KR100392242B1 - 웨이퍼 세정 시스템 - Google Patents

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KR100392242B1
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베르테크, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명의 웨이퍼 세정 시스템은 메가소닉 에너지를 이용하여, 웨이퍼에 적용된 세정 유체을 교반시킴으로써 반도체 웨이퍼를 세정한다. 음향 에너지원이 음향 에너지를 유체 내에 전달하는 길다란 석영 프로브를 진동시킨다. 한 가지 실시 형태의 프로브는 탱크 내에 중실의 원통형 세정부 및 상기 탱크의 외측에 직경이 증가하는 플레어된 후방부를 갖고 있다. 프로브의 큰 후방부 및 변환기에 음향적으로 결합된 열전달 부재가 변환기로부터 열을 전도한다. 열전달 부재 및 변환기용 하우징이 이들 구성품을 지지하며, 상기 하우징을 통하여 냉매를 전도하는 수단을 제공하여 변환기의 온도를 제어한다. 한 가지 구성에 있어서, 유체가 웨이퍼의 양쪽에 분무되는 한편 프로브는 상측에 근접하여 위치된다. 다른 구성에 있어서, 짧은 프로브는 그 단부면이 웨이퍼의 표면에 근접하게 배치되고, 프로브는 웨이퍼가 회전할 때 웨이퍼 위를 이동한다. 상기 프로브는 복수 개의 디스크 내의 중앙 구멍을 통해 배치되어 이러한 부재 그룹을 한 번에 세정한다.

Description

웨이퍼 세정 시스템 {WAFER CLEANING SYSTEM}
반도체 웨이퍼는 종종, 메가소닉 에너지(megasonic energy)가 전파되는 세정 용액에서 세정된다. 초음파보다 20배 이상 큰 주파수에서 동작하는 메가소닉 세정 시스템은 초음파 세정과 관련된 좋지 않은 부작용 없이 입자를 물질로부터 안전하고도 효과적으로 제거한다.
메가소닉 에너지 세정 장치는 트랜스미터에 결합된 압전 변환기(piezoelectric transducer)를 포함하는 것이 일반적이다. 상기 변환기는 전기적으로 여기되어 진동하고, 트랜스미터는 고주파 에너지를 처리 탱크 내의 액체에 전달한다. 메가소닉 에너지에 의해 생성된 세정 유체의 교반(agitation)은 반도체 웨이퍼 상의 입자를 유리(遊離)시킨다. 이와 같이 하여, 오염 물질이 웨이퍼의 표면으로부터 진동하여 제거된다. 한 가지 구성에 있어서, 유체는 탱크의 바닥으로부터 습식 처리 용기 내로 들어가서 용기의 상단에서 넘쳐 흐른다. 따라서, 오염 물질은 넘쳐 흐르는 유체에 의해 탱크로부터 제거될 수 있다.
초음파 에너지 및 압력하의 공기(air under pressure)를 이용하는 정전 복사 재생 장치(electrostatographic reproducing apparatuses)용 가스 충돌 및 흡입 세정 처리가 마렛(Maret)의 미국 특허 제4,111,546호에 개시되어 있다.
차오 등(Chao et al.)의 미국 특허 제5,316,591호에는 액화 가스의 캐비테이션(cavitation)에 의한 세정 처리가 개시되어 있다. 액화 가스를 세정 챔버 내에 도입하고 이 액화 가스를 캐비테이션 발생 수단에 노출시킴으로써 원하지 않는 물질을 기판으로부터 제거한다. 캐비테이션을 제공하는 혼(horn)의 형상은 상세하게 개시되어 있지 않고, 음파 교반(sonic agitation)을 세정조 내 특정 위치에 집중시키지 않는다.
프레이(Frei)의 미국 특허 제4,537,511호에는 세정 유체 탱크 내의 길다란 금속 튜브가, 탱크의 벽을 통하여 연장되어 상기 금속 튜브의 단부에 부착된 변환기에 의하여 종파 모드(longitudinal wave mode)로 여기되는 것이 개시되어 있다. 비교적 높은 내부 손실을 보상하기 위하여, 방사상의 장치(radiating arrangement)은 비교적 벽이 얇은 튜브형 부재를 사용한다.
반도체 웨이퍼의 세정에 이용할 수 있는 개선된 장치 및 방법에 대한 요구가 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 또는 매우 높은 수준의 청정도를 필요로 하는 품목을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 메가소닉 에너지 세정 시스템의 한 가지 실시 형태의 측면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 시스템의 측단면도이다.
도 3은 도 1에 도시한 프로브 어셈블리의 분해 사시도이다.
도 4는 본 발명에 따른 다른 프로브의 측면도이다.
도 5a∼5c는 본 발명에 사용될 수 있는 다른 프로브 선단부를 나타낸 도면이다.
도 6은 세정 유체를 웨이퍼의 상면에 분무하여 사용되는 본 발명에 따른 프로브의 개략도이다.
도 7은 도 6의 선 7-7을 따라 취한 단면도이다.
도 8은 웨이퍼의 양면을 세정하는 프로브의 개략도이다.
도 9a는 세정할 디스크를 관통하여 연장되는 도 1의 프로브의 개략도이다.
도 9b는 프로브 선단부용 캡의 부분 단면도이다.
도 9c는 다른 프로브 선단부용 캡의 부분 단면도이다.
도 10은 웨이퍼에 대하여 수직으로 배향된 프로브의 개략도이다.
도 11은 프로브를 지지부에 결합하는 다른 수단이 구비된 본 발명의 다른 실시 형태의 부분 측단면도이다.
본 발명의 한 가지 실시 형태에 있어서, 음향 에너지원과 같은 진동기가, 세정 탱크 내로 연장되는 길다란 프로브(probe)를 진동시켜 프로브에 근접한 제품의 표면을 세정한다. 열전달 부재가 프로브의 후방에 부착되어 장치의 온도를 제어한다. 상기 열전달 부재에 음향적으로 결합되고, 메가소닉 에너지원에 접속된 압전 변환기가 상기 프로브를 진동시키는 수단을 제공한다.
상기 길다란 프로브는 석영 또는 음향 에너지를 효과적으로 전달하는 비교적 불활성의 비오염 재료(non-contaminating material)로 제조된다. 상기 프로브는 선단부와 세정부 및 후방부를 포함한다. 프로브의 단면은 둥근 것이 바람직하고, 프로브의 세정부 단면의 직경은 에너지를 집중시키기 위하여 프로브의 후방부 단면의 직경보다 작다. 프로브의 세정부의 직경은 중실의 원통형 단면을 형성하도록 일정한 것이 바람직하다.
상기 프로브 후방부의 단면은 상기 원통형 단면의 일정 직경으로부터 플레어되거나 증가된다. 제1 실시 형태에 있어서, 상기 프로브 후방부의 단면의 직경은 점차적으로 증가한다. 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서, 상기 프로브 후방부 단면의 직경은 단계적으로 증가한다.
한 가지 실시 형태에 있어서, 상기 프로브는 스풀 형상(spool-shaped)의 금으로 도금된 알루미늄 열전달 부재에 음향적으로 결합된다. 한 가지 구성에 있어서, 상기 프로브는 열전달 부재에 접합되고, 다른 구성에 있어서 상기 프로브는 스프링 압력 하에서 상기 열전달 부재에 결합된다. 변환기가 열전달 부재의 다른 쪽에 음향적으로 결합되며, 열전달 부재와 변환기 모두 하우징 내에 수용된다. 하우징에는 프로브, 변환기, RF 에너지용 전기 변환기의 온도를 제어하는 냉매용 입구 및 출구가 마련된다.
하우징은 처리 탱크의 외측에 장착되어, 처리 탱크 벽의 개구를 관통하여 배치된 프로브에 대한 지지부를 제공한다. 상기 프로브는 반도체 웨이퍼에 평행하게 근접 배치된다. 스페이서(spacers) 또는 스탠드오프(stand-offs)가 변환기 및 프로브의 보다 큰 후방부를 탱크 외측에 위치시켜, 직경이 보다 작은 프로브 세정부 및 프로브 선단부가 탱크 내로 연장되도록 한다.
사용 시에, 상기 처리 탱크는 유체로 채워질 수 있고, 웨이퍼는 상기 처리 탱크 내에서 그 내면 상에서 상기 프로브에 근접하여 지지부 상에 배치되고, 상기 프로브는 메가소닉 에너지로 진동되어 탱크 내의 유체를 교반시킨다. 상기 웨이퍼는 세정할 웨이퍼의 전체 표면이 프로브에 근접하도록 회전하거나 그렇지 않으면 프로브에 대해 상대 이동한다. 상이한 프로브 장착 구성에 있어서, 상기 프로브는 웨이퍼에 대하여 상대 이동할 수 있다.
유체 내에 함침되는 대신에, 상기 프로브는 유체가 분무되는 웨이퍼 표면 부근에 배치될 수도 있다. 메가소닉 에너지는 유체층을 통하여 전달되며, 유리된 입자는 유체에 의하여 운반·배출된다.
다른 구성에 있어서, 중앙에 구멍이 있는 디스크는 프로브가 탱크 내에 배치된 하나 이상의 디스크를 관통하여 연장하게 함으로써 세정될 수 있다.
도 1∼3은 본 발명에 따라 제조된 메가소닉 에너지 세정 장치를 나타내는데,길다란 프로브(104)가 처리 탱크(101)의 벽(100)을 통해 삽입되어 있다. 도면에서 볼 수 있는 바와 같이, 상기 프로브는 용기 외부의 일단부에서 외팔보 방식으로 지지된다. 프로브(104)와 탱크벽 사이에 끼워진 적당한 O-링(102)이 처리 탱크(101)를 적절하게 밀봉한다. 하우징(120) 내에 수용된 열전달 부재(134)는 프로브(104)에 음향적 및 기계적으로 결합되어 있다. 하우징(120) 내에는 열전달 부재(134)에 음향적으로 결합된 압전 변환기(140)도 수용되어 있다. 전기 커넥터(142, 154, 126)가 변환기(140)와 음향 에너지원(도시 생략) 사이에 연결되어 있다.
상기 하우징은 냉매용 입구관(124) 및 출구관(122)을 지지하며, 그 하우징에는 전기 커넥터용 개구(152)가 형성되어 있다. 상기 하우징은 프로브용 개구(132)가 형성된 환형 플레이트(118)에 의하여 폐쇄된다. 이 플레이트는 탱크에 부착된다.
처리 탱크(101) 내에는, 지지부 즉 서셉터(susceptor)(108)가 프로브(104)에 평행하게 근접 배치된다. 서셉터(108)는 여러 가지 형태를 취할 수 있는데, 도시한 구조는 처리 탱크(101)의 바닥 벽을 통해 연장되는 샤프트(110) 상에 지지되는 허브(108c)에 연결된 복수 개의 스포크(108b)에 의해 지지되는 외측 림(outer rim)(108a)을 포함하고 있다. 탱크(101)의 외측에서, 샤프트(110)는 모터(112)에 연결되어 있다.
상기 길다란 프로브(104)는 음향 에너지를 효과적으로 전달하는 석영과 같은 비교적 불활성의 비오염 재료로 제조하는 것이 바람직하다. 석영 프로브는 대부분의 세정 용액에 만족스럽게 사용될 수 있지만, 불화수소산을 함유하는 용액은 석영을 에칭시킬 수 있다. 따라서, 사파이어(sapphire) 또는 탄화규소(silicon carbide) 또는 질화붕소(boron nitride)로 제조한 프로브를 석영 대신에 채택할 수 있다. 또한, 석영은 탄화규소 또는 유리질 탄소(vitreous carbon)와 같이 HF에 견딜 수 있는 재료로 코팅할 수도 있다.
