CN117397367A - 显示装置 - Google Patents

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浜田崇
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Abstract

提供一种高清晰的显示装置。提供一种实现高颜色再现性的显示装置。提供一种高亮度的显示装置。提供一种可靠性高的显示装置。显示装置包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层的开口内部的第一导电层、第一导电层及第一绝缘层上的第一EL层、与第一EL层的侧面及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层以及第一EL层及第二绝缘层上的第二导电层。

Description

显示装置
技术领域
本发明的一个方式涉及显示装置及显示模块。本发明的一个方式涉及显示装置的制造方法。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本说明书等所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、其驱动方法或者其制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指利用半导体特性而工作的所有装置。
背景技术
近年来，高清晰显示器面板被需求。作为需要高清晰显示器面板的设备，例如，面向虚拟现实(VR：Virtual Reality)、增强现实(AR：Augmented Reality)、替代现实(SR：Substitutional Reality)或混合现实(MR：Mixed Reality)的设备近年来被积极地研发。
此外，作为可用于显示器面板的显示装置，典型地可以举出液晶显示装置、具备有机EL(Electro Luminescence)元件、发光二极管(LED：Light Emitting Diode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
例如，有机EL元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光有机化合物的层的结构。通过对该元件施加电压，可以得到来自发光有机化合物的发光。由于应用上述有机EL元件的显示装置不需要液晶显示装置等所需要的背光源，所以可以实现薄型、轻量、高对比度且低功耗的显示装置。例如，专利文献1公开了使用有机EL元件的显示装置的例子。
另外，有时将有机EL器件用于面向AR或VR的显示装置或者HMD的显示部。作为有机EL器件之一，非专利文献1公开了使用标准的UV光刻法的有机光电子器件的制造方法。
[先行技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2002-324673号公报
[非专利文献]
[非专利文献1]B.Lamprecht et al.，“Organic optoelectronic devicefabrication using standard UV photolithography”phys.stat.sol.(RRL)2，No.1，p.16-18(2008)
发明内容
发明所要解决的技术问题
例如，在上述面向VR、AR、SR或MR的可穿戴式设备中，需要在眼睛与显示器面板之间设置焦点调整用透镜。因为该透镜放大图像的一部分，所示在显示器面板的清晰度低时会导致现实感及沉浸感减少的问题。
此外，显示器面板被要求高颜色再现性。尤其在上述面向VR、AR、SR或MR的设备中，通过使用颜色再现性高的显示器面板，可以进行接近实物颜色的显示，而可以提高现实感及沉浸感。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种极高清晰的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种实现高颜色再现性的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种高亮度的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种上述显示装置的制造方法。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。
解决技术问题的手段
本发明的一个方式是一种显示装置，包括第一绝缘层、设置在第一绝缘层的开口内部的第一导电层、第一导电层及第一绝缘层上的第一EL层、与第一EL层的侧面及第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层以及第一EL层及第二绝缘层上的第二导电层。
另外，在上述结构中，优选的是，还包括第二绝缘层上的第一树脂层，第二绝缘层具有夹在第一EL层的侧面与第一树脂层之间的第一区域及夹在第一绝缘层的顶面与第一树脂层之间的第二区域，第二导电层与第一EL层的顶面及第一树脂层的顶面接触。
另外，在上述结构中，优选的是，还包括第一树脂层及第一层，第一层包含电子注入性高的材料，第一树脂层设置在第二绝缘层上，第二绝缘层具有夹在第一EL层的侧面与第一树脂层之间的第一区域及夹在第一绝缘层的顶面与第一树脂层之间的第二区域，第一层与第一EL层的顶面及第一树脂层的顶面接触，第二导电层与第一层的顶面接触。
此外，本发明的一个方式是一种显示装置，包括第一发光元件、与第一发光元件相邻地配置的第二发光元件、第一绝缘层以及第二绝缘层，其中，第一发光元件包括设置在第一绝缘层的第一开口内部的第一导电层、第一导电层及第一绝缘层上的第一EL层以及第一EL层上的公共电极，第二发光元件包括设置在第一绝缘层的第二开口内部的第二导电层、第二导电层及第一绝缘层上的第二EL层以及第二EL层上的公共电极，第二绝缘层与第一EL层的侧面、第二EL层的侧面及第一绝缘层的顶面接触，公共电极位于第二绝缘层上并具有与第二绝缘层重叠的第三区域。
另外，在上述结构中，优选的是，还包括第二绝缘层上的第一树脂层，第一绝缘层设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第四区域中，公共电极与第一EL层的顶面、第二EL层的顶面及第一树脂层的顶面接触。
另外，在上述结构中，优选的是，还包括第二绝缘层上的第一树脂层，第一绝缘层设置在第一EL层与第二EL层之间的第四区域中，公共电极与第一EL层的顶面、第二EL层的顶面及第一树脂层的顶面接触。
另外，在上述结构中，优选的是，还包括第一树脂层及公共层，公共层包含电子注入性高的材料，第一树脂层设置在第一发光元件与第二发光元件之间的第四区域中，公共层与第一EL层的顶面、第二EL层的顶面及第一树脂层的顶面接触，公共电极与公共层的顶面接触。
另外，在上述结构中，优选的是，还包括第一树脂层及公共层，公共层包含电子注入性高的材料，第一树脂层设置在第一EL层与第二EL层之间的第四区域中，公共层与第一EL层的顶面、第二EL层的顶面及第一树脂层的顶面接触，公共电极与公共层的顶面接触。
发明效果
根据本发明的一个方式，可以提供一种极高清晰的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种实现高颜色再现性的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种高亮度的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种可靠性高的显示装置。根据本发明的一个方式，可以提供一种上述显示装置的制造方法。
注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意，本发明的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。
附图说明
图1A至图1C是示出显示装置的结构例子的图。
图2A至图2C是示出显示装置的结构例子的图。
图3A及图3B是示出显示装置的结构例子的图。
图4A至图4D是说明显示装置的制造方法例子的图。
图5A至图5D是说明显示装置的制造方法例子的图。
图6是说明显示装置的结构例子的图。
图7A至图7E是说明显示装置的制造方法例子的图。
图8A至图8F是示出像素的一个例子的俯视图。
图9A至图9H是示出像素的一个例子的俯视图。
图10A至图10J是示出像素的一个例子的俯视图。
图11A至图11D是示出像素的一个例子的俯视图。图11E至图11G是示出显示面板的一个例子的截面图。
图12A及图12B是示出显示面板的一个例子的立体图。
图13A及图13B是示出显示面板的一个例子的截面图。
图14是示出显示面板的一个例子的截面图。
图15是示出显示面板的一个例子的截面图。
图16是示出显示面板的一个例子的截面图。
图17是示出显示面板的一个例子的截面图。
图18是示出显示面板的一个例子的截面图。
图19A是示出显示面板的一个例子的方框图。图19B至图19D是示出像素电路的一个例子的图。
图20A至图20D是示出晶体管的一个例子的图。
图21A至图21F是示出发光器件的结构例子的图。
图22A至图22D是示出电子设备的一个例子的图。
图23A至图23F是示出电子设备的一个例子的图。
图24A至图24G是示出电子设备的一个例子的图。
具体实施方式
下面，参照附图对实施方式进行说明。注意，实施方式可以以多个不同方式来实施，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。
注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的符号来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别附加符号。
注意，在本说明书所说明的各个附图中，有时为了明确起见，夸大表示各构成要素的大小、层的厚度、区域。因此，本发明并不局限于附图中的尺寸。
在本说明书等中使用的“第一”、“第二”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附记的，而不是为了在数目方面上进行限定的。
注意，以下，“上”、“下”等方向的表现基本上按照附图的方向而使用。但是，为了简化起见，说明书中的“上”或“下”表示的方向有时与附图不一致。例如，当说明叠层体等的叠层顺序(或者形成顺序)等时，即使附图中的设置该叠层体的一侧的面(被形成面、支撑面、结合面、平坦面等)位于该叠层体的上侧，有时也将该方向表示为“下”，或者将与此相反的方向表示为“上”等。
在本说明书等中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”或“绝缘层”分别变换为“导电膜”或“绝缘膜”。
注意，在本说明书中，EL层是指设置在发光元件的一对电极之间且至少包含发光物质的层(也称为发光层)或包括发光层的叠层体。本发明的一个方式的发光元件包括像素电极、像素电极上的EL层以及EL层上的公共电极。像素电极被用作下部电极，公共电极被用作上部电极并横跨设置在多个发光元件中。EL层与公共电极之间也可以设置有公共层。公共层横跨设置在多个发光元件中。
在本说明书等中，显示装置的一个方式的显示面板是指能够在显示面显示(输出)图像等的面板。因此，显示面板是输出装置的一个方式。
在本说明书等中，有时将在显示面板的衬底上安装有例如FPC(Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)或TCP(Tape Carrier Package：载带封装)等连接器的结构或在衬底上以COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式等安装IC的结构称为显示面板模块、显示模块，或者也简称为显示面板等。
在本说明书等中，有时将使用金属掩模或FMM(Fine Metal Mask，高精细金属掩模)制造的器件称为具有MM(Metal Mask)结构的器件。此外，在本说明书等中，有时将不使用金属掩模或FMM制造的器件称为具有MML(Metal Mask Less)结构的器件。
另外，在本说明书等中，有时将在各颜色的发光元件(也称为发光器件。在此，各颜色的发光元件为蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))中分别形成发光层或分别涂布发光层的结构称为SBS(Side By Side)结构。SBS结构由于可以按每个发光元件使材料及结构最优化，因此材料及结构的选择自由度得到提高，容易实现亮度的提高及可靠性的提高。此外，在本说明书等中，有时将可发射白色光的发光元件称为白色发光元件。另外，白色发光元件通过与着色层(例如，滤色片)组合而可以实现全彩色显示的发光元件。
此外，发光元件大致可以分为单结构和串联结构。单结构的器件优选具有如下结构：在一对电极间包括一个发光单元，而且该发光单元包括一个以上的发光层。为了以单结构得到白色发光，以两个以上的发光层的各发光处于补色关系的方式选择发光层即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光元件整体上以白色发光的结构。此外，在使用三个以上的发光层得到白色发光的情况下，三个以上的发光层的各发光颜色组合而得到在发光器件整体上以白色发光的结构即可。
串联结构的元件优选具有如下结构：在一对电极间包括两个以上的多个发光单元，而且各发光单元包括一个以上的发光层。通过在各发光单元中使用发射相同的颜色的光的发光层，可以实现每规定电流的亮度得到提高且其可靠性比单结构更高的发光元件。为了以串联结构得到白色发光，采用组合从多个发光单元的发光层发射的光来得到白色发光的结构即可。另外，能够得到白色发光的发光颜色的组合与单结构的结构同样。注意，在串联结构的器件中，优选在多个发光单元之间设置电荷产生层等的中间层。
另外，在上述白色发光元件(单结构或串联结构)与SBS结构的发光元件进行比较的情况下，可以使SBS结构的发光元件的功耗比白色发光元件低。在想要降低功耗时优选采用SBS结构的发光元件。另一方面，白色发光器件的制造工艺比SBS结构的发光器件简单，由此可以降低制造成本或者提高制造成品率，所以是优选的。
(实施方式1)
在本实施方式中，说明本发明的一个方式的显示装置及显示装置的制造方法。
本发明的一个方式的显示装置包括发光元件(也称为发光器件)。发光元件包括一对电极，并且在该一对电极之间包括EL层或EL层的一部分。EL层包括发光层(也称为包含发光化合物的层)。作为发光元件，优选使用有机EL元件、无机EL元件等电致发光元件。除此之外，也可以使用发光二极管(LED)。
此外，显示装置优选包括发射不同颜色的光的两个以上的发光元件。发射不同颜色的光的发光元件包括包含彼此不同的材料的EL层。例如，通过包括分别发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的三种发光元件，可以实现全彩色显示装置。
作为EL元件，可以使用OLED(Organic Light Emitting Diode)、或QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode)等。作为EL元件所包含的发光化合物(也称为发光物质)，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)、发射磷光的物质(磷光材料)、无机化合物(量子点材料等)、呈现热活化延迟荧光的物质(热活化延迟荧光(Thermally activated delayedfluorescence：TADF)材料)等。此外，作为发光元件，也可以使用微型LED等LED。
作为发光物质，适当地使用呈现蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等发光颜色的物质。此外，也可以使用发射近红外光的物质。
另外，发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种化合物(主体材料、辅助材料)。作为主体材料、辅助材料，可以选择一种或多种其能隙比发光物质(客体材料)大的物质而使用。作为主体材料和辅助材料，优选组合使用形成激基复合物的化合物。为了高效地形成激基复合物，特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)与容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。
例如，发光层优选包含磷光材料、容易形成激基复合物的空穴传输性材料及电子传输性材料的组合。通过采用这样的结构，可以高效地得到利用从激基复合物到发光物质(磷光材料)的能量转移的ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer：激基复合物-三重态能量转移)的发光。通过以形成发射与发光物质的最低能量一侧的吸收带的波长重叠的光的激基复合物的方式选择组合，可以使能量转移变得顺利，从而高效地得到发光。借助于上述结构，可以同时实现发光元件的高效率、低电压驱动、长寿命。
作为发光元件可以使用低分子类化合物或高分子类化合物，也可以包含无机化合物(量子点材料等)。
在本发明的一个方式中，以嵌入在绝缘层的开口部的方式形成发光元件的下部电极或者用作发光元件的像素电极的导电层下部电极的至少一部分，由此可以减小形成EL层的被形成面的凹凸。
在形成EL层的被形成面的凹凸大时，例如有EL层的厚度变薄而导致下部电极与上部电极的短路的担忧。
通过减小形成EL层的被形成面的凹凸，可以提高发光元件的成品率。此外，可以提高显示装置的显示品质。
在制造包括发光颜色彼此不同的多个发光元件的显示面板的情况下，需要将发光颜色不同的发光层分别形成为岛状。
例如，通过使用金属掩模(也称为荫罩)的真空蒸镀法可以沉积岛状发光层。然而，这方法由于金属掩模的精度、金属掩模与衬底的错位、金属掩模的挠曲以及蒸气散射等所导致的沉积了的膜的轮廓变大等的各种影响，而岛状发光层的形状及位置与设计时的形状及位置产生偏差，难以实现显示面板的高清晰化及高开口率化。此外，在蒸镀时，有时层的轮廓模糊而端部的厚度变薄。也就是说，有时根据位置而岛状发光层的厚度不同。另外，当制造大型、高分辨率或高清晰的显示装置时，有如下担扰：由于金属掩模的低尺寸精度及热等所引起的变形，制造成品率下降。
在本发明的一个方式的显示面板的制造方法中，在整个面上形成包括发射第一颜色的光的发光层的第一层(也可以说是EL层或EL层的一部分)，然后在第一层上形成第一牺牲层。并且，通过在第一牺牲层上形成第一抗蚀剂掩模而使用第一抗蚀剂掩模对第一层及第一牺牲层进行加工，来形成岛状的第一层。接着，与第一层同样，使用第二牺牲层及第二抗蚀剂掩模将包括发射第二颜色的光的发光层的第二层(也可以说是EL层或EL层的一部分)形成为岛状。
注意，可想到在将上述发光层形成为岛状的情况下通过光刻法以与发光层重叠的方式设置图案而进行加工的结构。在采用该结构的情况下，有时发光层受到损伤(因加工导致的损伤等)而可靠性显著地降低。于是，在制造本发明的一个方式的显示面板时，优选的是，使用在位于发光层的上方的层(例如，载流子传输层或载流子注入层，更具体而言为电子传输层或电子注入层等)之上形成牺牲层等并将发光层加工成岛状的方法。通过采用该方法，可以提供一种可靠性高的显示面板。
如此，通过本发明的一个方式的显示面板的制造方法制造的岛状的EL层不是使用具有精细图案的金属掩模形成的，而是在整个面上沉积EL层之后进行加工而形成的。因此，可以实现至今难以实现的高清晰显示面板或高开口率的显示面板。并且，由于可以按每个颜色分别形成EL层，所以可以实现极为鲜明、对比度高且显示品质高的显示面板。另外，通过在EL层上设置牺牲层，可以降低在显示面板的制造工序中EL层受到的损伤，而可以提高发光元件的可靠性。
例如，在使用金属掩模的形成方法中难以实现小于10μm的相邻的发光元件的间隔，但是通过该方法可以将其缩小到小于10μm、5μm以下、3μm以下、2μm以下或1μm以下。此外，例如通过使用面向LSI的曝光装置，可以将相邻的发光元件的间隔缩小到500nm以下、200nm以下、100nm以下、甚至为50nm以下。由此，可以大幅度地减小有可能存在于两个发光元件间的非发光区域的面积，而可以使开口率接近于100％。例如，也可以实现50％以上、60％以上、70％以上、80％以上、甚至为90％以上且低于100％的开口率。
此外，与使用金属掩模的情况相比，还可以使EL层本身的图案极小。另外，例如在使用金属掩模分别形成EL层的情况下，图案的中央和端的厚度不同，所以图案整体的面积中的能够用作发光区域的有效面积变小。另一方面，在上述制造方法中，因为对沉积为均匀厚度的膜进行加工，所以可以以均匀的厚度形成岛状的EL层。因此，即使使用微细图案也可以将其几乎所有区域用作发光区域。由此，可以制造兼具有高清晰度和高开口率的显示面板。
另外，在本发明的一个方式的显示面板的制造方法中，优选在整个面上形成包括发光层的层(也可以说是EL层或EL层的一部分)之后在EL层上形成牺牲层。并且，优选的是，通过在牺牲层上形成抗蚀剂掩模且使用抗蚀剂掩模对EL层及牺牲层进行加工，来形成岛状的EL层。
通过在EL层上设置牺牲层，可以降低在显示面板的制造工序中EL层受到的损伤，而可以提高发光元件的可靠性。
在此，第一层及第二层都至少包括发光层，优选由多个层构成。具体而言，优选在发光层上包括一层以上的层。通过在发光层与牺牲层之间包括其他的层，可以抑制在显示面板的制造工序中发光层露出到最表面，而可以降低发光层受到的损伤。由此，可以提高发光元件的可靠性。因此，第一层及第二层优选包括发光层及发光层上的载流子传输层(电子传输层或空穴传输层)。
注意，在发射彼此不同颜色的光的发光元件中，不需要分别形成构成EL层的所有的层，也可以通过相同的工序沉积一部分层。在此，作为EL层所包括的层，可以举出发光层、载流子注入层(空穴注入层及电子注入层)、载流子传输层(空穴传输层及电子传输层)及载流子阻挡层(空穴阻挡层及电子阻挡层)等。在本发明的一个方式的显示面板的制造方法中，在按每个颜色将构成EL层的一部分层形成为岛状之后去除牺牲层的至少一部分，在各颜色中共同(作为一个膜)形成构成EL层的剩下的层及公共电极(也可以称为上部电极)。例如，可以在各颜色中共同形成载流子注入层及公共电极。
在本说明书等中，有时将空穴或电子称为“载流子”。具体而言，空穴注入层或电子注入层、空穴传输层或电子传输层以及空穴阻挡层或电子阻挡层有时分别被称为“载流子注入层”、“载流子传输层”以及“载流子阻挡层”。注意，根据截面形状或特性等，有时不能明确地区别上述载流子注入层、载流子传输层及载流子阻挡层。另外，有时一个层具有作为载流子注入层、载流子传输层和载流子阻挡层中的两个或三个的功能。
另一方面，在很多情况下载流子注入层为在EL层中导电性较高的层。由此，在载流子注入层与形成为岛状的EL层的一部分层的侧面或像素电极的侧面接触时，有发生发光元件的短路的担忧。注意，在将载流子注入层设置为岛状且在各颜色中共同形成公共电极的情况下，也有公共电极与EL层的侧面或像素电极的侧面接触而发生发光元件的短路的担忧。
