JPH01154426A - 電子源 - Google Patents

電子源

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JPH01154426A
JPH01154426A JP63279199A JP27919988A JPH01154426A JP H01154426 A JPH01154426 A JP H01154426A JP 63279199 A JP63279199 A JP 63279199A JP 27919988 A JP27919988 A JP 27919988A JP H01154426 A JPH01154426 A JP H01154426A
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cathode conductor
conductive layer
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ジャン−フランソワ　ボロナ
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ロベール　メイヤー
Philippe Rambaud
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Commissariat a lEnergie Atomique CEA
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J17/00—Gas-filled discharge tubes with solid cathode
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    • H01J17/04—Electrodes; Screens
    • H01J17/06—Cathodes
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    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
    • H01J2201/30—Cold cathodes
    • H01J2201/319—Circuit elements associated with the emitters by direct integration

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はマイクロポイント放出陰極を備えた電子源、お
よび該電子源を使用して電界放出によって励磁される陰
極ルミネセンスによる表丞装古に関する。
本発明は特に固定画像を表示し１！ノる簡単＜Ｋ表示装
置の製作と、たとえばｊレビジ−］ン両画像の！ｆ１ｊ
画を表示し得る多！Ｆ複合スクリンの製伯とに使用する
ことができる。
（従来の技術） 昭和６１年１月２４１」付、フランス特許８，６０１．
０２４　（フランス特許２，５９３，９５３）には電界
放出によって励磁される陰極ルミネセンスによる表示装
置にして、マイクロポイン［・放出陰極を備えた電子源
よりなる表示装置が記載されている。
この公知の表示菰１Ｎに使用されＣいる電子源は第１図
に線図的に示されている。図によって明らかな如く、前
記電子源はマトリックス構造を有し、かつ場合によって
はたとえばガラス基質２の上に薄いシリカ　フィルム４
を備え、該フィルムの上には並列導電層または帯片６の
形をなした複数の電極５が形成され、この導電層が陰極
導体として！！ｌさかつマトリックス構造の行を構成し
ている。
これら陰極導体５はその接続端部１９以外においては、
たとえばシリカよりなる電気絶縁フィルム８によって被