상기 프로브(104)는 중실(中實)의 길다란, 일정한 단면의 세정부(104a) 및 후방부(104b)를 포함한다. 프로브의 단면은 둥근 것이 바람직하고, 프로브 세정부의 직경이 프로브 후방부의 직경보다 작은 것이 유리하다. 프로토타입 구조에 있어서, 후방부(104b)의 후면 면적은 세정부(104a)의 선단면 면적의 25배이다. 물론, 원형 이외의 다른 단면 형상을 채택할 수도 있다.
직경이 작은 원통형 세정부(104a)가 이 세정부(104a)의 길이를 따라 메가소닉 에너지를 집중하는 데에 바람직하다. 그러나, 상기 프로브의 직경은 프로브에 의하여 전달된 메가소닉 에너지에 의하여 발생되는 기계적 진동을 견디기에 충분하여야 한다. 프로토타입 구조에 있어서, 탱크 내에 수용된 프로브 원통부의 단면 직경은 약 0.4 인치였다.
프로브 세정부(104a)는 웨이퍼의 표면 영역 전체가 웨이퍼 세정 중에 프로브에 노출될 수 있도록 충분히 길어야 한다. 바람직한 실시 형태에 있어서, 웨이퍼가 프로브 하측에서 회전하기 때문에, 세정부(104b)의 길이는 적어도 웨이퍼의 중앙에 도달할 수 있을 만큼 충분히 길어야 한다. 따라서, 웨이퍼가 프로브 하측에서 회전함에 따라, 웨이퍼의 전체 표면 영역이 프로브에 근접하게 된다. 실제로, 프로브 선단부로부터의 메가소닉 진동은 웨이퍼의 중앙을 향하여 약간의 교반을 제공하기 때문에, 프로브는 웨이퍼의 중앙에 도달하지 못하는 경우에도 만족스럽게 기능할 수 있다.
상기 프로브의 길이는 미리 정해진 수의 파장에 의하여도 결정된다. 한 가지 실시 형태에 있어서, 프로브 세정부(104a)의 길이는 인가된 에너지 파장의 19배와 동일하다.
탱크의 외측에 배치된 프로브 후방부(104b)는 세정부(104a)의 직경보다 큰 직경으로 플레어된다. 도 1 내지 도 3에 도시한 본 발명의 제1 실시 형태에 있어서, 프로브 후방부의 단면 직경은 원통부(104d)까지 점차적으로 증가한다. 후방부(104b) 단부의 큰 표면적은 직경이 보다 작은 세정부(104a)에 집중되는 다량의 메가소닉 에너지를 전달하는 데에 유리하다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시 형태에 있어서, 프로브 후방부의 단면 직경은 점차적으로 증가하기보다는 단계적으로 증가한다. 단계적 증가는 메가소닉 에너지를 효과적으로 전달하는 파장의 배수에서 일어난다. 예를 들면, 한 가지 실시 형태에 있어서, 프로브의 가장 얇은 부분(158)의 길이는 파장의 약 19배이고, 다음으로 직경이 큰 부분(160)은 축방향 길이가 파장의 약 3배이며, 가장 직경이 큰 부분(162)은 축방향 길이가 파장의 약 4배이다. 이와 같이 하는 목적은 도 1의 테이퍼형 구조에서 얻은 결과를 시뮬레이트하려는 것이다.
도 5a∼5c는 프로브 선단부의 다른 실시 형태를 나타낸다. 이러한 상이한 프로브 선단부는 다른 방식으로는 평탄한 프로브 단부(157)에 의하여 덮이지 않는 웨이퍼 표면의 일부를 덮는 것을 도와준다. 프로브는 원뿔형 선단부(164), 반전된 원뿔형 선단부(166), 또는 둥근 선단부(168)를 가질 수 있다.
프로브의 큰 단부(104d)는 열전달 부재(134)에 음향적으로 결합되고, 그 부재에 의하여 물리적으로 지지된다. 상기 프로브의 단부면은 적합한 접착 재료에 의해 지지부에 접합 또는 접착되는 것이 바람직하다. 접합 재료 이외에, 도 3에 도시한 얇은 금속 스크린(141)이 프로브 단부와 열전달 부재(134) 사이에 개재되어 있다. 접착제로 채워진 작은 구멍이 있는 스크린은 접착제 그 자체로 얻는 연결보다 더욱 영구적인 진동 연결을 제공한다. 프로토타입 구조에 사용된 스크린은 접착제를 포획하는 포켓(pockets)을 스트랜드 사이에 형성하는 평탄한 스트랜드가 마련된 0.002 인치 두께의 팽창된 금속형이다. 채택된 접착제는 로스엔젤레스 소재 E.V. Roberts사의 제품으로서, 번호 5000의 수지 및 번호 61의 경화제에 의해 형성된다. 상기 스크린 재료는 미국 회사 Delkar에서 판매하고 있다. 상기 프로브는 프로브가 적절하게 물리적으로 지지되고 메가소닉 에너지가 프로브에 효과적으로 전달되는 한 열전달 부재에 클램프되거나 다른 방식으로 결합될 수 있다.
상기 열전달 부재(134)는 알루미늄, 또는 열 및 메가소닉 에너지를 양호하게 전달하는 다른 전도체로 제조할 수 있다. 도시된 구조에 있어서, 열전달 부재는 원통형이며, 그 부재에는 적정량의 냉매를 제공하여 장치를 적절히 냉각하기에 충분히 큰 냉매관으로서 기능하는 환형홈(136)이 마련되어 있다. 냉매홈(136)의 양 측면에 있는 작은 환형홈(138, 139)에는 O-링(135, 137)과 같은 적당한 시일이 끼워져서 냉매를 분리시키고 냉매가 변환기(140)에의 전기적 연결을 방해하는 것을 방지한다.
변환기(140)는 열전달 부재(134)의 평탄한 후면에 결합, 접착, 또는 음향적으로 결합된다. 적당한 접합 재료로는 캘리포니아 가르데나 소재 Ablestick사 제품인 ECF 550이 있다. 변환기(140)는 디스크 형상이 바람직하며, 그 직경은 프로브 후방부(104d)의 후단부의 직경보다 커서 변환기로부터 프로브로의 음향 에너지 전달을 최대화한다. 상기 열전달 부재는 금으로 도금하여 알루미늄의 산화를 방지하고, 따라서 변환기와 프로브에의 보다 양호한 접합을 제공하는 것이 바람직하다.
변환기(140) 및 열전달 부재(134) 양자 모두는 원통 형상인 것이 바람직한 하우징(120) 내에 수용되어 있다. 상기 열전달 부재는 하우징(120) 내벽의 환형 리세스(annular recess)(133) 내에 수용되어 있다.
상기 하우징은 냉매에의 열전달을 용이하게 하도록 알루미늄으로 제조하는 것이 바람직하다. 하우징에는 액체 냉매의 출구관(122) 및 입구관(124)용 개구(144, 146)가 있다. 하우징(134)은 그 폐쇄된 단부에 전기 커넥터(126, 154)용 개구(152)가 있다. 개구(148, 150)는 가스 퍼지가 하우징(120)을 출입할 수 있게 해준다.
하우징(120)의 개방 단부는 프로브 후방부(104d)가 관통하여 연장되는 중앙 개구(132)가 마련된 환형 플레이트(118)에 부착된다. 상기 환형 플레이트는 그 외경이 하우징(120)을 지나 연장되고, 내측의 링형 구멍(131)을 통하여 2개의 링 형태로 형성된 복수 개의 구멍이 마련되며, 나사와 같은 복수 개의 커넥터(120)는 환형 플레이트(118)를 하우징(120)에 부착하도록 연장된다. 환형 플레이트(118)는, 플레이트의 링 형태의 외측 구멍(130)을 통해 연장되어 탱크벽(100) 내로 나사 결합되는 복수 개의 나사형 파스너(threaded fasteners)(117)에 의하여 탱크벽(100)에 장착된다. 또한, 상기 파스너는 플레이트(118)를 탱크벽으로부터 이격시키는 슬리브 즉 스페이서(116)를 관통한다. 상기 스페이서는 단지 프로브의 세정부 및 프로브 선단부가 탱크 내로 연장되도록 변환기 및 프로브의 플레어된 후방부(104b)를 탱크의 외측에 위치시킨다. 또한, 스페이서는 플레이트(118) 및 하우징을 탱크에서 어느 정도 이격시켜서, 열전달 부재, 하우징 및 플레이트로부터 벽으로의 진동을 최소화한다.
처리 탱크(101)는 웨이퍼를 오염시키지 않는 재료로 제조한다. 탱크에는 유체를 탱크 내로 도입하는 입구(도시 생략) 및 제품으로부터 제거된 입자를 운반·배출하기 위한 출구(도시되지 않음)가 있어야 한다.
반도체 웨이퍼의 크기가 증가하기 때문에, 한 카세트의 웨이퍼를 동시에 세정하기보다는, 하나의 웨이퍼를 한 번에 세정하는 세정 장치 및 방법을 사용하는 것이 더욱 실용적이며 비용이 적게 든다. 유리하게는, 본 발명의 프로브의 크기는 세정할 웨이퍼의 크기에 따라 길이가 변할 수 있다.
반도체 웨이퍼(106) 또는 세정할 다른 제품은 탱크(101) 내의 지지부(108) 상에 배치된다. 웨이퍼는 프로브와 웨이퍼 사이에서의 유체의 교반으로 웨이퍼 표면 상의 입자가 유리되도록 프로부에 충분히 근접 배치하여야 한다. 프로브와 웨이퍼 표면 사이의 간격은 약 0.1인치 이하가 바람직하다.
제품의 상면 전체가 진동 프로브(104)에 충분하게 근접되어 제품의 표면으로부터 입자를 제거하도록 모터(112)는 프로브(104) 하측에서 지지부(108)를 회전시킨다. 프로브와 웨이퍼(106) 사이에 필요한 상대 운동을 얻기 위하여, 웨이퍼가 프로브 하측에서 횡방향으로 이동하는 구성이 제공될 수 있다. 또한, 지지부(108)는 제 위치에 그대로 있는 반면 프로브는 웨이퍼(106)의 표면 위에서 이동하는 구성이 제공될 수 있다.
압전 변환기(140)가 전기적으로 여기되면, 압전 변환기는 고주파로 진동한다. 변환기는 프로브 크기에 일치하는 전압을 가진 메가소닉 주파수로 여기되는 것이 바람직하다. 진동은 열전달 부재(134)를 통해 길다란 프로브(104)로 전달된다. 다음에, 프로브(104)는 고주파 에너지를 프로브와 웨이퍼 사이의 세정 유체 에 전달한다. 이 구성의 중요한 장점 중 한 가지는 프로브의 큰 후방부가 큰 변환기를 수용할 수 있고, 프로브의 작은 전방부는 메가소닉 진동을 작은 영역 내에 집중시켜 입자 유리 능력을 최대화한다는 것이다. 프로브와 웨이퍼 사이의 충분한 유체 물질은 에너지를 프로브와 웨이퍼 사이의 작은 간극을 가로질러 효과적으로 전달하여 원하는 세정을 달성한다. 웨이퍼(106)의 표면 영역은 프로브(104)에 근접한 범위 내에 있기 때문에, 프로브(104)와 웨이퍼(106) 사이의 유체 교반은 반도체 웨이퍼(106) 상의 입자를 유리시킨다. 따라서, 오염 물질은 웨이퍼(106) 표면으로부터 진동으로 제거된다. 유리된 입자는 유체의 연속적인 유동에 의하여 운반될 수 있다.
변환기(140)에 큰 와트수(wattage)를 인가하면 상당한 열이 발생되고, 이는 변환기(140)의 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 냉매를 하우징(120)을 통해 펌핑하여 열전달 부재(134)와 변환기를 냉각시킨다.
