DE112022001443T5 - Anzeigevorrichtung, Anzeigemodul, elektronisches Gerät und Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung - Google Patents

Anzeigevorrichtung, Anzeigemodul, elektronisches Gerät und Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung Download PDF

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Kenichi Okazaki
Daiki NAKAMURA
Rai Sato
Shunpei Yamazaki
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung mit hoher Definition oder hoher Auflösung wird bereitgestellt. Die Anzeigevorrichtung umfasst eine erste Licht emittierende Einrichtung, eine zweite Licht emittierende Einrichtung, eine erste Isolierschicht, eine erste Farbschicht und eine zweite Farbschicht. Die erste Licht emittierende Einrichtung weist eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode über der ersten Licht emittierenden Schicht auf. Die zweite Licht emittierende Einrichtung weist eine zweite Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht auf. Die erste Isolierschicht bedeckt jede Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht. Die erste Farbschicht ist mit der ersten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet. Die zweite Farbschicht ist mit der zweiten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet. Die erste Licht emittierende Einrichtung und die zweite Licht emittierende Einrichtung weisen jeweils eine Funktion zum Emittieren von weißem Licht auf. Die erste Farbschicht weist eine Funktion zum Durchlassen von sichtbarem Licht in einer Farbe auf, die von derjenigen eines durch die zweite Farbschicht durchgehenden sichtbaren Lichts unterschiedlich ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung, ein Anzeigemodul und ein elektronisches Gerät. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
  • Es sei angemerkt, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf das vorstehende technische Gebiet beschränkt ist. Beispiele für das technische Gebiet einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfassen eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Energiespeichervorrichtung, eine Speichervorrichtung, ein elektronisches Gerät, eine Beleuchtungsvorrichtung, eine Eingabevorrichtung (z. B. einen Berührungssensor), eine Eingabe-/Ausgabevorrichtung (z. B. einen Touchscreen), ein Betriebsverfahren dafür und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • Stand der Technik
  • In den letzten Jahren sind Informationsendgeräte, beispielsweise Mobiltelefone, wie z. B. Smartphones, Tablet-Informationsendgeräte und Laptop-PCs (PersonalComputer), weithin verbreitet. Für mit diesen ausgestattete Anzeigefelder ist eine hohe Auflösung erforderlich.
  • Als für ein Anzeigefeld verwendbare Anzeigevorrichtungen können typischerweise eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, eine Licht emittierende Vorrichtung mit einem Licht emittierenden Element, wie z. B. einem organischen EL- (Elektrolumineszenz-) Element oder einer Leuchtdiode (Licht emittierende Diode, LED), elektronisches Papier und dergleichen angegeben werden, bei dem durch ein Elektrophoreseverfahren oder dergleichen eine Anzeige erfolgt.
  • Ein organisches EL-Element weist im Allgemeinen beispielsweise eine Struktur auf, bei der eine eine Licht emittierende organische Verbindung enthaltende Schicht zwischen einem Paar von Elektroden angeordnet ist. Durch Anlegen einer Spannung an dieses Element kann eine Lichtemission von der Licht emittierenden organischen Verbindung erhalten werden. Eine ein solches organisches EL-Element aufweisende Anzeigevorrichtung braucht keine für Flüssigkristallanzeigevorrichtungen und dergleichen erforderliche Hintergrundbeleuchtung; daher kann eine dünne, leichte und kontrastreiche Anzeigevorrichtung mit geringem Energieverbrauch erhalten werden. Beispielsweise offenbart Patentdokument 1 ein Beispiel für eine ein organisches EL-Element aufweisende Anzeigevorrichtung.
  • [Referenzen]
  • [Patentdokumente]
  • [Patentdokument 1] Japanische Patentoffenlegungsschrift Nr. 2002-324673
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Anzeigevorrichtung mit hoher Definition bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Anzeigevorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine große Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine kleine Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine zuverlässige Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
  • Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Definition bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer großen Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer kleinen Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer zuverlässigen Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Ausbeute bereitzustellen.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung dieser Aufgaben dem Vorhandensein weiterer Aufgaben nicht im Wege steht. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung muss nicht notwendigerweise sämtliche Aufgaben erfüllen. Weitere Aufgaben können aus der Erläuterung der Beschreibung, der Zeichnungen und der Patentansprüche abgeleitet werden.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung umfassend eine erste Licht emittierende Einrichtung, eine zweite Licht emittierende Einrichtung, eine erste Isolierschicht, eine erste Farbschicht und eine zweite Farbschicht. Die erste Licht emittierende Einrichtung weist eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode über der ersten Licht emittierenden Schicht auf. Die zweite Licht emittierende Einrichtung weist eine zweite Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht auf. Die erste Isolierschicht bedeckt jede Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht. Die erste Farbschicht ist mit der ersten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet. Die zweite Farbschicht ist mit der zweiten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet. Die erste Licht emittierende Einrichtung und die zweite Licht emittierende Einrichtung weisen jeweils eine Funktion zum Emittieren von weißem Licht auf. Die erste Farbschicht weist eine Funktion zum Durchlassen von sichtbarem Licht in einer Farbe auf, die von derjenigen eines durch die zweite Farbschicht durchgehenden sichtbaren Lichts unterschiedlich ist.
  • Es ist bevorzugt, dass die vorstehende Anzeigevorrichtung ferner eine zweite Isolierschicht umfasst, dass die erste Isolierschicht ein anorganisches Material enthält, und dass die zweite Isolierschicht ein organisches Material enthält und mit jeder Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht überlappt, wobei zwischen der zweiten Isolierschicht und jeder Seitenfläche die erste Isolierschicht liegt.
  • Bei der vorstehenden Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass die erste Licht emittierende Einrichtung eine gemeinsame Schicht zwischen der ersten Licht emittierenden Schicht und der gemeinsamen Elektrode aufweist, dass die zweite Licht emittierende Einrichtung die gemeinsame Schicht zwischen der zweiten Licht emittierenden Schicht und der gemeinsamen Elektrode aufweist, und dass die gemeinsame Schicht eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Lochverhinderungsschicht und/oder eine Lochtransportschicht und/oder eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektronenverhinderungsschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweist.
  • Bei der vorstehenden Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass die erste Licht emittierende Schicht dasselbe Material wie bei der zweiten Licht emittierenden Schicht enthält.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung umfassend eine erste Licht emittierende Einrichtung, eine zweite Licht emittierende Einrichtung, eine erste Isolierschicht, eine erste Farbschicht und eine zweite Farbschicht. Die erste Licht emittierende Einrichtung weist eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Einheit über der ersten Pixelelektrode, eine erste Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Einheit, eine zweite Licht emittierende Einheit über der ersten Ladungserzeugungsschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Einheit auf. Die zweite Licht emittierende Einrichtung weist eine zweite Pixelelektrode, eine dritte Licht emittierende Einheit über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Ladungserzeugungsschicht über der dritten Licht emittierenden Einheit, eine vierte Licht emittierende Einheit über der zweiten Ladungserzeugungsschicht und die gemeinsame Elektrode über der vierten Licht emittierenden Einheit auf. Die erste Isolierschicht bedeckt jede Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Ladungserzeugungsschicht und der zweiten Ladungserzeugungsschicht. Die erste Farbschicht ist mit der ersten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet. Die zweite Farbschicht ist mit der zweiten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet. Die erste Licht emittierende Einrichtung und die zweite Licht emittierende Einrichtung weisen jeweils eine Funktion zum Emittieren von weißem Licht auf. Die erste Farbschicht weist eine Funktion zum Durchlassen von sichtbarem Licht in einer Farbe auf, die von derjenigen eines durch die zweite Farbschicht durchgehenden sichtbaren Lichts unterschiedlich ist.
  • Es ist bevorzugt, dass die vorstehende Anzeigevorrichtung ferner eine zweite Isolierschicht umfasst, dass die erste Isolierschicht ein anorganisches Material enthält, und dass die zweite Isolierschicht ein organisches Material enthält und mit jeder Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Ladungserzeugungsschicht und der zweiten Ladungserzeugungsschicht überlappt, zwischen denen und der zweiten Isolierschicht die erste Isolierschicht liegt.
  • Bei der vorstehenden Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass die erste Licht emittierende Einrichtung eine gemeinsame Schicht zwischen der zweiten Licht emittierenden Einheit und der gemeinsamen Elektrode aufweist, dass die zweite Licht emittierende Einrichtung die gemeinsame Schicht zwischen der vierten Licht emittierenden Einheit und der gemeinsamen Elektrode aufweist, und dass die gemeinsame Schicht eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Lochverhinderungsschicht und/oder eine Lochtransportschicht und/oder eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektronenverhinderungsschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweist.
  • Bei der vorstehenden Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass die erste Licht emittierende Einheit dasselbe Material wie bei der dritten Licht emittierenden Einheit enthält, dass die erste Ladungserzeugungsschicht dasselbe Material wie bei der zweiten Ladungserzeugungsschicht enthält, und dass die zweite Licht emittierende Einheit dasselbe Material wie bei der vierten Licht emittierenden Einheit enthält.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Anzeigemodul umfassend eine Anzeigevorrichtung mit einer der vorstehend beschriebenen Strukturen, das mit einem Verbindungselement, wie z. B. einer flexiblen gedruckten Schaltung (flexible printed circuit, nachstehend als FPC bezeichnet) oder einem Tape Carrier Package (TCP), versehen oder durch ein Chip-on-Glass- (COG-) Verfahren, ein Chip-on-Film- (COF-) Verfahren oder dergleichen mit einer integrierten Schaltung (integrated circuit, IC) ausgestattet ist.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein elektronisches Gerät umfassend das vorstehende Anzeigemodul und ein Gehäuse und/oder eine Batterie und/oder eine Kamera und/oder einen Lautsprecher und/oder ein Mikrofon.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, bei dem ein leitfähiger Film auf einer isolierenden Oberfläche ausgebildet wird. Über dem leitfähigen Film wird eine erste Schicht ausgebildet. Über der ersten Schicht wird eine erste Opferschicht ausgebildet. Die erste Schicht und die erste Opferschicht werden verarbeitet, um eine zweite Schicht, eine zweite Opferschicht über der zweiten Schicht, eine dritte Schicht und eine dritte Opferschicht über der dritten Schicht auszubilden und den leitfähigen Film teilweise freizulegen. Der leitfähige Film wird verarbeitet, um eine mit der zweiten Opferschicht überlappende erste Pixelelektrode und eine mit der dritten Opferschicht überlappende zweite Pixelelektrode auszubilden. Ein erster Isolierfilm wird ausgebildet, der zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht sowie die Seitenflächen und die Oberseiten der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht bedeckt. Der erste Isolierfilm wird verarbeitet, um eine erste Isolierschicht auszubilden, die zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht bedeckt. Die zweite Opferschicht und die dritte Opferschicht werden entfernt. Über der zweiten Schicht und der dritten Schicht wird eine gemeinsame Elektrode ausgebildet. Über der gemeinsamen Elektrode werden eine mit der zweiten Schicht überlappende erste Farbschicht und eine mit der dritten Schicht überlappende zweite Farbschicht ausgebildet.
  • Eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, bei dem ein leitfähiger Film auf einer isolierenden Oberfläche ausgebildet wird. Über dem leitfähigen Film wird eine erste Schicht ausgebildet. Über der ersten Schicht wird eine erste Opferschicht ausgebildet. Die erste Schicht und die erste Opferschicht werden verarbeitet, um eine zweite Schicht, eine zweite Opferschicht über der zweiten Schicht, eine dritte Schicht und eine dritte Opferschicht über der dritten Schicht auszubilden und den leitfähigen Film teilweise freizulegen. Der leitfähige Film wird verarbeitet, um eine mit der zweiten Opferschicht überlappende erste Pixelelektrode und eine mit der dritten Opferschicht überlappende zweite Pixelelektrode auszubilden. Unter Verwendung eines anorganischen Materials wird ein erster Isolierfilm ausgebildet, der zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht sowie die Seitenflächen und die Oberseiten der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht bedeckt. Über dem ersten Isolierfilm wird ein zweiter Isolierfilm unter Verwendung eines organischen Materials ausgebildet. Der erste Isolierfilm und der zweite Isolierfilm werden verarbeitet, um eine erste Isolierschicht, die zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht bedeckt, und eine zweite Isolierschicht über der ersten Isolierschicht auszubilden. Die zweite Opferschicht und die dritte Opferschicht werden entfernt. Über der zweiten Schicht und der dritten Schicht wird eine gemeinsame Elektrode ausgebildet. Über der gemeinsamen Elektrode werden eine mit der zweiten Schicht überlappende erste Farbschicht und eine mit der dritten Schicht überlappende zweite Farbschicht ausgebildet.
  • Bei dem vorstehenden Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass der zweite Isolierfilm unter Verwendung eines lichtempfindlichen Harzes als organisches Material ausgebildet wird.
  • Bei dem vorstehenden Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass als erste Opferschicht ein erster Opferfilm und ein zweiter Opferfilm über dem ersten Opferfilm ausgebildet werden, dass nach der Ausbildung einer ersten Photolackmaske über dem zweiten Opferfilm der zweite Opferfilm unter Verwendung der ersten Photolackmaske verarbeitet wird, dass die erste Photolackmaske entfernt wird, dass unter Verwendung des verarbeiteten zweiten Opferfilms als Maske der erste Opferfilm verarbeitet wird, und dass unter Verwendung des verarbeiteten ersten Opferfilms als Maske die erste Schicht verarbeitet wird.
  • Bei dem vorstehenden Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass unter Verwendung der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht als Maske der leitfähige Film verarbeitet wird.
  • Bei dem vorstehenden Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass nach der Entfernung der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht eine vierte Schicht über der zweiten Schicht und der dritten Schicht ausgebildet wird, und dass die gemeinsame Elektrode über der vierten Schicht ausgebildet wird.
  • Bei dem vorstehenden Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung ist es bevorzugt ferner, dass im Verarbeitungsprozess des leitfähigen Films eine Ausnehmung auf der isolierenden Oberfläche ausgebildet wird.
  • Wirkung der Erfindung
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Definition bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Anzeigevorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine große Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine kleine Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine zuverlässige Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Definition bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer großen Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer kleinen Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer zuverlässigen Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Ausbeute bereitgestellt werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung dieser Wirkungen dem Vorhandensein weiterer Wirkungen nicht im Wege steht. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung muss nicht notwendigerweise sämtliche dieser Effekte aufweisen. Weitere Effekte können aus der Erläuterung der Beschreibung, der Zeichnungen und der Patentansprüche abgeleitet werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
    • 1A ist eine Draufsicht auf ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung. 1B ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 2A und 2B sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 3A bis 3C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 4A ist eine Draufsicht auf ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung. 4B ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 5A bis 5F sind jeweils eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein Pixel.
    • 6A bis 6F sind jeweils eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein Pixel.
    • 7A bis 7G sind jeweils eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein Pixel.
    • 8A bis 8D sind jeweils eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein Pixel.
    • 9A bis 9C sind jeweils eine schematische Darstellung zeigend ein Beispiel für ein elektronisches Gerät.
    • 10A bis 10D sind jeweils eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein Pixel. 10E bis 10G sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 11A und 11B sind jeweils eine Draufsicht auf ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 12A bis 12C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 13A bis 13C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 14A bis 14C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 15A bis 15C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 16A bis 16C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 17A bis 17C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 18A bis 18F sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung.
    • 19A und 19B sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 20A und 20B sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 21 ist eine perspektivische Ansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 22A ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 22B und 22C sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für einen Transistor.
    • 23 ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 24A bis 24D sind jeweils eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 25A und 25B sind jeweils eine perspektivische Ansicht zeigend ein Beispiel für ein Anzeigemodul.
    • 26 ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 27 ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 28 ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 29 ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 30 ist eine Querschnittsansicht zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung.
    • 31A ist ein Blockdiagramm zeigend ein Beispiel für eine Anzeigevorrichtung. 31 B bis 31 D sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für eine Pixelschaltung.
    • 32A bis 32D sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für einen Transistor.
    • 33A und 33B sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für ein elektronisches Gerät.
    • 34A und 34B sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für ein elektronisches Gerät.
    • 35A und 35B sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für ein elektronisches Gerät.
    • 36A bis 36D sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für ein elektronisches Gerät.
    • 37A bis 37G sind jeweils eine Darstellung zeigend ein Beispiel für ein elektronisches Gerät.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Ausführungsformen werden anhand der Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die folgende Beschreibung beschränkt ist und dass es sich Fachleuten ohne Weiteres erschließt, dass Modi und Details der vorliegenden Erfindung auf verschiedene Weise modifiziert werden können, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht als auf die Beschreibung der folgenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden.
  • Es sei angemerkt, dass in den nachfolgend beschriebenen Strukturen der vorliegenden Erfindung gleiche Abschnitte oder Abschnitte mit ähnlichen Funktionen in voneinander unterschiedlichen Zeichnungen mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind und dass die Beschreibung dieser Abschnitte nicht wiederholt wird. Das gleiche Schraffurmuster wird für Abschnitte mit ähnlichen Funktionen verwendet, und in einigen Fällen sind die Abschnitte nicht besonders durch Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • Außerdem werden die Position, die Größe, der Bereich oder dergleichen jeder in Zeichnungen dargestellten Struktur in einigen Fällen zum leichten Verständnis nicht genau dargestellt. Die offenbarte Erfindung ist daher nicht notwendigerweise auf die Position, die Größe, den Bereich oder dergleichen beschränkt, die in den Zeichnungen offenbart werden.
  • Es sei angemerkt, dass der Begriff „Film“ und der Begriff „Schicht“ je nach Sachlage oder Umständen miteinander vertauscht werden können. Beispielsweise kann der Begriff „leitfähige Schicht“ durch den Begriff „leitfähiger Film“ ersetzt werden. Als weiteres Bespiel kann der Begriff „Isolierfilm“ durch den Begriff „Isolierschicht“ ersetzt werden.
  • (Ausführungsform 1)
  • In dieser Ausführungsform wird eine Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Herstellungsverfahren dafür anhand von 1 bis 18 beschrieben.
  • Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Pixel in dem Anzeigeabschnitt in einer Matrix angeordnet, so dass der Anzeigeabschnitt ein Bild anzeigen kann. Das Pixel weist eine weißes Licht emittierende Einrichtung und eine mit der Licht emittierenden Einrichtung überlappende Farbschicht auf. Die Verwendung der sichtbares Licht in voneinander unterschiedlichen Farben durchlassenden Farbschicht in einem Subpixel jedes Pixels ermöglicht eine Vollfarbanzeige. Ferner können die für die Pixel verwendeten, Licht emittierenden Einrichtungen unter Verwendung desselben Materials ausgebildet werden, was den Herstellungsprozess vereinfachen und die Herstellungskosten reduzieren kann.
  • Beispielsweise werden als Licht emittierende Einrichtung vorzugsweise eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode, OLED) und eine Quantenpunkt-Leuchtdiode (quantum-dot light emitting diode, QLED) verwendet. Als in der Licht emittierenden Einrichtung enthaltene, Licht emittierende Substanz werden eine eine Fluoreszenz emittierende Substanz (ein fluoreszierendes Material), eine eine Phosphoreszenz emittierende Substanz (ein phosphoreszierendes Material), eine anorganische Verbindung (wie z. B. ein Quantenpunktmaterial), eine eine thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz emittierende Substanz (ein thermisch aktiviertes, verzögert fluoreszierendes (thermally activated delayed fluorescence, TADF-) Material) und dergleichen angegeben. Ferner kann als Licht emittierende Einrichtung eine LED, wie z. B. eine Mikro-LED (light-emitting diode), verwendet werden.
  • Im Fall, dass die Licht emittierenden Einrichtungen der Pixel unter Verwendung weißes Licht emittierender, organischer EL-Einrichtungen ausgebildet werden, müssen Licht emittierende Schichten der Pixel nicht in voneinander unterschiedlichen Farben gefärbt werden. Daher können die Pixel andere Schichten als Pixelelektrode in der Licht emittierenden Einrichtung (beispielsweise die Licht emittierende Schicht und dergleichen) gemeinsam aufweisen. Einige Schichten in der Licht emittierenden Einrichtung weisen allerdings eine relativ hohe Leitfähigkeit auf, wobei die Schicht mit hoher Leitfähigkeit in den Pixeln gemeinsam bereitgestellt wird, was zum Entstehen eines Leckstroms zwischen den Pixeln führen kann. Insbesondere, wenn die Anzeigevorrichtung eine erhöhte Definition oder ein erhöhtes Öffnungsverhältnis aufweist und damit der Abstand zwischen den Pixeln verkleinert wird, vergrößert sich der Leckstrom nicht vernachlässigbar, was eine Verschlechterung der Anzeigequalität der Anzeigevorrichtung oder dergleichen verursachen könnte. Aus diesem Grund wird bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zumindest ein Teil der Licht emittierenden Einrichtung in den Pixeln inselförmig ausgebildet, um die Definition der Anzeigevorrichtung zu erhöhen. Dabei soll der inselförmig ausgebildete Teil der Licht emittierenden Einrichtung die Licht emittierende Schicht umfassen.
  • Die inselförmige Licht emittierende Schicht kann beispielsweise durch ein Vakuumverdampfungsverfahren unter Verwendung einer Metallmaske (auch als Schattenmaske bezeichnet) abgeschieden werden. Durch dieses Verfahren entsteht jedoch eine Abweichung von einer Form und einer Ausrichtung der inselförmigen Licht emittierenden Schicht im Design aufgrund verschiedener Einflüsse, wie z. B. einer niedrigen Genauigkeit einer Metallmaske, eines Ausrichtungsfehlers zwischen einer Metallmaske und einem Substrat, eine Verformung einer Metallmaske und einer Ausdehnung einer Kontur eines abzuscheidenden Films wegen einer Streuung eines Dampfes oder dergleichen; deshalb ist es schwierig, eine höhere Auflösung und ein höheres Öffnungsverhältnis der Anzeigevorrichtung zu erzielen. Bei der Verdampfung wird in einigen Fällen ferner wegen der Verschwimmung der Kontur der Schicht die Dicke der Endabschnitte verringert. Das heißt, dass die inselförmige Licht emittierende Schicht eine schwankende Dicke je nach der Stelle aufweisen kann. Bei der Herstellung einer großen Anzeigevorrichtung oder einer Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung oder hoher Definition könnte eine Herstellungsausbeute wegen einer niedrigen Maßgenauigkeit einer Metallmaske und einer z. B. thermischen Verformung erniedrigt werden.
  • Bei dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nach der Ausbildung eines leitfähigen Films und einer die Licht emittierende Schicht umfassenden Schicht (als EL-Schicht oder ein Teil der EL-Schicht bezeichbar) an einer ganzen Fläche eine Opferschicht über der EL-Schicht ausgebildet. Dann wird eine Photolackmaske über der Opferschicht ausgebildet und unter Verwendung der Photolackmaske werden die EL-Schicht und die Opferschicht verarbeitet, um die inselförmige EL-Schicht und die inselförmige Pixelelektrode (auch als untere Elektrode bezeichnet) auszubilden. Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung und dergleichen die Opferschicht als Maskenschicht bezeichnet werden kann.
  • Auf diese Weise wird bei dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die inselförmige EL-Schicht nicht unter Verwendung einer feinen Metallmaske, sondern durch eine Verarbeitung nach der Abscheidung der EL-Schicht an der einen ganzen Fläche ausgebildet. Daher kann die bisher schwierig zu realisierende Anzeigevorrichtung mit hoher Definition oder hohem Öffnungsverhältnis erzielt werden. Des Weiteren kann das Bereitstellen einer Opferschicht über einer EL-Schicht Schäden an der EL-Schicht während des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung verringern und die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung erhöhen.
  • Wie oben beschrieben, kann die Pixelelektrode dadurch ausgebildet werden, dass nach der Ausbildung der inselförmigen EL-Schicht der vorstehende leitfähige Film unter Verwendung der auf der EL-Schicht verbleibenden Opferschicht als Hartmaske verarbeitet wird. Da eine Maske zur inselförmigen Ausbildung der Pixelelektrode nicht extra bereitgestellt werden muss, können die Herstellungskosten für die Anzeigevorrichtung reduziert werden. Da zwischen der Pixelelektrode und der EL-Schicht keine Isolierschicht zur Bedeckung des Endabschnitts der Pixelelektrode bereitgestellt werden muss, kann der Abstand zwischen den einander benachbarten, Licht emittierenden Einrichtungen extrem verkleinert werden. Daher kann eine erhöhte Definition oder eine erhöhte Auflösung der Anzeigevorrichtung erzielt werden. Ferner ist auch keine Maske zur Ausbildung dieser Isolierschicht nötig, so dass die Herstellungskosten für die Anzeigevorrichtung reduziert werden können.
  • Es ist schwierig, beispielsweise durch ein Ausbildungsverfahren unter Verwendung einer Metallmaske einen Abstand zwischen den einander benachbarten Licht emittierenden Einrichtungen auf kleiner als 10 µm einzustellen; jedoch kann er durch das vorstehende Verfahren auf kleiner als oder gleich 8 µm, kleiner als oder gleich 6 µm, kleiner als oder gleich 4 µm, kleiner als oder gleich 3 µm , kleiner als oder gleich 2 µm, oder kleiner als oder gleich 1 µm miniaturisiert werden. Ferner kann beispielsweise durch Verwendung einer Belichtungseinrichtung für LSI der Abstand auf kleiner als oder gleich 500 nm, kleiner als oder gleich 200 nm, kleiner als oder gleich 100 nm, oder kleiner als oder gleich 50 nm verkleinert werden. Demzufolge kann die Fläche eines nichtlichtemittierenden Bereichs, der sich zwischen zwei Licht emittierenden Einrichtungen befinden kann, erheblich verkleinert werden, und das Öffnungsverhältnis kann nahe bei 100 % liegen. Beispielsweise kann das Öffnungsverhältnis von höher als oder gleich 50 %, höher als oder gleich 60 %, höher als oder gleich 70 %, höher als oder gleich 80 %, oder höher als oder gleich 90 % und niedriger als 100 % erzielt werden.
  • Des Weiteren kann auch ein Muster einer EL-Schicht selbst (auch als Verarbeitungsgröße bezeichnet) im Vergleich mit dem Fall der Verwendung einer Metallmaske extrem miniaturisiert werden. Außerdem entstehen im Fall der Verwendung einer Metallmaske zur getrennten Ausbildung von EL-Schichten Schwankungen der Dicke zwischen einem zentralen Abschnitt und einem Endabschnitt der EL-Schicht; daher ist die für einen Licht emittierenden Bereich verwendbare, effektive Fläche in Bezug auf die gesamte Fläche der EL-Schicht klein. Andererseits wird bei dem vorstehenden Herstellungsverfahren eine EL-Schicht durch Verarbeiten eines in einer gleichmäßigen Dicke abgeschiedenen Films ausgebildet; daher kann die Dicke innerhalb der EL-Schicht gleichmäßig sein, so dass auch im Fall eines feinen Musters der fast gesamte Bereich der EL-Schicht als Licht emittierender Bereich verwendet werden. Daher kann eine Anzeigevorrichtung sowohl mit hoher Definition als auch mit hohem Öffnungsverhältnis hergestellt werden.
  • Es sei angemerkt, dass nicht sämtliche in der EL-Schicht enthaltenen Schichten der weißes Licht emittierenden Einrichtung inselförmig ausgebildet werden müssen, sondern einige Schichten in demselben Prozess abgeschieden werden können. Bei dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nach der inselförmigen Ausbildung einiger in der EL-Schicht enthaltener Schichten für jedes Pixel die Opferschicht entfernt, um die in der EL-Schicht enthaltenen übrigen Schichten (wie z. B. Ladungsträgerinjektionsschicht) und die gemeinsame Elektrode (auch als obere Elektrode bezeichnet) zusammen ausbilden zu können.
  • Andererseits weist in der Licht emittierenden Einrichtung die Ladungsträgerinjektionsschicht oft eine relativ hohe Leitfähigkeit auf. Daher könnte ein Kontakt der Ladungsträgerinjektionsschicht mit einer Seitenfläche der inselförmigen EL-Schicht einen Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verursachen. Auch im Fall, dass die Ladungsträgerinjektionsschicht inselförmig bereitgestellt wird und nur die gemeinsame Elektrode den Licht emittierenden Einrichtungen gemeinsam ausgebildet wird, könnte ein Kontakt der gemeinsamen Elektrode mit einer Seitenfläche der inselförmigen EL-Schicht oder einer Seitenfläche der Pixelelektrode einen Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verursachen.
  • Aus diesem Grund weist die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Isolierschicht zur Bedeckung der Seitenfläche der inselförmigen EL-Schicht (beispielsweise der Licht emittierenden Schicht) und der Seitenfläche der Pixelelektrode auf. Dadurch kann ein Kontakt mindestens einiger Schichten der inselförmigen EL-Schicht und der Pixelelektrode mit der Ladungsträgerinjektionsschicht oder der gemeinsamen Elektrode verhindert werden. Daher sind die Verhinderung des Kurzschlusses der Licht emittierenden Einrichtung und eine erhöhte Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung möglich.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst eine als Anode dienende Pixelelektrode, eine inselförmige Lochinjektionsschicht, Lochtransportschicht, Licht emittierende Schicht und Elektronentransportschicht, die in dieser Reihenfolge über der Pixelelektrode angeordnet sind, eine derart bereitgestellte Isolierschicht, um Seitenflächen der Pixelelektrode, der Lochinjektionsschicht, der Lochtransportschicht, der Licht emittierenden Schicht und der Elektronentransportschicht zu bedecken, eine über der Elektronentransportschicht angeordnete Elektroneninjektionsschicht sowie eine über der Elektroneninjektionsschicht angeordnete, als Kathode dienende gemeinsame Elektrode.
  • Alternativ umfasst die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine als Kathode dienende Pixelelektrode, eine inselförmige Elektroneninjektionsschicht, Elektronentransportschicht, Licht emittierende Schicht und Lochtransportschicht, die in dieser Reihenfolge über der Pixelelektrode angeordnet sind, eine derart bereitgestellte Isolierschicht, um Seitenflächen der Pixelelektrode, der Elektroneninjektionsschicht, der Elektronentransportschicht, der Licht emittierenden Schicht und der Lochtransportschicht zu bedecken, eine über der Lochtransportschicht angeordnete Lochinjektionsschicht sowie eine über der Lochinjektionsschicht angeordnete, als Anode dienende gemeinsame Elektrode.
  • Alternativ umfasst die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Einheit über der Pixelelektrode, eine Zwischenschicht (auch als Ladungserzeugungsschicht bezeichnet) über der ersten Licht emittierenden Einheit, eine zweite Licht emittierende Einheit über der Zwischenschicht, eine derart bereitgestellte Isolierschicht, um Seitenflächen der Pixelelektrode, der ersten Licht emittierenden Einheit, der Zwischenschicht und der zweiten Licht emittierenden Einheit zu bedecken, sowie eine über der zweiten Licht emittierenden Einheit angeordnete gemeinsame Elektrode. Es sei angemerkt, dass zwischen der zweiten Licht emittierenden Einheit und der gemeinsamen Elektrode eine den Licht emittierenden Einrichtungen jeder Farbe gemeinsame Schicht bereitgestellt werden kann.
  • Die Lochinjektionsschicht, die Elektroneninjektionsschicht, die Ladungserzeugungsschicht oder dergleichen weist in der EL-Schicht oft eine relativ hohe Leitfähigkeit auf. Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Seitenflächen dieser Schichten mit der Isolierschicht bedeckt, so dass ein Kontakt mit der gemeinsamen Elektrode oder dergleichen verhindert werden kann. Daher sind die Verhinderung des Kurzschlusses der Licht emittierenden Einrichtung und eine erhöhte Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung möglich.
  • Mit einer derartigen Struktur kann eine hochzuverlässige Anzeigevorrichtung mit hoher Definition oder hoher Auflösung hergestellt werden. Beispielsweise ist keine Pseudoerhöhung der Definition unter Verwendung eines speziellen Pixelanordnungsverfahrens, wie z. B. eines PenTile-Musters, nötig, und selbst bei einem Anordnungsverfahren mit drei oder mehr Subpixeln für ein Pixel kann eine Anzeigevorrichtung mit extrem hoher Definition erzielt werden. Beispielsweise kann eine Anzeigevorrichtung mit einer Definition von größer als oder gleich 500 ppi, größer als oder gleich 1000 ppi, größer als oder gleich 2000 ppi, größer als oder gleich 3000 ppi oder größer als oder gleich 5000 ppi unter Verwendung einer sogenannten Streifen-Anordnung erzielt werden, bei der R, G und B jeweils in der gleichen Richtung angeordnet sind.
  • Die Isolierschicht kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen. Insbesondere wird vorzugsweise die Isolierschicht mit einer zweischichtigen Struktur verwendet. Beispielsweise wird eine erste Schicht der Isolierschicht in Kontakt mit der EL-Schicht ausgebildet, so dass sie vorzugsweise unter Verwendung eines anorganischen Isoliermaterials ausgebildet wird. Eine Ausbildung durch ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition, ALD-) Verfahren, bei dem Abscheidungsschäden gering sind, ist bevorzugt. Ferner wird die anorganische Isolierschicht vorzugsweise durch ein Sputterverfahren, ein chemisches Gasphasenabscheidungs- (chemical vapor deposition, CVD-) Verfahren oder ein plasmageschütztes chemisches Gasphasenabscheidungs- (plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD-) Verfahren ausgebildet, die eine höhere Abscheidungsrate aufweisen als ALD-Verfahren. Daher kann eine hochzuverlässige Anzeigevorrichtung mit hoher Produktivität hergestellt werden. Eine zweite Schicht der Isolierschicht wird vorzugsweise unter Verwendung eines organischen Isoliermaterials derart ausgebildet, um eine Ausnehmung in der ersten Schicht der Isolierschicht zu planarisieren.
  • Beispielsweise können für die erste Schicht der Isolierschicht ein durch ein ALD-Verfahren ausgebildeter Aluminiumoxidfilm und für die zweite Schicht der Isolierschicht ein lichtempfindlicher organischer Harzfilm verwendet werden.
  • Alternativ kann der Isolierschicht mit einer einschichtigen Struktur ausgebildet werden. Wenn beispielsweise der Isolierschicht mit einer einschichtigen Struktur unter Verwendung eines anorganischen Materials ausgebildet wird, kann diese Isolierschicht als isolierende Schutzschicht für die EL-Schicht verwendet werden. Dadurch kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung erhöht werden. Alternativ kann, wenn beispielsweise die Isolierschicht mit einer einschichtigen Struktur unter Verwendung eines organischen Materials ausgebildet wird, ein Zwischenraum zwischen den einander benachbarten EL-Schichten mit dieser Isolierschicht gefüllt werden, was zu einer Planarisierung führen kann. Dadurch kann eine Abdeckung der über der EL-Schicht und der Isolierschicht ausgebildeten gemeinsamen Elektrode (oberen Elektrode) erhöht werden.
  • [Strukturbeispiel 1 einer Anzeigevorrichtung]
  • In 1A und 1B ist eine Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gezeigt.
  • 1A ist eine Draufsicht auf eine Anzeigevorrichtung 100. Die Anzeigevorrichtung 100 weist einen Anzeigeabschnitt mit mehreren in einer Matrix angeordneten Pixeln 110 und einen außerhalb des Anzeigeabschnitts angeordneten Verbindungsabschnitt 140 auf.
  • Auf das Pixel 110 in 1A wird eine Streifen-Anordnung angewandt. Das Pixel 110 in 1A besteht aus drei Subpixeln 110a, 110b und 110c. Die Subpixel 110a, 110b und 110c weisen weißes Licht emittierende Einrichtungen 130a, 130b und 130c (nachstehend in einigen Fällen insgesamt als Licht emittierende Einrichtung 130 bezeichnet) auf. Mit jeweils mit den Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c überlappend angeordneten Farbschichten 129a, 129b und 129c (nachstehend in einigen Fällen insgesamt als Farbschicht 129 bezeichnet) emittieren die jeweiligen Subpixel unterschiedliche Farben. Als Subpixel 110a, 110b und 110c können beispielsweise Subpixel in drei Farben von Rot (R), Grün (G) und Blau (B) oder Subpixel in drei Farben von Gelb (Y), Cyan (C) und Magenta (M) angegeben werden.
  • 1A zeigt ein Beispiel, bei dem Subpixel in voneinander unterschiedlichen Farben in der X-Richtung angeordnet sind und Subpixel in der gleichen Farbe in der Y-Richtung angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Subpixel in voneinander unterschiedlichen Farben in der Y-Richtung angeordnet sein können und dass Subpixel in der gleichen Farbe in der X-Richtung angeordnet sein können.
  • 1A zeigt ein Beispiel, bei dem der Verbindungsabschnitt 140 in der Draufsicht unter dem Anzeigeabschnitt positioniert ist; jedoch ist die vorliegende Erfindung besonders nicht darauf beschränkt. Der Verbindungsabschnitt 140 kann in der Draufsicht über und/oder rechts von und/oder links von und/oder unter dem Anzeigeabschnitt und alternativ auch dessen vier Seiten umschließend angeordnet sein. Alternativ können ein oder mehrere Verbindungsabschnitte 140 bereitgestellt werden.
  • 1B ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1A.
  • Wie in 1B gezeigt, sind bei der Anzeigevorrichtung 100 die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c über einer einen Transistor umfassenden Schicht 101 bereitgestellt, und Schutzschichten 131 und 132 sind diese Licht emittierenden Einrichtungen bedeckend bereitgestellt. Über der Schutzschicht 132 sind die Farbschichten 129a, 129b und 129c bereitgestellt. Weiter darauf ist ein Substrat 120 mittels einer Harzschicht 122 befestigt. In einem Bereich zwischen den einander benachbarten Licht emittierenden Einrichtungen sind eine Isolierschicht 125 und eine Isolierschicht 127 über der Isolierschicht 125 bereitgestellt.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Top-Emission-Struktur, bei der Licht in Richtung emittiert wird, die einem Substrat entgegengesetzt ist, über dem die Licht emittierenden Einrichtungen ausgebildet sind, eine Bottom-Emission-Struktur, bei der Licht in Richtung des Substrats emittiert wird, über dem die Licht emittierenden Einrichtungen ausgebildet sind, oder eine Dual-Emission-Struktur, bei der Licht in den beiden Richtungen emittiert wird, aufweisen.
  • Für die den Transistor umfassende Schicht 101 kann beispielsweise eine mehrschichtige Struktur verwendet werden, bei der auf dem Substrat mehrere Transistoren bereitgestellt sind und eine Isolierschicht diese Transistoren bedeckend bereitgestellt ist. Die den Transistor umfassende Schicht 101 kann zwischen den einander benachbarten Licht emittierenden Einrichtungen eine Ausnehmung aufweisen. Beispielsweise kann an einer an der äußersten Oberfläche der den Transistor umfassenden Schicht 101 positionierten Isolierschicht eine Ausnehmung angebracht sein. Strukturbeispiele der den Transistor umfassenden Schicht 101 werden nachstehend in den Ausführungsformen 3 und 4 beschrieben.
  • Die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c emittieren vorzugsweise weißes (W) Licht. Wenn darüber die Licht in jeweils voneinander unterschiedlichen Farben durchlassenden Farbschichten 129a, 129b und 129c bereitgestellt werden, können die Licht in voneinander unterschiedlichen Farben emittierenden Subpixel 110a, 110b und 110c ausgebildet werden.
  • Als Licht emittierende Einrichtungen 130a, 130b und 130c wird vorzugsweise zum Beispiel OLED oder QLED verwendet. Als in der Licht emittierenden Einrichtung enthaltene, Licht emittierende Substanz werden eine eine Fluoreszenz aufweisende Substanz (ein fluoreszierendes Material), eine eine Phosphoreszenz aufweisende Substanz (ein phosphoreszierendes Material), eine anorganische Verbindung (wie z. B. ein Quantenpunktmaterial), eine eine thermisch aktivierte verzögerte Fluoreszenz aufweisende Substanz (TADF-Material) und dergleichen angegeben. Alternativ kann ein TADF-Material verwendet werden, dessen Singulett-Anregungszustand und Triplett-Anregungszustand sich in einem thermischen Gleichgewichtszustand befinden. Da ein derartiges TADF-Material eine kurze Emissionslebensdauer (Anregungslebensdauer) ermöglicht, kann die Effizienzreduzierung einer Licht emittierenden Einrichtung in einem hohen Leuchtdichtebereich verhindert werden.
  • Die Licht emittierende Einrichtung weist zwischen einem Paar von Elektroden eine EL-Schicht auf. In dieser Beschreibung und dergleichen werden in einigen Fällen eine Elektrode des einen Paars von Elektroden als Pixelelektrode und die andere als gemeinsame Elektrode bezeichnet.
  • Die eine Elektrode des einen Paars von Elektroden der Licht emittierenden Einrichtung dient als Anode und die andere Elektrode dient als Kathode. Nachstehend wird der Fall beispielhaft beschrieben, dass die Pixelelektrode als Anode und die gemeinsame Elektrode als Kathode dienen.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 130a weist eine Pixelelektrode 111 a über der den Transistor umfassenden Schicht 101, eine inselförmige erste Schicht 113a über der Pixelelektrode 111a, eine fünfte Schicht 114 über der inselförmigen ersten Schicht 113a und eine gemeinsame Elektrode 115 über der fünften Schicht 114 auf. Bei der Licht emittierenden Einrichtung 130a können die erste Schicht 113a und die fünfte Schicht 114 insgesamt als EL-Schicht bezeichnet werden.
  • Die Struktur der Licht emittierenden Einrichtung dieser Ausführungsform ist nicht besonderes beschränkt und kann sowohl eine Single-Struktur als auch eine Tandem-Struktur aufweisen. Es sei angemerkt, dass ein Strukturbeispiel der Licht emittierenden Einrichtung nachstehend in der Ausführungsform 2 beschrieben wird.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 130b weist eine Pixelelektrode 111b über der den Transistor umfassenden Schicht 101, eine inselförmige zweite Schicht 113b über der Pixelelektrode 111b, eine fünfte Schicht 114 über der inselförmigen zweiten Schicht 113b und eine gemeinsame Elektrode 115 über der fünften Schicht 114 auf. Bei der Licht emittierenden Einrichtung 130b können die zweite Schicht 113b und die fünfte Schicht 114 insgesamt als EL-Schicht bezeichnet werden.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 130c weist eine Pixelelektrode 111c über der den Transistor umfassenden Schicht 101, eine inselförmige dritte Schicht 113c über der Pixelelektrode 111c, eine fünfte Schicht 114 über der inselförmigen dritten Schicht 113c und eine gemeinsame Elektrode 115 über der fünften Schicht 114 auf. Bei der Licht emittierenden Einrichtung 130c können die dritte Schicht 113c und die fünfte Schicht 114 insgesamt als EL-Schicht bezeichnet werden.
  • Die Licht in jeweiligen Farben emittierenden Einrichtungen teilen denselben Film als gemeinsame Elektrode miteinander. Die von den Licht emittierenden Einrichtungen miteinander geteilte gemeinsame Elektrode ist elektrisch mit einer an dem Verbindungsabschnitt 140 angeordneten leitfähigen Schicht verbunden.
  • Für eine Elektrode von der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode, über welche Elektrode Licht extrahiert wird, wird ein sichtbares Licht durchlassender leitfähiger Film verwendet. Für eine Elektrode, über die kein Licht extrahiert wird, wird vorzugsweise ein sichtbares Licht reflektierender leitfähiger Film verwendet.
  • Als das eine Paar von Elektroden (Pixelelektrode und gemeinsame Elektrode) der Licht emittierenden Einrichtung bildendes Material können ein Metall, eine Legierung, eine elektrisch leitfähige Verbindung, eine Mischung davon und dergleichen angemessen verwendet werden. Insbesondere werden Indiumzinnoxid (In-Sn-Oxid, auch als ITO bezeichnet), In-Si-Sn-Oxid (auch als ITSO bezeichnet), Indiumzinkoxid (In-Zn-Oxid), In-W-Zn-Oxid, eine Aluminium enthaltende Legierung (eine Aluminiumlegierung), wie z. B. eine Legierung aus Aluminium, Magnesium, Nickel und Lanthan (Al-Ni-La) sowie eine Silber enthaltende Legierung, wie z. B. eine Legierung aus Silber und Magnesium und eine Legierung aus Silber, Palladium und Kupfer (Ag-Pd-Cu, auch als APC bezeichnet), angegeben. Außerdem ist es möglich, ein Metall, wie z. B. Aluminium (AI), Titan (Ti), Chrom (Cr), Mangan (Mn), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Gallium (Ga), Zink (Zn), Indium (In), Zinn (Sn), Molybdän (Mo), Tantal (Ta), Wolfram (W), Palladium (Pd), Gold (Au), Platin (Pt), Silber (Ag), Yttrium (Y) oder Neodym (Nd), oder eine Legierung enthaltend eine geeignete Kombination aus beliebigen dieser Metalle zu verwenden. Es ist auch möglich, ein Element der Gruppe 1 oder ein Element der Gruppe 2 des Periodensystems, das vorstehend nicht beschrieben worden ist (z. B. Lithium (Li), Cäsium (Cs), Calcium (Ca) oder Strontium (Sr)), ein Seltenerdmetall, wie z. B. Europium (Eu) oder Ytterbium (Yb), eine Legierung enthaltend eine geeignete Kombination aus beliebigen von diesen, Graphen oder dergleichen zu verwenden. Alternativ kann das eine Paar von Elektroden (Pixelelektrode und gemeinsame Elektrode) der Licht emittierenden Einrichtung ausgebildet werden, indem die vorstehenden Metalle, Legierungen, elektrisch leitfähigen Verbindungen, eine Mischung davon und dergleichen angemessen übereinander angeordnet werden.
  • Für die Licht emittierende Einrichtung wird vorzugsweise eine Mikrokavitätsstruktur eingesetzt. Daher handelt es sich bei einer des Paars von Elektroden der Licht emittierenden Einrichtung vorzugsweise um eine Elektrode mit einer Durchlässigkeit und Reflexionseigenschaft für sichtbares Licht (eine semidurchlässige und semireflektierende Elektrode), während es sich bei der anderen vorzugsweise um eine Elektrode mit einer Reflexionseigenschaft für sichtbares Licht handelt (eine reflektierende Elektrode). Indem die Licht emittierende Einrichtung eine Mikrokavitätsstruktur aufweist, kann das von der Licht emittierenden Schicht erhaltene Licht zwischen den Elektroden zur Resonanz gebracht und das von der Licht emittierenden Einrichtung emittierte Licht verstärkt werden.
  • Es sei angemerkt, dass die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode eine mehrschichtige Struktur aus einer reflektierenden Elektrode und einer Elektrode mit einer Durchlässigkeit für sichtbares Licht (auch als durchsichtige Elektrode bezeichnet) aufweisen kann.
  • Die Lichtdurchlässigkeit der durchsichtigen Elektrode ist höher als oder gleich 40 %. Für die Licht emittierende Einrichtung wird vorzugsweise zum Beispiel eine Elektrode verwendet, deren Durchlässigkeit für sichtbares Licht (Licht mit einer Wellenlänge von mehr als oder gleich 400 nm und weniger als 750 nm) 40 % oder höher ist. Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode weist einen Reflexionsgrad für sichtbares Licht von höher als oder gleich 10 % und niedriger als oder gleich 95 %, bevorzugt höher als oder gleich 30 % und niedriger als oder gleich 80 % auf. Die reflektierende Elektrode weist einen Reflexionsgrad für sichtbares Licht von höher als oder gleich 40 % und niedriger als oder gleich 100 %, bevorzugt höher als oder gleich 70 % und niedriger als oder gleich 100 % auf. Diese Elektroden weisen vorzugsweise einen spezifischen Widerstand von niedriger als oder gleich 1 × 10-2 Ωcm auf.
  • Die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c werden jeweils inselförmig bereitgestellt. Die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c weisen jeweils eine Licht emittierende Schicht auf. Die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c weisen vorzugsweise die weißes Licht emittierende Schicht auf. Hierbei enthalten die inselförmige erste Schicht 113a, die inselförmige zweite Schicht 113b und die inselförmige dritte Schicht 113c dasselbe Material. Die inselförmige erste Schicht 113a, die inselförmige zweite Schicht 113b und die inselförmige dritte Schicht 113cwerden nämlich vorzugsweise durch eine Strukturierung von in demselben Prozess abgeschiedenen Filmen ausgebildet.