覆され、前記端部は導体を分極するためのものである。
フィルム８の上には同様に並列導体帯片の形をなした複
数の電極１０が形成されている。これら電極１０は萌記
電Ｉｉ５に対して直角であり、格子として働くと共に、
マトリックス構造の列を構成している。
公知の電子源はなお複数の基本電子エミッタ（マイクロ
ポイント）を有し、その一つ１２は第２図に示されてい
る。陰ｔｉｉ体５　Ｊ３よび格子１０の各交叉区域にお
いては、前記区域に対応する該１１３１＆導体５の唐６
はたとえばモリブデンよりなる複数のマイクロポイント
１２を有し、前記区域に対応する格子１０は各フィクロ
ポイント１２に面する孔１４を有している。各マイクロ
ポイントは実質的に円錐の形をなし、その底面は層６の
上に触座しかつその頂点または先端は対応する孔１４と
同じ高さにある。もちろん絶縁フィルム８もフィクロポ
イントを通すための孔１５を有している。
第１図はなお好適な態様においては、格子および絶縁フ
ィルム８が交叉区域以外の所に孔を有し、マイクｎポイ
ントが８孔と１１０３！ｆ！　シ、前記特１１１ｋ−八
１［載されているプロセスの場合に製造を容易にするよ
うになっていることを＞］＜　′１’　。
制限的意味を有するものではないが、各層６はほぼ０．
２マイクロメートルなる厚さを有し、電気絶縁フィルム
の厚さは番よぼ１マイクロメートル、各格子の厚さはほ
ぼ０．４マイク１１メートル、各ＩＬ１４の直径ははぼ
１．３マイクロメートルかつ各マイクロポイントの底面
の直径はほぼ１．１マイクロメートルである。
周知の装置はなおスクリンＥを含み、該スクリンは前記
格子に而してこれと平行に位は決めされた陰極ルミネセ
ンス陽極１６を有している。周知の装置が、制御装置２
０を使用して前記格ｒをｔλ極導体に対し、たとえば１
００■上冒させることによって、真空を受けるようにす
れば、前記格子および陰極導体の交叉区域に位置するマ
イクロポイントは電子を放出する。陽極１６は前記装置
２０によ゛つて容易に格子の電位またはそれ以上の電位
に上昇させることができる。特にこれは格子が接地され
ている時には接地することができ、または接地に対して
負に偏極さＵることができる。
電子は陽極に衝当し、光を発する。したがってたとえば
ｍ　当り１０’から１０５までの基本エミッタを右Ｊる
各交叉区域はスクリン上の明るいスポットに対応する。
周知の７ト子源には問題がある。前記装置が作動する時
、特にその始紡時Ｊ３よびその安定化が行われる時には
、局部的な脱ガスが１．じ、これは装置の種々の構成部
材（ポイント、格子、陽極）の間に電弧を発生さゼるこ
とがある。この場合は陰極導体内の電流を制限すること
はできない。レーシング現蒙が起こり、電流は増加し、
かつある瞬間においてはその強さが、陰極導体によって
支持されねばならぬ電流の最大強さ■。を越えるように
なる。この時陰極導体のあるものは破損し、破壊（破裂
）の位置に関連して、部分的にも全体的にも作動しく５
１ないようになる。したがって周知の電子源は脆弱であ
り、かつ耐用寿命が短い。
陰極導体内の電流の強さを制限するためには各陰極導体
に、その破壊電流の強さより弱い電流を適寸に］−分な
価を有する電気抵抗を直列に接続することができる。
しかしながらこのような抵抗は、応答時間の関係から寸
法の小ざな、複雑なかつ機能の低い電子源（特に表示装
４￥Ｊ迄用の）にしか使用できない。
さらに周知の電子源は眞記抵抗の使用によっては解決し
得ない伯の問題を発生させる。すなわち周知の電子源の
フィクロポイントが特に好適な構造を有している場合に
は、他のマイク［］ポイントより高い電流を発し、スク
リン［の上に異常に明るいスポットを発生せしめ、それ
によって許容し難い視覚的欠陥を表すようになることが
わかった。
なお周知の電子源は他の欠点、すなわらこの電子源を使
