KR20000048763A - 웨이퍼 세정시스템 - Google Patents

웨이퍼 세정시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20000048763A
KR20000048763A KR1019990702749A KR19997002749A KR20000048763A KR 20000048763 A KR20000048763 A KR 20000048763A KR 1019990702749 A KR1019990702749 A KR 1019990702749A KR 19997002749 A KR19997002749 A KR 19997002749A KR 20000048763 A KR20000048763 A KR 20000048763A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
probe
wafer
heat transfer
transducer
transfer member
Prior art date
Application number
KR1019990702749A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100392242B1 (ko
Inventor
브란마리오이.
Original Assignee
베르테크, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=24910738&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20000048763(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 베르테크, 인코포레이티드 filed Critical 베르테크, 인코포레이티드
Publication of KR20000048763A publication Critical patent/KR20000048763A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100392242B1 publication Critical patent/KR100392242B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B17/00—Methods preventing fouling
    • B08B17/02—Preventing deposition of fouling or of dust
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B3/00—Methods or apparatus specially adapted for transmitting mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

웨이퍼 세정시스템은 메가소닉에너지를 사용하여 웨이퍼에 인가된 세정액을 교반시킴으로써 반도체 웨이퍼를 세척한다. 음향에너지 소스가 음향에너지를 액체 내에 전달하는 길다란 석영 프로브를 진동시킨다. 일실시예의 프로브는 탱크 내의 견고한 원통형 세정부 및 상기 탱크의 외측으로 직경이 증가하는 플레어된 후방부를 가진다. 프로브의 큰 후방부 및 변환기에 음향적으로 결합된 열전달부재가 변환기로부터 열을 전도한다. 열전달부재 및 변환기용 하우징이 이들 구성품을 지지하며, 상기 하우징을 통하여 냉매를 전도하는 수단을 제공하여 변환기의 온도를 제어한다. 하나의 배열에 있어서, 액체는 웨이퍼의 양쪽 상에 분무되는 한편 프로브는 상측에 근접하여 위치된다. 다른 배열에 있어서, 짧은 프로브가 그 단부면이 웨이퍼의 표면에 근접하여 위치되고, 프로브는 웨이퍼가 회전할 때 웨이퍼 위를 이동한다. 또한, 프로브는 복수개의 디스크 내의 중앙 구멍을 관통하여 위치되어 이러한 부재 그룹을 동시에 세정한다.

