KR20230156066A - 표시 장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 121
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1041
- 239000010408 film Substances 0.000 description 395
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 319
- 239000000463 material Substances 0.000 description 171
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 128
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 116
- 230000006870 function Effects 0.000 description 94
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 54
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 47
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 38
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 34
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 description 26
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 25
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 25
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 24
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 24
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 22
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 21
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 21
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 17
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 16
- -1 etc.) Substances 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 13
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 12
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 12
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 9
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 8
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 8
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 5
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical group [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000001341 grazing-angle X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002390 heteroarenes Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical group [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical group [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical class C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical group [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 210000003128 head Anatomy 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical class [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000714 pyrimidinyl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000012916 structural analysis Methods 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical group [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 1H-1,2,3-Triazole Chemical group C=1C=NNN=1 QWENRTYMTSOGBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,3-triazole Chemical group C1C=NN=N1 AEJARLYXNFRVLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWBHNEZMQMERHA-UHFFFAOYSA-N 5,6,11,12,17,18-hexaazatrinaphthylene Chemical compound C1=CC=C2N=C3C4=NC5=CC=CC=C5N=C4C4=NC5=CC=CC=C5N=C4C3=NC2=C1 JWBHNEZMQMERHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002925 A-like Anatomy 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical class N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004838 Heat curing adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910012294 LiPP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBVMFXMAMOEEKB-UHFFFAOYSA-N [Zn][Ti][In] Chemical compound [Zn][Ti][In] FBVMFXMAMOEEKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 Chemical compound c1cncc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1nc(nc(n1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1)-c1cccc(c1)-c1cccc(c1)-c1cccnc1 YVVVSJAMVJMZRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005331 diazinyl group Chemical group N1=NC(=CC=C1)* 0.000 description 1
- 150000004826 dibenzofurans Chemical class 0.000 description 1
- IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N dibenzothiophene Chemical class C1=CC=CC=2[34S]C3=C(C=21)C=CC=C3 IYYZUPMFVPLQIF-ALWQSETLSA-N 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 210000000744 eyelid Anatomy 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 210000001061 forehead Anatomy 0.000 description 1
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N germanium nitride Chemical compound N#[Ge]N([Ge]#N)[Ge]#N BIXHRBFZLLFBFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004886 head movement Effects 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002173 high-resolution transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002883 imidazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N indium(3+) oxygen(2-) titanium(4+) Chemical compound [O-2].[Ti+4].[In+3] BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229940079865 intestinal antiinfectives imidazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 238000002361 inverse photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000002649 leather substitute Substances 0.000 description 1
- NMFYNYFBVADWSC-UHFFFAOYSA-M lithium 2-pyridin-2-ylpyridin-3-olate Chemical compound N1=C(C=CC=C1)C1=NC=CC=C1[O-].[Li+] NMFYNYFBVADWSC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PSAFWEIHLJUJOI-UHFFFAOYSA-M lithium;2-pyridin-2-ylphenolate Chemical compound [Li+].[O-]C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 PSAFWEIHLJUJOI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical class 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000005359 phenylpyridines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000001420 photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical group C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003248 quinolines Chemical class 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical class N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Chemical class 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 150000007979 thiazole derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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Abstract
표시 품위가 높은 표시 장치를 제공한다. 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공한다. 소비 전력이 낮은 표시 장치를 제공한다 고정세화가 용이한 표시 장치를 제공한다. 높은 표시 품위와, 높은 정세도를 겸비한 표시 장치를 제공한다. 콘트라스트가 높은 표시 장치를 제공한다. 제 1 화소와, 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층을 가지고, 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 제 2 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 1 EL층의 측면과 제 2 EL층의 측면은 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고, 제 1 화소 전극의 측면은 제 1 EL층으로 덮이고, 제 2 화소 전극의 측면은 제 2 EL층으로 덮이는 표시 장치이다.
Description
본 발명의 일 형태는 표시 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 표시 장치의 제작 방법에 관한 것이다.
또한 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에서 개시(開示)하는 본 발명의 일 형태의 기술분야로서는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 전자 기기, 조명 장치, 입력 장치, 입출력 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 일례로 들 수 있다. 또한 반도체 장치란 반도체 특성을 이용함으로써 기능할 수 있는 장치 전반을 가리킨다.
근년, 디스플레이 패널의 고정세화(高精細化)가 요구되고 있다. 고정세의 디스플레이 패널이 요구되는 기기로서는, 예를 들어 스마트폰, 태블릿 단말기, 노트북형 컴퓨터 등이 있다. 또한 텔레비전 장치, 모니터 장치 등의 거치형 디스플레이 장치에서도 고해상도화에 따른 고정세화가 요구되고 있다. 또한 고정세도가 가장 요구되는 기기로서, 예를 들어 가상 현실(VR: Virtual Reality) 또는 증강 현실(AR: Augmented Reality)용 기기가 있다.
또한 디스플레이 패널에 적용할 수 있는 표시 장치로서는 대표적으로 액정 표시 장치, 유기 EL(Electro Luminescence) 소자, 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode) 등의 발광 소자를 가지는 발광 장치, 전기 영동 방식 등에 의하여 표시를 수행하는 전자 종이 등을 들 수 있다.
예를 들어 유기 EL 소자(유기 전계 발광 소자)의 기본적인 구성은, 한 쌍의 전극 사이에 발광성 유기 화합물을 포함하는 층을 끼운 것이다. 한 쌍의 전극 사이에 전압을 인가함으로써 발광성 유기 화합물로부터 발광을 얻을 수 있다. 이와 같은 유기 EL 소자가 적용된 표시 장치는 액정 표시 장치 등에서 필요한 백라이트가 불필요하기 때문에, 얇고, 가볍고, 콘트라스트가 높으며, 소비 전력이 낮은 표시 장치를 실현할 수 있다. 예를 들어 유기 EL 소자를 사용한 표시 장치의 일례가 특허문헌 1에 개시되어 있다.
특허문헌 2에는 유기 EL 디바이스를 사용한 VR용 표시 장치가 개시되어 있다.
본 발명의 일 형태는 표시 품위가 높은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 소비 전력이 낮은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 고정세화가 용이한 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 높은 표시 품위와 높은 정세도를 겸비한 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 콘트라스트가 높은 표시 장치를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
본 발명의 일 형태는 신규 구성을 가지는 표시 장치 또는 표시 장치의 제작 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 상술한 표시 장치를 높은 수율로 제조하는 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 본 발명의 일 형태는 선행기술의 문제점들 중 적어도 하나를 적어도 경감하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한 이들 외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재에서 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 제 1 화소와, 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층을 가지는 표시 장치로서, 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 제 2 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 1 EL층의 측면과 제 2 EL층의 측면은 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고, 제 1 화소 전극의 측면은 제 1 EL층으로 덮이고, 제 2 화소 전극의 측면은 제 2 EL층으로 덮이는 표시 장치이다.
또는 본 발명의 일 형태는 제 1 화소와, 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층을 가지는 표시 장치로서, 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 제 2 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 1 EL층의 측면과 제 2 EL층의 측면은 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고, 제 1 화소 전극의 단부는 제 1 EL층의 단부의 내측에 위치하고, 제 2 화소 전극의 단부는 제 2 EL층의 단부의 내측에 위치하는 표시 장치이다.
또는 본 발명의 일 형태는 제 1 화소와, 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층을 가지는 표시 장치로서, 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 제 2 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 1 EL층의 측면과 제 2 EL층의 측면은 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고, 제 1 화소 전극의 측면은 제 1 EL층과 접하고, 제 2 화소 전극의 측면은 제 2 EL층과 접하는 표시 장치이다.
또한 상기 구성에 있어서, 제 1 EL층의 상면과, 제 2 EL층의 상면과, 제 1 절연층의 상면은 공통 전극과 접한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 제 1 화소는 제 1 EL층과 공통 전극 사이에 배치되는 공통층을 가지고, 제 2 화소는 제 2 EL층과 공통 전극 사이에 배치되는 공통층을 가지고, 제 1 EL층의 상면과, 제 2 EL층의 상면과, 제 1 절연층의 상면은 공통층과 접한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 1 절연층은 제 1 EL층의 상면 및 제 2 EL층의 상면 중 적어도 하나보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 1 EL층 및 제 2 EL층 중 적어도 하나는 제 1 절연층의 상면보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 1 절연층의 상면은 오목 곡면 형상을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 1 절연층의 상면은 볼록 곡면 형상을 가지는 것이 바람직하다.
또는 본 발명의 일 형태는 제 1 화소와, 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층과, 제 2 절연층을 가지는 표시 장치로서, 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 제 2 EL층 위의 공통 전극을 가지고, 제 1 EL층의 측면과 제 2 EL층의 측면은 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고, 제 2 절연층은 제 1 절연층 위에 접하여 제공되고, 또한 공통 전극의 아래쪽에 배치되고, 제 1 절연층은 무기 재료를 가지고, 제 2 절연층은 유기 재료를 가지고, 제 1 화소 전극의 측면은 제 1 EL층으로 덮이고, 제 2 화소 전극의 측면은 제 2 EL층으로 덮이는 표시 장치이다.
또한 상기 구성에 있어서, 제 1 EL층의 상면과, 제 2 EL층의 상면과, 제 1 절연층의 상면은 공통 전극과 접한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 제 1 화소는 제 1 EL층과 공통 전극 사이에 배치되는 공통층을 가지고, 제 2 화소는 제 2 EL층과 공통 전극 사이에 배치되는 공통층을 가지고, 제 1 EL층의 상면과, 제 2 EL층의 상면과, 제 1 절연층의 상면은 공통층과 접한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 1 절연층은 제 1 EL층의 상면 및 제 2 EL층의 상면 중 적어도 하나보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 1 EL층 및 제 2 EL층 중 적어도 하나는 제 1 절연층의 상면보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 2 절연층의 상면은 오목 곡면 형상을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기 구성에 있어서, 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 제 2 절연층의 상면은 볼록 곡면 형상을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따르면 표시 품위가 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 소비 전력이 낮은 표시 장치를 제공할 수 있다. 또는 고정세화가 용이한 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한 높은 표시 품위와 높은 정세도를 겸비한 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한 콘트라스트가 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태에 따르면 신규 구성을 가지는 표시 장치 또는 표시 장치의 제작 방법을 제공할 수 있다. 또한 상술한 표시 장치를 높은 수율로 제조하는 방법을 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따르면 선행기술의 문제점들 중 적어도 하나를 적어도 경감할 수 있다.
또한 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 효과 모두를 반드시 가질 필요는 없다. 또한 이들 외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재에서 추출할 수 있다.
도 1의 (A)는 표시 장치의 일례를 나타낸 상면도이다. 도 1의 (B) 내지 (D)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 2의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4의 (A) 내지 (F)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 5의 (A) 내지 (D)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 7의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 9의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 10은 표시 장치의 일례를 나타낸 사시도이다.
도 11의 (A)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 11의 (B) 및 (C)는 트랜지스터의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 12의 (A) 및 (B)는 표시 모듈의 일례를 나타낸 사시도이다.
도 13은 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 14는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 15는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 16은 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 17의 (A) 내지 (F)는 발광 소자의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 18의 (A) 및 (B)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 19의 (A) 내지 (D)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 20의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 21의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 22의 (A) 및 (B)는 실시예에 따른 표시 패널의 표시 사진이다.
도 23의 (A) 내지 (C)는 실시예에 따른 스펙트럼 측정 결과이다.
도 24의 (A) 내지 (C)는 실시예에 따른 스펙트럼 측정 결과이다.
도 2의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 3의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 4의 (A) 내지 (F)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 5의 (A) 내지 (D)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 7의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 제작 방법의 예를 나타낸 단면도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 9의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 10은 표시 장치의 일례를 나타낸 사시도이다.
도 11의 (A)는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다. 도 11의 (B) 및 (C)는 트랜지스터의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 12의 (A) 및 (B)는 표시 모듈의 일례를 나타낸 사시도이다.
도 13은 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 14는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 15는 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 16은 표시 장치의 일례를 나타낸 단면도이다.
도 17의 (A) 내지 (F)는 발광 소자의 구성예를 나타낸 도면이다.
도 18의 (A) 및 (B)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 19의 (A) 내지 (D)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 20의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 21의 (A) 내지 (F)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 22의 (A) 및 (B)는 실시예에 따른 표시 패널의 표시 사진이다.
도 23의 (A) 내지 (C)는 실시예에 따른 스펙트럼 측정 결과이다.
도 24의 (A) 내지 (C)는 실시예에 따른 스펙트럼 측정 결과이다.
이하에서 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 다만 실시형태는 많은 상이한 형태로 실시할 수 있고, 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서 본 발명은 이하의 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
또한 이하에서 설명하는 발명의 구성에서, 동일한 부분 또는 같은 기능을 가지는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면 사이에서 공통적으로 사용하고, 그 반복 설명은 생략한다. 또한 같은 기능을 가지는 부분을 가리키는 경우에는, 해치 패턴을 동일하게 하고, 특별히 부호를 붙이지 않는 경우가 있다.
또한 본 명세서에서 설명하는 각 도면에서 각 구성 요소의 크기, 층의 두께, 또는 영역은 명료화를 위하여 과장되어 있는 경우가 있다. 따라서 그 스케일에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 명세서 등에서 "상면도"라는 용어를 "평면도"라는 용어로 변경할 수 있는 경우가 있다. 또한 본 명세서 등에서 "상면에서 보았을 때"라는 기재를 "평면에서 보았을 때"라는 기재로 변경할 수 있는 경우가 있다.
또한 본 명세서 등에서의 "제 1", "제 2" 등의 서수사는, 구성 요소의 혼동을 피하기 위하여 붙이는 것이며, 수적으로 한정하는 것이 아니다.
또한 본 명세서 등에서 "막"이라는 용어와 "층"이라는 용어는 서로 바꿀 수 있다. 예를 들어 "도전층" 또는 "절연층"이라는 용어는 "도전막" 또는 "절연막"이라는 용어로 서로 바꿀 수 있는 경우가 있다.
또한 본 명세서에서 EL층이란 발광 소자의 한 쌍의 전극 사이에 제공되고, 적어도 발광성의 물질을 포함하는 층(발광층이라고도 부름) 또는 발광층을 포함하는 적층체를 나타내는 것으로 한다.
본 명세서 등에서 표시 장치의 일 형태인 표시 패널은 표시면에 화상 등을 표시(출력)하는 기능을 가지는 것이다. 따라서 표시 패널은 출력 장치의 일 형태이다.
또한 본 명세서 등에서는, 표시 패널의 기판에 예를 들어 FPC(Flexible Printed Circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등의 커넥터가 장착된 것, 또는 기판에 COG(Chip On Glass) 방식 등에 의하여 IC가 실장된 것을 표시 패널 모듈, 표시 모듈, 또는 단순히 표시 패널 등이라고 부르는 경우가 있다.
본 발명의 일 형태의 발광 소자는 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 및 양극성 물질 등을 포함하는 층을 가져도 좋다.
또한 발광층, 그리고 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 및 양극성 물질 등을 포함하는 층은, 각각 퀀텀닷(quantum dot) 등의 무기 화합물, 또는 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 가져도 좋다. 예를 들어 퀀텀닷을 발광층에 사용함으로써, 발광 재료로서 기능시킬 수도 있다.
또한 퀀텀닷 재료로서는, 콜로이드상 퀀텀닷 재료, 합금형 퀀텀닷 재료, 코어·셸형 퀀텀닷 재료, 코어형 퀀텀닷 재료 등을 사용할 수 있다. 또한 12족과 16족, 13족과 15족, 또는 14족과 16족의 원소 그룹을 포함하는 재료를 사용하여도 좋다. 또는 카드뮴, 셀레늄, 아연, 황, 인, 인듐, 텔루륨, 납, 갈륨, 비소, 알루미늄 등의 원소를 포함하는 퀀텀닷 재료를 사용하여도 좋다.
본 명세서 등에서, 메탈 마스크 또는 FMM(파인 메탈 마스크, 고정세 메탈 마스크)을 사용하여 제작되는 디바이스를 MM(메탈 마스크) 구조의 디바이스라고 부르는 경우가 있다. 또한 본 명세서 등에서 메탈 마스크 또는 FMM을 사용하지 않고 제작되는 디바이스를 MML(메탈 마스크리스) 구조의 디바이스라고 부르는 경우가 있다.
또한 본 명세서 등에서, 각 색의 발광 디바이스(여기서는 청색(B), 녹색(G), 및 적색(R))의 발광층을 구분 형성하거나 발광층을 구분 도포하는 구조를 SBS(Side By Side) 구조라고 부르는 경우가 있다. 또한 본 명세서 등에서, 백색광을 발할 수 있는 발광 디바이스를 백색 발광 디바이스라고 부르는 경우가 있다. 또한 백색 발광 디바이스는 착색층(예를 들어 컬러 필터)과 조합함으로써 풀 컬러 표시의 표시 장치를 실현할 수 있다.
또한 발광 디바이스는 싱글 구조와 탠덤 구조로 크게 나눌 수 있다. 싱글 구조의 디바이스는 한 쌍의 전극 사이에 하나의 발광 유닛을 포함하고, 상기 발광 유닛은 하나 이상의 발광층을 포함하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 백색 발광을 얻기 위해서는, 2개 이상의 발광층의 각 발광이 보색 관계가 되는 발광층을 선택하면 좋다. 예를 들어 제 1 발광층의 발광색과 제 2 발광층의 발광색을 보색 관계가 되도록 함으로써, 전체로서 백색 발광하는 발광 디바이스를 얻을 수 있다. 또한 발광층을 3개 이상 가지는 발광 디바이스의 경우도 마찬가지이다.
탠덤 구조의 디바이스는 한 쌍의 전극 사이에 2개 이상의 발광 유닛을 가지고, 각 발광 유닛은 하나 이상의 발광층을 포함하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 백색 발광을 얻기 위해서는, 복수의 발광 유닛의 발광층으로부터의 광을 조합하여 백색 발광이 얻어지는 구성으로 하면 좋다. 또한 백색 발광이 얻어지는 구성에 대해서는, 싱글 구조의 구성과 같다. 또한 탠덤 구조의 디바이스에서는, 복수의 발광 유닛 사이에 전하 발생층 등의 중간층이 제공되는 것이 적합하다.
또한 상술한 백색 발광 디바이스(싱글 구조 또는 탠덤 구조)와, SBS 구조의 발광 디바이스를 비교한 경우, SBS 구조의 발광 디바이스는 백색 발광 디바이스보다 소비 전력을 낮출 수 있다. 소비 전력을 낮게 하고자 하는 경우에는, SBS 구조의 발광 디바이스를 사용하는 것이 적합하다. 한편, 백색 발광 디바이스는 SBS 구조의 발광 디바이스보다 제조 공정이 간단하기 때문에 제조 비용을 낮게 할 수 있거나 제조 수율을 높게 할 수 있어 적합하다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 구성예 및 표시 장치의 제작 방법의 예에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태는 발광 소자(발광 디바이스라고도 함)를 가지는 표시 장치이다. 표시 장치는 적어도 상이한 색의 광을 발하는 2개의 발광 소자를 가진다. 발광 소자는 각각 한 쌍의 전극과, 그 사이의 EL층을 가진다. 발광 소자로서는, 유기 EL 소자, 무기 EL 소자 등의 전계 발광 소자를 사용할 수 있다. 그 외에 발광 다이오드(LED)를 사용할 수 있다. 본 발명의 일 형태의 발광 소자는 유기 EL 소자인 것이 바람직하다. 상이한 색을 발하는 2개 이상의 발광 소자는 상이한 재료를 포함하는 EL층을 가진다. 예를 들어 각각 적색(R), 녹색(G), 또는 청색(B)의 광을 발하는 3종류의 발광 소자를 가짐으로써, 풀 컬러의 표시 장치를 실현할 수 있다.
여기서, 상이한 색의 발광 소자 간에서 EL층을 구분 형성하는 방법으로서, 메탈 마스크 등의 섀도 마스크를 사용한 증착법이 알려져 있다. 그러나 이 방법으로는 메탈 마스크의 정밀도, 메탈 마스크와 기판의 위치 어긋남, 메탈 마스크의 휨, 및 증기의 산란 등으로 인한 성막되는 막의 윤곽의 확장 등 다양한 영향을 받아 섬 형상의 유기막의 형상 및 위치가 설계 시와 달라지기 때문에, 고정세화 및 고개구율화가 어렵다. 또한 증착에서 메탈 마스크에 부착된 재료에 기인하는 먼지가 발생하는 경우가 있다. 이와 같은 먼지는 발광 소자의 패턴 불량을 일으킬 우려가 있다. 또한 먼지에 기인한 단락이 생길 가능성이 있다. 또한 메탈 마스크에 부착된 재료의 클리닝의 공정이 필요해진다. 그러므로 예를 들어 펜타일 배열 등 특수한 화소 배열 방식을 적용함으로써 정세도(화소 밀도라고도 함)를 의사적으로 높이는 대책이 강구되어 왔다.
본 발명의 일 형태는 메탈 마스크 등의 섀도 마스크를 사용하지 않고 EL층을 미세한 패턴으로 가공한다. 이에 의하여, 지금까지 실현하기 어려웠던 높은 정세도와 큰 개구율을 가지는 표시 장치를 실현할 수 있다. 또한 EL층을 구분 형성할 수 있기 때문에, 매우 선명하고 콘트라스트가 높고 표시 품위가 높은 표시 장치를 실현할 수 있다.
여기서는 간단하게 하기 위하여 2색의 발광 소자의 EL층을 구분 형성하는 경우에 대하여 설명한다. 먼저 화소 전극을 덮어 제 1 EL막과 제 1 희생막을 적층하여 형성한다. 다음으로 제 1 희생막 위에 레지스트 마스크를 형성한다. 다음으로 레지스트 마스크를 사용하여 제 1 희생막의 일부 및 제 1 EL막의 일부를 에칭하여, 제 1 EL층 및 제 1 EL층 위의 제 1 희생층을 형성한다.
다음으로 제 2 EL막과 제 2 희생막을 적층하여 형성한다. 다음으로 레지스트 마스크를 사용하여 제 2 희생막의 일부 및 제 2 EL막의 일부를 에칭하여, 제 2 EL층 및 제 2 EL층 위의 제 2 희생층을 형성한다. 다음으로 제 1 희생층 및 제 2 희생층을 마스크로서 사용하여 화소 전극을 가공하여, 제 1 EL층과 중첩되는 제 1 화소 전극 및 제 2 EL층과 중첩되는 제 2 화소 전극을 형성한다. 이와 같이 하여 제 1 EL층과 제 2 EL층을 구분 형성할 수 있다. 마지막으로 제 1 희생층 및 제 2 희생층을 제거하고 공통 전극을 형성함으로써, 2색의 발광 소자를 구분 형성할 수 있다.
또한 상술한 것을 반복함으로써 3색 이상의 발광 소자의 EL층을 구분 형성할 수 있고, 3색 이상의 발광 소자를 가지는 표시 장치를 실현할 수 있다.
EL층의 단부에서는, 화소 전극 및 EL층이 제공되는 영역과 화소 전극 및 EL층이 제공되지 않는 영역에 기인하는 단차가 있다. EL층 위에 공통 전극을 형성할 때, EL층의 단부의 단차에 기인하여 공통 전극의 피복성이 떨어져 공통 전극이 절단될 우려가 있다. 또한 공통 전극이 얇아져 전기 저항이 상승될 우려가 있다.
또한 화소 전극의 단부가 EL층의 단부와 실질적으로 일치하는 경우, 및 화소 전극의 단부가 EL층의 단부보다 외측에 위치하는 경우에서는, EL층 위에 공통 전극을 형성할 때에 공통 전극과 화소 전극이 단락되는 경우가 있다.
본 발명의 일 형태는 제 1 EL층과 제 2 EL층 사이에 절연층을 제공함으로써, 공통 전극을 제공하는 면의 요철을 작게 할 수 있다. 따라서 제 1 EL층의 단부 및 제 2 EL층의 단부에서의 공통 전극의 피복성을 높일 수 있고, 공통 전극의 양호한 도전성을 실현할 수 있다. 또한 공통 전극과 화소 전극의 단락을 억제할 수 있다.
상이한 색의 EL층이 인접하는 경우, 인접한 EL층 사이의 간격은, 예를 들어 메탈 마스크를 사용한 형성 방법으로는 10μm 미만으로 하는 것은 어렵지만, 상기 방법을 사용하면, 3μm 이하, 2μm 이하, 또는 1μm 이하까지 좁힐 수 있다. 예를 들어 LSI용 노광 장치를 사용함으로써, 간격을 500nm 이하, 200nm 이하, 100nm 이하, 나아가서는 50nm 이하까지 좁힐 수도 있다. 이에 의하여, 2개의 발광 소자 사이에 존재할 수 있는 비발광 영역의 면적을 크게 축소할 수 있고, 개구율을 100%에 가깝게 할 수 있다. 예를 들어 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상, 나아가서는 90% 이상이며 100% 미만의 개구율을 실현할 수도 있다.
또한 EL층 자체의 패턴도 메탈 마스크를 사용한 경우에 비하여 매우 작게 할 수 있다. 또한 예를 들어 EL층을 구분 형성하기 위하여 메탈 마스크를 사용한 경우에는, 패턴의 중앙과 끝부분에서 두께에 편차가 발생하기 때문에, 패턴 전체의 면적에 대하여 발광 영역으로서 사용할 수 있는 유효 면적이 작아진다. 한편, 상기 제작 방법에서는 균일한 두께로 성막한 막을 가공함으로써 패턴을 형성하기 때문에, 패턴 내에서 두께를 균일하게 할 수 있어, 미세한 패턴이어도 거의 전체 영역을 발광 영역으로서 사용할 수 있다. 그러므로 상기 제작 방법을 사용하면, 높은 정세도와 높은 개구율을 모두 실현할 수 있다.
