JP5952362B2 - フォトダイオードアレイ - Google Patents
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Description
信号導線が分離部の上方に形成されている場合、信号導線が増倍領域上方、すなわち光検出面上を横切ることが抑制されるため開口率は向上される。
図1及び図2を参照して、第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1の構成について説明する。図1は、第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1の上面を概略的に示す図である。図2は、図1に示したフォトダイオードアレイ1のII−II矢印断面の一部を示す図である。
図6を参照して、第2実施形態に係るフォトダイオードアレイ30の構成について説明する。図6は、第2実施形態に係るフォトダイオードアレイ30の断面図である。第2実施形態に係るフォトダイオードアレイ30は、分離部20が遮光部を有している点で第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1と異なる。
図7を参照して、参考例に係るフォトダイオードアレイ40の構成について説明する。図7は、第1参考例に係るフォトダイオードアレイ40の断面構造を概略的に説明するための図である。第1参考例に係るフォトダイオードアレイ40は、信号導線3が窒化シリコン膜上に形成されている点で第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1と異なる。
図8を参照して、第2参考例に係るフォトダイオードアレイ50の構成について説明する。図8は、第2参考例に係るフォトダイオードアレイ50の断面図である。第2参考例に係るフォトダイオードアレイ50は、分離部20を備えていない点で第1実施形態に係るフォトダイオードアレイ1と異なる。
以上、説明したように、図1、図2、図3、図5、図6、図7、図9、図11、図12、図13等に示すように、上述の実施形態に係るフォトダイオードアレイにおいては、ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを配列してなるフォトダイオードアレイにおいて、アバランシェフォトダイオードが形成された基板と、基板上に形成された絶縁膜16と、絶縁膜16上に設けられた信号導線3と、基板の光入射面上に、絶縁膜16を介して、信号導線3と共に配置され、アバランシェフォトダイオードと信号導線16とを接続する抵抗4と、アバランシェフォトダイオード間に形成されたトレンチ溝と、トレンチ溝内に埋められ、アバランシェフォトダイオードが吸収する波長帯域の光を吸収、又は反射する物質とを備える分離部20と、を備え、信号導線3は、分離部20上に設けられており、それぞれのアバランシェフォトダイオードの光検出チャンネル10は、マトリクス状に配置されており、隣接する光検出チャンネル間には、これらの双方に接続された信号導線3が位置していることを特徴とする。また、これらの図に示すよに、抵抗4の一部分は分離部20上の位置からはみだしている。
Claims (2)
- ガイガーモードで動作する複数のアバランシェフォトダイオードを配列してなるフォトダイオードアレイにおいて、
前記アバランシェフォトダイオードが形成された基板と、
前記基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた信号導線と、
前記基板の光入射面上に、前記絶縁膜を介して、前記信号導線と共に配置され、前記アバランシェフォトダイオードと前記信号導線とを接続する抵抗と、
前記アバランシェフォトダイオード間に形成されたトレンチ溝と、前記トレンチ溝内に埋められ、前記アバランシェフォトダイオードが吸収する波長帯域の光を吸収、又は反射する物質とを備える分離部と、
を備え、
前記信号導線は、前記分離部上に設けられており、
それぞれの前記アバランシェフォトダイオードの光検出チャンネルは、マトリクス状に配置されており、
隣接する光検出チャンネル間には、これらの双方に接続された前記信号導線が位置している、
ことを特徴とするフォトダイオードアレイ。 - 前記抵抗の一部分は前記分離部上の位置からはみだしている、
ことを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオードアレイ。
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