Description

웨이퍼 세정시스템 {WAFER CLEANING SYSTEM}
반도체 웨이퍼는 메가소닉에너지(megasonic energy)가 함침된 세정액(cleaning solution)에서 종종 세정된다. 초음파보다 20배 높은 주파수로 동작하는 메가소닉 세정시스템은 초음파 세정에서의 부정적 영향없이 입자를 물질로부터 안전하고 효과적으로 제거한다.
메가소닉에너지 세정장치는 트랜스미터(transmitter)에 결합된 압전 변환기(piezoelectric transducer)를 포함하는 것이 일반적이다. 변환기가 전기적으로 여기되어 진동하고, 트랜스미터가 고주파에너지(high frequency energy)를 처리탱크(processing tank) 내의 액체에 전달한다. 메가소닉에너지에 의하여 세정액이 교반(agitation)되어 반도체 웨이퍼 상의 입자가 분리된다. 따라서 오염물질(contaminants)이 웨이퍼의 표면으로부터 진동하여 떨어진다. 일실시예에 있어서, 용액을 탱크의 바닥으로부터 습식 처리용기(wet processing container) 내로 유입시켜 용기의 상단에서 넘치게 한다. 이로써 넘치는 용액과 함께 오염물질이 탱크로부터 제거된다.
초음파에너지 및 가압공기를 사용하는 정전기그래픽 재생장치(electrostaticgraphic reproducing apparatuses)용 가스 충돌 및 흡입 세정방법이 마렛(Maret)에 특허된 미합중국특허 제4,111,546호에 개시되어 있다.
차오 등(Chao et al.)에 특허된 미합중국특허 제5,318,591호에는 액화가스의 공동현상(cavitation)에 의한 세정방법이 개시되어 있다. 액화가스를 세정체임버 내에 주입하고 이 액화가스를 공동현상-발생수단(cavitation-producing means)에 노출시킴으로써 원하지 않는 물질을 기판으로부터 제거한다. 공동현상을 제공하는 혼(horn)의 형상이 상세하게 개시되어 있지 않고, 세정조 내 특정 위치에서의 음파 교반(sonic agitation)을 간과하고 있다.
프레이(Frei)에 특허된 미합중국특허 제4,537,511호에는 세정액 탱크 내의 길다란 금속튜브가 탱크의 벽을 통하여 연장되어 튜브의 단부에 부착된 변환기에 의하여 종파 모드(longitudinal wave mode)로 여기되는 것으로 개시되어 있다. 비교적 높은 내부 손실을 보충하기 위하여, 발광장치(radiating arrangement)는 비교적 벽이 얇은 튜브형 부재를 사용한다.
반도체 웨이퍼의 세정에 사용될 수 있는 장치 및 방법의 개선이 필요하다.
본 발명은 반도체 웨이퍼(semiconductor wafers) 또는 매우 높은 레벨의 세정을 필요로 하는 이러한 다른 품목을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 메가소닉에너지 세정시스템의 일실시예의 측면도.
도 2는 도 1에 예시된 시스템의 측단면도.
도 3은 도 1에 예시된 프로브 어셈블리의 확대사시도.
도 4는 본 발명에 따른 다른 프로브의 측면도.
도 5a∼5c는 본 발명에 사용될 수 있는 다른 프로브 선단을 예시한 도면.
도 6은 세정액을 웨이퍼의 상면 상에 분무하여 사용된 본 발명에 따른 프로브의 개략도.
도 7은 도 6의 선 7-7에 따른 단면도.
도 8은 웨이퍼의 양면을 세정하는 프로브의 개략도.
도 9a는 세정될 디스크가 관통하여 연장된 도 1에 예시된 프로브의 개략도.
도 9b는 프로브 선단 캡의 부분단면도.
도 9c는 다른 프로브 선단 캡의 부분단면도.
도 10은 웨이퍼에 대하여 수직으로 배향된 프로브의 개략도.
도 11은 프로브를 서포트에 결합하는 다른 수단을 가진 본 발명의 다른 실시예의 부분측단면도.
본 발명의 일실시예에 있어서, 음향에너지 소스와 같은 진동기가 세정탱크 내로 연장된 길다란 프로브(probe)를 진동시켜 프로브에 근접한 제품의 표면을 세정한다. 열전달부재(heat transfer member)가 프로브의 후면에 부착되어 장치의 온도를 제어한다. 열전달부재에 음향적으로 결합되고, 메가소닉에너지 소스에 연결된 압전변환기가 프로브를 진동시키는 수단을 제공한다.
길다란 프로브는 석영(quartz) 또는 음향에너지를 효과적으로 전달하는 또 다른 비교적 불활성인 비오염물질로 제조된다. 프로브는 선단, 세정부, 및 후방부를 포함한다. 프로브의 단면은 둥글고, 프로브의 세정부 단면의 직경은 프로브의 후방부 단면의 직경보다 작게 하여 에너지를 집중시키는 것이 바람직하다. 프로브의 세정부는 직경을 일정하게 하여 견고한 원통형 섹션을 형성하는 것이 바람직하다.
원통형 섹션의 직경이 일정함으로써, 프로브 후방부의 단면이 플레어되거나 또는 증가된다. 제1 실시예에 있어서, 프로브 후방부의 단면의 직경이 점차 증가된다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 프로브 후방부 단면의 직경은 단차(stepped increments)로 증가된다.
일실시예에 있어서, 프로브는 스풀형상(spool-shaped)의 금으로 도금된 알루미늄 열전달부재에 음향적으로 결합된다. 일실시예에 있어서 프로브는 열전달부재에 결합되고, 다른 실시예에 있어서 프로브는 스프링 압축된 열전달부재에 결합된다. 변환기는 열전달부재의 타단에 음향적으로 결합되며 하우징 내에 수용된다. 하우징은 프로브 및 변환기의 온도를 제어하는 냉매용 입구 및 출구와 RF에너지용 전기변환기(electric converter)를 가진다.
하우징은 처리탱크의 외측에 장착되어, 처리탱크벽의 개구를 관통하여 위치된 프로브에 서포트(support)를 제공한다. 프로브는 반도체 웨이퍼에 평행으로 근접하여 위치된다. 스페이서(spacers) 또는 스탠드오프(stand-offs)가 변환기 및 탱크 외측의 프로브의 보다 큰 후방부에 위치되어 직경이 보다 작은 프로브 세정부 및 프로브 선단이 탱크 내로 연장되는 것이 바람직하다.
사용 중에, 처리탱크는 액체로 채워질 수 있고, 처리탱크 내의 서포트 상에 위치된 웨이퍼가 내면 상의 프로브에 근접하고, 프로브가 메가소닉 방식으로 진동하여 탱크 내의 액체가 교반된다. 웨이퍼가 회전하거나 그렇지 않으면 프로브에 따라 이동하여 세정될 웨이퍼의 전체 표면이 프로브에 근접하게 된다. 상이한 프로브 장착배열에서, 프로브는 웨이퍼에 따라 이동할 수 있다.
액체 내에 함침되는 대신에, 프로브는 액체가 분무된 웨이퍼 표면에 인접하여 위치될 수 있다. 메가소닉에너지는 액체층을 통하여 전달되며, 분리된 입자는 액체에 의하여 배출된다.
다른 실시예에 있어서, 중앙에 구멍을 가진 디스크는 프로브를 탱크 내에 위치된 하나 이상의 디스크를 관통하게 함으로써 세정될 수 있다.
도 1∼3은 길다란 프로브(104)가 처리탱크(101)의 벽(100)을 관통하여 삽입되어 있는, 본 발명에 따라 제조된 메가소닉에너지 세정장치를 나타낸다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 프로브는 용기 외부의 일단에 캔틸레버 방식으로 지지된다. 프로브(104)와 탱크벽 사이에 끼워진 적합한 O-링(102)이 처리탱크(101)를 적절하게 밀봉한다. 하우징(120) 내에 수용된 열전달부재(134)는 프로브(104)에 음향적 및 기계적으로 결합된다. 하우징(120) 내에 또한 수용된 압전변환기(140)는 열전달부재(134)에 음향적으로 결합된다. 전기커넥터(electrical connectors)(142, 154, 및 126)가 변환기(140)와 음향에너지 소스(예시되지 않음) 사이에 연결된다.
하우징은 냉매용 입구관(124) 및 출구관(122)을 지지하며, 전기커넥터용 개구(152)를 가진다. 하우징은 프로브용 개구(132)를 가진 환형 플레이트(annular plate)(118)에 의하여 폐쇄된다. 이 플레이트는 탱크에 부착된다.
처리탱크(101) 내에는, 서포트 즉 서셉터(susceptor)(108)가 프로브(104)에 평행으로 근접하여 위치된다. 서셉터(108)는 여러 가지 형태, 즉 샤프트(110) 상에 지지된 허브(108c)에 연결된 복수개의 스포크(spoke)(108b)에 의하여 지지된, 처리탱크(101)의 바닥을 관통하여 연장된 외측림(outer rim)을 포함하는 예시된 배열을 가질 수 있다. 탱크(101)의 외측에서, 샤프트(110)가 모터(112)에 연결되어 있다.
길다란 프로브(104)는 음향에너지를 효과적으로 전달하는 석영과 같은 비교적으로 불활성인 비오염물질로 제조되는 것이 바람직하다. 석영 프로브는 대부분의 세정액에 만족스럽게 사용될 수 있지만, 플루오르화 수소산을 함유하는 용액은 석영을 에칭할 수 있다. 따라서, 사파이어(sapphire) 또는 탄화규소(silicon carbide) 또는 질화붕소(boron nitride)로 제조된 프로브가 석영 대신에 채택될 수 있다. 또한, 석영은 탄화규소 또는 탄소유리(vitreous carbon)와 같이 HF에 견딜 수 있는 물질로 코팅될 수 있다.
프로브(104)는 견고하며 길다란, 일정한 단면을 가진 세정부(104a), 및 후방부(104b)를 포함한다. 프로브의 단면은 둥글고, 프로브 세정부의 직경이 프로브 후방부의 직경보다 작은 것이 바람직하다. 표준적인 배열에 있어서, 후방부(104b)의 후면 영역은 세정부(104a)의 선단면 영역보다 25배이다. 물론, 원형이 아닌 단면형상이 채택될 수 있다.
직경이 작은 원통형 세정부(104a)가 이 세정부(104a)의 길이를 따라 메가소닉에너지를 집중하는데 바람직하다. 그러나, 프로브의 직경은 프로브에 의하여 전달된 메가소닉에너지에 의하여 발생된 기계적 진동에 대한 내성이 충분하여야 한다. 표준 배열에 있어서, 탱크 내에 수용된 프로브 원통형부의 단면 직경은 약 .4인치였다.
프로브 세정부(104a)는 길이가 충분하게 길어야 웨이퍼의 전체 표면적이 웨이퍼 세정 중에 프로브에 노출될 수 있다. 바람직한 실시예에 있어서, 웨이퍼가 프로브 하측에서 회전하기 때문에, 세정부(104b)의 길이가 충분하게 길어야 적어도 웨이퍼의 중앙에 도달할 수 있다. 따라서, 웨이퍼가 프로브 하측에서 회전하기 때문에, 웨이퍼의 전체 표면적이 프로브에 근접하게 된다. 실제로, 메가소닉에너지가 프로브 선단으로부터 웨이퍼의 중앙을 향하여 약간의 교반을 제공할 수 있기 때문에, 프로브가 웨이퍼의 중앙에 도달하지 못하는 경우에도 프로브가 만족스럽게 기능할 수 있다.
프로브의 길이는 소정 개수의 파장에 의하여 또한 결정된다. 일실시에에 있어서, 프로브 세정부(104a)의 길이는 인가된 에너지의 19 파장과 동일하다.
탱크의 외측에 위치된 프로브 후방부(104b)는 세정부(104a)의 직경보다 크게 플레어된다. 본 발명의 제1 실시예에 있어서, 도 1∼3에 예시된 바와 같이, 프로브 후방부의 단면 직경은 원통형 섹션(104b)으로 점차 증가된다. 후방부(104b) 단부의 표면적을 보다 크게하여야 다량의 메가소닉에너지가 전달되어 직경이 보다 작은 섹션(104a)에 집중되는데 바람직하다.
도 4에 예시된 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 프로브 후방부의 단면 직경은 점차 증가되기 보다는 단차로 증가된다. 단차는 파장 멀티플(wavelength multiples)로 발생하여 메가소닉에너지를 효과적으로 전달한다. 예를 들면, 일실시예에 있어서, 프로브의 가장 얇은 부분(158)의 길이는 약 19 파장이고, 다음으로 직경이 큰 부분(160)은 축방향 길이가 약 3 파장이며 가장 직경이 큰 부분(162)은 축방향 길이가 약 4 파장이다. 도 1의 뾰족한 배열에서 얻은 결과를 시뮬레이트하려는 것이다.
도 5a∼5c는 프로브 선단의 다른 실시예를 예시한 도면이다. 프로브 선단이 상이함으로써 웨이퍼 표면부분이 커버될 수 있거나 또는 평탄한 프로브 단부(157)에 의하여 커버될 수 있다. 프로브는 원뿔형 선단(164), 반전된 원뿔형 선단(166), 또는 둥근 선단(168)을 가질 수 있다.
프로브의 큰 단부(104d)는 열전달부재(134)에 음향적으로 결합되고, 부재에 의하여 물리적으로 지지된다. 프로브의 단부면은 적합한 접착물질로 서포트에 결합 또는 접착되는 것이 바람직하다. 물질을 접착하는 외에, 도 3에 예시된 얇은 금속스크린(141)을 프로브 단부와 부재(134) 사이에 끼운다. 접착제로 채워진 작은 구멍을 가진 스크린이 접착제 그 자체로 얻는 연결보다 더욱 영구적인 진동연결을 제공한다. 표준 배열에 사용된 스크린은 신장된 금속형으로, 그 두께는 접착제를 가지는 스트랜드 사이에 포켓(pockets)을 형성하는 약 .002인치의 평탄한 스트랜드를 가진다. 채택된 접착제는 로스엔젤레스 소재 E.V. Roberts사의 제품으로서, 번호 5000의 수지 및 번호 61의 경화제로 형성된다. 스크린 물질은 미국회사 Delkar에서 판매하고 있다. 프로브는 열전달부재에 클램프되거나 또는 결합될 수 있어서 프로브가 적절하게 물리적으로 지지되고 메가소닉에너지가 프로브에 효과적으로 전달된다.
열전달부재(134)는 알루미늄, 또는 열 및 메가소닉에너지를 양호하게 전달하는 다른 전도체로 제조될 수 있다. 예시된 배열에 있어서, 열전달부재는 원통형이며, 적정량의 냉매를 제공하여 장치를 적합하게 냉각시킬 수 있는 크기의 냉매관으로서 기능하는 환형 그루브(136)를 가진다. 냉매 그루브(136)의 양 측면 상의 작은 환형 그루브(138, 139)에는 O-링(135, 137)과 같은 적합한 시일이 끼워져서 냉매를 분리시키고 변환기(140)와 전기적 연결이 차단되는 것이 방지된다.
변환기(140)는 열전달부재(134)의 평탄한 후면에 결합, 접착, 또는 음향적으로 결합된다. 적합한 접착물질로는 캘리포니아 가르데나 소재 Ablestick사 제품인 ECF 550이 있다. 변환기(140)는 디스크형상이 바람직하며, 그 직경은 프로브섹션(104d)의 후측말단의 직경보다 커서 변환기로부터 프로브에 음향에너지를 최대한으로 전달한다. 열전달부재는 금으로 도금하여 알루미늄의 산화를 방지, 즉 변환기를 프로브에 양호하게 결합시키는 것이 바람직하다.