상술한 바와 같이, 상기 제작 방법을 사용하면, 미세한 발광 소자를 집적한 표시 장치를 실현할 수 있기 때문에, 예를 들어 펜타일 방식 등 특수한 화소 배열 방식을 적용하여 정세도를 의사적으로 높일 필요가 없으므로, R, G, 및 B 각각을 한쪽 방향으로 배열한 소위 스트라이프 배열이 적용되고, 정세도가 500ppi 이상, 1000ppi 이상, 또는 2000ppi 이상, 나아가서는 3000ppi 이상, 더 나아가서는 5000ppi 이상인 표시 장치를 실현할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 더 구체적인 구성예 및 제작 방법의 예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
[구성예 1]
도 1의 (A)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치(100)의 상면 개략도를 나타내었다. 표시 장치(100)는 적색을 나타내는 발광 소자(110R), 녹색을 나타내는 발광 소자(110G), 및 청색을 나타내는 발광 소자(110B)를 각각 복수로 가진다. 도 1의 (A)에서는, 각 발광 소자를 쉽게 구별하기 위하여, 각 발광 소자의 발광 영역 내에 R, G, 및 B의 부호를 붙였다.
발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)는 각각 매트릭스상으로 배열되어 있다. 도 1의 (A)에 나타낸 화소(103)에서는 한 방향으로 동일한 색의 발광 소자가 배열된 소위 스트라이프 배열을 나타내었다. 또한 발광 소자의 배열 방법은 이에 한정되지 않고, 델타 배열, 지그재그 배열 등의 배열 방법을 적용하여도 좋고, 펜타일 배열을 사용할 수도 있다.
발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)로서는, OLED(Organic Light Emitting Diode) 또는 QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode) 등의 EL 소자를 사용하는 것이 바람직하다. EL 소자가 가지는 발광 물질로서는 형광을 발하는 물질(형광 재료), 인광을 발하는 물질(인광 재료), 무기 화합물(퀀텀닷 재료 등), 열 활성화 지연 형광을 나타내는 물질(열 활성화 지연 형광(Thermally activated delayed fluorescence: TADF) 재료) 등을 들 수 있다.
도 1의 (B)는 도 1의 (A)에 나타낸 일점쇄선 A1-A2 및 일점쇄선 C1-C2에 대응하는 단면 개략도이고, 도 1의 (C)는 일점쇄선 B1-B2에 대응하는 단면 개략도이다.
도 1의 (B)에는 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)의 단면을 나타내었다. 도 1의 (B)에 있어서, 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)는 기판(101) 위에 제공되어 있다. 발광 소자(110R)는 화소 전극(111R), EL층(112R), 공통층(114), 및 공통 전극(113)을 가진다. 발광 소자(110G)는 화소 전극(111G), EL층(112G), 공통층(114), 및 공통 전극(113)을 가진다. 발광 소자(110B)는 화소 전극(111B), EL층(112B), 공통층(114), 및 공통 전극(113)을 가진다. 인접한 발광 소자 사이에는 절연층(131)이 제공되어 있다. 또한 이하에서, 화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 및 화소 전극(111B)에 공통된 사항을 설명하는 경우에는 부호에 부가하는 기호를 생략하여 화소 전극(111)이라고 표기하여 설명하는 경우가 있다. 또한 EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)에 공통된 사항을 설명하는 경우에는 부호에 부가하는 기호를 생략하여 EL층(112)이라고 표기하여 설명하는 경우가 있다. 또한 이하에서는 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)에 공통된 사항을 설명하는 경우에는 부호에 부가하는 기호를 생략하여 발광 소자(110)라고 표기하여 설명하는 경우가 있다.
도 2의 (A)에는 도 1의 (B)에서 사각의 일점쇄선으로 둘러싼 영역의 확대도를 나타내었다. 또한 도 2의 (B)에는 도 1의 (C)에서 사각의 일점쇄선으로 둘러싼 영역의 확대도를 나타내었다.
본 명세서 등에 있어서, 확대 전의 도면에서는 보기 쉽게 하기 위하여 층 및 막의 두께를 두껍게 도시하는 경우가 있다. 또한 확대 후의 도면에서는 표시 장치가 가지는 각 구성 요소 간의 거리 등이 상이한 경우가 있다. 예를 들어 도 2의 (A) 등에서는 화소 전극(111R)의 단부와 EL층(112R)의 단부의 거리, 및 화소 전극(111B)의 단부와 EL층(112B)의 단부의 거리를 넓게 도시하였다. 또한 발광 소자(110B)의 구성 요소와 발광 소자(110R)의 구성 요소의 간격을 넓게 도시하였다.
발광 소자(110R)는 화소 전극(111R)과 공통 전극(113) 사이에 EL층(112R)을 가진다. EL층(112R)은 적어도 적색광을 발하는 발광성 유기 화합물을 가진다. 발광 소자(110G)는 화소 전극(111G)과 공통 전극(113) 사이에 EL층(112G)을 가진다. EL층(112G)은 적어도 녹색광을 발하는 발광성 유기 화합물을 가진다. 발광 소자(110B)는 화소 전극(111B)과 공통 전극(113) 사이에 EL층(112B)을 가진다. EL층(112B)은 적어도 청색광을 발하는 발광성 유기 화합물을 가진다.
도 1의 (B) 및 (C)에 있어서, 공통층(114)은 발광 소자(110)의 화소 전극(111)과 공통 전극(113) 사이에 제공되어 있다. 공통층은 각 발광 소자에 공통된 하나의 층으로서 제공되어 있다. 또한 발광 소자(110)가 공통층(114)을 가지지 않는 구성으로 하여도 좋다.
또한 도 1의 (A)에는 공통 전극(113)과 전기적으로 접속되는 접속 전극(111C)을 나타내었다. 접속 전극(111C)에는 공통 전극(113)에 공급하기 위한 전위(예를 들어 애노드 전위 또는 캐소드 전위)가 공급된다. 접속 전극(111C)은 발광 소자(110R) 등이 배열되는 표시 영역의 외부에 제공된다. 또한 도 1의 (A)에서는 공통 전극(113)을 파선으로 나타내었다.
접속 전극(111C)은 표시 영역의 외주를 따라 제공할 수 있다. 예를 들어, 표시 영역의 외주의 한 변을 따라 제공되어 있어도 좋고, 표시 영역의 외주의 두 변 이상을 따라 제공되어 있어도 좋다. 즉 표시 영역의 상면 형상이 장방형인 경우에는 접속 전극(111C)의 상면 형상은 띠 형상, L자형, ㄷ자형(대괄호형), 또는 사각형 등으로 할 수 있다.
또한 도 1의 (B)에는 도 1의 (A)에 나타낸 일점쇄선 C1-C2에 대응하는 단면을 나타내었다. C1-C2에 대응하는 단면에서는 접속 전극(111C)과 공통 전극(113)이 전기적으로 접속되는 영역(130)이 제공된다. 또한 도 1의 (B)에서는 접속 전극(111C)과 공통 전극(113) 사이에 공통층(114)이 제공되는 예를 나타내었지만, 도 1의 (D)에 나타낸 바와 같이 영역(130)에서 공통층(114)을 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 도 1의 (D)에서는 접속 전극(111C)과 공통 전극(113)이 접하는 구성을 나타내고, 이로써 접촉 저항을 보다 낮게 할 수 있다.
영역(130)에서 접속 전극(111C) 위에 공통 전극(113)이 제공되고, 공통 전극(113)을 덮어 보호층(121)이 제공된다.
EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)은 각각 발광성 유기 화합물을 포함하는 층(발광층)을 가진다. 발광층은 발광 물질(게스트 재료)에 더하여 1종류 또는 복수 종류의 화합물(호스트 재료, 어시스트 재료)을 가져도 좋다. 호스트 재료, 어시스트 재료로서는 발광 물질(게스트 재료)의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 가지는 물질을 1종류 또는 복수 종류 선택하여 사용할 수 있다. 호스트 재료, 어시스트 재료로서는 들뜬 복합체를 형성하는 화합물을 조합하여 사용하는 것이 바람직하다. 들뜬 복합체를 효율적으로 형성하기 위해서는, 정공을 받기 쉬운 화합물(정공 수송성 재료)과 전자를 받기 쉬운 화합물(전자 수송성 재료)을 조합하는 것이 특히 바람직하다.
발광 소자에는 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물 중 어느 것을 사용할 수도 있고, 무기 화합물(퀀텀닷 재료 등)을 포함하여도 좋다.
EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)은 각각 발광층 외에 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 주입층, 및 정공 수송층 중 하나 이상을 가져도 좋다.
화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 및 화소 전극(111B)은 각각 발광 소자마다 제공되어 있다. 또한 공통 전극(113)은 각 발광 소자에 공통된 하나의 층으로서 제공되어 있다. 각 화소 전극과 공통 전극(113) 중 어느 한쪽에 가시광에 대한 투광성을 가지는 도전막을 사용하고, 다른 쪽에 반사성을 가지는 도전막을 사용한다. 각 화소 전극이 투광성을 가지고, 공통 전극(113)이 반사성을 가지면, 배면 발광 방식(보텀 이미션형)의 표시 장치를 얻을 수 있고, 그 반대로 각 화소 전극이 반사성을 가지고, 공통 전극(113)이 투광성을 가지면, 전면 발광 방식(톱 이미션형)의 표시 장치를 얻을 수 있다. 또한 각 화소 전극과 공통 전극(113)의 양쪽이 투광성을 가지면, 양면 발광 방식(듀얼 이미션형) 표시 장치를 얻을 수도 있다.
화소 전극(111)에는 가시광에 대하여 반사성을 가지는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 도전막에는, 예를 들어 은, 알루미늄, 타이타늄, 탄탈럼, 몰리브데넘, 백금, 금, 질화 타이타늄, 질화 탄탈럼 등을 사용할 수 있다. 또한 화소 전극(111)으로서 합금을 사용할 수 있다. 예를 들어 은을 포함한 합금을 사용할 수 있다. 은을 포함한 합금으로서 예를 들어 은, 팔라듐, 및 구리를 포함한 합금을 사용할 수 있다. 또한 예를 들어 알루미늄을 포함한 합금을 사용할 수 있다. 또한 이들 재료 중 2개 이상을 포함하는 적층을 사용하여도 좋다.
또한 화소 전극(111)으로서, 가시광에 대하여 반사성을 가지는 도전막 및 그 위의 가시광에 대하여 투광성을 가지는 도전막을 사용할 수 있다. 가시광에 대하여 투광성을 가지는 도전성 재료로서, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 포함하는 산화 아연, 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물, 실리콘을 포함하는 인듐 아연 산화물 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다. 또한 가시광에 대하여 반사성을 가지는 도전성 재료의 산화물을 사용하여도 좋고, 상기 산화물은 가시광에 대하여 반사성을 가지는 도전성 재료의 표면을 산화함으로써 형성되어도 좋다. 구체적으로는 예를 들어 산화 타이타늄을 사용하여도 좋다. 산화 타이타늄은 예를 들어 타이타늄의 표면을 산화함으로써 형성되어도 좋다.
화소 전극(111)의 표면에 산화물을 제공함으로써, EL층(112)의 형성 시에 화소 전극(111)과의 산화 반응 등을 억제할 수 있다.
또한 화소 전극(111)으로서, 가시광에 대하여 반사성을 가지는 도전막 위에 가시광에 대하여 투광성을 가지는 도전막을 적층하여 제공함으로써, 가시광에 대하여 투광성을 가지는 도전막을 광학 조정층으로서 기능시킬 수 있다.
화소 전극(111)이 광학 조정층을 가지면, 광로 길이를 조정할 수 있다. 각 발광 소자에서의 광로 길이는 예를 들어 광학 조정층의 두께와 EL층(112)에서 발광성 화합물을 포함한 막보다 아래층에 제공되는 층의 두께의 합에 상당한다.
발광 소자에서, 마이크로캐비티 구조(미소 공진기 구조)를 사용하여 광로 길이를 다르게 함으로써, 특정의 파장의 광을 강하게 할 수 있다. 이에 의하여, 색 순도가 높아진 표시 장치를 실현할 수 있다.
예를 들어 각 발광 소자에서, EL층(112)의 두께를 다르게 함으로써 마이크로캐비티 구조를 실현할 수 있다. 예를 들어 파장이 가장 긴 광을 발하는 발광 소자(110R)의 EL층(112R)이 가장 두껍고, 파장이 가장 짧은 광을 발하는 발광 소자(110B)의 EL층(112B)이 가장 얇은 구성으로 할 수 있다. 또한 이에 한정되지 않고 각 발광 소자가 발하는 광의 파장, 발광 소자를 구성하는 층의 광학 특성, 및 발광 소자의 전기 특성 등을 고려하여 각 EL층의 두께를 조정할 수 있다.
화소 전극(111)의 상면 및 단부는 EL층(112)으로 덮인다. EL층(112)의 단부는 화소 전극(111)의 단부보다 외측에 위치하는 것이 바람직하다.
EL층(112)이 화소 전극(111)의 상면 및 단부를 덮는 것에 의하여, 화소 전극(111)을 노출시키지 않고 EL층(112)의 형성 공정, 절연층(131)의 형성 공정 등을 수행할 수 있다.
EL층(112) 형성 시 또는 절연층(131) 형성 시의 에칭 공정에 있어서 화소 전극(111)의 단부 등이 노출되어 있는 경우에는 노출된 영역에서 부식이 발생할 경우가 있다. 화소 전극(111)의 부식에 의하여 발생된 생성물은 불안정한 경우가 있으며, 예를 들어 웨트 에칭의 경우에는 용액 중에 용해하고, 드라이 에칭의 경우에는 분위기 중에 비산할 우려가 있다. 생성물의 용액 중으로의 용해 및 분위기 중으로의 비산에 의하여 예를 들어 EL층(112)의 측면 및 기판(101)의 표면 등에 생성물이 부착되어, 인접한 복수의 발광 소자(110) 사이에 누설 경로 등이 형성될 가능성이 있다.
EL층(112)이 되는 막 또는 절연층(131)이 되는 막 등은 화소 전극(111)이 노출된 영역 위에서는 밀착성이 저하되는 경우가 있으므로, 막 박리 등이 발생할 가능성이 있다.
화소 전극(111)의 상면 및 단부를 EL층(112)으로 덮는 구성으로 함으로써, 예를 들어 발광 소자(110)의 수율을 향상시킬 수 있으므로 발광 소자(110)의 표시 품위를 향상시킬 수 있다.
인접한 발광 소자(110) 사이에는 절연층(131)이 제공되어 있다. 절연층(131)은 발광 소자(110)가 가지는 각 EL층(112) 사이에 위치한다. 또한 절연층(131) 위에는 공통 전극(113)이 제공되어 있다.
절연층(131)은 예를 들어 상이한 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에 제공된다. 또는 절연층(131)은 예를 들어 같은 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에 제공된다. 또는 절연층(131)이 상이한 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에 제공되고, 같은 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에는 제공되지 않는 구성으로 하여도 좋다.
절연층(131)은 예를 들어 상면에서 보았을 때 2개의 EL층(112) 사이에 제공된다.
EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)은 각각 화소 전극의 상면에 접한 영역과, 절연층(131)의 측면에 접한 영역을 가지는 것이 바람직하다. EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)의 단부는 절연층(131)의 측면과 접하는 것이 바람직하다.
상이한 색의 발광 소자 사이에 절연층(131)을 제공함으로써, EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112G)이 서로 접하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 인접한 2개의 EL층을 통하여 전류가 흘러, 의도치 않은 발광이 발생되는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 그러므로 콘트라스트를 높일 수 있고, 표시 품위가 높은 표시 장치를 실현할 수 있다.
절연층(131)은 절연층(131a) 및 절연층(131b)을 가진다. 절연층(131b)은 발광 소자(110)가 가지는 각 EL층(112)의 측면과 접하도록 제공된다. 또한 단면에서 보았을 때, 절연층(131b)의 오목부를 충전하도록 절연층(131b) 위에 접하여 절연층(131a)이 제공되어 있다.
도 1에서는, 상면에서 보았을 때, 절연층(131)은 그물상(격자상 또는 매트릭스상이라고 할 수도 있음) 형상을 가지도록, 인접한 화소의 EL층(112) 사이에 배치되어 있다.
절연층(131)은 예를 들어 상이한 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에 제공된다. 또는 절연층(131)은 예를 들어 같은 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에 제공된다. 또는 절연층(131)이 상이한 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에 제공되고, 같은 색을 나타내는 2개의 EL층(112) 사이에는 제공되지 않는 구성으로 하여도 좋다.
절연층(131)은 예를 들어 상면에서 보았을 때 2개의 EL층(112) 사이에 제공된다.
EL층(112)의 단부는 절연층(131b)과 접한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
상이한 색의 발광 소자 사이에 절연층(131)을 제공함으로써, EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112G)이 서로 접하는 것을 억제할 수 있다. 이로써, 인접한 2개의 EL층을 통하여 전류가 흘러, 의도치 않은 발광이 발생되는 것을 적합하게 방지할 수 있다. 그러므로 콘트라스트를 높일 수 있고, 표시 품위가 높은 표시 장치를 실현할 수 있다.
또한 같은 색을 나타내는 인접한 화소 사이에 절연층(131)을 제공하지 않고, 상이한 색을 나타내는 화소 사이에만 절연층(131)을 형성하여도 좋다. 이 경우, 상면에서 보았을 때 스트라이프 형상을 가지는 절연층(131)으로 할 수 있다. 절연층(131)을 스트라이프 형상으로 함으로써, 격자상의 형상을 가지는 경우에 비하여 절연층(131)을 형성하기 위한 공간이 불필요하게 되기 때문에 개구율을 높일 수 있다. 절연층(131)을 스트라이프 형상으로 하는 경우, 인접한 같은 색의 EL층은 열 방향으로 연속되도록 띠 형상으로 가공되어 있어도 좋다.
공통층(114)은 EL층(112)의 상면, 절연층(131a)의 상면, 및 절연층(131b)의 상면에 접하여 제공되는 것이 바람직하다. 공통 전극(113)은 공통층(114)의 상면에 접하여 제공되는 것이 바람직하다. 또한 발광 소자(110)가 공통층(114)을 가지지 않는 구성의 경우에는 공통 전극(113)이 EL층(112)의 상면, 절연층(131a)의 상면, 및 절연층(131b)의 상면에 접하여 제공되는 것이 바람직하다.
인접한 발광 소자 사이에서, EL층(112)의 단부에는, EL층(112)이 제공되는 영역과 EL층(112)이 제공되지 않는 영역에 기인하는 단차가 있다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서는 절연층(131a) 및 절연층(131b)이 상기 단차를 평탄화시킴으로써, 인접한 발광 소자 사이에서 공통 전극(113)이 기판(101)과 접촉하여 제공되는 경우에 비하여 공통 전극의 피복성을 향상시킬 수 있기 때문에, 단절로 인한 접속 불량을 억제할 수 있다. 또는 단차로 인하여 공통 전극(113)이 국소적으로 박막화되어 전기 저항이 상승되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태에서는 인접하여 배치되는 EL층(112) 사이에 절연층(131a) 및 절연층(131b)을 제공함으로써, 공통 전극(113)의 형성면의 요철을 작게 할 수 있기 때문에, EL층(112)의 단부에서의 공통 전극(113)의 피복성을 높일 수 있고, 공통 전극(113)의 양호한 도전성을 실현할 수 있다.
공통 전극(113)의 형성면의 평탄성을 향상시키기 위해서는, EL층(112)의 단부에서 절연층(131a)의 상면, 절연층(131b)의 상면이 EL층(112)의 상면과 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다. 또한 절연층(131)의 상면은 평탄한 형상을 가지는 것이 바람직하다. 다만 절연층(131a)의 상면, 절연층(131b)의 상면, 및 EL층(112)의 상면은 반드시 일치하지 않아도 된다. 또한 상이한 색에 대응하는 EL층(112)들의 상면의 높이가 서로 다른 경우에는, 절연층(131a)의 상면의 높이는 각각의 EL층 근방에서 상기 EL층의 상면의 높이와 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다. 또한 절연층(131b)의 상면의 높이는 각각의 EL층의 측면과 접한 영역에서 상기 EL층의 높이와 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다.
도 2의 (A) 등에 나타낸 바와 같이, 절연층(131a)의 상면의 높이는 예를 들어, EL층(112B) 근방에서는 EL층(112B)의 상면의 높이와 실질적으로 일치하고, EL층(112R) 근방에서는 EL층(112R)의 상면의 높이와 실질적으로 일치한다. 또한 절연층(131b)의 상면의 높이는 예를 들어, EL층(112B)의 측면에 접한 영역에서는 EL층(112B)의 상면의 높이와 실질적으로 일치하고, EL층(112R)의 측면에 접한 영역에서는 EL층(112R)의 상면의 높이와 실질적으로 일치한다.
도 2의 (C)에는 도 2의 (B)와 비교하여 절연층(131a) 등의 형상이 다른 예를 나타내었다. 도 2의 (C)에 있어서, 절연층(131a)의 상면은 EL층(112)의 단부의 높이보다 낮다.
도 3의 (A) 및 (B)에는 도 2의 (A) 및 (B)와 비교하여 절연층(131a) 등의 형상이 다른 예를 나타내었다. 도 3의 (A) 및 (B)에 있어서, 절연층(131a)의 상면은 중앙 및 그 근방이 오목한 형상을 가진다.
도 3의 (C)에는 도 2의 (B)와 비교하여 절연층(131a) 등의 형상이 다른 예를 나타내었다. 도 3의 (C)에 있어서, 절연층(131a)의 상면은 중앙 및 그 근방이 볼록한 형상을 가진다.
절연층(131b)은 EL층(112)의 측면과 접한 영역을 가지고, EL층(112)의 보호 절연층으로서 기능한다. 절연층(131b)을 제공함으로써 EL층(112)의 측면으로부터 내부로 산소, 수분, 또는 이들의 구성 원소가 침입하는 것을 억제할 수 있어, 신뢰성이 높은 표시 장치로 할 수 있다.
단면에서 보았을 때 EL층(112)의 측면과 접한 영역에서의 절연층(131b)의 폭이 크면 EL층(112)의 간격이 크게 되고, 개구율이 낮아지는 경우가 있다. 또한 절연층(131b)의 폭이 작으면 EL층(112)의 측면으로부터 내부로 산소, 수분, 또는 이들의 구성 원소가 침입하는 것을 억제하는 효과가 작아지는 경우가 있다. EL층(112)의 측면과 접한 영역에서의 절연층(131b)의 폭은 3nm 이상 200nm 이하가 바람직하고, 3nm 이상 150nm 이하가 더 바람직하고, 5nm 이상 150nm 이하가 더욱 바람직하고, 5nm 이상 100nm 이하가 더욱더 바람직하고, 10nm 이상 100nm 이하가 나아가 더욱더 바람직하고, 10nm 이상 50nm 이하가 특히 바람직하다. 절연층(131b)의 폭을 상술한 범위로 함으로써, 높은 개구율을 가지며 신뢰성이 높은 표시 장치로 할 수 있다.
절연층(131b)은 무기 재료를 가지는 절연층으로 할 수 있다. 절연층(131b)으로서 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 하프늄, 산화 갈륨, 인듐 갈륨 아연 산화물, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화 실리콘, 또는 질화산화 실리콘 등을 단층으로 또는 적층하여 사용할 수 있다. 특히 산화 알루미늄은 에칭 시에 EL층(112)과의 선택비가 높고, 후술하는 절연층(131b)의 형성 시에 EL층(112)을 보호하는 기능을 가지기 때문에 바람직하다. 특히 ALD법에 의하여 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 절연층(131b)으로서 사용함으로써 핀홀이 적은 막으로 할 수 있고, EL층(112)을 보호하는 기능이 우수한 절연층(131b)으로 할 수 있다.
또한 본 명세서에서 산화질화물이란, 그 조성으로서 질소보다 산소의 함유량이 많은 재료를 가리키고, 질화 산화물이란, 그 조성으로서 산소보다 질소의 함유량이 많은 재료를 가리킨다. 예를 들어, 산화질화 실리콘이라고 기재한 경우에는 그 조성으로서 질소보다 산소의 함유량이 많은 재료를 가리키고, 질화산화 실리콘이라고 기재한 경우에는 그 조성으로서 산소보다 질소의 함유량이 많은 재료를 가리킨다.
절연층(131b)의 형성에는 스퍼터링법, 화학 기상 성장(CVD: Chemical Vapor Deposition)법, 분자선 에피택시(MBE: Molecular Beam Epitaxy)법, 펄스 레이저 퇴적(PLD: Pulsed Laser Deposition)법, 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법 등을 사용할 수 있다. 절연층(131b)의 형성에는 피복성이 양호한 ALD법을 적합하게 사용할 수 있다.
절연층(131b) 위에 제공되는 절연층(131a)은 인접한 발광 소자 사이에 형성된 절연층(131b)의 오목부를 평탄화하는 기능을 가진다. 바꿔 말하면, 절연층(131a)은 공통 전극(113)의 형성면의 평탄성을 향상시키는 효과를 가진다. 절연층(131a)으로서는 유기 재료를 가지는 절연층을 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어 절연층(131a)으로서 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록세인 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 적용할 수 있다. 또한 절연층(131a)으로서 감광성 수지를 사용할 수 있다. 감광성 수지로서는 포지티브형 재료 또는 네거티브형 재료를 사용할 수 있다.
절연층(131a)을 감광성 수지를 사용하여 형성함으로써, 노광 및 현상의 공정만으로 절연층(131a)을 제작할 수 있다.
절연층(131a)의 상면과 EL층(112)의 상면의 높이의 차이는 예를 들어 절연층(131a)의 두께의 0.5배 이하가 바람직하고, 절연층(131a)의 두께의 0.3배 이하가 더 바람직하다. 또한 예를 들어 EL층(112)의 상면이 절연층(131a)의 상면보다 높아지도록 절연층(131a)을 제공하면 좋다. 또한 절연층(131a)의 두께는 예를 들어 화소 전극(111)의 두께의 0.3배 이상, 또는 0.5배 이상, 또는 0.7배 이상인 것이 바람직하다.