用する表示装置は著しく不均質な光輝点を表すと言う欠
点を有している。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は前述の脆弱化の問題を解決し得るばかりでなく
、抵抗を使用する電子源に係わりのある前記他の欠点を
除去せんとするらのである。
したがって本発明は電子源にして、陰極導体として働く
第１並列電極で、各陰極導体が導電層を有し、該導電層
の一つの面が電子放出材料によって形成された複数のマ
イクロポイントを担持する第１Ｍ１列電極と、格子とし
て働く第２並列電極で、前記陰極導体から絶縁され、か
つ該陰極導体に対して角瓜をなす第２並列電極とよりな
り、この角度が陰極導体と格子との交叉区域を画定し、
前記マイクロポイントが少なくとも前記交叉区域内に位
置し、前記格子が前記面と相対するように位置決めされ
、かつそれぞれマイクロポイントに面する孔を有し、各
マイクロポイントの頂点がこれと対応する孔と同じ高さ
にあり、各格子が対応する陰？４￥Ｊ体に対して正の方
向に偏極した時に、各交叉区域のマイクロポイントが電
子を故出し、この時前記区域の各マイクロポイントに電
流が流入し得るようになっている電子源において、各陰
極導体がその中の各マイクロポイントに流入する電流の
強さを制限するための装置を備え、該装置が対応する陰
１４！導体の導電層の１に位置する連続抵抗層を有し、
前記導電層と対応するマイク［１ポイントとの間におい
て、該マイクロポイントが抵抗層の上に触座するように
なった電子源に関する。
抵抗層なる用語は電気的抵抗層を意味するものと解すべ
きである。
本発明によれば８陰（〜導体の各マイクロポイント内の
電流の強さを制限し得るばかりでむく、対応覆る陰極導
体内を通るｆｆｆ流の強さを制限することができる。
したがってこのような制限装置を使用することにより、
過電流に起因する破裂放電による破壊の危険を最少限に
止めることによって、電子源の耐用寿命を増加せしめ、
かつ電子源の電ｒ放出の均質性、したがってまたこの電
子源と結合される表示装置のスクリンの明るさの均質性
を改良することができ、異常に大きな電子流を発生させ
るような、電子エミッタに起因する過度に明るいスボツ
ｉ゛を八しく減少ざμることによつ℃前記装置の製造効
率を高め（ｉＪるようになる。
確カニ米国特ｗＩ３，７８９，４７１１．：は、Ｆ？マ
イクロポイント電気的抵抗を右り゛る材料によって形成
された底面を備えたマイクロポイント電子源が記載され
ている１、シかしながら各導電層が連続抵抗層によって
完全に被覆されている本発明による電子源は周知の電子
源に比して、抵抗材料（マイクロボーＣシトと＋［層と
の間の抵抗部分）の゛活性″部分内に釈放される熱を具
合良＜　ｆｌ　ｌｌｋさせると苦う利点が有り、これは
本発明の電子源を茗しく頑丈にし、かつその信ｉＡ度を
高める。
したがって米国時［３，７８９，４７１におい【は、所
定のマイクロポイントに対する消散は対応り゛る導電層
を通してだけ行われ、これに反し本発明においては、前
記消散は前記導電層を通してだけではなく、マイクロポ
イントの下に位置する抵抗層の活性部分を囲繞する抵抗
層の横方向にも起こる。
特に平らなスクリン″を使用する場合には、１ミッタ当
りの公称電流は１マイク［１アンベＡ７Ｊス下であり、
か゛つ清適は０．１マイクロアンベＡ７と１マイク［１
アンベ１７との間にある。抵抗層の場合は、放出の均質
性および短絡に対する影響が特に電子源のマイクロポイ
ントと格子どの間に起こる傾向があり、マイクロポイン
トの下の前記Ｋｌｊ’ｉ（電子エミッタ）によって形成
される抵抗Ｒｉに対してはたとえば１Ｑ　　ｏｔｖｓか
ら１０８０ｈＩｌｌＳまでの価を有するようになす必要
がある（エミッタ当りほぼ１マイクロアンベヤから０．
１マイクロ）７ンペヤまでの電流に対して【よ抵抗層内