변환기(140) 및 열전달부재(134) 양자 모두는 원통형상이 바람직한 하우징(120) 내에 수용된다. 열전달부재는 하우징(120) 내벽의 환형 리세스(annular recess) 내에 수용된다.
하우징은 알루미늄으로 제조되어 냉매에 열전달을 용이하게 하는 것이 바람직하다. 하우징은 액체 냉매의 출구관(122) 및 입구관(124)용 개구(144, 146)를 가진다. 하우징(134)은, 폐쇄된 단부에, 전기커넥터(126, 154)용 개구(152)를 가진다. 개구(148, 150)를 통하여 가스질퍼즈 (gaseous purge)가 하우징(120)으로 유입 및 하우징으로부터 배출된다.
하우징(120)의 개방된 단부는 프로브 후측섹션(104d)이 관통하는 중앙 개구(132)를 가지는 환형 플레이트(118)에 부착된다. 환형 플레이트의 외경은 하우징(120)을 지나 연장되며 2개의 링에 내측 링구멍(131)을 통하여 형성된 복수개의 구멍을 가지고, 스크루와 같은 복수개의 연결구(120)가 연장되어 플레이트(118)가 하우징(120)에 부착된다. 환형 플레이트(118)는 외측링의 플레이트구멍(130)을 관통하여 탱크벽(100) 내에 끼워지는 복수개의 나삿니가 있는 파스너(threaded fasteners)(117)에 의하여 탱크벽(100)에 장착된다. 또한, 파스너는 플레이트(118)를 탱크벽으로부터 이격시키는 슬리브 즉 스페이서(116)를 관통한다. 스페이서가 변환기 및 프로브의 플레어된 후방부(104b)를 탱크의 외측에 위치시킴으로써 단지 프로브의 세정부 및 프로브 선단이 탱크 내로 연장된다. 또한, 스페이서가 플레이트(118) 및 하우징을 탱크에서 어느 정도 분리시켜서, 열전달부재, 하우징 및 플레이트로부터의 진동이 최소로 된다.
처리탱크(101)는 웨이퍼를 오염시키지 않는 물질로 제조된다. 탱크는 액체를 탱크 내로 유입하기 위한 입구(도시되지 않음) 및 제품으로부터 제거된 입자를 배출하기 위한 출구(도시되지 않음)를 가져야 한다.
반도체 웨이퍼의 크기가 증가하기 때문에, 웨이퍼 카세트를 즉시 세정하기 보다는, 하나의 웨이퍼를 즉시 세정하는 세정장치 및 방법을 사용하는 것이 더욱 실질적이며 비용이 적게 든다. 본 발명의 프로브의 크기는 세정될 웨이퍼의 크기에 따라 길이가 변경될 수 있다는 것이 장점이다.
반도체 웨이퍼(106) 또는 세정될 다른 제품을 탱크(101) 내의 서포트(108) 상에 위치시킨다. 웨이퍼가 프로브에 충분하게 근접되도록 위치시켜야 프로브와 웨이퍼 사이에서의 액체의 교반으로 웨이퍼 표면 상의 입자가 분리된다. 프로브와 웨이퍼 표면 사이의 간격은 약 .1인치 이하가 바람직하다.
모터(112)가 프로브(104) 하측의 서포트(108)를 회전시키면 제품의 상면 전체가 진동 프로브(104)에 충분하게 근접되어 제품의 표면으로부터 입자가 제거된다. 프로브와 웨이퍼(106) 사이에 필요한 상대운동을 얻기 위하여, 웨이퍼가 프로브 하측에서 횡방향으로 이동하는 배열이 제공될 수 있다. 또한, 서포트(108)는 제 위치에 그대로 있는 반면 프로브는 웨이퍼(106)의 표면 위에서 이동하는 배열이 제공될 수 있다.
압전변환기(140)가 전기적으로 여기될 때, 압전변환기는 고주파로 진동한다. 변환기는 프로브 크기에 일치하는 전압을 가진 메가소닉주파로 여기되는 것이 바람직하다. 진동은 열전달부재(134)를 통하여 길다란 프로브(104)에 전달된다. 다음에, 프로브(104)는 고주파에너지를 프로브와 웨이퍼 사이의 세정액 내에 전달한다. 이 배열의 중요한 장점 중 한 가지는 프로브의 큰 후방부는 큰 변환기를 수용할 수 있고, 프로브의 작은 전방부는 메가소닉 진동을 작은 영역 내에 집중시켜 입자의 분리력을 최대로 한다는 것이다. 프로브와 웨이퍼 사이의 충분한 액체물질로 에너지가 프로브와 웨이퍼 사이의 작은 갭을 지나 효과적으로 전달되어 원하는 세정이 이루어진다. 웨이퍼(106)의 표면적이 프로브(104)에 근접하기 때문에, 프로브(104)와 웨이퍼(106) 사이의 액체 교반으로 반도체 웨이퍼(106) 상의 입자가 분리된다. 따라서 오염물질이 웨이퍼(106) 표면으로부터 제거된다. 흐트러진 입자는 계속 흐르는 액체에 의하여 제거될 수 있다.
변환기(140)에 와트수(wattage)를 크게 인가하여 상당한 열을 발생시키면 변환기(140)의 손상이 방지될 수 있다. 따라서 냉매를 하우징(120)에 주입하여 부재(134), 즉 변환기를 냉각시킨다.
물과 같은 액체가 바람직한, 제1의 냉매를 하우징(120)의 일단으로 주입하여 열전달부재(134) 주위를 순환시키고 하우징(120)의 타단에서 배출시킨다. 열전달부재(134)가 열전도성이 양호한 물질로 제조되기 때문에, 상당량의 열이 액체냉매에 의하여 용이하게 전달될 수 있다. 물론, 냉각속도는 냉매의 유속 및/또는 온도를 변화시킴으로써 용이하게 모니터할 수 있다.
제2의 선택 냉매를 하우징 타단 상의 개구(148, 150)를 통하여 하우징(120) 내로 유입 및 하우징으로부터 배출시킴으로써 변환기 상에 순환시킨다. 변환기(140) 및 전기배선(142, 154) 때문에, 질소와 같은 불활성가스가 하우징의 이 부분에 냉매 또는 세정가스(purging gas)로서 사용된다.
프로브 단부(104b)를 부재(134)에 결합하는 다른 배열을 도 11에 나타낸다. 프로브를 부재(134)에 접합하는 대신에, 이른바 진공그리스(vacuum grease)를 인가하고, 프로브는 코일스프링(143)에 의하여 부재(134)에 압착된다. 진공그리스는 점성그리스로서 누출되거나 또는 용이하게 변위되지 않고 조인트 타단쪽의 압력을 견딜 수 있다. 표준 배열에 있어서, 그리스 및 금속스프링의 결합으로 확실한 음향 결합이 제공된다. 도 11에서 알 수 있는 바와 같이, 하우징(120)은 플레이트(118)에 직접 장착되는 대신에 스탠드오프(145)에 의하여 플레이트(118)에 장착된다. 슬리브(116) 및 파스너(117)는 도 2에 나타낸 것보다 짧아서, 플레이트(118)가 프로브의 뾰족한 부분을 둘러싼다. 이로써 하우징(120)과 플레이트(118) 사이에 갭이 생긴다. 이 갭에 코일스프링(143)이 위치되어 플레이트(118)와 프로브의 뾰족한 부분 사이에 압축된다. 따라서, 스프링이 프로브를 부재(134)를 향하여 압착한다. 이 배열이 프로브를 열전달부재(134)에 음향적으로 결합한다. 테프론 슬리브(149)를 프로브에 인접한 제1 코일스프링(143)에 걸쳐 위치시켜 금속스프링이 석영 프로브를 손상시키지 않게 하는 것이 바람직하다.
도 6에 예시된 배열에는, 상측 단부는 개방되고 하측 단부에는 드레인라인(202)를 가지는 탱크(200)와 결합된 도 1의 프로브 어셈블리를 나타낸다. 프로브(104)는 환형의 림(208a), 모터(212)에 의하여 회전하는 샤프트(210)의 상측 말단 상에 위치된 허브(208c)에 결합된 복수개의 스포크(208b)를 포함하는 적합한 서포트(208) 상에 장착된 웨이퍼(106) 위의 탱크 내로 관통하는 슬롯(203)을 나타낸다.
사용 중에, 탈이온수 또는 다른 세정액을 노즐(214)로부터 웨이퍼의 상측표면 상에 분무하는 한편, 프로브(104)는 음향적으로 여기된다. 액체가 프로브의 하측부와 회전하는 웨이퍼의 인접 상측면 사이에 메니스커스(meniscus)(216)를 형성시킨다. 도 7에 이를 개략적으로 나타낸다. 액체가 메가소닉에너지를 웨이퍼의 표면에 전달하는 매체를 제공하여 입자가 분리되게 한다. 이들 분리된 입자는 계속해서 흐르는 스프레이 및 회전하는 웨이퍼에 의하여 배출된다. 액체흐름이 차단될 때, 소정량의 건조작용이 물로부터 떨어지는 액체의 원심력을 통하여 얻어진다.
프로브 어셈블리는 적합한 서포트(116) 상에 장착될 수 있다. 서포트는, 화살표(118)로 나타낸 바와 같이, 어셈블리를 상향으로 피봇가능하여 웨이퍼의 설치 및 제거가 용이하다. 또한, 슬롯(203)이 구멍 대신에 폐쇄된 상측에 형성될 수 있고, 프로브는 반경방향으로 내외로 이동할 수 있다.
도 8은 웨이퍼의 하측 및 상측 양자 모두가 세정되는 도 7의 배열의 다른, 즉 추가적인 배열을 나타낸다. 스프레이노즐(254)이 탱크(200)의 측벽을 관통하여 상향으로 약간 경사져서 세정액이 스포크(208b) 사이 및 웨이퍼(106)의 하측면 상에 분무되고, 반경방향 내측으로 향하여 웨이퍼가 회전할 때, 하측면 전체에 액체가 분무된다. 웨이퍼는 도 6을 참조하여 전술한 바와 동일한 방식으로 프로브(104)에 의하여 메가소닉에너지를 받는다. 이 교반으로 웨이퍼 및 웨이퍼 하측면 상의 액체가 진동하여 웨이퍼가 회전할 때 프로브와 용이하게 정렬된다. 이 교반으로 웨이퍼 하측면 상의 입자는 흐트러지고, 입자는 웨이퍼의 하측면으로부터 낙하하는 액체, 즉 액적과 함께 배출된다.
각종의 액체가 도 6 및 8의 웨이퍼에 인가된 스프레이로서 채택될 수 있다. 액체 또는 고압가스 외에, 이른바 드라이아이스 스노우(dry ice snow)가 인가될 수 있다. 캘리포니아 출라 비스타 소재 Va-tran Systems, Inc.사에서 이러한 물질을 제조 및 인가하는 제품을 제품명 SND GUN으로 판매하고 있다. 이 접근방식의 주요한 장점은 세정 후 처리문제가 없다는 것이다. 오염물질은 불활성의 무해 증기를 통하여 세정표면으로부터 배출된다. 세정물질의 처리비용이 생략된다. 제품 SDN GUN에 대한 광고문에 따르면, 드라이아이스 스노우로 세정하면 건성 질소를 송풍하는 것보다 더욱 완전하게 입자가 제거된다고 설명하고 있다. 장치는 질소제트로는 제거가 곤란하거나 또는 불가능한 .2 마이크론만큼 작은 서브-마이크론 입자까지도 제거하는 것으로 되어 있다. 이러한 기술은 미합중국특허 제5,364,474호에 또한 개시되어 있으며, 이것을 참조하여 본 명세서에 결합한다.
도 9a를 참조하면, 도 1의 프로브 어셈블리가 탱크(300)의 벽에 장착된 것을 나타낸다. 프로브(104)는 "콤팩트 디스크(compact disks)"(302)와 같은 복수개의 수직으로 배향된 기판 내의 중앙 개구를 일반적으로 수평으로 관통하여 연장된다. 디스크는 탱크에 함침된 카세트(306) 내에 디스크의 구멍이 프로브와 정렬되어 장착될 수 있다. 디스크가 들어 있는 카세트가 횡방향으로 이동하여 프로브가 디스크와 실제적으로 접촉하지 않고 디스크의 구멍을 관통할 수 있다. 탱크에는 탈이온수와 같은 액체가 채워져서 디스크를 완전하게 덮는다. 프로브는 도 1을 참조하여 전술한 방식으로 메가소닉에너지에 의하여 진동된다. 프로브에 의하여 발생된 교반이 디스크 사이의 세정액 내로 전달되어 디스크 표면 상의 입자를 분리시킨다. 에너지가 프로브로부터 반경방향 외측으로 전달되어 각 디스크의 양쪽이 이러한 에너지에 노출된다. 세정액이 용기 내에 계속해서 흘러서 주입될 수 있고, 용기의 상측 말단을 넘치게 하여 분리된 입자를 배출할 수 있다.
메가소닉에너지 일부는 프로브 선단이 액체 내에 함침된 프로브 말단을 통하여 전달되기 때문에, 도 9b에 나타낸 바와 같이 두 개의 유리벽(306a, 306b) 사이의 공기스페이스를 포함하는 작은 캡(306)이 프로브의 선단에 위치된다. 메가소닉에너지는 주위공기를 통하여 심할 정도로 이송되지 않기 때문에, 캡이 프로브의 말단을 통한 에너지의 손실을 방지한다. 도 9c에 나타낸 다른 캡(310)은 프로브의 단부에 부착된 짧은 섹션의 유리튜브(212)를 채택한다. 알 수 있는 바와 같이, 튜브의 외경은 프로브의 외경과 동일하고, 프로브로부터 이격된 튜브의 외측 말단은 디스크(314)에 의하여 폐쇄된다.
도 10은 본 발명의 프로브의 다른 실시예를 나타낸다. 프로브(404)가 도 1의 프로브(104)보다 훨씬 짧은 것을 제외하고는 도 1의 어셈블리와 유사한 프로브 어셈블리(400)를 나타낸다. 또한, 어셈블리(400)는 프로브가 수평 웨이퍼(106)의 표면과 일반적으로 수직, 일반적으로 직각으로 연장되어 있다. 세정액은 웨이퍼의 상면에 인가되고, 프로브의 하측 선단은 이 액체와 접촉한다. 따라서 메가소닉에너지가 상기 매체를 통하여 웨이퍼의 표면 상으로 전달되어 입자를 흐트러지게 한다. 프로브의 측면은 상기 매체에 노출되지 않기 때문에, 프로브의 수직면으로부터 전달된 메거소닉에너지는 감지할 정도는 아니다. 대신에, 이러한 메가소닉에너지는 선단에 집중된다. 선단은 웨이퍼가 회전할 때 웨이퍼에 대하여 반경방향으로 이동할 수 있어서 메가소닉에너지가 웨이퍼의 전체 표면에 인가될 수 있다. 또한 프로브는 상면 전체를 가로지를 수 있다. 원하는 이동을 제공하는 메커니즘을 포함한 임의의 적합한 서포트(410)를 채택할 수 있다.
전술한 바와 같이, 바람직한 실시예의 프로브 어셈블리는 석영과 같은 불활성 물질로 제조된 프로브 및 이 프로브의 후측에 결합된, 알루미늄과 같은 열전도성이 양호한 물질로 제조된 열전달부재를 포함한다. 프로브의 원통형부가 세정액과 접촉하고 웨이퍼에 인접하여 위치되기 때문에, 도 1의 섹션(104a)과 같은 전방부는 불활성물질, 후방부(104b)는 알루미늄으로 제조, 즉 열전달부재(134)를 가진 단체로 제조될 수 있는 다른 배열로 변형할 수 있다. 또한, 이것은 두 개의 구성품 사이의 조인트가 원통형부(104a)의 후측에 위치될 수 있다는 의미이다. 이러한 접합영역이 도 1에 예시된 배열만큼 단단하지 않을 수 있으나, 이것은 특정의 상황에 유용할 수 있다.
바꾸어 말하면, 일부 적용에는 석영 또는 다른 불활성물질을 프로브에 채택할 필요가 없을 수 있다. 대신에, 프로브 전체는 알루미늄 또는 이러한 다른 물질로 제조될 수 있다. 이 상황에서, 열전달부재는 프로브와 함께 단체로 제조될 수 있다. 또한 금속 프로브인 경우 세정액을 프로브 자체를 통하여 분무하는 것이 실질적일 수 있다. 예를 들면, 도 10의 배열에 있어서, 액체입구는 프로브의 직경이 큰 단부쪽에 위치되고 출구는 직경이 작은 단부쪽에 위치될 수 있다. 액체가 냉매로 또한 작용하여, 특히 드라이아이스 스노우가 채택된 경우, 변환기를 냉각시킬 수 있다.
당해기술 분야의 숙련자는 본 발명의 범위를 일탈하지 않고 여러 가지로 변형 및 변경할 수 있으며, 이러한 모든 변형 및 변경은, 청구범위에 한정된 바와 같이, 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 이해한다.