또한 공통 전극(113) 위에는 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)를 덮어 보호층(121)이 제공되어 있다. 보호층(121)은 위쪽으로부터 각 발광 소자로 물 등의 불순물이 확산되는 것을 방지하는 기능을 가진다.
보호층(121)은 예를 들어 적어도 무기 절연막을 포함하는 단층 구조 또는 적층 구조로 할 수 있다. 무기 절연막으로서는 예를 들어 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화질화 알루미늄막, 산화 하프늄막 등의 산화물막 또는 질화물막이 있다. 또는 보호층(121)으로서 인듐 갈륨 산화물, 인듐 갈륨 아연 산화물 등의 반도체 재료를 사용하여도 좋다.
또한 보호층(121)으로서 무기 절연막과 유기 절연막의 적층막을 사용할 수도 있다. 예를 들어 한 쌍의 무기 절연막 사이에 유기 절연막을 끼운 구성으로 하는 것이 바람직하다. 또한 유기 절연막이 평탄화막으로서 기능하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 유기 절연막의 상면을 평탄하게 할 수 있기 때문에, 그 위의 무기 절연막의 피복성이 향상되어 배리어성을 높일 수 있다. 또한 보호층(121)의 상면이 평탄하게 되기 때문에 보호층(121)의 위쪽에 구조물(예를 들어 컬러 필터, 터치 센서의 전극, 또는 렌즈 어레이 등)을 제공하는 경우에, 아래쪽의 구조에 기인하는 요철 형상의 영향을 경감할 수 있어 바람직하다.
공통 전극(113)과 같이, 공통층(114)은 복수의 발광 소자에 걸쳐 제공된다. 공통층(114)은 EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)을 덮어 제공되어 있다. 공통층(114)을 가지는 구성으로 함으로써, 제작 공정을 간략화할 수 있기 때문에 제작 비용을 절감할 수 있다. 공통층(114)과 공통 전극(113)은 에칭 등의 공정을 사이에 끼우지 않고 연속적으로 형성할 수 있다. 따라서 공통층(114)과 공통 전극의 계면을 청정한 면으로 할 수 있고, 발광 소자에서 양호한 특성을 얻을 수 있다.
EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)은 예를 들어 적어도 각각 하나의 색을 발광하는 발광 재료를 포함하는 발광층을 가지는 것이 바람직하다. 또한 공통층(114)은 예를 들어 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 주입층, 또는 정공 수송층 중 하나 이상을 포함하는 층으로 하는 것이 바람직하다. 화소 전극을 애노드로 하고, 공통 전극을 캐소드로 한 발광 소자에서는, 공통층(114)으로서 전자 주입층을 포함하는 구성, 또는 전자 주입층과 전자 수송층의 2개를 포함하는 구성을 사용할 수 있다.
[제작 방법의 예 1]
이하에서는 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 제작 방법의 일례에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 여기서는, 상기 구성예에 나타낸 표시 장치(100)를 예로 들어 설명한다. 도 4의 (A) 내지 도 7의 (C)는 이하에서 예시하는 표시 장치의 제작 방법의 각 공정에서의 단면 개략도이다.
또한 표시 장치를 구성하는 박막(절연막, 반도체막, 도전막 등)은 스퍼터링법, 화학 기상 퇴적(CVD: Chemical Vapor Deposition)법, 진공 증착법, 펄스 레이저 퇴적(PLD: Pulsed Laser Deposition)법, 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법 등을 이용하여 형성할 수 있다. CVD법으로서는 플라스마 화학 기상 퇴적(PECVD: Plasma Enhanced CVD)법 또는 열 CVD법 등이 있다. 또한 열 CVD법 중 하나에 유기 금속 화학 기상 퇴적(MOCVD: Metal Organic CVD)법이 있다.
또한 표시 장치를 구성하는 박막(절연막, 반도체막, 도전막 등)은 스핀 코팅, 디핑(dipping), 스프레이 도포, 잉크젯, 디스펜싱, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 닥터 나이프법, 슬릿 코팅, 롤 코팅, 커튼 코팅, 나이프 코팅 등의 방법에 의하여 형성할 수 있다.
또한 표시 장치를 구성하는 박막을 가공할 때 포토리소그래피법 등을 사용할 수 있다. 그 외에 나노임프린트법, 샌드 블라스트법, 리프트 오프법 등에 의하여 박막을 가공하여도 좋다. 또한 메탈 마스크 등의 차폐 마스크를 사용한 성막 방법에 의하여 섬 형상의 박막을 직접 형성하여도 좋다.
포토리소그래피법으로서 대표적으로는 다음 2가지 방법이 있다. 하나는 가공하고자 하는 박막 위에 레지스트 마스크를 형성하고, 에칭 등에 의하여 상기 박막을 가공하고, 레지스트 마스크를 제거하는 방법이다. 다른 하나는 감광성을 가지는 박막을 성막한 후에, 노광, 현상을 수행하여 상기 박막을 원하는 형상으로 가공하는 방법이다.
포토리소그래피법에서 노광에 사용하는 광으로서는, 예를 들어 i선(파장 365nm), g선(파장 436nm), h선(파장 405nm), 또는 이들을 혼합시킨 광을 사용할 수 있다. 그 외에, 자외선, KrF 레이저 광, 또는 ArF 레이저 광 등을 사용할 수도 있다. 또한 액침 노광 기술에 의하여 노광을 수행하여도 좋다. 또한 노광에 사용되는 광으로서 극자외(EUV: Extreme Ultra-violet)광 또는 X선을 사용하여도 좋다. 또한 노광에 사용되는 광 대신에 전자 빔을 사용할 수도 있다. 극자외광, X선, 또는 전자 빔을 사용하면, 매우 미세한 가공을 수행할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한 전자 빔 등의 빔을 주사하여 노광을 수행하는 경우에는 포토마스크가 불필요하다.
박막의 에칭에는 드라이 에칭법, 웨트 에칭법, 샌드 블라스트법 등을 사용할 수 있다.
[기판(101)의 준비]
기판(101)으로서는 적어도 추후의 열처리에 견딜 수 있을 정도의 내열성을 가지는 기판을 사용할 수 있다. 기판(101)으로서 절연성 기판을 사용하는 경우에는 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 세라믹 기판, 유기 수지 기판 등을 사용할 수 있다. 또한 실리콘 또는 탄소화 실리콘 등을 재료로 한 단결정 반도체 기판 또는 다결정 반도체 기판, 실리콘 저마늄 등으로 이루어지는 화합물 반도체 기판, SOI 기판 등의 반도체 기판을 사용할 수 있다.
특히 기판(101)으로서 상기 반도체 기판 또는 절연성 기판 위에 트랜지스터 등의 반도체 소자를 포함하는 반도체 회로가 형성된 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 도 4 등에서는 명료하게 설명하기 위하여 반도체 회로의 자세한 사항에 대해서는 도시하지 않았다. 상기 반도체 회로는 예를 들어 화소 회로, 게이트선 구동 회로(게이트 드라이버), 소스선 구동 회로(소스 드라이버) 등을 구성하는 것이 바람직하다. 또한 상기에 더하여 연산 회로, 기억 회로 등이 구성되어 있어도 좋다.
이어서, 기판(101) 위에 화소 전극(111)이 되는 도전막을 성막한다. 이어서 도전막의 일부를 에칭하여 기판(101) 위에 화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 화소 전극(111B), 및 접속 전극(111C)을 형성한다(도 4의 (A)).
화소 전극으로서 가시광에 대하여 반사성을 가지는 도전막을 사용하는 경우, 가시광의 파장 영역 전체에서 반사율이 가능한 한 높은 재료(예를 들어 은 또는 알루미늄 등)를 적용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 발광 소자의 광 추출 효율을 높일 수 있을 뿐만 아니라, 색 재현성도 높일 수 있다.
[EL막(112Rf)의 형성]
다음으로 화소 전극(111R), 화소 전극(111G), 및 화소 전극(111B) 위에, 추후에 EL층(112R)이 되는 EL막(112Rf)을 성막한다.
EL막(112Rf)은 적어도 발광성의 화합물을 포함하는 막을 가진다. 이 외에 전자 주입층, 전자 수송층, 전하 발생층, 정공 수송층, 또는 정공 주입층으로서 기능하는 막 중 하나 이상이 적층된 구성으로 하여도 좋다. EL막(112Rf)은 예를 들어 증착법, 스퍼터링법, 또는 잉크젯법 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한 이에 한정되지 않고, 상술한 성막 방법을 적절히 사용할 수 있다.
[희생막(144(1)R) 및 희생막(144(2)R)의 형성]
이어서, 희생막의 성막 공정에 대하여 설명한다.
희생막(144R)은 희생층(145R)이 되는 막이다. 희생막(144G)은 희생층(145G)이 되는 막이다. 희생막(144B)은 희생층(145B)이 되는 막이다. 희생층(145R), 희생층(145G), 및 희생층(145B)을 통틀어 희생층(145)이라고 부르는 경우가 있다. 희생층(145)으로서 단층 구조를 사용하여도 좋고, 2층 이상의 적층 구조를 사용할 수도 있다.
이하에서는 2층 구조의 희생층을 사용하는 예를 설명한다.
이하에 설명하는 예에서는 희생막(144R)으로서 희생막(144(1)R)과 희생막(144(2)R)의 적층 구조를 사용하고, 희생막(144G)으로서 희생막(144(1)G)과 희생막(144(2)G)의 적층 구조를 사용하고, 희생막(144B)으로서 희생막(144(1)B)과 희생막(144(2)B)의 적층 구조를 사용한다.
희생막(144(1)R)은 희생층(145(1)R)이 되는 막이고, 희생막(144(2)R)은 희생층(145(2)R)이 되는 막이다. 희생막(144(1)G)은 희생층(145(1)G)이 되는 막이고, 희생막(144(2)G)은 희생층(145(2)G)이 되는 막이다. 희생막(144(1)B)은 희생층(145(1)B)이 되는 막이고, 희생막(144(2)B)은 희생층(145(2)B)이 되는 막이다.
희생막의 성막 공정으로서는 우선 EL막(112Rf)을 덮어 희생막(144(1)R)을 형성한다. 또한 희생막(144(1)R)은 접속 전극(111C)의 상면에 접하여 제공된다. 이어서 희생막(144(1)R) 위에 희생막(144(2)R)을 형성한다.
희생막(144(1)R) 및 희생막(144(2)R)의 형성에는 예를 들어 스퍼터링법, ALD법(열 ALD법, PEALD법), 또는 진공 증착법을 사용할 수 있다. 또한 EL층에 주는 대미지가 적은 형성 방법이 바람직하고, EL막(112Rf) 위에 직접 형성하는 희생막(144(1)R)은 스퍼터링법보다 ALD법 또는 진공 증착법을 사용하여 형성하는 것이 적합하다.
희생막(144(1)R)으로서는 금속막, 합금막, 금속 산화물막, 반도체막, 무기 절연막 등의 무기막을 적합하게 사용할 수 있다.
또한 희생막(144(1)R)으로서 산화물막을 사용할 수 있다. 대표적으로는 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화질화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화질화 하프늄 등의 산화물막 또는 산화질화물막을 사용할 수도 있다. 또한 희생막(144(1)R)으로서는 예를 들어 질화물막을 사용할 수 있다. 구체적으로는 질화 실리콘, 질화 알루미늄, 질화 하프늄, 질화 타이타늄, 질화 탄탈럼, 질화 텅스텐, 질화 갈륨, 질화 저마늄 등의 질화물을 사용할 수도 있다. 이러한 무기 재료는 스퍼터링법, CVD법, 또는 ALD법 등의 성막 방법을 사용하여 형성할 수 있지만, EL막(112Rf) 위에 직접 형성하는 희생막(144(1)R)은 특히 ALD법을 사용하여 형성하는 것이 바람직하다.
또한 희생막(144(1)R)에 예를 들어 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 타이타늄, 알루미늄, 이트륨, 지르코늄, 및 탄탈럼 등의 금속 재료, 또는 상기 금속 재료가 포함되는 합금 재료를 사용할 수 있다. 특히 알루미늄 또는 은 등의 저융점 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또한 희생막(144(1)R)에 인듐 갈륨 아연 산화물(In-Ga-Zn 산화물, IGZO라고도 표기함) 등의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 또한 산화 인듐, 인듐 아연 산화물(In-Zn 산화물), 인듐 주석 산화물(In-Sn 산화물), 인듐 타이타늄 산화물(In-Ti 산화물), 인듐 주석 아연 산화물(In-Sn-Zn 산화물), 인듐 타이타늄 아연 산화물(In-Ti-Zn 산화물), 인듐 갈륨 주석 아연 산화물(In-Ga-Sn-Zn 산화물) 등을 사용할 수 있다. 또는 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물 등을 사용할 수도 있다.
또한 상기 갈륨 대신에 원소 M(M은 알루미늄, 실리콘, 붕소, 이트륨, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘에서 선택된 1종류 또는 복수 종류)을 사용한 경우에도 적용할 수 있다. 특히 M은 갈륨, 알루미늄, 및 이트륨에서 선택된 1종류 또는 복수 종류로 하는 것이 바람직하다.
위에서 든 희생막(144(1)R)에 사용할 수 있는 재료를 희생막(144(2)R)에 사용할 수 있다. 또한 위에서 든 희생막(144(1)R)에 사용할 수 있는 재료 중에서, 하나를 희생막(144(1)R)으로서 선택하고, 다른 하나를 희생막(144(2)R)으로서 선택할 수 있다. 또한 위에서 든 희생막(144(1)R)에 사용할 수 있는 재료 중에서, 하나 또는 복수의 재료를 희생막(144(1)R)으로서 선택하고, 희생막(144(1)R)으로서 선택된 재료 이외의 재료를 희생막(144(2)R)으로서 선택할 수 있다.
희생막(144(1)R)으로서는, EL막(112Rf) 등의 각 EL막의 에칭 처리에 대한 내성이 높은 막, 즉 에칭 선택비가 큰 막을 사용할 수 있다. 또한 희생막(144(1)R)으로서는, 각 EL막에 주는 대미지가 적은 웨트 에칭법을 사용하여 제거할 수 있는 막을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
또한 희생막(144(1)R)에는, 적어도 EL막(112Rf)의 최상부에 위치하는 막에 대하여 화학적으로 안정된 용매에 용해될 수 있는 재료를 사용하여도 좋다. 특히 물 또는 알코올에 용해되는 재료를 희생막(144(1)R)에 적합하게 사용할 수 있다. 희생막(144(1)R)은, 재료를 물 또는 알코올 등의 용매에 용해시킨 상태에서 습식의 성막 방법으로 도포한 후에, 용매를 증발시키기 위한 가열 처리를 함으로써 성막하는 것이 바람직하다. 이때, 감압 분위기하에서 가열 처리를 수행하면, 저온에서 용매를 단시간에 제거할 수 있기 때문에, EL막(112Rf)에 주는 열적인 대미지를 저감할 수 있어 바람직하다.
희생막(144(1)R)의 형성에 사용할 수 있는 습식 성막 방법으로서는 스핀 코팅, 디핑, 스프레이 도포, 잉크젯, 디스펜싱, 스크린 인쇄, 오프셋 인쇄, 닥터 나이프법, 슬릿 코팅, 롤 코팅, 커튼 코팅, 나이프 코팅 등을 들 수 있다.
희생막(144(1)R)으로서는, 폴리바이닐알코올(PVA), 폴리바이닐뷰티랄, 폴리바이닐피롤리돈, 폴리에틸렌글라이콜, 폴리글리세린, 풀루란, 수용성 셀룰로스, 또는 알코올 가용성 폴리아마이드 수지 등의 유기 재료를 사용할 수 있다.
희생막(144(2)R)에는 희생막(144(1)R)과의 선택비가 큰 막을 사용하면 좋다.
희생막(144(1)R)에 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하고, 희생막(144(2)R)에 스퍼터링법으로 형성한 인듐 갈륨 아연 산화물(In-Ga-Zn 산화물, IGZO라고도 표기함) 등 인듐을 포함한 금속 산화물을 사용하는 것이 특히 바람직하다.
또한 희생막(144(2)R)으로서, EL막(112Rf) 등에 사용할 수 있는 유기막을 사용하여도 좋다. 예를 들어 EL막(112Rf), EL막(112Gf), 또는 EL막(112Bf)에 사용하는 유기막과 동일한 막을 희생막(144(2)R)으로서 사용할 수 있다. 이와 같은 유기막을 사용함으로써, EL막(112Rf) 등의 형상에 사용되는 성막 장치를 공통적으로 사용할 수 있기 때문에 바람직하다. 또한 EL막(112Rf) 등을 에칭할 때 희생층(145(2)R)을 동시에 제거할 수 있기 때문에 공정을 간략화할 수 있다.
예를 들어 희생막(144(1)R)의 에칭에 플루오린을 포함하는 가스(플루오린계 가스라고도 함)를 사용한 드라이 에칭을 사용하는 경우에는 실리콘, 질화 실리콘, 산화 실리콘, 텅스텐, 타이타늄, 몰리브데넘, 탄탈럼, 질화 탄탈럼, 몰리브데넘과 나이오븀을 포함하는 합금, 또는 몰리브데넘과 텅스텐을 포함하는 합금 등을 희생막(144(2)R)에 사용할 수 있다. 여기서 상기 플루오린계 가스를 사용한 드라이 에칭에서 에칭 선택비가 큰(즉, 에칭 속도를 느리게 할 수 있는) 막으로서는 IGZO, ITO 등의 금속 산화물막 등이 있고, 이를 희생막(144(1)R)으로서 사용할 수 있다.
[레지스트 마스크(143a)의 형성]
다음으로 희생막(144(2)R) 위에 레지스트 마스크(143a)를 형성한다(도 4의 (B)). 또한 도 4의 (B)에는, 영역(130)에서 EL막(112Rf)이 성막되지 않는 예를 나타내었다. EL막(112Rf)의 성막 시, 영역(130)을 차폐하는 경우에는, 메탈 마스크를 사용할 수 있다. 이때 사용하는 메탈로는 표시부의 화소 영역을 차폐하지 않아도 되기 때문에, 고정세 마스크를 사용할 필요가 없다.
레지스트 마스크(143a)에는 포지티브형 레지스트 재료 또는 네거티브형 레지스트 재료 등 감광성 수지를 포함하는 레지스트 재료를 사용할 수 있다.
여기서 희생막(144(2)R) 위에 레지스트 마스크(143a)를 형성하는 경우, 희생막(144(2)R)에 핀홀 등의 결함이 존재하면 레지스트 재료의 용매에 의하여 EL막(112Rf)이 용해될 우려가 있다. 희생막(144(1)R)으로서 ALD법에 의하여 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하면, 핀홀이 적은 막으로 할 수 있고, 이와 같은 문제가 생기는 것을 방지할 수 있다.
[희생막(144(1)R) 및 희생막(144(2)R)의 에칭]
다음으로 레지스트 마스크(143a)로 덮이지 않은, 희생막(144(2)R) 및 희생막(144(1)R)의 일부를 에칭에 의하여 제거하여, 섬 형상 또는 띠 형상의 희생층(145(1)R) 및 희생층(145(2)R)을 형성한다. 여기서 희생층(145(1)R) 및 희생층(145(2)R)은 화소 전극(111R) 위와, 접속 전극(111C) 위에 형성된다.
여기서, 희생막(144(2)R)의 일부를 레지스트 마스크(143a)를 사용한 에칭에 의하여 제거함으로써 희생층(145(2)R)을 형성한 후에, 레지스트 마스크(143a)를 제거하고, 희생층(145(2)R)을 하드 마스크로서 사용하여 희생막(144(1)R)을 에칭하는 것이 바람직하다. 희생막(144(2)R)의 에칭에는, 희생막(144(1)R)과의 선택비가 높은 에칭 조건을 사용하는 것이 바람직하다. 하드 마스크의 형성을 위한 에칭에는, 웨트 에칭 또는 드라이 에칭을 사용할 수 있고, 드라이 에칭을 사용하면 패턴의 축소를 억제할 수 있다. 예를 들어 희생막(144(1)R)에 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하고, 희생막(144(2)R)에 스퍼터링법으로 형성한 인듐 갈륨 아연 산화물(In-Ga-Zn 산화물, IGZO라고도 표기함) 등 인듐을 포함한 금속 산화물을 사용하는 경우에는, 이때 스퍼터링법에 의하여 형성된 희생막(144(2)R)을 에칭하여 하드 마스크로 한다.
레지스트 마스크(143a)는 웨트 에칭 또는 드라이 에칭으로 제거할 수 있다. 특히 산소 가스를 에칭 가스로서 사용한 드라이 에칭(플라스마 애싱이라고도 함)에 의하여 레지스트 마스크(143a)를 제거하는 것이 바람직하다.
희생층(145(2)R)을 하드 마스크로서 사용하여 희생막(144(1)R)을 에칭함으로써, 레지스트 마스크(143a)의 제거는 EL막(112Rf)이 희생막(144(1)R)으로 덮인 상태로 수행될 수 있다. 특히 EL막(112Rf)이 산소에 노출되면 전기 특성에 악영향을 미치는 경우가 있어, 플라스마 애싱 등 산소 가스를 사용한 에칭을 수행하는 경우에는 적합하다.
다음으로 희생층(145(2)R)을 마스크로서 사용하여 희생막(144(1)R)을 에칭으로 제거하여 섬 형상 또는 띠 형상의 희생층(145(1)R)을 형성한다. 또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 제작 방법에서, 희생층(145(1)R) 및 희생층(145(2)R) 중 어느 것을 사용하지 않는 구성으로 하여도 좋다.
[EL막(112Rf)의 에칭]
다음으로 EL막(112Rf)에서 희생층(145(1)R)으로 덮이지 않은 일부를 에칭으로 제거하여 섬 형상 또는 띠 형상의 EL층(112R)을 형성한다.
EL막(112Rf)의 에칭에는 산소를 주성분으로서 포함하지 않는 에칭 가스를 사용한 드라이 에칭을 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, EL막(112Rf)이 변질되는 것을 억제하고, 신뢰성이 높은 표시 장치를 실현할 수 있다. 산소를 주성분으로서 포함하지 않는 에칭 가스로서는 예를 들어 CF4, C4F8, SF6, CHF3, Cl2, H2O, BCl3, 또는 He 등의 비활성 기체가 있다. 또한 상기 가스와, 산소를 포함하지 않는 희석 가스의 혼합 가스를 에칭 가스로서 사용할 수 있다. 여기서 EL막(112Rf)의 에칭에서 희생층(145(1)R)의 일부를 제거하여도 좋다. 예를 들어 희생막(144(1)R)을 2층 구조로 하고, 아래층으로서 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 사용하고, 위층으로서 스퍼터링법으로 형성한 인듐 갈륨 아연 산화물(In-Ga-Zn 산화물, IGZO라고도 표기함) 등 인듐을 포함한 금속 산화물을 사용하는 경우에는, EL막(112Rf)의 에칭에서 위층을 에칭하여도 좋다.
또한 EL막(112Rf)의 에칭은 상술한 것에 한정되지 않고 다른 가스를 사용하는 드라이 에칭에 의하여 수행하여도 좋고, 웨트 에칭에 의하여 수행하여도 좋다.
또한 EL막(112Rf)의 에칭에 산소 가스를 포함한 에칭 가스, 또는 산소 가스를 사용한 드라이 에칭을 사용하면, 에칭 속도를 높일 수 있다. 그러므로 에칭 속도를 충분한 속도로 유지하면서, 파워가 낮은 조건에서 에칭을 수행할 수 있기 때문에, 에칭으로 인한 대미지를 저감할 수 있다. 또한 에칭 시에 생기는 반응 생성물의 부착 등의 문제를 억제할 수 있다. 예를 들어 상기 산소를 주성분으로 포함하지 않는 에칭 가스에 산소 가스를 추가한 에칭 가스를 사용할 수 있다.
[EL층(112G), EL층(112B)의 형성]
다음으로 희생층(145(1)R) 위, 화소 전극(111G) 위, 및 화소 전극(111B) 위에 EL층(112G)이 되는 EL막(112Gf)을 성막한다. EL막(112Gf)에 대해서는 EL막(112Rf)의 기재를 참조할 수 있다.
다음으로 EL막(112Gf) 위에 희생막(144(1)G)을 성막한다. 희생막(144(1)G)에 대해서는 희생막(144(1)R)의 기재를 참조할 수 있다.
다음으로 희생막(144(1)G) 위에 희생막(144(2)G)을 성막한다. 희생막(144(2)G)에 대해서는 희생막(144(2)R)의 기재를 참조할 수 있다.
다음으로 희생막(144(2)G) 위에 레지스트 마스크(143b)를 형성한다(도 4의 (C)).
다음으로 희생층(145(1)G), 희생층(145(2)G), 및 EL층(112G)을 형성한다(도 4의 (D)). 희생층(145(1)G), 희생층(145(2)G), 및 EL층(112G)의 형성에 대해서는 희생층(145(1)R), 희생층(145(2)R), 및 EL층(112R)의 형성을 참조할 수 있다.
다음으로 희생층(145(2)R), 희생층(145(2)G), 및 화소 전극(111B) 위에 EL층(112B)이 되는 EL막(112Bf)을 성막한다. EL막(112Bf)에 대해서는 EL막(112Rf)의 기재를 참조할 수 있다.
다음으로 EL막(112Bf) 위에 희생막(144(1)B)을 성막한다. 희생막(144(1)B)에 대해서는 희생막(144(1)R)의 기재를 참조할 수 있다.
다음으로 희생막(144(1)B) 위에 희생막(144(2)B)을 성막한다. 희생막(144(2)B)에 대해서는 희생막(144(2)R)의 기재를 참조할 수 있다.
다음으로 희생막(144(2)B) 위에 레지스트 마스크(143c)를 형성한다(도 4의 (D)).
다음으로 희생층(145(1)B), 희생층(145(2)B), 및 EL층(112B)을 형성한다(도 4의 (E)). 희생층(145(1)B), 희생층(145(2)B), 및 EL층(112B)의 형성에 대해서는 희생층(145(1)R), 희생층(145(2)R), 및 EL층(112R)의 형성을 참조할 수 있다.