于是，本发明的一个方式的显示面板包括至少覆盖岛状的发光层的侧面的绝缘层。注意，这里岛状发光层的侧面是指岛状发光层与其他层的界面中不平行于衬底(或发光层的被形成面)的面。此外，并不一定是数学上严格的平面和曲面中的任一个。
由此，可以抑制形成为岛状的EL层的至少一部分的层及像素电极接触于载流子注入层或公共电极。因此，可以抑制发光元件的短路，而可以发光元件的可靠性。
另外，该绝缘层优选具有对水和氧中的至少一方的阻挡绝缘层的功能。另外，该绝缘层优选具有抑制水和氧中的至少一个的扩散的功能。另外，该绝缘层优选具有俘获或固定(也被为吸杂)水和氧中的至少一方的功能。
注意，在本说明书等中，阻挡绝缘层是指具有阻挡性的绝缘层。此外，在本说明书等中，阻挡性是指抑制所对应的物质的扩散的功能(也可以说透过性低)。或者，是指俘获或固定所对应的物质(也称为吸杂)的功能。
通过使用具有阻挡绝缘层的功能或吸杂功能的绝缘层，可以具有抑制可能会从外部扩散到各发光元件的杂质(典型的是，水和氧中的至少一个)的结构。通过采用该结构，可以提供一种可靠性高的发光元件，还可以提供一种可靠性高的显示面板。
本发明的一个方式的显示面板包括用作阳极的像素电极、像素电极上依次设置的岛状的空穴注入层、岛状的空穴传输层、岛状的发光层和岛状的电子传输层、以覆盖空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层的各侧面的方式设置的绝缘层、设置在电子传输层上的电子注入层以及设置在电子注入层上且用作阴极的公共电极。
或者，本发明的一个方式的显示面板包括用作阴极的像素电极、像素电极上依次设置的岛状的电子注入层、岛状的电子传输层、岛状的发光层和岛状的空穴传输层、以覆盖电子注入层、电子传输层、发光层和空穴传输层的各侧面的方式设置的绝缘层、设置在空穴传输层上的空穴注入层以及设置在空穴注入层上且用作阳极的公共电极。
在很多情况下空穴注入层或电子注入层等为在EL层中导电性较高的层。在本发明的一个方式的显示面板中，这些层的侧面被绝缘层覆盖，由此可以抑制与公共电极等接触。因此，可以抑制发光元件的短路，而可以提高发光元件的可靠性。
覆盖岛状的EL层的侧面的绝缘层可以具有单层结构或叠层结构。
例如，通过形成使用无机材料的单层结构的绝缘层，可以将该绝缘层用作EL层的保护绝缘层。由此，可以提高显示面板的可靠性。
另外，在使用叠层结构的绝缘层时，由于第一层的绝缘层以与EL层接触的方式形成，所以优选使用无机绝缘材料形成。尤其是，优选利用沉积损伤小的原子层沉积(ALD：Atomic Layer Deposition)法形成。除此之外，优选使用沉积速度高于ALD法的溅射法、化学气相沉积(CVD：Chemical Vapor Deposition)法或等离子体增强化学气相沉积(PECVD：Plasma Enhanced CVD)法形成无机绝缘层。由此，可以以高产生率制造可靠性高的显示面板。另外，第二层的绝缘层优选使用有机材料以使形成在第一层的绝缘层中的凹部平坦化的方式形成。
例如，作为绝缘层的第一层可以使用通过ALD法形成的氧化铝膜且作为绝缘层的第二层可以使用有机树脂膜。
在EL层的侧面与有机树脂膜直接接触时，有可能有机树脂膜中的有机溶剂等对EL层带来损伤。通过作为绝缘层的第一层使用通过ALD法形成的氧化铝膜等的无机绝缘膜，可以采用有机树脂膜与EL层的侧面直接不接触的结构。由此，可以抑制EL层因有机溶剂而被溶解等。
另外，在本发明的一个方式的显示面板中，不需要在像素电极与EL层之间设置覆盖像素电极的端部的绝缘层，由此可以使相邻的发光元件的间隔极小。因此，可以实现显示面板的高清晰化或高分辨率化。此外，还不需要用来形成该绝缘层的掩模，因此可以降低显示面板的制造成本。
另外，通过采用在像素电极与EL层间不设置覆盖像素电极的端部的绝缘层的结构，即在像素电极与EL层间不设置绝缘层的结构，可以高效地提取来自EL层的发光。因此，本发明的一个方式的显示面板可以使视角依赖性极小。通过减小视角依赖性，可以提高显示面板的图像的可见度。例如，在本发明的一个方式的显示面板中，视角(在从斜侧看屏幕时维持一定对比度的最大角度)可以为100°以上且小于180°、优选为150°以上且170°以下的范围。另外，上下左右都可以采用上述视角。
以下，参照附图说明更具体的结构例子及制造方法例子。
[结构例子1]
图1A是显示装置100的俯视示意图。显示装置100包括以矩阵状排列的多个像素103，像素103包括呈现红色的发光元件110R、呈现绿色的发光元件110G及呈现蓝色的发光元件110B。在图1A中，为了简单地区别各发光元件而对各发光元件的发光区域内附上R、G及B的符号。
注意，在图1A等中，为了简单地区别各发光元件，作为一个例子，各发光元件分别呈现红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色并且对该发光元件附上R、G、B的符号，但是发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B不局限于呈现红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三种颜色的发光元件。例如，各发光元件分别可以为呈现选自蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色和红色中的一种颜色的发光元件。此外，三个发光元件可以为呈现选自蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色和红色中的三种颜色的发光元件，三个发光元件中的两个以上也可以为呈现相同的颜色的发光元件。
发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B都以矩阵状排列。图1A示出在一个方向上排列相同颜色的发光元件的条纹排列。注意，发光元件的排列方法不局限于此，可以采用S条纹排列、Delta排列、拜耳排列、锯齿形(zigzag)排列等排列方法，也可以采用Pentile排列、Diamond排列等。
作为发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B，优选使用OLED或QLED等的EL元件。作为EL元件所包含的发光物质，可以举出发射荧光的物质(荧光材料)、发射磷光的物质(磷光材料)、无机化合物(量子点材料等)、呈现热活化延迟荧光的物质(热活化延迟荧光(TADF)材料)等。
作为荧光材料，例如可以举出芘衍生物、蒽衍生物、三亚苯衍生物、芴衍生物、咔唑衍生物、二苯并噻吩衍生物、二苯并呋喃衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、菲衍生物、萘衍生物等。
作为磷光材料，例如可以举出具有4H-三唑骨架、1H-三唑骨架、咪唑骨架、嘧啶骨架、吡嗪骨架或吡啶骨架的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、以具有吸电子基团的苯基吡啶衍生物为配体的有机金属配合物(尤其是铱配合物)、铂配合物、稀土金属配合物等。
此外，图1A示出与用作发光元件110的上部电极的公共电极113电连接的连接电极111C。连接电极111C被供应用来供应到公共电极113的电位(例如为阳极电位或阴极电位)。连接电极111C设置在发光元件110R等排列的显示区域的外侧。此外，在图1A中以虚线示出公共电极113。
连接电极111C可以沿着显示区域的外周设置。例如，既可以以沿着显示区域的外周的一个边设置，又可以以横跨显示区域的外周的两个以上的边设置。就是说，在显示区域的顶面形状为长方形的情况下，连接电极111C的顶面形状可以为带状、L字状、“冂”字状(方括号状)或四角形等。
图1B是对应于图1A中的点划线A1-A2及点划线C1-C2的截面示意图。图1B是发光元件110R、发光元件110G及连接电极111C的截面示意图。
注意，以下，在说明发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B之间共同的内容时，有时省略对符号附上的记号而记为发光元件110来进行说明。另外，同样地，后述的EL层112R、EL层112G及EL层112B也有时记为EL层112而进行说明。EL层112R包括在发光元件110R中。同样地，EL层112G包括在发光元件110G中，EL层112B包括在发光元件110B中。此外，同样地，后述的导电层111R、导电层111G及导电层111B也有时记为导电层111而进行说明。导电层111R包括在发光元件110R中。同样地，导电层111G包括在发光元件110G中，导电层111B包括在发光元件110B中。
发光元件110包括用作发光元件110的下部电极的导电层111、EL层112以及用作发光元件110的上部电极的公共电极113。
在图1B所示的显示装置100的截面中，公共电极113共同设置在发光元件110R、发光元件110G、发光元件110B中。公共电极113例如被用作被供应公共电位的电极。公共电极113有时被称为公共电极。通过共同设置公共电极113，可以减少发光元件110的制造过程，所以是优选的。公共电极113对可见光具有透过性及反射性。
另外，设置在各发光元件110中的导电层111独立地被供应控制发光元件110的发光量的电位。导电层111被用作像素电极。导电层111对可见光具有反射性。
作为各像素电极和公共电极113中的任一方使用对可见光具有透光性的导电膜且作为另一方使用具有反射性的导电膜。
作为发光元件有顶部发射结构、底部发射结构、双面发射结构等。作为提取光一侧的电极使用使可见光透过的导电膜。另外，作为不提取光一侧的电极优选使用反射可见光的导电膜。
在本发明的一个方式中，通过使各像素电极具有透光性且使公共电极113具有反射性可以实现底面发射型(底部发射结构)的显示装置，与此相反，通过使各像素电极具有反射性且使公共电极113具有透光性可以实现顶面发射型(顶部发射结构)的显示装置。另外，通过使各像素电极和公共电极113的双方具有透光性，也可以实现双面发射型(双面发射结构)的显示装置。
公共电极113上以覆盖发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B的方式设置有保护层121。保护层121具有防止水等杂质从上方扩散到各发光元件的功能。另外，在像素电极和公共电极的双方具有透光性时，外光可以透过发光元件，由此也可以实现透过背景的显示器，即所谓的透明显示器。
保护层121例如可以具有至少包括无机绝缘膜的单层结构或叠层结构。作为无机绝缘膜，例如可以举出氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜、氧化铪膜等的氧化物膜或氮化物膜。或者，作为保护层121也可以使用铟镓氧化物、铟镓锌氧化物等的半导体材料。保护层121也可以使用包括In-Sn氧化物(也称为ITO)、In-Zn氧化物、Ga-Zn氧化物、Al-Zn氧化物或铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物、也称为IGZO)等的无机膜。该无机膜优选具有高电阻，具体而言，优选具有比公共电极113高的电阻。该无机膜还可以包含氮。
在通过保护层121提取发光元件的发光情况下，保护层121的可见光透过性优选高。例如，ITO、IGZO以及氧化铝都是可见光透过性高的无机材料，所以是优选的。
作为保护层121，例如可以使用氧化铝膜与氧化铝膜上的氮化硅膜的叠层结构或氧化铝膜与氧化铝膜上的IGZO膜的叠层结构等。通过使用该叠层结构，可以抑制杂质(水及氧等)进入EL层一侧。
另外，作为保护层121也可以使用无机绝缘膜与有机绝缘膜的叠层膜。例如，优选在一对无机绝缘膜之间夹持有机绝缘膜。并且，有机绝缘膜优选被用作平坦化膜。由此，可以使有机绝缘膜的顶面平坦，所以有机绝缘膜上的无机绝缘膜的覆盖性得到提高，由此可以提高阻挡性。另外，保护层121的顶面变平坦，所以当在保护层121的上方设置结构物(例如，滤色片、触摸传感器的电极或透镜阵列等)时可以减少起因于下方的结构的凹凸形状的影响，所以是优选的。作为用作保护层的有机绝缘膜，也可以参照树脂层131a的记载。
保护层121也可以具有利用不同的沉积方法而形成的两层结构。具体而言，利用ALD法形成保护层121的第一层，并且利用溅射法形成保护层121的第二层。
对保护层121的导电性没有限制。作为保护层121，可以使用绝缘膜、半导体膜和导电膜中的至少一个。
在保护层121包括无机膜时，可以抑制发光元件的劣化，诸如防止公共电极113的氧化、抑制杂质(水分及氧等)进入发光元件中等，由此可以提高显示面板的可靠性。
另外，在EL层112与公共电极113之间也可以设置有公共层114。与公共电极113同样，公共层114横跨设置在多个发光元件中。公共层114覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B。通过包括公共层114可以简化制造工序，所以可以降低制造成本。在公共层114及公共电极113之间可以不进行蚀刻等工序而连续地形成。因此，可以使公共层114与公共电极的界面清洁而可以在发光元件中得到良好的特性。
公共层114优选接触于EL层112R、EL层112G和EL层112B的顶面中的一个以上。
公共层114例如优选为包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层中的一个以上的层。在将像素电极用作阳极且将公共电极用作阴极的发光元件中，作为公共层114例如可以采用包括电子注入层的结构或包括电子注入层和电子传输层的两个的结构。
空穴注入层是将空穴从阳极注入到空穴传输层的包含空穴注入性高的材料的层。作为空穴注入性高的材料，可以举出芳香胺化合物、包含空穴传输性材料及受体性材料(电子受体性材料)的复合材料等。
空穴传输层是将从阳极通过空穴注入层注入的空穴传输到发光层的层。空穴传输层是包含空穴传输性材料的层。作为空穴传输性材料，优选采用空穴迁移率为10-6cm2/Vs以上的物质。另外，只要是空穴传输性比电子传输性高的材料，就可以使用上述以外的材料。作为空穴传输性材料，优选使用富π电子型芳杂族化合物(例如咔唑衍生物、噻吩衍生物、呋喃衍生物等)或者芳香胺(具有芳香胺骨架的化合物)等空穴传输性高的材料。
电子传输层是将从阴极通过电子注入层注入的电子传输到发光层的层。电子传输层是包含电子传输性材料的层。作为电子传输性材料，优选采用电子迁移率为1×10-6cm2/Vs以上的物质。注意，只要是电子传输性比空穴传输性高的材料，就可以使用上述以外的材料。作为电子传输性材料，可以使用具有喹啉骨架的金属配合物、具有苯并喹啉骨架的金属配合物、具有噁唑骨架的金属配合物或具有噻唑骨架的金属配合物等，还可以使用噁二唑衍生物、三唑衍生物、咪唑衍生物、噁唑衍生物、噻唑衍生物、菲咯啉衍生物、具有喹啉配体的喹啉衍生物、苯并喹啉衍生物、喹喔啉衍生物、二苯并喹喔啉衍生物、吡啶衍生物、联吡啶衍生物、嘧啶衍生物或含氮芳杂族化合物等缺π电子型芳杂族化合物等电子传输性高的材料。
电子注入层是将电子从阴极注入到电子传输层的包含电子注入性高的材料的层。作为电子注入性高的材料，可以使用碱金属、碱土金属或者它们的化合物。作为电子注入性高的材料，也可以使用包含电子传输性材料及供体性材料(电子给体性材料)的复合材料。注意，电子注入性高的材料优选为如下材料：与用于公共电极的材料的功函数的值相比最低未占据分子轨道(LUMO：Lowest Unoccupied Molecular Orbital)能级的值的差异小，例如值的差异为0.5eV以下。
作为电子注入层，例如可以使用锂、铯、镱、氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)、氟化钙(CaFx，x为任意数)、8-(羟基喔啉)锂(简称：Liq)、2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称：LiPP)、2-(2-吡啶基)-3-羟基吡啶(pyridinolato)锂(简称：LiPPy)、4-苯基-2-(2-吡啶基)苯酚锂(简称：LiPPP)、锂氧化物(LiOx)或碳酸铯等碱金属、碱土金属或它们的化合物。另外，电子注入层也可以具有两层以上的叠层结构。作为该叠层结构，例如可以采用作为第一层使用氟化锂且作为第二层设置镱的结构。
或者，作为电子注入层也可以使用电子传输性材料。例如，可以将具有非共用电子对并具有缺电子芳杂环的化合物用于电子传输性材料。具体而言，可以使用具有吡啶环、二嗪环(嘧啶环、吡嗪环、哒嗪环)和三嗪环中的至少一个的化合物。
注意，具有非共用电子对的有机化合物的最低未占据分子轨道(LUMO)优选为-3.6eV以上且-2.3eV以下。一般来说，可以使用CV(循环伏安法)、光电子能谱法、光吸收能谱法、逆光电子能谱法等估计有机化合物的最高占据分子轨道(HOMO：Highest OccupiedMolecular Orbital)能级及LUMO能级。
例如，作为具有非共用电子对的有机化合物，可以使用4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：BPhen)、2，9-二(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(简称：NBPhen)、二喹喔啉并[2，3-a：2’，3’-c]吩嗪(简称：HATNA)、2，4，6-三[3’-(吡啶-3-基)联苯基-3-基]-1，3，5-三嗪(简称：TmPPPyTz)等。此外，与BPhen相比，NBPhen具有高玻璃化转变温度(Tg)，从而具有高耐热性。
作为电荷产生层，例如可以适当地使用锂等能够用于电子注入层的材料。另外，作为电荷产生层，例如可以适当地使用能够用于空穴注入层的材料。另外，作为电荷产生层，可以使用包含空穴传输性材料和受体性材料(电子受体性材料)的层。另外，作为电荷产生层，可以使用包含电子传输性材料和供体性材料的层。通过形成这样的电荷产生层，可以抑制层叠发光单元的情况下的驱动电压的上升。
EL层112包含发光化合物。EL层112至少包括发光元件110所包括的发光层。
作为发光元件110可以使用电致发光元件、该电致发光元件具有通过在导电层111与公共电极113之间施加电位差而流过EL层112的电流来发光的功能。尤其是，优选使用将发光有机化合物用于EL层112的有机EL元件。
EL层112至少包括发光层(包含发光有机化合物的层)。另外，发光层除了发光物质(客体材料)以外还可以包含一种或多种化合物(主体材料、辅助材料)。作为主体材料、辅助材料，可以选择一种或多种其能隙比发光物质(客体材料)大的物质而使用。作为主体材料和辅助材料，优选组合使用形成激基复合物的化合物。为了高效地形成激基复合物，特别优选组合容易接收空穴的化合物(空穴传输性材料)与容易接收电子的化合物(电子传输性材料)。此外，作为一种或多种有机化合物，也可以使用双极性材料或TADF材料。
作为发光元件可以使用低分子类化合物或高分子类化合物，也可以包含无机化合物(量子点材料等)。
作为发光层以外的层，EL层112还可以包括包含空穴注入性高的材料、空穴传输性高的材料、空穴阻挡材料、电子传输性高的材料或双极性的材料(电子传输性及空穴传输性高的材料)等的层。
EL层112可以使用低分子类化合物或高分子类化合物，也可以包含无机化合物。构成EL层112的层可以分别利用蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂布法等的方法形成。
注意，发光层以及包含空穴注入性高的材料、空穴传输性高的材料、电子传输性高的材料、电子注入性高的材料、双极性材料等的层也可以分别包含量子点等无机化合物或高分子类化合物(低聚物、枝状聚合物或聚合物等)。例如，通过将量子点用于发光层，也可以将其用作发光材料。
作为量子点材料，可以使用胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(CoreShell)型量子点材料、核型量子点材料等。此外，也可以使用包含12族和16族、13族和15族或14族和16族的元素组的材料。或者，可以使用包含镉、硒、锌、硫、磷、铟、碲、铅、镓、砷、铝等元素的量子点材料。
当在阴极与阳极之间施加比发光元件110的阈值电压高的电压时，将空穴从阳极一侧注入到EL层112中，并且将电子从阴极一侧注入到EL层112中。被注入的电子和空穴在EL层112中再结构，由此包含在EL层112中的发光物质发光。
在此，将用于发光元件110B的EL层112、用于发光元件110G的EL层112以及用于发光元件110R的EL层112分别记为EL层112B、EL层112G以及EL层112R。EL层112B包含呈现B(蓝色)的发光的发光物质。EL层112G包含呈现G(绿色)的发光的发光物质。EL层112R包含呈现R(红色)的发光的发光物质。如此，有时根据发光元件分别形成发光层或分别涂布发光层的结构被称为SBS结构。
导电层111对可见光具有反射性。
显示装置100包括具备半导体电路的衬底101及衬底101上的发光元件110。另外，在图1B所示的显示装置100的截面中，包括衬底101上的绝缘层255a、绝缘层255a上的绝缘层255b以及绝缘层255b上的发光元件110。
衬底101可以使用包括晶体管及布线等的电路板。注意，在可以采用无源矩阵方式或分段方式的情况下，作为衬底101可以使用玻璃衬底等的绝缘衬底。另外，衬底101是设置有用来驱动各发光元件的电路(也称为像素电路)及用作用来驱动该像素电路的驱动电路的半导体电路的衬底。将在后面说明衬底101的更具体的结构例子。
在图1B所示的显示装置100的截面中，衬底101与发光元件110的导电层111通过插头256电连接。插头256以嵌入在设置在绝缘层255a中的开口内的方式形成。导电层111以嵌入在设置在绝缘层255b中的开口内的方式形成。导电层111设置在插头256上。导电层111与插头256电连接。此外，导电层111优选与插头256的顶面接触。
在本发明的一个方式的显示装置中，通过以嵌入在绝缘层的开口内的方式形成用作发光元件的下部电极的导电层，可以在平坦的面上形成EL层。
在绝缘层上形成导电层的情况下，产生起因于导电层的凹凸。在此情况下，当覆盖导电层的端部时，有时EL层的厚度减小。
在EL层的覆盖厚度小时，有发生发光元件的上部电极与下部电极的短路而降低显示装置的成品率的担忧。通过设置覆盖导电层的端部的绝缘体(有时被称为堤、分隔壁、屏障、堤坝等)，可以抑制上述短路。
然而，在相邻的发光元件之间设置该绝缘体时，有时相邻的发光元件之间的距离变大，所以难以实现微型化。
本发明的一个方式的显示装置可以在平坦的面上形成EL层，由此可以采用不设置覆盖导电层的端部的绝缘体的结构。
另外，有时在因导电层的台阶而产生的凹部中沉积有蚀刻的残渣物。这种残渣物有可能导致短路等不良，有时导致显示装置的成品率下降。通过使用本发明的一个方式的显示装置的结构，在发光元件的制造工序中可以抑制在EL层的加工及上部电极的加工中的不良。由此，可以提高显示装置的成品率。
本发明的一个方式的显示装置可以以高成品率实现微型化。