のＩＯＶなる電Ｈ低下に対応する）。
′ＪｊＪ絡の場合は、導電層と格子との間の、一般的に
ほぼ１００　ＶなるＭ汁は、抵抗材料の端部に送られる
。この時前記活性部分に釈放される熱は非常に人であり
、（１００）２／１０８Ｗ、すなわら１マイクロメート
ル３なる容積（活性部分の容積）の場合は０．１ｍＷと
なる。
熱のＦｒ′１散が優れているから、本発明による電子源
は在来技術によるものに比して非常に有利である。
本発明による電子源は、その導電層の上に配設された複
数の連続抵抗層を有するものとなすことができる。この
複数の抵抗層はＩｌｌ極導体の間において、一つの連続
紙ＦｃＷＩＪを腐食することによって得られる。しかし
ながら本発明による電子源はその寸べての３４電層を被
覆する単一の連続抵抗層を有するものとなすことが望ま
しい。
各導電層はアルミニュウム、アンチモンまたは北本によ
つＣドープされた酸化第２鉄またはニオブど曲鉛によっ
てドープされたインジウム酸化物を含むグループから選
択された材料によって形成することができる。
特別の実施例においでは単数または複数の抵抗層はＩｎ
　　Ｏ，３ｒ＋　　、Ｆｅ　　Ｏ、ＺｎＯおよびドープ
された３ｉを含むグループから選択され、かつ導電層を
形成する材料より大なる抵抗率を有する材料によって形
成することができる。前記抵抗層の抵抗率はなるべくは
ほぼ１０２ｏ　ｈｔａ　ｓ　、　ｃｔｓと１０６ｏｂｓ
＋ｓ、αとの間にあるようにされる。
抵抗率が１０ｏｒｖｓ、ｚと１Ｑ　６０１１１８．　Ｃ
ｌ１１との間、特に１０’　ｏｔｖｓ、　ｚと１０６ｏ
ｈｉｓ、　ｃＲとの間の抵抗率を有する抵抗材料を選択
することによって、１マイクロメートルから０．１マイ
クロメートルまでの１９さを有する抵抗層の場合、各マ
イクロポイントの下にたとえば１０８０ｈｌｌＳなる大
きな直列抵抗が得られ、これによって放出を均一にし、
過電流をｉＩＩ＋限し、かつ短絡の場合に熱を具合よく
消散せしめ４ｑるようになる。抵抗材料はシリコンによ
って有利に形成することができ、これを適当にドープす
ることによってたとえばほぼ１０１０４ｏｈ、　ｔｌＲ
から１０５ｏｈｍｓ、　ＣｔＲまぐの大きな抵抗率をｑ
ることができる。
本発明はなおｌｌ！極線ルミネセンス表不装置にして、
マイクロポイント放出陰極および陰極線ルミネセンスを
有する電子源よりなり、該電子源が本発明によって形成
される表示′１Ａｎｋ、関するものである。
次に添付図面によって本発明の好適な実施例を説明づる
。
（実施例） 第４図から第６図迄によって本発明を、表示装置に対す
るその特定用途についで説明する。
第３図は電子源を線図的に示すもので、第１図および第
２図に示された周知のものと異る点は、この周知の電子
源にはＲ８なる価の電気抵抗１８が加えられていること
だけである。
さらに正確に言えば、Ｒｏなる適当な価の電気抵抗１８
が各陰極導体６と直列に接続されている。
周知の制御装置２ｏによって格子を陰極導体に対し、選
択的にたとえばほぼ１００■の正電位に上がさせること
ができ、この装置は格ｆおよび陰極導体に電気的に接続
され、該装置２０と各陰極導体とこの接続は電気抵抗１
８によって行われる。
前記電気抵抗はしたがって対応する１１３１４Ｉ導体の
接続端部１９（第１図に示された端部）に接続される。
各電気抵抗の価Ｒ８は、対応する陰極導体に流人し易い
電流の最大強さが破壊の生じる限界強さ１　以下となる
ように６目つされる。この価「。は陰極導体の大きさＪ
３よび性質にＪ：つて決り、かつ常に陰極導体の公称動
作に対応する電流の強さを大きく越える。
次に必ヂしもこれに制限されるしのではないが、電気抵
抗の１１１１１の８１０例を示す。陰極導体は酸化イン
ジウムによって形成され、その幅は０．７ｍ。
厚さは０．２マイクロメートル、艮ざは４０Ｍであり、
