JP5236803B2 - 半導体照明部品 - Google Patents

半導体照明部品 Download PDF

Info

Publication number
JP5236803B2
JP5236803B2 JP2011510484A JP2011510484A JP5236803B2 JP 5236803 B2 JP5236803 B2 JP 5236803B2 JP 2011510484 A JP2011510484 A JP 2011510484A JP 2011510484 A JP2011510484 A JP 2011510484A JP 5236803 B2 JP5236803 B2 JP 5236803B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
led
led chip
light
chips
submount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011510484A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011521469A (ja
Inventor
トーマス ユアン
バーンド ケラー
ジェームズ イベットソン
エリック ジェイ. ターサ
ジェラルド ネグリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wolfspeed Inc
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of JP2011521469A publication Critical patent/JP2011521469A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5236803B2 publication Critical patent/JP5236803B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52Encapsulations
    • H01L33/54Encapsulations having a particular shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/20Controlling the colour of the light
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40Details of LED load circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body

Description

発明の詳細な説明
本発明は、国立エネルギー技術研究所により授与された契約DE−DE−FC26−06NT42932号に基づく政府支援でなされたものである。本発明において、政府は特定の権利を有する。
本願は、2007年10月31日に出願されたケラー他による米国特許出願第11/982,275号の一部継続出願であって、同出願の利益を主張するものであり、また、2007年9月27日に出願されたメデンドープ他による米国特許出願第11/743,324号の一部継続出願であって、同出願の利益を主張するものである。
[発明の背景]
[発明の分野]
本発明は、半導体照明の方法に関し、具体的には、複数の照明素子を備える小型のモノリシック半導体ランプに関する。
[先行技術]
発光ダイオード(LEDまたはLEDs)は、電気エネルギーを光に変換する半導体デバイスであり、一般的に、反対にドープされた層の間に挟まれた1つ以上の半導体材料の活性層を備える。ドープされた層の間にバイアスが印加されると、正孔と電子とが活性層中に注入され、正孔と電子とが活性層で再結合して光を生じる。光は、活性層からとLEDの全表面から放射される。
LEDチップを回路または他の同様な構成物において使用するために、LEDチップをパッケージの中に封入して、環境的および/または機械的な保護、色の選択、集光等をもたらすことが知られている。また、LEDパッケージは、外部回路にLEDパッケージを電気的に接続するためのリード線、接点、またはトレースを備える。図1aに図示された典型的なLEDパッケージ10においては、単体のLEDチップ12が、はんだ接合または導電性エポキシ樹脂によって反射カップ13上に取り付けられている。1つ以上のワイヤボンド11が、LEDチップ12の抵抗接点をリード線15Aおよび/または15Bに接続しており、リード線15Aおよび/または15Bは、反射カップ13に取り付けられていても、反射カップ13と一体化されていてもよい。反射カップは、例えば蛍光体等の波長変換材料を含み得る封入材料16を充填されていてもよい。LEDによって第1の波長で発せられた光は、蛍光体によって吸収されてもよく、蛍光体は、それに応じて第2の波長で光を発してもよい。次に、アセンブリ全体が、透明の保護樹脂14内に封入されるのであるが、透明の保護樹脂14は、LEDチップ12から発せられる光を平行にするために、レンズ形状に成形されてもよい。反射カップ13は、光を上方向に方向付けることができる一方で、光が反射される際に光学的損失を生じる場合がある(すなわち、実際の反射体表面の反射率が100%未満であることに起因して、光の一部が反射カップに吸収される場合がある)。さらに、例えば図1aに示されるパッケージ10等のパッケージに関して、リード線15A、15Bを介して熱を取り出すことが困難な場合があるため、熱の残留が問題となることがある。
図1bに図示される従来のLEDパッケージ20は、より多くの熱を発生し得る高出力動作により適し得る。LEDパッケージ20において、1つ以上のLEDチップ22が、例えば、プリント回路基板(PCB)キャリア、基板、またはサブマウント23等のキャリア上に取り付けられている。サブマウント23上に取り付けられた金属反射体24がLEDチップ22を囲繞し、LEDチップ22により発せられる光をパッケージ20から離れる方向に反射する。また、反射体24は、LEDチップ22に対して機械的保護をもたらす。1つ以上のワイヤボンド接続11が、LEDチップ22上の抵抗接点と、サブマウント23上の電気トレース25A、25Bとの間になされる。次いで、取り付けられたLEDチップ22は、封入材料26で覆われ、封入材料26は、チップに対して環境的および機械的保護をもたらし得るとともにレンズとして機能し得る。一般的に、金属反射体24は、はんだ、またはエポキシ樹脂接着剤を用いてキャリアに取り付けられる。
半導体照明用途のための典型的なLED部品は、できるだけ高電流で、且つ、個々のLEDには標準的である低電圧で、単体のLEDチップを動作させることによって、高い光出力を達成することを試みている。より高出力の動作に関しては、LEDチップ22によって発生される熱を伝導放散することが困難となり得る。サブマウント23は、例えば、熱伝導が効率的でないセラミックス等の材料で作られ得る。LEDチップからの熱は、LEDチップ下方のサブマウント内へ達するものの、LEDの下方から側方へ効率的に拡散しない。こうして上昇した熱は、パッケージの寿命の短縮または故障を招く可能性がある。
システムレベルでは、高電流動作には、上述のコンポーネントに直流の定電流源を供給する比較的高価なドライバが必要となる。代わりに、より低電流且つより高電圧にてSSL部品を動作させれば、より低コストのドライバソリューションがもたらされ、最終的にはシステムコストの低減がもたらされる。より低電流且つより高電圧にてSSL部品を動作させることは、適切な電流定格の複数のLED部品を回路基板レベルで直列に組み立てることによって、現在実現されている。個々の部品の高コストは、このようなソリューションに係る低減されたドライバコストを上回っている。
現行のLEDパッケージ(例えば、クリー インコーポレイテッドが提供するXLamp(登録商標)LED)では、入力電力レベルを制限することが可能であり、その範囲が0.5〜4ワットの場合もある。このような従来のLEDパッケージの多くは、LEDチップを1つ内蔵しており、単一の回路基板上にこのようなLEDパッケージを数個取り付けることによって、アセンブリレベルにおいてより高い光出力が達成されている。図2は、より高い光束を達成するために、基板またはサブマウント34に取り付けられた複数のLEDパッケージ32を備える、上記のような分散統合型LEDアレイ30の一例の断面図を示している。一般的なアレイは多数のLEDパッケージを備えるが、図2においては、理解を容易にするために2つのみが示されている。一方、キャビティのアレイを利用することによる、より高光束の部品が提供されてきているが、各キャビティには単一のLEDチップが取り付けられている(例えば、ラミナ インコーポレイテッドが提供するTitanTurbo(登録商標)LEDライトエンジン)。
このようなLEDアレイソリューションは、隣接するLEDパッケージやキャビティの間に、広範な非発光の「デッドスペース」をもたらすため、所望されるよりも小型にならない。このデッドスペースは、デバイスの大型化をもたらし、平行レンズまたは反射体のような単一の小型の光学素子によって出力光線を特定の角度分布に形成する機能を制限することになり得る。このことにより、既存のランプの形態係数内あるいはさらに小さい形態係数に方向付けまたは平行化された、光出力をもたらす半導体照明の照明器具の製造を実現するのが難しくなる。これらは、小さい光源から1000ルーメン以上の範囲の光束レベルをもたらすLED部品を内蔵する小型のLEDランプ構造を提供する上での課題を提示している。
現行の高動作電圧の照明器具ソリューションは、複数の別個のLED部品を回路基板レベルでアセンブリとして一体化している。所望の光線形状を達成するためには、個々の光学レンズに各LED部品を取り付けるか、あるいは、(既存の従来の光源形態より大型の)非常に大型の反射体を採用しなければならない。これらの副次的光学素子(レンズまたは反射体)は、大型且つ費用がかかり、そのような単体のチップアレイの面積が広範であることによって、LED照明器具はさらに高価なものとなる。さらに、パッケージおよびキャビティの側壁から反射されるあらゆる光は、さらなる光学的損失を招く可能性もあり、これらの全般的なLED部品を低効率にしている。
[発明の概要]
本発明に係るモノリシック白色発光ダイオード(LED)パッケージの一実施形態は、約800ルーメン超を約3000K未満で生成する、単色または複数色のLEDチップアレイを備える。上記LEDチップアレイは、単一の外側被覆レンズを有する、実質的に平面である基板上に配設される。
本発明に係る白色発光LEDパッケージの別の実施形態は、LEDチップアレイと、このアレイを覆う、5ミリメートルを超える直径を有する外側被覆レンズとを備える。
本発明に係るモノリシック白色LEDパッケージの別の実施形態は、約800ルーメン超を約3000K未満で発生する、単色または複数色のLEDチップアレイを備える。このLEDチップアレイは、複数の蛍光体変換された黄緑色発光LEDチップおよび赤色LEDチップを有する、白色発光LEDアレイを備える。
本発明に係るモノリシックLEDパッケージのさらに別の実施形態は、複数のLEDチップを備え、これらLEDチップの各々は、少なくとも2つの色群のうちの1つで発光する。これら色群の各々で発光するLEDチップは、直列接続されている。
本発明の上記および他の態様ならびに利点は、以下の詳細な説明、および、本発明の特徴を一例として図示する添付図面から明らかとなるであろう。
先行技術のLEDランプの一実施形態の断面図を示している。 先行技術のLEDランプの別の実施形態の断面図を示している。 先行技術のLED部品の一実施形態の断面図を示している。 本発明に係るLED部品の一実施形態の断面図を示している。 本発明に係るLED部品の別の実施形態の断面図である。 図4aに示されるLED部品の斜視図である。 図4aに示されるLED部品の上面図である。 図4aに示されるLED部品の底面図である。 本発明に係るLED部品のためのダイ取付パッドおよび導電性トレースの一実施形態の上面図である。 本発明に係るLED部品のさらに別の実施形態の断面図である。 図6aに示されるLED部品のサブマウントの一部の詳細な断面図である。 図6aに示されるLED部品の底面図である。 平面レンズを有する、本発明に係るLED部品の別の実施形態の断面図である。 集合光学レンズを有する、本発明に係るLED部品の別の実施形態の断面図である。 本発明に係るLED部品の一実施形態におけるLEDチップの相互接続の回路図である。 本発明の別の実施形態における、異なる電流および電圧の動作要件を示すグラフである。 本発明に係るLED部品の別の実施形態におけるLEDチップの相互接続の回路図である。 本発明に係るLED部品のさらに別の実施形態におけるLEDチップの相互接続の回路図である。
[発明の詳細な説明]
本発明は、サブマウント上に取り付けられた複数のLEDチップを有するモノリシックLED部品を備え、単一の小型光源素子を創出する。本願で用いられているように、モノリシックとは、LEDチップが1つの基板またはサブマウント上に取り付けられているLED部品のことをいう。ある実施形態では、LEDチップの少なくとも一部が、直列に電気的に接続するように配設され、別の実施形態では、複数の直列接続されたLEDが、または直列/並列の相互接続配列を組み合わせたものが提供されている。本発明によれば、所望の部品サイズを達成し、且つ、個々のチップ毎にLEDの最適な電流密度での所望の光出力を達成するために、LED部品を特定のチップサイズおよびLED発光総面積を有するように設計および選択することができる。LED部品を特定のチップサイズおよびLED発光総面積を有するように設計および選択することができることにより、特定のコストで最適に効率的にLED部品を提供することができる。LEDチップのサイズを柔軟に選択することによって、本発明は、特定用途向けのドライバコストソリューションに最適な電圧および電流で動作する部品を提供する。
一般的に、より高電流且つより低電圧とは対照的に、より低電流且つより高電圧で出力電力を供給するLEDドライバは、ドライバ効率を低下させることなく、より低コストの電子部品(例えば、パワーFET)を内蔵することが可能である。特定の用途によっては、異なるLED部品を、例えば24V,40V,80Vまたは同等のように、異なるレベルで動作させることが望ましい場合がある。(チップが同じ電流密度で動作すると仮定した場合、)異なるサイズのLEDチップを利用することによって、部品の動作電圧を調整することが可能である。さらに、LED部品上のLEDチップの直列接続および並列接続の異なる組み合わせにより、最適なシステム電圧を供給することが可能であり、また、LEDチップのうちの1つが動作中に故障した場合に、冗長性を提供することが可能である。また、異なるLEDデバイスを、より低い電流密度またはより高い電流密度で駆動させることも可能である。同じ光出力を達成するために、LEDチップのそれぞれについてより低い電流密度で動作させることは、LED部品の高効率化につながるだろうが、さらなるデバイスを追加する必要が生じる可能性がある。一方、LEDチップ毎に、より高い電流密度で動作させることに的を絞った結果、LED部品が低効率化する一方で、アレイからLEDデバイスを除去できる結果となり、それに対応して、アレイのサイズに影響を与えることになろう。単一のキャビティ内または単一のレンズの下にモノリシックに集積したLEDチップによって、光源および部品サイズを実質的に増大させることなく、LED部品を所望の発光で設けることが可能になる。
直列接続されたLED、または、直列/並列接続されたLEDが設けられることによって、LED部品に対する外部接点の数を削減することが可能である。各LEDチップに対する2つの接点に対応して、各直列接続毎に2つの接点のみが必要となる。単一の直列接続されたLED回路を有するLED部品では、わずか2つの外部接点が利用可能であり、2つの直列接続された回路を有するLED部品では、わずか4つの外部接点が利用可能である。直列接続されたLEDを利用することにより、静電放電(ESD)保護チップの数を削減することも潜在的に可能になるとともに、各ランプ内にESDチップが必要となり得る、多数のLEDランプを内蔵したシステムソリューションとは対照的に、適切なクランプ電圧の単一のESDチップが、直列接続された各回路における複数のLEDチップに保護を与える。単一の直列接続された回路を有するLED部品には、潜在的に単一のESDチップを用いることが可能である。
本発明に係るLED部品は、異なる光束で動作するように設計することが可能である。また、本発明に係るLED部品は、異なる色温度で白色光を発するように設計することも可能である。他の実施形態において、本発明に係るLED部品は、約6000Kから約2700Kに至るまでの色温度で動作可能である。一実施形態では、モノリシックLED部品は、3000K未満の色温度で800ルーメンを超える白色光束を発生する、複数色LEDチップアレイによって動作する。このLED部品は、好適な電流および電流密度で動作可能なLED発光体チップを備え、低コストで電力効率の高い発光体を用いた動作を可能にする。このような電流の範囲の1つは、50〜150mAである。この範囲の電流で、サイズの異なるLEDチップを用いることが可能であり、様々なサイズの発光体をアレイに一体化してもよい。
本発明は、特定の実施形態を参照して本明細書において説明されているが、当然のことながら、本発明は多様な形態で実現可能であり、本明細書に記載された実施形態に限定されるものと解釈されるべきでない。具体的には、本発明は様々な構成のLEDアレイに関して以下に説明されるが、当然のことながら、本発明は他の半導体発光体を用いた数多くの他のアレイ構成に用いられ得る。上記部品は、例示されている以外の異なる形状およびサイズを有していてもよく、また、異なる数のLEDが上記アレイに備えられてもよい。上記アレイにおけるLEDの一部または全部が、蛍光体入り結合剤を含有し得る周波数逓降変換器コーティング(「蛍光体/結合剤コーティング」)で被覆され得るが、当然のことながら、変換材料を含まないLEDも使用可能である。
同様に当然のことながら、例えば層、領域、または基板等の要素が、別の要素「上」と称される場合、直接他の要素に接している場合もあれば、介在要素が存在する場合もある。さらに、例えば「内側の」、「外側の」、「上方の」、「の上方に」、「下方の」、「の真下に」、および「の下方に」等のような相対的用語ならびに同様な用語は、1つの層または別の領域の関係を説明するために、本明細書において用いられ得る。当然のことながら、これらの用語は、図面に描かれている向きに加えて、デバイスの別の向きを包含することを意図している。
第1の、第2の、等の用語は、種々の素子、部品、領域、層、および/または部分を説明するために本明細書において用いられ得るが、これらの素子、部品、領域、層、および/または部分は、上記の用語によって限定されるべきではない。上記の用語は、1つの素子、部品、領域、層、または部分を、別の領域、層、または部分と区別するために使用されるだけである。したがって、以下で述べる第1の素子、部品、領域、層、または部分は、本発明の教示から逸脱しなければ、第2の素子、部品、領域、層、または部分と称されてもよい。
本発明の実施形態は、本発明の実施形態の略図である断面図の図示を参照して、本明細書にて説明されている。それゆえ、層の実際の厚さは異なっていてもよく、例えば製造技術および/または許容誤差の結果として、図示されたものと形状の差異が生じることは想定される。本発明の実施形態は、本明細書において図示された領域の特定形状に限定されるものと解釈されるべきではなく、例えば製造に起因する、形状の偏差を含むものとする。正方形または長方形として図示または記述された領域は、通常の製造上の許容誤差により、丸みを帯びた、または湾曲した外観を一般的に有するものである。したがって、図面に図示された領域は、本質的に概要であり、領域の形状は、デバイスの領域の精密な形状を図示することを目的にしているのではなく、また、本発明の範囲を限定することを目的にしているのでもない。
図3は、本発明に係るLED部品40の一実施形態を示しており、LED部品40は、LEDチップのアレイを保持するためのサブマウント42を備え、サブマウントは、当該サブマウントの上面上にダイパッド44と、導電性トレース46とを有している。LEDアレイを備えるLEDチップ48は、LEDチップ48の各々がダイパッド44のそれぞれ1つに取り付けられた状態で備えられる。ワイヤボンド50が、導電性トレース46とLEDチップ48の各々との間を通り、LEDチップ48の各々のダイパッド44とワイヤボンド50とのうちのそれぞれ1つを介して、電気信号がLEDチップ48の各々に印加される。あるいは、LEDチップ48が、LEDの片側(底部側)上に、同一平面上の電気的接点を備えるとともに、発光面の大部分が、上記電気的接点と反対側のLED側(上側)上に位置してもよい。このようなフリップチップLEDは、1つの電極(各々がアノードまたはカソード)に対応する接点をダイパッド44上に取り付けることによって、サブマウント42上に取り付けられ得る。他方のLED電極(各々がカソードまたはアノード)の接点は、トレース46に取り付けられ得る。他の実施形態では、反射体は異なる位置に配設されたり、別の形に成形され得るが、LEDチップ48の周囲のサブマウントに取り付けられる任意の反射体52が備えられてもよい。このような実施形態におけるLEDチップ48は、単色で発光し得るか、あるいは、各タイプのLEDが1つの直列接続回路内に少なくとも接続された状態で、低い周波数に変換する蛍光体で被覆され得る。あるいは、独立した直列回路をそれぞれ用いて、複数のタイプのLEDをサブマウント42上に同時に取り付けることが可能である。例えばレンズ等の光学素子54が、LEDチップ48を覆って備えられる。
