이 완성되었을 때, DCM의 증착이 종료되고, Zn(BTZ)2의 증착이 여전히 지속된다. 동시에, 전자 수송 재료인 BAlq의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 달리 말해서, Zn(BTZ)2 와 BAlq 를 1:1의 비율로 포함하는 제 2 혼합 영역(508)이 동시 증착에 의해 형성된다. 제 2 혼합 영역은 두께가 10nm이다.
제 2 혼합 영역(508)이 완성되었을 때, Zn(BTZ)2의 증착이 종료되고, BAlq의 증착이 지속되어 30nm 두께를 가지는 전자 수송 영역(506)을 형성한다. 마지막으로, 음극(503)으로서, Al:Li 합금이 약 150nm의 두께로 증착에 의해 증착된다. 결과적으로 백색 유기 발광 소자가 얻어진다.
[제 4 실시예]
본 실시예는 도 7에 도시된 백색 유기 발광 소자의 특정 예를 도시하고 있다.
먼저, 글래스 기판(500)상에 양극(501)를 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(501)을 가진 글래스 기판(500)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 여섯 종류의 재료들(다섯 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 여섯 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, α-NPD만으로 구성된 정공 수송 영역(504)이 30nm의 두께로 형성된다. 그 후, α-NPD의 증착율을 3Å/s로 유지하면서, 청색 발광 재료로서의 S-DPVBi의 증착이 역시 3Å/s의 증착율로 시작된다. 달리 말해서, α-NPD와 S-DPVBi를 1:1의 비율로 포함하는 제 1 혼합 영역(507)이 동시 증착에 의해 형성된다. 이 제 1 혼합 영역은 두께가 10nm이다. 이 시점에서, 제 2 발광 재료(701)로서, 녹색 형광 안료인 약 0.5wt%의 N, N'-디메틸리퀴나크리돈("Dmq"라 지칭)이 추가된다.
제 1 혼합 영역(507)이 완성되었을 때, α-NPD의 증착이 종료되고, S-DPVBi의 증착이 지속되어 발광 영역(505)을 형성한다. 발광 영역은 20nm의 두께를 갖는다. 그 후, S-DPVBi의 증착을 지속하는 상태로, 전자 수송 재료인 Alq의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 동시 증착에 의해 형성되는 것은 증착율에 관련하여 S-DPVBi대 Alq의 비율이 1:1인 제 2 혼합 영역(508)이다. 상기 영역(508)의 두께는 10nm으로 설정된다. 이 시점에서, 주황색 청구항 16 안료인 0.5wt%의 DCM이 제 3 발광 재료(702)로서 그에 추가된다.
제 2 혼합 영역(508)이 완성되었을 때, S-DPVBi의 증착이 종료되고, Alq의 증착이 지속되어 30nm 두께를 가지는 전자 수송 영역(506)을 형성한다. 마지막으로, 음극(503)으로서, Al:Li 합금이 약 150nm의 두께로 증착에 의해 증착된다. 결과적으로 백색 유기 발광 소자가 얻어진다.
[제 5 실시예]
본 실시예는 정공 주입 영역이 도 8b에 도시된 청색 유기 발광 소자내의 음극(803)와 유기 화합물 막(802) 사이에 삽입되어 있는 구조를 가진 소자의 특정 예 를 도시하고 있다.
먼저, 글래스 기판(800)상에 양극(801)을 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(801)을 가진 글래스 기판(800)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 네 종류의 재료들(세 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 네 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, α-NPD만으로 구성된 정공 수송 영역(804)이 3Å/s의 증착율로 40nm의 두께로 형성된 이후에, α-NPD의 증착율을 유지하는 상태로, 전자 수송 재료인 BCP의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 동시 증착에 의해 형성되는 것은 증착율에 관련하여 α-NPD 대 BCP의 비율이 1:1인 혼합 영역(806)이다. 상기 영역(806)의 두께는 20nm으로 설정된다.
혼합 영역(806)이 완성되었을 때, α-NPD의 증착이 종료되고, BCP의 증착이 지속되어 20nm 두께의 전자 수송 영역(805)을 형성한다. 부가적으로, 전자 주입 재료인 Alq의 증착이 시작되어 40nm 두께를 가지는 전자 주입 영역을 형성한다.
마지막으로, 음극(803)로서, Al:Li 합금이 약 150nm 두께로 증착된다. 따라서, α-NPD로부터 유도된 청색 유기 발광 소자가 얻어진다. 페릴렌 같은 청색 형광 안료가 혼합 영역(806)에 추가되는 경우에, 도 8b에 도시된 형태가 가능하다.
[제 6 실시예]
본 실시예는 도 9b에 예시된 백색 유기 발광 소자의 특정 예를 예시하고 있다
먼저, 글래스 기판(800)상에 양극(801)을 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(801)을 가진 글래스 기판(800)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 네 종류의 재료들(세 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 네 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, α-NPD만으로 구성된 정공 수송 영역(804)이 3Å/s의 증착율로 40nm의 두께로 형성된 이후에, α-NPD의 증착율을 유지하는 상태로, 전자 수송 재료인 BAlq의 증착이 3Å/s의 증착율로 시작된다. 동시 증착에 의해 형성되는 것은 증착율에 관련하여 α-NPD 대 BAlq의 비율이 1:1인 혼합 영역(806)이다. 상기 영역(806)의 두께는 20nm으로 설정된다.
혼합 영역(806)이 완성되었을 때, α-NPD의 증착이 종료되고, BAlq의 증착이 지속되어 40nm 두께의 전자 수송 영역(805)을 형성한다. 이 시점에서, 상기 전자 수송 영역(805)의 최초 10nm(즉, 전자 수송 영역의 40nm 두께 중 0nm 내지 10nm 사이의 높이)이 제 2 발광 재료(901)로서의 노란색 형광 안료인 0.5%의 루브렌(rubrene)으로 도핑된다.
마지막으로, 음극(803)으로서, Al:Li 합금이 약 150nm 두께로 증착된다. 따라서, 백색 유기 발광 소자가 얻어진다.
[제 7 실시예]
본 실시예는 도 10에 예시된 백색 유기 발광 소자의 특정 예를 예시하고 있다
먼저, 글래스 기판(800)상에 양극(801)을 형성하도록 스퍼터링에 의해 ITO가 약 100nm의 두께로 증착된다. 양극(801)을 가진 글래스 기판(800)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이 진공 탱크내에 배치되게 된다. 본 실시예에서, 다섯 종류의 재료들(네 종류의 유기 화합물들과 음극을 형성하는 한 종류의 금속)을 증착에 의해 증착하기 위해서 다섯 개의 증착원들이 필요하다.
먼저, α-NPD만으로 구성된 정공 수송 영역(804)이 3Å/s의 증착율로 40nm의 두께로 형성된다. 이 시점에서, 상기 정공 수송 영역(804)의 마지막 10nm(즉, 정공 수송 영역의 40nm 두께 중 30nm 내지 40nm 사이의 높이)가 제 2 발광 재료(1001)로서의 녹색 형광 안료인 0.5wt%의 DMq로 도핑된다.
다음에, 정공 수송 영역(804)이 형성된 이후에, α-NPD의 증착율을 유지하는 상태로, 전자 수송 재료인 BAlq의 증착이 역시 3Å/s의 증착율로 시작된다. 동시 증착에 의해 형성되는 것은 증착율에 관련하여 α-NPD 대 BAlq의 비율이 1:1인 혼합 영역(806)이다. 상기 영역(806)의 두께는 30nm으로 설정된다.
혼합 영역(806)이 완성된 이후에, α-NPD의 증착이 종료되고, BAlq의 증착이 지속되어 40nm 두께의 전자 수송 영역(805)을 형성한다. 이 시점에서, 상기 전자 수송 영역(805)의 최초 10nm(즉, 전자 수송 영역의 40nm 두께 중 0nm 내지 10nm 사이의 높이)이 제 3 발광 재료(1002)로서의 주황색 형광 안료인 0.5%의 DCM으로 도핑된다.
마지막으로, 음극(803)로서, Al:Li 합금이 약 150nm 두께로 증착된다. 따라서, 백색 유기 발광 소자가 얻어진다.
[제 8 실시예]
본 실시예는 본 발명에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치를 설명한다. 도 13a 및 도 13b는 본 발명의 유기 발광 소자를 사용하는 액티브 매트릭스 표시 장치의 단면도이다.
여기서는 박막 트랜지스터(이하, TFT라 지칭)가 액티브 디바이스로서 사용되지만, 액티브 디바이스는 MOS 트랜지스터일 수 있다. 예로서 도시된 TFT는 상위 게이트 TFT(보다 명확하게는, 평면 TFT)이지만, 하위 게이트 TFT(통상적으로, 리버스 스태거 TFT)가 대신 사용될 수 있다.
도 13a에서, 1301은 기판을 나타낸다. 여기에 사용된 기판은 기판 측면으로부터 광이 취출되도록 가시광을 투과시킨다. 특히, 유리 기판, 석영 기판, 결정 유리 기판 또는 플라스틱 기판(플라스틱 막 포함)이 사용될 수 있다. 기판(1301)은 기판의 표면상에 형성된 절연막과 기판을 더한 것을 지칭한다.
기판(1301)상에는 화소부(1311) 및 구동 회로(1312)가 제공된다. 화소부(1311)가 먼저 기술될 것이다.
화소부(1311)는 화상을 표시하기 위한 영역이다. 복수의 화소들이 기판상에 배치되어 있고, 각 화소는 유기 발광 소자내에 흐르는 전류를 제어하기 위한 TFT(1302; 이하, 전류 제어 TFT라 지칭)와, 화소 전극(양극; 1303)와, 본 발명에 따른 유기 화합물 막(1304) 및 음극(1305)을 구비한다. 비록, 도 13a에 전류 제어 TFT만이 도시되어 있지만, 각 화소는 전류 제어 TFT의 게이트에 적용되는 전압을 제어하기 위한 TFT(이하, 스위칭 TFT라 지칭)를 구비한다.
여기서, 전류 제어 TFT(1302)는 p-채널 TFT인 것이 적합하다. n-채널 TFT가 대신 사용될 수도 있지만, 전류 제어 TFT가 도 13a 및 도 13b과 같은 유기 발광 소자의 양극에 연결되는 경우에, 전류 제어 TFT로서 p-채널 TFT가 전류 소모를 감소시키는데 더욱 효과적이다. 스위칭 TFT는 n-채널 TFT 또는 p-채널 TFT일 수 있다.