Claims (51)

  1. 진동에너지를 효과적으로 전달하는 물질로 제조된 프로브;
    상기 프로브의 일단에 부착되며, 프로브와 상이한 물질로 제조된 열전달부재; 및
    상기 열전달부재에 결합되어 열전달부재를 통하여 전달된 에너지로 상기 프로브를 진동시키는 진동기
    를 포함하는 세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프로브는 상기 프로브 일단의 직경이 상기 프로브 타단의 직경보다 작으며, 단면이 원형인 길다란 형상을 가지는 세정장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 프로브가
    선단;
    견고하고 길다란 원통형 전방부; 및
    단면 직경이 상기 원통형부의 단면 직경보다 큰 후방부
    를 포함하는 세정장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 원통형부가 상기 프로브 전체길이의 대략 2/3를 포함하는 세정장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 진동기가 상기 열전달부재에 음향적으로 결합되며, 음향에너지 소스에 연결된 변환기를 포함하는 세정장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 변환기 및 상기 열전달부재를 둘러싸는 하우징을 추가로 포함하고, 상기 프로브는 상기 하우징의 한쪽 측면을 넘어서 연장되는 세정장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 열전달부재가 알루미늄으로 제조된 세정장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 열전달부재가 금으로 도금된 세정장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 열전달부재의 단면이 상기 프로브의 상기 후방부의 단면과 형상이 유사한 세정장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 세정장치의 온도를 제어하는 상기 열전달부재와의 열전달과 관련되는 냉매를 순환시키는 냉매통로를 추가로 포함하는 세정장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 열전달부재 및 상기 진동기를 둘러싸는 하우징을 포함하고, 상기 냉매통로는 상기 하우징과 열전달부재 사이에 환형 그루브를 포함하는 세정장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 하우징 내에서 냉매를 상기 진동기로부터 분리하는 시일을 포함하는 세정장치.
  13. 제1항에 있어서, 세정액 및 세정될 웨이퍼를 수용하는 용기를 포함하고, 상기 프로브는 자신의 한쪽 부분이 세정될 웨이퍼에 근접하여 위치되도록 지지되는 세정장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 용기에 웨이퍼를 지지하는 서포트를 포함하고, 상기 프로브는 웨이퍼에 대하여 반경방향으로 위치되며, 상기 서포트는 회전가능하게 장착되는 세정장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 프로브와 웨이퍼의 표면 사이에 액체층을 형성하기 위해 상기 웨이퍼의 표면 상에 세정액을 분무하도록 위치되어, 진동에너지를 웨이퍼의 표면에 전달하기 위한 분무기를 포함하는 세정장치.
  16. 세정될 제품을 수용하는 용기;
    상기 제품을 상기 용기 내에 지지하는 서포트;
    길다란 프로브;
    상기 프로브가 소정의 주파수로 진동하여 액체를 교반시킬 때 상기 제품 표면 상의 입자가 분리되도록 상기 프로브의 일부를 상기 제품에 충분히 근접한 용기 내에 위치시키는 상기 프로브용 서포트; 및
    상기 프로브에 결합되고, 음파에너지가 상기 프로브를 통하여 프로브와 제품 사이의 상기 액체 내로 전파하는 주파수로 진동하도록 조정되는 변환기
    를 포함하는 세정장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 프로브가 상기 제품 서포트 상에 위치될 때 제품의 표면과 대체적으로 평행하게 위치되는 세정장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 프로브의 단면은 원형이고,
    상기 프로브는
    선단;
    상기 용기 내에 수용되는 견고하고 길다란 원통형부; 및
    상기 용기의 외측에 위치되고, 일단의 원형 단면은 상기 원통형부의 단면과 크기가 동일하며 타단의 직경은 상기 일단의 직경보다 큰 후방부
    를 포함하는 세정장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 프로브의 후방부 단면의 직경이 상기 일단으로부터 상기 타단까지 점차로 증가되는 세정장치.
  20. 제18항에 있어서, 상기 프로브의 후방부 단면의 직경이 단차(stepped increments)로 증가되는 세정장치.
  21. 제18항에 있어서, 상기 프로브의 원통형부 길이가 세정될 제품 길이의 적어도 1/2인 세정장치.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 프로브의 후방부 및 상기 변환기에 결합되는 열전달부재;
    상기 열전달부재를 둘러싸고 지지하는 하우징; 및
    상기 하우징에 부착되고, 상기 프로브가 관통하는 개구를 가진 플레이트를 포함하고,
    상기 플레이트가 용기에 연결되어 상기 하우징을 용기 외측 상에 지지하는 세정장치.
  23. 제22항에 있어서, 상기 플레이트를 용기로부터 이격시키는 복수개의 스페이서를 포함하는 세정장치.
  24. 제22항에 있어서, 상기 하우징과 상기 열전달부재 사이에 환형의 냉매 그루브를 추가로 포함하는 세정장치.
  25. 세정액 및 세정될 웨이퍼를 수용하는 탱크;
    탱크벽을 통하여 상기 탱크 내로 연장되는 길다란 부분 및 용기의 외측에 위치된 후방부를 포함하는 프로브;
    상기 프로브의 후방부에 음향적으로 결합되어 프로브를 메가소닉 방식으로 진동시키는 변환기; 및
    상기 변환기를 둘러싸고, 상기 탱크에 장착되며, 변환기 및 프로브 ― 여기서 상기 프로브의 길다란 부분은 캔틸레버 방식으로 지지됨 ― 를 지지하는 하우징
    을 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  26. 제25항에 있어서, 상기 하우징에 위치되고, 상기 프로브의 후방부 및 상기 변환기에 각각 음향적으로 결합되는 열전달부재를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  27. 제26항에 있어서, 상기 프로브와 열전달부재 사이에서 압축되어 상기 프로브와 열전달부재 사이에 음향적 결합을 제공하는 금속 스크린 및 그 금속 스크린에 인가된 점성물질을 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  28. 제27항에 있어서, 상기 프로브를 상기 열전달부재쪽으로 힘을 가하여 상기 프로브와 열전달부재 사이의 그리스 및 스크린을 압축하는 스프링을 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 하우징으로부터 이격되어 하우징에 고정되고, 상기 탱크로부터 이격되어 탱크에 고정되며, 상기 프로브가 관통하는 개구를 가지는 플레이트를 포함하고; 상기 스프링은 상기 프로브를 둘러싸고 플레이트와 프로브 후방부 사이에서 압축되는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  30. 불활성의 비오염물질로 제조되며, 진동에너지를 효과적으로 전달하며, 견고하고 길다란 원통형부, 단면 직경이 상기 원통형부의 단면 직경보다 큰 후방부, 및 상기 프로브 후방부에 음향적으로 결합되며 직경이 상기 원통형부의 직경보다 상당히 커서 상기 원통형부에 집중된 음향에너지가 최대로 되는 디스크형 변환기를 포함하는 길다란 프로브를 포함하고,
    상기 프로브는 일단의 원형 단면 직경이 상기 프로브의 타단 직경보다 작은 세정장치.
  31. 제30항에 있어서, 상기 원통형부가 프로브 전체 길이의 약 2/3인 세정장치.
  32. 제30항에 있어서, 상기 변환기와 프로브 사이에 음향적으로 결합되며, 열전도성이 양호한 물질로 제조된 열전달부재를 포함하는 세정장치.
  33. 세정액 및 세정될 제품을 수용하는 용기;
    상기 용기 내에 위치된 프로브의 길다란 부분 및 상기 용기의 외측에 위치된 후방부―여기서 후방부는 일단의 단면 크기가 상기 용기 내의 길다란 부분의 단면 크기와 대체로 동일하며 타단의 단면이 상기 일단보다 큼―를 포함하는 프로브 어셈블리; 및
    상기 타단에 결합되어 음파에너지를 상기 프로브를 통하여 상기 용기 내로 전파하는 주파수로 진동하도록 조정되는 변환기
    를 포함하는 세정장치.
  34. 제33항에 있어서, 상기 용기 내의 프로브 부분이 석영으로 제조된 견고한 원통형부인 세정장치.
  35. 세정액을 수용하는 용기;
    상기 용기의 측벽과 대체로 직각으로 관통하는 길다란 프로브를 포함하는 프로브 어셈블리―여기서 프로브 어셈블리는 프로브에 결합되어 메가소닉에너지를 상기 프로브에 인가하여 프로브를 진동시키는 변환기를 포함함―; 및
    중앙 개구를 각각 가지는 하나 이상의 디스크형 부재―여기서 디스크형 부재는 체임버 내에서 대체로 이격되고, 평행이며, 수직방향으로 지지되어, 상기 디스크형부재가 세정액 내에 함침될 때 메가소닉에너지가 상기 프로브로부터 디스크형부재의 표면을 따라 외측 반경방향으로 전달되어 상기 부재 상의 입자가 분리됨― 를 포함하는 세정장치.
  36. 제35항에 있어서, 상기 프로브 어셈블리가 상기 프로브의 후방부에 음향적으로 결합되는 변환기를 포함하는 세정장치.
  37. 제36항에 있어서, 상기 변환기에 결합된 프로브 부분의 단면이 상기 프로브의 로드형(rod-like) 전방부의 단면보다 훨씬 더 큰 세정장치.
  38. 제37항에 있어서, 상기 프로브의 후방부 및 변환기를 둘러싸며, 상기 용기의 외측에 장착되는 하우징을 포함하는 세정장치.
  39. 제38항에 있어서, 상기 프로브 후방부의 후측 및 변환기에 결합되어 변환기로부터 프로브에 진동을 전달하는 열전달부재를 포함하고, 상기 열전달부재가 상기 하우징과 협동하여 변환기로부터 열을 전달하는 냉매통로를 형성하는 세정장치.
  40. 제35항에 있어서, 상기 프로브는 석영으로 형성되고, 상기 로드형 전방부는 원통형 단면을 가지며, 상기 프로브 후방부는 단면이 로드형 전방부보다 실질적으로 큰 대체로 원통형인 후방부―여기서 후방부는 로드형 전방부와 원통형 후방부 사이에 연장되는 전이섹션(transition section)을 추가로 포함함―를 가지는 세정정치.
  41. 웨이퍼를 대체로 수평으로 지지하는 서포트;
    세정액을 웨이퍼의 상면 상에 분무하는 분무기;
    세정액을 웨이퍼의 하면 상에 분무하는 분무기;
    웨이퍼의 상면에 인접하여 위치되어 메가소닉에너지가 프로브에 인가될 때 웨이퍼의 상면 및 하면 상의 입자를 분리시키는 프로브
    를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  42. 제41항에 있어서, 상기 하면 상에 분무하는 분무기가 액체를 프로브 하측의 웨이퍼 하면 상으로 향하게 하는 반도체 웨이퍼의 세정장치.
  43. 반도체 웨이퍼와 같은 제품의 세정방법에 있어서,
    세정될 제품을 서포트 상에 위치시키는 단계;
    상기 프로브가 진동할 때 상기 표면 상의 입자가 분리되도록 길다란 로드형 프로브를 그 프로브 측면이 상기 제품의 대체로 평탄한 표면에 충분하게 근접되도록 위치시키는 단계;
    상기 프로브와 표면 사이의 작은 갭 내에 액체를 주입시키는 단계;
    상기 프로브를 진동시키는 단계; 및
    세정될 상기 제품의 전체 표면적이 상기 프로브에 충분하게 근접되어 제품 표면 상의 입자가 분리되도록 상기 제품과 프로브 사이에 상대운동을 발생시키는 단계
    를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정방법.
  44. 제43항에 있어서, 상기 변환기를 프로브에 연결하고, 상기 프로브가 상기 변환기를 소정 주파수로 진동하도록 여기시킴으로써 진동하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  45. 제44항에 있어서, 상기 프로브와의 열전달과 관련되는 냉매를 전도하여 상기 변환기의 온도를 제어하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  46. 제45항에 있어서, 상기 열전달부재를 프로브와 변환기 사이에 위치시키고, 냉매를 열전달부재와 접촉하도록 전도하여 상기 온도를 제어하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  47. 제43항에 있어서, 상기 액체 주입 단계가 상기 웨이퍼 상에 드라이아이스 스노우를 분무하는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  48. 하나 이상의 얇은 디스크의 세정방법에 있어서,
    각각의 디스크 중앙 개구가 수평으로 정렬되어 대체로 수평축을 형성하도록 용기 내에서 대체로 수직방향으로 상기 디스크를 위치시키는 단계;
    길다란 로드―여기서 로드는 메가소닉에너지를 탱크 내의 액체에 전달함―형 프로브를 탱크의 벽을 관통시켜 상기 디스크 개구 내로 삽입하는 단계; 및
    상기 프로브가 진동을 일으켜 메가소닉에너지가 탱크 내의 액체에 전달하도록 상기 디스크 상의 입자를 분리시키기 위해 메가소닉에너지를 상기 프로브의 후방부에 인가하는 단계
    를 포함하는 하나 이상의 얇은 디스크의 세정방법.
  49. 웨이퍼를 대체로 수평으로 지지하는 단계;
    프로브를 웨이퍼의 상면에 근접하도록 위치시키는 단계;
    상기 프로브와 웨이퍼의 상면 사이에 액체결합을 형성하도록 세정액을 프로브의 상면 및 하면 상에 분무하는 단계; 및
    프로브를 진동시켜 웨이퍼의 상면 및 하면 상의 입자를 분리하도록 메가소닉에너지를 인가하는 단계
    를 포함하는 반도체 웨이퍼의 세정방법.
  50. 제49항에 있어서, 웨이퍼 하면 상의 분무가 프로브 하측의 웨이퍼 부분과 정렬하여 이루어지는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
  51. 제49항에 있어서, 세정될 웨이퍼의 상면 중 일부분을 프로브에 근접하도록 상기 웨이퍼와 프로브 사이에 상대운동을 발생시키는 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼용 세정장치.
KR10-1999-7002749A 1996-09-30 1997-07-08 웨이퍼 세정 시스템 KR100392242B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/724,518 US6039059A (en) 1996-09-30 1996-09-30 Wafer cleaning system
US8/724,518 1996-09-30
US08/724,518 1996-09-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-7011609A Division KR100392243B1 (ko) 1996-09-30 1997-07-08 웨이퍼 세정 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000048763A true KR20000048763A (ko) 2000-07-25
KR100392242B1 KR100392242B1 (ko) 2003-07-22

Family

ID=24910738

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-7011609A KR100392243B1 (ko) 1996-09-30 1997-07-08 웨이퍼 세정 방법
KR10-1999-7002749A KR100392242B1 (ko) 1996-09-30 1997-07-08 웨이퍼 세정 시스템

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-7011609A KR100392243B1 (ko) 1996-09-30 1997-07-08 웨이퍼 세정 방법

Country Status (6)

Country Link
US (13) US6039059A (ko)
EP (1) EP0938745B1 (ko)
JP (1) JP3493492B2 (ko)
KR (2) KR100392243B1 (ko)
DE (1) DE69711210T2 (ko)
WO (1) WO1998014985A1 (ko)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100459710B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장비
KR100473475B1 (ko) * 2002-08-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
KR100481158B1 (ko) * 2002-07-03 2005-04-07 (주)케이.씨.텍 웨이퍼 처리 장치
KR100578139B1 (ko) * 2004-10-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 세정 프로브 및 이를 구비하는 메가소닉 세정 장비
KR100741029B1 (ko) * 2001-08-08 2007-07-19 씨앤지하이테크 주식회사 메가소닉 에너지 발생장치
KR100979719B1 (ko) * 2003-07-18 2010-09-03 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법
US7985625B2 (en) 2003-09-30 2011-07-26 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor device