3つのLEDチップ48を備えたLED部品40が図示されているが、当然のことながら、さらなるLEDチップが備えられ得る。LEDチップ48のうちの少なくとも一部は、LED部品との接点の数を最小限にするため、および、例えば50〜150mAの範囲等のような所望の駆動電流での、好適なドライバによる動作を可能にするために、直列に相互接続される。LEDチップ間の「デッドスペース」は、先行技術のLED部品よりも小さく、一般的に0.50mm未満である。一実施形態においては、その間隔は取り付け工程次第で0.15mm〜0.01mmとなり、サブマウント42の上面上にLED部品を高密度で配設することを可能にしている。サブマウント42の上面上にLED部品を高密度で配設することが可能となることにより、既存のランプ並みの、またはさらに小さい形態係数を有し得る、より小型のデバイスが可能になり、さらに、出力光線を特定の角度分布に形成する機能がもたらされ得る。
図4a〜4dは、サブマウント64の表面上に取り付けられたLEDチップ62のアレイを備える、本発明に係るモノリシックLED部品60の別の実施形態を示す。LEDチップ62の少なくとも一部は、直列回路において相互接続され、蛍光体コンバータで被覆されたLEDチップを有する図示された実施形態が、1つの直列回路において相互接続され、また、赤色発光LEDが、第2の直列回路に連結されている。本実施形態では、蛍光体変換されたLEDのための色空間は、u’=0.13;v’=0.42を有する座標A、u’=0.13;v’=0.57を有する座標B、u’=0.26;v’=0.54を有する座標C、u’=0.22;v’=0.51を有する座標D、およびu’=0.18;v’=0.42を有する座標Eによって創出される、CIE1976年u’v’色空間での四辺形を備える。それに応じて、赤色LEDは、u’=0.29;v’=0.54を有する座標E、u’=0.31;v’=0.56を有する座標F、u’=0.55;v’=0.55を有する座標G、およびu’=0.53;v’=0.47を有する座標Hによって創出される、色四辺形をカバーする。当然のことながら、本発明に係る別の実施形態は、多様に配設された種々のチップタイプの直列相互接続回路を有していてもよく、且つ、以下で述べるように、直列/並列を組み合わせた相互接続回路を備えていてもよい。
LEDチップ62は、サブマウント64の実質的に平らである表面上に取り付けられることが好ましく、単一の光学レンズ素子の下に配設される。図示された実施形態において、部品60は、種々のLEDからの光を組み合わせたものとして、所望の色点および演色評価数で白色光を発し、同時に、高効率で所望の光束を発する。
LEDチップ62は、多様に配設された多数の異なる半導体層を有することが可能であり、本発明に係る別の実施形態において、多数の異なる色を発することが可能である。LEDの構造、特性、ならびにその製造および動作は、当技術分野で広く知られており、本明細書においては簡単に述べるに留める。LEDチップ62の層は、周知の処理を用いて製造され得るが、好適な処理は、有機金属化学蒸着法(MOCVD)を用いての製造である。LEDチップの層は、反対にドープされた第1および第2のエピタキシャル層の間に挟まれた、活性層/活性領域を通常備え、全てのエピタキシャル層は、成長基板上に続いて形成される。LEDチップは、ウエハ上に形成された後に、パッケージ内に取り付けられるためにダイシングされ得る。当然のことながら、上記成長基板は、ダイシングされた最終的なLEDの一部として残留してもよく、あるいは、上記成長基板は、全体的または部分的に除去されてもよい。
同様に当然のことながら、LEDチップ62には、さらなる層および素子が備えられ得る。さらなる層および素子には、バッファ、核生成、接点、および電流拡散層の他に、光抽出層および光抽出素子も含まれるが、それらに限られるものではない。活性領域は、単一量子井戸(SQW)、多重量子井戸(MQW)、二重へテロ構造、または超格子構造を備え得る。活性領域とドープ層とは、異なる材料系から製造されてもよく、好適な材料系は、III族窒化物ベースの材料系である。III族窒化物とは、窒素と、通例アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、およびインジウム(In)である周期表III族元素との間に形成されるIII族窒化物半導体化合物のことを指す。この用語はまた、例えば窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)および窒化アルミニウムインジウムガリウム(AlInGaN)等の、三元化合物および四元化合物のことも指す。好適な実施形態では、ドープ層は窒化ガリウム(GaN)であり、活性領域はInGaNである。別の実施形態では、ドープ層は、AlGaN、ヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)、またはアルミニウムガリウムインジウム砒素リン(AlGaInAsP)であってもよい。
成長基板は、例えばサファイア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム(AlN)、および窒化ガリウム(GaN)等の多くの材料で作られることが可能であり、好適な基板は、炭化ケイ素の4H型ポリタイプであるが、3C型、6H型、および15R型のポリタイプを含む他の炭化ケイ素ポリタイプを用いることも可能である。炭化ケイ素は、例えば、サファイアより結晶格子がIII族窒化物に緊密に合う等の一定の利点があるため、より高品質なIII族窒化物フィルムが得られることになる。炭化ケイ素は非常に高い熱伝導率も有するため、炭化ケイ素上のIII族窒化物デバイスの総出力は、基板の熱放散によって制限されない(サファイア上に形成されたデバイスの場合には制限され得る)。SiC基板は、ノースカロライナ州ダラムのクリー リサーチ インコーポレイテッドから入手可能であり、その製造方法は科学文献に記載されているとともに、米国特許再発行第34,861号、米国特許第4,946,547号および第5,200,022号にも記載されている。
LEDチップ62は、導電性電流拡散構造、およびその上面上にワイヤボンディングパッドを備えることも可能である。導電性電流拡散構造およびワイヤボンディングパッドの双方は、導電性材料で作られており、周知の方法を用いて堆積される。これらの素子に用いられ得る材料には、Au、Cu、Ni、In、Al、Ag、またはこれらを組み合わせたもの、ならびに、導電性酸化物および透明導電性酸化物を含むものがある。上記電流拡散構造は、LEDチップ62上に格子状に配設された導電性フィンガを備えてもよく、フィンガは、パッドからLED上面への電流拡散を促進するために離間される。動作中、電気信号は、後述するようにワイヤボンドを通してパッドに印加され、その電気信号は、電流拡散構造のフィンガおよび上面を介してLEDチップ62へと拡散する。電流拡散構造は、上面がp型であるLEDに用いられることが多いが、n型材料にも用いられ得る。
LEDチップ62の各々は、1つ以上の蛍光体で被覆されることが可能であり、蛍光体は、LED光の少なくとも一部を吸収し、且つ、LEDがLEDおよび蛍光体からの合成光を発するように異なる波長の光を発する。本発明に係る一実施形態では、白色発光LEDチップ62は、青色波長スペクトルの光を発するLEDを有し、蛍光体は青色光の一部を吸収し、黄色光を再び発する。LEDチップ62は、青色光と黄色光とが合成された白色光を発する。一実施形態では、蛍光体は、市販されているYAG:Ceを備えるが、例えばY3Al512:Ce(YAG)等の、(Gd,Y)3(Al,Ga)512:Ce系をベースとした蛍光体でできた変換粒子を使用すると、広範囲にわたる黄色スペクトルの全範囲発光が可能となる。白色発光LEDチップに使用できる他の黄色蛍光体には、
Tb3-xREx12:Ce(TAG); RE=Y, Gd, La, Lu; または
Sr2-x-yBaxCaySiO4:Eu
が含まれる。
赤色光を発するLEDチップ62は、活性領域から直接赤色光を発することを可能にする、LED構造および材料を備え得る。また、他の実施形態では、赤色発光LEDチップ62は、LED光を吸収して赤色光を発する蛍光体に覆われたLEDを備え得る。この構造に適した蛍光体は、以下のものを備え得る。
赤色
Lu23:Eu3+
(Sr2-xLax)(Ce1-xEux)O4
Sr2Ce1-xEux4
Sr2-xEuxCeO4
SrTiO3:Pr3+,Ga3+
CaAlSiN3:Eu2+
Sr2Si58:Eu2+
LEDチップ62は、多くの異なる方法を用いて蛍光体で被覆されることが可能である。共に「ウエハレベルでの蛍光体コーティング方法、および該方法を利用して製造されたデバイス」と題された、米国特許出願第11/656,759号および第11/899,790号に、好適な一方法が記載されており、両出願は、参照により本明細書に援用される。あるいは、LEDは、例えば電気泳動堆積法(EPD)等の他の方法を用いて被覆されることが可能である。「半導体デバイスの閉ループ電気泳動堆積」と題された米国特許出願第11/473,089号に、好適なEPD法が記載されており、この出願も参照により本明細書に援用される。当然のことながら、本発明に係るLEDパッケージはまた、異なる色の複数のLEDを有することが可能であり、それらの1つ以上は白色発光であってもよい。
サブマウント64は、多くの異なる材料で形成することが可能であり、好適な材料は、例えば誘電体素子のように電気的に絶縁されたものであり、サブマウントは、LEDアレイと部品の裏面との間に存在する。サブマウントは、例えばアルミナ、窒化アルミニウム、および炭化ケイ素等のセラミックス、または、例えばポリイミドおよびポリエステル等の高分子材料を含むことが可能である。好適な実施形態では、誘電材料は、例えば窒化アルミニウムおよび炭化ケイ素等がそうであるように、高い熱伝導性を有する。他の実施形態では、サブマウント64は、例えば反射セラミックス、または銀のような金属層等の、高反射性材料を含むことが可能であり、部品からの光抽出を高めることとなる。他の実施形態では、サブマウント64は、プリント回路基板(PCB)、アルミナ、サファイア、もしくはシリコン、または、例えばミネソタ州チャンハッセンのザ・バーグクイスト・カンパニーから入手できる、T−Clad熱被覆絶縁基板材料等の他のあらゆる適切な材料を含むことが可能である。PCBの実施形態に関して、例えば標準FR−4 PCB、メタルコアPCB、または他のあらゆるタイプのプリント基板等の、異なるPCBタイプが使用されてもよい。
当然のことながら、本発明に係るLED部品は、複数のサブマウントを備えるサブマウントパネルまたはウエハを組み込む方法を用いて製造され得る。複数のLED部品60がサブマウントパネルの至る所に形成され得るように、サブマウント64の各々は、当該サブマウント64自体のLEDアレイおよび光学素子66で形成され得る。複数のLED部品60は、続いてサブマウントパネルからダイシングされる。各サブマウント64は、例えば、サブマウント平面上に取り付けられた複数の「サブマウント」アセンブリ等のように、素子のより複雑な組み合わせを備えてもよい。さらに詳しく後述するように、サブマウントアセンブリは、例えば各種LEDチップにESD保護を与える、等の様々な機能性を有することが可能である。
LEDパッケージ60におけるサブマウント64の大きさは、例えばLEDのサイズおよび数等、何らかの要因によって変動し得る。一実施形態では、サブマウントの両辺は約12mm×13mmであってもよい。さらに当然のことながら、サブマウント64は、円形、楕円形、四角形、六角形、またはその他の多角形を含む、他の形状を有し得る。
次に図5を参照すると、パターン化された導電性特徴部68を備えた平面を有する、サブマウント64の上面が示されており、導電性特徴部68は、ダイ取付パッド70と相互接続導電性トレース72とを備え得る。これらの特徴部68は、周知の接触方法を用いて、(図4a〜4cに示された)LEDチップ62との電気的接続のための導電経路を提供する。LEDチップ62の各々は、周知の方法と材料とを用いて、取付パッド70のそれぞれ1つに取り付け可能であり、周知の方法および材料は、フラックス材料を含んでいても含んでいなくてもよい従来のはんだ材料を用いて取り付けるものである。LEDチップ62は、LEDチップ62の形状次第で、周知の表面実装法またはワイヤボンディング法を用いて、導電性トレース72に同様に取り付けられ、且つ、電気的に接続され得る。あるいは、フリップチップLEDを、上述のように取付パッドと導電性トレースとに取り付けることも可能である。
取付パッド70および相互接続トレース72は、例えば金属またはその他の導電性材料等の多数の異なる材料を備えていてもよく、一実施形態では、例えば鍍金等の周知技術を用いて堆積された銅を備え得る。代表的な堆積処理の1つにおいては、チタン接着層と銅シード層とが、基板上に順次スパッタされる。次に、約75ミクロンの銅が銅シード層上に鍍金されるが、様々な金属厚が用いられてもよい。得られた堆積銅層には、続いて標準的なリソグラフィ処理を用いて、パターン形成される。他の実施形態では、所望のパターンを形成するために、マスクを用いて層をスパッタすることが可能である。
本発明に係る他の実施形態では、上記特徴部68の一部または全部は、銅以外の他の追加材料を備え得る。例えば、ダイ取付パッドは、LEDチップ62の1つを取り付けるのにより適したものとなるように、追加の金属または材料で、鍍金または被覆されることが可能である。取付パッドは、接着材料もしくは結合材料、または反射層およびバリア層で鍍金され得る。
上記のように、LEDチップ62は、蛍光体被覆されたLEDチップ、および赤色発光LEDチップをそれぞれ備える、2つの直列回路において相互接続される。LED部品は、白色発光LEDおよび赤色発光LEDに各電気信号を印加するための接着パッドを備える。図4bに最もよく示されるように、LEDアレイ62の直列赤色LEDチップに電気信号を印加するための、第1および第2の接着パッド74,76が、サブマウント64の表面に設けられている。LEDアレイ62の直列接続された蛍光体被覆LEDチップに電気信号を印加するための、第3および第4の接着パッド78,80も設けられている。LED部品は、R1およびR2と指定された、赤色LEDチップ用の適切な接着パッド、ならびに、B1およびB2と指定された、白色発光LED用の接着パッドと、適正に電気的接続することの一助となるマーキングを備え得る。導電性トレース72は、赤色および青色の直列接続回路に相互接続スキームを提供し、一実施形態では、相互接続スキームは、LED間に2つ未満のトレースが通っている状態で、単層に相互接続を提供する。
第1、第2、第3、および第4の接着パッドとの電気的外部接触を提供することによって、電気信号がLED部品60に印加され得るが、その電気的外部接触は、例えばワイヤボンディングもしくはリボンボンディング、または、例えば鉛はんだ付け、特別なコネクタ、もしくは、例えばPCB上の導電性経路にLED部品を取り付ける等の、その他の接続方法によって提供される。例示された実施形態では、LED部品60は、表面実装技術を用いた取り付けのために配設されている。LED60は、サブマウント64の裏面に形成され得る、(図4dに最もよく図示された)第1、第2、第3、および第4の表面実装パッド82,84,86,88を備えているが、それらの表面実装パッドは、サブマウントの表側上の接着パッド74,76,78,80のうちの対応する1つと、少なくとも部分的に位置が合致している。導電性ビア90が、対応する表面実装パッドと接着パッドとの間のサブマウント64を貫いて形成され、その結果、信号が表面実装パッド82,84,86,88に印加されると、そのビアを介して、対応する接着パッドに信号が伝導される。表面実装パッド82,84,86,88によって、LEDパッケージ60の表面実装が可能になるとともに、LED部品に印加されるべき電気信号が表面実装パッドに印加され得る。ビア90および表面実装パッド82,84,86,88は、取付パッドおよび接着パッドに用いられるような様々な技術を用いて堆積される、多くの異なる材料で製造され得る。
当然のことながら、表面実装パッド82,84,86,88およびビア90は、多様な方法で配設可能であり、多様な形状およびサイズを有し得る。他の実施形態では、例えばサブマウントの側面に沿うように、実装パッドと接触パッドとの間のサブマウント表面上にある1つ以上の導電性トレースを含む、ビア以外の構成を使用することが可能である。
導電性トレース72、他の導電性特徴部、またはセラミックス表面の部分を少なくとも部分的に覆うように、ソルダーレジストもまた、サブマウントの上面あるいは底面に備えられ得る。接着パッドおよびダイ取付パッドは、通常覆われないままであり、続く処理工程の間、特に、LEDチップ72をダイ取付パッド70に取り付ける間、ソルダーレジストが、導電性トレース72および他の覆われた特徴部を保護している。上記工程の間には、はんだまたは他の材料が望ましくない領域に堆積する虞があり、そのような事態は、当該領域への損傷または電気的短絡をもたらし得る。ソルダーレジストは、このようなリスクを削減または防止することができる絶縁物質および保護物質として機能する。
LED部品60はまた、静電放電(ESD)に起因する損傷に対する保護のための素子を備えることも可能であり、サブマウント64をオンまたはオフ可能である。例えば多様な縦型シリコン(Si)ツェナーダイオード、LEDチップ62に並列に配設され、且つLEDチップ62に対して逆バイアスされた種々のLED、表面実装バリスタ、および横型Siダイオード等の異なる素子が用いられ得る。ツェナーダイオードを用いた実施形態では、周知の実装技術を用いて、別個の取付パッドにツェナーダイオードが取り付けられ得る。ツェナーダイオードは比較的小型であるため、サブマウント64の表面上の領域を過度に覆うことはなく、直列接続されたLED群を利用する際に、各直列群毎に1つのESD素子が必要となるだけである。
サブマウント64、および部品の実装面積の大きさを最小にするため、且つ、異なる色の光を発するLEDチップ62を有する上記の実施形態において、混色を向上させるために、サブマウント64上にLEDチップ62を密集して配設することが望ましい。しかしながら、相互に密接したLEDチップ62では、LEDチップ62からの熱が、隣接するLEDチップ62に拡散したり、LEDチップ62の下方のサブマウント64の集中領域に蓄積したりする可能性がある。動作中にLEDチップ62によって生成される熱の放散を向上させるために、LED部品60は、熱放散を向上させる一体型機構を備え得る。サブマウント64の表面での熱放散を向上させる1つの方法は、熱伝導性があり、且つ、サブマウント64の表面でLEDチップの端部を越えて延在するダイ取付パッドを備えることである。各LEDチップからの熱は、そのダイ取付パッド内へと、そして熱を放散するためにより大きい表面積をもたらす、延在したダイパッドの幅を越えて拡散し得る。しかしながら、より大型のダイパッドは、LEDをどれほど相互に密接させられるかについて制限要因となり得る。
実施形態によっては、LEDチップは密集して配設されたままであることが可能であり、ダイ取付パッド70および相互接続されたトレース72を、導電性および熱伝導性を有する材料で製造することによって、部品60におけるLEDチップ62からの熱放散は高められ得る。部品の動作中、取付パッドおよびトレース70,72を通して電気信号が印加されることが可能であり、同様にして、LEDチップから取付パッドおよびトレース70,72へと熱が拡散し得る。取付パッドおよびトレース70,72では、熱がサブマウントを通して放散または伝導され得る。導電性および熱伝導性を有する多様な材料を使用することが可能であり、好ましい材料は、例えば銅等の金属である。
次に図4dを参照すると、熱放散をさらに高めるために、LED部品60は、中性な金属化パッド92をサブマウント64の裏面上にさらに備え得る。金属化パッド92について、中性とは、パッド92がLEDチップまたは(図5に示されるような)特徴部68に電気的に接続されていないことを意味する。金属化パッド92は、熱伝導性材料で製造されるのが好ましく、少なくとも部分的にLEDチップ62と縦方向に位置合わせされるのが好ましい。LEDチップからの熱のうち、取付パッドおよびトレース70,72を通して拡散しない熱は、LEDチップ62の直下および周囲のサブマウント64へと伝導され得る。金属化パッド92は、LEDチップ62の下方および周囲のこの熱を、金属化パッド92の中へと拡散させることによって、熱放散を促進し得る。そして、その熱は、金属化パッド92から放散するか、または適切なヒートシンクにより容易に伝導され得る。パッド92は、長方形として示されているが、当然のことながら、多様な形状および大きさを有していてもよく、また、異なる形状および大きさを有する複数のパッドを備えていてもよい。熱は、サブマウント64の上面からビア90を通って伝導することも可能であり、その場合、その熱は第1および第2の実装パッド82,84,86,88に拡散可能であり、そこで放散することも可能である。
光学素子すなわちレンズ66は、LEDチップ62を覆うように、サブマウント64の上面に形成することが可能であり、環境的および/または機械的保護をもたらし、また、LED62からの光抽出および光線形成を同時に促進しつつ、ビーム成形を行う。レンズ66は、図示のように、レンズ基部の略中心にあるLEDチップアレイの中心に位置を合わせて配置されていれば、サブマウント64上の別の場所にも配置可能である。実施形態によっては、レンズ66は、LEDチップ62および上面64に直接接触して形成される。他の実施形態では、LEDチップ62とレンズ66との間に、例えば導波管または空隙等の介在物質または介在層が存在してよい。LEDチップ62との直接接触によって、例えば光抽出が改善されたり、製造が容易になる等の一定の利点がもたらされる。