EL层112可以通过使用金属掩模等荫罩的沉积形成岛状图案，尤其优选利用不使用金属掩模的加工方法。由此，可以形成极微细的图案，与使用金属掩模的形成方法相比，可以提高清晰度及开口率。作为这种加工方法，典型地可以利用光刻法。除此之外，可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等的形成方法。
在图1B所示的显示装置100的截面中，EL层112的端部位于导电层111的端部的外侧。EL层112的端部覆盖导电层111的端部。在EL层112的端部位于导电层111的端部的外侧时，可以抑制导电层111与公共电极113的短路。此外，在图1B所示的显示装置100的截面中，公共电极113的端部位于导电层111的端部的外侧。
优选在相邻的发光元件之间设置狭缝120。狭缝120相当于对位于相邻的发光元件之间的EL层112进行蚀刻的部分。狭缝120的底面例如具有绝缘层255b的顶面露出的区域。
狭缝120中设置有绝缘层131b及树脂层131a。绝缘层131b以沿着狭缝120的侧壁及底面的方式设置。绝缘层131b以沿着狭缝120的侧壁及底面的方式设置，由此有时以填充凹部的方式设置。另外，绝缘层131b优选具有与绝缘层255b的顶面接触的区域。另外，树脂层131a设置在绝缘层131b上而填充位于狭缝120中的凹部，使用具有使其顶面平坦化的功能的树脂层131a使狭缝120的凹部平坦化，由此可以提高公共电极113、公共层114及保护层121的覆盖性。公共层114例如与树脂层131a的顶面接触。此外，在显示装置100不包括公共层114的情况下，公共电极113例如与树脂层131a的顶面接触。
另外，狭缝120可以在形成连接电极111C等的外部连接端子的开口部的同时形成，所以可以无需增加工序而形成它们。另外，狭缝120包括绝缘层131b及树脂层131a，这产生防止导电层111与公共电极113之间的短路的效果。此外，树脂层131a产生提高公共层114的密接性的效果。也就是说，通过设置树脂层131a，公共层114的密接性得到提高，从而可以抑制公共层114的膜剥离。
绝缘层131b以与EL层112的侧面接触的方式设置，因此可以实现EL层112不与树脂层131a接触的结构。在EL层112与树脂层131a接触时，有可能因包含在树脂层131a中的有机溶剂等导致EL层112溶解。由此，如本实施方式所示，通过采用在EL层112与树脂层131a之间设置绝缘层131b的结构，可以保护EL层112的侧面。注意，狭缝120具有可以分割空穴注入层、空穴传输层、电子抑制层、发光层、活性层、空穴抑制层、电子传输层和电子注入层中的至少一个或多个的结构即可。
另外，绝缘层131b例如具有夹在EL层112的侧面与树脂层131a之间的区域。
另外，绝缘层131b例如具有夹在绝缘层255b的顶面与树脂层131a之间的区域。
绝缘层131b可以为包含无机材料的绝缘层。绝缘层131b例如可以使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜及氮氧化绝缘膜等无机绝缘膜。绝缘层131b可以为单层结构或叠层结构。作为氧化绝缘膜，可以举出氧化硅膜、氧化铝膜、氧化镁膜、铟镓锌氧化物膜、氧化镓膜、氧化锗膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镧膜、氧化钕膜、氧化铪膜及氧化钽膜等。作为氮化绝缘膜，可以举出氮化硅膜及氮化铝膜等。作为氧氮化绝缘膜，可以举出氧氮化硅膜、氧氮化铝膜等。作为氮氧化绝缘膜，可以举出氮氧化硅膜、氮氧化铝膜等。尤其是，通过将利用ALD法形成的氧化铝膜、氧化铪膜等氧化金属膜或氧化硅膜等无机绝缘膜用于绝缘层131b，可以形成针孔少且具有保护EL层的能力高的绝缘层131b。
注意，在本说明书等中，氧氮化物是指在其组成中氧含量多于氮含量的材料，氮氧化物是指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。例如，在记载为氧氮化硅时指在其组成中氧含量多于氮含量的材料，而在记载为氮氧化硅时指在其组成中氮含量多于氧含量的材料。
绝缘层131b的形成可以利用溅射法、CVD法、PLD法、ALD法等。绝缘层131b可以利用覆盖性良好的ALD法形成。
作为树脂层131a，可以适当地使用包含有机材料的绝缘层。例如，作为树脂层131a，可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅酮树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。此外，作为树脂层131a，也可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰、水溶性纤维素或者醇可溶性聚酰胺树脂等有机材料。
此外，作为树脂层131a可以使用感光树脂。作为感光树脂可以使用光致抗蚀剂。感光树脂可以使用正型材料或负型材料。
此外，也可以作为树脂层131a使用被着色的材料(例如，包含黑色的颜料的材料等)来附加遮蔽来自相邻的像素的杂散光而抑制混色的功能。
另外，也可以在绝缘层131b与树脂层131a之间设置反射膜(例如，包含选自银、钯、铜、钛和铝等中的一个或多个的金属膜)来附加使上述反射膜反射发光层所发射的光而提高光提取效率的功能。
树脂层131a的顶面越平坦越好，但有时其表面具有平缓的曲面形状。图1B等示出树脂层131a的顶面具有包括凹部及凸部的波形形状的例子，但是不局限于此。例如，树脂层131a的顶面也可以为凸面、凹面或平面。
在导电层111中，位于EL层112一侧的部分优选使用上述反射可见光的导电膜。作为导电层111，例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等金属材料或者包含上述金属材料的合金。铜对可见光具有高反射率，所以是优选的。另外，在使用铝时因为电极的蚀刻容易而容易加工，并且对可见光及近红外光具有高反射率，所以是优选的。此外，也可以在上述金属材料或合金中添加有镧、钕或锗等。此外，也可以使用包含钛、镍或钕与铝的合金(铝合金)。此外，也可以使用包含铜、钯、镁与银的合金。包含银和铜的合金具有高耐热性，所以是优选的。
另外，导电层111也可以具有反射可见光的导电膜上层叠有导电金属氧化物膜的结构。通过采用这种结构，可以抑制反射可见光的导电膜的氧化及腐蚀。例如，通过以与铝膜或铝合金膜接触的方式层叠金属膜或金属氧化物膜，可以抑制氧化。作为这种金属膜、金属氧化物膜的材料，可以举出钛或氧化钛等。此外，也可以层叠上述透过可见光的导电膜与由金属材料构成的膜。例如，可以使用银与铟锡氧化物的叠层膜、银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等。
另外，如图1C所示，也可以在发光元件110R中的导电层111R与EL层112R之间设置导电层117R，也可以在发光元件110G中的导电层111G与EL层112G之间设置导电层117G，也可以在发光元件110B中的导电层111B与EL层112B之间设置导电层117B。注意，以下在说明导电层117R、导电层117G和导电层117B之间共同的内容时，有时省略对符号附上的记号而记为导电层117进行说明。导电层117具有透过可见光的功能。导电层117可以被用作发光元件110的像素电极。有时将导电层111及导电层117统称为像素电极。导电层117的端部优选具有锥形形状。由此，可以提高EL层112的台阶覆盖性。注意，在本说明书等中，对象物的端部具有锥形形状是指具有如下截面形状：其端部的区域中的表面与被形成面所形成的角度大于0度且小于90度，并且其厚度从端部连续地增加。
图1C所示的显示装置100所包括的各发光元件110中的导电层117配置在导电层111与EL层112之间。导电层117位于导电层111上。另外，导电层117具有位于绝缘层255b上的区域。EL层112优选以覆盖导电层117的端部的方式设置。
导电层117可以被用作光学调整层。
在发光元件中，通过使用微腔结构(微小谐振器结构)使光程长不同，可以加强特定波长的光。由此，可以实现色纯度得到提高的显示装置。
在采用微腔结构使光程长不同的情况下，各发光元件的内部的光程长例如对应于导电层117的厚度和EL层112中的设置在发光层的下层的层的厚度之和。
在各发光元件中，反射可见光的导电层111的表面与对可见光具有半透过性、半反射性的公共电极113之间的光学距离优选被调整为相对于需要增大其强度的光的波长λ的mλ/2(m为正整数)或其附近。
例如，通过在各发光元件中使导电层117的厚度不同，可以实现微腔结构。
另外，例如，在各发光元件中，通过使EL层112的厚度不同可以实现微腔结构。例如，可以采用如下结构：使发射波长最长的光的发光元件110R的EL层112R的厚度最厚且使发射波长最短的光的发光元件110B的EL层112B的厚度最薄。另外，不局限于此，可以考虑各发光元件所发射的光的波长、构成发光元件的层的光学特性及发光元件的电特性等调整各EL层的厚度。
注意，当三个各发光元件分别呈现红色、绿色及蓝色时，在导电层117的厚度相同且mλ/2(m为正整数)中的m相同的情况下，例如可以采用如下结构：发射波长最长的光的发光元件110R的EL层112R最厚，发射波长最短的光的发光元件110B的EL层112B最薄。另一方面，在各发光元件中的m的值不同的情况下，不局限于此。例如，有时EL层112B最厚。图2C示出在图1B中EL层112B的厚度厚于EL层112R及EL层112G的情况下的截面的例子。
为了简化起见，有时在本说明书的附图等中不以其厚度明确不同的方式记载各发光元件中的EL层112及导电层117，但是优选通过在各发光元件中适当地调整其厚度而增强对应于各发光元件的波长的光。
可用于导电层117等的透过可见光的导电膜例如可以通过使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等形成。此外，也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料、包含这些金属材料的合金或这些金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等减薄到具有透光性的程度来使用。此外，可以使用上述材料的叠层膜作为导电层。例如，当使用银和镁的合金与铟锡氧化物的叠层膜等时，可以提高导电性，所以是优选的。此外，也可以使用石墨烯等。
作为可用于公共电极113的具有透过性及反射性的导电膜，可以使用将上述反射可见光的导电膜减薄到透过可见光的程度而形成的膜。此外，在采用该导电膜与上述透过可见光的导电膜的叠层结构时，可以提高导电性及机械强度。
作为可用于插头256的材料，可以举出铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、金、银、铂、镁、铁、钴、钯、钽或钨等的金属、包含这些金属材料的合金或者这些金属材料的氮化物等。此外，作为插头256，可以使用包含这些材料的膜的单层或叠层。例如，包含硅的铝膜的単层结构、在钛膜上层叠铝膜的二层结构、在钨膜上层叠铝膜的二层结构、在铜-镁-铝合金膜上层叠铜膜的二层结构、在钛膜上层叠铜膜的二层结构、在钨膜上层叠铜膜的二层结构、依次层叠钛膜或氮化钛膜、铝膜或铜膜以及钛膜或氮化钛膜的三层结构、依次层叠钼膜或氮化钼膜、铝膜或铜膜以及钼膜或氮化钼膜的三层结构等。另外，也可以使用氧化铟、氧化锡或氧化锌的氧化物。此外，通过使用包含锰的铜，可以提高蚀刻时的形状的控制性，所以是优选的。
说明导电层111具有两层结构的例子。在此，作为例子，考虑图1B等所示的导电层111具有两层叠层结构的情况。在图1B等中，作为导电层111的两层叠层结构中的上层(以下，称为导电层111的上层)，优选使用反射可见光的导电膜。另外，在图1B等中，导电层111的两层叠层结构中的下层(以下，称为导电层111的下层)的反射率也可以低于导电层111的上层。作为导电层111的下层，可以使用导电性高的材料。此外，作为导电层111的下层，可以使用加工性优异的材料。
作为导电层111的上层，优选使用上述可用于导电层111的材料及结构。作为导电层111的下层，例如可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、钇、锆或钽等金属材料、包含上述金属材料的合金或者上述金属材料的氮化物(例如，氮化钛)等。
在作为导电层111或导电层111的上层使用铝的情况下，通过将其厚度设定优选为40nm以上、更优选为70nm以上，可以充分提高可见光等的反射率。此外，在作为导电层111或导电层111的上层使用银的情况下，通过将其设定优选为70nm以上、更优选为100nm以上，可以充分提高可见光等的反射率。
作为一个例子，作为导电层111的下层可以使用钨，作为导电层111的上层可以使用铝或铝合金。此外，导电层111的上层也可以采用以与铝或铝合金的上部接触的方式设置有氧化钛的结构。或者，导电层111的上层也可以采用以与铝或铝合金的上部接触的方式设置有钛且以与钛的上部接触的方式设置有氧化钛的结构。
或者，导电层111的下层、上层都可以使用选自上述可用于导电层111的材料及结构中的材料及结构。
此外，导电层111也可以具有三层以上的叠层膜。
作为形成发光元件的一对电极(像素电极及公共电极)的材料，可以适当地使用金属、合金、导电化合物及它们的混合物等。具体而言，可以举出铟锡氧化物(In-Sn氧化物、也称为ITO)、In-Si-Sn氧化物(也称为ITSO)、铟锌氧化物(In-Zn氧化物)、In-W-Zn氧化物、铝、镍及镧的合金(Al-Ni-La)等含铝合金(铝合金)以及银、钯和铜的合金(Ag-Pd-Cu、也记载为APC)。除了上述以外，还可以举出铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、镓(Ga)、锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)、钼(Mo)、钽(Ta)、钨(W)、钯(Pd)、金(Au)、铂(Pt)、银(Ag)、钇(Y)、钕(Nd)等金属以及适当地组合并包含它们的合金。除了上述以外，可以使用以上没有列举的属于元素周期表中第一族或第二族的元素(例如，锂(Li)、铯(Cs)、钙(Ca)、锶(Sr))、铕(Eu)、镱(Yb)等稀土金属及适当地组合并包含它们的合金以及石墨烯等。
另外，如图2A所示，也可以采用设置兼作导电层111和插头256的导电层257的结构。导电层257可以利用双镶嵌法形成。通过利用双镶嵌法，可以同时形成插头和导电层，由此可以使工序简化。注意，在图2A所示的结构中，也可以采用不设置绝缘层255a和绝缘层255b中的任一个的结构，在此情况下导电层257仅嵌入在其中的一个绝缘层中即可。
可用作导电层257的材料可以参照可用作导电层111及插头256的材料。作为导电层257，优选使用反射可见光的导电膜。另外，作为导电层257，例如可以使用铜。
注意，在绝缘层255中，有时不设置有EL层112或公共电极113的表面上形成有凹部。例如，在形成EL层112时及形成公共电极113时的蚀刻工序中，由于绝缘层255被蚀刻而形成凹部。在此，通过使绝缘层255具有两层叠层结构，并且作为上层使用形成EL层112时及形成公共电极113时的蚀刻中的蚀刻速率低的材料，有时凹部的形成被抑制。作为绝缘层255的上层，例如可以使用氧化铪或氧化铝。
具有半透过性、半反射性的导电膜的可见光反射率(例如对400nm至700nm的范围内的规定波长的光的反射率)优选为20％以上且80％以下，更优选为40％以上且70％以下。另外，具有反射性的导电膜的可见光反射率优选为40％以上且100％以下，更优选为70％以上且100％以下。另外，具有透光性的导电膜的可见光反射率为0％以上且40％以下，更优选为0％以上且30％以下。
构成发光元件的电极分别可以利用真空蒸镀法等蒸镀法或溅射法形成。除此之外，还可以利用喷墨法等喷射法、丝网印刷法等印刷法或镀敷法形成。
作为发光元件110所包括的EL层112，也可以使用白色发光的发光物质。在作为EL层112使用白色发光的发光物质的情况下，EL层112优选采用包含两种以上的发光物质的结构。例如通过以使两个以上的发光物质的各发光处于补色关系的方式选择发光物质，可以获得白色发光。例如，优选包含如下发光物质中的两个以上：呈现R(红)、G(绿)、B(蓝)、Y(黄)、O(橙)等的发光的发光物质和呈现包含R、G、B中的两个以上的颜色的光谱成分的发光的发光物质。另外，优选使用来自发光元件的发光的光谱在可见光区域的波长(例如350nm至750nm)的范围内具有两个以上的峰的发光元件。另外，具有黄色波长区域中具有峰的材料的发光光谱优选是在绿色及红色的波长区域中也具有光谱成分的材料。
EL层112层叠有包含呈现一个颜色的发光材料的发光层和包含呈现其他颜色的发光材料的发光层。例如，EL层112中的多个发光层既可以以彼此接触的方式叠层，又可以通过不包含任何发光材料的区域叠层。例如，也可以采用在荧光发光层与磷光发光层之间包含与该荧光发光层或燐光发光层相同的材料(例如主体材料、辅助材料)，并且设置有不包含任何发光材料的区域的结构。由此，发光元件的制造变得容易，并且驱动电压得到降低。
通过使不同发光元件与透过不同颜色的光的着色层重叠，可以经过着色层发射来自发射白色光的发光元件的光。例如，发射白色光的发光元件使用分别透过红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的三种着色层，由此可以实现全彩色的显示装置。
另外，发光元件110既可以具有包括一个EL层的单结构，又可以具有隔着电荷产生层层叠有多个EL层的串联结构。
在作为EL层112使用白色发光的发光物质的情况下，在各发光元件中不需要进行发光层的分开涂布。另外，也可以以横跨多个发光元件110的方式设置连续的EL层112。
在图2B所示的显示装置100中，各发光元件110所包括的导电层117在各发光元件中具有不同的厚度。例如，在作为EL层112使用白色发光的发光物质的情况下，优选使各发光元件中的导电层117的厚度不同来使光程长不同。在图2B的三个导电层117中，导电层117B的厚度最薄，导电层117R的厚度最厚。在此，关于各发光元件中的导电层111的顶面与公共电极113的底面(即公共电极113与EL层112的界面)的距离，发光元件110R中的该距离最大，发光元件110B中的该距离最小。通过根据每个发光元件改变导电层111的顶面与公共电极113的底面的距离，可以改变各发光元件中的光学距离(光程长)。
在三个发光元件中发光元件110R的光程长最长，由此发射最长波长的光得到增强的光R。另一方面，发光元件110B的光程长最短，由此发射最短波长的光得到增强的光B。发光元件110G发射其中间波长的光得到增强的光G。例如，光R可以是红色光得到增强的光，光G可以是绿色光得到增强的光，光B可以是蓝色光得到增强的光。
通过采用这种结构，不需要按每个不同颜色的发光元件分别形成发光元件110所包括的EL层，可以使用相同结构的元件而进行颜色再现性高的彩色显示。另外，可以以极高密度配置发光元件110。例如，可以实现清晰度超过5000ppi的显示装置。
各发光元件的反射可见光的导电层111的表面与对可见光具有半透过性、半反射性的公共电极113之间的光学距离优选被调整为相对于需要增大其强度的光的波长λ的mλ/2(m为正整数)或其近似。
注意，严格地说，上述光学距离关于导电层111的反射面和具有半透过性、半反射性的公共电极113的反射面之间的物理距离与设置在它们之间的层的折射率之积，因此难以严格地调整光学距离。由此，优选将导电层111的表面及具有半透过性、半反射性的公共电极113的表面都假设为反射面来调整光学距离。
在作为EL层112使用呈现白色发光的EL层的情况下，例如，作为EL层112R、EL层112G及EL层112B可以使用相同的层。
另外，通过设置与发光元件110重叠的着色层，可以提高来自发光元件的光的色纯度。图2B示出显示装置100包括衬底128、着色层129a、129b、129c及黑矩阵129d的结构。
保护层121与衬底128之间设置有树脂层122。树脂层122具有将设置在衬底101上的发光元件110与设置在衬底128上的着色层129a、129b、129c及黑矩阵129d贴合在一起的功能。
作为树脂层122，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。
着色层129a、着色层129b及着色层129c具有透过彼此不同颜色的光的功能。着色层129a所透过的光的波长区域例如与着色层129b不同。此外，着色层129b所透过的光的波长区域例如与着色层129c不同。此外，着色层129c所透过的光的波长区域例如与着色层129a不同。例如，着色层129a具有透过红色光的功能，着色层129b具有透过绿色光的功能，着色层129c具有透过蓝色光的功能。由此，显示装置100可以进行全彩色显示。另外，着色层129a、着色层129b及着色层129c也可以具有透过青色、品红色和黄色中的任意个颜色的光的功能。注意，以下，在说明着色层129a、着色层129b及着色层129c之间共同的内容时，有时省略对符号附上的记号而记为着色层129进行说明。
在此，有时相邻的着色层129例如在不与发光元件110重叠的区域中具有与相邻的着色层129重叠的区域。通过使透过不同颜色的光的着色层129重叠，可以在着色层129重叠的区域中将着色层129用作遮光层。由此，可以抑制发光元件110所发射的光泄漏到相邻的子像素中。例如，可以抑制与着色层129a重叠的发光元件110R所发射的光入射到着色层129b。因此，可以提高显示在显示装置上的图像的对比度，由此可以实现显示品质高的显示装置。
注意，也可以不具有相邻的着色层129重叠的区域。在此情况下，优选在不与发光元件110重叠的区域中设置黑矩阵129d。黑矩阵129d例如可以设置在衬底128的树脂层122一侧的面上。此外，也可以将着色层129设置在衬底128的树脂层122一侧的面上。
黑矩阵有时被称为黑色层。
在本说明书等中，为了简化起见，有时将放大前的附图中的层及膜的厚度表示得厚。另外，放大后的附图中的显示装置所包括的各构成要素之间的距离等有时不同。
另外，也可以采用EL层112的端部位于导电层111的端部的内侧的结构。
图3A是图1C中的以双点划线包围的区域的放大图。在图3A中，EL层112的端部位于导电层111的端部的外侧。另一方面，图3B所示的结构与图3A的主要不同之处在于EL层112的端部位于导电层111的端部的内侧。注意，也可以采用EL层112的端部与导电层111的端部大致对齐的结构。另外，也可以采用EL层112的端部的一个位于导电层111的外侧且另一个与导电层111的端部大致对齐的结构。此外，也可以采用EL层112的端部的一个位于导电层111的内侧且另一个与导电层111的端部大致对齐的结构。此外，EL层112的端部的一个位于导电层111的外侧且另一个位于导电层111的端部的内侧的结构。
注意，有时在将EL层112加工为岛状时形成的牺牲层残留在EL层112与绝缘层131b之间。图3A及图3B示出如下情况的例子：在EL层112R与绝缘层131b之间残留牺牲层145R，在EL层112G与绝缘层131b之间残留牺牲层145G，在EL层112B与绝缘层131b之间残留牺牲层145B。将在后面说明牺牲层145R、牺牲层145G及牺牲层145B的详细内容。