Families Citing this family (143)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6039059A (en) 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
US20050194356A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-08 Semitool, Inc. Removing photoresist from a workpiece using water and ozone and a photoresist penetrating additive
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US20020066464A1 (en) * 1997-05-09 2002-06-06 Semitool, Inc. Processing a workpiece using ozone and sonic energy
US20050034745A1 (en) * 1997-05-09 2005-02-17 Semitool, Inc. Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive
US7163588B2 (en) * 1997-05-09 2007-01-16 Semitool, Inc. Processing a workpiece using water, a base, and ozone
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US6070284A (en) 1998-02-04 2000-06-06 Silikinetic Technology, Inc. Wafer cleaning method and system
ES2217778T3 (es) 1998-02-20 2004-11-01 THE PROCTER & GAMBLE COMPANY Producto para eliminar manchas de alfombras que usa ondas sonicas o ultrasonicas.
JP2002512312A (ja) 1998-02-20 2002-04-23 ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー 音波または超音波を使用する衣類の染除去製品
US6946399B1 (en) * 1998-10-05 2005-09-20 Lorimer D Arcy Harold Cleaning system method and apparatus for the manufacture of integrated cicuits
JP2002530480A (ja) 1998-11-16 2002-09-17 ザ、プロクター、エンド、ギャンブル、カンパニー 音波または超音波を使用する洗浄製品
CA2299997A1 (en) * 1999-03-05 2000-09-05 Thomas Peterson Method and apparatus for cleaning medical instruments and the like
DE19916345A1 (de) * 1999-04-12 2000-10-26 Steag Electronic Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Substraten
KR100469133B1 (ko) * 1999-06-24 2005-01-29 스미도모쥬기가이고교 가부시키가이샤 유체스프레이에 의한 세정방법 및 장치
US6222305B1 (en) 1999-08-27 2001-04-24 Product Systems Incorporated Chemically inert megasonic transducer system
US6904921B2 (en) * 2001-04-23 2005-06-14 Product Systems Incorporated Indium or tin bonded megasonic transducer systems
US6228563B1 (en) 1999-09-17 2001-05-08 Gasonics International Corporation Method and apparatus for removing post-etch residues and other adherent matrices
ATE294031T1 (de) * 1999-11-16 2005-05-15 Procter & Gamble Reinigungsverfahren welches ultraschallwellen verwendet
JP3998386B2 (ja) * 2000-01-26 2007-10-24 三菱電機株式会社 液晶表示装置の製造装置および液晶表示装置の製造方法
US6539952B2 (en) 2000-04-25 2003-04-01 Solid State Equipment Corp. Megasonic treatment apparatus
JP2001313317A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Ando Electric Co Ltd プローブの清掃方法及び清掃装置
US7451774B2 (en) 2000-06-26 2008-11-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
JP2004515053A (ja) 2000-06-26 2004-05-20 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド ウェーハ洗浄方法及び装置
US7105985B2 (en) * 2001-04-23 2006-09-12 Product Systems Incorporated Megasonic transducer with focused energy resonator
US7100304B2 (en) * 2001-06-12 2006-09-05 Akrion Technologies, Inc. Megasonic cleaner and dryer
KR20040028782A (ko) * 2001-06-12 2004-04-03 베르테크, 인코포레이티드 메가소닉 세정기 및 건조기 시스템
JP2003037093A (ja) * 2001-07-06 2003-02-07 Pacific Internatl Stg Inc 超音波振動装置及びそれを備えた超音波洗浄装置
US6730176B2 (en) * 2001-07-09 2004-05-04 Birol Kuyel Single wafer megasonic cleaner method, system, and apparatus
US20050087209A1 (en) * 2001-07-16 2005-04-28 Nicolosi Thomas J.Jr. Megasonic processing system with gasified fluid
US6684890B2 (en) 2001-07-16 2004-02-03 Verteq, Inc. Megasonic cleaner probe system with gasified fluid
US7156111B2 (en) 2001-07-16 2007-01-02 Akrion Technologies, Inc Megasonic cleaning using supersaturated cleaning solution
US6679272B2 (en) 2001-08-03 2004-01-20 Verteq, Inc. Megasonic probe energy attenuator
US7004182B2 (en) 2001-10-18 2006-02-28 The Procter & Gamble Company Enhanced ultrasonic cleaning devices
US6791242B2 (en) * 2001-11-02 2004-09-14 Product Systems Incorporated Radial power megasonic transducer
KR100445259B1 (ko) * 2001-11-27 2004-08-21 삼성전자주식회사 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치
US6875284B2 (en) * 2002-01-23 2005-04-05 Semitool, Inc. Side-specific cleaning method and apparatus
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
KR100493016B1 (ko) * 2002-03-23 2005-06-07 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조에 이용되는 메가소닉 세정장치
US6845778B2 (en) * 2002-03-29 2005-01-25 Lam Research Corporation In-situ local heating using megasonic transducer resonator
US6848455B1 (en) * 2002-04-22 2005-02-01 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species
US6843257B2 (en) * 2002-04-25 2005-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer cleaning system
US7185661B2 (en) * 2002-05-06 2007-03-06 Akrion Technologies, Inc. Reciprocating megasonic probe
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
KR100468110B1 (ko) * 2002-07-12 2005-01-26 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치
CN1271683C (zh) * 2002-07-25 2006-08-23 松下电器产业株式会社 一种基板镀膜方法
US6908567B2 (en) * 2002-07-30 2005-06-21 Applied Materials Israel, Ltd. Contaminant removal by laser-accelerated fluid
US20040029494A1 (en) * 2002-08-09 2004-02-12 Souvik Banerjee Post-CMP cleaning of semiconductor wafer surfaces using a combination of aqueous and CO2 based cryogenic cleaning techniques
IL161550A0 (en) 2002-09-30 2004-09-27 Lam Res Corp Method and apparatus for drying semiconductor wafer surfaces using a plurality of inlets and outlets held in close proximity to the wafer surfaces
US7198055B2 (en) * 2002-09-30 2007-04-03 Lam Research Corporation Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold
US7524771B2 (en) * 2002-10-29 2009-04-28 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing method using alkaline solution and acid solution
CN1307716C (zh) * 2002-12-06 2007-03-28 诺亚公司 多方位储液槽导热装置与方法
US7306002B2 (en) * 2003-01-04 2007-12-11 Yong Bae Kim System and method for wet cleaning a semiconductor wafer
US6864458B2 (en) * 2003-01-21 2005-03-08 Applied Materials, Inc. Iced film substrate cleaning
KR100526192B1 (ko) * 2003-05-28 2005-11-03 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정장치 및 세정방법
EP1635960A2 (en) * 2003-06-06 2006-03-22 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
AU2003903659A0 (en) * 2003-07-16 2003-07-31 Soniclean Pty Ltd An apparatus and method of ultrasonic cleaning
US6959589B1 (en) * 2003-10-03 2005-11-01 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Ultrasound analysis of slurries
US7323058B2 (en) * 2004-01-26 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7311779B2 (en) * 2003-10-06 2007-12-25 Applied Materials, Inc. Heating apparatus to heat wafers using water and plate with turbolators
US7654221B2 (en) 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7827930B2 (en) 2004-01-26 2010-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
US7223308B2 (en) * 2003-10-06 2007-05-29 Applied Materials, Inc. Apparatus to improve wafer temperature uniformity for face-up wet processing
NZ543156A (en) * 2003-10-22 2008-09-26 Soniclean Pty Ltd An apparatus and method for cleaning and recycling water used in cleaning of barrels
US20060042671A1 (en) * 2003-10-24 2006-03-02 Connelly Rowan T Ultrasonic optical cleaning system
US20050098198A1 (en) * 2003-11-10 2005-05-12 Reg Yang Washing device for packaging the image
US7516507B1 (en) 2003-11-10 2009-04-14 Xyratex Technologies, Ltd. Integrated megasonic cascade scrubber module and process
DE10361075A1 (de) * 2003-12-22 2005-07-28 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorichtung zur Trocknung von Schaltungssubstraten
US20050173253A1 (en) * 2004-02-05 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infilm defect reduction for electrochemical copper deposition
US7439654B2 (en) * 2004-02-24 2008-10-21 Air Products And Chemicals, Inc. Transmission of ultrasonic energy into pressurized fluids
US7084553B2 (en) * 2004-03-04 2006-08-01 Ludwiczak Damian R Vibrating debris remover
CN1707746A (zh) * 2004-06-10 2005-12-14 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 用于处理半导体器件的光掩模的方法
JP4519541B2 (ja) * 2004-06-24 2010-08-04 株式会社東芝 超音波洗浄装置
EP1781425A2 (en) * 2004-07-09 2007-05-09 Akrion Llc Reduced pressure irradiation processing method and apparatus
WO2006010997A1 (en) * 2004-07-16 2006-02-02 Darren Miles Bates An apparatus and method of ultrasonic cleaning
US20060027248A1 (en) * 2004-08-09 2006-02-09 Applied Materials, Inc. Megasonic cleaning with minimized interference
US7718009B2 (en) 2004-08-30 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Cleaning submicron structures on a semiconductor wafer surface
KR101312298B1 (ko) * 2004-09-15 2013-09-27 아크리온 테크놀로지즈 인코포레이티드 소닉 에너지원에 전원을 공급하는 시스템 및 방법 및기판을 처리하기 위한 그들의 이용
KR100598112B1 (ko) * 2004-12-20 2006-07-07 삼성전자주식회사 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법
JP4407944B2 (ja) 2004-12-21 2010-02-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2006076005A1 (en) * 2005-01-12 2006-07-20 Boc, Inc. System for cleaning a surface using cryogenic aerosol and fluid reactant
US9799536B2 (en) * 2005-02-07 2017-10-24 Planar Semiconductor, Inc. Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet
US10179351B2 (en) 2005-02-07 2019-01-15 Planar Semiconductor, Inc. Method and apparatus for cleaning flat objects with pulsed liquid jet
DE102005007056A1 (de) * 2005-02-15 2006-08-24 Dieter Weber Ultraschall-Stabschwinger
WO2006096814A2 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Akrion, Inc. Method and system for processing substrates with sonic energy that reduces or eliminates damage to semiconductor devices
KR101069457B1 (ko) * 2005-05-26 2011-09-30 혼다덴시 가부시키가이샤 초음파 세정장치
TW200738356A (en) * 2005-06-15 2007-10-16 Akrion Inc System and method of processing substrates using sonic energy having cavitation control
US20070084481A1 (en) * 2005-10-07 2007-04-19 Franklin Cole S System and method of cleaning substrates using a subambient process solution
US7784478B2 (en) * 2006-01-20 2010-08-31 Akrion Systems Llc Acoustic energy system, method and apparatus for processing flat articles
US9987666B2 (en) 2006-01-20 2018-06-05 Naura Akrion Inc. Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same
US20070170812A1 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Pejman Fani System apparatus and methods for processing substrates using acoustic energy
US9049520B2 (en) 2006-01-20 2015-06-02 Akrion Systems Llc Composite transducer apparatus and system for processing a substrate and method of constructing the same
JP4527670B2 (ja) * 2006-01-25 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US20100200021A1 (en) * 2006-02-17 2010-08-12 Nils Adey Slide Conditioning Systems and Methods
DE102006033372B4 (de) * 2006-02-17 2010-04-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Ultraschallaktor zur Reinigung von Objekten
US20080017219A1 (en) * 2006-07-12 2008-01-24 Cole Franklin Transducer assembly incorporating a transmitter having through holes, and method and system for cleaning a substrate utilizing the same
TWI352628B (en) * 2006-07-21 2011-11-21 Akrion Technologies Inc Nozzle for use in the megasonic cleaning of substr
TW200817105A (en) * 2006-08-18 2008-04-16 Akrion Technologies Inc System and method for processing a substrate utilizing a gas stream for particle removal
KR100829923B1 (ko) * 2006-08-30 2008-05-16 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하는 기판처리방법
KR100800174B1 (ko) * 2006-10-20 2008-02-01 한국기계연구원 메가소닉 세정모듈
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
US20080166210A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Supinating cartesian robot blade
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US20080163890A1 (en) * 2007-01-10 2008-07-10 Applied Materials, Inc. Tunable megasonics cavitation process using multiple transducers for cleaning nanometer particles without structure damage
JP5109376B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-26 東京エレクトロン株式会社 加熱装置、加熱方法及び記憶媒体
US7958899B2 (en) * 2007-08-21 2011-06-14 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
US7872400B2 (en) * 2007-09-24 2011-01-18 Dr. Hielscher Gmbh Ultrasonic device with a disk-shaped resonator
JP2009081366A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Elpida Memory Inc バッチ処理装置
US8040022B2 (en) * 2007-12-12 2011-10-18 Aprolase Development Co., Llc Forced vibration piezo generator and piezo actuator
US20100167943A1 (en) * 2008-06-09 2010-07-01 Nils Adey System and Method for Hybridization Slide Processing
US20110190153A1 (en) * 2008-06-09 2011-08-04 Nils Adey System and method for hybridization slide processing
JP4532580B2 (ja) 2008-08-20 2010-08-25 株式会社カイジョー 超音波洗浄装置
US8702017B2 (en) * 2008-12-16 2014-04-22 Asm Assembly Automation Ltd Nozzle device employing high frequency wave energy
TWI483299B (zh) * 2009-01-09 2015-05-01 Acm Res Shanghai Inc 半導體矽片的清洗方法和裝置
TWI501297B (zh) * 2009-03-31 2015-09-21 Acm Res Shanghai Inc 半導體矽片的清洗方法和裝置
KR20110064511A (ko) * 2009-12-08 2011-06-15 삼성메디슨 주식회사 초음파 프로브 장치 및 그 제조방법
JP2013540580A (ja) * 2010-09-02 2013-11-07 ドクター ヒールシャー ゲーエムベーハー 流動性媒体を噴霧又は霧化する方法及び装置
WO2012052886A2 (en) 2010-10-21 2012-04-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Oled device with a brightness distribution controlling means
JP5758111B2 (ja) * 2010-12-02 2015-08-05 株式会社ディスコ 切削装置
US8551251B2 (en) 2011-04-28 2013-10-08 Lam Research Ag Ultrasonic treatment method and apparatus
US9421617B2 (en) 2011-06-22 2016-08-23 Tel Nexx, Inc. Substrate holder
US8613474B2 (en) 2011-07-06 2013-12-24 Tel Nexx, Inc. Substrate loader and unloader having a Bernoulli support
US8486199B2 (en) 2011-07-22 2013-07-16 Lam Research Ag Ultrasonic cleaning method and apparatus
WO2013093183A1 (en) * 2011-12-21 2013-06-27 Vahterus Oy Ultrasonic cleaner for a heat exchanger
RU2524603C2 (ru) * 2012-06-27 2014-07-27 Михаил Олегович Мамонтов Способ гидрокавитационной очистки поверхности и устройство для его осуществления
CN103776477A (zh) * 2014-01-24 2014-05-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种摇摆式传感器组件
US10688536B2 (en) * 2014-02-24 2020-06-23 The Boeing Company System and method for surface cleaning
CN104894634A (zh) * 2014-03-03 2015-09-09 盛美半导体设备（上海）有限公司 新型电化学抛光装置
KR102359795B1 (ko) 2015-05-20 2022-02-08 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 웨이퍼를 세정하는 방법 및 장치
EP3405952A1 (en) 2016-01-20 2018-11-28 Dussault, Donald Herbert Method and apparatus for cleaning a disc record
EP3515611A4 (en) 2016-09-19 2020-05-13 ACM Research (Shanghai) Inc. METHODS AND APPARATUS FOR CLEANING SUBSTRATES
KR102655533B1 (ko) * 2016-09-20 2024-04-08 에이씨엠 리서치 (상하이), 인코포레이티드 기판을 세정하는 방법 및 장치
US20180147611A1 (en) * 2016-11-29 2018-05-31 1863815 Ontario Limited Apparatus, System and Method for Cleaning Inner Surfaces of Tubing
EP3560611A4 (en) * 2016-12-20 2020-08-12 Hitachi High-Tech Corporation ULTRASONIC CLEANING DEVICE AND AUTOMATIC ANALYSIS DEVICE USING IT
KR20190086859A (ko) * 2018-01-15 2019-07-24 삼성전자주식회사 기판 지지 기구 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
CN108704829A (zh) * 2018-07-18 2018-10-26 方安轩 一种密闭式超声波振动棒
CN109326538A (zh) * 2018-09-13 2019-02-12 江西展宇新能源股份有限公司 一种湿法黑硅制绒清洗槽、制绒机台及湿法黑硅制绒方法
RU191310U1 (ru) * 2018-12-26 2019-08-01 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)" Устройство для ультразвуковой очистки нанокалориметрических сенсоров
CN114514077B (zh) * 2019-11-05 2024-01-30 安赛乐米塔尔公司 用于对移动的钢带进行连续清洁的方法和设备
CN111299207B (zh) * 2019-12-24 2022-07-08 南阳弘利光电科技有限公司 一种旋转式光学镜片清洗装置
CN112547747A (zh) * 2020-11-04 2021-03-26 杭州瑚途科技有限公司 一种生产车间用的智能制造型打印机稳定防尘连接装置