一実施形態では、レンズ66は、様々な成形技術を用いて、サブマウント64上およびLEDチップ62上にオーバーモールドすることが可能である。そして、レンズ66は、光出力の所望の形状次第で、多様な形状となり得る。例示されている好適な一形状は半球であるが、代替の形状例には、楕円体の弾丸、平ら、六角形、四角形がある。半球状レンズは、半値全幅が120度である、本質的に均等拡散である発光を可能にし得るが、一方、その他の光学レンズは別の形状を有することで、異なる角度で異なる発光パターンをもたらし得る。
半球状の実施形態では、多様なレンズサイズが用いられ得るが、代表的な半球状レンズは、直径が5mmより大きく、一実施形態では、約11mmを上回る。LEDアレイサイズのレンズ直径に対する好適な比率は、約0.6未満、好ましくは、0.4未満であるべきである。このような半球状レンズでは、レンズの焦点は、本質的にLEDチップの発光領域と同じ水平面にあるものとする。
さらに他の実施形態では、レンズは、LEDアレイの差し渡し、もしくは幅とほぼ同じか、または、より大きな大直径を有し得る。円形のLEDアレイでは、レンズの直径は、LEDアレイの直径とほぼ同じ、または、より大きくなり得る。このようなレンズの焦点は、LEDチップの発光領域によって創出される水平面の下方にあることが好ましい。このようなレンズの利点は、より大きな連続した発光角度に渡って光を拡散することができる点であり、その結果、照射面積を拡大できる点である。
レンズ66には、例えばシリコーン、プラスチック、エポキシ樹脂、ガラス等多様な材料を使用することが可能であり、成形処理に対応可能な材料が好適である。シリコーンは成形に適しており、好適な光透過性をもたらす。シリコーンはまた、後に続くリフロー処理に耐えることができ、著しい経年劣化もみられない。当然のことながら、レンズ66は、光抽出改善のために、反射防止膜でテクスチャ加工または被覆もされてよく、あるいは、例えば蛍光体もしくは散乱粒子等の物質を含んでいてもよい。
一実施形態では、サブマウントパネル上の複数のLEDアレイを覆うレンズ66を同時に形成する、成形処理が用いられる。このような成形処理の1つは、圧縮成形と称され、各キャビティがレンズを逆にした形状である、複数のキャビティを有する型が備えられる。各キャビティは、サブマウントパネル上のLEDアレイのそれぞれ1つと整合するように配設される。型には、キャビティを満たす液状のレンズ材料が充填されるが、好ましい材料は、液状の硬化性シリコーンである。サブマウントパネルは、キャビティの方に移動させることが可能であり、その際、各LEDアレイは、キャビティのそれぞれ1つ内の液状シリコーンに埋め込まれる。一実施形態では、隣接するレンズの間に、シリコーン層を残すことも可能であり、それにより、サブマウントの上面を覆う保護層が提供される。液状シリコーンは、続いて、周知の硬化処理を用いて硬化され得る。続いて、パネルが型から除去され、パネルは複数のレンズを備えることができ、各レンズがLEDチップ62のそれぞれ1つを覆う。個々のLED部品は、その後、周知の技術を用いて、サブマウントパネルから分離すなわちダイシングされ得る。
本発明に係る他の実施形態は、熱放散を高めるための異なる機構を備え得る。図6a〜6cは、本発明に係るLED部品100の別の実施形態を示しており、この別の実施形態は、サブマウント104に取り付けられたLEDアレイ102を備えており、光学素子すなわちレンズ106がLEDアレイ102を覆っているが、全て、図4a〜4dにおいて上述したLED部品60の、対応する素子と類似している。サブマウント104を貫通して、接着パッド110と表面実装パッド112との間に電気的接続を提供する、導電性ビア108が備えられている。導電性ビア108により、LED部品の表面実装が可能になるが、当然のことながら、他の機構を備えることで他の実装技術を可能にしてもよい。LED部品100は、上述した熱放散を促進するために、中性な金属化パッド114をさらに備える。
LED部品100における熱放散をさらに促進するために、サブマウント104は、サブマウント内に組み込まれた、さらなる熱機構を備え得る。この機構は、多様な材料で製造されたサブマウントに用いられ得るが、セラミック製のサブマウントに特に適用可能である。このさらなる機構は、サブマウント104内部に熱拡散層116を備え得るが、ビア108に電気的に接続されていないことが好ましい。層116は、LEDアレイ102からの熱が層116内に拡散するように、LEDアレイ102の下方に配設されることが好ましい。層116は、銅、銀、またはそれらを組み合わせたものを含み、それらに限定されない、多様な熱伝導性材料で製造され得る。LED部品は、熱拡散層116と中性な金属化パッド114との間を通る、部分的な熱ビア118を備えることも可能である。図示された実施形態では、部分的な熱ビア118は、層116を通過してサブマウント104の上面まで突出しておらず、LEDアレイ102およびそれに対応する実装パッドのために、平坦な実装面を維持している。しかしながら、実施形態によっては、ビアは熱拡散層116の上に少なくとも部分的に突出し得ることは当然のことである。
層116および部分的ビア118は、様々な方法を用いてサブマウント内に形成され得るが、好適な1つの方法は、高温または低温の同時焼成セラミック技術、または多層厚膜後焼成技術を利用したものである。層116が銅または銀で製造される実施形態では、これらの材料が高い熱伝導性を有することにより、厚膜同時焼成処理または後焼成処理を用いて所望の形状を生み出すことが可能である。拡散層116およびビア118を形成するための他の製造処理は、当該産業で一般的に知られている、多層プリント回路基板およびフレキシブル回路基板技術により可能である。
図7および8は、異なる形状のレンズを用いた、本発明に係るモノリシックLED部品のさらなる実施形態を示している。図7のLED部品140は、サブマウント144にアレイ状に取り付けられたLEDチップ142を備え、平坦な光学レンズがLEDチップを覆っている。図8のLED部品150は、サブマウント154上にアレイ状に取り付けられたLEDチップ152を備え、集合光学レンズ156がLEDチップ152を覆っている。集合レンズ156は、LEDアレイからの光抽出を制御して、放射光を特定のビーム形および放射角度に形成するための、複数の凸面光学特徴部を備える。他の実施形態では、集合レンズは、凹面光学特徴部、または、例えばフレネルレンズ等のような凸面特徴部と凹面特徴部とを組み合わせたものを含み得る。
本発明に係る他のモノリシックLED部品は、例えば光ファイバー、ミラー、反射体、散乱面もしくは散乱レンズ、またはそれらの組み合わせ等の複数の異なる特徴を組み込むことが可能である。これらの特徴は、部品からの配光を誘導あるいは調整するように作用し得る。ビーム成形を促進するために、LED部品60のレンズ構成も、レンズを覆って備えられ得る二次的なレンズまたは光学素子を用いた用途に、エンドユーザによって容易に適用される。このような二次的レンズは、当該技術分野において一般的に知られており、このような二次的レンズの多くが市販されている。
上述のように、LEDアレイにおけるLEDチップは、LED発光体間の非発光空間を最小化して、サブマウント上の発光体が高密度実装となるような方法で、相互接続する電気的トレースを用いて好適に配設される。非発光空間は、異なる実施形態によって多様であってもよく、また、一つの実施形態では、LEDチップ間で多様であってもよい。LEDチップ間の距離は、5ミクロン以下から500ミクロン以上に及び得る。一つの実施形態では、非発光空間は、150ミクロン以下である。
実施形態によっては、発光体は、実質的に対称な二次元レイアウトで、サブマウント表面上にアレイ状に配設される。そのような実施形態の1つでは、アレイにおけるLEDは、実質的に球形に密集して配設される。異なる色の光を発するLED群を有するLEDアレイについては、対称的なパターンは、LEDアレイにおけるより小型のLEDに特に適用できる。そのような場合、異なる色がアレイにおいて混合されることが可能であり、所望の混色が得られる。より大型のLEDを有するアレイについては、非対称のアレイが混色を向上させ得る。
他の実施形態では、特定の色の光を発するLEDは、規則正しい幾何学的配列で、他の色で発光するLEDに対して配設可能である。そのような実施形態の1つでは、異なる色の光のLEDは、各色群で内接面積が略同一である、実質的に円形のアレイに配設可能であり、LED群は、相互に対して半径方向にオフセットされ得る。
LED部品60の別の実施形態は、異なるサイズのLEDおよび異なる数のLEDを有するLEDアレイを備えることが可能であり、所望のサイズおよび数の構成を決定する際に、特定の要因を適用できる。より大きいサイズのLEDには、より少ないLEDを用いて所望の光束がもたらされ得るが、異なる色の光を発するLEDを利用するLED部品では、より大型のLEDでは、混色不良を引き起こす可能性がある。混色を改善するためには、より小型のLEDをより多数用いることができる。しかしながら、より小型のLEDをより多数用いることにより、相互接続スキームがより複雑化する結果となり得る。
LEDアレイは、実質的に同一サイズのLEDを有することも可能である。一実施形態では、LEDチップサイズの範囲は500ミクロンより大きいが、より小さいチップサイズを有するLEDも用いられてよい。一実施形態では、LEDは約700ミクロンのチップサイズを有する。LED発光体の端部は異なる長さであってもよく、一実施形態では、約0.4〜0.7mmの長さを有する。アレイには多様な数のLEDチップを備えることができ、実施形態によってはLEDチップの数は20個を上回るが、より少ないLEDチップを用いることも可能である。LED部品60は、26個のLEDチップを備えているが、そのうち20個が白色発光LEDチップであり、6個が赤色発光LEDチップである。
上述したように、LED発光体のうちの少なくとも一部が電気的に直列接続されて、少なくとも1つの直列回路をもたらしており、LEDアレイ部品は、白色光を含む多色光を発することができる。(例えば、白色および赤色といった)異なる色の光を発するLED群を有するアレイを備える実施形態の中には、各色のLEDが電気的に直列接続されている場合もある。上述したように、LED部品60は、これらの直列回路にそれぞれの電気接続部を提供することができ、各回路の動作電圧および動作電流を別個に制御する。このような電気接続パッドは、表面、裏面、またはその両面に設けることが可能である。裏面の電極は、PCB基板上でのSMT実装を可能にする。
図9は、図4a〜4dに示されるLEDチップのアレイに用いられ得る、2つの直列接続LED回路の一実施形態の回路図を示している。第1の直列回路160は、1つ以上の蛍光体で被覆された直列接続青色発光LEDを有し得る、(8個のみ示された)20個の蛍光体被覆LEDチップ162を備える。LED発光と蛍光体発光とが組み合わされることによって、青色が緑色、および/または黄色スペクトル領域に変換され、LEDは、LEDおよび蛍光体からの光を組み合わせた混合光を発する。第2の直列170は、6個の直列接続された赤色発光LEDチップ172を備える。第1の回路160および第2の回路170の各々が異なる駆動電流によって駆動され得るように、各電気信号が第1の回路160および第2の回路170に印加され得る。
赤色LEDチップは、変換器材料を使用することなく、直接発光することが可能である。蛍光体被覆LEDチップ162および赤色LEDチップ172が、理解を容易にするために、物理的に別個のものとして上記回路図に示されているが、実際にアレイに配置された場合、赤色および白色のLEDチップは無作為に混合されていてもよい。第1および第2の直列接続回路からの混合発光は、寒色系白色光または暖色系白色光となり得る。この混合発光は様々な演色を有し得るが、一実施形態では、85を超える演色評価数を有する。
アレイ内で、各電気信号が蛍光体被覆LEDチップおよび赤色LEDチップに印加されると、異なるLED色群を個別に電気的に制御することが可能になる。具体的には、各電気信号が蛍光体被覆LEDチップおよび赤色LEDチップに印加されることにより、異なる群に対して個別の駆動電流を供給することが可能になる。一実施形態では、赤色LEDチップは、蛍光体被覆LEDチップと比較すると、異なる温度感応性を有し得る。そして、温度が上昇するにつれて、所望の光束を維持するために赤色LEDチップへの駆動電流を増加させることが必要となったり、あるいは、蛍光体被覆LEDを通る駆動電流をそれぞれ減少させることが必要となったりし得る。駆動電流を温度によって変化させることにより、蛍光体被覆LEDチップのいかなる温度感度も相殺することが可能である。蛍光体被覆LEDチップのいかなる温度感度も相殺することが可能であることにより、LEDアレイは、異なる温度を通して、所望の色点または所望に近い色点で発光することができる。他の実施形態では、LED部品に見込まれる温度範囲を知ることができる。LED部品は、その場合、駆動条件が存在するように、その範囲に合わせて設計され得る。
他の実施形態では、所望の演色評価数を達成するために、蛍光体被覆LEDおよび赤色発光LEDの異なる組合せが用いられ得る。20個の蛍光体被覆発光LEDチップと6個の赤色発光LEDチップとを有する実施形態では、蛍光体被覆LEDチップは、CIE1976年色座標系における約0.220のu’および約0.560のv’に対応する放射特性を有する蛍光体で被覆されることが好ましい。LED部品からの、それに対応する混合白色光の放射は、約2800Kの色温度と、85を超える演色評価数とを有する。約0.206のu’と約0.560のv’に対応する放射を有する蛍光体で被覆された蛍光体被覆LEDチップでは、所望の色温度および演色評価数に達するために、18個の白色LEDチップを8個の赤色発光LEDチップと組み合わせることが可能である。これは、赤色発光LEDを多く必要としない、CIE曲線上の黒体放射軌跡(BBL)に近い放射を行う蛍光体被覆LEDチップに対応する。一方、その反対に、BBLから離れた放射を行う蛍光体被覆LEDチップは、黒体放射軌跡上の白色発光を達成するために、より大きな赤色光束、またはより多くの数の赤色発光LEDを必要とし得る。当然のことながら、蛍光体被覆LEDチップと赤色LEDチップとの他の比率および色点が、異なる白色発光特性を目標とするのに用いられてもよい。
上述したように、異なる数の直列接続LEDチップ回路が、本発明に係るLED部品の動作電圧および動作電流に影響を与え得る。図10は、クリー インコーポレイテッドによって提供される市販のEZ700およびEZ1000 EZBright(登録商標)のための、1000ルーメンの異なるLED部品構成を比較したグラフを示している。単一の直列接続回路に24個のチップを有するEZ700を使用した場合、0.175アンペアの動作電流および76.8ボルトの動作電圧が用いられ得る。0.175アンペアの動作電流および76.8ボルトの動作電圧が用いられることにより、最も低コストのドライバソリューションがもたらされる。直列接続回路の数が増加するにつれて、必要とされるドライバ電流も増大する一方で、ドライバ電圧は減少する。必要とされるドライバ電流が増大する一方でドライバ電圧が減少することにより、ドライバコストは一般的に増大するが、さらなる直列接続回路によって、LED部品におけるLEDチップをよりよく制御することが可能になる。電圧要件または電流要件と、放射制御との間の同様のトレードオフは、12個のEX1000LEDチップを有するLED部品にあてはまる。
本発明に係るLEDアレイは、直列/並列相互接続に配設されたLEDチップのアレイも備え得る。図11は、3×6の直列/並列相互接続に配設された、18個の白色LEDチップ182を備える、直列/並列相互接続部180の一実施形態を示し、直列/並列相互接続部180は、直列接続された6個のLEDチップ182を3セット備えている。その3セットがさらに並列に連結されている。この直列/並列配列は、LEDの駆動に必要な電圧の低減を可能にする一方で、駆動電流をも低減し得る。相互接続部180は、ジャンパ184、すなわち、1つ以上の直列接続されたLED群の後ろ、且つ、LEDの間に配置される相互接続ノードも備え得る。ジャンパ184は、LEDに印加された電気信号が、故障したLEDを迂回することを可能にする。例えば、LEDチップ182のうちの1つ、例えばLEDチップ182aなどが故障しても、直列に続くLEDチップに印加されるはずの電気信号は遮断され得る。バイパスジャンパ184、具体的にはバイパスジャンパ184aを備えることによって、電気信号は、例えばジャンパ184aを介して、故障したLEDチップ182aを迂回することが可能であり、その結果、電気信号は、故障したLEDチップ182aから直列に続くLEDチップに到達することができる。
図12は、直列に連結された9個のLEDチップ192を2セット有し、その2セットが並列に連結されている、直列/並列相互接続部190の別の実施形態を示している。故障したLEDチップを迂回するために、ジャンパ194が備えられている。別の直列/並列相互接続部は、同数または異なる数のLEDチップを備える、別の直列連結されたLEDチップを含む、異なる配列を有し得る。例えば、図示されている18個のLEDチップは、5,6および7つの直列LED回路を有してもよく、直列回路の各々は並列に連結されている。
他の実施形態では、組み合わされることによって特定の色を実現する、LEDの色の下位群が備えられ得る。特定の色というのは、さもなければ単一の色群によって提供されるものである。例えば、第1の色群から特定の色の発光が提供されることが求められる場合、第1群は、特定の所望のカラーラインで発光する蛍光体被覆LEDを備え得る。第2の色群は、第1群および第2群から結果として生じる、CIE曲線の黒体放射軌跡上の所望の放射またはそれに近い放射である、組み合わせられた発光が与えられ得る赤色発光LEDを備える。特定の状況下では、第1群または第2群のうちの1つから所望の色を実現するために、2つ以上の直列接続された下位群を含んでいることが望ましい場合がある。一例として、第1の色群の発光を提供するために、2つの色の下位群が利用され得る。第1群からの所望の発光が特定のカラーラインにあるならば、第1の下位群はカラーラインを下回って発光することが可能であり、第2の下位群はカラーラインを超えて発光することが可能である。下位群からの光の組み合わせは、さもなければ第1群によって提供されることになるであろう、所望の光を実現し得る。
下位群は、各々が個々に制御されて所望の光束および色混合をもたらし、且つ、放射の非効率性を相殺するように、直列に連結され得る。下位群の束が、同じ電気信号を印加すれば所望の色点が生じる結果となるような実施形態では、同じ信号が下位群の各々に印加され得る。
本発明は、多様なLEDチップ配列を対象としており、個々のLEDチップは、変換蛍光体で被覆されているか、または、当該LEDチップの活性領域から光を直接発するものである。別の一実施形態では、単一または複数の直列接続されたLEDチップ回路は、LEDチップであって、全てのLEDチップが単一の周波数逓降材料で被覆されている、LEDチップを備え得る。LEDおよび周波数逓降材料からの混合発光は、寒色光または暖色光であり得る。一実施形態では、全てのLEDチップ発光体は、蛍光体で被覆された青色LEDである。
当然のことながら、アレイにおけるLEDチップは、「CRIの高い暖色系白色光を供給するマルチチップ発光デバイス、およびこれを含む照明器具」と題された米国特許公報第2007/0223219号に記載されているような、1つ以上のマルチチップLEDランプとして配設され得る。当該公報の開示は、参照により援用される。
別の実施形態は、単一または複数の直列接続LED回路であって、全てのLEDチップが、蛍光体等の2つ以上の周波数逓降材料で被覆されたLEDを有する、単一または複数の直列接続LED回路を備え得る。LEDと蛍光体との複合発光は、例えば青色、緑色、黄色および赤色のスペクトル領域等の、異なるスペクトル領域をカバーし得る。混合発光は、色点が黒体放射軌跡上にあるか、または、85を超える高い演色評価数を有する8ステップマクアダム楕円内に収まる、寒色系または暖色系の白色光であり得る。蛍光体組成物は、例えば上述の物質から選択され得る。
本発明に係るLED部品のさらに他の実施形態は、LEDチップであって、当該LEDチップ自体の活性領域から光を直接発するLEDチップを有する、複数の直列接続回路を備え、少なくとも1つの直列回路が、赤色、緑色および青色発光LEDにそれぞれ設けられてもよい。他の実施形態では、シアン光、黄色光、および/または琥珀光を発する直列接続されたLED回路も追加され得る。LED部品は、85を超える高い演色評価数を有する直列回路からの光を組み合わせた白色光を発することが好ましい。
さらに他の実施形態は、異なる波長で発光するLEDを有する、異なるLEDチップを備え得る。例えば、発光体のうち少なくとも1つが、1つ以上の蛍光発光体と共に短波長発光体を備えている、上記のLEDチップ構成のいずれかでは、紫外線発光LEDがLEDとして用いられ得る。紫外線発光LEDがLEDとして用いられることにより、LEDチップの主要な発光成分が、紫外線LEDを被覆する蛍光体に由来する結果となる。以下の蛍光体の各々が、UV発光スペクトルにおいて励起され、好ましいピーク発光をもたらし、効率的な光変換を有し、そして許容可能なストークス偏移を有する:
黄色/緑色
(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+
Ba2(Mg,Zn)Si27:Eu2+
Gd0.46Sr0.31Al1.23x1.38:Eu2+ 0.06
(Ba1-x-ySrxCay)SiO4:Eu
Ba2SiO4:Eu2+
本発明に係るLED部品は、半導体照明器具の集積に特に適用可能であり、当該照明器具において表面実装またはワイヤボンディング実装を提供する。本LED部品は、上述したようなドライバコストの削減とともに、照明器具におけるアセンブリ要件および実装面積の削減によって、コスト当たりで可能となる光束数を改善するものである。
特定の好ましい構成を参照して本発明を詳細に説明してきたが、他のバージョンも可能である。したがって、本発明の精神および範囲は、上述のバージョンに限定されるべきではない。

