KR20020043435A - 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20020043435A
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아끼구사 나오유끼
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Abstract

본 발명은 반도체 장치의 패키지를 간단한 구조로 형성하고, 적층하여 일체화함으로써 3차원 구조의 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 문제점을 해결하기 위해서, 포스트(18)는 봉지 수지(8) 내에 배설되고, 일단부는 전극 패턴(10)에 접속되고, 다른 단부는 봉지 수지(8)의 외주 표면(8a)에서 노출하도록 배설되어 있다. 이에 의해서 다른 동형의 반도체 장치의 외부 단자와 적층하여 일체화하도록 접속시킬 수 있어, 3차원 구조의 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다.

Description

반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법{SEMICONDOCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 복수의 반도체 장치를 적층하여 3차원 구조로서 실장 밀도의 향상을 도모하는데 최적인 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
전자 기기의 소형화, 경량화, 박형화에 수반되어 전자 기기에 사용되는 반도체 장치에도 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 이와 같은 요구에 대처하기 위해, 반도체 장치의 패키지는, 4방향으로 단자가 갈매기 날개(gull wing) 형상으로 뻗어나온 표면 실장용의 QFP(Quad Flat Package)에서, 패키지의 저면에 외부 접속 단자를 에리어 어레이 형상으로 배치한 BGA(Ball Grid Array) 형 패키지 또는 CSP(Chip Size Package)로 이행되어 왔다.
이와 같은 반도체 패키지에 있어서, 반도체 칩을 배선 기판(인터포저)에 실장하고, 인터포저(interposer)에 의해서 반도체 칩의 주위에 외부 접속용 단자를 배치한 소위 팬 아웃 형의 패키지가 많이 사용되고 있다.
도 18은 종래의 팬 아웃 형의 반도체 장치의 단면도이다. 도 18에 있어서, 반도체 장치(1)는 대략적으로 기판(2), 반도체 칩(4), 땜납 볼(6) 및 봉지 수지(8) 등으로 구성되어 있다. 여기서, 인터포저는 기판(2), 전극 패턴(10), 본딩 패드(12)로 구성되어, 외부의 전극과 반도체 칩을 전기적으로 도통시키기 위해서 사용된다.
기판(2)은 예를 들면 폴리이미드 수지, 세라믹 수지, 유리 에폭시 수지 등으로 형성되어 있고, 그 표면(2a)에는 반도체 칩(4)이 탑재되는 동시에 전극 패턴(10)이 형성된다. 반도체 칩(4)은 페이스업(faceup)의 상태로 DB재(본딩재)(5)에 의해서 기판(2)에 고정되어 있다. 전극 패턴(10)은 기판(2)에 동막을 형성한 후, 에칭 등에 의해서 소정의 패턴에 형성된 것이다. 또, 전극 패턴(10)은 도시하지 않은 배선 패턴에 의해서 전기적으로 접속되어 있다.
전극 패턴(10)의 일부는 본딩 패드(12)와 일체화되어 있다. 이 본딩 패드(12)와 반도체 칩(4)의 전극과는 와이어(14)에 의해서 접속되어 있다. 이에 의해서 반도체 칩(4)과 전극 패턴(10), 본딩 패드(12)는 와이어(14) 및 배선 패턴을 거쳐서 전기적으로 접속된 구성으로 되어 있다. 또, 기판(2)의 반도체 칩(4)이 접속된 면(2a)은, 반도체 칩(4), 와이어(14), 본딩 패드(5) 등을 보호하기 위해서 에폭시계 수지 등으로 된 봉지 수지(8)에 의해서 봉지되어 있다.
또, 기판(2)의 전극 패턴(10)과 대향하는 위치에는 기판(2)을 관통하는 구멍부(16)가 형성되어 있다. 이 구멍부(16)는 기판(2)에 대하여 레이저 가공, 드릴 가공, 또는 금형 가공 등을 실시함으로써 형성되어 있다.
한편, 기판(2)의 뒷면(2b)에는 땜납 볼(6)이 배설되어 있다. 이 땜납 볼(6)은 상기한 구멍부(16)의 형성 위치에 배설되어 있고, 이 구멍부(16)를 통해서 전극 패턴(10)에 접합된 구성으로 되어 있다. 즉, 땜납 볼(6)은 전극 패턴에 접합함으로써, 기판(2)에 고정된 구성으로 되어 있다.
상기한 바와 같이, 반도체 장치(1)에 인터포저를 사용한 패키지 구조가 주류로 되어 왔으나, 반도체 장치의 고밀도화가 더욱 진행함에 따라, 반도체 칩을 포함한 패키지의 실장 면적이 축소되고 있다. 따라서, 반도체 장치의 패키지 사이즈가 축소되어, 패키지 구조의 2차원적인 축소는 거의 한계에 도달하고 있는 것으로 생각되고 있다. 따라서, 반도체 장치의 소형화를 실현하기 위해서는, 3차원적(스택)으로 실장하는 것이 필요하게 된다. 3차원적인 실장 방법에 있어서, 수지 패키지의 상면에 접속용의 전극을 설치한 반도체 장치 등이 제공되고 있다.
그러나, 상기한 바와 같이 수지 패키지의 상면에 접속용의 전극을 설치하기 위해서는, 수지 패키지를 회피하여 배선하지 않으면 안되므로, 수지 패키지의 상면에 접속용의 전극을 끌어 내기는 곤란하다. 예를 들면, 수지 패키지를 형성 후에, 인터포저에 설치된 외부 단자와 접속한 배선을, 수지 패키지를 회피하도록 반도체 장치의 외주 표면을 우회하여 상면에 배설하면, 배선이 노출하는 동시에, 배선이 끊어지기 쉽게 되어 반도체 장치의 신뢰성을 상실한다. 또, 이와 같은 전극의 배설로는 배선이 길어짐으로써 임피던스가 커지게 되어, 반도체 장치의 고속화를 방해한다.
본 발명은 상술의 과제를 감안하여 이루어진 것으로서, 반도체 장치의 패키지를 간단한 구조로 형성하고, 적층하여 일체화함으로써 3차원 구조의 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있는 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 다른 반도체 장치의 제 1 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제 1 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제 2 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제 2 제조 공정을 설명하기 위한 도면.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예의 변형례에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예의 변형예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 반도체 장치 유닛의 단면도.
도 12는 본 발명의 제 6 실시예에 따른 반도체 장치 유닛의 단면도.
도 13은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 14는 본 발명의 제 7 실시예에 따른 반도체 장치에 배설된 안테나의 단면도.
도 15는 본 발명의 제 8 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 16은 본 발명의 제 9 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 17은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도.
도 18은 종래의 팬 아웃형의 반도체 장치의 단면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ※
1, 20, 20a ∼20e, 20h∼20k 반도체 장치
2 기판
4, 4a 반도체 칩
5 DB재
6, 6a∼6e 땜납 볼
8 봉지 수지
10 전극 패턴
12 본딩 패드
14 와이어
16 구멍부
18, 18a∼18c 포스트
20f, 20g 반도체 장치 유닛
22, 30 포스트 구멍부
23 마스크
24, 25, 26, 27 금형
29 포스트 형성부
32 접속면
34 차폐재
35, 38, 44 접속부
36 안테나
40 칩 부품
42 히트 싱크
상술한 목적을 달성하기 위해서 청구항 1 기재의 발명은,
반도체 소자와,
외부와 접속하는 외부 단자와,
상기 반도체 소자를 제 1 면에 탑재하고, 상기 제 1 면과 반대측 면에 외부 단자를 설치하여, 상기 반도체 소자와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 인터포저, 및
이 인터포저의 제 1 면을 봉지하는 수지를 갖는 반도체 장치로서,
상기 외부 단자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 상기 수지의 외주 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖으며, 상기 수지에 내설되어 있는 배선을 갖는 구성으로 한다.
청구항 2 기재의 발명은,
반도체 소자와,
외부와 접속하는 외부 단자와,
상기 반도체 소자를 제 1 면에 탑재하고, 상기 제 1 면과 반대측 면에 외부 단자를 설치하여, 상기 반도체 소자와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 인타포저, 및
이 인터포저의 제 1 면을 봉지하는 수지를 갖는 반도체 장치로서,
상기 반도체 소자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 상기 수지의 외주 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖으며, 상기 수지에 내설되는 동시에 상기 반도체 소자의 표면 상에 배설된 배선을 갖는 구성으로 한다.
청구항 3 기재의 발명은,
청구항 1 또는 2 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 1 접속부와 제 2 접속부의 단면적이 다른 구성으로 한다.
청구항 4 기재의 발명은,
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 범프를 형성하는 구성으로 한다.
청구항 5 기재의 발명은,
청구항 1 내지 4 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
복수의 상기 반도체 장치의 각각을 적층 고정하는 구성으로 한다.