Family Cites Families (315)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1313160A (en) 1919-08-12 Chini
US539075A (en) 1895-05-14 Apparatus for circulating and pumping liquids
US556362A (en) * 1896-03-17 mcgill
US2736173A (en) 1956-02-28 duncan
US539074A (en) 1895-05-14 Device for circulating or pumping liquids
US728148A (en) 1902-10-18 1903-05-12 Frank M Wever Acid or other liquid distributing system.
US872494A (en) 1905-11-17 1907-12-03 Harvey Blackburn Beer-coil cleaner.
US1066993A (en) 1908-07-17 1913-07-08 Edward J Carey Apparatus for pickling meal.
US1845139A (en) 1928-06-12 1932-02-16 Exley William Herbert Apparatus for elevating acids and other liquids
US1896004A (en) 1931-01-28 1933-01-31 Lewis Benjamin Pipe cleaner
US2016926A (en) 1934-06-26 1935-10-08 Joss Equipment And Service Cor Apparatus for emptying and cleaning beer and other pipes
US2180274A (en) 1937-06-30 1939-11-14 Holmes W C & Co Ltd Pneumatic ejector plant
US2498737A (en) * 1946-06-07 1950-02-28 William H T Holden Electromechanical transducer
US2619974A (en) 1946-10-10 1952-12-02 John H Daley Reverse flow surge washer
US2934661A (en) * 1949-04-19 1960-04-26 Torrence H Chambers Transducer mounting
US2738173A (en) * 1952-04-09 1956-03-13 Massa Frank Reduction of friction between a fluid and the wall of a conduit through which the fluid is passing
US2699403A (en) * 1952-05-24 1955-01-11 Emmett J Courts Means and methods for cleaning and polishing automobiles
US2714575A (en) * 1952-07-03 1955-08-02 Horizons Titanium Corp Production of metallic titanium
US2713988A (en) 1953-04-27 1955-07-26 Donald M Kitterman Drawing valve for liquid containers
US2713998A (en) * 1953-05-18 1955-07-26 Eicken Henri Means for emulsifying sizing and the like products
CH280243A (de) * 1953-09-28 1952-01-15 Watch Mfg Co S A Gruen Verfahren zur Reinigung von Bestandteilen für Erzeugnisse der Präzisionsindustrie.
US2802476A (en) * 1954-06-10 1957-08-13 Detrex Corp Cleaning apparatus
GB807023A (en) 1954-07-01 1959-01-07 Libbey Owens Ford Glass Co Cleaning surfaces by vibration
US2814575A (en) * 1954-08-13 1957-11-26 Hodes Lange Corp Method and apparatus for cleaning ampoules with the aid of ultrasonic vibration
US2967120A (en) 1956-11-07 1961-01-03 John L Chaney Method and apparatus for cleaning thermometers
US3005417A (en) 1957-04-26 1961-10-24 United States Steel Corp Pneumatic system for pumping liquid
US2950725A (en) * 1958-03-26 1960-08-30 Detrex Chem Ind Ultrasonic cleaning apparatus
US3058014A (en) 1958-09-08 1962-10-09 Bendix Corp Apparatus for generating sonic vibrations in liquids
NL255983A (ko) * 1959-12-14
US3094314A (en) * 1960-08-02 1963-06-18 Detrex Chem Ind Sandwich type transducer and coupling
US3077155A (en) * 1960-08-08 1963-02-12 Pako Corp Device for treating photographic sheet material
US3113761A (en) * 1961-07-26 1963-12-10 Ultrasonic Ind Inc Ultrasonic tank housing
US3208157A (en) 1961-09-20 1965-09-28 Phillips Petroleum Co Regeneration of adsorbents
US3373752A (en) * 1962-11-13 1968-03-19 Inoue Kiyoshi Method for the ultrasonic cleaning of surfaces
US3163149A (en) 1963-03-04 1964-12-29 Lee R Ivey Mobile washer for laboratory animal cages
US3163148A (en) 1963-05-06 1964-12-29 Howard C Duren Diving plane
US3206167A (en) 1963-11-07 1965-09-14 Stanley Works Strap tensioner device with fulcrum means for pivotal removal of the device
US3396286A (en) 1965-01-21 1968-08-06 Linden Lab Inc Transducer assembly for producing ultrasonic vibrations
US3437543A (en) 1965-03-09 1969-04-08 Western Electric Co Apparatus for polishing
US3329408A (en) 1965-03-29 1967-07-04 Branson Instr Transducer mounting arrangement
US3371233A (en) 1965-06-28 1968-02-27 Edward G. Cook Multifrequency ultrasonic cleaning equipment
US3499792A (en) * 1965-08-11 1970-03-10 Soniflow Equipment Co Cleaning method and apparatus
US3415548A (en) 1965-09-16 1968-12-10 Ultrasonics Ltd Transducer mounting
US3449792A (en) * 1965-10-01 1969-06-17 Marrick Mfg Co Ltd Blow molding apparatus
GB1157645A (en) 1965-11-19 1969-07-09 Atomic Energy Authority Uk Improvements in Pickling Apparatus
US3301535A (en) 1966-01-04 1967-01-31 American Sterilizer Co Ultrasonic washing machine and transducer therefor
US3441754A (en) * 1966-05-31 1969-04-29 Linden Lab Inc Base mounted piezoelectric transducer assembly having intermediate stress absorbing member
US3401708A (en) * 1966-11-28 1968-09-17 Richard W. Henes Device for ultrasonically cleaning phonographic records
US3405916A (en) 1967-04-11 1968-10-15 Branson Instr Ultrasonic treatment apparatus
GB1239573A (ko) 1968-02-09 1971-07-21
US3511323A (en) * 1968-02-23 1970-05-12 Black & Decker Mfg Co Sonic tool with generally undamped mounting of nodal portion of transducer
US3445092A (en) 1968-02-28 1969-05-20 Bausch & Lomb Ultrasonic cleaning device
USB724600I5 (ko) 1968-04-26
GB1219228A (en) * 1968-05-17 1971-01-13 Lukas Zimmerman Automatic turret lathes
GB1282552A (en) 1968-06-06 1972-07-19 Szilard M Janos Ultrasonic cleaning appliance
US3607549A (en) 1968-10-09 1971-09-21 Gen Dynamics Corp Automatic chemical analyzer and controller
US3596883A (en) * 1968-11-08 1971-08-03 Branson Instr Ultrasonic apparatus
US3645581A (en) 1968-11-26 1972-02-29 Ind Modular Systems Corp Apparatus and method for handling and treating articles
US3628071A (en) 1970-05-01 1971-12-14 Branson Instr Mechanical amplitude transformer
CA933276A (en) * 1971-02-05 1973-09-04 J. Last Anthony Ultrasonic motor
US3694675A (en) * 1971-02-25 1972-09-26 Eastman Kodak Co Cooled ultrasonic transducer
US3676963A (en) * 1971-03-08 1972-07-18 Chemotronics International Inc Method for the removal of unwanted portions of an article
US3689783A (en) * 1971-03-11 1972-09-05 David A Williams Ultrasonic transducer with half-wave separator between piezoelectric crystal means
US3698408A (en) 1971-06-11 1972-10-17 Branson Instr Ultrasonic processing apparatus
US3700937A (en) * 1971-07-01 1972-10-24 Branson Instr Submersible ultrasonic transducer assembly
DE2133876A1 (de) 1971-07-07 1973-01-18 Siemens Ag Anordnung zum eindiffundieren von dotierstoffen
US3720402A (en) 1971-07-09 1973-03-13 Soniclens Inc Ultrasonic cleaning device for fragile heat-sensitive articles
US3702519A (en) * 1971-07-12 1972-11-14 Chemotronics International Inc Method for the removal of unwanted portions of an article by spraying with high velocity dry ice particles
GB1399867A (en) 1971-09-27 1975-07-02 Ici Ltd Cleaning process
US3871914A (en) 1971-10-18 1975-03-18 Chemcut Corp Etchant rinse apparatus
US3881328A (en) 1971-12-22 1975-05-06 Economics Lab Electronic detergent dispensing system
US3972018A (en) * 1972-08-10 1976-07-27 Sparton Corporation Electromechanical transducer
US4027686A (en) * 1973-01-02 1977-06-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water
US3813311A (en) 1973-01-24 1974-05-28 Gen Motors Corp Process for etching silicon wafers
US3873071A (en) 1973-08-01 1975-03-25 Tatebe Seishudo Kk Ultrasonic wave cleaning apparatus
CH568101A5 (ko) 1973-09-11 1975-10-31 Beaud Jean Louis
US3851861A (en) 1973-09-18 1974-12-03 Thurman Mfg Co Ultrasonic cleaning device with temperature responsive cut-off
US3964957A (en) 1973-12-19 1976-06-22 Monsanto Company Apparatus for processing semiconductor wafers
US3900162A (en) * 1974-01-10 1975-08-19 Ibm Method and apparatus for generation of multiple uniform fluid filaments
US3937990A (en) * 1974-05-28 1976-02-10 Winston Ronald H Ultrasonic composite devices
US3893869A (en) * 1974-05-31 1975-07-08 Rca Corp Megasonic cleaning system
DE2434305C2 (de) 1974-07-17 1983-09-29 Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg Ätzanlage
US3973760A (en) * 1974-07-19 1976-08-10 Robert E. McClure Ultrasonic cleaning and sterilizing apparatus
US3945618A (en) 1974-08-01 1976-03-23 Branson Ultrasonics Corporation Sonic apparatus
US4038786A (en) * 1974-09-27 1977-08-02 Lockheed Aircraft Corporation Sandblasting with pellets of material capable of sublimation
JPS5141640A (en) 1974-10-05 1976-04-08 Kobe Steel Ltd Kanjosozaino naimensanaraisochi
US3977926A (en) 1974-12-20 1976-08-31 Western Electric Company, Inc. Methods for treating articles
US3953265A (en) 1975-04-28 1976-04-27 International Business Machines Corporation Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers
US4029260A (en) 1975-10-02 1977-06-14 Herrick George A Cleaning and sanitizing apparatus
US4016436A (en) 1975-12-10 1977-04-05 Branson Ultrasonics Corporation Sonic or ultrasonic processing apparatus
GB1530978A (en) 1976-05-10 1978-11-01 Rca Corp Method for removing material from a substrate
US4062463A (en) 1976-05-11 1977-12-13 Machine Technology, Inc. Automated single cassette load mechanism for scrubber
US4111546A (en) * 1976-08-26 1978-09-05 Xerox Corporation Ultrasonic cleaning apparatus for an electrostatographic reproducing machine
US4079522A (en) 1976-09-23 1978-03-21 Rca Corporation Apparatus and method for cleaning and drying semiconductors
US4064885A (en) 1976-10-26 1977-12-27 Branson Ultrasonics Corporation Apparatus for cleaning workpieces by ultrasonic energy
US4161356A (en) 1977-01-21 1979-07-17 Burchard John S Apparatus for in-situ processing of photoplates
US4062238A (en) * 1977-02-14 1977-12-13 Fischer & Porter Company Multi-range vortex-type flowmeter
JPS6034433B2 (ja) * 1977-03-07 1985-08-08 株式会社豊田中央研究所 超音波変換器
SE7702537L (sv) * 1977-03-07 1978-09-08 Aga Ab Forfarande och anordning for att rengora en lutande eller vertikal yta pa ett optiskt element
US4118649A (en) 1977-05-25 1978-10-03 Rca Corporation Transducer assembly for megasonic cleaning
US4099417A (en) 1977-05-25 1978-07-11 Rca Corporation Method and apparatus for detecting ultrasonic energy
US4159917A (en) 1977-05-27 1979-07-03 Eastman Kodak Company Method for use in the manufacture of semiconductor devices
JPS547874A (en) * 1977-06-20 1979-01-20 Nec Corp One side etching unit for semiconductor substrate
US4178188A (en) * 1977-09-14 1979-12-11 Branson Ultrasonics Corporation Method for cleaning workpieces by ultrasonic energy
JPS6018472B2 (ja) * 1977-11-14 1985-05-10 日本電気株式会社 回転式超音波洗浄装置
US4190015A (en) 1977-12-08 1980-02-26 Machine Technology, Inc. Apparatus for dispensing liquid to spinning workpieces
US4183011A (en) * 1977-12-22 1980-01-08 Fred M. Dellorfano, Jr. Ultrasonic cleaning systems
US4169807A (en) 1978-03-20 1979-10-02 Rca Corporation Novel solvent drying agent
JPS551114A (en) 1978-06-19 1980-01-07 Hitachi Ltd Method and device for washing wafer
US4164477A (en) 1978-10-02 1979-08-14 Chem-X3, Inc. Fungicidal detergent composition
US4323452A (en) 1979-11-01 1982-04-06 Caterpillar Tractor Co. Pumpless flow system for a corrosive liquid
DE3008386C2 (de) * 1980-03-05 1986-01-16 Seitz Enzinger Noll Maschinenbau Ag, 6800 Mannheim Füllelement für Gegendruck-Füllmaschinen
NL189237C (nl) * 1980-04-12 1993-02-16 Battelle Institut E V Inrichting voor het verstuiven van vloeistoffen.
US4464651A (en) * 1980-04-14 1984-08-07 Stanley Vemco Home security and garage door operator system
US4318749A (en) * 1980-06-23 1982-03-09 Rca Corporation Wettable carrier in gas drying system for wafers
DE3027533C2 (de) * 1980-07-21 1986-05-15 Telsonic Aktiengesellschaft für elektronische Entwicklung und Fabrikation, Bronschhofen Verfahren zur Erzeugung und Abstrahlung von Ultraschallenergie in Flüssigkeiten sowie Ultraschallresonator zur Ausführung des Verfahrens
JPS6116528Y2 (ko) 1980-08-01 1986-05-21
US4326553A (en) * 1980-08-28 1982-04-27 Rca Corporation Megasonic jet cleaner apparatus
US4479849A (en) 1980-09-25 1984-10-30 Koltron Corporation Etchant removal apparatus and process
US4368757A (en) * 1980-09-29 1983-01-18 Sioux Steam Cleaner Corporation Cleaning apparatus and method
US4389820A (en) * 1980-12-29 1983-06-28 Lockheed Corporation Blasting machine utilizing sublimable particles
US5834871A (en) 1996-08-05 1998-11-10 Puskas; William L. Apparatus and methods for cleaning and/or processing delicate parts
JPS57135066A (en) 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
JPS57153638A (en) 1981-03-17 1982-09-22 Tokyo Shibaura Electric Co Ultrasonic probe enclosing case in ultrasonic diagnostic apparatus
US4401131A (en) * 1981-05-15 1983-08-30 Gca Corporation Apparatus for cleaning semiconductor wafers
US4373944A (en) * 1981-08-10 1983-02-15 Owens-Illinois, Inc. Removal of glass particles from glass articles
US4408960A (en) 1981-09-11 1983-10-11 Logic Devices, Inc. Pneumatic method and apparatus for circulating liquids
US4501285A (en) 1982-04-05 1985-02-26 Sonobond Ultrasonics, Inc. Ultrasonic cleaning apparatus
DE3212916A1 (de) * 1982-04-06 1983-10-13 Markku 02170 Espoo Hakala Verfahren und vorrichtung zum reinigen im seidendruck verwendeter seidentuecher
US4635655A (en) 1982-04-19 1987-01-13 Paradise Norman P Hair-waving rod
US4426246A (en) * 1982-07-26 1984-01-17 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Plasma pretreatment with BCl3 to remove passivation formed by fluorine-etch
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
US4489740A (en) * 1982-12-27 1984-12-25 General Signal Corporation Disc cleaning machine
US4461651A (en) * 1983-02-08 1984-07-24 Foster Wheeler Limited Sonic cleaning device and method
SE440719B (sv) * 1983-06-17 1985-08-12 Holmstrands Plaatindustri Ab Sett och anordning vid rengoring av kretskort, som tidigare underkastats en lodningsoperation med flussmedel
US4565942A (en) * 1983-07-01 1986-01-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Energy trapped piezoelectric resonator liquid sensor
JPS6014244A (ja) * 1983-07-06 1985-01-24 Fujitsu Ltd マスク洗浄装置
JPS6015527A (ja) * 1983-07-08 1985-01-26 Sonotetsuku:Kk 超音波振動検出装置
US4655847A (en) * 1983-09-01 1987-04-07 Tsuyoshi Ichinoseki Cleaning method
US4591485A (en) * 1983-12-22 1986-05-27 International Paper Company Method and apparatus for sonicating articles
US4519846A (en) * 1984-03-08 1985-05-28 Seiichiro Aigo Process for washing and drying a semiconductor element
US4778532A (en) 1985-06-24 1988-10-18 Cfm Technologies Limited Partnership Process and apparatus for treating wafers with process fluids
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4984597B1 (en) * 1984-05-21 1999-10-26 Cfmt Inc Apparatus for rinsing and drying surfaces
US4577650A (en) * 1984-05-21 1986-03-25 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4738272A (en) * 1984-05-21 1988-04-19 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4633893A (en) * 1984-05-21 1987-01-06 Cfm Technologies Limited Partnership Apparatus for treating semiconductor wafers
US4856544A (en) 1984-05-21 1989-08-15 Cfm Technologies, Inc. Vessel and system for treating wafers with fluids
US4544446A (en) 1984-07-24 1985-10-01 J. T. Baker Chemical Co. VLSI chemical reactor
US4543130A (en) * 1984-08-28 1985-09-24 Rca Corporation Megasonic cleaning apparatus and method
US4602184A (en) 1984-10-29 1986-07-22 Ford Motor Company Apparatus for applying high frequency ultrasonic energy to cleaning and etching solutions
US4747421A (en) * 1985-03-13 1988-05-31 Research Development Corporation Of Japan Apparatus for removing covering film
US4631250A (en) * 1985-03-13 1986-12-23 Research Development Corporation Of Japan Process for removing covering film and apparatus therefor
JPS61240157A (ja) 1985-04-17 1986-10-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 超音波探触子
US4635666A (en) * 1985-04-22 1987-01-13 Daley Frank E Batch cleaning apparatus
US4691725A (en) * 1985-05-13 1987-09-08 Ultramed Corporation Lens cleaner
US4795497A (en) * 1985-08-13 1989-01-03 Mcconnell Christopher F Method and system for fluid treatment of semiconductor wafers
US4750902A (en) * 1985-08-28 1988-06-14 Sonomed Technology, Inc. Endoscopic ultrasonic aspirators
US4857113A (en) * 1985-12-23 1989-08-15 Grace-Lee Products, Inc. Vehicle cleansing method
