JP5077297B2 - 無線ｉｃデバイス - Google Patents

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Description

本発明は、無線ＩＣデバイス、特に、ＲＦＩＤ(Radio Frequency Identification)システムに用いられる無線ＩＣデバイスに関する。
近年、物品の管理システムとして、誘導電磁界を発生するリーダライタと物品に付された所定の情報を記憶したＩＣタグ（以下、無線ＩＣデバイスと称する）とを非接触方式で通信し、情報を伝達するＲＦＩＤシステムが開発されている。ＲＦＩＤシステムに使用される無線ＩＣデバイスとしては、例えば、特許文献１，２に記載のものが知られている。
即ち、図５９に示すように、プラスチックフィルム３００上にアンテナパターン３０１を設け、該アンテナパターン３０１の一端に無線ＩＣチップ３１０を取り付けたもの、図６０に示すように、プラスチックフィルム３２０上にアンテナパターン３２１と放射用電極３２２とを設け、アンテナパターン３２１の所定箇所に無線ＩＣチップ３１０を取り付けたものが提供されている。
しかしながら、従来の無線ＩＣデバイスにおいては、無線ＩＣチップ３１０をアンテナパターン３０１，３２１にＡｕバンプを用いてＤＣ的に接続、搭載するため、大面積のフィルム３００，３２０に微小な無線ＩＣチップ３１０を位置決めする必要がある。しかし、大面積のフィルム３００，３２０に微小な無線ＩＣチップ３１０を実装することは極めて困難で、実装時に位置ずれを生じるとアンテナにおける共振周波数特性が変化するという問題点を有している。また、アンテナにおける共振周波数特性は、アンテナパターン３０１，３２１が丸められたり、誘電体に挟まれたりする（例えば、書籍のなかに挟み込まれる）ことでも変化する。
特開２００５−１３６５２８号公報 特開２００５−２４４７７８号公報
そこで、本発明の目的は、安定した周波数特性を有し、かつ、信号エネルギーの伝達効率を向上させた無線ＩＣデバイスを提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明の第１の形態である無線ＩＣデバイスは、
無線ＩＣチップと、
前記無線ＩＣチップと接続され、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路と、
前記給電回路が貼着又は近接配置されており、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信信号を受けて前記給電回路に供給する放射板と、
を備え、
前記給電回路はインダクタンス素子を含み、該インダクタンス素子は前記放射板の一部に設けられている開口部と対向する位置に配置されており、
前記給電回路と前記放射板とが前記開口部を抜ける磁束を介して結合していること、
を特徴とする。
本発明の第２の形態である無線ＩＣデバイスは、
無線ＩＣチップと、
前記無線ＩＣチップを搭載し、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路と、
前記給電回路が貼着又は近接配置されており、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信信号を受けて前記給電回路に供給する放射板と、
を備え、
前記給電回路はインダクタンス素子を含み、該インダクタンス素子は前記放射板の一部に設けられている開口部と対向する位置に配置されており、
前記給電回路と前記放射板とが前記開口部を抜ける磁束を介して結合していること、
を特徴とする。
前記無線ＩＣデバイスにおいて、放射板から放射する送信信号の周波数及び無線ＩＣチップに供給する受信信号の周波数は、共振回路の共振周波数で実質的に決まる。実質的に決まるとは、給電回路と放射板の位置関係などで周波数が微少にずれることがあることによる。つまり、給電回路において送受信信号の周波数が決まるため、放射板の形状やサイズ、配置位置などによらず、例えば、無線ＩＣデバイスを丸めたり、誘電体で挟んだりしても周波数特性が変化することがなく、安定した周波数特性が得られる。即ち、送信信号の周波数及び／又は受信信号の周波数は、共振回路の共振周波数に実質的に相当することになる。
また、前記無線ＩＣデバイスにおいて、給電回路に含まれるインダクタンス素子は放射板の一部に設けられている開口部と対向する位置に配置されているため、インダクタンス素子から発生する磁束が放射板を抜けやすくなり、より多くの磁束が放射板を通過する。その結果、信号エネルギーの伝達効率が向上する。
給電回路基板は複数の誘電体層又は磁性体層を積層してなる多層基板であってもよく、この場合、インダクタンス素子は多層基板の内部に形成されることが好ましい。多層基板で構成することにより、共振回路を構成する素子（電極パターンなど）を基板の表面のみならず内部にも形成することができ、基板の小型化を図ることができる。また、共振回路素子のレイアウトの自由度が高くなり、共振回路の高性能化を図ることも可能になる。多層基板は、複数の樹脂層を積層してなる樹脂多層基板であってもよく、あるいは、複数のセラミック層を積層してなるセラミック多層基板であってもよい。また、薄膜形成技術を利用した薄膜多層基板であってもよい。セラミック多層基板である場合、セラミック層は低温焼結セラミック材料で形成することが好ましい。抵抗値の低い銀や銅を共振回路部材として用いることができるからである。
本発明によれば、無線ＩＣチップを配線基板や給電回路基板上に極めて精度よく搭載することができ、また、送信信号や受信信号の周波数は、給電回路にて決められているため、無線ＩＣデバイスを丸めたり、誘電体で挟んだりしても周波数特性が変化することはなく、安定した周波数特性が得られる。また、信号エネルギーの伝達効率が向上する。
本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１実施例を示す斜視図である。 前記第１実施例の断面図である。 前記第１実施例の等価回路図である。 前記第１実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 （Ａ），（Ｂ）ともに無線ＩＣチップと給電回路基板との接続形態を示す斜視図である。 放射板の変形例１を示す斜視図である。 放射板の変形例２を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２実施例を示す平面図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第３実施例を示し、（Ａ）は展開状態の平面図、（Ｂ）は使用時の斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第４実施例を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第５実施例を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第６実施例を示す断面図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第７実施例を示す等価回路図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第８実施例を示す等価回路図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第９実施例を示す等価回路図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１０実施例を示す断面図である。 前記第１０実施例の等価回路図である。 前記第１０実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１１実施例を示す等価回路図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１２実施例を示す等価回路図である。 前記第１２実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１３実施例を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１４実施例を示す断面図である。 前記第１４実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１５実施例を示す等価回路図である。 前記第１５実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１６実施例を示す等価回路図である。 前記第１６実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１７実施例を示す等価回路図である。 前記第１７実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 前記第１７実施例の反射特性を示すグラフである。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１８実施例を示す等価回路図である。 前記第１８実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 前記第１８実施例の無線ＩＣチップを示し、（Ａ）は底面図、（Ｂ）は拡大断面図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第１９実施例を示す等価回路図である。 前記第１９実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２０実施例を示す分解斜視図である。 