  • Die Licht emittierende Schicht enthält eine Licht emittierende Substanz. Die Licht emittierende Schicht kann eine oder mehrere Arten von Licht emittierenden Substanzen enthalten. Als Licht emittierende Substanz wird eine Substanz mit einer Emissionsfarbe von Blau, Violett, Blauviolett, Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange, Rot oder dergleichen in geeigneter Weise verwendet. Als Licht emittierende Substanz kann alternativ eine Nah-Infrarotlicht emittierende Substanz verwendet werden.
  • Als Licht emittierende Substanz können ein fluoreszierendes Material, ein phosphoreszierendes Material, ein TADF-Material, ein Quantenpunktmaterial und dergleichen angegeben.
  • Beispiele für das fluoreszierende Material umfassen ein Pyren-Derivat, ein Anthracen-Derivat, ein Triphenylen-Derivat, ein Fluoren-Derivat, ein Carbazol-Derivat, ein Dibenzothiophen-Derivat, ein Dibenzofuran-Derivat, ein Dibenzochinoxalin-Derivat, ein Chinoxalin-Derivat, ein Pyridin-Derivat, ein Pyrimidin-Derivat, ein Phenanthren-Derivat und ein Naphthalin-Derivat.
  • Beispiele für das phosphoreszierende Material umfassen einen metallorganischen Komplex (insbesondere einen Iridiumkomplex), der ein 4H-Triazol-Gerüst, ein 1 H-Triazol-Gerüst, ein Imidazol-Gerüst, ein Pyrimidin-Gerüst, ein Pyrazin-Gerüst oder ein Pyridin-Gerüst aufweist, einen metallorganischen Komplex (insbesondere einen Iridiumkomplex), bei dem ein Phenylpyridin-Derivat mit einer elektronenziehenden Gruppe ein Ligand ist, einen Platinkomplex und einen Seltenerdmetallkomplex.
  • Die Licht emittierende Schicht kann zusätzlich zu der Licht emittierenden Substanz (einem Gastmaterial) eine oder mehrere Arten von organischen Verbindungen (z. B. ein Wirtsmaterial und ein Hilfsmaterial) enthalten. Als eine oder mehrere Arten von organischen Verbindungen kann das Lochtransportmaterial und/oder das Elektronentransportmaterial verwendet werden. Als eine oder mehrere Arten von organischen Verbindungen kann alternativ ein bipolares Material oder ein TADF-Material verwendet werden.
  • Die Licht emittierende Schicht enthält z. B. vorzugsweise ein phosphoreszierendes Material und eine einen Exciplex leicht bildende Kombination von einem Lochtransportmaterial und einem Elektronentransportmaterial. Mit einer derartigen Struktur kann eine Lichtemission durch die Exciplex-Triplett-Energieübertragung (exciplex-triplet energy transfer, ExTET) effizient erhalten werden, die eine Energieübertragung von einem Exciplex auf eine Licht emittierende Substanz (ein phosphoreszierendes Material) ist. Wenn die Kombination derart ausgewählt wird, dass sie einen Exciplex bildet, der eine Lichtemission aufweist, deren Wellenlänge sich mit der Wellenlänge eines Absorptionsbandes auf der niedrigsten Energieseite der Licht emittierenden Substanz überlappt, kann die Energie gleichmäßig übertragen und eine effiziente Lichtemission erzielt werden. Mit der vorstehenden Struktur können gleichzeitig eine hohe Effizienz, ein Niederspannungsbetrieb und eine lange Lebensdauer einer Licht emittierenden Vorrichtung erzielt werden.
  • Zusätzlich zu der Licht emittierenden Schicht können die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c ferner eine Schicht umfassen, die eine beliebige der folgenden Substanzen enthält: eine Substanz mit hoher Lochinjektionseigenschaft, eine Substanz mit hoher Lochtransporteigenschaft, ein lochblockierendes Material, eine Substanz mit hoher Elektronentransporteigenschaft, eine Substanz mit hoher Elektroneninjektionseigenschaft, ein elektronenblockierendes Material, eine Substanz mit einer bipolaren Eigenschaft (eine Substanz mit hoher Elektronen- und Lochtransporteigenschaft) und dergleichen.
  • Für die Licht emittierende Einrichtung kann entweder eine niedermolekulare Verbindung oder eine hochmolekulare Verbindung verwendet werden, und eine anorganische Verbindung kann auch verwendet werden. Jede der in der Licht emittierenden Einrichtung enthaltenen Schichten kann durch ein beliebiges der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Verdampfungsverfahren (darunter auch ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren und dergleichen.
  • Beispielsweise können die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c jeweils eine oder mehrere von einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer Lochblockierschicht, einer Elektronenblockierschicht, einer Elektronentransportschicht und einer Elektroneninjektionsschicht aufweisen.
  • Als unter die EL-Schicht fallende, den Licht emittierenden Einrichtungen gemeinsam ausgebildete Schicht können eine oder mehrere der Lochinjektionsschicht, der Lochtransportschicht, der Lochblockierschicht (in einigen Fällen als Lochverhinderungsschicht bezeichnet), der Elektronenblockierschicht (in einigen Fällen als Elektronenverhinderungsschicht bezeichnet), der Elektronentransportschicht und der Elektroneninjektionsschicht verwendet werden. Beispielsweise kann als fünfte Schicht 114 eine Ladungsträgerinjektionsschicht (Lochinjektionsschicht oder Elektroneninjektionsschicht) ausgebildet werden. Es sei angemerkt, dass sämtliche EL-Schichten je nach den Farben getrennt ausgebildet werden können. Das heißt, dass die EL-Schicht keine den Licht in jeweiligen Farben emittierenden Einrichtungen gemeinsam ausgebildete Schicht aufweisen kann.
  • Die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c weisen jeweils vorzugsweise eine Licht emittierende Schicht und eine Ladungsträgerinjektionsschicht über der Licht emittierenden Schicht auf. Dadurch kann verhindert werden, dass während des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung 100 die Licht emittierende Schicht an der äußersten Oberfläche freiliegt, und damit können Schäden an der Licht emittierenden Schicht verringert werden. Somit kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung erhöht werden.
  • Die Lochinjektionsschicht injiziert Löcher von der Anode in die Lochtransportschicht und enthält ein Material mit hoher Lochinjektionseigenschaft. Als Material mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft können eine aromatische Amin-Verbindung, ein ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial (Elektronenakzeptormaterial) enthaltendes Verbundmaterial und dergleichen angegeben werden.
  • Die Lochtransportschicht transportiert von der Anode durch die Lochinjektionsschicht injizierte Löcher zu der Licht emittierenden Schicht. Die Lochtransportschicht enthält ein Lochtransportmaterial. Das Lochtransportmaterial weist vorzugsweise eine Löcherbeweglichkeit von größer als oder gleich 1 × 10-6 cm2/Vs auf. Es sei angemerkt, dass auch andere Substanzen verwendet werden können, solange ihre Lochtransporteigenschaften höher sind als ihre Elektronentransporteigenschaften. Als Lochtransportmaterial sind Materialien mit hoher Lochtransporteigenschaft, wie z. B. eine π-elektronenreiche heteroaromatische Verbindung (z. B. ein Carbazol-Derivat, ein Thiophen-Derivat und ein Furan-Derivat) und ein aromatisches Amin (eine Verbindung mit einem aromatischen Amin-Gerüst), bevorzugt.
  • Die Elektronentransportschicht transportiert durch die Elektroneninjektionsschicht von der Kathode injizierte Elektronen zu der Licht emittierenden Schicht. Die Elektronentransportschicht enthält ein Elektronentransportmaterial. Das Elektronentransportmaterial weist vorzugsweise eine Elektronenbeweglichkeit von größer als oder gleich 1 × 10-6 cm2/Vs auf. Es sei angemerkt, dass auch andere Substanzen verwendet werden können, solange ihre Elektronentransporteigenschaften höher sind als ihre Lochtransporteigenschaften. Als Elektronentransportmaterial kann beispielsweise ein beliebiges der folgenden Materialien mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft verwendet werden: ein Metallkomplex mit einem Chinolin-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Benzochinolin-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Oxazol-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Thiazol-Gerüst, ein Oxadiazol-Derivat, ein Triazol-Derivat, ein Imidazol-Derivat, ein Oxazol-Derivat, ein Thiazol-Derivat, ein Phenanthrolin-Derivat, ein Chinolin-Derivat mit einem Chinolin-Liganden, ein Benzochinolin-Derivat, ein Chinoxalin-Derivat, ein Dibenzochinoxalin-Derivat, ein Pyridin-Derivat, ein Bipyridin-Derivat, ein Pyrimidin-Derivat und eine π-elektronenarme heteroaromatische Verbindung, wie z. B. eine stickstoffhaltige heteroaromatische Verbindung.
  • Die Elektronentransportschicht kann eine mehrschichtige Struktur aufweisen und kann eine Lochblockierschicht zum Blockieren von sich von der Anodenseite durch die Licht emittierende Schicht in Richtung der Kathodenseite bewegenden Löchern in Kontakt mit der Licht emittierenden Schicht aufweisen.
  • Die Elektroneninjektionsschicht injiziert Elektronen von der Kathode in die Elektronentransportschicht und enthält ein Material mit hoher Elektroneninjektionseigenschaft. Als Material mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft kann ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon verwendet werden. Als Material mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft kann ein ein Elektronentransportmaterial und ein Donatormaterial (Elektronendonatormaterial) enthaltendes Verbundmaterial verwendet werden.
  • Für die Elektroneninjektionsschicht kann beispielsweise ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon, wie z. B. Lithium, Cäsium, Ytterbium, Lithiumfluorid (LiF), Cäsiumfluorid (CsF), Calciumfluorid (CaFx, x ist eine vorgegebene Zahl), 8-(Chinolinolato)lithium (Abkürzung: Liq), 2-(2-Pyridyl)phenolatolithium (Abkürzung: LiPP), 2-(2-Pyridyl)-3-pyridinolatolithium (Abkürzung: LiPPy), 4-Phenyl-2-(2-pyridyl)phenolatolithium (Abkürzung: LiPPP), Lithiumoxid (LiOx) oder Cäsiumcarbonat, verwendet werden. Außerdem kann die Elektroneninjektionsschicht eine mehrschichtige Struktur aus zwei oder mehr Schichten aufweisen. Bei dieser mehrschichtigen Struktur können beispielsweise Lithiumfluorid für eine erste Schicht und Ytterbium für eine zweite Schicht verwendet werden.
  • Alternativ kann für die Elektroneninjektionsschicht ein Elektronentransportmaterial verwendet werden. Als Elektronentransportmaterial kann beispielsweise eine Verbindung mit einem ungeteilten Elektronenpaar und einem elektronenarmen heteroaromatischen Ring verwendet werden. Insbesondere kann eine Verbindung mit mindestens einem von einem Pyridin-Ring, einem Diazin-Ring (einem Pyrimidin-Ring, einem Pyrazin-Ring und einem Pyridazin-Ring) und einem Triazin-Ring verwendet werden.
  • Die organische Verbindung mit einem ungeteilten Elektronenpaar weist vorzugsweise ein niedrigstes unbesetztes Molekülorbital- (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO-) Niveau von höher als oder gleich -3,6 eV und niedriger als oder gleich -2,3 eV auf. Im Allgemeinen können ein höchstes besetztes Molekülorbital- (highest occupied molecular orbital, HOMO-) Niveau und das LUMO-Niveau einer organischen Verbindung durch Cyclovoltammetrie (CV), Photoelektronenspektroskopie, optische Absorptionsspektroskopie, inverse Photoelektronenspektroskopie oder dergleichen geschätzt werden.
  • Als organische Verbindung mit einem ungeteilten Elektronenpaar kann beispielsweise 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: BPhen), 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: NBPhen), Dichinoxalino[2,3-a:2',3'-c]phenazin (Abkürzung: HATNA), 2,4,6-Tris[3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl]-1,3,5-triazin (Abkürzung: TmPPPyTz) oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass NBPhen eine höhere Glasübergangstemperatur (Tg) als BPhen aufweist und daher eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist.
  • Bei der Herstellung der Licht emittierenden Einrichtung mit einer Tandem-Struktur wird zwischen den zwei Licht emittierenden Einheiten eine Zwischenschicht angeordnet. Die Zwischenschicht weist eine Funktion zur Injektion von Elektronen in die eine der zwei Licht emittierenden Einheiten und von Löchern in die andere beim Anlegen einer Spannung zwischen das eine Paar von Elektroden auf.
  • Für die Zwischenschicht kann beispielsweise ein für die Elektroneninjektionsschicht verwendbares Material, wie z. B. Lithium, vorteilhaft verwendet werden. Ferner kann für die Zwischenschicht beispielsweise ein für die Lochinjektionsschicht verwendbares Material vorteilhaft verwendet werden. Als Zwischenschicht kann eine ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial (Elektronenakzeptormaterial) enthaltende Schicht verwendet werden. Ferner kann als Zwischenschicht eine ein Elektronentransportmaterial und ein Donatormaterial enthaltende Schicht verwendet werden. Wenn die Zwischenschicht mit derartigen Schichten ausgebildet wird, kann eine Erhöhung der Betriebsspannung beim Übereinanderanordnen der Licht emittierenden Einheiten verhindert werden.
  • Die Seitenflächen der Pixelelektroden 111 a, 111b und 111c, der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c sind jeweils mit der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 bedeckt. Daher kann ein Kontakt der fünften Schicht 114 (oder der gemeinsamen Elektrode 115) mit einer der Seitenflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c, der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c verhindert werden, was die Verhinderung des Kurzschlusses der Licht emittierenden Einrichtung ermöglicht.
  • Im Fall, dass die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c eine Tandem-Struktur aufweisen, werden auch Seitenflächen der mehreren Licht emittierenden Einheiten und der Zwischenschicht, die diese Schichten umfassen, mit der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 bedeckt. Daher kann ein Kontakt der fünften Schicht 114 (oder der gemeinsamen Elektrode 115) mit einer der Seitenflächen der mehreren Licht emittierenden Einheiten und der Zwischenschicht verhindert werden, was die Verhinderung des Kurzschlusses der Licht emittierenden Einrichtung ermöglicht.
  • Die Isolierschicht 125 bedeckt vorzugsweise zumindest die Seitenflächen der Pixelelektroden 111 a, 111b und 111c. Die Isolierschicht 125 bedeckt ferner vorzugsweise die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c. Die Isolierschicht 125 kann in Kontakt mit den Seitenflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c, der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c stehen.
  • Die Isolierschicht 127 wird über der Isolierschicht 125 derart bereitgestellt, dass eine Ausnehmung in der Isolierschicht 125 mit der Isolierschicht 127 gefüllt wird. Die Isolierschicht 127 kann mit den Seitenflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c, der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c überlappen, wobei zwischen der Isolierschicht 127 und den Seitenflächen die Isolierschicht 125 liegt.
  • Es sei angemerkt, dass entweder die Isolierschicht 125 oder die Isolierschicht 127 nicht unbedingt bereitgestellt werden muss. Im Fall ohne die Isolierschicht 125 beispielsweise kann die Isolierschicht 127 in Kontakt mit den Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c stehen.
  • Die fünfte Schicht 114 und die gemeinsame Schicht 115 werden über der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b, der dritten Schicht 113c, der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 bereitgestellt. Vor der Ausbildung der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 entsteht eine Stufe wegen eines Bereichs, in dem die Pixelelektrode und die EL-Schicht bereitgestellt werden, und eines Bereichs, in dem die Pixelelektrode und die EL-Schicht nicht bereitgestellt werden (eines Bereichs zwischen den Licht emittierenden Einrichtungen). Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann mit der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 diese Stufe planarisiert werden und eine Abdeckung der fünften Schicht 114 und der gemeinsamen Elektrode 115 kann erhöht werden. Daher kann ein Verbindungsfehler wegen Trennung verhindert werden. Alternativ kann verhindert werden, dass durch die wegen der Stufe lokal dünnere gemeinsame Elektrode 115 der elektrische Widerstand erhöht wird.
  • Um eine Planarität von Bildungsoberflächen der fünften Schicht 114 und der gemeinsamen Elektrode 115 zu erhöhen, weisen die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 vorzugsweise jeweils die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Oberseitenhöhe auf wie diejenige mindestens einer der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c. Ferner weist die Oberseite der Isolierschicht 127 vorzugsweise eine flache Form auf und kann eine Erhebung oder eine Vertiefung aufweisen.
  • Die Isolierschicht 125 weist einen mit den Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c in Kontakt stehenden Bereich auf und dient als isolierende Schutzschicht der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c. Mit der Isolierschicht 125 kann das Eindringen von Verunreinigungen (z. B. Sauerstoff, Feuchtigkeit) durch die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c in den Innenabschnitt verhindert werden, was die Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit ermöglicht.
  • Wenn in einer Querschnittsansicht die Breite (Dicke) der Isolierschicht 125 in dem mit den Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c in Kontakt stehenden Bereich groß ist, wird der Abstand zwischen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c vergrößert und damit könnte das Öffnungsverhältnis verringert werden. Wenn die Breite (Dicke) der Isolierschicht 125 klein ist, könnte die Wirkung der Verhinderung des Eindringens von Verunreinigungen durch die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c in den Innenabschnitt verringert werden. Die Breite (Dicke) der Isolierschicht 125 in dem mit den Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c in Kontakt stehenden Bereich beträgt bevorzugt größer als oder gleich 3 nm und kleiner als oder gleich 200 nm, bevorzugter größer als oder gleich 3nm und kleiner als oder gleich 150 nm, noch bevorzugter größer als oder gleich 5 nm und kleiner als oder gleich 150 nm, weit bevorzugter größer als oder gleich 5 nm und kleiner als oder gleich 100 nm, weit bevorzugter größer als oder gleich 10 nm und kleiner als oder gleich 100 nm und weit bevorzugter größer als oder gleich 10 nm und kleiner als oder gleich 50 nm. Wenn die Breite (Dicke) der Isolierschicht 125 im vorstehenden Bereich liegt, kann die Anzeigevorrichtung mit hohem Öffnungsverhältnis und hoher Zuverlässigkeit ermöglicht werden.
  • Die Isolierschicht 125 kann ein anorganisches Material enthalten. Für die Isolierschicht 125 kann beispielsweise ein anorganischer Isolierfilm, wie z. B. ein isolierender Oxidfilm, ein isolierender Nitridfilm, ein isolierender Oxynitridfilm und ein isolierender Nitridoxidfilm, verwendet werden. Die Isolierschicht 125 kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen. Als isolierende Oxidfilme können ein Siliziumoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm, ein Magnesiumoxidfilm, ein Indiumgalliumzinkoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Germaniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Neodymoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm und dergleichen angegeben werden. Als isolierende Nitridfilme können ein Siliziumnitridfilm, ein Aluminiumnitridfilm und dergleichen angegeben werden. Als isolierende Oxynitridfilme können ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxynitridfilm und dergleichen angegeben werden. Als isolierende Nitridoxidfilme können ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumnitridoxidfilm und dergleichen angegeben werden. Insbesondere ist ein Aluminiumoxid bevorzugt, da dieses eine hohe Ätzselektivität in Bezug auf die EL-Schicht aufweist und eine Funktion zum Schützen der EL-Schicht bei der nachstehend beschriebenen Ausbildung der Isolierschicht 127 aufweist. Wenn ein anorganischer Isolierfilm, wie z. B. ein Aluminiumoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm, ein Siliziumoxidfilm, die insbesondere durch ein ALD-Verfahren ausgebildet sind, für die Isolierschicht 125 verwendet wird, kann die Isolierschicht 125 mit geringen Nadellöchern und einer ausgezeichneten Schutzfunktion für die EL-Schicht ausgebildet werden.
  • Es sei angemerkt, dass es sich in dieser Beschreibung bei einem Oxynitrid um ein mehr Sauerstoff als Stickstoff enthaltendes Material handelt und dass es sich bei einem Nitridoxid um ein mehr Stickstoff als Sauerstoff enthaltendes Material handelt. Beispielsweise wird im Fall, dass Siliziumoxynitrid beschrieben wird, damit ein mehr Sauerstoff als Stickstoff enthaltendes Material, und im Fall, dass Siliziumnitridoxid beschrieben wird, wird damit ein mehr Stickstoff als Sauerstoff enthaltendes Material gemeint.
  • Die Isolierschicht 125 kann durch ein Sputterverfahren, ein CVD-Verfahren, ein PLD-Verfahren, ein ALD-Verfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Die Isolierschicht 125 wird vorzugsweise durch ein eine gute Abdeckung ermöglichendes ALD-Verfahren ausgebildet.
  • Die Isolierschicht 127 über der Isolierschicht 125 weist eine Funktion zur Planarisierung der Ausnehmung in der Isolierschicht 125 zwischen den einander benachbarten Licht emittierenden Einheiten auf. Mit anderen Worten: Die Isolierschicht 127 weist eine Wirkung zur Verbesserung der Planarität der Bildungsoberfläche der gemeinsamen Elektrode 115 auf. Als Isolierschicht 127 kann vorteilhaft eine ein organisches Material enthaltende Isolierschicht verwendet werden. Beispielsweise kann für die Isolierschicht 127 ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, ein Imidharz, ein Polyamidharz, ein Polyimidamidharz, ein Silikonharz, ein Siloxanharz, ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, ein Phenolharz, Vorläufer dieser Harze oder dergleichen verwendet werden. Für die Isolierschicht 127 kann ferner ein organisches Material, wie z. B. Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylbutyral, Polyvinylpyrrolidon, Polyethylenglycol, Polyglycerin, Pullulan, wasserlöslicher Cellulose oder einem alkohollöslichen Polyamidharz, verwendet werden. Für die Isolierschicht 127 kann ferner ein lichtempfindliches Harz verwendet werden. Als lichtempfindliches Harz kann ein Photolack verwendet werden. Beispiele für das lichtempfindliche Harz umfassen positive Materialien und negative Materialien.
  • Die Differenz zwischen der Oberseitenhöhe der Isolierschicht 127 und der Oberseitenhöhe einer der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c beträgt bevorzugt beispielsweise das 0,5-Fache oder kleiner, bevorzugter das 0,3-Fache oder kleiner der Dicke der Isolierschicht 127. Ferner kann die Isolierschicht 127 beispielsweise derart bereitgestellt werden, dass die Oberseite einer der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c höher ist als die Oberseite der Isolierschicht 127. Ferner kann die Isolierschicht 127 beispielsweise derart bereitgestellt werden, dass die Oberseite der Isolierschicht 127 höher ist als die Oberseite der Licht emittierenden Schicht der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b oder der dritten Schicht 113c.
  • Über den Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c werden vorzugsweise die Schutzschichten 131 und 132 bereitgestellt. Mit den Schutzschichten 131 und 132 kann eine Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung erhöht werden.
  • Die Leitfähigkeit der Schutzschichten 131 und 132 werden nicht berücksichtigt. Für die Schutzschichten 131 und 132 kann mindestens einer des Isolierfilms, des Halbleiterfilms und des leitfähigen Films verwendet werden.
  • Wenn die Schutzschichten 131 und 132 einen anorganischen Film oder einen anorganischen Isolierfilm aufweist, kann die Verhinderung der Verschlechterung der Licht emittierenden Einrichtung, wie z. B. die Verhinderung der Oxidation der gemeinsamen Elektrode 115 und die Verhinderung des Eindringens von Verunreinigungen (z. B. Feuchtigkeit, Sauerstoff und dergleichen) in die Licht emittierende Einrichtung 130a, 130b und 130c, ermöglicht werden, wodurch die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung erhöht werden kann.
  • Für die Schutzschichten 131 und 132 kann beispielsweise ein anorganischer Isolierfilm, wie z. B. ein isolierender Oxidfilm, ein isolierender Nitridfilm, ein isolierender Oxynitridfilm oder ein isolierender Nitridoxidfilm, verwendet werden. Als isolierende Oxidfilme können ein Siliziumoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Germaniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Neodymoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm und dergleichen angegeben werden. Als isolierende Nitridfilme können ein Siliziumnitridfilm, ein Aluminiumnitridfilm und dergleichen angegeben werden. Als isolierende Oxynitridfilme können ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxynitridfilm und dergleichen angegeben werden. Als isolierende Nitridoxidfilme können ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumnitridoxidfilm und dergleichen angegeben werden.
  • Die Schutzschichten 131 und 132 weisen jeweils bevorzugt einen isolierenden Nitridfilm oder einen isolierenden Nitridoxidfilm, bevorzugter einen isolierenden Nitridfilm auf.
  • Für die Schutzschichten 131 und 132 kann ferner ein anorganischer Film enthaltend In-Sn-Oxid (auch als ITO bezeichnet), In-Zn-Oxid, Ga-Zn-Oxid, Al-Zn-Oxid, Indiumgalliumzinkoxid (In-Ga-Zn-Oxid, auch als IGZO bezeichnet) oder dergleichen verwendet werden. Der anorganische Film weist vorzugsweise einen hohen Widerstand, insbesondere einen höheren Widerstand auf als die gemeinsame Elektrode 115. Der anorganische Film kann ferner Stickstoff enthalten. Im Fall beispielsweise, dass für die gemeinsame Elektrode 115 ein durch Verunreinigungen (z. B. Feuchtigkeit oder Sauerstoff) leicht zu verschlechterndes Metall, wie z. B. eine Legierung aus Silber und Magnesium, verwendet wird, kann In-Ga-Zn-Oxid oder dergleichen für die Schutzschicht 131 verwendet werden.
  • Im Fall, dass Licht von der Licht emittierenden Einrichtung über die Schutzschichten 131 und 132 extrahiert wird, weisen die Schutzschichten 131 und 132 vorzugsweise eine hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht auf. ITO, IGZO und Aluminiumoxid beispielsweise sind bevorzugt, da diese jeweils ein anorganisches Material mit einer hohen Durchlässigkeit für sichtbares Licht darstellen.
  • Die Schutzschichten 131 und 132 können beispielsweise eine mehrschichtige Struktur aus einem Aluminiumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm über dem Aluminiumoxidfilm oder eine mehrschichtige Struktur aus einem Aluminiumoxidfilm und einem IGZO-Film über dem Aluminiumoxidfilm aufweisen. Unter Verwendung dieser mehrschichtigen Strukturen kann das Eindringen von Verunreinigungen (z. B. Feuchtigkeit, Sauerstoff) in die Seite der EL-Schicht verhindert werden.
  • Die Schutzschichten 131 und 132 können ferner einen organischen Film aufweisen. Beispielsweise kann die Schutzschicht 132 sowohl einen organischen Film als auch einen anorganischen Film aufweisen.
  • Die Schutzschichten 131 und 132 können jeweils durch ein voneinander unterschiedliches Abscheidungsverfahren abgeschieden werden. Insbesondere können die Schutzschicht 131 durch ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition, ALD-) Verfahren und die Schutzschicht 132 durch ein Sputterverfahren jeweils ausgebildet werden.
  • Über der Schutzschicht 132 wird die Farbschicht 129 (die Farbschicht 129a, die Farbschicht 129b und die Farbschicht 129c) bereitgestellt. Die Farbschicht 129a weist einen mit der Licht emittierenden Einrichtung 130a überlappenden Bereich auf, die Farbschicht 129b weist einen mit der Licht emittierenden Einrichtung 130b überlappenden Bereich auf und die Farbschicht 129c weist einen mit der Licht emittierenden Einrichtung 130c überlappenden Bereich auf. Die Farbschichten 129a, 129b und 129c weisen jeweils einen zumindest mit der Licht emittierenden Schicht jeder Licht emittierenden Einrichtung 130 überlappenden Bereich auf.
  • Die Farbschicht 129a, die Farbschicht 129b und die Farbschicht 129c weisen jeweils eine Funktion zum Durchlassen von Licht in voneinander unterschiedlichen Farben auf. Beispielsweise weist die Farbschicht 129a eine Funktion zum Durchlassen roten Lichts auf, die Farbschicht 129b weist eine Funktion zum Durchlassen grünen Lichts auf, und die Farbschicht 129c weist eine Funktion zum Durchlassen blauen Lichts auf. Somit kann die Anzeigevorrichtung 100 eine Vollfarbanzeige durchführen. Es sei angemerkt, dass die Farbschicht 129a, die Farbschicht 129b und die Farbschicht 129c jeweils eine Funktion zum Durchlassen von Licht in Zyan, Magenta oder Gelb aufweisen können.
  • Dabei überlappen sich die zwei einander benachbarten Farbschichten 129 vorzugsweise in einem Bereich. Insbesondere überlappen sich die zwei einander benachbarten Farbschichten 129 vorzugsweise in einem nicht mit der Licht emittierenden Einrichtung 130 überlappenden Bereich. Wenn sich die zwei Licht in voneinander unterschiedlichen Farben durchlassenden Farbschichten 129 überlappen, können diese im Bereich, in dem sich die zwei Farbschichten 129 überlappen, als lichtundurchlässige Schicht dienen. Dadurch kann eine Lichtleckage aus der Licht emittierenden Einrichtung 130 zu dem benachbarten Subpixel verhindert werden. Beispielsweise kann verhindert werden, dass Licht aus der mit der Farbschicht 129a überlappenden, Licht emittierenden Einrichtung 130a in die Farbschicht 129b einfällt. Daher kann ein Kontrast von auf der Anzeigevorrichtung angezeigten Bildern erhöht werden, was die Anzeigevorrichtung mit hoher Anzeigequalität ermöglicht.
  • Es sei angemerkt, dass sich die zwei einander benachbarten Farbschichten 129 in keinem Bereich überlappen können. Dabei wird eine lichtundurchlässige Schicht vorzugsweise in einem nicht mit der Licht emittierenden Einrichtung 130 überlappenden Bereich bereitgestellt. Die lichtundurchlässige Schicht kann beispielsweise an einer auf der Seite der Harzschicht 122 befindlichen Oberfläche des Substrats 120 bereitgestellt werden. Die Farbschicht 129 kann alternativ an der auf der Seite der Harzschicht 122 befindlichen Oberfläche des Substrats 120 bereitgestellt werden.
  • Bei der Ausbildung der Farbschicht 129 über der Schutzschicht 131 werden jede Licht emittierende Einrichtung 130 und jede Farbschicht 129 miteinander einfacher ausgerichtet als bei der Ausbildung der Farbschicht 129 über dem Substrat 120, wodurch eine Anzeigevorrichtung mit höchster Definition erzielt werden kann.
  • Die oberen Endabschnitte der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c sind nicht mit der Isolierschicht bedeckt. Daher kann der Abstand zwischen den einander benachbarten, Licht emittierenden Einrichtungen extrem verkleinert werden kann. Infolgedessen kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Definition oder hoher Auflösung ermöglicht werden.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen kann eine unter Verwendung einer Metallmaske oder einer FMM (einer feinen Metallmaske, einer Metallmaske mit hoher Feinheit) ausgebildete Einrichtung als Einrichtung mit einer MM- (Metallmaske-) Struktur bezeichnet werden. In dieser Beschreibung und dergleichen kann eine ohne Verwendung einer Metallmaske oder einer FMM ausgebildete Einrichtung als Einrichtung mit einer MML- (metallmaskenlosen) Struktur bezeichnet werden.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen kann eine Licht emittierende Einrichtung, die weißes Licht emittieren kann, als weißes Licht emittierende Einrichtung bezeichnet werden. Wie vorstehend beschrieben, kann eine Kombination der weißes Licht emittierenden Einrichtungen mit den Farbschichten (z. B. Farbfiltern) eine Vollfarb-Anzeigeeinrichtung erzielt.
  • Strukturen von Licht emittierenden Einrichtungen können grob in eine Single-Struktur und eine Tandem-Struktur klassifiziert werden. Eine Einrichtung mit einer Single-Struktur weist eine Licht emittierende Einheit zwischen einem Paar von Elektroden auf, wobei die Licht emittierende Einheit vorzugsweise eine oder mehrere Licht emittierende Schichten aufweist. Um eine weiße Lichtemission zu erhalten, können zwei oder mehr Licht emittierende Schichten ausgewählt werden, die Licht von Komplementärfarben emittieren. Beispielsweise kann dann, wenn Emissionsfarben einer ersten Licht emittierenden Schicht und einer zweiten Licht emittierenden Schicht zueinander komplementär sind, eine Licht emittierende Einrichtung dazu konfiguriert werden, weißes Licht als Ganzes zu emittieren. Das gilt auch für eine Licht emittierende Einrichtung mit drei oder mehr Licht emittierenden Schichten.
  • Eine Einrichtung mit einer Tandem-Struktur weist zwei oder mehr Licht emittierende Einheiten zwischen einem Paar von Elektroden auf, wobei die Licht emittierende Einheit vorzugsweise eine oder mehrere Licht emittierende Schichten aufweist. Eine weiße Lichtemission kann durch Kombination von Licht aus den Licht emittierenden Schichten in der Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten erhalten. Es sei angemerkt, dass eine Struktur zum Erhalten einer weißen Lichtemission derjenigen im Fall einer Single-Struktur ähnlich ist. In einer Einrichtung mit einer Tandem-Struktur wird zwischen mehreren Licht emittierenden Einheiten vorzugsweise eine Zwischenschicht, wie z. B. eine Ladungserzeugungsschicht, bereitgestellt.
  • Da die vorstehende Licht emittierende Einrichtung (mit einer Single-Struktur oder einer Tandem-Struktur) einen einfacheren Herstellungsprozess ermöglicht als mit einer Struktur, bei der die Licht emittierenden Einrichtungen jeder Farbe getrennt ausgebildet werden (als SBS- (Side by Side-) Struktur bezeichnet), können die Herstellungskosten reduziert werden und alternativ kann die Herstellungsausbeute erhöht werden, was bevorzugt ist.
  • Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann der Abstand zwischen den Licht emittierenden Einrichtungen verkleinert werden. Insbesondere kann der Abstand zwischen den Licht emittierenden Einrichtungen, der Abstand zwischen den EL-Schichten oder der Abstand zwischen den Pixelelektroden kleiner als 10 µm, kleiner als oder gleich 5 µm, kleiner als oder gleich 3 µm , kleiner als oder gleich 2 µm , kleiner als oder gleich 1 µm, kleiner als oder gleich 500 nm, kleiner als oder gleich 200 nm, kleiner als oder gleich 100 nm, kleiner als oder gleich 90 nm, kleiner als oder gleich 70 nm, kleiner als oder gleich 50 nm, kleiner als oder gleich 30 nm, kleiner als oder gleich 20 nm, kleiner als oder gleich 15 nm oder kleiner als oder gleich 10 nm betragen. Mit anderen Worten: Ein Bereich ist vorgesehen, in dem der Abstand zwischen der Seitenfläche der ersten Schicht 113a und der Seitenfläche der zweiten Schicht 113b oder der Abstand zwischen der Seitenfläche der zweiten Schicht 113b und der Seitenfläche der dritten Schicht 113c kleiner als oder gleich 1 µm , bevorzugt kleiner als oder gleich 0,5 µm (500 nm), bevorzugter kleiner als oder gleich 100 nm beträgt.
  • An der auf der Seite der Harzschicht 122 befindlichen Oberfläche des Substrats 120 kann die lichtundurchlässige Schicht bereitgestellt werden. Verschiedene optische Komponenten können an der Außenseite des Substrats 120 angeordnet sein. Als optische Komponenten können eine polarisierende Platte, eine Retardationsplatte, eine Lichtdiffusionsschicht (z. B. einen Diffusionsfilm), eine Antireflexionsschicht und ein Lichtbündelungsfilm angegeben. Des Weiteren kann an der Außenseite des Substrats 120 ein das Anhaften von Staub verhindernder antistatischer Film, ein das Anhaften von Flecken behindernder wasserabweisender Film, ein die Entstehung von beim Verwenden verursachten Kratzern behindernder Hartfilm, eine stoßabsorbierende Schicht oder dergleichen angeordnet sein.
  • Für das Substrat 120 kann Glas, Quarz, Keramik, Saphir, ein Harz, ein Metall, eine Legierung und ein Halbleiter oder dergleichen verwendet werden. Für das Substrat, über das Licht aus der Licht emittierenden Einrichtung extrahiert wird, wird ein das Licht durchlassendes Material verwendet. Wenn für das Substrat 120 ein Material mit Flexibilität verwendet wird, kann eine Flexibilität der Anzeigevorrichtung erhöht werden und eine flexible Anzeige kann ermöglicht werden. Des Weiteren kann als Substrat 120 eine polarisierende Platte verwendet werden.
  • Für das Substrat 120 können Polyesterharze, wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET) und Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitrilharz, ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polycarbonat- (PC-) Harz, ein Polyethersulfon- (PES-) Harz, Polyamidharze (z. B. Nylon und Aramid), ein Polysiloxanharz, ein Cycloolefinharz, ein Polystyrolharz, ein Polyamidimidharz, ein Polyurethanharz, ein Polyvinylchloridharz, ein Polyvinylidenchloridharz, ein Polypropylenharz, ein Polytetrafluorethylen- (PTFE-) Harz, ein ABS-Harz und Cellulose-Nanofaser und dergleichen verwendet werden. Für das Substrat 120 kann Glas verwendet werden, das dünn genug ist, um Flexibilität aufzuweisen.
  • Es sei angemerkt, dass im Fall, dass eine zirkular polarisierende Platte mit der Anzeigevorrichtung überlappt, für das Substrat der Anzeigevorrichtung vorzugsweise ein in hohem Maße optisch isotropes Substratverwendet wird. Ein in hohem Maße optisch isotropes Substrat weist eine geringe Doppelbrechung (mit anderen Worten: eine schwache Doppelbrechung) auf.
  • Der Absolutwert einer Retardation (Phasendifferenz) eines in hohem Maße optisch isotropen Substrats ist bevorzugt kleiner als oder gleich 30 nm, bevorzugter kleiner als oder gleich 20 nm, noch bevorzugter kleiner als oder gleich 10 nm.
  • Als in hohem Maße optisch isotrope Filme können ein Triacetylcellulose- (TAC-, auch als Cellulosetriacetat bezeichnet) Film, ein Cycloolefinpolymer- (COP-) Film, ein Cycloolefincopolymer- (COC-) Film und ein Acryl-Film angegeben werden.
  • Im Fall, dass ein Film für das Substrat verwendet wird, könnte infolge der Wasserabsorption des Films eine Verformung des Anzeigefeldes, z. B. ein Falten, entstehen. Daher wird für das Substrat vorzugsweise ein Film mit einer niedrigen Wasserabsorptionsrate verwendet. Beispielsweise beträgt die Wasserabsorptionsrate des Films bevorzugt niedriger als oder gleich 1 %, bevorzugter niedriger als oder gleich 0,1 %, noch bevorzugter niedriger als oder gleich 0,01 %.
  • Als Harzschicht 122 können verschiedene härtende Klebstoffe verwendet werden, wie beispielsweise ein lichthärtender Klebstoff, wie z. B. ein UV-härtender Klebstoff, ein reaktiv härtender Klebstoff, ein wärmehärtender Klebstoff, ein anaerober Klebstoff. Als diese Klebstoffe können ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Phenolharz, ein Polyimidharz, ein Imidharz, ein PVC- (Polyvinylchlorid-) Harz, ein PVB-(Polyvinylbutyral-) Harz, ein EVA- (Ethylenvinylacetat-) Harz und dergleichen angegeben werden. Insbesondere ist ein Material mit einer niedrigen Feuchtigkeitsdurchlässigkeit, wie z. B. ein Epoxidharz, bevorzugt. Ein Zwei-Komponenten-Harz kann auch verwendet werden. Eine Klebefolie oder dergleichen kann auch verwendet werden.
  • Als Materialien, die für ein Gate, eine Source und einen Drain eines Transistors sowie für leitfähige Schichten, wie z. B. verschiedene in der Anzeigevorrichtung enthaltene Leitungen und Elektroden verwendet werden können, können ein Metall, wie z. B. Aluminium, Titan, Chrom, Nickel, Kupfer, Yttrium, Zirconium, Molybdän, Silber, Tantal und Wolfram, eine ein beliebiges dieser Metalle als ihre Hauptkomponente enthaltende Legierung und dergleichen angegeben werden. Es kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur verwendet werden, welche einen ein beliebiges dieser Materialien enthaltenden Film umfasst.
  • Als lichtdurchlässiges leitfähiges Material kann ein leitfähiges Oxid, wie z. B. Indiumoxid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Zinkoxid und Gallium enthaltendes Zinkoxid, oder Graphen verwendet werden. Es ist auch möglich, ein Metallmaterial, wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium oder Titan, oder ein ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthaltendes Legierungsmaterial zu verwenden. Alternativ kann ein Nitrid eines beliebigen dieser Metallmaterialien (z. B. Titannitrid) oder dergleichen verwendet werden. Im Fall der Verwendung des Metallmaterials oder des Legierungsmaterials (oder des Nitrids davon) wird die Filmdicke vorzugsweise derart eingestellt, dass sie klein genug ist, um Licht durchzulassen. Alternativ kann für die leitfähigen Schichten ein mehrschichtiger Film aus den vorstehenden Materialien verwendet werden. Beispielsweise wird vorzugsweise ein mehrschichtiger Film aus Indiumzinnoxid und einer Legierung von Silber und Magnesium verwendet, da die Leitfähigkeit erhöht werden kann. Sie können auch für leitfähige Schichten, wie z. B. in der Anzeigevorrichtung enthaltene Leitungen und Elektroden, und für in der Licht emittierenden Einrichtung enthaltende leitfähige Schichten (z. B. eine als Pixelelektrode oder gemeinsame Elektrode dienende leitfähige Schicht) verwendet werden.
  • Als für die Isolierschichten verwendbare isolierende Materialien können beispielsweise ein Harz, wie z. B. ein Acrylharz und ein Epoxidharz, und ein anorganisches isolierendes Material, wie z. B. Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Siliziumnitridoxid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid angegeben werden.
  • Als Nächstes werden anhand von 2 und 3 Modifikationsbeispiele für Querschnittsformen der Anzeigevorrichtung 100 beschrieben.
  • Wie in 2A gezeigt, kann die Anzeigevorrichtung 100 mit Mikrolinsen 134 versehen sein. Hierbei weist die Anzeigevorrichtung 100 in 2A ein erstes Substrat 135 und ein zweites Substrat 136 auf. Das erste Substrat 135 umfasst eine einen Transistor umfassende Schicht 101, Pixelelektroden 111a, 111b und 111c, eine erste Schicht 113a, eine zweite Schicht 113b, eine dritte Schicht 113c, eine fünfte Schicht 114, eine gemeinsame Schicht 115, Schutzschichten 131 und 132 sowie Isolierschichten 125 und 127. Das zweite Substrat 136 umfasst ein Substrat 120, Farbschichten 129a, 129b und 129c, eine Isolierschicht 133 sowie die Mikrolinsen 134.
  • Bei dem zweiten Substrat 136 werden in Bezug auf das Substrat 120 die Farbschicht 129 über dem Substrat 120, die Isolierschicht 133 über der Farbschicht 129 und die Mikrolinsen 134 über der Isolierschicht 133 bereitgestellt. Die Mikrolinse 134 und die Farbschicht 129 werden derart angeordnet, um mit der jeweils entsprechenden Licht emittierenden Einrichtung 130 zu überlappen.
  • Für die Mikrolinse 134 kann ein Harz mit einer hohen Lichtdurchlässigkeit für sichtbares Licht, Glas mit einer hohen Lichtdurchlässigkeit für sichtbares Licht oder dergleichen verwendet werden. Die Mikrolinsen 134 können jeweils für ein Subpixel separat ausgebildet werden, oder für mehrere Subpixel integriert werden. Mit der Mikrolinse 134 wird aus der Licht emittierenden Einrichtung 130 emittiertes Licht gebündelt, so dass die Licht-Auskopplungseffizienz der Anzeigevorrichtung 100 verbessert werden kann.
  • Für die Isolierschicht 133 kann ein für die Schutzschichten 131 und 132 verwendbarer, anorganischer oder organischer isolierender Film verwendet werden. Die Isolierschicht 133 dient vorzugsweise als Planarisierungsfilm, wobei für die Isolierschicht 133 vorzugsweise ein organischer isolierender Film verwendet wird. Alternativ kann eine Struktur ohne Isolierschicht 133 zum Einsatz kommen.
  • Wie in 2B gezeigt, kann die Anzeigevorrichtung 100 in 2A dadurch ausgebildet werden, dass das erste Substrat 135 und das zweite Substrat 136 mittels der Harzschicht 122 aneinander befestigt werden.
  • In 1B ist die Struktur gezeigt, bei der die Isolierschicht 125 bereitgestellt wird; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt, und eine Struktur ohne die Isolierschicht 125 ist, wie in 3A gezeigt, auch möglich. Dabei wird für die Isolierschicht 127 vorzugsweise ein die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c nur wenig beschädigendes organisches Material verwendet. Beispielsweise wird für die Isolierschicht 127 vorzugsweise ein organisches Material, wie z. B. Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylbutyral, Polyvinylpyrrolidon, Polyethylenglycol, Polyglycerin, Pullulan, wasserlöslicher Cellulose oder einem alkohollöslichen Polyamidharz, verwendet.
  • In 1B ist die Struktur gezeigt, bei der die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 jeweils die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Oberseitenhöhe aufweisen wie diejenige mindestens einer der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise ist, wie in 3B gezeigt, auch eine Struktur möglich, bei der die Oberseiten der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 höher sind als die Oberseiten der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c.
  • Wie in 3B gezeigt, wird über der ersten Schicht 113a und/oder der zweiten Schicht 113b und/oder der dritten Schicht 113c in einigen Fällen eine erste Opferschicht 118 und/oder eine zweite Opferschicht 119 ausgebildet. Beispielsweise wird an den Oberseiten der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c die erste Opferschicht 118 ausgebildet und über der ersten Opferschicht 118 wird die zweite Opferschicht 119 ausgebildet. Eine Seitenfläche der ersten Opferschicht 118 und eine Seitenfläche der zweiten Opferschicht 119 sind in Kontakt mit der Isolierschicht 125. Die andere Seitenfläche der ersten Opferschicht 118 und die andere Seitenfläche der zweiten Opferschicht 119 sind in Kontakt mit der fünften Schicht 114. Es sei angemerkt, dass die erste Opferschicht 118 und die zweite Opferschicht 119 im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung 100 verwendet werden, und die Einzelheiten werden nachstehend beschrieben.
  • Dabei ist eine durch die Seitenflächen der ersten Opferschicht 118 und der zweiten Opferschicht 119 sowie einen Teil der Seitenflächen der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 gebildete Fläche in einer Querschnittsansicht vorzugsweise verjüngt. Wenn diese Fläche in einer Querschnittsansicht verjüngt ist, werden die fünfte Schicht 114 und die gemeinsame Elektrode 115 mit guter Abdeckung ausgebildet, die die erste Opferschicht 118, die zweite Opferschicht 119, die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 bedeckend ausgebildet werden, so dass ein Entstehen einer Trennung oder dergleichen verhindert werden kann.
  • In 2A ist die Struktur gezeigt, bei der die Mikrolinsen 134 auf der Seite des Substrats 120 bereitgestellt werden; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise ist, wie in 3C gezeigt, auch eine Struktur möglich, bei der die Mikrolinse 134 auf der Seite der den Transistor umfassenden Schicht 101 bereitgestellt wird. Dabei können die Isolierschicht 133 über der Farbschicht 129 und die Mikrolinse 134 über der Isolierschicht 133 bereitgestellt werden. Das Substrat 120 wird mittels der Harzschicht 122 über der Mikrolinse 134 befestigt.
  • Wie in 4A gezeigt, kann das Pixel vier Arten von Subpixeln aufweisen.
  • 4A ist eine Draufsicht (auch als Planansicht bezeichnet) auf die Anzeigevorrichtung 100. Die Anzeigevorrichtung 100 weist einen Anzeigeabschnitt mit mehreren in einer Matrix angeordneten Pixeln 110 und einen außerhalb des Anzeigeabschnitts angeordneten Verbindungsabschnitt 140 auf.
  • Das Pixel 110 in 4A besteht aus vier Arten von Subpixeln 110a, 110b, 110c und 110d.