US5119840A (en) * 1986-04-07 1992-06-09 Kaijo Kenki Co., Ltd. Ultrasonic oscillating device and ultrasonic washing apparatus using the same
US4676008A (en) 1986-05-16 1987-06-30 Microglass, Inc. Cage-type wafer carrier and method
JPS62281431A (ja) * 1986-05-30 1987-12-07 Hitachi Electronics Eng Co Ltd 超音波洗浄方法および装置
EP0251797B1 (en) * 1986-07-02 1993-10-06 Nec Corporation Non-directional ultrasonic transducer
JPS6314434A (ja) 1986-07-04 1988-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板表面処理方法および装置
JPS6336534A (ja) * 1986-07-30 1988-02-17 Puretetsuku:Kk 洗浄装置
US4788994A (en) 1986-08-13 1988-12-06 Dainippon Screen Mfg. Co. Wafer holding mechanism
US4744181A (en) * 1986-11-17 1988-05-17 Moore David E Particle-blast cleaning apparatus and method
JPS63136528A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Mitsubishi Electric Corp 処理液塗布装置
US4863561A (en) * 1986-12-09 1989-09-05 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers
US4806171A (en) * 1987-04-22 1989-02-21 The Boc Group, Inc. Apparatus and method for removing minute particles from a substrate
US5037481B1 (en) * 1987-04-29 1993-05-11 Verteq, Inc. Megasonic cleaning method
US4869278A (en) * 1987-04-29 1989-09-26 Bran Mario E Megasonic cleaning apparatus
US4804007A (en) * 1987-04-29 1989-02-14 Verteq, Inc. Cleaning apparatus
US4998549A (en) * 1987-04-29 1991-03-12 Verteq, Inc. Megasonic cleaning apparatus
US4936922A (en) * 1987-05-21 1990-06-26 Roger L. Cherry High-purity cleaning system, method, and apparatus
DE3844648C2 (ko) * 1987-06-23 1992-02-20 Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp
US4805171A (en) 1987-07-10 1989-02-14 Solid State Systems, Inc. Unitary PCM rate converter and multiframe buffer
JPS6418229A (en) * 1987-07-14 1989-01-23 Oki Electric Ind Co Ltd Super-ultrasonic cleaning device
US5259890A (en) * 1987-07-14 1993-11-09 Goff Division, George Fischer Foundry Systems, Inc. Washing device for machine parts and method of using the device
US4902350A (en) * 1987-09-09 1990-02-20 Robert F. Orr Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
JPH01143223A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH01143224A (ja) * 1987-11-28 1989-06-05 Toshiba Corp 半導体基板の表面処理方法
JPH06103678B2 (ja) * 1987-11-28 1994-12-14 株式会社東芝 半導体基板の加工方法
JP2634056B2 (ja) * 1988-03-28 1997-07-23 セイコー化工機株式会社 半導体排ガス除去方法
JPH01246935A (ja) 1988-03-29 1989-10-02 Nec Eng Ltd 異速度受信方式
US4883561A (en) * 1988-03-29 1989-11-28 Bell Communications Research, Inc. Lift-off and subsequent bonding of epitaxial films
US4854337A (en) 1988-05-24 1989-08-08 Eastman Kodak Company Apparatus for treating wafers utilizing megasonic energy
JPH01304733A (ja) * 1988-06-01 1989-12-08 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄装置
JPH01316935A (ja) * 1988-06-17 1989-12-21 Hitachi Ltd 洗浄装置
JPH06103687B2 (ja) 1988-08-12 1994-12-14 大日本スクリーン製造株式会社 回転式表面処理方法および回転式表面処理における処理終点検出方法、ならびに回転式表面処理装置
JPH02130921A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Taiyo Sanso Co Ltd 固体表面洗浄装置
US4974376A (en) * 1988-11-16 1990-12-04 Nielsen David R Temporary shelter
FR2639425B1 (fr) * 1988-11-18 1991-06-07 Total France Procede et dispositif de nettoyage d'un tube dans lequel circule un fluide, et utilisation dans les tubes d'echangeurs de chaleur
US5013366A (en) * 1988-12-07 1991-05-07 Hughes Aircraft Company Cleaning process using phase shifting of dense phase gases
JP2653511B2 (ja) 1989-03-30 1997-09-17 株式会社東芝 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
US5017236A (en) * 1989-08-21 1991-05-21 Fsi International, Inc. High frequency sonic substrate processing module
US5109562A (en) * 1989-08-30 1992-05-05 C.V.D. System Cleaners Corporation Chemical vapor deposition system cleaner
JPH03136232A (ja) * 1989-08-31 1991-06-11 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の表面処理装置
US4909350A (en) * 1989-09-18 1990-03-20 Jacobs John D Hook-on scaffolding support
JPH03116832A (ja) * 1989-09-29 1991-05-17 Mitsubishi Electric Corp 固体表面の洗浄方法
US5129956A (en) * 1989-10-06 1992-07-14 Digital Equipment Corporation Method and apparatus for the aqueous cleaning of populated printed circuit boards
US5018988A (en) * 1989-10-10 1991-05-28 Sps Technologies, Inc. Electrical contact mechanism for ultrasonic transducers on fasteners
US4978067A (en) * 1989-12-22 1990-12-18 Sono-Tek Corporation Unitary axial flow tube ultrasonic atomizer with enhanced sealing
US5038808A (en) 1990-03-15 1991-08-13 S&K Products International, Inc. High frequency ultrasonic system
DE4012467A1 (de) 1990-04-19 1991-10-24 D T I Dr Trippe Ingenieurgesel Vorrichtung und verfahren zum reinigen von oberflaechen mittels ultraschall
US5156174A (en) 1990-05-18 1992-10-20 Semitool, Inc. Single wafer processor with a bowl
US5062898A (en) * 1990-06-05 1991-11-05 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using a cryogenic aerosol
US5125979A (en) * 1990-07-02 1992-06-30 Xerox Corporation Carbon dioxide snow agglomeration and acceleration
US5016055A (en) * 1990-07-02 1991-05-14 Xerox Corporation Method and apparatus for using vibratory energy with application of transfer field for enhanced transfer in electrophotographic imaging
US4997490A (en) * 1990-08-02 1991-03-05 Bold Plastics, Inc. Method of cleaning and rinsing wafers
US5148823A (en) 1990-10-16 1992-09-22 Verteg, Inc. Single chamber megasonic energy cleaner
US5090432A (en) * 1990-10-16 1992-02-25 Verteq, Inc. Single wafer megasonic semiconductor wafer processing system
JP2804839B2 (ja) 1990-10-17 1998-09-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP3167317B2 (ja) 1990-10-18 2001-05-21 株式会社東芝 基板処理装置及び同方法
DE69108169T2 (de) 1990-10-23 1995-07-20 Tokyo Special Wire Netting Co Reinigungsapparat.
JP2648638B2 (ja) 1990-11-30 1997-09-03 三菱マテリアル株式会社 ウェーハの接着方法およびその装置
US5317778A (en) 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
US5348552A (en) * 1991-08-30 1994-09-20 Hoya Corporation Laser surgical unit
KR100254653B1 (ko) * 1991-10-04 2000-05-01 월터 알란 이. 대상물을 처리하는 방법
US5247954A (en) * 1991-11-12 1993-09-28 Submicron Systems, Inc. Megasonic cleaning system
DE4138400C1 (ko) 1991-11-22 1993-02-18 Aichelin Gmbh, 7015 Korntal-Muenchingen, De
US5213103A (en) * 1992-01-31 1993-05-25 Acoustic Imaging Technologies Corp. Apparatus for and method of cooling ultrasonic medical transducers by conductive heat transfer
JP3030313B2 (ja) 1992-02-12 2000-04-10 住特フェライト株式会社 連続超音波洗浄装置
KR100230694B1 (ko) 1992-05-18 1999-11-15 다카시마 히로시 기판세정처리장치
US5456759A (en) 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
US5316591A (en) * 1992-08-10 1994-05-31 Hughes Aircraft Company Cleaning by cavitation in liquefied gas
US5279316A (en) * 1992-08-18 1994-01-18 P.C.T. Systems, Inc. Multiprocessing sonic bath system for semiconductor wafers
US5271463A (en) 1992-08-28 1993-12-21 Mobil Oil Corporation Method of recovering additional oil from fines and residue recovered from viscous oil reservoirs
JP2877216B2 (ja) 1992-10-02 1999-03-31 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置
US5377709A (en) * 1992-10-22 1995-01-03 Shibano; Yoshihide Ultrasonic vibrator device for ultrasonically cleaning workpiece
US5337446A (en) 1992-10-27 1994-08-16 Autoclave Engineers, Inc. Apparatus for applying ultrasonic energy in precision cleaning
US5339842A (en) 1992-12-18 1994-08-23 Specialty Coating Systems, Inc. Methods and apparatus for cleaning objects
US5270079A (en) 1992-12-18 1993-12-14 Specialty Coatings Systems, Inc. Methods of meniscus coating
US5328556A (en) 1992-12-31 1994-07-12 Nace Technology, Inc. Wafer fabrication
US5427622A (en) 1993-02-12 1995-06-27 International Business Machines Corporation Method for uniform cleaning of wafers using megasonic energy
KR100248565B1 (ko) 1993-03-30 2000-05-01 다카시마 히로시 레지스트 처리방법 및 레지스트 처리장치
US5365960A (en) * 1993-04-05 1994-11-22 Verteq, Inc. Megasonic transducer assembly
DE4316735C2 (de) 1993-05-19 1996-01-18 Bornemann J H Gmbh & Co Pumpverfahren zum Betreiben einer Multiphasen-Schraubenspindelpumpe und Pumpe
US5456796A (en) 1993-06-02 1995-10-10 Applied Materials, Inc. Control of particle generation within a reaction chamber
US5464480A (en) 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5383484A (en) * 1993-07-16 1995-01-24 Cfmt, Inc. Static megasonic cleaning system for cleaning objects
KR0141659B1 (ko) 1993-07-19 1998-07-15 가나이 쓰토무 이물제거 방법 및 장치
US5355048A (en) * 1993-07-21 1994-10-11 Fsi International, Inc. Megasonic transducer for cleaning substrate surfaces
US5364474A (en) * 1993-07-23 1994-11-15 Williford Jr John F Method for removing particulate matter
US5489341A (en) * 1993-08-23 1996-02-06 Semitool, Inc. Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array
US5531861A (en) 1993-09-29 1996-07-02 Motorola, Inc. Chemical-mechanical-polishing pad cleaning process for use during the fabrication of semiconductor devices
US5950645A (en) * 1993-10-20 1999-09-14 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5656097A (en) 1993-10-20 1997-08-12 Verteq, Inc. Semiconductor wafer cleaning system
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US5368054A (en) 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
JP3563789B2 (ja) 1993-12-22 2004-09-08 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法及び該製造方法に用いられる治具
JP2900788B2 (ja) 1994-03-22 1999-06-02 信越半導体株式会社 枚葉式ウェーハ処理装置
EP0681317B1 (en) * 1994-04-08 2001-10-17 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases
US5979475A (en) 1994-04-28 1999-11-09 Hitachi, Ltd. Specimen holding method and fluid treatment method of specimen surface and systems therefor
US5904560A (en) 1996-03-29 1999-05-18 Intel Corporation Cleaning step which improves electromigration performance of interlayer connection in integrated circuits
US5560362A (en) * 1994-06-13 1996-10-01 Acuson Corporation Active thermal control of ultrasound transducers
EP0764043B1 (en) * 1994-06-15 2001-12-19 Purdue Research Foundation Device for packing chromatographic stationary phases
US5795399A (en) 1994-06-30 1998-08-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
US5672212A (en) 1994-07-01 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Rotational megasonic cleaner/etcher for wafers
US5468302A (en) 1994-07-13 1995-11-21 Thietje; Jerry Semiconductor wafer cleaning system
US5762084A (en) 1994-07-15 1998-06-09 Ontrak Systems, Inc. Megasonic bath
FR2722511B1 (fr) 1994-07-15 1999-04-02 Ontrak Systems Inc Procede pour enlever les metaux dans un dispositif de recurage
US5505785A (en) * 1994-07-18 1996-04-09 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for cleaning integrated circuit wafers
US5625249A (en) * 1994-07-20 1997-04-29 Submicron Systems, Inc. Megasonic cleaning system
KR0144949B1 (ko) * 1994-07-26 1998-08-17 김광호 웨이퍼 카세트 및 이를 사용한 세정장치
US5522938A (en) 1994-08-08 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Particle removal in supercritical liquids using single frequency acoustic waves
US5607341A (en) 1994-08-08 1997-03-04 Leach; Michael A. Method and structure for polishing a wafer during manufacture of integrated circuits
US5534076A (en) * 1994-10-03 1996-07-09 Verteg, Inc. Megasonic cleaning system
US5574485A (en) 1994-10-13 1996-11-12 Xerox Corporation Ultrasonic liquid wiper for ink jet printhead maintenance
US7030039B2 (en) * 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US5967156A (en) 1994-11-07 1999-10-19 Krytek Corporation Processing a surface
US5849104A (en) 1996-09-19 1998-12-15 Yieldup International Method and apparatus for cleaning wafers using multiple tanks
US5634978A (en) 1994-11-14 1997-06-03 Yieldup International Ultra-low particle semiconductor method
US5571337A (en) 1994-11-14 1996-11-05 Yieldup International Method for cleaning and drying a semiconductor wafer
US5545942A (en) 1994-11-21 1996-08-13 General Electric Company Method and apparatus for dissipating heat from a transducer element array of an ultrasound probe
JPH08162425A (ja) 1994-12-06 1996-06-21 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置の製造方法および製造装置
JP3351924B2 (ja) 1995-01-06 2002-12-03 忠弘 大見 洗浄方法
US5658636A (en) 1995-01-27 1997-08-19 Carnegie Mellon University Method to prevent adhesion of micromechanical structures
WO1996022844A1 (en) 1995-01-27 1996-08-01 Trustees Of Boston University Acoustic coaxing methods and apparatus
US5601655A (en) * 1995-02-14 1997-02-11 Bok; Hendrik F. Method of cleaning substrates
US5629906A (en) 1995-02-15 1997-05-13 Hewlett-Packard Company Ultrasonic transducer
US5551986A (en) 1995-02-15 1996-09-03 Taxas Instruments Incorporated Mechanical scrubbing for particle removal
US5705233A (en) * 1995-03-24 1998-01-06 Wisconsin Alumni Research Foundation Fiber-reinforced cementitious composites
JPH08281550A (ja) * 1995-04-14 1996-10-29 Sony Corp 研磨装置及びその補正方法
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5653045A (en) 1995-06-07 1997-08-05 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist
US5968285A (en) 1995-06-07 1999-10-19 Gary W. Ferrell Methods for drying and cleaning of objects using aerosols and inert gases
US5685086A (en) 1995-06-07 1997-11-11 Ferrell; Gary W. Method and apparatus for drying objects using aerosols
US6743723B2 (en) 1995-09-14 2004-06-01 Canon Kabushiki Kaisha Method for fabricating semiconductor device
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US5975098A (en) 1995-12-21 1999-11-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Apparatus for and method of cleaning substrate
US5721463A (en) * 1995-12-29 1998-02-24 General Electric Company Method and apparatus for transferring heat from transducer array of ultrasonic probe
US5952050A (en) 1996-02-27 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing
DE19613620C2 (de) * 1996-04-04 1998-04-16 Steag Micro Tech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten
JP3689490B2 (ja) * 1996-06-07 2005-08-31 キヤノン株式会社 ノズル部材の製造方法及びそれを用いた加工装置
US5985031A (en) 1996-06-21 1999-11-16 Micron Technology, Inc. Spin coating spindle and chuck assembly
DE19629705A1 (de) * 1996-07-24 1998-01-29 Joachim Dr Scheerer Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von scheibenförmigen Gegenständen, insbesondere Wafern, mit Ultraschall und Wasser als Spülmedium
JP3244220B2 (ja) * 1996-08-06 2002-01-07 信越半導体株式会社 平板状物の乾燥方法および乾燥装置
JP3278590B2 (ja) 1996-08-23 2002-04-30 株式会社東芝 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法
US6039059A (en) * 1996-09-30 2000-03-21 Verteq, Inc. Wafer cleaning system
JP3853889B2 (ja) * 1996-11-28 2006-12-06 オリンパス株式会社 ズームレンズ
US5980647A (en) 1997-07-15 1999-11-09 International Business Machines Corporation Metal removal cleaning process and apparatus
US6254155B1 (en) * 1999-01-11 2001-07-03 Strasbaugh, Inc. Apparatus and method for reliably releasing wet, thin wafers
US6700937B1 (en) * 2000-01-05 2004-03-02 At&T Corp. Iterative decoding
US6488040B1 (en) 2000-06-30 2002-12-03 Lam Research Corporation Capillary proximity heads for single wafer cleaning and drying
US6693764B1 (en) * 2001-01-31 2004-02-17 Western Digital Technologies, Inc. Method and disk drive for improving head position accuracy during track following through real-time identification of external vibration
US6823880B2 (en) 2001-04-25 2004-11-30 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho High pressure processing apparatus and high pressure processing method
US6679272B2 (en) * 2001-08-03 2004-01-20 Verteq, Inc. Megasonic probe energy attenuator
US6472279B1 (en) * 2001-11-05 2002-10-29 Agere Systems Inc. Method of manufacturing a channel stop implant in a semiconductor device
US6742279B2 (en) 2002-01-16 2004-06-01 Applied Materials Inc. Apparatus and method for rinsing substrates
US7287537B2 (en) * 2002-01-29 2007-10-30 Akrion Technologies, Inc. Megasonic probe energy director
CN1638882B (zh) * 2002-02-06 2010-05-26 艾奎昂技术股份有限公司 用来干燥至少一个基片的装置及方法
US6900162B2 (en) * 2002-03-26 2005-05-31 Georgia-Pacific Resins, Inc. Slow release nitrogen coating