前記第２０実施例において、無線ＩＣチップを搭載した給電回路基板の底面図である。 前記第２０実施例の側面図である。 前記第２０実施例の変形例を示す側面図である。 図４０に示した変形例での第１形態を示す斜視図である。 図４０に示した変形例での第２形態を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２１実施例を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２２実施例を示す等価回路図である。 前記第２２実施例の給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２３実施例における給電回路基板を示す分解斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２４実施例を示す等価回路図である。 前記第２４実施例の給電回路基板を示す斜視図である。 本発明の第２５実施例を示す等価回路図である。 前記第２５実施例の給電回路基板を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２６実施例を示す等価回路図である。 前記第２６実施例の給電回路基板を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２７実施例を示す等価回路図である。 前記第２７実施例の給電回路基板を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２８実施例を示す断面図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第２９実施例を示す断面図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第３０実施例を示す斜視図である。 本発明に係る無線ＩＣデバイスの第３１実施例を示す斜視図である。 従来の無線ＩＣデバイスの第１例を示す平面図である。 従来の無線ＩＣデバイスの第２例を示す平面図である。
以下、本発明に係る無線ＩＣデバイスの実施例について添付図面を参照して説明する。なお、以下に説明する各実施例において共通する部品、部分は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
（第１実施例、図１〜図７参照）
第１実施例である無線ＩＣデバイス１ａは、モノポールタイプであり、図１及び図２に示すように、無線ＩＣチップ５と、上面に無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１０と、該給電回路基板１０を貼着した放射板２０とで構成されている。無線ＩＣチップ５は、クロック回路、ロジック回路、メモリ回路を含み、必要な情報がメモリされており、給電回路基板１０に内蔵された給電回路１６と直接的にＤＣ接続されている。
給電回路１６は、所定の周波数を有する送信信号を放射板２０に供給するための回路、及び／又は、放射板２０で受けた信号から所定の周波数を有する受信信号を選択し、無線ＩＣチップ５に供給するための回路であり、送受信信号の周波数で共振する共振回路を備えている。
給電回路基板１０には、図２及び図３に示すように、ヘリカル型のインダクタンス素子Ｌ及びキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２からなる集中定数型のＬＣ直列共振回路にて構成した給電回路１６が内蔵されている。詳しくは、図４に示すように、給電回路基板１０は誘電体からなるセラミックシート１１Ａ〜１１Ｇを積層、圧着、焼成したもので、接続用電極１２とビアホール導体１３ａを形成したシート１１Ａ、キャパシタ電極１４ａを形成したシート１１Ｂ、キャパシタ電極１４ｂとビアホール導体１３ｂを形成したシート１１Ｃ、ビアホール導体１３ｃを形成したシート１１Ｄ、導体パターン１５ａとビアホール導体１３ｄを形成したシート１１Ｅ、ビアホール導体１３ｅを形成したシート１１Ｆ（１枚もしくは複数枚）、導体パターン１５ｂを形成したシート１１Ｇからなる。なお、各セラミックシート１１Ａ〜１１Ｇは磁性体のセラミック材料からなるシートであってもよく、給電回路基板１０は従来から用いられているシート積層法、厚膜印刷法などの多層基板の製作工程により容易に得ることができる。
以上のシート１１Ａ〜１１Ｇを積層することにより、ヘリカルの巻回軸が放射板２０と平行なインダクタンス素子Ｌと、該インダクタンス素子Ｌの両端にキャパシタ電極１４ｂが接続され、かつ、キャパシタ電極１４ａがビアホール導体１３ａを介して接続用電極１２に接続されたキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が形成される。そして、基板側電極パターンである接続用電極１２が半田バンプ６を介して無線ＩＣチップ５のチップ側電極パターン（図示せず）とＤＣ接続により接続される。
即ち、給電回路１６を構成する素子のうち、コイル状電極パターンであるインダクタンス素子Ｌから、磁界を介して、放射板２０に送信信号を給電し、また、放射板２０からの受信信号は、磁界を介して、インダクタンス素子Ｌに給電される。そのため、給電回路基板１０において、共振回路を構成するインダクタンス素子Ｌ、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２のうち、インダクタンス素子Ｌが放射板２０に近くなるようにレイアウトすることが望ましい。
放射板２０はアルミ箔や銅箔などの非磁性体からなる長尺体、即ち、両端開放型の金属体であり、ＰＥＴなどの絶縁性のフレキシブルな樹脂フィルム２１上に形成されている。前記給電回路基板１０はその下面が接着剤１８からなる絶縁性接着層を介して放射板２０上に貼着されている。
サイズ的にその一例を示すと、無線ＩＣチップ５の厚さは５０〜１００μｍ、半田バンプ６の厚さは約２０μｍ、給電回路基板１０の厚さは２００〜５００μｍ、接着剤１８の厚さは０．１〜１０μｍ、放射板２０の厚さは１〜５０μｍ、フィルム２１の厚さは１０〜１００μｍである。また、無線ＩＣチップ５のサイズ（面積）は、０．４ｍｍ×０．４ｍｍ、０．９ｍｍ×０．８ｍｍなど多様である。給電回路基板１０のサイズ（面積）は、無線ＩＣチップ５と同じサイズから３ｍｍ×３ｍｍ程度のサイズで構成できる。
図５に無線ＩＣチップ５と給電回路基板１０との接続形態を示す。図５（Ａ）は無線ＩＣチップ５の裏面及び給電回路基板１０の表面に、それぞれ、一対のアンテナ（バランス）端子７ａ，１７ａを設けたものである。図５（Ｂ）は他の接続形態を示し、無線ＩＣチップ５の裏面及び給電回路基板１０の表面に、それぞれ、一対のアンテナ（バランス）端子７ａ，１７ａに加えて、グランド端子７ｂ，１７ｂを設けたものである。但し、給電回路基板１０のグランド端子１７ｂは終端しており、給電回路基板１０の他の素子に接続されているわけではない。
また、図６及び図７に示すように、放射板２０は細長い形状であることが好ましく、給電回路基板１０が貼着される箇所２０'の面積を基板１０よりも大きくすることが好ましい。貼着時の位置精度に厳しさが要求されず、安定した電気的特性が得られる。
図３に無線ＩＣデバイス１ａの等価回路を示す。この無線ＩＣデバイス１ａは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌから、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
なお、給電回路１６と放射板２０との結合は、磁界を介しての結合が主であるが、電界を介しての結合が存在していてもよい（電磁界結合）。
第１実施例である無線ＩＣデバイス１ａにおいて、無線ＩＣチップ５は給電回路１６を内蔵した給電回路基板１０上に直接的にＤＣ接続されており、給電回路基板１０は無線ＩＣチップ５とほぼ同じ面積であり、かつ、リジッドであるため、従来の如く広い面積のフレキシブルなフィルム上に搭載するよりも無線ＩＣチップ５を極めて精度よく位置決めして搭載することが可能である。しかも、給電回路基板１０はセラミック材料からなり、耐熱性を有するため、無線ＩＣチップ５を給電回路基板１０に半田付けすることができる。つまり、従来の如く超音波接合法を用いないため、安価につき、かつ、超音波接合時に加わる圧力で無線ＩＣチップ５が破損するおそれはなく、半田リフローによるセルフアライメント作用を利用することもできる。
また、給電回路１６においては、インダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２で構成された共振回路にて共振周波数特性が決定される。放射板２０から放射される信号の共振周波数は、給電回路１６の自己共振周波数に実質的に相当し、信号の最大利得は、給電回路１６のサイズ、形状、給電回路１６と放射板２０との距離及び媒質の少なくともいずれか一つで実質的に決定される。具体的には、本第１実施例において、放射板２０の電気長は共振周波数λの１／２とされている。但し、放射板２０の電気長はλ／２の整数倍でなくてもよい。即ち、本発明において、放射板２０から放射される信号の周波数は、共振回路（給電回路１６）の共振周波数によって実質的に決まるので、周波数特性に関しては、放射板２０の電気長に実質的に依存しない。放射板２０の電気長がλ／２の整数倍であると、利得が最大になるので好ましい。
