JP2001352094A - ホトダイオードアレイ - Google Patents
ホトダイオードアレイInfo
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- JP2001352094A JP2001352094A JP2000331187A JP2000331187A JP2001352094A JP 2001352094 A JP2001352094 A JP 2001352094A JP 2000331187 A JP2000331187 A JP 2000331187A JP 2000331187 A JP2000331187 A JP 2000331187A JP 2001352094 A JP2001352094 A JP 2001352094A
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- trench
- photodiodes
- junction
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 クロストークを抑制すると共に高品質な光像
検出を達成することができるホトダイオードアレイを提
供する。 【解決手段】 このホトダイオードアレイによれば、複
数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離用のト
レンチ溝ＧＲＶが形成されているので、各ホトダイオー
ド間のクロストークを抑制できる。トレンチ溝ＧＲＶ
は、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接合の
形成後に、このｐｎ接合を厚み方向に横断するように形
成されている。したがって、ホトダイオードのｐｎ接合
がトレンチ溝ＧＲＶの内面に接触するまで延びることと
なり、実質的な受光領域を広くすることができる。
検出を達成することができるホトダイオードアレイを提
供する。 【解決手段】 このホトダイオードアレイによれば、複
数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離用のト
レンチ溝ＧＲＶが形成されているので、各ホトダイオー
ド間のクロストークを抑制できる。トレンチ溝ＧＲＶ
は、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接合の
形成後に、このｐｎ接合を厚み方向に横断するように形
成されている。したがって、ホトダイオードのｐｎ接合
がトレンチ溝ＧＲＶの内面に接触するまで延びることと
なり、実質的な受光領域を広くすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ホトダイオードア
レイに関する。
レイに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のホトダイオードアレイは、特開昭
６２−３３４５４号公報に記載されている。同公報は、
固体撮像装置において、基板に到達するまでの素子分離
用トレンチ溝を画素間に設けることで、画素間クロスト
ークを防止している。
６２−３３４５４号公報に記載されている。同公報は、
固体撮像装置において、基板に到達するまでの素子分離
用トレンチ溝を画素間に設けることで、画素間クロスト
ークを防止している。
【０００３】図６は、このような従来のホトダイオード
アレイの製造工程を説明するための説明図である。この
ホトダイオードアレイの製造においては、まず、高濃度
ｎ型Ｓｉ基板上に、低濃度ｎ型半導体層をエピタキシャ
ル成長させ（図６（ａ））、低濃度ｎ型半導体層から基
板に到達するトレンチ溝を形成する（図６（ｂ））。し
かる後、低濃度ｎ型半導体層の表面側からｐ型不純物を
拡散させ（図６（ｃ））、更に、高温で熱処理を行うこ
とにより、トレンチ溝の内面に酸化膜を形成する（図６
（ｄ））。
アレイの製造工程を説明するための説明図である。この
ホトダイオードアレイの製造においては、まず、高濃度
ｎ型Ｓｉ基板上に、低濃度ｎ型半導体層をエピタキシャ
ル成長させ（図６（ａ））、低濃度ｎ型半導体層から基
板に到達するトレンチ溝を形成する（図６（ｂ））。し
かる後、低濃度ｎ型半導体層の表面側からｐ型不純物を
拡散させ（図６（ｃ））、更に、高温で熱処理を行うこ
とにより、トレンチ溝の内面に酸化膜を形成する（図６
（ｄ））。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法で製造されたホトダイオードアレイの場合、ｐ型不純
物はトレンチ溝内部まで拡散することとなり、また、熱
酸化時にｐ型不純物は更に拡散していくので、トレンチ
溝近傍においてはｐｎ接合がなくなり、実際には不感領
域が形成され、実質的な受光領域が小さくなる。また、
ｐ型不純物を拡散したＳｉを酸化させて形成したＳｉ酸
化膜にはｐ型不純物が含まれることとなるため、酸化膜
が薄い場合には酸化膜近傍でリーク電流が流れる場合が
ある。したがって、従来のホトダイオードアレイにおい
ては、クロストークは抑制できるものの、これと同時に
高品質な光像検出を達成することはできなかった。本発
明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、ク
ロストークを抑制すると共に高品質な光像検出を達成す
ることができるホトダイオードアレイを提供することを
目的とする。
法で製造されたホトダイオードアレイの場合、ｐ型不純
物はトレンチ溝内部まで拡散することとなり、また、熱
酸化時にｐ型不純物は更に拡散していくので、トレンチ
溝近傍においてはｐｎ接合がなくなり、実際には不感領
域が形成され、実質的な受光領域が小さくなる。また、
ｐ型不純物を拡散したＳｉを酸化させて形成したＳｉ酸
化膜にはｐ型不純物が含まれることとなるため、酸化膜
が薄い場合には酸化膜近傍でリーク電流が流れる場合が
ある。したがって、従来のホトダイオードアレイにおい
ては、クロストークは抑制できるものの、これと同時に
高品質な光像検出を達成することはできなかった。本発
明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、ク