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100741029B1 (ko) * 2001-08-08 2007-07-19 씨앤지하이테크 주식회사 메가소닉 에너지 발생장치
KR100459710B1 (ko) * 2002-04-15 2004-12-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 세정 장비
KR100481158B1 (ko) * 2002-07-03 2005-04-07 (주)케이.씨.텍 웨이퍼 처리 장치
KR100473475B1 (ko) * 2002-08-09 2005-03-10 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
KR100979719B1 (ko) * 2003-07-18 2010-09-03 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 제조 방법
US7985625B2 (en) 2003-09-30 2011-07-26 Renesas Electronics Corporation Method of manufacturing a semiconductor device
KR101085244B1 (ko) * 2003-09-30 2011-11-22 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
KR100578139B1 (ko) * 2004-10-05 2006-05-10 삼성전자주식회사 세정 프로브 및 이를 구비하는 메가소닉 세정 장비

Also Published As

Publication number Publication date
EP0938745A1 (en) 1999-09-01
US20060175935A1 (en) 2006-08-10
KR100392243B1 (ko) 2003-07-23
US7211932B2 (en) 2007-05-01
US7117876B2 (en) 2006-10-10
US20060180186A1 (en) 2006-08-17
US7268469B2 (en) 2007-09-11
US6140744A (en) 2000-10-31
JP3493492B2 (ja) 2004-02-03
US20040206371A1 (en) 2004-10-21
US20030015218A1 (en) 2003-01-23
US20020011256A1 (en) 2002-01-31
US20030010357A1 (en) 2003-01-16
US20120024315A1 (en) 2012-02-02
KR100392242B1 (ko) 2003-07-22
WO1998014985A1 (en) 1998-04-09
US6684891B2 (en) 2004-02-03
US20130233342A1 (en) 2013-09-12
US8771427B2 (en) 2014-07-08
DE69711210T2 (de) 2002-11-21
DE69711210D1 (de) 2002-04-25
EP0938745B1 (en) 2002-03-20
US7518288B2 (en) 2009-04-14
JP2000508237A (ja) 2000-07-04
US20090165831A1 (en) 2009-07-02
US6039059A (en) 2000-03-21
US8257505B2 (en) 2012-09-04
US6295999B1 (en) 2001-10-02
US6681782B2 (en) 2004-01-27
US20080006292A1 (en) 2008-01-10
US6463938B2 (en) 2002-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100392242B1 (ko) 웨이퍼 세정 시스템
US6892738B2 (en) Apparatus and methods for reducing damage to substrates during megasonic cleaning processes
US7614406B2 (en) Method of cleaning substrates utilizing megasonic energy
US4869278A (en) Megasonic cleaning apparatus
US4998549A (en) Megasonic cleaning apparatus
US20050284509A1 (en) Ultrasonic cleaning apparatus
JP3071398B2 (ja) 洗浄装置
JPH049670A (ja) 分析装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120704

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130628

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee