JPH07118259B2 - 電子源 - Google Patents

電子源

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JPH07118259B2
JPH07118259B2 JP27919988A JP27919988A JPH07118259B2 JP H07118259 B2 JPH07118259 B2 JP H07118259B2 JP 27919988 A JP27919988 A JP 27919988A JP 27919988 A JP27919988 A JP 27919988A JP H07118259 B2 JPH07118259 B2 JP H07118259B2
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micropoint
layer
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ボロナ ジャン−フランソワ
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コミツサリア タ レネルジー アトミーク
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はマイクロポイント放出陰極を備えた電子源、お
よび該電子源を使用して電界放出によつて励起される陰
極ルミネセンスによる表示装置に関する。
本発明は特に固定画像を表示し得る簡単な表示装置の製
作と、たとえばテレビジヨン画像型の動画を表示し得る
多重複合スクリンの製作とに使用することができる。
（従来の技術） 昭和61年１月24日付、フランス特願8,601,024（フラン
ス特許2,593,953）に電界放出によつて励起される陰極
ルミネセンスによる表示装置にして、マイクロポイント
放出陰極を備えた電子源よりなる表示装置が記載されて
いる。
この公知の表示装置に使用されている電子源は第１図に
線図的に示されている。図によつて明らかな如く、前記
電子源はマトリツクス構造を有し、かつ場合によつては
たとえばガラス基質２の上に薄いシリカ フイルム４を
備え、該フイルムの上には並列導電層または帯片６の形
をなした複数の電極５が形成され、この導電層が陰極導
体として働きかつマトリツクス構造の行を構成してい
る。これら陰極導体５はその接続端部19以外において
は、たとえばシリカよりなる電気絶縁フイルム８によつ
て被覆され、前記端部は導体を分極するためのものであ
る。フイルム８の上には同様に並列導体帯片の形をなし
た複数の電極10が形成されている。これら電極10は前記
電極５に対して直角であり、格子として働くと共に、マ
トリツクス構造の列を構成している。
公知の電子源はなお複数の基本電子エミツタ（マイクロ
ポイント）を有し、その一つ12は第２図に示されてい
る。陰極導体５および格子10の各交叉区域においては、
前記区域に対応する該陰極導体５の層６はたとえばモリ
ブデンよりなる複数のマイクロポイント12を有し、前記
区域に対応する格子10は各マイクロポイント12に面する
孔14を有している。各マイクロポイントは実質的に円錐
の形をなし、その底面は層６の上に触座しかつその頂点
または先端は対応する孔14と同じ高さにある。もちろん
絶縁フイルム８もマイクロポイントを通すための孔15を
有している。
第１図はなお好適な態様においては、格子および絶縁フ
イルム８が交叉区域以外の所に孔を有し、マイクロポイ
ントが各孔と関連し、前記特願に記載されているプロセ
スの場合に製造を容易にするようになっていることを示
す。
制限的意味を有するものではないが、各層６はほぼ0.2
マイクロメートルなる厚さを有し、電気絶縁フイルムの
厚さほぼ１マイクロメートル、各格子の厚さはほぼ0.4
マイクロメートル、各孔14の直径はほぼ1.3マイクロメ
ートルかつ各マイクロポイントの底面の直径はほぼ1.1
マイクロメートルである。
周知の装置はなおスクリンＥを含み、該スクリンは前記
格子に面してこれと平行に位置決めされた陰極ルミネセ