청구항 6 기재의 발명은,
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 안테나를 재치(載置)하는 구성으로 한다.
청구항 7 기재의 발명은,
청구항 1 내지 5 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 전자 부품을 재치하는 구성으로 한다.
청구항 8 기재의 발명은,
청구항 1 내지 3 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 반도체 소자에 다른 반도체 소자의 제 1 면을 접속시키고, 상기 다른 반도체 소자의 제 2 면 및 제 2 접속부에 히트 싱크(heat sink)를 재치하는 구성으로 한다.
청구항 9 기재의 발명은,
전극 패턴을 갖는 기판에 반도체 소자를 배설하는 소자 배설 공정과,
상기 반도체 소자와 상기 전극 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 공정과,
상기 전극 패턴 상에 배선 구멍을 갖는 마스크를 형성하고, 상기 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성하는 배선 형성 공정, 및
상기 마스크를 제거한 후, 상기 기판의 상기 반도체 소자 및 상기 배선이 형성된 면에 상기 배선의 일부가 외부로 노출하도록 수지 형성을 행하는 수지 형성 공정을 실시하는 구성으로 한다.
청구항 10 기재의 발명은,
전극 패턴을 갖는 기판에 반도체 소자를 배설하는 소자 배설 공정과,
상기 반도체 소자와 상기 전극 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 공정과,
상기 전극 패턴 상에 배선이 형성되도록 상기 기판의 상기 반도체 소자의 배설 면에 수지를 형성하는 수지 형성 공정, 및
상기 배선 구멍에 도전재를 도입함으로써, 상기 수지 내에 배선을 형성하는 배선 형성 공정을 실시하는 구성으로 한다.
상기의 각 수단은 다음과 같이 작용한다.
청구항 1 기재의 발명에 의하면, 외부 단자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 수지의 외부 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖는 배선이 설치되어 있다. 이 배선에 의해서 외부 단자와 제 2 접속부에 접촉한 다른 전극과 전기적으로 접속시킬 수 있어, 복수의 동형의 반도체 장치에서의 적층 구조가 가능하게 된다. 따라서, 이 배선에 의해서 효율적으로 반도체 장치를 적층하여 일체화 할 수 있어, 3차원 구조의 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또, 배선을 수지 내에 설치함으로써 최단의 배선을 배설할 수 있어, 간단한 패키지 구조의 반도체 장치를 제공할 수 있다.
청구항 2 기재의 발명에 의하면, 배선의 제 1 접속부를 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 반도체 소자의 표면 상에 배설함으로써, 배선의 배설 위치의 자유도를 향상시킬 수 있다.
청구항 3 기재의 발명에 의하면, 배선의 제 1 접속부와 제 2 접속부의 단면적을 다르게 함으로써, 배선의 총 체적을 작게 할 수 있어, 배선의 임피던스를 억제할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 고속화를 도모할 수 있다. 또, 배선의 형성 시간을 단축할 수 있는 동시에, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
청구항 4 기재의 발명에 의하면, 제 2 접속부에 설치된 범프에 의해서, 반도체 장치 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
청구항 5 기재의 발명에 의하면, 복수의 동형의 반도체 장치를 적층 고정함으로써, 반도체 장치의 적층 구조의 용적을 작게 할 수 있다. 즉, 반도체 장치의 3차원 구조로서 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다.
청구항 6 기재의 발명에 의하면, 제 2 접속부에 안테나를 설치함으로써, 무선 신호의 송수신에 적용하는 것이 가능하다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰성 및 기능성을 향상시킬 수 있다.
청구항 7 기재의 발명에 의하면, 제 2 접속부에 다른 기능을 갖는 전자 부품을 설치함으로써, 반도체 장치의 기능성, 범용성을 향상시킬 수 있다.
청구항 8 기재의 발명에 의하면, 반도체 소자에 접속한 다른 반도체 소자의 뒷면 및 제 2 접속부에 히트 싱크를 재치함으로써, 반도체 장치에서 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰성 및 기능성을 향상시킬 수 있다.
청구항 9 기재의 발명에 의하면, 전극 패턴 상에 배선 구멍을 갖는 마스크를 형성하고, 이 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성한 후에, 기판의 반도체 소자와 배선의 형성된 면에 수지로 봉지함으로써, 복수의 동형의 반도체 장치에서의 적층이 가능하게 된다.
청구항 10 기재의 발명에 의하면, 전극 패턴 상에 배선 구멍을 형성하도록 기판의 반도체 소자의 배설 면을 수지로 봉지한 후에, 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성함으로써, 복수의 동형의 반도체 장치에서의 적층이 가능하게 된다.
실시예
이하, 도면을 참조하여 본 발명에서의 실시 형태를 상세히 설명하겠다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 의한 반도체 장치의 단면도이다. 도 1에 나타낸 반도체 장치(20)는 와이어 본딩 접속된 팬 아웃 형의 반도체 장치이다. 이하에 나타낸 도 1∼17에 있어서, 도 18에 나타낸 구성 부품과 같은 부품에는 같은 부호를 매겨서 그 설명은 생략한다.
도 1에 있어서, 반도체 장치(20)는 대략적으로 기판(2), 반도체 칩(4), 땜납 볼(6), 봉지 수지(8) 및 포스트(18) 등으로 구성되어 있다.
포스트(18)는 봉지 수지(8) 내에 배설되며, 일단부는 전극 패턴(10)에 접속되고, 다른 단부는 봉지 수지(8)의 외주 표면(8a)으로부터 노출하도록 배설되어 있다. 포스트(18)의 일단부는 전극 패턴(10)에 접속됨으로써, 땜납 볼(6)과 전기적으로 접속된다. 포스트(18)의 다른 단부는 봉지 수지(8)의 외주 표면(8a)에서 노출되도록 배설됨으로써, 다른 동형의 반도체 장치의 외부 단자와 접속하는 것이 가능하게 된다. 즉, 포스트(18)에 의해서 효율적으로 반도체 장치를 적층하여 일체화할 수 있어, 3차원 구조의 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또, 배선을 수지 내에 설치함으로써, 최단의 배선을 배설할 수 있어, 간단한 패키지 구조의 반도체 장치를 제공할 수 있다.
한편, 포스트(18)는 마스크 등으로 형성된 포스트 구멍부(22)에, 예를 들면 고속 Cu 도금법을 사용하여 형성된다. 포스트(18)가 형성된 후, 봉지 수지(8)가 형성된다. 상기 반도체 장치의 제조 공정에 대하여 이하에 상술하겠다.
도 2, 도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제 1 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 2에 나타낸 반도체 장치의 기판(2)에 있어서, 포스트 구멍부(22)를 전극 패턴(10)에 접하도록 하여, 봉지 수지(8)를 형성했을 때와 동일한 두께가 되도록 마스크(23)에 의해서 형성한다. 포스트 구멍부(22)에는 도 3에 나타낸 바와 같이, 고속 Cu 도금법 등에 의해서 포스트(18)가 형성된다. 포스트(18)가 형성된 후, 반도체 장치에 금형(24, 25)을 배설하고, 봉지 수지(8)를 금형(24)의 상부로부터 충전함으로써, 도 1에 나타낸 바와 같은 반도체 장치(20)가 제조된다.
도 4, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 반도체 장치의 제 2 제조 공정을 설명하기 위한 도면이다. 도 4에 나타낸 반도체 장치에 있어서, 기판(2)의 반도체 칩(4)이 설치된 면에 금형(26) 및 금형(27)을 배설하고, 봉지 수지(8)를 금형(26)의 상부로부터 충전한다. 금형(26)에 설치된 포스트 형성부(29)에 의해서, 도 5에 나타낸 바와 같이, 봉지 수지(8)에 포스트 구멍부(22)가 형성된다. 포스트 구멍부(22)에는 고속 Cu 도금법 등에 의해서 포스트(18)가 형성되고, 도 1에 나타낸 바와 같은 반도체 장치(20)를 제조할 수 있다.