以上のごとく、給電回路１６の共振周波数特性は給電回路基板１０に内蔵されているインダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２で構成された共振回路にて決定されるため、無線ＩＣデバイス１ａを書籍の間に挟んだりしても共振周波数特性が変化することはない。また、無線ＩＣデバイス１ａを丸めて放射板２０の形状を変化させたり、放射板２０のサイズを変化させても、共振周波数特性が変化することはない。また、インダクタンス素子Ｌを構成するコイル状電極パターンは、その巻回軸が放射板２０と平行に形成されているため、中心周波数が変動しないという利点を有している。また、無線ＩＣチップ５の後段に、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が挿入されているため、この素子Ｃ１，Ｃ２で低周波数のサージをカットすることができ、無線ＩＣチップ５をサージから保護できる。
さらに、給電回路基板１０はリジッドな多層基板であるために、無線ＩＣチップ５を半田付けする際の取扱いに便利である。しかも、放射板２０はフレキシブルなフィルム２１に保持されたフレキシブルな金属膜によって形成されているため、例えば、プラスチックフィルム製の柔らかい袋やペットボトルのような円柱状体に何ら支障なく貼着することができる。
なお、本発明において、共振回路は無線ＩＣチップのインピーダンスと放射板のインピーダンスを整合させるためのマッチング回路を兼ねていてもよい。あるいは、給電回路基板は、インダクタンス素子やキャパシタンス素子で構成された、共振回路とは別に設けられたマッチング回路をさらに備えていてもよい。共振回路にマッチング回路の機能をも付加しようとすると、共振回路の設計が複雑になる傾向がある。共振回路とは別にマッチング回路を設ければ、共振回路、マッチング回路をそれぞれ独立して設計できる。
（第２実施例、図８参照）
第２実施例である無線ＩＣデバイス１ｂは、図８に示すように、放射板２０を９０度に分岐させたものである。即ち、放射板２０をｘ−ｙ平面内においてｘ軸方向に延在する放射部２０ａとｙ軸方向に延在する放射部２０ｂにて構成し、放射部２０ａの延長線上を給電部２０ｄとし、該給電部２０ｄ上に無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１０が貼着されている。
なお、給電回路基板１０の内部構成は前記第１実施例と同様であり、本第２実施例の作用効果は第１実施例と同様である。さらに、放射部２０ａ，２０ｂがｘ軸方向及びｙ軸方向に延在しているため、円偏波の受信が可能であり、アンテナ利得が向上する。
（第３実施例、図９参照）
第３実施例である無線ＩＣデバイス１ｃは、図９（Ａ），（Ｂ）に示すように、放射板２０をｘ−ｙ−ｚ空間において、ｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向に延在する放射部２０ａ，２０ｂ，２０ｃにて構成し、放射部２０ａの延長線上を給電部２０ｄとし、該給電部２０ｄ上に無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１０が貼着されている。
この無線ＩＣデバイス１ｃは、例えば、箱状物の隅部に貼り付けて使用することができ、放射部２０ａ，２０ｂ，２０ｃが３次元的に延在しているため、アンテナの指向性がなくなり、いずれの方向においても効率のよい送受信が可能になる。さらに、無線ＩＣデバイス１ｃの他の作用効果は前記第１実施例と同様である。
（第４実施例、図１０参照）
第４実施例である無線ＩＣデバイス１ｄは、図１０に示すように、広い面積のフレキシブルな絶縁性を有するプラスチックフィルム２１上に広い面積の放射板２０をアルミ箔などで形成したもので、無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１０が放射板２０の任意の位置に接着されている。
なお、無線ＩＣデバイス１ｄの他の構成、即ち、給電回路基板１０の内部構成は前記第１実施例と同様である。従って、本第４実施例の作用効果は基本的に第１実施例と同様であり、さらに、給電回路基板１０の接着位置にそれほど高い精度が要求されない利点を有している。
（第５実施例、図１１参照）
第５実施例である無線ＩＣデバイス１ｅは、図１１に示すように、アルミ箔などで形成した広い面積の放射板２０をメッシュ状としたものである。メッシュは放射板２０の全面に形成されていてもよく、あるいは、部分的に形成されていてもよい。
その他の構成は前記第４実施例と同様であり、給電回路基板１０の接着位置に高精度が要求されない利点に加えて、コイル状電極パターンの磁束がメッシュの開口部を抜けるので給電回路基板１０から発生する磁束の変化（減少）が少なくなり、より多くの磁束が放射板２０を通過できるようになる。従って、信号エネルギーの伝達効率を向上させることができるとともに、貼り合わせによる周波数のずれを少なくできる。
（第６実施例、図１２参照）
第６実施例である無線ＩＣデバイス１ｆは、図１２に示すように、フィルム２１上の給電回路基板１０との接合面を含めてそれ以外の面（ここでは全面）に放射板２０を介して接着剤１８が塗布されている。この接着剤１８にて無線ＩＣデバイス１ｆを物品の任意の部分に貼着可能である。
なお、無線ＩＣデバイス１ｆの他の構成、即ち、給電回路基板１０の内部構成は前記第１実施例と同様である。従って、本第６実施例の作用効果は基本的に第１実施例と同様である。
（第７実施例、図１３参照）
第７実施例である無線ＩＣデバイス１ｇは、図１３に等価回路として示すように、給電回路基板１０に給電回路１６としてコイル状電極パターンからなるインダクタンス素子Ｌを内蔵したものである。ＬＣ並列共振回路を構成するキャパシタンス素子Ｃはインダクタンス素子Ｌの導体パターン間の浮遊容量（分布定数型の容量）として形成される。
即ち、一つのコイル状電極パターンであっても自己共振を持っていれば、コイル状電極パターン自身のＬ成分と線間浮遊容量であるＣ成分とでＬＣ並列共振回路として作用し、給電回路１６を構成することができる。従って、この無線ＩＣデバイス１ｇは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子ＣからなるＬＣ並列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌから、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第８実施例、図１４参照）
第８実施例である無線ＩＣデバイス１ｈは、図１４に等価回路として示すように、ダイポールタイプの給電回路１６及び放射板２０を備えたデバイスであり、給電回路基板に二つのＬＣ並列共振回路からなる給電回路１６を内蔵している。インダクタンス素子Ｌ１及びキャパシタンス素子Ｃ１は無線ＩＣチップ５の第１ポート側に接続され、インダクタンス素子Ｌ２及びキャパシタンス素子Ｃ２は無線ＩＣチップ５の第２ポート側に接続され、それぞれ、放射板２０，２０と対向している。インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１の端部は開放端とされている。なお、第１ポートと第２ポートは差動回路のＩ／Ｏを構成している。
本第８実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｈは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１からなるＬＣ並列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ並列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第９実施例、図１５参照）
第９実施例である無線ＩＣデバイス１ｉは、図１５に等価回路として示すように、ダイポールタイプの給電回路１６及び放射板２０を備えたデバイスであり、給電回路基板に二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６を内蔵している。各インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２は放射板２０，２０と対向し、各キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２はグランドに接続される。
本第９実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｉは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１からなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第１０実施例、図１６〜図１８参照）
第１０実施例である無線ＩＣデバイス１ｊは、図１６に示すように、モノポールタイプであり、給電回路基板１０に内蔵したインダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子ＣとでＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６を構成したものである。図１７に示すように、インダクタンス素子Ｌを構成するコイル状電極パターンは、その巻回軸が放射板２０と垂直に形成され、給電回路１６は放射板２０と主として磁気的に結合している。
給電回路基板１０は、詳しくは、図１８に示すように、誘電体からなるセラミックシート３１Ａ〜３１Ｆを積層、圧着、焼成したもので、接続用電極３２とビアホール導体３３ａを形成したシート３１Ａ、キャパシタ電極３４ａとビアホール導体３３ｂを形成したシート３１Ｂ、キャパシタ電極３４ｂとビアホール導体３３ｃ，３３ｂを形成したシート３１Ｃ、導体パターン３５ａとビアホール導体３３ｄ，３３ｂを形成したシート３１Ｄ（１枚もしくは複数枚）、導体パターン３５ｂとビアホール導体３３ｅ，３３ｂを形成したシート３１Ｅ（１枚もしくは複数枚）、導体パターン３５ｃを形成したシート３１Ｆからなる。