도 4의 (F)에는 도 4의 (E)에서 사각의 일점쇄선으로 둘러싼 영역의 확대도를 나타내었다.
본 명세서 등에 있어서, 확대 전의 도면에서는 보기 쉽게 하기 위하여 층 및 막의 두께를 두껍게 도시하는 경우가 있다. 또한 확대 후의 도면에서는 표시 장치가 가지는 각 구성 요소 간의 거리 등이 상이한 경우가 있다. 예를 들어 도 4의 (F)에서는 화소 전극(111)의 단부와 EL층(112)의 단부의 거리를 넓게 도시하였다. 또한 발광 소자(110B)의 구성 요소와 발광 소자(110R)의 구성 요소의 간격을 넓게 도시하였다.
이어서, 희생층(145(2)R), 희생층(145(2)G), 및 희생층(145(2)B)(이하 통틀어 희생층(145(2))이라고 부름)을 에칭 등을 사용하여 제거한다(도 5의 (A)). 희생층(145(2))의 에칭에는 희생층(145(1)R), 희생층(145(1)G), 및 희생층(145(1)B)(이하 통틀어 희생층(145(1))이라고 부름)과의 선택비가 높은 조건을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 희생층(145(2))의 제거를 수행하지 않아도 된다.
[절연층(131)의 형성]
다음으로 절연층(131b)이 되는 절연막(131bf)을 형성한다(도 5의 (B)). 절연막(131bf)에는 무기 재료를 가지는 막을 적용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 하프늄, 산화 갈륨, 인듐 갈륨 아연 산화물, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화 실리콘, 또는 질화산화 실리콘 등을 가지는 막을 단층으로 또는 적층하여 사용할 수 있다.
절연막(131bf)의 형성은 스퍼터링법, 화학 기상 성장(CVD)법, 분자선 에피택시(MBE)법, 펄스 레이저 퇴적(PLD)법, 원자층 퇴적(ALD)법 등을 사용할 수 있다. 절연막(131bf)의 형성에는 피복성이 양호한 ALD법을 적합하게 사용할 수 있다.
절연막(131bf)으로서 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 하프늄, 산화 갈륨, 인듐 갈륨 아연 산화물, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화 실리콘, 또는 질화산화 실리콘 등을 단층으로 또는 적층하여 사용할 수 있다. 특히 산화 알루미늄은 에칭 시에 EL층(112)과의 선택비가 높고, 후술하는 절연층(131b)의 형성 시에 EL층(112)을 보호하는 기능을 가지기 때문에 바람직하다.
절연막(131bf)은 ALD법에 의하여 형성됨으로써 핀홀이 적은 막으로 할 수 있고, EL층(112)을 보호하는 기능이 우수한 절연층(131b)으로 할 수 있다.
절연막(131bf)의 성막 온도는 EL층(112)의 내열 온도보다 낮은 온도로 하는 것이 바람직하다.
여기서는, 절연막(131bf)으로서 ALD법에 의하여 산화 알루미늄을 형성한다. ALD법에 의한 절연막(131bf)의 형성 온도는 60℃ 이상 150℃ 이하가 바람직하고, 70℃ 이상 115℃ 이하가 더 바람직하고, 80℃ 이상 100℃ 이하가 더욱 바람직하다. 이와 같은 온도에서 절연막(131bf)을 형성함으로써 치밀한 절연막을 얻을 수 있고, EL층(112)에 주는 대미지를 저감할 수 있다.
다음으로 절연층(131a)이 되는 절연막(131af)을 형성한다(도 5의 (C)). 절연막(131af)은 절연막(131bf)의 오목부를 메우도록 제공된다. 또한 절연막(131af)은 희생층(145(1)), EL층(112), 화소 전극(111)을 덮도록 제공된다. 절연막(131af)은 평탄화막인 것이 바람직하다.
절연막(131af)으로서 유기 재료를 가지는 절연막을 적용하는 것이 바람직하고, 유기 재료로서는 수지를 사용하는 것이 바람직하다.
절연막(131af)에 사용할 수 있는 재료로서는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록세인 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다. 또한 절연막(131af)으로서 감광성 수지를 사용할 수 있다. 감광성 수지로서는 포지티브형 재료 또는 네거티브형 재료를 사용할 수 있다.
절연막(131af)을 감광성 수지를 사용하여 형성함으로써, 노광 및 현상의 공정만으로 절연막(131af)을 제작할 수 있어, 발광 소자(110)를 구성하는 각 층, 특히 EL층에 주는 대미지를 저감할 수 있다.
절연막(131af)은 도 5의 (C)에 나타낸 바와 같이, 피형성면의 요철이 반영된, 완만한 요철을 가지는 경우가 있다. 또는 절연막(131af)은 도 5의 (D)에 나타낸 바와 같이, 피형성면의 요철의 영향이 작아, 도 5의 (C)에 비하여 높은 평탄성을 가지는 경우가 있다.
이어서, 절연층(131a)을 형성한다. 여기서 절연막(131af)으로서 감광성 수지를 사용함으로써, 레지스트 마스크, 하드 마스크 등의 에칭 마스크를 제공하지 않고 절연층(131a)을 형성할 수 있다. 또한 감광성 수지는 노광 및 현상의 공정만으로 가공할 수 있기 때문에 드라이 에칭법 등을 사용하지 않고 절연층(131a)이 형성될 수 있다. 따라서 공정의 간략화가 가능하다. 또한 절연막(131af)의 에칭으로 인하여 EL층이 받는 대미지를 저감할 수 있다. 또한 절연층(131a)의 상부의 일부를 더 에칭하여 표면의 높이를 조정하여도 좋다.
또한 절연막(131af)의 상면에 실질적으로 균일하게 에칭을 실시함으로써 절연층(131a)을 형성하여도 좋다. 이와 같이 균일하게 에칭하여 평탄화하는 것을 에치 백이라고도 한다.
절연층(131a)의 형성에 있어서, 노광 및 현상의 공정과 에치 백 공정을 조합하여 사용하여도 좋다.
도 6의 (A) 내지 (C)를 사용하여 절연층(131a)의 형성 방법의 일례에 대하여 설명한다. 도 6의 (A)에서는, 절연막(131af)으로서 감광성 수지를 사용하고, 노광 및 현상의 공정을 사용하여 절연막(131af)을 가공함으로써 절연층(131ap)을 형성하는 예를 나타내었다. 도 6의 (B)에는 도 6의 (A)에서 사각의 일점쇄선으로 둘러싼 영역의 확대도를 나타내었다. 도 6의 (B)에 나타낸 절연층(131ap)에 에칭을 더 실시함으로써, 도 6의 (C)에 나타낸 절연층(131a)을 형성할 수 있다.
또한 도 6의 (B)에 나타낸 절연층(131ap)을 절연층(131a)으로서 사용할 수도 있고, 이러한 경우에는 발광 소자(110)는 절연층(131a)과 EL층(112) 사이에 희생층(145(1))이 잔존하는 구성을 가지는 경우가 있다.
이어서, 절연막(131bf) 및 희생층(145(1))의 에칭을 수행한다(도 7의 (A)). 이때 EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)에 대하여 가능한 한 대미지를 주지 않는 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)의 측면을 덮는 절연층(131b)이 형성된다. 도 7의 (B)에는 도 7의 (A)에서 사각의 일점쇄선으로 둘러싼 영역의 확대도를 나타내었다.
절연막(131bf)과 희생층(145(1))으로서 같은 재료를 사용함으로써 에칭을 동시에 수행할 수 있으므로 공정을 간략화할 수 있는 경우가 있다.
절연막(131bf)의 에칭에는 드라이 에칭법, 웨트 에칭법을 사용할 수 있다. 또한 산소 플라스마를 사용한 애싱 등에 의하여 에칭을 수행하여도 좋다. 또한 절연막(131bf)의 에칭으로서 화학 기계 연마(CMP: Chemical Mechanical Poliching)를 사용하여도 좋다.
또한 절연막(131bf)의 에칭을 수행할 때는, 에칭으로 인하여 EL층(112)이 받는 대미지를 억제하는 것이 바람직하다. 따라서 예를 들어 EL층(112)과의 에칭 선택비가 높은 재료를 절연막(131bf)으로서 사용하는 것이 바람직하다.
절연막(131bf)으로서 무기 재료를 사용함으로써 EL층(112)과의 선택비를 높게 할 수 있는 경우가 있다. 또한 절연층(131b)으로서 산화 알루미늄, 산화 마그네슘, 산화 하프늄, 산화 갈륨, 인듐 갈륨 아연 산화물, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화 실리콘, 또는 질화산화 실리콘 등을 단층으로 또는 적층하여 사용할 수 있다. 특히 산화 알루미늄은 에칭 시에 EL층(112)과의 선택비가 높고, 후술하는 절연층(131b)의 형성 시에 EL층(112)을 보호하는 기능을 가지기 때문에 바람직하다. 특히 ALD법에 의하여 형성한 산화 알루미늄, 산화 하프늄, 산화 실리콘 등의 무기 절연 재료를 절연층(131b)으로서 사용함으로써 핀홀이 적은 막으로 할 수 있고, EL층(112)을 보호하는 기능이 우수한 절연층(131b)으로 할 수 있다.
절연막(131af) 및 절연막(131bf)을 형성할 때, 에칭량을 바꿈으로써 각각의 상면의 높이를 조정할 수 있다. 여기서는 절연층(131b)이 EL층(112)의 측면을 덮도록 에칭량을 조정하는 것이 바람직하다. 특히 절연층(131b)이 EL층(112)이 가지는 발광층의 측면을 덮도록 에칭량을 조정하는 것이 바람직하다.
또한 유기 재료를 가지는 절연막(131af)은 피형성면의 요철, 및 피형성면에 형성되는 패턴의 소밀에 의하여, 표면의 평탄성이 변화되는 경우가 있다. 또한 절연막(131af)으로서 사용하는 재료의 점도 등에 의하여, 절연막(131af)의 평탄성이 변화되는 경우가 있다. 예를 들어 EL층(112) 위에 중첩되는 영역의 절연막(131af)의 막 두께와 비교하여 EL층(112)과 중첩되지 않는 영역의 절연막(131af)의 막 두께가 얇아지는 경우가 있다. 이와 같은 경우에, 예를 들어 절연막(131af)의 에치 백을 수행함으로써, 절연층(131)의 상면의 높이가 희생층(145(1))의 상면의 높이보다 낮아지는 경우가 있다.
또한 절연막(131af)은 복수의 EL층(112) 사이의 영역에서 오목 곡면을 가지는 형상(오목한 형상), 볼록 곡면을 가지는 형상(볼록한 형상) 등이 되는 경우가 있다.
[공통층(114)의 형성]
다음으로 공통층(114)을 형성한다. 또한 공통층(114)을 가지지 않는 구성의 경우에는, EL층(112R), EL층(112G), 및 EL층(112B)을 덮어 공통 전극(113)을 형성하면 좋다.
[공통 전극(113)의 형성]
이어서, 공통층(114) 위에 공통 전극(113)을 형성한다. 공통 전극(113)은 예를 들어 스퍼터링법 또는 진공 증착법 등에 의하여 형성할 수 있다. 또한 접속 전극(111C) 위에 공통층(114)을 제공하지 않는 구성으로 하는 경우에는, 공통층(114)의 성막에서 접속 전극(111C) 위를 차폐하는 메탈 마스크를 사용하면 좋다. 이때 사용하는 메탈 마스크로는 표시부의 화소 영역을 차폐하지 않아도 되기 때문에, 고정세 마스크를 사용할 필요가 없다.
이상의 공정으로 발광 소자(110R), 발광 소자(110G), 및 발광 소자(110B)를 제작할 수 있다.
[보호층(121)의 형성]
다음으로 공통 전극(113) 위에 보호층(121)을 형성한다(도 7의 (C)). 보호층(121)에 사용하는 무기 절연막의 성막에는 스퍼터링법, PECVD법, 또는 ALD법을 사용하는 것이 바람직하다. 특히 ALD법은 단차 피복성이 우수하고, 핀홀 등의 결함이 발생되기 어렵기 때문에 바람직하다. 또한 유기 절연막의 성막에 잉크젯법을 사용하면 원하는 영역에 균일한 막을 형성할 수 있어 바람직하다.
이상의 공정으로 도 1의 (A)에 나타낸 표시 장치(100)를 제작할 수 있다.
[구성예 1의 변형예]
도 8의 (A) 및 (B)에는 도 1에 나타낸 표시 장치(100)의 구성의 변형예를 나타내었다.
도 8의 (A)에 나타낸 표시 장치(100)는 도 1의 (B)와 비교하여 절연층(131a), 절연층(131b) 등의 형상이 다르다. 도 8의 (B)에는 도 8의 (A)에서 사각의 일점쇄선으로 둘러싼 영역의 확대도를 나타내었다.
도 8의 (A) 및 (B)에 있어서, 표시 장치(100)는 절연층(131b)과 화소 전극(111) 사이에 희생층(145(1))을 가진다. 이와 같은 구성은 도 6의 (B)에 나타낸 구성에서 희생층(145(1))을 덮는 영역이 잔존하도록 절연층(131ap)을 가공함으로써 얻어진다.
도 9의 (A) 및 (B)는 도 8의 (B)와 비교하여 절연층(131a), 절연층(131b) 등의 형상이 다르다.
도 9의 (A)에 나타낸 구성은 도 6의 (B)에 나타낸 절연층(131ap)을 절연층(131a)으로서 사용함으로써 얻어진다. 또한 예를 들어 절연층(131a)의 상면이 EL층(112)이 가지는 발광층의 상면보다 높아지도록 절연층(131a)을 제공하면 좋다.
도 9의 (B)에 나타낸 구성은 EL층(112)의 단부가 단차를 가지지 않는 예이다. 도 9의 (B)에 나타낸 구성으로 함으로써, 상이한 발광 소자(110)가 각각 가지는 EL층(112) 사이의 거리가 작게 되므로 발광 소자(110)의 개구율을 높게 할 수 있는 경우가 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태의 표시 장치의 구성예에 대하여 설명한다.
본 실시형태의 표시 장치는 고해상도의 표시 장치 또는 대형의 표시 장치로 할 수 있다. 따라서 본 실시형태의 표시 장치는 예를 들어 텔레비전 장치, 데스크톱형 또는 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 사이니지, 파칭코기 등의 대형 게임기 등 비교적 큰 화면을 가지는 전자 기기 외에, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 액자, 휴대 전화기, 휴대용 게임기, 스마트폰, 손목시계형 단말기, 태블릿 단말기, 휴대 정보 단말기, 및 음향 재생 장치의 표시부에 사용할 수 있다.
[표시 장치의 구성예]
도 10은 표시 장치(400A)의 사시도이고, 도 11의 (A)는 표시 장치(400A)의 단면도이다.
표시 장치(400A)는 기판(452)과 기판(451)이 접합된 구성을 가진다. 도 10에서는 기판(452)을 파선으로 명시하였다.
표시 장치(400A)는 표시부(462), 회로(464), 배선(465) 등을 가진다. 도 10에는 표시 장치(400A)에 IC(473) 및 FPC(472)가 실장된 예를 나타내었다. 그러므로 도 10에 나타낸 구성은 표시 장치(400A), IC(집적 회로), 및 FPC를 가지는 표시 모듈이라고도 할 수 있다.
회로(464)로서는 예를 들어 주사선 구동 회로를 사용할 수 있다.
배선(465)은 표시부(462) 및 회로(464)에 신호 및 전력을 공급하는 기능을 가진다. 상기 신호 및 전력은 FPC(472)를 통하여 외부로부터 배선(465)에 입력되거나 IC(473)로부터 배선(465)에 입력된다.
도 10에는, COG(Chip On Glass) 방식 또는 COF(Chip On Film) 방식 등에 의하여 기판(451)에 IC(473)가 제공되어 있는 예를 나타내었다. IC(473)로서는, 예를 들어 주사선 구동 회로 또는 신호선 구동 회로 등을 가지는 IC를 적용할 수 있다. 또한 표시 장치(400A) 및 표시 모듈은 IC를 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 또한 IC를 COF 방식 등에 의하여 FPC에 실장하여도 좋다.
도 11의 (A)에 표시 장치(400A)에서 FPC(472)를 포함하는 영역의 일부, 회로(464)의 일부, 표시부(462)의 일부, 및 단부를 포함하는 영역의 일부를 각각 절단한 경우의 단면의 일례를 나타내었다.
도 11의 (A)에 나타낸 표시 장치(400A)는 기판(451)과 기판(452) 사이에 트랜지스터(201), 트랜지스터(205), 적색광을 발하는 발광 소자(430a), 녹색광을 발하는 발광 소자(430b), 및 청색광을 발하는 발광 소자(430c) 등을 가진다.
발광 소자(430a), 발광 소자(430b), 및 발광 소자(430c)에는 실시형태 1에서 예시한 발광 소자를 적용할 수 있다.
여기서, 표시 장치의 화소가 상이한 색을 발하는 발광 소자를 가지는 부화소를 3종류 가지는 경우, 상기 3개의 부화소로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3색의 부화소, 황색(Y), 시안(C), 및 마젠타(M)의 3색의 부화소 등을 들 수 있다. 상기 부화소를 4개 가지는 경우, 상기 4개의 부화소로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 백색(W)의 4색의 부화소, R, G, B, Y의 4색의 부화소 등을 들 수 있다.
보호층(410)과 기판(452)은 접착층(442)을 개재(介在)하여 접착되어 있다. 발광 소자의 밀봉에는 고체 밀봉 구조 또는 중공 밀봉 구조 등을 적용할 수 있다. 도 11의 (A)에서는 기판(452), 접착층(442), 및 기판(451)으로 둘러싸인 공간(443)이 불활성 가스(질소 또는 아르곤 등)로 충전되어 있고, 중공 밀봉 구조가 적용되어 있다. 접착층(442)은 발광 소자와 중첩되어 제공되어 있어도 좋다. 또한 기판(452), 접착층(442), 및 기판(451)으로 둘러싸인 공간(443)을 접착층(442)과는 상이한 수지로 충전하여도 좋다.
트랜지스터(205)가 가지는 도전층(222b)의 상면이 노출되도록 절연층(214)에 제공된 개구부에서, 상기 개구부의 바닥면 및 측면을 따르도록 도전층(418a), 도전층(418b), 및 도전층(418c)의 일부가 형성된다. 도전층(418a), 도전층(418b), 도전층(418c)은 각각 절연층(214)에 제공된 개구를 통하여 트랜지스터(205)가 가지는 도전층(222b)과 접속되어 있다. 화소 전극은 가시광을 반사하는 재료를 포함하고, 대향 전극은 가시광을 투과시키는 재료를 포함한다. 또한 도전층(418a), 도전층(418b), 및 도전층(418c)의 다른 일부는 절연층(214) 위에 제공된다.
도전층(418a), 도전층(418b), 및 도전층(418c) 위에는 화소 전극(411a), 화소 전극(411b), 및 화소 전극(411c)이 제공된다. 또한 발광 소자(430a)가 가지는 도전층(418a)과 도전층(411a) 사이, 발광 소자(430b)가 가지는 도전층(418b)과 도전층(411b) 사이, 및 발광 소자(430c)가 가지는 도전층(418c)과 도전층(411c) 사이에는 각각 절연층(414)이 제공되어도 좋다.
또한 도 11의 (A)에 나타낸 바와 같이, 발광 소자(430a)가 가지는 EL층(416a), 발광 소자(430b)가 가지는 EL층(416b), 및 발광 소자(430c)가 가지는 EL층(416c) 사이에 각각 절연층(421)이 제공되어도 좋다.
화소 전극(411a), 화소 전극(411b), 화소 전극(411c)으로서 앞의 실시형태에 나타낸 화소 전극(111)을 적용할 수 있다.
발광 소자(430a)와 발광 소자(430b) 사이이고 절연층(214) 위의 영역, 및 발광 소자(430b)와 발광 소자(430c) 사이이고 절연층(214) 위의 영역에는, 각각 절연층(421)이 제공되어 있다. 절연층(421)으로서 앞의 실시형태에 나타낸 절연층(131)을 참조할 수 있다.
발광 소자가 발하는 광은 기판(452) 측으로 사출된다. 기판(452)에는 가시광에 대한 투과성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
트랜지스터(201) 및 트랜지스터(205)는 모두 기판(451) 위에 형성되어 있다. 이들 트랜지스터는 동일한 재료 및 동일한 공정으로 제작할 수 있다.
기판(451) 위에는 절연층(211), 절연층(213), 절연층(215), 및 절연층(214)이 이 순서대로 제공되어 있다. 절연층(211)은 그 일부가 각 트랜지스터의 게이트 절연층으로서 기능한다. 절연층(213)은 그 일부가 각 트랜지스터의 게이트 절연층으로서 기능한다. 절연층(215)은 트랜지스터를 덮어 제공된다. 절연층(214)은 트랜지스터를 덮어 제공되고, 평탄화층으로서의 기능을 가진다. 또한 게이트 절연층의 개수 및 트랜지스터를 덮는 절연층의 개수는 한정되지 않고, 각각 단층이어도 좋고 2층 이상이어도 좋다.
트랜지스터를 덮는 절연층 중 적어도 하나의 층에는 물 및 수소 등의 불순물이 확산되기 어려운 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 절연층을 배리어층으로서 기능시킬 수 있다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 외부로부터 트랜지스터로 불순물이 확산되는 것을 효과적으로 억제할 수 있어, 표시 장치의 신뢰성을 높일 수 있다.
절연층(211), 절연층(213), 및 절연층(215)으로서는 각각 무기 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 무기 절연막으로서는 예를 들어 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 질화산화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 질화 알루미늄막 등을 사용할 수 있다. 또한 산화 하프늄막, 산화 이트륨막, 산화 지르코늄막, 산화 갈륨막, 산화 탄탈럼막, 산화 마그네슘막, 산화 란타넘막, 산화 세륨막, 및 산화 네오디뮴막 등을 사용하여도 좋다. 또한 상술한 절연막을 2개 이상 적층하여 사용하여도 좋다.
여기서, 유기 절연막은 무기 절연막에 비하여 배리어성이 낮은 경우가 많다. 그러므로 유기 절연막은 표시 장치(400A)의 단부 근방에 개구를 가지는 것이 바람직하다. 이로써 표시 장치(400A)의 단부로부터 유기 절연막을 통하여 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또는 유기 절연막의 단부가 표시 장치(400A)의 단부보다 내측에 위치하도록 유기 절연막을 형성하여, 표시 장치(400A)의 단부에서 유기 절연막이 노출되지 않도록 하여도 좋다.
평탄화층으로서 기능하는 절연층(214)에는 유기 절연막이 적합하다. 유기 절연막에 사용할 수 있는 재료로서는 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록세인 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 페놀 수지, 및 이들 수지의 전구체 등을 들 수 있다.
도 11의 (A)에 나타낸 영역(228)에서는, 절연층(214)과 절연층(214) 위의 절연층(421b)의 2층 적층 구조에 개구가 형성되어 있다. 절연층(421b)은 절연층(421)과 같은 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 또한 절연층(421b)은 예를 들어 절연층(421)과 같은 공정을 사용하여 형성된다. 개구를 덮도록 보호층(410)이 형성된다. 보호층(410)으로서 무기층을 사용함으로써 절연층(214)에 유기 절연막을 사용하는 경우에도, 절연층(214)을 통하여 외부로부터 표시부(462)에 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서 표시 장치(400A)의 신뢰성을 높일 수 있다.
트랜지스터(201) 및 트랜지스터(205)는 게이트로서 기능하는 도전층(221), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(211), 소스 및 드레인 중 한쪽으로서 기능하는 도전층(222a), 소스 및 드레인 중 다른 쪽으로서 기능하는 도전층(222b), 반도체층(231), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(213), 그리고 게이트로서 기능하는 도전층(223)을 가진다. 여기서는 동일한 도전막을 가공하여 얻어지는 복수의 층을 같은 해치 패턴으로 나타내었다. 절연층(211)은 도전층(221)과 반도체층(231) 사이에 위치한다. 절연층(213)은 도전층(223)과 반도체층(231) 사이에 위치한다.
본 실시형태의 표시 장치가 가지는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 플레이너(planar)형 트랜지스터, 스태거형 트랜지스터, 역스태거형 트랜지스터 등을 사용할 수 있다. 또한 톱 게이트형 및 보텀 게이트형 중 어느 트랜지스터 구조로 하여도 좋다. 또는 채널이 형성되는 반도체층 상하에 게이트가 제공되어도 좋다.
트랜지스터(201) 및 트랜지스터(205)에는 채널이 형성되는 반도체층을 2개의 게이트로 끼우는 구성이 적용되어 있다. 2개의 게이트를 접속하고, 이들에 동일한 신호를 공급함으로써 트랜지스터를 구동하여도 좋다. 또는 2개의 게이트 중 한쪽에 문턱 전압을 제어하기 위한 전위를 공급하고, 다른 쪽에 구동시키기 위한 전위를 공급함으로써, 트랜지스터의 문턱 전압을 제어하여도 좋다.
트랜지스터에 사용되는 반도체 재료의 결정성에 대해서도 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 결정성을 가지는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 가지는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 결정성을 가지는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
트랜지스터의 반도체층은 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)을 가지는 것이 바람직하다. 즉 본 실시형태의 표시 장치에는 금속 산화물을 채널 형성 영역에 사용한 트랜지스터(이하 OS 트랜지스터)를 사용하는 것이 바람직하다. 또는 트랜지스터의 반도체층은 실리콘을 가져도 좋다. 실리콘으로서는 비정질 실리콘, 결정성 실리콘(저온 폴리실리콘, 단결정 실리콘 등) 등을 들 수 있다.
반도체층은 예를 들어 인듐과, M(M은 갈륨, 알루미늄, 실리콘, 붕소, 이트륨, 주석, 구리, 바나듐, 베릴륨, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 및 마그네슘에서 선택되는 1종류 또는 복수 종류)과, 아연을 가지는 것이 바람직하다. 특히 M은 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 및 주석에서 선택되는 1종류 또는 복수 종류인 것이 바람직하다.