  • Beispielsweise können die Subpixel 110a, 110b, 110c und 110d die Licht in voneinander unterschiedlichen Farben emittierenden Einrichtungen aufweisen. Ebenso wie die Subpixel 110a, 110b und 110cweist auch das Subpixel 110d eine weißes Licht emittierende Einrichtung 130d auf. Allerdings weist das Subpixel 110d im Unterschied zu den Subpixeln 110a, 110b und 110c keine Farbschicht auf. Mit einer derartigen Struktur können die Subpixel 110a, 110b und 110c jeweils Subpixel in Rot, Grün und Blau und das Subpixel 110d ein Subpixel in Weiß darstellen.
  • 4A zeigt ein Beispiel, bei dem das eine Pixel 110 aus zwei Zeilen und drei Spalten besteht. Das Pixel 110 weist drei Subpixel (Subpixel 110a, 110b und 110c) in der oberen Zeile (der ersten Zeile) und drei Subpixel 110d in der unteren Zeile (der zweiten Zeile) auf. Mit anderen Worten: Das Pixel 110 weist das Subpixel 110a und das Subpixel 110d in der linken Spalte (der ersten Spalte), das Subpixel 110b und das Subpixel 110d in der mittleren Spalte (der zweiten Spalte) und das Subpixel 110cund das Subpixel 110d in der rechten Spalte (der dritten Spalte) auf. Wenn die Positionen der Subpixel in der oberen Zeile und der unteren Zeile ausgerichtet werden, wie in 4A gezeigt, wird die effiziente Entfernung des in dem Herstellungsprozess gegebenenfalls entstehenden Staubs und dergleichen ermöglicht. Folglich kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Anzeigequalität bereitgestellt werden.
  • 4B ist eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie X3-X4 in 4A. Die Struktur in 4B ist dieselbe in 1B mit Ausnahme des Vorhandenseins der Licht emittierenden Einrichtung 130d. Daher wird die Beschreibung des Ähnlichen wie in 1B weggelassen.
  • Bei der Anzeigevorrichtung 100 sind, wie in 4B gezeigt, über der den Transistor umfassenden Schicht 101 die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b, 130c und 130d bereitgestellt, und die Schutzschichten 131 und 132 sind diese bedeckend bereitgestellt. Auf der Schutzschicht 132 ist das Substrat 120 mittels Harzschicht 122 befestigt. In einem Bereich zwischen den einander benachbarten, Licht emittierenden Einrichtungen sind die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 bereitgestellt.
  • Die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b, 130c und 130d emittieren weißes Licht. Die Farbschicht 129a ist mit der Licht emittierenden Einrichtung 130a überlappend bereitgestellt, die Farbschicht 129b ist mit der Licht emittierenden Einrichtung 130b überlappend bereitgestellt, und die Farbschicht 129c ist mit der Licht emittierenden Einrichtung 130c überlappend bereitgestellt. Über der Licht emittierenden Einrichtung 130d ist keine Farbschicht bereitgestellt. Wenn beispielsweise die Farbschicht 129a rotes Licht (R), die Farbschicht 129b grünes Licht (G) und die Farbschicht 129c blaues Licht (B) durchlassen, wird eine Kombination emittierend Licht in Rot (R), Grün (G), Blau (B) und Weiß (W) ermöglicht.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 130d weist eine Pixelelektrode 111d über der den Transistor umfassenden Schicht 101, eine inselförmige vierte Schicht 113d über der Pixelelektrode 111d, die fünfte Schicht 114 über der inselförmigen vierten Schicht 113d und die gemeinsame Elektrode 115 über der fünften Schicht 114 auf. Bei der Licht emittierenden Einrichtung 130d können die vierte Schicht 113d und die fünfte Schicht 114 insgesamt als EL-Schicht bezeichnet werden. Es sei angemerkt, dass für die Pixelelektrode 111d dasselbe Material für die Pixelelektroden 111a, 111b und 111c verwendet werden kann. Für die vierte Schicht 113d kann dasselbe Material für die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c verwendet werden.
  • Die drei Subpixel 110d können einzeln die Licht emittierende Einrichtung 130d aufweisen, oder die eine Licht emittierende Einrichtung 130d miteinander teilen. Das Pixel 110 kann nämlich die eine Licht emittierende Einrichtung 130d oder die drei Licht emittierenden Einrichtungen 130d aufweisen.
  • [Pixelanordnung]
  • Als Nächstes wird eine von 1A und 4A unterschiedliche Pixelanordnung beschrieben. Die Anordnung von Subpixeln ist nicht besonders beschränkt, und verschiedene Verfahren können verwendet werden. Als Anordnung von Subpixeln können beispielsweise eine Streifen-Anordnung, eine S-Streifen-Anordnung, eine Matrix-Anordnung, eine Delta-Anordnung, eine Bayer-Anordnung und eine PenTile-Anordnung angegeben werden.
  • Des Weiteren können Oberseiten der Subpixel beispielsweise eine dreieckige Form, eine viereckige Form (einschließlich einer rechteckigen Form und einer quadratischen Form), eine polygonale Form, wie z. B. eine fünfeckige Form, eine polygonale Form mit abgerundeten Ecken, eine elliptische Form oder eine Kreisform aufweisen. Die Oberseitenform eines Subpixels entspricht hierbei einer Oberseitenform eines Licht emittierenden Bereichs einer Licht emittierenden Einrichtung.
  • Auf das Pixel 110 in 5A wird eine S-Streifen-Anordnung angewandt. Das Pixel 110 in 5A besteht aus drei Subpixeln 110a, 110b und 110c. Beispielsweise können, wie in 6A gezeigt, das Subpixel 110a ein Subpixel B in Blau, das Subpixel 110b ein Subpixel R in Rot und das Subpixel 110c ein Subpixel G in Grün darstellen.
  • Das Pixel 110 in 5B weist ein Subpixel 110a mit einer im Wesentlichen trapezförmigen Oberseite mit abgerundeten Ecken, ein Subpixel 110b mit einer im Wesentlichen dreieckigen Oberseite mit abgerundeten Ecken und ein Subpixel 110c mit einer im Wesentlichen viereckigen oder im Wesentlichen hexagonalen Oberseite mit abgerundeten Ecken auf. Das Subpixel 110a weist eine größere Licht emittierende Fläche auf als das Subpixel 110b. Auf diese Weise können die Formen und die Größen der Subpixel voneinander unabhängig bestimmt werden. Beispielsweise kann ein Subpixel umfassend eine Licht emittierende Einrichtung mit höherer Zuverlässigkeit eine kleinere Größe aufweisen. Beispielsweise können, wie in 6B gezeigt, das Subpixel 110a ein Subpixel G in Grün, das Subpixel 110b ein Subpixel R in Rot und das Subpixel 110c ein Subpixel B in Blau darstellen.
  • Auf Pixel 124a und 124b in 5C wird eine PenTile-Anordnung angewandt. 5C zeigt ein Beispiel, bei dem das Pixel 124a mit einem Subpixel 110a und einem Subpixel 110b und das Pixel 124b mit dem Subpixel 110b und einem Subpixel 110c abwechselnd angeordnet sind. Beispielsweise können, wie in 6C gezeigt, das Subpixel 110a ein Subpixel R in Rot, das Subpixel 110b ein Subpixel G in Grün und das Subpixel 110c ein Subpixel B in Blau darstellen.
  • Auf Pixel 124a und 124b in 5D und 5E wird eine Delta-Anordnung angewandt. Das Pixel 124a weist zwei Subpixel (Subpixel 110a und 110b) in der oberen Zeile (der ersten Zeile) und ein Subpixel (ein Subpixel 110c) in der unteren Zeile (der zweiten Zeile) auf. Das Pixel 124b weist ein Subpixel (ein Subpixel 110c) in der oberen Zeile (der ersten Zeile) und zwei Subpixel (Subpixel 110a und 110b) in der unteren Zeile (der zweiten Zeile) auf. Beispielsweise können, wie in 6D gezeigt, das Subpixel 110a ein Subpixel R in Rot, das Subpixel 110b ein Subpixel G in Grün und das Subpixel 110c ein Subpixel B in Blau darstellen.
  • 5D zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine im Wesentlichen viereckige Oberseite mit abgerundeten Ecken aufweist, und 5E zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine kreisförmige Oberseite aufweist.
  • 5F zeigt ein Beispiel, bei dem Subpixel in voneinander unterschiedlichen Farben auf eine Zickzack-Weise angeordnet sind. Insbesondere sind in der Draufsicht (auch als Planansicht bezeichnet) die Positionen der oberen Seiten von zwei in der Spaltenrichtung angeordneten Subpixeln (z. B. dem Subpixel 110a und dem Subpixel 110b oder dem Subpixel 110b und dem Subpixel 110c) einander versetzt. Beispielsweise können, wie in 6E gezeigt, das Subpixel 110a ein Subpixel R in Rot, das Subpixel 110b ein Subpixel G in Grün und das Subpixel 110c ein Subpixel B in Blau darstellen.
  • Je feiner ein durch Verarbeitung ausgebildetes Muster bei einem Fotolithografieverfahren ist, desto weniger ignorierbar ist ein Einfluss von Lichtbeugung, so dass durch Belichtung die Treue bei der Übertragung eines Photomaskenmusters beschädigt wird, was zur schwierigen Verarbeitung einer Photolackmaske in eine gewünschte Form führt. Daher könnte selbst bei einem rechteckigen Photomaskenmuster ein Muster mit abgerundeten Ecken leicht ausgebildet werden. Infolgedessen könnte die Oberseite des Subpixels eine polygonale Form mit abgerundeten Ecken, eine elliptische Form, eine Kreisform oder dergleichen aufweisen.
  • Bei dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ferner unter Verwendung einer Photolackmaske die EL-Schicht inselförmig verarbeitet. Ein über der EL-Schicht ausgebildeter Photolackfilm muss bei einer niedrigeren Temperatur als die obere Temperaturgrenze der EL-Schicht ausgehärtet werden. Deshalb wird der Photolackfilm in einigen Fällen in Abhängigkeit von der oberen Temperaturgrenze des Materials der EL-Schicht und der Aushärtungstemperatur des Photolackmaterials nicht ausreichend ausgehärtet. Ein nicht ausreichend ausgehärteter Photolackfilm könnte durch eine Verarbeitung eine von einer gewünschten Form unterschiedliche Form aufweisen. Als Ergebnis könnte die Oberseite der EL-Schicht eine polygonale Form mit abgerundeten Ecken, eine elliptische Form, eine Kreisform oder dergleichen aufweisen. Selbst wenn beispielsweise eine Photolackmaske mit einer quadratischen Oberseite ausgebildet werden soll, könnte eine Photolackmaske mit einer kreisförmigen Oberseite ausgebildet werden, und die Oberseite der EL-Schicht könnte kreisförmig sein.
  • Um die Oberseite der EL-Schicht mit einer gewünschten Form zu erhalten, kann eine Technik zur vorhergehenden Korrektur eines Maskenmusters, bei der ein übertragenes Muster mit einem Designmuster übereinstimmt (optische Nahbereichskorrektur- bzw. optical proximity correction (OPC-) Technik), verwendet werden. Insbesondere wird bei der OPC-Technik einem Eckabschnitt oder dergleichen einer Figur auf einem Maskenmuster ein Muster zur Korrektur hinzugefügt.
  • Auch bei dem Pixel 110 in 1A, auf das die Streifen-Anordnung angewandt wird, können, wie in 6F gezeigt, beispielsweise das Subpixel 110a ein Subpixel R in Rot, das Subpixel 110b ein Subpixel G in Grün und das Subpixel 110c ein Subpixel B in Blau darstellen.
  • Auf Pixel 110 in 7A bis 7C wird eine Streifen-Anordnung angewandt.
  • 7A zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine rechteckige Oberseite aufweist, 7B zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine Oberseite mit einer durch Kombination von zwei halben Kreisen und einem Rechteck dazwischen gebildeten Form aufweist, und 7C zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine elliptische Oberseite aufweist.
  • Auf Pixel 110 in 7D bis 7F wird eine Matrix-Anordnung angewandt.
  • 7D zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine quadratische Oberseite aufweist, 7E zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine im Wesentlichen quadratische Oberseite mit abgerundeten Ecken aufweist, und 7F zeigt ein Beispiel, bei dem jedes Subpixel eine kreisförmige Oberseite aufweist.
  • Die Pixel 110 in 7A bis 7F bestehen jeweils aus vier Subpixel 110a, 110b, 110c und 110d. Die Subpixel 110a, 110b, 110c und 110d emittieren Licht in voneinander unterschiedlichen Farben. Beispielsweise können die Subpixel 110a, 110b, 110c und 110d jeweils Subpixel in Rot, Grün, Blau und Weiß darstellen. Beispielsweise können, wie in 8A und 8B gezeigt, die Subpixel 110a, 110b, 110c und 110d jeweils Subpixel in Rot, Grün, Blau und Weiß darstellen. Alternativ können die Subpixel 110a, 110b, 110c und 110d jeweils Subpixel in Rot, Grün, Blau und für Infrarotlicht darstellen.
  • 7G zeigt ein Beispiel, bei dem das eine Pixel 110 aus zwei Zeilen und drei Spalten besteht. Das Pixel 110 weist drei Subpixel (Subpixel 110a, 110b und 110c) in der oberen Zeile (der ersten Zeile) und ein Subpixel (ein Subpixel 110d) in der unteren Zeile (der zweiten Zeile) auf. Mit anderen Worten: Das Pixel 110 weist das Subpixel 110a in der linken Spalte (der ersten Spalte), das Subpixel 110b in der mittleren Spalte (der zweiten Spalte) und das Subpixel 110c in der rechten Spalte (der dritten Spalte) sowie ferner das Subpixel 110d über diese drei Spalten auf.
  • Bei den Pixeln 110 in 4A und 7G können, wie in 8C und 8D gezeigt, beispielsweise das Subpixel 110a ein Subpixel R in Rot, das Subpixel 110b ein Subpixel G in Grün, das Subpixel 110c ein Subpixel B in Blau und das Subpixel 110d ein Subpixel W in Weiß darstellen.
  • Ein elektronisches Gerät mit der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Blitzlichtfunktion unter Verwendung des Subpixels W und/oder eine Beleuchtungsfunktion unter Verwendung des Subpixels W aufweisen.
  • Aus dem Subpixel W emittiertes weißes Licht kann momentanes Licht mit hoher Leuchtdichte, wie z. B. Blitzlicht oder Stroboskoplicht, oder Licht mit hohen Farbwiedergabeeigenschaften, wie z. B. Leselampe, sein. Es sei angemerkt, dass im Fall der Verwendung weißen Lichts für eine Leselampe oder dergleichen die Farbtemperatur der weißen Lichtemission gesenkt werden kann. Wenn weißes Licht beispielsweise die Farbe einer Glühlampe (z. B. höher als oder gleich 2500K und niedriger als 3250K) oder die warmweiße Farbe (z. B. höher als oder gleich 3250K und niedriger als 3800K) hat, kann es die Lichtquelle augenfreundlich für einen Benutzer machen.
  • Eine Stroboskoplichtfunktion kann beispielsweise dadurch ermöglicht werden, dass die Lichtemission und die Nichtemission in einer kurzen Periode abwechselnd wiederholt werden. Eine Blitzlichtfunktion kann beispielsweise dadurch ermöglicht werden, dass eine Momentanentladung unter Verwendung des Prinzips einer elektrischen Doppelschicht oder dergleichen ein Blitzlicht erzeugt.
  • Wenn beispielsweise im Fall eines elektronischen Geräts 70 mit einer Kamerafunktion die Stroboskoplichtfunktion oder die Blitzlichtfunktion zum Einsatz kommt, können auch in der Nacht Bilder mit dem elektronischen Gerät 70 aufgenommen werden, wie in 9A gezeigt. Da hierbei die Anzeigevorrichtung 100 des elektronischen Geräts 70 als planare Lichtquelle dient und damit auf dem Objekt ein Schatten selten erzeugt wird, können schöne Bilder aufgenommen werden. Es sei angemerkt, dass die Stroboskoplichtfunktion oder die Blitzlichtfunktion nicht nur in der Nacht zum Einsatz kommen kann. Im Fall, dass das elektronische Gerät 70 die Stroboskoplichtfunktion oder die Blitzlichtfunktion aufweist, kann die Farbtemperatur der weißen Lichtemission erhöht werden. Beispielsweise kann die Farbtemperatur des aus dem elektronischen Gerät 70 emittierten Lichts in Weiß (höher als oder gleich 3800K und niedriger als 4500K), in Tageslichtweiß (höher als oder gleich 4500K und niedriger als 5500K) oder in Tageslichtfarbe (höher als oder gleich 5500K und niedriger als 7100K) sein.
  • Wenn das stärkere Blitzlicht als nötig emittiert wird, könnte ein Bereich eigentlich mit stärkerer Helligkeit und schwächerer Helligkeit in einem Bild nur in Weiß dargestellt werden (sogenannte Überbelichtung). Andererseits könnte, wenn das zu schwache Blitzlicht emittiert wird, ein dunkler Bereich in einem Bild nur in Schwarz dargestellt werden (sogenannte Grauwertstauchung). Dagegen ist eine Struktur möglich, bei der durch Detektion der Helligkeit um das Objekt herum mittels einer Licht empfangenden Einrichtung der Anzeigevorrichtung die Licht emittierende Einrichtung des Subpixels auf eine optimale Lichtmenge eingestellt werden kann. Mit anderen Worten: Das elektronische Gerät 70 dient als Belichtungsmesser.
  • Die Stroboskoplichtfunktion und die Blitzlichtfunktion können ferner für die Verbrechensverhütung, die Selbstverteidigung oder dergleichen zum Einsatz kommen. Beispielsweise kann, wie in 9B gezeigt, die Lichtemission aus dem elektronischen Gerät 70 gegen einen Rohling diesen zurückschrecken. Es könnte jedoch schwierig sein, dass man im Notfall, wie z. B. im Fall eines Angriffs durch einen Rohling, eine Maßnahme ruhig trifft und das Licht mit einem engen Licht emittierenden Bereich für die Selbstverteidigung auf das Gesicht des Rohlings wirft. Dagegen kann, da die Anzeigevorrichtung 100 des elektronischen Geräts 70 als planare Lichtquelle dient, auch bei einer etwas abweichend gerichteten Anzeigevorrichtung 100 die Lichtemission aus der Anzeigevorrichtung 100 in den Blick des Rohlings kommen.
  • Es sei angemerkt, dass bei der Verwendung des Blitzlichts für die Verbrechensverhütung oder die Selbstverteidigung, wie in 9B gezeigt, die Leuchtdichte vorzugsweise höher ist als bei der Nachtaufnahme in 9A. Die mehrmalige intermittierende Lichtemission aus der Anzeigevorrichtung 100 kann den Rohling leicht zurückschrecken. Das elektronische Gerät 70 kann ferner einen Ton, wie z. B. einen relativ lauten Summer, erzeugen, um Leute um einen herum um Hilfe zu bitten. Wenn der Ton in der Nähe des Gesichts des Rohlings erzeugt wird, können nicht nur Licht, sondern auch Ton den Rohling zurückschrecken, was bevorzugt ist.
  • Bei der Erhöhung der Farbwiedergabeeigenschaften des Lichts aus der Licht emittierenden Einrichtung des Subpixels W ist eine Zunahme der Anzahl der Licht emittierenden Schichten in der Licht emittierenden Einrichtung oder der Arten der Licht emittierenden Substanzen in der Licht emittierenden Schicht bevorzugt. Dadurch kann ein breites Emissionsspektrum mit einer Intensität in einer breiteren Wellenlänge erhalten werden, so dass dem Sonnenlicht ähnliches Licht mit höheren Farbwiedergabeeigenschaften emittiert werden kann.
  • Beispielsweise kann, wie in 9C gezeigt, das eine Lichtemission mit hohen Farbwiedergabeeigenschaften ermöglichende elektronische Gerät 70 als Leselampe und dergleichen verwendet werden. In 9C ist das elektronische Gerät 70 mittels eines Ständers 72 an einem Tisch 74 befestigt. Unter Verwendung eines derartigen Ständers 72 kann das elektronische Gerät 70 als Leselampe verwendet werden. Da die Anzeigevorrichtung 100 des elektronischen Geräts 70 als planare Lichtquelle dient, wird auf einem Objekt (in 9C einem Buch) ein Schatten selten erzeugt wird, und da die Verteilung des von dem Objekt reflektierten Lichts sanft ist, entsteht die Reflexion des Lichts selten. Daher wird die Sichtbarkeit verbessert, wodurch man das Objekt besser sehen kann. Da das Emissionsspektrum der weißes Licht emittierenden Einrichtung breit ist, wird auch blaues Licht relativ reduziert. Daher können eine Augenbelastung und dergleichen des Benutzers des elektronischen Geräts 70 erleichtert werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Struktur des Ständers 72 nicht auf diejenige in 9C beschränkt. Arme, bewegliche Abschnitte oder dergleichen können angemessen vorgesehen sein, um einen Bewegungsbereich so weit wie möglich zu vergrößern. In 9C greift der Ständer 72 das elektronische Gerät 70 klemmend, worauf die vorliegende Erfindung jedoch nicht beschränkt ist. Beispielsweise ist eine Struktur möglich, bei der ein Magnet, ein Saugnapf oder dergleichen angemessen verwendet wird.
  • Die Emissionsfarbe für die Beleuchtung ist vorzugsweise weiß. Allerdings ist die Emissionsfarbe für die Beleuchtung nicht besonders beschränkt, wobei ein Fachmann auch eine oder mehrere optimale Emissionsfarben, wie z. B. Weiß, Blau, Violett, Blauviolett, Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange, Rot oder dergleichen, angemessen auswählen kann.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann in dem Pixel eine Licht empfangende Einrichtung aufweisen.
  • Drei von den vier Subpixeln des Pixels 110 in 4A können die Licht emittierenden Einrichtungen aufweisen und das eine übrige kann die Licht empfangende Einrichtung aufweisen.
  • Als Licht empfangende Einrichtung kann beispielsweise eine pn- oder pin-Photodiode verwendet werden. Die Licht empfangende Einrichtung dient als photoelektrische Umwandlungsvorrichtung (auch als photoelektrisches Umwandlungselement bezeichnet), die in die Licht empfangende Einrichtung einfallendes Licht erfasst und Ladungen erzeugt. Auf Basis der Menge an in die Licht empfangende Einrichtung einfallendem Licht wird die Menge an aus der Licht empfangenden Einrichtung erzeugten Ladungen bestimmt.
  • Als Licht empfangende Einrichtung wird insbesondere vorzugsweise eine organische Photodiode mit einer eine organische Verbindung enthaltenden Schicht verwendet. Eine organische Photodiode, deren Dicke und Gewicht leicht verringert werden, deren Fläche leicht groß gemacht werden und die einen hohen Grad der Freiheit der Form und des Designs aufweist, kann in verschiedenen Anzeigeeinrichtungen verwendet werden.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird eine organische EL-Einrichtung als Licht emittierende Einrichtung verwendet und wird eine organische Photodiode als Licht empfangende Einrichtung verwendet. Eine organische EL-Einrichtung und eine organische Photodiode können über demselben Substrat ausgebildet werden. Daher kann eine organische Photodiode in einer eine organische EL-Einrichtung aufweisenden Anzeigevorrichtung eingebaut werden.
  • Die Licht empfangende Einrichtung weist zwischen einem Paar von Elektroden eine zumindest als photoelektrische Umwandlungsschicht dienende Aktivschicht auf. In dieser Beschreibung und dergleichen werden in einigen Fällen eine Elektrode des einen Paars von Elektroden als Pixelelektrode und die andere als gemeinsame Elektrode bezeichnet.
  • Beispielsweise können die Subpixel 110a, 110b und 110cjeweils Subpixel in drei Farben, nämlich R, G und B, und das Subpixel 110d ein Subpixel mit der Licht empfangenden Einrichtung darstellen. Dabei weist die vierte Schicht 113d zumindest eine Aktivschicht auf.
  • Die eine Elektrode des einen Paars von Elektroden der Licht empfangenden Einrichtung dient als Anode und die andere Elektrode dient als Kathode. Nachstehend wird der Fall beispielhaft beschrieben, dass die Pixelelektrode als Anode und die gemeinsame Elektrode als Kathode dienen. Die Licht empfangende Einrichtung wird unter Anlage einer Sperrvorspannung zwischen der Pixelelektrode und der gemeinsamen Elektrode betrieben, wodurch in die Licht empfangende Einrichtung einfallendes Licht erfasst wird, Ladungen erzeugt werden und diese als Strom extrahiert werden können. Alternativ können die Pixelelektrode als Kathode und die gemeinsame Elektrode als Anode dienen.
  • Auf die Licht empfangende Einrichtung kann dasselbe Herstellungsverfahren bei der Licht emittierenden Einrichtung angewandt werden. Eine inselförmige Aktivschicht der Licht empfangenden Einrichtung (auch als photoelektrische Umwandlungsschicht bezeichnet) wird nicht unter Verwendung einer feinen Metallmaske, sondern durch eine Verarbeitung nach der Ausbildung eines zu einer Aktivschicht werdenden Films an der einen ganzen Fläche ausgebildet, so dass die inselförmige Aktivschicht mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet werden kann. Des Weiteren kann das Bereitstellen einer Opferschicht über der Aktivschicht Schäden an der Aktivschicht während des Herstellungsprozesses der Anzeigevorrichtung verringern und die Zuverlässigkeit der Licht empfangenden Einrichtung erhöhen.
  • Hierbei kann sich hinsichtlich einer der Licht empfangenden Einrichtung und den Licht emittierenden Einrichtungen gemeinsamen Schicht ihre Funktion in der Licht empfangenden Einrichtung von ihrer Funktion in den Licht emittierenden Einrichtungen unterscheiden. In dieser Beschreibung wird eine Komponente in einigen Fällen gemäß ihrer Funktion in der Licht emittierenden Einrichtung genannt. Beispielsweise dient die Lochinjektionsschicht in der Licht emittierenden Einrichtung als Lochinjektionsschicht, während sie in der Licht empfangenden Einrichtung als Lochtransportschicht dient. In ähnlicher Weise dient die Elektroneninjektionsschicht in der Licht emittierenden Einrichtung als Elektroneninjektionsschicht, während sie in der Licht empfangenden Einrichtung als Elektronentransportschicht dient. Ferner kann hinsichtlich einer der Licht empfangenden Einrichtung und den Licht emittierenden Einrichtungen gemeinsamen Schicht ihre Funktion in der Licht empfangenden Einrichtung mit ihrer Funktion in den Licht emittierenden Einrichtungen identisch sein. Die Lochtransportschicht dient sowohl bei der Licht emittierenden Einrichtung als auch bei der Licht empfangenden Einrichtung als Lochtransportschicht, und die Elektronentransportschicht dient bei der Licht emittierenden Einrichtung als auch bei der Licht empfangenden Einrichtung als Elektronentransportschicht.
  • Die Aktivschicht der Licht empfangenden Einrichtung enthält einen Halbleiter. Als der Halbleiter können ein anorganischer Halbleiter, wie z. B. Silizium, und ein eine organische Verbindung enthaltender organischer Halbleiter angegeben werden. In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, bei dem ein organischer Halbleiter als in der Aktivschicht enthaltener Halbleiter verwendet wird. Ein organischer Halbleiter wird vorzugsweise verwendet, da die Licht emittierende Schicht und die Aktivschicht durch dasselbe Verfahren (wie z. B. ein Vakuumverdampfungsverfahren) ausgebildet werden können und dieselbe Herstellungsvorrichtung verwendet werden kann.
  • Als in der Aktivschicht enthaltenes n-Typ-Halbleitermaterial kann ein organisches Halbleitermaterial mit einer Elektronenakzeptoreigenschaft, wie z. B. Fulleren (z. B. C60-Fulleren oder C70-Fulleren) oder ein Fulleren-Derivat, verwendet werden. Fulleren weist eine fußballartige Form auf, welche energetisch stabil ist. Sowohl das HOMO-Niveau als auch das LUMO-Niveau von Fulleren sind tief (niedrig). Da Fulleren ein tiefes LUMO-Niveau aufweist, weist es eine sehr hohe Elektronenakzeptoreigenschaft (Akzeptoreigenschaft) auf. Wenn sich eine π-Elektronen-Konjugation (Resonanz) in einer Ebene ausbreitet, wird meistens wie bei Benzol die Elektronendonatoreigenschaft (Donatoreigenschaft) erhöht; jedoch ist bei Fulleren mit einer sphärischen Form die Elektronenakzeptoreigenschaft hoch, obwohl sich π-Elektronen weit ausbreiten. Die hohe Elektronenakzeptoreigenschaft verursacht effizient eine schnelle Ladungstrennung und ist für Licht empfangende Einrichtungen nützlich. Sowohl C60-Fulleren als auch C70-Fulleren weisen ein breites Absorptionsband im Bereich von sichtbarem Licht auf, und C70-Fulleren wird besonders bevorzugt, da es ein größeres π-Elektronen-Konjugationssystem und ein breiteres Absorptionsband im Bereich langer Wellenlänge als C60-Fulleren aufweist. Als Fulleren-Derivate können ferner [6,6]-Phenyl-C71buttersäuremethylester (Abkürzung: PC70BM), [6,6]-Phenyl-C61-buttersäuremethylester (Abkürzung: PC60BM) und 1',1",4',4"-Tetrahydrodi[1,4]methanonaphthaleno[1,2:2',3',56,60:2",3"][5,6]fulleren-C60 (Abkürzung: ICBA) angegeben werden.
  • Als n-Typ-Halbleitermaterial können ein Metallkomplex mit einem Chinolin-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Benzochinolin-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Oxazol-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Thiazol-Gerüst, ein Oxadiazol-Derivat, ein Triazol-Derivat, ein Imidazol-Derivat, ein Oxazol-Derivat, ein Thiazol-Derivat, ein Phenanthrolin-Derivat, ein Chinolin-Derivat, ein Benzochinolin-Derivat, ein Chinoxalin-Derivat, ein-Dibenzochinoxalin-Derivat, ein Pyridin-Derivat, ein Bipyridin-Derivat, ein PyrimidinDerivat, ein Naphthalin-Derivat, ein Anthracen-Derivat, ein Cumarin-Derivat, ein Rhodamin-Derivat, ein Triazin-Derivat und ein Chinon-Derivat angegeben werden.
  • Als in der Aktivschicht enthaltenes p-Typ-Halbleitermaterial können organische Halbleitermaterialien mit einer Elektronendonatoreigenschaft, wie z. B. Kupfer(II)phthalocyanin (CuPc), Tetraphenyldibenzoperiflanthen (DBP), Zinkphthalocyanin (ZnPc), Zinn(II)phthalocyanin (SnPc) und Chinacridon angegeben werden.
  • Alternativ kann als p-Typ-Halbleitermaterial ein Carbazol-Derivat, ein Thiophen-Derivat, ein Furan-Derivat, eine Verbindung mit einem aromatischen Amin-Gerüst oder dergleichen angegeben werden. Als p-Typ-Halbleitermaterial können ferner ein Naphthalin-Derivat, ein Anthracen-Derivat, ein Pyren-Derivat, ein Triphenylen-Derivat, ein Fluoren-Derivat, ein Pyrrol-Derivat, ein Benzofuran-Derivat, ein Benzothiophen-Derivat, ein Indol-Derivat, ein Dibenzofuran-Derivat, ein Dibenzothiophen-Derivat, ein Indolocarbazol-Derivat, ein Porphyrin-Derivat, ein Phthalocyanin-Derivat, ein Naphthalocyanin-Derivat, ein Chinacridon-Derivat, ein Polyphenylenvinylen-Derivat, ein Polyparaphenylen-Derivat, ein Polyfluoren-Derivat, ein Polyvinylcarbazol-Derivat, ein Polythiophen-Derivat und dergleichen angegeben werden.
  • Das HOMO-Niveau des organischen Halbleitermaterials mit einer Elektronendonatoreigenschaft ist vorzugsweise flacher (höher) als das HOMO-Niveau des organischen Halbleitermaterials mit einer Elektronenakzeptoreigenschaft. Das LUMO-Niveau des organischen Halbleitermaterials mit einer Elektronendonatoreigenschaft ist vorzugsweise flacher (höher) als das LUMO-Niveau des organischen Halbleitermaterials mit einer Elektronenakzeptoreigenschaft.
  • Als organisches Halbleitermaterial mit einer Elektronenakzeptoreigenschaft wird vorzugsweise Fulleren mit einer sphärischen Form verwendet, und als organisches Halbleitermaterial mit einer Elektronendonatoreigenschaft wird vorzugsweise ein organisches Halbleitermaterial mit einer im Wesentlichen planaren Form verwendet. Es gibt eine Tendenz, dass Moleküle mit ähnlichen Formen aggregieren, und die aggregierten Moleküle von ähnlichen Arten können die Ladungsträgertransporteigenschaft erhöhen, da ihre Energieniveaus des Molekülorbitals beieinander nahe sind.
  • Beispielsweise wird die Aktivschicht vorzugsweise durch Co-Verdampfung von einem n-Typ-Halbleiter und einem p-Typ-Halbleiter ausgebildet. Alternativ kann die Aktivschicht durch Übereinanderanordnung von einem n-Typ-Halbleiter und einem p-Typ-Halbleiter ausgebildet werden.
  • Die Licht empfangende Einrichtung kann als andere Schicht als Aktivschicht ferner eine Schicht enthaltend eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft, eine Substanz mit einer bipolaren Eigenschaft (eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft und einer hohen Lochtransporteigenschaft) oder dergleichen aufweisen. Ohne Beschränkung darauf kann die Licht empfangende Einrichtung ferner eine Schicht enthaltend eine Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft, ein lochblockierendes Material, eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft, ein elektronenblockierendes Material oder dergleichen aufweisen.
  • Für die Licht empfangende Einrichtung kann entweder eine niedermolekulare Verbindung oder eine hochmolekulare Verbindung verwendet werden, und eine anorganische Verbindung kann auch verwendet werden. Jede der in der Licht empfangenden Einrichtung enthaltenden Schichten kann durch ein beliebiges der folgenden Verfahren ausgebildet werden: ein Verdampfungsverfahren (darunter auch ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren und dergleichen.
  • Als Lochtransportmaterial können beispielsweise eine hochmolekulare Verbindung, wie z. B. Poly(3,4-ethylendioxythiophen)/Poly(styrolsulfonsäure) (PEDOT/PSS), und eine anorganische Verbindung, wie z. B. Molybdänoxid, Kupferiodid (Cul) oder dergleichen, verwendet werden. Als Elektronentransportmaterial kann eine anorganische Verbindung, wie z. B. Zinkoxid (ZnO) oder dergleichen, verwendet werden.
  • Für die Aktivschicht kann eine hochmolekulare Verbindung, wie z. B. als Donar dienendes Poly[[4,8-bis[5-(2-ethylhexyl)-2-thienyl]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophen-2,6-diyl]-2,5-thiophendiyl[5,7-bis(2-ethylhexyl)-4,8-dioxo-4H,8H-benzo[1,2-c-4,5-c']dithiophen-1,3-diyl]]-polymer (Abkürzung: PBDB-T), ein PBDB-T-Derivat oder dergleichen, verwendet werden. Beispielsweise kann ein Verfahren zum Dispergieren eines Akzeptormaterials in das PBDB-T, das PBDB-T-Derivat oder dergleichen verwendet werden.
  • Alternativ können drei oder mehr Arten von Materialien zu der Aktivschicht gemischt werden. Zwecks der Vergrößerung des Wellenlängenbereichs beispielsweise kann zusätzlich zu dem n-Typ-Halbleitermaterial und dem p-Typ-Halbleitermaterial ein drittes Material gemischt werden. Dabei kann das dritte Material eine niedermolekulare Verbindung oder ein hochmolekulare Verbindung sein.
  • Bei der Anzeigevorrichtung mit sowohl einer Licht emittierenden Einrichtung als auch einer Licht empfangenden Einrichtung in einem Pixel weist das Pixel eine Lichtempfangsfunktion auf und kann daher während der Anzeige eines Bildes einen Kontakt oder eine Annäherung eines Objekts erkennen. Beispielsweise kann ein Bild nicht nur durch Verwendung von allen Subpixeln der Anzeigevorrichtung angezeigt werden, sondern auch kann Licht von einigen der Subpixel als Lichtquelle emittiert werden, und ein Bild kann durch Verwendung der übrigen Subpixel angezeigt werden.
  • Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Licht emittierenden Einrichtungen in dem Anzeigeabschnitt in einer Matrix angeordnet, so dass der Anzeigeabschnitt ein Bild anzeigen kann. In dem Anzeigeabschnitt sind ferner die Licht empfangenden Einrichtungen in einer Matrix angeordnet, so dass der Anzeigeabschnitt zusätzlich zu der Bildanzeigefunktion auch eine Abbildungsfunktion und/oder eine Erkennungsfunktion aufweist. Der Anzeigeabschnitt kann für einen Bildsensor oder einen Berührungssensor verwendet werden. Das heißt, dass durch Lichterfassung an dem Anzeigeabschnitt ein Bild aufgenommen werden kann, oder eine Annäherung oder ein Kontakt eines Objekts (z. B. eines Fingers, einer Hand oder eines Stifts) erkannt werden können. Außerdem können bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Licht emittierenden Einrichtungen als Lichtquelle des Sensors verwendet werden. Daher muss weder ein Licht empfangender Abschnitt noch eine Lichtquelle gesondert von der Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden, und demzufolge kann die Anzahl von Komponenten eines elektronischen Geräts verringert werden.
  • Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann dann, wenn aus der Licht emittierenden Einrichtung des Anzeigeabschnitts emittiertes Licht von einem Gegenstand reflektiert (oder gestreut) wird, die Licht empfangende Einrichtung dieses reflektierte (oder gestreute) Licht erfassen; daher können auch in einer dunklen Umgebung die Abbildung oder die Erkennung einer Touch-Bedienung möglich.
  • Wenn die Licht empfangende Einrichtung für einen Bildsensor verwendet wird, kann die Anzeigevorrichtung mittels der Licht empfangenden Einrichtung ein Bild aufnehmen. Die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform kann beispielsweise als Scanner verwendet werden.
  • Mit dem Bildsensor können beispielsweise Daten über biologische Informationen, wie z. B. einen Fingerabdruck, einen Handflächenabdruck oder dergleichen erhalten werden. Das heißt, dass ein Sensor zur biometrischen Authentifizierung in der Anzeigevorrichtung integriert werden kann. Wenn der Sensor zur biometrischen Authentifizierung in der Anzeigevorrichtung integriert wird, kann im Vergleich mit dem Fall, dass ein Sensor zur biometrischen Authentifizierung gesondert von der Anzeigevorrichtung bereitgestellt wird, die Anzahl von Komponenten eines elektronischen Geräts verringert werden und damit werden die Miniaturisierung und Gewichtsverringerung des elektronischen Geräts ermöglicht.
  • Wenn die Licht empfangende Einrichtung für einen Berührungssensor verwendet wird, kann die Anzeigevorrichtung mittels der Licht empfangenden Einrichtung eine Annäherung oder einen Kontakt eines Gegenstandes erkennen.
  • Die Pixel in 10A und 10B weisen jeweils ein Subpixel G, ein Subpixel B, ein Subpixel R und ein Subpixel PS auf.
  • Auf das Pixel in 10A wird eine Streifen-Anordnung angewandt. Auf das Pixel in 10B wird eine Matrix-Anordnung angewandt.
  • Die Pixel in 10C und 10D weisen jeweils ein Subpixel G, ein Subpixel B, ein Subpixel R, ein Subpixel PS und ein oder mehrere Subpixel IRS auf.
  • 10C und 10D zeigen jeweils ein Beispiel, bei dem das eine Pixel aus zwei Zeilen und drei Spalten besteht. In der oberen Zeile (der ersten Zeile) sind drei Subpixel (ein Subpixel G, ein Subpixel B und ein Subpixel R) vorgesehen. In 10C sind in der unteren Zeile (der zweiten Zeile) drei Subpixel (ein Subpixel PS und zwei Subpixel IRS) vorgesehen. In 10D sind andererseits in der unteren Zeile (der zweiten Zeile) zwei Subpixel (ein Subpixel PS und ein Subpixel IRS) vorgesehen. Wenn die Positionen der Subpixel in der oberen Zeile und der unteren Zeile ausgerichtet werden, wie in 10C gezeigt, wird die effiziente Entfernung des in dem Herstellungsprozess gegebenenfalls entstehenden Staubs und dergleichen ermöglicht. Folglich kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Anzeigequalität bereitgestellt werden. Es sei angemerkt, dass das Layout der Subpixel nicht auf die Strukturen in 10A bis 10D beschränkt ist.
  • Das Subpixel R, das Subpixel G und das Subpixel B weisen jeweils eine weißes Licht emittierende Einrichtung auf. Bei dem Subpixel R, dem Subpixel G und dem Subpixel B wird eine entsprechende Farbschicht mit der Licht emittierenden Einrichtung überlappend bereitgestellt.
  • Das Subpixel PS und das Subpixel IRS weisen jeweils eine Licht empfangende Einrichtung auf. Die Wellenlänge des von dem Subpixel PS und dem Subpixel IRS erfassten Lichts ist nicht besonders beschränkt.
  • In 10C können die zwei Subpixel IRS einzeln die Licht empfangende Einrichtung aufweisen, oder die eine Licht empfangende Einrichtung miteinander teilen. Das Pixel 110 in 10C kann nämlich die eine Licht empfangende Einrichtung für das Subpixel PS und die eine oder zwei Licht empfangenden Einrichtungen für das Subpixel IRS aufweisen.
  • Eine Licht empfangende Fläche des Subpixels PS ist kleiner als diejenige des Subpixels IRS. Eine kleinere Licht empfangende Fläche führt zu einem engeren Abbildungsbereich, verhindert eine Unschärfe in einem aufgenommenen Bild und verbessert die Auflösung. Daher ist durch Verwendung des Subpixels PS eine Abbildung mit höherer Definition oder höherer Auflösung als bei der Verwendung des Subpixels IRS möglich. Beispielsweise ist durch Verwendung des Subpixels PS eine Abbildung für eine persönliche Authentifizierung unter Verwendung eines Fingerabdrucks, eines Handflächenabdrucks, der Iris, der Form eines Blutgefäßes (einschließlich der Form einer Vene und der Form einer Arterie), eines Gesichts oder dergleichen möglich.
  • Die Licht empfangende Einrichtung des Subpixels PS erfasst vorzugsweise sichtbares Licht und zwar Licht in einer oder mehreren Farben von Blau, Violett, Blauviolett, Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange, Rot und dergleichen. Die Licht empfangende Einrichtung des Subpixels PS kann ferner Infrarotlicht erfassen.
  • Außerdem kann das Subpixel IRS in einem Berührungssensor (auch als direkter Berührungssensor bezeichnet), einem Beinahe-Berührungssensor (auch als Schwebesensor, Schwebe-Berührungssensor, kontaktloser Sensor oder berührungsloser Sensor bezeichnet) oder dergleichen verwendet werden. Das Subpixel IRS kann je nach dem Zweck eine Wellenlänge des zu erfassenden Lichts angemessen bestimmen. Beispielsweise erfasst das Subpixel IRS vorzugsweise Infrarotlicht. Daher kann eine Berührung auch in einer dunklen Umgebung erfasst werden.
  • Hier kann der Berührungssensor oder der Beinahe-Berührungssensor eine Annäherung oder einen Kontakt eines Objekts (z. B. eines Fingers, einer Hand oder eines Stifts) erkennen.
  • Der Berührungssensor kann das Objekt erkennen, wenn die Anzeigevorrichtung und das Objekt in direktem Kontakt miteinander kommen. Des Weiteren kann der Beinahe-Berührungssensor selbst dann, wenn das Objekt nicht in Kontakt mit der Anzeigevorrichtung ist, das Objekt erkennen. Beispielsweise kann die Anzeigevorrichtung vorzugsweise das Objekt erkennen, wenn der Abstand zwischen der Anzeigevorrichtung und dem Objekt größer als oder gleich 0,1 mm und kleiner als oder gleich 300 mm, bevorzugt größer als oder gleich 3 mm und kleiner als oder gleich 50 mm beträgt. Mit dieser Struktur kann die Anzeigevorrichtung gesteuert werden, ohne dass dabei das Objekt in direktem Kontakt mit der Anzeigevorrichtung kommt; mit anderen Worten: Die Anzeigevorrichtung kann kontaktlos (berührungslos) gesteuert werden. Mit der vorstehenden Struktur kann die Anzeigevorrichtung mit einer verringerten Gefahr, schmutzig oder beschädigt zu werden, oder ohne direkten Kontakt zwischen dem Objekt und einem an der Anzeigevorrichtung haftenden Schmutz (z. B. Staub, Bakterien oder einem Virus) gesteuert werden.
  • Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Bildwiederholrate variiert werden. Beispielsweise kann durch Einstellung der Bildwiederholrate je nach dem auf der Anzeigevorrichtung angezeigten Inhalt (beispielsweise Einstellung zwischen 1 Hz und 240 Hz) der Stromverbrauch verringert werden. Entsprechend der Bildwiederholrate kann ferner eine Betriebsfrequenz des Berührungssensors oder des Beinahe-Berührungssensors variiert werden. Bei der Bildwiederholrate der Anzeigevorrichtung von 120 Hz beispielsweise kann die Betriebsfrequenz des Berührungssensors oder des Beinahe-Berührungssensors höher als 120 Hz (typischerweise 240 Hz) betragen. Mit dieser Struktur können ein geringer Stromverbrauch und eine schnellere Ansprechzeit des Berührungssensors oder des Beinahe-Berührungssensors ermöglicht werden.
  • Die Anzeigevorrichtungen 100 in 10E bis 10G weisen jeweils zwischen einem Substrat 351 und einem Substrat 359 eine Schicht 353 mit der Licht empfangenden Einrichtung, eine Funktionsschicht 355 und eine Schicht 357 mit der Licht emittierenden Einrichtung auf.
  • Die Funktionsschicht 355 weist eine Schaltung zum Betreiben der Licht empfangenden Einrichtung und eine Schaltung zum Betreiben der Licht emittierenden Einrichtung auf. In der Funktionsschicht 355 kann ein Schalter, ein Transistor, ein Kondensator, ein Widerstand, eine Leitung, ein Anschluss und dergleichen bereitgestellt werden. Es sei angemerkt, dass im Fall, dass die Licht emittierende Einrichtung und die Licht empfangende Einrichtung durch ein Passivmatrix-Verfahren angesteuert werden, eine Struktur ohne Schalter und Transistor möglich ist.
  • Wie in 10E gezeigt, wird beispielsweise Licht, das in der Schicht 357 mit der Licht emittierenden Einrichtung aus der Licht emittierenden Einrichtung emittiert wird, von einem die Anzeigevorrichtung 100 berührenden Finger 352 reflektiert, und dieses reflektierte Licht wird dann von der Licht empfangenden Einrichtung in der Schicht 353 mit der Licht empfangenden Einrichtung erfasst. Auf diese Weise kann die Berührung des Fingers 352 an der Anzeigevorrichtung 100 erkannt werden. Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann alternativ, wie in 10F und 10G gezeigt, auch eine Funktion zum Erkennen oder Abbilden eines sich der Anzeigevorrichtung annähernden (aber nicht berührenden) Objekts aufweisen. 10F zeigt ein Beispiel, bei dem ein Menschenfinger erfasst wird, und 10G zeigt ein Beispiel, bei dem eine Umgebung, eine Oberfläche oder eine innere Information eines Menschenauges (wie z. B. eine Blinzelanzahl, eine Augenbewegung oder eine Augenlidbewegung) erfasst wird.
  • Wenn ein Pixel zwei Arten von Licht empfangenden Einrichtungen aufweist, können zusätzlich zur Anzeigefunktion zwei weitere Funktionen hinzugefügt werden, was eine Multifunktionalisierung der Anzeigevorrichtung ermöglicht.
  • Zur Abbildung mit hoher Definition ist jedes Pixel der Anzeigevorrichtung vorzugsweise mit dem Subpixel PS versehen. Andererseits können nur einige Pixel der Anzeigevorrichtung mit dem für den Berührungssensor oder den Beinahe-Berührungssensor verwendeten Subpixel IRS versehen sein, da von diesem keine höhere Erfassungsgenauigkeit als das Subpixel PS gefordert wird. Wenn die Subpixel IRS der Anzeigevorrichtung weniger sind als die Subpixel PS, kann eine Erkennung mit höherer Geschwindigkeit ermöglicht werden.