물과 같은 액체인 것이 바람직한 제1 냉매가 하우징(120)의 한 측면으로 도입되어 열전달 부재(134) 주위를 순환하고 하우징(120)의 타단부에서 빠져나간다. 열전달 부재(134)는 열전도성이 양호한 재료로 제조되기 때문에, 상당량의 열이 액체 냉매에 의하여 용이하게 전달되어질 수 있다. 물론, 냉각 속도는 냉매의 유량 및/또는 온도를 변화시킴으로써 용이하게 모니터할 수 있다.
제2의 선택적인 냉매가 하우징의 폐쇄 단부에 형성된 개구(148, 150)를 통하여 하우징(120)을 출입함으로써 변환기 위를 순환한다. 변환기(140) 및 전기 배선(142, 154) 때문에, 질소와 같은 불활성 가스가 하우징의 이 부분에 냉매 또는 퍼지 가스로서 사용된다.
프로브 단부(104b)를 열전달 부재(134)에 결합하는 별법의 구성이 도 11에 도시되어 있다. 프로브를 열전달 부재(134)에 접합하는 대신에, 이른바 진공 그리스(vacuum grease)가 스크린(141)에 적용되고, 프로브는 코일 스프링(143)에 의하여 부재(134)에 압압된다. 진공 그리스는 누출되거나 용이하게 이동되는 일이 없이 조인트 타단쪽의 압력을 견딜 수 있는 점성 그리스이다. 프로토타입 구조에 있어서, 그리스 및 금속 스프링의 조합은 신뢰성 있는 음향 결합을 제공하였다. 도 11에서 볼 수 있는 바와 같이, 하우징(120)은 플레이트(118)에 직접 장착되는 대신에, 스탠드오프(145)에 의하여 플레이트(118)에 장착되어 있다. 슬리브(116) 및 파스너(117)는 도 2에 나타낸 것보다 짧아서, 플레이트(118)는 프로브의 테이퍼부를 둘러싼다. 이는 하우징(120)과 플레이트(118) 사이에 간극을 남겨 둔다. 코일 스프링(143)은 상기 간극 내에 배치되고, 플레이트(118)와 프로브의 테이퍼부 사이에서 압축된다. 따라서, 상기 스프링은 프로브를 열전달 부재(134)를 향해 압압한다. 이러한 구성은 프로브를 열전달 부재(134)에 음향적으로 결합한다. 금속 스프링이 석영 프로브에 손상을 가하지 않도록, 프로브에 인접한 스프링(143)의 제1 코일 위에 테프론 슬리브(Teflon sleeve)(149)를 배치하는 것이 바람직하다.
도 6은 상단부가 개방되어 있고 하측 단부에는 배수 라인(202)이 마련된 탱크(200)에 결합되어 있는 도 1의 프로브 어셈블리의 구성을 나타낸다. 프로브(104)가 슬롯(203)을 통해 탱크 내의 웨이퍼(106) 위로 연장하는 것이 도시되어 있는데, 상기 웨이퍼는 모터(212)에 의해 회전되는 샤프트(210)의 상단부에 배치된 허브(208c)에 결합되어 있는 복수 개의 스포크(208b)와, 환형 림(208a)을 포함하는 적당한 지지부(208) 상에 장착되어 있다.
사용할 때에, 탈이온수 또는 다른 세정 용액이 노즐(214)로부터 웨이퍼의 상면에 분무되는 한편, 프로브(104)는 음향적으로 여기된다. 상기 액체는 프로브의 하측부와 회전하는 웨이퍼의 인접 상측면 사이에 메니스커스(meniscus)(115)를 형성한다. 이는 도 7에 개략적으로 도시되어 있다. 상기 액체는 이를 통해 메가소닉 에너지가 웨이퍼의 표면으로 전달되어 입자를 유리시키는 매체를 제공한다. 이들 유리된 입자는 연속적으로 흐르는 스프레이 및 회전하는 웨이퍼에 의하여 세정되어 흐른다. 액체의 흐름이 차단되면, 수분을 제거하는 원심력에 의해 소정 정도의 건조 작용이 얻어진다.
상기 프로브 어셈블리는 적당한 지지부(116) 상에 장착될 수 있다. 상기 지지부는, 화살표(118)로 나타낸 바와 같이, 어셈블리를 상측으로 선회시켜 웨이퍼의 설치 및 제거를 용이하게 할 수 있다. 별법으로서, 슬롯(203)을 상단부가 폐쇄된 구멍으로서 형성할 수 있고, 프로브를 반경 방향으로 출입할 수 있게 할 수도 있다.
도 8은 도 7에 도시한 구조와는 다른 구성 또는 그 구조에 추가한 것을 도시하고 있는데, 웨이퍼의 하측 및 상측 모두가 세정된다. 스프레이 노즐(254)은 탱크(200)의 측벽을 관통하여 연장하고 세정 유체가 스포크(208b) 사이에서 웨이퍼(106)의 하면으로 분무되도록 상측으로 약간 경사지며, 웨이퍼가 회전할 때 하면 전체에 유체가 분무되도록 반경 방향 내측으로 향해 있다. 상기 웨이퍼는 도 6과 관련하여 전술한 것과 동일한 방식으로 프로브(104)에 의하여 메가소닉 에너지를 받는다. 이 교반은 웨이퍼가 회전할 때 프로브와 반경 방향으로 정렬되는 웨이퍼 하면의 유체뿐만 아니라, 웨이퍼를 진동시킨다. 이러한 교반은 웨이퍼 하측면 의 입자를 유리시키고, 입자는 웨이퍼의 하측면으로부터 낙하하는 유체로 세정되어 배출된다.
도 6 및 도 8의 웨이퍼에 적용하는 스프레이로서 각종의 유체를 채용할 수 있다. 액체 또는 고압 가스 외에, 이른바 드라이 아이스 스노우(dry ice snow)를 채용할 수도 있다. 캘리포니아 출라 비스타 소재 Va-Tran Systems, Inc.사에서 이러한 물질을 생산하여 적용하는 제품을 상표명 SND GUN으로 판매하고 있다. 이러한 접근 방식의 주요한 이점은 세정 후 처리 문제가 없다는 것이다. 오염 물질은 불활성의 무해한 증기류 중에서 세정 표면으로부터 운반·배출된다. 세정 매체의 처리 비용이 생략된다. SDN GUN 제품에 대한 광고문에 따르면, 드라이 아이스 스노우로 세정하면 건조 질소를 송풍하는 것보다 더욱 완전하게 입자가 제거된다고 설명하고 있다. 장치는 질소 제트로는 제거가 곤란하거나 불가능한 0.2 미크론과 같이 미세한 서브미크론 입자까지도 제거하는 것으로 기재되어 있다. 이러한 기술은 본 명세서에 참고로 통합하는 미국 특허 번호 제5,364,474호에 상세히 개시되어 있다.
도 9a를 참조하면, 도 1의 프로브 어셈블리가 탱크(300)의 벽에 장착되어 있는 상태가 도시되어 있다. 프로브(104)는 "콤팩트 디스크(compact disks)"(302)와 같은 복수 개의 수직으로 배향된 기판 내의 중앙 개구를 전체적으로 수평으로 관통하여 연장된다. 상기 디스크는 그 디스크의 구멍이 프로브와 정렬된 상태로, 탱크에 함침된 카세트(306) 내에 장착될 수도 있다. 다음에, 상기 디스크를 지지하는 카세트는 프로브가 디스크와 실제로 접촉하는 일이 없이 디스크의 구멍을 통해 연장되도록 측방향으로 이동될 수 있다. 탱크에는 디스크를 완전히 덮도록 탈이온수와 같은 액체가 채워진다. 다음에, 프로브는 도 1을 참조하여 전술한 방식으로 메가소닉 에너지에 의하여 진동된다. 프로브에 의하여 발생된 교반은 디스크 사이의 세정 액체 내로 전달되어 디스크 표면의 입자를 유리시킨다. 에너지는 디스크의 양면이 그 에너지에 노출되도록 프로브로부터 반경 방향 외측으로 전파된다. 세정 액체는 연속 흐름으로 용기 내에 도입되고, 상기 용기의 상단부로부터 넘쳐 흘러 상기 유리된 입자를 운반할 수 있다.
메가소닉 에너지 일부는 프로브 선단부가 액체 내에 함침되어 있는 프로브의 단부를 통해 전달되기 때문에, 도 9b에 나타낸 바와 같이 2개의 유리벽(306a, 306b) 사이에 공기 공간(308)을 포함하는 작은 캡(306)이 프로브의 선단에 위치한다. 메가소닉 에너지는 주위 공기를 통해서는 현저한 정도로 전달되지 않기 때문에, 상기 캡은 프로브의 단부를 통한 에너지의 손실을 방지한다. 도 9c에 나타낸 별법의 캡(310)은 프로브의 단부에 부착된 짧은 유리제 튜브(312)를 채용하고 있다. 도시된 바와 같이, 상기 튜브의 외경은 프로브의 외경과 동일하고, 프로브로부터 이격된 튜브의 외측 단부는 디스크(314)에 의하여 폐쇄되어 있다.
도 10은 본 발명의 프로브의 다른 실시 형태를 나타낸다. 도시된 프로브 어셈블리(400)는 프로브(404)가 도 1의 프로브(104)보다 훨씬 짧은 것을 제외하고는 도 1의 어셈블리와 유사하다. 또한, 프로브 어셈블리(400)는 프로브가 전체적으로 수직으로, 즉 수평 웨이퍼(106)의 표면과 직각으로 연장되는 상태로 배향되어 있다. 세정 유체는 웨이퍼의 상면에 적용되고, 프로브의 하측 선단부는 상기 유체와 접촉한다. 따라서, 메가소닉 에너지는 상기 매체를 통하여 웨이퍼의 표면으로 전달되어 입자를 유리시킨다. 프로브의 측면은 상기 매체에 노출되지 않기 때문에, 프로브의 수직면으로부터는 메가소닉 에너지가 감지할 정도로 전달되지 않는다. 대신에, 이러한 메가소닉 에너지는 선단부에 집중된다. 선단부는 웨이퍼의 전체 표면에 메가소닉 에너지를 인가하도록, 웨이퍼가 회전할 때 웨이퍼에 대하여 반경 방향으로 이동할 수 있다. 별법으로서, 상기 프로브는 상면 전체를 가로지를 수도 있다. 원하는 이동을 제공하는 메커니즘을 포함하고 있는 임의의 적당한 지지부(410)를 채택할 수도 있다.
전술한 바와 같이, 바람직한 실시 형태의 프로브 어셈블리는 석영과 같은 불활성 재료로 제조된 프로브 및 알루미늄과 같은 열전도성이 양호한 물질로 제조된, 상기 프로부의 후단에 결합되는 열전달 부재를 포함한다. 세정 유체와 접촉하고 웨이퍼 부근에 배치되는 것은 프로브의 원통부이기 때문에, 도 1의 부분(104a)과 같은 전방부를 불활성 재료로 제조하고 후방부(104b)는 알루미늄으로 제조하여, 열전달 부재(134)를 구비한 단일편으로 제조할 수 있는 별법의 구성을 안출할 수 있다. 이것은 물론, 두 구성품 사이의 조인트가 원통부(104a)의 후측에 위치한다는 것을 의미한다. 이러한 접합 영역이 도 1에 도시한 구성만큼 강하지 않을 수 있지만, 경우에 따라서는 유용할 수 있다.
한편, 프로브에 대하여 석영 또는 다른 불활성 재료를 채용할 필요가 없는 용례가 있을 수 있다. 대신에, 프로브 전체를 알루미늄 또는 다른 재료로 제조할 수 있다. 이 상황에서, 상기 열전달 부재는 프로브를 구비한 단일편으로 제조할 수 있다. 또한, 금속 프로브인 경우, 세정 유체를 프로브 자체를 통해 분무하는 것이 실용적일 수도 있다. 예를 들면, 도 10의 구성에 있어서, 유체 입구는 프로브의 직경이 큰 단부쪽에 위치하고, 출구는 직경이 작은 단부의 단부면에 위치할 수 있다. 특히, 드라이 아이스 스노우가 채용되는 경우, 유체는 변환기를 냉각하는 냉각제로서도 기능한다.