以上のシート３１Ａ〜３１Ｆを積層することにより、ヘリカルの巻回軸が放射板２０と垂直なインダクタンス素子Ｌに対して直列にキャパシタンス素子Ｃが接続されたＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６が得られる。キャパシタ電極３４ａはビアホール導体３３ａを介して接続用電極３２に接続され、さらに半田バンプ６を介して無線ＩＣチップ５と接続され、インダクタンス素子Ｌの一端はビアホール導体３３ｂを介して接続用電極３２に接続され、さらに半田バンプ６を介して無線ＩＣチップ５と接続される。
本第１０実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｊは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子ＣからなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌから、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
特に、本第１０実施例においては、コイル状電極パターンはその巻回軸が放射板２０と垂直に形成されているため、放射板２０への磁束成分が増加して信号エネルギーの伝達効率が向上し、利得が大きいという利点を有している。
（第１１実施例、図１９参照）
第１１実施例である無線ＩＣデバイス１ｋは、図１９に等価回路として示すように、前記第１０実施例で示したインダクタンス素子Ｌのコイル状電極パターンの巻回幅（コイル径）を放射板２０に向かって徐々に大きく形成したものである。他の構成は前記第１０実施例と同様である。
本第１１実施例は前記第１０実施例と同様の作用効果を奏し、加えて、インダクタンス素子Ｌのコイル状電極パターンの巻回幅（コイル径）が放射板２０に向かって徐々に大きく形成されているため、信号の伝達効率が向上する。
（第１２実施例、図２０及び図２１参照）
第１２実施例である無線ＩＣデバイス１ｌは、図２０に等価回路として示すように、ダイポールタイプであり、給電回路基板１０に二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６を内蔵したものである。
給電回路基板１０は、詳しくは、図２１に示すように、誘電体からなるセラミックシート４１Ａ〜４１Ｆを積層、圧着、焼成したもので、接続用電極４２とビアホール導体４３ａを形成したシート４１Ａ、キャパシタ電極４４ａを形成したシート４１Ｂ、キャパシタ電極４４ｂとビアホール導体４３ｂを形成したシート４１Ｃ、導体パターン４５ａとビアホール導体４３ｃを形成したシート４１Ｄ（１枚もしくは複数枚）、導体パターン４５ｂとビアホール導体４３ｄを形成したシート４１Ｅ（１枚もしくは複数枚）、導体パターン４５ｃを形成したシート４１Ｆからなる。
以上のシート４１Ａ〜４１Ｆを積層することにより、ヘリカルの巻回軸が放射板２０と垂直なインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２に対して直列にキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が接続された二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６が得られる。キャパシタ電極４４ａはビアホール導体４３ａを介して接続用電極４２に接続され、さらに半田バンプを介して無線ＩＣチップ５と接続される。
本第１２実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｌは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１からなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
また、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が無線ＩＣチップ５の後段であって、無線ＩＣチップ５とインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２との間に配置されているため、耐サージ性が向上する。サージは２００ＭＨｚまでの低周波電流であるためにキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２によってカットすることができ、無線ＩＣチップ５のサージ破壊が防止されることになる。
なお、本第１２実施例では、キャパシタンス素子Ｃ１とインダクタンス素子Ｌ１からなる共振回路とキャパシタンス素子Ｃ２とインダクタンス素子Ｌ２からなる共振回路は互いに結合しているわけではない。
（第１３実施例、図２２参照）
第１３実施例である無線ＩＣデバイス１ｍは、図２２に示すように、セラミックあるいは耐熱性樹脂からなるリジッドな単層の給電回路基板５０の表面にコイル状電極パターン、即ち、スパイラル型のインダクタンス素子からなる給電回路５６を設けたものである。給電回路５６の両端部は無線ＩＣチップ５と半田バンプを介して直接的に接続され、給電回路基板５０は放射板２０を保持するフィルム２１上に接着剤にて貼着されている。また、給電回路５６を構成する互いに交差する導体パターン５６ａと導体パターン５６ｂ，５６ｃは図示しない絶縁膜によって隔てられている。
本第１３実施例における給電回路５６は、スパイラルに巻かれた導体パターン間に形成される浮遊容量をキャパシタンス成分として利用したＬＣ並列共振回路を構成している。また、給電回路基板５０は誘電体又は磁性体からなる単層基板である。
本第１３実施例である無線ＩＣデバイス１ｍにおいては、給電回路５６は放射板２０と主として磁気的に結合されている。従って、前記各実施例と同様に、リーダライタから放射される高周波信号を放射板２０で受信し、給電回路５６を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路５６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路５６のインダクタンス素子から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
そして、無線ＩＣチップ５はリジッドで小さな面積の給電回路基板５０上に設けられている点で前記第１実施例と同様に、位置決め精度が良好であり、給電回路基板５０と半田バンプによって接続することが可能である。
（第１４実施例、図２３及び図２４参照）
第１４実施例である無線ＩＣデバイス１ｎは、図２３に示すように、給電回路５６のコイル状電極パターンを給電回路基板５０に内蔵したものである。給電回路基板５０は、図２４に示すように、誘電体からなるセラミックシート５１Ａ〜５１Ｄを積層、圧着、焼成したもので、接続用電極５２とビアホール導体５３ａを形成したシート５１Ａ、導体パターン５４ａとビアホール導体５３ｂ，５３ｃを形成したシート５１Ｂ、導体パターン５４ｂを形成したシート５１Ｃ、無地のシート５１Ｄ（複数枚）からなる。
以上のシート５１Ａ〜５１Ｄを積層することによりコイル状電極パターンにおいて、スパイラル状に巻かれたインダクタンス素子とスパイラル状導体の線間の浮遊容量で形成されたキャパシタンス成分とで構成された共振回路を含む給電回路５６を内蔵した給電回路基板５０が得られる。そして、給電回路５６の両端に位置する接続用電極５２が半田バンプ６を介して無線ＩＣチップ５に接続される。本第１４実施例の作用効果は前記第１３実施例と同様である。
（第１５実施例、図２５及び図２６参照）
第１５実施例である無線ＩＣデバイス１ｏは、図２５に等価回路として示すように、無線ＩＣチップ５と給電回路基板１０とを容量結合したものであり、給電回路基板１０と放射板２０とはＤＣ接続により接続されている。給電回路基板１０には、二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６を内蔵している。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２はその巻回軸が放射板２０と垂直に位置し、一端はキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２を構成するキャパシタ電極６５ａ，６５ｂ（図２６参照）に接続され、他端は基板１０の底面側表面に設けられた接続用電極６２により互いに直結されている。また、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２を構成するキャパシタ電極６６ａ，６６ｂ（図２６参照）は無線ＩＣチップ５の裏面に形成されている。
給電回路基板１０は、詳しくは、図２６に示すように、誘電体からなるセラミックシート６１Ａ〜６１Ｇを積層、圧着、焼成したもので、接続用電極６２とビアホール導体６３ａ，６３ｂを形成したシート６１Ａ、導体パターン６４ａ，６４ｂとビアホール導体６３ｃ，６３ｄを形成したシート６１Ｂ〜６１Ｆ、キャパシタ電極６５ａ，６５ｂを形成したシート６１Ｇからなる。
以上のシート６１Ａ〜６１Ｇを積層することにより、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２に対して直列にキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が接続された二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６が得られる。
即ち、キャパシタンス素子Ｃ１はチップ側電極パターンである電極６６ａと基板側電極パターンである電極６５ａとの互いに平行な平面電極パターンの間に形成されている。キャパシタンス素子Ｃ２はチップ側電極パターンである電極６６ｂと基板側電極パターンである電極６５ｂとの互いに平行な平面電極パターンの間に形成されている。無線ＩＣチップ５は給電回路基板１０に対して絶縁性接着層で貼り付けられており、この絶縁性接着層を介して接合されている。また、給電回路基板１０は第２基板側電極パターンである接続用電極６２を介して放射板２０とＤＣ接続されている。ここで、給電回路基板１０の接続用電極６２と放射板２０とは半田、導電性接着剤などで接合すればよい。