단, 포스트(18)의 형성은 고속 Cu 도금법에만 한정되지 않고, CVD(ChemicalVapor Deposition)법, 스패터링법 등으로도 가능하다. 또, 포스트(18)는 봉지 수지(8)로 포스트 구멍부(22)를 형성한 후, 포스트 구멍부(22)에 땜납 볼 및 땜납 페이스트를 메움으로써 형성하는 것도 가능하다.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 6에 나타낸 반도체 장치(20a)는 상기 도 2, 3 및 도 4, 5에 나타낸 제조 공정에 의해서 형성되고, 형성된 포스트(18)의 봉지 수지(8)의 외주 표면에 노출하는 일단부에 외부 단자로서 땜납 볼(6a)을 배설한다. 이와 같이 포스트(18)에 땜납 볼(6a)을 설치함으로써, 반도체 장치의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 7에 나타낸 반도체 장치(20b)에는 포스트(18a, 18b)가 배설되어 있다. 포스트(18a)는 도 2, 3에 나타낸 제 1 제조 공정으로 형성되고, 봉지 수지(8)의 표면(8a)보다 낮은 높이로 형성된다. 포스트(18a)가 형성된 후, 도 4에 나타낸 포스트 형성부를 갖는 금형을 배설하여 봉지 수지(8)를 충전하면, 도 7의 포스트 구멍부(30)가 형성된다. 이 포스트 구멍부(30)에 고속 Cu 도금 등을 행함으로써, 포스트(18b)를 형성할 수 있다. 포스트(18a, 18b)는 포스트(18a, 18b)의 단면적이 각각 달라지도록 형성된다. 이에 의해서 양쪽의 포스트의 임피던스가 작아지도록 형성할 수 있기 때문에, 반도체 장치의 고속화를 도모할 수 있다. 또, 도 7에 나타낸 바와 같이, 포스트(18b)가 포스트(18a)의 단면적보다 작고, 포스트(18a)가 형성된 후에 포스트(18b)가 땜납 페이스트 매입 등으로 형성되는 경우, 포스트(18b)의 형성 시간을 대폭으로 단축할 수 있다. 또, 포스트(18a)와 전극 패드(10)에 접속하는 단면적을 크게 할 수 있어, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 제 3 실시예의 변형례에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 8에 나타낸 반도체 장치(20c)는, 도 7에 나타낸 반도체 장치(20b)의 포스트(18b)에 땜납 볼(6b)을 배설한 것이다. 이와 같이, 포스트(18b)의 봉지 수지(8)의 외주 표면에 노출하는 일단부에 외부 단자로서 땜납 볼(6b)을 설치함으로써, 반도체 장치의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 포스트(18a)를 사전에 Cu 도금 등으로 형성하여, 높이를 확보해 둠으로써, 땜납 페이스트의 구멍 메우기를 실시하지 않고, 볼 탑재 공정이 땜납 볼 탑재만으로 가능하게 된다.
도 9는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 9에 나타낸 반도체 장치(20d)는, 포스트(18c)의 일단을 반도체 칩(4) 표면의 소정 위치와 접속시켜서, 다른 단부를 봉지 수지(8)의 외주 표면에 노출하도록 배설한다. 포스트(18c)는 고속 Cu 도금법 등에 의해서 형성된다. 이와 같이, 반도체 칩(4)의 표면에 포스트(18c)를 배설함으로써, 포스트(18c)의 배설 위치의 자유도를 향상시킬 수 있다. 또, 포스트(18c)와 반도체 칩(4)과의 접속은 도시하지 않은 반도체 칩(4)에 형성된 배선에 의해서 행하게 된다.
도 10은 본 발명의 제 4 실시예의 변형례에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 10에 나타낸 반도체 장치(20e)는 도 9에 나타낸 반도체 장치(20d)의 포스트(18c) 상에 땜납 볼(6c)을 배설한 것이다. 이와 같이 포스트(18c)에 땜납 볼(6c)을 설치함으로써, 반도체 장치의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 도 9, 도 10에 나타낸 바와 같은 포스트의 배설 방법은 팬 아웃 구조 및 팬 인 구조의 어느 쪽의 구조에 대하여도 대응이 가능하다.
도 11은 본 발명의 제 5 실시예에 따른 반도체 장치 유닛의 단면도이다. 도 11에 나타낸 반도체 장치 유닛(20f)에서는, 도 1에 나타낸 복수의 반도체 장치(20)를 적층하여 유닛화한 구조로 하고 있다. 반도체 장치(20)의 땜납 볼(6)과 포스트(18)의 접속면(32)과의 접속에 의해서, 복수의 반도체 장치(20)를 겹쳐서 실장할 수 있다. 예를 들면, DRAM, 플래시 메모리 등의 메모리 IC의 반도체 소자를 작은 실장 면적으로 대용량화하는 경우에 유효한 방법이다.
도 12는 본 발명의 제 6 실시예에 의한 반도체 장치 유닛의 단면도이다. 도 12에 나타낸 반도체 장치 유닛(20g)에서는, 접합부(35)에 의해서 적층형의 패키지와 차폐재(34)를 접속하고 있다. 이 차폐재(34)는 반도체 장치의 범프(18c)와 접속되어 있다. 또, 범프(18c)와 전기적으로 접속되는 땜납 볼(6d)은 접지되어 있기 때문에 차폐재(34)는 외부로부터의 노이즈 및 내부에서 발생하는 노이즈를 차폐한다. 따라서, 반도체 장치 유닛(20g)에 영향을 주는 노이즈를 저감할 수 있어서, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또, 적층형 패키지의 반도체 장치는 아니고, 단일 패키지의 반도체 장치에 차폐재를 설치하는 것도 가능하다.
도 13은 본 발명의 제 7 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 13에 나타낸 반도체 장치(20h)에서는, 접합부(38)에 의해서 포스트(18)와 안테나(36)를 접속하고 있다. 도 14에 나타낸 바와 같이 안테나(36)에는 2개의 접합부(38)가 배선으로 접속되어 있다. 이와 같이, 반도체 장치(20h)의 포스트(18)에 안테나(36)를 접속함으로써, IC 카드나 도로 교통 시스템(ITS : Intelligent TransportSystem) 등에서의 무선 신호의 송수신을 할 수 있다.
도 15는 본 발명의 제 8 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 15의 반도체 장치(20i)는, 도 1에 나타낸 반도체 장치(20)에 칩 부품(40)을 배설하고 있다. 칩 부품(40)은 반도체 장치(20i)의 봉지 수지(8)에서 노출되는 포스트(18)에 접속된다. 이와 같이, 칩 부품을 포스트(18)에 접속함으로써, 반도체 장치의 기능성, 범용성을 향상시킬 수 있다.
도 16은 본 발명의 제 9 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 16에 나타낸 반도체 장치(20j)는 땜납 볼(6)과 전기적으로 접속되는 포스트(18)와 반도체 칩(4) 상에 포스트(18c)가 형성되어 있다. 또, 이 반도체 장치에서는 접합부(44)에 의해서 포스트(18, 18c)와 히트 싱크(42)를 접속하고 있다. 이와 같이, 히트 싱크(42)를 설치함으로써, 반도체 장치(20j)에서 발생한 열을 방출할 수 있어 반도체 장치의 온도 상승을 억제할 수 있다.
도 17은 본 발명의 제 10 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 17에 나타낸 반도체 장치(20k)는 반도체 칩(4) 상에 땜납 볼(6e)이 형성되고, 땜납 볼(6e)을 사이에 끼고 반도체 칩(4a)이 배설되어 있다. 반도체 칩(4a)의 뒷면을 봉지 수지(8)로부터 노출하도록 배설하여, 이 반도체 칩(4a)의 뒷면과 히트 싱크(42)를 접속시킨다. 이에 의해서 반도체 장치에서 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있다. 또, 반도체 칩(4a)은 반드시 전기적으로 기능시킬 필요는 없고, 반도체 장치의 열저항을 저감시키기 위한 더미 소자를 탑재하여도 좋다.
