DE112022001035T5 - Anzeigevorrichtung, Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, Anzeigemodul und elektronisches Gerät - Google Patents

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Shunpei Yamazaki
Kenichi Okazaki
Yasumasa Yamane
Ryota Hodo
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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe oder mit hoher Auflösung wird bereitgestellt.
Eine Anzeigevorrichtung, die ein erstes Licht emittierendes Element, ein zweites Licht emittierendes Element, und eine Seitenwand umfasst. Das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element umfassen jeweils eine Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der Pixelelektrode, eine Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der Zwischenschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Mit anreden Worten: Das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element können eine Tandem-Struktur aufweisen. Die Pixelelektrode, die erste Licht emittierende Schicht, die Zwischenschicht und die zweite Licht emittierende Schicht werden für jedes Licht emittierende Element getrennt bereitgestellt. Das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element sind einander benachbart und eine Seitenwand wird zwischen dem ersten Licht emittierenden Element und dem zweiten Licht emittierenden Element bereitgestellt. Die Seitenwand wird derart bereitgestellt, dass sie mindestens einen Teil einer Seitenfläche der Pixelelektrode bedeckt.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft eine Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung betrifft ein Anzeigemodul und ein elektronisches Gerät.
  • Es sei angemerkt, dass eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht auf das vorstehende technische Gebiet beschränkt ist. Beispiele für das technische Gebiet einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfassen eine Halbleitervorrichtung, eine Anzeigevorrichtung, eine Licht emittierende Vorrichtung, eine Energiespeichervorrichtung, eine Speichervorrichtung, ein elektronisches Gerät, eine Beleuchtungsvorrichtung, eine Eingabevorrichtung (z. B. einen Berührungssensor), eine Eingabe-/Ausgabevorrichtung (z. B. ein Touchpanel), ein Betriebsverfahren dafür und ein Herstellungsverfahren dafür.
  • Stand der Technik
  • In den letzten Jahren wird es erwartet, dass Anzeigevorrichtungen verschiedene Anwendungen finden. Beispiele für Verwendungszwecke einer großen Anzeigevorrichtung umfassen ein Fernsehgerät für den Heimgebrauch (auch als TV oder Fernsehempfänger bezeichnet), eine Digital Signage (digitale Beschilderung) und ein Public Information Display (PID). Des Weiteren sind ein Smartphone und ein Tablet-Computer mit einem Touchpanel als tragbare Informationsendgeräte in Entwicklung.
  • Des Weiteren wird eine höhere Bildschärfe einer Anzeigevorrichtung nachgefragt. Als Geräte, bei denen eine hohe Bildschärfe einer Anzeigevorrichtung nachgefragt wird, sind beispielsweise Geräte für virtuelle Realität (virtual reality, VR), erweiterte Realität (augmented reality, AR), Ersatz-Realität (substitutional reality, SR) und gemischte Realität (mixed reality, MR) aktiv entwickelt worden.
  • Als Anzeigevorrichtungen sind beispielsweise Licht emittierende Vorrichtungen, die Licht emittierende Elemente beinhalten, entwickelt worden. Licht emittierende Elemente, für die Elektrolumineszenz (Electroluminescence, nachstehend als EL bezeichnet) verwendet wird (auch als Licht emittierende Vorrichtungen, EL-Elemente oder EL-Vorrichtungen bezeichnet), weisen derartige Merkmale auf, wie z. B. eine Leichtigkeit der Verringerung der Dicke und des Gewichts, eine hohe Ansprechgeschwindigkeit auf Eingangssignale und eine Ansteuerung mit einer konstanten Gleichspannung-Stromquelle, und werden in Anzeigevorrichtungen verwendet.
  • Patentdokument 1 offenbart eine Anzeigevorrichtung für VR, in der ein organisches EL-Element (auch als organische EL-Vorrichtung bezeichnet) verwendet wird.
  • [Referenz]
  • [Patentdokument]
  • [Patentdokument 1] Internationale PCT-Veröffentlichung Nr. 2018/087625
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösendes Problem
  • In dem Fall der Herstellung einer Anzeigevorrichtung, die eine Vielzahl von organischen EL-Elementen beinhaltet, wird es bevorzugt, dass Licht emittierende Schichten, die in einem organischen EL-Element enthalten sind, inselförmig ausgebildet werden, d. h. für jedes organisches EL-Element getrennt werden. Wenn beispielsweise alle organische EL-Elemente Licht der gleichen Farbe, z. B. weißes Licht, emittieren, kann es somit unterdrückt werden, dass ein Strom über Schichten, die zwei benachbarten Licht emittierenden Einheiten gemeinsam bereitgestellt werden, z. B. eine oder mehrere einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer Licht emittierenden Schicht, einer Elektronentransportschicht, einer Elektroneninjektionsschicht und einer Zwischenschicht (Ladungserzeugungsschicht), zwischen zwei benachbarten Licht emittierenden Einheiten fließt. Deshalb kann eine ungewollte Lichtemission der organischen EL-Elemente (auch als Nebensprechen bezeichnet) unterdrückt werden. Daher kann ein Kontrast der Bilder, die auf einer Anzeigevorrichtung angezeigt werden, erhöht werden und eine Anzeigevorrichtung mit hoher Anzeigequalität kann erzielt werden.
  • In dem Fall, in dem Licht emittierende Schichten inselförmig ausgebildet werden, wird beispielsweise ein Vakuumverdampfungsverfahren unter Verwendung einer Metallmaske (auch als Schattenmaske bezeichnet) angewendet. In einigen Fällen werden jedoch Konturen der Schichten bei der Verdampfung unscharf und wird eine Dicke der Endabschnitte verringert. Das heißt, Schwankungen der Dicke der inselförmigen Schichten werden in einigen Fällen je nach Positionen verursacht. Außerdem könnte dann, wenn eine große oder hochauflösende Anzeigevorrichtung bzw. eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe hergestellt wird, die Ausbeute wegen einer geringen Maßgenauigkeit und der durch Wärme und dergleichen verursachten Verformungen einer Metallmaske verringert werden.
  • Zusätzlich dazu gibt es ein Problem, dass Herstellungseinrichtungen für eine Vielzahl der Produktionslinien notwendig sind, wenn Anzeigevorrichtungen durch ein Vakuumverdampfungsverfahren unter Verwendung einer Metallmaske hergestellt werden. Beispielsweise sind regelmäßige Reinigungen einer Metallmaske notwendig und daher wird es benötigt, Herstellungseinrichtungen für mindestens zwei Produktionslinien vorzubereiten, und während der Wartung einer Herstellungseinrichtung die andere Herstellungseinrichtung zur Herstellung verwendet zu werden, deswegen sind Herstellungseinrichtungen für eine Vielzahl der Produktionslinien im Hinblick auf Massenproduktion notwendig. Deshalb gibt es das Problem der äußerst großen Anfangsinvestition zur Einführung der Herstellungseinrichtungen.
  • Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine hochauflösende Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine große Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine kostengünstige Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, eine neuartige Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
  • Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer hochauflösenden Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer großen Anzeigevorrichtung bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Ausbeute bereitzustellen. Eine Aufgabe einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist, ein Herstellungsverfahren einer neuartigen Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung dieser Aufgaben dem Vorhandensein weiterer Aufgaben nicht im Wege steht. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung muss nicht notwendigerweise sämtliche Aufgaben erfüllen. Weitere Aufgaben können aus der Erläuterung der Beschreibung, der Zeichnungen und der Patentansprüche abgeleitet werden.
  • Mittel zur Lösung des Problems
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung, die ein erstes Licht emittierendes Element, ein zweites Licht emittierendes Element, eine erste Seitenwand und eine zweite Wand umfasst. Das erste Licht emittierende Element umfasst eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das zweite Licht emittierende Element umfasst eine zweite Pixelelektrode, eine dritte Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Zwischenschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht und die gemeinsame Elektrode über der vierten Licht emittierenden Schicht. Das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element sind einander benachbart. Die erste Seitenwand bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Pixelelektrode. Die zweite Seitenwand bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann ein Zwischenraum zwischen der ersten Seitenwand und der zweiten Seitenwand enthalten sein.
  • Ferner ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Anzeigevorrichtung, die ein erstes Licht emittierendes Element, ein zweites Licht emittierendes Element, eine erste Seitenwand, eine zweite Seitenwand, eine dritte Seitenwand und eine vierte Seitenwand umfasst. Das erste Licht emittierende Element umfasst eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht. Das zweite Licht emittierende Element umfasst eine zweite Pixelelektrode, eine dritte Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Zwischenschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht und die gemeinsame Elektrode über der vierten Licht emittierenden Schicht. Das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element sind einander benachbart. Die erste Seitenwand bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, einer Seitenfläche der ersten und zweiten Licht emittierenden Schichten und einer Seitenfläche der ersten Zwischenschicht. Die zweite Seitenwand bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Seitenwand. Die dritte Seitenwand bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode, einer Seitenfläche der dritten und vierten Licht emittierenden Schichten und einer Seitenfläche der zweiten Zwischenschicht. Die vierte Seitenwand bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der dritten Seitenwand.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann ein Zwischenraum zwischen der zweiten Seitenwand und der vierten Seitenwand enthalten sein.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann die zweite Seitenwand mindestens einen Teil einer Oberseite der ersten Seitenwand bedecken und die vierte Seitenwand kann mindestens einen Teil einer Oberseite der dritten Seitenwand bedecken.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann eine Schutzschicht über der gemeinsamen Elektrode enthalten sein, eine erste Farbschicht kann über der Schutzschicht derart enthalten sein, dass ein Bereich, der sich mit der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht überlappt, enthalten ist, eine zweite Farbschicht kann über der Schutzschicht derart enthalten sein, so dass ein Bereich, der sich mit der dritten Licht emittierenden Schicht und der vierten Licht emittierenden Schicht überlappt, enthalten ist, die erste Farbschicht und die zweite Farbschicht können eine Funktion zum Durchlassen von Licht unterschiedlicher Farben aufweisen, die erste Licht emittierende Schicht und die dritte Licht emittierende Schicht können eine Funktion zum Emittieren von Licht der gleichen Farbe aufweisen und die zweite Licht emittierende Schicht und die vierte Licht emittierende Schicht können eine Funktion zum Emittieren von Licht der gleichen Farbe aufweisen.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann eine gemeinsame Schicht zwischen den zweiten und vierten Licht emittierenden Schichten sowie der gemeinsamen Elektrode enthalten sein und die gemeinsame Schicht kann in den ersten und zweiten Licht emittierenden Elementen eine Funktion als Elektroneninjektionsschicht oder Lochinjektionsschicht aufweisen.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform können die erste Pixelelektrode und die zweite Pixelelektrode über einer Isolierschicht bereitgestellt werden, die Isolierschicht kann einen ersten vorspringenden Abschnitt in einem Bereich aufweisen, der sich mit der ersten Pixelelektrode überlappt, und die Isolierschicht kann einen zweiten vorspringenden Abschnitt in einem Bereich aufweisen, der sich mit der zweiten Pixelelektrode überlappt.
  • Ein Anzeigemodul, das die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und einen Anschluss und/oder eine integrierte Schaltung umfasst, ist auch eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ein elektronisches Gerät, das das Anzeigemodul einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und mindestens eines von einem Gehäuse, einer Batterie, einer Kamera, einem Lautsprecher und einem Mikrofon umfasst, ist auch eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, bei dem eine Isolierschicht ausgebildet wird, ein leitender Film, ein erster Licht emittierender Film, ein Zwischenfilm, ein zweiter Licht emittierender Film und ein Opferfilm sequentiell über der Isolierschicht abgeschieden werden, der Opferfilm, der zweite Licht emittierende Film, der Zwischenfilm, der erste Licht emittierende Film und der leitende Film geätzt werden, um eine erste Pixelelektrode und eine zweite Pixelelektrode über der Isolierschicht, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Zwischenschicht über der zweiten Licht emittierenden Schicht, eine dritte Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht, eine erste Opferschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht und eine zweite Opferschicht über der vierten Licht emittierenden Schicht auszubilden, ein Isolierfilm, der mindestens Teile der Seitenflächen der ersten und zweiten Pixelelektroden, Teile der Seitenflächen der ersten bis vierten Licht emittierenden Schichten, Teile der Seitenflächen der ersten und zweiten Zwischenschichten und Teile der Seitenflächen sowie der Oberseiten der ersten und zweiten Opferschichten bedeckt, abgeschieden wird, der Isolierfilm geätzt wird, um eine erste Seitenwand, die mindestens einen Teil der Seitenfläche der ersten Pixelelektrode bedeckt, und eine zweite Seitenwand, die mindestens einen Teil der Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode bedeckt, auszubilden, die erste Opferschicht und die zweite Opferschicht entfernt werden und eine gemeinsame Elektrode über der dritten Licht emittierenden Schicht und über der vierten Licht emittierenden Schicht ausgebildet wird.
  • Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung, bei dem eine Isolierschicht ausgebildet wird, ein leitender Film, ein erster Licht emittierender Film, ein Zwischenfilm, ein zweiter Licht emittierender Film und ein Opferfilm sequentiell über der Isolierschicht abgeschieden werden, der Opferfilm, der zweite Licht emittierende Film, der Zwischenfilm, der erste Licht emittierende Film und der leitende Film geätzt werden, um eine erste Pixelelektrode und eine zweite Pixelelektrode über der Isolierschicht, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Zwischenschicht über der zweiten Licht emittierenden Schicht, eine dritte Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht, eine erste Opferschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht und eine zweite Opferschicht über der vierten Licht emittierenden Schicht auszubilden, ein erster Isolierfilm, der mindestens Teile der Seitenflächen der ersten und zweiten Pixelelektroden, Teile der Seitenflächen der ersten bis vierten Licht emittierenden Schichten, Teile der Seitenflächen der ersten und zweiten Zwischenschichten und Teile der Seitenflächen sowie der Oberseiten der ersten und zweiten Opferschichten bedeckt, abgeschieden wird, ein zweiter Isolierfilm über dem ersten Isolierfilm abgeschieden wird, der erste Isolierfilm und der zweite Isolierfilm geätzt werden, um eine erste Seitenwand, die mindestens einen Teil der Seitenfläche der ersten Pixelelektrode bedeckt, eine zweite Seitenwand, die mindestens einen Teil der Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode bedeckt, eine dritte Seitenwand, die mindestens einen Teil der Seitenfläche der ersten Seitenwand bedeckt, und eine vierte Seitenwand, die mindestens einen Teil der Seitenfläche der zweiten Seitenwand bedeckt, auszubilden, die erste Opferschicht und die zweite Opferschicht entfernt werden und eine gemeinsame Elektrode über der dritten Licht emittierenden Schicht und über der vierten Licht emittierenden Schicht ausgebildet wird.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann der leitende Film unter Verwendung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht als Maske entfernt werden.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann eine Schutzschicht über der gemeinsamen Elektrode ausgebildet werden, eine erste Farbschicht, die einen Bereich, der sich mit den ersten und dritten Licht emittierenden Schichten überlappt, umfasst, und eine zweite Farbschicht, die einen Bereich, der sich mit den zweiten und vierten Licht emittierenden Schichten überlappt, umfasst, können über der Schutzschicht ausgebildet werden, und die erste Farbschicht und die zweite Farbschicht können eine Funktion zum Durchlassen von Licht unterschiedlicher Farben aufweisen.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann nach der Entfernung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht eine gemeinsame Schicht, die eine Funktion als Elektroneninjektionsschicht oder Lochinjektionsschicht aufweist, über der dritten Licht emittierenden Schicht und über der vierten Licht emittierenden Schicht ausgebildet werden und die gemeinsame Elektrode kann über der gemeinsamen Schicht ausgebildet werden.
  • Bei der vorstehenden Ausführungsform kann im Ätzschritt des leitenden Films ein vertiefter Abschnitt in der Isolierschicht ausgebildet werden.
  • Wirkung der Erfindung
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine hochauflösende Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine große Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine kostengünstige Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine neuartige Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer hochauflösenden Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer großen Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung mit hoher Ausbeute bereitgestellt werden. Gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann ein Herstellungsverfahren einer neuartigen Anzeigevorrichtung bereitgestellt werden.
  • Es sei angemerkt, dass die Beschreibung dieser Wirkungen dem Vorhandensein weiterer Wirkungen nicht im Wege steht. Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung muss nicht notwendigerweise sämtliche dieser Wirkungen aufweisen. Weitere Wirkungen können aus der Erläuterung der Beschreibung, der Zeichnungen und der Patentansprüche abgeleitet werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
    • 1 ist eine Draufsicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 2A bis 2E sind Draufsichten, die Strukturbeispiele einer Anzeigevorrichtungen darstellen.
    • 3A und 3B sind Querschnittsansichten, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellen. 3C ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Licht emittierenden Einheit darstellt.
    • 4A und 4B sind Querschnittsansichten, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellen. 4C ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Licht emittierenden Einheit darstellt.
    • 5A und 5B sind Querschnittsansichten, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 6A und 6B sind Querschnittsansichten, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 7A und 7B sind Querschnittsansichten, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 8 ist eine Draufsicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 9A und 9B sind Querschnittsansichten, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 10A bis 10F sind Draufsichten, die Strukturbeispiele einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 11A bis 11 E sind Draufsichten, die ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 12A bis 12E sind Querschnittsansichten, die ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 13A und 13B sind Querschnittsansichten, die ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung darstellen.
    • 14A und 14B sind perspektivische Ansichten, die ein Strukturbeispiel eines Anzeigemoduls darstellen.
    • 15 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 16 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 17 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 18 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 19 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung darstellt.
    • 20A und 20B sind Darstellungen, die Beispiele für elektronische Geräte darstellen.
    • 21A und 21B sind Darstellungen, die Beispiele für elektronische Geräte darstellen.
    • 22A und 22B sind Darstellungen, die ein Beispiel für ein elektronisches Gerät darstellen.
    • 23A bis 23D sind Darstellungen, die Beispiele für elektronische Geräte darstellen.
    • 24A bis 24F sind Darstellungen, die Beispiele für elektronische Geräte darstellen.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • Ausführungsformen werden anhand von den Zeichnungen ausführlich beschrieben. Es sei angemerkt, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die folgende Beschreibung beschränkt ist, und dass es sich Fachleuten ohne Weiteres erschließt, dass Modi und Details der vorliegenden Erfindung auf verschiedene Weise modifiziert werden können, ohne vom Gedanken und Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Daher sollte die vorliegende Erfindung nicht als auf die Beschreibung der folgenden Ausführungsformen beschränkt angesehen werden.
  • Es sei angemerkt, dass bei den Strukturen der Erfindung, die nachfolgend beschrieben werden, gleiche Abschnitte oder Abschnitte mit ähnlichen Funktionen in unterschiedlichen Zeichnungen mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind, und dass die Beschreibung dieser Abschnitte nicht wiederholt wird. Das gleiche Schraffurmuster wird für Abschnitte mit ähnlichen Funktionen verwendet, und in einigen Fällen sind die Abschnitte nicht besonders durch Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • Außerdem stellen die Position, die Größe, der Bereich oder dergleichen jeder in Zeichnungen dargestellten Struktur in einigen Fällen zum leichten Verständnis nicht genau die Position, die Größe, den Bereich oder dergleichen dar. Die offenbarte Erfindung ist daher nicht notwendigerweise auf die Position, die Größe, den Bereich oder dergleichen beschränkt, die in den Zeichnungen offenbart werden.
  • Es sei angemerkt, dass der Begriff „Film“ und der Begriff „Schicht“ je nach Sachlage oder Umständen miteinander vertauscht werden können. Beispielsweise kann der Begriff „leitende Schicht“ durch den Begriff „leitender Film“ ersetzt werden. Als weiteres Bespiel kann der Begriff „Isolierfilm“ durch den Begriff „Isolierschicht“ ersetzt werden.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen wird in einigen Fällen eine Vorrichtung, die unter Verwendung einer Metallmaske oder einer FMM (einer feinen Metallmaske bzw. einer Metallmaske mit hoher Feinheit) ausgebildet, als Vorrichtung mit einer Metallmaske- (MM-) Struktur bezeichnet werden. In dieser Beschreibung und dergleichen wird in einigen Fällen eine Vorrichtung, die ohne Verwendung einer Metallmaske oder einer FMM ausgebildet wird, als Vorrichtung mit einer MML- (metallmaskenlosen) Struktur bezeichnet.
  • (Ausführungsform 1)
  • Bei dieser Ausführungsform werden eine Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und ein Herstellungsverfahren dafür anhand von Zeichnungen beschrieben.
  • In dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird zuerst ein leitender Film über einer Isolierschicht ausgebildet. Als Nächstes wird eine erste Schicht, die einen ersten Licht emittierenden Film umfasst, über dem gesamten leitenden Film ausgebildet. Anschließend wird ein Zwischenfilm über der ersten Schicht abgeschieden. Dann wird eine zweite Schicht, die einen zweiten Licht emittierenden Film umfasst, über dem gesamten Zwischenfilm ausgebildet. Danach wird ein Opferfilm über der zweiten Schicht abgeschieden.
  • Als Nächstes wird eine Photolackmaske unter Verwendung eines Photolithografieverfahrens oder dergleichen ausgebildet. Danach werden der Opferfilm, die zweite Schicht, der Zwischenfilm, die erste Schicht und der leitende Film unter Verwendung einer Photolackmaske geätzt. Somit werden eine erste Pixelelektrode über der Isolierschicht, eine erste Licht emittierende Einheit über der ersten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Einheit, eine zweite Licht emittierende Einheit über der ersten Zwischenschicht und eine erste Opferschicht über der zweiten Licht emittierenden Einheit inselförmig ausgebildet. Eine zweite Pixelelektrode über der Isolierschicht, eine dritte Licht emittierende Einheit über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Zwischenschicht über der dritten Licht emittierenden Einheit, eine vierte Licht emittierende Einheit über der zweiten Zwischenschicht und eine zweite Opferschicht über der vierten Licht emittierenden Einheit werden inselförmig ausgebildet. Die erste bis vierte Licht emittierende Einheit umfasst jeweils die erste bis vierte Licht emittierende Schicht.
  • Auf diese Weise werden inselförmige Licht emittierende Einheiten und dergleichen in dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht durch Verwendung eines Musters einer Metallmaske, sondern unter Verwendung eines Photolithografieverfahrens und dergleichen ausgebildet. Daher kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe oder mit einem hohen Öffnungsverhältnis, die bisher schwierig zu erzielen war, erzielt werden. Da Licht emittierende Einheiten inselförmig ausgebildet werden können, kann eine Anzeigevorrichtung mit einem hohen Kontrast und hoher Anzeigequalität erzielt werden. Außerdem können Schäden, die Licht emittierende Einheiten in dem Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung erleiden, verringert werden, indem Opferschichten über den Licht emittierenden Einheiten bereitgestellt werden. Somit kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit erzielt werden.
  • Es ist schwierig, einen Abstand zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen beispielsweise durch ein Bildungsverfahren unter Verwendung einer Metallmaske auf kleiner als 10 µm einzustellen; jedoch kann der Abstand durch das vorstehende Verfahren auf kleiner als oder gleich 3 µm , kleiner als oder gleich 2 µm oder kleiner als oder gleich 1 µm verkürzt werden.
  • Auch ein Muster einer Licht emittierenden Einheiten selbst kann im Vergleich zu dem Fall der Verwendung einer Metallmaske sehr verkleinert werden. Beispielsweise werden in dem Fall der Verwendung einer Metallmaske zum Ausbilden der Licht emittierenden Einheiten Schwankungen der Dicke zwischen einem zentralen Abschnitt und einem Endabschnitt des Musters verursacht und daher wird eine effektive Fläche, die als Licht emittierende Bereiche verwendet werden kann, in Bezug auf die gesamte Fläche des Musters verringert. Andererseits können die inselförmigen Licht emittierenden Schichten und dergleichen durch das vorstehende Verfahren in einer gleichmäßigen Dicke ausgebildet werden, da in einer gleichmäßigen Dicke abgeschiedene Filme geätzt werden. Deshalb kann selbst in dem Fall eines feinen Musters die fast ganze Fläche als Licht emittierende Bereiche verwendet werden. Daher kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe und mit einem hohen Öffnungsverhältnis hergestellt werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, weist ein Licht emittierendes Element in der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eine Struktur auf, bei der zwei oder mehr Licht emittierende Einheiten übereinander angeordnet sind, wobei eine Zwischenschicht dazwischen liegt. Mit anderen Worten: Das Licht emittierende Element, das die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beinhaltet, kann eine Tandem-Struktur aufweisen. Wenn beispielsweise in einem Licht emittierenden Element mit einer Tandem-Struktur Farben von Licht, das von zwei übereinander angeordneten Licht emittierenden Einheiten emittiert wird, zueinander komplementär sind, kann das Licht emittierende Element weißes Licht emittieren. Deshalb kann die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beispielsweise eine Vollfarbanzeige durchführen, indem Farbschichten in einem Bereich, der sich mit Licht emittierenden Elementen überlappt, bereitgestellt werden.
  • Hier umfassen die ersten bis vierten Licht emittierenden Einheiten jeweils mindestens eine Licht emittierende Schicht und weisen vorzugsweise eine Vielzahl der Schichten auf. Insbesondere sind vorzugweise eine oder mehrere Schichten über der Licht emittierenden Schicht enthalten. Wenn weitere Schichten zwischen der Licht emittierenden Schicht und der Opferschicht enthalten sind, kann es unterdrückt werden, dass die Licht emittierende Schicht in dem Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung an der äußersten Oberfläche freiliegt, und können Schäden, die die Licht emittierende Schicht erleiden, verringert werden. Dies kann die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Elemente erhöhen. Beispielsweise umfassen die ersten bis vierten Licht emittierenden Einheiten jeweils zusätzlich zu der Licht emittierenden Schicht vorzugsweise eine Ladungsträgertransportschicht über der Licht emittierenden Schicht.
  • Es sei angemerkt, dass es nicht notwendig ist, alle Schichten, die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, inselförmig auszubilden. In dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden, nachdem einige der Schichten, die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, inselförmig ausgebildet worden sind, Opferschichten entfernt und werden verbleibende Schichten, die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, und eine gemeinsame Elektrode (auch als obere Elektrode bezeichnet) Licht emittierenden Elementen gemeinsam ausgebildet. Beispielsweise können eine Ladungsträgerinjektionsschicht und eine gemeinsame Elektrode jedem Licht emittierenden Element gemeinsam ausgebildet werden.
  • Anderseits handelt es sich bei einer Ladungsträgerinjektionsschicht in vielen Fällen um eine Schicht mit relativ hoher Leitfähigkeit in einem Licht emittierenden Element. Deshalb könnten dann, wenn eine Ladungsträgerinjektionsschicht in Kontakt mit einer Seitenfläche der inselförmig ausgebildeten Schichten ist, Licht emittierende Elemente kurzgeschlossen sein. Es sei angemerkt, dass auch in dem Fall, in dem die Ladungsträgerinjektionsschicht inselförmig ausgebildet wird und die gemeinsame Elektrode jedem Licht emittierenden Element gemeinsam ausgebildet wird, die Licht emittierende Elemente kurzgeschlossen sein könnten, wenn die gemeinsame Elektrode in Kontakt mit einer Seitenfläche der Licht emittierenden Einheiten oder mit einer Seitenfläche der Pixelelektroden ist.
  • Deswegen werden in der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung Seitenwände (auch als Side-Walls, Seitenwandschutzschichten, Side-Wall-Isolierfilme, Isolierschichten und dergleichen bezeichnet), die die Seitenflächen der inselförmig ausgebildeten Schichten bedecken, bereitgestellt.
  • Somit kann es unterdrückt werden, dass die inselförmig ausgebildeten Schichten in Kontakt mit einer Ladungsträgerinjektionsschicht oder einer gemeinsamen Elektrode sind. Folglich kann ein elektrischer Kurzschluss der Licht emittierenden Elemente unterdrückt werden und die Zuverlässigkeit der Licht emittierenden Elemente kann erhöht werden.
  • [Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung]
  • 1 ist eine Draufsicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung 100 einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die Anzeigevorrichtung 100 umfasst einen Anzeigeabschnitt, in dem eine Vielzahl von Pixeln 110 in einer Matrix angeordnet sind, und einen Verbindungsabschnitt 140 außerhalb des Anzeigeabschnitts. Ein Pixel 110 umfasst drei Subpixel, nämlich ein Subpixel 110a, ein Subpixel 110b und ein Subpixel 110c.
  • 1 stellt ein Beispiel dar, in dem Subpixel von unterschiedlichen Farben in der X-Richtung angeordnet sind und Subpixel der gleichen Farbe in der Y-Richtung angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Subpixel von unterschiedlichen Farben in der Y-Richtung angeordnet sein können, und dass Subpixel der gleichen Farbe in der X-Richtung angeordnet sein können.
  • 1 stellt ein Beispiel dar, in dem sich der Verbindungsabschnitt 140 in der Draufsicht auf der unteren Seite des Anzeigeabschnitts befindet, aber ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht besonders beschränkt. Der Verbindungsabschnitt 140 kann in der Draufsicht mindestens in einer der Positionen, nämlich oberhalb, rechts, links oder unterhalb des Anzeigeabschnitts angeordnet sein und kann auch derart angeordnet sein, dass er vier Seiten des Anzeigeabschnitts umschließt. Die Anzahl der Verbindungsabschnitte 140 kann eins oder mehr sein.
  • In der in 1 dargestellten Anzeigevorrichtung 100 kommt eine Streifen-Anordnung als Anordnung des Subpixels 110a, des Subpixels 110b und des Subpixels 110c zum Einsatz. Hier ist die Anordnung der Subpixel nicht auf die Streifen-Anordnung beschränkt. Beispielsweise können eine S-Streifen-Anordnung, eine Matrix-Anordnung, eine Delta-Anordnung, eine Bayer-Anordnung, eine PenTile-Anordnung oder dergleichen zum Einsatz kommen.
  • Eine Oberseite eines Subpixels können beispielsweise eine polygonale Form, wie z. B. eine dreieckige Form, eine viereckige Form (darunter auch eine rechteckig Form und eine quadratische Form) oder eine fünfeckige Form, eine polygonale Form mit abgerundeten Ecken, eine elliptische Form oder eine kreisförmige Form aufweisen. Eine Oberseitenform eines Subpixels entspricht hier einer Oberseitenform eines Licht emittierenden Bereichs eines Licht emittierenden Elements.
  • 2A bis 2C sind Draufsichten, die Strukturbeispiele des Subpixels 110 darstellen, und sind Modifikationsbeispiele des in 1 dargestellten Subpixels 110. In dem in 2A dargestellten Subpixel 110 kommt eine S-Streifen-Anordnung zum Einsatz. Das in 2A dargestellte Subpixel 110 umfasst drei Subpixel, nämlich das Subpixel 110a, das Subpixel 110b und das Subpixel 110c. Beispielsweise können das Subpixel 110a ein blaues Subpixel, das Subpixel 110b ein rotes Subpixel und das Subpixel 110c ein grünes Subpixel sein.
  • Das in 2B dargestellte Subpixel 110 umfasst das Subpixel 110a, das eine im Wesentlichen trapezförmige Oberseite mit abgerundeten Ecken aufweist, das Subpixel 110b, das eine im Wesentlichen dreieckige Oberseite mit abgerundeten Ecken aufweist, und das Subpixel 110c, das eine im Wesentlichen viereckige Oberseite mit abgerundeten Ecken oder eine im Wesentlichen sechseckige Oberseite mit abgerundeten Ecken aufweist. Das Subpixel 110a weist eine größere Licht emittierende Fläche als das Subpixel 110b auf. Auf diese Weise können die Form und die Größe jedes Subpixels jeweils unabhängig voneinander bestimmt werden. Zum Beispiel kann ein Subpixel, das ein Licht emittierendes Element mit höherer Zuverlässigkeit beinhaltet, eine kleinere Größe aufweisen. Beispielsweise kann das Subpixel 110a ein grünes Subpixel sein, das Subpixel 110b kann ein rotes Subpixel sein und das Subpixel 110c kann ein blaues Subpixel sein.