전류 제어 TFT(1302)의 드레인은 화소 전극(1303)에 전기적으로 접속된다. 본 실시예에서, 4.5 내지 5.5eV의 일함수를 가지는 도전성 재료가 화소 전극(1303)의 재료로서 사용되며, 따라서, 화소 전극(1303)은 유기 발광 소자의 양극으로서 기능한다. 통상적으로 인듐 산화물, 주석 산화물, 아연 산화물 또는 이들의 화합물(예로서, ITO)인 광 전달 재료가 상기 화소 전극(1303)을 위해 사용된다. 화소 전극(1303)상에는 유기 화합물 막(1304)이 형성된다.
유기 화합물 막(1304)상에는 음극(1305)이 배치된다. 상기 음극(1305)의 재료는 2.5 내지 3.5eV의 일함수를 가지는 도전성 재료인 것이 적합하다. 통상적으로, 음극(1305)은 알칼리 금속 원소 또는 알칼리 토류 금속 원소를 함유하는 도전성 막으로 형성되거나, 알루미늄을 함유하는 도전성 막으로 형성되거나, 알루미늄 또는 은 막을 상술한 도전성 막들 중 하나 위에 적층함으로써 얻어진 적층체로 형성된다.
화소 전극(1303), 유기 화합물 막(1304) 및 음극(1305)으로 구성된 층이 보호막(1306)으로 덮혀진다. 상기 보호막(1306)은 산소와 습기로부터 유기 발광 소자를 보호하기 위해 제공된다. 보호막(1306)에 사용가능한 재료들은 실리콘 니트라이드, 실리콘 옥시니트라이드, 알루미늄 옥사이드, 탄탈륨 옥사이드 및 탄소(특히, 다이아몬드형 탄소)를 포함한다.
1320으로 표시된 것은 도 12a 및 도 12b에 도시된 바와 같은 색상 변환층 또는 컬러 필터이다. 여기에 도시된 실시예에서, 상기 층 또는 필터는 기판(1301)을 처리함으로써 얻어진 오목부내에 형성된다. 유기 화합물 막(1304)이 청색광을 방출할 때, 색상 변환층이 사용되고, 유기 화합물 막(1304)이 백색광을 방출할 때 컬러 필터가 사용된다.
다음에, 구동 회로(1312)를 설명한다. 구동 회로(1312)는 화소부(1311)로 보내지는 신호들(게이트 신호들 및 데이터 신호들)의 타이밍을 제어하기 위한 영역이며, 시프트 레지스터와, 버퍼와, 래치 및 아날로그 스위치(트랜스퍼 게이트) 또는 레벨 시프터를 구비한다. 도 13a에서, 이들 회로의 기본 유니트는 n-채널 TFT(1307)와 p-채널 TFT(1308)로 구성된 CMOS 회로이다.
공지된 회로 구조들이 상기 시프트 레지스터, 버퍼 및 래치와 아날로그 스위치(트랜스퍼 게이트) 또는 레벨 시프터에 적용될 수 있다. 비록, 화소부(1311)와 구동 회로(1312)가 도 13a 및 도 13b에서 동일 기판상에 제공되어 있지만, 상기 기판상에 구동 회로(1312)를 배치하는 대신에 IC 또는 LSI가 전기적으로 접속될 수 있다.
화소 전극(양극; 1303)이 도 13a 및 도 13b에서 전류 제어 TFT에 전기적으로 접속되어 있지만, 음극이 대신 전류 제어 TFT에 접속될 수 있다. 이 경우에, 화소 전극이 음극(1305)의 재료로 형성될 수 있지만, 음극이 화소 전극(양극; 1303)의 재료로 형성될 수 있다. 이경우의 전류 제어 TFT는 n-채널 TFT인 것이 적합하다.
도 13a에 도시된 표시 장치는 화소 전극(1303)의 형성이 배선 라인(1309)의 형성에 앞서는 프로세스에 의해 제조된다. 그러나, 이 프로세스는 화소 전극(1303)의 표면을 조면화할 수 있다. 화소 전극(1303)의 조면화된 표면은 유기 발광 소자가 전류 구동형 소자이기 때문에, 유기 발광 소자의 특성을 열화시킬 수 있다.
따라서, 화소 전극(1303)은 배선 라인(1309)을 형성한 이후에 형성되어 도 13b에 도시된 표시 장치를 획득하게 될 수 있다. 이 경우에, 화소 전극(1303)으로부터의 전류 주입이 도 13a에 비해 개선된다.
도 13a 및 도 13b에서, 전향 테이퍼형 뱅크 구조(forward-tapered bank structure; 1310)가 화소부(1311)내에 배치된 화소들을 서로 분리시킨다. 이 뱅크 구조는 예로서, 역방향 테이퍼 형성되어, 뱅크 구조와 화소 전극 사이의 접촉이 회피될 수 있다. 그 예가 도 14에 도시되어 있다. 도 13a 및 도 13b와 동일한 구성 요소들은 동일한 참조부호로 표시되어 있다.
도 14에서, 배선 라인은 또한 분리부로서 기능하여 배선 라인과 분리부(1410)를 형성한다. 도 14에 도시된 배선 라인과 분리부(1410)의 형상(즉, 처마(eaves)를 가진 구조)은 배선 라인을 구성하는 금속과, 상기 금속보다 에칭율이 낮은 재료(예로서, 금속 질화물)를 적층하고, 그후, 결과적인 적층체를 에칭함으로써 얻어진다. 이 형상은 음극(1405)과 화소 전극(1403) 또는 배선 라인 사이의 단락을 방지할 수 있다. 통상적인 액티브 매트릭스 표시 장치와는 달리, 도 14의 디바이스에서는 화소상의 음극(1405)이 줄무늬를 가진다(패시브 매트릭스 디바이스의 음극과 유사).
도 15a 및 도 15b는 도 13b에 예시된 액티브 매트릭스 표시 장치의 외부를 도시하고 있다. 도 15a는 그 상면도이며, 도 15b는 도 15a의 P-P'선을 따라 취한 단면도이다. 도 13a 및 도 13b의 심볼들이 도 15a 및 도 15b에 사용된다.
도 15a에서, 1501은 화소부를 나타내고, 1502는 게이트 신호측 구동 회로를 나타내며, 1503은 데이터 신호측 구동 회로를 나타낸다. 게이트 신호측 구동 회로(1502) 및 데이터 신호측 구동 회로(1503)로 보내지는 신호들은 입력 배선 라인(1504)을 통해 TAB(tape automated bonding) 테이프(1505)로부터 입력된다. 비록, 도면에 도시되지 않았지만, TAB 테이프(1505)는 IC(integrated circuit)를 가진 TAB 테이프를 제공함으로써 얻어지는 TCP(tape carrier package)로 대체될 수 있다.
1506으로 표시된 것은 도 13b에 도시된 표시 장치의 상부에 제공되어 수지로 형성된 밀봉 부재(1507)와 접합되어 있는 덮개 부재이다. 상기 덮개 부재(1506)는 산소와 물을 통과시키지 않는한 임의의 재료일 수 있다. 본 실시예에서, 도 15b에 도시된 바와 같이, 덮개 부재(1506)는 플라스틱 부재(1506a)와 탄소막들(특히, 다이아몬드형 탄소막들; 1506b 및 1506c)로 구성되어 있으며, 상기 탄소막들은 각각 플라스틱 부재(1506a)의 전면과 후면상에 형성된다.
도 15b에 도시된 바와 같이, 유기 발광 소자가 기밀 공간(1509)내에 완전히 밀봉되도록 밀봉 부재(1507)는 수지로 제조된 밀봉 부재(1508)로 덮혀진다. 기밀 공간(1509)은 불활성 가스(통상적으로 질소 가스 또는 불활성 가스), 수지 또는 불활성 액체(예로서, 퍼플루오로 알칸이 대표적인 액체 플루오로카본)로 충전될 수 있다. 또한, 상기 공간내에 흡수제나 탈산제(deoxidant)를 넣는 것도 유효하다.
본 실시예에 도시된 표시 장치의 디스플레이면(이미지가 그 위에 디스플레이 되는, 관찰자가 보게되는 표면)상에 편광판이 제공될 수 있다. 편광판은 외부로부터 입사되는 광의 반사를 감소시키는 효과를 가지며, 그에 의해, 디스플레이면에 관찰자의 반사체가 보여지게되는 것을 방지한다. 일반적으로, 원형 편광판이 채용된다. 그러나, 유기 화합물 막으로부터 방출되는 광이 편광판에 반사되어 후방으로 돌아오는 것을 방지하기 위해, 굴절율을 조절함으로써 보다 적은 내부 반사를 가지는 구조를 갖게 되는 것이 적합하다.
본 발명에 따른 소정의 유기 발광 소자들은 본 실시예의 표시 장치내에 포함되는 유기 발광 소자로서 사용될 수 있다.
[제 9 실시예]
본 실시예는 본 발명에 따른 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 일례로서의 액티브 매트릭스 표시 장치를 도시한다. 도 8과는 달리, 본 실시예에 따른 표시 장치에서는, 광은 위에 액티브 디바이스가 형성되어 있는 기판의 대향 측면으로부터 취출된다(하기에는 상향 방출이라 칭함). 도 16은 표시 장치의 단면도이다.
박막 트랜지스터(하기에는 TFT라 칭함)가 본 실시예에서 액티브 디바이스로서 사용되지만, 액티브 디바이스는 MOS 트랜지스터일 수도 있다. 일례로서 도시된 TFT는 상위 게이트 TFT(특히, 평면형 TFT)일 수 있지만, 하위 게이트 TFT(통상적으로, 리버스 스태거 TFT)가 대신 사용될 수 있다.
본 실시예의 기판(1601), 화소부(1611)에 형성된 전류 제어 TFT(1602) 및, 구동 회로(1612)는 도 8의 실시예에서와 동일한 구조를 갖는다.
전류 제어 TFT(1602)의 드레인에 접속되어 있는 제 1 전극(1603)이 본 실시예에서 양극으로서 사용되며, 따라서 큰 접촉 전위를 갖는 도전성 재료로 바람직하게 형성된다. 통상적인 도전성 재료의 예는 니켈, 팔라듐, 텅스텐, 금, 은 및, 다른 유사 금속을 포함한다. 본 실시예에서, 제 1 전극(1603)은 광을 투과시키지 않는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는, 전극은 높은 광반사성을 갖는 재료로 형성된다.