ロストークを抑制すると共に高品質な光像検出を達成す
ることができるホトダイオードアレイを提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るホトダイオードアレイは、同一半導体
基板上に一次元又は二次元状に形成された複数のホトダ
イオードを備え、複数のホトダイオード間に素子分離用
のトレンチ溝が形成されたホトダイオードアレイにおい
て、トレンチ溝はホトダイオードにおけるｐｎ接合の形
成後に、このｐｎ接合を横断するように形成されること
を特徴とする。
め、本発明に係るホトダイオードアレイは、同一半導体
基板上に一次元又は二次元状に形成された複数のホトダ
イオードを備え、複数のホトダイオード間に素子分離用
のトレンチ溝が形成されたホトダイオードアレイにおい
て、トレンチ溝はホトダイオードにおけるｐｎ接合の形
成後に、このｐｎ接合を横断するように形成されること
を特徴とする。
【０００６】ホトダイオードアレイは、前記半導体基板
上に基板と同じ導電型のエピタキシャル成長層を成長
し、その表面に反対導電型の層が形成され、素子分離用
の前記トレンチ溝が前記半導体基板まで達していること
を特徴としてもよい。
上に基板と同じ導電型のエピタキシャル成長層を成長
し、その表面に反対導電型の層が形成され、素子分離用
の前記トレンチ溝が前記半導体基板まで達していること
を特徴としてもよい。
【０００７】本発明のホトダイオードによれば、複数の
ホトダイオード間に素子分離用のトレンチ溝が形成され
ているので、各ホトダイオード間のクロストークを抑制
できると共に、トレンチ溝は、ホトダイオードにおける
ｐｎ接合の形成後に、このｐｎ接合を横断するように形
成されているので、ｐｎ接合がトレンチ溝の内面に接触
するまで延びることとなり、したがって、実質的な受光
領域を広くすることができる。
ホトダイオード間に素子分離用のトレンチ溝が形成され
ているので、各ホトダイオード間のクロストークを抑制
できると共に、トレンチ溝は、ホトダイオードにおける
ｐｎ接合の形成後に、このｐｎ接合を横断するように形
成されているので、ｐｎ接合がトレンチ溝の内面に接触
するまで延びることとなり、したがって、実質的な受光
領域を広くすることができる。
【０００８】また、トレンチ溝の内面は、熱酸化されて
いることが好ましく、この場合においても、トレンチ溝
の内面におけるｎ型領域においては、ｐ型不純物が拡散
していないので、酸化膜近傍で発生するリーク電流を抑
制することができる。
いることが好ましく、この場合においても、トレンチ溝
の内面におけるｎ型領域においては、ｐ型不純物が拡散
していないので、酸化膜近傍で発生するリーク電流を抑
制することができる。
【０００９】トレンチ溝は、様々な方法によって形成す
ることができるが、これは誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）
エッチングによって形成されることが好ましい。
ることができるが、これは誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）
エッチングによって形成されることが好ましい。
【００１０】また、トレンチ溝内は、ＳｉＯ2又は樹脂
からなる充填材料で埋められていることが好ましく、こ
の場合には、トレンチ溝の形成による基板の機械的強度
の劣化を抑制することができると共に、当該充填材料上
に、ｐｎ接合に電気的に接続される配線を形成すること
ができるので、装置の小型化を達成することができる。
からなる充填材料で埋められていることが好ましく、こ
の場合には、トレンチ溝の形成による基板の機械的強度
の劣化を抑制することができると共に、当該充填材料上
に、ｐｎ接合に電気的に接続される配線を形成すること
ができるので、装置の小型化を達成することができる。
【００１１】また、充填材料上には遮光膜が形成されて
いることが好ましく、この場合には、トレンチ部分より
ｐｎ接合に入射する光を遮蔽することができ、かかる入
射光に基づくノイズ及びクロストークを低減することが
できる。
いることが好ましく、この場合には、トレンチ部分より
ｐｎ接合に入射する光を遮蔽することができ、かかる入
射光に基づくノイズ及びクロストークを低減することが
できる。
【００１２】なお、前記樹脂は、遮光性樹脂とすること
もでき、この場合には遮光膜を形成する工程が不要とな
るため、製造工程が簡略化できる。
もでき、この場合には遮光膜を形成する工程が不要とな
るため、製造工程が簡略化できる。
【００１３】更に、前記遮光膜は、前記配線を覆うよう
に前記充填材料上に形成されていることが好ましく、こ
の場合には、遮光膜は配線保護膜としても機能する。
に前記充填材料上に形成されていることが好ましく、こ
の場合には、遮光膜は配線保護膜としても機能する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に係る
ホトダイオードアレイについて説明する。なお、同一要
素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略
する。
ホトダイオードアレイについて説明する。なお、同一要
素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略
する。
【００１５】図１は複数のホトダイオードを二次元状に
配列してなるホトダイオードアレイの平面図、図２は図
１に示したホトダイオードアレイのＩＩ−ＩＩ矢印線断
面図（端面図）である。なお、平面図においては、内部
構成が明確になるように、最上部に位置する絶縁層ＩＬ
Ｔ及び各ホトダイオードに接続された電極ｅｕ1，ｅｕ2
の記載を省略する。また、図中においては、５×５個の
ホトダイオードが記載されているが、説明の簡略化のた
め、この中の代表的な２つのホトダイオードＰＤ１，Ｐ
Ｄ２のみについて符号を付し、説明を行う。以下、詳説
する。
配列してなるホトダイオードアレイの平面図、図２は図
１に示したホトダイオードアレイのＩＩ−ＩＩ矢印線断
面図（端面図）である。なお、平面図においては、内部
構成が明確になるように、最上部に位置する絶縁層ＩＬ
Ｔ及び各ホトダイオードに接続された電極ｅｕ1，ｅｕ2
の記載を省略する。また、図中においては、５×５個の
ホトダイオードが記載されているが、説明の簡略化のた
め、この中の代表的な２つのホトダイオードＰＤ１，Ｐ
Ｄ２のみについて符号を付し、説明を行う。以下、詳説
する。
【００１６】半導体基板１ｓには、複数のホトダイオー
ドＰＤ１，ＰＤ２が形成されており、それぞれのホトダ
イオードＰＤ１，ＰＤ２はポリシリコン、Ａｕ又はＡｌ
等からなるパターン配線Ｗを介して、電極パッドＰＤ１
ｏ，ＰＤ２ｏに接続されている。ホトダイオードＰＤ
１，ＰＤ２間には素子分離用のトレンチ溝ＧＲＶが介在
しており、トレンチ溝ＧＲＶの内面は半導体の露出面で
規定され、この内面は絶縁層ＩＬＴによって被覆され、
絶縁層ＩＬＴの更に上から絶縁体ＩＬＴ’が埋設され、
これにより基板自体の強度が向上している。
ドＰＤ１，ＰＤ２が形成されており、それぞれのホトダ
イオードＰＤ１，ＰＤ２はポリシリコン、Ａｕ又はＡｌ
等からなるパターン配線Ｗを介して、電極パッドＰＤ１
ｏ，ＰＤ２ｏに接続されている。ホトダイオードＰＤ
１，ＰＤ２間には素子分離用のトレンチ溝ＧＲＶが介在
しており、トレンチ溝ＧＲＶの内面は半導体の露出面で
規定され、この内面は絶縁層ＩＬＴによって被覆され、
絶縁層ＩＬＴの更に上から絶縁体ＩＬＴ’が埋設され、
これにより基板自体の強度が向上している。
【００１７】配線Ｗは、トレンチ溝ＧＲＶ上、すなわ
ち、トレンチ溝ＧＲＶ内に埋設された絶縁体ＩＬＴ’上
を這っており、配線Ｗの直下領域にはホトダイオードＰ
Ｄ１，ＰＤ２が位置しないこととされている。これによ
り、配線Ｗから電磁波として出力されるノイズのホトダ
イオードＰＤ１，ＰＤ２への入射が抑制される。
ち、トレンチ溝ＧＲＶ内に埋設された絶縁体ＩＬＴ’上
を這っており、配線Ｗの直下領域にはホトダイオードＰ
Ｄ１，ＰＤ２が位置しないこととされている。これによ
り、配線Ｗから電磁波として出力されるノイズのホトダ
イオードＰＤ１，ＰＤ２への入射が抑制される。
【００１８】半導体基板１ｓはｎ型半導体からなり、こ
の上に低濃度のｎ型半導体層、ｐ型半導体層が順次形成
され、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間にトレンチ溝Ｇ
ＲＶが形成されることで、上記低濃度ｎ型半導体層及び
ｐ型半導体層が、それぞれ、ｎ型半導体層１ｎ1，１ｎ2
及びｐ型半導体層１ｐ1，１ｐ2として分離され、これら
のｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界はｐｎ接合を構成
している。
の上に低濃度のｎ型半導体層、ｐ型半導体層が順次形成
され、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間にトレンチ溝Ｇ
ＲＶが形成されることで、上記低濃度ｎ型半導体層及び
ｐ型半導体層が、それぞれ、ｎ型半導体層１ｎ1，１ｎ2
及びｐ型半導体層１ｐ1，１ｐ2として分離され、これら
のｎ型半導体層とｐ型半導体層の境界はｐｎ接合を構成
している。
【００１９】ここで、ｎ型半導体層１ｎ1，１ｎ2は、ｐ
型半導体層１ｐ1，１ｐ2に比して不純物濃度が低く、零
バイアス時に拡散電位が形成されている場合において
も、また、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に逆バイアス
を印加した場合においても、空乏層はｐｎ接合界面から
低濃度側のｎ型半導体層１ｎ1，１ｎ2に広がり、この領
域１ｎ1，１ｎ2が光吸収層として機能する。なお、これ
らの導電型は反転させてもよく、その場合にはｐ型半導
体層が光吸収層として機能する。
型半導体層１ｐ1，１ｐ2に比して不純物濃度が低く、零
バイアス時に拡散電位が形成されている場合において
も、また、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に逆バイアス
を印加した場合においても、空乏層はｐｎ接合界面から
低濃度側のｎ型半導体層１ｎ1，１ｎ2に広がり、この領
域１ｎ1，１ｎ2が光吸収層として機能する。なお、これ
らの導電型は反転させてもよく、その場合にはｐ型半導
体層が光吸収層として機能する。
【００２０】半導体基板１ｓの裏面側には裏面電極ｅｌ
が全面に形成されており、ｐ型半導体層１ｐ1，１ｐ2の
表面側には、上面電極ｅｕ1，ｅｕ2がそれぞれ形成され
ている。なお、上面電極ｅｕ1，ｅｕ2は、ｐ型半導体層
１ｐ1，１ｐ2の露出表面を被覆する絶縁層ＩＬＴに設け
られた開口（コンタクトホール）内に形成されている。
が全面に形成されており、ｐ型半導体層１ｐ1，１ｐ2の
表面側には、上面電極ｅｕ1，ｅｕ2がそれぞれ形成され
ている。なお、上面電極ｅｕ1，ｅｕ2は、ｐ型半導体層
１ｐ1，１ｐ2の露出表面を被覆する絶縁層ＩＬＴに設け
られた開口（コンタクトホール）内に形成されている。
【００２１】各半導体層の材料、不純物濃度及び厚みは
以下の通りであり、絶縁層ＩＬＴ及び絶縁体ＩＬＴ’
は、それぞれ例えばＳｉＯ2又はＳｉＮｘからなる。絶
縁体ＩＬＴ’については、ポリイミド等の樹脂やノンド
ープの絶縁性シリカ溶液であってもよく、この場合には
ポリイミドやノンドープの絶縁性シリカ溶液をスピンコ
ートによりトレンチ溝ＧＲＶ内に導入し、ベーキングす
ることによって絶縁体ＩＬＴ’を埋設・形成する。
以下の通りであり、絶縁層ＩＬＴ及び絶縁体ＩＬＴ’
は、それぞれ例えばＳｉＯ2又はＳｉＮｘからなる。絶
縁体ＩＬＴ’については、ポリイミド等の樹脂やノンド
ープの絶縁性シリカ溶液であってもよく、この場合には
ポリイミドやノンドープの絶縁性シリカ溶液をスピンコ
ートによりトレンチ溝ＧＲＶ内に導入し、ベーキングす
ることによって絶縁体ＩＬＴ’を埋設・形成する。
【００２２】
【表１】
【００２３】ここで、ホトダイオードアレイの機能につ
いて説明しておく。各ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に
光が入射し、この光入射に感応して光吸収層で発生した
キャリア（電子・正孔）は基板内部の電界に従って移動
し、その一方は裏面電極ｅｌから、他方は上面電極ｅｕ
1，ｅｕ2から取出されると共に配線Ｗ及び電極パッドＰ
Ｄ１ｏ及びＰＤ２ｏを介して外部に出力される。
いて説明しておく。各ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２に
光が入射し、この光入射に感応して光吸収層で発生した
キャリア（電子・正孔）は基板内部の電界に従って移動
し、その一方は裏面電極ｅｌから、他方は上面電極ｅｕ
1，ｅｕ2から取出されると共に配線Ｗ及び電極パッドＰ
Ｄ１ｏ及びＰＤ２ｏを介して外部に出力される。
【００２４】次に、上記ホトダイオードアレイの製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００２５】図３は、上記ホトダイオードの製造方法を
説明するための説明図である。
説明するための説明図である。
【００２６】まず、図３（ａ）に示すように、半導体基
板（ウエハ）１ｓ上にエピタキシャル成長法を用いてｎ
型半導体層１ｎを形成する（厚さ５μｍ）。
板（ウエハ）１ｓ上にエピタキシャル成長法を用いてｎ
型半導体層１ｎを形成する（厚さ５μｍ）。
【００２７】続いて、図３（ｂ）に示すように、ｎ型半
導体層１ｎの露出表面側からｎ型半導体層１ｎの表層部
にｐ型不純物（ボロン）を拡散によって添加し、この表
層部の導電型を反転させてｐ型半導体層１ｐを形成する
（厚さ０．５μｍ）。
導体層１ｎの露出表面側からｎ型半導体層１ｎの表層部
にｐ型不純物（ボロン）を拡散によって添加し、この表
層部の導電型を反転させてｐ型半導体層１ｐを形成する
（厚さ０．５μｍ）。
【００２８】更に、図３（ｃ）に示すように、ｐ型半導
体層１ｐ上に絶縁層ＩＬＴを堆積する（厚さ０．１μ
ｍ）。この堆積法としては、ＣＶＤ（化学的気相成長）
法やスパッタ法等を用いることができる。
体層１ｐ上に絶縁層ＩＬＴを堆積する（厚さ０．１μ
ｍ）。この堆積法としては、ＣＶＤ（化学的気相成長）
法やスパッタ法等を用いることができる。
【００２９】次に、図３（ｄ）に示すように、通常のホ
トリソグラフィー技術を用いてマスクパターンを絶縁層
ＩＬＴ上に形成し、マスクの開口部（幅１μｍ）をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ）エッチングを行い、この開口部
直下の領域にトレンチ溝ＧＲＶを形成すると共に、ｎ型
及びｐ型半導体層１ｎ，１ｐを、それぞれｎ型半導体層
１ｎ1，１ｎ2，ｐ型半導体層１ｐ1，１ｐ2に分割する。
なお、トレンチ溝ＧＲＶの深さは、ｎ型半導体層１ｎと
半導体基板１ｓとの境界から深部に５μｍの位置まで達
する。図２のようにトレンチ溝を半導体基板１ｓに到達
するように形成した場合、空乏層が分割されたｐｎ接合
の各チャンネルにまたがって広がることを防ぐことがで
きる為、チャンネル間のクロストークを更に低減するこ
とができる。このエッチングによるトレンチ溝ＧＲＶの
形成によって、トレンチ溝ＧＲＶの内面の半導体層（Ｓ
ｉ）は露出する。
トリソグラフィー技術を用いてマスクパターンを絶縁層
ＩＬＴ上に形成し、マスクの開口部（幅１μｍ）をＩＣ
Ｐ（誘導結合プラズマ）エッチングを行い、この開口部
直下の領域にトレンチ溝ＧＲＶを形成すると共に、ｎ型
及びｐ型半導体層１ｎ，１ｐを、それぞれｎ型半導体層
１ｎ1，１ｎ2，ｐ型半導体層１ｐ1，１ｐ2に分割する。
なお、トレンチ溝ＧＲＶの深さは、ｎ型半導体層１ｎと
半導体基板１ｓとの境界から深部に５μｍの位置まで達
する。図２のようにトレンチ溝を半導体基板１ｓに到達
するように形成した場合、空乏層が分割されたｐｎ接合
の各チャンネルにまたがって広がることを防ぐことがで
きる為、チャンネル間のクロストークを更に低減するこ
とができる。このエッチングによるトレンチ溝ＧＲＶの
形成によって、トレンチ溝ＧＲＶの内面の半導体層（Ｓ
ｉ）は露出する。
【００３０】次に、図３（ｅ）に示すように、酸素雰囲
気中において本半導体基板を加熱し、上記Ｓｉの露出表
面を熱酸化し、トレンチ溝ＧＲＶの内面をＳｉＯ2から
なる絶縁層ＩＬＴで被覆する。熱酸化の温度は９５０℃
〜１１００℃の高温である。なお、この絶縁層ＩＬＴ
は、ｐ型半導体層１ｐの表面を覆う絶縁層ＩＬＴに連続
することとなるので、双方とも同一の符号ＩＬＴを用い
て表記している。
気中において本半導体基板を加熱し、上記Ｓｉの露出表
面を熱酸化し、トレンチ溝ＧＲＶの内面をＳｉＯ2から
なる絶縁層ＩＬＴで被覆する。熱酸化の温度は９５０℃
〜１１００℃の高温である。なお、この絶縁層ＩＬＴ
は、ｐ型半導体層１ｐの表面を覆う絶縁層ＩＬＴに連続
することとなるので、双方とも同一の符号ＩＬＴを用い
て表記している。
【００３１】しかる後、図３（ｆ）に示すように、トレ
ンチ溝ＧＲＶ内に絶縁体ＩＬＴ’を埋め込む。絶縁体Ｉ
ＬＴ’の形成工程においてはＣＶＤ法を用いる。本ＣＶ
Ｄ法に用いられる供給ガス源は、珪素有機化合物である
珪酸エチル（テトラエトキシシラン：ＴＥＯＳ）であ
る。形成温度は３００℃前後であって、必要に応じて窒
素や酸素ガスと共にＴＥＯＳを供給する。この方法によ
り、平坦な膜成形を行うことができ、絶縁体ＩＬＴ’は
トレンチ溝ＧＲＶ内ばかりでなく、ｐ型半導体層１ｐの
表面を覆う絶縁層ＩＬＴ上にも平坦性を保持したまま形
成される。なお、必要に応じて、これに燐や硼素等を添
加してもよい。燐源としてはトリメチルフォスフェイト
（ＴＭＯＰ）等が、硼素源としてはトリメチルボレイト
（ＴＭＯＢ）、トリエチルボレイト （ＴＥＯＢ）等が
ＴＥＯＳと一緒に用いることができ、これによりＮａイ
オンの拡散阻止や流動性向上、膜の誘電率の調整を行う
ことができる。
ンチ溝ＧＲＶ内に絶縁体ＩＬＴ’を埋め込む。絶縁体Ｉ
ＬＴ’の形成工程においてはＣＶＤ法を用いる。本ＣＶ
Ｄ法に用いられる供給ガス源は、珪素有機化合物である
珪酸エチル（テトラエトキシシラン：ＴＥＯＳ）であ
る。形成温度は３００℃前後であって、必要に応じて窒
素や酸素ガスと共にＴＥＯＳを供給する。この方法によ
り、平坦な膜成形を行うことができ、絶縁体ＩＬＴ’は
トレンチ溝ＧＲＶ内ばかりでなく、ｐ型半導体層１ｐの
表面を覆う絶縁層ＩＬＴ上にも平坦性を保持したまま形
成される。なお、必要に応じて、これに燐や硼素等を添
加してもよい。燐源としてはトリメチルフォスフェイト
（ＴＭＯＰ）等が、硼素源としてはトリメチルボレイト
（ＴＭＯＢ）、トリエチルボレイト （ＴＥＯＢ）等が
ＴＥＯＳと一緒に用いることができ、これによりＮａイ
オンの拡散阻止や流動性向上、膜の誘電率の調整を行う
ことができる。
【００３２】最後に、図３（ｇ）に示すように、裏面電
極ｅｌ、上面電極ｅｕ1，ｅｕ2、及び配線Ｗ（Ａｌ又は
Ａｕ）をスパッタ法或いは蒸着法により形成し、更に、
図１に示した電極パッドＰＤ１ｏ，ＰＤ２ｏを基板表面
上に設け、ウエハからホトダイオードアレイを切り出す
ようにダイシングを行うことにより、図１に示したホト
ダイオードアレイが完成する。
極ｅｌ、上面電極ｅｕ1，ｅｕ2、及び配線Ｗ（Ａｌ又は
Ａｕ）をスパッタ法或いは蒸着法により形成し、更に、
図１に示した電極パッドＰＤ１ｏ，ＰＤ２ｏを基板表面
上に設け、ウエハからホトダイオードアレイを切り出す
ようにダイシングを行うことにより、図１に示したホト
ダイオードアレイが完成する。
【００３３】以上、説明したように、上記ホトダイオー
ドアレイは、同一半導体基板内に一次元又は二次元状に
形成された複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を備
え、複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離
用のトレンチ溝ＧＲＶが形成されたホトダイオードアレ
イにおいて、トレンチ溝ＧＲＶは、ホトダイオードＰＤ
１，ＰＤ２におけるｐｎ接合(ｎ型半導体層１ｎ、ｐ型
半導体層１ｐ)の形成（図３（b））の後に、このｐｎ接
合を基板厚み方向に横断するように形成される（図３
（ｄ））。なお、ここでいう半導体基板とは、本デバイ
ス形成当初に用いられる半導体基板１ｓを意味するもの
ではなく、各種の半導体層が形成され、或いは絶縁層・
電極が必要に応じて形成されたものを示す。
ドアレイは、同一半導体基板内に一次元又は二次元状に
形成された複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２を備
え、複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離
用のトレンチ溝ＧＲＶが形成されたホトダイオードアレ
イにおいて、トレンチ溝ＧＲＶは、ホトダイオードＰＤ
１，ＰＤ２におけるｐｎ接合(ｎ型半導体層１ｎ、ｐ型
半導体層１ｐ)の形成（図３（b））の後に、このｐｎ接
合を基板厚み方向に横断するように形成される（図３
（ｄ））。なお、ここでいう半導体基板とは、本デバイ
ス形成当初に用いられる半導体基板１ｓを意味するもの
ではなく、各種の半導体層が形成され、或いは絶縁層・
電極が必要に応じて形成されたものを示す。
【００３４】本実施形態のホトダイオードアレイによれ
ば、複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離
用のトレンチ溝ＧＲＶが形成されているので、各ホトダ
イオード間のクロストークを抑制できる。トレンチ溝Ｇ
ＲＶは、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接
合の形成後に、このｐｎ接合を横断するように形成され
ているので、ｐｎ接合がトレンチ溝ＧＲＶの内面に接触
するまで延びることとなり、したがって、実質的な受光
領域を広くすることができる。
ば、複数のホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２間に素子分離
用のトレンチ溝ＧＲＶが形成されているので、各ホトダ
イオード間のクロストークを抑制できる。トレンチ溝Ｇ
ＲＶは、ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２におけるｐｎ接
合の形成後に、このｐｎ接合を横断するように形成され
ているので、ｐｎ接合がトレンチ溝ＧＲＶの内面に接触
するまで延びることとなり、したがって、実質的な受光
領域を広くすることができる。
【００３５】また、本ホトダイオードアレイにおいて
は、従来のように、トレンチ溝ＧＲＶの内面におけるｎ
型領域１ｎにｐ型不純物が拡散していない。したがっ
て、トレンチ溝ＧＲＶ内の酸化膜ＩＬＴ近傍で発生する
リーク電流を抑制することができる。また、熱酸化膜Ｉ
ＬＴは、暗電流を抑制すると共にｐｎ接合を保護してい
る。
は、従来のように、トレンチ溝ＧＲＶの内面におけるｎ
型領域１ｎにｐ型不純物が拡散していない。したがっ
て、トレンチ溝ＧＲＶ内の酸化膜ＩＬＴ近傍で発生する
リーク電流を抑制することができる。また、熱酸化膜Ｉ
ＬＴは、暗電流を抑制すると共にｐｎ接合を保護してい
る。
【００３６】トレンチ溝ＧＲＶは、ＩＣＰエッチングに
よって形成されたが、これは様々な方法によって形成す
ることができる。例えば、アルカリ性の水溶液を用いて
ウエットエッチングを行うこともできる。また、ＩＣＰ
エッチングの後、ｐ型半導体層１ｐの表面に位置する絶
縁層ＩＬＴを除去し、続いて熱酸化を行うことで、当該
表面上に新たな絶縁層ＩＬＴ（Ｓｉ酸化膜）を形成して
もよい。この絶縁層除去には、絶縁層ＩＬＴがＳｉＮｘ
であるとすると、例えば燐酸処理を用いることができ
る。
よって形成されたが、これは様々な方法によって形成す
ることができる。例えば、アルカリ性の水溶液を用いて
ウエットエッチングを行うこともできる。また、ＩＣＰ
エッチングの後、ｐ型半導体層１ｐの表面に位置する絶
縁層ＩＬＴを除去し、続いて熱酸化を行うことで、当該
表面上に新たな絶縁層ＩＬＴ（Ｓｉ酸化膜）を形成して
もよい。この絶縁層除去には、絶縁層ＩＬＴがＳｉＮｘ
であるとすると、例えば燐酸処理を用いることができ
る。
【００３７】また、上記ホトダイオードアレイは、ＤＶ
ＤＲＯＭ／ＲＡＭ用の光ピックアップセンサに用いるこ
ともできる。
ＤＲＯＭ／ＲＡＭ用の光ピックアップセンサに用いるこ
ともできる。
【００３８】図４は、光ピックアップセンサの平面図で
あり、トレンチ溝ＧＲＶによって分離された４分割ホト
ダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４は、配線Ｗ