당업자라면, 본 발명의 범위를 벗어나는 일이 없이 여러 가지 변형 및 수정이 가능하고, 이러한 모든 변형 및 수정은 첨부된 청구의 범위에 한정된 본 발명의 범위 내에 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

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  52. 진동 에너지를 효과적으로 전달하는 불활성의 비오염 재료로 제조되며 단면이 일정한 긴 전방부를 갖고 있는 프로브, 열전달 부재 및 상기 프로브를 진동시키는 진동기를 포함하는 세정 장치로서,
    상기 열전달 부재는 상기 프로브보다 양호한 열전도체인 재료로 제조되고, 상기 프로브는 상기 전방부의 단면보다 단면이 큰 후방부를 갖고 있으며, 이 프로브 후방부에는 상기 열전달 부재의 단부면에 결합되는 단부면이 있고, 상기 진동기는 상기 열전달 부재의 반대쪽 단부면에 결합되어 상기 열전달 부재를 통하여 전달된 에너지로 상기 프로브를 메가소닉 방식으로 진동시켜, 상기 프로브의 길이를 따라 실질적인 횡방향 진동을 발생시킴으로써, 유체 메니스커스가 상기 프로브 전방부와 세정할 제품의 평탄면 사이에 위치할 때 상기 평탄면 상의 입자를 제거하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  53. 청구항 52에 있어서, 상기 프로브는 중실형이고, 상기 전방부 및 프로브 후방부 단부면은 원통 형상이며, 상기 후방부는 상기 전방부보다 단면적이 훨씬 크고, 상기 진동기는 상기 전방부 내에 집중된 진동 에너지를 최대화하도록 상기 프로브 전방부의 단면적보다 훨씬 큰 단면적을 갖고 있는 평탄한 변환기 형태인 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  54. 청구항 52에 있어서, 상기 프로브는 석영 또는 석영과 유사한 특성을 갖고 있는 다른 재료로 제조되고, 상기 열전달 부재는 알루미늄 또는 알루미늄과 유사한 열전달 특성을 갖고 있는 다른 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  55. 청구항 52 내지 청구항 54 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열전달 부재와 열전달 관계로 냉매를 순환시켜 상기 진동기에 의해 발생되는 열을 소산시키는 냉매 통로를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  56. 청구항 55에 있어서, 상기 열전달 부재 및 진동기를 둘러싸는 하우징을 포함하고, 상기 냉매 통로는 상기 진동기로부터 냉매를 격리시키는 방식으로 상기 하우징과 상기 열전달 부재 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  57. 청구항 56에 있어서, 상기 프로브가 관통하여 연장되는 구멍이 있는 플레이트가 상기 하우징에 부착되고, 상기 플레이트는 상기 하우징 및 상기 프로브의 후방부를 용기의 벽으로부터 이격시키면서 용기의 벽에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  58. 청구항 52 내지 청구항 54 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로브의 전방부가 상기 세정할 제품과 근접하여 위치할 때 상기 세정할 제품을 지지하기 위한 지지부가 내부에 마련된 용기를 포함하여, 상기 세정할 제품에 세정 유체가 적용될 때 상기 프로브의 전방부와 상기 세정할 제품 사이에 유체 메니스커스가 형성되는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  59. 청구항 52 내지 청구항 54 중 어느 한 항에 있어서, 금속 스크린과, 상기 프로브 후방부와 열전달 부재 사이에서 압축되어 상기 스크린에 적용되어 상기 프로브와 열전달 부재 사이를 효과적으로 결합하는 점성 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  60. 청구항 52 내지 청구항 54 중 어느 한 항에 있어서, 세정 유체를 수용하는 용기와, 이 용기 내에 전체적으로 평행한 배향으로 이격된 1개 이상의 디스크형 요소를 지지하는 지지부를 포함하여, 상기 프로브 전방부는 상기 요소의 중앙 개구를 통해 연장되어, 상기 디스크형 요소가 상기 세정 액체 내에 함침될 때 메가소닉 에너지가 상기 프로브로부터 상기 요소의 표면을 향하여 반경 방향 외측으로 전달됨으로써 상기 디스크형 요소 상의 입자를 유리시키는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  61. 청구항 52 내지 청구항 54 중 어느 한 항에 있어서, 상기 프로브 전방부와 세정할 제품의 표면 사이에 세정 유체를 적용하는 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
  62. 청구항 61에 있어서, 상기 세정할 제품의 반대쪽 표면에 세정 유체를 적용하는 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
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  65. 전체적으로 평탄한 세정할 물품용 지지부와,
    상기 물품 지지부에 인접하여 지지되도록 구성된 후방부와, 상기 물품 지지부 위로 연장하여, 상기 지지부 상에 배치되는 물품 위로 밀접하게 간격을 두고 위치하는 긴 전방부를 갖고 있는 진동 트랜스미터(vibration transmitter)와,
    상기 물품 위로 유체를 공급하기 위한 유체 공급원으로서, 상기 전방부는 상기 유체의 메니스커스가 상기 전방부와 물품 사이에 형성되도록 하기에 상기 물품에 충분히 가깝게 위치하는, 유체 공급원과,
    상기 진동 트랜스미터에 연결되고, 메가소닉 에너지를 상기 전방부를 통해 상기 전방부와 물품 사이의 유체 내로 전파시키는 주파수에서 진동하여 상기 물품 표면의 입자를 유리(遊離)시키도록 되어 있는 변환기
    를 포함하는 세정 장치.
  66. 청구항 65에 있어서, 상기 메니스커스가 유지되면서 상기 전방부와 지지부 사이에 상대 운동을 발생시키는 모터를 더 포함하는 것인 세정 장치.
  67. 청구항 66에 있어서, 상기 모터는 상기 지지부를 회전시키도록 연결되는 것인 세정 장치.
  68. 청구항 65에 있어서, 상기 전방부에는 상기 지지부 상에 배치되는 물품과 함께 상기 메니스커스를 형성하도록 구성된 하측의 긴 엣지가 포함되는 것인 세정 장치.
  69. 청구항 68에 있어서, 상기 엣지는 석영, 사파이어, 탄화규소, 질화규소, 탄화규소가 코팅된 석영 또는 유리질 탄소가 코팅된 석영으로 형성되는 것인 세정 장치.
  70. 청구항 65에 있어서, 상기 지지부는 그 지지부 상에 배치되는 물품의 하측면이 유체가 그 하측면에 가해질 수 있게 접근 가능하도록 구성되고, 상측면에 가해지는 메가소닉 에너지가 또한 상기 지지부 상에 배치되는 물품의 하측면에도 가해지도록 유체 공급원이 상기 하측면에 가해질 수 있는 것인 세정 장치.
  71. 평탄면이 있는 물품으로부터 입자를 유리시켜 제거하기 위한 세정 장치로서,
    상기 물품용 지지부와,
    상기 물품의 평탄면에 인접하여 대체로 평행하게 연장하는 긴 엣지를 포함하는 진동 트랜스미터와,
    세정 유체를 상기 엣지와 평탄면 사이에 가하도록 배치되는 유체 공급원으로서, 상기 엣지는 상기 유체 메니스커스가 상기 엣지를 따라 상기 엣지와 평탄면 사이에 형성되도록 상기 평탄면에 충분히 가깝게 위치하는 것인, 유체 공급원과,
    상기 엣지에 결합되고 상기 엣지를 통해 상기 메니스커스 내로 메가소닉 에너지를 전파시키는 주파수에서 진동하도록 되어 있는 변환기
    를 포함하는 것인 세정 장치.
  72. 청구항 71에 있어서, 상기 메니스커스가 유지되면서 상기 엣지와 평탄면 사이에 상대 운동을 발생시키는 모터를 더 포함하는 것인 세정 장치.
  73. 청구항 71에 있어서, 상기 유체 공급원은 유체를 상기 평탄면에 가하도록 배치되는 노즐을 포함하는 것인 세정 장치.
  74. 청구항 71에 있어서, 상기 진동 트랜스미터는 외팔보 방식으로 일단부로부터 지지되는 것인 세정 장치.
  75. 청구항 74에 있어서, 상기 일단부는 상기 지지부의 외측 엣지에 인접하는 것인 세정 장치.
  76. 청구항 71 내지 청구항 75 중 어느 한 항에 있어서, 상기 변환기에 인접한 영역으로 가스가 통과하여 도입될 수 있는 구멍이 마련된 벽을 포함하는 것인 세정 장치.
  77. 청구항 71 내지 청구항 75 중 어느 한 항에 있어서, 상기 변환기에 인접한 영역을 퍼지하거나 상기 변환기를 냉각하는 불활성 가스 공급원을 포함하는 것인 세정 장치.
  78. 청구항 71 내지 청구항 75 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진동 트랜스미터는 석영 또는 사파이어로 제조되는 것인 세정 장치.
  79. 청구항 71 내지 청구항 75 중 어느 한 항에 있어서, 상기 변환기 부근에 공간을 형성하는 엔클로저를 포함하며, 상기 엔클로저에는 가스를 상기 공간 내로 도입하기 위한 구멍이 마련되어 있는 것인 세정 장치.
  80. 2개의 평탄한 대향 측부가 있는 얇은 물품을 세정하기 위한 세정 장치로서,
    상기 물품용 지지부와,
    세정 유체를 상기 물품의 한 측부에 가하기 위한 도관과,
    상기 한 측부에 진동을 발생시켜 그 측부의 입자를 유리시키기에 충분한 파워로 유체 메니스커스 또는 유체층을 통해 상기 물품의 다른 측부에 진동을 가하도록 구성된 트랜스미터
    를 포함하는 것인 세정 장치.
  81. 청구항 80에 있어서, 상기 진동기의 진동을 상기 물품에 결합하여 상기 물품의 양측부의 입자를 유리시키기 위하여, 상기 진동기에 인접한 상기 물품의 다른 측부에 세정 유체를 가하기 위한 도관을 포함하는 것인 세정 장치.
  82. 청구항 80 또는 청구항 81에 있어서, 상기 지지부는 상기 물품을 실질상 수평한 위치로 지지하도록 구성되고, 상기 트랜스미터는 상기 물품의 상측부 위로 가깝게 이격하여 지지되는 것인 세정 장치.
  83. 반도체 웨이퍼의 표면에 근접하여 배치되도록 구성된 부분을 포함하는 진동 트랜스미터와,
    상기 트랜스미터에 결합되고, 메가소닉 에너지를 전파하여 상기 트랜스미터 부분을 진동시키는 주파수에서 진동하여 상기 부분이 세정할 물품의 표면에 근접하여 유체 메니스커스 또는 유체층을 통해 결합될 때 그 물품 상의 입자가 유리되도록 하는 변환기와,
    상기 변환기를 에워싸며, 가스를 하우징 내로 도입하여 상기 변환기 부근에서 흐르도록 하는 개구가 마련된 하우징
    을 포함하는 것인 반도체 세정 장치.
  84. 청구항 83에 있어서, 상기 트랜스미터는 외팔보 방식으로 지지되는 것인 반도체 세정 장치.
  85. 청구항 83 또는 청구항 84에 있어서, 상기 트랜스미터 부분은 석영으로 제조되는 것인 반도체 세정 장치.
  86. 청구항 83 또는 청구항 84에 있어서, 상기 물품용의 회전 가능한 지지부와, 세정 유체를 상기 물품 위로 가하여 상기 트랜스미터 부분과 물품 사이에 메니스커스를 형성하는 도관을 포함하는 것인 반도체 세정 장치.