제 1 전극(1603) 상에는, 유기 화합물 막(1604)이 형성되어 있다. 유기 화합물 막(1604) 상에 제공된 제 2 전극(1605)은 본 실시예에서 음극으로서 작용한다. 따라서, 제 2 전극(1605)의 재료는 2.5 내지 3.5eV의 접촉 전위를 갖는 도전성 물질인 것이 바람직하다. 통상적으로, 알칼리 금속 원소 또는 알칼리 토금속 원자를 포함하는 도전성 막 또는, 알루미늄을 포함하는 도전성 막, 또는 도전성 막 상부에 차례로 알루미늄 또는 은 막을 적층시킴으로써 얻어지는 적층체가 사용된다. 그러나, 본 실시예에서는 상향 발광이 사용되기 때문에 제 2 전극(1605)의 재료에는 광투과성이 필수적이다. 따라서, 제 2 전극에 사용될 때, 금속은 약 20nm의 두께의 매우 얇은 막으로 형성되는 것이 바람직하다.
제 1 전극(1603), 유기 화합물 막(1604) 및, 제 2 전극(1605)으로 구성된 층은 보호막(1606)으로 피복된다. 보호막(1606)은 유기 발광 소자를 산소 및 수증기로부터 보호하기 위해 제공된다. 본 실시예에서, 광을 투과하는 한, 어떠한 재료도 보호막으로서 사용될 수 있다.
제 1 전극(양극)(1603)이 도 16의 전류 제어 TFT에 전기적으로 접속되지만, 대신에 음극이 전류 제어 TFT에 접속될 수도 있다. 이 경우, 제 1 전극은 음극의 재료로 형성되며, 제 2 전극은 양극의 재료로 형성된다. 이 경우의 전류 제어 TFT는 n-채널 TFT 인 것이 바람직하다.
도면 참조 부호 1607로 표시된 커버 부재는, 수지로 형성된 밀봉 부재(1608)와 접합된다. 상기 커버 부재(1607)는 광을 투과하는 한, 산소 및 물 이외의 임의의 재료일 수 있다. 본 실시예에서는 글래스가 사용된다. 기밀 공간(1609)은 불활성 가스(통상, 질소 가스 또는 불활성 가스), 수지, 또는 불활성 액체(예를 들면, 퍼플루오로 알칸이 대표적인 액체 플루오로카본)로 충전될 수 있다. 상기 공간에 흡수제 또는 탈산제를 투입하는 것도 또한 유효하다.
도면 부호 1620 으로 나타낸 것은 도 12a 및 도 12b에 도시한 것들과 같은 색상 변환층 또는 컬러 필터이다. 도시한 실시예에서, 층 또는 필터가 덮개 부재(1607)에 제공된다. 유기 화합물 막(1604)이 청색광을 방출할 때, 색상 변환층이 사용되며, 반면 컬러 필터는 유기 화합물 막(1604)이 백색광을 방출할 때 사용된다.
본 실시예에서, 색상 변환층 또는 컬러 필터(1620)와 유기 화합물 막 사이의 거리는 제 8 실시예에서보다 크다. 따라서, 광의 색상은 색상 변환층 또는 컬러 필터(1620)가 단순히 패터닝(인접한 화소들로부터 방출된 광에 의해 실행될 수 있는)에 의해서 형성될 때 혼합될 수 있다. 따라서, 인접한 화소들로부터 방출된 광의 영향을 감소시키기 위해 본 실시예에서는 차광막(black matrix; 1621)이 사용된다.
게이트 신호측 구동 회로 및 데이터 신호측 구동 회로로 전송되는 신호들은 배선(1613)을 통해 TAB(테이프 자동 본딩) 테이프(1614)로부터 입력된다. 도면에 도시하지는 않았지만, TAB 테이프(1614)는 TAB 테이프에 IC(집적 회로)를 제공함으로써 얻어지는 TCP(테이프 캐리어 패키지)에 의해 대체될 수도 있다.
편광판이 본 실시예에 도시된 표시 장치의 디스플레이면(관찰자에 의해 관찰되는 이미지가 표시되는 면)에 제공될 수 있다. 편광판은 외부로부터의 입사광의 반사를 감소시키는 효과를 가지며, 이에 의해 디스플레이면에 관찰자가 반사되는 것을 방지한다. 일반적으로, 원형 편광판이 사용된다. 그러나, 유기 화합물 막으로부터 방출된 광이 편광판에서 반사되어 후방으로 전파되는 것을 방지하기 위해 굴절률을 조절함으로써, 편광판이 내부 반사가 거의 없는 구조를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 임의의 유기 발광 소자는 본 실시예의 표시 장치에 포함되는 유기 발광 소자로서 사용될 수 있다.
[제 10 실시예]
본 실시예는 본 발명의 유기 발광 소자를 포함하는 표시 장치의 일례로서 패시브 매트릭스 디스플레이를 설명한다. 도 17a는 표시 장치의 상면도이며, 도 17b는 도 17a의 선 P-P'를 따라 취한 단면도이다.
도 17a에서, 도면 부호 1701로 나타낸 것은 플라스틱 부재로 형성된 기판이다. 사용된 플라스틱 부재는 폴리이미드, 폴리아미드, 아크릴 수지, 에폭시 수지, PES(폴리에틸렌 설파일), PC(폴리카보네이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트), 또는 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트)의 판 또는 막이다.
도면 부호 1702는 도전성 산화막으로 형성된 주사 라인들(양극)을 나타낸다. 본 실시예에서, 도전성 산화막은 아연 산화물과 갈륨 산화물을 도핑함으로써 얻어진다. 도면 부호 1703은 본 실시예에서 금속막, 비스무스막으로 형성된 데이터 라인들(음극)을 나타낸다. 도면 부호 1704는 아크릴 수지로 형성된 뱅크들(banks)을 나타낸다. 상기 뱅크들은 데이터 라인들(1703)을 서로로부터 분리하는 칸막이벽들로서 기능을 한다. 복수의 주사 라인들(1702) 및 복수의 데이터 라인들(1703)은 줄무늬 패턴들을 각각 형성하며, 상기 패턴들은 직각으로 서로 교차된다. 도 17a에 도시하지는 않았지만, 유기 화합물 막은 주사 라인들(1702)과 데이터 라인들(1703) 사이에 개재되며, 교차부들(1705)은 화소들로서 작용한다.
주사 라인들(1702)과 데이터 라인들(1703)은 TAB 테이프(1707)를 통해 외부 구동 회로에 접속된다. 도면 부호 1708은 주사 라인들(1702)의 집합(mass)으로 구성된 배선들의 그룹을 나타낸다. 도면 부호 1709는 데이터 라인들(1703)에 접속된 접속 배선들(1706)의 집합으로 구성된 배선들의 그룹을 나타낸다. 도시하지는 않았지만, TAB 테이프(1707)는 TAB 테이프에 IC를 제공함으로써 얻어지는 TCP로 대체될 수 있다.
도 17b에서, 도면 부호 1710은 밀봉 부재를 나타내며, 도면 부호 1711은 밀봉 부재(1710)에 의해 플라스틱 부재(1701)에 접합된 커버 부재를 나타낸다. 광 경화성 수지가 밀봉 부재(1710)에 사용될 수 있다. 바람직한 밀봉 부재의 재료는 가스 누출이 거의 없으며 수분을 거의 흡수하지 않는 재료이다. 상기 커버 부재는 기 판(1701)과 동일한 재료로 제조되는 것이 바람직하며, 글래스(실리카 글래스를 포함하는) 또는 플라스틱이 사용될 수 있다. 본원에서, 플라스틱 재료가 커버 부재에 사용된다.
도면 부호 1720에 의해 나타낸 것은 도 12a 및 도 12b에 도시한 것들과 같은 색상 변환층 또는 컬러 필터이다. 도시한 실시예에서, 층 또는 필터는 기판(1701)을 처리함으로써 얻어지는 오목부에 형성된다. 상기 유기 화합물 막(1713)이 청색광을 방출할 때 색상 변환층이 사용되며, 반면 컬러 필터는 유기 화합물 막(1713)이 백색광을 방출할 때 사용된다.
도 17c는 화소 영역의 구조(1712)의 확대도이다. 도면 부호 1713은 유기 화합물 막을 나타낸다. 도 17c에 도시한 바와 같이, 뱅크들(1704)의 하부층들은 상부층들보다 좁으며, 따라서 뱅크들은 데이터 라인들(1703)을 서로로부터 물리적으로 분리할 수 있다. 밀봉 부재(1710)에 의해 둘러싸인 화소부(1714)는 수지로 형성된 밀봉 부재(1715)에 의해 외부 공기를 차단하고 있다. 따라서, 유기 화합물 막의 열화가 방지된다.
본 발명에 따라 상기와 같이 구성된 표시 장치에서, 화소부(1714)는 주사 라인들(1702), 데이터 라인들(1703), 뱅크들(1704) 및 유기 화합물 필름(1713)으로 구성된다. 따라서, 표시 장치는 매우 단순한 공정으로 제조될 수 있다.
편광판이 본 실시예에 도시된 표시 장치의 디스플레이면(관찰자에 의해 관찰되는 이미지가 디스플레이되는 면)에 제공될 수 있다. 편광판은 외부로부터의 입사광의 반사를 감소시키는 효과를 가지며, 이에 의해 디스플레이면에 관찰자가 반사 되는 것을 방지한다. 일반적으로, 원형 편광판이 사용된다. 그러나, 유기 화합물 막으로부터 방출된 광이 편광판에서 반사되어 후방으로 전파되는 것을 방지하기 위해 굴절률을 조절함으로써, 편광판이 내부 반사가 거의 없는 구조를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 임의의 유기 발광 소자는 본 실시예의 표시 장치에 포함되는 유기 발광 소자로서 사용될 수 있다.
[제 11 실시예]
본 실시예는 디바이스를 모듈로 제조하기 위해 제 10 실시예에 도시된 표시 장치에 인쇄 배선 보드를 부착하는 일례를 도시한다.
도 18b에 도시한 모듈에서, TAB 테이프(1804)가 기판(1801){여기서, 화소부(1802)와 배선들(1803A, 1803b)을 포함하는}에 부착되며, 인쇄 배선 보드(1805)는 TAB 테이프(1804)를 통해 기판에 부착된다.
인쇄 배선 보드(1805)의 기능적인 블록 다이어그램은 도 18b에 도시되어 있다. 적어도 I/O 포트들(입력 또는 출력부)(1806, 1809), 데이터 신호측 구동 회로(1807) 및, 게이트 신호측 구동 회로(1808)로서 기능을 하는 IC 가 인쇄 배선 보드(1805) 내에 제공된다.
본 명세서에서, 그 표면에 화소부가 형성되어 있는 기판에 TAB 테이프를 부착함으로써, 그리고 구동 회로로서 기능을 하는 인쇄 배선 보드를 상기와 같이 TAB 테이프를 통해 기판에 부착함으로써 구성되는 모듈은, 특히 외부 구동 회로를 구비한 모듈이라 칭한다.