ンス陽極16を有している。周知の装置が、制御装置20を
使用して前記格子を陰極導体に対し、たとえば100V上昇
させることによつて、真空を受けるようにすれば、前記
格子および陰極導体の交叉区域に位置するマイクロポイ
ントは電子を放出する。陽極16は前記装置20によつて容
易に格子の電位またはそれ以上の電位に上昇させること
ができる。特にこれは格子が接地されている時には接地
することができ、または接地に対して負に偏極させるこ
とができる。
電子は陽極に衝当し、光を発する。したがつてたとえば
mm2当り104から105までの基本エミツタを有する各交叉
区域はスクリン上の明るいスポツトに対応する。
周知の電子源には問題がある。前記装置が作動する時、
特にその始動時およびその安定化が行われる時には、局
部的な脱ガスが生じ、これは装置の種々の構成部材（ポ
イント、格子、陽極）の間に電弧を発生させることがあ
る。この場合は陰極導体内の電流を制限することはでき
ない。レーシング現象が起こり、電流は増加、かつある
瞬間においてはその強さが、陰極導体によつて支持され
ねばならぬ電流の最大強さI0を越えるようになる。この
時陰極導体のあるものは破損し、破壊（破裂）の位置に
関連して、部分的にも全体的にも作動し得ないようにな
る。したがつて周知の電子源は脆弱であり、かつ耐用寿
命が短い。
陰極導体内の電流の強さを制限するためには各陰極導体
に、その破壊電流の強さより弱い電流を通すに十分な価
を有する電気抵抗を直列に接続することができる。
しかしながらこのような抵抗は、応答時間の関係から寸
法の小さな、複雑なかつ機能の低い電子源（特に表示装
置製造用の）にしか使用できない。
さらに周知の電子源は前記抵抗の使用によつては解決し
得ない他の問題を発生させる。すなわち周知の電子源の
マイクロポイントが特に好適な構造を有している場合に
は、他のマイクロポイントより高い電流を発し、スクリ
ンＥの上に異常に明るいスポツトを発生せしめ、それに
よつて許容し難い視覚的欠陥を表すようになることがわ
かつた。
なお周知の電子源は他の欠点、すなわちこの電子源を使
用する表示装置は著しく不均質な光輝点を表すと言う欠
点を有している。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は前述の脆弱化の問題を解決し得るばかりでな
く、抵抗を使用する電子源に係わりのある前記他の欠点
を除去せんとするものである。
したがつて本発明は電子源にして、陰極導体として働く
第１並列電極で、各陰極導体が導電層を有し、該導電層
の一つの面が電子放出材料によつて形成された複数のマ
イクロポイントを担持する第１並列電極と、格子として
働く第２並列電極で、前記陰極導体から絶縁され、かつ
該陰極導体に対して角度をなす第２並列導体とよりな
り、この角度が陰極導体と格子との交叉区域を画定し、
前記マイクロポイントが少なくとも前記交叉区域内に位
置し、前記格子が前記面と相対するように位置決めさ
れ、かつそれぞれマイクロポイントに面する孔を有し、
各マイクロポイントの頂点がこれと対応する孔と同じ高
さにあり、各格子が対応する陰極導体に対して正の方向
に偏極した時に、各交叉区域のマイクロポイントが電子
を放出し、この時前記区域の各マイクロポイントに電流
が流入し得るようになつている電子源において、各陰極
導体がその中の各マイクロポイントに流入する電流の強
さを制限するための装置を備え、該装置が対応する陰極
導体の導電層の上に位置する連続抵抗層を有し、前記導
電層と対応するマイクロポイントとの間において、該マ
イクロポイントが抵抗層の上に触座するようになつた電
子源に関する。
抵抗層なる用語は電気的抵抗層を意味するものと解すべ
きである。
本発明によれば各陰極導体の各マイクロポイント内の電
流の強さを制限し得るばかりでなく、対応する陰極導体
内を通る電流の強さを制限することができる。
したがつてこのような制限装置を使用することにより、
過電流に起因する破裂放電による破壊の危険を最少限に
止めることによつて、電子源の耐用寿命を増加せしめ、
かつ電子源の電子放出の均質性、したがつてまたこの電
子源と結合される表示装置のスクリンの明るさの均質性
を改良することができ、異常に大きな電子流を発生させ
るような、電子エミツタに起因する過度に明るいスポツ
トを著しく減少させることによつて前記装置の製造効率
を高め得るようになる。
確かに米国特願3,789,471には、各マイクロポイントが
電気的抵抗を有する材料によつて形成された底面を備え
たマイクロポイント電子源が記載されている。しかしな
がら各導電層が連続抵抗層によつて完全に被覆されてい
る本発明による電子源は周知の電子源に比して、抵抗材
料（マイクロポイントと導電層との間の抵抗部分）の
“活性”部分内に釈放される熱を具合良く消散させると
言う利点が有り、これは本発明の電子源を著しく頑丈に
し、かつその信頼度を高める。
したがつて米国特願3,789,471においては、所定のマイ
クロポイントに対する消散を対応する導電層を通してだ
け行われ、これに反し本発明においては、前記消散は前
記導電層を通してだけではなく、マイクロポイントの下
に位置する抵抗層の活性部分を囲繞する抵抗層の横方向
にも起こる。
特に“平らなスクリン”を使用する場合には、エミツタ
当りの公称電流は１マイクロアンペヤ以下であり、かつ
普通は0.1マイクロアンペヤと１マイクロアンペヤとの
間にある。抵抗層の場合は、放出の均質性および短絡に
対する影響が特に電子源のマイクロポイントと格子との
間に起こる傾向があり、マイクロポイントの下の前記抵
抗（電子エミツタ）によつて形成される抵抗Riに対して
はたとえば107ohmsから108ohmsまでの価を有するように
なす必要がある（エミツタ当りほぼ１マイクロアンペヤ
から0.1マイクロアンペヤまでの電流に対しては抵抗層
内の10Vなる電圧低下に対応する）。
短絡の場合は、導電層と格子との間の、一般的にほぼ10
0Vなる電圧は、抵抗材料の端部に送られる。この時前記
活性部分に釈放される熱は非常に大であり、（100）2/1
08W、すなわち１マイクロメートル３なる容積（活性部
分の容積）の場合は0.1mWとなる。
熱の消散が優れているから、本発明による電子源は在来
技術によるものに比して非常に有利である。
本発明による電子源は、その導電層の上に配設された複
数の連続抵抗層を有するものとなすことができる。この
複数の抵抗層は陰極導体の間において、一つの連続抵抗
層を腐食することによつて得られる。しかしながら本発
明による電子源はそのすべての導電層を被覆する単一の
連続抵抗層を有するものとなすことが望ましい。
各導電層はアルミニユウム、アンチモンまたは弗素によ
つてドープされた酸化第２鉄またはニオブと亜鉛によつ
てドープされたインジウム酸化物を含むグループから選
択された材料によつて形成することができる。
特別の実施例においては単数または複数の抵抗層はIn2O
3、Sn2、Fe2O3、ZnOおよびドープされたSiを含むグルー
プから選択され、かつ導電層を形成する材料より大なる
抵抗率を有する材料によつて形成することができる。前
記抵抗層の抵抗率はなるべくはほぼ102ohms.cmと106ohm
s.cmとの間にあるようにされる。
抵抗率が102ohms.cmと106ohms.cmとの間、特に104ohms.
cmと106ohms.cmとの間の抵抗率を有する抵抗材料を選択
することによつて、１マイクロメートルから0.1マイク
ロメートルまでの厚さを有する抵抗層の場合、各マイク
ロポイントの下にたとえば108ohmsなる大きな直列抵抗
が得られ、これによつて放出を均一にし、過電流を制限
し、かつ短絡の場合に熱を具合よく消散せしめ得るよう
になる。抵抗材料はシリコンによって有利に形成するこ
とができ、これを適当にドープすることによつてたとえ
ばほぼ104ohms.cmから105ohms.cmまでの大きな抵抗率を
得ることができる。
本発明はなお陰極線ルミネセンス表示装置にして、マイ
クロポイント放出陰極および陰極線ルミネセンスを有す
る電子源よりなり、該電子源が本発明によつて形成され
る表示装置に関するものである。
次に添付図面によつて本発明の好適な実施例を説明す
る。
（実施例） 第４図から第６図迄によつて本発明を、表示装置に対す
るその特定用途について説明する。
第３図は電子源を線図的に示すもので、第１図および第
２図に示された周知のものと異る点は、この周知の電子
源にはRoなる価の電気抵抗18が加えられていることだけ
である。
さらに正確に言えば、Roなる適当な価の電気抵抗18が各
陰極導体６と直列に接続されている。周知の制御装置20
によつて格子を陰極導体に対し、選択的にたとえばほぼ
100Vの正電位に上昇させることができ、この装置は格子
および陰極導体に電気的に接続され、該装置20と各陰極
導体とこの接続は電気抵抗18によつて行われる。前記電
気抵抗はしたがつて対応する陰極導体の接続端部19（第
１図に示された端部）に接続される。
各電気抵抗の価Roは、対応する陰極導体に流入し易い電
流の最大強さが破壊の生じる限界強さIo以下となるよう
に計算される。この価Toは陰極導体の大きさおよび性質
によつて決り、かつ常に陰極導体の公称動作に対応する
電流の強さを大きく越える。
次に必ずしもこれに制限されるものではないが、電気抵
抗の価の計算例を示す。陰極導体は酸化インジウムによ
つて形成され、その幅は0.7mm、厚さは0.2マイクロメー
トル、長さは40mmであり、スクエヤ抵抗は10ohmsであ
る。したがつて各陰極導体の電気抵抗の価Rcはほぼ0.6
キロオームである。臨界値Ioはほぼ10ミリアンペヤであ
り、公称電流の強さはほぼ10ミリアンペヤまたはそれ以
下である。所定の交叉区域を励起するために、各格子を
対応する陰極導体に対してほぼ100Vの正電位まで上昇さ
せる。量Ro＋RcはU/Ioを越える。したがつて価Roはほぼ
10キロオームとなすことができる。
第３図に示された、電気抵抗を使用する電子源は応答時
間の関係から、大きさの制限された、複雑なかつ機能の
低いスクリーンにしか使用できない。
したがつて所定の交叉区域に対しては、対応する陰極導
体（行）の応答時間は誤陰極導体によつて形成されるコ
ンデンサの充電時間に等しく、対応する格子（列）およ
び絶縁層は陰極導体を格子から分離する。この充電時間
は充電抵抗Ro＋Rcと、問題となるコンデンサのキヤパシ
タンスの積にほぼ等しい。
厚さが１マイクロメートルなるシリカ フイルム８に対
しては、キヤパシタンスはほぼ４ナノフアラード/cm2で
あり、かつ表面が1dm2、行数が256および列数が256のス
クリンに対しては、１行の表面はほぼ0.25cm2である。R
o＋Rcの価をほぼ104ohmsとすれば、ほぼ10マイクロセカ
ンドの応答時間が得られる。画像またはフレームの数が
毎秒50なる周波数においては、このようなスクリーンに
対する列の励起時間は1/（50×256）秒、すなわちほぼ8
0マイクロセカンドである。
したがつてこの例においては、陰極導体の応答時間は１
列の励起時間のほぼ10％であり、これは結合現象を避け
んとする場合の許容し得る最大限度である。この現象は
１行の上においては一つのスポツト明るさはその前のス
ポツトの状態によつて影響されると言う事実に基づく。
前記スポツトが照射される時は、該スポツトの励起時間
は列の励起時間に等しい。その理由は前記行がすでに放
出電位にあるからである。
前のスポツトが消える時には、該スポツトの励起時間は
列の励起時間と等しく、充電時間よりは短い。その理由
は前記行が放出電位まで上昇せねばならぬからである。
もし充電時間が列の励起時間に対して無視し得なければ
（たとえばこれが列の励起時間の10％を越えれば）、結
合効果が生じる。
したがつて電気抵抗を使用する解決方法は、精細度の優
れたテレビ画像（少なくとも500列とグレー レベルと
を有する）を得んとする場合、または大きな表面積（1d
m2）を有するスクリンを形成せんとする時は満足すべき
方法ではなく、この時はコンデンサのキヤパシタンスは
在来のものよりは大となる。
応答時間の問題は前記Roなる価を有する電気抵抗の代り
に抵抗層を使用することによつて解決できる。この時は
陰極導体内の電流は制限され、しかも実質的にアクセス
が零なる抵抗が得られる。
第４図は前記応答時間の問題と、前述の不均質および過
電流の問題との解決を可能にする本発明による電子源の
１実施例を示す。第４図に線図的に示された電子源が第
１図および第２図に示されたものと異なる点は、周知の
電子源においては各陰極導体５が導電性のフイルム６を
有し、一方第４図に示された電子源においては各陰極導
体５が電気絶縁層４上に触座する（第１図から第３図ま
でに示されたフイルム６の場合と同様に）第１導電層22
と、該導電層22上に装架された第２抵抗層24とを有し、
この抵抗層の上に陰極導体５のマイクロポイント12の底
面が触座していることである。したがつて第４図に示さ
れた実施例においては、電子源の各陰極導体は２層帯片
の形をなし、制御装置20は導電層22に接続されている。
導電層22はたとえばアルミニユウムによつて形成され
る。抵抗層24は導電層と対応する基本エミツタ12との間
の緩衝抵抗として働く。
明らかに導電層より大なる電気抵抗を有する必要のある
抵抗層は、陰極導体の製造プロセス（特に第５図に関す
る説明参照）と矛盾しないように、ほぼ102ohms.cmから
106ohms.cmまでの抵抗を有する材料によつて形成するこ
とが望ましい。
前記抵抗層24を形成するには、たとえばインジウム（II
I）酸化物In2O3、酸化第２錫SnO2、酸化第２鉄Fe2O3、
酸化亜鉛ZnO、またはドープ型のシリコンを使用するこ
とができ、かつ選択された材料が導電層の製造に使用さ
れる材料より大なる抵抗を有するようにされる。
第４図に示された実施例の面白い点は、特に第３図の抵
抗18と同様な“保護”抵抗18を導電層と各基本エミツタ
との間に、“動かし”得ると言うことである。これによ
つて電子源の価格を著しく上昇させることなく応答時間
を改良することができる。
抵抗層の抵抗率およびその厚さを適当に選択することに
より、各陰極導体を通る電流の強さをIoまたはそれ以下
の価に制限することができ、かつ前記陰極導体に公称電
流が流入するようになすことができる。したがつて抵抗
層24も破壊を防ぐ。
所定の陰極導体に対しては、充電抵抗は導電層の充電抵
抗と等しく、したがつてアルミニユウム導電層の場合は
１マイクロセカンドより十分低い応答時間が得られ、こ
れは大きな複合スクリンの製造を可能にする。既述の如
く抵抗層を使用することによつて、各基本エミツタにRi
なる抵抗を関連させることができ、これによつてまた前
記抵抗層も電子放出に対して均質化機能を有するように
なすことができる。したがつてもし基本電子エミツタが
過大な電流を受けたような場合は、この時生じるRiなる
電圧低下によつて、前記エミツタに加わる電圧を低下せ
しめ、したがつて前記電流を減少させることができる。
このようなRiは電流に対する自動調整効果を有してい
る。したがつてスポツトの異常な明るさを著しく減少さ
せることができる。
次に第５図によつて、第４図に示したような電子源を実
現する態様と、前述の昭和61年１月24日付、フランス特
願8,601,024によるマイクロポイント放出陰極電子源の
製造方法を説明し、電子源の各陰極導体内において、ど
のようにして導電層と抵抗層とを重ねるかを明らかにす
る。
たとえば厚さが100ナノメートルのシリカフイルム４に
よつて被覆されたガラス基質２の上に、陰極スパツタリ
ングによつて抵抗率が3.10-6ohms.cmなる、厚さ200ナノ
メートルのアルミニユウム層22を沈殿せしめ、次のこの
アルミニユウム層の上に再び陰極スパツタリングにより
抵抗率が104ohms.cmなる、厚さ150ナノメートルの酸化
第２鉄層を沈殿させる。
このようにして沈殿せしめられた二つの層は続いて同じ
レシン マスクを通して、化学的に次々に腐食され、並
列陰極導体または帯片５の格子が得られるようにされ
る。この格子の長さは300mm、その幅は300マイクロメー
トル、二つの帯片５の間隙は50マイクロメートルであ
る。
制限的意味を有する者ではないが、典型的な前記アルミ
ニユウム層の腐食は、該アルミニユウム層の厚さが200n
mである場合は85重量％のH3PO4を４容積、純CH3COOHを
４容積、67重量％のHNO3を１容積およびH2Oを１容積を
含む浴により、周囲温度において６分間にわたつて行わ
れ、かつ酸化第２鉄層の腐食は、Fe2O3の厚さが150nmな
る場合は、Soprelec S.Aによつて市販されている製品、
Mixelec Melange PEE 8.1により、周囲温度において18
分間にわつて行われる。
次に組織の残余の部分（絶縁層、格子、エミツタ等）を
前記特願に記載されているプロセスによつて形成する
（第５図に関する説明参照）。
充電抵抗はアルミニユウムの場合と同様であり、ほぼ75
ohmsである。行の表面積は0.45cm2である。したがつて
応答時間はほぼ0.15マイクロセカンドであり、キヤパシ
タンスはほぼ４ナノフアラード/cm2に止る。
各抵抗Riの値を計算する時には、陰極導体を通る伝染は
導電層内に位置し、かつ異なる対応マイクロポイントを
通り、これと直角な抵抗層を横切ることがわかる。した
がつて抵抗Riは、酸化第２鉄の抵抗率に、抵抗層の厚さ
を乗じ、これを基本電子エミツタの底面積で割つたもの
に等しく、この場合Riはほぼ107ohmsとなる。
したがつて公称作動状態においては、ほぼ0.1マイクロ
アンペヤの電流がマイクロポイントを通り、これは0.1V
なるRi内の電圧低下に対応し、公称動作の混乱は生じな
い。
励起電圧が100Vであれば、エミツタ当りの最大電流は10
マイクロアンペヤとなる。交叉区域の、1000個のエミツ
タよりなる0.1mm2なる全放出面に対しては、すべてのエ
ミツタが同時に最大電流を供給し、すなわち該エミツタ
がすべて短絡するものと仮定すれば、非常に稀れではあ
るが導電層を通つて流れる電流は10ミリアンペヤとな
り、これは破壊を防止するための最大許容値である。
最後に100Vなる電圧に対して、基本エミツタが正規の場
合の10倍の高さの電流を有するものと仮定すれば（0.1
マイクロアンペヤではなく１マイクロアンペヤ）、Ri内
における電圧低下は10Vとなり、ほぼ４から５までの係
数によつて基本エミツタの放出を減少せしめ、かつその
価をほぼ0.2から0.までとする。
したがつて抵抗Riは明らかに均質化効果を有するように
なり、光度の過大なスポツトは消除される。
次に本発明による電子源の別の実施例を第６図によつて
説明する。
この場合は抵抗材料は効果的に適当にドープされたシリ
コンである。なるべくは陰極導体の間が腐食されない前
記材料の層が使用され、これら陰極導体の間に誘導され
る漏洩電流は許容される。
したがつてたとえば全体が厚さ100nmのシリカ フイル
ムによつて被覆されたガラス基質２の上に陰極スパツタ
リングによつて、抵抗率が3.10-6ohms.cmなる、厚さ200
nmの第１アルミニユウム層22が沈殿せしめられ、これは
さらにたとえばレシンマスクを通して、化学的に腐食さ
れ、長さが150mm、幅が300マイクロメートルの二つの導
電層または帯片の格子が得られるようにし、この時二つ
の帯片の間隙が50マイクロメートルとなるようにされ
る。アルミニユウム層はたとえば第５図の場合に説明し
た浴によつて腐食することができる。次にこの導電層の
格子の上に、抵抗率が5.104ohms.cmなる、厚さ500nm
の、燐によつてドープされたシリコン層25が真空蒸着法
によつて沈殿せしめられる。
次に組織の残余の部分（絶縁層、格子、エミツタ等）が
前記特願に記載されたプロセスによつて形成される。
この場合抵抗Riは2.5.108ohmsであり、第５図によつて
説明した前の実施例におけるよりは大であり、これは可
能な短絡に起因する電流の漏洩を減少させる効果があ
り、かつ放出の均質化に大きな影響をおよぼす。
言うまでもなく、第４図および第５図の実施例において
は、特にドープされたSiを使用することにより、ほぼ10
8ohmsの抵抗を有する材料を使用することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は前述の周知のマイクロポイント放出陰極電子源
の略線図、第２図は前記電子源の既述の基本電子源の略
線図、第３図は電気抵抗を備えた電子源の略線図、第４
図は複数の連続抵抗層抗を使用した本発明による電子源
の１実施例の略線図、第５図は第４図の電子源を製造す
るプロセスの１段階を示す略線図、第６図は本発明によ
る電子源の他の特別な実施例の製造プロセスの１段階を
示す略線図。 ２……ガラス基質、４……絶縁層、５……電極、６……
陰極導体、８……シリカフイルム、10……格子、12……
マイクロポイント、16……陽極、18……電気抵抗、20…
…制御装置、22……導電層、24……抵抗層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 フィリップ ラムボウ フランス国 グルノーブル，リュ ゲイ ルサック（番地なし)

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】電子源にして、陰極導体として働く第１並
    列電極（５）で、各陰極導体が導電層（22）を有し、該
    導電層の一つの面が電子放出材料によつて形成された複
    数のマイクロポイント（12）を有する第１並列電極と、
    格子として働く第２並列電極（10）で、前記陰極導体
    （５）から絶縁され、かつ該陰極導体に対して角度をな
    す第２並列陰極導体とよりなり、この角度が陰極導体と
    格子との交叉区域を画定し、前記マイクロポイント（1
    2）が少なくとも前記交叉区域内に位置し、前記格子（1
    0）が前記面と相対するように位置決めされ、かつそれ
    ぞれマイクロポイントに面する孔（14）を有し、各マイ
    クロポイントの頂点が実質的にこれと対応する孔と同じ
    高さにあり、各格子が対応する陰極導体に対して正の方
    向に偏極した時に、各交叉区域のマイクロポイントが電
    子を放出し、この時前記区域の各マイクロポイントに電
    流が流入し得るようになつている電子源において、各陰
    極導体（５）がその中の各マイクロポイントに流入する
    電流の強さを制限するための装置を有し、該装置が対応
    する陰極導体（５）の導電層（22）の上に位置する連続
    抵抗層（24,25）を有し、前記導電層と対応するマイク
    ロポイント（12）との間において該マイクロポイントが
    抵抗層の上に触座するようになつていることを特徴とす
    る電子源。
  2. 【請求項２】電子源にして、それぞれその導電層の上に
    配置された複数の連続抵抗層（24）を有する請求項１記
    載の電子源。
  3. 【請求項３】前記複数の抵抗層が陰極導体の間におい
    て、単一の連続抵抗層を腐食することによつて得られる
    請求項２記載の電子源。
  4. 【請求項４】単一の連続抵抗層（25）を有し、該抵抗層
    が電子源のすべての導電層を被覆するようになつている
    請求項１記載の電子源。
  5. 【請求項５】各導電層（22）がアルミニウム、アンチモ
    ンまたは弗素によつてドープされた酸化第２錫および亜
    鉛とニオブによつてドープされたインジウム（III）酸
    化物を含むグループから選択された材料によつて形成さ
    れる請求項１記載の電子源。
  6. 【請求項６】各抵抗層（24,25）がIn2O3、SnO2、Fe
    2O3、ZnOおよびドープされたSiを含むグループから選択
    された材料によつて形成され、かつ導電層（22）を形成
    する材料より大なる抵抗率を有している請求項１記載の
    電子源。
  7. 【請求項７】各抵抗層（24,25）の抵抗率がほぼ102ohm
    s.cmと106ohms.cmとの間にある請求項１記載の電子源。
  8. 【請求項８】マイクロポイント放出陰極電子源と、陰極
    線ルミネセンス陽極（16）とを有する陰極線ルミネセン
    ス表示装置において、前記電子源が請求項１に適合する
    ようになつている表示装置。
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