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Families Citing this family (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US20050194356A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-08 Semitool, Inc. Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive
US20050034745A1 (en) * 1997-05-09 2005-02-17 Semitool, Inc. Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive
US20020066464A1 (en) * 1997-05-09 2002-06-06 Semitool, Inc. Processing a workpiece using ozone and sonic energy
US7163588B2 (en) * 1997-05-09 2007-01-16 Semitool, Inc. Processing a workpiece using water, a base, and ozone
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US6070284A (en) 1998-02-04 2000-06-06 Silikinetic Technology, Inc. Wafer cleaning method and system
ES2217778T3 (es) 1998-02-20 2004-11-01 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY Producto para eliminar manchas de alfombras que usa ondas sonicas o ultrasonicas.
EP1056830B1 (en) 1998-02-20 2005-04-20 The Procter & Gamble Company Garment stain removal product which uses sonic or ultrasonic waves
US6946399B1 (en) * 1998-10-05 2005-09-20 Lorimer D Arcy Harold Cleaning system method and apparatus for the manufacture of integrated cicuits
WO2000029535A1 (en) 1998-11-16 2000-05-25 The Procter & Gamble Company Cleaning product which uses sonic or ultrasonic waves
US6617760B1 (en) * 1999-03-05 2003-09-09 Cybersonics, Inc. Ultrasonic resonator
DE19916345A1 (de) * 1999-04-12 2000-10-26 Steag Electronic Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten
KR100469133B1 (ko) * 1999-06-24 2005-01-29 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 유체스프레이에 의한 세정방법 및 장치
US6222305B1 (en) 1999-08-27 2001-04-24 Product Systems Incorporated Chemically inert megasonic transducer system
US6904921B2 (en) * 2001-04-23 2005-06-14 Product Systems Incorporated Indium or tin bonded megasonic transducer systems
US6228563B1 (en) 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
ES2241673T3 (es) * 1999-11-16 2005-11-01 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY Procedimiento de limpieza que usa ondas ultrasonicas.
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
US6539952B2 (en) 2000-04-25 2003-04-01 Solid State Equipment Corp. Megasonic treatment apparatus
JP2001313317A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Ando Electric Co Ltd プローブの清掃方法及び清掃装置
WO2002001613A2 (en) 2000-06-26 2002-01-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US7451774B2 (en) 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US7105985B2 (en) * 2001-04-23 2006-09-12 Product Systems Incorporated Megasonic transducer with focused energy resonator
JP4114188B2 (ja) * 2001-06-12 2008-07-09 アクリオン テクノロジーズ， インコーポレイテッド メガソニック洗浄乾燥システム
US7100304B2 (en) * 2001-06-12 2006-09-05 Akrion Technologies, Inc. Megasonic cleaner and dryer
JP2003037093A (ja) * 2001-07-06 2003-02-07 Pacific Internatl Stg Inc 超音波振動装置及びそれを備えた超音波洗浄装置
US6730176B2 (en) * 2001-07-09 2004-05-04 Birol Kuyel Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus
US6684890B2 (en) 2001-07-16 2004-02-03 Verteq, Inc. Megasonic cleaner probe system with gasified fluid
US20050087209A1 (en) * 2001-07-16 2005-04-28 Nicolosi Thomas J.Jr. Megasonic processing system with gasified fluid
US7156111B2 (en) * 2001-07-16 2007-01-02 Akrion Technologies, Inc Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution
US6679272B2 (en) 2001-08-03 2004-01-20 Verteq, Inc. Megasonic probe energy attenuator
KR100741029B1 (ko) * 2001-08-08 2007-07-19 씨앤지하이테크 주식회사 메가소닉 에너지 발생장치
US7004182B2 (en) 2001-10-18 2006-02-28 The Procter & Gamble Company Enhanced ultrasonic cleaning devices
SG165984A1 (en) * 2001-11-02 2010-11-29 Product Systems Inc Radial power megasonic transducer
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
US6875284B2 (en) * 2002-01-23 2005-04-05 Semitool, Inc. Side-specific cleaning method and apparatus
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
KR100493016B1 (ko) * 2002-03-23 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치
US6845778B2 (en) * 2002-03-29 2005-01-25 Lam Research Corporation In-situ local heating using megasonic transducer resonator
KR100459710B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장비
US6848455B1 (en) * 2002-04-22 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species
US6843257B2 (en) * 2002-04-25 2005-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning system
US7185661B2 (en) * 2002-05-06 2007-03-06 Akrion Technologies, Inc. Reciprocating megasonic probe
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
KR100481158B1 (ko) * 2002-07-03 2005-04-07 (주)케이.씨.텍 웨이퍼 처리 장치
KR100468110B1 (ko) * 2002-07-12 2005-01-26 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치
CN1271683C (zh) * 2002-07-25 2006-08-23 松下电器产业株式会社 一种基板镀膜方法
US6908567B2 (en) * 2002-07-30 2005-06-21 Applied Materials Israel, Ltd. Contaminant removal by laser-accelerated fluid
KR100473475B1 (ko) * 2002-08-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
US20040029494A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Souvik Banerjee Post-CMP cleaning of semiconductor wafer surfaces using a combination of aqueous and CO2 based cryogenic cleaning techniques
EP1500128B1 (en) 2002-09-30 2007-06-20 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
CN1307716C (zh) * 2002-12-06 2007-03-28 诺亚公司 多方位储液槽导热装置与方法
US7306002B2 (en) * 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
US6864458B2 (en) * 2003-01-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Iced film substrate cleaning
KR100526192B1 (ko) * 2003-05-28 2005-11-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
EP1635960A2 (en) * 2003-06-06 2006-03-22 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
AU2003903659A0 (en) * 2003-07-16 2003-07-31 Soniclean Pty Ltd An apparatus and method of ultrasonic cleaning
KR100979719B1 (ko) * 2003-07-18 2010-09-03 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법
JP4241302B2 (ja) * 2003-09-30 2009-03-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
US6959589B1 (en) * 2003-10-03 2005-11-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Ultrasound analysis of slurries
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7311779B2 (en) * 2003-10-06 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Heating apparatus to heat wafers using water and plate with turbolators
US7323058B2 (en) * 2004-01-26 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7223308B2 (en) * 2003-10-06 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
US7654221B2 (en) 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
NZ543156A (en) * 2003-10-22 2008-09-26 Soniclean Pty Ltd An apparatus and method for cleaning and recycling water used in cleaning of barrels
US20060042671A1 (en) * 2003-10-24 2006-03-02 Connelly Rowan T Ultrasonic optical cleaning system
US7516507B1 (en) 2003-11-10 2009-04-14 Xyratex Technologies, Ltd. Integrated megasonic cascade scrubber module and process
US20050098198A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-12 Reg Yang Washing device for packaging the image
DE10361075A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
US20050173253A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infilm defect reduction for electrochemical copper deposition
US7439654B2 (en) * 2004-02-24 2008-10-21 Air Products And Chemicals, Inc. Transmission of ultrasonic energy into pressurized fluids
US7084553B2 (en) * 2004-03-04 2006-08-01 Ludwiczak Damian R Vibrating debris remover
CN1707746A (zh) * 2004-06-10 2005-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于处理半导体器件的光掩模的方法
JP4519541B2 (ja) * 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
JP2008506268A (ja) * 2004-07-09 2008-02-28 アクリオン・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 減圧下照射による処理方法及び装置
WO2006010997A1 (en) * 2004-07-16 2006-02-02 Darren Miles Bates An apparatus and method of ultrasonic cleaning
US20060027248A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaning with minimized interference
US7718009B2 (en) 2004-08-30 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface
KR101312298B1 (ko) * 2004-09-15 2013-09-27 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 소닉 에너지원에 전원을 공급하는 시스템 및 방법 및기판을 처리하기 위한 그들의 이용
KR100578139B1 (ko) * 2004-10-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 세정 프로브 및 이를 구비하는 메가소닉 세정 장비
KR100598112B1 (ko) * 2004-12-20 2006-07-07 삼성전자주식회사 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법
JP4407944B2 (ja) 2004-12-21 2010-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20090126760A1 (en) * 2005-01-12 2009-05-21 Boc, Inc. System for cleaning a surface using crogenic aerosol and fluid reactant
US9799536B2 (en) * 2005-02-07 2017-10-24 Planar Semiconductor, Inc. Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet
US10179351B2 (en) 2005-02-07 2019-01-15 Planar Semiconductor, Inc. Method and apparatus for cleaning flat objects with pulsed liquid jet
DE102005007056A1 (de) * 2005-02-15 2006-08-24 Dieter Weber Ultraschall-Stabschwinger
US20060260639A1 (en) * 2005-03-08 2006-11-23 Pejman Fani Method and system for processing substrates with sonic energy that reduces or eliminates damage to semiconductor devices
US7744016B2 (en) * 2005-05-26 2010-06-29 Honda Electronics Co., Ltd. Ultrasonic washing apparatus
WO2006138438A2 (en) * 2005-06-15 2006-12-28 Akrion, Inc. System and method of processing substrates using sonic energy having cavitation control
US20070084481A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Franklin Cole S System and method of cleaning substrates using a subambient process solution
KR101369197B1 (ko) * 2006-01-20 2014-03-27 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 평평한 물품을 처리하는 음향 에너지 시스템, 방법 및 장치
US9987666B2 (en) 2006-01-20 2018-06-05 Naura Akrion Inc. Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same
US20070170812A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Pejman Fani System apparatus and methods for processing substrates using acoustic energy
US9049520B2 (en) 2006-01-20 2015-06-02 Akrion Systems Llc Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
DE102006033372B4 (de) * 2006-02-17 2010-04-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ultraschallaktor zur Reinigung von Objekten
US20100200021A1 (en) * 2006-02-17 2010-08-12 Nils Adey Slide Conditioning Systems and Methods
WO2008008921A2 (en) * 2006-07-12 2008-01-17 Akrion Technologies, Inc. Tranducer assembly incorporating a transmitter having through holes, and method of cleaning
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
TW200817105A (en) * 2006-08-18 2008-04-16 Akrion Technologies Inc System and method for processing a substrate utilizing a gas stream for particle removal
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
KR100800174B1 (ko) * 2006-10-20 2008-02-01 한국기계연구원 메가소닉 세정모듈
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US20080166210A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Supinating cartesian robot blade
US20080163890A1 (en) * 2007-01-10 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Tunable megasonics cavitation process using multiple transducers for cleaning nanometer particles without structure damage
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
US7958899B2 (en) * 2007-08-21 2011-06-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
US7872400B2 (en) * 2007-09-24 2011-01-18 Dr. Hielscher Gmbh Ultrasonic device with a disk-shaped resonator
JP2009081366A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Elpida Memory Inc バッチ処理装置
US8040022B2 (en) * 2007-12-12 2011-10-18 Aprolase Development Co., Llc Forced vibration piezo generator and piezo actuator
US20100167943A1 (en) * 2008-06-09 2010-07-01 Nils Adey System and Method for Hybridization Slide Processing
US20110190153A1 (en) * 2008-06-09 2011-08-04 Nils Adey System and method for hybridization slide processing
JP4532580B2 (ja) 2008-08-20 2010-08-25 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置
US8702017B2 (en) * 2008-12-16 2014-04-22 Asm Assembly Automation Ltd Nozzle device employing high frequency wave energy
TWI483299B (zh) * 2009-01-09 2015-05-01 Acm Res Shanghai Inc 半導體矽片的清洗方法和裝置
TWI501297B (zh) * 2009-03-31 2015-09-21 Acm Res Shanghai Inc 半導體矽片的清洗方法和裝置
KR20110064511A (ko) * 2009-12-08 2011-06-15 삼성메디슨 주식회사 초음파 프로브 장치 및 그 제조방법
EP2611548A1 (de) * 2010-09-02 2013-07-10 Dr. Hielscher GmbH VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM VERNEBELN ODER ZERSTÄUBEN VON FLIEßFÄHIGEN MEDIEN
CN103250266B (zh) 2010-10-21 2016-06-15 Oled工厂有限责任公司 具有亮度分布控制装置的oled器件
JP5758111B2 (ja) * 2010-12-02 2015-08-05 株式会社ディスコ 切削装置
US8551251B2 (en) 2011-04-28 2013-10-08 Lam Research Ag Ultrasonic treatment method and apparatus
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US9117856B2 (en) 2011-07-06 2015-08-25 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having an air bearing support
US8486199B2 (en) 2011-07-22 2013-07-16 Lam Research Ag Ultrasonic cleaning method and apparatus
WO2013093183A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Vahterus Oy Ultrasonic cleaner for a heat exchanger
RU2524603C2 (ru) * 2012-06-27 2014-07-27 Михаил Олегович Мамонтов Способ гидрокавитационной очистки поверхности и устройство для его осуществления
CN103776477A (zh) * 2014-01-24 2014-05-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种摇摆式传感器组件
US10688536B2 (en) * 2014-02-24 2020-06-23 The Boeing Company System and method for surface cleaning
CN104894634A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 盛美半导体设备（上海）有限公司 新型电化学抛光装置
WO2018053678A1 (en) * 2016-09-20 2018-03-29 Acm Research (Shanghai) Inc. Methods and apparatus for cleaning substrates
CN107636799B (zh) 2015-05-20 2021-12-03 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体衬底的方法和装置
WO2017125242A1 (en) 2016-01-20 2017-07-27 DUSSAULT, Donald Herbert Method and apparatus for cleaning a disc record
JP7032816B2 (ja) 2016-09-19 2022-03-09 エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド 基板の洗浄方法及び洗浄装置
US20180147611A1 (en) * 2016-11-29 2018-05-31 1863815 Ontario Limited Apparatus, System and Method for Cleaning Inner Surfaces of Tubing
CN110072641B (zh) * 2016-12-20 2021-12-24 株式会社日立高新技术 超声波清洗器及使用了该超声波清洗器的自动分析装置
KR20190086859A (ko) * 2018-01-15 2019-07-24 삼성전자주식회사 기판 지지 기구 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
CN108704829A (zh) * 2018-07-18 2018-10-26 方安轩 一种密闭式超声波振动棒
CN109326538A (zh) * 2018-09-13 2019-02-12 江西展宇新能源股份有限公司 一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法
RU191310U1 (ru) * 2018-12-26 2019-08-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" Устройство для ультразвуковой очистки нанокалориметрических сенсоров
KR20220000409A (ko) * 2019-05-23 2022-01-03 램 리써치 코포레이션 챔버 컴포넌트 청정도 측정 시스템
MX2022005398A (es) * 2019-11-05 2022-05-24 Arcelormittal Metodo y equipo para la limpieza continua de una cinta metalica movible.