  • In einem Pixel 125a und in einem Pixel 125b, welche in 2C dargestellt werden, kommt eine PenTile-Anordnung zum Einsatz. 2C stellt ein Beispiel dar, in dem das Pixel 125a, das das Subpixel 110a und das Subpixel 110b beinhaltet, und das Pixel 125b, das das Subpixel 110b und das Subpixel 110c beinhaltet, abwechselnd angeordnet sind. Beispielsweise kann das Subpixel 110a ein blaues Subpixel sein, das Subpixel 110b kann ein grünes Subpixel sein und das Subpixel 110c kann ein rotes Subpixel sein.
  • 2D und 2E sind Draufsichten, die Strukturbeispiele des Pixels 125a und des Pixels 125b darstellen. Die Anzeigevorrichtung 100 kann auch eine Struktur aufweisen, bei anstelle des Pixels 110, sondern eine Vielzahl der Pixel 125a und der Pixel 125b in einer Matrix angeordnet ist.
  • In dem Pixel 125a und in dem Pixel 125b, welche in 2D und in 2E dargestellt werden, kommt eine Delta-Anordnung zum Einsatz. Das Pixel 125a beinhaltet zwei Subpixel (das Subpixel 110a und das Subpixel 110b) in der oberen Zeile (der ersten Zeile) und ein Subpixel (das Subpixel 110c) in der unteren Zeile (der zweiten Zeile). Das Pixel 125b beinhaltet ein Subpixel (das Subpixel 110c) in der oberen Zeile (der ersten Zeile) und zwei Subpixel (das Subpixel 110a und das Subpixel 110b) in der unteren Zeile (der zweiten Zeile).
  • 2D ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine im Wesentlichen viereckige Oberseite mit abgerundeten Ecken aufweist, und 2E ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine kreisförmige Oberseite aufweist.
  • Da in dem Photolithografieverfahren der Einfluss der Lichtbeugung beim Ätzen eines feineren Musters nicht ignoriert werden kann, wird die Treue bei der Übertragung eines Musters einer Photomaske durch Belichtung verschlechtert und wird es schwieriger, eine Photolackmaske in eine gewünschte Form zu ätzen. Deswegen wird ein Muster mit abgerundeten Ecken wahrscheinlich ausgebildet, selbst wenn das Muster einer Photomaske rechteckig ist. Deshalb weist in einigen Fällen die Oberseite eines Subpixels eine polygonale Form mit abgerundeten Ecken, eine elliptische Form, eine Kreisform oder dergleichen auf.
  • Außerdem werden Licht emittierende Einheiten und dergleichen, die Licht emittierende Schichten umfassen, in dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Verwendung einer Photolackmaske inselförmig geätzt. Es ist notwendig, dass Photolackfilme, die über Licht emittierenden Einheiten ausgebildet werden, bei einer niedrigeren Temperatur als der oberen Temperaturgrenze der Licht emittierenden Einheiten und dergleichen ausgehärtet werden. Daher könnten Photolackfilme in einigen Fällen je nach der oberen Temperaturgrenze der Licht emittierenden Einheiten und dergleichen sowie der Härtungstemperatur eines Photolackmaterials unzureichend ausgehärtet werden. Photolackfilme, die unzureichend ausgehärtet werden, könnten beim Ätzen Formen, die sich von gewünschten Formen unterscheiden, aufweisen. Folglich könnten Oberseiten der Licht emittierenden Einheiten und dergleichen eine polygonale Form mit abgerundeten Ecken, eine elliptische Form, eine Kreisform oder dergleichen aufweisen. Beispielsweise könnte bei der Bildung einer Photolackmaske mit einer quadratischen Oberseite eine Photolackmaske mit einer kreisförmigen Oberseite ausgebildet werden und die Oberseite der Licht emittierenden Einheiten und dergleichen könnte kreisförmig sein.
  • Es sei angemerkt, dass auch eine Technik zur Korrektur eines Maskenmusters (eine OPC- (optische Nahbereichskorrektur- bzw. optical proximity correction) Technik) verwendet werden kann, so dass ein übertragenes Muster mit einem Designmuster übereinstimmt, um die Oberseite der Licht emittierenden Einheiten und dergleichen in eine gewünschte Form auszubilden. Bei der OPC-Technik wird insbesondere ein Muster zur Korrektur in Ecken und dergleichen einer Figur eines Maskenmusters hinzugefügt.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann eine Top-Emission-Struktur, bei der Licht in der dem Substrat entgegengesetzten Richtung emittiert wird, über dem das Licht emittierende Element ausgebildet ist; eine Bottom-Emission-Struktur, bei der Licht in Richtung des Substrats emittiert wird, über dem das Licht emittierende Element ausgebildet ist; oder eine Dual-Emission-Struktur, bei der Licht in den beiden Richtungen emittiert wird, aufweisen.
  • 3A ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1 darstellt.
  • Wie in 3A dargestellt, ist in der Anzeigevorrichtung 100 ein Licht emittierendes Element 130 über einer Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, bereitgestellt und eine Schutzschicht 131 und eine Schutzschicht 132 sind derart bereitgestellt, dass sie diese Licht emittierende Elemente bedecken. Über der Schutzschicht 132 sind Farbschichten 133 (eine Farbschicht 133a, eine Farbschicht 133b und eine Farbschicht 133c) bereitgestellt. Über der Farbschicht 133 ist ein Substrat 120 mit einer Harzschicht 119 befestigt. Eine Seitenwand 121 ist in einem Bereich zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 bereitgestellt.
  • Auf die Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, kann beispielsweise eine mehrschichtige Struktur angewendet werden, bei der eine Vielzahl von Transistoren in einem Substrat bereitgestellt werden und eine Isolierschicht derart bereitgestellt wird, dass die Isolierschicht diese Transistoren bedeckt. Die Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, kann einen vertieften Abschnitt zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 beinhalten. Mit anderen Worten: Die Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, kann in einem Bereich, der sich mit einem Licht emittierenden Element 130 überlappt, einen vorspringenden Abschnitt beinhalten. Beispielsweise können der vorstehende vertiefte Abschnitt und der vorstehende vorspringende Abschnitt in einer Isolierschicht, die sich auf der äußersten Oberfläche der Schicht 101 befindet, die einen Transistor beinhaltet, bereitgestellt werden. Ein Strukturbeispiel der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, wird nachstehend bei der Ausführungsform 2 beschrieben.
  • Das Licht emittierende Element 130 weist z. B. eine Funktion zum Emittieren weißen Lichts auf. In dieser Beschreibung und dergleichen kann ein Licht emittierende Element, das eine Funktion zum Emittieren weißen Lichts aufweist, als weißes Licht emittierendes Element bezeichnet werden. Eine Anzeigevorrichtung, die das weißes Licht emittierende Element beinhaltet, kann in Kombination mit Farbschichten (auch als Farbfilter bezeichnet) eine Vollfarbanzeige durchführen.
  • Das Licht emittierende Element 130 beinhaltet eine Licht emittierende Einheit zwischen einem Paar von Elektroden. In dieser Beschreibung und dergleichen wird eine des Paars der Elektroden als Pixelelektrode bezeichnet und die andere wird als gemeinsame Elektrode bezeichnet.
  • Eine des Paars der Elektroden, die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, dient als Anode und die andere dient als Kathode. Nachfolgend wird der Fall beispielhaft beschrieben, in dem die Pixelelektrode als Anode dient und die gemeinsame Elektrode als Kathode dient, sofern nicht anders festgelegt.
  • Das Licht emittierende Element 130 umfasst eine Pixelelektrode 111 über der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, eine Licht emittierende Einheit 112_1 über der Pixelelektrode 111, eine Zwischenschicht 113 über der Licht emittierenden Einheit 112_1, eine Licht emittierende Einheit 112_2 über der Zwischenschicht 113, eine gemeinsame Schicht 114 über der Licht emittierenden Einheit 112 2 und eine gemeinsame Elektrode 115 über der gemeinsamen Schicht 114. Hier kann die gemeinsame Schicht 114 z. B. eine Schicht, die ein Material mit hoher Elektroneninjektionseigenschaft enthält (Elektroneninjektionsschicht), umfassen. Es sei angemerkt, dass die gemeinsame Schicht 114 in dem Fall, in dem die Pixelelektrode 111 als Kathode dient und die gemeinsame Elektrode 115 als Anode dient, beispielsweise eine Lochinjektionsschicht umfassen kann.
  • Die Pixelelektrode 111, die Licht emittierenden Einheiten 112 und die Zwischenschicht 113 werden für jedes Licht emittierende Element 130 inselförmig ausgebildet. Mit anderen Worten: Die Pixelelektrode 111, die Licht emittierenden Einheiten 112 und die Zwischenschicht 113 werden für jedes Licht emittierende Element 130 getrennt bereitgestellt. Durch Bildung der Pixelelektrode 111 und dergleichen kann die Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, in einem Bereich, der sich mit der Pixelelektrode 111 überlappt, einen vorspringenden Abschnitt beinhalten. Es sei angemerkt, dass die Licht emittierende Einheit 112_1, die Zwischenschicht 113 und die Licht emittierende Einheit 112_2 insgesamt als Schicht 103a bezeichnet werden können.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen werden die Licht emittierenden Einheiten 112 durch Bezugszeichen, wie z. B. „_1“, „_2“, gekennzeichnet, damit sich unterschiedliche Licht emittierende Einheiten 112 voneinander unterschieden werden. Das gilt in einigen Fällen auch für andere Komponenten.
  • Ein leitender Film, der sichtbares Licht durchlässt, wird als Elektrode, über die Licht extrahiert wird, entweder der Pixelelektrode 111 oder der gemeinsamen Elektrode 115 verwendet. Ein leitender Film, der sichtbares Licht reflektiert, wird vorzugsweise als Elektrode verwendet, über die kein Licht extrahiert wird.
  • Als Material, das das Paar von Elektroden des Licht emittierenden Elements 130 (die Pixelelektrode 111 und die gemeinsame Elektrode 115) bildet, können ein Metall, eine Legierung, eine elektrisch leitende Verbindung, eine Mischung davon und dergleichen angemessen verwendet werden. Spezifische Beispiele umfassen ein Indiumzinnoxid (In-Sn-Oxid, auch als ITO bezeichnet), ein In-Si-Sn-Oxid (auch als ITSO bezeichnet), ein Indiumzinkoxid (In-Zn-Oxid), ein In-W-Zn-Oxid, eine Legierung, die Aluminium enthält (eine Aluminiumlegierung), wie z. B. eine Legierung aus Aluminium, Nickel und Lanthan (Al-Ni-La), und eine Legierung aus Silber, Palladium und Kupfer (Ag-Pd-Cu, auch als APC bezeichnet). Außerdem ist es möglich, ein Metall, wie z. B. Aluminium (Al), Titan (Ti), Chrom (Cr), Mangan (Mn), Eisen (Fe), Kobalt (Co), Nickel (Ni), Kupfer (Cu), Gallium (Ga), Zink (Zn), Indium (In), Zinn (Sn), Molybdän (Mo), Tantal (Ta), Wolfram (W), Palladium (Pd), Gold (Au), Platin (Pt), Silber (Ag), Yttrium (Y) oder Neodym (Nd), oder eine Legierung zu verwenden, die eine geeignete Kombination aus beliebigen dieser Metalle enthält. Es ist auch möglich, ein Element der Gruppe 1 oder ein Element der Gruppe 2 des Periodensystems, das vorstehend nicht beschrieben worden ist (z. B. Lithium (Li), Cäsium (Cs), Calcium (Ca) oder Strontium (Sr)), ein Seltenerdmetall, wie z. B. Europium (Eu) oder Ytterbium (Yb), eine Legierung, die eine geeignete Kombination aus beliebigen dieser enthält, Graphen oder dergleichen zu verwenden.
  • Auf das Licht emittierende Element 130 wird vorzugsweise eine optische Mikroresonator- (Mikrokavitäts- bzw. microcavity-) Struktur angewendet. Daher beinhaltet eine des Paars der Elektroden, die in dem Licht emittierenden Element 130 enthalten sind, vorzugsweise eine Elektrode, die Durchlässigkeit und eine Reflexionseigenschaft für sichtbares Licht aufweist (eine semidurchlässige und semireflektierende Elektrode), während die andere vorzugsweise eine Elektrode beinhaltet, die eine Reflexionseigenschaft für sichtbares Licht aufweist (eine reflektierende Elektrode). Wenn das Licht emittierende Element 130 eine Mikrokavitätsstruktur aufweist, kann Licht, das von den Licht emittierenden Einheiten 112 erhalten wird, zwischen den beiden Elektroden zur Resonanz gebracht und das Licht, das von dem Licht emittierenden Element 130 emittiert wird, verstärkt werden.
  • Es sei angemerkt, dass die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode eine mehrschichtige Struktur aus einer reflektierenden Elektrode und einer Elektrode mit Durchlässigkeit für sichtbares Licht (auch als durchsichtige Elektrode bezeichnet) aufweisen kann.
  • Der Durchlassgrad der durchsichtigen Elektrode ist höher als oder gleich 40 %. Beispielsweise wird vorzugsweise für das Licht emittierende Element 130 eine Elektrode verwendet, die einen Durchlassgrad für sichtbares Licht (Licht bei einer Wellenlänge von mehr als oder gleich 400 nm und weniger als 750 nm) von höher als oder gleich 40 % aufweist. Die semidurchlässige und semireflektierende Elektrode weist einen Reflexionsgrad für sichtbares Licht von höher als oder gleich 10 % und niedriger als oder gleich 95 %, bevorzugt höher als oder gleich 30 % und niedriger als oder gleich 80 % auf. Die reflektierende Elektrode weist einen Reflexionsgrad für sichtbares Licht von höher als oder gleich 40 % und niedriger als oder gleich 100 %, bevorzugt höher als oder gleich 70 % und niedriger als oder gleich 100 % auf. Diese Elektroden weisen vorzugsweise einen spezifischen Widerstand von höher als oder gleich 1 × 10-2 Ωcm auf.
  • 3B ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1 und ein Strukturbeispiel des Verbindungsabschnitts 140 darstellt. Der Verbindungsabschnitt 140 beinhaltet eine Verbindungselektrode 111 C über der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, die gemeinsame Elektrode 115 über der Verbindungselektrode 111C, die Schutzschicht 131 über der gemeinsamen Elektrode 115, die Schutzschicht 132 über der Schutzschicht 131, die Harzschicht 119 über der Schutzschicht 132 und das Substrat 120 über der Harzschicht 119. Die Verbindungselektrode 111C ist mit der gemeinsamen Elektrode 115 elektrisch verbunden.
  • 3C ist eine Querschnittsansicht, die ein detailliertes Strukturbeispiel der Schicht 103a darstellt. Die Licht emittierende Einheit 112_1 beinhaltet beispielsweise eine Schicht 181, eine Schicht 182 über der Schicht 181, eine Licht emittierende Schicht 183_1 über der Schicht 182 und eine Schicht 184 über der Licht emittierenden Schicht 183_1. Die Licht emittierende Einheit 112_2 beinhaltet beispielsweise die Schicht 182 über der Zwischenschicht 113, eine Licht emittierende Schicht 183_2 über der Schicht 182, die Schicht 184 über der Licht emittierenden Schicht 183_2.
  • Die Schicht 181 umfasst beispielsweise eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft enthält (Lochinjektionsschicht). Die Schicht 182 umfasst beispielsweise eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Lochtransporteigenschaft enthält (Lochtransportschicht). Die Schicht 184 umfasst beispielsweise eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft enthält (Elektronentransportschicht). Hier umfasst die Schicht 181 in dem Fall, in dem die Pixelelektrode 111 als Kathode dient und die gemeinsame Elektrode 115 als Anode dient, eine Elektroneninjektionsschicht oder dergleichen. Die Schicht 182 umfasst eine Elektronentransportschicht oder dergleichen. Ferner umfasst die Schicht 184 eine Lochtransportschicht und dergleichen. Es sei angemerkt, dass die Licht emittierenden Einheiten 112 eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Lochsperreigenschaft enthält (Lochsperrschicht), oder eine Schicht, die eine Substanz mit einer hohen Elektronensperreigenschaft enthält, (Elektronensperrschicht) umfassen können.
  • Es sei angemerkt, dass die Schicht 182, die Schicht 184 und dergleichen beispielsweise jeder der Licht emittierenden Einheit 112_1 und der Licht emittierenden Einheit 112_2 die gleiche Struktur (das gleiche Material, die gleiche Filmdicke oder dergleichen) oder voneinander unterschiedliche Strukturen aufweisen können.
  • Es sei angemerkt, dass die Schicht 181 und die Schicht 182 in 3C getrennt gezeigt werden; jedoch sind sie nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann die Schicht 182 in dem Fall, in dem die Schicht 181 die beiden Funktionen als Lochinjektionsschicht und Lochtransportschicht aufweist, oder in dem Fall, in dem die Schicht 181 die beiden Funktionen als Elektroneninjektionsschicht und Elektronentransportschicht aufweist, weggelassen werden.
  • Durch die Bereitstellung der Schicht 184 über der Licht emittierenden Schicht 183_2 kann es unterdrückt werden, dass die Licht emittierende Schicht 183 in dem Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung 100 an der äußersten Oberfläche freiliegt, und Schäden, die die Licht emittierende Schicht 183 erleidet, können verringert werden. Dies kann die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements 130 erhöhen.
  • Die Zwischenschicht 113 weist eine Funktion zum Injizieren von Elektronen in eine der Licht emittierenden Einheit 112 1 und der Licht emittierenden Einheit 112 2 sowie zum Injizieren von Löchern in die andere auf, wenn eine Spannung zwischen der Pixelelektrode 111 und der gemeinsamen Elektrode 115 angelegt wird. Die Zwischenschicht kann auch als Ladungserzeugungsschicht bezeichnet werden.
  • Eine Farbe des Lichts, das die Licht emittierende Schicht 183_1 emittiert, und eine Farbe des Lichts, das die Licht emittierende Schicht 183_2 emittiert, können beispielsweise zueinander komplementär sein. Daher kann das Licht emittierende Element 130 weißes Licht als Ganzes emittieren. Beispielsweise kann eine der Licht emittierenden Schicht 183_1 und der Licht emittierenden Schicht 183_2 rotes Licht und grünes Licht emittieren und die andere der Licht emittierenden Schicht 183_1 und der Licht emittierenden Schicht 183_2 kann blaues Licht emittieren. Alternativ kann eine der Licht emittierenden Schicht 183_1 und der Licht emittierenden Schicht 183_2 gelbes Licht oder oranges Licht emittieren und die andere der Licht emittierenden Schicht 183_1 und der Licht emittierenden Schicht 183_2 kann blaues Licht emittieren. Hier kann in dem Fall, in dem eine Licht emittierende Schicht 183 Licht von zwei oder mehr Farben emittiert, die Licht emittierende Schicht 183 eine mehrschichtige Struktur aus zwei oder mehr Schichten aufweisen. Beispielsweise kann in dem Fall, in dem eine Licht emittierende Schicht 183 rotes Licht und grünes Licht emittiert, die Licht emittierende Schicht 183 eine mehrschichtige Struktur aus einer rotes Licht emittierenden Schicht und einer grünes Licht emittierenden Schicht aufweisen.
  • Eine Struktur, bei der, wie in dem Licht emittierenden Element 130, eine Vielzahl von Licht emittierenden Einheiten 112 übereinander angeordnet ist, wobei eine Zwischenschicht 113 dazwischen liegt, wird in dieser Beschreibung als Tandem-Struktur bezeichnet. Anderseits wird eine Struktur, bei der eine Licht emittierende Einheit 112 zwischen einem Paar von Elektroden bereitgestellt wird, als Single-Struktur bezeichnet. Es sei angemerkt, dass die Tandem-Struktur beispielsweise auch als mehrschichtige Struktur bezeichnet werden kann. Wenn ein Licht emittierendes Element die Tandem-Struktur aufweist, kann ein Licht emittierendes Element, das Licht mit hoher Leuchtdichte emittieren kann, erhalten werden. Da bei der Tandem-Struktur ein erforderlicher Strom zum Erhalten der gleichen Leuchtdichte im Vergleich zu bei der Single-Struktur verringert werden kann, kann ein Stromverbrauch einer Anzeigevorrichtung verringert werden und die Zuverlässigkeit eines Licht emittierenden Elements kann erhöht werden.
  • Ferner wird in einigen Fällen eine Struktur, bei der, wie in dem Licht emittierenden Element 130, Licht emittierende Schichten für jedes Licht emittierende Element getrennt werden, als SBS- (Side-by-Side-) Struktur bezeichnet. Da bei der SBS-Struktur Materialien und Komponenten für jedes Licht emittierende Element optimiert werden können, kann der Grad der Auswahlfreiheit von Materialien und Komponenten erhöht werden und die Leuchtdichte und die Zuverlässigkeit eines Licht emittierenden Elements können leicht erhöht werden.
  • Man kann sagen, dass das Licht emittierende Element 130 sowohl eine Tandem-Struktur als auch eine SBS-Struktur aufweist. Deswegen kann das Licht emittierende Element 130 sowohl den Vorteil der Tandem-Struktur als auch den Vorteil der SBS-Struktur haben. Es sei angemerkt, dass die Anzeigevorrichtung 100, wie in 3A gezeigt, eine Struktur aufweist, bei der zwei Licht emittierende Einheiten in Reihe ausgebildet sind; daher kann die Anzeigevorrichtung 100 als zweistufige Tandem-Struktur bezeichnet werden.
  • Hier ist das Licht emittierende Element 130 ein weißes Licht emittierende Element. Mit anderen Worten: Die Farben, die von den Licht emittierenden Elementen 130 emittiert werden, werden je nach der Farbe, die ein Subpixel aufweist, nicht unterschiedlich gemacht. Daher ist es nicht notwendig, die Farben, die von den Licht emittierenden Schichten 183 emittiert werden, zwischen den Licht emittierenden Elementen 130 unterschiedlich zu machen. Deshalb können beispielsweise alle Licht emittierenden Schichten 183, die in den Licht emittierenden Elementen 130 enthalten sind, kollektiv ausgebildet werden. Daher kann die Anzeigevorrichtung 100 im Vergleich zu dem Fall, in dem die Farben, die von den Licht emittierenden Schichten 183 emittiert werden, je nach der Farbe, die ein Subpixel aufweist, unterschiedlich gemacht werden, mit geringeren Kosten hergestellt werden und die Ausbeute kann erhöht werden. Deswegen kann die Anzeigevorrichtung 100 kostengünstig gemacht werden.
  • Im Folgenden wird ein spezifisches Beispiel für die Schichten des Licht emittierenden Elements 130 beschrieben.
  • Die Lochinjektionsschicht injiziert Löcher von der Anode in die Lochtransportschicht und enthält ein Material mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft. Als Material mit einer hohen Lochinjektionseigenschaft können eine aromatische Amin-Verbindung, ein Verbundmaterial, das ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial (Elektronenakzeptormaterial) enthält, und dergleichen angegeben werden.
  • Die Lochtransportschicht transportiert Löcher, die von der Anode durch die Lochinjektionsschicht injiziert werden, zu der Licht emittierenden Schicht. Die Lochtransportschicht enthält ein Lochtransportmaterial. Das Lochtransportmaterial weist vorzugsweise eine Löcherbeweglichkeit von größer als oder gleich 1 × 10-6 cm2/Vs auf. Es sei angemerkt, dass auch andere Substanzen verwendet werden können, solange ihre Lochtransporteigenschaften höher sind als ihre Elektronentransporteigenschaften. Als Lochtransportmaterial werden Materialien mit einer hohen Lochtransporteigenschaft, wie z. B. eine π-elektronenreiche heteroaromatische Verbindung (z. B. ein Carbazol-Derivat, ein Thiophen-Derivat und ein Furan-Derivat) und ein aromatisches Amin (eine Verbindung mit einem aromatischen Amin-Gerüst), bevorzugt.
  • Die Elektronentransportschicht transportiert Elektronen, die durch die Elektroneninjektionsschicht von der Kathode injiziert werden, zu der Licht emittierenden Schicht. Die Elektronentransportschicht enthält ein Elektronentransportmaterial. Das Elektronentransportmaterial weist vorzugsweise eine Elektronenbeweglichkeit von größer als oder gleich 1 × 10-6 cm2/Vs auf. Es sei angemerkt, dass auch andere Substanzen verwendet werden können, solange ihre Elektronentransporteigenschaften höher sind als ihre Lochtransporteigenschaften. Als Elektronentransportmaterial kann beispielsweise ein beliebiges der folgenden Materialien mit einer hohen Elektronentransporteigenschaft verwendet werden: ein Metallkomplex mit einem Chinolin-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Benzochinolin-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Oxazol-Gerüst, ein Metallkomplex mit einem Thiazol-Gerüst, ein Oxadiazol-Derivat, ein Triazol-Derivat, ein Imidazol-Derivat, ein Oxazol-Derivat, ein Thiazol-Derivat, ein Phenanthrolin-Derivat, ein Chinolin-Derivat mit einem Chinolin-Liganden, ein Benzochinolin-Derivat, ein Chinoxalin-Derivat, ein Dibenzochinoxalin-Derivat, ein Pyridin-Derivat, ein Bipyridin-Derivat, ein Pyrimidin-Derivat und eine π-elektronenarme heteroaromatische Verbindung, wie z. B. eine stickstoffhaltige heteroaromatische Verbindung.
  • Die Elektroneninjektionsschicht injiziert Elektronen von der Kathode in die Elektronentransportschicht und enthält ein Material mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft. Als Material mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft können ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon verwendet werden. Als Material mit einer hohen Elektroneninjektionseigenschaft kann ein Verbundmaterial, das ein Elektronentransportmaterial und ein Donatormaterial (Elektronendonatormaterial) enthält, verwendet werden.
  • Für die Elektroneninjektionsschicht kann beispielsweise ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall oder eine Verbindung davon, wie z. B. Lithium, Cäsium, Ytterbium, Lithiumfluorid (LiF), Cäsiumfluorid (CsF), Calciumfluorid (CaFx, X ist eine vorgegebene Zahl), 8-(Chinolinolato)lithium (Abkürzung: Liq), 2-(2-Pyridyl)phenolatolithium (Abkürzung: LiPP), 2-(2-Pyridyl)-3-pyridinolatolithium (Abkürzung: LiPPy), 4-Phenyl-2-(2-pyridyl)phenolatolithium (Abkürzung: LiPPP), Lithiumoxid (LiOx) oder Cäsiumcarbonat, verwendet werden. Die Elektroneninjektionsschicht kann eine mehrschichtige Struktur aus zwei oder mehr Schichten aufweisen. Die mehrschichtige Struktur kann beispielsweise eine Struktur sein, bei der für die erste Schicht Lithiumfluorid verwendet wird und in der zweiten Schicht Ytterbium enthalten ist.
  • Alternativ kann auch ein Material mit einer Elektronentransporteigenschaft für die vorstehende Elektroneninjektionsschicht verwendet werden. Als Material mit einer Elektronentransporteigenschaft kann beispielsweise eine Verbindung mit einem ungeteilten Elektronenpaar und einem elektronenarmen heteroaromatischen Ring verwendet werden. Insbesondere kann eine Verbindung mit mindestens einem von einem Pyridin-Ring, einem Diazin-Ring (einem Pyrimidin-Ring, einem Pyrazin-Ring und einem Pyridazin-Ring) und einem Triazin-Ring verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass die organische Verbindung mit einem ungeteilten Elektronenpaar vorzugsweise ein niedrigstes unbesetztes Molekülorbital- (lowest unoccupied molecular orbital, LUMO-) Niveau von höher als oder gleich -3,6 eV und niedriger als oder gleich -2,3 eV aufweist. Im Allgemeinen können ein höchstes besetztes Molekülorbital- (highest occupied molecular orbital, HOMO-) Niveau und das LUMO-Niveau einer organischen Verbindung durch Cyclovoltammetrie (CV), Photoelektronenspektroskopie, optische Absorptionsspektroskopie, inverse Photoelektronenspektroskopie oder dergleichen geschätzt werden.
  • Als organische Verbindung mit einem ungeteilten Elektronenpaar kann beispielsweise 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: BPhen), 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthrolin (Abkürzung: NBPhen), Dichinoxalino[2,3-a:2',3'-c]phenazin (Abkürzung: HATNA), 2,4,6-Tris[3'-(pyridin-3-yl)biphenyl-3-yl]-1,3,5-triazin (Abkürzung: TmPPPyTz) oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass NBPhen eine höhere Glasübergangstemperatur (Tg) als BPhen aufweist und daher eine hohe Wärmebeständigkeit aufweist.
  • Die Licht emittierende Schicht enthält eine Licht emittierende Substanz. Die Licht emittierende Schicht kann eine oder mehrere Arten von Licht emittierenden Substanzen enthalten. Als Licht emittierende Substanz wird eine Substanz, deren Emissionsfarbe Blau, Violett, Blauviolett, Grün, Gelbgrün, Gelb, Orange, Rot oder dergleichen ist, angemessen verwendet. Als Licht emittierende Substanz kann alternativ eine Substanz verwendet werden, die Nah-Infrarotlicht emittiert.
  • Beispiele für die Licht emittierende Substanz umfassen ein fluoreszierendes Material, ein phosphoreszierendes Material, ein TADF-Material und ein Quantenpunktmaterial.
  • Beispiele für das fluoreszierende Material umfassen ein Pyren-Derivat, ein Anthracen-Derivat, ein Triphenylen-Derivat, ein Fluoren-Derivat, ein Carbazol-Derivat, ein Dibenzothiophen-Derivat, ein Dibenzofuran-Derivat, ein Dibenzochinoxalin-Derivat, ein Chinoxalin-Derivat, ein Pyridin-Derivat, ein Pyrimidin-Derivat, ein Phenanthren-Derivat und ein Naphthalin-Derivat.
  • Beispiele für das phosphoreszierende Material umfassen einen metallorganischen Komplex (insbesondere einen Iridiumkomplex), der ein 4H-Triazol-Gerüst, ein 1H-Triazol-Gerüst, ein Imidazol-Gerüst, ein Pyrimidin-Gerüst, ein Pyrazin-Gerüst oder ein Pyridin-Gerüst aufweist, einen metallorganischen Komplex (insbesondere einen Iridiumkomplex), bei dem ein Phenylpyridin-Derivat mit einer elektronenziehenden Gruppe ein Ligand ist, einen Platinkomplex und einen Seltenerdmetallkomplex.
  • Die Licht emittierende Schicht kann zusätzlich zu der Licht emittierenden Substanz (einem Gastmaterial) eine oder mehrere Arten von organischen Verbindungen (z. B. ein Wirtsmaterial und ein Hilfsmaterial) enthalten. Als eine oder mehrere Arten von organischen Verbindungen können/kann das Lochtransportmaterial und/oder das Elektronentransportmaterial verwendet werden. Als eine oder mehrere Arten von organischen Verbindungen kann alternativ ein bipolares Material oder ein TADF-Material verwendet werden.