(부기 1)
반도체 소자와,
외부와 접속하는 외부 단자와,
상기 반도체 소자를 제 1 면에 탑재하고, 상기 제 1 면과 반대측 면에 외부 단자를 설치하여, 상기 반도체 소자와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 인터포저, 및
상기 인터포저의 제 1 면을 봉지하는 수지를 갖는 반도체 장치로서,
상기 외부 단자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 상기 수지의 외주 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖으며, 상기 수지에 내설되어 있는 배선을 갖는
것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 2)
반도체 소자와,
외부와 접속하는 외부 단자와,
상기 반도체 소자를 제 1 면에 탑재하고, 상기 제 1 면과 반대측 면에 외부 단자를 설치하여, 상기 반도체 소자와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 인터포저, 및
상기 인터포저의 제 1 면을 봉지하는 수지를 갖는 반도체 장치로서,
상기 반도체 소자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 상기 수지의 외주 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖으며, 상기 수지에 내설되는 동시에 상기 반도체 소자의 표면 상에 배설된 배선을 갖는
것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 3)
부기 1 또는 2 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 1 접속부와 제 2 접속부의 단면적이 다른 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 4)
부기 1 내지 3 중의 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 범프를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 5)
부기 1 내지 4 중의 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
복수의 상기 반도체 장치의 각각을 적층 고정한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 6)
부기 1 내지 5 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 차폐재를 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 7)
부기 1 내지 5 중의 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 안테나를 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 8)
부기 1 내지 5 중의 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 전자 부품을 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 9)
부기 1 내지 5 중의 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 제 2 접속부에 히트 싱크를 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 10)
부기 1 내지 3 중 어느 한 항 기재의 반도체 장치로서,
상기 반도체 소자에 다른 반도체 소자의 제 1 면을 접속시키고, 상기 다른 반도체 소자의 제 2 면 및 제 2 접속부에 히트 싱크를 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
(부기 11)
전극 패턴을 갖는 기판에 반도체 소자를 배설하는 소자 배설 공정과,
상기 반도체 소자와 상기 전극 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 공정과,
상기 전극 패턴 상에 배선 구멍을 갖는 마스크를 형성하고, 상기 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성하는 배선 형성 공정, 및
상기 마스크를 제거한 후, 상기 기판의 상기 반도체 소자와 상기 배선이 형성된 면에, 상기 배선의 일부가 외부로 노출하도록 수지 형성을 행하는 수지 형성 공정
을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
(부기 12)
전극 패턴을 갖는 기판에 반도체 소자를 배설하는 소자 배설 공정과,
상기 반도체 소자와 상기 전극 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 공정과,
상기 전극 패턴 상에 배선을 형성하도록 상기 기판의 상기 반도체 소자의 배설 면에 수지를 형성하는 수지 형성 공정, 및
상기 배선 구멍에 도전재를 도입함으로써, 상기 수지 내에 배선을 형성하는 배선 형성 공정
을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
이상 설명한 바와 같이 청구항 1 기재의 발명에 의하면, 외부 단자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 수지의 외부 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖는 배선이 설치되어 있다. 이 배선에 의해서 외부 단자와 제 2 접속부에 접촉한 다른 전극과 전기적으로 접속시킬 수 있어, 복수의 동형의 반도체 장치에서의 적층 구조가 가능하게 된다. 따라서, 이 배선에 의해서 효율적으로 반도체 장치를 적층하여 일체화 할 수 있어, 3차원 구조의 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다. 또, 배선을 수지 내에 설치함으로써 최단의 배선을 배설할 수 있어, 간단한 패키지 구조의 반도체 장치를 제공할 수 있다.
청구항 2 기재의 발명에 의하면, 배선의 제 1 접속부를 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 반도체 소자의 표면 상에 배설함으로써, 배선의 배설 위치의 자유도를 향상시킬 수 있다.
청구항 3 기재의 발명에 의하면, 배선의 제 1 접속부와 제 2 접속부의 단면적을 다르게 함으로써 배선의 총체적을 작게 할 수 있어, 배선의 임피던스를 억제할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 고속화를 도모할 수 있다. 또, 배선의 형성시간을 단축할 수 있는 동시에, 반도체 장치의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
청구항 4 기재의 발명에 의하면, 제 2 접속부에 설치된 범프에 의해서, 반도체 장치의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
청구항 5 기재의 발명에 의하면, 복수의 동형의 반도체 장치를 적층 고정함으로써, 반도체 장치의 적층 구조의 용적을 작게 할 수 있다. 즉, 반도체 장치의 3차원 구조로서 실장 밀도의 향상을 도모할 수 있다.
청구항 6 기재의 발명에 의하면, 제 2 접속부에 안테나를 설치함으로써, 무선신호의 송수신에 적용하는 것이 가능하다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰성 및 기능성을 향상시킬 수 있다.
청구항 7 기재의 발명에 의하면, 제 2 접속부에 다른 기능을 갖는 전자 부품을 설치함으로써, 반도체 장치의 기능성, 범용성을 향상시킬 수 있다.
청구항 8 기재의 발명에 의하면, 반도체 소자에 접속한 다른 반도체 소자의 뒷면 및 제 2 접속부에 히트 싱크를 재치함으로써, 반도체 장치에서 발생한 열을 효율적으로 방출할 수 있다. 따라서, 반도체 장치의 신뢰성 및 기능성을 향상시킬 수 있다.
청구항 9 기재의 발명에 의하면, 전극 패턴 상에 배선 구멍을 갖는 마스크를 형성하고, 이 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성한 후에, 기판의 반도체 소자와 배선의 형성된 면에 수지로 봉지함으로써, 복수의 동형의 반도체 장치에서의 적층이 가능하게 된다.
청구항 10 기재의 발명에 의하면, 전극 패턴 상에 배선 구멍을 형성하도록기판의 반도체 소자의 배설 면을 수지로 봉지한 후에, 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성함으로써, 복수의 동형의 반도체 장치에서의 적층이 가능하게 된다.

Claims (10)

  1. 반도체 소자와,
    외부와 접속하는 외부 단자와,
    상기 반도체 소자를 제 1 면에 탑재하고, 상기 제 1 면과 반대측 면에 외부 단자를 설치하여, 상기 반도체 소자와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 인터포저(interposer), 및
    상기 인터포저의 제 1 면을 봉지하는 수지를 갖는 반도체 장치로서,
    상기 외부 단자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 상기 수지의 외주 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖으며, 상기 수지에 내설되어 있는 배선을 갖는
    것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 반도체 소자와,
    외부와 접속하는 외부 단자와,
    상기 반도체 소자를 제 1 면에 탑재하고, 상기 제 1 면과 반대측 면에 외부 단자를 설치하여, 상기 반도체 소자와 상기 외부 단자를 전기적으로 접속하는 인터포저, 및
    상기 인터포저의 제 1 면을 봉지하는 수지를 갖는 반도체 장치로서,
    상기 반도체 소자와 전기적으로 접속하는 제 1 접속부 및 상기 수지의 외주 표면에 노출하는 제 2 접속부를 갖으며, 상기 수지에 내설되는 동시에 상기 반도체소자의 표면 상에 배설된 배선을 갖는
    것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 접속부와 제 2 접속부의 단면적이 다른 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 접속부에 범프를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 중 어느 한 항에 있어서,
    복수의 상기 반도체 장치의 각각을 적층 고정한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 접속부에 안테나를 재치(載置)한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 5 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 접속부에 전자 부품을 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자에 다른 반도체 소자의 제 1 면을 접속시키고, 상기 다른 반도체 소자의 제 2 면 및 제 2 접속부에 히트 싱크(heat sink)를 재치한 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 전극 패턴을 갖는 기판에 반도체 소자를 배설하는 소자 배설 공정과,
    상기 반도체 소자와 상기 전극 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 공정과,
    상기 전극 패턴 상에 배선 구멍을 갖는 마스크를 형성하고, 상기 배선 구멍에 도전재를 도입하여 배선을 형성하는 배선 형성 공정, 및
    상기 마스크를 제거한 후, 상기 기판의 상기 반도체 소자 및 상기 배선이 형성된 면에 상기 배선의 일부가 외부로 노출하도록 수지 형성을 행하는 수지 형성 공정
    을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 전극 패턴을 갖는 기판에 반도체 소자를 배설하는 소자 배설 공정과,
    상기 반도체 소자와 상기 전극 패턴을 전기적으로 접속하는 접속 공정과,
    상기 전극 패턴 상에 배선이 형성되도록 상기 기판의 상기 반도체 소자의 배설 면에 수지를 형성하는 수지 형성 공정, 및
    상기 배선 구멍에 도전재를 도입함으로써, 상기 수지 내에 배선을 형성하는배선 형성 공정
    을 실시하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
KR1020010024525A 2000-12-04 2001-05-07 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 KR100692441B1 (ko)

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Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010024525A KR100692441B1 (ko) 2000-12-04 2001-05-07 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6489676B2 (ko)
JP (1) JP3798620B2 (ko)
KR (1) KR100692441B1 (ko)
TW (1) TW529155B (ko)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7064444B2 (en) 2003-04-26 2006-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-chip ball grid array package
US7262080B2 (en) 2003-07-18 2007-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. BGA package with stacked semiconductor chips and method of manufacturing the same
KR100809702B1 (ko) * 2006-09-21 2008-03-06 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US8012797B2 (en) * 2009-01-07 2011-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for forming stackable semiconductor device packages including openings with conductive bumps of specified geometries
US8076765B2 (en) 2009-01-07 2011-12-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages including openings partially exposing connecting elements, conductive bumps, or conductive conductors
US8143101B2 (en) 2007-03-23 2012-03-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and the method of making the same
US8158888B2 (en) 2008-07-03 2012-04-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Circuit substrate and method of fabricating the same and chip package structure
US8198131B2 (en) 2009-11-18 2012-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages
US8278746B2 (en) 2010-04-02 2012-10-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages including connecting elements
US8405212B2 (en) 2009-12-31 2013-03-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
US8624374B2 (en) 2010-04-02 2014-01-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with fan-out and with connecting elements for stacking and manufacturing methods thereof
US9196597B2 (en) 2010-01-13 2015-11-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
US9349611B2 (en) 2010-03-22 2016-05-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof

Families Citing this family (267)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6710454B1 (en) 2000-02-16 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Adhesive layer for an electronic apparatus having multiple semiconductor devices