Claims (8)

  1. モノリシック白色発光ダイオード(LED)パッケージであって、
    800ルーメンを超える光束を3000K未満の色温度で発生する、単色または複数色のLEDチップアレイと、
    一体化した熱拡散構造と
    を備え、
    前記LEDパッケージは、前記LEDチップアレイにおけるLEDチップからの発光を合成することにより、白色光を発し、
    前記LEDチップアレイは、単一のオーバーモールドレンズを有する、平面である基板上に配設され
    前記一体化した熱拡散構造は、
    前記基板の内部の熱拡散層と、
    前記基板における、前記LEDチップアレイが配置された側とは反対側に配置された中性な金属化パッドと、
    前記熱拡散層と前記中性な金属化パッドとの間を通る熱ビアと
    を備えることを特徴とするLEDパッケージ。
  2. 請求項1に記載のLEDパッケージであって、
    前記LEDチップアレイは、2次元的に対称なレイアウトで配設されている
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
  3. 請求項に記載のLEDパッケージであって、
    前記LEDチップアレイにおける前記LEDチップは、500ミクロンを超える大きさを有している
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
  4. 請求項1に記載のLEDパッケージであって、
    前記基板は、13mm×12mmの大きさを有している
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
  5. 請求項1に記載のLEDパッケージであって、
    前記LEDチップアレイは、2色で発光するLEDチップを備え、
    前記2色で発光するチップ数の間の割合は、4:1以上である
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
  6. 請求項1に記載のLEDパッケージであって、
    前記LEDチップアレイは、2色で発光するLEDチップを備え、
    前記2色で発光するチップ数の間の割合は、3:1以上である
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
  7. 請求項1に記載のLEDパッケージであって、
    前記アレイにおけるLEDチップの総数は26である
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
  8. 請求項1に記載のLEDパッケージであって、
    前記LEDチップアレイにおける前記LEDチップの少なくとも一部は、直列接続されている
    ことを特徴とするLEDパッケージ。
JP2011510484A 2008-05-23 2009-03-13 半導体照明部品 Active JP5236803B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/154,691 US7821023B2 (en) 2005-01-10 2008-05-23 Solid state lighting component
US12/154,691 2008-05-23
PCT/US2009/001628 WO2009142675A2 (en) 2008-05-23 2009-03-13 Solid state lighting component