[制造方法例子1]
参照附图说明本发明的一个方式的显示装置的制造方法的一个例子。
注意，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用溅射法、化学气相沉积(CVD)法、真空蒸镀法、脉冲激光沉积(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、原子层沉积(ALD)法等形成。作为CVD法，有等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法及热CVD法等。此外，作为热CVD法之一，有有机金属化学气相沉积(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
此外，构成显示装置的薄膜(绝缘膜、半导体膜、导电膜等)可以利用旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctor knife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等方法形成。
此外，当对构成显示装置的薄膜进行加工时，可以利用光刻法等。除了上述方法以外，还可以利用纳米压印法、喷砂法、剥离法等对薄膜进行加工。此外，可以通过使用金属掩模等遮蔽掩模的沉积方法直接形成岛状薄膜。
光刻法典型地有如下两种方法。一个是在要进行加工的薄膜上形成抗蚀剂掩模，通过蚀刻等对该薄膜进行加工，并去除抗蚀剂掩模的方法。另一个是在沉积感光薄膜之后，进行曝光及显影来将该薄膜加工为所希望的形状的方法。
在光刻法中，作为用于曝光的光，例如可以使用i线(波长365nm)、g线(波长436nm)、h线(波长405nm)或将这些光混合了的光。除此之外，也可以使用紫外线。此外，也可以使用KrF激光或ArF激光等。此外，也可以利用液浸曝光技术进行曝光。另外，作为用于曝光的光，也可以使用极紫外光(EUV：Extreme Ultra-violet)或X射线。此外，也可以使用电子束代替用于曝光的光。当使用极紫外光、X射线或电子束时，可以进行极其精细的加工，所以是优选的。另外，在通过电子束等光束的扫描进行曝光时，不需要使用光掩模。
在薄膜的蚀刻中，可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法及喷砂法等。
作为薄膜的平坦化处理，典型的是，可以适当地利用化学机械抛光(ChemicalMechanical Polishing：CMP)法等的抛光处理法。此外，可以适当地利用回流法，其中对导电层进行加热处理来使其流态化。此外，也可以组合回流法和CMP法。除此以外，还可以利用干蚀刻处理、等离子体处理。另外，既可以多次进行抛光处理、干蚀刻处理、等离子体处理，又可以组合它们而进行。此外，当组合进行上述处理时，对工序顺序也没有特别的限制，可以根据被处理面的凹凸状态适当地设定。
为了以薄膜成为所希望的厚度的方式高准确地进行加工，例如利用CMP法。在此情况下，首先，以一定的加工速度进行抛光直到露出该薄膜的顶面的一部分。然后，在比上述加工速度慢的条件下进行抛光直到该薄膜达到所希望的厚度，由此可以以高精确度进行加工。
作为检测出抛光结束点的方法，有对被处理面的表面照射光来检测出其反射光的变化的光学方法、检测出加工装置从被处理面受到的耐抛光性变化的物理方法、对被处理面照射磁力线来检测出所产生的涡流引起的磁力线变化的方法等。
在露出该薄膜的顶面之后，一边利用使用激光干涉仪等的光学方法监测该薄膜的厚度，一边在加工速度较慢的条件下进行抛光处理，由此可以以高精确度控制该薄膜的厚度。此外，也可以根据需要而进行多次的抛光处理直到该薄膜达到所希望的厚度。
参照图4A至图5D说明图1B所示的显示装置的制造方法的一个例子。通过使用图4A至图5D所示的制造方法，可以以不使用金属掩模的方式对EL层112进行加工。
〔衬底101的准备〕
作为衬底101，可以使用至少具有能够承受后面的热处理程度的耐热性的衬底。在作为衬底101使用绝缘衬底的情况下，可以举出玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、陶瓷衬底等。此外，还可以使用以硅或碳化硅等为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、硅锗等的化合物半导体衬底、SOI衬底等半导体衬底。
尤其是，衬底101优选使用在上述半导体衬底或绝缘衬底上形成有包括晶体管等半导体元件的半导体电路的衬底。该半导体电路例如优选构成像素电路、栅极线驱动电路(栅极驱动器)、源极线驱动电路(源极驱动器)等。除此以外，还可以构成运算电路、存储电路等。
在本实施方式中，将至少构成有像素电路的衬底用作衬底101。
〔绝缘层255a、插头256、绝缘层255b、导电层111的形成〕
在衬底101上沉积将成为绝缘层255a的绝缘膜。接着，在绝缘层255a的形成插头256的位置中形成到达衬底101的开口。该开口优选为到达设置在衬底101的电极或布线的开口。接着，以填充该开口的方式沉积导电膜，然后以使绝缘层255a的顶面露出的方式进行平坦化处理。由此，可以形成嵌入在绝缘层255a中的插头256。
在绝缘层255a及插头256上沉积将成为绝缘层255b的绝缘膜。将成为绝缘层255b的绝缘膜优选覆盖插头256。接着，在将成为绝缘层255b的绝缘膜的形成导电层111的位置中形成到达插头256的开口。接着，以填充该开口的方式沉积导电膜，然后以使绝缘层255b的顶面露出的方式进行平坦化处理。由此，可以形成嵌入在绝缘层255b中的导电层111(图4A)。导电层111与插头256电连接。
绝缘层255b的顶面优选与导电层111的顶面大致对齐。另外，有时导电层111的顶面低于绝缘层255b的顶面，由此有时导电层111具有比绝缘层255b凹陷的形状。
或者，绝缘层255b的顶面与导电层111的顶面的高度之差例如小于导电层111的厚度的0.1倍。
〔EL层112的形成〕
接着，在导电层111及绝缘层255b上沉积EL膜112Rf。EL膜112Rf是将成为发光元件110R的EL层112R的膜。注意，在此示出依次形成EL层112R、EL层112G、EL层112B的例子，但是三个EL层112的制造顺序不局限于此。
将成为EL膜112Rf的层至少包括包含发光化合物的膜。除此之外，也可以层叠有用作电子注入层、电子传输层、电荷产生层、空穴传输层和空穴注入层的膜中的一个以上。将成为EL层112R的层例如可以通过蒸镀法、溅射法或喷墨法等形成。另外，不局限于此，可以适当地使用上述沉积方法。
〔牺牲膜的形成〕
接着，说明牺牲膜的沉积工序。
以下示出使用两层结构的牺牲层的例子。
牺牲膜144R是将成为牺牲层145R的膜，牺牲膜146R是将成为牺牲层147R的膜。牺牲膜144G是将成为牺牲层145G的膜，牺牲膜146G是将成为牺牲层147G的膜。牺牲膜144B是将成为牺牲层145B的膜，牺牲膜146B是将成为牺牲层147B的膜。
在牺牲膜的沉积工序中，首先覆盖EL膜112Rf形成牺牲膜144R。另外，牺牲膜144R以与连接电极111C的顶面接触的方式设置。接着，在牺牲膜144R上形成牺牲膜146R。
在形成牺牲膜144R及牺牲膜146R时，例如可以利用溅射法、ALD法(热ALD法、PEALD法)或真空蒸镀法。注意，优选利用对EL层带来的损伤少的形成方法，作为在EL膜112Rf上直接形成的牺牲膜144R，与溅射法相比，优选利用ALD法或真空蒸镀法形成牺牲膜144R。
作为牺牲膜144R，可以适当地使用金属膜、合金膜、金属氧化物膜、半导体膜、无机绝缘膜等无机膜。
此外，作为牺牲膜144R，可以使用氧化物膜。典型的是，可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、氧氮化铪等氧化物膜或者氧氮化物膜。此外，作为牺牲膜144R，例如可以使用氮化物膜。具体而言，可以使用氮化硅、氮化铝、氮化铪、氮化钛、氮化钽、氮化钨、氮化镓、氮化锗等氮化物。这种无机绝缘材料可以利用溅射法、CVD法或ALD法等的沉积方法形成，作为EL膜112Rf上直接形成的牺牲膜144R特别优选利用ALD法。
此外，作为牺牲膜144R，例如可以使用金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛、铝、钇、锆及钽等金属材料或包含该金属材料的合金材料。尤其优选使用铝或银等低熔点材料。
此外，作为牺牲膜144R，可以使用铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物、也记为IGZO)等金属氧化物。并且，还可以使用氧化铟、铟锌氧化物(In-Zn氧化物)、铟锡氧化物(In-Sn氧化物)、铟钛氧化物(In-Ti氧化物)、铟锡锌氧化物(In-Sn-Zn氧化物)、铟钛锌氧化物(In-Ti-Zn氧化物)、铟镓锡锌氧化物(In-Ga-Sn-Zn氧化物)等。或者，也可以使用包含硅的铟锡氧化物等。
另外，在使用元素M(M为选自铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)代替上述镓时也可以使用上述材料。尤其是，M优选为选自镓、铝和钇中的一种或多种。
作为牺牲膜144(2)R，可以使用上述可用作牺牲膜144R的材料。另外，作为牺牲膜144R可以选择上述可用作牺牲膜144R的材料中的一个，作为牺牲膜146R可以选择上述材料中的另一个。另外，作为牺牲膜144R可以选择上述可用作牺牲膜144R的材料中的一个或多个，作为牺牲膜146R可以使用选自作为牺牲膜144R选择的材料以外的材料中的材料。
牺牲膜144R可以使用对EL膜112Rf等的各EL膜的蚀刻处理具有高耐性的膜，即蚀刻选择比大膜。另外，牺牲膜144R尤其优选使用可以通过对各EL膜带来的损伤少的湿蚀刻法去除的膜。
另外，作为牺牲膜144R，也可以使用可溶解于至少对位于EL膜112Rf的最上部的膜化学上稳定的溶剂的材料。尤其是，可以将溶解于水或醇的材料适当地用于牺牲膜144R。当沉积牺牲膜144R时，优选的是，在溶解于水或醇等溶剂的状态下以湿式沉积方法涂布，然后进行用来使溶剂蒸发的加热处理。此时，通过在减压气氛下进行加热处理，可以以低温且短时间去除溶剂，因此可以减少对EL膜112Rf带来的热损伤，所以是优选的。
作为可用于牺牲膜144R的形成的湿式沉积方法，有旋涂法、浸渍法、喷涂法、喷墨法、分配器法、丝网印刷法、胶版印刷法、刮刀(doctor knife)法、狭缝式涂布法、辊涂法、帘式涂布法、刮刀式涂布法等。
作为牺牲膜144R，可以使用聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙二醇、聚甘油、普鲁兰、水溶性纤维素或者醇可溶性聚酰胺树脂等有机材料。
作为牺牲膜146R，可以使用与牺牲膜144R的选择比大的膜。
尤其优选的是，作为牺牲膜144R使用通过ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料，作为牺牲膜146R使用通过溅射法形成的铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物、也记为IGZO)等的包含铟的金属氧化物。
此外，作为牺牲膜146R，也可以使用可用于EL膜112Rf等的有机膜。例如，可以将与可用于EL膜112Rf、EL膜112Gf或EL膜112Bf的有机膜相同的膜用作牺牲膜146R。通过使用这种有机膜，可以与EL膜112Rf等共通使用沉积装置，所以是优选的。并且，可以在对EL膜112Rf等进行蚀刻的同时去除牺牲层147R，由此可以使工序简化。
例如，当在牺牲膜144R的蚀刻中利用使用包含氟的气体(也称为氟类气体)的干蚀刻时，可以将硅、氮化硅、氧化硅、钨、钛、钼、钽、氮化钽、包含钼及铌的合金或包含钼及钨的合金等用于牺牲膜146R。在此，作为相对于上述使用氟类气体的干蚀刻的蚀刻选择比大(即，可以使蚀刻速度慢)的膜，可以举出IGZO、ITO等的金属氧化物膜等，可以将上述膜用于牺牲膜144R。
〔抗蚀剂掩模143a的形成〕
接着，在牺牲膜146R上形成抗蚀剂掩模143a(图4B)。注意，图4B示出在连接电极111C上不沉积EL膜112Rf的例子。当在EL膜112Rf的沉积中遮蔽连接电极111C上的区域时，可以使用金属掩模。因为此时使用的金属掩模也可以不遮蔽显示部的像素区域，所以不需要使用高精细的掩模。
抗蚀剂掩模143a可以使用正型抗蚀剂材料或负型抗蚀剂材料等包含感光树脂的抗蚀剂材料。
在此，当在牺牲膜146R上形成抗蚀剂掩模143a时，在牺牲膜146R中有针孔等缺陷的情况下，有可能因抗蚀剂材料的溶剂而EL膜112Rf溶解。通过作为牺牲膜144R使用利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料，可以形成针孔少的膜，可以防止发生这种不良。
〔牺牲膜144R及牺牲膜146R的蚀刻〕
接着，通过蚀刻去除牺牲膜146R及牺牲膜144R的不被抗蚀剂掩模143a覆盖的一部分，形成岛状或带状的牺牲层145R及牺牲层147R。在此，牺牲层145R及牺牲层147R形成在导电层111R及连接电极111C上。
在此，优选的是，通过使用抗蚀剂掩模143a的蚀刻去除牺牲膜146R的一部分来形成牺牲层147R，然后去除抗蚀剂掩模143a，以牺牲层147R为硬掩模对牺牲膜144R进行蚀刻。在牺牲膜146R的蚀刻中，优选使用与牺牲膜144R的选择比高的蚀刻条件。硬掩模形成的蚀刻可以使用湿蚀刻或干蚀刻，通过使用干蚀刻可以抑制图案的缩小。例如，在作为牺牲膜144R使用利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料且作为牺牲膜146R使用利用溅射法形成的铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物、也称为IGZO)等的包含铟的金属氧化物的情况下，在此对利用溅射法形成的牺牲膜146R进行蚀刻而将其成为硬掩模。
抗蚀剂掩模143a的去除可以通过湿蚀刻或干蚀刻进行。尤其是，优选通过将氧气体用于蚀刻气体的干蚀刻(也称为等离子体灰化)去除抗蚀剂掩模143a。
通过以牺牲层147R为硬掩模对牺牲膜144R进行蚀刻，可以在由牺牲膜144R覆盖EL膜112Rf的状态下去除抗蚀剂掩模143a。尤其是，在EL膜112Rf暴露于氧时有时对电特性带来负面影响，所以在进行等离子体灰化等使用氧气体的蚀刻时这是优选的。
接着，以牺牲层147R用作掩模而通过蚀刻去除牺牲膜144R，来形成岛状或带状的牺牲层145R。注意，在本发明的一个方式的显示装置的制造方法中，也可以采用不使用牺牲层145R和牺牲层147R中的任一个的结构。
〔EL膜112Rf的蚀刻〕
接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145R覆盖的EL膜112Rf的一部分，来形成岛状或带状的EL层112R。
在蚀刻EL膜112Rf时优选利用使用主要成分中不包含氧的蚀刻气体的干蚀刻。由此，可以抑制EL膜112Rf的变质而实现可靠性高的显示装置。作为主要成分中不包含氧的蚀刻气体例如可以举出CF4、C4F8、SF6、CHF3、Cl2、H2O、BCl3或He等的稀有气体。另外，可以将上述气体及不包含氧的稀释气体的混合气体用作蚀刻气体。在此，在EL膜112Rf的蚀刻中，也可以去除牺牲层145(1)a的一部分。例如，在具有两层结构的牺牲膜144(1)a中，当作为下层使用利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等的无机绝缘材料且作为上层使用利用溅射法形成的铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn氧化物、也记为IGZO)等的包含铟的金属氧化物时，在此在EL膜112Rf的蚀刻中也可以对上层进行蚀刻。
注意，EL膜112Rf的蚀刻不局限于上述方法，可以利用使用其他气体的干蚀刻进行，也可以利用湿蚀刻进行。
另外，在作为EL膜112Rf的蚀刻利用使用含有氧气体的蚀刻气体或者氧气体的干蚀刻时，可以提高蚀刻速率。由此，可以在将蚀刻速率保持为足够的速度的状态下以低功率的条件进行蚀刻，因此可以降低蚀刻所带来的损伤。并且，可以抑制蚀刻时产生的反应生成物的附着等不良。例如，可以使用对上述主要成分中不包含氧的蚀刻气体添加氧气体的蚀刻气体。
〔EL层112G、EL层112B的形成〕
接着，在牺牲层145(1)R上沉积将成为EL层112G的EL膜112Gf。关于EL膜112Gf，可以参照EL膜112Rf的记载。
接着，在EL膜112Gf上沉积牺牲膜144G。关于牺牲膜144G，可以参照牺牲膜144R的记载。
接着，在牺牲膜144G上沉积牺牲膜146G。关于牺牲膜146G，可以参照牺牲膜146R的记载。
接着，在牺牲膜146G上形成抗蚀剂掩模143b(图4C)。
接着，形成牺牲层145G、牺牲层147G及EL层112G。关于牺牲层145G、牺牲层147G及EL层112G的形成，可以参照牺牲层145R、牺牲层147R及EL层112R的形成。
接着，在牺牲层147R及牺牲层147G上沉积将成为EL层112B的EL膜112Bf。关于EL膜112Bf，可以参照EL膜112Rf的记载。
接着，在EL膜112Bf上沉积牺牲膜144B。关于牺牲膜144B，可以参照牺牲膜144R的记载。
接着，在牺牲膜144B上沉积牺牲膜146B。关于牺牲膜146B，可以参照牺牲膜146R的记载。
接着，在牺牲膜146B上形成抗蚀剂掩模143c(图4D)。
接着，形成牺牲层145B、牺牲层147B及EL层112B。关于牺牲层145B、牺牲层147B及EL层112B的形成，可以参照牺牲层145R、牺牲层147R及EL层112R的形成。
接着，通过蚀刻等去除牺牲层147R、牺牲层147G及牺牲层147B(以下、统称为牺牲层147)(图5A)。在牺牲层147的蚀刻中，优选使用与牺牲层145R、牺牲层145G及牺牲层145B(以下、统称为牺牲层145)的选择比高的条件。注意，也可以不进行牺牲层147的去除。
〔树脂层131a及绝缘层131b的形成〕
接着，形成将成为绝缘层131b的绝缘膜131bf。绝缘膜131bf优选使用包含无机材料的膜。例如，作为绝缘膜131bf可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。
绝缘膜131bf可以通过溅射法、化学气相沉积(CVD)法、分子束外延(MBE)法、脉冲激光沉积(PLD)法、原子层沉积(ALD)法等形成。绝缘膜131bf可以适合使用覆盖性良好的ALD法形成。
作为绝缘膜131bf可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。尤其是，在蚀刻中氧化铝与EL层112的选择比高，在后述绝缘层131b的形成中该氧化铝具有保护EL层112的功能，所以是优选的。
通过ALD法形成绝缘膜131bf，可以形成针孔少的膜，而可以形成保护EL层112的功能优异的绝缘层131b。
绝缘膜131bf的沉积温度优选为比EL层112的耐热温度低的温度。
在此，作为绝缘膜131bf通过ALD法形成氧化铝。通过ALD法形成绝缘膜131bf时的温度优选为60℃以上且150℃以下，更优选为70℃以上且115℃以下，进一步优选为80℃以上且100℃以下。通过以这种温度形成绝缘膜131bf，可以得到致密的绝缘膜，且可以降低对EL层112带来的损伤。
接着，形成将成为树脂层131a的树脂膜131af(图5B)。树脂膜131af以填充绝缘膜131bf的凹部的方式设置。另外，树脂膜131af以覆盖牺牲层145、EL层112、导电层111的方式设置。树脂膜131af优选为平坦化膜。
作为树脂膜131af优选使用包含有机材料的绝缘膜，作为有机材料优选使用树脂。
作为可用于树脂膜131af的材料，可以举出丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂及上述树脂的前体等。此外，作为树脂膜131af，可以使用感光树脂。感光树脂可以使用正型材料或负型材料。
通过使用感光树脂形成树脂膜131af，可以仅经过曝光及显影的工序制造树脂膜131af，可以降低对构成发光元件110的各层带来的损伤，尤其是对EL层带来的损伤。
如图5B所示，有时树脂膜131af具有反映了被形成面的凹凸的平缓的凹凸。或者，有时树脂膜131af受到的被形成面的凹凸的影响小，树脂膜131af的平坦性比图5B高。
接着，形成树脂层131a。在此，通过作为树脂膜131af使用感光树脂，可以形成树脂层131a而无需设置抗蚀剂掩模、硬掩模等的蚀刻掩模。另外，由于感光树脂可以仅通过曝光及显影的工序来加工，可以不利用干蚀刻法等而形成树脂层131a。因此，可以实现工序的简化。此外，也可以降低树脂膜131af的蚀刻对EL层带来的损伤。另外，也可以对树脂层131a上部的一部分进行蚀刻，以调整表面的高度。
另外，也可以对树脂膜131af的顶面大致均匀地进行蚀刻来形成树脂层131a。如此均匀地蚀刻而平坦化的处理也被称为回蚀。
在树脂层131a的形成中，也可以组合曝光及显影的工序和回蚀工序而利用。
接着，对绝缘膜131bf及牺牲层145进行蚀刻(图5C)。此时，优选利用尽量不对EL层112R、EL层112G及EL层112B带来损伤的方法。由此，形成覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B的侧面的绝缘层131b。
通过作为绝缘膜131bf及牺牲层145使用相同的材料，有时可以同时进行蚀刻而使工序简化。
绝缘膜131bf的蚀刻可以利用干蚀刻法、湿蚀刻法。另外，也可以通过使用氧等离子体的灰化等进行蚀刻。另外，作为绝缘膜131bf的蚀刻，也可以使用化学机械抛光(CMP：Chemical Mechanical Poliching)。
注意，在蚀刻绝缘膜131bf时优选抑制通过蚀刻而对EL层112带来的损伤。因此，例如优选将与EL层112的蚀刻选择比高的材料用作绝缘膜131bf。
通过作为绝缘膜131bf使用无机材料，有时可以提高与EL层112的选择比。另外，作为绝缘层131b可以使用氧化铝、氧化镁、氧化铪、氧化镓、铟镓锌氧化物、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或氮氧化硅等的单层或叠层。尤其是，在蚀刻中氧化铝与EL层112的选择比高，在后述绝缘层131b的形成中该氧化铝具有保护EL层112的功能，所以是优选的。尤其是，通过将利用ALD法形成的氧化铝、氧化铪、氧化硅等无机绝缘材料用作绝缘层131b，可以形成针孔少的膜，而可以形成保护EL层112的功能优异的绝缘层131b。
在树脂膜131af及绝缘膜131bf的形成中，可以根据蚀刻量调整各顶面的高度。在此，优选以绝缘层131b覆盖EL层112的侧面的方式调整蚀刻量。尤其是，优选以绝缘层131b覆盖EL层112所包括的发光层的侧面的方式调整蚀刻量。
