JP6186038B2 - 半導体光検出素子 - Google Patents
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- 互いに対向する第一及び第二主面を含む半導体基板を有する半導体光検出素子であって、
ガイガーモードで動作すると共に前記半導体基板内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードと、
それぞれの前記アバランシェフォトダイオードに対して直列に接続されると共に前記半導体基板の前記第一主面側に配置された複数のクエンチング抵抗と、
前記複数のクエンチング抵抗と電気的に接続されており、前記第一主面側から前記第二主面側まで前記半導体基板を貫通して形成されている一つの貫通電極と、
前記貫通電極と電気的に接続され且つ前記半導体基板の前記第二主面側に配置されたバンプ電極と、を含み、
前記クエンチング抵抗及び前記貫通電極を通した、各前記アバランシェフォトダイオードから前記バンプ電極までの配線距離が、同等であることを特徴とする半導体光検出素子。 - 前記貫通電極が、平面視で、前記アバランシェフォトダイオード間の領域に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体光検出素子。
- 前記複数のアバランシェフォトダイオードを一つのユニットとして、前記ユニットを複数有しており、
前記貫通電極は、複数の前記ユニット毎に設けられていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体光検出素子。
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JP2016087128A JP6186038B2 (ja) | 2016-04-25 | 2016-04-25 | 半導体光検出素子 |
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