本第１５実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｏは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０とＤＣ接続している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１からなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６とＤＣ接続されている放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。給電回路１６と無線ＩＣチップ５はキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２によって容量結合され、電力、送受信信号が伝送される。
ところで、給電回路基板１０に形成したキャパシタ電極６５ａ，６５ｂの面積は無線ＩＣチップ５に形成したキャパシタ電極６６ａ，６６ｂの面積よりも大きくされている。無線ＩＣチップ５を給電回路基板１０に搭載するときの位置精度が多少ばらついても、キャパシタ電極６５ａ，６６ａ及び６５ｂ，６６ｂの間に形成される容量のばらつきが緩和される。また、無線ＩＣチップ５の後段にキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が挿入されているため、耐サージ性能が向上する。
（第１６実施例、図２７及び図２８参照）
第１６実施例である無線ＩＣデバイス１ｐは、図２７に等価回路として示すように、給電回路基板１０と放射板２０とを容量結合したものである。給電回路基板１０には、二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６を内蔵している。インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の一端は無線ＩＣチップ５に接続され、他端は基板１０の表面に設けられたキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２を構成するキャパシタ電極７２ａ，７２ｂ（図２８参照）に接続されている。また、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２を構成するいま一つのキャパシタ電極は放射板２０の端部２０ａ，２０ｂが担っている。
給電回路基板１０は、詳しくは、図２８に示すように、誘電体からなるセラミックシート７１Ａ〜７１Ｆを積層、圧着、焼成したもので、キャパシタ電極７２ａ，７２ｂとビアホール導体７３ａ，７３ｂを形成したシート７１Ａ、導体パターン７４ａ，７４ｂとビアホール導体７３ｃ，７３ｄを形成したシート７１Ｂ〜７１Ｅ、一面に導体パターン７４ａ，７４ｂを形成し、他面に接続用電極７５ａ，７５ｂを形成してビアホール導体７３ｅ，７３ｆで接続したシート７１Ｆからなる。
以上のシート７１Ａ〜７１Ｆを積層することにより、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２に対して直列にキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が接続された二つのＬＣ直列共振回路からなる給電回路１６が得られる。給電回路基板１０が放射板２０に接着剤で貼り付けられることにより、絶縁性接着層を介して、放射板２０に対して平行に配置された平面電極パターンであるキャパシタ電極７２ａ，７２ｂが放射板２０の端部２０ａ，２０ｂと対向して、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２を形成する。また、接続用電極７５ａ，７５ｂが半田バンプを介して無線ＩＣチップ５と接続されることにより、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の一端が無線ＩＣチップ５に接続され、無線ＩＣチップ５と給電回路基板１０とはＤＣ接続されることになる。
なお、接着剤が、例えば、誘電体粉末を含んでいると、接着層が誘電体としての性質を持つようになり、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２の容量を大きくすることができる。また、第２基板側電極パターンであるキャパシタ電極７２ａ，７２ｂは、本第１６実施例では給電回路基板１０の裏面側表面に形成したが、給電回路基板１０の内部（但し、放射板２０に近い側）に形成してもよい。また、キャパシタ電極７２ａ，７２ｂは基板１０の内層に設けられていてもよい。
本第１６実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｐは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と容量結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１からなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２による容量結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第１７実施例、図２９〜図３１参照）
第１７実施例である無線ＩＣデバイス１ｑは、図２９に等価回路として示すように、給電回路１６が互いに磁気結合するインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を備え、インダクタンス素子Ｌ１はキャパシタンス素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂを介して無線ＩＣチップ５と接続され、かつ、インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２ａ，Ｃ２ｂを介して並列に接続されている。換言すれば、給電回路１６は、インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂとからなるＬＣ直列共振回路と、インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２ａ，Ｃ２ｂとからなるＬＣ直列共振回路を含んで構成されており、各共振回路は図２９でＭで示される磁界結合によって結合されている。そして、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の双方が放射板２０と磁気的に結合している。
給電回路基板１０は、詳しくは、図３０に示すように、誘電体からなるセラミックシート８１Ａ〜８１Ｈを積層、圧着、焼成したもので、無地のシート８１Ａ、導体パターン８２ａ，８２ｂとビアホール導体８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂを形成したシート８１Ｂ、導体パターン８２ａ，８２ｂとビアホール導体８３ｃ，８４ｃ，８３ｅ，８４ｅを形成したシート８１Ｃ、導体パターン８２ａ，８２ｂとビアホール導体８３ｄ，８４ｄ，８３ｅ，８４ｅを形成したシート８１Ｄ、キャパシタ電極８５ａ，８５ｂとビアホール導体８３ｅを形成したシート８１Ｅ、キャパシタ電極８６ａ，８６ｂを形成したシート８１Ｆ、無地のシート８１Ｇ、裏面にキャパシタ電極８７ａ，８７ｂを形成したシート８１Ｈからなる。
以上のシート８１Ａ〜８１Ｈを積層することにより、導体パターン８２ａがビアホール導体８３ｂ，８３ｃを介して接続されてインダクタンス素子Ｌ１が形成され、導体パターン８２ｂがビアホール導体８４ｂ，８４ｃを介して接続されてインダクタンス素子Ｌ２が形成される。キャパシタ電極８６ａ，８７ａにてキャパシタンス素子Ｃ１ａが形成され、キャパシタ電極８６ａはビアホール導体８３ｅを介してインダクタンス素子Ｌ１の一端に接続されている。キャパシタ電極８６ｂ，８７ｂにてキャパシタンス素子Ｃ１ｂが形成され、キャパシタ電極８６ｂはビアホール導体８３ｄを介してインダクタンス素子Ｌ１の他端に接続されている。さらに、キャパシタ電極８５ａ，８６ａにてキャパシタンス素子Ｃ２ａが形成され、キャパシタ電極８５ａはビアホール導体８４ｅを介してインダクタンス素子Ｌ２の一端に接続されている。キャパシタ電極８５ｂ，８６ｂにてキャパシタンス素子Ｃ２ｂが形成され、キャパシタ電極８５ｂはビアホール導体８４ｄを介してインダクタンス素子Ｌ２の他端に接続されている。
本第１７実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｑは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂからなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２ａ，Ｃ２ｂからなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
特に、本第１７実施例では、図３１に示すように、帯域幅Ｘ（−５ｄＢの帯域幅）が１５０ＭＨｚ以上の非常に広い周波数帯域を実現する。これは、給電回路１６を互いに高い結合度をもって磁気結合するインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を含む複数のＬＣ共振回路にて構成したことに起因する。また、無線ＩＣチップ５の後段にキャパシタンス素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂが挿入されているため、耐サージ性能が向上する。