CN111299207B (zh) * 2019-12-24 2022-07-08 南阳弘利光电科技有限公司 一种旋转式光学镜片清洗装置
CN112547747A (zh) * 2020-11-04 2021-03-26 杭州瑚途科技有限公司 一种生产车间用的智能制造型打印机稳定防尘连接装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0044800A2 (de) * 1980-07-21 1982-01-27 TELSONIC AG für elektronische Entwicklung und Fabrikation Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung und Abstrahlung von Ultraschallenergie
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus

Family Cites Families (313)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2736173A (en) 1956-02-28 duncan
US556362A (en) * 1896-03-17 mcgill
US539075A (en) 1895-05-14 Apparatus for circulating and pumping liquids
US1313160A (en) 1919-08-12 Chini
US539074A (en) 1895-05-14 Device for circulating or pumping liquids
US728148A (en) 1902-10-18 1903-05-12 Frank M Wever Acid or other liquid distributing system.
US872494A (en) 1905-11-17 1907-12-03 Harvey Blackburn Beer-coil cleaner.
US1066993A (en) 1908-07-17 1913-07-08 Edward J Carey Apparatus for pickling meal.
US1845139A (en) 1928-06-12 1932-02-16 Exley William Herbert Apparatus for elevating acids and other liquids
US1896004A (en) 1931-01-28 1933-01-31 Lewis Benjamin Pipe cleaner
US2016926A (en) 1934-06-26 1935-10-08 Joss Equipment And Service Cor Apparatus for emptying and cleaning beer and other pipes
US2180274A (en) 1937-06-30 1939-11-14 Holmes W C & Co Ltd Pneumatic ejector plant
US2498737A (en) * 1946-06-07 1950-02-28 William H T Holden Electromechanical transducer
US2619974A (en) 1946-10-10 1952-12-02 John H Daley Reverse flow surge washer
US2934661A (en) * 1949-04-19 1960-04-26 Torrence H Chambers Transducer mounting
US2738173A (en) * 1952-04-09 1956-03-13 Massa Frank Reduction of friction between a fluid and the wall of a conduit through which the fluid is passing
US2699403A (en) * 1952-05-24 1955-01-11 Emmett J Courts Means and methods for cleaning and polishing automobiles
US2714575A (en) * 1952-07-03 1955-08-02 Horizons Titanium Corp Production of metallic titanium
US2713988A (en) 1953-04-27 1955-07-26 Donald M Kitterman Drawing valve for liquid containers
US2713998A (en) * 1953-05-18 1955-07-26 Eicken Henri Means for emulsifying sizing and the like products
CH280243A (de) * 1953-09-28 1952-01-15 Watch Mfg Co S A Gruen Verfahren zur Reinigung von Bestandteilen für Erzeugnisse der Präzisionsindustrie.
US2802476A (en) * 1954-06-10 1957-08-13 Detrex Corp Cleaning apparatus
GB807023A (en) 1954-07-01 1959-01-07 Libbey Owens Ford Glass Co Cleaning surfaces by vibration
US2814575A (en) * 1954-08-13 1957-11-26 Hodes Lange Corp Method and apparatus for cleaning ampoules with the aid of ultrasonic vibration
US2967120A (en) 1956-11-07 1961-01-03 John L Chaney Method and apparatus for cleaning thermometers
US3005417A (en) 1957-04-26 1961-10-24 United States Steel Corp Pneumatic system for pumping liquid
US2950725A (en) * 1958-03-26 1960-08-30 Detrex Chem Ind Ultrasonic cleaning apparatus
US3058014A (en) 1958-09-08 1962-10-09 Bendix Corp Apparatus for generating sonic vibrations in liquids
NL255983A (ko) * 1959-12-14
US3094314A (en) * 1960-08-02 1963-06-18 Detrex Chem Ind Sandwich type transducer and coupling
US3077155A (en) * 1960-08-08 1963-02-12 Pako Corp Device for treating photographic sheet material
US3113761A (en) * 1961-07-26 1963-12-10 Ultrasonic Ind Inc Ultrasonic tank housing
US3208157A (en) 1961-09-20 1965-09-28 Phillips Petroleum Co Regeneration of adsorbents
US3373752A (en) * 1962-11-13 1968-03-19 Inoue Kiyoshi Method for the ultrasonic cleaning of surfaces
US3163149A (en) 1963-03-04 1964-12-29 Lee R Ivey Mobile washer for laboratory animal cages
US3163148A (en) 1963-05-06 1964-12-29 Howard C Duren Diving plane
US3206167A (en) 1963-11-07 1965-09-14 Stanley Works Strap tensioner device with fulcrum means for pivotal removal of the device
US3396286A (en) 1965-01-21 1968-08-06 Linden Lab Inc Transducer assembly for producing ultrasonic vibrations
US3437543A (en) 1965-03-09 1969-04-08 Western Electric Co Apparatus for polishing
US3329408A (en) 1965-03-29 1967-07-04 Branson Instr Transducer mounting arrangement
US3371233A (en) 1965-06-28 1968-02-27 Edward G. Cook Multifrequency ultrasonic cleaning equipment
US3499792A (en) * 1965-08-11 1970-03-10 Soniflow Equipment Co Cleaning method and apparatus
US3415548A (en) 1965-09-16 1968-12-10 Ultrasonics Ltd Transducer mounting
US3449792A (en) * 1965-10-01 1969-06-17 Marrick Mfg Co Ltd Blow molding apparatus
GB1157645A (en) 1965-11-19 1969-07-09 Atomic Energy Authority Uk Improvements in Pickling Apparatus
US3301535A (en) 1966-01-04 1967-01-31 American Sterilizer Co Ultrasonic washing machine and transducer therefor
US3441754A (en) * 1966-05-31 1969-04-29 Linden Lab Inc Base mounted piezoelectric transducer assembly having intermediate stress absorbing member
US3401708A (en) * 1966-11-28 1968-09-17 Richard W. Henes Device for ultrasonically cleaning phonographic records
US3405916A (en) 1967-04-11 1968-10-15 Branson Instr Ultrasonic treatment apparatus
GB1239573A (ko) 1968-02-09 1971-07-21
US3511323A (en) * 1968-02-23 1970-05-12 Black & Decker Mfg Co Sonic tool with generally undamped mounting of nodal portion of transducer
US3445092A (en) 1968-02-28 1969-05-20 Bausch & Lomb Ultrasonic cleaning device
USB724600I5 (ko) 1968-04-26
GB1219228A (en) * 1968-05-17 1971-01-13 Lukas Zimmerman Automatic turret lathes
GB1282552A (en) 1968-06-06 1972-07-19 Szilard M Janos Ultrasonic cleaning appliance
US3607549A (en) 1968-10-09 1971-09-21 Gen Dynamics Corp Automatic chemical analyzer and controller
US3596883A (en) * 1968-11-08 1971-08-03 Branson Instr Ultrasonic apparatus
US3645581A (en) 1968-11-26 1972-02-29 Ind Modular Systems Corp Apparatus and method for handling and treating articles
US3628071A (en) 1970-05-01 1971-12-14 Branson Instr Mechanical amplitude transformer
CA933276A (en) * 1971-02-05 1973-09-04 J. Last Anthony Ultrasonic motor
US3694675A (en) * 1971-02-25 1972-09-26 Eastman Kodak Co Cooled ultrasonic transducer
US3676963A (en) * 1971-03-08 1972-07-18 Chemotronics International Inc Method for the removal of unwanted portions of an article
US3689783A (en) * 1971-03-11 1972-09-05 David A Williams Ultrasonic transducer with half-wave separator between piezoelectric crystal means
US3698408A (en) 1971-06-11 1972-10-17 Branson Instr Ultrasonic processing apparatus
US3700937A (en) * 1971-07-01 1972-10-24 Branson Instr Submersible ultrasonic transducer assembly
DE2133876A1 (de) 1971-07-07 1973-01-18 Siemens Ag Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen
US3720402A (en) 1971-07-09 1973-03-13 Soniclens Inc Ultrasonic cleaning device for fragile heat-sensitive articles
US3702519A (en) * 1971-07-12 1972-11-14 Chemotronics International Inc Method for the removal of unwanted portions of an article by spraying with high velocity dry ice particles
GB1399867A (en) 1971-09-27 1975-07-02 Ici Ltd Cleaning process
US3871914A (en) 1971-10-18 1975-03-18 Chemcut Corp Etchant rinse apparatus
US3881328A (en) 1971-12-22 1975-05-06 Economics Lab Electronic detergent dispensing system
US3972018A (en) * 1972-08-10 1976-07-27 Sparton Corporation Electromechanical transducer
US4027686A (en) * 1973-01-02 1977-06-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water
US3813311A (en) 1973-01-24 1974-05-28 Gen Motors Corp Process for etching silicon wafers
US3873071A (en) 1973-08-01 1975-03-25 Tatebe Seishudo Kk Ultrasonic wave cleaning apparatus
CH568101A5 (ko) 1973-09-11 1975-10-31 Beaud Jean Louis
US3851861A (en) 1973-09-18 1974-12-03 Thurman Mfg Co Ultrasonic cleaning device with temperature responsive cut-off
US3964957A (en) 1973-12-19 1976-06-22 Monsanto Company Apparatus for processing semiconductor wafers
US3900162A (en) * 1974-01-10 1975-08-19 Ibm Method and apparatus for generation of multiple uniform fluid filaments