を介して電極パッドＰＤ１ｏ，ＰＤ２ｏ，ＰＤ３ｏ，Ｐ
Ｄ４ｏに接続されている。本例では、センサ中心の４分
割ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４に近
接して、トレンチ溝ＧＲＶで分離された２分割ホトダイ
オードＰＤ４１，ＰＤ４２及びＰＤ５１，ＰＤ５２が配
置されており、これらは配線Ｗを介して電極パッドＰＤ
４１ｏ，ＰＤ４２ｏ，ＰＤ５１ｏ，ＰＤ５２ｏに接続さ
れている。これらのホトダイオード及びトレンチ溝ＧＲ
Ｖの縦断面構造は、上述の実施形態のものと同様であ
る。
あり、トレンチ溝ＧＲＶによって分離された４分割ホト
ダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４は、配線Ｗ
を介して電極パッドＰＤ１ｏ，ＰＤ２ｏ，ＰＤ３ｏ，Ｐ
Ｄ４ｏに接続されている。本例では、センサ中心の４分
割ホトダイオードＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３，ＰＤ４に近
接して、トレンチ溝ＧＲＶで分離された２分割ホトダイ
オードＰＤ４１，ＰＤ４２及びＰＤ５１，ＰＤ５２が配
置されており、これらは配線Ｗを介して電極パッドＰＤ
４１ｏ，ＰＤ４２ｏ，ＰＤ５１ｏ，ＰＤ５２ｏに接続さ
れている。これらのホトダイオード及びトレンチ溝ＧＲ
Ｖの縦断面構造は、上述の実施形態のものと同様であ
る。
【００３９】また、上記ホトダイオードアレイは、光Ｃ
Ｔ用のセンサに用いることもできる。
Ｔ用のセンサに用いることもできる。
【００４０】図５は、Ｘ線ＣＴに用いられる光センサ部
の平面図であり、一次元状にＰＤ１〜ＰＤ２４が配列し
ており、各ホトダイオード間にはトレンチ溝ＧＲＶが形
成されている。本例では、隣接するホトダイオードの位
置精度は±１μｍ以下に抑えることができる。
の平面図であり、一次元状にＰＤ１〜ＰＤ２４が配列し
ており、各ホトダイオード間にはトレンチ溝ＧＲＶが形
成されている。本例では、隣接するホトダイオードの位
置精度は±１μｍ以下に抑えることができる。
【００４１】また、光源からの光を粒径毎に空間的に分
布した粉末試料に照射し、これを上記ホトダイオードア
レイで検出すれば、上記ホトダイオードアレイは粒度分
布計の検出器として使用することができる。例えば、粉
末試料は扇形に分布させる。本実施形態のホトダイオー
ドアレイを用いると、ホトダイオード間の隙間を１μｍ
程度まで狭くすることができる。
布した粉末試料に照射し、これを上記ホトダイオードア
レイで検出すれば、上記ホトダイオードアレイは粒度分
布計の検出器として使用することができる。例えば、粉
末試料は扇形に分布させる。本実施形態のホトダイオー
ドアレイを用いると、ホトダイオード間の隙間を１μｍ
程度まで狭くすることができる。
【００４２】なお、本発明は、様々の変形を行うことが
可能である。以下、このような実施形態について説明す
る。すなわち、上述の実施形態においては、また、トレ
ンチ溝ＧＲＶ内は、ＳｉＯ2からなる絶縁体ＩＬＴ’
（充填材料）で埋められていたが、この場合には、トレ
ンチ溝ＧＲＶの形成による基板の機械的強度の劣化を抑
制することができると共に、当該充填材料上に、ダイオ
ードに電気的に接続される配線Ｗを形成することができ
るので、装置の小型化を達成することができた。
可能である。以下、このような実施形態について説明す
る。すなわち、上述の実施形態においては、また、トレ
ンチ溝ＧＲＶ内は、ＳｉＯ2からなる絶縁体ＩＬＴ’
（充填材料）で埋められていたが、この場合には、トレ
ンチ溝ＧＲＶの形成による基板の機械的強度の劣化を抑
制することができると共に、当該充填材料上に、ダイオ
ードに電気的に接続される配線Ｗを形成することができ
るので、装置の小型化を達成することができた。
【００４３】図７は、図２と同一形式で示す別の実施形
態に係るホトダイオードアレイの縦断面図（端面図）で
ある。上述の実施形態のホトダイオードアレイとの違い
は、トレンチ溝ＧＲＶ内が、ＳｉＯ2に代えて、ホトリ
ソグラフィによるパターン形成可能なエポキシまたは、
アクリル系の高純度感光性樹脂からなる絶縁体ＩＬＴ’
（充填材料）で埋められている点であり、この場合に
も、機械的強度劣化の抑制及び装置の小型化を達成する
ことができる。
態に係るホトダイオードアレイの縦断面図（端面図）で
ある。上述の実施形態のホトダイオードアレイとの違い
は、トレンチ溝ＧＲＶ内が、ＳｉＯ2に代えて、ホトリ
ソグラフィによるパターン形成可能なエポキシまたは、
アクリル系の高純度感光性樹脂からなる絶縁体ＩＬＴ’
（充填材料）で埋められている点であり、この場合に
も、機械的強度劣化の抑制及び装置の小型化を達成する
ことができる。
【００４４】この充填材料ＩＬＴ’上には遮光膜ＳＬＤ
が形成されており、トレンチ部分よりｐｎ接合に入射す
る光を遮蔽することができ、かかる入射光に基づくノイ
ズ及びクロストークを低減することができる。ここで、
遮光膜ＳＬＤは、配線Ｗを覆うように充填材料ＩＬＴ’
上に形成されており、遮光膜ＳＬＤは配線保護膜として
も機能している。この遮光膜も前記充填材料と同様にパ
ターン形成可能な感光性黒色樹脂である
が形成されており、トレンチ部分よりｐｎ接合に入射す
る光を遮蔽することができ、かかる入射光に基づくノイ
ズ及びクロストークを低減することができる。ここで、
遮光膜ＳＬＤは、配線Ｗを覆うように充填材料ＩＬＴ’
上に形成されており、遮光膜ＳＬＤは配線保護膜として
も機能している。この遮光膜も前記充填材料と同様にパ
ターン形成可能な感光性黒色樹脂である
【００４５】図８は、図２と同一形式で示す更に別の実
施形態に係るホトダイオードアレイの縦断面図（端面
図）である。このホトダイオードアレイは、図７に示し
た充填材料ＩＬＴ’を光透過性の樹脂から遮光性樹脂に
代えたものであり、これに伴い、遮光膜ＳＬＤを省略し
たものである。本例においては、遮光膜ＳＬＤを形成す
る工程が不要となるため、製造工程が簡略化できる。
施形態に係るホトダイオードアレイの縦断面図（端面
図）である。このホトダイオードアレイは、図７に示し
た充填材料ＩＬＴ’を光透過性の樹脂から遮光性樹脂に
代えたものであり、これに伴い、遮光膜ＳＬＤを省略し