  • Die Licht emittierende Schicht enthält vorzugsweise z. B. ein phosphoreszierendes Material und eine Kombination von einem Lochtransportmaterial und einem Elektronentransportmaterial, die einen Exciplex leicht bildet. Bei einer derartigen Struktur kann eine Lichtemission durch die Exciplex-Triplett-Energieübertragung (exciplex-triplet energy transfer, ExTET), die eine Energieübertragung von einem Exciplex auf eine Licht emittierende Substanz (ein phosphoreszierendes Material) ist, effizient erhalten werden. Wenn die Kombination derart ausgewählt wird, dass sie einen Exciplex bildet, der eine Lichtemission aufweist, deren Wellenlänge sich mit der Wellenlänge eines Absorptionsbandes auf der niedrigsten Energieseite der Licht emittierenden Substanz überlappt, kann die Energie leichtgängig übertragen werden, und eine effiziente Lichtemission kann erzielt werden. Bei dieser Struktur können eine hohe Effizienz, ein Niederspannungsbetrieb und eine lange Lebensdauer eines Licht emittierenden Elements gleichzeitig erzielt werden.
  • Für die Zwischenschicht kann beispielsweise ein Material, das für die Elektroneninjektionsschicht verwendet werden kann, wie z. B. Lithium, vorteilhaft verwendet werden. Als Zwischenschicht kann beispielsweise ein Material, das für die Lochinjektionsschicht verwendet werden kann, vorteilhaft verwendet werden. Als Zwischenschicht kann eine Schicht, die ein Lochtransportmaterial und ein Akzeptormaterial (ein Elektronenakzeptormaterial) enthält, verwendet werden. Als Zwischenschicht kann eine Schicht, die ein Elektronentransportmaterial und ein Donatormaterial enthält, verwendet werden. Wenn die Zwischenschicht, die derartige Schichten umfasst, ausgebildet wird, kann ein Anstieg der Betriebsspannung in dem Fall unterdrückt werden, in dem die Licht emittierenden Einheiten übereinander angeordnet sind.
  • Mindestens ein Teil einer Seitenfläche der Pixelelektrode 111 ist mit der Seitenwand 121 bedeckt. Dies kann unterdrücken, dass die gemeinsame Schicht 114 in Kontakt mit der Seitenfläche der Pixelelektrode 111 ist. Mindestens ein Teil einer Seitenfläche der Licht emittierenden Einheiten 112 und einer Seitenfläche der Zwischenschicht 113 kann mit der Seitenwand 121 bedeckt sein. Dies kann unterdrücken, dass die gemeinsame Schicht 114 in Kontakt mit der Seitenfläche der Licht emittierenden Einheiten 112 oder der Seitenfläche der Zwischenschicht 113 ist. Auf diese Weise kann ein Kurzschluss des Licht emittierenden Elements 130 unterdrückt werden.
  • 3A und 3B stellen ein Beispiel dar, in dem die Seitenwand 121 eine zweischichtige Struktur aus einer Seitenwand 121 a und einer Seitenwand 112b aufweist. Eine Dicke in der X-Richtung und eine Dicke in der Y-Richtung der Seitenwand 121 b können größer als eine Dicke in der X-Richtung und eine Dicke in der Y-Richtung der Seitenwand 121a sein. Ferner kann ein Endabschnitt der Seitenwand 121 b eine abgerundete Form aufweisen. Wenn der Endabschnitt der Seitenwand 121 b eine abgerundete Form aufweist, wird die Abdeckung der gemeinsamen Schicht 114, der gemeinsamen Elektrode 115 und der Schutzschicht 131 erhöht, was vorzuziehen ist.
  • Die Seitenwand 121a bedeckt mindestens einen Teil der Seitenfläche der Pixelelektrode 111. Ferner kann die Seitenwand 121a mindestens einen Teil der Seitenfläche der Licht emittierenden Einheiten 112 und der Seitenfläche der Zwischenschicht 113 bedecken. Die Seitenwand 121b bedeckt mindestens einen Teil einer Seitenfläche der Seitenwand 121a und einer Oberseite der Seitenwand 121a.
  • Für die Seitenwand 121a und die Seitenwand 121b kann beispielsweise ein anorganischer Isolierfilm, wie z. B. ein isolierender Oxidfilm, ein isolierender Nitridfilm, ein isolierender Oxynitridfilm oder ein isolierender Nitridoxidfilm, verwendet werden. Als Beispiele für isolierende Oxidfilme werden ein Siliziumoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Germaniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Neodymoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm und dergleichen angegeben. Als Beispiele für isolierende Nitridfilme werden ein Siliziumnitridfilm, ein Aluminiumnitridfilm und dergleichen angegeben. Als Beispiele für isolierende Oxynitridfilme werden ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxynitridfilm und dergleichen angegeben. Als Beispiele für isolierende Nitridoxidfilme werden ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumnitridoxidfilm und dergleichen angegeben.
  • Die Seitenwand 121a und die Seitenwand 121b können beispielsweise durch ein beliebiges von verschiedenen Filmausbildungsverfahren, wie z. B. ein Sputterverfahren, ein Verdampfungsverfahren, ein chemisches Gasphasenabscheidungs- (chemical vapor deposition, CVD-) Verfahren und ein Atomlagenabscheidungs- (atomic layer deposition, ALD-) Verfahren ausgebildet werden. Insbesondere ist bei einem ALD-Verfahren die Beschädigung der Bildungsschicht durch Abscheidung gering; daher wird die Seitenwand 121a, die direkt an den Licht emittierenden Einheiten 112 und den Zwischenschichten 113 ausgebildet wird, vorzugsweise durch ein ALD-Verfahren ausgebildet. In diesem Fall wird die Seitenwand 121b vorzugweise durch ein Sputterverfahren ausgebildet, da somit die Produktivität erhöht werden kann.
  • Beispielsweise kann ein Aluminiumoxidfilm, der durch ein ALD-Verfahren ausgebildet wird, für die Seitenwand 121a verwendet werden, und ein Siliziumnitridfilm, der durch ein Sputterverfahren ausgebildet wird, kann für die Seitenwand 121b verwendet werden.
  • Die Seitenwand 121a und/oder die Seitenwand 121b weisen vorzugweise eine Funktion als isolierender Sperrfilm gegen Wasser und/oder Sauerstoff auf. Alternativ weisen die Seitenwand 121a und/oder die Seitenwand 121b vorzugweise eine Funktion zum Unterdrücken einer Diffusion von Wasser und/oder Sauerstoff auf. Alternativ weisen die Seitenwand 121a und/oder die Seitenwand 121b vorzugweise eine Funktion zum Einfangen oder Fixieren (auch als Gettering bezeichnet) von Wasser und/oder Sauerstoff auf.
  • Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung und dergleichen ein isolierender Sperrfilm einen Isolierfilm bezeichnet, der eine Sperreigenschaft aufweist. In dieser Beschreibung und dergleichen meint eine Sperreigenschaft eine Funktion zum Unterdrücken einer Diffusion einer entsprechenden Substanz (auch als niedrige Durchlässigkeit bezeichnet). Alternativ meint eine Sperreigenschaft eine Funktion zum Einfangen oder Fixieren (auch als Gettering bezeichnet) einer entsprechenden Substanz.
  • Wenn die Seitenwand 121a und/oder die Seitenwand 121b die vorstehend beschriebene Funktion als isolierender Sperrfilm oder die vorstehend beschriebene Gettering-Funktion aufweisen, kann eine Strukturerhalten werden, bei der ein Eindringen von Verunreinigungen (typischerweise Wasser oder Sauerstoff), die von außen in jedes Licht emittierende Element diffundieren können, unterdrückt werden kann. Bei dieser Struktur kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit erhalten werden.
  • In einem Bereich zwischen den Licht emittierenden Elementen 130 (zwischen Seitenwänden 121) und in einem vertieften Abschnitt der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, wird in einigen Fällen ein Zwischenraum 134 ausgebildet. 3A stellt ein Bespiel dar, in dem der Zwischenraum 134 zwischen der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, und der gemeinsamen Schicht 114 ausgebildet wird. Es sei angemerkt, dass der Zwischenraum 134 in Abhängigkeit von dem Abstand zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130, der Dicke der gemeinsamen Schicht 114, der Dicke der gemeinsamen Elektrode 115, der Dicke der Schutzschicht 131 und dergleichen in einigen Fällen nicht ausgebildet wird. In diesem Fall wird der Bereich zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 mit mindestens einer der gemeinsamen Schicht 114, der gemeinsamen Elektrode 115 und der Schutzschicht 131 gefüllt. Alternativ kann ein Bereich, der zu einem Zwischenraum werden kann, mit einem Isolator gefüllt werden.
  • In dem Zwischenraum 134 sind z. B. ein oder mehrere von Gasen enthalten, die aus Luft, Stickstoff, Sauerstoff, Kohlendioxid und Elementen der Gruppe 18 (typischerweise Helium, Neon, Argon, Xenon, Krypton und dergleichen) ausgewählt werden. In dem Zwischenraum ist in einigen Fällen ein Gas enthalten, das beispielsweise bei der Abscheidung der gemeinsamen Schicht 114 oder dergleichen verwendet wird. Beispielsweise kann in dem Fall, in dem die gemeinsame Schicht 114 durch ein Vakuumverdampfungsverfahren abgeschieden wird, der Zwischenraum in einer Atmosphäre mit reduziertem Druck sein. Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem Gase in dem Zwischenraum 134 enthalten sind, die Identifizierung der Gase oder dergleichen durch ein Gaschromatographieverfahren oder dergleichen durchgeführt werden kann.
  • Wenn der Brechungsindex des Zwischenraums 134 niedriger als derjenige der Seitenwand 121 ist, wird Licht, das von den Licht emittierenden Einheiten 112 emittiert wird, an der Grenzfläche zwischen der Seitenwand 121 und dem Zwischenraum 134 reflektiert. Dies kann unterdrücken, dass das Licht, das von den Licht emittierenden Einheiten 112 emittiert wird, in ein benachbartes Pixel (oder Subpixel) einfällt. Dies kann eine Mischung von Licht von unterschiedlichen Farben unterdrücken und somit kann die Anzeigequalität der Anzeigevorrichtung erhöht werden.
  • Alternativ kann ein Abschnitt, der zu dem Zwischenraum 134 werden kann, mit einen Isolator gefüllt werden. Als Material des Isolators können ein organisches Isoliermaterial und/oder ein anorganisches Isoliermaterial verwendet werden. Für den Isolator kann mindestens eine von einer festen Substanz, einer gelatineartigen Substanz und einer flüssigen Substanz verwendet werden.
  • Beispiele für ein organisches Isoliermaterial umfassen ein Acrylharz, ein Epoxidharz, ein Polyimidharz, ein Polyamidharz, ein Polyimidamidharz, ein Polysiloxanharz, ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis und ein Phenolharz. Alternativ kann ein beliebiges von verschiedenen Harzen verwendet werden, die für die Harzschicht 119 verwendet werden können.
  • Beispiele für ein anorganisches Isoliermaterial umfassen ein isolierendes Oxidmaterial, ein isolierendes Nitridmaterial, ein isolierendes Oxynitridmaterial und ein isolierendes Nitridoxidmaterial. Alternativ kann ein Isoliermaterial verwendet werden, das für die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 verwendet werden kann.
  • Wie vorstehend beschrieben, variiert die Form einer Schicht, die nach dem Ausbilden der Seitenwand 121 ausgebildet werden, in Abhängigkeit von dem Material, dem Abscheidungsverfahren, der Filmdicke und dergleichen und ist nicht besonders beschränkt. Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung weist eine Struktur auf, bei der durch das Vorhandensein der Seitenwand 121 ein Kurzschluss des Licht emittierenden Elements 130 unterdrückt wird. Daher können die Auswahlmöglichkeiten des Materials, des Abscheidungsverfahrens und der Dicke der Schichten, die nach dem Ausbilden der Seitenwand 121 ausgebildet werden, erweitert werden.
  • Die Anzeigevorrichtung 100 umfasst vorzugsweise die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 über dem Licht emittierenden Element 130. Wenn die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 bereitgestellt werden, kann die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements 130 erhöht werden. Es sei angemerkt, dass die Anzeigevorrichtung 100 nicht notwendigerweise die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 umfasst.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Leitfähigkeit der Schutzschicht 131 und der Schutzschicht 132. Als Schutzschicht 131 und Schutzschicht 132 können mindestens eines von einem Isolierfilm, einem Halbleiterfilm und einem leitenden Film verwendet werden.
  • Wenn die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 einen anorganischen Film umfassen, kann eine Oxidation der gemeinsamen Elektrode 115 unterdrückt werden und ein Eindringen von Verunreinigungen (wie z. B. Feuchtigkeit oder Sauerstoff) in das Licht emittierende Element 130 kann unterdrückt werden. Somit kann eine Verschlechterung des Licht emittierenden Elements 130 unterdrückt werden und die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung kann erhöht werden.
  • Für die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 kann beispielsweise ein anorganischer Isolierfilm, wie z. B. ein isolierender Oxidfilm, ein isolierender Nitridfilm, ein isolierender Oxynitridfilm oder ein isolierender Nitridoxidfilm, verwendet werden. Als Beispiele für isolierende Oxidfilme werden ein Siliziumoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Germaniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Neodymoxidfilm, ein Hafniumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm und dergleichen angegeben. Als Beispiele für isolierende Nitridfilme werden ein Siliziumnitridfilm, ein Aluminiumnitridfilm und dergleichen angegeben. Als Beispiele für isolierende Oxynitridfilme werden ein Siliziumoxynitridfilm, ein Aluminiumoxynitridfilm und dergleichen angegeben. Als Beispiele für isolierende Nitridoxidfilme werden ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumnitridoxidfilm und dergleichen angegeben.
  • Es sei angemerkt, dass in dieser Beschreibung und dergleichen ein Oxynitrid ein Material bezeichnet, das bezüglich der Zusammensetzung mehr Sauerstoff als Stickstoff enthält, und dass ein Nitridoxid ein Material bezeichnet, das bezüglich der Zusammensetzung mehr Stickstoff als Sauerstoff enthält.
  • Die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 umfassen jeweils bevorzugt einen isolierenden Nitridfilm oder einen isolierenden Nitridoxidfilm, und sie umfassen jeweils bevorzugter einen isolierenden Nitridfilm.
  • Ferner kann für die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 auch ein anorganischer Film verwendet werden, der ein In-Sn-Oxid (auch als ITO bezeichnet), ein In-Zn-Oxid, ein Ga-Zn-oxid, ein Al-Zn-oxid, ein Indiumgalliumzinkoxid (In-Ga-Zn-oxid, auch als IGZO bezeichnet) oder dergleichen enthält. Der anorganische Film weist vorzugsweise einen hohen Widerstand, insbesondere einen höheren Widerstand auf als die gemeinsame Elektrode 115. Der anorganische Film kann ferner Stickstoff enthalten.
  • Wenn das Licht von dem Licht emittierenden Element 130 durch die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 extrahiert wird, weisen die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 vorzugsweise eine hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht auf. Beispielsweise werden ITO, IGZO und ein Aluminiumoxid bevorzugt, da sie jeweils eine hohe Durchlässigkeit für sichtbares Licht aufweisen.
  • Für die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 kann beispielsweise eine mehrschichtige Struktur aus einem Aluminiumoxidfilm und einem Siliziumnitridfilm über dem Aluminiumoxidfilm oder eine mehrschichtige Struktur aus einem Aluminiumoxidfilm und einem IGZO-Film über dem Aluminiumoxidfilm verwendet werden. Die Verwendung der mehrschichtigen Struktur kann ein Eindringen von Verunreinigungen (wie z. B. Wasser oder Sauerstoff) in die Licht emittierenden Einheiten 112 unterdrücken.
  • Ferner können die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 einen organischen Film umfassen. Beispielsweise kann die Schutzschicht 132 sowohl einen organischen Film als auch einen anorganischen Film umfassen.
  • Für die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 können unterschiedliche Abscheidungsverfahren verwendet werden. Insbesondere kann die Schutzschicht 131 durch ein ALD-Verfahren ausgebildet werden und die Schutzschicht 132 kann durch ein Sputterverfahren ausgebildet werden.
  • Über der Schutzschicht 132 wird die Farbschicht 133 bereitgestellt. Die Farbschicht 133 beinhaltet einen Bereich, der sich mit dem Licht emittierenden Element 130 überlappt. Insbesondere beinhaltet die Farbschicht 133 einen Bereich, der sich mit der Licht emittierenden Schicht 183 überlappt. 3A stellt ein Beispiel dar, in dem eine unterschiedliche Farbschicht 133 (die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b oder die Farbschicht 133c) für jedes Licht emittierendes Element 130 bereitgestellt werden. Die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b und die Farbschicht 133c weisen eine Funktion zum Durchlassen des Lichts von unterschiedlichen Farben auf. Beispielsweise weist die Farbschicht 133a eine Funktion zum Durchlassen des roten Lichts auf, die Farbschicht 133b weist eine Funktion zum Durchlassen des grünen Lichts auf und die Farbschicht 133c weist eine Funktion zum Durchlassen des blauen Lichts auf. Somit kann die Anzeigevorrichtung 100 eine Vollfarbanzeige durchführen. Es sei angemerkt, dass die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b und die Farbschicht 133c eine Funktion zum Durchlassen des cyanfarbenen Lichts, des magentafarbenen Lichts oder des gelben Lichts aufweisen können.
  • Hier beinhalten benachbarte Farbschichten 133 vorzugsweise einen Bereich, in sich dem die benachbarten Farbschichten 133 überlappen. Insbesondere beinhalten die benachbarten Farbschichten 133 vorzugsweise in einem Bereich, der sich mit den Licht emittierenden Einheiten 112 nicht überlappt, den Bereich, in dem sich die benachbarten Farbschichten 133 überlappen. Wenn sich die Farbschichten 133 überlappen, die Licht von unterschiedlichen Farben durchlassen, können in dem Bereich, in dem sich die Farbschichten 133 überlappen, die Farbschichten 133 als lichtundurchlässige Schichten dienen. Somit kann eine Leckage von Licht von dem Licht emittierenden Element 130 in ein benachbartes Subpixel unterdrückt werden. Beispielsweise kann es unterdrückt werden, dass das Licht von dem Licht emittierenden Element 130, das sich mit der Farbschicht 133a überlappt, in die Farbschicht 133b einfällt. Somit kann der Kontrast der Bilder, die auf der Anzeigevorrichtung angezeigt werden, erhöht werden, und eine Anzeigevorrichtung mit hoher Anzeigequalität kann erzielt werden.
  • Es sei angemerkt, dass benachbarte Farbschichten 133 nicht notwendigerweise einen Bereich beinhalten, in dem sich die benachbarten Farbschichten 133 überlappen. In diesem Fall wird es bevorzugt, dass eine lichtundurchlässige Schicht in einem Bereich bereitgestellt wird, der sich mit den Licht emittierenden Einheiten 112 nicht überlappt. Die lichtundurchlässige Schicht kann z. B. an einer Oberfläche des Substrats 120 auf der Seite der Harzschicht 119 bereitgestellt werden. Alternativ können die Farbschichten 133 an der Oberfläche des Substrats 120 auf der Seite der Harzschicht 119 bereitgestellt werden.
  • Ein Endabschnitt der Oberseite der Pixelelektrode 111 ist mit keiner Isolierschicht bedeckt. Deswegen kann der Abstand zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 sehr verkürzt werden. Somit kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe oder mit hoher Auflösung erzielt werden.
  • Der Abstand zwischen den Licht emittierenden Elementen 130 in der Anzeigevorrichtung 100 kann verkürzt werden. Insbesondere kann der Abstand zwischen den Licht emittierenden Elementen 130 kleiner als oder gleich 1 µm, bevorzugt kleiner als oder gleich 500 nm, bevorzugter kleiner als oder gleich 200nm, kleiner als oder gleich 100nm, kleiner als oder gleich 90 nm, kleiner als oder gleich 70 nm, kleiner als oder gleich 50 nm, kleiner als oder gleich 30nm, kleiner als oder gleich 20nm, kleiner als oder gleich 15 nm oder kleiner als oder gleich 10 nm sein. Mit anderen Worten: Die Anzeigevorrichtung 100 beinhaltet beispielsweise einen Bereich, in dem der Abstand zwischen einer Seitenfläche einer Licht emittierenden Einheit 112, die in dem Licht emittierenden Element 130 enthalten ist, und einer Seitenfläche einer Licht emittierenden Einheit 112, die in dem benachbarten Licht emittierenden Element 130 enthalten ist, kleiner als oder gleich 1 µm, bevorzugt kleiner als oder gleich 0,5 µm (500 nm), bevorzugter kleiner als oder gleich 100 nm sein.
  • In dieser Beschreibung und dergleichen sind benachbarte Komponenten nicht notwendigerweise in Kontakt miteinander. Beispielsweise können, die zwei Licht emittierenden Einheiten 112 als einander benachbart angesehen werden, obwohl Licht emittierende Einheiten 112, die in benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 enthalten sind, nicht in Kontakt miteinander sind.
  • Verschiedene optische Bauelemente können an der Außenseite des Substrats 120 angeordnet werden. Beispiele für die optischen Bauelemente umfassen eine polarisierende Platte, eine Retardationsplatte, eine Lichtdiffusionsschicht (z. B. einen Diffusionsfilm), eine Antireflexionsschicht und einen Lichtbündelungsfilm. Des Weiteren kann ein antistatischer Film, der das Anhaften von Staub verhindert, ein wasserabweisender Film, der das Anhaften von Flecken unterdrückt, ein Hartfilm, der die Entstehung von Kratzern unterdrückt, die beim Verwenden verursacht werden, eine stoßabsorbierende Schicht oder dergleichen an der Außenseite des Substrats 120 angeordnet sein.
  • Für das Substrat 120 kann Glas, Quarz, Keramik, Saphir, ein Harz, ein Metall, eine Legierung, ein Halbleiter oder dergleichen verwendet werden. Das Substrat, durch das Licht von dem Licht emittierenden Element extrahiert wird, wird unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das das Licht durchlässt. Wenn das Substrat 120 unter Verwendung eines flexiblen Materials ausgebildet werden, kann die Flexibilität der Anzeigevorrichtung erhöht werden. Des Weiteren kann eine polarisierende Platte als Substrat 120 verwendet werden.
  • Für das Substrat 120 können jeweils Polyesterharze, wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET) und Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitrilharz, ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polycarbonat- (PC-) Harz, ein Polyethersulfon- (PES-) Harz, Polyamidharze (z. B. Nylon und Aramid), ein Polysiloxanharz, ein Cycloolefinharz, ein Polystyrolharz, ein Polyamidimidharz, ein Polyurethanharz, ein Polyvinylchloridharz, ein Polyvinylidenchloridharz, ein Polypropylenharz, ein Polytetrafluorethylen- (PTFE-) Harz, ein ABS-Harz und Cellulose-Nanofaser verwendet werden. Für das Substrat 120 kann ein Glas mit einer derartigen Dicke verwendet werden, mit der das Substrat eine Flexibilität aufweist.
  • Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem sich eine zirkular polarisierende Platte mit der Anzeigevorrichtung überlappt, ein in hohem Maße optisch isotropes Substrat vorzugsweise für das Substrat verwendet wird, das in der Anzeigevorrichtung enthalten ist. Ein in hohem Maße optisch isotropes Substrat weist eine geringe Doppelbrechung (mit anderen Worten: eine schwache Doppelbrechung) auf.
  • Der Absolutwert einer Retardation (Phasendifferenz) eines in hohem Maße optisch isotropen Substrats ist vorzugsweise kleiner als oder gleich 30 nm, bevorzugter kleiner als oder gleich 20 nm, noch bevorzugter kleiner als oder gleich 10 nm.
  • Beispiele für einen in hohem Maße optisch isotropen Film umfassen einen Triacetylcellulose- (TAC-, auch als Cellulosetriacetat bezeichnet) Film, einen Cycloolefinpolymer- (COP-) Film, einen Cycloolefincopolymer- (COC-) Film und einen Acryl-Film.
  • In dem Fall, in dem ein Film für das Substrat verwendet wird, könnte infolge der Wasserabsorption des Films die Form des Anzeigefeldes geändert werden, z. B. Falten entsteht. Daher wird für das Substrat vorzugsweise ein Film mit einer niedrigen Wasserabsorptionsrate verwendet. Beispielsweise ist die Wasserabsorptionsrate des Films bevorzugt niedriger oder gleich 1 %, bevorzugter niedriger oder gleich 0,1 %, noch bevorzugter niedriger oder gleich 0,01 %.
  • Für die Harzschicht 119 können verschiedene härtende Klebstoffe verwendet werden, wie beispielsweise ein lichthärtender Klebstoff, wie z. B. ein UV-härtender Klebstoff, ein reaktiv härtender Klebstoff, ein wärmehärtender Klebstoff, ein anaerober Klebstoff und dergleichen. Beispiele für diese Klebstoffe umfassen ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Phenolharz, ein Polyimidharz, ein Imidharz, ein PVC-(Polyvinylchlorid-) Harz, ein PVB- (Polyvinylbutyral-) Harz und ein EVA-(Ethylenvinylacetat-) Harz. Insbesondere wird ein Material mit niedriger Feuchtigkeitsdurchlässigkeit, wie z. B. ein Epoxidharz, bevorzugt. Ein ZweiKomponenten-Harz kann auch verwendet werden. Eine Klebefolie oder dergleichen kann auch verwendet werden.
  • Als Materialien, die für ein Gate, eine Source und einen Drain eines Transistors sowie für leitende Schichten, wie z. B. verschiedene Leitungen und Elektroden in der Anzeigevorrichtung, verwendet werden können, können ein Metall, wie z. B. Aluminium, Titan, Chrom, Nickel, Kupfer, Yttrium, Zirconium, Molybdän, Silber, Tantal oder Wolfram, eine Legierung, die ein beliebiges dieser Metalle als ihre Hauptkomponente enthält, und dergleichen angegeben werden. Es kann eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur verwendet werden, welche einen Film beinhaltet, der ein beliebiges dieser Materialien enthält.
  • Als lichtdurchlässiges leitendes Material kann ein leitendes Oxid, wie z. B. Indiumoxid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Zinkoxid und Zinkoxid, das Gallium enthält, oder Graphen verwendet werden. Es ist auch möglich, ein Metallmaterial, wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium oder Titan, oder ein Legierungsmaterial, das ein beliebiges dieser Metallmaterialien enthält, zu verwenden. Alternativ kann ein Nitrid eines beliebigen dieser Metallmaterialien (z. B. Titannitrid) oder dergleichen verwendet werden. Es sei angemerkt, dass in dem Fall der Verwendung des Metallmaterials oder des Legierungsmaterials (oder des Nitrids davon) die Filmdicke vorzugsweise derart eingestellt wird, dass sie klein genug ist, um Licht durchzulassen. Alternativ kann für die leitenden Schichten ein mehrschichtiger Film aus beliebigen der vorstehenden Materialien verwendet werden. Beispielsweise wird vorzugsweise ein mehrschichtiger Film aus Indiumzinnoxid und einer Legierung von Silber und Magnesium verwendet, da die Leitfähigkeit erhöht werden kann. Sie können auch für leitende Schichten, wie z. B. Leitungen und Elektroden, welche in der Anzeigevorrichtung enthalten sind, und für leitende Schichten (z. B. eine leitende Schicht, die als Pixelelektrode oder gemeinsame Elektrode dient), die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, verwendet werden.
  • Beispiele für isolierende Materialien, die für die Isolierschichten verwendet werden können, umfassen ein Harz, wie z. B. ein Acrylharz und ein Epoxidharz, und ein anorganisches isolierendes Material, wie z. B. Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Siliziumnitridoxid, Siliziumnitrid und Aluminiumoxid.
  • Obwohl 3A ein Beispiel darstellt, in dem zwei Licht emittierende Einheiten 112 übereinander angeordnet sind, ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. 4A ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1 darstellt, und 4B ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1 darstellt.
  • In dem in 4A dargestellten Beispiel umfasst das Licht emittierende Element 130 die Pixelelektrode 111 über der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, die Licht emittierende Einheit 112_1 über der Pixelelektrode 111, eine Zwischenschicht 113_1 über der Licht emittierenden Einheit 112_1, die Licht emittierende Einheit 112_2 über der Zwischenschicht 113_1, eine Zwischenschicht 113_2 über der Licht emittierendem Einheit 112_2, eine Licht emittierende Einheit 112_3 über der Zwischenschicht 113_2, die gemeinsame Schicht 114 über der Licht emittierenden Einheit 112 3 und die gemeinsame Elektrode 115 über der gemeinsamen Schicht 114. In dem in 4A dargestellten Beispiel weist das Licht emittierende Element 130 eine Struktur auf, bei der drei Licht emittierende Einheiten 112 übereinander angeordnet sind, und dies kann als dreistufige Tandem-Struktur bezeichnet werden. Hier können die Licht emittierenden Einheiten 112_1 bis 112_3 sowie die Zwischenschicht 113_1 und die Zwischenschicht 113_2 insgesamt als Schicht 103b bezeichnet werden.
  • 4C ist eine Querschnittsansicht, die ein detailliertes Strukturbeispiel der Schicht 103b darstellt. Die Licht emittierende Einheit 112_3 umfasst beispielsweise die Schicht 182 über der Zwischenschicht 113_2, eine Licht emittierende Schicht 183_3 über der Schicht 182 und die Schicht 184 über der Licht emittierenden Schicht 183_3.
  • Die Licht emittierenden Schichten 183_1 bis 183_3 können jeweils rotes Licht, grünes Licht oder blaues Licht emittieren. Beispielsweise kann die Licht emittierende Schicht 183_1 rotes Licht emittieren, die Licht emittierende Schicht 183_2 kann grünes Licht emittieren und die Licht emittierende Schicht 183_3 kann blaues Licht emittieren. Alternativ kann die Licht emittierende Schicht 183_1 blaues Licht emittieren, die Licht emittierende Schicht 183_2 kann gelbes Licht, gelbgrünes Licht oder grünes Licht emittieren und die Licht emittierende Schicht 183_3 kann blaues Licht emittieren. Ferner kann die Licht emittierende Schicht 183_1 blaues Licht emittieren, die Licht emittierende Schicht 183_2 kann rotes Licht und gelbes Licht, gelbgrünes Licht oder grünes Licht emittieren und die Licht emittierende Schicht 183_3 kann blaues Licht emittieren.
  • Es sei angemerkt, dass das Licht emittierende Element 130 auch eine Struktur aufweisen, bei der vier oder mehr Licht emittierende Einheiten 112 übereinander angeordnet sind. Mit anderen Worten: Das Licht emittierende Element 130 kann eine vierstufige Tandem-Struktur aufweisen.
  • Auf diese Weise kann eine Erhöhung der Anzahl der übereinander angeordneten Licht emittierenden Einheiten 112 je nach der Anzahl von Übereinanderanordnungen die Leuchtdichte erhöhen, die durch die gleiche Strommenge von dem Licht emittierenden Element 130 erhalten wird. Eine Erhöhung der Anzahl von Übereinanderanordnungen der Licht emittierenden Einheiten 112 kann den erforderlichen Strom zum Erhalten der gleichen Leuchtdichte verringern und somit kann der Stromverbrauch des Licht emittierenden Elements 130 je nach der Anzahl von Übereinanderanordnungen verringert werden.
  • 5A ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1 darstellt, und 5B ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1 darstellt. 5A und 5B sind Modifikationsbeispiele der in 3A und 3B dargestellten Struktur, welche sich dadurch unterscheidet, dass die Seitenwand 121 eine einschichtige Struktur aufweist. Bei der Struktur, die in 5A und 5B dargestellt wird, kann die Seitenwand 121 das gleiche Material wie die Seitenwand 121a enthalten und kann durch das gleiche Verfahren wie die Seitenwand 121a ausgebildet werden. Beispielsweise kann für die in 5A und 5B dargestellte Seitenwand 121 ein Aluminiumoxidfilm verwendet werden, der durch ein ALD-Verfahren ausgebildet wird.