  • Davon ausgehend können, wenn die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zwei Arten von Licht empfangenden Einrichtungen in einem Pixel aufweist, zusätzlich zur Anzeigefunktion zwei weitere Funktionen hinzugefügt werden, was eine Multifunktionalisierung der Anzeigevorrichtung ermöglicht. Beispielsweise können eine Abbildungsfunktion mit hoher Definition und eine Erkennungsfunktion des Berührungssensors oder des Beinahe-Berührungssensors ermöglicht werden. Eine Kombination des Pixels mit zwei Arten von Licht empfangenden Einrichtungen und eines Pixels mit einer anderen Struktur ermöglicht ferner, weitere Funktionen der Anzeigevorrichtung zu vermehren. Beispielsweise kann ein Pixel mit einer Infrarotlicht emittierenden Einrichtung, verschiedenen Sensoreinrichtungen oder dergleichen zum Einsatz kommen.
  • [Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung]
  • Als Nächstes wird anhand von 11 bis 18 ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung beschrieben. 11A und 11B sind jeweils eine Draufsicht zeigend ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung. 12A bis 12C zeigen Querschnittsansichten entlang der Strichpunktlinie X1-X2 und Querschnittsansichten entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1A nebeneinander. 13 bis 16 sind auch wie 12. 17A und 17B zeigen Querschnittsansichten entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1A. 17C zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1A. 18A bis 18F zeigen vergrößerte Ansichten einer Querschnittsstruktur der Isolierschicht 127 und deren Umgebung.
  • Ein in der Anzeigevorrichtung enthaltener Dünnfilm (z. B. ein Isolierfilm, ein Halbleiterfilm und ein leitfähiger Film) kann durch ein Sputterverfahren, ein chemisches Gasphasenabscheidungs- (chemical vapor deposition, CVD-) Verfahren, ein Vakuumverdampfungsverfahren, ein Pulslaserabscheidungs- (pulsed laser deposition, PLD-) Verfahren, ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition.ALD-) Verfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Beispiele für das CVD-Verfahren umfassen ein plasmaunterstütztes chemisches Gasphasenabscheidungs- (plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD-) Verfahren und ein thermisches CVD-Verfahren. Ein Beispiel für ein thermisches CVD-Verfahren ist ein metallorganisches chemisches Gasphasenabscheidungs- (metal organic CVD, MOCVD-) Verfahren.
  • Ein in der Anzeigevorrichtung enthaltener Dünnfilm (z. B. ein isolierender Film, ein Halbleiterfilm und ein leitfähiger Film) kann durch ein Verfahren, wie z. B. Rotationsbeschichtung, Tauchen, Sprühbeschichtung, Tintenstrahldruck, Dispensieren, Siebdruck, Offsetdruck, Rakelschneiden, Spaltbeschichtung, Walzenbeschichtung, Vorhangbeschichtung oder Rakelbeschichtung, ausgebildet werden.
  • Für die Herstellung der Licht emittierenden Einrichtung kann insbesondere ein Vakuumprozess, wie z. B. ein Verdampfungsverfahren, und ein Lösungsprozess, wie z. B. ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder ein Tintenstrahlverfahren, verwendet werden. Als Verdampfungsverfahren können ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren (physical vapor deposition method, PVD-Verfahren), wie z. B. ein Sputterverfahren, ein lonenplattierungsverfahren, ein Ionenstrahlverdampfungsverfahren, ein Molekularstrahlverdampfungsverfahren und ein Vakuumverdampfungsverfahren, ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (chemical vapor deposition method, CVD-Verfahren) und dergleichen angegeben werden. Insbesondere können die in der EL-Schicht enthaltenen Funktionsschichten (die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Licht emittierende Schicht, die Elektronentransportschicht, die Elektroneninjektionsschicht, die Lochblockierschicht, die Elektronenblockierschicht und dergleichen) durch ein Verdampfungsverfahren (z. B. ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Beschichtungsverfahren (z. B. ein Tauchbeschichtungsverfahren, ein Düsenbeschichtungsverfahren, ein Stabbeschichtungsverfahren, ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder ein Sprühbeschichtungsverfahren), ein Druckverfahren (z. B. ein Tintenstrahlverfahren, ein Siebdruck- (Schablonendruck-) Verfahren, ein Offset-Druck- (Flachdruck-) Verfahren, ein Flexodruck- (Hochdruck-) Verfahren, ein Tiefdruckverfahren oder ein Mikrokontaktdruckverfahren) oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Ein in der Anzeigevorrichtung enthaltener Dünnfilm kann durch ein Photolithographieverfahren oder dergleichen verarbeitet werden. Alternativ kann ein Dünnfilm durch ein Nanoprägelithographieverfahren, ein Sandstrahlverfahren, ein Lift-off-Verfahren oder dergleichen verarbeitet werden. Alternativ können inselförmige Dünnfilme durch ein Filmausbildungsverfahren unter Verwendung einer Abschirmmaske, wie z. B. einer Metallmaske, direkt ausgebildet werden.
  • Als Photolithographieverfahren werden typischerweise folgende zwei Verfahren angegeben. Bei einem der Verfahren wird eine Fotolackmaske über einem zu verarbeitenden Dünnfilm ausgebildet, der Dünnfilm wird durch Ätzen oder dergleichen verarbeitet, und dann wird die Fotolackmaske entfernt. Bei dem anderen Verfahren wird ein lichtempfindlicher Dünnfilm ausgebildet und dann durch eine Belichtung und eine Entwicklung zu einer gewünschten Form verarbeitet.
  • Als Licht für die Belichtung bei einem Photolithographieverfahren kann beispielsweise Licht mit einer i-Linie (mit einer Wellenlänge von 365 nm), Licht mit einer g-Linie (mit einer Wellenlänge von 436 nm), Licht mit einer h-Linie (mit einer Wellenlänge von 405 nm) oder Licht, in dem diese gemischt sind, verwendet werden. Alternativ kann Ultraviolettlicht, KrF-Laserlicht, ArF-Laserlicht oder dergleichen verwendet werden. Die Belichtung kann durch eine Technik der Flüssigkeitsimmersionsbelichtung bzw. Immersionslithographie durchgeführt werden. Als Licht für die Belichtung kann auch extrem ultraviolettes (EUV-) Licht oder Röntgenstrahlen verwendet werden. Statt des Lichts für die Belichtung kann auch ein Elektronenstrahl verwendet werden. Es ist bevorzugt, ultraviolettes Licht, Röntgenstrahlen oder einen Elektronenstrahl zu verwenden, da eine sehr feine Verarbeitung durchgeführt werden kann. Es sei angemerkt, dass keine Photomaske erforderlich ist, wenn die Belichtung durch Abtasten eines Strahls, wie z. B. eines Elektronenstrahls, durchgeführt wird.
  • Um den Dünnfilm zu ätzen, kann ein Trockenätzverfahren, ein Nassätzverfahren, ein Sandstrahlverfahren oder dergleichen verwendet werden.
  • Zuerst wird, wie in 12A gezeigt, über der den Transistor umfassenden Schicht 101 ein leitfähiger Film 111 ausgebildet.
  • Dann werden eine erste Schicht 113A über dem leitfähigen Film 111, eine erste Opferschicht 118A über der ersten Schicht 113A und eine zweite Opferschicht 119A über der ersten Opferschicht 118A ausgebildet. Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung und dergleichen die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A jeweils als Opferfilm bezeichnet werden können.
  • Wie in 12A gezeigt, befindet sich in der Querschnittsansicht entlang Y1-Y2 ein Endabschnitt der ersten Schicht 113A auf der Seite des Verbindungsabschnitts 140 weiter innen als ein Endabschnitt der ersten Opferschicht 118A. Beispielsweise können durch Verwendung einer Maske zum Definieren eines zu abscheidenden Bereichs (zur Unterscheidung von einer feinen Metallmaske auch als Bereichsmaske oder grobe Metallmaske bezeichnet) ein abgeschiedener Bereich der ersten Schicht 113A und ein abgeschiedener Bereich der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Opferschicht 119A voneinander unterschiedlich sein. Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird unter Verwendung einer Photolackmaske die Licht emittierende Einrichtung ausgebildet, wobei in Kombination mit der Bereichsmaske, wie vorstehend beschrieben, die Licht emittierende Einrichtung im relativ einfachen Prozess hergestellt werden kann.
  • Der leitfähige Film 111 wird später zu den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c sowie einer leitfähigen Schicht 123 verarbeitet. Daher kann die für die Pixelelektroden verwendbare vorstehende Struktur auf den leitfähigen Film 111 angewandt werden. Zur Ausbildung des leitfähigen Films 111 kann beispielsweise ein Sputterverfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren verwendet werden.
  • Die erste Schicht 113A wird später zu der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c. Daher kann die für die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c verwendbare vorstehende Struktur angewandt werden. Die erste Schicht 113A kann durch ein Verdampfungsverfahren (darunter auch ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Die erste Schicht 113A wird vorzugsweise durch ein Verdampfungsverfahren ausgebildet. Bei der Abscheidung durch ein Verdampfungsverfahren kann ein vorgemischtes Material verwendet werden. Es sei angemerkt, dass es sich in dieser Beschreibung und dergleichen bei dem vorgemischten Material um ein aus mehreren Materialien vorher zusammengesetztes oder gemischtes Verbundmaterial handelt.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A wird ein Film mit hoher Beständigkeit gegen Verarbeitungsbedingungen für die erste Schicht 113A und dergleichen, insbesondere ein Film mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf verschiedene EL-Schichten verwendet.
  • Zur Ausbildung der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Opferschicht 119A kann beispielsweise ein Sputterverfahren, ein ALD-Verfahren (darunter auch ein thermisches ALD-Verfahren und ein PEALD-Verfahren), ein CVD-Verfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren verwendet werden. Es sei angemerkt, dass die über und in Kontakt mit der EL-Schicht ausgebildete erste Opferschicht 118A vorzugsweise durch ein die EL-Schicht weniger beschädigendes Ausbildungsverfahren ausgebildet wird als bei der zweiten Opferschicht 119A. Beispielsweise wird die erste Opferschicht 118A bevorzugter durch ein ALD-Verfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren ausgebildet als durch ein Sputterverfahren. Die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A werden bei einer niedrigeren Temperatur als die obere Temperaturgrenze der EL-Schicht (typischerweise niedriger als oder gleich 200 °C, bevorzugt niedriger als oder gleich 100 °C, bevorzugter niedriger als oder gleich 80 °C) ausgebildet.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A wird vorzugsweise ein durch ein Nassätzverfahren entferbarer Film verwendet. Durch Verwendung eines Nassätzverfahrens können Schäden an der ersten Schicht 113A bei der Verarbeitung der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Opferschicht 119A mehr verringert werden als bei der Verwendung eines Trockenätzverfahrens.
  • Für die erste Opferschicht 118A wird vorzugsweise ein Film mit hoher Ätzselektivität in Bezug auf die zweite Opferschicht 119A verwendet.
  • Es ist bei dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform erwünscht, dass im Verarbeitungsprozess der verschiedenen Opferschichten die in der EL-Schicht enthaltenen Schichten (die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Licht emittierende Schicht, die Lochblockierschicht, die Elektronenblockierschicht, die Elektronentransportschicht und dergleichen) nicht leicht verarbeitet werden können, und dass im Verarbeitungsprozess der in der EL-Schicht enthaltenen Schichten die verschiedenen Opferschichten nicht leicht verarbeitet werden können. Es ist erwünscht, dass Materialien und Verarbeitungsverfahren der Opferschicht sowie Verarbeitungsverfahren der EL-Schicht unter Berücksichtigung dieser ausgewählt werden.
  • Es sei angemerkt, dass in dieser Ausführungsform ein Beispiel gezeigt ist, bei dem die Opferschicht mit einer zweischichtigen Struktur aus der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht ausgebildet ist; jedoch kann die Opferschicht eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aus drei oder mehr Schichten aufweisen.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann beispielsweise jeweils ein anorganischer Film, wie z. B. ein Metallfilm, ein Legierungsfilm, ein Metalloxidfilm, ein Halbleiterfilm oder ein anorganischer Isolierfilm, verwendet werden.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann beispielsweise ein Metallmaterial, wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium, Titan, Aluminium, Yttrium, Zirconium oder Tantal, oder ein dieses Metallmaterial enthaltendes Legierungsmaterial verwendet werden. Insbesondere wird vorzugsweise ein niedrigschmelzendes Material, wie z. B. Aluminium oder Silber, verwendet. Wenn für die erste Opferschicht 118A und/oder die zweite Opferschicht 119A ein UV-Licht abschirmfähiges Metallmaterial verwendet wird, kann eine Bestrahlung der EL-Schicht mit UV-Licht verhindert werden und damit kann die Verschlechterung der EL-Schicht verhindert werden, was bevorzugt ist.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann ferner ein Metalloxid, wie z. B. In-Ga-Zn-Oxid, verwendet werden. Für die erste Opferschicht 118A oder die zweite Opferschicht 119A kann beispielsweise durch ein Sputterverfahren ein In-Ga-Zn-Oxidfilm ausgebildet werden. Es ist auch möglich, Indiumoxid, In-Zn-Oxid, In-Sn-Oxid, Indiumtitanoxid (In-Ti-Oxid), Indium-Zinn-Zink-Oxid (In-Sn-Zn-Oxid), Indium-Titan-Zink-Oxid (In-Ti-Zn-Oxid), Indium-Gallium-Zinn-Zink-Oxid (In-Ga-Sn-Zn-Oxid) oder dergleichen zu verwenden. Alternativ kann beispielsweise auch Indiumzinnoxid enthaltend Silizium verwendet werden.
  • Außerdem kann ein Element M (das Element M ist eines oder mehrere von Aluminium, Silizium, Bor, Yttrium, Kupfer, Vanadium, Beryllium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram und Magnesium) anstelle von vorstehendem Gallium verwendet werden.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A können verschiedene für die Schutzschichten 131 und 132 verwendbare, anorganische Isolierfilme verwendet werden. Insbesondere ist ein isolierender Oxidfilm bevorzugt, da seine Haftung an der EL-Schicht höher ist als diejenige eines isolierenden Nitridfilms. Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann beispielsweise ein anorganisches Isoliermaterial, wie z. B. Aluminiumoxid, Hafniumoxid und Siliziumoxid, verwendet werden. Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann beispielsweise durch ein ALD-Verfahren ein Aluminiumoxidfilm ausgebildet werden. Es ist bevorzugt, da durch ein ALD-Verfahren Schäden an einer Basis (insbesondere der EL-Schicht oder dergleichen) verringert werden können.
  • Beispielsweise kann für die erste Opferschicht 118A ein durch ein ALD-Verfahren ausgebildeter, anorganischer Isolierfilm (beispielsweise ein Aluminiumoxidfilm) verwendet werden, und für die zweite Opferschicht 119A ein durch ein Sputterverfahren ausgebildeter Wolframfilm verwendet werden. Alternativ kann für die zweite Opferschicht 119A ein Aluminiumfilm oder ein In-Ga-Zn-Oxidfilm verwendet werden.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann ein Material verwendet werden, das in einem in Bezug auf mindestens den obersten Film der ersten Schicht 113A chemisch stabilen Lösungsmittel auflösbar ist. Insbesondere kann ein in Wasser oder Alkohol auflösbares Material für die erste Opferschicht 118A oder die zweite Opferschicht 119A geeignet verwendet werden. Bei der Abscheidung eines derartigen Materials ist es bevorzugt, dass ein Auftragen des in einem Lösungsmittel, wie z. B. Wasser oder Alkohol, aufgelösten Materials durch einen Nassprozess durchgeführt wird, gefolgt von einer Wärmebehandlung zur Verdampfung des Lösungsmittels. Da dabei die Wärmebehandlung in einer Atmosphäre mit reduziertem Druck die Entfernung des Lösungsmittels bei niedriger Temperatur in kurzer Zeit ermöglicht, können thermische Schäden an der EL-Schicht verringert werden, was bevorzugt ist.
  • Die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A können durch ein Nassabscheidungsverfahren, wie z. B. Rotationsbeschichtung, Tauchen, Sprühbeschichtung, Tintenstrahldruck, Dispensieren, Siebdruck, Offsetdruck, Rakelschneiden, Spaltbeschichtung, Walzenbeschichtung, Vorhangbeschichtung oder Rakelbeschichtung, ausgebildet werden.
  • Für die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A kann auch ein organisches Material, wie z. B. Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylbutyral, Polyvinylpyrrolidon, Polyethylenglycol, Polyglycerin, Pullulan, wasserlöslicher Cellulose oder einem alkohollöslichen Polyamidharz, verwendet werden.
  • Als Nächstes wird, wie in 12B gezeigt, eine Photolackmaske 190a über der zweiten Opferschicht 119A ausgebildet. Die Photolackmaske kann durch Auftragen eines photoempfindlichen Harzes (Photolack), Belichtung und Entwicklung ausgebildet werden.
  • Die Photolackmaske kann unter Verwendung entweder eines positiven oder eines negativen Photolackmaterials hergestellt werden.
  • Wie in 11A gezeigt, wird die Photolackmaske 190a in Positionen bereitgestellt, die mit einem später zu dem Subpixel 110a werdenden Bereich, einem später zu dem Subpixel 110b werdenden Bereich und einem später zu dem Subpixel 110c werdenden Bereich überlappen. Als Photolackmaske 190a ist für das eine Subpixel 110a, das eine Subpixel 110b und das eine Subpixel 110cvorzugsweise jeweils ein inselförmiges Muster bereitgestellt. Als Photolackmaske 190a kann alternativ jeweils ein bandförmiges Muster für die mehreren in einer Reihe angeordneten (in 11A in Y-Richtung angeordneten) Subpixel 110a, Subpixel 110b und Subpixel 110c ausgebildet werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Photolackmaske 190a vorzugsweise auch in einer Position bereitgestellt wird, die mit einem später zu dem Verbindungsabschnitt 140 werdenden Bereich überlappt. Dadurch kann verhindert werden, dass ein später zu der leitfähigen Schicht 123 werdender Bereich in dem leitfähigen Film 111 im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung beschädigt wird.
  • Als Nächstes wird, wie in 12C gezeigt, durch die Entfernung eines Teils der zweiten Opferschicht 119A unter Verwendung der Photolackmaske 190a die zweite Opferschicht 119a ausgebildet. Die zweite Opferschicht 119a verbleibt in dem später zu dem Subpixel 110a werdenden Bereich, dem später zu dem Subpixel 110b werdenden Bereich, dem später zu dem Subpixel 110c werdenden Bereich und dem später zu dem Verbindungsabschnitt 140 werdenden Bereich.
  • Beim Ätzen der zweiten Opferschicht 119A wird vorzugsweise eine Ätzbedingung mit hoher Selektivität angewandt, so dass durch das Ätzen die erste Opferschicht 118A nicht entfernt wird. Bei der Verarbeitung der zweiten Opferschicht 119A werden wegen der nicht freigelegten EL-Schicht Auswahlmöglichkeiten an Verarbeitungsverfahren mehr vergrößert als bei der Verarbeitung der ersten Opferschicht 118A. Insbesondere kann auch bei der Verwendung eines sauerstoffhaltigen Gases als Ätzgas bei der Verarbeitung der zweiten Opferschicht 119A die Verschlechterung der EL-Schicht besser verhindert werden.
  • Dann wird die Photolackmaske 190a entfernt. Die Photolackmaske 190a kann beispielsweise durch Veraschen unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas oder dergleichen entfernt werden. Alternativ kann die Photolackmaske 190a durch ein Nassätzen entfernt werden. Dabei befindet sich die erste Opferschicht 118A an der äußersten Oberfläche und damit ist die erste Schicht 113A nicht freigelegt, so dass eine Beschädigung der ersten Schicht 113A im Entfernungsprozess der Photolackmaske 190a verhindert werden kann. Ferner können Auswahlmöglichkeiten an Entfernungsverfahren der Photolackmaske 190a vergrößert werden.
  • Als Nächstes wird, wie in 13A gezeigt, durch die Entfernung eines Teils der ersten Opferschicht 118A unter Verwendung der zweiten Opferschicht 119a als Hartmaske die erste Opferschicht 118a ausgebildet.
  • Die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A können jeweils durch ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren verarbeitet werden. Die erste Opferschicht 118A und die zweite Opferschicht 119A werden vorzugsweise durch ein anisotropes Ätzen verarbeitet.
  • Durch Verwendung eines Nassätzverfahrens können Schäden an der ersten Schicht 113A bei der Verarbeitung der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Opferschicht 119A mehr verringert werden als bei der Verwendung eines Trockenätzverfahrens. Im Fall der Verwendung eines Nassätzverfahrens wird vorzugsweise zum Beispiel eine Entwicklerlösung, eine wässrige Tetramethylammoniumhydroxid- (TMAH-) Lösung, verdünnte Flusssäure, Oxalsäure, Phosphorsäure, Essigsäure, Salpetersäure oder eine ein Flüssigkeitsgemisch aus einer von diesen enthaltende chemische Lösung verwendet.
  • Im Fall der Verwendung eines Trockenätzverfahrens kann die Verschlechterung der ersten Schicht 113A ohne Verwendung eines sauerstoffhaltigen Gases als Ätzgas verhindert werden. Im Fall der Verwendung eines Trockenätzverfahrens wird vorzugsweise zum Beispiel ein CF4, C4F8, SF6, CHF3, Cl2, H2O, BCl3 oder ein Edelgas (auch als seltenes Gas bezeichnet), wie z. B. He, enthaltendes Gas als Ätzgas verwendet.
  • Beispielsweise kann im Fall der Verwendung eines durch ein ALD-Verfahren ausgebildeten Aluminiumnitridfilms als erste Opferschicht 118A diese durch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von CHF3 und He verarbeitet werden. Beispielsweise kann im Fall der Verwendung eines durch ein Sputterverfahren ausgebildeten Wolframfilms als zweite Opferschicht 119A diese durch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von CF4 und Cl2 verarbeitet werden.
  • Als Nächstes werden, wie in 13B gezeigt, durch die Entfernung eines Teils der ersten Schicht 113A unter Verwendung der zweiten Opferschicht 119a und der ersten Opferschicht 118a als Hartmaske die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c ausgebildet.
  • Dadurch verbleibt, wie in 13B gezeigt, in einem dem Subpixel 110a entsprechenden Bereich eine mehrschichtige Struktur aus der ersten Schicht 113a, der ersten Opferschicht 118a und der zweiten Opferschicht 119a über dem leitfähigen Film 111. In einem dem Subpixel 110b entsprechenden Bereich verbleibt eine mehrschichtige Struktur aus der zweiten Schicht 113b, der ersten Opferschicht 118a und der zweiten Opferschicht 119a über dem leitfähigen Film 111. In einem dem Subpixel 110c entsprechenden Bereich verbleibt eine mehrschichtige Struktur aus der dritten Schicht 113c, der ersten Opferschicht 118a und der zweiten Opferschicht 119a über dem leitfähigen Film 111. In einem dem Verbindungsabschnitt 140 entsprechenden Bereich verbleibt eine mehrschichtige Struktur aus der ersten Opferschicht 118a und der zweiten Opferschicht 119a über dem leitfähigen Film 111.
  • In den vorstehenden Prozessen können die nicht mit der Photolackmaske 190a überlappenden Bereiche der ersten Schicht 113A, der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Opferschicht 119A entfernt werden.
  • Es sei angemerkt, dass unter Verwendung der Photolackmaske 190a ein Teil der ersten Schicht 113A entfernt werden kann. Dann kann die Photolackmaske 190a entfernt werden.
  • Alternativ kann ohne Entfernung der Photolackmaske 190a ein weiterer Prozess fortgesetzt werden. Dabei können bei der Verarbeitung des leitfähigen Films 111 im späteren Prozess nicht nur die Opferschicht sondern auch die Photolackmaske als Maske verwendet werden. Durch die Verarbeitung des leitfähigen Films 111 unter Verwendung der Photolackmaske 190a kann der leitfähige Film 111 in einigen Fällen leichter verarbeitet werden als bei der Verwendung nur der Opferschicht als Hartmaske. Beispielsweise können Auswahlmöglichkeiten an Verarbeitungsbedingungen für den leitfähigen Film 111, Materialien der Opferschicht oder des leitfähigen Films und dergleichen vergrößert werden.
  • Die erste Schicht 113A wird vorzugsweise durch ein anisotropes Ätzen verarbeitet. Ein anisotropes Trockenätzen ist besonders bevorzugt. Alternativ kann ein Nassätzen verwendet werden.
  • Im Fall der Verwendung eines Trockenätzverfahrens kann die Verschlechterung der ersten Schicht 113A ohne Verwendung eines sauerstoffhaltigen Gases als Ätzgas verhindert werden.
  • Alternativ kann ein sauerstoffhaltiges Gas als Ätzgas verwendet werden. Wenn das Ätzgas Sauerstoff enthält, kann die Ätzrate erhöht werden. Deshalb kann das Ätzen unter einer Bedingung mit niedriger Leistung durchgeführt werden, während eine ausreichend hohe Ätzrate aufrechterhalten wird. Daher können Schäden an der ersten Schicht 113A verringert werden. Des Weiteren kann ein Defekt, wie z. B. Anhaften eines während des Ätzens erzeugten Reaktionsproduktes, verhindert werden.
  • Im Fall der Verwendung eines Trockenätzverfahrens wird vorzugsweise zum Beispiel ein mindestens eines von H2, CF4, C4F8, SF6, CHF3, Cl2, H2O, BCl3 und einem Edelgas, wie z. B. He und Ar, enthaltendes Gas als Ätzgas verwendet. Alternativ werden vorzugsweise ein sauerstoffhaltiges Gas und mindestens eines der vorstehenden als Ätzgas verwendet. Alternativ kann ein Sauerstoffgas als Ätzgas verwendet werden. Insbesondere kann ein H2 und Ar enthaltendes Gas oder ein CF4 und He enthaltendes Gas als Ätzgas verwendet werden. Alternativ kann beispielsweise ein CF4, He und Sauerstoff enthaltendes Gas als Ätzgas verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c vorzugsweise jeweils senkrecht oder im Wesentlichen senkrecht zu den Bildungsoberflächen angeordnet sind. Beispielsweise beträgt der Winkel zwischen den Bildungsoberflächen und diesen Seitenflächen vorzugsweise größer als oder gleich 60° und kleiner als oder gleich 90°.
  • Als Nächstes werden, wie in 13C gezeigt, durch die Verarbeitung des leitfähigen Films 111 unter Verwendung der ersten Opferschicht 118a und der zweiten Opferschicht 119a als Hartmaske die Pixelelektroden 111 a, 111b und 111c sowie die leitfähige Schicht 123 ausgebildet.
  • Bei der Verarbeitung des leitfähigen Films 111 könnte durch die Verarbeitung eines Teils der den Transistor umfassenden Schicht 101 (insbesondere der an der äußersten Oberfläche positionierten Isolierschicht) eine Ausnehmung ausgebildet werden. In der nachstehenden Beschreibung wird als Beispiel der Fall beschrieben, dass die den Transistor umfassende Schicht 101 eine Ausnehmung aufweist; jedoch kann keine Ausnehmung vorgesehen sein.
  • Die Bereitstellung der ersten Opferschicht 118a und der zweiten Opferschicht 119a an dem Verbindungsabschnitt 140 ermöglicht hierbei die Ausbildung der leitfähigen Schicht 123. Wenn die erste Opferschicht 118a und die zweite Opferschicht 119a an dem Verbindungsabschnitt 140 bereitgestellt ist, kann die Beschädigung des zu der leitfähigen Schicht 123 werdenden Bereichs in dem leitfähigen Film 111 im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung verhindert werden.
  • Das Ätzen des leitfähigen Films 111 kann durch ein Nassätzverfahren oder ein Trockenätzverfahren verarbeitet werden. Der leitfähige Film 111 wird vorzugsweise durch ein anisotropes Ätzen verarbeitet.
  • Als Nächstes wird, wie in 14A gezeigt, ein Isolierfilm 125A derart ausgebildet, um die Pixelelektroden 111a, 111b, und 111c, die leitfähige Schicht 123, die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b, die dritte Schicht 113c, die erste Opferschicht 118a und die zweite Opferschicht 119a zu bedecken.
  • Als Isolierfilm 125A kann beispielsweise ein anorganischer Isolierfilm, wie z. B. ein isolierender Oxidfilm, ein isolierender Nitridfilm, ein isolierender Oxynitridfilm oder ein isolierender Nitridoxidfilm, verwendet werden. Als Beispiele für isolierende Oxidfilme können ein Siliziumoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm, ein Magnesiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Germaniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Neodymoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm und dergleichen angegeben werden. Als Beispiele für isolierende Nitridfilme können ein Siliziumnitridfilm, ein Aluminiumnitridfilm und dergleichen angegeben werden. Als Beispiele für isolierende Oxynitridfilme können ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxynitridfilm und dergleichen angegeben werden. Als Beispiele für isolierende Nitridoxidfilme können ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumnitridoxidfilm und dergleichen angegeben werden. Alternativ kann ein Metalloxidfilm, wie z. B. ein Indium-Gallium-Zink-Oxidfilm, verwendet werden.
  • Der Isolierfilm 125A dient vorzugsweise ferner als isolierender Sperrfilm gegen Wasser und/oder Sauerstoff. Alternativ weist der Isolierfilm 125A vorzugsweise eine Funktion zur Verhinderung einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff auf. Alternativ weist der Isolierfilm 125A vorzugsweise eine Funktion zum Einfangen oder Fixieren (auch als Gettering bezeichnet) von Wasser und/oder Sauerstoff auf.
  • Es sei angemerkt, dass es sich in dieser Beschreibung und dergleichen bei einem isolierenden Sperrfilm um einen Isolierfilm mit einer Sperreigenschaft handelt. Außerdem handelt es sich in dieser Beschreibung und dergleichen bei einer Sperreigenschaft um eine Funktion zur Verhinderung einer Diffusion einer entsprechenden Substanz (auch als niedrige Durchlässigkeit bezeichnet). Alternativ handelt es sich in dieser Beschreibung und dergleichen bei einer Sperreigenschaft um eine Funktion zum Einfangen oder Fixieren (auch als Gettering bezeichnet) einer entsprechenden Substanz.
  • Wenn der Isolierfilm 125A die vorstehende Funktion des isolierenden Sperrfilms oder die vorstehende Gettering-Funktion aufweist, weist er eine Struktur auf, bei der das Eindringen von Verunreinigungen (typischerweise Wasser oder Sauerstoff) verhindert werden kann, die von außen in die jeweiligen Licht emittierenden Einrichtungen diffundieren können. Mit dieser Struktur kann eine sehr zuverlässige Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden.
  • Als Nächstes wird, wie in 14B gezeigt, ein Isolierfilm 127A über dem Isolierfilm 125A ausgebildet.
  • Für den Isolierfilm 127A kann ein organisches Material verwendet werden. Als organisches Material können beispielsweise ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, Imidharz, ein Polyamidharz, ein Polyimidamidharz, ein Silikonharz, ein Siloxanharz, ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, ein Phenolharz, Vorläufer dieser Harze und dergleichen angegeben werden. Für den Isolierfilm 127A kann ein organisches Material, wie z. B. Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylbutyral, Polyvinylpyrrolidon, Polyethylenglycol, Polyglycerin, Pullulan, wasserlöslicher Cellulose oder einem alkohollöslichen Polyamidharz, verwendet werden. Für den Isolierfilm 127A kann ferner ein lichtempfindliches Harz verwendet werden. Als lichtempfindliches Harz kann ein Photolack verwendet werden. Beispiele für das lichtempfindliche Harz umfassen positive Materialien und negative Materialien.
  • Die Ausbildungsverfahren des Isolierfilms 127A ist nicht besonders beschränkt, wobei dieser beispielsweise durch ein Nassabscheidungsverfahren, wie z. B. Rotationsbeschichtung, Tauchen, Sprühbeschichtung, Tintenstrahldruck, Dispensieren, Siebdruck, Offsetdruck, Rakelschneiden, Spaltbeschichtung, Walzenbeschichtung, Vorhangbeschichtung oder Rakelbeschichtung, ausgebildet werden kann. Insbesondere wird der Isolierfilm 127A vorzugsweise durch Rotationsbeschichtung ausgebildet.
  • Der Isolierfilm 125A und der Isolierfilm 127A werden vorzugsweise durch ein die EL-Schicht wenig beschädigendes Ausbildungsverfahren ausgebildet. Insbesondere wird der Isolierfilm 125A, da er in Kontakt mit der Seitenfläche der EL-Schicht ausgebildet wird, vorzugsweise durch ein die EL-Schicht weniger beschädigendes Ausbildungsverfahren ausgebildet als bei dem Isolierfilm 127A. Der Isolierfilm 125A und der Isolierfilm 127A werden jeweils bei einer niedrigeren Temperatur als die obere Temperaturgrenze der EL-Schicht (typischerweise niedriger als oder gleich 200 °C, bevorzugt niedriger als oder gleich 100 °C, bevorzugter niedriger als oder gleich 80 °C) ausgebildet. Als Isolierfilm 125A kann beispielsweise einen Aluminiumoxidfilm durch ein ALD-Verfahren ausgebildet werden. Durch ein ALD-Verfahren können Abscheidungsschäden verringert werden und ein Film mit guter Abdeckung kann ausgebildet werden, was bevorzugt ist.
  • Als Nächstes werden, wie in 14C gezeigt, durch die Verarbeitung des Isolierfilms 125A und des Isolierfilms 127A die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 ausgebildet. Die Isolierschicht 127 wird in Kontakt mit der Seitenfläche der Isolierschicht 125 und der nach oben weisenden Oberfläche der Ausnehmung ausgebildet. Die Isolierschicht 125 (auch die Isolierschicht 127) wird die Seitenflächen der Pixelelektroden 111 a, 111b und 111c bedeckend bereitgestellt. Dadurch kann ein Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verhindert werden, der durch einen Kontakt eines später ausgebildeten Films (eines in der EL-Schicht enthaltenen Films oder der gemeinsamen Elektrode) mit den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c verursacht wird. Die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 werden ferner die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c bedeckend bereitgestellt. Dadurch wird ein Kontakt eines später ausgebildeten Films mit den Seitenflächen dieser Schichten verhindert, was den Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verhindern kann. Ferner können in späteren Prozessen Schäden an der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c verringert werden.
  • Wenn insbesondere an einem Teil der den Transistor umfassenden Schicht 101 (insbesondere der an der äußersten Oberfläche positionierten Isolierschicht) eine Ausnehmung ausgebildet ist, ist die Bedeckung der ganzen Seitenflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c mit der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 möglich, was bevorzugt ist.
  • An dem Verbindungsabschnitt 140 wird die Isolierschicht 125 (auch die Isolierschicht 127) vorzugsweise die Seitenfläche der leitfähigen Schicht 123 bedeckend bereitgestellt.
  • Der Isolierfilm 127A wird vorzugsweise zum Beispiel durch Veraschen unter Verwendung eines Sauerstoffplasmas verarbeitet.
  • Der Isolierfilm 125A wird vorzugsweise durch ein Trockenätzverfahren verarbeitet. Der Isolierfilm 125A wird vorzugsweise durch ein anisotropes Ätzen verarbeitet. Der Isolierfilm 125A kann unter Verwendung eines bei der Verarbeitung der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Opferschicht 119A verwendbaren Ätzgases verarbeitet werden.
  • Als Nächstes werden, wie in 15A gezeigt, die erste Opferschicht 118a und die zweite Opferschicht 119a entfernt. Dadurch werden die erste Schicht 113a über der Pixelelektrode 111a, die zweite Schicht 113b über der Pixelelektrode 111b, die dritte Schicht 113c über der Pixelelektrode 111c und die leitfähige Schicht 123 an dem Verbindungsabschnitt 140 freigelegt.
  • Die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 weisen vorzugsweise jeweils die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Oberseitenhöhe auf wie diejenige mindestens einer der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c. Ferner weist die Oberseite der Isolierschicht 127 vorzugsweise eine flache Form auf und kann eine Erhebung oder eine Vertiefung aufweisen.
  • Der Entfernungsprozess der Opferschicht kann durch ein ähnliches Verfahren wie dasjenige für den Verarbeitungsprozess der Opferschicht durchgeführt werden. Insbesondere durch Verwendung eines Nassätzverfahrens können Schäden an der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c bei der Entfernung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht mehr verringert werden als bei der Verwendung eines Trockenätzverfahrens.
  • Die erste Opferschicht und die zweite Opferschicht können entweder in einem gesonderten Prozess oder in demselben Prozess entfernt werden.
  • Alternativ kann die erste Opferschicht und/oder die zweite Opferschicht durch Auflösung in einem Lösungsmittel, wie z. B. Wasser oder Alkohol, entfernt werden. Als Alkohol kann Ethylalkohol, Methylalkohol, Isopropylalkohol (IPA), Glycerin oder dergleichen angegeben werden.
  • Nach der Entfernung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht kann eine Trocknungsbehandlung durchgeführt werden, um in der EL-Schicht enthaltenes Wasser und an der Oberfläche der EL-Schicht adsorbiertes Wasser zu entfernen. Beispielsweise kann eine Wärmebehandlung in einer Inertgasatmosphäre oder in einer Atmosphäre mit reduziertem Druck durchgeführt werden. Die Wärmebehandlung kann bei einer Substrattemperatur von höher als oder gleich 50 °C und niedriger als oder gleich 200 °C, bevorzugt höher als oder gleich 60 °C und niedriger als oder gleich 150 °C, bevorzugter höher als oder gleich 70 °C und niedriger als oder gleich 120 °C durchgeführt werden. In einer Atmosphäre mit reduziertem Druck ist eine Trocknung bei einer niedrigeren Temperatur möglich, was bevorzugt ist.
  • Als Nächstes wird, wie in 15B gezeigt, die fünfte Schicht 114 derart ausgebildet, um die Isolierschichten 125 und 127, die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b, die dritte Schicht 113c und die leitfähige Schicht 123 zu bedecken.
  • Die für die fünfte Schicht 114 verwendbaren Materialien sind wie vorstehend. Die fünfte Schicht 114 kann durch ein Verdampfungsverfahren (darunter auch ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Ferner kann die fünfte Schicht 114 unter Verwendung eines vorgemischten Materials ausgebildet werden.
  • Wenn hierbei die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 nicht bereitgestellt sind, könnte eine der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c in Kontakt mit der fünften Schicht 114 stehen. Ein Kontakt dieser Schichten miteinander könnte z. B. im Fall einer hohen Leitfähigkeit der fünften Schicht 114 einen Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verursachen. Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch, da die Isolierschichten 125 und 127 die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b, der dritten Schicht 113c und der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c bedecken, der Kontakt der fünften Schicht 114 mit hoher Leitfähigkeit mit diesen Schichten verhindert werden, und damit kann der Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verhindert werden. Somit kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung erhöht werden.
  • Dann wird, wie in 15B gezeigt, die gemeinsame Elektrode 115 über der fünften Schicht 114 und der leitfähigen Schicht 123 ausgebildet. Wie in 15B gezeigt, sind die leitfähige Schicht 123 und die gemeinsame Elektrode 115 über die fünfte Schicht 114 elektrisch miteinander verbunden.
  • Die für die gemeinsame Elektrode 115 verwendbaren Materialien sind wie vorstehend. Die gemeinsame Elektrode 115 kann beispielsweise durch ein Sputterverfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren ausgebildet werden. Alternativ können ein durch ein Verdampfungsverfahren ausgebildeter Film und ein durch ein Sputterverfahren ausgebildeter Film übereinander angeordnet sind.
  • Dann werden die Schutzschicht 131 über der gemeinsamen Elektrode 115 und die Schutzschicht 132 über der Schutzschicht 131 ausgebildet. Anschließend werden die Farbschichten 129a, 129b und 129c über der Schutzschicht 131 derart ausgebildet, um einen mit den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c überlappenden Bereich aufzuweisen. Ferner wird mittels der Harzschicht 122 das Substrat 120 über den Farbschichten 129a, 129b und 129c befestigt, um die Anzeigevorrichtung 100 in 1B herstellen zu können.
  • Die für die Schutzschichten 131 und 132 verwendbaren Materialien und Abscheidungsverfahren sind wie vorstehend. Als Abscheidungsverfahren der Schutzschichten 131 und 132 können ein Vakuumverdampfungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein CVD-Verfahren, ein ALD-Verfahren und dergleichen angegeben werden. Die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 können auch durch voneinander unterschiedliche Abscheidungsverfahren ausgebildete Filme sein. Die Schutzschichten 131 und 132 können ferner jeweils eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen.
  • Die Farbschicht 129a, die Farbschicht 129b und die Farbschicht 129c können durch ein Tintenstrahlverfahren, ein Ätzverfahren unter Verwendung eines Photolithographieverfahrens oder dergleichen jeweils in einer erwünschten Position ausgebildet werden. Insbesondere können die je Pixel voneinander unterschiedlichen Farbschichten 129 (die Farbschicht 129a, die Farbschicht 129b oder die Farbschicht 129c) ausgebildet werden.
  • Es sei angemerkt, dass bei der Abscheidung der gemeinsamen Elektrode 115 eine Maske zum Definieren eines zu abscheidenden Bereichs (auch als Bereichsmaske oder grobe Metallmaske bezeichnet) verwendet werden kann. Alternativ kann nach dem Prozess in 15B ohne Verwendung dieser Maske zur Abscheidung der gemeinsamen Elektrode 115 der Verarbeitungsprozess der gemeinsamen Elektrode 115 und der fünften Schicht 114 in 15C und 16A durchgeführt werden, gefolgt vom Ausbildungsprozess der Schutzschicht 131.
  • Wie in 15C und 11B gezeigt, eine Photolackmaske 190b über der gemeinsamen Elektrode 115 ausgebildet. An dem Endabschnitt auf der Seite Y2 in 15C existiert ein Abschnitt ohne die Photolackmaske 190b. Wie in 11B gezeigt, wird die Photolackmaske 190b in einem mit den Subpixeln und dem Verbindungsabschnitt 140 überlappenden Bereich bereitgestellt. Der Bereich ohne die Photolackmaske 190b befindet sich nämlich weiter außen als der Verbindungsabschnitt 140.
  • Als Nächstes werden, wie in 16A gezeigt, unter Verwendung der Photolackmaske 190b ein Teil der gemeinsamen Elektrode 115 und ein Teil der fünften Schicht 114 entfernt. Dadurch können die gemeinsame Elektrode 115 und die fünfte Schicht 114 verarbeitet werden.
  • Es sei angemerkt, dass im vorstehenden Prozess eine Struktur gezeigt ist, bei der ein Teil der Isolierschicht 127 durch Veraschen oder dergleichen entfernt wird, um die erste Opferschicht 118a und dergleichen freizulegen (siehe 14C); jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise ist, wie in 16B gezeigt, eine Struktur mit Öffnungen in mit den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c sowie der leitfähigen Schicht 123 überlappenden Positionen der Isolierschicht 127A möglich. Beispielsweise kann ein Muster mit den Öffnungen in den mit den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c sowie der leitfähigen Schicht 123 überlappenden Positionen dadurch ausgebildet werden, dass ein lichtempfindliches Harz als Isolierfilm 127A aufgetragen wird, und eine Belichtung sowie eine Entwicklung durchgeführt werden.
  • Wie in 16B gezeigt, kann nach der Strukturierung des Isolierfilms 127A die Anzeigevorrichtung 100 durch einen ähnlichen Prozess wie den vorstehenden Prozesse in 15B bis 16A ausgebildet werden.
  • Dabei sind allerdings, wie in 16B gezeigt, die Oberseiten der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 in einigen Fällen höher als die zweite Opferschicht 119A. Daher verbleibt in einigen Fällen bei der Entfernung der ersten Opferschicht 118A und der zweiten Schicht 119A ein Teil dieser Schichten. Daher wird, wie in 16C gezeigt, auch nach der Ausbildung der gemeinsamen Elektrode 115 die durch ein Ätzen nicht entfernte erste 118 Opferschicht und/oder zweite Opferschicht 119 in einigen Fällen über der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b, der dritten Schicht 113c und/oder der leitfähigen Schicht 123 ausgebildet.
  • Eine durch die Seitenflächen der ersten Opferschicht 118 und der zweiten Opferschicht 119 sowie einen Teil der Seitenfläche der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 ausgebildete Fläche ist hierbei in einer Querschnittsansicht vorzugsweise verjüngt. Wenn diese Fläche in einer Querschnittsansicht verjüngt ist, können die fünfte Schicht 114 und die gemeinsame Elektrode 115 mit guter Abdeckung ausgebildet werden, die die erste Opferschicht 118, die zweite Opferschicht 119, die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 bedeckend ausgebildet werden, und damit kann ein Entstehen einer Trennung und dergleichen verhindert werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 in 3B kann dadurch ausgebildet werden, dass auf diese Weise die Anzeigevorrichtung 100 ausgebildet wird.
  • Alternativ kann, wie in 17A gezeigt, die Isolierschichten 125 und 127, die erste Schicht 113a, die zweite Schicht 113b und die dritte Schicht 113c bedeckend die gemeinsame Elektrode 115 ohne die fünfte Schicht 114 ausgebildet werden. Das heißt, dass in der Licht emittierenden Einrichtung jedes Subpixels alle in der EL-Schicht enthaltenen Schichten getrennt ausgebildet werden können. Dabei wird jede EL-Schicht der Licht emittierenden Einrichtung inselförmig ausgebildet.
  • Hierbei könnte ein Kontakt einer der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c mit der gemeinsamen Elektrode 115 einen Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verursachen. Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann jedoch, da die Isolierschichten 125 und 127 die Seitenflächen der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b, der dritten Schicht 113c und der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c bedecken, der Kontakt der gemeinsamen Elektrode 115 mit diesen Schichten verhindert werden, und damit kann der Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verhindert werden. Somit kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung erhöht werden.
  • Im Fall, dass bei der Verarbeitung des Isolierfilms 111 ein Teil der den Transistor umfassenden Schicht 101 (insbesondere die an der äußersten Oberfläche positionierte Isolierschicht) nicht verarbeitet wird, weist die den Transistor umfassenden Schicht 101 in einigen Fällen keine Ausnehmung auf, wie in 17B gezeigt.
  • Alternativ kann sich im Prozess in 15B in der Querschnittansicht entlang Y1-Y2 der Endabschnitt der fünften Schicht 114 auf der Seite des Verbindungsabschnitts 140 weiter innen als der Verbindungsabschnitt 140 befinden, so dass die leitfähige Schicht 123 freigelegt bleibt. Beispielsweise kann bei der Abscheidung der fünften Schicht 114 eine Maske zum Definieren eines zu abscheidenden Bereichs (auch als Bereichsmaske oder grobe Metallmaske bezeichnet) verwendet werden. Da die fünfte Schicht 114 dabei nicht über der leitfähigen Schicht 123 bereitgestellt wird, werden die leitfähige Schicht 123 und die gemeinsame Elektrode 115 nicht über die fünfte Schicht 114 elektrisch miteinander verbunden.
  • 18A bis 18F zeigen jeweils eine Querschnittsstruktur eines die Isolierschicht 127 und deren Umgebung umfassenden Bereichs 139.
  • 18A zeigt ein Beispiel, bei dem sich die Dicken der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b voneinander unterscheiden. Die Isolierschicht 125 weist auf der Seite der ersten Schicht 113a die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Oberseitenhöhe wie diejenige der ersten Schicht 113a und auf der Seite der zweiten Schicht 113b die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Oberseitenhöhe wie diejenige der zweiten Schicht 113b auf. Die Oberseite der Isolierschicht 127 weist eine sanfte Neigung auf, bei der sie auf der Seite der ersten Schicht 113a höher ist als auf der Seite der zweiten Schicht 113b. Auf diese Weise sind die Höhen der Isolierschicht 125 und der Isolierschicht 127 jeweils zu den Höhen der diesen benachbarten Oberseite der EL-Schicht ausgerichtet. Alternativ können die Oberseiten zu einer der Höhen der benachbarten Oberseite der EL-Schicht ausgerichtet einen ebenen Abschnitt aufweisen.
  • In 18B weist die Oberseite der Isolierschicht 127 einen Bereich auf, der höher ist als die Oberseiten der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b. Die Oberseite der Isolierschicht 127 weist ferner eine sich nach der Mitte sanft erhebende konvexe Form auf.