たものである。本例においては、遮光膜ＳＬＤを形成す
る工程が不要となるため、製造工程が簡略化できる。
【００４６】上述の図７及び図８に示した構造において
は、図３に示した工程（ｅ）の後に、トレンチ溝ＧＲＶ
内に充填材料ＩＬＴ’を充填し、しかる後、充填材料Ｉ
ＬＴ’上に配線Ｗを形成し、必要に応じて上記遮光膜Ｓ
ＬＤを形成すればよい。なお、上述の遮光膜ＳＬＤも黒
色の樹脂であり、充填材料用の樹脂としては、ホトレジ
スト単体又はホトレジスト内に黒色の染料又は絶縁処理
したカーボンブラック等、顔料を混入させてなる黒色ホ
トレジストを、遮光膜ＳＬＤ用の樹脂としては黒色ホト
レジストを用いることができる。なお、黒色ホトレジス
トに代えて遮光性の金属を用いることもできる。
は、図３に示した工程（ｅ）の後に、トレンチ溝ＧＲＶ
内に充填材料ＩＬＴ’を充填し、しかる後、充填材料Ｉ
ＬＴ’上に配線Ｗを形成し、必要に応じて上記遮光膜Ｓ
ＬＤを形成すればよい。なお、上述の遮光膜ＳＬＤも黒
色の樹脂であり、充填材料用の樹脂としては、ホトレジ
スト単体又はホトレジスト内に黒色の染料又は絶縁処理
したカーボンブラック等、顔料を混入させてなる黒色ホ
トレジストを、遮光膜ＳＬＤ用の樹脂としては黒色ホト
レジストを用いることができる。なお、黒色ホトレジス
トに代えて遮光性の金属を用いることもできる。
【００４７】図９は、図２と同一形式で示す更に別の実
施形態に係るホトダイオードアレイの縦断面図（端面
図）である。本例のホトダイオードアレイは、図２に示
したホトダイオードアレイのＳｉＯ2からなる充填材料
ＩＬＴ’上に、配線Ｗを覆うように遮光膜ＳＬＤを形成
したものであり、その他の構成は図２に示したものと同
一である。本例の構造においても、遮光膜ＳＬＤによっ
て、充填材料ＩＬＴ’を介してｐｎ接合に入射する光を
遮蔽することができる。
施形態に係るホトダイオードアレイの縦断面図（端面
図）である。本例のホトダイオードアレイは、図２に示
したホトダイオードアレイのＳｉＯ2からなる充填材料
ＩＬＴ’上に、配線Ｗを覆うように遮光膜ＳＬＤを形成
したものであり、その他の構成は図２に示したものと同
一である。本例の構造においても、遮光膜ＳＬＤによっ
て、充填材料ＩＬＴ’を介してｐｎ接合に入射する光を
遮蔽することができる。
【００４８】図１０は、１次元ホトダイオードアレイの
斜視図であり、図１１は図１０に示したホトダイオード
のＸＩ−ＸＩ矢印線断面図、図１２は図１０に示した領
域ＸＩＩを拡大して示す当該領域の平面図である。本例
は、トレンチ溝ＧＲＶ内に樹脂を充填し、遮光膜ＳＬＤ
を充填材料ＩＬＴ’上に形成したものである。
斜視図であり、図１１は図１０に示したホトダイオード
のＸＩ−ＸＩ矢印線断面図、図１２は図１０に示した領
域ＸＩＩを拡大して示す当該領域の平面図である。本例
は、トレンチ溝ＧＲＶ内に樹脂を充填し、遮光膜ＳＬＤ
を充填材料ＩＬＴ’上に形成したものである。
【００４９】ホトダイオードアレイの長さ方向及び幅方
向のダイシングラインは、トレンチ溝の形成工程と同時
にエッチングによって基板表面に形成された溝の一部分
に設定され、このダイシングラインに沿って、同一半導
体ウエハ上に形成された複数のホトダイオードアレイが
切断・分離される。ダイシング用の溝内にも充填材料Ｉ
ＬＴ’は充填されているが、ダイシング用の各溝の中心
線上の充填材料ＩＬＴ’は、ダイシングを容易とするた
め、除去されている。
向のダイシングラインは、トレンチ溝の形成工程と同時
にエッチングによって基板表面に形成された溝の一部分
に設定され、このダイシングラインに沿って、同一半導
体ウエハ上に形成された複数のホトダイオードアレイが
切断・分離される。ダイシング用の溝内にも充填材料Ｉ
ＬＴ’は充填されているが、ダイシング用の各溝の中心
線上の充填材料ＩＬＴ’は、ダイシングを容易とするた
め、除去されている。
【００５０】なお、ホトダイオードアレイの長手方向中
心線ＤＶ上に、上記と同様にトレンチ溝ＧＲＶを形成す
れば、２分割ホトダイオードアレイを製造することがで
き、この分割数を増加させれば、本装置は二次元ホトダ
イオードアレイとなる。なお、上述のホトダイオードア
レイは、光ピックアップや粒径測定等にも用いることが
できる。
心線ＤＶ上に、上記と同様にトレンチ溝ＧＲＶを形成す
れば、２分割ホトダイオードアレイを製造することがで
き、この分割数を増加させれば、本装置は二次元ホトダ
イオードアレイとなる。なお、上述のホトダイオードア
レイは、光ピックアップや粒径測定等にも用いることが
できる。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、ホトダイオードのｐｎ
接合がトレンチ溝の内面に接触するまで延びることとな
り、実質的な受光領域を広くすることができるので、ク
ロストークを抑制すると共に高品質な光像検出を達成す
ることができる。また、受光領域が広くなるため、装置
全体を小型化することもできる。
接合がトレンチ溝の内面に接触するまで延びることとな
り、実質的な受光領域を広くすることができるので、ク
ロストークを抑制すると共に高品質な光像検出を達成す
ることができる。また、受光領域が広くなるため、装置
全体を小型化することもできる。
【図１】複数のホトダイオードを二次元状に配列してな
るホトダイオードアレイの平面図である。
るホトダイオードアレイの平面図である。
【図２】図１に示したホトダイオードアレイのＩＩ−Ｉ
Ｉ矢印線断面図（端面図）である。
Ｉ矢印線断面図（端面図）である。
【図３】ホトダイオードアレイの製造方法を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
【図４】光ピックアップセンサの平面図である。
【図５】光ＣＴに用いられるセンサの平面図である。
【図６】従来のホトダイオードの製造方法を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
【図７】図２と同一形式で示す別の実施形態に係るホト
ダイオードアレイの縦断面図（端面図）である。
ダイオードアレイの縦断面図（端面図）である。
【図８】図２と同一形式で示す更に別の実施形態に係る