US3937990A (en) * 1974-05-28 1976-02-10 Winston Ronald H Ultrasonic composite devices
US3893869A (en) * 1974-05-31 1975-07-08 Rca Corp Megasonic cleaning system
DE2434305C2 (de) 1974-07-17 1983-09-29 Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg Ätzanlage
US3973760A (en) * 1974-07-19 1976-08-10 Robert E. McClure Ultrasonic cleaning and sterilizing apparatus
US3945618A (en) 1974-08-01 1976-03-23 Branson Ultrasonics Corporation Sonic apparatus
US4038786A (en) * 1974-09-27 1977-08-02 Lockheed Aircraft Corporation Sandblasting with pellets of material capable of sublimation
JPS5141640A (en) 1974-10-05 1976-04-08 Kobe Steel Ltd Kanjosozaino naimensanaraisochi
US3977926A (en) 1974-12-20 1976-08-31 Western Electric Company, Inc. Methods for treating articles
US3953265A (en) 1975-04-28 1976-04-27 International Business Machines Corporation Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
US4029260A (en) 1975-10-02 1977-06-14 Herrick George A Cleaning and sanitizing apparatus
US4016436A (en) 1975-12-10 1977-04-05 Branson Ultrasonics Corporation Sonic or ultrasonic processing apparatus
GB1530978A (en) 1976-05-10 1978-11-01 Rca Corp Method for removing material from a substrate
US4062463A (en) 1976-05-11 1977-12-13 Machine Technology, Inc. Automated single cassette load mechanism for scrubber
US4111546A (en) * 1976-08-26 1978-09-05 Xerox Corporation Ultrasonic cleaning apparatus for an electrostatographic reproducing machine
US4079522A (en) 1976-09-23 1978-03-21 Rca Corporation Apparatus and method for cleaning and drying semiconductors
US4064885A (en) 1976-10-26 1977-12-27 Branson Ultrasonics Corporation Apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy
US4161356A (en) 1977-01-21 1979-07-17 Burchard John S Apparatus for in-situ processing of photoplates
US4062238A (en) * 1977-02-14 1977-12-13 Fischer & Porter Company Multi-range vortex-type flowmeter
SE7702537L (sv) * 1977-03-07 1978-09-08 Aga Ab Forfarande och anordning for att rengora en lutande eller vertikal yta pa ett optiskt element
JPS6034433B2 (ja) * 1977-03-07 1985-08-08 株式会社豊田中央研究所 超音波変換器
US4099417A (en) 1977-05-25 1978-07-11 Rca Corporation Method and apparatus for detecting ultrasonic energy
US4118649A (en) 1977-05-25 1978-10-03 Rca Corporation Transducer assembly for megasonic cleaning
US4159917A (en) 1977-05-27 1979-07-03 Eastman Kodak Company Method for use in the manufacture of semiconductor devices
JPS547874A (en) * 1977-06-20 1979-01-20 Nec Corp One side etching unit for semiconductor substrate
US4178188A (en) * 1977-09-14 1979-12-11 Branson Ultrasonics Corporation Method for cleaning workpieces by ultrasonic energy
JPS6018472B2 (ja) * 1977-11-14 1985-05-10 日本電気株式会社 回転式超音波洗浄装置
US4190015A (en) 1977-12-08 1980-02-26 Machine Technology, Inc. Apparatus for dispensing liquid to spinning workpieces
US4183011A (en) * 1977-12-22 1980-01-08 Fred M. Dellorfano, Jr. Ultrasonic cleaning systems
US4169807A (en) 1978-03-20 1979-10-02 Rca Corporation Novel solvent drying agent
JPS551114A (en) 1978-06-19 1980-01-07 Hitachi Ltd Method and device for washing wafer
US4164477A (en) 1978-10-02 1979-08-14 Chem-X3, Inc. Fungicidal detergent composition
US4323452A (en) 1979-11-01 1982-04-06 Caterpillar Tractor Co. Pumpless flow system for a corrosive liquid
DE3008386C2 (de) * 1980-03-05 1986-01-16 Seitz Enzinger Noll Maschinenbau Ag, 6800 Mannheim Füllelement für Gegendruck-Füllmaschinen
NL189237C (nl) * 1980-04-12 1993-02-16 Battelle Institut E V Inrichting voor het verstuiven van vloeistoffen.
US4464651A (en) * 1980-04-14 1984-08-07 Stanley Vemco Home security and garage door operator system
US4318749A (en) * 1980-06-23 1982-03-09 Rca Corporation Wettable carrier in gas drying system for wafers
JPS6116528Y2 (ko) 1980-08-01 1986-05-21
US4479849A (en) 1980-09-25 1984-10-30 Koltron Corporation Etchant removal apparatus and process
US4368757A (en) * 1980-09-29 1983-01-18 Sioux Steam Cleaner Corporation Cleaning apparatus and method
US4389820A (en) * 1980-12-29 1983-06-28 Lockheed Corporation Blasting machine utilizing sublimable particles
US5834871A (en) 1996-08-05 1998-11-10 Puskas; William L. Apparatus and methods for cleaning and/or processing delicate parts
JPS57135066A (en) 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
JPS57153638A (en) 1981-03-17 1982-09-22 Tokyo Shibaura Electric Co Ultrasonic probe enclosing case in ultrasonic diagnostic apparatus
US4401131A (en) * 1981-05-15 1983-08-30 Gca Corporation Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US4373944A (en) * 1981-08-10 1983-02-15 Owens-Illinois, Inc. Removal of glass particles from glass articles
US4408960A (en) 1981-09-11 1983-10-11 Logic Devices, Inc. Pneumatic method and apparatus for circulating liquids
US4501285A (en) 1982-04-05 1985-02-26 Sonobond Ultrasonics, Inc. Ultrasonic cleaning apparatus
DE3212916A1 (de) * 1982-04-06 1983-10-13 Markku 02170 Espoo Hakala Verfahren und vorrichtung zum reinigen im seidendruck verwendeter seidentuecher
US4635655A (en) 1982-04-19 1987-01-13 Paradise Norman P Hair-waving rod
US4426246A (en) * 1982-07-26 1984-01-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
US4489740A (en) * 1982-12-27 1984-12-25 General Signal Corporation Disc cleaning machine
US4461651A (en) * 1983-02-08 1984-07-24 Foster Wheeler Limited Sonic cleaning device and method
SE440719B (sv) * 1983-06-17 1985-08-12 Holmstrands Plaatindustri Ab Sett och anordning vid rengoring av kretskort, som tidigare underkastats en lodningsoperation med flussmedel
US4565942A (en) * 1983-07-01 1986-01-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Energy trapped piezoelectric resonator liquid sensor
JPS6014244A (ja) * 1983-07-06 1985-01-24 Fujitsu Ltd マスク洗浄装置
JPS6015527A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Sonotetsuku:Kk 超音波振動検出装置
US4655847A (en) * 1983-09-01 1987-04-07 Tsuyoshi Ichinoseki Cleaning method
US4591485A (en) * 1983-12-22 1986-05-27 International Paper Company Method and apparatus for sonicating articles
US4519846A (en) * 1984-03-08 1985-05-28 Seiichiro Aigo Process for washing and drying a semiconductor element
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4738272A (en) * 1984-05-21 1988-04-19 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4856544A (en) 1984-05-21 1989-08-15 Cfm Technologies, Inc. Vessel and system for treating wafers with fluids
US4778532A (en) 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4544446A (en) 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US4543130A (en) * 1984-08-28 1985-09-24 Rca Corporation Megasonic cleaning apparatus and method
US4602184A (en) 1984-10-29 1986-07-22 Ford Motor Company Apparatus for applying high frequency ultrasonic energy to cleaning and etching solutions
US4631250A (en) * 1985-03-13 1986-12-23 Research Development Corporation Of Japan Process for removing covering film and apparatus therefor
US4747421A (en) * 1985-03-13 1988-05-31 Research Development Corporation Of Japan Apparatus for removing covering film
JPS61240157A (ja) 1985-04-17 1986-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波探触子
US4635666A (en) * 1985-04-22 1987-01-13 Daley Frank E Batch cleaning apparatus
US4691725A (en) * 1985-05-13 1987-09-08 Ultramed Corporation Lens cleaner
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
US4750902A (en) * 1985-08-28 1988-06-14 Sonomed Technology, Inc. Endoscopic ultrasonic aspirators
US4857113A (en) * 1985-12-23 1989-08-15 Grace-Lee Products, Inc. Vehicle cleansing method
US5119840A (en) * 1986-04-07 1992-06-09 Kaijo Kenki Co., Ltd. Ultrasonic oscillating device and ultrasonic washing apparatus using the same
US4676008A (en) 1986-05-16 1987-06-30 Microglass, Inc. Cage-type wafer carrier and method
JPS62281431A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 超音波洗浄方法および装置
DE3787677T2 (de) * 1986-07-02 1994-02-03 Nippon Electric Co Ungerichteter Ultraschallwandler.