US6642613B1 (en) * 2000-05-09 2003-11-04 National Semiconductor Corporation Techniques for joining an opto-electronic module to a semiconductor package
US7034386B2 (en) * 2001-03-26 2006-04-25 Nec Corporation Thin planar semiconductor device having electrodes on both surfaces and method of fabricating same
US6930256B1 (en) 2002-05-01 2005-08-16 Amkor Technology, Inc. Integrated circuit substrate having laser-embedded conductive patterns and method therefor
US6730536B1 (en) 2001-06-28 2004-05-04 Amkor Technology, Inc. Pre-drilled image sensor package fabrication method
DE10231385B4 (de) * 2001-07-10 2007-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Halbleiterchip mit Bondkontaktstellen und zugehörige Mehrchippackung
US6613606B1 (en) * 2001-09-17 2003-09-02 Magic Corporation Structure of high performance combo chip and processing method
JP4014912B2 (ja) * 2001-09-28 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
SG104293A1 (en) 2002-01-09 2004-06-21 Micron Technology Inc Elimination of rdl using tape base flip chip on flex for die stacking
US6975035B2 (en) * 2002-03-04 2005-12-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for dielectric filling of flip chip on interposer assembly
SG115456A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Semiconductor die packages with recessed interconnecting structures and methods for assembling the same
SG115459A1 (en) * 2002-03-04 2005-10-28 Micron Technology Inc Flip chip packaging using recessed interposer terminals
SG121707A1 (en) 2002-03-04 2006-05-26 Micron Technology Inc Method and apparatus for flip-chip packaging providing testing capability
SG111935A1 (en) * 2002-03-04 2005-06-29 Micron Technology Inc Interposer configured to reduce the profiles of semiconductor device assemblies and packages including the same and methods
US6806559B2 (en) * 2002-04-22 2004-10-19 Irvine Sensors Corporation Method and apparatus for connecting vertically stacked integrated circuit chips
US7777321B2 (en) * 2002-04-22 2010-08-17 Gann Keith D Stacked microelectronic layer and module with three-axis channel T-connects
US7633765B1 (en) 2004-03-23 2009-12-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package including a top-surface metal layer for implementing circuit features
US9691635B1 (en) 2002-05-01 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Buildup dielectric layer having metallization pattern semiconductor package fabrication method
US7548430B1 (en) 2002-05-01 2009-06-16 Amkor Technology, Inc. Buildup dielectric and metallization process and semiconductor package
JP4363823B2 (ja) 2002-07-04 2009-11-11 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置の実装システム
US20040036170A1 (en) * 2002-08-20 2004-02-26 Lee Teck Kheng Double bumping of flexible substrate for first and second level interconnects
US7205647B2 (en) * 2002-09-17 2007-04-17 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having package stacked over ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages
US6972481B2 (en) * 2002-09-17 2005-12-06 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module including stacked-die package and having wire bond interconnect between stacked packages
US7053476B2 (en) * 2002-09-17 2006-05-30 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having package stacked over die-down flip chip ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages
US7064426B2 (en) * 2002-09-17 2006-06-20 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having wire bond interconnect between stacked packages
US6838761B2 (en) * 2002-09-17 2005-01-04 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having wire bond interconnect between stacked packages and having electrical shield
US20040061213A1 (en) 2002-09-17 2004-04-01 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having package stacked over die-up flip chip ball grid array package and having wire bond interconnect between stacked packages
WO2004027823A2 (en) * 2002-09-17 2004-04-01 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having wire bond interconnection between stacked packages
US7034387B2 (en) 2003-04-04 2006-04-25 Chippac, Inc. Semiconductor multipackage module including processor and memory package assemblies
US6906416B2 (en) 2002-10-08 2005-06-14 Chippac, Inc. Semiconductor multi-package module having inverted second package stacked over die-up flip-chip ball grid array (BGA) package
KR100608327B1 (ko) 2002-12-26 2006-08-04 매그나칩 반도체 유한회사 비지에이 패키지의 적층 방법
KR100498470B1 (ko) * 2002-12-26 2005-07-01 삼성전자주식회사 적층형 반도체 패키지 및 그 제조방법
US7229201B2 (en) * 2003-03-26 2007-06-12 Optim Inc. Compact, high-efficiency, high-power solid state light source using a single solid state light-emitting device
US7371607B2 (en) 2003-05-02 2008-05-13 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device
JP3912318B2 (ja) 2003-05-02 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP3786103B2 (ja) * 2003-05-02 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、電子デバイス、電子機器および半導体装置の製造方法
DE10320646A1 (de) * 2003-05-07 2004-09-16 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil, sowie Systemträger und Nutzen zur Herstellung desselben
JP4503349B2 (ja) * 2003-05-14 2010-07-14 パナソニック株式会社 電子部品実装体及びその製造方法
JP3685185B2 (ja) * 2003-06-27 2005-08-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7145226B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-05 Intel Corporation Scalable microelectronic package using conductive risers
KR100604821B1 (ko) * 2003-06-30 2006-07-26 삼성전자주식회사 적층형 볼 그리드 어레이 패키지 및 그 제조방법
US7144640B2 (en) * 2003-08-01 2006-12-05 Agency For Science, Technology And Research Tilted media for hard disk drives and magnetic data storage devices
KR100574947B1 (ko) * 2003-08-20 2006-05-02 삼성전자주식회사 Ｂｇａ 패키지, 그 제조방법 및 ｂｇａ 패키지 적층 구조
DE10339609A1 (de) * 2003-08-28 2005-03-24 Forschungszentrum Karlsruhe Gmbh Oligonukleotid, Verfahren und System zur Detektion von Antibiotikaresistenz-vermittelnden Genen in Mikroorganismen mittels der Echtzeit-PCR
DE10343255B4 (de) * 2003-09-17 2006-10-12 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen einem Halbleiterchip in einem BGA-Gehäuse und einer Leiterplatte
DE10348620A1 (de) * 2003-10-15 2005-06-02 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit Gehäusedurchkontakten
US7091124B2 (en) 2003-11-13 2006-08-15 Micron Technology, Inc. Methods for forming vias in microelectronic devices, and methods for packaging microelectronic devices
US8084866B2 (en) 2003-12-10 2011-12-27 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices
US7345361B2 (en) * 2003-12-04 2008-03-18 Intel Corporation Stackable integrated circuit packaging
US8970049B2 (en) 2003-12-17 2015-03-03 Chippac, Inc. Multiple chip package module having inverted package stacked over die
KR101038490B1 (ko) * 2004-02-23 2011-06-01 삼성테크윈 주식회사 Ｒｆｉｄ용 안테나 내장형 반도체 패키지
DE102004009056B4 (de) * 2004-02-23 2010-04-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls aus mehreren stapelbaren Halbleiterbauteilen mit einem Umverdrahtungssubstrat
US11081370B2 (en) 2004-03-23 2021-08-03 Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. Methods of manufacturing an encapsulated semiconductor device
US10811277B2 (en) 2004-03-23 2020-10-20 Amkor Technology, Inc. Encapsulated semiconductor package
JP2005317861A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US20050247894A1 (en) 2004-05-05 2005-11-10 Watkins Charles M Systems and methods for forming apertures in microfeature workpieces
DE102004023307B3 (de) * 2004-05-11 2005-10-20 Infineon Technologies Ag Leistungs-Halbleiterbauteil
US8552551B2 (en) * 2004-05-24 2013-10-08 Chippac, Inc. Adhesive/spacer island structure for stacking over wire bonded die
US20050258527A1 (en) * 2004-05-24 2005-11-24 Chippac, Inc. Adhesive/spacer island structure for multiple die package
US20050269692A1 (en) 2004-05-24 2005-12-08 Chippac, Inc Stacked semiconductor package having adhesive/spacer structure and insulation
US7232754B2 (en) 2004-06-29 2007-06-19 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices and methods for forming interconnects in microelectronic devices
US7253511B2 (en) 2004-07-13 2007-08-07 Chippac, Inc. Semiconductor multipackage module including die and inverted land grid array package stacked over ball grid array package
US7187068B2 (en) * 2004-08-11 2007-03-06 Intel Corporation Methods and apparatuses for providing stacked-die devices
US7083425B2 (en) 2004-08-27 2006-08-01 Micron Technology, Inc. Slanted vias for electrical circuits on circuit boards and other substrates
US7300857B2 (en) 2004-09-02 2007-11-27 Micron Technology, Inc. Through-wafer interconnects for photoimager and memory wafers
US7109867B2 (en) * 2004-09-09 2006-09-19 Avery Dennison Corporation RFID tags with EAS deactivation ability