スクエＶ抵抗は１ＱＯｈｌｓである。したがって各陰極
導体の電気抵抗の価Ｒ６はほぼ０．６を口Ａ−ムである
。臨界値１゜はほぼ１０ミリアンベ１ソであり、公称電
流の強さはほぼ１ミリアンベヤまたはそれ以下である。
所定の交叉区域を励磁するために、６格ｆを対応り″る
陰極導体に対してほぼ１００Ｖの正電位まで上りさせる
。、　ｆｉｔ　Ｒｏ十ＲはＵ／Ｉ　　を越える。しＩζ
がっで価Ｆく。（よはＯ ぼ１０キロオームとなりことができる。
第３図に示され、た、電気抵抗を使用する電子源は応答
時間の関係から、大きさの制限された、複雑なかつ機能
の低いスクリーンにしか使用できない。
したがって所定の交叉区域に対しては、対応する陰極導
体（行）の応答時間は該陰極導体によって形成されるコ
ンデンサの充ｔａ時間に等しく、対応する格子（列）　
Ｊ３よび絶縁層は陰Ｖｊ導体を格子から分１１１ｆｆす
る。この充電時間は充電抵抗Ｒ８＋Ｒと、問題となるコ
ンテンツのキャパシタンスの積にほぼ等しい。
厚さが１マイクロメートルなるシリカ　フィルム８に対
しては、キャパシタンスははぼ４ナノフアラード／α２
であり、か゛つ表面が１ｄＩ２、行数が２５６および列
数が２５６のスクリンに対しては、１行の表面はほぼ０
．２５ｎ”である。１で。
−１Ｒの価をほぼｉ　ｏ’　ｏｔｖｓとすれば、はぼ１
０マイクロセカンドの応答時間が得られる。画像または
フレームの数が毎秒５０なる周波数においては、このよ
うなスクリンに対する列の励磁時間は１／　（５０ｘ２
５６）秒、すなわちほぼ８０マイクロヒカンドである。
したがってこの例においては、陰極導体の応答時間は１
列の励磁時間のほぼ１０％であり、これは結合現象を避
けんとする場合の許容し得る最大限度である。この現象
は１行の上においては一つのスポット明るさはその前の
スポットの状態によって影響されると言う事実に基づく
。
Ｔｈ’ｌ　配スポットが照射される時は、該スポットの
励磁時間は列の励磁時間に等しい。その理由は前記行が
すでに放出電位にあるからである。
前のスポットが消える時には、該スポットの励磁時間は
列の励磁時間と等しく、充電時間よりは短い。その理由
は前記行が放出電位まで上昇せねばならぬからである。
もし充電時間が列の励磁時間に対して無視し得な【ノれ
ば（たとえばこれが列の励磁時間の１０％を越えれば）
、結合効果が生じる。
したがって電気抵抗を使用する解決方法は、精細度の優
れたテレビ画像（少なくとも５００列とグレー　レベル
とを有する）を得んとする場合、または大きな表面積（
１ｄ鋤２）を有するスクリンを形成せｌυとする時は満
足すべき方法ではなく、この時はコンデンサ゛のキャパ
シタンスはる来のものよりは人となる。
応答時間の問題は前記Ｒ８なる価を有づる電気抵抗の代
りに抵抗層を使用でることによって解決できる。この時
は陰極導体内の電流は制限され、しかも実質的にアクセ
スが零なる抵抗が得られる。
第４図は１１η記応答時間の問題と、前述の不均質およ
び過電流の問題どの解決を可能にする本発明による電子
源の１実Ｒ例を示す。第４図に線図的に示された電子源
が第１図および第２図に示されたものと異なる点は、周
知の電子源においては各陰＃Ｉ導体５が導電性のフィル
ム６を有し、一方第４図に示された電子源においては各
陰極導体５が電気絶縁層４上に触座する（第１図から第
３図までに示されたフィルム６の場合と同様に）第１導
雷１ｉ１２２と、該導電ｌｉｔ！！２２上に装架された
第２抵抗層２４とを有し、この低抗層の上に陰極導体５
のマイクロポイント１２の底面が触座していることであ
る。したがって第４図に爪された実施例においては、電
ｒ−源の各陰極導体は２層帯ハの形をなし、制御装冒２
０は導電層２２に接続されている。
′２！Ｉ電層２２はたとえばアルミニコウムによって形
成される。抵抗Ｙ４２４は導電層と対応する基本エミッ
タ１２との間の緩衝抵抗として働く。