注意，有时根据被形成面的凹凸及形成在被形成面的图案的密度而包含有机材料的树脂膜131af的表面的平坦性变化。另外，有时根据用作树脂膜131af的材料的粘度等而树脂膜131af的平坦性变化。例如，有时与重叠于EL层112上的区域的树脂膜131af的厚度相比，不重叠于EL层112的区域的树脂膜131af的厚度变小。在此情况下，例如通过进行树脂膜131af的回蚀，有时树脂层131a的顶面的高度低于牺牲层145的顶面的高度。
另外，有时在多个EL层112之间的区域中树脂膜131af为具有凹曲面的形状(凹陷的形状)、具有凸曲面的形状(膨胀的形状)等。
〔公共层114的形成〕
接着，形成公共层114。注意，在是不包括公共层114的结构的情况下，覆盖EL层112R、EL层112G及EL层112B形成公共电极113即可。
〔公共电极113的形成〕
接着，在公共层114上形成公共电极113。公共电极113例如可以利用蒸镀法形成、更具体而言，例如可以利用溅射法或真空蒸镀法等型形成。注意，当在连接电极111C上不设置公共层114时，在公共层114的沉积中使用遮蔽连接电极111C上的金属掩模即可。因为此时使用的金属掩模也可以不遮蔽显示部的像素区域，所以不需要使用高精细的掩模。
通过上述工序，可以制造发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B。
〔保护层121的形成〕
接着，在公共电极113上形成保护层121(图5D)。在沉积用于保护层121的无机绝缘膜时优选利用溅射法、PECVD法或ALD法。尤其是，ALD法是台阶覆盖性良好且不容易产生针孔等的缺陷，所以是优选的。另外，由于可以在所希望的区域形成均匀的膜，所以在沉积有机绝缘膜时优选使用喷墨法。
通过上述工序，可以制造图1B所示的显示装置100。
[结构例子2]
以下，说明本发明的一个方式的显示装置的上述以外的结构例子。
图6是显示装置的截面示意图。图6示出依次排列发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B的截面及包括连接电极111C的区域的截面。
各发光元件110所包括的导电层111的下方设置有导电层161及树脂层126。
导电层161设置在绝缘层255及衬底101上。导电层161在设置在绝缘层255中的开口中具有穿过绝缘层255的部分。导电层161具有电连接设置在衬底101上的布线、晶体管或电极等与导电层111的布线或电极的功能。
在导电层161中，位于绝缘层255的开口的部分形成有凹部。树脂层126以填充该凹部的方式设置，并被用作平坦化膜。树脂层126的顶面越平坦越好，但是有时其表面具有平缓的曲面形状。图6等示出树脂层126的顶面为具有凹部及凸部的波型形状的例子，但是不局限于此。例如树脂层126的顶面也可以为凸面、凹面或平面。
导电层161上设置有导电层111。
导电层111R上设置有导电层115R，导电层111G上设置有导电层115G，导电层111B上设置有导电层115B，导电层111C上设置有导电层115C。注意，以下，在说明导电层115R、导电层115G、导电层115B及导电层115C之间共同的内容时，有时省略对符号附上的记号而记为导电层115进行说明。
以填充因导电层161、导电层111及导电层115的台阶而产生的凹部的方式设置有树脂层140。通过设置树脂层140，可以在平坦的面上形成EL层112。树脂层140的顶面越平坦越好，但是有时其表面具有平缓的曲面形状。图6等示出树脂层140的顶面具有平缓的凹部的例子，但是不局限于此。例如树脂层140的顶面为具有凸部及凸部的波型形状。此外，例如树脂层140的顶面可以为凸面、凹面或平面。
[制造方法例子2]
参照图7A至图7E说明图6所示的显示装置100C的制造方法。
如图7A所示，在衬底101上沉积绝缘层255。接着，在绝缘层255中形成到达衬底101的开口。接着，以沿着该开口的底面及侧面的方式沉积导电膜。接着，通过蚀刻等去除该导电膜的一部分，形成导电层161。
接着，以填充导电层161的凹部的方式形成树脂层126。树脂层126的形成方法可以参照树脂层131a的形成方法。
接着，在导电层161及树脂层126上形成将成为导电层111的导电膜。接着，在导电层111上形成将成为导电层115的导电膜。接着，通过蚀刻等去除将成为导电层111的导电膜的一部分及将成为导电层115的导电膜的一部分，形成导电层115及导电层111(图7A)。
接着，以填充因导电层161、导电层111及导电层115的台阶而产生的凹部的方式形成树脂层140(图7B)。树脂层140的形成方法可以参照树脂层131a的形成方法。
接着，在导电层115及树脂层140上依次沉积EL膜112Rf、牺牲膜144R及牺牲膜146R。
接着，在牺牲膜146R上形成抗蚀剂掩模143a(图7C)。
接着，通过蚀刻去除牺牲膜146R及牺牲膜144R的不被抗蚀剂掩模143a覆盖的一部分来形成牺牲层145R及牺牲层147R。接着，通过蚀刻去除不被牺牲层145R覆盖的EL膜112Rf的一部分来形成EL层112R(图7D)。
接着，在导电层115及树脂层126上依次沉积EL膜112Gf、将成为牺牲层145G的膜及将成为牺牲层147G的牺牲膜。接着，通过使用抗蚀剂掩模的蚀刻去除将成为牺牲层145G的膜及将成为牺牲层147G的牺牲膜的一部分，来形成牺牲层145G及牺牲层147G。接着，通过蚀刻去除EL膜112Gf的一部分来形成EL层112G。
接着，在导电层115及树脂层126上依次沉积EL膜112Bf、将成为牺牲层145B的牺牲膜及将成为牺牲层147B的牺牲膜。接着，通过使用抗蚀剂掩模的蚀刻去除将成为牺牲层145B的牺牲膜及将成为牺牲层147B的牺牲膜的一部分，来形成牺牲层145B及牺牲层147B。接着，通过蚀刻去除EL膜112Bf的一部分来形成EL层112B(图7E)。
接着，通过形成绝缘层131b、树脂层131a、公共层114、公共电极113及保护层121，形成图6所示的显示装置100C。
本实施方式的至少一部分可以与本说明书中记载的其他实施方式适当地组合而实施。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照图8至图11说明本发明的一个方式的显示面板。
[像素的布局]
在本实施方式中，主要说明与图1A不同的像素布局。对子像素的排列没有特别的限制，可以采用各种方法。作为子像素的排列，例如可以举出条纹排列、S条纹排列、矩阵排列、delta排列、拜耳排列、Pentile排列等。
各子像素例如包括发光元件。此外，各子像素例如包括发光元件及以与发光元件重叠的方式设置的着色层。
作为子像素的顶面形状，例如可以举出三角形、四角形(包括长方形、正方形)、五角形等多角形、这些多角形的角部呈圆形的形状、椭圆形或圆形等。这里，子像素的顶面形状相当于发光元件的发光区域的顶面形状。
图8A所示的像素110采用S条纹排列。图8A所示的像素110由子像素110a、110b、110c的三个子像素构成。例如，如图10A所示，子像素110a也可以为蓝色子像素B，子像素110b也可以为红色子像素R，子像素110c也可以为绿色子像素G。子像素B、R及G例如分别包括上面的实施方式所示的发光元件110B、110R及110G。
图8B所示的像素110包括具有角部呈圆形的近似梯形的顶面形状的子像素110a、具有角部呈圆形的近似三角形的顶面形状的子像素110b以及具有角部呈圆形的近似四角形或近似六角形的顶面形状的子像素110c。此外，子像素110a的发光面积比子像素110b大。如此，可以分别独立地决定各子像素的形状及尺寸。例如，包括可靠性越高的发光元件的子像素可以使其尺寸越小。例如，如图10B所示，子像素110a也可以为绿色子像素G，子像素110b也可以为红色子像素R，子像素110c也可以为蓝色子像素B。
图8C所示的像素124a、124b采用Pentile排列。图8C示出交替配置包括子像素110a及子像素110b的像素124a及包括子像素110b及子像素110c的像素124b的例子。例如，如图10C所示，子像素110a也可以为红色子像素R，子像素110b也可以为绿色子像素G，子像素110c也可以为蓝色子像素B。
图8D及图8E所示的像素124a、124b采用delta排列。像素124a在上行(第一行)包括两个子像素(子像素110a、110b)，在下行(第二行)包括一个子像素(子像素110c)。像素124b在上行(第一行)包括一个子像素(子像素110c)，在下行(第二行)包括两个子像素(子像素110a、110b)。例如，如图10D所示，子像素110a也可以为红色子像素R，子像素110b也可以为绿色子像素G，子像素110c也可以为蓝色子像素B。
图8D示出各子像素具有角部呈圆形的近似四角形的顶面形状的例子，图8E示出各子像素具有圆形的顶面形状的例子。
图8F示出各颜色的子像素配置为锯齿形状的例子。具体而言，在俯视图中，在列方向上排列的两个子像素(例如，子像素110a及子像素110b或子像素110b及子像素110c)的上边的位置不一致。例如，如图10E所示，子像素110a也可以为红色子像素R，子像素110b也可以为绿色子像素G，子像素110c也可以为蓝色子像素B。
光刻法由于加工的图案越微细越不能忽略光的衍射的影响，所以用曝光转印光掩模的图案时损失再现性而将抗蚀剂掩模加工为所希望的形状变得很困难。因此，即使光掩模的图案为矩形，也容易形成角部呈圆形的图案。因此，子像素的顶面形状有时成为多角形的角部呈圆形的形状、椭圆形或圆形等。
再者，在本发明的一个方式的显示面板的制造方法中，使用抗蚀剂掩模将EL层加工为岛状。在EL层上形成的抗蚀剂膜需要在比EL层的耐热温度低的温度下固化。因此，根据EL层的材料的耐热温度及抗蚀剂材料的固化温度有时抗蚀剂膜的固化不充分。固化不充分的抗蚀剂膜有时加工时成为与所希望的形状不同的形状。其结果是，EL层的顶面形状有时成为多角形的角部呈圆形的形状、椭圆形或圆形等。例如，在要形成顶面形状为正方形的抗蚀剂掩模时，有时形成圆形的顶面形状的抗蚀剂掩模，EL层的顶面形状成为圆形。
注意，为了使EL层的顶面形状成为所希望的形状，使设计图案与转印图案一致，也可以使用预先校正掩模图案的技术(OPC(Optical Proximity Correction：光学邻近校正)技术)。具体而言，在OPC技术中，对掩模图案上的图形角部等追加用于校正的图案。
注意，在图1A所示的采用条纹排列的像素110中，例如，如图10F所示，子像素110R可以为红色子像素R，子像素110G可以为绿色子像素G，子像素110B可以为蓝色子像素B。
如图9A至图9H所示，像素可以包括四种子像素。
图9A至图9C所示的像素110采用条纹排列。
图9A示出各子像素具有长方形的顶面形状的例子，图9B示出各子像素具有将两个半圆与长方形连在一起的顶面形状的例子，图9C示出各子像素具有椭圆形的顶面形状的例子。
图9D至图9F所示的像素110采用矩阵排列。
图9D示出各子像素具有正方形的顶面形状的例子，图9E示出各子像素具有角部呈圆形的近似正方形的顶面形状的例子，图9F示出各子像素具有圆形的顶面形状的例子。
图9G及图9H示出一个像素110以两行三列构成的例子。
图9G所示的像素110在上方的行(第一行)上包括三个子像素(子像素110a、110b、110c)且在下方的行(第二行)上包括一个子像素(子像素110d)。换言之，像素110在左侧的列(第一列)上包括子像素110a，在中央的列(第二列)上包括子像素110b，在右侧的列(第三列)上包括子像素110c，并且跨着这三个列包括子像素110d。
图9H所示的像素110在上方的行(第一行)上包括三个子像素(子像素110a、110b、110c)且在下方的行(第二行)上包括三个子像素110d。换言之，像素110在左侧的列(第一列)上包括子像素110a及子像素110d，在中央的列(第二列)上包括子像素110b及子像素110d，并且在右侧的列(第三列)上包括子像素110c及子像素110d。如图9H所示，通过使上行与下行的子像素的配置一致，可以高效地去除制造工艺中会产生的尘埃等。由此，可以提供一种显示品质高的显示面板。
图9A至图9H所示的像素110由子像素110a、110b、110c、110d的四个子像素构成。子像素110a、110b、110c、110d各自包括发射不同颜色光的发光元件。作为子像素110a、110b、110c、110d，可以举出：R、G、B、白色(W)的四种颜色的子像素；R、G、B、Y的四种颜色的子像素；或者R、G、B、红外光(IR)的子像素；等。例如，如图10G至图10J所示，子像素110a、110b、110c、110d分别可以为红色、绿色、蓝色、白色的子像素。
在本发明的一个方式的显示面板中，像素也可以包括受光元件。
此外，也可以采用图10G至图10J所示的像素103所包括的四个子像素中的三个包括发光元件的结构且剩下的一个包括受光元件的结构。
例如，子像素110a、110b、110c为R、G、B的三种颜色的子像素，子像素110d也可以为包括受光元件的子像素。
图11A及图11B所示的像素包括子像素G、子像素B、子像素R及子像素PS。注意，子像素的顺序不局限于图示的结构，可以适当地决定。例如，也可以交换子像素G和子像素R的位置。
图11A所示的像素采用条纹排列。图11B所示的像素采用矩阵排列。
子像素R包括发射红色光的发光元件。子像素G包括发射绿色光的发光元件。子像素B包括发射蓝色光的发光元件。
子像素PS包括受光元件。子像素PS所检测的光的波长没有特别的限制。子像素PS可以检测出可见光及红外光中的一个或两个。
图11C及图11D所示的像素包括子像素G、子像素B、子像素R、子像素X1及子像素X2。注意，子像素的顺序不局限于图示的结构，可以适当地决定。例如，也可以交换子像素G和子像素R的位置。
图11C示出一个像素设置在两行三列上的例子。上方的行(第一行)设置有三个子像素(子像素G、子像素B、子像素R)。在图11C中，下方的行(第二行)设置有两个子像素(子像素X1及子像素X2)。
图11D示出一个像素设置在三行两列上的例子。在图11D中，在第一行上包括子像素G，在第二行上包括子像素R，在该第一行及第二行上包括子像素B。此外，在第三行上包括两个子像素(子像素X1及子像素X2)。换言之，图11D所示的像素在左侧的列(第一列)上包括三个子像素(子像素G、子像素R、及子像素X2)，在右侧的列(第二列)上包括两个子像素(子像素B及子像素X1)。
图11C所示的子像素R、G、B的布局为条纹排列。此外，图11D所示的子像素R、G、B的布局为所谓S条纹排列。由此，可以实现高显示品质。
子像素X1和子像素X2中的至少一个优选包括受光元件(也称为子像素PS)。
注意，包括子像素PS的像素的布局不局限于图11A至图11D所述的结构。
子像素X1或子像素X2例如可以使用包括发射红外光(IR)的发光元件的结构。此时，子像素PS优选检测红外光。例如，可以在使用子像素R、G、B显示图像的同时将子像素X1和子像素X2中的一方用作光源且使子像素X1和子像素X2中的另一方检测从该光源发射的光的反射光。
子像素X1和子像素X2中的双方可以具有包括受光元件的结构。此时，子像素X1及子像素X2所检测的光的波长区域可以相同、不同或部分相同。例如，也可以在子像素X1和子像素X2中一方主要检测可见光且另一方主要检测红外光。
子像素X1的受光面积比子像素X2的受光面积小。受光面积越小，拍摄范围越窄，可以实现拍摄结果的模糊抑制及分辨率的提高。因此，通过使用子像素X1，与使用子像素X2所包括的受光元件的情况相比，可以进行高清晰或高分辨率的拍摄。例如，可以使用子像素X1进行用来使用指纹、掌纹、虹膜、脉形状(包括静脉形状、动脉形状)或人脸等的个人识别的拍摄。
子像素PS所包括的受光元件优选检测可见光，优选检测蓝色、紫色、蓝紫色、绿色、黄绿色、黄色、橙色、红色等颜色中的一个或多个。此外，子像素PS所包括的受光元件也可以检测红外光。
在子像素X2使用包括受光元件的结构时，该子像素X2可以用于触摸传感器(也称为直接触摸传感器)或近似触摸传感器(也称为悬浮传感器、悬浮触摸传感器、非接触传感器、非触摸传感器)等。子像素X2可以根据用途适当地决定所检测的光的波长。例如，子像素X2优选检测红外光。由此，即使在黑暗处也可以进行触摸检测。
在此，触摸传感器或近似触摸传感器可以检测对象物(指头、手或笔等)的接近或接触。
触摸传感器通过显示面板与对象物直接接触可以检测对象物。此外，近似触摸传感器即使对象物不与显示面板接触，也可以检测该对象物。例如，优选采用如下结构：显示面板可以在显示面板与对象物之间的距离为0.1mm以上且300mm以下，优选为3mm以上且50mm以下的范围内检测该对象物。通过采用该结构，对象物可以以不与显示面板直接接触的方式进行操作，换言之可以以非接触(非触摸)进行操作显示面板。通过采用上述结构，可以减少显示面板被弄脏或受损伤的风险或者对象物可以不与附着于显示面板的污渍(例如，垃圾或病毒等)直接接触而操作显示面板。
本发明的一个方式的显示面板可以使刷新频率可变。例如，可以根据显示在显示面板上的内容调整刷新频率(例如，在1Hz以上且240Hz以下的范围内进行调整)来降低功耗。此外，也可以根据该刷新频率使触摸传感器或近似触摸传感器的驱动频率改变。例如，在显示面板的刷新频率为120Hz时，可以将触摸传感器或近似触摸传感器的驱动频率设定为高于120Hz的频率(典型的是240Hz)。通过采用该结构，可以实现低功耗且可以提高触摸传感器或近似触摸传感器的响应速度。
图11E至图11G所示的显示装置100在衬底351与衬底359之间包括具有受光元件的层353、功能层355及具有发光元件的层357。
功能层355包括驱动受光元件的电路及驱动发光元件的电路。可以在功能层355中设置开关、晶体管、电容器、电阻器、布线、端子等。注意，在以无源矩阵方式驱动发光元件及受光元件时，也可以不设置开关及晶体管。
例如，如图11E所示，具有发光元件的层357中的发光元件所发射的光被接触显示装置100的指头352反射，使得具有受光元件的层353中的受光元件检测出该反射光。由此，可以检测出与显示装置100接触的指头352。
此外，如图11F及图11G所示，也可以具有检测或拍摄接近(不接触)显示面板的对象物的功能。图11F示出检测人的指头的例子，图11G示出检测人眼的周边、表面或内部的信息(眨眼次数、眼球的动作、眼皮的动作等)的例子。
在本实施方式的显示面板中，可以使用受光元件可以拍摄可穿戴设备的使用者的眼睛的周围、眼睛的表面或眼睛的内部(眼底等)。因此，可穿戴设备可以具有检测选自使用者的眨眼、黑睛的动作和眼皮的动作中的任一个或多个的功能。
如上所述，在本发明的一个方式的显示面板中，可以对由包括发光元件的子像素构成的像素采用各种布局。此外，本发明的一个方式的显示面板可以使用在像素中包括发光元件及受光元件的双方的结构。此时也可以使用各种布局。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
(实施方式3)
在本实施方式中，参照图12至图18说明本发明的一个方式的显示面板。
本实施方式的显示面板可以为高清晰的显示面板。因此，例如可以将本实施方式的显示面板用作手表型及手镯型等信息终端设备(可穿戴设备)的显示部以及头戴显示器等VR用设备及眼镜型AR用设备等可戴在头上的可穿戴设备的显示部。
另外，本实施方式的显示面板可以为高分辨率的显示面板或大型显示面板。因此，例如可以将本实施方式的显示面板用作如下装置的显示部：具有较大的屏幕的电子设备诸如电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等；数码相机；数字视频摄像机；数码相框；移动电话机；便携式游戏机；便携式信息终端；声音再现装置。
在本实施方式的显示面板中，按每个发光颜色分别形成发光元件，所以低亮度发光与高亮度发光之间的色度变化小。另外，在本实施方式的显示面板中，各发光元件所包括的EL层分离，所以即使是高清晰的显示面板也可以抑制相邻的子像素之间的串扰的发生。由此可以实现清晰度高且显示品质高的显示面板。
由此，可以将本实施方式的显示面板用于本发明的一个方式的显示系统中的可穿戴式显示装置和终端设备中的一方或双方。
[显示模块]
图12A示出显示模块280的立体图。显示模块280包括显示装置100A及FPC290。注意，显示模块280所包括的显示面板不局限于显示装置100A，也可以是将在后面说明的显示装置100B至显示装置100F中的任一个。
显示模块280包括衬底291及衬底292。显示模块280包括显示部281。显示部281是显示模块280中的图像显示区域，并可以看到来自设置在下述像素部284中的各像素的光。
图12B示出衬底291一侧的结构的立体示意图。衬底291上层叠有电路部282、电路部282上的像素电路部283及像素电路部283上的像素部284。此外，衬底291的不与像素部284重叠的部分上设置有用来连接到FPC290的端子部285。端子部285与电路部282通过由多个布线构成的布线部286电连接。
像素部284包括周期性地排列的多个像素284a。在图12B的右侧示出一个像素284a的放大图。像素284a包括发射红色光的发光元件110R、发射绿色光的发光元件110G以及发射蓝色光的发光元件110B。
像素电路部283包括周期性地排列的多个像素电路283a。
一个像素电路283a控制一个像素284a所包括的三个发光元件的发光。一个像素电路283a可以由三个控制一个发光元件的发光的电路构成。例如，像素电路283a可以采用对于一个发光元件至少具有一个选择晶体管、一个电流控制用晶体管(驱动晶体管)和电容器的结构。此时，选择晶体管的栅极被输入栅极信号，源极被输入源极信号。由此，实现有源矩阵型显示面板。
电路部282包括用于驱动像素电路部283的各像素电路283a的电路。例如，优选包括栅极线驱动电路和源极线驱动电路中的一方或双方。此外，还可以具有运算电路、存储电路和电源电路等中的至少一个。
FPC290用作从外部向电路部282供应视频信号或电源电位等的布线。此外，也可以在FPC290上安装IC。
显示模块280可以采用像素部284的下侧层叠有像素电路部283和电路部282中的一方或双方的结构，所以可以使显示部281具有极高的开口率(有效显示面积比)。例如，显示部281的开口率可以为40％以上且低于100％，优选为50％以上且95％以下，更优选为60％以上且95％以下。此外，能够极高密度地配置像素284a，由此可以使显示部281具有极高的清晰度。例如，显示部281优选以2000ppi以上、更优选为3000ppi以上、进一步优选为5000ppi以上、更进一步优选为6000ppi以上且20000ppi以下或30000ppi以下的清晰度配置像素284a。
这种显示模块280非常清晰，所以适合用于头戴式显示器等VR用设备或眼镜型AR用设备。例如，因为显示模块280具有清晰度极高的显示部281，所以在透过透镜观看显示模块280的显示部的结构中，即使用透镜放大显示部也使用者看不到像素，由此可以实现具有高度沉浸感的显示。此外，显示模块280还可以应用于具有相对较小型的显示部的电子设备。例如，适合用于手表型设备等可穿戴式电子设备的显示部。
[显示装置100A]
图13A所示的显示装置100A包括衬底301、发光元件110R、110G、110B、电容器240以及晶体管310。
衬底301相当于图12A及图12B中的衬底291。衬底301至电容器240的叠层结构相当于实施方式1中的包括晶体管的衬底101。注意，在图12A及图12B所示的例子中，作为发光元件110R、110G及110B使用图1B所示的结构，但是也可以使用图1C、图2A、图2B、图2C、图6等所示的结构。