본 발명에 따른 임의의 유기 발광 소자는 본 실시예의 표시 장치에 포함되는 유기 발광 소자로서 사용될 수 있다.
[제 12 실시예]
본 실시예는 디바이스를 모듈로 제조하기 위해 제 8, 제 9 및 제 10 실시예에 도시한 표시 장치에 인쇄 배선 보드를 부착하는 일례를 도시한다.
도 19a에 도시한 모듈에서, TAB 테이프(1905)는 기판(1901){여기서, 화소부(1902), 데이터 신호측 구동 회로(1903), 게이트 신호측 구동 회로(1904) 및 배선들(1903A, 1904A)을 포함하는}에 부착되며, 인쇄 배선 보드(1906)는 TAB 테이프(1905)를 통해 기판에 부착된다. 인쇄 회로 보드(1906)의 기능적인 블록 다이어그램은 도 19b에 도시되어 있다.
도 19b에 도시된 바와 같이, 적어도 I/O 포트들(1907, 1910) 및 제어 유닛(1908)으로서 기능을 하는 IC가 인쇄 배선 보드(1906) 내에 제공된다. 메모리 유닛(1909)이 제공되지만, 항상 필요한 것은 아니다. 제어 유닛(1908)은 구동 회로들을 제어하며 이미지 데이터를 보정하는 기능들을 갖는 부분이다.
본 명세서에서, 컨트롤러로서의 기능들을 갖는 인쇄 배선 보드를, 그 상부에 상기와 같이 형성된 유기 발광 소자가 형성되어 있는 기판에 부착함으로써 구성되는 모듈은, 특히 외부 컨트롤러를 구비한 모듈이라 칭한다.
본 발명에 따른 임의의 유기 발광 소자는 본 실시예의 표시 장치에 포함되는 유기 발광 소자로서 사용될 수 있다.
[제 13 실시예]
본 실시예는 유기 발광 소자가 디지털 타임 그레이 스케일 디스플레이에 따라 일정 전압에서 구동되는 표시 장치의 일례를 도시한다. 본 발명의 표시 장치는 디지털 타임 그레이 스케일 디스플레이에 균일한 이미지들을 제공할 수 있으며, 따라서 매우 유용하다.
도 20a는 유기 발광 소자를 갖는 화소의 회로 구조를 도시한다. Tr은 트랜지스터를 나타내며, Cs는 저장 커패시터를 나타낸다. 상기 회로에서, 게이트 라인이 선택되면, 전류는 소스 라인으로부터 Tr1으로 흐르며, 전압은 신호에 의해 결정된 양만큼 Cs에 축적된다. 다음, Tr2의 게이트-소스 전압(Vgs)에 의해 제어된 전류는 Tr2 및 유기 발광 소자로 흐른다.
Tr1이 더 이상 선택되지 않으면, Tr1은 턴 오프되어 Cs의 전압(Vgs)을 유지한다. 따라서, 전류는 Vgs에 의존하는 양으로 계속 흐른다.
도 20b는 디지털 타임 그레이 스케일 디스플레이에 따라 상기 회로를 구동하기 위한 챠트를 도시한다. 디지털 타임 그레이 스케일 디스플레이에서, 하나의 프레임이 복수의 서브 프레임으로 분할된다. 도 20b는 하나의 프레임이 6개의 서브 프레임으로 분할되어 있는 6비트 그레이 스케일을 도시한다. 이 경우, 서브 프레임의 발광 주기의 비율은 32:16:8:4:2:1이다.
도 20c는 본 실시예의 TFT 기판 상의 구동 회로들을 개략적으로 도시한다. 게이트 드라이버 및 소스 드라이버가 동일한 기판 상에 제공된다. 본 실시예에서, 화소 회로 및 드라이버들은 디지털 방식으로 구동된다. 따라서, TFT 특징부의 동요 가 디바이스에 영향을 미치지 않으며, 디바이스는 균일한 이미지들을 표시할 수 있다.
[제 14 실시예]
본 실시예는 본 발명의 유기 발광 소자에 일정 전류를 흐르게 함으로써 구동되는 액티브 매트릭스 일정 전류 구동 회로를 설명한다. 구동 회로의 회로 구조는 도 23에 도시되어 있다.
도 23의 화소(2310)는 신호 라인(Si), 제 1 주사 라인(Gj), 제 2 주사 라인(Pj) 및, 전원 라인(Vi)을 구비한다. 화소(2310)는 트랜지스터들(Tr1, Tr2, Tr3, Tr4), 혼합 접합형 유기 발광 소자(2311) 및, 저장 커패시터(2312)를 또한 구비한다.
Tr3 및 Tr4의 게이트들은 모두 제 1 주사 라인(Gj)에 접속된다. Tr3는, 하나는 신호 라인(Si)에 접속되며 다른 하나는 Tr2의 소스에 접속되는 소스 및 드레인을 구비한다. Tr4는, 하나는 Tr2의 소스에 접속되며 다른 하나는 Tr1의 게이트에 접속되는 소스 및 드레인을 구비한다. 요약하면, Tr3의 소스 또는 드레인은 Tr4의 소스 또는 드레인에 접속된다.
Tr1의 소스는 전원 라인(Vi)에 접속되며, Tr1의 드레인은 Tr2의 소스에 접속된다. Tr2의 게이트는 제 2 주사선(Pj)에 접속된다. Tr2의 드레인은 유기 발광 소자(2311)의 화소 전극에 접속된다. 유기 발광 소자(2311)는 화소 전극, 대향 전극 및, 상기 화소 전극과 대향 전극 사이에 개재된 유기 발광층을 구비한다. 대향 전극은 발광 패널의 외부의 전원으로부터 일정 전압을 수신한다.
Tr3는 n-채널 TFT 또는 p-채널 TFT일 수 있으며, Tr4도 이와 마찬가지이다. 그러나, Tr3 및 Tr4는 동일한 극성을 가져야 한다. Tr1은 n-채널 TFT 또는 p-채널 TFT일 수 있다. Tr2는 n-채널 TFT 또는 p-채널 TFT일 수 있다. 발광 소자의 화소 전극과 대향 전극 중 하나는 양극으로서 작용하며, 다른 하나는 음극으로서 작용한다. Tr2가 p-채널 TFT인 경우, 양극으로서 화소 전극을, 음극으로서 대향 전극을 사용하는 것이 바람직하다. 반면, Tr2가 n-채널 TFT인 경우에는, 화소 전극이 음극으로서 사용되며 대향 전극이 양극으로서 사용되는 것이 바람직하다.
저장 커패시터(2312)는 Tr1의 소스와 게이트 사이에 형성된다. 저장 커패시터(2312)는 Tr1의 게이트 소스 전압(VGS)을 더욱 확실하게 유지하기 위해 제공되지만, 항상 필요한 것은 아니다.
도 23에 도시한 화소에서, 신호 라인(Si)으로 공급되는 전류는 신호 라인 구동 회로의 전원에 의해 제어된다.
상기 회로 구조를 채택하는 것은, 유기 발광 소자에 일정 전류를 흐르게 함으로써 휘도가 일정하게 유지되는 일정 전류 구동을 가능하게 한다. 본 발명에 따른 혼합 영역을 갖는 유기 발광 소자는 종래의 유기 발광 소자보다 긴 수명을 가지며, 상술한 바와 같은 일정 전류 회로 구동이 사용될 때보다 긴 수명을 가질 수 있다. 따라서, 상기 회로 구조는 효율적이다.
[제 15 실시예]
상기 실시예들에서 설명한 본 발명의 표시 장치들은 낮은 전력 소비 및 긴 수명의 장점을 갖는다. 따라서, 디스플레이 유닛들 등으로서 상기 표시 장치들을 갖는 전기 기구들은 종래의 기기들보다 낮은 소비 전력으로 작동할 수 있으며 내구성이 있다. 이러한 장점들은 휴대형 기기와 같이, 전원으로서 배터리를 사용하는 전기 기구들에 있어 특히 매우 유용한데, 이는 낮은 전력 소비가 편의성(배터리가 덜 빈번히 방전됨)과 직접 관련되기 때문이다.
상기 표시 장치들은 자체 발광식이므로 액정 디스플레이에서와 같은 백라이트의 필요성이 제거되며, 1㎛ 미만의 유기 화합물 막들을 가짐으로써 박형 및 경량이 된다. 따라서, 디스플레이 유닛들로서 상기 표시 장치들을 구비하는 전기 기구들은 종래의 기기들보다 박형 및 경량이 된다. 이는 편의성(휴대시의 경량화 및 콤팩트화)과 매우 직접 관련되며, 전기 기구들, 특히 휴대형 기기들을 매우 유용하게 한다. 더욱이, 박형화(작은 부피)는 수송(다수의 기기들을 한번에 수송할 수 있다) 및 설치(공간 절약)의 관점에서 모든 전기 기구에 유용하다는 것은 명백하다.
자체 발광성에 의해, 상기 표시 장치들은 액정 표시 장치들보다 밝은 장소에서의 양호한 가시성을 가지며 광범위한 시야각을 갖는 것을 특징으로 한다. 따라서, 디스플레이 유닛들로서 상기 표시 장치들을 구비하는 전기 기구들은 시청 디스플레이의 용이성의 관점에서 또한 장점을 갖는다.
요약하면, 본 발명의 표시 장치들을 사용하는 전기 기구들은 종래의 유기 발광 소자들의 장점, 즉 박형화/경량화 및 높은 가시성에 부가하여, 낮은 전력 소비 및 긴 수명의 새로운 특성을 가지므로, 매우 유용하다.
본 실시예는 본 발명의 표시 장치들을 디스플레이 유닛들로서 구비하는 전기 기구들의 예를 도시한다. 그 구체적인 예는 도 21a 내지 도 21f와, 도 22a 및 도 22b에 도시되어 있다. 본 실시예의 전기 기구들에 포함되는 유기 발광 소자들은 본 발명에 따른 임의의 유기 발광 소자일 수 있다. 본 실시예의 전기 기구들에 포함되는 표시 장치들은 도 13a 내지 도 20c에 도시된 구성 중 임의의 하나를 가질 수 있다.
도 21a는 유기 발광 소자를 사용하는 디스플레이를 도시한다. 상기 디스플레이는 케이스(2101A), 지지 베이스(2102A) 및, 디스플레이 유닛(2103A)으로 구성된다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2103A)으로서 사용함으로써, 디스플레이는 박형 및 경량일 수 있을 뿐만 아니라 내구성이 있게 된다. 따라서, 수송이 간단해지며, 설치시 공간이 절약되며, 수명이 연장된다.
도 21b는 본체(2101b), 디스플레이 유닛(2102b), 오디오 입력 유닛(2103b), 작동 스위치들(2104b), 배터리(2105b) 및, 이미지 수신 유닛(2106b)으로 구성된 비디오 카메라를 도시한다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2102b)으로서 사용함으로써, 비디오 카메라는 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다. 따라서, 배터리 소모가 감소되며, 비디오 카메라의 휴대가 편리해진다.
도 21c는 본체(2101c), 디스플레이 유닛(2102c), 아이 피스 유닛(eye piece unit; 2103c) 및, 작동 스위치들(2104c)로 구성된 디지털 카메라를 도시한다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2102c)으로서 사용함으로써, 디지털 카메라는 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다. 따라서, 배터리 소모가 감소되며, 디지털 카메라의 휴대가 편리해진다.
도 21d는 기록 매체를 구비하는 이미지 재생 디바이스를 도시한다. 상기 디바이스는 본체(2101d), 기록 매체(2102d)(CD, LD 또는 DVD 등), 작동 스위치(2103d), 디스플레이 유닛(A)(2104d) 및, 디스플레이 유닛(B)(2105d)로 구성된다. 디스플레이 유닛(A)(2104d)은 주로 이미지 정보를 표시하며, 반면 디스플레이 유닛(B)(2105d)은 주로 텍스트 정보를 표시한다. 본 발명의 표시 장치들 디스플레이 유닛(A)(2104d) 및 디스플레이 유닛(B)으로서 사용함으로써, 이미지 재생 장치는 전력을 덜 소비하며, 경량일 뿐만 아니라 내구성이 있게 된다. 상기 기록 매체를 구비하는 이미지 재생 장치는 CD 플레이어, 게임기 등일 수 있다.
도 21e는 본체(2101e), 디스플레이 유닛(2102e), 이미지 수신 유닛(2103e), 작동 스위치(2104e) 및, 메모리 슬롯(2105e)으로 구성된 휴대형 컴퓨터를 도시한다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2102e)으로서 사용함으로써, 휴대형 컴퓨터는 박형 및 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다. 따라서, 배터리 소모가 감소되며, 컴퓨터의 휴대가 편리해진다. 휴대형 컴퓨터는 플래시 메모리 또는 비휘발성 메모리를 일체화함으로써 얻어진 기록 매체에 정보를 저장할 수 있으며, 저장된 정보를 재생할 수 있다.
도 21f는 본체(2101f), 케이스(2102f), 디스플레이 유닛(2103f) 및, 키보드(2104f)로 구성된 퍼스널 컴퓨터를 도시한다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2103f)으로서 사용함으로써, 퍼스널 컴퓨터는 박형 및 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다. 본 발명의 표시 장치는, 특히 노트북 컴퓨터 또는 다른 휴대형 퍼스털 컴퓨터에 대해 배터리 소모 및 경량의 관점에서 큰 장점을 갖는다.
상기 전기 기구들은 인터넷과 같은 전자 통신선을 통해 그리고 라디오와 같은 무선 통신을 통해 전송된 정보, 특히 애니메이션 정보를 증가하는 주파수로 표시한다. 유기 발광 소자는 매우 신속한 응답 속도를 갖기 때문에, 애니메이션 디스플레이에 적절하다.
도 22a는 본체(2201A), 오디오 출력 유닛(2202A), 오디오 입력 유닛(2203A), 디스플레이 유닛(2204A), 작동 스위치들(2205) 및, 안테나(2206a)로 구성된 휴대 전화를 도시한다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2204A)을 사용함으로써, 휴대 전화는 박형 및 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다. 따라서, 배터리 소모가 감소되며, 휴대 전화의 휴대가 용이해지며, 본체가 콤팩트화된다.
도 22b는 본체(2201b), 디스플레이 유닛(2202b) 및, 작동 스위치들(2203b, 2204b)로 구성된 오디오(특히, 카오디오)를 도시한다. 본 발명의 표시 장치를 디스플레이 유닛(2202b)으로서 사용함으로써, 오디오는 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다. 카오디오를 본 실시예의 예로서 적용하였지만, 가정용 오디오일 수도 있다.
도 21a 내지 도 21f와, 도 22a 및 도 22b에 도시한 전기 기구들에, 주위의 명도를 검출하기 위한 수단으로서 광 센서를 전기 기구들에 제공함으로써 전기 기구들이 사용되는 주위의 명도에 따라 방출된 광의 휘도를 조절하는 기능을 제공하면 효과적이다. 사용자는 방출된 광의 휘도와 주위의 명도의 대비비(contrast ratio)가 100 내지 150이면, 어려움 없이 이미지 또는 텍스트 정보를 인식할 수 있다. 이러한 기능에 의해, 이미지의 휘도는 주위가 밝을 때 양호한 시청을 위해 상 승될 수 있으며, 반면 이미지의 휘도는 주위가 어두울 때 전력 소비를 감소시키기 위해 하강될 수 있다.
본 발명의 유기 발광 소자를 광원으로서 사용하는 표시 장치는,표시 장치는 스플레이 디바이스가 박형 및 경량이며 전력을 덜 소비하여 작동할 수 있기 때문에 또한 매우 효과적이다. 특히 백색 유기 발광 소자가 액정 표시 장치의 백라이트 또는 프론트 라이트와 같은 광원에 사용될 수 있다. 따라서, 이러한 액정 표시 장치를 구비하는 전기 기구는 초박형 및 초경량이며, 전력을 덜 소비하여 작동할 수 있다.
액정 디스플레이들이 본 실시예에 따라 도 21a 내지 도 21f와, 도 22a 및 도 22b에 도시된 전기 기구들의 디스플레이 유닛들로서 사용될 때, 상기 액정 디스플레이들이 본 발명의 발광 소자들을 백라이트 또는 프론트 라이트로서 사용하는 경우, 전기 기구들은 여전히 박형 및 경량일 수 있으며, 전력을 덜 소비한다.
도 1은 유기 계면의 상태를 도시하는 도면.
도 2는 증착 장치를 도시하는 도면.
도 3은 불순물층의 형성을 도시하는 도면.
도 4는 혼합 영역의 상태를 도시하는 도면.
도 5a 및 도 5b는 청색 유기 발광 소자들의 구조들을 도시하는 도면.
도 6a 및 도 6b는 백색 유기 발광 소자들의 구조들을 도시하는 도면.
도 7은 백색 유기 발광 소자의 구조를 도시하는 도면.
도 8a 및 도 8b는 청색 유기 발광 소자들의 구조를 도시하는 도면.
도 9a 및 도 9b는 백색 유기 발광 소자들의 구조를 도시하는 도면.
도 10은 백색 유기 발광 소자의 구조를 도시하는 도면.
도 11a 및 도 11b는 증착 장치를 도시하는 도면.
도 12a 및 도 12b는 색상 변환층들을 사용하는 표시 장치와, 컬러 필터를 사용하는 표시 장치를 각각 도시하는 개요도.
도 13a 및 도 13b는 표시 장치들의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 14는 표시 장치의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 15a 및 도 15b는 표시 장치의 상부구조와 그 단면 구조를 각각 도시하는 도면.
도 16은 표시 장치의 단면 구조를 도시하는 도면.
도 17a 내지 도 17c는 표시 장치의 도면으로서, 도 17a는 그 상부 구조를, 도 17a 및 도 17c는 그 단면 구조를 도시하는 도면.
도 18a 및 도 18b는 표시 장치의 구조를 도시하는 도면.
도 19a 및 도 19b는 표시 장치의 구조를 도시하는 도면.
도 20a 내지 도 20c는 표시 장치의 구조를 도시하는 다이어그램.
도 21a 내지 도 21f는 전기 기구의 특정 예들을 도시하는 도면.
도 22a 및 도 22b는 전기 기구의 특정 예들을 도시하는 도면.
도 23은 표시 장치의 구조를 도시하는 도면.
도 24는 구체적인 화합물 증착원을 도시하는 도면.

Claims (32)

  1. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 청색 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 청색 발광 재료를 포함하는 제 1 혼합 영역,
    상기 제 1 혼합 영역 상의 상기 청색 발광 재료를 포함하는 발광 영역,
    상기 발광 영역 상의 상기 청색 발광 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 제 2 혼합 영역, 및
    상기 제 2 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역을 포함하는, 청색 유기 발광 소자.
  2. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 백색 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 제 1 발광 재료를 포함하는 제 1 혼합 영역,
    상기 제 1 혼합 영역 상의 상기 제 1 발광 재료를 포함하는 영역,
    상기 발광 영역 상의 상기 제 1 발광 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 제 2 혼합 영역,
    상기 제 2 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역, 및
    제 2 발광 재료를 포함하고,
    상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 발광 재료로부터 방출된 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 백색 유기 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 발광 재료를 포함하는 영역 중 일부에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 혼합 영역과 상기 제 2 혼합 영역 중 하나에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 백색 유기 발광 소자는 제 3 발광 재료를 더 포함하고,
    상기 제 3 발광 재료는 상기 제 2 발광 재료로부터 방출된 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 백색 유기 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 혼합 영역에 포함되고, 상기 제 3 발광 재료는 상기 제 2 혼합 영역에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제 2 발광 재료는 상기 제 2 혼합 영역에 포함되고, 상기 제 3 발광 재료는 상기 제 1 혼합 영역에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  8. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 청색 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 혼합 영역, 및
    상기 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역을 포함하고;
    상기 정공 수송 재료와 상기 전자 수송 재료 중 하나는 청색 발광 재료인, 청색 유기 발광 소자.
  9. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 청색 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 혼합 영역, 및
    상기 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역을 포 함하고;
    상기 혼합 영역에 청색 발광 재료가 추가되는, 청색 유기 발광 소자.
  10. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 백색 유기 발광 소자에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 혼합 영역,
    상기 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역, 및
    도펀트(dopant)를 포함하고;
    상기 정공 수송 재료와 상기 전자 수송 재료 중 하나는 청색 발광 재료이고,
    상기 도펀트는 상기 청색 발광 재료로부터 방출된 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 백색 유기 발광 소자.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 청색 발광 재료의 일부에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 혼합 영역에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 백색 유기 발광 소자는 제 2 도펀트를 더 포함하고,
    상기 제 2 도펀트는 상기 도펀트의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 백색 유기 발광 소자.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 정공 수송 영역에 포함되고, 상기 제 2 도펀트는 상기 전자 수송 영역에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 전자 수송 영역에 포함되고, 상기 제 2 도펀트는 상기 정공 수송 영역에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  16. 풀 컬러 표시 장치에 있어서,
    제 1 항, 제 8 항 또는 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 청색 유기 발광 소자; 및
    상기 청색 유기 발광 소자로부터 방출되는 청색광을 흡수할 수 있고 녹색광 또는 적색광을 방출할 수 있는 형광 물질을 포함하는 부재를 포함하는, 풀 컬러 표시 장치.
  17. 풀 컬러 표시 장치에 있어서,
    제 2 항 내지 제 7 항, 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 백색 유기 발광 장치; 및
    컬러 필터를 포함하는, 풀 컬러 표시 장치.
  18. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 청색 유기 발광 소자를 포함하는 풀 컬러 표시 장치에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 청색 발광 재료를 포함하는 제 1 혼합 영역,
    상기 제 1 혼합 영역 상의 상기 청색 발광 재료를 포함하는 발광 영역,
    상기 발광 영역 상의 상기 청색 발광 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 제 2 혼합 영역,
    상기 제 2 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역, 및
    상기 청색 유기 발광 소자로부터 방출된 청색광을 흡수하고, 녹색광 또는 적색광을 방출할 수 있는 형광 재료를 포함하는 부재를 포함하는, 풀 컬러 표시 장치.
  19. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 백색 유기 발광 소자를 포함하는 풀 컬러 표시 장치에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 제 1 발광 재료를 포함하는 제 1 혼합 영역,
    상기 제 1 혼합 영역 상의 상기 제 1 발광 재료를 포함하는 영역,
    상기 제 1 발광 재료를 포함하는 영역 상의 상기 제 1 발광 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 제 2 혼합 영역,
    상기 제 2 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역,
    제 2 발광 재료, 및
    컬러 필터를 포함하고;
    상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 발광 재료로부터 방출되는 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 풀 컬러 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 발광 재료를 포함하는 영역 중 일부에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
  21. 제 19 항에 있어서, 상기 제 2 발광 재료는 상기 제 1 혼합 영역과 상기 제 2 혼합 영역 중 하나에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
  22. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 청색 유기 발광 소자를 포함하는 풀 컬러 표시 장치에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 혼합 영역,
    상기 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역, 및
    상기 청색 유기 발광 소자로부터 방출된 청색광을 흡수하고, 녹색광 또는 적색광을 방출할 수 있는 형광 재료를 포함하는 부재를 포함하고;
    상기 정공 수송 재료와 상기 전자 수송 재료 중 하나는 청색 발광 재료인, 풀 컬러 표시 장치.
  23. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 청색 유기 발광 소자를 포함하는 풀 컬러 표시 장치에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 혼합 영역,
    상기 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역, 및
    상기 청색 유기 발광 소자로부터 방출된 청색광을 흡수하고, 녹색광 또는 적색광을 방출할 수 있는 형광 재료를 포함하는 부재를 포함하고,
    상기 혼합 영역에 청색 발광 재료가 추가되는, 풀 컬러 표시 장치.
  24. 양극과 음극 사이에 개재된 유기 화합물 막을 포함하는 백색 유기 발광 소자를 포함하는 풀 컬러 표시 장치에 있어서, 상기 유기 화합물 막은,
    상기 양극 상의 정공 수송 재료를 포함하는 정공 수송 영역,
    상기 정공 수송 영역 상의 상기 정공 수송 재료와 전자 수송 재료를 포함하는 혼합 영역,
    상기 혼합 영역 상의 상기 전자 수송 재료를 포함하는 전자 수송 영역,
    도펀트, 및
    컬러 필터를 포함하고;
    상기 정공 수송 재료와 상기 전자 수송 재료 중 하나는 청색 발광 재료이고,
    상기 도펀트는 상기 청색 발광 재료로부터 방출된 광의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 풀 컬러 표시 장치.
  25. 제 24 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 청색 발광 재료의 일부에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
  26. 제 24 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 혼합 영역에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
  27. 제 24 항에 있어서, 상기 풀 컬러 표시 장치는 제 2 도펀트를 더 포함하고,
    상기 제 2 도펀트는 상기 도펀트의 파장보다 긴 파장을 갖는 광을 방출하는, 풀 컬 표시 장치.
  28. 제 27 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 정공 수송 영역에 포함되고, 상기 제 2 도펀트는 상기 전자 수송 영역에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 도펀트는 상기 전자 수송 영역에 포함되고, 상기 제 2 도펀트는 상기 정공 수송 영역에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
  30. 제 1 항, 제 8 항 또는 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 청색 유기 발광 소자는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 휴대용 컴퓨터, 퍼스널 컴퓨터, 및 셀룰러 폰으로 구성되는 그룹 중 하나에 포함되는, 청색 유기 발광 소자.
  31. 제 2 항 내지 제 7 항, 제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 백색 유기 발광 소자는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 휴대용 컴퓨터, 퍼스널 컴퓨터, 및 셀룰러 폰으로 구성되는 그룹 중 하나에 포함되는, 백색 유기 발광 소자.
  32. 제 16 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 풀 컬러 표시 장치는 비디오 카메라, 디지털 카메라, 휴대용 컴퓨터, 퍼스널 컴퓨터, 및 셀룰러 폰으로 구성되는 그룹 중 하나에 포함되는, 풀 컬러 표시 장치.
KR1020090048034A 2001-02-22 2009-06-01 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치 KR20090077877A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00045883 2001-02-22
JP2001045883 2001-02-22

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080090517A Division KR20080091419A (ko) 2001-02-22 2008-09-12 유기 발광 소자

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090107402A Division KR20090128359A (ko) 2001-02-22 2009-11-09 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090077877A true KR20090077877A (ko) 2009-07-16

Family

ID=18907594

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020009596A KR20020068963A (ko) 2001-02-22 2002-02-22 유기 발광 소자 및 이를 사용한 표시 장치
KR1020080090517A KR20080091419A (ko) 2001-02-22 2008-09-12 유기 발광 소자
KR1020090048034A KR20090077877A (ko) 2001-02-22 2009-06-01 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치
KR1020090107402A KR20090128359A (ko) 2001-02-22 2009-11-09 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020009596A KR20020068963A (ko) 2001-02-22 2002-02-22 유기 발광 소자 및 이를 사용한 표시 장치
KR1020080090517A KR20080091419A (ko) 2001-02-22 2008-09-12 유기 발광 소자

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090107402A KR20090128359A (ko) 2001-02-22 2009-11-09 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7399991B2 (ko)
JP (1) JP4263415B2 (ko)
KR (4) KR20020068963A (ko)
CN (1) CN100483781C (ko)
MY (1) MY129746A (ko)
SG (1) SG118118A1 (ko)
TW (1) TWI233312B (ko)

Families Citing this family (192)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2070005T3 (es) * 1991-05-08 1995-05-16 Baxter Int Recipiente para la irradiacion de productos de la sangre.
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
SG115435A1 (en) * 2000-12-28 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
SG118110A1 (en) 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
AU2002303084B2 (en) * 2001-02-02 2006-05-25 Pharmacopiea, Inc. 3,4-di-substituted cyclobutene-1, 2 -diones as CXC chemokine receptor antagonists
US20030010288A1 (en) * 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TWI225312B (en) 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US7432116B2 (en) 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
KR100945467B1 (ko) 2001-10-09 2010-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스위칭소자, 표시장치, 그 스위칭소자를 사용한 발광장치및 반도체장치
JP4202012B2 (ja) 2001-11-09 2008-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及び電流記憶回路
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
JP4046267B2 (ja) * 2002-03-26 2008-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP4060113B2 (ja) * 2002-04-05 2008-03-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR100464864B1 (ko) * 2002-04-25 2005-01-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
US6931132B2 (en) * 2002-05-10 2005-08-16 Harris Corporation Secure wireless local or metropolitan area network and related methods
TW554641B (en) * 2002-08-19 2003-09-21 Univ Nat Taiwan Manufacturing method of organic graded junction
US8691371B2 (en) * 2002-09-11 2014-04-08 General Electric Company Barrier coating and method
US8704211B2 (en) * 2004-06-30 2014-04-22 General Electric Company High integrity protective coatings
US7699482B2 (en) * 2002-09-25 2010-04-20 Fujifilm Corporation Light-emitting element
JP2004179142A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Sanyo Electric Co Ltd 発光素子
JP4252297B2 (ja) 2002-12-12 2009-04-08 株式会社日立製作所 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置
US7063900B2 (en) 2002-12-23 2006-06-20 General Electric Company White light-emitting organic electroluminescent devices
WO2004060026A1 (ja) 2002-12-26 2004-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 有機発光素子
JP4251874B2 (ja) * 2003-01-21 2009-04-08 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JPWO2004068913A1 (ja) * 2003-01-28 2006-05-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子およびその作製方法
JP4531342B2 (ja) * 2003-03-17 2010-08-25 株式会社半導体エネルギー研究所 白色有機発光素子および発光装置
TWI363574B (en) * 2003-04-07 2012-05-01 Semiconductor Energy Lab Electronic apparatus
US7862906B2 (en) 2003-04-09 2011-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electroluminescent element and light-emitting device
KR100943273B1 (ko) * 2003-05-07 2010-02-23 삼성전자주식회사 4-컬러 변환 방법 및 그 장치와 이를 이용한 유기전계발광표시장치
US7037601B2 (en) * 2003-05-28 2006-05-02 Eastman Kodak Company White light-emitting device structures
US6875524B2 (en) * 2003-08-20 2005-04-05 Eastman Kodak Company White light-emitting device with improved doping
JP2005100921A (ja) * 2003-08-22 2005-04-14 Sony Corp 有機ｅｌ素子および表示装置
KR101246247B1 (ko) * 2003-08-29 2013-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전계발광소자 및 그것을 구비한 발광장치
CN100489569C (zh) 2003-10-28 2009-05-20 株式会社半导体能源研究所 制作光学膜的方法
JP4485184B2 (ja) * 2003-12-15 2010-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置および電子機器
JP4131238B2 (ja) * 2003-12-26 2008-08-13 ソニー株式会社 表示用パネル及び表示装置
US20050147844A1 (en) * 2004-01-05 2005-07-07 Eastman Kodak Company White oled devices with color filter arrays
CN1942551A (zh) * 2004-04-19 2007-04-04 西巴特殊化学品控股有限公司 新的有机发光元件
US7622200B2 (en) * 2004-05-21 2009-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element
KR100669718B1 (ko) * 2004-07-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
JP4238194B2 (ja) * 2004-09-17 2009-03-11 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
KR100656496B1 (ko) 2004-09-21 2006-12-11 삼성에스디아이 주식회사 풀 칼라 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
US7803468B2 (en) 2004-09-29 2010-09-28 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
KR100637177B1 (ko) * 2004-10-11 2006-10-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US7754346B2 (en) 2004-11-10 2010-07-13 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US7439670B2 (en) * 2005-02-03 2008-10-21 Eastman Kodak Company Making multicolor OLED displays
KR20060094685A (ko) * 2005-02-25 2006-08-30 삼성전자주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP4915544B2 (ja) * 2005-05-11 2012-04-11 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5046553B2 (ja) * 2005-05-20 2012-10-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
CN100452937C (zh) * 2005-07-07 2009-01-14 友达光电股份有限公司 有机电致发光元件及其显示装置
JP4834341B2 (ja) * 2005-07-15 2011-12-14 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置
KR100713989B1 (ko) 2005-07-15 2007-05-04 삼성에스디아이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
KR100672535B1 (ko) * 2005-07-25 2007-01-24 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
EP1793264A1 (en) * 2005-12-05 2007-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
WO2007072766A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1804114B1 (en) * 2005-12-28 2014-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1832915B1 (en) * 2006-01-31 2012-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with improved contrast
EP1816508A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826606B1 (en) * 2006-02-24 2012-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP1826605A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7714145B2 (en) * 2006-05-15 2010-05-11 Ken-Tsung Wong 2-2′-disubstituted 9,9′-spirobifluorene-base triaryldiamines and their application
CN101931056B (zh) * 2006-06-01 2014-07-09 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
WO2008069153A1 (en) * 2006-12-04 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
US9397308B2 (en) * 2006-12-04 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element, light emitting device, and electronic device
KR101374891B1 (ko) * 2007-02-09 2014-03-25 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
EP1973386B8 (en) * 2007-03-23 2016-01-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
KR101375331B1 (ko) * 2007-06-22 2014-03-18 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기발광소자 및 그를 포함하는 표시장치와 조명장치
DE102007053069A1 (de) 2007-09-27 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement mit Wellenlängenkonverter und Herstellungsverfahren
TWI479710B (zh) 2007-10-19 2015-04-01 Semiconductor Energy Lab 發光裝置
CN101978784B (zh) * 2008-03-18 2012-12-05 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光装置及电子装置
WO2009116547A1 (en) * 2008-03-18 2009-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device and electronic device
JP4930499B2 (ja) * 2008-03-31 2012-05-16 ウシオ電機株式会社 光センサ
JP5315850B2 (ja) * 2008-08-13 2013-10-16 富士ゼロックス株式会社 有機電界発光素子、及び表示装置
JP5325707B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
JP5329342B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
CN102217419A (zh) * 2008-09-05 2011-10-12 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子器件
EP2200407B1 (en) 2008-12-17 2017-11-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting element, light emitting device, and electronic device
US8581237B2 (en) * 2008-12-17 2013-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element
KR101496846B1 (ko) * 2008-12-24 2015-03-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 트랜지스터를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI528862B (zh) 2009-01-21 2016-04-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置以及電子裝置
JPWO2012105333A1 (ja) * 2011-01-31 2014-07-03 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5969216B2 (ja) 2011-02-11 2016-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、表示装置、照明装置、及びこれらの作製方法
WO2012111680A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
JP2012186091A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Epson Corp 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP5902515B2 (ja) * 2011-03-14 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 連続成膜装置及び連続成膜方法
TWI562424B (en) 2011-03-25 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting panel, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101917752B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 모듈, 발광 패널, 발광 장치
CN102214800B (zh) * 2011-05-20 2013-07-24 电子科技大学 一种白光有机发光器件及其制备方法
US9142598B2 (en) 2011-06-24 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting panel, light-emitting device using the light-emitting panel, and method for manufacturing the light-emitting panel
KR101917753B1 (ko) 2011-06-24 2018-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2013008765A1 (en) 2011-07-08 2013-01-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting module, light-emitting device, and method for manufacturing the light-emitting module
KR101953724B1 (ko) 2011-08-26 2019-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 모듈, 발광 장치, 발광 모듈의 제작 방법, 발광 장치의 제작 방법
US8698137B2 (en) 2011-09-14 2014-04-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20130049728A (ko) 2011-11-04 2013-05-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 모듈 및 발광 장치
US9721998B2 (en) 2011-11-04 2017-08-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method thereof
KR102079562B1 (ko) * 2012-04-20 2020-02-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101929040B1 (ko) * 2012-05-31 2018-12-13 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR102091687B1 (ko) 2012-07-05 2020-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
KR102173801B1 (ko) 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
KR102046157B1 (ko) * 2012-12-21 2019-12-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP6104649B2 (ja) 2013-03-08 2017-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US9224980B2 (en) 2013-03-28 2015-12-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
US9245935B2 (en) 2013-04-02 2016-01-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
WO2015121770A1 (en) 2014-02-11 2015-08-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
KR102643599B1 (ko) 2014-05-30 2024-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 표시 장치, 및 전자 기기
JP2016029464A (ja) 2014-07-18 2016-03-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102380645B1 (ko) 2014-07-31 2022-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
JP6602585B2 (ja) 2014-08-08 2019-11-06 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置および電子機器
CN110544436B (zh) 2014-09-12 2021-12-07 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
US9933903B2 (en) 2014-10-02 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and input/output device
KR102445185B1 (ko) 2014-10-08 2022-09-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
EP3010057B1 (en) 2014-10-13 2020-04-29 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR102500994B1 (ko) 2014-10-17 2023-02-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 터치 패널
JP2016095502A (ja) 2014-11-11 2016-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、表示装置
WO2016083928A1 (en) 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Image processing device, display system, and electronic device
US9933872B2 (en) 2014-12-01 2018-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel
TWI635622B (zh) * 2015-06-10 2018-09-11 隆達電子股份有限公司 發光結構、燈具及背光模組
KR102612798B1 (ko) 2015-09-08 2023-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US10424632B2 (en) 2015-11-30 2019-09-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN108369787B (zh) 2015-12-11 2021-02-09 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR102617041B1 (ko) 2015-12-28 2023-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 장치, 텔레비전 시스템, 및 전자 기기
KR102512069B1 (ko) * 2015-12-31 2023-03-21 삼성디스플레이 주식회사 청색 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI718208B (zh) 2016-06-30 2021-02-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置
KR20180034783A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR20230145548A (ko) 2016-11-30 2023-10-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
US11296176B2 (en) 2017-07-27 2022-04-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, display device, input/output device, and data processing device
CN112106446A (zh) 2018-05-11 2020-12-18 株式会社半导体能源研究所 显示装置及显示装置的制造方法
JP7432509B2 (ja) 2018-07-20 2024-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20220017474A (ko) 2019-06-07 2022-02-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 복합 디바이스
WO2021064509A1 (ja) 2019-10-04 2021-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR20210056259A (ko) 2019-11-08 2021-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
WO2022118140A1 (ja) 2020-12-04 2022-06-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び表示装置の作製方法
KR20230121739A (ko) 2020-12-18 2023-08-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
KR20220092393A (ko) 2020-12-24 2022-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20230124623A (ko) 2020-12-24 2023-08-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN116670746A (zh) 2020-12-25 2023-08-29 株式会社半导体能源研究所 显示装置及显示装置的制造方法
WO2022144666A1 (ja) 2020-12-29 2022-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
WO2022153145A1 (ja) 2021-01-14 2022-07-21 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の作製方法
TW202232796A (zh) * 2021-01-14 2022-08-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR20230129173A (ko) 2021-01-14 2023-09-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
TW202234695A (zh) 2021-01-14 2022-09-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
KR20230131471A (ko) 2021-01-14 2023-09-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법
JP2022115080A (ja) 2021-01-27 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US20240057404A1 (en) 2021-01-28 2024-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20240090248A1 (en) 2021-01-28 2024-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus
CN116848950A (zh) 2021-01-28 2023-10-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置
US20240090253A1 (en) 2021-01-28 2024-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TW202232797A (zh) 2021-02-05 2022-08-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US20240107865A1 (en) 2021-02-12 2024-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing equipment for light-emitting device
JPWO2022175789A1 (ko) 2021-02-19 2022-08-25
KR20230147648A (ko) 2021-02-19 2023-10-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기
DE112022001443T5 (de) 2021-03-11 2024-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung, Anzeigemodul, elektronisches Gerät und Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung
KR20230156066A (ko) 2021-03-11 2023-11-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
WO2022200914A1 (ja) 2021-03-24 2022-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
KR20230161465A (ko) 2021-03-25 2023-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스의 제조 장치
CN117044396A (zh) 2021-03-25 2023-11-10 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示装置的制造方法、显示模块及电子设备
US20240172516A1 (en) 2021-03-31 2024-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus
KR20230165318A (ko) 2021-04-08 2023-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 전자 기기, 및 표시 장치의 제작 방법
JPWO2022214904A1 (ko) 2021-04-08 2022-10-13
KR20230166098A (ko) 2021-04-08 2023-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 표시 모듈, 전자 기기
WO2022214907A1 (ja) 2021-04-08 2022-10-13 株式会社半導体エネルギー研究所 発光デバイスの製造装置
WO2022219447A1 (ja) 2021-04-16 2022-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JPWO2022224074A1 (ko) 2021-04-22 2022-10-27
CN117157695A (zh) 2021-04-22 2023-12-01 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2022224091A1 (ja) 2021-04-23 2022-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN117178632A (zh) 2021-04-23 2023-12-05 株式会社半导体能源研究所 显示装置及显示装置的制造方法
TW202244884A (zh) 2021-04-30 2022-11-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN117397367A (zh) 2021-06-17 2024-01-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置
KR20240027739A (ko) 2021-06-30 2024-03-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
KR20240026500A (ko) 2021-06-30 2024-02-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
WO2023275676A1 (ja) 2021-06-30 2023-01-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、および半導体装置の駆動方法
US20230006140A1 (en) 2021-06-30 2023-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display device
WO2023281352A1 (ja) 2021-07-08 2023-01-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器
KR20240032056A (ko) 2021-07-08 2024-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN118104395A (zh) 2021-07-16 2024-05-28 株式会社半导体能源研究所 发光器件的制造装置
CN117561809A (zh) 2021-07-16 2024-02-13 株式会社半导体能源研究所 显示装置
WO2023002278A1 (ja) 2021-07-20 2023-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の補正方法、及び表示装置の補正システム
KR20240035540A (ko) 2021-07-20 2024-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR20240035551A (ko) 2021-07-21 2024-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
KR20240036672A (ko) 2021-08-12 2024-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20240055760A (ko) 2021-08-27 2024-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20240064665A (ko) 2021-09-10 2024-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN116774454A (zh) 2022-03-18 2023-09-19 株式会社半导体能源研究所 光学设备以及电子设备
US20230309346A1 (en) 2022-03-25 2023-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Imaging device, display apparatus, and method for manufacturing display apparatus
US20230354643A1 (en) 2022-04-28 2023-11-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US20240114755A1 (en) 2022-09-02 2024-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus, display module, and electronic device
US20240138183A1 (en) 2022-10-07 2024-04-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of display apparatus and display apparatus

Family Cites Families (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US680372A (en) * 1900-09-06 1901-08-13 Orlando W Brown Mechanical movement.