특히 반도체층에 인듐(In), 갈륨(Ga), 및 아연(Zn)을 포함하는 산화물(IGZO라고도 기재함)을 사용하는 것이 바람직하다.
반도체층이 In-M-Zn 산화물인 경우, 상기 In-M-Zn 산화물에서의 In의 원자수비는 M의 원자수비 이상인 것이 바람직하다. 이와 같은 In-M-Zn 산화물의 금속 원소의 원자수비로서, In:M:Zn=1:1:1 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=1:1:1.2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=2:1:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=3:1:2 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=4:2:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=4:2:4.1 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:3 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:6 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:7 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:1:8 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=6:1:6 또는 그 근방의 조성, In:M:Zn=5:2:5 또는 그 근방의 조성 등을 들 수 있다. 또한 근방의 조성이란 원하는 원자수비의 ±30%의 범위를 포함하는 것이다.
예를 들어 원자수비가 In:Ga:Zn=4:2:3 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In의 원자수비를 4로 하였을 때, Ga의 원자수비가 1 이상 3 이하이고, Zn의 원자수비가 2 이상 4 이하인 경우를 포함한다. 또한 원자수비가 In:Ga:Zn=5:1:6 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In의 원자수비를 5로 하였을 때, Ga의 원자수비가 0.1보다 크고 2 이하이고, Zn의 원자수비가 5 이상 7 이하인 경우를 포함한다. 또한 원자수비가 In:Ga:Zn=1:1:1 또는 그 근방의 조성이라고 기재된 경우, In의 원자수비를 1로 하였을 때, Ga의 원자수비가 0.1보다 크고 2 이하이고, Zn의 원자수비가 0.1보다 크고 2 이하인 경우를 포함한다.
회로(464)가 가지는 트랜지스터와 표시부(462)가 가지는 트랜지스터는 같은 구조이어도 좋고, 다른 구조이어도 좋다. 회로(464)가 가지는 복수의 트랜지스터의 구조는 모두 같아도 좋고, 2종류 이상 있어도 좋다. 마찬가지로, 표시부(462)가 가지는 복수의 트랜지스터의 구조는 모두 같아도 좋고, 2종류 이상 있어도 좋다.
기판(451)에서 기판(452)이 중첩되지 않은 영역에는 접속부(204)가 제공되어 있다. 접속부(204)에서는 배선(465)이 도전층(466) 및 접속층(242)을 통하여 FPC(472)와 전기적으로 접속되어 있다. 도전층(466)으로서, 화소 전극과 동일한 도전막을 가공하여 얻어진 도전막, 또는 화소 전극과 동일한 도전막과 광학 조정층과 동일한 도전막의 적층막을 가공하여 얻어진 도전막을 사용할 수 있다. 접속부(204)의 상면에서는 도전층(466)이 노출되어 있다. 이로써 접속부(204)와 FPC(472)를 접속층(242)을 통하여 전기적으로 접속시킬 수 있다.
기판(452)의 기판(451) 측의 면에는 차광층(417)을 제공하는 것이 바람직하다. 또한 기판(452)의 외측에는 각종 광학 부재를 배치할 수 있다. 광학 부재로서는 편광판, 위상차판, 광 확산층(확산 필름 등), 반사 방지층, 및 집광 필름 등을 들 수 있다. 또한 기판(452)의 외측에는 먼지의 부착을 억제하는 대전 방지막, 오염이 부착되기 어렵게 하는 발수성을 가지는 막, 사용에 따른 손상의 발생을 억제하는 하드코트막, 충격 흡수층 등을 배치하여도 좋다.
발광 소자를 덮는 보호층(410)을 제공함으로써, 발광 소자에 물 등의 불순물이 들어가는 것을 억제하여 발광 소자의 신뢰성을 높일 수 있다.
표시 장치(400A)의 단부 근방의 영역(228)에서, 절연층(214)의 개구를 통하여 절연층(215)과 보호층(410)이 서로 접하는 것이 바람직하다. 특히 절연층(215)이 가지는 무기 절연막과 보호층(410)이 가지는 무기 절연막이 서로 접하는 것이 바람직하다. 이로써 유기 절연막을 통하여 외부로부터 표시부(462)에 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다. 따라서 표시 장치(400A)의 신뢰성을 높일 수 있다.
기판(451) 및 기판(452)에는 각각 유리, 석영, 세라믹, 사파이어, 수지, 금속, 합금, 반도체 등을 사용할 수 있다. 발광 소자로부터의 광을 추출하는 측의 기판에는 상기 광을 투과시키는 재료를 사용한다. 기판(451) 및 기판(452)에 가요성을 가지는 재료를 사용하면 표시 장치의 가요성을 높일 수 있다. 또한 기판(451) 또는 기판(452)으로서 편광판을 사용하여도 좋다.
기판(451) 및 기판(452)으로서는 각각 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지(나일론, 아라미드 등), 폴리실록세인 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리염화 바이닐 수지, 폴리염화 바이닐리덴 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 수지, ABS 수지, 셀룰로스 나노 섬유 등을 사용할 수 있다. 기판(451) 및 기판(452) 중 한쪽 또는 양쪽에 가요성을 가질 정도의 두께를 가지는 유리를 사용하여도 좋다.
또한 표시 장치에 원편광판을 중첩시키는 경우, 표시 장치가 가지는 기판에는 광학 등방성이 높은 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 광학 등방성이 높은 기판은 복굴절이 작다(복굴절량이 작다고도 할 수 있음).
광학등방성이 높은 기판의 위상차(retardation)값의 절댓값은 30nm 이하가 바람직하고, 20nm 이하가 더 바람직하고, 10nm 이하가 더욱 바람직하다.
광학 등방성이 높은 필름으로서는 트라이아세틸셀룰로스(TAC, 셀룰로스트라이아세테이트라고도 함) 필름, 사이클로올레핀 폴리머(COP) 필름, 사이클로올레핀 공중합체(COC) 필름, 및 아크릴 필름 등을 들 수 있다.
또한 기판으로서 필름을 사용하는 경우, 필름이 흡수(吸水)함으로써, 표시 패널에 주름이 생기는 등 형상 변화가 일어날 우려가 있다. 그러므로 기판에는 흡수율이 낮은 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 흡수율이 1% 이하의 필름을 사용하는 것이 바람직하고, 0.1% 이하의 필름을 사용하는 것이 더 바람직하고, 0.01% 이하의 필름을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
접착층으로서는 자외선 경화형 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 사용할 수 있다. 이들 접착제로서는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘(silicone) 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐뷰티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다. 특히 에폭시 수지 등 투습성이 낮은 재료가 바람직하다. 또한 2액 혼합형 수지를 사용하여도 좋다. 또한 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.
접속층(242)으로서는 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film), 이방성 도전 페이스트(ACP: Anisotropic Conductive Paste) 등을 사용할 수 있다.
트랜지스터의 게이트, 소스, 및 드레인 외에, 표시 장치를 구성하는 각종 배선 및 전극 등의 도전층에 사용할 수 있는 재료로서는 알루미늄, 타이타늄, 크로뮴, 니켈, 구리, 이트륨, 지르코늄, 몰리브데넘, 은, 탄탈럼, 및 텅스텐 등의 금속, 그리고 상기 금속을 주성분으로 하는 합금 등을 들 수 있다. 이들 재료를 포함한 막을 단층으로 또는 적층 구조로 사용할 수 있다.
또한 투광성을 가지는 도전 재료로서는 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 갈륨을 포함하는 산화 아연 등의 도전성 산화물, 또는 그래핀을 사용할 수 있다. 또는 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 및 타이타늄 등의 금속 재료, 혹은 상기 금속 재료가 포함되는 합금 재료를 사용할 수 있다. 또는 상기 금속 재료의 질화물(예를 들어 질화 타이타늄) 등을 사용하여도 좋다. 또한 금속 재료 또는 합금 재료(또는 이들의 질화물)를 사용하는 경우에는, 투광성을 가질 정도로 얇게 하는 것이 바람직하다. 또한 상기 재료의 적층막을 도전층으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과 인듐 주석 산화물의 적층막 등을 사용하면, 도전성을 높일 수 있기 때문에 바람직하다. 이들은 표시 장치를 구성하는 각종 배선 및 전극 등의 도전층, 및 발광 소자가 가지는 도전층(화소 전극 또는 공통 전극으로서 기능하는 도전층)에도 사용할 수 있다.
각 절연층에 사용할 수 있는 절연 재료로서는 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지 등의 수지, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄 등의 무기 절연 재료가 있다.
트랜지스터(201) 및 트랜지스터(205)는 게이트로서 기능하는 도전층(221), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(211), 채널 형성 영역(231i) 및 한 쌍의 저저항 영역(231n)을 가지는 반도체층, 한 쌍의 저저항 영역(231n) 중 한쪽과 접속되는 도전층(222a), 한 쌍의 저저항 영역(231n) 중 다른 쪽과 접속되는 도전층(222b), 게이트 절연층으로서 기능하는 절연층(225), 게이트로서 기능하는 도전층(223), 그리고 도전층(223)을 덮는 절연층(215)을 가진다. 절연층(211)은 도전층(221)과 채널 형성 영역(231i) 사이에 위치한다. 절연층(225)은 도전층(223)과 채널 형성 영역(231i) 사이에 위치한다.
도전층(222a) 및 도전층(222b)은 각각 절연층(215) 및 절연층(225)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(231n)과 접속된다. 도전층(222a) 및 도전층(222b) 중 한쪽은 소스로서 기능하고, 다른 쪽은 드레인으로서 기능한다.
도 11의 (B)에는 절연층(225)이 반도체층의 상면 및 측면을 덮는 예를 나타내었다. 도전층(222a) 및 도전층(222b)은 각각 절연층(225) 및 절연층(215)에 제공된 개구를 통하여 저저항 영역(231n)과 접속된다.
한편, 도 11의 (C)에 나타낸 트랜지스터(209)에서는, 절연층(225)은 반도체층(231)의 채널 형성 영역(231i)과 중첩되고, 저저항 영역(231n)과는 중첩되지 않는다. 예를 들어, 도전층(223)을 마스크로서 사용하여 절연층(225)을 가공함으로써, 도 11의 (C)에 나타낸 구조를 제작할 수 있다. 도 11의 (C)에서는, 절연층(225) 및 도전층(223)을 덮어 절연층(215)이 제공되고, 절연층(215)의 개구를 통하여 도전층(222a) 및 도전층(222b)이 각각 저저항 영역(231n)과 접속되어 있다. 또한 트랜지스터를 덮는 절연층(218)을 제공하여도 좋다.
또한 발광 소자를 구동하는 화소 회로에 포함되는 모든 트랜지스터로서 채널이 형성되는 반도체층에 실리콘을 가지는 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 실리콘으로서는 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘 등을 들 수 있다. 특히 반도체층에 저온 폴리실리콘(LTPS: Low Temperature Poly Silicon)을 가지는 트랜지스터(이하 LTPS 트랜지스터라고도 함)를 사용할 수 있다. LTPS 트랜지스터는 전계 효과 이동도가 높고 주파수 특성이 양호하다.
LTPS 트랜지스터 등의 실리콘을 사용한 트랜지스터를 적용함으로써, 고주파수로 구동할 필요가 있는 회로(예를 들어 소스 드라이버 회로)를 표시부와 동일 기판 상에 형성할 수 있다. 이에 의하여 표시 장치에 실장되는 외부 회로를 간략화할 수 있어, 부품 비용 및 실장 비용을 절감할 수 있다.
또한 화소 회로에 포함되는 트랜지스터 중 적어도 하나로서, 채널이 형성되는 반도체에 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)을 가지는 트랜지스터(이하 OS 트랜지스터라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다. OS 트랜지스터는 비정질 실리콘을 사용한 트랜지스터와 비교하여 전계 효과 이동도가 매우 높다. 또한 OS 트랜지스터는 오프 상태에서의 소스-드레인 간의 누설 전류(이하 오프 전류라고도 함)가 현저히 작고, 상기 트랜지스터와 직렬로 접속된 용량 소자에 축적된 전하가 장기간에 걸쳐 유지될 수 있다. 또한 OS 트랜지스터를 적용함으로써 표시 장치의 소비 전력을 저감할 수 있다.
화소 회로에 포함되는 트랜지스터의 일부에 LTPS 트랜지스터를 사용하고, 다른 일부에 OS 트랜지스터를 사용함으로써, 소비 전력이 낮고 구동 능력이 높은 표시 장치를 실현할 수 있다. 또한 LTPS 트랜지스터와 OS 트랜지스터를 조합한 구성을 LTPO라고 부르는 경우가 있다. 또한 더 적합한 예로서는 배선 사이의 도통, 비도통을 제어하기 위한 스위치로서 기능하는 트랜지스터 등에 OS 트랜지스터를 적용하고, 전류를 제어하는 트랜지스터 등에 LTPS 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다.
예를 들어 화소 회로에 제공되는 트랜지스터 중 하나는 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하기 위한 트랜지스터로서 기능하며, 구동 트랜지스터라고 부를 수도 있다. 구동 트랜지스터의 소스 및 드레인 중 한쪽은 발광 소자의 화소 전극과 전기적으로 접속된다. 상기 구동 트랜지스터에는 LTPS 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 화소 회로에서 발광 소자에 흐르는 전류를 크게 할 수 있다.
한편 화소 회로에 제공되는 트랜지스터 중 다른 하나는 화소의 선택, 비선택을 제어하기 위한 스위치로서 기능하며, 선택 트랜지스터라고 부를 수도 있다. 선택 트랜지스터의 게이트는 게이트선과 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 한쪽은 소스선(신호선)과 전기적으로 접속된다. 선택 트랜지스터에는 OS 트랜지스터를 적용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 프레임 주파수를 현저히 작게(예를 들어 1fps 이하) 하여도 화소의 계조를 유지할 수 있기 때문에, 정지 화상을 표시할 때 드라이버를 정지시킴으로써 소비 전력을 저감할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일 형태에 의하여 높은 개구율과, 높은 정세도와, 높은 표시 품위와, 낮은 소비 전력을 가지는 표시 장치를 실현할 수 있다.
본 실시형태에서 예시한 구성예 및 이들에 대응하는 도면 등은 적어도 그 일부를 다른 구성예 또는 도면 등과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 상기와 상이한 표시 장치의 구성예에 대하여 설명한다.
본 실시형태의 표시 장치는 고정세 표시 장치로 할 수 있다. 따라서 본 실시형태의 표시 장치는 예를 들어 손목시계형, 팔찌형 등의 정보 단말기(웨어러블 기기), 그리고 헤드 마운트 디스플레이 등의 VR용 기기, 안경형 AR용 기기 등 머리에 장착할 수 있는 웨어러블 기기의 표시부에 사용할 수 있다.
[표시 모듈]
도 12의 (A)는 표시 모듈(280)의 사시도이다. 표시 모듈(280)은 표시 장치(400C)와 FPC(290)를 가진다. 또한 표시 모듈(280)이 가지는 표시 장치는 표시 장치(400C)에 한정되지 않고, 후술하는 표시 장치(400D), 표시 장치(400E), 또는 표시 장치(400F)이어도 좋다.
표시 모듈(280)은 기판(291) 및 기판(292)을 가진다. 표시 모듈(280)은 표시부(281)를 가진다. 표시부(281)는 표시 모듈(280)에서의 화상을 표시하는 영역이고, 후술하는 화소부(284)에 제공되는 각 화소로부터의 광을 시인(視認)할 수 있는 영역이다.
도 12의 (B)는 기판(291) 측의 구성을 모식적으로 나타낸 사시도이다. 기판(291) 위에는 회로부(282)와, 회로부(282) 위의 화소 회로부(283)와, 화소 회로부(283) 위의 화소부(284)가 적층되어 있다. 또한 기판(291) 위에서 화소부(284)와 중첩되지 않은 부분에 FPC(290)와 접속하기 위한 단자부(285)가 제공되어 있다. 단자부(285)와 회로부(282)는 복수의 배선으로 구성되는 배선부(286)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다.
화소부(284)는 주기적으로 배열된 복수의 화소(284a)를 가진다. 도 12의 (B)의 오른쪽에 하나의 화소(284a)의 확대도를 나타내었다. 화소(284a)는 발광색이 서로 다른 발광 소자(430a, 430b, 430c)를 가진다. 복수의 발광 소자는 도 12의 (B)에 나타낸 바와 같이 스트라이프 배열로 배치하는 것이 바람직하다. 스트라이프 배열을 사용함으로써, 본 발명의 일 형태의 발광 소자의 화소 회로를 높은 밀도로 배열할 수 있기 때문에 고정세 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한 델타 배열, 펜타일 배열 등 다양한 배열 방법을 적용할 수 있다.
화소 회로부(283)는 주기적으로 배열된 복수의 화소 회로(283a)를 가진다.
하나의 화소 회로(283a)는 하나의 화소(284a)가 가지는 3개의 발광 소자의 발광을 제어하는 회로이다. 하나의 화소 회로(283a)는 하나의 발광 소자의 발광을 제어하는 회로가 3개 제공되는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들어, 화소 회로(283a)는 하나의 발광 소자마다 하나의 선택 트랜지스터와, 하나의 전류 제어용 트랜지스터(구동 트랜지스터)와, 용량 소자를 적어도 가지는 구성으로 할 수 있다. 이때 선택 트랜지스터의 게이트에는 게이트 신호가 입력되고, 소스 및 드레인 중 한쪽에는 소스 신호가 입력된다. 이로써 액티브 매트릭스형 표시 장치가 실현된다.
회로부(282)는 화소 회로부(283)의 각 화소 회로(283a)를 구동하는 회로를 가진다. 예를 들어 게이트선 구동 회로 및 소스선 구동 회로 중 한쪽 또는 양쪽을 가지는 것이 바람직하다. 이 외에, 연산 회로, 메모리 회로, 및 전원 회로 등 중 적어도 하나를 가져도 좋다.
FPC(290)는 외부로부터 회로부(282)에 비디오 신호 또는 전원 전위 등을 공급하기 위한 배선으로서 기능한다. 또한 FPC(290) 위에 IC가 실장되어 있어도 좋다.
표시 모듈(280)은 화소부(284)의 아래쪽에 화소 회로부(283) 및 회로부(282) 중 한쪽 또는 양쪽이 적층된 구성으로 할 수 있기 때문에, 표시부(281)의 개구율(유효 표시 면적비)을 매우 높게 할 수 있다. 예를 들어 표시부(281)의 개구율은 40% 이상 100% 미만, 바람직하게는 50% 이상 95% 이하, 더 바람직하게는 60% 이상 95% 이하로 할 수 있다. 또한 화소(284a)를 매우 높은 밀도로 배치할 수 있고, 표시부(281)의 정세도를 매우 높게 할 수 있다. 예를 들어 표시부(281)에는 2000ppi 이상, 바람직하게는 3000ppi 이상, 더 바람직하게는 5000ppi 이상, 더욱 바람직하게는 6000ppi 이상이고, 20000ppi 이하 또는 30000ppi 이하의 정세도로 화소(284a)가 배치되는 것이 바람직하다.
이와 같은 표시 모듈(280)은 매우 정세도가 높기 때문에, 헤드 마운트 디스플레이 등의 VR용 기기, 또는 안경형 AR용 기기에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 렌즈를 통하여 표시 모듈(280)의 표시부를 시인하는 구성이어도, 표시 모듈(280)은 정세도가 매우 높은 표시부(281)를 가지기 때문에, 렌즈로 표시부가 확대되어도 화소가 시인되지 않고, 몰입감이 높은 표시를 수행할 수 있다. 또한 표시 모듈(280)은 이에 한정되지 않고, 비교적 소형의 표시부를 가지는 전자 기기에 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 손목시계 등의 장착형 전자 기기의 표시부에 적합하게 사용할 수 있다.
[표시 장치(400C)]
도 13에 나타낸 표시 장치(400C)는 기판(301), 발광 소자(430a, 430b, 430c), 용량 소자(240), 및 트랜지스터(310)를 가진다.
트랜지스터(310)는 기판(301)에 채널 형성 영역을 가지는 트랜지스터이다. 기판(301)으로서는 예를 들어 단결정 실리콘 기판 등의 반도체 기판을 사용할 수 있다. 트랜지스터(310)는 기판(301)의 일부, 도전층(311), 저저항 영역(312), 절연층(313), 및 절연층(314)을 가진다. 도전층(311)은 게이트 전극으로서 기능한다. 절연층(313)은 기판(301)과 도전층(311) 사이에 위치하고, 게이트 절연층으로서 기능한다. 저저항 영역(312)은 기판(301)에 불순물이 도핑된 영역이고, 소스 및 드레인 중 한쪽으로서 기능한다. 절연층(314)은 도전층(311)의 측면을 덮어 제공되고 절연층으로서 기능한다.
또한 인접한 2개의 트랜지스터(310) 사이에, 기판(301)에 매립되도록 소자 분리층(315)이 제공되어 있다.
또한 트랜지스터(310)를 덮어 절연층(261)이 제공되고, 절연층(261) 위에 용량 소자(240)가 제공되어 있다.
용량 소자(240)는 도전층(241)과, 도전층(245)과, 이들 사이에 위치하는 절연층(243)을 가진다. 도전층(241)은 용량 소자(240)의 한쪽 전극으로서 기능하고, 도전층(245)은 용량 소자(240)의 다른 쪽 전극으로서 기능하고, 절연층(243)은 용량 소자(240)의 유전체로서 기능한다.
도전층(241)은 절연층(261) 위에 제공되고, 절연층(254)에 매립되어 있다. 도전층(241)은 절연층(261)에 매립된 플러그(271)에 의하여 트랜지스터(310)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되어 있다. 절연층(243)은 도전층(241)을 덮어 제공된다. 도전층(245)은 절연층(243)을 개재하여 도전층(241)과 중첩된 영역에 제공되어 있다.
용량 소자(240)를 덮어 절연층(255)이 제공되고, 절연층(255) 위에 발광 소자(430a, 430b, 430c) 등이 제공되어 있다. 발광 소자(430a, 430b, 430c) 위에는 보호층(416)이 제공되어 있고, 보호층(416)의 상면에는 수지층(419)에 의하여 기판(420)이 접합되어 있다. 기판(420)은 도 12의 (A)에서의 기판(292)에 상당한다.
발광 소자의 화소 전극은 절연층(255)에 매립된 플러그(256), 절연층(254)에 매립된 도전층(241), 및 절연층(261)에 매립된 플러그(271)에 의하여 트랜지스터(310)의 소스 및 드레인 중 한쪽과 전기적으로 접속되어 있다.
[표시 장치(400D)]
도 14에 나타낸 표시 장치(400D)는 트랜지스터의 구성이 표시 장치(400C)와 주로 다르다. 또한 표시 장치(400C)와 같은 부분에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.
트랜지스터(320)는 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)이 적용된 트랜지스터이다.
트랜지스터(320)는 반도체층(321), 절연층(323), 도전층(324), 한 쌍의 도전층(325), 절연층(326), 및 도전층(327)을 가진다.
기판(331)은 도 12의 (A) 및 (B)에서의 기판(291)에 상당한다. 기판(331)으로서는 절연성 기판 또는 반도체 기판을 사용할 수 있다.
기판(331) 위에 절연층(332)이 제공되어 있다. 절연층(332)은 기판(331)으로부터 트랜지스터(320)로 물 또는 수소 등의 불순물이 확산되는 것, 및 반도체층(321)으로부터 절연층(332) 측으로 산소가 이탈되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연층(332)으로서는 예를 들어 산화 알루미늄막, 산화 하프늄막, 질화 실리콘막 등, 산화 실리콘막보다 수소 또는 산소가 확산되기 어려운 막을 사용할 수 있다.
절연층(332) 위에 도전층(327)이 제공되고, 도전층(327)을 덮어 절연층(326)이 제공되어 있다. 도전층(327)은 트랜지스터(320)의 제 1 게이트 전극으로서 기능하고, 절연층(326)의 일부는 제 1 게이트 절연층으로서 기능한다. 절연층(326)의 적어도 반도체층(321)과 접하는 부분에는 산화 실리콘막 등의 산화물 절연막을 사용하는 것이 바람직하다. 절연층(326)의 상면은 평탄화되어 있는 것이 바람직하다.
반도체층(321)은 절연층(326) 위에 제공된다. 반도체층(321)은 반도체 특성을 가지는 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)막을 가지는 것이 바람직하다. 반도체층(321)에 적합하게 사용할 수 있는 재료의 자세한 사항에 대해서는 후술한다.
한 쌍의 도전층(325)은 반도체층(321) 위에 접하여 제공되고, 소스 전극 및 드레인 전극으로서 기능한다.
또한 한 쌍의 도전층(325)의 상면 및 측면, 그리고 반도체층(321)의 측면 등을 덮어 절연층(328)이 제공되고, 절연층(328) 위에 절연층(264)이 제공되어 있다. 절연층(328)은 절연층(264) 등으로부터 반도체층(321)으로 물 또는 수소 등의 불순물이 확산되는 것, 및 반도체층(321)으로부터 산소가 이탈되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연층(328)으로서는 상기 절연층(332)과 같은 절연막을 사용할 수 있다.
절연층(328) 및 절연층(264)에는 반도체층(321)에 도달하는 개구가 제공되어 있다. 상기 개구의 내부에 있어서, 절연층(264), 절연층(328), 및 도전층(325)의 측면, 그리고 반도체층(321)의 상면에 접하는 절연층(323)과, 도전층(324)이 매립되어 있다. 도전층(324)은 제 2 게이트 전극으로서 기능하고, 절연층(323)은 제 2 게이트 절연층으로서 기능한다.
도전층(324)의 상면, 절연층(323)의 상면, 및 절연층(264)의 상면은 각각 높이가 실질적으로 일치하도록 평탄화 처리가 실시되고, 이들을 덮어 절연층(329) 및 절연층(265)이 제공되어 있다.