晶体管310是在衬底301中具有沟道形成区域的晶体管。作为衬底301，例如可以使用如单晶硅衬底等半导体衬底。晶体管310包括衬底301的一部分、导电层311、低电阻区域312、绝缘层313及绝缘层314。导电层311被用作栅电极。绝缘层313位于衬底301与导电层311之间，并被用作栅极绝缘层。低电阻区域312是衬底301中掺杂有杂质的区域，并被用作源极和漏极中的一个。绝缘层314以覆盖导电层311的侧面的方式设置，并被用作绝缘层。
此外，在相邻的两个晶体管310之间，以嵌入衬底301的方式设置有元件分离层315。
此外，以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并绝缘层261上设置有电容器240。
电容器240包括导电层241、导电层245及位于它们之间的绝缘层243。导电层241用作电容器240的一个电极，导电层245用作电容器240的另一个电极，并且绝缘层243用作电容器240的介电质。
导电层241设置在绝缘层261上，并嵌入绝缘层254中。导电层241通过嵌入绝缘层261中的插头271与晶体管310的源极和漏极中的一个电连接。绝缘层243覆盖导电层241而设置。导电层245设置在隔着绝缘层243与导电层241重叠的区域中。
覆盖电容器240设置有绝缘层255a，绝缘层255a上设置有绝缘层255b。
作为绝缘层255a及绝缘层255b，可以适当地使用氧化绝缘膜、氮化绝缘膜、氧氮化绝缘膜及氮氧化绝缘膜等的各种无机绝缘膜。作为绝缘层255a及绝缘层255b，优选使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等的氧化绝缘膜或氧氮化绝缘膜。另外，作为绝缘层255a，可以使用叠层结构。例如，作为叠层结构的下层可以使用氧化绝缘膜或氧氮化绝缘膜，作为上层可以使用氮化硅膜、氮氧化硅膜等的氮化绝缘膜或氮氧化绝缘膜。更具体而言，优选的是，作为绝缘层255a的下层使用氧化硅膜且作为上层使用氮化硅膜。绝缘层255a的上层优选具有蚀刻保护膜的功能。
绝缘层255b上设置有发光元件110R、发光元件110G、及发光元件110B。图13A示出发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B具有图1B所示的叠层结构的例子。
相邻的发光元件之间的区域中设置有绝缘物。在图13A等中，该区域中设置有绝缘层131b及绝缘层131b上的树脂层131a。
用作发光元件的像素电极的导电层111与晶体管310的源极和漏极中的一个通过嵌入在绝缘层255a及绝缘层255b中的插头256、嵌入在绝缘层254中的导电层241以及嵌入在绝缘层261中的插头271电连接。关于导电层111及插头256，可以参照实施方式1的记载。
另外，发光元件110R、发光元件110G及发光元件110B上设置有保护层121。衬底128由树脂层122贴合于保护层121上。发光元件的构成要素的详细内容可以参照实施方式1。
另外，如实施方式1所示，也可以以与发光元件110重叠的方式设置着色层。
在衬底128的树脂层122一侧的面上，也可以设置遮光层。此外，在衬底128的外侧可以配置各种光学构件。作为光学构件，可以举出偏振片、相位差板、光扩散层(扩散薄膜等)、防反射层及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在衬底128的外侧也可以配置抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜、冲击吸收层等的表面保护层。例如，通过作为表面保护层设置玻璃层或二氧化硅层(SiOx层)，可以抑制表面被弄脏或受损伤，所以是优选的。另外，作为表面保护层也可以使用DLC(类金刚石碳)、氧化铝(AlOx)、聚酯类材料或聚碳酸酯类材料等。另外，作为表面保护层优选使用对可见光的透过率高的材料。另外，表面保护层优选使用硬度高的材料。
作为衬底128，可以使用玻璃、石英、陶瓷、蓝宝石、树脂、金属、合金、半导体等。从发光元件提取光一侧的衬底使用使该光透过的材料。在作为衬底128使用具有柔性的材料时，可以提高显示面板的柔性。此外，作为衬底128可以使用偏振片。
作为衬底128，可以使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、聚环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)树脂、ABS树脂、纤维素纳米纤维等。作为衬底128，也可以使用其厚度为具有柔性的程度的玻璃。
注意，在将圆偏振偏重叠于显示面板的情况下，显示面板所包括的衬底优选使用光学各向同性高的衬底。光学各向同性高的衬底的双折射较低(也可以说双折射量较少)。
光学各向同性高的衬底的相位差值(retardation value)的绝对值优选为30nm以下，更优选为20nm以下，进一步优选为10nm以下。
作为光学各向同性高的薄膜，可以举出三乙酸纤维素(也被称为TAC、Cellulosetriacetate)薄膜、环烯烃聚合物(COP)薄膜、环烯烃共聚物(COC)薄膜及丙烯酸薄膜等。
当作为衬底使用薄膜时，有可能因薄膜的吸水而发生显示面板出现皱纹等形状变化。因此，作为衬底优选使用吸水率低的薄膜。例如，优选使用吸水率为1％以下的薄膜，更优选使用吸水率为0.1％以下的薄膜，进一步优选使用吸水率为0.01％以下的薄膜。
作为树脂层122，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-乙酸乙烯酯)树脂等。尤其是，优选使用环氧树脂等透湿性低的材料。此外，也可以使用两液混合型树脂。此外，也可以使用粘合薄片等。
显示装置100A示出包括发光元件110R、110G、110B例子，但是本实施方式的显示面板还可以包括受光元件。
图13B示出显示面板包括发光元件110R、110G及受光元件150的例子。受光元件150层叠包括导电层111S、活性层112S、公共层114及公共电极113。导电层111S可以使用与实施方式1的导电层111同样的材料及制造方法制造。作为受光元件150，可以使用光电转换元件(也称为光电转换器件)。作为光电转换元件的活性层，可以使用无机半导体和有机半导体中的一方或双方。
[显示装置100B]
图14所示的显示装置100B具有层叠有分别在半导体衬底中形成沟道的晶体管310A及晶体管310B的结构。注意，在后述的显示面板的说明中，有时省略说明与先前说明的显示面板同样的部分。
显示装置100B具有如下结构：贴合设置有晶体管310B、电容器240、设置有发光元件的衬底301B与设置有晶体管310A的衬底301A。
这里，优选在衬底301B的底面设置绝缘层345。此外，优选在设置于衬底301A上的绝缘层261上设置绝缘层346。绝缘层345、346为被用作保护层的绝缘层，可以抑制杂质扩散到衬底301B及衬底301A。作为绝缘层345、346，可以使用能够用于保护层121或绝缘层332的无机绝缘膜。
衬底301B中设置有穿过衬底301B及绝缘层345的插头343。这里，优选覆盖插头343的侧面设置绝缘层344。绝缘层344为被用作保护层的绝缘层，可以抑制杂质扩散到衬底301B。作为绝缘层344，可以使用能够用于保护层121的无机绝缘膜。
在衬底301B的背面(与衬底128一侧相反的一侧的表面)一侧、绝缘层345下设置导电层342。导电层342优选以埋入在绝缘层335中的方式设置。此外，优选使导电层342及绝缘层335的底面平坦化。这里，导电层342与插头343电连接。
另一方面，衬底301A在绝缘层346上设置有导电层341。导电层341优选以埋入在绝缘层336中的方式设置。此外，优选使导电层341及绝缘层336的顶面平坦化。
通过使导电层341与导电层342接合，衬底301A与衬底301B电连接。这里，通过提高由导电层342及绝缘层335形成的面以及由导电层341及绝缘层336形成的面的平坦性，可以良好地贴合导电层341与导电层342。
作为导电层341及导电层342优选使用相同的导电材料。例如，可以使用包含选自Al、Cr、Cu、Ta、Ti、Mo、W中的元素的金属膜或以上述元素为成分的金属氮化物膜(氮化钛膜、氮化钼膜、氮化钨膜)等。尤其优选的是，作为导电层341及导电层342使用铜。由此，可以采用Cu-Cu(铜-铜)直接接合技术(通过彼此连接Cu(铜)的焊盘来进行电导通的技术)。
[显示装置100C]
图15所示的显示装置100C具有导电层341及导电层342通过凸块347接合的结构。
如图15所示，通过在导电层341与导电层342之间设置凸块347，可以使导电层341与导电层342电连接。凸块347例如可以使用包含金(Au)、镍(Ni)、铟(In)、锡(Sn)等的导电材料形成。此外，例如，有时作为凸块347使用焊料。此外，也可以在绝缘层345与绝缘层346之间设置粘合层348。此外，在设置凸块347时，也可以不设置绝缘层335及绝缘层336。
[显示装置100D]
图16所示的显示装置100D与显示装置100A的主要不同之处在于晶体管的结构。
晶体管320是在形成沟道的半导体层中使用金属氧化物(也称为氧化物半导体)的晶体管(OS晶体管)。OS晶体管的沟道形成区域优选使用具有结晶性的氧化物半导体。
作为具有结晶性的氧化物半导体，可以举出CAAC(c-axis-alignedcrystalline)-OS、nc(nanocrystalline)-OS等。
或者，作为晶体管320也可以使用将硅用于沟道形成区域的晶体管(Si晶体管)。例如，作为晶体管320，也可以使用将多晶硅、非晶硅等用于沟道形成区域的晶体管。尤其是，可以使用半导体层中含有低温多晶硅(LTPS(Low Temperature Poly Silicon))的晶体管(以下，也称为LTPS晶体管)。LTPS晶体管具有高场效应迁移率以及良好的频率特性。
通过使用LTPS晶体管等Si晶体管，可以在同一衬底上形成需要以高频率驱动的电路(例如，源极驱动器电路)和显示部。因此，可以使安装到显示面板的外部电路简化，可以缩减构件成本及安装成本。
与使用非晶硅的晶体管相比，OS晶体管的场效应迁移率非常高。另外，OS晶体管的关闭状态下的源极-漏极间的泄漏电流(以下，也称为关态电流(off-state current))极低，可以长期间保持与该晶体管串联连接的电容器中储存的电荷。另外，通过使用OS晶体管，可以降低显示面板的功耗。
另外，室温下的每沟道宽度1μm的OS晶体管的关态电流值可以为1aA(1×10-18A)以下、1zA(1×10-21A)以下或1yA(1×10-24A)以下。注意，室温下的每沟道宽度1μm的Si晶体管的关态电流值为1fA(1×10-15A)以上且1pA(1×10-12A)以下。因此，也可以说，OS晶体管的关态电流比Si晶体管的关态电流低10位左右。
另外，在提高像素电路所包括的发光元件的发光亮度时，需要增大流过发光元件的电流量。为此，需要提高像素电路所包括的驱动晶体管的源极-漏极间电压。因为OS晶体管的源极-漏极间的耐压比Si晶体管高，所以可以对OS晶体管的源极-漏极间施加高电压。由此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以增大流过发光元件的电流量而提高发光元件的发光亮度。
另外，当晶体管在饱和区域中工作时，与Si晶体管相比，OS晶体管可以使对于栅极-源极间电压的变化的源极-漏极间电流的变化细小。因此，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以根据栅极-源极间电压的变化详细决定流过源极-漏极间的电流，所以可以控制流过发光元件的电流量。由此，可以增大像素电路的灰度数。
另外，关于晶体管在饱和区域中工作时流过的电流的饱和特性，与Si晶体管相比，OS晶体管即使逐渐地提高源极-漏极间电压也可以使稳定的电流(饱和电流)流过。因此，通过将OS晶体管用作驱动晶体管，即使例如EL器件的电流-电压特性发生不均匀，也可以使稳定的电流流过发光元件。也就是说，OS晶体管当在饱和区域中工作时即使提高源极-漏极间电压，源极-漏极间电流也几乎不变，因此可以使发光元件的发光亮度稳定。
如上所述，通过作为像素电路所包括的驱动晶体管使用OS晶体管，可以实现“黑色模糊的抑制”、“发光亮度的上升”、“多灰度化”、“发光元件不均匀的抑制”等。
例如，半导体层优选包含铟、M(M为选自镓、铝、硅、硼、钇、锡、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁中的一种或多种)和锌。尤其是，M优选为选自铝、镓、钇和锡中的一种或多种。
尤其是，作为半导体层，优选使用包含铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(也记作IGZO)。或者，优选使用包含铟、锡及锌的氧化物。或者，优选使用包含铟、镓、锡及锌的氧化物。或者，优选使用包含铟(In)、铝(Al)及锌(Zn)的氧化物(也记作IAZO)。或者，优选使用包含铟(In)、铝(Al)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物(也称为IAGZO)。
在半导体层使用In-M-Zn氧化物时，该In-M-Zn氧化物中的In的原子数比优选为M的原子数比以上。作为上述In-M-Zn氧化物的金属元素的原子数比，可以举出：In：M：Zn＝1：1：1或其附近的组成、In：M：Zn＝1：1：1.2或其附近的组成、In：M：Zn＝1：3：2或其附近的组成、In：M：Zn＝1：3：4或其附近的组成、In：M：Zn＝2：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝3：1：2或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：3或其附近的组成、In：M：Zn＝4：2：4.1或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：3或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：7或其附近的组成、In：M：Zn＝5：1：8或其附近的组成、In：M：Zn＝6：1：6或其附近的组成、In：M：Zn＝5：2：5或其附近的组成等。注意，附近的组成包括所希望的原子数比的±30％的范围。
例如，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝4：2：3或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为4时，Ga的原子数比为1以上且3以下，Zn的原子数比为2以上且4以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝5：1：6或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为5时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比为5以上且7以下。此外，当记载为原子数比为In：Ga：Zn＝1：1：1或其附近的组成时包括如下情况：In的原子数比为1时，Ga的原子数比大于0.1且为2以下，Zn的原子数比大于0.1且为2以下。
电路部282所包括的晶体管和像素电路部283所包括的晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有不同的结构。电路部282所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的结构。与此同样，像素电路部283所包括的多个晶体管既可以具有相同的结构，又可以具有两种以上的结构。
像素电路部283所包括的所有晶体管都可以为OS晶体管，像素电路部283所包括的所有晶体管都可以为Si晶体管，像素电路部283所包括的部分晶体管也可以为OS晶体管且剩下的晶体管也可以为Si晶体管。
例如，通过在像素电路部283中使用LTPS晶体管和OS晶体管的双方，可以实现具有低功耗及高驱动能力的显示面板。另外，有时将组合LTPS晶体管和OS晶体管的结构称为LTPO。作为更优选的例子，可以举出如下结构：将OS晶体管用于被用作控制布线间的导通/非导通的开关的晶体管等且将LTPS晶体管用于控制电流的晶体管等。
例如，像素电路部283所包括的晶体管的一个被用作用来控制流过发光元件的电流的晶体管且也可以被称为驱动晶体管。驱动晶体管的源极和漏极中的一个与发光元件的像素电极电连接。作为该驱动晶体管优选使用LTPS晶体管。因此，可以增大在像素电路中流过发光元件的电流。
另一方面，像素电路部283所包括的晶体管的其他之一被用作用来控制像素的选择和非选择的开关功能，也可以被称为选择晶体管。选择晶体管的栅极与栅极线电连接，源极和漏极中的一个与源极线(信号线)电连接。选择晶体管优选使用OS晶体管。因此，即便使帧频显著小(例如，1fps以下)也可以维持像素的灰度，由此通过在显示静态图像时停止驱动器，可以降低功耗。
如此，本发明的一个方式的显示面板可以兼具高开口率、高清晰度、高显示品质及低功耗。
本发明的一个方式的显示面板具有包括OS晶体管和具有MML结构的发光元件的结构。通过采用该结构，可以使可流过晶体管的泄漏电流以及可在相邻的发光元件间流过的泄漏电流(也称为横泄漏电流、侧泄漏电流等)极低。另外，通过采用上述结构，在图像显示在显示面板上时观看者可以观测到图像的鲜锐度、图像的锐度、高色饱和度和高对比度中的任一个或多个。此外，通过采用可流过晶体管的泄漏电流及发光元件间的横泄漏电流极低的结构，可以进行在显示黑色时可发生的光泄露等极少的显示。
另外，根据显示面板的屏幕的尺寸适当地选择用于显示面板的晶体管的结构即可。例如，作为显示面板的晶体管使用单晶Si晶体管时，该晶体管可以应用于对角尺寸为0.1英寸以上且3英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。此外，在作为显示面板的晶体管使用LTPS晶体管时，该晶体管可以应用于对角尺寸为0.1英寸以上且30英寸以下，优选为1英寸以上且30英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。此外，在显示面板采用LTPO(组合LTPS晶体管和OS晶体管的结构)时，该结构可以应用于对角尺寸为0.1英寸以上且50英寸以下，优选为1英寸以上且50英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。此外，在作为显示面板的晶体管使用OS晶体管时，该晶体管可以应用于对角尺寸为0.1英寸以上且200英寸以下，优选为50英寸以上且100英寸以下的屏幕尺寸的显示面板。
注意，因单晶Si衬底的大小而在使用单晶Si晶体管时很难实现大型化。此外，LTPS晶体管在制造工序中使用激光晶化装置，所以很难对应于大型化(典型的是，对角尺寸超过30英寸的屏幕尺寸)。另一方面，OS晶体管在制造工序中并不需要使用激光晶化装置等或者可以以较低温的工艺温度(典型的是，450℃以下)制造，所以可以对应于较大面积(典型的是，对角尺寸为50英寸以上且100英寸以下)的显示面板。此外，LTPO可以应用于使用LTPS晶体管的情况和使用OS晶体管的情况之间的范围的显示面板的尺寸(典型的是，对角尺寸为1英寸以上且50英寸以下)。
晶体管320包括半导体层321、绝缘层323、导电层324、一对导电层325、绝缘层326及导电层327。
衬底331相当于图12A及图12B中的衬底291。衬底331至电容器240的叠层结构相当于实施方式1中的具有晶体管的衬底101。作为衬底331可以使用绝缘衬底或半导体衬底。
在衬底331上设置有绝缘层332。绝缘层332用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从衬底331扩散到晶体管320且防止氧从半导体层321向绝缘层332一侧脱离。作为绝缘层332，例如可以使用与氧化硅膜相比氢或氧不容易扩散的膜诸如氧化铝膜、氧化铪膜、氮化硅膜等。
在绝缘层332上设置有导电层327，并以覆盖导电层327的方式设置有绝缘层326。导电层327用作晶体管320的第一栅电极，绝缘层326的一部分用作第一栅极绝缘层。绝缘层326中的至少接触半导体层321的部分优选使用氧化硅膜等氧化物绝缘膜。绝缘层326的顶面优选被平坦化。
半导体层321设置在绝缘层326上。半导体层321优选含有具有半导体特性的金属氧化物(也称为氧化物半导体)膜。一对导电层325接触于半导体层321上并用作源电极及漏电极。
以覆盖一对导电层325的顶面及侧面以及半导体层321的侧面等的方式设置有绝缘层328，绝缘层328上设置有绝缘层264。绝缘层328被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从绝缘层264等扩散到半导体层321以及氧从半导体层321脱离。作为绝缘层328，可以使用与上述绝缘层332同样的绝缘膜。
绝缘层328及绝缘层264中设置有到达半导体层321的开口。该开口内部嵌入有接触于绝缘层264、绝缘层328及导电层325的侧面以及半导体层321的顶面的绝缘层323、以及导电层324。导电层324被用作第二栅电极，绝缘层323被用作第二栅极绝缘层。
导电层324的顶面、绝缘层323的顶面及绝缘层264的顶面被进行平坦化处理以它们的高度都一致或大致一致，并以覆盖它们的方式设置有绝缘层329及绝缘层265。
绝缘层264及绝缘层265被用作层间绝缘层。绝缘层329被用作阻挡层，该阻挡层防止水或氢等杂质从绝缘层265等扩散到晶体管320。绝缘层329可以使用与上述绝缘层328及绝缘层332同样的绝缘膜。
与一对导电层325中的一方电连接的插头274嵌入在绝缘层265、绝缘层329及绝缘层264中。在此，插头274优选具有覆盖绝缘层265、绝缘层329、绝缘层264及绝缘层328各自的开口的侧面及导电层325的顶面的一部分的导电层274a以及与导电层274a的顶面接触的导电层274b。此时，作为导电层274a，优选使用不容易扩散氢及氧的导电材料。
[显示装置100E]
图17所示的显示装置100E具有层叠有分别在形成沟道的半导体中含有氧化物半导体的晶体管320A及晶体管320B的结构。
晶体管320A、晶体管320B及其周边的结构可以援用上述显示装置100D。
注意，在此，采用层叠两个包括氧化物半导体的晶体管的结构，但是不局限于该结构。例如，也可以采用层叠三个以上的晶体管的结构。
[显示装置100F]
在图18所示的显示装置100F中，层叠有沟道形成于衬底301的晶体管310及形成沟道的半导体层含有金属氧化物的晶体管320。
以覆盖晶体管310的方式设置有绝缘层261，并且绝缘层261上设置有导电层251。此外，以覆盖导电层251的方式设置有绝缘层262，并且绝缘层262上设置有导电层252。导电层251及导电层252都被用作布线。此外，以覆盖导电层252的方式设置有绝缘层263及绝缘层332，并且绝缘层332上设置有晶体管320。此外，以覆盖晶体管320的方式设置有绝缘层265，并且在绝缘层265上设置有电容器240。电容器240与晶体管320通过插头274电连接。