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013064671A Division JP6359802B2 (ja) 2008-05-23 2013-03-26 半導体照明部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011521469A JP2011521469A (ja) 2011-07-21
JP5236803B2 true JP5236803B2 (ja) 2013-07-17

Family

ID=41066696

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011510484A Active JP5236803B2 (ja) 2008-05-23 2009-03-13 半導体照明部品
JP2013064671A Active JP6359802B2 (ja) 2008-05-23 2013-03-26 半導体照明部品

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013064671A Active JP6359802B2 (ja) 2008-05-23 2013-03-26 半導体照明部品

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7821023B2 (ja)
EP (2) EP2304817B1 (ja)
JP (2) JP5236803B2 (ja)
KR (1) KR20110016949A (ja)
CN (2) CN103022024A (ja)
TW (1) TW200950160A (ja)
WO (1) WO2009142675A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9274343B2 (en) 2012-05-02 2016-03-01 Rockwell Automation Safety Ag Lens carrier and optical module for a light curtain and fabrication method

Families Citing this family (322)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8718437B2 (en) * 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US9951438B2 (en) 2006-03-07 2018-04-24 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) * 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US8998444B2 (en) * 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8836212B2 (en) * 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
WO2008091846A2 (en) * 2007-01-22 2008-07-31 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Illumination devices using externally interconnected arrays of light emitting devices, and methods of fabricating same
WO2008091837A2 (en) 2007-01-22 2008-07-31 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Fault tolerant light emitters, systems incorporating fault tolerant light emitters and methods of fabricating fault tolerant light emitters
KR20080089859A (ko) * 2007-04-02 2008-10-08 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
US9484499B2 (en) 2007-04-20 2016-11-01 Cree, Inc. Transparent ohmic contacts on light emitting diodes with carrier substrates
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
EP2195864A4 (en) * 2007-08-27 2010-10-13 Lg Electronics Inc LUMINOUS ELEMENT ENCLOSURE AND LIGHTING DEVICE THEREFOR
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US9172012B2 (en) * 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9082921B2 (en) * 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US8866169B2 (en) * 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US9461201B2 (en) 2007-11-14 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitting diode dielectric mirror
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US7985970B2 (en) * 2009-04-06 2011-07-26 Cree, Inc. High voltage low current surface-emitting LED
US9754926B2 (en) 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9640737B2 (en) 2011-01-31 2017-05-02 Cree, Inc. Horizontal light emitting diodes including phosphor particles
US7915629B2 (en) 2008-12-08 2011-03-29 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
US8368100B2 (en) 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
US10008637B2 (en) * 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
TW200934998A (en) * 2008-02-05 2009-08-16 Lighthouse Technology Co Ltd Light-emitting device
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
WO2009151515A1 (en) 2008-05-06 2009-12-17 Qd Vision, Inc. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
GB2462411B (en) * 2008-07-30 2013-05-22 Photonstar Led Ltd Tunable colour led module
DE102008049188A1 (de) * 2008-09-26 2010-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul mit einem Trägersubstrat und einer Mehrzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterbauelementen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008050643B4 (de) * 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8017963B2 (en) * 2008-12-08 2011-09-13 Cree, Inc. Light emitting diode with a dielectric mirror having a lateral configuration
US10431567B2 (en) 2010-11-03 2019-10-01 Cree, Inc. White ceramic LED package
US7967652B2 (en) * 2009-02-19 2011-06-28 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
US8333631B2 (en) * 2009-02-19 2012-12-18 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a package and packages including combined light emitting devices
EP2228841A1 (en) * 2009-03-09 2010-09-15 Ledon Lighting Jennersdorf GmbH LED module with improved light output
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
US8529102B2 (en) 2009-04-06 2013-09-10 Cree, Inc. Reflector system for lighting device
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US8794812B2 (en) * 2009-05-01 2014-08-05 Abl Ip Holding Llc Light emitting devices and applications thereof
US8440500B2 (en) * 2009-05-20 2013-05-14 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US9035328B2 (en) 2011-02-04 2015-05-19 Cree, Inc. Light-emitting diode component
US9255686B2 (en) 2009-05-29 2016-02-09 Cree, Inc. Multi-lens LED-array optic system
US8384114B2 (en) 2009-06-27 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. High efficiency LEDs and LED lamps
JP2012532441A (ja) 2009-07-03 2012-12-13 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド 発光ダイオードパッケージ
US20110014732A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-20 Lee Je-Hsiang Light-emitting module fabrication method
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
AU2010292992A1 (en) * 2009-09-10 2012-05-03 Hamish Mclennan Improved light emitting diode (LED) assembly and method of manufacturing the same
US10264637B2 (en) 2009-09-24 2019-04-16 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with compensation bypass circuits and methods of operation thereof
US8901845B2 (en) 2009-09-24 2014-12-02 Cree, Inc. Temperature responsive control for lighting apparatus including light emitting devices providing different chromaticities and related methods
US9713211B2 (en) 2009-09-24 2017-07-18 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with controllable bypass circuits and methods of operation thereof
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
JP5623062B2 (ja) 2009-11-13 2014-11-12 シャープ株式会社 発光装置およびその製造方法
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
TWI441313B (zh) * 2009-12-31 2014-06-11 Lextar Electronics Corp 發光模組及具有該發光模組的照明裝置
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8493000B2 (en) 2010-01-04 2013-07-23 Cooledge Lighting Inc. Method and system for driving light emitting elements
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
JP2011151268A (ja) 2010-01-22 2011-08-04 Sharp Corp 発光装置
US8587187B2 (en) 2010-12-06 2013-11-19 Byoung GU Cho Light diffusion of visible edge lines in a multi-dimensional modular display
US20120032206A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 Cho Byoung Gu Variable height light emitting diode and method of manufacture
CN102141206A (zh) * 2010-01-28 2011-08-03 中山兴瀚科技有限公司 具有旁路保护的串联led光源
KR100986560B1 (ko) * 2010-02-11 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8783915B2 (en) 2010-02-11 2014-07-22 Bridgelux, Inc. Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
US9468070B2 (en) * 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
US8508127B2 (en) * 2010-03-09 2013-08-13 Cree, Inc. High CRI lighting device with added long-wavelength blue color
TW201131804A (en) * 2010-03-12 2011-09-16 Gio Optoelectronics Corp Light emitting diode unit
US8820950B2 (en) * 2010-03-12 2014-09-02 Toshiba Lighting & Technology Corporation Light emitting device and illumination apparatus
US9105824B2 (en) 2010-04-09 2015-08-11 Cree, Inc. High reflective board or substrate for LEDs
US8901583B2 (en) 2010-04-12 2014-12-02 Cree Huizhou Opto Limited Surface mount device thin package
US8476836B2 (en) 2010-05-07 2013-07-02 Cree, Inc. AC driven solid state lighting apparatus with LED string including switched segments
TWI422073B (zh) * 2010-05-26 2014-01-01 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
WO2012000114A1 (en) 2010-06-29 2012-01-05 Cooledge Lightning Inc. Electronic devices with yielding substrates
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
DE102010031237A1 (de) * 2010-07-12 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
TW201205752A (en) * 2010-07-20 2012-02-01 Pico Jet Corp Lead frame and manufacturing method thereof
US8399969B2 (en) * 2010-07-27 2013-03-19 Visera Technologies Company Limited Chip package and fabricating method thereof
US9831393B2 (en) 2010-07-30 2017-11-28 Cree Hong Kong Limited Water resistant surface mount device package
CN101968169A (zh) * 2010-08-05 2011-02-09 深圳市众明半导体照明有限公司 一种高亮度高显色指数的暖白光led灯
US9548286B2 (en) * 2010-08-09 2017-01-17 Micron Technology, Inc. Solid state lights with thermal control elements
US8764224B2 (en) 2010-08-12 2014-07-01 Cree, Inc. Luminaire with distributed LED sources
US9171883B2 (en) * 2010-08-30 2015-10-27 Epistar Corporation Light emitting device
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR101142965B1 (ko) * 2010-09-24 2012-05-08 서울반도체 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
JP5612991B2 (ja) * 2010-09-30 2014-10-22 シャープ株式会社 発光装置及びこれを備えた照明装置
US9627361B2 (en) * 2010-10-07 2017-04-18 Cree, Inc. Multiple configuration light emitting devices and methods
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
KR101202176B1 (ko) 2010-10-29 2012-11-15 서울반도체 주식회사 발광소자 어레이, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 조명 장치
US8564000B2 (en) 2010-11-22 2013-10-22 Cree, Inc. Light emitting devices for light emitting diodes (LEDs)
US9490235B2 (en) 2010-11-22 2016-11-08 Cree, Inc. Light emitting devices, systems, and methods
US9300062B2 (en) 2010-11-22 2016-03-29 Cree, Inc. Attachment devices and methods for light emitting devices
US8624271B2 (en) 2010-11-22 2014-01-07 Cree, Inc. Light emitting devices
JP5450559B2 (ja) 2010-11-25 2014-03-26 シャープ株式会社 植物栽培用led光源、植物工場及び発光装置
US9240395B2 (en) * 2010-11-30 2016-01-19 Cree Huizhou Opto Limited Waterproof surface mount device package and method
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US8587185B2 (en) * 2010-12-08 2013-11-19 Cree, Inc. Linear LED lamp
CN102544303A (zh) * 2010-12-21 2012-07-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
US8317347B2 (en) * 2010-12-22 2012-11-27 Mitutoyo Corporation High intensity point source system for high spectral stability
US8530909B2 (en) * 2010-12-27 2013-09-10 Micron Technology, Inc. Array assemblies with high voltage solid state lighting dies
TW201227920A (en) * 2010-12-31 2012-07-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd LED package substrate and fabrication method thereof
US8652860B2 (en) 2011-01-09 2014-02-18 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
US8354684B2 (en) 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
US9461023B2 (en) 2011-10-28 2016-10-04 Bridgelux, Inc. Jetting a highly reflective layer onto an LED assembly
US8536605B2 (en) 2011-11-28 2013-09-17 Bridgelux, Inc. Micro-bead blasting process for removing a silicone flash layer
JP5582048B2 (ja) * 2011-01-28 2014-09-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
DE202012013553U1 (de) * 2011-01-28 2017-09-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Lumineszenzvorrichtung
US9831220B2 (en) 2011-01-31 2017-11-28 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9053958B2 (en) * 2011-01-31 2015-06-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US9401103B2 (en) 2011-02-04 2016-07-26 Cree, Inc. LED-array light source with aspect ratio greater than 1
US10098197B2 (en) 2011-06-03 2018-10-09 Cree, Inc. Lighting devices with individually compensating multi-color clusters
US8988005B2 (en) 2011-02-17 2015-03-24 Cooledge Lighting Inc. Illumination control through selective activation and de-activation of lighting elements
US8950892B2 (en) 2011-03-17 2015-02-10 Cree, Inc. Methods for combining light emitting devices in a white light emitting apparatus that mimics incandescent dimming characteristics and solid state lighting apparatus for general illumination that mimic incandescent dimming characteristics
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
US8680556B2 (en) 2011-03-24 2014-03-25 Cree, Inc. Composite high reflectivity layer
WO2012148651A2 (en) 2011-04-08 2012-11-01 Brite Shot, Inc. Led array lighting assembly
US20130062633A1 (en) * 2011-04-18 2013-03-14 Randolph Cary Demuynck LED Array Having Embedded LED and Method Therefor
US9245874B2 (en) 2011-04-18 2016-01-26 Cree, Inc. LED array having embedded LED and method therefor
US9029887B2 (en) 2011-04-22 2015-05-12 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having improved color uniformity and associated methods
US8921875B2 (en) 2011-05-10 2014-12-30 Cree, Inc. Recipient luminophoric mediums having narrow spectrum luminescent materials and related semiconductor light emitting devices and methods
CN102810533A (zh) * 2011-05-31 2012-12-05 亿广科技(上海)有限公司 白光发光装置
JP5105132B1 (ja) 2011-06-02 2012-12-19 三菱化学株式会社 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
US9839083B2 (en) 2011-06-03 2017-12-05 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and circuits including LED segments configured for targeted spectral power distribution and methods of operating the same
US8729790B2 (en) 2011-06-03 2014-05-20 Cree, Inc. Coated phosphors and light emitting devices including the same
US8814621B2 (en) 2011-06-03 2014-08-26 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
US8906263B2 (en) 2011-06-03 2014-12-09 Cree, Inc. Red nitride phosphors
US8747697B2 (en) 2011-06-07 2014-06-10 Cree, Inc. Gallium-substituted yttrium aluminum garnet phosphor and light emitting devices including the same
TWI446602B (zh) * 2011-06-13 2014-07-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝載板及封裝結構
US9728676B2 (en) 2011-06-24 2017-08-08 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip
US20120257386A1 (en) * 2011-06-24 2012-10-11 Xicato, Inc. Led based illumination module with a reflective mask
US8686429B2 (en) 2011-06-24 2014-04-01 Cree, Inc. LED structure with enhanced mirror reflectivity
US10243121B2 (en) 2011-06-24 2019-03-26 Cree, Inc. High voltage monolithic LED chip with improved reliability
US8684569B2 (en) 2011-07-06 2014-04-01 Cree, Inc. Lens and trim attachment structure for solid state downlights
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
CN102867818A (zh) * 2011-07-08 2013-01-09 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US8962359B2 (en) * 2011-07-19 2015-02-24 Crystal Is, Inc. Photon extraction from nitride ultraviolet light-emitting devices
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
US10490712B2 (en) 2011-07-21 2019-11-26 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
CN102903829B (zh) * 2011-07-26 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
US8742671B2 (en) 2011-07-28 2014-06-03 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus and methods using integrated driver circuitry
CN102255036A (zh) * 2011-08-02 2011-11-23 彩虹集团公司 一种大功率基板的led封装结构
US8803414B2 (en) 2011-09-02 2014-08-12 Cree, Inc. Lighting device
TWI464868B (zh) 2011-09-14 2014-12-11 Lextar Electronics Corp 固態光源模組及固態光源陣列
US9184064B1 (en) 2011-11-01 2015-11-10 Triton Microtechnologies System and method for metallization and reinforcement of glass substrates
US9184135B1 (en) 2011-11-01 2015-11-10 Trinton Microtechnologies System and method for metallization and reinforcement of glass substrates
US9236274B1 (en) 2011-11-01 2016-01-12 Triton Microtechnologies Filling materials and methods of filling through holes for improved adhesion and hermeticity in glass substrates and other electronic components
US9111917B2 (en) * 2011-11-01 2015-08-18 Triton Microtechnologies Low cost and high performance bonding of wafer to interposer and method of forming vias and circuits