절연층(264) 및 절연층(265)은 층간 절연층으로서 기능한다. 절연층(329)은 절연층(265) 등으로부터 트랜지스터(320)로 물 또는 수소 등의 불순물이 확산되는 것을 방지하는 배리어층으로서 기능한다. 절연층(329)으로서는 상기 절연층(328) 및 절연층(332)과 같은 절연막을 사용할 수 있다.
한 쌍의 도전층(325) 중 한쪽과 전기적으로 접속되는 플러그(274)는 절연층(265), 절연층(329), 및 절연층(264)에 매립되도록 제공되어 있다. 여기서 플러그(274)는 절연층(265), 절연층(329), 절연층(264), 및 절연층(328) 각각의 개구의 측면 및 도전층(325)의 상면의 일부를 덮는 도전층(274a)과, 도전층(274a)의 상면에 접하는 도전층(274b)을 가지는 것이 바람직하다. 이때, 도전층(274a)에는 수소 및 산소가 확산되기 어려운 도전 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
표시 장치(400D)에서의 절연층(254)으로부터 기판(420)까지의 구성은 표시 장치(400C)와 같다.
[표시 장치(400E)]
도 15에 나타낸 표시 장치(400E)는 각각 반도체 기판에 채널이 형성되는 트랜지스터(310A)와 트랜지스터(310B)가 적층된 구성을 가진다.
표시 장치(400E)는 트랜지스터(310B), 용량 소자(240), 및 각 발광 디바이스가 제공된 기판(301B)과, 트랜지스터(310A)가 제공된 기판(301A)이 접합된 구성을 가진다.
기판(301B)에는 기판(301B)을 관통하는 플러그(343)가 제공된다. 또한 플러그(343)는 기판(301B)의 이면(기판(420) 측과는 반대 측의 표면)에 제공된 도전층(342)과 전기적으로 접속된다. 한편 기판(301A)에는 절연층(261) 위에 도전층(341)이 제공된다.
도전층(341)과 도전층(342)이 접합됨으로써 기판(301A)과 기판(301B)이 전기적으로 접속된다.
도전층(341) 및 도전층(342)으로서는 같은 도전성 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, W에서 선택된 원소를 포함하는 금속막, 또는 상술한 원소를 성분으로 하는 금속 질화물막(질화 타이타늄막, 질화 몰리브데넘막, 질화 텅스텐막) 등을 사용할 수 있다. 특히 도전층(341) 및 도전층(342)에 구리를 사용하는 것이 바람직하다. 이에 의하여 Cu-Cu(Copper·Copper) 직접 접합 기술(Cu(구리)의 패드끼리를 접속함으로써 전기적 도통을 도모하는 기술)을 적용할 수 있다. 또한 도전층(341)과 도전층(342)은 범프를 개재하여 접합되어도 좋다.
[표시 장치(400F)]
도 16에 나타낸 표시 장치(400F)는 기판(301)에 채널이 형성되는 트랜지스터(310)와, 채널이 형성되는 반도체층에 금속 산화물을 포함한 트랜지스터(320)가 적층된 구성을 가진다. 또한 표시 장치(400C, 400D)와 같은 부분에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.
트랜지스터(310)를 덮어 절연층(261)이 제공되고, 절연층(261) 위에 도전층(251)이 제공되어 있다. 또한 도전층(251)을 덮어 절연층(262)이 제공되고, 절연층(262) 위에 도전층(252)이 제공되어 있다. 도전층(251) 및 도전층(252)은 각각 배선으로서 기능한다. 또한 도전층(252)을 덮어 절연층(263) 및 절연층(332)이 제공되고, 절연층(332) 위에 트랜지스터(320)가 제공되어 있다. 또한 트랜지스터(320)를 덮어 절연층(265)이 제공되고, 절연층(265) 위에 용량 소자(240)가 제공되어 있다. 용량 소자(240)와 트랜지스터(320)는 플러그(274)에 의하여 전기적으로 접속되어 있다.
트랜지스터(320)는 화소 회로를 구성하는 트랜지스터로서 사용될 수 있다. 또한 트랜지스터(310)는 화소 회로를 구성하는 트랜지스터 또는 상기 화소 회로를 구동하기 위한 구동 회로(게이트선 구동 회로, 소스선 구동 회로)를 구성하는 트랜지스터로서 사용될 수 있다. 또한 트랜지스터(310) 및 트랜지스터(320)는 연산 회로 또는 기억 회로 등의 각종 회로를 구성하는 트랜지스터로서 사용될 수 있다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 발광 소자의 직하에 화소 회로뿐만 아니라 구동 회로 등을 형성할 수 있기 때문에, 표시 영역의 주변에 구동 회로를 제공하는 경우에 비하여 표시 장치를 소형화할 수 있다.
본 실시형태에서 예시한 구성예 및 이들에 대응하는 도면 등은 적어도 그 일부를 다른 구성예 또는 도면 등과 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 표시 장치에 사용할 수 있는 발광 소자(발광 디바이스라고도 함)에 대하여 설명한다.
<발광 디바이스의 구성예>
도 17의 (A)에 나타낸 바와 같이, 발광 디바이스는 한 쌍의 전극(하부 전극(772), 상부 전극(788)) 사이에 EL층(786)을 가진다. EL층(786)은 층(4420), 발광층(4411), 층(4430) 등의 복수의 층으로 구성할 수 있다. 층(4420)은 예를 들어 전자 주입성이 높은 물질을 포함한 층(전자 주입층) 및 전자 수송성이 높은 물질을 포함한 층(전자 수송층) 등을 가질 수 있다. 발광층(4411)은 예를 들어 발광성 화합물을 포함한다. 층(4430)은 예를 들어 정공 주입성이 높은 물질을 포함한 층(정공 주입층) 및 정공 수송성이 높은 물질을 포함한 층(정공 수송층)을 가질 수 있다.
한 쌍의 전극 사이에 제공된 층(4420), 발광층(4411), 및 층(4430)을 가지는 구성은 하나의 발광 유닛으로서 기능할 수 있고, 본 명세서에서는 도 17의 (A)의 구성을 싱글 구조라고 부른다.
또한 도 17의 (B)는 도 17의 (A)에 나타낸 발광 디바이스가 가지는 EL층(786)의 변형예이다. 구체적으로는, 도 17의 (B)에 나타낸 발광 디바이스는 하부 전극(772) 위의 층(4430-1)과, 층(4430-1) 위의 층(4430-2)과, 층(4430-2) 위의 발광층(4411)과, 발광층(4411) 위의 층(4420-1)과, 층(4420-1) 위의 층(4420-2)과, 층(4420-2) 위의 상부 전극(788)을 가진다. 예를 들어 하부 전극(772)을 양극으로 하고 상부 전극(788)을 음극으로 한 경우, 층(4430-1)이 정공 주입층으로서 기능하고, 층(4430-2)이 정공 수송층으로서 기능하고, 층(4420-1)이 전자 수송층으로서 기능하고, 층(4420-2)이 전자 주입층으로서 기능한다. 또는 하부 전극(772)을 음극으로 하고 상부 전극(788)을 양극으로 한 경우, 층(4430-1)이 전자 주입층으로서 기능하고, 층(4430-2)이 전자 수송층으로서 기능하고, 층(4420-1)이 정공 수송층으로서 기능하고, 층(4420-2)이 정공 주입층으로서 기능한다. 이와 같은 층 구조로 함으로써, 발광층(4411)에 효율적으로 캐리어를 주입하고, 발광층(4411) 내에서의 캐리어의 재결합의 효율을 높일 수 있게 된다.
또한 도 17의 (C), (D)에 나타낸 바와 같이, 층(4420)과 층(4430) 사이에 복수의 발광층(발광층(4411, 4412, 4413))이 제공된 구성도 싱글 구조의 베리에이션이다.
또한 도 17의 (E), (F)에 나타낸 바와 같이, 복수의 발광 유닛(EL층(786a), EL층(786b))이 중간층(전하 발생층)(4440)을 사이에 두고 직렬로 접속된 구성을 본 명세서에서는 탠덤 구조라고 부른다. 또한 본 명세서 등에서는, 도 17의 (E), (F)에 나타낸 구성을 탠덤 구조라고 부르지만 이에 한정되지 않고, 예를 들어 탠덤 구조를 스택 구조라고 불러도 좋다. 또한 탠덤 구조로 함으로써, 고휘도 발광이 가능한 발광 디바이스로 할 수 있다.
도 17의 (C)에 있어서, 발광층(4411), 발광층(4412), 및 발광층(4413)에 같은 색의 광을 발하는 발광 재료를 사용하여도 좋다.
또한 발광층(4411), 발광층(4412), 및 발광층(4413)에 상이한 발광 재료를 사용하여도 좋다. 발광층(4411), 발광층(4412), 및 발광층(4413)이 각각 발하는 광이 보색 관계인 경우, 백색 발광이 얻어진다. 도 17의 (D)에서는 컬러 필터로서 기능하는 착색층(785)을 제공하는 예를 나타내었다. 백색광이 컬러 필터를 투과함으로써 원하는 색의 광을 얻을 수 있다.
또한 도 17의 (E)에 있어서, 발광층(4411)과 발광층(4412)에 같은 발광 재료를 사용하여도 좋다. 또는 발광층(4411)과 발광층(4412)에 상이한 색의 광을 발하는 발광 재료를 사용하여도 좋다. 발광층(4411)이 발하는 광과 발광층(4412)이 발하는 광이 보색 관계인 경우, 백색 발광이 얻어진다. 도 17의 (F)에는 착색층(785)을 더 제공하는 예를 나타내었다.
또한 도 17의 (C), (D), (E), (F)에서도, 도 17의 (B)에 나타낸 바와 같이, 층(4420)과 층(4430)은 2층 이상의 층으로 이루어지는 적층 구조를 가져도 좋다.
발광 디바이스마다, 발광층(여기서는 청색(B), 녹색(G), 및 적색(R))을 구분 형성하는 구조를 SBS(Side By Side) 구조라고 부르는 경우가 있다.
발광 디바이스의 발광색은 EL층(786)을 구성하는 재료에 따라 적색, 녹색, 청색, 시안, 마젠타, 황색, 또는 백색 등으로 할 수 있다. 또한 발광 디바이스에 마이크로캐비티 구조를 부여함으로써 색 순도를 더 높일 수 있다.
백색광을 방출하는 발광 디바이스는 발광층에 2종류 이상의 발광 물질을 포함하는 구성으로 하는 것이 바람직하다. 백색 발광을 얻기 위해서는, 2개 이상의 발광 물질의 각 발광이 보색 관계가 되는 발광 물질을 선택하면 좋다. 예를 들어 제 1 발광층의 발광색과 제 2 발광층의 발광색을 보색 관계가 되도록 함으로써, 전체로서 백색 발광하는 발광 디바이스를 얻을 수 있다. 또한 발광층을 3개 이상 가지는 발광 디바이스의 경우도 마찬가지이다.
발광층에는 R(적색), G(녹색), B(청색), Y(황색), O(주황색) 등의 발광을 나타내는 발광 물질을 2개 이상 포함하는 것이 바람직하다. 또는 발광 물질을 2개 이상 가지고, 각 발광 물질의 발광은 R, G, B 중 2개 이상의 색의 스펙트럼 성분을 포함하는 것이 바람직하다.
여기서 발광 디바이스의 구체적인 구성예에 대하여 설명한다.
발광 디바이스는 적어도 발광층을 가진다. 또한 발광 디바이스는 발광층 외의 층으로서, 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 차단 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 차단 재료, 전자 주입성이 높은 물질, 또는 양극성 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등을 포함한 층을 더 가져도 좋다.
발광 디바이스에는 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물의 어느 쪽이든 사용할 수 있고, 무기 화합물이 포함되어도 좋다. 발광 디바이스를 구성하는 층은 각각 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.
예를 들어 발광 디바이스는 발광층 외에 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 차단층, 전자 수송층, 및 전자 주입층 중 1층 이상을 가지는 구성으로 할 수 있다.
정공 주입층은 양극으로부터 정공 수송층에 정공을 주입하는 층이고, 정공 주입성이 높은 재료를 포함한 층이다. 정공 주입성이 높은 재료로서는 방향족 아민 화합물, 및 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함한 복합 재료 등을 들 수 있다.
정공 수송층은 정공 주입층에 의하여 양극으로부터 주입된 정공을 발광층으로 수송하는 층이다. 정공 수송층은 정공 수송성 재료를 포함한 층이다. 정공 수송성 재료로서는, 정공 이동도가 10-6cm2/Vs 이상인 물질이 바람직하다. 또한 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면, 이들 외의 물질을 사용할 수도 있다. 정공 수송성 재료로서는, π전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물(예를 들어 카바졸 유도체, 싸이오펜 유도체, 퓨란 유도체 등), 방향족 아민(방향족 아민 골격을 가지는 화합물) 등의 정공 수송성이 높은 재료가 바람직하다.
전자 수송층은 전자 주입층에 의하여 음극으로부터 주입된 전자를 발광층으로 수송하는 층이다. 전자 수송층은 전자 수송성 재료를 포함한 층이다. 전자 수송성 재료로서는, 전자 이동도가 1Х10-6cm2/Vs 이상인 물질이 바람직하다. 또한 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이면, 이들 외의 물질을 사용할 수도 있다. 전자 수송성 재료로서는, 퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체, 벤조퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체, 옥사졸 골격을 가지는 금속 착체, 싸이아졸 골격을 가지는 금속 착체 등 외에, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 싸이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 퀴놀린 리간드를 가지는 퀴놀린 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 그 외에 질소 함유 헤테로 방향족 화합물을 포함한 π전자 부족형 헤테로 방향족 화합물 등 전자 수송성이 높은 재료를 사용할 수 있다.
전자 주입층은 음극으로부터 전자 수송층에 전자를 주입하는 층이고, 전자 주입성이 높은 재료를 포함한 층이다. 전자 주입성이 높은 재료로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 전자 주입성이 높은 재료로서는 전자 수송성 재료와 도너성 재료(전자 공여성 재료)를 포함한 복합 재료를 사용할 수도 있다.
전자 주입층으로서는 예를 들어 리튬, 세슘, 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 세슘(CsF), 플루오린화 칼슘(CaF2), 8-(퀴놀리놀레이토)리튬(약칭: Liq), 2-(2-피리딜)페놀레이토리튬(약칭: LiPP), 2-(2-피리딜)-3-피리디놀레이토리튬(약칭: LiPPy), 4-페닐-2-(2-피리딜)페놀레이토리튬(약칭: LiPPP), 리튬 산화물(LiOx), 탄산 세슘 등과 같은 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다.
또는 상술한 전자 주입층으로서는 전자 수송성을 가지는 재료를 사용하여도 좋다. 예를 들어 비공유 전자쌍을 가지고, 전자 부족형 헤테로 방향족 고리를 가지는 화합물을 전자 수송성을 가지는 재료에 사용할 수 있다. 구체적으로는 피리딘 고리, 다이아진 고리(피리미딘 고리, 피라진 고리, 피리다진 고리), 및 트라이아진 고리 중 적어도 하나를 가지는 화합물을 사용할 수 있다.
또한 비공유 전자쌍을 가지는 유기 화합물의 최저 비점유 분자 오비탈(LUMO: Lowest Unoccupied Molecular Orbital)이 -3.6eV 이상 -2.3eV 이하인 것이 바람직하다. 또한 일반적으로 CV(사이클릭 볼타메트리), 광전자 분광법, 광 흡수 분광법, 역광전자 분광법 등에 의하여 유기 화합물의 최고 점유 분자 오비탈(HOMO: Highest Occupied Molecular Orbital) 준위 및 LUMO 준위를 추산할 수 있다.
예를 들어 4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: BPhen), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBPhen), 다이퀴녹살리노[2,3-a:2',3'-c]페나진(약칭: HATNA), 2,4,6-트리스[3'-(피리딘-3-일)바이페닐-3-일]-1,3,5-트라이아진(약칭: TmPPPyTz) 등을, 비공유 전자쌍을 가지는 유기 화합물에 사용할 수 있다. 또한 NBPhen은 BPhen에 비하여 유리 전이 온도(Tg)가 높으므로 내열성이 우수하다.
발광층은 발광 물질을 포함한 층이다. 발광층은 1종류 또는 복수 종류의 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 물질로서는 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 발광색을 나타내는 물질을 적절히 사용한다. 또한 발광 물질로서, 근적외광을 방출하는 물질을 사용할 수도 있다.
발광 물질로서는 형광 재료, 인광 재료, TADF 재료, 퀀텀닷 재료 등을 들 수 있다.
형광 재료로서는 예를 들어 피렌 유도체, 안트라센 유도체, 트라이페닐렌 유도체, 플루오렌 유도체, 카바졸 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 페난트렌 유도체, 나프탈렌 유도체 등이 있다.
인광 재료로서는 예를 들어 4H-트라이아졸 골격, 1H-트라이아졸 골격, 이미다졸 골격, 피리미딘 골격, 피라진 골격, 또는 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 착체(특히 이리듐 착체), 전자 흡인기를 가지는 페닐피리딘 유도체를 리간드로 하는 유기 금속 착체(특히 이리듐 착체), 백금 착체, 희토류 금속 착체 등이 있다.
발광층은 발광 물질(게스트 재료)에 더하여 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물(호스트 재료, 어시스트 재료 등)을 가져도 좋다. 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물로서는 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료 중 한쪽 또는 양쪽을 사용할 수 있다. 또한 1종류 또는 복수 종류의 유기 화합물로서 양극성 재료 또는 TADF 재료를 사용하여도 좋다.
발광층은 예를 들어 인광 재료와, 들뜬 복합체를 형성하기 쉬운 조합인 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료를 포함한 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 들뜬 복합체로부터 발광 물질(인광 재료)로의 에너지 이동인 ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer)를 사용한 발광을 효율적으로 얻을 수 있다. 발광 물질의 가장 낮은 에너지 측의 흡수대의 파장과 중첩되는 발광을 나타내는 들뜬 복합체를 형성하는 조합을 선택함으로써, 에너지 이동이 원활해져 발광을 효율적으로 얻을 수 있다. 이 구성에 의하여 발광 디바이스의 고효율, 저전압 구동, 장수명을 동시에 실현할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 앞의 실시형태에서 설명한 OS 트랜지스터에 사용할 수 있는 금속 산화물(산화물 반도체라고도 함)에 대하여 설명한다.
금속 산화물은 적어도 인듐 또는 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 특히 인듐 및 아연을 포함하는 것이 바람직하다. 또한 이들에 더하여 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 주석 등이 포함되는 것이 바람직하다. 또한 붕소, 실리콘, 타이타늄, 철, 니켈, 저마늄, 지르코늄, 몰리브데넘, 란타넘, 세륨, 네오디뮴, 하프늄, 탄탈럼, 텅스텐, 마그네슘, 및 코발트 등에서 선택된 1종류 또는 복수 종류가 포함되어도 좋다.
또한 금속 산화물은 스퍼터링법, 유기 금속 화학 기상 성장(MOCVD: Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 등의 화학 기상 성장(CVD: Chemical Vapor Deposition)법, 또는 원자층 퇴적(ALD: Atomic Layer Deposition)법 등으로 형성할 수 있다.
<결정 구조의 분류>
산화물 반도체의 결정 구조로서는 비정질(completely amorphous를 포함함), CAAC(c-axis-aligned crystalline), nc(nanocrystalline), CAC(cloud-aligned composite), 단결정(single crystal), 및 다결정(poly crystal) 등을 들 수 있다.
또한 막 또는 기판의 결정 구조는 X선 회절(XRD: X-Ray Diffraction) 스펙트럼을 사용하여 평가할 수 있다. 예를 들어 GIXD(Grazing-Incidence XRD) 측정에 의하여 얻어지는 XRD 스펙트럼을 사용하여 평가할 수 있다. 또한 GIXD법은 박막법 또는 Seemann-Bohlin법이라고도 한다.
예를 들어 석영 유리 기판에서는 XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 거의 좌우 대칭이다. 한편, 결정 구조를 가지는 IGZO막에서는 XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 좌우 비대칭이다. XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 좌우 비대칭이라는 것은, 막 내 또는 기판 내의 결정의 존재를 명시한다. 바꿔 말하면, XRD 스펙트럼의 피크의 형상이 좌우 대칭이 아니면, 막 또는 기판은 비정질 상태라고 할 수 없다.
또한 막 또는 기판의 결정 구조는 나노빔 전자선 회절법(NBED: Nano Beam Electron Diffraction)에 의하여 관찰되는 회절 패턴(나노빔 전자선 회절 패턴이라고도 함)으로 평가할 수 있다. 예를 들어, 석영 유리 기판의 회절 패턴에서는 헤일로가 관찰되어, 석영 유리는 비정질 상태인 것을 확인할 수 있다. 또한 실온에서 성막한 IGZO막의 회절 패턴에서는 헤일로가 아니라 스폿상 패턴이 관찰된다. 그러므로 실온에서 성막한 IGZO막은 결정 상태도 비정질 상태도 아닌 중간 상태이고, 비정질 상태라고 결론을 내릴 수 없는 것으로 추정된다.
<<산화물 반도체의 구조>>
또한 산화물 반도체는 구조에 주목한 경우, 상기와는 다른 식으로 분류되는 경우가 있다. 예를 들어 산화물 반도체는 단결정 산화물 반도체와, 그 외의 비단결정 산화물 반도체로 분류된다. 비단결정 산화물 반도체로서는, 예를 들어 상술한 CAAC-OS 및 nc-OS가 있다. 또한 비단결정 산화물 반도체에는 다결정 산화물 반도체, a-like OS(amorphous-like oxide semiconductor), 비정질 산화물 반도체 등이 포함된다.
여기서, 상술한 CAAC-OS, nc-OS, 및 a-like OS에 대하여 자세히 설명한다.
[CAAC-OS]
CAAC-OS는 복수의 결정 영역을 가지고, 상기 복수의 결정 영역은 c축이 특정 방향으로 배향되는 산화물 반도체이다. 또한 특정 방향이란, CAAC-OS막의 두께 방향, CAAC-OS막의 피형성면의 법선 방향, 또는 CAAC-OS막의 표면의 법선 방향을 말한다. 또한 결정 영역이란, 원자 배열에 주기성을 가지는 영역을 말한다. 또한 원자 배열을 격자 배열로 간주하면, 결정 영역은 격자 배열이 정렬된 영역이기도 하다. 또한 CAAC-OS는 a-b면 방향에서 복수의 결정 영역이 연결되는 영역을 가지고, 상기 영역은 변형을 가지는 경우가 있다. 또한 변형이란, 복수의 결정 영역이 연결되는 영역에서, 격자 배열이 정렬된 영역과, 격자 배열이 정렬된 다른 영역 사이에서 격자 배열의 방향이 변화되는 부분을 가리킨다. 즉 CAAC-OS는 c축 배향을 가지고, a-b면 방향으로는 명확한 배향을 가지지 않는 산화물 반도체이다.
또한 상기 복수의 결정 영역의 각각은, 하나 또는 복수의 미소한 결정(최대 직경이 10nm 미만인 결정)으로 구성된다. 결정 영역이 하나의 미소한 결정으로 구성되는 경우, 상기 결정 영역의 최대 직경은 10nm 미만이 된다. 또한 결정 영역이 다수의 미소한 결정으로 구성되는 경우, 상기 결정 영역의 크기는 수십nm 정도가 되는 경우가 있다.
또한 In-M-Zn 산화물(원소 M은 알루미늄, 갈륨, 이트륨, 주석, 및 타이타늄 등에서 선택된 1종류 또는 복수 종류)에서, CAAC-OS는 인듐(In) 및 산소를 포함하는 층(이하 In층)과, 원소 M, 아연(Zn), 및 산소를 포함하는 층(이하 (M,Zn)층)이 적층된 층상의 결정 구조(층상 구조라고도 함)를 가지는 경향이 있다. 또한 인듐과 원소 M은 서로 치환될 수 있다. 따라서 (M,Zn)층에는 인듐이 포함되는 경우가 있다. 또한 In층에는 원소 M이 포함되는 경우가 있다. 또한 In층에는 Zn이 포함되는 경우도 있다. 상기 층상 구조는 예를 들어 고분해능 TEM(Transmission Electron Microscope)상에 있어서 격자상으로 관찰된다.
예를 들어 XRD 장치를 사용하여 CAAC-OS막의 구조 해석을 수행할 때, θ/2θ 스캔을 사용한 Out-of-plane XRD 측정에서는 c축 배향을 나타내는 피크가 2θ=31° 또는 그 근방에서 검출된다. 또한 c축 배향을 나타내는 피크의 위치(2θ의 값)는 CAAC-OS를 구성하는 금속 원소의 종류, 조성 등에 따라 변동되는 경우가 있다.
또한 예를 들어 CAAC-OS막의 전자선 회절 패턴에서 복수의 휘점(스폿)이 관측된다. 또한 어떤 스폿과 다른 스폿은 시료를 투과한 입사 전자선의 스폿(다이렉트 스폿이라고도 함)을 대칭 중심으로 점대칭의 위치에서 관측된다.
상기 특정 방향에서 결정 영역을 관찰한 경우, 상기 결정 영역 내의 격자 배열은 기본적으로 육방 격자이지만, 단위 격자는 정육각형에 한정되지 않고, 비정육각형인 경우가 있다. 또한 상기 변형에서 오각형, 칠각형 등의 격자 배열이 포함되는 경우가 있다. 또한 CAAC-OS에서 변형 근방에서도 명확한 결정립계(그레인 바운더리)를 확인할 수는 없다. 즉 격자 배열의 변형에 의하여 결정립계의 형성이 억제되는 것을 알 수 있다. 이는, CAAC-OS가 a-b면 방향에서 산소 원자의 배열이 조밀하지 않거나, 금속 원자가 치환됨으로써 원자 사이의 결합 거리가 변화되는 것 등에 의하여 변형을 허용할 수 있기 때문이라고 생각된다.