晶体管320可以用作构成像素电路的晶体管。此外，晶体管310可以用作构成像素电路的晶体管或构成用来驱动该像素电路的驱动电路(栅极线驱动电路、源极线驱动电路)的晶体管。此外，晶体管310及晶体管320可以用作构成运算电路或存储电路等各种电路的晶体管。
借助于这种结构，在发光元件正下不但可以形成像素电路还可以形成驱动电路等，因此与在显示区域的周围设置驱动电路的情况相比，可以使显示面板小型化。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
(实施方式4)
在本实施方式中，说明能够用于本发明的一个方式的显示面板的晶体管的结构例子。尤其是说明使用在形成沟道的半导体中包含硅的晶体管的情况。
本发明的一个方式是包括发光元件及像素电路的显示面板。显示面板例如通过包括发射红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)的光的三种发光元件，可以实现全彩色的显示面板。
此外，作为驱动发光元件的像素电路所包括的所有晶体管，都优选使用被形成沟道的半导体层中含有硅的晶体管。作为硅可以举出单晶硅、多晶硅、非晶硅等。尤其是，半导体层优选使用LTPS晶体管。LTPS晶体管具有高场效应迁移率以及良好的频率特性。
通过使用LTPS晶体管等使用硅的晶体管，可以在同一衬底上形成需要以高频率驱动的电路(例如，源极驱动器电路)和显示部。因此，可以使安装到显示面板的外部电路简化，可以缩减构件成本及安装成本。
另外，优选将被形成沟道的半导体中含有金属氧化物(以下，也称为氧化物半导体)的晶体管(以下，也称为OS晶体管)用于像素电路所包括的晶体管中的至少一个。OS晶体管的场效应迁移率比使用非晶硅的晶体管高得多。另外，OS晶体管的关闭状态下的源极和漏极间的泄漏电流(以下，也称为关态电流)极低，可以长期间保持与该晶体管串联连接的电容器中储存的电荷。另外，通过使用OS晶体管，可以降低显示面板的功耗。
通过将LTPS晶体管用于像素电路所包括的一部分晶体管且将OS晶体管用于其他晶体管，可以实现一种功耗低且驱动能力高的显示面板。作为更优选的例子，优选的是，将OS晶体管用于被用作控制布线间的导通/非导通的开关的晶体管等且将LTPS晶体管用于控制电流的晶体管等。
例如，设置在像素电路中的晶体管之一被用作用来控制流过发光元件的电流的晶体管，也可以被称为驱动晶体管。驱动晶体管的源极和漏极中的一个与发光元件的像素电极电连接。作为该驱动晶体管优选使用LTPS晶体管。因此，可以增大在像素电路中流过发光元件的电流。
另一方面，设置在像素电路中的晶体管中的另一个被用作控制像素的选择/非选择的开关，也可以被称为选择晶体管。选择晶体管的栅极与栅极线电连接，源极和漏极中的一个与源极线(信号线)电连接。选择晶体管优选使用OS晶体管。因此，即便使帧频显著小(例如，1fps以下)也可以维持像素的灰度，由此通过在显示静态图像时停止驱动器，可以降低功耗。
下面，参照附图说明更具体的结构例子。
[显示面板的结构例子2]
图19A是显示面板400的方框图。显示面板400包括显示部404、驱动电路部402、驱动电路部403等。
显示部404包括被配置为矩阵状的多个像素430。像素430包括子像素405R、子像素405G及子像素405B。子像素405R、子像素405G、子像素405B各自包括被用作显示器件的发光元件。
像素430与布线GL、布线SLR、布线SLG及布线SLB电连接。布线SLR、布线SLG及布线SLB各自与驱动电路部402电连接。布线GL与驱动电路部403电连接。驱动电路部402被用作源极线驱动电路(也称为源极驱动器)，驱动电路部403被用作栅极线驱动电路(也称为栅极驱动器)。布线GL被用作栅极线，布线SLR、布线SLG及布线SLB各自被用作源极线。
子像素405R包括呈现红色光的发光元件。子像素405G包括呈现绿色光的发光元件。子像素405B包括呈现蓝色光的发光元件。因此，显示面板400能够进行全彩色显示。注意，像素430也可以包括具有呈现其他颜色的发光元件的子像素。例如，像素430也可以除了上述三个子像素之外还包括具有呈现白色光的发光元件的子像素或具有呈现黄色光的发光元件的子像素等。
布线GL与在行方向(布线GL的延伸方向)上排列的子像素405R、子像素405G及子像素405B电连接。布线SLR、布线SLG及布线SLB分别与在列方向(布线SLR等的延伸方向)上排列的子像素405R、子像素405G或子像素405B(未图示)电连接。
[像素电路的结构例子]
图19B示出可用于上述子像素405R、子像素405G及子像素405B的像素405的电路图的一个例子。像素405包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、电容器C1及发光元件EL。另外，布线GL及布线SL电连接到像素405。布线SL对应于图19A中示出的布线SLR、布线SLG及布线SLB中的任一个。
晶体管M1的栅极与布线GL电连接，源极和漏极中的一个与布线SL电连接，源极和漏极中的另一个与电容器C1的一个电极及晶体管M2的栅极电连接。晶体管M2的源极和漏极中的一个与布线AL电连接，源极和漏极中的另一个与发光元件EL的一个电极、电容器C1的另一个电极及晶体管M3的源极和漏极中的一个电连接。晶体管M3的栅极与布线GL电连接，源极和漏极中的另一个与布线RL电连接。发光元件EL的另一个电极与布线CL电连接。
布线SL被供应数据电位D。布线GL被提供选择信号。该选择信号包括使晶体管处于导通状态的电位以及使晶体管处于非导通状态的电位。
布线RL被供应复位电位。布线AL被供应阳极电位。布线CL被供应阴极电位。像素405中的阳极电位比阴极电位高。另外，供应到布线RL的复位电位可以为使复位电位和阴极电位之电位差小于发光元件EL的阈值电压的电位。复位电位可以为高于阴极电位的电位、与阴极电位相同的电位或者低于阴极电位的电位。
晶体管M1及晶体管M3被用作开关。晶体管M2被用作控制流过发光元件EL的电流的晶体管。例如，也可以说晶体管M1被用作选择晶体管，晶体管M2被用作驱动晶体管。
在此，优选将LTPS晶体管用于晶体管M1至晶体管M3的全部。或者，优选的是，将OS晶体管用于晶体管M1及晶体管M3，将LTPS晶体管用于晶体管M2。
或者，晶体管M1至晶体管M3也可以都使用OS晶体管。此时，驱动电路部402所包括的多个晶体管及驱动电路部403所包括的多个晶体管中的一个以上可以使用LTPS晶体管，其他晶体管可以使用OS晶体管。例如，设置在显示部404中的晶体管可以使用OS晶体管，驱动电路部402及驱动电路部403中的晶体管可以使用LTPS晶体管。
使用其带隙比硅宽且载流子密度低的氧化物半导体的晶体管可以实现极低的关态电流。由于其关态电流低，因此能够长期间保持储存于与晶体管串联连接的电容器中的电荷。因此，尤其是，与电容器C1串联连接的晶体管M1及晶体管M3优选使用含有氧化物半导体的晶体管。通过作为晶体管M1及晶体管M3使用含有氧化物半导体的晶体管，可以防止保持在电容器C1中的电荷经过晶体管M1或晶体管M3而泄漏。另外，能够长期间保持储存于电容器C1中的电荷，因此可以长期间显示静态图像而无需改写像素405的数据。
注意，在图19B中，晶体管为n沟道型晶体管，但是也可以使用p沟道型晶体管。
另外，像素405所包括的各晶体管优选排列形成在同一衬底上。
作为像素405所包括的晶体管可以使用包括隔着半导体层重叠的一对栅极的晶体管。
在包括一对栅极的晶体管具有一对栅极彼此电连接并被供应相同电位的结构的情况下，有晶体管的通态电流得到增高及饱和特性得到提高等优点。另外，也可以对一对栅极中的一方供应控制晶体管的阈值电压的电位。另外，通过对一对栅极中的一方供应恒电位，可以提高晶体管的电特性的稳定性。例如，既可以将晶体管的一个栅极电连接到被供应恒电位的布线，又可以将晶体管的一个栅极电连接到该晶体管本身的源极或漏极。
图19C所示的像素405是将包括一对栅极的晶体管用于晶体管M1及晶体管M3的情况的例子。在晶体管M1及晶体管M3各自中，一对栅极彼此电连接。通过采用这样的结构，可以缩短对像素405的数据写入期间。
图19D所示的像素405是将包括一对栅极的晶体管不但用于晶体管M1及晶体管M3而且用于晶体管M2的情况的例子。晶体管M2的一对栅极彼此电连接。通过将这样的晶体管用于晶体管M2，饱和特性得到提高，因此发光元件EL的发光亮度的控制变容易，可以提高显示品质。
[晶体管的结构例子]
以下说明能够用于上述显示面板的晶体管的截面结构例子。
〔结构例子1〕
图20A是包括晶体管410的截面图。
晶体管410是设置在衬底401上且在半导体层中使用多晶硅的晶体管。例如晶体管410对应于像素405的晶体管M2。就是说，图20A是晶体管410的源极和漏极中的一个与发光元件的导电层161电连接的例子。
晶体管410包括半导体层411、绝缘层412、导电层413等。半导体层411包括沟道形成区域411i及低电阻区域411n。半导体层411包含硅。半导体层411优选包含多晶硅。绝缘层412的一部分被用作栅极绝缘层。导电层413的一部分被用作栅电极。
注意，半导体层411也可以包含示出半导体特性的金属氧化物(也称为氧化物半导体)。此时，晶体管410可以被称为OS晶体管。
低电阻区域411n是包含杂质元素的区域。例如，在晶体管410为n沟道型晶体管的情况下，将磷或砷等添加到低电阻区域411n即可。另一方面，在晶体管410为p沟道型晶体管的情况下，将硼或铝等添加到低电阻区域411n即可。另外，为了控制晶体管410的阈值电压，也可以将上述杂质添加到沟道形成区域411i。
衬底401上设置有绝缘层421。半导体层411设置在绝缘层421上。绝缘层412以覆盖半导体层411及绝缘层421的方式设置。导电层413设置在绝缘层412上的与半导体层411重叠的位置。
另外，以覆盖导电层413及绝缘层412的方式设置有绝缘层422。绝缘层422上设置有导电层414a及导电层414b。导电层414a及导电层414b通过形成在绝缘层422及绝缘层412中的开口部与低电阻区域411n电连接。导电层414a的一部分被用作源电极和漏电极中的一个，导电层414b的一部分被用作源电极和漏电极中的另一个。另外，以覆盖导电层414a、导电层414b及绝缘层422的方式设置有绝缘层423。
在绝缘层423上设置被用作像素电极的导电层161。导电层161设置在绝缘层423上，在设置在绝缘层423中的开口中与导电层414b电连接。虽然在此省略，但是在导电层161上可以层叠发光元件所包括的导电层、EL层及公共电极。
[结构例子2]
图20B示出包括一对栅电极的晶体管410a。图20B所示的晶体管410a与图20A的主要不同之处在于包括导电层415及绝缘层416。
导电层415设置在绝缘层421上。另外，以覆盖导电层415及绝缘层421的方式设置有绝缘层416。半导体层411以至少沟道形成区域411i隔着绝缘层416与导电层415重叠的方式设置。
在图20B所示的晶体管410a中，导电层413的一部分被用作第一栅电极，导电层415的一部分被用作第二栅电极。此时，绝缘层412的一部分被用作第一栅极绝缘层，绝缘层416的一部分被用作第二栅极绝缘层。
在此，在电连接第一栅电极和第二栅电极的情况下，在未图示的区域中，通过形成在绝缘层412及绝缘层416中的开口部电连接导电层413和导电层415即可。另外，在电连接第二栅电极与源极或漏极的情况下，在未图示的区域中，通过形成在绝缘层422、绝缘层412及绝缘层416中的开口部电连接导电层414a或导电层414b与导电层415即可。
在将LTPS晶体管用于构成像素405的所有晶体管的情况下，可以采用图20A中例示出的晶体管410或图20B中例示出的晶体管410a。此时，可以将晶体管410a用于构成像素405的所有晶体管，也可以将晶体管410用于该所有晶体管，还可以组合晶体管410a和晶体管410而使用。
[结构例子3]
以下，说明包括将硅用于半导体层的晶体管以及将金属氧化物用于半导体层的晶体管的结构的例子。
图20C示出包括晶体管410a及晶体管450的截面示意图。
晶体管410a可以援用上述结构例子1。注意，这里示出使用晶体管410a的例子，但是也可以采用包括晶体管410及晶体管450的结构或包括晶体管410、晶体管410a、晶体管450的所有晶体管的结构。
晶体管450是在半导体层中使用金属氧化物的晶体管。图20C所示的结构是例如晶体管450对应于像素405的晶体管M1且晶体管410a对应于晶体管M2的例子。就是说，图20C是晶体管410a的源极和漏极中的一个与导电层161电连接的例子。
图20C示出晶体管450包括一对栅极的例子。
晶体管450包括导电层455、绝缘层422、半导体层451、绝缘层452、导电层453等。导电层453的一部分被用作晶体管450的第一栅极，导电层455的一部分被用作晶体管450的第二栅极。此时，绝缘层452的一部分被用作晶体管450的第一栅极绝缘层，绝缘层422的一部分被用作晶体管450的第二栅极绝缘层。
导电层455设置在绝缘层412上。以覆盖导电层455的方式设置有绝缘层422。半导体层451设置在绝缘层422上。以覆盖半导体层451及绝缘层422的方式设置有绝缘层452。导电层453设置在绝缘层452上，并具有与半导体层451及导电层455重叠的区域。
另外，以覆盖绝缘层452及导电层453的方式设置有绝缘层426。绝缘层426上设置有导电层454a及导电层454b。导电层454a及导电层454b通过形成在绝缘层426及绝缘层452中的开口部与半导体层451电连接。导电层454a的一部分被用作源电极和漏电极中的一个，导电层454b的一部分被用作源电极和漏电极中的另一个。另外，以覆盖导电层454a、导电层454b及绝缘层426的方式设置有绝缘层423。
在此，与晶体管410a电连接的导电层414a及导电层414b与导电层454a及导电层454b优选加工同一导电膜来形成。在图20C中示出导电层414a、导电层414b、导电层454a及导电层454b在同一面上(即，与绝缘层426的顶面接触地)形成并含有同一金属元素的结构。此时，导电层414a及导电层414b通过形成在绝缘层426、绝缘层452、绝缘层422及绝缘层412中的开口与低电阻区域411n电连接。由此，可以使制造工序简化，所以是优选的。
另外，被用作晶体管410a的第一栅电极的导电层413和被用作晶体管450的第二栅电极的导电层455优选加工同一导电膜来形成。在图20C中示出导电层413和导电层455在同一面上(即，与绝缘层412的顶面接触地)形成并含有同一金属元素的结构。由此，可以使制造工序简化，所以是优选的。
在图20C中，被用作晶体管450的第一栅极绝缘层的绝缘层452覆盖半导体层451的端部，但是如图20D所示的晶体管450a那样，也可以以其顶面的形状与导电层453的顶面形状一致或大致一致的方式加工绝缘层452。
在本说明书等中，“顶面形状大致一致”是指叠层中的每一个层的边缘的至少一部分重叠。例如，是指上层及下层通过同一掩模图案或其一部分同一掩模图案被加工的情况。但是，实际上有边缘不重叠的情况，有时上层位于下层的内侧或者上层位于下层的外侧，该情况也可以说“顶面形状大致一致”。
注意，这里示出晶体管410a对应于晶体管M2并与像素电极电连接的例子，但是不局限于此。例如，晶体管450或晶体管450a也可以对应于晶体管M2。此时，晶体管410a对应于晶体管M1、晶体管M3或其他晶体管。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
(实施方式5)
在本实施方式中，对能够用于本发明的一个方式的显示面板的发光器件进行说明。
如图21A所示，发光器件在一对电极(下部电极772、上部电极788)间包括EL层786。EL层786可以由层4420、发光层4411、层4430等的多个层构成。层4420例如可以包括含有电子注入性高的物质的层(电子注入层)及含有电子传输性高的物质的层(电子传输层)等。发光层4411例如包含发光化合物。层4430例如可以包括含有空穴注入性高的物质的层(空穴注入层)及含有空穴传输性高的物质的层(空穴传输层)。
包括设置在一对电极间的层4420、发光层4411及层4430的结构可以被用作单一的发光单元，在本说明书中将图21A的结构称为单结构。
另外，图21B示出图21A所示的发光器件所包括的EL层786的变形例子。具体而言，图21B所示的发光器件包括下部电极772上的层4431、层4431上的层4432、层4432上的发光层4411、发光层4411上的层4421、层4421上的层4422以及层4422上的上部电极788。例如，在下部电极772被用作阳极且上部电极788被用作阴极时，层4431被用作空穴注入层，层4432被用作空穴传输层，层4421被用作电子传输层，并且层4422被用作电子注入层。或者，在下部电极772被用作阴极且上部电极788被用作阳极时，层4431被用作电子注入层，层4432被用作电子传输层，层4421被用作空穴传输层，并且层4422被用作空穴注入层。通过采用上述层结构，可以将载流子高效地注入到发光层4411，由此可以提高发光层4411内的载流子的再结合的效率。
此外，如图21C、图21D所示，层4420与层4430之间设置有多个发光层(发光层4411、4412、4413)的结构也是单结构的变形例子。
另外，如图21E、图21F所示，在本说明书中多个发光单元(EL层786a、EL层786b)隔着电荷产生层4440串联连接的结构被称为串联结构。另外，也可以将串联结构称为叠层结构。通过采用串联结构，可以实现能够以高亮度发光的发光器件。
在图21C及图21D中，也可以将发射相同颜色的光的发光材料，甚至为相同发光材料用于发光层4411、发光层4412及发光层4413。例如，也可以将发射蓝色光的发光材料用于发光层4411、发光层4412及发光层4413。作为图21D所示的层785，也可以设置颜色转换层。
另外，也可以将发射彼此不同颜色的光的发光材料用于发光层4411、发光层4412及发光层4413。在发光层4411、发光层4412及发光层4413各自所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。作为图21D所示的层785，也可以设置滤色片(也被称为着色层)。在白色光透过滤色片时，可以得到所希望的颜色的光。
另外，在图21E、图21F中，也可以将发射相同颜色的光的发光材料，甚至为相同发光材料用于发光层4411及发光层4412。或者，也可以将发射不同颜色的光的发光材料用于发光层4411及发光层4412。在发光层4411所发射的光及发光层4412所发射的光处于补色关系时，可以得到白色发光。图21F示出还设置层785的例子。作为层785可以使用颜色转换层和滤色片(着色层)中的一方或双方。
注意，在图21C、图21D、图21E及图21F中，如图21B所示，层4420及层4430也可以具有由两层以上的层构成的叠层结构。
将按每个发光器件分别形成发光颜色(例如，蓝色(B)、绿色(G)及红色(R))的结构称为SBS结构。
发光器件的发光颜色根据构成EL层786的材料而可以为红色、绿色、蓝色、青色、品红色、黄色或白色等。此外，当发光器件具有微腔结构时，可以进一步提高颜色纯度。
白色发光器件优选具有发光层包含两种以上的发光物质的结构。为了得到白色发光，选择各发光处于补色关系的两种以上的发光物质即可。例如，通过使第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色处于补色关系，可以得到在发光器件整体上以白色发光的发光器件。此外，包括三个以上的发光层的发光器件也是同样的。
发光层优选包含每个发光呈现R(红)、G(绿)、B(蓝)、Y(黄)、O(橙)等的两种以上的发光物质。或者，优选的是，发光层包含两种以上的发光物质，并且每个发光物质的发光包含R、G、B中的两种以上的颜色的光谱成分。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
(实施方式6)
在本实施方式中，使用图22至图24对本发明的一个方式的电子设备进行说明。
本实施方式的电子设备可以用于本发明的一个方式的显示系统。具体而言，该电子设备可以在本发明的一个方式的显示系统中被用作可穿戴式的显示装置或终端设备。
本实施方式的电子设备在显示部中包括本发明的一个方式的显示面板。本发明的一个方式的显示面板容易实现高清晰化及高分辨率化，此外可以实现高显示品质。因此，可以用于各种电子设备的显示部。
作为电子设备，例如除了电视装置、台式或笔记本型个人计算机、用于计算机等的显示器、数字标牌、弹珠机等大型游戏机等具有较大的屏幕的电子设备以外，还可以举出数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置等。
特别是，因为本发明的一个方式的显示面板可以提高清晰度，所以可以适当地用于包括较小的显示部的电子设备。作为这种电子设备可以举出手表型及手镯型信息终端设备(可穿戴设备)、可戴在头上的可穿戴设备等诸如头戴显示器等VR用设备、眼镜型AR用设备及MR用设备等。
本发明的一个方式的显示面板优选具有极高的分辨率诸如HD(像素数为1280×720)、FHD(像素数为1920×1080)、WQHD(像素数为2560×1440)、WQXGA(像素数为2560×1600)、4K(像素数为3840×2160)、8K(像素数为7680×4320)等。尤其是，优选设定为4K、8K或其以上的分辨率。另外，本发明的一个方式的显示面板中的像素密度(清晰度)优选为100ppi以上，优选为300ppi以上，更优选为500ppi以上，进一步优选为1000ppi以上，更进一步优选为2000ppi以上，更进一步优选为3000ppi以上，还进一步优选为5000ppi以上，进一步优选为7000ppi以上。通过使用上述的具有高分辨率和高清晰度中的一方或双方的显示面板，在便携式或家用等的个人用途的电子设备中可以进一步提高真实感及纵深感等。此外，对本发明的一个方式的显示面板的屏幕比例(纵横比)没有特别的限制。例如，显示面板可以适应1：1(正方形)、4：3、16：9、16：10等各种屏幕比例。
本实施方式的电子设备也可以包括传感器(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)。
本实施方式的电子设备可以具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像、文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；执行各种软件(程序)的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据的功能；等。
使用图22A至图22D说明可戴在头上的可穿戴设备的一个例子。这些可穿戴设备具有显示AR内容的功能和显示VR内容的功能中的一方或双方。此外，这些可穿戴设备也可以具有除了AR、VR以外还显示SR或MR的内容的功能。当电子设备具有显示AR、VR、SR和MR等中的至少一个的内容的功能时，可以提高使用者的沉浸感。图22A至图22D所示的电子设备适合于本发明的一个方式的显示系统中的可穿戴式显示装置。