明らかに導電層より人なる電気抵抗を有する必要のある
抵抗層は、陰極導体の製造ブ［１１？ス（特に第５図に
関する説明参照）と矛盾しないように、はば１０２ｏｈ
ｍｓ、　、３から１０６ｏｈｍｓ、　、？ＩＩまぐの］
氏抗を有する材料によって形成することが望ましい１゜
前記抵抗層２４を形成するに１．Ｌ、たとえばインジウ
ム（ＤＩ）酸化物１ｎ２０３、酸化第２錫５ｎ０２、Ｉ
ＰＩ化第２鉄Ｆｅ、、ｏ３、Ｆｌｆ化並鉛ＺｎＯ１また
はドー７１ｖ！のシリコンを使用することができ、かつ
選択された材料が導電層の製造に使用される４４Ｆｌよ
り人なる抵抗を右づ゛るようにされる。
第４図に示された実施例の面白い点は、ｒｌに第３図の
抵抗１８と同様な”保護“抵抗１８を導電層と各基本エ
ミッタとの間に、゛動かし“得ると言うことである。こ
れによって電子源の価格をＬしく１１ざＵることなく応
答時１ｍを改良することができる。
抵抗層の抵抗率およびその厚さを適当に選択することに
より、各陰極導体を通る電流の強さを■　またはそれ以
下の価に制限でることができ、かつ前記陰極導体に公称
電流が流入するようになすことができる。したがって抵
抗層２４ち破壊を防ぐ。
所定のＩ！２極導体に対しては、充電抵抗はｌｌｉ！！
？？の充Ｔｉ抵抗と等しく、したがってアルミニウム導
電層の場合は１マイクロセカンドより１分低い応各時間
が得られ、これは大きな複合スクリンの製造を可能にす
る。既述の如く抵抗層を使用することによって、各基本
エミッタにＲｉなる抵抗を関″ＩＰさせることができ、
これによってまた前記抵抗層も電Ｔ放出に対して均質化
機能を有するようになすことができる。したがってもし
基本電子エミッタが過大な電流を受けたような場合は、
この時生じるＲｉなる電圧低下によって、前記エミッタ
に加わるＩＥを低下せしめ、したがって＠配電流を減少
させることができる。このようにＲｉは電流に対する自
動調整効果を有している。したがってスポットの異常な
明るさを著しく減少さけることができる。
次に第５図によって、第４図に示したような電子源を実
現する態様と、前述の昭和６１年１月２４０付、フラン
ス特許８，６０１．０２４によるマイクロポイント放出
陰極電子源の製造方法を説明し、電子源の各陰極導体内
において、どのようにして導電層と抵抗層とを重ねるか
を明らかにする。
たとえば厚さが１００ナノメートルのシリカフィルム４
によって被覆されたガラス＄Ｘｖ：Ｊ２の、１−に、陰
極スパッタリングによって抵抗率が３　、１０　’ｏｔ
ｖｓ、　ｔＭなる、厚さ２００ナノメートルの第１アル
ミニコウム層２２を沈殿ししめ、次のこのアルミニュウ
ム層の上に再び陰極スパッタリングにより抵抗率が１０
’　ｏｈｍｓ、　３なる、厚さ１５０ナノメートルの第
２酸化第２ａ層を沈殿させる。
このようにして沈殿せしめられた二つの層は続いて同じ
レシン　マスクを通して、化学的に次々に腐食され、並
列陰極導体または帯片５の格子が得られるようにされる
。この格子の長さは３００履、その幅は３００マイクロ
メートル、二つの帯片５の間隙は５０マイクロメートル
である。
ｉｔ、ＩＩ限内的意味有する者ではないが、典型的な前
記アルミニュウム層の腐食は、該アルミニュウム層の厚
さが２００　ｒｖである場合は８５ｖｆｆｉ％のＨＰＯ
４を４容積、純ＣＩ−Ｉ　　ＣＯＯＩ４を４容積、６７
巾間％のｌ−Ｉ　Ｎ　Ｏを１容積およびＩ−１，、Ｏを
１容積を含む浴により、周囲温度において６分間にわた
って行われ、かつ酸化第２鉄層のｍ食は、Ｆｅ２Ｏ３の
厚さが１５０ｎ−なる場合は、５ｏｐｒｅｌｅｃ　Ｓ、
Ａによって重版されている製品、Ｎ１ｘｅｌｅｃ　Ｈｅ
Ｉａｎｇｅ　ＰＦＥ　（３、１により、周囲温度におい
て１８分間にわたって行われる。
次に組織の残余の部分（絶縁層、格子、エミッタ等）を
前記特許に記載されているプロセスによって形成Ｊる（