  • Wenn die Anzeigevorrichtung 100 die in 5A und 5B dargestellte Struktur aufweist, kann der Herstellungsprozess der Seitenwand 121 vereinfacht werden und kann die Anzahl der Herstellungsschritte der Anzeigevorrichtung 100 verringert werden. Somit kann die Anzeigevorrichtung 100 mit geringen Kosten hergestellt werden und die Ausbeute kann erhöht werden. Deswegen kann die Anzeigevorrichtung 100 kostengünstig gemacht werden.
  • 6A ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1 darstellt, und 6B ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1 darstellt. 6A und 6B sind Modifikationsbeispiele der in 3A und 3B dargestellten Struktur, welche sich von der in 3A und 3B dargestellten Anzeigevorrichtung 100 dadurch unterscheidet, dass das Licht emittierende Element 130 eine Schicht 114a anstatt der gemeinsamen Schicht 114 umfasst.
  • Die Schicht 114a kann auf eine ähnliche Weise wie die gemeinsame Schicht 114 z. B. eine Elektroneninjektionsschicht umfassen. Es sei angemerkt, dass die Schicht 114a in dem Fall, in dem die Pixelelektrode 111 als Kathode dient und die gemeinsame Elektrode 115 als Anode dient, beispielsweise eine Lochinjektionsschicht umfassen kann.
  • Die Schicht 114a wird auf eine ähnliche Weise wie die Pixelelektrode 111, die Licht emittierenden Einheiten 112 und die Zwischenschicht 113 für jedes Licht emittierendes Element 130 inselförmig ausgebildet. Das heißt, dass die Schicht 114a wird für jedes Licht emittierendes Element 130 getrennt ausgebildet.
  • 7A ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1 darstellt, und 7B ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1 darstellt. 7A und 7B sind Modifikationsbeispiele der in 3A und 3B dargestellten Struktur und stellen ein Beispiel dar, in dem der Zwischenraum 134 in einem Bereich zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 nicht ausgebildet wird und der Bereich mit der gemeinsamen Schicht 114 gefüllt ist. Es sei angemerkt, dass der Bereich zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 zusätzlich zu der gemeinsamen Schicht 114 mit der gemeinsamen Elektrode 115 gefüllt sein kann. Ferner kann der Bereich mit der Schutzschicht 131 gefüllt sein. In dem Fall, in dem beispielsweise der Abstand zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 groß ist, wird der Zwischenraum 134 in einigen Fällen nicht ausgebildet, wie in 7A dargestellt.
  • Da die Anzeigevorrichtung 100 die Seitenwand 121 umfasst, kann es unterdrückt werden, dass die gemeinsame Schicht 114 in Kontakt mit einer der Seitenfläche der Pixelelektrode 111, der Licht emittierenden Einheiten 112 und der Zwischenschicht 113 ist, selbst wenn der Bereich zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 mit der gemeinsamen Schicht 114 oder dergleichen gefüllt ist, wie in 7A dargestellt. Somit kann ein Kurzschluss der Licht emittierenden Elemente 130 unterdrückt werden, selbst wenn der Bereich zwischen benachbarten Licht emittierenden Elementen 130 mit der gemeinsamen Schicht 114 oder dergleichen gefüllt ist.
  • 1 stellt ein Beispiel dar, in dem das Pixel 110 drei Subpixel, nämlich das Subpixel 110a, das Subpixel 110b und das Subpixel 110c, umfasst; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. 8 ist eine Draufsicht, die ein Strukturbeispiel der Anzeigevorrichtung 100 darstellt.
  • Das in 8 dargestellte Pixel 110 umfasst vier Subpixel, nämlich das Subpixel 110a, das Subpixel 110b, das Subpixel 110c und ein Subpixel 110d. Das Subpixel 110a, das Subpixel 110b, das Subpixel 110c und das Subpixel 110d können jeweils ein Subpixel von unterschiedlichen Farben sein. Beispielsweise können das Subpixel 110a, das Subpixel 110b und das Subpixel 110c jeweils ein rotes Subpixel, ein grünes Subpixel und ein blaues Subpixel sein und das Subpixel 110d kann ein weißes Subpixel sein.
  • 8 stellt ein Beispiel dar, in dem die Subpixel in einem Pixel 110 in zwei Zeilen und drei Spalten angeordnet sind. Das Pixel 110 umfasst in der oberen Zeile (in der ersten Zeile) drei Subpixel (das Subpixel 110a, das Subpixel 110b und das Subpixel 110c) und in der unteren Zeile (in der zweiten Zeile) ein Subpixel (das Subpixel 110d). Mit anderen Worten: Das Subpixel 110 umfasst in der linken Spalte (in der ersten Spalte) das Subpixel 110a, in der mittleren Spalte (in der zweiten Spalte) das Subpixel 110b, in der rechten Spalte (in der dritten Spalte) das Subpixel 110c und über diese drei Spalten das Subpixel 110d.
  • 9A ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang einer Strichpunktlinie X3-X4 in 8 darstellt. 9B ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel entlang einer Strichpunktlinie Y3-Y4 in 8 darstellt, und ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel des Verbindungsabschnitts 140 darstellt.
  • In dem Fall, in dem das Licht emittierende Element 130 eine Funktion zum Emittieren des weißen Lichts aufweist, kann ein Subpixel, für das die Farbschicht 133 nicht bereitgestellt wird, ein weißes Subpixel sein.
  • 10A bis 10F sind Draufsichten, die Strukturbeispiele des Subpixels 110, das das Subpixel 110a, das Subpixel 110b, das Subpixel 110c und das Subpixel 110d umfasst, und sind Modifikationsbeispiele der in 8 dargestellten Struktur des Pixels 110.
  • In dem in 10A bis 10C dargestellten Subpixel 110 kommt eine Streifen-Anordnung zum Einsatz. In dem in 10D bis 10F dargestellten Subpixel 110 kommt eine Matrix-Anordnung zum Einsatz.
  • 10A ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine rechteckige Oberseitenform aufweist, 10B ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine Oberseitenform aufweist, die durch eine Kombination von zwei halben Kreisen und einem Rechteck gebildet wird, und 10C ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine elliptische Oberseitenform aufweist. 10D ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine quadratische Oberseitenform aufweist, 10E ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine im Wesentlichen quadratische Oberseitenform mit abgerundeten Ecken aufweist, und 10F ist ein Beispiel, in dem jedes Subpixel eine kreisförmige Oberseitenform aufweist.
  • [Beispiel für ein Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung]
  • Als Nächstes wird ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung 100 beschrieben. Insbesondere wird ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung 100 beschrieben., welches in 1, 3A, 3B und dergleichen dargestellt wird.
  • In 11A bis 11E, 12A bis 12E sowie 13A und 13B sind Querschnittsansichten, die ein Beispiel für ein Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung 100 darstellen, und Querschnittsansichten entlang der Strichpunktlinie X1-X2 in 1 sowie Querschnittsansichten entlang der Strichpunktlinie Y1-Y2 in 1 nebeneinander dargestellt.
  • Dünnfilme, die in der Anzeigevorrichtung enthalten sind (isolierende Filme, Halbleiterfilme, leitende Filme und dergleichen), können durch ein Sputterverfahren, ein CVD-Verfahren, ein Vakuumverdampfungsverfahren, ein Pulslaserabscheidungs-(pulsed laser deposition, PLD-) Verfahren, ein ALD-Verfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Beispiele für das CVD-Verfahren umfassen ein plasmaunterstütztes chemisches Gasphasenabscheidungs- (plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD-) Verfahren und ein thermisches CVD-Verfahren. Ein Beispiel für ein thermisches CVD-Verfahren ist ein metallorganisches CVD- (metal organic CVD, MOCVD-) Verfahren.
  • Dünnfilme, die in der Anzeigevorrichtung enthalten sind (isolierende Filme, Halbleiterfilme, leitende Filme und dergleichen), können durch ein Verfahren, wie z. B. Rotationsbeschichtung, Tauchen, Sprühbeschichtung, Tintenstrahldruck, Dispensieren, Siebdruck, Offsetdruck, Rakelschneiden, Spaltbeschichtung, Walzenbeschichtung, Vorhangbeschichtung oder Rakelbeschichtung, ausgebildet werden.
  • Zur Herstellung des Licht emittierenden Elements können insbesondere ein Vakuumprozess, wie z. B. ein Verdampfungsverfahren, und ein Lösungsprozess, wie z. B. ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder ein Tintenstrahlverfahren, verwendet werden. Als Beispiele für ein Verdampfungsverfahren werden ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren (physical vapor deposition method, PVD-Verfahren), wie z. B. ein Sputterverfahren, ein Ionenplattierungsverfahren, ein Ionenstrahlverdampfungsverfahren, ein Molekularstrahlverdampfungsverfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren, und ein chemisches Gasphasenabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren) oder dergleichen angegeben. Insbesondere können Funktionsschichten, die in den Licht emittierenden Einheiten enthalten sind (eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Licht emittierende Schicht, eine Elektronentransportschicht und dergleichen), durch ein Verdampfungsverfahren (z. B. ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Beschichtungsverfahren (z. B. ein Tauchbeschichtungsverfahren, ein Düsenbeschichtungsverfahren, ein Stabbeschichtungsverfahren, ein Rotationsbeschichtungsverfahren oder ein Sprühbeschichtungsverfahren), ein Druckverfahren (z. B. ein Tintenstrahlverfahren, ein Siebdruck- (Schablonendruck-) Verfahren, ein Offset-Druck- (Flachdruck-) Verfahren, ein Flexodruck- (Hochdruck-) Verfahren, ein Tiefdruckverfahren oder ein Mikrokontaktdruckverfahren) oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Dünnfilme, die in der Anzeigevorrichtung enthalten sind, können durch ein Photolithografieverfahren oder dergleichen verarbeitet werden. Alternativ können Dünnfilme durch ein Nanoprägelithographieverfahren, ein Sandstrahlverfahren, ein Liftoff-Verfahren oder dergleichen verarbeitet werden. Alternativ können inselförmige Dünnfilme durch ein Abscheidungsverfahren unter Verwendung einer Abschirmmaske, wie z. B. einer Metallmaske, direkt ausgebildet werden.
  • Es gibt zwei typische Photolithographieverfahren. Bei einem der Verfahren wird eine Photolackmaske über einem zu verarbeitenden Dünnfilm ausgebildet, der Dünnfilm wird durch Ätzen oder dergleichen verarbeitet, und dann wird die Photolackmaske entfernt. Bei dem anderen Verfahren wird ein lichtempfindlicher Dünnfilm ausgebildet und dann durch eine Belichtung und eine Entwicklung zu einer gewünschten Form verarbeitet.
  • Als Licht zur Belichtung bei einem Photolithographieverfahren kann beispielsweise Licht mit einer i-Linie (mit einer Wellenlänge von 365 nm), Licht mit einer g-Linie (mit einer Wellenlänge von 436 nm), Licht mit einer h-Linie (mit einer Wellenlänge von 405 nm) oder Licht, in dem diese gemischt sind, verwendet werden. Alternativ kann Ultraviolettlicht, KrF-Laserlicht, ArF-Laserlicht oder dergleichen verwendet werden. Die Belichtung kann durch eine Technik der Flüssigkeitsimmersionsbelichtung durchgeführt werden. Als Licht zur Belichtung kann extremes Ultraviolettlicht (extreme ultra-violet, EUV) oder Röntgenstrahlen verwendet werden. Anstatt des Lichts zur Belichtung kann auch ein Elektronenstrahl verwendet werden. Es wird bevorzugt, extremes Ultraviolettlicht, Röntgenstrahlen oder ein Elektronenstrahl zu verwenden, da eine sehr feine Verarbeitung durchgeführt werden kann. Es sei angemerkt, dass keine Photomaske erforderlich ist, wenn die Belichtung durch Abtasten eines Strahls, wie z. B. eines Elektronenstrahls, durchgeführt wird.
  • Zur Verarbeitung eines Dünnfilms kann ein Trockenätzverfahren, ein Nassätzverfahren, ein Sandstrahlverfahren oder dergleichen verwendet werden.
  • Zuerst wird die Schicht 101 ausgebildet, die einen Transistor beinhaltet, um die Anzeigevorrichtung 100 herzustellen. Wie vorstehend beschrieben, kann die äußerste Oberfläche der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, eine Isolierschicht sein. Anschließend wird ein leitender Film 111A, der später zu der Pixelelektrode 111 und zu der Verbindungselektrode 111C wird, über der Schicht 101 abgeschieden, die einen Transistor beinhaltet.
  • Als Nächstes wird eine Schicht 112_1A, die zu der Licht emittierenden Einheit 112_1 wird, über dem leitenden Film 111A ausgebildet. Insbesondere werden ein Film, der später zu der Schicht 181 wird, ein Film, der später zu der Schicht 182 wird, ein Licht emittierender Film, der später zu der Licht emittierenden Schicht 183_1 wird, und ein Film, der später zu der Schicht 184 wird, sequentiell abgeschieden. Danach wird ein Zwischenfilm 113A, der später zu der Zwischenschicht 113 wird, über der Schicht 1121_A abgeschieden.
  • Anschließend wird eine Schicht 112_2A, die zu der Licht emittierenden Einheit 112_2 wird, über dem Zwischenfilm 113A ausgebildet. Insbesondere werden ein Film, der später zu der Schicht 182 wird, ein Licht emittierender Film, der später zu der Licht emittierenden Schicht 183_2 wird, und ein Film, der später zu der Schicht 184 wird, sequentiell abgeschieden.
  • Filme, die in der Schicht 112_1A enthalten sind, und Filme, die in dem Zwischenfilm 113A und der Schicht 112_2A enthalten sind, können beispielsweise durch ein Verdampfungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein Tintenstrahlverfahren oder dergleichen ausgebildet werden. Ohne darauf beschränkt zu sein, kann das vorstehend beschriebene Abscheidungsverfahren angemessen verwendet werden.
  • Die Schicht 112 1A, der Zwischenfilm 113A und die Schicht 112 2A werden vorzugsweise nicht in dem Verbindungsabschnitt 140 bereitgestellt. Beispielsweise wird dann, wenn die Filme, die in der 112_1A enthalten sind, und Filme, die in dem Zwischenfilm 113A und der Schicht 112_2A enthalten sind, durch ein Verdampfungsverfahren (oder ein Sputterverfahren) abgeschieden werden, vorzugweise eine Abschirmmaske verwendet, damit diese Filme nicht in dem Verbindungsabschnitt 140 abgeschieden werden.
  • Anschließend wird ein Opferfilm 141 über der Schicht 112_2A abgeschieden. Der Opferfilm 141 wird auch in dem Verbindungsabschnitt 140 bereitgestellt.
  • Als Opferfilm 141 kann ein Film, der sehr beständig gegen eine Ätzbehandlung der Filme, die in der Schicht 112 2A enthalten sind, und der Filme, die in dem Zwischenfilm 113A und der Schicht 112_1A enthalten sind, d. h. ein Film mit hoher Ätzselektivität verwendet werden. Als Opferfilm 141 kann ein Film mit hoher Ätzselektivität bezüglich eines Schutzfilms, wie z. B. eines Schutzfilms 143, der nachstehend beschrieben wird, verwendet werden. Ferner kann als Opferfilm 141 ein Film verwendet werden, der durch ein Nassätzverfahren entfernt werden kann, welches geringe Schäden an den Filmen, die in der Schicht 112_2A enthalten sind, und den Filmen, die in dem Zwischenfilm 113A und der Schicht 112_1A enthalten sind, verursacht.
  • Als Opferfilm 141 kann beispielsweise ein anorganischer Film, wie z. B. ein Metallfilm, ein Legierungsfilm, ein Metalloxidfilm, ein Halbleiterfilm oder ein anorganischer Isolierfilm, verwendet werden. Der Opferfilm 141 kann durch eines von verschiedenen Abscheidungsverfahren, wie z. B. ein Sputterverfahren, ein Verdampfungsverfahren, ein CVD-Verfahren und ein ALD-Verfahren, ausgebildet werden.
  • Als Opferfilm 141 kann ein Metallmaterial, wie z. B. Gold, Silber, Platin, Magnesium, Nickel, Wolfram, Chrom, Molybdän, Eisen, Kobalt, Kupfer, Palladium, Titan, Aluminium, Yttrium, Zirconium, Tantal oder dergleichen, oder ein Legierungsmaterial, das das Metallmaterial enthält, verwendet werden. Insbesondere wird vorzugsweise ein niedrigschmelzendes Material verwendet, wie z. B. Aluminium, Silber oder dergleichen.
  • Alternativ kann als Opferfilm 141 ein Metalloxid, wie z. B. ein Indium-Gallium-Zink-Oxid (In-Ga-Zn-Oxid, auch als IGZO bezeichnet), verwendet werden. Es ist auch möglich, Indiumoxid, Indiumzinkoxid (In-Zn-Oxid), Indiumzinnoxid (In-Sn-Oxid), Indiumtitanoxid (In-Ti-Oxid), Indium-Zinn-Zink-Oxid (In-Sn-Zn-Oxid), Indium-Titan-Zink-Oxid (In-Ti-Zn-Oxid), Indium-Gallium-Zinn-Zink-Oxid (In-Ga-Sn-Zn-Oxid) oder dergleichen zu verwenden. Alternativ kann auch Indiumzinnoxid, das Silizium enthält, oder dergleichen verwendet werden.
  • Es sei angemerkt, dass anstatt des vorstehenden Galliums auch ein Element M (M ist eine oder mehrere Arten, die aus Aluminium, Silizium, Bor, Yttrium, Kupfer, Vanadium, Beryllium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirkonium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram oder Magnesium ausgewählt werden) verwendet werden. Insbesondere ist M vorzugsweise eine oder mehrere Arten, die aus Gallium, Aluminium oder Yttrium ausgewählt werden.
  • Alternativ kann als Opferfilm 141 ein anorganisches Isoliermaterial, wie z. B. Aluminiumoxid, Hafniumoxid, Siliziumoxid oder dergleichen, verwendet werden.
  • Als Opferfilm 141 wird vorzugsweise ein Material verwendet werden, das in einem chemisch stabilen Lösungsmittel aufgelöst werden kann. Insbesondere kann ein Material, das in Wasser oder Alkohol aufgelöst werden kann, für den Opferfilm 141 geeignet verwendet werden. Bei der Abscheidung des Opferfilms 141 wird es bevorzugt, dass das vorstehende Material in einem Zustand, in dem das Material in einem Lösungsmittel, wie z. B. Wasser oder Alkohol, aufgelöst worden ist, durch einen Nassprozess aufgetragen wird und danach einer Wärmebehandlung zur Verdampfung des Lösungsmittels unterzogen wird. Dabei wird die Wärmebehandlung vorzugsweise in einer Atmosphäre mit reduziertem Druck durchgeführt, wobei in diesem Fall das Lösungsmittel bei einer niedrigen Temperatur in kurzer Zeit entfernt werden kann und thermische Schäden an der Schicht 112_2A, dem Zwischenfilm 113A und der Schicht 112_1A demzufolge verringert werden können.
  • Beispiele für einen Nassprozess, der zum Ausbilden des Opferfilms 141 verwendet werden kann, umfassen Beschichtung, Tauchen, Sprühbeschichtung, Tintenstrahldruck, Dispensieren, Siebdruck, Offsetdruck, ein Rakelschneiden-Verfahren, Spaltbeschichtung, Walzenbeschichtung, Vorhangbeschichtung und Rakelbeschichtung.
  • Als Opferfilm 141 kann ein organisches Material, wie z. B. Polyvinylalkohol (PVA), Polyvinylbutyral, Polyvinylpyrrolidon, Polyethylenglycol, Polyglycerin, Pullulan, wasserlösliche Cellulose, ein alkohollösliches Polyamidharz oder dergleichen, verwendet werden.
  • Als Nächstes wird der Schutzfilm 143 über dem Opferfilm 141 ausgebildet ( 11 A).
  • Der Schutzfilm 143 ist ein Film, der beim Ätzen des Opferfilms 141 als Maske verwendet wird. Der Opferfilm 141 liegt beim späteren Ätzen des Schutzfilms 143 frei. Für den Opferfilm 141 und den Schutzfilm 143 wird daher eine Kombination von Filmen ausgewählt, die dazwischen eine hohe Ätzselektivität aufweisen. Daher kann ein Film, der für den Schutzfilm 143 verwendet werden kann, je nach Ätzbedingungen des Opferfilms 141 und Ätzbedingungen des Schutzfilms 143 ausgewählt werden.
  • In dem Fall, in dem beispielsweise ein Trockenätzen unter Verwendung eines Fluor enthaltenden Gases (auch als Gas auf Fluorbasis bezeichnet) zum Ätzen des Schutzfilms 143 durchgeführt wird, kann der Schutzfilm 143 unter Verwendung von Silizium, Siliziumnitrid, Siliziumoxid, Wolfram, Titan, Molybdän, Tantal, Tantalnitrid, einer Legierung, die Molybdän und Niob enthält, einer Legierung, die Molybdän und Wolfram enthält, oder dergleichen ausgebildet werden. Hier wird ein Metalloxidfilm oder dergleichen, wie z. B. IGZO und ITO, als Film angegeben, der in dem Trockenätzen unter Verwendung des vorstehend beschriebenen Gases auf Fluorbasis eine hohe Ätzselektivität (d. h. eine niedrige Ätzrate) aufweisen kann, und ein derartiger Film als Opferfilm 143 verwendet werden.
  • Ohne darauf beschränkt zu sein, kann ein Material des Schutzfilms 143 in Abhängigkeit von Ätzbedingungen des Opferfilms 141 und Ätzbedingungen des Schutzfilms 143 aus verschiedenen Materialien ausgewählt werden. Beispielsweise kann einer der Filme verwendet werden, die für den Opferfilm 141 verwendet werden können.
  • Als Schutzfilm 143 kann beispielsweise ein Nitridfilm verwendet werden. Insbesondere kann ein Nitrid, wie z. B. Siliziumnitrid, Aluminiumnitrid, Hafniumnitrid, Titannitrid, Tantalnitrid, Wolframnitrid, Galliumnitrid, Germaniumnitrid oder dergleichen, verwendet werden.
  • Als Schutzfilm 143 kann alternativ ein Oxidfilm verwendet werden. Typischerweise kann ein Film aus Oxid oder aus einem Oxynitrid, wie z. B. Siliziumoxid, Siliziumoxynitrid, Aluminiumoxid, Aluminiumoxynitrid, Hafniumoxid, Hafniumoxynitrid oder dergleichen, verwendet werden.
  • Anschließend wird eine Photolackmaske 145 über dem Schutzfilm 143 ausgebildet. (11B)
  • Für die Photolackmaske 145 kann ein Photolackmaterial, das ein lichtempfindliches Harz enthält, wie z. B. ein positives Photolackmaterial oder ein negatives Photolackmaterial, verwendet werden.
  • Hier könnte in dem Fall, in dem der Schutzfilm 143 nicht ausgebildet wird und die Photolackmaske 145 über dem Opferfilm 141 ausgebildet wird, ein in der Schicht 112_2A enthaltener Film oder dergleichen, der später zu der Schicht 184 wird, durch ein Lösungsmittel für das Photolackmaterial aufgelöst werden, wenn ein Defekt, wie z. B. ein Nadelloch, in dem Opferfilm 141 vorhanden ist. Durch Verwendung des Schutzfilms 143 kann ein derartiger Defekt verhindert werden.
  • Es sei angemerkt, dass in dem Fall, in dem ein Film, in dem mit geringer Wahrscheinlichkeit ein Defekt, wie z. B. ein Nadelloch, verursacht wird, als Opferfilm 141 verwendet wird, die Photolackmaske 145 ohne Verwendung des Schutzfilms 143 direkt über dem Opferfilm 141 ausgebildet werden kann.
  • Als Nächstes wird ein Teil des Schutzfilms 143, der nicht mit der Photolackmaske 145 bedeckt ist, durch Ätzen entfernt, so dass eine Schutzschicht 149 ausgebildet wird. Zu diesem Zeitpunkt wird die Schutzschicht 149 auch über dem Verbindungsabschnitt 140 ausgebildet.
  • Beim Ätzen des Schutzfilms 143 kommt eine Ätzbedingung mit hoher Selektivität vorzugsweise zum Einsatz, so dass der Opferfilm 141 nicht durch das Ätzen entfernt wird. Der Schutzfilm 143 kann entweder durch Nassätzen oder durch Trockenätzen geätzt werden; unter Verwendung des Trockenätzens kann eine Verringerung eines Musters des Schutzfilms 143 unterdrückt werden.
  • Anschließend wird die Photolackmaske 145 entfernt (11C).
  • Die Entfernung der Photolackmaske 145 kann durch Nassätzen oder Trockenätzen durchgeführt werden. Insbesondere wird vorzugsweise ein Trockenätzen unter Verwendung eines Sauerstoffgases als Ätzgas (auch als Plasmaveraschung bezeichnet) durchgeführt, um die Photolackmaske 145 zu entfernen.
  • Dabei wird die Entfernung der Photolackmaske 145 in einem Zustand durchgeführt, in dem der Opferfilm 141 über der Schicht 112 2A bereitgestellt ist; daher werden die Schicht 112 2A, der Zwischenfilm 113A und die Schicht 112_1A mit geringerer Wahrscheinlichkeit durch die Entfernung beeinflusst. Wenn insbesondere die Schicht 112_1A und die Schicht 112_2A Sauerstoff ausgesetzt werden, werden die elektrischen Eigenschaften in einigen Fällen beeinträchtigt; deshalb ist es in dem Fall vorteilhaft, in dem das Ätzen unter Verwendung eines Sauerstoffgases, wie z. B. die Plasmaveraschung, durchgeführt wird.
  • Als Nächstes wird ein Teil des Opferfilms 141, der nicht mit der Schutzschicht 149 bedeckt ist, durch Ätzen unter Verwendung der Schutzschicht 149 als Maske entfernt, so dass eine Opferschicht 147 ausgebildet wird (11D). Zu diesem Zeitpunkt wird die Opferschicht 147 auch über dem Verbindungsabschnitt 140 ausgebildet.
  • Entweder durch Nassätzen oder durch Trockenätzen kann der Opferfilm 141 geätzt werden; unter Verwendung des Trockenätzens kann eine Verringerung eines Musters unterdrückt werden.
  • Anschließend werden Teile der Schicht 112_2A, des Zwischenfilms113A, der Schicht 112_1A und des leitenden Films 111A, die nicht mit der Opferschicht 147 bedeckt werden, unter Verwendung der Opferschicht 147 als Maske durch Ätzen entfernt, und somit werden die Licht emittierende Einheit 112_2, die Zwischenschicht 113, die Licht emittierende Einheit 112_1, die Pixelelektrode 111 und die Verbindungselektrode 111C ausgebildet (11E). Es sei angemerkt, dass beim Ätzen der Schicht 112_2A, des Zwischenfilms 113A, der Schicht 112_1A und des leitenden Films 111A gleichzeitig oder vor dem Ätzen die Schutzschicht 149 durch Ätzen entfernt werden kann.
  • Die Schicht 112_2A, der Zwischenfilm 113A, die Schicht 112_1A und der leitende Film 111A werden vorzugweise durch Trockenätzen unter Verwendung eines Ätzgases geätzt, das keinen Sauerstoff als seine Hauptkomponente enthält. Somit kann eine Veränderung der Schicht 112_2A, des Zwischenfilms 113A, der Schicht 112_1A und des leitenden Films 111A unterdrückt werden und eine zuverlässige Anzeigevorrichtung kann erzielt werden. Beispiele für das Ätzgas, das keinen Sauerstoff als seine Hauptkomponente enthält, umfassen CF4, C4F8, SF6, CHF3, Cl2, H2O, BCl3 oder ein Edelgas, wie z. B. H2 oder He. Alternativ kann ein Mischgas aus dem vorstehenden Gas und einem Verdünnungsgas, das keinen Sauerstoff enthält, als Ätzgas verwendet werden.
  • Beim Ätzen des leitenden Films 111A wird in einigen Fällen ein Teil der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet (insbesondere einer Isolierschicht, die sich auf der äußersten Oberfläche befindet), geätzt und ein vertiefter Abschnitt wird ausgebildet. In der folgenden Beschreibung wird beispielhaft der Fall beschrieben, in dem ein vertiefter Abschnitt in der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet, bereitgestellt ist; jedoch ist der vertiefte Abschnitt nicht notwendigerweise bereitgestellt.
  • Anschließend wird ein Isolierfilm 121A, der später zu der Seitenwand 121a wird, derart abgeschieden, dass der Isolierfilm 121A die Pixelelektrode 111, die Verbindungselektrode 111C, die Licht emittierende Einheit 112_1, die Zwischenschicht 113, die Licht emittierende Einheit 112_2, die Opferschicht 147 und die Schutzschicht 149 bedeckt. Als Nächstes wird ein Isolierfilm 121B, der später zu der Seitenwand 121b wird, über dem Isolierfilm 121A abgeschieden. (12A)
  • Der Isolierfilm 121A wird vorzugsweise durch ein Abscheidungsverfahren abgeschieden, das geringere Schäden an den Licht emittierenden Einheiten 112 verursacht. Der Isolierfilm 121A und der Isolierfilm 121B werden bei einer Temperatur von niedriger als die obere Temperaturgrenze der Licht emittierenden Einheiten 112 ausgebildet. Beispielsweise kann ein Aluminiumoxidfilm als Isolierfilm 121A unter Verwendung eines ALD-Verfahrens ausgebildet werden. Die Verwendung eines ALD-Verfahrens wird bevorzugt, da ein Film mit hoher Abdeckung abgeschieden werden kann. Ferner kann beispielsweise ein Siliziumoxynitridfilm oder ein Siliziumnitridfilm als Isolierfilm 121B durch ein PECVD-Verfahren oder ein Sputterverfahren ausgebildet werden.
  • Als Nächstes werden der Isolierfilm 121B und der Isolierfilm 121A geätzt, wodurch die Seitenwand 121b und die Seitenwand 121a ausgebildet werden (12B). Die Seitenwand 121a wird derart ausgebildet, dass sie mindestens einen Teil der Seitenfläche der Pixelelektrode 111 und einer Seitenfläche der Verbindungselektrode 111C bedeckt. Somit kann es unterdrückt werden, dass ein Kurzschluss des Licht emittierenden Elements infolge des Kontakts der gemeinsamen Schicht 114 oder der gemeinsamen Elektrode 115, die später ausgebildet wird, mit der Pixelelektrode 111 oder der Verbindungselektrode 111C verursacht wird. Außerdem wird die Seitenwand 121a vorzugsweise derart ausgebildet, dass sie mindestens einen Teil der Seitenfläche der Licht emittierenden Einheit 112_1, der Seitenfläche der Zwischenschicht 113 und der Seitenfläche der Licht emittierenden Einheit 112_2 bedeckt. Dies kann es unterdrücken, dass die gemeinsame Schicht 114 oder die gemeinsame Elektrode 115, die später ausgebildet wird, mit der Licht emittierenden Einheit 112_1, der Zwischenschicht 113 und der Licht emittierenden Einheit 112_2 in Kontakt ist, und dass das Licht emittierende Element kurzgeschlossen wird. Dies kann auch Schäden an der Licht emittierenden Einheit 112_1, der Zwischenschicht 113 und der Licht emittierenden Einheit 112_2 in einem späteren Schritt unterdrücken.
  • Insbesondere wird es bevorzugt, dass ein vertiefter Abschnitt in einem Teil der Schicht 101, die einen Transistor beinhaltet (insbesondere der Isolierschicht, die sich auf der äußersten Oberfläche befindet), bereitgestellt ist, da die ganze Seitenfläche der Pixelelektrode 111 und die ganze Seitenfläche der Verbindungselektrode 111C mit der Seitenwand 121a bedeckt werden können.
  • Hier wird die Seitenwand 121b derart ausgebildet, dass sie mindestens einen Teil der Seitenwand 121a bedeckt.