KR100688501B1 (ko) * 2004-09-10 2007-03-02 삼성전자주식회사 미러링 구조를 갖는 스택 ｂｏｃ 패키지 및 이를 장착한양면 실장형 메모리 모듈
KR101313391B1 (ko) 2004-11-03 2013-10-01 테세라, 인코포레이티드 적층형 패키징
US7271482B2 (en) 2004-12-30 2007-09-18 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
JP2006190767A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
US7262493B2 (en) * 2005-01-06 2007-08-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. System and method for mounting electrical devices
JP4185499B2 (ja) * 2005-02-18 2008-11-26 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体装置
TWI423401B (zh) 2005-03-31 2014-01-11 Stats Chippac Ltd 在上側及下側具有暴露基底表面之半導體推疊封裝組件
US7364945B2 (en) 2005-03-31 2008-04-29 Stats Chippac Ltd. Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity
US7429787B2 (en) 2005-03-31 2008-09-30 Stats Chippac Ltd. Semiconductor assembly including chip scale package and second substrate with exposed surfaces on upper and lower sides
US7354800B2 (en) 2005-04-29 2008-04-08 Stats Chippac Ltd. Method of fabricating a stacked integrated circuit package system
US7429786B2 (en) 2005-04-29 2008-09-30 Stats Chippac Ltd. Semiconductor package including second substrate and having exposed substrate surfaces on upper and lower sides
US7582960B2 (en) 2005-05-05 2009-09-01 Stats Chippac Ltd. Multiple chip package module including die stacked over encapsulated package
JP2006324568A (ja) * 2005-05-20 2006-11-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多層モジュールとその製造方法
US7394148B2 (en) * 2005-06-20 2008-07-01 Stats Chippac Ltd. Module having stacked chip scale semiconductor packages
US7795134B2 (en) 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
KR100656587B1 (ko) 2005-08-08 2006-12-13 삼성전자주식회사 금속 포스트를 매개로 연결된 적층 기판을 이용한 적층패키지
US7262134B2 (en) 2005-09-01 2007-08-28 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7863187B2 (en) 2005-09-01 2011-01-04 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces and methods for forming interconnects in microfeature workpieces
US7675152B2 (en) * 2005-09-01 2010-03-09 Texas Instruments Incorporated Package-on-package semiconductor assembly
US7622377B2 (en) * 2005-09-01 2009-11-24 Micron Technology, Inc. Microfeature workpiece substrates having through-substrate vias, and associated methods of formation
CA2621505C (en) * 2005-09-06 2015-06-30 Aviv Soffer 3-dimensional multi-layered modular computer architecture
JP4986435B2 (ja) * 2005-10-12 2012-07-25 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント 半導体装置、半導体装置の作成方法
FR2893764B1 (fr) * 2005-11-21 2008-06-13 St Microelectronics Sa Boitier semi-conducteur empilable et procede pour sa fabrication
US7344917B2 (en) * 2005-11-30 2008-03-18 Freescale Semiconductor, Inc. Method for packaging a semiconductor device
US8058101B2 (en) 2005-12-23 2011-11-15 Tessera, Inc. Microelectronic packages and methods therefor
US7768125B2 (en) 2006-01-04 2010-08-03 Stats Chippac Ltd. Multi-chip package system
US7456088B2 (en) 2006-01-04 2008-11-25 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including stacked die
US7737539B2 (en) * 2006-01-12 2010-06-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including honeycomb molding
US8409921B2 (en) * 2006-01-12 2013-04-02 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including honeycomb molding
JP2007194436A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Elpida Memory Inc 半導体パッケージ、導電性ポスト付き基板、積層型半導体装置、半導体パッケージの製造方法及び積層型半導体装置の製造方法
US7750482B2 (en) 2006-02-09 2010-07-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system including zero fillet resin
US8704349B2 (en) 2006-02-14 2014-04-22 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with exposed interconnects
JP4972968B2 (ja) * 2006-03-16 2012-07-11 富士通株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2007287762A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路素子とその製造方法および半導体装置
US20070262435A1 (en) * 2006-04-27 2007-11-15 Atmel Corporation Three-dimensional packaging scheme for package types utilizing a sacrificial metal base
US7564137B2 (en) * 2006-04-27 2009-07-21 Atmel Corporation Stackable integrated circuit structures and systems devices and methods related thereto
US7749899B2 (en) 2006-06-01 2010-07-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods and systems for forming interconnects in microelectronic workpieces
US7385283B2 (en) * 2006-06-27 2008-06-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Three dimensional integrated circuit and method of making the same
TWI376777B (en) * 2006-06-29 2012-11-11 Sandisk Corp Stacked, interconnected semiconductor packages and method of stacking and interconnecting semiconductor packages
US7550834B2 (en) * 2006-06-29 2009-06-23 Sandisk Corporation Stacked, interconnected semiconductor packages
US7615409B2 (en) * 2006-06-29 2009-11-10 Sandisk Corporation Method of stacking and interconnecting semiconductor packages via electrical connectors extending between adjoining semiconductor packages
KR100792352B1 (ko) * 2006-07-06 2008-01-08 삼성전기주식회사 패키지 온 패키지의 바텀기판 및 그 제조방법
US7629249B2 (en) 2006-08-28 2009-12-08 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having conductive interconnect structures formed by chemically reactive processes, and associated systems and methods
US7902643B2 (en) 2006-08-31 2011-03-08 Micron Technology, Inc. Microfeature workpieces having interconnects and conductive backplanes, and associated systems and methods
TWI336502B (en) * 2006-09-27 2011-01-21 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor package and semiconductor device and the method of making the same
US7550857B1 (en) 2006-11-16 2009-06-23 Amkor Technology, Inc. Stacked redistribution layer (RDL) die assembly package
US20080128890A1 (en) * 2006-11-30 2008-06-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and fabricating process thereof
JP4965989B2 (ja) * 2006-12-19 2012-07-04 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板および電子部品内蔵基板の製造方法
JP4423285B2 (ja) * 2006-12-19 2010-03-03 新光電気工業株式会社 電子部品内蔵基板および電子部品内蔵基板の製造方法
US8304923B2 (en) * 2007-03-29 2012-11-06 ADL Engineering Inc. Chip packaging structure
JP5003260B2 (ja) * 2007-04-13 2012-08-15 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100874924B1 (ko) * 2007-05-15 2008-12-19 삼성전자주식회사 칩 삽입형 매개 기판 및 이를 이용한 반도체 패키지
US7884457B2 (en) * 2007-06-26 2011-02-08 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with dual side connection
SG149710A1 (en) * 2007-07-12 2009-02-27 Micron Technology Inc Interconnects for packaged semiconductor devices and methods for manufacturing such devices
KR100885924B1 (ko) * 2007-08-10 2009-02-26 삼성전자주식회사 묻혀진 도전성 포스트를 포함하는 반도체 패키지 및 그제조방법
JP2007306039A (ja) * 2007-08-27 2007-11-22 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
SG150410A1 (en) 2007-08-31 2009-03-30 Micron Technology Inc Partitioned through-layer via and associated systems and methods
KR100881400B1 (ko) * 2007-09-10 2009-02-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 패키지 및 이의 제조 방법
JP5358077B2 (ja) * 2007-09-28 2013-12-04 スパンション エルエルシー 半導体装置及びその製造方法
US8481366B2 (en) * 2007-09-28 2013-07-09 Spansion Llc Semiconductor device and manufacturing method therefor
JP5081578B2 (ja) * 2007-10-25 2012-11-28 ローム株式会社 樹脂封止型半導体装置
US7884015B2 (en) 2007-12-06 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Methods for forming interconnects in microelectronic workpieces and microelectronic workpieces formed using such methods
US20090166889A1 (en) * 2007-12-31 2009-07-02 Rajen Murugan Packaged integrated circuits having surface mount devices and methods to form packaged integrated circuits
US8299590B2 (en) * 2008-03-05 2012-10-30 Xilinx, Inc. Semiconductor assembly having reduced thermal spreading resistance and methods of making same
JP2009302505A (ja) * 2008-05-15 2009-12-24 Panasonic Corp 半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP5248918B2 (ja) * 2008-05-28 2013-07-31 新光電気工業株式会社 電子部品装置及びその製造方法
US7888184B2 (en) * 2008-06-20 2011-02-15 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with embedded circuitry and post, and method of manufacture thereof
US7871861B2 (en) * 2008-06-25 2011-01-18 Stats Chippac Ltd. Stacked integrated circuit package system with intra-stack encapsulation
JP2010027848A (ja) * 2008-07-18 2010-02-04 Nec Electronics Corp 半導体パッケージ
US8183677B2 (en) * 2008-11-26 2012-05-22 Infineon Technologies Ag Device including a semiconductor chip
JP5012779B2 (ja) * 2008-12-08 2012-08-29 日本電気株式会社 半導体装置
US20170117214A1 (en) * 2009-01-05 2017-04-27 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device with through-mold via
US20100171206A1 (en) * 2009-01-07 2010-07-08 Chi-Chih Chu Package-on-Package Device, Semiconductor Package, and Method for Manufacturing The Same