  • In 18C weist die Isolierschicht 127 einen Bereich auf, der höher ist als die Oberseiten der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b. In einem Bereich 139 weist die Anzeigevorrichtung 100 die erste Opferschicht 118 und/oder die zweite Opferschicht 119 auf, wobei die Isolierschicht 127 den Bereich aufweist, der höher ist als die Oberseiten der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b und sich weiter außen befindet als die Isolierschicht 125, und sich dieser Bereich über der ersten Opferschicht 118 und/oder der zweiten Opferschicht 119 befindet.
  • In 18D weist die Oberseite der Isolierschicht 127 einen Bereich auf, der niedriger ist als die Oberseiten der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b. Die Oberseite der Isolierschicht 127 weist ferner eine sich nach der Mitte sanft vertiefende konkave Form auf.
  • In 18E weist die Oberseite der Isolierschicht 125 einen Bereich auf, der höher ist als die Oberseiten der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b. Das heißt, dass die Isolierschicht 125 in die Bildungsoberfläche der fünften Schicht 114 ragt und einen Vorsprung ausbildet.
  • Im Fall, dass bei der Ausbildung der Isolierschicht 125 diese beispielsweise derart ausgebildet wird, dass sie zu der Höhe der Opferschicht ausgerichtet oder im Wesentlichen ausgerichtet ist, wird in einigen Fällen eine Form der ragenden Isolierschicht 125 ausgebildet, wie in 18E gezeigt.
  • In 18F weist die Oberseite der Isolierschicht 125 einen Bereich auf, der niedriger ist als die Oberseiten der ersten Schicht 113a und der zweiten Schicht 113b. Das heißt, dass die Isolierschicht 125 in der Bildungsoberfläche der fünften Schicht 114 eine Ausnehmung ausbildet.
  • Auf diese Weise können auf die Isolierschicht 125 und die Isolierschicht 127 verschiedene Formen angewandt werden.
  • Davon ausgehend wird bei dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform die inselförmige EL-Schicht nicht unter Verwendung einer feinen Metallmaske, sondern durch eine Verarbeitung nach der Abscheidung der EL-Schicht an der einen ganzen Fläche ausgebildet, so dass die inselförmige EL-Schicht mit gleichmäßiger Dicke ausgebildet werden kann. Außerdem kann die Anzeigevorrichtung mit hoher Definition oder hohem Öffnungsverhältnis erzielt werden.
  • Die in der weißes Licht emittierenden Einrichtung enthaltene erste, zweite und dritte Schicht können in demselben Prozess ausgebildet werden. Daher kann der Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung vereinfachet werden und die Herstellungskosten können reduziert werden.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine die Seitenflächen der Pixelelektrode, der Licht emittierenden Schicht und der Ladungsträgertransportschicht bedeckende Isolierschicht auf. Im Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung wird die EL-Schicht in einem Zustand verarbeitet, in dem die Licht emittierende Schicht und die Ladungsträgertransportschicht übereinander angeordnet sind, so dass bei dieser Anzeigevorrichtung Schäden an der Licht emittierenden Schicht verringert werden. Die Isolierschicht verhindert ferner einen Kontakt der Pixelelektrode mit der Ladungsträgertransportschicht oder der gemeinsamen Elektrode, und damit wird der Kurzschluss der Licht emittierenden Einrichtung verhindert.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden. Im Fall, dass in dieser Beschreibung mehrere Strukturbeispielen bei einer Ausführungsform gezeigt wird, können die Strukturbeispiele je nach Bedarf kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 2)
  • In dieser Ausführungsform werden Strukturbeispiele für die auf die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anwendbare, Licht emittierende Einrichtung anhand von 19 und 20 beschrieben.
  • Die Anzeigevorrichtungen 500 in 19A und 19B weisen mehrere weißes Licht emittierende Einrichtungen 550W auf. Über den Licht emittierenden Einrichtungen 550W werden jeweils eine rotes Licht durchlassende Farbschicht 545R, eine grünes Licht durchlassende Farbschicht 545G und eine blaues Licht durchlassende Farbschicht 545B bereitgestellt. Hierbei werden die Farbschicht 545R, die Farbschicht 545G und die Farbschicht 545B über den Licht emittierenden Einrichtungen 550W bereitgestellt, wobei dazwischen eine Schutzschicht 540 liegt.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 550W in 19A weist zwischen einem Paar von Elektroden (der Elektrode 501 und der Elektrode 502) eine Licht emittierende Einheit 512W auf. Die Elektrode 501 dient als Pixelelektrode und ist für jede Licht emittierende Einrichtung bereitgestellt. Die Elektrode 502 dient als gemeinsame Elektrode und ist den mehreren Licht emittierenden Einrichtungen gemeinsam bereitgestellt.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 550W in 19A weist nämlich die eine Licht emittierende Einheit auf. Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung eine Struktur mit einer Licht emittierenden Einheit zwischen einem Paar von Elektroden, wie die Licht emittierende Einrichtung 550W in 19A, als Single-Struktur bezeichnet wird.
  • Die Licht emittierenden Einheiten 512W in 19A können als inselförmige Schichten ausgebildet werden. Das heißt, dass die Licht emittierenden Einheiten 512W in 19A der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b bzw. der dritten Schicht 113c in 1B und dergleichen entsprechen. Es sei angemerkt, dass die Licht emittierenden Einrichtungen 550W der Licht emittierenden Einrichtung 130a, der Licht emittierenden Einrichtung 130b bzw. der Licht emittierenden Einrichtung 130c entsprechen. Ferner entsprechen die Elektroden 501 der Pixelelektrode 111a, der Pixelelektrode 111b bzw. der Pixelelektrode 111c. Ferner entspricht die Elektrode 502 der gemeinsamen Elektrode 115.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 512W weist eine Schicht 521, eine Schicht 522, eine Licht emittierende Schicht 523Q_1, eine Licht emittierende Schicht 523Q_2, eine Licht emittierende Schicht 523Q_3, eine Schicht 524 und dergleichen auf. Außerdem weist die Licht emittierende Einrichtung 550W eine Schicht 525 und dergleichen zwischen der Licht emittierenden Einheit 512W und der Elektrode 502.
  • 19A zeigt ein Beispiel, bei dem die Licht emittierende Einheit 512W die Schicht 525 nicht aufweist, sondern die Schicht 525 den Licht emittierenden Einrichtungen gemeinsam bereitgestellt ist. Dabei kann die Schicht 525 als gemeinsame Schicht bezeichnet werden. Wenn auf diese Weise für mehrere Licht emittierende Einrichtungen eine oder mehrere gemeinsame Schichten bereitgestellt werden, kann der Herstellungsprozess vereinfacht werden, so dass die Herstellungskosten reduziert werden können. Es sei angemerkt, dass für jede Licht emittierende Einrichtung die Schicht 525 bereitgestellt werden kann. Das heißt, dass die Schicht 525 in der Licht emittierenden Einheit 512W auch enthalten werden kann.
  • Die Schicht 521 umfasst beispielsweise eine Schicht enthaltend eine Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft (Lochinjektionsschicht) oder dergleichen. Die Schicht 522 umfasst beispielsweise eine Schicht enthaltend eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft (Lochtransportschicht) oder dergleichen. Die Schicht 524 umfasst beispielsweise eine Schicht enthaltend eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft (Elektronentransportschicht) oder dergleichen. Die Schicht 525 umfasst beispielsweise eine Schicht enthaltend eine Substanz mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft (Elektroneninjektionsschicht) oder dergleichen.
  • Alternativ ist eine Struktur möglich, bei der die Schicht 521, die Schicht 522, die Schicht 524 und die Schicht 525 eine Elektroneninjektionsschicht, eine Elektronentransportschicht, eine Lochtransportschicht bzw. eine Lochinjektionsschicht umfassen.
  • Es sei angemerkt, dass in 19A die Schicht 521 und die Schicht 522 getrennt gezeigt werden; jedoch sind sie nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann im Fall, dass die Schicht 521 sowohl als Lochinjektionsschicht wie auch als Lochtransportschicht dient, oder im Fall, dass die Schicht 521 sowohl als Elektroneninjektionsschicht wie auch als Elektronentransportschicht dient, die Schicht 522 weggelassen werden.
  • Wenn bei der Licht emittierenden Einrichtung 550W in 19A die Licht emittierenden Schichten derart ausgewählt werden, dass die Licht emittierende Schicht 523Q_1, die Licht emittierende Schicht 523Q_2 und die Licht emittierende Schicht 523Q_3 Licht von Komplementärfarben emittieren, kann eine weiße Lichtemission aus der Licht emittierenden Einrichtung 550W erhalten werden. Es sei angemerkt, dass hierbei ein Beispiel gezeigt ist, bei dem die Licht emittierende Einheit 512W die drei Licht emittierenden Schichten aufweist; jedoch sind beispielsweise auch die zwei Licht emittierenden Schichten ohne Rücksicht auf deren Anzahl möglich.
  • Indem über einer derartigen eine weiße Lichtemission ermöglichenden, Licht emittierenden Einrichtung 550W die Farbschicht 545R, die Farbschicht 545G bzw. die Farbschicht 545B bereitgestellt wird, kann jede Pixel rotes, grünes bzw. blaues Licht emittieren, so dass eine Vollfarbanzeige ermöglicht werden kann. Es sei angemerkt, dass in 19A und dergleichen ein Beispiel gezeigt ist, bei dem die rotes Licht durchlassende Farbschicht 545R, die grünes Licht durchlassende Farbschicht 545G und die blaues Licht durchlassende Farbschicht 545B bereitgestellt werden; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Sichtbares Licht in durch die Farbschichten durchgehenden Farben kann mindestens zwei oder mehr voneinander unterschiedliche Farben haben, die beispielsweise aus Rot, Grün, Blau, Cyan, Magenta, Gelb und dergleichen angemessen ausgewählt werden können.
  • Die angemessen bereitgestellten Farbschichten ermöglichen daher eine Vollfarbanzeige, auch wenn die Schichten 521, die Schichten 522, die Schichten 524, die Schicht 525, die Licht emittierenden Schichten 523Q_1, die Licht emittierenden Schichten 523Q_2 und die Licht emittierenden Schichten 523Q_3 in den Pixeln in jeder Farbe dieselbe Struktur (Materialien, Filmdicke und dergleichen) aufweisen. Infolgedessen müssen bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Licht emittierenden Einrichtungen je Pixel nicht getrennt ausgebildet werden, was den Herstellungsprozess vereinfachen und die Herstellungskosten reduzieren kann. Die vorliegende Erfindung ist allerdings nicht darauf beschränkt, sondern können eine oder mehrere der Schicht 521, der Schicht 522, der Schicht 524, der Schicht 525, der Licht emittierenden Schicht 523Q_1, der Licht emittierenden Schicht 523Q_2 und der Licht emittierenden Schicht 523Q_3 eine je nach dem Pixel voneinander unterschiedliche Struktur aufweisen.
  • Die Licht emittierende Einrichtung 550W in 19B weist eine Struktur auf, bei der zwei Licht emittierende Einheiten (eine Licht emittierende Einheit 512Q_1 und eine Licht emittierende Einheit 512Q_2) zwischen einem Paar von Elektroden (einer Elektrode 501 und einer Elektrode 502) übereinander angeordnet sind, wobei eine Zwischenschicht 531 dazwischen liegt.
  • Außerdem weist die Zwischenschicht 531 eine Funktion auf, beim Anlegen einer Spannung zwischen der Elektrode 501 und der Elektrode 502 in eine der Licht emittierenden Einheit 512Q_1 und der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 Elektronen zu injizieren und in die andere Löcher zu injizieren. Die Zwischenschicht 531 kann auch als Ladungserzeugungsschicht bezeichnet werden.
  • Für die Zwischenschicht 531 kann beispielsweise ein für die Elektroneninjektionsschicht verwendbares Material, wie z. B. Lithium, vorteilhaft verwendet werden. Ferner kann für die Zwischenschicht beispielsweise ein für die Lochinjektionsschicht verwendbares Material vorteilhaft verwendet werden. Als Zwischenschicht kann eine Schicht enthaltend ein Material mit einer hohen Lochtransporteigenschaft (Lochtransportmaterial) und ein Akzeptormaterial (Elektronenakzeptormaterial) verwendet werden. Ferner kann als Zwischenschicht eine Schicht enthaltend ein Material mit hoher Elektronentransporteigenschaft (Elektronentransportmaterial) und ein Donatormaterial verwendet werden. Wenn die Zwischenschicht mit derartigen Schichten ausgebildet wird, kann eine Erhöhung der Betriebsspannung beim Übereinanderanordnen der Licht emittierenden Einheiten verhindert werden.
  • Die Licht emittierende Einheit 512Q_1 umfasst eine Schicht 521, eine Schicht 522, eine Licht emittierende Schicht 523Q_1, eine Schicht 524 und dergleichen. Die Licht emittierende Einheit 512Q_2 umfasst die Schicht 522, die Licht emittierende Schicht 523Q_2, die Schicht 524 und dergleichen. Außerdem umfasst die Licht emittierende Einrichtung 550W eine Schicht 525 und dergleichen zwischen der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 und der Elektrode 502. Es sei angemerkt, dass die Schicht 525 als ein Teil der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 angesehen werden kann.
  • Wenn bei der Licht emittierenden Einrichtung 550W in 19B die Licht emittierenden Schichten derart ausgewählt werden, dass die Licht emittierende Schicht 523Q_1 und die Licht emittierende Schicht 523Q_2 Licht von Komplementärfarben emittieren, kann eine weiße Lichtemission aus der Licht emittierenden Einrichtung 550W erhalten werden. In den Licht emittierenden Schichten 523Q_1 und 523Q_2 sind jeweils vorzugsweise Licht emittierende Substanzen enthalten, die Licht in R (Rot), G (Grün), B (Blau), Y (Gelb), O (Orange) und dergleichen emittieren. Alternativ enthält eine Lichtemission aus den Licht emittierenden Substanzen der Licht emittierenden Schichten 523Q_1 und 523Q_2 vorzugsweise zwei oder mehr Spektralkomponenten von R, G und B.
  • Hier wird ein Beispiel für für die Licht emittierende Einrichtung 550W verwendbare Kombinationen von Emissionsfarben der Licht emittierenden Schichten der Licht emittierenden Einheiten beschrieben.
  • Im Fall, dass beispielsweise die Licht emittierende Einrichtung 550W zwei Licht emittierende Einheiten aufweist, werden rotes und grünes Licht aus einer der Licht emittierenden Einheiten und blaues Licht aus der anderen Licht emittierenden Einheit emittiert, um die weißes Licht emittierende Einrichtung 550W erhalten zu können. Alternativ werden gelbes oder oranges Licht aus einer der Licht emittierenden Einheiten und blaues Licht aus der anderen Licht emittierenden Einheit emittiert, um die weißes Licht emittierende Einrichtung 550W erhalten zu können.
  • Im Fall, dass beispielsweise die Licht emittierende Einrichtung 550W drei Licht emittierende Einheiten aufweist, werden rotes Licht aus einer der Licht emittierenden Einheiten, grünes Licht aus einer der anderen der Licht emittierenden Einheiten und blaues Licht aus der übrigen einen Licht emittierenden Einheit emittiert, um die weißes Licht emittierende Einrichtung 550W erhalten zu können. Alternativ können eine blaues Licht emittierende Schicht für die erste Licht emittierende Einheit, eine gelbes, gelbgrünes oder grünes Licht emittierende Schicht für die zweite Licht emittierende Einheit und eine blaues Licht emittierende Schicht für die dritte Licht emittierende Einheit verwendet werden. Alternativ können eine blaues Licht emittierende Schicht für die erste Licht emittierende Einheit, eine mehrschichtige Struktur aus einer rotes Licht emittierenden Schicht und einer gelbes, gelbgrünes oder grünes Licht emittierenden Schicht für die zweite Licht emittierende Einheit und eine blaues Licht emittierende Schicht für die dritte Licht emittierende Einheit verwendet werden.
  • Im Fall, dass beispielsweise die Licht emittierende Einrichtung 550W vier Licht emittierende Einheiten aufweist, können alternativ eine blaues Licht emittierende Schicht für die erste Licht emittierende Einheit, eine rotes Licht emittierende Schicht für eine der zweiten und dritten Licht emittierenden Einheit, eine gelbes, gelbgrünes oder grünes Licht emittierende Schicht für die andere der zweiten und dritten Licht emittierenden Einheit und eine blaues Licht emittierende Schicht für die vierte Licht emittierende Einheit verwendet werden.
  • Eine Struktur, bei der mehrere Licht emittierende Einheiten, zwischen denen die Zwischenschicht 531 liegt, in Reihe miteinander geschaltet sind, wie die Licht emittierende Einrichtung 550W in 19B, wird in dieser Beschreibung als Tandem-Struktur bezeichnet. Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung und dergleichen die Bezeichnung „Tandem-Struktur“ verwendet wird; jedoch kann, ohne darauf beschränkt zu sein, beispielsweise die Tandem-Struktur als Stapel-Struktur bezeichnet werden. Es sei angemerkt, dass dann, wenn die Tandem-Struktur verwendet wird, eine Licht emittierende Einrichtung erhalten kann, die mit hoher Leuchtdichte Licht emittierenden kann. Außerdem kann bei der Tandem-Struktur ein zum Erhalten der gleichen Leuchtdichte benötigter Strom im Vergleich mit der Single-Struktur verringert werden, so dass ein Stromverbrauch der Anzeigevorrichtung verringert werden kann und die Zuverlässigkeit erhöht werden kann.
  • Es sei angemerkt, dass hierbei ein Beispiel gezeigt ist, bei dem die Licht emittierende Einheit 512Q_1 und die Licht emittierende Einheit 512Q_2 jeweils eine Licht emittierende Schicht aufweisen; jedoch wird die Anzahl der Licht emittierenden Schichten in jeder Licht emittierenden Einheit nicht berücksichtigt. Die Licht emittierenden Einheiten 512Q_1 und 512Q_2 können beispielsweise eine voneinander unterschiedliche Anzahl von Licht emittierenden Schichten aufweisen. Beispielsweis können eine der Licht emittierenden Einheiten eine zweischichtige Licht emittierende Schicht und die andere der Licht emittierenden Einheiten eine einschichtige Licht emittierende Schicht aufweisen.
  • Die Anzeigevorrichtung 500 in 20A ist ein Beispiel, bei dem die Licht emittierende Einrichtung 550W eine Struktur mit drei übereinander angeordneten Licht emittierenden Einheiten aufweist. In 20A ist bei der Licht emittierenden Einrichtung 550W über der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 ferner eine Licht emittierende Einheit 512Q_3 angeordnet, wobei die Zwischenschicht 531 dazwischen liegt. Die Licht emittierende Einheit 512Q_3 umfasst die Schicht 522, die Licht emittierende Schicht 523Q_3, die Schicht 524 und dergleichen. Die Licht emittierende Einheit 512Q_3 kann dieselbe Struktur wie die Licht emittierende Einheit 512Q_2 aufweisen.
  • Im Fall, dass die Licht emittierende Einrichtung eine Tandem-Struktur aufweist, wird die Anzahl der Licht emittierenden Einheiten nicht besonders beschränkt, wobei auch zwei oder mehr Licht emittierende Einheiten vorgesehen sein kann.
  • 20B zeigt ein Beispiel, bei dem n Licht emittierende Einheiten 512Q_1 bis 512Q_n (n ist eine ganze Zahl von zwei oder mehr) übereinander angeordnet sind.
  • Auf diese Weise kann, indem die Anzahl von übereinander angeordneten Licht emittierenden Einheiten erhöht wird, die durch die gleiche Strommenge von einer Licht emittierenden Einheit erhaltbare Leuchtdichte entsprechend der Anzahl von Übereinanderanordnungen erhöht werden. Indem die Anzahl von übereinander angeordneten Licht emittierenden Einheiten erhöht wird, kann ein zum Erhalten der gleichen Leuchtdichte benötigter Strom verringert werden, so dass der Stromverbrauch der Licht emittierenden Einrichtung entsprechend der Anzahl von Übereinanderanordnungen verringert werden.
  • Es sei angemerkt, dass in der Anzeigevorrichtung 500 ein Licht emittierendes Material der Licht emittierenden Schicht nicht besonders beschränkt ist. Beispielsweise können bei der Anzeigevorrichtung 500 in 3B die Licht emittierende Schicht 523Q_1 der Licht emittierenden Einheit 512Q_1 ein phosphoreszierendes Material und die Licht emittierende Schicht 523Q_2 der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 ein fluoreszierendes Material enthalten. Alternativ können die Licht emittierende Schicht 523Q_1 der Licht emittierenden Einheit 512Q_1 ein fluoreszierendes Material und die Licht emittierende Schicht 523Q_2 der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 ein phosphoreszierendes Material enthalten.
  • Es sei angemerkt, dass die Struktur der Licht emittierenden Einheit nicht darauf beschränkt wird. Beispielsweise können bei der Anzeigevorrichtung 500 in 3B die Licht emittierende Schicht 523Q_1 der Licht emittierenden Einheit 512Q_1 ein TADF-Material und die Licht emittierende Schicht 523Q_2 der Licht emittierenden Einheit 512Q_2 entweder ein fluoreszierendes Material oder ein phosphoreszierendes Material enthalten. Wenn auf diese Weise voneinander unterschiedliche Licht emittierende Materialien verwendet werden, beispielsweise ein Licht emittierendes Material mit hoher Zuverlässigkeit und ein Licht emittierendes Material mit einer hohen Emissionseffizienz miteinander kombiniert werden, können ihre Nachteile einander ersetzt werden, wodurch die Anzeigevorrichtung sowohl eine erhöhte Zuverlässigkeit als auch eine erhöhte Emissionseffizienz aufweisen kann.
  • Es sei angemerkt, dass bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sämtliche Licht emittierenden Schichten ein fluoreszierendes Material oder ein phosphoreszierendes Material enthalten können.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 3)
  • In dieser Ausführungsform wird eine Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 21 bis 23 beschrieben.
  • Die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung oder eine große Anzeigevorrichtung sein. Dementsprechend kann die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform für Anzeigeabschnitte von einer Digitalkamera, einer digitalen Videokamera, einem digitalen Fotorahmen, einem Mobiltelefon, einer tragbaren Spielkonsole, einem tragbaren Informationsendgerät und einer Audiowiedergabevorrichtung, zusätzlich zu Anzeigeabschnitten von elektronischen Geräten mit einem relativ großen Bildschirm, wie z. B. einem Fernsehgerät, einem Desktop- oder Laptop-PC, einem Monitor eines Computers oder dergleichen, einer Digital Signage bzw. digitalen Beschilderung und einem großen Spielautomaten, wie z. B. einem Flipperautomaten, verwendet werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100A]
  • 21 ist eine perspektivische Ansicht der Anzeigevorrichtung 100A, und 22A ist eine Querschnittsansicht der Anzeigevorrichtung 100A.
  • Bei der Anzeigevorrichtung 100A werden ein Substrat 152 und ein Substrat 151 aneinander befestigt. In 21 wird das Substrat 152 durch eine gestrichelte Linie dargestellt.
  • Die Anzeigevorrichtung 100A weist einen Anzeigeabschnitt 162, eine Schaltung 164, eine Leitung 165 und dergleichen auf. 21 zeigt ein Beispiel, bei dem die Anzeigevorrichtung 100A mit einer IC 173 und einer FPC 172 ausgestattet ist. Daher kann die Struktur in 21 als Anzeigemodul mit der Anzeigevorrichtung 100A, der IC (integrierte Schaltung) und der FPC angesehen werden.
  • Als Schaltung 164 kann beispielsweise eine Abtastleitungstreiberschaltung verwendet werden.
  • Die Leitung 165 weist eine Funktion zur Zuführung eines Signals und eines Stroms zu dem Anzeigeabschnitt 162 und der Schaltung 164 auf. Dieses Signal und dieser Strom werden von außen über die FPC 172 in die Leitung 165 oder von der IC 173 in die Leitung 165 eingegeben.
  • 21 zeigt ein Beispiel, bei dem die IC 173 durch ein Chip-on-Glass- (COG-) Verfahren, ein Chip-on-Film- (COF-) Verfahren oder dergleichen über dem Substrat 151 bereitgestellt wird. Als IC 173 kann beispielsweise eine IC mit einer Abtastleitungstreiberschaltung, einer Signalleitungstreiberschaltung oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass die Anzeigevorrichtung 100A bzw. das Anzeigemodul nicht notwendigerweise mit einer IC versehen sein muss. Die IC kann auch durch ein COF-Verfahren oder dergleichen auf der FPC montiert werden.
  • 22A zeigt ein Beispiel für einen Querschnitt eines Teils eines die FPC 172 umfassenden Bereichs, eines Teils der Schaltung 164, eines Teils des Anzeigeabschnitts 162 und eines Teils eines einen Endabschnitt umfassenden Bereichs der Anzeigevorrichtung 100A.
  • Die Anzeigevorrichtung 100A in 22A umfasst zwischen dem Substrat 151 und dem Substrat 152 einen Transistor 201, einen Transistor 205, die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c sowie die Farbschichten 129a, 129b und 129c und dergleichen. Die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c emittieren weißes Licht. Die Farbschichten 129a, 129b und 129c weisen eine Funktion zum Durchlassen von voneinander unterschiedlichen Farben auf.
  • Im Fall, dass das Pixel der Anzeigevorrichtung drei Arten von Subpixeln jeweils mit einer Licht einer voneinander unterschiedlichen Farbe durchlassenden Farbschicht 129 umfassen, können als diese drei Subpixel Subpixel in drei Farben von R, G und B, Subpixel in drei Farben von Gelb (Y), Cyan (C) und Magenta (M) und dergleichen angegeben werden. Im Fall, dass vier derartige Subpixel enthalten sind, können als diese vier Subpixel Subpixel in vier Farben von R, G, B und weiß (W), Subpixel in vier Farben von R, G, B und Y und dergleichen angegeben werden.
  • Die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c weisen jeweils dieselbe mehrschichtige Struktur wie in 1B mit Ausnahme des Vorhandenseins einer optischen Anpassungsschicht zwischen der Pixelelektrode und der EL-Schicht auf. Die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c weisen eine leitfähige Schicht 126a, eine leitfähige Schicht 126b bzw. eine leitfähige Schicht 126c auf. Für die Details der Licht emittierenden Einrichtung kann auf die Ausführungsform 1 verwiesen werden. Die Seitenflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c, der leitfähigen Schichten 126a, 126b und 126c, der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c sind jeweils mit den Isolierschichten 125 und 127 bedeckt. Die fünfte Schicht 114 ist über der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b, der dritten Schicht 113c sowie den Isolierschichten 125 und 127 bereitgestellt, und die gemeinsame Elektrode 115 ist über der fünften Schicht 114 bereitgestellt. Über den Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c ist ferner jeweils die Schutzschicht 131 bereitgestellt. Über der Schutzschicht 131 ist die Schutzschicht 132 bereitgestellt.
  • Die Schutzschicht 132 und das Substrat 152 sind mittels einer Klebeschicht 142 aneinander befestigt. Es kann eine solide Abdichtungsstruktur, eine hohle Abdichtungsstruktur oder dergleichen verwendet werden, um die Licht emittierende Einrichtung abzudichten. In 22A kommt eine solide Abdichtungsstruktur zum Einsatz, bei der ein Raum zwischen dem Substrat 152 und dem Substrat 151 mit der Klebeschicht 142 gefüllt wird. Alternativ kann der Raum mit einem Inertgas (z. B. Stickstoff oder Argon) gefüllt werden, d. h., dass eine hohle Abdichtungsstruktur zum Einsatz kommen kann. In diesem Fall kann die Klebeschicht 142 derart bereitgestellt werden, dass sie mit der Licht emittierenden Einrichtung nicht überlappt. Alternativ kann der Raum mit einem anderen Harz als der rahmenartigen Klebeschicht 142 gefüllt werden.
  • Die Pixelelektroden 111a, 111b und 111c sind jeweils über eine in einer Isolierschicht 214 angebrachten Öffnung mit einer leitfähigen Schicht 222b des Transistors 205 verbunden.
  • Die Pixelelektroden 111a, 111b und 111c bilden jeweils eine Ausnehmung derart aus, um die in der Isolierschicht 214 angebrachte Öffnung zu bedecken. In der Ausnehmung ist vorzugsweise eine Schicht 128 eingebettet. Es ist bevorzugt, dass ferner die leitfähige Schicht 126a über der Pixelelektrode 111a und der Schicht 128, die leitfähige Schicht 126b über der Pixelelektrode 111b und der Schicht 128 und die leitfähige Schicht 126c über der Pixelelektrode 111c und der Schicht 128 ausgebildet werden. Die leitfähigen Schichten 126a, 126b und 126c können auch als Pixelelektroden bezeichnet werden.
  • Die Schicht 128 weist eine Funktion zur Planarisierung der Ausnehmungen in den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c auf. Mit der Schicht 128 kann die Unebenheit an der Bildungsoberfläche der EL-Schicht verringert werden und die Abdeckung kann damit erhöht werden. Wenn über den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c sowie der Schicht 128 die elektrisch mit den Pixelelektroden 111a, 111b und 111c verbundenen, leitfähigen Schichten 126a, 126b bzw. 126c bereitgestellt werden, können auch mit den Ausnehmungen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c überlappende Bereiche in einigen Fällen als Licht emittierende Bereiche dienen. Dadurch kann das Öffnungsverhältnis des Pixels erhöht werden.
  • Die Schicht 128 kann eine Isolierschicht oder eine leitfähige Schicht sein. Für die Schicht 128 kann eines von verschiedenen anorganischen Isoliermaterialien, organischen Isoliermaterialien und leitfähigen Materialien angemessen verwendet werden. Insbesondere wird die Schicht 128 vorzugsweise unter Verwendung eines Isoliermaterials ausgebildet.
  • Als Schicht 128 kann vorteilhaft eine ein organisches Material enthaltende Isolierschicht verwendet werden. Beispielsweise kann als Schicht 128 ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, ein Polyamidharz, ein Polyimidamidharz, ein Siloxanharz, ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, ein Phenolharz, Vorläufer dieser Harze oder dergleichen verwendet werden. Für die Schicht 128 kann ferner ein lichtempfindliches Harz verwendet werden. Beispiele für das lichtempfindliche Harz umfassen positive Materialien und negative Materialien.
  • Durch Verwendung des lichtempfindlichen Harzes kann nur im Belichtungs- und Entwicklungsprozess die Schicht 128 hergestellt werden, und damit kann ein durch ein Trockenätzen, ein Nassätzen oder dergleichen verursachter Einfluss auf die Oberflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c verringert werden. Durch die Ausbildung der Schicht 128 unter Verwendung des negativen lichtempfindlichen Harzes kann ferner die Schicht 128 unter Verwendung derselben Photomaske wie eine zur Ausbildung der Öffnung in der Isolierschicht 214 verwendete Photomaske (Belichtungsmaske) in einigen Fällen ausgebildet werden.
  • Die leitfähige Schicht 126a wird über der Pixelelektrode 111a und der Schicht 128 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 126a weist einen mit der Oberseite der Pixelelektrode 111a in Kontakt stehenden ersten Bereich und einen mit der Oberseite der Schicht 128 in Kontakt stehenden zweiten Bereich auf. Die mit dem ersten Bereich in Kontakt stehende Oberseite der Pixelelektrode 111a und die mit dem zweiten Bereich in Kontakt stehende Oberseite der Schicht 128 weisen vorzugsweise die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Höhe auf.
  • Auf ähnliche Weise wird die leitfähige Schicht 126b über der Pixelelektrode 111b und der Schicht 128 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 126b weist einen mit der Oberseite der Pixelelektrode 111b in Kontakt stehenden ersten Bereich und einen mit der Oberseite der Schicht 128 in Kontakt stehenden zweiten Bereich auf. Die mit dem ersten Bereich in Kontakt stehende Oberseite der Pixelelektrode 111b und die mit dem zweiten Bereich in Kontakt stehende Oberseite der Schicht 128 weisen vorzugsweise die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Höhe auf.
  • Die leitfähige Schicht 126c wird über der Pixelelektrode 111c und der Schicht 128 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 126c weist einen mit der Oberseite der Pixelelektrode 111c in Kontakt stehenden ersten Bereich und einen mit der Oberseite der Schicht 128 in Kontakt stehenden zweiten Bereich auf. Die mit dem ersten Bereich in Kontakt stehende Oberseite der Pixelelektrode 111c und die mit dem zweiten Bereich in Kontakt stehende Oberseite der Schicht 128 weisen vorzugsweise die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Höhe auf.
  • Die Pixelelektrode enthält ein sichtbares Licht reflektierendes Material und die Gegenelektrode (die gemeinsame Elektrode 115) enthält ein sichtbares Licht durchlassendes Material.
  • Die Anzeigevorrichtung 100A weist eine Top-Emission-Struktur auf. Licht wird aus der Licht emittierenden Einrichtung in Richtung des Substrats 152 emittiert. Für das Substrat 152 wird vorzugsweise ein Material mit einer hohen Durchlässigkeit für sichtbares Licht verwendet.
  • Eine mehrschichtige Struktur von dem Substrat 151 bis zu der Isolierschicht 214 entspricht der den Transistor umfassenden Schicht 101 bei der Ausführungsform 1.
  • Der Transistor 201 und der Transistor 205 werden alle über dem Substrat 151 ausgebildet. Diese Transistoren können unter Verwendung desselben Materials in demselben Prozess ausgebildet werden.
  • Über dem Substrat 151 sind eine Isolierschicht 211, eine Isolierschicht 213, eine Isolierschicht 215 und die Isolierschicht 214 in dieser Reihenfolge bereitgestellt. Ein Teil der Isolierschicht 211 dient als Gate-Isolierschicht jedes Transistors. Ein Teil der Isolierschicht 213 dient als Gate-Isolierschicht jedes Transistors. Die Isolierschicht 215 wird die Transistoren bedeckend bereitgestellt. Die Isolierschicht 214 wird die Transistoren bedeckend bereitgestellt und dient als Planarisierungsschicht. Es sei angemerkt, dass die Anzahl der Gate-Isolierschichten und die Anzahl der die Transistoren bedeckenden Isolierschichten nicht beschränkt sind und eins, zwei oder mehr sein können.
  • Für mindestens eine der die Transistoren bedeckenden Isolierschichten wird vorzugsweise ein Material verwendet, durch das Verunreinigungen, wie z. B. Wasser und Wasserstoff, nicht leicht diffundieren. Daher kann die Isolierschicht als isolierender Sperrfilm dienen. Eine derartige Struktur kann die Diffusion der Verunreinigungen von außen in die Transistoren effektiv verhindern und somit kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung erhöht werden.
  • Für jede der Isolierschicht 211, der Isolierschicht 213 und der Isolierschicht 215 wird vorzugsweise ein anorganischer Isolierfilm verwendet. Als anorganischer Isolierfilm können beispielsweise ein Siliziumnitridfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm und ein Aluminiumnitridfilm verwendet werden. Alternativ können ein Hafniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm, ein Magnesiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Ceroxidfilm, ein Neodymoxidfilm und dergleichen verwendet werden. Eine Schichtanordnung aus zwei oder mehr der vorstehenden Isolierfilme kann auch verwendet werden.
  • Für die als Planarisierungsschicht dienende Isolierschicht 214 wird vorzugsweise ein organischer Isolierfilm verwendet. Als für einen organischen Isolierfilm verwendbares Material können ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, ein Polyamidharz, ein Polyimidamidharz, ein Siloxanharz, ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, ein Phenolharz und Vorläufer dieser Harze angegeben werden. Alternativ kann die Isolierschicht 214 eine mehrschichtige Struktur aus einem organischen Isolierfilm und einem anorganischen Isolierfilm aufweisen. Eine äußerste Oberflächenschicht der Isolierschicht 214 dient vorzugsweise als Ätzschutzfilm. Dadurch kann die Ausbildung von Vertiefungen in der Isolierschicht 214 bei der Verarbeitung der Pixelelektrode 111a, der leitfähigen Schicht 126a oder dergleichen verhindert werden. Alternativ können Vertiefungen in der Isolierschicht 214 bei der Verarbeitung der Pixelelektrode 111a, der leitfähigen Schicht 126a oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Ein organischer Isolierfilm weist meistens eine niedrigere Sperreigenschaft auf als ein anorganischer Isolierfilm. Daher weist ein organischer Isolierfilm vorzugsweise eine Öffnung in der Nähe eines Endabschnitts der Anzeigevorrichtung 100A auf. Daher kann verhindert werden, dass Verunreinigungen von dem Endabschnitt der Anzeigevorrichtung 100A über den organischen Isolierfilm eindringen. Alternativ kann der organische Isolierfilm derart ausgebildet werden, dass sein Endabschnitt weiter innen als der Endabschnitt der Anzeigevorrichtung 100A liegt, so dass der organische Isolierfilm nicht von dem Endabschnitt der Anzeigevorrichtung 100A freiliegt.
  • In einem Bereich 228 in 22A ist eine Öffnung in der Isolierschicht 214 ausgebildet. Dadurch kann auch im Fall, dass ein organischer Isolierfilm als Isolierschicht 214 verwendet wird, verhindert werden, dass Verunreinigungen von außen über die Isolierschicht 214 in den Anzeigeabschnitt 162 eindringen. Daher kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100A erhöht werden.
  • Der Transistor 201 und die Transistoren 205 umfassen jeweils eine als Gate dienende leitfähige Schicht 221, die als Gate-Isolierschicht dienende Isolierschicht 211, als Source und Drain dienende leitfähige Schichten 222a und 222b, eine Halbleiterschicht 231, die als Gate-Isolierschicht dienende Isolierschicht 213 und eine als Gate dienende leitfähige Schicht 223. Hier werden mehrere durch eine Verarbeitung desselben leitfähigen Films erhaltene Schichten durch dasselbe Schraffurmuster dargestellt. Die Isolierschicht 211 ist zwischen der leitfähigen Schicht 221 und der Halbleiterschicht 231 positioniert. Die Isolierschicht 213 ist zwischen der leitfähigen Schicht 223 und der Halbleiterschicht 231 positioniert.
  • Die Struktur der in der Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform enthaltenen Transistoren ist nicht sonderlich beschränkt. Beispielsweise kann ein Planartransistor, ein Staggered-Transistor oder ein Inverted-Staggered-Transistor verwendet werden. Ferner kann auch ein Top-Gate-Transistor oder ein Bottom-Gate-Transistor verwendet werden. Alternativ können Gates über und unter einer Halbleiterschicht bereitgestellt werden, in der ein Kanal gebildet wird.
  • Die Struktur, bei der die Halbleiterschicht, in der ein Kanal gebildet wird, zwischen zwei Gates bereitgestellt wird, wird für den Transistor 201 und den Transistor 205 verwendet. Die zwei Gates können miteinander verbunden und mit dem gleichen Signal versorgt werden, um den Transistor zu betreiben. Alternativ kann die Schwellenspannung des Transistors gesteuert werden, indem einem der zwei Gates ein Potential zum Steuern der Schwellenspannung zugeführt wird und dem anderen Gate ein Potential zum Betreiben zugeführt wird.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Kristallinität eines für den Transistor verwendeten Halbleitermaterials und ein amorpher Halbleiter oder ein Halbleiter mit Kristallinität (ein mikrokristalliner Halbleiter, ein polykristalliner Halbleiter, ein einkristalliner Halbleiter oder ein teilweise Kristallbereiche umfassender Halbleiter kann verwendet werden. Wenn ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet wird, kann eine Verschlechterung der Transistoreigenschaften verhindert werden, was bevorzugt ist.
  • Die Halbleiterschicht des Transistors enthält vorzugsweise ein Metalloxid (auch als Oxidhalbleiter bezeichnet). Das heißt, dass ein ein Metalloxid in seinem Kanalbildungsbereich enthaltender Transistor (nachstehend auch als OS-Transistor bezeichnet) vorzugsweise für die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform verwendet wird. Alternativ kann die Halbleiterschicht des Transistors Silizium enthalten. Beispiele für Silizium umfassen amorphes Silizium und kristallines Silizium (z. B. Niedertemperatur-Polysilizium und einkristallines Silizium).
  • Beispielsweise enthält die Halbleiterschicht vorzugsweise Indium, M (M ist eine oder mehrere Arten ausgewählt aus Gallium, Aluminium, Silizium, Bor, Yttrium, Zinn, Kupfer, Vanadium, Beryllium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram und Magnesium) und Zink. Insbesondere ist M vorzugsweise eine oder mehrere Arten ausgewählt aus Aluminium, Gallium, Yttrium und Zinn.
  • Für die Halbleiterschicht wird besonders vorzugsweise ein Oxid enthaltend Indium (In), Gallium (Ga) und Zink (Zn) (auch als IGZO bezeichnet) verwendet.
  • Wenn die Halbleiterschicht ein In-M-Zn-Oxid ist, ist das Atomverhältnis von In vorzugsweise größer als oder gleich dem Atomverhältnis von M in dem In-M-Zn-Oxid. Beispiele für das Atomverhältnis der Metallelemente in einem derartigen In-M-Zn-Oxid sind wie folgt: In:M:Zn = 1:1:1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 1:1:1,2 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 2:1:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 3:1:2 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 4:2:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 4:2:4,1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:6 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:7 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:8 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 6:1:6 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon und In:M:Zn = 5:2:5 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon. Es sei angemerkt, dass die Zusammensetzung in der Nähe davon ± 30 % von erwünschtem Atomverhältnis bezeichnet.
  • Wenn es vorausgesetzt wird, dass beispielsweise in dem Ausdruck „das Atomverhältnis von In:Ga:Zn = 4:2:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon“ der Atomanteil von In 4 beträgt, ist der Fall enthalten, dass der Atomanteil von Ga größer als oder gleich 1 und kleiner als oder gleich 3 beträgt und der Atomanteil von Zn größer als oder gleich 2 und kleiner als oder gleich 4 beträgt. Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Ausdruck „das Atomverhältnis von In:Ga:Zn = 5:1:6 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon“ der Atomanteil von In 5 beträgt, ist der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 beträgt und der Atomanteil von Zn größer als oder gleich 5 und kleiner als oder gleich 7 beträgt. Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Ausdruck „das Atomverhältnis von In:Ga:Zn =1:1:1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon“ der Atomanteil von In 1 beträgt, ist der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 beträgt und der Atomanteil von Zn größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 beträgt.
  • Der in der Schaltung 164 enthaltene Transistor und der in dem Anzeigeabschnitt 162 enthaltene Transistor können dieselbe Struktur oder voneinander unterschiedliche Strukturen aufweisen. Mehrere in der Schaltung 164 enthaltene Transistoren können dieselbe Struktur oder zwei oder mehr Arten von Strukturen aufweisen. In ähnlicher Weise können mehrere in dem Anzeigeabschnitt 162 enthaltene Transistoren dieselbe Struktur oder zwei oder mehr Arten von Strukturen aufweisen.
  • 22B und 22C zeigen jeweils ein weiteres Strukturbeispiel für den Transistor.
  • Ein Transistor 209 und Transistoren 210 umfassen jeweils die als Gate dienende leitfähige Schicht 221, die als Gate-Isolierschicht dienende Isolierschicht 211, eine einen Kanalbildungsbereich 231 i und ein Paar von niederohmigen Bereichen 231n umfassende Halbleiterschicht 231, die mit einem des Paars von niederohmigen Bereichen 231n verbundene leitfähige Schicht 222a, die mit dem anderen des Paars von niederohmigen Bereichen 231n verbundene leitfähige Schicht 222b, eine als Gate-Isolierschicht dienende Isolierschicht 225, die als Gate dienende leitfähige Schicht 223 und die die leitfähige Schicht 223 bedeckende Isolierschicht 215. Die Isolierschicht 211 ist zwischen der leitfähigen Schicht 221 und dem Kanalbildungsbereich 231i positioniert. Die Isolierschicht 225 ist zumindest zwischen der leitfähigen Schicht 223 und dem Kanalbildungsbereich 231i positioniert. Ferner kann eine Isolierschicht 218 bereitgestellt werden, um den Transistor zu bedecken.
  • Der 209 in 22B ist ein Beispiel, bei dem die Isolierschicht 225 eine Oberseite und eine Seitenfläche der Halbleiterschicht 231 bedeckt. Die leitfähige Schicht 222a und die leitfähige Schicht 222b sind jeweils über Öffnungen in der Isolierschicht 225 und der Isolierschicht 215 mit den niederohmigen Bereichen 231n verbunden. Eine der leitfähigen Schichten 222a und 222b dient als Source und die andere dient als Drain.
  • Im Gegensatz dazu überlappt bei dem Transistor 210 in 22C die Isolierschicht 225 mit dem Kanalbildungsbereich 231i der Halbleiterschicht 231, nicht mit den niederohmigen Bereichen 231n. Beispielsweise kann die Struktur in 22C dadurch hergestellt werden, dass die Isolierschicht 225 unter Verwendung der leitfähigen Schicht 223 als Maske verarbeitet wird. In 22C wird die Isolierschicht 225 und die leitfähige Schicht 223 bedeckend die Isolierschicht 215 bereitgestellt, und die leitfähigen Schichten 222a und 222b sind über Öffnungen in der Isolierschicht 215 mit den jeweiligen niederohmigen Bereichen 231n verbunden.
  • In einem mit dem Substrat 152 nicht überlappenden Bereich des Substrats 151 wird ein Verbindungsabschnitt 204 bereitgestellt. Bei dem Verbindungsabschnitt 204 ist die Leitung 165 über eine leitfähige Schicht 166 und eine Verbindungsschicht 242 elektrisch mit der FPC 172 verbunden. Ein Beispiel ist gezeigt, bei dem die leitfähige Schicht 166 eine mehrschichtige Struktur aus einem leitfähigen Film, der durch eine Verarbeitung desselben leitfähigen Films wie der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c erhalten wird, und einem leitfähigen Film, der durch eine Verarbeitung desselben leitfähigen Films wie der leitfähigen Schicht 126a, 126b und 126c erhalten wird, aufweist. Auf einer Oberseite des Verbindungsabschnitts 204 ist die leitfähige Schicht 166 freigelegt. Dadurch können der Verbindungsabschnitt 204 und die FPC 172 über die Verbindungsschicht 242 elektrisch miteinander verbunden werden.
  • Die lichtundurchlässige Schicht 117 wird über einer dem Substrat 151 zugewandten Fläche des Substrats 152 bereitgestellt. Über der dem Substrat 151 zugewandten Fläche des Substrats 152 können ferner die Farbschichten 129a und 129b bereitgestellt werden. In 22A sind, in Bezug auf das Substrat 152 gesehen, die Farbschichten 129a, 129b und 129c derart bereitgestellt, um einen Teil der lichtundurchlässigen Schicht 117 zu bedecken.
  • An der Außenseite des Substrats 152 können verschiedene optische Komponenten angeordnet sein. Als optische Komponenten können eine polarisierende Platte, eine Retardationsplatte, eine Lichtdiffusionsschicht (z. B. einen Diffusionsfilm), eine Antireflexionsschicht, ein Lichtbündelungsfilm und dergleichen angegeben werden. Des Weiteren kann an der Außenseite des Substrats 152 ein das Anhaften von Staub verhindernder antistatischer Film, ein das Anhaften von Flecken hemmender wasserabweisender Film, ein Hartfilm, der die Entstehung von beim Verwenden verursachten Kratzern hemmt, eine stoßabsorbierende Schicht oder dergleichen angeordnet sein.
  • Mit den die Licht emittierende Einrichtung bedeckenden Schutzschichten 131 und 132 kann verhindert werden, dass Verunreinigungen, wie z. B. Wasser, in die Licht emittierende Einrichtung eindringen, so dass die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Einrichtung erhöht werden kann.
  • In dem Bereich 228 in der Nähe des Endabschnitts der Anzeigevorrichtung 100A stehen vorzugsweise die Isolierschicht 215 und die Schutzschicht 131 oder die Schutzschicht 132 über eine Öffnung in der Isolierschicht 214 in Kontakt miteinander. Insbesondere stehen vorzugsweise anorganische isolierende Filme in Kontakt miteinander. Auf diese Weise kann verhindert werden, dass Verunreinigungen von außen über einen organischen Isolierfilm in den Anzeigeabschnitt 162 eindringen. Daher kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100A erhöht werden.
  • Für das Substrat 151 und das Substrat 152 kann Glas, Quarz, Keramik, Saphir, ein Harz, ein Metall, eine Legierung und ein Halbleiter oder dergleichen verwendet werden. Das Substrat, durch das Licht aus der Licht emittierenden Einrichtung extrahiert wird, wird unter Verwendung eines das Licht durchlassenden Materials ausgebildet. Wenn die Substrate 151 und 152 unter Verwendung eines flexiblen Materials ausgebildet werden, kann die Flexibilität der Anzeigevorrichtung erhöht werden. Des Weiteren kann eine polarisierende Platte als Substrat 151 oder Substrat 152 verwendet werden.