  • Der Isolierfilm 121A und der Isolierfilm 121B werden vorzugweise durch ein Trockenätzverfahren geätzt. Das Ätzen des Isolierfilms 121A und des Isolierfilms 121B wird vorzugweise durch anisotropes Ätzen durchgeführt. Hier können der Isolierfilm 121A und der Isolierfilm 121B unter Verwendung eines Ätzgases geätzt werden, das zum Ätzen des Opferfilms 141 verwendet werden kann. Da beim Ätzen des Isolierfilms 121A und des Isolierfilms 121B die Licht emittierende Einheit 112_2 nicht freiliegt, sind die Auswahlmöglichkeiten an Ätzverfahren größer als beim Ätzen des Opferfilms 141. Insbesondere kann ein Gas, das Sauerstoff enthält, beim Ätzen des Isolierfilms 121A und des Isolierfilms 121B als Ätzgas verwendet werden.
  • Anschließend werden die Opferschicht 147 und die Schutzschicht 149 entfernt (12C). Somit liegen die Licht emittierende Einheit 112_2 und die Verbindungselektrode 111C frei.
  • Dann wird die gemeinsame Schicht 114 über der Seitenwand 121 und über der Licht emittierenden Einheit 112_2 ausgebildet (12D). Somit wird der Zwischenraum 134 in einigen Fällen in einem Bereich zwischen den Seitenwänden 121b und in dem vertieften Abschnitt in der Schicht 101 ausgebildet, die einen Transistor beinhaltet. Hier wird die gemeinsame Schicht 114 nicht über der Verbindungselektrode 111C ausgebildet, und die Verbindungselektrode 111C liegt noch frei. Wie vorstehend beschrieben, weist die gemeinsame Schicht 114 eine Funktion als Elektroneninjektionsschicht oder Lochinjektionsschicht auf.
  • Die gemeinsame Schicht 114 kann durch ein Verdampfungsverfahren (darunter auch ein Vakuumverdampfungsverfahren), ein Transferverfahren, ein Druckverfahren, ein Tintenstrahlverfahren, ein Beschichtungsverfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Die gemeinsame Schicht 114 wird derart bereitgestellt, dass sie mindestens einen Teil einer Oberseite der Licht emittierenden Einheit 112 2 sowie einer Oberseite und der Seitenfläche der Seitenwand 121 bedeckt. Hier könnte in dem Fall, in dem die gemeinsame Schicht 114 eine hohe Leitfähigkeit aufweist, die Pixelelektrode 111 und die gemeinsame Schicht 114 miteinander in Kontakt sein, so dass das Licht emittierende Element kurzgeschlossen werden könnte. Da in der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung die Seitenwand 121 die Seitenfläche der Pixelelektrode 111, die Seitenfläche der Licht emittierenden Einheit 112_1, die Seitenfläche der Zwischenschicht 113 und die Seitenfläche der Licht emittierenden Einheit 112_2 bedeckt, kann es jedoch unterdrückt werden, dass die gemeinsame Schicht 114 mit einer hohen Leitfähigkeit mit diesen Schichten in Kontakt ist, und dass das Licht emittierende Element kurzgeschlossen wird. Dies kann die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements erhöhen.
  • Anschließend wird die gemeinsame Elektrode 115 über der gemeinsamen Schicht 114 und über der Verbindungselektrode 111C ausgebildet (12E). Somit wird das Licht emittierende Element 130 ausgebildet. Zum Ausbilden der gemeinsamen Elektrode 115 kann z. B. ein Sputterverfahren oder ein Vakuumverdampfungsverfahren verwendet werden.
  • Anschließend wird die Schutzschicht 131 über der gemeinsamen Elektrode 115 ausgebildet und die Schutzschicht 132 wird über der Schutzschicht 131 ausgebildet ( 13A). Beispiele für ein Abscheidungsverfahren der Schutzschicht 131 und der Schutzschicht 132 umfassen ein Vakuumverdampfungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein CVD-Verfahren oder ein ALD-Verfahren. Die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 können durch voneinander unterschiedliche Abscheidungserfahren ausgebildet werden. Die Schutzschicht 131 und die Schutzschicht 132 können jeweils eine einschichtige Struktur oder eine mehrschichtige Struktur aufweisen.
  • Anschließend werden die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b und die Farbschicht 133c über der Schutzschicht 132 derart ausgebildet, dass sie einen Bereich beinhalten, der sich mit der Licht emittierenden Einheit 112_1 und der Licht emittierenden Einheit 112_2 überlappt (13B). Die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b und die Farbschicht 133c können durch ein Tintenstrahlverfahren, ein Photolithografieverfahren oder dergleichen jeweils in einer erwünschten Position ausgebildet werden. Insbesondere kann eine unterschiedliche Farbschicht 133 (die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b oder die Farbschicht 133c) für jedes Licht emittierende Element 130 ausgebildet werden.
  • Danach wird das Substrat 120 mit der Harzschicht 119 an der Farbschicht 133 befestigt, wodurch die Anzeigevorrichtung 100, die in 3A und 3B dargestellt wird, hergestellt werden kann.
  • Auf die vorstehende Weise werden die inselförmigen Licht emittierenden Einheiten, die Licht emittierenden Schichten umfassen, in dem Herstellungsverfahren der Anzeigevorrichtung bei dieser Ausführungsform nicht durch Verwendung eines Musters einer Metallmaske, sondern durch Ätzen der Licht emittierenden Einheiten ausgebildet, die an der gesamten Oberfläche ausgebildet worden sind. Demzufolge können die inselförmigen Licht emittierenden Einheiten mit einer gleichmäßigen Dicke ausgebildet werden. Ferner kann eine Anzeigevorrichtung mit hoher Bildschärfe oder mit einem hohen Öffnungsverhältnis erzielt werden.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung umfasst ein Licht emittierendes Element mit einer Tandem-Struktur. Die jeweiligen Seitenflächen der Pixelelektrode, der Licht emittierenden Schichten, der Ladungsträgertransportschicht und der Zwischenschicht, die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, werden mit der Seitenwand bedeckt. In dem Herstellungsprozess der Anzeigevorrichtung werden die Licht emittierenden Einheiten, die in dem Licht emittierenden Element enthalten sind, in einem Zustand geätzt, in dem die Licht emittierenden Schichten und die Ladungsträgertransportschicht übereinander angeordnet sind. Deshalb weist die Anzeigevorrichtung eine Struktur auf, bei der Schäden an den Licht emittierenden Schichten verringert werden. Die Anzeigevorrichtung weist eine Struktur auf, bei der es durch die Seitenwand unterdrückt wird, dass die Pixelelektrode mit der Ladungsträgerinjektionsschicht oder der gemeinsamen Elektrode in Kontakt ist, und dass das Licht emittierende Element kurzgeschlossen wird.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit einer anderen Ausführungsform kombiniert werden. In dem Fall, in dem eine Vielzahl von Strukturbeispielen bei einer Ausführungsform in dieser Beschreibung dargestellt wird, können die Strukturbeispiele je nach Bedarf kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 2)
  • Bei dieser Ausführungsform wird die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 14 bis 19 beschrieben.
  • Die Anzeigevorrichtung bei dieser Ausführungsform kann eine hochauflösende Anzeigevorrichtung oder eine große Anzeigevorrichtung sein. Daher kann die Anzeigevorrichtung bei dieser Ausführungsform z. B. für Anzeigeabschnitte einer Digitalkamera, einer digitalen Videokamera, eines digitalen Fotorahmens, eines Mobiltelefons, einer tragbaren Spielkonsole, eines tragbaren Informationsendgeräts und eines Audiowiedergabegeräts, zusätzlich zu einem elektronischen Gerät mit einem relativ großen Bildschirm, wie beispielsweise einem Fernsehgerät, einem Desktop- oder Laptop-PC, einem Monitor eines Computers oder dergleichen, einer Digital Signage und einem großen Spielautomaten, wie z. B. einem Flipperautomaten, verwendet werden.
  • Die Anzeigevorrichtung bei dieser Ausführungsform kann eine Anzeigevorrichtung mit höher Bildschärfe sein. Daher kann die Anzeigevorrichtung bei dieser Ausführungsform für Anzeigeabschnitte von Informationsendgeräten (tragbaren Vorrichtungen), wie z. B. Informationsendgeräten in Form einer Armbanduhr oder eines Armreifs, und Anzeigeabschnitte von tragbaren Vorrichtungen, die am Kopf getragen werden können, wie z. B. einer Vorrichtung für VR, wie z. B. einem Head-Mounted Display, und einer brillenartigen Vorrichtung für AR, verwendet werden.
  • [Anzeigemodul]
  • 14A stellt eine perspektivische Ansicht eines Anzeigemoduls 280 dar. Das Anzeigemodul 280 umfasst die Licht emittierende Vorrichtung 100 und eine FPC 290.
  • Das Anzeigemodul 280 umfasst ein Substrat 291 und ein Substrat 292. Das Anzeigemodul 280 umfasst einen Anzeigeabschnitt 281. Der Anzeigeabschnitt 281 ist ein Bereich des Anzeigemoduls 280, in dem ein Bild angezeigt wird, und ist ein Bereich, in dem Licht, das von Pixeln, die in einem nachstehend beschriebenen Pixelabschnitt 284 bereitgestellt sind, emittiert wird, gesehen werden kann.
  • 14B ist eine perspektivische Ansicht, die eine Struktur auf einer Seite des Substrats 291 schematisch darstellt. Über dem Substrat 291 sind ein Schaltungsabschnitt 282, ein Pixelschaltungsabschnitt 283 über dem Schaltungsabschnitt 282 und der Pixelabschnitt 284 über dem Pixelschaltungsabschnitt 283 übereinander angeordnet. Außerdem ist ein Anschlussabschnitt 285 zum Verbinden mit der FPC 290 in einem Abschnitt bereitgestellt, der sich nicht mit dem Pixelabschnitt 284 über dem Substrat 291 überlappt. Der Anschlussabschnitt 285 und der Schaltungsabschnitt 282 sind über einen Leitungsabschnitt 286, der aus einer Vielzahl von Leitungen ausgebildet wird, elektrisch miteinander verbunden.
  • Der Pixelabschnitt 284 umfasst eine Vielzahl von Pixeln 110, die periodisch angeordnet sind. Eine vergrößerte Ansicht eines Pixels 110 wird auf der rechten Seite in 14B dargestellt. Das Pixel 110 umfasst das Subpixel 110a, das Subpixel 110b und das Subpixel 110c. Das Pixel 110 kann das Subpixel 110d umfassen. Die Subpixel können wie in 14B dargestellt in einer Streifen-Anordnung angeordnet werden. Außerdem können verschiedene Arten von Anordnungsverfahren der Subpixel, wie z. B. ein Deltamuster oder ein PenTile-Muster, zum Einsatz kommen.
  • Der Pixelschaltungsabschnitt 283 umfasst eine Vielzahl von Pixelschaltungen 283a, die periodisch angeordnet sind.
  • Eine Pixelschaltung 283a ist eine Schaltung, die eine Lichtemission von drei Licht emittierenden Elementen steuert, die in einem Pixel 110 enthalten sind. Eine Pixelschaltung 283a kann eine Struktur aufweisen, bei der drei Schaltungen, die eine Lichtemission von einem Licht emittierenden Element steuern, bereitgestellt werden. Beispielsweise kann die Pixelschaltung 283a mindestens einen Auswahltransistor, einen Stromsteuertransistor (Treibertransistor) und einen Kondensator für ein Licht emittierendes Element umfassen. Ein Gate-Signal wird in diesem Fall in ein Gate des Auswahltransistors eingegeben, und ein Videosignal wird in einen Anschluss von Source und Drain des Auswahltransistors eingegeben. Auf diese Weise wird eine Aktivmatrix-Anzeigevorrichtung erhalten.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Kristallinität eines Halbleitermaterials, das in dem Transistor verwendet wird, und ein amorpher Halbleiter oder ein Halbleiter mit Kristallinität (ein mikrokristalliner Halbleiter, ein polykristalliner Halbleiter, ein einkristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter, der teilweise Kristallbereiche umfasst) kann verwendet werden. Vorzugsweise wird ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet, wobei in diesem Fall eine Verschlechterung der Transistoreigenschaften unterdrückt werden kann.
  • Die Halbleiterschicht des Transistors enthält vorzugsweise ein Metalloxid (auch als Oxidhalbleiter bezeichnet). Das heißt, dass ein Transistor, der ein Metalloxid in seinem Kanalbildungsbereich enthält (nachstehend auch als OS-Transistor bezeichnet), vorzugsweise für die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform verwendet wird. Alternativ enthält die Halbleiterschicht des Transistors vorzugweise Silizium. Beispiele für Silizium umfassen amorphes Silizium und kristallines Silizium (z. B. Niedertemperatur-Polysilizium und einkristallines Silizium).
  • Beispielsweise enthält die Halbleiterschicht vorzugsweise Indium, M (M ist eine oder mehrere Arten, die aus Gallium, Aluminium, Silizium, Bor, Yttrium, Zinn, Kupfer, Vanadium, Beryllium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram und Magnesium ausgewählt werden) und Zink. Insbesondere ist M vorzugsweise eine oder mehrere Arten, die aus Aluminium, Gallium, Yttrium und Zinn ausgewählt werden.
  • Für die Halbleiterschicht wird besonders vorzugsweise ein Oxid, das Indium (In), Gallium (Ga) und Zink (Zn) enthält (auch als IGZO bezeichnet), verwendet.
  • Wenn die Halbleiterschicht ein In-M-Zn-Oxid ist, ist vorzugsweise der Atomanteil von In größer als oder gleich dem Atomanteil von M in dem In-M-Zn-Oxid. Beispiele für das Atomverhältnis der Metallelemente in einem derartigen In-M-Zn-Oxid sind wie folgt: In:M:Zn = 1:1:1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 1:1:1,2 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn =2:1:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 3:1:2 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 4:2:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 4:2:4,1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:6 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:7 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:8 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 6:1:6 oder einer Zusammensetzung in der Nähe davon und In:M:Zn = 5:2:5 oder einer Zusammensetzung in der Nähe davon. Es sei angemerkt, dass die Zusammensetzung in der Nähe davon ± 30 % von einem gewünschtem Atomverhältnis bezeichnet.
  • Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Fall, in dem das Atomverhältnis als In:Ga:Zn = 4:2:3 bezeichnet wird oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon ist und der Atomanteil von In 4 ist, ist beispielsweise der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als oder gleich 1 und kleiner als oder gleich 3 ist und der Atomanteil von Zn größer als oder gleich 2 und kleiner als oder gleich 4 ist. Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Fall, in dem das Atomverhältnis als In:Ga:Zn = 5:1:6 bezeichnet wird oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon ist und der Atomanteil von In 5 ist, ist der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 ist und der Atomanteil von Zn größer als oder gleich 5 und kleiner als oder gleich 7 ist. Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Fall, in dem das Atomverhältnis als In:Ga:Zn = 1:1:1 bezeichnet wird oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon ist und der Atomanteil von In 1 ist, ist der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 ist und der Atomanteil von Zn größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 ist.
  • Der Transistor, der in der Schaltungsabschnitt 282 enthalten ist, und der Transistor, der in dem Pixelschaltungsabschnitt 283 enthalten ist, können die gleiche Struktur oder unterschiedliche Strukturen aufweisen. Eine Vielzahl von Transistoren, die in der Schaltungsabschnitt 282 enthalten sind, kann die gleiche Struktur oder zwei oder mehr Arten von Strukturen aufweisen. In ähnlicher Weise kann eine Vielzahl von Transistoren, die in dem Pixelschaltungsabschnitt 283 enthalten sind, die gleiche Struktur oder zwei oder mehr Arten von Strukturen aufweisen.
  • Der Schaltungsabschnitt 282 umfasst eine Schaltung zum Treiben der Pixelschaltungen 283a in dem Pixelschaltungsabschnitt 283. Beispielsweise sind eine Gateleitungstreiberschaltung und/oder eine Sourceleitungstreiberschaltung vorzugsweise enthalten. Außerdem kann mindestens eine von einer arithmetischen Schaltung, einer Speicherschaltung, einer Stromversorgungsschaltung und dergleichen enthalten sein.
  • Die FPC 290 dient als Leitung zum Zuführen eines Videosignals oder eines Stromversorgungspotentials von außen zu dem Schaltungsabschnitt 282. Eine IC (integrierte Schaltung) kann über der FPC 290 montiert sein.
  • Das Anzeigemodul 280 kann eine Struktur aufweisen, bei der der Pixelschaltungsabschnitt 283 und/oder der Schaltungsabschnitt 282 unterhalb des Pixelabschnitts 284 angeordnet sind; daher kann das Öffnungsverhältnis (das effektive Anzeigeflächenverhältnis) des Anzeigeabschnitts 281 äußerst erhöht werden. Beispielsweise kann das Öffnungsverhältnis des Anzeigeabschnitts 281 größer als oder gleich 40 % und kleiner als 100 %, bevorzugt größer als oder gleich 50 % und kleiner als oder gleich 95 %, bevorzugter größer als oder gleich 60 % und kleiner als oder gleich 95 % sein. Ferner können die Pixel 110 sehr dicht angeordnet werden, und daher kann der Anzeigeabschnitt 281 sehr hohe Bildschärfe aufweisen. Beispielsweise wird es bevorzugt, dass die Pixel 110 mit Bildschärfe von größer als oder gleich 2000 ppi, bevorzugt größer als oder gleich 3000 ppi, bevorzugter größer als oder gleich 5000 ppi, noch bevorzugter größer als oder gleich 6000 ppi und kleiner als oder gleich 20000 ppi oder kleiner als oder gleich 30000 ppi in dem Anzeigeabschnitt 281 angeordnet sind.
  • Ein derartiges Anzeigemodul 280 weist sehr hohe Bildschärfe auf und kann daher geeignet für eine Vorrichtung für VR, wie z. B. ein Head-Mounted Display, oder eine brillenartige Vorrichtung für AR verwendet werden. Beispielsweise wird selbst in dem Fall einer Struktur, bei der der Anzeigeabschnitt des Anzeigemoduls 280 durch eine Linse gesehen wird, verhindert, dass Pixel des sehr hochauflösenden Anzeigeabschnitts 281, der in dem Anzeigemodul 280 enthalten ist, gesehen werden, wenn der Anzeigeabschnitt durch die Linse vergrößert wird, so dass die Anzeige, durch die ein hohes Immersionsgefühl bereitgestellt wird, durchgeführt werden kann. Ohne darauf beschränkt zu sein, kann das Anzeigemodul 280 geeignet für elektronische Geräte, die einen relativ kleinen Anzeigeabschnitt umfassen, verwendet werden. Beispielsweise kann das Anzeigemodul 280 in einem Anzeigeabschnitt eines tragbaren elektronischen Geräts, wie z. B. einer Armbanduhr, vorteilhaft verwendet werden.
  • [Anzeigevorrichtung 100A]
  • 15 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung 100A darstellt. Die Anzeigevorrichtung 100A, die in 15 dargestellt wird, umfasst zwischen einem Substrat 451 und dem Substrat 120 einen Transistor 201, einen Transistor 205, das Licht emittierende Element 130, die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b, die Farbschicht 133c und dergleichen.
  • Das bei der Ausführungsform 1 beispielhaft dargestellte Licht emittierende Element kann für das Licht emittierende Element 130 verwendet werden.
  • Sowohl der Transistor 201 als auch der Transistors 205 sind über dem Substrat 451 ausgebildet. Diese Transistoren können unter Verwendung des gleichen Materials in dem gleichen Schritt ausgebildet werden.
  • Über dem Substrat 451 sind eine Isolierschicht 211, eine Isolierschicht 213, eine Isolierschicht 215 und eine Isolierschicht 214 in dieser Reihenfolge bereitgestellt. Ein Teil der Isolierschicht 211 dient als Gate-Isolierschicht jedes Transistors. Ein Teil der Isolierschicht 213 dient als Gate-Isolierschicht jedes Transistors. Die Isolierschicht 215 ist bereitgestellt, um die Transistoren zu bedecken. Die Isolierschicht 214 ist bereitgestellt, um die Transistoren zu bedecken und als Planarisierungsschicht zu dienen. Es sei angemerkt, dass die Anzahl der Gate-Isolierschichten und die Anzahl der Isolierschichten, die die Transistoren bedecken, nicht beschränkt sind und eins, zwei oder mehr sein können.
  • Ein Material, durch das Verunreinigungen, wie z. B. Wasser und Wasserstoff, nicht leicht diffundieren, wird vorzugsweise für mindestens eine der Isolierschichten verwendet, die die Transistoren bedecken. Daher kann eine derartige Isolierschicht als Sperrschicht dienen. Eine derartige Struktur kann die Diffusion von Verunreinigungen von außen in die Transistoren effektiv unterdrücken; somit kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung erhöht werden.
  • Die Isolierschicht 211, die Isolierschicht 213 und die Isolierschicht 215 sind jeweils vorzugsweise ein anorganischer Isolierfilm. Als anorganischer Isolierfilm kann beispielsweise ein Siliziumnitridfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm oder ein Aluminiumnitridfilm verwendet werden. Alternativ kann ein Hafniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm, ein Magnesiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Ceroxidfilm, ein Neodymoxidfilm oder dergleichen verwendet werden. Eine Schichtanordnung, die zwei oder mehr der vorstehenden Isolierfilme aufweist, kann auch verwendet werden.
  • Ein organischer Isolierfilm weist eine niedrigere Sperreigenschaft auf als ein anorganischer Isolierfilm. Daher weist ein organischer Isolierfilm vorzugsweise eine Öffnung in der Nähe eines Endabschnitts der Anzeigevorrichtung 100A auf. Daher kann verhindert werden, dass Verunreinigungen von dem Endabschnitt der Anzeigevorrichtung 100A über den organischen Isolierfilm eindringen. Alternativ kann der organische Isolierfilm derart ausgebildet werden, dass sein Endabschnitt weiter innen als der Endabschnitt der Anzeigevorrichtung 100A liegt und dass daher der organische Isolierfilm nicht von dem Endabschnitt der Anzeigevorrichtung 100A freiliegt.
  • Die Isolierschicht 214, die als Planarisierungsschicht dient, ist vorzugsweise ein organischer Isolierfilm. Beispiele für ein Material, das für einen organischen Isolierfilm verwendet werden kann, umfassen ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Epoxidharz, ein Polyamidharz, ein Polyimidamidharz, ein Siloxanharz, ein Harz auf Benzocyclobuten-Basis, ein Phenolharz und Vorläufer dieser Harze.
  • In einem Bereich 228, der in 15 dargestellt wird, wird eine Öffnung in der Isolierschicht 214 ausgebildet. Daher kann auch in dem Fall, in dem ein organischer Isolierfilm für die Isolierschicht 214 verwendet wird, verhindert werden, dass Verunreinigungen von außen über die Isolierschicht 214 in das Licht emittierende Element 130 eindringen. Somit kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100A erhöht werden.
  • Der Transistor 201 und der Transistor 205 beinhalten jeweils eine leitende Schicht 221, die als Gate dient, die Isolierschicht 211, die als Gate-Isolierschicht dient, eine leitende Schicht 222a und die leitende Schicht 222b, die als Source und Drain dienen, eine Halbleiterschicht 231, die Isolierschicht 213, die als Gate-Isolierschicht dient, und eine leitende Schicht 223, die als Gate dient. Hier wird eine Vielzahl von Schichten, die durch Verarbeiten des gleichen leitenden Films erhalten werden, durch das gleiche Schraffurmuster dargestellt. Die Isolierschicht 211 ist zwischen der leitenden Schicht 221 und der Halbleiterschicht 231 angeordnet. Die Isolierschicht 213 ist zwischen der leitenden Schicht 223 und der Halbleiterschicht 231 angeordnet.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Struktur der Transistoren, die in der Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform enthalten sind. Beispielsweise kann ein Planartransistor, ein Staggered-Transistor oder ein Inverted-Staggered-Transistor verwendet werden. Es kann auch ein Top-Gate-Transistor oder ein Bottom-Gate-Transistor verwendet werden. Alternativ können Gates über und unter einer Halbleiterschicht, in der ein Kanal gebildet wird, bereitgestellt werden.
  • Die Struktur, bei der die Halbleiterschicht, in der ein Kanal gebildet wird, zwischen zwei Gates bereitgestellt wird, wird für den Transistor 201 und den Transistor 205 verwendet. Die zwei Gates können miteinander verbunden und mit dem gleichen Signal versorgt werden, um den Transistor zu betreiben. Alternativ kann die Schwellenspannung des Transistors gesteuert werden, indem einem der zwei Gates ein Potential zum Steuern der Schwellenspannung zugeführt wird und dem anderen Gate ein Potential zum Betreiben zugeführt wird.
  • Es gibt keine besondere Beschränkung bezüglich der Kristallinität eines Halbleitermaterials, das in dem Transistor verwendet wird, und ein amorpher Halbleiter, ein einkristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter mit nicht-einkristalliner Kristallinität (ein mikrokristalliner Halbleiter, ein polykristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter, der teilweise Kristallbereiche umfasst) kann verwendet werden. Vorzugsweise wird ein einkristalliner Halbleiter oder ein Halbleiter mit Kristallinität verwendet, wobei in diesem Fall eine Verschlechterung der Transistoreigenschaften unterdrückt werden kann.
  • Die Halbleiterschicht des Transistors enthält vorzugsweise ein Metalloxid. Das heißt, dass ein Transistor, der ein Metalloxid in seinem Kanalbildungsbereich enthält, vorzugsweise für die Anzeigevorrichtung dieser Ausführungsform verwendet wird. Alternativ kann die Halbleiterschicht des Transistors Silizium enthalten. Beispiele für Silizium umfassen amorphes Silizium und kristallines Silizium (z. B. Niedertemperatur-Polysilizium und einkristallines Silizium).
  • Beispielsweise enthält die Halbleiterschicht vorzugsweise Indium, M (M ist eine oder mehrere Arten, die aus Gallium, Aluminium, Silizium, Bor, Yttrium, Zinn, Kupfer, Vanadium, Beryllium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram und Magnesium ausgewählt werden) und Zink. Insbesondere ist M vorzugsweise eine oder mehrere Arten, die aus Aluminium, Gallium, Yttrium und Zinn ausgewählt werden.
  • Für die Halbleiterschicht wird besonders vorzugsweise ein Oxid, das Indium (In), Gallium (Ga) und Zink (Zn) enthält (auch als IGZO bezeichnet), verwendet.
  • Wenn die Halbleiterschicht ein In-M-Zn-Oxid ist, ist vorzugsweise der Atomanteil von In größer als oder gleich dem Atomanteil von M in dem In-M-Zn-Oxid. Beispiele für das Atomverhältnis der Metallelemente in einem derartigen In-M-Zn-Oxid sind wie folgt: In:M:Zn = 1:1:1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 1:1:1,2 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn =2:1:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 3:1:2 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 4:2:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 4:2:4,1 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:3 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:6 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:7 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 5:1:8 oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon, In:M:Zn = 6:1:6 oder einer Zusammensetzung in der Nähe davon und In:M:Zn = 5:2:5 oder einer Zusammensetzung in der Nähe davon. Es sei angemerkt, dass die Zusammensetzung in der Nähe davon ± 30 % von einem gewünschten Atomverhältnis bezeichnet.
  • Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Fall, in dem das Atomverhältnis als In:Ga:Zn = 4:2:3 bezeichnet wird oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon ist und der Atomanteil von In 4 ist, ist beispielsweise der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als oder gleich 1 und kleiner als oder gleich 3 ist und der Atomanteil von Zn größer als oder gleich 2 und kleiner als oder gleich 4 ist. Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Fall, in dem das Atomverhältnis als In:Ga:Zn = 5:1:6 bezeichnet wird oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon ist und der Atomanteil von In 5 ist, ist der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 ist und der Atomanteil von Zn größer als oder gleich 5 und kleiner als oder gleich 7 ist. Wenn es vorausgesetzt wird, dass in dem Fall, in dem das Atomverhältnis als In:Ga:Zn = 1:1:1 bezeichnet wird oder eine Zusammensetzung in der Nähe davon ist und der Atomanteil von In 1 ist, ist der Fall enthalten, in dem der Atomanteil von Ga größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 ist und der Atomanteil von Zn größer als 0,1 und kleiner als oder gleich 2 ist.
  • Ein Verbindungsabschnitt 204 ist in einem Bereich des Substrats 451 bereitgestellt, in dem es sich mit dem Substrat 120 nicht überlappt. In dem Verbindungsabschnitt 204 ist eine Leitung 465 über eine leitende Schicht 466 und eine Verbindungsschicht 242 elektrisch mit einer FPC 472 verbunden. Die leitende Schicht 466 kann in dem gleichen Schritt wie die Pixelelektrode ausgebildet werden. Auf einer Oberseite des Verbindungsabschnitts 204 wird die leitende Schicht 466 freigelegt. Somit können der Verbindungsabschnitt 204 und die FPC 472 über die Verbindungsschicht 242 elektrisch miteinander verbunden werden.
  • Verschiedene optische Bauelemente können an der Außenseite des Substrats 120 angeordnet werden. Beispiele für die optischen Bauelemente umfassen eine polarisierende Platte, eine Retardationsplatte, eine Lichtdiffusionsschicht (z. B. einen Diffusionsfilm), eine Antireflexionsschicht und einen Lichtbündelungsfilm. Des Weiteren kann ein antistatischer Film, der das Anhaften von Staub verhindert, ein wasserabweisender Film, der das Anhaften von Flecken unterdrückt, ein Hartfilm, der die Entstehung von Kratzern unterdrückt, die beim Verwenden verursacht werden, eine stoßabsorbierende Schicht oder dergleichen an der Außenseite des Substrats 120 angeordnet sein.
  • Durch die Bereitstellung der Schutzschicht 131, die das Licht emittierende Element bedeckt, wird es verhindert, dass Verunreinigungen, wie z. B. Wasser, in das Licht emittierende Element eindringen, wodurch die Zuverlässigkeit des Licht emittierenden Elements erhöht werden kann.
  • In dem Bereich 228 in der Nähe des Endabschnitts der Anzeigevorrichtung 100A sind vorzugsweise die Isolierschicht 215 und die Schutzschicht 131 über eine Öffnung in der Isolierschicht 214 in Kontakt miteinander. Es wird besonders bevorzugt, dass ein anorganischer Isolierfilm, der in der Isolierschicht 215 enthalten ist, und ein anorganischer Isolierfilm, der in der Schutzschicht 131 enthalten ist, in Kontakt miteinander sind. Auf diese Weise kann es verhindert werden, dass Verunreinigungen von außen über einen organischen Isolierfilm in das Licht emittierende Element 130 eindringen. Somit kann die Zuverlässigkeit der Anzeigevorrichtung 100A erhöht werden.
  • Für das Substrat 451 und das Substrat 120 kann jeweils Glas, Quarz, Keramik, Saphir, ein Harz, ein Metall, eine Legierung, ein Halbleiter oder dergleichen verwendet werden. Das Substrat, durch das Licht von dem Licht emittierenden Element extrahiert wird, wird unter Verwendung eines Materials ausgebildet, das das Licht durchlässt. Wenn für das Substrat 451 und das Substrat 120 ein flexibles Material verwendet wird, kann die Flexibilität der Anzeigevorrichtung erhöht werden. Des Weiteren kann eine polarisierende Platte als Substrat 451 oder Substrat 120 verwendet werden.