US3654525A (en) 1965-10-23 1972-04-04 Donald Leonard Maricle Electrochemiluminescent device including one of naphthacene, perylene and 5, 6, 11, 12-tetraphenyl-naphthacene in aprotic solvent
JPH04500198A (ja) 1988-08-19 1992-01-16 リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミネソタ オゾンを用いた超電導セラミック酸化物の調製
JPH02261889A (ja) 1989-03-31 1990-10-24 Toshiba Corp 有機電界発光素子
EP0390551B1 (en) 1989-03-31 1996-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic electroluminescent device
JP2773297B2 (ja) 1989-09-28 1998-07-09 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
US5017863A (en) 1989-10-20 1991-05-21 Digital Equipment Corporation Electro-emissive laser stimulated test
US5170990A (en) 1989-12-01 1992-12-15 Canon Kabushiki Kaisha Vacuum valve and a vacuum treating apparatus in which said vacuum valve is used
JPH03190088A (ja) * 1989-12-20 1991-08-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ素子
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
US5271089A (en) 1990-11-02 1993-12-14 Nec Corporation Speech parameter encoding method capable of transmitting a spectrum parameter at a reduced number of bits
JP3016896B2 (ja) 1991-04-08 2000-03-06 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH04357694A (ja) * 1991-06-03 1992-12-10 Denki Kagaku Kogyo Kk 有機薄膜ｅｌ素子
JPH05182762A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子
US5869199A (en) * 1993-03-26 1999-02-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Organic electroluminescent elements comprising triazoles
JP2937015B2 (ja) 1993-07-28 1999-08-23 住友電気工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH07278800A (ja) 1994-04-06 1995-10-24 Vacuum Metallurgical Co Ltd 被膜形成装置及びその被膜形成方法
US5513499A (en) 1994-04-08 1996-05-07 Ebara Technologies Incorporated Method and apparatus for cryopump regeneration using turbomolecular pump
KR100227607B1 (ko) * 1994-05-26 1999-11-01 구라우치 노리타카 유기일렉트로루미너센스소자
US5678098A (en) * 1994-06-09 1997-10-14 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method and apparatus for controlling exposure of camera
US5486406A (en) 1994-11-07 1996-01-23 Motorola Green-emitting organometallic complexes for use in light emitting devices
JP3505257B2 (ja) 1995-02-24 2004-03-08 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JPH08330073A (ja) 1995-03-27 1996-12-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機発光素子及びその製造方法
US5719467A (en) 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
DE69719136T2 (de) 1996-04-25 2003-10-16 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszente vorrichtung
US6285039B1 (en) 1996-08-19 2001-09-04 Tdk Corporation Organic electroluminescent device
DE19638770A1 (de) * 1996-09-21 1998-03-26 Philips Patentverwaltung Organisches elektrolumineszentes Bauelement mit Exciplex
US5747183A (en) 1996-11-04 1998-05-05 Motorola, Inc. Organic electroluminescent light emitting material and device using same
JPH10162955A (ja) * 1996-11-28 1998-06-19 Seiko Precision Kk 有機ｅｌ素子の製造方法
JPH10233288A (ja) 1996-12-20 1998-09-02 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
US5817431A (en) 1996-12-23 1998-10-06 Motorola, Inc. Electron injecting materials for organic electroluminescent devices and devices using same
US6091195A (en) * 1997-02-03 2000-07-18 The Trustees Of Princeton University Displays having mesa pixel configuration
US5895932A (en) 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5989737A (en) 1997-02-27 1999-11-23 Xerox Corporation Organic electroluminescent devices
US5925472A (en) 1997-03-31 1999-07-20 Xerox Corporation Electroluminescent devices
US6121727A (en) 1997-04-04 2000-09-19 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device
JPH10289784A (ja) 1997-04-14 1998-10-27 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
US5925980A (en) * 1997-05-01 1999-07-20 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with graded region
JP2930056B2 (ja) 1997-05-30 1999-08-03 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料ならびにそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
US6130001A (en) * 1997-07-15 2000-10-10 Motorola, Inc. Organic electroluminescent device with continuous organic medium
JPH1185059A (ja) 1997-09-05 1999-03-30 Casio Comput Co Ltd 表示素子、表示素子の製造方法及び表示素子の駆動方法
US5853905A (en) 1997-09-08 1998-12-29 Motorola, Inc. Efficient single layer electroluminescent device
US6030715A (en) 1997-10-09 2000-02-29 The University Of Southern California Azlactone-related dopants in the emissive layer of an OLED
US6413656B1 (en) 1998-09-14 2002-07-02 The University Of Southern California Reduced symmetry porphyrin molecules for producing enhanced luminosity from phosphorescent organic light emitting devices
US6368730B1 (en) 1997-10-13 2002-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electroluminescent device
JP3980156B2 (ja) * 1998-02-26 2007-09-26 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型表示装置
JPH11329734A (ja) * 1998-03-10 1999-11-30 Mitsubishi Chemical Corp 有機電界発光素子
US6284050B1 (en) 1998-05-18 2001-09-04 Novellus Systems, Inc. UV exposure for improving properties and adhesion of dielectric polymer films formed by chemical vapor deposition
US6275649B1 (en) 1998-06-01 2001-08-14 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Evaporation apparatus
US6558817B1 (en) 1998-09-09 2003-05-06 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6097147A (en) 1998-09-14 2000-08-01 The Trustees Of Princeton University Structure for high efficiency electroluminescent device
JP3287344B2 (ja) 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6048573A (en) * 1998-11-13 2000-04-11 Eastman Kodak Company Method of making an organic light-emitting device
US6384529B2 (en) * 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
US6759144B2 (en) 1998-12-16 2004-07-06 Samsung Sdi Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP4505067B2 (ja) 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
JP3159259B2 (ja) 1999-01-13 2001-04-23 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3285085B2 (ja) * 1998-12-16 2002-05-27 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2000196140A (ja) 1998-12-28 2000-07-14 Sharp Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法
US6468676B1 (en) 1999-01-02 2002-10-22 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device
US6228228B1 (en) 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
US6541909B1 (en) 1999-03-02 2003-04-01 Nec Corporation Organic electroluminescent device with doped transport layer(s) and production method
JP3885412B2 (ja) 1999-05-25 2007-02-21 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP3838816B2 (ja) 1999-06-03 2006-10-25 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子用化合物および有機ｅｌ素子
JP2001052870A (ja) * 1999-06-03 2001-02-23 Tdk Corp 有機ｅｌ素子
KR100683050B1 (ko) 1999-06-28 2007-02-15 모토로라 인코포레이티드 유기 전계발광 장치
US6392339B1 (en) * 1999-07-20 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices including mixed region
US6310360B1 (en) 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
JP2001052866A (ja) * 1999-08-05 2001-02-23 Fuji Electric Co Ltd 蛍光変換フィルタ及び該フィルタを備えた有機発光素子
US6458475B1 (en) 1999-11-24 2002-10-01 The Trustee Of Princeton University Organic light emitting diode having a blue phosphorescent molecule as an emitter
US6372154B1 (en) 1999-12-30 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Luminescent ink for printing of organic luminescent devices
US6432255B1 (en) 2000-01-31 2002-08-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for enhancing chamber cleaning
US6580213B2 (en) * 2000-01-31 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method of manufacturing the same
US6237529B1 (en) 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
KR20010104215A (ko) * 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
US6528824B2 (en) 2000-06-29 2003-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US6392250B1 (en) * 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance
KR100360308B1 (ko) 2000-07-03 2002-11-18 한국화학연구원 아세틸렌기를 포함하는 유기화합물, 그 화합물을 이용한증착중합법, 그 방법에 의하여 제조된 증착중합 박막 및그 박막을 사용한 전기 발광소자
TW451601B (en) 2000-08-07 2001-08-21 Ind Tech Res Inst The fabrication method of full color organic electroluminescent device
JP2002146516A (ja) 2000-11-07 2002-05-22 Sony Corp 有機薄膜の蒸着方法
TW463522B (en) 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
US6803720B2 (en) * 2000-12-15 2004-10-12 Universal Display Corporation Highly stable and efficient OLEDs with a phosphorescent-doped mixed layer architecture
SG115435A1 (en) 2000-12-28 2005-10-28 Semiconductor Energy Lab Luminescent device
TW545080B (en) 2000-12-28 2003-08-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
TW518909B (en) 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
US6614175B2 (en) * 2001-01-26 2003-09-02 Xerox Corporation Organic light emitting devices
SG118110A1 (en) * 2001-02-01 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting element and display device using the element
CN101397649B (zh) * 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
US20030010288A1 (en) 2001-02-08 2003-01-16 Shunpei Yamazaki Film formation apparatus and film formation method
TWI225312B (en) 2001-02-08 2004-12-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US7432116B2 (en) 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
SG118118A1 (en) * 2001-02-22 2006-01-27 Semiconductor Energy Lab Organic light emitting device and display using the same
US6727644B2 (en) * 2001-08-06 2004-04-27 Eastman Kodak Company Organic light-emitting device having a color-neutral dopant in an emission layer and in a hole and/or electron transport sublayer
US6730615B2 (en) * 2002-02-19 2004-05-04 Intel Corporation High reflector tunable stress coating, such as for a MEMS mirror
US7291365B2 (en) * 2004-05-27 2007-11-06 Eastman Kodak Company Linear laser light beam for making OLEDS

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080091419A (ko) 2008-10-13
KR20090128359A (ko) 2009-12-15
MY129746A (en) 2007-04-30
US20020113546A1 (en) 2002-08-22
CN100483781C (zh) 2009-04-29
JP4263415B2 (ja) 2009-05-13
SG118118A1 (en) 2006-01-27
JP2002324673A (ja) 2002-11-08
KR20020068963A (ko) 2002-08-28
US7663149B2 (en) 2010-02-16
US7399991B2 (en) 2008-07-15
US20080197769A1 (en) 2008-08-21
CN1372434A (zh) 2002-10-02
TWI233312B (en) 2005-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20090077877A (ko) 청색 유기 발광 소자, 백색 유기 발광 소자 및 풀 컬러 표시 장치
US9608224B2 (en) Organic light emitting element and display device using the element
JP6049797B2 (ja) 発光装置の作製方法
JP3986829B2 (ja) 発光装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E601 Decision to refuse application