US9337060B1 (en) 2011-11-01 2016-05-10 Triton Microtechnologies Filling materials and methods of filling through holes for improved adhesion and hermeticity in glass substrates and other electronic components
US9374892B1 (en) 2011-11-01 2016-06-21 Triton Microtechnologies Filling materials and methods of filling through holes for improved adhesion and hermeticity in glass substrates and other electronic components
KR20140097284A (ko) 2011-11-07 2014-08-06 크리,인코포레이티드 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법
US8884508B2 (en) 2011-11-09 2014-11-11 Cree, Inc. Solid state lighting device including multiple wavelength conversion materials
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
WO2013085874A1 (en) 2011-12-05 2013-06-13 Cooledge Lighting Inc. Control of luminous intensity distribution from an array of point light sources
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
US8759847B2 (en) * 2011-12-22 2014-06-24 Bridgelux, Inc. White LED assembly with LED string and intermediate node substrate terminals
US20130170174A1 (en) * 2011-12-29 2013-07-04 Intematix Technology Center Corp. Multi-cavities light emitting device
TW201330684A (zh) * 2012-01-06 2013-07-16 Lextar Electronics Corp 照明電路與具有其之照明裝置
WO2013108143A1 (en) 2012-01-17 2013-07-25 Koninklijke Philips N.V. Semiconductor light emitting device lamp that emits light at large angles
US9318669B2 (en) 2012-01-30 2016-04-19 Cree, Inc. Methods of determining and making red nitride compositions
CN104170102B (zh) * 2012-02-02 2018-02-06 普瑞光电股份有限公司 在模制互连结构中封装仅具有顶侧连接的光子构建块
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
JP2013183089A (ja) * 2012-03-02 2013-09-12 Idec Corp 発光装置、照明装置、発光装置集合体および発光装置の製造方法
US10134961B2 (en) 2012-03-30 2018-11-20 Cree, Inc. Submount based surface mount device (SMD) light emitter components and methods
US9735198B2 (en) 2012-03-30 2017-08-15 Cree, Inc. Substrate based light emitter devices, components, and related methods
WO2013151411A1 (en) 2012-04-06 2013-10-10 Cree, Inc. Light emitting diode components and methods for emitting a desired light beam pattern
EP2834556B1 (en) * 2012-04-06 2017-08-02 Cree, Inc. Multi-lens led-array optic system
CN104350327A (zh) * 2012-04-06 2015-02-11 克里公司 纵横比大于1的led阵列光源
US9022601B2 (en) * 2012-04-09 2015-05-05 Cree, Inc. Optical element including texturing to control beam width and color mixing
US20130272027A1 (en) * 2012-04-11 2013-10-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Method for Manufacturing LED Light Bar and LED Light Bar and Backlight Module
US9310028B2 (en) 2012-04-13 2016-04-12 Cree, Inc. LED lamp with LEDs having a longitudinally directed emission profile
US9234638B2 (en) 2012-04-13 2016-01-12 Cree, Inc. LED lamp with thermally conductive enclosure
US9951909B2 (en) 2012-04-13 2018-04-24 Cree, Inc. LED lamp
US8757839B2 (en) 2012-04-13 2014-06-24 Cree, Inc. Gas cooled LED lamp
US9310065B2 (en) 2012-04-13 2016-04-12 Cree, Inc. Gas cooled LED lamp
US9322543B2 (en) 2012-04-13 2016-04-26 Cree, Inc. Gas cooled LED lamp with heat conductive submount
US9410687B2 (en) 2012-04-13 2016-08-09 Cree, Inc. LED lamp with filament style LED assembly
US9395051B2 (en) 2012-04-13 2016-07-19 Cree, Inc. Gas cooled LED lamp
US9395074B2 (en) 2012-04-13 2016-07-19 Cree, Inc. LED lamp with LED assembly on a heat sink tower
US9515055B2 (en) 2012-05-14 2016-12-06 Cree, Inc. Light emitting devices including multiple anodes and cathodes
US10439112B2 (en) * 2012-05-31 2019-10-08 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods having improved performance
USD749051S1 (en) 2012-05-31 2016-02-09 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) package
US9349929B2 (en) 2012-05-31 2016-05-24 Cree, Inc. Light emitter packages, systems, and methods
US9929325B2 (en) 2012-06-05 2018-03-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Lighting device including quantum dots
EP2860777B1 (en) * 2012-06-07 2021-09-15 Shikoku Instrumentation Co., Ltd. Led illumination module and led illumination apparatus
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US20130328074A1 (en) * 2012-06-11 2013-12-12 Cree, Inc. Led package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US9818919B2 (en) * 2012-06-11 2017-11-14 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having planar surfaces
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
US9887327B2 (en) * 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US8974077B2 (en) 2012-07-30 2015-03-10 Ultravision Technologies, Llc Heat sink for LED light source
KR20150054937A (ko) 2012-09-13 2015-05-20 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 넓은 색상 범위를 갖는 효율적인 조명 시스템
KR20140039740A (ko) * 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP6147977B2 (ja) 2012-09-26 2017-06-14 ローム株式会社 Led照明器具およびledユニット
US9188288B2 (en) * 2012-09-28 2015-11-17 Tsmc Solid State Lighting Ltd. LED emitter with improved white color appearance
US9299687B2 (en) * 2012-10-05 2016-03-29 Bridgelux, Inc. Light-emitting assemblies comprising an array of light-emitting diodes having an optimized lens configuration
CN103851371B (zh) * 2012-12-04 2016-05-04 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
US9178123B2 (en) 2012-12-10 2015-11-03 LuxVue Technology Corporation Light emitting device reflective bank structure
US9159700B2 (en) 2012-12-10 2015-10-13 LuxVue Technology Corporation Active matrix emissive micro LED display
US9029880B2 (en) 2012-12-10 2015-05-12 LuxVue Technology Corporation Active matrix display panel with ground tie lines
US9316382B2 (en) 2013-01-31 2016-04-19 Cree, Inc. Connector devices, systems, and related methods for connecting light emitting diode (LED) modules
US9030103B2 (en) 2013-02-08 2015-05-12 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable scotopic / photopic ratio
US9039746B2 (en) 2013-02-08 2015-05-26 Cree, Inc. Solid state light emitting devices including adjustable melatonin suppression effects
US9565782B2 (en) 2013-02-15 2017-02-07 Ecosense Lighting Inc. Field replaceable power supply cartridge
US9737195B2 (en) 2013-03-15 2017-08-22 Sanovas, Inc. Handheld resector balloon system
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
US9468365B2 (en) * 2013-03-15 2016-10-18 Sanovas, Inc. Compact light source
US10349977B2 (en) 2013-03-15 2019-07-16 Sanovas Intellectual Property, Llc Resector balloon catheter with multi-port hub
WO2014179519A2 (en) * 2013-05-02 2014-11-06 Cree, Inc. Led lamp
EP2994290B1 (en) 2013-05-10 2023-10-04 ABL IP Holding LLC Silicone optics
US9711489B2 (en) 2013-05-29 2017-07-18 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Multiple pixel surface mount device package
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
JP6249348B2 (ja) * 2013-11-22 2017-12-20 東芝ライテック株式会社 発光装置
DE102013113009A1 (de) * 2013-11-25 2015-05-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für einen Halbleiterchip, Gehäuseverbund, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
CN104681547B (zh) * 2013-12-03 2018-04-13 深圳市邦贝尔电子有限公司 Led光源的封装方法
US10692843B2 (en) 2013-12-04 2020-06-23 3M Innovative Properties Company Flexible light emitting semiconductor device with large area conduit
US20150167945A1 (en) * 2013-12-12 2015-06-18 James Warren Neil Apparatus and Method for Providing Illumination
JP6149727B2 (ja) 2013-12-28 2017-06-21 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9195281B2 (en) 2013-12-31 2015-11-24 Ultravision Technologies, Llc System and method for a modular multi-panel display
WO2015101559A2 (en) * 2014-01-06 2015-07-09 Koninklijke Philips N.V. Ripple based light emitting diode driving
DE202014100147U1 (de) * 2014-01-14 2015-04-16 Tridonic Jennersdorf Gmbh Mehrkanal LED-Modul mit weissen LEDs unterschiedlicher Farbkoordinaten
KR20150092674A (ko) 2014-02-05 2015-08-13 삼성전자주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
USD741821S1 (en) * 2014-04-10 2015-10-27 Kingbright Electronics Co., Ltd. LED component
TWI530750B (zh) 2014-08-05 2016-04-21 中強光電股份有限公司 投影裝置
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD790486S1 (en) * 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
US10477636B1 (en) 2014-10-28 2019-11-12 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having multiple light sources
JP6256699B2 (ja) * 2014-11-11 2018-01-10 豊田合成株式会社 発光装置
US10034337B2 (en) * 2014-11-20 2018-07-24 Koninklijke Philips N.V. LED device having individually addressable LED modules
USD826871S1 (en) * 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
US10431568B2 (en) 2014-12-18 2019-10-01 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10192854B2 (en) * 2016-06-24 2019-01-29 Cree, Inc. Light emitter components and related methods
US10658546B2 (en) 2015-01-21 2020-05-19 Cree, Inc. High efficiency LEDs and methods of manufacturing
US9869450B2 (en) 2015-02-09 2018-01-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems having a truncated parabolic- or hyperbolic-conical light reflector, or a total internal reflection lens; and having another light reflector
US11306897B2 (en) 2015-02-09 2022-04-19 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems generating partially-collimated light emissions
US9651227B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Low-profile lighting system having pivotable lighting enclosure
US9568665B2 (en) 2015-03-03 2017-02-14 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including lens modules for selectable light distribution
US9746159B1 (en) 2015-03-03 2017-08-29 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a sealing system
US9651216B2 (en) 2015-03-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting systems including asymmetric lens modules for selectable light distribution
US20160293811A1 (en) 2015-03-31 2016-10-06 Cree, Inc. Light emitting diodes and methods with encapsulation
US10683971B2 (en) 2015-04-30 2020-06-16 Cree, Inc. Solid state lighting components
CN104953017B (zh) * 2015-05-05 2018-05-22 广州普希思智能科技有限公司 基于倒置涂粉带二次配光加固一体led封装件及生产工艺
US9900957B2 (en) * 2015-06-11 2018-02-20 Cree, Inc. Lighting device including solid state emitters with adjustable control
USD785218S1 (en) 2015-07-06 2017-04-25 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US10074635B2 (en) 2015-07-17 2018-09-11 Cree, Inc. Solid state light emitter devices and methods
USD782094S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
USD782093S1 (en) 2015-07-20 2017-03-21 Ecosense Lighting Inc. LED luminaire having a mounting system
US9651232B1 (en) 2015-08-03 2017-05-16 Ecosense Lighting Inc. Lighting system having a mounting device
CN108431971B (zh) * 2015-12-23 2021-07-27 歌尔股份有限公司 微发光二极管转移方法及制造方法
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US10412797B2 (en) * 2016-05-13 2019-09-10 Allegro Microsystems, Llc Apparatus and methods for converter mode and load configuration control
US20170372646A1 (en) * 2016-06-23 2017-12-28 Nanolumens Acquisition, Inc. Display System and Apparatus with Directional Emission
WO2018013645A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 3M Innovative Properties Company Multilayer led substrate
CN109791968A (zh) 2016-07-26 2019-05-21 克利公司 发光二极管、组件和相关方法
WO2018052902A1 (en) 2016-09-13 2018-03-22 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
JP6834762B2 (ja) * 2016-09-29 2021-02-24 豊田合成株式会社 発光装置及び電子部品
US10199552B2 (en) 2016-09-29 2019-02-05 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and electronic component
USD823492S1 (en) 2016-10-04 2018-07-17 Cree, Inc. Light emitting device
US10804251B2 (en) 2016-11-22 2020-10-13 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) devices, components and methods
US10998298B2 (en) * 2016-12-21 2021-05-04 Lumileds Llc LED array module
US10451229B2 (en) 2017-01-30 2019-10-22 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10465869B2 (en) 2017-01-30 2019-11-05 Ideal Industries Lighting Llc Skylight fixture
US10439114B2 (en) 2017-03-08 2019-10-08 Cree, Inc. Substrates for light emitting diodes and related methods
US10410997B2 (en) 2017-05-11 2019-09-10 Cree, Inc. Tunable integrated optics LED components and methods
TWI631546B (zh) * 2017-05-17 2018-08-01 財團法人工業技術研究院 有機發光元件的驅動模組以及驅動方法
US10672957B2 (en) 2017-07-19 2020-06-02 Cree, Inc. LED apparatuses and methods for high lumen output density
CN107369755A (zh) * 2017-07-27 2017-11-21 旭宇光电(深圳)股份有限公司 紫外led封装结构
US11107857B2 (en) 2017-08-18 2021-08-31 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11101248B2 (en) 2017-08-18 2021-08-24 Creeled, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10361349B2 (en) 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US10541353B2 (en) 2017-11-10 2020-01-21 Cree, Inc. Light emitting devices including narrowband converters for outdoor lighting applications
US10734560B2 (en) 2017-11-29 2020-08-04 Cree, Inc. Configurable circuit layout for LEDs
US10573543B2 (en) 2018-04-30 2020-02-25 Cree, Inc. Apparatus and methods for mass transfer of electronic die
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
US10453827B1 (en) 2018-05-30 2019-10-22 Cree, Inc. LED apparatuses and methods
US11101410B2 (en) 2018-05-30 2021-08-24 Creeled, Inc. LED systems, apparatuses, and methods
EP3776674A1 (en) 2018-06-04 2021-02-17 Cree, Inc. Led apparatuses, and method
US11581725B2 (en) 2018-07-07 2023-02-14 Intelesol, Llc Solid-state power interrupters
US11671029B2 (en) 2018-07-07 2023-06-06 Intelesol, Llc AC to DC converters
US11056981B2 (en) 2018-07-07 2021-07-06 Intelesol, Llc Method and apparatus for signal extraction with sample and hold and release
WO2020010669A1 (zh) * 2018-07-13 2020-01-16 深圳市蓝谱里克科技有限公司 一种带支架的大功率led芯片背部电极集成封装模块
CN108591875A (zh) * 2018-07-16 2018-09-28 马崇迪 一种自然光灯泡及便携式护眼台灯
US10964866B2 (en) 2018-08-21 2021-03-30 Cree, Inc. LED device, system, and method with adaptive patterns
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11334388B2 (en) 2018-09-27 2022-05-17 Amber Solutions, Inc. Infrastructure support to enhance resource-constrained device capabilities
US11205011B2 (en) 2018-09-27 2021-12-21 Amber Solutions, Inc. Privacy and the management of permissions
US11197153B2 (en) 2018-09-27 2021-12-07 Amber Solutions, Inc. Privacy control and enhancements for distributed networks
US11349296B2 (en) 2018-10-01 2022-05-31 Intelesol, Llc Solid-state circuit interrupters
US10985548B2 (en) 2018-10-01 2021-04-20 Intelesol, Llc Circuit interrupter with optical connection
US11102858B2 (en) * 2018-10-30 2021-08-24 Rockwell Collins, Inc. Controllable micro light emitting diode system and method
JP7475351B2 (ja) * 2018-12-17 2024-04-26 インテレソール エルエルシー Ac駆動型の発光ダイオードシステム
US10411600B1 (en) 2019-01-28 2019-09-10 Allegro Microsystems, Llc Apparatus and methods for converter mode and load configuration control
CN111739878B (zh) * 2019-03-25 2022-05-24 群创光电股份有限公司 电子装置
US11373831B2 (en) 2019-05-18 2022-06-28 Amber Solutions, Inc. Intelligent circuit breakers
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11349297B2 (en) 2020-01-21 2022-05-31 Amber Solutions, Inc. Intelligent circuit interruption
EP4207949A1 (en) * 2020-01-22 2023-07-05 Seoul Semiconductor Europe GmbH Led light source device
CN111584701A (zh) * 2020-04-16 2020-08-25 慧明光电(深圳)有限公司 一种新型led灯珠封装方式方法
WO2022036016A1 (en) 2020-08-11 2022-02-17 Amber Solutions, Inc. Intelligent energy source monitoring and selection control system
US11955466B2 (en) 2020-08-25 2024-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
CN213333738U (zh) * 2020-08-31 2021-06-01 杭州杭科光电集团股份有限公司 颜色可控的led发光灯
JP7248002B2 (ja) 2020-11-24 2023-03-29 大日本印刷株式会社 動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚、及び動植物育成工場
CN112466860B (zh) * 2020-11-26 2023-09-22 厦门路泽光电科技有限公司 一种led灯板成型制作方法
JP2022098183A (ja) * 2020-12-21 2022-07-01 株式会社クボタ 色彩選別機
DE102021114070A1 (de) * 2021-05-31 2022-12-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische leuchtvorrichtung