  • Für das Substrat 451 und das Substrat 120 kann beispielsweise Polyesterharze, wie z. B. Polyethylenterephthalat (PET) und Polyethylennaphthalat (PEN), ein Polyacrylnitrilharz, ein Acrylharz, ein Polyimidharz, ein Polymethylmethacrylatharz, ein Polycarbonat- (PC-) Harz, ein Polyethersulfon- (PES-) Harz, Polyamidharze (z. B. Nylon und Aramid), ein Polysiloxanharz, ein Cycloolefinharz, ein Polystyrolharz, ein Polyamidimidharz, ein Polyurethanharz, ein Polyvinylchloridharz, ein Polyvinylidenchloridharz, ein Polypropylenharz, ein Polytetrafluorethylen- (PTFE-) Harz, ein ABS-Harz, Cellulose-Nanofaser oder dergleichen verwendet werden. Für das Substrat 451 und/oder das Substrat 120 kann ein Glas mit einer derartigen Dicke verwendet werden, mit der das Substrat eine Flexibilität aufweisen kann.
  • Als Klebeschicht können verschiedene härtende Klebstoffe verwendet werden, wie beispielsweise ein lichthärtender Klebstoff, wie z. B. ein UV-härtender Klebstoff, ein reaktiv härtender Klebstoff, ein wärmehärtender Klebstoff, ein anaerober Klebstoff und dergleichen. Beispiele für diese Klebstoffe umfassen ein Epoxidharz, ein Acrylharz, ein Silikonharz, ein Phenolharz, ein Polyimidharz, ein Imidharz, ein PVC- (Polyvinylchlorid-) Harz, ein PVB- (Polyvinylbutyral-) Harz und ein EVA- (Ethylenvinylacetat-) Harz. Insbesondere wird ein Material mit niedriger Feuchtigkeitsdurchlässigkeit, wie z. B. ein Epoxidharz, bevorzugt. Ein Zwei-Komponenten-Harz kann auch verwendet werden. Eine Klebefolie oder dergleichen kann auch verwendet werden.
  • Als Verbindungsschicht 242 kann ein anisotroper leitender Film (anisotropic conductive film, ACF), eine anisotrope leitende Paste (anisotropic conductive paste, ACP) oder dergleichen verwendet werden.
  • In der Anzeigevorrichtung 100A werden die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b und die Farbschicht 133c zwischen dem Licht emittierenden Element 130 und dem Substrat 120 bereitgestellt. Wie vorstehend beschrieben, werden die Transistoren über dem Substrat 451 ausgebildet. Deshalb kann die Anzeigevorrichtung 100A eine Anzeigevorrichtung mit einer Top-Emission-Struktur sein. Daher kann das Substrat 451 in der Anzeigevorrichtung 100A ein Substrat sein, das keine Lichtdurchlässigkeitseigenschaft aufweist.
  • [Anzeigevorrichtung 100B]
  • 16 ist eine Querschnittsansicht, die ein Strukturbeispiel einer Anzeigevorrichtung 100B darstellt. Die Anzeigevorrichtung 100B ist ein Modifikationsbeispiel der Anzeigevorrichtung 100A, welche sich von der Anzeigevorrichtung 100A dadurch unterscheidet, dass die Farbschicht 133a, die Farbschicht 133b und die Farbschicht 133c zwischen dem Licht emittierenden Element 130 und dem Substrat 451 bereitgestellt werden. Mit anderen Worten: Die Anzeigevorrichtung 100B kann eine Anzeigevorrichtung mit einer Bottom-Emission-Struktur aufweisen. Deshalb kann das Substrat 120 in der Anzeigevorrichtung 100B ein Substrat sein, das keine Lichtdurchlässigkeitseigenschaft aufweist.
  • [Anzeigevorrichtung 100C]
  • Eine in 17 dargestellte Anzeigevorrichtung 100C umfasst ein Substrat 301, das Licht emittierende Element 130, einen Kondensator 240 und einen Transistor 310.
  • Das Substrat 301 entspricht dem Substrat 291 in 14A und in 14B. Eine mehrschichtige Struktur von dem Substrat 301 bis zur Isolierschicht 255 entspricht der Schicht 101 bei der Ausführungsform 1, welche einen Transistor beinhaltet.
  • Der Transistor 310 ist ein Transistor, dessen Kanalbildungsbereich in dem Substrat 301 gebildet wird. Als Substrat 301 kann beispielsweise ein einkristallines Halbleitersubstrat, wie z. B. ein einkristallines Siliziumsubstrat, verwendet werden. Der Transistor 310 umfasst einen Teil des Substrats 301, eine leitende Schicht 311, einen niederohmigen Bereich 312, eine Isolierschicht 313 und eine Isolierschicht 314. Die leitende Schicht 311 dient als Gate-Elektrode. Die Isolierschicht 313 ist zwischen dem Substrat 301 und der leitenden Schicht 311 angeordnet und dient als Gate-Isolierschicht. Der niederohmige Bereich 312 ist ein Bereich, in dem das Substrat 301 mit Verunreinigungen dotiert ist, und dient als Source oder Drain. Die Isolierschicht 314 ist derart bereitgestellt, dass sie eine Seitenfläche der leitenden Schicht 311 bedeckt.
  • Eine Elementisolierschicht 315 ist zwischen zwei benachbarten Transistoren 310 derart bereitgestellt, dass die Elementisolierschicht 315 in dem Substrat 301 eingebettet ist.
  • Des Weiteren ist eine Isolierschicht 261 derart bereitgestellt, dass die Isolierschicht 261 den Transistor 310 bedeckt, und der Kondensator 240 ist über der Isolierschicht 261 bereitgestellt.
  • Der Kondensator 240 umfasst eine leitende Schicht 241, eine leitende Schicht 245 und eine Isolierschicht 243 zwischen der leitenden Schicht 241 und der leitenden Schicht 245. Die leitende Schicht 241 dient als eine Elektrode des Kondensators 240, die leitende Schicht 245 dient als die andere Elektrode des Kondensators 240, und die Isolierschicht 243 dient als Dielektrikum des Kondensators 240.
  • Die leitende Schicht 241 ist über der Isolierschicht 261 bereitgestellt und ist in einer Isolierschicht 254 eingebettet. Die leitende Schicht 241 ist über einen Anschlusspfropfen 271, der in der Isolierschicht 261 eingebettet ist, elektrisch mit einem Anschluss von Source und Drain des Transistors 310 verbunden. Die Isolierschicht 243 ist derart bereitgestellt, dass sie die leitende Schicht 241 bedeckt. Die leitende Schicht 245 ist über die Isolierschicht 243 in einem Bereich bereitgestellt, der sich mit der leitenden Schicht 241 überlappt.
  • Die Isolierschicht 255 ist derart bereitgestellt, dass sie den Kondensator 240 bedeckt, und das Licht emittierende Element 130 und dergleichen sind über der Isolierschicht 255 bereitgestellt. Ferner ist die Schutzschicht 131 jeweils über jedem der Licht emittierenden Elemente 130 bereitgestellt. Über der Schutzschicht 131 ist die Schutzschicht 132 bereitgestellt, und über der Schutzschicht 132 ist das Substrat 120 mit der Harzschicht 119 befestigt. Für die Details der Komponenten von dem Licht emittierenden Element bis zu dem Substrat 120 kann auf die Ausführungsform 1 verwiesen werden. Das Substrat 120 entspricht dem Substrat 292 in 14A.
  • Die Pixelelektrode des Licht emittierenden Elements ist über einen Anschlusspfropfen 256, der in der Isolierschicht 255 und in der Isolierschicht 243 eingebettet ist, die leitende Schicht 241, die in der Isolierschicht 254 eingebettet ist, und den Anschlusspfropfen 271, der in der Isolierschicht 261 eingebettet ist, elektrisch mit einem Anschluss von Source und Drain des Transistors 310 verbunden.
  • [Anzeigevorrichtung 100D]
  • Eine Anzeigevorrichtung 100D, die in 18 dargestellt wird, unterscheidet sich von der Anzeigevorrichtung 100C hauptsächlich durch eine Struktur des Transistors. Es sei angemerkt, dass Abschnitte, die denjenigen der Anzeigevorrichtung 100C ähnlich sind, in einigen Fällen nicht beschrieben werden.
  • Es handelt sich bei einem Transistor 320 um einen Transistor, in dem Metalloxid für eine Halbleiterschicht, in der ein Kanal gebildet wird, verwendet wird (OS-Transistor).
  • Der Transistor 320 umfasst eine Halbleiterschicht 321, eine Isolierschicht 323, eine leitende Schicht 324, ein Paar von leitenden Schichten 325, eine Isolierschicht 326 und eine leitende Schicht 327.
  • Ein Substrat 331 entspricht dem Substrat 291 in 14A und in 14B. Eine mehrschichtige Struktur von dem Substrat 331 bis zur Isolierschicht 255 entspricht der Schicht 101 bei der Ausführungsform 1, welche einen Transistor beinhaltet. Als Substrat 331 kann ein isolierendes Substrat oder ein Halbleitersubstrat verwendet werden.
  • Eine Isolierschicht 332 ist über dem Substrat 331 bereitgestellt. Die Isolierschicht 332 dient als Sperrschicht, die eine Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser oder Wasserstoff, von dem Substrat 331 in den Transistor 320 und eine Abgabe von Sauerstoff aus der Halbleiterschicht 321 in Richtung der Isolierschicht 332 verhindert. Als Isolierschicht 332 kann beispielsweise ein Film, in dem Wasserstoff oder Sauerstoff mit geringerer Wahrscheinlichkeit als in einem Siliziumoxidfilm diffundiert, beispielsweise wie ein Aluminiumoxidfilm, einen Hafniumoxidfilm und einen Siliziumnitridfilm, verwendet werden.
  • Die leitende Schicht 327 ist über der Isolierschicht 332 bereitgestellt, und die Isolierschicht 326 ist derart bereitgestellt, dass sie die leitende Schicht 327 bedeckt. Die leitende Schicht 327 dient als erste Gate-Elektrode des Transistors 320, und ein Teil der Isolierschicht 326 dient als erste Gate-Isolierschicht. Ein isolierender Oxidfilm, wie z. B. ein Siliziumoxidfilm, wird vorzugsweise als mindestens ein Teil der Isolierschicht 326 verwendet, der in Kontakt mit der Halbleiterschicht 321 ist. Die Oberseite der Isolierschicht 326 ist vorzugsweise planarisiert.
  • Die Halbleiterschicht 321 ist über der Isolierschicht 326 bereitgestellt. Die Halbleiterschicht 321 umfasst vorzugweise einen Metalloxidfilm, der Halbleitereigenschaften aufweist.
  • Das Paar von leitenden Schichten 325 ist über und in Kontakt mit der Halbleiterschicht 321 bereitgestellt und dient als Source-Elektrode und Drain-Elektrode.
  • Eine Isolierschicht 328 ist derart bereitgestellt, dass die Isolierschicht 328 Oberseiten und Seitenflächen des Paars von leitenden Schichten 325, eine Seitenfläche der Halbleiterschicht 321 und dergleichen bedeckt, und eine Isolierschicht 264 ist über der Isolierschicht 328 bereitgestellt. Die Isolierschicht 328 dient als Sperrschicht, die eine Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser oder Wasserstoff, von der Isolierschicht 264 und dergleichen in die Halbleiterschicht 321 und eine Abgabe von Sauerstoff aus der Halbleiterschicht 321 verhindert. Als Isolierschicht 328 kann ein Isolierfilm, der der vorstehende Isolierschicht 332 ähnlich ist, verwendet werden.
  • Eine Öffnung, die die Halbleiterschicht 321 erreicht, ist in der Isolierschicht 328 und in der Isolierschicht 264 bereitgestellt. Die Isolierschicht 323, die in Kontakt mit Seitenflächen der Isolierschicht 264, der Isolierschicht 328 und der leitenden Schicht 325 und der Oberfläche der Halbleiterschicht 321 ist, und die leitende Schicht 324 sind in der Öffnung eingebettet. Die leitende Schicht 324 dient als zweite Gate-Elektrode, und die Isolierschicht 323 dient als zweite Gate-Isolierschicht.
  • Die Oberseite der leitenden Schicht 324, die Oberseite der Isolierschicht 323 und die Oberseite der Isolierschicht 264 sind planarisiert, so dass sie im Wesentlichen die gleiche Höhe aufweisen, und eine Isolierschicht 329 und eine Isolierschicht 265 werden derart bereitgestellt, dass die Isolierschicht 329 und die Isolierschicht 265 diese Schichten bedecken.
  • Die Isolierschicht 264 und die Isolierschicht 265 dienen jeweils als isolierende Zwischenschicht. Die Isolierschicht 329 dient als Sperrschicht, die eine Diffusion von Verunreinigungen, wie z. B. Wasser oder Wasserstoff, von der Isolierschicht 265 oder dergleichen in den Transistor 320 verhindert. Als Isolierschicht 329 kann ein Isolierfilm, der der Isolierschicht 328 und der Isolierschicht 332 ähnlich ist, verwendet werden.
  • Der Anschlusspfropfen 274, der elektrisch mit einer des Paars von leitenden Schichten 325 verbunden ist, ist derart bereitgestellt, dass er in der Isolierschicht 265, in der Isolierschicht 329, in der Isolierschicht 264 und in der Isolierschicht 328 eingebettet ist. Hier umfasst der Anschlusspfropfen 274 vorzugsweise eine leitende Schicht 274a, die Seitenflächen von Öffnungen, die in der Isolierschicht 265, in der Isolierschicht 329, in der Isolierschicht 264 und in der Isolierschicht 328 ausgebildet sind, und einen Teil einer Oberseite der leitenden Schicht 325 bedeckt, und eine leitende Schicht 274b in Kontakt mit einer Oberseite der leitenden Schicht 274a. Als leitende Schicht 274a wird vorzugsweise ein leitendes Material verwendet, in dem Wasserstoff und Sauerstoff mit geringerer Wahrscheinlichkeit diffundieren.
  • Des Weiteren kann die Schicht 101, der einen Transistor beinhaltet, verschiedene anorganische Isolierfilme umfassen. Als anorganischer Isolierfilm kann beispielsweise ein Siliziumnitridfilm, ein Siliziumoxynitridfilm, ein Siliziumoxidfilm, ein Siliziumnitridoxidfilm, ein Aluminiumoxidfilm oder ein Aluminiumnitridfilm verwendet werden. Alternativ kann ein Hafniumoxidfilm, ein Yttriumoxidfilm, ein Zirconiumoxidfilm, ein Galliumoxidfilm, ein Tantaloxidfilm, ein Magnesiumoxidfilm, ein Lanthanoxidfilm, ein Ceroxidfilm, ein Neodymoxidfilm oder dergleichen verwendet werden. Eine Schichtanordnung, die zwei oder mehr der vorstehenden Isolierfilme aufweist, kann auch verwendet werden.
  • Die Struktur von der Isolierschicht 254 bis zum Substrat 120 in der Anzeigevorrichtung 100D ist derjenigen der Anzeigevorrichtung 100C ähnlich.
  • [Anzeigevorrichtung 100E]
  • Eine Anzeigevorrichtung 100E, die in 19 dargestellt wird, weist eine Struktur auf, bei der der Transistor 310, dessen Kanal in dem Substrat 301 gebildet wird, und der Transistor 320, der ein Metalloxid in der Halbleiterschicht enthält, in der der Kanal gebildet wird, übereinander angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Abschnitte, die denjenigen der Anzeigevorrichtung 100C und der Anzeigevorrichtung 100D ähnlich sind, in einigen Fällen nicht beschrieben werden.
  • Die Isolierschicht 261 ist derart bereitgestellt, dass sie den Transistor 310 bedeckt, und eine leitende Schicht 251 ist über der Isolierschicht 261 bereitgestellt. Die Isolierschicht 262 ist derart bereitgestellt, dass sie die leitende Schicht 251 bedeckt, und eine leitende Schicht 252 ist über der Isolierschicht 262 bereitgestellt. Die leitende Schicht 251 und die leitende Schicht 252 dienen jeweils als Leitung. Eine Isolierschicht 263 und die Isolierschicht 332 sind derart bereitgestellt, dass sie die leitende Schicht 252 bedecken, und der Transistor 320 ist über der Isolierschicht 332 bereitgestellt. Die Isolierschicht 265 ist derart bereitgestellt, dass sie den Transistor 320 bedeckt, und der Kondensator 240 ist über der Isolierschicht 265 bereitgestellt. Der Kondensator 240 und der Transistor 320 sind über den Anschlusspfropfen 274 elektrisch miteinander verbunden.
  • Der Transistor 320 kann als Transistor, der in der Pixelschaltung enthalten ist, verwendet werden. Der Transistor 310 kann als Transistor, der in der Pixelschaltung enthalten ist, oder als Transistor, der in einer Treiberschaltung (einer Gateleitungstreiberschaltung und/oder einer Sourceleitungstreiberschaltung) zum Treiben der Pixelschaltung enthalten ist, verwendet werden. Der Transistor 310 und der Transistor 320 können auch als Transistoren, die in verschiedenen Schaltungen, wie z. B. einer arithmetischen Schaltung und einer Speicherschaltung, enthalten sind, verwendet werden.
  • Mit einer derartigen Struktur kann nicht nur die Pixelschaltung, sondern auch die Treiberschaltung oder dergleichen direkt unter dem Licht emittierenden Element ausgebildet werden; daher kann die Anzeigevorrichtung im Vergleich zu dem Fall, in dem die Treiberschaltung um einen Anzeigeabschnitt herum bereitgestellt wird, verkleinert werden.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit einer anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 3)
  • Bei dieser Ausführungsform wird ein Metalloxid beschrieben, das in dem bei der vorstehenden Ausführungsform beschriebenen OS-Transistor verwendet werden kann.
  • Das Metalloxid enthält vorzugsweise mindestens Indium oder Zink. Insbesondere sind vorzugsweise Indium und Zink enthalten. Zusätzlich dazu ist vorzugsweise Aluminium, Gallium, Yttrium, Zinn oder dergleichen enthalten. Ferner können eine oder mehrere Arten, die aus Bor, Silizium, Titan, Eisen, Nickel, Germanium, Zirconium, Molybdän, Lanthan, Cer, Neodym, Hafnium, Tantal, Wolfram, Magnesium, Kobalt und dergleichen ausgewählt werden, enthalten sein.
  • Das Metalloxid kann durch ein Sputterverfahren, ein CVD-Verfahren, wie z. B. ein MOCVD-Verfahren, ein ALD-Verfahren oder dergleichen ausgebildet werden.
  • <Klassifizierung von Kristallstrukturen>
  • Beispiele für eine Kristallstruktur eines Oxidhalbleiters umfassen amorphe (darunter auch eine vollständige amorphe Struktur), CAAC- (c-axis-aligned crystalline bzw. Kristall mit Ausrichtung bezüglich der c-Achse), nc- (nanokristalline), CAC- (cloudaligned composite bzw. wolkenartig ausgerichtete Verbund-), einkristalline und polykristalline Strukturen.
  • Es sei angemerkt, dass eine Kristallstruktur eines Films oder eines Substrats mit einem Röntgenbeugungs- (X-ray diffraction, XRD-) Spektrum ausgewertet werden kann. Die Auswertung kann beispielsweise unter Verwendung eines XRD-Spektrums erfolgen, das durch eine GIXD- (grazing-incidence XRD, Röntgenbeugung unter streifendem Einfall) Messung erhalten wird. Es sei angemerkt, dass ein GIXD-Verfahren auch als Dünnfilmverfahren oder als Seemann-Bohlin-Verfahren bezeichnet wird.
  • Das XRD-Spektrum eines Quarzglassubstrats weist beispielsweise einen Peak auf, der eine im Wesentlichen bilateral symmetrische Form aufweist. Im Gegensatz dazu weist das XRD-Spektrum eines IGZO-Films, der eine Kristallstruktur aufweist, einen Peak auf, der eine bilateral asymmetrische Form aufweist. Die bilateral asymmetrische Form des Peaks des XRD-Spektrums zeigt die Existenz eines Kristalls in dem Film oder in dem Substrat. Mit anderen Worten: Die Kristallstruktur des Films oder des Substrats kann nicht als „amorph“ angesehen werden, wenn der Peak des XRD-Spektrums keine bilateral symmetrische Form aufweist.
  • Eine Kristallstruktur eines Films oder eines Substrats kann mit einem Beugungsmuster ausgewertet werden, das durch ein Nanostrahlelektronenbeugungs-(nano beam electron diffraction, NBED-) Verfahren erhalten wird (auch als Nanostrahlelektronenbeugungsmuster bezeichnet). In dem Beugungsmuster des Quarzglassubstrats wird beispielsweise ein Halo-Muster beobachtet, was darauf hindeutet, dass sich das Quarzglassubstrat in einem amorphen Zustand befindet. Bei dem Beugungsmuster des IGZO-Films, der bei einer Raumtemperatur abgeschieden wird, wird nicht ein Halo-Muster, sondern ein punktförmiges Muster beobachtet. Daher wird es angenommen, dass sich der IGZO-Film, der bei einer Raumtemperatur abgeschieden wird, in einem Zwischenzustand befindet, der sich von sowohl einem Kristallzustand als auch einem amorphen Zustand unterscheidet, so dass der Schluss nicht gezogen werden kann, dass sich der IGZO-Film in einem amorphen Zustand befindet.
  • «Struktur eines Oxidhalbleiters»
  • Im Hinblick auf die Struktur könnten Oxidhalbleiter auf andere Weise als die vorstehende klassifiziert werden. Oxidhalbleiter werden beispielsweise in einen einkristallinen Oxidhalbleiter und einen nicht-einkristallinen Oxidhalbleiter klassifiziert. Beispiele für den nicht-einkristallinen Oxidhalbleiter umfassen den CAAC-OS und den nc-OS, welche vorstehend beschrieben worden sind. Weitere Beispiele für den nicht-einkristallinen Oxidhalbleiter umfassen einen polykristallinen Oxidhalbleiter, einen amorphähnlichen Oxidhalbleiter (a-ähnlichen OS) und einen amorphen Oxidhalbleiter.
  • Hier werden der CAAC-OS, der nc-OS und der a-ähnliche OS, welche vorstehend beschrieben worden sind, ausführlich beschrieben.
  • [CAAC-OS]
  • Der CAAC-OS ist ein Oxidhalbleiter, der eine Vielzahl von Kristallbereichen aufweist, die jeweils eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse in einer bestimmten Richtung aufweisen. Es sei angemerkt, dass sich die bestimmte Richtung auf die Dickenrichtung eines CAAC-OS-Films, die normale Richtung einer Ebene, auf der der CAAC-OS-Film ausgebildet ist, oder die normale Richtung einer Oberfläche des CAAC-OS-Films bezieht. Der Kristallbereich bezeichnet einen Bereich, der eine periodische Atomanordnung aufweist. In dem Fall, in dem eine Atomanordnung als Gitteranordnung betrachtet wird, wird der Kristallbereich auch als Bereich mit einer regelmäßigen Gitteranordnung bezeichnet. Der CAAC-OS umfasst einen Bereich, in dem eine Vielzahl von Kristallbereichen in Richtung der a-b-Ebene verbunden ist, und der Bereich weist in einigen Fällen eine Verzerrung auf. Es sei angemerkt, dass eine Verzerrung einen Abschnitt bezeichnet, in dem sich die Richtung einer Gitteranordnung zwischen einem Bereich mit einer gleichmäßigen Gitteranordnung und einem anderen Bereich mit einer gleichmäßigen Gitteranordnung in einem Bereich verändert, in dem eine Vielzahl von Kristallbereichen verbunden ist. Das heißt, dass der CAAC-OS ein Oxidhalbleiter ist, der eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse aufweist und keine deutliche Ausrichtung in Richtung der a-b-Ebene aufweist.
  • Es sei angemerkt, dass jeder der Vielzahl von Kristallbereichen aus einem oder mehreren feinen Kristallen (Kristallen, die jeweils einen maximalen Durchmesser von kleiner als 10 nm aufweisen) gebildet wird. In dem Fall, in dem der Kristallbereich aus einem feinen Kristall gebildet wird, ist der maximale Durchmesser des Kristallbereichs kleiner als 10 nm. In dem Fall, in dem der Kristallbereich aus einer großen Anzahl von feinen Kristallen gebildet wird, könnte die Größe des Kristallbereichs ungefähr mehrere zehn Nanometer sein.
  • In dem Fall eines In-M-Zn-Oxids (das Element M ist eine oder mehrere Arten, die aus Aluminium, Gallium, Yttrium, Zinn, Titan und dergleichen ausgewählt werden) gibt es die Tendenz, dass der CAAC-OS eine mehrschichtige Kristallstruktur (auch als mehrschichtige Struktur bezeichnet) aufweist, bei der eine Schicht, die Indium (In) und Sauerstoff enthält (nachstehend als In-Schicht bezeichnet), und eine Schicht, die das Element M, Zink (Zn) und Sauerstoff enthält (nachstehend als (M,Zn)-Schicht bezeichnet), übereinander angeordnet sind. Es sei angemerkt, dass Indium und das Element M durcheinander ersetzt werden können. Deshalb kann Indium in der (M, Zn)-Schicht enthalten sein. Außerdem kann das Element M in der In-Schicht enthalten sein. Es sei angemerkt, dass Zn in der In-Schicht enthalten sein kann. Eine solche mehrschichtige Struktur wird beispielsweise in einem hochauflösenden Transmissionselektronenmikroskop- (TEM-) Bild als Gitterbild beobachtet.
  • Wenn beispielsweise der CAAC-OS-Film einer Strukturanalyse mittels eines XRD-Geräts unterzogen wird, wird durch die Out-of-Plane-XRD-Messung mit einem θ/2θ-Scan ein Peak, der eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse zeigt, bei 2θ von 31° oder in der Nähe davon erfasst. Es sei angemerkt, dass sich die Position des Peaks, der eine Ausrichtung bezüglich der c-Achse zeigt (der Wert von 2θ), in Abhängigkeit von der Art, der Zusammensetzung oder dergleichen des Metallelements, das in dem CAAC-OS enthalten ist, ändern kann.
  • Beispielsweise wird eine Vielzahl von hellen Punkten (Punkten) in dem Elektronenbeugungsmuster des CAAC-OS-Films beobachtet. Es sei angemerkt, dass ein Punkt und ein anderer Punkt punktsymmetrisch beobachtet werden, wobei ein Punkt des einfallenden Elektronenstrahls, der durch eine Probe hindurchgeht (auch als direkter Punkt bezeichnet), als Symmetriezentrum verwendet wird.
  • Wenn der Kristallbereich aus einer bestimmten Richtung beobachtet wird, weist die Gitteranordnung in diesem Kristallbereich grundsätzlich ein hexagonales Gitter auf; die Gittereinheit weist jedoch nicht immer ein regelmäßiges Sechseck, sondern auch in einigen Fällen ein unregelmäßiges Sechseck auf. Eine fünfeckige Gitteranordnung, eine siebeneckige Gitteranordnung und dergleichen sind in einigen Fällen in der Verzerrung enthalten. Es sei angemerkt, dass eine eindeutige Kristallkorngrenze (Grain-Boundary) selbst in der Nähe der Verzerrung in dem CAAC-OS nicht beobachtet werden kann. Das heißt, dass die Bildung einer Kristallkorngrenze durch die Verzerrung einer Gitteranordnung verhindert wird. Das liegt wahrscheinlich daran, dass der CAAC-OS eine Verzerrung wegen einer niedrigen Dichte der Anordnung von Sauerstoffatomen in Richtung der a-b-Ebene, einer Veränderung des interatomaren Bindungsabstands durch Substitution eines Metallatoms und dergleichen tolerieren kann.
  • Es sei angemerkt, dass eine Kristallstruktur, bei der eine eindeutige Kristallkorngrenze beobachtet wird, ein sogenannter Polykristall ist. Es ist sehr wahrscheinlich, dass die Kristallkorngrenze als Rekombinationszentrum dient und Ladungsträger eingefangen werden, was zu einer Verringerung des Durchlassstroms, einer Verringerung der Feldeffektbeweglichkeit oder dergleichen eines Transistors führt. Daher ist der CAAC-OS, in dem keine eindeutige Kristallkorngrenze beobachtet wird, ein kristallines Oxid mit einer Kristallstruktur, die für eine Halbleiterschicht eines Transistors geeignet ist. Es sei angemerkt, dass Zn vorzugsweise enthalten ist, um den CAAC-OS zu bilden. Beispielsweise werden ein In-Zn-Oxid und ein In-Ga-Zn-Oxid bevorzugt, da diese Oxide im Vergleich zu einem In-Oxid die Erzeugung einer Kristallkorngrenze unterdrücken können.
  • Der CAAC-OS ist ein Oxidhalbleiter mit hoher Kristallinität, in dem keine eindeutige Kristallkorngrenze beobachtet wird. In dem CAAC-OS tritt daher eine Verringerung der Elektronenbeweglichkeit aufgrund der Kristallkorngrenze mit geringerer Wahrscheinlichkeit auf. Da ein Eindringen von Verunreinigungen, eine Erzeugung von Defekten und dergleichen die Kristallinität eines Oxidhalbleiters verringern können, kann der CAAC-OS auch als Oxidhalbleiter betrachtet werden, der geringe Mengen an Verunreinigungen und Defekten (z. B. Sauerstofffehlstellen) aufweist. Daher ist ein Oxidhalbleiter, der den CAAC-OS enthält, physikalisch stabil. Deshalb ist der Oxidhalbleiter, der den CAAC-OS enthält, wärmebeständig und weist eine hohe Zuverlässigkeit auf. Der CAAC-OS ist auch bei einer hohen Temperatur in dem Herstellungsprozess (sogenannter Wärmeumsatz bzw. thermal budget) stabil. Die Verwendung des CAAC-OS für einen OS-Transistor kann daher den Freiheitsgrad des Herstellungsprozesses erhöhen.
  • [nc-OS]
  • In dem nc-OS weist ein mikroskopischer Bereich (zum Beispiel ein Bereich mit einer Größe von größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, insbesondere ein Bereich mit einer Größe von größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm) eine regelmäßige Atomanordnung auf. Mit anderen Worten: Der nc-OS enthält einen feinen Kristall. Es sei angemerkt, dass die Größe des feinen Kristalls beispielsweise größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, insbesondere größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm ist; daher wird der feine Kristall auch als Nanokristall bezeichnet. Es gibt keine Regelmäßigkeit der Kristallausrichtung zwischen unterschiedlichen Nanokristallen in dem nc-OS. Daher wird keine Ausrichtung des gesamten Films beobachtet. Deshalb kann sich der nc-OS in einigen Fällen nicht von einem a-ähnlichen OS oder einem amorphen Oxidhalbleiter in Abhängigkeit von einem Analyseverfahren unterscheiden. Wenn beispielsweise der nc-OS-Film einer Strukturanalyse mittels eines XRD-Geräts unterzogen wird, wird durch die Out-of-Plane-XRD-Messung mit einem θ/2θ-Scan kein Peak, der eine Kristallinität anzeigt, erfasst. Ferner wird ein Beugungsmuster wie ein Halo-Muster beobachtet, wenn der nc-OS-Film einer Elektronenbeugung (auch als Feinbereichsbeugung bezeichnet) mittels eines Elektronenstrahls mit einem Probendurchmesser, der größer ist als derjenige eines Nanokristalls (z. B. größer als oder gleich 50 nm), unterzogen wird. Im Gegensatz dazu wird in einigen Fällen ein Elektronenbeugungsmuster erhalten, in dem eine Vielzahl von Punkten in einem ringförmigen Bereich rund um einen direkten Punkt beobachtet wird, wenn der nc-OS-Film einer Elektronenbeugung (auch als Nanostrahl-Elektronenbeugung bezeichnet) mittels eines Elektronenstrahls mit einem Probendurchmesser, der nahezu gleich oder kleiner als derjenige eines Nanokristalls ist (z. B. größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 30 nm), unterzogen wird.