US7863100B2 (en) * 2009-03-20 2011-01-04 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with layered packaging and method of manufacture thereof
US7960827B1 (en) 2009-04-09 2011-06-14 Amkor Technology, Inc. Thermal via heat spreader package and method
KR100913171B1 (ko) * 2009-04-27 2009-08-20 주식회사 이너트론 스택 패키지의 제조방법
US8623753B1 (en) * 2009-05-28 2014-01-07 Amkor Technology, Inc. Stackable protruding via package and method
US8222538B1 (en) 2009-06-12 2012-07-17 Amkor Technology, Inc. Stackable via package and method
US8241955B2 (en) 2009-06-19 2012-08-14 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with mountable inward and outward interconnects and method of manufacture thereof
US7927917B2 (en) * 2009-06-19 2011-04-19 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with inward and outward interconnects and method of manufacture thereof
US8310835B2 (en) * 2009-07-14 2012-11-13 Apple Inc. Systems and methods for providing vias through a modular component
JP5250502B2 (ja) * 2009-08-04 2013-07-31 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8471154B1 (en) 2009-08-06 2013-06-25 Amkor Technology, Inc. Stackable variable height via package and method
US7923304B2 (en) * 2009-09-10 2011-04-12 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof
US8264091B2 (en) * 2009-09-21 2012-09-11 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with encapsulated via and method of manufacture thereof
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
JP5425584B2 (ja) * 2009-10-15 2014-02-26 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US9941195B2 (en) 2009-11-10 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Vertical metal insulator metal capacitor
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8304286B2 (en) * 2009-12-11 2012-11-06 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with shielded package and method of manufacture thereof
US8390108B2 (en) * 2009-12-16 2013-03-05 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with stacking interconnect and method of manufacture thereof
US8508954B2 (en) 2009-12-17 2013-08-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Systems employing a stacked semiconductor package
US8536462B1 (en) 2010-01-22 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Flex circuit package and method
TWI419283B (zh) 2010-02-10 2013-12-11 Advanced Semiconductor Eng 封裝結構
CN102822962B (zh) * 2010-03-31 2015-12-09 京瓷株式会社 内插件及使用了该内插件的电子装置
US8742603B2 (en) * 2010-05-20 2014-06-03 Qualcomm Incorporated Process for improving package warpage and connection reliability through use of a backside mold configuration (BSMC)
US8300423B1 (en) 2010-05-25 2012-10-30 Amkor Technology, Inc. Stackable treated via package and method
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US20110291264A1 (en) 2010-06-01 2011-12-01 Daesik Choi Integrated circuit packaging system with posts and method of manufacture thereof
US8541872B2 (en) * 2010-06-02 2013-09-24 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with package stacking and method of manufacture thereof
US8482111B2 (en) 2010-07-19 2013-07-09 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages
US9159708B2 (en) * 2010-07-19 2015-10-13 Tessera, Inc. Stackable molded microelectronic packages with area array unit connectors
US8338229B1 (en) 2010-07-30 2012-12-25 Amkor Technology, Inc. Stackable plasma cleaned via package and method
US8717775B1 (en) 2010-08-02 2014-05-06 Amkor Technology, Inc. Fingerprint sensor package and method
US20120080787A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-05 Qualcomm Incorporated Electronic Package and Method of Making an Electronic Package
TWI508245B (zh) * 2010-10-06 2015-11-11 矽品精密工業股份有限公司 嵌埋晶片之封裝件及其製法
US8337657B1 (en) 2010-10-27 2012-12-25 Amkor Technology, Inc. Mechanical tape separation package and method
TWI451546B (zh) 2010-10-29 2014-09-01 Advanced Semiconductor Eng 堆疊式封裝結構、其封裝結構及封裝結構之製造方法
US8482134B1 (en) 2010-11-01 2013-07-09 Amkor Technology, Inc. Stackable package and method
US9748154B1 (en) 2010-11-04 2017-08-29 Amkor Technology, Inc. Wafer level fan out semiconductor device and manufacturing method thereof
US8525318B1 (en) 2010-11-10 2013-09-03 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
KR101075241B1 (ko) 2010-11-15 2011-11-01 테세라, 인코포레이티드 유전체 부재에 단자를 구비하는 마이크로전자 패키지
US9202715B2 (en) 2010-11-16 2015-12-01 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with connection structure and method of manufacture thereof
US20120139095A1 (en) * 2010-12-03 2012-06-07 Manusharow Mathew J Low-profile microelectronic package, method of manufacturing same, and electronic assembly containing same
US8557629B1 (en) 2010-12-03 2013-10-15 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having overlapped via apertures
US8535961B1 (en) 2010-12-09 2013-09-17 Amkor Technology, Inc. Light emitting diode (LED) package and method
US20120146206A1 (en) * 2010-12-13 2012-06-14 Tessera Research Llc Pin attachment
TWI445155B (zh) 2011-01-06 2014-07-11 Advanced Semiconductor Eng 堆疊式封裝結構及其製造方法
KR101828386B1 (ko) * 2011-02-15 2018-02-13 삼성전자주식회사 스택 패키지 및 그의 제조 방법
US9721872B1 (en) 2011-02-18 2017-08-01 Amkor Technology, Inc. Methods and structures for increasing the allowable die size in TMV packages
US9171792B2 (en) 2011-02-28 2015-10-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages having a side-by-side device arrangement and stacking functionality
US9013011B1 (en) 2011-03-11 2015-04-21 Amkor Technology, Inc. Stacked and staggered die MEMS package and method
KR101140113B1 (ko) 2011-04-26 2012-04-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스
US8618659B2 (en) 2011-05-03 2013-12-31 Tessera, Inc. Package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
KR101128063B1 (ko) 2011-05-03 2012-04-23 테세라, 인코포레이티드 캡슐화 층의 표면에 와이어 본드를 구비하는 패키지 적층형 어셈블리
US8927391B2 (en) * 2011-05-27 2015-01-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package-on-package process for applying molding compound
US8674516B2 (en) 2011-06-22 2014-03-18 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with vertical interconnects and method of manufacture thereof
KR101761818B1 (ko) * 2011-08-23 2017-08-04 삼성전자주식회사 전기음향 변환기 및 그 제조 방법
US8461676B2 (en) 2011-09-09 2013-06-11 Qualcomm Incorporated Soldering relief method and semiconductor device employing same
US8653674B1 (en) 2011-09-15 2014-02-18 Amkor Technology, Inc. Electronic component package fabrication method and structure
US8633598B1 (en) 2011-09-20 2014-01-21 Amkor Technology, Inc. Underfill contacting stacking balls package fabrication method and structure
US9029962B1 (en) 2011-10-12 2015-05-12 Amkor Technology, Inc. Molded cavity substrate MEMS package fabrication method and structure
US8836136B2 (en) 2011-10-17 2014-09-16 Invensas Corporation Package-on-package assembly with wire bond vias
US8586408B2 (en) * 2011-11-08 2013-11-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Contact and method of formation
US8610286B2 (en) * 2011-12-08 2013-12-17 Stats Chippac, Ltd. Semiconductor device and method of forming thick encapsulant for stiffness with recesses for stress relief in Fo-WLCSP
US8946757B2 (en) 2012-02-17 2015-02-03 Invensas Corporation Heat spreading substrate with embedded interconnects
US8372741B1 (en) 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9349706B2 (en) 2012-02-24 2016-05-24 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface
US9087830B2 (en) * 2012-03-22 2015-07-21 Nvidia Corporation System, method, and computer program product for affixing a post to a substrate pad
JP5825171B2 (ja) * 2012-03-28 2015-12-02 株式会社デンソー 電子装置およびその製造方法
US8922005B2 (en) 2012-04-11 2014-12-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for package on package devices with reversed stud bump through via interconnections
US8835228B2 (en) 2012-05-22 2014-09-16 Invensas Corporation Substrate-less stackable package with wire-bond interconnect
US9391008B2 (en) 2012-07-31 2016-07-12 Invensas Corporation Reconstituted wafer-level package DRAM
US9502390B2 (en) 2012-08-03 2016-11-22 Invensas Corporation BVA interposer
JP2012256935A (ja) * 2012-08-31 2012-12-27 Rohm Co Ltd 樹脂封止型半導体装置
US8866285B2 (en) * 2012-09-05 2014-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fan-out package comprising bulk metal
KR101419597B1 (ko) * 2012-11-06 2014-07-14 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US8975738B2 (en) 2012-11-12 2015-03-10 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with terminals on dielectric mass
KR101366461B1 (ko) 2012-11-20 2014-02-26 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
US9799592B2 (en) 2013-11-19 2017-10-24 Amkor Technology, Inc. Semicondutor device with through-silicon via-less deep wells
US8878353B2 (en) 2012-12-20 2014-11-04 Invensas Corporation Structure for microelectronic packaging with bond elements to encapsulation surface