  • Für das Substrat 151 und das Substrat 152 können jeweils die folgenden Harze verwendet werden: Polyesterharze, wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET) und Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitrilharz, ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polycarbonat- (PC-) Harz, ein Polyethersulfon- (PES-) Harz, Polyamidharze (z. B. Nylon und Aramid), ein Polysiloxanharz, ein Cycloolefinharz, ein Polystyrolharz, ein Polyamidimidharz, ein Polyurethanharz, ein Polyvinylchloridharz, ein Polyvinylidenchloridharz, ein Polypropylenharz, ein Polytetrafluorethylen- (PTFE-) Harz, ein ABS-Harz und Cellulose-Nanofaser und dergleichen. Für das Substrat 151 und/oder das Substrat 152 kann ein Glas mit einer derartigen Dicke verwendet werden, mit der das Substrat eine Flexibilität aufweisen kann.
  • Es sei angemerkt, dass im Fall, dass eine zirkular polarisierende Platte mit der Anzeigevorrichtung überlappt, ein in hohem Maße optisch isotropes Substrat vorzugsweise für das in der Anzeigevorrichtung enthaltene Substrat verwendet wird. Ein in hohem Maße optisch isotropes Substrat weist eine geringe Doppelbrechung (mit anderen Worten: eine schwache Doppelbrechung) auf.
  • Der Absolutwert einer Retardation (Phasendifferenz) eines in hohem Maße optisch isotropen Substrats beträgt bevorzugt kleiner als oder gleich 30 nm, bevorzugter kleiner als oder gleich 20 nm, noch bevorzugter kleiner als oder gleich 10 nm.
  • Als in hohem Maße optisch isotrope Filme können ein Triacetylcellulose- (TAC-, auch als Cellulosetriacetat bezeichnet) Film, ein Cycloolefinpolymer- (COP-) Film, ein Cycloolefincopolymer- (COC-) Film und ein Acryl-Film angegeben werden.
  • Im Fall, dass ein Film für das Substrat verwendet wird, könnte infolge der Wasserabsorption des Films eine Verformung des Anzeigefeldes, z. B. ein Falten, entstehen. Daher wird für das Substrat vorzugsweise ein Film mit einer niedrigen Wasserabsorptionsrate verwendet. Beispielsweise beträgt die Wasserabsorptionsrate des Films bevorzugt niedriger als oder gleich 1 %, bevorzugter niedriger als oder gleich 0,1 %, noch bevorzugter niedriger als oder gleich 0,01 %.
  • Als Klebeschicht 142 können verschiedene härtende Klebstoffe verwendet werden, wie beispielsweise ein lichthärtender Klebstoff, wie z. B. ein UV-härtender Klebstoff, ein reaktiv härtender Klebstoff, ein wärmehärtender Klebstoff, ein anaerober Klebstoff. Als diese Klebstoffe können ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Phenolharz, ein Polyimidharz, ein Imidharz, ein PVC- (Polyvinylchlorid-) Harz, ein PVB-(Polyvinylbutyral-) Harz, ein EVA- (Ethylenvinylacetat-) Harz und dergleichen angegeben werden. Insbesondere ist ein Material mit niedriger Feuchtigkeitsdurchlässigkeit, wie z. B. ein Epoxidharz, bevorzugt. Ein Zwei-Komponenten-Harz kann auch verwendet werden. Eine Klebefolie oder dergleichen kann auch verwendet werden.
  • Als Verbindungsschicht 242 kann ein anisotroper leitfähiger Film (Anisotropic Conductive Film, ACF), eine anisotrope leitfähige Paste (Anisotropic Conductive Paste, ACP) oder dergleichen verwendet werden.
  • Als Materialien, die für ein Gate, eine Source und einen Drain eines Transistors sowie für leitfähige Schichten, wie z. B. verschiedene in der Anzeigevorrichtung enthaltene Leitungen und Elektroden verwendet werden können, können ein Metall, wie z. B. Aluminium, Titan, Chrom, Nickel, Kupfer, Yttrium, Zirconium, Molybdän, Silber, Tantal und Wolfram, eine ein beliebiges dieser Metalle als ihre Hauptkomponente enthaltende Legierung und dergleichen angegeben werden. Es kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur verwendet werden, welche einen ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthaltenden Film umfasst.
  • Als lichtdurchlässiges leitfähiges Material kann ein leitfähiges Oxid, wie z. B. Indiumoxid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Zinkoxid und Gallium enthaltendes Zinkoxid, oder Graphen verwendet werden. Es ist auch möglich, ein Metallmaterial, wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium oder Titan, oder ein ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthaltendes Legierungsmaterial zu verwenden. Alternativ kann ein Nitrid eines beliebigen dieser Metallmaterialien (z. B. Titannitrid) oder dergleichen verwendet werden. Im Fall der Verwendung des Metallmaterials oder des Legierungsmaterials (oder des Nitrids davon) wird die Filmdicke vorzugsweise derart eingestellt, dass sie klein genug ist, um Licht durchzulassen. Alternativ kann für die leitfähigen Schichten ein mehrschichtiger Film aus den vorstehenden Materialien verwendet werden. Beispielsweise wird vorzugsweise ein mehrschichtiger Film aus Indiumzinnoxid und einer Legierung von Silber und Magnesium verwendet, da die Leitfähigkeit erhöht werden kann. Sie können auch für leitfähige Schichten, wie z. B. in der Anzeigevorrichtung enthaltene Leitungen und Elektroden, und für in der Licht emittierenden Einrichtung enthaltende leitfähige Schichten (z. B. eine als Pixelelektrode oder gemeinsame Elektrode dienende leitfähige Schicht) verwendet werden.
  • Als für die Isolierschichten verwendbare isolierende Materialien können beispielsweise ein Harz, wie z. B. ein Acrylharz und ein Epoxidharz, und ein anorganisches isolierendes Material, wie z. B. Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Siliziumnitridoxid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid angegeben werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100B]
  • Die Anzeigevorrichtung 100B in 23 unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 100A hauptsächlich dadurch, dass sie eine Bottom-Emission-Struktur aufweist. Es sei angemerkt, dass Abschnitte, die denjenigen in der Anzeigevorrichtung 100A ähnlich sind, in einigen Fällen nicht beschrieben werden. Es sei angemerkt, dass, obwohl in 23 das die erste Schicht 113a umfassende Subpixel und das die zweite Schicht 113b umfassende Subpixel gezeigt sind, drei oder mehr Arten von Subpixeln vorgesehen sein können, wie in 22.
  • Licht wird aus der Licht emittierenden Einrichtung in Richtung des Substrats 151 emittiert. Für das Substrat 151 wird vorzugsweise ein Material mit einer hohen Durchlässigkeit für sichtbares Licht verwendet. Im Gegensatz dazu wird die lichtdurchlässige Eigenschaft eines für das Substrat 152 verwendeten Materials nicht berücksichtigt.
  • Bei der Anzeigevorrichtung 100B enthalten die Pixelelektroden 111a und 111b sowie die leitfähigen Schichten 126a und 126b jeweils ein sichtbares Licht durchlassendes Material und die gemeinsame Elektrode 115 ein sichtbares Licht reflektierendes Material. Hierbei enthält auch die leitfähige Schicht 166, die durch eine Verarbeitung derselben leitfähigen Filme wie der Pixelelektroden 111a und 111b sowie der leitfähigen Schichten 126a und 126b erhalten wird, ein sichtbares Licht durchlassendes Material.
  • Die lichtundurchlässige Schicht 117 wird vorzugsweise zwischen dem Substrat 151 und dem Transistor 201 und zwischen dem Substrat 151 und dem Transistor 205 ausgebildet. 23 zeigt ein Beispiel, bei dem die lichtundurchlässige Schicht 117 über dem Substrat 151 bereitgestellt wird, eine Isolierschicht 153 über der lichtundurchlässigen Schicht 117 bereitgestellt wird und die Transistoren 201 und 205 und dergleichen werden über der Isolierschicht 153 bereitgestellt.
  • Bei der Anzeigevorrichtung 100B sind ferner die Farbschichten 129a und 129b zwischen der Isolierschicht 215 und der Isolierschicht 214 bereitgestellt. Die Endabschnitte der Farbschichten 129a und 129b überlappen vorzugsweise jeweils mit der lichtundurchlässigen Schicht 117.
  • 24A bis 24D zeigen hierbei bezüglich der Anzeigevorrichtung 100A und der Anzeigevorrichtung 100B jeweils eine Querschnittsstruktur eines die Pixelelektrode 111a, die Schicht 128 und deren Umgebung umfassenden Bereichs 138. Es sei angemerkt, dass die Beschreibung über 24A bis 24D auch für die Licht emittierende Einrichtung 130b und die Licht emittierende Einrichtung 130c gilt.
  • 22A und 23 zeigen jeweils ein Beispiel, bei dem die Oberseite der Schicht 128 und die Oberseite der Pixelelektrode 111a die im Wesentlichen gleiche Höhe aufweisen; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann, wie in 24A gezeigt, die Oberseite der Schicht 128 höher sein als die Oberseite der Pixelelektrode 111a. Dabei weist die Oberseite der Schicht 128 eine sich nach der Mitte sanft erhebende konvexe Form auf.
  • Alternativ kann, wie in 24B gezeigt, die Oberseite der Schicht 128 niedriger sein als die Oberseite der Pixelelektrode 111a. Dabei weist die Oberseite der Schicht 128 eine sich nach der Mitte sanft vertiefende konkave Form auf.
  • Im Fall, dass, wie in 24C gezeigt, die Oberseite der Schicht 128 höher ist als die Oberseite der Pixelelektrode 111a, kann der Oberteil der Schicht 128 nach außerhalb der Ausnehmung in der Pixelelektrode 111a ausgedehnt ausgebildet werden. Dabei kann ein Teil der Schicht 128 einen Teil eines im Wesentlichen flachen Bereichs der Pixelelektrode 111a bedeckend ausgebildet werden.
  • Wie in 24D gezeigt, kann bei der Struktur in 24C ferner eine Vertiefung teilweise in der Oberseite der Schicht 128 ausgebildet werden. Die Vertiefung weist eine sich nach der Mitte sanft vertiefende Form auf.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 4)
  • In dieser Ausführungsform wird eine Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 25 bis 30 beschrieben.
  • Die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Definition sein. Daher kann die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform für Anzeigeabschnitte von Informationsendgeräten (tragbaren Vorrichtungen), wie z. B. Informationsendgeräten in Form einer Armbanduhr oder eines Armreifs, und Anzeigeabschnitte von am Kopf anbringbaren tragbaren Vorrichtungen, wie z. B. einer VR- (Virtual Reality-) Vorrichtung, wie z. B. einem Head-Mounted Display, und einer brillenartigen AR- (Augmented Reality-) Vorrichtung, verwendet werden.
  • [Anzeigemodul]
  • 25A ist eine perspektivische Ansicht eines Anzeigemoduls 280. Das Anzeigemodul 280 umfasst eine Anzeigevorrichtung 100C und eine FPC 290. Es sei angemerkt, dass die Anzeigevorrichtung des Anzeigemoduls 280 nicht auf die Anzeigevorrichtung 100C beschränkt ist und eine von nachstehend beschriebenen Anzeigevorrichtungen 100D bis 100G sein kann.
  • Das Anzeigemodul 280 umfasst ein Substrat 291 und ein Substrat 292. Das Anzeigemodul 280 umfasst einen Anzeigeabschnitt 281. Es handelt sich bei dem Anzeigeabschnitt 281 um einen Bereich des Anzeigemoduls 280, in dem ein Bild angezeigt wird, und um einen Bereich, in dem Licht sichtbar ist, das aus in einem nachstehend beschriebenen Pixelabschnitt 284 bereitgestellten einzelnen Pixeln emittiert wird.
  • 25B ist eine perspektivische Ansicht schematisch zeigend eine Struktur auf der Seite des Substrats 291. Über dem Substrat 291 sind ein Schaltungsabschnitt 282, ein Pixelschaltungsabschnitt 283 über dem Schaltungsabschnitt 282 und der Pixelabschnitt 284 über dem Pixelschaltungsabschnitt 283 übereinander angeordnet. Des Weiteren ist ein Anschlussabschnitt 285 zum Verbinden mit der FPC 290 in einem nicht mit dem Pixelabschnitt 284 über dem Substrat 291 überlappenden Abschnitt bereitgestellt. Der Anschlussabschnitt 285 und der Schaltungsabschnitt 282 sind über einen aus mehreren Leitungen bestehenden Leitungsabschnitt 286 elektrisch miteinander verbunden.
  • Der Pixelabschnitt 284 umfasst mehrere periodisch angeordnete Pixel 284a. Eine vergrößerte Ansicht des einen Pixels 284a wird auf der rechten Seite in 25B gezeigt. Das Pixel 284a umfasst ein Subpixel 110a, ein Subpixel 110b und ein Subpixel 110c. Für die Strukturen des Subpixels 110a, des Subpixels 110b, des Subpixels 110c und deren Umgebungen kann auf die vorstehenden Ausführungsformen verwiesen werden. Die mehreren Subpixel können in einer Streifen-Anordnung angeordnet sein, wie in 25B gezeigt. Alternativ können verschiedene Anordnungsverfahren für die Licht emittierende Einrichtung, wie z. B. eine Delta-Anordnung oder eine PenTile-Anordnung, verwendet werden.
  • Der Pixelschaltungsabschnitt 283 umfasst mehrere periodisch angeordnete Pixelschaltungen 283a.
  • Es handelt sich bei einer Pixelschaltung 283a um eine Schaltung, die eine Lichtemission aus drei Licht emittierenden Einrichtungen in einem Pixel 284a steuert. Eine Pixelschaltung 283a kann auch eine Struktur aufweisen, bei der drei Schaltungen bereitgestellt werden, die jeweils eine Lichtemission aus einer Licht emittierenden Einrichtung steuern. Beispielsweise kann die Pixelschaltung 283a mindestens einen Auswahltransistor, einen Stromsteuertransistor (Treibertransistor) und einen Kondensator für eine Licht emittierende Einrichtung umfassen. Dabei wird ein Gate-Signal in ein Gate des Auswahltransistors eingegeben, und ein Source-Signal wird in einen Anschluss von Source und Drain des Auswahltransistors eingegeben. Auf diese Weise wird eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung erhalten.
  • Der Schaltungsabschnitt 282 umfasst eine Schaltung zum Betreiben der Pixelschaltungen 283a in dem Pixelschaltungsabschnitt 283. Beispielsweise ist vorzugsweise eine Gateleitung-Treiberschaltung und/oder eine Sourceleitung-Treiberschaltung enthalten. Außerdem kann mindestens eine von einer arithmetischen Schaltung, einer Speicherschaltung, einer Stromversorgungsschaltung und dergleichen enthalten sein.
  • Die FPC 290 dient als Leitung zur Zuführung eines Videosignals oder eines Stromversorgungspotentials und dergleichen von außen zu dem Schaltungsabschnitt 282. Eine IC kann auf der FPC 290 montiert werden.
  • Das Anzeigemodul 280 kann eine Struktur aufweisen, bei der der Pixelschaltungsabschnitt 283 und/oder der Schaltungsabschnitt 282 überlappend unterhalb des Pixelabschnitts 284 angeordnet sind; daher kann das Öffnungsverhältnis (das effektive Anzeigeflächenverhältnis) des Anzeigeabschnitts 281 äußerst erhöht werden. Beispielsweise kann das Öffnungsverhältnis des Anzeigeabschnitts 281 größer als oder gleich 40 % und kleiner als 100 %, bevorzugt größer als oder gleich 50 % und kleiner als oder gleich 95 %, bevorzugter größer als oder gleich 60 % und kleiner als oder gleich 95 % betragen. Ferner können die Pixel 284a sehr dicht angeordnet werden, und daher kann die Definition des Anzeigeabschnitts 281 äußerst erhöht werden. Beispielsweise ist es bevorzugt, dass die Pixel 284a mit einer Definition von größer als oder gleich 2000 ppi, bevorzugt größer als oder gleich 3000 ppi, bevorzugter größer als oder gleich 5000 ppi, noch bevorzugter größer als oder gleich 6000 ppi und kleiner als oder gleich 20000 ppi oder kleiner als oder gleich 30000 ppi in dem Anzeigeabschnitt 281 angeordnet werden.
  • Ein derartiges Anzeigemodul 280 weist eine sehr hohe Definition auf und kann daher geeignet für eine VR-Vorrichtung, wie z. B. ein Head-Mounted Display, oder eine brillenartige AR-Vorrichtung verwendet werden. Beispielsweise werden selbst im Fall einer Struktur, bei der der Anzeigeabschnitt des Anzeigemoduls 280 durch eine Linse gesehen wird, die Pixel nicht wahrgenommen, da das Anzeigemodul 280 den sehr hochauflösenden Anzeigeabschnitt 281 umfasst, auch wenn der Anzeigeabschnitt durch die Linse vergrößert wird, so dass die Anzeige, durch die ein hohes Immersionsgefühl bereitgestellt wird, durchgeführt werden kann. Das Anzeigemodul 280 ist darauf nicht beschränkt und kann vorteilhaft für einen relativ kleinen Anzeigeabschnitt umfassende elektronische Geräte verwendet werden. Beispielsweise kann das Anzeigemodul 280 in einem Anzeigeabschnitt eines tragbaren elektronischen Geräts, wie z. B. einer Armbanduhr, vorteilhaft verwendet werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100C]
  • Die Anzeigevorrichtung 100C in 26 weist ein Substrat 301, die Subpixel 110a, 110b und 110c, einen Kondensator 240 und einen Transistor 310 auf. Das Subpixel 110a weist die Licht emittierende Einrichtung 130a und die Farbschicht 129a auf, das Subpixel 110b weist die Licht emittierende Einrichtung 130b und die Farbschicht 129b auf und das Subpixel 110c weist die Licht emittierende Einrichtung 130c und die Farbschicht 129c auf.
  • Das Substrat 301 entspricht dem Substrat 291 in 25A und 25B. Eine mehrschichtige Struktur von dem Substrat 301 bis zu der Isolierschicht 255b entspricht der den Transistor umfassenden Schicht 101 bei der Ausführungsform 1.
  • Der Transistor 310 ist ein einen Kanalbildungsbereich in dem Substrat 301 aufweisender Transistor. Als Substrat 301 kann ein Halbleitersubstrat, wie z. B. ein einkristallines Siliziumsubstrat, verwendet werden. Der Transistor 310 umfasst einen Teil des Substrats 301, eine leitfähige Schicht 311, einen niederohmigen Bereich 312, eine Isolierschicht 313 und eine Isolierschicht 314. Die leitfähige Schicht 311 dient als Gate-Elektrode. Die Isolierschicht 313 ist zwischen dem Substrat 301 und der leitfähigen Schicht 311 angeordnet und dient als Gate-Isolierschicht. Der niederohmige Bereich 312 ist ein Bereich, in dem das Substrat 301 mit Verunreinigungen dotiert ist, und dient als ein Anschluss von Source und Drain. Die Isolierschicht 314 wird eine Seitenfläche der leitfähigen Schicht 311 bedeckend bereitgestellt.
  • Eine Elementisolierschicht 315 wird zwischen zwei einander benachbarten Transistoren 310 derart bereitgestellt, dass sie in dem Substrat 301 eingebettet ist.
  • Des Weiteren wird eine Isolierschicht 261 den Transistor 310 bedeckend bereitgestellt, und der Kondensator 240 wird über der Isolierschicht 261 bereitgestellt.
  • Der Kondensator 240 umfasst eine leitfähige Schicht 241, eine leitfähige Schicht 245 und eine dazwischen liegende Isolierschicht 243. Die leitfähige Schicht 241 dient als eine Elektrode des Kondensators 240, die leitfähige Schicht 245 dient als die andere Elektrode des Kondensators 240, und die Isolierschicht 243 dient als Dielektrikum des Kondensators 240.
  • Die leitfähige Schicht 241 wird über der Isolierschicht 261 bereitgestellt und ist in einer Isolierschicht 254 eingebettet. Die leitfähige Schicht 241 ist über einen in der Isolierschicht 261 eingebetteten Anschlusspfropfen 271 elektrisch mit einem Anschluss von Source und Drain des Transistors 310 verbunden. Die Isolierschicht 243 ist die leitfähige Schicht 241 bedeckend bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 245 ist in einem über die Isolierschicht 243 mit der leitfähigen Schicht 241 überlappenden Bereich bereitgestellt.
  • Die Isolierschicht 255a ist den Kondensator 240 bedeckend bereitgestellt, die Isolierschicht 255b ist über der Isolierschicht 255a bereitgestellt und die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b, 130c und dergleichen sind über der Isolierschicht 255b bereitgestellt. In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel gezeigt, bei dem die Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c jeweils die mehrschichtige Struktur in 1B aufweisen. Die Seitenflächen der Pixelelektroden 111a, 111b und 111c, der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b und der dritten Schicht 113c sind jeweils mit den Isolierschichten 125 und 127 bedeckt. Die fünfte Schicht 114 ist über der ersten Schicht 113a, der zweiten Schicht 113b, der dritten Schicht 113c sowie den Isolierschichten 125 und 127 bereitgestellt, und die gemeinsame Elektrode 115 ist über der fünften Schicht 114 bereitgestellt. Über den Licht emittierenden Einrichtungen 130a, 130b und 130c ist ferner die Schutzschicht 131 bereitgestellt. Über der Schutzschicht 131 ist die Schutzschicht 132 bereitgestellt und über der Schutzschicht 132 sind die Farbschichten 129a, 129b und 129c bereitgestellt. Über den Farbschichten 129a, 129b und 129c ist das Substrat 120 mittels der Harzschicht 122 befestigt. Auf die Ausführungsform 1 kann für die Details der Licht emittierenden Einrichtungen und der darüber liegenden Komponenten bis zu dem Substrat 120 verwiesen werden. Das Substrat 120 entspricht dem Substrat 292 in 25A.
  • Für die Isolierschichten 255a und 255b können jeweils verschiedene anorganische Isolierfilme, wie z. B. ein isolierender Oxidfilm, ein isolierender Nitridfilm, ein isolierender Oxynitridfilm und ein isolierender Nitridoxidfilm, vorteilhaft verwendet werden. Für die Isolierschicht 255a wird vorzugsweise ein isolierender Oxidfilm oder ein isolierender Oxynitridfilm, wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumoxynitridfilm oder ein Aluminiumoxidfilm, verwendet. Für die Isolierschicht 255b wird vorzugsweise ein isolierender Nitridfilm oder ein isolierender Nitridoxidfilm, wie z. B. ein Siliziumnitridfilm oder ein Siliziumnitridoxidfilm, verwendet. Insbesondere ist bevorzugt, dass ein Siliziumoxidfilm für die Isolierschicht 255a und ein Siliziumnitridfilm für die Isolierschicht 255b verwendet werden. Die Isolierschicht 255b dient vorzugsweise als Ätzschutzfilm. Alternativ können ein isolierender Nitridfilm oder ein isolierender Nitridoxidfilm für die Isolierschicht 255a und ein isolierender Oxidfilm oder ein isolierender Oxynitridfilm für die Isolierschicht 255b verwendet werden. In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel gezeigt, bei dem in der Isolierschicht 255b Ausnehmungen ausgebildet sind; jedoch kann in der Isolierschicht 255b keine Ausnehmung ausgebildet sein.
  • Die Pixelelektrode der Licht emittierenden Einrichtung ist über einen in den Isolierschichten 255a und 255b eingebetteten Anschlusspfropfen 256, die in der Isolierschicht 254 eingebettete leitfähige Schicht 241 und den in der Isolierschicht 261 eingebetteten Anschlusspfropfen 271 elektrisch mit einem Anschluss von Source und Drain des Transistors 310 verbunden. Die Oberseite der Isolierschicht 255b und die Oberseite des Anschlusspfropfens 256 weisen die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Höhe auf. Ein beliebiges von verschiedenen leitfähigen Materialien kann für die Anschlusspfropfen verwendet werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100D]
  • Die Anzeigevorrichtung 100D in 27 unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 100C hauptsächlich durch eine Struktur des Transistors. Es sei angemerkt, dass Abschnitte, die denjenigen in der Anzeigevorrichtung 100C ähnlich sind, in einigen Fällen nicht beschrieben werden.
  • Bei dem Transistor 320 handelt es sich um einen Transistor, in dem Metalloxid (auch als Oxidhalbleiter bezeichnet) für eine Halbleiterschicht, in der ein Kanal gebildet wird, verwendet wird (OS-Transistor).
  • Der Transistor 320 umfasst eine Halbleiterschicht 321, eine Isolierschicht 323, eine leitfähige Schicht 324, ein Paar von leitfähigen Schichten 325, eine Isolierschicht 326 und eine leitfähige Schicht 327.
  • Ein Substrat 331 entspricht dem Substrat 291 in 25A und 25B. Eine mehrschichtige Struktur von dem Substrat 331 bis zu der Isolierschicht 255b entspricht der den Transistor umfassenden Schicht 101 bei der Ausführungsform 1. Als Substrat 331 kann ein isolierendes Substrat oder ein Halbleitersubstrat verwendet werden.
  • Eine Isolierschicht 332 wird über dem Substrat 331 bereitgestellt. Die Isolierschicht 332 dient als isolierender Sperrfilm, der eine Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser oder Wasserstoff, von dem Substrat 331 in den Transistor 320 und eine Abgabe von Sauerstoff aus der Halbleiterschicht 321 in Richtung der Isolierschicht 332 verhindert. Für die Isolierschicht 332 kann ein Film, in dem Wasserstoff oder Sauerstoff mit geringerer Wahrscheinlichkeit als in einem Siliziumoxidfilm diffundiert, wie z. B. ein Aluminiumoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm und ein Siliziumnitridfilm, verwendet werden.
  • Die leitfähige Schicht 327 wird über der Isolierschicht 332 bereitgestellt und die Isolierschicht 326 wird die leitfähige Schicht 327 bedeckend bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 327 dient als erste Gate-Elektrode des Transistors 320, und ein Teil der Isolierschicht 326 dient als erste Gate-Isolierschicht. Für einen mindestens mit der Halbleiterschicht 321 in Kontakt stehenden Teil der Isolierschicht 326 wird vorzugsweise ein isolierender Oxidfilm, wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, verwendet. Die Oberseite der Isolierschicht 326 wird vorzugsweise planarisiert.
  • Die Halbleiterschicht 321 wird über der Isolierschicht 326 bereitgestellt. Die Halbleiterschicht 321 umfasst vorzugsweise einen Metalloxidfilm mit Halbleitereigenschaften (auch als Oxidhalbleiter bezeichnet). Ein für die Halbleiterschicht 321 vorteilhaft verwendbares Material wird nachstehend ausführlich beschrieben.
  • Das Paar von leitfähigen Schichten 325 wird über und in Kontakt mit der Halbleiterschicht 321 bereitgestellt und dient als Source-Elektrode und Drain-Elektrode.
  • Eine Isolierschicht 328 wird derart bereitgestellt, dass sie Ober- und Seitenflächen des Paars von leitfähigen Schichten 325, eine Seitenfläche der Halbleiterschicht 321 und dergleichen bedeckt, und eine Isolierschicht 264 wird über der Isolierschicht 328 bereitgestellt. Die Isolierschicht 328 dient als isolierender Sperrfilm, der eine Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser oder Wasserstoff, von der Isolierschicht 264 und dergleichen in die Halbleiterschicht 321 und eine Abgabe von Sauerstoff aus der Halbleiterschicht 321 verhindert. Für die Isolierschicht 328 kann ein der vorstehenden Isolierschicht 332 ähnlicher Isolierfilm verwendet werden.
  • Eine die Halbleiterschicht 321 erreichende Öffnung wird in den Isolierschichten 328 und 264 bereitgestellt. Die Isolierschicht 323, die in Kontakt mit Seitenflächen der Isolierschichten 264 und der Isolierschichten 328, einer Seitenfläche der leitfähigen Schicht 325 und der Oberfläche der Halbleiterschicht 321 ist, und die leitfähige Schicht 324 sind in der Öffnung eingebettet. Die leitfähige Schicht 324 dient als zweite Gate-Elektrode, und die Isolierschicht 323 dient als zweite Gate-Isolierschicht.
  • Die Oberseite der leitfähigen Schicht 324, die Oberseite der Isolierschicht 323 und die Oberseite der Isolierschicht 264 werden planarisiert, so dass sie die gleiche oder im Wesentlichen gleiche Höhe aufweisen, und eine Isolierschicht 329 und eine Isolierschicht 265 werden diese Schichten bedeckend bereitgestellt.
  • Die Isolierschicht 264 und die Isolierschicht 265 dienen als isolierende Zwischenschicht. Die Isolierschicht 329 dient als isolierender Sperrfilm, der eine Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser oder Wasserstoff, von der Isolierschicht 265 und dergleichen in den Transistor 320 verhindert. Für die Isolierschicht 329 kann ein der Isolierschichten 328 und der Isolierschichten 332 ähnlicher Isolierfilm verwendet werden.
  • Ein elektrisch mit einer des Paars von leitfähigen Schichten 325 verbundener Anschlusspfropfen 274 wird derart bereitgestellt, dass er in der Isolierschicht 265, der Isolierschicht 329 und der Isolierschicht 264 eingebettet ist. Hier umfasst der Anschlusspfropfen 274 vorzugsweise eine leitfähige Schicht 274a, die Seitenflächen von jeweiligen Öffnungen der Isolierschicht 265, der Isolierschicht 329, der Isolierschicht 264 und der Isolierschicht 328 und einen Teil einer Oberseite der leitfähigen Schicht 325 bedeckt, und eine mit einer Oberseite der leitfähigen Schicht 274a in Kontakt stehende leitfähige Schicht 274b. Dabei wird für die leitfähige Schicht 274a vorzugsweise ein leitfähiges Material verwendet, in dem Wasserstoff und Sauerstoff mit geringerer Wahrscheinlichkeit diffundieren.
  • Die Struktur von der Isolierschicht 254 bis zu dem Substrat 120 in der Anzeigevorrichtung 100D ist derjenigen in der Anzeigevorrichtung 100C ähnlich.
  • [Anzeigevorrichtung 100E]
  • Eine Anzeigevorrichtung 100E in 28 weist eine Struktur auf, bei der der Transistor 310, dessen Kanal in dem Substrat 301 gebildet wird, und der Transistor 320, der ein Metalloxid in der Halbleiterschicht enthält, in der der Kanal gebildet wird, übereinander angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Abschnitte, die denjenigen in den Anzeigevorrichtungen 100C und 100D ähnlich sind, in einigen Fällen nicht beschrieben werden.
  • Die Isolierschicht 261 wird den Transistor 310 bedeckend bereitgestellt, und eine leitfähige Schicht 251 wird über der Isolierschicht 261 bereitgestellt. Eine Isolierschicht 262 wird die leitfähige Schicht 251 bedeckend bereitgestellt, und eine leitfähige Schicht 252 wird über der Isolierschicht 262 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 251 und die leitfähige Schicht 252 dienen jeweils als Leitung. Des Weiteren werden eine Isolierschicht 263 und die Isolierschicht 332 die leitfähige Schicht 252 bedeckend bereitgestellt, und der Transistor 320 wird über der Isolierschicht 332 bereitgestellt. Die Isolierschicht 265 wird den Transistor 320 bedeckend bereitgestellt, und der Kondensator 240 wird über der Isolierschicht 265 bereitgestellt. Der Kondensator 240 und der Transistor 320 sind über den Anschlusspfropfen 274 elektrisch miteinander verbunden.
  • Der Transistor 320 kann als in der Pixelschaltung enthaltener Transistor verwendet werden. Ferner kann der Transistor 310 als in der Pixelschaltung enthaltener Transistor oder Transistor verwendet werden, der in einer Treiberschaltung zum Betreiben der Pixelschaltung (einer Gateleitung-Treiberschaltung und/oder einer Sourceleitung-Treiberschaltung) enthalten ist. Der Transistor 310 und der Transistor 320 können auch als Transistoren verwendet werden, die in verschiedenen Schaltungen, wie z. B. einer arithmetischen Schaltung oder einer Speicherschaltung, enthalten sind.
  • Mit einer derartigen Struktur kann nicht nur die Pixelschaltung, sondern auch die Treiberschaltung und dergleichen direkt unter der Licht emittierenden Einrichtung ausgebildet werden, und somit kann die Anzeigevorrichtung im Vergleich mit dem Fall, dass die Treiberschaltung um einen Anzeigeabschnitt herum bereitgestellt wird, miniaturisiert werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100F]
  • Die Anzeigevorrichtung 100F in 29 weist eine Struktur auf, bei der ein Transistor 310A und ein Transistor 310B übereinander angeordnet sind, deren Kanäle jeweils in einem Halbleitersubstrat gebildet werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 100F weist eine Struktur auf, bei der ein mit dem Transistor 310B, dem Kondensator 240 und den Licht emittierenden Einrichtungen versehenes Substrat 301B und ein mit dem Transistor 310A versehenes Substrat 301A aneinander befestigt werden.
  • Hierbei wird eine Isolierschicht 345 vorzugsweise an der Unterseite des Substrats 301B bereitgestellt. Ferner wird eine Isolierschicht 346 vorzugsweise über der über dem Substrat 301A bereitgestellten Isolierschicht 261 bereitgestellt. Die Isolierschichten 345 und 346 dienen als Schutzschichten und können eine Diffusion von Verunreinigungen in das Substrat 301B und das Substrat 301A verhindern. Für die Isolierschichten 345 und 346 kann ein für die Schutzschichten 131 und 132 oder die Isolierschicht 332 verwendbarer, anorganischer isolierender Film verwendet werden.
  • In dem Substrat 301B wird ein das Substrat 301B und die Isolierschicht 345 durchdringender Anschlusspfropfen 343 bereitgestellt. Hierbei wird vorzugsweise eine Isolierschicht 344 eine Seitenfläche des Anschlusspfropfens 343 bedeckend bereitgestellt. Die Isolierschicht 344 dient als Schutzschicht und kann eine Diffusion von Verunreinigungen in das Substrat 301B verhindern. Für die Isolierschicht 344 kann ein für die Schutzschichten 131 und 132 oder die Isolierschicht 332 verwendbarer, anorganischer isolierender Film verwendet werden.
  • Ferner wird eine leifähige Schicht 342 unter der Isolierschicht 345 auf der Rückseite des Substrats 301 B (der Seite der dem Substrat 120 abgewandten Oberfläche) bereitgestellt. Die leifähige Substrat 342 wird vorzugsweise derart bereitgestellt, dass sie in einer Isolierschicht 335 eingebettet ist. Ferner werden Unterseiten der leifähigen Schicht 342 und der Isolierschicht 335 vorzugsweise planarisiert. Hierbei ist die leifähige Schicht 342 elektrisch mit dem Anschlusspfropfen 343 verbunden.
  • Andererseits ist über dem Substrat 301A eine leifähige Schicht 341 auf der Isolierschicht 346 bereitgestellt. Die leifähige Schicht 341 wird vorzugsweise derart bereitgestellt, dass sie in einer Isolierschicht 336 eingebettet ist. Ferner werden Oberseiten der leifähigen Substrat 341 und der Isolierschicht 336 vorzugsweise planarisiert.
  • Durch die Verbindung der leifähigen Schicht 341 und der leifähigen Schicht 342 miteinander werden das Substrat 301A und das Substrat 301B elektrisch miteinander verbunden. Die verbesserte Planarisierung einer durch die leifähigen Schicht 342 und die Isolierschicht 335 ausgebildeten Fläche und einer durch die leifähigen Schicht 341 und die Isolierschicht 336 ausgebildeten Fläche kann hierbei zur guten Befestigung der leifähigen Schicht 341 und der leifähigen Schicht 342 führen.
  • Für die leifähige Schicht 341 und die leifähige Schicht 342 wird vorzugsweise dasselbe leifähige Material verwendet. Beispielsweise kann ein Metallfilm, der ein Element ausgewählt aus Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo und W enthält, ein Metallnitridfilm, der irgendeines der obigen Elemente als ihre Komponente enthält (z. B. ein Titannitridfilm, ein Molybdännitridfilm oder ein Wolframnitridfilm), oder dergleichen verwendet werden. Insbesondre wird für die leifähige Schicht 341 und die leifähige Schicht 342 vorzugsweise Kupfer verwendet. Dadurch kann eine Cu-Cu- (Kupfer-Kupfer-) Direktverbindungstechnik (eine Technik zur elektrischen Leitung durch eine Verbindung von Kupferpads miteinander) angewandt werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100G]
  • 29 zeigt ein Beispiel, bei dem zur Verbindung der leifähigen Schicht 341 und der leifähigen Schicht 342 eine Cu-Cu-Direktverbindungstechnik verwendet wird; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Wie in 30 gezeigt, können bei der Anzeigevorrichtung 100G die leifähige Schicht 341 und die leifähige Schicht 342 über einen Bump 347 miteinander verbunden sein.
  • Wenn zwischen der leifähigen Schicht 341 und der leifähigen Schicht 342 der Bump 347 bereitgestellt wird, wie in 30 gezeigt, können die leifähige Schicht 341 und die leifähige Schicht 342 elektrisch miteinander verbunden werden. Der Bump 347 kann beispielsweise unter Verwendung eines Gold (Au), Nickel (Ni), Indium (In), Zinn (Sn) oder dergleichen enthaltenden leitfähigen Materials ausgebildet. Alternativ wird in einigen Fällen als Bump 347 beispielsweise Lot verwendet. Alternativ kann zwischen der Isolierschicht 345 und der Isolierschicht 346 eine Klebeschicht 348 bereitgestellt werden. Alternativ ist im Fall der Bereitstellung des Bumps 347 eine Struktur ohne die Isolierschicht 335 und die Isolierschicht 336 möglich.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 5)
  • In dieser Ausführungsform wird ein Strukturbeispiel für einen für die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung verwendbaren Transistor beschrieben. Insbesondere wird der Fall beschrieben, dass für einen Halbleiter, in dem ein Kanal gebildet wird, ein Silizium enthaltender Transistor verwendet wird.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung umfassend Licht emittierende Einrichtungen und Pixelschaltungen. Beispielsweise kann bei der Anzeigevorrichtung dann, wenn diese drei Licht emittierenden Einrichtungen umfasst, die jeweils rotes (R) Licht, grünes (G) Licht oder blaues (B) Licht emittieren, eine Vollfarb-Anzeigevorrichtung erzielt werden.
  • Als jeder Transistor in der Pixelschaltung zum Betreiben der Licht emittierenden Einrichtung wird vorzugsweise ein Transistor enthaltend Silizium in einer Halbleiterschicht verwendet, in der ein Kanal gebildet wird. Beispiele für Silizium umfassen einkristallines Silizium, polykristallines Silizium, amorphes Silizium und dergleichen. Insbesondere wird vorzugsweise ein Transistor verwendet, der Niedertemperatur-Polysilizium (low temperature polysilicon, LTPS) in einer Halbleiterschicht enthält (nachstehend auch als LTPS-Transistor bezeichnet). Ein LTPS-Transistor weist eine hohe Feldeffektbeweglichkeit und vorteilhafte Frequenzeigenschaften auf.
  • Unter Verwendung von Transistoren, bei denen Silizium verwendet wird, wie z. B. LTPS-Transistoren, kann eine Schaltung, die mit einer hohen Frequenz betrieben werden muss (z. B. eine Source-Treiberschaltung), an demselben Substrat wie der Anzeigeabschnitt ausgebildet werden. Daher können auf die Anzeigevorrichtung montierte externe Schaltungen vereinfacht werden und die Kosten von Bauteilen und die Montagekosten können reduziert werden.
  • Vorzugsweise wird ein Transistor, der ein Metalloxid in einem Halbleiter (nachstehend auch als Oxidhalbleiter bezeichnet) enthält, in dem ein Kanal gebildet wird (nachstehend wird ein derartiger Transistor auch als OS-Transistor bezeichnet), als mindestens einer der in der Pixelschaltung enthaltenen Transistoren verwendet. Ein OS-Transistor weist im Vergleich mit einem amorphes Silizium enthaltenden Transistor eine sehr hohe Feldeffektbeweglichkeit auf. Außerdem weist ein OS-Transistor einen sehr niedrigen Leckstrom zwischen einer Source und einem Drain im Sperrzustand (nachstehend auch als Sperrstrom bezeichnet) auf, und Ladungen, die in einem in Reihe mit dem Transistor geschalteten Kondensator akkumuliert sind, können lange Zeit gehalten werden. Des Weiteren kann der Stromverbrauch der Anzeigevorrichtung mit einem OS-Transistor verringert werden.
  • Wenn ein LTPS-Transistor als einige der in der Pixelschaltung enthaltenen Transistoren verwendet wird und ein OS-Transistor als die anderen verwendet wird, kann die Anzeigevorrichtung einen niedrigen Stromverbrauch und eine hohe Treiberfähigkeit aufweisen. Als vorteilhafteres Beispiel wird ein OS-Transistor als Transistor, der als Schalter zum Steuern einer elektrischen Verbindung zwischen Leitungen dient, oder dergleichen verwendet, und ein LTPS-Transistor wird als Transistor zum Steuern eines Stroms oder dergleichen verwendet.
  • Beispielsweise dient einer der in der Pixelschaltung enthaltenen Transistoren als Transistor zum Steuern eines durch die Licht emittierende Einrichtung fließenden Stroms und kann auch als Treibertransistor bezeichnet werden. Ein Anschluss von Source und Drain des Treibertransistors ist elektrisch mit der Pixelelektrode der Licht emittierenden Einrichtung verbunden. Als der Treibertransistor wird vorzugsweise ein LTPS-Transistor verwendet. Dementsprechend kann die Menge an durch die Licht emittierende Einrichtung fließendem Strom in der Pixelschaltung erhöht werden.
  • Ein in der Pixelschaltung enthaltener anderer Transistor dient als Schalter zum Steuern der Auswahl und Nichtauswahl des Pixels und kann auch als Auswahltransistor bezeichnet werden. Ein Gate des Auswahltransistors ist elektrisch mit einer Gate-Leitung verbunden und ein Anschluss von Source und Drain davon ist elektrisch mit einer SourceLeitung (Signalleitung) verbunden. Als Auswahltransistor wird vorzugsweise ein OS-Transistor verwendet. Dementsprechend kann die Graustufe des Pixels selbst mit einer sehr niedrigen Bildfrequenz (z. B. 1 fps oder kleiner) aufrechterhalten werden; daher kann der Stromverbrauch verringert werden, indem der Treiber beim Anzeigen eines Standbildes gestoppt wird.
  • Nachstehend werden spezifischere Strukturbeispiele anhand von Zeichnungen beschrieben.
  • [Strukturbeispiel 2 einer Anzeigevorrichtung]
  • 31A zeigt ein Blockschema einer Anzeigevorrichtung 10. Die Anzeigevorrichtung 10 umfasst einen Anzeigeabschnitt 11, einen Treiberschaltungsabschnitt 12, einen Treiberschaltungsabschnitt 13 und dergleichen.
  • Der Anzeigeabschnitt 11 umfasst mehrere in einer Matrix angeordnete Pixel 30. Das Pixel 30 umfasst das Subpixel 21R, das Subpixel 21G und das Subpixel 21B. Das Subpixel 21R, das Subpixel 21G und das Subpixel 21B umfassen jeweils eine als Anzeigeeinrichtung dienende, Licht emittierende Einrichtung und eine Farbschicht.
  • Das Pixel 30 ist elektrisch mit einer Leitung GL, einer Leitung SLR, einer Leitung SLG und einer Leitung SLB verbunden. Die Leitung SLR, die Leitung SLG und die Leitung SLB sind jeweils elektrisch mit dem Treiberschaltungsabschnitt 12 verbunden. Die Leitung GL ist elektrisch mit dem Treiberschaltungsabschnitt 13 verbunden. Der Treiberschaltungsabschnitt 12 dient als Sourceleitung-Treiberschaltung (auch als Source-Treiber bezeichnet), und der Treiberschaltungsabschnitt 13 dient als Gateleitung-Treiberschaltung (auch als Gate-Treiber bezeichnet). Die Leitung GL dient als Gateleitung und die Leitung SLR, die Leitung SLG und die Leitung SLB dienen jeweils als Sourceleitung.
  • Das Subpixel 21R weist eine weißes Licht emittierende Einrichtung und eine rotes Licht durchlassende Farbschicht auf. Das Subpixel 21G weist eine weißes Licht emittierende Einrichtung und eine grünes Licht durchlassende Farbschicht auf. Das Subpixel 21B weist eine weißes Licht emittierende Einrichtung und eine blaues Licht durchlassende Farbschicht auf. Somit kann die Anzeigevorrichtung 10 eine Vollfarbanzeige durchführen. Es sei angemerkt, dass das Pixel 30 ein Licht einer anderen Farbe emittierendes Subpixel umfassen kann. Beispielsweise kann das Pixel 30, zusätzlich zu den drei Subpixeln, ein Subpixel mit einer weißes Licht emittierenden Einrichtung, ein Subpixel mit einer gelbes Licht emittierenden Einrichtung oder dergleichen umfassen.
  • Die Leitung GL ist elektrisch mit dem Subpixel 21R, dem Subpixel 21G und dem Subpixel 21B verbunden, die in einer Zeilenrichtung (einer Richtung, in der sich die Leitung GL erstreckt) angeordnet sind. Die Leitung SLR, die Leitung SLG und die Leitung SLB sind elektrisch mit den Subpixeln 21R, den Subpixeln 21G bzw. den Subpixeln 21B (nicht dargestellt) verbunden, die in einer Spaltenrichtung (einer Erstreckungsrichtung der Leitung SLR und dergleichen) angeordnet sind.
  • [Strukturbeispiel einer Pixelschaltung]
  • 31B zeigt ein Beispiel für einen für das Subpixel 21R, das Subpixel 21G und das Subpixel 21B verwendbaren Schaltplan eines Pixels 21. Das Pixel 21 umfasst einen Transistor M1, einen Transistor M2, einen Transistor M3, einen Kondensator C1 und eine Licht emittierende Einrichtung EL. Die Leitung GL und die Leitung SL sind elektrisch mit dem Pixel 21 verbunden. Die Leitung SL entspricht einer der Leitung SLR, der Leitung SLG und der Leitung SLB in 31A.
  • Bei dem Transistor M1 ist ein Gate ist elektrisch mit der Leitung GL verbunden, ein Anschluss von Source und Drain ist elektrisch mit der Leitung SL verbunden, und der andere Anschluss von Source und Drain ist elektrisch mit einer Elektrode des Kondensators C1 und einem Gate des Transistors M2 verbunden. Bei dem Transistor M2 ist ein Anschluss von Source und Drain elektrisch mit einer Leitung AL verbunden, und der andere Anschluss von Source und Drain ist elektrisch mit einer Elektrode der Licht emittierenden Einrichtung EL, der anderen Elektrode des Kondensators C1 und einem Anschluss von Source und Drain des Transistors M3 verbunden. Bei dem Transistor M3 ist ein Gate elektrisch mit der Leitung GL verbunden, und der andere Anschluss von Source und Drain ist elektrisch mit der Leitung RL verbunden. Die andere Elektrode der Licht emittierenden Einrichtung EL ist elektrisch mit der Leitung CL verbunden.
  • Ein Datenpotential D wird der Leitung SL zugeführt. Ein Auswahlsignal wird der Leitung GL zugeführt. Das Auswahlsignal umfasst ein Potential zum Versetzen eines Transistors in einen Durchlasszustand und ein Potential zum Versetzen eines Transistors in einen Sperrzustand.
  • Ein Rücksetzpotential wird der Leitung RL zugeführt. Ein Anodenpotential wird der Leitung AL zugeführt. Ein Kathodenpotential wird der Leitung CL zugeführt. In dem Pixel 21 ist das Anodenpotential höher als das Kathodenpotential. Das der Leitung RL zugeführt Rücksetzpotential kann derart eingestallt werden, dass eine Potentialdifferenz zwischen dem Rücksetzpotential und dem Kathodenpotential niedriger als die Schwellenspannung der Licht emittierenden Einrichtung EL ist. Das Rücksetzpotential kann ein höheres Potential als das Kathodenpotential, ein dem Kathodenpotential gleiches Potential oder ein niedrigeres Potential sein als das Kathodenpotential.