第５図に関する説明参照）。
充電抵抗はアルミニュウムの場合と同様であり、はぼ７
５　ｏｈｍｓである。行の表面積は０．４５ｎ”である
。したがって応答時間はほぼ０．１５’？イクロセカン
ドであり、キャパシタンスはほぼ４ナツツアラート／Ｃ
Ｒ２に止る。
各抵抗Ｒｉの値を４算する時には、陰極々体を通る伝染
は導゛泪層内に位置し、かつ異なる対応マイクロポイン
トを通り、これと直角な抵抗層を横切ることがわかる。
したがっで抵抗Ｒ１は、酸化第２厄の抵抗率に、抵抗層
の厚さを乗じ、これを基本電子エミッタの底面積で割っ
たものに等しく、この場合Ｒｉはほぼ１０７ｏｈｍｓと
なる。
したがって公称作動状態においては、はぼ０．１マクイ
ロアンベヤの電流がマイクロポイントを通り、これは０
．１■なるＲｉ内の電圧低下に対応し、公＄ｆｉ動作の
混乱は生じない。
励磁型バーが１００ｖであれば、エミッタ当りの最大電
流は１０マイクロアンベヤとなる。交叉区域の、１００
０個のエミッタよりなる０、１ｓ２なる全放出面に対し
ては、すべてのエミッタが同時に最大′２Ｉｔ流を供給
し、すなわち該エミッタがすべて短絡づるものと仮定す
れば、非常に稀れではあるが導電層を通って流れる電流
は１０ミリアンベ鬼１となり、これは破壊を防１１する
ための最大許容値である。
Ｑｍに１００Ｖなる電圧に対して、基本ｌミッタが正規
の場合の１０倍の高ざの電流を有するものと仮定１れば
（０，１マイクロアンベヤではなく１マイクロアンベヤ
＞　、　ｔ＜　を内における゛電圧低下は１０ｖとなり
、はぼ４がら５までの係数によって基本エミッタの放出
を減少せしめ、かつイの価をほぼ０．２から０．３まで
とする。
したがって抵抗Ｒｉは明らかに均質化効果を有するよう
になり、光麿の過大なスポットは消除される。
次に本発明による電子源の別の実施例を第６図によって
説明する。
この１合は抵抗材料は効果的に適当にドープされたシリ
」ンである。なるべくは陰極導体の間が腐食されないＩ
ＹＩ記材料の層が使用され、これら陰ＩＩ導体の間に誘
導される漏洩ｔｔ？流は許容される。。
したがってたとえば全体が厚さ１００ｎｌｌｌのシリカ
　フィルムによって被覆されたガラス基質２の上に陰極
スパッタリングによって、抵抗率が３　、　１０　’ｏ
ｔｖｓ、　（１，４なる、厚さ２　ｏ　ｏ　ｎｍの第１
アルミニュウム層２２が沈殿せしめられ、これはさらに
たとえばレシンマスクを通して、化学的に腐食され、艮
ざが１５０ａｓ＋、幅が３００マイクロメートルの二つ
の８Ｉ電層または帯ハの格子が得られるようにし、この
時二つの帯片の間隙が５０マイクロメートルとなるよう
にされる。アルミニコウム層はたとえば第５図の場合に
説明した浴によって腐食することができる。次にこの導
電層の格子の十に、抵抗率が５．１０’　ｏｈｍｓ、α
なる、ηさ５００　Ｉｌｍの、燐によってドープされた
シリコン層２５が真空蒸着法によって沈殿せしめられる
。
次に組織の残余の部分（絶縁層、格子、１ミツタ等）が
ｍｌ記特特許記載されたプロセスによって形成される。
この場０抵抗Ｒｉは２．５．１０８ｏｈＩＩｓであり、
第５図によって説明した前の実施例にお１ノるよりは人
であり、これは可能な短絡に起因する電流の漏洩を減少
させる効果があり、かつ放出の均質化に大きな影響をお
よぼす。
言うまでもなく、第４図および第５図の実施例において
は、特にドープされた３ｉを使用することにより、はぼ
１０８ｏｈｍｓの抵抗を有する材料を使用することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図は前述の周知のマイクロポイント放出陰極電子源
の路線図、第２図は＃Ｊ記電子源の既述の基本電子源の
路線図、第３図は電気抵抗を備えた電子源の路線図、第
４図は複数の連続抵抗層抗を使用した本発明による電子