또한 명확한 결정립계가 확인되는 결정 구조는 소위 다결정(polycrystal)이다. 결정립계는 재결합 중심이 되고, 캐리어가 포획되어 트랜지스터의 온 전류의 저하, 전계 효과 이동도의 저하 등을 일으킬 가능성이 높다. 따라서 명확한 결정립계가 확인되지 않는 CAAC-OS는 트랜지스터의 반도체층에 적합한 결정 구조를 가지는 결정성 산화물의 하나이다. 또한 CAAC-OS를 구성하기 위해서는, Zn을 포함하는 구성이 바람직하다. 예를 들어 In-Zn 산화물 및 In-Ga-Zn 산화물은 In 산화물보다 결정립계의 발생을 억제할 수 있기 때문에 적합하다.
CAAC-OS는 결정성이 높고, 명확한 결정립계가 확인되지 않는 산화물 반도체이다. 따라서 CAAC-OS는 결정립계에 기인하는 전자 이동도의 저하가 일어나기 어렵다고 할 수 있다. 또한 산화물 반도체의 결정성은 불순물의 혼입, 또는 결함의 생성 등으로 인하여 저하하는 경우가 있기 때문에, CAAC-OS는 불순물 및 결함(산소 결손 등)이 적은 산화물 반도체라고도 할 수 있다. 따라서 CAAC-OS를 가지는 산화물 반도체는 물리적 성질이 안정된다. 그러므로 CAAC-OS를 가지는 산화물 반도체는 열에 강하고 신뢰성이 높다. 또한 CAAC-OS는 제조 공정에서의 높은 온도(소위 thermal budget)에 대해서도 안정적이다. 따라서 OS 트랜지스터에 CAAC-OS를 사용하면 제조 공정의 자유도를 높일 수 있게 된다.
[nc-OS]
nc-OS는 미소한 영역(예를 들어 1nm 이상 10nm 이하의 영역, 특히 1nm 이상 3nm 이하의 영역)에서 원자 배열에 주기성을 가진다. 바꿔 말하면, nc-OS는 미소한 결정을 가진다. 또한 상기 미소한 결정은 크기가 예를 들어 1nm 이상 10nm 이하, 특히 1nm 이상 3nm 이하이기 때문에 나노 결정이라고도 한다. 또한 nc-OS에서는 상이한 나노 결정 간에서 결정 방위에 규칙성이 보이지 않는다. 그러므로 막 전체에서 배향성이 보이지 않는다. 따라서, nc-OS는 분석 방법에 따라서는 a-like OS 및 비정질 산화물 반도체와 구별이 되지 않는 경우가 있다. 예를 들어 XRD 장치를 사용하여 nc-OS막의 구조 해석을 수행할 때, θ/2θ 스캔을 사용한 Out-of-plane XRD 측정에서는 결정성을 나타내는 피크가 검출되지 않는다. 또한 nc-OS막에 대하여 나노 결정보다 큰 프로브 직경(예를 들어 50nm 이상)의 전자선을 사용하는 전자선 회절(제한 시야 전자선 회절이라고도 함)을 수행하면, 헤일로 패턴과 같은 회절 패턴이 관측된다. 한편, nc-OS막에 대하여 나노 결정의 크기와 가깝거나 나노 결정보다 작은 프로브 직경(예를 들어 1nm 이상 30nm 이하)의 전자선을 사용하는 전자선 회절(나노빔 전자선 회절이라고도 함)을 수행하면, 다이렉트 스폿을 중심으로 하는 링 형상의 영역 내에 복수의 스폿이 관측되는 전자선 회절 패턴이 취득되는 경우가 있다.
[a-like OS]
a-like OS는 nc-OS와 비정질 산화물 반도체의 중간의 구조를 가지는 산화물 반도체이다. a-like OS는 공동(void) 또는 저밀도 영역을 가진다. 즉 a-like OS는 nc-OS 및 CAAC-OS에 비하여 결정성이 낮다. 또한 a-like OS는 nc-OS 및 CAAC-OS에 비하여 막 중의 수소 농도가 높다.
<<산화물 반도체의 구성>>
다음으로, 상술한 CAC-OS에 대하여 자세히 설명한다. 또한 CAC-OS는 재료 구성에 관한 것이다.
[CAC-OS]
CAC-OS란, 예를 들어 금속 산화물을 구성하는 원소가 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 3nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 편재된 재료의 한 구성이다. 또한 이하에서는 금속 산화물에서 하나 또는 복수의 금속 원소가 편재되고, 상기 금속 원소를 포함하는 영역이 0.5nm 이상 10nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 3nm 이하, 또는 그 근방의 크기로 혼합된 상태를 모자이크 패턴 또는 패치 패턴이라고도 한다.
또한 CAC-OS란, 재료가 제 1 영역과 제 2 영역으로 분리하여 모자이크 패턴을 형성하고, 상기 제 1 영역이 막 내에 분포된 구성(이하 클라우드상이라고도 함)이다. 즉 CAC-OS는 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역이 혼합된 구성을 가지는 복합 금속 산화물이다.
여기서, In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS를 구성하는 금속 원소에 대한 In, Ga, 및 Zn의 원자수비를 각각 [In], [Ga], 및 [Zn]으로 표기한다. 예를 들어, In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS에서, 제 1 영역은 [In]이 CAC-OS막의 조성에서의 [In]보다 큰 영역이다. 또한 제 2 영역은 [Ga]가 CAC-OS막의 조성에서의 [Ga]보다 큰 영역이다. 또는 예를 들어 제 1 영역은 [In]이 제 2 영역에서의 [In]보다 크며, [Ga]가 제 2 영역에서의 [Ga]보다 작은 영역이다. 또한 제 2 영역은 [Ga]가 제 1 영역에서의 [Ga]보다 크며, [In]이 제 1 영역에서의 [In]보다 작은 영역이다.
구체적으로는 상기 제 1 영역은 인듐 산화물, 인듐 아연 산화물 등이 주성분인 영역이다. 또한 상기 제 2 영역은 갈륨 산화물, 갈륨 아연 산화물 등이 주성분인 영역이다. 즉 상기 제 1 영역을 In을 주성분으로 하는 영역이라고 바꿔 말할 수 있다. 또한 상기 제 2 영역을 Ga를 주성분으로 하는 영역이라고 바꿔 말할 수 있다.
또한 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역 사이에서 명확한 경계를 관찰할 수 없는 경우가 있다.
또한 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS란, In, Ga, Zn, 및 O를 포함하는 재료 구성에 있어서, 일부에 Ga를 주성분으로 하는 영역을 가지고, 일부에 In을 주성분으로 하는 영역을 가지고, 이들 영역이 각각 모자이크 패턴이며 랜덤으로 존재하는 구성을 말한다. 따라서 CAC-OS는 금속 원소가 불균일하게 분포된 구조를 가지는 것으로 추측된다.
CAC-OS는 예를 들어 기판을 가열하지 않는 조건에서 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 또한 CAC-OS를 스퍼터링법으로 형성하는 경우, 성막 가스로서 불활성 가스(대표적으로는 아르곤), 산소 가스, 및 질소 가스에서 선택된 어느 하나 또는 복수를 사용하면 좋다. 또한 성막 시의 성막 가스의 총유량에 대한 산소 가스의 유량비는 낮을수록 바람직하고, 예를 들어 성막 시의 성막 가스의 총유량에 대한 산소 가스의 유량비를 0% 이상 30% 미만, 바람직하게는 0% 이상 10% 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한 예를 들어 In-Ga-Zn 산화물에서의 CAC-OS에서는 에너지 분산형 X선 분광법(EDX: Energy Dispersive X-ray spectroscopy)을 사용하여 취득한 EDX 매핑에 의하여, In을 주성분으로 하는 영역(제 1 영역)과, Ga를 주성분으로 하는 영역(제 2 영역)이 편재되고 혼합되는 구조를 가지는 것을 확인할 수 있다.
여기서, 제 1 영역은 제 2 영역에 비하여 도전성이 높은 영역이다. 즉 제 1 영역을 캐리어가 흐름으로써 금속 산화물의 도전성이 발현된다. 따라서 제 1 영역이 금속 산화물 내에서 클라우드상으로 분포됨으로써 높은 전계 효과 이동도(μ)를 실현할 수 있다.
한편, 제 2 영역은 제 1 영역에 비하여 절연성이 높은 영역이다. 즉 제 2 영역이 금속 산화물 내에 분포됨으로써 누설 전류를 억제할 수 있다.
따라서 CAC-OS를 트랜지스터에 사용하는 경우에는, 제 1 영역에 기인하는 도전성과 제 2 영역에 기인하는 절연성이 상보적으로 작용함으로써, 스위칭 기능(On/Off 기능)을 CAC-OS에 부여할 수 있다. 즉 CAC-OS는 재료의 일부에서는 도전성의 기능을 가지고, 재료의 일부에서는 절연성의 기능을 가지고, 재료의 전체에서는 반도체로서의 기능을 가진다. 도전성의 기능과 절연성의 기능을 분리함으로써 양쪽의 기능을 최대한 높일 수 있다. 따라서, CAC-OS를 트랜지스터에 사용함으로써, 높은 온 전류(Ion), 높은 전계 효과 이동도(μ), 및 양호한 스위칭 동작을 실현할 수 있다.
또한 CAC-OS를 사용한 트랜지스터는 신뢰성이 높다. 따라서 CAC-OS는 표시 장치를 비롯한 다양한 반도체 장치에 최적이다.
산화물 반도체는 다양한 구조를 취하고, 각각이 상이한 특성을 가진다. 본 발명의 일 형태의 산화물 반도체는 비정질 산화물 반도체, 다결정 산화물 반도체, a-like OS, CAC-OS, nc-OS, CAAC-OS 중 2종류 이상을 가져도 좋다.
<산화물 반도체를 가지는 트랜지스터>
이어서, 상기 산화물 반도체를 트랜지스터에 사용하는 경우에 대하여 설명한다.
상기 산화물 반도체를 트랜지스터에 사용함으로써 전계 효과 이동도가 높은 트랜지스터를 실현할 수 있다. 또한 신뢰성이 높은 트랜지스터를 실현할 수 있다.
트랜지스터에는 캐리어 농도가 낮은 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 산화물 반도체의 캐리어 농도는 1Х1017cm-3 이하, 바람직하게는 1Х1015cm-3 이하, 더 바람직하게는 1Х1013cm-3 이하, 더욱 바람직하게는 1Х1011cm-3 이하, 더욱더 바람직하게는 1Х1010cm-3 미만이고, 1Х10-9cm-3 이상이다. 또한 산화물 반도체막의 캐리어 농도를 낮추는 경우에는, 산화물 반도체막 내의 불순물 농도를 낮추고, 결함 준위 밀도를 낮추면 좋다. 본 명세서 등에서 불순물 농도가 낮고 결함 준위 밀도가 낮은 것을 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성이라고 한다. 또한 캐리어 농도가 낮은 산화물 반도체를 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체라고 부르는 경우가 있다.
또한 고순도 진성 또는 실질적으로 고순도 진성인 산화물 반도체막은 결함 준위 밀도가 낮기 때문에 트랩 준위 밀도도 낮아지는 경우가 있다.
또한 산화물 반도체의 트랩 준위에 포획된 전하는, 소실되는 데 걸리는 시간이 길고, 마치 고정 전하처럼 작용하는 경우가 있다. 그러므로 트랩 준위 밀도가 높은 산화물 반도체에 채널 형성 영역이 형성되는 트랜지스터는 전기 특성이 불안정해지는 경우가 있다.
따라서 트랜지스터의 전기 특성을 안정적으로 하기 위해서는, 산화물 반도체 내의 불순물 농도를 저감하는 것이 유효하다. 또한 산화물 반도체 내의 불순물 농도를 저감하기 위해서는, 근접한 막 내의 불순물 농도도 저감하는 것이 바람직하다. 불순물로서는 수소, 질소, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 철, 니켈, 실리콘 등이 있다.
<불순물>
여기서, 산화물 반도체 내에서의 각 불순물의 영향에 대하여 설명한다.
산화물 반도체에 14족 원소의 하나인 실리콘 또는 탄소가 포함되면 산화물 반도체에서 결함 준위가 형성된다. 그러므로 산화물 반도체에서의 실리콘 및 탄소의 농도와, 산화물 반도체와의 계면 근방의 실리콘 및 탄소의 농도(이차 이온 질량 분석법(SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry)에 의하여 얻어지는 농도)를 2Х1018atoms/cm3 이하, 바람직하게는 2Х1017atoms/cm3 이하로 한다.
또한 산화물 반도체에 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 포함되면, 결함 준위를 형성하여 캐리어를 생성하는 경우가 있다. 따라서 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이 포함되는 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성을 가지기 쉽다. 그러므로 SIMS에 의하여 얻어지는 산화물 반도체 내의 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 농도를 1Х1018atoms/cm3 이하, 바람직하게는 2Х1016atoms/cm3 이하로 한다.
또한 산화물 반도체에 질소가 포함되면, 캐리어인 전자가 발생하고 캐리어 농도가 증가되어 n형화되기 쉽다. 그러므로 질소가 포함되는 산화물 반도체를 반도체에 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성을 가지기 쉽다. 또는 산화물 반도체에 질소가 포함되면, 트랩 준위가 형성되는 경우가 있다. 이 결과, 트랜지스터의 전기 특성이 불안정해지는 경우가 있다. 그러므로 SIMS에 의하여 얻어지는 산화물 반도체 내의 질소 농도를 5Х1019atoms/cm3 미만, 바람직하게는 5Х1018atoms/cm3 이하, 더 바람직하게는 1Х1018atoms/cm3 이하, 더욱 바람직하게는 5Х1017atoms/cm3 이하로 한다.
또한 산화물 반도체에 포함되는 수소는 금속 원자와 결합하는 산소와 반응하여 물이 되기 때문에 산소 결손을 형성하는 경우가 있다. 상기 산소 결손에 수소가 들어감으로써, 캐리어인 전자가 생성되는 경우가 있다. 또한 수소의 일부가 금속 원자와 결합하는 산소와 결합하여, 캐리어인 전자를 생성하는 경우가 있다. 따라서 수소가 포함되는 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 노멀리 온 특성을 가지기 쉽다. 그러므로 산화물 반도체 내의 수소는 가능한 한 저감되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 산화물 반도체에서 SIMS에 의하여 얻어지는 수소 농도를 1Х1020atoms/cm3 미만, 바람직하게는 1Х1019atoms/cm3 미만, 더 바람직하게는 5Х1018atoms/cm3 미만, 더욱 바람직하게는 1Х1018atoms/cm3 미만으로 한다.
불순물이 충분히 저감된 산화물 반도체를 트랜지스터의 채널 형성 영역에 사용함으로써, 안정된 전기 특성을 부여할 수 있다.
본 실시형태는 적어도 그 일부를 본 명세서에 기재되는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 전자 기기에 대하여 도 18의 (A) 내지 도 21의 (F)를 사용하여 설명한다.
본 실시형태의 전자 기기는 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 가진다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 고정세화, 고해상도화, 대형화의 각각이 용이하다. 따라서, 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 다양한 전자 기기의 표시부에 사용할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 낮은 비용으로 제작할 수 있기 때문에 전자 기기의 제조 비용을 절감할 수 있다.
전자 기기로서는 예를 들어 텔레비전 장치, 데스크톱형 또는 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 사이니지, 파칭코기 등의 대형 게임기 등 비교적 큰 화면을 가지는 전자 기기 외에, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 액자, 휴대 전화기, 휴대용 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치 등이 있다.
특히 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 정세도를 높일 수 있기 때문에, 비교적 작은 표시부를 가지는 전자 기기에 적합하게 사용할 수 있다. 이와 같은 전자 기기로서는 예를 들어 손목시계형, 팔찌형 등의 정보 단말기(웨어러블 기기), 그리고 헤드 마운트 디스플레이 등의 VR용 기기, 안경형 AR용 기기 등 머리에 장착할 수 있는 웨어러블 기기 등이 있다. 또한 웨어러블 기기로서는 SR용 기기 및 MR용 기기도 들 수 있다.
본 발명의 일 형태의 표시 장치는 HD(화소수 1280Х720), FHD(화소수 1920Х1080), WQHD(화소수 2560Х1440), WQXGA(화소수 2560Х1600), 4K2K(화소수 3840Х2160), 8K4K(화소수 7680Х4320) 등 매우 높은 해상도를 가지는 것이 바람직하다. 특히 4K2K, 8K4K, 또는 이 이상의 해상도로 하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서의 화소 밀도(정세도)는 300ppi 이상이 바람직하고, 500ppi 이상이 더 바람직하고, 1000ppi 이상이 더 바람직하고, 2000ppi 이상이 더 바람직하고, 3000ppi 이상이 더 바람직하고, 5000ppi 이상이 더 바람직하고, 7000ppi 이상이 더욱 바람직하다. 이와 같이 높은 해상도 또는 높은 정세도를 가지는 표시 장치를 사용함으로써, 휴대형 또는 가정 용도 등 개인적으로 사용하는 전자 기기에 있어서 현장감 및 깊이감 등을 더 높일 수 있다.
본 실시형태의 전자 기기는 가옥 또는 빌딩의 내벽 또는 외벽, 또는 자동차의 내장 또는 외장의 곡면을 따라 제공할 수 있다.
본 실시형태의 전자 기기는 안테나를 가져도 좋다. 안테나로 신호를 수신함으로써 표시부에 영상 및 정보 등을 표시할 수 있다. 또한 전자 기기가 안테나 및 이차 전지를 가지는 경우, 안테나를 비접촉 전력 전송(傳送)에 사용하여도 좋다.
본 실시형태의 전자 기기는 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도(硬度), 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것)를 가져도 좋다.
본 실시형태의 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)를 실행하는 기능, 무선 통신 기능, 기록 매체에 기록되는 프로그램 또는 데이터를 판독하는 기능 등을 가질 수 있다.
도 18의 (A)에 나타낸 전자 기기(6500)는 스마트폰으로서 사용할 수 있는 휴대 정보 단말기이다.
전자 기기(6500)는 하우징(6501), 표시부(6502), 전원 버튼(6503), 버튼(6504), 스피커(6505), 마이크로폰(6506), 카메라(6507), 및 광원(6508) 등을 가진다. 표시부(6502)는 터치 패널 기능을 가진다.
표시부(6502)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 18의 (B)는 하우징(6501)의 마이크로폰(6506) 측의 단부를 포함하는 단면 개략도이다.
하우징(6501)의 표시면 측에는 투광성을 가지는 보호 부재(6510)가 제공되고, 하우징(6501)과 보호 부재(6510)로 둘러싸인 공간 내에 표시 패널(6511), 광학 부재(6512), 터치 센서 패널(6513), 인쇄 기판(6517), 배터리(6518) 등이 배치된다.
보호 부재(6510)에는 표시 패널(6511), 광학 부재(6512), 및 터치 센서 패널(6513)이 접착층(미도시)에 의하여 고정되어 있다.
표시부(6502)보다 외측의 영역에서 표시 패널(6511)의 일부가 접히고, 이 접힌 부분에 FPC(6515)가 접속된다. FPC(6515)에는 IC(6516)가 실장되어 있다. FPC(6515)는 인쇄 기판(6517)에 제공된 단자에 접속된다.
표시 패널(6511)에는 본 발명의 일 형태의 플렉시블 디스플레이(가요성을 가지는 표시 장치)를 적용할 수 있다. 그러므로 매우 가벼운 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한 표시 패널(6511)이 매우 얇기 때문에 전자 기기의 두께를 억제하면서 대용량 배터리(6518)를 탑재할 수도 있다. 또한 표시 패널(6511)의 일부를 접어 화소부의 이면 측에 FPC(6515)와의 접속부를 배치함으로써 슬림 베젤의 전자 기기를 실현할 수 있다.
도 19의 (A)에 텔레비전 장치의 일례를 나타내었다. 텔레비전 장치(7100)는 하우징(7101)에 표시부(7000)가 제공되어 있다. 여기서는 스탠드(7103)에 의하여 하우징(7101)을 지지한 구성을 나타내었다.
표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 19의 (A)에 나타낸 텔레비전 장치(7100)는 하우징(7101)이 가지는 조작 스위치 및 별체의 리모트 컨트롤러(7111)에 의하여 조작할 수 있다. 또는 표시부(7000)에 터치 센서를 가져도 좋고, 손가락 등으로 표시부(7000)를 터치함으로써 텔레비전 장치(7100)를 조작하여도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)는 상기 리모트 컨트롤러(7111)로부터 출력되는 정보를 표시하는 표시부를 가져도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)의 조작 키 또는 터치 패널에 의하여 채널 및 음량을 조작할 수 있고, 표시부(7000)에 표시되는 영상을 조작할 수 있다.
또한 텔레비전 장치(7100)는 수신기 및 모뎀 등을 가지는 구성으로 한다. 수신기에 의하여 일반적인 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 또한 모뎀을 통하여 유선 또는 무선에 의하여 통신 네트워크에 접속함으로써 한 방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이, 또는 수신자들 사이 등)의 정보 통신을 수행할 수도 있다.
도 19의 (B)에 노트북형 퍼스널 컴퓨터의 일례를 나타내었다. 노트북형 퍼스널 컴퓨터(7200)는 하우징(7211), 키보드(7212), 포인팅 디바이스(7213), 외부 접속 포트(7214) 등을 가진다. 하우징(7211)에 표시부(7000)가 제공된다.
표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 19의 (C) 및 (D)에 디지털 사이니지의 일례를 나타내었다.
도 19의 (C)에 나타낸 디지털 사이니지(7300)는 하우징(7301), 표시부(7000), 및 스피커(7303) 등을 가진다. 또한 LED 램프, 조작 키(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자, 각종 센서, 마이크로폰 등을 가질 수 있다.
도 19의 (D)는 원기둥 형상의 기둥(7401)에 제공된 디지털 사이니지(7400)를 나타낸 것이다. 디지털 사이니지(7400)는 기둥(7401)의 곡면을 따라 제공된 표시부(7000)를 가진다.
도 19의 (C) 및 (D)에서는 표시부(7000)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
표시부(7000)가 넓을수록 한번에 제공할 수 있는 정보량을 늘릴 수 있다. 또한 표시부(7000)가 넓을수록 사람의 눈에 띄기 쉽고, 예를 들어 광고의 홍보 효과를 높일 수 있다.
표시부(7000)에 터치 패널을 적용함으로써, 표시부(7000)에 화상 또는 동영상을 표시할 뿐만 아니라, 사용자가 직관적으로 조작할 수 있어 바람직하다. 또한 노선 정보 또는 교통 정보 등의 정보를 제공하기 위한 용도로 사용하는 경우에는, 직관적인 조작에 의하여 사용성을 높일 수 있다.
또한 도 19의 (C) 및 (D)에 나타낸 바와 같이, 디지털 사이니지(7300) 또는 디지털 사이니지(7400)는 사용자가 가지는 스마트폰 등의 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)와 무선 통신에 의하여 연계할 수 있는 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시부(7000)에 표시되는 광고의 정보를 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)의 화면에 표시시킬 수 있다. 또한 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)를 조작함으로써 표시부(7000)의 표시를 전환할 수 있다.
또한 디지털 사이니지(7300) 또는 디지털 사이니지(7400)에 정보 단말기(7311) 또는 정보 단말기(7411)의 화면을 조작 수단(컨트롤러)으로 한 게임을 실행시킬 수도 있다. 이로써 불특정 다수의 사용자가 동시에 게임에 참가하여 즐길 수 있다.
도 20의 (A)는 파인더(8100)가 장착된 상태의 카메라(8000)의 외관을 나타낸 도면이다.
카메라(8000)는 하우징(8001), 표시부(8002), 조작 버튼(8003), 셔터 버튼(8004) 등을 가진다. 또한 카메라(8000)에는 탈착 가능한 렌즈(8006)가 장착된다. 또한 카메라(8000)는 렌즈(8006)와 하우징이 일체화되어 있어도 좋다.
카메라(8000)는 셔터 버튼(8004)을 누르거나 터치 패널로서 기능하는 표시부(8002)를 터치함으로써 촬상할 수 있다.
하우징(8001)은 전극을 가지는 마운트를 가지고, 파인더(8100) 외에 스트로보 장치 등을 접속할 수 있다.
파인더(8100)는 하우징(8101), 표시부(8102), 버튼(8103) 등을 가진다.
하우징(8101)은 카메라(8000)의 마운트와 연결되는 마운트에 의하여 카메라(8000)에 장착되어 있다. 파인더(8100)는 카메라(8000)로부터 수신한 영상 등을 표시부(8102)에 표시시킬 수 있다.
버튼(8103)은 전원 버튼 등으로서의 기능을 가진다.
카메라(8000)의 표시부(8002) 및 파인더(8100)의 표시부(8102)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다. 또한 파인더가 내장된 카메라(8000)이어도 좋다.
도 20의 (B)는 헤드 마운트 디스플레이(8200)의 외관을 나타낸 도면이다.
헤드 마운트 디스플레이(8200)는 장착부(8201), 렌즈(8202), 본체(8203), 표시부(8204), 케이블(8205) 등을 가진다. 또한 장착부(8201)에는 배터리(8206)가 내장된다.
케이블(8205)은 배터리(8206)로부터 본체(8203)에 전력을 공급한다. 본체(8203)는 무선 수신기 등을 가지고, 수신한 영상 정보를 표시부(8204)에 표시시킬 수 있다. 또한 본체(8203)는 카메라를 가지고, 사용자의 안구 또는 눈꺼풀의 움직임의 정보를 입력 수단으로서 사용할 수 있다.
또한 장착부(8201)는 사용자와 접하는 위치에 사용자의 안구의 움직임에 따라 흐르는 전류를 검지할 수 있는 복수의 전극이 제공되고 시선을 인식하는 기능을 가져도 좋다. 또한 상기 전극에 흐르는 전류에 의하여 사용자의 맥박을 모니터링하는 기능을 가져도 좋다. 또한 장착부(8201)는 온도 센서, 압력 센서, 가속도 센서 등의 각종 센서를 가져도 좋고, 사용자의 생체 정보를 표시부(8204)에 표시하는 기능, 사용자의 머리 움직임에 맞추어 표시부(8204)에 표시되는 영상을 변화시키는 기능 등을 가져도 좋다.