  • Die Transistoren M1 und M3 dienen als Schalter. Der Transistor M2 dient als Transistor zum Steuern eines durch die Licht emittierende Einrichtung EL fließenden Stroms. Beispielsweise dient der Transistor M1 als Auswahltransistor und der Transistor M2 dient als Treibertransistor.
  • Hier ist es bevorzugt, dass LTPS-Transistoren als sämtliche Transistoren M1 bis M3 verwendet werden. Alternativ ist es bevorzugt, dass OS-Transistoren als Transistoren M1 und M3 und ein LTPS-Transistor als Transistor M2 verwendet werden.
  • Alternativ können OS-Transistoren als sämtliche Transistoren M1 bis M3 verwendet werden. Dabei können LTPS-Transistoren als einer oder mehr von mehreren Transistoren in dem Treiberschaltungsabschnitt 12 und mehreren Transistoren in dem Treiberschaltungsabschnitt 13 verwendet werden und OS-Transistoren können als andere Transistoren verwendet werden. Beispielsweise können OS-Transistoren als in dem Anzeigeabschnitt 11 bereitgestellte Transistoren verwendet werden und LTPS-Transistoren können als in dem Treiberschaltungsabschnitt 12 und dem Treiberschaltungsabschnitt 13 bereitgestellte Transistoren verwendet werden.
  • Als OS-Transistor kann ein Transistor verwendet werden, in dem ein Oxidhalbleiter für eine Halbleiterschicht verwendet wird, in der ein Kanal gebildet wird. Beispielsweise enthält die Halbleiterschicht vorzugsweise Indium, M (M ist eine oder mehrere Arten ausgewählt aus Gallium, Aluminium, Silizium, Bor, Yttrium, Zinn, Kupfer, Vanadium, Beryllium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram und Magnesium) und Zink. Insbesondere ist M vorzugsweise eine oder mehrere Arten ausgewählt aus Aluminium, Gallium, Yttrium und Zinn. Für die Halbleiterschicht des OS-Transistors wird besonders vorzugsweise ein Indium, Gallium und Zink enthaltendes Oxid (auch als IGZO bezeichnet) verwendet. Alternativ wird vorzugsweise ein Indium, Zinn und Zink enthaltendes Oxid verwendet. Alternativ wird vorzugsweise ein Indium, Gallium, Zinn und Zink enthaltendes Oxid verwendet.
  • Ein Transistor mit einem Oxidhalbleiter, der eine größere Bandlücke und eine niedrigere Ladungsträgerdichte aufweist als Silizium, kann einen sehr niedrigen Sperrstrom erzielen. Dank des niedrigen Sperrstroms kann daher der Transistor Ladungen, die in einem in Reihe mit dem Transistor geschalteten Kondensator akkumuliert sind, für eine lange Zeit halten. Daher wird insbesondere jeweils als mit dem Kondensator C1 in Reihe geschaltete Transistoren M1 und M3 vorzugsweise ein Transistor verwendet, bei dem ein Oxidhalbleiter zum Einsatz kommt. Indem der einen Oxidhalbleiter enthaltende Transistor als jeder der Transistoren M1 und M3 verwendet wird, kann eine Leckage der in dem Kondensator C1 gehaltenen Ladungen durch den Transistor M1 oder M3 verhindert werden. Des Weiteren kann, da die in dem Kondensator C1 gehaltenen Ladungen lange Zeit gehalten werden können, ein Standbild lange Zeit angezeigt werden, ohne dass Daten in dem Pixel 21 neu geschrieben werden.
  • Es sei angemerkt, dass in 31B n-Kanal-Transistoren als Transistoren dargestellt werden; jedoch können auch p-Kanal-Transistoren verwendet werden.
  • Ferner werden die Transistoren in dem Pixel 21 vorzugsweise derart ausgebildet, dass sie über demselben Substrat angeordnet sind.
  • Es sei angemerkt, dass Transistoren aufweisend jeweils ein Paar von sich überlappenden Gates, zwischen denen eine Halbleiterschicht angeordnet ist, als Transistoren in dem Pixel 21 verwendet werden können.
  • Bei dem Transistor mit einem Paar von Gates wird das gleiche Potential dem Paar von elektrisch miteinander verbundenen Gates zugeführt, wodurch der Durchlassstrom des Transistors erhöht wird und die Sättigungseigenschaften verbessert werden. Ein Potential zum Steuern der Schwellenspannung des Transistors kann einem des Paars von Gates zugeführt werden. Wenn des Weiteren ein konstantes Potential einem des Paars von Gates zugeführt wird, kann die Stabilität der elektrischen Eigenschaften des Transistors verbessert werden. Beispielsweise kann eines der Gates des Transistors elektrisch mit einer Leitung verbunden sein, der ein konstantes Potential zugeführt wird, oder kann elektrisch mit einer Source oder einem Drain des Transistors verbunden sein.
  • Das Pixel 21 in 31C ist ein Beispiel, bei dem ein Transistor mit einem Paar von Gates als Transistor M1 und Transistor M3 verwendet wird. Sowohl in dem Transistor M1 als auch in dem Transistor M3 ist das Paar von Gates elektrisch miteinander verbunden. Mit einer derartigen Struktur kann die Periode verkürzt werden, in der Daten in das Pixel 21 geschrieben werden.
  • Das Pixel 21 in 31D ist ein Beispiel, bei dem ein Transistor mit einem Paar von Gates auch als Transistor M2 zusätzlich zu dem Transistor M1 und dem Transistor M3 verwendet wird. Ein Paar von Gates des Transistors M2 sind elektrisch miteinander verbunden. Wenn ein derartiger Transistor als Transistor M2 verwendet wird, werden die Sättigungseigenschaften verbessert, wodurch die Emissionsleuchtdichte der Licht emittierenden Einrichtung EL leicht gesteuert werden kann und die Anzeigequalität erhöht werden kann.
  • [Strukturbeispiel des Transistors]
  • Nachstehend werden Beispiele für Querschnittsstrukturen eines in der vorstehenden Anzeigevorrichtung verwendbaren Transistors beschrieben.
  • [Strukturbeispiel 1]
  • 32A ist eine Querschnittsansicht umfassend einen Transistor 410.
  • Der Transistor 410 ist über einem Substrat 401 bereitgestellt, wobei für eine Halbleiterschicht polykristallines Silizium verwendet wird. Der Transistor 410 entspricht beispielsweise dem Transistor M2 in dem Pixel 21. 32A ist ein Beispiel, bei dem ein Anschluss von Source und Drain des Transistors 410 elektrisch mit der leitfähigen Schicht 431 der Licht emittierenden Einrichtung verbunden ist.
  • Der Transistor 410 umfasst eine Halbleiterschicht 411, eine Isolierschicht 412, eine leitfähige Schicht 413 und dergleichen. Die Halbleiterschicht 411 weist einen Kanalbildungsbereich 411i und niederohmige Bereiche 411n auf. Die Halbleiterschicht 411 enthält Silizium. Die Halbleiterschicht 411 enthält vorzugsweise polykristallines Silizium. Die Isolierschicht 412 dient teilweise als Gate-Isolierschicht. Die leitfähige Schicht 413 dient teilweise als Gate-Elektrode.
  • Es sei angemerkt, dass die Halbleiterschicht 411 ein Metalloxid mit Halbleitereigenschaften (auch als Oxidhalbleiter bezeichnet) enthalten kann. Dabei kann der Transistor 410 als OS-Transistor bezeichnet werden.
  • Die niederohmigen Bereiche 411n enthalten ein Verunreinigungselement. Beispielsweise wird im Fall, dass als Transistor 410 ein n-Kanal-Transistor verwendet wird, den niederohmigen Bereichen 411n Phosphor, Arsen oder dergleichen zugesetzt. Im Gegensatz dazu wird im Fall, dass als Transistor 410 ein p-Kanal-Transistor verwendet wird, den niederohmigen Bereichen 411n Bor, Aluminium oder dergleichen zugesetzt. Außerdem kann, um die Schwellenspannung des Transistors 410 zu steuern, dem Kanalbildungsbereich 411i die vorstehend beschriebene Verunreinigung zugesetzt werden.
  • Eine Isolierschicht 421 ist über dem Substrat 401 bereitgestellt. Die Halbleiterschicht 411 ist über der Isolierschicht 421 bereitgestellt. Die Isolierschicht 412 ist die Halbleiterschicht 411 und die Isolierschicht 421 bedeckend bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 413 ist an einer mit der Halbleiterschicht 411 überlappenden Stelle über der Isolierschicht 412 bereitgestellt.
  • Die leitfähige Schicht 413 und die Isolierschicht 412 bedeckend wird ferner eine Isolierschicht 422 bereitgestellt. Eine leitfähige Schicht 414a und eine leitfähige Schicht 414b werden über der Isolierschicht 422 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 414a und die leitfähige Schicht 414b sind in einer Öffnung in der Isolierschicht 422 und der Isolierschicht 412 elektrisch mit den niederohmigen Bereichen 411n verbunden. Die leitfähige Schicht 414a dient teilweise als eine der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode, und die leitfähige Schicht 414b dient teilweise als die andere der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode. Die leitfähige Schicht 414a, die leitfähige Schicht 414b und die Isolierschicht 422 bedeckend wird ferner eine Isolierschicht 423 bereitgestellt.
  • Die als Pixelelektrode dienende leitfähige Schicht 431 wird über der Isolierschicht 423 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 431 wird über der Isolierschicht 423 bereitgestellt und ist in einer Öffnung in der Isolierschicht 423 elektrisch mit der leitfähigen Schicht 414b verbunden. Über der leitfähigen Schicht 431 können eine EL-Schicht und eine gemeinsame Elektrode übereinander angeordnet werden, was aber hier weggelassen wird.
  • [Strukturbeispiel 2]
  • In 32B ist ein Transistor 410a mit einem Paar von Gate-Elektroden gezeigt. Der Transistor 410a in 32B unterscheidet sich von dem Transistor in 32A hauptsächlich durch eine leitfähige Schicht 415 und eine leitfähige Schicht 416.
  • Die leitfähige Schicht 415 ist über der Isolierschicht 421 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 415 und die Isolierschicht 421 bedeckend ist ferner die Isolierschicht 416 bereitgestellt. Die Halbleiterschicht 411 ist derart bereitgestellt, dass mindestens der Kanalbildungsbereich 411i mit der leitfähigen Schicht 415 überlappt, wobei die Isolierschicht 416 dazwischen liegt.
  • Bei dem Transistor 410a in 32B dient die leitfähige Schicht 413 teilweise als erste Gate-Elektrode, und die leitfähige Schicht 415 dient teilweise als zweite Gate-Elektrode. Dabei dient die Isolierschicht 412 teilweise als erste Gate-Isolierschicht, und die Isolierschicht 416 dient teilweise als zweite Gate-Isolierschicht.
  • Hier wird, um die erste Gate-Elektrode elektrisch mit der zweiten Gate-Elektrode zu verbinden, in einem nicht dargestellten Bereich die leitfähige Schicht 413 elektrisch mit der leitfähigen Schicht 415 durch eine Öffnung in der Isolierschicht 412 und der Isolierschicht 416 verbunden. Um die zweite Gate-Elektrode elektrisch mit einer Source oder einem Drain zu verbinden, wird in einem nicht dargestellten Bereich die leitfähige Schicht 414a oder die leitfähige Schicht 414b elektrisch mit der leitfähigen Schicht 415 durch eine Öffnung in der Isolierschicht 422, der Isolierschicht 412 und der Isolierschicht 416 verbunden.
  • Im Fall der Verwendung eines LTPS-Transistors als jeder in dem Pixel 21 enthaltene Transistor kann der als Beispiel in 32A gezeigte Transistor 410 oder der als Beispiel in 32B gezeigte Transistor 410a verwendet werden. Dabei kann als jeder in dem Pixel 21 enthaltene Transistor der Transistor 410a verwendet werden, als jeder Transistor kann der Transistor 410 verwendet werden, oder der Transistor 410a und der Transistor 410 können miteinander kombiniert verwendet werden.
  • [Strukturbeispiel 3]
  • Nachstehend wird eine Struktur sowohl mit einem Transistor, in dem für eine Halbleiterschicht Silizium verwendet wird, als auch einem Transistor beschrieben, in dem für eine Halbleiterschicht ein Metalloxid verwendet wird.
  • 32C ist eine schematische Querschnittsansicht umfassend den Transistor 410a und einen Transistor 450.
  • Für den Transistor 410a kann auf das vorstehende Strukturbeispiel 1 Bezug genommen werden. Hierbei ist ein Beispiel gezeigt, bei dem der Transistor 410a verwendet wird; jedoch ist eine Struktur mit dem Transistor 410 und dem Transistor 450 möglich, und eine Struktur mit sämtlichen Transistoren 410, 410a und 450 ist auch möglich.
  • Es handelt sich bei dem Transistor 450 um einen Transistor, in dem für eine Halbleiterschicht ein Metalloxid verwendet wird. Bei der Struktur in 32C entsprechen beispielsweise der Transistor 450 und der Transistor 410a dem Transistor M1 bzw. dem Transistor M2 in dem Pixel 21. 32C zeigt nämlich ein Beispiel, bei dem ein Anschluss von Source und Drain des Transistors 410a elektrisch mit der leitfähigen Schicht 431 verbunden ist.
  • 32C zeigt ferner ein Beispiel, bei dem der Transistor 450 ein Paar von Gates aufweist.
  • Der Transistor 450 umfasst eine leitfähige Schicht 455, die Isolierschicht 422, eine Halbleiterschicht 451, eine Isolierschicht 452, eine leitfähige Schicht 453 und dergleichen. Die leitfähige Schicht 453 dient teilweise als erstes Gate des Transistors 450 und die leitfähige Schicht 455 dient teilweise als zweites Gate des Transistors 450. Dabei dient die Isolierschicht 452 teilweise als erste Gate-Isolierschicht des Transistors 450 und die Isolierschicht 422 dient teilweise als zweite Gate-Isolierschicht des Transistors 450.
  • Die leitfähige Schicht 455 ist über der Isolierschicht 412 bereitgestellt. Die Isolierschicht 422 ist die leitfähige Schicht 455 bedeckend bereitgestellt. Die Halbleiterschicht 451 ist über der Isolierschicht 422 bereitgestellt. Die Isolierschicht 452 ist die Halbleiterschicht 451 und die Isolierschicht 422 bedeckend bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 453 ist über der Isolierschicht 452 bereitgestellt und weist einen mit der Halbleiterschicht 451 und der leitfähigen Schicht 455 überlappenden Bereich auf.
  • Eine Isolierschicht 426 ist die Isolierschicht 452 und die leitfähige Schicht 453 bedeckend bereitgestellt. Eine leitfähige Schicht 454a und eine leitfähige Schicht 454b werden über der Isolierschicht 426 bereitgestellt. Die leitfähige Schicht 454a und die leitfähige Schicht 454b sind in einer Öffnung in der Isolierschicht 426 und der Isolierschicht 452 elektrisch mit der Halbleiterschicht 451 verbunden. Die leitfähige Schicht 454a dient teilweise als eine der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode, und die leitfähige Schicht 454b dient teilweise als die andere der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode. Die leitfähige Schicht 454a, die leitfähige Schicht 454b und die Isolierschicht 426 bedeckend ist ferner die Isolierschicht 423 bereitgestellt.
  • Hierbei werden die elektrisch mit dem Transistor 410a verbundenen leitfähigen Schichten 414a und 414b vorzugsweise durch die Verarbeitung desselben leitfähigen Films wie die leitfähigen Schichten 454a und 454b ausgebildet. In 32C ist eine Struktur gezeigt, bei der die leitfähige Schicht 414a, die leitfähige Schicht 414b, die leitfähige Schicht 454a und die leitfähige Schicht 454b auf derselben Ebene (d. h. in Kontakt mit der Oberseite der Isolierschicht 426) ausgebildet sind und dasselbe Metallelement enthalten. Dabei sind die leitfähige Schicht 414a und die leitfähige Schicht 414b über eine Öffnung in der Isolierschicht 426, der Isolierschicht 452, der Isolierschicht 422 und der Isolierschicht 412 elektrisch mit den niederohmigen Bereichen 411n verbunden. Daher kann der Herstellungsprozess vereinfacht werden, was bevorzugt ist.
  • Die als erste Gate-Elektrode des Transistors 410a dienende leitfähige Schicht 413 und die als zweite Gate-Elektrode des Transistors 450 dienende leitfähige Schicht 455 werden vorzugsweise durch die Verarbeitung desselben Films ausgebildet. In 32C ist eine Struktur gezeigt, bei der die leitfähige Schicht 413 und die leitfähige Schicht 455 auf derselben Ebene (d. h. in Kontakt mit der Oberseite der Isolierschicht 412) ausgebildet sind und dasselbe Metallelement enthalten. Daher kann der Herstellungsprozess vereinfacht werden, was bevorzugt ist.
  • In 32C ist eine Struktur gezeigt, bei der die als erste Gate-Isolierschicht des Transistors 450 dienende Isolierschicht 452 den Endabschnitt der Halbleiterschicht 451 bedeckt, jedoch kann die Isolierschicht 452 derart verarbeitet werden, dass sie und die leitfähige Schicht 453 die gleiche oder die im Wesentlichen gleiche Oberseitenform aufweisen, wie bei einem Transistor 450a in 32D.
  • Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung und dergleichen der Ausdruck „die im Wesentlichen gleiche Oberseitenform“ bedeutet, dass Konturen von übereinander angeordneten Schichten mindestens teilweise miteinander überlappen. Beispielsweise ist der Fall der Verarbeitung einer oberen Schicht und einer unteren Schicht unter Verwendung desselben Maskenmusters oder teilweise derselben Maskenmuster eingeschlossen. Jedoch überlappen die Konturen in einigen Fällen nicht vollständig miteinander, und die obere Schicht könnte sich weiter innen als die untere Schicht befinden oder die obere Schicht könnte sich weiter außen als die untere Schicht befinden; dieser Fall wird auch durch den Ausdruck „die im Wesentlichen gleiche Oberseitenform“ dargestellt.
  • Es sei angemerkt, dass hier ein Beispiel gezeigt ist, bei dem der Transistor 410a dem Transistor M2 entspricht und elektrisch mit der Pixelelektrode verbunden ist; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Beispielsweise ist auch eine Struktur möglich, bei der der Transistor 450 oder der Transistor 450a dem Transistor M2 entspricht. Dabei entspricht der Transistor 410a dem Transistor M1, dem Transistor M3 oder einem anderen Transistor.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 6)
  • In dieser Ausführungsform wird ein für den in der vorstehenden Ausführungsform beschriebenen OS-Transistor verwendbares Metalloxid (auch als Oxidhalbleiter bezeichnet) beschrieben.
  • Das Metalloxid enthält vorzugsweise mindestens Indium oder Zink. Insbesondere sind vorzugsweise Indium und Zink enthalten. Zusätzlich dazu ist vorzugsweise Aluminium, Gallium, Yttrium, Zinn oder dergleichen enthalten. Ferner können eine oder mehrere Arten ausgewählt aus Bor, Silizium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram, Magnesium, Kobalt und dergleichen enthalten sein.
  • Das Metalloxid kann durch ein Sputterverfahren, ein chemisches Gasphasenabscheidungs- (chemical vapor deposition, CVD-) Verfahren, wie z. B. ein metallorganisches chemisches Gasphasenabscheidungs- (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD-) Verfahren, ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition, ALD-) Verfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • <Klassifizierung von Kristallstrukturen>
  • Als Kristallstruktur eines Oxidhalbleiters können amorphe (darunter auch eine vollständige amorphe Struktur), CAAC- (c-axis aligned crystalline bzw. Kristall mit Ausrichtung bezüglich der c-Achse), nc- (nanokristalline), CAC- (cloud-aligned composite bzw. wolkenartig ausgerichteter Verbund-), einkristalline, polykristalline Strukturen und dergleichen angegeben werden.
  • Es sei angemerkt, dass eine Kristallstruktur eines Films oder eines Substrats mittels eines Röntgenbeugungs- (X-ray diffraction, XRD-) Spektrums ausgewertet werden kann. Die Auswertung kann beispielsweise mittels eines durch eine GIXD-(Grazing-Incidence XRD, Röntgenbeugung unter streifendem Einfall) Messung erhaltenen XRD-Spektrums erfolgen. Es sei angemerkt, dass ein GIXD-Verfahren auch als Dünnfilmverfahren oder Seemann-Bohlin-Verfahren bezeichnet wird.
  • Das XRD-Spektrum eines Quarzglassubstrats weist beispielsweise einen Peak auf, der eine im Wesentlichen symmetrische Form aufweist. Im Gegensatz dazu weist das XRD-Spektrum eines eine kristalline Struktur aufweisenden IGZO-Films einen Peak auf, der eine asymmetrische Form aufweist. Die asymmetrische Form des Peaks des XRD-Spektrums zeigt die Existenz eines Kristalls in dem Film oder dem Substrat. Mit anderen Worten: Die Kristallstruktur des Films oder des Substrats kann nicht als „amorph“ angesehen werden, wenn der Peak des XRD-Spektrums keine symmetrische Form aufweist.
  • Eine Kristallstruktur eines Films oder eines Substrats kann mit einem durch ein Nanostrahlelektronenbeugungs- (nano beam electron diffraction, NBED-) Verfahren erhaltenen Beugungsmuster (auch als Nanostrahlelektronenbeugungsmuster bezeichnet) ausgewertet werden. In dem Beugungsmuster des Quarzglassubstrats wird beispielsweise ein Halo-Muster beobachtet, was darauf hindeutet, dass sich das Quarzglassubstrat in einem amorphen Zustand befindet. Bei dem Beugungsmuster des bei Raumtemperatur abgeschiedenen IGZO-Films wird nicht ein Halo-Muster, sondern ein punktförmiges Muster beobachtet. Daher wird es angenommen, dass sich der bei Raumtemperatur abgeschiedene IGZO-Film in einem Zwischenzustand befindet, der sich von sowohl einem Kristallzustand als auch einem amorphen Zustand unterscheidet, so dass der Schluss nicht gezogen werden kann, dass sich der IGZO-Film in einem amorphen Zustand befindet.
  • «Struktur eines Oxidhalbleiters»
  • Es sei angemerkt, dass Oxidhalbleiter im Hinblick auf die Struktur auf andere Weise als die vorstehende klassifiziert werden könnten. Oxidhalbleiter werden beispielsweise in einen einkristallinen Oxidhalbleiter und einen nicht-einkristallinen Oxidhalbleiter klassifiziert. Als nicht-einkristalliner Oxidhalbleiter können der CAAC-OS und der nc-OS angegeben werden, welche vorstehend beschrieben worden sind. Als nicht-einkristalliner Oxidhalbleiter können weiter ein polykristalliner Oxidhalbleiter, ein amorphähnlicher Oxidhalbleiter (a-ähnlichen OS), ein amorpher Oxidhalbleiter und dergleichen.
  • Hier werden der CAAC-OS, der nc-OS und der a-ähnliche OS ausführlich beschrieben, welche vorstehend beschrieben worden sind.
  • [CAAC-OS]
  • Der CAAC-OS ist ein Oxidhalbleiter, der mehrere Kristallbereiche aufweist, die jeweils eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse in einer bestimmten Richtung aufweisen. Es sei angemerkt, dass es sich bei der bestimmten Richtung um die Dickenrichtung eines CAAC-OS-Films, die normale Richtung einer Ebene, auf der der CAAC-OS-Film ausgebildet ist, oder die normale Richtung einer Oberfläche des CAAC-OS-Films handelt. Der Kristallbereich bezeichnet einen eine periodische Atomanordnung aufweisenden Bereich. Im Fall, dass eine Atomanordnung als Gitteranordnung betrachtet wird, wird der Kristallbereich auch als Bereich mit einer regelmäßigen Gitteranordnung bezeichnet. Der CAAC-OS umfasst einen Bereich, in dem mehrere Kristallbereiche in Richtung der a-b-Ebene miteinander verbunden sind, und der Bereich weist in einigen Fällen eine Verzerrung auf. Es sei angemerkt, dass eine Verzerrung einen Abschnitt bezeichnet, in dem sich die Richtung einer Gitteranordnung zwischen einem Bereich mit einer gleichmäßigen Gitteranordnung und einem anderen Bereich mit einer gleichmäßigen Gitteranordnung in einem Bereich verändert, in dem mehrere Kristallbereiche miteinander verbunden sind. Das heißt, dass der CAAC-OS ein Oxidhalbleiter ist, der eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse aufweist und keine deutliche Ausrichtung in Richtung der a-b-Ebene aufweist.
  • Es sei angemerkt, dass jeder der mehreren Kristallbereiche aus einem oder mehreren feinen Kristallen (Kristallen, die jeweils einen maximalen Durchmesser von kleiner als 10 nm aufweisen) gebildet wird. Im Fall, dass der Kristallbereich aus einem feinen Kristall gebildet ist, ist der maximale Durchmesser des Kristallbereichs kleiner als 10 nm. Im Fall, dass der Kristallbereich aus einer großen Anzahl von feinen Kristallen gebildet ist, könnte die Größe des Kristallbereichs ungefähr mehrere zehn Nanometer betragen.
  • Im Fall eines In-M-Zn-Oxids (das Element M ist eine oder mehrere Arten ausgewählt aus Aluminium, Gallium, Yttrium, Zinn, Titan und dergleichen) gibt es die Tendenz, dass der CAAC-OS eine mehrschichtige Kristallstruktur (auch als mehrschichtige Struktur bezeichnet) aufweist, bei der eine Indium (In) und Sauerstoff enthaltende Schicht (nachstehend als In-Schicht bezeichnet), und eine das Element M, Zink (Zn) und Sauerstoff enthaltende Schicht (nachstehend als (M,Zn)-Schicht bezeichnet) übereinander angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Indium und das Element M durcheinander ersetzt werden können. Deshalb kann in einigen Fällen Indium in der (M,Zn)-Schicht enthalten sein. Außerdem kann in einigen Fällen das Element M in der In-Schicht enthalten sein. Es sei angemerkt, dass in einigen Fällen Zn in der In-Schicht enthalten sein kann. Eine solche geschichtete Struktur wird beispielsweise in einem hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskop- (TEM-) Bild als Gitterbild beobachtet.
  • Wenn beispielsweise der CAAC-OS-Film einer Strukturanalyse mittels eines XRD-Geräts unterzogen wird, wird durch die Out-of-Plane-XRD-Messung mittels eines θ/2θ-Scans ein eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse zeigender Peak bei 2θ von 31° oder in der Nähe davon erfasst. Es sei angemerkt, dass die Position des eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse zeigenden Peaks (der Wert von 2θ) abhängig von der Art, der Zusammensetzung oder dergleichen des in dem CAAC-OS enthaltenen Metallelements variieren könnte.
  • Beispielsweise werden mehrere helle Punkte (Punkte) in dem Elektronenbeugungsmuster des CAAC-OS-Films beobachtet. Es sei angemerkt, dass ein Punkt und ein anderer Punkt punktsymmetrisch beobachtet werden, wobei ein Punkt des durch eine Probe hindurchgehenden einfallenden Elektronenstrahls (auch als direkter Punkt bezeichnet) als Symmetriezentrum verwendet wird.
  • Wenn der Kristallbereich aus der bestimmten Richtung beobachtet wird, weist die Gitteranordnung in diesem Kristallbereich grundsätzlich ein hexagonales Gitter auf; die Gittereinheit weist jedoch nicht immer ein regelmäßiges Sechseck, sondern auch in einigen Fällen ein unregelmäßiges Sechseck auf. Eine fünfeckige Gitteranordnung, eine siebeneckige Gitteranordnung und dergleichen sind in einigen Fällen in der Verzerrung enthalten. Es sei angemerkt, dass eine eindeutige Kristallkorngrenze (Grain-Boundary) selbst in der Nähe der Verzerrung in dem CAAC-OS nicht beobachtet werden kann. Das heißt, dass die Bildung einer Kristallkorngrenze durch die Verzerrung einer Gitteranordnung gehemmt wird. Das liegt wahrscheinlich daran, dass der CAAC-OS eine Verzerrung wegen einer niedrigen Dichte der Anordnung von Sauerstoffatomen in Richtung der a-b-Ebene, einer Veränderung des interatomaren Bindungsabstands durch Substitution eines Metallatoms und dergleichen tolerieren kann.
  • Es sei angemerkt, dass eine Kristallstruktur, bei der eine eindeutige Kristallkorngrenze beobachtet wird, ein sogenannter Polykristall ist. Es ist sehr wahrscheinlich, dass die Kristallkorngrenze als Rekombinationszentrum dient und Ladungsträger eingefangen werden, was zu einer Verringerung des Durchlassstroms, einer Verringerung der Feldeffektbeweglichkeit oder dergleichen eines Transistors führt. Daher ist der CAAC-OS, in dem keine eindeutige Kristallkorngrenze beobachtet wird, ein kristallines Oxid mit einer für eine Halbleiterschicht eines Transistors geeigneten Kristallstruktur. Es sei angemerkt, dass Zn vorzugsweise enthalten ist, um den CAAC-OS zu bilden. Beispielsweise sind ein In-Zn-Oxid und ein In-Ga-Zn-Oxid bevorzugt, da diese Oxide im Vergleich mit einem In-Oxid die Erzeugung einer Kristallkorngrenze hemmen können.
  • Der CAAC-OS ist ein Oxidhalbleiter mit hoher Kristallinität, in dem keine eindeutige Kristallkorngrenze beobachtet wird. In dem CAAC-OS tritt daher eine Verringerung der Elektronenbeweglichkeit aufgrund der Kristallkorngrenze mit geringerer Wahrscheinlichkeit auf. Ein Eindringen von Verunreinigungen, eine Bildung von Defekten und dergleichen könnten die Kristallinität eines Oxidhalbleiters verringern, so dass dies bedeutet, dass der CAAC-OS ein Oxidhalbleiter ist, der geringe Mengen an Verunreinigungen und Defekten (z. B. Sauerstofffehlstellen) aufweist. Daher ist ein den CAAC-OS enthaltender Oxidhalbleiter physikalisch stabil. Deshalb ist der den CAAC-OS enthaltende Oxidhalbleiter wärmebeständig und weist eine hohe Zuverlässigkeit auf. Der CAAC-OS ist auch bei einer hohen Temperatur im Herstellungsprozess (sogenannter Wärmeumsatz bzw. thermal budget) stabil. Die Verwendung des CAAC-OS für einen OS-Transistor kann daher den Freiheitsgrad des Herstellungsprozesses erhöhen.
  • [nc-OS]
  • In dem nc-OS weist ein mikroskopischer Bereich (zum Beispiel ein Bereich mit einer Größe von größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, insbesondere ein Bereich mit einer Größe von größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm) eine regelmäßige Atomanordnung auf. Mit anderen Worten: Der nc-OS enthält einen feinen Kristall. Es sei angemerkt, dass die Größe des feinen Kristalls beispielsweise größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, insbesondere größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm ist; daher wird der feine Kristall auch als Nanokristall bezeichnet. Es gibt keine Regelmäßigkeit der Kristallausrichtung zwischen voneinander unterschiedlichen Nanokristallen in dem nc-OS. Daher wird keine Ausrichtung des gesamten Films beobachtet. Deshalb kann sich der nc-OS in einigen Fällen nicht von einem a-ähnlichen OS oder einem amorphen Oxidhalbleiter in Abhängigkeit von einem Analyseverfahren unterscheiden. Wenn beispielsweise der nc-OS-Film einer Strukturanalyse mittels eines XRD-Geräts unterzogen wird, wird durch die Out-of-Plane-XRD-Messung mittels eines θ/2θ-Scans kein eine Kristallinität anzeigender Peak erfasst. Ferner wird ein Beugungsmuster wie ein Halo-Muster beobachtet, wenn der nc-OS-Film einer Elektronenbeugung (auch als Feinbereichselektronenbeugung bezeichnet) mittels eines Elektronenstrahls mit einem Probendurchmesser unterzogen wird, der größer ist als derjenige eines Nanokristalls (z. B. größer als oder gleich 50 nm). Im Gegensatz dazu wird in einigen Fällen ein Elektronenbeugungsmuster erhalten, in dem mehrere Punkte in einem ringförmigen Bereich rund um einen direkten Punkt beobachtet werden, wenn der nc-OS-Film einer Elektronenbeugung (auch als Nanostrahl-Elektronenbeugung bezeichnet) mittels eines Elektronenstrahls mit einem Probendurchmesser unterzogen wird, der nahezu gleich oder kleiner als derjenige eines Nanokristalls ist (z. B. größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 30 nm).
  • [a-ähnlicher OS]
  • Der a-ähnliche OS ist ein Oxidhalbleiter, der eine Struktur aufweist, die zwischen derjenigen des nc-OS und derjenigen des amorphen Oxidhalbleiters liegt. Der a-ähnliche OS enthält einen Hohlraum oder einen Bereich mit niedriger Dichte. Das heißt, dass der a-ähnliche OS im Vergleich mit dem nc-OS und dem CAAC-OS eine niedrigere Kristallinität aufweist. Ferner weist der a-ähnliche OS im Vergleich mit dem nc-OS und dem CAAC-OS eine höhere Wasserstoffkonzentration in dem Film auf.
  • «Zusammensetzung des Oxidhalbleiters»
  • Als Nächstes wird der vorstehende CAC-OS ausführlich beschrieben. Es sei angemerkt, dass der CAC-OS die Materialzusammensetzung betrifft.
  • [CAC-OS]
  • Es handelt sich bei dem CAC-OS beispielsweise um ein Material mit einer Zusammensetzung, bei der in einem Metalloxid enthaltene Elemente ungleichmäßig verteilt sind, wobei sie jeweils eine Größe von größer als oder gleich 0,5 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, bevorzugt größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm oder eine ähnliche Größe aufweisen. Es sei angemerkt, dass in der nachfolgenden Beschreibung eines Metalloxids der Zustand, in dem ein oder mehrere Metallelemente ungleichmäßig in Bereichen verteilt sind, die jeweils eine Größe von größer als oder gleich 0,5 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, bevorzugt größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm oder eine ähnliche Größe aufweisen, und in dem diese Bereiche vermischt sind, als Mosaikmuster oder Flickenmuster bezeichnet wird.
  • Außerdem weist der CAC-OS eine Zusammensetzung auf, in der sich Materialien in einen ersten Bereich und einen zweiten Bereich trennen, um ein Mosaikmuster zu bilden, und sich der erste Bereich in dem Film verteilt (nachstehend auch als wolkenartige Zusammensetzung bezeichnet). Das heißt, dass der CAC-OS ein Verbundmetalloxid mit einer Zusammensetzung ist, in der der erste Bereich und der zweite Bereich gemischt sind.
  • Hier werden die Atomverhältnisse von In, Ga und Zn zu den in dem CAC-OS in einem In-Ga-Zn-Oxid enthaltenen Metallelementen als [In], [Ga] bzw. [Zn] bezeichnet. Beispielsweise weist der erste Bereich in dem CAC-OS in dem In-Ga-Zn-Oxid [In] auf, welches größer ist als dasjenige in der Zusammensetzung des CAC-OS-Films. Außerdem weist der zweite Bereich [Ga] auf, welches größer ist als dasjenige in der Zusammensetzung des CAC-OS-Films. Alternativ weist der erste Bereich beispielsweise [In], welches größer ist als dasjenige in dem zweiten Bereich, und [Ga] auf, welches kleiner ist als dasjenige in dem zweiten Bereich. Außerdem weist der zweite Bereich [Ga], welches größer ist als dasjenige in dem ersten Bereich, und [In] auf, welches kleiner ist als dasjenige in dem ersten Bereich.
  • Insbesondere handelt es sich bei dem ersten Bereich um einen Indiumoxid, Indiumzinkoxid oder dergleichen als Hauptkomponente enthaltenden Bereich. Außerdem handelt es sich bei dem zweiten Bereich um einen Galliumoxid, Galliumzinkoxid oder dergleichen als Hauptkomponente enthaltenden Bereich. Das heißt, dass der erste Bereich auch als In als Hauptkomponente enthaltender Bereich bezeichnet werden kann. Außerdem kann der zweite Bereich auch als Ga als Hauptkomponente enthaltender Bereich bezeichnet werden.
  • Es sei angemerkt, dass in einigen Fällen keine eindeutige Grenze zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich beobachtet werden kann.
  • Bei einer Materialzusammensetzung eines In, Ga, Zn und O enthaltenden CAC-OS in einem In-Ga-Zn-Oxid werden Ga als Hauptkomponente enthaltene Bereiche in einem Teil des CAC-OS beobachtet und In als Hauptkomponente enthaltene Bereiche in einem Teil davon beobachtet, wobei diese Bereiche unregelmäßig vorhanden sind, um ein Mosaikmuster zu bilden. Daher wird es angenommen, dass der CAC-OS eine Struktur aufweist, bei der Metallelemente ungleichmäßig verteilt sind.
  • Der CAC-OS kann beispielsweise durch ein Sputterverfahren unter Bedingungen ausgebildet werden, bei denen ein Substrat nicht erwärmt wird. Im Fall, dass der CAC-OS durch ein Sputterverfahren ausgebildet wird, können ein oder mehrere Gase ausgewählt aus einem Inertgas (typischerweise Argon), einem Sauerstoffgas und einem Stickstoffgas als Abscheidungsgas verwendet werden. Das Verhältnis der Durchflussmenge eines Sauerstoffgases zu der gesamten Durchflussmenge des Abscheidungsgases bei der Abscheidung ist vorzugsweise möglichst niedrig, und beispielsweise beträgt das Verhältnis der Durchflussmenge eines Sauerstoffgases zu der gesamten Durchflussmenge des Abscheidungsgases bei der Abscheidung bevorzugt höher als oder gleich 0 % und niedriger als 30 %, bevorzugter höher als oder gleich 0 % und niedriger als oder gleich 10 %.
  • Beispielsweise bestätigt auch ein energiedispersives Röntgenspektroskopie-(EDX: energy dispersive X-ray spectroscopy) Verteilungsbild, dass ein CAC-OS in einem In-Ga-Zn-Oxid eine Struktur aufweist, bei der In als Hauptkomponente enthaltende Bereiche (die ersten Bereiche) und Ga als Hauptkomponente enthaltende Bereiche (die zweiten Bereiche) ungleichmäßig verteilt und vermischt sind.
  • Hier ist die Leitfähigkeit des ersten Bereichs höher als diejenige des zweiten Bereichs. Mit anderen Worten: Wenn Ladungsträger durch den ersten Bereich fließen, wird die Leitfähigkeit eines Metalloxides gezeigt. Demzufolge kann dann, wenn die ersten Bereiche in einem Metalloxid wie eine Wolke verteilt sind, eine hohe Feldeffektbeweglichkeit (µ) erzielt werden.
  • Im Gegensatz dazu ist die isolierende Eigenschaft des zweiten Bereichs höher als diejenige des ersten Bereichs. Mit anderen Worten: Wenn die zweiten Bereiche in einem Metalloxid verteilt sind, kann der Leckstrom verhindert werden.
  • Im Fall, dass der CAC-OS für einen Transistor verwendet wird, komplementieren daher die von dem ersten Bereich stammende Leitfähigkeit und die von dem zweiten Bereich stammende isolierende Eigenschaft miteinander, wodurch der CAC-OS eine Schaltfunktion (Ein-/Ausschaltfunktion) aufweisen kann. Mit anderen Worten: Ein CAC-OS weist eine leitfähige Funktion in einem Teil des Materials auf und weist eine isolierende Funktion in einem anderen Teil des Materials auf; als gesamtes Material weist der CAC-OS eine Funktion eines Halbleiters auf. Eine Trennung der leitfähigen Funktion und der isolierenden Funktion kann jede Funktion maximieren. Daher können, indem der CAC-OS für einen Transistor verwendet wird, ein hoher Durchlassstrom (Ion), eine hohe Feldeffektbeweglichkeit (µ) und ein vorteilhafter Schaltbetrieb erhalten werden.
  • Ein Transistor, bei dem ein CAC-OS verwendet wird, weist eine hohe Zuverlässigkeit auf. Daher wird der CAC-OS für verschiedene Halbleitervorrichtungen, typischerweise eine Anzeigevorrichtung, vorteilhaft verwendet.
  • Ein Oxidhalbleiter kann verschiedene Strukturen aufweisen, die voneinander unterschiedliche Eigenschaften zeigen. Zwei oder mehr von dem amorphen Oxidhalbleiter, dem polykristallinen Oxidhalbleiter, dem a-ähnlichen OS, dem CAC-OS, dem nc-OS und dem CAAC-OS können in einem Oxidhalbleiter einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten sein.
  • <Transistor, der den Oxidhalbleiter enthält>
  • Anschließend wird der Fall beschrieben, dass der vorstehende Oxidhalbleiter für einen Transistor verwendet wird.
  • Wenn der vorstehende Oxidhalbleiter für einen Transistor verwendet wird, kann ein Transistor mit hoher Feldeffektbeweglichkeit erhalten werden. Außerdem kann ein Transistor mit hoher Zuverlässigkeit erhalten werden.
  • Für den Transistor wird vorzugsweise ein Oxidhalbleiter mit einer niedrigen Ladungsträgerkonzentration verwendet. Die Ladungsträgerkonzentration des Oxidhalbleiters beträgt beispielsweise niedriger als oder gleich 1 × 1017 cm-3, bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 1015 cm-3, bevorzugter niedriger als oder gleich 1 × 1013 cm-3, noch bevorzugter niedriger als oder gleich 1 × 1011 cm-3, weit bevorzugter niedriger als 1 × 1010 cm-3 und höher als oder gleich 1 × 109 cm-3. Im Fall, dass die Ladungsträgerkonzentration eines Oxidhalbleiterfilms verringert werden soll, wird die Konzentration der Verunreinigungen in dem Oxidhalbleiterfilm verringert, um die Dichte der Defektzustände zu verringern. In dieser Beschreibung und dergleichen wird ein Zustand mit niedriger Verunreinigungskonzentration und niedriger Dichte der Defektzustände als hochreiner intrinsischer oder im Wesentlichen hochreiner intrinsischer Zustand bezeichnet. Es sei angemerkt, dass ein Oxidhalbleiter mit niedriger Ladungsträgerkonzentration als hochreiner intrinsischer oder im Wesentlichen hochreiner intrinsischer Oxidhalbleiter bezeichnet werden kann.
  • Ferner weist ein hochreiner intrinsischer oder im Wesentlichen hochreiner intrinsischer Oxidhalbleiterfilm in einigen Fällen eine niedrige Dichte der Defektzustände und demzufolge eine niedrige Dichte der Einfangzustände auf.
  • Eine von den Einfangzuständen in dem Oxidhalbleiter eingefangene elektrische Ladung benötigt eine lange Zeit, bis sie sich verliert, und sie kann sich wie feste elektrische Ladung verhalten. Daher weist ein Transistor, dessen Kanalbildungsbereich in einem Oxidhalbleiter mit hoher Dichte der Einfangzustände gebildet wird, in einigen Fällen instabile elektrische Eigenschaften auf.
  • Um stabile elektrische Eigenschaften des Transistors zu erhalten, ist es daher effektiv, die Konzentration der Verunreinigungen in dem Oxidhalbleiter zu verringern. Um die Konzentration der Verunreinigungen in dem Oxidhalbleiter zu verringern, wird vorzugsweise auch die Konzentration der Verunreinigungen in einem dem Oxidhalbleiter benachbarten Film verringert. Beispiele für die Verunreinigungen umfassen Wasserstoff, Stickstoff, ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, Eisen, Nickel und Silizium.
  • <Verunreinigungen>
  • Hier wird der Einfluss von Verunreinigungen in dem Oxidhalbleiter beschrieben.
  • Wenn Silizium oder Kohlenstoff, welche Elemente der Gruppe 14 sind, in dem Oxidhalbleiter enthalten ist, werden Defektzustände in dem Oxidhalbleiter gebildet. Deshalb werden die Silizium- oder Kohlenstoffkonzentrationen in dem Oxidhalbleiter und in der Nähe einer Grenzfläche zu dem Oxidhalbleiter (durch Sekundärionen-Massenspektrometrie (SIMS) gemessene Konzentrationen) auf niedriger als oder gleich 2 × 1018 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als oder gleich 2 × 1017 Atome/cm3 eingestellt.
  • Des Weiteren werden dann, wenn der Oxidhalbleiter ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall enthält, in einigen Fällen Defektzustände gebildet und Ladungsträger erzeugt. Daher weist ein Transistor, bei dem ein Alkalimetall oder Erdalkalimetall enthaltender Oxidhalbleiter verwendet wird, leicht selbstleitende Eigenschaften auf. Daher wird die durch SIMS erhaltene Alkalimetall- oder Erdalkalimetallkonzentration in dem Oxidhalbleiter auf niedriger als oder gleich 1 × 1018 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als oder gleich 2 × 1016 Atome/cm3 eingestellt.
  • Wenn der Oxidhalbleiter Stickstoff enthält, wird der Oxidhalbleiter infolge der Erzeugung von als Ladungsträger dienenden Elektronen und eines Anstiegs der Ladungsträgerkonzentration leicht zum n-Typ. Folglich weist ein Transistor, bei dem ein stickstoffhaltiger Oxidhalbleiter als Halbleiter verwendet wird, leicht selbstleitende Eigenschaften auf. Wenn Stickstoff in dem Oxidhalbleiter enthalten ist, wird in einigen Fällen ein Einfangzustand gebildet. Dies könnte zu instabilen elektrischen Eigenschaften des Transistors führen. Daher wird die durch SIMS erhaltene Stickstoffkonzentration in dem Oxidhalbleiter auf niedriger als 5 × 1019 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als oder gleich 5 × 1018 Atome/cm3, bevorzugter niedriger als oder gleich 1 × 1018 Atome/cm3, noch bevorzugter niedriger als oder gleich 5 × 1017 Atome/cm3 eingestellt.
  • In dem Oxidhalbleiter enthaltener Wasserstoff reagiert mit an ein Metallatom gebundenem Sauerstoff zu Wasser und erzeugt daher in einigen Fällen eine Sauerstofffehlstelle. Infolge des Eindringens von Wasserstoff in die Sauerstofffehlstelle wird in einigen Fällen ein als Ladungsträger dienendes Elektron erzeugt. In einigen Fällen verursacht ferner eine Bindung eines Teils von Wasserstoff an an ein Metallatom gebundenen Sauerstoff die Erzeugung eines als Ladungsträger dienenden Elektrons. Folglich weist ein Transistor, bei dem ein wasserstoffhaltiger Oxidhalbleiter verwendet wird, leicht selbstleitende Eigenschaften auf. Demzufolge wird Wasserstoff in dem Oxidhalbleiter vorzugsweise so weit wie möglich verringert. Insbesondere wird die durch SIMS erhaltene Wasserstoffkonzentration in dem Oxidhalbleiter auf niedriger als 1 × 1020 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als 1 × 1019 Atome/cm3, bevorzugter niedriger als 5 × 1018 Atome/cm3, noch bevorzugter niedriger als 1 × 1018 Atome/cm3 eingestellt.
  • Wenn ein Oxidhalbleiter, in dem Verunreinigungen ausreichend verringert sind, für einen Kanalbildungsbereich eines Transistors verwendet wird, kann der Transistor stabile elektrische Eigenschaften aufweisen.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 7)
  • In dieser Ausführungsform werden elektronische Geräte einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 33 bis 37 beschrieben.
  • Elektronische Geräte dieser Ausführungsform umfassen in dem Anzeigeabschnitt jeweils die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden die Definition und die Auflösung leicht erhöht. Daher kann sie für Anzeigeabschnitte von verschiedenen elektronischen Geräten verwendet werden.
  • Als elektronische Geräte werden ein elektronisches Gerät mit einem relativ großen Bildschirm, wie z. B. ein Fernsehgerät, ein Desktop- oder Laptop-PC, ein Monitor eines Computers oder dergleichen, eine Digital Signage oder ein großer Spielautomat, wie z. B. ein Flipperautomat, sowie eine Digitalkamera, eine digitale Videokamera, ein digitaler Fotorahmen, ein Mobiltelefon, eine tragbare Spielkonsole, ein tragbares Informationsendgerät und eine Audiowiedergabevorrichtung angegeben werden.