Family Cites Families (283)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3674990A (en) 1970-05-12 1972-07-04 Sumitomo Electric Industries Moving object identification system
US3760237A (en) 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
DE2315709A1 (de) 1973-03-29 1974-10-10 Licentia Gmbh Strahlung abgebende halbleiteranordnung mit hoher strahlungsleistung
US3900863A (en) 1974-05-13 1975-08-19 Westinghouse Electric Corp Light-emitting diode which generates light in three dimensions
FR2436505A1 (fr) 1978-09-12 1980-04-11 Radiotechnique Compelec Dispositif optoelectronique a emetteur et recepteur couples
US4500914A (en) 1981-08-01 1985-02-19 Sharp Kabushiki Kaisha Color imaging array and color imaging device
US4511425A (en) 1983-06-13 1985-04-16 Dennison Manufacturing Company Heated pad decorator
US4866005A (en) 1987-10-26 1989-09-12 North Carolina State University Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single crystals of silicon carbide
US4992704A (en) 1989-04-17 1991-02-12 Basic Electronics, Inc. Variable color light emitting diode
EP0400176B1 (de) 1989-05-31 2000-07-26 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
US4946547A (en) 1989-10-13 1990-08-07 Cree Research, Inc. Method of preparing silicon carbide surfaces for crystal growth
JP2650236B2 (ja) 1990-01-11 1997-09-03 ローム 株式会社 Ledアレイ光源の製造方法
US5167556A (en) 1990-07-03 1992-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a light emitting diode display means
US5130761A (en) 1990-07-17 1992-07-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Led array with reflector and printed circuit board
US5200022A (en) 1990-10-03 1993-04-06 Cree Research, Inc. Method of improving mechanically prepared substrate surfaces of alpha silicon carbide for deposition of beta silicon carbide thereon and resulting product
US5300788A (en) 1991-01-18 1994-04-05 Kopin Corporation Light emitting diode bars and arrays and method of making same
JPH05308107A (ja) 1991-07-01 1993-11-19 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置及びその製作方法
KR100209457B1 (ko) 1992-07-24 1999-07-15 토마스 디스테파노 반도체 접속 부품과 그 제조 방법 및 반도체 칩 접속 방법
JPH06169189A (ja) * 1992-11-30 1994-06-14 Hitachi Ltd チップ形発熱部品及びその実装方法
JP3326505B2 (ja) * 1992-12-08 2002-09-24 スタンレー電気株式会社 多色ledランプ
JPH0679165U (ja) * 1993-04-16 1994-11-04 スタンレー電気株式会社 Ledランプ
US5790298A (en) 1994-05-03 1998-08-04 Gentex Corporation Method of forming optically transparent seal and seal formed by said method
JPH08139257A (ja) 1994-11-07 1996-05-31 Hitachi Ltd 面実装型半導体装置
DE4446566A1 (de) 1994-12-24 1996-06-27 Telefunken Microelectron Mehrpoliges, oberflächenmontierbares, elektronisches Bauelement
EP0775369B1 (en) 1995-05-10 2001-10-10 Koninklijke Philips Electronics N.V. Miniature semiconductor device for surface mounting
DE19549818B4 (de) 1995-09-29 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
JPH09246602A (ja) 1996-03-05 1997-09-19 Matsushita Electron Corp 発光ダイオード整列光源
DE19621124A1 (de) 1996-05-24 1997-11-27 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und dessen Herstellungsverfahren
JPH09321343A (ja) 1996-05-31 1997-12-12 Dowa Mining Co Ltd 光通信用の部品装置
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JPH1012915A (ja) 1996-06-26 1998-01-16 Oki Electric Ind Co Ltd 光学式パターン読取りセンサ
JP3504079B2 (ja) 1996-08-31 2004-03-08 株式会社東芝 半導体発光ダイオード素子の製造方法
JP3492178B2 (ja) * 1997-01-15 2004-02-03 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
JPH10244706A (ja) * 1997-03-06 1998-09-14 Oki Data:Kk Ledヘッド
US6093940A (en) 1997-04-14 2000-07-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
DE29825062U1 (de) 1997-07-29 2004-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US6183100B1 (en) 1997-10-17 2001-02-06 Truck-Lite Co., Inc. Light emitting diode 360° warning lamp
DE19755734A1 (de) 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JP2607796Y2 (ja) 1998-02-09 2002-07-08 株式会社ケンウッド スピーカ用磁気回路
JP3585097B2 (ja) * 1998-06-04 2004-11-04 セイコーエプソン株式会社 光源装置,光学装置および液晶表示装置
DE19829197C2 (de) 1998-06-30 2002-06-20 Siemens Ag Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
US6266476B1 (en) 1998-08-25 2001-07-24 Physical Optics Corporation Optical element having an integral surface diffuser
US7066628B2 (en) * 2001-03-29 2006-06-27 Fiber Optic Designs, Inc. Jacketed LED assemblies and light strings containing same
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE19848078C2 (de) 1998-10-19 2003-08-14 Insta Elektro Gmbh Anordnung von Platinen zur beliebigen Erstellung von Leuchtdioden-Beleuchtungseinheiten
JP3334864B2 (ja) 1998-11-19 2002-10-15 松下電器産業株式会社 電子装置
US6495964B1 (en) 1998-12-18 2002-12-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED luminaire with electrically adjusted color balance using photodetector
JP4279388B2 (ja) 1999-01-29 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 光半導体装置及びその形成方法
JP2000349348A (ja) 1999-03-31 2000-12-15 Toyoda Gosei Co Ltd 短波長ledランプユニット
US6259608B1 (en) 1999-04-05 2001-07-10 Delphi Technologies, Inc. Conductor pattern for surface mount devices and method therefor
JP4412787B2 (ja) 1999-06-09 2010-02-10 三洋電機株式会社 金属基板を採用した照射装置および照射モジュール
KR100682563B1 (ko) * 1999-07-26 2007-02-15 라보 스피아 가부시키가이샤 벌크형 렌즈, 발광체, 조명 기구 및 광 정보 시스템
US6454437B1 (en) 1999-07-28 2002-09-24 William Kelly Ring lighting
US6367949B1 (en) * 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
US6710373B2 (en) 1999-09-27 2004-03-23 Shih-Yi Wang Means for mounting photoelectric sensing elements, light emitting diodes, or the like
JP3886306B2 (ja) * 1999-10-13 2007-02-28 ローム株式会社 チップ型半導体発光装置
US6296367B1 (en) 1999-10-15 2001-10-02 Armament Systems And Procedures, Inc. Rechargeable flashlight with step-up voltage converter and recharger therefor
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
DE19963806C2 (de) 1999-12-30 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
DE10002521A1 (de) 2000-01-21 2001-08-09 Infineon Technologies Ag Elektrooptisches Datenübertragungsmodul
WO2001059851A1 (en) 2000-02-09 2001-08-16 Nippon Leiz Corporation Light source
US6224216B1 (en) * 2000-02-18 2001-05-01 Infocus Corporation System and method employing LED light sources for a projection display
GB2360459B (en) 2000-03-23 2002-08-07 Photo Therapeutics Ltd Therapeutic light source and method
US6661029B1 (en) 2000-03-31 2003-12-09 General Electric Company Color tunable organic electroluminescent light source
JP2001351404A (ja) 2000-04-06 2001-12-21 Kansai Tlo Kk 発光ダイオードを用いた面発光装置
KR100772774B1 (ko) 2000-04-24 2007-11-01 로무 가부시키가이샤 측면발광반도체 발광장치 및 그 제조방법
JP2001326390A (ja) 2000-05-18 2001-11-22 Rohm Co Ltd 裏面発光チップ型発光素子およびそれに用いる絶縁性基板
KR100784573B1 (ko) * 2000-05-29 2007-12-10 파텐트-트로이한트-게젤샤프트 퓌어 엘렉트리쉐 글뤼람펜 엠베하 발광다이오드에 기반을 둔 백색광을 방출하는 조명 기구
US6577073B2 (en) 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP2007214603A (ja) * 2000-05-31 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ledランプおよびランプユニット
JP2002083506A (ja) * 2000-06-21 2002-03-22 Moritex Corp Led照明装置およびその製造方法
DE10038213A1 (de) 2000-08-04 2002-03-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsquelle und Verfahren zur Herstellung einer Linsensform
DE10041328B4 (de) 2000-08-23 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verpackungseinheit für Halbleiterchips
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
DE10051159C2 (de) 2000-10-16 2002-09-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul, z.B. Weißlichtquelle
US7072763B2 (en) 2000-11-28 2006-07-04 Arvinmeritor Technology, Llc Intelligent load distribution system
JP2002184207A (ja) 2000-12-15 2002-06-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led照明用電球
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ledとその製造方法
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6940704B2 (en) 2001-01-24 2005-09-06 Gelcore, Llc Semiconductor light emitting device
US6891200B2 (en) * 2001-01-25 2005-05-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting unit, light-emitting unit assembly, and lighting apparatus produced using a plurality of light-emitting units
JP3851174B2 (ja) 2001-01-25 2006-11-29 松下電器産業株式会社 発光ユニット、発光ユニット組合せ体、および照明装置
US6929384B2 (en) * 2001-02-09 2005-08-16 Nichia Corporation Led indicator lamp
US6297598B1 (en) 2001-02-20 2001-10-02 Harvatek Corp. Single-side mounted light emitting diode module
JP4360808B2 (ja) * 2001-04-03 2009-11-11 ベルス・メステヒニーク・ゲーエムベーハー 照明装置を備えた測定装置及び物体の照明のための方法
US20020151941A1 (en) * 2001-04-16 2002-10-17 Shinichi Okawa Medical illuminator, and medical apparatus having the medical illuminator
WO2002086972A1 (en) 2001-04-23 2002-10-31 Plasma Ireland Limited Illuminator
US20020163001A1 (en) 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
JP2002344029A (ja) 2001-05-17 2002-11-29 Rohm Co Ltd 発光ダイオードの色調調整方法
US6799864B2 (en) 2001-05-26 2004-10-05 Gelcore Llc High power LED power pack for spot module illumination
JP2002374007A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10133255A1 (de) 2001-07-09 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul für Beleuchtungsvorrichtungen
TW543128B (en) 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
US6617795B2 (en) 2001-07-26 2003-09-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Multichip LED package with in-package quantitative and spectral sensing capability and digital signal output
JP4180576B2 (ja) * 2001-08-09 2008-11-12 松下電器産業株式会社 Led照明装置およびカード型led照明光源
WO2003016782A1 (en) 2001-08-09 2003-02-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led illuminator and card type led illuminating light source
WO2003019072A1 (fr) 2001-08-23 2003-03-06 Yukiyasu Okumura Eclairage par del a temperature de couleur reglable
CN100423296C (zh) 2001-09-03 2008-10-01 松下电器产业株式会社 半导体发光元件、发光装置及半导体发光元件的制造方法
US6812481B2 (en) 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
US6773139B2 (en) 2001-09-17 2004-08-10 Gelcore Llp Variable optics spot module
JP4067802B2 (ja) 2001-09-18 2008-03-26 松下電器産業株式会社 照明装置
US6739735B2 (en) 2001-09-20 2004-05-25 Illuminated Guidance Systems, Inc. Lighting strip for direction and guidance systems
KR100894372B1 (ko) 2001-10-01 2009-04-22 파나소닉 주식회사 반도체 발광소자와 이를 이용한 발광장치
US6734465B1 (en) 2001-11-19 2004-05-11 Nanocrystals Technology Lp Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting
DE10241989A1 (de) 2001-11-30 2003-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP4009097B2 (ja) 2001-12-07 2007-11-14 日立電線株式会社 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP3973082B2 (ja) 2002-01-31 2007-09-05 シチズン電子株式会社 両面発光ledパッケージ
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP3616608B2 (ja) * 2002-03-05 2005-02-02 Necパーソナルプロダクツ株式会社 標的装置
JP3939177B2 (ja) 2002-03-20 2007-07-04 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
WO2004044877A2 (en) 2002-11-11 2004-05-27 Cotco International Limited A display device and method for making same
US7002546B1 (en) 2002-05-15 2006-02-21 Rockwell Collins, Inc. Luminance and chromaticity control of an LCD backlight
EP1532042A1 (en) * 2002-06-11 2005-05-25 Akidenki Kabushikigaisya Head lamp of bicycle and head lamp electric circuit
TW546799B (en) 2002-06-26 2003-08-11 Lingsen Precision Ind Ltd Packaged formation method of LED and product structure
DE10229067B4 (de) 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2004047748A (ja) 2002-07-12 2004-02-12 Stanley Electric Co Ltd 発光ダイオード
JP4118742B2 (ja) 2002-07-17 2008-07-16 シャープ株式会社 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
JP2004095580A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Citizen Electronics Co Ltd 半導体装置の製造方法
US7224000B2 (en) 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7264378B2 (en) 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2004-04-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6686609B1 (en) 2002-10-01 2004-02-03 Ultrastar Limited Package structure of surface mounting led and method of manufacturing the same
US7187505B2 (en) * 2002-10-07 2007-03-06 Fresnel Technologies, Inc. Imaging lens for infrared cameras
TW578280B (en) 2002-11-21 2004-03-01 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and package scheme and method thereof
DE10255932A1 (de) 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US7692206B2 (en) 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
JP3716252B2 (ja) 2002-12-26 2005-11-16 ローム株式会社 発光装置及び照明装置
US7148632B2 (en) 2003-01-15 2006-12-12 Luminator Holding, L.P. LED lighting system
WO2004077580A2 (en) 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
EP1597764A1 (de) 2003-02-28 2005-11-23 Osram Opto Semiconductors GmbH Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
JP2004266168A (ja) 2003-03-03 2004-09-24 Sanyu Rec Co Ltd 発光体を備えた電子機器及びその製造方法
US20040184272A1 (en) 2003-03-20 2004-09-23 Wright Steven A. Substrate for light-emitting diode (LED) mounting including heat dissipation structures, and lighting assembly including same
JP4504662B2 (ja) 2003-04-09 2010-07-14 シチズン電子株式会社 Ledランプ
KR20040092512A (ko) 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
KR101148332B1 (ko) 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US7528421B2 (en) 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
US20070013057A1 (en) * 2003-05-05 2007-01-18 Joseph Mazzochette Multicolor LED assembly with improved color mixing
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
US7021797B2 (en) 2003-05-13 2006-04-04 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical device for repositioning and redistributing an LED's light
JP2005158957A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2004356506A (ja) 2003-05-30 2004-12-16 Stanley Electric Co Ltd ガラス封止型発光ダイオード
JP4120813B2 (ja) 2003-06-12 2008-07-16 セイコーエプソン株式会社 光学部品およびその製造方法
US6919584B2 (en) 2003-06-19 2005-07-19 Harvatek Corporation White light source
JP4114557B2 (ja) * 2003-06-25 2008-07-09 松下電工株式会社 発光装置
US7683377B2 (en) * 2003-07-16 2010-03-23 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and lighting apparatus and display apparatus using the same
JP4360858B2 (ja) 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型led及びそれを用いた発光装置
WO2005013365A2 (en) 2003-07-30 2005-02-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting device, light emitting module, and lighting apparatus
US6876008B2 (en) 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
JP2005064047A (ja) 2003-08-13 2005-03-10 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
JP4140042B2 (ja) * 2003-09-17 2008-08-27 スタンレー電気株式会社 蛍光体を用いたled光源装置及びled光源装置を用いた車両前照灯
US7965031B2 (en) 2003-09-24 2011-06-21 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung White-emitting LED having a defined color temperature
US6995402B2 (en) 2003-10-03 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Integrated reflector cup for a light emitting device mount
US6956210B2 (en) * 2003-10-15 2005-10-18 Micron Tchnology, Inc. Methods for preparing samples for atom probe analysis
US20050093422A1 (en) 2003-10-31 2005-05-05 Chien-Yuan Wang White light-emitting device
JP2005142311A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Tzu-Chi Cheng 発光装置
US7196459B2 (en) * 2003-12-05 2007-03-27 International Resistive Co. Of Texas, L.P. Light emitting assembly with heat dissipating support
CA2552683C (en) 2003-12-11 2011-05-03 Color Kinetics Incorporated Thermal management methods and apparatus for lighting devices
KR100576855B1 (ko) 2003-12-20 2006-05-10 삼성전기주식회사 고출력 플립 칩 발광다이오드
JP4370158B2 (ja) * 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
TWI239108B (en) 2004-01-19 2005-09-01 Chi Mei Optoelectronics Corp LED array and direct type back light module
US7675231B2 (en) 2004-02-13 2010-03-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting diode display device comprising a high temperature resistant overlay
JP2005228695A (ja) 2004-02-16 2005-08-25 Seiko Epson Corp 照明装置及びプロジェクタ
US7355562B2 (en) 2004-02-17 2008-04-08 Thomas Schubert Electronic interlocking graphics panel formed of modular interconnecting parts
US20050179041A1 (en) 2004-02-18 2005-08-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Illumination system with LEDs
JP2005259847A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
US20050225976A1 (en) 2004-04-08 2005-10-13 Integrated Illumination Systems, Inc. Marine LED lighting network and driver
CN100454596C (zh) * 2004-04-19 2009-01-21 松下电器产业株式会社 Led照明光源的制造方法及led照明光源
WO2006001352A1 (ja) 2004-06-25 2006-01-05 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子
US20070291467A1 (en) 2004-06-29 2007-12-20 Hideo Nagai Illumination Source
KR100616595B1 (ko) 2004-07-02 2006-08-28 삼성전기주식회사 Led 패키지 및 이를 구비한 광원
JP2006019598A (ja) 2004-07-05 2006-01-19 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
US7252408B2 (en) 2004-07-19 2007-08-07 Lamina Ceramics, Inc. LED array package with internal feedback and control
US7088059B2 (en) 2004-07-21 2006-08-08 Boca Flasher Modulated control circuit and method for current-limited dimming and color mixing of display and illumination systems
JP4688594B2 (ja) 2004-08-06 2011-05-25 パナソニック株式会社 発光光源、照明装置及び表示装置
KR101163091B1 (ko) 2004-08-06 2012-07-20 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. Led 램프 시스템
JP5060017B2 (ja) 2004-08-12 2012-10-31 セイコーエプソン株式会社 プロジェクタ
JP4547569B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-22 スタンレー電気株式会社 表面実装型led
JP4960099B2 (ja) 2004-10-04 2012-06-27 株式会社東芝 発光装置及びそれを用いた照明器具または液晶表示装置
JP4635551B2 (ja) 2004-10-06 2011-02-23 ソニー株式会社 カラー液晶表示装置
JP4172455B2 (ja) 2004-10-08 2008-10-29 ソニー株式会社 バックライト用光源ユニット、液晶表示用バックライト装置及び透過型カラー液晶表示装置
JP2006114854A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Sharp Corp 半導体発光装置、液晶表示装置用のバックライト装置
JP2006128512A (ja) 2004-10-29 2006-05-18 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子用セラミック基板
US7772609B2 (en) 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
JP4670315B2 (ja) 2004-11-09 2011-04-13 ソニー株式会社 バックライト装置及び表示装置
JP2006140281A (ja) 2004-11-11 2006-06-01 Stanley Electric Co Ltd パワーled及びその製造方法
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US7352011B2 (en) 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7119422B2 (en) 2004-11-15 2006-10-10 Unity Opto Technology Co., Ltd. Solid-state semiconductor light emitting device
US7452737B2 (en) * 2004-11-15 2008-11-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Molded lens over LED die
CN101061590B (zh) 2004-11-18 2010-05-12 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光器及其制造方法
JP2006173271A (ja) 2004-12-14 2006-06-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、照明装置、携帯通信機器、及びカメラ
US7285802B2 (en) 2004-12-21 2007-10-23 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
JP4995722B2 (ja) 2004-12-22 2012-08-08 パナソニック株式会社 半導体発光装置、照明モジュール、および照明装置
US20060139580A1 (en) 2004-12-29 2006-06-29 Conner Arlie R Illumination system using multiple light sources with integrating tunnel and projection systems using same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7221044B2 (en) 2005-01-21 2007-05-22 Ac Led Lighting, L.L.C. Heterogeneous integrated high voltage DC/AC light emitter
DE102005041065A1 (de) 2005-02-16 2006-08-24 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Beleuchtungseinrichtung
US8076680B2 (en) * 2005-03-11 2011-12-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED package having an array of light emitting cells coupled in series
US7381995B2 (en) 2005-03-16 2008-06-03 Industrial Technology Research Institute Lighting device with flipped side-structure of LEDs
JP2006261375A (ja) 2005-03-17 2006-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Led光源装置
JP4486535B2 (ja) 2005-03-18 2010-06-23 小泉産業株式会社 照明装置および多点光源ユニット
KR100593937B1 (ko) * 2005-03-30 2006-06-30 삼성전기주식회사 Si기판을 이용한 LED 패키지 및 그 제조방법
JP2006294898A (ja) 2005-04-12 2006-10-26 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2006111805A1 (en) 2005-04-16 2006-10-26 Acol Technologies Sa Optical light source having displaced axes
US7994702B2 (en) * 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8272757B1 (en) 2005-06-03 2012-09-25 Ac Led Lighting, L.L.C. Light emitting diode lamp capable of high AC/DC voltage operation
JP2006344690A (ja) 2005-06-07 2006-12-21 Fujikura Ltd 発光素子実装用ホーロー基板、発光素子モジュール、照明装置、表示装置及び交通信号機
KR101194129B1 (ko) 2005-06-15 2012-10-24 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
DE102005028403B4 (de) 2005-06-20 2013-11-21 Austriamicrosystems Ag Stromquellenanordnung und Verfahren zum Betreiben einer elektrischen Last
KR100780198B1 (ko) 2005-07-11 2007-11-27 삼성전기주식회사 색 얼룩 특성이 개선된 led 면 광원 및 이를 구비하는lcd 백라이트 유닛
JP2007042901A (ja) 2005-08-04 2007-02-15 Rohm Co Ltd 発光モジュールおよび発光ユニット
US8163580B2 (en) * 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
JP4492486B2 (ja) 2005-08-24 2010-06-30 パナソニック電工株式会社 Ledを用いた照明器具
JP2007059260A (ja) 2005-08-25 2007-03-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置及び照明器具
JP4818028B2 (ja) * 2005-08-29 2011-11-16 京セラ株式会社 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP2007067103A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオード装置
US7550319B2 (en) * 2005-09-01 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low temperature co-fired ceramic (LTCC) tape compositions, light emitting diode (LED) modules, lighting devices and method of forming thereof
JP4678388B2 (ja) * 2005-09-20 2011-04-27 パナソニック電工株式会社 発光装置
CN1945822B (zh) 2005-10-07 2012-05-23 日立麦克赛尔株式会社 半导体器件、半导体模块及半导体模块的制造方法
KR100618941B1 (ko) 2005-11-08 2006-09-01 김성규 투명발광장치 및 그 제조방법
KR101171186B1 (ko) * 2005-11-10 2012-08-06 삼성전자주식회사 고휘도 발광 다이오드 및 이를 이용한 액정 표시 장치
JP4724618B2 (ja) 2005-11-11 2011-07-13 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置及びそれを用いた液晶表示装置
US7621655B2 (en) 2005-11-18 2009-11-24 Cree, Inc. LED lighting units and assemblies with edge connectors
EP1948993A1 (en) 2005-11-18 2008-07-30 Cree, Inc. Tiles for solid state lighting
WO2007075815A2 (en) 2005-12-21 2007-07-05 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7213940B1 (en) 2005-12-21 2007-05-08 Led Lighting Fixtures, Inc. Lighting device and lighting method
TW200728848A (en) 2006-01-20 2007-08-01 Au Optronics Corp Light diffusion module and backlight module using the same
JP5357379B2 (ja) 2006-02-23 2013-12-04 パナソニック株式会社 発光装置
JP2007258202A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Showa Denko Kk 照明光源
USD572670S1 (en) 2006-03-30 2008-07-08 Nichia Corporation Light emitting diode
JP2009534799A (ja) * 2006-04-18 2009-09-24 ラミナ ライティング インコーポレーテッド 制御された色混合のための光学デバイス
US7777166B2 (en) 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
US11210971B2 (en) 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7655957B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US7829899B2 (en) 2006-05-03 2010-11-09 Cree, Inc. Multi-element LED lamp package
US20070269586A1 (en) 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
JP4182989B2 (ja) 2006-05-30 2008-11-19 ソニー株式会社 照明装置および液晶表示装置
TWI319629B (en) 2006-06-27 2010-01-11 Au Optronics Corp Light emitting diode module
JP4300223B2 (ja) * 2006-06-30 2009-07-22 株式会社 日立ディスプレイズ 照明装置および照明装置を用いた表示装置
JP4151717B2 (ja) * 2006-07-21 2008-09-17 ソニー株式会社 光源モジュール、光源装置及び液晶表示装置
JP4905009B2 (ja) 2006-09-12 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP4981390B2 (ja) 2006-09-20 2012-07-18 オスラム・メルコ株式会社 Ledランプ
KR20080038878A (ko) 2006-10-31 2008-05-07 삼성전자주식회사 광원장치와 이를 포함하는 액정표시장치
USD572210S1 (en) 2006-11-01 2008-07-01 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting diode (LED)
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7897980B2 (en) 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
JP4264558B2 (ja) 2006-11-10 2009-05-20 ソニー株式会社 バックライト装置、バックライト駆動方法及びカラー画像表示装置
JP2008140704A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ledバックライト
KR100930171B1 (ko) 2006-12-05 2009-12-07 삼성전기주식회사 백색 발광장치 및 이를 이용한 백색 광원 모듈
US7723744B2 (en) 2006-12-08 2010-05-25 Evident Technologies, Inc. Light-emitting device having semiconductor nanocrystal complexes
US7902560B2 (en) 2006-12-15 2011-03-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Tunable white point light source using a wavelength converting element
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8013538B2 (en) 2007-01-26 2011-09-06 Integrated Illumination Systems, Inc. TRI-light
US20080204366A1 (en) 2007-02-26 2008-08-28 Kane Paul J Broad color gamut display
JP2008218486A (ja) 2007-02-28 2008-09-18 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US20080212332A1 (en) 2007-03-01 2008-09-04 Medinis David M LED cooling system
US7478922B2 (en) 2007-03-14 2009-01-20 Renaissance Lighting, Inc. Set-point validation for color/intensity settings of light fixtures
JP4970095B2 (ja) 2007-03-19 2012-07-04 富士フイルム株式会社 照明装置及びその発光方法、並びに撮影装置
US7568815B2 (en) 2007-03-26 2009-08-04 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light source having a plurality of white LEDs with different output spectra
JP2008252262A (ja) 2007-03-29 2008-10-16 Nec Electronics Corp 符号化装置及び動画像の変化点検出方法
USD576574S1 (en) 2007-07-17 2008-09-09 Rohm Co., Ltd. Light emitting diode module
TR201806777T4 (tr) * 2007-10-09 2018-06-21 Philips Lighting North America Corp Genel aydınlatma için tümleşikleştirilmiş led-bazlı armatür.
US8098364B2 (en) * 2007-10-19 2012-01-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Exposure apparatus and method for photolithography process
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
JP5212785B2 (ja) 2008-02-22 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 車両用前照灯
US20090231832A1 (en) 2008-03-15 2009-09-17 Arturas Zukauskas Solid-state lamps with complete conversion in phosphors for rendering an enhanced number of colors
JP5624031B2 (ja) 2008-06-25 2014-11-12 クリー インコーポレイテッドCree Inc. 混合光を含むソリッドステート照明デバイス
KR100924912B1 (ko) 2008-07-29 2009-11-03 서울반도체 주식회사 웜화이트 발광장치 및 그것을 포함하는 백라이트 모듈
US8022626B2 (en) 2008-09-16 2011-09-20 Osram Sylvania Inc. Lighting module
JP5327601B2 (ja) 2008-12-12 2013-10-30 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
FI20095567A0 (fi) 2009-05-22 2009-05-22 Ooo Optogan Valonlähteen valmistaminen
KR101081069B1 (ko) 2009-12-21 2011-11-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그를 이용한 라이트 유닛
JP5703561B2 (ja) 2009-12-29 2015-04-22 オムロン株式会社 照明装置および照明装置の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9274343B2 (en) 2012-05-02 2016-03-01 Rockwell Automation Safety Ag Lens carrier and optical module for a light curtain and fabrication method