  • [a-ähnlicher OS]
  • Der a-ähnliche OS ist ein Oxidhalbleiter, der eine Struktur aufweist, die zwischen derjenigen des nc-OS und derjenigen des amorphen Oxidhalbleiters liegt. Der a-ähnliche OS enthält einen Hohlraum oder einen Bereich mit niedriger Dichte. Das heißt, dass der a-ähnliche OS im Vergleich zu dem nc-OS und dem CAAC-OS eine niedrigere Kristallinität aufweist. Das heißt, dass der a-ähnliche OS im Vergleich zu dem nc-OS und dem CAAC-OS eine höhere Wasserstoffkonzentration in dem Film aufweist.
  • <<Struktur eines Oxidhalbleiters>>
  • Als Nächstes wird der vorstehend beschriebene CAC-OS ausführlich beschrieben. Es sei angemerkt, dass der CAC-OS die Materialzusammensetzung betrifft.
  • [CAC-OS]
  • Es handelt sich bei dem CAC-OS beispielsweise um ein Material mit einer Zusammensetzung, bei der Elemente, die in einem Metalloxid enthalten sind, ungleichmäßig verteilt sind, wobei sie jeweils eine Größe von größer als oder gleich 0,5 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, bevorzugt größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm oder eine ähnliche Größe aufweisen. Es sei angemerkt, dass in der nachfolgenden Beschreibung eines Metalloxids der Zustand, in dem ein oder mehrere Metallelemente ungleichmäßig in Bereichen verteilt sind, die jeweils eine Größe von größer als oder gleich 0,5 nm und kleiner als oder gleich 10 nm, bevorzugt größer als oder gleich 1 nm und kleiner als oder gleich 3 nm, oder eine ähnliche Größe aufweisen, und in dem diese Bereiche vermischt sind, als Mosaikmuster oder Flickenmuster bezeichnet wird.
  • Außerdem weist der CAC-OS eine Zusammensetzung auf, bei der sich Materialien in einen ersten Bereich und in einen zweiten Bereich trennen, um ein Mosaikmuster zu bilden, und der erste Bereich in dem Film verteilt ist (nachstehend auch als wolkenartige Zusammensetzung bezeichnet). Das heißt, dass der CAC-OS ein Verbundmetalloxid mit einer Zusammensetzung ist, bei der der erste Bereich und der zweite Bereich gemischt sind.
  • Hier werden die Atomverhältnisse von In, Ga und Zn zu den Metallelementen, die in dem CAC-OS in einem In-Ga-Zn-Oxid enthalten sind, als [In], [Ga] bzw. [Zn] bezeichnet. Beispielsweise weist der erste Bereich in dem CAC-OS in dem In-Ga-Zn-Oxid [In] auf, welches größer ist als dasjenige bei der Zusammensetzung des CAC-OS-Films. Außerdem weist der zweite Bereich [Ga] auf, welches größer ist als dasjenige bei der Zusammensetzung des CAC-OS-Films. Alternativ weist der erste Bereich beispielsweise [In], welches größer ist als dasjenige in dem zweiten Bereich, und [Ga] auf, welches kleiner ist als dasjenige in dem zweiten Bereich. Außerdem weist der zweite Bereich [Ga], welches größer ist als dasjenige in dem ersten Bereich, und [In] auf, welches kleiner ist als dasjenige in dem ersten Bereich.
  • Insbesondere handelt es sich bei dem ersten Bereich um einen Bereich, der Indiumoxid, Indiumzinkoxid oder dergleichen als Hauptkomponente enthält. Außerdem handelt es sich bei dem zweiten Bereich um einen Bereich, der Galliumoxid, Galliumzinkoxid oder dergleichen als Hauptkomponente enthält. Das heißt, dass der erste Bereich auch als Bereich, der In als Hauptkomponente enthält, bezeichnet werden kann. Außerdem kann der zweite Bereich auch als Bereich, der Ga als Hauptkomponente enthält, bezeichnet werden.
  • Es sei angemerkt, dass in einigen Fällen keine eindeutige Grenze zwischen dem ersten Bereich und dem zweiten Bereich beobachtet wird.
  • Bei einer Materialzusammensetzung eines CAC-OS in einem In-Ga-Zn-Oxid, der In, Ga, Zn und O enthält, werden Bereiche, die Ga als Hauptkomponente enthalten, in einem Teil des CAC-OS beobachtet und Bereiche, die In als Hauptkomponente enthalten, in einem Teil davon beobachtet, wobei diese Bereiche unregelmäßig dispergiert sind, um ein Mosaikmuster zu bilden. Daher wird es angenommen, dass der CAC-OS eine Struktur aufweist, bei der Metallelemente ungleichmäßig verteilt sind.
  • Der CAC-OS kann beispielsweise durch ein Sputterverfahren unter Bedingungen ausgebildet werden, bei denen ein Substrat nicht erwärmt wird. In dem Fall, in dem der CAC-OS durch ein Sputterverfahren ausgebildet wird, können ein oder mehrere Gase, die aus einem Inertgas (typischerweise Argon), einem Sauerstoffgas und einem Stickstoffgas ausgewählt werden, als Abscheidungsgas verwendet werden. Das Verhältnis der Durchflussmenge eines Sauerstoffgases zu der gesamten Durchflussmenge des Abscheidungsgases bei der Abscheidung ist vorzugsweise möglichst niedrig, und beispielsweise ist das Verhältnis der Durchflussmenge eines Sauerstoffgases zu der gesamten Durchflussmenge des Abscheidungsgases bei der Abscheidung höher als oder gleich 0 % und niedriger als 30 %, bevorzugt höher als oder gleich 0 % und niedriger als oder gleich 10 %.
  • Beispielsweise bestätigt auch ein durch eine energiedispersives Röntgenspektroskopie (energy dispersive X-ray spectroscopy, EDX) erhaltene EDX-Verteilungsbild, dass ein CAC-OS in einem In-Ga-Zn-Oxid eine Struktur aufweist, bei der Bereiche, die In als Hauptkomponente enthalten (die ersten Bereiche), und Bereiche, die Ga als Hauptkomponente enthalten (die zweiten Bereiche), ungleichmäßig verteilt und vermischt sind.
  • Hier ist die Leitfähigkeit des ersten Bereichs höher als diejenige des zweiten Bereichs. Mit anderen Worten: Wenn Ladungsträger durch den ersten Bereich fließen, wird die Leitfähigkeit eines Metalloxides gezeigt. Demzufolge kann dann, wenn die ersten Bereiche in einem Metalloxid wie eine Wolke verteilt sind, eine hohe Feldeffektbeweglichkeit (µ) erzielt werden.
  • Im Gegensatz dazu ist die isolierende Eigenschaft des zweiten Bereichs höher als diejenige des ersten Bereichs. Mit anderen Worten: Wenn die zweiten Bereiche in einem Metalloxid verteilt sind, kann der Leckstrom unterdrückt werden.
  • In dem Fall, in dem der CAC-OS für einen Transistor verwendet wird, komplementieren daher die Leitfähigkeit, die von dem ersten Bereich stammt, und die isolierende Eigenschaft, die von dem zweiten Bereich stammt, miteinander, wodurch der CAC-OS eine Schaltfunktion (Ein-/Ausschaltfunktion) aufweisen kann. Mit anderen Worten: Ein CAC-OS weist eine leitende Funktion in einem Teil des Materials auf und weist eine isolierende Funktion in einem anderen Teil des Materials auf; als gesamtes Material weist der CAC-OS eine Funktion eines Halbleiters auf. Eine Trennung der leitenden Funktion und der isolierenden Funktion kann jede Funktion maximieren. Daher können, indem der CAC-OS für einen Transistor verwendet wird, ein hoher Durchlassstrom (Ion), eine hohe Feldeffektbeweglichkeit (µ) und ein vorteilhafter Schaltbetrieb erhalten werden.
  • Ein Transistor, in dem ein CAC-OS verwendet wird, weist eine hohe Zuverlässigkeit auf. Daher wird der CAC-OS für verschiedene Halbleitervorrichtungen, typischerweise eine Anzeigevorrichtung, vorteilhaft verwendet.
  • Ein Oxidhalbleiter kann verschiedene Strukturen aufweisen, die unterschiedliche Eigenschaften zeigen. Zwei oder mehr von dem amorphen Oxidhalbleiter, dem polykristallinen Oxidhalbleiter, dem a-ähnlichen OS, dem CAC-OS, dem nc-OS und dem CAAC-OS können in einem Oxidhalbleiter einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthalten sein.
  • <Transistor, der den Oxidhalbleiter enthält>
  • Als Nächstes wird der Fall beschrieben, in dem der vorstehende Oxidhalbleiter für einen Transistor verwendet wird.
  • Wenn der vorstehende Oxidhalbleiter für einen Transistor verwendet wird, kann ein Transistor erhalten werden, der eine hohe Feldeffektbeweglichkeit aufweist. Außerdem kann ein Transistor erhalten werden, der eine hohe Zuverlässigkeit aufweist.
  • Vorzugsweise wird ein Oxidhalbleiter mit einer niedrigen Ladungsträgerkonzentration für den Transistor verwendet. Die Ladungsträgerkonzentration des Oxidhalbleiters ist beispielsweise niedriger als oder gleich 1 × 1017 cm-3, bevorzugt niedriger als oder gleich 1 × 1015 cm-3, bevorzugter niedriger als oder gleich 1 × 1013 cm-3, noch bevorzugter niedriger als oder gleich 1 × 1011 cm-3, sogar noch bevorzugter niedriger als 1 × 1010 cm-3 und höher als oder gleich 1 × 10 - 9 cm-3. In dem Fall, in dem die Ladungsträgerkonzentration eines Oxidhalbleiterfilms verringert werden soll, wird die Verunreinigungskonzentration in dem Oxidhalbleiterfilm verringert, um die Dichte der Defektzustände zu verringern. In dieser Beschreibung und dergleichen wird ein Zustand mit niedriger Verunreinigungskonzentration und niedriger Dichte der Defektzustände als hochreiner intrinsischer oder im Wesentlichen hochreiner intrinsischer Zustand bezeichnet. Es sei angemerkt, dass ein Oxidhalbleiter mit niedriger Ladungsträgerkonzentration als hochreiner intrinsischer oder im Wesentlichen hochreiner intrinsischer Oxidhalbleiter bezeichnet werden kann.
  • Ferner weist ein hochreiner intrinsischer oder im Wesentlichen hochreiner intrinsischer Oxidhalbleiterfilm in einigen Fällen eine niedrige Dichte der Defektzustände und demzufolge eine niedrige Dichte der Einfangzustände auf.
  • Eine elektrische Ladung, die von den Einfangzuständen in dem Oxidhalbleiter eingefangen wird, benötigt eine lange Zeit, bis sie sich verliert, und sie kann sich wie feste elektrische Ladung verhalten. Daher weist ein Transistor, dessen Kanalbildungsbereich in einem Oxidhalbleiter mit hoher Dichte der Einfangzustände gebildet wird, in einigen Fällen instabile elektrische Eigenschaften auf.
  • Um stabile elektrische Eigenschaften des Transistors zu erhalten, ist es daher effektiv, die Verunreinigungskonzentration in dem Oxidhalbleiter zu verringern. Um die Verunreinigungskonzentration in dem Oxidhalbleiter zu verringern, wird vorzugsweise auch die Verunreinigungskonzentration in einem Film verringert, der dem Oxidhalbleiter benachbart ist. Beispiele für die Verunreinigungen umfassen Wasserstoff, Stickstoff, ein Alkalimetall, ein Erdalkalimetall, Eisen, Nickel und Silizium.
  • <Verunreinigungen>
  • Hier wird der Einfluss von Verunreinigungen in dem Oxidhalbleiter beschrieben.
  • Wenn Silizium oder Kohlenstoff, welche Elemente der Gruppe 14 sind, in dem Oxidhalbleiter enthalten ist, werden Defektzustände in dem Oxidhalbleiter gebildet. Deshalb werden die Silizium- oder Kohlenstoffkonzentrationen in dem Oxidhalbleiter und die Silizium- oder Kohlenstoffkonzentrationen in der Nähe einer Grenzfläche zu dem Oxidhalbleiter (durch Sekundärionen-Massenspektrometrie (secondary ion mass spectrometry, SIMS) gemessene Konzentrationen) auf niedriger als oder gleich 2 × 1018 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als oder gleich 2 × 1017 Atome/cm3 eingestellt.
  • Des Weiteren werden dann, wenn der Oxidhalbleiter ein Alkalimetall oder ein Erdalkalimetall enthält, in einigen Fällen Defektzustände gebildet und Ladungsträger erzeugt. Daher ist es wahrscheinlich, dass ein Transistor, in dem ein Alkalimetall oder Erdalkalimetall enthaltender Oxidhalbleiter verwendet wird, selbstleitende Eigenschaften aufweist. Daher wird die durch SIMS erhaltene Alkalimetall- oder Erdalkalimetallkonzentration in dem Oxidhalbleiter auf niedriger als oder gleich 1 × 1018 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als oder gleich 2 × 1016 Atome/cm3 eingestellt.
  • Wenn der Oxidhalbleiter Stickstoff enthält, wird der Oxidhalbleiter infolge der Erzeugung von Elektronen, die als Ladungsträger dienen, und infolge eines Anstiegs der Ladungsträgerkonzentration leicht zum n-Typ. Folglich ist es wahrscheinlich, dass ein Transistor, in dem ein Stickstoff enthaltender Oxidhalbleiter als Halbleiter verwendet wird, selbstleitende Eigenschaften aufweist. Wenn Stickstoff in dem Oxidhalbleiter enthalten ist, wird in einigen Fällen ein Einfangzustand gebildet. Dies könnte zu instabilen elektrischen Eigenschaften des Transistors führen. Daher wird die durch SIMS erhaltene Stickstoffkonzentration in dem Oxidhalbleiter auf niedriger als 5 × 1019 Atome/cm3, bevorzugt 5 × 1018 Atome/cm3 oder niedriger, bevorzugter 1 × 1018 Atome/cm3 oder niedriger, noch bevorzugter 5 × 1017 Atome/cm3 oder niedriger eingestellt.
  • Wasserstoff, der in dem Oxidhalbleiter enthalten ist, reagiert mit Sauerstoff, der an ein Metallatom gebunden ist, zu Wasser und erzeugt daher in einigen Fällen eine Sauerstofffehlstelle. Infolge eines Eindringens von Wasserstoff in die Sauerstofffehlstelle wird in einigen Fällen ein Elektron erzeugt, das als Ladungsträger dient. In einigen Fällen verursacht ferner eine Bindung eines Teils von Wasserstoff an Sauerstoff, der an ein Metallatom gebunden ist, die Erzeugung eines Elektrons, das als Ladungsträger dient. Folglich ist es wahrscheinlich, dass ein Transistor, in dem ein Wasserstoff enthaltender Oxidhalbleiter verwendet wird, selbstleitende Eigenschaften aufweist. Demzufolge wird Wasserstoff in dem Oxidhalbleiter vorzugsweise so weit wie möglich verringert. Insbesondere wird die durch SIMS erhaltene Wasserstoffkonzentration in dem Oxidhalbleiter auf niedriger als 1 × 1020 Atome/cm3, bevorzugt niedriger als 1 × 1019 Atome/cm3, bevorzugter niedriger als 5 × 1018 Atome/cm3, noch bevorzugter niedriger als 1 × 1018 Atome/cm3 eingestellt.
  • Wenn ein Oxidhalbleiter, in dem Verunreinigungen ausreichend verringert sind, für einen Kanalbildungsbereich eines Transistors verwendet wird, kann der Transistor stabile elektrische Eigenschaften aufweisen.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit einer anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • (Ausführungsform 4)
  • Bei dieser Ausführungsform werden elektronische Geräte einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand von 20 bis 24 beschrieben.
  • Elektronische Geräte dieser Ausführungsform umfassen jeweils in einem Anzeigeabschnitt die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können die Bildschärfe und die Auflösung leicht erhöht werden. Daher kann die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung für Anzeigeabschnitte von verschiedenen elektronischen Geräten verwendet werden.
  • Als Beispiele für elektronische Geräte können, zusätzlich zu elektronischen Geräten mit einem relativ großen Bildschirm, wie beispielsweise einem Fernsehgerät, einem Desktop- oder Laptop-PC, einem Monitor eines Computers oder dergleichen, einer Digital Signage und einem großen Spielautomaten, wie z. B. einem Flipperautomaten, eine Digitalkamera, eine digitale Videokamera, ein digitaler Fotorahmen, ein Mobiltelefon, eine tragbare Spielkonsole, ein tragbares Informationsendgerät und ein Audiowiedergabegerät angegeben werden.
  • Insbesondere kann die Bildschärfe der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung erhöht werden und daher kann die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung vorteilhaft für ein elektronisches Gerät mit einem relativ kleinen Anzeigeabschnitt verwendet werden. Als derartige elektronische Geräte können beispielsweise Informationsendgeräte in Form einer Armbanduhr und eines Armreifs (tragbare Vorrichtungen) und tragbare Vorrichtungen, die am Kopf getragen werden können, wie z. B. eine Vorrichtung für VR, wie z. B. ein Head-Mounted Display, eine brillenartige Vorrichtung für AR und eine Vorrichtung für MR, angegeben werden.
  • Die Auflösung der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist vorzugsweise so hoch wie HD (Anzahl der Pixel: 1280 × 720), FHD (Anzahl der Pixel: 1920 × 1080), WQHD (Anzahl der Pixel: 2560 × 1440), WQXGA (Anzahl der Pixel: 2560 × 1600), 4K (Anzahl der Pixel: 3840 × 2160) oder 8K (Anzahl der Pixel: 7680 × 4320). Insbesondere wird die Auflösung von 4K, 8K oder höher bevorzugt. Des Weiteren ist die Pixeldichte (Bildschärfe) der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bevorzugt höher als oder gleich 100 ppi, bevorzugt höher als oder gleich 300 ppi, bevorzugter höher als oder gleich 500 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 1000 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 2000 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 3000 ppi, noch bevorzugter höher als oder gleich 5000 ppi und sogar noch bevorzugter höher als oder gleich 7000 ppi. Mit einer derartigen Anzeigevorrichtung mit hoher Auflösung und/oder hoher Bildschärfe kann ein elektronisches Gerät zur privaten Nutzung, wie z. B. ein tragbares Gerät oder ein zu Hause gebrauchtes Gerät, einen höheren realistischen Eindruck, eine Tiefenwahrnehmung und dergleichen aufweisen. Das Bildschirmverhältnis (Seitenverhältnis) der Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist nicht besonders beschränkt. Beispielsweise ist die Anzeigevorrichtung mit verschiedenen Bildschirmverhältnissen, wie z. B. 1:1 (Quadrat), 4:3, 16:9 oder 16:10, kompatibel.
  • Das elektronische Gerät dieser Ausführungsform kann einen Sensor (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Leistung, Strahlung, Durchflussrate, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen) umfassen.
  • Das elektronische Gerät dieser Ausführungsform kann verschiedene Funktionen aufweisen. Beispielsweise kann das elektronische Gerät eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Informationen (eines Standbildes, eines bewegten Bildes, eines Textbildes und dergleichen) auf dem Anzeigeabschnitt, eine Touchpanel-Funktion, eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, des Datums, der Zeit und dergleichen, eine Funktion zum Ausführen diverser Arten von Softwares (Programmen), eine drahtlose Kommunikationsfunktion und eine Funktion zum Lesen eines Programms oder der Daten, das/die in einem Speichermedium gespeichert ist/sind, aufweisen.
  • Anhand von 20A und 20B sowie 21A und 21B wird ein Beispiel für tragbare Vorrichtungen, die am Kopf getragen werden können, beschrieben. Diese tragbaren Vorrichtungen weisen eine Funktion zum Anzeigen der Inhalte von AR und/oder eine Funktion zum Anzeigen der Inhalte von VR auf. Es sei angemerkt, dass diese tragbaren Vorrichtungen auch eine Funktion zum Anzeigen der Inhalte von SR oder MR zusätzlich zu Inhalten von AR und/oder VR aufweisen können. Wenn elektronische Geräte eine Funktion zum Anzeigen der Inhalte von AR, VR, SR oder MR aufweisen, kann das Gefühl der Immersion des Benutzers erhöht werden.
  • Ein in 20A dargestelltes elektronisches Gerät 700A und ein in 20B dargestelltes elektronisches Gerät 700B umfassen jeweils ein Paar von Anzeigefeldern 751, ein Paar von Gehäusen 721, einen Kommunikationsabschnitt (nicht dargestellt), ein Paar von Befestigungsabschnitten 723, einen Steuerabschnitt (nicht dargestellt), einen Abbildungsabschnitt (nicht dargestellt), ein Paar von optischen Bauelementen 753, einen Rahmen 757 und ein Paar von Nasenpads 758.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf die Anzeigefelder 751 angewendet werden. Daher kann das elektronische Gerät eine Anzeige mit sehr hoher Bildschärfe durchführen.
  • Das elektronische Gerät 700A und das elektronische Gerät 700B können jeweils die auf den Anzeigefeldern 751 angezeigten Bilder auf Anzeigebereiche 756 der optischen Bauelemente 753 projizieren. Da die optischen Bauelemente 753 eine Lichtdurchlässigkeitseigenschaft aufweisen, kann der Benutzer Bilder, die auf den Anzeigebereichen 756 angezeigt werden, derart sehen, dass die Bilder Transmissionsbilder überlagern, die durch die optischen Bauelemente 753 betrachtet werden. Deshalb sind das elektronische Gerät 700A und das elektronische Gerät 700B jeweils zu einer AR-Anzeige geeignet.
  • In dem elektronischen Gerät 700A und dem elektronischen Gerät 700B kann eine Kamera, die zur Abbildung nach vorne geeignet ist, als Abbildungsabschnitt bereitgestellt werden. Des Weiteren kann die Orientierung des Kopfs des Benutzers durch die Bereitstellung eines Beschleunigungssensors, wie z. B. eines Gyroskopsensors, bei dem elektronischen Gerät 700A und dem elektronischen Gerät 700B erkannt werden und ein Bild kann entsprechend der Orientierung auf den Anzeigebereichen 756 angezeigt werden.
  • Der Kommunikationsabschnitt umfasst eine kontaktlose Kommunikationsvorrichtung und ein Videosignal oder dergleichen kann durch die kontaktlose Kommunikationsvorrichtung zugeführt werden. Es sei angemerkt, dass anstatt der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung oder zusätzlich zu der drahtlosen Kommunikationsvorrichtung ein Anschluss bereitgestellt werden kann, der mit einem Kabel, durch das ein Videosignal und ein Stromversorgungspotential zugeführt werden, verbunden werden kann.
  • Des Weiteren sind das elektronische Gerät 700A und das elektronische Gerät 700B mit einer Batterie bereitgestellt, so dass sie drahtlos und/oder drahtgebunden geladen werden können.
  • In dem Gehäuse 721 kann ein Berührungssensormodul bereitgestellt werden. Das Berührungssensormodul weist eine Funktion zur Erfassung einer Berührung an einer Außenseite des Gehäuses 721 auf. Mit dem Berührungssensormodul kann eine Tippen-Bedienung oder eine Gleiten-Bedienung des Benutzers erfasst werden, wodurch verschiedene Verarbeitungen durchgeführt werden können. Beispielsweise können Verarbeitungen, wie z. B. eine Pause oder eine Wiederaufnahme eines Videos, durch eine Tippen-Bedienung durchgeführt werden und Verarbeitungen, wie z. B. ein Schnellvorlauf oder ein Schnellrücklauf, können durch eine Gleiten-Bedienung durchgeführt werden. Wenn das Berührungssensormodul in jedem der zwei Gehäuse 721 bereitgestellt werden, können die Bedienungsmöglichkeiten vergrößert werden.
  • Auf das Berührungssensormodul können verschiedene Berührungssensoren angewendet werden. Beispielsweise kann ein beliebiger von Berührungssensoren von verschiedenen Typen, wie z. B. ein kapazitiver Typ, ein resistiver Typ, ein Infrarot-Typ, ein elektromagnetischer Induktions-Typ, ein oberflächenakkustischer Wellen-Typ und ein optischer Typ, angewendet werden. Insbesondere wird ein kapazitiver Sensor oder ein optischer Sensor vorzugsweise auf das Berührungssensormodul angewendet.
  • In dem Fall, in dem ein optischer Sensor verwendet wird, kann eine photoelektrische Umwandlungsvorrichtung (auch als photoelektrisches Umwandlungselement bezeichnet) als Licht empfangende Vorrichtung (auch als Licht empfangendes Element bezeichnet) verwendet werden. Für eine Aktivschicht der photoelektrischen Umwandlungsvorrichtung können ein anorganischer Halbleiter und/oder ein organischer Halbleiter verwendet werden.
  • Ein in 21A dargestelltes elektronisches Gerät 800A und ein in 21B dargestelltes elektronisches Gerät 800B umfassen jeweils ein Paar von Anzeigeabschnitten 820, ein Gehäuse 821, einen Kommunikationsabschnitt 822, ein Paar von Befestigungsabschnitten 823, einen Steuerabschnitt 824, ein Paar von Abbildungsabschnitten 825 und ein Paar von Linsen 832.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf die Anzeigeabschnitte 820 angewendet werden. Daher kann das elektronische Gerät eine Anzeige mit sehr hoher Bildschärfe durchführen. Somit kann der Benutzer ein starkes Immersionsgefühl haben.
  • Die Anzeigeabschnitte 820 werden innerhalb des Gehäuses 821 derart bereitgestellt, dass sie durch die Linsen 832 gesehen werden können. Wenn das Paar von Anzeigeabschnitten 820 unterschiedlichen Bilder anzeigt, kann auch eine dreidimensionale Anzeige unter Verwendung einer Parallaxe durchgeführt werden.
  • Das elektronische Gerät 800A und das elektronische Gerät 800B können jeweils als elektronische Geräte, die für VR geeignet sind, betrachtet werden. Wenn der Benutzer das elektronische Gerät 800A oder das elektronische Gerät 800B trägt, kann er Bilder, die auf den Anzeigeabschnitten 820 angezeigt werden, durch die Linsen 832 sehen.
  • Das elektronische Gerät 800A und das elektronische Gerät 800B weisen vorzugsweise einen Mechanismus zur Anpassung der lateralen Positionen der Linsen 832 und der Anzeigeabschnitte 820 auf, so dass sich die Linsen 832 und die Anzeigeabschnitte 820 gemäß den Positionen der Augen des Benutzers optimal befinden. Ferner weisen das elektronische Gerät 800A und das elektronische Gerät 800B vorzugsweise einen Fokuseinstellungsmechanismus durch die Anpassung des Abstandes zwischen den Linsen 832 und den Anzeigeabschnitten 820 auf.
  • Das elektronische Gerät 800A oder das elektronische Gerät 800B kann mit den Befestigungsabschnitten 823 an dem Kopf des Benutzers montiert werden.. Es sei angemerkt, dass 21A und dergleichen ein Beispiel, in dem der Befestigungsabschnitt 823 eine Form wie einen Bügel (auch als Verbindung oder dergleichen bezeichnet) von Brillen aufweist, darstellt; jedoch ist eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nicht darauf beschränkt. Der Befestigungsabschnitt 823 kann eine beliebige Form, mit der der Benutzer das elektronische Gerät tragen kann, z. B. eine Form eines Helms oder eines Bandes, aufweisen., solange der Benutzer das elektronische Gerät tragen kann.
  • Die Abbildungsabschnitte 825 weisen eine Funktion zum Erhalten von Informationen der Außenumgebung auf. Die Daten, die durch die Abbildungsabschnitte 825 erhalten werden, können an die Anzeigeabschnitten 820 ausgegeben werden. Ein Bildsensor kann für die Abbildungsabschnitte 825 verwendet werden. Des Weiteren kann eine Vielzahl von Kameras bereitgestellt werden, um eine Vielzahl von Sichtfeldern, wie z. B. ein Teleskop-Sichtfeld oder ein Weitwinkel-Sichtfeld, zu umfassen.
  • Obwohl ein Beispiel, in dem die Abbildungsabschnitte 825 bereitgestellt werden, hier gezeigt wird, muss lediglich ein Entfernungssensor (nachstehend auch als Sensorabschnitt bezeichnet), der einen Abstand zwischen dem Benutzer und einem Objekt messen kann, bereitgestellt werden. Mit anderen Worten: Es handelt sich bei dem Abbildungsabschnitt 825 um eine Ausführungsform des Sensorabschnitts. Als Sensorabschnitt kann ein Entfernungsbildsensor, wie z. B. ein Bildsensor oder LIDAR (light detection and ranging), verwendet werden. Durch Verwendung der durch die Kameras erhaltenen Bilder und der durch den Entfernungsbildsensor erhaltenen Bilder können mehr Informationen erhalten werden und somit wird eine Gestenbedienung mit höherer Genauigkeit ermöglicht.
  • Das elektronische Gerät 800A kann einen Vibrationsmechanismus aufweisen, der als Knochenleitungs-Ohrhörer dient. Zum Beispiel kann eine Struktur mit dem Vibrationsmechanismus auf eines oder mehrere von den Anzeigeabschnitten 820, dem Gehäuse 821 und den Befestigungsabschnitten 823 angewendet werden. Somit werden keine weiteren Audiovorrichtungen, wie z. B. ein Kopfhörer, ein Ohrhörer oder ein Lautsprecher, benötigt, und der Benutzer kann Bilder und Töne genießen, wenn er das elektronische Gerät 800A einfach trägt.
  • Das elektronische Gerät 800A und das elektronische Gerät 800B können jeweils einen Eingabeanschluss umfassen. Mit dem Eingabeanschluss kann ein Kabel, durch das ein Videosignal von einer Videoausgabevorrichtung oder dergleichen sowie der Strom oder dergleichen zum Laden einer in dem elektronischen Gerät bereitgestellten Batterie zugeführt werden, verbunden werden.
  • Die elektronischen Geräte einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung können eine Funktion zur Durchführung der drahtlosen Kommunikation mit Ohrhörern 750 aufweisen. Die Ohrhörer 750 umfassen einen Kommunikationsabschnitt (nicht dargestellt) und weist eine drahtlose Kommunikationsfunktion auf. Die Ohrhörer 750 können mit der drahtlosen Kommunikationsfunktion Informationen (z. B. Audiodaten) von dem elektronischen Gerät empfangen. Beispielsweise weist das in 20A dargestellte elektronische Gerät 700A eine Funktion zum Senden der Informationen an die Ohrhörer 750 mit der drahtlosen Kommunikationsfunktion auf. Ferner kann z. B. das in 21A dargestellte elektronische Gerät 800A eine Funktion zum Senden der Informationen an die Ohrhörer 750 mit der drahtlosen Kommunikationsfunktion auf.
  • Alternativ können die elektronischen Geräte jeweils einen Ohrhörerabschnitt umfassen. Das in 20B dargestellte elektronische Gerät 700B umfasst Ohrhörerabschnitte 727. Beispielsweise können die Ohrhörerabschnitte 727 und der Steuerabschnitt über eine Leitung miteinander verbunden sein. Ein Teil einer Leitung, die die Ohrhörerabschnitte 727 und den Steuerabschnitt verbindet, kann innerhalb des Gehäuses 721 oder der Befestigungsabschnitte 723 angeordnet sein.
  • Auf ähnliche Weise umfasst das in 21B dargestellte elektronische Gerät 800B Ohrhörerabschnitte 827. Beispielsweise können die Ohrhörerabschnitte 827 und der Steuerabschnitt 824 über eine Leitung miteinander verbunden sein. Ein Teil der Leitung, die die Ohrhörerabschnitte 827 und den Steuerabschnitt 824 verbindet, kann innerhalb des Gehäuses 821 oder der Befestigungsabschnitte 823 angeordnet sein. Die Ohrhörerabschnitte 827 und die Befestigungsabschnitte 823 können Magneten aufweisen. Dies wird bevorzugt, da die Ohrhörerabschnitte 827 durch den Magnetismus an den Befestigungsabschnitten 823 befestigt werden können und daher leicht aufbewahrt werden können.