  • Insbesondere kann die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine erhöhte Definition aufweisen und kann daher vorteilhaft für ein elektronisches Gerät mit einem relativ kleinen Anzeigeabschnitt verwendet werden. Als derartiges elektronisches Gerät können beispielsweise ein Informationsendgerät in Form einer Armbanduhr und eines Armreifs (eine tragbare Vorrichtung) und eine am Kopf anbringbare tragbare Vorrichtung, wie z. B. eine VR-Vorrichtung, wie z. B. ein Head-Mounted Display, eine brillenartige AR-Vorrichtung und eine MR- (Mixed Reality-) Vorrichtung, angegeben werden.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist vorzugsweise eine so äußerst hohe Auflösung wie HD (Pixelanzahl: 1280 × 720), FHD (Pixelanzahl: 1920 × 1080), WQHD (Pixelanzahl: 2560 × 1440), WQXGA (Pixelanzahl: 2560 × 1600), 4K (Pixelanzahl: 3840 × 2160) oder 8K (Pixelanzahl: 7680 × 4320) auf. Insbesondere ist eine Auflösung von 4K, 8K oder höher bevorzugt. Des Weiteren beträgt die Pixeldichte (Definition) der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorzugsweise höher als oder gleich 100 ppi, bevorzugt höher als oder gleich 300 ppi, bevorzugter höher als oder gleich 500 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 1000 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 2000 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 3000 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 5000 ppi und weit bevorzugter höher als oder gleich 7000 ppi. Mit einer derartigen Anzeigevorrichtung mit hoher Definition und/oder hoher Auflösung kann ein elektronisches Gerät zur privaten Nutzung, wie z. B. ein tragbares Gerät oder ein zu Hause gebrauchtes Gerät, höheren realistischen Eindruck, eine Tiefenwahrnehmung und dergleichen aufweisen. Das Bildschirmverhältnis (Seitenverhältnis) der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt. Die Anzeigevorrichtung kann beispielsweise bei verschiedenen Bildschirmverhältnissen, wie z. B. 1:1 (Quadrat), 4:3, 16:9 und 16:10, verwendet werden.
  • Das elektronische Gerät dieser Ausführungsform kann einen Sensor (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Energie, Strahlung, Durchflussrate, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen) umfassen.
  • Das elektronische Gerät dieser Ausführungsform kann verschiedene Funktionen aufweisen. Beispielsweise kann das elektronische Gerät eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Informationen (eines Standbildes, eines bewegten Bildes, eines Textbildes und dergleichen) auf dem Anzeigeabschnitt, eine Touchscreen-Funktion, eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, des Datums, der Zeit und dergleichen, eine Funktion zum Ausführen diverser Arten von Softwares (Programmen), eine drahtlose Kommunikationsfunktion, eine Funktion zum Lesen von in einem Speichermedium gespeicherten Programmen oder Daten und dergleichen aufweisen.
  • Anhand von 33A, 33B, 34A und 34B wird ein Beispiel für am Kopf anbringbare tragbare Vorrichtungen beschrieben. Diese tragbaren Vorrichtungen weisen eine Funktion zum Anzeigen von AR-Inhalten und/oder eine Funktion zum Anzeigen von VR-Inhalten auf. Es sei angemerkt, dass diese tragbaren Vorrichtungen auch eine Funktion zum Anzeigen von SR- oder MR-Inhalten zusätzlich zu AR- und VR-Inhalten aufweisen können. Das elektronische Gerät mit einer Funktion zum Anzeigen von Inhalten von AR, VR, SR (Substitutional Reality), MR und dergleichen ermöglicht dem Benutzer, ein höheres Immersionsgefühl zu erleben.
  • Ein elektronisches Gerät 700A in 33A und ein elektronisches Gerät 700B in 33B weisen jeweils ein Paar von Anzeigefeldern 751, ein Paar von Gehäusen 721, einen Kommunikationsabschnitt (nicht dargestellt), ein Paar von zu tragenden Abschnitten 723, einen Steuerabschnitt (nicht dargestellt), einen Abbildungsabschnitt (nicht dargestellt), ein Paar von optischen Komponenten 753, einen Rahmen 757 und ein Paar von Nasenpads 758 auf.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für das Anzeigefeld 751 verwendet werden. Daher kann bei dem elektronischen Gerät eine Anzeige mit einer sehr hohen Definition ermöglicht werden.
  • Die elektronischen Geräte 700A und 700B können jeweils auf den Anzeigefeldern 751 angezeigte Bilder auf Anzeigebereiche 756 der optischen Komponenten 753 projizieren. Da die optischen Komponenten 753 eine Lichtdurchlässigkeitseigenschaft aufweisen, kann der Benutzer auf den Anzeigebereichen angezeigte Bilder derart sehen, dass die Bilder durch die optischen Komponenten 753 betrachtete Transmissionsbilder überlagern. Daher ermöglichen die elektronischen Geräte 700A und 700B jeweils eine AR-Anzeige.
  • In den elektronischen Geräten 700A und 700B kann eine zur Abbildung nach vorne geeignete Kamera als Abbildungsabschnitt bereitgestellt werden. Des Weiteren wenn die elektronischen Geräte 700A und 700B mit einem Beschleunigungssensor, wie z. B. einem Gyroskopsensor, versehen sind, kann die Orientierung des Kopfs des Benutzer erkannt werden, und ein Bild entsprechend der Orientierung kann auf den Anzeigebereichen 756 angezeigt werden.
  • Der Kommunikationsabschnitt weist eine drahtlose Kommunikationsvorrichtung auf, und beispielsweise kann ein Videosignal oder dergleichen von der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung zugeführt werden. Es sei angemerkt, dass anstelle der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung oder zusätzlich zu der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung ein Anschluss bereitgestellt werden kann, der mit einem Kabel verbunden sein kann, durch das ein Videosignal und ein Stromversorgungspotential zugeführt werden.
  • Die elektronischen Geräte 700A und 700B sind ferner mit einer Batterie versehen, so dass diese drahtlos und/oder mit Leitung geladen werden kann.
  • Ein Berührungssensormodul kann in dem Gehäuse 721 bereitgestellt werden. Das Berührungssensormodul weist eine Funktion zum Erkennen einer Berührung einer Außenfläche des Gehäuses 721 auf. Mit dem Berührungssensormodul wird eine Tippen-Bedienung, eine Gleiten-Bedienung oder dergleichen von dem Benutzer erkannt und damit können verschiedene Verarbeitungen durchgeführt werden. Beispielsweise ermöglicht die Tippen-Bedienung die Durchführung einer Verarbeitung, wie z. B. einer Pausierung oder eines Wiederbeginns eines Videos, und die Gleiten-Bedienung ermöglicht die Durchführung einer Verarbeitung, wie z. B. eines Schnellvorlaufs oder eines Schnellrücklaufs. Wenn die zwei Gehäusen 721 jeweils das Berührungssensormodul aufweisen, können die Bedienungsmöglichkeiten vergrößert werden.
  • Verschiedene Berührungssensoren können auf das Berührungssensormodul angewendet werden. Beispielsweise kann einer von Berührungssensoren der folgenden Typen verwendet werden: ein kapazitiver Typ, ein resistiver Typ, ein Infrarot-Typ, ein elektromagnetischer Induktions-Typ, ein oberflächenakkustischer Wellen-Typ und ein optischer Typ. Insbesondere wird ein kapazitiver Sensor oder ein optischer Sensor vorzugsweise für das Berührungssensormodul verwendet.
  • Im Fall der Verwendung eines optischen Berührungssensors kann als Licht empfangende Einrichtung (auch als Licht empfangendes Element bezeichnet) eine photoelektrische Umwandlungseinrichtung (auch als photoelektrisches Umwandlungselement bezeichnet) verwendet werden. Für eine Aktivschicht der photoelektrischen Umwandlungseinrichtung kann ein anorganischer Halbleiter und/oder ein organischer Halbleiter verwendet werden.
  • Ein elektronisches Gerät 800A in 34A und ein elektronisches Gerät 800B in 34B weisen jeweils ein Paar von Anzeigeabschnitten 820, ein Gehäuse 821, einen Kommunikationsabschnitt 822, ein Paar von zu tragenden Abschnitten 823, einen Steuerabschnitt 824, ein Paar von Abbildungsabschnitten 825 und ein Paar von Linsen 832 auf.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigeabschnitt 820 verwendet werden. Daher kann bei dem elektronischen Gerät eine Anzeige mit einer sehr hohen Definition ermöglicht werden. Dadurch kann der Benutzer ein hohes Immersionsgefühl haben.
  • Die Anzeigeabschnitte 820 befinden sich innerhalb des Gehäuses 821 derart, dass sie durch die Linsen 832 gesehen werden. Wenn das Paar von Anzeigeabschnitten 820 voneinander unterschiedliche Bilder anzeigt, kann auch eine dreidimensionale Anzeige unter Verwendung einer Parallaxe durchgeführt werden.
  • Die elektronischen Geräte 800A und 800B können jeweils als zu VR geeignetes Gerät angesehen werden. Der das elektronische Gerät 800A oder das elektronische Gerät 800B tragende Benutzer kann auf den Anzeigeabschnitten 820 angezeigte Bilder durch die Linsen 832 sehen.
  • Die elektronischen Geräte 800A und 800B weisen vorzugsweise einen Mechanismus zur Anpassung der lateralen Positionen der Linsen 832 und der Anzeigeabschnitte 820 auf, so dass sich die Linsen 832 und die Anzeigeabschnitte 820 gemäß den Positionen der Augen des Benutzers optimal befinden. Außerdem weisen die elektronischen Geräte 800A und 800B vorzugsweise einen Mechanismus zur Anpassung des Fokus durch Änderung des Abstands zwischen den Linsen 832 und den Anzeigeabschnitten 820 auf.
  • Das elektronische Gerät 800A oder das elektronische Gerät 800B kann mit den zu tragenden Abschnitten 823 an dem Kopf des Benutzers angebracht werden. Es sei angemerkt, dass in 34A und dergleichen der zu tragende Abschnitt 823 beispielhaft eine Form wie einen Brillenbügel (auch als Verbindung, Bügel oder dergleichen) aufweist; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Der zu tragende Abschnitt 823 kann eine beliebige Form aufweisen, mit der der Benutzer das elektronische Gerät tragen kann, z. B. eine Form eines Helms oder eines Bandes.
  • Der Abbildungsabschnitt 825 weist eine Funktion zum Erhalten von Informationen über die Außenumgebung auf. Durch den Abbildungsabschnitt 825 erhaltene Daten können an den Anzeigeabschnitt 820 ausgegeben werden. Ein Bildsensor kann für den Abbildungsabschnitt 825 verwendet werden. Außerdem können mehrere Kameras bereitgestellt werden, um mehrere Sichtfelder, wie z. B. ein Teleskop-Sichtfeld und ein Weitwinkel-Sichtfeld, zu umfassen.
  • Obwohl hier ein Beispiel gezeigt ist, bei dem die Abbildungsabschnitte 825 bereitgestellt werden, kann ein Entfernungsmesssensor (nachstehend auch als Erfassungsabschnitt bezeichnet) zum Messen eines Abstands zu einem Objekt bereitgestellt werden. Mit anderen Worten: Der Abbildungsabschnitt 825 ist eine Ausführungsform des Erfassungsabschnitts. Als Erfassungsabschnitt kann beispielsweise ein Bildsensor oder ein Entfernungsbildsensor, wie z. B. ein LiDAR- (light detection and ranging) Sensor, verwendet werden. Durch Verwendung von durch die Kamera erhaltenen Bildern und durch den Entfernungsbildsensor enthaltenen Bildern können mehr Informationen erhalten werden und wird eine Gestenoperation mit höherer Genauigkeit ermöglicht.
  • Das elektronische Gerät 800A kann einen als Knochenleitungs-Ohrhörer dienenden Vibrationsmechanismus aufweisen. Beispielsweise können eines oder mehrere von dem Anzeigeabschnitt 820, dem Gehäuse 821 und dem zu tragenden Abschnitt 823 den Vibrationsmechanismus aufweisen. Daher kann der Benutzer Videos und Töne nur durch Tragen des elektronischen Geräts 800A genießen, ohne eine Audiovorrichtung, wie z. B. Kopfhörer, Ohrhörer oder einen Lautsprecher, zusätzlich zu erfordern.
  • Die elektronischen Geräte 800A und 800B können jeweils einen Eingangsanschluss aufweisen. Mit dem Eingangsanschluss kann ein Kabel zur Zuführung eines Videosignals von einer Videoausgabevorrichtung oder dergleichen, des Stroms zum Laden einer in dem elektronischen Gerät bereitgestellten Batterie und dergleichen verbunden sein.
  • Das elektronische Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Funktion zur Durchführung der drahtlosen Kommunikation mit Ohrhörern 750 aufweisen. Die Ohrhörer 750 umfassen einen Kommunikationsabschnitt (nicht dargestellt) und weist eine drahtlose Kommunikationsfunktion auf. Die Ohrhörer 750 können mit der drahtlosen Kommunikationsfunktion Informationen (z. B. Audiodaten) von dem elektronischen Gerät empfangen. Beispielsweise weist das elektronische Gerät 700A in 33A eine Funktion zum Übertragen von Informationen auf die Ohrhörer 750 mit der drahtlosen Kommunikationsfunktion auf. Als weiteres Beispiel weist das elektronische Gerät 800A in 34A eine Funktion zum Übertragen von Informationen auf die Ohrhörer 750 mit der drahtlosen Kommunikationsfunktion auf.
  • Das elektronische Gerät kann Ohrhörerabschnitte aufweisen. Das elektronische Gerät 700B in 33B weist Ohrhörerabschnitte 727 auf. Beispielsweise können der Ohrhörerabschnitt 727 und der Steuerabschnitt über eine Leitung miteinander verbunden sein. Ein Teil einer den Ohrhörerabschnitt 727 und den Steuerabschnitt verbindenden Leitung kann sich innerhalb des Gehäuses 721 oder des zu tragenden Abschnitts 723 befinden.
  • Ebenfalls weist das elektronische Gerät 800B in 34B Ohrhörerabschnitte 827 auf. Beispielsweise können der Ohrhörerabschnitt 827 und der Steuerabschnitt 824 über eine Leitung miteinander verbunden sein. Ein Teil einer den Ohrhörerabschnitt 827 und den Steuerabschnitt 824 verbindenden Leitung kann sich innerhalb des Gehäuses 821 oder des zu tragenden Abschnitts 823 befinden. Der Ohrhörerabschnitt 827 und der zu tragende Abschnitt 823 können jeweils einen Magnet aufweisen. Dadurch kann der Ohrhörerabschnitt 827 an dem zu tragenden Abschnitt 823 magnetisch befestigt werden, und damit wird eine Unterbringung vereinfacht, was bevorzugt ist.
  • Das elektronische Gerät kann einen Audioausgabeanschluss aufweisen, an den Ohrhörer, Kopfhörer oder dergleichen angeschlossen werden können. Das elektronische Gerät kann alternativ einen Audioeingabeanschluss und/oder einen Audioeingabemechanismus aufweisen. Als Audioeingabemechanismus kann beispielsweise eine Tonauffangvorrichtung, wie z. B. ein Mikrofon, verwendet werden. Wenn das elektronische Gerät den Audioeingabemechanismus aufweist, kann es eine Funktion eines sogenannten Headsets aufweisen.
  • Wie vorstehend beschrieben, sind sowohl das brillenartige Gerät (z. B. die elektronischen Geräte 700A und 700B und dergleichen) als auch das schutzbrillenartige Gerät (z. B. die elektronischen Geräte 800A und 800B und dergleichen) vorteilhaft als elektronisches Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Das elektronische Gerät einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann über eine Leitung oder drahtlos Informationen auf die Ohrhörer übertragen.
  • Ein elektronisches Gerät 6500 in 35A ist ein als Smartphone verwendbares tragbares Informationsendgerät.
  • Das elektronische Gerät 6500 umfasst ein Gehäuse 6501, einen Anzeigeabschnitt 6502, einen Einschaltknopf 6503, Knöpfe 6504, einen Lautsprecher 6505, ein Mikrofon 6506, eine Kamera 6507, eine Lichtquelle 6508 und dergleichen. Der Anzeigeabschnitt 6502 weist eine Touchscreen-Funktion auf.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigeabschnitt 6502 verwendet werden.
  • 35B ist eine schematische Querschnittsansicht umfassend die einen sich auf der Seite des Mikrofons 6506 befindenden Endabschnitt des Gehäuses 6501.
  • Eine Schutzkomponente 6510 mit Lichtdurchlässigkeit ist auf einer Anzeigeoberflächenseite des Gehäuses 6501 bereitgestellt, und ein Anzeigefeld 6511, eine optische Komponente 6512, ein Berührungssensor-Panel 6513, eine gedruckte Leiterplatte 6517, eine Batterie 6518 und dergleichen sind in einem von dem Gehäuse 6501 und der Schutzkomponente 6510 umschlossenen Raum angeordnet.
  • An der Schutzkomponente 6510 sind das Anzeigefeld 6511, die optische Komponente 6512 und das Berührungssensor-Panel 6513 mit einer Klebeschicht (nicht dargestellt) befestigt.
  • Ein Teil des Anzeigefeldes 6511 ist in einem Bereich außerhalb des Anzeigeabschnitts 6502 zurückgeklappt, und eine FPC 6515 ist mit diesem zurückgeklappten Teil verbunden. Eine IC 6516 ist auf der FPC 6515 montiert. Die FPC 6515 ist an einen auf der gedruckten Leiterplatte 6517 bereitgestellten Anschluss angeschlossen.
  • Eine flexible Anzeige einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann als Anzeigefeld 6511 verwendet werden. Daher kann ein sehr leichtes elektronisches Gerät ermöglicht werden. Da die Dicke des Anzeigefeldes 6511 sehr klein ist, kann die Batterie 6518 mit hoher Kapazität unter Dickenverringerung des elektronischen Geräts montiert werden. Ein elektronisches Gerät mit einem schmalen Rahmen kann ermöglicht werden, wenn ein Teil des Anzeigefeldes 6511 zurückgeklappt wird, um den mit der FPC 6515 verbundenen Abschnitt auf der Rückseite eines Pixelabschnitts anzuordnen.
  • 36A zeigt ein Beispiel für ein Fernsehgerät. Bei einem Fernsehgerät 7100 ist ein Anzeigeabschnitt 7000 in einem Gehäuse 7101 eingebaut. Hier wird eine Struktur gezeigt, bei der das Gehäuse 7101 von einem Standfuß 7103 gestützt wird.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigeabschnitt 7000 verwendet werden.
  • Eine Bedienung des Fernsehgeräts 7100 in 36A kann mit einem im Gehäuse 7101 bereitgestellten Bedienschalter und einer separaten Fernbedienung 7111 durchgeführt werden. Alternativ kann der Anzeigeabschnitt 7000 einen Berührungssensor umfassen, und das Fernsehgerät 7100 kann durch Berührung des Anzeigeabschnitts 7000 mit einem Finger oder dergleichen bedient werden. Die Fernbedienung 7111 kann einen Anzeigeabschnitt zum Anzeigen von von der Fernbedienung 7111 ausgegebenen Informationen umfassen. Durch Bedienungstasten oder einen Touchscreen in der Fernbedienung 7111 können die Fernsehsender und die Lautstärke bedient werden, und auf dem Anzeigeabschnitt 7000 angezeigte Bilder können bedient werden.
  • Es sei angemerkt, dass das Fernsehgerät 7100 eine Struktur aufweist, bei der ein Empfänger, ein Modem und dergleichen vorgesehen sind. Mit dem Empfänger kann allgemeiner Fernsehrundfunk empfangen werden. Wenn das Fernsehgerät über das Modem drahtlos oder per Draht mit einem Kommunikationsnetzwerk verbunden ist, kann eine unidirektionale (von einem Sender zu einem Empfänger) oder eine bidirektionale (z. B. zwischen einem Sender und einem Empfänger oder zwischen Empfängern) Datenkommunikation durchgeführt werden.
  • 36B zeigt ein Beispiel für einen Laptop-PC. Der Laptop-PC 7200 umfasst ein Gehäuse 7211, eine Tastatur 7212, eine Zeigevorrichtung 7213, einen externen Verbindungsanschluss 7214 und dergleichen. In dem Gehäuse 7211 ist der Anzeigeabschnitt 7000 eingebaut.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigeabschnitt 7000 verwendet werden.
  • 36C und 36D zeigen Beispiele für eine Digital Signage.
  • Eine Digital Signage 7300 in 36C umfasst ein Gehäuse 7301, den Anzeigeabschnitt 7000, einen Lautsprecher 7303 und dergleichen. Ferner kann die Digital Signage eine LED-Lampe, Bedientasten (einschließlich eines Netzschalters oder eines Bedienschalters), einen Verbindungsanschluss, verschiedene Sensoren, ein Mikrofon und dergleichen umfassen.
  • 36D zeigt eine Digital Signage 7400, die an einer zylindrischen Säule 7401 angebracht ist. Die Digital Signage 7400 umfasst den entlang einer gekrümmten Oberfläche der Säule 7401 bereitgestellten Anzeigeabschnitt 7000.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für den Anzeigeabschnitt 7000 in 36C und 36D verwendet werden.
  • Eine größere Fläche des Anzeigeabschnitts 7000 kann die Menge an auf einmal lieferbaren Daten erhöhen. Der größere Anzeigeabschnitt 7000 erregt mehr Aufmerksamkeit, so dass z. B. die Effektivität der Werbung erhöht werden kann.
  • Ein Touchscreen wird vorzugsweise für den Anzeigeabschnitt 7000 verwendet, da ein Benutzer nicht nur ein Standbild oder ein bewegtes Bild sehen, das auf dem Anzeigeabschnitt 7000 angezeigt wird, sondern auch intuitiv den Anzeigeabschnitt 7000 bedienen kann. Außerdem kann für eine Anwendung zur Lieferung von Informationen, wie z. B. Routeninformationen oder Verkehrsinformationen, die Benutzerfreundlichkeit durch intuitive Bedienung verbessert werden.
  • Darüber ist es, wie in 36C und 36D gezeigt, bevorzugt, dass die Digital Signage 7300 oder die Digital Signage 7400 mit einem Informationsendgerät 7311 oder einem Informationsendgerät 7411, wie z. B. einem von einem Benutzer besessenen Smartphone durch drahtlose Kommunikation interagieren kann. Beispielsweise können Informationen einer auf dem Anzeigeabschnitt 7000 angezeigten Werbung auf einem Bildschirm des Informationsendgeräts 7311 oder des Informationsendgeräts 7411 angezeigt werden. Durch die Bedienung des Informationsendgeräts 7311 oder des Informationsendgeräts 7411 kann eine Anzeige auf dem Anzeigeabschnitt 7000 umgeschaltet werden.
  • Es ist möglich, die Digital Signage 7300 oder die Digital Signage 7400 dazu zu bringen, ein Spiel unter Verwendung des Bildschirms des Informationsendgeräts 7311 oder des Informationsendgeräts 7411 als Bedienmittel (Controller) auszuführen. Dadurch kann eine unbestimmte Anzahl von Benutzern gleichzeitig am Spiel teilnehmen und es genießen.
  • Elektronische Geräte in 37A bis 37G umfasst jeweils ein Gehäuse 9000, einen Anzeigeabschnitt 9001, einen Lautsprecher 9003, eine Bedientaste 9005 (darunter auch einen Netzschalter oder einen Bedienschalter), einen Verbindungsanschluss 9006, einen Sensor 9007 (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Energie, Strahlung, Durchflussmenge, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen), ein Mikrofon 9008 und dergleichen.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann für die Anzeigeabschnitte 9001 in 37A bis 37G verwendet werden.
  • Die elektronischen Geräte in 37A bis 37G weisen verschiedene Funktionen auf. Beispielsweise können die elektronischen Geräte eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Informationen (eines Standbildes, eines bewegten Bildes, eines Textbildes und dergleichen) auf dem Anzeigeabschnitt, eine Touchscreen-Funktion, eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, des Datums, der Zeit und dergleichen, eine Verarbeitungssteuerfunktion mit diverser Arten von Softwares (Programmen), eine drahtlose Kommunikationsfunktion und eine Funktion zum Lesen und Verarbeiten von in einem Speichermedium gespeicherten Programmen oder Daten und dergleichen aufweisen. Es sei angemerkt, dass die Funktionen der elektronischen Geräte nicht darauf beschränkt sind, und sie können verschiedene Funktionen aufweisen. Die elektronischen Geräte können jeweils mehrere Anzeigeabschnitte aufweisen. Die elektronischen Geräte können jeweils mit einer Kamera oder dergleichen versehen sein und eine Funktion zum Aufnehmen eines Standbildes oder eines bewegten Bildes, eine Funktion zum Speichern des aufgenommenen Bildes in einem Speichermedium (einem externen Speichermedium oder einem in der Kamera integrierten Speichermedium), eine Funktion zur Anzeige des aufgenommenen Bildes auf dem Anzeigeabschnitt oder dergleichen aufweisen.
  • Die elektronischen Geräte in 37A bis 37G werden nachstehend ausführlich beschrieben.
  • 37A ist eine perspektivische Ansicht zeigend ein tragbares Informationsendgerät 9101. Das tragbare Informationsendgerät 9101 kann beispielsweise als Smartphone verwendet werden. Es sei angemerkt, dass das tragbare Informationsendgerät 9101 den Lautsprecher 9003, den Verbindungsanschluss 9006, den Sensor 9007 oder dergleichen umfassen kann. Das tragbare Informationsendgerät 9101 kann Schriftzeichen und Bildinformationen auf seinen mehreren Oberflächen anzeigen. 37A zeigt ein Beispiel, bei dem drei Icons 9050 angezeigt sind. Außerdem können durch gestrichelte Rechtecke dargestellte Informationen 9051 auf einer anderen Oberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 angezeigt werden. Beispiele für die Informationen 9051 umfassen eine Mitteilung der Ankunft einer E-Mail, einer SNS-Nachricht, eines Anrufs oder dergleichen, den Betreff und den Absender einer E-Mail, einer SNS-Nachricht oder dergleichen, das Datum, die Zeit, die verbleibende Batterieleistung und die Intensität einer Radiowelle. Das Icon 9050 oder dergleichen kann alternativ an der Stelle angezeigt werden, an der die Informationen 9051 angezeigt werden.
  • 37B ist eine perspektivische Ansicht zeigend ein tragbares Informationsendgerät 9102. Das tragbare Informationsendgerät 9102 weist eine Funktion zur Anzeige von Informationen auf drei oder mehr Oberflächen des Anzeigeabschnitts 9001 auf. Hier werden beispielsweise Informationen 9052, Informationen 9053 und Informationen 9054 auf voneinander unterschiedlichen Oberflächen angezeigt. Beispielsweise kann der Benutzer die Informationen 9053 checken, die derart angezeigt werden, dass sie von oberhalb des tragbaren Informationsendgeräts 9102 aus eingesehen werden können, wobei das tragbare Informationsendgerät 9102 in einer Brusttasche seines Kleidungsstücks aufbewahrt wird. Beispielsweise kann der Benutzer die Anzeige sehen, ohne das tragbare Informationsendgerät 9102 aus der Tasche zu nehmen, und er kann entscheiden, ob er den Anruf annimmt.
  • 37C ist eine perspektivische Ansicht eines Tablet-Endgeräts 9103. Das Tablet-Endgerät 9103 ist beispielsweise geeignet zum Ausführen verschiedener Applikationen, wie z. B. Mobiltelefongesprächen, das Verschicken und Empfangen von E-Mails, das Ansehen und Bearbeiten von Texten, das Wiedergeben von Musik, Internet-Kommunikation und das Ausführen von Computerspielen. Das Tablet-Endgerät 9103 umfasst den Anzeigeabschnitt 9001, die Kamera 9002, das Mikrofon 9008 und den Lautsprecher 9003 an der Vorderseite des Gehäuses 9000; die Bedienungstasten 9005 als Knöpfe zur Bedienung an der linken Seitenfläche des Gehäuses 9000; und den Verbindungsanschluss 9006 an der Unterseite des Gehäuses 9000.
  • 37D ist eine perspektivische Ansicht zeigend ein tragbares Informationsendgerät 9200 in Form einer Armbanduhr. Das tragbare Informationsendgerät 9200 kann beispielsweise als Smartwatch (eingetragenes Markenzeichen) verwendet werden. Des Weiteren ist die Anzeigeoberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 gekrümmt, und eine Anzeige kann entlang der gekrümmten Anzeigeoberfläche durchgeführt werden. Bei dem tragbaren Informationsendgerät 9200 ermöglicht beispielsweise eine gegenseitige Kommunikation mit einem für die drahtlose Kommunikation geeigneten Headset Freisprech-Telefonate. Der Verbindungsanschluss 9006 ermöglicht, dass das tragbare Informationsendgerät 9200 gegenseitige Datenübertragung mit einem weiteren Informationsendgerät und ein Aufladen durchführt. Es sei angemerkt, dass der Ladevorgang durch drahtlose Stromzufuhr durchgeführt werden kann.
  • 37E bis 37G sind perspektivische Ansichten zeigend ein zusammenklappbares tragbares Informationsendgerät 9201. 37E ist eine perspektivische Ansicht eines Zustandes, in dem das tragbare Informationsendgerät 9201 aufgeklappt ist, 37G ist eine perspektivische Ansicht eines Zustandes, in dem das tragbare Informationsendgerät 9201 zusammengeklappt ist, und 37F ist eine perspektivische Ansicht beim Wechseln zwischen dem Zustand in 37E und dem Zustand in 37G. Das tragbare Informationsendgerät 9201 ist im zusammengeklappten Zustand sehr gut tragbar und ist im aufgeklappten Zustand aufgrund eines übergangslosen großen Anzeigebereichs sehr gut durchsuchbar. Der Anzeigeabschnitt 9001 des tragbaren Informationsendgeräts 9201 wird von drei durch Gelenke 9055 miteinander verbundenen Gehäusen 9000 getragen. Beispielsweise kann der Anzeigeabschnitt 9001 mit einem Krümmungsradius von größer als oder gleich 0,1 mm und kleiner als oder gleich 150 mm gebogen werden.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit der anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • Bezugszeichen
  • AL: Leitung, CL: Leitung, GL: Leitung, IRS: Subpixel, PS: Subpixel, RL: Leitung, SL: Leitung, SLB: Leitung, SLG: Leitung, SLR: Leitung, 10: Anzeigevorrichtung, 11: Anzeigeabschnitt, 12: Treiberschaltungsabschnitt, 13: Treiberschaltungsabschnitt, 21: Pixel, 21R: Subpixel, 21G: Subpixel, 21B: Subpixel, 30: Pixel, 70: elektronisches Gerät, 72: Ständer, 74: Tisch, 100: Anzeigevorrichtung, 100A: Anzeigevorrichtung, 100B: Anzeigevorrichtung, 100C: Anzeigevorrichtung, 100D: Anzeigevorrichtung, 100E: Anzeigevorrichtung, 100F: Anzeigevorrichtung, 100G: Anzeigevorrichtung, 101: Schicht, 110: Pixel, 110a: Subpixel, 110b: Subpixel, 110c: Subpixel, 110d: Subpixel, 111: leitfähiger Film, 111a: Pixelelektrode, 111b: Pixelelektrode, 111c: Pixelelektrode, 111d: Pixelelektrode, 113a: erste Schicht, 113A: erste Schicht, 113b: zweite Schicht, 113c: dritte Schicht, 113d: vierte Schicht, 114: fünfte Schicht, 115: gemeinsame Schicht, 117: lichtundurchlässige Schicht, 118: Opferschicht, 118a: Opferschicht, 118A: Opferschicht, 119: Opferschicht, 119a: Opferschicht, 119A: Opferschicht, 120: Substrat, 122: Harzschicht, 123: leitfähige Schicht, 124a: Pixel, 124b: Pixel, 125: Isolierschicht, 125A: Isolierfilm, 126a: leitfähige Schicht, 126b: leitfähige Schicht, 126c: leitfähige Schicht, 127: Isolierschicht, 127A: Isolierfilm, 128: Schicht, 129: Farbschicht, 129a: Farbschicht, 129b: Farbschicht, 129c: Farbschicht, 130: Licht emittierende Einrichtung, 130a: Licht emittierende Einrichtung, 130b: Licht emittierende Einrichtung, 130c: Licht emittierende Einrichtung, 130d: Licht emittierende Einrichtung, 131: Schutzschicht, 132: Schutzschicht, 133: Isolierschicht, 134: Mikrolinse, 135: erstes Substrat, 136: zweites Substrat, 138: Bereich, 139: Bereich, 140: Verbindungsabschnitt, 142: Klebeschicht, 151: Substrat, 152: Substrat, 153: Substrat, 162: Anzeigeabschnitt, 164: Schaltung, 165: Leitung, 166: leitfähige Schicht, 172: FPC, 173: IC, 190a: Photolackmaske, 190b: Photolackmaske, 201: Transistor, 204: Verbindungsabschnitt, 205: Transistor, 209: Transistor, 210: Transistor, 211: Isolierschicht, 213: Isolierschicht, 214: Isolierschicht, 215: Isolierschicht, 218: Isolierschicht, 221: leitfähige Schicht, 222a: leitfähige Schicht, 222b: leitfähige Schicht, 223: leitfähige Schicht, 225: Isolierschicht, 228: Bereich, 231: Halbleiterschicht, 231i: Kanalbildungsbereich, 231n: niederohmiger Bereich, 240: Kondensator, 241: leitfähige Schicht, 242: Verbindungsschicht, 243: Isolierschicht, 245: leitfähige Schicht, 251: leitfähige Schicht, 252: leitfähige Schicht, 254: Isolierschicht, 255a: Isolierschicht, 255b: Isolierschicht, 256: Anschlusspfropfen, 261: Isolierschicht, 262: Isolierschicht, 263: Isolierschicht, 264: Isolierschicht, 265: Isolierschicht, 271: Anschlusspfropfen, 274: Anschlusspfropfen, 274a: leitfähige Schicht, 274b: leitfähige Schicht, 280: Anzeigemodul, 281: Anzeigeabschnitt, 282: Schaltungsabschnitt, 283: Pixelschaltungsabschnitt, 283a: Pixelschaltung, 284: Pixelabschnitt, 284a: Pixel, 285: Anschlussabschnitt, 286: Leitungsabschnitt, 290: FPC, 291: Substrat, 292: Substrat, 301: Substrat, 301A: Substrat, 301B: Substrat, 310: Transistor, 310A: Transistor, 310B: Transistor, 311: leitfähige Schicht, 312: niederohmiger Bereich, 313: Isolierschicht, 314: Isolierschicht, 315: Elementisolierschicht, 320: Transistor, 321: Halbleiterschicht, 323: Isolierschicht, 324: leitfähige Schicht, 325: leitfähige Schicht, 326: Isolierschicht, 327: leitfähige Schicht, 328: Isolierschicht, 329: Isolierschicht, 331: Substrat, 332: Isolierschicht, 335: Isolierschicht, 336: Isolierschicht, 341: leitfähige Schicht, 342: leitfähige Schicht, 343: Anschlusspfropfen, 344: Isolierschicht, 345: Isolierschicht, 346: Isolierschicht, 347: Bump, 348: Klebeschicht, 351: Substrat, 352: Finger, 353: Schicht, 355: Funktionsschicht, 357: Schicht, 359: Substrat, 401: Substrat, 410: Transistor, 410a: Transistor, 411: Halbleiterschicht, 411i: Kanalbildungsbereich, 411n: niederohmiger Bereich, 412: Isolierschicht, 413: leitfähige Schicht, 414a: leitfähige Schicht, 414b: leitfähige Schicht, 415: leitfähige Schicht, 416: Isolierschicht, 421: Isolierschicht, 422: Isolierschicht, 423: Isolierschicht, 426: Isolierschicht, 431: leitfähige Schicht, 450: Transistor, 450a: Transistor, 451: Halbleiterschicht, 452: Isolierschicht, 453: leitfähige Schicht, 454a: leitfähige Schicht, 454b: leitfähige Schicht, 455: leitfähige Schicht, 500: Anzeigevorrichtung, 501: Elektrode, 502: Elektrode, 512Q_1: Licht emittierende Einheit, 512Q_2: Licht emittierende Einheit, 512Q_3: Licht emittierende Einheit, 512W: Licht emittierende Einheit, 521: Schicht, 522: Schicht, 523Q_1: Licht emittierende Schicht, 523Q_2: Licht emittierende Schicht, 523Q_3: Licht emittierende Schicht, 524: Schicht, 525: Schicht, 531: Zwischenschicht, 540: Schutzschicht, 545B: Farbschicht, 545G: Farbschicht, 545R: Farbschicht, 550W: Licht emittierende Einrichtung, 700A: elektronisches Gerät, 700B: elektronisches Gerät, 721: Gehäuse, 723: zu tragender Abschnitt, 727: Ohrhörerabschnitt, 750: Ohrhörer, 751: Anzeigefeld, 753: optische Komponente, 756: Anzeigebereich, 757: Rahmen, 758: Nasenpad, 800A: elektronisches Gerät, 800B: elektronisches Gerät, 820: Anzeigeabschnitt, 821: Gehäuse, 822: Kommunikationsabschnitt, 823: zu tragender Abschnitt, 824: Steuerabschnitt, 825: Abbildungsabschnitt, 827: Ohrhörerabschnitt, 832: Linse, 6500: elektronisches Gerät, 6501: Gehäuse, 6502: Anzeigeabschnitt, 6503: Einschaltknopf, 6504: Knopf, 6505: Lautsprecher, 6506: Mikrofon, 6507: Kamera, 6508: Lichtquelle, 6510: Schutzkomponente, 6511: Anzeigefeld, 6512: optische Komponente, 6513: Berührungssensor-Panel, 6515: FPC, 6516: IC, 6517: gedruckte Leiterplatte, 6518: Batterie, 7000: Anzeigeabschnitt, 7100: Fernsehgerät, 7101: Gehäuse, 7103: Standfuß, 7111: Fernbedienung, 7200: Laptop-PC, 7211: Gehäuse, 7212: Tastatur, 7213: Zeigevorrichtung, 7214: externer Verbindungsanschluss, 7300: Digital Signage, 7301: Gehäuse, 7303: Lautsprecher, 7311: Informationsendgerät, 7400: Digital Signage, 7401: Säule, 7411: Informationsendgerät, 9000: Gehäuse, 9001: Anzeigeabschnitt, 9002: Kamera, 9003: Lautsprecher, 9005: Bedientaste, 9006: Verbindungsanschluss, 9007: Sensor, 9008: Mikrofon, 9050: Icon, 9051: Information, 9052: Information, 9053: Information, 9054: Information, 9055: Gelenke, 9101: tragbares Informationsendgerät, 9102: tragbares Informationsendgerät, 9103: Tablet-Endgerät, 9200: tragbares Informationsendgerät, 9201: tragbares Informationsendgerät

Claims (17)

  1. Anzeigevorrichtung umfassend: eine erste Licht emittierende Einrichtung, eine zweite Licht emittierende Einrichtung, eine erste Isolierschicht, eine erste Farbschicht und eine zweite Farbschicht, wobei die erste Licht emittierende Einrichtung eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode und eine gemeinsame Elektrode über der ersten Licht emittierenden Schicht aufweist, wobei die zweite Licht emittierende Einrichtung eine zweite Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode und die gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht aufweist, wobei die erste Isolierschicht jede Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht bedeckt, wobei die erste Farbschicht mit der ersten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet ist, wobei die zweite Farbschicht mit der zweiten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet ist, wobei die erste Licht emittierende Einrichtung und die zweite Licht emittierende Einrichtung jeweils eine Funktion zum Emittieren von weißem Licht aufweisen, und wobei die erste Farbschicht eine Funktion zum Durchlassen von sichtbarem Licht in einer Farbe aufweist, die von derjenigen eines durch die zweite Farbschicht durchgehenden sichtbaren Lichts unterschiedlich ist.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, umfassend eine zweite Isolierschicht, wobei die erste Isolierschicht ein anorganisches Material enthält, und wobei die zweite Isolierschicht ein organisches Material enthält und mit jeder Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht überlappt, zwischen denen und der zweiten Isolierschicht die erste Isolierschicht liegt.
  3. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die erste Licht emittierende Einrichtung eine gemeinsame Schicht zwischen der ersten Licht emittierenden Schicht und der gemeinsamen Elektrode aufweist, wobei die zweite Licht emittierende Einrichtung die gemeinsame Schicht zwischen der zweiten Licht emittierenden Schicht und der gemeinsamen Elektrode aufweist, und wobei die gemeinsame Schicht eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Lochverhinderungsschicht und/oder eine Lochtransportschicht und/oder eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektronenverhinderungsschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweist.
  4. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die erste Licht emittierende Schicht dasselbe Material wie bei der zweiten Licht emittierenden Schicht enthält.
  5. Anzeigevorrichtung umfassend: eine erste Licht emittierende Einrichtung, eine zweite Licht emittierende Einrichtung, eine erste Isolierschicht, eine erste Farbschicht und eine zweite Farbschicht, wobei die erste Licht emittierende Einrichtung eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Einheit über der ersten Pixelelektrode, eine erste Ladungserzeugungsschicht über der ersten Licht emittierenden Einheit, eine zweite Licht emittierende Einheit über der ersten Ladungserzeugungsschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Einheit aufweist, wobei die zweite Licht emittierende Einrichtung eine zweite Pixelelektrode, eine dritte Licht emittierende Einheit über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Ladungserzeugungsschicht über der dritten Licht emittierenden Einheit, eine vierte Licht emittierende Einheit über der zweiten Ladungserzeugungsschicht und die gemeinsame Elektrode über der vierten Licht emittierenden Einheit aufweist, wobei die erste Isolierschicht jede Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Ladungserzeugungsschicht und der zweiten Ladungserzeugungsschicht bedeckt, wobei die erste Farbschicht mit der ersten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet ist, wobei die zweite Farbschicht mit der zweiten Licht emittierenden Einrichtung überlappend angeordnet ist, wobei die erste Licht emittierende Einrichtung und die zweite Licht emittierende Einrichtung jeweils eine Funktion zum Emittieren von weißem Licht aufweisen, und wobei die erste Farbschicht eine Funktion zum Durchlassen von sichtbarem Licht in einer Farbe aufweist, die von derjenigen eines durch die zweite Farbschicht durchgehenden sichtbaren Lichts unterschiedlich ist.
  6. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5, umfassend eine zweite Isolierschicht, wobei die erste Isolierschicht ein anorganisches Material enthält, und wobei die zweite Isolierschicht ein organisches Material enthält und mit jeder Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der ersten Ladungserzeugungsschicht und der zweiten Ladungserzeugungsschicht überlappt, zwischen denen und der zweiten Isolierschicht die erste Isolierschicht liegt.
  7. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 5 oder 6, wobei die erste Licht emittierende Einrichtung eine gemeinsame Schicht zwischen der zweiten Licht emittierenden Einheit und der gemeinsamen Elektrode aufweist, wobei die zweite Licht emittierende Einrichtung die gemeinsame Schicht zwischen der vierten Licht emittierenden Einheit und der gemeinsamen Elektrode aufweist, und wobei die gemeinsame Schicht eine Lochinjektionsschicht und/oder eine Lochverhinderungsschicht und/oder eine Lochtransportschicht und/oder eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektronenverhinderungsschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweist.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 5 bis 7, wobei die erste Licht emittierende Einheit dasselbe Material wie bei der dritten Licht emittierenden Einheit enthält, wobei die erste Ladungserzeugungsschicht dasselbe Material wie bei der zweiten Ladungserzeugungsschicht enthält, und wobei die zweite Licht emittierende Einheit dasselbe Material wie bei der vierten Licht emittierenden Einheit enthält.
  9. Anzeigemodul umfassend: eine Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8; und ein Verbindungselement und/oder eine integrierte Schaltung.
  10. Elektronisches Gerät umfassend: ein Anzeigemodul nach Anspruch 9; und ein Gehäuse und/oder eine Batterie und/oder eine Kamera und/oder einen Lautsprecher und/oder ein Mikrofon.
  11. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, wobei ein leitfähiger Film auf einer isolierenden Oberfläche ausgebildet wird, wobei über dem leitfähigen Film eine erste Schicht ausgebildet wird, wobei über der ersten Schicht eine erste Opferschicht ausgebildet wird, wobei die erste Schicht und die erste Opferschicht verarbeitet werden, um eine zweite Schicht, eine zweite Opferschicht über der zweiten Schicht, eine dritte Schicht und eine dritte Opferschicht über der dritten Schicht auszubilden und den leitfähigen Film teilweise freizulegen, wobei der leitfähige Film verarbeitet wird, um eine mit der zweiten Opferschicht überlappende erste Pixelelektrode und eine mit der dritten Opferschicht überlappende zweite Pixelelektrode auszubilden, wobei ein erster Isolierfilm ausgebildet wird, der zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht sowie die Seitenflächen und die Oberseiten der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht bedeckt, wobei der erste Isolierfilm verarbeitet wird, um eine erste Isolierschicht auszubilden, die zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht bedeckt, wobei die zweite Opferschicht und die dritte Opferschicht entfernt werden, wobei über der zweiten Schicht und der dritten Schicht eine gemeinsame Elektrode ausgebildet wird, und wobei über der gemeinsamen Elektrode eine mit der zweiten Schicht überlappende erste Farbschicht und eine mit der dritten Schicht überlappende zweite Farbschicht ausgebildet werden.
  12. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, wobei ein leitfähiger Film auf einer isolierenden Oberfläche ausgebildet wird, wobei über dem leitfähigen Film eine erste Schicht ausgebildet wird, wobei über der ersten Schicht eine erste Opferschicht ausgebildet wird, wobei die erste Schicht und die erste Opferschicht verarbeitet werden, um eine zweite Schicht, eine zweite Opferschicht über der zweiten Schicht, eine dritte Schicht und eine dritte Opferschicht über der dritten Schicht auszubilden und den leitfähigen Film teilweise freizulegen, wobei der leitfähige Film verarbeitet wird, um eine mit der zweiten Opferschicht überlappende erste Pixelelektrode und eine mit der dritten Opferschicht überlappende zweite Pixelelektrode auszubilden, wobei unter Verwendung eines anorganischen Materials ein erster Isolierfilm ausgebildet wird, der zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht sowie die Seitenflächen und die Oberseiten der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht bedeckt, wobei über dem ersten Isolierfilm ein zweiter Isolierfilm unter Verwendung eines organischen Materials ausgebildet wird, wobei der erste Isolierfilm und der zweite Isolierfilm verarbeitet werden, um eine erste Isolierschicht, die zumindest die Seitenflächen der ersten Pixelelektrode, der zweiten Pixelelektrode, der zweiten Schicht und der dritten Schicht bedeckt, und eine zweite Isolierschicht über der ersten Isolierschicht auszubilden, wobei die zweite Opferschicht und die dritte Opferschicht entfernt werden, wobei über der zweiten Schicht und der dritten Schicht eine gemeinsame Elektrode ausgebildet wird, und wobei über der gemeinsamen Elektrode eine mit der zweiten Schicht überlappende erste Farbschicht und eine mit der dritten Schicht überlappende zweite Farbschicht ausgebildet werden.
  13. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung nach Anspruch 12, wobei der zweite Isolierfilm unter Verwendung eines lichtempfindlichen Harzes als organisches Material ausgebildet wird.
  14. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei als erste Opferschicht ein erster Opferfilm und ein zweiter Opferfilm über dem ersten Opferfilm ausgebildet werden, wobei nach der Ausbildung einer ersten Photolackmaske über dem zweiten Opferfilm der zweite Opferfilm unter Verwendung der ersten Photolackmaske verarbeitet wird, wobei die erste Photolackmaske entfernt wird, wobei unter Verwendung des verarbeiteten zweiten Opferfilms als Maske der erste Opferfilm verarbeitet wird, und wobei unter Verwendung des verarbeiteten ersten Opferfilms als Maske die erste Schicht verarbeitet wird.
  15. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei unter Verwendung der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht als Maske der leitfähige Film verarbeitet wird.
  16. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei nach der Entfernung der zweiten Opferschicht und der dritten Opferschicht eine vierte Schicht über der zweiten Schicht und der dritten Schicht ausgebildet wird, und wobei die gemeinsame Elektrode über der vierten Schicht ausgebildet wird.
  17. Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 16, wobei im Verarbeitungsprozess des leitfähigen Films eine Ausnehmung auf der isolierenden Oberfläche ausgebildet wird.
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