ホトダイオードアレイの縦断面図（端面図）である。
ホトダイオードアレイの縦断面図（端面図）である。
【図９】図２と同一形式で示す更に別の実施形態に係る
ホトダイオードアレイの縦断面図（端面図）である。
ホトダイオードアレイの縦断面図（端面図）である。
【図１０】１次元ホトダイオードアレイの斜視図であ
る。
る。
【図１１】図１０に示したホトダイオードのＸＩ−ＸＩ
矢印線断面図である。
矢印線断面図である。
【図１２】図１０に示した領域ＸＩＩを拡大して示す平
面図である。
面図である。
ＰＤ１，ＰＤ２…ホトダイオード、ＧＲＶ…トレンチ
溝。
溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 義磨郎 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 5F049 MA02 MB03 MB12 NA04 NA05 NA19 NA20 NB03 NB05 NB07 NB08 PA09 PA14 PA17 RA04 SS03 SZ10
Claims (10)
- 【請求項１】 同一半導体基板上に一次元又は二次元状
に形成された複数のホトダイオードを備え、前記複数の
ホトダイオード間に素子分離用のトレンチ溝が形成され
たホトダイオードアレイにおいて、前記トレンチ溝は前
記ホトダイオードにおけるｐｎ接合の形成後に、このｐ
ｎ接合を横断するように形成されることを特徴とするホ
トダイオードアレイ。 - 【請求項２】 前記ホトダイオードアレイは、前記半導
体基板上に基板と同じ導電型のエピタキシャル成長層を
成長し、その表面に反対導電型の層が形成され、素子分
離用の前記トレンチ溝が前記半導体基板まで達している
ことを特徴とする請求項１記載のホトダイオードアレ
イ。 - 【請求項３】 前記トレンチ溝の内面は、熱酸化されて
いることを特徴とする請求項１又は２に記載のホトダイ
オードアレイ。 - 【請求項４】 前記トレンチ溝は、誘導結合プラズマエ
ッチングによって形成されることを特徴とする請求項１
又は２に記載のホトダイオードアレイ。 - 【請求項５】 前記トレンチ溝内は、ＳｉＯ2からなる
充填材料で埋められていることを特徴とする請求項１に
記載のホトダイオードアレイ。 - 【請求項６】 前記トレンチ溝内は、樹脂からなる充填
材料で埋められていることを特徴とする請求項１に記載
のホトダイオードアレイ。 - 【請求項７】 前記ｐｎ接合に電気的に接続される配線
が、前記充填材料上に形成されていることを特徴とする
請求項５又は６に記載のホトダイオードアレイ。 - 【請求項８】 前記充填材料上に遮光膜が形成されてい
ることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記
載のホトダイオードアレイ。 - 【請求項９】 前記樹脂は、遮光性樹脂であることを特
徴とする請求項６又は７に記載のホトダイオードアレ
イ。 - 【請求項１０】 前記遮光膜は、前記配線を覆うように
前記充填材料上に形成されていることを特徴とする請求
項８に記載のホトダイオードアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000331187A JP2001352094A (ja) | 2000-04-06 | 2000-10-30 | ホトダイオードアレイ |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-105199 | 2000-04-06 | ||
| JP2000105199 | 2000-04-06 | ||
| JP2000331187A JP2001352094A (ja) | 2000-04-06 | 2000-10-30 | ホトダイオードアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001352094A true JP2001352094A (ja) | 2001-12-21 |
Family
ID=26589602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000331187A Pending JP2001352094A (ja) | 2000-04-06 | 2000-10-30 | ホトダイオードアレイ |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2001352094A (ja) |
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| US6949770B2 (en) * | 2002-02-26 | 2005-09-27 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Photodiode array and optical receiver device including the same |
| US7170143B2 (en) | 2003-10-20 | 2007-01-30 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor photo-detection device and radiation apparatus |
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| WO2008004091A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-10 | Universita' Degli Studi Di Firenze | Bidimensional dosimetric detector |
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2000
- 2000-10-30 JP JP2000331187A patent/JP2001352094A/ja active Pending
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