US9368438B2 (en) 2012-12-28 2016-06-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Package on package (PoP) bonding structures
US9136254B2 (en) 2013-02-01 2015-09-15 Invensas Corporation Microelectronic package having wire bond vias and stiffening layer
JP6299066B2 (ja) * 2013-02-06 2018-03-28 株式会社ソシオネクスト 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2014170811A (ja) * 2013-03-01 2014-09-18 Sony Corp ＣＳＰ（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）
KR101488590B1 (ko) 2013-03-29 2015-01-30 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 디바이스 및 그 제조 방법
JP2015029055A (ja) * 2013-06-28 2015-02-12 株式会社デンソー 電子装置
US9034696B2 (en) 2013-07-15 2015-05-19 Invensas Corporation Microelectronic assemblies having reinforcing collars on connectors extending through encapsulation
US8883563B1 (en) 2013-07-15 2014-11-11 Invensas Corporation Fabrication of microelectronic assemblies having stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
US9023691B2 (en) 2013-07-15 2015-05-05 Invensas Corporation Microelectronic assemblies with stack terminals coupled by connectors extending through encapsulation
CN103489792B (zh) * 2013-08-06 2016-02-03 江苏长电科技股份有限公司 先封后蚀三维系统级芯片倒装封装结构及工艺方法
CN103390563B (zh) * 2013-08-06 2016-03-30 江苏长电科技股份有限公司 先封后蚀芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法
US9167710B2 (en) 2013-08-07 2015-10-20 Invensas Corporation Embedded packaging with preformed vias
US9685365B2 (en) 2013-08-08 2017-06-20 Invensas Corporation Method of forming a wire bond having a free end
US20150076714A1 (en) 2013-09-16 2015-03-19 Invensas Corporation Microelectronic element with bond elements to encapsulation surface
US9299650B1 (en) 2013-09-25 2016-03-29 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with single metal layer interposer and method of manufacture thereof
JP6260806B2 (ja) * 2013-09-27 2018-01-17 インテル・コーポレーション 両面ダイパッケージ
KR101607981B1 (ko) 2013-11-04 2016-03-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지용 인터포저 및 이의 제조 방법, 제조된 인터포저를 이용한 반도체 패키지
US9082753B2 (en) 2013-11-12 2015-07-14 Invensas Corporation Severing bond wire by kinking and twisting
US9087815B2 (en) 2013-11-12 2015-07-21 Invensas Corporation Off substrate kinking of bond wire
US9263394B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9379074B2 (en) 2013-11-22 2016-06-28 Invensas Corporation Die stacks with one or more bond via arrays of wire bond wires and with one or more arrays of bump interconnects
US9583456B2 (en) 2013-11-22 2017-02-28 Invensas Corporation Multiple bond via arrays of different wire heights on a same substrate
US9583411B2 (en) 2014-01-17 2017-02-28 Invensas Corporation Fine pitch BVA using reconstituted wafer with area array accessible for testing
US10971476B2 (en) 2014-02-18 2021-04-06 Qualcomm Incorporated Bottom package with metal post interconnections
US9214454B2 (en) 2014-03-31 2015-12-15 Invensas Corporation Batch process fabrication of package-on-package microelectronic assemblies
US10381326B2 (en) 2014-05-28 2019-08-13 Invensas Corporation Structure and method for integrated circuits packaging with increased density
US9646917B2 (en) 2014-05-29 2017-05-09 Invensas Corporation Low CTE component with wire bond interconnects
US9412714B2 (en) 2014-05-30 2016-08-09 Invensas Corporation Wire bond support structure and microelectronic package including wire bonds therefrom
US9735084B2 (en) 2014-12-11 2017-08-15 Invensas Corporation Bond via array for thermal conductivity
US9888579B2 (en) 2015-03-05 2018-02-06 Invensas Corporation Pressing of wire bond wire tips to provide bent-over tips
US9502372B1 (en) 2015-04-30 2016-11-22 Invensas Corporation Wafer-level packaging using wire bond wires in place of a redistribution layer
US9761554B2 (en) 2015-05-07 2017-09-12 Invensas Corporation Ball bonding metal wire bond wires to metal pads
JP6580889B2 (ja) * 2015-07-09 2019-09-25 ローム株式会社 半導体装置
WO2017052648A1 (en) * 2015-09-25 2017-03-30 Intel Corporation Microelectronic Package with Wireless Interconnect
US9490222B1 (en) 2015-10-12 2016-11-08 Invensas Corporation Wire bond wires for interference shielding
US10490528B2 (en) 2015-10-12 2019-11-26 Invensas Corporation Embedded wire bond wires
US10332854B2 (en) 2015-10-23 2019-06-25 Invensas Corporation Anchoring structure of fine pitch bva
US10181457B2 (en) 2015-10-26 2019-01-15 Invensas Corporation Microelectronic package for wafer-level chip scale packaging with fan-out
US9911718B2 (en) 2015-11-17 2018-03-06 Invensas Corporation ‘RDL-First’ packaged microelectronic device for a package-on-package device
US9659848B1 (en) 2015-11-18 2017-05-23 Invensas Corporation Stiffened wires for offset BVA
US9984992B2 (en) 2015-12-30 2018-05-29 Invensas Corporation Embedded wire bond wires for vertical integration with separate surface mount and wire bond mounting surfaces
TWM521008U (zh) * 2016-01-27 2016-05-01 Lite On Technology Corp 車燈裝置及其發光模組
DE102016110862B4 (de) * 2016-06-14 2022-06-30 Snaptrack, Inc. Modul und Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Modulen
US9935075B2 (en) 2016-07-29 2018-04-03 Invensas Corporation Wire bonding method and apparatus for electromagnetic interference shielding
US9960328B2 (en) 2016-09-06 2018-05-01 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US10290590B2 (en) * 2016-11-29 2019-05-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Stacked semiconductor device and method of manufacturing the same
US10299368B2 (en) 2016-12-21 2019-05-21 Invensas Corporation Surface integrated waveguides and circuit structures therefor
US11194766B2 (en) 2018-11-06 2021-12-07 Dropbox, Inc. Technologies for integrating cloud content items across platforms
WO2021245915A1 (ja) 2020-06-05 2021-12-09 三菱電機株式会社 パワー半導体装置及びその製造方法並びに電力変換装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04133451A (ja) * 1990-09-26 1992-05-07 Nec Corp 半導体集積回路パッケージ
US5200809A (en) * 1991-09-27 1993-04-06 Vlsi Technology, Inc. Exposed die-attach heatsink package
JPH07335783A (ja) * 1994-06-13 1995-12-22 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置ユニット
US5886408A (en) * 1994-09-08 1999-03-23 Fujitsu Limited Multi-chip semiconductor device
JP3294998B2 (ja) * 1996-07-24 2002-06-24 シャープ株式会社 半導体装置
US6329915B1 (en) * 1997-12-31 2001-12-11 Intermec Ip Corp RF Tag having high dielectric constant material
JP2000208698A (ja) * 1999-01-18 2000-07-28 Toshiba Corp 半導体装置
KR100260997B1 (ko) * 1998-04-08 2000-07-01 마이클 디. 오브라이언 반도체패키지
US6331450B1 (en) * 1998-12-22 2001-12-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device using group III nitride compound
US6348728B1 (en) * 2000-01-28 2002-02-19 Fujitsu Limited Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer
US6613606B1 (en) * 2001-09-17 2003-09-02 Magic Corporation Structure of high performance combo chip and processing method

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7064444B2 (en) 2003-04-26 2006-06-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Multi-chip ball grid array package
US7262080B2 (en) 2003-07-18 2007-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. BGA package with stacked semiconductor chips and method of manufacturing the same
US7528475B2 (en) 2003-07-18 2009-05-05 Samsung Electronics, Co., Ltd. BGA package with stacked semiconductor chips and method of manufacturing the same
KR100809702B1 (ko) * 2006-09-21 2008-03-06 삼성전자주식회사 반도체 패키지
US8143101B2 (en) 2007-03-23 2012-03-27 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and the method of making the same
US8158888B2 (en) 2008-07-03 2012-04-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Circuit substrate and method of fabricating the same and chip package structure
US8076765B2 (en) 2009-01-07 2011-12-13 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages including openings partially exposing connecting elements, conductive bumps, or conductive conductors
US8012797B2 (en) * 2009-01-07 2011-09-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method for forming stackable semiconductor device packages including openings with conductive bumps of specified geometries
US8198131B2 (en) 2009-11-18 2012-06-12 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor device packages
US8405212B2 (en) 2009-12-31 2013-03-26 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
US9196597B2 (en) 2010-01-13 2015-11-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
US9349611B2 (en) 2010-03-22 2016-05-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Stackable semiconductor package and manufacturing method thereof
US8278746B2 (en) 2010-04-02 2012-10-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages including connecting elements
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