源の１実施例の路線図、第５図は第４図の電子源を製造
するプロセスの１段階を示す略縮図、第６図は本発明に
よる電子源の他の特別な実施例の製造プロセスの１段階
を示ヴ路線図。 ２・・・ガラスＪ、を質、４・・・絶縁層、５・・・電
極、６・・・陰極導体、８・・・シリカフィルム、１０
・・・格子、１２・・・マイクロポインｈ、１６・・・
陽極、１８・・・電気抵抗、２０・・・ｌ、ＩＩ　ｉｌ
ｌ　′！Ａ置、２２・・・導電層、２４・・・抵ｌＡ層
　。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電子源にして、陰極導体として働く第１並列電極
    （５）で、各陰極導体が導電層（２２）を有し、該導電
    層の一つの面が電子放出材料によつて形成された複数の
    マイクロポイント（１２）を有する第１並列電極と、格
    子として働く第２並列電極（１０）で、前記陰極導体（
    ５）から絶縁され、かつ該陰極導体に対して角度をなす
    第２並列陰極導体とよりなり、この角度が陰極導体と格
    子との交叉区域を画定し、前記マイクロポイント（１２
    ）が少なくとも前記交叉区域内に位置し、前記格子（１
    ０）が前記面と相対するように位置決めされ、かつそれ
    ぞれマイクロポイントに面する孔（１４）を有し、各マ
    イクロポイントの頂点が実質的にこれと対応する孔と同
    じ高さにあり、各格子が対応する陰極導体に対して正の
    方向に偏極した時に、各交叉区域のマイクロポイントが
    電子を放出し、この時前記区域の各マイクロポイントに
    電流が流入し得るようになつている電子源において、各
    陰極導体（５）がその中の各マイクロポイントに流入す
    る電流の強さを制限するための装置を有し、該装置が対
    応する陰極導体（５）の導電層（２２）の上に位置する
    連続抵抗層（２４、２５）を有し、前記導電層と対応す
    るマイクロポイント（１２）との間において該マイクロ
    ポイントが抵抗層の上に触座するようになつていること
    を特徴とする電子源。
  2. （２）電子源にして、それぞれその導電層の上に配置さ
    れた複数の連続抵抗層（２４）を有する請求項１記載の
    電子源。
  3. （３）前記複数の抵抗層が陰極導体の間において、単一
    の連続抵抗層を腐食することによつて得られる請求項２
    記載の電子源。
  4. （４）単一の連続抵抗層（２５）を有し、該抵抗層が電
    子源のすべての導電層を被覆するようになつている請求
    項１記載の電子源。
  5. （５）各導電層（２２）がアルミニュウム、アンチモン
    または弗素によつてドープされた酸化第２錫および亜鉛
    とニオブによつてドープされたインジウム（III）酸化
    物を含むグループから選択された材料によつて形成され
    る請求項１記載の電子源。
  6. （６）各抵抗層（２４、２５）がＩｎ＿２Ｏ＿３、Ｓｎ
    Ｏ＿２、Ｆｅ＿２Ｏ＿３、ＺｎＯおよびドープされたＳ
    ｉを含むグループから選択された材料によって形成され
    、かつ導電層（２２）を形成する材料より大なる抵抗率
    を有している請求項１記載の電子源。
  7. （７）各抵抗層（２４、２５）の抵抗率がほぼ１０＾２
    ｏｈｍｓ．ｃｍと１０＾６ｏｈｍｓ．ｃｍとの間にある
    請求項１記載の電子源。
  8. （８）マイクロポイント放出陰極電子源と、陰極線ルミ
    ネセンス陽極（１６）とを有する陰極線ルミネセンス表
    示装置において、前記電子源が請求項１に適合するよう
    になつている表示装置。
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