  • Es sei angemerkt, dass die elektronischen Geräte jeweils einen Audioausgabeanschluss umfassen, mit dem Ohrhörer, Kopfhörer oder dergleichen angeschlossen sein können. Die elektronischen Geräte können jeweils einen Audioausgabeanschluss und/oder einen Audioeingabemechanismus aufweisen. Als Audioeingabemechanismus kann beispielsweise eine Tonauffangvorrichtung, wie z. B. ein Mikrofon, verwendet werden. Wenn die elektronischen Geräte einen Audioeingabemechanismus aufweisen, können die elektronischen Geräte eine Funktion als sogenanntes Headset aufweisen.
  • Wie vorstehend beschrieben, sind elektronische Geräte einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sowohl für brillenartige elektronische Geräte (das elektronische Gerät 700A, das elektronische Gerät 700B und dergleichen) als auch für schutzbrillenartige elektronische Geräte (das elektronische Gerät 800A, das elektronische Gerät 800B und dergleichen) geeignet.
  • Ferner können elektronische Geräte einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung drahtgebunden oder drahtlos Informationen an Ohrhörer senden.
  • Ein elektronisches Gerät 6500, das in 22A dargestellt wird, ist ein tragbares Informationsendgerät, das als Smartphone verwendet werden kann.
  • Das elektronische Gerät 6500 umfasst ein Gehäuse 6501, einen Anzeigeabschnitt 6502, einen Einschaltknopf 6503, Knöpfe 6504, einen Lautsprecher 6505, ein Mikrofon 6506, eine Kamera 6507, eine Lichtquelle 6508 und dergleichen. Der Anzeigeabschnitt 6502 weist eine Touchpanel-Funktion auf.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf den Anzeigeabschnitt 6502 angewendet werden.
  • 22B ist eine schematische Querschnittsansicht, die einen Endabschnitt des Gehäuses 6501 umfasst, der sich auf der Seite des Mikrofons 6506 befindet.
  • Eine Schutzkomponente 6510 mit Lichtdurchlässigkeitseigenschaft ist über einer Anzeigeoberflächenseite des Gehäuses 6501 bereitgestellt, und ein Anzeigefeld 6511, ein optisches Bauelement 6512, ein Berührungssensor-Panel 6513, eine gedruckte Leiterplatte 6517, eine Batterie 6518 und dergleichen sind in einem Raum bereitgestellt, der von dem Gehäuse 6501 und der Schutzkomponente 6510 umschlossen ist.
  • An der Schutzkomponente 6510 sind das Anzeigefeld 6511, das optische Bauelement 6512 und das Berührungssensor-Panel 6513 mit einer Klebeschicht (nicht dargestellt) befestigt.
  • Ein Teil des Anzeigefeldes 6511 ist in einem Bereich außerhalb des Anzeigeabschnitts 6502 zurückgeklappt, und eine FPC 6515 ist mit dem zurückgeklappten Teil verbunden. Eine IC 6516 ist auf der FPC 6515 montiert. Die FPC 6515 ist an einen Anschluss angeschlossen, der auf der gedruckten Leiterplatte 6517 bereitgestellt ist.
  • Eine flexible Anzeige einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf das Anzeigefeld 6511 angewendet werden. Daher kann ein sehr leichtes elektronisches Gerät erzielt werden. Da die Dicke des Anzeigefeldes 6511 sehr klein ist, kann die Batterie 6518 mit hoher Kapazität montiert werden, während die Dicke des elektronischen Geräts gesteuert wird. Ein elektronisches Gerät mit einem schmalen Rahmen kann erzielt werden, wenn ein Teil des Anzeigefeldes 6511 zurückgeklappt wird, so dass der Abschnitt, der mit der FPC 6515 verbunden ist, auf der Rückseite eines Pixelabschnitts angeordnet wird.
  • 23A stellt ein Beispiel für ein Fernsehgerät dar. Bei einem Fernsehgerät 7100 ist ein Anzeigeabschnitt 7000 in einem Gehäuse 7101 eingebaut. Hier wird eine Struktur dargestellt, bei der das Gehäuse 7101 von einem Standfuß 7103 getragen wird.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf den Anzeigeabschnitt 7000 angewendet werden.
  • Das in 23A dargestellte Fernsehgerät 7100 kann mit einem Bedienschalter, der in dem Gehäuse 7101 bereitgestellt ist, und einer separaten Fernbedienung 7111 bedient werden. Alternativ kann der Anzeigeabschnitt 7000 einen Berührungssensor beinhalten, und das Fernsehgerät 7100 kann durch Berührung des Anzeigeabschnitts 7000 mit einem Finger oder dergleichen bedient werden. Die Fernbedienung 7111 kann einen Anzeigeabschnitt zum Anzeigen von Informationen, die von der Fernbedienung 7111 ausgegeben werden, umfassen. Durch Bedienungstasten oder ein Touchpanel in der Fernbedienung 7111 können die Fernsehsender und die Lautstärke bedient werden, und Videos, die auf dem Anzeigeabschnitt 7000 angezeigt werden, können bedient werden.
  • Es sei angemerkt, dass das Fernsehgerät 7100 eine Struktur aufweist, bei der ein Empfänger, ein Modem und dergleichen versehen sind. Mit dem Empfänger kann allgemeiner Fernsehrundfunk empfangen werden. Wenn das Fernsehgerät über das Modem drahtlos oder nicht drahtlos mit einem Kommunikationsnetzwerk verbunden ist, kann eine unidirektionale (von einem Sender zu einem Empfänger) oder eine bidirektionale (z. B. zwischen einem Sender und einem Empfänger oder zwischen Empfängern) Datenkommunikation durchgeführt werden.
  • 23B stellt ein Beispiel für einen Laptop-PC dar. Der Laptop-PC 7200 beinhaltet ein Gehäuse 7211, eine Tastatur 7212, eine Zeigevorrichtung 7213, einen externen Verbindungsanschluss 7214 und dergleichen. In dem Gehäuse 7211 ist der Anzeigeabschnitt 7000 eingebaut.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf den Anzeigeabschnitt 7000 angewendet werden.
  • 23C und 23D stellen Beispiele für eine Digital Signage dar.
  • Eine Digital Signage 7300, die in 23C dargestellt wird, beinhaltet ein Gehäuse 7301, den Anzeigeabschnitt 7000, einen Lautsprecher 7303 und dergleichen. Ferner kann die Digital Signage eine LED-Lampe, Bedientasten (einschließlich eines Netzschalters oder eines Bedienschalters), einen Verbindungsanschluss, verschiedene Sensoren, ein Mikrofon und dergleichen beinhalten.
  • 23D stellt eine Digital Signage 7400 dar, die an einer zylindrischen Säule 7401 montiert ist. Die Digital Signage 7400 beinhaltet den Anzeigeabschnitt 7000, der entlang einer gekrümmten Oberfläche der Säule 7401 bereitgestellt ist.
  • Die Anzeigevorrichtung einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kann auf den Anzeigeabschnitt 7000 in 23C und 23D angewendet werden.
  • Eine größere Fläche des Anzeigeabschnitts 7000 kann die Menge an Daten, die auf einmal bereitgestellt werden können, erhöhen. Der größere Anzeigeabschnitt 7000 erregt mehr Aufmerksamkeit, so dass z. B. die Effektivität der Werbung erhöht werden kann.
  • Die Verwendung des Touchspanels in dem Anzeigeabschnitt 7000 wird bevorzugt, da neben der Anzeige eines Standbildes oder eines bewegten Bildes auf dem Anzeigeabschnitt 7000 eine intuitive Bedienung durch einen Benutzer möglich ist. Außerdem kann für eine Anwendung zur Lieferung von Informationen, wie z. B. Routeninformationen oder Verkehrsinformationen, die Benutzerfreundlichkeit durch intuitive Bedienung verbessert werden.
  • Darüber hinaus wird es, wie in 23C und 23D dargestellt, bevorzugt, dass die Digital Signage 7300 oder die Digital Signage 7400 mit einem Informationsendgerät 7311 oder einem Informationsendgerät 7411, wie z. B. einem Smartphone, das ein Benutzer besitzt, durch drahtlose Kommunikation interagieren kann. Beispielsweise können Informationen einer auf dem Anzeigeabschnitt 7000 angezeigten Werbung auf einem Bildschirm des Informationsendgeräts 7311 oder des Informationsendgeräts 7411 angezeigt werden. Durch die Bedienung des Informationsendgeräts 7311 oder des Informationsendgeräts 7411 kann eine Anzeige auf dem Anzeigeabschnitt 7000 umgeschaltet werden.
  • Es ist möglich, die Digital Signage 7300 oder die Digital Signage 7400 dazu zu bringen, ein Spiel unter Verwendung des Bildschirms des Informationsendgeräts 7311 oder des Informationsendgeräts 7411 als Bedienmittel (Controller) auszuführen. Daher kann eine unbestimmte Anzahl von Benutzern gleichzeitig am Spiel teilnehmen und es genießen.
  • Elektronische Geräte, die in 24A bis 24F dargestellt werden, beinhalten jeweils ein Gehäuse 9000, einen Anzeigeabschnitt 9001, einen Lautsprecher 9003, eine Bedientaste 9005 (darunter auch einen Netzschalter oder einen Bedienschalter), einen Verbindungsanschluss 9006, einen Sensor 9007 (einen Sensor mit einer Funktion zum Messen von Kraft, Verschiebung, Position, Geschwindigkeit, Beschleunigung, Winkelgeschwindigkeit, Drehzahl, Abstand, Licht, Flüssigkeit, Magnetismus, Temperatur, chemischer Substanz, Ton, Zeit, Härte, elektrischem Feld, Strom, Spannung, elektrischer Leistung, Strahlung, Durchflussrate, Feuchtigkeit, Steigungsgrad, Schwingung, Geruch oder Infrarotstrahlen), ein Mikrofon 9008 und dergleichen.
  • Die elektronischen Geräte, die in 24A bis 24F dargestellt werden, weisen jeweils verschiedene Funktionen auf. Beispielsweise können die elektronischen Geräte eine Funktion zum Anzeigen verschiedener Informationen (eines Standbildes, eines bewegten Bildes, eines Textbildes und dergleichen) auf dem Anzeigeabschnitt, eine Touchpanel-Funktion, eine Funktion zum Anzeigen eines Kalenders, des Datums, der Zeit und dergleichen, eine Verarbeitungssteuerfunktion mit diverser Arten von Softwares (Programmen), eine drahtlose Kommunikationsfunktion und eine Funktion zum Lesen und Verarbeiten eines Programms oder der Daten, das/die in einem Speichermedium gespeichert ist/sind, aufweisen. Es sei angemerkt, dass die Funktionen der elektronischen Geräte nicht darauf beschränkt sind, und sie können verschiedene Funktionen aufweisen. Die elektronischen Geräte können jeweils eine Vielzahl von Anzeigeabschnitten umfassen. Die elektronischen Geräte können jeweils mit einer Kamera oder dergleichen versehen sein und eine Funktion zum Aufnehmen eines Standbildes oder eines bewegten Bildes, eine Funktion zum Speichern des aufgenommenen Bildes in einem Speichermedium (einem externen Speichermedium oder einem Speichermedium, das in der Kamera integriert ist), eine Funktion zum Anzeigen des aufgenommenen Bildes auf dem Anzeigeabschnitt oder dergleichen aufweisen.
  • Die in 24A bis 24F dargestellten elektronischen Geräte werden nachstehend ausführlich beschrieben.
  • 24A ist eine perspektivische Ansicht eines tragbaren Informationsendgeräts 9101. Das tragbare Informationsendgerät 9101 kann beispielsweise als Smartphone verwendet werden. Es sei angemerkt, dass das tragbare Informationsendgerät 9101 den Lautsprecher 9003, den Verbindungsanschluss 9006, den Sensor 9007 oder dergleichen beinhalten kann. Das tragbare Informationsendgerät 9101 kann Schriftzeichen und Bildinformationen auf seiner Vielzahl von Oberflächen anzeigen. 24A stellt ein Beispiel dar, in dem drei Icons 9050 angezeigt werden. Außerdem können Informationen 9051, die durch gestrichelte Rechtecke dargestellt werden, auf einer anderen Oberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 angezeigt werden. Beispiele für die Informationen 9051 umfassen eine Mitteilung der Ankunft einer E-Mail, einer SNS-Nachricht, eines Anrufs oder dergleichen, den Betreff und den Absender einer E-Mail, einer SNS-Nachricht oder dergleichen, das Datum, die Zeit, die verbleibende Batterieleistung und die Intensität einer Radiowelle. Das Icon 9050 oder dergleichen kann alternativ an der Stelle angezeigt werden, an der die Informationen 9051 angezeigt werden.
  • 24B ist eine perspektivische Ansicht, die ein tragbares Informationsendgerät 9102 darstellt. Das tragbare Informationsendgerät 9102 weist eine Funktion zum Anzeigen von Informationen auf drei oder mehr Oberflächen des Anzeigeabschnitts 9001 auf. Hier werden beispielsweise Informationen 9052, Informationen 9053 und Informationen 9054 auf unterschiedlichen Oberflächen angezeigt. Beispielsweise kann der Benutzer die Informationen 9053 checken, die derart angezeigt werden, dass sie von oberhalb des tragbaren Informationsendgeräts 9102 aus eingesehen werden können, wobei das tragbare Informationsendgerät 9102 in einer Brusttasche seines Kleidungsstücks aufbewahrt wird. Beispielsweise kann der Benutzer die Anzeige sehen, ohne das tragbare Informationsendgerät 9102 aus der Tasche zu nehmen, und er kann entscheiden, ob er den Anruf annimmt.
  • 24C ist eine perspektivische Ansicht, die ein tragbares Informationsendgerät 9200 in Form einer Armbanduhr darstellt. Das tragbare Informationsendgerät 9200 kann beispielsweise als Smartwatch (eingetragenes Markenzeichen) verwendet werden. Des Weiteren ist die Anzeigeoberfläche des Anzeigeabschnitts 9001 gekrümmt, und eine Anzeige kann entlang der gekrümmten Anzeigeoberfläche durchgeführt werden. Bei dem tragbaren Informationsendgerät 9200 ermöglicht beispielsweise eine gegenseitige Kommunikation mit einem Headset, das für die drahtlose Kommunikation geeignet ist, Freisprech-Telefonate. Der Verbindungsanschluss 9006 ermöglicht, dass das tragbare Informationsendgerät 9200 gegenseitige Datenübertragung mit einem weiteren Informationsendgerät und ein Aufladen durchführt. Es sei angemerkt, dass der Ladevorgang durch drahtlose Stromzufuhr durchgeführt werden kann.
  • 24D bis 24F sind perspektivische Ansichten, die ein zusammenklappbares, tragbares Informationsendgerät 9201 darstellen. 24D ist eine perspektivische Ansicht eines Zustands, in dem das tragbare Informationsendgerät 9201 aufgeklappt ist, 24F ist eine perspektivische Ansicht eines Zustands, in dem das tragbare Informationsendgerät 9201 zusammengeklappt ist, und 24E ist eine perspektivische Ansicht beim Wechseln zwischen dem Zustand in 24D und dem Zustand in 24F. Das tragbare Informationsendgerät 9201 ist im zusammengeklappten Zustand sehr gut tragbar und ist im aufgeklappten Zustand aufgrund eines übergangslosen großen Anzeigebereichs sehr gut durchsuchbar. Der Anzeigeabschnitt 9001 des tragbaren Informationsendgeräts 9201 wird von drei Gehäusen 9000 getragen, die durch Gelenke 9055 miteinander verbunden sind. Beispielsweise kann der Anzeigeabschnitt 9001 mit einem Krümmungsradius von größer als oder gleich 0,1 mm und kleiner als oder gleich 150 mm gebogen werden.
  • Diese Ausführungsform kann je nach Bedarf mit einer anderen Ausführungsform kombiniert werden.
  • Bezugszeichen
  • 100: Anzeigevorrichtung, 100A: Anzeigevorrichtung, 100B: Anzeigevorrichtung, 100C: Anzeigevorrichtung, 100D: Anzeigevorrichtung, 100E: Anzeigevorrichtung, 101: Schicht, 103a: Schicht, 103b: Schicht, 110: Pixel, 110a: Subpixel, 110b: Subpixel, 110c: Subpixel, 110d: Subpixel, 111: Pixelelektrode, 111A: leitender Film, 111C: Verbindungselektrode, 112: Licht emittierende Einheit, 1121: Licht emittierende Einheit, 112_1A: Schicht, 112_2: Licht emittierende Einheit, 112_2A: Schicht, 112_3: Licht emittierende Einheit, 113: Zwischenschicht, 113_1: Zwischenschicht, 113_2: Zwischenschicht, 113A: Zwischenfilm, 114: gemeinsame Schicht, 114a: Schicht, 115: gemeinsame Elektrode, 119: Harzschicht, 120: Substrat, 121: Seitenwand, 121a: Seitenwand, 121A: Isolierfilm, 121b: Seitenwand, 121B: Isolierfilm, 125a: Pixel, 125b: Pixel, 130: Licht emittierendes Element, 131: Schutzschicht, 132: Schutzschicht, 133: Farbschicht, 133a: Farbschicht, 133b: Farbschicht, 133c: Farbschicht, 134: Zwischenraum, 140: Verbindungsabschnitt, 141: Opferfilm, 143: Schutzfilm, 145: Photolackmaske, 147: Opferschicht, 149: Schutzschicht, 181: Schicht, 182: Schicht, 183: Licht emittierende Schicht, 183_1: Licht emittierende Schicht, 183_2: Licht emittierende Schicht, 183_3: Licht emittierende Schicht, 184: Schicht, 201: Transistor, 204: Verbindungsabschnitt, 205: Transistor, 211: Isolierschicht, 213: Isolierschicht, 214: Isolierschicht, 215: Isolierschicht, 221: leitende Schicht, 222a: leitende Schicht, 222b: leitende Schicht, 223: leitende Schicht, 228: Bereich, 231: Halbleiterschicht, 240: Kondensator, 241: leitende Schicht, 242: Verbindungsschicht, 243: Isolierschicht, 245: leitende Schicht, 251: leitende Schicht, 252: leitende Schicht, 254: Isolierschicht, 255: Isolierschicht, 256: Anschlusspfropfen, 261: Isolierschicht, 262: Isolierschicht, 263: Isolierschicht, 264: Isolierschicht, 265: Isolierschicht, 271: Anschlusspfropfen, 274: Anschlusspfropfen, 274a: leitende Schicht, 274b: leitende Schicht, 280: Anzeigemodul, 281: Anzeigeabschnitt, 282: Schaltungsabschnitt, 283: Pixelschaltungsabschnitt, 283a: Pixelschaltung, 284: Pixelabschnitt, 285: Anschlussabschnitt, 286: Leitungsabschnitt, 290: FPC, 291: Substrat, 292: Substrat, 301: Substrat, 310: Transistor, 311: leitende Schicht, 312: niederohmiger Bereich, 313: Isolierschicht, 314: Isolierschicht, 315: Elementisolierschicht, 320: Transistor, 321: Halbleiterschicht, 323: Isolierschicht, 324: leitende Schicht, 325: leitende Schicht, 326: Isolierschicht, 327: leitende Schicht, 328: Isolierschicht, 329: Isolierschicht, 331: Substrat, 332: Isolierschicht, 451: Substrat, 465: Leitung, 466: leitende Schicht, 472: FPC, 700A: elektronisches Gerät, 700B: elektronisches Gerät, 721: Gehäuse, 723: Befestigungsabschnitt, 727: Ohrhörerabschnitt, 750: Ohrhörer, 751: Anzeigefeld, 753: optisches Bauelement, 756: Anzeigebereich, 757: Rahmen, 758: Nasenpad, 800A: elektronisches Gerät, 800B: elektronisches Gerät, 820: Anzeigeabschnitt, 821: Gehäuse, 822: Kommunikationsabschnitt, 823: Befestigungsabschnitt, 824: Steuerabschnitt, 825: Abbildungsabschnitt, 827: Ohrhörerabschnitt, 832: Linse, 6500: elektronisches Gerät, 6501: Gehäuse, 6502: Anzeigeabschnitt, 6503: Einschaltknopf, 6504: Knopf, 6505: Lautsprecher, 6506: Mikrofon, 6507: Kamera, 6508: Lichtquelle, 6510: Schutzkomponente, 6511: Anzeigefeld, 6512: optisches Bauelement, 6513: Berührungssensor-Panel, 6515: FPC, 6516: IC, 6517: gedruckte Leiterplatte, 6518: Batterie, 7000: Anzeigeabschnitt, 7100: Fernsehgerät, 7101: Gehäuse, 7103: Standfuß, 7111: Fernbedienung, 7200: Laptop-PC, 7211: Gehäuse, 7212: Tastatur, 7213: Zeigevorrichtung, 7214: externer Verbindungsanschluss, 7300: Digital Signage, 7301: Gehäuse, 7303: Lautsprecher, 7311: Informationsendgerät, 7400: Digital Signage, 7401: Säule, 7411: Informationsendgerät, 9000: Gehäuse, 9001: Anzeigeabschnitt, 9003: Lautsprecher, 9005: Bedientaste, 9006: Verbindungsanschluss, 9007: Sensor, 9008: Mikrofon, 9050: Icon, 9051: Information, 9052: Information, 9053: Information, 9054: Information, 9055: Gelenk, 9101: tragbares Informationsendgerät, 9102: tragbares Informationsendgerät, 9200: tragbares Informationsendgerät, 9201: tragbares Informationsendgerät

Claims (16)

  1. Anzeigevorrichtung, die ein erstes Licht emittierende Element, ein zweites Licht emittierendes Element, eine erste Seitenwand und eine zweite Seitenwand umfasst, wobei das erste Licht emittierende Element eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht umfasst, wobei das zweite Licht emittierende Element eine zweite Pixelelektrode, eine dritte Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Zwischenschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht und die gemeinsame Elektrode über der vierten Licht emittierenden Schicht umfasst, wobei das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element einander benachbart sind, wobei die erste Seitenwand mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Pixelelektrode bedeckt, und wobei die zweite Seitenwand mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode bedeckt.
  2. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, die einen Zwischenraum zwischen der ersten Seitenwand und der zweiten Seitenwand umfasst.
  3. Anzeigevorrichtung, die ein erstes Licht emittierendes Element, ein zweites Licht emittierendes Element, eine erste Seitenwand, eine zweite Seitenwand, eine dritte Seitenwand und eine vierte Seitenwand umfasst, wobei das erste Licht emittierende Element eine erste Pixelelektrode, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht und eine gemeinsame Elektrode über der zweiten Licht emittierenden Schicht umfasst, wobei das zweite Licht emittierende Element eine zweite Pixelelektrode, eine dritte Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine zweite Zwischenschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht und die gemeinsame Elektrode über der vierten Licht emittierenden Schicht umfasst, wobei das erste Licht emittierende Element und das zweite Licht emittierende Element einander benachbart sind, wobei die erste Seitenwand mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Pixelelektrode, Teile von Seitenflächen der ersten und zweiten Licht emittierenden Schichten und einen Teil einer Seitenfläche der ersten Zwischenschicht bedeckt, wobei die zweite Seitenwand mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Seitenwand bedeckt, wobei die dritte Seitenwand mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode, Teile von Seitenflächen der dritten und vierten Licht emittierenden Schichten und einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Zwischenschicht bedeckt, und wobei die vierte Seitenwand mindestens einen Teil einer Seitenfläche der dritten Seitenwand bedeckt.
  4. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, die einen Zwischenraum zwischen der zweiten Seitenwand und der vierten Seitenwand umfasst.
  5. Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, wobei die zweite Seitenwand mindestens einen Teil einer Oberseite der ersten Seitenwand bedeckt, und wobei die vierte Seitenwand mindestens einen Teil einer Oberseite der dritten Seitenwand bedeckt.
  6. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, die eine Schutzschicht über der gemeinsamen Elektrode umfasst, wobei eine erste Farbschicht über der Schutzschicht derart enthalten ist, dass die erste Farbschicht einen sich mit der ersten Licht emittierenden Schicht und der zweiten Licht emittierenden Schicht überlappenden Bereich umfasst, wobei eine zweite Farbschicht über der Schutzschicht derart enthalten ist, dass die zweite Farbschicht einen sich mit der dritten Licht emittierenden Schicht und der vierten Licht emittierenden Schicht überlappenden Bereich umfasst, wobei die erste Farbschicht und die zweite Farbschicht jeweils eine Funktion zum Durchlassen von Licht unterschiedlicher Farben aufweisen, wobei die erste Licht emittierende Schicht und die dritte Licht emittierende Schicht jeweils eine Funktion zum Emittieren von Licht der gleichen Farbe aufweisen, und wobei die zweite Licht emittierende Schicht und die vierte Licht emittierende Schicht jeweils eine Funktion zum Emittieren von Licht der gleichen Farbe aufweisen.
  7. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, die eine gemeinsame Schicht zwischen den zweiten und vierten Licht emittierenden Schichten sowie der gemeinsamen Elektrode umfasst, wobei die gemeinsame Schicht in den ersten und zweiten Licht emittierenden Elementen eine Funktion als Elektroneninjektionsschicht oder Lochinjektionsschicht aufweist.
  8. Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die erste Pixelelektrode und die zweite Pixelelektrode über einer Isolierschicht bereitgestellt sind, wobei die Isolierschicht in einem sich mit der ersten Pixelelektrode überlappenden Bereich einen ersten vorspringenden Abschnitt umfasst, und wobei die Isolierschicht in einem sich mit der zweiten Pixelelektrode überlappenden Bereich einen zweiten vorspringenden Abschnitt umfasst.
  9. Anzeigemodul, das umfasst: die Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8; und einen Anschluss und/oder eine integrierte Schaltung umfasst.
  10. Elektronisches Gerät, das umfasst: das Anzeigemodul nach Anspruch 9; und mindestens eines von einem Gehäuse, einer Batterie, einer Kamera, einem Lautsprecher und einem Mikrofon.
  11. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, das die folgenden Schritte umfasst: Ausbilden einer Isolierschicht; Abscheiden eines leitenden Films, eines ersten Licht emittierenden Films, eines Zwischenfilms, eines zweiten Licht emittierenden Films und eines Opferfilms sequentiell über der Isolierschicht; Ätzen des Opferfilms, des zweiten Licht emittierenden Films, des Zwischenfilms, des ersten Licht emittierenden Films und des leitenden Films, um eine erste Pixelelektrode und eine zweite Pixelelektrode über der Isolierschicht , eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Zwischenschicht über der zweiten Licht emittierenden Schicht, eine dritte Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht, eine erste Opferschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht und eine zweite Opferschicht über der vierten Licht emittierenden Schicht auszubilden; Abscheiden eines Isolierfilms, der mindestens Teile von Seitenflächen der ersten und zweiten Pixelelektroden, Teile von Seitenflächen der ersten bis vierten Licht emittierenden Schicht und einer Seitenfläche der ersten und zweiten Zwischenschichten und Teile von Seitenflächen sowie Oberseiten der ersten und zweiten Opferschichten bedeckt; Ätzen des Isolierfilms, um eine erste Seitenwand, die mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Pixelelektrode bedeckt, und eine zweite Seitenwand, die mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode bedeckt, auszubilden; Entfernung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht; und Ausbilden einer gemeinsamen Elektrode über der dritten Licht emittierenden Schicht und über der vierten Licht emittierenden Schicht.
  12. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung, das die folgenden Schritte umfasst: Ausbilden einer Isolierschicht; Abscheiden eines leitenden Films, eines ersten Licht emittierenden Films, eines Zwischenfilms, eines zweiten Licht emittierenden Films und eines Opferfilms sequentiell über der Isolierschicht; Ätzen des Opferfilms, des zweiten Licht emittierenden Films, des Zwischenfilms, des ersten Licht emittierenden Films und des leitenden Films, um eine erste Pixelelektrode und eine zweite Pixelelektrode über der Isolierschicht, eine erste Licht emittierende Schicht über der ersten Pixelelektrode, eine zweite Licht emittierende Schicht über der zweiten Pixelelektrode, eine erste Zwischenschicht über der ersten Licht emittierenden Schicht, eine zweite Zwischenschicht über der zweiten Licht emittierenden Schicht, eine dritte Licht emittierende Schicht über der ersten Zwischenschicht, eine vierte Licht emittierende Schicht über der zweiten Zwischenschicht, eine erste Opferschicht über der dritten Licht emittierenden Schicht und eine zweite Opferschicht über der vierten Licht emittierenden Schicht auszubilden; Abscheiden eines ersten Isolierfilms, der mindestens Teile von Seitenflächen der ersten und zweiten Pixelelektroden, Teile von Seitenflächen der ersten bis vierten Licht emittierenden Schicht und Teile von Seitenflächen der ersten und zweiten Zwischenschichten und Teile von Seitenflächen sowie Oberseiten der ersten und zweiten Opferschichten bedeckt; Abscheiden eines zweiten Isolierfilms über dem ersten Isolierfilms; Ätzen des ersten Isolierfilms und des zweiten Isolierfilms, um eine erste Seitenwand, die mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Pixelelektrode bedeckt, eine zweite Seitenwand, die mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Pixelelektrode bedeckt, eine dritte Seitenwand, die mindestens einen Teil einer Seitenfläche der ersten Seitenwand bedeckt, und eine vierte Seitenwand, die mindestens einen Teil einer Seitenfläche der zweiten Seitenwand bedeckt, auszubilden; Entfernung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht; und Ausbilden einer gemeinsamen Elektrode über der dritten Licht emittierenden Schicht und über der vierten Licht emittierenden Schicht.
  13. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach Anspruch 11 oder 12, wobei der leitende Film unter Verwendung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht als Maske geätzt wird.
  14. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, das die folgenden Schritte umfasst: Ausbilden einer Schutzschicht über der gemeinsamen Elektrode; und Ausbilden einer ersten Farbschicht, die einen sich mit der ersten Licht emittierenden Schicht und der dritten Licht emittierenden Schicht überlappenden Bereich umfasst, und einer zweiten Farbschicht, die einen sich mit der zweiten Licht emittierenden Schicht und der vierten Licht emittierenden Schicht überlappenden Bereich umfasst, über der Schutzschicht, wobei die erste Farbschicht und die zweite Farbschicht eine Funktion zum Durchlassen von Licht unterschiedlicher Farben aufweisen.
  15. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei nach der Entfernung der ersten Opferschicht und der zweiten Opferschicht eine gemeinsame Schicht, die eine Funktion als Elektroneninjektionsschicht oder Lochinjektionsschicht aufweist, über der dritten Licht emittierenden Schicht und über der vierten Licht emittierenden Schicht ausgebildet wird, und wobei die gemeinsame Elektrode über der gemeinsamen Schicht ausgebildet wird.
  16. Verfahren zum Herstellen einer Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 11 bis 15, wobei im Ätzschritt des leitenden Films ein vertiefter Abschnitt in der Isolierschicht ausgebildet wird.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100282393B1 (ko) * 1998-06-17 2001-02-15 구자홍 유기이엘(el)디스플레이소자제조방법
KR102642369B1 (ko) * 2016-03-25 2024-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20190076045A (ko) 2016-11-10 2019-07-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 표시 장치의 구동 방법
JP7062405B2 (ja) * 2016-11-30 2022-05-06 キヤノン株式会社 表示装置および電子機器
KR102011952B1 (ko) * 2017-11-30 2019-08-19 엘지디스플레이 주식회사 전계발광표시장치와 이의 제조방법
KR102578544B1 (ko) * 2017-12-11 2023-09-13 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102663872B1 (ko) * 2019-08-07 2024-05-03 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법

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