JPS6314434A (ja) 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置
JPS6336534A (ja) * 1986-07-30 1988-02-17 Puretetsuku:Kk 洗浄装置
US4788994A (en) 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
US4744181A (en) * 1986-11-17 1988-05-17 Moore David E Particle-blast cleaning apparatus and method
JPS63136528A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Mitsubishi Electric Corp 処理液塗布装置
US4863561A (en) * 1986-12-09 1989-09-05 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate
US5037481B1 (en) * 1987-04-29 1993-05-11 Verteq, Inc. Megasonic cleaning method
US4869278A (en) * 1987-04-29 1989-09-26 Bran Mario E Megasonic cleaning apparatus
US4998549A (en) * 1987-04-29 1991-03-12 Verteq, Inc. Megasonic cleaning apparatus
US4804007A (en) * 1987-04-29 1989-02-14 Verteq, Inc. Cleaning apparatus
US4936922A (en) * 1987-05-21 1990-06-26 Roger L. Cherry High-purity cleaning system, method, and apparatus
DE3844648C2 (ko) * 1987-06-23 1992-02-20 Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp
US4805171A (en) 1987-07-10 1989-02-14 Solid State Systems, Inc. Unitary PCM rate converter and multiframe buffer
US5259890A (en) * 1987-07-14 1993-11-09 Goff Division, George Fischer Foundry Systems, Inc. Washing device for machine parts and method of using the device
JPS6418229A (en) * 1987-07-14 1989-01-23 Oki Electric Ind Co Ltd Super-ultrasonic cleaning device
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
JPH06103678B2 (ja) * 1987-11-28 1994-12-14 株式会社東芝 半導体基板の加工方法
JPH01143223A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH01143224A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JP2634056B2 (ja) * 1988-03-28 1997-07-23 セイコー化工機株式会社 半導体排ガス除去方法
JPH01246935A (ja) 1988-03-29 1989-10-02 Nec Eng Ltd 異速度受信方式
US4883561A (en) * 1988-03-29 1989-11-28 Bell Communications Research, Inc. Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films
US4854337A (en) 1988-05-24 1989-08-08 Eastman Kodak Company Apparatus for treating wafers utilizing megasonic energy
JPH01304733A (ja) * 1988-06-01 1989-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置
JPH01316935A (ja) * 1988-06-17 1989-12-21 Hitachi Ltd 洗浄装置
JPH06103687B2 (ja) 1988-08-12 1994-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置
JPH02130921A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面洗浄装置
US4974376A (en) * 1988-11-16 1990-12-04 Nielsen David R Temporary shelter
FR2639425B1 (fr) * 1988-11-18 1991-06-07 Total France Procede et dispositif de nettoyage d'un tube dans lequel circule un fluide, et utilisation dans les tubes d'echangeurs de chaleur
US5013366A (en) * 1988-12-07 1991-05-07 Hughes Aircraft Company Cleaning process using phase shifting of dense phase gases
JP2653511B2 (ja) * 1989-03-30 1997-09-17 株式会社東芝 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
US5017236A (en) * 1989-08-21 1991-05-21 Fsi International, Inc. High frequency sonic substrate processing module
US5109562A (en) * 1989-08-30 1992-05-05 C.V.D. System Cleaners Corporation Chemical vapor deposition system cleaner
JPH03136232A (ja) * 1989-08-31 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
US4909350A (en) * 1989-09-18 1990-03-20 Jacobs John D Hook-on scaffolding support
JPH03116832A (ja) * 1989-09-29 1991-05-17 Mitsubishi Electric Corp 固体表面の洗浄方法
US5129956A (en) * 1989-10-06 1992-07-14 Digital Equipment Corporation Method and apparatus for the aqueous cleaning of populated printed circuit boards
US5018988A (en) * 1989-10-10 1991-05-28 Sps Technologies, Inc. Electrical contact mechanism for ultrasonic transducers on fasteners
US4978067A (en) * 1989-12-22 1990-12-18 Sono-Tek Corporation Unitary axial flow tube ultrasonic atomizer with enhanced sealing
US5038808A (en) 1990-03-15 1991-08-13 S&K Products International, Inc. High frequency ultrasonic system
DE4012467A1 (de) 1990-04-19 1991-10-24 D T I Dr Trippe Ingenieurgesel Vorrichtung und verfahren zum reinigen von oberflaechen mittels ultraschall
US5156174A (en) 1990-05-18 1992-10-20 Semitool, Inc. Single wafer processor with a bowl
US5062898A (en) * 1990-06-05 1991-11-05 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using a cryogenic aerosol
US5016055A (en) * 1990-07-02 1991-05-14 Xerox Corporation Method and apparatus for using vibratory energy with application of transfer field for enhanced transfer in electrophotographic imaging
US5125979A (en) * 1990-07-02 1992-06-30 Xerox Corporation Carbon dioxide snow agglomeration and acceleration
US4997490A (en) * 1990-08-02 1991-03-05 Bold Plastics, Inc. Method of cleaning and rinsing wafers
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
US5148823A (en) 1990-10-16 1992-09-22 Verteg, Inc. Single chamber megasonic energy cleaner
JP2804839B2 (ja) 1990-10-17 1998-09-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3167317B2 (ja) 1990-10-18 2001-05-21 株式会社東芝 基板処理装置及び同方法
EP0482890B1 (en) 1990-10-23 1995-03-15 Tokyo Special Wire Netting Co. Ltd. Cleaning equipment
JP2648638B2 (ja) 1990-11-30 1997-09-03 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの接着方法およびその装置
US5317778A (en) 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
US5348552A (en) * 1991-08-30 1994-09-20 Hoya Corporation Laser surgical unit
JP3209426B2 (ja) * 1991-10-04 2001-09-17 シーエフエムティ インコーポレイテッド 複雑な形状を有するマイクロパーツの洗浄
US5247954A (en) * 1991-11-12 1993-09-28 Submicron Systems, Inc. Megasonic cleaning system
DE4138400C1 (ko) 1991-11-22 1993-02-18 Aichelin Gmbh, 7015 Korntal-Muenchingen, De
US5213103A (en) * 1992-01-31 1993-05-25 Acoustic Imaging Technologies Corp. Apparatus for and method of cooling ultrasonic medical transducers by conductive heat transfer
JP3030313B2 (ja) 1992-02-12 2000-04-10 住特フェライト株式会社 連続超音波洗浄装置
KR100230694B1 (ko) 1992-05-18 1999-11-15 다카시마 히로시 기판세정처리장치
US5456759A (en) 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
US5316591A (en) * 1992-08-10 1994-05-31 Hughes Aircraft Company Cleaning by cavitation in liquefied gas
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers
US5271463A (en) 1992-08-28 1993-12-21 Mobil Oil Corporation Method of recovering additional oil from fines and residue recovered from viscous oil reservoirs
JP2877216B2 (ja) 1992-10-02 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5377709A (en) * 1992-10-22 1995-01-03 Shibano; Yoshihide Ultrasonic vibrator device for ultrasonically cleaning workpiece
US5337446A (en) 1992-10-27 1994-08-16 Autoclave Engineers, Inc. Apparatus for applying ultrasonic energy in precision cleaning
US5339842A (en) 1992-12-18 1994-08-23 Specialty Coating Systems, Inc. Methods and apparatus for cleaning objects
US5270079A (en) 1992-12-18 1993-12-14 Specialty Coatings Systems, Inc. Methods of meniscus coating
US5328556A (en) 1992-12-31 1994-07-12 Nace Technology, Inc. Wafer fabrication
US5427622A (en) 1993-02-12 1995-06-27 International Business Machines Corporation Method for uniform cleaning of wafers using megasonic energy
KR100248565B1 (ko) 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5365960A (en) * 1993-04-05 1994-11-22 Verteq, Inc. Megasonic transducer assembly
DE4316735C2 (de) 1993-05-19 1996-01-18 Bornemann J H Gmbh & Co Pumpverfahren zum Betreiben einer Multiphasen-Schraubenspindelpumpe und Pumpe
US5456796A (en) 1993-06-02 1995-10-10 Applied Materials, Inc. Control of particle generation within a reaction chamber
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5383484A (en) * 1993-07-16 1995-01-24 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
KR0141659B1 (ko) 1993-07-19 1998-07-15 가나이 쓰토무 이물제거 방법 및 장치
US5355048A (en) * 1993-07-21 1994-10-11 Fsi International, Inc. Megasonic transducer for cleaning substrate surfaces
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5489341A (en) * 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
US5531861A (en) 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
US5656097A (en) 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5950645A (en) * 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5368054A (en) * 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
JP3563789B2 (ja) 1993-12-22 2004-09-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具
JP2900788B2 (ja) 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
EP0681317B1 (en) * 1994-04-08 2001-10-17 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases
US5979475A (en) 1994-04-28 1999-11-09 Hitachi, Ltd. Specimen holding method and fluid treatment method of specimen surface and systems therefor
US5904560A (en) 1996-03-29 1999-05-18 Intel Corporation Cleaning step which improves electromigration performance of interlayer connection in integrated circuits
US5560362A (en) * 1994-06-13 1996-10-01 Acuson Corporation Active thermal control of ultrasound transducers
EP0764043B1 (en) * 1994-06-15 2001-12-19 Purdue Research Foundation Device for packing chromatographic stationary phases
US5795399A (en) 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
US5672212A (en) 1994-07-01 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
US5468302A (en) 1994-07-13 1995-11-21 Thietje; Jerry Semiconductor wafer cleaning system
US5762084A (en) 1994-07-15 1998-06-09 Ontrak Systems, Inc. Megasonic bath
DE19525521B4 (de) 1994-07-15 2007-04-26 Lam Research Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Fremont Verfahren zum Reinigen von Substraten
US5505785A (en) * 1994-07-18 1996-04-09 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers
US5625249A (en) * 1994-07-20 1997-04-29 Submicron Systems, Inc. Megasonic cleaning system
KR0144949B1 (ko) * 1994-07-26 1998-08-17 김광호 웨이퍼 카세트 및 이를 사용한 세정장치
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5522938A (en) 1994-08-08 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Particle removal in supercritical liquids using single frequency acoustic waves
US5534076A (en) * 1994-10-03 1996-07-09 Verteg, Inc. Megasonic cleaning system
US5574485A (en) 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
US7030039B2 (en) * 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US5967156A (en) 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5849104A (en) 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5634978A (en) 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5571337A (en) 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5545942A (en) 1994-11-21 1996-08-13 General Electric Company Method and apparatus for dissipating heat from a transducer element array of an ultrasound probe
JPH08162425A (ja) 1994-12-06 1996-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
JP3351924B2 (ja) 1995-01-06 2002-12-03 忠弘 大見 洗浄方法
WO1996022844A1 (en) 1995-01-27 1996-08-01 Trustees Of Boston University Acoustic coaxing methods and apparatus
US5658636A (en) 1995-01-27 1997-08-19 Carnegie Mellon University Method to prevent adhesion of micromechanical structures
US5601655A (en) * 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
US5629906A (en) 1995-02-15 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Ultrasonic transducer
US5551986A (en) 1995-02-15 1996-09-03 Taxas Instruments Incorporated Mechanical scrubbing for particle removal
US5705233A (en) * 1995-03-24 1998-01-06 Wisconsin Alumni Research Foundation Fiber-reinforced cementitious composites
JPH08281550A (ja) * 1995-04-14 1996-10-29 Sony Corp 研磨装置及びその補正方法
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5653045A (en) 1995-06-07 1997-08-05 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US5685086A (en) 1995-06-07 1997-11-11 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying objects using aerosols
US6743723B2 (en) 1995-09-14 2004-06-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US5975098A (en) 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US5721463A (en) * 1995-12-29 1998-02-24 General Electric Company Method and apparatus for transferring heat from transducer array of ultrasonic probe
US5952050A (en) 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
DE19613620C2 (de) * 1996-04-04 1998-04-16 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
JP3689490B2 (ja) * 1996-06-07 2005-08-31 キヤノン株式会社 ノズル部材の製造方法及びそれを用いた加工装置
US5985031A (en) 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
DE19629705A1 (de) * 1996-07-24 1998-01-29 Joachim Dr Scheerer Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von scheibenförmigen Gegenständen, insbesondere Wafern, mit Ultraschall und Wasser als Spülmedium
JP3244220B2 (ja) * 1996-08-06 2002-01-07 信越半導体株式会社 平板状物の乾燥方法および乾燥装置
JP3278590B2 (ja) 1996-08-23 2002-04-30 株式会社東芝 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3853889B2 (ja) * 1996-11-28 2006-12-06 オリンパス株式会社 ズームレンズ
US5980647A (en) 1997-07-15 1999-11-09 International Business Machines Corporation Metal removal cleaning process and apparatus
US6254155B1 (en) * 1999-01-11 2001-07-03 Strasbaugh, Inc. Apparatus and method for reliably releasing wet, thin wafers
US6700937B1 (en) * 2000-01-05 2004-03-02 At&T Corp. Iterative decoding
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US6693764B1 (en) * 2001-01-31 2004-02-17 Western Digital Technologies, Inc. Method and disk drive for improving head position accuracy during track following through real-time identification of external vibration
US6823880B2 (en) 2001-04-25 2004-11-30 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho High pressure processing apparatus and high pressure processing method
US6679272B2 (en) * 2001-08-03 2004-01-20 Verteq, Inc. Megasonic probe energy attenuator
US6472279B1 (en) * 2001-11-05 2002-10-29 Agere Systems Inc. Method of manufacturing a channel stop implant in a semiconductor device
US6742279B2 (en) 2002-01-16 2004-06-01 Applied Materials Inc. Apparatus and method for rinsing substrates
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
US6907890B2 (en) * 2002-02-06 2005-06-21 Akrion Llc Capillary drying of substrates
US7213367B2 (en) * 2002-03-26 2007-05-08 Georgia-Pacific Resins, Inc. Slow release nitrogen seed coat

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0044800A2 (de) * 1980-07-21 1982-01-27 TELSONIC AG für elektronische Entwicklung und Fabrikation Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung und Abstrahlung von Ultraschallenergie
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus

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Publication number Publication date
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