（第１８実施例、図３２〜図３４参照）
第１８実施例である無線ＩＣデバイス１ｒは、図３２に等価回路として示すように、給電回路１６が互いに高い結合度をもって磁気結合するインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を備えている。インダクタンス素子Ｌ１は無線ＩＣチップ５に設けたインダクタンス素子Ｌ５と磁気結合し、インダクタンス素子Ｌ２はキャパシタンス素子Ｃ２とでＬＣ直列共振回路を形成している。また、キャパシタンス素子Ｃ１は放射板２０と容量結合し、キャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２の間にいま一つのキャパシタンス素子Ｃ３が挿入されている。
給電回路基板１０は、詳しくは、図３３に示すように、誘電体からなるセラミックシート９１Ａ〜９１Ｅを積層、圧着、焼成したもので、導体パターン９２ａ，９２ｂとビアホール導体９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂを形成したシート９１Ａ、キャパシタ電極９５とビアホール導体９３ｃ，９３ｄ，９４ｃを形成したシート９１Ｂ、キャパシタ電極９６とビアホール導体９３ｃ，９３ｄを形成したシート９１Ｃ、キャパシタ電極９７とビアホール導体９３ｃを形成したシート９１Ｄ、キャパシタ電極９８を形成したシート９１Ｅからなる。
これらのシート９１Ａ〜９１Ｅを積層することにより、導体パターン９２ａにてインダクタンス素子Ｌ１が形成され、導体パターン９２ｂにてインダクタンス素子Ｌ２が形成される。キャパシタ電極９７，９８にてキャパシタンス素子Ｃ１が形成され、インダクタンス素子Ｌ１の一端はビアホール導体９３ａ，９３ｃを介してキャパシタ電極９８に接続され、他端はビアホール導体９３ｂ，９３ｄを介してキャパシタ電極９７に接続されている。キャパシタ電極９５，９６にてキャパシタンス素子Ｃ２が形成され、インダクタンス素子Ｌ２の一端はビアホール導体９４ａ，９４ｃを介してキャパシタ電極９６に接続され、他端はビアホール導体９４ｂを介してキャパシタ電極９５に接続されている。さらに、キャパシタ電極９６，９７にてキャパシタンス素子Ｃ３が形成される。
また、図３４に示すように、無線ＩＣチップ５の裏面側にはチップ側電極パターンとしてのコイル状電極パターン９９が設けられ、該コイル状電極パターン９９にてインダクタンス素子Ｌ５が形成されている。なお、コイル状電極パターン９９の表面には樹脂などによる保護膜が設けられている。これによって、基板側電極パターンであるコイル状電極パターンで形成されたインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２とコイル状電極パターン９９とが磁気結合する。
本第１８実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｒは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と容量結合及び磁気結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、容量結合及び磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。給電回路１６と無線ＩＣチップ５はインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ５によって磁気結合され、電力、送受信信号が伝送される。
（第１９実施例、図３５及び図３６参照）
第１９実施例である無線ＩＣデバイス１ｓは、図３５に等価回路として示すように、給電回路１６が互いに高い結合度をもって磁気結合するインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を備えている。インダクタンス素子Ｌ１は無線ＩＣチップ５に設けたインダクタンス素子Ｌ５と磁気結合し、インダクタンス素子Ｌ２はキャパシタンス素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂとでＬＣ直列共振回路を形成し、インダクタンス素子Ｌ３はキャパシタンス素子Ｃ２ａ，Ｃ２ｂとでＬＣ直列共振回路を形成している。また、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３はそれぞれ放射板２０と磁気結合している。
給電回路基板１０は、詳しくは、図３６に示すように、誘電体からなるセラミックシート１０１Ａ〜１０１Ｅを積層、圧着、焼成したもので、導体パターン１０２ａとビアホール導体１０３ａ，１０３ｂを形成したシート１０１Ａ、キャパシタ電極１０４ａ，１０４ｂを形成したシート１０１Ｂ、キャパシタ電極１０５ａ，１０５ｂとビアホール導体１０３ｃ，１０３ｄを形成したシート１０１Ｃ、キャパシタ電極１０６ａ，１０６ｂとビアホール導体１０３ｃ，１０３ｄ，１０３ｅ，１０３ｆを形成したシート１０１Ｄ、導体パターン１０２ｂ，１０２ｃを形成したシート１０１Ｅからなる。即ち、インダクタンス素子Ｌ１による磁束がインダクタンス素子Ｌ２，Ｌ３、さらには、放射板２０に到達するように、キャパシタンス素子を構成する電極１０４ａ，１０５ａ，１０６ａと電極１０４ｂ，１０５ｂ，１０６ｂとの間にスペースが空けられている。
これらのシート１０１Ａ〜１０１Ｅを積層することにより、導体パターン１０２ａにてインダクタンス素子Ｌ１が形成され、導体パターン１０２ｂにてインダクタンス素子Ｌ２が形成され、導体パターン１０２ｃにてインダクタンス素子Ｌ３が形成される。キャパシタ電極１０４ａ，１０５ａにてキャパシタンス素子Ｃ１ａが形成され、キャパシタ電極１０４ｂ，１０５ｂにてキャパシタンス素子Ｃ１ｂが形成される。また、キャパシタ電極１０５ａ，１０６ａにてキャパシタンス素子Ｃ２ａが形成され、キャパシタ電極１０５ｂ，１０６ｂにてキャパシタンス素子Ｃ２ｂが形成される。
インダクタンス素子Ｌ１の一端はビアホール導体１０３ａを介してキャパシタ電極１０４ａに接続され、他端はビアホール導体１０３ｂを介してキャパシタ電極１０４ｂに接続されている。インダクタンス素子Ｌ２の一端はビアホール導体１０３ｃを介してキャパシタ電極１０５ａに接続され、他端はビアホール導体１０３ｆを介してキャパシタ電極１０６ｂに接続されている。インダクタンス素子Ｌ３の一端はビアホール導体１０３ｅを介してキャパシタ電極１０６ａに接続され、他端はビアホール導体１０３ｄを介してキャパシタ電極１０５ｂに接続されている。
また、図３４に示したように、無線ＩＣチップ５の裏面側にはチップ側電極パターンとしてのコイル状電極パターン９９が設けられ、該コイル状電極パターン９９にてインダクタンス素子Ｌ５が形成されている。なお、コイル状電極パターン９９の表面には樹脂などによる保護膜が設けられている。これによって、基板側電極パターンであるコイル状電極パターンで形成されたインダクタンス素子Ｌ１とコイル状電極パターン９９とが磁気結合する。
本第１９実施例の作用効果は基本的に前記第１７実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｓは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と磁気結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ１ａ，Ｃ１ｂからなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ３とキャパシタンス素子Ｃ２ａ，Ｃ２ｂからなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。給電回路１６と無線ＩＣチップ５はインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ５によって磁気結合され、電力、送受信信号が伝送される。
特に、本第１９実施例では、給電回路１６を互いに磁気結合するインダクタンス素子Ｌ２，Ｌ３を含む複数のＬＣ共振回路にて構成したため、前記第１７実施例と同様に周波数帯域が広くなる。
（第２０実施例、図３７〜図４２参照）
第２０実施例である無線ＩＣデバイス１ｔは、給電回路基板１１０を単層基板で構成したものであり、その等価回路は図３と同様である。即ち、給電回路１６はインダクタンス素子Ｌの両端にキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が接続されたＬＣ直列共振回路にて構成されている。給電回路基板１１０は、誘電体からなるセラミック基板であり、図３７に示すように、表面にはキャパシタ電極１１１ａ，１１１ｂが形成され、裏面にはキャパシタ電極１１２ａ，１１２ｂと導体パターン１１３が形成されている。キャパシタ電極１１１ａ，１１２ａにてキャパシタンス素子Ｃ１が形成され、キャパシタ電極１１１ｂ，１１２ｂにてキャパシタンス素子Ｃ２が形成される。
本第２０実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｔは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と磁気結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌから、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
特に、本第２０実施例においては、図３８及び図３９に示すように、インダクタンス素子Ｌは無線ＩＣチップ５に対して平面視で部分的にしか重ならないように配置されている。これにて、インダクタンス素子Ｌで発生する磁束のほとんどが無線ＩＣチップ５に遮られることがなく、磁束の立ち上がりが良好になる。
また、本第２０実施例においては、図４０に示すように、無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１１０を放射板２０，２０にて表裏で挟み込んでもよい。給電回路１６と放射板２０，２０との磁気結合効率が向上し、利得が改善される。
放射板２０，２０を給電回路基板１１０の表裏面に配置する形態としては、図４１に示すように、ｘ軸上に一直線上に配置してもよく、あるいは、図４２に示すように、ｘ軸、ｙ軸上に配置してもよい。
（第２１実施例、図４３参照）
第２１実施例である無線ＩＣデバイス１ｕは、インダクタンス素子Ｌをミアンダ状のライン電極パターンで形成したものであり、その等価回路は図３と同様である。即ち、給電回路１６はインダクタンス素子Ｌの両端にキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２が接続されたＬＣ直列共振回路にて構成されている。給電回路基板１１０は、誘電体からなるセラミックの単層基板であり、図４３に示すように、表面にはキャパシタ電極１２１ａ，１２１ｂが形成され、裏面にはキャパシタ電極１２２ａ，１２２ｂとミアンダ状の導体パターン１２３が形成されている。キャパシタ電極１２１ａ，１２２ａにてキャパシタンス素子Ｃ１が形成され、キャパシタ電極１２１ｂ，１２２ｂにてキャパシタンス素子Ｃ２が形成される。
本第２１実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｕは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と磁気結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌとキャパシタンス素子Ｃ１，Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌから、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
特に、本第２１実施例においては、インダクタンス素子Ｌをミアンダ状の導体パターン１２３で構成しているため、高周波信号の送受信に効果的である。
なお、前記第２０実施例及び本第２１実施例においては、給電回路基板１１０を多層基板で構成することも可能である。
（第２２実施例、図４４及び図４５参照）
第２２実施例である無線ＩＣデバイス１ｖは、図４４に等価回路として示すように、給電回路１６が互いに磁気結合（符号Ｍで示す）するインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２を備え、インダクタンス素子Ｌ１は一端がキャパシタンス素子Ｃ１及び接続用電極１３１ａを介して無線ＩＣチップ５と接続されるとともに、キャパシタンス素子Ｃ２を介してインダクタンス素子Ｌ２の一端と接続されている。また、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の他端はそれぞれ接続用電極１３１ｂを介して無線ＩＣチップ５と接続されている。換言すれば、給電回路１６は、インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１とからなるＬＣ直列共振回路と、インダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２とからなるＬＣ直列共振回路を含んで構成されており、インダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２の双方が放射板２０と磁気的に結合している。
給電回路基板１０は図４５に示すように構成されている。接続用電極１３１ａはビアホール導体１３２ａを介してキャパシタ電極１３３と接続され、キャパシタ電極１３３はキャパシタ電極１３４と対向してキャパシタンス素子Ｃ１を形成している。さらに、キャパシタ電極１３４はキャパシタ電極１３５と対向してキャパシタンス素子Ｃ２を形成している。接続用電極１３１ｂはビアホール導体１３２ｂを介して二股状に分岐した導体パターン１３６ａ，１３７ａと接続され、導体パターン１３６ａはビアホール導体１３２ｃを介して導体パターン１３６ｂと接続され、さらに、ビアホール導体１３２ｄを介して導体パターン１３６ｃと接続され、さらに、ビアホール導体１３２ｅを介して導体パターン１３６ｄと接続され、この導体パターン１３６ｄはビアホール導体１３２ｆを介してキャパシタ電極１３４と接続されている。
一方、導体パターン１３７ａはビアホール導体１３２ｇを介して導体パターン１３７ｂと接続され、さらに、ビアホール導体１３２ｈを介して導体パターン１３７ｃと接続され、さらに、ビアホール導体１３２ｉを介してキャパシタ電極１３５と接続されている。導体パターン１３６ａ，１３６ｂ，１３６ｃはインダクタンス素子Ｌ１を構成し、導体パターン１３７ａ，１３７ｂ，１３７ｃはインダクタンス素子Ｌ２を構成している。なお、図４５において誘電体からなるセラミックシートは図示を省略している。
本第２２実施例の作用効果は基本的に前記第１実施例と同様である。即ち、この無線ＩＣデバイス１ｖは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号（例えば、ＵＨＦ周波数帯）を放射板２０で受信し、放射板２０と主として磁気的に結合している給電回路１６（インダクタンス素子Ｌ１とキャパシタンス素子Ｃ１からなるＬＣ直列共振回路及びインダクタンス素子Ｌ２とキャパシタンス素子Ｃ２からなるＬＣ直列共振回路）を共振させ、所定の周波数帯の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６にて所定の周波数に整合させた後、給電回路１６のインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２から、磁界結合を介して放射板２０に送信信号を伝え、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
特に、本第２２実施例では、キャパシタ電極１３３，１３４，１３５及びインダクタ導体パターン１３６ａ〜１３６ｃ，１３７ａ〜１３７ｃは放射板２０に対して平行に配置されている。それゆえ、インダクタ導体パターン１３６ａ〜１３６ｃ，１３７ａ〜１３７ｃによって形成される磁界がキャパシタ電極１３３，１３４，１３５によって遮られることがなく、インダクタ導体パターン１３６ａ〜１３６ｃ，１３７ａ〜１３７ｃからの放射特性が向上する。
（第２３実施例、図４６参照）
第２３実施例である無線ＩＣデバイスは、図４４に示した等価回路を有する給電回路１６を備えた給電回路基板１０にて構成されている。この給電回路基板１０は、図４６に示すように、図４５に示した給電回路基板１０と基本的に同様の構成を有し、さらに、インダクタ導体パターン１３６ａ〜１３６ｃ，１３７ａ〜１３７ｃによって磁界が形成される部分に、反射器（反射パターン）１３８及び導波器（導波パターン）１３９を設けたものである。反射器１３８や導波器１３９は給電回路１６から放射板２０への放射特性や指向性を容易に調整することができ、外部からの電磁気的な影響を極力排除して共振特性の安定化を図ることができる。本第２３実施例の作用効果は前記第２２実施例と同様である。
（第２４実施例、図４７及び図４８参照）
第２４実施例である無線ＩＣデバイス１ｗは、給電回路１５０を逆Ｆアンテナ構成で形成した分布定数型共振回路によって形成したものであり、図４７に示す等価回路を有している。詳しくは、図４８に示すように、セラミックの多層基板からなる給電回路基板１４０は、第１面１４０ａに設けたハイ側電極１５１と内蔵されたキャパシタ電極１５２と第２面１４０ｂに設けたロー側電極１５３とを備えている。ハイ側電極１５１は放射板２０と磁界結合及び容量結合により電気的に接続されるとともに、給電ピン１５４にて無線ＩＣチップ５のハイ側端子に接続されている。ロー側電極１５３は無線ＩＣチップ５のロー側端子に接続され、かつ、短絡ピン１５５を介してハイ側電極１５１に接続されている。キャパシタ電極１５２はハイ側電極１５１と対向して容量を形成し、短絡ピン１５６を介してロー側電極１５３に接続されている。
この無線ＩＣデバイス１ｗは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号を放射板２０で受信し、放射板２０と磁界結合及び容量結合している給電回路１５０を共振させ、所定の周波数の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１５０にて所定の周波数に整合させた後、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第２５実施例、図４９及び図５０参照）
第２５実施例である無線ＩＣデバイス１ｘは、給電回路１６０を逆Ｆアンテナ構成で形成した分布定数型共振回路によって形成したものであり、図４９に示す等価回路を有している。詳しくは、図５０に示すように、セラミックの多層基板からなる給電回路基板１４０は、第１面１４０ａに設けたハイ側電極１６１と第２面１４０ｂに設けたロー側電極１６２とを備えている。ハイ側電極１６１は放射板２０と磁界結合及び容量結合により電気的に接続されるとともに、給電ピン１６３にて無線ＩＣチップ５のハイ側端子に接続されている。ロー側電極１６２は無線ＩＣチップ５のロー側端子に接続され、かつ、短絡ピン１６４を介してハイ側電極１６１に接続されている。