표시부(8204)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 20의 (C) 내지 (E)는 헤드 마운트 디스플레이(8300)의 외관을 나타낸 도면이다. 헤드 마운트 디스플레이(8300)는 하우징(8301)과, 표시부(8302)와, 밴드상의 고정구(8304)와, 한 쌍의 렌즈(8305)를 가진다.
사용자는 렌즈(8305)를 통하여 표시부(8302)의 표시를 시인할 수 있다. 또한 표시부(8302)를 만곡시켜 배치하면, 사용자는 높은 현장감을 느낄 수 있어 바람직하다. 또한 표시부(8302)의 상이한 영역에 표시된 다른 화상을 렌즈(8305)를 통하여 시인함으로써 시차를 사용한 3차원 표시 등을 할 수도 있다. 또한 하나의 표시부(8302)를 제공하는 구성에 한정되지 않고, 2개의 표시부(8302)를 제공하여 사용자의 한쪽 눈마다 하나의 표시부를 배치하여도 좋다.
표시부(8302)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다. 본 발명의 일 형태의 표시 장치는 매우 높은 정세도를 실현할 수도 있다. 예를 들어 도 20의 (E)와 같이 렌즈(8305)를 사용하여 표시가 확대되어 시인되는 경우에도 사용자에게 화소가 시인되기 어렵다. 즉 표시부(8302)를 사용하여 사용자에게 현실감이 높은 영상을 시인시킬 수 있다.
도 20의 (F)는 고글형 헤드 마운트 디스플레이(8400)의 외관을 나타낸 도면이다. 헤드 마운트 디스플레이(8400)는 한 쌍의 하우징(8401)과, 장착부(8402)와, 완충 부재(8403)를 가진다. 한 쌍의 하우징(8401) 내에는 각각 표시부(8404) 및 렌즈(8405)가 제공된다. 한 쌍의 표시부(8404)에 서로 다른 화상을 표시함으로써, 시차를 사용한 3차원 표시를 수행할 수 있다.
사용자는 렌즈(8405)를 통하여 표시부(8404)를 시인할 수 있다. 렌즈(8405)는 초점 조정 기구를 가지고, 사용자의 시력에 따라 위치를 조정할 수 있다. 표시부(8404)는 정방형 또는 가로로 긴 장방형인 것이 바람직하다. 이로써 현장감을 높일 수 있다.
장착부(8402)는 사용자의 얼굴 크기에 따라 조정할 수 있고 또한 흘러내리지 않도록 가소성 및 탄성을 가지는 것이 바람직하다. 또한 장착부(8402)의 일부는 골전도 이어폰으로서 기능하는 진동 기구를 가지는 것이 바람직하다. 이로써 별도로 이어폰, 스피커 등의 음향 기기가 불필요하고, 장착하기만 하면 영상과 음성을 즐길 수 있다. 또한 하우징(8401) 내에 무선 통신에 의하여 음성 데이터를 출력하는 기능을 가져도 좋다.
장착부(8402)와 완충 부재(8403)는 사용자의 얼굴(이마, 뺨 등)에 접촉하는 부분이다. 완충 부재(8403)가 사용자의 얼굴과 밀착되면, 광 누설을 방지할 수 있기 때문에 몰입감을 더 높일 수 있다. 완충 부재(8403)는 사용자가 헤드 마운트 디스플레이(8400)를 장착하였을 때 사용자의 얼굴에 밀착되도록 부드러운 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 고무, 실리콘(silicone) 고무, 우레탄, 스펀지 등의 소재를 사용할 수 있다. 또한 스펀지 등의 표면을 천, 피혁(천연 피혁 또는 합성 피혁) 등으로 덮은 것을 사용하면, 사용자의 얼굴과 완충 부재(8403) 사이에 틈이 생기기 어렵기 때문에 광 누설을 적합하게 방지할 수 있다. 또한 이와 같은 소재를 사용하면 촉감이 좋고, 추운 계절 등에 장착한 경우에 사용자가 차갑다고 느끼지 않기 때문에 바람직하다. 완충 부재(8403) 또는 장착부(8402) 등 사용자의 피부에 접촉되는 부재를 탈착 가능한 구성으로 하면, 클리닝 또는 교환이 용이하기 때문에 바람직하다.
도 21의 (A) 내지 (F)에 나타낸 전자 기기는 하우징(9000), 표시부(9001), 스피커(9003), 조작 키(9005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(9006), 센서(9007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새 또는 적외선을 측정하는 기능을 포함하는 것), 마이크로폰(9008) 등을 가진다.
도 21의 (A) 내지 (F)에 나타낸 전자 기기는 다양한 기능을 가진다. 예를 들어 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 기록 매체에 기록되는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 처리하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 전자 기기의 기능은 이들에 한정되지 않고 다양한 기능을 가질 수 있다. 전자 기기는 복수의 표시부를 가져도 좋다. 또한 전자 기기는 카메라 등이 제공되고, 정지 화상 또는 동영상을 촬영하고 기록 매체(외부 기록 매체 또는 카메라에 내장된 기록 매체)에 저장하는 기능, 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가져도 좋다.
표시부(9001)에 본 발명의 일 형태의 표시 장치를 적용할 수 있다.
도 21의 (A) 내지 (F)에 나타낸 전자 기기의 자세한 내용에 대하여 이하에서 설명한다.
도 21의 (A)는 휴대 정보 단말기(9101)를 나타낸 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9101)는 예를 들어 스마트폰으로서 사용할 수 있다. 또한 휴대 정보 단말기(9101)에는 스피커(9003), 접속 단자(9006), 센서(9007) 등을 제공하여도 좋다. 또한 휴대 정보 단말기(9101)는 복수의 면에 문자 및 화상 정보를 표시할 수 있다. 도 21의 (A)에서는 3개의 아이콘(9050)을 표시한 예를 나타내었다. 또한 파선의 직사각형으로 나타낸 정보(9051)를 표시부(9001)의 다른 면에 표시할 수도 있다. 정보(9051)의 일례로서는 전자 메일, SNS, 또는 전화 등의 착신의 알림, 전자 메일 또는 SNS 등의 제목, 송신자명, 일시, 시각, 배터리의 잔량, 안테나 수신의 강도 등이 있다. 또는 정보(9051)가 표시되는 위치에는 아이콘(9050) 등을 표시하여도 좋다.
도 21의 (B)는 휴대 정보 단말기(9102)를 나타낸 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9102)는 표시부(9001)의 3면 이상에 정보를 표시하는 기능을 가진다. 여기서는 정보(9052), 정보(9053), 정보(9054)가 상이한 면에 표시되어 있는 예를 나타내었다. 예를 들어, 사용자는 옷의 가슴 포켓에 휴대 정보 단말기(9102)를 수납한 상태에서, 휴대 정보 단말기(9102) 위쪽에서 볼 수 있는 위치에 표시된 정보(9053)를 확인할 수도 있다. 사용자는 휴대 정보 단말기(9102)를 주머니로부터 꺼내지 않고 표시를 확인하고, 예를 들어 전화를 받을지 여부를 판단할 수 있다.
도 21의 (C)는 손목시계형 휴대 정보 단말기(9200)를 나타낸 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9200)는 예를 들어 스마트워치(등록 상표)로서 사용할 수 있다. 또한 표시부(9001)는 그 표시면이 만곡되어 제공되고, 만곡한 표시면을 따라 표시를 수행할 수 있다. 또한 휴대 정보 단말기(9200)를 예를 들어 무선 통신이 가능한 헤드셋과 상호 통신시킴으로써 핸즈프리로 통화를 할 수도 있다. 또한 휴대 정보 단말기(9200)는 접속 단자(9006)에 의하여 다른 정보 단말기와 상호적으로 데이터를 전송하거나, 충전할 수 있다. 또한 충전 동작은 무선 급전에 의하여 수행하여도 좋다.
도 21의 (D) 내지 (F)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기(9201)를 나타낸 사시도이다. 또한 도 21의 (D)는 휴대 정보 단말기(9201)를 펼친 상태, 도 21의 (F)는 접은 상태, 도 21의 (E)는 도 21의 (D) 및 (F) 중 한쪽으로부터 다른 쪽으로 변화되는 도중의 상태의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9201)는 접은 상태에서는 가반성이 우수하고, 펼친 상태에서는 이음매가 없고 넓은 표시 영역에 의하여 표시의 일람성이 우수하다. 휴대 정보 단말기(9201)가 가지는 표시부(9001)는 힌지(9055)에 의하여 연결된 3개의 하우징(9000)으로 지지된다. 예를 들어 표시부(9001)는 곡률 반경 0.1mm 이상 150mm 이하로 구부릴 수 있다.
본 실시형태에서 예시한 구성예 및 이들에 대응하는 도면 등은 적어도 그 일부를 다른 구성예 또는 도면 등과 적절히 조합할 수 있다.
(실시예)
본 실시예에서는 본 발명의 일 형태의 표시 패널을 제작하였다.
[표시 패널의 제작]
표시 패널의 제작은 실시형태 1, 제작 방법의 예 1에서 예시한 방법을 바탕으로 수행하였다. 구체적으로는 먼저 단결정 실리콘 기판 위에 트랜지스터 및 배선 등이 제공된 화소 회로와, 화소 전극이 형성된 기판을 준비하였다. 다음으로 적색 EL층, 녹색 EL층, 청색 EL층을 순차적으로 형성한 후에, 각 EL층의 측면을 보호하는 절연층을 형성하였다. 이어서 각 EL층 위의 희생층 및 보호층을 제거하였다. 다음으로 EL층 위에 전자 주입층, 공통 전극, 및 보호층을 순차적으로 형성하였다.
기판으로서는 단결정 실리콘 기판을 사용하고, 단결정 실리콘 트랜지스터, 배선층, 산화물 반도체 트랜지스터(OS 트랜지스터), 발광 소자를 순차적으로 적층하여 표시 패널을 제작하였다. OS 트랜지스터에서는 반도체층에 In-Ga-Zn 산화물막(IGZO)을 사용하였다.
EL층으로서는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 및 전자 수송층의 적층 구조를 형성하였다. 희생층으로서는 기판 온도 80℃에서 ALD법으로 형성한 산화 알루미늄막, 및 스퍼터링법에 의하여 형성한 텅스텐막을 사용하였다. EL층의 측벽을 보호하는 절연층으로서는 ALD법에 의하여 형성한 산화 알루미늄막과, 감광성 수지를 사용하였다. 전자 주입층으로서는 플루오린화 리튬막과 이터븀막의 적층막을 사용하고, 공통 전극으로서는 은과 마그네슘의 혼합막을 사용하고, 공통 전극 위의 보호층으로서는 스퍼터링법으로 형성한 ITO막을 사용하였다.
본 실시예에서 제작한 표시 패널은 표시부의 크기가 대각선 0.99inch인 정방형이고, 유효 화소수가 1920Х1920이고, 정세도가 2731ppi이고, 화소 피치가 9.3μmХ9.3μm이고, 화소 배열이 R, G, B 스트라이프 배열이고, 개구율이 43%(설곗값)이고, 프레임 주파수가 90Hz이다.
[표시 결과]
도 22의 (A) 및 (B)에 제작한 표시 패널의 표시 사진을 나타내었다. 메탈 마스크를 사용하지 않는 구분 도포 방식에 의하여, 2731ppi로 매우 높은 정세도이면서 컬러의 화상을 실현할 수 있었다.
[스펙트럼 측정]
제작한 표시 패널에 대하여 스펙트럼 측정을 수행하였다. 측정은 표시 패널의 모든 화소를 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 및 흑색(BK)으로 각각 표시시킨 상태로, 분광 방사 강도의 파장 의존성을 측정하였다. 또한 여기서는 비교를 위하여 백색 OLED와 컬러 필터를 사용한 2종류의 표시 패널(비교예 1 및 비교예 2)에 대해서도 같은 평가를 수행하였다. 또한 비교예 1 및 비교예 2의 정세도는 본 실시예에서 제작한 표시 패널(실시예라고 표기함)과 각각 같은 정도이다.
도 23의 (A), (B), 및 (C)에 각각 실시예, 비교예 1, 비교예 2에서의 스펙트럼 측정 결과를 나타내었다. 또한 도 24의 (A), (B), (C)에서는 세로축을 로그축으로 하였다. 각 도면에 있어서, 가로축은 파장[nm]이고 세로축은 분광 방사 휘도[W/sr/m2/nm]이다. 또한 도 23의 (A), (B), (C)에서는 흑색 표시의 결과(BK)는 생략하였다.
실시예에 착안하면, R, G, B는 모두 반치 폭이 작고 각 색의 스펙트럼의 중첩이 거의 확인되지 않는 것을 알 수 있다. 또한 도 24의 (A)에 나타낸 바와 같이, 흑색 표시에서는 발광이 거의 확인되지 않아, 흑색 표시 시의 광 누설이 매우 작은 것을 알 수 있었다.
한편 비교예 1에 착안하면, 실시예와 비교하여 스펙트럼의 반치 폭이 큰 것을 알 수 있다. 또한 청색 표시(B)에서는 파장 650nm 부근에, 녹색 표시(G)에서는 파장 450nm 부근 및 파장 620nm 부근에 각각 피크가 확인되었다. 이 피크는 크로스토크의 영향인 것으로 추찰되며, 콘트라스트 저하의 요인이다. 또한 도 24의 (B)에 나타낸 바와 같이, 흑색 표시에서도 파장 600nm 내지 700nm 부근에 약간의 발광이 확인되어, 광 누설이 발생한 것이 확인되었다.
또한 비교예 2는, 도 24의 (C)에 나타낸 바와 같이 흑색 표시에서의 광 누설은 확인되지 않았지만, 청색 표시(B) 및 녹색 표시(G)에서는 파장 600nm 부근에 크로스토크에 의한 발광이 확인되었다.
이상으로부터, 본 실시예에서 제작한 표시 패널은 2731ppi로 매우 높은 정세도임에도 불구하고, 크로스토크가 확인되지 않고, 매우 높은 콘트라스트 및 연색성이 실현된 것을 확인할 수 있었다.
100: 표시 장치, 101: 기판, 103: 화소, 110: 발광 소자, 110B: 발광 소자, 110G: 발광 소자, 110R: 발광 소자, 111: 화소 전극, 111B: 화소 전극, 111C: 접속 전극, 111G: 화소 전극, 111R: 화소 전극, 112: EL층, 112B: EL층, 112Bf: EL막, 112G: EL층, 112Gf: EL막, 112R: EL층, 112Rf: EL막, 113: 공통 전극, 114: 공통층, 121: 보호층, 130: 영역, 131: 절연층, 131a: 절연층, 131af: 절연막, 131ap: 절연층, 131b: 절연층, 131bf: 절연막, 143a: 레지스트 마스크, 143b: 레지스트 마스크, 143c: 레지스트 마스크, 144: 희생막, 144B: 희생막, 144G: 희생막, 144R: 희생막, 145: 희생층, 145B: 희생층, 145G: 희생층, 145R: 희생층, 201: 트랜지스터, 204: 접속부, 205: 트랜지스터, 209: 트랜지스터, 211: 절연층, 213: 절연층, 214: 절연층, 215: 절연층, 218: 절연층, 221: 도전층, 222a: 도전층, 222b: 도전층, 223: 도전층, 225: 절연층, 228: 영역, 231: 반도체층, 231i: 채널 형성 영역, 231n: 저저항 영역, 240: 용량 소자, 241: 도전층, 242: 접속층, 243: 절연층, 245: 도전층, 251: 도전층, 252: 도전층, 254: 절연층, 255: 절연층, 256: 플러그, 261: 절연층, 262: 절연층, 263: 절연층, 264: 절연층, 265: 절연층, 271: 플러그, 274: 플러그, 274a: 도전층, 274b: 도전층, 280: 표시 모듈, 281: 표시부, 282: 회로부, 283: 화소 회로부, 283a: 화소 회로, 284: 화소부, 284a: 화소, 285: 단자부, 286: 배선부, 290: FPC, 291: 기판, 292: 기판, 301: 기판, 301A: 기판, 301B: 기판, 310: 트랜지스터, 310A: 트랜지스터, 310B: 트랜지스터, 311: 도전층, 312: 저저항 영역, 313: 절연층, 314: 절연층, 315: 소자 분리층, 320: 트랜지스터, 321: 반도체층, 323: 절연층, 324: 도전층, 325: 도전층, 326: 절연층, 327: 도전층, 328: 절연층, 329: 절연층, 331: 기판, 332: 절연층, 341: 도전층, 342: 도전층, 343: 플러그, 400A: 표시 장치, 400C: 표시 장치, 400D: 표시 장치, 400E: 표시 장치, 400F: 표시 장치, 410: 보호층, 411a: 화소 전극, 411b: 화소 전극, 411c: 화소 전극, 414: 절연층, 416: 보호층, 416a: EL층, 416b: EL층, 416c: EL층, 417: 차광층, 418a: 도전층, 418b: 도전층, 418c: 도전층, 419: 수지층, 420: 기판, 421: 절연층, 421b: 절연층, 430a: 발광 소자, 430b: 발광 소자, 430c: 발광 소자, 442: 접착층, 443: 공간, 451: 기판, 452: 기판, 462: 표시부, 464: 회로, 465: 배선, 466: 도전층, 472: FPC, 473: IC, 772: 하부 전극, 785: 착색층, 786: EL층, 786a: EL층, 786b: EL층, 788: 상부 전극, 4411: 발광층, 4412: 발광층, 4413: 발광층, 4420: 층, 4420-1: 층, 4420-2: 층, 4430: 층, 4430-1: 층, 4430-2: 층, 6500: 전자 기기, 6501: 하우징, 6502: 표시부, 6503: 전원 버튼, 6504: 버튼, 6505: 스피커, 6506: 마이크로폰, 6507: 카메라, 6508: 광원, 6510: 보호 부재, 6511: 표시 패널, 6512: 광학 부재, 6513: 터치 센서 패널, 6515: FPC, 6516: IC, 6517: 인쇄 기판, 6518: 배터리, 7000: 표시부, 7100: 텔레비전 장치, 7101: 하우징, 7103: 스탠드, 7111: 리모트 컨트롤러, 7200: 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 7211: 하우징, 7212: 키보드, 7213: 포인팅 디바이스, 7214: 외부 접속 포트, 7300: 디지털 사이니지, 7301: 하우징, 7303: 스피커, 7311: 정보 단말기, 7400: 디지털 사이니지, 7401: 기둥, 7411: 정보 단말기, 8000: 카메라, 8001: 하우징, 8002: 표시부, 8003: 조작 버튼, 8004: 셔터 버튼, 8006: 렌즈, 8100: 파인더, 8101: 하우징, 8102: 표시부, 8103: 버튼, 8200: 헤드 마운트 디스플레이, 8201: 장착부, 8202: 렌즈, 8203: 본체, 8204: 표시부, 8205: 케이블, 8206: 배터리, 8300: 헤드 마운트 디스플레이, 8301: 하우징, 8302: 표시부, 8304: 고정구, 8305: 렌즈, 8400: 헤드 마운트 디스플레이, 8401: 하우징, 8402: 장착부, 8403: 완충 부재, 8404: 표시부, 8405: 렌즈, 9000: 하우징, 9001: 표시부, 9003: 스피커, 9005: 조작 키, 9006: 접속 단자, 9007: 센서, 9008: 마이크로폰, 9050: 아이콘, 9051: 정보, 9052: 정보, 9053: 정보, 9054: 정보, 9055: 힌지, 9101: 휴대 정보 단말기, 9102: 휴대 정보 단말기, 9200: 휴대 정보 단말기, 9201: 휴대 정보 단말기
Claims (14)
- 제 1 화소와, 상기 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층을 가지는 표시 장치로서,
상기 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 상기 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 상기 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고,
상기 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 상기 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 상기 제 2 EL층 위의 상기 공통 전극을 가지고,
상기 제 1 EL층의 측면과 상기 제 2 EL층의 측면은 상기 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고,
상기 제 1 화소 전극의 측면은 상기 제 1 EL층으로 덮이고,
상기 제 2 화소 전극의 측면은 상기 제 2 EL층으로 덮이는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 EL층의 상면과, 상기 제 2 EL층의 상면과, 상기 제 1 절연층의 상면은 상기 공통 전극과 접한 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 화소는 상기 제 1 EL층과 상기 공통 전극 사이에 배치되는 공통층을 가지고,
상기 제 2 화소는 상기 제 2 EL층과 상기 공통 전극 사이에 배치되는 상기 공통층을 가지고,
상기 제 1 EL층의 상면과, 상기 제 2 EL층의 상면과, 상기 제 1 절연층의 상면은 상기 공통층과 접한 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 1 절연층은 상기 제 1 EL층의 상면 및 상기 제 2 EL층의 상면 중 적어도 하나보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 1 EL층 및 상기 제 2 EL층 중 적어도 하나는 상기 제 1 절연층의 상면보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 1 절연층의 상면은 오목 곡면 형상을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 1 절연층의 상면은 볼록 곡면 형상을 가지는, 표시 장치. - 제 1 화소와, 상기 제 1 화소와 인접하여 배치된 제 2 화소와, 제 1 절연층과, 제 2 절연층을 가지는 표시 장치로서,
상기 제 1 화소는 제 1 화소 전극과, 상기 제 1 화소 전극 위의 제 1 EL층과, 상기 제 1 EL층 위의 공통 전극을 가지고,
상기 제 2 화소는 제 2 화소 전극과, 상기 제 2 화소 전극 위의 제 2 EL층과, 상기 제 2 EL층 위의 상기 공통 전극을 가지고,
상기 제 1 EL층의 측면과 상기 제 2 EL층의 측면은 상기 제 1 절연층과 접한 영역을 가지고,
상기 제 2 절연층은 상기 제 1 절연층 위에 접하여 제공되고, 또한 상기 공통 전극의 아래쪽에 배치되고,
상기 제 1 절연층은 무기 재료를 가지고,
상기 제 2 절연층은 유기 재료를 가지고,
상기 제 1 화소 전극의 측면은 상기 제 1 EL층으로 덮이고,
상기 제 2 화소 전극의 측면은 상기 제 2 EL층으로 덮이는, 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 EL층의 상면과, 상기 제 2 EL층의 상면과, 상기 제 1 절연층의 상면은 상기 공통 전극과 접한 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 화소는 상기 제 1 EL층과 상기 공통 전극 사이에 배치되는 공통층을 가지고,
상기 제 2 화소는 상기 제 2 EL층과 상기 공통 전극 사이에 배치되는 상기 공통층을 가지고,
상기 제 1 EL층의 상면과, 상기 제 2 EL층의 상면과, 상기 제 1 절연층의 상면은 상기 공통층과 접한 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 1 절연층은 상기 제 1 EL층의 상면 및 상기 제 2 EL층의 상면 중 적어도 하나보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 1 EL층 및 상기 제 2 EL층 중 적어도 하나는 상기 제 1 절연층의 상면보다 위쪽으로 돌출된 영역을 가지는, 표시 장치. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 2 절연층의 상면은 오목 곡면 형상을 가지는, 표시 장치. - 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 표시 장치를 단면에서 보았을 때, 상기 제 2 절연층의 상면은 볼록 곡면 형상을 가지는, 표시 장치.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021039487 | 2021-03-11 | ||
| JPJP-P-2021-039487 | 2021-03-11 | ||
| JPJP-P-2021-059333 | 2021-03-31 | ||
| JP2021059333 | 2021-03-31 | ||
| JPJP-P-2021-066401 | 2021-04-09 | ||
| JP2021066401 | 2021-04-09 | ||
| PCT/IB2022/051861 WO2022189908A1 (ja) | 2021-03-11 | 2022-03-03 | 表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230156066A true KR20230156066A (ko) | 2023-11-13 |
Family
ID=83227459
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237031228A KR20230156066A (ko) | 2021-03-11 | 2022-03-03 | 표시 장치 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240155871A1 (ko) |
| JP (1) | JPWO2022189908A1 (ko) |
| KR (1) | KR20230156066A (ko) |
| TW (1) | TW202301670A (ko) |
| WO (1) | WO2022189908A1 (ko) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324673A (ja) | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置 |
| WO2018087625A1 (en) | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method of display device |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5002553B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2012-08-15 | 株式会社東芝 | 自発光型素子及びその製造方法 |
| JP2012174356A (ja) * | 2011-02-17 | 2012-09-10 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP5919807B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2016-05-18 | ソニー株式会社 | 有機発光素子、有機発光素子の製造方法および表示装置 |
| WO2012144156A1 (ja) * | 2011-04-22 | 2012-10-26 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 |
| WO2012169033A1 (ja) * | 2011-06-09 | 2012-12-13 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネル及びその製造方法 |
| CN103311449B (zh) * | 2012-03-08 | 2016-02-24 | 群康科技(深圳)有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| KR102620576B1 (ko) * | 2016-06-30 | 2024-01-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR102511045B1 (ko) * | 2017-11-03 | 2023-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광표시장치 |
| KR102312784B1 (ko) * | 2018-02-08 | 2021-10-14 | 동우 화인켐 주식회사 | 전계발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| CN108417724A (zh) * | 2018-03-15 | 2018-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光二极管显示器及其制备方法 |
-
2022
- 2022-03-03 WO PCT/IB2022/051861 patent/WO2022189908A1/ja active Application Filing
- 2022-03-03 JP JP2023504876A patent/JPWO2022189908A1/ja active Pending
- 2022-03-03 KR KR1020237031228A patent/KR20230156066A/ko unknown
- 2022-03-03 US US18/280,556 patent/US20240155871A1/en active Pending
- 2022-03-09 TW TW111108581A patent/TW202301670A/zh unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324673A (ja) | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置 |
| WO2018087625A1 (en) | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method of display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240155871A1 (en) | 2024-05-09 |
| TW202301670A (zh) | 2023-01-01 |
| WO2022189908A1 (ja) | 2022-09-15 |
| JPWO2022189908A1 (ko) | 2022-09-15 |
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