Also Published As

Publication number Publication date
EP3657558A3 (en) 2020-08-26
CN102132424A (zh) 2011-07-20
US8698171B2 (en) 2014-04-15
CN102132424B (zh) 2016-09-07
US9076940B2 (en) 2015-07-07
US8217412B2 (en) 2012-07-10
US20130341653A1 (en) 2013-12-26
EP2304817B1 (en) 2020-01-08
EP3657558A2 (en) 2020-05-27
KR20110016949A (ko) 2011-02-18
WO2009142675A3 (en) 2010-01-21
TW200950160A (en) 2009-12-01
EP2304817A2 (en) 2011-04-06
US20120241781A1 (en) 2012-09-27
JP6359802B2 (ja) 2018-07-18
CN103022024A (zh) 2013-04-03
US20110012143A1 (en) 2011-01-20
US20090050907A1 (en) 2009-02-26
US7821023B2 (en) 2010-10-26
JP2011521469A (ja) 2011-07-21
JP2013179302A (ja) 2013-09-09
WO2009142675A2 (en) 2009-11-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6359802B2 (ja) 半導体照明部品
US9793247B2 (en) Solid state lighting component
JP5845088B2 (ja) Led部品
EP2301071B1 (en) Light source with near field mixing
EP2591280B1 (en) Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
US10842016B2 (en) Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
JP5964238B2 (ja) 高criで色温度調整可能な照明デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110307

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110307

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120801

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120807

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121107

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121207

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130226

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130327

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5236803

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250