この無線ＩＣデバイス１ｘは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号を放射板２０で受信し、放射板２０と磁界結合及び容量結合している給電回路１６０を共振させ、所定の周波数の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１６０にて所定の周波数に整合させた後、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第２６実施例、図５１及び図５２参照）
第２６実施例である無線ＩＣデバイス１ｙは、給電回路１７０を逆Ｌアンテナ構成で形成した分布定数型共振回路によって形成したものであり、図５１に示す等価回路を有している。詳しくは、図５２に示すように、セラミックの多層基板からなる給電回路基板１４０は、第１面１４０ａに設けたハイ側電極１７１と第２面１４０ｂに設けたロー側電極１７２とを備えている。ハイ側電極１７１は放射板２０と磁界結合及び容量結合により電気的に接続されるとともに、給電ピン１７３にて無線ＩＣチップ５のハイ側端子に接続されている。ロー側電極１７２は無線ＩＣチップ５のロー側端子に接続されている。
この無線ＩＣデバイス１ｙは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号を放射板２０で受信し、放射板２０と磁界結合及び容量結合している給電回路１７０を共振させ、所定の周波数の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１７０にて所定の周波数に整合させた後、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第２７実施例、図５３及び図５４参照）
第２７実施例である無線ＩＣデバイス１ｚは、給電回路１８０を逆Ｌアンテナ構成で形成した分布定数型共振回路によって形成したものであり、図５３に示す等価回路を有している。詳しくは、図５４に示すように、セラミックの多層基板からなる給電回路基板１４０は、第１面１４０ａに設けたハイ側電極１８１と内蔵されたキャパシタ電極１８２と第２面１４０ｂに設けたロー側電極１８３とを備えている。ハイ側電極１８１は放射板２０と磁界結合及び容量結合により電気的に接続されている。キャパシタ電極１８２はハイ側電極１８１と対向して容量を形成し、給電ピン１８４にて無線ＩＣチップ５のハイ側端子に接続されている。ロー側電極１８３は無線ＩＣチップ５のロー側端子に接続され、かつ、短絡ピン１８５を介してハイ側電極１８１に接続されている。
この無線ＩＣデバイス１ｚは、図示しないリーダライタから放射される高周波信号を放射板２０で受信し、放射板２０と磁界結合及び容量結合している給電回路１８０を共振させ、所定の周波数の受信信号のみを無線ＩＣチップ５に供給する。一方、この受信信号から所定のエネルギーを取り出し、このエネルギーを駆動源として無線ＩＣチップ５にメモリされている情報を、給電回路１８０にて所定の周波数に整合させた後、放射板２０からリーダライタに送信、転送する。
（第２８実施例、図５５参照）
第２８実施例である無線ＩＣデバイス２ａは、図５５に示すように、無線ＩＣチップ５と給電回路基板１０とをリジッドな配線基板８上に搭載、並置し、給電回路基板１０を接着剤１８にて放射板２０に貼着したものである。給電回路基板１０は、例えば、図２に示した給電回路１６を内蔵したもので、無線ＩＣチップ５とは配線基板８上に設けた複数の導体９によって電気的に接続されている。
この無線ＩＣデバイス２ａにおいても、給電回路１６が放射板２０と主として磁気的に結合し、前記第１実施例と同様の作用を奏し、リーダライタと交信する。なお、本第２８実施例において、給電回路基板１０としては第１実施例に示したもの以外に、前記各実施例に示したものを使用することができる。この点は以下に説明する第２９実施例でも同様である。
（第２９実施例、図５６参照）
第２９実施例である無線ＩＣデバイス２ｂは、図５６に示すように、前記第２８実施例に対して配線基板８にいま一つの放射板２０を貼着し、一対の放射板２０，２０にて無線ＩＣチップ５、給電回路基板１０及び配線基板８を挟み込んだものである。その作用は第２８実施例と同様であり、特に、給電回路１６と放射板２０，２０との磁気結合効率が向上する。
（第３０実施例、図５７参照）
第３０実施例である無線ＩＣデバイス２ｃは、図５７に示すように、樹脂フィルム２１の表面に二重の閉ループ形状とした放射板２２を左右対称形状に設け、該放射板２２の内側ループの中央部に、無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１０を配置したものである。
本第３０実施例において、給電回路基板１０は放射板２２に貼着されることなく、放射板２２に近接配置されている。そして、放射板２２はループ形状とされているため、放射板２２の直線的な長さが短くなる。この構成においても、給電回路基板１０と放射板２２とが電磁誘導結合され、前記各実施例と同様に信号の受け渡しが行われ、リーダライタとの交信が可能である。また、給電回路基板１０は放射板２２のほぼ中心部に配置すればよく、それほどの位置精度を要求されない。
（第３１実施例、図５８参照）
第３１実施例である無線ＩＣデバイス２ｄは、図５８に示すように、樹脂フィルム２１の表面にミアンダ形状とループ形状とうず巻き形状を組み合わせた放射板２３を左右対称形状に設け、該放射板２３の内側ループの中心部に、無線ＩＣチップ５を搭載した給電回路基板１０を配置したものである。
本第３１実施例においても、給電回路基板１０は放射板２３に貼着されることなく、放射板２３に近接配置されている。そして、放射板２３はミアンダ形状とループ形状とうず巻き形状を組み合わせているため、放射板２３の直線的な長さが短くなる。この構成においても、給電回路基板１０と放射板２３とが電磁誘導結合され、前記各実施例と同様に信号の受け渡しが行われ、リーダライタとの交信が可能である。また、前記第３０実施例と同様に、給電回路基板１０の配置にそれほどの位置精度を要求されない。
（他の実施例）
なお、本発明に係る無線ＩＣデバイスは前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、給電回路基板の内部構成の細部、放射板やフィルムの細部形状は任意である。また、無線ＩＣチップを給電回路基板上に接続するのに、半田バンプ以外の処理を用いてもよい。さらに、給電回路基板は必ずしもリジッドである必要はなく、有機樹脂材料（例えば、ポリイミドや液晶ポリマー）にてフレキシブルな基板として構成してもよい。
以上のように、本発明は、無線ＩＣデバイスに有用であり、安定した周波数特性を有し、かつ、信号エネルギーの伝達効率が向上する点で優れている。
１ａ〜１ｚ，２ａ〜２ｄ…無線ＩＣデバイス
５…無線ＩＣチップ
６…半田バンプ
８…配線基板
１０，５０，１１０，１４０…給電回路基板
１６，５６，１５０，１６０，１７０，１８０…給電回路
２０，２２，２３…放射板
２１…フィルム
Ｌ、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ５…インダクタンス素子
Ｃ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ１ａ，Ｃ１ｂ，Ｃ２ａ，Ｃ２ｂ…キャパシタンス素子

Claims (7)

  1. 無線ＩＣチップと、
    前記無線ＩＣチップと接続され、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路と、
    前記給電回路が貼着又は近接配置されており、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信信号を受けて前記給電回路に供給する放射板と、
    を備え、
    前記給電回路はインダクタンス素子を含み、該インダクタンス素子は前記放射板の一部に設けられている開口部と対向する位置に配置されており、
    前記給電回路と前記放射板とが前記開口部を抜ける磁束を介して結合していること、
    を特徴とする無線ＩＣデバイス。
  2. 無線ＩＣチップと、
    前記無線ＩＣチップを搭載し、所定の共振周波数を有する共振回路を含む給電回路と、
    前記給電回路が貼着又は近接配置されており、前記給電回路から供給された送信信号を放射する、及び／又は、受信信号を受けて前記給電回路に供給する放射板と、
    を備え、
    前記給電回路はインダクタンス素子を含み、該インダクタンス素子は前記放射板の一部に設けられている開口部と対向する位置に配置されており、
    前記給電回路と前記放射板とが前記開口部を抜ける磁束を介して結合していること、
    を特徴とする無線ＩＣデバイス。
  3. 前記給電回路は誘電体又は磁性体からなる給電回路基板に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の無線ＩＣデバイス。
  4. 前記送信信号及び／又は受信信号の周波数は、前記共振回路の共振周波数に実質的に相当することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
  5. 前記インダクタンス素子の両端は前記無線ＩＣチップに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
  6. 前記給電回路と前記放射板とは磁気結合していることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
  7. 前記給電回路と前記放射板とは容量結合していることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の無線ＩＣデバイス。
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