图22A所示的电子设备700A以及图22B所示的电子设备700B都包括一对显示面板751、一对框体721、通信部(未图示)、一对安装部723、控制部(未图示)、摄像部(未图示)、一对光学构件753、边框757以及一对鼻垫758。
显示面板751可以应用本发明的一个方式的显示面板。因此，可以实现能够进行清晰度极高的显示的电子设备。
电子设备700A及电子设备700B都可以将由显示面板751显示的图像投影于光学构件753中的显示区域756。因为光学构件753具有透光性，所以使用者可以与通过光学构件753看到的透过图像重叠地看到显示于显示区域的图像。因此，电子设备700A及电子设备700B都是能够进行AR显示的电子设备。
电子设备700A及电子设备700B上作为摄像部也可以设置有能够拍摄前方的照相机。另外，通过在电子设备700A及电子设备700B设置陀螺仪传感器等的加速度传感器，可以检测使用者的头部朝向并将对应该方向的图像显示在显示区域756上。
通信部具有无线通信装置，通过该无线通信装置可以供应影像信号等。另外，代替无线通信装置或者除了无线通信装置以外还可以包括能够连接供应影像信号及电源电位的电缆的连接器。
另外，电子设备700A以及电子设备700B设置有电池，可以以无线方式和有线方式中的一方或双方进行充电。
框体721也可以设置有触摸传感器模块。触摸传感器模块具有检测框体721的外侧的面是否被触摸的功能。通过触摸传感器模块，可以检测使用者的点按操作或滑动操作等而执行各种处理。例如，通过点按操作可以执行动态图像的暂时停止或再生等的处理，通过滑动操作可以执行快进、快退等的处理等。另外，通过在两个框体721的每一个设置触摸传感器模块，可以扩大操作范围。
作为触摸传感器模块，可以使用各种触摸传感器。例如，可以采用静电电容方式、电阻膜方式、红外线方式、电磁感应方式、表面声波式、光学方式等各种方式。尤其是，优选将静电电容方式或光学方式的传感器应用于触摸传感器模块。
在使用光学方式的触摸传感器时，作为受光元件(受光器件)可以使用光电转换元件(也称为光电转换器件)。在光电转换器件的活性层中可以使用无机半导体和有机半导体中的一方或双方。
图22C所示的电子设备800A以及图22D所示的电子设备800B都包括一对显示部820、框体821、通信部822、一对安装部823、控制部824、一对摄像部825以及一对透镜832。
显示部820可以应用本发明的一个方式的显示面板。因此，可以实现能够进行清晰度极高的显示的电子设备。由此，使用者可以感受高沉浸感。
显示部820设置在框体821内部的通过透镜832能看到的位置上。另外，通过在一对显示部820的每一个上显示不同图像，可以进行利用视差的三维显示。
可以将电子设备800A以及电子设备800B都称为面向VR的电子设备。装上电子设备800A或电子设备800B的使用者通过透镜832能看到显示在显示部820上的图像。
电子设备800A及电子设备800B优选具有一种机构，其中能够调整透镜832及显示部820的左右位置，以根据使用者的眼睛的位置使透镜832及显示部820位于最合适的位置上。此外，优选具有一种机构，其中通过改变透镜832及显示部820之间的距离来调整焦点。
使用者可以使用安装部823将电子设备800A或电子设备800B装在头上。在图22C等中，例示出安装部823具有如眼镜的镜脚(也称为接头、脚丝等)那样的形状，但是不局限于此。只要使用者能够装上，安装部823就例如可以具有头盔型或带型的形状。
摄像部825具有取得外部的信息的功能。可以将摄像部825所取得的数据输出到显示部820。在摄像部825中可以使用图像传感器。另外，也可以设置多个摄像头以能够对应望远、广角等多种视角。
注意，在此示出包括摄像部825的例子，设置能够测量出与对象物的距离的测距传感器(以下，也称为检测部)即可。换言之，摄像部825是检测部的一个方式。作为检测部例如可以使用图像传感器或激光雷达(LIDAR：Light Detection and Ranging)等距离图像传感器。通过使用由摄像头取得的图像以及由距离图像传感器取得的图像，可以取得更多的信息，可以实现精度更高的姿态操作。
电子设备800A也可以包括被用作骨传导耳机的振动机构。例如，作为显示部820、框体821和安装部823中的任一个或多个可以采用包括该振动机构的结构。由此，不需要另行设置头戴式耳机、耳机或扬声器等音响设备，而只装上电子设备800A就可以享受影像和声音。
电子设备800A以及电子设备800B也可以都包括输入端子。可以将供应来自影像输出设备等的影像信号以及用于对设置在电子设备内的电池进行充电的电力等的电缆连接到输入端子。
本发明的一个方式的电子设备也可以具有与耳机750进行无线通信的功能。耳机750包括通信部(未图示)，并具有无线通信功能。耳机750通过无线通信功能可以从电子设备接收信息(例如声音数据)。例如，图22A所示的电子设备700A具有通过无线通信功能将信息发送到耳机750的功能。另外，例如图22C所示的电子设备800A具有通过无线通信功能将信息发送到耳机750的功能。
另外，电子设备也可以包括耳机部。图22B所示的电子设备700B包括耳机部727。例如，可以采用以有线方式连接耳机部727和控制部的结构。连接耳机部727和控制部的布线的一部分也可以配置在框体721或安装部723的内部。
同样，图22D所示的电子设备800B包括耳机部827。例如，可以采用以有线方式连接耳机部827和控制部824的结构。连接耳机部827和控制部824的布线的一部分也可以配置在框体821或安装部823的内部。另外，耳机部827和安装部823也可以包括磁铁。由此，可以用磁力将耳机部827固定到安装部823，收纳变得容易，所以是优选的。
电子设备也可以包括能够与耳机或头戴式耳机等连接的声音输出端子。另外，电子设备也可以包括声音输入端子和声音输入机构中的一方或双方。作为声音输入机构，例如可以使用麦克风等收音装置。通过将声音输入机构设置到电子设备，可以使电子设备具有所谓的耳麦的功能。
如此，作为本发明的一个方式的电子设备，眼镜型(电子设备700A以及电子设备700B等)和护目镜型(电子设备800A以及电子设备800B等)的双方都是优选的。
另外，本发明的一个方式的电子设备可以以有线或无线方式将信息发送到耳机。
图23及图24所示的电子设备适合于本发明的一个方式的显示系统中的终端设备。
图23A所示的电子设备6500是可以被用作智能手机的便携式信息终端设备。
电子设备6500包括框体6501、显示部6502、电源按钮6503、按钮6504、扬声器6505、麦克风6506、照相机6507及光源6508等。显示部6502具有触摸面板功能。
显示部6502可以使用本发明的一个方式的显示面板。
图23B是包括框体6501的麦克风6506一侧的端部的截面示意图。
框体6501的显示面一侧设置有具有透光性的保护构件6510，被框体6501及保护构件6510包围的空间内设置有显示面板6511、光学构件6512、触摸传感器面板6513、印刷电路板6517、电池6518等。
显示面板6511、光学构件6512及触摸传感器面板6513使用粘合层(未图示)固定到保护构件6510。
在显示部6502的外侧的区域中，显示面板6511的一部分叠回，且该叠回部分连接有FPC6515。FPC6515安装有IC6516。FPC6515与设置于印刷电路板6517的端子连接。
显示面板6511可以使用本发明的一个方式的柔性显示器。由此，可以实现极轻量的电子设备。此外，由于显示面板6511极薄，所以可以在抑制电子设备的厚度的情况下安装大容量的电池6518。此外，通过折叠显示面板6511的一部分以在像素部的背面设置与FPC6515的连接部，可以实现窄边框的电子设备。
图23C示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101中组装有显示部7000。在此示出利用支架7103支撑框体7101的结构。
可以对显示部7000适用本发明的一个方式的显示面板。
可以通过利用框体7101所具备的操作开关以及另外提供的遥控操作机7111进行图23C所示的电视装置7100的操作。或者，也可以在显示部7000中具备触摸传感器，也可以通过用指头等触摸显示部7000进行电视装置7100的操作。另外，也可以在遥控操作机7111中具备显示从该遥控操作机7111输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7111所具备的操作键或触摸面板，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7000上的影像进行操作。
另外，电视装置7100具备接收机及调制解调器等。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图23D示出笔记型个人计算机的一个例子。笔记型个人计算机7200包括框体7211、键盘7212、指向装置7213、外部连接端口7214等。在框体7211中组装有显示部7000。
可以对显示部7000适用本发明的一个方式的显示面板。
图23E和图23F示出数字标牌的一个例子。
图23E所示的数字标牌7300包括框体7301、显示部7000及扬声器7303等。此外，还可以包括LED灯、操作键(包括电源开关或操作开关)、连接端子、各种传感器、麦克风等。
图23F示出设置于圆柱状柱子7401上的数字标牌7400。数字标牌7400包括沿着柱子7401的曲面设置的显示部7000。
在图23E和图23F中，可以将本发明的一个方式的显示面板用于显示部7000。
显示部7000越大，一次能够提供的信息量越多。显示部7000越大，越容易吸引人的注意，例如可以提高广告宣传效果。
通过将触摸面板用于显示部7000，不仅可以在显示部7000上显示静态图像或动态图像，使用者还能够直觉性地进行操作，所以是优选的。另外，在用于提供线路信息或交通信息等信息的用途时，可以通过直觉性的操作提高易用性。
如图23E和图23F所示，数字标牌7300或数字标牌7400优选可以通过无线通信与使用者所携带的智能手机等信息终端设备7311或信息终端设备7411联动。例如，显示在显示部7000上的广告信息可以显示在信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕上。此外，通过操作信息终端设备7311或信息终端设备7411，可以切换显示部7000的显示。
此外，可以在数字标牌7300或数字标牌7400上以信息终端设备7311或信息终端设备7411的屏幕为操作单元(控制器)执行游戏。由此，不特定多个使用者可以同时参加游戏，享受游戏的乐趣。
图24A至图24G所示的电子设备包括框体9000、显示部9001、扬声器9003、操作键9005(包括电源开关或操作开关)、连接端子9006、传感器9007(该传感器具有测量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、转速、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、倾斜度、振动、气味或红外线)、麦克风9008等。
图24A至图24G所示的电子设备具有各种功能。例如，可以具有如下功能：将各种信息(静态图像、动态图像及文字图像等)显示在显示部上的功能；触摸面板的功能；显示日历、日期或时间等的功能；通过利用各种软件(程序)控制处理的功能；进行无线通信的功能；读出储存在存储介质中的程序或数据并进行处理的功能；等。注意，电子设备的功能不局限于上述功能，而可以具有各种功能。电子设备可以包括多个显示部。另外，也可以在电子设备中设置照相机等而使其具有如下功能：拍摄静态图像或动态图像，且将所拍摄的图像储存在存储介质(外部存储介质或内置于照相机的存储介质)中的功能；将所拍摄的图像显示在显示部上的功能；等。
下面，详细地说明图24A至图24G所示的电子设备。
图24A是示出便携式信息终端9101的立体图。可以将便携式信息终端9101例如用作智能手机。注意，在便携式信息终端9101中，也可以设置扬声器9003、连接端子9006、传感器9007等。另外，作为便携式信息终端9101，可以将文字或图像信息显示在其多个面上。在图24A中示出显示三个图标9050的例子。另外，可以将以虚线的矩形示出的信息9051显示在显示部9001的其他面上。作为信息9051的一个例子，可以举出提示收到电子邮件、SNS或电话等的信息；电子邮件或SNS等的标题；电子邮件或SNS等的发送者姓名；日期；时间；电池余量；以及电波强度等。或者，可以在显示有信息9051的位置上显示图标9050等。
图24B是示出便携式信息终端9102的立体图。便携式信息终端9102具有将信息显示在显示部9001的三个以上的面上的功能。在此，示出信息9052、信息9053、信息9054分别显示于不同的面上的例子。例如，在将便携式信息终端9102放在上衣口袋里的状态下，使用者能够确认显示在从便携式信息终端9102的上方看到的位置上的信息9053。例如，使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端9102，由此能够判断是否接电话。
图24C是示出平板终端9103的立体图。平板终端9103例如可以执行移动电话、电子邮件及文章的阅读和编辑、播放音乐、网络通信、计算机游戏等各种应用软件。平板终端9103在框体9000的正面包括显示部9001、照相机9002、麦克风9008及扬声器9003，在框体9000的左侧面包括用作操作用按钮的操作键9005，并且在底面包括连接端子9006。
图24D是示出手表型便携式信息终端9200的立体图。可以将便携式信息终端9200例如用作智能手表(注册商标)。另外，显示部9001的显示面弯曲，可沿着其弯曲的显示面进行显示。此外，便携式信息终端9200例如通过与可进行无线通信的耳麦相互通信可以进行免提通话。此外，通过利用连接端子9006，便携式信息终端9200可以与其他信息终端进行数据传输或进行充电。充电也可以通过无线供电进行。
图24E至图24G是示出可以折叠的便携式信息终端9201的立体图。另外，图24E是将便携式信息终端9201展开的状态的立体图，图24G是折叠的状态的立体图，图24F是从图24E的状态和图24G的状态中的一个转换成另一个时中途的状态的立体图。便携式信息终端9201在折叠状态下可携带性好，而在展开状态下因为具有无缝拼接较大的显示区域所以显示的浏览性强。便携式信息终端9201所包括的显示部9001被由铰链9055连结的三个框体9000支撑。显示部9001例如可以在曲率半径0.1mm以上且150mm以下的范围弯曲。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
[符号说明]
100：显示装置、100A：显示装置、100B：显示装置、100C：显示装置、100D：显示装置、100E：显示装置、100F：显示装置、101：衬底、103：像素、110：发光元件、110a：子像素、110b：子像素、110B：发光元件、110c：子像素、110d：子像素、110G：发光元件、110R：发光元件、111：导电层、111B：导电层、111C：连接电极、111G：导电层、111R：导电层、111S：导电层、112：EL层、112B：EL层、112Bf：EL膜、112G：EL层、112Gf：EL膜、112R：EL层、112Rf：EL膜、112S：活性层、113：公共电极、114：公共层、115：导电层、115B：导电层、115G：导电层、115R：导电层、117：导电层、117B：导电层、117G：导电层、117R：导电层、120：狭缝、121：保护层、122：树脂层、124a：像素、124b：像素、126：树脂层、128：衬底、129：着色层、129a：着色层、129b：着色层、129c：着色层、129d：黑矩阵、131a：树脂层、131af：树脂膜、131b：绝缘层、131bf：绝缘膜、140：树脂层、143a：抗蚀剂掩模、143b：抗蚀剂掩模、143c：抗蚀剂掩模、144：牺牲膜、144B：牺牲膜、144G：牺牲膜、144R：牺牲膜、145：牺牲层、145B：牺牲层、145G：牺牲层、145R：牺牲层、146B：牺牲膜、146G：牺牲膜、146R：牺牲膜、147：牺牲层、147B：牺牲层、147G：牺牲层、147R：牺牲层、150：受光元件、161：导电层、240：电容器、241：导电层、243：绝缘层、245：导电层、251：导电层、252：导电层、254：绝缘层、255：绝缘层、255a：绝缘层、255b：绝缘层、256：插头、257：导电层、261：绝缘层、262：绝缘层、263：绝缘层、264：绝缘层、265：绝缘层、271：插头、274：插头、274a：导电层、274b：导电层、280：显示模块、281：显示部、282：电路部、283：像素电路部、283a：像素电路、284：像素部、284a：像素、285：端子部、286：布线部、290：FPC、291：衬底、292：衬底、301：衬底、301A：衬底、301B：衬底、310：晶体管、310A：晶体管、310B：晶体管、311：导电层、312：低电阻区域、313：绝缘层、314：绝缘层、315：元件分离层、320：晶体管、320A：晶体管、320B：晶体管、321：半导体层、323：绝缘层、324：导电层、325：导电层、326：绝缘层、327：导电层、328：绝缘层、329：绝缘层、331：衬底、332：绝缘层、335：绝缘层、336：绝缘层、341：导电层、342：导电层、343：插头、344：绝缘层、345：绝缘层、346：绝缘层、347：凸块、348：粘合层、351：衬底、352：指头、353：层、355：功能层、357：层、359：衬底、400：显示面板、401：衬底、402：驱动电路部、403：驱动电路部、404：显示部、405：像素、405B：子像素、405G：子像素、405R：子像素、410：晶体管、410a：晶体管、411：半导体层、411i：沟道形成区域、411n：低电阻区域、412：绝缘层、413：导电层、414a：导电层、414b：导电层、415：导电层、416：绝缘层、421：绝缘层、422：绝缘层、423：绝缘层、426：绝缘层、430：像素、450：晶体管、450a：晶体管、451：半导体层、452：绝缘层、453：导电层、454a：导电层、454b：导电层、455：导电层、700A：电子设备、700B：电子设备、721：框体、723：安装部、727：耳机部、750：耳机、751：显示面板、753：光学构件、756：显示区域、757：边框、758：鼻垫、772：下部电极、785：层、786：EL层、786a：EL层、786b：EL层、788：上部电极、800A：电子设备、800B：电子设备、820：显示部、821：框体、822：通信部、823：安装部、824：控制部、825：摄像部、827：耳机部、832：透镜、4411：发光层、4412：发光层、4413：发光层、4420：层、4421：层、4422：层、4430：层、4431：层、4432：层、4440：电荷产生层、6500：电子设备、6501：框体、6502：显示部、6503：电源按钮、6504：按钮、6505：扬声器、6506：麦克风、6507：照相机、6508：光源、6510：保护构件、6511：显示面板、6512：光学构件、6513：触摸传感器面板、6515：FPC、6516：IC、6517：印刷电路板、6518：电池、7000：显示部、7100：电视装置、7101：框体、7103：支架、7111：遥控操作机、7200：笔记本式个人计算机、7211：框体、7212：键盘、7213：指向装置、7214：外部连接端口、7300：数字标牌、7301：框体、7303：扬声器、7311：信息终端设备、7400：数字标牌、7401：柱子、7411：信息终端设备、9000：框体、9001：显示部、9002：照相机、9003：扬声器、9005：操作键、9006：连接端子、9007：传感器、9008：麦克风、9050：图标、9051：信息、9052：信息、9053：信息、9054：信息、9055：铰链、9101：便携式信息终端、9102：便携式信息终端、9103：平板终端、9200：便携式信息终端、9201：便携式信息终端

Claims (6)

1.一种显示装置，包括：
第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层的开口内部的第一导电层；
所述第一导电层及所述第一绝缘层上的第一EL层；
与所述第一EL层的侧面及所述第一绝缘层的顶面接触的第二绝缘层；以及
所述第一EL层及所述第二绝缘层上的第二导电层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
所述第二绝缘层上的第一树脂层，
其中所述第二绝缘层具有夹在所述第一EL层的侧面与所述第一树脂层之间的第一区域及夹在所述第一绝缘层的顶面与所述第一树脂层之间的第二区域，
并且所述第二导电层与所述第一EL层的顶面及所述第一树脂层的顶面接触。
3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一树脂层；以及
第一层，
其中所述第一层包含电子注入性高的材料，
所述第一树脂层设置在所述第二绝缘层上，
所述第二绝缘层具有夹在所述第一EL层的侧面与所述第一树脂层之间的第一区域及夹在所述第一绝缘层的顶面与所述第一树脂层之间的第二区域，
所述第一层与所述第一EL层的顶面及所述第一树脂层的顶面接触，并且所述第二导电层与所述第一层的顶面接触。
4.一种显示装置，包括：
第一发光元件；
与所述第一发光元件相邻地配置的第二发光元件；
第一绝缘层；以及
第二绝缘层，
其中，所述第一发光元件包括设置在所述第一绝缘层的第一开口内部的第一导电层、所述第一导电层及所述第一绝缘层上的第一EL层以及所述第一EL层上的公共电极，
所述第二发光元件包括设置在所述第一绝缘层的第二开口内部的第二导电层、所述第二导电层及所述第一绝缘层上的第二EL层以及所述第二EL层上的所述公共电极，
所述第二绝缘层与所述第一EL层的侧面、所述第二EL层的侧面及所述第一绝缘层的顶面接触，
并且，所述公共电极位于所述第二绝缘层上并具有与所述第二绝缘层重叠的第三区域。
5.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
所述第二绝缘层上的第一树脂层，
其中所述第一树脂层设置在所述第一EL层与所述第二EL层之间的第四区域中，
并且所述公共电极与所述第一EL层的顶面、所述第二EL层的顶面及所述第一树脂层的顶面接触。
6.根据权利要求4所述的显示装置，还包括：
第一树脂层；以及
公共层，
其中所述公共层包含电子注入性高的材料，
所述第一树脂层设置在所述第一绝缘层上，
所述第一树脂层设置在所述第一EL层与所述第二EL层之间的第四区域中，
所述公共层与所述第一EL层的顶面、所述第二EL层的顶面及所述第一树脂层的顶面接触，
并且所述公共电极与所述公共层的顶面接触。
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